Condutividade / Resistividade

dos Sólidos
Prof. Máximo
Elétrons em um condutor (Metal)

 Elétrons de valência movem-

se randomicamente pelo
condutor na ausência de
campo elétrico.
• Colidem freqüentemente c/íons,
imperfeições, impurezas da rede
cristalina e com as paredes do
condutor, analogamente a um
gás molecular clássico.
 Livre percurso médio: 
 Aplicar campo elétrico: E
 Movimento randômico é

alterado:
   v
v f  vi  v 
E
Velocidade de deslocamento

 Força elétrica: FE = e.E  Tempo de livre percurso

 Tendência de deslocamento dos médio (): 
elétrons no sentido oposto ao 
campo está representado pela v
variação de velocidade v.
 Velocidade de deslocamento:  Calculando vd:
 vd = v  (eq. 1)
e
 Essa tendência é quebrada a vd  E  m massa do elétron
cada colisão, quando a direção m
da velocidade instantânea (v)  Para o cobre (puro)
muda de forma totalmente
aleatória, pois v >>v
  = 210-14 s (temp. ambiente)
 Sendo que v ocorre no
 e/m = 1,761011 coul/Kg
intervalo de tempo entre duas  Observe que para um campo E
colisões sucessivas. de 1 V/m, vd não passará de
poucos mm/s.
Condutividade nos metais

 Pela lei de Ohm: E = .j dx

 onde  é a resistividade e;
 j a densidade de corrente A
através da seção reta (A) do vd
condutor.

1 dq dx E
j .  ne e  ne evd
A dt dt
1 ne e 2
 (eq. 2)
  
 Sendo ne a densidade
volumétrica de elétrons (de
 m
valência) do condutor.
 Substituindo a (eq.1) (eq.2) Onde já vimos que, neste caso,
ne é independente da
 e levando o resultado à Lei de
Ohm, temos finalmente: temperatura.
A dependência com temperatura
 De acordo com o resultado
anterior, podemos escrever:
 T   ne e e (T )
 Onde define-se a mobilidade do
elétron como sendo:
e(T)=(e/m).(T)
 O único termo que controla a
dependência com a temperatura
nos condutores (metais) é (T) o
tempo de livre percurso médio.
Influência sobre (T)
 A baixas temperaturas
(T0K) os íons e impurezas
da rede estão rigidamente
presos em suas posições.
 Conforme a temperatura
aumenta os íons vibram em
torno de suas posições de
equilíbrio com amplitudes
maiores, pelo aumento da
energia térmica. Isto
aumenta seu volume
aparente e  diminui.
T  então   consequentemente  
Condutor x Semicondutor
Resultados Experimentais

120,0 2,00
Resistência da Pt Resistência do Ge
1,90
100,0

1,80

80,0
1,70
RPt (ohm)

RGe(ohm)
60,0 1,60

1,50
40,0

1,40

20,0
1,30
Rpt (ohm)
Rge (ohm)
0,0 1,20
0 50 100 150 200 250 300 50 100 150 200 250 300
Temperatura (K) Temperatura (K)
Modelo do elétron livre
 Como descrever o
comportamento dos elétrons
no sólido?
 Função de onda -  (r) de
coordenadas espaciais.
 2  2 ( x)
 . 2
 V ( x) ( x)   ( x)
 Simplificação: sólido 2m x
unidimensional -  (x)
 Para elétrons livres, sem p2
V ( x)  0; 
interação c/outros elétrons 2m
ou íons da rede.

p 2
 ( x)  A.sen(x)  B. cos(x)  
 B
Sólido Unidimensional
 A solução de (x) deve ser V
válida no interior do sólido de
dimensão a, contudo o elétron
não pode estar fora do sólido.
 Situação equivalente a um 0 a x
elétron confinado em um poço
de potencial infinito nos limites 2

do sólido.

 (x)= 0 ; para x<0 e x>a 0

(x)
 Condições de contorno:
 (0)= 0  B= 0
B n=1
 (a)= 0  .a= n (n= 1,2,..) C n=2
-2 D n=3

0 1

 Dentro do sólido: x
A função de onda do elétron possui
 (x)= A.sen(n.x/a) modos estacionários de oscilação.
Relação de Dispersão
 E o momento é quantizado:
Relação de Dispersão
 40

p    n 
a 35

30

 E consequentemente a

E
25

energia: 20

p2  2  2  2 15

   n 2 
2m  a  2m 10

 Observa-se que a densidade -6 -4 -2

0
0 2 4 6
de estados (no de estados por p (h/a)
unidade de energia) aumenta
com a dimensaão do sólido (a).
Ocupação dos níveis de energia

 Sistema – sólido unidinensional  Energia do nível de Fermi:

 elétrons livres – valência
 2  2  2
 estado fundamental – elétrons EF   n0 
ocupam os estados mais baixos  4  2m
(T  0 K)
 Princípio de Pauli – máximo de  EF depende de n0 mas
dois elétrons por estado de independe da dimensão (a).
energia (spin  e )
 Densidade linear de elétrons: n0  Para 3 dimensões:
 NF= n0a/2 é o total de estados 2 2
que permitem acomodar todos EF  3 ne  3
2

os elétrons. Também indica o 2m

nível mais alto ocupado por um
elétron.  Sendo ne a densidade
volumétrica de elétrons.
Ocupação em temperaturas finitas

 Função de distribuiçãoFermi-
Dirac:
1
f   
e  E  E F /  BT  1
 T=0  f(E) é uma função degrau.
 E representa a situação no estado
fundamental.
 Conforme T aumenta, f(E) suaviza
em torno de EF levando elétrons
próximos deste nível a “saltarem”
para estados não ocupados de
A integral 
maior energia, criando
simultaneamente “buracos” nos
0
f ( E )dE
níveis inferiores a EF. É independente de T, já que o
número de elétrons (de
valência) é conservado.
Teoria de Bandas
 Modelo do elétron quase-livre
 2  2 ( x)
 . 2
 V ( x) ( x)   ( x)
2m x
 Mesmo para um sólido
unidimensional uma proposta
analítica para V(x) não é
simples.
 Abordagem qualitativa:
 Os íons da rede apresentam
potenciais atrativos (negativos)
aos elétrons “livres” (valência).
 Num sólido cristalino esses
potenciais estarão se repetindo
periodicamente com parâmetro
de rede a0.
Como (x) é afetada por V(x) periódico

 Para  >> a0  não afeta (x)

 Não há condição de difração.
 Corresponde aos elétrons de mais
baixo momento (e energia):
2
p 

 Conforme   a0  afeta (x)
 Produzindo alterações em E(p)
Esta condição proíbe a existência de
elétrons (“livres”) para valores de momentos
 Casos como: n/2 = a0 dados por:
 Produzem situações atípicas em que
 = 0 sobre cada íon da rede. 
p0  n
 2= 0  localização do elétron. a0
Efeito sobre a Relação de Dispersão

 Ocorrerão descontinuidades na
função E(p) sobre os valores p0.
 E(p) sofre distorções de forma a
produzir um “gap” de energia, ou
seja, estados de energia proibidos
para valores p0.

 Os “gaps” separam as bandas de

estados de energia permitidos.

 A forma da relação de dispersão

próxima aos “gaps” e o tamanho do
gap dependem de V(x).

 Contudo pode-se verificar que:

dE d  p 2 
    v grupo  ve
dp dp  2m)  E como para os valores de p0 a onda é estacionária:

ve = 0  dE/dp = 0
Localização do “gap” de energia

 A localização do gap (p0) não depende

das dimensões do sólido (a).
 Contudo o no de estados em cada
banda depende sim, de a.
 A energia do n-ésimo estado pode ser
calculada pela aproximação do modelo
de elétron livre:
 2  2  2
En   n 2 
 a  2m
 (unidimensional)

 De modo que para o 1º gap: 1p0= ħ/a0

 n= a/ao
 É o no de estados na 1ª banda.
Ou seja, cada banda de energia contém
 Mas também é o no de átomos um nível de energia por átomo do sólido!
dessa rede unidimensional!
Ocupação de estados na banda

 No estado fundamental (T = 0K)

1. Átomos monovalentes:
1ª banda estará semi-cheia e as demais vazias.
Nível de Fermi (EF) no meio da banda.
2. Átomos divalentes:
1ª banda estará completa e as demais vazias.
Nível de Fermi (EF) no topo da banda. Ou no meio do gap?

 O raciocínio também é válido para átomos com valências

fracionárias, como por exemplo 1,7 ou 2,3.
 Ou seja, não se restringe apenas a configurações do tipo: banda
vazia, meia-cheia ou completa.
Condutividade e estrutura de bandas

 Parâmetros importantes:
1. Temperatura
2. Tamanho do gap (Eg)
3. Posição relativa EF x Eg

 Estado fundamental (T=0K)

Valência entre 2 e 4
 1ª banda – banda de valência
 2ª banda – banda de condução

 Situação a - EF acima do gap

 Valência um pouco acima de 2
 Situação b - EF no meio do gap
 Valência igual a 2
Condutor x Isolante

2
 2
E F  3 ne 
2
3
2m
 Situação a – condutor (metal)
 Banda de valência completa
 Banda de condução menos de meia-cheia
 Situação similar ao modelo elétron livre
 ne inclui apenas os da banda condução
  limitado apenas pelo tempo 

 Situação b – isolante
 Banda de valência completa
 Banda de condução vazia
 O gap impede a condução
  tem valor muito pequeno – não conduz
Isolante x Semicondutor

 Situação c – semicondutor
 Banda de valência completa
 Banda de condução vazia
 Eg é bem menor que no isolante
 Para T 0K comporta-se como isolante

 O que muda a T > 0K ?

 Função de distribuição Fermi-Dirac

 A 0K - FD é uma função degrau em
torno de EF.
 Na banda de valência – ocupação 2e.
 Na banda de condução – ocupação 0e.
Semicondutor a Temperaturas finitas

 Conforme T aumenta
 A função FD suaviza em torno de EF
 Probabilidade não nula de elétrons
ocuparem estados acima de EF+½Eg
 Ao mesmo tempo a probabilidade de
ocupação de estados abaixo de EF-
½Eg não é mais de 100%.

 O quanto FD suaviza depende de T.

 O tamanho de gap é crucial na
definição do no de elétrons que
saltam para a banda de condução
por excitação térmica a uma dada T.

 Diamante  Eg= 5,4 eV

 Ge  Eg= 0,67 eV.
Semicondutor x Condutor

 Comparando a condutividade
1. Número de elétrons na banda de
condução: ne << condutor
sc << c
2. ne tem dependência em T
governada pela função de FD.
3. Quando um elétron salta para a
banda de condução deixa um
estado vazio (buraco) no topo da
banda de valência.

 Resultados experimentais
demonstram que a influência da T é
mais acentuada em ne que em 
Semicondutor - dependência (T)

 Dois tipos de portadores estão

presentes:
 elétrons (-) e buracos (+) ; assim:

total= ne.e.e + nh.e.h

• Para semicondutores puros
(intrínsicos)  ne = nh

ne (T )    ( ). f ( , T )d
 Calculando ne(T) na banda de EF  Eg 2

condução:

 Eg 
Onde () é a densidade de ne (T )  2UT 32
exp  
estados por unidade de volume,
 2 k BT 
E f(,T) é a função de distribuição
Fermi-Dirac.
U é uma constante que vem de ().
Semicondutores intrínsicos (puros)

 A condutividade é dada por:

 Eg  1,3
Resistividade Reduzida do Ge
   e   h  2eU ( e   h )T 32
exp   Turma 2008-1
 2 T
B 
1,2

 O fator T3/2 tem contribuição muito

menor que o termo exponencial. 1,1

Ge /0
(em baixas temperaturas)
 Desse modo: 1

1  Eg 
 (T )   A exp  0,9 Rge/Ro
 (T )  2 BT 
0,002 0,004 0,006 0,008 0,010 0,012 0,014
 Um tratamento gráfico desse -1
1/T (K )
comportamento deve mostrar uma
reta para a relação log (T) x 1/T.
Semi condutores dopados

 Semicondutores típicos:  Semicondutores tipo-n

 O elétron extra do doador (As, P) só pode
 Ge e Si têm valência 4 ocupar estados na banda de condução.
 (estado puro: 2 primeiras bandas cheias)  Consequência: ne > nh  subir EF ; ou
 2ª banda: valência  3ª banda: condução
 (EF + Ed) gap menor: (Eg – 2Ed)
 (Tamb) muito baixa!
 Recalculando a concentração de elétrons:
 Dopantes
 As, P (valência 5 - doadores)  E g  2 Ed 
ne  2UT 3 2 exp  
 Ga, B (valência 3 - receptores)  2 BT 
 Quantidades muito pequenas desses  E de buracos:
elementos quando adicionadas aos
semicondutores puros não alteram a sua  E g  2 Ed 
estrutura de bandas. ne  2UT 3 2 exp  
 2 BT 
 Mas produzem grandes variações em .
 10 ppm de As em Si puro  x103 (Tamb)
 Semicondutores tipo-p
 O receptor (Ga, B) captura um elétron do
semicondutor deixando um buraco
(vacância) na banda de valência.
 Consequência: ne < nh  diminuir EF