IF-UFRJ Laboratrio de Fsica Moderna Eletrnica Prof.

Antonio Carlos Santos

FIW362
Curso de Licenciatura em Fsica

Aula 4: Polarizao de Transistores Teoria O Transistor basicamente constitudo de trs camadas de materiais semicondutores, formando as junes NPN ou PNP. Essas junes recebem um encapsulamento adequado, conforme o tipo de aplicao e a ligao de trs terminais para conexes externas.

emissor N P N coletor base

emissor P N P

coletor

base

A corrente de emissor (IE) composta pela soma das correntes de base (IB) e de coletor (IC). Analogamente, observamos que, a tenso entre coletor-emissor (VCE) composta pela soma das tenses base-emissor (VBE) e base coletor (VCB). Portanto, podemos escrever IE = IB + IC VCE = VBE +VBC (NPN)

SIMBOLOGIA NPN coletor PNP coletor

base emissor

base emissor

Sem polarizao, uma juno NPN ou PNP, apresenta duas barreiras de potencial, idnticas quela vista na juno PN de um diodo semicondutor. Para movermos os eltrons e lacunas nos materiais, necessria a colocao de baterias que podero deixar cada juno direta ou reversamente polarizada. Vamos a seguir, analisar todas as possibilidades de polarizao, destacando o caso mais vantajoso : 1o caso as duas junes reversamente polarizadas

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Neste caso, no h circulao de corrente, pois as duas junes esto reversamente polarizadas, deixado o dispositivo em situao de corte. 2o caso as duas junes diretamente polarizadas

Neste caso, circula corrente pelas duas junes, estando o dispositivo em situao de saturao . 3o caso uma juno diretamente polarizada e a outra reversamente polarizada

Neste caso, circula corrente por ambas as junes, apesar da polarizao reversa, pois aqui, ocorre o fenmeno denominada de efeito transistor . Devido a esse fenmeno, utilizaremos este caso para fins de polarizao. Para melhor compreenso, vamos utilizar a figura abaixo, ode temos a polarizao do terceiro caso com a estrutura interna das junes mais detalhadas.

NPN IC RC VCB VCE VBE IE VCC IB RB

PNP IC RC VCE VBE IE VCC

VCB IB RB

VBB

VBB

Define-se polarizao como sendo o estabelecimento das correntes de coletor, de base e da tenso VCE, ou seja, do ponto de trabalho do transistor Para melhor aproveitamento, devemos polarizar a juno base-emissor diretamente e a juno base-coletor reversamente. Para tanto, utilizaremos no 13

circuito duas baterias, VBB e VCC, resistores limitadores de corrente, conforme mostra a figura abaixo.

Considerando a figura acima, vamos escrever as equaes das malhas de entrada e de sada Entrada : Sada : VBB = RB IB + VBE VCE = RCIC + VCE

Para dimensionarmos RB e RC em funo de valores pr-estabelecidos de VBB, VCC, IB, VCE e dos parmetros do transistor, nas equaes de malha isolamos nesse valores :

RB =

V BB V BE IB VCC VCE IC

RC =
onde :

I C = I B e I C = I E

+1

e =

Na pratica, no vivel a utilizao de duas baterias, sendo que para eliminarmos uma delas, formaremos divisores de tenso que equivalem a nvel de polarizao s condies prestabelecidas. O circuito equivalente com a bateria VBB eliminada, visto na figura abaixo.

RB

RC VCC

RE

Uma melhor soluo para o problema da instabilidade principalmente com a temperatura, polarizarmos o transistor, utilizando o circuito visto na figura abaixo, denominado polarizao por divisor de tenso na base.

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IB1 RC IB IB2 RB2 IE RE IC VCC

RB1

O divisor de tenso na base, se dimensionado de maneira conveniente, fixar VRB2 I I B B 2 , pois IB = IB1 IB2 10

Teste de Transistores usando multmetro analgico

Este o melhor tipo de multmetro para testar transistores. Tem dois testes que podemos fazer com este tipo de multmetro. Na escala 1 antes necessrio saber que o transistor NPN o ponteiro mexe com a ponta preta na base e no PNP o ponteiro mexe com a vermelha na base. Coloque a ponta preta fixa num terminal qualquer e a vermelha nos dois restantes. Se o ponteiro mexer nos dois terminais e parar na mesma posio, o transistor est bom, onde est a ponta preta a base e o transistor NPN. Agora se o ponteiro no mexer igual nos dois, fixe a preta em outro terminal e assim ate encontrar a base (terminal que o ponteiro mexe igual com os outros dois). Se no encontra a base com a preta, tente com a vermelha. Se achar a base com a vermelha, o transistor PNP.

Teste de Transistores usando multmetro digital

Use a escala com o smbolo do diodo e da mesma forma que o multmetro analgico procure um terminal que indica aproximadamente o mesmo valor com os dois restantes. Este terminal a base. Se acharmos a base com a ponta vermelha, o transistor NPN e se acharmos com a preta, ele PNP. Note que a indicao o contrario do multmetro analgico. O terminal que indicar maior resistncia com a base o emissor.

Parte prtica
1- Monte os circuitos das figuras abaixo. Mea e anote nos quadros os valores de IB, IC, IE, VBE e VCE

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IB( A)

IC(mA)

IE(mA)

VBE(V)

VCE(V)

150 k

330 12 V

150 k

330 12 V

IB( A)

IC(mA)

IE(mA)

VBE(V)

VCE(V)

100

5,6 k

330 12 V

IB( A)

IC(mA)

IE(mA)

VBE(V)

VCE(V)

1,2 k

100

Questes 1 Calcule o valor de , utilizando os valores de IB e IC, obtidos nas tabelas acima. Calcule o mdio. 2 Dimensione RB, RC e RE para polarizar o transistor do circuito da figura abaixo, conforme os dados fornecidos : = 200, VBE= 0,7 V, VCC = 15 V, VCE= VCC/2, VRE = VCC/10, IC = 30 mA

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RB

RC VCC

RE

3 - Dimensione RB1, RB2, RC e RE para polarizar o transistor da figura abaixo, conforme os dado fornecidos : : = 350, VBE= 0,7 V, VCC = 15 V, VCE= VCC/2, VRE = VCC/10, IC = 5 mA, IB = IB2/2

RB1

RC VCC

RB2

RE

Referencias [1] Laboratrio de Eletricidade e Eletrnica , F. G. Capuano e M. A. M. Marino. Ed. rica [2] Testando Componentes Eletrnicos, L. C. Burgos, Antena Edies Tcnicas Ltda. Datas de entrega do relatrio (no incio da prxima aula)

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