CAPTULO 14 DIODOS ESPECIAIS THYRISTORES (SCR) O Thyristor um comutador quase ideal, retificador e amplificador ao mesmo tempo.

o. Constitui-se um componente de escolha para a eletrnica de potncia. Concebido, originalmente para substituir a vlvula thyratron gs, o thyristor se imps, rapidamente, em diversos domnios, cujos mais importantes so a comutao pura e simples, a variao de velocidade dos motores e a variao da intensidade luminosa. O thyristor permanece normalmente bloqueado, at o momento em que se deseja que ele se torne condutor. O termo thyristor designa uma famlia de elementos semicondutores, cujas caractersticas, originalmente, esto prximas s das antigas vlvulas thyratrons. O nome thyristor uma contrao de THYRatron e transISTOR. Os thyristores, tambm conhecidos por SCR (Silicon Controlled Rectifier) so elementos unidirecionais a trs sadas (anodo, ctodo e gatilho). Os TRIACS, so chamados thyristores triodos bidirecionais. O nome Triac provm da contrao de TRIode AC Switch. Fazem parte ainda da famlia dos thyristores, os fotothyristores ou thyristores fotossensveis, os thyristores bloqueveis, os comutadores unilateral e bilateral SUS e SBS (Silicon Unilateral Switch e Silicon Bilateral Switch, respectivamente) e o diodo Shockley, tambm conhecido por diodo thyristor ou diodo de quatro camadas. Estrutura e smbolo do thyristor O thyristor um semicondutor de silcio a quatro camadas alternadas. Duas conexes principais so realizadas para o anodo e o ctodo. A conduo, no sentido direto (corrente de ctodo para anodo) comandada por um eletrodo, chamado gatilho (em ingls gate). Aps a aplicao de um sinal de comando no gatilho, o thyristor deixa passar por ele uma corrente unidirecional, isto , s num sentido. A exemplo dos diodos comuns, o sentido , repetimos, do ctodo para o anodo.

Figura 14-1 Estrutura e smbolo do thyristor Thyristor sob tenso O thyristor pode ser comparado com dois diodos, montados em oposio, conforme mostrado na figura 14-2. Para simplificao da anlise que se segue, vamos admitir que o ctodo est ligado massa e o gatilho est desligado, isto , no ar.

Figura 14-2 Comparao do thyristor com diodos As camadas P1N2 formam o diodo em oposio, que assegura a no conduo do dispositivo. Se o anodo est positivo, os diodos P2N2 e P1N1 esto polarizados diretamente, porm, o diodo P1N2 bloqueia a conduo. Se, ao contrrio, o anodo negativo, os diodos P2N2 e P1N1 esto polarizados inversamente. Por causa da tenso de avalanche de P1N1 ser baixa, a

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limitao da corrente inversa de fuga feita por P2N2. Na prtica, a tenso mxima limitada pela tenso de avalanche dos diodos P2N2 e P1N1. Neste caso, s haver conduo se a tenso inversa alcanar a tenso de ruptura dos diodos, o que poder danifica-lo.

Thyristor sob tenso direta O comportamento do thyristor melhor compreendido se fizermos uma analogia com dois transistores PNP e NPN. Veja a figura 14-3.

Figura 14-3 Thyristor sob tenso direta Estes dois transistores so montados de modo que uma realimentao positiva seja realizada. Suponhamos que a regio P2 seja positiva em relao regio N1. As junes J3 e J1 ficam polarizadas diretamente e deixam passar, respectivamente, os portadores positivos e negativos para as regies N2 e P1. Estes, aps se espalharem pelas bases de cada um dos transistores, alcanam a juno J2, onde a carga espacial cria um intenso campo. Se 2 o ganho de corrente, que d a frao da corrente de buracos injetados no emissor e que atinge o coletor do PNP, e se de outra parte 1 o ganho de corrente, que d a frao de corrente de eltrons injetados no emissor e que atinge o coletor do NPN, podemos escrever que: IC2 = IA 2 e IC1 = IA 1

cresce muito quando a corrente aumenta. Portanto, se ICX baixa, o denominador da equao anterior est prximo de 1 (para as pequenas correntes), e a corrente IA permanece um pouco superior corrente de fuga. A estrutura PNPN, ainda que polarizada diretamente, est bloqueada, e oferece uma grande impedncia passagem da corrente. Quando, por qualquer razo, ICX aumenta, a corrente e os ganhos aumentam tambm. A soma 1 + 2 tende para 1 e a corrente IA tende para o infinito. Em realidade, ela toma um valor bem elevado, que limitado somente pelo circuito exterior. O thyristor est ento no estado de conduo, dizendo-se ento que ele est desbloqueado. Observao: Este tipo de disparo do thyristor desaconselhado na maioria dos casos.
Princpio de disparo pelo gatilho

A corrente total de anodo , evidentemente, a soma de IC1 e IC2, as quais se somam corrente de fuga residual (ICX), atravs da juno central. A IA ser ento: IA = 1 IA + 2 IA + ICX IA = que nos d:

Icx 1 (1 + 2 )

Para a maioria dos transistores de silcio, o ganho baixo para as baixas correntes e

O disparo do thyristor pelo gatilho o mais comumente utilizado. A explicao ser mais clara, se observarmos a figura 14-4. O thyristor estando polarizado diretamente, uma impulso positiva (IG) de comando ser injetada no gatilho. O transistor Q1, recebendo a IG, como corrente de base, tem sua corrente de coletor igual a I 1, onde 1 o seu ganho de corrente (montagem emissor
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comum). Esta corrente , por sua vez, injetada na base do transistor Q2, que produz uma IC2 igual a IG 1 2, onde 2 o ganho de corrente de Q2. Esta corrente ento reaplicada base de Q1. Duas situaes podem ocorrer:

Figura 14-4 Disparo pelo gatilho Se o produto 1 2 for menor que 1, o dispositivo no ser disparado. Se o produto 1 2 tender unidade (1), o processo de amplificao ir se manifestar e o thyristor ir conduzir.. Desde que o disparo do thyristor ocorreu, a realimentao dos transistores os faz conduzir saturao. Eles se mantm neste estado, mesmo que a impulso inicial do gatilho desaparea e que o circuito exterior mantenha a corrente IA.
Como um thyristor pode ser disparado

provocar um crescimento abrupto da IE. Este modo de disparo principalmente empregado com diodos de quatro camadas (diodos-thyristores). 2AUMENTO DA TENSO Sabemos que toda juno PN apresenta uma certa capacitncia de juno. Se aplicarmos uma tenso brusca entre anodo e ctodo, carrega-se esta capacitncia com uma corrente proporcional variao de tenso e logo que esta tenso seja suficiente, o thyristor dispara. 3TEMPERATURA A corrente inversa de fuga em transistor de silcio, aumenta com o aumento da temperatura. Quando a corrente de fuga for suficiente, teremos o disparo do thyristor. 4EFEITO TRANSISTOR o modo clssico de disparar um thyristor, injetando-se portadores suplementares na base do transistor equivalente, ou seja, no gatilho do thyristor. 5EFEITO FOTOELTRICO Provocando-se a criao de pares eltronlacuna, um foco de luz pode disparar um thyristor. Neste caso utiliza-se um fotothyristor; que consiste em um tipo de thyristor, no qual existe uma janela, ou seja, uma lente transparente aos raios luminosos.
CURVA CARACTERSTICA THYRISTOR DE UM

A curva tpica de um thyristor, elemento unidirecional, mostrada na figura 14-5. Ela representa a corrente IA em funo da tenso anodo-ctodo.

Como j vimos, o thyristor dispe dos seguintes estados: bloqueado, quando polarizado diretamente e no tenha sido disparado; bloqueado, quando polarizado inversamente; condutor, se polarizado diretamente e tenha sido disparado. Quando o thyristor passa do estado bloqueado para o de condutor, porque o transistor de silcio teve um ganho de corrente, o qual fez aumentar a corrente de emissor. Consequentemente, todos os mecanismos capazes de provocar um aumento da corrente IE so utilizados. Os principais so: 1TENSO Quando a tenso ctodo-anodo do thyristor aumenta, chega a um ponto onde a corrente de fuga suficiente para

Figura 14-5 Curva caracterstica de um thyristor

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VD = Tenso direta em bloqueio VDRM = Valor mximo de tenso direta (em bloqueio) VDSM = Mxima tenso direta no repetitiva (em bloqueio) VT = Tenso sobre o thyristor desbloqueado (em conduo) IH = Corrente mnima de conduo VRWM = Tenso mxima inversa Quando a tenso V nula, a IA tambm ser nula. A tenso V, ao crescer no sentido direto, ser denominada VF (F de forward, em ingls). necessrio atingir um valor mnimo (VD), para disparar o thyristor. Nesse momento, o thyristor torna-se condutor e a queda de tenso entre seus bornes diminui, enquanto que a corrente IA aumenta. Esta corrente direta ser denominada IF. Se polarizarmos inversamente o thyristor, com a aplicao de uma tenso VR (R de reverse, em ingls), observa-se o aparecimento de uma pequena corrente de fuga (IR), at que uma tenso mxima inversa que se for aplicada ao thyristor o destruir. O thyristor , portanto, condutor somente no primeiro quadrante. Note-se que o disparo direto foi provocado pelo aumento da tenso direta. Se aplicarmos uma corrente de comando no gatilho, deslocaremos o ponto VD para a esquerda. Ver a figura 14-5.
Disparo do thyristor (SCR)

uma diferena de potencial entre anodo e ctodo. A figura 14-6 mostra uma caracterstica tpica do - diodo gatilho ctodo, obtida com a aplicao de uma tenso positiva ao primeiro eltrodo. A curva se aplica para as condies ligado e desligado do SCR, j que a alterao de impedncia entre ambas pequena. A caracterstica de impedncia varia com a temperatura, para diferentes SCR do mesmo tipo, mas, sempre dentro dos limites apresentados nas publicaes. Na figura 14-6, podemos ver a caracterstica desse diodo em diferentes temperaturas.

Figura 14-6 Variaes da caracterstica de impedncia em temperaturas diferentes Consideremos um SCR com a caracterstica de impedncia conforme a figura 14-6. Se uma tenso positiva for aplicada entre o anodo e o ctodo, e a tenso do disparados for aumentada, a corrente deste eltrodo aumentar segundo a curva da figura 14-6. Em certo ponto da curva haver o disparo e este ponto bastante independente da tenso do anodo, isto , quando a IGF atingir o valor de disparo, o SCR disparar, qualquer que seja a tenso positiva do anodo. Evidentemente h um valor de potencial mnimo de no disparo. Os valores de corrente e tenso do gatilho, em que h o disparo, variaro de um a outro SCR do mesmo tipo; isto se deve variao da impedncia do gatilho, entre os limites mostrados na figura 14-7 e diferena de sensibilidade entre os SCRs.

O processo de disparo pode ser considerado separadamente do mecanismo de conduo do anodo. O desempenho do circuito de controle depender, porm, sob certo aspecto, do circuito do anodo. Um SCR nunca disparar, se o circuito do anodo limitar a sua corrente a um valor menor que IH (corrente de manuteno). Com correntes de anodo inferiores a IH, um SCR comportar-se- como um transistor; quando a corrente de disparo for interrompida, a corrente de anodo cessar. Entre os terminais de disparo e de ctodo, h uma juno PN. Esta juno comporta-se como um diodo e suas caractersticas so pouco afetadas pela presena das outras duas camadas, mesmo quando existe

14-4

Figura 14-7 Limites da variao da impedncia do gatilho Fora da rea hachurada da figura 14-7 e dentro dos limites de RG, quaisquer valores de corrente e de tenso dispararo qualquer SCR desse tipo particular. Tenses e correntes que se localizem no interior da rea hachurada dispararo alguns, mas no todos os diodos da srie. Os limites da rea de disparo eventual so definidos, com referncia s caractersticas mostradas na figura 14-7, na sequncia a seguir. 1LIMITES DE TENSO A tenso limite a requerida para disparar o SCR, que menos sensvel tenso, na mais baixa temperatura de operao. Em temperaturas mais altas, a variao da tenso requerida no muito grande e possvel simplificar o diagrama, considerando a tenso constante e igual requerida na mais baixa temperatura de operao. 2LIMITES DE CORRENTE A corrente limite a requerida para disparar o SCR menos sensvel corrente, na mais baixa temperatura de operao. Nas mais altas temperaturas requerida menor corrente e os limites para 40, +25 e +100 graus centgrados so mostrados na figura 14-7. 3LIMITES DE BAIXO NVEL Estes limites indicam nveis de tenso, abaixo dos quais nenhum SCR disparar, nas tempera14-5 turas indicadas. As caractersticas discutidas at agora determinam o limite inferior do nvel de disparo, sob todas as condies. O limite superior determinado por uma combinao da potncia mdia de disparo (pico de disparo), e das mximas correntes e tenses diretas do gatilho. 4MTODOS DE DISPARO DO SCR Um circuito de disparo, quando bem projetado, deve disparar o SCR sem exceder a qualquer dos valores mximos de tenso e corrente do componente. a) Disparo por corrente contnua Quando o valor da tenso entre o gatilho e o ctodo, isto , VG atingir o valor de disparo, o SCR conduzir. Se a tenso VG for reduzida a zero, o SCR continuar a conduzir, por causa da baixa impedncia de sua estrutura interna.

Neste caso pode-se obter um melhor controle da energia consumida na carga. O circuito bsico de controle de energia com SCR visto na figura 14-9.

Figura 14-8 Disparo por corrente contnua O SCR ser bloqueado se a tenso positiva de anodo for reduzida at que a corrente de anodo seja menor que IH. No circuito da figura 14-8 B, a carga a ser alimentada foi colocada no circuito do ctodo (a carga est representada por um resistor). Neste caso, quando o SCR dispara, a tenso no ctodo se torna mais positiva que a tenso no gatilho. O diodo D1 , ento, colocado no circuito de porta (ou gatilho) para evitar a sua ruptura. Se a tenso que alimenta o anodo for de corrente alternada, o SCR conduzir durante as alternncias positivas e bloquear, sempre que a tenso de anodo cair abaixo da tenso de manuteno. b) Disparo por corrente alternada Se o anodo de um SCR for alimentado com tenso alternada, o disparo poder ser efetuado tambm com tenso de CA. Figura 14-9 Disparo por corrente alternada Podemos observar que a tenso do gatilho (VG) pode sofrer um deslocamento de fase, com relao fase da tenso no anodo. Este deslocamento de fase efetuado pela rede R1 C1. Devido a este deslocamento de fase, a corrente atravs do SCR pode circular durante um tempo menor do que 180 do ciclo da tenso aplicada. Atravs do grfico da figura 14-10 podemos ver o trabalho do SCR. Vemos em EA a alternncia positiva da tenso aplicada no circuito. EG a tenso entre gatilho e ctodo e conforme o valor de R1 poder estar atrasada de EA, num ngulo de 0 a 90. Podemos ver, ainda, como pode ser variado o tempo de conduo do SCR, pelo deslocamento da fase de EG. O controle da fase entre EG e EA, no circuito da figura 14-9, efetuado atravs do potencimetro R1.

Figura 14-10 Trabalho do SCR

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O TRIAC

O triac um dispositivo semicondutor a trs eletrodos, sendo um de comando (o gatilho) e dois de conduo principal. Este dispositivo pode passar de um estado bloqueado a um regime de conduo nos dois sentidos de polarizao e voltar ao estado bloqueado, por inverso da tenso ou pela diminuio da corrente, abaixo do valor da corrente de manuteno (IH).

Figura 14-12 Estrutura de um triac As junes N1P1 e N2P2 constituem um Thyristor, e as junes N3P2 e N2P1 constituem o outro. As junes N4P1 e N2P2,, formam o thyristor de disparo.
O disparo do triac

Se ns aplicarmos a tenso V1 ao anodo A1, V2 ao anodo A2 e a tenso VG ao gatilho, e se tomarmos V1 como referncia de massa (V1 = 0), podemos definir quatro quadrantes de polarizao. Veja na figura 14-13.
QUADRANTE V2 VG

I II III IV

+ + -

+ +

Figura 14-13 Quadrantes de polarizao Figura 14-11 Curvas e smbolo do triac O triac , portanto uma verso bidirecional do thyristor. Em sua representao eltrica, podemos compara-lo com associao anti-paralela de dois thyristores.
Estrutura do triac Disparo no primeiro quadrante (+ +)

Para se realizar um triac, recorre-se a diversas estruturas de camadas espalhadas, como na figura 14-12.

O triac dispara como um thyristor normal. A zona P1 o gatilho e a juno N1P1 injeta os portadores, disparando o thyristor entre P2 e N1 (Ver na figura 14-14) A corrente de disparo IG mnima, funo da repartio das lacunas entre N1 e P1, ou seja, do valor da resistncia R shunt entre o gatilho e A1. Neste quadrante, o thyristor se comporta como um thyristor N1P1N2P2.

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A juno de gatilho efetiva deste thyristor o diodo N3P2 e para que ocorra o disparo , portanto necessrio, que N3P2 injete seus portadores. Uma melhor compreenso ser possvel, atravs da figura 14-15. O transistor Q1 formado das camadas N4P1N2 e T2 das camadas P2N2P1. O resistor R a impedncia entre N3 e P2. Para que o thyristor Th2 dispare, necessrio que a corrente de emissor de Q2 atravessando R polarize suficientemente a juno gate-ctodo de Th2. Temos, portanto: IB2 = 1 IG Figura 14-14 Esquema de um triac
Disparo do segundo quadrante (+ -)

IE2 = 2 IB2 = 1 1 IG onde: IE2 a corrente de gatilho real de Th2; IG a corrente injetada no gatilho do triac. Nota-se que o transistor Q1 tem suas junes emissor-base e coletor-base polarizadas diretamente, estando portanto saturado e 1 um alfa forado. Portanto, de um modo geral, 1 2 no muito diferente da unidade, se bem que os triacs tm neste quadrante, sensibilidades prximas s dos quadrantes precedentes. Em concluso: Th2 disparado por uma corrente IE2, criada atravs dos transistores Q1 e Q2 por IG.
Disparo no quarto quadrante (- +)

A corrente de disparo circula de P1 para N4 e dispara o thyristor N4P1N2P2 (figura 1414). Devido geometria, a corrente principal de N4P1N2P2 polariza as bases P1N2 e o thyristor N1P1N2P2 conduz. Este ltimo tendo uma impedncia mais baixa abre N4P1N2P2 (por IH), salvo se a corrente de gatilho for mantida. Assim, a corrente principal, flui como para o primeiro quadrante, entre P2 e N1.
Disparo do terceiro quadrante (- -)

Neste caso, a situao um pouco mais complexa.Usemos como referncia o esquema da figura 14-14. O potencial de P1 superior ao de N1. A juno P1N4 est, portanto polarizada diretamente e injeta seus portadores. O thyristor que iremos disparar composto das camadas N3P2N2P1 (ctodo em N3 e anodo em P1).

O processo de disparo idntico ao do terceiro quadrante, sendo que a camada N1 faz o que no terceiro quadrante foi feito pela camada N4. Entretanto, a zona de N3P2N2P1 susceptvel de disparar fisicamente grande e, portanto, a sensibilidade ser reduzida.
DIAC

Figura 14-15 Disparo do terceiro quadrante

O Diac um elemento simtrico, que consequentemente no possui polaridade. Sua etmologia a contrao de Diode Alternative Current. Sua estrutura muito simples, sendo bastante similar a de um transistor bipolar. A diferena que a concentrao de impurezas aproximadamente a mesma em ambas as 14-8

junes e que no existe nenhum contato na camada que no transistor constitui a base. As concentraes iguais de impurezas resultam em caractersticas de bloqueioconduo, segundo a figura 14-16.

negativa, ou seja, a corrente aumenta consideravelmente enquanto a tenso diminui. Os Diacs so muito usados em dispositivos de disparo para controle de fase de Triacs (em controles graduais de luminosidade), controle de velocidade de motores universais, controle de calefao, e diversas outras aplicaes similares.
FOTOTHYRISTORES

Figura 14-16 Curvas caractersticas e smbolo do Diac A tenso de retorno geralmente prxima de 30 volts. Tenses mais baixas so difceis de se obter, com uma resistncia negativa suficiente, enquanto que valores mais elevados reduziriam as possibilidades de controle. Quando se aplica uma tenso positiva ou negativa sobre os terminais de um Diac, se produz um fluxo muito pequeno de corrente de fuga I(BO), at que a tenso chega no ponto de ruptura V(BO). Neste momento, a juno polarizada inversamente sofre uma ruptura por avalanche e acima deste ponto, a caracterstica tenso x corrente equivale a uma resistncia

Para disparar um thyristor, injeta-se uma corrente na base de um dos transistores que o constitui, o que leva saturao. Pode-se ainda dispar-lo, criando-se atravs da luz, uma corrente em sua base. Para isto, criamos pares de eltrons-lacunas que sero separados por um campo eltrico ao nvel da juno, e que so injetados na base do transistor considerado, sob a forma de portadores majoritrios, criando assim a corrente de base. Quanto maior for o nmero de eltronslacunas criados, maior ser esta corrente. Isto conseguido escolhendo-se um comprimento de onda timo, prximo de 1 m, e tendo-se uma superfcie de juno, a maior possvel com polarizao inversa e exposta aos raios luminosos. O fotothyristor o nico elemento capaz de comutar sob a influncia da luz, que possui dois estados estveis, Na figura 14-17, vemos a estrutura, o smbolo e o aspecto de um fotothyristor.

Figura 14-17 Estrutura, smbolo e aspecto de um fotothyristor

14-9

THYRISTOR BLOQUEVEL

O thyristor bloquevel pode ser disparado quando lhe aplicamos uma tenso positiva ao seu eltrodo de comando e ser rebloqueado se aplicarmos uma impulso negativa a este mesmo eltrodo.
QUADRAC

A partir dos thyristores, triacs e diodos, os fabricantes idealizaram dispositivos compostos, visando simplificar os esquemas de aplicaes e o uso prtico dos elementos. Normalmente utiliza-se um diac para disparar um triac. Pode-se muito bem conceber um elemento composto, compreendendo estes dois componentes. Este o quadrac, cujo esquema apresentado na figura 14-18.

Figura 14-19 Estrutura, curva e smbolo de um diodo Shockley Quando a tenso VS atingida, chegamos na segunda zona, na qual o diodo apresenta uma regio negativa. Este um estado instvel. A resistncia do diodo vai decrescendo rapidamente e a partir do ponto IH ela no tem mais do que alguns ohms. O diodo est plenamente condutor e assim permanece enquanto existir a corrente de manuteno, cujo valor mnimo IH. Esta a terceira zona cujo funcionamento estvel. A queda de tenso introduzida pelo dispositivo da ordem de 1V para os diodos de germnio e 1,3V a 1,7V para os de silcio. O rebloqueio efetua-se reduzindo-se a corrente, abaixo do valor de IH ou a tenso, abaixo de VH . As tenses VS so da ordem de 20 a 100V, enquanto que IH da ordem de 1 a 50 mA.
DIODO TNEL

Figura 14-18 Esquema de um quadrac

DIODO SHOCKLEY

O diodo Shockley, tambm conhecido como diodo thyristor ou diodo de quatro camadas, um dispositivo bipolar PNPN comparvel em todos os sentidos um thyristor, porm, estando disponveis somente os bornes de anodo e ctodo. Quando aplicarmos em seus bornes (entre ctodo e anodo), uma tenso crescente, mas inferior a um certo nvel VS , sua resistncia ser elevada e somente uma pequena corrente o atravessar. Esta corrente da ordem de alguns microampres. Este o seu primeiro estado estvel, pois o diodo est bloqueado.

Um diodo tnel um pequeno dispositivo formado por uma juno PN, que tem uma elevada concentrao de impurezas nos materiais semicondutores P e N. Esta alta densidade de impurezas faz to estreita a regio de depleo da juno (ou regio de carga espacial), que as cargas eltricas podem se transferir atravs dela, mediante um efeito mecnico-quntico denominado efeito tnel. Este efeito tnel produz uma zona de resistncia negativa, sobre a curva caracterstica do diodo 14-10

de referncia, que o habilita para desempenhar as funes de amplificao, gerao de pulsos e gerao de energia de RF.
Caractersticas

Na figura 14-20 temos a caracterstica tpica de uma curva tenso-corrente de um diodo tnel e seu smbolo.

A linha de carga de CC, mostrada em linha cheia na figura 14-21 deve ter uma inclinao tal, que intercepte a regio de resistncia negativa somente em um ponto. A linha de carga de CA pode ser bem inclinada, com uma s interseo (B) como no caso de um amplificador, ou um pouco inclinada, com trs intersees (C, D, E)como ocorre em um oscilador.

Figura 14-20 Curva caracterstica de um diodo tnel e seu smbolo Os diodos normais, quando polarizados inversamente, so percorridos por uma pequena corrente at que se atinja a tenso de ruptura. Com polarizao direta, a conduo comea aproximadamente com 300 mV. Nos diodos tnel, ao contrrio, uma pequena polarizao inversa faz com que os eltrons de valncia dos tomos do material semicondutor prximo juno, atravessem a mesma por efeito tnel. Assim, o diodo tnel altamente condutor para todas as polarizaes inversas. Do mesmo modo, com pequenas polarizaes diretas, os eltrons da regio N passam por efeito tnel atravs da juno regio do tipo P, e a corrente do diodo cresce rapidamente at um valor de pico (IP). Com valores intermedirios de polarizao o diodo tnel apresenta uma caracterstica de resistncia negativa, e a corrente cai a um valor mnimo, denominado IV (corrente de vale). Com valores crescentes de polarizao, o diodo tnel apresenta uma caracterstica didica. Devido reduo da corrente com o aumento da polarizao na regio de resistncia negativa, o diodo tnel tem a capacidade de amplificar, oscilar e comutar.
Ponto de funcionamento

Figura 14-21 Linhas de carga

DIODOS EMISSORES DE LUZ (LED)

Num diodo com polarizao direta, os eltrons livres atravessam a juno e combinamse com as lacunas. medida que esses eltrons caem de um nvel mais alto de energia para um mais baixo, eles irradiam energia. Nos diodos comuns essa energia dissipada na forma de calor. Mas no diodo emissor de luz (LED), a energia irradiada na forma de luz. Os LEDs substituram as lmpadas de incandescncia em vrias aplicaes devido a sua baixa tenso, vida longa, e rpido chaveamento liga-desliga. Os diodos comuns so feitos de silcio, um material opaco que bloqueia a passagem da luz. Os LEDs so diferentes. Usando-se elementos como o glio, o arsnio e o fsforo, um fabricante pode produzir LEDs que irradiam no vermelho, verde, amarelo, azul, laranja ou infravermelho (invisvel). Os LEDs que produzem radiao visvel so teis em instrumentos, calculadoras etc. Os LEDs infravermelhos encontram aplicao em sistemas de alarme contra roubo e outras reas que exijam radiao invisvel.
Tenso e corrente do LED

Quando se usa um diodo tnel em circuitos tais como amplificadores e osciladores, deve-se estabelecer um ponto de funcionamento na regio de resistncia negativa.

Os LEDs tm uma queda de tenso tpica de 1,5 a 2,5 V para correntes entre 10 e 50 mA. 14-11

A queda de tenso exata depende da corrente, da cor, da tolerncia do LED. A menos que seja feita alguma recomendao em contrrio, use uma queda nominal de 2 V quando estiver verificando defeitos ou analisando circuitos com LEDs. Se tiver que fazer algum projeto, consulte a folha de dados, porque as tenses do LED tm uma grande tolerncia. A figura 14-22(a) mostra o smbolo esquemtico de um LED, as setas para fora simbolizam a luz irradiada. Admitindo uma queda no LED de 2 V, pode-se calcular a corrente do LED, do seguinte modo:

10V 2V = 11,8 m 680 Tipicamente, a corrente do LED est entre 10 e 50 mA porque essa faixa produz luz suficiente para a maioria das aplicaes. O brilho de um LED depende da corrente. Idealmente, a melhor forma de se controlar o brilho vincular o LED a uma fonte de corrente. A melhor coisa para se obter uma fonte de corrente uma grande tenso de alimentao seguida de uma grande resistncia em srie. Neste caso, a corrente do LED dada por: V VLED I = S RS I=

Figura 14-22 (a) Um circuito com LED. (b) Indicador de sete-segmentos. (c) Diagrama esquemtico de 120 . A corrente variar ento cerca de 16,7 a 26,7 mA; isto causar uma variao sensvel no brilho. Portanto, para se obter um brilho aproximadamente constante com LEDs, devemos utilizar tanto uma fonte de tenso como uma resistncia em srie o maior possvel. Figura 14-23 Fotodiodo Quanto maior a tenso da fonte, menor o efeito que VLED produz. Em outras palavras, um alto valor de VS encobre a variao na tenso do LED. Por exemplo, um TIL222 um LED verde com uma queda mnima de 1,8V e uma queda mxima de 3V para uma corrente de aproximadamente 25 mA. Se ligarmos um TIL222 a uma fonte de 20 V e a um resistor de 750 , a corrente variar de 22,7 a 24,3 mA. Isto implica um brilho que essencialmente o mesmo para todos os TIL222. Por outro lado, suponhamos que no circuito se utilize uma fonte de 5V e um resistor
Indicador de sete-segmentos

A figura 14-22(b) mostra um indicador de sete-segmentos que contm sete LEDs retangulares (de A a G). Cada LED chamado de um segmento porque ele faz parte do dgito que est sendo exibido. A figura 14-22(c) o diagrama esquemtico de um indicador de setesegmentos; so includos resistores externos em srie para limitar as correntes a nveis seguros. Aterrando-se um ou mais resistores, podemos formar qualquer dgito de 0 a 9. Por exemplo, aterrando A, B e C, obtemos o 7. Aterrando A, B, C, D e G produzimos um 3. Um indicador de sete-segmentos tambm pode exibir as letras maisculas A, C, E

14-12

e F, mais as letras minsculas b e d. Os instrutores de microprocessadores freqentemente usam uma exibio de setesegmentos para mostrar todos os dgitos de 0 a 9, mais A, b, C, d, E e F.
SUMRIO

1 O thyristor (SCR), um comutador quase ideal. Uma de suas vrias funes controlar a energia consumida em vrios tipos de mquinas. 2 O termo thyristor, designa uma famlia de elementos semicondutores, cujas caractersticas esto prximas s das antigas vlvulas thyratron. 3 O nome thyristor uma contrao de THYRatron e transISTOR. 4 O thyristor bsico denominado SCR (retificador controlado de silcio). 5 Dos vrios tipos de thyristores, os que se destacam atualmente so os SCR, triac, fotothyristor, diac, diodo Shockley, etc. 6 O SCR um diodo semicondutor de silcio, a quatro camadas alternadas PNPN, com trs terminais de sada, que so denominados anodo, ctodo e gatilho. 7 Quando o anodo de um SCR positivo em relao ao ctodo, duas junes internas ficam polarizadas diretamente, e uma juno fica polarizada inversamente. Neste caso, o diodo poder conduzir, desde que o potencial de anodo seja suficiente para romper a juno com polarizao inversa. 8 O SCR poder conduzir facilmente se estiver polarizado diretamente e se um potencial positivo for aplicado ao gatilho. 9 Um SCR poder disparar (conduzir) quando um sinal de comando aplicado ao terminal gatilho, mas o seu bloqueio, s poder ocorrer, diminuindo-se a corrente de anodo a um determinado nvel. 10 A tenso de disparo de um SCR depende da tenso VG, mas o seu bloqueio no depende desta tenso. 11 Um SCR pode controlar a energia dissipada em uma carga, atravs de um sistema que defasa a tenso VG com relao a tenso de anodo.

12 O triac um dispositivo semicondutor de trs terminais, sendo um de comando e dois de conduo principal. 13 Este dispositivo, pode passar de um estado bloqueado a um regime de conduo nos dois sentidos de polarizao. 14 O triac poder conduzir nos dois sentidos, desde que comandado, mas o seu bloqueio s se efetuar pela insero da tenso de anodo ou pela diminuio da corrente, abaixo do valor da corrente de manuteno. 15 O triac pode ser disparado por uma corrente negativa ou positiva no gatilho. 16 O diac um dispositivo semicondutor de dois terminais, que no possui polaridade. A sua conduo bidirecional. 17 A conduo de um diac por ruptura das junes que o constituem. 18 Quando conduz, o diac apresenta uma regio de resistncia negativa. 19 Os diacs so muito usados em sistemas de disparo para controle de fase de triacs em controles de energia. 20 Os fotothyristores, so SCR, cujo disparo efetuado por um foco luminoso. 21 O quadrac um dispositivo semicondutor cuja estrutura constituda de triacs e diacs. 22 O diodo Shockley aparentemente um thyristor SCR com apenas dois terminais. 23 O diodo Shockley, tem trs estados: o primeiro o de no conduo; o segundo o de disparar quando apresentar um estado de resistncia negativa e o terceiro quando a sua conduo normal e igual a um diodo convencional. 24 O bloqueio de um diodo Shockley atravs da reduo de IH. 25 O diodo tnel um pequeno dispositivo formado por uma juno PN, com alta concentrao de impurezas. 26 O diodo tnel, altamente dopado, quando polarizado diretamente, apresenta inicialmente uma regio de resistncia negativa. 27 A regio de resistncia negativa devido a diminuio da corrente com o aumento da tenso direta. 28 Devido a esta caracterstica, o diodo tnel pode ser usado como amplificador ou oscilador.

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