Chopper PWM Igbt

Teoria 15
15.1
Conversor CC/CC Chopper - Modulador PWM (Pulse Width Modulation) - IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Tcnicas de Modulao para Variao de Potncia em Conversores:
Uma vez que as fontes de alimentao so, tipicamente, de valor de tenso constante, sejam elas CA ou CC, caso seja preciso variar ou controlar a potncia aplicada a uma carga, necessrio o emprego de algum tipo de dispositivo que seja capaz de "dosar" a quantidade de energia a ser transferida para a carga. Se a variao ou controle for feito pela manipulao da tenso, o elemento de controle deve ter uma posio em srie entre a fonte de alimentao e a carga, como indicado nas figuras a seguir: Pode-se ter um elemento atuador linear (a), sobre o qual tem-se uma queda de tenso proporcional sua impedncia. Mas a queda de tenso sobre a impedncia do elemento atuador associada corrente que flui por este e que segue suprindo a carga, certamente representa uma significativa perda de energia sobre o elemento atuador. A maneira mais eficiente e simples de manobrar valores elevados de potncia por meio de chaves (b). Como uma chave ideal apresenta apenas dois estados estveis: Conduo (a corrente grande, porm a tenso sobre a chave nula); Bloqueio (a tenso considervel, porm a corrente pela chave nula).
Devido a varivel nula, ento no existe dissipao de potncia sobre ela, garantindo a alta eficincia energtica deste tipo de arranjo. Obviamente este tipo de variao no uma variao contnua, mas sim pulsada (chaveada). No entanto, dada a caracterstica de armazenadores de energia presentes nas aplicaes com cargas como os motores e como na maior parte dos casos prticos, a freqncia de comutao da chave muito maior do que a constante de tempo deste tipo de carga, ento a prpria carga acaba atuando como um filtro, extraindo da tenso instantnea aplicada sobre ela o seu valor mdio.
15.2
Modulao por Pulsos:
Neste curso at o presente momento estudamos uma tcnica de modulao para variao de potncia em conversores que tomando alimentao a partir da rede CA, a transformavam tendo como objetivo uma tenso contnua mdia na sada para alimentar a carga (motor CC). Quando a tenso de alimentao alternada, mais usual o uso de tiristores como interruptores, seja para um ajuste na prpria tenso CA (variador de tenso CA), seja para a converso de uma tenso CA em CC (retificao), utilizando a tcnica de controle de fase, no qual, dado um
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ESCOLA SENAI MARIANO FERRAZ" NAI
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semi-ciclo da rede, a chave (tiristor) acionada em um determinado ngulo (), fazendo com que a carga esteja conectada entrada por um intervalo de tempo menor ou igual a um semi-ciclo. A tcnica de modulao utilizada neste caso foi a Modulao por Posio de Pulso (em ingls: Pulse Position Modulation -PPM). Nessa tcnica a potncia convertida por meio da manuteno constante da durao e da amplitude do pulso, mas deslocando o pulso de sua posio original, segundo a amplitude do sinal modulante (Tenso de controle do CI TCA 785); De agora em diante focalizaremos novas tcnicas de modulao por pulsos, com objetivo de escolher uma de tcnica de modulao adequada para converso de potncia para um conversor que toma energia a partir de uma fonte de corrente contnua, pois essa tcnica contempla aplicaes as quais permitem o controle tanto de um motor CC (conversores CC/CC), quanto o controle de um motor de induo trifsico (Conversores CC/CA usado nos Conversores de Freqncia ou Inversores). A modulao por pulsos iniciou a partir da teoria da amostragem, a qual estabelece que a informao contida em qualquer sinal analgico pode ser recuperada a partir de amostras do sinal tomadas a intervalos regulares de tempo. A modulao por pulsos pode ser analgica ou digital. No caso analgico, os valores das amostras do sinal so transferidos ou para a amplitude, ou para a durao ou para a posio de pulso de formato fixo conhecido. No caso digital, os valores das amostras so convertidos para nmeros binrios que por sua vez so codificados em seqncias de pulsos que representam cada um dos valores binrios. As tcnicas de modulao so importantes no apenas para aplicaes de variao de potncia em conversores, mas tambm para as aplicaes em sistemas de transmisso digital de telecomunicaes.
15.3
Teoria da Amostragem:
Nyquist provou, atravs da teoria da amostragem, que valores de um sinal analgico (o qual continuo no tempo e em nvel, contendo uma infinidade de valores) se tomados (amostrados) a intervalos regulares TA contm a mesma informao do sinal original desde que a taxa de amostragem seja maior que o dobro da largura de faixa do sinal analgico, ou seja, que a freqncia de amostragem (freqncia do sinal da portadora), seja maior que o dobro da maior freqncia contida no sinal a ser amostrado (sinal modulante):
fS > 2 B
onde: B a largura de faixa do sinal analgico; f S freqncia de amostragem f S =
1 TA
A relao acima denominada segundo critrio de Nyquist. Aliasing a distoro que ocorre num sinal amostrado quando a taxa de amostragem no respeita a taxa mnima conforme Nyquist, impedindo a correta recuperao do sinal e denominada Aliasing que nada mais do que a superposio dos espectros de cada raia por falta de espao na banda. obvio que quando maior a freqncia de amostragem, mais fcil ser reproduzir o sinal, mas elevando-se demais a freqncia da portadora, haver desperdcio de banda ocupada, exigindo chaves semicondutoras mais rpidas, sem nenhuma melhoria na qualidade. possvel o uso de filtros passabaixa para retirar componentes indesejveis devido ao chaveamento.
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Teoricamente, um sinal analgico pode ser transmitido atravs da amostragem:

onde as amplitudes de um trem de impulsos correspondem aos valores das Amostras; Natural: onde as amplitudes de um trem de pulsos so moduladas pelo sinal Analgico; Instantnea: onde as amplitudes um trem de pulsos correspondem aos valores das Amostras; Ideal:
As amostras de um sinal analgico podem ser transmitidas em uma portadora pulsada de vrias formas. As quatro formas usuais so: PAM Pulse Amplitude Modulation (Modulao de Amplitude de Pulso); PWM Pulse Width Modulation (Modulao de Largura de Pulso); PPM Pulse Position Modulation (Modulao de Posio de Pulso); PCM Pulse Code Modulation (Modulao Codificada de Pulso). PAM -
As figuras seguintes ilustram o principio da amostragem, com um exemplo de Modulao de amplitude de pulso:
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15.4
Modulador PWM:
Os valores das amostras de um sinal analgico podem ser expressos atravs das duraes de pulsos retangulares, sendo que este processo denominado modulao da durao (largura) de pulsos (PWM - Pulse Width Modulation). As vantagens do PWM incluem: maior imunidade com relao ao rudo e distoro no-linear. Os motores de induo trifsicos controlados e de aplicao industrial so usualmente alimentados com inversores de fonte de tenso modulados por largura de pulso PWM ("pulse width modulation"). Essa estratgia, na sua verso mais simples, permite obter uma corrente na carga aproximadamente senoidal a uma desejada freqncia f1, realizando a comparao entre um sinal senoidal de controle na desejada freqncia f1 (freqncia moduladora) com um sinal de forma de onda triangular de freqncia fp (freqncia portadora). O resultado dessa comparao a gerao de sinais de chaveamento do inversor (pulsos de modulao), que dessa forma controla a seqncia e os tempos de ligado e desligado das chaves do inversor (largura de pulsos), fazendo com que se varie a tenso mdia aplicada ao motor bem como a sua freqncia; os inversores PWM que se utilizam desse mtodo so chamados de senoidal-triangular ou senoidal-rampa. A implementao tradicional deste mtodo de modulao analgica; embora, atualmente existam algoritmos simples e eficientes para a sua implementao digital. O modulador PWM utiliza:

Um gerador de onda dente-de-serra com perodo igual ao intervalo de amostragem Ts; Um circuito comparador, o qual produz a tenso de controle a partir a diferena aritmtica da tenso de referncia e da tenso de realimentao.
O arranjo pode ser implementado na forma de um circuito eletrnico discreto baseado em Amplificador Operacional: Enquanto o valor instantneo da tenso de controle for maior que o valor instantneo da portadora temse um valor positivo constante na sada do circuito cuja durao ser proporcional amplitude da tenso de controle no momento de transio quando o valor instantneo da tenso de controle se passa a ser menor que o valor instantneo da portadora.
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Os pulsos de sada do PWM (sinal modulado) so utilizados para comandar o chaveamento dos IGBTs do circuito Chopper.
15.5
Conversores CC/CC (Choppers):
Os conversores CC/CC so aplicveis onde a fonte de alimentao disponvel em CC, proveniente de um retificador sem controle (com diodos), ou um banco de baterias e a carga necessita de uma tenso CC varivel. A tenso CC fixa convertida em uma tenso CC varivel, atravs das tcnicas de modulao por freqncia ou, mais usualmente, por Modulao de Largura de Pulso (PWM). Os conversores CC/CC so aplicados em acionamentos e controle de mquinas de corrente contnua (trao eltrica): em locomotivas de trens e metrs (onde uma tenso de cerca de 4000V do sistema de distribuio transformada em 300V na alimentao de um motor CC), empilhadeiras, trolebus, automveis eltricos, em mquinas-ferramenta de dois ou mais eixos, fontes chaveadas em geral (fonte do PC), etc. Permitem frenagens regenerativas com economia de energia em sistemas com freqentes partidas e paradas. Simbologia
Tomemos o circuito mostrado na figura a seguir na qual se tem um circuito alimentado por uma fonte CC (E) e do qual se deseja obter na sada uma tenso CC, mas de valor varivel (no caso igual ou menor que a entrada).
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Considerando a chave T como uma chave semicondutora ideal: a chave est ou no estado de bloqueio ou no estado de plena conduo. Considere ento que a chave manobrada em intervalos de tempo regulares, permanecendo aberta por um certo tempo e fechada por outro de tempo. soma destes dois intervalos de tempos chamamos de perodo de chaveamento. A tenso mdia de sada depende da razo entre o intervalo em que a chave permanece fechada (TON) e o perodo de chaveamento (TTOT). Define-se como ciclo de trabalho (largura de pulso ou razo cclica) a relao entre o intervalo de conduo da chave e o perodo de chaveamento. Em Modulao por Largura de Pulso (em ingls. Pulse Width Modulation PWM) opera-se com uma freqncia de chaveamento constante, ou seja, com perodo de chaveamento (TTOT) fixo, variando-se apenas o tempo em que o interruptor permanece em conduo (TON) que pode ser ajustado pelo controle desde zero at o mximo ( TTOT TON 0 ). O dispositivo semicondutor opera a uma freqncia alta, quando
comparada com variaes na tenso de entrada.

O sinal de comando de manobra para a chave obtido, geralmente, pela comparao de um sinal de controle (VC), o qual chamamos de modulante, com uma onda peridica, o qual chamamos de portadora (VP). A figura a seguir ilustra estas formas de onda.
Para que a relao entre o sinal de controle e a tenso mdia de sada seja linear, como desejado, o sinal da portadora deve apresentar uma variao linear (como uma forma de onda "dentede-serra", por exemplo) e, alm disso, a sua freqncia deve ser alm de fixa, bem maior (nos casos prtico um bom critrio dez vezes maior) do que a freqncia de variao da modulante, de modo que seja relativamente fcil filtrar o valor mdio do sinal modulado, recuperando, sobre a carga, uma tenso contnua proporcional tenso do sinal de controle.
15.6
Projetos Clssicos de Inversores:
Inversores normalmente alimentam cargas RL (que so uma combinao de resistncia e indutncia como, por exemplo, motores Eltricos, transformadores, etc.) Esta combinao de indutncia e resistncia d origem a uma corrente de carga que tem uma forma de onda triangular. A maioria dos inversores produzem de algum tipo de tenso de sada de forma de onda retangular que
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aplicada carga. A indutncia da carga "integra" a tenso aplicada e as variaes de corrente ocorrem durante todo o tempo das pores altas e das pores baixas da forma de onda da tenso de sada. Veja diagrama ao lado. A teoria da eletrnica de potncia clssica baseada nesta idia de aplicar uma forma de onda retangular a uma carga indutiva que resulta em uma corrente triangular que flui do inversor pela carga. Note que a corrente de carga est a seu mximo quando a tenso muda polaridade de valor alto para valor baixo, assim os componentes ativos no inversor tm que comutar sob uma potncia significativa. A taxa de variao da corrente (inclinao da rampa) depende da constante de tempo L/R da carga em contraponto ao perodo de chaveamento. Com cargas altamente indutivas a corrente tende a uma reta horizontal.
15.7
Tipos Bsicos de Conversores CC/CC Chopper:

Conversor abaixador ou conversor buck (step-down); Conversor elevador ou conversor boost (step-up); Conversor abaixador-elevador ou conversor buck-boost Conversor CC operando em quatro quadrantes (H-Bridge) Conversor Ck.
15.8
Caracterstica E/S dos Conversores Choppers:
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15.8.1 Conversor CC/CC de operao abaixadora Buck:
Esta operao transfere energia de uma fonte de maior tenso para outra de menor tenso e apresenta caracterstica de fonte de tenso na entrada e fonte de corrente na sada. A corrente da carga L praticamente contnua se a constante de tempo da carga for maior que o perodo de R chaveamento (t 1 + t 2 ) . Quanto maior a freqncia de chaveamento e a indutncia na sada, menor a ondulao da corrente da carga. A tenso de sada conserva a polaridade da tenso de entrada. Modo 1 Chave fechada; Modo 2 Chave aberta.
15.8.2 Conversor CC-CC de operao elevadora Boost:
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OBS: Modo 1 Chave fechada;
Modo 2 Chave aberta.
O conversor Boost pode elevar uma tenso sem auxlio de um transformador; Apresenta conduo contnua na corrente da fonte; Altos picos de corrente na chave durante t1; A tenso de sada apresenta difcil regulao para k>0,5; A polaridade da tenso de sada a mesma da tenso de entrada; robusto contra curto-circuito na chave ou na carga.; Transfere energia de uma fonte de menor tenso para outra de maior tenso; Apresenta caracterstica de fonte de corrente na entrada e fonte de tenso na sada.
15.7.3 Conversor CC-CC Abaixador / Elevador or Buck/Boost:
A tenso de sada pode, teoricamente variar entre (0 e ), dependendo do valor de k; A polaridade da tenso de sada invertida em relao da entrada; Em caso de falha na chave a corrente de curto limitada pela indutncia; A corrente de entrada descontnua, logo, altos picos de corrente circulam pela chave; A tenso de sada ser buck ou boost dependendo do ciclo de trabalho. O conversor ser abaixador para k<0,5 e ser elevador para k>0,5. Apresenta caracterstica de fonte de tenso na entrada e na sada.
15.9 Classificao dos Conversores CC Choppers:
A classificao do circuito Chopper determinada em funo do quadrante em que o mesmo pode operar. Dependendo dos Sentidos dos Fluxos da Corrente e da Tenso, o Chopper pode ser classificado em cinco tipos; 1. Chopper CLASSE A:
Operao somente no 1 quadrante; Tenso e Corrente sempre positivos; Fluxo de Potncia da Fonte para a Carga.
Em Mquinas CC esta uma operao de Acelerao com sentido de Rotao Definido. 2. Chopper CLASSE B:
Operao somente no 2 quadrante;

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Tenso sempre Positiva, mas Corrente sempre Negativa; Fluxo de Potncia da Carga para a Fonte;
Em Mquinas CC esta uma operao de Frenagem. 3. Chopper CLASSE C:
Operao somente no 1 e 2 Quadrante; Tenso sempre Positiva, mas Corrente podendo ser Positiva ou Negativa; Fluxo de Potncia Bidirecional.
Em Mquinas CC esta uma operao de que combina Acelerao e Frenagem com sentido de rotao definido. 4. Chopper CLASSE D:
Operao em 1 e 4 Quadrante; Corrente sempre Positiva, mas Tenso podendo ser Positiva ou Negativa; Fluxo de Potncia da Bidirecional.
5.
Chopper CLASSE E:
Operao em nos 4 Quadrantes; Tenso e Corrente podem ser Positiva ou Negativa; Fluxo de Potncia Bidirecional;
Em Mquinas CC possvel se realizar a inverso do Sentido de Rotao (entre 1 Quadrante e 3 Quadrante e vice-versa e fazer Frenagem nos dois sentidos).
15.10 Conversores CC/CC de Dois Quadrantes:

A combinao de operao das chaves (diodos e transistores) determina se o chopper ser abaixador ou elevador:
Chopper de dois quadrantes
O chopper ser abaixador quando S1 conduz durante t1, transferindo energia da fonte para a carga. Quando S1 abre, a corrente de carga, que indutiva, circular por D2. Em ambas as situaes a tenso e a corrente na carga so positivas:
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Operao no primeiro quadrante
O chopper elevador composto pela operao de S2 e por D1 durante o tempo em que S2 permanece aberta. Neste modo, quando S2 est conduzindo e comandada a bloquear, a corrente da carga transferida para o diodo D1, havendo regenerao de energia.
Operao no segundo quadrante
15.11 Conversores CC/CC de Quatro Quadrantes:

H vrias possibilidades de operao, mas importante ressaltar que o funcionamento da estrutura est relacionado com o tipo de carga entre A e B e a estratgia de comando das chaves. O conversor de 4-Q permite o fluxo de energia entre carga e fonte em qualquer direo pelo controle de k e escolha das chaves. um conversor extremamente verstil. S1e S4 esto ligadas:
A tenso positiva aplicada carga aumentando a corrente de carga no sentido positivo. Se S1 e desligada, D2 conduz, fazendo com que a corrente decresa na mesma direo positiva. Se S4 e desligada, D3 conduz, fazendo com que a corrente decresa na mesma direo positiva. S1 e S4 esto ligadas e conduzindo, e so comandadas a bloquear, a corrente indutiva regenerar para fonte atravs de D1 e D4.
Regenerando carga ativa: S1e S4 estando conduzindo e so comandados a bloquear. A corrente de carga transferida para D2 e D3, havendo regenerao da energia armazenada na indutncia. Deve-se observar que, mesmo havendo sinal de base ativo, as chaves S2 ou S3 no podem conduzir enquanto a corrente estiver circulando por D2 e D3. Tornando-se nula a corrente por D2 e D3, a energia armazenada em E dissipada em R, circulando por S2 e D4. Comandando-se S2 a abrir, a energia de E regenerada para fonte atravs de D1e D4.
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15.12 Semicondutor de Potncia IGBT:

Desde a inveno do primeiro tiristor de juno PNPN, pelos laboratrios Bell em 1957, houve um grande avano nos dispositivos semicondutores de potncia. Os dispositivos semicondutores de potncia devem ser capazes de suportar elevadas correntes e elevadas tenses reversas em suas operaes de chaveamento. Alm disso, em muitas aplicaes de eletrnica de potncia, h ainda a necessidade de se operar os dispositivos semicondutores em elevadas freqncias de chaveamento. Dessa forma, os dispositivos semicondutores devem possuir baixas perdas de potncia durante o chaveamento. At os anos 70, os tiristores convencionais foram usados de forma exclusiva para o controle de potncia em aplicaes industriais. Desde ento, vrios outros tipos de dispositivos semicondutores de potncia foram sendo desenvolvidos e alguns vieram a se tornaram disponveis comercialmente. Alm dos diodos de potncia, e dos tiristores em geral (SCR, GTO, GCT, SITh), em termos de transistores os dispositivos semicondutores de potncia encontram-se atualmente divididos em quatro categorias:
Transistores Bipolares de Potncia; Transistores de Efeito de Campo de Porta Isolada (MOSFETs) de Potncia; SITs (Static Induction Transistor); IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor).
O IGBT reune em um nico componente duas importantes caractersticas:
Caracterstica de comutao dos Transistores Bipolares de Potncia; Caracterstica de elevada impedncia de entrada dos transistores de efeito de campo de porta isolada (MOSFETs).
O IGBT se torna cada vez mais popular nos circuitos de controle de potncia de uso industrial e at mesmo em eletrnica de consumo e embarcada. Os transistores bipolares de potncia possuem caractersticas que permitem sua utilizao no controle de elevadas correntes com baixas perdas quando no estado de conduo. No entanto trazem certas desvantagens nas aplicaes de potncia, uma vez que suas caractersticas de entrada exigem que as correntes de base sejam elevadas, j que operam como amplificadores de corrente. Por outro lado, os MOSFETs de potncia podem tambm controlar potncias elevadas, com a vantagem de serem dispositivos controlados por tenso, tendo assim alta impedncia de entrada. A intensidade do campo eltrico gerado pela aplicao da tenso a porta (Gate) controla a largura do canal que d passagem corrente eltrica principal. Mas tm como desvantagem que para altas correntes no pode operar em altas velocidades de comutao devida s capacitncias parasticas de porta (Gate). Tais capacitncias parasticas tendem a aumentar com a elevao da intensidade da corrente que deve ser controlada. No entanto, para baixas correntes de conduo atravs do canal, o MOSFET pode operar com freqncias bastante elevadas, normalmente superiores freqncia mxima de operao de um Transistor Bipolar de Potncia (TBPs). O IGBT rene a facilidade de acionamento dos MOSFETs e sua elevada impedncia de entrada com as pequenas perdas em conduo dos Transistores Bipolares de Potncia. Sua velocidade de chaveamento determinada, a princpio, pelas caractersticas mais lentas as quais so devidas s
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caractersticas dos Transistores Bipolares de Potncia. Assim, a velocidade dos IGBTs semelhante dos Transistores Bipolares de Potncia; no entanto, nos ltimos anos tem crescido gradativamente, permitindo a sua operao em freqncias de at algumas dezenas de kHz, em componentes para correntes na faixa de dezenas e at centenas de Ampres. Juntando o que h de melhor nesses dois tipos de transistores, o IGBT um componente que vem se tornando cada vez mais recomendado para comutao de carga de alta corrente em regime de alta velocidade. De fato, praticamente todos os conversores modernos, sejam conversores CA/CC ou sejam Conversores de Freqncia (CA/CA ou Inversores) tm a unidade de potncia constituda principalmente de IGBTs Abaixo, apresentamos um grfico cujo contedo permite comparaes entre os principais dispositivos semicondutores de potncia atuais quanto s suas caractersticas de tenso, corrente e freqncia de operao. Nesta figura podemos constatar entre outras coisas que:
Os tiristores so os dispositivos que conseguem suportar os maiores valores de corrente e tenso, mas no podem operar em freqncias de chaveamento elevadas; Os IGBTs possuem uma capacidade de suportar maiores tenses e podem operar em freqncias mais altas que os transistores bipolares de potncia; Os IGBTs podem suportar maiores tenses e correntes que os MOSFETs de potncia; A regio de operao segura do IGBT maior que as regies reservadas ao MOSFET e ao transistor bipolar, o que era desejado.
Apresentamos aqui nesta dissertao como operam fisicamente os IGBTs e apresentaremos o modelo para descrio do seu funcionamento. Sero tambm mostradas as pginas do manual de um fabricante de IGBT para ilustrar as caractersticas de operao deste dispositivo. Por fim, ser apresentada uma aplicao dos IGBTs em eletrnica de potncia para mostrar a utilidade do dispositivo.
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15.13 Operao Fsica do IGBT:

Na figura a seguir, apresentamos a estrutura tpica de um IGBT de canal tipo N. Apresentaremos os princpios relacionados com o dispositivo de canal tipo N. O dispositivo de canal tipo P anlogo e possui uma operao fsica complementar quela apresentada para o de canal tipo N. A estrutura do IGBT de certa forma semelhante de um transistor MOSFET. No caso o IGBT, temos uma dupla difuso de uma regio do tipo P e uma do tipo N. Abaixo da regio da porta (Gate), uma camada de inverso pode ser formada a partir da aplicao de uma certa tenso entre a porta e o emissor (emitter), tal como feito em um MOSFET para faz-lo entrar em conduo. A principal diferena entre essa estrutura do IGBT e a de um MOSFET a incluso de um substrato P+ (Os smbolo + e - ou nenhum so usados para indicar o grau da intensidade de dopagem) onde conectado o terminal de coletor. Esta mudana tem como efeito a incluso de caractersticas bipolares ao dispositivo. Esta camada P+ tem como objetivo a incluso de portadores positivos lacunas na regio de arrasto (Drift region) como feito em um transistor bipolar do tipo PNP. Na estrutura do IGBT, importante notar que o terminal de porta est conectado duas regies isoladas do material semicondutor atravs de uma camada isolante de xido de silcio (SiO2) ao invs de ser apenas uma regio como costumamos ver em MOSFETs. Assim, como veremos, o IGBT apresenta formao de dois canais ao invs de apenas um. O IGBT freqentemente utilizado como uma chave, alternando os estados de saturao (On-state) e corte (Off-state) os quais so controlados pela tenso aplicada ao terminal de porta, assim como em um MOSFET. Se aplicarmos uma pequena tenso positiva no terminal de porta em relao ao terminal de emissor, a juno J1 ficar reversamente polarizada e nenhuma corrente ir circular atravs dessa juno. No entanto, esta aplicao de tenso positiva no terminal de porta faz com que se forme um campo eltrico na regio de xido de silcio responsvel pela repulso das lacunas pertencentes ao substrato tipo P e a atrao de eltrons livres desse mesmo substrato para a regio imediatamente abaixo da porta.
Estrutura do IGBT
Enquanto no houver conduo de corrente na regio abaixo dos terminais de porta, no haver conduo de corrente entre o emissor e o coletor porque a juno J2 estar reversamente polarizada, bloqueando a corrente. Nesta situao somente uma corrente muito pequena flui entre o coletor e o emissor e a esta corrente damos o nome de corrente de fuga (leakage current).
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Uma caracterstica desta regio de operao a tenso direta de breakdown, determinada pela tenso breakdown da juno J2. Este um fator extremamente importante, em particular para dispositivos de potncia, onde grandes tenses e correntes esto envolvidas. A tenso de breakdown da juno J2 dependente da intensidade da dopagem da regio N- da regio de arrasto que mais levemente dopada que a regio tipo P da regio de corpo (Body) para garantir um bom nvel de tenso de breakdown. Os IGBTs comerciais geralmente so projetados para tenses de breakdown entre 600 V e 1200 V. Como vimos, aplicando-se uma tenso positiva entre a porta e o emissor do dispositivo, faz com que um campo eltrico se forme entre o terminal de porta e a poro de semicondutor P logo abaixo da porta. Isso ocorre pois estes elementos esto isolados pelo oxido de silcio, que atua como o dieltrico em um capacitor. Assim, na entrada do IGBT temos uma capacitncia parastica e uma corrente de pequena intensidade e de bem curta durao circula pela porta de forma a carregar a capacitncia parastica que existe entre a porta e a poro semicondutora logo abaixo do terminal de porta. Isso ocorre enquanto o campo eltrico est se formando ou variando de intensidade. Este campo eltrico atrai alguns eltrons livres da prpria regio tipo P e alguns eltrons livres das pores N+ localizadas dentro desse substrato P, em virtude do fato de essa regio estar fortemente dopada. Ao aumentarmos a tenso entre a porta e o emissor, conseqentemente, aumentamos a intensidade desse campo eltrico, e mais portadores negativos sero atrados para a regio imediatamente abaixo do terminal de porta. Quando a tenso entre a porta e o emissor atinge um determinado valor limite que depende do dispositivo conhecida como tenso de limiar (threshold voltage), simbolizada por Vth, a quantidade de eltrons livres atrados pelo campo eltrico tamanha que a regio imediatamente abaixo da porta acaba por se transformar do tipo P para o tipo N, fenmeno conhecido como inverso sendo a camada que sofreu o processo recebe o nome de camada de inverso, mais comumente conhecida como canal. Com a formao deste canal, temos uma ligao do tipo N entre a pequena regio N+ e a regio de arrasto. Tal canal permite a conduo de corrente atravs de uma pequena regio na juno J1 que estava reversamente polarizada antes de a tenso entre porta e emissor atingir o valor limiar. Dessa forma, eltrons sero transportados atravs deste canal at a regio de arrasto onde iro fazer parte da corrente que circula pela juno J3 que est diretamente polarizada, fazendo com que o diodo formado pela juno J3 entre em conduo. Com este efeito, temos que a camada P+ conectada ao coletor injeta lacunas (cargas positivas) na regio de arrasto N-. Essa injeo de lacunas da regio de arrasto causa a modulao da condutividade da regio de arrasto onde as densidades de ambos os portadores, eltrons livres e lacunas, atingem valores muito mais elevados que quela que a regio N- geralmente apresenta. esta modulao de condutividade que d ao IGBT sua baixa tenso de conduo entre os terminais de coletor e emissor (VCE) do IGBT por causa da reduzida resistncia da regio de arrasto isto se deve ao fato de que a condutividade de um material semicondutor proporcional densidade de portadores deste material. Assim, o IGBT poder drenar correntes elevadas com poucas perdas de potncia, assim como o que ocorre em um transistor bipolar. Algumas das lacunas injetadas na regio N- so recombinadas nesta mesma regio com os eltrons livres desta camada. No entanto, a maior parte das lacunas que alcanam a regio no se recombinam e alcanam a juno J2 que est reversamente polarizada. Assim, as lacunas encontram um campo eltrico favorvel ao seu movimento, justamente por causa da polarizao reversa da juno. Com este campo eltrico da juno J2, as lacunas sero arrastadas por meio da corrente de difuso pela regio de arrastamento atravessando a juno J2 at serem coletadas pela regio do tipo P onde est conectado o terminal de coletor.
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Esta operao fsica do IGBT ilustrada na figura apresentada abaixo: Analisando a figura acima e verificando como a operao fsica do IGBT, podemos facilmente deduzir um modelo para descrever o funcionamento do dispositivo usando apenas componentes eletrnicos conectados de forma a funcionar de modo equivalente ao IGBT. Olhando a figura acima, vemos que temos ao longo do dispositivo trs fatias de semicondutores formando uma juno PNP que a mesma que forma um transistor bipolar de potncia cuja base conectada regio central e os terminais de coletor e emissor so conectados do mesmo modo que no TBP. Na parte de cima da figura, temos uma estrutura que opera exatamente como um MOSFET de Operao Fsica do potncia cuja corrente de dreno IGBT injetada na regio de arrastamento que corresponde base do transistor PNP de potncia que temos ao longo do IGBT. Essa corrente de dreno do MOSFET atua como o disparo do transistor. Assim, podemos modelar o IGBT pelo circuito equivalente da figura abaixo.
A figura 3 (b) mostra um modelo mais completo para o circuito equivalente do IGBT que inclui o transistor parasita pela regio tipo N+ da fonte do MOSFET, a regio de corpo do MOSFET do tipo P e a regio de arrastamento tipo N-. Neste modelo tambm apresentada a resistncia lateral da regio tipo P da regio de corpo. Se a corrente fluindo atravs dessa resistncia for elevada o suficiente, teremos uma queda de tenso que ir polarizar diretamente a juno entre esta camada semicondutora e a regio N+ ativando o transistor parasita que forma um tiristor parasita juntamente com o transistor PNP principal da estrutura do IGBT. Uma vez que o tiristor tenha sido disparado, h uma elevada injeo de eltrons livres oriundos da regio tipo N+ na regio tipo P do substrato do MOSFET, fazendo com que a tenso de gate no influa mais na operao do dispositivo assim como o que ocorre com os tiristores fazendo com que o controle da operao do IGBT seja perdido. Este fenmeno denominado latch-up , quando ocorre, geralmente conduz destruio do dispositivo. Geralmente, os fabricantes de IGBT constroem o molde da superfcie do emissor em forma de uma
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tira estreita, enquanto que a geometria utilizada em MOSFETs baseada em clulas concentradas, tal fato permite que se evite o disparo do tiristor parasita existente na estrutura do IGBT. Na figura apresentada a seguir, temos o smbolo utilizado em circuitos para designar o IGBT. Neste smbolo vemos detalhes que lembram tanto o smbolo usado para transistores bipolares como o smbolo usado para MOSFETs. Tambm apresentamos um desenho do aspecto do IGBT produzido como componente discreto pela International Rectifier.
IGBT produzido pela empresa International Rectifier
Os IGBTs so componentes usados principalmente como comutadores em conversores CA/CC, conversores de freqncia, inversores etc. Nestas aplicaes, normalmente uma carga indutiva ligada e desligada, podendo com isso aparecer tenses inversas elevadas, contra as quais o dispositivo deve ser protegido. Essa proteo feita com o uso de diodos ligados em paralelo com o coletor e o emissor para evitar que uma elevada tenso reversa seja aplicada ao IGBT. Quando o IGBT liga novamente, o fluxo de corrente no diodo funciona inicialmente como se fosse praticamente um curto. A carga armazenada tem que ser removida inicialmente para que o diodo bloqueie a tenso. Isso faz com que aparea uma corrente que se soma corrente de carga a qual chamada de corrente reversa de recuperao do diodo IRR. O mximo de corrente IRR ocorre quando a soma das tenses instantneas sobre o IGBT e o diodo se iguala tenso de alimentao. Quando o IGBT desliga, o resultado uma variao de corrente, e isso faz com que o pico de sobretenso aparea devido variao de corrente nas indutncias parasitas. Este pico de tenso responsvel por perdas e exige um aumento no tempo morto entre a conduo de dois dispositivos semelhantes quando estes so usados numa configurao de meia-ponte, como o que ser mostrado no exemplo de aplicao desse dispositivo. Um ponto importante que deve ser levado em considerao em todo dispositivo de comutao o Efeito Miller. O Efeito Miller nada mais do que a realimentao da tenso entre coletor-emissor (VCE) atravs da capacitncia existente entre a porta e o coletor do dispositivo (CGC). Isso que dizer que uma variao da tenso entre o coletor e emissor (VCE) tem o mesmo efeito que uma fonte de corrente interna no circuito de polarizao , onde a intensidade desta corrente dada pela expresso:
I G = C GC (VCE )
VCE t
Infelizmente, CGC no constante, mudando de valor com a tenso entre coletor e emissor. As maiores variaes de CGC ocorrem justamente com pequenas tenses entre emissor e coletor. Em conseqncia disso temos explicaes para alguns comportamentos do IGBT:
188
Quando o IGBT liga (turn-on) - partindo de Vce alto e VGE igual a zero ou negativo com uma corrente constante carregando a porta, um aumento linear da tenso de porta obtido. Com a queda da tenso entre coletor e emissor VCE a corrente de polarizao de porta usada para carregar CGC, e a tenso de porta permanece constante. Mais tarde, quando a tenso entre o coletor e o emissor cai, CGC aumenta de valor de tal forma que, uma pequena variao de VCE suficiente para levar a um aumento da corrente de porta. Somente quando a corrente necessria carga se reduz novamente que a tenso de porta aumenta. Quando o IGBT desliga - partindo de VCE baixa, VGE positiva ou maior que a tenso limiar Vth a tenso de porta inicialmente decresce quase que linearmente (pela fonte de corrente constante de descarga). A diminuio da capacitncia a qual ocorre com o aumento da carga, resulta em aumento da tenso. Como existe uma fonte de polarizao que est drenando corrente da porta, a tenso entre porta e emissor se mantm constante. Em conseqncia, VCE aumenta e a maior parte da corrente de descarga da porta usada para manter a tenso de porta constante. O processo de carga termina quando VCE alcana a tenso de operao. devido ao Efeito Miller que a corrente de porta durante a comutao (ligado ou desligado) usada antes de tudo para mudar a carga CGC. Isto explica porque, carregando ou descarregando , a porta tem sua velocidade de resposta reduzida. Deve ser mencionado que as mudanas de CGC e VCC regulam por si prprias de tal forma que apenas a corrente disponvel na porta usada. Isso esclarece porque um resistor de grande valor ligado em srie com a porta faz que todos os eventos que envolvam a comutao de uma IGBT tenham seu tempo de durao aumentado. As caractersticas de tenso e corrente de um IGBT se assemelham muito com as caractersticas de um transistor MOSFET e de um transistor bipolar de potncia. Para uma visualizao das caractersticas de um IGBT real, apresentamos aqui o manual dos IGBTs fabricados pela Mitsubishi, no formato .PDF.
15.14 Aplicaes do IGBT Um Inversor de Tenso:

Uma das aplicaes do IGBT das mais utilizadas em eletrnica de potncia na construo de inversores de tenso, os quais produzem tenso alternada atravs de tenso contnua. Tal processo muito utilizado em sistemas de transmisso de energia eltrica CA na construo de filtros ativos de potncia e em sistemas de transmisso HVDC (High Voltage Direct Current). A Usina de Itaipu pertencente ao Brasil e ao Paraguai (que durante muitos anos foi a maior usina hidreltrica do mundo) produz energia com o sistema de corrente alternada, sendo que metade da produo (pertencente ao Brasil) gerada em 60Hz e a outra metade (pertencente ao Paraguai) gerada em 50Hz. No entanto, boa parte da energia produzida pela parte paraguaia vendida ao Brasil que consome tenso alternada em 60Hz. O problema foi resolvido instalando-se um retificador de potncia que transforma a tenso a ser transmitida em tenso contnua e a energia transmitida em DC at os centros consumidores (o principal a cidade de So Paulo) onde novamente alternada, agora em 60Hz para ser enviada aos transformadores que iro abaixar a tenso para a distribuio entre os consumidores de energia. Este inversor de tenso pode geralmente ser construdo com o uso de GTOs (Gate Turn-Off Thyristor) ou IGBTs. No caso de inversores de tenso que sero aplicados na construo de filtros ativos de potncia d-se preferncia ao emprego de IGBTs devido sua possibilidade de operar em elevadas freqncias.
189
O bloco bsico de construo de um inversor de tenso usando IGBTs apresentado no esquema abaixo:
As tenses de porta de cada um dos IGBTs so controladas a partir de uma Mquina de Estados Finitos, onde cada estado corresponde ao chaveamento de:
Sempre trs (e apenas trs) IGBTs so ligados simultaneamente de cada vez; Nunca so ligados simultaneamente dois IGBTs da mesma associao em srie; Nunca so acionados simultaneamente todos os trs da parte de cima, nem todos os trs da parte de baixo;
A ordem de chaveamento mostrada na tabela a seguir: GQ1 1 1 1 0 0 0 GQ2 0 0 1 1 1 0 GQ3 1 0 0 0 1 1 GQ4 0 0 0 1 1 1 GQ5 1 1 0 0 0 1 GQ6 0 1 1 1 0 0
Nos grficos apresentados a seguir temos as tenses que so conectadas para a carga por cada uma das chaves com o intervalo de tempo da comutao e a tenso total entre a fase C e o neutro da associao em Y na sada do transformador apresentado na figura acima.
SENAI
190
Assim, vemos que a forma de onda da tenso na fase C com respeito ao neutro formada por seis segmentos idealmente retos, como mostrado na figura. Por isso, este bloco funcional denominado de um inversor de 6 segmentos. As formas de onda nas demais fases apresentam a mesma forma de onda que a da fase C, com apenas uma diferena de fase de 120 de uma em relao outra. Esta forma de onda na sada semelhante a uma forma de onda senoidal, embora ainda possua muita distoro harmnica (possui componentes harmnicos de freqncias mais altas). Para melhorar o desempenho do inversor, geralmente o que se usa a associao de mais blocos de inversores de 6 segmentos como o mostrado acima em srie, da seguinte forma apresentada na figura abaixo:
SENAI
191
Cada um dos inversores mostrados na figura acima idntico ao inversor de 6 segmentos do esquema anterior e geram as mesmas formas de onda. No entanto, o primeiro transformador do tipo Y-Y, fazendo com que a forma de onda na sada no apresente nenhuma defasagem com relao ao sinal original; j no caso do segundo transformador do tipo -Y, temos que a sada ser defasada em 30 com relao forma de onda original. Assim, a sada deste inversor ser formada pela forma de onda de 6 segmentos normal somada a esta mesma forma de onda deslocada de 30, o que ir gerar uma forma de onda na sada de 12 segmentos como mostrado abaixo:
Como podemos ver, essa forma de onda se aproxima mais de uma senide do que a forma de onda anterior. Para suavizar esta forma de onda de modo que ela se aproxime mais de uma forma senoidal, necessrio que ser utilize um filtro passa-baixas, que elimine as componentes de altas freqncias, as quais so responsveis pelas transies abruptas dessa forma de onda e causam um elevado fator de distoro harmnica. Este exemplo foi apresentado aqui para ilustrar uma forma de aplicao do IGBT na prtica, como uma chave em aplicaes de elevadas potncias. Allenz 2005-2007
SENAI
192

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