Universidade Estadual Paulista- Unesp

Faculdade de Engenharia de Ilha Solteira

Laboratrio de Eletrnica Industrial Prof. Adjunto Carlos Alberto Canesin

unesp - FEIS
Laboratrio de Eletrnica de Potncia

Introduo
Conversores Estticos: Controle do fluxo de energia entre dois ou mais sistemas eltricos com caractersticas distintas. rea de Estudo: Eletrnica de Potncia Principais Aplicaes Sub-reas:
Eletrnica de Potncia Bsica ( v 1 , f1 ) E1 Comutao Natural, tenses 2 kV, correntes 1kA e Retificador freqncias 1 kHz. Elevadas correntes Aplicaes com correntes > 1 kA Conversor Elevadas tenses Indireto de Conversor Aplicaes com tenses > 2 kV Freqncia Direto de Chopper Elevadas Freqncias Conversor Freqncia Aplicaes com freqncias > 1 kHz Indireto de Elevadas Potncias Tenso Aplicaes com tenses > 2 kV e correntes > 1 kA Comutao forada Inversores de tenso autnomos SCR. Inversor Tcnicas Especiais de Controle e Filtragem. (v 2 , f 2 ) E2

Fontes de alimentao, Controle de mquinas eltricas, Aquecimento indutivo, Alimentao de segurana e emergncia, Transmisso em corrente contnua, Interligao de sistemas com freqncias diferentes, Carregadores de baterias, Retificadores em geral, etc... Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin 1

Princpio Bsico da Converso Esttica

Ao dos dispositivos de processamento de energia INTERRUPTORES
I S V

INTERRUPTOR IDEAL (S) Tempos de comutao nulos (entrada em conduo e bloqueio instantneo); Resistncia nula em conduo; Resistncia infinita quando bloqueado. EVOLUO DOS DISPOSITIVOS INTERRUPTORES
Rels Contatores Reatores com ncleos saturveis Retificadores arco Vlvulas Tiraton SCR (anos 60 pela General Electric e Bell Telephone Laboratory), etc...

Converso Esttica: Revoluo no processamento de energia eltrica, possibilitando: Reduo de peso, volume e custos; Reduo das perdas e aumento da densidade de potncia; Operao com freqncias maiores; Aumento do rendimento.
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Caractersticas de Atuao para os Interruptores

Processamento Esttico de Energia: Requer em diversas aplicaes, aes diferentes de controle para os dispositivos interruptores. Operaes Bsicas Desejadas
I Operao em um quadrante Diodos (bloqueio reverso) SCR (bloqueio direto) Transistor Bipolar IGBT Operao em dois quadrantes com corrente bidirecional MOSFET SCR + diodo em antiparalelo IGBT + diodo em antiparalelo Transistor Bipolar + diodo em anti-paralelo I Operao em quatro quadrantes V Arranjo de diodos com transistores bipolares V I

Operao em dois quadrantes com tenso bidirecional SCR (bloqueio direto e reverso) Transistor Bipolar + diodo em srie

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Interruptor para Operao em Quatro Quadrantes

Implementaes:
1 i 11 l + (-) (-) v (+) (+) 0 i v v v + 1 i + 1 i i

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rea de Atuao (Potncia x Freqncia) - 1998

Potncia 5 Controlvel 10 [kVA] 10 4

SCR GTO MCT SI Thy SCR : Silicon Controlled Rectifier GTO : Gate Turn-off Thyristor MCT : MOS Controlled Thyristor SI Thy : Static Induction Thyristor BPT : Bipolar Power Transistor IGBT : Insulated Gate Bipolar Transistor MOSFET : MOS Field-Effect Transistor

10 3

10 2

IGBT

10 1

BPT MOSFET

10-1

10 -1

10

10 1

10

10 6 10 4 10 5 Freqncia de Operao [kHz]

Observa-se que as dificuldades do processamento esttico de energia aumentam com a potncia processada e freqncia de operao dos interruptores.
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Caractersticas Gerais dos Principais Dispositivos Interruptores Principais interruptores em Eletrnica de Potncia Anlise das caractersticas bsicas de funcionamento, para os seguintes interruptores:

Diodos de Potncia (Diodo) Transistores Bipolares de Potncia (BPT) MOSFETs de Potncia (MOSFET) Transistores tipo IGBT (IGBT) Tiristores (Diodo PNPN, SCR, TRIAC, DIAC e GTO)
Obs: Os tiristores MCT e SIThy no so analisados nesta introduo
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O Diodo de Potncia
Smbolo

nodo i Ctodo

(A) v
A

Polarizao Reversa (Bloqueio)

R V VS S aumento da resistncia da regio de depleo

(C)

Caracterstica Volt-Ampre
i Polarizao Direta 1 VRRM IR V(TO) Polarizao Reversa
A Injeo de portadores minoritrios C

Polarizao Direta (Conduo)

R VS

rT v

reduo da resistncia da regio de depleo

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Caractersticas Dinmicas do Diodo de Potncia

v(t) VFP
Onde: VFP: Mxima tenso direta na entrada em conduo trr: Tempo de recuperao reversa
Bloqueio indutivo

VS

i(t)
Qr: Carga aramazenada na capacitncia de juno
di dt

trr
toff

ton

Qr

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Tipos de Diodos de Potncia

Diodos Convencionais (Standard) Tempo de recuperao reversa no especificado. Operao normalmente em 50 ou 60 Hz. Diodos Rpidos e Ultra-rpidos (Fast/Ultra-fast) Tempo de recuperao reversa e carga armazenada na capacitncia de juno so especificados. Operao em mdias e elevadas freqncias. Diodos tipo Schottky Praticamente no existe tempo de recuperao (carga armazenada praticamente nula). Operao com freqncias elevadas e baixas tenses (poucos componentes possuem capacidade de bloqueio superior 100 V).

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Caractersticas de Alguns Diodos de Potncia Existentes no Mercado

Tenso em Conduo 1,1 V 2,2 V Tempo Recuperaco 400 ns 2 s

Componente Diodos Rpidos 1N3913 SD453N25S20PC Diodos Ultra-rpidos MUR815 MUR1560 RHRU100120 Diodos Schottky MBR6030L 444CNQ045 30CPQ150

Mxima Tenso 400 V 2500 V

Corrente Mdia 30 A 400 A

150 V 600 V 1200 V 30 V 45 V 150 V

8A 15 A 100 A 60 A 440 A 30 A

0,975 V 1,2 V 2,6 V 0,48 V 0,69 V 1,19 V

35 ns 60 ns 60 ns

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Transistor Bipolar De Potncia (BPT)

Smbolo
(C) (B) Base Coletor

Construo Bsica
Base Emissor

(E) Emissor

O BPT sempre do tipo NPN Componente com portadores minoritrios Corrente flui atravs do BPT verticalmente Base e emissor so distribudos em sees interconectadas Em conduo: Junes Base-Emissor e Coletor-Base so polarizadas diretamente.

Coletor

Bloqueio: corrente de Base nula ou juno Base-Emissor polarizada reversamente.

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Caractersticas Estticas do BPT

Caracterstica Volt-Ampre Regio Ativa: Boa regulao de corrente e elevadas perdas em conduo. Regio de Corte: IB = 0 Em conduo: I B > IC / : Ganho de Corrente F : Ganho forado
IC IB

I Csat I Bsat

Regio Quase-Saturao Reduzido valor de VCE em conduo. Para IB IBsat e IC ICsat Garante-se que: VCE VCEsat. Operao com: F de 5 a 10. O ganho reduz rapidamente para elevadas correntes.

Regio de Forte-Saturao Elevados tempos envolvidos durante o bloqueio (aumento tempo estocagem). Como interruptor: Regio de quasesaturao (em conduo) e corte (bloqueio).
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Limites de Operao Segura para o BPT

Primeira Avalanche
Primeira Avalanche (Ruptura) BVCBO: Mxima tenso entre coletor e
IC aumento de IB

base com emissor aberto. BVCEO: Mxima tenso entre coletor e emissor com base aberta (bloqueado). BVsus: Mxima tenso suportvel entre
IB = 0 emissor aberto

coletor e emissor com corrente de base positiva (em conduo). Segunda Avalanche (Ruptura) Devido elevadas concentraes de corrente numa determinada regio (elevadas tenses ou correntes aplicadas durante reduzido tempo). Devido caracterstica de coeficiente negativo de temperatura, o aumento da corrente reduz a resistncia do componente que aumenta a corrente e a temperatura, e, assim sucessivamente at a ruptura.
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BVsus

BVCEU

BVCBO

VCE

Tenso VCE permanece praticamente constante (e elevada), com o rpido crescimento da corrente de coletor (IC).

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Caractersticas Dinmicas do BPT

Carga Resistiva
vCC

RL iC(t) iB(t) RB + vBE(t) + vCE(t) vS(t) + -

Extrao de
corrente reversa de base reduz o tempo de estocagem.

(1) Bloqueio (2) Atraso de entrada em conduo (carga capacitncia base-emissor) (3) Tempo de subida da corrente. (4-5) Em conduo (6) Atraso do bloqueio (Tempo de estocagem) (descarga da capacitncia base-emissor). (7) Tempo de descida da corrente (8-9) Bloqueado .... Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin
ton toff

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Concluses Gerais para o BPT

O BPT tem sido substitudo nos ltimos anos por interruptores mais eficientes
Para baixas tenses ( <500 V) o BPT tem sido substitudo pelo MOSFET. Para tenses acima de 500 V o BPT tem sido substitudo pelo IGBT. Comparado com o MOSFET, o BPT apresenta maiores tempos durante as comutaes (operao em menores freqncias). Contudo, o BPT apresenta menores perdas em conduo. Comparado com o IGBT, o BPT apresenta maiores tempos envolvidos nas comutaes (maiores perdas nas comutaes) e menor capacidade de corrente. Para aplicaes em tenses mais elevadas (> 500 V), o BPT aparece em alguns casos C em configurao Darlington:
Q1 B Q2 D

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O MOSFET de Potncia
Smbolo
(D) Dreno (G) Gate Fonte (Source)
(G) Gate

Configurao Bsica
(S) Fonte (source)

(S)

MOSFET de Potncia normalmente do tipo CANAL N. Comprimento da regio de gate muito pequeno ( 1 micron) O fluxo de corrente vertical atravs da seo do dispositivo.

(D) Dreno

Bloqueado: Juno P-n- reversamente polarizada (sem tenso de gate). Resistncia elevada (grande rea de depleo)
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O MOSFET em Conduo
Tenso positiva de gate induz a condutividade do canal A corrente flui atravs da seo vertical do dispositivo. A resistncia total em conduo dada pelo somatrio das resistncias da regio n-, do canal, terminais de contato de dreno e fonte (source). Juno p-n- resulta num diodo Di em anti-paralelo com o sentido de conduo dreno-source. Tenso negativa dreno-source polariza diretamente o diodo Di
Dreno Corrente de Dreno Di Canal

MOSFET em Conduo
Gate Fonte (Source)

Obs: O diodo intrnseco Di apesar de suportar tenses e correntes nominais, possui tempos de comutao maiores do que aqueles para o prprio MOSFET
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Caractersticas Estticas do MOSFET Caracterstica Volt-Ampre

Regio hmica: Regio de interesse para operao como interruptor. Entrada em Conduo VGS >> VGS(th) tipicamente: 10 VGS 20

Bloqueio VGS < VGS(th)

A resistncia em Conduo (RDSon) possui coeficiente de temperatura positivo, facilitando a operao em paralelo de MOSFETS. Regio Ativa: Regulao de corrente melhor do que o BPT. Regio Corte: VGS < VGS(th) - VGS(th), tenso (G-S) mnima para entrada em conduo.

Circuito de Comando, com caractersticas de fonte de tenso, mais simples do que aqueles para o BPT (comando com caractersticas de fonte de corrente).
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Caractersticas Dinmicas para os MOSFETs

Capacitncias Equivalentes dos MOSFETs
(D) Cgd

Caractersticas Dinmicas - Carga Resistiva

Normalmente :
VGS 10%

Ciss = Cgd + Cgs Coss = Cgd + Cds

t d(on) << t r t d ( off ) << t f

t on t r t off t f

(G) Gate Cgs cDS

(VDD) ID

VGS(th)

90%

VDS 10% VDS(on) 90% tr td(on) ton td(off) ID 90% (VDD)

10% tf toff

(S)

Cgd : Pequena e altamente no linear. Cgs: Elevada e praticamente constante. Cds : Mdia e altamente no linear Os tempos de comutao so determinados
pelas taxas de carga e descarga de Cgs e Cgd (Ciss).

td(on): Tempo de carga de Ciss at VGS(th). ID 0 e VDS VDD tr : Tempo de descarga de Coss at VDS(on). td(off): Tempo de descarga de Ciss. tf : Tempo de crescimento da tenso VDS (Carga Cds).

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Alguns Dados Tcnicos para Diferentes MOSFETs

Componente IRFZ48 IRF510 IRF540 APT10M25BNR IRF740 MTM15N40E APT5025BN APT1001RBNR VDSmax 60 V 100 V 100 V 100 V 400 V 400 V 500 V 1000 V Corrrente Mdia (Id) 50 A 5,6 A 28 A 75 A 10 A 15 A 23 A 11 A RDSon 0,018 0,54 0,077 0,025 0,55 0,3 0,25 1,0

MOSFETs possuem caractersticas de reduzidos tempos durante as comutaes (freqncias tpicas de dezenas centenas de kHz). RDSon rapidamente aumenta com o aumento de VDSmax suportvel. Circuito de comando de gate muito simples. A escolha dos MOSFETs normalmente so para aplicaes com VDSmax < 500 V. Aplicaes de MOSFETs com capacidade de bloqueio em torno de 1000 V so para baixas potncias (no superior 100 W).
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O Transistor IGBT
Smbolo
Coletor (C) (G) Gate (E) Emissor
Portadores minoritrios

Construo Bsica
Emissor Gate

Construo similar ao MOSFET, exceto devido regio p adicional. Conduo de portadores minoritrios, como nos BPTs.
Coletor

Circuito Equivalente
C

Tempos de comutao maiores do que os MOSFETs e menores do que os BPTs. Aplicvel onde se deseja

Localizao do circuito equivalente

Gate Emissor

(G)

i2
i1 i2

i1

elevadas tenses VCE.

Coletor

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Caractersticas Estticas e Dinmicas do IGBT

Caractersticas Estticas
Saturao iD VGE4 VGE3 VGE2 VRM VGE1 BVCE Regio Reversa
td(on) tr t on
10%

Caractersticas Dinmicas
VGE
90%

Aumento VGE

td(on): Retardo na entrada em

conduo
t

Regio Direta

VCE

tr: Tempo de subida de IC td(off): Retardo no bloqueio

VCE

IC
90% 10% 90%

t corrente de cauda t

tf: Tempo de descida de IC Obs: A corrente de cauda pode envolver 20% de toff, limitando o aumento da freqncia de operao.
VCE

10%

td(off)

tic

tfc

tf toff

Comando com caractersticas de fonte de tenso (similar ao MOSFET)

Regio de trabalho: VGE tipicamente Detalhe das Perdas entre 12V - 20V, resultando em VCEon reduzida (reduo perdas em conduo). Durante o bloqueio Dispositivo com caractersticas de coeficiente positivo de temperatura, facilitando o paralelismo. presena da corrente de cauda "current tail (Woff)
pA(t) = v A iA

iL

vA(t) iA(t)

t vgiL

Woff t
3

t t t t * Observa-se que existem IGBTs com coeficiente negativo. Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin
0 1 2

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Alguns Dados Tcnicos para Diferentes IGBTs

Componente HGTG32N60E2 HGTG30N120D2 VCEmax 600 V 1200 V Corrrente Mdia 32 A 30 A VCE(on) 2,4 V 3,2 A tf 0,62 s 0,58 s

Mdulos CM400HA-12E CM300HA-24E 600 V 1200 V 400 A 300 A 2,7 V 2,7 V 0,3 s 0,3 s

As aplicaes para o IGBT normalmente encontram-se para elevados nveis de tenso VCE (500 a 1700 V) e elevadas potncias (1-1000 kW), 1998. IGBTs com coeficiente positivo de temperatura facilitam o paralelismo. IGBTs com coeficiente negativo de temperatura apresentam reduzidas perdas em conduo. Circuitagem de controle muito simples (similar aos MOSFETs). Mais lentos do que os MOSFETs, contudo, mais rpidos do que os BPTs, GTOs e SCRs. Freqncias tpicas de utilizao: Comutao dissipativa: 3-30 kHz (1998) Comutao no dissipativa: at 200 kHz
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TIRISTORES (Diodo PNPN, SCR, TRIAC, DIAC, GTO)

Definio IEC: Tiristor qualquer dispositivo semicondutor biestvel, contendo trs ou mais junes (P-N), com capacidade de conduzir ou bloquear uma corrente num ou nos dois sentidos. O diodo PNPN (Diodo Schokley) Smbolo
(A) nodo

Circuito Equivalente
A

Construo Bsica
R + I VS

T1

T2

P+ A

N+ C

(C)

Ctodo

Em conduo (Resistncia tipicamente 10 ) Bloqueado (Resistncia tipicamente 100 M)

Utilizao em Baixa Potncia

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O diodo PNPN
Caracterstica Volt-Ampre VAC VBO Entra em conduo Passa pela regio de resistncia negativa e opera em regime na regio de saturao (VAC 1V) Em conduo e com I < IH Bloqueio IH e VH : Corrente e tenso de manuteno em conduo. VBO : ordem de alguns volts at centenas de volts. IBO : ordem de centenas de A. Dispositivo para operao em baixas potncias. No existem diodos PNPN de germnio (impossibilidade de bloqueio).
Polarizao Inversa VBR IH Regio de Resistncia Negativa IBO VH Regio Corte Inverso VBO Regio de Corte direto VAC I Polarizao Direta Regio de Saturao

I=

I CO 1 (1 + 2 )

1 : ganho de T1 2 : ganhodeT2 I : corrente de saturao reversa CO

(1 + 2 )= 1 (conduo ) (1 + 2 )< 1 ( bloqueio)

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O SCR
Smbolo Circuito Equivalente
Anodo
C

Construo Bsica
G C

(A)

Anodo
Q2

Q1 Q2

Gate (G)

Q1

Gate

(C)

Ctodo

Catodo

O SCR foi desenvolvido em 1965 pelo Bell Telephone Laboratory (EUA). ainda hoje (1998) um dos principais dispositivos interruptores para elevadas tenses e potncias (operao em baixas freqncias, tipicamente menores que 2 kHz). ! A DIFERENA em relao ao Diodo Schokley a presena do terminal de GATE, com a finalidade de modificar a tenso de entrada em conduo (VBO).
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Caractersticas Estticas para o SCR

Caracterstica Volt-Ampre Dispositivo com caractersticas em conduo de portadores minoritrios.
iA Em conduo Polarizao direta IH -VBR IBO VH Bloqueio Reverso Bloqueio direto VBO VAC iG > 0 iG =0

Caractersticas de reduzidas resistncias e tenses em conduo, permitindo a aplicao em elevadas tenses e potncias (5000 - 6000 V e 1000 - 2000 A) - 1998. Bloqueio atravs da reduo da corrente valores inferiores IH (corrente de manuteno), uma vez que, mesmo com a inverso da corrente de

Com o aumento da corrente de gate, diminui a gate, no possvel bloquear o SCR. tenso direta de entrada em conduo (VBO). Em conduo a caracterstica similar ao diodo PN. No existe capacidade de bloqueio pelo terminal de gate aps a entrada em conduo.
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Caractersticas Dinmicas para o SCR

Entrada em Conduo
vG E1 t iG
IG 10% I G

Bloqueio

iA VAC

tinv tq t t0 Qrr t1

vAC
E 90% E 10% E

IRM t E2 +V E2

td ton

tf

Caracterstica tq : Tempo mnimo de aplicao de tenso td : Tempo de retardo reversa durante o processo de bloqueio. Comando tf : Tempo de descida de VAC tipicamente : (10 s <tq < 200 s). iG ton : Tempo de entrada em conduo 2 ! td a maior parcela e depende da amplitude e velocidade de crescimento de iG. ! Portanto, o SCR um 1 tf independe de iG. Curva 1 - Disparo Lento dispositivo para operao em Curva 2 - Disparo Rpido ton (tipicamente entre 1s- 5 s) baixas freqncias.
t

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O Triodo CA (TRIAC)
O TRIAC Smbolo
Terminal Principal 2 (Tp2)
SCR1

Circuito Equivalente
Tp2 G2

G1

SCR2

Construo Bsica
Tp2

Gate (G) Terminal Principal 1

Tp1

N
Tp2

O TRIAC permite o controle de corrente nas duas direes.

G1

SCR1

P N P G N N

P N P N

N P N P SCR2

G2

Tp1

Equivalente dois SCRs conectados em anti-paralelo.

Tp1

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O TRIAC
Caracterstica Volt-Ampre
ITp2 Operao 1 Quadrante
o

Operao em dois quadrantes, com corrente de gate positiva ou negativa.

Ig + + VTP2 - TP1 + + VG - TP1 + + Quadrante 1o 1o 3o 3o Sensibilidade >> < << >

+IH -VBO -VH +VH

Ig2

Ig1 Ig0 = 0

+VBO VTp2-Tp1 Ig2 > Ig1 > Ig0 = 0

Embora seja bidirecional, sua sensibilidade maior operando no 1o quadrante com Ig > 0 e tenses positivas ( G - TP1 eTP2 - TP1). Operao em baixas potncias Tipicamente para correntes eficazes inferiores 40 A Operao em baixas freqncias Tipicamente inferiores 400 Hz.

-IH Operao 3o Quadrante

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O Diodo CA (DIAC)
O DIAC Smbolo Construo Bsica
I P V
N N

Caracterstica Volt-Ampre
I
Operao 1 Quadrante
o

N P
-VD +IH -VH +V H +VD

V VD Conduo Permite corrente nos dois sentidos. No h designao de terminais devido simetria (na prtica ocorre pequena assimetria). Aplicaes em baixa potncia I > 0 (1o Quadrante) V -VD Conduo I < 0 (3o Quadrante) Bloqueio I < IH (1o Quadrante) I > - IH (3o Quadrante)
Operao 3o Quadrante

-IH

IH : corrente de manuteno em conduo. VD : Tenso de disparo (entrada em conduo)

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O Tiristor Controlado pelo Gate (GTO)

O GTO: Tiristor especialmente projetado de modo que a corrente de gate possa alterar de modo aprecivel a corrente de manuteno (IH), permitindo o bloqueio pelo gate. O processo de entrada em conduo anlogo ao SCR. Smbolo
(A) nodo I

Construo Bsica

(G) Gate Ctodo (C)

Corrente de gate positiva controla entrada em conduo. Corrente de gate negativa controla o bloqueio: Aplicao tenso negativa gate-ctodo.

A estrutura de gate e ctodo so fortemente intercaladas, possibilitando uma forte ao de gate.

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O GTO
A entrada em conduo tipicamente anloga ao SCR. Quando em conduo, a corrente de gate pode ser suprimida (como no SCR), no afetando sua operao. O ganho de corrente de gate para o bloqueio tipicamente baixo (entre 2 - 5), implicando em elevadas correntes de gate reversas. Capacidade de bloqueio de elevadas tenses (acima de 4,5 kV). Tenso em conduo ( 2 - 3 V) maior do que o SCR. Operao em baixas freqncias (tipicamente inferiores 10 kHz). O bloqueio ocorre pela alterao de IH atravs do gate. Com corrente de gate negativa modifica-se IH at que seja superior corrente de carga, provocando o bloqueio.
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VBR Bloqueio Ig < 0 IH Ig2 >Ig1 Ig1 >0 Ig = 0 entrada em conduo VAC

Caracterstica Volt-Ampre
I bloqueio (Ig <0)

VACmx IH: Corrente de m anuteno emconduo

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Comparaes Gerais Entre os Principais Interruptores em Eletrnica de Potncia

Dispositivos Diodo Potncia Caracterstica de Ataque Potncia envolvida no comando Complexidade do Circuito de Comando Densidade de Corrente Mxima Tenso Suportvel Freqncia de Operao Perdas nas comutaes (circuitos convencionais) Dificuldade de Paralelismo ------------Mdia para Elevada Mdia Mdia para Elevada Baixa para Mdia Muito Baixa BPT Em corrente Mdia para Elevada Elevada Mdia Mdia Baixa para Mdia Mdia para Elevada Mdia para Elevada MOSFET Em tenso Muito Baixa Muito Baixa Elevada para Baixa Mdia para Baixa Elevada Muito Baixa IGBT Em tenso Muito Baixa Muito Baixa Elevada Mdia para Elevada Mdia para Baixa Mdia para Elevada Baixa (coef. positivo) SCR Em corrente Mdia para Elevada Baixa Elevada Elevada Baixa Elevada GTO Em corrente Elevada Elevada Mdia para Elevada Elevada Baixa Elevada

Baixa

Mdia

Mdia

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