Você está na página 1de 2

________________________________________________________________________________________________

Professor: Valmir Jos Moreti


1
Instituto Federal de Educao, Cincia e Tecnologia de Alagoas
Direo Geral Campus Macei
Departamento Acadmico de Tecnologia Industrial
Coordenao do Curso de Eletrnica



Lista de Exerccios MEMRIAS SEMICONDUTORAS


1) Determine a capacidade de memria e a palavra de endereo inicial e final para cada
memria especificada a seguir:

a) ROM 512 x 4 c) RAM 128k x 8
b) EPROM 4k x 8 d) PROM 2M x 16

2) Esquematize o circuito interno de uma ROM com o seguinte contedo:

01
16
, 3F
16
, 23
16
, 4B
16
, 56
16
, 88
16
, 9C
16
e ED
16


3) Determine o mapeamento de uma memria PROM para atuar como gerador de
caractere para hexadecimal, ou seja, a partir de um cdigo binrio, fornea os nveis para
fazer um display de sete segmentos catodo comum apresentar a seqncia do sistema
hexadecimal. Especifique a memria e determine sua capacidade.

4) Determine o mapeamento de uma memria EPROM para atravs do sistema gerador
de funes esquematizado, gerar a funo digitalizada vista na figura abaixo. Calcule a
freqncia do clock do contador.





5) Desenhe a arquitetura de uma RAM 8 x 1.

6) A partir de blocos RAM 64 x 4, esquematize uma RAM 64 x 8. Escreva as palavras de
endereamento inicial e final de cada RAM integrada no sistema.

7) Idem ao anterior, para obter uma RAM 512 x 4 com blocos de estrutura 128 x 4.

8) Idem, para uma RAM 64 x 8, obtida com blocos 32 x 4.

________________________________________________________________________________________________
Professor: Valmir Jos Moreti
2

9) Determine a palavra de endereamento inicial e final de uma memria 1M x 16.
Escreva em binrio e Hexadecimal.

10) Determine o mapeamento de uma memria ROM para atuar como decodificador do
cdigo BCD8421 para 2 entre 5. Calcule a capacidade de memria.

11) Utilizando blocos de memria RAM 128 x 4, forme uma de 256 x 8. Escreva a palavra
de endereo inicial e final de cada bloco integrado ao sistema.

12) Deseja-se se combinar algumas PROMs de 2k x 8 para produzir uma capacidade total
de 8k x 8. Quantos chips de PROM so necessrios? Quantas linhas no barramento de
endereo so necessrias.

13) O Circuito Integrado 2125A uma RAM esttica que tem a capacidade de 1K x 1,
com uma entrada de seleo ativada em nvel baixo, e entradas e sadas de dados
separadas. Mostre como combinar diversos CIs 2125A para formar um mdulo de 1K x 8.

Você também pode gostar