Avaliação Final de Eletrônica Digital NOTA

Profº. Data:

Aluno: Nº Série:

Caro Aluno,

Antes de iniciar a prova faça uma leitura geral do texto. Caso tenha alguma dúvida, esclareça com seu professor somente
nos 15 minutos iniciais da prova. Não é permitido o uso de objetos que auxilie os cálculos. Use caneta esferográfica azul ou
preta. Respostas a lápis não serão consideradas. O prazo para revisão da correção da prova é de 48 h após o recebimento
do documento corrigido. Procure a Secretaria, com a prova em mãos e preencha o requerimento para a revisão. Lembre-se:
não é permitido “colar”. Mantenha a calma e boa prova!

1. Julgue as proposições abaixo e responda, escrevendo nos parênteses, certo ou errado.

a. O tempo de acesso é uma medida da velocidade de operação de um dispositivo de memória. Logo para
uma memória do tipo RAM, este tempo é diferente quando se deseja ler ou escrever em qualquer endereço
na memória. ( ).
b. Quando chips de memória são combinados para formar um módulo com tamanho de palavra ou capacidade
maior, as entradas CS de cada chip sempre são conectadas juntas. ( ).
c. Sempre que a CPU deseja ler dados em uma posição de memória, alguns passos devem ocorrer, para que
aconteça uma operação de leitura, como primeiro passo a CPU fornece o endereço binário da posição de
memória na qual o dado deve ser lido. Ela coloca este endereço nas linhas do barramento de endereço. (
).
d. Quando chips de memória são combinados para formar um módulo com capacidade maior, cada chip é
conectado nas mesmas linhas do barramento de dados. ( ).
e. Em uma RAM dinâmica as linhas correspondentes aos endereços são multiplexadas, então estas linhas não
são apresentadas simultaneamente. A multiplexação utiliza dois registradores, um deles, é o registrador de
linha, o qual armazena a metade das linhas correspondente ao endereço superior, e o registrador da coluna
que armazena a outra metade inferior. Sendo, o clock do registrador do endereço da linha e o
clock do registrador do endereço da coluna. Então durante a operação de escrita, o sinal é ativado
antes do sinal .( ).

2. O CI TMS4256 é um RAM 256K X 1. Quantos pinos podem ser economizados usando a multiplexação de endereços
para esta DRAM.

3. Desenhe o diagrama completo para uma memória de 4K X 4 que utiliza chips de RAM estática com as seguintes
especificações: capacidade de 1K X 2.

4. Desenhe o esquema completo de uma memória 4 k X 8, que utiliza RAMs estáticas com as seguintes especificações:
capacidade de 1 k X 4.

5. Mostre como combinar dois chips de ROM mostrado na figura abaixo para produzir um módulo de memória ROM de
2K X 8 . Obs: O circuito não deve usar nenhum outro circuito lógico.
6. A figura 1a mostra um circuito que gera os sinais , e MUX, necessários à operação do circuito da figura 1b.
O clock mestre de 10 MHZ fornece a temporizarão básica para o computador. O sinal de requisição de memoria
(MEMR) é gerado pelo processador em sincronismo com o clock mestre, como mostra a figura1c. O sianl MEMR é
normalmente BAIXO, e vai para ALTO sempre que o processador precisar acessar a memória para uma operação de
leitura ou de escrita. Determine as formas de onda em Q0, Q1,e Q2, sincronizado com o clock e o sinal de MEMR.
7. Julgue as proposições abaixo e responda, escrevendo nos parênteses, certo ou errado.

a)O tempo de acesso é uma medida da velocidade de operação de um dispositivo de memória. Logo para uma
memória do tipo RAM, este tempo é o mesmo quando se deseja ler ou escrever em qualquer endereço na memória. (
).

b) Na maioria das DRAMs é necessário ler apenas uma única célula em cada linha de modo a refrescar todas as
células nessa linha. ( ).

c) Sempre que a CPU deseja escrever dados em uma posição de memória, alguns passos devem ocorrer, para que
aconteça uma operação de escrita, como primeiro passo a CPU ativa as linhas de controle apropriadas para que a
operação de escrita seja efetiva na memória. ( ).

d) A memória EPROM é do tipo volátil, de tal forma, que existe um modo de apagar algumas células se selecionadas
durante o processo de fabricação pelo fabricante.( ).

e) Em uma RAM dinâmica as linhas correspondentes aos endereços são multiplexadas, então estas linhas não são
apresentadas simultaneamente. A multiplexação utiliza dois registradores, um deles, é o registrador de linha, o qual
armazena a metade das linhas correspondente ao endereço superior, e o registrador da coluna que armazena a
outra metade inferior. Sendo RAS, o clock do registrador do endereço da linha e CAS o clock do registrador do
endereço da coluna. Então durante o ciclo de leitura, o sinal RAS é ativado antes do sinal CAS. ( ).

8. Mostre como conectar dois multiplexadores 74157 (figura a) para se obter a função multiplexadora requisitada na
Figura b.

9. [1,0 ponto] Combinar RAMs de 64 M x 8 para produzir um módulo de 128 M x 16. Desenhar o circuito.
10. Um exemplo de aplicação das memórias ROMs é a geração de sinais de temporização e controle. A figura 1 mostra
uma ROM 16 X 8 com as suas entradas de endereçamento ativadas por um contador de módulo 16, de modo que
seus endereços sejam incrementados a cada pulso de entrada. Considere que a ROM esteja programada como na
figura 2 e esboce as formas de onda em cada uma das saídas à medida que os pulsos são aplicados. Ignore os
tempos de atrasos da ROM. Considere que o contador começa em 0000.(1,0).

11. Para cada sentença a seguir, informe o tipo de memória sendo descrito: MROM, PROM, EPROM, EEPROM ou
FLASH. (1,0).

a) Uma máscara é usada para especificar as conexões elétricas.

b) Precisam ser retiradas do circuito/sistema para serem apagadas e reprogramadas.
c) Precisa de um programador especial.
d) O apagamento e a programação são feitos no próprio circuito sem necessitar de programador
especial.
e) A operação de apagamento apaga o chip inteiro, não há meios de selecionar apenas
determinados endereços que devam ser apagados.

12. Uma determinada memória tem capacidade de 16K X 32. (0,5).

a) Quantas palavras ela pode armazenar?
b) Qual o número de bits em cada palavra?
c) Quantas células de memória existem?
d) Quantos endereços diferentes são necessários à esta memória?

13. Desenhe o diagrama completo para uma memória de 4K X 4 que utiliza chips de RAM estática com as seguintes
especificações: capacidade de 1K X 1. (0,5).

14. Porque as DRAMs empregam multiplexação de endereços?(0,5).

15. Relacione os barramentos de um sistema de conexão CPU-MEMÓRIA e esclareça a função de cada um deles. (0,5).

16. Para cada uma das afirmações abaixo, indique o tipo ou os tipos de ROM que estão sendo descritas.(0,5).
a) Pode ser programada pelo usuário, mas não pode ser apagada.
b) Pode ser apagada e reprogramada quantas vezes se fizer necessário.
c) Pode ser apagada pela ação dos raios ultravioleta.
d) Seleciona as palavras a serem apagadas.
e) Possibilita o apagamento e a reprogramação das palavras individuais.

17. Escreva os recursos oferecidos pelo microcontrolador 8051.(0,5).

18. Faça um esquema conectando o 8051 com memória externa para que possa executar um programa.
____ __
19. Responda, qual é a função para cada um dos seguintes termos: PSEN, ALE, EA e P2.(0,5).
20. Desenhe o esquema completo de uma memória 4 k X 8, que utiliza RAMs estáticas com as seguintes especificações:
capacidade de 1 k X 4.

21. Responda:

a) Quantos locais da memória podem ter acesso 14 bits de endereços?

(b) A 2732 é uma EPROM de 4096 X 8. Quantas linhas de endereço ela possui?
(c) Qual a diferença entre uma célula de RAM estática e uma célula dinâmica?

22. Julgue as proposições abaixo e responda, escrevendo nos parênteses, certo ou errado.

a. O tempo de acesso é uma medida da velocidade de operação de um dispositivo de memória. Logo para
uma memória do tipo RAM, este tempo é diferente quando se deseja ler ou escrever em qualquer endereço
na memória. ( ).
b. Quando chips de memória são combinados para formar um módulo com tamanho de palavra ou capacidade
maior, as entradas CS de cada chip sempre são conectadas juntas. ( ).
c. Sempre que a CPU deseja ler dados em uma posição de memória, alguns passos devem ocorrer, para que
aconteça uma operação de leitura, como primeiro passo a CPU fornece o endereço binário da posição de
memória na qual o dado deve ser lido. Ela coloca este endereço nas linhas do barramento de endereço.(
).
d. Quando chips de memória são combinados para formar um módulo com capacidade maior, cada chip é
conectado nas mesmas linhas do barramento de dados. ( ).
e. Em uma RAM dinâmica as linhas correspondentes aos endereços são multiplexadas, então estas linhas não
são apresentadas simultaneamente. A multiplexação utiliza dois registradores, um deles, é o registrador de
linha, o qual armazena a metade das linhas correspondente ao endereço superior, e o registrador da coluna
que armazena a outra metade inferior. Sendo, o clock do registrador do endereço da linha e o
clock do registrador do endereço da coluna. Então durante a operação de escrita, o sinal é ativado
antes do sinal .( ).

23. Desenhe um esquema conectando o microcontrolador 8051 com a memória de dados. Faça as interconexões com
todas os sinais de controle.

24. Desenhe o diagrama completo para uma memória de 256K X 8 que utiliza chips RAM com as seguintes
especificações: capacidade de 64K X 4. Faça o diagrama usando uma régua para de tal forma que fique
compreensível, indique todas as informações que uma memória deve conter.

25. Para cada uma das afirmações abaixo, indique o tipo ou os tipos de ROM que estão sendo descritas.
a) Pode ser programada pelo usuário, mas não pode ser apagada.
b) Pode ser apagada e reprogramada quantas vezes se fizer necessário.
c) Pode ser apagada pela ação dos raios ultravioleta.
d) Seleciona as palavras a serem apagadas.
e) Possibilita o apagamento e a reprogramação das palavras individuais.

26. [1,5 pontos] A fig. 10-20 mostra como o conversor ADC0804 é interfaceado com um microprocessador. Ela mostra três
sinais de controle, , que são gerados pelo microcomputador para o conversor A/D. Estes sinais são
utilizados para iniciar cada nova conversão e para ler (transferir) os dados do A/D para o microcomputador através da
barra de dados. A fig. 10-35 mostra um modo de implementar a lógica de decodificação de endereços. O sinal que
ativa o ADC0804 é gerado pelas linhas de endereço de mais alta ordem do barramento de endereços do
microprocessador. Sempre que o microprocessador desejar se comunicar com o ADC0804, ele coloca o endereço do
ADC0804 na barra de endereços e a lógica de decodificação aciona o sinal em BAIXO. Note que, além das linhas
de endereços, um sinal de temporização e controle (ALE) é conectado na entrada de habilitação . Sempre que ALE
está em nível ALTO, significa que os endereços podem estar sofrendo uma transição de níveis, de modo que o
decodificador deve permanecer desabilitado até que ALE vá para BAIXO (quando o endereço estará válido e estável).
Isto serve apenas para temporização e não tem efeito sobre o endereçamento do conversor A/D.
a. Determine o endereço do ADC0804.
b. Modifique o circuito da fig.10-35 para colocar o ADC0804 no endereço hexadecimal E8XX.
c. Modifique o circuito da fig.10-35 para colocar o ADC0804 no endereço hexadecimal FFXX.

27. [1,0 ponto] O CI TMS4256 é um RAM 256K X 1. Quantos pinos podem ser economizados usando a multiplexação de
endereços para esta DRAM.

28. [1,0 ponto] Combinar RAMs de 32 k x 8 para produzir um módulo de 128 k x 16. Desenhar o circuito.

29. [0,5 pontos] Um computador tem 25KBytes de memória instalada e tamanho de palavra de 16 bits.
Qual o número mínimo de linhas de endereço necessárias para aceder a todas as posições de memória ? Justifique.
30. Considere o seguinte sistema de memória:

31. (1,5 pontos) Definir:

a) Tempo de Acesso;
b) Palavra de memória,
c) Endereço

32. [1,5 pontos] Para o seguinte circuito, determine a faixa de memória ocupada por cada circuito integrado
de ROM e de RAM:
33. [1,5 pontos] Combinar RAMs de 64 k x 8 para produzir um módulo de 128 k x 16. Desenhar o circuito.

34. [1,0 ponto] O CI TMS4256 é um RAM 512 K X 1. Quantos pinos podem ser economizados usando a multiplexação
de endereços para esta DRAM.

35. Uma memória do tipo FLASH EEPROM...

a) ... não é volátil.
b) ... só serve para leitura.
c) ... só pode ser programada uma única vez.
d) Nenhuma das opções anteriores.

36. Considere o seguinte diagrama de blocos de um sistema de memória:

a) Qual é a capacidade do sistema em n´umero de palavras e número de bits por palavra? Justifique.

b) Em que RAM est´a a palavra de endere¸co 082Ah? Justifique.

37. Um computador tem 25KBytes de memória instalada e tamanho de palavra de 16 bits.

Qual o número mínimo de linhas de endereço necessárias para aceder a todas as posições de
memória ? Justifique.

38. Uma determinada memória tem capacidade de 32 K x 8, pergunta-se: (0,5).

a) Quantas palavras esta memória pode armazenar?
b) Qual o tamanho da palavra?
c) Quantas células existem nesta memória?
d) Quantos endereços existem nesta memória?
e) Qual o total de bits que esta memória pode armazenar?
39. Considere a figura, onde se encontra representada uma descodificação completa de endereços para
acesso a 3 dispositivos de um sistema. Sabe-se também que tanto o barramento de dados como o de
endereços (A0 a A7) são de 8 bits. Quais serão os endereços que correspondem a posições localizadas
na memória RAM ?

40. Dado o número de entradas de endereços e de dados do diagrama da memória, determine a

sua organização.

41. [1,0 ponto] Analise as seguintes questões relacionadas as memórias:

I. As memórias EEPROMs são voláteis oferecem tempos de acesso reduzidos e têm alta densidade e
baixo custo por bit. Entretanto, elas podem ser apagadas em bloco por luz UV.
II. A célula de memória flash é semelhante à célula com único transistor da EPROM (diferente da célula
mais complexa da EEPROM com dois transistores), apenas um pouco maior. Elas podem ser
apagadas eletricamente no circuito, por setor ou em bloco (todas as células).
III. As memórias programáveis MROMs tipicamente costumam ter saídas tristate que permitem que
sejam usadas em um sistema de barramento. A exemplo das PROMs essas memórias não podem
ser apagadas ou reprogramadas.
IV. As memórias EPROMs são não-voláteis, oferecem rápido acesso para leitura e permitem que o
apagamento e a reprogramação de bytes individuais sejam feitos de maneira rápida no circuito.

A seqüência correta é:
a) As assertivas II e IV estão corretas.
b) Apenas as assertivas I, III e IV estão correta.
c) As assertivas I, II, III e IV estão corretas.
d) Apenas as assertivas II e III estão corretas.
e) Apenas as assertivas I e III estão corretas.
42. Para cada sentença a seguir, informe o tipo de memória sendo descrito: MROM, PROM, EPROM, EEPROM ou FLASH.

a) Uma máscara é usada para especificar as conexões elétricas.

b) Precisam ser retiradas do circuito/sistema para serem apagadas e reprogramadas.
c) Precisa de um programador especial.
d) O apagamento e a programação são feitos no próprio circuito sem necessitar de programador especial.
e) A operação de apagamento apaga o chip inteiro, não há meios de selecionar apenas determinados endereços que
devam ser apagados.

43. Desenhe um esquema conectando o microcontrolador 8051 com a memória de dados. Faça as interconexões com todas os sinais de
controle.
44. Desenhe o diagrama completo para uma memória de 256K X 8 que utiliza chips RAM com as seguintes especificações: capacidade de
64K X 4. Faça o diagrama usando uma régua para de tal forma que fique compreensível, indique todas as informações que uma memória
deve conter.

45. Para cada uma das afirmações abaixo, indique o tipo ou os tipos de ROM que estão sendo descritas.
a) Pode ser programada pelo usuário, mas não pode ser apagada.
b) Pode ser apagada e reprogramada quantas vezes se fizer necessário.
c) Pode ser apagada pela ação dos raios ultravioleta.
d) Seleciona as palavras a serem apagadas.
e) Possibilita o apagamento e a reprogramação das palavras individuais.

46. Esboce a organização de uma memória RAM de 16K X 4, que utiliza CIs de RAM dinâmica com 4 K X 4.

47. Porque as DRAMs empregam multiplexação de endereços?

48. Quais são os três grupos de linhas que conectam o processador com a memória?

49. [1,0 ponto] Considere as afirmativas:

I. O barramento de endereço de um sistema CPU-MEMÓRIA, é um barramento bidirecional e sua função é
fornecer as saídas binárias de endereços da CPU para os CIs de memória para selecionar uma posição de
memória.
II. O barramento de dados é unidirecional que transporta dados entre a CPU e os CIs de memória.

III. O barramento de controle tem a função de levar sinais de controle da CPU para os CIs de memória.

Podemos afirmar que:

(a) somente I e II estão corretas.

(b) somente II e III estão corretas.
(c) somente I e II estão incorretas
(d) I, II e III são corretas.
(e) I, II e III são incorretas.

50. Um micro-processador comunica com uma memória através de 16 linhas de dados e 20 linhas de endereços. Qual será a
dimensão dessa memória?

a) 16 KBytes
b) 128 KBytes
c) 2 MBytes
d) 16 Mbytes

51. [1,0 ponto] O João comprou para o seu computador uma memória DRAM com 256MBytes. Indique o número mínimo de
linhas de endereços necessárias para indexar corretamente esta memória, sabendo que em cada endereço são
guardados 32 bits.

52.
53. Marque V ou F. Um item errado anula um item certo. Itens em branco não anularão itens certos.

I. Caso o microprocessador possua 12 linhas de endereço, ele será capaz de endereçar até 32 mil posições de
memória.
II. Em muitos microprocessadores, o barramento de dados tem a característica de poder assumir o estado de alta
impedância, de forma que vários chips podem ser conectados a esse barramento.
III. Muitos microcomputadores utilizam memórias RAM estáticas. Essas memórias necessitam de um sinal de
refresh, que reconstitui os dados a cada intervalo de poucos milissegundos.
IV. Muitos projetistas optam por utilizar memórias ROM em microcomputadores embasados em microprocessadores,
pois é possível que o usuário programe esse tipo de memória por meios elétricos.
V. Uma memória semicondutora com 4 kilobytes contém internamente um número máximo de 4.000 registradores.

54. [2,5 pontos] Examine o circuito da Figura abaixo.

(a) Determine sua capacidade total e o tamanho das palavras.
(b) Quais RAM’s irão transmitir os dados para o barramento quando R/W=1 e o barramento de endereços for
00010110?
(c) Determine a faixa de endereços ocupada por cada circuito integrado.

55. 1,5 pontos] Certa memória armazena 8K palavras de 16 bits cada.

(a) Quantas linhas de dados de entrada e linhas de dados de saída ela possui?
(b) Quantas linhas de endereço ela tem?
(c) Qual é a sua capacidade em bytes?

56. [0,5 pontos] Um computador tem 25KBytes de memória instalada e tamanho de palavra de 16 bits.
Qual o número mínimo de linhas de endereço necessárias para aceder a todas as posições de
memória ? Justifique.

57. [0,5 pontos] Responda às seguintes questões:

a) Qual o número de endereços numa memória com 10 linhas de endereço?

 b) Qual o número de endereços numa memória com uma capacidade de 32Kbytes e palavras de 16 bits?

58. [0,5 pontos] Sobre memórias, é correto afirmar que:

a) O estado de uma memória SRAM é mantido diretamente com o auxílio de capacitores;

b) O conteúdo de memórias EEPROM é apagado por exposição à radiação ultravioleta;
c) Volatilidade é uma característica associada à permanência ou não dos dados na ausência de alimentação do
dispositivo de memória;
d) Memórias DRAM são tipicamente mais rápidas do que memórias SRAM;
e) Somente as alternativas a) e d) são corretas;

59. [0,5 pontos] Assinale a afirmativa INCORRETA.

a. A memória EPROM pode ser programada pelo usuário e também pode ser apagada e reprogramada quantas
vezes for desejado.

b. A memória EPROM é apagada através da aplicação de luz ultravioleta, e a memória EEPROM é apagada
eletricamente.

c. A memória FLASH é apagada eletricamente e tem um tempo de escrita e de apagamento menor do que as
EPROMs e que as EEPROMs.

d. A memória RAM estática mantém seus dados armazenados, enquanto a alimentação do CI é mantida, embora
necessite da atualização (refresh) periódica dos seus dados.

e. A memória ROM programada por máscara tem suas informações armazenadas, ao mesmo tempo em que o
circuito integrado é fabricado.

61. Um chip de memória semicondutora é especificado como 5Kx16. Qual o tamanho da palavra desse chip? Quantas
palavras podem ser armazenadas nesse chip? Qual é o número total de bits que esse chip pode armazenar? Responda o
que se pede.

62. [2,5 pontos] As memórias RAM, construídas a partir de semicondutores, apresentam as seguintes características quanto à
possibilidade de leitura /escrita, ao modo de acesso e à volatilidade:

A) apenas leitura, acesso seqüencial, voláteis;

B) apenas escrita, acesso aleatório, NÃO voláteis;
C) leitura / escrita, acesso aleatório, voláteis;
D) leitura / escrita, acesso seqüencial, voláteis;
E) apenas leitura, acesso aleatório, NÃO voláteis.

63. [2,5 pontos] “Neste tipo de memória, os dados são armazenados em carga de capacitores. Com o tempo, os capacitores
vão perdendo sua carga e o dado vai desaparecendo. Desta forma, faz-se necessário a realização de uma carga periódica
dos capacitores (refresh) para a manutenção dos dados.” O texto anterior refere-se a memórias do tipo:

A) SRAM (RAM estática) e DRAM (RAM dinâmica)

B) SRAM
C) DRAM
D) FLASH
E) N.R.A.

64. [0,5 pontos] Um chip de memória semicondutora é especificado como 5Kx16. Qual o tamanho da palavra desse chip?
Quantas palavras podem ser armazenadas nesse chip? Qual é o número total de bits que esse chip pode armazenar?
Responda o que se pede e assinale a resposta correta.

65. Examine o circuito da Figura 1.

(a) Determine a sua capacidade total de cada tipo de memória e o tamanho das palavras.
(b) Determine a faixa de endereços de cada uma das memórias.
 Figura 1

66. [0,5 pontos] O integrado 2142, fabricado pela Intel, é uma memória RAM estática de 1024 x 4 bits. Consultando o
manual do fabricante, constatamos que esta memória é um integrado de 20 pinos (terminais), em que alguns
pinos são denominados pelos símbolos:

a) A0, A1, A2, ..., An;

b) I/O1, I/O1, ..., I/On ;
c) CS2 , OD , Vcc e GND

Sobre essa memória, pode-se afirmar que:

(A) A0, A1, A2, ..., A7 são os endereços totais da memória, I/O1, I/O1, I/O2 e I/O3 são somente entradas de
dados e CS2 é a habilitação da pastilha;
(B) A0, A1, A2, ..., A8 são os endereços totais da memória, I/O1, I/O1, I/O2 e I/O3 são as entradas e saídas de
dados e CS2 é a habilitação somente da escrita de dados;
(C) A0, A1, A2, ..., A9 são os endereços totais da memória, I/O1, I/O1, I/O2 e I/O3 são as entradas e saídas de
dados e CS2 é a habilitação somente da leitura de dados;
(D) A0, A1, A2, ..., A9 são os endereços totais da memória, I/O1, I/O1 e I/O3 são as únicas entradas de dados e
CS2 é a habilitação da pastilha;
(E) A0, A1, A2, ..., A9 são os endereços totais da memória, I/O1, I/O1, I/O2 e I/O3 são as entradas e saídas de
dados e CS2 é a habilitação da pastilha.

67. [2,0 pontos] O banco de memórias apresentado tem um arranjo equivalente a uma memória total de:
68. [2,0 pontos] A coluna a esquerda contem alguns tipos de memorias semicondutoras. A coluna a direita contem algumas
caracteristicas destas memorias. Relacione a coluna a direita com a da esquerda e depois assinale a sequencia correta de
alternativas abaixo.

A. ROM
B. PROM
C. EPROM
D. EEPROM
E. RAM Estatica
F. RAM Dinamica

( ) volatil, conteudo mantido se alimentacao presente

( ) nao volatil, apagada e programada eletricamente.
( ) nao volatil, programada durante fabricacao.
( ) nao volatil, programada uma unica vez pelo usuario.
( ) volatil, conteudo precisa ser refrescado periodicamente.

69. [0,5 pontos] Assinale abaixo a alternativa correta:

a) Desligando-se a alimentação de uma memória RAM todos os dados armazenados serão mantidos.
b) O barramento de controle de um microprocessador é unidirecional e envia dados da CPU para os periféricos.

c) E) Memórias RAM são utilizadas como memórias de programa de um microcomputador.

d) O barramento de endereços de um microprocessador é unidirecional e transporta códigos de endereço entre a

CPU, a memória e os dispositivos de E/S.

e) O barramento de dados de um microprocessador é unidirecional e transporta códigos de endereço entre a CPU, a

memória e os dispositivos de E/S.

70. [0,5 pontos] Responda às seguintes questões:

a) Qual o número de endereços numa memória com 10 linhas de endereço?

 b) Qual a capacidade de uma memória com 10 linhas de endereço e 8 linhas de dados?
c) Qual o número de endereços numa memória com uma capacidade de 16Kbytes e palavras de 16 bits?

71. [1,0 ponto] Sobre memórias, é correto afirmar que:

a. O estado de uma memória SRAM é mantido diretamente com o auxílio de capacitores;

b. O conteúdo de memórias EEPROM é apagado por exposição à radiação ultravioleta;
c. Volatilidade é uma característica associada à permanência ou não dos dados na ausência de alimentação do
dispositivo de memória;
d. Memórias DRAM são tipicamente mais rápidas do que memórias SRAM;
e. Somente as alternativas a) e d) são corretas;

72. [0,5 pontos] Considere a figura, onde se encontra representada uma descodificação completa de endereços para acesso a
3 dispositivos de um sistema. Sabe-se também que tanto o barramento de dados como o de endereços (A0 a A7) são de 8
bits. Quais serão os endereços que correspondem a posições localizadas na memória RAM ?

73. [0,5 pontos] Sobre memórias, é correto afirmar que:

A. O estado de uma memória SRAM é mantido diretamente com o auxílio de capacitores;

B. O conteúdo de memórias EEPROM é apagado por exposição à radiação ultravioleta;
C. Volatilidade é uma característica associada à permanência ou não dos dados na ausência de alimentação do
dispositivo de memória;
D. Memórias DRAM são tipicamente mais rápidas do que memórias SRAM;
E. Somente as alternativas a) e d) são corretas;

74. [0,5 pontos] Que alternativa inclui as quatro partes básicas da arquitetura da ROM?

  Decodificador de linhas, matriz de registradores, contador binário de avanço e buffer de saída.

 
Conversor digital-para-analógico, decodificador de linhas, decodificador de colunas e buffer de saída.
 
Buffer de entrada, buffer de saída, matriz de registradores e decodificador.
 
Decodificador de linhas, decodificador de colunas, matriz de registradores e buffer de saída.
 

75. [0,5 pontos] Assinale abaixo a alternativa correta:

a. Desligando-se a alimentação de uma memória RAM todos os dados armazenados serão mantidos.
b. O barramento de controle de um microprocessador é unidirecional e envia dados da CPU para os periféricos.

c. Memórias RAM são utilizadas como memórias de programa de um microcomputador.

 d. O barramento de endereços de um microprocessador é unidirecional e transporta códigos de endereço entre a
CPU, a memória e os dispositivos de E/S.

e. O barramento de dados de um microprocessador é unidirecional e transporta códigos de endereço entre a CPU, a

memória e os dispositivos de E/S.

76. [0,5 pontos] Suponha que um sistema de computador tenha uma linha de leitura/gravação identificada como R/W. Ao
gravar na memória:

a. Grava 1, e os dados atualmente armazenados no local designado da memória serão perdidos à medida que os
novos dados forem sendo gravados.

b. Grava = 0, e os dados atualmente armazenados no local designado da memória serão gravados em um novo
local da memória.

c. Grava = 1, e os dados atualmente armazenados no local designado da memória serão gravados em um novo
local da memória.

d. Grava = 0, e os dados atualmente armazenados no local designado da memória serão perdidos à medida que os
novos dados forem sendo gravados.