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TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR - I
Prof. Corradi Eletrnica Bsica - Informao elementar e exerccios
resolvidos.

O transistor de juno bipolar um dispositivo semicondutor de trs terminais,
formado por trs camadas consistindo de: duas camadas de material tipo "n" e uma de
tipo "p" ou de duas de material tipo "p" e uma de tipo "n".
O primeiro chamado de transistor npn enquanto que o segundo chamado de
transistor pnp.
Atravs de uma polarizao de tenso adequada consegue-se estabelecer um
fluxo de corrente, permitindo que o transistor seja utilizado em inmeras aplicaes
como: chaves comutadoras eletrnicas, amplificadores de tenso e de potncia,
osciladores, etc.
O termo bipolar refere-se ao fato dos portadores lacunas e eltrons
participarem do processo do fluxo de corrente. Se for utilizado apenas um portador,
eltron ou lacuna, o transistor denominado unipolar (FET).

ESTRUTURA BSICA:

As figuras abaixo ilustram a estrutura bsica de um transistor, representando
um circuito T equivalente com diodos, ligados de tal forma a permitir a identificao
da polarizao das junes, as quais so: base-emissor e base-coletor (B-E e B-C
respectivamente).
Observa-se que no transistor pnp a juno dos dois catodos do diodo forma
a base, que negativa, sendo o emissor e o coletor positivos, enquanto que no
transistor npn a juno dos dois anodos forma a base que positiva, sendo o emissor e
o coletor negativos. A simbologia utilizada para os transistores de juno mostrada
logo abaixo dos circuitos equivalentes "T" com diodos.

POLARIZAO:

UNIP Eletrnica para Engenheiros - TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR - I 1
Para que um transistor funcione necessrio polarizar corretamente as suas
junes, da seguinte forma:
Prof. Corradi WWW.corradi.junior.nom.br
1 - J uno base-emissor: deve ser polarizada diretamente
2 - J uno base-coletor: deve ser polarizada reversamente
Esse tipo de polarizao deve ser utilizado para qualquer transistor de juno
bipolar, seja ele npn ou pnp.

As figuras abaixo ilustram exemplos de polarizao para os dois tipos de
transistores:
Transistor npn com polarizao
direta entre base e emissor e
polarizao reversa entre coletor e
base.

Transistor pnp com polarizao
direta entre base e emissor e
polarizao reversa entre coletor e
base

Observe atentamente nas figuras acima a polaridade das baterias.

OPERAO BSICA:

1 - Juno diretamente polarizada:
A figura abaixo mostra o desenho de um transistor pnp com a polarizao
direta entre base e coletor. Para estudar o comportamento da juno diretamente
polarizada, foi retirada a bateria de polarizao reversa entre base e coletor.
Observa-se ento uma semelhana entre a polarizao direta de um diodo com
a polarizao direta entre base e emissor, onde aparece uma regio de depleo
estreita.

Neste caso haver um fluxo relativamente intenso de portadores majoritrios
do material p para o material n.

2 - Juno reversamente polarizada:

Passemos a analisar o comportamento da juno reversamente polarizada,
conforme mostra a figura abaixo. Neste caso, foi removida a bateria de polarizao
direta entre emissor e base.
Observa-se agora, em virtude da polarizao reversa um aumento da regio de
depleo semelhante ao que acontece com os diodos de juno, isto ocorre um fluxo
de portadores minoritrios (corrente de fuga nos diodos), fluxo este que depende
tambm da temperatura. Podemos ento dizer que uma juno p-n deve ser
diretamente polarizada (base-emissor) enquanto que a outra juno p-n deve ser
reversamente polarizada (base-coletor).

FLUXO DE CORRENTE:

Quando um transistor polarizado corretamente, haver um fluxo de corrente,
atravs das junes e que se difundir pelas camadas formadas pelos cristais p ou n.
Essas camadas no tm a mesma espessura e dopagem, de tal forma que:
1. A base a camada mais fina e menos dopada;
2. O emissor a camada mais dopada;
3. O coletor uma camada mais dopada do que a base e menos dopada do que o
emissor.
Uma pequena parte dos portadores majoritrios ficam retidos na base. Como a
base uma pelcula muito fina, a maioria atravessa a base a se difunde para o coletor.
A corrente que fica retida na base recebe o nome de corrente de base (I
B
),
sendo da ordem de microampres. As correntes de coletor e emissor so bem maiores,
ou seja, da ordem de miliampres, isto para transistores de baixa potncia, podendo
alcanar alguns ampres em transistores de potncia. Da mesma forma, para
transistores de potncia, a corrente de base significativamente maior.

Podemos ento dizer que o emissor (E) o responsvel pela emisso dos
portadores majoritrios; a base (B) controla esses portadores enquanto que o coletor
(C) recebe os portadores majoritrios provenientes do emissor.

A exemplo dos diodos reversamente polarizados, ocorre uma pequena corrente
de fuga, praticamente desprezvel, formada por portadores minoritrios. Os portadores
minoritrios so gerados no material tipo n (base), denominados tambm de corrente
de fuga e so difundidos com relativa facilidade at ao material do tipo p (coletor),
formando assim uma corrente minoritria de lacunas. Lembre-se de que os portadores
minoritrios em um cristal do tipo n so as lacunas.

Desta forma a corrente de coletor (I
C
),

formada pelos portadores majoritrios
provenientes do emissor soma-se aos portadores minoritrios (I
CO
) ou (I
CBO
).
Aplicando-se a lei de Kirchhoff para corrente (LKT), obtemos:

I
E
=I
C
+I
B
, onde:
I
C
=I
C (PORTADORES MAJ ORITRIOS)
+I
CO
ouI
CBO (PORTADORES MINORITRIOS)

Para uma melhor compreenso, a figura a seguir ilustra o fluxo de corrente em
um transistor npn, atravs de outra forma de representao. No entanto, o processo de
anlise o mesmo.

Na figura acima se observa que os portadores minoritrios (I
CO
ou I
CBO
)
provenientes da base so os eltrons, que se somaro a corrente de coletor.
Verifica-se ainda em relao ao exemplo anterior (transistor pnp), que a
corrente de base (I
B
) tem um sentido oposto , uma vez que, essa corrente formada
por lacunas. Da mesma forma as correntes de emissor (I
E
) e de coletor (I
C
) tambm
tem sentidos opostos, por serem formadas por eltrons.

OBS: Os transistores do tipo pnp e npn so submetidos ao mesmo processo de
anlise, bastando para isso, inverter a polaridade das baterias de polarizao e lembrar
que:
Cristal N - os portadores majoritrios so os eltrons e os minoritrios as
lacunas;
Cristal P - os portadores majoritrios so as lacunas e os minoritrios os
eltrons.

A figura abaixo mostra um circuito com transistor npn.
A juno base-emissor est polarizada diretamente e por isto, representa uma
regio de baixa impedncia. A voltagem de polarizao base-emissor baixa (da
ordem de 0,55V a 0,7V para transistores de silcio), polarizao esta, caracterizada
pela bateria V
EE
enquanto que, a juno base-coletor est reversamente polarizada em
funo da bateria V
CC
. Na prtica, V
CC
assume valores maiores do que V
EE
.

Como j foi dito anteriormente, a corrente I
C
o resultado dos portadores
majoritrios provenientes do emissor. A corrente de coletor divide-se basicamente em
duas componentes: a corrente proveniente do emissor e a corrente proveniente do
juno reversamente polarizada coletor-base, denominada I
CBO
, sendo que esta ltima
assume valores extremamente baixos que em muitos casos podem ser desprezados.

A quantidade de corrente que chega no coletor proveniente do emissor
depende do tipo de material e dopagem do emissor. Essa quantidade de corrente varia
de acordo com o tipo de transistor.
A constante de proporcionalidade dessa corrente definida como (alfa)
1
, de
forma que, a corrente de coletor representada por I
E
. Os valores tpicos de
variam de 0,9 a 0,99. Isto significa que parte da corrente do emissor no chega ao
coletor
2
.

Exemplo: Qual a corrente de coletor de um transistor com = 0,95,
sabendo-se que a corrente de emissor 2mA?

1
O smbolo h
FB
algumas vezes usado na lugar de
2
Isto explicvel, pois menor do que 1.
Soluo:
I
C
=I
E
I
C
=0,95 . 2mA =1,9mA

Caso I
CBO
no seja desprezada, a corrente de coletor dada por:

I
C
=I
E
+I
CBO
( I )

Como dito anteriormente, parte da corrente do emissor que fica retida na base
forma a corrente de base, assim:

I
E
=I
C
+I
B
( II )

Substituindo ( I ) em ( II ), podemos calcular a corrente de base:

I
B
= (1 - ) . I
E
- I
CBO
=
- 1
. I
C
-
CBO I

A relao / (1 - ) representada por (beta)
3
.
Podemos ento estabelecer as relaes:

=
- 1

=
1 +

Exemplos:
a) Um transistor possui um fator =0,92. Qual o fator ?
Soluo:
=
0,92 - 1
0,92
=
0,08
0,92
=11,5

b) Um transistor possui um fator =100. Qual o fator ?
Soluo:
=
1 +
=
101
100
=0,99

Podemos ento estabelecer uma relao entre e .
4

Temos ento:
=
B
C
I
I
e =
E
C
I
I

3
O smbolo h
FE
algumas vezes usado no lugar de
4
Alguns autores utilizam a notao
CC
e
CC
assume valores muito mais elevados em relao a (o valor tpico de da
ordem de 30 a 300). Ento, quanto maior for o valor de , mais o valor de tende a
aproximar-se de 1.
Assim, levando-se em conta que I
C
=I
E
, para um valor de 100, podemos
considerar para fins prticos:
I
C
=I
E

CONFIGURAES BSICAS:

Os transistores podem ser ligados em trs configuraes bsicas: base comum
(BC), emissor comum (EC) e coletor comum (CC). Essas denominaes relacionam-
se aos pontos onde o sinal injetado e retirado, ou ainda, qual dos terminais do
transistor referncia para a entrada e sada de sinal.

BASE COMUM:

No circuito a seguir, observa-se que o sinal injetado entre emissor e base e
retirado entre coletor e base.
Desta forma, pode-se dizer que a base o terminal comum para a entrada e
sada do sinal. O capacitor "C" ligado da base a terra assegura que a base seja
efetivamente aterrada para sinais alternados.

CARACTERSTICAS:

Ganho de corrente (Gi): <1
Ganho de tenso (G
V
): elevado
Resistncia de entrada (R
IN
): baixa
Resistncia de sada (R
OUT
): alta
EMISSOR COMUM:

No circuito emissor comum, o sinal aplicado entre base e emissor e retirado
entre coletor e emissor. O capacitor no emissor "C
E
" assegura o aterramento do
emissor para sinais alternados. C
A
um capacitor de acoplamento de sinal.


CARACTERSTICAS:

Ganho de corrente (Gi): elevado
Ganho de tenso (G
V
) elevado
IN
) mdia
OUT
) alta

COLETOR COMUM:

A figura a seguir mostra um circuito na configurao coletor comum.
A configurao de coletor comum tambm conhecida como seguidor de
emissor. Essa denominao dada devido a tendncia de todo o sinal aplicado na
entrada estar praticamente presente na sada (circuito de emissor).
O sinal de entrada aplicado entre base e coletor e retirado do circuito de
emissor. O capacitor "C
C
" ligado do coletor a terra assegura que o coletor esteja
aterrado para sinais alternados. C
A
um capacitor de acoplamento de sinal.

CARACTERSTICAS:

Ganho de corrente (Gi): elevado
Ganho de tenso (G
V
): 1
IN
): muito
elevada
OUT
): muito
baixa

As configuraes emissor comum, base comum e coletor comum, so tambm
denominadas emissor a terra, base a terra e coletor a terra. Essas configuraes
tambm podem ser apresentadas conforme ilustram as figuras abaixo:

REPRESENTAO DE TENSES E CORRENTES:

Para representar tenses e correntes em um circuito com transistores, utiliza-
se usualmente o mtodo convencional (do +para o -), atravs de setas.
Para as tenses, a ponta da seta aponta sempre para o potencial mais positivo e
as correntes so representadas com setas em sentido contrrio as das tenses.
Podemos por exemplo representar uma tenso entre coletor e emissor por V
CE
quando o transistor for npn. Isto significa que o coletor mais positivo do que o
emissor. Em outras palavras, a primeira letra aps o V (neste caso o coletor) mais
positiva do que a segunda letra (neste caso o emissor).
Para um transistor pnp a tenso entre coletor e emissor representada por V
EC
,
indicando que o emissor mais positivo do que o coletor.
A figura abaixo ilustra dois transistores com polaridades opostas, utilizando
essa representao.

Na figura abaixo temos um outro exemplo utilizando essas representaes;
observe que as setas que indicam o sentido da corrente so opostas aquelas que
indicam as tenses.

Para as tenses V
RC
(tenso no resistor de coletor) e V
RE
( tenso no resistor de
emissor), a ponta da seta indica que a tenso na parte superior desses resistores mais
positiva do que na parte inferior.

POLARIZAO COM UMA NICA BATERIA:

Temos visto at agora a polarizao de transistores utilizando duas baterias,
sendo uma para polarizao da juno base-emissor e outra para a juno base-
coletor.
Na maioria das vezes, uma nica bateria pode polarizar um circuito
transistorizado, visto que o mesmo comporta-se como um circuito fechado.
As tenses nas junes do transistor e nos componentes externos, como
resistores, capacitores, indutores, etc. podem ser calculadas utilizando-se as leis de
Kirchhoff para tenso (LKT).
Da mesma forma, as correntes podem ser calculadas aplicando-se LKC.
A figura a seguir mostra um transistor com polarizao por divisor de tenso
na base, cuja teoria ser vista no captulo referente aos circuitos de polarizao.

Observe atentamente as indicaes das tenses e das correntes em funo do
sentido das setas.

Aplicando-se LKT, podemos obter vrias equaes:

1. V
CC
- V
RC
- V
CE
- V
RE
=0
2. V
CE
-V
BE
- V
CB
=0
3. V
CC
- V
B1
- V
RB
=0
R 2
4. V
RB1
- V
RC
- V
CB
=0
5. V
RB2
- V
BE
- V
RE
=0
6. V
CC
- V
RC
- V
CB
- V
BE
- V
RE
=0

Aplicando-se LKC no ponto X, temos:

1. I
B
=I
1
- I
2

2. I
1
=I
2
+I
B

CURVAS CARACTERSTICAS:

As curvas caractersticas definem a regio de operao de um transistor, tais
como: regio de saturao, regio de corte, regio ativa e regio de ruptura.

De acordo com as necessidades do projeto essas regies de operao devem
ser escolhidas. Quando necessitamos de um transistor como chave eletrnica,
normalmente as regies de corte e saturao so selecionadas; no caso de transistor
operando como amplificador, via de regra, escolhe-se a regio ativa.

A regio de ruptura indica a mxima tenso que o transistor pode suportar sem
riscos de danos.

A seguir so mostradas algumas curvas caractersticas, apenas como fim
didtico, no sendo obedecido a rigor nenhum tipo de escala.

CURVA CARACTERSTICA PARA MONTAGEM EM EMISSOR COMUM:
A regio de corte mostrada na rea sombreada, onde I
B
=0.
A curva de potncia mxima representa a mxima potncia que pode ser
dissipada pelo transistor.

CURVA CARACTERSTICA PARA MONTAGEM EM BASE COMUM:

Observa-se na curva caracterstica para montagem em base comum, que a
corrente de emissor controla a corrente de coletor, enquanto que na curva
caracterstica para montagem em emissor comum, a corrente de base controla a
corrente de coletor.

CURVA CARACTERSTICA PARA MONTAGEM EM COLETOR COMUM:
Observe a calibrao dos eixos de tenso e corrente para a montagem em
coletor comum, onde a corrente de base controla a corrente de emissor.

A figura abaixo mostra a curva caracterstica para emissor comum semelhante
a vista anteriormente, no entanto, observe a rea sombreada, a qual denominada de
rea til, na qual o transistor opera com total segurana.

A regio til delimitada pela curva de potncia mxima
5
e conforme dito
anteriormente, o transistor trabalha com segurana, no ultrapassando a mxima
potncia permitida.

CIRCUITOS DE POLARIZAO:

Apresentaremos a seguir alguns circuitos de polarizao muito utilizados e
suas principais caractersticas:

1 - POLARIZAO POR CORRENTE DE BASE CONSTANTE
Tambm denominado de polarizao fixa, um circuito muito utilizado
quando deseja-se que o transistor opere como chaveamento eletrnico, com dois
pontos bem definidos: corte e saturao.

Por esse motivo esse tipo de polarizao no utilizado em circuitos lineares,
pois muito instvel, pois uma variao da temperatura provoca uma variao de .
Para este tipo de polarizao: I
C
=I
B

Para evitar o disparo trmico, adota-se geralmente: V
CE
=0,5V
CC

2 - POLARIZAO POR CORRENTE DE EMISSOR CONSTANTE
Diferente do caso anterior, procura-se compensar as variaes de atravs do
resistor de emissor.


5
Tambm denominada hiprbole de mxima dissipao.
Assim, quando aumentar, a corrente de coletor aumenta, aumentando
tambm a tenso no emissor, fazendo com que haja uma diminuio da tenso de
polarizao V
BE
, reduzindo a corrente de base. Isto resulta numa corrente de coletor
menor compensando parcialmente o aumento original de .
Aplicando LKT:
V
CC
=V
RC
+V
CE
+R
E
I
E

onde: V
RC
=R
C
I
C

logo:
V
CC

=R
C
I
C
+V
CE
+R
E
I
E

Adota-se como prtica para garantir a estabilidade trmica sem afetar o sinal
de sada: V
RE
=0,1V
CC

Equaes bsicas:
I
B
=
E B
CC
R R
V
+
ou ainda: I
B
=
C I

I
E
=( +1)I
B

3 - POLARIZAO POR REALIMENTAO NEGATIVA

Este circuito reduz o ganho, mas em compensao aumenta a estabilidade.

Equaes bsicas:
V
RE
=0,1V
CC

V
RC
=V
CC
- (V
CE
+V
RE
)
I
B
=
C B
CC
R R
V
+

4 - SEGUIDOR DE EMISSOR
O seguidor de emissor tem como caracterstica o ganho de tenso baixo ( 1)

Equaes bsicas:
V
CE
=0,5V
CC

R
E
=
E
CC
I
0,5V

I
E
=I
B

I
B
=
E B
CC
R R
V
+

5 - POLARIZAO POR DIVISOR DE TENSO NA BASE

a base ou polarizao universal um dos
mtodos mais usados em circuitos lineares.
formado por R
B1
e R
B2
, onde R
B2
polariza diretamente a juno base-

s a analisar como opera esse tipo de polarizao.

Aplicando Thevnin:

A polarizao por divisor de tenso n

A grande vantagem desse tipo de polarizao sua estabilidade trmica
(praticamente independente de ). O nome divisor de tenso proveniente do divisor
de tenso
emissor.

Passemo

Abrindo o terminal da base temos: V
TH
=
B2 B1
CC B2
R R
V . R
+

Ainda com o terminal da base aberto e V
CC
em curto, temos:
R
TH
=
B2 B1
B2 B1
R R
R . R
+

Isto nos d o circuito equivalente de Thevnin:
o nome de R
BB
enquanto
que a tenso equivalente de Thevnin recebe o nome de V
BB
Aplicando LKT:
V
TH
- R
TH
I
B
- V
BE
- R
E
I
E
=0

Sendo: I
B
=

OBS: A resistncia equivalente de Thevnin recebe

1
IE
+
, temos: I
E
=
1
R
R
V - V
TH
E
BE TH
+
+

1
RTH
+
Se R , podemos simplificar a frmula:
E
for 10 vezes maior do que

I =
E
E R
Para se consegui
BE TH V - V

r uma boa estabilidade no circuito utiliza-se a regra 10:1, o
que equivale dizer que:
R
TH
0,1R
E
ticas para a elaborao de um
rojeto de polarizao por divisor de tenso na base:

V
C

R
BB
=0,1R
E

R
B1
=

Apresentamos a seguir algumas regras pr
p
V
E
=0,1V
CC

V
CE
=0,5V
CC
RC
=0,4V
C
R
C
=4R
E
BB
CC BB
V
V . R
ou R
B1
=R
BB
.
BB
CC
V
V

R
B2
=
BB B1
BB B1
R - R
R . R
ou R
B2
=
CC
BB
BB
V
V
- 1
R

Clculo das correntes de emissor, base e coletor
Em funo de
I
B
=
1) ( +
IE
- I
CBO
I
E
=( +1)I
B
+( +1)I
CBO
I
C
=I
B
+( +1)I
CBO
onde: ( +1)I
CBO
=I
CEO
Em funo de :
Partindo da equao ( II ) da pgina desta apostila:
I
C
=I
E
+I
CBO

colocando I
C
em evidncia resulta:

I
C
(1 - ) =I
B
+I
CBO
6

temos: I
E
=I
C
+I
B

logo: I
C
= (I
C
+I
B
) +I
CBO

portanto: I
C
=I
C
+I
B
+I
CBO

resolvendo: I
C
- I
C
=I
B
+I
CBO

portanto:
I
C
=

- 1
I

- 1
I CBO B

CORRENTES DE FUGA NO TRANSISTOR:
trs situaes distintas para o transistor: coletor aberto; emissor aberto
a vez que a juno base-emissor de um transistor sempre
olariza a diretamente.
elevado significado.
ata-se da corrente entre coletor e emissor com a base aberta.

mente determina a amplificao de um circuito, conforme ser visto
ais adiante.
ratura, essa corrente dobra. a corrente entre
oletor e base, com o emissor aberto.

Existem
e base aberta.
I
EBO:
a corrente entre base e emissor com o coletor aberto. No normal
termos esta situao, um
p d

I
CEO:
Esta corrente ao contrrio da anterior, tem um
Tr
I
CEO
=( +1)I
CBO
Basica
m

I
CBO:
Varia com a temperatura, sendo de grande importncia, uma vez que,
para cada 10C de aumento de tempe
c

XERCCIOS RESOLVIDOS SOBRE POLARIZAO:
larizar o transistor na regio ativa, determinando o valor
dos resistores e as co
V
CC
, V
CE
=0,5V
CC
e V
RC
=0,4V
CC
, temos:
,2V
podemos fazer I
C
=I
E
, logo: I
B
=
E

1 - Dado o circuito abaixo, po
rrentes.
DADOS:
V
BE
=0,7V
=100
I
C
=3mA
Soluo:
V
E
=0,1 Adotando
V
E
=V
RE
=1
V V
CE
=6
V
RC
=4,8V

Clculo de I
B

=
100
3mA
C I
Como =100, =30A
o d
E
R
E
=
Clcul e R

E I
RE V
=
3mA
1,2V
=400
0 4k
BB
V
BB
=R
BB
I
B
+V
BE
+V
RE
=4 0 +0,7 +1,2 =0,12 +0,7 +1,2
V
BB
=2,02V
o

Clculo de R
BB

R
BB
=0,1.40 =

Clculo de V
.00 .(30.10
-6
)

Clcul de R
C
R
C
=
RC V
=
C I 3mA
4,8V
=1,6k (equivalente a 4R
E
)
lo de R

Clcu
1
R
1
=
BB V
CC V . R
=
02 , 2
(12) . 4.000
=
2,02
48.000 BB
=23.762
lo de R

Clcu
2
2
R =
BB 1
BB 1
R - R
R . R
=
4.000 - 2 76 . 23
4.000) (23.762).(
=
19.

762

Podemos tambm calcular R da seguinte forma:
95.048
=4.817
2
=
0,1683 - 1
4.000
=
0,8317
4.000
12
2,02
- 1
4.000
R
2
=
CC
BB V
- 1
=
BB
V
R
=4.809 4.817
RESPOSTAS:

R
C 1,6k
R
E 400
R
1 23,762k
R
2 4,817k
I
B 30A
I
E
3mA
I
C
3mA

, I
CEO
, I
C
, I
B
, R
C
e R
B
. 2 - Dado o circuito a seguir, calcule:

lculo de
DADOS:
I
E
=4mA
V
BE
=550mV

V
CC
=12V
I
CBO
=6A
V
CE
=5V
=0,92
C
11,5
0,92 - 1 - 1
= =

0,92

=

Clculo de I
CEO
CEO
=( +1)I
CBO
=12,5.(6A) =75A I

Clculo de I
C
I
C
=I
E
+I
CBO
=0,92.(4mA) =3,68mA +75A =3,755mA
- I
C

lculo de R

Clculo de I
B
I
B
=I
E
=4mA - 3,755mA =245A
C
C
C
=
C
RC
I
V
R V
RC
=V
CC
- V
CE
- V
RE
(onde V
RE
=0,1V
CC
)
RC
=12 - 5 - 1,2 =5,8V V

3,755mA
5,8V
=1 .544,6) .54k (1 R
C
=

Clculo de R
E

E
RE
I
V
R
E
= =
4mA
1,2
=300

Clcu
B
lo de R
B
= R
B
RB
V
RB
=V
C
I
V
C
- V
BE
- V
RE
V
RB
=12 - 0,55 - 1,2 =10,25V
R
B
=
A 245
10,25V
=
41,84k 1.836,7)
RESPOSTAS:

(4

11,5
I
CEO 75A
I
C
3,755mA
I
B
245A
R
C
1.54k
R
E
300
R
B
41,84k

3 - No seguidor de em s e correntes de
polarizao, considerand
issor a seguir, calcule todas as tense
o =40.

Clculo de I
B

A 72,12
208k
15
108k 100k
15

15

VCC
= =
) 40(2,7k 100k R R E B
= =
+ + +
I
B
=

72,12A =2,96mA
E
=V
CC
- V
RE
= 15 - (2,7k. 2,96mA) =15 - 7,992V =7,008V 7V
RE

=7,992V 8V
ESPOSTAS:

I
72,12
Clculo de I
E

I
E
=( +1).I
B
=(41).

Clculo de V
CE

V
CE
=V
CC
- R
E
I
V

R

B A
I
E
2,96mA
V
CE
7V
V
RE
8V

4 - Calcule as corrent rcuito a seguir:
Considere =100.
es e as tenses de polarizao no ci

Clculo de I
B

A 20,27
740k
15

470k 270k
15

15

VCC
= = I
B
=
100.4k7 270k R R C B
= =
+ + +

lculo de V
V
CE
= 5 - (4k7 . 2,027 27 =5,473V
RESPOSTAS:

I
B
=20,27A I
C
=2,027mA V
CE
=5,473V

Clculo de I
C

I
C
=I
B
=100.(20,27A) =2,027mA

C
CE
V
CC
- R
C
I
C
=1 mA) =15 - 9,5

5 - Calcule I
C
, I
B
, R
C
e R
B
no circuito abaixo.

Equaes bsicas
( I ) V
CC
- V
RC
- V
CE
- V
RE
=0
V
RC
=R
C
I
C
e V
RE
=R
E
I
E
, temos:
( II ) V
CC
=R
C
I
C
+V
CE
+R
E
I
E

Clculo de I
C

=
B
C
I
I
, logo: I
C
=6A . 200 =1,2mA

Clculo de I
E

I
E
=I
C
+I
B

=1,2mA +6A =1,206mA 1,2mA
Quando > 100, podemos considerar I
C

= I
E

Clculo de R
C
Utilizando a equao ( II )
15 =(R
C
. 1,2mA) +8 +(150 . 1,2mA) 15 =(R
C
. 1,2mA) +8 +0,18
15 =(R
C
. 1,2mA) +8,18

R
C
= = 5,68k
mA 2 , 1
8,18 - 15
(5.683,3)

Clculo de R
B
V
RB
=V
CB
+V
RC

R
B
I
B
=V
CB
+R
C
I
C
como: V
CE
=V
CB
+V
BE
, ento: V
CB
=8 - 0,6 =7,4V

desta forma: R
B
. (6A) =7,4 +(5,68k . 1,2mA) =7,4 +6,816 =14,216V
R
B
=
A 6
14,216V
=2,37M (2.369.333,33)

RESPOSTAS:

I
C
=1,2mA R
C
=5,68k
I
E

=1,2mA R
B
=2,37M

RETA DE CARGA:
Podemos determinar o ponto de operao de um transistor atravs da reta de
carga, definindo em um projeto ou aplicao os parmetros de tenso e corrente.

Esse mtodo grfico somente pode ser aplicado se tivermos disponvel a curva
caracterstica do transistor, fornecida pelo fabricante.

A vantagem da utilizao do mtodo grfico a rapidez na anlise dos pontos
de operao de um transistor.

Neste captulo abordaremos apenas reta de carga para CC; reta de carga para
CA ser abordada posteriormente.

Entende-se como ponto de operao, um determinado ponto em que o
transistor opera na ausncia de sinal, podendo esse ponto ser escolhido ao longo da
reta de carga, se quisermos que ele opere na regio linear, regio de corte ou regio de
saturao.

Este ponto denominado "ponto quiescente" ou simplesmente "Q".

Tomemos como exemplo o circuito a seguir na montagem em emissor comum,
onde a curva caracterstica do transistor mostrada ao lado.
Observe as reas sombreadas, que representam as regies de corte e de
necessitamos de dois pontos. Atravs da
quao V =(R +I )I +V
CE
, obtemos:
ponto
saturao.
Para determinarmos a reta de carga,
e
CC C E C

1 : para I
C
=0, temos V
CC
=V
CE
=25V

2 ponto 20mA
1,25k
25V

R R
V
E C
CC
=
=
+
: para V =0, temos I
C
=
CE
Procedimento:
o ponto Q dever ser o ponto
de carga. No nosso exemplo o ponto mdio (bem aproximado)
incid
A partir da ento podemos rrente de coletor e a tenso entre
coletor e emissor:
I
C

V =11V
Podemos ento calcular o e aplicar LKT para determinar a tenso nos
resistores:
=
Traa-se ento a reta de carga unindo os dois pontos.

Para que o transistor opere na regio linear,
mdio da reta
co iu com a corrente de base equivalente a 30A.

determinar a co
Q
=11,25mA
CEQ
I
BQ
=30A

375
A 30 IB
=
11,25mA

IC
=

CE
+V
RE

V
RE
=(11,25mA).250 =2,812V
Ento: V
CC
=11,25 +11 +2,812 =25,062V 25V

Partindo da equao: V
CC
=V
RC
+V
V
RC
=(11,25mA).1k =11,25V

Se na mesma curva selecionarmos um ponto quiescente (Q
1
) mais prximo da
regio de saturao, por exemplo, I
B
=45A, teremos um aumento da corrente de
coletor e uma diminuio de V
CE
; para um ponto quiscente (Q
2
) mais prximo da
regio de corte, por exemplo, I
B
=10A, teremos uma diminuio da corrente de
coletor e um aumento de V
CE
, conforme ilustra a figura abaixo:

CONCLUSES:
1. Quando um transistor opera na regio de saturao ou bem prxima dela, a tenso
entre coletor e emissor (V
CE
) tende a zero, pois aumenta consideravelmente a
corrente de coletor.
2. Quando um transistor opera na regio de corte ou bem prxima dela, a tenso
entre coletor e emissor (V
CE
) tende a se igualar a V
CC
, pois a corrente de coletor
tende a zero.
A tenso de saturao tpica para um transistor de silcio da ordem de 150 a
250mV.

Podemos ento aplicar LKT referente aos pontos Q
1
e Q
2
, e constatar a
variao de ao longo da reta de carga.

Para Q
1
:
= 400
A 45
18mA

I
I
B
C
=
=

V
CC
=V
RC
+V
CE
+V
RE
=1k.(18mA) +2,6 +250.(18mA)
V
CC
=18 +2,6 +4,5 =25,1V 25V

Para Q
2:

= 250
A 10
2,5mA

I
I
B
C
=
=
V
CC
=V
RC
+V
CE
+V
RE
=1k.(2,5mA) +22 +250.(2,5mA)
V
CC
=2,5 +22 +0,625 =25,125V 25V

A reta de carga pode ser tambm obtida para uma configurao base comum
ou emissor comum, seguindo o mesmo processo. Apresentaremos um exemplo de
uma reta de carga para uma montagem em base comum.

Como no caso anterior, devemos determinar dois pontos para traar a reta de
carga.
1 ponto:
Quando I
C
=0, temos V
CB
=V
CE
=V
CC
.
Observe que o eixo da tenso est calibrado em V
CB
.
Quando I
C
=0, V
BE
=0, como V
CB
=V
CE
- V
BE
, logo V
CB
=V
CE
- 0

Portanto, V
CB
=25V
2 ponto:
UNIP El - I 28 etrnica para Engenheiros - TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR
Para V
CE
=0, temos: I
C
= 25mA
1k
25V

R
V
C
CC
=
=
Neste caso R
E
o circuito de entrada da configurao base comum, sendo
ento desconsiderado para calcular um dos pontos da reta de carga.
Podemos ento aplicar LKT no circuito em funo dos dados obtidos no
grfico. Como trata-se de uma configurao base-comum, existem duas malhas
definidas: uma para o circuito de entrada (base-emissor) e outra para o circuito de
sada (base-coletor). Veja a figura abaixo:

Onde: V
RC
=R
C
I
C
=1k.(12mA) =12V
V
RE
=R
E
I
E
=2k.(12,2mA) =24,4V
Desta forma: V
CE
=V
CB
+V
BE
=13 +0,6 =13,6V

TRANSISTOR COMO CHAVE ELETRNICA:

a forma mais simples de operao de um transistor, pois ao longo da reta de
carga so definidos apenas dois pontos: corte e saturao e, portanto, podemos dizer
que quando um transistor est saturado, comporta-se como uma chave eletrnica
fechada e quando est em corte, como uma chave eletrnica aberta.

Para que efetivamente o transistor opere como uma chave eletrnica, preciso
garantir sua saturao para qualquer tipo de transistor, sob todas as condies de
funcionamento; variao da temperatura, correntes, , etc.
Na prtica, ao projetar uma chave eletrnica com transistor, utiliza-se a
corrente de base da ordem de 1/10 da corrente de coletor no extremo superior da reta
de carga, conforme mostra a figura abaixo:
O valor de 20mA foi escolhido na curva caracterstica e portanto, a corrente de
base ser 1/20mA =2mA.
OBS: Na elaborao do projeto, deve-se tomar o cuidado de no ultrapassar
os valores mximos especificados pelo fabricante, como corrente de coletor, corrente
de base, tenso entre coletor e emissor, potncia de dissipao, etc.
Estamos considerando o valor de 20mA plenamente compatvel com nosso
exemplo de projeto.
Podemos ento definir os valores de R
C
e R
B

R
B
= = = = = 5,65k
2mA
11,3V

2mA
0,7 - 12

I
V - V

I
V

B
BE CC
B
RB

Considerando V
CE
de saturao =0, teremos: R
C
= = = 600
2mA
12V

I
V
C
CC

Para levar o transistor ao corte, basta abrir Sw, pois com isso, I
B
=0.
Admitamos que queiramos no mesmo circuito controlar um led.
Deveremos ento recalcular o valor de R
C
.
Supondo que a tenso no led seja de 1,5V (valor tpico), ento:

R
C
= = = = 925
20mA
18,5V

20mA
1,5 - 20

I
V - V
C
CC led

OBS: importante observar se o led suporta a corrente do projeto.

Outro exemplo de transistor usado como chave mostrado abaixo.
Um sinal cuja forma de onda quadrada e amplitude que varia de 0 a 5V
aplicado na entrada.

No instante 1, com 0V na entrada o transistor entra em corte, operando como
uma chave aberta e teremos na sada 15V (V
CC
); no instante 2, com 5V na entrada o
transistor entra em saturao, operando como uma chave fechada e portanto, teremos
na sada 0V.

O prximo passo verificar se os valores adotados para R
C
e R
B
garantem a
saturao do transistor, ou seja, I
B
deve ser da ordem de 1/10 de I
C
.

I
B
= 0,915mA
k 7 , 4
0,7V -
=
5V

I
C
= 10mA
k 5 , 1
15V
=
Portanto, a relao vlida (10/0,915 =10,9), garantindo a saturao.

TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE:

Consiste em tornar a tenso de emissor fixa, resultando assim em uma corrente
de emissor fixa.
Pelo fato da tenso V
BE
ser fixa (da ordem de 0,7V), V
E
seguir as variaes
da tenso de entrada (V
BB
), isto , se a tenso de entrada aumentar de 6V para 10V, a
tenso V
E
(nos extremos de R
E
) variar de 5,3V para 9,3V.
Ao contrrio do transistor como chave eletrnica, o ponto de operao situa-se
na regio ativa ao longo da reta de carga.


A identificao entre um circuito com transistor operando como chave
eletrnica e como fonte de corrente fcil; quando opera como chave eletrnica, o
emissor aterrado e existe um resistor na base, ao passo que, como fonte de corrente
o emissor aterrado atravs de um resistor, no havendo resistor na base.

Quando desejamos acionar um led, o ideal faz-lo atravs de uma fonte de
corrente, principalmente quando o valor de V
CC
baixo, levando-se em conta a queda
de tenso no led da ordem de 1,5 a 2,5V.

A ilustrao abaixo mostra as diferenas entre uma chave eletrnica e uma
fonte de corrente.

Para entender melhor o que foi acima exposto, vamos considerar um transistor
operando como chave de corrente.

Devemos ento estabelecer um valor ideal de R
E
para nosso projeto.
Vamos supor:
V (tenso de entrada) =+5V
BB
V =+12V
CC
I =5mA (um ponto mdio da reta de carga dentro da regio ativa)
C

Determinar:
As tenses em R
C
para os valores de 10 e 1000
O valor de V
CE
nas duas condies
Determinando R
E

Considerando I
C
=I
E
, temos:

R
E
= = = = = 860
5mA
4,3V

mA 5
0,7V - 5V

I
V

I
V - V

E
RE
E
BE BB

Lembrar que V
BB
- V
BE
= V
RE
= V
E

A tenso de 4,3V ficar fixa, fixando tambm a corrente do emissor, para uma
grande gama de valores de R
C
, desde que o transistor opere dentro da regio ativa.

Calculando V
RC
Levando-se em conta que a tenso do emissor est amarrada em 4,3V ento,
para os dois casos I
C
=5mA (estamos admitindo I
E
=I
C
).

Para R
C
=470 V
RC
=10.(5mA) =0,05V
Para R
C
=1,5k V
RC
=1k.(5mA) =5V

Para satisfazer a equao V
CC
- V
RC
- V
CE
- V
RE
=0, a tenso V
CE
que
variar, assim sendo temos:

Para R = 10
C
V =12 - 0,05 - 4,3 =7,65V
CE

Para R = 1k
C
V =12 - 5 - 4,3 =2,7V
CE

CONCLUSES: A corrente de coletor manteve-se constante para uma
variao muito grande de R
C
(100 vezes).

Mesmo com R
C
=0 a corrente de emissor se manter em 5mA. No entanto, se
R
C
assumir valores mais elevados, suponhamos 4k, teramos teoricamente V
RC
=
20V, o que invalidaria a equao V
CC
- V
RC
- V
CE
- V
RE
=0, em outras palavras, para
satisfazer a dita equao, I
C
teria que assumir valores menores. Deve-se portanto
evitar trabalhar com valores de R
C
que propiciem uma tenso V
CE
muito prxima da
regio de saturao.

O valor da corrente de coletor no depende do valor de , isto , ao substituir o
transistor por outro de diferente, a corrente de coletor permanecer praticamente
igual.

Quanto maior for R
E
(respeitando-se as caractersticas do projeto), mais
estvel torna-se a corrente de coletor.

Quando o valor de V
CC
for relativamente baixo (por exemplo 5V) o
acionamento de leds mais eficaz com uma fonte de corrente, pois para leds de cores,
tamanhos e fabricantes diferentes (a tenso pode variar de 1,5V a 2,5V), a corrente
ser praticamente constante no prejudicando a luminosidade.

Para fixar melhor o conceito referente ao transistor operando como fonte de
corrente vamos admitir uma situao conforme ilustra a figura abaixo.
Os leds L-1 e L-2 necessitam de uma corrente de 15mA para obter uma
luminosidade ideal. No entanto L-1 proporciona uma queda de 1,5V enquanto que L-2
uma queda de 2,5V. Poder o led 2 ter sua luminosidade diminuda por necessitar de
mais tenso?

Soluo:
A primeira impresso de que realmente o led 2 ter sua luminosidade
diminuda, pois em comparao ao led 1 necessita de mais tenso em seus terminais.

No entanto como os leds esto sendo acionados por uma fonte de corrente tal
no acontecer, conforme ser mostrado nos clculos a seguir:
Fixando a corrente de emissor:
Se ambos os leds necessitam de 15mA para o brilho ideal ento basta fixar a
corrente de emissor em 15mA, dimensionando o valor de R
E
.

R
E
= 153,333
15mA
0,7V - 3V

I
V - VBB
(onde V
BB
- V
BE
=V
RE
)
E
BE
= =

Adotaremos ento R
E
=150

Para o led 1: V
CE
=6 - Vled - V
RE
=6 - 1,5 - 2,3 =2,2V
Para o led 2: V
CE
=6 - Vled - V
RE
=6 - 2,5 - 2,3 =1,2V

Desta forma, a luminosidade do led 2 no ser diminuda.

A figura a seguir mostra que a corrente nos leds permanece constante, embora
as tenses sejam diferentes.

Reta de carga de L-1
1 ponto:
I
C
= 30mA
150
1,5V - 6V

R
V -
E
CC
=
=
led V

2 ponto:
V
CE
=V
CC
- Vled =6 - 1,5 =4,5V

Reta de carga de L-2
1 ponto:
I
C
= 23,3mA
150
2,5V - 6V

R
V -
E
=
=
led VCC

2 ponto:
V
CE
=V
CC
- Vled =6 - 2,5 =3,5V

BIBLIOGRAFIA:

Malvino, Albert Paul - ELETRNICA - vols. 1 e 2 - Ed. McGraw-Hill SP - 1.986
Malvino, Albert Paul - ELETRNICA NO LABORATRIO - Ed. McGraw-Hill SP
- 1.987
Boylestad, Robert - Nashelsky, Louis - DISPOSITIVOS ELETRNICOS E TEORIA
DE CIRCUITOS - Ed. Prentice/Hall Brasil - RJ - 1.993
Volnei A. Pedroni - CIRCUITOS ELETRNICOS - Livros Tcnicos e Ciebntficos
Editora S.A. - RJ - 1.982
Schilling, Donald L. - Belove, Charles - ELECTRONIC CIRCUITS - McGraw-Hill
International Editions - Singapore
Horenstein, Mark N. - MICROELETRNICA CIRCUITOS E DISPOSITIVOS - Ed.
Prentice/Hall - RJ - 1.996
Grob, Bernard - BASIC ELECTRONICS - McGraw-Hill Kogakusha - Tokyo - 1.990
Ibrape - MANUAL DE TRANSISTORES - DADOS PARA PROJ ETOS - 1.990

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Portanto, a relao vlida (10/0,915 =10,9), garantindo a saturao.

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