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Apostila Eletronica Potencia IFRN Zona Norte
Apostila Eletronica Potencia IFRN Zona Norte
Zona Norte
ndice
1.
1.1.
Definio .................................................................................................
1.2.
1.3.
1.4.
2.
2.1.
2.2.
2.3.
2.4.
2.5.
2.6.
TRIAC ..........................................................................................................
13
3.
15
3.1.
DIAC ............................................................................................................
15
3.2.
15
3.3.
16
3.4.
18
4.
19
4.1.
Varistores .....................................................................................................
19
4.2.
Fusveis ........................................................................................................
20
4.3.
21
4.4.
23
5.
24
5.1.
24
5.2.
25
6.
28
6.1.
29
6.2.
30
6.3.
Choppers buck-boost
32
7.
34
7.1.
36
8.
37
8.1.
37
8.2.
38
8.3.
39
9.
Bibliografia ...................................................................................................
41
1.
Eletrnica de Potncia
1.1 Definio
A eletrnica de potncia trata das aplicaes de dispositivos semicondutores de
potncia, como tiristores e transistores, na converso e no controle de energia eltrica em
nveis altos de potncia aplicados indstria. Essa converso normalmente de AC para DC ou
vice-versa, enquanto os parmetros controlados so tenso, corrente e frequncia. Portanto, a
eletrnica de potncia pode ser considerada uma tecnologia interdisciplinar que envolve trs
campos bsicos: a potncia, a eletrnica e o controle.
1.2 Chaves semicondutoras de potncia
As chaves semicondutoras de potncia so os elementos mais importantes em circuitos
de eletrnica de potncia. Os principais tipos de dispositivos semicondutores usados como
chaves em circuitos de eletrnica de potncia so:
Diodos;
Transistores bipolares de juno (BJTs);
Transistores de efeito de campo metal-xido-semicondutor (MOSFETs);
Transistores bipolares de porta isolada (IGBTs);
Retificadores controlados de silcio (SCRs);
Triacs;
1.3 Tipos de circuitos de eletrnica de potncia
Os circuitos de eletrnica de potncia (ou conversores, como so usualmente
chamados) podem ser divididos nas seguintes categorias:
1. Retificadores no controlados (AC para DC) converte uma tenso monofsica ou
trifsica em uma tenso DC e so usados diodos como elementos de retificao.
2. Retificadores controlados (AC para DC) converte uma tenso monofsica ou trifsica
em uma tenso varivel e so usados SCRs como elementos de retificao.
3. Choppers DC (DC para DC) converte ums tenso DC fixa em tenses DC variveis.
4. Inversores (DC para AC) converte uma tenso DC fixa em uma tenso monofsica ou
trifsica AC, fixa ou varivel, e com frequncias tambm fixas ou variveis.
5. Conversores cclicos (AC para AC) converte uma tenso e frequncia AC fixa em uma
tenso e frequncia AC varivel.
6. Chaves estticas (AC ou DC) o dispositivo de potncia (SCR ou triac) pode ser
operado como uma chave AC ou DC, substituindo, dessa maneira, as chaves mecnicas
e eletromagnticas tradicionais.
1.4 Aplicaes da Eletrnica de Potncia
A transferncia de potncia eltrica de uma fonte
pela variao da tenso de alimentao (com o uso de
insero de um regulador (como uma chave).
Os dispositivos semicondutores utilizados como
pequeno, do custo baixo, da eficincia e da utilizao para
Fig. 02 - No-break
conduo e, como o eltron uma carga negativa, esse material conhecido como
semicondutor tipo N.
Se ao silcio for acrescentada uma impureza trivalente, um elemento com trs eltrons
na sua ltima rbita, surge um vazio ou lacuna na estrutura cristalina, que pode receber um
eltron. Esse vazio pode ser considerado uma carga positiva, conhecida como lacuna, e
possibilita um grande aumento na conduo; esse material dopado conhecido como
semicondutor tipo P.
O grau de dopagem (adio de impurezas) da ordem de 10 7 tomos. Em
semicondutores tipo N, a maioria dos portadores de corrente de eltrons e a minoria de
lacunas. O contrrio aplica-se a semicondutor tipo P. Dependendo da dopagem, a condutividade
do semicondutor tipo N ou P aumentada muito se comparada ao silcio puro.
O diodo mostrado abaixo formado pela juno dos materiais dos tipos N e P. Desta
forma, s h passagem de corrente eltrica quando for imposto um potencial maior no lado P
do que no lado N. Devido a uma barreira de potencial formada nesta juno (V), necessria
uma d.d.p. com valor acima de 0,6V (em diodos de sinal) para que haja a conduo. Em diodos
de potncia, esta tenso necessria gira em torno de 1 a 2V.
A figura seguinte mostra as correntes e tenses inerentes aos dois tipos de TJBs:
NPN ou PNP: IE = IC + IB
NPN ou PNP: IC = IB
NPN: VCE = VBE + VCB
PNP: VEC = VEB + VBC
Para o TJB trabalhar como chave eletrnica preciso polariz-lo nas regies de corte e
saturao e como amplificador, na regio ativa.
De modo geral, o TJB de potncia segue os mesmos parmetros do transistor de sinal.
Algumas caractersticas so prprias devido aos nveis de correntes e tenses que o dispositivo
trabalha, por exemplo:
a)
b)
c)
d)
e)
A seguir vemos o aspecto fsico mais comum do SCR de potncia. A figura mostra o
anodo sendo o terminal rosqueado e dois rabichos: o catodo, mais grosso, e o gatilho, mais
fino.
comportando-se como um curto-circuito. Para observar este fato melhor mostrada a curva
deste dispositivo.
Caractersticas e parmetros
Observando-se a curva da figura 14, pode-se distinguir trs regies:
Polarizao reversa: com VAK<0, praticamente no h corrente reversa. A corrente
reversa depende do tipo de SCR. Nos de baixa corrente, a corrente reversa da ordem de
dezenas a centenas de A e nos de alta corrente, a corrente reversa pode chegar a centenas de
mA.
Polarizao direta em bloqueio: nesta regio, h vrias curvas parametrizadas pela
corrente de gatilho IG. Quando IG = 0, o SCR permanece bloqueado, desde que a tenso seja
inferior a VBO (tenso de disparo ou breakover voltage). Quando V AK= VBO, o SCR dispara e a
corrente cresce, sendo limitada pela resistncia de carga, colocada em srie com o SCR.
Polarizao direta em conduo: para que o SCR permanea nesta regio,
necessrio que a corrente de anodo atinja um valor mnimo de disparo IL (latching current
ou corrente de disparo). Caso esse valor no seja atingido, aps o disparo, o SCR volta ao
estado de bloqueio.
Pela curva do SCR, v-se que, quanto maior o valor da corrente de gatilho, tanto menor
a tenso VAK necessria para disparar o SCR. Isso verdade at o limite de I G = IGT (corrente
de gatilho com disparo). IGT a mnima corrente de gatilho que garante o disparo do
SCR com tenso direta de conduo VT. Com IGT aplicada, como se o SCR fosse um
diodo.
Na regio de polarizao direta em conduo, a queda de tenso do dispositivo em
torno de 1,5V.
Aps o disparo, sendo estabelecida a conduo (IA>IL), a corrente de gatilho poder
ser removida que este continuar em conduo. O SCR s voltar ao bloqueio se a corrente I A
cair abaixo de IH (corrente de manuteno ou holding current), ou se VAK < 0.
Mtodos de acionamento
O nvel mnimo de tenso e corrente necessrio para o disparo do SCR uma funo da
temperatura da juno. De maneira genrica, quanto menor a temperatura de juno, maior
ser a corrente e menor ser a tenso necessria ao gatilhamento.
A corrente e tenso de gatilho esto sujeitas a um valor mximo, mas no disparo
devem ultrapassar um valor mnimo. O produto entre a tenso e corrente de gatilho d um
nvel de potncia para o qual um mximo estabelecido.
APOSTILA DE ELETRNICA DE POTNCIA
iC
v
t
iC
dv
dt
10
Mtodos de bloqueio
Bloquear ou comutar um SCR, significa cortar a corrente que ele conduz e impedir que
ele retorna conduo. Ou seja, o bloqueio estar completo, quando a corrente no sentido
direto for anulada e a reaplicao de tenso direta, entre anodo e catodo, no provocar o
retorno do SCR ao estado de conduo.
Bloqueio natural
Quando se reduz a corrente de anodo a um valor abaixo de IH, chamada de corrente de
manuteno (holding current), o SCR bloqueado. A corrente de manuteno tem um valor
baixo, normalmente cerca de 1000 vezes menor do que a corrente nominal do dispositivo.
Em circuito CA, em algum momento a corrente passa pelo zero da rede, levando o SCR
ao bloqueio.
Bloqueio forado
Em vez de aguardar a passagem de corrente pelo zero da rede para bloquear um SCR,
pode-se fazer o bloqueio atravs de dois meios:
1: diminuir o fluxo de corrente direta para um valor abaixo de IH;
2: aplicar tenso reversa.
APOSTILA DE ELETRNICA DE POTNCIA
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Com CH1 e CH2 abertas, o SCR est bloqueado, a lmpada apagada e o capacitor
descarregado.
Fechando-se CH1, alimenta-se o circuito de gatilho. O SCR dispara e lmpada acende.
Alm da corrente da lmpada, o SCR conduz tambm a corrente de carga do capacitor
C1, conforme se v abaixo:
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2.6 TRIAC
Para se evitar a necessidade de utilizao de dois SCRs em antiparalelo, foi
desenvolvido o TRIAC.
TRI (triodo ou dispositivo de trs terminais) e AC (corrente alternada) formam o nome
deste elemento, cuja principal caracterstica permitir o controle de passagem de corrente
alternada.
O smbolo dado por:
Caractersticas e parmetros
Sua curva caracterstica mostrada a seguir:
Pela curva caracterstica, pode-se observar que o TRIAC pode conduzir nos dois
sentidos de polarizao.
APOSTILA DE ELETRNICA DE POTNCIA
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a)
Figura 26
b)
Figura 27
14
O DIAC (Diode Alternative Currente) uma chave bidirecional disparada por tenso.
Normalmente, a tenso de disparo dos DIACs ocorre entre 20 e 40V. A sua curva caracterstica
est mostrada a seguir, junto com seus smbolos mais utilizados:
No circuito da figura 28, a rede R1, R2 e C1 defasa a tenso sobre C1. O capacitor se
carrega at atingir a tenso VD de disparo do DIAC. Quando isso ocorre, o DIAC entra em
conduo e cria um caminho de baixa impedncia para o capacitor descarregar-se sobre o
gatilho do TRIAC. A corrente de descarga do capacitor suficientemente elevada para
conseguir disparar TRIACs de baixa potncia, mesmo com valores relativamente baixos de
capacitncia.
3.2 Transistor de unijuno (UJT)
O UJT um dispositivo semicondutor de trs terminais com apenas uma juno PN.
A estrutura fsica e a simbologia do UJT so mostradas na figura 30.
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O UJT tem dois parmetros importantes: Tenso de Disparo (VP) e Tenso de Vale
(VV). O primeiro diz o valor de tenso necessrio para fazer conduzir o caminho entre o emissor
(E) e a base 1 (B1). O segundo informa o valor de tenso que, aps a entrada em conduo,
APOSTILA DE ELETRNICA DE POTNCIA
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bloqueia o citado caminho. Em outras palavras, estes parmetros indicam o incio e o fim do
disparo do UJT.
Analisando o circuito da figura 32, vamos considerar inicialmente o capacitor
descarregado. Ao ligarmos a fonte VBB ao circuito, o capacitor comear a se carregar
exponencialmente. Enquanto o valor da tenso do capacitor no alcanar o valor do parmetro
VP, o UJT estar bloqueado, isto , passar uma pequena corrente pelo caminho entre os
terminais de base. Esta corrente, por sua vez, ir produzir uma pequena queda de tenso no
resistor RB1.
No momento que a tenso do capacitor atinge o parmetro V P, o UJT comear a
conduzir atravs do caminho emissor e base1. Neste instante inicial de conduo, a resistncia
interna deste caminho baixssima, proporcionando a elevao da corrente e, ao mesmo
tempo, a descarga do capacitor. o que chamamos de resistncia negativa.
Este surto de corrente inicial transitrio, pois a resistncia do caminho E-B1 torna-se
gradativamente maior at o ponto em que a tenso do capacitor cai at o parmetro VV. Deste
modo, o UJT sai de conduo proporcionando uma nova recarga do capacitor.
O circuito, portanto, oscilatrio, sendo as formas de onda de VE, VB1 e VB2 como
mostradas abaixo:
Em B1, aparece um pulso de tenso que utilizado para o disparo de SCRs e TRIACs,
conforme ilustra o circuito da figura 34.
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Figura 35(a)
Figura 35(b)
De acordo com os valores dos componentes externos ao TCA 785, pode-se gerar pulsos
para acionar tiristores com controle do ngulo de disparo () sincronizados com a rede eltrica
(60 Hz). A largura dos pulsos pode ser de 30s ou de 180-, como mostrado na figura 36.
Esta figura ainda mostra que o ngulo de disparo () controlado basicamente pelo tempo de
carga do capacitor CR e pelo valor da tenso de controle VC. O pulso largo (180-) serve para
disparar tiristores em cargas altamente indutivas, onde a corrente de gatilho necessita de um
tempo maior para garantir a conduo do tiristor.
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Para um aprofundamento nas caractersticas do TCA 785, consulte o livro Estude e Use
Dispositivos Semicondutores Tiristores [3].
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de maior durao, a alta corrente que circula pelo dispositivo faz com que o dispositivo de
proteo (disjuntor ou fusvel), desarme, desconectando o circuito da fonte de alimentao
4.2 Fusveis
Os fusveis so dispositivos que protegem os circuitos eltricos contra danos causados
por sobrecargas de corrente, que podem provocar at incndios, exploses e choques eltricos.
Os fusveis so aplicados geralmente nos circuitos domsticos e na indstria leve.
O funcionamento do fusvel baseia-se no princpio segundo o qual uma corrente que
passa por um condutor gera calor proporcional ao quadrado de sua intensidade. Quando a
corrente atinge a intensidade mxima tolervel, o calor gerado no se dissipa com rapidez
suficiente, derretendo um componente e interrompendo o circuito.
O tipo mais simples composto basicamente de um recipiente tipo soquete, em geral
de porcelana, cujos terminais so ligados por um fio curto (elemento fusvel), que se derrete
quando a corrente que passa por ele atinge determinada intensidade. O chumbo e o estanho
so dois metais utilizados para esse fim. O chumbo se funde a 327 C e o estanho, a 232 C.
Se a corrente for maior do que aquela que vem especificada no fusvel: 10A, 20A, 30A, etc, o
seu filamento se funde (derrete).
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O projeto dos transformadores de pulso deve atender a algumas condies, entre as quais a
de o acoplamento entre primrio e secundrio deve ser o mais perfeito possvel. que no
disparo, a corrente injetada no gatilho propaga-se transversalmente no material semicondutor
do SCR. Durante essa propagao, as reas atingidas vo se tornando condutoras, deixando
circular a corrente de anodo. A figura seguinte simboliza a propagao da rea condutora.
Figura 41
APOSTILA DE ELETRNICA DE POTNCIA
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A tenso VGD o pulsou tenso de gatilho desejada. Trata-se de uma tenso de baixa
frequncia, que tende a saturar o transformador e distorcer a tenso aplicada ao gatilho.
A tenso VGP uma tenso com envoltria VGD e possui alta frequncia quando h
necessidade de se aplicar pulso no gatilho.
Para exemplificar este mtodo, vejamos a figura 43 na pgina seguinte.
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O circuito acima utiliza o CI 555, montado na sua configurao astvel, gera um sinal de alta
frequncia (5 a 10 kHz) em sua sada (pino 3), cujo valor depende de R1, R2 e C1. Aps passar
pela porta lgica AND, o sinal amplificado pelo transistor e acoplado ao SCR atravs do
transformador de pulso. O diodo D1 evita que apaream sobretenses no transistor, quando
este cortar. Neste instante, a energia armazenada no ncleo do transformador dissipada pelo
resistor de 33. No secundrio do transformador, D2 retifica os pulsos, impedindo que seja
aplicada tenso negativa ao gatilho do SCR.
4.4 Acopladores pticos
Outra maneira de isolar pulsos de disparo atravs de um LED infravermelho e um
fotodetector. O fotodetector pode ser um transistor ou at um SCR ou TRIAC, arranjados
num mesmo invlucro. A figura seguinte ilustra duas possibilidades.
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O exemplo abaixo utiliza o MOC3011 da Motorola para acionar uma carga resistiva via um
TRIAC.
Desejando acionar o TRIAC Q1, o sistema digital deve fornecer nvel lgico 1
entrada de controle da porta NAND. Assim, o pino 2 do MOC3011 vai para nvel lgico 0 e o
LED D2 fica polarizado diretamente, disparando o fotodetector Q2 e, como conseqncia, o
TRIAC Q1.
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diodo tem por funo dissipar a energia armazenada no indutor durante o tempo em que o SCR
estiver bloqueado. O circuito com o FWD e as formas de onda esto mostrados nas figuras 51
e 52.
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Enquanto a chave S (que pode ser qualquer elemento chaveador como SCR, transistor
bipolar, MOSFET operando em PWM) estiver fechada, o diodo ficar polarizado reversamente e
o indutor armazenando energia em forma de campo magntico. Nesta situao temos que
Vo=Vi.
Quando a chave abrir, a tenso VL torna-se negativa impondo o diodo D ficar em
conduo at que a energia do indutor se descarregue ou que a chave S volte a fechar. Nesta
situao temos que Vo<Vi, pois a parcela relativa a VL diminui a soma Vo=VL+VR.
A figura seguinte esclarece estes comportamentos.
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As formas de onda das correntes e tenses deste circuito so vistas na figura 58.
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Na fig. 60, quando a chave S passar para o estado de conduo, o indutor ficar
conectado alimentao. A tenso no indutor (VL) pular no mesmo instante para a fonte de
tenso Vi, mas a corrente no indutor Ii aumentar de maneira linear e armazenar energia no
campo magntico. Quando a chave for aberta, a corrente cair de forma violenta e a energia
armazenada no indutor ser transferida para o capacitor, atravs do diodo D. A tenso induzida
no indutor VL mudar de polaridade, somando-se fonte de tenso para aumentar a tenso de
sada VO (mesma tenso do capacitor). Portanto, a energia armazenada no indutor ser
liberada para a carga. Quando S for fechada, D se tornar inversamente polarizado, a energia
do capacitor fornecer a tenso na carga e o ciclo se repetir.
31
32
33
7.
34
35
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8. Chaves estticas
8.1 Definies e aplicaes
Uma chave esttica comuta a potncia para a carga, liga e desliga, mas no a modifica
em nenhum outro aspecto. A caracterstica duplamente estvel dos dispositivos semicondutores
(como os tiristores) isto , a existncia de dois estados estveis (conduo e no conduo)
sugere que esses dispositivos podem ser usados como chaves sem contatos. As aplicaes no
campo do chaveamento esttico incluem chaves liga/desliga, disjuntores, rels de estado slido,
contactores e outros semelhantes. Um caso tpico de operao de uma chave esttica a
aplicao de tiristores no chaveamento de uma carga, como observado na fig. 69.
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Nas proximidades de um eletroim instalada uma armadura mvel que tem por
finalidade abrir ou fechar um jogo de contatos. Quando a bobina percorrida por uma corrente
eltrica criado um campo magntico que atua sobre a armadura, atraindo-a. Nesta atrao
ocorre um movimento que ativa os contatos, os quais podem ser abertos ou fechados.
Isso significa que, atravs de uma corrente de controle aplicada bobina de um rel,
podemos abrir ou fechar os contatos de uma determinada forma, controlando assim as
correntes que circulam por circuitos externos. Quando a corrente deixa de circular pela bobina
do rel o campo magntico criado desaparece, e com isso a armadura volta a sua posio inicial
pela ao da mola.
Os rels se dizem energizados quando esto sendo percorridos por uma corrente em
sua bobina capaz de ativar seus contatos, e se dizem desenergizados quando no h corrente
circulando por sua bobina. A aplicao mais imediata de um rel com contato simples no
controle de um circuito externo ligando ou desligando-o, conforme mostra a prxima figura.
Observe o smbolo usado para representar este componente.
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Uma das caractersticas do rel que ele pode ser energizado com correntes muito
pequenas em relao corrente que o circuito controlado exige para funcionar. Isso leva a
possibilidade de controlarmos circuitos de altas correntes como motores, lmpadas e mquinas
industriais, diretamente a partir de dispositivos eletrnicos fracos como transistores, circuitos
integrados, foto-resistores etc. A corrente fornecida diretamente por um transistor de pequena
potncia da ordem de 0,1A no conseguiria controlar uma mquina industrial, um motor ou
uma lmpada, mas pode ativar um rel e atravs dele controlar a carga de alta potncia.
Outra caracterstica importante dos rels a segurana dada pelo isolamento do
circuito de controle em relao ao circuito que est sendo controlado. No existe contato
eltrico entre o circuito da bobina e os circuitos dos contatos do rel, o que significa que no h
passagem de qualquer corrente do circuito que ativa o rel para o circuito que ele controla.
Se o circuito controlado for de alta tenso, por exemplo, este isolamento pode ser importante
em termos de segurana.
Chaves estticas x Rels eletromecnicos
Uma chave semicondutora oferece diversas vantagens em relao aos demais
dispositivos de chaveamento. Vejamos algumas:
1. Propicia velocidades de chaveamento extremamente altas, porque a chave liga de
imediato.
2. A operao tranquila porque no h partes mveis e no ocorrem centelhas.
3. A interferncia eletromagntica (EMI) minimizada.
4. A vida til bem maior.
5. imune a vibraes e choques mecnicos.
6. pequena e leve.
7. Pode ser controlada eletronicamente.
8. O custo baixo.
9. Na comutao, no h trepidao.
10. Oferece maior segurana e confiabilidade.
11. Oferece a possibilidade de controle distncia e de potncia entregue carga.
8.3. Rels de estado slido (SSR)
Os SSRs diferem dos rels eletromecnicos pelo fato de no apresentarem partes
mecnicas mveis. A estrutura interna de um SSR feita de semicondutores, assim ele pode
operar em grandes velocidades, comparado a um rel eletromecnico.
H duas categorias de SSRs: mdulos I/O e chaves estticas. Ambas so
largamente so largamente utilizadas na indstria, sendo a primeira para baixas potncias e
empregada como interface entre o comando digital e pequenas cargas (solenides, lmpadas,
eletrovlvulas, etc.). As chaves estticas possuem o mesmo princpio de funcionamento dos
mdulos I/O, porm so projetadas para operar com cargas de alta potncia (grandes motores,
por exemplo).
Os semicondutores que formam os SSRs podem ser TJBs, MOSFETs, SCRs e outros
tantos. Ainda, h SSRs monofsicos e trifsicos que trabalham tanto em DC como em AC. A
figura seguinte mostra dois tipos de SSRs: um com comando DC e o outro com comando AC.
Deve ser observada a isolao tica entre o comando de entrada e a sada.
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40
9. Bibliografia
1. AHMED, Ashfaq. Eletrnica de Potncia.Prentice Hall, 2000.
2. LANDER, Cyril W. Eletrnica Industrial Teoria e Aplicaes 2 Edio. MAKRON
Books do Brasil Editora Ltda. 1996.
3. ALMEIDA, Jos Luis Antunes de. Estude e Use Dispositivos Semicondutores
Tiristores. Editora rica.
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