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Teoria 15 Chopper PWM IGBT
Teoria 15 Chopper PWM IGBT
15.1
Uma vez que as fontes de alimentao so, tipicamente, de valor de tenso constante, sejam
elas CA ou CC, caso seja preciso variar ou controlar a potncia aplicada a uma carga, necessrio o
emprego de algum tipo de dispositivo que seja capaz de "dosar" a quantidade de energia a ser
transferida para a carga.
Se a variao ou controle for feito pela manipulao da tenso, o elemento de controle deve
ter uma posio em srie entre a fonte de alimentao e a carga, como indicado nas figuras a seguir:
Pode-se ter um elemento atuador
linear (a), sobre o qual tem-se uma queda
de tenso proporcional sua impedncia.
Mas a queda de tenso sobre a impedncia
do elemento atuador associada corrente
que flui por este e que segue suprindo a
carga,
certamente
representa
uma
significativa perda de energia sobre o
elemento atuador.
A maneira mais eficiente e
simples de manobrar valores elevados de
potncia por meio de chaves (b). Como
uma chave ideal apresenta apenas dois
estados estveis:
Devido a varivel nula, ento no existe dissipao de potncia sobre ela, garantindo a alta
eficincia energtica deste tipo de arranjo.
Obviamente este tipo de variao no uma variao contnua, mas sim pulsada
(chaveada). No entanto, dada a caracterstica de armazenadores de energia presentes nas aplicaes
com cargas como os motores e como na maior parte dos casos prticos, a freqncia de comutao da
chave muito maior do que a constante de tempo deste tipo de carga, ento a prpria carga acaba
atuando como um filtro, extraindo da tenso instantnea aplicada sobre ela o seu valor mdio.
15.2
Neste curso at o presente momento estudamos uma tcnica de modulao para variao de
potncia em conversores que tomando alimentao a partir da rede CA, a transformavam tendo como
objetivo uma tenso contnua mdia na sada para alimentar a carga (motor CC).
Quando a tenso de alimentao alternada, mais usual o uso de tiristores como
interruptores, seja para um ajuste na prpria tenso CA (variador de tenso CA), seja para a converso
de uma tenso CA em CC (retificao), utilizando a tcnica de controle de fase, no qual, dado um
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semi-ciclo da rede, a chave (tiristor) acionada em um determinado ngulo (), fazendo com que a
carga esteja conectada entrada por um intervalo de tempo menor ou igual a um semi-ciclo.
A tcnica de modulao utilizada neste caso foi a Modulao por Posio de Pulso (em
ingls: Pulse Position Modulation -PPM). Nessa tcnica a potncia convertida por meio da
manuteno constante da durao e da amplitude do pulso, mas deslocando o pulso de sua posio
original, segundo a amplitude do sinal modulante (Tenso de controle do CI TCA 785);
De agora em diante focalizaremos novas tcnicas de modulao por pulsos, com objetivo de
escolher uma de tcnica de modulao adequada para converso de potncia para um conversor que
toma energia a partir de uma fonte de corrente contnua, pois essa tcnica contempla aplicaes as
quais permitem o controle tanto de um motor CC (conversores CC/CC), quanto o controle de um
motor de induo trifsico (Conversores CC/CA usado nos Conversores de Freqncia ou Inversores).
A modulao por pulsos iniciou a partir da teoria da amostragem, a qual estabelece que a
informao contida em qualquer sinal analgico pode ser recuperada a partir de amostras do sinal
tomadas a intervalos regulares de tempo.
A modulao por pulsos pode ser analgica ou digital. No caso analgico, os valores das
amostras do sinal so transferidos ou para a amplitude, ou para a durao ou para a posio de pulso
de formato fixo conhecido. No caso digital, os valores das amostras so convertidos para nmeros
binrios que por sua vez so codificados em seqncias de pulsos que representam cada um dos
valores binrios.
As tcnicas de modulao so importantes no apenas para aplicaes de variao de potncia
em conversores, mas tambm para as aplicaes em sistemas de transmisso digital de
telecomunicaes.
15.3
Teoria da Amostragem:
Nyquist provou, atravs da teoria da amostragem, que valores de um sinal analgico (o qual
continuo no tempo e em nvel, contendo uma infinidade de valores) se tomados (amostrados) a
intervalos regulares TA contm a mesma informao do sinal original desde que a taxa de
amostragem seja maior que o dobro da largura de faixa do sinal analgico, ou seja, que a freqncia
de amostragem (freqncia do sinal da portadora), seja maior que o dobro da maior freqncia contida
no sinal a ser amostrado (sinal modulante):
fS > 2 B
onde:
1
TA
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15.4
Modulador PWM:
Os valores das amostras de um sinal analgico podem ser expressos atravs das duraes de
pulsos retangulares, sendo que este processo denominado modulao da durao (largura) de
pulsos (PWM - Pulse Width Modulation). As vantagens do PWM incluem: maior imunidade com
relao ao rudo e distoro no-linear.
Os motores de induo trifsicos controlados e de aplicao industrial so usualmente alimentados
com inversores de fonte de tenso modulados por largura de pulso PWM ("pulse width modulation").
Essa estratgia, na sua verso mais simples, permite obter uma corrente na carga aproximadamente
senoidal a uma desejada freqncia f1, realizando a comparao entre um sinal senoidal de controle na
desejada freqncia f1 (freqncia moduladora) com um sinal de forma de onda triangular de
freqncia fp (freqncia portadora). O resultado dessa comparao a gerao de sinais de
chaveamento do inversor (pulsos de modulao), que dessa forma controla a seqncia e os tempos de
ligado e desligado das chaves do inversor (largura de pulsos), fazendo com que se varie a tenso mdia
aplicada ao motor bem como a sua freqncia; os inversores PWM que se utilizam desse mtodo so
chamados de senoidal-triangular ou senoidal-rampa. A implementao tradicional deste mtodo de
modulao analgica; embora, atualmente existam algoritmos simples e eficientes para a sua
implementao digital.
O modulador PWM utiliza:
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Os pulsos de sada do PWM (sinal modulado) so utilizados para comandar o chaveamento dos
IGBTs do circuito Chopper.
15.5
Simbologia
Tomemos o circuito mostrado na figura a seguir na qual se tem um circuito alimentado por uma
fonte CC (E) e do qual se deseja obter na sada uma tenso CC, mas de valor varivel (no caso igual
ou menor que a entrada).
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Considerando a chave T como uma chave semicondutora ideal: a chave est ou no estado de
bloqueio ou no estado de plena conduo. Considere ento que a chave manobrada em intervalos de
tempo regulares, permanecendo aberta por um certo tempo e fechada por outro de tempo. soma
destes dois intervalos de tempos chamamos de perodo de chaveamento. A tenso mdia de sada
depende da razo entre o intervalo em que a chave permanece fechada (TON) e o perodo de
chaveamento (TTOT).
Define-se como ciclo de trabalho (largura de pulso ou razo cclica) a relao entre o
intervalo de conduo da chave e o perodo de chaveamento. Em Modulao por Largura de Pulso
(em ingls. Pulse Width Modulation PWM) opera-se com uma freqncia de chaveamento
constante, ou seja, com perodo de chaveamento (TTOT) fixo, variando-se apenas o tempo em que o
interruptor permanece em conduo (TON) que pode ser ajustado pelo controle desde zero at o
mximo ( TTOT TON 0 ). O dispositivo semicondutor opera a uma freqncia alta, quando
Para que a relao entre o sinal de controle e a tenso mdia de sada seja linear, como
desejado, o sinal da portadora deve apresentar uma variao linear (como uma forma de onda "dentede-serra", por exemplo) e, alm disso, a sua freqncia deve ser alm de fixa, bem maior (nos casos
prtico um bom critrio dez vezes maior) do que a freqncia de variao da modulante, de modo
que seja relativamente fcil filtrar o valor mdio do sinal modulado, recuperando, sobre a carga, uma
tenso contnua proporcional tenso do sinal de controle.
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aplicada carga. A indutncia da carga "integra" a tenso aplicada e as variaes de corrente ocorrem
durante todo o tempo das pores altas e das
pores baixas da forma de onda da tenso de
sada. Veja diagrama ao lado.
A teoria da eletrnica de potncia clssica
baseada nesta idia de aplicar uma forma de onda
retangular a uma carga indutiva que resulta em
uma corrente triangular que flui do inversor pela
carga. Note que a corrente de carga est a seu
mximo quando a tenso muda polaridade de valor
alto para valor baixo, assim os componentes ativos
no inversor tm que comutar sob uma potncia
significativa.
A taxa de variao da corrente (inclinao da
rampa) depende da constante de tempo L/R da
carga em contraponto ao perodo de chaveamento.
Com cargas altamente indutivas a corrente tende a
uma reta horizontal.
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Esta operao transfere energia de uma fonte de maior tenso para outra de menor tenso e
apresenta caracterstica de fonte de tenso na entrada e fonte de corrente na sada. A corrente da carga
L
praticamente contnua se a constante de tempo da carga for maior que o perodo de
R
chaveamento (t 1 + t 2 ) .
Quanto maior a freqncia de chaveamento e a indutncia na sada, menor a ondulao da
corrente da carga. A tenso de sada conserva a polaridade da tenso de entrada. Modo 1 Chave
fechada; Modo 2 Chave aberta.
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Chopper CLASSE A:
Chopper CLASSE B:
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Chopper CLASSE C:
Chopper CLASSE D:
Operao em 1 e 4 Quadrante;
Corrente sempre Positiva, mas Tenso podendo ser Positiva ou Negativa;
Fluxo de Potncia da Bidirecional.
5.
Chopper CLASSE E:
O chopper ser abaixador quando S1 conduz durante t1, transferindo energia da fonte para a
carga. Quando S1 abre, a corrente de carga, que indutiva, circular por D2. Em ambas as situaes a
tenso e a corrente na carga so positivas:
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caractersticas dos Transistores Bipolares de Potncia. Assim, a velocidade dos IGBTs semelhante
dos Transistores Bipolares de Potncia; no entanto, nos ltimos anos tem crescido gradativamente,
permitindo a sua operao em freqncias de at algumas dezenas de kHz, em componentes para
correntes na faixa de dezenas e at centenas de Ampres.
Juntando o que h de melhor nesses dois tipos de transistores, o IGBT um componente que
vem se tornando cada vez mais recomendado para comutao de carga de alta corrente em regime de
alta velocidade. De fato, praticamente todos os conversores modernos, sejam conversores CA/CC ou
sejam Conversores de Freqncia (CA/CA ou Inversores) tm a unidade de potncia constituda
principalmente de IGBTs
Abaixo, apresentamos um grfico cujo contedo permite comparaes entre os principais
dispositivos semicondutores de potncia atuais quanto s suas caractersticas de tenso, corrente e
freqncia de operao. Nesta figura podemos constatar entre outras coisas que:
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Estrutura do IGBT
Enquanto no houver conduo de corrente na regio abaixo dos terminais de porta, no haver
conduo de corrente entre o emissor e o coletor porque a juno J2 estar reversamente polarizada,
bloqueando a corrente. Nesta situao somente uma corrente muito pequena flui entre o coletor e o
emissor e a esta corrente damos o nome de corrente de fuga (leakage current).
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Uma caracterstica desta regio de operao a tenso direta de breakdown, determinada pela
tenso breakdown da juno J2. Este um fator extremamente importante, em particular para
dispositivos de potncia, onde grandes tenses e correntes esto envolvidas. A tenso de breakdown da
juno J2 dependente da intensidade da dopagem da regio N- da regio de arrasto que mais
levemente dopada que a regio tipo P da regio de corpo (Body) para garantir um bom nvel de tenso
de breakdown. Os IGBTs comerciais geralmente so projetados para tenses de breakdown entre
600 V e 1200 V.
Como vimos, aplicando-se uma tenso positiva entre a porta e o emissor do dispositivo, faz
com que um campo eltrico se forme entre o terminal de porta e a poro de semicondutor P logo
abaixo da porta. Isso ocorre pois estes elementos esto isolados pelo oxido de silcio, que atua como o
dieltrico em um capacitor. Assim, na entrada do IGBT temos uma capacitncia parastica e uma
corrente de pequena intensidade e de bem curta durao circula pela porta de forma a carregar a
capacitncia parastica que existe entre a porta e a poro semicondutora logo abaixo do terminal de
porta. Isso ocorre enquanto o campo eltrico est se formando ou variando de intensidade.
Este campo eltrico atrai alguns eltrons livres da prpria regio tipo P e alguns eltrons livres
das pores N+ localizadas dentro desse substrato P, em virtude do fato de essa regio estar
fortemente dopada. Ao aumentarmos a tenso entre a porta e o emissor, conseqentemente,
aumentamos a intensidade desse campo eltrico, e mais portadores negativos sero atrados para a
regio imediatamente abaixo do terminal de porta.
Quando a tenso entre a porta e o emissor atinge um determinado valor limite que depende
do dispositivo conhecida como tenso de limiar (threshold voltage), simbolizada por Vth, a
quantidade de eltrons livres atrados pelo campo eltrico tamanha que a regio imediatamente
abaixo da porta acaba por se transformar do tipo P para o tipo N, fenmeno conhecido como inverso
sendo a camada que sofreu o processo recebe o nome de camada de inverso, mais comumente
conhecida como canal.
Com a formao deste canal, temos uma ligao do tipo N entre a pequena regio N+ e a
regio de arrasto. Tal canal permite a conduo de corrente atravs de uma pequena regio na juno
J1 que estava reversamente polarizada antes de a tenso entre porta e emissor atingir o valor limiar.
Dessa forma, eltrons sero transportados atravs deste canal at a regio de arrasto onde iro fazer
parte da corrente que circula pela juno J3 que est diretamente polarizada, fazendo com que o
diodo formado pela juno J3 entre em conduo. Com este efeito, temos que a camada P+
conectada ao coletor injeta lacunas (cargas positivas) na regio de arrasto N-.
Essa injeo de lacunas da regio de arrasto causa a modulao da condutividade da regio de
arrasto onde as densidades de ambos os portadores, eltrons livres e lacunas, atingem valores muito
mais elevados que quela que a regio N- geralmente apresenta. esta modulao de condutividade
que d ao IGBT sua baixa tenso de conduo entre os terminais de coletor e emissor (VCE) do IGBT
por causa da reduzida resistncia da regio de arrasto isto se deve ao fato de que a condutividade de
um material semicondutor proporcional densidade de portadores deste material. Assim, o IGBT
poder drenar correntes elevadas com poucas perdas de potncia, assim como o que ocorre em um
transistor bipolar.
Algumas das lacunas injetadas na regio N- so recombinadas nesta mesma regio com os
eltrons livres desta camada. No entanto, a maior parte das lacunas que alcanam a regio no se
recombinam e alcanam a juno J2 que est reversamente polarizada. Assim, as lacunas encontram
um campo eltrico favorvel ao seu movimento, justamente por causa da polarizao reversa da
juno. Com este campo eltrico da juno J2, as lacunas sero arrastadas por meio da corrente de
difuso pela regio de arrastamento atravessando a juno J2 at serem coletadas pela regio do tipo P
onde est conectado o terminal de coletor.
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A figura 3 (b) mostra um modelo mais completo para o circuito equivalente do IGBT que inclui
o transistor parasita pela regio tipo N+ da fonte do MOSFET, a regio de corpo do MOSFET do tipo
P e a regio de arrastamento tipo N-. Neste modelo tambm apresentada a resistncia lateral da
regio tipo P da regio de corpo. Se a corrente fluindo atravs dessa resistncia for elevada o
suficiente, teremos uma queda de tenso que ir polarizar diretamente a juno entre esta camada
semicondutora e a regio N+ ativando o transistor parasita que forma um tiristor parasita juntamente
com o transistor PNP principal da estrutura do IGBT. Uma vez que o tiristor tenha sido disparado, h
uma elevada injeo de eltrons livres oriundos da regio tipo N+ na regio tipo P do substrato do
MOSFET, fazendo com que a tenso de gate no influa mais na operao do dispositivo assim como
o que ocorre com os tiristores fazendo com que o controle da operao do IGBT seja perdido. Este
fenmeno denominado latch-up , quando ocorre, geralmente conduz destruio do dispositivo.
Geralmente, os fabricantes de IGBT constroem o molde da superfcie do emissor em forma de uma
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tira estreita, enquanto que a geometria utilizada em MOSFETs baseada em clulas concentradas, tal
fato permite que se evite o disparo do tiristor parasita existente na estrutura do IGBT.
Na figura apresentada a seguir, temos o smbolo utilizado em circuitos para designar o IGBT.
Neste smbolo vemos detalhes que lembram tanto o smbolo usado para transistores bipolares como o
smbolo usado para MOSFETs. Tambm apresentamos um desenho do aspecto do IGBT produzido
como componente discreto pela International Rectifier.
I G = C GC (VCE )
VCE
t
Infelizmente, CGC no constante, mudando de valor com a tenso entre coletor e emissor. As
maiores variaes de CGC ocorrem justamente com pequenas tenses entre emissor e coletor. Em
conseqncia disso temos explicaes para alguns comportamentos do IGBT:
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Quando o IGBT liga (turn-on) - partindo de Vce alto e VGE igual a zero ou negativo com uma
corrente constante carregando a porta, um aumento linear da tenso de porta obtido.
Com a queda da tenso entre coletor e emissor VCE a corrente de polarizao de porta usada
para carregar CGC, e a tenso de porta permanece constante.
Mais tarde, quando a tenso entre o coletor e o emissor cai, CGC aumenta de valor de tal forma
que, uma pequena variao de VCE suficiente para levar a um aumento da corrente de porta. Somente
quando a corrente necessria carga se reduz novamente que a tenso de porta aumenta.
Quando o IGBT desliga - partindo de VCE baixa, VGE positiva ou maior que a tenso limiar
Vth a tenso de porta inicialmente decresce quase que linearmente (pela fonte de corrente constante
de descarga). A diminuio da capacitncia a qual ocorre com o aumento da carga, resulta em aumento
da tenso. Como existe uma fonte de polarizao que est drenando corrente da porta, a tenso entre
porta e emissor se mantm constante.
Em conseqncia, VCE aumenta e a maior parte da corrente de descarga da porta usada para
manter a tenso de porta constante. O processo de carga termina quando VCE alcana a tenso de
operao.
devido ao Efeito Miller que a corrente de porta durante a comutao (ligado ou desligado)
usada antes de tudo para mudar a carga CGC. Isto explica porque, carregando ou descarregando , a
porta tem sua velocidade de resposta reduzida. Deve ser mencionado que as mudanas de CGC e VCC
regulam por si prprias de tal forma que apenas a corrente disponvel na porta usada. Isso esclarece
porque um resistor de grande valor ligado em srie com a porta faz que todos os eventos que
envolvam a comutao de uma IGBT tenham seu tempo de durao aumentado.
As caractersticas de tenso e corrente de um IGBT se assemelham muito com as caractersticas
de um transistor MOSFET e de um transistor bipolar de potncia. Para uma visualizao das
caractersticas de um IGBT real, apresentamos aqui o manual dos IGBTs fabricados pela Mitsubishi,
no formato .PDF.
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Nos grficos apresentados a seguir temos as tenses que so conectadas para a carga por cada
uma das chaves com o intervalo de tempo da comutao e a tenso total entre a fase C e o neutro da
associao em Y na sada do transformador apresentado na figura acima.
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Assim, vemos que a forma de onda da tenso na fase C com respeito ao neutro formada por
seis segmentos idealmente retos, como mostrado na figura. Por isso, este bloco funcional
denominado de um inversor de 6 segmentos. As formas de onda nas demais fases apresentam a mesma
forma de onda que a da fase C, com apenas uma diferena de fase de 120 de uma em relao outra.
Esta forma de onda na sada semelhante a uma forma de onda senoidal, embora ainda possua
muita distoro harmnica (possui componentes harmnicos de freqncias mais altas). Para melhorar
o desempenho do inversor, geralmente o que se usa a associao de mais blocos de inversores de 6
segmentos como o mostrado acima em srie, da seguinte forma apresentada na figura abaixo:
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Como podemos ver, essa forma de onda se aproxima mais de uma senide do que a forma de
onda anterior. Para suavizar esta forma de onda de modo que ela se aproxime mais de uma forma
senoidal, necessrio que ser utilize um filtro passa-baixas, que elimine as componentes de altas
freqncias, as quais so responsveis pelas transies abruptas dessa forma de onda e causam um
elevado fator de distoro harmnica.
Este exemplo foi apresentado aqui para ilustrar uma forma de aplicao do IGBT na prtica,
como uma chave em aplicaes de elevadas potncias.
Allenz 2005-2007
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