INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAO TECNOLGICA DO RIO GRANDE DO NORTE DEPARTAMENTO DA INDSTRIA

CURSO SUPERIOR DE TECNOLOGIA EM FABRICAO MECNICA

APOSTILA DE PROCESSAMENTO DE MATERIAIS POR PLASMA

Prof. Dr. Gilson Garcia da Silva

1. Plasma
1.1. Introduo A palavra Plasma significa material moldvel. Mas na Fsica o significado preciso : Um gs ionizado contendo eltrons, ons e tomos neutros, mantendo-se macroscopicamente neutro. Devido energia cintica de suas partculas, o plasma hoje identificvel como o sendo o 4 estado da matria, representando 99,99% da matria visvel do Universo. sabido que qualquer substncia pode existir em trs estados: slido, lquido e gasoso, cujo exemplo clssico a gua, que pode ser gelo, lquido e vapor. Todavia, h muito poucas substncias que se encontram nestes estados tomando o Universo no seu conjunto; assim a maior parte do universo subsiste no estado denominado plasma. 1.2. O que este estado? Sabe-se que, segundo o grau de aquecimento, o movimento trmico dos tomos de qualquer corpo slido adquire um carter cada vez mais energtico, enquanto no comecem a enfraquecer e depois se rompam as ligaes que determinam a estrutura da substncia. A primeira coisa a romper-se a rede cristalina, e o corpo slido funde-se e converte-se em lquido. Depois se debilitam as ligaes entre as molculas e a substncia toma a forma de gs, volatiliza-se. A gua lquida, em geral, j no pode existir a mais de 2000C, qualquer que seja a presso. Por conseguinte, excluem-se todos os tipos de reaes qumicas num meio aquoso. Aos quatro ou cinco mil graus rompem-se todas as ligaes dentro das molculas e a substncia desintegra-se, definitivamente, nos tomos que formam os seus elementos. Por isso cessam todas as reaes qumicas correntes. Conforme a temperatura vai aumentando, o movimento dos tomos do gs tornase cada vez mais enrgico, e os tomos cada vez com mais freqncia e cada vez com mais fora chocam-se uns com os outros. Como resultado destes choques, comeam a separar-se os eltrons situados nas rbitas mais exteriores, que so os mais debilmente ligados aos ncleos dos seus tomos. Dentro do gs, como que aparece um segundo gs formado por estes eltrons, cujo nmero aumenta ininterruptamente, ao mesmo tempo em que se vo despindo os ncleos dos tomos. Depois deles, chega a vez dos eltrons escondidos nas rbitas mais profundas e mais slidas. Simultaneamente tornam-se mais freqentes os choques entre os ons, privados de toda ou parte da sua defesa eletrnica. O gs, no qual, sob a ao de uma temperatura extraordinariamente alta, teve lugar a diviso da substncia, a qual se compe de eltrons livres com uma velocidade vertiginosa, que se chocam entre si e com as paredes do vaso, com os ncleos dos tomos

completamente nus e com os tomos que por casualidade ainda mantm uma parte dos seus eltrons, formam o plasma. O plasma ideal com as partculas atmicas completamente divididas, corresponde a uma temperatura de vrias dezenas de milhes de graus. Em todos os lugares onde a matria est extraordinariamente quente, ela encontra-se no estado plsmico. Todavia, o plasma no apenas uma substncia aquecida at temperaturas superaltas. um estado fsico completamente distinto que manifesta todo um conjunto de propriedades importantes e mesmo extraordinrias. Por exemplo, o estado plsmico de uma substncia gasosa pode surgir a temperaturas relativamente baixas, em dependncia da composio, estrutura e grau de rarefao do gs. A chama de uma vela, a luminescncia da lmpada de luz fria, o arco eltrico, a descarga eltrica, o jato de fogo que sai da tubagem do motor de reao ou do foguete, o rastro que deixa o relmpago, so, numa enumerao muito incompleta, alguns dos fenmenos com os quais o homem toma contato de uma forma direta ou indireta e, em alguns casos, utiliza para seu benefcio, deste quarto estado da matria. A maioria das pessoas e, mesmo alguns cientistas, no diferenciam alguns tipos de plasma, e de gs. Na realidade ouvimos falar com freqncia da atmosfera incandescente do sol e das estrelas, de fluxos de gases incandescentes, etc. Na verdade o plasma , em alguns pontos, muito parecido com o gs. Ambos so rarefeitos e fluidos. Todavia, ao nvel dos tomos e das molculas, a natureza das suas estruturas completamente diferente, e isto explica precisamente a extraordinria variedade das suas propriedades e do seu comportamento, que diferencia o plasma de todos os outros estados da matria. No seu conjunto, o plasma neutro, j que contm uma quantidade igual de partculas carregadas positiva e negativamente. Mas a interao destas cargas d ao plasma uma grande variedade de propriedades diferentes das dos gases. Em certas condies, o plasma pode conduzir corrente eltrica melhor do que o cobre, pode fluir como um lquido viscoso, intervir em reaes com outras substncias, como a mais forte soluo qumica. Alm disso, facilmente orientvel em campos eltricos e magnticos. A fsica do plasma tornou-se rapidamente num dos ramos mais destacados do progresso cientfico, apresentando grande potencial em aplicaes industriais. 1.3. Composio qumica do plasma A determinao da composio qumica de um plasma uma tarefa bastante difcil, haja vista a grande quantidade de componentes e radicais presentes. Numa descarga reativa (plasma), a energia distribuda entre os diversos constituintes, quais sejam: neutros estveis, eltrons, fragmentos moleculares (radicais), ons negativos e positivos e neutros excitados. Estes, por sua vez, constituem-se numa sopa qumica de grandes aplicaes em vrios ramos da tecnologia. Destes componentes, deve ser ressaltado o papel dos eltrons que, devido a sua maior mobilidade, so os responsveis pela condutividade eltrica do plasma e pelos processos de formao de radicais, neutros excitados e ons, importantes para a reatividade do plasma. Na maioria dos casos, a determinao completa da composio qumica do plasma

tarefa impraticvel. Normalmente, se busca a determinao quantitativa ou qualitativa das espcies que considera-se as mais importantes e que podem fornecer informaes sobre sua reatividade. Para isso, vrias tcnicas so normalmente utilizadas, sendo que uma das principais a espectrometria de massa. 1.4. Exemplos de plasmas Apesar de, numa primeira vista, a existncia de plasma nos parecer muito rara, podemos facilmente lhe demonstrar que no o . Ou melhor, podemos lhe informar dizendo que, de fato, ns que estamos acostumados a slidos, liquidos e gases, estados bem raros da matria. O fogo um exemplo de plasma. As lmpadas fluorescentes so plasma, assim como as lmpadas de neon. Raios so plasma. A aurora o mais belo exemplo de plasma ligado ao nosso planeta. J falando de espao, temos o sol, visto que todas as estrelas so plasma. E as estrelas, ao morrerem, ejetam sua massa, a qual forma nebulosas, tambm plasma. Um conjunto de estrelas: nossa galxia. Tudo, ou pelos menos 99,99%, plasma!!! 1.5. Em quais situaes obtem-se o plasma O principal fator que implica na dificuldade de se obter plasma na superfcie terrestre a presso atmosfrica. Para produzir plasma precisamos de baixa presso, visto que a diferena de potencial necessria para produzir a descarga eltrica que d incio ao plasma proporcional presso, sendo que, na presso atmosfrica, esta extremamente difcil de se obter. Um segundo ponto vem da recombinao das partculas (troca de cargas). Num meio muito denso (alta presso) os ons facilmente seriam neutralizados, no havendo assim tempo suficiente para existir o plasma. Logo, o plasma somente ocorre naturalmente no espao (no vcuo), ou na alta atmosfera ( exceo das chamas e dos raios). No laboratrio o mesmo obtido sempre em cmaras nas quais feito vcuo atravs de Bombas de Vcuo. Segue-se sempre a seguinte classificao para os intervalos de presso: - Baixo Vcuo: 105>P>3,3x103 Torr - Mdio Vcuo: 3,3x103>P>10-1 Torr - Alto Vcuo: 10-1>P>10-4 Torr - Muito Alto Vcuo: 10-4>P>10-7 Torr - Ultra Alto Vcuo: 10-7>P>10-10 Torr - Extremo Ultra Alto Vcuo: P<10-10 Torr Para se alcanar estas presses, so necessrios diversos tipos de bombas de vcuo trabalhando em conjunto, de acordo com o intervalo de utilizao de cada uma; as principais bombas utilizadas em laboratrio so as bombas mecnicas e as turbomoleculares.

1.6. reas de aplicaes do plasma Uma das reas de aplicao de plasma o tratamento superficial de materiais por plasma, haja vista que nas ltimas duas dcadas tem havido diversos progressos na tecnologia utilizada nos processos de tratamentos superficiais, principalmente com o desenvolvimento dos mtodos de nitretao, cementao e nitrocementao por plasma. A nitretao de metais, por exemplo, um processo que permite alterar as propriedades de dureza superficial, desgaste, corroso e resistncia trmica do material. utilizada, por ordem de importncia, no tratamento de metais ferrosos, metais refratrios e, mais recentemente, de alumnio. O processo de nitretao de superfcies se aplica, entre outras, indstria mecnica, automotiva, hidrulica, de deformao de metais, siderrgica, etc. Os tratamentos por plasma oferece diversas vantagens quando comparado aos mtodos tradicionais de tratamentos; entre outros pode-se mencionar: 1) Componentes nitretados com plasma, por exemplo, sofrem menos distoro dimensional do que no caso da nitretao gasosa, devido menor temperatura requerida no tratamento e ao fato do processo ser realizado em vcuo; 2) Melhor acabamento das peas, em funo da menor temperatura, forno limpo e uso do vcuo. Como consequncia, elimina-se ou minimiza-se o trabalho das peas aps o tratamento; 3) Permite conseguir melhores propriedades metalrgicas com materiais de custo menor; 4) Permite obter uma camada uniforme em tratamentos superficiais, mesmo em peas de formas complexas; 5) Permite resultados reprodutveis e de qualidade constante, devido ao controle microprocessado dos parmetros do processo; 6) No produz contaminao ambiental; os processos de tratamento com plasma usam baixa quantidade de gases neutros, enquanto que os processos convencionais usam, muitas, vezes sais txicos ou grandes quantidades de gases txicos; 7) Menor custo, se comparado aos processos convencionais, por ser um processo mais rpido, que usa menores quantidades de produtos qumicos.

2. Corte a plasma
2.1. Introduo O corte a plasma foi introduzido em 1955 em substituio a outros processos de corte de matais no ferrosos e aos inoxidveis. O jato de plasma funde e expulsa o metal de base com grande eficincia, resultando em uma superfcie com excelente acabamento, preciso dimensional, pouca ou nenhuma distoro e pequena zona afetada pelo calor. O corte pode ser manual ou mecanizado, com velocidade relativamente elevada, em linha reta ou em curva; em geral pode ser iniciado em qualquer ponto da pea. O processo usado para corte de peas com espessura entre 3 e 40 mm.

O corte plasma um processo que utiliza um bocal (torneira) calibrada para a constrio de um gs ionizado que se encontra a elevada temperatura, a fim de control-lo e us-lo para fundir e seccionar metais condutores.

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2.2. Tocha a plasma Um gs eletricamente condutor usado para transferir energia fornecida por uma fonte de energia eltrica, da tocha ao material a cortar. Seu princpio baseia-se na reduo do dimetro de um bocal que constringi o arco eltrico, aumentando a velocidade do gs e o seu calor por efeito Joule. A temperatura e a tenso do arco crescem dramaticamente, e a fora do gs ionizado remove a poa de fuso em alta velocidade. Ao invs de soldar, o metal cortado pelo arco plasma.

Na figura abaixo, os dois arcos esto operando em 200 Ampres. O jato plasma apenas moderadamente constringido (dimetro do orifcio do bocal = 4.8 mm), mas operado com o dobro da tenso e produz um plasma muito mais quente que o arco correspondente ao TIG. Se a mesma corrente forada a passar atravs do orifcio, com os mesmos parmetros operacionais, a tenso e temperatura aumentam. Ao mesmo tempo uma maior energia cintica do gs sai do bocal, ejetando o metal fundido provocando assim o corte.

Essas altas temperaturas foram possveis em funo do alto suprimento de gs no bocal da tocha plasma formar uma fria camada circular de gs no ionizado nas paredes do mesmo, permitindo um alto grau de constrio do arco. A espessura desta camada circular pode ser aumentada pela ao de rotao do gs de corte. A maioria das tochas plasma atuam no sentido de forar a rotao do gs para aumentar a constrio do arco e conseqentemente aumentar a temperatura do arco. 2.3. Arco transferido e no transferido: O arco plasma pode ser transferido, quando a corrente eltrica flui entre a tocha plasma (ctodo) e a pea de trabalho (anodo); ou de modo no transferido quando a corrente eltrica flui entre o eletrodo e o bocal da tocha. Os dois modos de operao so mostrados na figura abaixo. Embora o calor do arco plasma emerge do bocal nos dois modos de operao, o modo transferido invariavelmente usado para corte uma vez que o "heat imput" utilizvel na pea de trabalho mais eficientemente aplicado quando o arco est em contato eltrico com a pea de trabalho. No arco no transferido o calor necessrio para fuso transmitido s peas somente pelo gs, podendo ser usado na unio de materiais no metlicos como vidros e plsticos e tambm quando se deseja minimizar a energia de soldagem.

2.4. Alterando as caractersticas do arco plasma: As caractersticas do arco plasma podem ser bastante alteradas pela mudana do tipo e vazo do gs corrente de corte, tenso do arco e dimetro do bico de corte. Por exemplo, se usado uma baixa vazo de gs, o jato plasma torna elevada a concentrao de calor na superfcie da pea, sendo ideal para soldagem. Em contrapartida se a vazo de gs suficientemente aumentada, a velocidade do jato plasma to grande que ejeta o metal fundido atravs da pea de trabalho. Introduzida em 1957 pela UNION CARBIDE, esta tcnica podia ser usada para cortar qualquer metal a velocidades de corte relativamente altas. A faixa de espessuras abrangida variava de chapas finas (0.5 mm) at chapas grossas (250 mm). A espessura de corte est diretamente relacionada com a capacidade de conduo de corrente da tocha e propriedades do metal. Uma tocha mecanizada com capacidade para 1000 Ampares pode cortar 250 mm de ao inoxidvel ou Alumnio. Contudo, na maioria das aplicaes industriais, a espessura de corte no ultrapassa 40 mm. Nesta faixa de espessuras, o corte plasma convencional usualmente alargado e tem a ponta circular. Cortes largos so o resultado de um desbalanceamento energtico na face de corte. Para a operao de corte usado geralmente o nitrognio como gs de plasma e o gs de proteo escolhido funo do material a cortar, podendo ser CO2 para aos inoxidveis e mistura de argnio e hidrognio para Alumnio. O ar comprimido pode ser usado como gs de plasma no corte de aos, com uso de tochas e eletrodos especiais para esta situao. Tambm pode ser utilizado gua no lugar do gs de proteo. A aparncia do corte e a vida til do bocal so melhorados com esta variao. O corte a plasma tem sido usado tambm com a pea submersa em gua em situaes que o material a ser cortado pode sofrer variaes indesejveis de propriedades, devidas ao calor do corte.

2.5. Detalhamento fsico do plasma no interior da tocha Em detalhes, o processo da conveco forada resulta num resfriamento maior da periferia do arco e da, num aumento da densidade de corrente j do arco (pinch trmico). Um arco com maior j tem maior gradiente radial de partculas ionizadas e, portanto, maior difuso radial (pela Lei de Fick) de eltrons de dentro para fora do arco e partculas neutras de fora para dentro. Um maior influxo de partculas neutras, exige um campo eltrico E maior no arco (para ioniz-las) para que o balano de partculas (neutralidade do plasma no arco: densidade de eltrons = densidade de ons) se mantenha. Um aumento simultneo de j e E significa um aumento de potncia trmica dissipada por unidade de volume p = jE e, portanto, maior temperatura do arco confinado que no arco livre. Pela segunda lei da termodinmica, maior temperatura da fonte quente (arco) resulta em maior eficincia de transferncia de calor do arco para o gs. 2.6. Constituio do equipamento da tocha a plasma As tochas de corte apresentam um ou mais orifcios com diferentes dimetros, dependendo de sua capacidade e da tcnica utilizada. Elas podem ser adequadas para o corte manual ou mecanizado. A tocha a plasma composta basicamente dos seguintes elementos: Distribuidor de gs Eletrodo Bico Capa Bocal

Distribuidor O distribuidor tem pequenos orifcios para medir a vazo de gs plasma que entra na cmara. Estes orifcios levam o gs plasma a formar um canal que ajuda a centralizar e constringir o arco.

Eletrodo O eletrodo transporta as cargas negativas. Est principalmente construdo em cobre, com um inserto de hfnio (Hf) ou Tungstnio (W). Hfnio para ar e oxignio. Tungstnio para Nitrognio e Argnio-Hidrognio.

Bico O bocal constringe o arco e enfoca o jato de plasma. A medida do orifcio est diretamente relacionada com a amperagem. Uma maior corrente requer um orifcio maior.

Capa A capa exterior, junto com o distribuidor, usada para submeter e alinhar o eletrodo e o bocal. A capa tambm serve de proteo ao operador contra a diferena de potencial.

Bocal O escudo est desenhado para proteger o bocal das projees de metal fundido e do calor irradiado. Alem disso, contm os canais do gs de proteo. Por estar eletricamente isolado, permite tocar a pea com a tocha sem risco de danificar o bocal.

Observaes com relao a manuteno da tocha a plasma Eletrodos e bicos devem ser trocados ao mesmo tempo. Os distribuidores devem ser repostos quando for necessrio, geralmente a cada 20 jogos de eletrodo e bocal. Bocais e capas devem ser repostos quando esto fisicamente danificados ou quando a qualidade de corte se torna pobre. 2.7. Seqncia de Operao de um Sistema de Corte a plasma 2.7.1.Partida por Alta Freqncia Um sinal de partida enviado fonte de CC. Isto ativa simultaneamente a tenso de arco aberto (OCV) e o fluxo de gs para a tocha . Quando o fluxo de gs se estabiliza, um circuito de alta freqncia (HF- 10KV 2MHz) ativado. A HF rompe o dieltrico (gs) que se encontra entre o bocal e o eletrodo, dentro da tocha, e o arco causa a ionizao do gs. Este gs

eletricamente condutivo cria uma rota para a corrente entre o eletrodo e o bocal, e resulta na formao do arco piloto. Quando o arco piloto entra em contato com a pea, um sensor de corrente detectar que parte da corrente retorna pela massa. Imediatamente se desativaro os circuitos de alta freqncia e arco piloto, permitindo que toda a corrente circule do eletrodo para a pea.

Caractersticas - Alta voltagem (5,000V - 10,000V), e alta frequncia em CA usada para gerar o arco piloto. - No tem partes mveis. - A Alta Frequncia nociva para o meio ambiente e muito difcil de controlar. Partida por Contato Arco Piloto

O eletrodo se desloca longitudinalmente permitindo a formao do arco piloto.

2.8. Caractersticas e Aplicao do Corte Plasma - Alta velocidade de avano - Perfura sem pr aquecimento - Facilidade de uso . Corta Qualquer Metal Condutor :Pode cortar Ao ao carbono, Inoxidvel, Alumnio, Bronze, Cobre, Ferro Fundido, etc. . Permite Cortar Placas Empilhadas. - Corta uma Ampla Faixa de Espessuras. - Dependendo da capacidade do equipamento, possvel cortar metais desde 0.5mm at 60mm de espessura. - Processo Muito Seguro. - No utiliza perigosos cilindros de oxignio e gs e nem mangueiras transportando elementos combustveis. - No requer cuidados especiais.

Corte Plasma vs. Oxicorte Benefcios

- Corte LimpoCorte Limpo - O corte no deixa escria, por isso, no necessria a limpeza posterior com esmeril. - No Superaquece o Material - Devido a alta velocidade de avano, a zona afetada pelo calor muito pequena. -As chapas de espessura fina no se deformam. -O plasma corta qualquer metal condutor -Mais velocidade e maior produtividade -Mnima necessidade de operaes secundrias -Significativamente menor zona afetada pelo calor -No produz deformaes nas peas ou chapas -Virtualmente sem escria -O plasma pode cortar materiais pintados, oxidados ou sujos sem inconveniente - Processo mais seguro: no utiliza gases inflamveis - Processo mais fcil de operar: no requer operador qualificado - Custo operacional menor

3. Reduo de xidos por plasma 3.1. Mtodos de sntese de reduo por plasma 1o) Reduo do WO3 em leito fixo com incidncia direta de plasma de H2. 2o) Reduo do WO3 em leito fixo e atmosfera de baixo vcuo sem incidncia direta de plasma de H2. 3o) Reduo do WO3 em leito mvel com incidncia direta de plasma de H2. 3.2. O plasma de hidrognio As reaes mais freqentes na luminescncia negativa (catodo), so aquelas determinadas pelas colises eltrons-molculas, podendo ser assim classificadas: Ionizao- os eltrons mais energticos, ao colidirem com as molculas do gs, provocam a remoo de um eltron do tomo, produzindo um on e dois eltrons: e- + Go 2e- + G+ onde Go o tomo ou molcula do gs no seu estado fundamental e G+representa um on deste gs. Excitao- se a energia de coliso do eltron for inferior quela necessria para ionizao, poder haver excitao: e- + Go e- + G* onde G* o tomo do gs no estado exitado. Relaxao ou emisso- aps a excitao das espcies, haver o decaimento dos eltrons para nveis menos energticos, resultando na emisso de ftons: G* Go + hv Dissociao- reao que ocorre no plasma pela coliso de molculas com eltrons energticos, podendo ocorrer a formao de tomos neutros, excitados ou ionizados: e- + G2 e- + G + G e- + G2 e- + G* + G e- + G2 e- + G+ + G* Recombinao- quando espcies ionizadas chocam-se com uma superfcie, eltrons desta superfcie so liberados, neutralizando as espcies pelo seguinte processo: G2+ + e- G2

O hidrognio em condies normais de temperatura e presso existe apenas sob a forma molecular H2,. A ionizao em descargas de hidrognio ocorre predominantemente por colises entre tomos e molculas produzindo ons positivos ou ons moleculares. Para o Hidrognio, temos: e + H2 H2+ + 2e Ionizao + e + H2 H + H + 2e Dissociao * e + H2 H2 + e Excitao * H2 H2 + emisso de ftons Relaxao H2+ + e H2 Recombinao OBS: Reao para produo de ons negativos, tipo e + H2 H + H- , so bastante difcies de ocorrer devido baixa seo de choque envolvida no processo. O hidrognio no o mais eficiente gs para os processos de reduo, porm o seu plasma tem uma combinao de propriedades termodinmicas e qumicas que o tornam grande promissor para uso na metalurgia. As partculas ativas do plasma de hidrognio so capazes de reduzir a maioria dos xidos metlicos e fazer isso em altas taxas de reao.

3.3. Processo e equipamentos O processo de reduo por plasma d-se pela descarga eltrica em um gs contendo hidrognio a baixa presso. O processo inicia com a realizao de um vcuo primrio (0,01torr) na cmara para remoo do ar e de outros contaminantes do sistema. H2 introduzido na cmara at a presso de trabalho (1 - 10 torr). Uma fonte de tenso dc (descarga continua) e ligada para ionizar o gs, formando deste modo o plasma. Isto permite que os ps a serem tratados mantenham um potencial catdico ( - ) em relao as paredes da cmara, que por sua vez desenvolve potencial andico ( + ). Esta disposio de polaridade dentro da cmara (forno) faz com que ons positivos de hidrognio sejam acelerados pelo campo eltrico em direo ao p (catodo ), e por coliso com a superfcie do p perdem parte de sua energia cintica. A parcela de energia cintica perdida convertida em calor (70 - 90 %) e serve para aquecer o p at a temperatura de reduo ( 600 - 1200 C ). O ciclo completo do tratamento de reduo por plasma composto por cinco etapas: 1 - carregamento do forno; 2 - vcuo primrio; 3 - introduo de H2; 4 - acionamento da fonte DC; 5 - Processamento a plasma; 6 - desligamento da fonte; 7 - resfriamento.

O sistema de reduo por plasma consiste de um reator. O sistema mostrado esquematicamente na figura 3.1, sendo composto, basicamente das seguintes partes: cmara de reduo inica, fonte de tenso cc, sistema de vcuo e alimentao de gases. O fornecimento de gases para a cmara feito por um cilindro contendo H2 , o qual est ligado a cmara atravs de mangueiras de borracha.

3.4. Reduo de xidos em leito fixo com incidncia direta de plasma de H2. 3.4.1. Aparato experimental: Para este mtodo, um cadinho de ao inox blindado eletricamente, com o objetivo de que o plasma revestisse apenas internamente o catodo, aumentando a eficincia trmica do sistema e, conseqentemente, obtendo-se temperaturas altas para a mesma potncia da fonte. Esta configurao est ilustrada na figura. A blindagem est isolada eletricamente do catodo e a distncia de sua parede no deve ser superior duas vezes a espessura da bainha catdica. Essa configurao permite uma maior economia de energia e evita qualquer flutuao de temperatura j que o plasma estava confinado apenas na regio interna do catodo.

Esquema do aparato experimental para a reduo em leito fixo tratada a plasma (detalhe do porta amostra)

Detalhe do catodo mostrando o plasma confinado sobre o p de WO3

3.5. Reduo em leito fixo e atmosfera de baixo vcuo sem incidncia direta de plasma de H2 Para este caso, foi retirado a blindagem eltrica para possibilitar a formao do plasma na parte externa do catodo e colocado uma cobertura de ao a aproximadamente 1 mm de distncia de sua parede. Tal configurao permitiu a entrada de H2 sem que houvesse a penetrao do plasma. O termopar mede a temperatura imediatamente abaixo do mesmo. As figuras mostram respectivamente o esquema do aparato experimental e o sistema em funcionamento.

Esquema da configurao experimental para reduo de camadas esttica de WO3 sem tratamento por plasma de H2 e em baixa presso 3.6. Reduo do WO3 em leito mvel com incidncia direta de plasma de H2. 3.6.1. Aparato experimental: Com o objetivo de desenvolver um sistema contnuo de reduo por plasma foi desenvolvido um sistema de reduo por leito mvel. Neste sistema, um catodo de ao inoxidvel cilndrico, Em torno deste foi colocada uma blindagem eltrica para evitar que o plasma revestisse a parte externa do catodo, diminuindo a densidade de corrente. Ele foi acoplado cmara de reduo por meio de rosqueamento, de tal forma que o termopar mede a temperatura em um nico ponto localizado no centro do cilindro e imediatamente abaixo do mesmo. As figuras mostram respectivamente o esquema do aparato experimental com o detalhe construtivo do catodo e o detalhe construtivo do bulbo e da vlvula de controle de p.

Figura 3.7. Esquema do aparato experimental do processo de reduo em leito mvel por plasma.

Detalhe do aspecto construtivo do bulbo vidro da vlvula de controle e do sistema de vedao cmara/bulbo para o processo de reduo em leito mvel.