Nanotecnologia

Materiais epoxdicos nanoestruturados:
UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA JLIO DE MESQUITA FILHO UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA JLIO DE MESQUITA FILHO UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA JLIO DE MESQUITA FILHO UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA JLIO DE MESQUITA FILHO
FACULDADE DE ENGENHARIA DE ILHA SOLTEIRA FACULDADE DE ENGENHARIA DE ILHA SOLTEIRA FACULDADE DE ENGENHARIA DE ILHA SOLTEIRA FACULDADE DE ENGENHARIA DE ILHA SOLTEIRA
DEPARTAMENTO DE FSICA E QUMICA DEPARTAMENTO DE FSICA E QUMICA DEPARTAMENTO DE FSICA E QUMICA DEPARTAMENTO DE FSICA E QUMICA
Materiais epoxdicos nanoestruturados:
sistemas epoxdicos modificados com um ster
de silsesquioxano
Geovanna Pires
Denise de Souza Pereira
Tpicos a serem abordados
Introduo
Nanocincia e nanotecnologia
Materiais nanoestruturados
Nanopartculas
Nanotubos
Nanocompsitos
Silsesquioxanos
Resinas epoxdicas
Modificao de sistemas epoxdicos
Preparao de um modificador
Propriedades mecnicas e trmicas
DGEBA/DETA/MDPS e DGEBA/TETA/MDPS
Espectroscopia na regio do infravermelho
As resinas epoxdicas resinas epoxdicas alta rigidez, boa resistncia
corroso, estabilidade dimensional e adeso.
Um dos principais problemas a propagao de trincas propagao de trincas.
Introduo
Molculas hbridas Molculas hbridas
orgno orgno inorgnicas inorgnicas
Plataforma de Campos-RJ, Petrobrs-Brasil (Edio 240 Agosto de 2002
Revista Petro & Qumica
orgno orgno inorgnicas inorgnicas
POSS POSS modificadores
de dimenses
nanomtricas em
polmeros termorrgidos.
Nanocincia e Nanotecnologia
Consiste na criao, manipulao e explorao de materiais
em escala nanomtrica (materiais nanoestruturados).
Nanocincia e Nanotecnologia
Nanotecnologia: uma rea multidisciplinar.
Informtica
Engenharias
Medicina
Nanotecnologia
Qumica
Fsica
Biologia
Indstria automobilstica e aeronutica - Materiais mais leves,
pneus mais durveis, plsticos no inflamveis com menor custo.
Indstria eletrnica e comunicao - Armazenamento de dados,
telas planas, aumento na velocidade de processamento, reduo de
tamanhos.
Indstria qumica e de materiais - Catalisadores mais eficientes,
ferramentas de corte mais duras.
Indstria farmacutica, biotecnolgica e biomdica - Novos
medicamentos baseados em nanoestruturas, kits de auto-diagnstico,
materiais para regenerao de ossos e tecidos.
Meio ambiente - Membranas seletivas(para remover contaminantes
ou sal da gua), novas possibilidades de reciclagemde mteriais.
Nanofibras de carbono (Hyperion Catalysis
Headquarters & Main Sales Office, USA)
Silsesquioxanos (Hybrid Plastic, California, USA)
Nanomateriais derivados de xidos, nitretos, carbetos
e sulfetos (Nanogram, USA) e sulfetos (Nanogram, USA)
Nanopartculas de metais preciosos, bolas de tnis
(nanotubos de carbonos), nanoemulso desinfetadora
(Nanopowder, Israel)
Nanocompsitos e revestimentos (Triton Systems,
Massachusetts, USA)
Como ilustrao: 1Kg de ouro macio
Em uma bola de 1Kg 31mm de raio
1Kg Au em 30mil esferas 1mm de raio 0,38m
2
1Kg Au em 30mil bilhes de esferas 1m de raio 380m
2
1Kg Au em 30mil bilhes de bilhes de esferas 1nm de raio 380mil m
2
Escala microscpica Escala nanomtrica
Nanotecnologia
Ilustrao de partculas de diferentes tamanhos sobre uma superfcie.
Escala microscpica Escala nanomtrica
Partcula da dimenso
de poucos nanmetros
apresenta maior
superfcie de contato
com outra fase que uma
partcula microscpica.
(1nm = 10
-9
m)
So todos os materiais que apresentam pelo
menos um componente com uma ou mais
dimenses <100 nm.
Nanopartculas
Nanotubos
Nanocompsitos
dimenses <100 nm.
Fullerenos
Descoberto em 1985 por Harold W. Kroto, James
Nanopartculas
So materiais que apresentam suas dimenses na ordem de
nanmetros.
Descoberto em 1985 por Harold W. Kroto, James
Heath, Sean OBrien, Robert F. Curl Jr e Richard
Smalley.
Em 1996 ganharam o prmio Nobel de qumica.
So formados a partir do C
grafite
.
Podem conter 20, 60, 70, 100, 180, 240 e at 540
tomos de carbono.
Buckyball
Nanopartculas
Fullerenos (Richard Buckminster Fuller)
~ 0,7 nm
C
60
Formados a partir de fulerenos.
Possuem dimetros da ordem de nanometros (de 8 a
15 nm).
Nanotubos
15 nm).
Milhares de nanotubos fio de cabelo.
So folhas de C
grafite
enroladas, resultando em
minsculos tubos de carbono.
Trs tipos:
Zigzag
Nanotubos
Poltrona
Espiral
Caractersticas importantes :
Preenchimento por diferentes materiais.
Nanotubos
Propriedades eltricas nicas.
Propriedades mecnicas especiais.
Nanocompsitos
So materiais em que pelo menos uma das fases
(nanodomnios de fases) tem ao menos uma das dimenses
<100nm (IUPAC).
Compsito
um material multicomponente que compreende
diferentes fases (no gasosas), em que ao menos uma
fase contnua.
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
Si
Si
Si
Si
O
O
O
O
Si
Si
Si
Si
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
Si
Si
Si
Si
O
O
O
O
Si
Si
Si
Si
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
Si
Si
Si
Si
O
O
O
O
Si
Si
Si
Si
O
O
O
O
O
Si
Si
O
O
O
O
O
Si
Si
O
O
O
O
O
Si
Si
Nanocompsitos
Compsito
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
Si
Si
Si
Si
O
O
O
Si
Si
Si
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
Si
Si
Si
Si
O
O
O
Si
Si
Si
Si
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
Si
Si
Si
Si
O
O
O
Si
Si
Si
Si
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
Si
Si
Si
Si
O
O
O
O
Si
Si
Si
Si
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
Si
Si
Si
Si
O
O
O
O
Si
Si
Si
Si
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
Si
Si
Si
Si
O
O
O
O
Si
Si
Si
Si
Ilustrao de uma fase inorgnica descontnua segregada em
uma fase orgnica contnua.
Si e O de frmula emprica
(RSiO
3/2
)n
Silsesquioxanos
Silsesquioxanos
Polissilsesquioxanos
n = 4, 6, 8, ..., 16.
oligossilsesquioxanos
(grego: oligo, poucos)
n um nmero
indefinido
POSS
Oligmeros polidricos de silsesquioxanos

Si
O
Si
R
R
O
O
O O
R
Si
Si Si
Si
O
O
R
R
R
Si
O
Si
R
R
O
Si
R
O
O
R
Si
O
Si
O
O
Si
O
Si O
HO
R R
O
OH
O
Si
O
Si
O
Si
R
OH
R
Si
O
HO
R
(Random) (Ladder)
Aleatrio
Escada
Estruturas
Silsesquioxanos
Estruturas de silsesquioxanos (RSiO
1.5
)n.
Si
O
Si
O
Si
O
Si
O
O
O
O
O
O
O
Si
Si
O
Si
O
Si
R
R
R
R R
R
R
R
(Random) (Ladder)
Si
O
Si
O
Si
O
Si
O
O
OH
O
O
O
O
Si
OH
Si
Si
OH
R
R
R R
R
R
R
(cage)
(open cage)
Aleatrio
Escada
Gaiola fechada
Gaiola aberta

O
Si
O
Si
O
X
X
X
X
Si
O
Si
O
O
O
O
O
O
ou
ou
O
Si
O
O
Si
O
Si
R
R
R
R
Funcionalizao dos POSS
Silsesquioxanos
+
O
O
Si
X
O
Si
X
O
X
X
O
Si
Si
O
Si
O
Si
O
ou
O
O
O
O
ou
X =
O
O
O
O
O
,
,
ou
Si
O
Si
O
Si
O
Si
O
O
O
O
O
O
Si
O
Si
R
R
R
R
R

Polymer Hybrid
Nanocomposites
SiMe
2
R
RMe
2
Si
RMe
2
Si
SiMe
2
R
O
O
O
O
O O
O
O
O
Si
Si
O
O
O
Si
Si
Si
Si
Polmero hbrido de
nanocompsitos
Aplicaes gerais
Silsesquioxanos
Nanocomposite
Coatings
Nanoporous materials
Photonic crystals
Low k dielectrics
RMe
2
Si
SiMe
2
R
SiMe
2
R
SiMe
2
R
O
O
O
O
O
O
O
Si
Si
O
Si Si
1-1.5 nm
Liquid Crystalline Materials
Nanocompsitos
de revestimento
Materiais nanoporosos
com baixa K dieltrica
Materiais lquidos cristalinos Cristais pticos
Resinas epoxdicas
Conceito
Molculas que contm pelo menos dois grupos epoxdicos.
C C
O
C C
Grupo epoxdico.
O O O O
O
OH
O
n
Molcula de resina epoxdica (diglicidil ter de bisfenol A-DGEBA).
Resinas epoxdicas
O O O O
O
OH
O
n
Uma das resinas epoxdicas mais utilizadas o diglicidil
ter de bisfenol A (DGEBA).
Estrutura do DGEBA
n entre 0 e 1 a resina lquida. n mais prximo de 1 maior ser o
peso molecular e viscosidade do produto.
n > 2 a resina slida
Peso Molecular Mdio
Equivalente
Epxi
Faixa de Viscosidade (mPa.s)
25 C
340 172 178 4000 6000
350 178 186 6500 9500
370 186 192 11000 - 15000
Tabela: Algumas propriedades da resina epoxdica DGEBA
Resinas epoxdicas
Resinas epoxdicas alifticas
Diglicidil ter de neopentil
glicol
Diglicidil ter de
butadienol
Resinas epoxdicas aromticas
H
2
C CH
O
CH
2
O CH
2
CH
2
CH
2
CH
2
O CH
2
HC CH
2
O
H
2
C CH
O
CH
2
O CH
2
C
CH
3
CH
3
CH
2
O CH
2
HC CH
2
O
Resinas epoxdicas comerciais
Resinas epoxdicas aromticas
Triglicidil p-aminofenol
(TGA)
Tetraglicidil diamino
difenil metano (TGDDM)
H
2
C CH
O
CH
2
N
CH
2
CH H
2
C
O
CH
2
N
CH
2
CH
2
HC
HC
CH
2
CH
2
O
O
H
2
C CH CH
2
N
CH
2
HC CH
2
O O
O CH
2
HC CH
2
O
Podem ser lquidas ou slidas dependendo do valor de n
So convertidas em polmeros termorrgidos
Reao de cura pode ocorrer temperatura ambiente ou
maiores
Caractersticas
Resinas epoxdicas
maiores
Bisfenol A + epicloridrina = DGEBA
Estrutura tpica de resina epxi.
CH
2
CH
O
R CH CH
2
O
n
Aplicaes
Revestimentos especiais, tubulaes, tanques,
aeronaves, embarcaes, veculos de alta performance,
artigos esportivos, piso industrial, tintas anticorrosivas,
pintura em p, laminados de fibras sintticas e naturais.
Resinas epoxdicas
pintura em p, laminados de fibras sintticas e naturais.
Matrizes para compsitos.
Adesivos de metais, madeiras e concretos.
Indstria eltrica e eletrnica: isoladores, encapsulantes,
adesivos, placas de circuito impresso, encapsulamentos de
componentes.
Aminas alifticas;
Aminas cicloalifticas;
Poliamidas;
Agentes de cura
Resinas epoxdicas
Anidridos;
Aminas aromticas;
Polissulfetos;
Polimercaptanas;
Poliamidoaminas; entre outras.
Frmula estrutural Nome
Alifticas
trietilenotetramina (TETA)
dietilenotriamina (DETA)
poli(oxipropilenodiamina)
H
2
N
NH
NH
NH
2
H
2
N
NH
NH
2
H
2
N
O
NH
2
n
Aminas usadas como agente de cura comercial
Resinas epoxdicas
Cicloalifticas
1,2- ciclohexanodiamina (DAC)
N - etilpiperazinaamina (AEP)
Aromticas
4,4- diaminodifenilmetano (DDM)
4,4- diaminodifenilsulfona (DDS)
HN N
NH
2
NH
2
NH
2
H
2
N SO
2
NH
2
H
2
N NH
2
Tipo Vantagens Desvantagens Aplicaes
Aminas
alifticas
Baixa viscosidade,
cura a temperatura
ambiente, incolor.
Vida til pequena,
moderadamente
txica, alta absoro
de umidade.
Adesivos, pequenos
vazamentos,
encapsulante
eltrico, uso na
engenharia civil.
Vantagens, desvantagens e algumas aplicaes para resinas
epoxdicas e agente de cura
Resinas epoxdicas
engenharia civil.
Aminas
aromticas
Bom desempenho a
temperaturas
elevadas, boa
resistncia trmica,
longa vida til, baixa
absoro de
umidade.
Incompatibilidade
com resinas
epoxdicas, longos
ciclos de cura a altas
temperaturas,
txicas.
Compsitos de alta
desempenho,
revestimentos,
adesivos, filamentos
espiralados,
encapsulante
eltrico.
Agente
cataltico
Resistncia a altas
temperaturas, vida
til muito longa.
Longos ciclos de
cura a altas
temperaturas,
quebradios.
Adesivos,
encapsulante
eltrico.
Agentes de cura ou endurecedores
Reao de cura com aminas primrias e secundrias
(A)
RNH
2
+ CH CH
2
O
RNH CH
2
CH
OH
Resinas epoxdicas
Reao dos grupos epxi com aminas primrias (A) e secundrias (B).
(B)
RNH
2
+ CH CH
2
RNH CH
2
CH
RNH CH
2
CH
OH
+
RN
CH
2
CH
2
CH
CH
OH
OH
CH CH
2
O
Agentes de cura ou endurecedores
Reao entre grupos epxi e hidroxilas pendentes
O
Resinas epoxdicas
Reao entre os grupos epxi e os grupos hidroxilas.
R CH CH
2
OH
N
+
R CH
O
CH
2
CH
2
N
CH OH
CH CH
2
O
Estrutura termorrgida aps reao epxi/amina
Resinas epoxdicas
Por que modificar os termorrgidos epoxdicos?
Os materiais epoxdicos so muito utilizados devido s
suas excelentes propriedades mecnicas e trmicas.
Quando curados apresentam baixa resistncia fratura
(K
1C
) devido alta densidade de ligaes cruzadas que
proporcionam rigidez ao material.
A modificao pode ser feita pela adio de:
Elastmeros: CTBN (copolmero de butadieno-acrilonitrila
com grupo terminal caboxila), ATBN (polibutadieno com
grupo terminal hidroxila), PDMS (polidimetilsiloxano), SBR
(copolmero estireno-butadieno) e outros;
Polmeros termoplsticos: poli(ter sulfona), poli(etileno
ftalato), polisulfona e outros;
Dendrmeros ou molculas hiper-ramificadas;
Partculas inorgnicas: esferas de vidro, slica e outras;
Nanopartculas hbridas orgno/inorgnicas.
Dendrmeros (molculas hiper-ramificadas)
Frhlich, J. et al. Polymer,
45, 2155 (2004)
Manson, A.E. et al.
Polymer, 41, 7627
(2000)
Nanopartculas hbridas orgno/inorgnicas
Choi, J. et al.
Macromolecules, 37, 99
(2004)
Choi, J. et al. Macromolecules,
36, 5666 (2003)
Nanopartculas hbridas orgnica/inorgnica;
Si
O
O
Si
Si
O
O
Si
O
Si
O
O
Si
O
Si O
O
O
Si O
O
O Si
O
O
Si O
O
Si O
O
O
Si O
O
Dias Filho N. L. Patente INPI n
PI0305903-0 (2003)
O Si
Si O
Si
O
O O
Si O
O
O
Si O
O
O
Si O
O
Preparao de um modificador
octa [5-(dimetilsiloxil)3,3 dimetil-pentanoato de
metila] octasilsesquioxano (MDPS)
H
2
O, MeOH
Preparao da soluo de octanion
Preparao do modificador
Si(OC
2
H
5
)
4
H
2
O, MeOH
N(CH
3
)
4
OH
Esquema de preparao da soluo de octanion.
(Tetraetilortosilicato)
Preparao do Octa [hidridodimetilsiloxi]
octasilsesquioxano (octacubo)
HSiMe
2
Cl

O
Si
O
Si
O
O
O
Si
O
Si
O
OSiMe
2
H
OSiMe
2
H
OSiMe
2
H
HSiMe
2
O
HSiMe
2
O
Hexano
(octanion)
(octacubo)
Si
O
Si
O
O
Si
O
Si
O
O
OSiMe
2
H
OSiMe
2
H
HSiMe
2
O
OSiMe
2
H
Esquema da reao de preparao do octacubo.
Preparao do Octa [hidridodimetilsiloxi]
octasilsesquioxano (octacubo)
N
2
DIMETILCLOROSILANO
HEXANO
N
2
HEXANO
+CUBO
RESDUO
OCTANION
GOTA A GOTA
2 HORAS
+
GELO
AGITAO
MANTER POR
12 HORAS
SULFATO DE SDIO
RESDUO
HEXANO
+CUBO
Preparao do MDPS
O
O
(metil-3,3-dimetil-4-pentenoato)
(octacubo)
+

O
Si
O
Si
O
Si
O
Si
O
O
Si
O
Si
O
Si
O
Si
O
O
O
OSiMe
2
H
OSiMe
2
H
OSiMe
2
H
OSiMe
2
H
HSiMe
2
O
OSiMe
2
H
HSiMe
2
O
HSiMe
2
O
H
2
PtCl
6
hexano, refluxo
(octacubo)
(MDPS)
Esquema da reao de preparao do MDPS.
Si
O
O
Si
Si
O
O
Si
Si
O
O
Si
Si
O
O
Si
O
Si O
O
O
Si O
O
O Si
O
O O
Si O
O
O
Si O
O
Si O
O
O
Si O
O
O
O
Si O
O
Propriedades mecnicas e trmicas
Dimenses dos corpos de prova
13,0 mm
16,5 mm
3,0 mm
Propriedades mecnicas
Formato dos corpos de prova usados para os ensaios mecnicos de
tenso.
Modelo de corpo de prova utilizado nos ensaios de K
1C
.
10,0 mm
3,0 mm
Dimenses dos corpos de prova
50,0 mm
10,0 mm
3,0 mm
Ensaios de anlise trmica dinmico mecnico
Moldagem dos corpos de prova
Cura temperatura ambiente.
Por um perodo de uma hora e meia a 5 horas (o tempo varia de acordo com a
composio)
Moldes para os corpos de prova usados nos ensaios mecnicos e DMTA.
Mdulo de Young (E) e limite de resistncia trao
(LRT)
Instrumentos de
1500
2000
Limite de resistncia trao (LRT)

F
o
r
a

(
N
)
ASTM E311(1997)
Exemplo de curva fora versus deformao obtida durante ensaio
mecnico no modo tenso.
Instrumentos de
ensaios universal Emic
DL 2000
Taxa de deformao:
1mm/min
0 1 2 3 4 5
0
500
1000
Ruptura
= E = Mdulo de Young

F
o
r
a

(
N
)
Deformao (mm)
Ensaios mecnicos
Resistncia a fratura (K
1C
)
2 / 1
1
a Y K
C o
=
(
(
|
|
|
+
|
|
|
|
|
+
|
|
|
=
4 3 2
85 , 53 48 , 38 70 , 18 41 , 0 99 , 1
a a a a
Y
Norma ASTM E 399-90, por trao
(
(
\
+
|
\
+
|
\
= 85 , 53 48 , 38 70 , 18 41 , 0 99 , 1
w w w w
Y
Bw
P
b
=
o
Modelo de corpo de prova utilizado nos ensaios de K

1C
.
Pb a tenso que causa o crescimento da trinca, B
e w so a espessura e a largura, respectivamente e
Y o fator adimensional referente configurao
geomtrica do corpo-de-prova e a da trinca.
Anlise trmica dinmico mecnica (DMTA)
Forno aberto com amostra (a) antes da anlise e (b) depois da anlise.
(a)
(b)
Equipamento NETZSCH, DMA 242C,
Operado no modo flexo em trs pontos, a 1 Hz de freqncia,
10000

a

(
M
P
a
)
0,15
0,20
0,25
Propriedades trmicas
Ee
Tg
E"
E'
= Tan
-50 0 50 100 150 200
1000
T
a
n

E
'
a

(
M
P
a
)
Temperatura (C)
0,00
0,05
0,10
Curva tpica de DMTA de sistemas epoxdicos.
Ev
Sistema epoxdico
DGEBA/DETA/MDPS DGEBA/DETA/MDPS
O O O O
O
OH
O
DGEBA/DETA/MDPS
Sistema convencional & Sistema modificado
DGEBA/DETA DGEBA/DETA/MDPS
O O O O
O
n
diglicidil ter de bisfenol - A
(DGEBA)
Dietilenotriamina (DETA)
(MDPS)
Si
O
O
Si
Si
O
O
Si
Si
O
O
Si
Si
O
O
Si
O
Si O
O
O
Si O
O
O Si
O
O O
Si O
O
O
Si O
O
Si O
O
O
Si O
O
O
O
Si O
O
Ponto estequiomtrico: N= 0,6 (N= 3 grupos amino/5 grupos
DGEBA/DETA/MDPS
Composies
N = n de grupos aminos /n grupos epoxdicos
Ponto estequiomtrico: N= 0,6 (N= 3 grupos amino/5 grupos
epoxdicos = 0,6)
34% de amina em excesso: N= 0,8
Nomenclatura usada para as formulaes:
DGEBA/DETA/MDPS
As composies so representadas por N e pela % de
MDPS (5%, 10% e 15%)
0,6/0
Porcentagem em massa de MDPS
Razo N
50
75
100
916 cm
-1

T
r
a
n
s
m
i
t
n
c
i
a

(
%
)
Espectroscopia na regio do infravermelho dos sistemas
DGEBA/DETA e DGEBA/DETA/MDPS
DGEBA/DETA/MDPS
1200 1100 1000 900 800
-50
-25
0
25

T
r
a
n
s
m
i
t
n
c
i
a

(
%
)
Nmero de ondas (cm
-1
)
Espectro na regio do infravermelho da resina epoxdica DGEBA.
(COC)
916 cm
-1
(C)
(B)
(A)

T
r
a
n
s
m
i
t
n
c
i
a

(
u
.
a
)
940 920 900 880
916 cm
-1 (C)
(B)
(A)

T
r
a
n
s
m
i
t
n
c
i
a

(
u
.
a
)
Nmero de ondas (cm
-1
)
DGEBA/DETA/MDPS
1300 1200 1100 1000 900 800

T
r
a
n
s
m
i
t
n
c
i
a

(
u
.
a
)
Nmero de ondas (cm
-1
)
Espectros na regio do infravermelho: (A) 0,6/0; (B) 0,9/0; (C)1,2/0.
916 cm
-1
(D)
(C)
(B)
(A)

T
r
a
n
s
m
i
t
n
c
i
a

(
u
.
a
)
940 920 900 880
916 cm
-1
(D)
(C)
(B)
(A)

T
r
a
n
s
m
i
t
n
c
i
a

(
u
.
a
)
Nmero de ondas (cm
-1
)
DGEBA/DETA/MDPS
1300 1200 1100 1000 900 800
T
r
a
n
s
m
i
t
n
c
i
a

(
u
.
a
)
Nmero de ondas (cm
-1
)
Espectros na regio do infravermelho: (A) 0,6/0 (B) 0,6/5 (C) 0,6/10 (D) 0,6/15.
Mdulo de Young (E)
DGEBA/DETA/MDPS
E (MPa)
MDPS
(%)
N= 0,6 N= 0,9 N= 1,2
0
2,5
5
1586,77
55,07
1509,61
42,01
1442,93
1427,32
59,58
1376,97
35,21
1323,33
1363,31
45,85
1268,34
45,2
1172,97
1400
1600
1800
(B)
(A)

E

(
M
P
a
)
Mdulo de Young (E) versus porcentagem em massa de MDPS: (A)
sistema 0,6/(0-15); (B) sistema 0,9/(0-15); (C) sistema 1,2/(0-15).
5
7,5
10
12,5
15
1442,93
45,31
1386,79
51,35
1328,34
35,08
1255,79
46,73
1182,99
4013
1323,33
42,26
1268,89
37,25
1214,19
40,27
1134,61
29,35
1055,80
25,49
1172,97
76,71
1121,51
38,98
1067,35
43,25
1016,70
36,75
965,32
41,62
0 5 10 15
800
1000
1200
1400
(C)

E

(
M
P
a
)
% MDPS
Resistncia fratura (K
1C
)
DGEBA/DETA/MDPS
K
1C
(MPam
1/2
)
MDPS
(%)
0,6 0,9 1,2
0
2,5
5
0,81 0,14
1,13 0,13
1,45 0,11
1,70 0,40
2,11 0,17
2,49 0,23
3,86 0,26
2,78 0,23
1,65 0,42
2,4
3,2
4,0

(C)
1
/
2
)
1C
) versus porcentagem em massa de MDPS:
(A) sistema 0,6/(0-15); (B) sistema 0,9/(0-15); (C) sistema 1,2/(0-15).
5
7,5
10
12,5
15
1,45 0,11
1,58 0,15
1,70 0,12
1,49 0,14
1,24 0,24
2,49 0,23
2,47 0,21
2,40 0,09
2,18 0,18
2,01 0,24
1,65 0,42
1,25 0,32
0,86 0,41
0,56 0,25
0,32 ,25
0 4 8 12 16
0,0
0,8
1,6
2,4

(B)
(A)
K
1
C

(
M
P
a
m
1
/
2
% MDPS
Anlise trmica dinmico mecnico (DMTA)
DGEBA/DETA/MDPS
10000

E
'

(
M
P
a
)
Mdulo de armazenamento em funo da temperatura: (a) 0,6/0; (b)
0,9/0; (c) 1,2/0.
-50 0 50 100 150 200
1000
(C)
(B)
(A)

E
'

(
M
P
a
)
Temperatura (C)
DGEBA/DETA/MDPS
0,2
0,3
(C)
(B)
(A)

T
a
n

Tan em funo da temperatura: (a) 0,6/0; (b) 0,9/0; (c) 1,2/0.

-50 0 50 100 150 200
0,0
0,1 T
a
n

Temperatura (
o
C)
DGEBA/DETA/MDPS
10000

E
'

(
M
P
a
)
Mdulo de armazenamento em funo da temperatura para os
sistemas: (a) 0,6/0; (b) 0,6/5; (c) 0,6/10; (d) 0,6/15.
-50 0 50 100 150 200
1000
(D)
(C)
(B)
(A)

E
'

(
M
P
a
)
Temperatura (C)
DGEBA/DETA/MDPS
0,2
0,3
(D)
(C)
(B)
(A)
T
a
n

Composi
es
Tg ( C)
0,6/0 77,1
0,6/5 74,31
0,6/10 71,51
0,6/15 66,31
Tan em funo da temperatura para os sistemas: (a) 0,6/0; (b)
0,6/5; (c) 0,6/10; (d) 0,6/15.
-50 0 50 100 150 200
0,0
0,1
(C)

T
a
n

Temperatura (
o
C)
0,6/15 66,31
0,9/0 71,81
0,9/5 64,1
0,9/10 61,23
0,9/15 70,00
1,2/0 68,31
1,2/5 63,6
Propriedades trmicas
Anlise termogravimtrica (TG)
DGEBA/DETA/MDPS
80
100
120

M
a
s
s
a

(
%
)
Curvas de TGA para sistema DGEBA/DETA sob taxa de aquecimento
de 10C/min: (A) 0,8/0, (B) 0,8/10 e (C) 0,8/20.
200 400 600 800 1000
0
20
40
60
(A)
(B)
(C)

M
a
s
s
a

(
%
)
Temperatura (C)
DGEBA/DETA/MDPS
Morfologia
Microscopia eletrnica de varredura (MEV)
0,6/0
0,6/5
2 m
2 m
DGEBA/DETA/MDPS
0,6/15
0,6/10
2 m 2 m
40000
60000

I
n
t
e
n
s
i
d
a
d
e

O
Si
O
Si
O
Si
O
Si
O
O
Si
O
Si
O
Si
O
Si
O
O
O
OSiMe
2
H
OSiMe
2
H
OSiMe
2
H
OSiMe
2
H
HSiMe
2
O
OSiMe
2
H
HSiMe
2
O
HSiMe
2
O
Difrao de raios-X
2 () d ()
8,02 11,01
10,62 8,29
11,78 7,52
DGEBA/DETA/MDPS
10 20 30 40
20000

I
n
t
e
n
s
i
d
a
d
e
2 ()
2
Raios-X do octacubo.
16,08 5,50
18,62 4,82
24,16 3,68
(E)
(D)
(C)

I
n
t
e
n
s
i
d
a
d
e

(
u
.
a
)
Difrao de raios - X
DGEBA/DETA/MDPS
0 10 20 30 40 50
(B)
(A)

I
n
t
e
n
s
i
d
a
d
e

(
u
.
a
)
2 ()
Raios-X do (A) MDPS; sistemas epoxdicos, com composies: (B)
0,6/0; (C) 0,6/5; (D) 0,6/10; (E) 0,6/15.
Sistema epoxdico
DGEBA/TETA/MDPS DGEBA/TETA/MDPS
OH
O
Sistema convencional & Sistema modificado
DGEBA/TETA DGEBA/TETA/MDPS
DGEBA/TETA/MDPS
H
2
N
NH
NH
NH
2
O O O O
O
O
n
Diglicidil ter de bisfenol A (DGEBA)
Trietilenotetramina (TETA)
(MDPS)
Si
O
O
Si
Si
O
O
Si
Si
O
O
Si
Si
O
O
Si
O
Si O
O
O
Si O
O
O Si
O
O O
Si O
O
O
Si O
O
Si O
O
O
Si O
O
O
O
Si O
O
Composies
DGEBA/TETA/MDPS
N = n de grupos aminos /n grupos epoxdicos
Ponto estequiomtrico (13% amina, em massa): N = 0,67
(N = 4 grupos amina/6 grupos epoxdicos = 0,67)
Reduo de 38,5% de amina (8% amina): N = 0,40
Excesso de 50% de amina (19,5% amina): N = 1,00
Modulo de Young (E)
1,4
1,6
1,8
2,0

(B)
(C)
E

(
G
P
a
)
Composies
N/% MDPS
E (GPa)
0,40/0 0,99 0,07
0,40/5 1,07 0,03
0,40/10 0,94 0,03
0,40/15 0,86 0,05
0,67/0 1,62 0,03
DGEBA/TETA/MDPS
0 2 4 6 8 10 12 14 16
0,8
1,0
1,2
1,4

(C)
(A)
E

(
G
P
a
)
% MDPS
0,67/0 1,62 0,03
0,67/5 1,48 0,03
0,67/10 1,35 0,07
0,67/15 1,23 0,07
1,00/0 1,51 0,02
1,00/5 1,25 0,04
1,00/10 1,1 0,03
1,00/15
1,01
0,085
Mdulo de Young (E) em funo da % MDPS, em massa: (A) sistema
N = 0,40; (B) sistema N = 0,67; (C) sistema N = 1,00.
1C
)
1,5
2,0
2,5
3,0

(C)

(
M
P
a

m
1
/
2
)
Composies
N/% MDPS
K
1C
(MPa.m
1/2
)
0,40/0 0,55 0,21
0,40/5 0,98 0,1
0,40/10 0,67 0,21
0,40/15 0,4 0,25
0,67/0 0,8 0,25
DGEBA/TETA/MDPS
0 2 4 6 8 10 12 14 16
0,0
0,5
1,0
1,5

(B)
(A)
K
1
C

(
M
P
a

m
% MDPS
1C
) em funo da % MDPS, em massa: (A)
sistema N = 0,40; (B) sistema N = 0,67; (C) sistema N = 1,00.
0,67/0 0,8 0,25
0,67/5 1,49 0,15
0,67/10 1,52 0,16
0,67/15 1,3 0,33
1,00/0 1,3 0,3
1,00/5 1,82 0,25
1,00/10 2,12 0,28
1,00/15 0,74 0,22
10000

E
'

(
M
P
a
)
DGEBA/TETA/MDPS
-50 0 50 100 150 200
1000
(d)
(c)
(b)
(a)

E
'

(
M
P
a
)
T (C)
Mdulo de armazenamento em funo da temperatura para os
sistemas: (a) 0,67/0; (b) 0,67/5; (c) 0,67/10; (d) 0,67/15.
0,2
0,3
(d)
(c)
(b)
(a)


DGEBA/TETA/MDPS
-50 0 50 100 150 200
-0,1
0,0
0,1

T
a
n
T (C)
Tan em funo da temperatura para os sistemas: (a) 0,67/0; (b)
0,67/5; (c) 0,67/10; (d) 0,67/15.
Termogravimetria (TG)
T
degradao
291
C
(Aps perca de
~5% em massa
DGEBA/TETA/MDPS
60
80
100
120

M
a
s
s
a

(
%
)
Anlise termogravimtrica para os sistemas: (a) 0,67/0; (b) 0,67/5; (c)
0,67/10; (d) 0,67/15.
~5% em massa
do material)
0 200 400 600 800 1000
0
20
40
60

(d)
(c)
(b)
(a)
M
a
s
s
a

(
%
)
Temperatura (C)
Morfologia
DGEBA/TETA/MDPS
Sistema epoxdico 0,67/5 Sistema epoxdico 0,67/0
DGEBA/TETA/MDPS
Sistema epoxdico 0,67/15 Sistema epoxdico 0,67/10
Espectroscopia por disperso de energia (EDS)
(A)
(B)
DGEBA/TETA/MDPS
Micrografias do material 0,67/0, utilizados na anlise de EDS
ampliados: (A) e (B) 200x; (C) e (D) 1000x.
(C) (D)
Espectroscopia por disperso de
energia (EDS)
(A)
(B)
DGEBA/TETA/MDPS
Micrografias do material 0,67/10, utilizados na anlise de EDS,
ampliados: (A) e (B) 200x; (C) 1000X; (D) 43x.
(C) (D)
(A)
(B)
DGEBA/TETA/MDPS
Micrografias do material 0,67/10, utilizados na anlise de EDS
ampliados: (A)10.000x e (B) 30.000x.
DGEBA/TETA/MDPS
Mapeamento de EDS (A) das micrografias do material 0,67/10 e
grfico (B) exibindo a quantidade de Si em extenso de
aproximadamente 110m.
(A) (B)
DGEBA/TETA/MDPS
(A) (B)
aproximadamente 26m;
DGEBA/TETA/MDPS
aproximadamente 35m.
(A) (B)

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Materiais epoxdicos nanoestruturados:

Modelo de corpo de prova utilizado nos ensaios de K

Tan em funo da temperatura: (a) 0,6/0; (b) 0,9/0; (c) 1,2/0.

Anlise trmica dinmico mecnico (DMTA)

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