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Eletrnica Bsica

SENAI-SP, 2004

Trabalho elaborado pela Escola Senai Antonio de Souza Noschese Santos SENAI-SP, a partir dos
contedos extrados das apostilas, REE do Departamento Regional de So Paulo.

Equipe responsvel

Coordenao geral
Elaborao

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SENAI

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Aurlio Ribeiro
Roberto Ferreira de Carvalho

Roberto Ferreira de Carvalho


Moacir Ferreira de Souza Filho
Daniel Divino Rodrigues da Silva

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ndice

Grandezas Eltricas Tenso Eltrica

03

Corrente Eltrica

10

Resistncia Eltrica

13

Potncia Eltrica em CC

15

Resistores

18

Cdigo de Cores para Resistores

23

Resistores Ajustveis

28

Potencimetros

30

Associao de Resistores

34

Resistncia Equivalente de uma Associao Srie

36

Resistncia Equivalente de uma Associao Paralela

37

Resistncia Equivalente de uma Associao Mista

41

Lei de Ohm

46

Primeira Lei de Kirchhoff

52

Segunda Lei de Kirchhoff

57

Leis de Kirchhoff e Ohm em Circuitos Mistos

62

Tenso Alternada Senoidal

66

Capacitores

72

Capacitncia

82

Capacitores em CA

84

Magnetismo e Eletromagnetismo

88

Induo e Auto-Induo

98

Indutores em CA

104

Circuitos Resistivos Reativos

106

Transformadores

112

Materiais Semicondutores

122

Diodo Semicondutor

128

Retificao de Meia Onda

142

Retificao de Onda Completa

148

Filtros nas Fontes de Alimentao

157

Diodo Zener

166

Diodo Zener como Regulador de Tenso

172

Diodo Emissor de Luz

180

Transistor Bipolar Estrutura Bsica

184

Princpio de Funcionamento do Transistor

187

Dissipao de Potncia no Transistor

195

Configuraes de Ligao do Transistor

204

Ponto de Operao

215

Relao entre os Parmetros Ib, Ic, Vce

220

Mtodos de Polarizao do Transistor

223

Circuitos Reguladores

229

Amplificao de Sinais Eltricos

236

Amplificador Emissor Comum

240

Amplificador Base Comum

252

Amplificador Coletor Comum

257

Amplificadores em Cascata

265

Ondas Sonoras

270

Grandezas eltricas
Tenso
A expresso grandezas eltricas se aplica a todos os fenmenos de origem eltrica
que podem ser medidos.
A tenso uma grandeza eltrica, que pode ser medida, e que tem origem no
desequilbrio eltrico dos corpos.
necessria a existncia de uma tenso eltrica para que seja possvel o
funcionamento de qualquer equipamento eltrico (por exemplo: lmpada, gravador,
motor, etc.).
Eletrizao de um corpo
No estado natural qualquer poro de matria eletricamente neutra. Isto significa que
se nenhum agente externo atua sobre uma determinada poro de matria, o nmero
total de prtons e eltrons dos seus tomos ser igual.

Esta condio de equilbrio eltrico natural da matria pode ser desfeita, de forma que
um corpo deixe de ser neutro e fique carregado eletricamente.
O processo atravs do qual se faz com que um corpo eletricamente neutro fique
carregado denominado de eletrizao.
O tipo de carga eltrica (positiva ou negativa) que um corpo assume aps sofrer um
processo de eletrizao depende do tipo de corpo e do processo utilizado.
Os processos de eletrizao atuam sempre nos eltrons que esto na ltima camada
dos tomos (camada de valncia).
3

Quando um processo de eletrizao retira eltrons da camada de valncia dos


tomos o material fica com o nmero de prtons maior que o nmero de eltrons.
Nestas condies o corpo fica eletricamente positivo.

Quando um processo de eletrizao acrescenta eltrons em um material, o nmero


de eltrons torna-se maior que o nmero de prtons e o corpo fica carregado
negativamente.

Eletrizao por acrscimo de eltrons, corpo carregado negativamente.


A eletrizao pode ser gerada por:
Atrito;
Induo;
Contato;
Impacto.
Em qualquer processo, contudo, o resultado so corpos carregados eletricamente. A
carga eltrica de um corpo obtida por eletrizao denomina-se eletricidade esttica.
Atrao e repulso entre as cargas eltricas
Quando dois corpos eletrizados so aproximados um do outro se verifica que existe
uma reao entre eles.
Atravs de experimentao se verifica que se um dos corpos est carregado
positivamente e o outro negativamente existe uma tendncia dos dois corpos em se
atrairem mutuamente.
4

No entanto, se os dois corpos apresentam cargas de mesmo sinal, os corpos se


repelem. A partir destas observaes se concluiu:
Cargas opostas (+ e -) se atraem;
Cargas iguais (+ e + ou - e -) se repelem.
Potencial eltrico
Tomando-se um pente que no tenha sido atritado, ou seja, sem eletricidade esttica,
e, aproximando-o de pequenas partculas de papel, no ocorre nenhum fenmeno.

Entretanto, se o pente for eletrizado, ao aproxim-lo das partculas de papel estas


sero atradas pelo pente.
Isto significa que o pente carregado tem capacidade de realizar o trabalho de
movimentar o papel.

Quando um corpo adquire capacidade de realizar um trabalho diz-se que este corpo
tem um potencial.
Como no caso do pente a capacidade de realizar o trabalho se deve a um desequilbrio
eltrico do seu potencial. Esse desequilbrio denominado de potencial eltrico.
Diferena de potencial
Quando se comparam os trabalhos realizados por dois corpos eletrizados,
automaticamente est se comparando os seus potenciais eltricos.
A diferena entre os trabalhos expressa diretamente a diferena de potencial eltrico
entre os dois corpos.

A diferena de potencial, abreviada por d.d.p. importantssima nos estudos


relacionados com eletricidade e eletrnica.
Assim, pode-se verificar a existncia de diferena de potencial entre corpos eletrizados
com cargas diferentes ou com o mesmo tipo de carga (veja figura a seguir).

A diferena de potencial tambm denominada de tenso eltrica.


Observao
No campo da eletrnica e da eletricidade utiliza-se quase exclusivamente a expresso
tenso para indicar a ddp ou tenso eltrica.
Unidade de medida de tenso
A tenso entre dois pontos pode ser medida atravs de instrumentos.
A unidade de medida de tenso o VOLT.
A unidade VOLT representada pelo smbolo V.
Em algumas situaes a unidade de medida padro se torna inconveniente.
A unidade de medida de comprimento, por exemplo, no adequada para expressar o
comprimento de um pequeno objeto, utilizando-se um submltiplo, como o centmetro
ou milmetro.
A unidade de medida de tenso (VOLT) tambm tem mltiplos ou submltiplos,
adequados a cada situao.
Denominao
Mltiplos
Unidade
Submltiplos

Smbolo

Valor com relao ao volt

megavolt

MV

10 V ou 1000000V

quilovolt

KV

10 V ou 1000V

volt

milivolt

MV

10

microvolt

10 V ou 0,000001V

6
3

V ou 0,001V

-6

Observao
No campo da eletricidade usam-se normalmente o volt e o quilovolt. Na rea da
eletrnica usa-se normalmente o volt, milivolt e o microvolt.
A converso de valores feita de forma semelhante a outras unidades de medida.
6

Exemplos de converso:
3,75 V =

0,6V =

200mV =

mV

mV

Fontes geradoras de tenso


A existncia de tenso condio fundamental para o funcionamento de todos os
aparelhos eltricos. A partir desta necessidade, foram desenvolvidos dispositivos que
tem a capacidade de criar um desequilbrio eltrico entre dois pontos, dando origem a
uma tenso eltrica.
Estes dispositivos so denominados genericamente de fontes geradoras de tenso.
Existem vrios tipos de fontes geradoras de tenso, entre os quais citam-se:

Pilhas
7

Baterias

Geradores (mquinas que geram tenso

Pilhas
As pilhas so fontes geradoras de tenso usadas em aparelhos portteis.
Basicamente as pilhas so constitudas por dois tipos de metais mergulhados em um
preparado qumico.

Este preparado qumico reage com os metais, retirando eltrons de um e levando para
o outro.
Um dos metais fica com potencial eltrico positivo e o outro fica com potencial eltrico
negativo.
A figura abaixo ilustra a eletrizao dos metais.

Entre os dois metais existe portanto uma ddp ou tenso eltrica.


Pela prpria caracterstica de funcionamento das pilhas, um dos metais torna-se
positivo e o outro negativo. Cada um dos metais denominado de plo.
As pilhas dispe de um plo positivo e um plo negativo.
Os plos de uma pilha nunca se alteram. O plo positivo sempre tem potencial positivo
e o plo negativo sempre tem potencial negativo. Normalmente se diz que as
polaridades de uma pilha so fixas.
Tenso contnua ou tenso CC
Tenso eltrica entre dois pontos, cuja polaridade invarivel.
Todas a fontes geradoras de tenso que tem polaridade fixa so denominadas de
fontes geradoras de tenso contnua.

Tenso fornecida por uma pilha


As pilhas utilizadas em gravadores, rdios e outros aparelhos fornecem uma tenso
contnua de aproximadamente 1,5V, independente do seu tamanho fsico.

Pilhas (pequena, mdia, grande e pilha de telefone)


Grfico Tenso CC Tempo
A tenso fornecida pelas pilhas e geradores de tenso contnua pode ser representada
em um grfico.
Este grfico mostra o comportamento da tenso fornecida por uma pilha ao longo do
tempo.

O grfico mostra que a tenso fornecida por uma pilha comum 1,5V em qualquer
tempo.

Corrente eltrica
A corrente eltrica consiste em um movimento orientado de cargas, provocado pelo
desequilbrio eltrico (ddp) existente entre dois pontos.

A corrente eltrica a forma pela qual os corpos eletrizados procuram restabelecer


novamente o equilbrio eltrico.
Descargas eltricas
As descargas eltricas so fenmenos comuns na natureza. Os relmpagos so
exemplos caractersticos de descarga eltrica.
O atrito contra o ar faz com que as nuvens fiquem altamente eletrizadas, adquirindo
um potencial elevado (tenso muito alta).
Quando duas nuvens com potencial eltrico diferente (com ddp) se aproximam ocorre
uma descarga eltrica (relmpago) entre elas.

O deslocamento de cargas eltricas entre dois pontos onde existe ddp denominado
de corrente eltrica.
Corrente eltrica o deslocamento orientado de cargas eltricas entre dois pontos
quando existe ddp entre estes pontos.

10

A partir da definio de corrente eltrica se pode concluir que o relmpago uma


corrente eltrica que existe devido a tenso eltrica existente entre as nuvens.
Durante o curto tempo de durao de um relmpago um grande nmero de cargas
eltricas flui de uma nuvem para outra.
Dependendo da grandeza do desequilbrio eltrico entre duas nuvens, a descarga
(corrente eltrica) entre elas pode ter maior ou menor intensidade.
Ampre
Unidade de medida da intensidade da corrente eltrica.
A unidade Ampre representada pelo smbolo A.
Uma intensidade de corrente de 1A significa que 6,25 X 1018 cargas eltricas passam
em 1s de um ponto a outro onde existe tenso eltrica.
A unidade de intensidade de corrente Ampre tambm tem mltiplos e submltiplos
que so apresentados na tabela abaixo.
Denominao

Smbolo

Valor em relao a unidade

Mltiplo

Quiloampre

kA

10 A ou 1000

Unidade

Ampre

Miliampre

mA

10 ou 0,001

Microampre

10 ou 0,000001

Nanoampre

nA

10 ou 0,000000001

Picoampre

pA

10

Submltiplos

-3
-6
-9

-12

A
A
A

ou 0,000000000001

Observao
No campo da eletrnica so mais utilizados o ampre, miliampre e o microampre.
A converso de valores feita de forma semelhante a outras unidades de medida.

Exemplos de converso:
1,2A = mA

15A =
11

mA

O instrumento utilizado para medir a intensidade de corrente o Ampermetro.


E existem ainda:
Miliampermetros:
Para correntes da ordem de miliampres.
Microampermetros:
Para correntes da ordem de microampres.
Nanoampermetros:
Para correntes da ordem de nanoampres.
Picoampermetros:
Para correntes da ordem de picoampres.
Corrente contnua
Quando o movimento de cargas eltricas (sejam eltrons ou ons) ocorre sempre em
um sentido a corrente eltrica denominada de corrente contnua.

12

Resistncia eltrica

Resistncia eltrica a oposio que um material apresenta ao fluxo de corrente


eltrica.
Todos os dispositivos eltricos e eletrnicos apresentam uma certa oposio a
passagem da corrente eltrica.
Origem da resistncia eltrica
A resistncia que os materiais apresentam passagem da corrente eltrica tem origem
na sua estrutura atmica.
Para que a aplicao de uma ddp a um material origine uma corrente eltrica,
necessrio que a estrutura deste material propicie a existncia de cargas eltricas
livres para movimentao.
Quando um material propicia a existncia de um grande nmero de cargas livres a
corrente eltrica flui com facilidade atravs do material.
A resistncia eltrica destes materiais pequena.
Por outro lado, nos materiais que propiciam a existncia de um pequeno nmero de
cargas livres a corrente eltrica flui com dificuldade.
A resistncia eltrica destes materiais grande.
Unidade de medida da resistncia eltrica
A unidade de medida da resistncia eltrica o 0hm , representado pelo smbolo .
A unidade de resistncia eltrica tem mltiplos e submltiplos.
Entretanto, na prtica, usa-se quase exclusivamente os mltiplos, que esto
apresentados na tabela abaixo.
Unidade de medida da resistncia eltrica e seus mltiplos

Mltiplos
Unidade
13

Denominao Smbolo

Valor em relao a unidade

Megohm

106 ou 1000000

Quilohn

103 ou 1000

0hm

A converso de valores obedece o mesmo procedimento de outras unidades.

Exemplos de converso
120 =

0,12 k

5,6k =

5600

2,7M =

2700k

390k =

0,39M

470 =

0,00047M

680k =

0,68M

Instrumento de medida de resistncia eltrica


O instrumento destinado medida de resistncia eltrica denominado de ohmmetro.
Raramente se encontra um instrumento que seja unicamente ohmmetro. Em geral, as
medidas de resistncia eltrica so realizadas atravs de um multmetro.
Aplicaes da resistncia eltrica
O efeito causado pela resistncia eltrica, que pode parecer inconveniente, encontra
muitas aplicaes prticas em eletricidade e eletrnica.
Alguns exemplos prticos de aplicao da resistncia dos materiais so:
Aquecimento: em chuveiro, ferros de passar;
Iluminao: lmpadas incandescentes.

14

Potncia eltrica em CC

A passagem da corrente eltrica atravs de uma carga instalada em um circuito


eltrico produz efeitos tais como calor, luz, movimento.

O calor, luz, movimento produzido pelo consumidor a partir da energia eltrica


denominado de trabalho.
A capacidade de cada consumidor de produzir trabalho em um determinado tempo a
partir da energia eltrica denominada de Potncia Eltrica.
O conhecimento da potncia eltrica de cada componente em um circuito muito
importante para que se possa dimension-lo corretamente.
Trabalho eltrico
Os circuitos eltricos so montados com objetivo de realizar um aproveitamento da
energia eltrica.
Entre os efeitos que se pode obter a partir da energia eltrica citam-se.
Efeito calorfico
Nos foges eltricos, chuveiros, aquecedores a energia eltrica convertida em calor .
Efeito luminoso
Nas lmpadas a energia eltrica convertida em luz (e tambm uma parcela em
calor).
15

Efeito mecnico
Os motores convertem energia eltrica em fora motriz (movimento).
Potncia eltrica
Analisando particularmente um tipo de carga, como por exemplo, as lmpadas, se
verifica que nem todas produzem a mesma quantidade de luz.

Da mesma forma, existem aquecedores capazes de ferver um litro dgua em 10


minutos e outros que podem faz-lo em 5 minutos.
Tanto um aquecedor como o outro realizam o mesmo trabalho eltrico de aquecer um
litro dgua at a temperatura de 100C. Entretanto, um deles mais rpido, realizando
o trabalho em menor tempo.
A partir desta afirmao se conclui que os dois aquecedores no so iguais.
Existe uma grandeza eltrica atravs da qual se relaciona o trabalho eltrico realizado
e o tempo necessrio para sua realizao. Esta grandeza denominada de potncia
eltrica.
Potncia eltrica a capacidade de realizar um trabalho na unidade de tempo, a
partir da energia eltrica.
A partir disto se pode afirmar:
Lmpadas que produzem quantidades de luz so de potncias diferentes;
Aquecedores que levam tempos diferentes para ferver uma mesma quantidade de
gua so de potncias diferentes.
O mesmo acontece em relao a outros tipos de consumidores tais como motores,
aquecedores, etc.
Existem motores de grande potncia (elevadores) e de pequena potncia (gravadores).
A potncia eltrica uma grandeza e como tal pode ser medida. A unidade de medida
da potncia eltrica o Watt, representado pelo smbolo W.
16

1 Watt o trabalho realizado em um segundo por um consumidor alimentado por uma


tenso de 1 Volt no qual circula uma corrente de 1A.

A unidade de medida da potncia eltrica Watt tem mltiplos e submltiplos.


A tabela a seguir apresenta os mltiplos e submltiplos usuais do Watt.
Denominao

Smbolo

Valor com relao ao watt


3

Mltiplo

quilowatt

Kw

10 W ou 1000W

Unidade

watt

1W

miliwatt

MW

10 W ou 0,001W

microwatt

10 W ou 0,000001W

Submltiplos

-3
-6

Para a converso de valores usa-se o mesmo sistema de outras unidades.

Exemplo de converso:
1,3W

= 1300mW

350W = 0,35KW

640mW = 0,64W

2,1KW = 2100W

0,007W = 7mW

12mW = 12000W

17

Resistores
Os resistores so componentes utilizados nos circuitos com a finalidade de limitar a
corrente eltrica.
A figura abaixo mostra alguns resistores.

Pelo controle da corrente possvel reduzir ou dividir tenses.


Caractersticas dos resistores
Os resistores possuem caractersticas eltricas importantes:
Resistncia hmica;
Percentual de tolerncia.
Resistncia hmica
o valor especfico de resistncia do componente. Os resistores so fabricados em
valores padronizados, estabelecidos por norma.
Ex.: 120, 560, 1500.
Percentual de tolerncia
Os resistores esto sujeitos a diferenas no seu valor que decorrem do processo de
fabricao.
Estas diferenas se situam em 5 faixas de percentual:
20%; 10%; 5%; 2% e 1 % de tolerncia.
Os resistores com 20% , 10% e 5% de tolerncia so considerados resitores comuns e
os de 2% e 1% so resistores de preciso. Os resistores de preciso so usados
apenas em circuitos onde os valores de resistncia so crticos.

18

A percentual de tolerncia indica qual a variao de valor que o componente pode


apresentar em relao ao valor padronizado. A diferena no valor pode ser para mais
por exemplo (+20%) ou para menos (-20%) do valor correto.
A tabela abaixo apresenta alguns valores de resistor com o percentual de tolerncia e
os limites entre os quais deve se situar o valor real do componente.
Resistor

1000

% Tolerncia

10%

Valor do componente
-10%

1000 x 0,9 = 900

+10%

1000 x 1,1 = 1100

O valor real estar entre 900 e 1100

560

5%

-5%

560 x 0,95 = 532

+5%

560 x 1,05 = 588

Entre 532 e 588

120

1%

+1%

120 x 0,99 = 118,8

-1%

120 x 1,01 = 121,2

Entre 118,8 e 121,2


330

10%

Entre 297 e 363

18K

20%

Entre 14,4K e 21,6K

A tabela a seguir apresenta a padronizao de valores para fabricao de resistores


em tolerncia de 5%.
Srie de valores E-24
10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

Encontram-se ainda resistores como os valores da tabela anterior multiplicados por


0,1; 10; 100; 1000; 10000; 100000. Exemplos: 1,1; 180; 2700; 36k; 56k;
9,1M.
Pela tabela observa-se que os valores padronizados acrescidos das tolerncias
permitem que se obtenha qualquer valor de resistncia desejada. Tomando 3 valores
consecutivos da tabela, tm-se:

19

100

120

150

-10% = 90
+10% = 110
-10% = 108
+10% = 132
-10% = 135
+10% = 165

Simbologia
A figura abaixo mostra os smbolos utilizados para representao dos resistores
indicando o smbolo oficial que deve ser utilizado no Brasil, segundo a norma ABNT.

As caractersticas especficas dos resistores em um diagrama aparecem ao lado do


smbolo ou no seu interior.

Tipos de resistores
Existem trs tipos de resistores quanto a constituio:
Resistores de filme de carbono; Resistores de carvo; Resistores de fio.
Cada um dos tipos tem, de acordo com sua constituio, caractersticas que os tornam
mais adequados que os outros tipos em sua classe de aplicao.
A seguir, so apresentados os processos bsicos de fabricao e a aplicao do
componente.
Resistor de filme de carbono
O resistor de filme de carbono, tambm conhecido como resistor de pelcula,
constitudo por um corpo cilndrico de cermica que serve de base para a fabricao
do componente.
Sobre o corpo depositada uma fina camada em espiral, de material resistivo (filme de
carbono) que determina o valor hmico do resistor.

20

Os terminais (lides de conexo) so colocados nas extremidades do corpo em contato


com a camada de carbono.

O corpo do resistor pronto recebe um revestimento que d acabamento na fabricao


e isola o filme de carbono da ao da umidade.
A figura a seguir apresenta um resistor pronto, em corte, aparecendo a conexo dos
terminais e o filme resistivo.

As caractersticas fundamentais do resistor de filme de carbono so a preciso e a


estabilidade do valor resistivo.
Resistores de carvo
O resistor de carvo constitudo por um corpo cilndrico de porcelana.
No interior da porcelana so comprimidas partculas de carvo que definem a
resistncia do componente.

.
Com maior concentrao de partculas de carvo o valor resistivo do componente
reduzido.
Apresentam tamanho fsico reduzido. Os valores de dissipao e resistncia no so
precisos. Podem ser usados em qualquer tipo de circuito.
Resistores de fio
Constitui-se de um corpo de porcelana ou cermica que serve como base.
21

Sobre o corpo enrolado um fio especial (por exemplo nquel-cromo) cujo


comprimento e seo determinam o valor do resistor.
A figura abaixo apresenta um resistor de fio em corte. Nela aparecem os terminais, o
fio enrolado e a camada externa de proteo do resistor.

Os resistores de fio tem capacidade para trabalhar com maior valores de corrente. Este
tipo de resistor produz, normalmente uma grande quantidade de calor quando em
funcionamento.
Para facilitar o resfriamento nos resistores que produzem grandes quantidades de
calor o corpo de porcelana maio substitudo por um tubo de porcelana.

22

Cdigo de cores para


resistores

O valor hmico dos resistores e sua tolerncia podem ser impressos no corpo do
componente, atravs de anis coloridos.

A cor de cada anel e sua posio com relao aos demais anis, corretamente
interpretada fornece dados sobre o valor do componente.
A disposio das cores em forma de anis possibilita que o valor do componente
possa ser lido de qualquer posio.
Interpretao do cdigo
O cdigo se compe de trs cores usadas para representar o valor hmico, e uma para
representar o percentual de tolerncia.
Para a interpretao correta dos valores de resistncia e tolerncia do resistor os anis
tem que ser lidos em uma seqncia correta.
O primeiro anel colorido a ser lido aquele que est mais prximo da extremidade do
componente. Seguem na ordem - 2o, 3o e 4o anis colorido, como mostra a figura a
seguir.
Os trs primeiros anis coloridos (1o, 2o e 3o) representam o valor do resistor. O 4o anel
representa o percentual de tolerncia.

23

O primeiro anel colorido representa o primeiro nmero que formar o valor do resistor.

A cada nmero corresponde uma cor.


Preto 0

amarelo - 4

cinza - 8

Marrom 1

verde - 5

branco - 9

Vermelho - 2

azul - 6

Laranja 3

violeta - 7

Aproveitando os exemplos citados anteriormente as cores do 1o anel para cada um :

O segundo anel colorido representa o segundo nmero que forma o valor do resistor.

Para o segundo anel as cores tem o mesmo significado do 1o anel.

24

O terceiro anel representa o nmero de zeros que segue aos dois primeiros
algarismos, sendo chamado de fator multiplicativo.

A cada nmero de zeros corresponde uma cor:


Preto - Nenhum zero

Amarelo - 4 zeros (0000)

Marrom - 1 zero (0)

Verde - 5 zeros (00000)

Vermelho - 2 zeros (00)

Azul - 6 zeros (000000)

Laranja - 3 zeros (000)


Observao
As cores violeta, cinza e branco no so encontradas no 3o anel por que os resistores
padronizados no alcanam valores que necessitem de 7, 8 ou 9 zeros.
Os resistores usados como exemplo so representados assim:

O quarto anel colorido representa a tolerncia do resistor.


A cada percentual corresponde uma cor caracterstica.
10% prateado
5% dourado
2% vermelho
1% marrom
Observao
A ausncia do quarto anel indica a tolerncia de 20%.
Acrescendo-se uma tolerncia de 10% aos valores dos resistores usados como
exemplo.

25

680

10% Azul, cinza, marrom, prateado

3300 10% Laranja, laranja, vermelho, prateado


560000 10% Verde, azul, amarelo, prateado
a 10

Resistores de 1
Para representar resistores de 1 a 10
( exemplo: 2,7) o cdigo estabelece o uso
da cor dourada no 3o anel. O dourado neste anel indica a existncia da vrgula entre
os dois primeiros nmeros.
Seguem alguns exemplos:
1,8 5%

Marrom, cinza, dourado, dourado

4,7 10%

Amarelo, violeta, dourado, prateado

8,2 20%

Cinza, vermelho, dourado, (no existe o 4o anel)

Resistores abaixo de 1
Para representar resistores abaixo de 1
(exemplo: 0,27) o cdigo determina o uso
do prateado no 3o anel. O prateado no 3o anel significa a existncia de 0, antes dos
dois primeiros nmeros.
Seguem alguns exemplos:
0,39 20% Laranja, branco, prateado, sem cor
0,15 10% Marrom, verde, prateado, prateado
A tabela a seguir apresenta o cdigo de cores completo:
Cor

Dgitos significativos Multiplicador


Preto

1X

Marrom

10 X

Vermelho

100 X

Laranja

1000 X

Amarelo

10000 X

Verde

100000 X

Azul

1000000 X

Violeta

Cinza

Branco

Ouro

0,1 X

5%

Prata

0,01 X

10%

Sem cor

26

Tolerncia

20%

Resistores de 5 anis
Em algumas aplicaes so necessrios resistores com valores mais precisos, que se
situam entre os valores padronizados.
Estes resistores tem o seu valor impresso no corpo atravs de cinco anis coloridos.

Nestes resistores, os trs primeiros anis so dgitos significativos, o quarto anel


representa o nmero de zero (fator multiplicativo) e o quinto anel a tolerncia.

27

Resistores ajustveis
So resistores cujo valor de resistncia pode ser ajustado, dentro de uma faixa prdefinida.
A figura a seguir mostra alguns resistores ajustveis.

Estes tipos de resistores so utilizados em circuitos que exijam calibrao.


Existem dois tipos de resistores ajustveis:

Resistor ajustvel de fio

Trimpot

Resistores ajustveis de fio


um resistor de fio ao qual foi acrescentado um terceiro terminal, denominado de
cursor.

Este terminal mvel, deslizando em contato eltrico as espiras de fio que constituem
o resistor, podendo ser fixado na posio desejada.
Trimpot
um tipo de resistor ajustvel utilizado em pontos de ajuste onde as correntes so
pequenas (da ordem de miliampres ou menos).
28

Existem trimpots verticais e horizontais, de forma a permitir uma opo para a


montagem mais adequada a cada aplicao.
Caractersticas dos resistores ajustveis
Os resistores ajustveis apresentam impresso no corpo, o valor de resistncia entre os
dois terminais extremos.

A resistncia entre os terminais extremos de um resistor ajustvel a mesma,


qualquer que seja a posio do cursor.
Para obter um valor de resistncia menor do que o valor total de um resistor ajustvel
utiliza-se um dos terminais extremos e o cursor.
Simbologia
Os resistores ajustveis so representados pelos smbolos apresentados na figura
abaixo.
O smbolo normalizado est indicado (ABNT).

29

Potencimetros
So resistores com derivao que permite a variao do valor resistivo pelo movimento
de um eixo.

So usados nos equipamentos para permitir a mudana do regime de operao.


Exemplos:
Potencimetro de volume - permite o aumento ou diminuio do nvel de intensidade
do som.
Potencimetro de brilho - permite o controle da luminosidade das imagens.
Funcionamento
Entre os dois terminais extremos o potencimetro um resistor comum.
Sobre este resistor desliza um 3o terminal chamado de cursor que permite utilizar
apenas uma parte da resistncia total do componente (de um extremo at o cursor).
A figura abaixo mostra um potencimetro, indicando o movimento do eixo para
variao da resistncia.

Simbologia
A figura a seguir mostra os smbolos utilizados para representar os potencimetros,
salientando o smbolo normalizado pela ABNT.
30

A diferena entre os smbolos dos resistores ajustveis e potencimetros aparece na


ponta da diagonal.
Os componentes cujo o valor est sujeito a modificao constante (potencimetros
usados no controle de volume, por exemplo) so denominados de variveis.
Tipos de potencimetros
Existem dois tipos de potencimetros:
De fio;
De carbono: linear; logartmico.
Potencimetro de fio
Sobre uma tira de fibra em forma de anel so enroladas vrias espiras de fio especial
(com resistividade elevada). Fixa-se terminais nas extremidades da fibra e as pontas
do fio, formando um resistor.

Sobre o topo da fibra corre o contato mvel do cursor, que ligado mecanicamente ao
eixo do componente. O cursor ligado ao terminal do potencimetro.

Os potencimetros de fio para circuito eletrnico so encontrados em valores de at


22K de resistncia em potncias de dissipao de at 4W.
Nos potencimetros de fio a resistncia entre o cursor e os extremos varia
uniformemente com o movimento do eixo.

31

Componentes com esta caracterstica so chamados de Lineares. Portanto os


potencimetros de fio so sempre lineares.
Potencimetro de carbono (carvo)
So semelhantes aos potencimetros de fio na sua construo. Diferem apenas em
um aspecto:
Nos potencimetros de carvo as espirais de fio especial (do potencimetro de fio) so
substitudas por uma camada de carbono que depositada sobre uma pista de
material isolante.

Os potencimetros de carbono podem ser lineares ou logartmicos.


Os potencimetros de carvo lineares so semelhantes aos de fio.
A variao da resistncia dos potencimetros lineares em relao a posio do cursor
se apresenta conforme o grfico abaixo.

Os potencimetros de carvo logartmicos se comportam de forma diferente, com


respeito a relao entre posio do cursor e resistncia.
Quando se inicia o movimento do cursor a resistncia sofre pequena variao. A
medida que o cursor vai sendo movimentado, a variao na resistncia torna-se cada
vez maior.
A variao da resistncia entre um extremo e o cursor desproporcional ao movimento
do eixo:
O grfico a seguir mostra como a resistncia varia com relao a posio do eixo nos
potencimetros logartmicos.
32

Os potencimetros logartmicos so usados principalmente em controles de volume.


Potencimetros com chave
Em algumas ocasies utiliza-se o potencimetro para controle de volumes e ligao do
aparelho.
Para cumprir esta finalidade so fabricados potencimetros logartmicos com uma
chave presa ao eixo.
Potencimetros duplos
Os potencimetros duplos so utilizados principalmente em aparelhos de som
estereofnicos.
Existem modelos de potencimetros duplos em que um nico eixo comanda os dois
potencimetros e tambm modelos em que cada potencimetro tem um eixo prprio.

Potencimetros deslizantes
Potencimetros em que o movimento rotativo do eixo substitudo por um movimento
linear do cursor.

33

Associao de resistores
A associao de resistores uma reunio de dois ou mais resistores em um circuito
eltrico.

As associaes de resistores so utilizadas na maioria dos circuitos eletrnicos.


Tipos de associao de resistores
Os resistores podem ser associados originando circuitos eltricos das mais diversas
formas.

Os pontos da associao que so conectados a fonte geradora so denominados de


Terminais.

34

Os pontos onde existe a interligao entre dois ou mais resistores so denominados de


Ns.

Apesar do ilimitado nmero de associaes diferentes que se pode obter interligando


resistores em um circuito eltrico, todas estas associaes podem ser classificadas
segundo trs designaes bsicas:
Associao srie;
Associao paralela;
Associao mista.
Cada um dos tipos de associao apresenta caractersticas especficas de
comportamento eltrico.

35

Resistncia equivalente de
uma associao srie
Em uma associao srie a mesma corrente eltrica flui atravs de todos os resistores,
um aps o outro.
Cada um dos resistores apresenta uma resistncia a circulao da corrente no circuito.

Ao longo de todo o circuito, a resistncia total a soma das resistncias parciais.


Matematicamente, a resistncia total ou equivalente da associao srie dada por:
Associao srie
Req = R1 + R2 + R3 + ...... + Rn
Onde R1, R2, R3,....... Rn so os valores hmicos dos resistores associados em srie.
Assim, se os dois resistores (120 e 270) so associados em srie, a resistncia
equivalente entre os terminais da associao :
Req = R1 + R2
Req = 120 + 270
Req = 390

36

Resistncia equivalente de
uma associao paralela
Na associao paralela existe mais de um caminho para circulao da corrente
eltrica.

Dispondo de dois caminhos para circular a corrente flui com maior facilidade do que
se houvesse apenas um caminho.
A partir desta maior facilidade ao circular em um maior nmero de caminhos do que
em um nico, verifica-se que a oposio a passagem da corrente em dois (ou mais)
resistores em paralelo menor do que em apenas um.
Como concluso tem-se:
O valor da resistncia equivalente de uma associao de resistores em paralelo
sempre menor que o resistor de menor valor.
Associando-se, por exemplo, um resistor de 120 em paralelo com um resistor de
100 a resistncia equivalente da associao ser, obrigatoriamente menor que 100.

37

A resistncia equivalente de uma associao paralela de resistores dada pela


equao:
Re q =

1
1
1
1
+
+ ... +
R1 R 2
Rn

Onde R1, R2, ......., Rn so os valores hmicos dos resistores associados.


Tomando como exemplo a associao paralela apresentada na figura abaixo.

A resistncia equivalente ser


1
1
1
1
+
+
R1 R 2 R 3
1
Re q =
0,1 + 0,04 + 0,05
Re q =

1
1
1
1
+
+
10 25 20
1
Re q =
Req = 5,26
0,19
Re q =

O resultado encontrado comprova que a resistncia equivalente da associao


paralela (5,26) menor que o resistor de menor valor (10).
Associao paralela de 2 resistores
Para associaes paralelas com apenas dois resistores pode-se utilizar uma equao
mais simples, deduzida da equao geral.
Re q =
38

R1 x R 2
R1 + R 2

Onde R1 e R2 so os valores hmicos dos resistores associados.


A figura a seguir um exemplo de associao paralela em que a frmula para dois
resistores pode ser empregada.
R1 = 1,K

R2 = 680

Re q =

R1 x R 2
R1 + R 2

Re q =

Re q =

8160000
1880

Req = 434

1200 x 680
1200 + 680

Ainda possvel associar em paralelo 2 ou mais resistores, todos de mesma


resistncia.

Nesta situao pode-se utilizar uma terceira equao, especfica para associaes
paralelas onde todos os resistores tem o mesmo valor.
Esta equao tambm deduzida da equao geral.
Re q =

39

R
n

Onde:
R o valor de um resistor ( todos tem o mesmo valor ). n o nmero de resistores

de mesmo valor associados em paralelo.

Os trs resistores de 120 associados em paralelo tem uma resistncia equivalente


de:
Re q =

R
n

Req = 40

40

Re q =

120
3

Resistncia equivalente de
uma associao mista
Para determinar a resistncia equivalente de uma associao mista utiliza-se um
recurso: dividir a associao em pequenas partes que possam ser calculadas como
associaes srie ou paralelas.

Para realizar corretamente a diviso da associao mista utilizam-se os ns formados


no circuito.

A partir da identificao dos ns, procura-se analisar como esto ligados os resistores
entre cada dois ns do circuito.
Analisando o trecho da associao entre o 1 n e o 2 n verifica-se:
Que os resistores R2 e R3 esto em paralelo.

41

Ento, pode-se determinar qual a resistncia equivalente destes dois resistores


associados em paralelo.
Re q (entre 1o e 2 o ns) =

Re q =

R2 x R3
R2 + R3

180 x 270
48600
= Req =
= 108
180 + 270
450

Re q (entre 1o e 2 o ns) = 108


Os dois resistores associados (R2 e R3) apresentam 108 de resistncia a passagem
da corrente no circuito.
Se os resistores R2 e R3 em paralelo forem substitudos por um resistor de 108 (que
pode ser identificado por exemplo por RA) o circuito no se altera.

Ao executar a substituio a associao mista original tornar-se uma associao srie


simples, constituda pelos resistores R1, RA e R4.

A resistncia equivalente de toda a associao determinada atravs da equao da


associao srie: Req = R1 + R2 + R3 + ................
Usando os valores do circuito tem-se:
Req (TOTAL) = R1 + RA + R4
Req (TOTAL) = 560 + 108 + 1200

Req = 1868

O resultado significa que toda a associao mista original tem o mesmo efeito para a
corrente eltrica do que um nico resistor de 1868.
42

A seguir, so apresentados exemplos de circuitos mistos, com a seqncia de


procedimentos para determinar a resistncia equivalente.
Exemplo

Analisando os resistores R1 e R2.

R1 e R2 esto em srie
R1 e R2 podem ser substitudos por um nico resistor RA que tenha o mesmo efeito
resultante.
Frmula

Req = R1 + R2 + ...

associao srie

RA = R1 + R2
RA = 10000 + 3300

RA = 13300

Substituindo R1 e R2 pelo seu valor equivalente no circuito original tem-se:

Analisando o circuito formado por RA e R3:

43

RA e R3 esto em paralelo
Os resistores RA e R3 em paralelo podem ser substitudos por um nico resistor com o
mesmo efeito resultante.
R x R2
Frmula
Re q = 1
R1 + R 2
Re q (Total) =

RA x R3
R A + R3

Re q (Total) =

13.300 x 68.000
13.300 + 68.000

Associao paralela de dois resistores

Req (Total) = 11.124

A partir do resultado conclui-se que toda a associao mista pode ser substituda por
um nico resistor de 11.124

Aplicando-se toda a associao de resistores ou um nico resistor de 11.124 a uma


fonte de alimentao o resultado em termos de corrente o mesmo.
Exemplo

44

Determinando RA
RA substituindo R1 e R2 que esto em srie.
Frmula

RA = R1 + R2 Associao srie

RA = 1500 + 180 RA = 1680


Determinando RB
RB substitui R3 e R4 que esto em srie
Frmula

RB = R3 + R4 Associao srie

RB = 680 + 1000 = 1680


RB = 1680
Substituindo R1 e R2 por RA eR3 e R4 por RB no circuito original tem-se

Para determinar a resistncia equivalente total da associao usa-se RA em paralelo


com RB.
R
n
1680
Req (Total) =
2

Frmula

Re q =

associao em paralelo de resistores de mesmo valor


Req(Total) = 840

Toda a associao pode ser substituda por um nico resistor de 840.

45

Lei de Ohm
A Lei de Ohm estabelece uma relao entre as grandezas eltricas tenso, corrente e
resistncia em um circuito.
Lei de Ohm
A Lei de Ohm a lei bsica da eletricidade e eletrnica. Seu conhecimento
fundamental para o estudo e compreenso dos circuitos eltricos.
Determinao experimental da Lei de Ohm
A Lei de Ohm pode ser obtida a partir de medidas de tenso, corrente e resistncia
realizadas em circuitos eltricos simples, compostos por uma fonte geradora e um
resistor.
Montando-se um circuito eltrico composto por uma fonte geradora de 9V e um resistor
de 100 verifica-se que a corrente circulante de 90mA.

Onde:
VEntrada = 9V
R = 100
I = 90mA
Substituindo-se o resistor de 100 por outro de 200 a resistncia do circuito torna-se
maior. O circuito impe maior oposio a passagem da corrente, fazendo com que a
corrente circulante seja menor.

46

Onde:
VEntrada = 9V
R = 200
I = 45mA
A resistncia do circuito aumentou, a corrente do circuito diminuiu.
Aumentando-se sucessivamente o valor do resistor, a oposio a passagem da
corrente cada vez maior e a corrente, cada vez menor.

Onde:
VEntrada = 9V
R = 300
I = 30mA

Onde:
VEntrada = 9V
R = 400
I = 22,5mA
Colocando em uma tabela os valores obtidos nas diversas situaes tem-se:
Situao

Tenso (V)

Resistncia (R)

Corrente (I)

9V

100

90mA

9V

200

45mA

9V

300

30mA

9V

400

Observando-se a tabela de valores verifica-se:


47

22,5mA

A tenso aplicada ao circuito sempre a mesma, portanto as variaes da corrente


so provocadas pela mudana de resistncia do circuito. A resistncia do circuito
aumenta. A corrente no circuito diminui.
Dividindo-se o valor de tenso aplicada pela resistncia do circuito se obtm o valor
da intensidade de corrente:
Resistncia

Corrente

Tenso aplicada
9V

100

90mA

9V

200

45mA

9V

300

30mA

9V

400

22,5mA

A partir destas observaes se concluiu:


O valor de corrente que circula em um circuito pode ser encontrado dividindo-se o valor
de tenso aplicada pela sua resistncia.
Transformando em equao matemtica esta afirmao tem-se:
I=

V
R

Esta equao conhecida como equao matemtica da Lei de Ohm.


Equao matemtica da Lei de Ohm I =

V
R

Com base nesta equao pode-se determinar o enunciado da Lei de Ohm:


Lei de Ohm
A intensidade da corrente eltrica em um circuito diretamente proporcional a
tenso aplicada e inversamente proporcional a sua resistncia.
Aplicaes da Lei de Ohm
A Lei de Ohm pode ser utilizada, atravs da sua equao, para determinar os valores
de Tenso (V), Corrente (I) ou Resistncia (R) em um circuito.
Sempre que se conhecem dois valores em um circuito (V e I; e R ou V e R) o terceiro
valor desconhecido pode ser determinado pela Lei de Ohm.
Para tornar mais simples o uso da equao da Lei de Ohm costuma-se usar um
tringulo.

48

Quando se deseja determinar a intensidade da corrente (I) que flui em um circuito,


coloca-se o dedo sobre a letra I do tringulo.

Com a letra I (Corrente) coberta, o tringulo fornece a equao que deve ser usada
para calcular a corrente do circuito.
I=

V
Clculo de I quando so conhecidos E e R
R

Quando for necessrio determinar a resistncia (R) de um circuito deve-se cobrir a


letra R do tringulo e a equao necessria ser encontrada.

Da mesma forma, pode-se determinar a tenso aplicada em um circuito quando se


conhece a corrente e a resistncia.

Para que as equaes decorrentes da Lei de Ohm sejam utilizadas as grandezas


eltricas devem ter seus valores expressos nas unidades fundamentais Volt, Ampre e
Ohm.

49

Quando os valores de um circuito estiverem expressos em mltiplos ou submltiplos


das unidades devem ser convertidos para as unidades fundamentais antes de serem
usados nas equaes.
Exemplos de aplicao da Lei de Ohm
Uma lmpada utiliza uma alimentao de 6V e tem 36 de resistncia. Qual a corrente
consumida pela lmpada quando ligada?
Dados obtidos do enunciado.
V = 6V

I=?

R = 36
V
I=
R
Como os valores de V e R j esto nas unidades fundamentais Volt e Ohm aplica-se os
valores na equao:
I=

V
R

I=

6V
36

I = 0,166A

O resultado dado tambm na unidade fundamental de intensidade de corrente. A


resposta indica que circulam 0,166A ou 166mA quando a lanterna ligada.
O motor de um carrinho de autorama atinge a rotao mxima quando recebe 9V da
fonte de alimentao. Nesta situao a corrente do motor de 230mA. Qual a
resistncia do motor?
Dados:
V = 9V
I = 230mA ou 0,23A
R=?
R=

V
I

R=

9V
0,23 A

R = 39,1

Um resistor de 22K foi conectado a uma fonte cuja tenso de sada desconhecida.
Um miliampermetro colocado em srie no circuito indicou uma corrente de 0,75mA.
Qual a tenso na sada da fonte?

50

Dados:
I = 0,75mA ou 0,00075A
R = 22k ou 22.000
V=?
V=RxI

V = 22.000 x 0,00075

V = 16,5V

Dados dois valores de um circuito, determinar o terceiro:


V = 10v
R = 330
I = __________A

V
I=R
I=

I =

10 V
330

I = 0,0303A ou
I = 30,3mA

R = 12K
I = 18mA

V = RI

V = 12000 x 0,018A V = 216V

V = _________V
V = 30V
I = 0,37A
R = _________

51

RR==

V
I

RR==

30V
0,37A

R = 81

Primeira lei de Kirchhoff


A primeira Lei de Kirchhoff se refere a forma como a corrente se distribui nos circuitos
paralelos.

Atravs da primeira lei de Kirchhoff e da lei de Ohm pode-se determinar a corrente em


cada um dos componentes associados em paralelo.
O conhecimento e compreenso da primeira lei de Kirchhoff indispensvel para a
manuteno e projeto de circuitos eletrnicos.
Caractersticas do circuito paralelo
Os circuitos paralelos apresentam algumas caractersticas particulares, cujo
conhecimento indispensvel para a compreenso das Leis de Kirchhoff.
Estas caractersticas podem ser constatadas, tomando como ponto de partida o
circuito da figura A (representada em diagrama na figura B).
A

Observando o circuito se verifica que tanto a lmpada 1 como a lmpada 2 tem um dos
terminais ligado diretamente ao plo positivo da pilha e o outro ligado ao plo negativo.
Ligados desta forma cada uma das lmpadas est diretamente conectada com a pilha,
recebendo 1.5 Vcc nos seus terminais.

52

As duas lmpadas, ligadas em paralelo, recebem a mesma tenso. Est uma das
caractersticas dos circuitos paralelos.
Resumindo
O circuito paralelo apresenta duas caractersticas fundamentais:
Fornece mais de um caminho para a circulao da corrente eltrica.
A tenso em todos os componentes associados a mesma.
As correntes na associao paralela
A funo da fonte de alimentao nos circuitos fornecer a corrente eltrica
necessria para o funcionamento dos consumidores.
Quando um circuito possui apenas uma fonte de alimentao, a corrente fornecida por
esta fonte denominada de corrente total, representada pela notao IT nos
esquemas.

Para a fonte de alimentao (pilha) no importante se os consumidores so lmpada,


resistores ou aquecedores. A corrente que a fonte fornece (IT) depende apenas da sua
tenso e da resistncia total que os consumidores apresentam.
Pela Lei de Ohm tm-se: I =
IT

VT
RT

V
. Aplicando a Lei de Ohm ao circuito tm-se:
R

(a corrente total dada pela diviso entre tenso total e resistncia total).

No exemplo da figura abaixo, a corrente total depende da tenso de alimentao


(1,5V) e da resistncia total que as lmpadas apresentam (L1 e L2 em paralelo).

53

Rt =

Rl1 x RL 2
Rl1 + Rl 2

Rt =

200 x 300
60000
=
= 120
200 + 300
500

A corrente total ser:


It =

V
RT

IT =

1,5 V
120

IT = 0,0125A ou 12,5mA

Este valor de corrente circula em toda a parte do circuito que comum as duas
lmpadas.

A partir do n (no terminal positivo da pilha) a corrente total IT se divide em duas


partes.

Estas correntes so chamadas de correntes parciais e podem ser denominadas de I1


(para a lmpada 1) e I2 (para a lmpada 2).

54

A forma como a corrente IT se divide a partir do n depende unicamente da resistncia


das lmpadas.
A lmpada de menor resistncia permitir a passagem de uma maior parcela da
corrente It.

O valor da corrente que circula em cada ramal pode ser calculado atravs da Lei de
Ohm, uma vez que se conhece a tenso aplicada e a resistncia de cada lmpada.
Lmpada 1
I1 =

VL1
R L1

I1 =

1,5 V
200

I1 = 0,0075A

I1 = 7,5mA

I2 =

1,5 V
300

I2 = 0,005A

I2 = 5mA

Lmpada 2
I2 =

VL 2
R L2

1 Lei de Kirchhoff
Aproveitando os valores do circuito paralelo j calculado.

Considerando-se o n superior tm-se:

Observando-se os valores de corrente no n verifica-se que as correntes que saem,


somadas, originam um valor igual a corrente que entra.
I1 + I2 = IT
55

Esta afirmativa vlida para qualquer n de um circuito eltrico, sendo conhecida


como 1a Lei de Kirchhoff.
Primeira Lei de Kirchhoff
A soma das correntes que chegam a um n igual a soma das que dele saem.
A primeira Lei de Kirchhoff muito til para determinar um valor de corrente
desconhecida quando se dispe dos demais valores de corrente que chegam ou saem
de um n.

56

Segunda lei de Kirchhoff


A segunda Lei de Kirchhoff se refere a forma como a tenso se distribui nos circuitos
srie.

O conhecimento e compreenso da segunda Lei de Kirchhoff importante porque se


aplicada a todos os circuitos que tiverem componentes associados em srie.
Caractersticas dos circuitos srie
Os circuitos srie tem caractersticas particulares, cujo conhecimento indispensvel
para a compreenso da segunda Lei de Kirchhoff.
Tomando como referncia um circuito simples, com duas cargas ligadas em srie estas
caractersticas podem ser identificadas. A figura abaixo mostra este circuito.

O circuito srie se caracteriza por possibilitar um caminho nico para a circulao da


corrente eltrica.

Como existe um nico caminho a mesma corrente que sai do plo positivo da fonte
passa atravs da lmpada L1, da lmpada L2 e retorna a fonte pelo plo negativo.

57

Isto significa que um medidor de corrente (ampermetro, miliampermetro,...) pode ser


colocado em qualquer parte do circuito. Em qualquer uma das posies o valor
indicado pelo instrumento ser o mesmo.

Esta uma das caractersticas do circuito srie:


A intensidade da corrente a mesma ao longo de todo o circuito srie.
Por esta razo, a corrente que circula em um circuito srie designada simplesmente
pela notao I.

A forma de ligao das cargas, uma aps a outra, d ao circuito outra caractersticas
importante:
Caso uma das lmpadas (ou qualquer outro tipo de carga) seja retirada do circuito, ou
tenha o seu filamento rompido, o circuito eltrico fica aberta e a corrente cessa.

Pode-se dizer:
Num circuito srie o funcionamento de cada um dos componentes depende dos
restantes.
Resumindo
O circuito srie apresenta trs caractersticas importantes:
Fornece apenas um caminho para a circulao da corrente eltrica.
A corrente tem o mesmo valor em qualquer ponto do circuito.
O funcionamento dos consumidores dependente.
58

A corrente na associao srie


A corrente que circula em circuito srie, cujo valor nico ao longo de todo o circuito,
pode ser determinada com o auxlio da Lei de Ohm.
Para determinar a corrente no circuito srie da Lei de Ohm deve-se usar a tenso nos
terminais da associao e a sua resistncia total:
I=

V
RT

Considerando-se o circuito da figura abaixo como exemplo.

A corrente no circuito : I = V/RT


RT = 40 + 60 = 100
V = 12V
I=

12V
= 0,12A ou
100

120mA

As tenses no circuito srie


Pelo fato de no estarem com os dois terminais ligados diretamente fonte, a tenso
nos componentes de um circuito srie diferente da tenso da fonte de alimentao.
O valor de tenso em cada um dos componentes sempre menor do que a tenso de
alimentao.
Esta parcela de tenso que fica sobre cada componente do circuito denominada de
queda de tenso no componente. A queda de tenso representada pela notao
V.

59

Determinao da queda de tenso


A queda de tenso em cada componente de uma associao srie pode ser
determinada pela Lei de Ohm, quando se dispe da corrente no circuito e dos seus
valores de resistncia:

Tomando-se como exemplo o circuito apresentado na figura abaixo.

I=

E
12
=
= 0,12A
RT
100

A figura a seguir mostra o circuito com os valores de tenso e corrente.

60

Observando os valores de resistncia e queda de tenso se verifica:


O resistor de maior valor fica com uma parcela maior de tenso.
O resistor de menor valor fica com a menor parcela de tenso.
Pode-se dizer que, em um circuito srie a queda de tenso proporcional ao valor do
resistor:
Maior valor maior queda de tenso
Menor valor menor queda de tenso
2 Lei de Kirchhoff
Tomando como referncia os valores de tenso nos resistores do circuito
determinados anteriormente.

Somando-se as quedas de tenso nos dois resistores (VR1 + VR2) tm-se:


4,8V + 7,2V = 12V
Verifica-se que o resultado da soma a tenso de alimentao.
A segunda Lei de Kirchhoff baseada nesta concluso.
Segunda lei de Kirchhoff
A soma das quedas de tenso nos componentes de uma associao srie igual
a tenso aplicada nos seus termicais extremos.
A segunda Lei de Kirchhoff utilizada com muita freqncia como ferramenta para
determinar quedas de tenso desconhecidas em circuitos eletrnicos.

61

Leis de Kirchhoff e Ohm em


circuitos mistos
As Leis de Kirchhoff, juntamente com a Lei de Ohm, permitem que se determine as
tenses ou correntes em cada um dos componentes de um circuito misto.

Os valores eltricos de cada componente do circuito podem ser determinados a partir


da execuo da seqncia de procedimentos a seguir:
Determinao da resistncia equivalente.
Determinao da corrente total.
Determinao das tenses ou correntes nos elementos do circuito.
A utilizao da seqncia de procedimentos ser demonstrada a partir do circuito da
figura abaixo.

62

Determinao da resistncia equivalente


Para determinar a resistncia equivalente do circuito empregam-se circuitos parciais
atravs dos quais o circuito original reduzido e simplificado at a forma de um nico
resistor (REQ).
As figuras abaixo mostram os circuitos utilizados para determinao da resistncia
equivalente.

Determinao da corrente total


A corrente total pode ser determinada aplicando a Lei de Ohm no circuito equivalente
final.
IT =

E
RT

IT =

Arredondando

10 V
= 0,2703A
37
IT = 0,27A

Determinao das tenses e correntes individuais


A corrente total, aplicada ao circuito parcial permite que se determine a queda de
tenso no resistor R1.

VR1 = IR1 . R1 como IR1 a mesma I


VR1 = 0,27A . 12
VR1 = 3,24V
63

A queda de tenso em RA pode ser determinada pela 2a Lei de Kirchhoff: a soma das
quedas de tenso num circuito srie igual a tenso de alimentao.

V = VR1 + VRA
VRA = V - VR1
VRA = 10V - 3,24V
VRA = 6,76V
Observao
A queda de tenso em RA pode tambm ser determinada pela Lei de Ohm: VRA = I . RA,
porque os valores de I (0,27A) e RA (25) so conhecidos.
VRA = 0,27 x 25 = 6,75V
Calculando a queda de tenso em RA se calcula em realidade, a queda de tenso na
associao paralela R2 R3.

64

Os ltimos dados que ainda faltam determinar so as correntes em R2 (IR2) e R3 (IR3).


Estas correntes podem ser calculadas pela Lei de Ohm: I = V/R.

IR2 =

VR 2
R2

IR2 =

6,76 V
47

IR2 = 0,144A

IR3 =

VR 3
R3

IR3 =

6,76 V
56

IR3 = 0,12A

A figura abaixo mostra o circuito original com todos os valores de tenso e corrente.

65

Tenso alternada senoidal


A tenso alternada senoidal a mais importante das tenses CA, tendo em vista que
toda a distribuio de energia eltrica para os consumidores (residncias, indstrias,
comrcio, etc...) feita atravs deste tipo de corrente alternada.
Isto significa que todos os aparelhos ligados rede eltrica so alimentados por
corrente alternada senoidal.

Valores de pico da tenso alternada senoidal


Analisando-se um ciclo completo da tenso alternada senoidal verifica-se que o valor
instantneo da tenso est em constante modificao.

O valor mximo de tenso que a CA atinge em cada semiciclo denominado de


tenso de pico, indicada pela notao Vp.

66

O valor de pico negativo numericamente igual ao valor de pico positivo, de forma que
a determinao do valor pode ser feita em qualquer um dos semiciclos.

Valor da tenso de pico a pico da CA senoidal


A tenso de pico a pico (Vpp) de uma CA senoidal medida entre os dois picos
mximos (positivo e negativo) de um ciclo.

Considerando-se que os dois semiciclos da CA so iguais pode-se afirmar:


Relao Vp/Vpp da CA senoidal

Vpp = 2Vp.

Da mesma forma que as medidas de pico e de pico a pico se aplicam a tenso


alternada senoidal, aplicam-se a corrente alternada senoidal.

67

Correspondncia entre CA e CC
Quando se aplica uma tenso contnua sobre um resistor verifica-se a circulao de
corrente de valor constante.

Com efeito resultante se estabelece uma dissipao de potncia no resistor (P = E . I).


Esta potncia dissipada em regime contnuo, fazendo com que haja um
desprendimento de calor constante no resistor.

Aplicando-se um tenso alternada senoidal a um resistor se estabelece a circulao de


uma corrente alternada senoidal.

68

Como a tenso e a corrente so variveis, a quantidade de calor produzida no resistor


varia a cada instante.

Nos momentos em que a tenso zero no h corrente e tambm no h produo


de calor (P = 01 x 0V).
Nos momentos em que a tenso atinge o valor mximo (Vp) a corrente tambm atinge
o valor mximo (Ip) e a potncia dissipada o produto mximo (Pp = Vp . Ip).
Em conseqncia desta produo varivel de trabalho em CA verifica-se:
Um resistor de valor R ligado a uma tenso contnua de 10V produz mais calor que o
mesmo resistor R ligado a uma tenso alternada de 10V de pico.

Para obter no resistor R em CA a mesma quantidade de calor, no mesmo tempo,


necessita-se uma tenso alternada de 14,14V de pico.

Isto significa que uma tenso alternada de 14,14V de pico to eficaz quanto uma
tenso contnua de 10V na produo de trabalho.
69

Por esta razo diz-se que uma tenso CA de 14,1Vp corresponde a uma tenso eficaz
de 10V.
14,1Vp = 10Vef

Vef Volts eficazes

Pode-se ento definir:


Que tenso eficaz (ou corrente eficaz) de uma CA senoidal um valor que indica a que
tenso contnua (ou corrente contnua) est CA corresponde, em termos de produo
de trabalho.
Existe uma relao constante entre o valor eficaz de uma CA senoidal e seu valor de
pico. Esta relao :
Tenso Eficaz

VEF =

Corrente Eficaz

IEF =

Vp
2
Ip
2

Aplicando-se a equao da tenso eficaz tenso alternada senoidal de 14,14 Volts


de pico verifica-se a correo da equao:
14,14 V
Vp
VEF =
VEF =
VEF = 10V
1,414
2
Observao:
As equaes da corrente eficaz e tenso eficaz podem ser encontradas atravs de
processos matemticos empregando clculo integral.
Medidores de CA
Os instrumentos utilizados para medio em circuitos de corrente alternada sempre
indicam valores eficazes (de corrente e tenso).
Isto significa que voltmetro conectado a um circuito de CA indica uma tenso de 110V,
esta tenso eficaz (produz trabalho).
Para determinar o valor de pico da CA que originou 110V eficazes utilizam-se as
mesmas equaes:
Vef =

Vp
2

Vp = Vef .

Vp = 110V . 1,414
70

Vp = 155V

Relao entre perodo e freqncia


Freqncia (f) o nmero de ciclos completos de um fenmeno repetitivo que
ocorrem na unidade de tempo (1 s). A unidade da freqncia o Hertz (H). O Hertz
est sujeito aos mltiplos e submltiplos da mesma forma que o Volt, o mpere e o
Ohm,

Perodo (T) o tempo necessrio para que ocorra um ciclo completo de um fenmeno
repetitivo.
A freqncia e o perodo de um fenmeno esto intimamente relacionados. O
relacionamento entre as duas grandezas expresso pela equao:
F=

1
T

Relao Perodo-Freqncia

A equao mostra que quando a freqncia aumenta o perodo diminui e vice-versa.


Uma vez conhecido o perodo de um sinal a equao permite que se determine sua
freqncia.

71

Capacitores

O capacitor um componente capaz de armazenar cargas eltricas, sendo largamente


empregado nos circuitos eletrnicos.
Um capacitor se compe basicamente de duas placas de material condutor,
denominadas de armaduras, isoladas eletricamente entre si por um material isolante
chamado dieltrico.

O material condutor que compe as armaduras de um capacitor eletricamente neutro


no seu estado natural.
Em cada uma das armaduras o nmero total de prtons e eltrons igual, portanto as
placas no tem potencial eltrico.

No existindo potencial eltrico em cada uma das armaduras, no h diferena de


potencial ou tenso entre elas.

72

Observao
O fenmeno de armazenamento de cargas pelo capacitor pode ser compreendido mais
facilmente analisando o movimento de eltrons no circuito.
Por esta razo ser utilizado o sentido eletrnico da corrente eltrica no
desenvolvimento do assunto.
Conectando-se os terminais do capacitor a uma fonte de CC o capacitor fica sujeito
diferena de potencial dos plos da fonte.
O potencial da bateria aplicado a cada uma das armaduras faz surgir entre elas uma
fora chamada de Campo eltrico, que nada mais do que uma fora de atrao
(cargas de sinal diferente) ou repulso (cargas de mesmo sinal) entre cargas eltricas.
O plo positivo da fonte absorve eltrons da armadura a qual est conectado enquanto
o polo negativo fornece eltrons outra armadura

A armadura que fornece eltrons fonte fica com ons positivos adquirindo um
potencial positivo e a armadura que recebe eltrons da fonte fica com ons negativos
adquirindo potencial negativo.

Isto significa que ao conectar o capacitor a uma fonte de CC surge uma diferena de
potencial entre as suas armaduras.
A tenso presente nas armaduras do capacitor ter um valor to prximo ao da tenso
da fonte que, para efeitos prticos, pode-se considerar iguais.
Quando o capacitor assume a mesma tenso da fonte de alimentao diz-se que o
capacitor est carregado.
Se aps ter sido carregado o capacitor for desconectado da fonte de CC suas
armaduras permanecem com os potenciais adquiridos.
73

Resumindo pode-se dizer que: quando um capacitor conectado a uma fonte de CC


absorve energia desta fonte, armazenando cargas eltricas (ons positivos e negativos)
nas suas armaduras.
Esta capacidade de absorver e manter a energia em suas armaduras na fonte de
cargas eltricas que define o capacitor como sendo um armazenador de cargas
eltricas.
A energia armazenada no capacitor na forma de desequilbrio eltrico entre suas
armaduras pode ser reaproveitada.
Descarga do capacitor
Tomando-se um capacitor carregado e conectado seus terminais a uma carga haver
uma circulao de corrente, pois o capacitor atua como fonte de tenso.

Isto se deve ao fato de que atravs do circuito fechado inicia-se o restabelecimento do


equilbrio eltrico entre as armaduras.
Os eltrons em excesso em uma das armaduras, se movimentam para a outra onde h
falta de eltrons, at que se reestabelea o equilbrio de potencial entre elas.

74

Durante o tempo em que o capacitor se descarrega a tenso entre suas armaduras


diminui, porque o nmero de ons restantes em cada armadura cada vez menor. Ao
fim de algum tempo a tenso entre as armaduras to pequena que pode ser
considerada zero.
Tipos de capacitores
Atualmente encontra-se no mercado um grande nmero de tipos de capacitores,
empregando os mais diversos materiais.
Estes capacitores podem ser resumidos em quatro tipos bsicos:

Capacitores fixos despolarizados

Capacitores ajustveis

Capacitores variveis

Capacitores eletrolticos

A figura a seguir mostra alguns capacitores na sua forma real.

Capacitores fixos despolarizados


Apresentam um valor de capacitncia especfico, que no pode ser alterado. A figura a
seguir mostra o smbolo usado para representar os capacitores fixos despolarizados.

75

Existem diversos tipos de capacitores fixos. Entre eles citam-se, por exemplo:

Capacitor de stiroflex

Capacitor de cermica

Capacitor de poliester

Estes capacitores se caracterizam por serem despolarizados, ou seja, qualquer, uma


das suas armaduras pode ser ligada tanto a potenciais positivos como negativos.
Alguns capacitores fixos podem apresentar-se em verso com os dois terminais nas
extremidades (axial) ou com os dois terminais no mesmo lado do corpo (radial).

De acordo com a necessidade de montagem pode-se utilizar um ou outro tipo.


Capacitores ajustveis
So utilizados nos pontos de calibrao dos circuitos. Apresentam valor de
capacitncia ajustvel dentro de certos limites, por exemplo 10pF a 30pF.

Capacitores variveis
So utilizados em locais onde a capacitncia constantemente modificada. As figuras
a seguir mostram um capacitor varivel e o seu smbolo.

76

Encontram-se ainda capacitores variveis mltiplos que se constituem de dois ou mais


capacitores variveis acionados pelo mesmo eixo. As figuras abaixo mostram um
capacitor duplo e o seu smbolo.

A linha pontilhada indica que os dois capacitores tem seu movimento controlados pelo
mesmo eixo.
Capacitores eletrolticos
Os capacitores eletrolticos so capacitores fixos cujo processo de fabricao permite a
obteno de altos valores de capacitncia com pequeno volume.
A figura a seguir permite uma comparao entre as dimenses de um capacitor
eletroltico e um no eletroltico de mesmo valor.

O fator que diferencia os capacitores eletrolticos dos demais capacitores fixos o


dieltrico.
Os capacitores fixos comuns o dieltrico de papel, mica ou cermica.
O dieltrico dos capacitores eletrolticos um preparado qumico chamado de eletrlito
que oxida pela aplicao de tenso eltrica, isolando uma armadura da outra.
A utilizao do eletrlito permite a reduo da distncia entre as armaduras a valores
mnimos, o que possibilita a obteno de maiores valores de capacitncia(desde 1F
at os valores maiores que 20000F).
O capacitor selado em um invlucro de alumnio que isola as armaduras e o eletrlito
da ao da umidade.
Desvantagens do capacitor eletroltico
Os capacitores apresentam algumas desvantagens que so decorrentes do seu
processo de fabricao:

Polaridade

Alterao de capacitncia

Tolerncia

77

Polaridade
A utilizao do dieltrico qumico (eletrlito) nos capacitores eletrolticos apresenta
algumas desvantagens. A formao da camada de xido entre as placas depende da
aplicao de tenso nas armaduras, com polaridade correta.
A ligao de polaridades incorretas sobre as armaduras do capacitor provoca a
destruio do eletrlito, permite a circulao de corrente entre as armaduras.
O capacitor sofre um processo de aquecimento que faz o eletrolto ferver, podendo
inclusive provocar uma exploso do componente devido a formao de gases no seu
interior.
Os capacitores eletrolticos polarizados so utilizados apenas em circuitos alimentados
por corrente contnua. Nos circuitos de corrente alternada a troca de polaridade da
tenso danifica o componente.
O smbolo dos capacitores eletrolticos expressa a polaridade das armaduras

No componente a polaridade expressa de duas formas:

Por um chanfro na carcaa, que indica o terminal positivo

Por sinais de + impressos no corpo

Alterao da capacitncia
O capacitor eletroltico sofre alterao de capacitncia quando no est sendo
utilizado. Esta alterao se deve ao fato de que a formao da camada de xido entre
as armaduras depende da aplicao de tenso no capacitor.

78

Quando o capacitor eletroltico permanece durante um perodo sem utilizao, o


dieltrico sofre um processo de degenerao que afeta sensivelmente a sua
capacitncia.
Por esta razo, sempre que for necessrio utilizar um capacitor que estava estocado
durante algum tempo, deve-se conect-lo a uma fonte de tenso contnua durante
alguns minutos para permitir a reconstituio do dieltrico antes de aplic-lo no circuito.
Tolerncia
Os capacitores eletrolticos esto sujeitos a uma tolerncia elevada no valor real, com
relao ao valor nominal. Esta tolerncia pode atingir valores de 20 a 30% e at
mesmo 50% em casos extremos.
Tipos de capacitores eletrolticos
Existem dois tipos de capacitores eletrolticos, que esto relacionados com o tipo de
dieltrico empregado:

Capacitores eletroltico de xido de alumnio.

Capacitor eletroltico de xido de tntalo.

As figuras a seguir mostram um capacitor eletroltico de xido de alumnio e outro de


tntalo.

Os capacitores eletrolticos de xido de tntalo apresentam uma vantagem sobre os


eletrolticos de xido de alumnio:

A capacitncia dos capacitores de xido de tntalo sofre menor variao com o


passar do tempo.

Capacitores eletrolticos mltiplos


Existem ainda os capacitores eletrolticos mltiplos, que consistem em dois, trs ou at
mesmo quatro capacitores no mesmo invlucro.

79

Em geral nestes capacitores o invlucro externo ou carcaa comum a todos os


capacitores.
Capacitores eletrolticos como os da figura acima, so muito usados em fontes de
alimentao.
Os capacitores eletrolticos mltiplos podem ser representados pelo smbolo mostrado
na figura a seguir.

Especificao tcnica dos capacitores


Os capacitores so especificados tecnicamente por:

Tipo;

Capacitncia;

Tenso de trabalho.

Exemplos:
Capacitor de poliester, 0,47F

600V

Capacitor eletroltico 2200F

63V

Apresentao das caractersticas nos capacitores


A capacitncia e a tenso de trabalho dos capacitores expressa no corpo do
componente de duas formas:

Diretamente em algarismos

Atravs de um cdigo de cores

A figura a seguir apresenta alguns capacitores com os valores de capacitncia e a


tenso de trabalho expresso diretamente em algarismos.

Os valores so apresentados normalmente em microfarads(F) ou picorafads(pF).


Observao

80

Quando os capacitores so menores que 1F (Exemplos: 0,1F; 0,0047F; 0,012F) o


zero que precede a vrgula no impresso no corpo do componente. Aparece
diretamente um ponto, que representa a vrgula.
Exemplos:
Valor do capacitor

Valor impresso no corpo

0,1F

.1F

0,047F

.047F

0,012F

.012F

0,68F

.68F

Cdigo de cores para capacitores


A figura a seguir mostra o cdigo de cores para capacitores e a ordem de interpretao
dos algarismos.

Observao
O valor de capacitncia expresso pelo cdigo de cores dado em picofarads(pF).
Exemplos
Amarelo - Violeta - Laranja - Branco - Azul
47000 pF
+ 10% 630V

47nF

Laranja - Branco - Amarelo - Branco - Vermelho


390000 pF
+ 10% 250V
0,39F
81

Capacitncia

A capacidade de um capacitor de armazenar cargas denominada de capacitcia.


A capacitncia em um capacitor depende de alguns fatores:

Da rea das armaduras:

Quanto maior a rea das armaduras, maior a capacidade de armazenamento de um


capacitor.

Da espessura do dieltrico:

Quanto mais fino o dieltrico, mais prximas esto as armaduras. O campo eltrico
formado entre as armaduras maior e a capacidade de
armazenamento tambm.

Da natureza do dieltrico:

Quanto maior a capacidade de isolao do dieltrico, maior a capacidade de


armazenamento do capacitor.
Maior capacitncia = Maior capacidade de armazenamento de cargas.
A unidade de medida de capacitncia o FARAD representado pela letra F,
entretanto, a unidade FARAD extremamente grande, o que leva ao uso de
submltiplos dessa unidade.
A tabela a seguir apresenta os smbolos representativos de cada submltiplo e o seu
valor com relao a unidade.
Submltiplo
Microfarad
Nanofarad44
Picofarad

Smbolo representativo do
Valor com relao ao FARAD
submltiplo
-6
1.10 FARAD
F
0,000001F
-9
1.10 FARAD
NF
0,000000001F
-12
10.10 FARAD
PF
0,000000000001F

A converso de valores entre as subunidades feita da mesma forma que as outras


grandezas.

82

Exemplos de converso:
1F = 1000nF

820nF = 0,82F

22nF = 22000pF

1200pF = 1,2nF

68nF = 0,068F

47000pF = 47nF

150pF = 0,15nF

47000pF = 0,047F

A capacitncia um dos fatores eltricos que identifica um capacitor.


Tenso de trabalho
Alm da capacitncia os capacitores tem ainda outra caracterstica eltrica importante:
a tenso de trabalho
A tenso de trabalho a tenso mxima que o capacitor pode suportar entre as suas
armaduras.
A aplicao de uma tenso no capacitor superior a sua tenso de trabalho mxima,
pode provocar o rompimento do dieltrico fazendo com que o capacitor entre em curto,
perdendo as suas caractersticas.
Na maioria dos capacitores o rompimento do dieltrico danifica permanentemente o
componente.
Deve-se tomar o cuidado de utilizar sempre capacitores com tenso de trabalho
superior ao valor que o componente ir trabalhar realmente.

83

Capacitores em CA
Os capacitores despolarizados podem funcionar em corrente alternada, devido ao fato
de que cada uma das suas armaduras pode receber tanto potencial positivo como
negativo.
Os capacitores polarizados no podem ser conectados a CA porque a troca de
polaridade provoca danos ao componente.
Funcionamento do capacitor em CA
Quando um capacitor conectado a uma fonte de corrente alternada a troca sucessiva
de polaridade da tenso est aplicada s armaduras do capacitor.

A cada semiciclo, a armadura que recebe potencial positivo entrega eltrons a fonte,
enquanto a armadura que est ligada ao potencial negativo recebe eltrons.

Com a troca sucessiva de polaridade, uma mesma armadura durante um semi ciclo
recebe eltrons da fonte e no outro devolve eltrons para a fonte.

84

Existe, portanto, um movimento de eltrons ora entrando, ora saindo da armadura.


Isso significa que circula uma corrente alternada no circuito, embora as cargas
eltricas no passem de uma armadura do capacitor para a outra atravs do dieltrico.
Um capacitor ligado a uma fonte CA permite a circulao da corrente no circuito.
Reatncia capacitiva
Os processos de carga e descarga sucessivas de um capacitor ligado em CA d
origem a uma resistncia a passagem de corrente no circuito. Esta resistncia
denominada de reatncia capacitiva.
Reatncia capacitiva a oposio que um capacitor apresenta a circulao de
corrente em circuitos de CA.
A Reatncia capacitiva representada pela notao Xc e expressa em Ohms ().
A reatncia capacitiva Xc expressa pela equao:
Xc =

2 .f .C

Onde:
Xc = Reatncia capacitiva em
= Constante (6,28)
2
f

= Freqncia da corrente alternada em Hz

C = Capacitncia do capacitor em F
Fatores que influenciam na reatncia capacitiva
Verifica-se atravs da equao que:
A reatncia capacitiva de um capacitor depende apenas da sua capacitncia e da
freqncia da rede CA.
O grfico a seguir mostra o comportamento da reatncia capacitiva com a variao da
freqncia da CA

85

Pelo grfico se verifica que a reatncia capacitiva diminui com o aumento da


freqncia.
F

XC

No grfico abaixo tm-se o comportamento da reatncia capacitiva com a variao da


capacitncia.

Se observa que a reatncia capacitiva diminui com o aumento da capacitncia.


C

XC

Na equao da reatncia no aparece o valor da tenso. Isto significa que a reatncia


capacitiva independente do valor de tenso CA aplicada ao capacitor.
Portanto:
A reatncia capacitiva no depende do valor de tenso CA aplicado aos terminais do
capacitor.
A tenso aplicada ao capacitor ir influenciar apenas na corrente circulante no circuito.
Relao entre tenso CA, corrente CA e reatncia capacitiva
Quando um capacitor conectado a uma fonte de CA se estabelece um circuito
eltrico. Neste circuito esto em jogo trs valores:

Tenso aplicada

Reatncia capacitiva

Corrente circulante

Estes trs valores esto relacionados entre si nos circuitos de CA da mesma forma que
nos circuitos de CC:
Atravs da Lei de Ohm.
86

Onde:
Vc

= Tenso no capacitor em V

= Corrente no circuito (eficaz) em A

Xc

= Reatncia capacitiva e

Exemplo
Um capacitor de 1F conectado a uma rede CA 220V 60Hz. Qual a corrente
circulante no circuito?
Xc =

I =

10 6
10 6
=
2 . f . C
6 , 28 . 60 . 1

Xc = 2653

Vc
220 V
=
= 0 , 0829A
Xc
2653

I = 82 , 9mA
Deve-se lembrar que os valores de V e I so eficazes, ou seja, so valores que sero
indicados por um voltmetro e um milimpermetro de CA conectados ao circuito.
Toda vez que se refere a tenso ou corrente em CA estes valores so eficazes, a
menos que se especifique de forma diferente (Vp, Vpp ou Ip, Ipp).
Determinao experimental da capacitncia de um capacitor
Quando a capacitncia de um capacitor despolarizado desconhecida, possvel
determin-la por um processo experimental.
Aplica-se o capacitor a uma fonte CA com tenso e freqncia conhecidos e
determina-se a corrente com um ampermetro de CA.
O valor de tenso de pico da CA aplicada deve ser inferior a tenso de trabalho do
capacitor.
Conhecendo-se os valores da tenso e corrente no circuito determina-se a reatncia
capacitiva do capacitor:

87

Magnetismo e
Eletromagnetismo
Magnetismo
O magnetismo a propriedade que certos materiais possuem que faz com que estes
materiais exeram uma atrao sobre materiais ferrosos.
As propriedades dos corpos magnticos so grandemente utilizadas em eletricidade
(motores, geradores) e eletrnica (instrumentos de medida, transmisso de sinais,
etc.).
Magnetismo natural - ms
Alguns materiais encontrados na natureza apresentam propriedades magnticas
naturais. Estes materiais so denominados de ms naturais.
A magnetita um minrio de ferro que naturalmente magntico, ou seja, um m
natural.
ms artificiais
Os ms artificiais so barras de materiais ferrosos que o homem magnetiza por
processos artificiais.
Os ms artificiais so muito empregados porque podem ser fabricados com os mais
diversos formatos, de forma a atender as necessidades prticas.

Os ms artificiais em geral tem propriedades magnticas mais intensas que os


naturais.

88

Plos magnticos de um m
Externamente as foras de atraes magnticas de um m se manifestam com maior
intensidade nas suas extremidades.

Por esta razo as extremidades so denominadas de plos magnticos do m.

Cada um dos plos apresenta propriedades magnticas especficas, sendo


denominados de plo sul e plo norte.

Uma vez que as foras de atrao magnticas dos ms so mais concentradas nos
plos, se conclui que a intensidade destas propriedades decresce para o centro do
m.
Na regio central do m se estabelece uma linha onde as foras de atrao magnticas
do plo sul e do plo norte so iguais e se anulam.
Esta linha denominada de linha neutra. A linha neutra portanto, a linha divisria
entre os plos do m.

Origem do magnetismo
O magnetismo tem a sua origem na organizao atmica dos materiais.
Cada molcula de um material um pequeno m natural, denominado de m
molecular ou domnio.

89

Quando durante a formao de um material as molculas se orientam em sentidos


diversos, os efeitos magnticos dos ms moleculares se anulam no todo do material,
resultando em um material sem magnetismo natural.

Se durante a formao do material as molculas assumirem uma orientao nica (ou


predominante) os efeitos magnticos de cada m molecular se somam dando a
origem a um m com propriedades magnticas naturais.

Observao
Na fabricao de ms artificiais as molculas de um material (desordenadas) sofrem
um processo de orientao a partir das foras externas.
Inseparabilidade dos plos
Os ms tem uma propriedade caracterstica:
Por mais que se divida um m em partes menores, as partes sempre tero um plo
norte e um plo sul.

Esta propriedade denominada de inseparabilidade dos plos, que torna impossvel


isolar um plo norte ou plo sul
Interao entre ms
Quando os plos magnticos de dois ms esto prximos as foras magnticas dos
dois ms reagem entre si de forma singular.
Se os dois plos magnticos prximos forem diferentes (norte de um com sul de outro)
h uma atrao entre os dois ms.
90

Se os dois plos prximos forem iguais (norte de um prximo ao norte do outro) h


uma repulso entre os dois ms.

Pode-se resumir a interao entre dois ms em duas regras:

Plos magnticos iguais se repelem

Plos magnticos diferentes se atraem

Campo magntico - Linhas de fora


Os efeitos de atrao ou repulso entre dois ms ou de atrao de um m sobre os
materiais ferrosos se devem a existncia de um campo magntico que provm do m.
O espao ao redor do m em que existe atuao das foras magnticas
denominado de campo magntico.
Como artifcio para estudar este campo magntico se admite a existncia de linhas de
fora magnticas ao redor do m.
As linhas de fora magnticas de um m so invisveis e somente podem ser
visualizadas com o auxlio de um recurso.
Colocando-se um m embaixo de uma lmina de vidro e espalhando (borrifando)
limalha de ferro sobre o vidro, as limalhas se orientam conforme as linhas de forma
magnticas.

O formato caracterstico das limalhas sobre o vidro, denominado de espectro


magntico, apresentado na figura abaixo.
91

Esta experincia mostra tambm uma maior concentrao de limalhas na regio dos
plos do m devido a maior intensidade de magnetismo nas regies polares.

Orientao das linhas de fora


Com o objetivo de padronizar os estudos relativos ao magnetismo e as linhas de fora
se estabeleceu, como conveno, que as linhas de fora de um campo magntico e
dirigem do plo norte em direo ao plo sul.

Eletromagnetismo
A denominao eletromagnetismo se aplica a todo o fenmeno magntico que
tenha origem em uma corrente eltrica.
Campo magntico em um condutor
Quando um condutor percorrido por uma corrente eltrica ocorre uma orientao no
movimento das partculas no seu interior.
92

Esta orientao do movimento das partculas tem efeito semelhante a orientao dos
ms moleculares.
Como conseqncia desta orientao se verifica o surgimento de um campo
magntico ao redor do condutor.

As linhas de fora deste campo magntico, criado pela corrente eltrica que passa por
um condutor, so circunferncias concntricas num plano perpendicular ao condutor.

O sentido de deslocamento das linhas de fora dado pela regra da mo direita, para
o sentido convencional da corrente eltrica.
Regra da mo direita
Envolvendo o condutor com os quatro dedos da mo direita de forma que o dedo
polegar indique o sentido da corrente (convencional).
O sentido das linhas de fora ser o mesmo dos dedos que envolvem o condutor.

93

A intensidade do campo magntico ao redor depende da intensidade da corrente que


flui no condutor.

Campo magntico em uma bobina


Para obter campos magnticos de maior intensidade a partir da corrente eltrica, usase enrolar o condutor em forma de espiras, constituindo uma bobina.

Bobina e seu respectivo smbolo


A figura abaixo mostra uma bobina constituda por vrias espiras, ilustrando o efeito
resultante da soma dos efeitos individuais. A segunda figura mostra o comportamento
do campo magntico em funo da corrente e nmero de espiras da bobina.

94

Bobinas com ncleo


O ncleo a parte central das bobinas. Quando nenhum material colocado no
interior da bobina, diz-se que o ncleo de ar.

Para obter uma maior intensidade de campo magntico a partir de uma mesma bobina
pode-se utilizar o recurso de colocar um material ferroso (ferro, ao, etc.) no interior da
bobina.
Neste caso o conjunto bobina-ncleo de ferro recebe a denominao de eletrom

A maior intensidade do campo magntico nos eletroms se deve ao fato de que os


materiais ferrosos provocam uma concentrao das linhas de fora.

Quando uma bobina tem um ncleo de material ferroso seu smbolo expressa esta
condio.

A capacidade de um material de concentrar as linhas de fora denominada de


permeabilidade magntica.
A permeabilidade magntica representada pela letra grega (mi).
De acordo com a permeabilidade magntica os materiais podem ser classificados
como:

Diamagnticos - permeabilidade pequena (menor que 1) e negativa.


Os materiais diamagnticos promovem uma disperso do campo magntico.

95

So exemplos de materiais diamagnticos:

Cobre

Ouro

Paramagnticos - Permeabilidade em torno da unidade.


So materiais que praticamente no alteram o campo magntico (no dispersam
nem concentram as linhas de fora).

So exemplos de materiais paramagnticos:

Ar

Alumnio

Ferromagnticos - so materiais com alta permeabilidade. Se caracterizam por


promover uma concentrao das linhas magnticas.

Os materiais ferromagnticos so atrados pelos campos magnticos.

96

Magnetismo remanente
Quando se coloca um ncleo de ferro em uma bobina, na qual circula uma corrente
eltrica, o ncleo se torna imantado, porque as suas molculas se orientam conforme
as linhas de fora criadas pela bobina.

Cessada a passagem da corrente, alguns ms moleculares permanecem na posio


de orientao anterior, fazendo com que o ncleo permanea igualmente imantado.

Esta pequena imantao denominada de magnetismo remanente ou residual. O


magnetismo residual importantssimo, principalmente para os geradores de energia
eltrica. Este tipo de m denominado de m temporrio.

97

Induo
Auto Induo

O princpio da gerao de energia eltrica baseia-se no fato de que toda a vez que um
condutor se movimenta no interior de um campo magntico aparece neste condutor
uma diferena de potencial.

Esta tenso gerada pelo movimento do condutor no interior de um campo magntico


denominada de tenso induzida.
Foi o cientista ingls Michael Faraday, ao realizar estudos com o eletromagnetismo,
que determinou as condies necessrias para que uma tenso seja induzida em um
condutor.
As observaes de Faraday podem ser resumidas em duas concluses:

Quando um condutor eltrico sujeito a um campo magntico varivel tem origem


neste condutor uma tenso induzida.

importante notar que para ter um campo magntico varivel no condutor pode-se:
1. Manter o campo magntico estacionrio e movimentar o condutor
perpendicularmente ao campo.

Movimento do condutor
98

2. Manter o condutor estacionrio e movimentar o campo magntico.

Movimento do campo magntico

A magnitude da tenso induzida diretamente proporcional a intensidade do fluxo


magntico e a razo de sua variao.

Isto significa:

Campo mais intenso

Maior tenso induzida;

Variao do campo mais rpida

Maior tenso induzida.

Os geradores eltricos de energia eltrica se baseiam nos princpios estabelecidos por


Faraday.
Auto-induo
O fenmeno de induo faz com que o comportamento das bobinas em um circuito de
CC seja diferente do comportamento dos resistores em um circuito de CA.
Em um circuito formado por uma fonte de CC, um resistor e uma chave a corrente
atinge o seu valor mximo instantaneamente, no momento em que o interruptor
ligado.

Se neste mesmo circuito o resistor for substitudo por uma bobina o comportamento
ser diferente.
A corrente atinge o valor mximo algum tempo aps a ligao do interruptor.

99

Este atraso para atingir a corrente mxima se deve a induo e pode ser melhor
compreendido imaginando o comportamento do circuito passo a passo.
Supondo-se o circuito composto por uma bobina, uma fonte de CC e uma chave.
Enquanto a chave est desligada no h campo magntico ao redor das espiras
porque no h corrente circulante.
A figura a seguir mostra apenas a bobina em destaque, com algumas espiras
representadas em corte.

No momento em que a chave fechada inicia-se a circulao de corrente na bobina.


Com a circulao da corrente surge o campo magntico ao redor de suas espiras.

Na medida em que a corrente cresce em direo ao valor mximo o campo magntico


nas espiras se expande.

Ao se expandir o campo magntico em movimento gerado em uma espira corta a


espira colocada ao lado.

Conforme Faraday enunciou induz-se nesta espira cortada pelo campo em movimento
uma determinada tenso.
100

Cada espira da bobina induz nas espiras vizinhas uma tenso eltrica.
O que significa que a aplicao de tenso em uma bobina provoca o aparecimento
de um campo magntico em expanso que gera na prpria bobina uma tenso
induzida. Este fenmeno que consiste em uma bobina induzir sobre si mesma uma
tenso denominado de auto-induo.
A tenso gerada na bobina por auto-induo tem uma caracterstica importante: tem
polaridade oposta a tenso que aplicada aos seus terminais, razo pela qual
denominada de fora contra eletro motriz (FCEM).
Voltando ao circuito:
Ao ligar a chave aplica-se tenso, com uma determinada polaridade bobina.

A auto-induo gera, na bobina uma tenso induzida (FCEM) de polaridade oposta a da


tenso aplicada.

Representando FCEM como uma bateria existente no interior da prpria bobina o


circuito se apresenta conforme mostrado na figura abaixo.

Como a FCEM atua contra a tenso da fonte, a tenso aplicada a bobina , na realidade:

Vresultante = Vfonte - FCEM

A corrente no circuito causada por esta tenso resultante:


101

I=

(V - FCEM )
R

tenso resultante

Como a FCEM existe apenas durante a variao do campo magntico gerado na bobina,
quando o campo magntico atinge o valor mximo a FCEM deixa de existir e a corrente
atinge o seu valor mximo.
O grfico abaixo mostra detalhadamente esta situao.

O mesmo fenmeno ocorre quando a chave desligada. A contrao do campo induz


uma FCEM na bobina retardando o decrscimo da corrente.

Em resumo, pode-se dizer que a auto-induo faz com que as bobinas tenham uma
caracterstica singular: uma bobina se ope a variaes bruscas de corrente.
Esta capacidade de se opor as variaes de corrente denominada de indutncia e
representada pela letra L.
A unidade de medida da indutncia o Henry, representado pela letra H.
Capacidade de se opor as
variaes de corrente

102

Indutncia
(L)

Medida em Henrys
(H)

A unidade de medida de indutncia Henry tem submltiplos muito utilizados em


eletrnica. A tabela abaixo mostra a relao entre os submltiplos e a unidade.
Sub Unidade
miliHenry
(mH)
microHenry
(mH)

Valor com relao ao Henry


10-3H ou 0,001H
10-6H ou 0,000001H

A indutncia de uma bobina depende de diversos fatores:

material

seo
formato

Do ncleo

Do nmero de espiras

Do espaamento entre as espiras

Do condutor

tipo
seo

Em funo de apresentar uma indutncia as bobinas so tambm denominadas de


indutores.
Os indutores podem ter as mais diversas formas, podendo inclusive serem parecidos
com um transformador.
A figura a seguir mostra alguns tipos caractersticos de indutores.

103

Indutores em CA
Quando se aplica um indutor em um circuito de CC a sua indutncia se manifesta
apenas nos momentos em que existe variao de corrente.
J em CA, como os valores de tenso e corrente esto em constante modificao o
efeito da indutncia se manifesta permanentemente.
Esta manifestao permanente da oposio a circulao de uma corrente varivel
denominada de reatncia indutiva, representada pela notao XL.
Em outras palavras, reatncia indutiva a resistncia de um indutor em corrente
alternada.
A reatncia indutiva expressa em ohms e pode ser determinada atravs da equao:
XL = 2 . . f . L
onde:
XL = reatncia indutiva em
2 = constante (6,28)
f = freqncia da corrente alternada
L = indutncia do indutor em Henrys
Por exemplo:
A reatncia de um indutor de 600mH aplicado a uma rede de CA de 60Hz :
XL = 2 . f . L
XL = 6,28 . 60 . 0,6
XL = 226,08
importante observar que a reatncia indutiva de um indutor no depende da tenso
aplicada aos seus terminais.
A corrente que circula em um indutor aplicado a CA (IL) pode ser calculada com base
na Lei de Ohm, substituindo-se R por XL.
IL =

104

V
XL

onde:
IL = corrente eficaz no indutor em A
V = tenso eficaz em V
XL = reatncia indutiva em
O indutor de 600mH aplicado a uma rede de CA 60Hz, 110V permitiria a circulao de
uma corrente de:
XL = 2 . f . L = 6,28 . 60 . 06 = 226,08
IL =

V
XL

I=

110V
= 0,486A
226,08

IL = 486mA
Determinao experimental da indutncia de um condutor
Quando se deseja utilizar um indutor e sua indutncia desconhecida, possvel
determin-la aproximadamente por processo experimental.
O valor encontrado no ser exato porque necessrio considerar que o indutor
puro (R = 0).
Aplica-se ao indutor uma corrente alternada com freqncia e tenso conhecidas.
Determina-se a corrente do circuito com um ampermetro de corrente alternada.
Conhecidos os valores de tenso e corrente do circuito, determina-se a reatncia
indutiva do indutor.
XL =

V
IL

onde:
V = tenso do indutor
IL = corrente do indutor
Aplica-se o valor encontrado na equao da reatncia indutiva e determina-se a
indutncia:
X L = 2fL

isolando L

L=

XL
2f

A impreciso do valor encontrado no significativa na prtica, porque os valores de


resistncia hmica da bobina so pequenos, comparados com a sua reatncia indutiva
(alto Q).

105

Circuitos resistivos reativos

Impedncia
Quando se aplica um circuito composto apenas por resistores a uma fonte de CC ou
CA a oposio total que este circuito apresenta passagem da corrente denominada
de resistncia total.
Entretanto, em circuitos de CA que apresentam resistncias e reatncias associadas, a
expresso resistncia total no aplicada.
A oposio total que os circuitos compostos por resistncias e reatncias apresentam
a passagem da corrente eltrica denominada de impedncia.
A impedncia representada pela letra Z e expressa em ohms.
A impedncia de um circuito no pode ser calculada da mesma forma que uma
resistncia total de um circuito composto apenas por resistores.
A existncia de componentes reativos, que defasam correntes ou tenses, torna
necessrio o uso de formas particulares para o clculo da impedncia de cada tipo de
circuito.
Circuito RC srie em CA
O circuito RC srie em CA muito aplicado em equipamentos industriais como forma
de obter tenses CA defasadas. Por esta razo este circuito tambm denominado de
rede de defasagem ou defasadores de tenso.
A figura abaixo mostra o grfico senoidal de um circuito RC srie.

106

Atravs do grfico anterior, podemos notar que as tenses sobre o resistor e sobre o
capacitor no esto em fase, ou seja, no surgem no mesmo espao de tempo. Isso
ocorre porque em um circuito srie a corrente a mesma em todos os componentes,
sendo que, no resistor a tenso e a corrente sempre esto em fase (quando existe
tenso, existe corrente) e no capacitor a corrente surge sempre 90 antes da tenso
(isso uma caracterstica do componente).
O ngulo de defasagem entre as tenses no circuito srie depende:

Da freqncia da CA;

Da resistncia do resistor;

Da capacitncia do capacitor.

Esta defasagem no depende da tenso aplicada ao circuito RC srie.


Circuito RC paralelo em CA
Os circuitos RC paralelos se caracterizam por serem defasadores de corrente.
A figura a seguir mostra o grfico senoidal de um circuito RC paralelo.

O ngulo de defasagem entre as correntes depende da freqncia da CA e dos valores


de resistncia e capacitncia do circuito e independente da tenso aplicada.
Circuito RL srie em CA
O circuito RL srie em CA constitui uma rede de defasagem de tenses.
A figura abaixo mostra o grfico senoidal do circuito RL srie.

107

Atravs do grfico anterior, podemos notar que as tenses sobre o resistor e sobre o
indutor no esto em fase, ou seja, no surgem no mesmo espao de tempo. Isso
ocorre porque em um circuito srie a corrente a mesma em todos os componentes,
sendo que, no resistor a tenso e a corrente sempre esto em fase (quando existe
tenso, existe corrente) e no indutor a tenso surge sempre 90 antes da corrente (isso
uma caracterstica do componente).
A defasagem entre as tenses depende:

Da resistncia do resistor.

Da capacitncia do capacitor.

Da freqncia da CA aplicada.

A defasagem no depende da tenso aplicada rede de CA.


Circuito RL paralelo em CA
O circuito RL paralelo se caracteriza por ser defasador de correntes. A defasagem
entre as correntes depende dos valores de resistncia, indutncia e freqncia e
independente da tenso CA aplicada.
As figura abaixo mostra o grfico senoidal do circuito RL paralelo em CA.

Freqncia de ressonncia
Analisando os grficos abaixo, observa-se que a reatncia de um indutor cresce
linearmente com o aumento da freqncia enquanto a reatncia do capacitor decresce.

108

Sobrepondo os grficos de reatncia capacitiva e reatncia indutiva, se verifica que


existe uma determinada freqncia na qual XL e XC so iguais.

Esta freqncia onde XL = XC, denominada de freqncia de ressonncia,


representada pela notao Fr.
Qualquer circuito que contenha um capacitor e um indutor (em srie ou em paralelo)
tem uma freqncia de ressonncia.
A equao para determinar a freqncia de ressonncia de um circuito LC pode ser
deduzida a partir do fato de que XL = XC.
XL = XC
2.fR.L =

1
2.fR.C

Desenvolvendo-se a proporo tm-se


2 . fR . L
1
Isolando fr
=
1
2 . fR . C
fr2 =

1
2

4 . L . C

Fr =

Freqncia de ressonncia

1
2

4 . L . C
Fr =

1
2 L . C

Onde:
fr = freqncia de ressonncia em Hertz
L = indutncia em Henry
C = capacitncia em Farad
O circuito RLC srie em CA
O circuito RLC utilizado principalmente para a seleo de freqncias.
A seleo de freqncias baseia-se fundamentalmente na ressonncia e na faixa de
passagem do circuito RLC.
109

Para freqncias dentro da faixa de passagem o circuito apresenta as menores


impedncias. A medida em que a freqncia se afasta da faixa de passagem a
impedncia do circuito aumenta.
A figura abaixo mostra o grfico senoidal do circuito RLC srie em CA.

O circuito RLC paralelo em CA


O circuito RLC paralelo um defasador de correntes, adiantando IC e atrasando IL em
relao a IR.

As caractersticas mais importantes do circuito RLC paralelo ocorrem na ressonncia.


Na ressonncia, devido ao jogo de energia entre capacitor e indutor, o circuito RLC
paralelo absorve a corrente mnima da fonte de CA (IT mnima) apresentando
impedncia mxima.
Esta caracterstica utilizada como forma de selecionar freqncias em aparelhos de
rdio e televiso.

110

Impedncia dos circuitos RLC srie e paralelo


Os circuitos LC e RLC srie e paralelo se distinguem fundamentalmente no que diz
respeito a impedncia na freqncia de ressonncia:

RLC ou LC srie: impedncia mnima na freqncia de ressonncia.

RLC ou LC paralelo: impedncia mxima na freqncia de ressonncia.

Esta caracterstica permite que este tipo de circuito seja utilizado para a eliminao ou
separao de freqncias.
A configurao paralela utilizada para separar uma freqncia porque a tenso sobre
o conjunto LC paralelo mxima na ressonncia.

A configurao srie utilizada para eliminar uma freqncia de um conjunto


(armadilha), devido ao fato de que na freqncia de ressonncia a impedncia do
conjunto LC nula.

111

Transformadores

O transformador um dispositivo que permite elevar ou rebaixar os valores da tenso


ou corrente em um circuito de CA.

A grande maioria dos equipamentos eletrnicos empregam transformadores, seja


como elevador ou rebaixador de tenses.
Veja alguns transformadores na figura abaixo.

Princpio de funcionamento
Quando uma bobina conectada a uma fonte de CA surge um campo magntico
varivel ao seu redor.

112

Aproximando-se outra bobina primeira o campo magntico varivel gerado na


primeira bobina corta as espiras da segunda bobina.

Como conseqncia da variao de campo magntico sobre suas espiras surge na


segunda bobina uma tenso induzida.

A bobina na qual se aplica a tenso CA denominada de primrio do transformador e


a bobina onde surge a tenso induzida denominada de secundrio do transformador.

importante observar que as bobinas primria e secundria so eletricamente


isoladas entre si. A transferncia de energia de uma para a outra se d exclusivamente
atravs das linhas de fora magnticas.
A tenso induzida no secundrio de um transformador proporcional ao nmero de
linhas magnticas que corta a bobina secundria.
Por esta razo, o primrio e o secundrio de um transformador so montados sobre
um ncleo de material ferromagntico.

113

O ncleo diminui a disperso do campo magntico, fazendo com que o secundrio seja
cortado pelo maior nmero de linhas magnticas possvel, obtendo uma melhor
transferncia de energia entre o primrio e o secundrio.
A figura a seguir ilustra o efeito provocado pela colocao do ncleo no transformador.

Com a incluso do ncleo o aproveitamento do fluxo magntico gerado no primrio


maior. Entretanto, surge um inconveniente: o ferro macio sofre grande aquecimento
com a passagem do fluxo magntico.
Para diminuir este aquecimento utiliza-se ferro silicoso laminado para a construo do
ncleo.

Com a laminao do ferro se reduzem as correntes parasitas responsveis pelo


aquecimento o ncleo.
A laminao no elimina o aquecimento, mas reduz sensivelmente em relao ao ferro
macio.
A figura a seguir mostra os smbolos empregado para representar o transformador,
segundo a norma ABNT.

114

Os traos colocados no smbolo entre as bobinas do primrio e secundrio indicam o


ncleo de ferro laminado.
O ncleo de ferro empregado em transformadores que funcionam em baixas
freqncias (50Hz, 60Hz, 120Hz).
Transformadores que funcionam em freqncias mais altas (kHz) geralmente so
montados em ncleo de ferrite. A figura abaixo mostra o smbolo de um transformador
com ncleo de ferrite.

Transformadores com mais de um secundrio


possvel construir transformadores com mais de um secundrio, de forma a obter
diversas tenses diferentes.

Este tipo de equipamento muito utilizado em equipamentos eletrnicos.


Relao de fase entre as tenses de primrio e secundrio
A tenso no secundrio de um transformador gerada quando o fluxo magntico
varivel do primrio corta as espiras do secundrio.
Como a tenso induzida sempre oposta a tenso indutora, se conclui que a tenso
no secundrio tem sentido contrrio a do primrio.

115

Isto significa que a tenso no secundrio est defasada 180 da tenso no primrio, ou
seja, quando a tenso no primrio aumenta num sentido a tenso do secundrio
aumenta no sentido oposto.

Ponto de referncia
Considerando-se a bobina do secundrio de um transformador ligado a CA observa-se
que a cada momento um terminal positivo e o outro negativo. Aps algum tempo,
existe uma troca de polaridade. O terminal que era positivo torna-se negativo e viceversa.

Nos equipamentos eletrnicos comum um dos terminais dos transformadores ser


utilizado como referncia, sendo ligado ao terra do circuito.
Neste caso, o potencial do terminal alterado considerado como sendo 0, no
apresentando polaridade.

Isto no significa que no ocorra a troca de polaridade no secundrio no transformador.


Em um semiciclo da rede o terminal livre positivo com relao ao terminal de
referncia que est aterrado.

116

No outro semiciclo da rede o terminal livre negativo em relao ao potencial de


referncia.

Transformador com derivao central no secundrio


Os transformadores com derivao central no secundrio (Center Tape) encontram
ampla utilizao em eletrnica.

Na maioria das utilizaes o terminal central utilizado como referncia, sendo ligado
ao terra do circuito eletrnico.

Durante o funcionamento deste tipo de transformadores ocorre uma formao de


polaridades bastante singular.
Em um dos semiciclos da rede um dos terminais livres do secundrio tem potencial
positivo com relao a referncia e o outro terminal tem potencial negativo.

117

Observa-se que a inverso de fase (180) entre o primrio e o secundrio cumpre-se


perfeitamente.
No outro semiciclo h uma troca entre as polaridades dos extremos livres do
transformador, enquanto o terminal central permanece a 0V.

Verifica-se novamente a existncia da defasagem de 180 entre o primrio e o


secundrio.
Em um transformador em que o secundrio disponha de uma derivao central, podese conseguir instantaneamente tenses negativas e positivas. Para isto, utiliza-se o
terminal central como referncia.
Isto pode ser observado com um osciloscpio.

A especificao tcnica de um transformador em que o secundrio tenha derivao


central deve ser feita da seguinte forma:

118

Relao de Potncia nos transformadores


O transformador um dispositivo que permite modificar os valores de tenso e
corrente em um circuito de CA.
Em realidade, o transformador recebe uma quantidade de energia eltrica no primrio,
transforma em campo magntico e converte novamente em energia eltrica disponvel
no secundrio.

A quantidade de energia absorvida da rede eltrica pelo primrio do transformador


denominada de potncia do primrio, representada pela notao PP.
Admitindo-se que no existam perdas por aquecimento do ncleo, pode-se concluir
que toda a energia absorvida no primrio est disponvel no secundrio.
A energia disponvel no secundrio denominada de potncia do secundrio PS. Se
no existem perdas pode-se afirmar:
PS = PP
A potncia do primrio depende da tenso aplicada e da corrente absorvida da rede:
Potncia do primrio: PP = VP . IP
A potncia do secundrio produto da tenso e corrente no secundrio:
Potncia do secundrio: PS = VS . IS
119

Considerando o transformador como ideal pode-se, ento escrever:


PS = PP
Relao de potncias no transformador: VS . IS = VP . IP
Esta equao permite que se determine um valor do transformador se os outros trs
forem conhecidos.
Potncia em transformadores com mais de um secundrio
Quando um transformador tem apenas um secundrio a potncia absorvida pelo
primrio mesma fornecida no secundrio (considerando que no existe perda de
aquecimento).

Quando existe mais de um secundrio, a potncia absorvida da rede pelo primrio a


soma das potncias fornecida em todos os secundrios.

A potncia absorvida da rede pelo primrio a soma das potncias de todos os


secundrios.
Matematicamente pode-se escrever:
PP = PS1 + PS2 + + PSn

120

Onde
PP = potncia absorvida pelo primrio
PS1 = potncia fornecida pelo secundrio 1
PS2 = potncia fornecida pelo secundrio 2
PSn = potncia fornecida pelo secundrio n
Esta equao pode ser reescrita usando os valores de tenso e corrente no
transformador.
VP = IP = ( VS1 . IS1 ) + ( VS2 . I S2 ) + + ( VSn . I Sn )
Onde:
VP e IP = tenso e corrente no primrio
VS1 e IS1 = tenso e corrente no secundrio 1
VS2 e IS2 = tenso e corrente no secundrio 2
VSn e ISn = tenso e corrente no secundrio n

121

Materiais semi condutores


So materiais que podem apresentar caractersticas de isolante ou de condutor,
dependendo da forma como se apresenta a sua estrutura qumica.
Um exemplo tpico de material semi condutor o carbono. Dependendo da forma
como os tomos do carbono se interligam, o material formado pode se tornar condutor
ou isolante.
Duas formas bastante conhecidas de matria formada por tomos de carbono so:

O diamante;

O grafite.

Diamante
Material de grande dureza que se forma pelo arranjo de tomos de carbono em forma
de estrutura cristalina. eletricamente isolante.
Grafite
Material que se forma pelo arranjo de tomos de carbono em forma triangular.
condutor de eletricidade.
Estrutura qumica dos materiais semicondutores
Os materiais semicondutores se caracterizam por serem constitudos de tomos que
tem 4 eltrons na camada de valncia (Tetravalentes).
A figura a seguir apresenta a configurao de dois tomos que do origem a materiais
semi condutores.

122

Os tomos que tem quatro eltrons na ltima camada tem tendncia a se agruparem
segundo uma formao cristalina.
Neste tipo de ligao cada tomo se combina com quatro outros, fazendo com que
cada eltron pertena simultaneamente a dois tomos.

Este tipo de ligao qumica denominado de ligao covalente, e representada


simbolicamente por dois traos que interligam os dois ncleos.

Quando um tomo tetravalente se associa por ligaes covalentes a quatro outros, a


ligao representada conforme figura abaixo.

As ligaes covalentes se caracterizam por manter os eltrons fortemente ligados aos


dois ncleos associados.
Por esta razo as estruturas cristalinas puras, compostas unicamente por ligaes
covalentes, adquirem caractersticas de isolao eltrica.
O silcio e o germnio puros so materiais semicondutores com caracterstica isolante
quando agrupados em forma de cristal.
A figura a seguir mostra a configurao cristalina do silcio de forma planificada.

123

Observa-se que cada tomo realiza quatro ligaes covalentes com os tomos
vizinhos.
O aspecto real de ligao dos tomos de uma estrutura cristalina de germnio ou
silcio est apresentado na figura abaixo.

Dopagem
A dopagem um processo qumico que tem por finalidade introduzir tomos estranhos
a uma substncia na sua estrutura cristalina.
A prpria natureza executa um processo de dopagem propiciando a existncia de
impurezas na estrutura qumica dos cristais que se instalam durante a sua formao.
A dopagem pode tambm ser realizada em laboratrios, com um objetivo mais
especfico:

Colocar no interior da estrutura de um cristal uma quantidade correta de uma


determinada impureza, para que o cristal se comporte conforme as condies
necessrias em termos eltricos.

Nos cristais semicondutores (germnio e silcio, principalmente) a dopagem realizada


para atribuir ao material certa condutibilidade eltrica.
A forma como o cristal ir conduzir a corrente eltrica e a sua condutibilidade
dependem do tipo de impureza utilizado e da quantidade de impureza aplicada.
Cristal N
Quando o processo de dopagem introduz na estrutura cristalina uma quantidade de
tomos com mais de quatro eltrons na ltima camada, forma-se uma nova estrutura
cristalina denominada de cristal N.

124

Tomando-se como exemplo a introduo de tomos de fsforo que possuem cinco


eltrons na ltima camada no cristal.

Dos cinco eltrons externos do fsforo apenas quatro encontram um par no cristal que
possibilite a formao covalente.

O quinto eltron do fsforo no forma ligao covalente porque no encontra um


eltron na estrutura que possibilite esta formao.
Este eltron isolado tem a caracterstica de se libertar facilmente do tomo, passando
a vagar livremente dentro da estrutura do cristal, constituindo-se um portador livre de
carga eltrica.
Cada tomo de impureza fornece um eltron livre dentro da estrutura do cristal
semicondutor.

Com a adio de uma determinada quantidade de impurezas o cristal que era puro e
isolante passa a ser condutor de corrente eltrica, atravs dos portadores livres
(eltrons), que podem circular na banda de conduo.
importante observar que embora o material tenha sido dopado, seu nmero total de
eltrons e prtons igual, de forma que o material continua eletricamente neutro.
O cristal semicondutor dopado com impurezas de maior nmero de eltrons (como o
fsforo) denominado de cristal N porque a corrente eltrica conduzida no seu
interior por cargas negativas.

125

Observa-se que o cristal N conduz a corrente eltrica, independentemente da


polaridade da bateria.
Cristal P
A utilizao de tomos com menos de quatro eltrons na ltima camada para o
processo de dopagem d origem a um tipo de estrutura chamada de cristal P.
O tomo de ndio, por exemplo, que tem trs eltrons na ltima camada, d origem a
um cristal P quando utilizado na dopagem.

Quando os tomos de ndios so colocados na estrutura do cristal puro verifica-se a


falta de um eltron para que os elementos tetravalentes se combinem de forma
covalente.

Esta ausncia no interior do cristal denominada de lacuna, sendo representada por


uma carga eltrica positiva na estrutura qumica.

126

A lacuna no propriamente uma carga positiva, mas sim, a ausncia de uma carga
negativa.
Os cristais dopados com tomos de menos de quatro eltrons na camada externa so
denominados de cristais P porque a conduo de corrente eltrica no seu interior se d
pela movimentao das lacunas.
O movimento de lacunas no cristal P pode ser facilmente observado, quando se
analisa a conduo de corrente passo a passo.
Quando se aplica uma diferena de potencial aos extremos de um cristal P uma lacuna
ocupada por um eltron que se movimenta deixando uma lacuna em seu lugar.

Esta lacuna preenchida pelo eltron seguinte, que torna a criar outra lacuna atrs de
si.

Assim, a lacuna ser preenchida por outro eltron gerando nova lacuna, at que esta
lacuna seja preenchida por um eltron proveniente da fonte.

As lacunas se movimentam na banda de valncia dos tomos e os eltrons que as


preenchem, na banda de conduo.
A conduo de corrente por lacunas no cristal P independe da polaridade da fonte de
tenso.

127

Conclui-se que os cristais P e N, isoladamente conduzem a corrente eltrica qualquer


que seja a polaridade de tenso aplicada aos seus extremos.
Os cristais P e N so a matria prima para fabricao dos componentes eletrnicos
modernos tais como: diodos, transistores, circuitos integrados.
Influncia da intensidade de dopagem no comportamento dos materiais semi
condutores
A conduo de corrente eltrica nos materiais semi condutores depende dos
portadores livres de carga na estrutura qumica.
Os cristais dopados mais intensamente se caracterizam por apresentar maior
condutibilidade, porque sua estrutura apresenta um maior nmero de portadores livres.

Influncia da temperatura na condutibilidade dos materiais semicondutores


A temperatura exerce influncia direta sobre o comportamento dos materiais
semicondutores no que diz respeito a condutibilidade eltrica.
Quando a temperatura de um material semi condutor aumenta, a energia trmica
adicional faz com que algumas ligaes covalentes da estrutura se desfaam.
Cada ligao covalente que se desfaz pelo acrscimo de temperatura propicia a
existncia de dois portadores livres de energia a mais na estrutura do cristal.

A existncia de um maior nmero de portadores aumenta a condutibilidade do material,


permitindo a circulao de correntes maiores no cristal.
128

Diodo semi condutor


O diodo semi condutor um componente que apresenta a caracterstica de se
comportar como condutor ou isolante eltrico dependendo da forma como a tenso
aplicada aos seus terminais.
Uma das aplicaes do diodo na de transformao de corrente alternada em corrente
contnua utilizada, por exemplo, nos eliminadores de pilhas.
Simbologia e aspecto real
O diodo semi condutor representado nos esquemas pelo smbolo apresentado na
figura abaixo.

O terminal da seta representa o material P, denominado de Anodo do diodo, enquanto


o terminal da barra representa o material N, denominado de Catodo do diodo.

A identificao dos terminais (anodo e catodo) no componente real pode aparecer de


duas formas:

Smbolo impresso sobre o corpo do componente;

129

Uma barra impressa sobre o corpo do componente, que indica o catodo.

Observa-se que o comportamento de qualquer componente eletrnico fabricado com


materiais semi condutores depende diretamente da sua temperatura de trabalho.
Esta dependncia denominada de Dependncia trmica, constituindo-se em fator
importante que deve ser considerado quando se projeta ou monta circuitos com estes
componentes.
A figura abaixo apresenta alguns tipos construtivos de diodos, utilizados em circuitos
eletrnicos.

Formao do diodo - juno PN


O diodo se constitui na juno de duas pastilhas de material semicondutor: uma de
material N e uma de material P.

Comportamento dos cristais aps a juno


Aps a juno das pastilhas que formam o diodo ocorre um processo de
acomodamento qumicos entre os cristais.
Na regio da juno alguns eltrons livres saem do material N e passam para o
material P, recombinando-se com as lacunas das proximidades.

130

O mesmo ocorre com algumas lacunas que passam do material P para o material N e
se recombinam com os eltrons livres.

Forma-se na juno uma regio onde no existem portadores de carga, porque esto
todos recombinados, neutralizando-se. Esta regio denominada de regio de
Deplexo.

Como conseqncia da passagem de cargas de um cristal para outro cria-se um


desequilbrio eltrico na regio da juno.
Os eltrons que se movimentaram do material N para o P geram um pequeno potencial
eltrico negativo.

As lacunas que se movimentaram para o material N geram um pequeno potencial


eltrico positivo.

131

Verifica-se que na regio da juno existe uma diferena de potencial, proporcionada


pelo movimento dos portadores de um cristal para o outro.
Este desequilbrio eltrico denominado de barreira de potencial.
No funcionamento do diodo esta barreira de potencial se comporta como uma pequena
bateria dentro do componente.

importante observar que a barreira de potencial negativa no cristal P e positiva


no cristal N.
A tenso proporcionada pela barreira de potencial no interior do diodo depende do
material utilizado na sua fabricao.
Nos diodos de germnio a barreira de potencial tem aproximadamente 0,2V e nos
diodos de silcio aproximadamente 0,7V.
No possvel medir a tenso da barreira de potencial, aplicando um voltmetro aos
terminais de um diodo, porque esta tenso existe apenas internamente no
componente.
No todo, o componente continua neutro, uma vez que no foram acrescentadas nem
retirados portadores dos cristais.
Aplicao de tenso sobre o diodo
A aplicao de tenso sobre o diodo estabelece a forma como o componente se
comporta eletricamente.
A tenso pode ser aplicada ao diodo de duas formas diferentes, denominadas
tecnicamente de:

Polarizao direta

Polarizao inversa

Polarizao direta
A polarizao do diodo denominada de polarizao direta quando a tenso positiva
aplicada ao material P e a tenso negativa ao material N.

132

O plo positivo da fonte repele as lacunas do material P em direo ao plo negativo,


enquanto os eltrons livres so repelidos pelo plo negativo em direo ao plo
positivo.

Se a tenso da bateria externa maior que a tenso da barreira de potencial as foras


de atrao e repulso provocadas pela bateria externa permitem aos portadores
adquirir velocidade suficiente para atravessar a regio onde h ausncia de
portadores.

Observa-se que nesta condio existe um fluxo de portadores livres dentro do diodo,
atravs da juno.

A polarizao direta faz com que o diodo permita a circulao de corrente eltrica no
circuito, atravs do movimento dos portadores livres.

133

Quando o diodo est polarizado diretamente, conduzindo corrente eltrica diz-se que:
o diodo est em conduo.
importante observar que a seta do smbolo do diodo indica o sentido de circulao
convencional da corrente.

Polarizao inversa:
A polarizao inversa de um diodo consiste na aplicao de tenso positiva no material
N e negativa no material P.

Nesta situao os portadores livres de cada cristal so atrados pelos potenciais da


bateria para os extremos do diodo.

Observa-se que a polarizao inversa provoca um alargamento da regio de deplexo,


porque os portadores so afastados da juno.

No existe fluxo de portadores atravs da juno, quando o diodo polarizado


inversamente.
134

Portanto, conclui-se que:


A polarizao inversa se faz com que o diodo impea a circulao de corrente no
circuito eltrico.
Quando o diodo est polarizado inversamente, impedindo a circulao de corrente dizse que: O diodo est em bloqueio.

Caractersticas de bloqueio e conduo


As caractersticas do diodo fornecem informaes sobre o seu comportamento nos
circuitos eletrnicos durante os estados de conduo ou bloqueio.

O diodo semicondutor ideal


Como diodo ideal se compreende um diodo que apresente caractersticas especiais,
conduzindo ou bloqueando completamente.
Conduo no diodo ideal e circuito equivalente
Um diodo ideal, polarizado diretamente, deve conduzir a corrente eltrica sem
apresentar resistncia, comportando-se como um interruptor fechado.

135

O interruptor fechado denominado de circuito equivalente do diodo ideal em


conduo.
Os circuitos equivalentes so circuitos com componentes simples (interruptores,
resistores, capacitores) que atravs dos quais se obtm o mesmo efeito que com um
nico componente mais complexo.
So usados como ferramenta para auxiliar na compreenso do comportamento de
componentes mais complexos nos circuitos.
Bloqueio do diodo ideal
Polarizado inversamente um diodo semicondutor ideal deve se comportar como um
isolante perfeito, impedindo completamente a circulao de corrente. A condio de
bloqueio de um diodo tambm pode ser denominada de corte do diodo, porque o
diodo corta a circulao de corrente.
Em circuito equivalente o diodo ideal em bloqueio pode ser representado como um
interruptor aberto.

O diodo semicondutor real


O diodo real apresenta algumas diferenas em relao ao diodo ideal.
Estas diferenas existem porque o processo de purificao dos cristais semi
condutores para fabricao de componentes eletrnicos no perfeito.
Aps a purificao ainda existe nos cristais uma pequena quantidade de impurezas
originrias da formao do material na natureza.
Estas impurezas, chamadas de portadores minoritrios, resultantes da deficincia na
purificao fazem com que as caractersticas de conduo e bloqueio dos diodos reais
se distanciem dos ideais.
Conduo no diodo real
Dois fatores diferenciam o diodo real do ideal no sentido de conduo:

A barreira de potencial;

136

A resistncia interna.

A barreira de potencial, existente na juno dos cristais, faz com que o diodo entre em
conduo efetiva apenas a partir do momento em que a tenso da bateria externa
atinge um valor maior que a tenso interna.

A resistncia interna devida ao fato de que o cristal dopado no um condutor


perfeito. O valor da resistncia interna dos diodos na conduo normalmente menor
que 1.
Assim, um circuito equivalente do diodo real em conduo apresenta os elementos
representativos da barreira de potencial e da resistncia interna.

Na maioria dos casos em que o diodo utilizado, as tenses e resistncias externas


do circuito so muito maiores que os valores internos do diodo (0,7V; 1).
Assim, se pode normalmente considerar o diodo real igual ao ideal no sentido de
conduo, sem provocar um erro significativo.
No circuito da figura abaixo, por exemplo, a tenso e resistncia externa ao diodo so
to grandes, comparadas com os valores do diodo, que se pode considerar o modelo
ideal sem qualquer prejuzo.

137

I=

49,3V
= 0,0328
1501

I=

50
= 0,0333
1500

Erro = 0,0333 - 0,0328 = 0,0005A


Erro desprezvel face a tolerncia do resistor.
Bloqueio no diodo real
Devido a presena dos portadores minoritrios resultantes da purificao imperfeita, o
diodo real em bloqueio no capaz de impedir completamente a existncia de corrente
no sentido inverso.
Esta corrente inversa que circula no diodo, denominada de corrente de fuga, da
ordem de alguns microampres.
Isto significa que no sentido inverso o diodo apresenta uma resistncia elevadssima
(vrios Megaohms).
O circuito equivalente do diodo real em bloqueio apresenta esta caracterstica
configurada.

Como a corrente de fuga muito pequena comparada com a corrente de conduo a


resistncia inversa do diodo pode ser desprezada na anlise da grande maioria dos
circuitos, considerando-se o diodo como ideal.
A curva caracterstica do diodo real
O comportamento dos componentes eletrnicos pode ser expresso atravs de uma
curva caracterstica que permite determinar a condio de funcionamento do
dispositivo em um grande nmero de situaes.
A curva caracterstica do diodo mostra o seu comportamento na conduo e no
bloqueio.
Regio de conduo
Durante a conduo do diodo a corrente do circuito circula no cristal. Devido a
existncia da barreira de potencial e da resistncia interna no diodo verifica-se a
presena de um pequeno valor de tenso sobre o diodo.

138

A curva caracterstica do diodo em conduo mostra o comportamento da queda de


tenso em funo da corrente que flui no circuito.

Analisando a curva caracterstica de conduo verifica-se que a tenso no diodo sofre


um pequeno aumento quando a corrente aumenta.

Atravs da curva verifica-se tambm que enquanto a tenso sobre o diodo est abaixo
de 0,7V (no caso do silcio) a corrente circulante muito pequena (regio c da curva).
Isto se deve ao fato de que a barreira de potencial se ope ao fluxo de cargas no
diodo.
Devido a existncia desta barreira de potencial a regio tpica de funcionamento dos
diodos fica acima da tenso de conduo caracterstica.
Regio de bloqueio
No bloqueio o diodo semicondutor no atua como isolante perfeito, permitindo a
circulao de uma corrente de fuga, de valor muito pequeno (da ordem de
microampres).
139

Esta corrente de fuga aumenta, a medida que a tenso inversa sobre o diodo aumenta.

A figura abaixo apresenta a curva do diodo com os dois quandrantes: de conduo e


de bloqueio.

Regimes mximos do diodo em CC


Os regimes mximos do diodo em CC estabelecem os limites da tenso e corrente que
podem ser aplicados ao componente em circuitos de corrente contnua, sem provocar
danos a sua estrutura.
Analisando o comportamento do diodo em conduo e bloqueio verifica-se que os
fatores que dependem diretamente do circuito ao qual o diodo est conectado so:

Corrente de conduo (IF);

Tenso reversa (VR).

A tenso de conduo VD no depende do circuito (0,7 para silcio e 0,2 para


germnio) e a corrente de fuga tambm depende apenas do material do diodo (alguns
microampres).
140

Corrente mxima de conduo


A corrente de conduo mxima de cada tipo de diodo dada pelo fabricante em
folhetos tcnicos. Nestes folhetos, a corrente mxima de conduo aparece designada
pela sigla IF proveniente do idioma ingls:

Abaixo esto colocados dois diodos comerciais e suas caractersticas de corrente


mxima (IF).
Tipo

IF

SKE 1/12

1,0A

1N4004

1,0A

Tenso reversa mxima


As tenses reversas colocam o diodo em bloqueio. Nesta condio toda a tenso
aplicada ao circuito fica aplicada sobre o diodo.

Cada diodo tem a estrutura preparada para suportar um determinado valor de tenso
reversa. Aplicando um valor de tenso reversa superior ao especificado para cada
diodo a corrente de fuga aumenta excessivamente e o diodo danificado.
Os fabricantes de diodos fornecem em folhetos tcnicos o valor caracterstico de
tenso mxima que o diodo suporta sem sofrer a ruptura.
Este valor aparece designado pela sigla VR.
Abaixo esto colocados alguns diodos comerciais e seus valores caractersticos de
tenso reversa mxima.
Tipo

VR

1N4001

50V

BY127

800V

BYX13

50V

SKE1/12

1200V

141

Retificao de meia onda


Retificao o nome dado ao processo de transformao de corrente alternada em
corrente contnua.
A retificao utilizada nos equipamentos eletrnicos com a finalidade de permitir que
equipamentos de corrente contnua sejam alimentados a partir da rede eltrica CA.
A retificao de meia onda um processo de transformao de CA em CC, que
permite o aproveitamento de apenas um semiciclo da tenso de entrada na carga.

O circuito retificador de meia onda com diodo empregado em equipamentos que no


exigem uma tenso contnua pura, como por exemplo, os carregadores de bateria.
Retificao de meia onda com diodo semi condutor
As caractersticas de conduo e bloqueio do diodo semi condutor podem ser
utilizadas para obter uma retificao de meia onda a partir da corrente alternada da
rede eltrica domiciliar.
Funcionamento
Tomando-se como referncia o circuito retificador de meia onda com diodo da figura
abaixo.

Primeiro semi ciclo


142

Durante o primeiro semi ciclo a tenso positiva no ponto A, com relao ao ponto B.
Esta polaridade de tenso de entrada coloca o diodo em conduo, permitindo a
circulao de corrente.
A tenso sobre a carga assume a mesma forma da tenso de entrada.

O valor do pico de tenso sobre a carga menor que o valor do pico de tenso da
entrada por que o diodo, durante conduo, apresenta uma pequena queda de tenso
VD (0,7 para silcio e 0,2 para germnio).

Entretanto, na maioria dos casos, a queda de tenso do diodo pode ser desprezada
por que o seu valor muito pequeno em relao ao valor total do pico de tenso sobre
a carga.
A queda de tenso sobre o diodo deve ser considerada apenas quando o circuito
retificador for aplicado a tenses pequenas (menores que 10V).
Segundo semi ciclo
Durante o segundo semi ciclo a tenso de entreda negativa no ponto A, com relao
ao ponto B.
Esta polaridade de tenso de entrada coloca o diodo em bloqueio, impedindo a
circulao de corrente.
143

Nesta condio toda a tenso de entrada aplicada sobre o diodo que atua como
interruptor aberto, e a tenso na carga nula porque no h circulao de corrente.

Observa-se que para cada ciclo completo da tenso de entrada apenas um semi ciclo
passa para a carga, enquanto o outro semi ciclo fica sobre o diodo.
Os grficos da figura abaixo ilustram o que foi descrito.

144

A forma de tenso encontrada na carga denominada de tenso contnua pulsante.


Retificao de meia onda com tenso de sada negativa
Dependendo da fora com que o diodo est colocado no circito retificador, pode-se
obter uma tenso CC positiva ou negativa em relao ao terra.

Tenso e corrente CC de sada


A tenso de sada de uma retificao contnua, embora seja pulsante. Para medir
esta tenso de sada utiliza-se um voltmetro de CC ou multmetro.
Os multmetros (em escala de VDC) e os voltmetros de CC indicam sempre um valor de
Tenso contnua mdia.
Na retificao de meia onda se alteram os perodos de existncia e inexistncia de
tenso sobre a carga.
Conseqntemente, o valor de tenso CC mdia sobre a carga (medido com voltmetro
CC na sada da retificao) est muito abaixo do valor efetivo CA aplicado entrada
do circuito.

A tenso mdia na sada dada pela equao:


VCC =
145

(E M - VD )

Onde:
VCC = Tenso contnua mdia sobre a carga;
EM = Tenso de pico da CA aplicado ao circuito (EM = VCA .

2 );

VD = Queda de tenso tpica do diodo (0,3V ou 0,7V).


Observao
Os livros e publicaes de eletrnica costumam denominar o valor tenso de pico
(Vp) de tenso mxima (EM). Por esta razo nas apresentadas ser utilizada a
notao EM para a tenso de pico.
Quando as tenses de entrada (VCAef) forem superiores a 10V pode-se eliminar a
queda de tenso do diodo se torna desprezvel, reescrevendo a equao conforme
apresentado abaixo:

VCC =

EM

VCA . 2

Simplificando os termos

2
obtm-se 0,45; logo:

VCC = VCA . 0,45


Corrente de sada
Na retificao de meia onda a corrente de sada tambm pulsante, uma vez que a
tenso sobre a carga pulsante.
Isto significa que a corrente mdia na sada (sobre a carga) uma mdia ente os
perodos de existncia e inexistncia de corrente.

O valor da corrente mdia de sada pode ser determinado a partir da tenso mdia a
da resistncia de carga:
Corrente mdia de sada ICC =

VCC
RL

O clculo da corrente mdia de sada muito importante porque serve como ponto de
partida para a escolha do diodo que ser utilizado no circuito.

146

Inconvenientes da retificao de meia onda


A retificao de meia onda apresenta alguns inconvenientes, decorrentes de sua
condio de funcionamento.
1. A tenso de sada pulsante, diferindo sensivelmente de uma tenso contnua
pura.

2. O rendimento baixo (45%) em relao a tenso eficaz de entrada.

100VCA

45VCcmed(100 x 0,45)

3. Nas retificaes com transformador existe um mau aproveitamento da capacidade


de transformao porque a corrente circula em apenas um semiciclo.

147

Retificao de onda completa


um processo de converso de corrente alternada em corrente contnua que faz um
aproveitamento dos dois semiciclos da tenso de entrada.

O circuito retificador de onda completa o mais empregado nos equipamentos


eletrnicos porque realiza um melhor aproveitamento da energia aplicada a entrada.
A retificao de onda completa com diodos semicondutores pode ser realizada de duas
formas distintas:

Empregando um transformador com derivao central e dois diodos.

Empregando 4 diodos ligados em ponte.

Retificao de onda completa com derivao central


A figura abaixo apresenta a configurao deste tipo de circuito retificador.

Este tipo de retificao tambm chamado de retificao de onda completa Center


tape.
A expresso Center tape inglesa e significa derivao central.
Funcionamento
O princpio de funcionamento do circuito retificador de onda completa pode ser
facilmente compreendido, considerando-se cada um dos semiciclos da tenso de
entrada isoladamente.
148

Primeiro semiciclo
Considerando-se o terminal central do secundrio como referncia verifica-se a
formao de duas polaridades opostas nos extremos das bobinas.

Nesta condio verifica-se que o diodo D1 polarizado diretamente, conduzindo,


enquanto o diodo D2 polarizado inversamente, entrando em bloqueio.
Substituindo os diodos por seus circuitos equivalentes ideais obtm-se a configurao
apresentada na figura abaixo.
A condio de conduo de D1 permite a circulao de corrente atravs da carga do
terminal positivo para o terminal de referncia.

A tenso aplicada a carga a tenso existente entre o terminal central do secundrio e


o extremo superior do transformador.

Durante todo o semiciclo analisado o diodo D1 permanece em conduo e a tenso na


carga acompanha a tenso da parte superior do secundrio.

149

Segundo semiciclo
No segundo semiciclo da tenso de entrada ocorre uma inverso na polaridade do
secundrio do transformador.

Nesta condio o diodo D2 entra em conduo e o diodo D1 em bloqueio.


A corrente circula pela carga, passando atravs de D2 que est em conduo, no
mesmo sentido que circulou no primeiro semiciclo.

A tenso aplicada carga a tenso da bobina inferior do secundrio do


transformador.
Durante todo o semiciclo analisado o diodo D2 permanece em conduo e a tenso na
carga acompanha a tenso da parte inferior do secundrio.

150

Analisando um ciclo completo da tenso de entrada verifica-se que o circuito retificador


entrega dois semiciclos de tenso sobre a carga:

Um semiciclo do extremo superior do secundrio atravs da conduo de D1.

Um semiciclo do extremo inferior do secundrio atravs da conduo de D2.

Retificao de onda completa em ponte


A retificao em ponte, com quatro diodos, entrega a carga uma onda completa sem
que seja necessrio utilizar um transformador com derivao central.
A figura abaixo apresenta a configurao da retificao e onda completa em ponte.

Funcionamento
Primeiro semiciclo
Considerando a tenso positiva no terminal de entrada superior.

151

A condio de polarizao dos diodos se apresenta:


D1 - Anodo positivo em relao ao catodo

= Conduo

D2 - Catodo positivo em relao ao anodo

= Bloqueio

D3 - Catodo negativo em relao ao anodo = Conduo


D4 - Anodo negativo em relao ao catodo

= Bloqueio

Substituindo-se os diodos pelo seus circuitos equivalentes ideais se obtm a


configurao apresentada na figura abaixo.

Eliminando-se os diodos em bloqueio, que no interferem no funcionamento do circuito


verifica-se que D1 e D3 em conduo fecham o circuito eltrico, aplicando a tenso do
primeiro semiciclo sobre a carga.

Recolocando-se os diodos na forma de componente (eliminando os circuitos


equivalentes) observa-se como a corrente flui no circuito no primeiro semiciclo.

152

Segundo semiciclo
No segundo semiciclo ocorre a inverso da polaridade nos terminais de entrada no
circuito.

A condio de polarizao dos diodos se apresenta:


D1 Anodo negativo em relao ao catodo = Bloqueio
D2 - Catodo negativo em relao ao anodo = Conduo
D3 - Catodo positivo em relao ao anodo

= Bloqueio

D4 Anodo positivo em relao ao catodo

= Conduo

Eliminando os diodos em bloqueio e substituindo os diodos em conduo pelos seus


circuitos equivalentes ideais obtm-se a configurao apresentada na figura abaixo.

O circuito eltrico fechado por D2 e D4 aplica a tenso da entrada sobre a carga,


fazendo a corrente circular na carga no mesmo sentido que no primeiro semiciclo.
Recolocando os diodos na forma original observa-se a forma como a corrente circula
no circuito.
153

A ponte retificadora entrega a carga os dois semiciclos, da mesma forma que a


retificao de ponto central.

A freqncia da CC pulsante o dobro da freqncia da rede.


A ponte retificadora tambm pode ser representada em esquema conforme mostra a
figura abaixo.
Nesta simbologia a barra do diodo aponta a sada positiva e a seta a sada negativa.

Tenso e corrente CC de sada


A retificao de onda completa entrega a carga dois semiperodos de tenso para cada
ciclo da tenso de entrada.
O valor de tenso mdia sobre a carga (medido com um voltmetro de CC na sada)
uma mdia dos valores fornecidos pelos pulsos de tenso.

O rendimento da retificao de onda completa o dobro da retificao de meia onda:

Tenso mdia na sada

154

VCC = 2 E M - VD onde EM = VCA .

Tenso de sada em onda completa com derivao central


O valor EM determinado em funo da tenso CA presente entre a derivao central
e um dos extremos do transformador.

Isto se deve ao fato de que, na retificao de onda completa com ponto mdio, cada
metade do secundrio do transformador est ativa durante um perodo e inativa em
outro.
Observando atentamente este tipo de retificao possvel visualizar que o conjunto
se constitui de duas retificaes de meia onda, cada uma atuante em um dos
semiciclos conforme mostra a seqncia da figura.

Para tenses de entrada acima de 10VCA pode-se desconsiderar a queda de tenso no


diodo, desenvolvendo a equao como:

E M - VD
desconsiderando VD tm-se:

VCC =

VCC = 2 .

155

EM
como EM = VCA .

VCC = 2 .

VCA . 2
simplificando

tm-se

VCC = 2 . VCA . 0,45


Tenso contnua
mdia na sada

VCC = VCA . 0,9

Para valores de VCA maiores que 10V.


Corrente de sada
A corrente mdia na sada da retificao de onda completa depende da tenso mdia:
Tenso contnua
mdia de sada

ICC =

VCC
RL

Relao entre freqncia de entrada e freqncia de sada


Na retificao de onda completa cada ciclo da tenso CA de entrada transformado
em dois semiciclos de tenso sobre a carga.
Desta forma, a freqncia dos picos de tenso sobre a carga o dobro da freqncia
da rede.

156

Filtro nas fontes de


alimentao
As tenses contnuas puras se caracterizam por apresentarem polaridade definida e
valor constante ao longo do tempo.
As tenses fornecidas pelos circuitos retificadores, tanto de meia onda como de onda
completa so pulsantes.
Embora tenham a polaridade definida, as tenses fornecidas pelos circuitos
retificadores sofrem constante variao de valor, pulsando conforme a tenso senoidal
aplicada ao diodo.

O capacitor como elemento de filtragem


A capacidade de armazenamento de energia dos capacitores pode ser utilizada como
recurso para realizar um processo de filtragem na tenso de sada de um circuito
retificador.
O capacitor conectado diretamente nos terminais de sada da retificao.

Nos intervalos de tempo em que o diodo conduz circula corrente atravs da carga e
tambm para o capacitor. Neste perodo o capacitor armazena energia.

157

Nos intervalos de bloqueio do diodo o capacitor tende a descarregar a energia


armazenada nas armaduras.
Como no possvel a descarga atravs da retificao, porque o diodo est em
bloqueio, a corrente de descarga se processa pela carga.

Esse circuito denominado circuitos de filtro.


Os filtros atuam sobre a tenso de sada dos circuitos retificadores aproximando tanto
quanto possvel a sua forma de uma tenso contnua pura.

Como o capacitor est em paralelo com a carga, a tenso presente nas armaduras
aplicada a carga.

A corrente absorvida pela carga fornecida pelo capacitor. Com o passar do tempo a
tenso do capacitor diminui devido a sua descarga.

158

O capacitor permanece descarregado at que o diodo conduza novamente, fazendo


uma recarga nas suas armaduras.

Com a colocao do capacitor a carga passa a receber tenso durante todo o tempo.
As figuras abaixo mostram uma comparao entre a tenso de sada de uma
retificao de meia onda sem filtro e com filtro.

A presena de tenso sobre a carga durante todo o tempo, embora com o valor
varivel, proporciona a elevao do valor mdio de tenso fornecido.

A colocao de um filtro aumenta o valor da tenso mdia de sada de um circuito


retificador.
Tenso de sada nos circuitos retificadores com filtro
A tenso CC mdia de sada em circuitos retificadores com filtro dada pela equao:
159

VCC = E M -

VONDpp
2

Onde:
VCC tenso CC na sada
E M tenso de pico VCA . 2 , desconsiderando-se a queda nos diodos
VONDpp tenso de ondulao de pico a pico
Quando um circuito retificador com filtro capacitivo est sem carga no h ondulao.
A tenso de sada uma CC perfeita.
A tenso de sada , neste caso:
V
= EM CC

VONDpp

VCC = E M

ou

VONDpp = 0 tem-se

como

VCC = VCA .

Isto vlido tanto para a retificao de meia onda com filtro para a onda completa com
filtro.

Quando no h carga na sada a tenso de sada dos circuitos retificadores de meia


onda e onda completa com filtro a mesma.
Um exemplo ilustra o comportamento da tenso de sada de uma retificao de meia
onda com filtro sem e com carga.

VCC = E M
VCC = VCA .

VCC = 15 . 1,41 = 21,2V


VCC = 21,2V

160

Conectando-se um osciloscpio em modo DC na sada da fonte a forma de onda


observada seria uma CC pura.

Quando a carga aplicada a ondulao aparece, fazendo com que a tenso de sada
caia para valores inferiores a E M .
A reduo na tenso de sada se deve a ondulao, e ser tanto maior quanto maior
for a corrente solicitada pela carga.
Admitindo-se uma carga que provoque uma ondulao de 3 Vpp .

VCC = E M -

VONDpp
2

E M = VCA .
VCC = 21,2 -

2 (desprezando a queda no diodo)

3,0 Vpp
2

VCC = 19,7V
A forma de onda da sada, observada em osciloscpio, em modo DC, seria mostrada
na figura abaixo.

O valor mdio da tenso de sada CC, devido a ondulao, cairia de 21,2V (sem carga)
para 19,7V (mdia entre 21,2 e 18,2) devido a carga.
Observao da ondulao com osciloscpio
A ondulao uma componente alternada presente no topo da forma de onda
fornecida por uma fonte com filtro capacitivo e carga na sada.

161

Como o valor desta ondulao normalmente igual ou menor que 10% do valor da CC
fornecida pela fonte, tornasse difcil medir o seu valor exato usando o osciloscpio no
modo DC.

Para obter uma medida precisa da tenso de ondulao de pico a pico utiliza-se o
modo AC.
Neste modo de entrada a componente CC da sada eliminada de forma que o
osciloscpio apresenta na tela apenas a ondulao. Isto permite aumentar o ganho
vertical, ampliando apenas a ondulao na tela.
As figuras abaixo mostram mesma sada de uma fonte, nos modos DC e AC de
entrada.

Modo DC vertical 5V/Div

Modo CA vertical 0,5V/Div

Regimes mximos do diodo em CA


Os regimes mximos em corrente alternada determinam os limites de corrente de
conduo e tenso inversa dos diodos empregados em circuitos retificadores.
Tenso inversa do diodo
Nos circuitos retificadores o diodo est sujeito a um regime intermitente de ciclos de
conduo e bloqueio. Durante semiciclos de conduo a tenso sobre o diodo um
valor tpico que depende do material semicondutor.

162

Durante os semiciclos de bloqueio a tenso sobre o diodo e assume a forma senoidal


de CA.
A mxima tenso inversa sobre o diodo ocorre no pico do semiciclo de bloqueio.

Este valor acontece sobre o diodo a cada semi perodo de bloqueio, de forma
repetitiva.

Os folhetos tcnicos de diodos, fornecidos pelos fabricantes, trazem o valor de tenso


inversa de trabalho mxima que o componente pode suportar.
Esta informao designada pelas letras VRWM que significa:

Corrente mdia nos diodos


Os diodos utilizados nos circuitos retificadores conduzem corrente em ciclos
interminentes.
Estes picos de corrente se traduzem em valor de corrente mdia que circula para a
carga atravs do diodo (ou diodos).

163

Os folhetos tcnicos, fornecidos pelos fabricantes, trazem o valor de corrente mdia


que cada diodo pode suportar. Esta corrente designada pela sigla IFAV que significa:

Corrente de pico nos diodos


Nos circuitos retificadores com filtro o diodo retificador conduz apenas durante um
pequeno perodo de tempo, para recarregar o capacitor (tempo de carga).

T1 = Tempo de carga do capacitor (diodo em conduo)


Durante o curto perodo de tempo que o diodo conduz o capacitor recebe toda a carga
perdida durante o perodo de descarga.
Isto faz com que a intensidade de corrente durante a conduo do diodo seja
elevadssima.

164

Esta corrente denominada de corrente de pico repetitiva do diodo, sendo


fornecida nos catlogos e manuais de diodos.
Esta corrente difcil de determinar matematicamente, porque depende de muitos
fatores. Porm, deve-se lembrar sempre que quanto maior o capacitor de filtro maior o
seu valor.
A corrente de pico repetitiva a razo pela qual no se pode aumentar
indefinidamente o capacitor de filtro de uma fonte.

165

Diodo zener
O diodo zener um tipo especial de diodo utilizado como regulador de tenso.
A sua capacidade de regulao de tenso empregada principalmente nas fontes de
alimentao, visando a obteno de uma tenso de sada fixa.
O diodo zener essencialmente um regulador de tenso.
O diodo zener representado nos diagramas pelo smbolo abaixo.

Comportamento do diodo zener


O comportamento do diodo zener depende fundamentalmente da forma como
polarizado.

Com polarizao direta;

Com polarizao inversa.

Polarizao direta
Com polarizao direta o diodo zener se comporta da mesma forma que um diodo
retificador, entrando em conduo e assumindo uma queda de tenso tpica.
Polarizado diretamente o diodo zener se comporta como um diodo retificador
convencional.
Normalmente o diodo zener no utilizado com polarizao direta nos circuitos
eletrnicos.
Polarizao inversa
At um determinado valor de tenso inversa, o diodo zener se comporta como um
diodo comum, ficando em bloqueio.
No bloqueio, circula no diodo zener uma pequena corrente de fuga, conforme mostra a
figura a seguir.

166

O sinal negativo de IZ (-IZ) na figura anterior indica que esta corrente circula no sentido
inverso pelo diodo.
Em um determinado valor de tenso inversa, o diodo zener entra subitamente em
conduo, apesar de polarizado inversamente.
A corrente inversa aumenta rapidamente e a tenso sobre o zener se mantm
praticamente constante.

O valor de tenso inversa que faz com que o diodo zener entre em conduo
denominado de tenso zener.
Enquanto houver corrente inversa circulando no diodo zener a tenso sobre seus
terminais se mantm praticamente no valor de tenso zener.
O funcionamento tpico do diodo zener com corrente inversa, o que estabelece uma
tenso fixa sobre seus terminais.
importante observar que, no sentido reverso, o diodo zener difere do diodo retificador
convencional.
Um diodo retificador nunca chega a conduzir intensamente no sentido reverso e se isto
acontecer o diodo estar em curto, danificado permanentemente.
O diodo zener levado propositalmente a conduzir no sentido reverso, visando obter a
tenso zener constante sobre seus terminais, sem que isto danifique o componente.

167

Caractersticas do diodo zener


As caractersticas eltricas importantes do diodo zener so:

Tenso zener;

Potncia zener;

Coeficiente de temperatura;

Tolerncia.

Tenso zener
A tenso zener (tenso de ruptura) dos diodos zener depende do processo de
fabricao e da resistividade da juno semicondutora. Durante a ruptura o diodo
zener fica com o valor de tenso zener sobre seus terminais.
Os diodos zener so fabricados para valores de tenso zener da ordem de 2V at
algumas dezenas de volts. Este valor fornecido pelo fabricante nos folhetos tcnicos
dos diodos zener.
Potncia zener
O diodo zener funciona na regio de ruptura, apresentando um valor determinado de
tenso sobre seus terminais (VZ) e sendo percorrido por uma corrente inversa.

Nestas condies verifica-se que o componente dissipa potncia, em forma de calor.


A potncia dissipada dada pelo produto de tenso e corrente:
P=V.I
POTNCIA

PZ = VZ . IZ
POTNCIA ZENER

Os diodos zener so fabricados para determinados valores de potncia de dissipao


(0,4W, 1W, 10W).
Estes valores determinam a dissipao mxima que o componente pode suportar.
Cada diodo zener tem um valor de dissipao mxima que fornecido pelo fabricante
nos folhetos tcnicos.
Utilizando os valores de tenso zener e potncia zener mxima, fornecidos pelo
fabricante, pode-se determinar a corrente mxima que o zener pode suportar.
PZ = VZ . IZ

168

IZmx

P
= Zmx
VZ

PZmx = VZ . IZmx

Este valor da corrente no pode ser excedido sob pena de danificar o diodo zener por
excesso de aquecimento.
Os diodos zener de pequena potncia (at 1W) podem ser encontrados em
encapsulamento de vidro ou plstico enquanto os de maior potncia so geralmente
metlicos para facilitar a dissipao de calor.

A regio de funcionamento do zener, determinada por dois valores de corrente, uma


vez que sua tenso inversa constante.
Estes valores de corrente so:

IZmximo;

IZmnimo.

O valor de IZmximo definido pela potncia zener:


IZmx =

PZ
VZ

O valor de IZmnimo definido como 10% do valor de IZmximo.

IZmn =

IZmx
10

Coeficiente de Temperatura
Os diodos zener so fabricados com materiais semicondutores, que sofrem influncia
da temperatura nas suas condies de funcionamento (dependncia trmica).
A tenso zener se modifica com a variao de temperatura do componente.
A influncia da variao de temperatura na tenso zener expressa sob a forma de
relao entre dois valores (tenso e temperatura).
Esta relao define em quantos milivolts a tenso zener se modifica para cada grau
centgrado de alterao da temperatura do componente.
169

COEFICIENTE DE
TEMPERATURA

mV/C

Devido a uma diferena no princpio de funcionamento interno, os diodos zener so


divididos em dois grupos:
Tenso zener Coeficiente de temperatura
Significado
At 6V
-mV/C
a tenso sobre o zener diminui
com o aumento da temperatura
Acima de 6V
+mV/C
a tenso sobre o zener aumenta
com o aumento da temperatura
As curvas caractersticas da figura abaixo exemplificam a dependncia trmica nos
dois grupos de diodo zener.

Observao
Os valores de tenso zener fornecidos pelo fabricante nos folhetos tcnicos so
vlidos para a temperatura de 25C.
Tolerncia
A tolerncia do diodo zener especifica a variao que pode existir entre o valor
especificado e o valor de tenso reversa do diodo zener.
Isto significa que um diodo zener de 12V pode ter uma tenso reversa real, por
exemplo, de 11,5V.
Para especificar a tolerncia os fabricantes de diodo zener utilizam uma codificao:

Tolerncia de 5% - a designao do diodo zener vem acompanhada de uma letra


A. Exemplo: 1N4742A

Consultando o manual de diodos zener se verifica que o diodo 1N4742 de 12V, 1W.
A letra A indica que pode existir uma variao de 5% no valor de tenso do zener (de
11,4V a 12,6V).
Tolerncia de 10%
A designao do diodo vem sem letra no final.
Exemplo: 1N4733
Caractersticas 5,1V; 1W; 10% de tolerncia (de 4,85V a 5,35V).
170

A tabela abaixo apresenta a especificao de alguns diodos zener.

171

Diodo zener como regulador


de tenso
As caractersticas de comportamento do diodo zener na regio de ruptura permitem
que o componente seja utilizado em circuitos que possibilitam a obteno de uma
tenso regulada, a partir de fontes que forneam tenses variveis ou mesmo com
cargas de consumo varivel.

Para que o diodo zener seja utilizado como regulador de tenso necessrio introduzir
junto com o componente, no circuito regulador, um resistor que limite a corrente do
zener abaixo do seu valor mximo (Izmximo).
A figura a seguir apresenta a configurao caracterstica de um circuito regulador de
tenso com o diodo zener.

A tenso sobre a carga a mesma do diodo zener porque carga e zener esto em
paralelo.
172

Funcionamento do circuito regulador


O circuito regulador com diodo zener deve receber na entrada uma tenso no mnimo
40% maior que o valor desejado na sada para que seja possvel efetuar a regulao.
Assim, se a tenso de sada desejada de 6V o circuito regulador deve utilizar um
diodo zener com VZ = 6V e tenso de entrada de pelo menos 8,5V.
Condio normal
A aplicao de tenso de entrada superior a tenso de ruptura do diodo zener, coloca
o componente na regio de ruptura. Desta forma sobre o zener assume o valor
caracterstico VZ.
Como diodo zener e a carga esto em paralelo, assume a mesma tenso.

VRL = VZ
Neste condio circula corrente atravs da carga e do diodo zener.

Atravs do resistor limitador circula a soma das correntes do zener e da carga.

Estas correntes provocam uma queda de tenso sobre o resistor, cujo valor
exatamente a diferena entre a tenso da entrada e a tenso do zener.

173

VRS = VENT - VZ
Esta a condio normal de funcionamento do circuito.

Condies de regulao
A partir da condio normal de funcionamento so possveis trs situaes distintas:

Regulao de tenso quando a tenso de entrada est sujeita a variaes.

Regulao de tenso quando o consumo de corrente de carga pode ser varivel.

Regulao de tenso quando a tenso de entrada e a corrente de carga variam.

Regulao de tenso com tenso de entrada varivel


Esta situao muito comum em circuitos eletrnicos alimentados pela rede eltrica
CA.
A tenso fornecida pelas fontes retificadoras alimentadas pela rede eltrica CA variam
proporcionalmente em relao a tenso de entrada.

Para conseguir que a tenso CC fornecida aos circuitos eletrnicos alimentados pela
rede CA seja constante, so utilizados circuitos reguladores com diodo zener. A seguir
est descrita a forma como circuito regulador atua quando ocorre variao na tenso
174

de entrada, tomando como referncia um circuito na condio normal de


funcionamento.

Aumento na tenso de entrada


Quando ocorre um aumento na tenso de entrada este aumento tende a se transferir
para a carga. Entretanto, o zener em paralelo com a carga mantm a tenso na carga
constante; a do zener diminui, permitindo a circulao de um valor de corrente zener
maior

Resumindo:
Com o aumento na tenso de entrada.

A tenso e corrente na carga permanecem praticamente constantes.

A corrente do zener aumenta.

A soma das correntes do zener e carga (IZ + IRL) circula no resistor limitador.
Com acrscimo da corrente do zener aumenta tambm a corrente no resistor limitador
Com acrscimo da corrente no resistor limitador a sua queda de tenso
aumenta com pensando o aumento na tenso de entrada.

175

Na prtica, observa-se um pequeno aumento na tenso zener (por exemplo de 6V par


a 6,1V). A figura a seguir ilustra o comportamento do circuito regulador com o aumento
da tenso de entrada.

Reduo na tenso de entrada


Quando h uma reduo de entrada o zener se comporta de forma inversa.
Embora a tenso de entrada diminua, o zener em paralelo com a carga mantm a
tenso de sada constante.
Para que a tenso no zener ( e na carga) permanea constante a resistncia interna do
zener aumenta, de forma que a corrente zener diminui

Com a diminuio de IZ a corrente que circula no resistor limitador (IZ + IRL) se reduz.
Isto provoca a reduo na queda de tenso no resistor limitador, compensando a
reduo na tenso de entrada.

Verifica-se que a tenso sobre a carga permanece praticamente constante (6V e 5,9V)
mesmo que a tenso de entrada diminua significativamente (8,5V para 7,5V).
176

A figura a seguir ilustra o comportamento do circuito regulador com a reduo na


tenso de entrada.

Concluso
Analisando as duas situaes de regulao, conclui-se que as diferenas de tenso de
entrada ficam sobre o resistor limitador, permitindo a carga receber uma tenso
praticamente constante.
Regulao de tenso com corrente de carga varivel
As variaes de tenso de alimentao em funo da corrente de carga ocorrem,
principalmente, devido as caractersticas dos filtros utilizados nas fontes retificadoras.
A variao na tenso de ondulao na sada das fontes provoca alteraes na tenso
fornecida em funo da corrente consumida pela carga.
O diodo zener pode ser utilizado, formando um circuito regulador, que possibilita o
fornecimento de tenso constante, independente do consumo de corrente pela carga.
A seguir analisada a forma como o diodo zener se comporta frente as variaes da
corrente de carga, tomando como base um circuito na condio normal, com valor de
carga mdia.

Considerando-se que a tenso de entrada seja constante pode-se afirmar que a tenso
sobre o resistor limitador constante.
Isso implica em que a corrente que circula atravs do resistor limitador tenha um valor
constante independente das variaes de carga. Resumindo, pode-se dizer:
177

Vi = constante VRS = constante

IRS = constante

Como IRS dado pela soma

IZ + IRL pode-se escrever:

Tenso de entrada constante

IZ + IRL = constante

A partir desta concluso pode-se analisar o comportamento do circuito quando a


corrente de carga varia.
Aumento na corrente de carga
Quando a corrente de carga aumenta, a corrente no diodo zener diminui, porque a
soma de IZ + IRL sempre constante.
Iz + IRL = constante

IRL + Iz = constante

As figuras a seguir ilustram o que foi descrito.

IRL = aumentou 20mA


IZ =diminuiu 20mA
IRS = permaneceu constante
Diminuio da corrente de carga
Quando a corrente de carga diminui, a corrente no zener aumenta, fazendo com que a
corrente no limitador permanea constante.
Iz + IRL = constante

IRL + Iz = constante

As figuras a seguir ilustram o comportamento do circuito com reduo IRL.

178

IRL = diminui 20mA


IZ = aumentar 20mA
IRS = permanecem constante
Observe as duas situaes de variao da corrente de carga se observa que o zener
absorve estas variaes, de forma que a tenso sobre a carga permanea constante.
Na maioria dos casos os circuitos reguladores esto sujeitos a variaes simultneas
de tenso de entrada e corrente de carga.
Nestas condies o comportamento do circuito pode ser resumido em duas situaes:

As variaes de tenso de entrada aparecem sobre o resistor limitador.

As variaes de corrente de carga se traduzem em variaes na corrente do zener.

179

Diodo emissor de luz


um tipo especial de diodo semicondutor que emite luz quando polarizado
diretamente.
O diodo emissor de luz, identificado comumente como Diodo LED representado pelo
smbolo apresentado na figura seguinte.

Os diodos LED so encontrados com as mais diversas formas e dimenses.


A figura seguinte apresenta alguns tipos construtivos de diodos LED.

O ctodo de um diodo LED pode ser identificado por um corte na base do


encapsulamento.

O diodo LED utilizado principalmente em substituio s lmpadas incandescentes


de sinalizao, devido a uma srie de vantagens que apresenta, tais como:

Baixo consumo

Alta resistncia a vibraes

Nenhum aquecimento

Grande durabilidade

180

Corrente direta nominal (IF)


um valor de corrente de conduo indicado pelo fabricante no qual o diodo LED
apresenta um rendimento luminoso timo (normalmente 20mA).
Tenso direta nominal (VF)
Especificao que define a queda da tenso tpica do diodo no sentido de conduo. A
queda de tenso nominal (VF) ocorre no componente quando a corrente direta tem
valor nominal (IF).
Para valores de corrente direta diferentes do valor nominal (IF) a tenso direta de
conduo sofre pequenas modificaes de valor.
Tenso inversa mxima (VR)
Especificao que determina o valor de tenso mxima que o diodo LED suporta no
sentido inverso, sem sofrer ruptura.
A tenso inversa mxima dos diodos LED pequena (da ordem de 5V) uma vez que
estes componentes no tem por finalidade a retificao.
A tabela a seguir apresenta as caractersticas de alguns diodos LED.
LED

Cor

VF a IF = 20mA

IF mx.

LD 30C

Vermelho

1,6V

100mA

LD 37I

Verde

2,4V

60mA

LD 35I

Amarelo

2,4V

60mA

LED bicolor
O LED bicolor consiste, na verdade, de dois LEDs colocados dentro de uma mesma
cpsula.
Estes LEDs tem trs terminais.

Um dos terminais comum aos dois LEDs. Dependendo da cor que se deseja
acender, polariza-se um dos diodos.
LED infravermelho
A luz infravermelha um tipo de luz que no visvel ao olho humano.

181

Este tipo de luz usado principalmente em alarmes contra roubos e circuitos de


controle remoto.
Existem diodos LEDs que emitem luz infravermelha. Estes LEDs funcionam como os
outros, porm no se pode observar visualmente se esto ligados ou no.
Teste do diodo LED
Os diodos LED podem ser testados como um diodo comum, usando um multmetro na
escala de resistncia.
Em um sentido o teste deve indicar baixa resistncia e, em outro, alta resistncia.
Observao
Em alguns casos, dependendo do multmetro utilizado para o teste, o LED acende
durante o teste com polarizao direta.
A identificao dos terminais nodo e ctodo tambm podem ser feitos com o
multmetro, da mesma forma que um diodo comum.
Funcionamento
Quando o diodo LED polarizado diretamente entra em conduo, permitindo a
circulao de corrente.

A circulao da corrente se processa pela liberao de portadores livres na estrutura


dos cristais.
O deslocamento de portadores de banda de conduo provoca a liberao de energia
(emisso de ftons) em forma de luz.

Caractersticas dos diodos LED


As caractersticas importantes do diodo LED so:

Corrente direta mxima (IFM)

182

Corrente direta nominal (IF)

Tenso direta nominal (VF)

Tenso inversa mxima (VR)

Corrente direta mxima (IFM)


Especificao que define a corrente mxima de conduo do diodo LED sem prejuzo
para sua estrutura.
Utilizao do diodo LED em CC
A aplicao do diodo LED em tenses contnuas exige a fixao da sua corrente direta
nominal (IF). A limitao da corrente pode ser feita atravs de um resistor.
A figura seguinte apresenta um circuito retificador de onda completa que utiliza o diodo
LED como indicador de fornecimento.

O valor do resistor limitador dado pela expresso


R=

VCC - VF
IF

Onde:
VCC = tenso de sada da fonte
VF = tenso nominal de conduo do diodo LED
IF = corrente nominal de conduo do diodo LED

183

Transistor bipolar
Estrutura bsica
O transistor bipolar um componente eletrnico constitudo por materiais
semicondutores, capaz de atuar como controlador da corrente, o que possibilita o seu
uso como amplificador de sinais ou como interruptor eletrnico.
Em qualquer uma das duas funes o transistor encontra ampla aplicao:

Amplificador de sinais = equipamentos de som e imagem e controles industriais.

Interruptor eletrnico = controles industriais, calculadoras e computadores


eletrnicos.

Estrutura bsica
A estrutura bsica do transistor se compe de duas pastilhas de material semicondutor,
de mesmo tipo, entre as quais colocada uma terceira pastilha, bastante mais fina, de
material semicondutor com tipo diferente de dopagem, formando uma configurao
semelhante a um sanduiche.

Tipos de transistores
A configurao da estrutura, em forma de sanduiche, permite que se obtenham dois
tipos distintos de transistores.

Um com pastilhas externas de material N e pastilha central de material P.

184

Este tipo de transistor denominado de transistor bipolar NPN.

Outro com pastilhas externas de material P e pastilha central de material N,


denominado de transistor bipolar PNP.

Os dois tipos de transistores podem cumprir as mesmas funes diferindo apenas na


forma como as fontes de alimentao so ligadas ao circuito eletrnico.
Terminais do transistor
Cada uma das pastilhas formadoras do transistor conectada a um terminal que
permite a interligao da estrutura do componente aos circuitos eletrnicos.
Os terminais recebem uma designao que permite distinguir cada uma das pastilhas:

A pastilha central denominada de Base, representada pela letra B.

Uma das pastilhas externas denominada de Coletor, representada pela letra C.

A outra pastilha externa denominada de Emissor, representada pela letra E.

A figura abaixo apresenta dois tipos de transistores, com a identificao dos terminais.

Embora as pastilhas do coletor e do emissor sejam do mesmo tipo de material


semicondutor, no possvel trocar as ligaes de um terminal com o outro nos
circuitos eletrnicos porque existe diferena de volume de material semicondutor e de
intensidade de dopagem entre as pastilhas.
Simbologia
A figura a seguir apresenta o smbolo dos transistores NPN e PNP, indicando a
designao dos terminais.

A diferena entre os smbolos dos dois transistores apenas o sentido da seta no


terminal emissor.
185

Alguns transistores, fabricados para aplicaes especficas, so dotados de blindagem.


Esta blindagem consiste em um invlucro metlico ao redor das pastilhas
semicondutoras, que tem por finalidade evitar que o funcionamento do transistor seja
afetado por campos eltricos ou magnticos do ambiente.
Estes transistores apresentam um quarto terminal, ligado blindagem para que esta
possa ser ligada ao terra do circuito eletrnico.
O smbolo destes transistores mostra a existncia do quarto terminal.

Aspecto real dos transistores


Os transistores podem se apresentar nos mais diversos formatos (encapsulamento).
Os seus formatos geralmente variam em funo:
Do fabricante;
Da funo da montagem;
Do tipo de montagem;
Da capacidade de dissipar calor.
A figura abaixo apresenta alguns tipos construtivos de transistores.

Por esta razo, a identificao dos terminais do transistor deve sempre ser feita com
auxlio de um manual de transistores ou folheto tcnico especfico do fabricante do
transistor.
A figura a seguir parte de um folheto tcnico de um transistor, mostrando a posio
dos seus terminais.

186

Princpio de funcionamento
do transistor
As tenses nos terminais do transistor
O estudo do princpio de funcionamento do transistor consiste em uma anlise do
movimento dos eltrons livres e lacunas no interior do componente, provocados pela
aplicao de tenses externas ao coletor, base e ao emissor.
O movimento dos eltrons livres e lacunas est intimamente ligado a polaridade da
tenso aplicada a cada um dos terminais do transistor.
As junes do transistor e a polaridade das tenses nos terminais
Uma juno PN entre o cristal da base e o cristal do emissor, chamada de juno base
emissor.

Uma juno PN entre o cristal de base e o cristal do coletor, chamada de juno base
coletor.

Ao unirem-se as trs pastilhas semicondutoras de um transistor ocorre um processo de


difuso dos portadores. Como em um diodo, este processo de difuso da origem a
uma barreira de potencial em cada juno.
No transistor, portanto existem duas barreiras de potencial que se formam com a
juno dos cristais:

A barreira de potencial na juno base emissor.

A barreira de potencial na juno base coletor.

187

A juno base emissor:


Na condio normal de funcionamento, denominada de funcionamento na regio ativa,
a juno base emissor polarizada diretamente.
As figuras abaixo mostram a polaridade das tenses de base e de emissor em cada
tipo de transistor.

A juno base-coletor:
Na regio de funcionamento ativo, a juno base coletor polarizada inversamente.
As figuras abaixo mostram a polaridade das tenses de coletor em relao a base em
cada tipo de transistor.

Polarizao simultnea das duas junes


Para que o transistor funcione corretamente as duas junes devem ser polarizadas ao
mesmo tempo.
Isto pode ser feito aplicando duas tenses externas entre os terminais do transistor.

188

Observao
As baterias representam as tenses de polarizao.
A figura abaixo mostra uma forma alternativa de polarizao, tomando o transistor NPN
como exemplo.

Analisando a figura observa-se:

A bateria B1 polariza a juno base-emissor do transistor diretamente.

A bateria B2 aplica uma tenso positiva ao coletor maior que a tenso positiva da
base.

Se o coletor mais positivo que a base ento a base mais negativa que o coletor de
forma que a juno base-coletor fica polarizada inversamente.

Transistor - regio ativa

A juno base-emissor deve ser polarizada diretamente.

A juno base coletor deve ser polarizada inversamente.

A alimentao simultnea das duas junes, atravs das baterias externas, d origem
a trs tenses entre os terminais do transistor.
Tenso de base a emissor denominada de VBE , a tenso de coletor a base,

denominada de V
e a tenso de coletor a emissor denominada de V
.
CB
CE
Dispondo as trs tenses na figura abaixo, se observa que as tenses VBE + V
CB
somadas so iguais a V
.
CE

189

VCE = VBE + VCB


Para o transistor NPN a regra tambm vlida, invertendo-se apenas a polaridade das
baterias de polarizao.

VCE = VBE + VCB


Funcionamento do transistor
O movimento dos portadores livres d origem a trs correntes que circulam nos trs
terminais do transistor.
A corrente do terminal emissor denominada de corrente de emissor representada
pela notao IE , a do terminal base de corrente de base ( IB ) e a do terminal coletor
de corrente de coletor ( I ). Por conveno se estabeleceu que toda a corrente que
C
entra no transistor positiva e a corrente que sai negativa.
As figuras abaixo mostram os dois tipos de transistor com as suas correntes.

O princpio bsico de funcionamento, que explica a origem das correntes no transistor


o mesmo para os transistores NPN e PNP.
Por esta razo usa-se estudar o princpio de funcionamento apenas de um tipo. O
comportamento do tipo no analisado semelhante, diferindo apenas na polaridade
das baterias e no sentido das correntes.
A corrente de base
A corrente de base provocada pela tenso aplicada entre a base e o emissor do
transistor ( VBE ).
Tomando-se como exemplo o transistor PNP, para analisar o efeito causado pela
tenso VBE tm-se:
190

O potencial positivo aplicado ao emissor repele as lacunas do material P em


direo base.

Se a tenso VBE tiver um valor adequado (0,6V para o silcio e 0,3V para o
germnio) as lacunas adquirem velocidade suficiente para atravessar a barreira de
potencial formada na juno base-emissor, recombinando-se com os eltrons livres
da base.

Esta recombinao d origem a corrente de base.


Devido a pequena espessura da base e tambm do seu pequeno grau de dopagem a
recombinao acontece em pequena escala (poucos portadores que provm do
emissor podem se recombinar).
Isto faz com que a corrente de base seja pequena, com valores que situam na faixa de
microampres ou miliampres.
Como o emissor fortemente dopado, um grande nmero de lacunas se desloca em
direo base, repelidos pela tenso positiva do emissor e atrados pela tenso
negativa da base.
A base, entretanto, no tem eltrons livres suficientes para recombinar com a maior
parte destas lacunas que provm do emissor.
Assim, um grande nmero de lacunas atinge a base em grande velocidade e no se
recombina, por falta de eltrons livres disponveis.
A corrente de coletor
As lacunas provenientes do emissor que no se recombinam se caracterizam por
serem portadores minoritrios na base do transistor que de material N (lacunas
presentes em um material N so portadores minoritrios).
A barreira de potencial da juno coletor-base favorece o deslocamento das lacunas
da base para o coletor, onde existe um alto potencial negativo.
As lacunas que atingem o coletor, passando atravs da juno base-coletor do
origem corrente de coletor.
A figura a seguir mostra o descrito acima

191

A corrente de coletor tem valores muito maiores que a corrente de base porque a
grande maioria das lacunas que partem do emissor no se recombinam sendo
absorvidos pelo coletor.
Em geral, do total de lacunas que entra no emissor de um transistor PNP apenas 5%
ou menos correspondem a corrente de base. Os restantes 95% (ou mais) corresponde
a corrente de coletor.

A corrente de emissor
Analisando-se um transistor PNP e suas correntes se verifica
A corrente de emissor entra no transistor
As correntes de base e coletor saem do transistor.

192

A corrente de base formada por portadores que vem do emissor e recombinam


na base.
A corrente de coletor formada por portadores que vem do emissor e no se
recombinam, dirigindo-se ao coletor.
Conclui-se portanto que tanto a corrente de base como a corrente de coletor provm
do emissor, de forma que se pode afirmar I + IB = IE .
C
Controle da corrente de base sobre a corrente de coletor
A principal caracterstica do transistor reside no fato de que a corrente de base
(pequena corrente) exerce um controle eficiente sobre a corrente de coletor ( I ).
C
Este controle se deve ao fato de que a corrente de base influi na largura de barreira de
potencial da juno base-emissor.
Quando a tenso VBE aumenta, a barreira de potencial na juno base-emissor tornase mais estreita.

O estreitamento da barreira de potencial entre base e o emissor permite que um maior


nmero de portadores do emissor atinjam a base.
Esta maior quantidade de portadores absorvida pelo coletor, uma vez que a base no
tem capacidade para recombin-los. Verifica-se ento um aumento na corrente de
coletor.
Concluso
Por analogia pode-se afirmar:
IC aumenta
IB aumenta

IB diminui

193

IC diminui

Isto significa que a corrente de base de um transistor atua como corrente de controle e
a corrente de coletor como corrente controlada.
Ganho de corrente de transistor
Atravs de um transistor possvel utilizar uma pequena corrente ( IB ) para controlar a
circulao de uma corrente de valor muito maior ( I ), que a outra:
C
A corrente controlada ( I ) e a corrente de controle ( IB ) podem ser relacionadas entre
C
s para determinar quantas vezes uma maior que a outra:

IC
IB
resulta em um nmero que indicas quantas vezes a corrente de coletor maior que a
corrente de base.
O resultado desta relao denominado tecnicamente de ganho de corrente
contnua entre base e coletor, representado pela letra graga (beta) em corrente
contnua ou hFE .

I
hFE ou DC = C
IB

Ganho de corrente contnua entre base e


coletor

Conhecendo-se o ganho de corrente entre base e coletor do transistor (

DC

possvel determinar a corrente de coletor partir da corrente de base:

I
DC = C
IB

IC = DC . IB

importante salientar que o fato do transistor permitir um ganho de corrente entre


base e coletor no significa que sejam geradas ou criadas correntes no seu interior.
Todas as correntes que circulam em um transistor so provenientes da fontes de
alimentao, cabendo ao transistor apenas controlar a quantidade de corrente
fornecida por estas fontes.
Os transistores no geram correntes, atuando apenas como controladores das
quantidades de correntes fornecidas pelas fontes de alimentao.

194

Dissipao de potncia no
transistor
Todo o componente sujeito a uma diferena de potencial e percorrido por uma corrente
eltrica dissipa uma determinada potncia (P = V . I).
No transistor tambm existe uma dissipao de potncia. A circulao de corrente
eltrica atravs das junes do transistor, provocada pela aplicao de tenses aos
seus terminais, d origem a uma dissipao de potncia no interior do componente.
Esta dissipao se d em forma de energia trmica, ou seja, produo de calor,
resultando em um aquecimento do transistor.
A dissipao nas junes
A dissipao de potncia, em forma de calor, ocorre nas duas junes do transistor.
Estas potncias dissipadas so denominadas de Potncia de coletor (PC) e Potncia
de base (PB).
A potncia total dissipada no transistor , portanto:
Potncia total = PC + PB
Entretanto, analisando as tenses e correntes presentes nas duas junes verifica-se
que a tenso e corrente presentes na juno base emissor (VBE e IB) so muito
pequenas, comparadas com a tenso e corrente presentes na juno coletor base (VCB
e IC).
Por esta razo, a potncia dissipada na juno base-emissor muito pequena
comparada com a potncia dissipada na juno base-coletor.
Assim, a potncia dissipada na base do transistor desprezada e se considera que a
potncia total dissipada no transistor a prpria potncia dissipada no coletor:
Ptotal = PC
A potncia de coletor depende da tenso de coletor base (VCB) e da corrente de
coletor (IC):
PC = VCB . IC

195

Por questes de facilidade prtica e objetivando a resoluo de circuitos


transistorizados atravs de curvas caractersticas, esta equao substituda por outra
aproximada, cujo erro desprezvel.
PC = VCE . IC

Potncia total dissipada


no transistor

Dissipao mxima de potncia no transistor


O calor produzido pela dissipao de potncia (PC = VCE . IC) provoca a elevao da
temperatura dos cristais semicondutores que compe o transistor, podendo lev-lo a
destruio.
O valor de Potncia de dissipao mxima (PCmx) o limite de dissipao que um
transistor pode suportar sem sofrer danos por sobreaquecimento e fornecido pelo
fabricante do transistor nos manuais e folhetos tcnicos.
.
Fatores que influenciam na dissipao mxima
O limite de dissipao da potncia estabelecido em funo de dois fatores:

Resistncia trmica do encapsulamento;

Temperatura externa ao transistor.

Resistncia trmica
Em termos de transistor, a resistncia trmica do encapsulamento, diz respeito a
oposio imposta pelo encapsulamento a transmisso do calor gerado internamente
para o meio ambiente.

Os transistores fabricados para capacidades de dissipao mais elevada


(denominados de transistores de potncia) so normalmente encapsulados em
invlucros metlicos, pois estes apresentam baixa resistncia trmica.

Os transistores de baixa dissipao (denominados transistores de sinal) so


encapsulados em invlucros plsticos.
196

Temperatura externa ao transistor


Alm da resistncia trmica, a transmisso de calor entre dois pontos depende
tambm da diferena de temperatura entre estes pontos.
Para que haja transmisso um ponto deve estar a temperatura mais alta que o outro.

A quantidade de calor transmitida maior quando a diferena de temperatura grande


entre os dois pontos, e menor quando a diferena pequena. Isto explica por exemplo
porque uma xcara de caf esfria mais rapidamente no inverno que no vero.
Quanto mais baixa a temperatura do ambiente, melhor a transmisso de calor do
interior do transistor para fora, menor o seu aquecimento.
Assim, dois transistores trabalhando com as mesmas tenses e correntes (mesma
potncia dissipada PC) iro sofrer aquecimentos diferentes se estiverem funcionando
em temperaturas diferentes.
Devido a influncia da temperatura na transmisso de calor a especificao de
potncia mxima de dissipao do transistor dada em funo da temperatura.
Por exemplo:
Transistor BC547

Potncia de dissipao mxima

50mW 25C

Reduo da potncia dissipada em funo do aumento de temperatura ambiente


Em muitas ocasies se faz necessrio utilizar transistores em circuitos que iro
funcionar em temperaturas superiores a 25C.
Nestas ocasies necessrio considerar que o valor de potncia de dissipao
mxima fornecida pelo fabricante no pode ser empregado porque vlido somente
at 25C.
O aumento de temperatura ambiente pode ser compensado, fazendo com que o
transistor dissipe uma potncia menor, gerando uma menor quantidade de calor,
internamente e evitando a destruio por aquecimento excessivo.
Os fabricantes fornecem um grfico de dissipao total de potncia em funo da
temperatura ambiente (Ptot = Tamb) que indica a potncia mxima no transistor para os
diversos valores de temperatura ambiente.
A figura abaixo ilustra o emprego do grfico, determinando a potncia de dissipao
mxima dos transistores BC546, BC547, BC548 para uma temperatura ambiente de
50C.
197

Dissipadores de calor
Os dissipadores de calor so dispositivos metlicos acoplados aos semi condutores
com o objetivo de facilitar a transferncia do calor gerado no interior do componente
para o meio ambiente.
A necessidade do uso de dissipadores surge sempre que a capacidade de
transferncia de calor do prprio encapsulamento no for suficiente.

Tipos de dissipadores
Existe no comercio uma grande variedade de formas e dimenses de dissipadores,
com uma ampla gama de valores de resistncia trmica. As figuras a seguir mostram
um tipo de dissipador de utilizao muito comum e como o transistor montado sobre
ele.

198

Formas para melhorar a transferncia de calor


Algumas providncia podem ser tomadas para melhorar a transferncia de calor entre
a juno geradora e o ambiente, tais como:

Estabelecer a maior rea de contato possvel entre o semi condutor e o dissipador;

Ajustar firmemente o componente ao dissipador, atravs dos parafusos;

Untar as regies de contato entre componente e mica (isolante eltrico utilizado na


montagem em dissipadores que possui baixa resistncia trmica) e entre mica e
dissipador com graxa de silicone, eliminando as bolhas de ar que aumentam a
resistncia trmica;

Usar dissipadores enegrecidos;

Aumentar a rea do dissipador;

Posicionar o dissipador de forma que na montagem final as aletas fiquem na


posio vertical;

Usar refrigerao forada, atravs de ar com ventiladores, gua ou leo circulante


por dentro dos dissipadores;

Afastar os dissipadores e semi condutores de elementos que tambm aqueam,


tais como transformadores e resistores de potncia.

199

Corrente de fuga no transistor


Os transistores so fabricados com materiais semicondutores P e N. Estes materiais
sofrem um processo de purificao e dopagem para conterem as lacunas e eltrons
livres.
Entretanto, os materiais P e N no so perfeitamente puros, de forma que cada
material contenha apenas um tipo de portadores.
O material tipo P apresenta uma grande quantidade de lacunas e apenas uma
pequena quantidade de eltrons livres.
Por esta razo, no material P, as lacunas so denominadas de portadores
majoritrios (principais) e os eltrons livres de portadores minoritrios.

O material do tipo N apresenta uma grande quantidade de eltrons livres, que so os


portadores majoritrios e um pequeno nmero de lacunas que so os seus portadores
minoritrios.

A existncia dos portadores minoritrios nos materiais semicondutores se deve


fundamentalmente a dois fatores:

Imperfeio nos processos de purificao dos cristais que sempre apresentam um


pequeno grau de impurezas.

A ruptura das ligaes qumicas pela energia trmica (aquecimento).

Movimento dos portadores minoritrios


Os portadores minoritrios sofrem a influncia das tenses externas aplicadas ao
componente semicondutor, movimentando-se no interior da estrutura cristalina.
200

Como no caso dos diodos, o movimento dos portadores minoritrios s importante


quando a juno entre os cristais est inversamente polarizada.
Nos transistores o movimento dos portadores minoritrios importante apenas na
juno base-coletor porque esta juno est normalmente com polarizao inversa.
O movimento dos portadores minoritrios na juno base-coletor, inversamente
polarizada, d origem a uma pequena corrente de fuga entre base e coletor.
Esta corrente representada pela notao ICBO que significa: corrente de fuga entre
coletor e base com emissor aberto.

Influncia de ICBO na corrente de coletor


A corrente de coletor depende diretamente da corrente de base. Esta dependncia
est matematicamente expressa na equao que define o ganho de corrente do
transistor:
hFE = DC =

IC
IB

Operando esta equao se obtm a expresso para determinao de IC a partir de IB:


X =

IC
IB

IC = DC . IB

A partir desta equao se verifica que com corrente de base IB = 0 a corrente de


coletor IC :
IC = DC . IB

se IB = 0

IC = DC . 0 = 0

Ou seja, quando no h corrente de base a corrente de coletor deve ser nula.


Entretanto na prtica isto no ocorre.
Aplicao de tenso e coletor e emissor do transistor (VCE), mesmo sem corrente de
base (IB = 0) provoca a circulao de uma pequena corrente de coletor denominada de
corrente de fuga entre coletor e emissor com a base aberta, representada pela notao
ICEO.

201

Esta corrente de saturao reversa (ICEO) provocada pela corrente de fuga ICBO.
Ao circular atravs da juno base-coletor a corrente ICBO provoca uma recombinao
de portadores na base que tem um efeito resultante semelhante a aplicao de
corrente de base no transistor, gerando a corrente ICEO.
ICEO , portanto, uma corrente aproximadamente (BETA) vezes maior que ICBO.
ICEO ICBO . DC
Disparo trmico
O disparo trmico, tambm denominado de avalanche trmica, um fenmeno que
ocorre no transistor devido a corrente de fuga ICBO e que pode lev-los a destruio por
aquecimento excessivo.
A medida em que o transistor funciona em um circuito eletrnico ocorre um
aquecimento das junes, pela dissipao de potncia (PC = VCE . IC).
O aquecimento da juno provoca um aumento na corrente de fuga ICBO.
Como a corrente de coletor composta de duas parcelas IC = IB + ICBO o aumento de
ICBO resulta em IC maior.
Com IC maior a potncia dissipada aumenta (VCE . IC = PC) e o transistor sofre novo
aquecimento. A maior temperatura da juno provoca novo aumento em ICBO.
A equao mostra que a corrente de fuga ICBO amplificada pelo transistor da
mesma forma como corrente de base.
Nos circuitos a transistor a corrente ICEO (provocada pela corrente de fuga ICBO) e a
corrente IC (provocada pela corrente de base IB), circulam ao mesmo tempo no terminal
coletor do transistor.

202

Conclui-se, ento, que a corrente real de coletor de um transistor sempre a soma


destas duas correntes.
IC = ( DC . IB) + ( DC . ICBO)
Observao
A corrente de fuga entre coletor e emissor com a base aberta ICEO , em valor exato,
igual a ICBO ( + 1). Porm devido ao fato do DC dos transistores ser normalmente
elevado (maior que 100) pode-se na prtica desprezar o acrscimo da unidade
considerando ICEO = ICBO . DC.
Silcio versus germnio
Embora a variao da corrente de fuga ICBO com a temperatura seja
aproximadamente a mesma (dobra a cada 6C no germnio e a cada 10C no silcio),
os transistores de silcio se caracterizam por apresentarem um valor inicial de ICBO
at 500 vezes menores do que os transistores de germnio na mesma temperatura,
motivo pelo qual so mais utilizados atualmente que os de germnio.
A figura a seguir representa graficamente o efeito cclico do aquecimento nos
transistores.

Nesta condio o transistor pode provocar uma auto destruio. Por este motivo devese, sempre que possvel, evitar que os transistores trabalhem prximo a sua potncia
mxima de dissipao.

203

Configuraes de ligao do
transistor
No transistor a corrente de base atua como corrente de controle, determinando a
corrente de coletor que poderia ser denominada controlada.
Em princpio, a circulao de duas correntes de valores diferentes em um componente
pressupe a existncia de quatro terminais (dois terminais para cada corrente).

Como o transistor no dispe de quatro terminais (dois de entrada e dois de sada) sua
ligao aos circuitos eletrnicos feita de forma que um dos terminais seja comum ao
circuito de entra e de sada simultaneamente.
Configurao emissor comum
Quando o terminal emissor utilizado como terminal comum, a forma de ligao do
transistor denominada tecnicamente de configurao de emissor comum.

Observao
As baterias de polarizao no foram colocadas para dar maior clareza a figura.
Configurao de base comum
Quando a base utilizada como terminal comum, a forma de ligao do transistor
denominada de configurao de base comum.

204

Configurao de coletor comum


a denominao dada a forma de ligao em que o coletor do transistor comum a
entrada e a sada do circuito.

Curvas caractersticas de um transistor


Quando se analisa o comportamento de um componente eletrnico procura-se colocar
este componente sob as mais diversas situaes em termos de correntes e tenses.
No diodo semicondutor, por exemplo, a corrente circulante depende do valor e da
polaridade da tenso aplicada aos seus terminais.
O comportamento do transistor tambm expresso atravs de curvas caractersticas,
assim como o do diodo. As curvas caractersticas so grficos obtidos atravs de
medidas eltricas no transistor em vrios circuitos, sob condies de tenso e corrente
controladas.
As curvas caractersticas do transistor assumem grande importncia no projeto de
circuitos porque expressam o comportamento do componente em uma ampla faixa de
condies de funcionamento, levando em considerao a forma como o transistor est
ligado.
Parmetros eltricos nas curvas caractersticas do transistor
Nos componentes semicondutores com apenas dois terminais (diodo semicondutor,
diodo zener) so necessrios apenas dois parmetros eltricos para expressar o
comportamento em grfico:

Tenso entre dois terminais (Ex.: VD).

Corrente no dispositivo (Ex.: ID).

No transistor, pelo fato de serem 3 terminais, existem 6 valores em jogo:

IC: corrente de coletor;

IB: corrente de base;

IE: corrente de emissor;

VBE: tenso de base e emissor;

205

VCE: tenso de coletor a emissor;

VCB: tenso de coletor e base.

A figura a seguir mostra os parmetros eltricos do transistor.

com base nestes valores e ainda outros no eltricos, tais como a temperatura, podem
ser levantadas uma srie de curvas caractersticas que expressam o comportamento
do transistor nas mais diversas condies.
Curvas caractersticas na configurao EC (Emissor Comum)
A configurao de ligao do transistor mais utilizada a de emissor comum, razo
pela qual as curvas caractersticas dos transistores, fornecidas pelos fabricantes, so
relativas a esta forma de ligao.
A figura abaixo mostra um esquema ilustrativo de um transistor ligado em
emissor comum.

Analisando a figura se verifica que, na configurao de emissor comum quatro


parmetros so fundamentais:
VBE, IB, VCE e IC
Os valores VBE e IB so denominados de parmetros de entrada e os valores VCE e IC
de parmetros de sada da configurao emissor comum.
Portanto, para representar atravs de grficos o comportamento do transistor em
emissor comum so necessrias duas curvas caractersticas:

Uma que expressa o comportamento dos parmetros da entrada do transistor,


denominada de curva caracterstica de entrada.

Uma que expressa o comportamento dos parmetros de sada, denominada de


curva caracterstica de sada.

206

Caracterstica de sada do transistor em emissor comum


Do conjunto de curvas caractersticas que pode ser levantado a partir dos valores
eltricos do transistor a curva que assume maior importncia a curva caracterstica
de sada, tambm denominada de caracterstica de coletor.
Os parmetros de sada do transistor so IC e VCE. Entretanto, sabe-se que os valores
VCE e IC dependem do valor de IB.
A curva caracterstica de sada construda de forma a permitir que se relacionem as
grandezas IC, VCE e IB em um nico grfico.
A figura abaixo mostra a caracterstica de sada do transistor BC547.

As curvas mostram a dependncia da corrente de coletor (IC) em funo da tenso


coletor-emissor, mantendo a corrente de base em um valor constante.
Nos manuais esta curva identificada como IC f (VCE) IB parmetro (l-se: corrente de
coletor em funo da tenso coletor-emissor para valores fixos de corrente de base).
Deve-se observar que nos transistores PNP os parmetros nas curvas so negativos: IB, e -VCE (as correntes IB e IC no transistor PNP saem do transistor e o coletor
negativo com relao ao emissor).

207

Outro aspecto importantssimo a ressaltar com relao as curvas caractersticas


fornecidas pelo fabricante de um transistor que estas curvas representam o
comportamento mdio de um grande nmero de transistores testados.
Isto significa que, na prtica, o comportamento do componente pode apresentar
alguma diferena com relao a curva.
Aplicao da caracterstica de sada em emissor comum
A caracterstica de sada em emissor comum encontra a sua maior aplicao na
determinao das condies de funcionamento de um transistor em um circuito.
Dispondo de valores do circuito tais como a tenso de alimentao e o valor do resistor
de coletor traa-se a reta de carga que permite determinar graficamente o
comportamento transistor em um circuito.
Reta de carga
A reta de carga traada sobre a curva caracterstica de sada do transistor,
permitindo que se determine graficamente as tenses presentes sobre o transistor e
sobre o resistor de coletor em funo da corrente de base.

208

Traado da reta de carga


O traado da reta de carga leva em conta dois fatores:

A tenso de alimentao do circuito;

O valor do resistor de coletor.

Isto significa que para cada transistor, e em cada circuito, existe uma reta de carga
especfica.
Para traar a reta de carga utilizam-se dois pontos que ocorrem em duas situaes
especiais do transistor:

Ponto de corte.

Ponto de saturao.

O ponto de corte a situao em que o transistor est sem corrente de base.


Usando as equaes do transistor se verifica o seu comportamento nesta situao:
IC = IB .

como IB = 0

IC = 0

VRC = IC . RC

como IC = 0

VCR = 0

VCE = VCC - VRC

como VRC = 0

VCE = VCC

VCE = VCC

IC = 0

Estes dois valores representam um ponto na curva caracterstica de sada do


transistor. Tomando como exemplo o esquema do circuito abaixo, o ponto de corte fica
na posio mostrada no grfico a seguir.

209

Este um dos pontos da reta de carga.


O ponto de saturao a situao em que se aplica ao transistor uma corrente de
base suficiente para fazer com que a tenso de coletor a emissor caia praticamente a
zero.
Considerando a tenso de coletor a emissor como zero tem-se:
VCE = VCC - VRC
VRC = IC . RC

como VCE = 0
V
IC = RC
RC

VRC = VCC
como VRC = VCC

IC =

VCC
RC

Na situao de saturao a corrente de coletor assume o seu valor mximo, como se o


resistor de coletor estivesse ligado diretamente a fonte de alimentao. Este valor de
corrente de coletor denominado de corrente de saturao.
ICsat =

VCE
RC

No circuito tomado como exemplo a tenso de alimentao de 30V e o resistor de


coletor de 470. Portanto a corrente de saturao :
V
30V
ICsat =
ICsat = 63mA
ICsat = CC
470
RC
VCE 0
IC = 63mA
Estes dois valores do origem a outro ponto sobre a curva caracterstica do transistor.

210

Este o segundo ponto da reta de carga. Unindo os dois pontos tm-se a reta de
carga do circuito usado como exemplo.

Esta reta de carga serve apenas para o circuito apresentado: transistor BC 547, VCC =
30V e RC = 470.
Caso o transistor, a alimentao ou o valor do resistor de coletor sejam modificados
deve-se traar outra reta de carga de acordo com os novos dados.
Aplicao da reta de carga
Uma vez traada a reta de carga pode-se determinar graficamente os valores da
tenso VCE, da tenso sobre o resistor de coletor e da corrente de coletor do transistor,
para cada valor de corrente de base.
Tomando-se o circuito de exemplo (transistor BC 547, VCC = 30V e RC = 470) pode-se
determinar as tenses e correntes na malha de coletor quando a corrente de base for,
por exemplo, 100A.

211

A resposta obtida atravs do ponto de encontro entre a reta de carga e a curva de


corrente de base 0,1mA.

Projetando o ponto encontrado at o eixo horizontal encontra-se o valor do VCE do


transistor.
VCE = 13V

212

Encontra-se tambm a tenso sobre o resistor de coletor do circuito.


VRC = 17V

Projetando o ponto encontrado at o eixo vertical, encontra-se a corrente de coletor do


transistor.
IC = 35mA

213

A seguir, est apresentado mais um exemplo de reta de carga e determinao de


parmetros de um circuito atravs da curva caracterstica de sada.

214

VCC =

RC =

120

IB =

100

VCE =

3,4

VRC =

2,6

IC =

21,5 mA

Ponto de operao
Ponto de operao ou ponto quiescente a denominao dada ao conjunto de valores
de tenso e corrente que se estabelecem automaticamente em um circuito a partir da
sua alimentao.
A figura abaixo mostra um circuito com um transistor no ponto de operao:
VCE = 10V
VRC = 14V
IC = 52mA

Uma vez estabelecidos os valores do ponto de operao, se nenhuma modificao for


realizada no circuito, os valores permanecero constantes.
A escolha correta do ponto de operao fundamental, na medida em que todo o
funcionamento do circuito se dar em torno das condies estabelecidas por este
ponto.
Influncia do ponto quiescente no circuito
O ponto de funcionamento determina, em outras palavras, a condio normal de
funcionamento de um circuito, que se estabelece a partir da alimentao.
A importncia do ponto de operao de um circuito eletrnico pode ser comparada, por
exemplo, a importncia do ajuste da posio de referncia do trao do osciloscpio
para uma medida de tenso CC.
Se a referncia est mal ajustada, todas as medidas realizadas estaro erradas. O
mesmo ocorre com os circuitos eletrnicos. Se o ponto de operao estiver mal
posicionado, todo o funcionamento do circuito estar prejudicado.
215

A escolha do ponto de operao


O ponto de operao de um circuito com um transistor sempre estar sobre a reta de
carga deste circuito. Logo, pode-se afirmar que o ponto de funcionamento depende
dos fatores que determinam a reta de carga.

Transistor utilizado;

Tenso de alimentao;

Resistor de coletor.

ICM =

VCC
RC

De acordo com a funo que o circuito ir desempenhar, o ponto de operao pode se


situar em qualquer posio sobre a reta de carga do circuito.
A figura a seguir mostra 3 exemplos de ponto quiescente.

216

Na maioria dos circuitos eletrnicos o ponto de operao localizado na regio central


da reta de carga.
A partir do momento em que o ponto quiescente localizado sobre a reta de carga
ficam automaticamente estabelecidos os valores da malha de coletor.
Tomando como exemplo o circuito apresentado a seguir.

Escolhendo um ponto de operao na regio central da reta de carga, conforme


mostra a figura abaixo.

217

Deste ponto quiescente se obtm:


1. A tenso entre coletor-emissor.

2. A queda de tenso no resistor de coletor.

3. A corrente de coletor.

Estes valores so valores do ponto quiescente, razo pela qual so denominados de:

VCEQ:

Tenso coletor-emissor no ponto quiescente.

VRCQ:

Queda de tenso no resistor de coletor no ponto quiescente.

ICQ:

Corrente de coletor no ponto quiescente.

Observando a seguir o grfico do exemplo utilizado, verifica-se que estes valores so:
VCEQ = 10,5V

218

VRCQ = 13,5V

ICQ = 50mA

Observao
Pequenas diferenas devido a impreciso grfica e espessura dos traos no desenho
no so significativas.
Para obter os valores quiescentes (VCEQ, VRCQ e ICQ) necessrio aplicar ao transistor
uma determinada corrente de base quiescente (IBQ).
O valor desta corrente de base obtido diretamente do grfico.
No grfico da figura abaixo, utilizado como exemplo, o ponto de operao est
colocado sobre a curva de IB = 0,2mA. Esta a corrente necessria para obter as
condies desejadas.

219

Relao entre os parmetros


IB, IC e VCE
O circuito de coletor
Na grande maioria dos circuitos transistorizados o coletor do transistor conectado a
fonte de alimentao atravs de um resistor, denominado de resistor de coletor,
geralmente abreviado por RC.
Na malha de coletor, a tenso VCC fornecida pela bateria se distribui em duas parcelas:

Uma parcela sobre o resistor de coletor, denominada de queda de tenso no


resistor de coletor, VRC.

Uma parcela entre coletor e emissor do transistor (VCE), conforme figura seguinte.

Conforme estabelece a lei Kirchhoff, a soma das quedas de tenso nos componentes
da malha de coletor igual a tenso aplicada malha. A partir disto, pode-se
determinar a equao da malha de coletor.
VCC = VCE + VRC equao da malha de coletor
Analisando particularmente cada um dos membros da equao da malha de coletor
tm-se:
VCC
a tenso fornecida pela bateria ao circuito.
VRC
a queda de tenso no resistor de coletor.
VRC = RC . IC equao da queda de tenso no resistor de coletor.
A queda de tenso no resistor de coletor (VRC) tem como principal caracterstica o fator
de ser proporcional a corrente de coletor do transistor.

220

Se a corrente de coletor se torna maior ( IC ) a queda de tenso sobre o resistor de

coletor aumenta (RC . IC = VRC ).


VCE
O valor de VCE a resultante da equao.
VCE depende da tenso de alimentao e da queda de tenso em RC:
VCC = VCE + VRC operando tm-se
VCE = VCC - VRC tenso coletor-emissor do transistor
Relaes entre os parmetros do transistor
Ao considerar que a queda de tenso VRC depende de IC, se afirma que VRC depende
tambm de IB. Desenvolvendo a equao da queda de tenso no resistor de coletor
tm-se:
VRC = RC . IC
Como IC = IB .
VRC = RC . (IB . )
123
IC
Nesta equao os valores de RC e so constantes, logo pode-se dizer que o valor da
queda de tenso no resistor de coletor depende diretamente da corrente de base.
Tomando-se um circuito a transistor com duas correntes de base diferentes se pode
verificar a relao entre os valores de IR, IC, VRC e VCE.
A figura seguinte apresenta o circuito usado como exemplo.

Observao
O resistor RB na base do transistor serve para limitar a corrente de base do transistor.
Admitindo-se como primeiro valor de corrente de base 40A os valores do circuito so:
IC = IB .

IC = 40A . 100

VRC = IC . RC

VRC = 0,004A . 820

221

IC = 4mA
VRC = 3,3V

VCE = VCC - VRC

VCE = 10V - 3,3V

VCE = 6,7V

Admitindo-se um segundo valor de corrente de base - 70A os valores do circuito so:


IC = IB .

IC = 70A . 100

VRC = IC . RC

VRC = 0,007A . 820

VRC = 5,8V

VCE = VCC - VRC

VCE = 10V - 5,8V

VCE = 4,2V

IC = 7mA

Colocando os dados do circuito nas duas situaes em uma tabela se observa o


comportamento dos valores IC, VRC e VCE quando a corrente de base modificada.
Corrente de base IBC Corrente de coletor IC

Queda de tenso no

Tenso coletor emissor do

resistor de coletor VRC

transistor

40A

4mA

3,3V

6,7V

70A

7mA

5,8V

4,2V

Pela tabela se verifica que:


Se IB aumenta IC aumenta
Se IC aumenta VRC aumenta
Se VRC aumenta VCE diminui
Relacionando apenas os dados relativos ao transistor pode se resumir o
comportamento do circuito assim:

IB

IC

VCE

IB

IC

VCE

Considerando-se que a corrente de base IB depende da tenso VBE pode-se incluir


mais este parmetro no comportamento do transistor:
VBE IB logo
VBE

IB

Resumindo:
VBE

IB

IC

VCE

VBE

IB

IC

VCE

222

Mtodos de polarizao do
transistor
Polarizao de base por corrente constante
Denomina-se de polarizao de base o processo de obteno da corrente de base
necessria para levar o transistor ao ponto de operao.
Dentre os processos de polarizao de base o mais simples o de polarizao por
corrente constante.
Atravs do traado da reta de carga e da determinao do ponto de funcionamento
(PQ) fica determinada a corrente de base quiescente (IBQ).
No mtodo de polarizao por corrente de base constante, a corrente de base
quiescente (IBQ) obtida atravs de um resistor, denominado de resistor de base, que
ligado entre a base e a tenso de alimentao.

Anlise do circuito de base


O circuito de base, se compe do resistor de base (RB) e da juno base-emissor
ligados em srie e aplicados a tenso de alimentao.
O circuito de base tambm denominado de malha de base.
Considerando que a juno base-emissor do transistor se comporta como um diodo, o
circuito equivalente da malha de base fica conforme mostram as figuras abaixo.

223

Observando o circuito equivalente verifica-se que o diodo base-emissor polarizado


diretamente, permitindo a circulao de corrente atravs do resistor.
Esta corrente, que circula atravs do resistor, a corrente de base.
Determinao do resistor de base
A corrente que circula na base do transistor (IB) depende:

Do valor do resistor (elemento de controle);

Da tenso de alimentao - j definida;

Do tipo de transistor utilizado - j definido.

Do circuito equivalente se verifica que a corrente circulante na base dada pela


equao:

IBQ =

VCC VBE
RB

VCC - tenso de alimentao


VBE - tpico do transistor
RB - resistor de base

Operando esta equao se obtm a frmula para determinar o resistor de base:


V VBE
V VBE
IBQ = CC
R B = CC
RB
RB

Polarizao de base por divisor de tenso


A polarizao de base de um transistor pode ser feita a partir da utilizao de um
divisor de tenso, atravs do qual se aplica uma tenso VBE entre base e emissor do
transistor.
A figura abaixo mostra um circuito transistorizado que emprega este tipo de
polarizao, denominado de polarizao de base por divisor de tenso.

Na polarizao de base por divisor de tenso a finalidade do divisor fornecer base


uma tenso que polariza diretamente a juno base emissor.
Como o emissor est aterrado, a tenso de base VB a prpria tenso VBE aplicada ao
transistor.
O valor da corrente IBQ ajustado aumentando ou diminuindo a tenso VBE, que
fornecida pelo divisor.
Normalmente os circuitos polarizados por divisor de tenso tem ainda um resistor de
emissor (RE), que tem por finalidade melhorar a estabilidade trmica do circuito figura
abaixo.
224

A polarizao por divisor de tenso acrescida do resistor de emissor a mais


empregada porque propicia um alto grau de estabilidade trmica ao circuito.
Outra caracterstica importante deste tipo de polarizao a menor variao dos
valores de polarizao quando o transistor substitudo.
Anlise do circuito de coletor
A tenso fornecida pela fonte se distribui sobre os componentes do circuito de coletor.

Segundo a Lei de Kircchoff para circuitos srie a soma das tenses equivale a tenso
de alimentao.
VRC + VCE + VRE = VCC
As quedas de tenso no resistor do coletor (VRC) e no resistor de emissor (VRE)
dependem da corrente no circuito de coletor.
A diferena entre IC e IE muito pequena, pois corresponde ao valor de IB (IE = IC + IB).
Por esta razo, costuma-se considerar IE = IC.
Desta forma, a equao da queda de tenso no resistor de emissor pode ser reescrita
como:
VRE = IC . RE
As equaes do circuito de coletor so:
VCC

VRC + VCE + VRE

VRC

IC . RC

VRE

IC . RE

O circuito de base

225

O circuito de base, que corresponde ao divisor de tenso, tem por finalidade polarizar
diretamente a juno base-emissor do transistor, provocando a circulao da corrente
IBQ.
Quando o circuito de polarizao utiliza um resistor de emissor a tenso aplicada entre
base e emissor (VBE) a diferena entre a tenso de base e a tenso de emissor
A tenso VBE aplicada a juno base emissor (que se comporta como um diodo em
conduo) d origem a uma corrente de base.

A prpria curva caracterstica da juno base-emissor , essencialmente, a curva


caracterstica de um diodo em conduo.
Atravs da aplicao do valor correto de VBE se obtm a condio de funcionamento
desejada para o circuito.
Determinao analtica dos componentes polarizadores (divisor de tenso)
A Incluso do resistor de emissor torna o circuito mais estvel termicamente, o que
interessante do ponto de vista prtico.
Entretanto, no que diz respeito a anlise grfica, atravs de uma reta de carga, a
colocao do resistor de emissor se constitui em um problema.
Por esta razo, a determinao dos valores dos resistores de polarizao neste tipo de
circuito feita de forma analtica (matemtica).
Para simplificar a anlise matemtica, podem ser consideradas algumas aproximaes
e estimativas, que em nada prejudicam os resultados obtidos , tais como:
A pequena diferena existente entre IC e IE (que a corrente de base)
IC = IE

no representa erro, comparada com a tolerncia dos resistores (10% ou


5%).

100

O ganho dos transistores que empregam a polarizao por divisor


(chamados transistores de sinal) raramente inferior a 100.

Na determinao dos valores dos elementos polarizadores toma-se como pontos de


partida os valores:

da tenso de alimentao (VCC)

da corrente de coletor (ICQ)

da tenso sobre o resistor de coletor (VRCQ)

226

A tenso sobre o resistor de coletor (VRC) e a tenso de alimentao esto


relacionados entre si.
Neste tipo de estgio adota-se normalmente uma tenso no resistor de coletor igual ou
prxima a metade da tenso de alimentao.
V
VRCQ CC
2
A corrente de coletor ICQ nos estgios transistorizados polarizados por divisor assume,
normalmente, valores que variam entre 1 a 10mA.. Dispondo dos valores VCC, ICQ e
VRCQ pode-se determinar os valores dos componentes da malha de coletor.
Resistor de coletor
calculado atravs da Lei de Ohm, aplicada aos valores do transistor.

R=

V
I

RC =

VRCQ
I CQ

Resistor de emissor
Adotando para o resistor de emissor uma queda de tenso um dcimo da tenso de
alimentao (VRE = 0,1VCC) se obtm um fator de estabilidade timo (10 a 15). Desta
forma o resistor de emissor determinado pela equao:
V
0,1Vcc
VRE = 0,1 VCC
RE =
R E = RE
Como
ICQ
IE
IE ICQ
Resistores de base
O divisor de tenso formado pelos resistores de base tem por finalidade fornecer a
tenso VB base do transistor
Para que a juno base-emissor conduza, a tenso fornecida a base deve ser a tenso
de conduo da juno mais a tenso VRE.

227

A tenso de sada do divisor a prpria queda de tenso no resistor RB2, de forma


que:
VRB2 = VBE + VRE
A tenso sobre RB2 a tenso de alimentao menos a parcela que cabe a RB1.
VRB1 = VCC - VRB1
Dispondo dos dois valores de tenso sobre os resistores deve-se assumir (escolher)
um valor para a corrente de funcionamento do divisor.

Para que o circuito tenha um fator de estabilidade timo a corrente do divisor ID deve
ser suficientemente grande para que pequenas variaes na corrente absorvida pela
base no alterem significativamente a proporo de diviso da tenso sobre os
resistores.
Adota-se, em funo desta necessidade uma corrente ID com valor:
ID = 0,1 ICQ
Este valor de corrente do divisor pelo menos 10 vezes maior que a corrente de base
Com os valores de tenso dos resistores (VRB1 e VRB2) e a corrente do divisor (ID) o
valor dos resistores determinado com auxlio da Lei de Ohm.

Resumindo:
As equaes para o clculo dos elementos polarizadores por divisor de tenso so:
VRB2 = VBE + VREQ
V
RC = RCQ
ICQ
ID = 0,1 . IC
VREQ = 0,1 . VCC
RE =

VREQ
ICQ

RB 2 =

VRB1 = VCC VRB 2


RB1 =

228

VRB 2
ID

v RB1
ID

Os circuitos reguladores
Regulao de tenso em fontes de alimentao
Existem fundamentalmente duas razes pelas quais as fontes no reguladas se
tornam inadequadas em certas aplicaes:
1. A regulao pobre:
Como resultado de uma regulao pobre, verifica-se uma variao na tenso de
sada quando a carga varia. A influncia de uma regulao pobre no desempenho
de uma fonte de CC pode ser observada atravs de dois grficos, um de uma fonte
ideal e outro de uma fonte real.

2. A estabilizao pobre:
A tenso de sada varia conforme as variaes de tenso de entrada. Nas fontes
no reguladas, as variaes de tenso de entrada (na rede AC) provocam
variaes proporcionais na tenso de sada.

Existem circuitos eletrnicos cuja finalidade melhorar o desempenho das fontes de


alimentao, fornecendo um valor pr-estabelecido de tenso da sada,
independentemente das variaes que ocorrem na corrente de carga na tenso da
linha de alimentao CA. Normalmente, estes circuitos so denominados de
reguladores de tenso, embora sejam na realidade reguladores e estabilizadores de
tenso.

229

Deve-se sempre considerar que no existe um sistema regulador de tenso perfeito.


As variaes na tenso de entrada sempre provocam pequenas alteraes na tenso
de sada.
Os sistemas reguladores devem funcionar de tal forma que as variaes na tenso da
sada ( que sempre existem) sejam as menores possveis.
Tipos de reguladores
Os circuitos reguladores so classificados em dois grupos, segundo a posio do
elemento regulador em relao a carga:

Regulador paralelo

Regulador srie

Regulador paralelo
Um circuito regulador classificado de paralelo quando o elemento regulador e
colocado em paralelo com a carga.

Um exemplo tpico de regulao paralela a regulao com diodo zener.


Regulador srie
Um circuito regulador classificado de srie quando o elemento regulador colocado
em srie com a carga.
Na regulao srie, as variaes de tenso da entrada so absorvidas pelo elemento
regulador, entretanto a carga a uma tenso de sada praticamente constante.
230

Neste tipo de circuito, apenas o elemento regulador dissipa potncia.


Princpio de funcionamento do regulador srie com transistor
O princpio de funcionamento do circuito pode ser analisado com base nas tenses
presentes no circuito.
A associao diodo zener-resistor, ligada tenso de entrada, permitindo a obteno
de uma constante (Vz), independentemente das variaes da tenso de entrada.
A tenso constante do diodo zener aplicada base do transistor, ou seja, a tenso
de base do transistor estabilizada no valor VZ.
VB = VZ
Como a carga esta ligada ao circuito na posio de resistor de emissor, a tenso
sobre esta carga ser a tenso aplicada base (VZ) menos a queda na juno base
emissor (VBE)

VRL = VB - VBE ou

VS = VZ - VBE

A diferena entre a tenso de entrada e a tenso na carga(VRL) fica entre coletor e


emissor do transistor (VCE)

VS = VE - VCE
231

Anlise com base nas tenses: Estabilizao


No circuito regulador srie a transistor, a tenso aplicada base pode ser considerada
constante (mantida pelo diodo zener) de forma que a tenso sobre a carga tambm se
mantm constante (0,6V ou 0,3V menor que VZ).
As variaes na tenso de entrada so assimiladas pelo transistor atravs de uma
modificao na tenso entre o coletor e emissor (VCE).

Nos circuitos das figuras anteriores se observa que a tenso de entrada sempre
maior que a tenso de sada. Isto necessrio para que a tenso coletor-emissor (VCE)
do transistor varie sem provocar alterao na sada do circuito.
Em geral, a tenso de entrada aproximadamente 50% maior do que a tenso
regulada necessria na sada.
Anlise com base nas correntes: Regulao
A anlise do comportamento das correntes mostra a forma como o circuito regulador
reage s modificaes da corrente de carga.

232

Tomando como base uma condio inicial, com uma carga estabelecida, as correntes
do circuito so mostradas na figura a seguir. Como IRL = IE IC, considera-se que a
corrente de coletor seja igual a corrente de carga.

A corrente de base necessria para que o transistor fornea a corrente de carga


absorvida do circuito resistor-zener.
Quando a carga varia (exigindo maior ou menor corrente), a corrente de coletores se
modifica. Com a modificao na corrente de coletor, a base passa a absorver outro
valor de corrente.

Considerando a corrente do resistor (IR = IB + IZ) com valor constante, verifica-se:

Cabe ao diodo zener absorver o excesso de corrente ou fornecer uma corrente extra
base do transistor, conforme a situao de carga do circuito.
As figuras a seguir ilustram o que foi descrito, tomando uma carga de 1A como
referncia

233

Verifica-se que nos circuitos reguladores srie a condio fundamental para que a
tenso de sada permanea constante a regulao de tenso no diodo zener.
A tenso zener no deve variar com as modificaes da carga ou da tenso de
entrada.
Compensao da tenso VBE
Para compensar a perda de tenso na juno base-emissor, pode-se acrescentar um
diodo em srie com o diodo zener (no sentido de conduo). A configurao do circuito
com o diodo de compensao apresentada na figura a seguir.

Com a colocao do diodo, a tenso aplicada base do transistor passa a ser VB = VZ


+ VD. Utilizando um diodo de mesmo tipo do transistor (germnio ou silcio), o
acrscimo de tenso na base compensar a queda de tenso na juno base-emissor.
VSADA =- (VZ + VD) - VBE.
Como VD tem o mesmo valor de VBE, obtem-se:
VSADA = VZ + VD - VBE
234

VSADA = VZ

Dissipao de potncia no circuito regulador srie


Os circuitos reguladores de tenso sempre apresentam componentes que dissipam
potncias elevadas em forma de calor.
Nos circuitos reguladores srie, o componente sujeito dissipao elevada o
transistor.
Esta potncia de coletor o produto da corrente de coletor (mesmo I de carga) pela
diferena de tenso entre a entrada e a sada.
PC = IRL . (VENT - VSADA)

(SRIE)

Os transistores utilizados nos circuitos reguladores, em geral, so de potncia,


dimensionados de forma que a dissipao real no provoque o disparo trmico,
levando o transistor destruio.

235

Amplificao de sinais
eltricos
Denomina-se de sinal eltrico a qualquer variao de tenso ou corrente atravs da
qual se conduz uma informao.
O sinal de televiso, por exemplo, se constitui em variaes de tenso que so uma
verso eltrica das imagens captadas pela cmera.

Os sinais eltricos podem se apresentar como variaes puras de tenso ou corrente


ou como variaes sobre um nvel de tenso ou corrente contnua.

Sinal variao pura de tenso ou corrente

Sinal variao sobre um nvel de tenso CC


A msica, reproduzida por um alto-falante, por exemplo, nada mais do que um sinal
eltrico transformado em som pelo alto-falante.

236

Dependendo da aplicao a que se destinam os sinais eltricos podem ser de grande


e pequena intensidade.
Por exemplo:
Para movimentar os alto-falantes de um estdio de futebol necessita-se que o sinal
eltrico a ser reproduzido tenha uma grande intensidade, enquanto que para
movimentar os fones de um gravador (ou headfone) suficiente um sinal de pequena
intensidade.
Existe um processo atravs do qual um sinal eltrico de pequena intensidade, pode ser
transformado em um sinal eltrico de grande intensidade. Este processo denominado
de amplificao.
Amplificao um processo que visa aumentar a intensidade (amplitude) de um sinal
eltrico sem alterar a sua freqncia e, na maioria dos casos, sem alterar a sua forma.
A figura abaixo exemplifica o que acontece com um sinal eltrico ao ser amplificado.

A amplificao possibilita, por exemplo, que o pequeno sinal eltrico produzido por
uma agulha de toca-disco (alguns milivolts) seja reproduzido em um alto-falante.
Amplificador e estgio amplificador
O termo amplificador define todo um conjunto de componentes e circuitos que
realizam a amplificao de um sinal.
Um amplificador e toca-disco, por exemplo, se compe de uma srie de pequenos
circuitos que, no conjunto, amplificam o sinal da agulha mais de 1000 vezes para que o
alto-falante possa funcionar.

Amplificaes de sinal da ordem de 1000 ou 2000 vezes so empregadas


constantemente em circuitos de rdio, televiso e controles industriais.
Entretanto, devido a uma limitao prtica, no possvel amplificar um sinal 1000 ou
2000 vezes diretamente. A amplificao feita parceladamente, atravs de uma srie
de circuitos que realizam amplificaes sucessivas sobre o sinal.
237

Cada um dos circuitos que realiza uma parcela da amplificao total denominado de
estgio amplificador.

Ganho de um estgio amplificador


O ganho de um estgio amplificador define quantas vezes o sinal amplificado por
este estgio. uma relao direta entre o sinal presente na sada do estgio e o sinal
amplificado sua entrada.
Ganho

G=

sinal de sada
sinal de entrada

Assim, se o sinal na sada de um estgio amplificador tem a amplitude duas vezes


maior que o sinal da entrada, diz-se que o ganho do estgio 2.

G=

4Vpp
=2
2Vpp

O ganho dos estgios amplificadores pode ser determinado pela medio do sinal de
sada e entrada com o osciloscpio.
Normalmente o ganho dos estgios amplificadores est na faixa 10 a 50 vezes. O
termo ganho genrico, podendo expressar uma amplificao de potncia.

Psada

P
entrada

, de tenso

Vsada

V
entrada

ou corrente

I sada

I
entrada

Tipos de estgios amplificadores


Os estgios amplificadores podem ser de trs tipos:

Estgio amplificador de tenso

Estgio amplificador de corrente

Estgio amplificador de potncia para sada

238

Estgio amplificador de tenso


um estgio destinado a aumentar a amplitude de tenso dos sinais aplicados a sua
entrada. Recebem tenses da ordem de microvolts ou milivolts, propiciando alto ganho
na sada (normalmente at 100 vezes).
Os estgios amplificadores de tenso funcionam como correntes pequenas de forma
que no podem ser usados para acionar, por exemplo, um alto-falante que necessita
de corrente mais elevadas.
Estgio amplificador de corrente
So estgios que se destinam a fornecer grandes variaes de corrente na sada a
partir de pequenas variaes de corrente aplicadas entrada.
Estgio amplificador de potncia para sada
So estgios amplificadores com pequeno ganho de tenso (2 a 5 vezes) mas que
propiciam tambm um ganho de corrente.
So destinados ao acionamento das cargas (alto-falantes, rels, etc) porque tm
capacidade de corrente suficiente para oper-las.
O ganho dos estgios de potncia normalmente definido em termos de potncia:
G (Potncia) =

Potncia de sada
Potncia de entrada

Os estgios de potncia so capazes de desenvolver sobre a carga potncias de


muitos watts recebendo na sua entrada apenas alguns miliwatts.
O amplificador de som
Os amplificadores de som so uma composio de estgios amplificadores de tenso
e um estgio de potncia para sada.

239

Amplificador em emissor
comum
um tipo de circuito amplificador de sinais que proporciona alto ganho de tenso e de
corrente empregando um transistor ligado em configurao de emissor comum.

Os estgios amplificadores com transistor com transistor em emissor comum so os


mais empregados na amplificao de sinais devido ao fato de apresentarem alto ganho
de tenso e de corrente, o que resulta em um ganho de potncia elevado.
Princpio de funcionamento
O princpio de funcionamento dos estgios amplificadores baseia-se na mudana do
ponto de operao do transistor.
O funcionamento do estgio amplificador pode ser dividido em trs condies:

Sem sinal de entrada

Com sinal de entrada positivo

Com sinal de entrada negativo

As trs condies podem ser analisadas tomando como base o estgio amplificador
em emissor comum apresentado na figura abaixo.

240

Sem sinal de entrada


Quando o estgio amplificador no recebe sinal na entrada, o transistor se mantm no
ponto de funcionamento.

Com sinal de entrada positivo


Um sinal de entrada positivo quando a corrente aplicada circula no mesmo sentido
da corrente de polarizao, somando-se a esta.

IB = I

BQ

+I

Onde:

IB

= Corrente de base

IBQ = Corrente de polarizao de base


IS
= Corrente de sinal
Tomando como exemplo um sinal positivo de 50A aplicado ao circuito tem-se o que:

IB

= IBQ + IS

IB

= 200A + 50A

IB

= 250A

A mudana na corrente de base ( I ) provoca alterao na corrente de coletor


B
( IB

I ), na queda de tenso do resistor de coletor ( IC

C
de coletor-emissor ( V
V
).
RC
CE

VRC

) e na tenso

Atravs da curva caracterstica com a reta de carga (220) pode se determinar


graficamente o comportamento do transistor com o aumento da corrente de base.

241

Com sinal de entrada negativo


Um sinal de entrada negativo quando a corrente aplicada circula em sentido oposto a
corrente de polarizao. Logo:

IB = I

BQ

Considerando-se como exemplo um sinal negativo de 50A tem-se:

IB

= IBQ - IS

IB

= 200A - 50A

IB

= 150A

A mudana na corrente de base ( I ) provoca modificaes na corrente de coletor


B
(I
B

), na queda de tenso do resistor de coletor ( IC

coletor-emissor ( V
RC

CE

).

RC

) e na tenso

Determina-se os limites atravs da curva caracterstica com a reta de carga.

242

Considerando que o sinal aplicado seja uma variao senoidal de tenso, tem-se uma
variao senoidal de corrente conforme a figura abaixo.
No semi ciclo em que o sinal de entrada positivo tem-se:
I
IC
VRC
IC acompanhando a forma senoidal do sinal de entrada.
B

No semi ciclo em que o sinal de entrada negativo tem-se:


acompanhando a forma senoidal do sinal de entrada
I
I
V
V
B C
RC
CE

Os valores reais de corrente e tenses podem ser obtidos aplicando o sinal de entrada
sobre as curvas do transistor.

243

Projetando os pontos A, B e C na vertical e horizontal se obtm as variaes de tenso


e corrente resultantes no circuito de coletor.

A figura abaixo mostra um ciclo completo do sinal de entrada e as formas de sada da


corrente de coletor e tenso coletor-emissor ( V
= Vsada ) colocados em grficos
CE
sincronizados.

Atravs da anlise dos trs grficos verifica-se:


244

As variaes da corrente de coletor so uma verso amplificada (muitas vezes

maior e em fase com as variaes da corrente de sinal.


As variaes da tenso de coletor ( Vsada ) so uma verso amplificada e
defasada (180) da tenso de sinal.

Concluso
No amplificador em emissor comum

As variaes da corrente de coletor esto em fase com o sinal de entrada.


As variaes da tenso de sada ( V
) esto defasadas 180 (invertidas) em
CE
relao ao sinal de entrada.

As variaes de corrente de coletor a tenso de sada so verses amplificadas do


sinal de entrada.

Acoplamento e desacoplamento de sinais


Um sinal pode ser puro ou acompanhado por um nvel de tenso CC.

Sinal puro

Sinal com nvel de CC

No caso dos amplificadores interessa apenas amplificar as variaes de tenso e


corrente (sinal puro ou apenas a variao sobre o nvel CC).
Se o sinal a ser amplificado est acompanhado por um nvel CC necessrio eliminar
esta componente CC para que no interfira nas tenses de polarizao.
Isto pode ser feito atravs de capacitores ou transformadores que no transferem o
nvel CC fixo mas permitem a passagem das variaes.

245

Os estgios amplificadores sempre possuem um capacitor ou transformador de


entrada e outro de sada, de forma que o circuito amplificador propriamente dito receba
apenas as variaes de tenso ou corrente e entregue tambm apenas verses
amplificadas destas variaes.

Nos estgios amplificadores transistorizados para audio-freqncias (20Hz a 20KHz)


os capacitores de entrada e sada so, geralmente, eletrolticos.

Assim, pode-se dizer que o circuito amplificador de sinais na configurao de emissor


comum se compe fundamentalmente de dois grupos de elementos:

Elementos de polarizao

Elementos para aplicao e retirada de sinais

246

Os elementos de polarizao so aqueles que tem por finalidade estabelecer o ponto


de funcionamento do transistor (resistor de coletor, resistores de base, resistor de
emissor).
Os elementos de entrada e sada de sinal so denominados de acopladores e so os
capacitores ou transformadores de entrada e sada.
As figuras a seguir mostram dois estgios amplificadores completos, indicando os
elementos polarizadores e acopladores.

polarizadores acopladores

Desacoplamento do emissor
Nos estgios amplificadores em que o emissor est conectado diretamente ao terra, o
ganho elevado, geralmente maior que 50.
Como desvantagem este tipo de circuito tem baixa estabilidade trmica, sendo
adequado para estgios iniciais no sujeitos a variaes de temperaturas muito
amplas.
Nos estgios polarizados por divisor de tenso a estabilidade trmica pode ser
melhorada acrescentando-se um resistor de emissor ao circuito.
Por outro lado, o resistor de emissor incluindo no circuito reduz sensivelmente o seu
ganho, que passa a se situar tipicamente prximo a 10.
Entretanto, acrescentando-se ao circuito um capacitor em paralelo com o resistor de
emissor, denominado de capacitor de desacoplamento se obtm um estgio
termicamente estvel e com ganho elevado.

247

Se o capacitor conectado em paralelo com o resistor de emissor tiver uma reatncia


muito baixa, poder ser considerado como um curto circuito, toda a vez que o
transistor amplificar um sinal.
Enquanto o circuito estiver no ponto de operao, sem sinal de entrada, o capacitor
se comporta como um circuito aberto, no interferindo nas tenses de polarizao.
Quando se aplica um sinal de entrada, o capacitor se comporta (idealmente) como um
curto circuito, de forma que o circuito funciona como se o emissor estivesse ligado
diretamente massa.
Desta forma pode-se obter um estgio amplificador com ganho da ordem de 50 e com
boa estabilidade trmica.
Para que o capacitor realize o desacoplamento adequado sua reatncia deve ser
pequena em relao ao resistor de emissor.
Na prtica, a reatncia do capacitor de acoplamento deve apresentar uma reatncia 10
vezes menor que o valor do resistor de emissor, menor freqncia que ser
amplificada.
Por esta razo, em geral os capacitores de desacoplamento so eletrolticos com
valores entre 1F e 50F.
A figura abaixo mostra um estgio amplificador completo, com os elementos de
polarizao, acoplamento e desacoplamento.

Propriedade do estgio amplificador em emissor comum


Como caractersticas do estgio amplificador pode-se citar:

Ganho de corrente

Ganho de tenso

Impedncia de entrada

Impedncia de sada

248

Ganho de corrente (Ai)


O ganho de corrente de um estgio amplificador definido como sendo a relao entre
a variao da corrente de sada e a variao da corrente de entrada. No estgio
amplificador em emissor comum tem-se:
Ai =

I C
IB

O ganho de corrente do estgio amplificador em emissor comum equivale ao prprio


ganho de corrente do transistor ().
Em termos de classificao genrica o ganho de corrente do estgio amplificador em
emissor pode ser considerado alto, situando-se tipicamente em algumas dezenas de
vezes.
Ganho de tenso
No estgio amplificador em EC o ganho de tenso depende muito dos elementos
polarizadores e das correntes de polarizao. Isto dificulta a determinao analtica.
Entretanto, o ganho de tenso pode ser determinado facilmente na prtica, medindo-se
com o osciloscpio a tenso de sada e de entrada.
Em termos de classificao genrica o ganho de tenso do estgio amplificador em
emissor comum tambm pode ser considerado como alto. Tipicamente este ganho
de algumas dezenas de vezes.
Impedncia de entrada (Zi)
A impedncia de entrada a resistncia que a entrada de um circuito amplificador
apresenta para a fonte que fornece o sinal.

A impedncia de entrada dos estgios amplificadores em emissor comum geralmente


de algumas centenas de ohms, que pode ser classificada genericamente como
mdia.
A determinao analtica da impedncia de entrada implica em um conhecimento mais
profundo do transistor. Para evitar a necessidade de uma resoluo matemtica, em
249

caso de necessidade, pode-se determinar a impedncia de entrada por um processo


prtico.
Este processo emprega um potencimetro em srie com a entrada do estgio
amplificador.

Com o potencimetro no valor mnimo de resistncia (0) ajusta-se a tenso pico a


pico do sinal no ponto A para um valor conhecido (por exemplo 50mVpp).
Aps, ajusta-se o potencimetro at que a tenso no ponto B seja a metade da tenso
aplicada ao ponto A (por exemplo 25mVpp)
Nesta situao, pelo princpio do divisor de tenso, a resistncia do potencimetro
igual a impedncia de entrada do estgio. Pode-se, ento, desconectar o
potencimetro do circuito sem mover o seu cursor e medir a sua resistncia que igual
a Zi do amplificador.
O conhecimento da impedncia de entrada de um amplificador importante quando se
deseja conect-lo a uma fonte de sinal e obter o correto casamento de impedncias.
Impedncia de sada (Zo)
A impedncia de sada de um circuito amplificador tambm importante no momento
em que se pretende conectar a sada deste estgio com outro circuito posterior.
O valor da impedncia de sada pode ser determinado matematicamente, a partir de
um conhecimento mais amplo do transistor.
Entretanto, o seu valor tambm pode ser obtido por processo prtico, utilizando-se um
potencimetro na sada do circuito.

250

Com a chave desligada (amplificador sem carga) mede-se a tenso pico a pico do sinal
presente no ponto A.
Aps, liga-se a chave e ajusta-se o potencimetro at que o sinal no ponto A tenha a
metade da amplitude inicial.
Nesta situao, a resistncia do potencimetro tem o mesmo valor da impedncia de
sada do estgio.
importante salientar que tanto para o processo prtico de determinao de Zi com Zo
o gerador de sinal deve ser ajustado para que no haja distoro no sinal de sada o
que levaria a valores incorretos de Zi e Zo.
Os estgios amplificadores em emissor comum tem uma impedncia de sada que
pode ser classificada como alta situando-se tipicamente na faixa de centenas de ohms
at vrios quiloohms.
Em resumo, as caractersticas genricas do amplificador em emissor comum so:
Ganho de corrente = alto (dezenas de vezes)
Ganho de tenso = alto (dezenas de vezes)
Impedncia de entrada = (centenas de ohms)
Impedncia de sada = (centenas at milhares de ohms)

251

Amplificador em base
comum
o tipo de circuito amplificador de sinais que proporciona um alto ganho de tenso,
empregando um transistor ligado em configurao de base comum.

O circuito do amplificador em base comum


Em uma forma simples, utilizando duas fontes de alimentao, o circuito do
amplificador em base comum se apresenta conforme mostra a figura a seguir.

Neste circuito a funo dos componentes :


RB1 e RB2 : divisor de tenso
RE : resistor de emissor
polarizao por divisor de tenso
RC : resistor de coletor
CE e CS : capacitores de acoplamento de entrada e sada
252

CB : capacitores de desacoplamento da base


Do ponto de vista de CA (quando existe sinal aplicado entrada), considerando os
capacitores como um curto circuito, a base fica aterrada e o circuito assume a
configurao de base comum.

Princpio de funcionamento
O funcionamento do amplificador em base comum baseia-se na modificao da tenso
entre base e emissor do transistor. O primeiro aspecto a considerar que no
amplificador em base comum a tenso de base VB sempre constante, mantida
pelo divisor de tenso e capacitor de acoplamento.
A partir desta considerao pode-se analisar o funcionamento do amplificador em base
comum em trs situaes:

Sem sinal de entrada;

Com sinal de entrada positivo;

Com sinal de entrada negativo.

Sem sinal de entrada


Quando no h sinal de entrada o circuito fica em seu ponto de operao. A figura a
seguir exemplifica as tenses (em relao ao terra) presentes no circuito.

253

Com sinal de entrada positivo


Quando um sinal de entrada positivo aplicado ao circuito, a tenso de sinal se soma
a tenso no resistor de emissor.
Por exemplo, uma tenso senoidal de sinal de + 0,1Vp aplicada entrada do estgio
tomado como referncia resultaria no aumento da tenso de emissor para 1,1V.
Como a tenso na base fixa, o aumento na tenso de emissor provoca a reduo na
tenso base emissor do transistor.
VBE = VB - VE

como VB = fixo

VE VBE

Conseqentemente, o sinal de entrada positivo provoca uma reduo na corrente de


base (VBE logo IB )
A partir da, conhecendo-se a relao entre os parmetros IB, IC e VCE pode-se afirmar:
IB

IC

VRC

VCE

A figura a seguir ilustra o comportamento da tenso no coletor com o sinal de entrada


positivo.

Como resultado da aplicao de um semiciclo positivo de CA senoidal entrada o


circuito d origem a uma variao de tenso semelhante, amplificada, no coletor do
transistor.

Com sinal de entrada negativo


Quando um sinal de entrada negativo aplicado ao circuito, a tenso de sinal se
subtrai da tenso no resistor de emissor.
254

Tomando como exemplo uma tenso senoidal de sinal de -0,1Vp tem-se a tenso de
emissor diminuindo para 0,9V.
Por analogia se conclui que:
VBE

IB

IC

VRC

VCE

A figura a seguir mostra o comportamento do circuito no semiperodo negativo do sinal


de entrada.

Considerando-se os dois semiciclos do sinal de entrada verifica-se o comportamento


do circulo.

Resumindo:
Nos estgios amplificadores em base comum:

as variaes da corrente de coletor esto defasadas 180 em relao ao sinal de


entrada.

as variaes da tenso de coletor esto em fase com as variaes do sinal de


entrada.

as variaes da tenso e corrente de coletor so uma verso amplificada do sinal


de entrada.

255

Propriedades do estgio amplificador em base comum


Como propriedades do estgio amplificador em base comum tem-se:

ganho de corrente

ganho de tenso

impedncia de entrada

impedncia de sada

Ganho de corrente (Ai)


No estgio amplificador em base comum a corrente de entrada a corrente de emissor
e a corrente de sada a corrente de coletor.
Portanto, sendo o ganho a relao entre corrente de sada e a de entrada tem-se:
Ai =

S
E

ou

Ai =

C
E

Como IC sempre menor que IE (IC = IE - IB) o ganho de corrente menor que 1,
situando-se na faixa de 0,95 e 0,999. Na prtica pode-se considerar o ganho de
corrente em base comum como sendo unitrio: Ai = 1.
Ganho de tenso (Av)
Os estgios amplificadores em base comum geralmente utilizam resistores de coletor
de valor elevado, tipicamente vrias dezenas e at mesmo centenas de kiloohms.
Isto traz como resultado um estgio amplificador cujo ganho se situa em vrias
dezenas ou at mesmo centenas de vezes. Portanto, pode-se classificar
genericamente o ganho do estgio amplificador em base comum como sendo ALTO.
Impedncia de entrada (Zi)
Nos estgios amplificadores o sinal de entrada aplicado ao emissor e a base
aterrada (diretamente ou atravs de um capacitor de decacoplamento).
Em outras palavras, o sinal de entrada aplicado diretamente a juno base-emissor
do transistor.
Como a funo base-emissor esta polarizada diretamente, a impedncia de entrada
de, no mximo, algumas dezenas de ohms. Classificando genericamente, a
impedncia de entrada do estgio amplificador de base comum BAIXA.
Impedncia de sada (Zo)
O resistor de coletor de alto valor utilizado nos estgios amplificadores em BC
permitem que se obtenha grandes variaes de tenso de sada a partir de pequenas
variaes na corrente de coletor.
256

Uma vez que a impedncia de sada a relao entre variao de tenso (grande) e
de corrente de sada (pequena) resulta em um valor elevado.
A impedncia de sada dos estgios amplificadores em BC da ordem de dezenas a
centenas de kiloohms, podendo ser classificada genericamente como ALTA.
Resumindo:
Amplificador
em
Base
comum

Caracterstica

Classificao

Ai

Av

ALTO - dezenas a centenas de vezes

Zi

BAIXA - dezenas de ohms

Zo

ALTA - dezenas a centenas de K

Aplicaes dos estgios amplificadores em BC


Caracteristicamente os estgios amplificadores de base comum apresentam baixa
impedncia de entrada e alta impedncia de sada.

Estas propriedades permitem que os estgios amplificadores de base comum sejam


utilizados como casadores de impedncia, interligando estgios de baixa impedncia
de sada com estgios de alta impedncia de entrada.

Outra aplicao caracterstica dos amplificadores em BC so os circuitos para altas


freqncia (na faixa dos 50MHZ ou mais). Um exemplo tpico de aplicao so as
telecomunicaes, onde as freqncias de transmisso e recepo so elevadas.

257

Amplificador em coletor
comum
um tipo de circuito amplificador que proporciona alto ganho de corrente e ganho de
tenso unitrio, empregando um transistor em configurao coletor comum

Os estgios amplificadores em coletor comum so empregados geralmente como


estgios de potncia em fontes reguladas e amplificadores de som.
O circuito do amplificador em coletor comum
Neste tipo de circuito amplificador o transistor tem o coletor ligado diretamente a
alimentao e a carga do transistor ligada no emissor.

RB resistor de polarizao de base


RE carga do transistor
CENT capacitor de acoplamento
CSADA capacitor de acoplamento
O terminal do coletor considerado terminal comum porque a fonte representa uma
impedncia baixssima para os sinais CA.
Desta forma, sempre que o circuito amplifica um sinal o coletor pode ser considerado
como aterrado ficando comum a entrada e sada de sinal.
258

Princpio de funcionamento
Tomando como ponto de partida um estgio amplificador no ponto de funcionamento
conforme mostra a figura a seguir. Todas as tenses indicadas so com relao ao
terra.

Sinal de entrada positivo


Ao receber na entrada um semiperodo positivo de sinal, a tenso do sinal se soma
com a tenso de polarizao de base.
O aumento na tenso de base faz com que a tenso base - emissor (VBE) do transistor
seja maior, provocando a elevao na corrente de base (VBE IB) como conseqncia
do aumento da corrente de base aumentam tambm a corrente de coletor e de emissor
do transistor (IB IC IE).
A maior corrente de emissor do transistor provoca um aumento na queda de tenso no
resistor de emissor (VRE = IE . RE

IE . RE = VRE).

A corrente de emissor do transistor se eleva at que a tenso no emissor seja


aproximadamente a tenso da base (VE = VB VBE).

Verifica-se desta forma que a queda de tenso sobre o resistor de emissor tem a
mesma amplitude e mesma fase do sinal de entrada (exceto pela pequena diferena
de VBE).
259

Sinal de entrada negativo


Quando o semiperodo de sinal aplicado base negativo o comportamento do
circuito inverso.

Devido ao fato da tenso de emissor seguir a tenso de base o estgio em coletor


comum tambm conhecido como estgio seguidor de emissor.
Propriedades
O estgio amplificador em coletor comum pode ser avaliado segundo os seguintes
parmetros:

Ganho de tenso

Ganho de corrente

Impedncia de entrada

Impedncia de sada

Ganho de tenso
Considerando que a variao da tenso de sada (VRE) praticamente a mesma
tenso de entrada conclui-se que o ganho de tenso pode ser considerado unitrio:
Ganho de tenso

AV 1

Observao
Para fins prticos, em amplificao de grandes sinais, o ganho de tenso pode ser
considerado como unitrio sem qualquer problema.
Ganho de corrente
Para que se desenvolva sobre o resistor de emissor (normalmente de baixo valor) um
sinal de amplitude igual ao da base, a corrente de emissor do transistor assume
valores altos (comparada com a corrente de base).

260

Isto significa que o circuito apresenta uma amplificao de corrente elevada entre base
e emissor.
O ganho de corrente do circuito amplificador em coletor comum o ganho de corrente
do transistor.
Ganho de corrente

AI

De forma genrica o ganho de corrente dos estgios amplificadores em coletor comum


pode ser considerado como alto.
Impedncia de entrada
Como em qualquer estgio amplificador, a impedncia de entrada depende no
apenas do transistor, mas tambm de todos os componentes externos de polarizao e
acoplamento. Isto torna mais difcil uma determinao matemtica do valor exato.
Adotando o princpio da classificao genrica, j utilizado anteriormente, pode-se
dizer que a impedncia de entrada dos estgios em coletor comum alta, tipicamente
de vrias centenas de ohms at a faixa dos quilos ohms.
Impedncia de sada
A impedncia de sada do estgio amplificador em coletor comum depende de uma
srie de fatores, tais como:

Impedncia do gerador (ou estgio ligado a entrada)

Resistor de emissor

Da corrente de emissor

Numa aproximao com base na dependncia da corrente de emissor pode-se dizer:


IE
1mA

Impedncia de entrada aproximada


25

de 1mA a 100mA

de 25 a 0,25

de 100mA a 1A

0,25 a 0,025

A aproximao da impedncia de sada mostra que, mesmo em baixas correntes, o


valor sempre menor que algumas dezenas de 0hms.
Considerando ainda que este tipo de estgio dificilmente utilizado em correntes
menores que 100mA, pode-se afirmar que a impedncia de sada tpica menor que
1.
Com base nestas consideraes a impedncia de sada dos estgios em coletor
comum pode ser classificada de muito baixa.
O quadro a seguir apresenta o resumo das propriedades do estgio amplificador em
coletor comum:

261

Propriedade

Faixa tpica

Av

Aproximadamente unitrio

Ai

Alto (Ai )

Zi
Zo

Alta (tipicamente centenas at milhares de


0hms)
Muito baixa (tipicamente menor que 1)

Aplicaes de estgios amplificadores coletor comum


Existem fundamentalmente trs aplicaes para os estgios seguidores de emissor:

Etapas de sada em fontes reguladas

Etapas de potncia em amplificadores

Casamento de impedncia

Destas aplicaes, as duas primeiras correspondem as de maior utilizao, razo pela


qual merecem uma anlise mais detalhada.
Etapas de sada em fontes reguladas: as caractersticas mais importantes em uma
fonte so:

A tenso de sada;

A impedncia interna (ou resistncia interna).

A primeira caracterstica importante por razes bvias. A segunda caracterstica,


impedncia ou resistncia interna, importante devido a queda de tenso que existe
internamente quando uma fonte fornece corrente a uma carga.
As figuras abaixo mostram dois grficos que permitem comparar o comportamento de
duas fontes com resistncia internas diferentes.

262

A comparao entre os grficos mostra que a fonte A, que tem menor resistncia
interna, mantm a tenso terminal VO mais constante quando a corrente de carga IO
aumenta. Isto leva a concluir que quanto mais baixa a impedncia ou resistncia
interna de uma fonte melhor o seu desempenho.
Por esta razo os estgios amplificadores em coletor comum, que apresentam
baixssima impedncia de sada so utilizados como estgio reguladores de tenso em
fontes de alimentao.
A figura abaixo mostra um estgio regulador de tenso transistor j estudado em
ocasio anterior. Este estgio regulador nada mais do que um estgio amplificador
em coletor comum em que a tenso de base mantida constante.

Etapa de potncia em amplificadores de udio


Uma das aplicaes mais utilizadas para os amplificadores em coletor comum a
construo de estgios amplificadores de potncia para udio.
A figura abaixo, mostra, de forma simplificada, um estgio de potncia, tambm
denominado de classe B, utilizando dois transistores em configuraes de coletor
comum.

263

Na figura acima os transistores T2 e T3 em evidncia (no hachurados) correspondem


a estgios amplificadores em coletor comum.
Considerando inicialmente que um sinal CA esteja sendo amplificado, o capacitor em
srie com o alto-falante pode ser considerado como um curto circuito
Desta forma, toda a vez que um sinal amplificado, o alto-falante funciona como
carga, estando ligado ao emissor dos dois transistores (caractersticas dos estgios em
coletor comum).
Assim, o transistor T2 e o alto falante, analisados isoladamente, correspondem a um
estgio amplificador em coletor comum.

Da mesma forma, T3 (PNP) e o alto falante, analisados isoladamente correspondem a


um estgio amplificador em coletor comum.

Este tipo de estgio de potncia adequado para ligao direta como o alto falante
porque tem baixa impedncia de sada, proporcionando uma boa transferncia de
potncia.
Por esta razo este tipo de estgio muito utilizado em aparelhos portteis, tais como
rdios e gravadores.
264

Amplificadores em cascata
Em muitas ocasies o ganho de tenso ou de corrente fornecido por estgio
amplificador no suficiente para a aplicao que se necessita. Nestas ocasies
costuma-se utilizar dois ou mais estgios amplificadores, interligados de forma a obter
amplificaes sucessivas do sinal.
Para obter amplificaes sucessivas a conexo entre os estgios amplificadores deve
ser feita da seguinte forma:
Sada do primeiro estgio ligado entrada do segundo estgio.
Sada do segundo estgio ligado entrada do terceiro estgio, e assim
sucessivamente.
Este tipo de ligao entre os estgios amplificadores denominado de ligao em
cascata.
Ganho total de um amplificador com estgios em cascata
O ganho total de um amplificador o resultado de todas as amplificaes sofridas pelo
sinal nos diversos estgios. O ganho total uma relao direta entre o sinal presente
na sada do ltimo estgio amplificador e o sinal aplicado na entrada do primeiro
estgio amplificador.

A figura a seguir mostra um amplificador composto por dois estgios com ganho total
de 1600 vezes.

265

GT =

16 V PP
0,01 V PP

= 1600

No amplificador da figura abaixo cada um dos estgios responsvel por uma parcela
da amplificao total. Supondo-se que o ganho do 10 estgio amplificador seja 40

A figura a seguir mostra o sinal presente entre os dois estgios.

O sinal na sada do primeiro estgio aplicado na entrada do segundo estgio.


Supondo-se que o ganho do segundo estgio tambm seja de 40 o sinal na sada
16Vpp.
Observa-se que o ganho total do amplificador composto por dois estgios de ganho 40
1600 vezes, ou seja, o ganho total GT 40 x 40 = 1600.
O ganho total de um amplificador o produto do ganho dos estgios que o compem:
GT = G1 x G2 x ...
Pela equao do ganho total verifica-se que um ganho total de 900 (por exemplo) pode
ser obtido:
1. Por dois estgios de ganho 30:
GT = 30 x 30 = 900
2. Por um estgio de ganho 25 e um estgio de ganho 36:
GT = 25 x 36 = 900
3. Por dois estgios quaisquer cujos ganhos multiplicados resultem 900.

266

Acoplamento entre estgios amplificadores


Os estgios amplificadores devem ser interligados entre si para que o sinal seja
sucessivamente amplificado. A ligao entre os estgios denominada de
Acoplamento.
Entretanto, o acoplamento da sada de um estgio entrada do estgio seguinte no
pode ser realizada pela simples ligao direta, atravs de um condutor. Analisando
dois estgios amplificadores que devem ser interligados possvel verificar a razo
pela qual a ligao no pode ser direta.
A figura a seguir apresenta dois estgios amplificadores ainda no interligados.

Analisando os estgios nos seus pontos de operao verifica-se:

A tenso na sada do 10 estgio 10V

A tenso na entrada do 20 estgio 3V.

Pela comparao entre os dois valores verifica-se que impossvel ligar diretamente a
sada do primeiro estgio com a entrada do segundo porque a tenso de 10V positivos
seria aplicada a base do segundo transistor, alterando a sua polarizao.
Conclui-se que o acoplamento entre os estgios deve ser feito de forma que:

A tenso contnua da sada de um estgio no seja aplicada entrada do estgio


seguinte.

O sinal amplificado da sada do 10 estgio (variao de tenso no coletor) passe


para a entrada do estgio seguinte.

Resumindo:
O acoplamento entre os estgios amplificadores deve:

Bloquear a passagem de tenses contnuas;

Permitir a passagem de tenses alternadas (sinais).

Os capacitores e os transformadores so ideais pra cumprir a funo de


acoplamento. As figuras a seguir mostram como seria o acoplamento utilizando um
capacitor e um transformador.

267

Observe mais esta figura:

importante salientar que a utilizao de transformadores de acoplamento implica na


mudana do mtodo de polarizao do transistor T2, passando a ser por corrente de
base constante.
Este fato, acrescido ao custo do transformador faz com que o mtodo de acoplamento
mais utilizado seja o capacitivo, que mais barato e no implica em modificaes no
circuito.
A figura a seguir mostra o sinal antes do capacitor de acoplamento e aps, ilustrando a
eliminao do nvel de tenso CC de polarizao.

268

O capacitor utilizado para acoplar dois estgios denominado de capacitor de


acoplamento.
Um aspecto importante a considerar no acoplamento que o componente utilizado
(capacitor ou transformador) no ideal. Tomando como exemplo o capacitor se
verifica que o sinal CA, aplicado flui atravs da reatncia capacitiva.
Esta reatncia provoca uma queda de tenso no capacitor de acoplamento, veja a
figura.

Esta queda de tenso no capacitor denominada de perda no acoplamento e deve


ser to pequena quanto possvel.
Por esta razo, a capacitncia do capacitor de acoplamento determinada em funo
da menor freqncia a ser amplificada, tendo em vista que esta ser a situao de
maior reatncia capacitiva e, portanto, de maior perda.
Casamento de impedncias no acoplamento entre estgios amplificadores
Um dos aspectos mais importantes a considerar quando se interligam estgios
amplificadores em cascata o correto casamento de impedncias.
Esta preocupao se deve ao fato de que a maior transferncia de potncia entre um
estgio e o outro ocorre quando a impedncia de sada do primeiro estgio igual a
impedncia de sada do segundo. Veja a figura a seguir.

Na prtica difcil obter a igualdade entre as impedncias, devendo-se procurar a


melhor aproximao possvel.

269

Ondas sonoras
Os sons captados pelo ouvido humano so, na realidade, um movimento das
partculas de ar no ambiente.
A vibrao de um objeto se transmite s molculas de ar. Assim, todas as molculas
de ar do ambiente se movimentam segundo o ritmo e intensidade determinado pela
vibrao do objeto.

Quando o movimento das molculas de ar atinge o tmpano no ouvido, este vibra,


levando ao crebro informaes que so interpretadas como sons.
As ondas sonoras se propagam no ar em forma de circunferncias concntricas, cujo
centro o emissor do som.
A propagao de uma onda sonora no ar semelhante a ondulao provocada por
uma pedra jogada na gua.
Uma vez que as ondas sonoras so vibraes do ar, pode-se concluir que no h
propagao do som no vcuo.
Altura e intensidade do som
O som sempre proveniente de uma vibrao. Dependendo da freqncia com que a
vibrao produzida o som ouvido pode ser grave ou agudo.
As vibraes rpidas do ao ouvido a impresso de um som agudo, enquanto as
oscilaes lentas se traduzem em sons graves.
A esta caracterstica do som, de provir de uma vibrao de alta ou baixa freqncia dse o nome de altura.
A altura uma caracterstica das ondas sonoras que est ligada freqncia de
vibrao do ar.

Notas altas freqncias altas sons agudos;

Notas baixas freqncias baixas sons graves.

270

Existe ainda uma segunda caracterstica importante relativa as ondas sonoras: a


intensidade, que est relacionada com o volume de um som.
Por exemplo:
Uma corda de um violo emite uma nota musical com uma intensidade.
Se este violo estiver ligado a um amplificador, a mesma nota (de mesma freqncia)
ser ouvida, porm com uma intensidade maior.
A caracterstica que define se um som mais fraco ou mais forte denominada de
intensidade.
A voz humana
A voz humana apresenta trs caractersticas fundamentais:

Altura;

Intensidade;

Timbre.

A altura da voz de uma pessoa define se sua voz normalmente grave ou aguda.
A intensidade define se a pessoa fala alto ou baixo.
O timbre o fator que caracteriza propriamente a voz de cada pessoa. o timbre que
permite as pessoas se identificarem, por exemplo, numa ligao telefnica.
O timbre consiste na mistura de freqncias e intensidades que uma pessoa emite ao
falar. Cada pessoa tem um timbre que lhe caracterstico.
A faixa audvel
A constituio do ouvido humano permite s pessoas captarem vibraes que vo
desde os 20Hz at 20KHz. Por isto as freqncias entre 20Hz e 20KHz so
denominadas udio freqncias.
Entretanto, nem todas as pessoas tem igual capacidade auditiva. comum encontrar
pessoas que no ouvem sons acima de 15KHz.
Os animais apresentam uma faixa audvel diferente dos seres humanos: os ces
Alto-falantes e fones
O alto-falante o elemento responsvel pela transformao de sinais eltricos em
ondas sonoras.
So utilizados em todos os equipamentos de reproduo ou amplificao sonora.
Constituio
O alto-falante se compe basicamente de quatro partes, conforme figura a seguir:

271

Carcaa
uma armao metlica que serve para sustentao do conjunto de peas que
formam o alto-falante.
Cone
uma tira de papel ou fibra sinttica em forma de cone, fixada a carcaa do altofalante.
Uma das extremidades do cone fixada bobina e a outra fixada carcaa de forma
que o cone possa vibrar.
A vibrao do cone a responsvel pelo movimento do ar que produz as ondas
sonoras.

272

Bobina
o elemento responsvel pelo movimento vibratrio do cone. A bobina do alto-falante
recebe os impulsos eltricos que so transformados em sons, atravs da vibrao do
cone.
Im e pea polar
O m tem como finalidade fornecer um campo magntico que interage com o campo
magntico da bobina fixa ao cone. A pea polar situa-se na parte posterior do altofalante junto ao m.
Quando a pea polar magnetizada por um m permanente, o alto-falante
classificado como alto-falante de m permanente. O alto-falante que tem a pea polar
magnetizada por eletrom denominado de alto-falante eletrodinmico.

Princpio de funcionamento
O princpio de funcionamento dos alto-falantes de m permanente e eletrodinmicos
semelhante de forma que possvel analis-lo tomando como base um alto-falante de
im permanente.
O im permanente produz um campo magntico que polariza a pea polar. A figura a
seguir mostra o alto falante em corte, com o campo magntico produzido pelo im
permanente.

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Quando uma corrente varivel percorre a bobina cria-se um campo magntico no seu
interior.
O campo magntico varivel formado pela bobina interage com o campo fixo da pea
polar.
Dependendo das polaridades dos dois campos a bobina atrada ou repelida pelo
campo da pea polar.

Como o cone do alto-falante est preso bobina, o movimento da bobina se transfere


para o cone, fazendo vibrar o ar ao redor e produzindo ondas sonoras.
Quando o alto-falante est ligado a um amplificador, sua bobina recebe sinais eltricos
de freqncia e intensidade variveis, fazendo o cone vibrar com as intensidades e
freqncias correspondentes, reproduzindo o som.
Caractersticas do alto-falante
O alto-falante possui um grande nmero de caractersticas. Entretanto as fundamentais
so:

Impedncia;

Potncia;

Caracterstica de resposta de freqncia.

Impedncia
A impedncia do alto-falante o efeito resistivo que o elemento apresenta quando
aplica-se um sinal alternado na sua bobina.
A impedncia nominal do alto-falante normalmente fornecida para uma freqncia de
400Hz. Esta impedncia razoavelmente constante entre 200Hz e 600Hz,
aumentando em freqncias abaixo e acima destes dois limites.
Os alto-falantes mais comuns tem impedncia de 3,2, 4, 8 e 16.

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Potncia
A potncia de um alto-falante indica a quantidade mxima de energia que pode ser
dissipada pela sua bobina.
A aplicao de potncias superiores ao limite do alto-falante provoca o rompimento do
fio da bobina, inutilizando o alto-falante. Os alto-falantes so fabricados para potncias
diversas.
Entre as capacidades mais comuns tm-se:
1W, 5W, 10W, 15W, 30W, 50W, 100W.
Um fato importante quanto a potncia de um alto-falante que o valor fornecido pelo
fabricante corresponde mxima dissipao, de forma que um alto-falante pode
funcionar dissipando potncias menores que a nominal.
Por exemplo:
Um alto-falante de 10W pode ser usado em um amplificador de 1W, 2W, 5W, ..., at
10W.
Resposta de freqncia
Devido principalmente a fatores de construo fsica cada alto-falante se caracteriza
por reproduzir mais pronunciadamente uma determinada faixa de freqncias.
A resposta de freqncia uma caracterstica que indica os limites de freqncia em
que um alto-falante mantm um rendimento uniforme.
A resposta de freqncia normalmente apresentada em forma de grfico que
apresenta nitidamente a regio de operao ideal do dispositivo ou circuito.

Conforme se observa pela curva de resposta de freqncia da figura anterior o


rendimento dos alto-falantes se modifica quando a freqncia de sinal aplicado varia
de um extremo ao outro da faixa audvel (20Hz a 20KHz).
Isto quer dizer que um alto-falante no tem a mesma capacidade de reproduo de
sons em todas as freqncias.
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Por esta razo, so fabricados alto-falantes para a operao em faixas mais estreitas
de freqncias.
Estes alto-falantes podem ser classificados em quatro grupos:

At 700Hz - alto-falantes para graves (WOOFER);

De 700Hz a 5KHz - alto-falantes para mdios (MID RANGE);

De 5KHz a 20KHz - alto-falantes para agudos (TWEETER);

De 20Hz a 20KHz - alto-falantes de ampla faixa (FULL RANGE).

Observaes
As designaes entre parnteses so de origem inglesa, muito utilizadas por
fabricantes e usurios de alto-falantes.
Casamento de impedncia
Para que um sistema de sonoro composto por amplificador e alto-falantes alcance o
seu rendimento mximo (mxima transferncia de potncia) necessrio que a
impedncia do alto-falante corresponda da melhor forma possvel a impedncia de
sada do amplificador.
A mxima transferncia de potncia do amplificador para o alto-falante acontece
quando o casamento de impedncias perfeito, ou seja: impedncia do alto-falante =
impedncia de sada do amplificador.
O casamento de impedncias uma preocupao fundamental quando se determina
os alto-falantes para um sistema sonoro.
Ao conectar um sistema de alto-falantes um amplificador deve-se realizar o
casamento de impedncias correto.
Quando a impedncia do conjunto de alto-falantes maior do que a impedncia de
sada do amplificador, o sistema apresenta perda de potncia.
A potncia desenvolvida sobre os alto-falantes menor do que o valor especificado no
amplificador.
Se a impedncia do conjunto de alto-falantes menor do que a impedncia do
amplificador, existe uma sobrecarga no sistema.
Nessa condio, o conjunto de alto-falantes solicita maior corrente para o seu
funcionamento do que o amplificador pode fornecer, podendo inclusive danificar o
equipamento.
Tipos de alto-falantes
Existem basicamente 4 tipos de alto-falantes quanto a faixa de freqncia de trabalho:

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Woofe

Mid Range

Full Range

Tweeter

Alto-falantes para graves (WOOFER)


So alto-falantes pesados, com dimenses que possibilitam um cone com rea grande
(25cm ou 10, 30cm ou 12 de dimetro).
As dimenses do cone favorecem a reproduo de baixas freqncias onde a vibrao
do cone lenta. O grfico de resposta de freqncia tpica dos alto-falantes
WOOFER aparece na figura abaixo.

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Alto-falantes para mdios (MID RANGE)


So alto-falantes de porte mdio destinados a reproduo de freqncias da ordem
dos 700Hz a 5KHz. Nesta faixa de freqncias situam-se a grande maioria das vozes
humanas. O alto-falante para freqncias mdias um elemento essencial em caixas
de som de boa qualidade.
A figura a seguir mostra o grfico tpico de resposta de freqncia de um alto-falante
para freqncias mdias.

Alto-falantes para agudos (TWEETER)


Os alto-falantes para reproduo de freqncias de udio elevadas (mais de 5000Hz).
So normalmente pequenos, porque as dimenses reduzidas do cone favorecem a
vibrao em alta velocidade necessria para o trabalho nestas freqncias.
O grfico de resposta de freqncia tpica de um TWEETER apresentado na figura
abaixo.

Alto-falantes de ampla faixa (FULL RANGE)


Quando a utilizao de um sistema de diversos alto-falantes muito dispendiosa,
pode-se usar um nico alto-falante que tenha um bom desempenho ao longo de toda a
faixa audvel: o alto-falante de ampla faixa.
Esses alto-falantes tem a forma ovalada, propiciando regies de emisso para sinais
de baixa, mdia e alta freqncia porque o cone tem dimenses variveis.
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Sobreposio das faixas de operao


Os sistemas de reproduo sonora (caixas de som) contam normalmente com um altofalante para cada faixa de freqncias (baixa, mdia, alta). Desta forma, o
desempenho do conjunto praticamente o mesmo ao longo de toda a faixa de
freqncia audvel.
O grfico abaixo mostra a resposta de freqncia de um sistema de trs alto-falantes.

Fones
Os fones so utilizados em substituio aos alto-falantes, permitindo que se possa
escutar individualmente um programa sonoro.
Constituio
A constituio de um fone se assemelha a de um alto-falante. O conjunto reduzido
em dimenses para ser alojado em um pequeno volume.

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Princpio de funcionamento
O princpio de funcionamento dos fones o mesmo dos alto-falantes.
Resposta de freqncia
A dimenso reduzida do fone favorece a reproduo de altas freqncias.
O rendimento dos fones em notas agudas superior ao rendimento em notas graves.
Tipos de fones
Existem fones para reproduo monofnica ou estereofnica. Nos fones para
reproduo monofnica a cpsula (ou cpsulas) so ligadas diretamente sada do
amplificador.
Os fones para reproduo estereofnica tem duas cpsulas. Cada uma das cpsulas
ligada a uma das sadas do amplificador.
Associao de alto-falantes
Em certas ocasies torna-se necessrio associar alto-falante para obter o casamento
de impedncias correto entre os sistemas de amplificao e as caixas de som.
A associao destes elementos requer alguns conhecimentos para que se obtenha
no apenas um casamento de impedncias perfeito, mas tambm o melhor rendimento
e distribuio do som nos ambientes.
Polaridade dos alto-falantes
Dependendo do sentido e da intensidade da corrente que circula na bobina de um altofalante, seu cone se movimenta para dentro ou para fora.

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O movimento para a frente comprime as molculas de ar enquanto o movimento para


trs descomprime estas molculas.
Quando se executa a associao de alto-falantes, importante conect-los de forma
que os cones se movimentem em um mesmo sentido quando o sinal foi aplicado.
Desta forma, o efeito de compresso e descompresso das molculas de cada altofalante se soma num conjunto, resultando num maior movimento de ar no ambiente.

Se os alto-falantes trabalham em sentidos opostos (um comprime e outro


descomprime) os efeitos sobre o ambiente tendem a se anular.
Este fenmeno provoca uma reduo significativa no rendimento sonoro da caixa de
som, principalmente nas notas mais graves.
Para possibilitar a ligao correta de um sistema de alto-falantes deve-se estabelecer a
polaridade de cada um para posteriormente realizar a interligao do conjunto.
A polaridade do alto-falante na realidade, uma conveno, uma vez que para cada
alto-falante, isoladamente, a ordem de ligao dos fios indiferente.
Costuma-se convencionar que o movimento do cone para a frente positivo.
Assim, denominado de terminal positivo do alto-falante aquele que com tenso
positiva impulsiona o cone para a frente.

Se, no entanto, o cone se movimenta para trs o terminal positivo da bateria est
ligado ao terminal negativo do alto-falante.

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A polaridade nos alto-falantes normalmente expressa por um sinal + ou por um ponto


que indicam o terminal positivo.
Observao
importante salientar novamente que esta polaridade uma conveno para
possibilitar a associao de alto-falantes. Isoladamente, o alto-falante pode ser ligado
sem preocupao com a ordem dos fios.
Associao srie de alto-falantes
As figuras a seguir apresentam uma ligao srie de dois alto-falantes com a
observao das polaridades corretas (o ponto indica o terminal positivo) e o esquema
da ligao.

A polaridade do conjunto importante para possibilitar a ligao de diversos conjuntos


(ou conjuntos estereofnicos) de alto-falantes no mesmo ambiente.
Impedncia total
A impedncia total de um sistema de alto-falantes em srie a soma das impedncias
individuais.

ZT = Z1 + Z2

Observa-se que a frmula semelhante a da resistncia total de uma associao srie


de resistores.

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Distribuio de potncia
Na associao srie a potncia se distribui de forma diretamente proporcional a
impedncia dos elementos.
Z1 > Z2 P1 > P2
Se a impedncia do alto-falante 1 maior que a impedncia do alto-falante 2 a
potncia transformada pelo alto-falante 1 maior que a do alto-falante 2.
Observao
Quando os alto-falantes tem valores diferentes necessrio calcular a potncia
dissipada em cada um para dimension-los corretamente.
O clculo semelhante ao clculo de dissipao de potncia em associaes de
resistores.
Associao paralela de alto-falantes
As figuras a seguir apresentam uma associao paralela de dois alto-falantes e sua
simbologia, com a observao das polaridades corretas dos alto-falantes e do
conjunto.

Impedncia total
A impedncia total de uma associao paralela de alto-falantes mostrada na figura
abaixo :

ZT =

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1
1
1
+
Z1 Z 2

A frmula semelhante utilizada para clculo da resistncia total de uma associao


paralela de resistores.
Distribuio de potncia
A potncia se distribui de forma inversamente proporcional impedncia dos
elementos na associao paralela.
Z1 > Z2 P1 < P2
Se a impedncia do alto-falante 1 maior que a impedncia do alto-falante 2, a
potncia transformada pelo alto-falante 1 menor que a do alto-falante 2.

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