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SENAI-SP, 2004
Trabalho elaborado pela Escola Senai Antonio de Souza Noschese Santos SENAI-SP, a partir dos
contedos extrados das apostilas, REE do Departamento Regional de So Paulo.
Equipe responsvel
Coordenao geral
Elaborao
Reviso tcnica
SENAI
Telefone
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SENAI on-line
E-mail
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Aurlio Ribeiro
Roberto Ferreira de Carvalho
ndice
03
Corrente Eltrica
10
Resistncia Eltrica
13
Potncia Eltrica em CC
15
Resistores
18
23
Resistores Ajustveis
28
Potencimetros
30
Associao de Resistores
34
36
37
41
Lei de Ohm
46
52
57
62
66
Capacitores
72
Capacitncia
82
Capacitores em CA
84
Magnetismo e Eletromagnetismo
88
Induo e Auto-Induo
98
Indutores em CA
104
106
Transformadores
112
Materiais Semicondutores
122
Diodo Semicondutor
128
142
148
157
Diodo Zener
166
172
180
184
187
195
204
Ponto de Operao
215
220
223
Circuitos Reguladores
229
236
240
252
257
Amplificadores em Cascata
265
Ondas Sonoras
270
Grandezas eltricas
Tenso
A expresso grandezas eltricas se aplica a todos os fenmenos de origem eltrica
que podem ser medidos.
A tenso uma grandeza eltrica, que pode ser medida, e que tem origem no
desequilbrio eltrico dos corpos.
necessria a existncia de uma tenso eltrica para que seja possvel o
funcionamento de qualquer equipamento eltrico (por exemplo: lmpada, gravador,
motor, etc.).
Eletrizao de um corpo
No estado natural qualquer poro de matria eletricamente neutra. Isto significa que
se nenhum agente externo atua sobre uma determinada poro de matria, o nmero
total de prtons e eltrons dos seus tomos ser igual.
Esta condio de equilbrio eltrico natural da matria pode ser desfeita, de forma que
um corpo deixe de ser neutro e fique carregado eletricamente.
O processo atravs do qual se faz com que um corpo eletricamente neutro fique
carregado denominado de eletrizao.
O tipo de carga eltrica (positiva ou negativa) que um corpo assume aps sofrer um
processo de eletrizao depende do tipo de corpo e do processo utilizado.
Os processos de eletrizao atuam sempre nos eltrons que esto na ltima camada
dos tomos (camada de valncia).
3
Quando um corpo adquire capacidade de realizar um trabalho diz-se que este corpo
tem um potencial.
Como no caso do pente a capacidade de realizar o trabalho se deve a um desequilbrio
eltrico do seu potencial. Esse desequilbrio denominado de potencial eltrico.
Diferena de potencial
Quando se comparam os trabalhos realizados por dois corpos eletrizados,
automaticamente est se comparando os seus potenciais eltricos.
A diferena entre os trabalhos expressa diretamente a diferena de potencial eltrico
entre os dois corpos.
Smbolo
megavolt
MV
10 V ou 1000000V
quilovolt
KV
10 V ou 1000V
volt
milivolt
MV
10
microvolt
10 V ou 0,000001V
6
3
V ou 0,001V
-6
Observao
No campo da eletricidade usam-se normalmente o volt e o quilovolt. Na rea da
eletrnica usa-se normalmente o volt, milivolt e o microvolt.
A converso de valores feita de forma semelhante a outras unidades de medida.
6
Exemplos de converso:
3,75 V =
0,6V =
200mV =
mV
mV
Pilhas
7
Baterias
Pilhas
As pilhas so fontes geradoras de tenso usadas em aparelhos portteis.
Basicamente as pilhas so constitudas por dois tipos de metais mergulhados em um
preparado qumico.
Este preparado qumico reage com os metais, retirando eltrons de um e levando para
o outro.
Um dos metais fica com potencial eltrico positivo e o outro fica com potencial eltrico
negativo.
A figura abaixo ilustra a eletrizao dos metais.
O grfico mostra que a tenso fornecida por uma pilha comum 1,5V em qualquer
tempo.
Corrente eltrica
A corrente eltrica consiste em um movimento orientado de cargas, provocado pelo
desequilbrio eltrico (ddp) existente entre dois pontos.
O deslocamento de cargas eltricas entre dois pontos onde existe ddp denominado
de corrente eltrica.
Corrente eltrica o deslocamento orientado de cargas eltricas entre dois pontos
quando existe ddp entre estes pontos.
10
Smbolo
Mltiplo
Quiloampre
kA
10 A ou 1000
Unidade
Ampre
Miliampre
mA
10 ou 0,001
Microampre
10 ou 0,000001
Nanoampre
nA
10 ou 0,000000001
Picoampre
pA
10
Submltiplos
-3
-6
-9
-12
A
A
A
ou 0,000000000001
Observao
No campo da eletrnica so mais utilizados o ampre, miliampre e o microampre.
A converso de valores feita de forma semelhante a outras unidades de medida.
Exemplos de converso:
1,2A = mA
15A =
11
mA
12
Resistncia eltrica
Mltiplos
Unidade
13
Denominao Smbolo
Megohm
106 ou 1000000
Quilohn
103 ou 1000
0hm
Exemplos de converso
120 =
0,12 k
5,6k =
5600
2,7M =
2700k
390k =
0,39M
470 =
0,00047M
680k =
0,68M
14
Potncia eltrica em CC
Efeito mecnico
Os motores convertem energia eltrica em fora motriz (movimento).
Potncia eltrica
Analisando particularmente um tipo de carga, como por exemplo, as lmpadas, se
verifica que nem todas produzem a mesma quantidade de luz.
Smbolo
Mltiplo
quilowatt
Kw
10 W ou 1000W
Unidade
watt
1W
miliwatt
MW
10 W ou 0,001W
microwatt
10 W ou 0,000001W
Submltiplos
-3
-6
Exemplo de converso:
1,3W
= 1300mW
350W = 0,35KW
640mW = 0,64W
2,1KW = 2100W
0,007W = 7mW
12mW = 12000W
17
Resistores
Os resistores so componentes utilizados nos circuitos com a finalidade de limitar a
corrente eltrica.
A figura abaixo mostra alguns resistores.
18
1000
% Tolerncia
10%
Valor do componente
-10%
+10%
560
5%
-5%
+5%
120
1%
+1%
-1%
10%
18K
20%
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
19
100
120
150
-10% = 90
+10% = 110
-10% = 108
+10% = 132
-10% = 135
+10% = 165
Simbologia
A figura abaixo mostra os smbolos utilizados para representao dos resistores
indicando o smbolo oficial que deve ser utilizado no Brasil, segundo a norma ABNT.
Tipos de resistores
Existem trs tipos de resistores quanto a constituio:
Resistores de filme de carbono; Resistores de carvo; Resistores de fio.
Cada um dos tipos tem, de acordo com sua constituio, caractersticas que os tornam
mais adequados que os outros tipos em sua classe de aplicao.
A seguir, so apresentados os processos bsicos de fabricao e a aplicao do
componente.
Resistor de filme de carbono
O resistor de filme de carbono, tambm conhecido como resistor de pelcula,
constitudo por um corpo cilndrico de cermica que serve de base para a fabricao
do componente.
Sobre o corpo depositada uma fina camada em espiral, de material resistivo (filme de
carbono) que determina o valor hmico do resistor.
20
.
Com maior concentrao de partculas de carvo o valor resistivo do componente
reduzido.
Apresentam tamanho fsico reduzido. Os valores de dissipao e resistncia no so
precisos. Podem ser usados em qualquer tipo de circuito.
Resistores de fio
Constitui-se de um corpo de porcelana ou cermica que serve como base.
21
Os resistores de fio tem capacidade para trabalhar com maior valores de corrente. Este
tipo de resistor produz, normalmente uma grande quantidade de calor quando em
funcionamento.
Para facilitar o resfriamento nos resistores que produzem grandes quantidades de
calor o corpo de porcelana maio substitudo por um tubo de porcelana.
22
O valor hmico dos resistores e sua tolerncia podem ser impressos no corpo do
componente, atravs de anis coloridos.
A cor de cada anel e sua posio com relao aos demais anis, corretamente
interpretada fornece dados sobre o valor do componente.
A disposio das cores em forma de anis possibilita que o valor do componente
possa ser lido de qualquer posio.
Interpretao do cdigo
O cdigo se compe de trs cores usadas para representar o valor hmico, e uma para
representar o percentual de tolerncia.
Para a interpretao correta dos valores de resistncia e tolerncia do resistor os anis
tem que ser lidos em uma seqncia correta.
O primeiro anel colorido a ser lido aquele que est mais prximo da extremidade do
componente. Seguem na ordem - 2o, 3o e 4o anis colorido, como mostra a figura a
seguir.
Os trs primeiros anis coloridos (1o, 2o e 3o) representam o valor do resistor. O 4o anel
representa o percentual de tolerncia.
23
O primeiro anel colorido representa o primeiro nmero que formar o valor do resistor.
amarelo - 4
cinza - 8
Marrom 1
verde - 5
branco - 9
Vermelho - 2
azul - 6
Laranja 3
violeta - 7
O segundo anel colorido representa o segundo nmero que forma o valor do resistor.
24
O terceiro anel representa o nmero de zeros que segue aos dois primeiros
algarismos, sendo chamado de fator multiplicativo.
25
680
Resistores de 1
Para representar resistores de 1 a 10
( exemplo: 2,7) o cdigo estabelece o uso
da cor dourada no 3o anel. O dourado neste anel indica a existncia da vrgula entre
os dois primeiros nmeros.
Seguem alguns exemplos:
1,8 5%
4,7 10%
8,2 20%
Resistores abaixo de 1
Para representar resistores abaixo de 1
(exemplo: 0,27) o cdigo determina o uso
do prateado no 3o anel. O prateado no 3o anel significa a existncia de 0, antes dos
dois primeiros nmeros.
Seguem alguns exemplos:
0,39 20% Laranja, branco, prateado, sem cor
0,15 10% Marrom, verde, prateado, prateado
A tabela a seguir apresenta o cdigo de cores completo:
Cor
1X
Marrom
10 X
Vermelho
100 X
Laranja
1000 X
Amarelo
10000 X
Verde
100000 X
Azul
1000000 X
Violeta
Cinza
Branco
Ouro
0,1 X
5%
Prata
0,01 X
10%
Sem cor
26
Tolerncia
20%
Resistores de 5 anis
Em algumas aplicaes so necessrios resistores com valores mais precisos, que se
situam entre os valores padronizados.
Estes resistores tem o seu valor impresso no corpo atravs de cinco anis coloridos.
27
Resistores ajustveis
So resistores cujo valor de resistncia pode ser ajustado, dentro de uma faixa prdefinida.
A figura a seguir mostra alguns resistores ajustveis.
Trimpot
Este terminal mvel, deslizando em contato eltrico as espiras de fio que constituem
o resistor, podendo ser fixado na posio desejada.
Trimpot
um tipo de resistor ajustvel utilizado em pontos de ajuste onde as correntes so
pequenas (da ordem de miliampres ou menos).
28
29
Potencimetros
So resistores com derivao que permite a variao do valor resistivo pelo movimento
de um eixo.
Simbologia
A figura a seguir mostra os smbolos utilizados para representar os potencimetros,
salientando o smbolo normalizado pela ABNT.
30
Sobre o topo da fibra corre o contato mvel do cursor, que ligado mecanicamente ao
eixo do componente. O cursor ligado ao terminal do potencimetro.
31
Potencimetros deslizantes
Potencimetros em que o movimento rotativo do eixo substitudo por um movimento
linear do cursor.
33
Associao de resistores
A associao de resistores uma reunio de dois ou mais resistores em um circuito
eltrico.
34
35
Resistncia equivalente de
uma associao srie
Em uma associao srie a mesma corrente eltrica flui atravs de todos os resistores,
um aps o outro.
Cada um dos resistores apresenta uma resistncia a circulao da corrente no circuito.
36
Resistncia equivalente de
uma associao paralela
Na associao paralela existe mais de um caminho para circulao da corrente
eltrica.
Dispondo de dois caminhos para circular a corrente flui com maior facilidade do que
se houvesse apenas um caminho.
A partir desta maior facilidade ao circular em um maior nmero de caminhos do que
em um nico, verifica-se que a oposio a passagem da corrente em dois (ou mais)
resistores em paralelo menor do que em apenas um.
Como concluso tem-se:
O valor da resistncia equivalente de uma associao de resistores em paralelo
sempre menor que o resistor de menor valor.
Associando-se, por exemplo, um resistor de 120 em paralelo com um resistor de
100 a resistncia equivalente da associao ser, obrigatoriamente menor que 100.
37
1
1
1
1
+
+ ... +
R1 R 2
Rn
1
1
1
1
+
+
10 25 20
1
Re q =
Req = 5,26
0,19
Re q =
R1 x R 2
R1 + R 2
R2 = 680
Re q =
R1 x R 2
R1 + R 2
Re q =
Re q =
8160000
1880
Req = 434
1200 x 680
1200 + 680
Nesta situao pode-se utilizar uma terceira equao, especfica para associaes
paralelas onde todos os resistores tem o mesmo valor.
Esta equao tambm deduzida da equao geral.
Re q =
39
R
n
Onde:
R o valor de um resistor ( todos tem o mesmo valor ). n o nmero de resistores
R
n
Req = 40
40
Re q =
120
3
Resistncia equivalente de
uma associao mista
Para determinar a resistncia equivalente de uma associao mista utiliza-se um
recurso: dividir a associao em pequenas partes que possam ser calculadas como
associaes srie ou paralelas.
A partir da identificao dos ns, procura-se analisar como esto ligados os resistores
entre cada dois ns do circuito.
Analisando o trecho da associao entre o 1 n e o 2 n verifica-se:
Que os resistores R2 e R3 esto em paralelo.
41
Re q =
R2 x R3
R2 + R3
180 x 270
48600
= Req =
= 108
180 + 270
450
Req = 1868
O resultado significa que toda a associao mista original tem o mesmo efeito para a
corrente eltrica do que um nico resistor de 1868.
42
R1 e R2 esto em srie
R1 e R2 podem ser substitudos por um nico resistor RA que tenha o mesmo efeito
resultante.
Frmula
Req = R1 + R2 + ...
associao srie
RA = R1 + R2
RA = 10000 + 3300
RA = 13300
43
RA e R3 esto em paralelo
Os resistores RA e R3 em paralelo podem ser substitudos por um nico resistor com o
mesmo efeito resultante.
R x R2
Frmula
Re q = 1
R1 + R 2
Re q (Total) =
RA x R3
R A + R3
Re q (Total) =
13.300 x 68.000
13.300 + 68.000
A partir do resultado conclui-se que toda a associao mista pode ser substituda por
um nico resistor de 11.124
44
Determinando RA
RA substituindo R1 e R2 que esto em srie.
Frmula
RA = R1 + R2 Associao srie
RB = R3 + R4 Associao srie
Frmula
Re q =
45
Lei de Ohm
A Lei de Ohm estabelece uma relao entre as grandezas eltricas tenso, corrente e
resistncia em um circuito.
Lei de Ohm
A Lei de Ohm a lei bsica da eletricidade e eletrnica. Seu conhecimento
fundamental para o estudo e compreenso dos circuitos eltricos.
Determinao experimental da Lei de Ohm
A Lei de Ohm pode ser obtida a partir de medidas de tenso, corrente e resistncia
realizadas em circuitos eltricos simples, compostos por uma fonte geradora e um
resistor.
Montando-se um circuito eltrico composto por uma fonte geradora de 9V e um resistor
de 100 verifica-se que a corrente circulante de 90mA.
Onde:
VEntrada = 9V
R = 100
I = 90mA
Substituindo-se o resistor de 100 por outro de 200 a resistncia do circuito torna-se
maior. O circuito impe maior oposio a passagem da corrente, fazendo com que a
corrente circulante seja menor.
46
Onde:
VEntrada = 9V
R = 200
I = 45mA
A resistncia do circuito aumentou, a corrente do circuito diminuiu.
Aumentando-se sucessivamente o valor do resistor, a oposio a passagem da
corrente cada vez maior e a corrente, cada vez menor.
Onde:
VEntrada = 9V
R = 300
I = 30mA
Onde:
VEntrada = 9V
R = 400
I = 22,5mA
Colocando em uma tabela os valores obtidos nas diversas situaes tem-se:
Situao
Tenso (V)
Resistncia (R)
Corrente (I)
9V
100
90mA
9V
200
45mA
9V
300
30mA
9V
400
22,5mA
Corrente
Tenso aplicada
9V
100
90mA
9V
200
45mA
9V
300
30mA
9V
400
22,5mA
V
R
V
R
48
Com a letra I (Corrente) coberta, o tringulo fornece a equao que deve ser usada
para calcular a corrente do circuito.
I=
V
Clculo de I quando so conhecidos E e R
R
49
I=?
R = 36
V
I=
R
Como os valores de V e R j esto nas unidades fundamentais Volt e Ohm aplica-se os
valores na equao:
I=
V
R
I=
6V
36
I = 0,166A
V
I
R=
9V
0,23 A
R = 39,1
Um resistor de 22K foi conectado a uma fonte cuja tenso de sada desconhecida.
Um miliampermetro colocado em srie no circuito indicou uma corrente de 0,75mA.
Qual a tenso na sada da fonte?
50
Dados:
I = 0,75mA ou 0,00075A
R = 22k ou 22.000
V=?
V=RxI
V = 22.000 x 0,00075
V = 16,5V
V
I=R
I=
I =
10 V
330
I = 0,0303A ou
I = 30,3mA
R = 12K
I = 18mA
V = RI
V = _________V
V = 30V
I = 0,37A
R = _________
51
RR==
V
I
RR==
30V
0,37A
R = 81
Observando o circuito se verifica que tanto a lmpada 1 como a lmpada 2 tem um dos
terminais ligado diretamente ao plo positivo da pilha e o outro ligado ao plo negativo.
Ligados desta forma cada uma das lmpadas est diretamente conectada com a pilha,
recebendo 1.5 Vcc nos seus terminais.
52
As duas lmpadas, ligadas em paralelo, recebem a mesma tenso. Est uma das
caractersticas dos circuitos paralelos.
Resumindo
O circuito paralelo apresenta duas caractersticas fundamentais:
Fornece mais de um caminho para a circulao da corrente eltrica.
A tenso em todos os componentes associados a mesma.
As correntes na associao paralela
A funo da fonte de alimentao nos circuitos fornecer a corrente eltrica
necessria para o funcionamento dos consumidores.
Quando um circuito possui apenas uma fonte de alimentao, a corrente fornecida por
esta fonte denominada de corrente total, representada pela notao IT nos
esquemas.
VT
RT
V
. Aplicando a Lei de Ohm ao circuito tm-se:
R
(a corrente total dada pela diviso entre tenso total e resistncia total).
53
Rt =
Rl1 x RL 2
Rl1 + Rl 2
Rt =
200 x 300
60000
=
= 120
200 + 300
500
V
RT
IT =
1,5 V
120
IT = 0,0125A ou 12,5mA
Este valor de corrente circula em toda a parte do circuito que comum as duas
lmpadas.
54
O valor da corrente que circula em cada ramal pode ser calculado atravs da Lei de
Ohm, uma vez que se conhece a tenso aplicada e a resistncia de cada lmpada.
Lmpada 1
I1 =
VL1
R L1
I1 =
1,5 V
200
I1 = 0,0075A
I1 = 7,5mA
I2 =
1,5 V
300
I2 = 0,005A
I2 = 5mA
Lmpada 2
I2 =
VL 2
R L2
1 Lei de Kirchhoff
Aproveitando os valores do circuito paralelo j calculado.
56
Como existe um nico caminho a mesma corrente que sai do plo positivo da fonte
passa atravs da lmpada L1, da lmpada L2 e retorna a fonte pelo plo negativo.
57
A forma de ligao das cargas, uma aps a outra, d ao circuito outra caractersticas
importante:
Caso uma das lmpadas (ou qualquer outro tipo de carga) seja retirada do circuito, ou
tenha o seu filamento rompido, o circuito eltrico fica aberta e a corrente cessa.
Pode-se dizer:
Num circuito srie o funcionamento de cada um dos componentes depende dos
restantes.
Resumindo
O circuito srie apresenta trs caractersticas importantes:
Fornece apenas um caminho para a circulao da corrente eltrica.
A corrente tem o mesmo valor em qualquer ponto do circuito.
O funcionamento dos consumidores dependente.
58
V
RT
12V
= 0,12A ou
100
120mA
59
I=
E
12
=
= 0,12A
RT
100
60
61
62
E
RT
IT =
Arredondando
10 V
= 0,2703A
37
IT = 0,27A
A queda de tenso em RA pode ser determinada pela 2a Lei de Kirchhoff: a soma das
quedas de tenso num circuito srie igual a tenso de alimentao.
V = VR1 + VRA
VRA = V - VR1
VRA = 10V - 3,24V
VRA = 6,76V
Observao
A queda de tenso em RA pode tambm ser determinada pela Lei de Ohm: VRA = I . RA,
porque os valores de I (0,27A) e RA (25) so conhecidos.
VRA = 0,27 x 25 = 6,75V
Calculando a queda de tenso em RA se calcula em realidade, a queda de tenso na
associao paralela R2 R3.
64
IR2 =
VR 2
R2
IR2 =
6,76 V
47
IR2 = 0,144A
IR3 =
VR 3
R3
IR3 =
6,76 V
56
IR3 = 0,12A
A figura abaixo mostra o circuito original com todos os valores de tenso e corrente.
65
66
O valor de pico negativo numericamente igual ao valor de pico positivo, de forma que
a determinao do valor pode ser feita em qualquer um dos semiciclos.
Vpp = 2Vp.
67
Correspondncia entre CA e CC
Quando se aplica uma tenso contnua sobre um resistor verifica-se a circulao de
corrente de valor constante.
68
Isto significa que uma tenso alternada de 14,14V de pico to eficaz quanto uma
tenso contnua de 10V na produo de trabalho.
69
Por esta razo diz-se que uma tenso CA de 14,1Vp corresponde a uma tenso eficaz
de 10V.
14,1Vp = 10Vef
VEF =
Corrente Eficaz
IEF =
Vp
2
Ip
2
Vp
2
Vp = Vef .
Vp = 110V . 1,414
70
Vp = 155V
Perodo (T) o tempo necessrio para que ocorra um ciclo completo de um fenmeno
repetitivo.
A freqncia e o perodo de um fenmeno esto intimamente relacionados. O
relacionamento entre as duas grandezas expresso pela equao:
F=
1
T
Relao Perodo-Freqncia
71
Capacitores
72
Observao
O fenmeno de armazenamento de cargas pelo capacitor pode ser compreendido mais
facilmente analisando o movimento de eltrons no circuito.
Por esta razo ser utilizado o sentido eletrnico da corrente eltrica no
desenvolvimento do assunto.
Conectando-se os terminais do capacitor a uma fonte de CC o capacitor fica sujeito
diferena de potencial dos plos da fonte.
O potencial da bateria aplicado a cada uma das armaduras faz surgir entre elas uma
fora chamada de Campo eltrico, que nada mais do que uma fora de atrao
(cargas de sinal diferente) ou repulso (cargas de mesmo sinal) entre cargas eltricas.
O plo positivo da fonte absorve eltrons da armadura a qual est conectado enquanto
o polo negativo fornece eltrons outra armadura
A armadura que fornece eltrons fonte fica com ons positivos adquirindo um
potencial positivo e a armadura que recebe eltrons da fonte fica com ons negativos
adquirindo potencial negativo.
Isto significa que ao conectar o capacitor a uma fonte de CC surge uma diferena de
potencial entre as suas armaduras.
A tenso presente nas armaduras do capacitor ter um valor to prximo ao da tenso
da fonte que, para efeitos prticos, pode-se considerar iguais.
Quando o capacitor assume a mesma tenso da fonte de alimentao diz-se que o
capacitor est carregado.
Se aps ter sido carregado o capacitor for desconectado da fonte de CC suas
armaduras permanecem com os potenciais adquiridos.
73
74
Capacitores ajustveis
Capacitores variveis
Capacitores eletrolticos
75
Existem diversos tipos de capacitores fixos. Entre eles citam-se, por exemplo:
Capacitor de stiroflex
Capacitor de cermica
Capacitor de poliester
Capacitores variveis
So utilizados em locais onde a capacitncia constantemente modificada. As figuras
a seguir mostram um capacitor varivel e o seu smbolo.
76
A linha pontilhada indica que os dois capacitores tem seu movimento controlados pelo
mesmo eixo.
Capacitores eletrolticos
Os capacitores eletrolticos so capacitores fixos cujo processo de fabricao permite a
obteno de altos valores de capacitncia com pequeno volume.
A figura a seguir permite uma comparao entre as dimenses de um capacitor
eletroltico e um no eletroltico de mesmo valor.
Polaridade
Alterao de capacitncia
Tolerncia
77
Polaridade
A utilizao do dieltrico qumico (eletrlito) nos capacitores eletrolticos apresenta
algumas desvantagens. A formao da camada de xido entre as placas depende da
aplicao de tenso nas armaduras, com polaridade correta.
A ligao de polaridades incorretas sobre as armaduras do capacitor provoca a
destruio do eletrlito, permite a circulao de corrente entre as armaduras.
O capacitor sofre um processo de aquecimento que faz o eletrolto ferver, podendo
inclusive provocar uma exploso do componente devido a formao de gases no seu
interior.
Os capacitores eletrolticos polarizados so utilizados apenas em circuitos alimentados
por corrente contnua. Nos circuitos de corrente alternada a troca de polaridade da
tenso danifica o componente.
O smbolo dos capacitores eletrolticos expressa a polaridade das armaduras
Alterao da capacitncia
O capacitor eletroltico sofre alterao de capacitncia quando no est sendo
utilizado. Esta alterao se deve ao fato de que a formao da camada de xido entre
as armaduras depende da aplicao de tenso no capacitor.
78
79
Tipo;
Capacitncia;
Tenso de trabalho.
Exemplos:
Capacitor de poliester, 0,47F
600V
63V
Diretamente em algarismos
80
0,1F
.1F
0,047F
.047F
0,012F
.012F
0,68F
.68F
Observao
O valor de capacitncia expresso pelo cdigo de cores dado em picofarads(pF).
Exemplos
Amarelo - Violeta - Laranja - Branco - Azul
47000 pF
+ 10% 630V
47nF
Capacitncia
Da espessura do dieltrico:
Quanto mais fino o dieltrico, mais prximas esto as armaduras. O campo eltrico
formado entre as armaduras maior e a capacidade de
armazenamento tambm.
Da natureza do dieltrico:
Smbolo representativo do
Valor com relao ao FARAD
submltiplo
-6
1.10 FARAD
F
0,000001F
-9
1.10 FARAD
NF
0,000000001F
-12
10.10 FARAD
PF
0,000000000001F
82
Exemplos de converso:
1F = 1000nF
820nF = 0,82F
22nF = 22000pF
1200pF = 1,2nF
68nF = 0,068F
47000pF = 47nF
150pF = 0,15nF
47000pF = 0,047F
83
Capacitores em CA
Os capacitores despolarizados podem funcionar em corrente alternada, devido ao fato
de que cada uma das suas armaduras pode receber tanto potencial positivo como
negativo.
Os capacitores polarizados no podem ser conectados a CA porque a troca de
polaridade provoca danos ao componente.
Funcionamento do capacitor em CA
Quando um capacitor conectado a uma fonte de corrente alternada a troca sucessiva
de polaridade da tenso est aplicada s armaduras do capacitor.
A cada semiciclo, a armadura que recebe potencial positivo entrega eltrons a fonte,
enquanto a armadura que est ligada ao potencial negativo recebe eltrons.
Com a troca sucessiva de polaridade, uma mesma armadura durante um semi ciclo
recebe eltrons da fonte e no outro devolve eltrons para a fonte.
84
2 .f .C
Onde:
Xc = Reatncia capacitiva em
= Constante (6,28)
2
f
C = Capacitncia do capacitor em F
Fatores que influenciam na reatncia capacitiva
Verifica-se atravs da equao que:
A reatncia capacitiva de um capacitor depende apenas da sua capacitncia e da
freqncia da rede CA.
O grfico a seguir mostra o comportamento da reatncia capacitiva com a variao da
freqncia da CA
85
XC
XC
Tenso aplicada
Reatncia capacitiva
Corrente circulante
Estes trs valores esto relacionados entre si nos circuitos de CA da mesma forma que
nos circuitos de CC:
Atravs da Lei de Ohm.
86
Onde:
Vc
= Tenso no capacitor em V
Xc
= Reatncia capacitiva e
Exemplo
Um capacitor de 1F conectado a uma rede CA 220V 60Hz. Qual a corrente
circulante no circuito?
Xc =
I =
10 6
10 6
=
2 . f . C
6 , 28 . 60 . 1
Xc = 2653
Vc
220 V
=
= 0 , 0829A
Xc
2653
I = 82 , 9mA
Deve-se lembrar que os valores de V e I so eficazes, ou seja, so valores que sero
indicados por um voltmetro e um milimpermetro de CA conectados ao circuito.
Toda vez que se refere a tenso ou corrente em CA estes valores so eficazes, a
menos que se especifique de forma diferente (Vp, Vpp ou Ip, Ipp).
Determinao experimental da capacitncia de um capacitor
Quando a capacitncia de um capacitor despolarizado desconhecida, possvel
determin-la por um processo experimental.
Aplica-se o capacitor a uma fonte CA com tenso e freqncia conhecidos e
determina-se a corrente com um ampermetro de CA.
O valor de tenso de pico da CA aplicada deve ser inferior a tenso de trabalho do
capacitor.
Conhecendo-se os valores da tenso e corrente no circuito determina-se a reatncia
capacitiva do capacitor:
87
Magnetismo e
Eletromagnetismo
Magnetismo
O magnetismo a propriedade que certos materiais possuem que faz com que estes
materiais exeram uma atrao sobre materiais ferrosos.
As propriedades dos corpos magnticos so grandemente utilizadas em eletricidade
(motores, geradores) e eletrnica (instrumentos de medida, transmisso de sinais,
etc.).
Magnetismo natural - ms
Alguns materiais encontrados na natureza apresentam propriedades magnticas
naturais. Estes materiais so denominados de ms naturais.
A magnetita um minrio de ferro que naturalmente magntico, ou seja, um m
natural.
ms artificiais
Os ms artificiais so barras de materiais ferrosos que o homem magnetiza por
processos artificiais.
Os ms artificiais so muito empregados porque podem ser fabricados com os mais
diversos formatos, de forma a atender as necessidades prticas.
88
Plos magnticos de um m
Externamente as foras de atraes magnticas de um m se manifestam com maior
intensidade nas suas extremidades.
Uma vez que as foras de atrao magnticas dos ms so mais concentradas nos
plos, se conclui que a intensidade destas propriedades decresce para o centro do
m.
Na regio central do m se estabelece uma linha onde as foras de atrao magnticas
do plo sul e do plo norte so iguais e se anulam.
Esta linha denominada de linha neutra. A linha neutra portanto, a linha divisria
entre os plos do m.
Origem do magnetismo
O magnetismo tem a sua origem na organizao atmica dos materiais.
Cada molcula de um material um pequeno m natural, denominado de m
molecular ou domnio.
89
Observao
Na fabricao de ms artificiais as molculas de um material (desordenadas) sofrem
um processo de orientao a partir das foras externas.
Inseparabilidade dos plos
Os ms tem uma propriedade caracterstica:
Por mais que se divida um m em partes menores, as partes sempre tero um plo
norte e um plo sul.
Esta experincia mostra tambm uma maior concentrao de limalhas na regio dos
plos do m devido a maior intensidade de magnetismo nas regies polares.
Eletromagnetismo
A denominao eletromagnetismo se aplica a todo o fenmeno magntico que
tenha origem em uma corrente eltrica.
Campo magntico em um condutor
Quando um condutor percorrido por uma corrente eltrica ocorre uma orientao no
movimento das partculas no seu interior.
92
Esta orientao do movimento das partculas tem efeito semelhante a orientao dos
ms moleculares.
Como conseqncia desta orientao se verifica o surgimento de um campo
magntico ao redor do condutor.
As linhas de fora deste campo magntico, criado pela corrente eltrica que passa por
um condutor, so circunferncias concntricas num plano perpendicular ao condutor.
O sentido de deslocamento das linhas de fora dado pela regra da mo direita, para
o sentido convencional da corrente eltrica.
Regra da mo direita
Envolvendo o condutor com os quatro dedos da mo direita de forma que o dedo
polegar indique o sentido da corrente (convencional).
O sentido das linhas de fora ser o mesmo dos dedos que envolvem o condutor.
93
94
Para obter uma maior intensidade de campo magntico a partir de uma mesma bobina
pode-se utilizar o recurso de colocar um material ferroso (ferro, ao, etc.) no interior da
bobina.
Neste caso o conjunto bobina-ncleo de ferro recebe a denominao de eletrom
Quando uma bobina tem um ncleo de material ferroso seu smbolo expressa esta
condio.
95
Cobre
Ouro
Ar
Alumnio
96
Magnetismo remanente
Quando se coloca um ncleo de ferro em uma bobina, na qual circula uma corrente
eltrica, o ncleo se torna imantado, porque as suas molculas se orientam conforme
as linhas de fora criadas pela bobina.
97
Induo
Auto Induo
O princpio da gerao de energia eltrica baseia-se no fato de que toda a vez que um
condutor se movimenta no interior de um campo magntico aparece neste condutor
uma diferena de potencial.
importante notar que para ter um campo magntico varivel no condutor pode-se:
1. Manter o campo magntico estacionrio e movimentar o condutor
perpendicularmente ao campo.
Movimento do condutor
98
Isto significa:
Se neste mesmo circuito o resistor for substitudo por uma bobina o comportamento
ser diferente.
A corrente atinge o valor mximo algum tempo aps a ligao do interruptor.
99
Este atraso para atingir a corrente mxima se deve a induo e pode ser melhor
compreendido imaginando o comportamento do circuito passo a passo.
Supondo-se o circuito composto por uma bobina, uma fonte de CC e uma chave.
Enquanto a chave est desligada no h campo magntico ao redor das espiras
porque no h corrente circulante.
A figura a seguir mostra apenas a bobina em destaque, com algumas espiras
representadas em corte.
Conforme Faraday enunciou induz-se nesta espira cortada pelo campo em movimento
uma determinada tenso.
100
Cada espira da bobina induz nas espiras vizinhas uma tenso eltrica.
O que significa que a aplicao de tenso em uma bobina provoca o aparecimento
de um campo magntico em expanso que gera na prpria bobina uma tenso
induzida. Este fenmeno que consiste em uma bobina induzir sobre si mesma uma
tenso denominado de auto-induo.
A tenso gerada na bobina por auto-induo tem uma caracterstica importante: tem
polaridade oposta a tenso que aplicada aos seus terminais, razo pela qual
denominada de fora contra eletro motriz (FCEM).
Voltando ao circuito:
Ao ligar a chave aplica-se tenso, com uma determinada polaridade bobina.
Como a FCEM atua contra a tenso da fonte, a tenso aplicada a bobina , na realidade:
I=
(V - FCEM )
R
tenso resultante
Como a FCEM existe apenas durante a variao do campo magntico gerado na bobina,
quando o campo magntico atinge o valor mximo a FCEM deixa de existir e a corrente
atinge o seu valor mximo.
O grfico abaixo mostra detalhadamente esta situao.
Em resumo, pode-se dizer que a auto-induo faz com que as bobinas tenham uma
caracterstica singular: uma bobina se ope a variaes bruscas de corrente.
Esta capacidade de se opor as variaes de corrente denominada de indutncia e
representada pela letra L.
A unidade de medida da indutncia o Henry, representado pela letra H.
Capacidade de se opor as
variaes de corrente
102
Indutncia
(L)
Medida em Henrys
(H)
material
seo
formato
Do ncleo
Do nmero de espiras
Do condutor
tipo
seo
103
Indutores em CA
Quando se aplica um indutor em um circuito de CC a sua indutncia se manifesta
apenas nos momentos em que existe variao de corrente.
J em CA, como os valores de tenso e corrente esto em constante modificao o
efeito da indutncia se manifesta permanentemente.
Esta manifestao permanente da oposio a circulao de uma corrente varivel
denominada de reatncia indutiva, representada pela notao XL.
Em outras palavras, reatncia indutiva a resistncia de um indutor em corrente
alternada.
A reatncia indutiva expressa em ohms e pode ser determinada atravs da equao:
XL = 2 . . f . L
onde:
XL = reatncia indutiva em
2 = constante (6,28)
f = freqncia da corrente alternada
L = indutncia do indutor em Henrys
Por exemplo:
A reatncia de um indutor de 600mH aplicado a uma rede de CA de 60Hz :
XL = 2 . f . L
XL = 6,28 . 60 . 0,6
XL = 226,08
importante observar que a reatncia indutiva de um indutor no depende da tenso
aplicada aos seus terminais.
A corrente que circula em um indutor aplicado a CA (IL) pode ser calculada com base
na Lei de Ohm, substituindo-se R por XL.
IL =
104
V
XL
onde:
IL = corrente eficaz no indutor em A
V = tenso eficaz em V
XL = reatncia indutiva em
O indutor de 600mH aplicado a uma rede de CA 60Hz, 110V permitiria a circulao de
uma corrente de:
XL = 2 . f . L = 6,28 . 60 . 06 = 226,08
IL =
V
XL
I=
110V
= 0,486A
226,08
IL = 486mA
Determinao experimental da indutncia de um condutor
Quando se deseja utilizar um indutor e sua indutncia desconhecida, possvel
determin-la aproximadamente por processo experimental.
O valor encontrado no ser exato porque necessrio considerar que o indutor
puro (R = 0).
Aplica-se ao indutor uma corrente alternada com freqncia e tenso conhecidas.
Determina-se a corrente do circuito com um ampermetro de corrente alternada.
Conhecidos os valores de tenso e corrente do circuito, determina-se a reatncia
indutiva do indutor.
XL =
V
IL
onde:
V = tenso do indutor
IL = corrente do indutor
Aplica-se o valor encontrado na equao da reatncia indutiva e determina-se a
indutncia:
X L = 2fL
isolando L
L=
XL
2f
105
Impedncia
Quando se aplica um circuito composto apenas por resistores a uma fonte de CC ou
CA a oposio total que este circuito apresenta passagem da corrente denominada
de resistncia total.
Entretanto, em circuitos de CA que apresentam resistncias e reatncias associadas, a
expresso resistncia total no aplicada.
A oposio total que os circuitos compostos por resistncias e reatncias apresentam
a passagem da corrente eltrica denominada de impedncia.
A impedncia representada pela letra Z e expressa em ohms.
A impedncia de um circuito no pode ser calculada da mesma forma que uma
resistncia total de um circuito composto apenas por resistores.
A existncia de componentes reativos, que defasam correntes ou tenses, torna
necessrio o uso de formas particulares para o clculo da impedncia de cada tipo de
circuito.
Circuito RC srie em CA
O circuito RC srie em CA muito aplicado em equipamentos industriais como forma
de obter tenses CA defasadas. Por esta razo este circuito tambm denominado de
rede de defasagem ou defasadores de tenso.
A figura abaixo mostra o grfico senoidal de um circuito RC srie.
106
Atravs do grfico anterior, podemos notar que as tenses sobre o resistor e sobre o
capacitor no esto em fase, ou seja, no surgem no mesmo espao de tempo. Isso
ocorre porque em um circuito srie a corrente a mesma em todos os componentes,
sendo que, no resistor a tenso e a corrente sempre esto em fase (quando existe
tenso, existe corrente) e no capacitor a corrente surge sempre 90 antes da tenso
(isso uma caracterstica do componente).
O ngulo de defasagem entre as tenses no circuito srie depende:
Da freqncia da CA;
Da resistncia do resistor;
Da capacitncia do capacitor.
107
Atravs do grfico anterior, podemos notar que as tenses sobre o resistor e sobre o
indutor no esto em fase, ou seja, no surgem no mesmo espao de tempo. Isso
ocorre porque em um circuito srie a corrente a mesma em todos os componentes,
sendo que, no resistor a tenso e a corrente sempre esto em fase (quando existe
tenso, existe corrente) e no indutor a tenso surge sempre 90 antes da corrente (isso
uma caracterstica do componente).
A defasagem entre as tenses depende:
Da resistncia do resistor.
Da capacitncia do capacitor.
Da freqncia da CA aplicada.
Freqncia de ressonncia
Analisando os grficos abaixo, observa-se que a reatncia de um indutor cresce
linearmente com o aumento da freqncia enquanto a reatncia do capacitor decresce.
108
1
2.fR.C
1
2
4 . L . C
Fr =
Freqncia de ressonncia
1
2
4 . L . C
Fr =
1
2 L . C
Onde:
fr = freqncia de ressonncia em Hertz
L = indutncia em Henry
C = capacitncia em Farad
O circuito RLC srie em CA
O circuito RLC utilizado principalmente para a seleo de freqncias.
A seleo de freqncias baseia-se fundamentalmente na ressonncia e na faixa de
passagem do circuito RLC.
109
110
Esta caracterstica permite que este tipo de circuito seja utilizado para a eliminao ou
separao de freqncias.
A configurao paralela utilizada para separar uma freqncia porque a tenso sobre
o conjunto LC paralelo mxima na ressonncia.
111
Transformadores
Princpio de funcionamento
Quando uma bobina conectada a uma fonte de CA surge um campo magntico
varivel ao seu redor.
112
113
O ncleo diminui a disperso do campo magntico, fazendo com que o secundrio seja
cortado pelo maior nmero de linhas magnticas possvel, obtendo uma melhor
transferncia de energia entre o primrio e o secundrio.
A figura a seguir ilustra o efeito provocado pela colocao do ncleo no transformador.
114
115
Isto significa que a tenso no secundrio est defasada 180 da tenso no primrio, ou
seja, quando a tenso no primrio aumenta num sentido a tenso do secundrio
aumenta no sentido oposto.
Ponto de referncia
Considerando-se a bobina do secundrio de um transformador ligado a CA observa-se
que a cada momento um terminal positivo e o outro negativo. Aps algum tempo,
existe uma troca de polaridade. O terminal que era positivo torna-se negativo e viceversa.
116
Na maioria das utilizaes o terminal central utilizado como referncia, sendo ligado
ao terra do circuito eletrnico.
117
118
120
Onde
PP = potncia absorvida pelo primrio
PS1 = potncia fornecida pelo secundrio 1
PS2 = potncia fornecida pelo secundrio 2
PSn = potncia fornecida pelo secundrio n
Esta equao pode ser reescrita usando os valores de tenso e corrente no
transformador.
VP = IP = ( VS1 . IS1 ) + ( VS2 . I S2 ) + + ( VSn . I Sn )
Onde:
VP e IP = tenso e corrente no primrio
VS1 e IS1 = tenso e corrente no secundrio 1
VS2 e IS2 = tenso e corrente no secundrio 2
VSn e ISn = tenso e corrente no secundrio n
121
O diamante;
O grafite.
Diamante
Material de grande dureza que se forma pelo arranjo de tomos de carbono em forma
de estrutura cristalina. eletricamente isolante.
Grafite
Material que se forma pelo arranjo de tomos de carbono em forma triangular.
condutor de eletricidade.
Estrutura qumica dos materiais semicondutores
Os materiais semicondutores se caracterizam por serem constitudos de tomos que
tem 4 eltrons na camada de valncia (Tetravalentes).
A figura a seguir apresenta a configurao de dois tomos que do origem a materiais
semi condutores.
122
Os tomos que tem quatro eltrons na ltima camada tem tendncia a se agruparem
segundo uma formao cristalina.
Neste tipo de ligao cada tomo se combina com quatro outros, fazendo com que
cada eltron pertena simultaneamente a dois tomos.
123
Observa-se que cada tomo realiza quatro ligaes covalentes com os tomos
vizinhos.
O aspecto real de ligao dos tomos de uma estrutura cristalina de germnio ou
silcio est apresentado na figura abaixo.
Dopagem
A dopagem um processo qumico que tem por finalidade introduzir tomos estranhos
a uma substncia na sua estrutura cristalina.
A prpria natureza executa um processo de dopagem propiciando a existncia de
impurezas na estrutura qumica dos cristais que se instalam durante a sua formao.
A dopagem pode tambm ser realizada em laboratrios, com um objetivo mais
especfico:
124
Dos cinco eltrons externos do fsforo apenas quatro encontram um par no cristal que
possibilite a formao covalente.
Com a adio de uma determinada quantidade de impurezas o cristal que era puro e
isolante passa a ser condutor de corrente eltrica, atravs dos portadores livres
(eltrons), que podem circular na banda de conduo.
importante observar que embora o material tenha sido dopado, seu nmero total de
eltrons e prtons igual, de forma que o material continua eletricamente neutro.
O cristal semicondutor dopado com impurezas de maior nmero de eltrons (como o
fsforo) denominado de cristal N porque a corrente eltrica conduzida no seu
interior por cargas negativas.
125
126
A lacuna no propriamente uma carga positiva, mas sim, a ausncia de uma carga
negativa.
Os cristais dopados com tomos de menos de quatro eltrons na camada externa so
denominados de cristais P porque a conduo de corrente eltrica no seu interior se d
pela movimentao das lacunas.
O movimento de lacunas no cristal P pode ser facilmente observado, quando se
analisa a conduo de corrente passo a passo.
Quando se aplica uma diferena de potencial aos extremos de um cristal P uma lacuna
ocupada por um eltron que se movimenta deixando uma lacuna em seu lugar.
Esta lacuna preenchida pelo eltron seguinte, que torna a criar outra lacuna atrs de
si.
Assim, a lacuna ser preenchida por outro eltron gerando nova lacuna, at que esta
lacuna seja preenchida por um eltron proveniente da fonte.
127
129
130
O mesmo ocorre com algumas lacunas que passam do material P para o material N e
se recombinam com os eltrons livres.
Forma-se na juno uma regio onde no existem portadores de carga, porque esto
todos recombinados, neutralizando-se. Esta regio denominada de regio de
Deplexo.
131
Polarizao direta
Polarizao inversa
Polarizao direta
A polarizao do diodo denominada de polarizao direta quando a tenso positiva
aplicada ao material P e a tenso negativa ao material N.
132
Observa-se que nesta condio existe um fluxo de portadores livres dentro do diodo,
atravs da juno.
A polarizao direta faz com que o diodo permita a circulao de corrente eltrica no
circuito, atravs do movimento dos portadores livres.
133
Quando o diodo est polarizado diretamente, conduzindo corrente eltrica diz-se que:
o diodo est em conduo.
importante observar que a seta do smbolo do diodo indica o sentido de circulao
convencional da corrente.
Polarizao inversa:
A polarizao inversa de um diodo consiste na aplicao de tenso positiva no material
N e negativa no material P.
135
A barreira de potencial;
136
A resistncia interna.
A barreira de potencial, existente na juno dos cristais, faz com que o diodo entre em
conduo efetiva apenas a partir do momento em que a tenso da bateria externa
atinge um valor maior que a tenso interna.
137
I=
49,3V
= 0,0328
1501
I=
50
= 0,0333
1500
138
Atravs da curva verifica-se tambm que enquanto a tenso sobre o diodo est abaixo
de 0,7V (no caso do silcio) a corrente circulante muito pequena (regio c da curva).
Isto se deve ao fato de que a barreira de potencial se ope ao fluxo de cargas no
diodo.
Devido a existncia desta barreira de potencial a regio tpica de funcionamento dos
diodos fica acima da tenso de conduo caracterstica.
Regio de bloqueio
No bloqueio o diodo semicondutor no atua como isolante perfeito, permitindo a
circulao de uma corrente de fuga, de valor muito pequeno (da ordem de
microampres).
139
Esta corrente de fuga aumenta, a medida que a tenso inversa sobre o diodo aumenta.
IF
SKE 1/12
1,0A
1N4004
1,0A
Cada diodo tem a estrutura preparada para suportar um determinado valor de tenso
reversa. Aplicando um valor de tenso reversa superior ao especificado para cada
diodo a corrente de fuga aumenta excessivamente e o diodo danificado.
Os fabricantes de diodos fornecem em folhetos tcnicos o valor caracterstico de
tenso mxima que o diodo suporta sem sofrer a ruptura.
Este valor aparece designado pela sigla VR.
Abaixo esto colocados alguns diodos comerciais e seus valores caractersticos de
tenso reversa mxima.
Tipo
VR
1N4001
50V
BY127
800V
BYX13
50V
SKE1/12
1200V
141
Durante o primeiro semi ciclo a tenso positiva no ponto A, com relao ao ponto B.
Esta polaridade de tenso de entrada coloca o diodo em conduo, permitindo a
circulao de corrente.
A tenso sobre a carga assume a mesma forma da tenso de entrada.
O valor do pico de tenso sobre a carga menor que o valor do pico de tenso da
entrada por que o diodo, durante conduo, apresenta uma pequena queda de tenso
VD (0,7 para silcio e 0,2 para germnio).
Entretanto, na maioria dos casos, a queda de tenso do diodo pode ser desprezada
por que o seu valor muito pequeno em relao ao valor total do pico de tenso sobre
a carga.
A queda de tenso sobre o diodo deve ser considerada apenas quando o circuito
retificador for aplicado a tenses pequenas (menores que 10V).
Segundo semi ciclo
Durante o segundo semi ciclo a tenso de entreda negativa no ponto A, com relao
ao ponto B.
Esta polaridade de tenso de entrada coloca o diodo em bloqueio, impedindo a
circulao de corrente.
143
Nesta condio toda a tenso de entrada aplicada sobre o diodo que atua como
interruptor aberto, e a tenso na carga nula porque no h circulao de corrente.
Observa-se que para cada ciclo completo da tenso de entrada apenas um semi ciclo
passa para a carga, enquanto o outro semi ciclo fica sobre o diodo.
Os grficos da figura abaixo ilustram o que foi descrito.
144
(E M - VD )
Onde:
VCC = Tenso contnua mdia sobre a carga;
EM = Tenso de pico da CA aplicado ao circuito (EM = VCA .
2 );
VCC =
EM
VCA . 2
Simplificando os termos
2
obtm-se 0,45; logo:
O valor da corrente mdia de sada pode ser determinado a partir da tenso mdia a
da resistncia de carga:
Corrente mdia de sada ICC =
VCC
RL
O clculo da corrente mdia de sada muito importante porque serve como ponto de
partida para a escolha do diodo que ser utilizado no circuito.
146
100VCA
45VCcmed(100 x 0,45)
147
Primeiro semiciclo
Considerando-se o terminal central do secundrio como referncia verifica-se a
formao de duas polaridades opostas nos extremos das bobinas.
149
Segundo semiciclo
No segundo semiciclo da tenso de entrada ocorre uma inverso na polaridade do
secundrio do transformador.
150
Funcionamento
Primeiro semiciclo
Considerando a tenso positiva no terminal de entrada superior.
151
= Conduo
= Bloqueio
= Bloqueio
152
Segundo semiciclo
No segundo semiciclo ocorre a inverso da polaridade nos terminais de entrada no
circuito.
= Bloqueio
= Conduo
154
Isto se deve ao fato de que, na retificao de onda completa com ponto mdio, cada
metade do secundrio do transformador est ativa durante um perodo e inativa em
outro.
Observando atentamente este tipo de retificao possvel visualizar que o conjunto
se constitui de duas retificaes de meia onda, cada uma atuante em um dos
semiciclos conforme mostra a seqncia da figura.
E M - VD
desconsiderando VD tm-se:
VCC =
VCC = 2 .
155
EM
como EM = VCA .
VCC = 2 .
VCA . 2
simplificando
tm-se
ICC =
VCC
RL
156
Nos intervalos de tempo em que o diodo conduz circula corrente atravs da carga e
tambm para o capacitor. Neste perodo o capacitor armazena energia.
157
Como o capacitor est em paralelo com a carga, a tenso presente nas armaduras
aplicada a carga.
A corrente absorvida pela carga fornecida pelo capacitor. Com o passar do tempo a
tenso do capacitor diminui devido a sua descarga.
158
Com a colocao do capacitor a carga passa a receber tenso durante todo o tempo.
As figuras abaixo mostram uma comparao entre a tenso de sada de uma
retificao de meia onda sem filtro e com filtro.
A presena de tenso sobre a carga durante todo o tempo, embora com o valor
varivel, proporciona a elevao do valor mdio de tenso fornecido.
VCC = E M -
VONDpp
2
Onde:
VCC tenso CC na sada
E M tenso de pico VCA . 2 , desconsiderando-se a queda nos diodos
VONDpp tenso de ondulao de pico a pico
Quando um circuito retificador com filtro capacitivo est sem carga no h ondulao.
A tenso de sada uma CC perfeita.
A tenso de sada , neste caso:
V
= EM CC
VONDpp
VCC = E M
ou
VONDpp = 0 tem-se
como
VCC = VCA .
Isto vlido tanto para a retificao de meia onda com filtro para a onda completa com
filtro.
VCC = E M
VCC = VCA .
160
Quando a carga aplicada a ondulao aparece, fazendo com que a tenso de sada
caia para valores inferiores a E M .
A reduo na tenso de sada se deve a ondulao, e ser tanto maior quanto maior
for a corrente solicitada pela carga.
Admitindo-se uma carga que provoque uma ondulao de 3 Vpp .
VCC = E M -
VONDpp
2
E M = VCA .
VCC = 21,2 -
3,0 Vpp
2
VCC = 19,7V
A forma de onda da sada, observada em osciloscpio, em modo DC, seria mostrada
na figura abaixo.
O valor mdio da tenso de sada CC, devido a ondulao, cairia de 21,2V (sem carga)
para 19,7V (mdia entre 21,2 e 18,2) devido a carga.
Observao da ondulao com osciloscpio
A ondulao uma componente alternada presente no topo da forma de onda
fornecida por uma fonte com filtro capacitivo e carga na sada.
161
Como o valor desta ondulao normalmente igual ou menor que 10% do valor da CC
fornecida pela fonte, tornasse difcil medir o seu valor exato usando o osciloscpio no
modo DC.
Para obter uma medida precisa da tenso de ondulao de pico a pico utiliza-se o
modo AC.
Neste modo de entrada a componente CC da sada eliminada de forma que o
osciloscpio apresenta na tela apenas a ondulao. Isto permite aumentar o ganho
vertical, ampliando apenas a ondulao na tela.
As figuras abaixo mostram mesma sada de uma fonte, nos modos DC e AC de
entrada.
162
Este valor acontece sobre o diodo a cada semi perodo de bloqueio, de forma
repetitiva.
163
164
165
Diodo zener
O diodo zener um tipo especial de diodo utilizado como regulador de tenso.
A sua capacidade de regulao de tenso empregada principalmente nas fontes de
alimentao, visando a obteno de uma tenso de sada fixa.
O diodo zener essencialmente um regulador de tenso.
O diodo zener representado nos diagramas pelo smbolo abaixo.
Polarizao direta
Com polarizao direta o diodo zener se comporta da mesma forma que um diodo
retificador, entrando em conduo e assumindo uma queda de tenso tpica.
Polarizado diretamente o diodo zener se comporta como um diodo retificador
convencional.
Normalmente o diodo zener no utilizado com polarizao direta nos circuitos
eletrnicos.
Polarizao inversa
At um determinado valor de tenso inversa, o diodo zener se comporta como um
diodo comum, ficando em bloqueio.
No bloqueio, circula no diodo zener uma pequena corrente de fuga, conforme mostra a
figura a seguir.
166
O sinal negativo de IZ (-IZ) na figura anterior indica que esta corrente circula no sentido
inverso pelo diodo.
Em um determinado valor de tenso inversa, o diodo zener entra subitamente em
conduo, apesar de polarizado inversamente.
A corrente inversa aumenta rapidamente e a tenso sobre o zener se mantm
praticamente constante.
O valor de tenso inversa que faz com que o diodo zener entre em conduo
denominado de tenso zener.
Enquanto houver corrente inversa circulando no diodo zener a tenso sobre seus
terminais se mantm praticamente no valor de tenso zener.
O funcionamento tpico do diodo zener com corrente inversa, o que estabelece uma
tenso fixa sobre seus terminais.
importante observar que, no sentido reverso, o diodo zener difere do diodo retificador
convencional.
Um diodo retificador nunca chega a conduzir intensamente no sentido reverso e se isto
acontecer o diodo estar em curto, danificado permanentemente.
O diodo zener levado propositalmente a conduzir no sentido reverso, visando obter a
tenso zener constante sobre seus terminais, sem que isto danifique o componente.
167
Tenso zener;
Potncia zener;
Coeficiente de temperatura;
Tolerncia.
Tenso zener
A tenso zener (tenso de ruptura) dos diodos zener depende do processo de
fabricao e da resistividade da juno semicondutora. Durante a ruptura o diodo
zener fica com o valor de tenso zener sobre seus terminais.
Os diodos zener so fabricados para valores de tenso zener da ordem de 2V at
algumas dezenas de volts. Este valor fornecido pelo fabricante nos folhetos tcnicos
dos diodos zener.
Potncia zener
O diodo zener funciona na regio de ruptura, apresentando um valor determinado de
tenso sobre seus terminais (VZ) e sendo percorrido por uma corrente inversa.
PZ = VZ . IZ
POTNCIA ZENER
168
IZmx
P
= Zmx
VZ
PZmx = VZ . IZmx
Este valor da corrente no pode ser excedido sob pena de danificar o diodo zener por
excesso de aquecimento.
Os diodos zener de pequena potncia (at 1W) podem ser encontrados em
encapsulamento de vidro ou plstico enquanto os de maior potncia so geralmente
metlicos para facilitar a dissipao de calor.
IZmximo;
IZmnimo.
PZ
VZ
IZmn =
IZmx
10
Coeficiente de Temperatura
Os diodos zener so fabricados com materiais semicondutores, que sofrem influncia
da temperatura nas suas condies de funcionamento (dependncia trmica).
A tenso zener se modifica com a variao de temperatura do componente.
A influncia da variao de temperatura na tenso zener expressa sob a forma de
relao entre dois valores (tenso e temperatura).
Esta relao define em quantos milivolts a tenso zener se modifica para cada grau
centgrado de alterao da temperatura do componente.
169
COEFICIENTE DE
TEMPERATURA
mV/C
Observao
Os valores de tenso zener fornecidos pelo fabricante nos folhetos tcnicos so
vlidos para a temperatura de 25C.
Tolerncia
A tolerncia do diodo zener especifica a variao que pode existir entre o valor
especificado e o valor de tenso reversa do diodo zener.
Isto significa que um diodo zener de 12V pode ter uma tenso reversa real, por
exemplo, de 11,5V.
Para especificar a tolerncia os fabricantes de diodo zener utilizam uma codificao:
Consultando o manual de diodos zener se verifica que o diodo 1N4742 de 12V, 1W.
A letra A indica que pode existir uma variao de 5% no valor de tenso do zener (de
11,4V a 12,6V).
Tolerncia de 10%
A designao do diodo vem sem letra no final.
Exemplo: 1N4733
Caractersticas 5,1V; 1W; 10% de tolerncia (de 4,85V a 5,35V).
170
171
Para que o diodo zener seja utilizado como regulador de tenso necessrio introduzir
junto com o componente, no circuito regulador, um resistor que limite a corrente do
zener abaixo do seu valor mximo (Izmximo).
A figura a seguir apresenta a configurao caracterstica de um circuito regulador de
tenso com o diodo zener.
A tenso sobre a carga a mesma do diodo zener porque carga e zener esto em
paralelo.
172
VRL = VZ
Neste condio circula corrente atravs da carga e do diodo zener.
Estas correntes provocam uma queda de tenso sobre o resistor, cujo valor
exatamente a diferena entre a tenso da entrada e a tenso do zener.
173
VRS = VENT - VZ
Esta a condio normal de funcionamento do circuito.
Condies de regulao
A partir da condio normal de funcionamento so possveis trs situaes distintas:
Para conseguir que a tenso CC fornecida aos circuitos eletrnicos alimentados pela
rede CA seja constante, so utilizados circuitos reguladores com diodo zener. A seguir
est descrita a forma como circuito regulador atua quando ocorre variao na tenso
174
Resumindo:
Com o aumento na tenso de entrada.
A soma das correntes do zener e carga (IZ + IRL) circula no resistor limitador.
Com acrscimo da corrente do zener aumenta tambm a corrente no resistor limitador
Com acrscimo da corrente no resistor limitador a sua queda de tenso
aumenta com pensando o aumento na tenso de entrada.
175
Com a diminuio de IZ a corrente que circula no resistor limitador (IZ + IRL) se reduz.
Isto provoca a reduo na queda de tenso no resistor limitador, compensando a
reduo na tenso de entrada.
Verifica-se que a tenso sobre a carga permanece praticamente constante (6V e 5,9V)
mesmo que a tenso de entrada diminua significativamente (8,5V para 7,5V).
176
Concluso
Analisando as duas situaes de regulao, conclui-se que as diferenas de tenso de
entrada ficam sobre o resistor limitador, permitindo a carga receber uma tenso
praticamente constante.
Regulao de tenso com corrente de carga varivel
As variaes de tenso de alimentao em funo da corrente de carga ocorrem,
principalmente, devido as caractersticas dos filtros utilizados nas fontes retificadoras.
A variao na tenso de ondulao na sada das fontes provoca alteraes na tenso
fornecida em funo da corrente consumida pela carga.
O diodo zener pode ser utilizado, formando um circuito regulador, que possibilita o
fornecimento de tenso constante, independente do consumo de corrente pela carga.
A seguir analisada a forma como o diodo zener se comporta frente as variaes da
corrente de carga, tomando como base um circuito na condio normal, com valor de
carga mdia.
Considerando-se que a tenso de entrada seja constante pode-se afirmar que a tenso
sobre o resistor limitador constante.
Isso implica em que a corrente que circula atravs do resistor limitador tenha um valor
constante independente das variaes de carga. Resumindo, pode-se dizer:
177
IRS = constante
IZ + IRL = constante
IRL + Iz = constante
IRL + Iz = constante
178
179
Baixo consumo
Nenhum aquecimento
Grande durabilidade
180
Cor
VF a IF = 20mA
IF mx.
LD 30C
Vermelho
1,6V
100mA
LD 37I
Verde
2,4V
60mA
LD 35I
Amarelo
2,4V
60mA
LED bicolor
O LED bicolor consiste, na verdade, de dois LEDs colocados dentro de uma mesma
cpsula.
Estes LEDs tem trs terminais.
Um dos terminais comum aos dois LEDs. Dependendo da cor que se deseja
acender, polariza-se um dos diodos.
LED infravermelho
A luz infravermelha um tipo de luz que no visvel ao olho humano.
181
182
VCC - VF
IF
Onde:
VCC = tenso de sada da fonte
VF = tenso nominal de conduo do diodo LED
IF = corrente nominal de conduo do diodo LED
183
Transistor bipolar
Estrutura bsica
O transistor bipolar um componente eletrnico constitudo por materiais
semicondutores, capaz de atuar como controlador da corrente, o que possibilita o seu
uso como amplificador de sinais ou como interruptor eletrnico.
Em qualquer uma das duas funes o transistor encontra ampla aplicao:
Estrutura bsica
A estrutura bsica do transistor se compe de duas pastilhas de material semicondutor,
de mesmo tipo, entre as quais colocada uma terceira pastilha, bastante mais fina, de
material semicondutor com tipo diferente de dopagem, formando uma configurao
semelhante a um sanduiche.
Tipos de transistores
A configurao da estrutura, em forma de sanduiche, permite que se obtenham dois
tipos distintos de transistores.
184
A figura abaixo apresenta dois tipos de transistores, com a identificao dos terminais.
Por esta razo, a identificao dos terminais do transistor deve sempre ser feita com
auxlio de um manual de transistores ou folheto tcnico especfico do fabricante do
transistor.
A figura a seguir parte de um folheto tcnico de um transistor, mostrando a posio
dos seus terminais.
186
Princpio de funcionamento
do transistor
As tenses nos terminais do transistor
O estudo do princpio de funcionamento do transistor consiste em uma anlise do
movimento dos eltrons livres e lacunas no interior do componente, provocados pela
aplicao de tenses externas ao coletor, base e ao emissor.
O movimento dos eltrons livres e lacunas est intimamente ligado a polaridade da
tenso aplicada a cada um dos terminais do transistor.
As junes do transistor e a polaridade das tenses nos terminais
Uma juno PN entre o cristal da base e o cristal do emissor, chamada de juno base
emissor.
Uma juno PN entre o cristal de base e o cristal do coletor, chamada de juno base
coletor.
187
A juno base-coletor:
Na regio de funcionamento ativo, a juno base coletor polarizada inversamente.
As figuras abaixo mostram a polaridade das tenses de coletor em relao a base em
cada tipo de transistor.
188
Observao
As baterias representam as tenses de polarizao.
A figura abaixo mostra uma forma alternativa de polarizao, tomando o transistor NPN
como exemplo.
A bateria B2 aplica uma tenso positiva ao coletor maior que a tenso positiva da
base.
Se o coletor mais positivo que a base ento a base mais negativa que o coletor de
forma que a juno base-coletor fica polarizada inversamente.
A alimentao simultnea das duas junes, atravs das baterias externas, d origem
a trs tenses entre os terminais do transistor.
Tenso de base a emissor denominada de VBE , a tenso de coletor a base,
denominada de V
e a tenso de coletor a emissor denominada de V
.
CB
CE
Dispondo as trs tenses na figura abaixo, se observa que as tenses VBE + V
CB
somadas so iguais a V
.
CE
189
Se a tenso VBE tiver um valor adequado (0,6V para o silcio e 0,3V para o
germnio) as lacunas adquirem velocidade suficiente para atravessar a barreira de
potencial formada na juno base-emissor, recombinando-se com os eltrons livres
da base.
191
A corrente de coletor tem valores muito maiores que a corrente de base porque a
grande maioria das lacunas que partem do emissor no se recombinam sendo
absorvidos pelo coletor.
Em geral, do total de lacunas que entra no emissor de um transistor PNP apenas 5%
ou menos correspondem a corrente de base. Os restantes 95% (ou mais) corresponde
a corrente de coletor.
A corrente de emissor
Analisando-se um transistor PNP e suas correntes se verifica
A corrente de emissor entra no transistor
As correntes de base e coletor saem do transistor.
192
IB diminui
193
IC diminui
Isto significa que a corrente de base de um transistor atua como corrente de controle e
a corrente de coletor como corrente controlada.
Ganho de corrente de transistor
Atravs de um transistor possvel utilizar uma pequena corrente ( IB ) para controlar a
circulao de uma corrente de valor muito maior ( I ), que a outra:
C
A corrente controlada ( I ) e a corrente de controle ( IB ) podem ser relacionadas entre
C
s para determinar quantas vezes uma maior que a outra:
IC
IB
resulta em um nmero que indicas quantas vezes a corrente de coletor maior que a
corrente de base.
O resultado desta relao denominado tecnicamente de ganho de corrente
contnua entre base e coletor, representado pela letra graga (beta) em corrente
contnua ou hFE .
I
hFE ou DC = C
IB
DC
I
DC = C
IB
IC = DC . IB
194
Dissipao de potncia no
transistor
Todo o componente sujeito a uma diferena de potencial e percorrido por uma corrente
eltrica dissipa uma determinada potncia (P = V . I).
No transistor tambm existe uma dissipao de potncia. A circulao de corrente
eltrica atravs das junes do transistor, provocada pela aplicao de tenses aos
seus terminais, d origem a uma dissipao de potncia no interior do componente.
Esta dissipao se d em forma de energia trmica, ou seja, produo de calor,
resultando em um aquecimento do transistor.
A dissipao nas junes
A dissipao de potncia, em forma de calor, ocorre nas duas junes do transistor.
Estas potncias dissipadas so denominadas de Potncia de coletor (PC) e Potncia
de base (PB).
A potncia total dissipada no transistor , portanto:
Potncia total = PC + PB
Entretanto, analisando as tenses e correntes presentes nas duas junes verifica-se
que a tenso e corrente presentes na juno base emissor (VBE e IB) so muito
pequenas, comparadas com a tenso e corrente presentes na juno coletor base (VCB
e IC).
Por esta razo, a potncia dissipada na juno base-emissor muito pequena
comparada com a potncia dissipada na juno base-coletor.
Assim, a potncia dissipada na base do transistor desprezada e se considera que a
potncia total dissipada no transistor a prpria potncia dissipada no coletor:
Ptotal = PC
A potncia de coletor depende da tenso de coletor base (VCB) e da corrente de
coletor (IC):
PC = VCB . IC
195
Resistncia trmica
Em termos de transistor, a resistncia trmica do encapsulamento, diz respeito a
oposio imposta pelo encapsulamento a transmisso do calor gerado internamente
para o meio ambiente.
50mW 25C
Dissipadores de calor
Os dissipadores de calor so dispositivos metlicos acoplados aos semi condutores
com o objetivo de facilitar a transferncia do calor gerado no interior do componente
para o meio ambiente.
A necessidade do uso de dissipadores surge sempre que a capacidade de
transferncia de calor do prprio encapsulamento no for suficiente.
Tipos de dissipadores
Existe no comercio uma grande variedade de formas e dimenses de dissipadores,
com uma ampla gama de valores de resistncia trmica. As figuras a seguir mostram
um tipo de dissipador de utilizao muito comum e como o transistor montado sobre
ele.
198
199
IC
IB
IC
IB
IC = DC . IB
se IB = 0
IC = DC . 0 = 0
201
Esta corrente de saturao reversa (ICEO) provocada pela corrente de fuga ICBO.
Ao circular atravs da juno base-coletor a corrente ICBO provoca uma recombinao
de portadores na base que tem um efeito resultante semelhante a aplicao de
corrente de base no transistor, gerando a corrente ICEO.
ICEO , portanto, uma corrente aproximadamente (BETA) vezes maior que ICBO.
ICEO ICBO . DC
Disparo trmico
O disparo trmico, tambm denominado de avalanche trmica, um fenmeno que
ocorre no transistor devido a corrente de fuga ICBO e que pode lev-los a destruio por
aquecimento excessivo.
A medida em que o transistor funciona em um circuito eletrnico ocorre um
aquecimento das junes, pela dissipao de potncia (PC = VCE . IC).
O aquecimento da juno provoca um aumento na corrente de fuga ICBO.
Como a corrente de coletor composta de duas parcelas IC = IB + ICBO o aumento de
ICBO resulta em IC maior.
Com IC maior a potncia dissipada aumenta (VCE . IC = PC) e o transistor sofre novo
aquecimento. A maior temperatura da juno provoca novo aumento em ICBO.
A equao mostra que a corrente de fuga ICBO amplificada pelo transistor da
mesma forma como corrente de base.
Nos circuitos a transistor a corrente ICEO (provocada pela corrente de fuga ICBO) e a
corrente IC (provocada pela corrente de base IB), circulam ao mesmo tempo no terminal
coletor do transistor.
202
Nesta condio o transistor pode provocar uma auto destruio. Por este motivo devese, sempre que possvel, evitar que os transistores trabalhem prximo a sua potncia
mxima de dissipao.
203
Configuraes de ligao do
transistor
No transistor a corrente de base atua como corrente de controle, determinando a
corrente de coletor que poderia ser denominada controlada.
Em princpio, a circulao de duas correntes de valores diferentes em um componente
pressupe a existncia de quatro terminais (dois terminais para cada corrente).
Como o transistor no dispe de quatro terminais (dois de entrada e dois de sada) sua
ligao aos circuitos eletrnicos feita de forma que um dos terminais seja comum ao
circuito de entra e de sada simultaneamente.
Configurao emissor comum
Quando o terminal emissor utilizado como terminal comum, a forma de ligao do
transistor denominada tecnicamente de configurao de emissor comum.
Observao
As baterias de polarizao no foram colocadas para dar maior clareza a figura.
Configurao de base comum
Quando a base utilizada como terminal comum, a forma de ligao do transistor
denominada de configurao de base comum.
204
205
com base nestes valores e ainda outros no eltricos, tais como a temperatura, podem
ser levantadas uma srie de curvas caractersticas que expressam o comportamento
do transistor nas mais diversas condies.
Curvas caractersticas na configurao EC (Emissor Comum)
A configurao de ligao do transistor mais utilizada a de emissor comum, razo
pela qual as curvas caractersticas dos transistores, fornecidas pelos fabricantes, so
relativas a esta forma de ligao.
A figura abaixo mostra um esquema ilustrativo de um transistor ligado em
emissor comum.
206
207
208
Isto significa que para cada transistor, e em cada circuito, existe uma reta de carga
especfica.
Para traar a reta de carga utilizam-se dois pontos que ocorrem em duas situaes
especiais do transistor:
Ponto de corte.
Ponto de saturao.
como IB = 0
IC = 0
VRC = IC . RC
como IC = 0
VCR = 0
como VRC = 0
VCE = VCC
VCE = VCC
IC = 0
209
como VCE = 0
V
IC = RC
RC
VRC = VCC
como VRC = VCC
IC =
VCC
RC
VCE
RC
210
Este o segundo ponto da reta de carga. Unindo os dois pontos tm-se a reta de
carga do circuito usado como exemplo.
Esta reta de carga serve apenas para o circuito apresentado: transistor BC 547, VCC =
30V e RC = 470.
Caso o transistor, a alimentao ou o valor do resistor de coletor sejam modificados
deve-se traar outra reta de carga de acordo com os novos dados.
Aplicao da reta de carga
Uma vez traada a reta de carga pode-se determinar graficamente os valores da
tenso VCE, da tenso sobre o resistor de coletor e da corrente de coletor do transistor,
para cada valor de corrente de base.
Tomando-se o circuito de exemplo (transistor BC 547, VCC = 30V e RC = 470) pode-se
determinar as tenses e correntes na malha de coletor quando a corrente de base for,
por exemplo, 100A.
211
212
213
214
VCC =
RC =
120
IB =
100
VCE =
3,4
VRC =
2,6
IC =
21,5 mA
Ponto de operao
Ponto de operao ou ponto quiescente a denominao dada ao conjunto de valores
de tenso e corrente que se estabelecem automaticamente em um circuito a partir da
sua alimentao.
A figura abaixo mostra um circuito com um transistor no ponto de operao:
VCE = 10V
VRC = 14V
IC = 52mA
Transistor utilizado;
Tenso de alimentao;
Resistor de coletor.
ICM =
VCC
RC
216
217
3. A corrente de coletor.
Estes valores so valores do ponto quiescente, razo pela qual so denominados de:
VCEQ:
VRCQ:
ICQ:
Observando a seguir o grfico do exemplo utilizado, verifica-se que estes valores so:
VCEQ = 10,5V
218
VRCQ = 13,5V
ICQ = 50mA
Observao
Pequenas diferenas devido a impreciso grfica e espessura dos traos no desenho
no so significativas.
Para obter os valores quiescentes (VCEQ, VRCQ e ICQ) necessrio aplicar ao transistor
uma determinada corrente de base quiescente (IBQ).
O valor desta corrente de base obtido diretamente do grfico.
No grfico da figura abaixo, utilizado como exemplo, o ponto de operao est
colocado sobre a curva de IB = 0,2mA. Esta a corrente necessria para obter as
condies desejadas.
219
Uma parcela entre coletor e emissor do transistor (VCE), conforme figura seguinte.
Conforme estabelece a lei Kirchhoff, a soma das quedas de tenso nos componentes
da malha de coletor igual a tenso aplicada malha. A partir disto, pode-se
determinar a equao da malha de coletor.
VCC = VCE + VRC equao da malha de coletor
Analisando particularmente cada um dos membros da equao da malha de coletor
tm-se:
VCC
a tenso fornecida pela bateria ao circuito.
VRC
a queda de tenso no resistor de coletor.
VRC = RC . IC equao da queda de tenso no resistor de coletor.
A queda de tenso no resistor de coletor (VRC) tem como principal caracterstica o fator
de ser proporcional a corrente de coletor do transistor.
220
Observao
O resistor RB na base do transistor serve para limitar a corrente de base do transistor.
Admitindo-se como primeiro valor de corrente de base 40A os valores do circuito so:
IC = IB .
IC = 40A . 100
VRC = IC . RC
221
IC = 4mA
VRC = 3,3V
VCE = 6,7V
IC = 70A . 100
VRC = IC . RC
VRC = 5,8V
VCE = 4,2V
IC = 7mA
Queda de tenso no
transistor
40A
4mA
3,3V
6,7V
70A
7mA
5,8V
4,2V
IB
IC
VCE
IB
IC
VCE
IB
Resumindo:
VBE
IB
IC
VCE
VBE
IB
IC
VCE
222
Mtodos de polarizao do
transistor
Polarizao de base por corrente constante
Denomina-se de polarizao de base o processo de obteno da corrente de base
necessria para levar o transistor ao ponto de operao.
Dentre os processos de polarizao de base o mais simples o de polarizao por
corrente constante.
Atravs do traado da reta de carga e da determinao do ponto de funcionamento
(PQ) fica determinada a corrente de base quiescente (IBQ).
No mtodo de polarizao por corrente de base constante, a corrente de base
quiescente (IBQ) obtida atravs de um resistor, denominado de resistor de base, que
ligado entre a base e a tenso de alimentao.
223
IBQ =
VCC VBE
RB
Segundo a Lei de Kircchoff para circuitos srie a soma das tenses equivale a tenso
de alimentao.
VRC + VCE + VRE = VCC
As quedas de tenso no resistor do coletor (VRC) e no resistor de emissor (VRE)
dependem da corrente no circuito de coletor.
A diferena entre IC e IE muito pequena, pois corresponde ao valor de IB (IE = IC + IB).
Por esta razo, costuma-se considerar IE = IC.
Desta forma, a equao da queda de tenso no resistor de emissor pode ser reescrita
como:
VRE = IC . RE
As equaes do circuito de coletor so:
VCC
VRC
IC . RC
VRE
IC . RE
O circuito de base
225
O circuito de base, que corresponde ao divisor de tenso, tem por finalidade polarizar
diretamente a juno base-emissor do transistor, provocando a circulao da corrente
IBQ.
Quando o circuito de polarizao utiliza um resistor de emissor a tenso aplicada entre
base e emissor (VBE) a diferena entre a tenso de base e a tenso de emissor
A tenso VBE aplicada a juno base emissor (que se comporta como um diodo em
conduo) d origem a uma corrente de base.
100
226
R=
V
I
RC =
VRCQ
I CQ
Resistor de emissor
Adotando para o resistor de emissor uma queda de tenso um dcimo da tenso de
alimentao (VRE = 0,1VCC) se obtm um fator de estabilidade timo (10 a 15). Desta
forma o resistor de emissor determinado pela equao:
V
0,1Vcc
VRE = 0,1 VCC
RE =
R E = RE
Como
ICQ
IE
IE ICQ
Resistores de base
O divisor de tenso formado pelos resistores de base tem por finalidade fornecer a
tenso VB base do transistor
Para que a juno base-emissor conduza, a tenso fornecida a base deve ser a tenso
de conduo da juno mais a tenso VRE.
227
Para que o circuito tenha um fator de estabilidade timo a corrente do divisor ID deve
ser suficientemente grande para que pequenas variaes na corrente absorvida pela
base no alterem significativamente a proporo de diviso da tenso sobre os
resistores.
Adota-se, em funo desta necessidade uma corrente ID com valor:
ID = 0,1 ICQ
Este valor de corrente do divisor pelo menos 10 vezes maior que a corrente de base
Com os valores de tenso dos resistores (VRB1 e VRB2) e a corrente do divisor (ID) o
valor dos resistores determinado com auxlio da Lei de Ohm.
Resumindo:
As equaes para o clculo dos elementos polarizadores por divisor de tenso so:
VRB2 = VBE + VREQ
V
RC = RCQ
ICQ
ID = 0,1 . IC
VREQ = 0,1 . VCC
RE =
VREQ
ICQ
RB 2 =
228
VRB 2
ID
v RB1
ID
Os circuitos reguladores
Regulao de tenso em fontes de alimentao
Existem fundamentalmente duas razes pelas quais as fontes no reguladas se
tornam inadequadas em certas aplicaes:
1. A regulao pobre:
Como resultado de uma regulao pobre, verifica-se uma variao na tenso de
sada quando a carga varia. A influncia de uma regulao pobre no desempenho
de uma fonte de CC pode ser observada atravs de dois grficos, um de uma fonte
ideal e outro de uma fonte real.
2. A estabilizao pobre:
A tenso de sada varia conforme as variaes de tenso de entrada. Nas fontes
no reguladas, as variaes de tenso de entrada (na rede AC) provocam
variaes proporcionais na tenso de sada.
229
Regulador paralelo
Regulador srie
Regulador paralelo
Um circuito regulador classificado de paralelo quando o elemento regulador e
colocado em paralelo com a carga.
VRL = VB - VBE ou
VS = VZ - VBE
VS = VE - VCE
231
Nos circuitos das figuras anteriores se observa que a tenso de entrada sempre
maior que a tenso de sada. Isto necessrio para que a tenso coletor-emissor (VCE)
do transistor varie sem provocar alterao na sada do circuito.
Em geral, a tenso de entrada aproximadamente 50% maior do que a tenso
regulada necessria na sada.
Anlise com base nas correntes: Regulao
A anlise do comportamento das correntes mostra a forma como o circuito regulador
reage s modificaes da corrente de carga.
232
Tomando como base uma condio inicial, com uma carga estabelecida, as correntes
do circuito so mostradas na figura a seguir. Como IRL = IE IC, considera-se que a
corrente de coletor seja igual a corrente de carga.
Cabe ao diodo zener absorver o excesso de corrente ou fornecer uma corrente extra
base do transistor, conforme a situao de carga do circuito.
As figuras a seguir ilustram o que foi descrito, tomando uma carga de 1A como
referncia
233
Verifica-se que nos circuitos reguladores srie a condio fundamental para que a
tenso de sada permanea constante a regulao de tenso no diodo zener.
A tenso zener no deve variar com as modificaes da carga ou da tenso de
entrada.
Compensao da tenso VBE
Para compensar a perda de tenso na juno base-emissor, pode-se acrescentar um
diodo em srie com o diodo zener (no sentido de conduo). A configurao do circuito
com o diodo de compensao apresentada na figura a seguir.
VSADA = VZ
(SRIE)
235
Amplificao de sinais
eltricos
Denomina-se de sinal eltrico a qualquer variao de tenso ou corrente atravs da
qual se conduz uma informao.
O sinal de televiso, por exemplo, se constitui em variaes de tenso que so uma
verso eltrica das imagens captadas pela cmera.
236
A amplificao possibilita, por exemplo, que o pequeno sinal eltrico produzido por
uma agulha de toca-disco (alguns milivolts) seja reproduzido em um alto-falante.
Amplificador e estgio amplificador
O termo amplificador define todo um conjunto de componentes e circuitos que
realizam a amplificao de um sinal.
Um amplificador e toca-disco, por exemplo, se compe de uma srie de pequenos
circuitos que, no conjunto, amplificam o sinal da agulha mais de 1000 vezes para que o
alto-falante possa funcionar.
Cada um dos circuitos que realiza uma parcela da amplificao total denominado de
estgio amplificador.
G=
sinal de sada
sinal de entrada
G=
4Vpp
=2
2Vpp
O ganho dos estgios amplificadores pode ser determinado pela medio do sinal de
sada e entrada com o osciloscpio.
Normalmente o ganho dos estgios amplificadores est na faixa 10 a 50 vezes. O
termo ganho genrico, podendo expressar uma amplificao de potncia.
Psada
P
entrada
, de tenso
Vsada
V
entrada
ou corrente
I sada
I
entrada
238
Potncia de sada
Potncia de entrada
239
Amplificador em emissor
comum
um tipo de circuito amplificador de sinais que proporciona alto ganho de tenso e de
corrente empregando um transistor ligado em configurao de emissor comum.
As trs condies podem ser analisadas tomando como base o estgio amplificador
em emissor comum apresentado na figura abaixo.
240
IB = I
BQ
+I
Onde:
IB
= Corrente de base
IB
= IBQ + IS
IB
= 200A + 50A
IB
= 250A
C
de coletor-emissor ( V
V
).
RC
CE
VRC
) e na tenso
241
IB = I
BQ
IB
= IBQ - IS
IB
= 200A - 50A
IB
= 150A
coletor-emissor ( V
RC
CE
).
RC
) e na tenso
242
Considerando que o sinal aplicado seja uma variao senoidal de tenso, tem-se uma
variao senoidal de corrente conforme a figura abaixo.
No semi ciclo em que o sinal de entrada positivo tem-se:
I
IC
VRC
IC acompanhando a forma senoidal do sinal de entrada.
B
Os valores reais de corrente e tenses podem ser obtidos aplicando o sinal de entrada
sobre as curvas do transistor.
243
Concluso
No amplificador em emissor comum
Sinal puro
245
Elementos de polarizao
246
polarizadores acopladores
Desacoplamento do emissor
Nos estgios amplificadores em que o emissor est conectado diretamente ao terra, o
ganho elevado, geralmente maior que 50.
Como desvantagem este tipo de circuito tem baixa estabilidade trmica, sendo
adequado para estgios iniciais no sujeitos a variaes de temperaturas muito
amplas.
Nos estgios polarizados por divisor de tenso a estabilidade trmica pode ser
melhorada acrescentando-se um resistor de emissor ao circuito.
Por outro lado, o resistor de emissor incluindo no circuito reduz sensivelmente o seu
ganho, que passa a se situar tipicamente prximo a 10.
Entretanto, acrescentando-se ao circuito um capacitor em paralelo com o resistor de
emissor, denominado de capacitor de desacoplamento se obtm um estgio
termicamente estvel e com ganho elevado.
247
Ganho de corrente
Ganho de tenso
Impedncia de entrada
Impedncia de sada
248
I C
IB
250
Com a chave desligada (amplificador sem carga) mede-se a tenso pico a pico do sinal
presente no ponto A.
Aps, liga-se a chave e ajusta-se o potencimetro at que o sinal no ponto A tenha a
metade da amplitude inicial.
Nesta situao, a resistncia do potencimetro tem o mesmo valor da impedncia de
sada do estgio.
importante salientar que tanto para o processo prtico de determinao de Zi com Zo
o gerador de sinal deve ser ajustado para que no haja distoro no sinal de sada o
que levaria a valores incorretos de Zi e Zo.
Os estgios amplificadores em emissor comum tem uma impedncia de sada que
pode ser classificada como alta situando-se tipicamente na faixa de centenas de ohms
at vrios quiloohms.
Em resumo, as caractersticas genricas do amplificador em emissor comum so:
Ganho de corrente = alto (dezenas de vezes)
Ganho de tenso = alto (dezenas de vezes)
Impedncia de entrada = (centenas de ohms)
Impedncia de sada = (centenas at milhares de ohms)
251
Amplificador em base
comum
o tipo de circuito amplificador de sinais que proporciona um alto ganho de tenso,
empregando um transistor ligado em configurao de base comum.
Princpio de funcionamento
O funcionamento do amplificador em base comum baseia-se na modificao da tenso
entre base e emissor do transistor. O primeiro aspecto a considerar que no
amplificador em base comum a tenso de base VB sempre constante, mantida
pelo divisor de tenso e capacitor de acoplamento.
A partir desta considerao pode-se analisar o funcionamento do amplificador em base
comum em trs situaes:
253
como VB = fixo
VE VBE
IC
VRC
VCE
Tomando como exemplo uma tenso senoidal de sinal de -0,1Vp tem-se a tenso de
emissor diminuindo para 0,9V.
Por analogia se conclui que:
VBE
IB
IC
VRC
VCE
Resumindo:
Nos estgios amplificadores em base comum:
255
ganho de corrente
ganho de tenso
impedncia de entrada
impedncia de sada
S
E
ou
Ai =
C
E
Como IC sempre menor que IE (IC = IE - IB) o ganho de corrente menor que 1,
situando-se na faixa de 0,95 e 0,999. Na prtica pode-se considerar o ganho de
corrente em base comum como sendo unitrio: Ai = 1.
Ganho de tenso (Av)
Os estgios amplificadores em base comum geralmente utilizam resistores de coletor
de valor elevado, tipicamente vrias dezenas e at mesmo centenas de kiloohms.
Isto traz como resultado um estgio amplificador cujo ganho se situa em vrias
dezenas ou at mesmo centenas de vezes. Portanto, pode-se classificar
genericamente o ganho do estgio amplificador em base comum como sendo ALTO.
Impedncia de entrada (Zi)
Nos estgios amplificadores o sinal de entrada aplicado ao emissor e a base
aterrada (diretamente ou atravs de um capacitor de decacoplamento).
Em outras palavras, o sinal de entrada aplicado diretamente a juno base-emissor
do transistor.
Como a funo base-emissor esta polarizada diretamente, a impedncia de entrada
de, no mximo, algumas dezenas de ohms. Classificando genericamente, a
impedncia de entrada do estgio amplificador de base comum BAIXA.
Impedncia de sada (Zo)
O resistor de coletor de alto valor utilizado nos estgios amplificadores em BC
permitem que se obtenha grandes variaes de tenso de sada a partir de pequenas
variaes na corrente de coletor.
256
Uma vez que a impedncia de sada a relao entre variao de tenso (grande) e
de corrente de sada (pequena) resulta em um valor elevado.
A impedncia de sada dos estgios amplificadores em BC da ordem de dezenas a
centenas de kiloohms, podendo ser classificada genericamente como ALTA.
Resumindo:
Amplificador
em
Base
comum
Caracterstica
Classificao
Ai
Av
Zi
Zo
257
Amplificador em coletor
comum
um tipo de circuito amplificador que proporciona alto ganho de corrente e ganho de
tenso unitrio, empregando um transistor em configurao coletor comum
Princpio de funcionamento
Tomando como ponto de partida um estgio amplificador no ponto de funcionamento
conforme mostra a figura a seguir. Todas as tenses indicadas so com relao ao
terra.
IE . RE = VRE).
Verifica-se desta forma que a queda de tenso sobre o resistor de emissor tem a
mesma amplitude e mesma fase do sinal de entrada (exceto pela pequena diferena
de VBE).
259
Ganho de tenso
Ganho de corrente
Impedncia de entrada
Impedncia de sada
Ganho de tenso
Considerando que a variao da tenso de sada (VRE) praticamente a mesma
tenso de entrada conclui-se que o ganho de tenso pode ser considerado unitrio:
Ganho de tenso
AV 1
Observao
Para fins prticos, em amplificao de grandes sinais, o ganho de tenso pode ser
considerado como unitrio sem qualquer problema.
Ganho de corrente
Para que se desenvolva sobre o resistor de emissor (normalmente de baixo valor) um
sinal de amplitude igual ao da base, a corrente de emissor do transistor assume
valores altos (comparada com a corrente de base).
260
Isto significa que o circuito apresenta uma amplificao de corrente elevada entre base
e emissor.
O ganho de corrente do circuito amplificador em coletor comum o ganho de corrente
do transistor.
Ganho de corrente
AI
Resistor de emissor
Da corrente de emissor
de 1mA a 100mA
de 25 a 0,25
de 100mA a 1A
0,25 a 0,025
261
Propriedade
Faixa tpica
Av
Aproximadamente unitrio
Ai
Alto (Ai )
Zi
Zo
Casamento de impedncia
A tenso de sada;
262
A comparao entre os grficos mostra que a fonte A, que tem menor resistncia
interna, mantm a tenso terminal VO mais constante quando a corrente de carga IO
aumenta. Isto leva a concluir que quanto mais baixa a impedncia ou resistncia
interna de uma fonte melhor o seu desempenho.
Por esta razo os estgios amplificadores em coletor comum, que apresentam
baixssima impedncia de sada so utilizados como estgio reguladores de tenso em
fontes de alimentao.
A figura abaixo mostra um estgio regulador de tenso transistor j estudado em
ocasio anterior. Este estgio regulador nada mais do que um estgio amplificador
em coletor comum em que a tenso de base mantida constante.
263
Este tipo de estgio de potncia adequado para ligao direta como o alto falante
porque tem baixa impedncia de sada, proporcionando uma boa transferncia de
potncia.
Por esta razo este tipo de estgio muito utilizado em aparelhos portteis, tais como
rdios e gravadores.
264
Amplificadores em cascata
Em muitas ocasies o ganho de tenso ou de corrente fornecido por estgio
amplificador no suficiente para a aplicao que se necessita. Nestas ocasies
costuma-se utilizar dois ou mais estgios amplificadores, interligados de forma a obter
amplificaes sucessivas do sinal.
Para obter amplificaes sucessivas a conexo entre os estgios amplificadores deve
ser feita da seguinte forma:
Sada do primeiro estgio ligado entrada do segundo estgio.
Sada do segundo estgio ligado entrada do terceiro estgio, e assim
sucessivamente.
Este tipo de ligao entre os estgios amplificadores denominado de ligao em
cascata.
Ganho total de um amplificador com estgios em cascata
O ganho total de um amplificador o resultado de todas as amplificaes sofridas pelo
sinal nos diversos estgios. O ganho total uma relao direta entre o sinal presente
na sada do ltimo estgio amplificador e o sinal aplicado na entrada do primeiro
estgio amplificador.
A figura a seguir mostra um amplificador composto por dois estgios com ganho total
de 1600 vezes.
265
GT =
16 V PP
0,01 V PP
= 1600
No amplificador da figura abaixo cada um dos estgios responsvel por uma parcela
da amplificao total. Supondo-se que o ganho do 10 estgio amplificador seja 40
266
Pela comparao entre os dois valores verifica-se que impossvel ligar diretamente a
sada do primeiro estgio com a entrada do segundo porque a tenso de 10V positivos
seria aplicada a base do segundo transistor, alterando a sua polarizao.
Conclui-se que o acoplamento entre os estgios deve ser feito de forma que:
Resumindo:
O acoplamento entre os estgios amplificadores deve:
267
268
269
Ondas sonoras
Os sons captados pelo ouvido humano so, na realidade, um movimento das
partculas de ar no ambiente.
A vibrao de um objeto se transmite s molculas de ar. Assim, todas as molculas
de ar do ambiente se movimentam segundo o ritmo e intensidade determinado pela
vibrao do objeto.
270
Altura;
Intensidade;
Timbre.
A altura da voz de uma pessoa define se sua voz normalmente grave ou aguda.
A intensidade define se a pessoa fala alto ou baixo.
O timbre o fator que caracteriza propriamente a voz de cada pessoa. o timbre que
permite as pessoas se identificarem, por exemplo, numa ligao telefnica.
O timbre consiste na mistura de freqncias e intensidades que uma pessoa emite ao
falar. Cada pessoa tem um timbre que lhe caracterstico.
A faixa audvel
A constituio do ouvido humano permite s pessoas captarem vibraes que vo
desde os 20Hz at 20KHz. Por isto as freqncias entre 20Hz e 20KHz so
denominadas udio freqncias.
Entretanto, nem todas as pessoas tem igual capacidade auditiva. comum encontrar
pessoas que no ouvem sons acima de 15KHz.
Os animais apresentam uma faixa audvel diferente dos seres humanos: os ces
Alto-falantes e fones
O alto-falante o elemento responsvel pela transformao de sinais eltricos em
ondas sonoras.
So utilizados em todos os equipamentos de reproduo ou amplificao sonora.
Constituio
O alto-falante se compe basicamente de quatro partes, conforme figura a seguir:
271
Carcaa
uma armao metlica que serve para sustentao do conjunto de peas que
formam o alto-falante.
Cone
uma tira de papel ou fibra sinttica em forma de cone, fixada a carcaa do altofalante.
Uma das extremidades do cone fixada bobina e a outra fixada carcaa de forma
que o cone possa vibrar.
A vibrao do cone a responsvel pelo movimento do ar que produz as ondas
sonoras.
272
Bobina
o elemento responsvel pelo movimento vibratrio do cone. A bobina do alto-falante
recebe os impulsos eltricos que so transformados em sons, atravs da vibrao do
cone.
Im e pea polar
O m tem como finalidade fornecer um campo magntico que interage com o campo
magntico da bobina fixa ao cone. A pea polar situa-se na parte posterior do altofalante junto ao m.
Quando a pea polar magnetizada por um m permanente, o alto-falante
classificado como alto-falante de m permanente. O alto-falante que tem a pea polar
magnetizada por eletrom denominado de alto-falante eletrodinmico.
Princpio de funcionamento
O princpio de funcionamento dos alto-falantes de m permanente e eletrodinmicos
semelhante de forma que possvel analis-lo tomando como base um alto-falante de
im permanente.
O im permanente produz um campo magntico que polariza a pea polar. A figura a
seguir mostra o alto falante em corte, com o campo magntico produzido pelo im
permanente.
273
Quando uma corrente varivel percorre a bobina cria-se um campo magntico no seu
interior.
O campo magntico varivel formado pela bobina interage com o campo fixo da pea
polar.
Dependendo das polaridades dos dois campos a bobina atrada ou repelida pelo
campo da pea polar.
Impedncia;
Potncia;
Impedncia
A impedncia do alto-falante o efeito resistivo que o elemento apresenta quando
aplica-se um sinal alternado na sua bobina.
A impedncia nominal do alto-falante normalmente fornecida para uma freqncia de
400Hz. Esta impedncia razoavelmente constante entre 200Hz e 600Hz,
aumentando em freqncias abaixo e acima destes dois limites.
Os alto-falantes mais comuns tem impedncia de 3,2, 4, 8 e 16.
274
Potncia
A potncia de um alto-falante indica a quantidade mxima de energia que pode ser
dissipada pela sua bobina.
A aplicao de potncias superiores ao limite do alto-falante provoca o rompimento do
fio da bobina, inutilizando o alto-falante. Os alto-falantes so fabricados para potncias
diversas.
Entre as capacidades mais comuns tm-se:
1W, 5W, 10W, 15W, 30W, 50W, 100W.
Um fato importante quanto a potncia de um alto-falante que o valor fornecido pelo
fabricante corresponde mxima dissipao, de forma que um alto-falante pode
funcionar dissipando potncias menores que a nominal.
Por exemplo:
Um alto-falante de 10W pode ser usado em um amplificador de 1W, 2W, 5W, ..., at
10W.
Resposta de freqncia
Devido principalmente a fatores de construo fsica cada alto-falante se caracteriza
por reproduzir mais pronunciadamente uma determinada faixa de freqncias.
A resposta de freqncia uma caracterstica que indica os limites de freqncia em
que um alto-falante mantm um rendimento uniforme.
A resposta de freqncia normalmente apresentada em forma de grfico que
apresenta nitidamente a regio de operao ideal do dispositivo ou circuito.
Por esta razo, so fabricados alto-falantes para a operao em faixas mais estreitas
de freqncias.
Estes alto-falantes podem ser classificados em quatro grupos:
Observaes
As designaes entre parnteses so de origem inglesa, muito utilizadas por
fabricantes e usurios de alto-falantes.
Casamento de impedncia
Para que um sistema de sonoro composto por amplificador e alto-falantes alcance o
seu rendimento mximo (mxima transferncia de potncia) necessrio que a
impedncia do alto-falante corresponda da melhor forma possvel a impedncia de
sada do amplificador.
A mxima transferncia de potncia do amplificador para o alto-falante acontece
quando o casamento de impedncias perfeito, ou seja: impedncia do alto-falante =
impedncia de sada do amplificador.
O casamento de impedncias uma preocupao fundamental quando se determina
os alto-falantes para um sistema sonoro.
Ao conectar um sistema de alto-falantes um amplificador deve-se realizar o
casamento de impedncias correto.
Quando a impedncia do conjunto de alto-falantes maior do que a impedncia de
sada do amplificador, o sistema apresenta perda de potncia.
A potncia desenvolvida sobre os alto-falantes menor do que o valor especificado no
amplificador.
Se a impedncia do conjunto de alto-falantes menor do que a impedncia do
amplificador, existe uma sobrecarga no sistema.
Nessa condio, o conjunto de alto-falantes solicita maior corrente para o seu
funcionamento do que o amplificador pode fornecer, podendo inclusive danificar o
equipamento.
Tipos de alto-falantes
Existem basicamente 4 tipos de alto-falantes quanto a faixa de freqncia de trabalho:
276
Woofe
Mid Range
Full Range
Tweeter
277
Fones
Os fones so utilizados em substituio aos alto-falantes, permitindo que se possa
escutar individualmente um programa sonoro.
Constituio
A constituio de um fone se assemelha a de um alto-falante. O conjunto reduzido
em dimenses para ser alojado em um pequeno volume.
279
Princpio de funcionamento
O princpio de funcionamento dos fones o mesmo dos alto-falantes.
Resposta de freqncia
A dimenso reduzida do fone favorece a reproduo de altas freqncias.
O rendimento dos fones em notas agudas superior ao rendimento em notas graves.
Tipos de fones
Existem fones para reproduo monofnica ou estereofnica. Nos fones para
reproduo monofnica a cpsula (ou cpsulas) so ligadas diretamente sada do
amplificador.
Os fones para reproduo estereofnica tem duas cpsulas. Cada uma das cpsulas
ligada a uma das sadas do amplificador.
Associao de alto-falantes
Em certas ocasies torna-se necessrio associar alto-falante para obter o casamento
de impedncias correto entre os sistemas de amplificao e as caixas de som.
A associao destes elementos requer alguns conhecimentos para que se obtenha
no apenas um casamento de impedncias perfeito, mas tambm o melhor rendimento
e distribuio do som nos ambientes.
Polaridade dos alto-falantes
Dependendo do sentido e da intensidade da corrente que circula na bobina de um altofalante, seu cone se movimenta para dentro ou para fora.
280
Se, no entanto, o cone se movimenta para trs o terminal positivo da bateria est
ligado ao terminal negativo do alto-falante.
281
ZT = Z1 + Z2
282
Distribuio de potncia
Na associao srie a potncia se distribui de forma diretamente proporcional a
impedncia dos elementos.
Z1 > Z2 P1 > P2
Se a impedncia do alto-falante 1 maior que a impedncia do alto-falante 2 a
potncia transformada pelo alto-falante 1 maior que a do alto-falante 2.
Observao
Quando os alto-falantes tem valores diferentes necessrio calcular a potncia
dissipada em cada um para dimension-los corretamente.
O clculo semelhante ao clculo de dissipao de potncia em associaes de
resistores.
Associao paralela de alto-falantes
As figuras a seguir apresentam uma associao paralela de dois alto-falantes e sua
simbologia, com a observao das polaridades corretas dos alto-falantes e do
conjunto.
Impedncia total
A impedncia total de uma associao paralela de alto-falantes mostrada na figura
abaixo :
ZT =
283
1
1
1
+
Z1 Z 2
284