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INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAO, CINCIA E TECNOLOGIA DO MARANHO

CAMPUS MONTE CASTELO/ DIRETORIA DE ENSINO SUPERIOR


DEPARTAMENTO DE ELETRO-ELETRNICA DEE
ENGENHARIA ELTRICA INDUSTRIAL / ARQUITETURA DE SISTEMAS DIGITAIS
Prof. Lucilene ano 2014

ESTUDANTE(S): _____________________________________________________________
_________________________________________________________data:
LABORATRIO 1 Buffer-Bus-Memrias
I. Objetivos:
Analisar a utilizao prtica do mdulo BUS.
Analisar a utilizao prtica de memrias.
Estudar os datasheets (latch e buffer) MM74HC573N, MM74HC244N e o
datasheet da memria SRAM 62256.
II. Material necessrio:
Mdulos XD200M06 e XD200M10.
Fios e cabos para conexes.
III. Questes:
1. Qual a principal funcionalidade de um buffers tri-state?
Esse buffer pode ter trs estados, sendo eles o 0 e 1 lgicos e ainda
mais o Z, tambm chamado de auto impedncia que pode ser muito
til para deixar certo barramento livre para outro conjunto de
informaes passar por aquele mesmo barramento sem sofrer perda
de dados.
2. Esboce o circuito de sada do mdulo tri-state.
3. Quais as diferenas entre memria voltil dinmica, voltil esttica e no
voltil?
Memoria voltil dinmica: perde os seus dados quando desligada da
fonte de energia, pelo fato de ser dinmica precisa de um sistema de
refresh, pois seu funcionamento baseado no uso de capacitores o
que faz com que eles descarreguem com o passar do tempo.
Memria voltil esttica: perde os seus dados quando desligada da
fonte de energia, como seu funcionamento baseado no uso de
portas e circuitos lgicos, essa memria no precisa de um sistema
de refresh.
Memria no voltil: no perde seus dados quando desconectada
da fonte de energia.
4. Descreva o funcionamento de alguns tipos de memria ROM.
Eprom= lida eletricamente, mas apagada por ultra violeta
Eeprom=lida e apagada eletricamente, mais cara que EPROM
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5. Qual a capacidade de uma memria com 12 bits de endereo organizada em


palavras de 8 bits?
2=4096 . 256 = 1048576 bits 131072Bytes
IV. Exerccios:
1. Funcionamento do buffer tri-state 74LS244: conecte uma chave a entrada I1.0
e outra a entrada de controle G1.1. Com um osciloscpio observe no sinal
I/O.0 o funcionamento do buffer tri-state, testando todas as opes de sua
tabela da verdade.
2. Funcionamento do latch 74LS573: conecte uma chave ao sinal I/O.0, outra a
OC.1 e outra em C.1. Mea com um osciloscpio o sinal em O1.0, realizando
todas as combinaes da tabela verdade do computador.
3. Analise o esquema eltrico do mdulo XD200M06 e desenhe um diagrama em
blocos, ilustrando o seu funcionamento.
4. Realize as movimentaes dadas na Tabela 01, conectando o barramento (I/O
[7..0]) a LEDs e observando o seu comportamento. Preencha os quadros com
os comandos necessrios.
5. Utilizando o mdulo XD200M10 no Kit, implemente as conexes necessrias
para fazer a gravao e a leitura de uma palavra de 8 bits em quatro
endereos diferentes.

IV. Exerccios Propostos:


1. Utilizando o mduloXD200M10, faa a gravao e a leitura de uma data na
memria. Sendo que Dia, Ms e Ano devem cair cada um em endereos
diferentes.
2. No desligue o aparelho. Em cada endereo, observar o contedo dessa
posio de memria. Anote o resultado em uma tabela.
3. O que acontecer com as informaes gravadas nos endereos se o Kit for
desenergizado por alguns segundos?
V. Viso dos mdulos:
1. XD200M06 buffer e latch modulo BUS

2. XD200M10 Memria