Sumrio

Introduo 5

Princpio de operao 6

Operao do transistor na regio ativa 6

Juno base-emissor 8
Juno base-coletor 9
Polarizao simultnea das duas junes 10

Princpio de funcionamento do transistor bipolar 13

Corrente de base 14
Corrente de coletor 16
Corrente de emissor 17

Controle de corrente no transistor 18

Ganho de corrente do transistor 19

Apndice 21

Questionrio 21

Bibliografia 21
 Espao SENAI

Misso do Sistema SENAI

Contribuir para o fortalecimento da indstria e o desenvolvimento

pleno e sustentvel do Pas, promovendo a educao para o trabalho e a
cidadania, a assistncia tcnica e tecnolgica, a produo e disseminao
de informao e a adequao, gerao e difuso de tecnologia.
Srie de Eletrnica

Introduo
O transistor desempenha um papel fundamental na eletrnica. A partir da
sua descoberta o desenvolvimento da eletrnica tem se tornado cada vez mais
rpido. Hoje, na era dos computadores, o transistor ainda tem lugar de destaque
e suas aplicaes se estendem a milhares de circuitos com as mais diversas
finalidades.

Este fascculo tratar do princpio de funcionamento do transistor bipolar,

fornecendo informaes indispensveis para que o leitor esteja capacitado a
montar e reparar circuitos transistorizados.

Para a boa compreenso do contedo e desenvolvimento das

atividades contidas neste fascculo, o leitor dever estar
familiarizado com os conceitos relativos a:

Diodo semicondutor.
Transistor bipolar: estrutura bsica e testes.

5
 Transistor bipolar: princpio de operao

Princpio de operao
Para que os portadores se movimentem no interior da estrutura de um
transistor necessrio aplicar tenses entre os seus terminais. O movimento dos
eltrons livres e lacunas est intimamente relacionado polaridade da tenso
aplicada a cada par de terminais do transistor, como descrito a seguir.

OPERAO DO TRANSISTOR NA REGIO

ATIVA

A estrutura fsica do transistor propicia a formao de duas junes pn,

conforme ilustrado na Fig.1:

Uma juno pn entre o cristal da base e o cristal do emissor, chamada de

juno base-emissor.

Uma juno pn entre o cristal da base e o cristal do coletor, chamada de

juno base-coletor.

6
Srie de Eletrnica

Fig.1 Junes base-coletor e base-emissor em um transistor.

A formao das duas junes no transistor faz que ocorra um processo de
difuso dos portadores. Como no caso do diodo, esse processo de difuso d
origem a uma barreira de potencial em cada juno.

No transistor, portanto, existem duas barreiras de potencial, mostradas na

Fig.2, que se formam a partir da juno dos cristais semicondutores:

A barreira de potencial na juno base-emissor.

A barreira de potencial na juno base-coletor.

Fig.2 Barreiras de potencial formadas nas duas junes de um transistor.

As caractersticas normais de polarizao dos terminais do transistor so

sumarizadas a seguir.

7
 Transistor bipolar: princpio de operao

JUNO BASE-EMISSOR

Na condio normal de funcionamento, denominada de funcionamento

na regio ativa, a juno base-emissor fica polarizada diretamente, conforme
ilustrado na Fig.3.

Fig.3 Polarizao da juno base-emissor de transistores pnp e npn para

operao na regio ativa.

A conduo atravs da juno base-emissor provocada pela aplicao de

uma tenso externa entre a base e o emissor, com polarizao direta, ou seja,
com o material tipo p tendo polarizao positiva com relao ao material tipo n.

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Srie de Eletrnica

Na regio ativa a juno base-emissor de um transistor fica

diretamente polarizada.
JUNO BASE-COLETOR

Para operao na regio ativa, a juno base-coletor fica polarizada

inversamente, ou seja, com o material tipo p polarizado negativamente em
relao ao material tipo n, conforme mostrado na Fig.4.

Na regio ativa a juno base-coletor de um transistor fica

inversamente polarizada.

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 Transistor bipolar: princpio de operao

Fig.4 Polarizao da juno base-coletor de transistores pnp e npn para

operao na regio ativa.

POLARIZAO SIMULTNEA DAS DUAS JUNES

Para que o transistor funcione adequadamente, as duas junes devem ser

polarizadas simultaneamente. Isso feito aplicando-se tenses externas nas duas
junes do componente. A Fig.5 mostra a forma de polarizao de um transistor
para operao na regio ativa.

Fig.5 Polarizaes dos transistores npn e pnp para operao na regio ativa.

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Srie de Eletrnica

Uma forma alternativa de configurao, que permite obter a operao do

transistor na regio ativa mostrada na Fig.6, para o caso de um transistor npn.

Fig.6 Configurao alternativa para operao de

um transistor npn na regio ativa.

Uma inspeo do diagrama de circuito mostrado na Fig.6 permite extrair

as seguintes observaes:

A bateria B1 polariza diretamente a juno base-emissor.

A bateria B2 submete o coletor a um potencial mais elevado do que aquele
aplicado base.

Dessa forma, a juno base-coletor est submetida a uma polarizao

inversa, o que juntamente com a polarizao direta aplicada juno base-
emissor, possibilita operao na regio ativa do transistor. Conclui-se portanto
que os dois esquemas mostrados na Fig.7 produzem polarizaes equivalentes
nas junes do transistor.

11
 Transistor bipolar: princpio de operao

Fig.7 Diagramas de circuito que permitem a operao de

um transistor npn na regio ativa.

Em resumo, para operao de um transistor na regio ativa, tem-se:

Polarizao direta da juno base-emissor.

Polarizao inversa da juno base-coletor.

A alimentao simultnea das duas junes, atravs de baterias externas,

d origem a trs tenses entre os terminais do transistor:

Tenso base-emissor, representada pelo parmetro VBE.

Tenso coletor-base, representada pelo parmetro VCB.
Tenso coletor-emissor, representada pelo parmetro VCE.

Esses parmetros esto representados na Fig.8 para os transistores pnp e

npn. Como pode ser a observado, as tenses entre os terminais so definidas
matematicamente pelas relaes

V BE VB V E 1

VCB VC V B 2

VCE VC VE 3

onde VB, VC e VE so os potenciais eltricos na base, coletor e emissor,

respectivamente.

Fig.8 Tenses nas junes dos transistores pnp e npn.

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Srie de Eletrnica

Com base na Fig.8, ou alternativamente, somando as Eqs.(1) e (2) e

comparando com a Eq.(3), tem-se que as tenses entre terminais satisfazem a
condio

VCE VCB VBE 4

Na Fig.8 as baterias externas esto polarizadas de forma a permitir a
operao do diodo na regio ativa. Nessas condies, as tenses definidas nas
Eqs.(1) a (3) devem assumir os sinais indicados na Tabela 1.

Tabela 1 Sinais das tenses entre terminais para os transistores pnp e npn.
Tenso Transistor pnp Transistor npn
VBE negativa positiva
VCB negativa positiva
VCE negativa positiva

PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO DO
TRANSISTOR BIPOLAR

A aplicao de tenses externas ao transistor provoca o movimento de

eltrons livres e lacunas no interior da estrutura cristalina, dando origem s
correntes nos terminais do transistor. Utiliza-se como representao de circuito
para essas correntes aquela indicada na Fig.9.

Fig.9 Representao de circuito das correntes nos terminais de um transistor.

As correntes definidas na Fig.9, recebem as seguintes denominaes:

IB = corrente de base.
IC = corrente de coletor.
IE = corrente de emissor.

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 Transistor bipolar: princpio de operao

O sentido das correntes representadas na Fig.9 segue uma conveno que

estabelece:

Correntes positivas so aquelas que fluem do circuito externo

para os terminais do transistor.
De acordo com essa conveno as correntes nos terminais do transistor
satisfazem a relao

IB IC IE 0 (5)

Seguindo a conveno adotada, para transistores npn e pnp operando na

regio ativa, os sinais das trs correntes definidas anteriormente so aqueles
indicados na Tabela 2, conforme ilustrado na Fig.10.

Tabela 2 Sinais das correntes nos terminais dos transistores pnp e npn
para operao na regio ativa.
Corrente Transistor pnp Transistor npn
IB negativa positiva
IC negativa positiva
IE positiva negativa

Fig.10 Sentido real das correntes nos transistores npn e pnp para operao na
regio ativa.

O princpio bsico que explica a origem das correntes no transistor o

mesmo para estruturas npn e pnp, e a anlise do movimento de portadores de
carga pode ser realizada tomando-se como exemplo qualquer das duas
estruturas. Isso feito a seguir para a anlise das correntes em um transistor pnp
posto em operao na regio ativa.

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Srie de Eletrnica

CORRENTE DE BASE

A corrente de base produzida pela aplicao de uma tenso que polariza

diretamente a juno base-emissor e cujo efeito semelhante quele observado
em um diodo semicondutor polarizado diretamente.

Como ilustrado na Fig.11, a aplicao de uma tenso positiva

VEBVEVB

com um valor superior ao potencial de barreira da juno base-emissor, facilita a

injeo de lacunas do emissor para a base e de eltrons livres no sentido inverso.
Como no caso de uma juno semicondutora comum, o potencial de barreira
tipicamente 0,6 a 0,7 V para o silcio e 0,2 a 0,3V para o germnio.

Fig.11 Movimento de portadores nas proximidades da juno base-emissor

quando esta polarizada diretamente.

Transistores so construdos com o emissor tendo um grau de dopagem

muito superior quele da base. Dessa forma o fluxo de portadores ocorre
predominantemente por parte das lacunas injetadas na base.

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 Transistor bipolar: princpio de operao

A pequena quantidade de eltrons disponveis na base se recombina com

parte das lacunas a injetadas, dando origem corrente de base. Com o pequeno
grau de dopagem da base, poucas recombinaes ocorrem, resultando em um
pequeno valor para a corrente de base, normalmente na faixa de microampres a
miliampres.
Assim, a maior parte das lacunas provenientes do emissor no se
recombina com os eltrons da base, podendo portanto atingir a juno base-
coletor.

Em um transistor pnp corrente de base provocada pela

aplicao de uma tenso VEB > 0 ligeiramente superior ao potencial
de barreira da juno base-emissor. Essa corrente muito pequena
devido ao pequeno grau de dopagem da base.

CORRENTE DE COLETOR

Devido pequena espessura da regio da base e tambm ao seu pequeno

grau de dopagem, o excesso de lacunas que no se recombinaram com os
eltrons naquela regio atingem a juno base-coletor, conforme ilustrado na
Fig.12. Como a juno base-coletor est inversamente polarizada, essas lacunas
so aceleradas pela queda de potencial existente naquela juno, dando origem
corrente de coletor.

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Srie de Eletrnica

Fig.12 Movimento de portadores e correntes resultantes nos terminais de um

transistor pnp.
A corrente de coletor tem um valor muito superior corrente de base
porque a grande maioria das lacunas provenientes do emissor no se
recombinam com os eltrons da base, sendo portanto injetadas diretamente no
coletor.

Tipicamente, um mximo de 5% do total de lacunas provenientes do

emissor produz a corrente de base, com o restante dando origem corrente de
coletor. Essa grande diferena entre as correntes de base e de coletor est
ilustrada na Fig.13.

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 Transistor bipolar: princpio de operao

Fig.13 Comparao entre as correntes de base e de coletor em um transistor pnp.

CORRENTE DE EMISSOR

A partir da discusso das sees anteriores, e de acordo com o princpio

da conservao da carga estabelecido pela Eq.(5), a corrente de emissor pode ser
obtida da relao

IE IB IC 6

De acordo com a conveno adotada para definir as correntes nos

terminais do transistor, os sinais a elas atribudos indicados na Tabela 2, so
compatveis com os sentidos dos fluxos de corrente, mostrados na Fig.14.
Conseqentemente, para o transistor pnp operando na regio ativa:

IB < 0 (IB) > 0, indicando que a corrente na base flui do terminal B para o
circuito.

IC < 0 (IC) > 0, indicando que a corrente no coletor flui do terminal C

para o circuito.

IE > 0 indica que a corrente no emissor flui do circuito para o terminal E.

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Srie de Eletrnica

Fig.14 Sentidos das correntes em um transistor pnp operando na regio ativa.

CONTROLE DE CORRENTE NO TRANSISTOR

A principal caracterstica do transistor reside no fato de a corrente de base

poder controlar eficientemente a corrente de coletor. A corrente de base pode ser
modificada pelo ajuste externo da tenso na juno base-emissor, conforme
ilustrado na Fig.15.

Dessa forma, qualquer variao na tenso da fonte aparece diretamente

como uma variao na altura da barreira de potencial da juno base-emissor,
fazendo que mais ou menos portadores provenientes do emissor sejam injetados
na base. Como as correntes de base e de coletor variam em proporo direta com
o nmero de portadores provenientes do emissor, conclui-se que variaes na
tenso aplicada juno base-emissor, ou equivalentemente na corrente de base,
causam variaes na corrente de coletor.

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 Transistor bipolar: princpio de operao

Fig.15 Influncia da corrente de base na corrente de coletor de um transistor.

Nota-se que apesar de a corrente de base ser de pequeno valor, ela atua
essencialmente de forma a liberar a passagem de mais ou menos corrente do
emissor para o coletor. Dessa forma a corrente de base atua como corrente de
controle, e a corrente de coletor, como corrente controlada.

GANHO DE CORRENTE DO TRANSISTOR

Como discutido na seo anterior, atravs de um transistor possvel

utilizar um pequeno valor de corrente IB para controlar a circulao de uma
corrente IC, de valor bem mais elevado.

Uma medida da relao entre a corrente controlada IC e a corrente de

controle IB pode ser obtida do parmetro

IC
DC 7
IB

definido como o ganho de corrente contnua entre base e coletor.

Como na regio ativa as correntes IC e IB tm o mesmo sinal, nesse regime
de operao o parmetro DC um nmero positivo.

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Srie de Eletrnica

Cada transistor fabricado com um valor bem definido para o parmetro

DC, que depende das caractersticas materiais e estruturais do componente e do
regime de operao do transistor. Da Eq.(7) tem-se que

I C DC I B 8

A Eq.(8) mostra que a corrente de coletor diretamente proporcional

corrente de base, e que IC pode ser calculado a partir do conhecimento dos
valores de DC e IB.

importante salientar que o fato de o transistor permitir a obteno de um

ganho de corrente entre base e coletor no implica em criao de correntes no
interior da estrutura. Todas as correntes que circulam em um transistor so
provenientes das fontes de alimentao, com a corrente de base atuando no
sentido de liberar a passagem de mais ou menos corrente do emissor para o
coletor.

Os transistores no geram ou criam correntes internamente,

atuando apenas como controladores do nvel de corrente fornecido
externamente.

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 Transistor bipolar: princpio de operao

Apndice
QUESTIONRIO
1. De que forma deve-se polarizar os transistores pnp e npn para operao na
regio ativa?

2. Quais os sentidos reais das correntes em um transistor pnp polarizado na

regio ativa?

3. Repetir a questo anterior para o caso de um transistor npn.

4. Qual o valor tpico da tenso VBE de um transistor pnp para operao na

regio ativa?

5. Repetir a questo anterior para o caso de um transistor npn.

6. Que frao tpica da corrente proveniente do emissor de um transistor pnp

flui para a base quando o componente opera na regio ativa?

7. Para um transistor npn operando com IB = 10 A e IC = 1 mA, calcule o

ganho de corrente contnua entre base e coletor.

BIBLIOGRAFIA
ARNOLD, Robert & BRANT, Hans. Transistores, segunda parte. So Paulo,
EPU, 1975. il. (Eletrnica Industrial, 2).

CIPELLI, Antnio Marco Vicari & SANDRINI, Valdir Joo. Teoria do

desenvolvimento de Projetos de Circuitos Eletrnicos . 7.ed. So Paulo, rica,
1983. 580p.

22
Srie de Eletrnica

SENAI/ Departamento Nacional. Reparador de circuitos eletrnicos; eletrnica

bsica II. Rio de Janeiro, Diviso de Ensino e Treinamento, c 1979. (Coleo
Bsica Senai, Mdulo 1).

TUCCI, Wilson Jos. Introduo Eletrnica. 7.ed. So Paulo, Nobel, 1983.

349p.

MILLMAN, Jacob e HALKIAS, Christos C., Integrated electronics: analog and

digital circuits and systems, So Paulo, McGraw-Hill, 1972.

23