Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
de
MOSFETs: Introdução
O MOSFET de Potência é o switch mais usado para baixa voltagem (menos de 200V). Pode
ser encontrado em várias fontes, conversores DC/DC, e controles de motor a baixa
voltagem.
MOSFETs
G G
S S
Canal N Canal P
Condução devida a Condução devida a
electrões lacunas ou buracos
Os mais usados são os MOSFETs de canal N.
A condução é devida aos electrões e, portanto, com maior mobilidade menores
resistências de canal em condução.
14-04-2014 Por : Luís Timóteo 4
Semicondutores de Potência: MOSFETs
MOSFETs
Ideias gerais sobre os MOSFETs de Enriquecimento
Curvas características del MOSFET
Curvas de saída
ID
D ID [mA]
+
VGS = 4,5V
G VDS 4
+ S -
VGS = 4V
VGS
- 2 VGS = 3,5V
Referências normalizadas VGS = 3V
VGS = 2,5V VDS [V]
0 2 4 6
VGS < VTH = 2V
Curvas de entrada:
Não têm interesse (porta isolada do canal)
MOSFETs
Ideias gerais sobre os MOSFETs de Enriquecimento
Zonas de trabalho
Curvas de saída
ID
2,5KW ID [mA]
VGS = 4,5V
D
+ 4
G VDS VGS = 4V
S - 10V
+ 2 VGS = 3,5V
VGS VGS = 3V
-
VGS = 2,5V
VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V
0 2 4 6 VDS [V]
Comportamento resistivo
VGS < VTH = 2V
Comportamento como fonte de corrente
Comportamento como circuito aberto
14-04-2014 Por : Luís Timóteo 6
Semicondutores de Potência: MOSFETs
S G D D
N+ N+
G
P-
S
+
Substrato
14-04-2014 Por : Luís Timóteo 7
Semicondutores de Potência: MOSFETs
n+ n+ D
p n+ p
n- n- G
n+ n+ S
Gate(G) Gate
Ligação
Source(S) Source
Source-body
N+
N+ P P
N- N-
Body N+ Body
N+
Drain(D) Drain
MOSFET com Gate em trincheira MOSFET com extensão
(trench) (UMOSFET) da Gate em trincheira
(EXTFET)
Gate
Source
Drain
Drift region
N+ Body
N+
P
N-
N+
14-04-2014 Por : Luís Timóteo 11
Semicondutores de Potência: MOSFETs
IGBT MOSFET
G E G S
P base Emissor N+
P base Emissor n+
Camada n-
Camada n-
Camada buf f er n+
subst r at o n+
subst r at o p+
C D
E Body diode
D
G G
C
14-04-2014 Por : Luís Timóteo S 12
Semicondutores de Potência: MOSFETs
MOSFETs
Aplicações dos semicondutores de Potência
GTO IEGT
UPS
Press Pack IGBT
Robot Welder
SCR
IGBT Automotive
SMPS
Audio
Bipolar VCR
MOSFET
Air-conditioned
MOSFETs
Encapsulados de MOSFETs de potência
• Em geral, semelhantes ás dos diodos de potência (excepto encapsulados axiais).
• Existe grande variedade.
• Exemplos: MOSFET de 60V.
RDS(on)=9,4mW, ID=12A
RDS(on)=12mW, ID=57A
MOSFETs
Encapsulados de MOSFETs de potência
RDS(on)=3.4mW, ID=90A
MOSFETs
Características fundamentais dos MOSFETs de potência
1ª -Máxima tensão Dreno-Fonte.
2ª -Máxima corrente de Dreno.
3ª -Resistência em condução.
4ª -Tensões máximas de Porta e limiar.
5ª -Velocidade de comutação.
MOSFETs
Características fundamentais dos MOSFETs de potência
MOSFETs
Características fundamentais dos MOSFETs de potência
2ª Máxima corrente de Dreno
• O fabricante fornece dois valores (pelo menos):
-Corrente continua máxima ID.
-Corrente máxima pulsada IDM.
MOSFETs
Características fundamentais dos MOSFETs de potência
3ª Resistência em Condução
É um dos parâmetros mais importantes no MOSFET. Quanto menor for, melhor é o
dispositivo.
Se representa pelas letras RDS(on).
Para um dispositivo particular, aumenta com a temperatura.
Para um dispositivo particular, decresce com a tensão de Porta (G). Este decrescimento
tem um limite.
MOSFETs
Características fundamentais dos MOSFETs de potência
3ª Resistência em Condução
Comparando dispositivos distintos de valores de ID semelhantes, RDS(on) cresce com o
valor de VDSS.
MOSFETs
Características fundamentais dos MOSFETs de potência
3ª Resistência em Condução
Nos últimos tempos têm-se melhorado substancialmente os valores de RDS(on) em
dispositivos de VDSS relativamente alta (600-1000 V).
MOSFET de 1984
MOSFETs
Características fundamentais dos MOSFETs de potência
4ª Tensão limiar e tensão Máxima de Gate
A tensão Porta-Fonte VGS, deve alcançar um valor limiar para que comece a haver
condução entre Dreno e Fonte.
Os fabricantes definem a tensão limiar VGS(TO) ou (VT), como a tensão Porta-Fonte para a
qual a corrente de Dreno é 0,25 mA, ou 1 mA.
As tensões limiares (VT), devem estar na margem de 2-4 V.
MOSFETs
Características fundamentais dos MOSFETs de potência
4ª Tensão limiar e tensão Máxima de Gate
MOSFETs
Características fundamentais dos MOSFETs de potência
4ª Tensão limiar e tensão Máxima de Gate
MOSFETs
Características fundamentais dos MOSFETs de potência
5ª Velocidade de Comutação
Os MOSFETs de potência são mais rápidos que outros dispositivos usados em electrónica
de potência (tiristores, transistores bipolares, IGBT, etc.)
Os MOSFETs de potência são dispositivos de condução unipolar. Neles, os níveis de
corrente conduzida não estão associados ao aumento da concentração de portadores
minoritários, que são difíceis de eliminar para que o dispositivo deixe de conduzir.
A limitação da rapidez está associada á carga das capacidades parasitas do dispositivo.
D
Há, essencialmente três: Cdg
- Cgs, capacidade linear.
Cds
- Cds, capacidade de transição Cds k/(VDS)1/2 G
- Cdg, capacidade Miller, não linear, muito importante. S
Cgs
MOSFETs
Características fundamentais dos MOSFETs de potência
5ª Velocidade de Comutação
Os fabricantes de MOSFETS de potência fornecem informação de três capacidades
distintas das anteriores, mas relacionadas com elas:
D
Cdg
Cds Coss
G
S
Ciss
Cgs
MOSFETs
Características fundamentais dos MOSFETs de potência
5ª Velocidade de Comutação
Exemplo de informação dos fabricantes:
MOSFETs
Características fundamentais dos MOSFETs de potência
5ª Velocidade de Comutação
A carga e a descarga destas capacidades parasitas, geram perdas que condicionam as
frequências máximas de comutação dos MOSFETs de potência.
MOSFETs
Características fundamentais dos MOSFETs de potência
5ª Velocidade de Comutação
• Análise de uma comutação típica em conversão de energia:
Cdg
Cds V2
V1 R
Cgs
MOSFETs
Características fundamentais dos MOSFETs de potência
5ª Velocidade de Comutação
Situação inicial:
- Transistor sem conduzir (em bloqueio) e diodo em condução.
- Portanto:
VDG = V2, vDS = V2 e vGS = 0
iDT = 0 e iD = IL IL
VDG iD
- Nesta situação, o interruptor +
C iDT +
passa de “B” para “A” …. + +
- dg
A - Cds V2
- vDS
V1 R + -
B Cgs
vGS
-
14-04-2014 Por : Luís Timóteo 30
Semicondutores de Potência: MOSFETs
MOSFETs
Características fundamentais dos MOSFETs de potência
5ª Velocidade de Comutação • iDT = 0 até que vGS = VGS(TO)
vGS BA
• vDS = V2 até que iDT = IL
VGS(TO)
MOSFETs
Características fundamentais dos MOSFETs de potência
5ª Velocidade de Comutação
IL
vDS VDG
+
IL Cdg iDT +
-
iDT A V2
Cds vDS
R + -
B
Cgs
V1 vGS
-
14-04-2014 Por : Luís Timóteo 32
Semicondutores de Potência: MOSFETs
MOSFETs
Características fundamentais dos MOSFETs de potência
5ª Velocidade de Comutação
BA V1
vGS Cgs e Cdg estão em série
VGS(TO)
Constante de tempo determinada por R,
Cgs e por Cdg(V1)
vDS
IL
IL VDG
+ iDT
iDT -Cdg +
A Cds V2
vDS
B R + -
Cgs vGS
V1 -
14-04-2014 Por : Luís Timóteo 33
Semicondutores de Potência: MOSFETs
MOSFETs
Características fundamentais dos MOSFETs de potência
5ª Velocidade de Comutação Valoração das perdas entre t0 e t2:
BA V1
vGS - Há que carregar Cgs (grande) e descarregar
VM Cdg (pequena) VM .
VGS(TO)
- Há coexistência de tensão e corrente entre t1
e t2.
vDS
iDT
iDT IL iDT
Cdg + + +
- -
t0 t1 t2 t3 vDS V2
PVI + + Cgs Cds -
vGS -
-
14-04-2014 Por : Luís Timóteo 34
Semicondutores de Potência: MOSFETs
MOSFETs
Características fundamentais dos MOSFETs de potência
5ª Velocidade de Comutação Valoração das perdas entre t2 e t3:
BA V1 - Há que descarregar Cds até 0 e inverter a carga de Cdg
vGS desde V2-VM até -VM .
VM
VGS(TO)
- Há coexistência de tensão e corrente entre t2 e t3.
vDS iCdg+iCds+IL
iCdg iDT = IL
iDT IL iCds
Cdg + + +
- IL
- vDS
t0 t1 t2 t3
PVI + + Cgs Cds -
vGS -
-
14-04-2014 Por : Luís Timóteo 35
Semicondutores de Potência: MOSFETs
MOSFETs
Características fundamentais dos MOSFETs de potência
5ª Velocidade de Comutação Valoração das perdas depois de t3:
BA V1
vGS - Há que acabar de carregar Cgs e Cdg até V1 .
VM
VGS(TO) - Não há coexistência de tensão e corrente,
salvo a própria das perdas de condução.
vDS
iCdg iDT = IL
iDT IL IL
Cdg + + +
- IL
- vDS
t0 t1 t2 t3
PVI + + Cgs Cds -
vGS -
-
14-04-2014 Por : Luís Timóteo 36
Semicondutores de Potência: MOSFETs
MOSFETs
Características fundamentais dos MOSFETs de potência
5ª Velocidade de Comutação
Valoração da rapidez de um dispositivo pela “Carga de Porta” vGS
A corrente fornecida pela Fonte V1 é aproximadamente constante entre
t0 e t3 (inicio de uma exponencial, com IV1 V1/R).
De t0 a t2, a corrente IV1 é essencialmente para carregar Cgs. Que fornece
iV1 Qdg
uma carga eléctrica Qgs . Qgs
De t2 a t3, a corrente Iv1 inverte a carga de Cdg. Que adiciona mais uma
carga eléctrica Qdg .
t0 t2 t3
As carga são fornecidas até que VGS = V1. Qg é o valor total (incluindo
Qgs e Qdg) iV1 Qg
R
Para um determinado sistema de controlo (V1 e R), quanto menores
forem Qgs, Qdg e Qg mais rápido será o transistor. V1
Obviamente que t2-t0 QgsR/V1, t3-t2 QdgR/V1 e PV1 = V1QgfS, sendo fS a
frequência de comutação.
MOSFETs
Características fundamentais dos MOSFETs de potência
5ª Velocidade de Comutação
Valoração da rapidez de um dispositivo pela “Carga de Porta”: Informação dada pelos
fabricantes:
IRF 540
MOSFETs
Características fundamentais dos MOSFETs de potência
5ª Velocidade de Comutação
Outro tipo de informação fornecida pelos fabricantes: comutação com carga resistiva.
VDS VGS
90%
iDT
10%
RD
D
+
td on tr td off tf RG
td on : atraso de arranque. G vDS
tr : tempo de subida.
+ + S -
td off : atraso de desligamento. vGS
tf : tempo de descida. -
14-04-2014 Por : Luís Timóteo 39
Semicondutores de Potência: MOSFETs
MOSFETs
Características fundamentais dos MOSFETs de potência
5ª Velocidade de Comutação
Outro tipo de informação fornecida pelos fabricantes: comutação com carga resistiva.
IRF 540
iDT
RD
D
td on : atraso de arranque.
+
RG vDS
tr : tempo de subida. G
td off : atraso de desligamento. + + S -
tf : tempo de descida.
vGS
-
14-04-2014 Por : Luís Timóteo 40
Semicondutores de Potência: MOSFETs
MOSFETs
Características fundamentais dos MOSFETs de potência
Perdas por coexistência de Tensão e corrente entre Dreno (D) e Fonte (S)
vGS
Pcond = RDS(on)iDT(rms)2
vDS
Pcomt = fS(won + woff)
iDT
Perdas em Woff
condução
MOSFETs
Características fundamentais dos MOSFETs de potência
Perdas na fonte de controlo
iV1
vGS V1 R
Circuito teórico
iV1 Qdg iV1
Qgs
V1
t0 t2 t3 RB
Qg
PV1 = V1QgfS Circuito real
MOSFETs
Características fundamentais dos MOSFETs de potência
Perdas na fonte de controlo
O Diodo Parasita tende a ter características pobres, particularmente nos MOSFETs de alta
tensão.
IRF 540
G
S
MOSFETs
Características fundamentais dos MOSFETs de potência
Diodo parasita num MOSFET de alta tensão
MOSFETs
Características térmicas dos MOSFETs de potência
Tudo o que foi dito, é válido para diodos de Potência
MOSFETs
Diodos e MOSFETs de Potência
Diodos
MOSFETs
MOSFETs
Complexidade do
Simples Simples Média
comando
Elevada em BT e
Densidade de corrente Muito elevada Média
baixa em AT
Bibliografias
http://www.unioviedo.es/sebas/