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Eletr - Nica de Pot - Ncia UNICAMP Jose Antenor Pomilio PDF
Eletr - Nica de Pot - Ncia UNICAMP Jose Antenor Pomilio PDF
Eletrônica de
Potência
ii
Conteúdo
iii
2. TÉCNICAS DE MODULAÇÃO DE POTÊNCIA
2.1 CONTROLE POR CICLOS INTEIROS
2.2 CONTROLE DE FASE
2.3 MODULAÇÃO POR ONDA QUADRADA
2.3.1 Modulação com onda quase-quadrada.
2.4 MODULAÇÃO MULTINÍVEL
2.5 MODULAÇÃO POR LARGURA DE PULSO - MLP
2.6 MODULAÇÃO EM FREQÜÊNCIA - MF
2.7 MODULAÇÃO POR LIMITES DE CORRENTE - MLC (HISTERESE)
2.8 MODULAÇÃO MLP COM FREQÜÊNCIA DE PORTADORA VARIÁVEL
2.9 ELIMINAÇÃO DE HARMÔNICAS
2.10 OUTRAS TÉCNICAS DE MODULAÇÃO
2.10.1 Controle “One-cycle”
2.10.2 Controle de carga
2.10.3 Modulação Delta
2.11 MODULAÇÃO VETORIAL
2.11.1 Saturação
2.12 REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS
iv
4.2.5 Conversor Classe E
4.3 REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS
v
7. CONVERSORES CC-CA PARA ACIONAMENTO DE MÁQUINA DE INDUÇÃO
TRIFÁSICA
7.1 MODELAMENTO DA MÁQUINA DE INDUÇÃO TRIFÁSICA
7.2 MÉTODOS DE CONTROLE DA VELOCIDADE DE MÁQUINA DE INDUÇÃO
7.2.1 Controle pela resistência
7.2.2 Controle pela tensão de alimentação do estator
7.2.3 Controle pela variação da freqüência
7.2.4 Controle da tensão e da freqüência
7.2.5 Controle da corrente
7.3 INVERSORES DE TENSÃO
7.4 INVERSORES DE CORRENTE
7.4.1 Inversor a tiristores
7.4.2 Inversor com IGBT (ou GTO)
7.5 REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS
vi
10.2.3 Carga RL
10.3 VARIADORES DE TENSÃO TRIFÁSICO
10.3.1 Carga resistiva
10.3.2 Carga indutiva (em Y sem neutro)
10.3.3 Carga RL
10.4 EXEMPLO DE APLICAÇÃO
10.4.1 Linha sem compensação
10.4.2 CCT atuando e saída de carga
10.4.3 CCT atuando, saída de carga e atuação do RCT
10.5 CICLOCONVERSORES COM COMUTAÇÃO NATURAL
10.6 CONVERSOR EM MATRIZ
10.7 REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS
vii
Eletrônica de Potência - Cap. 1 J. A. Pomilio
Tensão
Tiristores
5kV
GTO
4kV
3kV
MCT Corrente
IGBT
2kV TBP 1kHz
10kHz
1kV
100kHz
MOSFET
1MHz
1kA 2kA 3kA
Frequência
Figura 1.1 Limites de operação de componentes semicondutores de potência.
estáveis, uma vez que, pelo compartilhamento dos elétrons externos pelos átomos vizinhos
(ligação covalente), tem-se um arranjo com 8 elétrons na camada de valência, como ilustra a
figura 1.2.
elétrons
compartilhados
núcleos
atômicos
Em qualquer temperatura acima do zero absoluto (-273 oC), algumas destas ligações
são rompidas (ionização térmica), produzindo elétrons livres. O átomo que perde tal elétron se
torna positivo. Eventualmente um outro elétron também escapa de outra ligação e, atraído pela
carga positiva do átomo, preenche a ligação covalente. Desta maneira tem-se uma
movimentação relativa da “carga positiva”, chamada de lacuna, que, na verdade, é devida ao
deslocamento dos elétrons que saem de suas ligações covalentes e vão ocupar outras, como
mostra a figura 1.3.
movimento
da lacuna
átomo
ionizado
elétron
ligação
rompida
− qE g
ni ≈ C⋅e kT (1.1)
Si Si Si Si Si Si
elétron
ligação em excesso
incompleta
Si Bo Si Si P Si
Si Si Si Si Si Si
Figura 1.4 – Semicondutores dopados
Neste caso não tem-se mais o equilíbrio entre elétrons e lacunas, passando a existir um
número maior de elétrons livres nos materiais dopados com elementos da quinta coluna da
tabela periódica, ou de lacunas, caso a dopagem seja com elementos da terceira coluna.
Respectivamente, produzem-se os chamados materiais semicondutores tipo N e tipo P.
Observe-se, no entanto, que o material permanece eletricamente neutro, uma vez que a
quantidade total de elétrons e prótons é a mesma.
Quando a lacuna introduzida pelo boro captura um elétron livre, tem-se a
movimentação da lacuna. Neste caso diz-se que as lacunas são os portadores majoritários,
sendo os elétrons os portadores minoritários.
Já no material tipo N, a movimentação do elétron excedente deixa o átomo ionizado, o
que o faz capturar outro elétron livre. Neste caso os portadores majoritários são os elétrons,
enquanto os minoritários são as lacunas.
As dopagens das impurezas (1019/cm3 ou menos), tipicamente são feitas em níveis
muito menores que a densidade de átomos do material semicondutor (1023/cm3), de modo que
as propriedades de ionização térmica não são afetadas.
Mesmo em um material dopado, o produto das densidades de lacunas e de elétrons (po
e no, respectivamente) é igual ao valor ni2 dado pela equação (1.1), embora aqui po ≠ no .
Além da ionização térmica, tem-se uma quantidade adicional de cargas “livres”,
relativas às próprias impurezas. Pelos valores indicados anteriormente, pode-se verificar que a
concentração de átomos de impurezas é muitas ordens de grandeza superior à densidade de
portadores gerados por efeito térmico, de modo que, num material tipo P, po Na, onde Na é
a densidade de impurezas “aceitadoras” de elétrons. Já no material tipo N, no Nd, onde Nd é
a densidade de impurezas “doadoras” de elétrons.
Em qualquer dos materiais, a densidade dos portadores minoritários é proporcional ao
quadrado da densidade “intrínseca”, ni, e é fortemente dependente da temperatura.
n i2
no ≈ , po ≈ Na (1.2)
po
n i2
po ≈ , no ≈ Nd (1.3)
no
1.1.3 Recombinação
Uma vez que a quantidade ni é determinada apenas por propriedades do material e pela
temperatura, é necessário que exista algum mecanismo que faça a recombinação do excesso
de portadores à medida que novos portadores são criados pela ionização térmica.
Tal mecanismo inclui tanto a recombinação propriamente dita de um elétron com uma
lacuna em um átomo de Si, quanto a captura dos elétrons pela impureza ionizada., ou,
adicionalmente, por imperfeições na estrutura cristalina. Tais imperfeições fazem com que os
átomos adjacentes não necessitem realizar 4 ligações covalentes.
Pode-se definir o “tempo de vida” de um portador como o tempo médio necessário
para que o elétron ou a lacuna sejam “neutralizados” pela consecussão de uma ligação
covalente. Em muitos casos pode-se considerar o “tempo de vida” de um portador como uma
constante do material. No entanto, especialmente nos semicondutores de potência, esta não é
uma boa simplificação.
Quando ocorre um significativo aumento na temperatura do semicondutor, tem-se um
aumento no tempo de recombinação do excesso de portadores, o que leva a um aumento nos
tempos de comutação dos dispositivos de tipo “portadores minoritários”, como o transistor
bipolar e os tiristores.
Já em situações de alta dopagem (1017/cm3 ou superior), a taxa de recombinação
aumenta,o que leva a um crescimento da queda de tensão sobre o dispositivo quando este está
em condução.
Uma vez que este “tempo de vida” dos portadores afeta significantemente o
comportamento dos dispositivos de potência, a obtenção de métodos que possam controlá-lo é
importante. Um dos métodos que possibilita o “ajuste” deste tempo é a dopagem com ouro,
uma vez que este elemento funciona como um “centro” de recombinação, uma vez que realiza
tal operação com grande facilidade. Outro método é o da irradiação de elétrons de alta energia,
bombardeando a estrutura cristalina de modo a deformá-la e, assim, criar “centros de
recombinação”. Este último método tem sido preferido devido à sua maior controlabilidade (a
energia dos elétrons é facilmente controlável, permitindo estabelecer a que profundidade do
cristal se quer realizar as deformações) e por ser aplicado no final do processo de construção
do componente.
Um diodo semicondutor é uma estrutura P-N que, dentro de seus limites de tensão e de
corrente, permite a passagem de corrente em um único sentido. Detalhes de funcionamento,
em geral desprezados para diodos de sinal, podem ser significativos para componentes de
maior potência, caracterizados por uma maior área (para permitir maiores correntes) e maior
comprimento (a fim de suportar tensões mais elevadas). A figura 1.5 mostra,
simplificadamente, a estrutura interna de um diodo.
Aplicando-se uma tensão entre as regiões P e N, a diferença de potencial aparecerá na
região de transição, uma vez que a resistência desta parte do semicondutor é muito maior que
a do restante do componente (devido à concentração de portadores).
Quando se polariza reversamente um diodo, ou seja, se aplica uma tensão negativa no
anodo (região P) e positiva no catodo (região N), mais portadores positivos (lacunas) migram
para o lado N, e vice-versa, de modo que a largura da região de transição aumenta, elevando a
barreira de potencial.
Junção metalúrgica
P + + + + + + + _ _ + + _ _ _ _ _ _ N_
+ + + + + + + + _ _ + + _ _ _ _ _ _ _
+ + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ _ Anodo Catodo
+ +
+ + + + + + + + _ _ + + _ _ _ _ _ _ _
+ + + + + + + + _ _ + + _ _ _ _ _ _ _
+ Difusão
_
0 Potencial
1u
Por difusão ou efeito térmico, uma certa quantidade de portadores minoritários penetra
na região de transição. São, então, acelerados pelo campo elétrico, indo até a outra região
neutra do dispositivo. Esta corrente reversa independe da tensão reversa aplicada, variando,
basicamente, com a temperatura.
Se o campo elétrico na região de transição for muito intenso, os portadores em trânsito
obterão grande velocidade e, ao se chocarem com átomos da estrutura, produzirão novos
portadores, os quais, também acelerados, produzirão um efeito de avalanche. Dado o aumento
na corrente, sem redução significativa na tensão na junção, produz-se um pico de potência que
destrói o componente.
Uma polarização direta leva ao estreitamento da região de transição e à redução da
barreira de potencial. Quando a tensão aplicada superar o valor natural da barreira, cerca de
0,7V para diodos de Si, os portadores negativos do lado N serão atraídos pelo potencial
positivo do anodo e vice-versa, levando o componente à condução.
Na verdade, a estrutura interna de um diodo de potência é um pouco diferente desta
apresentada. Existe uma região N intermediária, com baixa dopagem. O papel desta região é
permitir ao componente suportar tensões mais elevadas, pois tornará menor o campo elétrico
na região de transição (que será mais larga, para manter o equilíbrio de carga).
Esta região de pequena densidade de dopante dará ao diodo uma significativa
característica resistiva quando em condução, a qual se torna mais significativa quanto maior
for a tensão suportável pelo componente. As camadas que fazem os contatos externos são
altamente dopadas, a fim de fazer com que se obtenha um contato com característica ôhmica e
não semi-condutor.
O contorno arredondado entre as regiões de anodo e catodo tem como função criar
campos elétricos mais suaves (evitando o efeito de pontas).
No estado bloqueado, pode-se analisar a região de transição como um capacitor, cuja
carga é aquela presente na própria região de transição.
Na condução não existe tal carga, no entanto, devido à alta dopagem da camada P+,
por difusão, existe uma penetração de lacunas na região N-. Além disso, à medida que cresce
a corrente, mais lacunas são injetadas na região N-, fazendo com que elétrons venham da
região N+ para manter a neutralidade de carga. Desta forma, cria-se uma carga espacial no
catodo, a qual terá que ser removida (ou se recombinar) para permitir a passagem para o
estado bloqueado do diodo.
O comportamento dinâmico de um diodo de potência é, na verdade, muito diferente do
de uma chave ideal, como se pode observar na figura 1.6. Suponha-se que se aplica uma
tensão vi ao diodo, alimentando uma carga resistiva (cargas diferentes poderão alterar alguns
aspectos da forma de onda).
Durante t1, remove-se a carga acumulada na região de transição. Como ainda não
houve significativa injeção de portadores, a resistência da região N- é elevada, produzindo um
pico de tensão. Indutâncias parasitas do componente e das conexões também colaboram com a
sobre-tensão. Durante t2 tem-se a chegada dos portadores e a redução da tensão para cerca de
1V. Estes tempos são, tipicamente, da ordem de centenas de ns.
No desligamento, a carga espacial presente na região N- deve ser removida antes que
se possa reiniciar a formação da barreira de potencial na junção. Enquanto houver portadores
transitando, o diodo se mantém em condução. A redução em Von se deve à diminuição da
queda ôhmica. Quando a corrente atinge seu pico negativo é que foi retirado o excesso de
portadores, iniciando-se, então, o bloqueio do diodo. A taxa de variação da corrente, associada
às indutâncias do circuito, provoca uma sobre-tensão negativa.
trr
t3
t1 dir/dt
dif/dt
Qrr
i=Vr/R
iD
Anodo
Vfp Von t4 t5
P+ 10e19 cm-3 10 u
vD
Vrp
_
-Vr t2
N 10e14 cm-3 Depende
da tensão
+Vr
vi
vD -Vr
250 u
N+ 10e19cm-3
substrato
iD
vi R
Catodo
Figura 1.6 - Estrutura típica de diodo de potência e formas de onda típicas de comutação de
diodo de potência.
(a) (b)
Figura 1.7 - Resultados experimentais das comutações de diodo: (a) desligamento;
(b) entrada em condução.
contato Al Al contato
retificador ôhmico
SiO2
N+
Tipo N
Substrato tipo P
(a) (b)
Figura 1.8 - (a) Estrutura de diodo Schottky; (b) Forma de onda típica no desligamento
1.4 Tiristor
Se houver uma tensão Vgk positiva, circulará uma corrente através de J3, com
portadores negativos indo do catodo para a porta. Por construção, a camada P ligada à porta é
suficientemente estreita para que parte destes elétrons que cruzam J3 possuam energia cinética
suficiente para vencer a barreira de potencial existente em J2, sendo então atraídos pelo
anodo.
Vcc Rc (carga)
J1 J2 J3
P N- P N+
A K Catodo
Anodo Vg CH
Gate G Rg
Vcc Rc
A K
G
Rg
Vg
Figura 1.9 - Funcionamento básico do tiristor e seu símbolo.
A A Ia
Ib1
P T1
N Ic2
N Ic1
G
P P G
T2
Ig Ib2
N
Ik
K
K
Figura 1.10 - Analogia entre tiristor e transistores bipolares
a) Tensão
Quando polarizado diretamente, no estado desligado, a tensão de polarização é
aplicada sobre a junção J2. O aumento da tensão Vak leva a uma expansão da região de
transição tanto para o interior da camada do gate quanto para a camada N adjacente. Mesmo
na ausência de corrente de gate, por efeito térmico, sempre existirão cargas livre que penetram
na região de transição (no caso, elétrons), as quais são aceleradas pelo campo elétrico presente
em J2. Para valores elevados de tensão (e, consequentemente, de campo elétrico), é possível
iniciar um processo de avalanche, no qual as cargas aceleradas, ao chocarem-se com átomos
vizinhos, provoquem a expulsão de novos portadores, os quais reproduzem o processo. Tal
fenômeno, do ponto de vista do comportamento do fluxo de cargas pela junção J2, tem efeito
similar ao de uma injeção de corrente pelo gate, de modo que, se ao se iniciar a passagem de
corrente for atingido o limiar de IL, o dispositivo se manterá em condução. A figura. 1.11
mostra a característica estática de um SCR.
Ij =
(
d C j ⋅ Vak ) = C ⋅ dVak + V ⋅
dC j
(1.4)
j ak
dt dt dt
Ia
Von
IL
Ig2 > Ig1 > Ig=0
Vbr IH
Vak
Vbo
Vgk
Máxima tensão de gate
Limite de
baixa corrente
Máxima potência
Instantânea de gate
6V
Vgm Limite de
alta corrente
Vgo
Reta de carga
do circuito de acionamento
0
0 Igm 0,5A Ig
Figura 1.12 - Condições para disparo de tiristor através de controle pela porta.
Quando Vak cresce, a capacitância diminui, uma vez que a região de transição aumenta
de largura. Entretanto, se a taxa de variação da tensão for suficientemente elevada, a corrente
que atravessará a junção pode ser suficiente para levar o tiristor à condução.
Uma vez que a capacitância cresce com o aumento da área do semicondutor, os
componentes para correntes mais elevadas tendem a ter um limite de dv/dt menor. Observe-se
que a limitação diz respeito apenas ao crescimento da tensão direta (Vak > 0). A taxa de
crescimento da tensão reversa não é importante, uma vez que as correntes que circulam pelas
junções J1 e J3, em tal situação, não tem a capacidade de levar o tiristor a um estado de
condução.
Como se verá adiante, utilizam-se circuitos RC em paralelo com os tiristores com o
objetivo de limitar a velocidade de crescimento da tensão direta sobre eles.
d) Temperatura
A altas temperaturas, a corrente de fuga numa junção p-n reversamente polarizada
dobra aproximadamente com o aumento de 8o C. Assim, a elevação da temperatura pode levar
a uma corrente através de J2 suficiente para levar o tiristor à condução.
e) Energia radiante
Energia radiante dentro da banda espectral do silício, incidindo e penetrando no cristal,
produz considerável quantidade de pares elétron-lacuna, aumentando a corrente de fuga
reversa, possibilitando a condução do tiristor. Este tipo de acionamento é o utilizado nos
LASCR, cuja aplicação principal é em sistemas que operam em elevado potencial, onde a
isolação necessária só é obtida por meio de acoplamentos óticos.
K
G
N N
P
G P G
N- P
N
N
P Catodo
dv/dt
di/dt
Tensão direta de bloqueio
Von
Corrente de fuga direta
Corrente de fuga reversa
Irqm
ton
Tensão reversa de bloqueio
toff
Figura 1.14 Tensões e correntes características de tiristor.
b) Comutação
Se, por um lado, é fácil a entrada em condução de um tiristor, o mesmo não se pode
dizer de sua comutação. Lembramos que a condição de desligamento é que a corrente de
anodo fique abaixo do valor IH. Se isto ocorrer juntamente com a aplicação de uma tensão
reversa, o bloqueio se dará mais rapidamente.
Não existe uma maneira de se desligar o tiristor através de seu terminal de controle,
sendo necessário algum arranjo no nível do circuito de anodo para reduzir a corrente principal.
S1
i(t)
L
vi(t) S2 vL R
200V
vi(t)
-200V
40A
i(t)
-40A
200V
vL(t)
-200V
5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms
vo
Vcc
io
0
S1 io(t) L
Vcc Carga
vo(t) Ressonante
A figura 1.18 mostra um circuito para comutação forçada de SCR e as formas de onda
típicas. A figura 1.19 mostra detalhes de operação do circuito auxiliar de comutação.
Em um tempo anterior a to, a corrente da carga (suposta quase constante, devido à
elevada constante de tempo do circuito RL) passa pelo diodo de circulação. A tensão sobre o
capacitor é negativa, com valor igual ao da tensão de entrada.
Em t1 o tiristor principal, Sp, é disparado, conectando a fonte à carga, levando o diodo
Df ao desligamento. Ao mesmo tempo surge uma malha formada por Sp, Cr, D1 e Lr, a qual
permite a ocorrência de uma ressonância entre Cr e Lr, levando à inversão na polaridade da
tensão do capacitor. Em t1 a tensão atinge seu máximo e o diodo D1 desliga (pois a corrente
se anula). O capacitor está preparado para realizar a comutação de Sp.
Quanto o tiristor auxiliar, Sa, é disparado, em t2, a corrente da carga passa a ser
fornecida através do caminho formado por Lr, Sa e Cr, levando a corrente por Sp a zero, ao
mesmo tempo em que se aplica uma tensão reversa sobre ele, de modo a desligá-lo.
D2
60A
iT
Sp
Lo
i +
T Cr
Vc
+
Lr iC
-60A
Df Ro
Sa i 200V
c Vo
Vcc vo
0
vC
D1
-200V
Figura 1.18 Topologia com comutação forçada de SCR e formas de onda típicas.
Continua a haver corrente por Cr, a qual, em t3, se torna igula à corrente da carga,
fazendo com que a variação de sua tensão assuma uma forma linear. Esta tensão cresce (no
sentido negativo) até levar o diodo de circulação à condução, em t4. Como ainda existe
corrente pelo indutor Lr, ocorre uma pequena oscilação na malha Lr, Sa, Cr e D2 e, quando a
corrente por Sa se anula, o capacitor se descarrega até a tensão Vcc na malha formada por Cr,
D1, Lr, fonte e Df.
60A
iT
-60A ic
200V
vo
0
vc
-200V
to t1 t2 t3 t4 t5
Figura 1.19 - Detalhes das formas de onda durante comutação.
a) O problema di/dt
Uma primeira medida capaz de limitar possíveis danos causados pelo crescimento
excessivamente rápido da corrente de anodo é construir um circuito acionador de gate
adequado, que tenha alta derivada de corrente de disparo para que seja também rápida a
expansão da área condutora.
Um reator saturável em série com o tiristor também limitará o crescimento da corrente
de anodo durante a entrada em condução do dispositivo.
Além deste fato tem-se outra vantagem adicional que é a redução da potência
dissipada no chaveamento pois, quando a corrente de anodo crescer, a tensão Vak será
reduzida pela queda sobre a indutância.
O atraso no crescimento da corrente de anodo pode levar à necessidade de um pulso
mais longo de disparo, ou ainda a uma seqüência de pulsos, para que seja assegurada a
condução do tiristor.
b) O problema do dv/dt
A limitação do crescimento da tensão direta Vak, usualmente é feita pelo uso de
circuitos RC, RCD, RLCD em paralelo com o dispositivo, como mostrado na figura 1.20.
No caso mais simples (a), quando o tiristor é comutado, a tensão Vak segue a dinâmica
dada por RC que, além disso desvia a corrente de anodo facilitando a comutação. Quando o
SCR é ligado o capacitor descarrega-se, ocasionando um pico de corrente no tiristor, limitado
pelo valor de R.
No caso (b) este pico pode ser reduzido pelo uso de diferentes resistores para os
processos de carga e descarga de C. No 3o caso, o pico é limitado por L, o que não traz
eventuais problemas de alto di/dt. A corrente de descarga de C auxilia a entrada em condução
do tiristor para obter um Ia>IL, uma vez que se soma à corrente de anodo proveniente da carga.
A energia acumulada no capacitor é praticamente toda dissipada sobre o resistor de
descarga.
D L
D
R R2
R1
R
C
C
C
a) Impedância série
A idéia é adicionar impedâncias em série com cada componente a fim de limitar o
eventual desequilíbrio. Se a corrente crescer num ramo, haverá aumento da tensão, o que fará
com que a corrente se distribua entre os demais ramos. O uso de resistores implica no
aumento das perdas, uma vez que dado o nível elevado da corrente, a dissipação pode atingir
centenas de watts, criando problemas de dissipação e eficiência. Outra alternativa é o uso de
indutores lineares.
b) Reatores acoplados
Conforme ilustrado na figura 1.21, se a corrente por SCR1 tende a se tornar maior que
por SCR2, uma força contra-eletro-motriz aparecerá sobre a indutância, proporcionalmente ao
desbalanceamento, tendendo a reduzir a corrente por SCR1. Ao mesmo tempo uma tensão é
induzida do outro lado do enrolamento, aumentando a corrente por SCR2. As mais
importantes características do reator são alto valor da saturação e baixo fluxo residual, para
permitir uma grande excursão do fluxo a cada ciclo.
.
.
. .
. .
.
(a) .
(b)
. .
. .
. .
. .
(c)
1.4.6.2 Disparo
Há duas características do tiristor bastante importantes para boa divisão de corrente
entre os componentes no momento em que se deve dar o início da condução: o tempo de
atraso (td) e a mínima tensão de disparo (Vonmin).
O tempo de atraso pode ser interpretado como o intervalo entre a aplicação do sinal de
gate e a real condução do tiristor.
A mínima tensão de disparo é o valor mínimo da tensão direta entre anodo e catodo
com a qual o tiristor pode ser ligado por um sinal adequado de porta. Recorde-se, da
característica estática do tiristor, que quanto menor a tensão Vak, maior deve ser a corrente de
gate para levar o dispositivo à condução.
Diferenças em td podem fazer com que um componente entre em condução antes do
outro. Com carga indutiva este fato não é tão crítico pela inerente limitação de di/dt da carga,
o que não ocorre com cargas capacitivas e resistivas. Além disso, como Vonmin é maior que a
queda de tensão direta sobre o tiristor em condução, é possível que outro dispositivo não
consiga entrar em condução.
1.4.6.3 Desligamento
Especialmente com carga indutiva, deve-se prever algum tipo de arranjo que consiga
manter o equilíbrio de corrente mesmo que haja diferentes características entre os tiristores
(especialmente relacionadas com os tempos de desligamento). A capacitância do circuito
amaciador limita o desbalanceamento, uma vez que absorve a corrente do tiristor que começa
a desligar.
I II III IV V VI
Recuperação
Bloqueio Condução Condução Condução Bloqueio
reversa
1200V direto parcial direta reversa reverso
parcial
+ + + +
1.4.7.2 Disparo
Um método que pode ser usado para minimizar o desequilíbrio do estado II é fornecer
uma corrente de porta com potência suficiente e de rápido crescimento, para minimizar as
diferenças relativas ao tempo de atraso. A largura do pulso deve ser tal que garanta a
continuidade da condução de todos os tiristores.
1.4.7.3 Desligamento
Para equalizar a tensão no estado V, um capacitor é ligado entre anodo e catodo de
cada tiristor. Se a impedância do capacitor é suficientemente baixa e/ou se utiliza a constante
de tempo necessária, o crescimento da tensão no dispositivo mais rápido será limitado até que
todos se recombinem. Esta implementação também alivia a situação no disparo, uma vez que
realiza uma injeção de corrente no tiristor, facilitando a entrada em condução de todos os
dispositivos.
Mas se o capacitor providencia excelente equalização de tensão, o pico de corrente
injetado no componente no disparo pode ser excessivo, devendo ser limitado por meio de um
resistor em série com o capacitor. É interessante um alto valor de R e baixo valor de C para,
com o mesmo RC, obter pouca dissipação de energia. Mas se o resistor for de valor muito
elevado será imposta uma tensão de rápido crescimento sobre o tiristor, podendo ocasionar
disparo por dv/dt. Usa-se então um diodo em paralelo com o resistor, garantindo um caminho
de carga para o capacitor, enquanto a descarga se faz por R. O diodo deve ter uma
característica suave de recombinação para evitar efeitos indesejáveis associados às indutâncias
parasitas das ligações. Recomenda-se o uso de capacitores de baixa indutância parasita. A
figura 1.23 ilustra tais circuitos de equalização.
C R C R C R Equalização
Dinâmica
D D D
Rs Rs Rs
Equalização estática
Figura 1.23 - Circuito de equalização de tensão em associação série de tiristores.
a) Transformador de pulso
Neste caso, tem-se transformadores capazes de responder apenas em alta frequência,
mas que possibilitam a transferência de pulsos de curta duração (até centenas de
microsegundos), após o que o transformador satura. Caso seja necessário um pulso mais largo,
ele poderá ser obtido por meio de um trem de pulsos, colocando-se um filtro passa-baixas no
lado de saída. Com tais dispositivos deve-se prever algum tipo de limitação de tensão no
secundário (onde está conectado o gate), a fim de evitar sobretensões.
Quando se usar transformador de pulso é preciso garantir que ele suporte pelo menos a
tensão de pico da alimentação. Como as condições de disparo podem diferir cosideravelmente
entre os tiristores, é comum inserir uma impedância em série com o gate para evitar que um
tiristor com menor impedância de gate drene o sinal de disparo, impedindo que os demais
dispositivos entrem em condução. Esta impedância em série pode ser um resistor ou um
capacitor, que tornaria mais rápido o crescimento do pulso de corrente.
b) Acoplamento luminoso
O acoplamento ótico apresenta como principal vantagem a imunidade a interferências
eletromagnéticas, além da alta isolação de potencial. Dois tipos básicos de acopladores são
usados: os opto-acopladores e as fibras óticas. No primeiro caso tem-se um dispositivo onde o
emissor e o receptor estão integrados, apresentando uma isolação típica de 2500 V. Já para as
fibras óticas, o isolamento pode ser de centenas de kV.
A potência necessária para o disparo é provida por duas fontes: uma para alimentar o
emissor (em geral a própria fonte do circuito de controle) e outra para o lado do receptor.
Eventualmente, a própria carga armazenada no capacitor do circuito amaciador (ou rede de
equalização), através de um transformador de corrente, pode fornecer a energia para o lado do
receptor, a partir da corrente que circula pelo tiristor, assegurando potência durante todo o
período de condução.
+Vcc +V
+
..
Req
Pulsos
Pulsos Req
1.4.8 Sobre-tensão
As funções gerais da proteção contra sobre-tensão são: assegurar, tão rápido quanto
possível, que qualquer falha em algum componente afete apenas aquele tiristor diretamente
associado ao componente; aumentar a confiabilidade do sistema; evitar reações na rede
(como excitação de ressonâncias). Estas sobre-tensões podem ser causadas tanto por ações
externas como por distribuição não homogênea das tensões entre os dispositivos.
Em aplicações onde as perdas provocadas pelos resistores de equalização devem ser
evitadas, a distribuição de tensão pode ser realizada pelo uso de retificadores de avalanche
controlada, que também atuam no caso de sobre-tensões. Uma possível restrição ao uso de
supressores de sobre-tensão (geralmente de óxido metálico, os varistores), é que a falha em
um certo componente (um curto em um tiristor) pode levar a uma sobrecarga nos demais
supressores, provocando uma destruição em cascata de todos.
A fim de evitar disparos indesejados dos tiristores em virtude do aumento repentino da
tensão, superando o limite de dv/dt ou o valor da máxima tensão direta de bloqueio, deve-se
manter uma polarização negativa no terminal da porta, aumentado o nível de tensão
suportável.
1.4.9 Resfriamento
As características do tiristor são fornecidas a uma certa temperatura da junção. O calor
produzido na pastilha deve ser dissipado, devendo transferir-se da pastilha para o
encapsulamento, deste para o dissipador e daí para o meio de refrigeração (ar ou líquido).
Este conjunto possui uma capacidade de armazenamento de calor, ou seja, uma
constante de tempo térmica, que permite sobrecargas de corrente por períodos curtos.
Tipicamente esta constante é da ordem de 3 minutos para refrigeração a ar.
A temperatura de operação da junção deve ser muito menor que o máximo
especificado. Ao aumento da temperatura corresponde uma diminuição na capacidade de
suportar tensões no estado de bloqueio. Tipicamente esta temperatura não deve exceder
120oC.
O sistema de refrigeração deve possuir redundância, ou seja, uma falha no sistema
deve por em operação um outro, garantindo a troca de calor necessária. Existem várias
maneiras de implementar as trocas: circulação externa de ar filtrado, circulação interna de ar
(com trocador de calor), refrigeração com líquido, etc. A escolha do tipo de resfriamento é
influenciada pelas condições ambientais e preferências do usuário.
O GTO, embora tenha sido criado no início da década de 60, por problemas de fraco
desempenho foi pouco utilizado. Com o avanço da tecnologia de construção de dispositivos
semicondutores, novas soluções foram encontradas para aprimorar tais componentes, que hoje
ocupam significativa faixa de aplicação, especialmente naquelas de elevada potência, uma vez
que estão disponíveis dispositivos para 5000V, 4000A.
Rg
Vcc J2 J3
P+ N- P N+
Entrada em condução
J1
Região de
Vg
Transição
A K
Rg
G
Rg
Vcc
P+ N- P N+
Desligamento
Rg
Vg
Figura 1.25 - Símbolo, processos de chaveamento e estrutura interna de GTO.
n+ n+ n+
J3
p
J2
n-
J1
p+ p+ p+
n+ n+
anodo
• Vdrxm - Tensão de pico, repetitiva, de estado desligado: sob condições dadas, é a máxima
tensão instantânea permissível, em estado desligado, que não ultrapasse o dv/dt máximo,
aplicável repetidamente ao GTO.
• It - Corrente (RMS) de condução: máxima corrente (valor RMS) que pode circular
continuamente pelo GTO.
• Itcm - Corrente de condução repetitiva controlável: máxima corrente repetitiva, cujo valor
instantâneo ainda permite o desligamento do GTO, sob determinadas condições.
• I2t: escala para expressar a capacidade de sobrecorrente não-repetitiva, com respeito a um
pulso de curta duração. É utilizado no dimensionamento dos fusíveis de proteção.
• di/dt: taxa de crescimento máxima da corrente de anodo.
• Vgrm - Tensão reversa de pico de gate repetitiva: máxima tensão instantânea permissível
aplicável à junção gate-catodo.
• dv/dt: máxima taxa de crescimento da tensão direta de anodo para catodo.
• IH - corrente de manutenção: Corrente de anodo que mantém o GTO em condução mesmo
na ausência de corrente de porta.
• IL - corrente de disparo: corrente de anodo necessária para que o GTO entre em condução
com o desligamento da corrente de gate.
• tgt - tempo de disparo: tempo entre a aplicação da corrente de gate e a queda da tensão Vak.
• tgq - tempo de desligamento: tempo entre a aplicação de uma corrente negativa de gate e a
queda da corrente de anodo (tgq=ts+tf)
• ts - tempo de armazenamento
t gq
Ifgm
ts
Ifg
Vr
tr
dIrg
Vrg (tensão negativa
dt do circuito de comando)
t w1 avalanche
Vgk
Ig Irg
Figura 1.27 - Formas de onda típicas do circuito de comando de porta de GTO.
1.5.4.1 Desligamento
Durante o desligamento, com o progressivo restabelecimento da barreira de potencial
na junção reversamente polarizada, a corrente de anodo vai se concentrando em áreas cada vez
menores, concentrando também os pontos de dissipação de potência. Uma limitação da taxa
de crescimento da tensão, além de impedir o gatilhamento por efeito dv/dt, implicará numa
redução da potência dissipada nesta transição.
O circuito mais simples utilizado para esta função é uma rede RCD, como mostrado na
figura 1.28.
Supondo uma corrente de carga constante, ao ser desligado o GTO, o capacitor se
carrega com a passagem da corrente da carga, com sua tensão vaiando de forma praticamente
linear. Assim, o dv/dt é determinado pela capacitância. Quando o GTO entrar em condução,
este capacitor se descarrega através do resistor. A descarga deve ocorrer dentro do mínimo
tempo em condução previsto para o GTO, a fim de assegurar tensão nula inicial no próximo
desligamento. A resistência não pode ser muito baixa, a fim de limitar a impulso de corrente
injetado no GTO.
D
R C
C ⋅ V2
p cap = ⋅ fs (1.5)
2
V
Io
carga Df
Lcarga Df
Ia
Io Ds
R
carga Ls
Rs
V
Vak
Ia V
Vak
Vak
Para reduzir este efeito, um circuito amaciador para o disparo pode ser necessário, com
o objetivo de reduzir a tensão sobre o GTO em sua entrada em condução, pode-se utilizar um
circuito amaciador formado, basicamente, por um indutor com núcleo saturável, que atue de
maneira significativa apenas durante o início do crescimento da corrente, mas sem armazenar
uma quantidade significativa de energia.
Rc
Vcc
J2 J1
N+ N- P N+
C - - E
- -
Vb
B
Rb
B E
N+ 10e19 cm-3 10 u
P 10e16 cm-3 5 a 20 u
C
E
N+ 10e19 cm-3 250 u (substrato)
C
Figura 1.31 Estrutura interna de TPB e seu símbolo
Ic Ic Vcbo Ic
Ib>0 Ib=0
Ic segunda ruptura
primeira ruptura
Ib4
Ib3
Ib2 Ib<0
Ib1
Ib=0 Vce
Vces Vceo Vcbo
Ib4>Ib3>Ib2>Ib1>0
Figura 1.33 - Característica estática de transistor bipolar.
log Ic
Ic max 1 us
10 us
100 us
A
Ic DC B
log Vce
Figura 1.34 - Aspecto típico de AOS de TBP
A: Máxima corrente contínua de coletor
B: Máxima potência dissipável (relacionada à temperatura na junção)
C: Limite de segunda ruptura
D: Máxima tensão Vce
R
Vcc/R
Ib
região ativa Vcc
Vce
corte
Vcc Vce
Figura 1.35 - Região de quase-saturação do TBP.
quase-
saturação e-
região ativa
saturação
base virtual
Figura 1.36 - Distribuição da carga estática acumulada no TBP
ganho de corrente
Vce = 2V (125 C)
Vce = 400 V (25 C)
Vce = 2 V (25 C)
log Ic
Figura 1.37 - Comportamento típico do ganho de corrente em função da tensão Vce, da
temperatura e da corrente de coletor.
a) Carga resistiva
A figura 1.38 mostra formas de onda típicas para este tipo de carga. O índice "r' se
refere a tempos de subida (de 10% a 90% dos valores máximos), enquanto "f" relaciona-se aos
tempos de descida. O índice "s" refere-se ao tempo de armazenamento e "d" ao tempo de
atraso.
b) Carga indutiva
Seja Io>0 e constante durante a comutação. A figura 1.39 mostra formas de onda
típicas com este tipo de carga.
b.2) Bloqueio
Com a inversão da tensão Vbe (e de Ib), inicia-se o processo de desligamento do TBP.
Após tsv começa a crescer Vce. Para que o diodo conduza é preciso que Vce>Vcc. Enquanto
isto não ocorre, Ic=Io. Com a entrada em condução do diodo, Ic diminui, à medida que Id
cresce (tfi).
Além destes tempos definem-se outros para carga indutiva: tti: (tail time): Queda de Ic
de 10% a 2%; tc ou txo: intervalo entre 10% de Vce e 10% de Ic.
100%
90%
Sinal de base
10%
ton=ton(i)
toff=toffi
td=tdi ts=tsi tfi
tri
90%
Corrente de coletor
10%
ton(v) toff(v)
tdv tsv
tfv trv
+Vcc
90%
Tensão Vce
Vce(sat) 10%
CARGA RESISTIVA
Figura 1.38 - Característica típica de chaveamento de carga resistiva
Vb
Io
Lcarga Df
td
Ic
Io
R
carga
Vcc tti
Vce tsv
Ic Vcc
Vce
desligamento, a corrente de coletor que vinha crescendo (ou estava constante), muda sua
derivada tendendo a diminuir. Isto produz uma tensão sobre a carga que leva o diodo de livre-
circulação à condução, de modo que a tensão Vce cresce praticamente para o valor da tensão
de alimentação. Com a inclusão do circuito amaciador, o diodo Df só conduzirá quando a
tensão no capacitor Cs atingir Vcc. Assim, considerando que Ic decai linearmente, a corrente
por Cs cresce linearmente e a tensão sobre ele tem uma forma quadrática. Fazendo-se com que
Cs complete sua carga quando Ic=0, o pico de potência se reduzirá a menos de 1/4 do seu
valor sem circuito amaciador (supondo trv=0)
O valor de Rs deve ser tal que permita toda a descarga de Cs durante o mínimo tempo
ligado do TBP e, por outro lado, limite o pico de corrente em um valor inferior à máxima
corrente de pico repetitiva do componente. Deve-se usar o maior Rs possível.
Io
log Ic
Lcarga Df
sem amaciador
Io
Cs
R
carga
Vcc
Ic
Cs Vcs Vcc log Vce
Vce
Ds Rs
Vcc
Ic Ic Vcc
Vce Vce
Ic.Vcc
P P
tf
Figura 1.41 - Formas de onda no desligamento sem e com o circuito amaciador.
No circuito sem amaciador, após o disparo do TBP, Ic cresce, mas Vce só se reduz
quando Df deixar de conduzir. A colocação de Ls provoca uma redução de Vce, além de
reduzir a taxa de crescimento de Ic.
Normalmente não se utiliza este tipo de circuito, considerando que os tempos
associados à entrada em condução são menores do que os de desligamento e que Ls, por ser de
baixo valor, pode ser substituído pela própria indutância parasita do circuito.
carga
Vcc
Ls
Rs Ds Df
T1
T2
T1 T2
capacitâncias parasitas
A
i i carga
T3
T4
Ib1
Ib2
dib/dt
dib/dt
Ibr
Figura 1.46 - Forma de onda de corrente de base recomendada para acionamento de TBP.
D1
D2
D3
Figura 1.47 - Arranjo de diodos para evitar saturação.
1.7 MOSFET
Enquanto o TBP foi inventado no final dos anos 40, já em 1925 fora registrada uma
patente (concedida em 1930 a Julius Edgard Lilienfeld, reproduzida na figura 1.48) que se
referia a “um método e um dispositivo para controlar o fluxo de uma corrente elétrica entre
dois terminais de um sólido condutor”. Tal patente, que pode ser considerada a precursora dos
Transistores de Efeito de Campo, no entanto, não redundou em um componente prático, uma
vez que não havia, então, tecnologia que permitisse a construção dos dispositivos. Isto se
modificou nos anos 60, quando surgiram os primeiros FETs, mas ainda com limitações
importantes em termos de características de chaveamento. Nos anos 80, com a tecnologia
MOS, foi possível construir dispositivos capazes de comutar valores significativos de corrente
e tensão, em velocidade superior ao que se obtinha com os TBP.
Vdd
Vgs
G
S +++++++++++++++
- - - - - - - - - - - - - - - -- - - - - - - -
- - - - - - - - - - - - - - -- - - - - -
N+ ----------------
- - - - - - - -- - - --
-Id -Id D
N- G
N+ S
Símbolo
D
SiO2
metal
A máxima tensão Vds é determinada pela ruptura do diodo reverso. Os MOSFETs não
apresentam segunda ruptura uma vez que a resistência do canal aumenta com o crescimento
de Id. Este fato facilita a associação em paralelo destes componentes.
A tensão Vgs é limitada a algumas dezenas de Volts, por causa da capacidade de
isolação da camada de SiO2.
Id
região
resistiva Vgs3
região ativa
Vgs2
Vgs1
Vdso
Vds
vgs3>Vgs2>Vgs1
log Id
Id pico
Id cont
A
B
C
Vgg
V+
Io
Vgs Df
V+
Vth
Cgd
Id Id=Io Vdd
Vds Cds
Rg
Vds
Vds on Vgs
Vgg
Cgs Id
td
CARGA INDUTIVA
Figura 1.52 - Formas de onda na entrada em condução de MOSFET com carga indutiva.
Na verdade, o que ocorre é que, enquanto Vds se mantém elevado, a capacitância que
drena corrente do circuito de acionamento é apenas Cgs. Quando Vds diminui, a capacitância
dentre dreno e source se descarrega, o mesmo ocorrendo com a capacitância entre gate e
dreno. A descarga desta última capacitância se dá desviando a corrente do circuito de
acionamento, reduzindo a velocidade do processo de carga de Cgs, o que ocorre até que Cgd
esteja descarregado.
b) Desligamento
O processo de desligamento é semelhante ao apresentado, mas na ordem inversa. O
uso de uma tensão Vgg negativa apressa o desligamento, pois acelera a descarga da
capacitância de entrada.
Como os MOSFETs não apresentam cargas estocadas, não existe o tempo de
armazenamento, por isso são muito mais rápidos que os TBP.
C (nF)
C (nF)
4
Ciss 4
Cgs
3
3
Coss Cds
2
2
1
Crss 1 Cgd
0
0
0 10 20 30 40 Vds (V) 0 10 20 30 40 Vds (V)
Figura 1.53 - Capacitâncias de transistor MOSFET
Gate (porta)
Emissor
SiO2
N+ N+
J3
metal
C
P
B
J2
N-
N+
J1
P+
Coletor
Figura 1.54 - Estrutura básica de IGBT.
A A
.
G . G G
off-FET
canal N . on-FET
p
n+ n+
p
A
.
canal P G
p+
on-FET off-FET off-FET on-FET
ganho alto canal canal n canal canal
p-
K
n+
Figura 1.55 - Circuito equivalente de MCT canal P; corte transversal de uma célula
e símbolo do componente.
D e n s id a d e
d e c o rre n te P -M C T
[A /c m2 ]
1000
N -IG B T
100
10 N -M O S F E T
1
0 0 ,5 1 1 ,5 2 2 ,5
T en são d e co n d u ção [V ]
Figura 1.56 - Comparação entre componentes para 600V, com 1 µs de tempo de desligamento,
desprezando a resistência do encapsulamento.
A K
G G
p+ p+ A
on-FET
. n-
n+
n-
.
on-FET off-FET off-FET on-FET G
canal N
.
canal canal p canal canal
off-FET n-
G K
.
canal P p+
SiO2 metal
condutor
K A
Figura 1.57 - Circuito equivalente de MCT canal N; corte transversal de uma célula
e símbolo do componente.
Assim, um P-MCT, por ser desligado por um MOSFET canal N é capaz de comutar
uma corrente de anodo 2 a 3 vezes maior do que a que se obtém em um N-MCT. Em
contraposição, por ser ligado por um MOSFET canal P, a entrada em condução é mais lenta
do que a que se tem em um N-MCT.
A queda no MOSFET deve ser menor que 0,7V, para garantir que o TB parasita não
conduza. Esta queda de tensão se dá com a passagem da totalidade da corrente de anodo pelo
MOSFET.
Na tabela 1.4 tem-se expressa a redução no tempo de vida dos portadores no interior
da região de deriva. Este parâmetro tem implicações sobre a velocidade de comutação dos
dispositivos, sendo, assim, esperável que componentes de diamante, sejam algumas ordens de
grandeza mais rápidos que os atuais componentes de Si.
Tabela 1.3 Dopagem e comprimento da região de deriva necessário para uma junção abrupta
suportar 1kV
Material Si GaAs SiC Diamante
Dopagem (cm-3) 1,3.1014 5,7.1014 1,1.1016 1,5.1017
Comprimento (µm) 100 50 10 2
Tabela 1.4 Tempo de vida de portador (na região de deriva) para uma junção pn com ruptura
de 1000V
Material Si GaAs SiC Diamante
Tempo de vida 1,2 µs 0,11 µs 40 ns 7 ns
Muitos problemas tecnológicos ainda devem ser solucionados para que estes materiais
se constituam-se, efetivamente, em alternativas para o Si. Silício é um material que vem sendo
estudado há quase meio século e com enormes investimentos. O mesmo não ocorre com os
demais materiais.
O GaAs vem sendo estudado nas últimas 2 décadas, mas com uma ênfase em
dispositivos rápidos, seja para aplicações computacionais, seja em comunicações óticas. Não
existe ainda tecnologia para produzir pastilhas com o grau de pureza e dimensão necessárias à
construção de componentes de potência. Além disso, em relação ao Si, este material não
possui um óxido natural (como é o SiO2), dificultando a formação de camadas isolantes e de
máscaras para os processos litográficos. Em 1994 a Motorola anunciou o lançamento
comercial de diodo schottky de 600V. No entanto, embora para este componente específico o
aumento da tensão seja significativo, as vantagens do GaAs sobre o Si são incrementais,
quando comparadas com os outros materiais.
O estágio de desenvolvimento dos SiC é ainda mais primitivo nos aspectos do
processamento do material para obter-se a pureza necessária, nas dimensões requeridas para
estas aplicações de potência.
Quanto ao diamante, não existe ainda uma tecnologia para construção de "waffers" de
monocristal de diamante. Os métodos existentes para produção de filmes finos levam a
estruturas policristalinas. A difusão seletiva de dopantes e a realização de contatos ôhmicos
ainda devem ser objeto de profundas pesquisas.
Grafham, D.R. e Golden, F.b., editors: SCR Manual. General Electric, 6o ed., 1979, USA.
Rice, L.R., editor: SCR Designers Handbook. Westinghouse Electric Co., 1970, USA
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Steyn, C.G.; Van Wyk, J.D.: Ultra Low-loss Non-linear Turn-off Snubbers for Power
Electronics Switches. I European Conference on Power Electronics and Applications, 1985.
Uma vez que as fontes de alimentação são, tipicamente, de valor constante, sejam elas
CA ou CC, caso seja preciso variar a tensão aplicada sobre uma carga, é necessário o emprego
de algum dispositivo que seja capaz de "dosar" a quantidade de energia transferida.
Se o controle deve ser feito sobre a tensão, o dispositivo deve ter uma posição em série
entre a fonte e a carga, como indicado na figura 2.1.
Pode-se ter um atuador linear, sobre o qual tem-se uma queda de tensão proporcional à
sua impedância. Este tipo de controle da tensão tem como inconveniente a perda de energia
sobre a resistência série.
A maneira mais eficiente e simples de manobrar valores elevados de potência é por
meio de chaves. Obviamente esta não é uma variação contínua. No entanto, dada a
característica de armazenadores de energia presentes em quase todas as aplicações, a própria
carga atua como um filtro, extraindo o valor médio da tensão instantânea aplicada sobre ela.
Como uma chave ideal apresenta apenas os estados de condução (quando a tensão
sobre ela é nula) e de bloqueio (quando a corrente por ela é nula), não existe dissipação de
potência sobre ela, garantindo a eficiência energética do arranjo.
Na maior parte dos casos, a freqüência de comutação da chave é muito maior do que a
constante de tempo da carga.
+ Vr -
S
+ Rr + + +
Carga Vo Carga vo
Vi Vi
-
Vo=Vi-Vr Vo = vo
Vi Vi vo
Vo
Vo
Vr
t t
(a) (b)
Figura 2.1 Reguladores de tensão série (a) e chaveado (b),
supondo uma tensão de entrada CC.
elementos interruptores, a entrada em condução pode se dar quando tensão for nula, e o
desligamento ocorre quanto a corrente se anula. Em caso de uma carga resistiva, ambas
comutações se dão com corrente e tensão nulas. Também neste caso a carga fica conectada à
rede durante diversos semi-ciclos.
Neste sistema, escolhe-se uma base de tempo contendo muitos ciclos da tensão de
alimentação. A precisão do ajuste da saída depende, assim, da base de tempo utilizada. Por
exemplo, numa base de 1 segundo existem 120 semi-ciclos. O ajuste da tensão aplicada à
carga pode ter uma resolução mínima de 1/120.
Um método de se conseguir o controle é usar um gerador de sinal triangular de
freqüência fixa que é comparado com um sinal CC de controle. O sinal triangular estabelece a
base de tempo do sistema. O sinal de controle CC vem do circuito de controle da temperatura.
A potência entregue à carga varia proporcionalmente a este sinal. A figura 2.2 ilustra este
funcionamento.
Vrampa
Vc
Embora os problemas de IEM em alta freqüência sejam muito reduzidos, podem surgir
outros, decorrentes de flutuação na tensão da rede, devido às comutações da carga.
A norma internacional IEC 1000-3-3 estabelece limites para flutuações de tensão em
baixa freqüência, como mostra a figura 2.3. Dependendo da freqüência com que se dá a
comutação da carga, existe um valor máximo admissível de variação de tensão no ponto de
acoplamento comum. Por exemplo, uma carga que produza uma flutuação na tensão de 1,5 %
poderia alterar seu estado entre ligado e desligado no máximo 7 vezes por minuto.
Uma das maneiras de verificar se uma carga de uso doméstico fere a tais limitações é
utilizando-se de uma impedância típica, definida pela norma, e mostrada na figura 2.4.
Conhecida a potência da carga, sabe-se qual será a variação da tensão medida por M. Este é
um método analítico. Existem métodos experimentais, que estão relacionados com esta
norma, mas se atem ao fenômeno de cintilação luminosa (“flicker”), que relaciona a flutuação
da tensão à variação da intensidade luminosa de uma lâmpada incandescente.
d (%)
L
~
G Ra jXa
EST
N
Rn jXn
S M
π
1 1 α sin( 2α )
Vo ef = ∫ ( Vi ⋅ sin(θ)) 2 ⋅ dθ = Vi ⋅ − +
πα 2 2π 4π
(2.1)
onde:
vi(t)=Vi . sin (θ)
θ = ωt
α é o ângulo de disparo do SCR, medido a partir do cruzamento da tensão com o zero.
200V
S1 100V
i(t)
Ro 0V
vi(t) S2 vo
-100V
. -200V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms
Figura 2.5 Circuito e forma de onda de variador de tensão CA alimentando carga resistiva.
A figura 2.6 mostra a variação da tensão eficaz de saída como função do ângulo de
disparo, supondo condução simétrica de ambas chaves.
Tensão de saída
1
0.5
0 1 α 2 π [rad]
Figura 2.6 Tensão de saída (sobre uma carga resistiva), normalizada em relação ao valor
eficaz da tensão de entrada.
π − α sin( 2α ) [ cos( 2α ) − 1]
2 2
Vh1 = Vi ⋅ + +
π 2π (2π ) 2 (2.2)
Harmônica 1
0.8
0.6
0.4
Harmônica 3
0.2 Harmônica 5
Harmônica 7
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
α
Figura 2.7 Amplitude das harmônicas, normalizadas em relação à amplitude da tensão de
entrada, para carga resistiva.
T L E
E D vo C R Vo
Vo
t
T τ t
Figura 2.8 Conversor abaixador de tensão e forma de onda da tensão sobre o diodo.
vp
vc vp
-
vo
vo
vc
+
Vo
Na figura 2.10 tem-se o espectro de uma onda MLP, onde se observa a presença de uma
componente contínua que reproduz o sinal modulante. As demais componentes aparecem nos
múltiplos da freqüência da portadora sendo, em princípio, relativamente fáceis de filtrar dada sua
alta freqüência.
8.0V
6.0V
4.0V
2.0V
0V
0Hz 50KHz 100KHz 150KHz 200KHz
indutiva. Note que a condução dos diodos não afeta a forma da tensão desejada. Este tipo de
modulação não permite o controle da amplitude nem do valor eficaz da tensão de saída, a qual
poderia ser variada apenas se a tensão de entrada, E, fosse ajustável.
O espectro de uma onda quadrada é conhecido e apresenta todos os componentes
ímpares, com decaimento de amplitude proporcional à freqüência dos mesmos.
D2 T2 D1 T1 V
S
Ia
+E
A
T2/T3 I
Vs Carga A
E
B Monofásica T1/T4
-E
D1 D2
D4 T4 D3 T3 D4 D3
Figura 2.11 Inversor monofásico e forma de onda quadrada de saída (carga indutiva).
T1/T4
-V D1/D4 T2/D1
o o
1.5A 0 120 o 180 o 300 o 360
0A
0Hz 1.0KHz 2.0KHz 3.0KHz 4.0KHz 5.0KHz 6.0KHz
Frequency
Inversor onda
E V3
quase-quadrada
Inversor onda 3E
E V2
quase-quadrada
Vo
Inversor onda
E V1
quase-quadrada
Existem outras topologias que também permitem obter sinais deste tipo, sem recorrer à
simples associação de conversores. Em 2.14 tem-se uma forma de onda deste tipo e o
respectivo espectro. Nota-se que a distorção harmônica é reduzida, embora existam
componentes espectrais em baixa freqüência. Os filtros necessários à obtenção de uma onda
senoidal devem ter uma freqüência de corte baixa, uma vez que as componentes harmônicas
apresentam-se em múltiplos da freqüência da rede. No entanto, a atenuação não precisa ser
muito grande, uma vez que as amplitudes das harmônicas são pequenas. Aumentando-se o
número de pulsos as primeiras harmônicas surgirão em freqüências mais elevadas. No caso de
N níveis, as componentes são de freqüências múltiplas de (2N+1).
Corrente Ica
1 11 13 23 25 ordem harmônica
Figura 2.14 Forma de onda e espectro de sinal multinível.
É possível ainda obter uma modulação a 3 níveis (positivo, zero e negativo). Este tipo
de modulação apresenta um menor conteúdo harmônico, como mostram a figura 2.16. A
produção de um sinal de 3 níveis é ligeiramente mais complicada para ser gerado
analogicamente. Uma maneira de fazê-lo, para um inversor monofásico, é de acordo com a
seguinte seqüência:
• durante o semiciclo positivo, T1 permanece sempre ligado;
• o sinal MLP é enviado a T4 e o mesmo sinal barrado é enviado a T2.
• no semiciclo negativo, quem permanece conduzindo é T3,
• o sinal MLP é enviado a T2 e o sinal barrado vai para T4.
A recuperação da onda de referência é facilitada pela forma do espectro. Note-se que,
após a componente espectral relativa à referência, aparecem componentes nas vizinhanças da
freqüência de chaveamento. Ou seja, um filtro passa baixas com freqüência de corte acima da
freqüência da referência é perfeitamente capaz de produzir uma atenuação bastante efetiva em
componentes na faixa dos kHz. Na figura 2.16 tem-se também as formas de onda filtradas
(filtro LC, 2mH, 20µF). Uma redução ainda mais efetiva das componentes de alta freqüência
é obtida com o uso de filtro de ordem superior.
O uso de um filtro não amortecido pode levar ao surgimento de componentes
oscilatórias na freqüência de ressonância, que podem ser excitadas na ocorrência de
transitórios na rede ou na carga. Em regime elas não se manifestam, uma vez que o espectro
da onda MLP não as excita. O uso de filtros amortecidos pode ser indicado em situações em
que tais transitórios possam ser problemáticos, com a inevitável perda de eficiência do filtro.
Os menores valores dos elementos de filtragem tornam a resposta dinâmica deste sistema
mais rápida que as obtidas com filtros aplicados às técnicas de modulação anteriores.
400V
-400V
400V
-400V
10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms
a) Formas de onda de tensão e de corrente em modulação MLP de 2 e de 3 níveis.
200V
0V
200V
0V
0Hz 5KHz 10KHz 15KHz 20KHz
Figura 2.16 b) Espectro dos sinais MLP de 2 e 3 níveis.
Neste caso opera-se a partir de um pulso de largura fixa, cuja taxa de repetição é
variável. A figura 2.17 mostra um pulso de largura fixa modulado em freqüência.
Um pulso modulado em freqüência pode ser obtido, por exemplo, pelo uso de um
monoestável acionado por meio de um VCO, cuja freqüência seja determinada pelo sinal de
controle.
σ
vo
E
Vo
0
t1 t2 t3
Figura 2.17 Pulso de largura σ modulado em freqüência.
mudança na carga
io
Imax
Io
Imin
t
vo
E
0
t
Figura 2.18 Formas de onda de corrente e de tensão instantâneas com controlador MLC.
A obtenção de um sinal MLC pode ser conseguida com o uso de um comparador com
histerese, atuando a partir da realimentação do valor instantâneo da corrente. A referência de
corrente é dada pelo erro da tensão de saída (através de um controlador integral). A figura
2.19 ilustra este sistema de controle. Na figura 2.20 vê-se a forma de onda da tensão de saída,
aplicada à carga e o respectivo espectro. Note-se o espalhamento devido ao fato de a
freqüência não ser constante.
É possível obter um sinal MLC com freqüência fixa caso se adicione ao sinal de
entrada do comparador uma onda triangular cujas derivadas sejam maiores do que as do sinal
de corrente. Assim os limites reais da variação da corrente serão inferiores ao estabelecido
pelo comparador. Pode-se ainda variar a banda de histerese, buscando minimizar a variação
da freqüência.
Em princípio o controle por histerese pode ser aplicado também no controle de tensão,
desde que a fonte tenha um comportamento de fonte de corrente.
V vo(t)
Inversor
sensor de
io
corrente
sinal sincronizador
comparador
com histerese
i*
Figura 2.20 - À esquerda: Sinal MLC (superior), entrada do comparador com histerese e
corrente resultante (inferior). À direita: Espectro de sinal MLC (superior) e da corrente de
saída (inferior).
a)
b)
Figura 2.21 a) - Espectro de sinal MLP (referência CC) com portadora de freqüência variável.
b) - Sinal modulado em largura de pulso com variação da freqüência da portadora (superior);
referência CA e sinal recuperado após filtragem (inferior)
Considerando, a título de exemplo, o caso da modulação por onda quadrada, mas sem
perda de generalidade, é possível eliminar uma dada harmônica se a cada ¼ de ciclo for
introduzida uma comutação adicional, como mostrado na figura 2.22.
Para uma amplitude unitária, a forma de onda da fig. 2.22 é expressa por:
∞
4
v( t) = ∑ {2 cos[(2n − 1)α] − 1}⋅ sin[(2n − 1)ωt ]
n =1 ( 2 n − 1) π (2.4)
v(t)
ωt
−1
α π−α π
Figura 2.22 Modulação com eliminação de harmônica.
Note que se α=0 tem-se a expressão da série de Fourier de uma onda quadrada. Para
eliminar a 3a harmônica deve-se impor, no intervalo 0<α<π/2 que:
2 cos(3α) − 1 = 0 (2.5)
isto significa α=π/9, para qualquer valor de t. O impacto sobre a componente fundamental de
v(t) é que ocorre uma redução de seu valor eficaz para 88%, em relação ao valor de onda
quadrada.
É possível estender este mesmo enfoque para a eliminação de um número qualquer de
harmônicos. Uma expressão geral para v(t), considerando que existem h pulsos inseridos no
intervalo entre 0 e π/2, é:
∞
4 h
v ( t ) = ( −1) h ∑ 1 + 2∑ ( −1) ⋅ cos[(2n − 1) ⋅ α k ] ⋅ sin[( 2n − 1) ⋅ ωt ]
k
n =1 ( 2 n − 1) π k =1 (2.6)
h
1
∑ ( −1) k
⋅ cos[2n − 1) ⋅ α k ] = −
k =1 2 (2.7)
Outras formas de controle têm sido pesquisadas com o intuito de melhorar a resposta
dinâmica do sistema, aumentar a margem de estabilidade, rejeitar mais eficientemente
perturbações, etc. Estas novas técnicas utilizam, via de regra, métodos não-lineares e
procuram aproveitar ao máximo as características também não-lineares dos conversores.
A figura 2.23 mostra a estrutura básica para um conversor CC-CC do tipo abaixador
de tensão (que será estudado posteriormente).
Uma vez que, em regime, a tensão média numa indutância é nula, a tensão de saída,
Vo, é igual à tensão média sobre o diodo. A tensão sobre o diodo, no entanto, variará entre
praticamente zero (quando o componente conduz) e a tensão de alimentação, E. Seu valor
médio a cada ciclo deve ser igual a Vo. Tal valor médio a cada ciclo é que é obtido pela
integração de tal tensão.
O sinal integrado é comparado com a referência. Enquanto não atingi-la, a chave
permanece ligada (tensão E aplicada sobre o diodo). Quando a tensão de referência é igualada
o capacitor do integrador é descarregado e o comparador muda de estado, desligando o
transistor, até o início do ciclo seguinte, determinado pelo clock.
Observe que qualquer variação na referência, na tensão de entrada ou na carga afeta o
intervalo de tempo que o transistor permanece conduzindo, mas sempre de maneira a manter a
tensão média sobre o diodo igual ao valor determinado pela referência.
clock
+
vo
E
Vo
vo
E
integrador
vi v*
Q Q
comparador Ci
S R vi Rf
+
fc +
v*
clock referência
clock
+
vo
E
Vo
vo
E
v*
clock
integrador
fc comparador vo
sinal
+ I v* de
+
S&H referência erro
Este tópico baseia-se no material do prof. S. Buso, utilizado no curso sobre “Controle
Digital de Conversores de Potência”, e pode ser encontrado na íntegra em :
http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor/Digital.html.
Um inversor trifásico, como o mostrado na figura 2.25, pode produzir três tensões
independentes, V1, V2 e V3. Tais tensões podem apresentar apenas 2 níveis, dependendo de
quais interruptores estiverem conduzindo. Em relação ao ponto neutro, os valores médios de
tais tensões podem variar entre +E/2 e -E/2, sendo E o valor da tensão no lado CC.
Se a fonte CC possuir um ponto médio e a carga estiver a ele conectado (conexão
estrela com neutro), o potencial deste ponto não se altera. No entanto, se o neutro da carga
não estiver ligado, seu potencial variará, dependendo dos estados dos interruptores do
inversor.
Qualquer conjunto de três tensões pode ser representado por um vetor no plano
definido por eixos abc, deslocados 120º um do outro, como mostra a figura 2.26.
Normalmente a informação sobre o valor da tensão de neutro é perdida, pois se situaria no
eixo ortogonal ao plano abc.
+
E
-
v1 v2 v3
V1 b
V3 V
V2
V1 a
V2 V3
V3 V2
c
É possível representar o mesmo vetor resultante no plano αβ, o que se faz aplicando a
transformação indicada a seguir. O mesmo vetor no plano αβ é mostrado na figura 2.27. Esta
transformação é válida também para correntes.
1 1 V1
Vα 1 − 2 − 2
V = V2
β 0 3 − 3
2 2 V3
(2.8)
V3
b 2/3 V
β V
V3
V
Vβ
V1 a
α V2
V2
V1 Vα c
Figura 2.27 - Vetor de tensão resultante no plano αβ e transformação inversa
Os estados do inversor também podem ser representados por vetores, como o exemplo
mostrado na figura 2.28, para o estado chamado 100, no qual V1=E, V2=0 e V3=0.
V 010 V110
+ V1
V100
E V2
V011
- V3
V001 V101
O vetor nulo, definido como os estados 111 ou 000, ou seja, quando os três
interruptores superiores, ou os três inferiores estivem simultaneamente fechados, são
representados pelo ponto na origem do plano.
A modulação vetorial é realizada gerando, dentro de cada período de comutação, uma
seqüência de diferentes estados do inversor. Tal seqüência normalmente consiste de três
vetores, um dos quais é o vetor nulo. A soma das larguras de pulso relativas a cada estado
deve satisfazer à restrição:
δ1 + δ 2 + δ 3 = 1 (2.10)
δ 3 = 1 − δ1 − δ 2 (2.11)
A figura 2.29 mostra o procedimento para definir os estados a serem utilizados, suas
respectivas larguras de pulso e os limites de V* que podem ser produzidos com esta técnica,
que são os vetores contidos no hexágono.
V110
V110 V110
V* V*
V111 V111
δ1 V110 V*
V100 V100
V100
δ 3V111 δ2V100
Figura 2.29 - Definição dos estados do inversor, respectivas larguras de pulso e seus limites
Diferentes estratégias podem ser utilizadas para gerar os vetores necessários, como
mostra a figura 2.30. No caso (a), o estado V1=1 é comum aos dois vetores, sendo mantido
fixo durante todo o período de comutação. As comutações são realizadas nos ramos que
produzem V2 e V3.
E
V1
E
V2
E
V3
V100 V110 V111 V100 V110 V111
δ 2T δ 1T δ3T δ 2T δ 1T δ3T
T T
(a)
E
V1
E
V2
E
V3
V100 V110 V111 V111 V110 V100
δ 2T δ 1T δ3T δ3T δ 1T δ 2T
T T
(b)
E
V1
E
V2
E
V3
V000 V100 V110 V111 V110 V100 V000
δ T/2 δ T δ 1T δ3 T δ T δ 2T δ3T/2
2 1
T T
(c)
Figura 2.30 - Possíveis realizações para obter V* (exemplo da fig. 2.27)
No caso (b) tem-se uma estratégia que minimiza as comutações, o que reduz as perdas
do conversor. Note que V1 está sempre em “1”, como no caso anterior. A diferença é que cada
período adjacente é “espelhado”, de modo a não ser preciso alterar o estado anterior dos
interruptores.
No caso (c) o estado nulo é feito com o vetor 111 e com o vetor 000. Sua principal
característica é o fato dos pulsos de cada fase estarem centrados exatamente na passagem de
um ciclo de comutação para outro. Esta estratégia facilita a observação, por exemplo, do valor
da corrente de cada fase. Fazendo-se a observação precisamente neste instante tem-se uma
amostragem do valor médio da corrente (supondo uma carga com característica indutiva, que
normalmente ocorre), sem ser preciso qualquer tipo de processamento do valor amostrado.
Pelo fato de se estar distante dos momentos das comutações, os eventuais ruídos produzidos
pelo chaveamento também já terão sido amortecidos, como ilustra a figura 2.31.
A forma de onda obtida da estratégia (c) é a mesma que se tem na modulação
analógica com onda triangular, usando um período 2T, como mostra a figura 2.32.
No entanto, apesar da simetria dos pulsos, o uso de modulação vetorial leva à
produção inerente de uma terceira harmônica nas tensões de fase. Isto pode ser analisado
como se o ponto do vetor nulo não permanecesse no plano, mas se deslocasse ortogonalmente
a ele. Observe-se aqui que, sendo um sistema a três fios, quando são definidas as tensões em
duas fases, a terceira está necessariamente definida.
corrente
ruído
valor médio
T T
A figura 2.33 ilustra o fato de que a existência de um nível comum às 3 fases (no
exemplo, um nível CC), não afeta a tensão de linha, que se mantém simétrica e equilibrada. O
efeito da terceira harmônica é semelhante, como se vê na mesma figura. Ou seja, as tensões de
fase possuem a terceira harmônica, mas ela não se apresenta na tensão de linha, por ser de
“modo comum”.
Esta terceira harmônica, ao reduzir o pico da tensão, permite que a componente
fundamental associada a esta onda tenha um valor de pico de 1,15E, ou seja, maior do que
existiria sem a terceira harmônica! Este fato está mostrado na figura 2.33.
V10 V10
VN0
V20
V 20 V N0
V30
V30
V N0
VN0
V23 V 12 V31 V 23 V 12 V 31
1.15 E
E
V N0
E/2
V 10
0
Figura 2.34 - Efeito da presença de terceira harmônica na modulação vetorial
componente um valor de razão cíclica de modo a requerer apenas dois estados. Isto se obtém
“saturando” a máxima (ou a mínima) largura de pulso em cada período de comutação, como
mostra a figura 2.35. Também neste caso obtém-se uma componente fundamental senoidal
(se for o caso) com amplitude 1,15 E. A redução nos chaveamentos (diminuindo as perdas de
comutação) é evidente.
+E V 10
0
+E V 20
0
+E V 30
2E
0 V 10
+E VN0 V10avg
0
V 23 V12 V31
0
2.11.1 Saturação
Quando o vetor de referência V* excede os limites do hexágono (figura 2.29) deve-se
arbitrar alguma estratégia para, ainda assim, possibilitar o comando do conversor.
Uma possibilidade é reduzir o módulo de V*, mantendo seu ângulo, até ser atingido o
limite do hexágono, como mostra a figura 2.36. A implementação desta estratégia (em um
DSP, por exemplo), exige uma operação de divisão, o que nem sempre está disponível, ou é
suficientemente rápida. Uma outra alternativa é manter a maior componente (já feita a
projeção de V* nos vetores adjacentes) e reduzir a menor componente até que a resultante
recaia no hexágono. Neste caso não há operações aritméticas significativas, sendo de fácil
implementação. No entanto tem-se um erro de amplitude e de fase no vetor gerado.
V* V*
V*sat
V*sat
Existem situações em que uma das projeções, por si só, já é maior que a unidade, de
modo que as estratégias anteriores não podem ser aplicadas. Neste caso, escolhe-se o vetor
mais próximo de V* e este estado é mantido por todo o período de comutação. O conversor
passa a ter um funcionamento de onda quase-quadrada. Esta situação é ilustrada na figura
2.37. Na mesma figura mostram-se as regiões de saturação leve e de saturação profunda.
V*'
V*
Saturação leve
V=V'
Saturação profunda
(região do círculo e externa)
V*"
O uso da segunda estratégia mostrada na figura 2.36 e desta última para a “saturação
profunda” tem a vantagem de permitir uma passagem suave de uma situação não-saturada
para a saturada, como mostra a figura 2.38.
0
Figura 2.38 - Passagem de modulação vetorial normal para saturada e com saturação
profunda: tensão MLP e corrente resultante em carga indutiva.
Francis Labrique e João José Esteves Santana: “Electrónica de Potência”, Edição da Fundação
Calouste Gulbekian, Lisboa, 1991
Muhammad H. Rashid: “Power Electronics: Circuits, Devices and Applications”, 2nd Ed.
Prentice Hall International Editions, USA, 1993
W. Tang and F. C. Lee: “Charge Control: Modeling, Analysis and Design”. Proc. of VPEC
Seminar, 1992, Blacksbourg, USA.
J. Holtz et. Alli: “On Continuous Control of PWM Inverters in the Overmodulation Range
Including the Six-Step Mode”. Proc. of IEEE IECON, 1992, pp. 307-312.
H. W. van der Broeck et alli: “Analysis and Realization of a Pulsewidth Modulator Based on
Voltage Space Vectors”. IEEE Trans. on Industry Applications, vol. 24, no. 1, Jan/Feb 1988,
pp. 142-150.
Este capítulo se inicia com uma revisão de alguns conceitos básicos dos retificadores.
Este assunto já deve ter sido objeto de estudo em cursos de graduação, razão pela qual não se
faz uma análise aprofundada dos mesmos. O foco deste tópico é estudar novas estruturas de
retificadores e suas aplicações.
O fornecimento de energia elétrica é feito, essencialmente, a partir de uma rede de
distribuição em corrente alternada, devido, principalmente, à facilidade de adaptação do nível
de tensão por meio de transformadores.
Em muitas aplicações, no entanto, a carga alimentada exige uma tensão contínua. A
conversão CA-CC é realizada por conversores chamados retificadores.
Os retificadores podem ser classificados segundo a sua capacidade de ajustar o valor
da tensão de saída (controlados x não controlados); de acordo com o número de fases da
tensão alternada de entrada (monofásico, trifásico, hexafásico, etc.); em função do tipo de
conexão dos elementos retificadores (meia ponte x ponte completa).
Os retificadores não-controlados são aqueles que utilizam diodos como elementos de
retificação, enquanto os controlados utilizam tiristores ou transistores.
Usualmente topologias em meia ponte não são aplicadas. A principal razão é que,
nesta conexão, a corrente média da entrada apresenta um nível médio diferente de zero. Tal
nível contínuo pode levar elementos magnéticos presentes no sistema (indutores e
transformadores) à saturação, o que é prejudicial ao sistema. Topologias em ponte completa
absorvem uma corrente média nula da rede, não afetando, assim, tais elementos magnéticos.
A figura 3.1 mostra o circuito e as formas de onda com carga resistiva para um
retificador monofásico com topologia de meia-ponte, também chamado de meia-onda.
Vo
Tensão de entrada
0V
Figura 3.1 Topologia e formas de onda (com carga resistiva) de retificador monofásico não-
controlado, meia-onda.
que, novamente, a tensão de entrada fique maior, recarregando o capacitor. A forma de onda
da corrente de entrada é muito diferente de uma senóide, apresentando pulsos de corrente nos
momentos em que o capacitor é recarregado, como mostrado na figura 3.4.
Para o retificador com carga indutiva (fig. 3.2.C), a carga se comporta como uma fonte
de corrente. Dependendo do valor da indutância, a corrente de entrada pode apresentar-se
quase como uma corrente quadrada, como mostrado na figura 3.5. Para valores reduzidos de
indutância, a corrente tende a uma forma que depende do tipo de componente à sua jusante.
Se for apenas uma resistência, tende a uma senóide. Se for um capacitor, tende à forma de
pulso, mas apresentando uma taxa de variação (di/dt) reduzida.
+ + + +
Vr
Vp.sin(wt) Vo=Vr Vp.sin(wt) Vo Vp.sin(wt) Vo
100V
0V
200V
Tensão na entrada
0V
-200V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms
Corrente de entrada
Tensão de entrada
Figura 3.4 Formas de onda para retificador monofásico não-controlado, onda completa, com
carga capacitiva.
Tensão de entrada
Corrente de entrada
resistivo dominante
Figura 3.5. Formas de onda no lado CA para retificador monofásico, onda-completa, não-
controlado, alimentando carga indutiva.
Lo
+ +
Vr
Co Vo
Tensão
Figura 3.7 Formas de onda no lado CA para retificador trifásico, onda-completa, não-
controlado, alimentando diferentes tipos de carga.
1
P T∫ i
v ( t ) ⋅ ii ( t ) ⋅ dt
FP = = (3.1)
S VRMS ⋅ I RMS
I1
FPV = ⋅ cos φ1 (3.3)
sen o
I RMS
onde I1 é o valor eficaz da componente fundamental e φ1 é a defasagem entre esta componente
da corrente e a onda de tensão.
Neste caso, a potência ativa de entrada é dada pela média do produto da tensão
(senoidal) por todas as componentes harmônicas da corrente (não-senoidal). Esta média é nula
para todas as harmônicas exceto para a fundamental, devendo-se ponderar tal produto pelo
cosseno da defasagem entre a tensão e a primeira harmônica da corrente. Desta forma, o fator
de potência é expresso como a relação entre o valor eficaz da componente fundamental da
corrente e a corrente eficaz de entrada, multiplicado pelo cosseno da defasagem entre a tensão
e a primeira harmônica da corrente.
∞
I RMS = I12 + ∑ I 2n (3.4)
n=2
Define-se a Taxa de Distorção Harmônica – TDH (em inglês, THD - Total Harmonic
Distortion) como sendo a relação entre o valor eficaz das componentes harmônicas da
corrente e o da fundamental:
∑I 2
n
n= 2
TDH = (3.5)
I1
cosφ1
FP = (3.6)
1 + TDH 2
Podem ser citadas como desvantagens de um baixo FP e elevada distorção os seguintes fatos:
• A máxima potência ativa absorvível da rede é fortemente limitada pelo FP;
• As harmônicas de corrente exigem um sobre-dimensionamento da instalação elétrica e dos
transformadores, além de aumentar as perdas (efeito pelicular);
• A componente de 3a harmônica da corrente, em sistema trifásico com neutro, pode ser
muito maior do que o normal;
• Deformação da onda de tensão, devido ao pico da corrente, além da distorção da forma de
onda, pode causar mau-funcionamento de outros equipamentos conectados à mesma rede;
• As componentes harmônicas podem excitar ressonâncias no sistema de potência, levando
a picos de tensão e de corrente, podendo danificar dispositivos conectados à linha.
-
0
1.0A
100mA
10mA
1.0mA
0Hz 0.2KHz 0.4KHz 0.6KHz 0.8KHz 1.0KHz 1.2KHz 1.4KHz1.6KH
3.5 Normas IEC 1000-3-2: Distúrbios causados por equipamento conectado à rede
pública de baixa tensão
Esta norma (cuja versão anterior era designada de IEC555-2) refere-se às limitações
das harmônicas de corrente injetadas na rede pública de alimentação. Aplica-se a
equipamentos elétricos e eletrônicos que tenham uma corrente de entrada de até 16 A por
fase, conectado a uma rede pública de baixa tensão alternada, de 50 ou 60 Hz, com tensão
fase-neutro entre 220 e 240 V. Para tensões inferiores, os limites não foram ainda
estabelecidos (1990). A Emensa 14, de janeiro de 2001 inseriu algumas alterações nas
definições das classes e nos métodos de medidas, devendo vigorar a partir de 2004.
Os equipamentos são classificados em 4 classes:
vac Carga
A figura 3.11 mostra as formas de onda relativas às correntes de entrada com filtro
capacitivo e com filtro LC. Pelos espectros de tais correntes nota-se a redução significativa no
conteúdo harmônico da "onda quadrada" em relação à "onda impulsiva". Note ainda a maior
amplitude da componente fundamental obtida no circuito com filtro capacitivo, devido à sua
defasagem em relação à tensão da rede.
50
tensão
C
LC
-50
0s 20ms 40ms 60ms 80ms 100ms
Time
20A
LC
0A
0Hz 0.2KHz 0.4KHz 0.6KHz 0.8KHz 1.0KHz 1.2KHz
Frequency
Fig. 3.11 Formas de onda e espectro da corrente de retificador monofásico com filtros
capacitivo e LC.
Io
vac
-20A
0s 20ms 40ms 60ms 80ms 100ms
Time
12A
0A
0Hz 0.2KHz 0.4KHz 0.6KHz 0.8KHz 1.0KHz
Frequency
0 Vac
120Hz
Vac Vo
Compensador de corrente
Iref
K A
A.B - Vref
Regulador erro
FPB C C2 B de Tensão - PI
+
Figura 3.15 Circuito de controle de conversor elevador de tensão operando como retificador
de alto fator de potência, com controle da corrente média instantânea.
Corrente no interruptor
Corrente de entrada (no indutor)
Figura 3.16 Formas de onda típicas da corrente pelo indutor e no interruptor e resultado
experimental em conversor elevador de tensão
3.5 Comutação
Corrente de fase
Vi
Lf
Li + +
Vp.sin(wt)
Vr
Vo Tensão de fase
intervalo de comutação
Figura 3.17 Topologia de retificador trifásico, não-controlado, com carga indutiva. Formas de
onda típicas, indicando o fenômeno da comutação.
que a tensão Vi mostra-se significativamente distorcida. Note que a tensão Vi de linha é igual
à tensão presente no capacitor, fazendo com que tal tensão apresente um topo achatado.
Qualquer outro equipamento conectado nestes pontos será, assim, alimentado por uma tensão
distorcida.
tensão de saída
Vi corrente
0
+
Li
Cf Vo tensão de fase
tensão de linha
Figura 3.18 Topologia de retificador trifásico, não-controlado, com carga capacitiva e formas
de onda típicas, indicando o fenômeno da comutação e da distorção da tensão.
+ + +
T1 D1 T1 T2 T1 T2
+ + +
vi(t) vo(t) vi(t) D3 vo(t) vi(t) vo(t)
T2 D2 D1 D2 T3 T4
- - -
alisando à medida que aumenta a constante de tempo elétrica da carga, tendo, no limite, uma
forma plana. Vista da entrada, a corrente assume uma forma retangular.
vg1(t)
vg2(t)
vo(t)
iD1(t)
iD2(t)
iT1(t)
iT2(t)
Corrente de entrada
0
α π
Figura 3.20 - Formas de onda de ponte retificadora semi-controlada assimétrica, com carga
altamente indutiva.
assimétrica é que os catodos estão num mesmo potencial, de modo que os sinais de acionamento
podem estar num mesmo potencial.
vg1(t)
vg2(t)
vo(t)
iT1(t)
iD2(t)
iT2(t)
iD1(t)
Corrente de entrada
0
α π
Corrente da carga RL
0
200V Tensão na carga
Pulsos de disparo
-200V
0s 20ms 40ms 60ms 80ms 100ms
Figura 3.21 Formas de onda de ponte retificadora semi-controlada simétrica, com carga
altamente indutiva. Funcionamento normal (superior) e efeito da supressão dos pulsos de
comando (inferior)
Assim, se houver inversão na polaridade da tensão de entrada mas não for acionado o
outro par de SCRs, a tensão nos terminais do retificador será negativa.
+ Io
i i(t)
0A
-Io
Io
iT 2 (t)= iT 3(t)
0A
Io iT 1 (t)= iT 4(t)
0A
2 00V vi(t)
0 vo(t)
-2 00V
0s 5m s 10m s 1 5m s 20m s 25 m s 30 m s 3 5m s 40 m s
α
Figura 3.22 Formas de onda para ponte totalmente controlada, monofásica, alimentando carga
indutiva.
A corrente de entrada apresenta-se como uma onda quadrada, com sua componente
fundamental defasada de um ângulo α em relação à tensão. Durante os intervalos em que a
corrente e tensão na entrada apresentam sinais opostos, há um fluxo de energia da carga para a
fonte. Em regime permanente e com carga passiva, no entanto, o fluxo de potência é sempre
da fonte para a carga, ou seja, o ângulo de disparo deve ser inferior a 90º.
Quando se faz o acionamento de um motor CC, a carga comporta-se como um circuito
RL ao qual se adiciona uma fonte de tensão CC, que representa a força contra-eletro-motriz
de armadura, como mostrado na figura 3.23. Em situações em que a constante de tempo é
pequena, ou então a tensão Eg é elevada, é possível que a corrente se anule, fazendo com que
os tiristores comutem dentro de um semi-ciclo da rede. Em tal situação, como não há corrente,
a tensão vista nos terminais da máquina, vo(t), será a própria tensão de armadura. A tensão
vo(t) será igual à tensão de entrada (retificada) apenas enquanto os tiristores conduzirem.
Numa situação de condução descontínua, para que seja possível acionar os tiristores, é
necessário que no ângulo de disparo a tensão de entrada seja superior à tensão Eg, de modo
que os SCRs estejam diretamente polarizados. Isto significa que, à medida que a máquina se
acelera, elevando o valor da tensão de armadura, existe um mínimo ângulo de disparo
possível. Tal comportamento está ilustrado na figura 3.24. No caso (a), com tensão Eg nula, o
acionamento pode ser feito com um pequeno ângulo de disparo. A corrente é elevada e não se
anula dentro de cada semi-período. No caso (b), com tensão mais elevada, a condução se
torna descontínua, desligando os tiristores dentro de cada semi-ciclo. Quanto a tensão de
armadura se torna maior do que a de entrada, no instante de disparo, “perde-se o pulso”, e os
tiristores não são ligados.
+
T2
ia(t) La
T1
+
vi(t) vo(t) Ra
D1 D2 Eg
-
(a) (b)
(c)
Figura 3.24. Formas de onda de retificador semi-controlado, acionando motor CC, em diferentes
valores de Eg (velocidade). De cima para baixo: vT1, iD1, ia, vo e vi.
Vp.sin(wt) Lf Vp.sin(wt) T1 Lf
+ + + +
Li Li
van(t) van(t)
vo(t) Vo vo(t) Vo
D1
a) b)
Figura 3.25 Retificador trifásico semicontrolado (a) e controlado (b).
3 2
Vo = ⋅ Vlinha ⋅ cos α (3.7)
π RMS
Uma corrente no lado CC de baixa ondulação reflete para o lado CA uma onda quase
quadrada, com condução de 120° a cada 180°, deslocada de um ângulo α em relação à tensão.
Neste caso pode-se determina o espectro da corrente em relação à corrente da carga, Io. A
corrente eficaz no lado CA é 81,6% da corrente no lado CC.
A componente fundamental é Ii1 = 0,78 ⋅ I o , enquanto as harmônicas são dadas por:
I
Iih = i1 , onde n=6k+1, para k=1,2... (3.8)
n
3
FP = cos α (3.9)
π
400
200
200
-200
200
200
-2 0 0
200
-2 0 0
200
-2 0 0
400
200
200
-200
16.7ms 20.0ms 25.0ms 30.0ms 35.0ms 40.0ms 45.0ms 50.0ms
200
-200
200
-200
16.7ms 20.0ms 25.0ms 30.0ms 35.0ms 40.0ms 45.0ms 50.0ms
200
-200
200
-200
16.7ms 20.0ms 25.0ms 30.0ms 35.0ms 40.0ms 45.0ms 50.0ms
Lo
+
Io
Vr
+
-
Vo
+
Vr
-
Figura 3.28 Associação em série de retificadores não controlados. Circuito de “12 pulsos”.
No circuito série, a tensão CC total apresenta uma ondulação em 720Hz (daí o nome
12 pulsos) e uma variação pico a pico de apenas 3% do valor CC. Aqui também, uma eventual
filtragem seria facilitada pela freqüência elevada e pela pequena amplitude das variações.
Um caso típico de aplicação da associação em série de retificadores é na transmissão
de energia em corrente contínua, em alta tensão (HVDC), como é o caso da linha CC que
conecta Itaipú a São Roque (SP), trazendo a energia comprada do Paraguai (originalmente em
50Hz). O sistema transmite, via dois cabos, que estão alimentados em +/- 600 kV,
Transformador de interfase
+
Io
Vr
+
-
Vo
+
Vr
Figura 3.29 Associação em paralelo de retificadores não controlados. Circuito de “12 pulsos”.
600
Tensão total
400
Tensão em cada retificador
200
Tensão de fase
0
Corrente de fase
-200
0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms
Figura 3.30 Formas de onda de associação em série de retificadores.
0A
0Hz 0.5KHz 1.0KHz 1.5KHz 2.0KHz 2.5KHz 3.0KHz
Figura 3.31 Espectro da corrente na rede para retificador de 12 pulsos
Lo
ia S3
va S1 S2
ib Co Ro
vb vo
Vo
vc ic
S4 S5 S6
Figura 3.32 Topologia do conversor CA-CC trifásico, operando em MLP, com saída de
corrente.
CC e largura determinada pela lei de modulação dos interruptores, como ilustra a figura 3.33.
Simultaneamente haverá corrente apenas por 2 das 3 fases, uma vez que se 2 interruptores de
uma mesma semi-ponte conduzirem se colocaria em curto 2 das fases, como se pode concluir
da figura 3.32. No entanto, após uma adequada filtragem das componentes de alta freqüência,
a corrente de saída, apresentará apenas o valor médio que terá uma forma senoidal, se esta
tiver sido a forma do sinal de referência usado para produzir os sinais de comando dos
intrerruptores.
+Io
-Io
Figura 3.32 Forma de onda instantânea das correntes no lado CA.
va vb vc
t1'
t1 t2 t3 t4 t5 t6 t7
Quando a chave S1 é aberta, uma outra chave da semi-ponte superior deve ser fechada
para permitir a continuidade da corrente. Quando S5 é aberta, outro interruptor da semi-ponte
negativa deve entrar em condução. Para estas funções, S3 e S6 são usadas, uma vez que elas
não alteram as correntes pelas fases a e b. A forma senoidal desejada para a fase c é resultado
do fato que a soma das correntes nas 3 fases é nula. Quando S3 e S6 conduzirem
simultaneamente, cria-se um caminho de livre-circulação para a corrente CC. A figura 3.35
mostra os sinais de comando para os interruptores e a forma de onda da tensão instantânea
sobre o indutor CC, a qual apresenta um comportamento de 3 níveis. Uma vez que a
freqüência de chaveamento deve ser muito maior do que a freqüência da rede, pode-se
considerar que, dentro de cada ciclo de chaveamento as tensões da rede são constantes.
As formas de onda mostradas correspondem ao intervalo t1’<t<t2, no qual va>vb, em
módulo e, conseqüentemente, δa>δb.
S1
S5
S6
S3
δ5
δ1
Τ
va-vb
va-vc
vo
Figura 3.35 Sinais de comando para os interruptores e tensão instantânea no lado CC.
i a = ( x1 − x 4 ) ⋅ Io
i b = ( x 2 − x5 ) ⋅ Io (3.10)
i c = ( x 3 − x 6 ) ⋅ Io
v o = (x1 − x 4 ) ⋅ v a + ( x 2 − x 5 ) ⋅ v b + ( x 3 − x 6 ) ⋅ v c (3.11)
i a = ( m1 − m 4 ) ⋅ Io
i b = ( m 2 − m5 ) ⋅ Io (3.12)
i c = ( m 3 − m 6 ) ⋅ Io
v o = ( m1 − m 4 ) ⋅ v a + ( m 2 − m 5 ) ⋅ v b + ( m 3 − m 6 ) ⋅ v c (3.13)
x4 =0
x2 =0
(3.14)
x3 = x1
x6 = x5
Para obter as correntes senoidais de entrada tem-se (note que estamos supondo
corrente em fase com a tensão, mas esta análise vale para qualquer tipo de corrente):
m1 = M ⋅ sin(ωt )
m 3 = 1 − m1 = 1 − M ⋅ sin(ωt )
m5 = − M ⋅ sin(ωt − 120 o ) (3.15)
o
m 6 = 1 − m5 = 1 + M ⋅ sin(ωt − 120 )
m4 = m2 = 0
i a = Io ⋅ M ⋅ sin(ωt )
i b = Io ⋅ M ⋅ sin(ωt − 120 o ) (3.16)
i c = Io ⋅ M ⋅ sin(ωt + 120 o )
3 ⋅ Vp ⋅ M
v o = M ⋅ [ v a ⋅ sin(ωt ) + v b ⋅ sin(ωt − 120 o ) + v c ⋅ sin(ωt + 120 o )] = (3.17)
2
Observe-se ainda que a síntese da corrente desejada pode ser feita em malha aberta,
ou seja,não é preciso realimentar a corrente, é preciso apenas que se disponha da referência
adequada.
3 ⋅ Vp ⋅ M
vo = ⋅ cosφ (3.18)
2
Note que se o inversor fornece apenas energia reativa a tensão média no lado CC é
nula, como é de se esperar, já que se trata de um elemento puramente indutivo.
Generalizando um pouco mais, qualquer forma de corrente pode ser sintetizada, desde
que uma referência adequada seja utilizada, o que torna esta topologia bastante própria para a
implementação de filtros ativos de potência.
A figura 3.36 mostra um resultado experimental de um conversor operando baseado
neste princípio. A corrente alternada sintetizada apresenta uma ondulação superposta, relativa
à ressonância do filtro de alta freqüência.
v a
ia
S. B. Dewan: “Optimum Input and Output Filters for a Single-Phase Rectifier Power Supply”.
IEEE Trans. On Industry Applications, vol. IA-17, no. 3, May/June 1981
A. R. Prasad, P. D. Ziogas and S. Manlas: “A Novel Passive Waveshaping Method for Single-
Phase Diode Rectifier”. Proc. Of IECON ‘90, pp. 1041-1050
R. Gohr Jr. and A. J. Perin: “Three-Phase Rectifier Filters Analysis”. Proc. Of Brazilian
Power Electronics Conference, COBEP ‘91,Florianópolis - SC, pp. 281-283.
I. Suga, M. Kimata, Y. Ohnishi and R. Uchida: “New Switching Method for Single-phase AC
to DC converter”. IEEE PCC ‘93, Yokohama, Japan, 1993.
C. de Sá e Silva, “Power factor correction with the UC3854,” Unitrode Application Note U-
125, Unitrode Corporation, USA, 1986.
Mohan, Undeland & Robbins, “Power Electronics”, IEEE Press, 2nd Edition, 1995.
Tw
J
Ra T
La
ω
B
Vt +
Lf Rf
Eg +
ia - If Vf
-
Eg = K v ⋅ Φ ⋅ ω (4.1)
T = K t ⋅ Φ ⋅ ia (4.2)
Onde:
Eg: força contra-eletro-motriz de armadura
Do circuito elétrico da figura 4.1 obtém-se que a tensão terminal da máquina é dada
por:
d
v t (t ) = E g + R a ⋅ i a (t ) + L a ⋅ i a (t ) (4.3)
dt
Vt − R a ⋅ I a
ω= (4.4)
K⋅Φ
Assim, a velocidade de uma MCC pode ser controlada através de 3 variáveis: a tensão
terminal, o fluxo de entreferro e a resistência de armadura.
O controle pela resistência de armadura era feito em sistemas de tração, com
resistências de potência conectadas em série com a armadura (e com o campo, já que se
utilizava excitação série). Tais resistências iam sendo curto-circuitadas à medida que se
desejava aumentar a tensão terminal de armadura e, consequentemente, aumentar a velocidade
da MCC. Era um controle essencialmente manual, comandado pelo operador do veículo.
O controle da velocidade pelo fluxo de entreferro é utilizado em acionamentos
independentes, mas quando se deseja velocidade acima da velocidade base da máquina. Ou
seja, tipicamente opera-se com campo pleno (para maximizar o torque) e, ao ser atingida a
velocidade base, pelo enfraquecimento do campo pode-se ter uma maior velocidade, às custas
de uma diminuição no torque.
A figura 4.2 ilustra um perfil típico de acionamento.
velocidade
controle de
controle de campo
potência
torque armadura
máximo
torque
velocidade
velocidade
base máxima
Figura 4.2. Controle de MCC pela armadura e pelo campo
Tw(s)
vt (s)+ 1 ia(s) T(s) +
-
1 ω (s)
Conversor K.Φ
Ra + s.La B + s.J
-
Eg(s)
K.Φ
d
T( t ) = K ⋅ Φ ⋅ i a ( t ) = J ⋅ ω( t ) + B ⋅ ω( t ) + Tw ( t ) (4.5)
dt
K⋅Φ R a + sL a
ω(s) = 2
⋅ Vt (s) − ⋅ Tw (s) (4.6)
( R a + sL a )( B + sJ ) + ( K ⋅ Φ ) ( R a + sL a )( B + sJ ) + ( K ⋅ Φ ) 2
ω(s) K⋅Φ
= (4.6.a)
Vt (s) (R a + sL a )(B + sJ ) + ( K ⋅ Φ ) 2
ω(s) (R a + sL a )
= (4.6.b)
Tw (s) (R a + sL a )(B + sJ ) + ( K ⋅ Φ ) 2
Para ter-se uma visão mais clara sobre o comportamento dinâmico da máquina cc,
consideremos que seu atrito viscoso seja desprezível (B=0) e que a máquina esteja sem carga
mecânica, e que a constante de tempo mecânica seja muito maior que a elétrica, o que permite
escrever:
ω(s) 1
≅ (4.7)
Vt (s) (1 + τ m ⋅ s ) ⋅ ( τ a ⋅ s + 1) ⋅ K ⋅ Φ
La
τa = (4.8)
Ra
J⋅Ra
τm = (4.9)
(KΦ )2
Dada a característica de segunda ordem do sistema, pode-se obter os parâmetros
relativos à freqüência natural não-amortecida do sistema e ao coeficiente de amortecimento,
dados respectivamente por:
1
ωn ≅ (4.10)
τm ⋅ τa
1
α≅ (4.11)
2τ a
Velocidade angular Vt
IV I IV I
Torque
Ia
III II III II
freiar a máquina, com envio de energia para a fonte (frenagem regenerativa). Tais conversores
são denominados “chopper”, em inglês. Em português recebem diferentes denominações,
como: recortador, pulsador, chaveador, etc.
Diferentemente do que ocorre com as fontes chaveadas (tema do capítulo 5), neste
caso não existe a preocupação com a filtragem da tensão antes de aplicá-la à carga. Assim, a
tensão terminal instantânea é a própria tensão sobre o diodo de circulação, enquanto a corrente
é filtrada pela indutância de armadura.
O comando usual é por Modulação por Largura de Pulso, com uma freqüência de
chaveamento cujo período seja muito menor do que a constante de tempo elétrica da carga, a
fim de permitir uma reduzida ondulação na corrente e, portanto, no torque. Outra
possibilidade, usada quando se deseja um controle de torque mais preciso é o controle por
MLC (histerese)
Ra
E vt +
Eg
-
t1
Vt = E ⋅ = E ⋅δ (4.12)
T
onde δ é o ciclo de trabalho.
I1 I1 tx
∆I Ia
Io i
a
Ia
0
iD
i
T
E E
Vt v
t Eg
0 t1 T=t2 t2
0 t1 Τ
Figura 4.6. Formas de onda típicas nos modos de condução contínua e descontínua
ia ( t ) = Io ⋅ e
−t
τa
+
( E − E ) ⋅ 1 − e
g
− t
τa
(4.13)
Ra
− ( t − t 1 )
τa Eg − ( t − t 1 )
τa
ia ( t ) = I1 ⋅ e
−
⋅ 1 − e (4.14)
R a
Aproximações (1a ordem) das equações anteriores são dadas, respectivamente, por:
t E − Eg t
ia ( t ) = Io ⋅ 1 − + ⋅
( ) (4.15)
τa Ra τa
( t − t 1 ) E g t − t1
ia ( t ) = I1 ⋅ 1 − − ⋅ (4.16)
τ a Ra τ a
tx
Vt = E ⋅ δ + E g ⋅ (4.17)
T
(E − Eg ) ⋅ τ a ⋅ δ ⋅ T
t x = T − t 2 = T ⋅ (1 − δ ) − (4.18)
E g ⋅ τ a + (E − Eg ) ⋅ δ ⋅ T
tx E
≅ 1− δ ⋅ (4.19)
T Eg
E⋅τ Eg ⋅ τ a
a
δ2 + δ ⋅ − 1 − =0 (4.20)
( E − E g ) ⋅ T ( E − E g ) ⋅ T
Eg
δ≅ (4.21)
E
No caso crítico, substituindo (4.21) em (4.19), tem-se que tx=0. A figura 4.7 mostra o
valor do ciclo de trabalho crítico para diferentes relações entre a constante de tempo elétrica e
o período de chaveamento.
Nas figuras 4.8 e 4.9 tem-se as curvas características estáticas do conversor para
diferentes tensões de armadura. Em 4.8, no modo descontínuo, a tensão terminal é igual a Eg,
enquanto em 4.9, como a queda resistiva não é desprezível, o valor da tensão terminal é
sempre superior à tensão Eg.
Em termos de um modelamento do conversor para uma análise dinâmica, se a
operação ocorrer no modo de condução contínua, pode-se representá-lo por um ganho, o que
já não é possível no caso de condução descontínua. Note-se que, nesta situação, o ganho
incremental (dVt/dδ) é muito baixo, tendendo a zero para τa>>T.
1
δcrit cond.
contínua
0.8
τa /T=1
0.6
cond.
descontínua
0.4
τa /T=10
0.2
0
0 20 40 60 80 100
Eg/E (%)
100
Eg/E=0,8
80
Eg/E=0,6
60
Vt/E (%)
Eg/E=0,4
40
Eg/E=0,2
20
0
0 0.6 0.2
0.8 1 0.4
δ
Figura 4.8. Característica estática do conversor para I quadrante para τa/T=10.
100
Eg/E=0,8
80
Eg/E=0,6
60
Eg/E=0,4
Vt/E (%)
40
Eg/E=0,2
20
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
δ
Figura 4.9. Característica estática do conversor para I quadrante para τa/T=1.
−δT − T − (1−δ ) T
τa τa τa
E 1− e +e −e
∆I = ⋅
− T
(4.22)
Ra
τa
1− e
2 ⋅ E ⋅ δ ⋅ T ⋅ (1 − δ )
∆I = (4.23)
R a ⋅ (2 ⋅ τ a − δ ⋅ T )
E⋅T
∆I max = (4.24)
4 ⋅ La
A corrente média é:
E ⋅δ − Eg
Ia = (4.25)
Ra
If Ra
E vt +
Eg
i
T
-
Para que seja possível à corrente retornar à fonte (supondo-a receptiva), é necessário
que a tensão terminal média tenha um valor maior do que a tensão da fonte. Isto pode ocorrer
se Eg>E ou ainda pela ação do próprio conversor.
O primeiro caso (Eg>E) ocorre, por exemplo, quando se faz controle de velocidade
através do enfraquecimento do campo. Ao se desejar freiar a MCC, eleva-se a corrente de
campo, aumentando Eg, possibilitando a transferência de energia da máquina para a fonte. Isto
é possível até a velocidade base. Uma outra possibilidade é a MCC girar, por ação de um
torque externo, acima da velocidade base (por exemplo, um veículo numa descida).
Nosso objetivo aqui, no entanto, é analisar esta frenagem quando comandada pelo
conversor. As formas de onda mostradas na figura 4.11 referem-se à operação nos modos de
condução contínua e descontínua.
tx
∆I Ia
ia
Ii
If i f If
iT
E E
vt Eg
Eg
0 t1 Τ t1 t2 Τ
0
Figura 4.11 Formas de onda típicas de conversor classe B.
diodo, fazendo com que a energia acumulada na indutância e aquela retirada da MCC sejam
entregues à fonte. Quanto maior for o ciclo de trabalho, maior será a corrente e, portanto,
maior a energia retirada da máquina.
Desprezando as quedas de tensão no transistor e no diodo, o valor médio da tensão
terminal, em condução contínua é:
Vt = E ⋅ (1 − δ) (4.26)
−t
τa
Eg − t
τ
i a (t ) = Io ⋅ e + ⋅ 1 − e a
(4.27)
R a
− ( t − t 1 )
τa
E − Eg − ( t − t 1 )
τa
i a (t ) = I1 ⋅ e − ⋅ 1 − e
(4.28)
R a
Aproximações (1a ordem) das equações anteriores são dadas, respectivamente, por:
t Eg
i a (t ) = Io ⋅ 1 − + ⋅
t ( ) (4.29)
τa Ra τa
(t − t 1 ) E − E g t − t 1
i a (t ) = I 1 ⋅ 1 − − ⋅ (4.30)
τa Ra τa
tx
Vt = E ⋅ (t 2 − δ ⋅ T) + E g ⋅ (4.31)
T
Eg ⋅ τa ⋅δ⋅ T
t x = T − t 2 = T ⋅ (1 − δ) + (4.32)
E g ⋅ (τ a − δ ⋅ T) − E ⋅ τ a
tx E
≅ 1−δ⋅ (4.33)
T E − Eg
E⋅τ (E − E g ) ⋅ τ a
a
δ2 + δ ⋅ − 1 − =0 (4.34)
E g ⋅ T E gT
Eg
δ ≅ 1− (4.35)
E
A figura 4.12 mostra o valor do ciclo de trabalho crítico para diferentes relações entre
a constante de tempo elétrica e o período de chaveamento.
Na figura 4.13 tem-se as curvas características estáticas do conversor para diferentes
tensões de armadura. No modo de condução descontínua, a tensão terminal tende a Eg,
supondo a queda resistiva não desprezível, o valor da tensão terminal é sempre inferior a esta
tensão.
Em condução contínua, a corrente média de armadura é:
Eg − E ⋅ (1 − δ)
Ia = (4.36)
Ra
δ 1
0.8
τ a/T=1
0.6
0.4
τ a/T=10
0.2
0
0 20 40 60 80 100
Eg/E (%)
Figura 4.12. Ciclo de trabalho crítico para conversor Classe B.
100
Vt/E (%)
80
Eg/E=0,6
60
Eg/E=0,4
40
Eg/E=0,2
20
δ
Figura 4.13. Característica de transferência estática de conversor Classe B (τa/T=1).
D2
Ra
T1
E vt +
T2 Rd Eg
D3 -
T3
Figura 4.14 Conversor Classe C, com frenagem dinâmica.
T1 D2
vt
E
ia La Ra
Eg T4
D3
I1 I1 tx
∆I Ia ia
Io
Ia
0
iD
i
T
E E
Vt vt Eg
-E -E
0 t1 T=t2 0 t1 t2 Τ
Figura 4.16. Formas de onda do conversor Classe D.
Vt = E ⋅ ( 2 ⋅ δ − 1) (4.37)
Note que para um ciclo de trabalho inferior a 50% ter-se-ia uma tensão terminal
negativa. Uma situação deste tipo poderia ocorrer em dois casos: transitoriamente, quando a
i a ( t ) = Io ⋅ e
−t
τa
+
( E − E g ) ⋅ 1 − e −t τ
a
(4.38)
Ra
− ( t − t 1 )
τa
(E + E g ) − ( t − t 1 )
τa
i a (t ) = I 1 ⋅ e − ⋅ 1 − e
(4.39)
Ra
Aproximações (1a ordem) das equações anteriores são dadas, respectivamente, por:
i a ( t ) = Io ⋅ 1 −
t E − Eg t ( ) (4.40)
+ ⋅
τa Ra τa
(t − t 1 ) (E + E g ) t − t 1
i a ( t ) = I 1 ⋅ 1 − − ⋅ (4.41)
τa Ra τa
t2 tx
Vt = E ⋅ 2 ⋅ δ − + E g ⋅ (4.42)
T T
( E − Eg ) ⋅ δ ⋅ T ⋅ τ a
t x = T − t 2 = T ⋅ (1 − δ ) − (4.43)
( E − Eg ) ⋅ δ ⋅ T + ( E + Eg ) ⋅ τ a
tx E − Eg
≅ 1 − δ ⋅ 1 + (4.44)
T E + Eg
2⋅E⋅τ (E + E g ) ⋅ τ a
a
δ2 + δ ⋅ − 1 − =0 (4.41)
( E − E g ) ⋅ T ( E − E g ) ⋅ T
E + Eg
δ≅ (4.42)
2⋅E
A figura 4.17 mostra o valor do ciclo de trabalho crítico para diferentes relações entre
a constante de tempo elétrica e o período de chaveamento.
δ
τ a/T=1
0.8
τ a/T=10
0.6
0.4
0.2
0
0 20 40 60 80 100
Eg/E (%)
Figura 4.17. Ciclo de trabalho crítico para conversor Classe D.
100
Vt/E (%)
Eg/E=0,8
80
60
Eg/E=0,4
40
20
Eg/E=0
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
δ
Figura 4.18. Característica estática do conversor classe D para τa>>T.
T1 D1 vt T2 D2
La Ra
E
ia
Eg
D3 T3
D4 T4
Vt = E ⋅ ( 2 ⋅ δ − 1) (4.43)
100
Vt/E (%)
Eg/E=0,6 Tração
60
Eg/E=0,2
20 Acionamento
Eg/E=0
0 de T1 e T4
Eg/E=-0,2
-20
Eg/E=-0,6
-60
Frenagem se Eg<0
-100
0 0.2 0.4 0.5 0.6 0.8 1
δ
Figura 4.20. Característica estática (em tração, I quadrante e frenagem, II quadrante) do
conversor classe E para τa>>T.
Vt = E ⋅ (1 − 2 ⋅ δ ) (4.44)
i a ( t ) = Io ⋅ e
−t
τa
+
( E + Eg ) − t
⋅ 1 − e
τ a
(4.45)
Ra
− ( t − t 1 )
τa
(E − E g ) − ( t − t 1 )
τa
i a (t ) = I 1 ⋅ e − ⋅ 1 − e
(4.46)
Ra
Aproximações (1a ordem) das equações anteriores são dadas, respectivamente, por:
i a ( t ) = Io ⋅ 1 −
(
t E + Eg t ) (4.47)
+ ⋅
τa Ra τa
(t − t 1 ) (E − E g ) t − t 1
i a ( t ) = I 1 ⋅ 1 − − ⋅ (4.48)
τa Ra τa
0
i
∆I Ia a Ia
I1 tx
iD
i T
E E
Vt v Eg
t
-E -E
0 t1 T=t2 0 t1 t2 Τ
Figura 4.21. Formas de onda do conversor Classe E, para frenagem.
t2 tx
Vt = E ⋅ − 2 ⋅ δ + E g ⋅ (4.49)
T T
( E + Eg ) ⋅ δ ⋅ T ⋅ τ a
t x = T − t 2 = T ⋅ (1 − δ ) − (4.50)
( E + Eg ) ⋅ δ ⋅ T + ( E − Eg ) ⋅ τ a
tx E + Eg
≅ 1 − δ ⋅ 1 + (4.51)
T E − Eg
2⋅E⋅τ (E − E ) ⋅ τ
g a
δ2 + δ ⋅ a
− 1 − =0 (4.52)
( E + E g ) ⋅ T ( E + E g ) ⋅ T
E − Eg
δ≅ (4.53)
2⋅E
A figura 4.22 mostra o valor do ciclo de trabalho crítico para diferentes relações entre
a constante de tempo elétrica e o período de chaveamento.
Na figura 4.23 tem-se as curvas características estáticas do conversor para diferentes
tensões de armadura, supondo a queda resistiva desprezível, ou seja, o valor da tensão
terminal igual à tensão Eg.
Se a tensão Eg for negativa, isto significa que a MCC está girando no sentido oposto.
Neste caso o comando de T2/T3 implica numa operação de tração à ré. Para δ<0,5, não
havendo inversão no sentido da corrente, continua-se num procedimento de tração, mas com
uma tensão terminal positiva, o que significa que está sendo retirada energia acumulada na
indutância de armadura e entregando-a à fonte. Este procedimento só é possível
transitoriamente.
δ 1
0.8
0.6
τ a/T=1
0.4
τa/T=10
0.2
0
0 20 40 60 80 100
Eg/E (%)
Figura 4.22. Ciclo de trabalho crítico para conversor Classe E, operando em frenagem.
100
Vt/E (%) Frenagem regenerativa
75 Se Eg>0
Eg/E=0,5
50
25
Eg/E=0
0
25
Eg/E=-0,5
Tração à ré
50 Se Eg<0
75
100
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
δ
Figura 4.23. Característica estática do conversor classe E para τa>>T. Acionamento de T2/T3.
T1/T4
T2/T3
+E
vt
-E
Ia
Ia
Figura 4.24 Formas de onda de Conversor Classe E, com acionamento por deslocamento de
fase.
Dewan, S. B.; Slemon, G. R. e Straughen, A.: “Power Semiconductor Drives”, John Wiley &
Sons, New York, USA, 1984.
Barton, T. H.: “The Transfer Characteristics of a Chopper Drive”. IEEE Trans. On Industry
Applications, vol. IA-16, no. 4, Jul/Aug 1980, pp. 489-495
iT iL
T
L +
iD Ro
E vD D Co Vo
Io
Se a corrente pelo indutor não vai a zero durante a condução do diodo, diz-se que o
circuito opera no modo de condução contínua. Caso contrário tem-se o modo descontínuo.
Via de regra prefere-se operar no modo de condução contínua devido a haver neste caso uma
relação bem determinada entre a largura de pulso e a tensão média de saída. A figura 5.2
mostra as formas de onda típicas de ambos os modos de operação.
tT t t2 tx Iomax
T
∆ Io Io
i
L
Io
iD
i
T
E E
Vo vD
Vo
0 τ
0 τ
Figura 5.2 Formas de onda típicas nos modos de condução contínua e descontínua
vL
V1
A1
t1 τ
A2
V2
A1 = A 2
(5.1)
V1 ⋅ t 1 = V2 ⋅(τ − t 1)
(E − Vo)⋅ t T = Vo ⋅(τ − t T )
Vo t T (5.2)
= ≡δ
E τ
A corrente do indutor será descontínua quando seu valor médio for inferior à metade
de seu valor de pico (Io<∆Io/2). A condição limite é dada por:
∆I o ( E − Vo) ⋅ t T ( E − Vo) ⋅ δ ⋅ τ
Io = = = (5.3)
2 2⋅L 2⋅L
Vo δ
= (5.5)
E t
1− x τ
I o max ⋅ δ
Ii = (corrente média de entrada) (5.6)
2
( E − Vo) ⋅ t T
I o max = (5.7)
L
Vo Ii I o max ⋅ δ ( E − Vo) ⋅ δ 2 ⋅ τ
= = =
E Io 2 ⋅ Io 2 ⋅ Io ⋅ L
Vo 2 ⋅ L ⋅ Ii
= 1− (5.8)
E E ⋅ τ ⋅ δ2
E
Vo = (5.9)
2 ⋅ L ⋅ Io
1+
E ⋅ τ ⋅ δ2
L ⋅ Io
K= (5.10)
E⋅τ
Vo δ2
= 2 (5.11)
E δ +2⋅K
1± 1− 8 ⋅ K
δ crit = (5.12)
2
0.75
K=.1
Vo/E K=.01 K=.05
0.5
0.25
Cond. contínua
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
δ
Figura 5.4 Característica de controle do conversor abaixador de tensão nos modos de
condução contínua e descontínua.
1
Cond. contínua
δ=0,8
0.8
δ=0,6
0.6
Vo/E δ=0,4
Cond. descontínua
0.4
δ=0,2
0.2
0
0
E.τ
Io 8L
Figura 5.5 Característica de saída do conversor abaixador de tensão nos modos de condução
contínua e descontínua.
5.1.3 Dimensionamento de L e de C
Da condição limite entre o modo de condução contínua e descontínua, tem-se:
( E − Vo) ⋅ τ ⋅ δ
I o min = (5.14)
2⋅L
E ⋅(1 − δ)⋅δ ⋅ τ
L min = (5.15)
2 ⋅ Io(min)
Quanto ao capacitor de saída, ele pode ser definido a partir da variação da tensão
admitida, lembrando-se que enquanto a corrente pelo indutor for maior que Io (corrente na
1 τ ∆Io τ ⋅ ∆Io
∆Q = ⋅ ⋅ = (5.16)
2 2 2 8
A variação da corrente é:
(E − Vo)⋅ t T E ⋅ δ ⋅ τ ⋅(1 − δ)
∆Io = = (5.17)
L L
∆Q τ 2 ⋅ E ⋅ δ ⋅(1 − δ)
∆Vo = = (5.18)
Co 8 ⋅ L ⋅ Co
Logo,
Vo ⋅(1 − δ)⋅ τ 2
Co = (5.19)
8 ⋅ L ⋅ ∆Vo
Muitas vezes o limitante para a ondulação da tensão não é a capacitância, mas sim a
resistência série equivalente (Rse) do capacitor. Tal resistência produz uma queda de tensão
que se soma à queda na capacitância, podendo ser dominante. A redução de Rse é feita pela
colocação em paralelo de vários capacitores.
E ⋅ t T (Vo − E)⋅(τ − t T )
∆Ii = = (5.20)
L L
E
Vo = (5.21)
1− δ
de um certo limite, no qual as perdas nestes elementos resistivos se tornam maiores do que a
energia transferida pelo indutor para a saída.
vL
Io
L iD D
iL +
iT
Ro
E vT T Co Vo
Io i D Io
iT
Vo Vo
vT E
E
0 τ 0 τ
Figura 5.7 Formas de onda típicas de conversor elevador de tensão.
Nota-se que a corrente de entrada é a própria corrente pelo indutor e que a corrente
média pelo diodo é a corrente da carga (já que a corrente média pelo capacitor é nula).
1 − tx τ
Vo = E ⋅ (5.22)
1 − δ − tx τ
E2 ⋅ τ ⋅ δ2
Vo = E + (5.23)
2 ⋅ L ⋅ Io
Vo δ2
= 1+ (5.24)
E 2⋅K
1± 1− 8 ⋅ K
δ crit = (5.25)
2
K=.01
40
30
Vo/E cond. descontínua K=.02
20
10 K=.05
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8
δ
Figura 5.8 Característica estática do conversor elevador de tensão nos modos de condução
contínua e descontínua, para diferentes valores de K.
10
cond. contínua
6
δ=.8
Vo/E cond.
4 descontínua
δ=.6
2 δ=.4
δ=.2
0
0 0.04 0.08 0.12 0.16 0.2
Io E.τ
8.L
Figura 5.9 Característica de saída do conversor elevador de tensão.
5.2.3 Dimensionamento de L e de C
O limiar para a condução descontínua é dado por:
δτ τ
Io(max)⋅δ ⋅ τ
Co =
∆Vo
(5.29)
vL L Vo
E Co Ro
iL Io
+
E ⋅ t T Vo ⋅ (τ − t T )
= (5.30)
L L
E ⋅δ
Vo = (5.31)
1− δ
tT tT t2 tx
∆I iL
Io i D Io
iT
E+Vo E+Vo
vT
E E
0 τ
0 τ
(a) (b)
Figura 5.11 Formas de onda do conversor abaixador-elevador de tensão operando em
condução contínua (a) e descontínua (b).
E ⋅δ
Vo = (5.32)
1 − δ − tx τ
A corrente máxima de entrada, que é a corrente pelo transistor, ocorre ao final do intervalo de
condução do transistor:
E ⋅ tT
Ii max = (5.33)
L
Ii max ⋅ t T
Ii = (5.34)
2⋅τ
Io ⋅ Vo
Ii = (5.35)
E
E2 ⋅ τ ⋅ δ2
Vo = (5.36)
2 ⋅ L ⋅ Io
E2 ⋅ τ ⋅ δ2
Po = (5.37)
2⋅L
Vo δ2
= (5.38)
E 2⋅K
1± 1− 8 ⋅ K
δ crit = (5.39)
2
50
40 K=.01
cond. descontínua
30
Vo/E K=.02
20
10 K=.05
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8
δ
Figura 5.12 Característica estática do conversor abaixador-elevador de tensão nos modos de
condução contínua e descontínua, para diferentes valores de K.
Na figura 5.13 tem-se a variação da tensão de saída com a corrente de carga. Note-se
que a condução descontínua tende a ocorrer para pequenos valores de Io, levando à exigência
da garantia de um consumo mínimo. Existe um limite para Io acima do qual a condução é
sempre contínua e a tensão de saída não é alterada pela corrente.
10
cond.
2
descontínua δ=.6
δ=.4
0 δ=.2
0 0.04 0.08 0.12 0.16 0.2
Io E. τ
8.L
Figura 5.13 Característica de saída do conversor abaixador-elevador de tensão.
5.3.3 Cálculo de L e de C
O limiar entre as situações de condução contínua e descontínua é dado por:
∆I L ⋅ (τ − t T ) Vo ⋅ (τ − t T ) ⋅ (1 − δ) Vo ⋅ τ ⋅ (1 − δ) 2
Io = = = (5.40)
2⋅τ 2⋅L 2⋅L
E ⋅ τ ⋅ δ ⋅(1 − δ)
L min = (5.41)
2 ⋅ Io(min)
Io(max)⋅ τ ⋅ δ
Co = (5.42)
∆Vo
I L1 VC1 I L2
+
L1 C1 L2 Ro
Co
E T D Vo
Em regime, como as tensões médias sobre os indutores são nulas, tem-se: VC1=E+Vo.
Com o transistor desligado, iL1 e iL2 fluem pelo diodo. C1 se carrega, recebendo
energia de L1. A energia armazenada em L2 é enviada à saída.
Quando o transistor é ligado, D desliga e iL1 e iL2 fluem por T. Como VC1>Vo, C1 se
descarrega, transferindo energia para L2 e para a saída. L1 acumula energia retirada da fonte.
A figura 5.15 mostra as formas de onda de corrente nos modos de condução contínua
e descontínua. Note-se que no modo descontínuo a corrente pelos indutores não se anula, mas
sim ocorre uma inversão em uma das correntes, que irá se igualar à outra. Na verdade, a
descontinuidade é caracterizada pelo anulamento da corrente pelo diodo, fato que ocorre
também nas outras topologias já estudadas.
I1
Ix
i L2 i
L2
I2
vC1 -Ix
V1 tT t2 tx
tT
τ
Assumindo que iL1 e iL2 são constantes, e como a corrente média por um capacitor é
nula (em regime), tem-se:
I L2 ⋅ t T = I L1 ⋅(τ − t T ) (5.43)
I L1 ⋅ E = I L2 ⋅ Vo (5.44)
E ⋅δ
Vo = (5.45)
1− δ
5.4.1 Dimensionamento de C1
C1 deve ser tal que não se descarregue totalmente durante a condução de T.
Considerando iL1 e iL2 constantes, a variação da tensão é linear. A figura 5.16 mostra a tensão
no capacitor numa situação crítica.
v
C1
2VC1
V C1
tT τ t
Figura 5.16. Tensão no capacitor intermediário numa situação crítica.
VC1 = E + Vo (5.46)
Na condição limite:
2 ⋅(E + Vo)
Io = I L2 = C1 ⋅ (5.47)
tT
5.4.2 Dimensionamento de L1
Considerando C1 grande o suficiente para que sua variação de tensão seja desprezível,
L1 deve ser tal que não permita que iL1 se anule. A figura 5.17 mostra a corrente por L1 numa
situação crítica.
L1 ⋅ I L1max
E= (5.49)
tT
E+Vo
+ i
L1
L1
I
E L1max
t τ
T
Figura 5.17 Corrente por L1 em situação crítica.
I L1 max
Ii = I L1 = (5.50)
2
Quando T conduz:
E ⋅ tT
L1 = (5.51)
2 ⋅ Ii
E ⋅ τ ⋅ (1 − δ)
L1min = (5.52)
2 ⋅ Io(min)
5.4.3 Cálculo de L2
Analogamente à análise anterior, obtém-se para L2:
E⋅δ⋅τ
L 2 min = (5.53)
2 ⋅ Io(min)
E ⋅ δ ⋅ τ2
Co = (5.54)
8 ⋅ L 2 ⋅ ∆Vo
L1 D +
C1
Vo
E L2 Co
T Ro
O conversor Zeta, cuja topologia está mostrada na figura 5.19, também possui uma
característica abaixadora-elevadora de tensão. Na verdade, a diferença entre este conversor, o
`Cuk e o SEPIC é apenas a posição relativa dos componentes.
Aqui a corrente de entrada é descontínua e a de saída é continua. A transferência de
energia se faz via capacitor. A indutância L1 pode ser a própria indutância de magnetização
na versão isolada. A operação no modo descontínuo também se caracteriza pela inversão do
sentido da corrente por uma das indutâncias. A posição do interruptor permite uma natural
proteção contra sobrecorrentes.
T C1 L2 Ro
L1 D Co
E Vo
N1 N2
L1 L2
C1 C2
E T Co
V1 V2 D Vo
N2 E ⋅ δ
Vo = ⋅ (5.55)
N1 (1 − δ)
O balanço de carga deve se verificar para C1 e C2. Com N1=N2, C1=C2, tendo o
dobro do valor obtido pelo método de cálculo indicado anteriormente no circuito sem
isolação. Para outras relações de transformação deve-se obedecer a N1.C1=N2.C2, ou
∆V1.C1=∆V2.C2.
Note que quando T conduz a tensão em N1 é VC1=E (em N2 tem-se VC1.N2/N1).
Quando D conduz, a tensão em N2 é VC2=Vo (em N1 tem-se VC2.N1/N2). A corrente pelos
enrolamentos não possui nível contínuo e o dispositivo comporta-se, efetivamente, como um
transformador.
L1 D +
C1 T C1 L2 Ro
+
Lp Ls Co Lp Ls D Co
E T Vo E Vo
Ro
(a) (b)
Figura 21 Conversores SEPIC (a) e Zeta (b) isolados.
N2 E ⋅ δ
Vo = ⋅ (5.56)
N1 (1 − δ)
D
T
E Co Vo
L1
N1 N2
Figura 5.22 Conversor fly-back
D2 D1 L
+
E T D3 Co Vo
N1 N2 N3
E
T . Va
Vp
N1
.
A1
Vp
tT τ
N2 A2
D
Vb A1=A2
E( N1 + N 2) E( N1 + N 2)
Va = Vb = (5.57)
N1 N2
..
E
2⋅δ ⋅ E
Vo = (5.58)
n
Vce1
T1
I c1
.. n:1
I D1 D1
. L io
. +
V1=E E/n Co Ro Vo
. .. .. .
E E/n
T2 I c2 I D2 D2
O ciclo de trabalho deve ser menor que 0,5 de modo a evitar a condução simultânea
dos transistores. n é a relação de espiras do transformador.
Os transistores devem suportar uma tensão com o dobro do valor da tensão de entrada.
Outro problema deste circuito refere-se à possibilidade de saturação do transformador caso a
condução dos transistores não seja idêntica (o que garante uma tensão média nula aplicada ao
primário). A figura 5.27 mostra algumas formas de onda do conversor.
T1/D2 D1/D2 T2/D1 D1/D2
V1 δ1
+E
-E
Ic1 δ2
I
D1
Vce1 2E
E
io
Io
nula no primário do transformador. Este capacitor deve ser escolhido de modo a evitar
ressonância com o indutor de saída e, ainda, para que sobre ele não recaia uma tensão maior
que um pequeno percentual da tensão de alimentação (durante a condução de cada transistor).
.
. . L
.
..
E/2 +
. .
T1
Co
.
Vo
E/2 .. .
T2 .
Figura 5.28 Conversor em meia-ponte
.
. .
. . L
.
. .. +
.
T1 T2
Co
Vo
E .. .
.
. .
T3 . T4 .
.
Figura 5.29 Conversor em ponte completa.
chaves, na fonte de entrada e nos indutores, produzem perdas. Tais perdas, à medida que
aumenta a tensão de saída e, consequentemente, a corrente, tornam-se mais elevadas,
reduzindo a eficiência do conversor. As curvas de Vo x δ se alteram e passam a apresentar
um ponto de máximo, o qual depende das perdas do circuito.
A figura 5.30 mostra a curva da tensão de saída normalizada em função da largura do
pulso para o conversor elevador de tensão.
Se considerarmos as perdas relativas ao indutor e à fonte de entrada, podemos
redesenhar o circuito como mostrado na figura 5.31.
Para tal circuito, a tensão disponível para alimentação do conversor se torna (E-Vr),
podendo-se prosseguir a análise a partir desta nova tensão de entrada. A hipótese é que a
ondulação da corrente pelo indutor é desprezível, de modo a se poder supor Vr constante.
O objetivo é obter uma nova expressão para Vo, em função apenas do ciclo de
trabalho e das resistências de carga e de entrada. O resultado está mostrado na figura 5.32.
40
Vo( d )
20
Vr
Ii
RL L Io
E E-Vr Co +
Ro Vo
E − Vr
Vo = (5.59)
1− δ
Vr = R L ⋅ Ii
(5.60)
Vo = Ro ⋅ Io
Io = Ii ⋅(1 − δ) (5.61)
R L ⋅ Io R L ⋅ Vo
Vr = = (5.62)
1− δ (1 − δ)⋅ Ro
R L ⋅ Vo
E−
(1 − δ)⋅ Ro E R L ⋅ Vo
Vo = = − (5.63)
1− δ 1 − δ Ro ⋅(1 − δ) 2
Vo 1− δ
= (5.64)
E 2R
(1 − δ) + L
Ro
Vo( d )
2
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
d
Figura 5.32 Característica estática de conversor elevador de tensão, no modo contínuo,
considerando as perdas devido ao indutor.
G. Chryssis: “High Frequency Switching Power Supplies: Theory and design”. McGraw-Hill,
New York, 1984.
E. R. Hnatek: “Design of Solid State Power Supplies”. Van Nostrand Reinhold, New York,
3rd Edition, 1989.
Serão estudados neste capítulo os conversores CC-CA que fornecem em suas saídas
tensões com freqüência fixa, para aplicação como fonte de tensão, especialmente em fontes de
alimentação ininterrupta (chamadas de “no-break” ou “UPS - Uninterruptible Power
Supplies”, em inglês).
Qualquer sistema no qual o fornecimento da energia elétrica não pode ser interrompido
deve prever uma fonte de emergência para supri-lo. Quando a potência instalada é muito
grande tem-se, em geral, um sistema de acionamento imediato, alimentado a partir de baterias,
e um sistema motor-gerador que, por necessitar de alguns minutos para estar em condições
ideais de operação, não pode ser usado de imediato. Tal arranjo é usado, por exemplo, em
centrais telefônicas, hospitais, etc.
Quando as cargas críticas são distribuídas, como no caso de microcomputadores,
podem-se usar UPSs modulares, de acionamento imediato, e capazes de manter a operação do
equipamento por um tempo suficiente para que não sejam perdidas operações que estavam em
curso (tipicamente os tempos são da ordem de dezenas de minutos).
Além disso, os sistemas mais modernos devem ter a capacidade de trocar informações
com os computadores, de forma a otimizar seu funcionamento, mas isto não será tema deste
curso.
Interessam aqui as topologias empregadas na realização dos conversores de potência
que, a partir de uma fonte CC produzem uma saída alternada, seja ela senoidal ou não.
ou ainda haver um surto de tensão com 3 vezes o valor nominal (eficaz), desde que com
duração inferior a 100 µs.
+100%
+30%
+6%
100% Regime
-30%
-70% -13%
-42%
0%
.001 .01 0.1 1 10 100 1000 ciclos
100u 1m 8.33m .1 .5 2s
Figura 6.1 Envelope de tolerância de tensão típico para sistema computacional (adaptado da
norma IEEE 466).
quando ocorre uma falha, tal estrutura é utilizada principalmente para sistemas de baixos
custo e potência, quando a operação não é altamente crítica. Esta estrutura é conhecida como
“off-line”.
Retificador Inversor
Equipamento
Linha
Chave estática
("by-pass")
Bateria
Retificador Inversor
Equipamento
Linha
Chave estática
("by-pass")
Bateria
Linha B A Equipamento
L
Inversor
Carregador
Bateria
passar a alimentação à rede em menos de 1/4 de ciclo. O inversor pode possuir ainda uma
limitação automática de corrente contra sobrecargas. Esta estrutura é conhecida como “on-
line”.
A configuração interativa com a linha possui apenas um conversor CC-CA. Este
sistema possui a vantagem (sobre a configuração linha preferencial) de permitir um
condicionamento da tensão aplicada à carga. Normalmente o fluxo de potência vai, através do
indutor L, da rede para a carga, e o conversor mantém as baterias carregadas. Em caso de
falha, a chave se abre e o inversor passa a alimentar o equipamento crítico. Quando existe
tensão na linha, o inversor produz uma tensão no ponto A com a mesma freqüência da linha,
mas com amplitude controlada. Se as tensões nos pontos A e B forem idênticas em freqüência,
fase e amplitude não haverá corrente pelo indutor e toda energia da carga será fornecida pelo
inversor. Alterando-se a fase da tensão no ponto A pode-se controlar o fluxo de corrente por
L. Assim , controlando a fase da tensão em A pode-se fazer com que provenha da linha toda a
energia ativa necessária para alimentar a carga, ficando a cargo do inversor fornecer a energia
não ativa (reativos e harmônicos). Neste caso, como o inversor não fornece potência ativa, a
condição de carga das baterias não se altera. Adicionalmente, tem-se que a corrente absorvida
da linha é senoidal e em fase com sua tensão, ou seja, o UPS opera como um compensador de
fator de potência, independente da carga. Esta análise supõe uma carga com alta impedância
de entrada, o que não é verdade em situação muito usual em que a carga tem um
comportamento de fonte de tensão (retificador com filtro capacitivo).
O fato de não fazer uso de dupla conversão, ou seja, o retificador não está inserido na
alimentação da carga, faz com que o rendimento do conjunto seja superior ao da estrutura
“Inversor prioritário”, de modo a ser aplicável em potências mais elevadas.
6.3.3 Paralelismo
Conectar em paralelo duas ou mais UPSs é necessário quando se deseja ampliar a
potência instalada ou aumentar a confiabilidade do sistema.
No primeiro caso, o fator determinante é o econômico, quando é mais barato utilizar
uma UPS adicional para alimentar um acréscimo de carga do que trocar todo o sistema já
existente.
No outro caso, para cargas muito críticas, a redundância torna-se necessária.
As questões a serem consideradas são diversas:
• deve-se garantir que as tensões de saída sejam idênticas e que as correntes sejam
igualmente distribuídas;
• em caso de falha de qualquer uma das UPS, as demais devem ser capazes de manter o
equipamento crítico em operação;
• para manter a identidade das tensões, uma das UPS deve produzir a referência para as
demais;
• em caso de falha, uma outra deve assumir tal função.
6.4.1 Retificador
O retificador, além de produzir a tensão cc que alimenta o inversor tem também como
função manter as baterias carregadas.
As baterias serão adequadamente carregadas desde que a tensão de saída do retificador
seja um pouco superior à tensão nominal das baterias, de modo a suprir as perdas devidas às
quedas resistivas presentes. Tensões menores não permitirão um processo adequado de
recarga, enquanto tensões muito elevadas podem produzir correntes excessivas, levando à
eletrólise.
Caso as baterias estejam muito descarregadas, é possível que o retificador tenha seu
limite de corrente atingido. Em tal caso, a recarga é feita a corrente constante, até que a tensão
suba a níveis adequados.
Considerando adicionalmente a possibilidade de variação da tensão da linha, pode-se
concluir que o retificador deve ser do tipo controlado. A solução mais simples e barata é usar
um retificador a tiristores, com controle da tensão de saída através da variação do ângulo de
disparo, como mostrado na figura 6.3.
300V
Lf +
Vr
200V
Vr Cf Vo
100V
0V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms
Baterias
Figura 6.3 Retificador controlado a tiristores com forma de onda de tensão típica de saída.
Recortador
Retificador Inversor Retificador Inversor
MLP
Recortador
MLP
Vo
Vo
Figura 6.5 Retificador MLP e conversor elevador de tensão para correção de fator de potência.
6.4.2 Inversor
O inversor é o principal constituinte de uma UPS, uma vez que é ele quem determina a
qualidade da energia fornecida à carga.
Deve fornecer uma tensão alternada, com freqüência, forma e amplitude invariantes, a
despeito de eventuais alterações na alimentação CC ou na carga.
A configuração básica é mostrada na figura 6.6, para um inversor trifásico. Uma saída
monofásica pode ser obtida utilizando-se apenas 2 ramos, ao invés de 3.
Vcc Vca
As leis de modulação são numerosas, a mais simples talvez seja a que produz uma onda
retangular, na própria freqüência de saída que se deseja. Em tal caso, uma tensão positiva é
aplicada à carga quando T1 e T4 conduzirem (estando T2 e T3 desligados). A tensão negativa é
obtida complementarmente. O papel dos diodos é garantir um caminho para a corrente em caso
de a carga apresentar característica indutiva. Note que a condução dos diodos não afeta a forma
da tensão desejada. Este tipo de modulação não permite o controle da amplitude nem do valor
eficaz da tensão de saída.
D2 T2 D1 T1 V
S
Ia
+E
A
Carga T2/T3 IA
Vs
E
B Monofásica T1/T4
-E
D1 D2
D4 T4 D3 T3 D4 D3
Figura 6.7. Inversor monofásico e forma de onda quadrada de saída (carga indutiva).
T1/T4
-E D1/D4 T2/D1
o o
0 120 o 180 o 300 o 360
Figura 6.8 Forma de onda quase-quadrada.
Vi Cr Vo
Inversor onda
E V3
quase-quadrada
Inversor onda 3E
E V2
quase-quadrada
Vo
Inversor onda
E V1
quase-quadrada
1 1
0
-1
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms 0Hz 0.5KHz 1.0KHz 1.5KHz 2.0KHz
É possível ainda obter uma modulação a 3 níveis (positivo, zero e negativo). Este tipo de
modulação apresenta um menor conteúdo harmônico. Um sinal de 3 níveis é ligeiramente mais
complicado para ser gerado analogicamente.
Quando se trata de um inversor trifásico, 2 arranjos podem ser feitos: utilizando 3
inversores monofásicos (o que exige 12 transistores, e é chamado de ponte completa) ou um
arranjo chamado de semiponte, com 6 transistores, como o mostrado na figura 6.13.
Circuito de Circuito de
Acionamento Acionamento
Inversor Rede
Detector de
Corrente zero
Carga
A forma de onda da saída apresenta baixa distorção harmônica. O topo achatado deve-
se à limitação de tensão do banco de baterias. A distorção harmônica total (THD) é de 3,6%.
A carga alimentada, neste caso, é resistiva e no valor nominal.
A figura 6.20 mostra a tensão na entrada e na saída no teste de rejeição a transitório. A
perturbação produzida teve variação pico-a-pico de aproximadamente 120V e foi
integralmente sentida pela saída.
A regulação da tensão de saída é feita pela variação de “taps” na entrada, como se
verifica na figura 6.21. Nota-se que quando ocorre a operação via baterias (96V) a tensão é de
111,6V, ou seja, 7% abaixo da nominal. No intervalo em que está atuando o regulador tem-se
uma variação entre –7,7% a +10%.
Figura 6.19 Tensão de saída e a corrente da rede com carga resistiva na transição da
alimentação da rede para baterias.
130
120
110
.
100
84 90 96 102 108 114 120 126 132 138 144 150
Figura 6.21. Regulação de tensão de saída em função da tensão de entrada, com carga
resistiva.
A figura 6.22 mostra que não existe transitório na passagem da alimentação da rede
para as baterias. Note-se que a corrente de entrada se anula quando há falha na laimentação.
A figura 6.23 mostra a tensão na entrada e na saída no teste de rejeição a transitório. A
perturbação produzida teve variação pico-a-pico de aproximadamente 150V e não foi sentida
pela saída.
Figura 6.22. Tensão de saída e corrente da rede com carga resistiva na transição da
alimentação da rede para baterias.
Figura 6.24. Regulação de tensão de saída em função da tensão de entrada, com carga
resistiva.
David C. Griffith: “Uninterruptible Power Supplies”, Marcel Dekker, Inc., NY, USA
Uma máquina de indução trifásica possui enrolamentos de estator nos quais é aplicada
a tensão alternada de alimentação. O rotor pode ser composto por uma gaiola curto-circuitada
ou por enrolamentos que permitam circulação de corrente. De qualquer forma, por efeito
transformador, o campo magnético produzido pelos enrolamentos do estator induz correntes
no rotor, de modo que, da interação de ambos campos magnéticos será produzido o torque que
levará a máquina à rotação.
Dada a característica trifásica da alimentação do estator e à distribuição espacial dos
enrolamentos, o campo produzido pelo estator é girante, ou seja, sua resultante possui um
movimento rotacional. O campo produzido pelas correntes induzidas no rotor terá a mesma
característica, procurando sempre acompanhar o campo girante do estator.
Se o rotor girar na mesma velocidade do campo girante, não haverá corrente induzida,
uma vez que não haverá variação de fluxo pelas espiras do rotor. Não havendo corrente, não
haverá torque. Desta análise qualitativa pode-se concluir que a produção de torque no eixo da
máquina deriva do fato de que a velocidade do rotor ser sempre diferente do que a velocidade
do campo girante. A figura 7.1 ilustra a formação do campo girante.
A corrente induzida no rotor possui uma freqüência que é a diferença das freqüências
angulares do campo girante e do rotor. Assim, na partida, com a máquina parada, as correntes
serão de 60Hz (supondo esta a freqüência de alimentação da máquina). À medida que a
máquina ganha velocidade, tal freqüência vai caindo, até chegar, tipicamente, a poucos Hz,
quando atingir a velocidade de regime.
A velocidade angular do campo girante depende, além da freqüência de alimentação,
do chamado número de pólos da máquina. O número de pólos indica quantos enrolamentos,
deslocados espacialmente (simetricamente) no estator, são alimentados pela mesma tensão de
fase. Assim, se 3 enrolamentos (1 para cada fase) estiverem dispostos num arco de 180 graus e
outros 3 enrolamentos ocuparem os outros 180 graus do perímetro do estator, diz-se que esta é
uma máquina de 4 pólos (ou 2 pares de pólos).
f c b d f
φa 0
a c e
S
g b
N
-1.0
a
ω φc
φc φb φc φb
N S N
φa φa φa φa
S S
S N
N
φb φc φb ω φc
ω
2⋅ω
ωs = (7.1)
p
φ ( t ) = φ m ⋅ cos(ω m ⋅ t + δ − ω s ⋅ t ) (7.2)
A tensão induzida por fase nos enrolamentos do rotor é (supondo rotor bobinado):
dφ
e r (t ) = N r ⋅ = − N r ⋅ φ m ⋅ (ω s − ω m ) ⋅ sin [(ω s − ω m ) ⋅ t − δ] (7.3)
dt
e r ( t ) = − s ⋅ 2 ⋅ E r ⋅ sin( s ⋅ ω s ⋅ t − δ) (7.4)
( ωs − ω m )
s= (7.5)
ωs
+ + + +
R 'r
s.Er R 'r Vs Es Er s
I' I Ns Nr I'
r s (b) r
(a)
jX R jXr
s s
I
+ m
Rr
+
Vs s
Vm=Es Rm jXm
Is Ir
(c)
Figura 7.3 Modelos circuitais para motor de indução: a) circuito do rotor;
b) com rotor e estator separados, c) com rotor refletido ao lado do estator.
s⋅ E r
I 'r = (7.5)
R 'r + j ⋅ s ⋅ X 'r
Er
I 'r = (7.5.a)
R 'r
+ j ⋅ X 'r
s
O modelo do rotor pode, então, ser modificado, a fim de que o escorregamento afete
apenas a resistência do rotor, como se vê na figura 7.3.b, onde se inclui também um circuito
equivalente para o estator.
Refletindo o lado do rotor para o do estator, tem-se o circuito equivalente mostrado em
7.3.c. Indica-se nesta figura a reatância de magnetização, Xm e a resistência relativa às perdas
no ferro da máquina, Rm. A resistência do enrolamento do estator é Rs e a reatância de
dispersão, Xs.
As perdas no cobre podem ser estimadas por:
Ps = 3 ⋅ I s2 ⋅ R s (7.6)
Pr = 3 ⋅ I 2r ⋅ R r (7.7)
2
3 ⋅ Vm 3 ⋅ Vs2
Pc = ≈ (7.8)
Rm Rm
Rr
Pg = 3 ⋅ I r2 ⋅ (7.9)
s
Pd = Pg − Pr = Pg ⋅ (1 − s) (7.10)
O torque desenvolvido é:
Pd Pg
Td = = (7.11)
ωm ωs
A potência de entrada é:
Pi = Pc + Ps + Pg = 3 ⋅ Vs ⋅ I s ⋅ cos θ s (7.12)
Po = Pd − Px (7.13)
A eficiência será:
Po Pd − Px
η= = (7.14)
Pi Pc + Ps + Pg
η ≈ 1− s (7.15)
Is jXs Rs jXr
I
+ m Rr
Vs s
jXm
Zi I s= I r
− X m ⋅ ( X s + X r ) + j ⋅ X m ⋅ ( R s + R r s)
Zi = (7.16)
R s + R r s + j ⋅ ( Xm + Xs + Xr )
Rr
−1
Rs +
s −1 X m + X s + X r
θm = π − tan + tan (7.17)
Xs + Xr Rr
Rs + s
Vs
Ir = 1/ 2
(7.18)
R 2
2
R s + s + ( X s + X r )
r
3 ⋅ R r ⋅ Vs2
Td = (7.19)
R 2 2
s ⋅ ω s ⋅ R s + r s + ( X s + X r )
A figura 7.5 mostra uma curva torque - velocidade típica para um motor alimentado a
partir de uma fonte de tensão senoidal de freqüência e amplitude fixas. Existem 3 regiões de
operação:
• tração (0<s<1)
• regeneração (s<0)
• reversão (1<s<2)
2ωs ωs 0 −ωs
Td ωm
Regeneração Tração Reversão
Tmm
Ts
0 ωs
ωs ωm ωm
ωm
ωs
Tmr s
1 0.5 0 0.5 1 1.5 2
-sm sm
Figura 7.5 Característica torque-velocidade de máquina de indução.
Rr
sm = ± (7.20)
[ R s2 + (Xs + Xr ) ]
2 1/ 2
3Vs2
Tmm = (7.21)
2
2ω s ⋅ R s + R s2 + ( X s + X r )
3Vs2
Tmr = (7.22)
2
2ωs ⋅ − R s + R s2 + ( X s + X r )
3R r ⋅ Vs2
Td = (7.23)
R 2 2
s ⋅ ωs ⋅ r s + ( X s + X r )
3R r ⋅ Vs2
Ts = (7.24)
[
ωs ⋅ ( R r ) + ( X s + X r )
2 2
]
Rr
sm = ± (7.25)
Xs + Xr
3 ⋅ Vs2
Tmm = −Tmr = (7.26)
2ωs ⋅ (X s + X r )
Td 2 ⋅ s ⋅ sm
= 2 (7.27)
Tmm s m + s 2
Ts 2 ⋅ sm
= 2 (7.28)
Tmm s m + 1
Para s<1 e s2<<sm2, o torque normalizado pode, ainda, ser aproximado por:
Td 2s ωs − ω m
= =2 (7.29)
Tmm s m s m ⋅ ωs
s ⋅T
ωm = ωs ⋅ 1 − m d (7.30)
2 ⋅ Tmm
0.5
0.5
0 0
0.2 0.4 0.6 0.8 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05
s s
FP 0.5
0
0.05 0.1 0.15 0.2
s
Figura 7.7 Fator de potência do motor.
5Rr
0.5
Rr
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 ωs
ωm
Figura 7.8 Característica torque - velocidade para diferentes valores de resistência de rotor.
Ld
Retificador
Estator Rx Estator
Id
Rotor Rx Rotor Vd R
Vdc
Rx
(a)
(b)
Ld
Retificador Retificador
Estator
Id Controlado
Rotor Vd Vdc Trafo Rede
(c)
Td Torque da carga
1
100% Vs
0.5
75% Vs
50% Vs
A tensão do estator pode ser variada por meio de um controlador de tensão CA,
formado por tiristores, operando com controle de fase. Sua simplicidade justifica seu uso em
sistemas de baixa performance e potência, como ventiladores e bombas centrífugas, que
precisam de baixo torque de partida. Outra possibilidade é o uso de um inversor trifásico,
operando com freqüência constante e tensão ajustável, seja variando a tensão CC, por uso de
MLP. O fato de a tensão de partida ser reduzida permite uma limitação na corrente de partida.
A figura 7.11 mostra, esquematicamente, os acionamentos.
(a) (b)
Figura 7.11 Controle da tensão de estator por inversor (a) e controlador CA (b).
ωs = b ⋅ ωb (7.31)
b ⋅ ωb − ωm ω
s= = 1− m (7.32)
b ⋅ ωb b ⋅ ωb
3 ⋅ R r ⋅ Vs2
Td = (7.33)
R 2 2
s ⋅ b ⋅ ω b ⋅ R s + r s + ( b ⋅ X s + b ⋅ X r )
Td/Tm
1.2
0.8
0.6
b=1
0.4
b=1.5
0.2
b=2 b=2.5
0
0.5 1 1.5 2 2.5
ω m = ωb * b b>1
Figura 7.12 Característica torque - velocidade com controle da freqüência.
0.833
T( s , 1 ) 0.667
T( s , .8 ) 0.5
T( s , .6 )
0.333
0.167
0
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
ω m = b * ωb b<1
Figura 7.13 Característica torque - velocidade com controle de tensão/freqüência.
Uma vez que a tensão nominal da máquina não deve ser excedida, este tipo de
acionamento aplica-se para velocidades abaixo da velocidade base. O acionador mais usual é
do tipo inversor com controle MLP ou de onda quase-quadrada, que permita ajustar
simultaneamente tensão e freqüência. Um inversor de onda quadrada necessita de uma tensão
no barramento CC variável. Para velocidades muito baixas pode-se ainda fazer uso de
cicloconversores (conversores CA-CA).
À medida que a freqüência se reduz, o fluxo de entreferro tende a diminuir devido à
queda de tensão na impedância série do estator, levando à redução na tensão aplicada sobre a
reatância de magnetização, o que conduz à necessidade de se elevar a tensão em tais situações
para se manter o torque.
jI i ⋅ X m
Ir = (7.34)
Rs + Rr + j(X m + X s + X r )
s
3R r ⋅ ( X m ⋅ I i ) 2
Td = (7.34.a)
R
2
2
s ⋅ ωs R s + r + (X m + X s + X r )
s
3R r ⋅ (X m ⋅ I i ) 2
Ts = (7.35)
[
ω s (R s + R r ) + (X m + X s + X r )
2 2
]
O escorregamento para o torque máximo é:
Rr
sm = ± (7.36)
+(Xm + Xs + Xr )
2
R 2s
3 ⋅ L2m
Tm = ⋅ I 2i (7.37)
2( L m + L r )
I1>I2>I3 I1
I2
I3
V-
V+
V+
Linha Vcc
Motor ca
Figura 7.16 Estrutura básica de sistema para acionamento em corrente de máquina ca.
devem ser considerados no dimensionamento dos elementos. Este intervalo termina com os
capacitores C1 e C3 carregados como mostrado na figura 7.19.d estando C5 com tensão nula.
A figura 7.20 mostra uma forma de onda típica da tensão entre fases deste tipo de inversor.
Icc T1 T3 T5
C5
-Vca+
Sw
+Vab- +Vbc-
b c
a
C1 C3
D1 D3 D5
C
E
R Ls
B
E
A
E
D4 D6 N D2
-Vtr+
C4
+Vrs- +Vst-
C6 C2
T4 T6 T2
T3
θ
T5 -Icc
T4 2π
T6 2/3 Icc
T2 θ
t1 Conexão triângulo
Figura 7.18. Condução dos tiristores e formas de corrente na carga.
Icc T1 T3 T5 Icc T1 T5
C5 T3
C5
+ - + -
+ - + - + -
b c b c
a a
C1 C3 C1 C3
D1 D3 D5 D1 D3 D5
E E
C R Ls C R Ls
B B
E E
A A
E E
D4 D6 N D2 D4 D6 N D2
-Vtr+ -Vtr+
C4 C4
+Vrs- +Vst- +Vrs- +Vst-
C6 C2 C6 C2
T4 T6 T2 T4 T6 T2
(a) (b)
Icc T1 T3 T5 Icc T1 T3 T5
C5
C5
+ -
- + + - - + + -
b c b c
a a
C1 C3 C1 C3
D1 D3 D5 D1 D3 D5
E E
C R Ls C R Ls
B B
V BA E E
A A
E E
D4 D6 N D2 D4 D6 N D2
-Vtr+ -Vtr+
C4 C4
+Vrs- +Vst- +Vrs- +Vst-
C6 C2 C6 C2
T4 T6 T2 T4 T6 T2
(c) (d)
Figura 7.19. Estágios de operação do inversor fonte de corrente com tiristores.
Figura 7.20 Forma de onda típica de tensão de linha para inversor de corrente a tiristores.
Icc
+ A + B + C
E E E
Icc
Carga
Cf
S. B. Dewan, G. R. Slemon and A. Straughen: “Power Semiconductor Drives”. John Wiley &
Sons., New York, 1984
L
iL Io
+
E C vc
S D
carga
iL
v
C
Io
DS
quantidade destes "pacotes" em um certo período (relativo à freqüência que se deseja na saída)
permite alterar o valor médio da tensão sobre a carga. A polaridade é determinada pela
condução dos interruptores da semiponte superior (tensão positiva na saída) ou da semiponte
inferior (tensão negativa na saída). Assim, a variação da tensão é discreta, enquanto em MLP
é contínua.
A técnica MDP é tanto mais eficiente quanto maior a freqüência de ressonância em
relação à freqüência fundamental que se quer na saída. Estudos indicam que para uma dada
freqüência de ressonância, o conteúdo espectral do sinal de saída é equivalente ao de um
conversor MLP com freqüência de chaveamento 10 vezes menor. Ou seja, um conversor deste
tipo operando a 50kHz produz sobre a carga um conteúdo harmônico semelhante ao de um
conversor operando em MLP a 5kHz.
+
Cc K.E Sc
iL L iL
+
E C Vc
carga
O capacitor Cc é pré-carregado com uma tensão K.E, onde K varia tipicamente entre
0,2 e 0,4 (ou seja, com uma sobre-tensão de 20% a 40%). Quando a tensão no capacitor
ressonante atinge este nível, o diodo em antiparalelo com o transistor Sc entra em condução.
Cc é muito maior que C, de modo que a tensão fica limitada. O controle adequado de Sc
permite controlar a tensão sobre Cc.
A técnica de modulação é MDP, ou seja, as comutações só ocorrem em instantes
discretos.
Consideremos que antes de to o interruptor Sc está conduzindo. A tensão vlink fica
limitada e a corrente da carga (suposta constante num curto intervalo de tempo) circula por Cc
(o qual, para não se descarregar muito deve ter um valor relativamente elevado). Em to Sc é
desligado e a corrente de saída é fornecida por C. Note-se que neste instante a corrente iL é
negativa e será suprida também por C. No instante t1 a tensão sobre C se anula e inicia-se um
período de livre-circulação pelos diodos da ponte inversora. Nesta situação os interruptores
são desligados sob tensão e corrente nulas.
A corrente iL, que está crescendo linearmente entre t1 e t2, se torna maior do que a
corrente da carga em t2, iniciando a recarga do capacitor, de forma ressonante. Quando esta
tensão atinge o valor da tensão presente em Cc, em t3, o diodo em antiparalelo com Sc
conduz, limitando a tensão. O excesso de corrente iL em relação a Is recarrega Cc. Após t3,
até T, a corrente varia linearmente. Entre t3 e t4 a condução se faz pelo diodo, mas quando a
corrente pelo indutor se torna menor do que a corrente da carga, a corrente começa a circular
por Sc. Isto significa que este interruptor deve ter sido acionado ainda durante a condução do
diodo. Após t4 conduz Sc, o qual será desligado em T, reiniciando o ciclo. O controle
adequando de Sc permite manter constante a tensão sobre Cc.
iL
Vc
(1+K)E
Is
Sc
Sc C C D(Sc)
to t1 t2 t3 t4 T
Diodos
Figura 8.5. Formas de onda no circuito ressonante.
Diversas outras topologias foram propostas com o objetivo de reduzir perdas e usar
MLP, sem um aumento excessivo na complexidade dos circuitos. A figura 8.6. mostra um
circuito que praticamente supera ambas restrições apontadas.
Note-se a presença de capacitores em paralelo com os interruptores da ponte. Um
capacitor colocado em tal posição permite o desligamento do transistor sob tensão nula, em
qualquer momento. Esta técnica é conhecida por ZVS - Zero Voltage Switching.
A possibilidade de desligar qualquer chave a qualquer momento (embora o instante de
entrada em condução seja determinado pelo link ressonante) garante a realização de um
controle MLP.
Em série com a alimentação tem-se um interruptor, cujas perdas em condução crescem
com o valor da corrente (e não seu quadrado), permitindo menores perdas, além de uma
proteção contra sobre-correntes.
is
Dm
Cs Cs Cs
Sm Sr Dr
T1 T3 T5 carga RL
io
E
Lr Vlink
iL Cs Cs Cs
+
Ce Ve T2 T4 T6
forma ressonante até atingir a tensão E (em t5). O diodo Dm passa a conduzir, limitando a
tensão. Após t5 a corrente iL passa a ter uma variação linear, indo a zero. Durante a condução
de Dm dá-se o comando para Sm, o qual entra em condução sob corrente nula, repetindo o
ciclo.
Como se nota, o instante de entrada em condução dos transistores da ponte deve
ocorrer durante o intervalo em que a tensão vlink é nula e o seu desligamento pode ocorrer a
qualquer momento, garantindo um comando tipo MLP.
i L
Ir1
v
link
E
Ir2
Dr
Sm Sm e Sr Sr Diodos T1 Dm, Sm, Dr
Sr T2 Dr
to t1 t2 t3 T4 t4 t5
T6
T1/T4/T6 T1/T4/T6
Ressonância
E ⋅ (2 ⋅ Ve − E) ⋅ C se
I r1 = I m1 + I 01 + (8.1)
Lr
onde I01 é o valor da corrente Io (soma das correntes positivas pelas fases da carga) no instante
t1, a qual é suposta constante no intervalo (t2-t1). Im1 é uma margem que leva em conta as
perdas no circuito ressonante e também assegura uma corrente no indutor Lr que torne o
intervalo (t2-t1), no qual a tensão se reduz, curto o suficiente. Este mesmo parâmetro é usado
para manter constante a tensão Ve. Cse é a capacitância equivalente com a qual se realiza a
ressonância.
C se = 3 ⋅ C s (8.2)
Pode-se ainda garantir que a tensão vlink atinja o valor E usando-se uma tensão Ve
maior do que E/2.
Caso o valor Ir2 seja menor do que a soma das correntes positivas da carga, a oscilação
não se inicia instantaneamente. Como a livre-circulação prossegue, a corrente iL continua a
crescer (negativamente), até igualar-se a Io, quando se inicia efetivamente a ressonância.
Observe que o controle do circuito ressonante necessita do monitoramento da corrente
Io e da corrente iL.
O valor dos capacitores Cs é escolhido em função dos tempos de desligamento dos
transistores e da máxima corrente de carga.
O intervalo (t4-t2), no qual ocorre livre-circulação, é dado aproximadamente por:
2 ⋅ I r1 ⋅ Lr
( t 4 − t 2) = (8.3)
Ve
Lr deve ser escolhido como um compromisso entre um mínimo pico de corrente (valor
mínimo) e um intervalo (t4-t2) suficientemente longo (à máxima corrente), que permita ao
comando ligar os transistores da ponte.
Em algumas situações a corrente de carga pode assumir valores baixos, seja nos
cruzamentos com o zero, seja pela variação da carga propriamente dita.
Correntes baixas significam que o processo de descarga dos capacitores de “snubber”
(t2-t1) se fará lentamente, afetando a forma de onda aplicada à carga, que não será mais uma
onda “quadrada”, mas terá uma das bordas muito suavizada. Obviamente o controle MLP fica
afetado.
Sintetizando, como vantagens deste circuito têm-se:
• Controle MLP;
• Redução nas perdas do circuito ressonante;
• Redução na potência reativa em circulação.
Com desvantagens cita-se:
• Necessidade de monitorar a tensão Ve e as correntes iL e Io;
• Distorção do controle MLP para baixas correntes de carga;
• O instante de entrada em condução dos transistores não é livre.
D1
S1 C1
E/2 DA2 DA1 ir io
Cr/2
Cr/2
Lr
SA2 SA1 Vp
E/2
S2 C2
D2
SA2
SA1
S2
S1
i r
E
Io
0 v
p
to t2 t3 t5 t6 t7 T
t1 t4
to-t1: D2, SA2, DA1 t1-t2: S2, SA2, DA1 t2-t3: Ressonância, DA1, SA2 t3-t4: D1, SA2, DA1 t4-t5: S1, SA2, DA1
t5-t6: S1 t6-t7: Ressonância, SA1, DA2 t7-T:D2
S1 D1 vC1 S 2 D2 C2
C1 + v La
L1 i1 La
i La Vf Vo
Sa
L2 Lb
S3 D3 C3 S4 D4 vC4
C4
Figura 8.10. Inversor MLP com circuito auxiliar para comutação suave
Vo v C1
0
Vo
v C4
Vo/2
i La
Ii
v La
-Vo/2
Sa
S1 e S4
S3
S2
to t1 t2 t3 t4 t5 t6 t7 t8 t9 T
até to: D1 e D4 t0-t1: D1, D4, Sa t1-t2: Sa, S1, S4 t2-t3: Ressonância: capacitores, Sa
t3-t4: Sa, D2, D3 t4-t6: S2, S3 t6-t7: C1, C3, S2 t7-t8: D1, S2 t8-t9: C2, C4, D1 t9-T: D1, D4
Figura 8.11. Formas de onda do retificador com circuito auxiliar para comutação suave.
L. Malesani, P. Tenti, P. Tomasin and V. Toigo: "High Efficiency Quasi Resonant DC Link
Converter for Full-Range PWM". Proc. of APEC '92, Boston, USA.
O estudo que se segue se aplica aos inversores de corrente (aqueles que tem como
entrada uma fonte de corrente CC) e aos retificadores com saída em corrente. Os circuitos
para a realização de comutação suave empregados em ambas aplicações são, na maioria das
vezes, os mesmos. Eventualmente um mesmo circuito pode permitir a realização de
comutação suave em ambas as pontes (retificador/inversor) quando conectadas num arranjo
CA/CC/CA.
Tipicamente os inversores de corrente são aplicados no acionamento de grandes
máquinas de corrente alternada, especialmente as de construção mais antiga, cuja isolação não
suporta os elevados dv/dt produzidos por inversores de tensão. Devido à alta potência, em
geral se faz uso de GTOs.
Como características desejáveis para estes circuitos de comutação suave pode-se citar:
• Mínimo número de componentes adicionais, especialmente os ativos;
• Comutação suave de todos os interruptores;
• Independência da corrente de saída e da tensão de entrada;
• Funcionamento em MLP;
• Mínima sobre-tensão em relação a um conversor MLP convencional.
Carga RL
Lb ( )
io
que sua comutação, além de mais rápida, pode ser auxiliada por uma adequada corrente de
gate.
A figura 9.2. mostra a forma da corrente sintetizada sobre a carga. O método de
controle é o de Modulação por Densidade de Pulsos - MDP.
A presença do indutor Lb permite um ajuste no nível contínuo presente na corrente
iLink, uma vez que a corrente média pelo ramo LC é nula.
io
A operação em MLP pode ser obtida, não mais utilizando um link ressonante, mas
com um circuito auxiliar que garanta condições de comutação suave para os interruptores.
A figura 9.3. mostra um retificador com saída em corrente empregando um circuito
para comutação dos GTOs sob corrente nula. Um circuito análogo, apenas com a inversão na
polaridade do circuito auxiliar pode ser usado para inversores.
Lr
S1 S2 S3
Sa2
D1
Vr - + Vo Io
Cr
Sa1 D2
S4 S5 S6
(1+K)Vp Vc
0
S1 e S6
Saux
(1+K)Vp
Vo
Vi
0
-(1+K)Vp
Figura 9.4. Formas de onda da tensão no capacitor, dos sinais de comando e da tensão de saída
saída, em t5. Neste instante a corrente pelos diodos D1 e D2 é nula e eles desligam. A tensão
de saída volta a assumir o valor da tensão presente na entrada do retificador.
Saux
S1 e S6
(1+K)Vp
Vi Vo
0
-(1+K)Vp
Io I L
to t1 t2 t3 t4 t5
Lr
Zo = (9.1)
Cr
(1+ K) ⋅ Vp − Vi
> Io (9.2)
Zo
K ⋅ Vp
> Io (9.3)
Zo
O valor do capacitor deve garantir um dv/dt menor do que o máximo estabelecido para
os interruptores:
Io max
Cr > (9.4)
( )
dv
dt MAX
(1 + K) ⋅ Vp + Vp
Lr > (9.5)
( )
di
dt MAX
Uma outra condição que deve ser atendida é que os interruptores da ponte devem ser
desligados quando toda a corrente de saída estiver fluindo pelo capacitor (ou seja, após t1)
mas antes que a tensão vC caia abaixo de Vi, o que levaria novamente a haver corrente pela
ponte. Seja Toff o tempo necessário para o efetivo desligamento das chaves da ponte:
Io max ⋅ Toff
Cr ≥ (9.6)
K ⋅ Vp
Para assegurar um desligamento sob tensão nula para as chaves auxiliares, deve-se
assegurar que Cr tenha se descarregado totalmente durante o intervalo entre t1 e t2. Assim,
define-se um mínimo tempo que estes interruptores devem permanecer em condução, que é
aproximadamente igual ao intervalo (t2-t1). Para correntes de saída pequenas este intervalo
pode tornar-se excessivamente longo:
Cr ⋅ (1 + K ) ⋅ Vp
( t 2 − t1) min = (9.7)
Io min
S1 S2 S3 D1
u1
D2
i1 Sr
u2 i2 u Id
+ d
v Cr Lr
C
u3 i3
iL
S4 S5 S6
Figura 9.6. Topologia do conversor operando como retificador com saída em corrente
sendo necessário que antes de sua efetiva entrada em condução o respectivo capacitor se
descarregue.
Consideremos o intervalo τ indicado na figura 9.7., no qual a tensão ui1 é positiva e a
maior em módulo.
u i1
0V
u i2 u i3
τ
A figura 9.8. mostra a forma da tensão de saída, ud, durante este intervalo. O ciclo de
trabalho, nesta simulação, foi feito constante por facilidade. Note-se a existência de corrente
pelas 3 fases em cada período de chaveamento. O pico negativo presente na tensão de saída
tem amplitude pouco superior à máxima tensão entre fases, bem como a sobre-tensão positiva.
A figura 9.9. mostra os sinais de comando para os interruptores e um detalhe da
tensão de saída durante um período de chaveamento.
Resonant
commutation
u d
u i1-u i2
u i1 -u i3
T
τ
i1
0
i2 0
i3 0
S5
S6
S4
ud
0
S1 S5 S1 S6 S1 S4
Figura 9.9. Sinais de comando dos interruptores e tensão de saída durante período de
chaveamento.
iL
Id
0
u
C
u (S1)
0
-u i u (S5)
T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7
C1 C2 C3
D1
S1 S2 S3
D2
Sr
+
Id Id
uC
S4 S5 S6 -
C4 C5 C6
(a) (b)
Figura 9.11. Configuração do circuito nos intervalos (T0-T1) e (T1-T2)
Id Id
IL IL
(a) (b)
Figura 9.12. Configuração do circuito nos intervalos (T2-T4) e (T4-T5)
Id Id
(a) (b)
Figura 9.13. Configuração do circuito nos intervalos (T5-T6) e (T6-T7)
v* ≥ U (9.8)
Esta última condição é determinada em função do atraso previsto para o acionamento dos
GTOs devido ao processamento do sinal de comando.
O valor do pico de tensão na saída é dado por:
u dp = v *2 + ( Z o ⋅ I d ) 2 (9.10)
• Impedância ressonante:
Lr
Zo = (9.11)
Ce
• Capacitância equivalente:
Ce = C r + 32 Cs (9.12)
• Freqüência de ressonância:
1
ωo = (9.13)
Lr .Ce
U
Zo = γ M2 − 1 (9.16)
I d max
1
π − 2 ⋅ arcsin
γm
ωo = (9.17)
∆t d
ud
u s1
iL
uC
Lf id
S1 S2 S3
iL carga
e1
+
Lr i1
Cr v e2
C
ud Sr i2
e3
D2
i3
S4 S5 S6
D1
Figura 9.16. Inversor de corrente com circuito auxiliar para comutação ZVS
T
S5
S1
S3
S2
ud S1 S5 S3 S5 S2 S5
0
u"
u' d
d
Figura 9.17. Formas de onda dos sinais de comando e da tensão de entrada do inversor, numa
situação de fluxo de potência da carga para o retificador.
D. Ciscato, L. Malesani, L. Rossetto, P. Tenti, G.L. Basile, M. Pasti and F. Voelker: "PWM
Rectifier with Low DC Voltage Ripple for Magnet Supply". IEEE Trans. On Industry
Applications, vol. 28, no. 2, March/April 1992, pp. 414-420
9.5
Neste capítulo serão estudados dois tipos de conversores que, a partir de uma tensão
de entrada alternada, produzem na saída uma tensão também alternada mas de características
distintas, seja em valor eficaz, seja em freqüência, ou em ambas.
Quando se altera apenas o valor da tensão CA, temos os chamados Variadores de
Tensão, enquanto os cicloconversores permitem produzir saída com freqüência distinta
daquela presente na entrada.
Vi.sin(wt) Vi.sin(wt)
carga carga
Quando a carga é do tipo resistiva, tanto o início da condução quanto seu final podem
ocorrer em situações em que tensão e corrente são nulas (início e final de cada semiciclo da rede)
tem-se, então, o chamado controle por ciclos inteiros. Sua vantagem é o de praticamente eliminar
problemas de Interferência Eletromagnética (IEM) devido a baixos valores de di/dt e dv/dt
produzidos por este tipo de modulação.
Escolhe-se uma base de tempo contendo muitos ciclos da tensão de alimentação. Dentro
do período escolhido, a duração do fornecimento de potência à carga varia desde um número
máximo inteiro de semiciclos até zero. A precisão do ajuste depende, assim, da base de tempo
utilizada. Por exemplo, numa base de 1 segundo existem 120 semiciclos. O ajuste da tensão
aplicada à carga pode ter uma resolução mínima de 1/120.
Um método de se conseguir o controle é usar um gerador de sinal triangular, de
freqüência fixa que é comparado com um sinal CC de controle. O sinal dente de serra estabelece
a base de tempo do sistema. O sinal de controle CC vem do circuito de controle da temperatura.
A potência entregue à carga varia proporcionalmente a este sinal. A figura 10.2 ilustra este
funcionamento. Durante “n” ciclos a carga permanece conectada à alimentação, enquanto fica
“m” desconectada.
T
n m Vrampa
Vc
2π
n
∫ Vi2 [sin (ωt )] d(ωt )
2
Voef = (10.1)
2 π( n + m ) 0
Vi n
= = Vef δ (10.2)
2 n+m
onde Vi é o valor de pico da tensão de entrada (senoidal); Vef é o respectivo valor eficaz e δ é a
relação entre o número de ciclos de alimentação da carga dividido pelo número total de ciclos
controláveis, podendo ser interpretada como a razão cíclica do controlador.
Em termos do impacto deste tipo de controle sobre a qualidade da energia elétrica,
embora não se tenha problema de IEM, tem-se a produção de variação de tensão no
alimentador em virtude da carga estar ou não conectada. Isto pode, potencialmente, violar
normas que versam sobre este assunto (IEC 1000-3-3).
S1
i(t)
Ro
vi(t) S2 vo
Corrente na carga
π
1 1 α sin( 2α )
Vo ef = ∫ ( Vi ⋅ sin(θ)) 2 ⋅ dθ = Vi ⋅ − + (10.3)
πα 2 2π 4π
A figura 10.4 mostra a variação da tensão eficaz de saída como função do ângulo de
disparo, supondo condução simétrica de ambas chaves.
O fator de potência é dado pela relação entre a potência ativa e a potência aparente.
Como a carga é resistiva, a potência ativa é aquela dissipada em R, dependendo, assim, do
valor eficaz da tensão de saída.
Como a corrente da fonte é a mesma da carga, o fator de potência é simplesmente a
relação entre a tensão eficaz de saída e a tensão eficaz de entrada, ou seja, apresenta
exatamente o mesmo comportamento mostrado na figura 10.4.
0.5
0 α 1 2 π [rad]
Figura 10.4 - Tensão de saída (sobre uma carga resistiva), normalizada em relação ao valor
eficaz da tensão de entrada.
π − α sin( 2α ) [ cos( 2α ) − 1]
2 2
Vh1 = Vi ⋅ + + (10.4)
π 2π (2π ) 2
Harmônica 1
0.8
0.6
0.4
Harmônica 3
0.2 Harmônica 5
Harmônica 7
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
α
Figura 10.5 - Amplitude das harmônicas (normalizada em relação à amplitude da tensão de
entrada), para carga resistiva.
Vi
i(t ) = ⋅ [ cos(α ) − cos(ωt )] (10.6)
ωL
π − α sin( 2α )
Vo ef = Vi ⋅ + (10.7)
π 2π
S1
i(t)
L
vi(t) S2 v
o
Figura 10.7 - Circuito e formas de onda de variador de tensão CA com carga indutiva.
Figura 10.8 – Formas de onda para ângulo de disparo menor que 90o (pulso estreito).
2 Vi sin(2α )
Vh1 = ⋅ π − α + (10.8)
π 2
0.5
0 1
π/2 2 3 [rad]
α
Figura 10.9 – Tensão de saída (valor eficaz), normalizada, para carga indutiva.
1a
0.5
a
3
a
5
a
7
0
π/2 2 α 2.5 3 π
Figura 10.10 - Amplitude (normalizada) das harmônicas da tensão sobre uma carga indutiva.
10.2.3 Carga RL
Quando a carga alimentada possui característica resistivo-indutiva existe também uma
limitação em termos do mínimo ângulo de condução, o qual depende da impedância da carga,
Z. A figura 10.11 mostra circuito e formas de onda típicas.
Considerando uma situação de condução descontínua (na qual a corrente por cada um
dos tiristores vai a zero dentro de um semiciclo), temos que em t1 o tiristor S1, que está
diretamente polarizado, é acionado. A corrente cresce e, mesmo com a inversão da polaridade
da tensão de entrada, o SCR continua conduzindo, até que sua corrente caia abaixo do valor
de manutenção (em t2). O outro tiristor, S2, recebe o pulso de comando em t3, iniciando o
semiciclo negativo da corrente, a qual se extinguirá em t4.
R 2 + (ωL)
2
Z= (10.10)
ωL
φ = tg −1 (10.11)
R
S1
i(t)
L
vi(t) S2 v
o
R
200V
vi(t)
-200V
40A
i(t)
γ
-40A
200V
vL(t)
α
β
-200V
t1 t2 t3 t4
Figura 10.11 - Variador de tensão ca monofásico e carga RL.
ωt − α
−
Vi
io ( t ) = ⋅ sin(ωt − φ ) − sin(α − φ ) ⋅ e tg (φ ) (10.12)
Z
Z é o valor obtido da eq. (10.10) para a freqüência da rede.
A corrente se anula para um ângulo de extinção, β, obtido pela solução numérica de:
β−α
−
sin(β − φ ) = sin(α − φ ) ⋅ e tg (φ ) (10.13)
Vi 1 sin( 2α ) sin( 2β )
Vo ef = ⋅ ⋅ β − α + − (10.14)
2 π 2 2
Carga Carga
N N
(a) (b)
Carga
Carga
(d)
(c)
Figura 10.12 - Topologias de variadores de tensão trifásicos:
(a) Com carga em Y; (b) Com controlador em Y;
(c) Com variador e carga em ∆; (d) Com variador em ∆.
20A
-20A
20A
-20A
20A
-20A
5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms
-20A
20A
-20A
20A
-20A
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms
Para tensões de linha com amplitude Vi, as tensões eficazes em cada fase da carga,
para cada intervalo são:
Para 0 ≤ α ≤ 60o :
1/ 2 (10.15)
1 π α sin( 2α )
Vo ef = 3 ⋅ Vi ⋅ ⋅ − +
π 6 4 8
1/ 2
Vi 1 sin( 2α )
Vo ef = ⋅ ⋅π − α + (10.18)
2 π 2
A figura 10.15 mostra formas de onda típicas de uma corrente de fase e uma corrente
de linha resultante.
A corrente de fase possui, tipicamente, todos os harmônicos ímpares. No entanto,
como a carga está em ∆, as harmônicas múltiplas ímpares da terceira harmônica não aparecem
na corrente de linha. Desta forma, a corrente de linha será menor do que aquela obtida da
relação convencional de um circuito trifásico, ou seja, Ia < 3 ⋅ Iab . A mesma figura mostra o
espectro das correntes, evidenciando a não existência das harmônicas citadas.
40A
-40A
60A
-60A
5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms
40A
0A
50A
0A
0Hz 0.5KHz 1.0KHz 1.5KHz 2.0KHz 2.5KHz 3.0KHz
Figura 10.15 - Formas de onda de corrente de fase (superior) e corrente de linha (inferior)
para conexão em ∆. Espectro das correntes de fase (superior) e de linha.
Corrente de fase
Figura 10.16 - Corrente de fase para carga indutiva e disparo entre 90 e 120 graus.
Quando o ângulo de disparo está na faixa entre 120 e 150 graus existem apenas
intervalos em que conduzem 2 fases. A corrente se apresenta em pulsos simétricos que se
iniciam no ângulo α e se anula no instante β, simétrico em relação ao ângulo de 150o. A
figura 10.17 mostra as formas de onda da tensão e da corrente de fase. O segundo pulso
observado se deve ao fato de que a operação correta do circuito exige um pulso longo de gate
(com duração de 120 graus), possibilitando um caminho de retorno para a corrente de uma das
outras fases.
Para ângulos de disparo maiores que 150o não ocorre condução.
10.3.3 Carga RL
De maneira análoga ao que foi descrito para o caso monofásico, a análise de cargas RL
faz uso de métodos numéricos, devido à impossibilidade de obtenção de soluções analíticas. A
figura 10.18 mostra formas de onda típicas, nas quais, para um dado ângulo de disparo tem-se
condução de 2 ou de 3 fases, com o ângulo de anulamento da corrente sendo função do ângulo
de disparo e do fator de potência da carga.
10A
-10A
10A
-10A
10A
-10A
5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms
Figura 10.18 - Correntes de linha (conexão Y) em carga RL.
40Ω 40Ω
C=100uF L=100mH
0V
V1 Vm VL
Figura 10.20 – Tensões ao longo da linha, sem compensação.
I(L1)
I(L2)
-10A
V1 Vm VL
Figura 10.21 – Formas de onda de tensão e de corrente com atuação do CCT e manobra de
carga.
I(L1)
I(L2)
I(RCT))
-10A
200V
-200V
20ms 50ms 100ms 150ms 200ms 250ms 300ms
V1 Vm VL
Figura 10.22 – Formas de onda com CCT (fixo), desligamento de 50% da carga e atuação do
RCT.
4.0A
I(L2)
I(L1) I(RCT)
-4.0A
200V
-200V
250ms 260ms 270ms 280ms 290ms 300ms
10A
i(RCT)
I(L1)
I(L2)
I(filtro)
SEL>>
-10A
200V
-200V
220ms 240ms 260ms 280ms 300ms 315ms
-
+ +
Io
Vr
Vo
Vr
+
-
Figura 10.25 Cicloconversor com entrada trifásica e saída monofásica.
Figura 10.26 Formas de onda sobre a carga (resistiva) em cicloconversor com entrada e saída
monofásicas.
No caso de cargas trifásicas, pode-se fazer uso de três conversores como o mostrado
na figura 10.25. A forma de onda da tensão de linha, supondo uma carga com característica
indutiva, apresenta-se como mostra a figura 10.29. Dado o fato da entrada ser trifásica, a
ondulação da tensão entre fases apresenta-se com uma freqüência 6 vezes maior que a da rede
CA, de modo que se espera uma ondulação na corrente significativamente menor do que
aquela mostrada na figura 10.28. Pode-se ainda utilizar um arranjo como o mostrado na figura
10.30, no qual utilizam-se apenas 18 SCRs, no entanto, a pulsação da tensão na carga ocorre
numa freqüência de apenas 3 vezes maior que a freqüência da rede.
Figura 10.29 Forma de onda de saída (1 fase) em cicloconversor com entrada trifásica.
Rede CA
Sra
Ssa D1 S1 S2 D2
a
Sta
G
r Srb
Ssb
s b
t Stb
Src
Ssc c
Stc
comutação podem fazer com que duas situações igualmente críticas surjam: se Sa abrir antes
que Sb entre em condução, surgirá um pico de tensão, devido à não existência de um caminho
para a corrente da carga. Por outro lado, se Sb conduzir antes que Sa tenha bloqueado, tem-se
um curto-circuito aplicado na fonte, levando a um surto de corrente. Ambas situações são
potencialmente destrutivas para os componentes.
O esforço atual dos pesquisadores que atuam nesta área é o de implementar técnicas de
comutação que garantam a operação segura deste conversor.
Sa i i
a o
+
R
+ Sb
v
i v
L o
i
b
Figura 10.32 Conversor em matriz, com entrada e saída monofásicas.
P. C. Sem: “Principles of Electric Machines and Power Electronics”. John Wiley & Sons, 2nd
Ed., 1997
M. Venturini: “A new sine wave in, sine wave out, conversion technique eliminates reactive
elements”. Proc. of Powercon 7, 1980.
J-H Youm e B-H Kwon: “Switching technique for current controlled AC-to-AC converters”.
IEEE Trans. on Industrial Electronics, vol. 46, no. 2, April 1999.
11.1 Introdução
O cálculo das potências deve ser feito, via de regra, pelo produto dos sinais de tensão e
corrente sobre o componente em questão.
Consideremos para fins de exemplo as formas de onda indicadas na figura 11.1. Os
valores da potência média em cada sub-intervalo são calculados na seqüência.
Potência
p=v.i
v
V1 I1
i Vo Io
0
t0 t5
t1 t2 t3 t4
T
Figura 11.1 Exemplo de sinais de tensão, corrente e potência para cálculo de potência média
dissipada.
a) Intervalo (t1-t0)
i( t ) = Io (11.1)
v ( t ) = V1 (11.2)
t1
1
T t∫0
P1 = ⋅ Io ⋅ V1 ⋅ dt (11.3)
Io ⋅ V1 ⋅ (t1 − t 0 )
P1 = (11.4)
T
b) Intervalo (t2-t1)
( I1 − Io) ⋅ ( t − t1)
i( t ) = Io + (11.5)
( t 2 − t1)
I1
i( t ) = ⋅t (11.6)
tq
onde tq = t2-t1.
v ( t ) = V1
1 V1 ⋅ ( I1 − Io) ⋅ ( t 2 2 − t12 )
P2 = V1 ⋅ Io ⋅ ( t 2 − t1) − V1 ⋅ ( I1 − Io ) ⋅ t1 + (11.7)
T 2 ⋅ ( t 2 − t1)
V1 ⋅ I1 ⋅ tq
P2 = (11.8)
2⋅T
i (t) = I1
( t − t 2)
v ( t ) = V1 + ( Vo − V1) ⋅ (11.9)
( t 3 − t 2)
t
v ( t ) = V1 ⋅ 1 − (11.10)
td
onde td = (t3 - t2)
1 I1 ⋅ ( Vo − V1) ⋅ ( t 32 − t 2 2 )
P3 = I1 ⋅ V1 ⋅ ( t 3 − t 2 ) − I1 ⋅ ( Vo − V1) ⋅ t 2 + (11.11)
T 2 ⋅ ( t 3 − t 2)
Simplificadamente tem-se:
I1 ⋅ V1 ⋅ td
P3 = (11.12)
2⋅T
i (t) = I1
v (t) = Vo
( t 4 − t 3)
P4 = I1 ⋅ Vo ⋅ (11.13)
T
( t − t 4)
i( t ) = I1 + ( Io − I1) ⋅ (11.14)
( t5 − t 4)
( t − t 4)
v ( t ) = Vo + ( V1 − Vo) ⋅ (11.15)
( t 5 − t 4)
1 ( t5 2 − t 4 2 )
P5 = I1 ⋅ Vo ⋅ tj − [I1 ⋅ V1 + Io ⋅ Vo − 2 ⋅ Vo ⋅ I1] ⋅ t 4 − +
T 2 ⋅ tj
( Io − I1) ⋅ ( V1 − Vo) ( t5 3 − t 4 3 ) 2 2 2
⋅ − t 4 ⋅ ( t 5 − t 4 ) + t 4 ( t 5 − t 4 ) (11.16)
tj2 3
onde tj= t5 - t4
Simplificadamente:
t
i( t ) = I1 ⋅ 1 − (11.17)
tj
t
v ( t ) = V1 ⋅ (11.18)
tj
tj
P5 = V1 ⋅ I1 ⋅ (11.19)
6⋅T
P = P1 + P2 + P3 + P4 + P5 (11.20)
Pp1 = V1 ⋅ I1 , em t = t2 (11.21)
V1 I1 ( t 4 + t 5)
Pp2 = ∗ , em t = (11.22)
2 2 2
É claro que as linearizações das curvas de corrente e tensão por si só constituem uma
simplificação e, portanto, implicam em erros. O uso de “bom senso”, atuando de maneira
moderadamente conservativa é fundamental para um cálculo seguro.
Alguns osciloscópios digitais possuem a função produto e até mesmo a sua integral,
facilitando o cálculo (o valor integrado deve ser dividido pelo período de chaveamento). Este
é o método mais indicado especialmente em regime chaveado. Para sinais contínuos, a
potência é, obviamente, o produto dos valores de tensão e corrente. Na ausência dos
equipamentos e/ou recursos citados, deve-se obter os sinais de tensão e corrente e aproximá-
los, em partes, por funções de fácil integração.
11.2.1 Diodos
Usualmente a tensão de condução dos diodos de potência é da ordem de 1 V, valor este
que aumenta quanto maior for a tensão do componente, devendo-se verificar o valor dos
manuais. O efeito da resistência de condução pode ser, em geral, desconsiderado. A
dissipação no estado bloqueado pode ser desprezada em função de seu pequeno valor em
comparação com as perdas em condução.
A figura 11.2 indica uma situação de aplicação típica de diodos, qual seja, uma ponte
retificadora trifásica, operando, assim, em baixa freqüência de comutação. O fator dominante
é aquele relativo às perdas em condução. Para um cálculo analítico aproximado da potência
média, pode-se considerar a tensão de condução constante (Vd) e utilizar-se o valor médio da
corrente. Como a freqüência de comutação é baixa, as perdas relativas a este termo podem ser
desprezadas.
A corrente média pode ser estimada, conhecida a potência consumida pela carga,
lembrando-se que por cada diodo circula 1/3 da corrente total. Assim, para uma entrada de
200V (valor eficaz), tem-se uma tensão retificada de cerca de 300V. Supondo uma carga de
150 Ω, a corrente média pelo diodo será de 0,66A. Para uma queda de tensão de 2 V, tem-se
uma potência média de 1,32W.
Já para a determinação da potência de pico, como se deve conhecer o valor de pico da
corrente, uma estimativa analítica é mais difícil, uma vez que a forma da corrente depende da
impedância da linha trifásica e ainda de eventuais indutâncias parasitas das conexões, que
podem alterar o valor do pico da corrente.
Alguns catálogos de diodos fornecem gráficos indicando a potência ou energia
dissipada pelo componente em função da forma de onda da corrente.
20W
potência
C Carga
-0W
400V 20A
tensão
corrente
-10V -1A
0s 4ms 8ms 12ms 16ms 20ms
Figura 11.2. Tensão, potência e corrente em um diodo de uma ponte retificadora trifásica com
filtro capacitivo.
Pr = Q rrn ⋅ Vr ⋅ f (11.25)
trr
t3
t1 dir/dt
dif/dt
Qrr
i=Vr/R
iD
Vfp Von t4 t5
vD
Vrp
-Vr t2
11.2.2 Tiristores
Em geral os tiristores são empregados em circuitos conectados à rede. Em função do
tipo de carga alimentada sua corrente pode assumir diferentes formas. O cálculo da potência
média pode ser feito analogamente ao que foi indicado para os diodos, pois esta é uma
situação de pior caso (ângulo de condução de 180o). A queda de tensão em condução é em
torno de 1,4 V, devendo-se verificar nos manuais o valor correto.
11.2.3 Transistores
a) Em regime contínuo
Se o transistor (bipolar ou MOSFET) estiver operando em sua região ativa, a potência
por ele dissipada é simplesmente o produto da corrente pela tensão. Caso os valores não sejam
constantes, a potência média dissipada pode ser calculada pelo produto da corrente e tensão
com valores RMS.
b) Em regime chaveado
Formas de ondas típicas de tensão e corrente pelo componente estão indicadas na
figura 11.4. Os valores médio e de pico podem ser calculados (estimados) de acordo com o
que foi indicado anteriormente, para formas de onda genéricas. Note que, em relação às
formas de onda da figura 11.1, tem-se um agravante que é a corrente de recombinação reversa
do diodo, que se soma à corrente do transistor, aumentando significativamente o pico de
potência dissipada na entrada em condução do transistor.
200V 100A
tensão
corrente
L
0V 0A T
10KW
D C
Potência
0W
20.0us 30.0us 40.0us 50.0us 60.0us 66.5us
Figura 11.4. Formas de onda típicas de potência em um transistor utilizado em fonte chaveada
com carga indutiva.
Como regra geral, deve-se buscar o chaveamento mais rápido possível embora isto
possa trazer problemas de interferências e surgimento de picos de tensão e/ou corrente devido
aos elevados di/dt e dv/dt e aos componentes indutivos e capacitivos (parasitas ou não) do
circuito. Medidas para redução destes tempos ou técnicas de chaveamento sem perdas podem
ser encontradas fartamente na bibliografia.
Os transistores MOSFET produzem menores perdas de chaveamento pois seus tempos
de subida e queda da corrente de dreno são menores que os obtidos para a corrente de coletor
dos transistores bipolares, sendo indicados para aplicações em freqüências elevadas. No
entanto possuem maiores perdas de condução que os transistores bipolares equivalentes. Suas
perdas em condução podem ser preliminarmente aproximadas pelo produto da resistência
entre dreno e fonte (RDS) pelo quadrado da corrente, ponderando-se pelo ciclo de trabalho. No
entanto, como RDS se altera (cresce) com a elevação da temperatura é necessário, em projetos
mais acurados, considerar tal efeito. Para IGBTs, como para os bipolares, faz-se o cálculo
utilizando a tensão Vce e a corrente de coletor.
∆T 1
Rt = = (11.26)
P (h ⋅ A )
∆T: diferença de temperatura entre regiões de transferência de calor
P: potência média dissipada
h: coeficiente de transferência de calor
A: área envolvida na transferência de calor
Em geral se faz uma analogia com um circuito elétrico, mostrado na figura 11.5, sendo
a potência média representada por uma fonte de corrente. As temperaturas nos ambientes
indicados (junção, cápsula, ambiente) são análogas às tensões nos respectivos nós, enquanto
as resistências térmicas são as próprias resistências do modelo.
R R
tjc tca
Tj Tc Ta
R tcd R tda
P
Td
Figura 11.5. Equivalente elétrico para circuito térmico em regime permanente (incluindo
dissipador).
e ambiente (Rtca) são dados do componente, existindo nos manuais. Eventualmente se omite
o valor da resistência entre cápsula e ambiente caso seu valor seja elevado e seguramente seja
utilizado algum dissipador de baixa resistência térmica.
A equação típica do modelo é:
Exemplo 1:
P = 20 W
Rtjc = 2oC/W
Rtca = 10oC/W
Ta = 40oC
Tjmax = 120oC
Tc = Ta + P . Rtca = 240oC
Tj = Tc + P . Rtjc = 280oC
Rteq =
(Rtca ⋅ Rtda ) (11.29)
(Rtca + Rtda )
Rteq = 2oC/W
Rtda = 2,5oC/W
3,3 Cf
Rtda = ⋅ C f + 650 ⋅ (11.30)
4 λW A
o o
λ: condutância térmica (a 77 C) [W/( C.cm)]
W: espessura do dissipador [mm]
A: área do dissipador [cm2]
Cf: fator de correção devido à posição e tipo de superfície
O fator Cf varia com a posição do dissipador, sendo preferível uma montagem vertical
à horizontal por criar um efeito “chaminé”. Dissipadores pretos são melhores irradiadores de
calor que aqueles com superfície brilhante.
0.6
0.4
0.2
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14
v (m/s)
Figura 11.6 Variação relativa de Rtda com ventilação forçada.
Zt/Rt 1
δ=0.5
δ=0.1
0.1
δ=0.05
0.01 5
1 10 0 0.001 0.01 0.1 1
pulso único tp
Figura 11.8. Curvas típicas de impedância térmica para picos de potência.
Pd(t)
Pp
A1
τ t
Pj(t) A1=A2
tp Pulso normalizado
Pp
A2
T t
τ
1
tp = ⋅ ∫ Pd ( t ) dt (11.31)
Pp 0
tp
δ= (11.32)
T
Exemplo 2:
Rtjc = 2o C/W
Rtca = 5o C/W
Rtcd = 2o C/W
Rtda = 3o C/W
Ztjc = 0,05o C/W
Tjmax = 150o C
Ta = 40o C
P = 20W
Pp = 1000W
Tc = 90 oC
Exemplo 3:
Rtjc = 1oC/W
Rtca = 35oC/W
Rtcd = 0,7oC/W (isolador e pasta)
Ztjc = 0,01oC/W
P = 20W
Pp = 5 kW
Tjmax = 150oC
Ta = 40oC
Rtdamax = 2,58oC/W
Rtda = 2oC/W
Tc = Ta + Rteq . P = 90oC
Tjp = Tc + Ztjc . Pp = 140 oC >120o C
P.L. Hower“ Power Semiconductors Devices: An Overview”, Proc. IEEE, vol. 76, no 4, April
1988
R.D.King er alli: “Comparison of Power Darlinton, IGBT and MCT Switch Losses in ASD
PWM Inverters”, PCIM, August 1990
D.S.Steinberg: “Cooling Techniques for Electronic Equipment”, John Wiley & Sons, Inc.,
1980.