MINITOCHAS INDUTIVAS PARA TRATAMENTO

SUPERFICIAL
Edson Ozono1, Maurício Izoldi2, Maria L. P. Silva3, Francisco C. Saraiva4, Leonid F. Ruchko5, Ricardo M. O. Galvão6
1
Prof. Dr. do Departamento de Ensino Geral da FATEC-SP
2
Prof. do Colégio Albert Sabin
3
Profa. Dra. do curso MPCE da FATEC-SP e pesquisadora da Escola Politécnica da USP
4
FIEO – Fundação Instituto de Ensino para Osasco
5,6
Instituto de Física da USP
1
ozono@fatecsp.br; mauricio.isoldi@terra.com.br; 3 malu@lsi.usp.br
2

Resumo PVD - Physical Vapor Deposition [2,3,4], obtida a

Embora a maioria dos equipamentos para
processamento de superfícies a plasma esteja voltado
para grandes reatores, o uso de minitochas indutivas por
radio-freqüência (RF) a pressão atmosférica apresenta
várias vantagens devido ao pequeno porte, baixo custo
de instalação e baixa potência requerida, podendo trazer
benefícios para a tecnologia de produção em fluxo
contínuo, roll-to-roll em Microeletrônica. Apesar dos 40
anos de desenvolvimento em tecnologia de plasma,
ainda existem condições de plasma que não foram
totalmente exploradas, como a aplicação de minitochas
para desinfecção de regiões muito pequenas. Sua
aplicação tem como vantagens facilidade para
modificação superficial, pois a reação é ativada por
impacto eletrônico e não por fusão dos reagentes, o que
permite atuar em espessuras muito finas, da ordem de
milímetros, devido à pequena transferência de calor.
Essa forma de aplicação permite processar amostras a
pressão atmosférica e sem uso de sistemas de
refrigeração. O resultado dessa flexibilidade do
equipamento permite obter menores custos de
processamento, além levar em consideração questões
sobre a redução de impacto ambiental. Este trabalho
propôs o desenvolvimento de minitochas de plasma e
descreve os resultados preliminares de sua
caracterização. O sistema mostrou-se promissor para
uso em modificação superficial.
1. Introdução
A partir de 1963 iniciaram as técnicas para
processamento de materiais a plasma, que suplantaram
em grande parte as técnicas convencionais de
recobrimento e modificação superficial para
desenvolvimento e produção de circuitos integrados e
diversos outros dispositivos da Microeletrônica [1].
Com essa técnica obtém-se vantagens como alto grau de
reprodutibilidade, um bom controle dos parâmetros do
processo e a possibilidade de utilizar temperaturas de
deposição mais baixas. Esses processos resultaram em
recobrimentos com aderência superior e com tempos de
processo significativamente menores, como também a
possibilidade de deposição de materiais inorgânicos, por
exemplo metais ou compostos cerâmicos, e materiais
orgânicos.
Em 1966 Mattox adaptou o uso de plasma no
processo ion plating para evaporação, com a técnica
partir da evaporação das espécies que se condensam
sobre o substrato formando o recobrimento. Em 1970
deu lugar à nova técnica assistida por plasma, Plasma
Assisted Physical Vapor Deposition – PAPVD, onde um
plasma frio [5] de argônio desencadeia um processo
conhecido como Sputtering [6,7], entre o evaporador e o
substrato, num processo de evaporação e deposição que
apresenta um bom controle de crescimento. Assim são
obtidos resultados com melhor formação estrutural e
com menores tensões internas, portanto aumentando a
aderência e consequentemente a dureza. O método ainda
permite recobrimento de substratos com geometrias
complexas. Em 1970 foram feitas modificações no
processo PAPVD, adaptando-o para que as espécies da
evaporação do plasma possam reagir quimicamente com
algum reagente injetado no corpo do plasma,
constituindo um processo químico chamado de Plasma
Assisted Chemical Vapor Deposition - PACVD reativo
[2,8,9]. O aquecimento do substrato tem contribuído
para que o processo reativo tenha resultados favoráveis
[10].
O processo PACVD é utilizado também para
endurecimento superficial, por nitretação ou
carbonização iônica [11], como resultado da difusão do
nitrogênio atômico da superfície do substrato devido a
uma mescla gasosa reativa de N2 e NH3, sob efeito do
sputtering. A implantação iônica é uma outra variante
de deposição por processo PACVD para criar uma
interfase de difusão e recobrimento com cerâmica
metálica de estrutura multi-camada com propriedades de
maior aderência [12,13], como de TiN, ou alta dureza
como TiC, TiCN, Diamond Like Carbon - DLC ou
Nitreto de Boro Cúbico - CBN [14,15,16,17] ou ainda
quimicamente inerte, como Al2O3.
O processo de plasma Etching, comum na
microeletrônica, é um processo PACVD adaptado para
ataques químicos [13]. Para corrosão de silício, são
normalmente utilizados reagentes fluorados para
removê-lo seletivamente.
O plasma térmico gerado por processos de Thermal
Plasma Chemical Vapor Deposition – TPCVD [18] por
tocha indutiva favorece uma deposição de grãos
ultrafinos, muitas vezes abaixo de nanômetros, com
uma elevada taxa de deposição de espécies reativas.
Pelo processo de TPCVD é possível ainda a síntese do
pó [19], em que as partículas sólidas são arrastadas, por
meio de um nebulizador, para o plasma para sua
completa sublimação e deposição sobre o substrato. O

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processo de esferoidização e densificação por processo
TPCVD de finas partículas, como W e Mo, tem sido
utilizado para produzir materiais cerâmicos abrasivos de
porosidade controlada. Atualmente plasmas térmicos
gerado por tochas DC (corrente contínua) de arco
transferido têm criado espaço para sustentabilidade
ambiental pela destruição de lixos hospitalares [20].
Uma das vantagens obtidas a partir deste processo é a
exigência de instalações menores e de custo reduzido.
Sob uma atmosfera controlada, um reator de uma tocha
DC pode ser adaptado para processos de fusão de metais
e ligas com alta produção e a níveis de ruído baixos
[21], ou ainda para purificação por refusão de materiais,
como silício de grau metalúrgico [22]. O processo de
produção de cerâmicas sinterizadas oferece
oportunidade de controlar o crescimento de grãos com
desejadas propriedades de materiais cerâmicos, como a
alumina e MgO. Neste aspecto, tochas DC de plasma,
para pressões atmosféricas e subatmosféricas, têm sido
utilizadas para obter densidade ou tensões internas
elevadas.
Assim o objetivo deste trabalho foi o
desenvolvimento e teste de uma tocha de plasma
indutiva miniaturizada com as características acima
descritas. Essa construção é um trabalho conjunto
Instituto de Física e Fatec-SP, devendo, ao final do
processo, permitir à FATEC um amplo acesso à
tecnologia de plasma à pressão atmosférica, tanto pelo
uso da máquina como pela formação de pessoal
entre as partículas, elevando o grau de ionização e a
radiação.
Os elétrons adquirem energia cinética do campo
elétrico E e a transferem parcialmente, via colisão
inelástica, para os íons e partículas neutras. O plasma
térmico é gerado com fator E/p baixo, usualmente na
faixa de potencial de 10−3 V/cm [23, 24, 25]. Devido a
essa característica, a temperatura dos elétrons é próxima
da dos íons, efeito que é conhecido como Local
Thermodynamic Equilibrium - LTE.
A geração de plasma de forma indutiva é mais
importante do que a forma capacitiva, porque a indutiva
opera com uma corrente de deslocamento numa
freqüência mais alta, portanto apresentando menor
contribuição da radiação no continuo e maior produção
de íons moleculares. As tochas indutivas trabalham nas
faixas usuais de LF-Low Frequency e VHF-Very High
Frequency, com freqüências que vão desde 13,56 MHz
a 40,68 MHz.
Considerando o plasma da tocha não magnetizado e
com condutividade σ finita, uma onda eletromagnética
nele se propagando na direção z, ao longo da coluna,
será amortecida de acordo com a relação de dispersão
(1) [26].
k = α + iβ , (1)
onde
1/ 2
σµ oω  ωε ωε 
2

altamente especializado. α=  1 +  o  + o  (2)

2 
  σ  σ 

2. Procedimento experimental e
1/ 2
σµ oω   ωε o  ωε 
2
Este desenvolvimento divide-se nas seguintes β=  1+   − o . (3)
etapas: 1) projeto da minitocha; 2) verificação, por 2   σ  σ 
 
simulação, de partes e peças do projeto da minitocha;
Nestas condições k é o número de onda na direção z
3) construção do conjunto minitocha e acessórios;
e ω a freqüência angular da onda. Para as condições de
4) testes do conjunto.
operação das tochas de plasma, temos que a relação
As condições de contorno adotadas para o projeto
consideraram: 1) a necessidade de desenvolver um ωε o
<<1, (4)
conjunto - tocha e indução de plasma - de pequeno σ
volume e móvel; 2) a necessidade de obtenção de
plasma em temperatura ambiente, 3) área da tocha, o
que define a área de atuação do plasma na superfície sob é satisfeita, de forma que a constante de atenuação β
tratamento, de 20 mm ou menos. pode ser escrita como β=1/δ, onde δ é a profundidade
Os testes, tanto das partes e peças quanto do pelicular 950.
conjunto, exigem um laboratório de caracterização de 2 c ν
plasmas, e, portanto, foram processados no Instituto de δ≈ = (5)
Física da USP. σωµ o ω pe πf
onde ωpe é a freqüência de plasma, ν a freqüência de
2.1 Fenomenologia envolvida colisão e f a freqüência da onda [26].
O amortecimento pelicular na borda do plasma
Para o desenvolvimento do conjunto, de acordo com forma um perfil toroidal, com linhas de campo
as condições de contorno previamente estabelecidas, magnético de dimensões da coluna de plasma entre
uma série de parâmetros precisam ser considerados. Os 4mm a 40mm de diâmetro, para a faixa de freqüência
plasmas térmicos caracterizam-se por alcançarem altas considerada, podendo ser ajustada para um perfil não
temperaturas associadas com saturação de densidade de circular, apropriado para aplicações específicas. A
energia. Em pressões atmosféricas, o livre caminho potência é depositada na borda do plasma deixando-o
médio menor dos elétrons produz um número de mais frio na parte central.
colisões suficientemente grande para distribuir a energia A descarga indutiva pode ser operada em baixa
freqüência de f <<3 MHz, em alta freqüência entre 3

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MHz e 30MHz, ou ainda em ultra-alta freqüência, acima
de 30 MHz.
O parâmetro de acoplamento entre a potência reativa
da fonte e a potência de descarga do plasma é função do
raio da coluna do plasma a e têm seu valor máximo
quando o fator
2a
k= (6)
δ Figura 2 – Minitocha indutiva confecção com PVC e
estiver entre 2 e 4 [26], o que deixa a profundidade de
aço inox.
atenuação δ entre 1/3 a 2/3 do raio da coluna de plasma
a. A absorção da energia pela borda do plasma torna o O plasma é formado por um fluxo de argônio, de 1
perfil da coluna de plasma não uniforme. litro/min à pressão de 0,01 torr, mantida entre o tubo
A freqüência de ressonância da bobina indutiva
intermediário e o tubo interno. Pelo tubo externo é
depende da espécie do gás utilizado como também do
injetado um segundo fluxo de gás argônio com vazão de
diâmetro d do tubo de quartzo, dado em cm. O melhor 10 a 12 litros/min, a uma velocidade de 10 a 200 m/s
acoplamento é obtido para numa direção tangencial, para formação do vórtice de
10 9 ρ Reed e obtenção de maior estabilidade e intensidade do
f = (7) plasma. O grau de ionização do gás é essencialmente
5 d2 dependente da potência da fonte. A fonte de potência
dada em MHz, onde ρ é a resistividade do gás ionizado, para a minitocha indutiva está entre 3 a 4 KW para um
em Ω.cm. fluxo de argônio como o acima descrito.
Para muitas aplicações, a razão entre a freqüência de
colisão e a freqüência aplicada é aproximadamente igual 3.2. Oscilador de Rádio Freqüência
a unidade, tal que a profundidade de atenuação é da
ordem do comprimento de onda de freqüência de A fonte de potência RF utilizada para os testes da
plasma. Para a densidade eletrônica entre 1015 a 1017 minitocha foi construída com o objetivo de explorar os
m−3, a profundidade de atenuação fica entre 30cm e regimes de freqüências para operação da voltagem de
3cm, respectivamente. saída RF, da potência acoplada, indutância da tocha. O
oscilador é do tipo colpitts, composto de uma válvula de
3. Resultados e Discussão triodo EINAC 30CX15000H3, como mostra a Figura 3,
para operar até 20KW de potência e voltagem de placa
Este item descreve a construção da tocha e de 4,3 KV, ajustada para oscilar numa freqüência de
componentes elétricos do gerador de plasma, bem como 13,56 MHz.
sua caracterização preliminar e do conjunto.

3.1. Construção da Minitocha Indutiva

A tocha indutiva consiste de uma bobina indutiva de
cobre de 2 a 3 espiras ao redor do tubo de quartzo. A
bobina tem 30mm de diâmetro nominal, com tubulação
de 5mm e refrigerada a água, conforme Figura 1. O
plasma é formado na parte frontal num espaço de 18mm
por 30mm de comprimento dentro de um tubo de
quartzo. A tocha é dividida em duas partes para
possibilitar a montagem com três tubos, tal que o tubo
externo é montado numa ponta isolante e rosqueado
num corpo de aço inox, que centraliza um tubo Figura 3 – Válvula EINAC 30CX15000H3 para operar
intermediário. O tubo central será reservado para a com 20 kW de potência.
entrada do aerossol, produzido por um nebulizador. A
Figura 2 mostra foto da minitocha desenvolvida. O casador de impedância é composto de um
circuito-tanque, tipo free-running, montado com um
sistema capacitor-indutor que permite a auto ajuste de
operação quando ocorrem instabilidades na impedância
do plasma. Conforme indica a Figura 4, o circuito
tanque do oscilador é composto por quatro capacitores
cerâmicos de 1000 pF e um indutor de 20µH. A sintonia
é ajustada para que a energia refletida seja o mínimo
Figura 1 – Minitocha indutiva montada com bobina de 2 possível.
a 3 espiras concêntricas com os três tubos de quartzo.

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 transformador de 15kVA, conforme a Figura 8. O
melhor desempenho obtido foi para uma tensão de
alimentação de 120 Volts da fonte retificadora numa
voltagem de 3570 Volts rms e 140 Volts de ripple na
saída. No casador de impedância foi medida uma tensão
de 790 Volts rms e voltagem de 590 Volts pico a pico.
Na saída da tocha tem-se um desempenho de 180 Volts
rms e voltagem de 540 Volts pico a pico. A Figura 9
mostra-se foto de uma descarga de plasma térmico
correspondente aos parâmetros acima descritos.

Figura 4 – Esquema elétrico mostrando o circuito

retificador e fonte.

A tensão de placa é obtida de uma ponte retificadora

trifásica de 22kVA, Figura 5, e uma fonte de 800W que
alimenta o filamento da válvula com tensão de 6,3 V e
corrente 174 A. A linha de alimentação principal é
apresentada na Figura 6, com a ponte retificadora, o
oscilador e com cabo que alimentação da minitocha
indutiva. Na Figura 7 vê-se a montagem geral da linha
de alimentação, por rádio freqüência, da minitocha
indutiva a plasma.

Figura 7 – Montagem geral do oscilador RF com a fonte

de alimentação trifásica

Figura 5 – Fonte Retificadora Trifásica de 22kVA

Figura 8 – Tensões em vários pontos do oscilador em

função da tensão de saída do transformador.
Figura 6 – Linha de alimentação da minitocha indutiva

3.3. Oscilador de Rádio Freqüência

Testes preliminares mostraram que o oscilador RF
opera com uma freqüência de ressonância ajustada
próxima de 13,70 MHz. Alguns ajustes como a conexão
do terra da grade válvula com o casador de impedância
e a redução do cabo da placa da válvula foram cruciais
para se ajustar a freqüência de ressonância. Isto é, uma
redução das dimensões de cabos e bobinas do casador
de impedância traz melhoras significativas para o ajuste
da freqüência.
Efetuaram-se várias medidas de voltagens de saídas
na fonte retificadora, no casador de impedância e na
tocha indutiva, para várias tensões de saída do auto- Figura 9 – Descarga na minitocha indutiva para
frequência de 13,7 MHz e 3570 V na fonte retificadora.

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4. Conclusões
Foi possível a obtenção de uma minitocha indutiva
que apresentou um resultado satisfatório com o
oscilador RF que teve desempenho esperado com uma
freqüência de ressonâncias ajustada próxima de 13,70
MHz. Na saída da tocha obteve-se um desempenho de
180 Volts rms e voltagem de 540 Volts pico a pico, o
que permite a modificação superficial usando-se uma
ampla gama de reagentes.
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Agradecimentos
Este trabalho foi apoiado pela Fundação de Amparo
à Pesquisa do Estado de São Paulo e Conselho Nacional
de Desenvolvimento Científico e Tecnológico.
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