Universidade Federal de Santa Catarina

Centro de Blumenau – Departamento de Engenharias

Engenharia de Materiais
BLU 2702 – Engenharia de Superfície
Considerações Gerais Tratamentos de Superfície
Professor Wanderson Santana da Silva

1 – Introdução
2 – Introdução ao Plasma
3 – Técnicas de Deposição Química de Vapor (CVD)
2 – Técnicas de Deposição Física de Vapor (PVD)

Baseado em Materiais Didáticos de Motta, F (UFRN) , Maribondo, R.N. (UFRN); Alves Jr,,
C. (UFRN), D`Oliveira, A. S. C (UFPR), ITA (FAB)
 Deposição Física Sputering

Implantação Iônica
CVD
 Deposição por Imersão a Quente
Deposição Eletrolítica

Pintura

Técnicas de Aspersão
Variação da dureza de alguns materiais de ferramentas de corte com a temperatura.
REVESTIMENTO PARA FERRAMENTAS DE CORTE
REVESTIMENTO PARA FERRAMENTAS DE CORTE

Tendência
Revestimento Multicamada
 REVESTIMENTO PARA FERRAMENTAS DE CORTE

- O revestimento pode ser feito em várias camadas de materiais diferentes, sendo que
cada material possui uma função diferente.
- Um exemplo típico é o revestimento triplo com a primeira camada de TiC, seguida por
uma camada de Al2O3 e por último uma camada de TiN.
- A Figura acima ilustra uma ferramenta revestida com três camadas de materiais
diferentes. Estes revestimentos são finos, geralmente da ordem de poucos micrometros.
Comparação dos
materiais para
ferramentas de
corte

Evolução
da v c
 REVESTIMENTO PARA FERRAMENTAS DE CORTE

A deposição de revestimentos em ferramentas de corte tem como principal

objetivo o aumento da vida das ferramentas. Outros efeitos positivos, tais como o
aumento da velocidade de corte (o que resulta em uma maior produtividade),
redução de forças de corte (menor potência consumida) e redução da tendência à
adesão, também podem ser obtidos.
De forma geral, a utilização de revestimentos conferem certas
características às ferramentas de corte como:
• Resistência ao calor e ao desgaste;
• Diminuição do choque térmico no substrato;
• Usinagem com velocidades e avanços mais altos;
• Possibilidade de corte a seco ou com mínima quantidade de fluido de corte;
• Melhor acabamento superficial da peça;
• Redução do atrito;
• Redução e até mesmo ausência da aresta postiça de corte;
• Redução do desgaste de cratera e de flanco.
A baixa condutividade térmica dos revestimentos funciona como uma barreira
entre o material da peça e o substrato da ferramenta. Devido a esta barreira, a
carga térmica no substrato, o atrito, a adesão, a difusão e a oxidação podem ser
reduzidos e a resistência à abrasão aumentada.

As ferramentas podem ser revestidas basicamente por dois processos:

•Processo de deposição química a vapor - CVD (Chemical Vapour

Deposition): a deposição dos revestimentos ocorre por meio de reações químicas
em uma faixa de temperatura entre 900 e 1100C;
•Processo de deposição física a vapor - PVD (Physical Vapour Deposition): a
deposição ocorre por meio de vapores gerados no interior de um forno a baixa
pressão, em temperaturas em torno de 500 C.

O processo PVD traz benefícios como a possibilidade de revestir

substratos de aço-rápido (devido à temperatura relativamente mais
baixa), obtenção de revestimentos com granulometria mais fina
(possibilidade de revestir cantos vivos).
 Tendência
Revestimento
Multicamada
O revestimento pode ser feito em várias camadas de materiais diferentes, sendo que cada
material possui uma função diferente. Um exemplo típico é o revestimento triplo com a
primeira camada de TiC, seguida por uma camada de Al2O3 e por último uma camada de
TiN. A Figura acima ilustra uma ferramenta revestida com três camadas de materiais
diferentes. Estes revestimentos são finos, geralmente da ordem de poucos micrometros.
 O que é um plasma?
• Plasma é basicamente um gás ionizado
• Uma parte dos átomos do gás está
dissociada em íons positivos e elétrons livres
• Efeitos coletivos aparecem da interação
entre elétrons e íons
Plasmas são caracterizados:
• Pela densidade n do gás (em número de
partículas por metro cúbico)
• Pela temperatura T do gás (em Kelvin) Maçarico de plasma
• Tanto n como T podem abranger um
grande intervalo
Uma chama é um plasma
 PLASMA

10/10/2022 22
 USOS - CORTE A PLASMA (Plasma Térmico)
a) Devido a concentração de calor, não produz distorção na chapa
b) Ausência de rebarba.
c) Previsão de corte com menor gap. (largura de corte).
d) Limpeza da região de corte.
e) Velocidade até ipm, até 10 vezes maior que o corte oxi-acetileno.
f) Não muda a permeabilidade magnética.
g) Não é necessário preparo da chapa para a soldagem.
Usos - Metalurgia: Forno Elétrico a Plasma DC
Usos - Plasma Térmico: Tratamento de Resíduos
 Usos – Plasma Frio: Funcionalização de Superfícies de Polímeros
A Funcionalização ocorre quando se tem a interação química do plasma
(zona Corona) com a superfície do material, produzindo novas espécies:
ions, radicais.

(b) · Example: H abstraction by O atom

(a)
(c) enables affixing O atoms as a peroxy site.
· Increase surface energy  increase
wettability.
 Process treats the top few layers.
Wettability on PE film with 3 zones of treatment.

http://www.polymer-surface.com
26
 Usos – Plasma Frio: Funcionalização de Superfícies de Polímeros

· Pulsed atmospheric filamentary discharges (coronas) routinely treat

commodity polymers like poly-propylene (PP) and polyethylene (PE).

· Filamentary Plasma 10s – 200 mm

http://www.polymer-surface.com
Estrutura do Plasma

Os Elétrons são Acelerados

na direção do anodo
Usos – Plasma Frio: Nitretação a Plasma
Usos – Plasma Frio: Nitretação a Plasma
Usos – Plasma Frio: Nitretação a Plasma
 CVD

1 – reagentes específicos e gases diluentes são introduzidos em fluxo

controlado no reator;
2 – os gases são transportados até a superfície do substrato;
3 – os reagentes são adsorvidos na superfície;
4 – os átomos adsorvidos reagem formando filme ;
5 – os subprodutos da reação são dessorvidos e removidos da câmara
 CVD - Características

 Filmes Uniformes e com boa aderência;

 Filmes com baixa porosidade em substratos com geometria complexa;
 Bom controle da taxa de deposição;
Utilização de reagentes tóxicos, inflamáveis, explosivos ou corrosivos.
 Amplamente utilizado na produção de circuitos eletrônicos
 Deposição de filmes finos isolantes (dielétricos), condutores e semicondutores.

CVD - Filmes
• silício policristalino (Si-poli)
• óxido de silício (SiO2)
• nitreto de silício (Si3N4, SiN)
• metais (Al, W, Ti, etc.)
• silicetos (WSi2, TiSi2, MoSi2, TaSi2)
10/10/2022 37
 Filme de Siliceto de W

WF6 + 2 SiH4 → WSi2 + 6HF + H2

Filme de Alumínio

2 AlCl3 + 3H2 → 2Al + 6HCl

Filme de W

WF6 + 3H2 → W + 6HF

WCl6 + 3H2 → W + 6HCl

10/10/2022 38
 CVD - Etapas
 Introdução na câmara de gases reagentes e
diluentes a dada composição e fluxo;
 Transporte de espécies reativas até o
substrato;
 Adsorção dos reagentes na superfície do
substrato.
 Reações químicas na superfície do substrato
- entre espécies adsorvidas/ entre as
espécies adsorvidas e os reagentes na fase
vapor.
 Difusão das espécies pela superfície do
substrato até aos locais de nucleação
(formação das ilhas).
 Nucleação (na fase inicial da deposição) e
crescimento das ilhas e formação do filme.
 Desadsorção dos produtos de reação da
superfície do substrato.
 Transporte dos produtos de reação até à
corrente de vapor, para serem arrastados
para fora do reator.
 CVD - Cinética

• F1 = fluxo de difusão de espécies

reagentes para o substrato
• Fluxo de transferência de massa

F1 = hG(CG – CS)
hG – Coef. de Transferência de Massa (cm/s)

Concentração de Espécies reagentes no gás e na

F2 = kSCS superfície (moleculas/cm³)

• F2 = fluxo de reagentes Ks – Taxa de Reação na

superfície (cm/s)
consumidos pela superfície
• Fluxo de reação de superfície
 Modelo Simplificado – CVD/Cinética

Fluxo de espécies reagentes que atravessam a camada limite é

igual ao fluxo de reagentes consumido pela superfície de
crescimento. O fluxo de sub-produtos desadsorvidos é
desprezado no modelo.

F = F1 = F2

Temperatura R = R0 exp( -Ea )/KT

Taxa de Reação
Livre caminho médio das
Pressão Moléculas do gás no interior da
câmara
 Reatores - CVD

10/10/2022 43
 Reatores – CVD
Pressão Atmosférica

APCVD
Reatores Horizontais

Parede Quente

Contínuo com
Injeção de gás
Reator Vertical
 Reatores – CVD
Pressão Atmosférica

http://encyclopedia.che.engin.umich.edu/
Pages/Reactors/CVDReactors/
CVDReactors.html

10/10/2022 46
 Produtos CVD
APCVD

http://encyclopedia.che.engin.umich.edu/
Pages/Reactors/CVDReactors/
CVDReactors.html
10/10/2022 47
 Reator APCVD
Características

 Reator Simples;
 Elevada taxa de deposição;
 Reações em fase gasosa  causa particulados e filme
pouco denso;
 necessita de limpeza frequente;
 É usado para deposição de SiO2 (dopado e não dopado)
em baixa temperatura (  400 C)

10/10/2022 48
Reatores de Baixa Pressao LPCVD

 Alta capacidade de
Processamento (laminas)
 Elevada Temperatura
 LPCVD -
Características

 Menor quantidade de reação na fase gasosa;

 Pressão Reduzida(0.25 – 2.0 Torr)
 boa uniformidade;
 baixa taxa de deposição (10 – 50 nm/min.);
 não requer uniformidade de fluxo, mas sim de alta temperatura
 pode processar muitas lâminas por vez (até  200);
 usado para deposição de: Si-poli, Si3N4, SiO2, etc.
 Geometria Complexa - Degraus

Baixa Pressão – Melhor uniformidade

e manutenção da espessura do filme

Ferramentas revestidas http://encyclopedia.che.engin.umich.edu/

Pages/Reactors/CVDReactors/ 51
10/10/2022
diamante
Plasma CVD- PECVD
 PECVD
Características

 regime de taxa limitado por reação;

 taxa de deposição mais elevada que o LPCVD;
 temperatura mais baixa que nos processos APCVD e LPCVD
 boa adesão, devido à maior mobilidade superficial das
espécies adsorvidas;
 processo mais complexo, com mais parâmetros;
 pode depositar SiO2, Si3N4, oxinitretos, SiC, a-Si, etc.
 Deposição Física
(PVD – Physical Vapor Deposition)

 Método físico (Evaporação ou sputtering);

 Fonte (alvo) no estado Sólido
 Filmes de boa qualidade
 Baixa impureza
 Espessura da ordem de 2 a 6 µm
 PVD

Arco Elétrico
Sputtering
10/10/2022 56
 Processo PVD por pulverização Catódica ou ("sputtering")

“Sputtering" - Remoção mecânica de átomos por choque de Íons

10/10/2022 58
 Transporte de átomos
na fase Vapor

Substrato Sólido

Alvo
Sólido
Filme depositado
10/10/2022 59
 PVD

Fase sólida Fase vapor

Vácuo

Fonte de Calor (evaporação)

Plasma
Bombardeio (sputtering)
10/10/2022 60
 PVD

Fase Vapor Fase sólida (filme)

Taxa de
Evaporação

Qual a composição Química do filme?

Proteção Mecânica,
10/10/2022
quimica e térmica 61
 PVD - Aplicações

• Baixo Coeficiente de atrito

• Melhor desempenho de corte
• Resistência ao desgaste
• Maior vida útil
• Bom acabamento

 Reduzida Tensão Residual

Elevada resistência ao desgaste mecânico

Elevada dureza superficial sem perda de tenacidade

 PVD - Sistemas

10/10/2022
www.prestvacuo.com.br 63
 PVD – Técnicas de Evaporação

Evaporação Direta
Arco elétrico – Corrente aplicada no material do alvo

+
Alta
Corrente
-

Restrições:
Metais refratários não podem ser evaporados devido ao seu alto ponto de fusão
Evaporação do material do filamento pode contaminar o filme
Não controla a espessura do filme
Não controla a composição das ligas
 PVD – Técnicas de Evaporação

Evaporação Indireta
A corrente elétrica não é aplicada diretamente no alvo, mas em cadinho,
normalmente feito de Ta, Mo ou W, que contém o material a ser evaporado.
 PVD – Técnicas de Evaporação

Feixe de Elétrons (Electron Beam Deposition - EB-PVD )

Feixe de elétrons de alta energia (5 a 30 keV), proveniente do ânodo e

direcionado por um campo magnético, bombardeia o material a ser evaporado
mantido em um cadinho resfriado.

[Almeida, D. S.]
 Pressão de Vapor

Tendência ao escape
DGvapor = DGB – Equilíbrio

p = A.e (-DH/R.T)
P, T Fase Vapor
Ln p = a/T + blogT + cT +d

PB
Ponto Ebulição – T na qual p é igual a atmosférica

Material condensado B

Lei de Dalton das Pressões parciais

Pi = XiP Para uma mistura de gás ideal Xi – Fração molar de i
10/10/2022 68
P – Pressão total
 Pressão de Vapor em função da Temperatura
0
T[ C]
3500

3000 Ti
W Mo
2500

2000 Mn

1500
Ca
1000
Mg
500
Cd
Zn
-6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3
10 10 10 10 10 10 10 10 10 10
Pressão de Vapor [Torr]

10/10/2022 69
 Pressão Parcial de Vapor

Sistema fechado
Átomos de Cu na fase
vapor
Átomos de Ni na fase
vapor

Sistema Fechado
Ni Cu Cu + Ni (mistura)

p* (parte ger. pelo vapor) = ppNi + ppCu

Pressão de vapor do componente i na
mistura é sempre menor que a pressão
Sistema com Gás (H2) de vapor de i puro

P = pH2 + p* = pH2 + ppNi + ppCu

10/10/2022 70
 Taxa de Sublimação/Evaporação
A taxa de sublimação - Quantidade (em gramas) que o material sublima (sólido →
vapor) em uma determinada temperatura por segundo e por unidade de área
superficial. T ( C)0
W
Nb

Problemas Associados a Pressão de 3200

Mo

Vapor/Taxa de Sublimação
Rh
2800
 Contaminação de Fornos Pt

(tubos/blindagem/resistência 2400
Ti

 Contaminação do material 2000

Fe
Au,

que está sendo processado Cu

Be
1600 Al
Ag
 Perda de elementos
químicos no processamento 1200
Ca
Li
800 Mg
Zn

400

- - - - - - - - - - -
10 11 10 10 10 9 10 8 10 7 10 6 10 5 10 4 10 3 10 2 10 1
Taxa de sublimação / evaporação (g.cm-2 .s-1)
10/10/2022 71
 Pressão de Vapor – Curvatura de Superfícies

Pressão de Vapor – Potencial Químico

P1>P0 P0, 0
P2 < Po
r>0 r=
r<0
Sup. Plana

Condensação Preferencial

Evaporação Preferêncial

Ln(P/P0) = (2..Vmolar)/(r.R.T)

 = (R.T LnP – R.T.Ln P0

10/10/2022 72
 Taxa de evaporação (PVD)

R = 5,83x10-4(M/T)1/2. Pe [g/(cm2.s)]

Onde:
M = massa molecular do material evaporado
T = em graus Kelvin
Pe = pressão de vapor em Torr
As temperaturas necessárias para atingir tal pressão de vapor
variam entre 1200oC para o Al até 3230oC para o W.
 Processos de Evaporação (PVD)

 Não Reativo – Não ocorre reação química durante a evaporação e o

transporte na fase vapor
Ex. Deposição de um Filme fino de Al em vidro; filme de C em amostra
cerâmica para MEV.

 Reativo – Ocorre reação química

10/10/2022 74
 Adsorção na superficie

Núcleos (ilhas)

Difusão
Superficial

10/10/2022 75
 Crescimento do filme

Interação
Topografia, mofologia, amorfo, cristalino, Difusional
monocristalino, policristalino

10/10/2022 76
 Interações na
superfície do
substrato

Interações na superfície do substrato

[Peixoto, A. S. e Ramos, A. S.]

Adsorção
Quando uma molécula no estado vapor se aproxima de uma superfície começa
a
ser atraída pela interação com as moléculas desta superfície. Isto acontece tanto
com moléculas, quanto com gases inertes e é devido ao fato destas moléculas e
Considerações Gerais sobre DLC
 Exemplos

H. Sein, W. Ahmed, I.U. Hassan, N. Ali, J.J. Gracio, M.J. Jackson, Chemical vapour deposition of microdrill cutting edges for micro- and
nanotechnology applications, Journal of Materials Science 37 (2002) 5057-5063.
Considerações Gerais sobre DLC
 Considerações Gerais sobre DLC
Baixo Coeficiente de Atrito

1.0

Pin-on disc testing conditions:

0.8
Al2O3 ball with diameter of 6mm
friction coefficient

0.6 speed 15 cm/s

load 10 N
0.4

0.2

0.0
0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000
number of cycles