Implementação de ferramentas computacionais para modelamento estrutural

de dispositivos quânticos
Projeto de Pesquisa
Aluno: Yorí Galisteu Camillo da Silva
Orientador: Sérgio Luiz Morelhão
Laboratório de Cristalografia - Departamento de Física Aplicada - IFUSP

Resumo

O desenvolvimento de dispositivos quânticos com aplicações tecnológicas dependem de

ferramentas que permitam acessar a estrutura final dos dispositivos confeccionados. A
difração de raio X é uma ferramenta poderosa, mas pouco flexível face a complexidade
dos dispositivos atualmente pesquisados. Através de uma abordagem teórica inédita que
recentemente desenvolvemos, criamos meios de flexibilizar o modelamento estrutural e
estender a aplicação da difração de raio X para dispositivos mais complexos. Visamos
explorar a flexibilidade dessa abordagem para desenvolver uma plataforma de fácil
interface com o usuário, permitindo o refinamento de modelos estruturais a partir de
dados experimentais de difração de raio X. Isso vem atender uma demanda crescente por
análise estrutural de vários grupos de pesquisas em novos dispositivos quânticos.

1. Introdução

A confecção de dispositivos baseados no empilhamento de monocamadas atômicas é de

extrema importância em aplicações tecnológicas diversas: eletrônica, optoeletrônica, spintrônica,
sensores, armazenamento de dados (memória), baterias e conversores de energia, entre outras.
Otimização dos processos de confecção de novos dispositivos inevitavelmente precisam do suporte de
técnicas de análise estrutural, mesmo porque os inúmeros fenômenos físicos envolvidos nos
processos de confecção tornam muito difícil, senão impossível em alguns casos, o controle absoluto
da estrutura final do dispositivo desejado.
Em pesquisas de ponta com materiais tecnológios atuais, a necessidade de uma ferramenta
apropriada para o estudo desses sistemas ficou muita clara ao se estudar a epitaxia de filmes de
telureto de bismuto visando dispositivos que permitam explorar as propriedades de isolante
topológico desse material [1-7]. A inviabilidade de usar ferramentas computacionais conhecidas se
deve a uma combinação de fatores como ocorrência aleatória de bicamadas de bismuto e lacunas de
van der Waals ao longo da espessura dos filmes; assim como grandes distâncias atômicas
interplanares e domínios cristalinos com formas 3D. Resolvemos o problema fazendo uma adaptação
de uma série recursiva usada para fins didáticos na demonstração da difração de raios X em cristais
com espessura variando de uma monocamada atômica até dimensões macroscópicas [8].
O modelamento estrutural através da simulação da difração de raios X é agora viável para os
filmes de telureto de bismuto [2,3], ver exemplo na Fig. 1. Além do INPE (Instituto Nacional de
Pesquisas Espaciais) com o qual trabalhamos nessa pesquisa, outros grupos no Brasil como o
Laboratório Nacional de Nanotecnologia (LNNano) e o grupo de Epitaxia por Feixe Molecular (MBE) do
IFUSP, assim como o grupo de Física Experimental IV na University of Würzburg com o qual estamos
colaborando atualmente [9], têm encontrado dificuldades semelhantes na análise estrutural dos
Figura 1. Difração de raio X experimental (exp.) e simulada (fitting) abrangendo várias reflexões do filme (Ln, n =
6,15,...,30) de Bi2Te3(001) e do substratato (Sn, n=1,2,3) de BaF2(111). Q =(4p/l)sinq e l = 1.549038Å.
Inserções: modelamento estrutural em termos do número de camadas quintuplas (QLs) cobrinda a área
(weight) da amostra; e qualidade do ajuste (g.o.f) como função do número NL de camadas no modelo. Depois
de ref. [2].

dispositivos por falta de uma ferramenta apropriada. A dificuldade em adequar a mesma ferramenta
para outros sistemas está na falta de uma plataforma versátil para que os usuários possam entrar com
estruturas modelo contendo um número suficiente de parâmetros ajustáveis capazes de reproduzir
com exatidão os padrões de difração de raios X das estruturas reais.

2. Objetivos

O presente projeto visa desenvolver uma plataforma de rotinas computacionais para simulação
da difração de raios X nas mais variadas estruturas modelos criadas a partir do empilhamento de
qualquer sequência de monocamada atômicas, levando em conta diferentes interfaces, flutuações de
composição, distorções elásticas e discordâncias de rede. Também varão parte da plataforma,
bibliotecas com todas as informações estruturais necessárias à criação dos modelos como constantes
elásticas, parâmetros de rede, fatores de espelhamento atômicos, ...etc.

3. Metodologia

A ferramenta de simulação da difração de raios X por série recursiva tem como base os
coeficientes de reflexão e transmissão do campo de onda por cada monocamada (MC) atômica da
estrutura. A refletividade total da estrutura é obtida pelo cálculo dos coeficientes de reflexão e
transmissão para 2N MCs (com N=1,2,3... ) de forma recursiva reduzindo drasticamente o tempo de
computação e permitindo implementação de rotinas para refinamento das estruturas modelo. Se
r A e t A são os coeficientes de reflexão e transmissão de amplitude para uma onda plana de raios X
monocromático atingindo uma MC tipo A, os coeficientes para uma camada dupla formada por duas
MCs uma do tipo A e outra do tipo B serão [2]
 t 2A exp(2i ϕ) t A t B exp(i ϕ)
r AB =r A +r B e t AB= . (1)
1− r̄A r B exp(2i ϕ) 1− r̄A r B exp(2i ϕ)

ϕ=−Qd /2 é a variação de fase toda vez que a onda de raios X com comprimento de onda l cruza a
distância interplanar d entre as MCs e Q =(4p/l)sinq é o módulo do vetor de espalhamento para um
ângulo de incidência q. No caso de r A ,B e t A ,B já representarem aplicações recursivas da Eq. (1) em
muitas MCs de diferentes materiais, d passa a ser a espessura da interface entre esses materiais.

3.1. Sistemas lateralmente uniformes

Nos dispositivos tipo poços quânticos

(WQ - quantum well) e superredes de WQs onde
as estruturas são lateralmente uniformes, a
criação de modelos demanda bibliotecas para
cálculo dos coeficientes de reflexão e transmissão
por cada MC, incluindo a densidade atômica por
unidade de área das MCs e composição no caso
da MC ser constituída por mais de um elemento
químico. As distâncias d entre as monocamadas
serão tabelas a partir de valores de bulk, mas
ajustáveis de acordo com variações de
composição e tensões devido à discordância de
rede entre distintas MCs.
Como teste prático, aplicaremos a
plataforma para resolver o ordenamento
espontâneo em superredes quaternárias de
[InAs/GaSb]/GaSb [10-12]. A Fig. 2(a-e) mostra
esquema de possíveis sequências de
empilhamento das MCs na superrede.
Tentaremos encontrar qual dessas sequências
explica picos extras na Fig. 2(f), observados pelo
grupo do LNNano em amostras produzidas na
Universiy of New Mexico [12].

3.2. Sistemas sem uniformidade lateral

Nos dispositivos com nanoestruturas

tridimensionais como pontos quânticos (QD -
quantum dots) ou diferentes domínios
cristalográficos onde não há uniformidade lateral
da estruturas, a plataforma irá permitir criar
diversas estruturas representando cada uma das
possíveis regiões lateralmente distintas da
amostra e somar a refletividade de cada região
Figura 2. (a-e) Bicamadas e possíveis arranjos delas
em superredes quaternárias. (f) Picos extras (?)
observados nas superredes reais [12], com causa
provável no reordenamento espontâneo das
bicamadas.
 para comparação com os dados experimentais, isto
é

R ( p , Q)=∑ j w j R j ( p j , Q) (2)

onde R j ( p j ,Q) é a refletividade obtida da Eq. 1

para a estrutura em cada área da amostra, e
p={p j } o conjunto de todos os parâmetros
ajustáveis além dos pesos relativos w j das
contribuições de diferentes áreas. Essa solução para
dispositivos sem uniformidade lateral é uma
aproximação onde se despreza efeitos de
interferência dos campos difratados nas bordas das
diferentes áreas consideradas. O ajuste dos
Figura 3. Estrutura esquemática de dispositivo parâmetros e dos pesos w será realizado via
j
fotoelétrico baseado em QDs obtidos pelo método
de sub monocamadas atômicas (SMLQDs) [16]. algoritmo do tipo recozimento simulado (SA -
simulated annealing) ou genético [13].
Como teste prático, a plataforma será usada para modelar a estrutura de dispositivos ópticos
com QDs produzidos via deposição de sub monocamadas atômicas (SMLQDs, sub-monolayer quantum
dots) [14-16]. O cobrimento parcial da superfície pela sub monocamada gera áreas distintas na
estrutura para formação dos QDs, como ilustrados na Fig. 3. Dispositivos semelhantes estão sendo
pesquisados pelo grupo de MBE do IFUSP com o qual estamos colaborando no modelamento
estrutural dos dispositivos já disponíveis.

3.3. Filmes de MnBi2Te4

Continuando a colaboração com a University of Würzburg (Alemanha), estamos iniciando

pesquisa em filmes de MnBi2Te4 que é um isolante topológico magnético intrínseco com propriedades
que começam a ser estudadas [5,7]. A plataforma aqui aprimorada será utilizada no modelamento
estrutural dos filmes produzidos pelos colaboradores.

4. Plano de trabalho

O plano de trabalho proposto considera que o candidato estará cursando os dois últimos semestres da
graduação* no início previsto para este projeto (Agosto de 2020), histórico escolar muito bom, e perfil
para atual na área de Física com premiação na Olimpíada Brasileira de Astronomia (2012). A
plataforma será construída em linguagem de alto nível (Matlab ou Phyton), dando oportunidade do
aluno aprender muito sobre programação computacional em física aplicada em áreas de tecnológica
de dispositivos quânticos.
Na fase inicial, o aluno terá bastante suporte dos recursos que já desenvolvemos, como os
fundamentos teóricos, bibliografia, aplicações específicas, e exemplos de bibliotecas comumente
usadas em cristalografia de raio X. A partir daí ele escreverá as rotinas necessárias para integrar a
plataforma que possibilitará construção de modelos estruturais diversos. Até o final dos primeiros 6
meses, testes serão realizados no sistema conhecido dos filmes de telureto de bismuto.
* Semestres 1 e 2 de 2017 na Universidade Estadual Paulista "Júlio de Mesquita Filho",
 Em uma segunda etapa, a interface da plataforma com o usuário será otimizada para fácil
abordagem de quaisquer sistemas, desde que se encaixem aos especificados nos itens 3.1, 3.2 e 3.3.
Demostraremos aos grupos interessados como usar a plataforma em aplicações práticas que também
foram detalhadas nos itens supracitados. Essas demonstrações irão gerar resultados científicos
relevantes, permitindo ao aluno participar de publicações em revistas especializadas. Além disso,
pretendemos divulgar essa ferramenta por vários meios, tais como publicações online, simpósios,
palestras, e portais de divulgação científica como Research Gate.

5. Conclusão

O projeto de pesquisa proposto está perfeitamente alinhado com desenvolvimento tecnológico

e inovação. Além de ser diretamente aplicado ao desenvolvimento de novas tecnologias baseadas em
dispositivos quânticos, agrega uma solução inovadora inédita que viabiliza simulação da difração de
raios X em dispositivos complexos cobrindo todo o intervalo angular acessível (q de zero a noventa
graus).
Convém destacar ainda que a plataforma pode ser um produto comercial, a exemplo de vários
outros pacotes comerciais de programas computacionais atualmente existentes. Nosso diferencial
será a versatilidade para modelar estruturas com um nível de complexidade além do permitido por
outras abordagem teóricas do fenômeno de difração de raios X nessas estruturas.

Referências

[1] C. I. Fornari, P. H. O. Rappl, S. L. Morelhão, T. R. F. Peixoto, H. Bentmann, F. Reinert, E. Abramof.

Preservation of pristine Bi2Te3 thin film topological insulator surface after ex situ mechanical removal
of Te capping layer. APL Materials 4, 106107 (2016). doi: 10.1063/1.4964610

[2] S. L. Morelhão, C. I. Fornari, P. H. O. Rappl, E. Abramof. Nanoscale characterization of bismuth

telluride epitaxial layers by advanced X-ray analysis. J. Appl. Cryst. 50, 399-410 (2017). doi:
10.1107/S1600576717000760

[3] S. L. Morelhão, S. Kycia, C. I. Fornari, P. H. O. Rappl, E. Abramof. Hybrid reflections from multiple x-
ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films. Appl. Phys. Lett. 112, 101903
(2018). doi: 10.1063/1.5020375

[4] S. L. Morelhão, S. W. Kycia, S. Netzke, C. I. Fornari, P. H. O. Rappl, E. Abramof. Dynamics of Defects

in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators. J. Phys. Chem. C 123, 24818-
24825 (2019). doi: 10.1021/acs.jpcc.9b05377.

[5] M. M. Otrokov, I. P. Rusinov, M. Blanco-Rey, M. Hoffmann, A. Yu. Vyazovskaya, S. V. Eremeev, A.
Ernst, P. M. Echenique, A. Arnau, E. V. Chulkov. Unique Thickness-Dependent Properties of the van der
Waals Interlayer Antiferromagnet MnBi2Te4 Films. Phys. Rev. Lett. 122, 107202 (2019).

[6] C. I. Fornari, E. Abramof, P. H. O. Rappl, S. W. Kycia, S. L. Morelhão. Morphology Control in van der
Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators. MRS Advances 2020, 1–7 DOI:
10.1557/adv.2020.202.

[7] Y. Deng, Y. Yu, M. Z. Shi, Z. Guo, Z. Xu, J. Wang, X. H. Chen, Y. Zhang. Quantum anomalous Hall
effect in intrinsic magnetic topological insulator MnBi2Te4. Science 367, 895-900 (2020).

[8] S. L. Morelhão. Computer Simulation Tools for X-ray Analysis: Scattering and Diffraction Methods.
Berlin, Heidelberg: Springer International Publishing (2016). ISBN: 978-3-319-19553-7.

[9] C. I. Fornari, H. Bentmann, S. L. Morelhão, T. F. R. Peixoto, P. H. O. Rappl, A. V. Tcakaev, V.

Zabolotnyy, M. Kamp, C.-H. Min, P. Kagerer, R. C. Vidal, A. Isaeva, M. Ruck, V. Hinkov, F. Reinert, E.
Abramof. Incorporation of europium in Bi2Te3 topological insulator epitaxial films. ACS Nano
(submission ID nn-2020-02994r)

[10] I. G. Batyrev, A. G. Norman, S. B. Zhang, and S.-H. Wei. Growth Model for Atomic Ordering: The
Case for Quadruple-Period Ordering in GaAsSb Alloys. Phys. Rev. Lett. 90, 026102 (2003). doi:
10.1103/PhysRevLett.90.026102

[11] Y. Ashuach, Y. Kauffmann, D. Isheim, Y. Amouyal, D. N. Seidman, and E. Zolotoyabko. Atomic

intermixing in short-period InAs/GaSb superlattices. Appl. Phys. Lett. 100, 241604 (2012). doi:
10.1063/1.4729058

[12] M. Zamiri, F. Anwar, B. A. Klein, A. Rasoulof, N. M. Dawson, T. Schuler-Sandy, C. F. Deneke, S. O.

Ferreira, F. Cavallo, and S. Krishna. Antimonide-based membranes synthesis integration and strain
engineering. PNAS 114, E1-E8 (2017). doi: 10.1073/pnas.1615645114

[13] S. L. Morelhão, G. E. S. Brito, E. Abramof. Nanostructure of Sol–Gel Films by X-Ray Specular

Reflectivity. Appl. Phys. Lett. 80, 407-409 (2002). doi: 10.1063/1.1436271

[14] Z. Xu, D. Birkedal, and J. M. Hvam. Structure and optical anisotropy of vertically correlated
submonolayer InAs/GaAs quantum dots. Appl. Phys. Lett. 82, 3859 (2003). doi: 10.1063/1.1581005

[15] H. Ghadi, S. Sengupta, S. Shetty, A. Manohar, A. Balgarkashi, S. Chakrabarti, N. B. Pendyala, S. L.

Prajapati, A. Kumar. Comparison of Three Design Architectures for Quantum Dot Infrared
Photodetectors: InGaAs-Capped Dots, Dots-in-a-Well, and Submonolayer Quantum Dots. IEEE
Transactions on Nanotechnology 14, 603-607 (2015). doi: 10.1109/TNANO.2015.2432044.

[16] I. S. Han, J. S. Kim, J. O. Kim, S. K. Noh, S. J. Lee. Fabrication and characterization of InAs/InGaAs
sub-monolayer quantum dot solar cell with dot-in-a-well structure. Current Appl. Phys. 16, 587-592
(2016). doi: 10.1016/j.cap.2016.02.009