UNIVERSIDADE FEDERAL DO SUL E SUDESTE DO PARÁ

CAMPUS DE MARABÁ/UNIDADE II
INSTITUTO DE GEOCIÊNCIAS E ENGENHARIAS

ELETRÔNICA ANALÓGICA I

Professora: Thamyris da Silva Evangelista

e-mail: thamyris.evangelista@unifesspa.edu.br

Marabá – PA
2022
 Diodos

• Objetivos da aula:
➢ Entender a operação física dos diodos;
➢ Explicar o funcionamento do diodo ideal;
➢ Compreender as características elétricas dos diodos de junção;

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OPERAÇÃO FÍSICA
DOS DIODOS

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1. Operação física dos diodos

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1. Operação física dos diodos

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1. Operação física dos diodos

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1. Operação física dos diodos

Vídeo 1

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1. Operação física dos diodos

Vídeo 2

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 1. Operação física dos diodos
1.1. Conceitos básicos de semicondutores

Figura 1 – Materiais condutores. Figura 2 – Materiais isolantes. 9/39

 1. Operação física dos diodos
1.1. Conceitos básicos de semicondutores
Tabela 1 - Resistividade de alguns materiais comuns.

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 1. Operação física dos diodos
1.1. Conceitos básicos de semicondutores

Figura 3 – Átomo de germânio.

Figura 4 – Átomo de Silício.
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 1. Operação física dos diodos
1.1. Conceitos básicos de semicondutores

Figura 5 – Argila, granito e areia.

Figura 6 – Representação bidimensional de
um cristal de silício. 12/39
 1. Operação física dos diodos
1.1. Conceitos básicos de semicondutores
• As propriedades elétricas dos materiais semicondutores podem ser modificadas
pela adição de impurezas, esse processo é conhecido por DOPAGEM

• Tais impurezas são átomos trivalentes ou pentavalentes, os quais alteram o

equilíbrio de cargas dos semicondutores, aumentando a condutividade dos mesmos;

A adição de átomos trivalentes ou pentavalentes em cristais semicondutores

intrínsecos tetravalentes, resulta em um cristal com excessos ou lacunas de elétrons.

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 1. Operação física dos diodos
1.1. Conceitos básicos de semicondutores

Figura 7 – Átomos trivalentes. Figura 8 – Átomos pentavalentes.

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 1. Operação física dos diodos
1.1. Conceitos básicos de semicondutores

e− de valência Ligação covalente e− de valência Ligação covalente

e− livre Átomo
Átomo trivalente
pentavalente
Átomos de Lacuna
silício

Figura 9 – Cristal de silício dopado com Figura 10 – Cristal de silício dopado com
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impureza pentavalente impureza trivalente.
 1. Operação física dos diodos
1.1. Conceitos básicos de semicondutores

Contato metálico Contato metálico

Ânodo Cátodo

Figura 11 – Estrutura física simplificada do diodo de junção.

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 1. Operação física dos semicondutores
1.2. A junção PN na condição de circuito aberto

Cargas fixas

Região de depleção
Figura 12 – Junção PN sem tensão aplicada.
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 1. Operação física dos semicondutores
1.3. A junção PN

Figura 13 – Junção PN sem tensão aplicada. Figura 14 – Junção PN polarizada reversamente.

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 1. Operação física dos semicondutores
1.3. A junção PN

Figura 15 – Junção PN polarizada diretamente. 19/39

 1. Operação física dos semicondutores
1.3. A junção PN

Vídeo 3

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2
DIODO IDEAL

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2. Diodo ideal
Figura 16 – Válvula de Fleming.
O Efeito Edison permaneceu esquecido
por algum tempo até que mais tarde o
físico inglês John A. Fleming descobriu
que este fenômeno podia ser usado na
detecção de ondas Hertzianas.
O dispositivo de Fleming consistia em
envolver o filamento de uma lâmpada
elétrica por uma placa cilíndrica; a este
conjunto denominou de válvula, uma
vez que podia controlar o fluxo da
Figura 17 – John Ambrose corrente semelhante a um registro
Fleming. num circuito hidráulico.
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 2. Diodo ideal

Figura 20 – Símbolo do diodo.

Figura 18 – Diodos. Figura 21 – Circuito equivalente,

polarização direta.

Figura 23 – Característica i-v.

Figura 22 – Circuito equivalente,

Figura 19 – LEDs. polarização reversa 23/39
 2. Diodo ideal

Exemplo 1

Figura 24 – Circuito com diodo Figura 25 – Circuito com diodo

diretamente polarizado. reversamente polarizado.

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 2. Diodo ideal
Exemplo 2
Calcule a tensão e a corrente na carga na Figura 26.

Figura 26 – Circuito para Exemplo 2.

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 2. Diodo ideal
Exemplo 2
Calcule a tensão e a corrente na carga na Figura 26.

𝑅1 𝑅2
𝑅𝑇ℎ =
𝑅1 + 𝑅2

𝑅2
𝑉𝑇ℎ = 𝑉1
𝑅1 + 𝑅2
Figura 26 – Circuito para Exemplo 2.
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CARACTERÍSTICAS
ELÉTRICAS DO DIODO
DE JUNÇÃO
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 3. Características elétricas
A curva consiste em três regiões distintas:

• 1. A região de polarização direta: v>0.

• 2. A região de polarização reversa: v<0.
Direta
• 3. A região de ruptura: v <-𝑉𝑍𝐾

Ruptura Reversa

Figura 28 – Característica i-v de um diodo de

junção fabricado em silício.
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 3. Características elétricas
3.1. Região de polarização direta
(1)

Uma constante para dado diodo a determinada temperatura. Para diodos projetados para
𝐼𝑆 aplicações de baixa potência, em que as dimensões são reduzidas, 𝐼𝑆 é da ordem de 10−15 A.
Seu valor dobra a cada aumento de 5°C.

Uma constante chamada de tensão térmica.

𝑉𝑇
Dada por:
k – constante de Boltzmann = 1,38 × 10−23 joules/kelvin
T – temperatura absoluta em Kelvin = 273 + temperatura em°C
q – valor da carga do elétron = 1,6 × 10−19 coulomb

Na temperatura ambiente (20 °C), o valor de 𝑉𝑇 é de 25 mV. 29/39

 3. Características elétricas
3.1. Região de polarização direta
(1)

𝑛 Uma constante tem valor entre 1 e 2.

Para i ≫ 𝐼𝑆 , a equação (1) pode ser expressa como:

(2)

Na forma logarítmica:

(3) 30/39
 3. Características elétricas
3.1. Região de polarização direta
Considerando a relação i-v na Equação (2) podemos determinar a valor da corrente I1 correspondente a
tensão V1 no diodo:

(4)

De modo similar, se a tensão é V2 , a corrente I2 no diodo será:

(5)

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 3. Características elétricas
3.1. Região de polarização direta
Essas duas equações podem ser combinadas para produzir:

(6)

A qual pode ser reescrita como:

(7)
Em termos de logaritmo na base 10:

(8) 32/39
 3. Características elétricas
Exemplo 3
Determine a variação da tensão em um diodo de silício se a corrente varia de 0,1 mA a
10 mA.

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 3. Características elétricas
3.2. Região de polarização inversa

A operação na região de polarização inversa é obtida quando a

tensão v é negativa.

Isto é, a corrente na direção inversa é constante e igual a Is.

É muito dependente da temperatura, e, como regra prática ela dobra para cada 10°C.

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 3. Características elétricas
Exemplo 4
O diodo do circuito da Figura 29 é de um dispositivo grande, capaz de conduzir altas
correntes. Sua corrente de fuga inversa é razoavelmente independente da tensão. Se V=1
V a 20 °C, calcule o valor de V a 40 °C e a 0 °C.

A corrente reversa é muito

dependente da temperatura, e,
como regra prática ela dobra
para cada 10°C.

Figura 29 – Circuito para Exemplo 4.

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 3. Características elétricas

3.3. Região de ruptura

A região de ruptura é obtida quando a tensão inversa excede um

valor de limiar específico, chamada tensão de ruptura.

Diodo como regulador de tensão

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 Referências

SEDRA, A. S.; SMITH, K. C. Microeletrônica. 5ª ed. São Paulo:

Pearson education do Brasil, 2007.

SEDRA, A. S.; SMITH, K. C. Microelectronic Circuits. 7ª ed. New York:

OXFORD UNIVERSITY PRESS, 2015.

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 Referências

Charles K. Alexander; Matthew N. O. Sadiku. Fundamentos de circuitos

elétricos, Porto Alegre : AMGH, 2013.

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Obrigada pela atenção!

Professora: Thamyris da Silva Evangelista

e-mail: thamyris.evangelista@ee.ufcg.edu.br

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