Eletrônica Digital I

Famílias lógicas e caraterísticas elétricas

Florianópolis, 2023

4/3/2023 Prof. Vitor Farias de Borba 1

 Roteiro
• Características dos CI’s.

• Características elétricas principais dos CI’s.

• Tecnologia TTL.

• Tecnologia CMOS.

• Interfaceamento.

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 Características dos CI’s
Os circuitos integrados (CI) podem ser resumidos como sendo uma coleção de
resistores, diodos e transistores fabricados em um pedaço de material
semicontudor (geralmente silício), denominado substrato e encapsulado em uma
embalagem de plástico ou de cerâmica, a partir da qual saem alguns pinos para
tornar possível a conexão do CI com outros dispositivos.
Os principais tipos de cápsulas utilizadas para envolver e proteger os chips são
basicamente quatro:
• Cápsulas com dupla fila de pinos (DIL ou DIP – Dual In Line);
• Cápsulas planas (Flat-pack);
• Cápsulas metálicas TO-5 (cilíndricas);
• Cápsulas especiais;

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 Características dos CI’s

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 Características dos CI’s

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 Características dos CI’s

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 Características dos CI’s

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 Características dos CI’s
Classificação quanto ao grau de complexidade do CI.

pequena escala (SSI) menos de 12

média escala (MSI) entre 12 e 99
grande escala (LSI) entre 100 e 9.999
escala muito grande (VLSI) entre 10.000 e 99.999
escala ultragrande (ULSI) entre 100.000 e 999.999
escala giga (GSI) 1.000.000 ou mais

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 Características elétricas dos CI’s
Embora existam muitos fabricantes de CIs, a maior parte da nomenclatura e da
terminologia é padronizada. Os termos mais úteis são:
Variável Significado
VIH (mínimo) Tensão de entrada correspondente ao nível lógico alto
VIL (máximo) Tensão de entrada correspondente ao nível lógico baixo
VOH (mínimo) Tensão de saída correspondente ao nível lógico alto
VOL (máximo) Tensão de saída correspondente ao nível lógico baixo
IIH Corrente de entrada correspondente ao nível lógico alto
IIL Corrente de entrada correspondente ao nível lógico baixo
IOH Corrente de saída correspondente ao nível lógico alto
IOL Corrente de saída correspondente ao nível lógico baixo

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 Características elétricas dos CI’s

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 Características elétricas dos CI’s

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 Características elétricas dos CI’s
CAPACIDADE DE ENTRADA (fan-in): Fan-in é o número de entradas que uma porta lógica
pode manipular. Portas lógicas com valores grandes de fan-in tendem a ser mais lentas.
Isto porque a complexidade do circuito de entrada aumenta a capacitância do
dispositivo. No entanto, usar portas lógicas com maior fan-in ajuda a reduzir a
profundidade dos circuitos lógicos.

CAPACIDADE DE SAÍDA (fan-out): A saída de um circuito lógico é projetada para

alimentar várias entradas de outros circuitos lógicos. O fan-out , também chamado fator
de carga, é definido como o número máximo de entradas de circuitos lógicos que uma
saída pode alimentar, de maneira confiável.

Exemplo 1: Uma porta lógica com fan-out de 10

pode alimentar até 10 entradas lógicas padrão.
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 Características elétricas dos CI’s
Para determinar quantas entradas diferentes a saída de um CI pode alimentar: IOL (máx)
e IOH (máx) de tal CI e as necessidades de corrente de cada entrada, IIL e IIH:

Exemplo 2: Uma porta lógica com IOL máximo de 15 mA pode alimentar quantos CIs
cuja IIL é de 0,7mA? Resposta: 21 CIs, porque o fan-out será dado por 15mA/0,7mA =
21,42.

Exemplo 3: Uma porta lógica com IOL máx de 16 mA e IOH mín de 320μA pode
alimentar quantos CIs cujas IIL e IIH são de 1mA e 40μA, respectivamente? Resposta:
Apenas 8 CIs, porque apesar de o fan-out para nível baixo ser de 16mA/1mA = 16 CIs, o
fan-out para nível alto será limitado a 320μA / 40μA = 8 CIs.
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 Características elétricas dos CI’s

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 Características elétricas dos CI’s

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 Características elétricas dos CI’s

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 Características elétricas dos CI’s

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 Tecnologia TTL
Família TTL:
TTL : Transistor-Transistor – Logic (Lógica Transistor-Transistor).
A tensão de alimentação é de 5V contínuos.
Desenvolvida pela Texas (TI) – família mais popular, durante um longo período.
Duas séries:
54 para uso militar - temperatura de operação [-55..125 graus Celsius]
74 para uso comercial - [0..70 graus Celsius]

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 Tecnologia TTL
SN 5400 SN 7400
Unidade
Mínimo Nominal Máximo Mínimo Nominal Máximo

Vcc (Tensão de alimentação) 4.5 5 5.5 4.75 5 5.25 V

VIH (Tensão de entrada – nível lógico alto) 2 2 V
VIL (Tensão de entrada – nível lógico baixo) 0.8 0.8 V
VOH (Tensão de saída – nível alto) * 2.4 3.4 2.4 3.4 V
VOL (Tensão de saída – nível baixo)* 0.2 0.4 0.2 0.4 V
IOH (Corrente de saída – nível lógico alto) -0.4 -0.4 mA
IOL (Corrente de saída – nível lógico baixo) 16 16 mA
IIH (Corrente de entrada nível lógico alto) * -40 -40 A
IIL (Corrente de entrada nível lógico baixo) * 1.6 1.6 mA
TA (Temperatura de operação) -55 125 0 75 ºC
Margens de ruído (pior caso) VNL = VNH 400 400 mV
Potência máxima consumida (por porta) 10 10 mW
Retardo de propagação médio (por porta) 9 9 nS
Fan – out típico 10 10

* Valores obtidos considerando a pior condição de operação.

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 Tecnologia TTL
Série TTL Prefixo Exemplos de CI
TTL Padrão 74 7404 (inversor)
TTL Schottky 74S 74S04
TTL Schottky de Baixa Potência 74LS 74LS04
TTL Schottky Avançada 74AS 74AS04
TTL Schottky Avançada de Baixa Potência 74ALS 74ALS04

CARACTERÍSTICAS TÍPICAS DAS SÉRIES TTL

74 74L 74H 74S 74LS 774AS 74ALS
Medidas de performance
Tempo de retardo de propagação (ns) 9 33 6 3 9.5 1.7 4
Dissipação de potência (por porta –mw) 10 1 23 20 2 8 1.2
Fan-out (mesma série) 10 20 10 20 20 40 20
Medidas de tensão (V)
VOH (mín) 2.4 2.4 2.4 2.7 2.7 2.5 2.5
VOL (máx) 0.4 0.4 0.4 0.5 0.5 0.5 0.4
VIL (máx) 0.8 0.7 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8
VIH (mín) 2.0 2.0 2.0 2.8 2.0 2.0 2.0
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 Tecnologia TTL

Pode-se então obter uma capacidade muito maior de excitação de saída de uma porta TTL quando
ela é levada ao nível 0 do que ao nível 1. Por isto, às vezes quando ligamos um LED na saída, fazemos
com que ele seja aceso quando a saída vai ao nível 0 (e portanto, a corrente é maior) e não ao nível
1 → normalmente ativo baixo ou anodo comum.

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 Tecnologia TTL

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 Tecnologia TTL
Saída em Coletor aberto:
Até agora vimos CIs do tipo “Totem-Pole”, cujos terminais dos transistores internos (coletores ou
emissores) são conectados fixamente a VCC ou GND, dependendo da função lógica. Quando dois
destes CIs forem ligados em paralelo e estiverem com saídas em níveis diferentes -> curto-circuito.

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 Tecnologia TTL
A alternativa são os CIs do tipo “Coletor Aberto”: o sinal de saída é aplicado à base de um transistor
NPN interno, cujo coletor é exteriorizado (aberto) no pino do CI.
O emissor do transistor, por sua vez, é conectado internamente ao pino terra (GND).

Em outras palavras, em alguns CIs da família TTL o fabricante não completa o circuito internamente,
deixando para que o projetista o complete externamente.

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 Tecnologia TTL
Para funcionar essa configuração, então, é necessária a instalação de um resistor externo ("pull-up")
entre a saída (coletor do transitor interno) e o VCC.

Essa aparente desvantagem significa também que pode-se prescindir da tensão de +5V do VCC ,
podendo também utilizar +12V, por exemplo. Se VF = 5 V (alimentação do CI), o valor usual para R é
2,2 kΩ. Os resistores R podem ser substituídos por um único resistor R1.
Esse procedimento coloca em curto as duas saídas sem gerar conflito.

Além disto, esta configuração permite que se amplie o fan-out e que se implemente o que se chama
de ligação E por fio (AND-wired), pois executa a função E, apenas com a ligação das saídas a um
único resistor de pull-up, como acima.
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 Tecnologia CMOS
Tecnologia MOS (metal oxide semiconductor)- transistores construídos na técnica MOS são
transistores por efeito de campo (FET) chamados, por conseguinte, de MOSFETS. Atualmente é a
tecnologia dominante no mercado, devido ao seu baixo custo e devido à grande densidade de portas
lógicas que permite integrar por unidade de área. São utilizados em microprocessadores,
microcontroladores e demais dispositivos eletrônicos de consumo.
Características Principais:
• reduzido consumo de corrente (baixa potência);
• alta imunidade a ruídos;
• uma faixa de alimentação que se estende de 3V a 15V, ou 18V, dependendo do modelo
• processo de fabricação do CMOS mais simples que do TTL
• maior densidade de integração
• altíssima sensibilidade a eletricidade estática
• ERAM um pouco mais lentos do que os TTL, para tensões de alimentação baixas, apesar da nova
série CMOS de alta velocidade competir em pé de igualdade com as séries TTL 74 e 74LS.

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 Tecnologia CMOS
Série CMOS Prefixo Exemplos de
CI
CMOS com porta de metal 40 4001 (NOR)
Porta de metal, compatível com TTL 74C 74C02
Porta de silício, compatível com TTL, alta velocidade 74HC 74HC02
Porta de silício, compatível com TTL pino a pino e eletricamente, alta 74HCT 74HCT02
velocidade
CMOS de alto desempenho, não é compatível com TTL 74AC 74AC02

BCT – BiCMOS Technology – Tecnologia BiCMOS (Bipolar/CMOS)

ABT – Advanced BiCMOS Technology – Tecnologia BiCMOS Avançada
LVT – Low Voltage Technology – Tecnologia de Baixa Tensão

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 Tecnologia CMOS
TENSÃO DE ALIMENTAÇÃO: As séries 4000 e 74C operam com valores de tensão na faixa de 3 a 15
Volts, Já as séries 74HC e 74HCT operam com a alimentação na faixa de 2 a 6v.
Parâmetro 4000B 74HC 74HT
V OL (máx) 0,05v 0,1v 0,1v
V OH (mín) 4,95v 4,9v 4,9v
V IL (máx) 1,5v 1v 0,8v
V IH (mín) 3,5v 3,5v 2,0v

OUTRAS CARACTERÍSTICAS DA FAMÍLIA CMOS

- Margens de ruído, consumo de potência, tempo de retardo de propagação e fan-out:
74HC 4000B
Potência dissipada por porta lógica (mW):
- Estática 2,5 x 10-3 1 x 10-3
- a 100 KHz 0,17 0,1
Tempo de retardo de propagação 8ns 50ns
Margem de ruído (pior caso) 0,9v 1,5v
Fan-out (máximo para freqüências menores 1MHz 50 50
4/3/2023 OBS: Valores tomados para Vdd = +5v. 28
 Tecnologia CMOS
Entradas não utilizadas: As entradas de um circuito CMOS não podem nunca ser deixadas
desconectadas. Todas as entradas CMOS desnecessárias a uma particular aplicação devem ser
conectadas a uma fonte de tensão fixa (0v ou +Vdd), ou a uma outra porta de entrada.
Sensibilidade a eletricidade estática: A lógica MOS (PMOS, CMOS, etc) é especialmente suscetível a
danos causados pela eletricidade estática, devido a família MOS apresentar uma alta impedância de
entrada, uma pequena carga estática fluindo por esta alta impedância resulta em uma tensão muito alta.
Ø Precauções ao utilizar CI’s MOS:

• Conecte à terra o chassi de todos os instrumentos de teste, estações soldadoras, e a própria

bancada (se for de metal).
• Conecte-se Você à terra através de uma pulseira especial. Isto fará com que as cargas estáticas
de seu corpo sejam descarregadas para a terra.
• Mantenha os CI’s, guardados em espuma condutiva ou embalagens de alumínio.
• Armazene as placas de circuito impresso em plástico condutivo ou envelopes metálicos.
• Não deixe desconectada nenhuma entrada de qualquer CI que não esteja sendo utilizado, pois
entradas abertas tendem a capturar cargas estáticas espúrias.
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 Interfaceamento
TTL excitando CMOS:
Se VCC = 5 V -> interligação direta. Como as entradas CMOS têm uma impedância muito alta (não
exigindo praticamente corrente alguma) da saída TTL, não existe perigo do circuito CMOS "carregar"a
saída TTL.
Como VIH ≥ 3,5 V, para circuitos CMOS, enquanto que VOH ≥ 3,3 V no TTL -> Resistor externo de Pull-Up
para garantir que a entrada CMOS reconheca o nível alto TTL.
Se VCC > 5 V -> interligação direta. Deverá haver um circuito intermediário para casar as características.
Pode ser simplesmente um buffer não-inversor com coletor aberto e resistor de pull-up (para a tensão
Vcc do CMOS):

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 Interfaceamento

CMOS excitando TTL:

Como no CMOS: IOH ~ IOL ~ 0,5 mA e no TTL: IIL = 1,6 mA => CMOS não suporta esta corrente é preciso
intercalar ambos com buffer (ex., 4049 e 4050):

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 Referências
• [1] ZAPELINI, Wilson Berckembrock. LÓGICA COMBINACIONAL. Florianópolis: Centro Federal de Educação
Tecnológica de Santa Catarina, 2003. 82 p. Disponível em: https://drive.google.com/file/d/1JGa9Zyr9kaGOBgk5Ff-
M5b2_Nw0kPdBd/view. Acesso em: 26 jan. 2023. – Apostila

• [2] FLOYD, Thomas L. Sistemas Digitais: fundamentos e aplicações. 9. ed. Porto Alegre: Bookman, 2007.

• [3] TOCCI, Ronald J.; WIDMER, Neal S.; MOSS, Gregory L..Sistemas Digitais: Princípios e Aplicações. 10ª ed. São
Paulo: Pearson, 2007. 830 p.

• [4] ARGOUD, Fernanda Isabel Marques. AULA 1 - Eletrônica Digital 1 - Graduação. Disponível em:
https://wiki.ifsc.edu.br/mediawiki/index.php/AULA_1_-_Eletr%C3%B4nica_Digital_1_-_Gradua%C3%A7%C3%A3o.
Acesso em: 26 jan. 2023.

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