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REGULADOR SRIE:
O regulador srie na realidade uma fonte de alimentao regulada mais
sofisticada em relao aos reguladores que utilizam apenas diodo zener.
O diodo zener atua apenas como elemento de referncia enquanto que o
transistor o elemento regulador ou de controle. Observa-se que o transistor est em
srie com a carga, da o nome regulador srie.
FUNCIONAMENTO:
A tenso de sada estar disponvel na carga (V
L
), ento: V
L
= V
Z
- V
BE
Como V
Z
>> V
BE
podemos aproximar: V
L
= V
Z
Sendo V
Z
constante, a tenso no ponto "x" ser constante
Caso V
IN
aumente podemos analisar o que acontece aplicando LKT:
V
IN
= V
R
+ V
Z
, mas V
R
= V
CB
, logo: V
IN
= V
CB
+ V
Z
V
CE
= V
CB
+ V
BE
Portanto, quando V
IN
aumenta, como V
Z
constante, V
CB
tambm aumentar
provocando um aumento de V
CE
, de modo a suprir a variao na entrada, mantendo V
L
constante.
V
L
= V
IN
- V
CE
Ento: se V
IN
aumenta V
CE
aumenta V
L
no se altera
Caso V
IN
diminua podemos analisar o que acontece aplicando LKT, obedecendo
os mesmos princpios adotados anteriormente. Neste caso V
CB
diminui.
Com a diminuio de V
IN
V
CE
diminui V
L
no se altera
LIMITAES:
Valores mnimos e mximos de V
IN
Como V
IN
= V
R
+ V
Z
e V
R
= R.I
R
mas I
R
= I
Z
+ I
B
ento:
V
IN
= R(I
Z
+ I
B
) + V
Z
Para V
IN
mnima temos: V
IN(MIN)
= R(I
Z(MIN)
+ I
B(MAX)
)
ETE ALBERT EINSTEIN - REGULADORES - Prof. Edgar Zuim 1
Portanto, abaixo do valor mnimo de entrada o diodo zener perder suas
caractersticas de estabilizao.
Para V
IN
mxima temos: V
IN(MAX)
= R(I
Z(MAX)
+ I
B(MIN)
)
Acima do valor mximo de entrada o diodo zener perder tambm suas
caractersticas de estabilizao e ser danificado.
CONDIES PARA UM PROJETO:
Alguns parmetros devem ser observados para que o circuito opere em
condies normais sem danificar seus componentes.
Tenso de entrada mxima:
V
IN(MAX)
= (I
B(MIN)
+ I
Z(MAX)
).R + V
Z
( I )
Na pior condio R
L
= (carga aberta), logo I
B(MIN)
= 0
V
IN(MAX)
= R.(I
Z(MAX)
) + V
Z
onde: I
Z(MAX)
=
Z
Z(MAX)
V
P
Tenso de entrada mnima:
V
IN(MIN)
= (I
B(MAX)
+ I
Z(MIN)
).R + V
Z
( II )
De ( I ) tiramos: I
Z(MAX)
=
R
V - V Z IN(MAX)
( III)
De ( II ) tiramos: I
Z(MIN)
+ I
B(MAX)
=
R
V - V Z IN(MIN)
( IV )
Dividindo ( III ) e ( IV ) temos:
Z IN(MIN)
Z IN(MAX)
B(MAX) Z(MIN)
Z(MAX)
V - V
V - V
I I
I
+
PROJETO
Projetar uma fonte de alimentao estabilizada com diodo zener e transistor
com as seguintes caractersticas:
Tenso de sada (V
L
): 6V
Corrente de sada mxima (I
L(MAX)
): 1,5A
Tenso de entrada (V
IN
): 12V t 10%
Escolha do transistor
O transistor a ser utilizado dever obdecer as seguintes caractersticas:
V
CBO
> V
IN(MAX)
no caso 13,2V
I
C(MAX)
1
> I
L(MAX)
no caso 1,5A
P
C(MAX)
2
> (V
IN(MAX)
- V
L
) . I
C(MAX)
1
I
C(MAX)
a mxima corrente que o coletor pode suportar
2
P
C(MAX)
a mxima potncia de dissipao do coletor
ETE ALBERT EINSTEIN - REGULADORES - Prof. Edgar Zuim 2
Supondo que o transistor escolhido seja o BD235, que de acordo com o
manual do fabricante tem as especificaes:
V
CBO(MAX)
= 45V
I
C(MAX)
= 2A
P
C(MAX)
= 25W
> 40 < 250
Neste caso, o valor mnimo de beta 40 e o mximo 250. Para que o projeto
funcione sem problemas adota-se o beta de menor valor.
O transistor escolhido atende as exigncias quanto a V
CBO(MAX)
e I
C(MAX)
. No
entanto preciso verificar se a potncia que ser dissipada pelo coletor ser suficiente
para este projeto.
Verificando a potncia que ser dissipada pelo coletor:
P
C(MAX)
= (V
IN(MAX)
- V
L
) . I
C(MAX)
I
C(MAX)
= I
E(MAX)
- I
B(MAX)
I
E(MAX)
= I
L(MAX)
I
C(MAX)
= I
L(MAX)
- I
B(MAX)
I
B(MAX)
=
) MIN (
C(MAX) I
logo: I
C(MAX)
= I
L(MAX)
-
) MIN (
C(MAX) I
I
C(MAX)
=
) MIN (
L(MAX)
1
1
I
+
=
1,46A
1,025
1,5
0,025 1
1,5
40
1
1
1,5
+
+
P
C(MAX)
= (13,2V - 6V) . 1,46A = 10,5W
O transistor escolhido atender as necessidades do projeto quanto a
dissipao de potncia, por estar abaixo da potncia mxima especificada pelo
fabricante. Torna-se necessrio entretanto o uso de um dissipador adequado para
evitar sobreaquecimento do transistor.
Escolha do diodo zener:
Levando-se em conta que V
L
= V
Z
- V
BE
e que V
BE
0,7V, se adotarmos um
diodo zener com tenso nominal de 6V, ento na carga teremos 5,3V. O ideal ento
adotar um diodo zener com 6,7V, porm este valor no comercial. O valor
comercial mais prximo encontrado o BYXC6V8, que tem uma tenso nominal de
6,8V e P
Z(MAX)
igual a 500mW com I
Z(MIN)
= 8mA.
P
Z(MAX)
=
73,53mA
6,8V
0,5W
I
B(MAX)
=
36,5mA
40
1,46A
I
) MIN (
C(MAX)
I
Z(MAX)
=
( ) 36,5mA 8mA .
6,8V - 10,8V
6,8V - 13,2V
+
,
_
I
Z(MAX)
=
71,2mA 44,5mA .
4V
6,4V
Como P
Z(MAX)
terico = 73,53mA e I
Z(MAX)
= 71,2mA o diodo zener escolhido
pode ser utilizado.
Clculo de R:
Para a mxima de tenso de entrada: V
IN(MAX)
= 13,2V
V
IN(MAX)
= R.(I
B(MIN)
+ I
Z(MAX)
) + V
Z
Na pior condio: R
L
= I
B(MIN)
= 0
V
IN(MAX)
= (R . I
Z(MAX)
) + V
Z
R =
87,04
73,53mA
6,4V
mA 53 , 73
6,8V - 13,2V
I
V - V
) MAX ( Z
Z IN(MAX)
Para a mnima tenso de entrada: V
IN(MIN)
= 10,8V
R =
+
+
89,89
44,5mA
4V
8mA 36,5mA
6V - 10,8V
I I
V - V
Z(MIN) B(MAX)
Z IN(MIN)
Portanto R dever ser maior do que 87,04 e menor do que 89,89. Adotaremos o
valor comercial mais prximo: 91
Potncia dissipada pelo resistor:
P =
R
E
2
P =
R
) V (V
2
Z - IN(MAX)
= 0,508W
91
(6,8V)
91
6V) - (13,2V
2 2
Podemos adotar um valor comercial mais prximo: 1W
REGULADOR PARALELO:
A exemplo do regulador srie, o transistor atua como elemento de controle e o
zener como elemento de referncia.
ETE ALBERT EINSTEIN - REGULADORES - Prof. Edgar Zuim 4
Como a carga fica em paralelo com o transistor, da a denominao regulador
paralelo, cujo circuito mostrado abaixo.
A anlise do seu funcionamento segue basicamente os mesmos princpios do
regulador srie, no que diz respeito aos parmetros do transistor e do diodo zener.
FUNCIONAMENTO:
V
Z
= V
CB
como V
Z
constante, V
CB
ser constante
V
CE
= V
CB
+ V
BE
, mas V
CB
>> V
BE
logo: V
CE
= V
CB
, onde V
CE
= V
Z
Ao variar a tenso de entrada dentro de certos limites, como V
Z
fixa, variar
V
BE
variando a corrente I
B
e consequentemente I
C
. Em outras palavras, variando-se a
tenso de entrada ocorrer uma atuao na corrente de base a qual controla a corrente
de coletor.
Neste caso, V
CE
tende a parmanecer constante desde que I
Z
no assuma valores
menores que I
Z(MIN)
e maiores que I
Z(MAX)
.
Os parmetros para o projeto de em regulador paralelo so essencialmente:
V
IN
, V
L
e I
L(MAX)
.
Tenso de entrada mxima:
Na pior condio R
L
= I
L
= 0
V
IN(MAX)
= R
1
.(I
L(MAX)
+ I
C(MAX)
) + V
Z
+ V
BE
C(MAX) Z(MAX)
1
BE Z IN(MAX)
I I
R
V - V - V
+
( I )
Tenso de entrada mnima:
V
IN(MIN)
= R
1
.(I
Z(MIN)
+ I
C(MIN)
+ I
L(MAX)
) + V
Z
+ V
BE
L(MAX) C(MIN) Z(MIN)
1
BE Z IN(MIN)
I I I
R
V - V - V
+ +
( II )
Dividindo ( I ) e ( II ), temos:
BE Z IN(MIN)
BE Z IN(MAX)
L(MAX) ) MIN ( C Z(MIN)
C(MAX) Z(MAX)
V - V - V
V - V - V
I I I
I I
+ +
+
Isolando I
Z(MAX):
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I
Z(MAX)
=
C(MAX) L(MAX) C(MIN) Z(MIN
BE Z IN(MIN)
BE Z IN(MAX)
I - ) I I (I .
V - V - V
V - V - V
+ +
,
_
( III )
OBS: I
C(MIN)
a corrente de coletor para uma tenso de entrada mnima. Em
muitos projetos a mesma pode ser desprezada por no ter influncia significativa no
resultado final.
Corrente em R
2:
I
R2
= I
Z(MIN)
- I
B(MIN)
, onde I
B(MIN)
=
) MIN (
C(MIN) I
portanto: I
R2
= I
Z(MIN)
-
) MIN (
C(MIN) I
( IV )
Quando a tenso de entrada for mxima e a carga estiver aberta (pior
condio), um acrscimo de corrente circular pelo diodo zener. Como V
BE
praticamente constante, essa corrente circular pela base do transistor, da ento
teremos:
R2 Z(MAX) B(MAX)
B(MAX) . ) MIN ( C(MAX)
I - I I
I I
I
C(MAX) =
(MIN)
. (I
Z(MAX)
- I
R2
( V )
Substituindo ( V ) em ( III ), temos:
I
Z(MAX)
=
,
_
BE Z IN(MIN)
BE Z IN(MAX)
V - V - V
V - V - V
. (I
Z(MIN)
+ I
C(MIN)
+ I
L(MAX)
) -
(MIN)
.(I
Z(MAX)
- I
R2
I
Z(MAX)
=
1
1
. I ) I I (I .
V - V - V
V - V - V
) MIN (
R2 . ) MIN ( L(MAX) C(MIN) Z(MIN)
BE Z IN(MIN)
BE Z IN(MAX)
+
1
]
1
+ + +
,
_
Escolha do transistor:
Devero ser observados os parmetros:
V
CEO
3
> (V
Z
+ V
BE
)
I
C(MAX)
> I
L(MAX)
P
C(MAX)
> (V
Z
+ V
BE
) . I
C(MAX)
Escolha do diodo zener:
Os parmetros so idnticos aos adotados no regulador srie.
PROJETO
Projetar um regulador paralelo , com as seguintes caractersticas:
V
L
= 15V
I
C(MAX)
= 600mA
V
IN
= 22V t 10%
Escolha do transistor:
3
V
CEO
a tenso entre coletor e emissor com a base aberta
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O transistor dever ter as seguintes caractersticas:
V
CEO
> (V
CE
+ V
VBE
)
Ic
(MAX)
> I
L(MAX)
P
C(MAX)
> (V
Z
+ V
BE
) . I
C(MAX)
Adotaremos o transistor 2N3534, que tem as caractersticas:
V
CEO
= 35V
I
C(MAX)
= 3A
P
C(MAX)
= 35W
(mnimo = 40; mximo = 120)
Escolha do diodo zener:
O diodo zener escolhido foi o BZXC1C15, que tem as caractersticas:
P
Z(MAX)
= 1,3W
I
Z(MIN)
= 20mA
V
Z
= 15V
I
Z(MAX)
=
86,67mA
15
1,3
V
P
Z
Z(MAX)
Verificando se o diodo zener escolhido pode ser utilizado:
I
Z(MAX)
=
1
1
. I ) I I (I .
V - V - V
V - V - V
) MIN (
R2 . ) MIN ( L(MAX) C(MIN) Z(MIN)
BE Z IN(MIN)
BE Z IN(MAX)
+
1
]
1
+ + +
,
_
Desprezando I
C(MIN)
I
CMIN)
= 0, ento como I
R2
= I
Z(MIN)
-
) MIN (
C(MIN) I
, I
R2
= 20mA
I
Z(MAX)
=
41
1
. 40.(20mA) 600mA) 0 (20mA .
0,7V - 15V - 19,8V
0,7V - 15V - 24,2V
1
]
1
+ + +
,
_
I
Z(MAX)
=
0,0244 . 800mA) (620mA .
4,1V
8,5V
1
]
1
+
,
_
Calculando R
1
:
R
1
=
+
+ +
6,613
620mA
4,1V
600mA 20mA
0,7V - 15V - 19,8V
I I I
V - V - V
L(MAX) C(MIN) Z(MIN)
BE Z IN(MIN)
OBS: I
C(MIN)
= 0
R
1
=
+
+
3,94
2,16
V 5 , 8
2,073A 86,67mA
0,7V - 15V - 24,2V
I I
V - V - V
C(MAX) Z(MAX)
BE Z IN(MAX)
R
1
dever ser maior do que 3,94 e menor do que 6,613
3,94 < R < 6,61
R
1
adotado = 5,6 (valor comercial)
Potncia dissipada por R
1
:
P
R1
=
( ) ( ) ( ) ( )
12,9W
5,6
8,5V
5,6
0,7V - 15V - 24,2V
5,6
V - V - V
R
V
2 2 2
BE Z IN(MAX)
1
2
R1
I
L(MAX)
I
C(MAX)
temos ento:
ETE ALBERT EINSTEIN - REGULADORES - Prof. Edgar Zuim 9
1
BE1(MAX) L IN(MIN)
) MIN ( 1
L(MAX)
Z(MIN)
R
V - V - V
I
I
+
( II )
dividindo ( I ) e ( II )
BE1(MAX) L IN(MIN)
BE1(MIN) L IN(MAX)
) MIN ( 1
L(MAX)
Z(MIN)
Z(MAX)
V - V - V
V - V - V
I
I
I
+
I
Z(MAX)
=
,
_
+
,
_
) MIN ( 1
L(MAX)
Z(MIN)
BE1(MAX) L IN(MIN)
BE1(MIN) L IN(MAX) I
I .
V - V - V
V - V - V
( III )
Clculo de R
1
R
1
>
Z(MAX)
BE1(MIN) L IN(MAX)
I
V - V - V
R
1
<
) MIN ( 1
L(MAX)
Z(MIN)
BE1(MAX) L IN(MIN)
I
I
V - V - V
+
A potncia desenvolvida em R
1
no pior caso dada por:
V
R1
= V
IN(MAX)
- (V
L
+ V
BE1(MIN)
)
P
R1
=
[ ]
(adotado) R
) V (V - (V
1
2
BE(MIN) L IN(MAX) +
Clculo de R
2
Adota-se uma regra prtica, onde: I
R2
= 0,1.I
C2
Quando I
C2
= I
Z(MIN)
R
2
<
Z(MIN)
BE2(MAX) Z L
0,1.I
V - V - V
Quando I
C2
= I
Z(MAX)
R
2
>
Z(MAX)
BE2(MIN) Z L
0,1.I
V - V - V
I
Z(MAX)
=
(adotado) R
V - V - V
1
BE1(MIN) L IN(MAX)
I
Z(MIN)
=
B1(MAX)
1
BE1(MAX) L IN(MIN)
I -
(adotado) R
V - V - V
I
B1(MAX)
=
) MIN ( 1
L(MAX) I
+ 2 3
3
R R
R
V
R3
.(R
3
+ R
2
) = V
L
.R
3
ETE ALBERT EINSTEIN - REGULADORES - Prof. Edgar Zuim 10
V
R3
.R
2
+ V
R3
.R
3
= V
L
.R
3
V
R3
.R
2
= V
L
.R
3
- V
R3
.R
3
V
R3
.R
2
= R
3
.(V
L
- V
R3
)
R
3
=
R3 L
2 R3
V - V
R . V
(R
2
adotado no clculo anterior)
Clculo de potncia em R
3
Em R
3
temos: V
R3
= V
Z
+ V
BE2(MAX)
P
R3
=
(adotado) R
) V (V
3
2
BE2(MAX) Z +
PROJETO
Projetar uma fonte regulada com amplificador de erro, usando dois transistores
e um diodo zener de referncia, que obedea as caractersticas:
V
IN
= 25V t 10%
I
L(MAX)
= 800mA
Tenso na carga (V
L
) = 12V
Teremos: V
IN(MAX)
= 25 + 2,5 = 27,5V V
IN(MIN)
= 25 - 2,5 = 22,5V
Escolha de T
1
:
O transistor T
1
dever ter as seguintes caractersticas:
I
C(MAX)
> I
L(MAX)
= 0,8A
V
CEO
> V
IN(MAX)
- V
L
= 27,5 - 12 = 15,5V
P
C(MAX)
> (V
IN(MAX)
- V
L
).I
L(MAX)
= (27,5V - 12V).800mA = 12,4W
O transistor escolhido foi o BD233 que tem os seguintes parmetros:
V
CEO
= 45V
I
C(MAX)
= 2A
P
C(MAX)
= 25W
(MIN)
= 40
(MAX)
= 250
Escolha do diodo zener:
Podemos escolher uma tenso de referncia. Adotamos como tenso de
referncia para nosso projeto V
Z
aproximadamente 0,5V
L
. No entanto, outro valor
pode ser escolhido.
Para este projeto, optou-se pelo diodo zener BZX87-C5V1, que tem os
parmetros:
I
Z(MIN)
= 50mA
V
Z
= 5,1V
P
Z(MAX)
= 1,3W
Devemos verificar se o zener escolhido adequado ao projeto:
I
Z(MAX)
=
255mA
5,1V
1,3W
V
P
Z
Z(MAX)
ETE ALBERT EINSTEIN - REGULADORES - Prof. Edgar Zuim 11
I
Z(MAX)
=
,
_
+
,
_
) MIN ( 1
L(MAX)
Z(MIN)
BE1(MAX) L IN(MIN)
BE1(MIN) L IN(MAX) I
I .
V - V - V
V - V - V
Adotando para este projeto V
BE1(MIN)
= 0,6V e para V
BE1(MAX)
= 0,7V
I
Z(MAX)
=
,
_
+
,
_
40
800mA
50mA .
0,7V - 12V - 22,5V
0,6V - 12V - 27,5V
I
Z(MAX)
=
106,43mA 70mA .
9,8V
14,9V
,
_
(MIN)
= 40
(MAX)
= 250
Clculo de R
1
:
R
1
>
Z(MAX)
BE1(MIN) L IN(MAX)
I
V - V - V
=
58,4
255mA
14,9V
255mA
0,6V - 12V - 27,5V
R
1
<
) MIN ( 1
L(MAX)
Z(MIN)
BE1(MAX) L IN(MIN)
I
I
V - V - V
+
=
+
140
70mA
9,8V
40
800mA
50mA
0,7V - 12V - 22,5V
58,4 < R
1
< 140 valor adotado: 100
Calculando a potncia desenvolvida em R
1
:
P
R1
=
[ ]
(adotado) R
) V (V - (V
1
2
BE(MIN) L IN(MAX) +
= 2,22W
100
(14,9V)
100
12,6V) - (27,5V
2 2
(adotar 5W)
Clculo de R
2
:
R
2
>
Z(MAX)
BE2(MIN) Z L
0,1.I
V - V - V
I
Z(MAX)
=
(adotado) R
V - V - V
1
BE1(MIN) L IN(MAX)
I
Z(MAX)
=
149mA
100
0,6V - 12V - 27,5V
Clculo de R
3
:
R
3
=
R3 L
2 R3
V - V
R . V
=
506,67
6,3
3.192
5,7V - 12V
) (560 . 5,7V
adotar 470
onde: V
R3
= (V
Z
+ V
BE2(MIN)
)
Calculando a potncia desenvolvida em R
3
:
P
R3
=
(adotado) R
) V (V
3
2
BE2(MAX) Z +
P
R3
= 71,57mW
470
(5,8)
470
0,7V) (5,1V
2 2
+
CONFIGURAO DARLINGTON:
ETE ALBERT EINSTEIN - REGULADORES - Prof. Edgar Zuim 13
A configurao Darlington
consiste na ligao entre dois
transistores na configurao seguidor
de emissor, ligados em cascata,
conforme ilustra a figura ao lado,
proporcionando em relao a um
nico transistor um ganho de
corrente bastante elevado.
O ganho total de tenso
aproximadamente igual a 1.
Se
1
=
2
= 100, teremos: I
C1
= I
E1
e I
C2
= I
E2
O ganho total (
T
) ser dado por:
1
.
2
= 100.100 = 10.000
Assim, I
C2
=
T
. I
B1
A tenso entre base e emissor dada por: V
BE
= V
BE1
+ V
BE2
Por se tratar da configurao emissor comum, assume valor bastante elevado
de impedncia de entrada e valor bastante baixo de impedncia de sada, em relao a
um transistor comum. A configurao Darlington normalmente encontrada em um
nico invlucro, como por exemplo os transistores BD262 e BD263, com polaridades
pnp e npn respectivamente.
PROJETO DE UM REGULADOR SRIE COM TRANSISTOR
DARLINGTON
Reprojetar o regulador srie da pgina 1, utilizando transistor Darlington;
proceder uma anlise do projeto comparando-o ao projeto anterior e apresentar
concluses.
Caractersticas do regulador:
Tenso de sada (V
L
): 6V
Corrente de sada mxima (I
L(MAX)
): 1,5A
Tenso de entrada (V
IN
): 12V t 10%
Para este projeto foi escolhido o transistor BD263, cujas caractersticas so:
V
CBO
= 80V
I
C(MAX)
= 4A
P
C(MAX)
= 36W
(MIN)
= 500
(MAX)
= 1.000
Neste caso, V
BE
maior. Vamos considerar para este projeto, V
BE
= 1,4V
ETE ALBERT EINSTEIN - REGULADORES - Prof. Edgar Zuim 14
Desta forma, o diodo zener dever ter uma tenso: 6V + 1,4V = 7,4V.
O valor comercial mais prximo de 7,5V.
O diodo zener escolhido foi oBZX75C7V5, cujas caractersticas so:
V
Z
= 7,5V
P
Z(MAX)
= 400mW
I
Z(MIN)
= 10mA
I
Z(MAX)
=
53,33mA
7,5V
0,4W
logo: I
C(MAX)
= I
L(MAX)
-
) MIN (
C(MAX) I
I
C(MAX)
=
) MIN (
L(MAX)
1
1
I
+
=
1,497A
1,002
1,5
0,002 1
1,5
500
1
1
1,5
+
+
P
C(MAX)
= (13,2V - 6V) . 1,497A = 10,78W
O transistor escolhido poder ser utilizado, no entanto, aconselhvel a
utilizao de um dissipador de calor para evitar o sobreaquecimento do transistor.
Verificando a escolha do zener:
I
Z(MAX)
=
( ) B(MAX) Z(MIN)
Z IN(MIN)
Z IN(MAX)
I I .
V - V
V - V
+
,
_
I
B(MAX)
=
2,994mA
500
1,497A
I
) MIN (
C(MAX)
I
Z(MAX)
=
( ) 2,994mA 10mA .
7,5V - 10,8V
7,5V - 13,2V
+
,
_
I
Z(MAX)
=
22,44mA 12,994mA .
3,3V
5,7V
Como P
Z(MAX)
terico = 53,33mA e I
Z(MAX)
= 22,44mA o diodo zener escolhido
pode ser utilizado.
Clculo de R:
ETE ALBERT EINSTEIN - REGULADORES - Prof. Edgar Zuim 15
Para a mxima de tenso de entrada: V
IN(MAX)
= 13,2V
V
IN(MAX)
= R.(I
B(MIN)
+ I
Z(MAX)
) + V
Z
Na pior condio: R
L
= I
B(MIN)
= 0
V
IN(MAX)
= (R . I
Z(MAX)
) + V
Z
R =
106,88
53,33mA
5,7V
mA 33 , 53
7,5V - 13,2V
I
V - V
) MAX ( Z
Z IN(MAX)
Para a mnima tenso de entrada: V
IN(MIN)
= 10,8V
R =
+
+
253,96
12,994mA
3,3V
10mA 2,994mA
7,5V - 10,8V
I I
V - V
Z(MIN) B(MAX)
Z IN(MIN)
Portanto R dever ser maior do que 106,88 e menor do que 253,96. Adotaremos o
valor comercial mais prximo a partir de uma mdia aritmtica dos dois valores, que
neste caso 180.
Potncia dissipada pelo resistor:
P =
R
E
2
P =
R
) V (V
2
Z - IN(MAX)
= 180,5mW
180
(5,7V)
180
7,5V) - (13,2V
2 2
Podemos adotar um valor comercial mais prximo: 250mW (1/4W).
COMPARAES:
Parmetros Projeto com transistor comum Projeto com transistor Darlington
R
1 91 180
P
R1
508mW 180,5mW
I
C(MAX)
1,46A 1,497A
P
C(MAX)
10,5W 10,78W
I
Z(MAX) terico
73,53mA 53,33mA
I
Z(MAX) prtico
71,2mA 22,44mA
V
Z
6,8V 7,5V
I
B(MAX)
36,5mA 2,994mA
Dos parmetros acima apresentados, a concluso mais importante que com o
transistor Darlington controla-se uma corrente de carga com uma corrente de base
bem menor. Isto se explica pelo fato de que o ganho de corrente no transistor
Darlington bem maior.
CIRCUITOS DE POLARIZAO:
Apresentaremos a seguir alguns circuitos de polarizao muito utilizados e
suas principais caractersticas:
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1 - POLARIZAO POR CORRENTE DE BASE CONSTANTE
Tambm denominado de polarizao fixa, um circuito muito utilizado
quando deseja-se que o transistor opere como chaveamento eletrnico, com dois
pontos bem definidos: corte e saturao.
Por esse motivo esse tipo de polarizao no utilizado em circuitos lineares,
pois muito instvel, pois uma variao da temperatura provoca uma variao de .
Para este tipo de polarizao: I
C
= I
B
Para evitar o disparo trmico, adota-se geralmente: V
CE
= 0,5V
CC
2 - POLARIZAO POR CORRENTE DE EMISSOR CONSTANTE
Diferente do caso anterior, procura-se compensar as variaes de atravs do
resistor de emissor.
Assim, quando aumentar, a corrente de coletor aumenta, aumentando
tambm a tenso no emissor, fazendo com que haja uma diminuio da tenso de
polarizao V
BE
, reduzindo a corrente de base. Isto resulta numa corrente de coletor
menor compensando parcialmente o aumento original de .
Aplicando LKT:
V
CC
= V
RC
+ V
CE
+ R
E
I
E
onde: V
RC
= R
C
I
C
logo: V
CC
= R
C
I
C
+ V
CE
+ R
E
I
E
ETE ALBERT EINSTEIN - REGULADORES - Prof. Edgar Zuim 17
Adota-se como prtica para garantir a estabilidade trmica sem afetar o sinal
de sada: V
RE
= 0,1V
CC
Equaes bsicas:
I
B
=
E B
CC
R R
V
+
ou ainda: I
B
=
C I
I
E
= ( + 1)I
B
3 - POLARIZAO POR REALIMENTAO NEGATIVA
Este circuito reduz o ganho, mas em compensao aumenta a estabilidade.
Equaes bsicas:
V
RE
= 0,1V
CC
V
RC
= V
CC
- (V
CE
+ V
RE
) I
B
=
C B
CC
R R
V
+
4 - SEGUIDOR DE EMISSOR
O seguidor de emissor tem como caracterstica o ganho de tenso baixo ( 1)
Equaes bsicas:
V
CE
= 0,5V
CC
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R
E
=
E
CC
I
0,5V
I
E
= I
B
I
B
=
E B
CC
R R
V
+
5 - POLARIZAO POR DIVISOR DE TENSO NA BASE
A polarizao por divisor de tenso na base ou polarizao universal um dos
mtodos mais usados em circuitos lineares.
A grande vantagem desse tipo de polarizao sua estabilidade trmica
(praticamente independente de ). O nome divisor de tenso proveniente do divisor
de tenso formado por R
B1
e R
B2
, onde R
B2
polariza diretamente a juno base-
emissor.
Passemos a analisar como opera esse tipo de polarizao.
Aplicando Thvenin:
Abrindo o terminal da base temos: V
TH
=
B2 B1
CC B2
R R
V . R
+
Ainda com o terminal da base aberto e V
CC
em curto, temos:
R
TH
=
B2 B1
B2 B1
R R
R . R
+
Isto nos d o circuito equivalente de Thvenin:
ETE ALBERT EINSTEIN - REGULADORES - Prof. Edgar Zuim 19
OBS: A resistncia equivalente de Thvenin recebe o nome de R
BB
enquanto
que a tenso equivalente de Thvenin recebe o nome de V
BB
Aplicando LKT:
V
TH
- R
TH
I
B
- V
BE
- R
E
I
E
= 0
Sendo: I
B
=
1
IE
+
, temos: I
E
=
1
R
R
V - V
TH
E
BE TH
+
+
Se R
E
for 10 vezes maior do que
1
RTH
+
, podemos simplificar a frmula:
I
E
=
E
BE TH
R
V - V
Para se conseguir uma boa estabilidade no circuito utiliza-se a regra 10:1, o
que equivale dizer que:
R
TH
0,1R
E
Apresentamos a seguir algumas regras prticas para a elaborao de um
projeto de polarizao por divisor de tenso na base:
V
E
= 0,1V
CC
V
CE
= 0,5V
CC
V
RC
= 0,4V
CC
R
C
= 4R
E
R
BB
= 0,1R
E
R
B1
=
BB
CC BB
V
V . R
ou R
B1
= R
BB
.
BB
CC
V
V
R
B2
=
BB B1
BB B1
R - R
R . R
ou R
B2
=
CC
BB
BB
V
V
- 1
R
Clculo das correntes de emissor, base e coletor
ETE ALBERT EINSTEIN - REGULADORES - Prof. Edgar Zuim 20
Em funo de
I
B
=
1) (
IE
+
- I
CBO
I
E
= ( + 1)I
B
+ ( + 1)I
CBO
I
C
= I
B
+ ( + 1)I
CBO
onde: ( + 1)I
CBO
= I
CEO
Em funo de :
Partindo da equao ( II ) da pgina 6 desta apostila:
I
C
= I
E
+ I
CBO
temos: I
E
= I
C
+ I
B
logo: I
C
= (I
C
+ I
B
) + I
CBO
portanto: I
C
= I
C
+ I
B
+ I
CBO
resolvendo: I
C
- I
C
= I
B
+ I
CBO
colocando I
C
em evidncia resulta:
I
C
(1 - ) = I
B
+ I
CBO
portanto:
I
C
=
- 1
I
- 1
I CBO B
EXERCCIOS RESOLVIDOS SOBRE POLARIZAO:
1 - Dado o circuito abaixo, polarizar o transistor na regio ativa, determinando o valor
dos resistores e as correntes.
Soluo:
Adotando V
E
= 0,1V
CC
, V
CE
= 0,5V
CC
e V
RC
= 0,4V
CC
, temos:
V
E
= V
RE
= 1,2V
V
CE
= 6V
V
RC
= 4,8V
Clculo de I
B
ETE ALBERT EINSTEIN - REGULADORES - Prof. Edgar Zuim 21
DADOS:
= 100
I
C
= 3mA
V
BE
= 0,7V
Como = 100, podemos fazer I
C
= I
E
, logo: I
B
=
C I
=
100
3mA
= 30A
Clculo de R
E
R
E
=
E
RE
I
V
=
3mA
1,2V
= 400
Clculo de R
BB
R
BB
= 0,1.400 = 4k
Clculo de V
BB
V
BB
= R
BB
I
B
+ V
BE
+ V
RE
= 4.000.(30.10
-6
) + 0,7 +1,2 = 0,12 + 0,7 + 1,2
V
BB
= 2,02V
Clculo de R
C
R
C
=
C
RC
I
V
=
3mA
4,8V
= 1,6k (equivalente a 4R
E
)
Clculo de R
1
R
1
=
BB
CC BB
V
V . R
=
02 , 2
(12) . 4.000
=
2,02
48.000
= 23.762
Clculo de R
2
R
2
=
BB 1
BB 1
R - R
R . R
=
4.000 - 762 . 23
4.000) (23.762).(
=
19.762
95.048
= 4.817
Podemos tambm calcular R
2
da seguinte forma:
R
2
=
CC
BB
BB
V
V
- 1
R
=
12
2,02
- 1
4.000
=
0,1683 - 1
4.000
=
0,8317
4.000
= 4.809 4.817
RESPOSTAS:
R
C 1,6k
R
E 400
R
1 23,762k
R
2 4,817k
I
B 30A
I
E
3mA
I
C
3mA
2 - Dado o circuito a seguir, calcule: , I
CEO
, I
C
, I
B
, R
C
e R
B
.
ETE ALBERT EINSTEIN - REGULADORES - Prof. Edgar Zuim 22
DADOS:
I
E
= 4mA
V
BE
= 550mV
V
CE
= 5V
V
CC
= 12V
I
CBO
= 6A
= 0,92
Clculo de
11,5
0,92 - 1
0,92
- 1
Clculo de I
CEO
I
CEO
= ( + 1)I
CBO
= 12,5.(6A) = 75A
Clculo de I
C
I
C
= I
E
+ I
CBO
= 0,92.(4mA) = 3,68mA + 75A = 3,755mA
Clculo de I
B
I
B
= I
E
- I
C
= 4mA - 3,755mA = 245A
Clculo de R
C
R
C
=
C
RC
I
V
V
RC
= V
CC
- V
CE
- V
RE
(onde V
RE
= 0,1V
CC
)
V
RC
= 12 - 5 - 1,2 = 5,8V
R
C
=
3,755mA
5,8V
= 1.54k (1.544,6)
Clculo de R
E
R
E
=
E
RE
I
V
=
4mA
1,2
= 300
Clculo de R
B
R
B
=
B
RB
I
V
V
RB
= V
CC
- V
BE
- V
RE
V
RB
= 12 - 0,55 - 1,2 = 10,25V
R
B
=
A 245
10,25V
= 41,84k (41.836,7)
RESPOSTAS:
ETE ALBERT EINSTEIN - REGULADORES - Prof. Edgar Zuim 23
11,5
I
CEO 75A
I
C
3,755mA
I
B 245A
R
C 1.54k
R
E 300
R
B 41,84k
3 - No seguidor de emissor a seguir, calcule todas as tenses e correntes de
polarizao, considerando = 40.
Clculo de I
B
I
B
=
A 72,12
208k
15
108k 100k
15
) 40(2,7k 100k
15
R R
V
E B
CC
+
+
Clculo de I
E
I
E
= ( + 1).I
B
= (41).72,12A = 2,96mA
Clculo de V
CE
V
CE
= V
CC
- R
E
I
E
= V
CC
- V
RE
= 15 - (2,7k. 2,96mA) = 15 - 7,992V = 7,008V 7V
V
RE
= 7,992V 8V
RESPOSTAS:
I
B 72,12A
I
E
2,96mA
V
CE
7V
V
RE
8V
4 - Calcule as correntes e as tenses de polarizao do circuito a seguir:
Considere = 100.
ETE ALBERT EINSTEIN - REGULADORES - Prof. Edgar Zuim 24
Clculo de I
B
I
B
=
A 20,27
740k
15
470k 270k
15
100.4k7 270k
15
R R
V
C B
CC
+
+
Clculo de I
C
I
C
= I
B
= 100.(20,27A) = 2,027mA
Clculo de V
CE
V
CE
= V
CC
- R
C
I
C
= 15 - (4k7 . 2,027mA) = 15 - 9,527 = 5,473V
RESPOSTAS:
I
B
= 20,27A
I
C
= 2,027mA V
CE
= 5,473V
5 - Calcule I
C
, I
B
, R
C
e R
B
no circuito abaixo.
Equaes bsicas
( I ) V
CC
- V
RC
- V
CE
- V
RE
= 0
V
RC
= R
C
I
C
e V
RE
= R
E
I
E
, temos:
( II ) V
CC
= R
C
I
C
+ V
CE
+ R
E
I
E
Clculo de I
C
=
B
C
I
I
, logo: I
C
= 6A . 200 = 1,2mA
ETE ALBERT EINSTEIN - REGULADORES - Prof. Edgar Zuim 25
Clculo de I
E
I
E
= I
C
+ I
B
= 1,2mA + 6A = 1,206mA 1,2mA
Quando > 100, podemos considerar I
C
= I
E
Clculo de R
C
Utilizando a equao ( II )
15 = (R
C
. 1,2mA) + 8 + (150 . 1,2mA) 15 = (R
C
. 1,2mA) + 8 + 0,18
15 = (R
C
. 1,2mA) + 8,18
R
C
=
5,68k
mA 2 , 1
8,18 - 15
(5.683,3)
Clculo de R
B
V
RB
= V
CB
+ V
RC
R
B
I
B
= V
CB
+ R
C
I
C
como: V
CE
= V
CB
+ V
BE
, ento: V
CB
= 8 - 0,6 = 7,4V
desta forma: R
B
. (6A) = 7,4 + (5,68k . 1,2mA) = 7,4 + 6,816 = 14,216V
R
B
=
A 6
14,216V
= 2,37M (2.369.333,33)
RESPOSTAS:
I
C
= 1,2mA
R
C
= 5,68k
I
E
= 1,2mA R
B
= 2,37M
BIBLIOGRAFIA:
Malvino, Albert Paul - ELETRNICA - vols. 1 e 2 - Ed. McGraw-Hill SP - 1.986
Boylestad, Robert - Nashelsky, Louis - DISPOSITIVOS ELETRNICOS E TEORIA
DE CIRCUITOS - Ed. Prentice/Hall Brasil - RJ - 1.993
Schilling, Donald L. - Belove, Charles - ELECTRONIC CIRCUITS - McGraw-Hill
International Editions - Singapore
Horenstein, Mark N. - MICROELETRNICA CIRCUITOS E DISPOSITIVOS - Ed.
Prentice/Hall - RJ - 1.996
Grob, Bernard - BASIC ELECTRONICS - McGraw-Hill Kogakusha - Tokyo - 1.990
Ibrape - MANUAL DE TRANSISTORES - DADOS PARA PROJETOS - 1.990
ETE ALBERT EINSTEIN - REGULADORES - Prof. Edgar Zuim 26