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ULN2003B
SLRS064B –JUNHO DE 2014–REVISADO AGOSTO DE 2016

Matriz de transistores Darlington de alta tensão e alta corrente ULN2003B

1 Características 3 Descrição
1• Redução maior que 4x no vazamento de saída (I O dispositivo ULN2003B é uma matriz de transistores Darlington de
alta tensão e alta corrente. Este dispositivo consiste em sete pares
CEX) sobre ULN2003A
NPN Darlington que apresentam saídas de alta tensão com diodos
• Corrente de Coletor Nominal de 500 mA (Saída Única) de pinça de cátodo comum para comutação de cargas indutivas. A
• Saídas de alta tensão 50 V classificação de corrente de coletor de um único par Darlington é de
• Diodos de braçadeira de saída 500 mA. Os pares Darlington podem ser colocados em paralelo para
maior capacidade de corrente.
• Entradas compatíveis com vários tipos de lógica
• Aplicativos de driver de relé O ULN2003B possui um resistor de base série de 2,7 kΩ
para cada par Darlington para operação direta com
dispositivos TTL ou CMOS.
2 Aplicativos
• Drivers de relé Informação de dispositivo(1)
• Drivers de Lâmpada NÚMERO DA PEÇA PACOTE TAMANHO DO CORPO (NOM)

ULN2003BN PDIP (16)


• Drivers de exibição (LED e descarga de gás) 19,30 milímetros × 6,35 milímetros

ULN2003BD SOIC (16) 9,90 milímetros × 3,91 milímetros


• Condutores de Linha
ULN2003BPW TSSOP (16) 5,00 milímetros × 4,40 milímetros
• Buffers lógicos
(1) Para todos os pacotes disponíveis, consulte o adendo para pedido no
final da folha de dados.

Esquema Simplificado
9
COM
1 16
1B 1C

2 15
2B 2C

3 14
3B 3C

4 13
4B 4C

5 12
5B 5C

6 11
6B 6C

7 10
7B 7C

Copyright © 2016, Texas Instruments Incorporated

Um AVISO IMPORTANTE no final desta folha de dados aborda disponibilidade, garantia, alterações, uso em aplicações críticas de segurança,
questões de propriedade intelectual e outras isenções de responsabilidade importantes. DADOS DE PRODUÇÃO.
ULN2003B
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Índice
1 Características.................................................. ................1 8.2 Diagrama de Blocos Funcionais ........................................10
2 Formulários.................................................. .........1 8.3 Descrição do Recurso.............................................. ..10
3 Descrição.................................................. ...........1 8.4 Modos Funcionais do Dispositivo........................................11

4 Histórico de Revisão.................................................. ...2 9 Aplicação e Implementação........................11


9.1 Informações do Aplicativo .........................................11
5 Configuração e funções dos pinos.........................3
9.2 Aplicação Típica ............................................. ..11
6 Especificações.................................................. .......4
6.1 Classificações Máximas Absolutas ........................................4
10 Recomendações de Fonte de Alimentação.......................13
6.2 Classificações ESD ............................................. ...............4 11 Esquema.................................................. ..................13
6.3 Condições de Operação Recomendadas .......................4 11.1 Diretrizes de Layout ............................................. ..13
6.4 Informações Térmicas ............................................. ...4 11.2 Exemplo de Layout .............................................. .....13
6.5 Características Elétricas, TUMA= 25°C .......................5 12 Suporte a dispositivos e documentação..................14
6.6 Características Elétricas, TUMA= –40°C a +105°C ....5 12.1 Recebendo Notificação de Atualizações de Documentação14

6.7 Características de comutação, TUMA= 25°C.........................5 12.2 Recursos da Comunidade .............................................14


6.8 Características de comutação, TUMA= –40°C a +105°C ....5 12.3 Marcas Registradas ............................................. ...........14
6.9 Características Típicas .............................................6 12.4 Cuidado com Descarga Eletrostática................................14

7 Informações de medição de parâmetros.........................9 12.5 Glossário ........................................................ ................14

8 Descrição detalhada..................................................10 13 Informações Mecânicas, de Embalagem e


Encomendáveis.................................................. .........14
8.1 Visão geral ................................................. ..................10

4 Histórico de revisões

Alterações da Revisão A (setembro de 2014) para a Revisão B Página

• Drivers de martelo excluídos deFormulários.................................................. .................................................. .......................1


• AtualizadaFunções dos pinostabela ................................................. .................................................. ..............................................3
• Informações Térmicas do Pacote Excluídas deClassificações máximas absolutas.................................................. .........................................4
• Temperatura de armazenamento movida, TstgparaClassificações máximas absolutas.................................................. .......................................4
• V excluídoEUa partir deCondições de operação recomendadas.................................................. .................................................. .......4
• AtualizadaInformações Térmicastabela ................................................. .................................................. ....................................................4
• Temperatura de ar livre de operação movida, TUMAparaCondições de operação recomendadas.................................................. ...........4
• ExcluídoCorrente de saída vs corrente de entradagráfico deCaracterísticas tipícasseção ................................................. ..........6
• AdicionadohEFcontra euFORAparaCaracterísticas tipícasseção................................................. .................................................. ...........6
• ExcluídoInformações Térmicasseção de gráficos e atualizadoCaracterísticas tipícasseção com novos gráficos térmicos Figura 6Através
dosFigura 14.................................................. .................................................. ..................................................6
• AdicionadoRecebendo Notificação de Atualizações de Documentaçãoseção eRecursos comunitáriosseção ..............................14

Alterações do original (junho de 2014) para a revisão A Página

• Lançamento inicial da versão completa. .................................................. .................................................. .............................................1


• Adicionada tabela de funções de pino ............................................. .................................................. .................................................. .....3
• Adicionada tabela de informações térmicas. .................................................. .................................................. .......................................4

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Configuração e funções de 5 pinos

Pacote D, N ou PW
SOIC, PDIP ou TSSOP de 16 pinos
Vista do topo

B 1 16 1C

B 2 15 2C

B 3 14 3C

B 4 13 4C

B 5 12 5C

B 6 11 6C

B 7 10 7C

E 8 9 COM

Sem escala

Funções dos pinos


PIN
E/S(1) DESCRIÇÃO
NOME NÃO.
1B 1
2B 2
3B 3
4B 4 EU Entrada de base darlington do canal 1 a 7
5B 5
6B 6
7B 7
1C 16
2C 15
3C 14
4C 13 O Saída do coletor Darlington do canal 1 a 7
5C 12
6C 11
7C 10
COM 9 — Nó de cátodo comum para diodos flyback (necessário para cargas indutivas)

E 8 — Emissor comum compartilhado por todos os canais (normalmente ligado ao terra)

(1) I = Entrada, O = Saída

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6 Especificações

6.1 Classificações Máximas Absolutas


à temperatura do ar livre de 25°C (salvo indicação em contrário)(1)
MIN MÁX. UNIDADE

VCC Tensão coletor-emissor 50 V


Tensão reversa do diodo de braçadeira(2) 50 V
VEU Tensão de entrada(2) 30 V
Corrente de coletor de pico(3) (4) 500 mA
EUOK Corrente do grampo de saída 500 mA
Corrente total do terminal do emissor - 2,5 UMA
TJ Temperatura de junção virtual operacional 150 °C
Tstg Temperatura de armazenamento - 65 150 °C

(1) Estresses além daqueles listados emClassificações máximas absolutaspode causar danos permanentes ao dispositivo. Estas são apenas classificações de estresse,
que não implicam na operação funcional do dispositivo nessas ou em quaisquer outras condições além das indicadas emCondições de operação
recomendadas. A exposição a condições de classificação máxima absoluta por longos períodos pode afetar a confiabilidade do dispositivo.
(2) Todos os valores de tensão referem-se ao terminal E emissor/substrato, salvo indicação em contrário.
(3) A dissipação máxima de potência é uma função de TJ(máximo), θJA, e TUMA. A dissipação de potência máxima permitida em qualquer temperatura ambiente
permitida é PD= (TJ(máximo) – TUMA)/θJA. Operando no máximo absoluto TJde 150°C pode afetar a confiabilidade.
(4) A impedância térmica do pacote é calculada de acordo com JESD 51-7.

6.2 Classificações ESD


VALOR UNIDADE

Modelo de corpo humano (HBM), conforme ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(1) 2000


V(ESD) Descarga eletrostática V
Modelo de dispositivo carregado (CDM), de acordo com a especificação JEDEC JESD22-C101(2) 500

(1) O documento JEDEC JEP155 afirma que 500-V HBM permite uma fabricação segura com um processo de controle ESD padrão.
(2) O documento JEDEC JEP157 afirma que o CDM de 250 V permite uma fabricação segura com um processo de controle ESD padrão.

6.3 Condições de Operação Recomendadas


acima da faixa de temperatura operacional ao ar livre (salvo indicação em contrário)

MIN MÁX. UNIDADE

VCC Tensão de Alimentação 0 50 V


TUMA Temperatura de operação ao ar livre - 40 105 °C
TJ Temperatura da junção - 40 125 °C

6.4 Informações Térmicas


ULN2003B
MÉTRICA TÉRMICA(1) PW (TSOP) D (SOIC) N (PDIP) UNIDADE

16 PINOS 16 PINOS 16 PINOS

RθJA Resistência térmica de junção para ambiente 105,5 81,2 49,6 °C/W
RθJC(topo) Resistência térmica de junção para caixa (topo) 38,3 40 36.2 °C/W
RθJB Resistência térmica de junção para placa 50,9 38,6 29.2 °C/W
ψJT Parâmetro de caracterização de junção para topo 4.1 10,5 20.2 °C/W
ψJB Parâmetro de caracterização de junção para placa 50,3 38,3 29,5 °C/W

(1) Para obter mais informações sobre métricas térmicas tradicionais e novas, consulte oMétricas Térmicas de Semicondutores e Pacotes ICrelatório de
aplicação.

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6.5 Características Elétricas, TUMA= 25°C


PARÂMETRO FIGURA DE TESTE TESTE CO NDIÇÕES MIN TIPO MÁX. UNIDADE

EUC= 200mA 2.4


VÍon) Tensão de entrada no estado Figura 19 VCE= 2V EUC= 250mA 2.7 V
EUC= 300mA 3
EUEU= 250 μA, EUC= 100mA 0,9 1.1
Tensão de saturação coletor-
VCE(sáb) Figura 18 EUEU= 350 μA, EUC= 200mA 1 1.3 V
emissor
EUEU= 500 μA, EUC= 350mA 1.2 1,6
EUCEX Corrente de corte do coletor Figura 15 VCE= 50V, EUEU= 0 10 μA
VF Tensão direta do grampo Figura 21 EUF= 350mA 1,7 2 V
EUEu (desligado)
Corrente de entrada de estado desligado Figura 16 VCE= 50V, EUC= 500 μA 50 65 μA
EUEU Corrente de entrada Figura 17 VEU= 3,85 V 0,93 1,35 mA
EUR Corrente reversa da braçadeira Figura 20 VR= 50 V 50 μA
Ceu Capacitância de entrada VEU= 0, f = 1MHz 15 25 pF

6.6 Características Elétricas, TUMA= –40°C a +105°C


PARÂMETRO FIGURA DE TESTE TESTE C ONDIÇÕES MIN TIPO MÁX. UNIDADE

EUC= 200mA 2.7


VÍon) Tensão de entrada no estado Figura 19 VCE= 2V EUC= 250mA 2.9 V
EUC= 300mA 3
EUEU= 250 μA, EUC= 100mA 0,9 1.2
VCE(sáb) Tensão de saturação coletor-emissor Figura 18 EUEU= 350 μA, EUC= 200mA 1 1,4 V
EUEU= 500 μA, EUC= 350mA 1.2 1,7
EUCEX Corrente de corte do coletor Figura 15 VCE= 50V, EUEU= 0 20 μA
VF Tensão direta do grampo Figura 21 EUF= 350mA 1,7 2.2 V
EUEu (desligado)
Corrente de entrada de estado desligado Figura 16 VCE= 50V, EUC= 500 μA 30 65 μA
EUEU Corrente de entrada Figura 17 VEU= 3,85 V 0,93 1,35 mA
EUR Corrente reversa da braçadeira Figura 20 VR= 50 V 100 μA
Ceu Capacitância de entrada VEU= 0, f = 1MHz 15 25 pF

6.7 Características de comutação, TUMA= 25°C


PARÂMETRO TES T CONDIÇÕES MIN TIPO MÁX. UNIDADE

tPLH Tempo de atraso de propagação, saída de baixo a alto nível 0,25 1 μs


tPHL Tempo de atraso de propagação, saída de alto a baixo nível 0,25 1 μs
VOH Tensão de saída de alto nível após a comutação VS= 50V, EUO≈ 300 mA VS- 20 mV

6.8 Características de comutação, TUMA= –40°C a +105°C


PARÂMETRO TESTE CONDIÇÕES MIN TIPO MÁX. UNIDADE

tPLH Tempo de atraso de propagação, saída de baixo a alto nível 1 10 μs


tPHL Tempo de atraso de propagação, saída de alto a baixo nível 1 10 μs
VOH Tensão de saída de alto nível após a comutação VS= 50V, EUO≈ 300 mA VS- 50 mV

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6.9 Características Típicas

2.2

VCE(sáb)- Tensão de Saturação Coletor-Emissor - V


1,8
VCE(sáb)- Tensão de Saturação Coletor-Emissor - V

EUdentro= 250uA EUdentro= 250uA


2 EUdentro= 350uA 1,65 EUdentro= 350uA
EUdentro= 500uA EUdentro= 500uA
1,8 1,5

1,6 1,35
1,4 1.2
1.2 1,05
1 0,9
0,8 0,75
0,6 0,6
0,4 0,45
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 0 80 160 240 320 400 480 560 640 720 800
EUC- Corrente do Coletor - mA EUC- Corrente do Coletor - mA
D001 D001

Figura 1. Tensão de saturação coletor-emissor vs coletor Figura 2. Tensão de Saturação Coletor-Emissor vs Total
Atual (Um Darlington) Corrente de Coletor (Dois Darlingtons em Paralelo)

Figura 3. Corrente de entrada vs tensão de entrada Figura 4. Tensão de Saturação Coletor-Emissor vs Coletor
Atual
5000 0,55
3000 0,5
2000
0,45
Taxa de Transferência de Corrente DC - hEF

Corrente máxima por canal (A)

1000 0,4
500 0,35
300 0,3
200
0,25
1 canal
100 0,2 2 canais

50 0,15 3 canais

4 canais

30 TUMA= 25qC 0,1 5 canais

20 TUMA= -40qC
0,05
6 canais

TUMA= 105qC 7 canais

10 0
1 mA 10 mA 100 mA 500 mA 0 20% 40% 60% 80% 100%
Corrente de saída IFORA Ciclo de trabalho (DC)
D001 D001
TUMA= 25ºC

Figura 5. hEFcontra euFORA Figura 6. Corrente máxima do coletor do pacote D


vs Ciclo de Trabalho

6 Enviar eu
Façacvocê
mentateu
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Características típicas (continuação)


0,55 0,55
0,5 0,5
0,45 0,45
Corrente máxima por canal (A)

Corrente máxima por canal (A)


0,4 0,4
0,35 0,35
0,3 0,3
0,25 0,25
1 canal 1 canal
0,2 2 canais 0,2 2 canais

0,15 3 canais
0,15 3 canais

4 canais 4 canais

0,1 5 canais 0,1 5 canais

0,05 0,05
6 canais 6 canais

7 canais 7 canais

0 0
0 20% 40% 60% 80% 100% 0 20% 40% 60% 80% 100%
Ciclo de trabalho (DC) Ciclo de trabalho (DC)
D001 D001
TUMA= 25ºC TUMA= 25ºC

Figura 7. Corrente máxima do coletor do pacote PW Figura 8. Corrente máxima do coletor do pacote N
vs Ciclo de Trabalho vs Ciclo de Trabalho

0,55 0,55
0,5 0,5
0,45 Corrente máxima por canal (A) 0,45
Corrente máxima por canal (A)

0,4 0,4
0,35 0,35
0,3 0,3
0,25 0,25
1 canal
0,2 2 canais 0,2
0,15 3 canais
0,15
4 canais 1 canal 5 canais

0,1 5 canais 0,1 2 canais 6 canais

0,05 0,05
6 canais 3 canais 7 canais

7 canais 4 canais

0 0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1 0 20% 40% 60% 80% 100%
Ciclo de trabalho (DC) Ciclo de trabalho (DC)
D001 D001
TUMA= 70ºC TUMA= 70ºC

Figura 9. Corrente máxima do coletor do pacote D Figura 10. Corrente máxima do coletor do pacote PW
vs Ciclo de Trabalho vs Ciclo de Trabalho

0,55 0,55
1 canal
0,5 0,5
2 canais

0,45 0,45 3 canais


Corrente máxima por canal (A)
Corrente máxima por canal (A)

4 canais
0,4 0,4 5 canais

0,35 0,35 6 canais

7 canais
0,3 0,3
0,25 0,25
1 canal
0,2 2 canais 0,2
0,15 3 canais
0,15
4 canais

0,1 5 canais 0,1


0,05 0,05
6 canais

7 canais

0 0
0 20% 40% 60% 80% 100% 0 20% 40% 60% 80% 100%
Ciclo de trabalho (DC) Ciclo de trabalho (DC)
D001 D001
TUMA= 70ºC TUMA= 105ºC

Figura 11. Corrente máxima do coletor do pacote N Figura 12. Corrente máxima do coletor do pacote D
vs Ciclo de Trabalho vs Ciclo de Trabalho

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Características típicas (continuação)


0,55 0,55
1 canal 1 canal
0,5
5 canais
0,5
2 canais 2 canais 6 canais

0,45 3 canais 0,45 3 canais 7 canais


Corrente máxima por canal (A)

Corrente máxima por canal (A)


4 canais 4 canais
0,4 5 canais
0,4
0,35 6 canais 0,35
7 canais
0,3 0,3
0,25 0,25
0,2 0,2
0,15 0,15
0,1 0,1
0,05 0,05
0 0
0 20% 40% 60% 80% 100% 0 20% 40% 60% 80% 100%
Ciclo de trabalho (DC) Ciclo de trabalho (DC)
D001 D001
TUMA= 105ºC TUMA= 105ºC

Figura 13. Corrente máxima do coletor do pacote PW Figura 14. Corrente Máxima do Coletor do Pacote N vs Serviço
vs Ciclo de Trabalho Ciclo

8 S ubmit Doc umentatio n Taxa k


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7 Informações de medição de parâmetros

Abrir Abrir VCE


VCE

EU
C
ICEX II (desligado)

Abrir

Figura 15. ICEXCircuito de teste Figura 16. IEu (desligado)Circuito de teste

Abrir Abrir

CI
II (em) hFE =
II
VI Abrir

II VCE CI

Figura 17. IEUCircuito de teste Figura 18. hfe, VCE(sáb)Circuito de teste

Abrir RV

RI

Abrir

VI(ligado) VCE CI

Figura 19. VÍon)Circuito de teste Figura 20. IRCircuito de teste

VF E SE
Abrir

Figura 21. VFCircuito de teste

pano
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8 Descrição Detalhada

8.1 Visão geral


Este dispositivo padrão provou onipresença e versatilidade em uma ampla gama de aplicações. Isso se deve à
integração de 7 transistores Darlington que são capazes de afundar até 500 mA e ampla capacidade de alcance GPIO.
O ULN2003B compreende sete pares de transistores NPN Darlington de alta tensão e alta corrente. Todas as unidades
possuem um emissor comum e saídas de coletor aberto. Para maximizar sua eficácia, essas unidades contêm diodos de
supressão para cargas indutivas. O ULN2003B possui um resistor de base série para cada par Darlington, permitindo assim a
operação direta com TTL ou CMOS operando em tensões de alimentação de 5 V ou 3,3 V. O ULN2003B oferece soluções para
muitas necessidades de interface, incluindo solenóides, relés, lâmpadas, pequenos motores e LEDs. As aplicações que
requerem correntes de dissipação além da capacidade de uma única saída podem ser acomodadas ao colocar as saídas em
paralelo.
Este dispositivo pode operar em uma ampla faixa de temperatura (–40°C a +105°C).

8.2 Diagrama de Blocos Funcionais

COM

Saída C
2,7 mil
Entrada B

7,2 mil 3k
E

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Todos os valores de resistor mostrados são nominais.

Figura 22. Esquema (cada driver)

8.3 Descrição do Recurso


Cada canal do ULN2003B consiste em transistores NPN conectados a Darlington. Esta conexão cria o efeito de um único
transistor com um ganho de corrente muito alto. Este beta pode ser alto em certas correntes vejaFigura 5.
A tensão GPIO é convertida em corrente de base através do resistor de 2,7 kΩ conectado entre a entrada e a base do
pré-driver Darlington NPN. Os resistores de 7,2 kΩ e 3 kΩ conectados entre a base e o emissor de cada NPN respectivo
atuam como pull-downs e suprimem a quantidade de vazamento que pode ocorrer na entrada.
Os diodos conectados entre a saída e o pino COM são usados para suprimir a tensão de retrocesso de uma carga indutiva
que é excitada quando os drivers NPN são desligados (param de afundar) e a energia armazenada nas bobinas faz com que
uma corrente reversa flua para a alimentação da bobina através do diodo de retrocesso.
Em operação normal, os diodos na base e os pinos do coletor para o emissor serão polarizados inversamente. Se esses diodos forem
polarizados diretamente, os transistores NPN parasitas internos consumirão uma corrente (quase igual) de outros pinos de dispositivos
(próximos).

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8.4 Modos Funcionais do Dispositivo

8.4.1 Acionamento de Carga Indutiva

Quando o pino COM está ligado à tensão de alimentação da bobina, o ULN2003B é capaz de acionar cargas indutivas e suprimir a
tensão de retrocesso através dos diodos internos de roda livre.

8.4.2 Acionamento de Carga Resistiva

Ao acionar uma carga resistiva, é necessário um resistor pull-up para que o ULN2003B diminua a corrente e para que haja um
nível lógico alto. O pino COM pode ser deixado flutuando para essas aplicações.

9 Aplicação e Implementação

NOTA
As informações nas seções de aplicativos a seguir não fazem parte da especificação do componente
da TI e a TI não garante sua precisão ou integridade. Os clientes da TI são responsáveis por
determinar a adequação dos componentes aos seus propósitos. Os clientes devem validar e testar
sua implementação de design para confirmar a funcionalidade do sistema.

9.1 Informações do Aplicativo


O ULN2003B normalmente será usado para acionar um periférico de alta tensão e/ou corrente de um MCU ou
dispositivo lógico que não tolera essas condições. O projeto a seguir é uma aplicação comum do ULN2003B, acionando
cargas indutivas. Isso inclui motores, solenóides e relés.Figura 23é uma representação típica de diagrama de blocos
desta aplicação.

9.2 Aplicação Típica


VSUP

ULN2003B

EM 1 OUT1

EM 2 OUT2
Lógica de 3,3 V

IN3 OUT3

Lógica de 3,3 V
IN4 OUT4

IN5 OUT5

IN6 OUT6
Log de 3,3 V c
IN7 OUT7 VSUP

GND COM

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2 ULN2003B como driver de carga indutiva


Figura e 3.

Copyright © 2 401 – Texas Instruments Incorporação


2016, rato
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Aplicação Típica (continuação)


9.2.1 Requisitos de Projeto
Para este exemplo de projeto, use os parâmetros listados emtabela 1como os parâmetros de entrada.

Tabela 1. Parâmetros de Projeto


PARÂMETRO DE PROJETO(1) EXEMPLO DE VALOR

Voltagem GPIO 3,3 V ou 5 V


Tensão de Alimentação da Bobina 12 V a 48 V
Número de canais 7
Corrente de saída (RBOBINA) 20 mA a 300 mA por canal (consulteFigura 5)
Ciclo de trabalho VerFigura 6paraFigura 14

(1) Estas condições de teste não podem ser executadas simultaneamente.

9.2.2 Procedimento de Projeto Detalhado

Ao usar ULN2003B em uma aplicação de acionamento de bobina, determine o seguinte:


• Faixa de tensão de entrada
• Faixa de Temperatura
• Corrente de Saída e Acionamento
• Dissipação de energia

9.2.2.1 Corrente de Acionamento

A corrente da bobina é determinada pela tensão da bobina (VSUP), resistência da bobina e baixa tensão de saída (VOLou
VCE(SAT)).
EUBOBINA= (VE AÍ– VCE(SAT)) / RBOBINA (1)

9.2.2.2 Saída de Baixa Tensão


A baixa tensão de saída (VOL) é a mesma coisa que VCE(SAT)e pode ser determinado por,figura 1,Figura 2, ou Figura
4.

9.2.2.3 Dissipação de Energia e Temperatura


O número de bobinas acionadas depende da corrente da bobina e da dissipação de energia no chip. O número de bobinas acionadas
pode ser determinado porFigura 6ouFigura 7.

Para uma determinação mais precisa do número de bobinas possível, useEquação 2para calcular a dissipação de energia no
chip ULN2003B PD:
N
D=umaVOLiEULi
i=1

Onde
• N é o número de canais ativos juntos.
• VOLié o FORAeutensão do pino para a corrente de carga ILi. é igual a vcCE(SAT) (2)
Para garantir a confiabilidade do ULN2003B e do sistema, a dissipação de energia no chip deve ser menor ou
igual à dissipação de energia máxima permitida (PD(MAX)) ditado porEquação 3.

D(MAX)=
(T J(MAX) - TUMA)
qJA
Onde
• TJ(MAX)é a temperatura máxima de junção alvo.
• TUMAé a temperatura ambiente de operação.
• θJAé a junção do pacote com a resistência térmica ambiente. (3)

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ULN2003B
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A TI recomenda limitar a temperatura da junção da matriz do IC ULN2003B a menos de 125°C. A temperatura da junção IC é
diretamente proporcional à dissipação de energia no chip.

9.2.3 Curvas de Aplicação


As seguintes curvas foram geradas com ULN2003B acionando um relé OMRON G5NB – Vdentro= 5,0V; Ve aí?= 12 V e R
BOBINA= 2,8 kΩ

13 14
12
11 12
10
9 10
Tensão de saída - V

Tensão de saída - V
8
8
7
6
6
5
4 4
3
2 2
1
0 0
- 0,004 0 0,004 0,008 0,012 0,016 - 0,004 0 0,004 0,008 0,012 0,016
Tempo(s) Tempo(s)
D001 D001

Figura 24. Resposta de saída com ativação Figura 25. Resposta de saída com desativação
da Bobina (Ligar) da Bobina (Desligar)

10 Recomendações de Fonte de Alimentação

Esta peça não precisa de fonte de alimentação; no entanto, o pino COM está normalmente ligado à fonte de alimentação do
sistema. Quando este for o caso, é muito importante certificar-se de que a tensão de saída não exceda a tensão do pino COM.
Isso irá polarizar fortemente os diodos fly-back e fazer com que uma grande corrente flua para o COM, potencialmente
danificando o metal no chip ou superaquecendo a peça.

11 Esquema

11.1 Diretrizes de Layout


Traços finos podem ser usados na entrada devido à lógica de baixa corrente que normalmente é usada para acionar o UNL2003B. Deve-se ter
o cuidado de separar os canais de entrada o máximo possível, para eliminar a diafonia. Traços grossos são recomendados para a saída, a fim
de conduzir quaisquer altas correntes que possam ser necessárias. A espessura do fio pode ser determinada pela densidade de corrente do
material de rastreamento e pela corrente de acionamento desejada.

Como todas as correntes dos canais retornam a um emissor comum, é melhor dimensionar essa largura de traço para que seja muito ampla.
Algumas aplicações requerem até 2,5 A.

11.2 Exemplo de Layout

1B 1 16 1C
2B 2 15 2C
3B 3 14 3C
4B 4 13 4C
5B 5 12 5C
6B 6 11 6C
7B 7 10 7C
E 8 9 VCOM
GND

Figura 26. Layout do pacote

Copiright ©2014–2016, Tex uma


s Ins verdade nt em corporaçãoorado Enviar comentários sobre a documentação 13
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12 Suporte a Dispositivos e Documentação

12.1 Recebendo Notificação de Atualizações de Documentação


Para receber notificações de atualizações de documentação, navegue até a pasta do produto do dispositivo em ti.com. No canto superior
direito, clique emAlerte-mepara se registrar e receber um resumo semanal de todas as informações do produto que foram alteradas. Para
obter detalhes sobre as alterações, revise o histórico de revisões incluído em qualquer documento revisado.

12.2 Recursos da Comunidade


Os links a seguir conectam-se aos recursos da comunidade da TI. Os conteúdos vinculados são fornecidos "COMO ESTÃO" pelos respectivos
contribuidores. Eles não constituem especificações da TI e não refletem necessariamente as opiniões da TI; veja TI'sTermos de uso.

Comunidade Online TI E2E™Comunidade de Engenheiro a Engenheiro (E2E) da TI.Criado para fomentar a colaboração
entre engenheiros. Em e2e.ti.com, você pode fazer perguntas, compartilhar conhecimento, explorar ideias e ajudar a
resolver problemas com colegas engenheiros.

Suporte ao projetoSuporte de design da TIEncontre rapidamente fóruns E2E úteis junto com ferramentas de suporte de design e
informações de contato para suporte técnico.

12.3 Marcas Registradas


E2E é uma marca registrada da Texas Instruments.
Todas as outras marcas registradas são de propriedade de seus respectivos proprietários.

12.4 Cuidado com Descarga Eletrostática


Este circuito integrado pode ser danificado por ESD. A Texas Instruments recomenda que todos os circuitos integrados sejam manuseados com as
devidas precauções. A não observância dos procedimentos adequados de manuseio e instalação pode causar danos.

Os danos causados por ESD podem variar desde a degradação sutil do desempenho até a falha completa do dispositivo. Os circuitos integrados de precisão podem
ser mais suscetíveis a danos porque alterações paramétricas muito pequenas podem fazer com que o dispositivo não atenda às especificações publicadas.

12.5 Glossário
SLYZ022—Glossário de TI.
Este glossário lista e explica termos, siglas e definições.

13 Informações Mecânicas, de Embalagem e Encomendáveis

As páginas a seguir incluem informações mecânicas, de embalagem e para pedidos. Essas informações são os dados mais atuais
disponíveis para os dispositivos designados. Esses dados estão sujeitos a alterações sem aviso prévio e revisão deste documento. Para
versões baseadas em navegador desta folha de dados, consulte a navegação à esquerda.

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ADENDO DE OPÇÃO DE PACOTE

www.ti.com 10 de dezembro de 2020

INFORMAÇÕES DA EMBALAGEM

Dispositivo Encomendável Status Tipo de pacote Pacote Alfinetes Pacote Plano Ecológico Acabamento de chumbo/ Temperatura de pico MSL Temp op (°C) Marcação do dispositivo Amostras
(1) Desenho Quantidade (2) Material da bola (3) (4/5)
(6)

ULN2003BDR ATIVO SOIC D 16 2500 RoHS & Verde NIPDAU | SN Nível-1-260C-UNLIM - 40 a 105 ULN2003B

ULN2003BN ATIVO PDIP N 16 25 RoHS & SN N / A para o tipo de pacote - 40 a 105 ULN2003BN
Não Verde
ULN2003BPWR ATIVO TSSOP PW 16 2000 RoHS & Verde NIPDAU | SN Nível-1-260C-UNLIM - 40 a 105 UN2003B

(1)Os valores de status de marketing são definidos da seguinte forma:


ATIVO:Dispositivo de produto recomendado para novos projetos.
COMPRA:A TI anunciou que o dispositivo será descontinuado e um período de compra vitalício está em vigor.
NRND:Não recomendado para novos designs. O dispositivo está em produção para dar suporte aos clientes existentes, mas a TI não recomenda o uso desta peça em um novo design.
VISUALIZAÇÃO:O dispositivo foi anunciado, mas não está em produção. As amostras podem ou não estar disponíveis. OBSOLETO:A TI descontinuou a produção do dispositivo.

(2)RoHS:TI define "RoHS" para significar produtos semicondutores que estão em conformidade com os atuais requisitos RoHS da UE para todas as 10 substâncias RoHS, incluindo o requisito de que a substância RoHS não
exceda 0,1% em peso em materiais homogêneos. Quando projetados para serem soldados em altas temperaturas, os produtos "RoHS" são adequados para uso em processos específicos sem chumbo. A TI pode fazer
referência a esses tipos de produtos como "Sem Pb".
Isento de RoHS:A TI define "RoHS Isento" para significar produtos que contêm chumbo, mas estão em conformidade com a RoHS da UE de acordo com uma isenção específica da RoHS da UE.
Verde:TI define "Verde" para significar que o conteúdo de retardantes de chama à base de Cloro (Cl) e Bromo (Br) atendem aos requisitos de baixo halogênio JS709B de limite <=1000ppm. Os retardadores de chama à base de trióxido de
antimônio também devem atender ao requisito de limite <=1000ppm.

(3)MSL, Temp. de Pico. - A classificação do nível de sensibilidade à umidade de acordo com as classificações padrão da indústria JEDEC e a temperatura de pico da solda.

(4)Pode haver marcação adicional, relacionada ao logotipo, às informações do código de rastreamento do lote ou à categoria ambiental no dispositivo.

(5)Várias marcações de dispositivo estarão entre parênteses. Apenas uma Marca de Dispositivo contida entre parênteses e separada por um "~" aparecerá em um dispositivo. Se uma linha for recuada, então é uma continuação da linha anterior e
as duas combinadas representam toda a Marcação do Dispositivo para aquele dispositivo.

(6)Acabamento de chumbo/Material de esfera - Os dispositivos que podem ser encomendados podem ter várias opções de acabamento de material. As opções de acabamento são separadas por uma linha vertical. Os valores de acabamento de chumbo/materiais de esfera podem ser divididos
em duas linhas se o valor de acabamento exceder a largura máxima da coluna.

Informações importantes e isenção de responsabilidade:As informações fornecidas nesta página representam o conhecimento e a crença da TI na data em que são fornecidas. A TI baseia seu conhecimento e crença em
informações fornecidas por terceiros e não faz nenhuma representação ou garantia quanto à precisão de tais informações. Esforços estão em andamento para integrar melhor as informações de terceiros. A TI tomou e
continua a tomar medidas razoáveis para fornecer informações representativas e precisas, mas pode não ter realizado testes destrutivos ou análises químicas em materiais e produtos químicos recebidos. Os fornecedores da
TI e TI consideram certas informações como proprietárias e, portanto, os números CAS e outras informações limitadas podem não estar disponíveis para divulgação.

Adendo-Página 1
ADENDO DE OPÇÃO DE PACOTE

www.ti.com 10 de dezembro de 2020

Em nenhum caso a responsabilidade da TI decorrente de tais informações excederá o preço total de compra da(s) peça(s) da TI em questão neste documento vendidas pela TI ao Cliente anualmente.

Adendo-Página 2
INFORMAÇÕES DOS MATERIAIS DO PACOTE

www.ti.com 30 de dezembro de 2020

INFORMAÇÕES DE FITA E CARRETEL

* Todas as dimensões são nominais

Dispositivo Pacote Pacote Alfinetes SPQ Carretel Carretel A0 B0 K0 P1 C Pino1


Modelo Desenho Diâmetro Largura (milímetros) (milímetros) (milímetros) (milímetros) (milímetros) Quadrante
(milímetros) W1 (mm)
ULN2003BDR SOIC D 16 2500 330,0 16,8 6,5 10.3 2.1 8,0 16,0 Q1
ULN2003BDR SOIC D 16 2500 330,0 16,4 6,5 10.3 2.1 8,0 16,0 Q1
ULN2003BPWR TSSOP PW 16 2000 330,0 12,4 6.9 5.6 1,6 8,0 12,0 Q1
ULN2003BPWR TSSOP PW 16 2000 330,0 12,4 6.9 5.6 1,6 8,0 12,0 Q1

Materiais do Pacote - Página 1


INFORMAÇÕES DOS MATERIAIS DO PACOTE

www.ti.com 30 de dezembro de 2020

* Todas as dimensões são nominais

Dispositivo Tipo de pacote Desenho do pacote Alfinetes SPQ Comprimento (mm) Largura (mm) Altura (mm)
ULN2003BDR SOIC D 16 2500 364,0 364,0 27,0
ULN2003BDR SOIC D 16 2500 853,0 449,0 35,0
ULN2003BPWR TSSOP PW 16 2000 364,0 364,0 27,0
ULN2003BPWR TSSOP PW 16 2000 853,0 449,0 35,0

Materiais do Pacote - Página 2


ESBOÇO DO PACOTE
PW0016A TSSOP - 1,2 mm de altura máxima

2.500
ESCALA
PACOTE DE ESBOÇO PEQUENO

ASSENTOS
AVIÃO
6.6 C
TIPO
UMA 6.2
0,1ºC
ÁREA DE ÍNDICE PIN 1
14X 0,65
16
1

2X
5.1 4,55
4.9
NOTA 3

8
9
0,30
4,5 16X 1,2 MÁX.
B 0,19
4.3
NOTA 4 0,1 TÁXI

(0,15) TIPO
VER DETALHE A

0,25
PLANO DE MEDIDA

0,15
0,05

0,75
0,50
0 -8
DETALHE A
A 20

TÍPICA

4220204/A 02/2017

NOTAS:

1. Todas as dimensões lineares estão em milímetros. Quaisquer dimensões entre parênteses são apenas para referência. Dimensionamento e tolerância conforme
ASME Y14.5M.
2. Este desenho está sujeito a alterações sem aviso prévio.
3. Esta dimensão não inclui rebarbas, saliências ou rebarbas do molde. Respingos de molde, saliências ou rebarbas não devem
exceder 0,15 mm por lado.
4. Esta dimensão não inclui flash interlead. O flash interlead não deve exceder 0,25 mm por lado.
5. Referenciar o registro JEDEC MO-153.

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EXEMPLO DE LAYOUT DA PLACA

PW0016A TSSOP - 1,2 mm de altura máxima


PACOTE DE ESBOÇO PEQUENO

16X (1,5) SIM


(R0.05) TIPO
1
16X (0,45) 16

SIM

14X (0,65)

8 9

(5.8)

EXEMPLO DE PADRÃO DE TERRENO


METAL EXPOSTO MOSTRADO
ESCALA: 10X

MÁSCARA DE SOLDA METAL SOB MÁSCARA DE SOLDA


METAL ABERTURA
ABERTURA MÁSCARA DE SOLDA

METAL EXPOSTO METAL EXPOSTO

0,05 MÁX. 0,05 MIN


TUDO EM VOLTA TUDO EM VOLTA

MÁSCARA NÃO SOLDA MÁSCARA DE SOLDA


DEFINIRAM DEFINIRAM
(PREFERIDO) VENDIDO R DETALHES DA MÁSCARA
15.000

4220204/A 02/2017

NOTAS: (continuação)

6. A publicação IPC-7351 pode ter designs alternativos.


7. As tolerâncias da máscara de solda entre e ao redor das placas de sinal podem variar de acordo com o local de fabricação da placa.

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EXEMPLO DE DESIGN DE ESTÊNCIL

PW0016A TSSOP - 1,2 mm de altura máxima


PACOTE DE ESBOÇO PEQUENO

16X (1,5) SIM


(R0.05) TIPO
1
16X (0,45) 16

SIM

14X (0,65)

8 9

(5.8)

EXEMPLO DE PASTA DE SOLDA


BASEADO EM ESTÊNCIL DE 0,125 mm DE ESPESSURA
ESCALA: 10X

4220204/A 02/2017

NOTAS: (continuação)

8. Aberturas de corte a laser com paredes trapezoidais e cantos arredondados podem oferecer melhor liberação da pasta. O IPC-7525 pode ter
recomendações alternativas de design.
9. O local de montagem da placa pode ter recomendações diferentes para o design do estêncil.

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AVISO IMPORTANTE E ISENÇÃO DE RESPONSABILIDADE

A TI FORNECE DADOS TÉCNICOS E DE CONFIABILIDADE (INCLUINDO FOLHAS DE DADOS), RECURSOS DE PROJETO (INCLUINDO PROJETOS DE
REFERÊNCIA), APLICAÇÃO OU OUTRO CONSELHO DE PROJETO, FERRAMENTAS DA WEB, INFORMAÇÕES DE SEGURANÇA E OUTROS RECURSOS “COMO
ESTÃO” E COM TODAS AS FALHAS, E SE ISENTA DE TODAS AS GARANTIAS, EXPRESSAS E IMPLÍCITA, INCLUINDO, SEM LIMITAÇÃO, QUAISQUER
GARANTIAS IMPLÍCITAS DE COMERCIALIZAÇÃO, ADEQUAÇÃO A UM DETERMINADO FIM OU NÃO VIOLAÇÃO DE DIREITOS DE PROPRIEDADE
INTELECTUAL DE TERCEIROS.
Esses recursos destinam-se a desenvolvedores qualificados que projetam com produtos da TI. Você é o único responsável por (1) selecionar os
produtos TI apropriados para seu aplicativo, (2) projetar, validar e testar seu aplicativo e (3) garantir que seu aplicativo atenda aos padrões aplicáveis
e quaisquer outros requisitos de segurança ou outros requisitos. Esses recursos estão sujeitos a alterações sem aviso prévio. A TI concede a você
permissão para usar esses recursos apenas para o desenvolvimento de um aplicativo que usa os produtos da TI descritos no recurso. É proibida outra
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