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ULN2003B
SLRS064B –JUNHO DE 2014–REVISADO AGOSTO DE 2016
1 Características 3 Descrição
1• Redução maior que 4x no vazamento de saída (I O dispositivo ULN2003B é uma matriz de transistores Darlington de
alta tensão e alta corrente. Este dispositivo consiste em sete pares
CEX) sobre ULN2003A
NPN Darlington que apresentam saídas de alta tensão com diodos
• Corrente de Coletor Nominal de 500 mA (Saída Única) de pinça de cátodo comum para comutação de cargas indutivas. A
• Saídas de alta tensão 50 V classificação de corrente de coletor de um único par Darlington é de
• Diodos de braçadeira de saída 500 mA. Os pares Darlington podem ser colocados em paralelo para
maior capacidade de corrente.
• Entradas compatíveis com vários tipos de lógica
• Aplicativos de driver de relé O ULN2003B possui um resistor de base série de 2,7 kΩ
para cada par Darlington para operação direta com
dispositivos TTL ou CMOS.
2 Aplicativos
• Drivers de relé Informação de dispositivo(1)
• Drivers de Lâmpada NÚMERO DA PEÇA PACOTE TAMANHO DO CORPO (NOM)
Esquema Simplificado
9
COM
1 16
1B 1C
2 15
2B 2C
3 14
3B 3C
4 13
4B 4C
5 12
5B 5C
6 11
6B 6C
7 10
7B 7C
Um AVISO IMPORTANTE no final desta folha de dados aborda disponibilidade, garantia, alterações, uso em aplicações críticas de segurança,
questões de propriedade intelectual e outras isenções de responsabilidade importantes. DADOS DE PRODUÇÃO.
ULN2003B
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Índice
1 Características.................................................. ................1 8.2 Diagrama de Blocos Funcionais ........................................10
2 Formulários.................................................. .........1 8.3 Descrição do Recurso.............................................. ..10
3 Descrição.................................................. ...........1 8.4 Modos Funcionais do Dispositivo........................................11
4 Histórico de revisões
Pacote D, N ou PW
SOIC, PDIP ou TSSOP de 16 pinos
Vista do topo
B 1 16 1C
B 2 15 2C
B 3 14 3C
B 4 13 4C
B 5 12 5C
B 6 11 6C
B 7 10 7C
E 8 9 COM
Sem escala
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6 Especificações
(1) Estresses além daqueles listados emClassificações máximas absolutaspode causar danos permanentes ao dispositivo. Estas são apenas classificações de estresse,
que não implicam na operação funcional do dispositivo nessas ou em quaisquer outras condições além das indicadas emCondições de operação
recomendadas. A exposição a condições de classificação máxima absoluta por longos períodos pode afetar a confiabilidade do dispositivo.
(2) Todos os valores de tensão referem-se ao terminal E emissor/substrato, salvo indicação em contrário.
(3) A dissipação máxima de potência é uma função de TJ(máximo), θJA, e TUMA. A dissipação de potência máxima permitida em qualquer temperatura ambiente
permitida é PD= (TJ(máximo) – TUMA)/θJA. Operando no máximo absoluto TJde 150°C pode afetar a confiabilidade.
(4) A impedância térmica do pacote é calculada de acordo com JESD 51-7.
(1) O documento JEDEC JEP155 afirma que 500-V HBM permite uma fabricação segura com um processo de controle ESD padrão.
(2) O documento JEDEC JEP157 afirma que o CDM de 250 V permite uma fabricação segura com um processo de controle ESD padrão.
RθJA Resistência térmica de junção para ambiente 105,5 81,2 49,6 °C/W
RθJC(topo) Resistência térmica de junção para caixa (topo) 38,3 40 36.2 °C/W
RθJB Resistência térmica de junção para placa 50,9 38,6 29.2 °C/W
ψJT Parâmetro de caracterização de junção para topo 4.1 10,5 20.2 °C/W
ψJB Parâmetro de caracterização de junção para placa 50,3 38,3 29,5 °C/W
(1) Para obter mais informações sobre métricas térmicas tradicionais e novas, consulte oMétricas Térmicas de Semicondutores e Pacotes ICrelatório de
aplicação.
2.2
1,6 1,35
1,4 1.2
1.2 1,05
1 0,9
0,8 0,75
0,6 0,6
0,4 0,45
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 0 80 160 240 320 400 480 560 640 720 800
EUC- Corrente do Coletor - mA EUC- Corrente do Coletor - mA
D001 D001
Figura 1. Tensão de saturação coletor-emissor vs coletor Figura 2. Tensão de Saturação Coletor-Emissor vs Total
Atual (Um Darlington) Corrente de Coletor (Dois Darlingtons em Paralelo)
Figura 3. Corrente de entrada vs tensão de entrada Figura 4. Tensão de Saturação Coletor-Emissor vs Coletor
Atual
5000 0,55
3000 0,5
2000
0,45
Taxa de Transferência de Corrente DC - hEF
1000 0,4
500 0,35
300 0,3
200
0,25
1 canal
100 0,2 2 canais
50 0,15 3 canais
4 canais
20 TUMA= -40qC
0,05
6 canais
10 0
1 mA 10 mA 100 mA 500 mA 0 20% 40% 60% 80% 100%
Corrente de saída IFORA Ciclo de trabalho (DC)
D001 D001
TUMA= 25ºC
6 Enviar eu
Façacvocê
mentateu
on F eed BAck Copyright © 2014–2016, Texas Instruments Incorporated
0,15 3 canais
0,15 3 canais
4 canais 4 canais
0,05 0,05
6 canais 6 canais
7 canais 7 canais
0 0
0 20% 40% 60% 80% 100% 0 20% 40% 60% 80% 100%
Ciclo de trabalho (DC) Ciclo de trabalho (DC)
D001 D001
TUMA= 25ºC TUMA= 25ºC
Figura 7. Corrente máxima do coletor do pacote PW Figura 8. Corrente máxima do coletor do pacote N
vs Ciclo de Trabalho vs Ciclo de Trabalho
0,55 0,55
0,5 0,5
0,45 Corrente máxima por canal (A) 0,45
Corrente máxima por canal (A)
0,4 0,4
0,35 0,35
0,3 0,3
0,25 0,25
1 canal
0,2 2 canais 0,2
0,15 3 canais
0,15
4 canais 1 canal 5 canais
0,05 0,05
6 canais 3 canais 7 canais
7 canais 4 canais
0 0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1 0 20% 40% 60% 80% 100%
Ciclo de trabalho (DC) Ciclo de trabalho (DC)
D001 D001
TUMA= 70ºC TUMA= 70ºC
Figura 9. Corrente máxima do coletor do pacote D Figura 10. Corrente máxima do coletor do pacote PW
vs Ciclo de Trabalho vs Ciclo de Trabalho
0,55 0,55
1 canal
0,5 0,5
2 canais
4 canais
0,4 0,4 5 canais
7 canais
0,3 0,3
0,25 0,25
1 canal
0,2 2 canais 0,2
0,15 3 canais
0,15
4 canais
7 canais
0 0
0 20% 40% 60% 80% 100% 0 20% 40% 60% 80% 100%
Ciclo de trabalho (DC) Ciclo de trabalho (DC)
D001 D001
TUMA= 70ºC TUMA= 105ºC
Figura 11. Corrente máxima do coletor do pacote N Figura 12. Corrente máxima do coletor do pacote D
vs Ciclo de Trabalho vs Ciclo de Trabalho
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Figura 13. Corrente máxima do coletor do pacote PW Figura 14. Corrente Máxima do Coletor do Pacote N vs Serviço
vs Ciclo de Trabalho Ciclo
EU
C
ICEX II (desligado)
Abrir
Abrir Abrir
CI
II (em) hFE =
II
VI Abrir
II VCE CI
Abrir RV
RI
Abrir
VI(ligado) VCE CI
VF E SE
Abrir
pano
ight © 210 4–2016 Tex
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8 Descrição Detalhada
COM
Saída C
2,7 mil
Entrada B
7,2 mil 3k
E
Quando o pino COM está ligado à tensão de alimentação da bobina, o ULN2003B é capaz de acionar cargas indutivas e suprimir a
tensão de retrocesso através dos diodos internos de roda livre.
Ao acionar uma carga resistiva, é necessário um resistor pull-up para que o ULN2003B diminua a corrente e para que haja um
nível lógico alto. O pino COM pode ser deixado flutuando para essas aplicações.
9 Aplicação e Implementação
NOTA
As informações nas seções de aplicativos a seguir não fazem parte da especificação do componente
da TI e a TI não garante sua precisão ou integridade. Os clientes da TI são responsáveis por
determinar a adequação dos componentes aos seus propósitos. Os clientes devem validar e testar
sua implementação de design para confirmar a funcionalidade do sistema.
ULN2003B
EM 1 OUT1
EM 2 OUT2
Lógica de 3,3 V
IN3 OUT3
Lógica de 3,3 V
IN4 OUT4
IN5 OUT5
IN6 OUT6
Log de 3,3 V c
IN7 OUT7 VSUP
GND COM
A corrente da bobina é determinada pela tensão da bobina (VSUP), resistência da bobina e baixa tensão de saída (VOLou
VCE(SAT)).
EUBOBINA= (VE AÍ– VCE(SAT)) / RBOBINA (1)
Para uma determinação mais precisa do número de bobinas possível, useEquação 2para calcular a dissipação de energia no
chip ULN2003B PD:
N
D=umaVOLiEULi
i=1
Onde
• N é o número de canais ativos juntos.
• VOLié o FORAeutensão do pino para a corrente de carga ILi. é igual a vcCE(SAT) (2)
Para garantir a confiabilidade do ULN2003B e do sistema, a dissipação de energia no chip deve ser menor ou
igual à dissipação de energia máxima permitida (PD(MAX)) ditado porEquação 3.
D(MAX)=
(T J(MAX) - TUMA)
qJA
Onde
• TJ(MAX)é a temperatura máxima de junção alvo.
• TUMAé a temperatura ambiente de operação.
• θJAé a junção do pacote com a resistência térmica ambiente. (3)
A TI recomenda limitar a temperatura da junção da matriz do IC ULN2003B a menos de 125°C. A temperatura da junção IC é
diretamente proporcional à dissipação de energia no chip.
13 14
12
11 12
10
9 10
Tensão de saída - V
Tensão de saída - V
8
8
7
6
6
5
4 4
3
2 2
1
0 0
- 0,004 0 0,004 0,008 0,012 0,016 - 0,004 0 0,004 0,008 0,012 0,016
Tempo(s) Tempo(s)
D001 D001
Figura 24. Resposta de saída com ativação Figura 25. Resposta de saída com desativação
da Bobina (Ligar) da Bobina (Desligar)
Esta peça não precisa de fonte de alimentação; no entanto, o pino COM está normalmente ligado à fonte de alimentação do
sistema. Quando este for o caso, é muito importante certificar-se de que a tensão de saída não exceda a tensão do pino COM.
Isso irá polarizar fortemente os diodos fly-back e fazer com que uma grande corrente flua para o COM, potencialmente
danificando o metal no chip ou superaquecendo a peça.
11 Esquema
Como todas as correntes dos canais retornam a um emissor comum, é melhor dimensionar essa largura de traço para que seja muito ampla.
Algumas aplicações requerem até 2,5 A.
1B 1 16 1C
2B 2 15 2C
3B 3 14 3C
4B 4 13 4C
5B 5 12 5C
6B 6 11 6C
7B 7 10 7C
E 8 9 VCOM
GND
Comunidade Online TI E2E™Comunidade de Engenheiro a Engenheiro (E2E) da TI.Criado para fomentar a colaboração
entre engenheiros. Em e2e.ti.com, você pode fazer perguntas, compartilhar conhecimento, explorar ideias e ajudar a
resolver problemas com colegas engenheiros.
Suporte ao projetoSuporte de design da TIEncontre rapidamente fóruns E2E úteis junto com ferramentas de suporte de design e
informações de contato para suporte técnico.
Os danos causados por ESD podem variar desde a degradação sutil do desempenho até a falha completa do dispositivo. Os circuitos integrados de precisão podem
ser mais suscetíveis a danos porque alterações paramétricas muito pequenas podem fazer com que o dispositivo não atenda às especificações publicadas.
12.5 Glossário
SLYZ022—Glossário de TI.
Este glossário lista e explica termos, siglas e definições.
As páginas a seguir incluem informações mecânicas, de embalagem e para pedidos. Essas informações são os dados mais atuais
disponíveis para os dispositivos designados. Esses dados estão sujeitos a alterações sem aviso prévio e revisão deste documento. Para
versões baseadas em navegador desta folha de dados, consulte a navegação à esquerda.
INFORMAÇÕES DA EMBALAGEM
Dispositivo Encomendável Status Tipo de pacote Pacote Alfinetes Pacote Plano Ecológico Acabamento de chumbo/ Temperatura de pico MSL Temp op (°C) Marcação do dispositivo Amostras
(1) Desenho Quantidade (2) Material da bola (3) (4/5)
(6)
ULN2003BDR ATIVO SOIC D 16 2500 RoHS & Verde NIPDAU | SN Nível-1-260C-UNLIM - 40 a 105 ULN2003B
ULN2003BN ATIVO PDIP N 16 25 RoHS & SN N / A para o tipo de pacote - 40 a 105 ULN2003BN
Não Verde
ULN2003BPWR ATIVO TSSOP PW 16 2000 RoHS & Verde NIPDAU | SN Nível-1-260C-UNLIM - 40 a 105 UN2003B
(2)RoHS:TI define "RoHS" para significar produtos semicondutores que estão em conformidade com os atuais requisitos RoHS da UE para todas as 10 substâncias RoHS, incluindo o requisito de que a substância RoHS não
exceda 0,1% em peso em materiais homogêneos. Quando projetados para serem soldados em altas temperaturas, os produtos "RoHS" são adequados para uso em processos específicos sem chumbo. A TI pode fazer
referência a esses tipos de produtos como "Sem Pb".
Isento de RoHS:A TI define "RoHS Isento" para significar produtos que contêm chumbo, mas estão em conformidade com a RoHS da UE de acordo com uma isenção específica da RoHS da UE.
Verde:TI define "Verde" para significar que o conteúdo de retardantes de chama à base de Cloro (Cl) e Bromo (Br) atendem aos requisitos de baixo halogênio JS709B de limite <=1000ppm. Os retardadores de chama à base de trióxido de
antimônio também devem atender ao requisito de limite <=1000ppm.
(3)MSL, Temp. de Pico. - A classificação do nível de sensibilidade à umidade de acordo com as classificações padrão da indústria JEDEC e a temperatura de pico da solda.
(4)Pode haver marcação adicional, relacionada ao logotipo, às informações do código de rastreamento do lote ou à categoria ambiental no dispositivo.
(5)Várias marcações de dispositivo estarão entre parênteses. Apenas uma Marca de Dispositivo contida entre parênteses e separada por um "~" aparecerá em um dispositivo. Se uma linha for recuada, então é uma continuação da linha anterior e
as duas combinadas representam toda a Marcação do Dispositivo para aquele dispositivo.
(6)Acabamento de chumbo/Material de esfera - Os dispositivos que podem ser encomendados podem ter várias opções de acabamento de material. As opções de acabamento são separadas por uma linha vertical. Os valores de acabamento de chumbo/materiais de esfera podem ser divididos
em duas linhas se o valor de acabamento exceder a largura máxima da coluna.
Informações importantes e isenção de responsabilidade:As informações fornecidas nesta página representam o conhecimento e a crença da TI na data em que são fornecidas. A TI baseia seu conhecimento e crença em
informações fornecidas por terceiros e não faz nenhuma representação ou garantia quanto à precisão de tais informações. Esforços estão em andamento para integrar melhor as informações de terceiros. A TI tomou e
continua a tomar medidas razoáveis para fornecer informações representativas e precisas, mas pode não ter realizado testes destrutivos ou análises químicas em materiais e produtos químicos recebidos. Os fornecedores da
TI e TI consideram certas informações como proprietárias e, portanto, os números CAS e outras informações limitadas podem não estar disponíveis para divulgação.
Adendo-Página 1
ADENDO DE OPÇÃO DE PACOTE
Em nenhum caso a responsabilidade da TI decorrente de tais informações excederá o preço total de compra da(s) peça(s) da TI em questão neste documento vendidas pela TI ao Cliente anualmente.
Adendo-Página 2
INFORMAÇÕES DOS MATERIAIS DO PACOTE
Dispositivo Tipo de pacote Desenho do pacote Alfinetes SPQ Comprimento (mm) Largura (mm) Altura (mm)
ULN2003BDR SOIC D 16 2500 364,0 364,0 27,0
ULN2003BDR SOIC D 16 2500 853,0 449,0 35,0
ULN2003BPWR TSSOP PW 16 2000 364,0 364,0 27,0
ULN2003BPWR TSSOP PW 16 2000 853,0 449,0 35,0
2.500
ESCALA
PACOTE DE ESBOÇO PEQUENO
ASSENTOS
AVIÃO
6.6 C
TIPO
UMA 6.2
0,1ºC
ÁREA DE ÍNDICE PIN 1
14X 0,65
16
1
2X
5.1 4,55
4.9
NOTA 3
8
9
0,30
4,5 16X 1,2 MÁX.
B 0,19
4.3
NOTA 4 0,1 TÁXI
(0,15) TIPO
VER DETALHE A
0,25
PLANO DE MEDIDA
0,15
0,05
0,75
0,50
0 -8
DETALHE A
A 20
TÍPICA
4220204/A 02/2017
NOTAS:
1. Todas as dimensões lineares estão em milímetros. Quaisquer dimensões entre parênteses são apenas para referência. Dimensionamento e tolerância conforme
ASME Y14.5M.
2. Este desenho está sujeito a alterações sem aviso prévio.
3. Esta dimensão não inclui rebarbas, saliências ou rebarbas do molde. Respingos de molde, saliências ou rebarbas não devem
exceder 0,15 mm por lado.
4. Esta dimensão não inclui flash interlead. O flash interlead não deve exceder 0,25 mm por lado.
5. Referenciar o registro JEDEC MO-153.
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EXEMPLO DE LAYOUT DA PLACA
SIM
14X (0,65)
8 9
(5.8)
4220204/A 02/2017
NOTAS: (continuação)
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EXEMPLO DE DESIGN DE ESTÊNCIL
SIM
14X (0,65)
8 9
(5.8)
4220204/A 02/2017
NOTAS: (continuação)
8. Aberturas de corte a laser com paredes trapezoidais e cantos arredondados podem oferecer melhor liberação da pasta. O IPC-7525 pode ter
recomendações alternativas de design.
9. O local de montagem da placa pode ter recomendações diferentes para o design do estêncil.
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AVISO IMPORTANTE E ISENÇÃO DE RESPONSABILIDADE
A TI FORNECE DADOS TÉCNICOS E DE CONFIABILIDADE (INCLUINDO FOLHAS DE DADOS), RECURSOS DE PROJETO (INCLUINDO PROJETOS DE
REFERÊNCIA), APLICAÇÃO OU OUTRO CONSELHO DE PROJETO, FERRAMENTAS DA WEB, INFORMAÇÕES DE SEGURANÇA E OUTROS RECURSOS “COMO
ESTÃO” E COM TODAS AS FALHAS, E SE ISENTA DE TODAS AS GARANTIAS, EXPRESSAS E IMPLÍCITA, INCLUINDO, SEM LIMITAÇÃO, QUAISQUER
GARANTIAS IMPLÍCITAS DE COMERCIALIZAÇÃO, ADEQUAÇÃO A UM DETERMINADO FIM OU NÃO VIOLAÇÃO DE DIREITOS DE PROPRIEDADE
INTELECTUAL DE TERCEIROS.
Esses recursos destinam-se a desenvolvedores qualificados que projetam com produtos da TI. Você é o único responsável por (1) selecionar os
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