U N I V E R S I D A D E FEDERAL DE SANTA CATARINA

P R O G R A M A DE P Ó S - G R A D U A Ç Ã O EM E N G E N H A R I A M E C Â N I C A

PROJETO E REALIZAÇÃO DE UMA FONTE DE ENERGIA

PARA SOLDAGEM MULTI-PROCESSO

DISSERTAÇÃO SUBMETIDA À UNIVERSIDADE F E D E R A L D E SANTA CATARINA

P A R A O B T E N Ç Ã O D O G R A U DE M E S T R E EM E N G E N H A R I A M E C Â N I C A .

RAUL GOHR JÚNIOR

FLORIANÓPOLIS. OUTUBRO 1992

 UN I V E R S I D A D E FEDERAL DE SANTA CATARINA

PROGRAMA DE PÓS-GRADUAÇÃO EM ENGENHARIA MECÂNICA

PROJETO E REALIZAÇÃO DE UMA FONTE DE ENERGIA

PARA SOLDAGEM MULTI-PROCESSO

DISSERTAÇÃO SUBMETIDA À UNIVERSIDADE FEDERAL DE SANTA CATARINA

P A R A OBT E N Ç Ã O DO G RAU DE MEST R E EM ENGE NHARI A MECÂNICA.

RAUL GOHR JÚNIOR

FLORIANÓPOLIS, OUTUBRO 1992

 ii

P R O J E T O E R E A L I Z A Ç Ã O DE UM A FONTE DE ENERGIA PARA SOLDAGEM

M U L T I -PROCESSO

RAUL GOHR JÚNIOR

ESTA DISSERTAÇÃO FOI JULGADA ADEQUADA PARA A OBTENÇÃO DO TÍTULO DE

MESTRE EM ENGENHARIA

ESPECIALIDADE ENGENHARIA MECÂNICA, ÁREA DE CONCENTRAÇÃO METROLOGIA E

AUTCMAÇÂO, APROVADA EM SUA FORMA FINAL PELO PROGRAMA DE PÓS GRADUAÇÃO EM
E N G E N H A R I A M E C Â N I C A D A UFSC.

rof-r^Arnal do Joíí^é P e r i n , Dr. Ing

ORIENTADOR
*5-

>rof . Jaí-r <zûr 1 os D u t r a ,

BANCA EXAMINADORA

P r o f w f t f n a l d o J o s éé í^er i n , Dr . Ing

Prof. C a r l o s A l b e r t o M a r t i n » D r .
meus Pais
meus Avós
 AGRADECIMENTOS

Aos meus orientadores, Prof. Arnaldo José Perin e Pr of.

Jair Carlos Dutra, pela orientação, estimulo e companheirismo.

Aos membros da b a n c a e x a m i n a d o r a Prof. Ivo B a r b i e Pr of.

Carlos Alberto Martin pela atenção e contribuição sugeridas ao

trabalho.

Ao E n g . Larry Fiore Ollé pela amizade e colaboração na

realização deste trabalho.

Ao Estagiário Carlos Alberto Ferreira pela amizade e

c o l a b o r a ç ã o nas m o n t a g e n s r e f e r e n t e s as p a r t e s m e c â n i c a s .

À minha namorada Patrícia Vilain, pelo apoio e

compreensão no s momentos importantes da realização deste

trabalho.

Aos Estagiários e técnicos do LABSOLDA (Laboratório de

Soldagem) e LAMEP (Laboratório de Máquinas Elétricas e

Eletrônica de Potência), que de uma forma ou de outra

c o n t r i b u í r a m para o desenvolvimento deste trabalho.

À sociedade alemã de cooperação tecnológica (GTZ) pela

d o a ç ã o dos IGBT's.

À C N P Q p r ojeto R H A E pela bolsa de est u d o co n c e b i d a

Ao LABSOLDA como principal agente financiador e também a

n
CAPES via Pós-Gradução pelos recursos financeiros concebidos.
 V

SUMÁRIO

SIMBOLOGIA ................................................................. x

RESUMO .................................................................... xi v

ABSTRACT .................................................................. xv

CAPÍTULO 1 - FONTES DE ENERGIA PARA SOLDAGEM

1.1 - E V O L U Ç Ã O D A S F O N T E S D E E N E R G I A .......................... .02

1.2- OBJETIVOS ...................................................... .09

CAPÍTULO 2 - CONSIDERAÇÕES PARA PROJETO

2.1- P R O C E S S O T I G / P L A S M A .......................................... .13

2. 1 . 1 - I m p o s i ç ã o de c o r r e n t e c o n t í n u a ..................... .14

2.1.2 - Regime pulsado ............ .............................. .14

2 . 1 . 3 - I m p o s i ç ã o de C o r r e n t e A l t e r n a d a .................... .15

2.2 P R O C E S S O M I G / M A G .................................................17

2 . 2.1 - Modo Tensão .............................................. .17

2.2.2 - Modo Corrente .............................................20

2.2.3 - Modo Misto .................................................22

2.3 E L E T R O D O R E V E S T I D O ............................................. .24

CAPÍTULO 3 - REALIZAÇÃO DO PROTÓTIPO

3.1 - APRESENTAÇÃO DO CONVERSOR 25

 vi

3.2 - T É C N I C A D E C H A V E A M E N T O ..................................... 26

3.2.1 - C o m a n d o clá ssi co dos IGBT's ......................... 29

3.2.2 - C o m a n d o a l t ernado dos IGBT's ........................ 30

3 . 2 . 3 - A n á l i s e das P e r d a s em Condução ...................... 33

a) C o m a n d o C l á s s i c o .......................................... 33

b) C o m a n d o a l t e r n a d o dos I G B T ’s ........................... 34

3. 3 - F R E Q U Ê N C I A D E C O M U T A Ç Ã O .................................... 36

3.4 PERDAS NA COMUTAÇÃO .......................................... 40

3.4.1 Est u d o da comutação ...................................... 41

a) P e r d a s no b l o q u e i o d o IGBT ............................. 41

b) P e r d a s no f e c h a m e n t o d o IG BT .......................... 42

3.4.2 - Perdas c o m c i r c u i t o de a j u d a à c o m u t a ç ã o ........ 45

a) C i r c u i t o G r a m p e a d o r ...................................... 45

b) C i r c u i t o de a j u d a à c o m u t a ç ã o c l á s s i c o ............. 51

c) C i r c u i t o de a j u d a à c o m u t a ç ã o a d a p t a d o

ao c o n v e r s o r ................................................ 55

3 . 4 . 3 - D i m e n s i o n a m e n t o do c i r c u i t o d e a j u d a à

c o m u t a ç ã o a d a p t a d o ao c o n v e r s o r ...................... 66

3.5 - C I R C U I T O S D E C O N T R O L E ................. .................... 69

3.5.1 - C o n t r o l e da C o r r e n t e ................................... 69

3.5.2 - C o n t r o l e da Ten s ã o ..................................... 71

3.6 - C I R C U I T O S DE A P O I O E SENS O R E S ........................... 74..

3.6.1 - C i r c u i t o de C o m a n d o .................................... 74

3 . 6 . 2 - C i r c u i t o de r e f e r ê n c i a e l ó g i c a de p a r t i d a ..... 76

a) C i r c u i t o de R e f e r ê n c i a de C o r r e n t e e Tensão ...... 76

b) C i r c u i t o de l ó g i c a de p a r t i d a / p a r a d a ................ 78

c) C i r c u i t o limitador de C o r r e n t e ........................ 78

3.6.3 - Sensores .................................................. 83

 v ii

a) S e n s o r de c o r r e n t e ........................................ 83

b) S e n s o r de t e n s ã o .......................................... 84

CAPÍTULO 4 - FONTE DE TENSÃO CONSTANTE PARA

ALIMENTAÇÃO DO CONVERSOR

4.1 - D I M E N S I O N A M E N T O D O C A P A C I T O R DE

FILTRAGEM DE SAÍDA .......................................... .85

4.2 - F I L T R O S DE R E A T I V O S ......................................... .93

4.2.1 - F i l t r o de p r i m e i r a o r d e m L ( i n d u t i v o ) ............ .96

k . 2 . 2 - F i l t r o de s e g u n d a o r d e m L C .......................... .98

a) - Configuração 1 ............................................ 98

b) - C o n f i g u r a ç ã o 2 .......................................... 102

4.2.3 - Filtro i n d u t i v o a p l i c a d o na s a í d a ................ 103

4 . 2 . 4 - R e s u m o do s r e s u l t a d o s ................................ 107

4.2.5 - R e s u l t a d o s e x p e r i m e n t a i s do r e t i f i c a d o r

com o filtro ............................................ 108

C A P Í T U L O 5 - SELEÇÃO DOS COMPONENTES DO C O NV E R S O R

5.1 - C á l c u l o do C a p a c i t o r do c i r c u i t o

de A j u d a à c o m u t a ç ã o .................................... . 112

5 . 2 - C á l c u l o d a t e n s ã o m á x i m a no IGB T ........................113

5 . 3 - C á l c u l o da c o r r e n t e m á x i m a no IGBT .................... .114

5 . 4 - P e r d a s no IGBT ................................................114

a) P e r d a s na C o m u t a ç ã o ......................................... 114

b) P e r d a s em C o n d u ç ã o ........................................... 115

5.5 - P e r d a s no D i o d o d e R o d a L i v r e ........................... 115

 vi i i

5 . 6 - C á l c u l o d a R e s i s t ê n c i a do C i r c u i t o

de A j u d a à C o m u t a ç ã o ...................................... .1 1 6

5 .7 - P e r d a s n o s R e s i s t o r e s do c i r c u i t o

de a j u d a à c o m u t a ç ã o ...................................... .1 1 6

5.8 - Si m u l a ç ã o do C o n v e r s o r ................................... .1 1 7

5.9 - C á l c u l o da i n d u t â n c i a do f i l t r o de s a í d a Lf s ...... .120

CAPÍTULO 6 - RESULTADOS EXPERIMENTAIS

6.1 - MONTAGEM PRÁTI CA ........................................... 121

6. 2 - E N S A I O D O C O N V E R S O R ....................................... J23

6. 2.1 - Ensaio dos IGBT's ......................................123

6 . 2 . 2 - T e n s ã o m á x i m a s o b r e o IGBT ......................... .126

6.2.3 - Ond ul a ç ã o da Corrente ............................... .127

6.2.4 - Valor da I n d u t â n c i a do F i l t r o de s a í d a

Obtido na Prática ..................................... 127

6.3 - L E V A N T A M E N T O D A C A R A C T E R Í S T I C A ESTÁTICA

DO PROTÓTIPO ..................................................128

6 . 3.1 - C a r a c t e r í s t i c a E s t á t i c a de C o r r e n t e ............. .129

6 . 3 . 2 - C a r a c t e r í s t i c a E s t á t i c a de T e n s ã o .................129

6. 4 - D E S E M P E N H O D I N Â M I C O D O P R O T Ó T I P O ...................... .130

6 . 4.1 - Processo TIG ........................................... 130

6.4.2 - Processo M I G ........................................... 131

6.4.3 - Eletrodo revestido ................................... 135

CONCLUSÕES ......................... , o£

A P Ê N D I C E - C a t álogos dos IGBT's (AEG e EUPEC) 138

REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS
 x

SIMBOLOGIA

Cfs - C a p a c i t o r de f i l t r o de s a í d a do r e t i f i c a d o r

C A C A C - C i r c u i t o de a j u d a à c o m u t a ç ã o a d a p t a d o ao c o n v e r s o r

Ci - V a l o r do c a p a c i t o r do c i r c u i t o integrador

Cf - C a p a c i t â n c i a do f i l t r o de r e a t i v o s

C - Capacitor

CC - Corrente contínua

cb - C a p a c i t o r de a j u d a à c o m u t a ç ã o no b l o q u e i o

C m i n - V a l o r m í n i m o do c a p a c i t o r do C A C A C

D i a - O n d u l a ç ã o da c o r r e n t e Ia

D I c - O n d u l a ç ã o da c o r r e n t e Ic

DIs - O n d u l a ç ã o d a c o r r e n t e de s o l d a g e m

d b - D i o d o de a j u d a à c o m u t a ç ã o n o b l o q u e i o

D - diodo

df - D i o d o de a j u d a à c o m u t a ç ã o no f e c h a m e n t o

E - T e n s ã o de a l i m e n t a ç ã o do c o n v e r s o r

Ea - T e n s ã o do A r c o

Ef - V a l o r f i nal d a t e n s ã o do c a p a c i t o r do C A C A C

fc c - F r e q u ê n c i a de c o m u t a ç ã o n o m o d o c l á s s i c o

fc a - f r e q u ê n c i a de c o m u t a ç ã o n o m o d o a l t e r n a d o

fo a - F r e q u ê n c i a de o n d u l a ç ã o d a c o r r e n t e Ia

fc a m ^ x - F r e q u ê n c i a m á x i m a de c o m u t a ç ã o n o m o d o a l t e r n a d o

f c c m á x - V a l o r m á x i m o d e fcc

FP - Fator de p o t ê n c i a

ft - F a t o r de o n d u l a ç ã o d a t e n s ã o de s a í d a do r e t i f i c a d o r (E)

IGBT - I n s u l a t e G a t e B i p o l a r T r a n s i s t o r
 I D m á x - C o r r e n t e m á x i m a no d i o d o de r o d a livre

Is - C o r r e n t e d e S o l d a g e m

IM - V a l o r m á x i m o d a c o r r e n t e Is

Im - V a l o r m í n i m o da c o r r e n t e Is

Ic - C o r r e n t e na indutância Lee

IMc - V a l o r m á x i m o d a c o r r e n t e Ic

Ia - C o r r e n t e na indutância Lca

IMa - V a l o r m á x i m o da c o r r e n t e Ia

Ima - V a l o r m í n i m o d a c o r r e n t e Ia

l j m a x _ C o r r e n t e m á x i m a no IGBT

II - C o r r e n t e de l i n h a

Ilef - C o r r e n t e e f i c a z de l i n h a

ILf - C o r r e n t e e m Lf

Ice - C o r r e n t e entre coletor emissor do I GB T

ld - I n d u t â n c i a de d i s p e r s ã o

Lfs - I n d u t â n c i a d e f i l t r o de s a í d a

L f s c “ I n d u t â n c i a de f i l t r o de s a í d a no m o d o c l á s s i c o

L f s a - I n d u t â n c i a de f i l t r o de s a í d a n o m o d o a l t e r n a d o

lp - I n d u t â n c i a p a r a s i t a

Lf - I n d u t â n c i a do f i l t r o de r e a t i v o s

L - I n d u t â n c i a d o f i l t r o de r e a t i v o s na s a í d a do r e t i f i c a d o r

MIG - Metal Inerte Gás

M A G - Metal A c t i v e Gás

np - N ú m e r o d e p u l s o s d o r e t i f i c a d o r

PWM - Pulsed Width Modulation

Pjc “ Perdas no IGBT e m c o n d u ç ã o

PI2)C - P e r d a s e m c o n d u ç ã o no d i o d o

^ Ia ~ P e r d a s no IGBT em c o n d u ç ã o no m o d o a l t e r n a d o
 x ii

Pj-ja - P e r d a s no d i o d o e m c o n d u ç ã o no m o d o a l t e r n a d o

Pb - P e r d a s n o b l o q u e i o no IGBT

Pf - P e r d a s no I G B T no f e c h a m e n t o

Pcjí - Perdas totais no IGBT na c o m u t a ç ã o

Pr - P e r d a s na resistência r

Pbgi - Perdas no IGBT n o f e c h a m e n t o c o m c i r c u i t o g r a m p e a d o r

Pbai - P o t ê n c i a p e r d i d a no bloq u e i o no IGBT c o m o C A C A C

Pbrb - P e r d a no b l o q u e i o na resistência de a j u d a n o b l o q u e i o com

o CACAC

Pfyc _ Perdas t o t a i s no I G B T no f e c h a m e n t o c o m o C A C A C

Pfcrb - Perdas na resistência do CACAC na entrada em

condução

Pyc - Perdas t o t a i s d e v i d o ao c a p a c i t o r do C A C A C

Pci - P o t ê n c i a p e r d i d a no IGBT em c o n d u ç ã o

R a - R e s i s t ê n c i a do A r c o

r - R e s i s t ê n c i a de ajuda no circuito g r a m p e a d o r

rb - R e s i s t ê n c i a d e a j u d a à c o m u t a ç ã o n o b l o q u e i o

Ri - R e s i s t ê n c i a do c i r c u i t o integrador

Rs - R e s i s t ê n c i a n a s a í d a d o s e n s o r H a l l

RH - R e s i s t ê n c i a interna do sensor Hall

TIG - Tungsténio Inerte Gás

t c c ,t T e m p o d e c o n d u ç ã o d o IG BT no m o d o c l á s s i c o

tb c - T e m p o de b l o q u e i o do IGBT no m o d o c l á s s i c o

tc a - T e m p o de c o n d u ç ã o do IG BT no m o d o a l t e r n a d o

t - Tempo

T a l a - C o n s t a n t e de t e m p o

T - P e r í o d o da c o m utação

Tc - P e r í o d o de c o m u t a ç ã o n o m o d o c l á s s i c o
 x iii

tfi - T e m p o de d e s c i d a da c o r r e n t e

t f v - T e m p o d e d e s c i d a da t e n s ã o

trv - T e m p o de subida da tensão

t o n - T e m p o to t a l a t é a e n t r a d a e m c o n d u ç ã o do IGBT

ts - T e m p o d e e s t o c a g e m d o IGBT

Vfo - Q u e d a de t e n s ã o no d i o d o e m c o n d u ç ã o

Vsat - T e n s ã o de s a t u r a ç ã o do IGBT

V T - T e n s ã o s o b r e o IGBT

V p - P i c o de t e n s ã o no IGBT d e v i d o à i n d u t â n c i a p a r a s i t a

Vcmáx - T e n s ã o m á x i m a no c a p a c i t o r do c i r c u i t o g r a m p e a d o r

Vcmáxb - Tensão máxima no capacitor de ajuda à comutação no

bloqueio

VCmáxc - Tensão máxima no capacitor de ajuda à comutação na

entrada em condução

VcEsat ~ T e n s ã o de s a t u r a ç ã o d o IG BT

V H - Q u e d a de t e n s ã o n a r e s i s t ê n c i a i n t e r n a do s e n s o r H a l l

Vs - T e n s ã o na s a í d a d o s e n s o r H a l l

Vmin - T e n s ã o m í n i m a em Cfs

Vmáx - T e n s ã o m á x i m a e m Cf s

V p i c - T e n s ã o de p i c o n a s a í d a d o t r a n s f o r m a d o r

V d - Q u e d a d e t e n s ã o no d i o d o do r e t i f i c a d o r em condução

Vce - Tensão entre coletor emissor do IGBT

XLf - R e a t â n c i a o f e r e c i d a p e l a i n d u t â n c i a de f i l t r o Lf

XCf - R e a t â n c i a o f e r e c i d a p e l a c a p a c i t â n c i a de f i l t r o Cf

Xld - R e a t â n c i a o f e r e c i d a p e l a i n d u t â n c i a de d i s p e r s ã o

Z n - I m p e d â n c i a p a r a a h a r m ô n i c a de o r d e m n
 RESUMO

Este trabalho a p r e s e n t a o d e s e n v o l v i m e n t o de u m a f o n t e de

soldagem Muiti-Processo com capacidade de 300 A, para atender os

p r o c essos M 1 G / TIG / PLAS MA e Eletrodo Revestido.

Essa fonte de energia pode controlar a tensão média de

saída, ou impor corrente contínua em regime permanente e em,

forma pulsada, ou ainda alternada em regime permanente e em

forma pulsada com ajuste de todas as variáveis que definem sua

forma de o n d a. Para os processos que utilizam transferência

metálica por curto-circuito, a fonte também possibilita ajuste

e l e t r ô n i c o de su a r e s p o s t a d i n â m i c a .

No estudo referente ao conversor foi dada uma atenção

especial na análise da comutação dos I G B T ’s, devido as elevadas

correntes as quais os mesmos são submetidos. Também são

descritos os circuitos de controle responsáveis pela alteração

da s características da fonte quando se seleciona algum dos

processos na q u a l a mesma está h a b i l i t a d a a operar.

O fator de p o t ê n c i a foi uma das preocupações que se t

durante o desenvolvimento deste protótipo. Para ta nt o, foi feita

a a n á l i s e de a l g u n s t i po s de f i l t r o s de r e a t i v o s .

Numa última etapa são apresentados os resultados

experimentais obtidos com os ensaios realizados com o conversor

e c o m os p r o c e s s o s de s o l d a g e m .
 X V

ABSTRACT

This work presents th e development of a Multi-Processes

welding power source with a capacity of 300 A, compatible with

the M 1G./TIG/PLASMA and co v e r e d e l e c t r o d e w e l d i n g processes.

This power source can either control then, meam output

voltage, or impose a steady state or pulsed DC current,

alternated steady R M S or pulsed RM S current with adjust of all

variables wich define its waveform. For those processes wich use

metal transfer by short circuit, the power source also allows

eletronic adjust of the d y n a m i c s response.

In the study related to th e converter, special attention

wa s given to th e analysis of the IGBT s switching, because of

t he h i g h currents involved. The control circuits, responsible to

change the characteristics of the power source when selected an

specific processes, are also described.

Reactive filters were analysed to o b t a i n a greater power

factor.

Furthermore, t he experimental results obtained in e s s a y s

with the c o n v e r t e r a n d w i t h the w e l d i n g processes, a r e s h ow n.

 CAPÍTU LO I

1 - F O NTES DE ENERGIA P A R A SOLDAGEM.

INTRODUÇÃO.

Nos últimos anos a tecnologia da soldagem sofreu

profundos avanços tecnológicos devido as crescentes exigências

dos diferentes ramos industriais. Estes avanços ocorreram

principalmente na qualidade da solda, produção e automação,

exigindo que as fontes de energia para soldagem tivessem que

sofrer mudanças r a d i c a i s e m su as c o n c e p ç õ e s .

As fontes existentes a tualmente no m e r c a d o p o s s u e m m u i t a s

limitações, sendo raras as vezes em que se pode utilizar

processos de soldagens diferentes em uma mesma fonte. Assim

sendo, quando se muda de processo de soldagem, é necessário,

também, a t r o c a da fo n t e .

Além disso, para pesquisa e estudo da soldagem é de

fundamental importância que se altere certas características da

fonte de soldagem, c om o , por exemplo, a r e s posta dinâmica. Dessa

t
maneira pode-se verificar os efeitos da mesma sobre a solda.

Contudo, são poucos os equipamentos destinados a soldagem que

permitem ajuste dessas características.

 2

1.1 - EVOLUÇÃO DAS FONTES DE ENERGIA.

As primeiras fontes de energia para soldagem a a r c o, os

transformadores (Fig. 1), e os conversores rotativos (Fig. 2),

foram por muitas décadas as únicas opções em equipamentos para

s o l d a g e m a arco. Para o processo M I G / M A G , d e v i d o a e x i g ê n c i a de

corrente contínua, restava então apenas os conversores

rotativos. Com o advento da e l e t r ô n i c a do estado sólido, surgiu

então uma nova era para os equipamentos de soldagem. Assim,

mediante o uso de diodos retificadores, foi possível obter a

baixo custo a transformação direta da energia elétrica de

c o r r e n t e a l t e r n a d a p a r a e n e r g i a e l é t r i c a de c o r r e n t e c o n t í n u a .p

Fig. 1 - T r a n s f o r m a d o r c o m a j u s t e de c o r r e n t e por núcleo

saturado.

A fig. 3 mostra um dos primeiros retificadores para

soldagem com ajuste da corrente através de impedância variável e

ajuste da tensão por atuação na relação de espiras no auto-

transformador [ 1 ].
 3

Fig . 2 - Grupo motor trifásico - Gerador CC monobloco acoplados

n o ei x o .

L
Auto Transfomador Retlflcador

Fi g. 3 - Conjunto transformador retificador monofásico.

A fig. k mostra a topologia interna de uma fonte de

soldagem trifásica. O autotransformador é responsável pelo

ajuste da tensão. O transformador isola a saída da f o n t e da r e d e

de alimentação para garantir a segurança do operador. A ponte

retificadora é composta por seis diodos ligados na configuração

de ponte completa. Esta é responsável pela transformação da

corrente alternada em corrente contínua. O indutor L, dependendo

da característica de saída d e se j a d a , pode se r utilizado para

oferecer um a característica de imposição de corrente, ou

 k

simplesmente limitar a taxa de crescimento da corrente na

soldagem com tensão constante.

F ig . k - Fonte de energia trifásica para soldagem.

Através da utilização de tiristores para comandar a

energia entregue pela ponte retificadora, foi possível, com

menor custo e volume, ajustar a tensão ou corrente entregue ao

arco. A fig. 5, apresenta uma estrutura de um retificador

trifásico semi-controlado, onde sã o utilizados três diodos e

três tiristores. Esta estrutura pode operar com característica

e s t á t i c a de c o r r e n t e o u de t e n s ã o c o n s t a n t e [ 1 ].

Controle L
/ Y Y \

Transfoi—
dor Diodo Arco
A de /7777

Roda Livre

2^ ZX ZX

Fig. 5 - Retificador trifásico controlado a tiristores.

 5

As fontes de e n e r g i a de corrente pulsada surgiram com o

objetivo de atender necessidades distintas do processo TIG e do

MIG/MAG. No processo TIG a corrente pulsada é aplicada para se

obter o controle da poça metálica independente da posição de

soldagem. Além disso, com o ajuste adequado das variáveis que

compõe a corrente pulsada, pode-se controlar a penetração e a

iargura da poça de forma independente, podendo-se otimizar a

relação penetração/largura da poça. No processo MIG/MAG, a

corrente pulsada é utilizada para se obter o controle da

transferência metálica sem curto circuito, mesmo em soldagens

com baixa q u a n t i d a d e de e n e r g i a . Desta forma, é possível s ol d a r

chapas finas sem curto e soldar f o r a da p o s i ç ã o p l a n a .

As primeiras f o n t e s de e n e r g i a de corrente pulsada foram

construídas a base de tiristores, porém devido ao tipo de

topologia empregada, o ajuste da frequência de pulsação é

bastante restrito, poi s depende da frequência de alimentação do

retificador controlado. Estas restrições d e i x a r a m de existir com

o surgimento dos transistores de p o t ê n c i a , o que m a r c o u o in i c i o

de u m a n o v a e r a p a r a as f o n t e s de e n e r g i a de s o l d a g e m .

As primeiras fontes transistorizadas eram do tipo

analógico (Fig. 6 ). Devido aos transistores operarem na região

iinear, como em amplificadores de baixa potência, pode-se

reproduzir qualquer tipo de sinal e m su a s aíd a, desde que sejam

respeitados os limites máximos para o qual a fonte foi

projetada. Assim sendo, pode-se obter todas as características

d i n â m i c a s p a r a q u a l q u e r t i p o d e p r o c e s s o de s o l d a g e m .

A grande desvantagem apresentada peias font es

 6

transistorizadas analógicas são as perdas de energia nos

transistores, as quais podem atingir valores superiores a

energia f o r n e c i d a p a r a soldagem.

Comando

] H>l — ©
Rede
Trafo Re'fcifioa.d.or- Tranaisiores /Árr^TT
Arco

Fi g. 6 - D i a g r a m a de blocos de uma fonte de energia

transistorizada analógica.

Após as fontes do tipo analógico, vieram as fontes do

tipo chaveadas, que utilizam métodos e técnicas d e e l e t r ô n i c a de

potência, utilizando os transistores de forma semelhante a uma

chave para controlar o f l u x o de e n e r g i a . Através destas técnicas

as perdas foram bastante reduzidas, pois teoricamente quando o

transistor está aberto, a corrente que passa pelo mesmo é zero,

e quando está fechado, a tensão sobre seus terminais é igual a

zer o, resultando em perdas nu las . Entretanto, na prática, i ss o

não acontece, pois quando ele está conduzindo existe um a

determinada queda de tensão sobre o seus terminais (tensão de

saturação) que provoca perdas em condução. Além disso, existe

a i n d a as perdas devido a c o m u t a ç ã o dos transistores que a u m e n t a m

com a frequência de operação dos m e s m o s . A fig. 7 apresenta um

tipo de topologia empregada na construção de fontes de energia

 7

p a r a s o l d a g e m u s a n d o t é c n i c a s de c h a v e a m e n t o .

Esta topologia foi empregada no desenvolvimento de um

protótipo de um a fonte de soldagem TIG pulsada para 100 A na

UFSC. Este trabalho pioneiro no Brasil, foi resultado de uma

dissertação de mestrado desenvolvida p e l o E n g . Ildo Be t [2], em

um convênio entre o Laboratório de S o l d a g e m do Departamento de

Eng. Mecânica e o Laboratório de Eletrônica de Potência do

D e p a r t a m e n t o d e Eng. E l é t r i c a .

Retificador

Fig. 7 - Retificador trifásico-pulsador.

As f o n t e s de e n e r g i a q u e e m p r e g a m a e l e t r ô n i c a do estado

sólido, até aq ui descritas, só podem operar com um a única

polaridade. Em certas aplicações, entretanto, é necessário a

utilização de corrente alternada. As primeiras fo n t e s de

soldagem com capacidade de produzir corrente alternada

utilizavam conversores a tiristores (Fig. 8 ), o qu e as tornavam

bastante lentas, levando à soluções rudimentares quando se

tentava melhorar a resposta dinâmica. Um desses casos pode ser

verificado no artigo descrito po r M. TOMISC e S. BARHORST [3]

onde são relatados dados sobre a fonte de energia empregada na

 8

soldagem do alumínio com o processo PLASMA. Com o

desenvolvimento de transistores de potência mais rápidos n as

comutações, posteriormente os MOSFET'S e os I G B T s, os

conversores passaram a merecer maior destaque em aplicações para

s o l d a g e m e, atualmente, s ã o m o t i v o de m u i t a s p e s q u i s a s em todo o

mundo.

Retificador

Tronsfor-
dor
a
L Arco
\ \
tf f
Fig. 8 - Retificador trifásico-inversor.

O mundo moderno busca a compactação, d i m i n u i ç ã o de pe s o e

volume. Atualmente na soldagem, em determinadas aplicações isso

também é desejável, assim sendo, as fontes chaveadas no p r i m á r i o

(Fig. 9) tornam-se ideais nesses casos, devido a grande redução

no tamanho e no volume do transformador. Um artigo escrito por

T. RANKIN [4] apresenta as vantagens obtidas com o chaveamento

no primário, onde descreve que , com es ta técnica, a fonte de

soldagem 300-A NEMA Ciasse 1 possui transformador de 5.4 kg,

contra os 90.7 kg de um transformador operando na frequência

convencional d a rede.
 9

Arco

Fig. 9 - F o n t e t r a n s i s t o r i z a d a c h a v e a d a no p r i m á r i o .

Porém, o domínio desta tecnologia reside na c o n f e c ç ã o do

transformador, e é dominada por poucos grupos em todo o mundo,

pois envolve conhecimentos de eletromagnetismo e disponibilidade

de materiais especiais. Observa-se que, com o retificador na

saída do transformador só se obtém correntes positivas no arco.

Embora se domine a tecnologia do uso de cicloconversores à

comutação natural para se usar após o transformador e se obter

corrente alternada, com os tiristores atualmente disponíveis no

mercado, 1 imitar-se-ia a frequência de funcionamento da

estrutura.

1.2 - O B J E T I V O S .

O principal objetivo, o desenvolvimento da fonte de

energia para soldagem mu 1 1 i-processo, como o próprio n o m e já

evidencia, é reunir-se numa mesma fonte, todas as

características necessárias para possibilitar sua u t i l i z a ç ã o em

vários processos de soldagem.

 10

P a r a o p r i m e i r o p r o t ó t i p o d e s t a f o n t e de e n e r g i a , teve-se

como meta, deixa-lo operando com os principais processos de

soldagem (TIG, MIG/MAG, PLASMA e Eletrodo Revestido) em seus

vários modos de operação.

Os principais motivos que levaram .ao desenvolvimento

d e s t a f o n t e for am:

- não existência de fontes de soldagem no mercado com

t o d a s as c a r a c t e r í s t i c a s p r o p o s t a s ,

- não exist ê n c i a de fabricantes, no Brasil, de f o n t e s de

energia para soldagem t r a n s i t o r i z a d a s ,

- desenvolver capacitação tecnológica,

- possibilitar a pesquisa fundamental da tecnologia da

soldagem, pois o protótipo pode ser modificado e ajustado de

a c o r d o c o m as n e c e s s i d a d e s .

A escolha do conversor apresentado na fig. 10, foi

realizada após a analise, feita no item 1 .1 , das principais

topologias empregadas em fontes de soldagem, levando em

consideração as características que a fonte deve produzir, para

atender as necessidades individuais de c a d a p r o c e s s o , os q u a i s a

mesma está habilitada à operar.

Embora, a topologia apresentada não seja completamente

inovadora, pois el a é b a s t a n t e utilizada em acionamento elétrico

de servo motores CC, o mérito do trabalho proposto está na

utilização dessa estrutura em soldagem, onde são empregadas

correntes na ordem dos 400 A, o que vai exigir um estudo

profundo da comutação dos I G B T ’s (interruptor de potência

 11

escolhido), circuitos de ajuda a comutação e circuitos de

c o m a n d o do IGBT.

TRANSFORMADOR RETIF1CAD0R CON\ERSOR

Fig. 10 - D i a g r a m a d e b i o c o s d a e s t r u t u r a de p o t ê n c i a p r o p o s t a .

Além disso, os circuitos serão projetados considerando

uma posterior informatização do controle da fonte. Na área de

soldagem, como em qualquer outra, a informatização vem

desempenhando um papel muito importante, tanto no que diz

respeito a pesquisa do arco de soldagem, como no controle do

p r ó p r i o e q u i p a m e n t o de s o l d a g e m .

Os e q u i p a m e n t o s de s o l d a g e m informatizados simplificam a

operação e reduzem a possibilidade de err os na escolhas das

variáveis e parâmetros de soldagem. Além dis so , permite que

sejam implementadas tabelas que relacionam as variáveis e

parâmetros fornecidos p a r a s o l d a g e m c o m as v a r i á v e i s de s a í d a da

fonte para um a determinada situação, o qu e seria praticamente

impossível de s er o b t i d o c o m os c i r c u i t o s a n a l ó g i c o s .

Outra grande v a n t a g e m dos e q u i p a m e n t o s informatizados é a

possibilidade de se armazenar as variáveis e parâmetros

fornecidos d u r a n t e a s o l d a g e m para uma posterior utilização.

 12

C A P Í T U L O II

CONSIDERAÇÕES PARA PROJETO

INTRODUÇÃO

C o m o foi v i s t o no capitulo anterior, a n t e s d o a d v e n t o das

fontes eletrônicas para soldagem a arco, as característica dos

equipamentos eram, quase qu e integralmente, função das

características do transformador utilizado. Dessa maneira, não

havia possibilidade de se adaptar a um equipamento p r o c e s s o s com

diferentes características f í s i c a s de arco.

Com o surgimento das fontes eletrônicas de energia,

principalmente as transistorizadas, essa limitação deixou de

existir, porque as características de saída das m e s m a s dependem

essencialmente de como os interruptores são controlados. Isso

possibilita que um mesmo equipamento, tanto comande o processo,

controlando uma tensão previamente ajustada, como também pode

i mp or a c o r r e n t e .

As p r o p r i e d a d e s que hoje v e m sendo exigidas das f o n t e s de

energia se referem, também, às características dinâmicas. Isto

é, dependendo do processo de soldagem, elas influem

marcantemente, sobre a transferência metálica, sobre o controle

da p o ç a de f u s ã o e ainda s o b r e a a ç ã o de limpeza da c a m a d a óxida

na peça e desgaste do eletrodo de tungsténio, no caso da

soldagem TIG e plasma.

 A seguir serão apresentados os principais processos de

soldagem com os quais a fonte irá operar, procurando ressaltar

as c a r a c t e r í s t i c a s d i n â m i c a s e estáticas que c ada um possui.

2.1- P R O C E S S O T I G / P L A S M A .

Os processos TIG e PLASMA possuem características muito

semelhantes, diferenciando-se basicamente no tipo de pistola

utilizado, que são distintas no que se refere: ao principio de

funcionamento. Entretanto , os dois processos possuem idênticas

características dinâmica e estática do arco . Desta forma uma

fonte que opera com o processo TIG, também pode operar com o

processo PLASMA.

As fontes de energia para o processo TIG/PLASMA devem

operar com característica de imposição de corrente (Fig. 11),

devido as necessidades físicas do arco. é utilizada tanto a

corrente contínua, como a corrente alternada, ambas em regime

estacionário ou em regime pulsado, cada qual indicada para uma

determinada situação.

Fig. 11 - C a r a c t e r í s t i c a e s t á t i c a d e i m p o s i ç ã o d e c o r r e n t e .
 14

2.1.1 - I m p o s i ç ã o d e c o r r e n t e c o n t í n u a .

A utilização de corrente contínua é a forma mais

tradicional de se r e a l i z a r soldagens c o m o TIG.

2.1.2 - R e g i m e puls a d o .

A corrente pulsada se caracteriza por possuir dois

valores distintos de corrente, um valor superior (valor de

pulso) d u r a n t e um determinado tempo ( t e m p o de p u l s o ) , e um valor

in fe r i o r (valor de base) em outro (tempo de base), como está

a p r e s e n t a d o n a fig. 12.

O regime pulsado, neste processo, também denominado de

pulsação térmica, é aplicado principalmente na soldagem de

chapas fi nas, porque durante o tempo de base a corrente é

ajustada para possuir um valor pequeno, apenas suficiente para

garantir a estabilidade d o arco . Com isso, a quantidade de c a l o r

gerada é bastante pequena. Por o u t r o lado, a c o r r e n t e de pulso é

ajustada de forma a gerar uma elevada quantidade de calor para

garantir a penetração. Assim, pode-se obter a quantidade de

calor desejada, ajustando-se adequadamente os valores das

c o r r e n t e s e t e m p o s d e p u l s o e de base.
 15

Fig. 12 - I m p o s i ç ã o d e c o r r e n t e n o d o m í n i o d o t e m p o .

2.1.3 - Imposição de C o r r e n t e Alternada.

Neste modo de operação, a corrente torna-se positiva

durante um determinado intervalo de tempo (tempo de eletrodo

positivo) e negativa durante outro intervalo de tempo (tempo de

eletrodo negativo), c o m o é m o s t r a d o na fig. 13.

Fig. 13 - I m p o s i ç ã o de c o r r e n t e a l t e r n a d a .

A corrente a l t e r n a d a também pode possuir pulsos térmicos.

Neste caso, a corrente é formada por dois sinais de frequências

distintas, onde a combinação desses dois sinais resulta num

 sinal com q u a t r o v a l o r e s de c o r r e n t e e de te mpo, como é m o s t r a d o

na f i g . 1 4 .

Fig. 14 - i m p o s i ç ã o d e c o r r e n t e a l t e r n a d a c o m p u l s o s t é r m i c o s .

A c o r r e n t e a l t e r n a d a é a p l i c a d a na s o l d a g e m T I G / P L A S M A do

alumínio para se obter um efeito de l i m p e z a c a t ó d i c a do ó x i d o e

um desgaste não muito drástico do eletrodo [5]. A remoção da

película óxida do alumínio se faz necessária porque esta se

funde a uma temperatura superior a dele próprio. Na soldagem

mais comummente utilizada, eletrodo negativo, consegue-se apenas

a fusão do a l um í n i o . Como a camada óxida permanece intacta não é

possível se obter uma perfeita s o l u b i 1 ização da peça que está

sendo soldada. Por outro lado, utilizando-se polaridade positiva

obtém-se a limpeza da camada óxida, porém ocorre um elevado

desgaste do eletrodo. Cesta fo rma, com a otimização da s

variáveis que definem a f o rm a de onda da corrente alternada é

possível se obter a limpeza da camada óxida com a minimização

do s problemas e maximização dos benefícios obtidos com as duas

polar i d a d e s .
 17

2.2 P R O C E S S O MIG/MAG.

Para o processo MIG/MAG a fonte pode operar tanto com

característica de imposição de corrente, quanto com

característica de tensão constante, ou ainda com ambas,

d e p e n d e n d o d o m o d o de c o n t r o l e do arco.

2.2.1 - M o d o Tensão.

Esta é -a f o r m a m a i s convencional de se controlar o arco

no processo MIG/MAG. Neste modo, a tensão do arco é controlada

em termos médios e a corrente de soldagem torna-se uma variável

d e p e n d e n t e da v e l o c i d a d e de a v a n ç o do ara m e , (Fig. 15).

Devido ao tipo de controle, em soldagens com

transferência por curto circuito, a tensão instantânea do arco

flutua bastante, como também a corrente. Entretanto, na média

obtém-se a tensão de referência ajustada. Esta flutuação é

resultado de um desequilíbrio entre a velocidade de fusão e de

alimentação do a r a m e - e 1e t r o d o . Contudo, um equilíbrio médio é

mantido, g a r a n t i n d o a e s t a b i l i d a d e do arco.
 18

a)

TOS AO EFICAZ = 28.34

b)

Fig. 15 - O s c i l o g r a m a s d e s o l d a g e m c o m c o n t r o l e d a t e n s ã o , com

t r a n s f e r ê n c i a por curto circuito,

a) c o r r e n t e d o a r c o b) t e n s ã o d o a r c o .

Na transferência por "spray", a tensão instantânea já n ã o

varia ta nto, apenas apresentando pequenas elevações nos

in s t a n t e s do desprendimento das gotas. A fig. 16 mostra uma

 19

soldagem com transferência por "s pr a y " , obtida somente com

correntes elevadas, a c i m a da c o r r e n t e de t r a n s i ç ã o .

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TTM^rtn MCTVTA- no oa
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b)

Fig. 16 - O s c i l o g r a m a s d e s o l d a g e m c o m c o n t r o l e d a t e n s ã o , com

t r a n s f e r ê n c i a po r "spr ay" ,

a) c o r r e n t e do a r c o b) t e n s ã o do a r c o .
 20

2.2.2 - M o d o Corrente.

Neste modo, a corrente de soldagem é imposta e

normalmente de forma pulsada. Neste c as o , a corrente pulsada é

utilizada para se obter uma transferência metálica sem curto

circuito de maneira uniforme, de forma a se controlar com maior

perfeição a penetração, com baixas quantidades de energia e

ausência de salpicagens.

A fig. 17.a m ostra o o s c i l o g r a m a d a t e n s ã o do a r c o q u e é

uma imagem da estabilidade do mesmo, uma ve z que a tensão é a

variável dependente. A corrente, que é a variável independente,

se m a n t é m inalterada, mesmo sob fortes distúrbios do arco (Fig.

1 7 . b).

Contudo, neste modo de operação, devido á velocidade de

avanço do arame ser dependente da corrente média, para se

realizar uma soldagem estável, o u .se e s c o l h e o valor correto da

velocidade do arame ou se utiliza um controle externo [ 6 ]. A

escolha correta da velocidade de avanço do arame é bastante

difícil de ser realizada por causa do grande número de

parâmetros envolvidos, que são diferentes para cada situação de

soldagem. 3á a utilização de um controle externo para regular a

velocidade de avanço, apresenta limitações dinâmicas, porque

este atua sobre o motor que impulsiona o arame que em

determinadas situações não consegue responder às variações do

arco.
 21

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GQKfflHíl Í1SDIR ■ 75.53 GflRBffiE ■88.Í4 — » t (RS)

a)

b)

Fig. 17 - O s c i i o g r a m a d e s o l d a g e m c o m i m p o s i ç ã o d e c o r r e n t e ,

a) c o r r e n t e d o ,a r c o b) t e n s ã o d o a r c o .
 22

2.2.3 - Modo Misto.

Neste modo de o p e r a ç ã o é imposta uma corrente durante um

determinado tempo e é -comandada a tensão em outro. Esta técnica

de se controlar o arco é utilizada com o objetivo de se

equilibrar a v e l o c i d a d e irde a v a n ç o do .arame com a de fusão, de

forma a se obter a estabilidade do arco com os benefícios

obtidos com a corrente pulsada. - •

Este equilíbrio ocorre devido a corrente média tornar-se

independente do controle, ou seja , .não se r mais imposta. Desta

forma seu valor irá t e n d e r a um nível que equilibre a velocidade

de a l i m e n t a ç ã o com a de f u s ã o do ar a m e , s e m e l h a n t e ao que ocorre

no p r o c e s s o c o n v e n c i o n a l .

A fig. 18 i l u s t r a u m a s o l d a g e m r e a l i z a d a c o m e s t e t i p o d e
s is te m a .
 23

— » t (115)

Fig. 18 - O s c i l o g r a m a d e s o l d a g e m c o m p r o c e s s o m i s t o ,

a) c o r r e n t e d o a r c o b) tensão do arco
 2k

2.3 ELET R O D O REVESTIDO.

As soldagens realizadas com eletrodo revestido, na

m a i o r i a das aplicações, é executada manualmente. Isto r e s u l t a na

inevitável variação do comprimento do arco durante a soldagem,

com a qual a queda de tensão no arco vai sofrer alterações

também.

Se f o s s e u t i l i z a d a uma fonte de tensão constante, dada a

característica estática do arco (para o eletrodo sendo usado),

uma pequena variação no comprimento do arco causaria uma

sensível variação na c o r r e n t e . Por isto são p r e f e r i d a s as fontes

de corrente constante, com as quais o consumo do eletrodo

resultante (quantidade de eletrodo f u n d i d o po r u n i d a d e de tempo)

que depende essencialmente da corrente, pode ser mantido

constante.

D e p e n d e n d o d o t i p o de e l e t r o d o a u s a r , e das c o n dições da

junta a soldar (geometria e posição da mesma), pode ser

necessário o uso de corrente contínua (com polaridade positiva

ou n e g a t i v a ) , ou c o r r e n t e a l t e r n a d a [7].
 25

C A P Í T U L O III

REALIZAÇÃO DO PROTÓTIPO

INTRODUÇÃO.

Neste capítulo s e r á r e a l i z a d o o e s t u d o do c o n v e r s o r e dos

p r i n c í p i o s de f u n c i o n a m e n t o do mesmo.

Será a p r e s e n t a d o a i n d a o e s t u d o da c o m u t a ç ã o dos I G B T ’s e

do c i r c u i t o de a juda à comutação.

Além disso, serão descritos os circuitos básicos para

operação da fonte, como circuito de controle, de comando e de

g e r a ç ã o das r e f e r ê n c i a s de c o r r e n t e e t e n s ã o .

3.1 - APRESENTAÇÃO DO CONVERSOR.

Para atender as n e c e s s i d a d e s individuais de cada p r o c e s s o

de soldagem, com os quais a fonte irá operar, foi escolhido o

c o n v e r s o r a p r e s e n t a d o n a fig. 19

O conversor é constituído por quatro transistores IGBT's

ligado na forma de "chopper" de quatro quadrantes, que tem a

função de controlar a energia entregue ao arco, através do

chaveamento do s I G B T' s. As ordens de chaveamento são resultantes

d a t é c n i c a de m o d u l a ç ã o p o r v a l o r e s extremos.
 26

Para a análise, será considerado que o conversor é

alimentado por uma fonte de tensão co n s t a n t e de valor E. O a r c o ,

representado na fig. 19, por sua vez será modelado como sendo

uma r e s i s t ê n c i a (Ra) em série com uma força eletromotriz (Ea).

F ig . 19 - C o n v e r s o r a b a s e d e I G B T ' s ("Chopper" de quatro

q u a d r a n t e s ).

3.2 - T É C N I C A D E C H A V E A M E N T O .

Para o controle da corrente ou tensão, as duas técnicas

de m o d u l a ç ã o mais utilizadas são a modulação PWM (PULSED WHIDTH

MODULATION) e a por v a l o r e s extremos de c o r r e n t e [ 2 , 8 ,9].

A modulação PWM consiste em controlar uma variável,

(corrente ou tensão), ajustando-se a razão cíclica do sinal de

c h a v e a m e n t o , que é de frequência fixa. No caso deste projeto, a

variável de maior interesse em se controlar é a corrente. Com

isso, a razão cíclica determinaria o tempo em que um ou outro

pa r de IGBT's deveriam ficar fechados, de modo a se obter na

 27

saída a corrente ajustada como referência.

Entretanto na modulação PW M, a resposta dinâmica fica

prejudicada, porque monitora-se a corrente através de seu valor

médio e não do valor instantâneo.

Na modulação p or valores extremos, monitora-se o valor

instantâneo da corrente (Is), a t u a n d o - s e no s interruptores a fim

de mantê-la entre um valor máximo ( IM) e um mínimo ( Im) em

r e l a ç ã o a u m v a l o r de r e f e r ê n c i a (Fig. 20).

C o m isso, quanto menor a d i f e r e n ç a entre o valor m áximo e

mínimo da corrente, mais próxima a corrente Is fica da sua

referência.

Dos dois tipos de modulação, a modulação p or valores

extremos preenche melhor as necessidades exigidas para o projeto

desta fonte, porque pode-se controlar com boa precisão a

corrente de saída, com uma elevada resposta dinâmica. Além

disso, como a saída é monitorada a cada instante, tem-se a

g a r a n t i a de que a corrente não irá u l t r a p a s s a r os limites m á x i m o

e mínimo em torno da referência, protegendo-se desta forma os

I G B T 's .

Entretanto, na modulação por valores extremos, a

necessidade de se obter um valor de saída bem próximo da

referência, com uma resposta dinâmica elevada, obriga a que a

frequência de comutação do s IGBT's seja elevada. Uma outra

desvantagem é a necessidade da indutância de filtro de saída

(Lfs), que para elevadas correntes é de difícil confecção. Além

disso tudo , quanto menor a ondulação da corrente (DIs) (fig.

2 0 ), maior é a dificuldade de se implementar o circuito de

 28

cont r o 1 e .

Isso acontece, porque a corrente real é convertida num

sinal de tensão para o circuito de controle. Então, quando

deseja-se um pequeno valor d a o n d u l a ç ã o da c o r r e n t e , a ondulação

do sinal de tensão torna-se pequeno também. Numa situação ideal

(sem a p r e s e n ç a de ruídos), o c i r c u i t o de c o n t r o l e iria tratar o

sinal de tensão, que representa a corrente real, de maneira a

comandar os IGBT's corretamente, para que a corrente real seja

igual a de referência. Contudo, na prática existem ruídos, e

quando se trabalha com pequenas faixas de tensão, fica difícil

para o circuito de controle diferenciar o sinal da ondulação da

tensão dos ruídos que sã o injetados em todo o circuito. Dessa

m a n e i r a os IGBT's a c a b a m sendo comand a d o s incorretamente.

Flg. 20 - D e t a l h e d a m o d u l a ç ã o po r v a l o r e s extremos.

Geralmente para se controlar a corrente de saída com

modulação po r valores extremos em conversores em ponte completa,

as chaves (IGBT's) são comandadas aos pares (comando clássico).

Neste protótipo foi utilizada uma técnica diferente para se

comandar os IGBT's (comando alternado dos I G B T ’s), com o

 29

objetivo de se reduzir a frequência de comutação (Item 3.3) ,

mantendo-se o mesmo valor de ondulação da corrente e a mesma

resposta dinâmica. Com o comando alternado, os I G B T ’s não mais

são c o m a n d a d o s aos pares, e s i m u m de c a d a vez.

A seguir tem-se um exemplo descritivo desses dois modos

de comandar o conversor, onde para uma melhor visualização do

caminho percorrido pela corrente Is, os I G B T ’s 2 e 3 e os d i o d o s

Dl e D4 foram suprimidos, uma vez que para a s i t u a ç ã o analisada,

com a corrente apenas em um sentido, os mesmo não são

solicitados

3.2.1 - C o m a n d o c l á s s i c o dos IGBT's.

a) - considerando-se que i n i c i a l m e n t e ' os IGBT’

s 1 e k

(Fig. 2 1 . a) estão conduzindo a corrente Is, quando esta atingir

o limite superior (IMc, Fig. 22), o circuito de controle irá

bloqueá-los e fechar os I G B T ’s 2 e 3. Entretanto, enquanto a

corrente não mudar de sentido, esta irá circular através dos

diodos 2 e 3 (Fig 2 1 . b). Com isso uma tensão reversa será

a p l i c a d a e n t r e os p o n t o s A e B, forçando a corrente a decrescer.

o
b) - quando a corrente Ic a t i n g i r o l i m i t e m í n i m o (Imc;

Fig . 22), os I G B T ’s 1 e 4 serão fechados novamente (Fig. 2 1 . a),

aplicando uma t e n s ã o d i r e t a s o b r e os p o n t o s A e B, b l o q u e a n d o os

diodos 2 e 3 e fazendo com que a corrente volte a crescer.

 30

Fig. 21 - E t a p a s d e f u n c i o n a m e n t o n o m o d o c l á s s i c o .

Fig. 22 - D e t a l h e da m o d u l a ç ã o por valores extremos, m o d o

cláss i c o .

Com isso, quando a corrente atingir novamente o limite

superior, as seqüências a e b serão repetidas até que a corrente

de referência seja alterada para um valor negativo, fazendo com

q u e os IGBT's 2 e 3 e os dio.dos 1 e k c o n t r o l e m a corrente.

3.2.2 - C o m a n d o a l t e rnado dos IGBT's.

a) - considerando-se que os IGBT's 1 e k estão fech

(Fig. 2 3 . a), quando a corrente Is atingir o limite máximo IMa

 31

(F ig. 2k), os dois IGBT's deveriam ser abertos. Porém, o

circuito de controle alternado abre apenas o IGBT 1. Desta

forma, a corrente decresce em roda livre pelo IGBT k e pelo

diodo D3 (Fig. 23.b ) ,

b) - quando a corrente atingir o limite mínimo (I ma ),

nova ordem de fechamento é enviada e o IGBT 1 é fechado (Fig.

2 3 . c), desta forma a corrente volta a crescer através dos IGBT's

1 e k,

c) - quando a corrente chegar ao limite superior,

novamente, uma nova ordem de abertura é enviada, e desta vez o

IGBT k é aberto, com isso a corrente passa a circular pelo I GB T

1 e o diodo D2 (Fig. 2 3 . d),

d) - no m o m e n t o q u e a c o r r e n t e a t i n g i r o l i m i t e inferior,

o IGBT k é fechado (Fig. 2 3 . a), e as seqüências a,b,c e d são

repetidas. Somente quando ocorrer uma transição, de um valor

superior para um valor inferior, do modulo da corrente de

referência é que os dois IGBT's serão abertos e os diodos D2 e

D3 assumirão a corrente Is(Fig. 2 3 . e), da m e s m a forma que ocorre

no m o d o clássico. Desia maneira, sobre o arco e a indutância de

filtro de saída Lfsa é aplicada uma tensão negativa, aumentando

a t a x a de d e c r é s c i m o d a c o r r e n t e .
 32

Fig. 23 - E t a p a s de f u n c i o n a m e n t o do c onversor, com modulação

por valores extremos, no m o d o de c on t ro l e alternado.

Fig. 2k - D e t a l h e da m o d u l a ç ã o por v alores extremos, modo

a l t e r n a d o de c o m a n d o d o s IGBT's.
 33

3.2.3 - A n á l i s e das Perdas em Condução.

Ainda resta saber, se as p e r d a s e m c o n d u ç ã o no s IGBT's e

nos diodos, com o comando alternado dos IGBT 's , se a l t e r a r a m em

r e l a ç ã o ao c o m a n d o clássico.

Para simplificar a análise, a resistência do arco (Ra)

será desprezada.

a) C o m a n d o C l á s s i c o .

O tempo de condução dos IGBT's (eq. 1) ocorre durante o

tempo tc c (Fig. 22). Este é obtido na lâ e t a p a de funcionamento

(Fig. 2 1 . a).

tcc = L f s c * D I c / ( E - Ea) (1)

onde:

D I c = O n d u l a ç ã o da corrente c o m o comando

cl á s s i c o dos I G B T ’s.

Lfs c = I n dutância de filtro de saída no m o d o clássico.

O tempo de condução do diodo (e q . 2 ) ocorre durante o

tempo tbc (Fig. 22). Este é obtido na 2â etapa de funcionamento

(Fig . 2 1 . b).

t b c = L f s c * D I c / ( E + Ea) (2)

D e f in i n d o - s e :

fc c = 1/ T c c = 1 / ( t c c + tbc) (3)

Perdas no I G B T ( P j c ):

P j c = Is * V s a t * t c c * f c c (4 )
 34

C o m iss o, tem-se :

P Ic = Is * V s a t * (E + Ea) / (2 * E ) (5)

onde:

Vsat - tensão de saturação do IGBT em condução.

P e r d a s n o D I O D O <PD c ) :

P D c = Is * V f o * t b c * f c c (6 )

C o m iss o, tem-s e :

p D c = Is * V f o * (E - Ea) / (2 * E) (7)

onde :

Vfo - q u e d a de tensão do d iodo em condução,

b) C o m a n d o a l t e r n a d o d o s I G B T ’s:

O tempo de condução do IGBT (e q . 8 ) o c o r r e durante as

etapas 1, 2 e 3 (Fig. 24).

t c a = tl + t2 + t3 (8 )

Os tempos tl e t3 (eq. 9) são iguais, obtidos das etapas

1 e 3.

tl = t3 = L f s a D i a / ( E - Ea) (9)

onde:

D i a = O n d u l a ç ã o da c o r r e n t e com o c o mando

a l t e r n a d o do s IGB T' s.

L f s a = I n d u t â n c i a d e f i l t r o de s a í d a c o m o

comando alternado.

E, t2 e t4 (eq. 10) também, são iguais, obtidos das

 35

etapas 2 e U.

t2 = tíf = L f s a D i a / Ea (10)

C o m isso , tem-se:

tca = Lfsa * D i a * ( E + E a ) / ( ( E - E a) * Ea) (11)

O tempo de c o n d u ç ã o do diodo (eq 1 0 ) é i g ual ao tempo t k .

Definindo- se:

f c a = 1/ T c a = 1 / ( tca + tk) (12)

P e r d a s no IGBT (Pja ) :

P j a = Is * V s a t * t c a * fc a (13)

C o m isso, tem-se :

P Ia = Is * V s a t * (E + Ea) / (2 * E) (ik)

Perd as no D I O D O (Pj3 a )*

P D a = Is * V f o * tk * fc c (15)

Com isso, tem-se :

p D a = Is * V f o * (E - Ea) / (2 * E) (16)

C o m o p o d e - s e n o t a r as e q u a ç õ e s da s p e r d a s em c o n d u ç ã o nos

dois casos (clássico e alternado), nos IGBT's e nos Diodos são

iguais, e independente da indutância Lfs e do DIc, estando

relacionada apenas com a tensão de alimentação e a tensão do

arco.
 36

3.3 - F R E Q U Ê N C I A D E COMUTAÇÃO.

- A modulação po r valores extremos se caracteriza por

operar com frequência e razão cíclica variáveis. Po r outro lado

os IGBT's, apesar de serem bastante rápidos possuem limitações

f í s i c a s q u e r e s t r i n g e m a f r e q u ê n c i a m á x i m a de o p e r a ç ã o .

Com o comando alternado dos IGBT's, a frequência de

comutação torna-se a metade da frequência da ondulação da

corrente Is q u e é a c o r r e n t e d e s o l d a g e m .

A frequência de ondulação da corrente Is no comando

alternado (Fig. 24) é obtida resolvendo-se as equações

diferenciais que repre sentam o c i r c u i t o d u r a n t e o p e r í o d o T.

No intervalo tl, os IGBT's 1 e 4 estão fechados (Fig.

2 3 . a) e s o b r e os pontos A e B é aplicado a tensão E da fonte de

alimentação. A eq. 17 define o comportamento do circuito neste

intervalo.
E - Ea L f s a d is (t) - R a is(t) = 0 (17)

dt

R e s o l v e n d o - s e esta equação, obtém-se:

is(t)= { I m a - (E - E a )/ R a }e_ôatl + (E - E a ) / R a (18)

para: 0 < t < tl

onde: õa = Ra/Lfsa

No intervalo t2, o IGBT1 e o diodo D2 c o nd uzem a corrente

Is (Fig. 2 3 . b). A eq. 19 define o comportamento do circuito

neste intervalo.
 37

Ea + L f s a d is(t) + R a is(t) = 0 (19)

dt

R e s olven do-se esta equação, obtém-se:

i s (t ) - ( I Ma + E a / R a )e - ô a t - Ea/Ra (20)

para: 0 < t < t2

onde: t2 = T o - tl

C o m isso, p e l a e q . 18, p a r a is(tl) = IMa, o b t é m - s e :

IMa = Ima e ~ ^ a *^ + (1 - e ~ ^ a t ^ ) ( E - E a ) / R a (21)

E p e l a eq. 20, para is(t2) = Ima, obtém-se:

Ima = IMa e - ô a ( T o - t l ) - (i - e " õ a ( T o - t l ) ) E / R a (22)

Para determinação de IMa (eq. 23) substitui-se a eq. 22

na e q . 2 1 .

E (1 - e ~ ô a t l ) Ea
IMa = ----- ------------— ------ + ---- (23)
Ra (1 - e ô a T o ) Ra

Para determinação de Ima (eq. 2k) substitui-se a e q . 21

n a eq. 22.

E e -õa(T-tl) _ e-ôat1 Ea
Ima = ----- ----------------- -—--------------------- - ----- (2*0
Ra (1 - e ô a T o ) Ra

D e f i n i n d o - s e a ond u l a ç ã o da c o r r e n t e (óala) como :

D i a = IMa - ima (25)

 38

Obtém-se:
E (l-e~ô a t l ) ( 1 - e -àa(To-tl))
D i a = ----- -------------------- ------------------ (26)
Ra (1 - e ô a T o )

Considerando-se :

t 1, T o - tI >> 1/óa

Tem-se:

D i a = E t 1 (To - t 1)/ ( L f s a To ) (27)

D e f i n i n d o - s e a r a z ã o c í c l i c a R c o mo tl/To, tem-se:

Dia = E R (1 - R) T o / L f s a (28)

A f r e q u ê n c i a de o n d u l a ç ã o f o a é d e f i n i d a com o :

foa = 1/To (29)

J á a f r e q u ê n c i a de c o m u t a ç ã o f c a é d e f i n i d a com o :

fca = f oa/2 (30)

Desta forma a f r e q u ê n c i a de c o m u t a ç ã o fica d e f i n i d a como:

fca = E R (1 - R) / (2 D i a Lfsa) (31)

O valor m á x i m o da f r e q u ê n c i a de c o m u t a ç ã o (fcamax) oco

p a r a R = 0.5, c o m isso:

fcamax = E / (8 D i a Lfsa) (32)

A frequência de comutação máxima depende da tensão de

alimentação do conversor, da indutância (Lfsa) e da ondulação da

cor r e n t e Is (Dia).

Para o comando clássico, resolvendo-se as equações para

as duas etapas (Fig. 21) da m e s m a m a n e i r a que foi resolvida para

o comando alternado dos IGBT's, obtém-se a e q . 33 que define o

 39

valor da o n d u l a ç ã o d a c o r r e n t e Is (Dlc).

2E ( l - e ~ ^ c t c c ) ( 1 - e ~ ^ c (T c c - t c c ) )
Díc = ----- -------------------- — ------------------------- (33)
Ra (1 - e " ô c T c c )

onde: òc = R a / L f s c

R e s o l v e n d o - s e a eq. 33 considerando-se:

tcc, T c c - t c c >> 1/óc

Obtém-se a e q . 34 que define a frequência de ondulação

(foc) da c o r r e n t e Is c o m o c o m a n d o c l á s s i c o .

foc = 2 E R (1 - R) / ( Dlc Lfsc) (34)

No comando clássico a frequência de comutação (fcc) é

igual a de ondulação da corrente. Assim sendo a frequência

máxima de comutação ocorre para uma razão cíclica R = 0.5 (eq.

35).

fccmax = E / (2 D l c L f s c ) (35)

Para efeito de comparação, tornando-se Lfsa = Lfsc e Dia

= Dlc, através da divisão da e q . 32 pela eq. 35, obtém-se como

r e s u l t a d o a e q . 36.

fcamax = fccmax/4 (36)

Como pode-se observar através da e q . 36, com o comando

alternado dos IGBT's, obtém-se uma redução de quatro vez no

valor da frequência de comutação, em relação a frequência obtida

com o comando c l á s s i c o dos IGB T' s.

Entretanto, se for mantida a mesma frequência de

ondulação nos dois casos, com o comando alternado dos IGBT's a

frequência de comutação e o produto Dl * Lfs torna-se a metade

 40

do obtido com o comando clássico. Ainda s er for m a n t i d o o mesmo

Dl tem-se uma indutância duas vezes menor, o que significa menor

custo, volume, peso e perdas.

3.4 PERDAS NA COMUTAÇÃO

Embora os IGBT's sejam bastante rápidos, as perdas na

c o m u t a ç ã o d e v e m ser c o n s i d e r a d a s , pois a corrente e a t ensão são

muito altas, o que se c o n s t i t u i no principal fator limitante da

f r e q u ê n c i a de comutação.

Estas perdas o c o r r e m na a b e r t u r a (bloqueio) dos IGBT's e

no f e c h a m e n t o (entrada em condução) [10, 11, 12, 13, 14].

D e v i d o a simetria de f u n c i o n a m e n t o de ambos os braços do

conversor (Fig. 25), o estudo da comutação será realizado para

um único braço, o n d e a c a r g a e n t r e os p o n t o s A e B será modelada

c o m o u m a f o n t e d e c o r r e n t e de v a l o r Is.

Fig. 25 - M o d e l o e q u i v a l e n t e p a r a a n á l i s e d a c o m u t a ç ã o .
 41

3.4.1 E s t u d o da c o m u t a ç ã o

Inicialmente será realizado um estudo da comutação para

uma situação mais próxima da id e a l , onde não serão considerados

fatores como corrente de recuperação dos diodos, nem as

indutâncias parasitas.

a) P e r d a s n o b l o q u e i o d o IGBT.

Para a a n á l i s e das perdas no b l o q u e i o do IGBT (Pb), será

considerado que o IGBT1 está conduzindo a corrente Is (Fig.

2 6 . a). Quando este é comandado a bloquear, a tensão sobre seus

terminais (Vjj) cresce até E (Fig. 27). Nesse momento o diodo D3

é polarizado (Fig. 2 6 . b) e a corrente il a t r a v é s do IGBT1 começa

a decrescer. Enquanto, isso o IGBT1 fica submetido a tensão E.

Os tempos de crescimento da tensão (trv) e decréscimo da

corrente (tfi) são impostos pelos I G BT's.

A fig. 27 a p r e s e n t a a f o r m a d e o n d a d a s v a r i á v e i s il, V-j-j

e Pb.

Fig. 26 - Etapas de f u n c i o n a m e n t o no bloqueio.

 42

A perda em um IGBT é fornecida pela eq. 37. Como

normalmente trv é muito menor que tfi, a parcela de perdas

causadas por tr v n o r m a l m e n t e s ã o d e s p r e z a d a s .

1
P b = ---- * E * Is * ( tfi + trv) * f (37)
2

Fig. 27 - F o r m a s d e o n d a d e i 1 , V y j , Pb.

b) P e r d a s n o f e c h a m e n t o d o IGBT.

Neste caso, o diodo D3 está conduzindo a corrente Is

(Fig. 2 8 . a), quando é enviada a ordem de fechamento para o IGBT

1. A partir deste momento, a corrente no IGBTl (il) começa a

crescer e a corrente ( i 3) em D3 a decrescer (Fig. 2 7 . b).

Enquanto a corrente i3 decresce, D3 permanece conduzindo,

o
ficando o IGBT 1 submetido a tensão E da fonte. No momento que a

corrente no IGB T1 chegar a Is, D3 bloqueia e a tensão sobre o

IGBT1 começa a decrescer até zero numa taxa igual a tf v. Os

tempos de crescimento da corrente (tri) e decrescimento da

tensão ( t fv ) são impostos pelos I G B T ’s. A fig. 29 m o s t r a a forma

de ond a das variáveis il, V j j e Pf.

 k3

Fig. 28 - E t a p a s d e F u n c i o n a m e n t o n a e n t r a d a e m c o n d u ç ã o

Fig. 2 9 - F o r m a s d e o n d a d e il , Vj j , P f .

As perdas devido ao fechamento são fornecidas pela eq.

38. Como tf v é bem menor que tri as perdas relacionadas a tfv

p o d e m ser d e s p r e z a d a s .
*;
i
Pf = ---- * E * Is * (tri + tfv) * f (38)
2

Com isso, as p e r d a s totais nos IGBT's devido a comutação

s ã o d a d a s p e l a e q . 39.

1
Pcti = ---- * E * I s * ( t f i + tri) * f (39)
2
 kk

Além das perdas no s IGBT's devido a comutação, na

prática, as indutâncias parasitas dos fi os, conexões,

componentes, ... etc, acabam provocando sobretensões no s I G BT 's.

As sobretensões, além de aumentar ainda mais as perdas no s

I G B T ’s d u r a n t e a c o m u t a ç ã o , p o d e m se r d e s t r u t i v a s .

Para o IGBT1 conduzindo a corrente Is, c o n s i d e r a n d o - s e as

indutâncias parasitas (1 p ) (Fig. 30), no m o m e n t o do bloqueio do

IGB T1 aparece uma sobre-tensão Vp (e q . 40) nos seus terminais

( Fi g. 31).

Fig. 30 - B r a ç o d o c o n v e r s o r c o m s u a s indutâncias equivalentes.

Fi g. 31 - P i c o d e t e n s ã o c a u s a d o p e l a s indutâncias parasitas.
 45

V p = E - (lpl + lp3) * d i 1(t ) (40)

dt

3.4.2 - Perdas com circuito de ajuda à comutação.

Como foi visto existe a necessidade de se atenuar os

picos de tensão causados pelas indutâncias parasitas, bem como

reduzir as perdas de comutação nos IGBT's. A solução encontrada

para isso é a utilização de circuitos de ajuda à comutação. A

seguir será a n a l i s a d o o c i r c u i t o de a j u d a à c o m u t a ç ã o clássico e

o grampeador [ 1 1 ].

a) C i r c u i t o Grampeador.

A fig. 32 m o s t r a o circuito grampeador para um braço do

conversor. Onde Cl, rl e Dl formam o circuito grampeador para o

IGBT 1 e C 3 , r3, D 3 p a r a o IGBT3.

Fig. 32 - D e t a l h e d e u m b r a ç o c o m c i r c u i t o g r a m p e a d o r .

A n á l i s e do c i r c u i t o grampeador no bloqueio.
 46

Para isso será considerado que o IGBT1 está conduzindo a

corrente Is. Isto é representado na lâ etapa (Fig. 33). No

m o m e n t o em que o IGBT1 é comandado a bloquear, dá-se i n í c i o à 2â

etapa, onde a corrente através do IGBT1 ir á decrescer, sendo a

diferença entre Is e a do IGBT1 assumida po r Cl. A passagem da

corrente através d e Cl p r o v o c a um aumento de sua tensão, fazendo

com que o diodo D3 entre em condução. Durante esta etapa tem-se

uma comutação dissipativa, porque o IGBT1 bloqueia submetido a

tensão do capacitor.

O valor máximo da tensão no capacitor (VCmax) pode

determinado resolvendo-se a eq. 41, obtida através da soma das

quedas de tensão percorrendo-se a malha 1 da 2ã etapa (Fig.

33.b ) .

1 £• E t a p a

Eir — Is—^

| r l £ C3= = IGBT3jK^ B3 C3 ^ ™ Jkf

b)

Fig. 33 - P r i n c i p a i s e t a p a s d e f u n c i o n a m e n t o d o c i r c u i t o

grampeador no bloqueio.

C á l c u l o de VCmax.

Para o cálculo de VCmax considera-se que a corrente do

IGBT1 foi desviada instantaneamente p a r a Cl e que a descarga de

 47

Cl sobre RI seja bastante lenta em relação a duração da

comutação. C o m isso, tem-se:

E - VCl(t) - lpl d i 1 ( t ) + lp3 d i 3 ( t ) = 0 (41)

dt dt

onde :

i 1 ( t ) = Is - i 3 ( t ) , VCl(t) = 1 j il l ( t ) dt + V C 1 ( 0 )

então:

E - 1 j i 1 ( t ) dt - V C 1 ( 0 ) - (lpl + l p 3 ) d i 1 (t ) = 0 (42)

Cl dt

r e s o l v e n d o - s e a eq. 42 o b t é m - s e :

i 1 (t ) = l l ( 0 ) c o s w t + r ---------
c i 1 /(E
2 - VCl(0))senwt (43)
L lpl + lp 3 -I

r lpl + l p 3 -1
VCl(t) = --------- J Iç s e n w t - ( E - V C l ( O ) ) coswt + E (44)

onde :

. . Î
[ ------- ------- } ' n
L C ( 1l dp 1l ++ 11P
d 33)
) j

Condições iniciais:

VC1(0) = E, II (0) = Is

c o m isso:

i 1 ( t ) = Is co s wt (^5)

r lpl+lp3 i ! / 2
VCl(t) = --------- J Is s e n w t + E (46)
 48

A tensão máxima sobre o capacitor ocorre quando s e n wt =

1 , no momento em que a corrente se anula e seu valor é obtido

p e l a e q . 47

lpl+lp3
VCmax = --------- Is + E (47)
C J

A fig. 34 mostra a evolução no tempo da tensão no

c a p a c i t o r Cl e a c o r r e n t e no IGBT1, c o n s i d e r a n d o - s e que enquanto

a c o r r e n t e no IGBT1 decresce, a corrente e m lpl e lp 3 p e r m a n e c e m

inalteradas, desta forma o capacitor assume a diferença da

corrente entre o IGBT1 e Lpl , o que faz a tensão sobre se us

t e r m i n a i s c r e s c e r s u a v e m e n t e d u r a n t e o i n t e r v a l o tfi.

Fig. 34 - E v o l u ç ã o n o t e m p o d e i 1 e VC1 no bloqueio.

P e r d a s e m r 1.

A potência dissipada por rl (eq. 49), é igua l a energia

armazenada nas indutâncias parasitas transferida para o

capacitor (eq. 48).

 49

WC 1 = Cl * ( VCmax - E )2 / 2 (48)

Prl = (lpl + 1p 3) Is2 f / 2 (4 9 )

C o r rente m á x i m a no D i o d o roda livre (IDmáx).

A corrente através do diodo ( i 3 ( t )) atinge seu valor

máximo quando i 1 (t ) torna-se z e ro, com isso IDmáx torna-se igu al

a corrente Is.

P o t ê n c i a p er d id a no IGBT no bloqueio.

As perdas no IGBT no bloqueio (P b g i ) (e q . 50), possuem

uma parcela constante, devido a tensão inicial no capacitor, que

é equivalente a obtida no bloqueio para o IGBT sem circuito de

ajuda à comutação (eq. 37). A outra parcela de p e r d a é devido o

aumento da tensão sobre o capacitor durante o bloqueio, esta

parcela é equivalente a obtida para o IGBT c o m c i r c u i t o de a j u d a

à comutação clássico (eq. 64).

Pbgi = 1 * E * Is* ( tfi + trv) * f Is2 t f i2 f (50)

------ + --------------------------- -
2 24 C

A n á l i s e do circuito grampe a d o r na entrada em condução.

Esta é feita considerando-se que D3 está conduzindo a

corrente Is na la etapa C.'e f u n c i o n a m e n t o (Fig. 35). Quando o

IGB T1 recebe um comando para entrar em condução, dá-se inicio à

2ã etapa, onde a tensão sobre o IGBT1 decresce linearmente

fazendo a corrente crescer suavemente em lpl. O tempo de

decréscimo da tensão (tfv) é imposto pelo IGBT. Quando a tensão

sobre o IGBT1 tornar-se nula, dá-se inicio à 3â etapa, onde,

sobre a indutância, é aplicada uma tensão constante fazendo com

 50

que a corrente passe a crescer linearmente. Quando a corrente no

IGBT a t ingir o valor Is a c o r r e n t e em D3 se a n u l a iniciando uma

nova etapa onde o diodo se recupera. Após esta última etapa o

IGBT1 assume definitivamente a corrente Is.

Fi g. 35 - E t a p a s d e f u n c i o n a m e n t o n a e n t r a d a e m c o n d u ç ã o d o

IGBT1.

Cálculo da potência dissipada no IGBT na entrada em

condução.

A potência; dissipada no IGBT1 na entrada em condução

(Pfgi) neste caso é reduzida pela presença das indutâncias

parasitas, esta é obtida resolvendo-se a e q . 51 para a 2ã etapa

d e f u n e i o n a m e n t o {F i g . 35).

Pfgi = 1/T j i 1 (t ) VTl(t) dt (51)

onde: 1/T = f

Admitindo-se q u e VT1 decresce linearmente (eq. 52) e

resolvendo-se a eq. 53 o b t i d a da malha 1 do circuito que

 51

r e p r e s e n t a a 2â e t a p a , o b t é m - s e Pfgi (eq. 56).

VTl(t) = (1 - t / t f v ) E (52)

E - VT1 - lpl d i 1 (t ) + lp3 d i 3 ( t ) = 0 (53)

dt dt

onde :

i 3 ( t ) = Is - i 1 (t)

c o m isso, tem-se:
(lpl + lp3) d i 1 (t ) = E t
(54)
dt t fv

E t2
i 1 (t ) = ----------------------- (55)
(lpl + l p 2 ) tfv 2

A s s i m sendo, tem-se:

E 2 tfv2 f
Pfgi = --------------------- (56)
24 (lpl + lp3)

Cojrrente m á x i m a n o IGBT (ITmáx).

A corrente máxima no IGBT o c o r r e quando o diodo de roda

livre bloqueia, onde neste instante o valor da corrente no IGBT

ITmáx torna-se igual a soma da c o r r e n t e Is e a d e r e c u p e r a ç ã o do

d i o d o de r o d a l i v r e (Ir).

b) C i r c u i t o d e a j u d a à c o m u t a ç ã o c l á s s i c o .

O uso do circuito de ajuda à comutação clássico é

maneira mais tradicional de se reduzir as perdas nos IGBT

durante a comutação. A configuração clássica deste circuito para

 52

um b r a ç o do c o n v e r s o r é a p r e s e n t a d a na fig. 36

Os componentes L f , df, rf atuam na entrada em condução,

enquanto os „ c o m p o n e n t e s cb, db, rb no bloqueio. 0 diodo DR é

u s a d o c o m o d i o d o de r o d a l i v r e .

Fig. 3 6 - C o n f i g u r a ç ã o c l á s s i c a d o c i r c u i t o d e 'ajuda à c o m u t a ç ã o

para um braço do conversor

Como o I GB T a s e r u t i l i z a d o p o s s u i um diodo intrínseco em

antiparalelo, deve-se estudar a p o s s i b i l i d a d e de utiliza-lo como

d i o d o de roda li vr e, a f i m de se dispensar o u s o de m a i s quatrio

diodos como mostrados na fig. 36. Assim sendo, considerando-se

os diodos intrínsecos dos I G B T ’s como diodo de roda li v r e ,

obtém-se uma nova configuração para o circuito da fig. 36 q u e é

a p r e s e n t a d o na fig. 37.
 53

Fig. 37 - V e r s ã o d o c o n v e r s o r u t i l i z a d o - s e o d i o d o i n t r í n s e c o

c o m o d i o d o d e r o d a livr e.

Esta nova configuração apresenta um g rande inconveniente

no blo qu ei o, pois quando o diodo de roda livre fica habilitado a

conduzir, este deveria assumir a corrente do IG BT

instantaneamente, entretanto as indutâncias lf. p a s s a m a limitar

a taxa de c r e s c i m e n t o da c o r r e n t e no diodo.

Para melhor entendimento, considerando-se que o IGBT1

está conduzindo a corrente Is, quando este é comandado a

bloquear, DR3 deveria entrar em condução imediatamente após a

tensão sobre cbl se tornar i g u al a E. Neste instante a

indutância lfl deveria se desmagnetizar através de rl. Contudo,

como a indutância lf3 limita a taxa de crescimento da corrente

em DR3, a indutância lfl continuará conduzindo parte da corrente

Is através de cbl. O que causa uma sobretensão em cbl e

conseqüentemente um aumento na potência dissipada pelo circuito

de a j u d a à c omu t a ç ã o .

Todavia, para obter-se os efeitos produzidos pela

 5k

Todavia, para obter-se os efeitos produzidos pela

configuração clássica, seria necessário utilizar os diodos de

roda livre externos apresentado na lâ c o n f i g u r a ç ã o como DR (Fig.

36), uma vez que a tentativa de se utilizar os diodos

intrínsecos apresenta o inconveniente visto acima. Porém, a

indutância de ajuda a comutação (lf) necessária para este

conversor é muito pequena, na ordem dos valores estimados para

as indutâncias parasitas. Desta forma, a taxa com que a corrente

seria assumida pelos diodos externos (Dr), continuaria sendo

limitada, mas, d e s t a vez, pelas indutâncias parasitas.

Assim, optou-se p e l a c o n f i g u r a ç ã o a p r e s e n t a d a na fig. 38,

onde é utilizado apenas o circuito de ajuda à comutação para o

bloqueio (cb, rb e d b ) .

F ig . 38 - C i r c u i t o d e a j u d a a c o m u t a ç ã o u t i l i z a d o n e s t e

protót i p o .
 55

c) C i r c u i t o d e a j u d a à c o m u t a ç ã o a d a p t a d o a o c o n v e r s o r .

A n á l i s e no bl o q u e i o .

Para a análise no b l o queio é considerado inicialmente (lâ

etapa Fig. 39) que o IGBT1 está conduzindo a corrente Is,

enquanto D3 está bloqueado e cb3 carregado com E. A partir do

momento em que o IGBT1 é comandado a bloquear, sua corrente

começa a decrescer, sendo desviada para cbl , d a n d o início a 2â

etapa. Nesta etapa a tensão sobre cbl começa a crescer

suavemente, enquanto isso cb3 se descarrega lentamente através

de rb3. Quando a corrente no IGBT1 se anular é iniciada a 3a

e t a p a de funcionamento, onde a corrente Is p a s s a a f l u i r por cbl

e, com isso, sua tensão começa a crescer linearmente. Quando a

tensão de cbl atingir E, D3 é polarizado dando início a 4ã

etapa. Devido as indutâncias parasitas o capacitor continuará se

carrega ndo até um valor m á x i m o ( V C m á x b ) , no m e s m o instante que a

corrente em D3 atinge o valor Is. Durante estas etapas o IGBT1

fica submetido a tensão do capacitor cbl, portanto, quando

ocorrer o pico de tensão (VCmáxb) no capacitor este ocorrerá,

também, no IGBT1.

O c á lculo da tensão m á x i m a (eq. 58), é obtido resolvend

se a e q . 57, obti d a da m a l h a 1 p a r a a 4a e t a p a (Fig. 39).

E - Vcbl(t) - lpl d i 1 ( t ) + lp3 d i 3 ( t ) = 0 (57)

dt dt

Como a eq. 57 é i d ê n t i c a a e q . 41, a tensão máxima sobre

o capacitor (VCmáxb) é obtida transcrevendo-se a eq. 47 para a

e q . 58
 56

r l p 1+ ip3 1 */ 2
VCmaxb = --------- Is + E (58)
L cb J

1» Etapa 2* Etapa

3 * Etapa 4* Etapa
TER rlol

Lpl &
-I-----ris^-»'
| Lp3 13

rb3
llGBT3jrÍD3_^_>
| Cb3
•f
5* Etapa RvQln* E stav tl

Fig. 39 - E t a p a s de funcionamento no bloqueio do IGBT1.

Quando a tensão sobre o capacitor atingir VCmaxb, a

corrente em lpl anula-se i n i c i a n d o uma n o v a etapa (5ã e t a p a Fig.

39). Nesta etapa o capacitor cbl começa a descarregar através de

 57

rbl sobre a fonte de alimentação. A equação da tensão sobre o

capacitor é determinada resolvendo-se a eq. 59, obtida da m a l h a

2 do c i r c u i t o que r e p r e s e n t a esta etapa.

E - i 1 ( t ) rbl - Vcbl(t) - lpl d i 1 ( t ) + lp3 d i 3 ( t ) = 0 (59)

dt dt

i 3 ( t ) = Is - i 1 ( t )

Vcbl = 1 j i 1 ( t ) dt + Vcbl(O)

cbl

onde:

cbl=cb3=cb, 1 = lpl + lp3

Condições iniciais:

i 1(0) = 0 , Vcbl(O) = VCmaxb

Resolvendo-se a eq. 59 para as condições iniciais

d e f i n i d a s acima, o b t é m - s e a e q . 60 e eq. 61

(E - V C m a x b ) ( e ® ^ - e ® 2 *)
i 1 (t ) = ---------------- ----------------- (60)
1 BI - B2

(E - V C m a x b ) ( e ® * * - e ® 2 *)
Vcbl(t) = -------------------- — ---- -------- + E (61)
o cb 1 (BI - 62) BI B2

onde:

61 = (-rb + D ) / 2 1

62 = (-rb - D ) / 2 1

D = (rb2 - Ul/cb)T
 58

A e q . 61, que fornece a tensão sobre o capacitor, mostra

qu e, conforme os valores de 1 , cb, rb, pode-se obter respostas

diferentes. Por exemplo, para rb2 > 41/cb a descarga do

capacitor é suave, porém se rb2 < 41/cb a descarga é

oscilatória.

A fig. 40 ilustra a forma de onda da corrente no IGBT e

no C a p a c i t o r de a j u d a à c o m u t a ç ã o .

Fig. 40 - C o r r e n t e no IGBT e tensão no C a p a c i t o r de ajuda à

comutação durante o bloqueio.

jPerdas no b l o q u e i o ,

i) P e r d a s no IGBT1:

Estas acontecem durante a 2a etapa de funcionamento (

Fi g. 39). Para cálculo da s perdas será considerado que a

corrente decresce linearmente durante o tempo tfi.

Pbai = 1/T j i 1 (t ) V c b l ( t ) dt (62)

para: 0 < t < tfi

onde:
 59

i 1 ( t ) = (1 - t / tfi) Is

Vcbl = 1 j icbl(t) dt

cb 1

icbl(t) = Is — i 1 ( t )

cb=cbl=cb3

C o m isso:

E t2
Vcbl(t) = ----------------- (63)
c b tfi 2

A s s i m sendo, tem-se:

Is2 t f i 2 f
Pbai = ------------------ (64)
2 4 cb

ii) Perdas no circuito de ajuda à comutação no bloqueio.

Considerando-se que o capacitor se d e s c a r r e g a através de

rbl sobre a fonte de alimentação E, antes que o IGBT feche

novamente, tem-se:

E n e r g i a e n t r e g u e a rl n o b l o q u e i o :

WrbP = (V C m a x b - E ) 2 cb / 2

C o m isso:

Wrbl = I s 2 (lpl + 1p 3 ) / 2 (65)

Neste c a so, a energia perdida em rbl é igual a energia

acumulada na s indutâncias parasitas. As perdas em rl são dadas

p e l a e q . 66
 60

Pbrbl = Is 2 ( lpl + lp3) f / 2 (66 )

A l é m di ss o, há t a m b é m as p e r d a s em rb3 (e q . 67), causadas

p e l a d e s c a r g a do c a p a c i t o r cb3 , q u a n d o D3 e n t r a e m c o n d u ç ã o .

P b r b 3 = cb E ? f / 2 (67)

C o r r e n t e m á x i m a no u i o d o (IDjüáx)'

A corrente máxima no diodo é igual a Is, a mesma obtida

para o circuito grampeador .

A n á l i s e na entrada e m condução.

Para tanto, c o n s i d e r a - s e que o diodo D3 está conduzindo a

corrente Is, descrita pela lã e t a p a (Fig. 41). Quando é enviado

um comando para que o IGBT1 entre em condução, inicia-se a 2i

etapa. A partir dai, a tensão decresce sobre o IGBT1 de forma

linear, enquanto a corrente i 1 (t ) cresce suavemente e o

capacitor cbl se descarrega lentamente através de rbl sobre o

IGBT1.

No momento em que a tensão sobre o IGBT1 se anula ê

iniciada a 3ã et apa, desde então a corrente il(t) passa a

crescer linearmente. Quando a corrente i1(t ) atingir o valor Is,

i n i c i a - s e a 4ã eta pa , o n d e o d i o d o D 3 se r e c u p e r a .

Após a recuperação, devido a indutância parasita, a

tensão sobre o capacitor cb3 também irá crescer at é um valor

superior a E. Este valor pode ser o b t i d o r e s o l v e n d o - s e a eq. 6 8 ,

a malha 1 d a Fig. 4 1 . e, 5 a e ta pa .

Para a resolução da eq. 6 8 , considera-se que o c a pa ci to r

irá se carregar somente após o diodo se recuperar e que, neste

momento, a corrente em lp3 seja ig ual a corrente de recuperação

(Ir) do d i o d o D 3 .

Fig. 41 - E t a p a s d e f u n c i o n a m e n t o n a e n t r a d a e m c o n d u ç ã o

E - V c b 3 (t ) - lpl d i 1 ( t ) - 1P 3 d i 3 ( t ) = 0 (68)
 62

onde: i 1 (t ) = Is + i3(t)

Vcb3 = 1 r i3(t) dt + V c b 3 (0)

I
cb

condições iniciais:

13(0) = Ir, V c b 3 (0) = 0

R e s o l v e n d o - s e a e q . 68 p a r a e s t a s condições, obtém-se:

r cb "l1 ^ 2
i 3 (t ) = --------- E senwt + Ir c o s w t (69)
L 1p 1 + lp3 J

r l p 1 + lp3 1 1/2
Vcb3(t) = ^ --------- J Ir s e n w t - E coswt + E (70)

onde:

„ = [ -------!------- ] ' / 2
*- c b ( l p l + lp3) -*

Neste caso, o capacitor também atingirá um valor máximo

de tensão (VCmaxc), iniciando uma nova etapa onde o capacitor

irá se descarregar. Esta etapa é semelhante a 5ã etapa para o

bloqueio, onde dependendo dos valores de cb, rb e lp tem-se

diferentes respostas no tempo para a tensão no capacitor.

Considerando-se a c o r r e n t e de recuperação nula, a tensão sobre o

capacitor atingiria o valor 2E. J

A fig. 42 m o s t r a a forma de onda da tensão no capacitor

cbl e a c o r r e n t e no IGBT1 na e n t r a d a e m c o n d u ç ã o .
 63

© r*> 4L/c
< D r>< *L/c

Fig. 42 - C o r r e n t e e t e n s ã o n o IGBT na entrada em condução.

C o r r e n t e m á x i m a no IGBT (ITmax).

A corrente máxima no IGBT, neste c a so, possui além da

parcela causada pela recuperação do diodo de roda li vr e, uma

outra parcela devido a carga do capacitor de ajuda à comutação.

Desconsiderando-se a corrente de recuperação do diodo, a

corrente máxima no IGBT, obtida da eq. 68 quando i 1 (t ) a t i n g e o

valor máximo, é f o r n e c i d a p e l a eq. 71.

IT m a x + Is (71)

Perdas na entrada e m c on d uç ão

i) P e r d a s n o IGBT.

Neste caso, as perclas no IGBT sã o iguais às calculadas

para o circuito grampeador na entrada em condução, mais as

causadas pela descarga do capacitor de ajuda à comutação. As

perdas devido à descarga do capacitor podem ser calculadas

admitindo-se que a tensão do capacitor permanece constante

d u r a n t e o i n t e r v a l o tfv. Com isso, tem-se:

 64

Pf c i = 1/T j i 1(t ) VTl(t) dt (72)

onde:
i 1 ( t ) = E rb t / tfv

VTl(t) = E (1 - t / tfv)

D e s t e modo:

Pfci = E 2 t f v f / ( 6 rb ) (73)

Assim sendo, somando-se a e q . 58 obtida para o circuito

grampeador à eq. 73, tem-se a potência total (PfiTc) perdida no

I G B T no f e c h a m e n t o (e q . 74).

E 2 tf v f r 1 tfv
r 1 tfv 1
PfiTc = -------------- ---- + ------------------ (74)
•- rb 4(lpl + lp3)J

ii) P e r d a s n o c i r c u i t o d e a j u d a à c o m u t a ç ã o .

Estas perdas são em rbl , d e v i d o a descarga de cbl e em

r b 3 d e v i d o a d e s c a r g a d e cb3 , d e V C m a x c a t é E.

As perdas em rbl são obtidas considerando-se que ; toda

e n e r g i a a r m a z e n a d a e m cbl, s e j a d i s s i p a d a e m rbl.

C o m isso: 0

Pfcrbl = cb E 2 f / 2 (75)

As perdas em rb3 são difíceis de serem calculadas, porém

admitindo-se que o capacitor, após atingir o valor máximo

(VCmaxc) se descarregar através de rb 3 até a tensão de

alimentação, tem-se:
 65

Pfcrb3 = cb ( V C m a x c - E ) ^ f / 2

VCmaxc é obtido, a c h a n d o - s e o p o n t o d e m á x i m o d a eq. 76.

r lpl+lp3 i
Vcb3(t) = --------- Ir s e n B - E c o s B + E (76)
L cb J

onde:

B = arctg{ - ( l p 1+1p 3 ) * I r / ( 2 * c b * E ) } + 90°

E s c o l h a do c i r c u i t o de a j u d a à comutação.

Do ponto de vista das perdas no bloqueio, o circuito

grampeador apresenta as m e n o r e s perdas totais. A energia perdida

no mesmo, ocorre em apenas uma da s resistências de um br a ç o ,

causadas pela energia acumulada na s indutâncias parasitas, como

pode se r constatado na eq. 49. Já no circuito de ajuda à

comutação no bloqueio (item 3.4.2.c), além das perdas causadas

pela indutância parasita (e q . 6 6 ), existem também as perdas

relativas a descarga do capacitor em paralelo com o diodo de

roda l i v r e e q . 67, q u a n d o este entra em condução.

Contudo, o circuito grampeador apresenta um bloqueio

dissipativo do ponto de vista do IG BT em relação ao circuito de

a j u d a à c o m u t a ç ã o c l á s s i c o no b l o q u e i o (item 3.4.2.c).

N á ’entrada em condução os dois circuitos apresentam

perdas reduzidas no IGBT, porém o circuito de ajuda à comutação

clássico no bloqueio apresenta ainda uma parcela de perdas

devido a descarga do capacitor de ajuda à comutação. Já as nas

resistências do circuito grampeador são praticamente nulas,

enquanto no circuito de ajuda à comutação adaptado ocorrem em

todas as r e s i s t ê n c i a s d o s c i r c u i t o s de a j u d a à c o m u t a ç ã o .
 66

Embora o circuito de ajuda à comutação adaptado produza

maiores perdas totais, este será utilizado neste projeto. A

razão desta escolha é devido à necessidade de se reduzir as

p e r d a s no s I G B T ' s ao m á x i m o .

3.4.3 D i m e n s i o n a m e n t o do c i r c u i t o de a juda à comutação a d a ptado

ao conversor.

Potência máxima dissipada no resistor de ajuda à

comutação:

O resistor que possui maiores perdas, é aquele que está

no c i r c u i t o de a j u d a à c o m u t a ç ã o j u n t o ao IGBT em oper a ç ã o , e se

dá no b l o q u e i o (eq. 6 6 ) e na entrada em condução (eq. 75). Estas

somadas, r e s u l t a m na s p e r d a s t o t a i s n o r e s i s t o r , (e q . 77).

P Tr = { I s 2 ( lpl + 1P 3) + c b E 2 } f / 2 (77)

Escolh a do valor do capacitor:

C o n f o r m e o valor do c apacitor, obtém-se diferentes perdas

no IGBT (eq. 64) e na r e s i s t ê n c i a (e q . 75) de a j u d a à c o m u t a ç ã o . :

Assim sendo, o menor valor das perdas totais causadas pelo

capacitor é obtido com

a minimização da eq. 78 resultante da
o
s o m a d a e q . 64 c o m a e q . 75.

r Is2 t f i2 C E2 -]
PTc = ------------ + ------ f (78)
L 24 cb 2 J

Com isso, o valor do capacitor para o ponto de mínimas

perdas totais é d a d o p e l a eq. 79

 67

cb = Is tfi / ( 3.46 E ) (79)

Utilizando-se este valor de capacitor, as perdas no IGBT

c o m o c i r c u i t o de a j u d a à c o m u t a ç ã o ( Pb ai e q . 64) e m r e l a ç ã o as

perdas sem a utilização deste (Pb eq. 37), tornam-se:

Pbai = Pb / 3.46

Por outro lado o valor do capacitor deve ser tal que a

tensão máxima sobre seus terminais não ultrapasse a máxima

permitida pelo IGBT. A s s i m s e n d o , d a eq. 58 t e m - s e que:

r lpl + lp3 1/2

VCmaxb = --------- *s + E
L cb -1

Com isso, o valor mínimo que o capacitor deve possuir é

d a d o p e l a eq. 80:

r ( lpl +1 p 3) I s 2 -I
Cmin = --------------- (80)
L (VITmax - E ) z J

onde : VITmáx - Tensão máxima permitida pelo IGBT.

E s c o l h a do valor da r e s i s t ê n c i a de a j u d a à comutação.

O valor de rb d e v e se r tal q u e p r o p o r c i o n e a d e s c a r g a do

capacitor de VCmáxb até E durante o tempo em que o IGBT

permanece bloqueado, e de E até zero durante o tempo em que

permanece conduzindo.

Conforme foi visto, d e p e n d e n d o do v a l o r de rb, tem-se uma

descarga oscilatória ou suave (eq. 61), durante o tempo que o

IGBT permanece bloqueado. Transcrevendo-se a eq. 61 de outra

 68

maneira, obtém-se a eq. 81 e, tornando a parcela e - (r k / 2 1 )t

bastante pequena no tempo t = t2, enquanto o IGBT permanece

bloqueado, o b t é m - s e o v a l o r de rb (eq. 82).

V C l ( t ) = K e ”^ r b / 2 1) t { ( r b / D - 1 ) e —^ 21) "t _ (j-b/E) + l ) e ^ / 2 ^ ^ } + E

onde:

K = (E - V C m a x b )/2

rb > l n ( l / x ) 2 1 / t 2 (82)

x é o valor que e~(rk / 2 1 )t2 deve atingir no tempo

t2 p a r a d e s c a r r e g a r o c a p a c i t o r a t é E.

r b 2 > 41/cb descarga suave

rb2 < 41/cb descarga oscilatória

A l é m disso, o c a p a c i t o r d e v e se d e s c a r r e g a r d e E a t é z e r o

d u r a n t e o i n t e r v a l o de c o n d u ç ã o tl do IGBT. C o m i s s o t e m - s e :

rb < tl / [ c b l n ( l / y ) ] (83)

onde: y = Ef/E

Ef = v a l o r f i n a l da t e n s ã o d o c a p a c i t o r .
 69

3.5 - C I R C U I T O S DE C O N T R O L E [14].

3.5.1 - C o n t r o l e da Corrente.

O circuito de controle da corrente tem a função de

controlar a corrente de soldagem, pela técnica de m o d u l a ç ã o por

valores extremos, já m e n c i o n a d a neste capitulo, e ainda gerar a

s e q ü ê n c i a d e c o m a n d o a l t e r n a d a p a r a os IGBT's.

O diagrama de blocos (Fig . 43) mostra as principais

p a r t e s q u e c o n s t i t u e m o c i r c u i t o de c o n t r o l e .

O circuito de seleção permite que se e s c o l h a u m a de d u a s

referências através de um sinal externo de seleção. Uma da s

referências é utilizada pelo circuito que gera a ref. de

corrente, quando se opera com característica de imposição de

corrente. A outra é utilizada pelo circuito que controla a

tensão, q u a n d o se o p e r a c o m c a r a c t e r í s t i c a de t e n s ã o c o n s t a n t e .

A unidade básica de controle da corrente é constituída

basicamente po r um diferenciador e por um comparador de

histerese, c o m o é a p r e s e n t a d o n a fig. 44.

 70

habilita IGBrs
Circuito de
selecao
conversor
IGBTl
Irefl controle da
lo g ica
IGBT2 Vn
Iref2 corrente
alternado L fs
isCt) ^vZ^sZI IGBT3 _nnr\_
i de --- >
IGBT4 Is(t)
Selecao |
conando
cb referen cio

sensor
de corrente

Fig. 43 - D i a g r a m a de blocos do ci r c u i t o de con t r o l e da

corrente.

Fig. kk - Unidade básica de controle da corrente.

O circuito de lógica alternada de comando é responsável

por

a) - Gerar a seqüência de comando dos IGBT's, conforme

foi d e s c r i t o no item 3.1.2.

b) - D e s a b i l i t a r os I G B T ' s q u e n ã o p a r t i c i p a m d a m a l h a de

corrente para evitar a condução simultânea dos mesmos,

 71

diminuindo a possibilidade de um curto-circuito nos braços do

conversor.

c) - Gerar os tempos mortos n a m u d a n ç a de u m a p o l a r i d a d e

para outra da corrente, para evitar condução simultânea.

d) - Desabilitar os IGBT's na transição negativa da

corrente de referência para tornar mais rápida a transição da

c o r r e n t e do arco.

e) - Manter os IGBT's d e s a b i 1 itados enquanto não for

realizada a partida (inicio) do p r o c e s s o de soldagem.

3.5.2 - Co n t r o l e da Tensão

O controle da tensão de saída é feito indiretamente,

atuando-se na corrente de saída de modo a se obter a tensão

ajustada. Esse controle é constituído po r um d i f e r e n c i a d o r , que

gera um erro proporcional à diferença entre a tensão de

referência e a de saída. Esse erro é integrado para gerar uma

r e f e r ê n c i a de corrente. Desta for ma, q u a n d o a t e n s ã o de s a í d a se

torna ig u a l a de referência, o erro torna-se nulo mantendo a

corrente constante. Quando ocorrer uma instabilidade no a r co , o

controlador procura uma nova situação de equilíbrio, alterando o

v a l o r d a c o r r e n t e a t é q u e a t e n s ã o de s a í d a s e j a r e e s t a b e 1e c i d a .

A fig. 45 mostra um diagrama de como o circuito de

controle da tensão está ligado ao circuito de controle da

corrente ( f i g . 43). A fig. 46 mostra o esquema elétrico deste

circuito, onde tem-se um subtrator e um integrador.

 72

Fig. 45 - D i a g r a m a do c i r c u i t o de c o n t r o l e da tensão.

s u litr a io r in t e g r a d o r

FIG. 46 - E s q u e m a e l é t r i c o do c i r c u i t o de c o n t r o l e da tensão.

Para a análise, pode-se tratar o conversor como sendo uma

fonte de corrente controlada que alimenta o arco, neste caso

modelado como um a resistência Ra. Desta forma, pode-se

representar a malha de controle de tensão pelo diagrama de

b l o c o s a p r e s e n t a d o na fig. 47.
 73

Fig. 47 - D i a g r a m a s d e B l o c o d o c i r c u i t o d e c o n t r o l e d a t e n s ã o .

A equação da tensão do arco para um degrau unitário é

dado pela e q . 84. Esta é semelhante a e q . 85 o b t i d a resolvendo-

se a equação de um circuito R L alimentado por uma fonte de

tensão constante com condições iniciais iguais a zero (Fig. 48).

Va(t) = Vr ef ( 1 - e ~ (R-a /ki ) * ) (84)

onde : ki = RiCi

V(t) = V r e f ( l-e ~(R /L )t ) ' (85)

Fi g. 48 - C i r c u i t o R L E .

Desta forma, é possível se r e g u l a r a indutância de saída

da fo n t e , para operação no modo tensão, ajustando-se o produto

RiCi no c i r c u i t o de c o n t r o l e .
 74

3.6 - C I R C U I T O S DE A P O I O E SENS O R E S

3.6.1 - C i r c u i t o de Comando.

O circuito de comando é responsável por transmitir a

o r d e m d e c o n d u ç ã o o u b l o q u e i o p a r a o IGBT.

Para o funcionamento correto do IGBT é necessário que o

comando de "gate" acione o IGBT de modo a produzir as

características fornecidas pelo fabricante e garantir a proteção

do mesmo.

Essencialmente, o comando de "gate" deve possuir as

seguintes características:

- Fornecer u m pico de corrente que p ossibilite a entrada

em condução dos IGBT's para minimizar o tempo ton. No bloqueio,

retirar rapidamente a carga do "gate" para reduzir ao m á x i m o o

t e m p o d e e s t o c a g e m ts.

- Fornecer uma tensão de "gate" mais elevada possível, a

fim de reduzir ao máximo a tensão de saturação V p pS A T em

condução.

- Apresentar p r o t e ç ã o contra sobre c o r r e n t e no coletor.

- Apresentar prot e ç ã o contra s o b r e t e n s ã o no "gate".

- Isolar g a l v a n i c a m e n t e o "gate".

O comando de "gate", a p r e s e n t a d o n a fig. 49 foi p r o j e t a d o

para suprir t o d a s as c a r a c t e r í s t i c a s c i t a d a s a c i m a .

Este possui um opto acoplador de alta performance, para

que sejam mínimos os tempos de atraso entre entrada e saída.

 75

Após, vem um comparador e um estágio pré-amplificador, seguido

de uma etapa amplificadora. A etapa amplificadora é necessária

para gerar o pico de corrente na entrada em condução e no

b l o q u e i o do IGBT.

A proteção contra sobrecorrente é feita pelo CI2 através

da m o n i t o r a ç ã o da tensão do coletor. O transistor T 5 desabilita

a monitoração da tensão , durante um pequeno intervalo de tempo

no inicio da entrada em condução, de forrna a permitir a

e s t a b i l i z a ç ã o d a t e n s ã o s o b r e o IGBT.

O diodo Dl m a n t é m d e s a b i l i t a d o o IGBT, após a a t u a ç ã o da

proteção, até que a chave swl seja aberta. O led LD1 acende

i n d i c a n d o q u e a p r o t e ç ã o atu o u .

A proteção contra sobre t e n s ã o de "gate" é r e a l i z a d a po r

d o i s d i o d o s Z e n n e r D z 2 e Dz3.

Fig. k9 - C o m a n d o d e G a t e .
 76

3.6.2 - Cir c u i t o de referência e lógica de partida.

Este circuito é d i v i d i d o b a s i c a m e n t e e m três bl o c o s (Fig.

52) .

- C i r c u i t o de R e f e r ê n c i a d e c o r r e n t e e t e n s ã o .

- C i r c u i t o d e l ó g i c a de p a r t i d a / p a r a d a .

- C i r c u i t o de l i m i t a d o r de c o r r e n t e .

a) Circuito de Referência de corrente e t e ns ão : E

circuito tem como objetivo gerar as referências de corrente e

tensão adequadas a cada processo.

O processo é selecionado através das chaves seletoras

( C HI, CH2, CH3, CH4, CH 5 ) . Quatro valores de correntes

(11,12,13,14) e de tempos ( 1 1 ,t2 ,1 3, t 4 ) e u m de tensão (U) são

combinados de forma diferente, para formar o sinal de r e f e r ê n c i a

para o processo. Todos são ajustados via potenciômetro.

A chave CHI seleciona o processo MIG/MAG com

característica estática de t e n são, onde a r e f e r ê n c i a de t e n s ã o é

p e l o p o t e n c i ô m e t r o U.

A chave CH2 seleciona o processo MIG/MAG com

característica estática de corrente, onde o sinal da referência

de corrente para o modo pulsado (Fig. 5 0 . a) é ajustada através

dos potenciômetros 13, 14 e t3, t4. Para imposição de corrente

c o n s t a n t e b a s t a f a z e r t3 igual a ze ro.

As chaves CHI e CH2, quando apertadas, selecionam o

processo MIG/K' ,G no modo misto, onde o si na l de referência é

 77

ajustado através dos potenciômetros 14 e t4, para corrente, e U

e t3 p a r a t e n s ã o (Fig. 5 0 . b).

A chave CH3 seleciona o processo TIG/PLASMA em corrente

alternada com pulsos térmicos, onde os quatro valores de

correntes e de tempos são combinados, como m ostra a fig. 5 0 . c,

para f o r m a r o s i n a l d e r e f e r ê n c i a de c o r r e n t e .

Fig. 50 - D e t a l h e r e f e r ê n c i a s d e c o r r e n t e ,

a) M I G / M A G P u l s a d o ; b) M I G / M A G m i s t o ;

c) T I G / P L A S M A c o m p o s t o ; d) T I G / P L A S M A n o r m a l .

A chave CH4 seleciona o processo TIG/PLASMA em operação

normal, onde a referência de corrente é ajustada através do s

potenciômetros II, 12, tl, t2 (Fig. 5 0 . d). Para se o b t e r o sinal

de r e f e r ê n c i a c o n s t a n t e d e v e - s e tornar tl igu al a zero.

 78

A chave CH5 seleciona o processo eletrodo revestido, onde

o ajuste da corrente é realizado através dos mesmos

potenciômetros do T I G / P L A M A S e m o p e r a ç ã o n o r m a l .

Este circuito é responsável, também, por gerar uma rampa

de corrente, na partida ao a b r i r o arco e na p a r a d a da s o l d a g e m

para o processo TIG/PLASMA. Na partida é gerada uma rampa

ascendente (Fig. 51), cujo tempo de subida é ajustado pelo

potenciômetro ts. Na parada é gerada uma rampa descendente, cujo

t e m p o de d e s c i d a é a j u s t a d o p e l o p o t e n c i ô m e t r o td.

b) Circuito de lógica de partida/parada: Este circuito

tem como função acionar os g a s e s d e p r o t e ç ã o e a p o t ê n c i a e m u ma

s e q ü ê n c i a d e f i n i d a na p a r t i d a e n a p a r a d a .

Na partida, quando o botão de partida/parada é

pressionado pela lã vez, os gases são acionados e é gerado um

t e m p o de p r é - g á s , quando então, é acionada a potência (os IGBT's

são habilitados) e o a r a m e - e l e t r o d o no caso do M I G / M A G .

A parada acontece quando o botão de partida/parada é

pressionado novamente, onde no caso do MIG/MAG a potência e o

arame são desligados imediatamente, já no caso do TIG, primeiro

a referência ir á decrescer (rampa de descida) para que a

potência seja desativada (os I G B T ’s são d e s a b i 1 i t a d o s ). Após a

potência ser desativada, ocorre ainda um tempo de pós-gás, para

e n t ã o os g a s e s serem desativados..

c) C i r c u i t o limitador de corrente : Este tem como função

limitar o valor da corrente, quando a tensão do arco está muito

pequena, caracterizando um curto circuito e quando a mesma está

m u i t o grande, caracterizando uma situação anormal.

 Este circuito atua apenas no T I G e no P L A S M A . N o T I G el

é utilizado, também, para possibilitar a abertura do arco po

t o q u e do e l e t r o d o na peça .

A fig. 51 mostra um diagrama do s sinais produzidos po

estes circuitos e a fig. 52 m o s t r a o e s q u e m a e l é t r i c o .

Fig. 51 - D i a g r a m a d e t e m p o s .
 80
CONTROLE DOS TEMPOS

C 13: A
4666 e B 12 BtZ Btl B tl fur 11 X
** e 1 e 1 11 Pi -1
0 8 1 l 8 12 PI - i
ft.
s l 0 e t 13 PI -1
V l 0 l 8 Ï4 Pi -1
B A
M S S ( -f M C C )
CHD
UDO ( - V C C )
U ar c

a)
 81

REFERENCIA DE CORRENTE
HultifloK*o«o 4« eerron i«

Bt2 B~i2 Bt 1 Btl Ref 11 K

V B í 8 1 !1 &
E 1 e B 1 13 m 1
u 0 1 0 1 11 rt a
H e X a 1 12 f1 6

b)
 82

! PARTIDA FOR T O Q U E !

11
C I 1 4 *A
LH3 3 9 > *31

«r 2 IHH

R33
)BC5 4 8

CI14:B
LM 339 M 4

* 1 ......... -W-
SIS

-W- BÍ2

ESCOLHA DA KEF. DE TEMPO

C115:A C I 1 6 ID
4066 4866
til tl t2 i t2 Siaibolo Chav* t n a l o f ioi

4066

Cl 1 5 :» Cl 1 6 :C
4666 4866
11« t2 e
- f é
ExtCtr ExtCir
C115:C CI16:B
4066 4866
1 13 i3 1 1 4 _u

ExtCtr ExtCtr
C f1 5 :D C116:A
4066 4066
te3 t4 e

c)

FI G. 52 - E s q u e m a e l é t r i c o d o c i r c u i t o d e r e f e r ê n c i a s

a) C o n t r o l e d o s T e m p o s e d a T e n s ã o ,

b) L ó g i c a d e P a r t i d a / P a r a d a e G e r a ç ã o d a R a m p a ,

c) R e f e r ê n c i a d e P a r t i d a e P a r t i d a po r toque.
 83

3.6.3 - Sensores.

a) Sensor de corrente : Este é de efeito HALL, o

garante uma elevada resposta à variação de corrente e também a

isolação do sinal medido, a fig. 53 m o s t r a o modelo equivalente

do mesmo.

+ V T H -

FIG. 53 - M o d e l o equivalente sensor Hall.

O sensor HALL utilizado tem uma resistência interna (RH)

grande que, quando dimensionado para elevadas correntes (Is),

causa uma elevada queda de tensão ( V H ) . Is so diminui o valor da

tensão disponível na saída (Vs) que representa a corrente que

está sendo medida, isto é, a relação Volt/Amper torna-se menor,

o que conseqüentemente vai tornar o tratamento do sinal Vs,

gerado pelo sensor, mais sucetível a ruídos. v

A tensão m á x i m a de saída para o valor m á x i m o de c o r r e n t e

q u e e s t á s e n d o m e d i d o é d a d a p e l a eq. 86.

V s m a x = Va i - VH - BVsat (86)

onde:

VH = Is*RH/a
 a - r e l a ç ã o de t r a n s f o r m a ç ã o

Vai - t e n s ã o de a l i m e n t a ç ã o

DVsat - queda de tensão i n t e r n a do s e n s o r H A L L

b) Sensor de tensão : Este é c o n s t i t u í d o po r um circu

que faz a medição da tensão do arco tendo como resultado um

sinal de tensão isolado.

O circuito é composto por u m s i s t e m a q u e c h a v e i a o sina l

medido (tensão do arco) numa frequência bastante elevada. O

sinal chaveado é enviado para um transformador de p u l s o que tem

a função proporcionar o isolamento do sinal medido. O sinal

chaveado na saída do transformador é tratado tendo como

r e s u l t a d o uma copia isolada do sinal medido.

 85

C A P Í T U L O IV

FONTE DE TENSÃO CONSTANTE PARA ALIMENTAÇÃO DO C O N V E R S O R .

INTRODUÇÃO.

Como foi visto nos capítulos anteriores é necessária uma

fonte de tensão constante para alimentar o conversor. O modo

mais simples de o b t e - l a é através de um retificador e um filtro

capacitivo. Este tipo de estrutura produz harmônicos de c o r r e n t e

com amplitudes elevadas, que são injetados na rede, causando

b a i x o fator de potência.

A seguir será apresentado um estudo para dimensionamento

prévio do capacitor de filtro de saída da ponte retificadora e

também serão analisados quatro t i p o s de f i l t r o s de r e a t i v o s para

c o r r e ç ã o do fator de potência.

k . 1 - DIMENSIONAMENTO D O C A P ACITOR D E FILTRAGEM D E SAÍDA.

Em muitas aplicações é utilizado o retificador trifásico

com capacitor de filtragem (Cfs) como opção para se obter uma

fonte de tensão contínua (fig. 5k) . N a maioria das vezes este

capacitor é super dimensionado, diminuindo ainda mais o fator de

potência, s e m falar no c us to do p r ó p r i o ca pacitor.

 86

Para determinação do valor do capacitor de f i l t r a g e m Cfs

a c a r g a foi m o d e l a d a c o m o u m a r e s i s t ê n c i a R.

Fi g. 5k - F o n t e d e a l i m e n t a ç ã o t r i f á s i c a c o m c a p a c i t o r de

filtragem.

Para efeito de cálculo, será abordado o retificador de

meia onda [15] apresentado na fig. 55, sendo que a equação

resultante desta análise será válida para retificadores de onda

c o m p l e t a ou não , m o n o f á s i c o s ou t r i f á s i c o s .

Fig. 55 - R e t i f i c a d o r d e m e i a o n d a m o n o f á s i c o .
 87

A fig. 56 apresenta a forma de onda da tensão de

alimentação do retificador e a fig. 57 a tensão na saída do

mesmo.

Fig. 56 - T e n s ã o d e a l i m e n t a ç ã o .

Fig. 57 - T e n s ã o d e s a í d a d o r e t i f i c a d o r d e m e i a o n d a

monofásico.

Com a introdução do capacitor de filtragem Cf s,

apresentado na fig. 58, obtém-se na saída do retificador uma

tensão de saída contínua (Fig. 59), com uma determinada

o n d u l a ç ã o q u e d e p e n d e d o v a l o r do c a p a c i t o r .
 88

O capacitor c o m e ç a a se c a r r e g a r q u a n d o a t e n s ã o d a f o n t e

de alimentação ultrapassa o valor mínimo da tensão no capacitor

(Vmin) mais a queda de tensão no diodo. Neste momento o diodo é

polarizado e entra em condução. O valor mínimo da tensão é

o b t i d o d a e q . 87.

Fig. 58 - R e t i f i c a d o r m o n o f á s i c o de m e i a o n d a c o m c a p a c i t o r de

f i 1tragem.

Vmin = Vmax - D E (87)

onde:

V m a x = V p i c - Vd

V p i c - V a l o r de p i c o d a t e n s ã o de a l i m e n t a ç ã o

vd - V a l o r da q u e d a d e t e n s ã o no d i o d o .

DE - O n d u l a ç ã o da t e n s ã o de saída.
 89

Fig. 59 - T e n s ã o n o c a p a c i t o r d o r e t i f i c a d o r .

A t e n s ã o de a l i m e n t a ç ã o é d a d a por:

vf(t) = V p i c s e n wt (88)

onde : w = 2 H f

f - f r e q u ê n c i a da fonte de alimentação.

O a n g u l o q u e o d i o d o e n t r a e m c o n d u ç ã o BI é d a d o p e l a e q .

89 o b t i d o p a r a v f ( t ) = Vmin.

Bi = a r c s e n ( Vmin/Vpic) (89)

Para o cálculo, com razoável precisão, do tempo que o

diodo permanece conduzindo, pode-se considerar que o mesmo

conduz enquanto a tensão de alimentação permanecer maior que a

tensão sobre o capacitor mais a queda no diodo. Isso ocorre a

partir do angulo Bi até aproximadamente 90°, onde a tensão de

alimentação atinge seu valor máximo. Com isso, o angulo de

c o n d u ç ã o do d i o d o Bc é d a d o p e l a e q . 90.

Bc = 90° - Bi (90)

Desta f o r m a o t e m p o de c o n d u ç ã o (tc) do d i o d o D t o r n a - s e :

tc = B c / ( 2 1T f ) (91)
 90

O tempo de descarga do capacitor é igual ao período de

o n d u l a ç ã o T d a t e n s ã o d o c a p a c i t o r m e n o s o t e m p o de c o n d u ç ã o tc.

O período de o n d u l a ç a o é definido de a c o r d o com o nú

de pulsos do r e t i f i c a d o r e é d a d o p e l a e q . 92.

1 = 1 / (np f) (92)

onde :

T = p e r í o d o da ondulação,

np = n ú m e r o d e p u l s o s .

Para cálculo do capacitor s e r á c o n s i d e r a d o q u e o m e s m o se

descarrega de Vmax até V m in , no tempo td es (e q . 93), sobre a

r e s i s t ê n c i a R.

tdes = T - tc (93)

A expressão que define a tensão de d e s ç a r g a do c a p a c i t o r

sobre o resistor é:

Vc(t) = Vmax e Cfs) (9^)

Como Vc(td) = Vmin, tem-se:

tdes
C f s = ------------------------ (95)
R ln ( V m a x / V m i n )

S u b s t i t u i n d o se V m a x , Vmin e td es obtém-se a e q . 96 que

define o valor do c a p a c i t o r de f i l t r a g e m .
 91

1 1/ np + a r c s e n ( l - (vd + D E )/ V p i c )/ 3 6 0 - \/k
C f s = -------------------------------------------------------------- (96)
f R 1n ( 1/(1 - D E / ( V p i c - vd)) )

onde:

n p = n ú m e r o de p u l s o s d o r e t i f i c a d o r

f = f r e q u ê n c i a d a t e n s ã o de a l i m e n t a ç ã o

R = v a l o r d a r e s i s t ê n c i a de c a r g a

DE = v a l o r d a o n d u l a ç ã o da t e n s ã o

vd = q u e d a de tensão no(s) diodo(s), para meia ponte

em um diodo, para p onte completa em dois diodos.

V p i c = valor de pico da tens ã o de a l i m e n t a ç ã o .

E x e m p l o de cálculo:

D i m e n s i o n a m e n t o do capacitor para um retificador de m e i a

ponte com tensão de alimentação de pico de 60 V / 60 H z e com

uma c a r g a de 120 W. O n d u l a ç ã o d e s e j a d a 1 0 |V.

Dados :

D E = 10V;

np = 1 ;

V p i c = 60 V;
 92

f = 60 Hz;

P = 120 W

Considerando-se que vd = 1.5 e m o d e l a n d o - s e a carga como

uma r e s i s t ê n c i a tem-se:

Emed = Vip - Vd - D V / 2

P = Emed^/R

R = 30 O h m s

C o m isso, obtém-se:

Cfs = 2 7 0 0 uF

A fig. 60 m o s t r a a tensão sobre o capacitor obtida por

simulação.

Fi g. 60 - T e n s ã o s o b r e o c a p a c i t o r d e f i l t r a g e m .
 93

k.2 - F i ltros de Reativos.

A utilização de filtros de reativos tem como objetivo

diminuir o conteúdo harmônico da corrente de linha (II), bem

como a defasagem entre as fundamentais da tensão e da c o r r e n t e ,

com o objetivo d e se a u m e n t a r o f a t o r d e p o t ê n c i a F P [16].

O fator de p o t ê n c i a é d e f i n i d o p e l a eq. 97, dada a seguir

(considerando que a rede fornece uma tensão senoidal isenta de

harmônicos).

Ilefl c o s 0 (97)
F P = ---~ -----------
( 2 Ilefn2 H
nrl

onde :

I le fl = valor eficaz da fundamental da corrente.

I l e f n = v a l o r e f i c a z d a h a r m ô n i c a de o r d e m n.

0 = angulo de defasagem entre as fundamentais da

tensão e da corrente.

E xistem vários t i p o s de f i l t r o s p a r a c o r r e ç ã o d o f a t o r de

potência, tanto passivos quanto ativos. A análise será realizada

para quatro tipos de filtros passivog aplicados ao retificador

t r i f á s i c o de on d a c o m p l e t a u t i l i z a d o n e s t e p r o t ó t i p o (Fig. 61).

A análise de um circuito elétrico pode ser feita

teoricamente ou por simulação. A análise teórica é bastante

eficiente, entretanto, em determinadas situações pode tornar-se

bastante complexa. Atualmente com os recursos computacionais,

vários problemas complexos de circuitos podem ser resolvidos

 9k

através de programas de simulação. A análise por simulação é

muito mais rápida e simples de ser realizada, contudo é

necessário um bom conhecimento do problema que se está

analisando, de maneira a se realizar o dimensionamento prévio

das variáveis e parâmetros, bem como saber interpretar os

r e s u l t a d o s obtidos da simulação.

Fig. 61 - Fonte de alimentação trifásica.

No caso deste protótipo a tensão de a l i m e n t a ç ã o é obtida

da saída de um transformador trifásico na c o n f i g u r a ç ã o D / Y , que

tem a função de isolar a saída da rede de a l i m e n t a ç ã o e reduzir

a tensão de saída para os limites de segurança do operador.

Assim sendo, para esta fonte foi escolhida uma tensão de

alimentação de 25 V de fase , que resulta numa tensão média

p r ó x i m a de 55 V na s a í d a d o r e t i f i c a d o r .

Para a análise, serão f e i t a s as s e g u i n t e s considerações:

- A c a r g a s e r á m o d e l a d a c o m o u m a r e s i s t ê n c i a R.

- Os diodos, em condução, como uma fonte de tensão em

série com uma resistência muito pequena e, bloqueados, como uma

r e s i s t ê n c i a m u i t o grande.
 95

- O transformador foi c o n s i d e r a d o ideal.

- As resistências e componentes L e C dos cabos foram

despr e z a d a s .

- 0 capacitor Cfs, será, neste capítulo, denominado de

c a p a c i t o r C.

Inicialmente será feita a análise da estrutura sem filtro

e sem o transformador (Fig. 61) p a r a s i t u a ç ã o de m á x i m a c o r r e n t e

d e sa í d a .

Para Dimensionamento do capacitor de filtragem, foi

e s p e c i f i c a d o um DE de 3 V e a r e s i s t ê n c i a de s a í d a foi calculada

dividindo-se a tensão média de saída pela corrente máxima de

operação.

Dados da Estrutura.

DE = 3 V, I R m a x = 300 A, E = 55 V, f = 60 H z

R = 0.18 Ohms, vf = 25 V, vd = 1.5 V.

Com estes dados obtém-se um capacitor C de 160000iiF,

a t r a v é s d a e q . 96.

Com isso, simulando-se esta estrutura para os valores

fornecidos acima, s ã o o b t i d o s os s e g u i n t e s resultados:

0 = 6.13 ° c a p a c i t i v o Ilefl = 249 A Il e f = 384 A

E = 55.5 V DE = 3 V FP = 0 . 6 4

A f o r m a de o n d a da corrente c o m seu e s p e c t r o h a r m ô n i c o é

m o s t r a d a n a fig. 62.

O fator de potência possui um valor bastante baixo

causado principalmente pelo conteúdo harmônico.

 96

Como as concessionárias de energia elétrica vem impondo

limites cada vez m e nores para o fator de potência, é necessária

a utilização de filtros de reativos para corrigir o baixo fat o r

de p o t ê n c i a obtido.

a) b)

Fig. 62 - S i m u l a ç ã o d a f o n t e d e a l i m e n t a ç ã o t r i f á s i c a s e m f i l t r o

de reativos,

a) C o r r e n t e II b) E s p e c t r o h a r m ô n i c o de II

k.2.l - F i l t r o de p r i m e i r a o r d e m L ( i n d u t i v o ) .

O filtro 1 [17] apresentado na fig. 63 é a solução mais

comum para reduzir o conteúdo harrnônico da corrente e com is so

aumentar o fator de potência. A impedância vista pela corrente

aumenta c o m o aumento da o r d e m da harmônica, c o m o d e s c r e v e a eq.

98. Desta forma quanto maior for a ordem das harmônicas, mais

estas são atenuadas.

XLf = n 2 11 f Lf (98)
 97

onde :

f = f r e q u ê n c i a da fundamental da c o r r e n t e

Lf = v a l o r da indutância do filtro

n = o r d e m da h a r m ô n i c a da corrente.

Embora este filtro reduza o conteúdo harmônico, com a

introdução da indutância o angulo 0 passa a ser significativo,

a t u a n d o no s e n t i d o de d i m i n u i r o fator de potência. A s s i m sendo,

haverá um valor de Lf que forneça um fator de potência máximo,

situação em que as parcelas introduzidas pelo angulo 0 e peio

c o n t e ú d o h a r m ô n i c o no f a t o r de p o t ê n c i a s ã o iguais.

A estrutura foi simulada p a r a u m Lf de kO pH; a corrente

II c o m s e u e s p e c t r o h a r m ô n i c o s ã o m o s t r a d o s n a fig. 6k

resultados obtidos:

0 = 21.3 °; indutivo; Ilefl = 21 8 A; Ilef= 223 A

E = 50.7 V ; DE = 0.2 V ; FP=0.91

Como a parcela introduzida pelo angulo 0 no fator de

potência é maior que a introduzida pelo conteúdo harmônico,

pode-se diminuir u m p o u c o m a i s a i n d u t â n c i a do f i l t r o .
 98

,i-i, '■I—
20

a) b)

Fig. 64 - S i m u l a ç ã o d a f o n t e de a l i m e n t a ç ã o t r i f á s i c a c o m f i l t r o

de reativos lã o r d e m ( L ) .

a) c o r r e n t e II b) e s p e c t r o h a r m ô n i c o d e II

A o n d u l a ç ã o d a t e n s ã o de s a í d a d i m i n u i bastante, passando

p a r a 0 . 2 V, p o r é m a t e n s ã o m é d i a n a s a í d a c a i u p a r a 5 0 . 7 V. Para

se manter a mesma ondulação da estrutura sem filtro pode-se

diminuir o capacitor de sa íd a. Com isso, a tensão média também

cresce, devido a c o r r e n t e e f i c a z se r m e n o r diminuindo a q u e d a de

tensão sobre a indutância. Po r outro lado, pode-se aumentar a

t e n s ã o de s a í d a do transformador para restabelecer o valor m é d i o

d a t e n s ã o d e s a í d a do r e t i f i c a d o r .

4 . 2 . 2 - F i l t r o d e s e g u n d a o r d e m LC.

a) - Configuração 1.

Uma outra opção de filtro [18] é mostrado na fig. 65.

Este filtro permite que se elimine, teoricamente, uma harmônica

e se reduza as que estão próximas desta. A eq. 99 fornece o

 99

valor da impedância oferecida por este filtro para a harmônica

de o r d e m n .

XLf XCf
Z n = ------------------------------- (99)
j n XLf - j XCf / n

onde :

Z n = i m p e d â n c i a p a r a h a r m ô n i c a de o r d e m n.

XLf = r e a t â n c i a o f e r e c i d a por L f , X L f = 2 1í f Lf

XCf = r e a t â n c i a o f e r e c i d a po r Cf, X C f = 1/ (2 U f Cf)

n = o r d e m da h a r m ô n i c a

V f T| Lf

-j |
+ Vbf 1+
c lz 1 R >E
-t> h

Fig. 65 - F o n t e de a l i m e n t a ç ã o c o m filtro de s e g u n d a ordem.

Para eliminar-se t e o r i c a m e n t e uma h a r m ônica basta fazer o

divisor da e q . 99 i g ual a zero para a harmônica desejada. Assim

sendo, obtém-se a eq. 100, que define o produto de Lf Cf em

função da harmônica.

Lf C f = l/(n w ) 2 (100)

onde :
 100

W = 2 H f

Lf = v a l o r da i n d u t â n c i a de f i l t r o

Cf = v a l o r da c a p a c i t â n c i a de f i l t r o

Para a estrutura em análise, a quinta harmônica é a que

possui valor mais elevado. Calculando-se o capacitor do filtro

para esta harmônica, mantendo-se o mesmo Lf de k0 pF, obtém-se

u m Cf de 7 0 0 0 p F .

A corrente II com seu espectro harmônico obtidos por

simulação são mostrados na fig. 66.

Resultados obtidos:

0 = 0.8 ° indutivo; Ilefl = 221 A; Ilef = 2 2 3 A

E = 5 3 . 2 V; D E = 0 . 3 V; FP = 0.99

A n a l i s a n d o - s e o c o n t e ú d o h a r m ô n i c o d a fig. 6 6 .b v e r i f i c a -

se q u e a q u i n t a h a r m ô n i c a foi p r a t i c a m e n t e e l i m i n a d a .

Apesar desse tipo de filtro fornecer um ótimo fator de

potência, na prática, devido a indutância de dispersão do

transformador, aparece um caminho de baixa impedância para a

h a r m ô n i c a d e o r d e m nb d a d a p e l a e q . 102. Esta equação foi obtida

somando-se a reatância de dispersão à impedância oferecida pelo

filtro e fazendo-se o dividendo igual a zero (eq. 1 0 1 ).

 101

b)

Fig. 66 - S i m u l a ç ã o d a f o n t e d e a l i m e n t a ç ã o trifásica com filtro

de reativos de 2 a o r d e m (configuração 1 ).

a) c o r r e n t e II, b) e s p e c t r o h a r m ô n i c o .

XLf XCf
Znb = j n XLd + (101)
j n b X L f - j X C f / nb

L f + Ld
nb = ( 102)
w Lf L d Cf

Esse caminho de baixa impedância faz com que o conteúdo

h a r m ô n i c o a u m e n t e p r e j u d i c a n d o o f u n c i o n a m e n t o d e s s e filtrjo.

C o n s i d e r a n d o - s e Ld = 10 pH p a r a os m e s m o s v a l o r e s d e Lf e

Cf, o f a t o r de pojtência cai p a r a 0. 9 1 .

Neste filtro, a tensão de saída também decai, bem como o

valor da ondulação, podendo-se tomar as mesmas providências

apresentadas p a r a o f i l t r o d e p r i m e i r a or de m.
 102

b) - C o n f i g u r a ç ã o 2.

O filtro [19] apresentado na fig. 67 apresenta bons

resultados, sem o inconveniente causado peia indutância de

dispersão, que neste c a s o é a p r o v e i t a d a no f i l t r o .

A i n d u t â n c i a Lf m a i s a ld são r e s p o n s á v e i s p r i n c i p a l m e n t e

pela redução do conteúdo harmônico, já o capacitor Cf pelo

a j u s t e do a n g u l o d e d e f a s a g e m .

A fig. 68 m o s t r a a f o r m a de o n d a d a corrente II c o m se u

espectro harmônico, para indutância ( L f +ld) de k0 uH e Cf de

1 2 0 0 uF.

Os resultados obtidos f o r a m os s e g u i n t e s :
t
0 = 0.68 ° capacitivo Ilefl = 219 A Ilef = 2 2 9 A

E = 53 .1 V DE = O.k V FP = 0.96

O fator de potência resultante é bom, e pode ser

aumentado ainda mais mediante o a u m e n t o de Lf e c o n s e q ü e n t e m e n t e

d e Cf. Para um (Lf + ld) d e 60 jiH e u m Cf de 1350 u F foi obtido um

f a t o r de p o t ê n c i a p r ó x i m o de 0.9 9 .
 103

■te ( a >

a) b)

Fig. 6 8 - S i m u l a ç ã o d a f o n t e de a l i m e n t a ç ã o trifásica com filtro

d e r e a t i v o s d e 2 ã o r d e m ( c o n f i g u r a ç ã o 2 ).

a) c o r r e n t e II, b) e s p e c t r o h a r m ô n i c o .

4.2.3 - Filtro indutivo a p l i c a d o na saída.

O filtro indutivo [20, 21] apresentado na fig. 69, além

de aumentar o fator de potência, reduz bastante o tamanho do

capacitor em relação a e s t r utura sem filtro.

Teoricamente o máximo fator de potência (aproximadamente

0.95) para esse filtro, seria obtido para um Lf de valor

infinito [ 2 2 ].

" A tensão de saída do retificador trifásico para carga

resistiva é dada pela e q . 1 0 2 .

V s ( t ) = Vf (2.34 + 0 . 1 2 s e n ( w t ) + ____ ) (103)

Fig. 69 - F o n t e d e a l i m e n t a ç ã o t r i f á s i c a c o m f i l t r o Lf d e s a í d a .

P a r a o c á l c u l o d e Lf e de C f c o m r a z o á v e l p r e c i s ã o , pode-

se v a l e r d o m o d e l o d a fig. 70.

Considerações:

XLf >> r onde: XLf = 6 w Lf

XCf << R onde: XCf = 1/( 6 w c)

R >> r onde: r - resistência dos cabos e

conexões

Fig. 70 - M o d e l o e q u i v a l e n t e d a f o n t e d e a l i m e n t a ç ã o c o m f i l t r o

de saída.

Admitindo-se que a ondulação da corrente ILf passa toda

pelo capacitor, tem-se:

 ]05

0.12 Vf
Dl Lf ef ( 1 0 /*)
1 .41 XL - XC

A o n d u l a ç ã o da tensão sobre o capacitor é :

D E = 2 . 8 2 Dl Lf ef XC (105)

C o m isso, s u b s t i t u i n d o - s e a e q . 103 na e q . 104, tem-se:

0 . 2 4 Vf
DE = (106)
( XL - XC)

Definindo-se o fator de o n d u l a ç ã o como sendo uma relação

entre a ondulação da tensão pelo seu valor médio em regime

permanente ( 2 . 3 4 * Vf) , O b t é m - s e :

ft = D E / E (107)

C o m isso, tem-se:

0.24
ft = (108)
2.34 XL/XC - 1

O p r o d u t o Lf C f é d a d o por:

0.24
Lf Cf =' + 1 o (109)
36 w- 2 . 3 4 ft

Para se obter um fator próximo de 0.95, deve-se fazer a

ondulação da corrente na indutância ser desprezível perante o

seu valor médio. Utilizando-se um a razão de 1/4 é o suficiente

p a r a se ter u m f a t o r de p o t ê n c i a p r ó x i m o de 0 . 9 4 (e q . 110).
 106

D 1 Lfef < E/ ^ R) ( U °)

Com isso, tem-se:

L > R ( 0 . 1 0 2 + f t ) / ( 3 W) (111)

Para esta estrutura, estipulando-se u m D E de 3 V , obtém-

se u m L f = 25 tiH e u m Cf = 2 5 0 0 0 iiF • S i m u l a n d o - s e esta estrutura

para R = 0 . 1 8 O h m s , Vf = 25 V e vd = 3 V , obtém-se os seguintes

resultados:

0 = 2.85 ° indutivo Ilefl = 238 A Ilef= 253 A

E = 55.3 V DE = 3 V FP = 0 . 9 ^

A corrente II com seu espectro harmônico é mostrado na

f i g . 71.

a) b)

o
Fig. 71 - Simulação da fonte de a l i m e n t a ç ã o trifásica com

filtro de reativos de saída,

a) corrente II, b) espectro harmônico.

 107

k.2.k - R e s u m o dos resultados.

Os resultados obtidos com a simulação do s diferentes

t i pos d e f i l t r o s são m o s t r a d o s na tabela 1 .

Para este protótipo foi escolhido o filtro aplicado na

saída do retificador devido a simplicidade de d i m e n s i o n a m e n t o e

implementação. Além disso, ele possui o menor produto indutivo,

não n e c e s s i t a de c a p a c i t o r e s de filtro adicionais e necessita de

um menor capacitor de s a í d a .

FP Iefl Ief 0 V cc DV Lf Cf L f x Cf Cf x V cf
(A) <A) (O) <V) (V) <uH) <uF) (íjHx F) (FxV)
Sen Filtro 0.64 249 384 6.1 c 55.5 3 XX xxxx xxxxx xxxxx
Filtro Indutivo 0.91 218 223 21.3 i 50.7 0.2 40 xxxx xxxxx xxxxx
Filtro Conf. 1 0.99 221 223 0.81 i 53.2 0.3 40 7000 028 0.14
(Filtro Conf. 1#] 0.91 214 230 9.9 1 52.9 0.4 40 7000 028 0.14
Filtro Conf. 2 0.96 219 229 0.7 c 53.1 0.4 40 1200 0.048 0.07
Filtro Conf. 2 0.98 239 242 4.5 1 53.0 0.3 60 1350 0.081 0.08
Filtro Salda 0.94 238 253 2.8 1 55.5 3 25 xxxx xxxxxx xxxxx

onde i
I - Indutivo
c - capacitlvo
Conf. - ConfiguracQO
# - c o n s i d e r a n d o a Indutancla p a r a s ita

Tab. 1 - Comparação e n t r e os r e s u l t a d o s simulados.

No entanto para um fator de p o t ê n c i a p r ó x i m o do unitário

a melhor opção é o filtro de segunda ordem na configuração 2,

pois aproveita a indutância de dispersão como parte da

i n d u t â n c i a de f i l t r o .

O outro tipo de filtro de segunda ordem pode ser

u t i l i z a d o q u a n d o se d e s e j a e l i m i n a r u m a h a r m ô n i c a .
 108

4.2.5 - R e s u l t a d o s e x p e r i m e n t a i s do retificador c o m o filtro.

Para verificação do s resultados experimentais foi

realizado um ensaio, com carga resistiva, para a estrutura sem

filtro e um ensaio para a estrutura com filtro de saída, para

uma c o r r e n t e de carga 20 0 A e uma t e n s ã o de saída de fase de 26

V.

A medida da corre n t e de linha (II) foi feita no primário

do transformador, desta forma, é levada em consideração a

influência do transformador sobre o fator de potência. Como o

transformador utilizado estava ligado em delta no primário e em

estrela no secundário, a forma de onda da corrente e o espectro

harmônico obtidos na prática e por simulação serão diferentes,

p o r é m c o n t i n u a v a l e n d o a c o m p a r a ç ã o do f a t o r de p o t ê n c i a .

Para esta situação através da eq. 96 obtém-se um

capacitor de s a í d a d e 1 0 8 0 0 0 pF p a r a a e s t r u t u r a s e m f i l t r o .

Os resultados obtidos pela simulação fo r a m :

0 = 7.1 ° capacitivo; Ilefl = 158 A; Ilef= 258 A

E = 58.9; D E = 3 V; FP = 0.61

A corrente II com se u espectro harmônico é mostrado na

fig. 72.
 109 ,

a) b)

F ig . 72 - S i m u l a ç ã o da fonte de a l i m e n t a ç ã o t r i f á s i c a sem filtro

de reativos, ensa i a d a na prática,

a) c o r r e n t e II, b) e s p e c t r o h a r m ô n i c o .

Os resultados obtidos no e n s a i o p r á t i c o foram:

0 = \k ° i n d u t i v o ; Ilefl = 2 0 . 0 A; Ilef= 20.9 A

E = 58. 5 v; DE = 1.8 V; FP = 0.92

A corrente II com seu espectro harmônico é mostrado na

fig. 73.

a) b)

Fig. 73 - E n s a i o p r á t i c o d a f o n t e d e a l i m e n t a ç ã o t r i f á s i c a s e m

fil t r o de reativos,

a) c o r r e n t e I1 , b) e s p e c t r o h a r m ô n i c o .
 1 10

Para o filtro de saída foi utilizado uma indutância de

130uH e um capacitor de 13200 p F .

Os resultados obtidos p e l a s i m u l a ç ã o for a m :

0 = U.3 ° indutivo; Ilefl = 152 A; Ile f = 158 A

E = 57.7 V; DE = 1.2 V; FP = 0 . 9 5

A corrente II com seu espectro harmônico é mostrado na

fig. 7k .

a) b)

Fig. 7 k - S i m u l a ç ã o d a f o n t e de a l i m e n t a ç ã o t r i f á s i c a c o m f i l t r o

de r e a t i v o s d e saída, ensaiada na prática,

a) c o r r e n t e II, b) e s p e c t r o h a r m ô n i c o .

Os resultados o b t i d o s no e n s a i o p r á t i c o f o r a m :
'>
0 = 9.5 ° indutivo; Ilefl = 2 0 . 6 A; I l e f= 2 1 . 2 A

E = 5 7 . 5 V; DE = 1.2 V; FP = 0.95

A f i g . 75 m o s t r a a c o r r e n t e II c o m s e u e s p e c t r o h a r m ô n i c o .
 1]1

a) b)

Fig. 75 - E n s a i o pr á t i c o da fonte de a l i m e n t a ç ã o t r i f á s i c a c o m

filtro de reativos de saída.

a) c o r r e n t e II, b) e s p e c t r o h a r m ô n i c o .

Como pode-se observar, o filtro indutivo apresenta bons

resultados e pode ser calculado com boa precisão. A indutância

de dispersão do transformador pode melhorar um pouco mais o

fator de potência. Isso porque a i n d u t â n c i a de d i s p e r s ã o auxilia

a filtragem das harmônicas de ordem mais elevadas, de forma a

suavizar as transições da corrente na entrada do transformador,

deixando-a com uma forma mais próxima de uma senóide.

Entretanto, se o valor da indutância de dispersão for muito

elevado o fator de potência pode diminuir devido a defasagem

introduzida pela mesma.

 CAPÍTULO V

SELEÇÃO DOS COMPONENTES DO CONVERSOR

Neste capítulo são apresentados os passos para cálculo

dos componentes do c o n v e r s o r , u t i l i z a n d o as equações obtidas nos

capítulos anteriores.

5.1 - C á l c u l o do C a p a c i t o r do c i r c u i t o de A j u d a à comutação.

O IG BT solicitado ao fabricante foi o F400R500

(Apêndice), porém o fabricante forneceu o IGBT F400R600KF, este

segundo IGBT diferencia-se do primeiro basi cam fente no tempo tfi

de 0 . 2 iis e n a t e n s ã o m á x i m a de 600 V con t r a um tfi de 0 . 4 ps e

tensão máxima de 500 V. Como inicialmente possuía-se apenas o

catálogo do IG BT F400R500, calculou-se o capacitor de ajuda a

comutação (cb) para este IGBT,' através da eq. 79, como é

m o s t r a d o a seguir. No entanto, para a versão final, como o valor

do capacitor de a j u d a à c o m u t a ç ã o está super dimensionado para o

IGBT F400R600KF, este deve ser recalculado para reüuzir as

p e r d a s no c i r c u i t o d e a j u d a à c o m u t a ç ã o .

Com isso, considerando-se os dados do IGBT F400R500

(A p ê n d ice):

tfi = 0 . 4ps

IC r 40 0 A ( c o r r e n t e de c o l e t o r n o m i n a l do IGBT)
 1 13

ITfmáx = 800 A em 1 ms ( V a l o r m á x i m o de IC)

Para :

Is = 3 5 0 A, E = 55 V ( c o r r e n t e e t e n s ã o d e s o l d a g e m )

Através d a e q . 79 o b t é m - s e ,

cb = 0 . 7 k uF

Escolheu-se um cb de ljiF, v a l o r comercial.

5.2 — C á l c u l o d a t e n s ã o m á x i m a no IGBT.

A tensão máxima sobre o IGBT é ig u a l a máxima sobre o

capacitor de ajuda à comutação (VCmaxb) e é obtida através da

e q . 58, onde foi previsto uma indutância parasita (1p ) para cada

IGBT de 100nH.

Dados :

Is = 3 5 0 A, E = 55 V,

VTmáx = 5 0 0 V ( t e n s ã o m á x i m a s o b r e o IGBT)

cb = 1 pF, Ipl = lp3 = 100 nH

lpl + lp3 -1 1 / 2
VCmaxb --------- Is + E
cb -*

V C m a x b = 21 2 V

Este valor de tensão é inferior ao do IGBT (VTmáx),

portanto o capacitor c a l c u l a d o p o d e ser u t i l i z a d o .

 1Ik

5.3 - C á l c u l o da corr e n t e m á x i m a no IGBT.

O cálculo da c o r r e n t e máxima é obtido através da eq. 71

somando-se ainda a corrente de recuperação do diodo de roda

livre para mai or segurança.

Dados: Ir = 27 A

ITmax = r ---------
cb "i1 /E 2 + Is + Ir
L 1 p 1 + lp3 ->

ITmax = k99 A

5.k - Perdas no IGBT.

a) P e r d a s n a C o m u t a ç ã o .

As perdas estimadas para o IGBT (Pci) na comutação para

uma frequência (f) de 50 K Hz e tfi de 0. 2ps { tfi do IGBT

realmente utilizado), são obtidas somando-se as e q . 6k e 7k ,

como o fabricante não fornece o tempo tfv as perdas no

f e c h a m e n t o n ã o p u d e r a m ser calculadas, mas geralmente o tempo

o
t f v é m u i t o m e n o r q u e o tfi, e portanto é desprezado.

Is2 tfi2 f
Pci = ------------------
24 cb

Pc i = 11 W a t t s
 1 15

b) P e r d a s em Condução.

Para cálculo das perdas em condução (Pi), na pior das

hipótese poderia-se considerar que o IGB T permanece fechado

durante todo o tempo. C o m isso, teria-se:

Dados : V s a t = 2. 6 V, p a r a V G = 20 V e Is = 350 A

Pi = Is * V sat

Entretanto, na prática o IGBT fechado permanentemente é

uma situação anormal, assim sendo, utilizando-se a eq. 1 ^, para

uma tensão Ea de 35 V, a qu al é um valor extremo para tensão do

arco e uma corrente Is de 300 A e m r e g i m e p e r m a n e n t e , obtém-se:

Dados: Vsat = 2 . 5 V, p a r a V G = 20 V e Is = 300 A

Pi = Is * V s a t * (E + Ea) / (2 * E)

Pi = 6 1 5 W

5.5 - P e r d a s no D i o d o de R o d a Livre.

As perdas em condução no diodo podem ser calculadas

através da eq. 16, agora considerando-se uma tensão mínima de

arco Ea de 10 V, o b t é m - s e :

Dados:

V f o = 1.65 V

P D = Is * V f o * (E - Ea) / (2 * E)

P D = 202 W
 1 16

5.6 - C á l c u l o da R e s i s t ê n c i a do C i r c u i t o de A j u d a à Comut a ç ã o .

O valor d a r e s i s t ê n c i a do c i r c u i t o de a j u d a à c o m u t a ç ã o é

obtido através d a s e q . 82 e 83.

C o n s i d e r a n d o - s e os s e g u i n t e s d a d o s :

x = 0 .0 0 1 , y = 0 .0 0 1 , t 1 = 1 0 ps, t 2 = 1 0 ps

c o m isso tem-se:

0.14 < rb < \.kk

para resposta:

oscilatória rb < 0 . 6 3

suave rb > 0 . 6 3

5.7 - Perdas nos R e s i s t o r e s do circuito de ajuda à comutação.

As perdas máximas ná resistores do circuito de ajuda à

comutação são calculadas p e l a e q . 77.

Dados : Is = 3 0 0 A, E = 55 V,

Lp = 100 nH, cb = 1 uF, f = 50 K h z

P j r = { Is^ ( lpl + lp3) + cb E^ } f / 2

P Tr = 5 2 5 W
 117

5.8 - S i m u l a ç ã o do C onversor.

Para prever o funcionamento do conversor, foi realizada

uma simulação do mesmo, com os componentes calculados através

das equações desenvolvidas nos c a p í t u l o s a n t e r i o r e s .

A simulação é um modo de se v e r i f i c a r se n ã o h o u v e e r r o s

grosseiros no dimensionamento do s componentes de um circuito,

onde pode-se verificar se as características dos mesmos nã o

foram desrespeitadas. Contudo, mesmo os resultados sendo

coerentes com os calculados, deve-se tomar bastante cuidado no

ensaio prático.

S i m u l a n d o - s e o c o n v e r s o r para:

cb = 1jiF, 1 = 100 nH, Is = 3 0 0 A, E = 5 5 V.

rb = 0 . 2 5 e 1 O h m s

Obteve-se, p a r a rb = 0 . 2 5 O h m s :

V C m á x b = 160 V; I T m á x = 4 1 2 A; P Tr = 3 4 0 W

e para rb = 1 O h m s :

V C m á x = 174 V; I T m á x = 4 3 0 A; P Tr = 4 3 0 W

Cálculos teóricos, para os valores dos componentes

utilizados na simulação: °

V C m á x b = 190 V; Pr = 5 2 5 W ;

I T m á x = 42 2 A (para Is = 3 0 0 A e d e s p r e z a n d o - s e Ir)

Existe uma diferença entre os valores de tensão máxima

sobre o capacitor (VCmáxb) e potência perdida na resistência

obtidos na teoria e na simulação, os quais, ainda, variam com o

 1 18

valor da resistência. Essa diferença se d e v e ao f a t o de ter sido

desconsiderado o efeito da descarga do capacitor do circuito de

ajuda à comutação, que fica em paralelo com o diodo de roda

livre, durante a entrada em condução do di o d o , ou melhor,

durante o bloqueio do IGBT. A descarga do capacitor de ajuda à

comutação em paralelo com o diodo se dá através do resistor de

ajuda à comutação e quanto menor a resistência menor é o valor

de pico da tensão sobre o capacitor do circuito de ajuda à

c o m u t a ç ã o e m p a r a l e l o c o m o IGBT.

Considerando-se a descarga do capacitor em questão

bastante lenta, perante a duração da comutação, que é obtida

para resistência de ajuda à comutação elevada, obtém-se uma

tensão VCmáxb de 188 V para uma resistência de 20 Ohms, bem

próxima da calculada (1 90 V). Deste modo, fica comprovada a

validade das equações teóricas, para a situação analisada (onde

foi desprezada a influência da resistência de ajuda à

comutação).

C o m o as tensões máximas o b t i d a s na s i m u l a ç ã o são m e n o r e s ,

conseqüentemente a energia armazenada é menor, o que e x p l i c a las

perdas na resistência de ajuda à comutação serem inferiores às

calcu1 adas.

Teoricamente para u m V C m á x b de 160 V t e m - s e u m P y r de 350

W, e para V C m á x b de 17U V t e m - s e u m P y r d e 4 2 9 W.

P a r a u m a f r e q u ê n c i a d e c o m u t a ç ã o de 25 k Hz, obtém-se:

- para r = 0.25 Ohms, P Tr = 162 W

- para r = 1 Ohms, P j r = 230 W

 1 19

As fig. 77 e 78 m o s t r a m as forma de onda da tensão e da

corrente no IGBT e da tensão no capacitor de ajuda à comutação

para r : 0.2 5 e I Ohms.

Fig. 77 - Formas de onda da c o rrente e da tensão no IGBT e da

tensão no capacitor de a j u d a à c o m u t a ç ã o pa r a r = 0.25 Ohms.

Fig. 78 - F o r m a de ond a d a c o r r e n t e e da t e nsão no IGBT e da

tensão no capacitor de ajuda à comutação para r = 1 Ohms.

C o m isso, e s c o l h e u - s e u m r e s i s t ê n c i a de a j u d a à c o m u t a ç ã o

de 0.25 O hm s p a r a u m a p o t ê n c i a de 3 50 W a t t s .
 1 20

5 . 9 - C á l c u l o da i n d u t â n c i a d e f i l t r o d e s a í d a Lf s

Para cálculo da mesma, como segue abaixo, foi

especificado uma taxa m í n i m a de v a r i a ç ã o da c o r r e n t e (di /dt ) de

200 A/ms, para uma tensão de arco máxima de 35 V, com isso

o b t e v e - s e um Lfs = 100pH.

Dados: E = 55 V; E a = 35 V; di/dt = 20 0 A / m s

E - Ea = L f s d i / d t

Lfs = 100 uH

VALORES DOS COMPONENTES DO CONVERSOR UTILIZADOS NO ENSAIO

PRATICO.

cb = lyiF / 350 V

rb = 0 . 2 5 O h m s / 35 0 W a t t s

db = M U R 5 0 2 0

IG BT = F 4 0 0 R 6 0 0 K F

Lfs = lOOpH (Calculada).

 121

C A P Í T U L O VI

RESULTADOS EXPERIMENTAIS

Neste capítulo serão apresentados os resultados

experimentais obtidos com o protótipo d a fo nte de e n e r g i a m u l t i -

processo para s o l d a p e m a Arco.

6.1 - KONTAGEM PRÁTICA.

Após terem sido testados individualmente, os circuitos

apresentados nos capítulos anteriores, foram interligados de

acordo com o esquema apresentado na fig. 76, p a r a v e r i f i c a ç ã o do

f u n c i o n a m e n t o de todo o conjunto.

Alguns dos circuitos do e s q u e m a n ã o f o r a m d e s c r i t o s , pois

o funcionamento dos mesmos é elementar, e nã o possuem nenhuma

inovação que m e r e ç a destaque.

Fig. 76 - D i a g r a m a elét r i c o geral.
6.2 - E N S A I O D O CONVERSOR.

O ensaio do conversor foi realizado para verificar o

funcionamento e tirar conclusões sobre o desempenho dos

circuitos de controle, comando e de ajuda a comutação e também

v e r i f i c a r as c o n d i ç õ e s de o p e r a ç ã o do s IGBT's.

6.2.1 - E n s a i o dos IGBT's.

A fig. 79 mostra a tensão de "gate" e a corrente de

coletor no bloqueio e na entrada em condução. Para não se

prejudicar a visualização, a corrente encontra-se f o r a de e s c a l a

e com o zero deslocado. A tabela 2 a p r e s e n t a os d a d o s fornecidos

pelo f a b r i c a n t e e os o b t i d o s n a p r á t i c a .

Fig. 79 - T e n s ã o de G a t e (Vg) e c o r r e n t e d e c o l e t o r (I ce),

a) no b l o q u e i o b) n a e n t r a d a e m c o n d u ç ã o
 12 k

E n s a io Fabricante

ton 0.5 J1S 0.4 J iS

ts 0.5 ys 0.4 J !S

tf 0. 1 ys 0.2 J1S

Tab. 2 - Tabela comparativa entre resultados experimentais e

f o r n e c i d o s pel o f a b r i c a n t e dos IGBT's.

Devido a indutância parasita limitar a taxa de

crescimento da corrente, não foi possível se d e t e r m i n a r o tempo

de subida da corrente (tr) do IGBT, o qual também não é

fornecido pelo fabricante. Entretanto, pode-se verificar na tab.

2 que os d e m a i s tempos medidos estão bem próximos dos fornecidos

pelo fabricante. Ainda pode-se ressaltar, q u e o t e m p o de d e s c i d a

da corrente (tfi) medido, possui a metade do valor fornecido

pelo fabricante.

Estes resultados, demonstram que o circuito de comando

a p r e s e n t a uma boa p e r f o r m a n c e quan t o ao a c i o n a m e n t o do s I G BT 's .

Na fig. 80 pode-se observar a corrente e a tensão de

coletor, na entrada em condução e no bloqueio. Na entrada em

condução, a tensão decresce bastante antes da corrente° começar a

crescer, isso ocorre devido a indutância parasita limitar a taxa

de crescimento da corrente, absorvendo quase toda a tensão da

fonte.

Para se realizar a medida de corrente no IGBT foi

necessária a introdução de cabos auxiliares (Fig. 81) aumentando

ainda mais o valor da s indutâncias parasitas. Desta maneira, no

 125

bloqueio, como a corrente do IG BT se anula rapidamente, ocorre

um pico de tensão bastante elevado sobre seus terminais, como

pode ser constatado na fig. 80. Na operação normal do conversor

( s e m os cabos de m e d i ç ã o ) , o pico de tensão sobre o IGB T é bem

menor, dependendo apenas das indutâncias dos terminais do

capacitor e d a s b a r r a s de c o n e x ã o .

Fig. 80 - T e n s ã o de C o l e t o r (Vce) e corrente de coletor (Ice),

a) no bloqueio, b) na entrada em condução

Fig. 81 - Detalhe medição da corrente no IG B T .

 1 26

6.2.2 - T e n s ã o M á x i m a s o b r e o IGBT.

O valor da tensão máxima sobre o IGBT para uma corrente

de 250 A ficou em torno de 120 V. Este valor é inferior ao

previsto teoricamente q u e p a r a u m a c o r r e n t e de 2 5 0 A e t e n s ã o de

60 V (obtida no ensaio prático), é de aproximadamente 170 V,

o b t i d o da e q . 58, considerando-se uma i n d u t â n c i a p a r a s i t a de 100

nH. O valor inferior da tensão máxima é devido ao modo como

foram montados os IGBT's, que reduziu bastante as indutâncias

parasitas, e conseqüentemente, o pico de tensão sobre o

capacitor, e também porque desconsiderou-se a descarga do

capacitor do circuito de ajuda à comutação em paralelo com o

diodo de roda li v r e , quando este entra em condução, como foi

v i s t o no i t e m 5.8.

Para estimar o valor aproximado da indutância parasita,

isolou-se a indutância na e q . 58 e através dos valores obtidos

na prática, obteve-se um valor em torno de 30 n H , conforme é

calculado abaixo.

D a d o s o b tidos do ensaio prático:

VCmáxb = 120 V, Is = 2 5 0 A, E = 60 V, c b = 1 jiF

ip = ((V C m a x b - E ) / I s ) 2 * cb

lp = 28 nH
 127

6.2.3 - O n d u l a ç ã o da C o r r e n t e

O circuito de controle foi ajustado para fornecer uma

ondulação de corrente próxima de k A. A fig. 82 mostra a

ondulação da corrente de aproximadamente k A, obtida na prática

p a r a u m a c o r r e n t e m é d i a de 2 5 0 A, c o m a s a í d a da f o n t e e m c u r t o .

Na situação ensaiada, a f r e q u ê n c i a de c o m u t a ç ã o ficou em

torno de 8.5 k Hz. A subida da corrente é bastante rápida,

enquanto a descida é lenta devido a indutância se desmagnetizar

em roda livre sobre sua própria resistência e sobre as

resistências dos componentes (IGBT, Diodo) e dos cabos e

conexões.

Fig. 82 - O n d u l a ç ã o d a c o r r e n t e c o m a s a í d a e m c u r t o .

L'

6.2.4 - Valor da I n d u t â n c i a de filtro de s aída o b t i d a na

Prát i c a .

Para determinação do valor real da indutância Lfs, foi

realizado um ensaio com a saída da fonte em curto para uma

corrente alternada de 160 A de p i co , onde nesta situação a carga

 1 28

vista peio conversor é basicamente a indutância de filtro de

saída. A fig. 83 mostra a descida da corrente e a tensão na

indutância de f i l t r o de sa í d a . C o m os d a d o s abaixo relacionados,

que foram retirados do g r á f i c o é p o s s í v e l se c a l c u l a r o valor da

indutância.

D a d o s o b t i d o s do e n s a i o :

Deitais = 3 20 A; Deltat = 1*00 ps; E = 60 V

Lfs = E * Deltat / Deitais = 75 p H

\
X ---------- X L O (A )
---------- V L c CV>
D a l t o l a

* s
h \ i - i f : yf — i j
N

c — ■ — ■ ■■ 1 K K li y
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O. H»
....................... .....
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1 « (•>
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Fig. 83 - C o r r e n t e e tensão na indutância Lfs e m curto,

6.3 - LEVANTAMENTO DA CARACTERÍSTICA ESTÁTICA DO PROTÓTIPO.

Para levantamento da c a r a c t e r í s t i c a estática, utilizou-se

uma carga com característica resistiva. A carga era formada po r

um recipiente de aço inox com uma solução de água com sal. Um

dos eletrodos era o próprio recipiente e o outro era um eletrodo

móvel de carvão. Para variação do v a l o r da resistência ajustava-

se a á r e a d e m e r g u l h o do e l e t r o d o m ó v e l .
 1 29

6.3.1 - Car acter ística Estática de Corrente.

Para l e v a n t a m e n t o d a c a r a c t e r í s t i c a e s t á t i c a de c o r r e n t e ,

f i x o u - s e os valores da m e s m a e variou-se a á r e a de c o n t a t o entre

os dois eletrodos. Com isto, a tensão se m o d i f i c a v a , obtendo-se

diferentes valores de carga. 0 gráfico da tensão em função da

c o r r e n t e o b t i d a do s e x p e r i m e n t o s é m o s t r a d o n a Fig. Sk

Fig. - Característica e s t á t i c a de c o r r e n t e

6 . 3 . 2 - C a r a c t e r í s t i c a E s t á t i c a . d,e T e n s ã o .

Para levantamento da característica estática de tensão,

O
fixou-se valores da m e s m a e v a r i o u - s e a ár e a de contato e n t r e os

dois eletrodos. Com isto, a corrente se modificava, obtendo-se

diferentes valores de carga. O gráfico da tensão em função da

c o r r e n t e o b t i d a dos e x p e r i m e n t o s é m o s t r a d o na Fig. 85
 1 30

«.
5. — S --------------------------------------- -------------------------1 ---- 1-------------------------------------
■ 1

38.
■
-------------------------------------------- 0 -------------------------------------------
25. ■
— o— -------------------------
'— o -------------------------------------------
20.

15.
10.
5.

~T~ ~I ~1 I ~1
50 100 150 200 250

Fig. 85 - C a r a c t e r í s t i c a e s t á t i c a d e t e n s ã o .

6.4 - D e s e m p e n h o d i n â m i c o do protótipo.

6 . 4. 1 - Processo TIG

P a r a o p r o c e s s o T I G foi r e a l i z a d o e n s a i o c o m i m p o s i ç ã o de

corrente alternada (Fig. 8 6 ), que reúne as características dos

demais modos de operação (imposição de corrente contínua e

pulsada).

A ondulação da c o r rente é quase imperceptível, como pode-

se observar na fig. 86. A taxa de subida está na ordem de 500

A/ms e a d e d e s c i d a d e 6 2 5 A / m s . O d e c r é s c i m o m a i s r á p i d o da
O
corrente é d e v i d o a t e n s ã o d a f o n t e de a l i m e n t a ç ã o se s o m a r c o m

a do A R C O quando os IGBT's são abertos. Este fato não ocorre na

subida da corrente, onde a tensão do arco se opõe a da fonte,

c o m o foi v i s t o no c a p í t u l o III.
 131

Fig. 86 - C o r r e n t e d e s o l d a g e m c o m o T I G e m c o r r e n t e a l t e r n a d a .

6 . 4 . 2 - P r o c e s s o MIG.

Para o processo MIG/MAG foram realizados ensaios para

s o l d a g e m no m o d o tensão (Fig. 87), no m o d o i m p o s i ç ã o de c o r r e n t e

pulsada (Fig . 88) e no modo misto (Fig. 89), ( o n d e é imposta a

c o r r e n t e n a b a s e e c o n t r o l a d a a t e n s ã o no p u l s o .

No m o d o tensão, a taxa de variação da corrente, como foi

visto no i t e m 3. 5. 2, p o d e se r a j u s t a d a a t r a v é s da c o n s t a n t e RiCi

do circuito integrador. Na soldagem apresentada na fig. 87

a j u s t o u - s e uma taxa b a s t a n t e lenta.

O ensaio no modo tensão serviu também para testar o

o
circuito de controle da tensão, que apresentou um bom

desempenho. Pode-se notar também, a semelhança existente entre

os oscilogramas do ensaio prático da fig. 87, obtido com este

protótipo, com o da fig. 15, obtido com uma fonte analógica, o

q u e d e m o n s t r a uma e x c e l e n t e p e r f o r m a n c e d i n â m i c a .
 CORRENTE EFICAZ = 125.11

a)
50 osciLoomm tensaq
UU)

40'

30

V -V A ^
20

«H
0
50 100 150 200 250 300 350 400 €0 5!üè
TENSfiO HEDIfl =25.13 4 i (ws)
TENSÃO EFICAZ = 25.73

b)

Fi g. 87 - E n s a i o d e s o l d a g e m M I G c o m c o n t r o l e da,'tensão.

a) C o r r e n t e d e s o l d a g e m , b) T e n s ã o d e s o l d a g e m .

No modo imposição de corrente pulsada pode-se verificar

que a corrente é realmente imposta (Fig. 8 8 ). O fato da taxa de

subida/descida da corrente ser limitada pela indutância de

filtro de saída Lfs causou um arco mais suave e menos ruidoso

comparado com as fontes analógicas, onde as taxas sã o ma

e1 evadas.

CORRENTE HEDIR = 80.25 CORRENTE EFIGRZ = 113.31 — >t (n s >

a)

Fig. 88 - E n s a i o d e s o l d a g e m c o m i m p o s i ç ã o d e c o r r e n t e p u l s a d a

a) C o r r e n t e d e s o l d a g e m , b) T e n s ã o d e s o l d a g e m .
 No m o d o m isto para a situação ensaiada obteve-se u m a bo

tabilidade no arc o, comprovando, também, o funcionamento d

r c u i t o de c o n t r o l e n e s s e m o d o de operação.

— * t (H5)

a)

—i t (16)

b)

Fig. 89 - E n s a i o de s o l d a g e m c o m o p r o c e s s o M I G n o m o d o m i s t o

a) C o r r e n t e d e s o l d a g e m , b) T e n s ã o d e s o l d a g e m .
 1 35

6.1*.3 - E l e t r o d o revestido

O ensaio com eletrodo revestido foi realizado com

i mposição de c o r r e n t e contínua.

N a fig. 90 é m o s t r a d a a o n d u l a ç ã o d a c o r r e n t e d e s o l d a g e m

para uma corrente de 250 A. O valor da ondulação é ig ual ao

obtido com o ensaio realizado com a saída em curto circuito

(fig. 83). Neste ca s o , a frequência da ondulação da corrente

ficou em torno de 35 k Hz. Este valor de frequência é superior

ao o b t i d o com o ensaio com a saída em curto (fig. 82). Isto se

deve, principalmente, a tensão do arco, que força a descida da

corrente, tornado-a bastante rápida. A subida da corrente, neste

caso, é mais lenta porque a tensão do arco se opõe a tensão da

fonte, d u r a n t e o t e m p o e m q u e os IGBT's p e r m a n e c e m fechados.

Fig . 90 - C o r r e n t e d e s o l d a g e m c o m e l e t r o d o r e v e s t i d o .
 136

6 - CONCLUSÕES

O objetivo principal de obter um protótipo operacional

compatível com os processos MIG / TIG / PLASMA / Elet.

Revestido, a base de IGBT's com bom fator de potência foi

al c a n ç a d o .

O protótipo implementado apresenta bom desempenho

estático e dinâmico, p a r a t o d o s os p r o c e s s o s p r e v i s t o s .

A operação do circuito de ajuda à comutação adaptada a

esse conversor ficou um pouco prejudicada, devido principalmente

a elevada i n d u t â n c i a que o próprio capacitor possui internamente

e em seus terminais. Contudo su a u t i l i z a ç ã o é indispensável para

l i m i t a ç ã o d o s p i c o s de t e n s ã o s o b r e os IGBT's.

A forma na qu al os IGBT's foram montados foi um do s

principais fatores que contribuíram para o funcionamento do

conversor, devido a redução das indutâncias parasitas, e

c o n s e q ü e n t e m e n t e da s s o b r e - t e n s õ e s e p e r d a s c a u s a d a s por estas.

O filtro de reativos indutivo, aplicado na saída do

retificador, apresenta bons resultados e pode ser calculado com

boa precisão. A indutância de dispersão do transformador pode

aumentar um pouco o fator de potência, além do fornecido pelo

filtro. Isso porque a indutância de dispersão auxilia na

filtragem das harmônicas de ordem mais elevadas, de forma a

suavizar as transições da corrente na entrada do transformador,

deixando-a com uma forma mais próxima de uma senóide.

Entretanto, se o valor da indutância de dispersão for muito

 1 37

elevado, o fator de potência pode diminuir devido a defasagem

in troduzida pela mesma.

Devido ao tipo de conversor utilizado, parte deste

protótipo pode ser transformado num módulo e ser adaptado em

outras fontes de soldagem tecnologicamente inferiores, como po r

exemplo fontes de tensão constante. A vantagem é que o custo do

módulo, constituído basicamente pelo conversor e circuitos de

controle, seria bastante inferior ao da fonte Muiti-Processo,

uma vez que o transformador, a ponte retificadora e o filtro de

reativos, dependendo da situação, seriam substituídos peia fonte

no qual o m ó d u l o seria adaptado.

A técnica de se comandar alternadamente os IGBT's

diminuiu bastante a frequência de comutação, com iss o as perdas

devido a mesma foram reduzidas.

Para este protótipo, resta ainda a otimização dos

componentes do conversor e do filtro, para melhorar ainda mais o

desempenho e a confiabilidade.
 APÊNDICE

CATÁLOQOS DOS IGBT'S

(AEG e EUPEC)
 IkO

VC£ tv ] vctM -- —
/ K ollu kto r-E m itie r-S p a n n u n g in i S ü ttiyu n g sb e re ich (typisch). 4 E rlaubtet A rb eitsbe re ich in R u cK n a ilstich tu n g
C o lle c to r-e n u tte r-v o lta g e in sa tu ra tion re g io n (typical). R everse b ia se d sate o p e ra tin g aiea
t vl - 2 S °C t vi ~ 125°C, v LF - vLH = 15 V, « ü 6.2 U

S i S i -.r.-
liiu j. iv ic C ./ t t l

lO 12 14 ie

VG E M -----------—

2 U b ertra g u n g sch a ra kte ristik (typisch). 5 Transienter in n e re r W äim e w ide rsta nd je Z w e ig (DC).
Transter ch a ra c te ris tic (typical). Transient th e rm a l im p ed a nce p e r arm (DC)
vCe=5V

1 2 4 0 IO 20 40 «O 100 200 400 »OO 1000

[v]
[V ]--------- —

3 E f/a u b tc f A rb e its b e iu c h in V on va itsrich tun g (E inzelnnpuls. m ent p e rio d isch ). 6 DurchlaÖ kennhnie d e r Inve rsd iod e (typisch)
F u rw d iü b ia se d sa le o pe ra tin g a tva (single p ulse , n o n ic p e iitiv e ). Fo rw a rd c h a ta c ie n s tic o l the in ve tse d io d e (lypical).
t r - 25°C v GE - 0 V
 m

F 400 n 600 KF

T h e rm isch e E ig e n sch a fte n T h e rm a l p ro p e rtie s

T ra n s is to r T ransistor
R ih jc D C , p r o B a u s te in /p e r m o d u le 0,09 °C /W
DC, p ro Zw eig / p e r arm °C /W
E le k tris c h e E ig e n s c h a fte n E le c tric a l p ro p e rtie s
p ro B a u s te in /p e r m o d u le 0,03 °C /W
R iiick
p ro Zw eig / p e r arm °C /W
H ö c h s tz u lfis s ig e W erte M axim um p e rm is s ib le values
V
V e rs
600
125 °c
A
t vjmnx
- 4 0 / + 125 °c
lc 40 0 »vjop
»stg
- 4 0 / + 125 °c
IcnM = 1ms 800 A

Ir . » w DC, t c = 85 °C , V ge = 15 V A

In ve rsd io d e Inve rse d io d e

Vnr 20 V

E le ktrisch e E ig e n sch a fte n E le ctrica l p ro p e rtie s

20 V
VfG
HöchstzulässigeW erte M axim um p e rm issible values
400 A
C h a ra k te ris tis c h e W erte C ha ra c te ris tic values IF (max)
A
VCFsnl I CM = 4 0 0 A, vge = 15 V, t ui = 2 5 °C typ. 3 V ImM tp = 1 m s 800
A
max. V Ifa v m DC, t c = 85 °C
<CM = 4 0 0 A, v g e = 15 V, t vj = t
A
V t p = 10 m s, t vi = 25 °C
v r,r (|hi VCE = 5 V, 'C = 4 0 0 mA. t vj = 25 °C min. 3 If s m
tp = 10 mS, t vj = tvjmax
A
t vj = 25 °C max. 6 V
VCE = 5 V, •c = 40 0 mA, t p = 10 m s, t vj = 25°C
Si2 dt
C ge VCF. = 10 V, vg e = 0V
typ. 33 nF tp = 10 mS, tvj = »vjmax
» 0 = 1 MHz, t vj =■ 25 °C
vge t Vi = 25°C typ. 2
> >
3 3

ic r s VCE = 60 0 V, = 0 V,
VCE = 60 0 V, vge = 0 V, max.
C hara kte ristisch e W erte C hara cte ristic vajues
*GES VGE = 2 0 V, t*i=: 25°C typ. 50
max.
nA
nA i F= 4 0 0 A, v GE = o V, t vj = 25 °C typ. 1,8 V
VGE = 20 V, t wi = tvjmax Vf
ip = 4 0 0 A, vq e — 0 V, t vj = t Vjmax max. V
2 5 "C 50 ' mA
• FGS VEG = 20 V, i FM = 4 0 0 A, -d i F/d t = 3 0 0 A///S
nA Ir r m
VEG = 20 V, >VJ = tv
tvi vjmax
typ. 27 A
veg = 10 V, t vj = 25 °C
t on i CM = 4 0 0 A, VCE = 300 V,
V |.r = 15 V, Rg ’
= 4.7 Q. :25°c 0,4 /IS i FM = 4 0 0 A, -d i r/dt = 30 0 A///S
max. A
V eg = 10 V, t vj = t vjmax
i cm = 4 0 0 A, V CE = 30 0 V,
ipM = 4 0 0 A, -d ip /d t = 3 0 0 A///S
v Lr = 15 V, Rg := 4,7 ü , : t vjmni /I S Orr
typ. 9 //A s
V eg = 10 V, tvj = 25 °C
i CM = 4 0 0 A, V CE = 30 0 V.
i FM = 4 0 0 A, -d ip /d t = 30 0 M /is
V|.F = 15 V, v l r = 15 V,
max. //A s
R = g 4.7 fl. = 25°C 0,4 /IS V eg = 10 V. »vj ” »vjmax
•c m “ 4 0 0 A, VCE = 300 V,
V lF = 15 V, V|R = 15 V.
R — g 4.7 n , *v| =tvjmax max. /iS
T h e rm is c h e E ig e n s c h a fte n T h erm al p ro p e rtie s
i CM ” 4 0 0 A. VCE = 300 V, °C /W
DC, p ro B auste in / p e r m odule 0,25
v LF = 15 V, V|_R = 15 V,
typ. 0,2
•IhJC
DC, p ro Zw e ig / p e r arm °c/w
R;G = 4.7 Q, <vj == 25 °C / js
"MhCK p ro B a u ste in / p e r m o dule 0,03 °c/w
i ÇM “ 4 0 0 A, V CE = 300 V, °C /W
pro Z w e ig / p e r arm
v i.r = 15 V, V|.R = 15 V,
R g = 4.7 i>. tvj = -tvjnmx max. //s
125 °c
- 4 0 / + 125 °c
B edin g u n g e n (ür de n C o n d itio n s (o r pro te ctio n •stg -4 0 / + 1 2 5 °c
Kurz sch lu ß s c h u tz against s h o rtc jre u its
t | g = 10 /iS, V CC= 3 5 Ö V ,
v l f = v Ln = 15 V, v cem = 5 0 0 V,
In n e re Is o la tio n In te rn a l in s u la tio n
R g — 4,7 n , ic M K l = 1500 A,
Isolierm aterial: A IN Insulating m aterial: AI N
tvj ~ tvjmax* ic M K 2 *“ 1200 A
*. 2,5 kV
V iso l RMS

M e ch a n isch e E ig e n s c h a fte n M e ch a n ica l p ro p e rtie s

q 465 g

M1 3 Nm

M2 te rm in a ls M 4 / M 6 2Nm/3Nm

M aßbild outline
S eite 47, Nr. 5 page 47, no. 5
 142

I WBBWOK» 7
VCE [v ] --------— VG£

1 K olle kto r-E m itte r-S p a n n u n g im S ä ttigu n gsb ereich (typisch). 2 Ü b ertrag u ng sch ara kten stik (typisch).
C o lle c to r-e m itte r-v o lta g e in sa tu ra tion re g io n (typical). Transfer c h a ra cte ristic (typical).
t v] = 2 5 ° C v ce = $ V

D iagra m m in V o rb e re itu n g
D iagra m in p re p a ra tio n

o 100 200 300 400 SCO 600 AXJ

fUEHtfllM. V C£ ^

3 E rla u b te r A rb e its b e re ic h in V orw artsrichtu ng (E inzelim puls, n ic h t p e rio d isch ). 4 E rla u b te r A rb e itsb e re ich in R ü ckw ä rlsrichtu n g.
F o rw a rd b ia s e d sate o pe ra tin g a ie a (sin gle pulse, non repetitive). R e verse b ia se d sa le o p e ra tin g area.
<c = 2 5 °C t v i « 1 2 5 °C . v if. = v l h = 1 5 V , R q — 4 ,7 Q

6 D u rch laß ke nn linie d e r In ve rsd iod e (typisch).

5 Transienter inn e re r W ä rm ew id erstan d je Z w e ig (DC).
F o rw a rd c h a ia c te n s lic o l the inve rse d io d e (typical).
Transient th e rm a l im p o d a n ce p e r a rm (DC).
VG£ — O V
 143

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