Machine Translated by Google

IPD70R1K4P7S

MOSFET
Transistor de potência 700V CoolMOSª P7 DPAK

CoolMOS™ é uma tecnologia revolucionária para MOSFETs de alta tensão, aba

projetada de acordo com o princípio da superjunção (SJ) e pioneira da Infineon
Technologies.
O mais recente CoolMOS™ P7 é uma plataforma otimizada adaptada para direcionar
aplicativos sensíveis ao custo em mercados de consumo, como carregador, adaptador,
iluminação, TV, etc.
A nova série oferece todos os benefícios de um MOSFET de Superjunção de comutação 2
1
rápida, combinado com uma excelente relação preço/desempenho e nível de facilidade de
uso de última geração. A tecnologia atende aos mais altos padrões de eficiência e 3
suporta alta densidade de potência, permitindo que os clientes optem por designs muito
finos.

Ralo

Características Pino 2, Aba

• Perdas extremamente baixas devido a FOM RDS(on)*Qg e RDS(on)*Eoss muito baixos

• Excelente comportamento térmico Portão
Pino 1
• Diodo de proteção ESD integrado •
Baixas perdas de comutação (Eoss)
• Validação do produto de acordo com. Padrão JEDEC Fonte
Pino 3

Benefícios
• Tecnologia de custo competitivo •
Temperatura mais baixa
• Alta robustez ESD • Permite
ganhos de eficiência em frequências de comutação mais altas •
Permite projetos de alta densidade de potência e fatores de forma pequenos

Aplicações potenciais
Recomendado para topologias Flyback, por exemplo, usadas em Carregadores,
Adaptadores, Aplicações de Iluminação, etc.

Observação: para paralelismo MOSFET, geralmente é recomendado o uso de esferas

de ferrite no portão ou totens separados.

Tabela 1 Principais Parâmetros de Desempenho

Parâmetro Valor Unidade

VDS @ Tj=25°C 700 V

RDS(ligado),max 1.4 ÿ

Qg,tipo 4.7 nC

identificação, pulso 8.2 A

Eoss @ 400V 0,6 µJ

V(GS)º,tipo 3 V

Classe ESD (HBM) 1C

Tipo / Código de Pedido Pacote marcação Links Relacionados

IPD70R1K4P7S PG-TO 252-3 70S1K4P7 consulte o Apêndice A

Ficha de Dados Finais 1 Rev. 2.1, 13/02/2018

Machine Translated by Google

Transistor de potência 700V CoolMOSª P7

IPD70R1K4P7S

Índice

Descrição . .. .. . .. .. .. .. . .. .. .. .. . .. .. .. . .. .. .. .. . .. .. .. .. . .. .. .. . .. .. .. .. . .. .. .. .. . .. .1

Classificações máximas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Características térmicas. . .. . .. .. .. .. . .. .. .. .. . .. .. .. . .. .. .. .. . .. .. .. .. . .. .. .. . .. .. .. .. . .. ..3

Características elétricas . . .. .. . .. .. .. .. . .. .. .. .. . .. .. .. . .. .. .. .. . .. .. .. .. . .. .. .. . .. .. .. .. . .4

Diagramas de características elétricas. . .. .. .. . .. .. .. .. . .. .. .. . .. .. .. .. . .. .. .. .. . .. .. .. . .. .. .. .. .6

Circuitos de Teste. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Contornos do pacote. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

Apêndice A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

Histórico de Revisão . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
Marcas registradas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Isenção de responsabilidade . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Ficha de Dados Finais 2 Rev. 2.1, 13/02/2018

Machine Translated by Google

Transistor de potência 700V CoolMOSª P7

IPD70R1K4P7S

1 Classificações máximas em Tj =
25°C, a menos que especificado de outra forma

Tabela 2 Classificações máximas

valores
Parâmetro Símbolo Nota da Unidade / Condição de Teste
mín. Tipo. máx.
- - 4,0 CT = 20°C
Corrente de dreno contínua1) EU IA

- - A
2,5 CT = 100°C
Corrente de drenagem pulsada2) identificação, pulso - - 8,2 ATC =25°C

Aplicação (Flyback) corrente de IAS - - 2,4 A medido com indutância de vazamento

avalanche relevante, pulso único3) padrão do transformador de 5µH
dv/dt - - 100 V/ns VDS =0...400V
MOSFET dv/dt robustez
-16 - 16 estático;
VGS V
Tensão da fonte do portão -30 - 30 CA (f>1 Hz)

Dissipação de energia
Ptot - - 22,7 WTC =25°C
Tj, Tstg -40 - 150°C -
Temperatura de operação e armazenamento
Corrente direta de diodo contínua É - - 2,7 ATC =25°C

Corrente de pulso de diodo2) IS, pulso - - 8,2 ATC = 25°C

Diodo reverso dv/dt4) dv/dt - - 1 V/ns VDS =0...400V, ISD<=IS, Tj=25°C
Velocidade máxima de comutação do diodo4) dif/dt - - 50 A/µs VDS =0...400V, ISD<=IS, Tj=25°C
Tensão suportável de isolamento
VISO - - na V Vrms, TC=25°C, t=1min

2 Características térmicas

Tabela 3 Características térmicas

valores
Parâmetro Símbolo Nota da Unidade / Condição de Teste
mín. Tipo. máx.
RthJC - - 5,5 °C/W -
Resistência térmica, junção
- - 62 °C/W Dispositivo no PCB, pegada mínima
Resistência térmica, junção - ambiente RthJA

Dispositivo em 40mm*40mm*1.5 epóxi

PCB FR4 com área de cobre de 6cm2 (uma
Resistência térmica, junção - ambiente para RthJA - 35 45 °C/W
versão SMD camada de 70µm de espessura) para
conexão de drenagem e resfriamento.
PCB é vertical sem resfriamento por fluxo de ar.

Temperatura de soldagem, soldagem por Tsold - - Refluxo de 260 °C MSL3

onda e refluxo permitida

1) Limitado por Tj máx. Tj = 20°C. Ciclo de trabalho máximo D=0,5

2) Largura de pulso tp limitada por
Tj,max 3) Comprovado durante o teste de verificação. Para obter explicações, leia AN - CoolMOSTM 700V P7.
4) VDClink=400V; VDS,pico<V(BR)DSS; interruptor de lado baixo idêntico e lado alto com RG idêntico

Ficha de Dados Finais 3 Rev. 2.1, 13/02/2018

Machine Translated by Google

Transistor de potência 700V CoolMOSª P7

IPD70R1K4P7S

3 Características elétricas

Tabela 4 Características estáticas

valores
Parâmetro Símbolo Nota da Unidade / Condição de Teste
mín. Tipo. máx.

Tensão de ruptura dreno-fonte V(BR)DSS 700 - - V VGS=0V, ID=1mA

Tensão limite do portão V(GS)º 2,50 3 3,50 V VDS=VGS, ID=0,04mA

- - 1
IDSS VDS=700V, VGS=0V, Tj=25°C
Corrente de dreno de tensão de portão zero - 10 - µA
VDS=700V, VGS=0V, Tj=150°C

Corrente de fuga de porta-fonte incl. diodo Zener - 1

IGSS - µA VGS=20V, VDS=0V

- 1,15 1,40
Resistência no estado da fonte de dreno ÿ VGS=10V, ID=0,7A, Tj=25°C
RDS(ligado) - 2,62 -
VGS=10V, ID=0,7A, Tj=150°C ÿ
- 1.6
Resistência do portão RG - f=1 MHz, dreno aberto

Tabela 5 Características dinâmicas

valores
Parâmetro Símbolo Nota da Unidade / Condição de Teste
mín. Tipo. máx.
ciss - 158 -
Capacitância de entrada pF VGS=0V, VDS=400V, f=250kHz pF
Coss - 3 -
Capacitância de saída VGS=0V, VDS=400V, f=250kHz

Capacitância de saída efetiva, relacionada - 9 -

à energia1)
Co(er) pF VGS=0V, VDS=0...400V

Capacitância de saída efetiva, relacionada - 113

ao tempo2)
Co(tr) - pF ID=constante, VGS=0V, VDS=0...400V

- 12 - ns VDD=400V, VGS=13V, ID=0,5A,

Tempo de atraso ao ligar td(ligado)
RG=10,2ÿ

Tempo de subida tr - 4.9 - ns VDD=400V, VGS=13V, ID=0,5A,

RG=10,2ÿ

- 63 - ns VDD=400V, VGS=13V, ID=0,5A,

Tempo de atraso de desligamento td(desligado)
RG=10,2ÿ

- 61 ns VDD=400V, VGS=13V, ID=0,5A,

Tempo de outono tf - RG=10,2ÿ

Tabela 6 Características de carga do portão

valores
Parâmetro Símbolo Nota da Unidade / Condição de Teste
mín. Tipo. máx.
- 0,7 - nC VDD=400V, ID=0,5A, VGS=0 a 10V
Porta para carga de fonte Qgs

Qgd - 1.7 - nC VDD=400V, ID=0,5A, VGS=0 a 10V

Portão para drenar a carga

Qg - 4.7 - nC VDD=400V, ID=0,5A, VGS=0 a 10V

Total de carga do portão
- 4.3
Tensão do platô do portão Vplateau - V VDD=400V, ID=0,5A, VGS=0 a 10V

1)
Co(er) é uma capacitância fixa que fornece a mesma energia armazenada que Coss enquanto VDS aumenta de 0 a 400V
2)
Co(tr) é uma capacitância fixa que fornece o mesmo tempo de carregamento que Coss enquanto VDS aumenta de 0 a 400V

Ficha de Dados Finais 4 Rev. 2.1, 13/02/2018

Machine Translated by Google

Transistor de potência 700V CoolMOSª P7

IPD70R1K4P7S

Tabela 7 Características do diodo reverso

valores
Parâmetro Símbolo Nota da Unidade / Condição de Teste
mín. Tipo. máx.
Tensão direta do diodo VSD - 0,9 - V VGS=0V, IF=0,9A, Tj=25°C
Tempo de recuperação reverso trr - 130 - ns VR=400V, IF=0,5A, diF/dt=50A/µs
Taxa de recuperação reversa qrr - 0,4 - µC VR=400V, IF=0,5A, diF/dt=50A/µs
Corrente de recuperação reversa de pico irrm - 6 - A VR=400V, IF=0,5A, diF/dt=50A/µs

Ficha de Dados Finais 5 Rev. 2.1, 13/02/2018

Machine Translated by Google

Transistor de potência 700V CoolMOSª P7

IPD70R1K4P7S

4 Diagramas de características elétricas

Diagrama 1: Dissipação de energia Diagrama 2: Área operacional segura

30 102

25
101
1µs
10µs

20 100µs

100
1ms
[A]
ID
Ptot
[W] 15

10ms
10-1

10
CC

10-2
5

0 10-3
0 25 50 75 100 125 150 100 101 102 103
CT [°C] VDS [V]
Ptot=f(TC) ID=f(VDS); CT=25°C; D=0; parâmetro: tp

Diagrama 3: Área operacional segura Diagrama 4: máx. impedância térmica transitória

102 101

101 0,5
1µs

10µs
0,2
100 100µs
0,1
[A]
ID 1ms
100 0,05
0,02
ZthJC
W]
[K/

10-1 10ms
0,01
pulso único
CC

10-2

10-3 10-1
100 101 102 103 10-5 10-4 10-2 10-1

VDS [V] 10-3 tp [s]

ID=f(VDS); CT=80°C; D=0; parâmetro: tp ZthJC =f(tP); parâmetro: D=tp/T

Ficha de Dados Finais 6 Rev. 2.1, 13/02/2018

Machine Translated by Google

Transistor de potência 700V CoolMOSª P7

IPD70R1K4P7S

Diagrama 5: Tipo. características de saída Diagrama 6: Tipo. características de saída

10 7
20 V 20 V
10 V 10 V
9
8V
6 8V
7V
8

7V 5
7
6V
6 6V 5,5 V
4
[A]
ID [A]
ID

3
4
5,5 V 5V

3
2

5V
4,5 V
2

1
1 4,5 V

0 0
0 5 10 15 20 0 5 10 15 20
VDS [V] VDS [V]
ID=f(VDS); Tj=25°C; parâmetro: VGS ID=f(VDS); Tj=125°C; parâmetro: VGS

Diagrama 7: Tipo. resistência de estado ligado da fonte de dreno Diagrama 8: Resistência no estado ligado da fonte de dreno

6.0 4.0
6,5 V

5.5 3.5
5V 5,5 V 6V

5,0 3.0

4.5 2.5

98%
4.0 2.0
RDS(ligado)
[ ÿ] RDS(ligado)
[ÿ]

3.5 7V 1,5
tipo
10 V

3.0 1,0

2.5 0,5

2.0 0,0
0 5 10 15 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150
ID [A] Tj [°C]
RDS(ligado)=f(ID); Tj=125°C; parâmetro: VGS RDS(on)=f(Tj); ID=0,7 A; VGS=10 V

Ficha de Dados Finais 7 Rev. 2.1, 13/02/2018

Machine Translated by Google

Transistor de potência 700V CoolMOSª P7

IPD70R1K4P7S

Diagrama 9: Tipo. características de transferência Diagrama 10: Tipo. taxa de portão

10 10

9 9

8 25°C 8

120 V
7 7

400 V
6 6

[A]
ID
5 VGS
[V]
5
150°C

4 4

3 3

2 2

1 1

0 0
0 2 4 6 8 10 12 0 2 4 6
VGS [V] Qgate [nC]
ID=f(VGS); VDS=20V; parâmetro: Tj VGS=f(Qgate); ID=0,5 A pulsado; Parâmetro: VDD

Diagrama 11: Características diretas do diodo reverso Diagrama 13: Tensão de ruptura da fonte de dreno

102 840
25°C
125°C 820

800

780

101 760

740
UM]
SE

720
VBR(DSS)
[V]

700

100 680

660

640

620

10-1 600
0,0 0,5 1.0 1,5 2.0 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
VSD [V] Tj [°C]
IF=f(VSD); parâmetro: Tj VBR(DSS)=f(Tj); ID = 1 mA

Ficha de Dados Finais 8 Rev. 2.1, 13/02/2018

Machine Translated by Google

Transistor de potência 700V CoolMOSª P7

IPD70R1K4P7S

Diagrama 14: Tipo. capacitâncias Diagrama 15: Tipo. Custo de energia armazenada

104 1.2

1,0
103

ciss 0,8

102

[pF]
C

Eoss
[µJ] 0,6

101

Coss 0,4

100 Crss
0,2

10-1 0,0
0 100 200 300 400 500 0 100 200 300 400 500 600 700
VDS [V] VDS [V]
C=f(VDS); VGS=0 V; f=250 kHz Eoss=f(VDS)

Ficha de Dados Finais 9 Rev. 2.1, 13/02/2018

Machine Translated by Google

Transistor de potência 700V CoolMOSª P7

IPD70R1K4P7S

5 circuitos de teste

Tabela 8 Características do diodo

Circuito de teste para características de diodo Forma de onda de recuperação de diodo

Rg1

VDS

Rg 2

SE

Rg1 = Rg 2

Tabela 9 Tempos de comutação

Circuito de teste de tempos de comutação para carga indutiva Forma de onda dos tempos de comutação

VDS
90%

VDS
VGS 10%
VGS

td(ligado) tr td(desligado) tf

tonelada toff

Tabela 10 Carga indutiva não fixada

Circuito de teste de carga indutiva não fixado Forma de onda indutiva não fixada

V(BR)DS

EU IA
VDS

VDS VDS
EU IA

Ficha de Dados Finais 10 Rev. 2.1, 13/02/2018

Machine Translated by Google

Transistor de potência 700V CoolMOSª P7

IPD70R1K4P7S

6 Esboços do pacote

N º DO DOCUMENTO.
MILÍMETROS POLEGADAS Z8B00180313
DIM
MIN MAX MIN MAX
A 2.20 2.40 0,087 0,094 0
ESCALA
A1 0,00 0,15 0,000 0,006
b 0,68 0,89 0,027 0,035 2.5
b2 0,72 1.10 0,028 0,043
0 2.5
b3 5.13 5,50 0,202 0,217
c 0,46 0,60 0,018 0,024 5mm
c2 0,46 0,60 0,018 0,024
D 5,98 6.22 0,235 0,245
PROJEÇÃO EUROPEIA
5.25 5.40 0,207 0,213
6.40 6.73 0,252 0,265
E1 4,70 5,60 0,185 0,220
eED1 2.29 (BSC) 0,090 (BSC)
e1 4.57 (BSC) 0,180 (BSC)
N 3 3
DATA DE EMISSÃO
H 9h40 10.48 0,370 0,413 04-02-2016
eu 1.38 1,70 0,054 0,067
L3 0,90 1.25 0,035 0,049 REVISÃO
01
L4 0,60 1,00 0,024 0,039

Figura 1 Contorno PG-TO 252-3, dimensões em mm/polegadas

Ficha de Dados Finais 11 Rev. 2.1, 13/02/2018

Machine Translated by Google

Transistor de potência 700V CoolMOSª P7

IPD70R1K4P7S

7 Apêndice A

Tabela 11 Links Relacionados

• IFX CoolMOSª P7 Página da Web: www.infineon.com

• Ferramentas de design IFX: www.infineon.com

Ficha de Dados Finais 12 Rev. 2.1, 13/02/2018

Machine Translated by Google

Transistor de potência 700V CoolMOSª P7

IPD70R1K4P7S

Histórico de Revisão
IPD70R1K4P7S

Revisão: 2018-02-13, Rev. 2.1

Revisão anterior

Data de revisão Assuntos (grandes mudanças desde a última revisão)

2.0 24/11/2016 Lançamento da versão final
2.1 2018-02-13 Texto da primeira página corrigido

Marcas comerciais da Infineon Technologies AG

AURIX™, C166™, CanPAK™, CIPOS™, CoolGaN™, CoolMOS™, CoolSET™, CoolSiC™, CORECONTROL™, CROSSAVE™, DAVE™, DI-POL™, DrBlade™, EasyPIM™, EconoBRIDGE™, EconoDUAL™, EconoPACK™, EconoPIM™,
EiceDRIVER™, eupec™, FCOS™, HITFET™, HybridPACK™, Infineon™, ISOFACE™, IsoPACK™, i-Wafer™, MIPAQ™, ModSTACK™, my-d™, NovalithIC™, OmniTune ™, OPTIGA™, OptiMOS™, ORIGA™, POWERCODE™,
PRIMARION™, PrimePACK™, PrimeSTACK™, PROFET™, PRO-SIL™, RASIC™, REAL3™, ReverSave™, SatRIC™, SIEGET™, SIPMOS™, SmartLEWIS ™, SOLID FLASH™, SPOC™, TEMPFET™, thinQ™, TRENCHSTOP™,
TriCore™.

Marcas registradas atualizadas em agosto de 2015

Outras marcas registradas

Todos os nomes e marcas registradas de produtos ou serviços mencionados são de propriedade de seus respectivos proprietários.

Nós ouvimos seus comentários

Alguma informação neste documento que você acha que está errada, confusa ou ausente? Seu feedback nos ajudará a melhorar continuamente a qualidade deste
documento. Por favor, envie sua proposta (incluindo uma referência a este documento) para: erratum@infineon.com

Publicado pela
Infineon Technologies AG 81726
Munique, Alemanha © 2018
Infineon Technologies AG Todos os
direitos reservados.

Isenção de
responsabilidade As informações fornecidas neste documento não devem, em hipótese alguma, ser consideradas como uma garantia de
condições ou características (“Beschaffenheitsgarantie”).

Com relação a quaisquer exemplos, sugestões ou quaisquer valores típicos declarados neste documento e/ou qualquer informação sobre a aplicação do
produto, a Infineon Technologies se isenta de todas e quaisquer garantias e responsabilidades de qualquer tipo, incluindo, sem limitação, garantias de não
violação de propriedade intelectual direitos de qualquer terceiro.
Além disso, qualquer informação fornecida neste documento está sujeita à conformidade do cliente com suas obrigações declaradas neste documento
e quaisquer requisitos legais aplicáveis, normas e padrões relativos aos produtos do cliente e qualquer uso do produto da Infineon Technologies nas
aplicações do cliente.
Os dados contidos neste documento destinam-se exclusivamente a pessoal com formação técnica. É responsabilidade dos departamentos técnicos do
cliente avaliar a adequação do produto para a aplicação pretendida e a integridade das informações do produto fornecidas neste documento com relação a tal
aplicação.

Informações
Para obter mais informações sobre tecnologia, termos e condições de entrega e preços, entre em contato com o escritório da Infineon Technologies
mais próximo (www.infineon.com).

Avisos
Devido a requisitos técnicos, os componentes podem conter substâncias perigosas. Para obter informações sobre os tipos em questão, entre em contato
com o escritório da Infineon Technologies mais próximo.
O componente da Infineon Technologies descrito nesta folha de dados pode ser usado em dispositivos ou sistemas de suporte à vida e/ou aplicações ou
sistemas automotivos, de aviação e aeroespaciais somente com a aprovação expressa por escrito da Infineon Technologies, se uma falha de tais componentes
puder ser razoavelmente esperada causar a falha desse dispositivo ou sistema automotivo, aeroespacial e de suporte à vida ou afetar a segurança ou
eficácia desse dispositivo ou sistema. Os dispositivos ou sistemas de suporte à vida destinam-se a serem implantados no corpo humano ou para apoiar e/ou
manter e sustentar e/ou proteger a vida humana. Se eles falharem, é razoável supor que a saúde do usuário ou de outras pessoas pode estar em perigo.

Ficha de Dados Finais 13 Rev. 2.1, 13/02/2018