Introdução

Neste presente relatório que insere-re se no âmbito da disciplina de Electrónica analógica,

faremos o estudo do osciloscopio, isto é, realizaremos medições de amplitudes, frequências
de sinais periódicos através do osciloscopio. De seguida estudaremos o díodo, iremos
verificar os efeitos da polarização directa e inversa de um díodo semicondutor através do
ohmímetro. Tendo feito o estudo do díodo iremos empregar o díodo como um retificador.
1. Medição com osciloscopio
1.1. objectivos
 Medir com Osciloscópio, as amplitudes e frequências de sinais periódicos. Comparar
os valores eficazes com os medidos pelo Multímetro.
 Obter as figuras de Lissajous resultantes da superposição de sinais periódicos
perpendiculares entre si e, medir as suas características.
1.2. Material Usado
• Alimentação: Dois Geradores de Sinais;
• Instrumentos: Osciloscópio e Multímetro;
• Diversos: Fios de conexão e dois cabos BNC garra jacaré.

1.3. Resumo Teórico

O osciloscópio é um instrumento fundamental em laboratórios de pesquisa de Física,
Química, Engenharia e até em alguns laboratórios de Medicina e Biologia. O osciloscópio,
em comparação com outros instrumentos de medição, para além de efectuar medições das
magnitudes dos sinais, permite também a visualização da evolução temporal desses sinais em
seus circuítos. Assim, para além de amplitudes, pode-se conhecer também frequências e fases
dos sinais periódicos. O osciloscópio analógico tem como elemento principal o tubo de raios
catódicos. O tubo de raios catódicos é composto de um filamento, cátodo, grade de controle,
ânodo de aceleração e focalização, placas de deflexão vertical e horizontal, e uma tela
fluorescente.

1.3.1 Superposi¸c˜ao de Sinais Peri´odicos Perpendiculares - Figuras de Lissajous

O nosso dia-a-dia é repleto de vários fenómenos que são consequências de superposição de
sinais periódicos. Por exemplo, os sons que ouvimos e as imagens que vimos são produzidos
pela superposição de sinais periódicos.
A superposição pode ocorrer em sinais periódicos que se propagam na mesma direcção (com
frequências iguais ou não, com amplitudes iguais ou não) ou em direcções perpendiculares,
como é o caso da nossa considercao.
Consideremos dois sinais harmónicos de mesma frequência, sendo um propagando-se ao
longo do eixo-X e o outro propagando-se ao longo do eixo-Y, respectivamente dados pelas
seguintes relações:
X(t) = A cos(wt + øx)
y(t) = B cos(wt + øy)
Fazendo-se um rearranjo na equação y(t) = B cos(wt+øx+øy−øx) e considerando-se a
identidade matemática cos(a + b) = cos(a) ∗ cos(b) − sin(a) ∗ sin(b) a combinação das duas
equações resulta em seguinte relação:

y 2 /B2 + x 2/ A2 − 2xy /AB cos(δø) = sin2 (δø)

1.4. Procedimentos Experimentais

1.4.1 Medição com osciloscópio
• Ligamos o osciloscópio, giramos o controle “Intensity” até o aparecimento do feixe
electrônico e utilizamos o controle “Focus” para focalizar o feixe eletrônico;
• Utilizamos os controles (horizontal e vertical) de forma a centralizar o feixe eletrônico;
• Mantemos os controles “VARIABLE” da escala de tempo e voltagem na posição de
calibração (CAL). • Mantemos o controle “MODE” na posição (NORMAL);
• Mantemos o controle “SOURCE” na posição (INT) e mantemos o controle “AC-GND-DC”
em AC;
• Insirimos o sinal senoidal na entrada do canal-1 do osciloscópio utilizando os cabos BNC.
• Atuamos no controle “LEVEL” para fixar a varredura eletrônica na tela;
• Ajustamos e anotamos a escala de voltagem do osciloscópio (Volt/Div) demodo a ter uma
boa observação da amplitude pico a pico do sinal a medir;
• Ajustamos e anotamos a escala de tempo do osciloscópio (Time/Div) de modo a ter uma
boa observação do período do sinal;
• Para valores de frequência e voltagem no gerador de sinais, preenchemos os restantes
campos da tabela usando o osciloscópio e o multímetro. (Usamos o senoidal no gerador de
sinais!);
• Ligamos os geradores de sinais aos canais do osciloscópio sendo um para o canal 1 (Ch1) e
outro para o canal 2 (Ch2);
• Ajustamos o cursor de sensibilidade vertical (Vo sinal lt/Div)para a posição X-Y e assegure
que o feixe de electrões esteja no centro do ecrã do osciloscópio;
• Usamos a escala de 100Hz para os dois geradores de sinais;
• Variamos ligeiramente a frequência de um dos geradores (por exemplo, o ligado ao Ch2) e
obtemos uma elípse.

Vejamos a obtencao de uma figura senosoidal atraves do osciloscopio.

1.4.2 Obtenção de figuras de Lissajous
• Ligamos os geradores de sinais aos canais do osciloscópio sendo um para o canal 1 (Ch1) e
outro para o canal 2 (Ch2);
• Ajustamos o cursor de sensibilidade vertical (Volt/Div)para a posição X-Y e assegure que o
feixe de electrões esteja no centro do ecrã do osciloscópio;
• Usamos a escala de 100Hz para os dois geradores de sinais;
• Variamos ligeiramente a frequência de um dos geradores (por exemplo, o ligado ao Ch2) e
obtemos uma elípse.

Vejamos a obtencao de uma figura de Lissajous atraves osciloscopio.

• Obtemos no osciloscópio a figura de Lissajous semelhante à Fig. Determinamos as

frequências dos sinais com base dos quais obteve essa figura.
1.5 Resultados Experimentais
Os resultados obtidos na experiência serão apresentados na seguinte tabela:
Gerador de Sinais Osciloscópio
f(Hz) V(V) Vpp(V) Vrms(V) T(ms) f(Hz)
60 5 10 3.53 20 500
100 7 14 4.9 10 100
150 9 18 6.36 8 125

Para f=60Hz
V p = V pp /2 = 10/ 2 = 5V
V rms = V p/ √ 2 = 3.53

Para f=100Hz
V p = V pp/ 2 = 14 /2 = 7V
V rms = V p /√ 2 = 4.9

Para f=150Hz
V p = V pp /2 = 18 2 = 8V
V rms = V p /√ 2 = 6.36
:

2. Díodos
É um dispositivo eletrônico de dois terminais que se comporta como uma chave
fechada quando diretamente polarizado (anodo com potencial maior que catodo), e como
umachave aberta quando inversamente polarizado (modelo ideal).

2.1 Objectivos
 Verificar os efeitos das polarizações directa e inversa de um díodo semicondutor;
 Determinar a característica de um díodo semicondutor;
 Utilizar o Ohmímetro para provar um díodo semicondutor;
 Aprender a montar e testar circuítos electrónicos simples.

2.2 Resumo teórico

2.2.1 Semicondutor intrinseco

O semicondutor em seu estado puro é chamado de intrínseco, tendo pouca ou nenhuma
utilidade quando está nessas condições. Como dissemos, os principais semicondutores usados
são o silício (Si) e o germânio (Ge); existem outros, porém só sera abordado o elemento
silício (Si) neste trabalho. O silício (Si) é um elemento do quarto (4) grupo A, sendo assim,
tem 4 electrões na ultima camada. Por ter essa característica este elemento pode receber ou
doar electrões com a mesma intensidade, como também pode o Carbono (C), o
Germânio(Ge) e outros mais do quarto(4) grupo.
O silício se comporta como isolante, pois não existem cargas livres. No entanto, com o
aumento da temperatura, a energia térmica fornecida ao cristal provoca a “quebra” de
algumas ligações covalentes, liberando, assim, eletrons de valência. Os espaços vazios
deixados por causa de tais rompimentos se comportam como cargas elétricas positivas,
denominadas lacunas ou buracos. A quantidade de energia necessária para quebrar uma
ligação depende do tipo do semicondutor; no caso do Si, 1,1 eV.
A aplicação de uma diferença de potencial na estrutura do silício possibilita o movimento
dessas cargas elétricas : os elétrons se dirigem para o polo positivo da fonte externa e as
lacunas, para o polo negativo, Esse fenómeno se repete para outros eletrões de valência
gerando corrente electrica.

2.2.2 Semicondutor extrínseco

Na prática, não usamos o semicondutor intrínseco, e sim o extrínseco. O semi-condutor
extrínseco é obtido pela adição de elementos chamados de impurezas, cuja principal
finalidade é alterar algumas propriedades elétricas, principalmente a resistividade em relação
ao fluxo de eletrões. Existem dois tipos de semicondutores extrínsecos: o material N e o
material P.
2.2.3 Semicondutor tipo N
É obtido adicionando ao cristal puro um material pentavalente, isto é, que tem em sua útima
camada cinco eletrões de valência. Em geral, o material mais utilizado é o fósforo (P).
2.2.4 Semicondutor tipo P
É obtido adicionando quantidades controladas de impureza trivalente ao material puro . Um
exemplo desse tipo de impureza é o boro (B). Como o boro é trivalente, mas também outros
elementos do grupo três A.

2.2.5 Junção PN
Se uma barra de material P é ligada metalurgicamente a uma barra de material N, cria-se uma
junção PN, cujas características permitem a produão de todos os dispositivos eletrônicos. A
diferença de concentração de lacunas e elétrons livres entre as duas regiões da junção PN
possibilita a ocorrência de um fenômeno chamado de difusäo: deslocamento de lacunas do
lado P para o N e de elétrons livre do lado N para o P.

2.2.6 Junção PN com polarização diretaç

Inicialmente, como a corrente é desprezível, toda a tensão externa é aplicada na junção,
diminuindo a barreira. No entanto, a corrente começa a aumentar quando a tensão aplicada na
junção for de aproximadamente 0,6 V. A princípio, toda a tensão estará aplicada diretamente
na região da junção baixando a barreira de potencial e tornando desprezível a queda de tensão
no material N e no P. Desse modo, a corrente é controlada pela variação da altura da
barreira . A medida que a corrente aumenta, a tensão externa se distribui entre o material e a
barreira. Nesse instante a corrente começa a ser controlada pela resistência direta do material,
passando a ter comportamento aproximadamente linear com a tensão.

2.2.7 Junção PN com polarização reversa

Quando a tensão aplicada tem polaridade, isto é, o lado P negativo em relação ao lado N, a
largura da região de depleção aumentará elevando a altura da barreira de potencial e
dificultando a passagem dos portadores majoritários de um lado da junção para o outro.
Atraves da junção existirá uma corrente constituída de portadores minoritários, os quais
dependem apenas da temperatura. Essa corrente é chamada de corrente reversa de saturação.

2.3 Material Necessário

 Alimentação - fonte variável 0 − 30V;
 Equipamento - dois (2) multímetros - usados como Voltímetro e Amperímetro (0 −
30mA);
 Díodos - 1N4007, FLV110 (LED) , DZ12V - 10 (Zener) e 1N5392 - 10;
 Resístor - 100;
 Diversos - painel para montagem, ferro de estanhar, solda e fios.

2.4 Circuitos

(polarização directa)

(polarização inversa)

2.5 Modo de Execução

 Montar o circuito da figura 1 para os díodos 1N4007, 1N5392-10 e DZ12V-10
(Zener);
 Preencher a tabela 1 para cada um deles;
 U(V) 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
I(mA) 0 0 0 0.8 0.71 11.64 45.36
R(Ω) 100 100 100 100 100 100 100
(polarização directa)

U(V) 5 10 15
I(mA) 0 0 0
R(Ω) 100 100 100
(polarização inversa)

2.6 representação gráfica das características dos díodos

2.6.1 Calcular o factor de eficiência fe = Rinv/Rdir dos díodos;

Rdir Rinv fe
1N4007 29.7x10-6 0 0
 1. Díodo rectificador
3.1. Objectivos
 Estudar o emprego do díodo como rectificador;
 Observar o efeito do signal sinosoidal, o efeito de rectificação de meia onda e de
onda completa.

3.2. Resumo teórico

O díodo retificador é um dispositivo semicondutor utilizado para converter sinais em corrente
alternada para corrente continua, mantendo apenas um semiciclo da onda senosoidal que é a
carcteristica da corrente alternada, daí o seu nome ”retificador”.

3.2.1 Funcionamento
A figura abaixo demonstra como o díodo retificador elimina um dos semiciclos da forma de
onda senosoidal, repare que o sinal senosoidal está sendo aplicado no ánodo do díodo,
consequentemente no ánodo teremos uma forma de onda resultante com apenas o semiciclo
positivo.

se invertermos a polaridade do díodo trocando o ánodo pelo cátodo veremos que a forma de
onda resultante no anodo será apenas o semiciclo negativo.

.
3.3. Material Necessário
 Unidade de transformador 110 -220/12V;
  Osciloscópio de dois (2) canais;
 Resístores de 10k;
 Díodos: 1N5892 (4 unidades);
 Diversos: Ferro de soldar, painel, fios e estanho.

3.4. Modo de Execução

 Identificamos bem o funcionamento do transformador;
 Montamos o circuito da Fig. abaixo;
 Observamos a inversão de fase na tomada central do secundário do transformador,
usando os dois canais do osciloscópio;

 Com o auxílio do osciloscópio medimos e desenhamos a forma da onda entre os

pontos A e C e no resistor R da figura abaixo.

 Montamos o circuito da figura abaixo.

 Medimos com o osciloscopio a tensão entre os pontos A,C e no resistor R.

 Montamos o circuito conforme a figura abaixo.

 Medimos com osciloscopio e desenhamos na tabela abaixo a tensão entre A e C e no

resístor R.
4. Filtragem, Ceifadores e Limitadores de Sinal
4.1. Filtragem de Sinal
4.1.1 Objectivo
 Verificar o efeito que um filtro capacitivo provoca sobre a tensão de saida de um
retificador.
4.2. Material Necessário
 Alimentação: Transformador 220/12V;
 Instrumentos: Osciloscópio e multímetro;
 Resístor: 10k;
 Capacitores: 1μF, 10μF, 100μF;
 Díodos: 1N5892 (2 unidades);
 Diversos: Ferro de soldar, painel, fios e estanho.

4.3. Procedimento
Montamos no circuito da figura abaixo.

 Montamos o circuito da figura abaixo e prenchemos a tabela , usando de cada vez,

diferentes capacitores
5. Conclusão
Após ter feito o trabalho, pude concluir que o osciloscópio é um instrumento de grande
importância no laboratório de física, pois ele permite a visualização da onda de um sinal
elétrico, permitindo que determinemos ou analisemos os parâmetros deste sinal,
exemplificando a frequência, a amplitude entre outros mais. Além disso, conluí que o díodo é
um componente eletrônico que permite a passagem da corrente, o qual pode ser polarizado de
duas maneiras, isto é,polarizado de forma directa, permitindo que a corrente passe pelo díodo
ou polarizado de forma inversa, permitindo que a corrente não passe pelo díodo. Pude
entender que o díodo retificador é o principal componente do circuito que converte corrente
contínua, como esse círcuito é muito utilizado na electronics, o díodo retificador é largamente
em aplicações de fontes de alimentação .