UNIVERSIDADE PRESBITERIANA MACKENZIE

ESCOLA DE ENGENHARIA
ENGENHARIA ELÉTRICA

DANIEL FELIPE DA CUNHA

HILDEBRANDO DE OLIVEIRA LIMA NETO

SISTEMA DE ESTABILIZAÇÃO E CONTROLE TÉRMICO DE UM LASER A FIBRA

DOPADA COM ÉRBIO OPERANDO EM ALTAS TAXAS

São Paulo
2011
 DANIEL FELIPE DA CUNHA
HILDEBRANDO DE OLIVEIRA LIMA NETO

SISTEMA DE ESTABILIZAÇÃO E CONTROLE TÉRMICO DE UM LASER A FIBRA

DOPADA COM ÉRBIO OPERANDO EM ALTAS TAXAS

Trabalho de Graduação Interdisciplinar

apresentado ao Curso de Engenharia Elétrica
da Escola de Engenharia da Universidade
Presbiteriana Mackenzie, como requisito
parcial para a obtenção do título de
Engenheiro Eletricista.

ORIENTADOR: PROFESSOR DOUTOR MARCO ANTÔNIO ASSIS DE MELO

São Paulo
2011
Ao meu pai e a minha mãe por toda dedicação
e amor incondicional que eles têm por mim.

Daniel Felipe da Cunha

A memória de minha querida mãe, Alda
Rachel Lima, eterna professora, que partiu
muito cedo, mas viverá para sempre em meu
coração.

Hildebrando de Oliveira Lima Neto

 AGRADECIMENTOS

Aos meus pais Mayr e Arlete pelos ensinamentos de humildade e caráter que transferiram a
mim ao longo dos anos, fortalecendo duas das mais importantes características de um
homem.

A minha namorada Anna Carolina pelo amor, total incentivo, paciência nas fases turbulentas
e pela compreensão nos períodos de ausência. Apoios que sem os quais hoje eu não estaria
aqui.

Aos professores Marco Antônio Assis de Melo, nosso coordenador, e ao professor Antônio
Marcos Ferraz de Campos por acreditarem em nós na dura realização desse projeto.

Aos muitos colegas de turma pelo tempo e paciência em ajudar nos desafios encontrados nas
diversas disciplinas.

Aos professores Carla Silva Campos, Edson Tafeli, Rodrigo Santos, Carlos Alberto Zeitune,
e à Esleide Casella, pelos inúmeros e preciosos conselhos dados ao longo do curso.

A Fernanda Câmara pelo apoio, incentivo e concessões dadas no decorrer dessa longa
jornada, imprescindíveis para que eu pudesse alcançar o sucesso.

A Deus, nosso Pai, criador de tudo e de todas as coisas.

Daniel Felipe da Cunha

 AGRADECIMENTOS

A minha esposa Miriam e ao meu filho Nicolas pela paciência, carinho, e pelo apoio
incondicional durante o curso, período que não consegui dar-lhes atenção em tempo integral.
A meus pais Hildebrando e Alda (in memoriam) por pavimentarem a longa estrada que
percorri, e pelo exemplo de caráter forjado em aço incorruptível.
Ao Professor Antonio Marcos Ferraz de Campos, por acreditar que um sonho pode se tornar
realidade, e por tê-lo transformado numa realização, apesar de tudo.
Aos Professores das três etapas de nivelamento, pela dedicação especial e atenção, Edson
Tafeli, Esleide Casella, Fabio Ap. Jesus, Carlos Alberto Zeitune, Magda Salgueiro, Carla
Silva Campos, Rodrigo Vieira, José Roberto Moura. Longas manhãs de sábado, sentirei
saudades.
Ao meu orientador, Professor Marco Antonio Assis de Melo.
Ao Professor Francisco Sukys, e aos amigos Eng. Walter Iervolino Jr. e Américo Paulicchi
por suas sábias palavras nas horas oportunas. Passaram-se dez anos, mas cheguei aqui.
A colega Tatiana Massari Guedes, pelas aulas particulares (grátis) nas diversas disciplinas, e
pelo otimismo cativante em frente às dificuldades, que não foram poucas.
Ao amigo Adamil Ferrari e à Componel Ind. e Com., pela ajuda com as PCI’s.
Aos colegas de turma Aline, Gláucia, Kairós e Tatiana, pela dedicação em executar o
Oscilador a Cristal, cuja idéia foi adaptada e utilizada nesta pesquisa (no OFR).
Ao colega Marcio Roberto Pereira, pelo esmero na execução do painel do protótipo e ODT.
Ao Instituto de Tecnologia José Rocha Sergio Cardoso, vinculado ao grupo CCE da
Amazônia, pelo apoio financeiro durante todo o curso, e pelo fornecimento de recursos
técnicos que sem os quais seria impossível realizar esta pesquisa.

Hildebrando de Oliveira Lima Neto

Ticking away, the moments that makes up a
dull day. You fritter and waste the hours in an
offhand way. (…) And then one day you find
ten years have got behind you. No one told
you when to run, you missed the starting gun.
(Gilmour, Mason, Waters, Wright)
 RESUMO

Com o crescimento exponencial da demanda por transmissão de informação, novas técnicas e

métodos foram desenvolvidos de forma a atender esta solicitação. Um dos mais relevantes
avanços foi conseguido graças ao surgimento e aplicação das fibras ópticas. Com o seu uso,
podem-se trafegar, em um mesmo canal físico, diversas informações distintas
simultaneamente, com uma ótima viabilidade e confiabilidade, utilizando um sistema
Wavelenght Division Multiplex, ou WDM. O presente trabalho aborda um método direto para
estabilizar o desempenho de um sistema de modulação WDM, recolhendo em sua saída uma
amostra do sinal, aplicando-a em um sistema de controle, compensando variações térmicas e
outros efeitos não-lineares do sistema, melhorando sua eficácia, e mantendo a largura de
banda efetiva do canal. Os resultados obtidos nos estudos teóricos serão aplicados a um
dispositivo físico contendo o controlador e atuador, bem como o sistema de retroalimentação
(ou feedback) estabilizando o sistema, através da atuação em um dispositivo oscilador
dependente de temperatura – ODT, cuja relação é conhecida e simula o ambiente real da fibra
óptica.

Palavras-chave: WDM, fibra óptica, oscilador dependente de temperatura, controle de

frequência.
 ABSTRACT

The quantity of information that is exchanged worldwide is growing every day, and to
accomplish with this ongoing demand, new techniques must be developed. One of the most
impressive advances in these techniques relies upon the extensive use of the optical fiber.
Using them is possible to transmit several streams of information independently, in the same
physical channel, with the application of the so called Wavelength Division Multiplex, or
WDM. This work evaluates a direct method to stabilize the bandwidth of such WDM system,
using a Closed Loop Control System. The feedback path to close this loop is taken from the
output of the system and applied in a device that will compensate for thermal and other non
linear effects that occur on the system, improving the overall bandwidth of the modulation
system. The results achieved on the theoretical analysis will them be applied on the physical
actuator, controller and feedback path to ensure the real performance of the device, acting on
an oscillator designed to simulate the frequency to temperature dependency of the real optical
fiber system.

Key-words: WDM, optical fiber, temperature dependent oscillator, frequency control.

 LISTA DE TABELAS

Tabela 1 – Comportamento frequência versus temperatura do ODT em 6 medições............. 54

Tabela 2 – Dados obtidos com a simulação para o elemento aquecedor com entrada de 30W.
........................................................................................................................ 135
Tabela 3 − Dados do ensaio de degrau elétrico de potência, para o Peltier, com 30W de
entrada. ............................................................................................................ 139
Tabela 4 – Dados obtidos em malha aberta com perturbação positiva de temperatura. ....... 142
Tabela 5 – Comportamento do sistema quando em malha aberta, para perturbação negativa.
........................................................................................................................ 145
Tabela 6 - Dados obtidos em malha fechada, para uma perturbação positiva de temperatura.
........................................................................................................................ 147
Tabela 7 - Dados obtidos para perturbação negativa de temperatura, em malha fechada..... 149
 LISTA DE ILUSTRAÇÕES

Diagrama 1 – Oscilador a cristal, tipo Colpitts proposto para analise. A saída do sinal é
retirada entre R7 e o GND. VDD=10VDC. ........................................................ 44
Diagrama 2 – Oscilador Hartley utilizado no projeto do ODT.............................................. 45
Diagrama 3 – Diagrama esquemático do ODT..................................................................... 49
Diagrama 4 – Controle de temperatura para os osciladores de referencia a cristal. ............... 65
Diagrama 5 – Esquema simplificado de um discriminador de frequência. ............................ 67
Diagrama 6 – Circuito simplificado do Discriminador Foster-Seeley. .................................. 68
Diagrama 7 – Circuito do comparador de fase utilizado, em simulador computacional. ....... 75
Diagrama 8 – Diagrama esquemático do filtro passa-baixas aplicado na saída do comparador
de fase-frequência. ............................................................................................. 78
Diagrama 9 – Circuito amplificador diferencial utilizado para obter a saída de erro Eo........ 79
Diagrama 10 – Diagrama esquemático do somador de entrada............................................. 91
Diagrama 11 – Retificadores de precisão utilizados no sub-bloco conformador de sinal....... 92
Diagrama 12 – Diagrama esquemático do sub-bloco com a função de PID. ......................... 93
Diagrama 13 – Circuito PID não inversor simplificado. ....................................................... 94
Diagrama 14 – Circuito PID com os parâmetros distribuídos das impedâncias..................... 94
Diagrama 15 – Adaptação do circuito proposto para acionamento do módulo termoelétrico.
........................................................................................................................ 103
Diagrama 16 – Sentido das correntes durante um ciclo de resfriamento. ............................ 105
Diagrama 17 – Sentido das correntes no momento da reversão do fluxo da temperatura. ... 106
Diagrama 18 – Diagrama em blocos macro da proposta com amplificadores PWM. .......... 108
Diagrama 19 – Esquema macro do atuador e controlador com o amplificador de potência
diferencial e não-balanceado. ........................................................................... 110
Diagrama 20 – Esquema elétrico do ramo positivo do amplificador de potência. ............... 111
Diagrama 21 – Esquema elétrico do ramo negativo do amplificador de potência. .............. 112
Diagrama 22 – Esquema com os parâmetros distribuídos do circuito térmico do ODT, em
respeito ao elemento aquecedor........................................................................ 120
Diagrama 23 – Esquema com as distribuições do circuito térmico do ODT, em respeito ao
elemento de resfriamento (célula de Peltier). .................................................... 121
Diagrama 24- Esquema de testes de degrau térmico........................................................... 135
Figura 1 – Aspecto básico de um link WDM........................................................................ 29
Figura 2 – Regulador de Watt. ............................................................................................. 33
Figura 3 – Diagrama de blocos de um sistema em malha aberta........................................... 34
Figura 4 – Diagrama de blocos de um sistema em malha fechada. ....................................... 35
Figura 5 – Resposta da variável controlada no domínio do tempo........................................ 35
Figura 6 – Diagrama de blocos de um sistema em malha fechada. ....................................... 36
Figura 7 – Diagrama em blocos macro do sistema proposto................................................. 42
Figura 8 – Esquema básico para ensaios do ODT................................................................. 53
Figura 9 – Diagrama em blocos matemático do ODT sob estudo, para simulação. ............... 63
Figura 10 – Diagrama em blocos de um controlador de frequência do tipo PLL................... 71
Figura 11 – Diagrama em blocos da aplicação do conceito PLL neste trabalho. ................... 72
Figura 12– Circuito proposto na aplicação do PLL. ............................................................. 73
Figura 13 – Diagrama em blocos do circuito........................................................................ 74
Figura 14 – Temporização das entradas e saídas do comparador de fase utilizado em ambiente
de simulação computacional. Diferença de 100Hz entre os sinais de entrada. ..... 76
Figura 15 – Temporização das entradas e saídas do comparador de fase utilizado em ambiente
de simulação computacional. Diferença de 50Hz entre os sinais de entrada. ....... 77
Figura 16 – Saída de U6, quando acionado por Vy<Vx (do centro à esquerda) e quando
Vy>Vx (porção à direita). .................................................................................. 81
Figura 17 – Ampliação do trecho do transiente onde Vy < Vx. ............................................ 82
Figura 18 – Ampliação do trecho do transiente onde Vy > Vx. ............................................ 83
Figura 19 – Circuito utilizado na simulação de varredura de frequência............................... 84
Figura 20 – Forma de onda obtida na saída de U6 (U4 no circuito de simulação), com uma
varredura FM de 100Hz. .................................................................................... 85
Figura 21 – Forma de onda real de saída para fx > fy. Canal Vertical: 1V/div; Horizontal:
2ms/div. ............................................................................................................. 86
Figura 22 – Forma de onda real de saída para fx < fy. Canal Vertical: 1V/div; Horizontal:
2ms/div. ............................................................................................................. 86
Figura 23 – Diagrama funcional do bloco restaurador conformador DC............................... 90
Figura 24 – Resposta do integrador para o arranjo 1 do circuito, em simulação computacional.
.......................................................................................................................... 96
Figura 25 – Bode plot para magnitude e fase, do arranjo 1 do circuito.................................. 96
Figura 26 – Resposta do integrador para o arranjo 2 do circuito, em simulação computacional.
.......................................................................................................................... 97
Figura 27 – Bode plot para magnitude e fase, do arranjo 2 do circuito.................................. 97
Figura 28 – Resposta do integrador para o arranjo 3 do circuito, em simulação computacional.
.......................................................................................................................... 98
Figura 29 – Bode plot para magnitude e fase, do arranjo 3 do circuito.................................. 98
Figura 30 – Temporização de um circuito amplificador PWM. .......................................... 109
Figura 31 – Formas de onda reais, capturadas nas saídas com carga resistiva. A linha central é
0V, o traço superior é a saída OUT+ e a inferior a saída OUT –. Tempo por
divisão horizontal de 1ms. Vertical: 10V/div.................................................... 113
Figura 32 – Formas de onda capturadas nas saídas com carga resistiva. A linha central é 0V, o
traço superior é a saída OUT+ e a inferior a saída OUT –. Tempo por divisão
horizontal de 1ms. Vertical: 10V/div. ............................................................... 114
Figura 33 – Representação do efeito Seebeck-Peltier. ........................................................ 115
Figura 34 – Funcionamento de uma célula Peltier comercial.............................................. 115
Figura 35 – Esquematização dos atuadores, controladores e planta. ................................... 117
Figura 36 – Imagem termográfica do ODT, com o aquecedor já em estado estacionário. ... 123
Figura 37 – Imagem termográfica do ODT, com o elemento Peltier já em estado estacionário.
........................................................................................................................ 123
Figura 38 – Aspecto 3D do layout da placa do restaurador DC. ......................................... 133
Figura 39 − Transiente do ODT+Peltier pela simulação do circuito análogo térmico-elétrico.
........................................................................................................................ 153
Figura 40 - Proposta de compensação da variação da ressonância da cavidade original...... 154
Figura 41 - Sistema EDFL com compensação por atuadores termoelétricos. ...................... 155
Figura 42 – Perfil do conjunto atuador proposto, em corte. ................................................ 159
Figura 43 – Aspecto 3D da proposta do conjunto do atuador para o sistema EDFL. ........... 159
Figura 44 – Vista superior, explodida, para a proposta....................................................... 160

Foto 1 – Vista em detalhe do sensor de temperatura LM35, em encapsulamento TO-220,

próximo aos capacitores do tanque ressonador ajustado para a frequência de
operação............................................................................................................. 49
Foto 2 – Aspecto interno do ODT, feito em protótipo manualmente. ................................... 50
Foto 3 – Conexões do ODT: Superior esquerdo alimentação 10VDC, superior direito saída do
sensor, inferior, saída do sinal de 10MHz dependente de temperatura................. 51
Foto 4 – Perspectiva externa real do ODT............................................................................ 51
Foto 5 – Aparência real do ambiente de teste. ...................................................................... 53
Foto 6 – Imagem com o Elemento aquecedor acoplado ao ODT. ....................................... 116
Foto 7 – Vista superior da montagem do protótipo............................................................. 126
Foto 8 – Vista da parte anterior do protótipo...................................................................... 127
Foto 9 – Vista do painel frontal em fase de montagem....................................................... 127
Foto 10 – Aparência externa do sistema montado. ............................................................. 128
Foto 11 – Vista das conexões dos atuadores....................................................................... 128
Foto 12 – Vista em detalhe do apoio que garante pressão constante ao sistema, por intermédio
de molas entre a porca de fixação e a face superior do dissipador de calor. ....... 129
Foto 13 – Caixas de folha de alumínio de 0,5mm para acomodar o isolante térmico do tipo
espuma de polietileno....................................................................................... 129
Foto 14 – Caixa térmica terminada. ................................................................................... 130
Foto 15 – Placa do Oscilador de Frequencia de Referência (OFR) finalizada. .................... 130
Foto 16 – Aspecto da montagem do amplificador de potência............................................ 131
Foto 17 – Vista superior da placa do amplificador de potência........................................... 131
Foto 18 - Aspecto da placa extensora, usada para calibração e ajustes................................ 132
Foto 19 - Vista em detalhe da placa comparador de freqüência, já na posição respectiva no
backplane. Os conectores SMB fazem o acesso do sinal para o lado externo do
chassi. .............................................................................................................. 132

Gráfico 1 – Gráfico com as médias das medições efetuadas no ODT. .................................. 56

Gráfico 2 – Comportamento da temperatura do ODT quando aplicado um degrau térmico de
40°C. ................................................................................................................. 58
Gráfico 3 – Comportamento da frequência do ODT quando submetido a um degrau térmico
de 40°C. ............................................................................................................. 59
Gráfico 4 – Levantamento gráfico dos pontos notáveis para caracterização matemática do
sistema em malha aberta formado pelo ODT. ..................................................... 59
Gráfico 5 – Gráfico gerado no Simulink® para a Função de transferência do ODT.............. 61
Gráfico 6 – Simulação com condições iniciais reais............................................................. 62
Gráfico 7 – Comportamento da frequência em função do tempo, simulados em computador,
quando aplicado um degrau térmico de 40ºC. ..................................................... 63
Gráfico 8 – Gráfico da característica ideal para o discriminador em estudo.......................... 69
Gráfico 9 – Gráfico com o ganho do operacional TL592 configurado externamente. ........... 80
Gráfico 10 – Gráfico da simulação com o aquecedor. Aplicados 30W. .............................. 137
Gráfico 11 − Resposta para um degrau elétrico de 30W no elemento Peltier. ..................... 139
Gráfico 12 – Resposta da frequência pelo tempo para uma perturbação positiva, em malha
aberta. .............................................................................................................. 143
Gráfico 13 – Resposta da temperatura pelo tempo para perturbação positiva, em malha aberta.
........................................................................................................................ 143
Gráfico 14 – Comportamento frequência versus tempo, para perturbação negativa em malha
aberta. .............................................................................................................. 146
Gráfico 15 - Comportamento temperatura versus tempo, para perturbação negativa em malha
aberta. .............................................................................................................. 146
Gráfico 16 - Resposta da freqüência em malha fechada, com perturbação positiva............. 148
Gráfico 17 - Resposta da temperatura para uma perturbação positiva, em malha fechada. .. 148
Gráfico 18 - Comportamento da temperatura, aplicado uma perturbação negativa, em malha
fechada. ........................................................................................................... 149
Gráfico 19 - Comportamento temporal da frequência com a aplicação de uma perturbação
negativa, em malha fechada.............................................................................. 150
Gráfico 20 – Características térmicas do atuador termoelétrico utilizado............................ 151

Quadro 1 – Configuração das constantes do comparador de frequência................................ 88

Quadro 2 – Arranjos possíveis do barramento digital ou pela chave P3................................ 99
Quadro 3 – Arranjos possíveis com o barramento digital ou pela chave P3 (continuação). . 100
Quadro 4 – Relação entre as grandezas elétricas e térmicas, para simulação. ..................... 119
 LISTA DE SIGLAS

AWG American Wire Gauge

CC Corrente Contínua
CFLC Comparador de Frequencia Lógico Combinacional
DC Direct Current (Corrente Contínua)
DNB Diferencial Não-Balanceado
EDFL Erbium Dopped Fiber LASER
EMI Interferência eletromagnética
FTMA Função de Transferência em Malha Aberta
FWM Mistura de Quatro Ondas
GND Ground (Terra de um circuito)
GP-IB General Purpose Interface Bus
LC Indutor-Capacitor
NP0 Negative Positive Zero
ODT Oscilador Dependente de Temperatura
OFR Oscilador de Frequência de Referência
PID Proporcional Integral Diferencial
PLL Phase-Locked-Loop
PWM Pulse Width Modulation
SBS Espalhamento Brillouin Estimulado
SPM Auto Modulação de Fase
SRS Espalhamento Raman Estimulado
TTL Transistor Transistor Logic
VDC Tensão de corrente contínua.
WDM Wavelength Division Multiplex
XPM Modulação de Fase Cruzada
 ÍNDICE

1 INTRODUÇÃO ....................................................................................................19
1.1 OBJETIVOS ................................................................................................................ 20
1.2 JUSTIFICATIVAS....................................................................................................... 22
1.3 METODOLOGIA ........................................................................................................ 22
1.4 ESTRUTURA DO TRABALHO.................................................................................. 24
2 REVISÃO DA LITERATURA ............................................................................26
3 SISTEMAS WDM ................................................................................................29
3.1 EFEITOS LINEARES .................................................................................................. 30
3.1.1 Absorção ................................................................................................................... 30
3.1.2 Espalhamento ........................................................................................................... 30
3.1.3 Curvaturas................................................................................................................ 31
3.1.4 Dispersão .................................................................................................................. 31
3.1.5 Dispersão Material ................................................................................................... 31
3.1.6 Dispersão na Guia de Onda ..................................................................................... 31
3.2 EFEITOS NÃO LINEARES......................................................................................... 32
4 SISTEMAS DE CONTROLE ..............................................................................33
4.1 SISTEMAS EM MALHA ABERTA ............................................................................ 34
4.2 SISTEMAS EM MALHA FECHADA ......................................................................... 34
4.3 MODELAGEM MATEMÁTICA DE SISTEMAS DINÂMICOS ................................ 36
4.3.1 Diagrama de blocos .................................................................................................. 36
4.3.2 Função de Transferência em Malha Aberta (FTMA)............................................. 37
4.3.3 Função de Transferência em Malha Fechada (FTMF)........................................... 37
4.4 REALIMENTAÇÃO NEGATIVA POR FREQUÊNCIA ............................................. 38
5 SISTEMA PROPOSTO........................................................................................42
5.1 OSCILADOR DEPENDENTE DE TEMPERATURA – ODT...................................... 43
5.1.1 Oscilador a cristal piezoelétrico. .............................................................................. 43
5.1.2 Oscilador Hartley LC............................................................................................... 45
5.1.3 Caracterização do dispositivo ODT......................................................................... 52
5.1.4 Identificação da FTMA ............................................................................................ 56
5.2 OSCILADOR DE FREQUENCIA DE REFERÊNCIA – OFR ..................................... 64
5.3 COMPARADOR DE FREQUENCIA .......................................................................... 66
5.3.1 Discriminador Foster-Seeley.................................................................................... 67
5.3.2 Detector do tipo PLL................................................................................................ 71
5.3.3 Comparador de frequência lógico combinacional................................................... 74
5.4 CONFORMADOR E RESTAURADOR DC ................................................................ 89
5.5 CONTROLE DE POTÊNCIA .................................................................................... 101
5.5.1 Amplificador classe AB com realimentação por corrente. ................................... 102
5.5.2 Amplificador PWM com acionamento diferencial................................................ 107
5.5.3 Amplificador linear com acionamento diferencial não-balanceado - DNB.......... 110
5.6 ATUADORES............................................................................................................ 114
5.6.1 Célula Peltier .......................................................................................................... 114
5.6.2 Elemento Aquecedor .............................................................................................. 116
5.6.3 Interfaces Térmicas com o ODT. ........................................................................... 117
5.6.4 Diagrama de irradiação do dissipador de calor e ODT ........................................ 122
6 ASPECTOS CONSTRUTIVOS DO SISTEMA ................................................125
6.1 MONTAGEM DO PROTÓTIPO................................................................................ 125
6.2 CONFECÇÃO DAS PLACAS DE CIRCUITO IMPRESSO ...................................... 129
7 CARACTERIZAÇÃO – RESULTADOS ..........................................................134
7.1 CARACTERIZAÇÃO DAS RESPOSTAS TERMICAS ............................................ 134
7.1.1 Caracterização da resposta térmica a degrau elétrico dos atuadores. ................. 134
7.1.2 Testes com perturbações externas, em malha fechada ......................................... 141
7.2 COMPARAÇÃO COM AS CONSIDERAÇÕES TEÓRICAS.................................... 151
8 ESTUDO DE CASO – APLICAÇÃO NO AMBIENTE EDFL ........................154
9 CONCLUSÃO ....................................................................................................161
APÊNDICE – ESQUEMAS ELÉTRICOS......................................................................168
ANEXO – CARTA DE ANUÊNCIA DE USO DE PATENTE.......................................176
 19

1 INTRODUÇÃO

As comunicações, em seu sentido mais amplo, sempre foram um dos mais

importantes campos de estudo da Ciência. Desde o final do século XIX, as comunicações por
intermédio de meios eletromagnéticos tem sido objeto de muitas pesquisas, com relevantes
descobertas para a evolução da civilização. Com a publicação da Teoria Matemática da
Comunicação (SHANNON, 1948), as comunicações no domínio de tempo discreto, ou
comunicações digitais como são mais conhecidas, tiveram um impulso sem precedentes em
seu desenvolvimento, tendo sempre como metas: a concentração da maior quantidade de
informação em um menor espaço físico; fazer com que esta comunicação seja transmitida de
maneira segura, no menor tempo possível e, obviamente, com o menor custo possível.
Para atingir todas estas metas com sinais eletromagnéticos não-guiados, ou
seja, propagados ao ar livre, encontra-se um desafio muito grande, pois se tem uma gama
operacionalmente finita de frequências nas quais os sinais podem ser enviados, sem que uma
transmissão interfira em outra. Isso significa que dois sinais não podem ser transmitidos no
espaço livre, simultaneamente, na mesma frequência e ao mesmo tempo, sem que ocorram
perturbações que comprometam sua inteligibilidade para o destino. Outra consideração
importante é o fato de que os sinais de diferentes frequências possuem comportamentos de
propagação radicalmente diferentes, sendo algumas vezes difícil manter a efetividade do
canal. Uma das alternativas é a de transmitir estes sinais em meios guiados, confinando os
sinais a uma via não ambígua de transmissão. Nesse caso podem ser utilizados dois meios:
condutores elétricos, transmitindo ondas eletromagnéticas em sua forma elétrica; ou
utilizando-se de fibras ópticas, quando se transmite sinais eletromagnéticos por intermédio de
um feixe de luz de comprimento(s) de onda adequado(s), com a devida modulação da
informação a ser transmitida. Os condutores elétricos possuem dois fatores importantes que
os fazem menos vantajosos que as fibras ópticas: Perdas devido à resistência ôhmica do cobre
e o custo do condutor em si. Assim, para comunicações guiadas em taxas de transmissão
muito altas, usa-se a fibra óptica. A fibra óptica, de uma maneira geral (ROGERS, 2001)
consiste em um filamento produzido com vidro ou sílica, com aproximadamente 0,1mm de
diâmetro. À volta deste condutor de luz, é colocada uma capa de forma a protegê-la, de
acordo com o ambiente na qual ela estará sujeita (fatores ambientais, interferência mecânicas,
temperatura, pressão, etc.).
 20

A luz (já modulada pela informação) pode ser guiada e então transmitida
aplicando-se, por intermédio de dispositivos transdutores (que transformam sinais elétricos
em luz - fotodiodos, diodos LASER), um feixe de luz em uma de suas extremidades, e na
outra extremidade este feixe de luz é captado e convertido novamente em sinais elétricos
através de dispositivos transdutores (transformam os pulsos de luz em sinais elétricos
correspondentes). Para aperfeiçoar ainda mais o aproveitamento de cada fibra –
aproveitamento refere-se à capacidade de se concentrar a maior quantidade de informação em
um meio, de forma a ser transmitida com maior rapidez e eficiência – foi criado o sistema
WDM (Wavelenght Division Multiplex), onde, através de um sistema apropriado de
modulação, um feixe de luz com diversos comprimentos de onda de luz, cada um contendo
uma informação independente, é aplicado em uma fibra óptica, obtendo-se assim diversos
“canais” de comunicação em um só meio físico de propagação, guiado e protegido. Pelo seu
princípio de operação, o WDM possibilita o tráfego de comprimentos de onda distintos com
formatos de modulação distintos, sendo o próprio comprimento de onda da luz a forma de
“isolação” entre os canais transmitidos (CAMPELO, 2001). Há um grande esforço em
pesquisa e desenvolvimento em transmissão de dados via fibra óptica. Com a crescente
necessidade de se transmitir mais dados e em um menor tempo, viu-se a necessidade de
desenvolver novas fontes ópticas ultra-rápidas.
Existe um estudo científico em desenvolvimento (DIAS, 2008) que visa
analisar a estabilidade do acoplamento de um laser a fibra dopada com érbio com pulsos de
alguns femtossegundos e taxa de 10GHz para ser utilizados em sistemas WDM. Conforme o
autor desse estudo, para se conseguir uma taxa de transmissão da ordem de 10GHz, a
estabilidade térmica e o sincronismo são fatores importantes para o correto funcionamento do
sistema. Dimensionando adequadamente um controle de temperatura neste sistema, proposta
deste trabalho, pode-se minimizar os efeitos das variações de frequência que são decorrentes
das variações térmicas internas e externas ao sistema, mantendo-se a alta taxa de transmissão
inicialmente atingida no ajuste ótimo do sistema.

1.1 OBJETIVOS

No sistema de modulação WDM com laser de pulso ultracurto e fibra óptica

dopada com Érbio, verificou-se, através dos estudos efetuados em um sistema experimental
 21

real EDFL Erbium Dopped Fiber LASER (DIAS, 2008), que uma variação de 1ºC na
temperatura ambiente resulta em uma dilatação no comprimento da cavidade de
aproximadamente 207 µm, que em conseqüência, causa um desvio de 185Hz na ressonância
da cavidade óptica. Essa variação resulta na redução da largura de banda, reduzindo a
capacidade de transmissão do sistema, após algum tempo depois de ajustado.
Sabendo-se os fatores que influenciam na estabilidade do sistema EDFL sob
estudo, e conseqüentemente na sua largura de banda, e relacionando-se a variação desta,
pode-se desenvolver um sistema capaz de compensar os efeitos indesejáveis, mantendo a
ressonância óptica da cavidade do modulador, recuperando a largura de banda que seria
reduzida devido aos efeitos térmicos e não-lineares.
Após os estudos teóricos realizados com o auxílio da bibliografia disponível,
será elaborado um dispositivo que, através do sinal de frequência oriundo do sistema real (o
sinal de feedback do sistema) controlará a temperatura de um trecho da fibra, através de
atuadores termoelétricos (aquecendo ou resfriando ativamente), provocando uma dilatação ou
retração no comprimento deste trecho de fibra fazendo com que a ressonância da cavidade
óptica seja mantida. Assim, espera-se estabilizar a largura de banda do sistema ativamente.
O conceito do projeto consiste em comparar a frequência de realimentação
com uma frequência de referência conhecida. Conforme a frequência do sinal da
realimentação diminui, o atuador resfria um trecho da fibra da cavidade, esta se contrai
proporcionalmente, e assim o comprimento total da fibra diminui até que o sinal de
realimentação seja da mesma frequência de referência previamente estipulada.
Reciprocamente, caso esta frequência de realimentação aumente, o sistema aplica temperatura
a este trecho da fibra, ela se dilata, até que a frequência de realimentação fique igual à
frequência de referência. Estes resultados serão colhidos em um ambiente real, com o
dispositivo real em funcionamento, e comparados com os resultados teóricos.
Como não existe acesso direto ao sistema EDFL real, será proposto um
oscilador dependente de temperatura, doravante chamado ODT, que simula o comportamento
deste sistema, para a verificação de desempenho e efetuar o levantamento das características
do controlador e atuador, objetos deste estudo. Com os resultados obtidos, será feito um
estudo de caso com o sistema EDFL real.
 22

1.2 JUSTIFICATIVAS

Aperfeiçoar o desempenho de um sistema de grande eficiência de transmissão

de dados em altas taxas, para aplicações em telecomunicações de dados em alta velocidade,
estudado pelo Laboratório de Fotônica da Universidade Presbiteriana Mackenzie. Tal sistema
futuramente pode representar um grande salto tanto no desempenho, como na relação custo-
benefício de sistemas de comunicação de altas taxas de transferência de dados, como Internet
de alta velocidade, televisão digital de alta definição, tráfego de dados de telemetria,
aeroespaciais, militares, e etc. O desenvolvimento do dispositivo de controle será um
importante complemento de um projeto de doutorado desenvolvido na Universidade
Presbiteriana Mackenzie. Outro ponto importante é que o sistema proposto altera somente o
ponto de origem do sinal, o que significa que a base já instalada pode ser usada para a
transmissão, porém com maior aproveitamento. O controle da temperatura tem como objetivo
mitigar os efeitos colaterais da dilatação física da fibra e outros efeitos não-lineares, conforme
estudado por (DIAS, 2008).

1.3 METODOLOGIA

O projeto será feito através de estudos teóricos com a literatura disponível, e

uma busca mais intensa por dados de sistemas similares, com suas funções de transferências
conhecidas, ganhos envolvidos, etc., e serão avaliados os pontos críticos que demandam
maior concentração de esforços, efetuando montagens de protótipos e avaliando os dados
preliminares obtidos. Nas análises preliminares da literatura, conforme (NETO et al., 2008),
a forma como a realimentação será extraída tem maior relevância, pois afeta diretamente a
estabilidade do sistema É através da realimentação que o sistema recebe a informação da
planta (cavidade óptica com o EDFL, ou o sistema simulador deste), em forma de um sinal da
qual a frequência é o parâmetro que se deseja utilizar. Após análise bloco a bloco do sistema,
será iniciada a construção e validação do desempenho destes blocos funcionais –
amplificadores, comparadores – primeiramente com avaliações teóricas das plataformas que
serão utilizadas, e posteriormente (depois das eventuais recursões necessárias) a montagem
dos dispositivos e elaboração dos relatórios de testes. Assim, de forma empírica, pode-se
 23

comparar a função de transferência teórica com o comportamento real do sistema, e controlar

a temperatura de um elemento termoelétrico – no caso uma célula Peltier, para resfriamento, e
um resistor de potência, para aquecimento, ambos termicamente acoplados à planta. Como
não foram encontrados estudos com dados suficientes que possam auxiliar no projeto, será
construído um protótipo do bloco que simula a planta real – ODT. Através dele serão feitos
levantamentos da temperatura ideal de trabalho, bem como a curva de resposta de
temperatura.
A construção física do sistema como um todo, após a conceituação teórica,
seguirá basicamente a seguinte seqüência: Idealizar o bloco que simula a planta, analisando as
melhores maneiras de se construir o dispositivo ODT, para que este tenha as características da
planta real (cavidade óptica com EDFL); construir o bloco ODT, de forma a simular o
comportamento observado nos estudos realizados em (DIAS, 2008); caracterizar o dispositivo
através de dados experimentais, determinando as funções de transferência que regem o
comportamento frequência versus temperatura. Idealizar o diagrama em blocos do sistema
macro, seus requisitos mínimos e, utilizando-se dos conceitos básicos de teoria de controle
(NISE, 1995), conceituar quais serão os sub-blocos do sistema de controle necessários para
executar as funções de controlador, comparador, referência, atuador, etc. A partir de então,
estudar as topologias de circuitos que possam executar estas funções para atender os
requisitos mínimos do sistema (DORF, BISHOP, 2001).
Com base nos dados e resultados destas analises, construir um sistema de
controle que compreenderá em desenvolver um conjunto mecânico protótipo (basicamente
um chassi de equipamento) que irá abrigar o ODT, os atuadores termoelétricos, fontes de
alimentação, controladores, oscilador de frequência de referência OFR, sensores de
temperatura, e o comparador de frequência. Com o sistema montado e em funcionamento,
será verificada a sua eficácia em termos de estabilidade, tempo de resposta e erro de estado
estacionário, pela apresentação dos resultados obtidos no experimento e a aplicação em um
sistema real. Comparar os resultados teóricos obtidos previamente, com a aplicação no
sistema real, e efetuar os ajustes e aproximações que se fizerem necessárias, de forma a
existir coerência entre os resultados práticos e teóricos, que atendam os requisitos mínimos.
Serão apresentadas as características de todos os componentes que serão
utilizados no dispositivo, direta ou indiretamente, tais como: atuadores termoelétricos,
comparadores, amplificadores, perturbações/instabilidades, tipos de sistemas de controle –
malha aberta e malha fechada, idéia proposta e construção eletromecânica, com datasheets e
técnicas de aplicação.
 24

1.4 ESTRUTURA DO TRABALHO

O presente trabalho foi estruturado em nove capítulos, sendo o primeiro, que

inclui este tópico, dedicado à introdução ao tema, onde são explanadas as linhas gerais,
histórico, a motivação e o escopo da pesquisa, bem como quais foram os métodos utilizados
para a sua execução e diagramação. O segundo capítulo trata da abordagem literária da
pesquisa, citando as fontes de informação utilizadas, e como estas delinearam os passos
subseqüentes na execução do trabalho, sob o ponto de vista teórico e prático. O terceiro
capítulo é uma abordagem básica de sistemas de comunicação com fibras ópticas, seus tipos e
como o presente trabalho pretende auxiliar na melhoria do desempenho do sistema de
modulação WDM.
O quarto capítulo aborda a Teoria Básica de Controle Moderno, que é a
espinha dorsal do trabalho, pois mediante a aplicação destes conceitos se pretende efetuar a
melhoria de desempenho descrita no capítulo anterior. A realimentação negativa por
frequência neste capítulo está em destaque, pois é a partir dela que o sistema opera de forma a
estabilizar o erro. No quinto capítulo está descrita em detalhes as etapas de conceito e
execução do projeto, tanto dos estudos e analises que obtiveram êxito, bem como algumas
que infelizmente falharam, mas que foram fundamentais para que se pudesse atingir o
objetivo macro do projeto. Ele se inicia com um diagrama em blocos geral do sistema, e no
decorrer das páginas entra nas minúcias dos sub-blocos, explanando em detalhes as etapas de
conceito, teste e validação dos circuitos. Para melhor entendimento e distribuição dos tópicos,
os circuitos foram analisados individualmente, por isso o quinto capítulo se subdivide
basicamente por cada um destes blocos. Todos os aspectos teóricos e práticos envolvidos na
sua execução, que puderam ser detectados e abstraídos durante a pesquisa são expostos, e
algumas considerações sobre os fatos decorrentes da interação entre os blocos, e alguns
resultados práticos obtidos em testes preliminares.
No sexto capítulo, a abordagem é sobre o aspecto real do equipamento, sua
montagem. Este capítulo pode ser considerado como um pequeno guia de montagem. No
capítulo sete estão descritos os resultados da caracterização prática do sistema, sua interação
com a planta do ODT (que simula o ambiente real EDFL), e algumas interpretações dos
resultados são alinhadas com as expectativas iniciais do projeto. Assim, no capítulo oito, a
partir das considerações feitas com base nos resultados práticos, é feito um estudo de caso
para o ambiente real, e são propostas algumas melhorias para as deficiências encontradas no
 25

sistema. No capítulo nove, último capítulo deste trabalho, estão as considerações finais e as
metas que foram alcançadas pela pesquisa que, por ter um cunho objetivo e prático, possui
aspectos positivos e negativos, sendo que muitos deles somente foram detectados em estágios
avançados do andamento; sucintamente procura fomentar perspectivas para a continuidade do
estudo.
 26

2 REVISÃO DA LITERATURA

O sistema de modulação WDM, ao qual o presente trabalho se propõe a

aprimorar, utiliza uma fonte LASER em 980nm e outro em 1480nm (DIAS, 2008), e aplica a
uma fibra dopada com érbio em um sistema de laço fechado, um pulso de duração ultracurta,
em uma alta taxa de repetição, obtendo assim uma largura de faixa extremamente alta,
desenvolvido por (CAMPOS, SOUZA, 2008). A este conjunto dá-se o nome de cavidade. Um
isolador convenientemente posicionado faz com que a luz se propague em um só sentido
dentro deste laço fechado. Em outro ponto convenientemente escolhido, é aplicado o sinal
através de um modulador e este sistema apresenta uma ressonância natural óptica, em função
da presença dos acopladores de modo e do comprimento físico da fibra dentro do laço.
Efeitos lineares devido à atenuação e dispersão, e não-lineares devido à estrutura da fibra,
causam variações no comportamento do sistema, causando desvios da frequência previamente
ajustada. Estes desvios provocam a variação do acoplamento de modos, dessintonizando o
sistema em alguns kHz, pois os pulsos perdem sincronismo com o modulador e conseqüente
redução da largura de faixa. No sistema sob estudo, a frequência de ressonância da cavidade é
na ordem de 10MHz conforme as medições de (DIAS, 2008).
Nos estudos efetuados por (DIAS, 2008), foi possível relacionar
matematicamente a variação da sintonia da cavidade com a Temperatura com o comprimento
físico da fibra, e estudar alguns métodos para a compensação destes efeitos: Introdução de um
transdutor piezoelétrico que com um sinal oriundo de uma realimentação da saída do laser e
analisando o espectro obtido, atua-se no piezoelétrico e altera-se o comprimento da cavidade.
Porém permite o ajuste se for considerada somente a variação em faixa estreita, de somente
alguns kHz; outra abordagem é, a partir da própria frequência dos pulsos, em 10GHz,
estabilizar em fase o sistema na frequência fundamental dos pulsos. Por se tratar de circuito
de frequência muito alta, os equipamentos e pessoal para operá-lo são muito especializados e
caros, não são viáveis economicamente, e foram descartados, conforme o autor.
Também foi avaliada, a retirada de 30% do sinal para ser comparado com a
frequência natural da cavidade, e através de uma rotina computacional, o oscilador mestre
(em 10GHz) possuía um elo em fase com a ressonância em 10MHz, recebendo a informação
usando um protocolo GP-IB®. Novamente o sistema, por operar com equipamentos de alta
performance, teria um custo muito alto.
 27

Uma nova abordagem então foi proposta, sendo que o tema deste trabalho
justamente é destinado a pesquisar, executar e avaliar o desempenho desta nova concepção de
estabilização da ressonância da cavidade: Sabendo-se a variação do comprimento físico de
um trecho da fibra com a temperatura (dentro da cavidade), e a conseqüente dessintonia da
frequência correspondente, pode-se estudar uma função de transferência, em malha fechada,
que relacione ambas as grandezas, e através de um controlador e atuador conveniente efetuar
a correção progressiva deste erro, ao longo do tempo. E um transdutor. O transdutor consiste
em um fotodiodo na derivação de 30% do sinal do elo e um filtro passa-baixas de segunda
ordem de acordo com (FRANCO, 1988), com amplificador operacional rail-to-rail de alta
velocidade. A frequência de corte proposta é de 10MHz, sendo que na execução desta, um
circuito já estava sob teste na aplicação. Após o filtro, uma das abordagens seria aplicar a
saída a um comparador de frequência, que em uma de sua entrada possui a frequência de
referência pré-ajustada, e na outra o sinal vindo do sistema (realimentado).
O comparador de frequência, bloco principal deste sistema, foi conceituado
com base em uma patente norte-americana (BUCKNER, 1977), já em domínio público, em
que dois sinais distintos, com amplitude fixa e frequência desconhecida são comparados,
produzindo na saída deste dispositivo um sinal cuja tensão tem relação direta com a diferença
entre os sinais. Esta diferença é o sinal de erro do sistema (DORF, BISHOP, 2001), que
depois de devido tratamento e amplificação é aplicado à planta, compensando o erro. A saída
do comparador poderia ser aplicada em um controlador PID conforme (NISE, 1995) –
Proporcional Integral Diferencial, de forma a atuar no sistema convenientemente e ter uma
resposta rápida e precisa.
O sinal que sai do bloco comparador possui algumas deficiências que o impede
de ser aplicado ao controlador diretamente, exigindo um tratamento para restabelecer a
simetria, e o nível de deslocamento DC apropriado, conforme (LENK, 1974). Para isso dois
retificadores de precisão foram utilizados, conforme a aplicação sugerida por (FRANCO, op.
cit.). Neste bloco foi incluído um pequeno controle PID analógico, na tentativa de melhorar a
resposta em malha fechada do sistema.
O controlador, por sua vez, poderá ser do tipo DC diferencial referenciado por
corrente como o desenvolvido por (NETO et al., 2008), ou utilizando um controlador-
ceifador de acordo com (LENK, op. cit.), sendo que no primeiro a estabilização da parte de
controle, por usar uma referência cuja frequência de variação (proporcional à variação
incremental da frequência da derivação em 10MHz) é baixa, da ordem de centésimos de
Hertz, o que acarreta problemas de estabilização. O sistema ceifador, proposto em (LENK,
 28

1974), permite o controle em frequências de variação muito baixas, utilizando um sistema

ceifador (chopper). Porém uma análise inicial feita em (BROWN, 1990) indica que um
sistema PWM (pulse width modulation) se mostre mais apropriado, pela própria eficiência
energética e estabilidade a variações de longo período de duração. Porém como resultado
final será usado um sistema de amplificador linear, pela simplicidade de dimensionamento e
ausência de irradiação de espúrios.
Para o atuador, a proposta é utilizar uma célula Peltier, em conjunto com um
elemento aquecedor (resistor de potência). A célula Peltier é um dispositivo termoelétrico
semicondutor, através de circulação de corrente em sua estrutura, transfere calor de uma
superfície para a outra (NOLAS, SHARP, GOLDSMID, 2001), com um dispêndio de energia
proporcional (efeito descoberto por Jean-Charles Peltier em 1834). Acoplada termicamente à
célula Peltier está um robusto dissipador de calor, destinado a mantê-la dentro da sua região
segura de operação. Será necessário modelar a característica térmica deste dispositivo, de
forma a entender e aperfeiçoar o comportamento dinâmico do conjunto conforme sugerido
em (SELF, 1997) com sua capacitância térmica associada.
Então se coloca o ODT sob a influência térmica do dispositivo termoelétrico
(conjunto atuador-dissipador). Com o sinal do controlador pode-se atuar, através da
circulação de corrente na célula (que é proporcional à variação de frequência da ressonância
da cavidade), modificando a temperatura do ODT, alterando sua frequência, estabilizando o
sistema. Para esta determinação de operação, alguns sensores térmicos semicondutores serão
utilizados, podendo-se ainda estabelecer um limiar entre a transição da temperatura no
dispositivo, e sua interferência no ambiente (onde ficam os dispositivos da cavidade).
Espera-se que, através do estudo e execução deste método de controle, seja
possível estabilizar o sistema como um todo, compensando também os efeitos não-lineares
associados ao sistema EDFL e o laço de modulação em si, estudado por (DIAS, 2008).
Este processo, segundo analise inicial (NETO et al., 2008) irá se repetindo e,
no caso ideal, reduzindo-se até ser praticamente inalterado, considerando que o sistema não
sofra perturbações externas. No caso de perturbações, o sistema deve atuar de forma a
novamente compensar a variação decorrida neste intervalo entre o sistema estável e a
aplicação ou surgimento da perturbação.
 29

3 SISTEMAS WDM

Como já visto anteriormente, a crescente demanda por comunicação resultou

na necessidade de obterem-se novas tecnologias que pudessem absorver uma grande
quantidade de sinal transmitido, utilizando-se da mesma infra-estrutura existente, sendo nesse
caso, os cabos de fibra ópticos. Uma das tecnologias desenvolvidas, ocorrida em 1980 e que
se trata de uma técnica de multiplexação, é o sistema WDM (Wavelenght Division
Multiplexing). Basicamente o sistema WDM consiste em agrupar em uma mesma fibra vários
sinais com comprimentos de ondas diferentes. Esses sinais são gerados por fontes
independentes e, após a transmissão de forma agrupada, são separados novamente. O aspecto
básico pode ser visto na Figura 1.

DEMUX
MUX

Figura 1 – Aspecto básico de um link WDM.

Fonte – Adaptado de AGRAWAL, G. P (2002, p.54).

Utilizando-se essa técnica é possível aumentar a capacidade de transmissão

aproveitando-se melhor a largura de banda disponível nas fibras, porém, com essa tecnologia
não é possível atingir a máxima largura de banda, uma vez que se consegue somente a
multiplexação de poucos comprimentos de onda.
 30

3.1 EFEITOS LINEARES

Nas propagações em fibras ópticas, os sinais encontram características físicas

que degradam o sinal que está sendo transmitido. Chamamos de efeitos lineares quando a
degradação do sinal não depende da potência do sinal óptico. Essas degradações acabam por
limitar a distância dos sistemas de transmissão.
Para se determinar a distância máxima em um sistema de transmissão óptico, calcula-
se a perda de potência que ocorrerá nesse sistema. Como o receptor necessita de uma potência
mínima para interpretar o sinal, consegue-se com a equação apresentada abaixo definir a
distância máxima dos sistemas (AGRAWAL, G. P., 2001).

P(L) = P(0).e.-αpL (Eq. 1)

3.1.1 Absorção

Na construção de fibras ópticas não se consegue utilizar um material completamente

transparente. Essa transparência parcial do vidro acaba incorrendo na absorção parcial da luz.
Outro tipo de absorção pode ser causado pelas imperfeições presentes na estrutura do durante
a fabricação. A esses tipos de absorções chamamos de intrínseca.
Outra causa de absorção, chamada de absorção extrínseca, é gerada pelas impurezas
presentes no material que ocorrem durante o processo de fabricação. O tipo mais comum de
impureza na fibra de sílica é o íon OH-, que em outras palavras, podemos chamar de umidade
presente nas fibras.

3.1.2 Espalhamento

O espalhamento é a mudança de uma razão de luz de um modo de propagação para

outro modo. Causados fundamentalmente pelas imperfeições na estrutura do guia de onda e
pela matéria-prima, os novos modos de propagação são fracamente guiados pelo núcleo.
 31

3.1.3 Curvaturas

Existem dois tipos de curvatura. A primeira, chamada de micro-curvaturas, tem sua

origem no processo de fabricação da fibra. A segunda, macro-curvaturas, são originadas
durante o procedimento de instalação do cabo de fibra óptica. Nesse tipo de efeito linear há
perda de potência quando a luz se propagando na fibra forma um ângulo inferior ao ângulo
crítico para haver reflexão durante as curvaturas encontradas no caminho percorrido.

3.1.4 Dispersão

Diferentes velocidades de propagação na guia de onda entre os vários modos e

variação na largura de pulso dentro de cada modo, são chamadas de dispersão. Existem vários
tipos de dispersão, a combinação de todas elas é chamada de dispersão total da fibra.

3.1.5 Dispersão Material

As fontes de luz não emitem uma radiação perfeitamente monocromática. Como o

índice de refração varia com λ, as ondas vão se propagar com velocidades diferentes, o que
resultará no alargamento dos pulsos.

3.1.6 Dispersão na Guia de Onda

A constante de propagação de um modo é em função do comprimento de onda λ.

Ocorre devido às fontes luminosas não serem monocromáticas. As direções de propagação
correspondente ao comprimento de onda são diferentes da direção de propagação no centro
do guia de onda, resultando nas diferenças dos tempos de percurso dentro da fibra.
 32

3.2 EFEITOS NÃO LINEARES

Os efeitos não lineares ocorrem, igualmente aos efeitos lineares, quando da

propagação do sinal óptico na fibra, porém, nesse caso, o efeito depende da potência do sinal
transmitido. Esses efeitos devem ser considerados principalmente quando a distância de
transmissão aumenta significativamente. Há dois tipos principais de efeitos não lineares. O
primeiro são os espalhamentos inelásticos (Espalhamento Raman Estimulado – SRS e
Espalhamento Brillouin Estimulado – SBS). O segundo é a variação no índice de refração em
função da intensidade do sinal óptico. Essa variação gera os efeitos de modulação de fase
chamados de Auto-Modulação de Fase – SPM, Modulação de Fase Cruzada – XPM e a
Mistura de Quatro Ondas – FWM.
Os efeitos devido ao espalhamento tornam-se significativos acima de certos
limites de potência e acima de determinadas distâncias e resultam em transferência de
potência de um modo para outros modos.
 33

4 SISTEMAS DE CONTROLE

Os Sistemas de Controle fazem parte do dia-a-dia e se fazem presente em

numerosas aplicações ao redor da civilização, estando presente, inclusive, na natureza. O
corpo humano, por exemplo, é regido por vários desses sistemas, como por exemplo, o
pâncreas regulando o açúcar no sangue. No meio “não natural” o primeiro projeto relevante
em sistemas de controle foi o elaborado por James Watt. Construído no século XVIII, tratava-
se de um sistema centrífugo para regular a velocidade de uma máquina a vapor (Figura 2).
Esse sistema era puramente mecânico, porém o seu conceito foi a base para os sistemas
atualmente utilizados, onde a eletrônica e os computadores lógicos programáveis – CLP –
fazem todo o controle da máquina ou processo.

Figura 2 – Regulador de Watt.

Fonte – Adaptado de DORF, BISHOP (2001, p.4).

Um Sistema de Controle é composto de controladores e processos – plantas –

que tem como objetivo controlar as saídas dessa planta (NISE, 1995). Tomemos com
exemplo uma caldeira aquecida a gás. A saída desse processo é a temperatura, na qual se
deseja controlar, e os controladores á válvula e o atuador da válvula que variam o fluxo de
gás, ajustando dessa forma para a temperatura desejada. Nesse exemplo, a entrada do sistema
é a temperatura ajustada em um termostato e a saída a temperatura da caldeira.
 34

4.1 SISTEMAS EM MALHA ABERTA

Os sistemas de controle em malha aberta não possuem realimentação, isso

significa que a grandeza de saída não é medida nem utilizada para comparação com a
grandeza de entrada. Na utilização de sistemas em malha aberta não há como manter a
exatidão da variável controlada, sendo que essa fica sujeita a precisão de todo o sistema e a
interferências externas. Como o exemplo da Figura 3, podemos imaginar um simples
aparelho de ar condicionado. Nele ajustamos a temperatura de saída do ar, essa temperatura
ficará fixa, independente da real temperatura do ambiente. Interferências externas, como uma
porta aberta, afetarão na temperatura sentida, porém, não interferirão no ajuste do ar
condicionado.

Figura 3 – Diagrama de blocos de um sistema em malha aberta.

Fonte – Adaptado de Nise (1995, p.12).

4.2 SISTEMAS EM MALHA FECHADA

Sistemas com retroalimentação são chamados de sistemas em malha fechada e

constituem na utilização da variável controlada – variável de saída – para compará-la com o
sinal de entrada. Essa comparação irá gerar um sinal de erro, que é a diferença entre o valor
desejado e o valor real. Esse sinal é utilizado em um controlador de forma a reduzir a
diferença entre a variável de entrada e saída, colocando processo o mais próximo do valor
desejado. O diagrama de blocos de um sistema em malha fechada pode ser visto na Figura 4.
 35

Figura 4 – Diagrama de blocos de um sistema em malha fechada.

Fonte – NISE (1995, p.12)

Comparativamente, os sistemas em malha fechada são muitos sensíveis a

interferências externas e a variações provenientes dos componentes utilizados no processo.
Com isso, se torna factível projetar um sistema com relativa exatidão e com baixo custo, o
que é impossível se considerarmos um sistema em malha aberta.
Por outro lado, um sistema em malha fechada proporciona uma estabilidade
dificilmente conseguida com um sistema em malha aberta. Isso porque os sistemas em malha
fechada buscam constantemente a estabilidade do processo, corrigindo o erro entre o sinal de
entrada e saída e isso gera uma oscilação constante da variável controlada ao longo do tempo,
conforme ilustrado na Figura 5.

Figura 5 – Resposta da variável controlada no domínio do tempo

Fonte – Adaptado de Nise (1995, p.20).
 36

4.3 MODELAGEM MATEMÁTICA DE SISTEMAS DINÂMICOS

Em sistemas de controle, para podermos estudá-lo e analisá-lo, temos que

lançar mão da modelagem dos sistemas dinâmicos e de analisar suas características
dinâmicas. A modelagem matemática é representada com precisão por um conjunto de
equações, que traduz de forma matemática o sistema a ser estudado, seja ele mecânico,
elétrico ou biológico.
Os modelos matemáticos podem ter diferentes formas para representar um
sistema e seus diferentes usos são definidos pelo tipo de sistema de controle que será
representado. Por exemplo, em sistemas de controle lineares (uma entrada e uma saída),
quando se quer fazer análise de uma resposta transitória ou de uma resposta em frequência,
fazemos a análise através da representação por função de transferência.

4.3.1 Diagrama de blocos

Para facilitar o estudo de sistemas e controle, o sistema é transformado em

diagramas de blocos, dessa forma, representando cada um dos componentes funcionais em
blocos, sendo cada um desses um símbolo para uma operação matemática na qual o sinal de
entrada sofrerá atuação, gerando o sinal de saída de cada bloco.
Para representar com diagrama de blocos um sistema em malha fechada, se usa
a representação da Figura 6. Nela se vê claramente a saída C(s) retornando a um somador,
onde será comparada ao sinal de entrada R(s). Nesse caso o sinal de saída do sistema C(s) é
obtido pela multiplicação do sinal resultante do somador E(s) pela função de transferência do
sistema G(s).Para que o sinal de saída seja comparado ao sinal de entrada, é necessário ter
grandeza física igual à grandeza física do sinal de entrada. Para isso, no trecho de
realimentação, faz-se necessário o uso de um elemento físico, o qual possuiu uma função de
transferência representada por H(s).

Figura 6 – Diagrama de blocos de um sistema em malha fechada.

Fonte – Adaptado de NISE (1995, p.23)
 37

4.3.2 Função de Transferência em Malha Aberta (FTMA)

A função de transferência é uma equação matemática que representa o

comportamento do sinal de um determinado sistema. A FTMA relaciona o sinal de saída
diretamente com o sinal de entrada.

C ( s) (Eq. 2)
= G (s )
E ( s)

4.3.3 Função de Transferência em Malha Fechada (FTMF)

Quando o sistema é realimentado (Figura 6) a função de transferência leva em

consideração o H(s), sendo representado conforme indicado abaixo:

(Eq. 3)
C ( s) = G ( s ) E ( s )

E (s) = R(s) − B(s) (Eq. 4)

E ( s ) = R ( s ) − [H ( s )C ( s )]

eliminando-se o E(s), obtém-se

C ( s) = G ( s ){R ( s ) − [H ( s)C ( s)]}

ou

C (s) G ( s) (Eq. 5)
=
R ( s ) 1 + [G ( s ) H ( s )]
 38

4.4 REALIMENTAÇÃO NEGATIVA POR FREQUÊNCIA

Para o escopo deste trabalho, o sinal de retorno da planta tem grandeza de

frequência, isso significa dizer que esta é a variável que se deseja controlar. Para isso se faz
necessário transformar a frequência em um sinal que possa ser trabalhado pelo sistema,
compará-lo a uma referência conhecida, e a partir de então gerar o sinal de erro que irá atuar
na planta após atingir um nível de potência suficiente para isso. Para sinais de domínio
contínuo, a variação da fase ao longo do tempo provoca desvios de frequência (SCHWARTZ,
1968) que podem ser representados pela função de transferência (no domínio da frequência
complexa):

G ( jω ) = A(ω )e − jt 0ω (Eq. 6)

Primeiramente supondo-se que a frequência do sinal estudado não varia com o

tempo, ou seja, seu ângulo de fase tem uma velocidade angular constante, e este ângulo (θ)
corresponde à sua fase propriamente dita, pode-se facilmente entender que a frequência
instantânea é a derivada da fase (ângulo) em relação ao tempo.

dθ
ωi = (Eq. 7)
dt

Quando a velocidade angular de θ varia em função de alguma perturbação ou

forçadamente através de uma função f(t) periódica ou não, esta variação da velocidade
angular dentro de um ciclo somente, não provoca alteração da frequência ω. Num período de
equivalente a um 1/ω, sua integral, com ou sem a influência de f(t), tem o mesmo resultado
(DEUTSCH, 1951, p.260). Porém, quando esta variação se estende a um período superior a
um ciclo, se tem a variação de frequência (ω), também chamado frequência média ou
observada (SCHWARTZ, op. cit. p.130), pois f(t) tem um período superior a 1/ω, ou seja,
uma frequência inferior ao próprio ω.
(Eq. 8)
ω = ωi + Kf (t )

onde K é uma constante linear qualquer do sistema o que leva a compreender que função da
fase em relação ao tempo pode ser definida por:

θ (t ) = ∫ ωi dt =ω + θ 0 + K ∫ f (t )dt (Eq. 9)
 39

Então, pra detectar a variação de frequência ao longo do tempo, se faz

necessário detectar as variações de fase pontualmente, que se relacionem com a função f(t)
original. Uma consideração importante no sistema em estudo, é que a taxa em que a variação
de f(t) ocorre é muito inferior que a frequência fundamental em que o sistema opera (ω), ou
seja: f(t) < < ω (DIAS, 2008, p.62). Na Eq. 9, θ0 é a fase inicial do sistema, idealmente 0
radiano. A função dependente da derivada em função do tempo da variação de fase do sinal
vindo do sistema então pode ser descrita como uma função do tipo:

d 2θ (t ) dθ (t )
Aθ (t ) = K1 2
+ K 2 + K 3θ (t ) (Eq. 10)
dt
123 dt
123
f (t ) ωi

Na equação 10, os termos Ki (constantes) podem representar, num sistema real

(DUNN, 2000, não paginado), atrasos no tempo de propagação dos circuitos, bem como erros
na detecção do ponto de transição da fase, ou simplesmente o efeito do jitter no sistema, de
uma forma geral (acumulativa). O estudo da dependência dos Ki em função do tempo ou da
frequência não é escopo deste estudo. A derivada primeira de θ(t), ou ωi representa a
frequência instantânea desejada para o circuito, e derivada segunda de θ(t) representa a
variação do sinal capturado da planta em relação à própria ωi. Considerando Rθ(t) como
sendo uma entrada de referência conhecida, do tipo:

d 2ϕ (t ) dϕ (t )
Rϕ (t ) = P1 2
+ P2 + P3θ (t ) (Eq. 11)
1424 dt 3 dt
123
f (t ) ωi

Sob o ponto de vista prático, o objetivo do sistema é fazer com que Aθ(t) seja
idêntico à Rφ(t), ou seja, igual à entrada de referência. Os termos Pi representam constantes
análogas aos Ki da planta, mas agora atuantes no sinal de referência (Ki não tem relação direta
com Pi; não são dependentes, ao menos em analise inicial). A geração do sinal de erro para a
compensação do sistema, então se dá comparando ambas as fases da referência conhecida
com as fases do sinal da realimentação negativa (desconhecida). Assim, idealmente:

Rϕ (t ) − Aθ (t ) = 0
 40

Mas o que realmente ocorre é:

(Eq. 12)
Eθ (t ) = Rϕ (t ) − Aθ (t )

Considerando que tanto φ e θ, ao longo do tempo representam diretamente as

frequências da referência e da planta, respectivamente (pois integrando ambas em relação à dt
dentro do mesmo intervalo, se obtêm as respectivas frequências), pode-se aplicar a
transformada de Laplace, obtendo-se (NISE, 1995; DORF, BISHOP, 2001):

Eθ ( s) = Rϕ ( s) − Aθ ( s) (Eq. 13)

Substituindo nas equações 10 e 11, com os devidos arranjos, tem-se:

d 2θ (t ) dθ (t ) LAPLACE
K1 2
+ K2 + K 3θ (t )  → K1θ .s 2 + K 2θ .s + K 3θ
dt
123 dt
123
f (t ) ωi

d 2ϕ (t ) dϕ (t )
P1 2
+ P2 + P3ϕ (t )  → P1ϕ.s 2 + P2ϕ.s + P3ϕ
LAPLACE

1dt
23 dt3
12
f (t ) ωi

Eθ ( s) = P1ϕ.s + P2ϕ.s + P3ϕ − K1θ .s 2 + K 2θ .s + K 3θ

2
14442444 3 144424443
Rϕ Aθ

Que, aplicando-se o conceito da Eq. 5 para FTMF, fica:

Aθ
64447 4448
2
K θ .s + K 2θ .s + K 3θ G(s) (Eq. 14)
T (s) = 1 2 =
P1ϕ .s + P2ϕ .s + P3ϕ 1 + [G ( s ) H ( s )]
1 4442444 3
Rϕ

Supondo-se que Rφ é ideal, ou seja, P1φ.s2 = 0 e φ0 = 0rad, e considerando H(s) = 1, tem-se:

K1θ .s 2 + K 2θ .s + K 3 G(s)
T2 ( s ) = = (Eq. 15)
P2ϕ .s 1 + G (s)

T(s) na equação 14 representa então a função de transferência em malha

fechada FTMF, considerando-se todos os efeitos da referência e da planta, em que G(s)
representa a função de transferência em malha aberta geral do ramo direto do sistema,
incluindo atuador e planta, e H(s) o tratamento do sinal de realimentação, caso exista. Na
equação 15, T2(s) pode ser usado como artifício matemático na busca de soluções para
 41

simplificar o sistema, para posterior afinamento com base em T(s). Conforme (DORF, op.
cit.), esta estrutura pode ser usada, pois ela representa muitos dos sistemas de controle na
prática.
 42

5 SISTEMA PROPOSTO

O sistema proposto consiste em um equipamento que possa retirar uma parcela

da frequência de ressonância da cavidade, compará-la com uma referência preestabelecida, e
assim atuar termicamente em um trecho da cavidade de forma a compensar os efeitos
térmicos, caso a parcela retirada seja diferente da referencia desejada. Por intermédio da
Figura 7 abaixo, pode-se observar a estrutura macro do sistema, com seus blocos
constituintes, que serão explanados nas linhas subseqüentes.

Figura 7 – Diagrama em blocos macro do sistema proposto.

A entrada é uma referência de frequência conhecida, estabelecida pelo ajuste ótimo da

cavidade óptica ressonante. Para simplificação de entendimento, será assumido que esta
frequência é de 10MHz (na pesquisa original, o valor exato é 10,93MHz, conforme DIAS,
2008, p.63). Esta referência é então comparada com um sinal advindo de uma derivação da
saída da cavidade - sinal que está sendo realimentado - por um fotodiodo, e posteriormente
amplificado por um conformador de sinal do tipo Schmitt-Trigger, adquirindo amplitude
conveniente para ser aplicada ao comparador de frequência. Da saída do comparador de
frequência, se tem um sinal de amplitude proporcional correspondente à diferença entre o
sinal de referência e o sinal advindo da planta. Esta diferença é então deslocada por um
circuito de compensação, para que possa ser aplicada ao amplificador de potência. Após a
passagem pelo amplificador, o sinal possui potência suficiente para acionar os atuadores – o
elemento de aquecimento (resistor de potência) e o elemento de resfriamento (célula Peltier)
– que irão aplicar à planta, com devido acoplamento térmico, uma diferença de temperatura
de forma a fazer com que a planta retorne sua frequência natural pré-ajustada na temperatura
ambiente. Nos itens a seguir será explanado o funcionamento de cada um destes blocos em
 43

maiores detalhes, e os procedimentos assumidos para caracterização e obtenção dos

resultados tratados nos objetivos.

5.1 OSCILADOR DEPENDENTE DE TEMPERATURA – ODT

Para simplificar o processo de teste, sem afetar o ambiente real do EDFL

(planta real do sistema), que é de crítico ajuste e alinhamento (DIAS, 2008, p.62), está sendo
proposta aqui a construção de um dispositivo que possua o mesmo comportamento frequência
versus temperatura, observado no ambiente real de operação, para validar o funcionamento do
sistema de estabilização térmico, tema principal deste trabalho. O ODT torna-se a “planta
artificial” do sistema, um artifício de pequena escala, de forma a viabilizar os testes do
sistema comparador, controlador, atuador, etc., sem que para isso signifique uma perturbação
na planta real, para posterior implantação caso os resultados iniciais sejam satisfatórios.
A idéia consiste em construir um oscilador, de frequência previamente definida
como a frequência de ressonância da cavidade (assumindo 10MHz como valor inicial), que
possua a dependência de sua frequência de saída em função da temperatura. O ambiente real
EDFL possui uma variação de 185Hz decremental a cada grau Celsius incremental, nesta
faixa de frequência. Com os dados obtidos em (DIAS, op. cit., 2008), pode se escrever:

f ODT = f 0 − 185(T0 − T ) (Eq. 16)

Assim o sistema tem sua frequência reduzida de 185Hz a cada 1°C aumentado
na sua temperatura, onde f0 é a frequência de ajuste ótimo da cavidade óptica.
Reciprocamente, sua frequência irá aumentar de 185Hz a cada 1°C reduzido em sua
temperatura. Para simular esta situação, alguns tipos básicos de circuito foram avaliados:

5.1.1 Oscilador a cristal piezoelétrico.

Como padrão de fábrica, os osciladores a cristal de primeiro harmônico

possuem uma estabilidade de frequência em torno dos 30~40ppm/°C (MATTHYS, 1992), o
que significa, em um sistema de 10MHz, uma variação positiva de 300~400Hz a cada °C
aplicado ao sistema. Somando-se os efeitos dos componentes num circuito como observado
 44

na Diagrama 1 abaixo, com configuração Colpitts e transistor bipolar, a variação pode

ultrapassar 500Hz/°C positivos, o que não é desejável para a aplicação já que significa
praticamente o triplo da variação correspondente à planta original, e é positiva. Por tal motivo
os osciladores a cristal de referência são submetidos à encapsulamentos hermeticamente
fechados, com temperatura controlada. Nos testes efetuados com o circuito do Diagrama 1, a
dependência de temperatura ficou superior à 420Hz/°C positivos, inviabilizando seu uso. As
tentativas de inserção de componentes reativos no circuito oscilador conforme (MATTHYS,
1992) não surtiram o efeito desejado. Assim o oscilador a cristal foi descartado para esta
aplicação. O cristal utilizado possuía as seguintes características: f0=10.000kHz,
CLOAD=18pF, 35ppm/°C, RS=120Ω. Fabricado pela empresa Hosonic.

Diagrama 1 – Oscilador a cristal, tipo Colpitts proposto para analise. A saída do sinal é retirada entre
R7 e o GND. VDD=10VDC.

Para a averiguação da relação entre temperatura a frequência, utilizou-se um

sensor de temperatura monolítico do tipo LM35, em encapsulamento TO-220, de fabricação
National Semiconductors, com precisão de 0,5%, próximo ao cristal, de forma a garantir que
ambos estejam na mesma temperatura, para validar a medição. O conjunto todo estava
inserido dentro de uma caixa de alumínio hermeticamente fechada. E submetido a uma estufa
com temperatura monitorada por outro sensor de temperatura semicondutor LM35.
 45

5.1.2 Oscilador Hartley LC.

Após a tentativa de se estabilizar a relação entre frequência e temperatura com

o oscilador a cristal não surtir o efeito desejado, os esforços concentraram-se em encontrar
uma relação entre indutor e capacitor que, após diversas recursões, se aproximasse ao
máximo do comportamento desejado. Para utilizar um circuito já bastante popular em
osciladores nesta faixa de frequência, optou-se pela configuração Hartley, que usa indutor
com derivação. O esquema básico pode ser observado no Diagrama 2 abaixo. L1 e L2
possuem acoplamento mútuo, estando montados em um mesmo carretel. O ruído térmico nos
componentes inicia as oscilações, sendo amplificado pelo transistor e amortecido pelo
circuito tanque, dentro da faixa de operação desejada. A proporção básica entre o número de
espiras entre L1 e L2 é de N2=1/3(N1), para garantir que o nível na base de Q1 seja mantido
mesmo sob condições adversas de carga no coletor de Q1. Assim, o papel do indutor L2 é
garantir o acoplamento do emissor de Q1 no circuito tanque formado por C2, L1, e L2. Para
se encontrar a frequência de ressonância do tanque, recorre-se a equação 3:
1 1
f 0 ⇔ ωL EQ = ⇔ f0 = (Eq. 17)
ωC 2 2π L EQ C S

Onde LEQ é obtido pela equação (BOYLESTAD, NASHELSKY, 1972):

LEQ = L1+L2+(2*LM) (Eq. 18)

LM no caso é a indutância mutua entre L1 e L2.

Diagrama 2 – Oscilador Hartley utilizado no projeto do ODT.

 46

Como ponto de partida para o projeto, leva-se em conta o valor mínimo entre
L1 e L2 para que o circuito possua um ganho maior que a unidade, garantindo a continuidade
das oscilações. Admitiu-se um valor da relação de indutância em L1 e L2 que se aproxime ao
máximo de
re ' L1
h FE ≥ (Eq. 19)
L2
Com os valores experimentais de h FE = 150 e re’ ≈ 16Ω (dados obtidos com
medições no transistor a ser usado, e do fabricante, respectivamente para o BF494, fabricação
Fairchild Semiconductors), tem-se que L1/L2 ≥ 9. É necessário manter essa relação, pois caso
contrário o circuito não consegue estabelecer um ganho maior que a unidade, sustentando as
oscilações. Como L2 e L1 estão sob o mesmo fluxo, e a maior parcela de corrente circula
sobre o braço de L2 (por possuir menor numero de espiras) e o GND, a corrente de base AC
do circuito precisa ser menor, numa proporção entre a resistência dinâmica de emissor e o
ganho efetivo de corrente. Importante notar que, por sua vez, a relação de espiras entre L1 e
L2, obedece à seguinte equação:

L1 N1
= (Eq. 20)
L2 N 2

L1 N1 16 L1 N1
= ⇒ 150 ≥ ⇒ ≥ 9
L2 N 2 L2 N2
Então fica uma relação de espiras da ordem de 3, conforme informado acima.
Com estes dados iniciais do circuito, pode-se dimensionar L1, L2 e C2 de forma a manter o
ganho do circuito entre 1,5 e 3, e assim a forma de onda da oscilação fica o mais próximo
possível da senoidal (BOYLESTAD, NASHELSKY, 1972).
Para conseguir uma variação de -185Hz/°C em 10MHz, precisa-se de uma
variação positiva de LEQ da ordem de 0,043%/°C, considerando-se que C2 não seja afetado.
Uma situação muito difícil de ser obtida na prática, pois o capacitor C2 ficará próximo de L1
e L2, e C2 possui uma dependência de temperatura mais marcante que o próprio indutor,
assim o capacitor ficará sob influência também da temperatura no indutor. Para conseguir esta
variação incremental da frequência do oscilador, será então utilizado um capacitor com
coeficiente de temperatura convenientemente escolhido, de forma a atender esta solicitação.
Claro que o efeito da temperatura sobre o indutor não pode ser desconsiderado, mas,
assumindo uma região de operação em que esta variação incremental da
capacitância/indutância seja a mais próxima possível da linear, a proposta é buscar uma
 47

combinação de efeitos em que predomine a característica desejada. Infelizmente como se

trata de um circuito real, após a definição dos parâmetros básicos, algumas tentativas no nível
do protótipo se farão necessárias até atingir o objetivo.
Considerando-se um indutor ideal, para início da busca por um componente,
propõe-se um valor de capacitor na faixa dos 56pF (MATTHYS, 1992), mantendo-se um
valor de impedância do tanque próximo dos 150Ω, e argumento zero (pois LEQ e C2 estão em
paralelo). Assim, com o auxílio da equação 17, e os necessários arranjos, vem:

1
f 0 = 10.10 6 ; C 2 = 56.10 −12 F ⇔ LEQ = = 4,45µH
4π f 2C 2
2

Como não existe disponível um indutor comercial com características térmicas

conhecidas na faixa de valores de interesse, e considerando-se que a preparação do indutor
não é trabalhosa, foi construído um indutor para que pudessem ser atingidas estas metas. Na
prática foi preparado um indutor com uma caneca de diâmetro de 5mm, sem núcleo, sem
blindagem, com fio 33 AWG, e com o auxílio de um medidor de indutância, no caso um
equipamento Rohde&Schwarz Modelo BN6100, se ajustou o indutor para os seguintes
valores:
Terminal 1 e 2 – L1 = 3µH medido em uma frequência de teste de 1,28MHz
Terminal 2 e 3 – L2 = 0,35µH a uma frequência de teste de 3,2MHz
Onde o terminal 2 é comum a ambos os enrolamentos, sendo a tomada para o emissor de Q1.
A indutância LEQ é então obtida medindo-se entre os terminais 1 (que vai para
a base de Q1) e 3 (GND) do indutor fisicamente (L1 e L2 sob uma mesma caneca), e o valor
obtido foi de 4,3µH, em 1,07MHz. Não foi usado nenhum tipo de núcleo, pois o material
(ferrite) tem sua permeabilidade efetiva afetada pela temperatura, e o valor do indutor não é
tão alto a ponto de necessitar de um número de espiras excessivo. Assim tenta-se minimizar
as variáveis para solução do problema.
Faz-se necessário agora localizar um capacitor que possua as características
desejáveis ao projeto. Após algumas buscas em bancos de dados de fabricantes de
capacitores, o tipo cerâmico plate com dielétrico do tipo P100, de fabricação IBRAPE,
infelizmente já obsoletos e indisponíveis no mercado local, se apresenta como um provável
tipo a ser utilizado, pois a dependência de capacitância versus temperatura deste tipo é
positiva. Aumentando-se a temperatura, a capacitância deste tipo de dielétrico aumenta, numa
proporção de 100.10-6/°C, a combinação deste tipo com o NP0 (sem variação de capacitância
no range de temperatura) pode alcançar os 0,043% (0,00043ppm). Não somente por este
 48

motivo este componente específico foi escolhido, mas havia algumas amostras destes
capacitores disponíveis para teste, facilitando o trabalho de busca dos mesmos no mercado.
Assim foi decidido iniciar os testes com 2 capacitores de 15pF do tipo P100 e um capacitor
de 27pF do tipo NP0, totalizando 57pF. O Arranjo destes capacitores totalizou 55,6pF,
medidos em uma ponte Kelvin da marca HP, modelo HP4263A, em 10kHz, 1Vrms. O teste
obteve êxito, conforme explanado no item 5.1.3 abaixo.
Após configuração dos componentes básicos do oscilador, se faz necessário
isolar o circuito do oscilador da carga e aplicar os pulsos a um Schmitt-Trigger, para posterior
aplicação como sinal de retorno no sistema de controle. O Diagrama 3 abaixo mostra o
esquema completo do oscilador dependente de temperatura – ODT, com os valores definidos
no projeto, e já com o LM35 que será usado como sensor de temperatura para traçar o
comportamento do dispositivo.
O tanque do oscilador é formado por C2a, C2b, C2c, L1 e L2, Q1 é o
responsável por manter as oscilações, onde C1 bloqueia a corrente DC da base para que ela
não seja curtocircuitada através de L1 e L2 para o GND. R1 fornece a corrente de base. R2
limita a corrente de coletor, e juntamente com re’, estabelece o ganho do bloco. R3 estabelece
uma impedância mínima de carga para Q1 e C6 desacopla o próximo estágio, que tem
impedância de entrada alta, é não-linear, e o ganho alto basicamente faz com que o sinal
atinja o VDD de 5V e o GND, para ser inserido em 2 Schmitt-Trigger que fazem a remoção
das deformações do sinal, fornecendo um sinal praticamente retangular em sua saída, padrão
TTL 5V.
O circuito da fonte, U7 é um regulador de tensão padrão de 5V para o circuito
TTL, e U8 é o sensor de temperatura, que opera na faixa de 0 a 100/°C, sendo que ele fornece
10mV/°C em sua saída. Assim, para 100°C tem-se 1,00VDC na saída. A saída de U2 (sinal
de 10MHz) está disponível ao exterior por intermédio de um conector tipo N, e a saída de U8
está disponível ao exterior por intermédio de um conector tipo F. A alimentação do sistema é
feita com 10VDC, com uma tolerância aceitável de ±0,5V. A alimentação possui dois cabos
externos à caixa hermeticamente fechada de alumínio, cujas dimensões aproximadas são:
63x63x68mm, sem contar os conectores. Na foto 1 pode ser visto uma imagem com aspecto
real interno e externo do protótipo. O valor de frequência ajustado foi de 10,02419MHz, que
se manteve estável por um período de 3 horas, sem controle externo da temperatura. Valores
foram medidos com o auxílio de um freqüencímetro da marca Takeda Riken, modelo
TR5823. Para assegurar a durabilidade do ODT, foi inserido dentro de seu invólucro alguma
quantidade de gel de silício, para absorver umidade no caso de condensação à baixas
 49

temperaturas, que na aplicação com o atuador termoelétrico pode ocorrer, e causar

deterioração prematura e perda da validade dos testes efetuados anteriormente para a
caracterização do dispositivo. Nas fotos 1, 2, 3 e 4, se pode ver o aspecto real do ODT,
aberto, e acomodado em uma caixa fechada de alumínio com parede de 2mm, nas medidas
informadas acima.

Diagrama 3 – Diagrama esquemático do ODT.

Foto 1 – Vista em detalhe do sensor de temperatura LM35, em encapsulamento TO-220, próximo aos
capacitores do tanque ressonador ajustado para a frequência de operação.
Fonte - acervo próprio (2010).

Na Foto 1 acima, o sensor de temperatura foi propositalmente aproximado ao

máximo do circuito ressonante, particularmente dos capacitores, de forma a tentar minimizar
 50

o erro devido ao distanciamento físico do sensor de temperatura LM35, em relação ao corpo

de prova. Como os capacitores possuem uma dependência de temperatura mais significativa
que o indutor o sensor aproximou-se mais deles em relação ao indutor.

Foto 2 – Aspecto interno do ODT, feito em protótipo manualmente.

Fonte - acervo próprio (2010).
 51

Foto 3 – Conexões do ODT: Superior esquerdo alimentação 10VDC, superior direito saída do sensor,
inferior, saída do sinal de 10MHz dependente de temperatura.
Fonte - acervo próprio (2010).

Foto 4 – Perspectiva externa real do ODT.

Fonte - acervo próprio (2010).
 52

5.1.3 Caracterização do dispositivo ODT

Para que os testes com o ODT (que em tese simula a planta real do EDFL)
sejam confiáveis, se faz necessário conhecer o seu comportamento frequência versus
temperatura, ao longo de um intervalo de tempo. Estes testes são fundamentais, pois poderão
ser utilizados para a caracterização da “capacitância térmica” do ODT e sua relação com a
frequência de saída (SELF, 1997), bem como para verificar se após alguns ciclos térmicos
aquecendo e resfriando o conjunto, a deterioração dos componentes (principalmente o
dielétrico de C2, devido à contração mecânica) afeta o valor ajustado inicialmente,
característica muito importante de circuitos analógicos dependentes de frequência, e que não
possuem sintetizadores ou compensação de fase (PLL) internamente. A partir destas curvas se
poderá determinar a função de transferência do circuito independentemente dos atuadores
externos do sistema, para posterior correlação com estes, e facilitar uma eventual simulação
computacional já com estes parâmetros preestabelecidos, e saber o erro proporcional a que
está sujeito, analiticamente, empiricamente, e comparar os resultados. São basicamente dois
testes importantes que precisam ser efetuados: o primeiro teste consiste em se aplicar, através
de uma estufa com temperatura controlada alguns níveis de temperatura convenientemente
escolhidos, estabilizar estes níveis de temperatura e verificar a frequência em alguns pontos e
sua estabilidade; o outro teste consiste em aplicar um “degrau térmico” ao ODT, em uma
estufa, e observar ao longo do tempo o comportamento tanto da temperatura interna do ODT
como sua frequência.
O principal obstáculo para realização destes ensaios é a obtenção de uma
estufa que admita uma precisão na temperatura aceitável (2% no mínimo), e para isso a
temperatura será monitorada por um sensor de temperatura LM35 (0,5% de precisão) externo,
de forma a tentar minimizar os erros, pois a medição de temperatura é sempre um desafio
operacional muito importante e difícil de ser totalmente superado (LAUTZENHISER,
PHELPS, EISNER, 2008), pelo menos em termos de precisão da medição.Para efetuar estes
testes, foi montado o seguinte ambiente: Estufa de dupla isolação térmica da marca Olidef
modelo 480ES, com controlador de temperatura da Marca COEL, modelo HW1000, o sensor
de temperatura para o controlador é do tipo PT100, modelo SE011, fabricação Pico
Technology, e precisão de 0,3°C a 0°C. Monitorando as saídas dos sensores de temperatura
LM35 estão: um Voltímetro digital da Marca HP modelo 3478A, monitorando a temperatura
interna do ODT e; um Voltímetro Digital de classificação Militar Norte-Americana da marca
 53

Dana, modelo 5524, monitorando a temperatura. Ambos os multímetros com resolução de

seis dígitos, e precisão mínima aproximada de 0,001% (pior caso) na faixa de interesse de 0 a
1,00VDC. Na Figura 8 abaixo pode ser visto o esquema básico montado com a estufa e na
Foto 5 a aparência real do sistema em teste.

Figura 8 – Esquema básico para ensaios do ODT

Foto 5 – Aparência real do ambiente de teste.

Fonte – acervo próprio (2010).
 54

5.1.3.1 Caracterização do comportamento da frequência vs temperatura

O ensaio para caracterizar o comportamento do ODT com a temperatura é um

procedimento lento, pois a estabilização dos valores de temperatura é critica, e leva em torno
de 15 minutos para a estabilização completa. A medição tanto da temperatura interna como a
externa é feita por intermédio dos sensores LM35, conectados aos voltímetros. A alimentação
de 10VDC é fornecida por uma fonte externa e os sensores térmicos colocados à mesma
altura. Algumas tentativas foram necessárias e pequenas mudanças no arranjo de C2,
mantendo-se capacitores tipo plate P100, de 15pF e um capacitor de 27pF, tipo NP0. Não
foram feitas modificações no indutor L1-L2.
O ambiente ideal para realização deste ensaio envolve um equipamento de
aquisição de dados com interface GP-IB® ou similar, que pudesse relacionar as 2 grandezas
envolvidas, a temperatura interna do ODT e a frequência medida, ao longo do tempo. Como
não existe disponível tal ambiente, as medições foram feitas, com aquisição manual e visual
dos valores exibidos nos equipamentos, sendo que tais medições estão sujeitas ao erro de
interpretação da leitura, que será desconsiderado. Segue a tabela 4.1 abaixo com os resultados
obtidos no ensaio com a estufa, num período de 6 horas, repetido por 3 dias, com intervalos
de estabilização de temperatura de 1 hora.

Tabela 1 – Comportamento frequência versus temperatura do ODT em 6 medições.

Medidas 1 2 3 4 5 6
Temp [°C] 24,2 27,3 30,8 33,1 36,9 39,3
f[MHz] 10,02918 10,02865 10,02675 10,02552 10,02478 10,02297
Temp [°C] 24,5 27,5 30,3 33,7 36,8 39,2
f[MHz] 10,02905 10,02754 10,02598 10,02579 10,02408 10,02259
Temp [°C] 24 27,1 30,4 33,9 36,2 39,4
f[MHz] 10,03005 10,02865 10,02734 10,02587 10,02401 10,02279
Temp [°C] 23,9 27,0 30,2 33,2 36,5 39,9
f[MHz] 10,03015 10,02865 10,02689 10,02512 10,02459 10,02269
24,15 27,225 30,425 33,475 36,6 39,45
Médias
10,02961 10,02837 10,02674 10,02558 10,02437 10,02276
Desvio 0,264575 0,221736 0,262996 0,386221 0,316228 0,310913
Padrão 0,000573 0,000555 0,000566 0,000338 0,000379 0,000162
Fonte – Acervo próprio (2010).
 55

Para a construção de Tabela 1, levou-se em consideração um tempo de

estabilização mínimo de 60 minutos para cada medição, sendo que a progressão das medidas
foi feita de forma a tentar observar a variância da tendência após quatro eventos em cada
temperatura. Isso significa que o ODT foi submetido a quatro ciclos de temperatura de 24 a
40 graus Celsius, num período de quatro dias consecutivos, com intervalos de 60 minutos
entre as medidas. Valores intermediários não foram considerados, por não haver interface de
coleta de dados no freqüencímetro utilizado. Como o ambiente de teste não possuía
condicionamento de ar, não foi possível estender a caracterização para valores inferiores a
24°C. Este valor mínimo foi limitado basicamente pela temperatura ambiente, por este
motivo os testes foram efetuados entre 0:00 e 6:00 horas, período onde a temperatura
ambiente reduz a ponto de permitir o teste em 24°C. Após o acoplamento do sistema com o
Peltier na estufa, pode-se estender o teste para temperaturas inferiores. Isto será tratado com
detalhes no Capítulo 7 deste trabalho. Um gráfico com a distribuição das médias das
medições pode ser visto no gráfico 1 abaixo, que visualmente demonstra a linearidade do
comportamento frequência versus temperatura do ODT confeccionado. Utilizando o comando
polyfit do Matlab™ com os pontos encontrados, pode-se estabelecer uma equação de
primeiro grau que relaciona frequência e temperatura, e permite também extrapolar o para
outros pontos inferiores aos analisados, para futuras comparações com o sistema final. Eq. 21
abaixo.

f ODT = 10 ,0915 ⋅ 10 6 − 1700 (T0 − T ) (Eq. 21)

Da equação 21, pode-se notar que o ODT possui uma dependência de

frequência versus temperatura 9,44 vezes superior ao comportamento do sistema EDFL real,
considerando-se pontos iniciais iguais a 24°C. Não foi possível, com os recursos disponíveis
reduzir esta relação, mesmo após algumas dezenas de tentativas, pois os componentes
utilizados têm uma limitação em termos de características térmicas, que não possibilitou um
ajuste mais próximo do encontrado no sistema real, por se tratarem de tentativas empíricas.
Pelos resultados obtidos, pode-se observar que ODT proposto não sofre de
degeneração significativa desta relação, mesmo sob a com aplicação de sucessivos ciclos
térmicos. Com os resultados da Tabela 1, o desvio padrão observado ficou com uma
tendência basicamente estável, com uma tendência de redução em temperaturas mais altas.
 56

Gráfico 1 – Gráfico com as médias das medições efetuadas no ODT.

Fonte - acervo próprio (2010).

Até a obtenção destes resultados foram aplicados 22 ciclos de 25 a 40°C cada,

com os intervalos já informados. Com os resultados da Tabela 1, confirma-se que o desvio
padrão observado ficou com uma tendência basicamente estável. Recomenda-se, no entanto,
como boa prática, a repetição dos testes e eventual ajuste na equação 21 caso o sistema seja
operado por tempo prolongado, devido à degeneração natural dos capacitores do circuito
ressonante.

5.1.4 Identificação da FTMA

Para a caracterização do ODT e obtenção de sua função de transferência

térmica, o que possibilitará a posterior simulação computacional do ambiente, se faz
necessário aplicar, com o auxílio da estufa, um “degrau térmico” ao sistema (DORF,
BISHOP, 2001). Esta aplicação é feita em um ambiente controlado por intermédio do
esquema demonstrado na Figura 1. Para isto, estabiliza-se a estufa a uma temperatura de
40°C, e se insere o ODT rapidamente dentro da mesma, partindo de uma temperatura mínima,
e se faz nota do tempo, da frequência e da temperatura interna do ODT. Esta manobra de
inserção do ODT na estufa precisa ser rápida o bastante de forma a perturbar a temperatura
 57

interna da estufa o mínimo possível (causando, por exemplo, a degeneração da inclinação do

degrau aplicado). Para reduzir a temperatura inicial do ODT, ele foi colocado em um
refrigerador e sua temperatura atingiu 2°C, próximo do ponto inicial ideal para efetuar os
testes de degrau térmico. Este ponto inicial teórico ideal seria de 0°C, para aplicação correta
da transformada de Laplace, considerando também o sensor idealizado (DOETSCH, 1961
apud MICHALSKI, et. al., 2001), para facilitar as aproximações assumidas, 2°C foram
considerados mesmo assim como ponto inicial nulo.
Nos Gráfico 2, Gráfico 3 e Gráfico 4 abaixo, estão os levantamentos efetuados
no ODT, com a média de três recursões sucessivas cada, com duração de 40 minutos e
intervalo de 3 horas. Devido à grande quantidade de dados, a tabela original foi
propositalmente omitida neste trabalho, constando somente a média estabelecida em forma de
gráfico, com o tempo de estabilização (tempo de assentamento TS) de 330s,
aproximadamente. Existem duas situações, em que se avalia a função de transferência de
temperatura, e outra em que se avalia função de transferência da variação da frequência.
Utilizando método tradicional para levantar as especificações do sistema
analisado, considerando o sistema como de primeira ordem (NISE, 1995), pode-se
graficamente localizar os parâmetros importantes na caracterização do comportamento
térmico do ODT. O Gráfico 4 abaixo é a reprodução do Gráfico 2, acrescido dos pontos
notáveis do gráfico.
Assumindo-se que esta curva descrita no Gráfico 2 é a resposta CODT(t) a um
impulso de 40.u(t) de entrada R1(t), pode-se determinar sua função de transferência de
primeira ordem, no domínio s (Laplace) G1(s) como sendo do tipo (MICHALSKI, et al.,
2001):

AODT (Eq. 22)

G1 ( s ) =
s + aODT

CODT ( s )
G1 ( s ) = ∴ C S = R1 ( s ) ⋅ G1 ( s ) (Eq. 23)
R1 ( s )

Que implica aplicando um sinal degrau térmico de 40u(t), em:

40 K ODT K ODT
CS = ⋅ = (Eq. 24)
{ s ( s + aODT ) s ( s + aODT )
R (s)
14243
1 G1 ( s )
 58

Gráfico 2 – Comportamento da temperatura do ODT quando aplicado um degrau térmico de 40°C.

Fonte – Acervo próprio (2010).
 59

Gráfico 3 – Comportamento da frequência do ODT quando submetido a um degrau térmico de 40°C.

Fonte – Acervo próprio (2010).

98%
90%

63%

10%

1/a
TR
TS = 4/a

Gráfico 4 – Levantamento gráfico dos pontos notáveis para caracterização matemática do sistema em
malha aberta formado pelo ODT.
Fonte – acervo próprio (2010).
 60

Assim, aplicando o Teorema do Valor Final (DORF, BISHOP, 2001;

MICHALSKY, 2001; NISE, 1995) na Eq. 24, fica:

40 K ODT 40 K ODT
C (t → ∞) = lim s. ⋅ = (Eq. 25)
s→0 s ( s + aODT ) aODT

Separando-se a Eq. 24 em frações parciais, tem-se:

40.K ODT 40.K ODT

aODT aODT (Eq. 26)
C ODT ( s ) = +
s ( s + aODT )
Onde, extraindo os pontos do gráfico, encontra-se a constante de tempo do
sistema τ1 com critério de 63% (DORF, 2001) e a partir de então, o valor de αODT:

C (t = τ 1 ) = 0,63.40 → τ 1 = 65s (Eq. 27)

1
τ1 = = 65 ∴ aODT = 0,01538 (Eq. 28)
aODT

Efetuando-se a transformada inversa de Laplace na Eq. 26, fica:

−t
40.K ODT 40.K ODT
cODT (t ) = −  e aODT (Eq. 29)
aODT  aODT 

Que possui o formato característico de sistemas térmicos lineares invariantes

no tempo, conforme (MICHALSKI, et al., 2001)

−t
c (t ) = A − ( A)e a (Eq. 30)

Assim, é possível afirmar que, quando o tempo tende ao infinito, cODT(t→∞)

converge para 40.KODT/αODT onde, no caso do ODT avaliado empiricamente após um período
muito superior a 50 vezes o Tempo de assentamento do sistema (garantindo-se que realmente
o sistema estabilizou), sabe-se que cODT(t→∞) é 40°C, portanto, permite encontrar o valor de
KODT através da seguinte consideração:

40.K ODT
cODT (t → ∞) = (Eq. 31)
aODT

40.K ODT = cODT (t → ∞) ⋅ aODT (Eq. 32)

 61

40 ⋅ 0,01538
K ODT = = 0,01538
40
Assim, pode-se escrever a função de transferência térmica em malha aberta do
ODT, criando-se primeiro bloco a ser utilizado em simulação no programa Simulink®

0,01538
G1 ( s ) = (Eq. 33)
s + 0,01538

No Gráfico 5, pode-se ver o gráfico obtido em simulação computacional com o

auxílio do Simulink®, e assumindo condições iniciais do impulso de teste como 0°C (eixo y
do gráfico).
No Gráfico 6, a mesma simulação, assumindo-se condições iniciais do impulso
de teste como sendo de 2°C (Valor medido fisicamente no ODT logo antes do início do teste).

Gráfico 5 – Gráfico gerado no Simulink® para a Função de transferência do ODT.

Fonte – Acervo próprio (2010).
 62

Gráfico 6 – Simulação com condições iniciais reais.

Fonte – Acervo próprio (2010).

Por intermédio do Gráfico 5 e do Gráfico 6 pode-se observar que o

comportamento do sistema não foi significativamente afetado devido à não condição inicial
igual a zero conforme requisitado pelo Teorema de Laplace (NISE, 1995; DORF, BISHOP,
2001; DOETSCH, 1961 apud. MICHELSKY et al., 2001) do teste real. Para poder
caracterizar o sistema, este pequeno erro da ordem de 1%, determinado graficamente no
ponto onde c(t) atinge 63% de c(t→∞), não compromete os resultados tanto da simulação
quanto do teste.
Como a função elementar do ODT é possuir o comportamento da planta real
do sistema, ou seja, receber como entrada uma temperatura, e apresentar uma determinada
característica de variação de frequência já estabelecida no item 5.2.1. Conforme observado no
item 5.2.1, a dependência da frequência varia inversamente proporcional à temperatura,
acrescido de uma constante (Eq. 21), assim para facilitar o modelamento matemático da
função de transferência do bloco ODT é possível identificar graficamente o comportamento
térmico em função do tempo, e assim relacionar com a frequência, conforme o diagrama em
blocos abaixo representado na Figura 9. Bastando para isso desenvolver um sub-bloco no
sistema matemático de simulação do ODT, que realize o deslocamento numérico do valor
estabelecido via ensaio de temperatura, conforme verificado nos testes que decorreram na
determinação equação 16 acima, e que permita relacionar diretamente o comportamento
linear da frequência em função da temperatura.
 63

Figura 9 – Diagrama em blocos matemático do ODT sob estudo, para simulação.

Gráfico 7 – Comportamento da frequência em função do tempo, simulados em computador, quando

aplicado um degrau térmico de 40ºC.
Fonte – Acervo próprio (2010).

Agora é possível criar um bloco em que, ao ser excitado por temperatura, uma
resposta transitória é recebida, conforme o comportamento exibido no Gráfico 7, em que o
eixo y representa a frequência de saída do ODT, em MHz. Assim pode-se estabelecer o
comportamento em malha aberta do ODT, partindo dos testes empíricos, caracterizando o
dispositivo, e implantando o mesmo fisicamente dentro do sistema. Este bloco será inserido
no ramo direto do fluxo de sinal, fazendo parte da planta após o estudo de seu acoplamento
térmico com os elementos atuadores, que serão descritos em detalhes no item 5.5.3. Os
 64

ajustes devido à degeneração após longo tempo de uso e calibração podem ser feitos mediante
novo teste de degrau térmico. E efetuando a simples substituição dos valores das constantes
dos blocos e redimensionamento do valor de αODT e AODT na equação 22 acima, seguido de
alguns passos subseqüentes até se chegar em uma nova equação que substituirá a 33, que é a
própria equação 22 (com os valores antigos), porém já com os valores ponderados pelo novo
teste.

5.2 OSCILADOR DE FREQUENCIA DE REFERÊNCIA – OFR

Conforme visto na Figura 7, existe a necessidade de se utilizar no sistema uma

referência confiável, para que o mesmo possa compensar o erro devido a quaisquer
perturbações, aplicando à planta através dos atuadores uma temperatura que corrija o efeito
indesejável, mantendo assim o sistema sempre alinhado com a referência. Neste estudo, esta
referência (que também é chamado set-point na literatura especializada) é um sinal de
frequência conhecida, e com estabilidade assegurada em longo prazo. Para se obter um sinal
estável em frequência, recorre-se a osciladores atômicos, a cristais de rubídio, ou osciladores
a cristal, algumas vezes disciplinados por sinais de rádio de satélite ou terrestres (HALASZ,
1989). Uma solução alternativa, e menos onerosa, de se obter uma estabilidade alta com
cristais convencionais de quartzo recorre ao uso de TCXO, Temperature-Controlled Crystal
Oscillator ou Oscilador a Cristal com Temperatura Controlada, em tradução livre. Tais
dispositivos são constituídos de osciladores de cristal de quartzo os quais são inseridos em
caixas hermeticamente fechadas, e com temperatura controlada. Como a estabilidade de
frequência dos cristais de quartzo possui uma dependência da temperatura, controlando-se
esta se pode melhorar a estabilidade da frequência de ressonância do cristal. A forma mais
simples de se obter um controle de temperatura é fazer com que a temperatura controlada seja
sempre superior à máxima temperatura ambiente fora do invólucro hermeticamente fechado
(TERMANN, PETIT, 1953, p.332), mantendo esta temperatura fixa através de um aquecedor
controlado por um sensor de temperatura conveniente.
O circuito deste projeto utiliza-se de 3 osciladores, cada um ajustado em uma
frequência, sendo: 10,000MHz, 12,000MHz e 14,318MHz, sendo que estas frequências
foram escolhidas com base em dados levantados junto ao Laboratório de Fotônica da
Universidade Presbiteriana Mackenzie em março de 2010, cujo sistema poderia estar então
 65

com sua ressonância da cavidade óptica do sistema EDFL ajustado próximo a uma destas
faixas de frequência. O circuito oscilador se encontra então dentro de uma caixa
hermeticamente fechada, junto com o circuito de aquecimento e o sensor de temperatura
semicondutor do tipo LM35, de fabricação National Semiconductor. Fora da caixa estão os
circuitos conformadores do sinal para se obter uma saída idealmente TTL (Transistor-
Transistor-Logic), em 5V, e seguir para o bloco comparador de frequência.
O controle de temperatura se dá através de um atuador resistivo, gerando calor
e um sistema de controle do tipo on-off, conforme o Diagrama 4. O set-point é ajustado por
intermédio de RV2, onde num ponto de teste VREF, a temperatura real do ajuste em graus
Celsius pode ser obtida multiplicando-se diretamente a leitura de tensão em Volts no ponto
VREF (TP7 na placa real), por 100. O resistor R2 adiciona uma pequena histerese na
realimentação do controlador, evitando que o circuito fique atuando para pequenas transições
de temperatura. Experimentalmente, pode-se determinar que a atuação está em um limite de
±1°C distanciado do ajuste do set-point.

Diagrama 4 – Controle de temperatura para os osciladores de referencia a cristal.

Fonte – Adaptado de ALMEIDA, MASSARI, SPERA, VERGARA (2010, não paginado).
 66

5.3 COMPARADOR DE FREQUENCIA

No sistema de controle proposto, o comparador de frequência pode ser

considerado o bloco fundamental, pois ele irá relacionar o sinal de referência, com o sinal
vindo da planta, produzindo em sua saída um sinal de erro, que com devido tratamento e
amplificação será aplicado continuamente à planta, de forma que seja possível fazer com que
esta mantenha a condição ajustada pelo set-point apesar de sofrer outros tipos de perturbações
externas. No diagrama em blocos macro apresentado na Figura 7, é possível identificar as
duas entradas e uma saída, perfazendo as funções descritas acima. Para a execução deste
bloco, algumas considerações importantes devem ser sumarizadas, como abaixo:

• Possibilidade de operação em uma gama de frequências compreendida entre 10

e 20MHz, com um mínimo de ajustes (DIAS, 2008);

• permitir a comparação entre dois sinais de frequências independentes,

produzindo um terceiro sinal proporcional à diferença positiva ou negativa
entre eles;

• possuir estabilidade de operação de no mínimo 1 hora sem necessidade de

reajuste, idealmente estabilidade em tempo contínuo com desvio não
detectável;

• trabalhar com trens de pulsos ou sinais contínuos, e também com forma de

onda arbitrárias, desde que com a mesma frequência fundamental;

• poder detectar variações de frequência com taxas extremamente baixas, da

ordem de milésimos de hertz, em relação com a frequência de referência;

• possibilidade de compensação de efeitos de jitter determinístico oriundos da

frequência de referência ou da própria planta.
 67

Na tentativa de se obter um desempenho mais próximo possível das exigências

acima, algumas topologias de circuito foram analisadas, com suas vantagens e desvantagens
devidamente listadas, conforme os itens abaixo:

5.3.1 Discriminador Foster-Seeley.

O Discriminador Foster-Seeley é o tipo mais comum de demodulador ou

detector de frequência (SANDEL, 1953) utilizado em equipamentos de consumo da indústria
(aparelhos de Televisão, rádios receptores analógicos FM, etc.), por este motivo é o primeiro
tipo de comparador de frequência utilizado para análise. Algumas literaturas também
mencionam o detector de relação (RENTJES, COATE, 1952; LANTERMAN, 1950) como
sendo um discriminador de relação de fases importante na indústria, com desempenho
inclusive superior e melhor rejeição a variações de amplitude. O princípio básico de
funcionamento do discriminador Foster-Seeley depende diretamente do comportamento da
amplitude de um sinal em função da frequência de operação, quando aplicado em um circuito
passivo LC. No Diagrama 5 abaixo tem-se um desenho básico com um tanque LC e o
diagrama vetorial das tensões nos enrolamentos do circuito.

Diagrama 5 – Esquema simplificado de um discriminador de frequência.

Fonte: Adaptado de REINTJES; COATE (1952, p. 427).

Apesar de muito popular, o tipo Foster-Seeley não é o único tipo de

discriminador discreto de frequências, existindo outros como o discriminador Travis,
discriminador de relação e de degrau (DEUTSCH, 1951). O principio de funcionamento do
tipo Foster–Seeley, se baseia no deslocamento da tensão e corrente de 90° que ocorre quando
 68

se atinge a ressonância a qual o circuito ressonante do transformador formado por L1 e L2 e o

capacitor C2 estão sintonizados. Quando a frequência aplicada em E1 (considerando sua
amplitude constante) varia, o ângulo de fase entre E1 e E2 também se altera, fazendo com que
as amplitudes de EA e EB também sejam alteradas. Conhecendo-se a relação entre o desvio da
frequência e o quanto é alterada a amplitude do sinal, pode-se conhecer a característica de
transferência do circuito. Diversas topologias de circuitos existem para esta aplicação, sendo
que a utilizada no teste foi similar ao Diagrama 6 abaixo, com diodos semicondutores do tipo
OA90 de Germânio, disponíveis na ocasião dos ensaios. Tais diodos são recomendados
(KRAUSS, BOSTIAN, RAAB, 1980) por suas características de joelho mais agudas que seus
equivalentes de silício. Para as frequências de interesse, iniciando com alguns testes na faixa
de 10,7MHz, é possível adquirir alguns transformadores de RF pré-sintonizados, e tentar
adaptá-los à aplicação em questão.

Diagrama 6 – Circuito simplificado do Discriminador Foster-Seeley.

Fonte: Adaptado de KRAUSS; BOSTIAN; RAUB (1980, p. 207).

Conforme (STURLEY, 1948), pode-se então definir alguns parâmetros

importantes do circuito:
f
Q≥ (Eq. 34)
2∆f
 69

Onde f é a frequência central de ressonância do circuito formado por L1, L2 e

Cc. ∆f é a variação máxima de frequência admitida, para a produção do máximo desvio de
amplitude após a detecção. Sabe-se, no entanto, que de acordo com os dados levantados que a
variação de frequência do ambiente de teste ODT ficou estimada em 8kHz, que ainda assim é
superior ao comportamento real do sistema EDFL em aproximadamente 9,4 vezes. Apesar
deste fato, foi mantido o valor de 8kHz como parâmetro inicial de projeto, para ser
posteriormente reduzido, caso o conceito prove sua viabilidade. Assim:

10,7 ⋅106
Q≥ = 668,75
2 × 8 ⋅103

O que é um fator de mérito muito difícil de ser obtido na prática, com recursos
usualmente utilizados na construção de dispositivos deste tipo. Apesar da busca e contato
com os fornecedores locais, o máximo fator Q possível é de 200, ainda com algumas
restrições referentes ao tamanho físico do componente, que precisará passar de 10mm para
35mm. No Gráfico 8 abaixo está o gráfico do comportamento frequência versus tensão
relativa ideal para a aplicação do discriminador Foster-Seeley como comparador de
frequência do sistema.

+1

+0,5

0
10,692 10,700 10,708
Frequência [MHz]

-0,5

-1

Gráfico 8 – Gráfico da característica ideal para o discriminador em estudo.

Fonte: Acervo próprio (2010).
 70

O valor máximo de impedância possível para o circuito é severamente limitado

pela capacitância do transistor utilizado (no caso um MPSH10 de fabricação National
Semiconductors) e pela capacitância dos diodos utilizados. Para facilitar o cálculo dos
componentes do circuito, este foi mantido com seus componentes mínimos, e cada braço do
enrolamento L2 foi considerado igual ao outro. Pela especificação do fabricante, pode-se
extrair que o OA90 possui uma eficiência de 0,8 (80%) quando a carga possui uma
impedância de 10kΩ.Assim:

Ro 10 ⋅10 3
L = L1 = L 2 = = = 222nH
ωQ 2 ⋅ π ⋅10,7 ⋅10 6 ⋅ 668,75

Assim a capacitância através deste enrolamento, para sintonizar com 10,7MHz

deve ser:
1
Co = ≈ 0,998nF
( )
2
4 ⋅ π 10,7 ⋅106 ⋅ 222 ⋅10−9
2

Sendo a impedância de carga dos diodos igual a 10kΩ, em cada braço do

circuito secundário existe um amortecimento durante a condução, fazendo uma redução do
fator Q real do circuito, gerando um novo Ro, chamado Ro', como segue:

QωL ⋅10 ⋅103 668,75 ⋅ 2π ⋅10,7 ⋅106 ⋅10 ⋅103

Ro' = = = 9,99kΩ
QωL + 10 ⋅103 668,75 ⋅ 2π ⋅10,7 ⋅10 6 + 10 ⋅103

Assim a carga praticamente não afeta a sintonia do circuito, porém a

capacitância de saída do transistor utilizado é de aproximadamente 1pF, causando uma
impedância na ressonância de 10,7MHz de 15k Ohms, assim, a reflexão desta impedância
para o primário, conforme (STURLEY, op. cit.) é dada por:
2
M 
Z1 = Ro'  
 L  (Eq. 35)
E esta impedância refletida no primário precisa ser inferior à mínima
impedância, de forma a não amortecer o circuito, aumentando demasiadamente a banda
passante, e reduzindo a eficiência do filtro, e impossibilitando a demodulação. Este é o fator
preponderante na impossibilidade de utilização do conceito Foster-Seeley para a
demodulação na aplicação em questão. Nos testes no protótipo, foram detectados outros
fatores que também indicam que este método não é indicado para a aplicação, sendo:
 71

• Operação em uma só frequência de, considerando a própria entrada de

referência como sendo o centro da banda passante;
• Não existe comparação direta de frequências, e sim indireta, pelos mesmos
motivos acima mencionados;
• Faixa passante ampla, muito superior ao que seria o recomendado para a
aplicação (poucas centenas de Hertz, da ordem de 800Hz);
• Total dependência da estabilidade térmica dos componentes sintonizados do
transformador, particularmente o capacitor, desviando o valor inicial ajustado.

5.3.2 Detector do tipo PLL

Uma forma eficiente de se detectar e compensar variações de frequência

consiste no uso da técnica PLL, acrônimo do inglês Phase Locked Loop, ou Laço Fechado em
Fase, numa tradução livre. O princípio de operação do PLL consiste em comparar a fase de
um sinal desconhecido ou controlado (planta), com um sinal conhecido (referência), e a partir
daí produzir uma saída a qual possa ser utilizada por um atuador para corrigir eventuais
desvios de fase da frequência controlada. Quando os desvios de fase sucessivos se acumulam
ao longo do tempo, têm-se o desvio da frequência. A Figura 10 mostra um esquema básico de
um controlador de frequência tipo PLL (NEC, 1978, p.3).

fx fo
Eo
φ-DET LPF VCO
fv=fo/N

DIVISOR
PROGRAMAVEL - N

Figura 10 – Diagrama em blocos de um controlador de frequência do tipo PLL.

Fonte - Adaptado de NEC (1978, p.2).

Num controlador ou detector de desvio de frequência do tipo PLL, controla-se

a variação de frequência de um dispositivo conhecido como VCO, ou Oscilador Controlado
por Tensão, que oscila livremente, porém possui uma dependência de frequência conhecida,
 72

em função de uma tensão aplicada em seu terminal de controle. Utiliza-se de um detector de

fase, que em sua saída produz um sinal Eo cuja amplitude é diretamente proporcional ao
desvio de fase observado, Eo é o sinal de erro. Após o filtro passa-baixas, tem-se uma tensão
contínua que pode então controlar o VCO para correção do erro detectado. O divisor
programável pode ser usado nos casos em que a frequência de operação do VCO é demasiado
alta, implicando em uma complexidade custosa do detector de fase em uma aplicação real;
também se pode fazer a frequência do VCO variar dentro de determinada faixa somente
mudando-se o denominador N da função de transferência do divisor. Este é o princípio dos
sintetizadores de frequência digitais, amplamente utilizados em sistemas de comunicações e
aparelhos de consumo. A aplicação deste conceito na pesquisa atual poderia ser obtida
utilizando-se um circuito PLL conforme a Figura 11 abaixo.

fx fo
φ-DET LPF AMP ATUADOR ODT
fv=fo/N

Figura 11 – Diagrama em blocos da aplicação do conceito PLL neste trabalho.

Fonte - Acervo próprio (2010).

Em analogia com o diagrama representado nas Figura 10 Figura 11, o ODT

então pode ser considerado como um VCO, com a importante diferença que a dependência da
frequência de saída (característica previamente conhecida) no VCO é em função da tensão, e
no ODT, uma função da temperatura. Na proposta desta pesquisa, o uso da técnica PLL para
a compensação dos efeitos térmicos do sistema sobre a frequência será aplicado com um
circuito integrado tipo TDA9809 que agrega as funções de pré-amplificador, detector de
quadratura, limitador e outras funções que não serão usadas nesta pesquisa. O detector de
quadratura pode relacionar a frequência de referência, vinda de um cristal interno ou de uma
referência externa, e proporcionar uma saída conforme a variação entre a fase do sinal de
referência e do sinal vindo da planta, para ser aplicado ao controlador e à planta.
 73

Figura 12– Circuito proposto na aplicação do PLL.

Fonte - Adaptado de NXP (1997, p.6).

Com os resultados obtidos nos testes do protótipo, não foi possível detectar
variações de frequência em banda estreita (∆f ≤ 100Hz) e com taxa de variação inferior a
15Hz (FM ≤ 15Hz). O circuito integrado utilizado foi concebido para demodulação de sinais
na faixa de áudio, e por conceito não permite, em sua aplicação simples – conforme
estabelecido pelo fabricante – um alcance de captura desejável para a faixa de interesse deste
trabalho, que é de banda estreita e com taxa de variação de frequência muito lenta, da ordem
de centésimo de Hertz ou menos (DIAS, op. cit.). Segundo (HALÁSZ, 1993, p. 115) com o
uso de filtros mecânicos é possível detectar desvios de frequência muito pequenos, mas estes
filtros não foram localizados no mercado por serem de confecção específica, e os filtros do
tipo LC utilizados possuem fator de mérito muito baixo se comparado aos filtros mecânicos.
Outra limitação do circuito PLL é que, para se utilizar outra faixa senão a qual está pré-
sintonizada no filtro do detector de quadratura (seja com filtro LC discreto ou filtro
mecânico) se faz necessário a conversão de frequência, e o tratamento da demodulação sendo
feito conforme a prática convencional de canal de frequência intermediária. Tal prática gera
uma complexidade muito grande no circuito, em termos de estabilidade, e obrigatoriedade de
inclusão de estágios com as funções de controle automático de ganho e limitadores na banda
 74

de interesse, conforme (SUKYS, 1984, p.188). Pelos motivos acima, o uso da técnica PLL foi
descartada para o bloco de comparador de frequência nesta pesquisa.

5.3.3 Comparador de frequência lógico combinacional.

Nas propostas estudadas nos itens anteriores 5.3.1 e 5.3.2, algumas

deficiências em relação à aplicação e à funcionalidade do circuito foram detectadas,
principalmente em relação à fixação da frequência de referência, ou largura de banda muito
ampla que inviabiliza a detecção contínua de pequenas variações de frequência. Os conceitos
que se utilizam de circuitos ressonantes, ou filtros passivos como forma de efetuar detecção
de desvio de frequência, se mostraram com estabilidade insuficiente e largura de banda
demasiado ampla para a aplicação no escopo desta pesquisa.
O comparador de frequência lógico combinacional, conforme proposto por
(BUCKNER, 1977), relaciona diretamente a duração de dois pulsos, produzindo um pulso
proporcional em duas saídas independentemente. A duração deste pulso é proporcional à
diferença de frequência entre as entradas. Na sua saída, um integrador seguido de um
amplificador diferencial, amplifica esta diferença e o aplica a etapa subseqüente o sinal de
erro Eo. Na Figura 13 tem-se um diagrama em blocos resumido do comparador.

φx Vx
fx Eo
φ/f DET LPF AMP DIF
fy
φy Vy

Figura 13 – Diagrama em blocos do circuito.

Fonte: Adaptado de BUCKNER (1977, p.3).

A idéia central do comparador é fazer com que a duração dos pulsos nas saídas
φi seja relacionada com a diferença de fase dos pulsos na entrada. Este estágio é descrito pelo
autor como sendo um detector de fase e frequência. O pulso na saída correspondente então se
mantém ativo quanto mais a outra entrada esteja defasada em relação à entrada ativa. Este
pulso atravessa um integrador, que se consiste de um filtro de primeira ordem, e na saída do
filtro, um amplificador diferencial com um ganho ajustável faz a adequação do nível do sinal
e o casamento de impedância para ser aplicado ao próximo estágio de maneira conveniente.
 75

Sendo: fx a entrada desconhecida ou controlada; fy a entrada de referência; φx o pulso cuja

duração representa (no domínio do tempo) a frequência relativa à entrada de referência e,
inversamente, o pulso em φy possui duração relacionada com a frequência da entrada
controlada. Os sinais Vx e Vy, disponíveis na saída do integrador, possuem amplitudes
médias diretamente relacionadas com a duração dos pulsos nas suas respectivas entradas,
assim, o circuito da saída se encarrega de amplificar a diferença entre estes sinais, obtendo
um nível em amplitude que representa a diferença acumulativa entre as fases (e
conseqüentemente da frequência) dos sinais da entrada.
O bloco mais complexo do circuito, o comparador de fase, consiste em um
arranjo de pequenos blocos lógicos conforme ilustrado no Diagrama 7 abaixo. O diagrama
ilustrado nesta figura, elaborado com o software de simulação Multisim®, desenvolvido pela
empresa norte-americana National Instruments, mostra o circuito em sua forma básica, que
foi utilizada no momento da simulação computacional para comprovação preliminar de
funcionamento. São dois flip-flops tipo D e uma porta lógica NAND. As entradas clear dos
dois flip-flops são ligadas em paralelo com a saída da porta NAND. Cada entrada de clock do
flip-flop recebe um sinal individualmente: uma porta recebe o sinal de referência; e outra o
sinal vindo da planta (sinal desconhecido). As suas saídas Qi são aplicadas individualmente a
uma entrada da porta NAND. A cada pulso de subida recebido na entrada de clock (fx e fy),
sua respectiva saída Q (φx e φy) muda de estado.

Diagrama 7 – Circuito do comparador de fase utilizado, em simulador computacional.

Fonte: Acervo próprio (2010).
 76

Supondo que os sinais nas entradas fx e fy estejam em fase, os mesmos

produzirão um pulso simultâneo nas entradas da NAND, forçando os flip-flops a seu estado
de reset. Em se tratando de um circuito real, pequenas diferenças entre os tempos de
propagação dos flip-flop irão gerar pulsos de largura muito curta (da ordem de 12ns no
protótipo medido). Existindo diferenças de fase entre os sinais, supondo que o sinal fx tenha
frequência mais alta que fy, o pulso de fx irá se encerrar primeiro, e na próxima subida fará
com que sua saída mantenha-se em nível alto, pois o sinal em fy ainda não mudou de estado.
Assim na saída φx será observado um pulso cuja duração é equivalente à diferença acumulada
entre as fases de fx e fy, e na saída φy não existe atividade, pois a porta NAND efetua o reset
das duas portas, e fy, por ser mais lento, nesta hipótese, sempre acabará mais tarde que fx. Os
pulsos em φx têm sua duração aumentada progressivamente até atingir 100%, neste momento,
fx entra em fase com fy, e ambas saídas são colocadas em reset. Em persistindo uma
frequência mais alta em fx, este ciclo se repete em uma latência igual à diferença entre as
duas frequências. Em sendo fy de frequência superior à fx, de maneira reversa, fica a saída φx
inativa, e os pulsos agora acontecem em φy, sendo o princípio de operação ainda assim,
mantido. No circuito de simulação computacional os sinais utilizados foram de frequência
reduzida, por uma limitação do poder de processamento da máquina utilizada na simulação.
Os resultados seguem abaixo como exemplo da operação do comparador de fase. O Bloco
XLA1 do simulador trata-se de um analisador de níveis lógicos, que mostra a temporização
das saídas, ilustradas nas figuras a seguir.

Figura 14 – Temporização das entradas e saídas do comparador de fase utilizado em ambiente de

simulação computacional. Diferença de 100Hz entre os sinais de entrada.
Fonte: Acervo próprio (2010).
 77

Na Figura 14 foi aplicado em fx um sinal de 1000Hz e em fy, um sinal de

900Hz, por intermédio dos geradores XFG2 e XFG1, respectivamente (conforme o diagrama
7). Tendo por diferença uma frequência de 100Hz, cuja latência na alternância de estados de
qx pode ser observada entre os marcadores com o tempo de 10,012ms, que representa uma
frequência de aproximadamente 99,88Hz. Diferenças menores de frequência produzem
latências com frequências inferiores, e estas possuem um papel importante na definição do
filtro na saída deste bloco. Na Figura 15 foi aplicada uma frequência de 1000Hz em fx e
1050Hz em fy, produzindo efeitos opostos aos apresentados na Figura 14, porém com
latência de tempo superior em 50%, proporcional à diferença de frequências, reduzida em
50%. Assim, pela simulação obteve-se 20ms, representando os 50Hz de diferença entre os
dois sinais aplicados na entrada. O fato de somente a saída de frequência mais alta possuir
nível, apesar de ser um nível variável na proporção de duração da própria diferença entre as
duas frequências aplicadas mostrou-se conveniente para a aplicação em um filtro de primeira
ordem, destinado a obter um sinal o mais próximo possível do DC, e assim um valor médio.

Figura 15 – Temporização das entradas e saídas do comparador de fase utilizado em ambiente de

simulação computacional. Diferença de 50Hz entre os sinais de entrada.
Fonte: Acervo próprio (2010).

O fato citado no parágrafo anterior faz com que este dois sinais possam ser
aplicados a um amplificador diferencial, com ganho e impedância de entrada alta o suficiente
para não afetar o desempenho do filtro passa-baixas, cuja constante de tempo é estimada
inicialmente em 10ms, porém o valor ótimo será obtido após ensaios empíricos com os
atuadores, que irão imprimir uma capacitância térmica, que após determinação de suas curvas
de transferência podem ser comparador com as considerações teóricas, e permitir novas
simulações computacionais para apuração dos valores e melhoria de desempenho. Assim
 78

ajustou-se o circuito para um resistor de carga de 75k, que pode ser considerado de duas
formas: 1 – Quando qy está em nível baixo, R12 está em paralelo com R14, e ambos estão em
série com R11; 2 – quando qx está em nível baixo, R11 está em paralelo com R17 e ambos
em série com R12. Tanto no caso 1 como no caso 2 acima, C11 está em série com o circuito,
e R13 e R16 não afetam a constante de tempo do circuito, afetando somente o nível CC de
polarização de operação, fixando um bias de 2.5V aproximadamente. Considerando-se um
tempo experimental de 10ms, tem-se para a constante de tempo RC do circuito um valor de
C11 de 130nF aproximadamente. Adota-se o valor comercial de 120nF, por motivos de
praticidade para os testes iniciais. Foram adicionados, no circuito real, C13 e C15 que podem
ser colocados em paralelo com C11 mediante o acionamento dos relés K3 e K4
respectivamente. O intuito destes capacitores será a correção ou ajuste fino da constante de
tempo, quando em operação real, caso necessário. No Diagrama 8 pode ser visto o diagrama
esquemático do filtro passa-baixas adotado, com a configuração de polarização adequada ao
acionamento do amplificador diferencial subseqüente, que fará o casamento de impedâncias e
adequação do nível para o estágio seguinte.

Diagrama 8 – Diagrama esquemático do filtro passa-baixas aplicado na saída do comparador de fase-

frequência.

O Filtro passa-baixas atua em conjunto com um amplificador diferencial, cuja

função é determinar qual das duas saídas possui o nível relativo mais alto, produzindo o sinal
de erro Eo. Na saída do filtro o amplificador diferencial irá detectar qual dos pontos tem
maior potencial, e em sua saída o nível irá se deslocar proporcionalmente à diferença entre
 79

suas entradas, multiplicado pelo ganho ajustado na sua realimentação. O amplificador

operacional diferencial utilizado é um tipo TL592, de fabricação Texas Instruments, cujo
circuito foi arranjado conforme ilustrado no Diagrama 9 abaixo.

Diagrama 9 – Circuito amplificador diferencial utilizado para obter a saída de erro Eo.

Algumas considerações foram importantes na escolha do referido circuito,

sendo elas:
• O circuito comparador tem saída TTL, não sendo possível utilizar um
amplificador diferencial com fonte simétrica diretamente;
• Possibilidade de ajuste de ganho que não altere a impedância de entrada do
circuito significativamente, que poderia causar alteração da constante de
tempo do filtro;
• Banda passante relativamente baixa, limitando a possibilidade de oscilações
parasitas;
• Possuir encapsulamento robusto e dissipação de potência capaz de suportar as
etapas de ajustes do circuito;
• Possibilitar o ajuste de offset de entrada de forma a cancelar ao máximo os
efeitos térmicos indesejáveis.

O TL592 (componente U6 da placa real), conforme os dados do fabricante, é

configurado para operar em fonte simétrica, e saída balanceada, porém, o sinal proveniente do
filtro não é simétrico, pelo simples fato de ser alimentado por uma lógica TTL, que opera de
0 a 5VCC aproximadamente. Por esse motivo, o TL592 está configurado em fonte simples, e
 80

as suas entradas estão deslocadas em ½ VCC, pelos pares de divisores resistivos R13 e R14
para Vin- (ou Vy) e R16 e R17 para Vin+ (ou Vx). Desta forma, quando a entrada Vin+
estiver ativa, na saída do amplificador existirão pulsos de amplitude inicial 1/2VCC, que no
caso é aproximadamente 2,5V, que se estendem até a saturação positiva da entrada e Vin- fica
em nível baixo. Assim como anteriormente, Vin- ficará ativo quando Vin+ ficar em nível
baixo. Entre os pinos 7 e 2 deste componente foi acrescentado um resistor que define o ganho
de malha fechada, e pode ser ajustado mediante o acionamento dos Reles K5 e K6, colocando
os resistores R21 e R22 em paralelo com R23, ou em qualquer outra combinação destes.
Tem-se então a função da tensão de saída de U6, estaticamente, conforme abaixo:
Vo = 2,5 + [(VIN + − VIN − ) ⋅ G ] (Eq. 36)
Onde G é definido conforme o gráfico abaixo, extraído da especificação do
fabricante (Texas Instruments). Por intermédio da chave SW1 na placa, pode-se escolher
também por uma função oposta à da Equação 36, extraindo o sinal de saída da porta inversa
de U6, ficando a nova função como sendo:
Vo = 2,5 + [(VIN − − VIN + ) ⋅ G ] (Eq. 37)
Tal artifício de inversão da função de tensão do amplificador U6 pode ser necessário na
alteração dos estágios do circuito para uma configuração diferente da proposta, e segue
somente como informação, não sendo utilizada nesta pesquisa desta forma.

Gráfico 9 – Gráfico com o ganho do operacional TL592 configurado externamente.

Fonte – Texas Instruments (2010).

Na Figura 16 pode ser vista a saída do amplificador na simulação, com ganho

configurado para 70 (R23=100Ω) e constante de tempo igual a 10ms, sendo simulado com as
 81

frequências inferiores devido a limitação de processamento do ambiente computacional.

Assim, foram usadas: 10,000kHz como referência (fx), 9,990kHz como desvio inferior (fy-),
e 10,010kHz como desvio superior (fy+). A transição entre os estados sofre uma perturbação
devido à contraposição da polaridade das cargas no capacitor do filtro passa-baixas. Redução
deste valor do capacitor provoca um aumento da flutuação logo após à mudança de
frequência de fy+ para fy-; o aumento deste capacitor prolonga o tempo de assentamento do
circuito, o que foi considerado indesejável como premissa de projeto também. Somente
ocorreu sobressinal quando o ganho foi aumentado acima de 200, e a redução do ganho a
valores inferiores a 50 mostrou que somente o patamar do valor final foi afetado, podendo ser
ajustado por intermédio de K5 e K6 para um ajuste fino ou simulações no ambiente real
diferentes do obtido com o protótipo de teste. Na Figura 17 pode ser vista uma ampliação do
trecho inicial, quando o sistema parte do estado inicial nulo, para a condição de Vy < Vx,
onde ocorre esse evento fica em uma posição 0 < t <600µs. Os cursores mostram a constante
de tempo de aproximadamente 100µs, apropriada ao sinal de referência de 10kHz.

Figura 16 – Saída de U6, quando acionado por Vy<Vx (do centro à esquerda) e quando Vy>Vx
(porção à direita).
Fonte: Acervo próprio (2010).
 82

Importante notar que os níveis descritos na Figura 16, na Figura 17 e na Figura

18 não são simétricos em relação ao 0V, e sim variantes entre 0V e 5V aproximadamente. O
ponto de ajuste central do circuito é então 2,5V aproximadamente. Este ponto pode ser
afetado por desvios do offset de entrada de U6, e precisam ser ajustados posteriormente na
etapa da conformação CC e deslocamento de nível. Quando existe na saída de U6 um nível
constante de 2,5V, idealmente o sistema está estável, e fx = fy. Uma simulação complementar
foi efetuada com um sinal variante em frequência de 100Hz de taxa e profundidade de desvio
de 0.5kHz. As taxas de desvio envolvidas no ambiente real de teste EDFL (DIAS, 2008)
estão muito abaixo destes valores, em torno de centésimos de Hertz. Porém em ambiente de
simulação estes foram extrapolados para viabilizar o teste, pois o intervalo de ciclos de
máquina do Multisim torna inviável o uso de tempos longos reais.

Figura 17 – Ampliação do trecho do transiente onde Vy < Vx.

Fonte: Acervo próprio (2010).
 83

Figura 18 – Ampliação do trecho do transiente onde Vy > Vx.

Fonte – Acervo próprio (2010).

Na Figura 19 está o circuito utilizado na simulação

<Design3_DIFF_fmod.ms11> com a varredura em modulação de frequência feita de
maneira automática, e o resultado na saída de U6 pode ser observado na Figura 20. Foi
utilizado um circuito do tipo LMH6550MA por ser o que mais se aproxima do TL592 na
aplicação, este não é disponível no pacote de circuitos de simulação do programa utilizado. A
criação de um modelo do TL592 para o Multisim® foge ao escopo deste trabalho.
 84

Figura 19 – Circuito utilizado na simulação de varredura de frequência.

Fonte – Acervo próprio (2010).

Pelos resultados obtidos em simulação, o comparador de frequência

lógico combinacional apresenta importantes características que o tornam viável para a
aplicação. A principal vantagem desta topologia é que uma frequência desconhecida é
comparada com outra frequência diretamente, e poucos componentes externos precisam ser
ajustados para isso. Não existem componentes sintonizados ou críticos em temperatura ou
regime de trabalho. Somente um acerto na constante de tempo da saída do filtro e o ajuste do
ganho podem se fazer necessários, isso caso seja desviado muito acima da faixa de operação
estudada. Os testes no protótipo poderão evidenciar a influência efetiva destes parâmetros
quando em ensaios empíricos, com os blocos em operação. O sinal obtido em sua saída (Eo
na Figura 13 ou VCO+ no Diagrama 9, e no diagrama esquemático no Anexo VI) é então o
próprio sinal de erro, que pode ser aplicado a uma etapa conformadora de sinal, para o
tratamento deste em termos de nível e compensar efeitos térmicos ou quaisquer outras
compensações internas ou externas do protótipo.
 85

Figura 20 – Forma de onda obtida na saída de U6 (U4 no circuito de simulação), com uma varredura
FM de 100Hz.
Fonte – Acervo próprio (2010).

Apesar de os resultados teóricos terem se apresentado favoráveis, algumas

limitações práticas foram apontadas durante a simulação do funcionamento do comparador
real. Para o circuito real, foi previsto um ponto em que o sinal da referência seja aplicado em
ambas as entradas do comparador de frequência. Isto é feito por intermédio de um relé (K2 no
circuito real), que remove o sinal fx e aplica somente a referência em ambas as entradas dos
flip-flops do comparador. O acionamento deste relé fica a cargo de uma chave no painel
frontal do equipamento, com a função de calibração (CAL). Quando isto ocorre, conforme a
simulação computacional, o nível da saída do amplificador operacional deveria ficar em 2,5V
(1/2VDD), porém a diferença da corrente de offset de entrada do TL592 provoca um
deslocamento (também função da temperatura), que no circuito real fica em torno de 3,1V.
Este ajuste poderia ser aperfeiçoado (FRANCO, 1988, p.213) mediante um ajuste externo de
offset que, para simplificação do circuito, foi omitido. Também a falta de simetria de
excursão do sinal, limita a compliância do TL592, fazendo com que a variação do sinal acima
 86

e abaixo do ponto médio não seja simétrica, conforme visto na Figura 21 e na Figura 22
abaixo.

Figura 21 – Forma de onda real de saída para fx > fy. Canal Vertical: 1V/div; Horizontal: 2ms/div.
Fonte – Acervo próprio (2011).

Na Figura 21, capturada com osciloscópio no ponto VCO+ do Diagrama 9 no

circuito, aplicada uma frequência de 10,000020MHz em fy (entrada de referência a partir do
próprio OFR interno) e 10,000220 MHz em fx através de um gerador externo, obtendo-se
200Hz de diferença que podem ser detectados pelo período da forma de onda resultante
(aprox. 5ms). É possível notar a excursão do sinal acima do ponto médio de calibração, em
torno de 1Vp. O capacitor do filtro passa-baixas estava ajustado para 15nF. A constante de
tempo fica então aproximadamente 1,5ms (com R = 2x47kΩ). SW1 na posição da saída não
inversora de U6.

Figura 22 – Forma de onda real de saída para fx < fy. Canal Vertical: 1V/div; Horizontal: 2ms/div.
Fonte – Acervo próprio (2011).
 87

Na Figura 22, capturada com osciloscópio no ponto VCO+ do Diagrama 9 no

circuito, aplicada uma frequência de 10,000020MHz em fy (entrada de referência a partir do
próprio OFR interno) e 9,999850 MHz em fx através de um gerador externo, obtendo-se
170Hz de diferença que podem ser detectados pelo período da forma de onda resultante
(aprox. 5,6ms). É possível notar a excursão do sinal abaixo do ponto médio de calibração, em
torno de 0,5Vp. O capacitor do filtro passa-baixas também estava ajustado para 15nF como
na medição anterior. A diferença entre os níveis capturados para diferenças acima e abaixo de
fx se mantém mesmo com aplicação de diferentes frequências ou níveis. Por ser uma
característica do circuito que não foi aplicado em fonte simétrica devido ao uso de circuito
TTL na etapa de comparação, o circuito integrado TL592 não é capaz de manter o mesmo
ganho em modo comum para os sinais, havendo este desequilíbrio. No estágio do
conformador de sinal existe a compensação do nível destes sinais, bem como o tratamento do
sinal para adquirir as características que o tornem adequado para ser inserido no amplificador
de potência e após atingir nível, ter aplicação no ODT (planta).
O circuito comparador de frequência permite o ajuste das constantes
distribuídas do filtro passa-baixas e do amplificador diferencial, mediante o chaveamento
manual de um comando de alavancas do tipo dip-switch (P8 na placa real) existente na
própria placa do comparador, ou mediante o uso do barramento já roteado no backplane, em
que o comando CS3 (chip-select 3) deve ser habilitado, e um latch do tipo 74LS373 (U2 na
placa real) se encarrega de manter a configuração, que deve ser fornecida por um
microcontrolador. Quando usadas as chaves manuais, o latch é desabilitado. Para usar o
comando via U2, desligar todas as chaves. O Quadro 1 abaixo possui a listagem das posições.
Os arranjos possíveis para o ganho de U6 são ajustados conforme o
chaveamento dos relés K5 (D0_B ou LSB) e K6 (D1_B), colocando respectivamente
R21(100Ω) e/ou R22(470Ω) em paralelo com R23 (1kΩ fixo). Assim se obtém com o auxílio
do Diagrama 9, os valores reais dos componentes, já para trabalho na faixa de frequências de
interesse (10MHz):

XX00 → RG = R23 = 100Ω; G = 10

XX01 → RG = R23//R22 = 100Ω//470Ω = 320Ω; G = 35
XX10 → RG = R23//R21 = 100Ω//1kΩ = 91Ω; G = 90
XX11 → RG = R23//R22//R21 = 100Ω//470Ω//1kΩ = 47Ω; G = 150
 88

Analogamente, os arranjos possíveis para a constante de tempo do filtro passa-

baixas é obtida pelo chaveamento dos relés K3 (D2_B) e K4 (D3_B), colocando
respectivamente C13 (2,2nF) e/ou C15 (15nF) em paralelo com C11 (150pF). A constante RC
do circuito é formada pelo produto entre R11, R12 (ambos 47kΩ fixos) e o resultado da
associação de C11, C13 e C15.
00XX → CEQ = C11, τ = (R11+R12).C11 = (47kΩ+47kΩ).150.10-12 = 14,1µs
01XX → CEQ = C11//C13, τ = (R11+R12).(C11+C13)
= (47kΩ+47kΩ).(0,15+2,2).10-9 = 220,9µs
10XX → CEQ = C11//C15, τ = (R11+R12).(C11+C15)
= (47kΩ+47kΩ).(0,15+15).10-9 = 1424,1µs
11XX → CEQ = C11//C13//C15, τ = (R11+R12).(C11+C13+C15)
= (47kΩ+47kΩ).(0,15+2,2+15).10-9 = 1630,9µs

Quadro 1 – Configuração das constantes do comparador de frequência.

Comando Ganho U6 Constante RC (µs)
0000 10 14,1
0001 35 14,1
0010 90 14,1
0011 150 14,1
0100 10 220,9
0101 35 220,9
0110 90 220,9
0111 150 220,9
1000 10 1424,1
1001 35 1424,1
1010 90 1424,1
1011 150 1424,1
1100 10 1630,9
1101 35 1630,9
1110 90 1630,9
1111 150 1630,9

Fonte – Acervo próprio (2010).

O comparador de frequência pode também ser caracterizado pelas fórmulas

empíricas, já com algumas correções devido a não linearidade de U6, sendo que o circuito foi
ajustado com o auxílio da chave CAL para assegurar total excursão de VOUT+ e VOUT-:
 −T

VOUT + (T ) = 3,1 +  0,12.G.e τ  , para fx > fy
 (Eq. 38)
 

 −T

VOUT− (T ) = 3,1 −  0,08.G.e τ  , para fx < fy
 (Eq. 39)
 
 89

1
Onde: T = , e τ = CEQ.(94kΩ)
fx − fy

Sendo que os valores limite para as equações, devido às características de

saturação e assimetria de U6 são, conforme as medições experimentais:

VOUT+_MAX = 4,2V

VOUT+_MIN = 2,5V

Lembrando somente que estas tensões representam a diferença entre as

frequências fx e fy, em função do tempo. De uma forma sintética com base nos testes
efetuados, foi constatado que, com ganho baixo (da ordem de 30) e constante de tempo longa
(>1000µs), o circuito responde mais lentamente, detectando variações de fy e fx da ordem de
kHz, e para constantes de tempo menores (≈200µs), e G alto, o circuito é capaz de detectar
variações da ordem de alguns Hertz. Aumentando-se o ganho e reduzindo-se a constante de
tempo, é possível detectar variações de décimos de Hertz.

5.4 CONFORMADOR E RESTAURADOR DC

O estágio seguinte ao comparador de frequência recebe o sinal com nível

variante no tempo, de amplitude 0 a 5V, onde o ponto central de ajuste teórico é 2,5V (na
realidade 3,1V no circuito final), e o desloca para um ponto onde o centro é 0V. Este estágio
elimina qualquer serrilhamento do sinal, com o uso de dois retificadores de precisão de meia
onda (FRANCO, 1988, p.328), um que retira a parte somente positiva do sinal, e outro que
retira somente a parte negativa do sinal, para que cada um deles receba um tratamento
adequado independente, e ajuste de amplitude de forma a compensar os efeitos da falta de
simetria do compensador de frequência real. Também em cada um dos ramos é aplicado um
estágio amplificador diferencial-integral independente, cujas constantes podem ser ajustadas
independentemente uma da outra, através de micro-relés blindados que fazem o chaveamento
de capacitores.
 90

Figura 23 – Diagrama funcional do bloco restaurador conformador DC.

A saída do comparador de frequência possui um modo de ajuste, feito por

intermédio do botão CAL, onde o mesmo sinal é aplicado em fx e fy mediante um relé que
está na placa do comparador (K2). Nesta condição, o sinal de saída teoricamente é um sinal
DC puro quando na função CAL, é fornecido ao estágio do conformador, que faz uma
somatória com uma tensão mais negativa, trazendo-o para um patamar em 0V. O bloco que
executa esta função fica no restaurador DC, e é composto de um somador com amplificador
operacional (U2), tipo OPA27, que possui tensão de offset baixo, inferior a 10µV/°C,
conforme os dados do fabricante (Burr-Brown, agora Texas Semiconductor), minimizando os
erros de rastreio e desvios térmicos após o ajuste (FRANCO, 1988, p.189). Pode ser inserido
um pequeno ganho de tensão neste estágio, caso as simulações mostrem isso que se faz
necessário. A tensão de referência para o somador é fornecida por outro amplificador
operacional (U3 - LM741) configurado como fonte de tensão, para minimizar a impedância
de saída, e o ajuste de deslocamento é por intermédio de um potenciômetro rotativo, situado
no painel frontal. Este ajuste é então o ajuste “CAL DC”, ou seja, calibração do ponto CC de
operação. Desta forma o circuito restaura o nível DC perdido no estágio do comparador,
devido à suas limitações de conceito e aplicação. No Diagrama 10 está o esquemático da
aplicação deste sub-bloco.
Após isso, supondo-se que dois sinais de frequências distintas foram aplicados
em fx e fy no comparador de frequência, e a chave CAL esteja desativada, para fx > fy ou fx
< fy, surgirão pulsos com maior ciclo ativo positivo (duty-cycle), caso fx > fy ou,
 91

reversamente, pulsos com maior ciclo ativo negativo (duty-cycle), caso fx < fy. Como visto
no item do comparador de frequência, estas amplitudes relativas não são iguais, então um
ajuste equalizador de nível se faz necessário, antes de se aplicar ao estágio seguinte.

Diagrama 10 – Diagrama esquemático do somador de entrada.

Da saída deste estágio somador, o sinal é então aplicado a dois retificadores de

precisão de meia onda, um negativo e outro positivo, através de potenciômetros que irão
ajustar a amplitude de ambos retificadores independentemente (RV1 e RV2), para equalizar
os níveis entre eles. Desta forma, podem ser feitas compensações diferentes para fx < fy
(amplitudes negativas) e para fx > fy (amplitudes positivas), sendo muito conveniente par
adequar o tratamento de sinal do estágio seguinte. O retificador de precisão é um circuito em
que um diodo é inserido no elo de realimentação negativa, fazendo com que o circuito possua
um ganho próximo da unidade para sinais em que o diodo está conduzindo, e ganho
praticamente nulo para sinais que polarizam a junção do diodo reversamente. O cruzamento
da curva do diodo é então eliminado, pois o amplificador operacional possui um ganho muito
alto em malha aberta. Para minimizar ainda mais esta transição, podem ser usados diodos de
barreira Schottky, que possuem tensão direta inferior aos convencionais de silício, e tempo de
recuperação reversa (tRR) também muito inferior (POMILIO, 2009, não paginado) - para o
circuito, o tipo 1N5711 SCHOTTKY de fabricação ST Microelectronics foi utilizado.
Algumas bibliografias (FRANCO, op. cit. p.324; LENK, 1977, p. 156) citam o retificador de
precisão como "super diodo", devido às características lineares de transferência da região de
interesse do sinal, região esta que é selecionada conforme a configuração do sentido do diodo
(Diagrama 11).
 92

Diagrama 11 – Retificadores de precisão utilizados no sub-bloco conformador de sinal.

Fonte – Adaptado de FRANCO (1988, p. 324).

Dentro do bloco do conformador/restaurador, a partir da saída de cada um dos

retificadores de precisão (VRET+ e VRET–), os sinais são tratados de maneira independente.
Esta decisão foi tomada como estratégia de projeto, após a observação do comportamento
térmico (Capítulo 7) em ensaios de aplicação de potência elétrica nos atuadores (teste de
degrau elétrico), que mostrou que o comportamento temporal do sistema é diferente para
resfriamento e aquecimento, determinado pela análise da resposta no domínio do tempo. Este
tratamento independente em cada um dos ramos deste sub-bloco significa que os estágios
intermediários têm configurações também diferentes. Para cada um dos ramos, o sinal
atravessa um diferenciador, e um integrador ativo, que são construídos com amplificadores
operacionais do tipo OPA27, sendo U7 para o ramo positivo e U8 para o ramo negativo no
circuito final, descritos no Diagrama 12.
DEUTSCH (1951, p.298) trata o integrador como uma forma de filtro passa-
baixa. O diagrama simplificado do circuito pode ser visto nos Diagrama 13 e Diagrama 14
abaixo. Conforme (KUO, GOLNARAGHI, 2003, p. E-4; MICHAL, et al., não paginado;
MANCINI, 2002 p. 434) a função de transferência aproximada do circuito pode ser obtida
pelas considerações abaixo, e é descrita pela equação 42, já complementadas com os valores
nominais dos componentes utilizados na simulação computacional e posteriormente usados
na montagem da placa após algumas recursões com base nos resultados da simulação
(STROHL, 2010, não paginado).

Vout  Z F   Z L 
= 1 + −  (Eq. 40)
Vin  Z L   Z in + Z L 
 93

Diagrama 12 – Diagrama esquemático do sub-bloco com a função de PID.

Fonte – Acervo próprio (2011).

  1 
  R 2 sC 2  
  
  R 2 + 1    

Vout   sC 2   −  R3
= 1 + 
Vin R3   1 
    R1 + + R3  
   sC1 
 
 
 94

Diagrama 13 – Circuito PID não inversor simplificado.

Fonte – Adaptado de MICHAL, et al. (não paginado).

Diagrama 14 – Circuito PID com os parâmetros distribuídos das impedâncias.

Fonte – Adaptado de MANCINI (2002, p. A-34)
 95

 
Vout  R2   R3 
= 1 +  −  (Eq. 41)
Vin  R 3(1 + sC 2 R 2 )   R1 + 1 + R 3  
 sC 1  


 
Vout  10 5   10 4 
= 1 + 4 5 
−  (Eq. 42)
(
Vin  10 1 + sC 2.10   4 )
10 +
1
+ 10 
4

 sC1 

Sendo que na equação 42, está a função de transferência aproximada para os

valores reais dos componentes dimensionados com o auxílio do software de simulação
Multisim®. O capacitor C1 pode ser inserido ou retirado do circuito mediante o chaveamento
de um relé (K4 para o ramo positivo e K5 para o ramo negativo, no circuito real). No circuito
real, C1 corresponde à referência de posição C14 para o ramo positivo e C15 para o ramo
negativo. Por sua vez, no circuito real, C2 corresponde ao arranjo de C25, C30 e C34 para o
ramo positivo, e para o ramo negativo é usado um arranjo com C26, C31 e C35. Tal arranjo é
obtido mediante combinação do chaveamento dos relés do integrador. Conforme MANCINI
(2002, p. A-34), o circuito funciona como integrador para frequências baixas, até o ponto em
que f = 1/(2π.R2.C2), a partir de então, funciona como um amplificador, com ganho em
malha fechada definido por R2 e R3, pois C2 não mais oferece reatância significativa na
realimentação. No diagrama 12 está o circuito real como foi concebida a placa de circuito
impresso, para a parte do integrador.
Nas Figura 24, Figura 25, Figura 26, Figura 27, Figura 28 e Figura 29 estão as
respostas para três arranjos do circuito integrador, todos com o sub-bloco PID em malha
aberta, em simulação computacional o arquivo chama-se <DC_RES_3_pid_2.ms11>.
Para a simulação foi usada a versão 11 deste software Multisim®.

• Arranjo 1: C1=0nF (sem ganho diferencial); C2≈2µF. Resposta para uma entrada de
5V, equivalente a uma diferença entre fx e fy de 1kHz no comparador de frequência, e
duty-cycle de 95% (fx > fy). O tempo de assentamento (Ts) é de 367ms (Figura 24).
 96

Figura 24 – Resposta do integrador para o arranjo 1 do circuito, em simulação computacional.

Fonte – Acervo próprio (2011).

Figura 25 – Bode plot para magnitude e fase, do arranjo 1 do circuito.

Fonte – Acervo próprio (2011).
 97

• Arranjo 2: C1=0nF (sem ganho diferencial); C2≈12µF. As mesmas condições de

entrada do arranjo 1. Ts agora é de 2,2s. (Figura 26, abaixo).

Figura 26 – Resposta do integrador para o arranjo 2 do circuito, em simulação computacional.

Fonte – Acervo próprio (2011).

Figura 27 – Bode plot para magnitude e fase, do arranjo 2 do circuito.

Fonte – Acervo próprio (2011).
 98

• Arranjo 3: C1 = 0nF, C2 ≈ 62µF. Mantidas as condições de entrada dos arranjos 1 e 2.

Ts estimado em 4,6s. (Figura 28, abaixo).

Figura 28 – Resposta do integrador para o arranjo 3 do circuito, em simulação computacional.

Fonte – Acervo próprio (2011).

Figura 29 – Bode plot para magnitude e fase, do arranjo 3 do circuito.

Fonte – Acervo próprio (2011).
 99

Pela simulação computacional realizada, pode-se perceber que nos três casos
avaliados, os circuitos mantêm uma margem de fase segura (NISE, 1995; DORF, BISHOP,
2001) de 90º o que é importante para evitar oscilações indesejáveis que podem arruinar a
resposta do sinal. O Excesso de fase é deslocado conforme a constante de tempo em cada um
dos arranjos, com um mínimo na frequência de joelho. Outros arranjos são possíveis, bem
como arranjos distintos para o ramo positivo e para o ramo negativo.
No circuito foram previstos dois relés (K1 e K10) que tem a função de aplicar
o sinal direto dos retificadores de precisão para o somador de saída, sem passar pelo estágio
do PID. Assim como para o Comparador de Frequência, o circuito Conformador e
Restaurador DC permite o ajuste das constantes distribuídas do Integrador (ou Integrador-
Diferenciador), mediante o chaveamento manual de um comando de alavancas do tipo dip-
switch (P3) existente na própria placa do conformador de sinal, ou mediante o uso do
barramento já roteado no backplane, em que o comando CS2 (chip-select 2) deve ser
habilitado, e um latch do tipo 74LS373 (U1 na placa real) se encarrega de manter a
configuração, que deve ser fornecida por um microcontrolador. Quando usadas as chaves
manuais, o latch é desabilitado. Para usar o comando via U2, desligar todas as chaves. Os
Quadro 2 e Quadro 3 abaixo possuem a listagem das posições com as respectivas
configurações para o circuito.

Quadro 2 – Arranjos possíveis do barramento digital ou pela chave P3.

Comando C1 (nF) RAMO POS C2 (µF) RAMO POS C1 (nF) RAMO NEG C2 (µF) RAMO NEG
00XX0000 47 2 47 2
00XX0001 47 2 CURTO 2
00XX0010 CURTO 2 47 2
00XX0011 CURTO 2 CURTO 2
00XX0100 47 52 47 2
00XX0101 47 52 CURTO 2
00XX0110 CURTO 52 47 2
00XX0111 CURTO 52 CURTO 2
00XX1000 47 2 47 52
00XX1001 47 2 CURTO 52
00XX1010 CURTO 2 47 52
00XX1011 CURTO 2 CURTO 52
00XX1100 47 52 47 52
00XX1101 47 52 CURTO 52
00XX1110 CURTO 52 47 52
00XX1111 CURTO 52 CURTO 52
Fonte – Acervo próprio (2011).
 100

Quadro 3 – Arranjos possíveis com o barramento digital ou pela chave P3 (continuação).

Comando C1 (nF) RAMO POS C2 (µF) RAMO POS C1 (nF) RAMO NEG C2 (µF) RAMO NEG
01XX0000 47 12 47 2
01XX0001 47 12 CURTO 2
01XX0010 CURTO 12 47 2
01XX0011 CURTO 12 CURTO 2
01XX0100 47 62 47 2
01XX0101 47 62 CURTO 2
01XX0110 CURTO 62 47 2
01XX0111 CURTO 62 CURTO 2
01XX1000 47 12 47 52
01XX1001 47 12 CURTO 52
01XX1010 CURTO 12 47 52
01XX1011 CURTO 12 CURTO 52
01XX1100 47 62 47 52
01XX1101 47 62 CURTO 52
01XX1110 CURTO 62 47 52
01XX1111 CURTO 62 CURTO 52
10XX0000 47 2 47 12
10XX0001 47 2 CURTO 12
10XX0010 CURTO 2 47 12
10XX0011 CURTO 2 CURTO 12
10XX0100 47 12 47 12
10XX0101 47 12 CURTO 12
10XX0110 CURTO 12 47 12
10XX0111 CURTO 12 CURTO 12
10XX1000 47 2 47 62
10XX1001 47 2 CURTO 62
10XX1010 CURTO 2 47 62
10XX1011 CURTO 2 CURTO 62
10XX1100 47 52 47 62
10XX1101 47 52 CURTO 62
10XX1110 CURTO 52 47 62
10XX1111 CURTO 52 CURTO 62
11XX0000 47 12 47 12
11XX0001 47 12 CURTO 12
11XX0010 CURTO 12 47 12
11XX0011 CURTO 12 CURTO 12
11XX0100 47 62 47 12
11XX0101 47 62 CURTO 12
11XX0110 CURTO 62 47 12
11XX0111 CURTO 62 CURTO 12
11XX1000 47 12 47 62
11XX1001 47 12 CURTO 62
11XX1010 CURTO 12 47 62
11XX1011 CURTO 12 CURTO 62
11XX1100 47 62 47 62
11XX1101 47 62 CURTO 62
11XX1110 CURTO 62 47 62
11XX1111 CURTO 62 CURTO 62

Fonte – Acervo próprio (2011).

 101

5.5 CONTROLE DE POTÊNCIA

O estágio de controle de potência, como o próprio nome diz, é o controlador

do sistema descrito na Figura 7 no início do capítulo 5, sendo responsável por elevar o sinal
de erro a um nível de potência suficiente para que os atuadores possam transferir a energia
elétrica (diretamente proporcional ao erro) fornecida por ele, em temperatura, seja
“inserindo” temperatura à planta (através do elemento de aquecimento - resistência), ou
“retirando” temperatura da planta (através do elemento de resfriamento - célula Peltier). Este
bloco do circuito consiste basicamente em um amplificador de potência. Para efetuar esta
função, algumas considerações precisaram ser avaliadas para um sistema real, sendo elas:
• A resposta térmica do sistema EDFL (originalmente o sistema real a ser
testado) possui um comportamento de variação lento, que dura perto de uma
hora (DIAS, 2008), o que significa que, por alguns períodos consideráveis de
tempo, o amplificador deve manter a sua estabilidade de ganho de sinal com
sinal CC, o que implica em uma polarização crítica em relação ao aumento de
temperatura durante o período de condução (LENK, 1974; SELF, 1997).
• Possibilidade de controle independente tanto do elemento atuador de
aquecimento como o elemento de resfriamento, possibilitando o controle ativo
da temperatura no trecho sob influência do atuador.
• Possuir tempo de resposta suficiente para compensar as variações na entrada
do sinal de erro, e laço de realimentação interno para reduzir o erro provocado
pelas quedas de tensão internas ao circuito amplificador, quando submetido à
plena carga (BORTONI, 2002).
• Precisam ter capacidade de suportar, por longos períodos de tempo, os
atuadores à plena carga, e dissipação de calor suficiente para não avariar os
dispositivos de saída.
• Proteção para sobrecarga, ou falhas de conexão de qualquer espécie, nos
atuadores.

Levando em consideração os fatores acima, com as implicações concernentes à

dificuldade de elaboração, validação e teste dos mesmos, alguns tipos de amplificadores
puderam ser considerados, sendo que cada um possui vantagens e desvantagens que
delimitam tanto no que diz respeito à funcionalidade, quanto à complexidade de implantação,
 102

principalmente levando em consideração os componentes e o prazo disponível para a sua

execução. Nas linhas a seguir, três tipos de amplificadores são analisados de maneira sintética
e funcional, sendo que para cada um deles foi construído um protótipo e algumas medições
efetuadas. Sendo eles: amplificador classe AB com realimentação por corrente, amplificador
classe D, com controle de realimentação de tensão por modulação por largura de pulsos
(Pulse Width Modulation) PWM, e regulador série simétrico e rastreado com realimentação
independente. Como o intuito do circuito é estabilizar a frequência atuando na temperatura da
planta (simulado com o ODT, devido sua frequência ser dependente da temperatura), é
necessário que os atuadores aqueçam e resfriem a planta, estabilizando o sistema de maneira
continua e dinamicamente.

5.5.1 Amplificador classe AB com realimentação por corrente.

Em um circuito similar ao do Diagrama 15, (NETO, et al., 2003) propõem um

amplificador do tipo classe AB (BORTONI, 2003, p.89) para efetuar um controle de
temperatura, a partir de um sinal de tensão convenientemente escolhido (no caso do estudo
original, foi aplicado um degrau elétrico ao módulo termoelétrico), inserindo o módulo
termoelétrico no ponto central da tomada da realimentação por corrente, que é comparada
com uma referência externa por intermédio de um amplificador diferencial (U1), que toma
uma parcela proporcional à corrente e a compara com a tensão de referência, como em um
amplificador de transcondutância (LENK, 1974, p.155), que fornece uma corrente na saída
controlada por uma tensão de entrada. Esta, sob o ponto de vista da carga, é considerada uma
topologia single-ended não-diferencial. O circuito foi analisado e montado, inicialmente para
ser configurado como o controlador do sistema, atuando no ODT mediante o estudo da
resposta em degrau, para a máxima potência. Sem sinal tem-se na entrada (VREF) 0V, o que
significa que no nó formado por R8 e R9, também estará, em tese, em 0V em relação ao terra
do circuito. Para manter a distorção do sinal e a resposta linear na região de baixo sinal
(distorção de joelho ou crossover), é necessário que uma corrente constante flua pelo ramo
formado pelos transistores Q2 e Q3, por intermédio de D3 e D4. Com o aquecimento de Q2 e
Q3 em operação, D1 e D2, acoplados termicamente a Q2 e Q3 com uso de graxa térmica,
compensam a queda de tensão entre as junções destes, por também serem de junção, limitam
a polarização garantindo a manutenção desta polarização.
 103

Diagrama 15 – Adaptação do circuito proposto para acionamento do módulo termoelétrico.

Fonte – Adaptado de NETO, et. al. (2003, p.4)

A corrente de polarização é mantida por Q4, e os componentes a sua volta,

podendo ser ajustada RV2. No protótipo em teste a corrente de ajuste ótimo para menor
distorção por cruzamento de joelho (crossover) ficou em 20mA, medida entre R9 e R8, com o
circuito sem carga e bias de 0V na base de Q5, que funciona como acionador (driver). TH1 é
o módulo termoelétrico, e R7 um resistor de valor baixo (0,22Ω no protótipo), que funciona
como shunt gerando uma pequena queda de tensão, para ser o erro de U1.
Em uma análise do circuito, pode-se facilmente observar a equação que rege o
comportamento da corrente em função da tensão de entrada, como sendo:

 R2 
I O = VI ⋅  1 +  [A] (Eq. 43)
 R7 
 104

Onde a corrente pode fluir em ambos os sentidos, sendo limitada na prática

pelo ±VDD e pelos resistores de emissor de Q2 e Q3 (R8 e R9, respectivamente). A proposta
desta configuração então é forçar a circulação de corrente pela célula Peltier por ambos os
sentidos, conforme se deseja fazer com que a célula extraia ou imprima calor na superfície a
ser controlada, assim, a base do ODT forma essa superfície, simulando a planta real do
sistema EDFL.
Um dos principais fatores limitadores da estabilidade deste tipo de aplicação é,
que quando submetido a um fluxo de corrente contínua, a estabilidade térmica em um ramo
(por exemplo, o ramo em condução) é afetada de maneira diversa do ramo estático. Isto
significa dizer que a condução provoca uma elevação de temperatura que não é
instantaneamente transferida (SELF, 1997) para o outro elemento. Como a compensação de
bias é igual para ambos os ramos (no caso, os pares complementares de fabricação Toshiba
foram escolhidos do mesmo lote para melhor aproximação de suas características na tentativa
de minimizar este efeito), a falta de acoplamento térmico entre Q2 e Q3 (ou a simples
ineficiência de balanceamento na corrente de polarização entre os ramos), e o regime de
funcionamento proposto, com ciclos com frequência muito baixa, da ordem de centésimos de
Hertz (DIAS, 2008) comprometem a estabilidade deste método.
O problema surge quando a célula precisa ser mantida sem excitação, porém
tem uma diferença de temperatura entre suas superfícies. Neste caso, a própria célula, através
do efeito Seebeck (YAAKOV, 2005, apud FERREIRA, 2011), se encarrega de modificar o
balanço na entrada inversora de U1, pois a corrente tende a circular no sentido oposto. Para
manter suas entradas sob mesmo potencial (corrigindo o erro inserido externamente pela
célula Peltier), o amplificador reverte a condução do circuito, até um ponto em que a célula
não consiga superar a tensão aplicada, e mantém o valor da corrente próximo do nulo (pois as
entradas estão polarizadas de tal forma que não há erro - eletricamente o sistema está estável),
mas a célula continua a efetuar a troca térmica entre suas superfícies, causando novo
desbalanceamento.
A seqüência do Diagrama 16 e do Diagrama 17 demonstra visualmente o que
ocorre neste tipo de aplicação.
 105

CALOR
Diagrama 16 – Sentido das correntes durante um ciclo de resfriamento.

Supondo que a corrente para resfriamento circula pelo elemento Peltier,

partindo do ponto A para o B do Diagrama 16, em direção ao Terra do circuito. Como a
entrada inversora de U1 possui impedância alta (da ordem de 1MΩ) e R7 uma resistência
baixa (décimos de 1Ω), a corrente circula totalmente como indicado pelas setas pretas. Tal
corrente é suprida por Q2 e a queda de tensão sobre R7 é usada para limitação de corrente,
em relação à referência aplicada. Assim o termoelemento retira calor da superfície do ODT e
imprime calor ao dissipador. Q3 está em corte. Como visto na seção 5.1, a frequência do
ODT (planta) irá aumentar, Esta situação perdura até o momento em que seja necessário parar
o processo, assim (NETO et al.) propõe, reverter o fluxo de calor através do termoelemento
Peltier, imprimindo uma corrente reversa ao mesmo.
Como se torna necessário reverter este fluxo, e a própria célula irá gerar um
fluxo de corrente devido ao efeito Seebeck (pois termicamente ainda existe um gradiente de
temperatura na direção indicada pela seta laranja do Diagrama 16, as correntes da célula e do
circuito devem ser somadas, o que irá causar um erro, pois a corrente gerada pelo Peltier irá
 106

circular também por R7, subtraindo à corrente que agora Q3 imprime ao circuito do
termoelemento (pois se deseja aquecer a Planta, e reduzir sua frequência). A referência de
entrada do amplificador (VREF) é baseada em uma variável proporcional à diferença de
frequência entre a planta e a frequência de referência, não à temperatura real do circuito (que
não é o parâmetro diretamente controlado), então assim não é possível controlar o ponto de
operação real do circuito dinamicamente, a partir de uma variação de temperatura qualquer. O
Diagrama 17 demonstra o efeito no ato da reversão do sentido da corrente.

CALOR

Diagrama 17 – Sentido das correntes no momento da reversão do fluxo da temperatura.

Este comportamento do termoelemento afeta diretamente a forma como o

amplificador diferencial de entrada atua no circuito, no Diagrama 17, a corrente gerada pelo
termoelemento por efeito Seebeck é mostrada pelas setas em Vermelho, forçando a circulação
de uma corrente indesejável em Q2, que piora o balanço de corrente entre a saída do
acionador Q5 e os diodos D3 e D4. Estas correntes se somam em R7, alterando o que seria a
 107

tensão de erro corretamente proporcional à corrente para a correção de U1, comprometendo a

estabilidade. A tensão gerada por efeito Seebeck ficou em torno de 1,2V.
Em simulação no protótipo, partindo de uma situação com o conjunto Planta +
Peltier + Dissipador à mesma temperatura (isso significa sem gradientes de temperatura
detectáveis entre eles), ao se aplicar um degrau positivo na entrada de referência durante um
período experimental de 20 segundos, a temperatura da Planta caiu de 28 para 19°C; ao se
retirar o degrau (aplicar 0V em VREF de U1), a queda de tensão em R7 provocada pela
corrente gerada pelo Peltier (pois o gradiente de temperatura se instalou no conjunto), de
aproximadamente 0,15V, com R7 = 0,22Ω fez com que U1 aumentasse sua polarização
negativa sobre Q5, o que manteve a saída próxima a 0,15V, na junção entre R8 e R9. Como a
corrente sobre D3 e D4 não foi afetada (pois a corrente também circula por Q2), U1 mantém
a circulação de corrente em R7 de forma a cancelar a circulação gerada pelo termoelemento.
Este processo levou um tempo demasiadamente longo (cerca de 30 minutos), para atingir a
estabilização, mostrando-se não viável para a aplicação. A eficiência máxima do circuito fica
em torno dos 60%, conforme (LENK, 1974, p.223). Outra limitação em se usar um único
termoelemento para aquecimento e resfriamento é que a eficiência do termoelemento entre
ambas as aplicações é muito diferente, exigindo que o circuito que atua entre ambos estados
possua comportamentos diferentes para cada estado de aquecimento, ou resfriamento,
considerando que para isso somente o sentido da corrente seja modificado. Tal realização
somente poderia ser executada com o auxílio de PDS (Processamento Digital de Sinal) que
foge do escopo deste estudo.

5.5.2 Amplificador PWM com acionamento diferencial.

O item 5.5.1 acima demonstrou três deficiências significativas em relação à

aplicação para total atuação no sistema:
• Impossibilidade de acionamento com termoelemento único.
• Eficiência energética (do circuito amplificador) inferior a 60%.
• Instabilidade na fase de repouso.
Para eliminar ou minimizar estas deficiências, um método diferente do anterior
foi proposto, utilizando um termoelemento semicondutor para efetuar o resfriamento, e outro
módulo para o aquecimento. Dentre as muitas opções para o módulo de aquecimento, a que
 108

se mostrou mais viável foi o uso de um simples resistor aquecedor, por não possuir os
inconvenientes dos dispositivos semicondutores (não-linearidade, efeitos acumulativos de
carga, etc.) e possuir uma fixação mecânica simplificada. Este método consiste em aplicar
uma corrente conveniente em cada um dos atuadores individualmente (Diagrama 18),
utilizando para isso circuitos amplificadores PWM (Pulse-Width-Modulation).

Diagrama 18 – Diagrama em blocos macro da proposta com amplificadores PWM.

Fonte – Acervo próprio (2010).

Nesta proposta, cada um dos amplificadores atua no circuito individualmente,

fazendo com que o seu respectivo atuador (resistor para aquecimento e reciprocamente o
Termoelemento para resfriamento) seja acionado sem a perturbação do outro. Os efeitos
acumulados então podem ser minimizados.
Pelo seu princípio de funcionamento, o amplificador PWM (BROWN, 1990),
ou classe D (BORTONI, 2002) possui uma vantagem em relação à eficiência elétrica em
torno de 90%, podendo superar estes valores em projetos mais complexos. Em contrapartida,
ele se utiliza de uma alta frequência para assim alterar o ciclo ativo (duty-cycle) de uma
portadora fundamental, comparando-a com uma rampa de referência, conforme a Figura 30
(normalmente uma forma de onda retangular) e assim controlar o nível do sinal aplicado à
carga. Essa alta frequência, cuja proporção entre os semiciclos ligados e desligados varia
dinamicamente, e possui uma infinidade de harmônicos indesejáveis, que são eliminados por
intermédio de filtros passa-baixas convenientemente dimensionados. Tais filtros consistem
simplesmente em indutores a capacitores, formando uma ou duas células tipo "pi", de
 109

primeira ou segunda ordem, sendo este último mais freqüente em aplicações que precisam
minimizar a EMI (electromagnetic interference, ou Interferência Eletromagnética) irradiada
devido ao alto índice de harmônicos gerados neste método de controle de pulsos.

Figura 30 – Temporização de um circuito amplificador PWM.

Fonte – Adaptado de POMILIO (2009, não paginado).

O circuito é alimentado por uma fonte de 14VDC 5A e a tensão de referência

pode ser variada desde 0V a 5V. Em 0V, faz-se circular a corrente máxima através do
elemento de resfriamento (elemento Peltier no Diagrama 18) em 5V, faz-se circular a corrente
máxima no elemento de aquecimento; e em 2,5V, ajusta-se o circuito de forma a não ter
circulação de corrente em nenhum dos atuadores. O circuito de potência PWM consiste em
um circuito integrado monolítico, que possui todos os blocos ativos integrados, do tipo
MC34167, de fabricação ON Semiconductor.
Nas simulações com o protótipo, com a separação dos atuadores eliminou-se o
problema de repolarização do circuito quando da ocasião da reversão da temperatura, que
ocorria com o amplificador AB push-pull, porém a manutenção da estabilidade do circuito na
região de 2,5V ficou comprometida: o circuito integrado PWM utilizado na simulação não
possui boa estabilidade com duty-cycle inferior a 20% o que acarreta problemas de
estabilidade quando se faz necessário reduzir a excitação. Como a faixa ativa dos circuitos
integrados disponíveis comercialmente não permite o controle próximo de 0% de duty-cycle,
para se usar o sistema PWM seria necessário desenvolver uma aplicação específica, porém
não é o escopo deste trabalho.
 110

5.5.3 Amplificador linear com acionamento diferencial não-balanceado - DNB.

Após os ensaios práticos com o amplificador em PWM, viu-se que o modo

diferencial de acionamento dos atuadores pode ser muito benéfico, caso seja possível acioná-
los de maneira independente, fazendo com que quaisquer perturbações dentro de sua malha
não provoquem alterações do comportamento do outro dispositivo. A solução encontrada foi
análoga ao sistema PWM, anteriormente estudado, mas por sua vez utilizou-se de
amplificadores lineares, mais especificamente de dois reguladores lineares independentes
(FRANCO, 1988), ao invés do sistema anterior, em classe D.

Diagrama 19 – Esquema macro do atuador e controlador com o amplificador de potência diferencial e

não-balanceado.
Fonte – Acervo próprio (2010).

O Diagrama 19 acima em muito se assemelha ao Diagrama 18 em termos de

conceito, apresentando algumas diferenças fundamentais em relação a esta:
• Uso de reguladores série, lineares, positivo e negativo independente;
• Alimentações de +15VDC e -15VDC, uma para cada ramo do atuador;
• Excursão de entrada variando de +10VDC (Aquecedor) a -10VDC
(Resfriamento);
 111

• Ganho interno de tensão ajustado em torno de 2, para cada ramo;

Assim o circuito apresenta as seguintes vantagens:
• Bloqueio da tensão reversa pela própria junção do elemento controlador;
• Total ausência de espúrios de alta frequência (EMI);
• Não utiliza nenhum componente monolítico específico;
• Limitação de corrente integrado ao circuito, e ajustável.
Como desvantagens, o circuito apresenta as seguintes:
• Menor eficiência, gerando mais calor para conseguir o mesmo efeito;
• Maior tamanho físico da placa, devido aos robustos dissipadores dos
transistores de passagem, sendo este um fato totalmente decorrente da menor
eficiência.

Diagrama 20 – Esquema elétrico do ramo positivo do amplificador de potência.

Para a execução do circuito, foram usados os seguintes recursos: uma fonte

simétrica para a alimentação, um amplificador operacional um transistor driver (acionador) e
um transistor by-pass (de passagem), e os componentes passivos para a polarização e ajuste
do circuito. As linhas de alimentação de cada um dos ramos são diferentes, tendo somente o
Terra (ou GND, acrônimo de ground) como ponto comum em relação ao circuito como um
todo. Porém, em condições normais de operação, as correntes de um ramo não participam das
correntes do outro ramo, por isso o termo não-balanceado, apesar de possuir uma fonte de
 112

alimentação simétrica elas estão em condições de condução diferentes, mesmo levando em

consideração somente o seu módulo (amplitude).

Diagrama 21 – Esquema elétrico do ramo negativo do amplificador de potência.

No Diagrama 20 pode-se ver o esquema elétrico detalhado do circuito do ramo

positivo, e no Diagrama 21 o ramo negativo. O ponto VAI+ e VAI-, são as entradas destes
circuitos, respectivamente. Na aplicação atual, estas entradas são interligadas e controladas
por um mesmo sinal, cuja amplitude varia de -10 a +10, conforme o erro vindo dos circuitos
dos blocos anteriores ao amplificador. D1 e D2 são diodos do tipo Schottky que devido sua
tensão de barreira ser inferior aos de silício, evita a polarização reversa das entradas, em
qualquer situação, limitando-as a um patamar de -0,3V em U2 e +0,3 em U1.
O Ganho deste estágio foi ajustado para 2, conforme a relação dos resistores na
linha de realimentação das unidade de U1 (R7 e R8) e U2 (R9 e R10) o ganho dos
transistores acionadores, e uma pequena malha de compensação lag-lead (FRANCO, 1988)
foi adicionada para melhorar a resposta em degrau, apesar de o circuito não ser crítico neste
sentido, pois os elementos térmicos atuadores possuem um tempo de resposta muito superior
à resposta do circuito em si, sem a compensação. Na saída foi adicionada uma pequena célula
de Boucherot (SELF, 1997, p.221) de forma a suprimir a resposta a frequências altas e manter
sua estabilidade quando em transições mais rápidas. Para evitar uma sobrecarga acidental, em
cada um dos transistores de passagem Q1 e Q2 (que pode comprometer em definitivo sua
vida útil) foi adicionado um limitador de corrente, cujo limiar foi ajustado para 3 Ampères.
 113

Com os testes dos protótipos se fez necessário substituir o LM741 pelo MC33171 de
fabricação ON Semiconductor, na posição U1 do regulador positivo, devido ao original não
proporcionar excursão até o nível de 0V na aplicação com fonte simples. Pelo fato de o
MC33171 possui um produto ganho banda passante (GBP) muito superior ao LM741, foi
necessário acrescentar um capacitor de 15nF em paralelo com R8, reduzindo o ganho em
frequências altas (roll-off) perto de 300Hz, pois surgiu instabilidade e oscilação parasita em
2,5kHz. C3 foi alterado para 2,2nF para compensar o efeito de um zero adicionado em U1
(FRANCO, op. cit.; LENK, 1974). Na Figura 31 e na Figura 32 podem ser vistas as respostas
a um degrau de ±5V, aplicado simultaneamente às entradas VAI+ e VAI-, em uma frequência
de 30Hz e pulso retangular com 50% de ciclo ativo. Resistores de carga de 6 Ohms em ambas
as saídas OUT+ e OUT– . As figuras foram capturadas manualmente com um osciloscópio
analógico e tratadas visualmente para favorecer a visualização em imagem de documento.

Figura 31 – Formas de onda reais, capturadas nas saídas com carga resistiva. A linha central é 0V, o
traço superior é a saída OUT+ e a inferior a saída OUT –. Tempo por divisão horizontal de 1ms.
Vertical: 10V/div.
Fonte – Acervo próprio (2010).
 114

Figura 32 – Formas de onda capturadas nas saídas com carga resistiva. A linha central é 0V, o traço
superior é a saída OUT+ e a inferior a saída OUT –. Tempo por divisão horizontal de 1ms. Vertical:
10V/div.
Fonte – Acervo próprio (2010).

5.6 ATUADORES

Os atuadores do sistema são: um elemento Peltier para resfriamento e um

resistor de potência para aquecimento (elemento aquecedor), detalhados abaixo:

5.6.1 Célula Peltier

O efeito Peltier consiste na produção de um gradiente de temperatura através

da aplicação de uma corrente elétrica em uma junção termopar. Essa junção é composta de
dois condutores, ou semicondutores, e ela poderá absorver ou liberar calor, dependendo do
sentido da corrente elétrica aplicada nessa junção.
A célula Peltier, como comumente chamada, é composta por uma série de
pares termoelétricos constituídos de material semicondutor de silício dopado tipo P e N.
 115

O efeito termoelétrico de Peltier foi descoberto em 1834, quando o

físico francês Jean Charles Athanase Peltier percebeu que, dado um
par termoelétrico com ambas as junções à mesma temperatura e,
tendo-se uma fonte de tensão externa, produz-se uma corrente no
termopar e a variação das temperaturas nas junções não se dá
inteiramente devido ao efeito Joule. Esta variação adicional de
temperatura foi então denominada de efeito Peltier, sendo produzida
tanto pela corrente proporcionada pela fonte externa como pelo
próprio par termoelétrico (Carlos R. 2009 apud FERREIRA, 2011).

Figura 33 – Representação do efeito Seebeck-Peltier.

Fonte – WIKIMEDIA COMMONS (2008, não paginado).

A célula Peltier produz um efeito inverso aos dos termopares. Enquanto nos
termopares a diferença de temperatura entre duas junções gera corrente elétrica, nas células
Peltier a corrente elétrica, quando passa pelas duas junções semicondutoras de metais
diferentes, aquece uma face e resfria outra. Funciona como uma bomba de calor.

Figura 34 – Funcionamento de uma célula Peltier comercial.

Fonte – FOLLMER, SPANHOLI (2008, não paginado).
 116

5.6.2 Elemento Aquecedor

O elemento aquecedor se constitui de um resistor de potência comercial, de

fabricação sul-coreana pela empresa Pilkor, modelo WWR-50W5-4R7-2, encapsulado em
invólucro de alumínio e dissipação de 50W nominais. O valor de resistência nominal a frio
(temperatura ambiente de 25ºC) é de 4,7 Ohms, com tolerância de 5%. O valor medido da
peça real, com 4 fios (2 fios para fonte de corrente constante e 2 fios para sensor) em um
multímetro digital HP3478A foi de 4,41 Ohms, em uma temperatura ambiente de 23ºC. A
tensão de trabalho máxima a que será submetido na aplicação é de aproximadamente
12,5Volts, totalizando uma potência total dissipada de aproximadamente 36W, devido à
limitação de corrente do amplificador de saída ajustada em torno de 3A nominais (Item
5.5.3). Esta potência irá então produzir uma elevação de temperatura devido ao efeito Joule
(BOYLESTAD, NASHELSKY, 1972) que será transferida ao bloco do ODT, provocando a
queda da frequência de acordo com a função de transferência térmica já determinada. Na foto
6 abaixo pode ser visto o elemento aquecedor acoplado ao ODT, com uso de pasta térmica, e
dois parafusos M3 com porca, e torque de aperto de 2,4kgf.cm.

Foto 6 – Imagem com o Elemento aquecedor acoplado ao ODT.

Fonte – Acervo próprio (2010).
 117

5.6.3 Interfaces Térmicas com o ODT.

O acoplamento térmico entre os atuadores e o ODT, bem como o volume

físico do sistema e o próprio ambiente representam variáveis que vão influenciar diretamente
no comportamento temporal da transferência de temperatura entre os dispositivos atuadores e
a planta. Uma forma conveniente de tratar este problema é proposta por (SELF, 1997), tendo
como base uma analogia entre sistemas térmicos e elétricos, também apresentada por outros
autores (ÇENGEL; BOLES, 2004, p. 467; LENZ, STRIEDL, FRÖHLER, 2000, p.7); a
aplicação destes conceitos na prática tem se mostrado uma estratégia de projeto comum na
Indústria e em campos acadêmicos. Para o projeto em questão, podem-se considerar, com
base na Figura 35 abaixo, os elementos reais aplicáveis no diagrama de funcionamento da
planta (representada nesta fase pelo ODT), no que diz respeito a suas interfaces térmicas
reais.

Figura 35 – Esquematização dos atuadores, controladores e planta.

Fonte: Acervo próprio (2010).

V1 e V2 representam a tensão de saída dos controladores (amplificadores de

potência, e I1 e I2 representam sua correntes, respectivamente e Z1 e Z2 suas impedâncias.
Para o projeto em questão, quando V1 ≠ 0, V2 = 0. Reversamente, quando V2 ≠ 0, V1 = 0,
condições estas consideradas fixas e inalteráveis na configuração inicial do projeto. A
potência dissipada pelos atuadores é P1 e P2, estabelecida por (BOYLESTAD, 1972, p.48):

Pi = Z i I i2 (Eq. 44)
 118

Uma maneira conveniente de se expressar a transferência de calor está no uso

do que se conhece como resistência térmica, que é o inverso da condutância térmica, e pode
ser expresso por uma versão simplificada de (LENZ, STRIEDL, FRÖHLER, 2000, p.12),
quando se considera um gradiente unidimensional de variação de temperatura em um corpo:

TN − TM
RTH = (Eq. 45)
PTD

Onde RTH é a resistência térmica, expressa em ºC/W (ou K/W), TN e TM são as

temperaturas em cada um dos pontos avaliados, e PTD é a potência total dissipada em Watts.
Apesar disso, pela própria limitação dimensional e o conceito mecânico do sistema, nem toda
a potência dissipada nos atuadores consegue ser transferida para o ODT (planta), sendo uma
parte perdida para o ambiente ainda nos atuadores, por convecção e radiação (INCROPERA;
DEWITT, 1996). Outro fator muito importante na consideração de sistemas térmicos é o fato
de que quando aplicada determinada potência num atuador térmico, por exemplo, isto não
torna de modo algum implícito que todo o sistema a que ele pertence atingiu a temperatura de
operação desejada imediatamente, determinada pela potência aplicada. Na maioria dos casos,
o próprio atuador leva um determinado tempo para atingir esta temperatura. Surge então o
conceito de capacitância térmica (ÇENGEL, BOLES, 2004 ;SELF, op. cit.). A capacitância
térmica pode então ser definida como sendo equivalente quantidade de calor necessária para
elevar a temperatura de um corpo, sua unidade, conforme definido pelo SI como sendo J/K.
Intrinsecamente, a capacitância térmica (CTH) tem relação direta com a
densidade, volume e calor específico do material, na condição de operação considerada.

Como (SI, 2006, p. 119):

J J
W= e CTH =
s K

Pode-se relacionar CTH e W como sendo:

W .s
CTH = (Eq. 46)
K

Self (1997, p.248) propõe uma série de equivalentes térmico-elétricos numa

tentativa de simular o comportamento de sistemas térmicos (para o caso original do autor,
amplificadores de potência de áudio), pouco intuitivos para profissionais do campo da
 119

eletrônica, com o uso de ferramentas padrão de simulação computacional de circuitos

elétricos (simuladores Spice), onde o mesmo tratamento dado ao “circuito térmico” é aplicado
ao equivalente elétrico, obtendo-se um resultado de interpretação imediata e correlação direta
com o aspecto físico real. No Quadro 4 abaixo, estão resumidos os pontos descritos como
térmicos e seu equivalente elétrico para simulação computacional indireta.

Quadro 4 – Relação entre as grandezas elétricas e térmicas, para simulação.

Grandeza Realidade Simulação

Temperatura K (ou ºC+273) Tensão (Volts)

Quantidade de calor Joules (W/s) Coulombs (A/s)

Fluxo de calor Watts Amperes

Resistência térmica K/W ou ºC/W Ohms

Capacitância térmica J/K, ou W.s/ºC Farads

Fonte de calor Atuador (aquecedor, etc) Fonte de corrente

Temperatura ambiente Temperatura Ambiente Fonte de Tensão

Fonte – Adaptado de SELF (1997, p.249).

Com base neste conceito, um modelo análogo térmico-elétrico pode ser

considerado para avaliar em cada um dos casos (Peltier e resistor aquecedor) o
comportamento da relação de transferência de calor dos atuadores para a planta (ODT),
mediante a aplicação de uma potência conhecida. Para o modelo com o resistor aquecedor
como atuador, considerar o esquema desenhado no Diagrama 22 abaixo, onde estão descritos
os elementos presentes no sistema térmico, como um todo:

PTD1 – potência dissipada pelo elemento aquecedor;

Tamb – Temperatura ambiente do teste;
RTH1 – Resistência térmica entre o aquecedor interno e seu invólucro;
RTH2 – Resistência térmica o invólucro do aquecedor e o ambiente;
RTH3 – Resistência térmica o invólucro do aquecedor e o ODT (pasta térmica);
CTH1 – Capacitância térmica do invólucro do aquecedor;
RTH4 – Resistência térmica do invólucro do ODT;
RTH5 e RTH6 – Resistências térmicas entre o invólucro do ODT e o oscilador;
 120

CTH2 – Capacitância térmica do oscilador;

RTH7 e RTH8 – Resistências térmicas entre o invólucro do ODT e o sensor LM35;
CTH4 – Capacitância térmica do sensor LM35 (interno do ODT);
RTH9 – Resistência térmica entre o ODT e o ambiente;
TN – Temperatura pontual interna (hot-spot) do elemento aquecedor;
TM – Temperatura do sensor de temperatura LM35 interna do ODT;
TC – Temperatura externa do invólucro do ODT;
Tamb – Temperatura do ambiente do ensaio.

Diagrama 22 – Esquema com os parâmetros distribuídos do circuito térmico do ODT, em respeito ao

elemento aquecedor.
Fonte – Acervo próprio (2011).

Com base no Diagrama 22, é importante notar que o acoplamento da célula

Peltier no sistema (que não é retirada do contato com o ODT no momento do ciclo de
aquecimento) está implícito na própria RTH9.
Para o sistema térmico-elétrico do ODT com a célula Peltier o conceito é o
mesmo, somente alguns pontos diferem, principalmente por causa do fato de a célula Peltier
se comportar como uma “bomba de calor” (NOLAS, SHARP, GOLDSMID, 2001), e suas
faces não estarem diretamente acopladas à temperatura ambiente (pois do contrário, o alcance
de atuação ficaria muito limitado, como visto no item 5.6.1), e sim acoplados em um robusto
 121

dissipador de calor, responsável por manter uma diferença de temperatura que permita o
Peltier resfriar o ODT até o ponto desejado. No Diagrama 23 está descrito o circuito
equivalente elétrico do modelo térmico para o caso da operação com o Peltier. Também se
considera o aquecedor inativo e sua massa está incluída no ODT como um todo, para
simplificação.

Diagrama 23 – Esquema com as distribuições do circuito térmico do ODT, em respeito ao elemento

de resfriamento (célula de Peltier).
Fonte – Acervo próprio (2011).

PTD2 – potência dissipada pelo elemento Peltier;

Tamb2 – Temperatura ambiente do teste;
RTH10 – Resistência térmica entre o dissipador da Peltier e o ambiente;
CTH5 – Capacitância térmica do dissipador da Peltier;
RTH11 – Resistência térmica entre o invólucro da Peltier e dissipador (pasta térmica);
CTH6 – Capacitância térmica do lado quente do invólucro do Peltier;
RTH12 – Resistência térmica interna da Peltier do lado quente;
RTH13 – Resistência térmica interna da Peltier do lado frio;
CTH7 – Capacitância térmica do lado frio do invólucro do Peltier;
RTH9 – Resistência térmica do invólucro do ODT para o ambiente;
 122

RTH15 – Resistência térmica entre o invólucro da Peltier e dissipador (pasta térmica);

RTH4 – Resistências térmicas do invólucro do ODT;
RTH17 e RTH18 – Resistências térmicas entre o invólucro do ODT e o oscilador;
CTH8 – Capacitância térmica do invólucro do ODT;
RTH5 e RTH6 – Resistências térmicas entre o invólucro do ODT e o oscilador;
CTH2 – Capacitância térmica do oscilador (interno do ODT);
CTH4 – Capacitância térmica do sensor LM35 (interno do ODT);
RTH9 – Resistência térmica entre o ODT e o ambiente;
TM2 – Temperatura do sensor de temperatura LM35 interna do ODT;
TC2 – Temperatura externa do invólucro do ODT;

Os esquemas mostrados no Diagrama 22 e no Diagrama 23 levam em

consideração todos os efeitos térmicos presentes no ODT para ambos os casos. Alguns deles
podem ter pouca influência no resultado final, e poderiam até ser desconsiderados, mas
somente com a coleta dos dados de simulação real da planta, será possível simplificar este
esquema de forma a facilitar a simulação computacional com base no modelo criado, validar
ou aprimorar este modelo e usar os resultados para aperfeiçoar os ciclos térmicos mediante a
aplicação do sistema de controle ativo e contínuo.

5.6.4 Diagrama de irradiação do dissipador de calor e ODT

Conforme SELF (1997, p.251) a obtenção de dados de temperatura em

ambiente real implica no uso de diversos sensores de forma a detectar o gradiente de
temperatura de um dispositivo, mesmo que unidimensionalmente. Tal prática por muitas
vezes é inconveniente, pois os sensores podem distorcer os resultados pela sua própria
presença, ou por fatores externos, como compensação de junta fria em sensores do tipo
termopar (TERMAN, PETIT, 1959, p.237). Felizmente existem disponíveis hoje recursos
técnicos de medida que auxiliam na solução destes problemas de maneira rápida e eficiente.
Câmeras termográficas, como o modelo Ti10 de fabricação Fluke, podem auxiliar na
investigação destes fenômenos, ao menos dando uma visão contínua e bidimensional dos
gradientes de temperatura de forma instantânea e precisa.
 123

No estudo da caracterização do ODT, exposto no capítulo sete deste trabalho,

os atuadores e o ODT foram submetidos a um degrau elétrico de potência, de forma a
possibilitar o estudo da variação da frequência em função da temperatura, e, durante este
experimento, foram capturadas algumas imagens termográficas que estão descritas na Figura
36 e na Figura 37, sendo efetivamente este o perfil de distribuição da temperatura no conjunto
após a estabilização com o degrau para o aquecedor e para a Célula peltier, respectivamente,
ambos atuando com aproximadamente 36W de potência elétrica de entrada.

Figura 36 – Imagem termográfica do ODT, com o aquecedor já em estado estacionário.

Fonte – Acervo próprio (2011).

Figura 37 – Imagem termográfica do ODT, com o elemento Peltier já em estado estacionário.

Fonte – Acervo próprio (2011).
 124

Com base nas imagens capturadas, pode-se traçar o perfil de temperatura e

determinar algumas das resistências térmicas existentes no circuito equivalente térmico-
elétrico do Diagrama 22 e do Diagrama 23. Com a coleta dos dados da temperatura em
função do tempo, pode-se estimar a capacitância térmica e então efetuar uma simulação
completa do sistema real do ODT, e buscar alternativas para melhoria do desempenho deste e
para a aplicação no sistema EDFL real.
 125

6 ASPECTOS CONSTRUTIVOS DO SISTEMA

A construção do protótipo do sistema, por abrigar diversos subsistemas que

operam conjuntamente, obedeceu algumas premissas, as quais foram julgadas interessantes,
pois, facilitariam a execução, teste e analise da viabilidade do funcionamento. Os blocos
podem ser analisados separadamente, proporcionando a possibilidade de uma nova
configuração, na tentativa de sanar alguma divergência ou efetuar uma melhoria durante o
andamento do projeto. Estas premissas estão descritas a seguir:
• Modularidade: Os blocos construtivos do sistema (conforme detalhados na
Figura 7, no início do capítulo 5) devem ser passíveis de remoção e
substituição sem afetar mecanicamente os demais blocos;
• Conectividade: Possibilidade de modificar a configuração de conexão entre
alguns dos blocos tornando possíveis testes em situações que não foram
previstas no início do projeto;
• Integração: Todos os blocos o quanto possível devem estar em um conjunto
conciso e funcional, de preferência em uma só base mecânica de padrão
industrial;
• Robustez: Capacidade de suportarem falhas de operação que podem ocorrer no
ambiente de teste;
• Facilidade de operação: dispor o máximo de controles para o alinhamento do
sistema de forma rápida e objetiva;
• Expansão: Onde for possível, preparar o protótipo para receber melhorias com
novas implantações ou redimensionamento dos subsistemas conforme os
resultados dos estudos e ensaios mostrem sua necessidade (este tópico será
visto em detalhes no item 8.3).

6.1 MONTAGEM DO PROTÓTIPO

Com base no enunciado acima, o sistema de interconexão do tipo de matriz de

contatos, ou backplane, como é o termo em voga na Indústria (HALÁSZ, 1993, p.325) se
mostrou mais apropriado, sendo composto de duas bases contendo os sub-blocos, em que no
 126

lado esquerdo do protótipo estão os blocos de potência do sistema (Controlador e Fonte de

Alimentação), e ao lado direito estão os blocos de sinal do sistema, sendo eles o OFR
(oscilador de frequência de referência), o Comparador de Frequência, e o Conformador de
sinal. Cada um destes blocos é composto de uma placa de circuito impresso exclusiva, de
fibra de vidro, dupla camada, sendo conectada ao backplane por intermédio de contatos
predefinidos nas pistas de cada placa, com 50 vias cada conector, sendo 25 de cada lado da
placa. Através do backplane as placas dos blocos recebem alimentação, comunicação de 8
bits para controle (não implantado nesta proposta), e toda a sinalização de baixa frequência
circula entre os blocos pelo backplane. Os sinais de alta frequência são interligados por
conectores do tipo SMB, com cabo coaxial RG-316 (Z0=50Ohms), de forma a minimizar as
perdas, irradiação e aumentar a imunidade a ruídos, além de oferecer uma impedância
conhecida e estável aos estágios de entrada e saída conectados (COENEN, 1988). Nas fotos
7, 8 e 9 abaixo pode ser visto o aspecto geral do protótipo, em sua fase final de montagem,
sem todas as placas inseridas nos backplanes. Na foto 7, no lado esquerdo serão conectadas a
placas de potência e ao lado direito as placas de tratamento de sinal. Na foto 8, vista com as
conexões de alimentação e saída de potência para os atuadores do lado direito da foto e as
conexões de sinal do lado esquerdo.

Foto 7 – Vista superior da montagem do protótipo.

Fonte – Acervo próprio (2010).

Na confecção foi utilizado um chassi padrão industrial, com 2U (duas

unidades de rack) de altura, aproximadamente 89mm, de forma a acomodar em gabinetes
 127

padrão sem adaptações mecânicas posteriores. Um transformador com núcleo toroidal foi
utilizado, beneficiando a regulação e minimizando a irradiação de campo eletromagnético
internamente, bem como espaço ocupado. Foi adicionada uma ventilação forçada, para
auxiliar no arrefecimento interno do equipamento, e no painel frontal estão dispostos alguns
comandos para ajustes, indicadores de estado, indicador de desvio de frequência com um
microamperímetro analógico de zero central e a chave liga-desliga no aparelho à rede AC.
Serão adicionadas alças no painel frontal para facilitar o manuseio e transporte, bem como
proteger o painel de impactos frontais.

Foto 8 – Vista da parte anterior do protótipo

Fonte – Acervo próprio (2010).

Foto 9 – Vista do painel frontal em fase de montagem.

Fonte – Acervo próprio (2010).

Para o sistema que simula a planta, que agrupa os atuadores, o ODT e o

dissipador de calor, foi utilizada uma base de fibra de celulose fenólica compactada
(Celeron™) e uma sustentação com parafusos de ¼”. O ODT está em uma posição fixa, e o
 128

elemento Peltier está entre o dissipador e o ODT, com sua face de resfriamento voltada para
baixo, diretamente no ODT com uso de uma graxa térmica de fabricação Dow Corning, do
tipo 340. O dissipador está acoplado neste conjunto por intermédio de 4 molas LC038E17S,
cuja constante elástica especificada pelo fabricante Lee Springs é de 0,94N/mm, em que o
ajuste de aperto foi feito com uma distância das molas de 28mm, de forma que a pressão
exercida sobre o conjunto seja de 1,3kgf/cm².Foram deixados quadro bornes para conexão
entre o conjunto da planta com os atuadores e o sistema de controle. Nas fotos 10, 11 e 12
abaixo pode ser visto o aspecto geral do conjunto, já montado de maneira a comportar os
testes e ensaios efetuados.

Foto 10 – Aparência externa do sistema montado.

Fonte – Acervo próprio (2011).

Foto 11 – Vista das conexões dos atuadores.

Fonte – Acervo próprio (2011).
 129

Foto 12 – Vista em detalhe do apoio que garante pressão constante ao sistema, por intermédio de
molas entre a porca de fixação e a face superior do dissipador de calor.
Fonte – Acervo próprio (2011).

6.2 CONFECÇÃO DAS PLACAS DE CIRCUITO IMPRESSO

As fotos 13, 14 e 15 mostram a montagem do oscilador de frequência de

referência, e como foi feito o isolamento térmico para garantir a máxima estabilidade térmica
possível dentro da câmara de temperatura controlada do OFR.

Foto 13 – Caixas de folha de alumínio de 0,5mm para acomodar o isolante térmico do tipo espuma de
polietileno.
Fonte – Acervo próprio (2011).
 130

Foto 14 – Caixa térmica terminada.

Fonte – Acervo próprio (2011).

Foto 15 – Placa do Oscilador de Frequência de Referência (OFR) finalizada.

Fonte – Acervo próprio (2010).

Importante mencionar que o set-point pode ser obtido através de uma

referência externa, caso seja necessário utilizar outro valor qualquer de frequência de
referência que não aqueles fornecidos pelo oscilador interno (como no caso de novo ajuste no
ambiente EDFL real - a cavidade óptica). Apesar disso, o oscilador interno fornece as
frequência de 10,000MHz, 12,000MHz e 14,318MHz. Todas as placas foram desenhadas
com o auxílio do software Kicad, que é de código fonte aberto, e distribuição gratuita, a partir
do esquema elétrico, que pertence à esta família de programas para desenho de placas de
circuito impresso. A confecção das placas foi efetuada em processo profissional, com
substrato de fibra de vidro, dupla face com furos metalizados.
 131

Foto 16 – Aspecto da montagem do amplificador de potência.

Fonte – Acervo próprio (2011)

Foto 17 – Vista superior da placa do amplificador de potência.

Fonte – Acervo próprio (2011)
 132

Foto 18 - Aspecto da placa extensora, usada para calibração e ajustes.

Fonte- acervo próprio (2011)

Foto 19 - Vista em detalhe da placa comparador de freqüência, já na posição respectiva no backplane.

Os conectores SMB fazem o acesso do sinal para o lado externo do chassi.
Fonte - Acervo próprio (2011)
 133

Figura 38 – Aspecto 3D do layout da placa do restaurador DC.

Fonte – Acervo próprio (2011).
 134

7 CARACTERIZAÇÃO – RESULTADOS

Como a proposta deste projeto consiste em uma aplicação prática, a

comprovação dos resultados dos estudos teóricos se mostra como uma etapa fundamental no
processo de evolução e consolidação do conceito abordado, sedimentando os métodos que
podem ser aplicados e, como em um sistema de controle, servir para efetuar novos ajustes dos
parâmetros assumidos, de forma a melhorar o desempenho do processo a ser controlado. Para
isso, alguns passos básicos são considerados para efetuar de maneira consistente as análises
empíricas aplicadas, estas etapas envolvem aplicar sinais de entrada, coletar a saída, e então
efetuar as considerações sobre o evento observado. É basicamente uma seqüência de práticas
de laboratório comprobatórias e comparativas.

7.1 CARACTERIZAÇÃO DAS RESPOSTAS TERMICAS

7.1.1 Caracterização da resposta térmica a degrau elétrico dos atuadores.

Com os amplificadores em funcionamento, é possível levantar as

características da resposta no domínio do tempo, aplicando-se um pulso nos elementos
atuadores independentemente, e colhendo-se o comportamento da frequência ao longo do
tempo, partindo-se de uma condição inicial preestabelecida. Este sistema possui a seguinte
composição de efeitos:
• Pulso de potência vindo do amplificador;
• Resposta térmica intrínseca do atuador (Célula Peltier ou Aquecedor);
• Transferência de temperatura do atuador para a planta;
• Comportamento interno da planta (temperatura do sensor versus frequência de
saída).
Em relação ao ODT, todos estes efeitos combinados formam a característica
macro da planta, em relação a sua resposta ao domínio do tempo. O objetivo destes ensaios é
obter dados que permitam elaborar a formulação matemática do sistema, e possibilitar sua
simulação computacional para o aperfeiçoamento desta resposta, e auxiliar na definição de
estratégias para isso. O ambiente de teste é composto da fonte de alimentação, do
amplificador de potência e do conjunto atuador-planta, todos termicamente acoplados,
conforme o item 5.6.4. O esquema de ensaio básico consiste em uma montagem em bancada
 135

de testes, conforme o Diagrama 24, em que o teste é feito partindo da temperatura ambiente, e
aplicando os atuadores, observar a resposta de frequência no domínio do tempo para o
sistema quando aplicado um pulso do amplificador, com uma potência fixa pré-definida.
Comparar os dados com a resposta de temperatura verificada simultaneamente. São feitos
basicamente dois ensaios: um para resfriamento, e outro para aquecimento, são coletados dois
resultados distintos para cada teste. Para ambos os testes foram aplicados uma potência
elétrica equivalente a 30W.

Diagrama 24- Esquema de testes de degrau térmico.

O esquema do teste é mostrado pelo Diagrama 24, porém são dois testes
individuais, um para aquecimento, outro para resfriamento. O Voltímetro monitora a
temperatura do sensor interno, que fica próximo ao circuito oscilador propriamente dito, na
tentativa de investigar a real influência da temperatura no comportamento do ODT, e assim
determinar o circuito equivalente térmico. Este teste é muito importante, pois a partir dele se
podem observar quais são os parâmetros do circuito equivalente elétrico-térmico que devem
ser modificados de forma a possibilitar o afinamento do desempenho do sistema real. A
Tabela 2 apresenta os resultados para o teste de aplicação de potência no aquecedor e o
Gráfico 10 indica o resultante da simulação.
Considerando o sistema como de primeira ordem com o uso da definição de
resposta no domínio no tempo para a resposta observada, e as considerações da FTMA vistas
no item 5.1.3.2 para o degrau térmico, agora aplicadas ao degrau elétrico, então segue:

AAQUEC (Eq. 47)

G AQUEC ( s) =
s + a AQUEC

C AQUEC ( s ) (Eq. 48)

G AQUEC ( s ) = ∴ C AQUEC = R30W ( s ) ⋅ G AQUEC ( s )
R30W (com
Tabela 2 – Dados obtidos s ) a simulação para o elemento aquecedor com entrada de 30W.
 136

t [s] Freq [MHz] T [°C] t [s] Freq [MHz] T [°C]

0 9,993011 23,9 410 9,942732 65,3
10 9,993018 25,0 420 9,941846 66,0
20 9,992990 26,0 430 9,940995 66,6
30 9,993123 27,1 440 9,939860 67,4
40 9,993044 28,2 450 9,938923 68,0
50 9,992536 29,2 460 9,937981 68,6
60 9,991752 30,3 470 9,937286 69,2
70 9,990596 31,4 480 9,936609 69,7
80 9,989224 32,4 490 9,935987 70,3
90 9,987676 33,5 500 9,935368 70,8
100 9,986032 34,6 510 9,934746 71,3
110 9,984274 35,6 520 9,934142 71,8
120 9,982491 36,7 530 9,933572 72,3
130 9,980686 37,8 540 9,933044 72,8
140 9,978845 38,8 550 9,932478 73,2
150 9,977029 39,9 560 9,931987 73,7
160 9,975232 41,0 570 9,9313106 74,1
170 9,973429 42,0 580 9,930465 74,5
180 9,971682 43,1 590 9,930009 75,0
190 9,969981 44,2 600 9,9295683 75,4
200 9,968284 46,3 610 9,9289876 75,8
210 9,966645 46,6 620 9,9284068 76,2
220 9,965097 47,0 630 9,927702 76,6
230 9,963585 47,8 640 9,927216 77,0
240 9,96210 48,9 650 9,926821 77,4
250 9,960589 50,2 660 9,926303 77,8
260 9,959163 51,5 670 9,926005 78,2
270 9,957806 52,7 680 9,925685 78,5
280 9,956491 53,8 690 9,925431 78,9
290 9,955232 55,0 700 9,925297 79,2
300 9,953968 56,2 710 9,925269 79,4
310 9,952759 57,1 720 9,925260 79,5
320 9,951572 58,1 730 9,925250 79,5
330 9,950458 59,3 740 9,925246 79,5
340 9,949408 60,0 750 9,925218 79,5
350 9,948361 60,7 760 9,925206 79,6
360 9,947346 61,6 770 9,925209 79,6
370 9,946354 62,3 780 9,925198 79,6
380 9,945439 63,1 790 9,925107 79,7
390 9,944513 63,9 800 9,925098 79,7
400 9,943610 64,5

Fonte – Acervo próprio (2011).

Assim aplicando um degrau elétrico de potência de 30W, com uso da
equivalência discutida no item 5.6.3, segue:

30 K AQUEC K AQUEC
C AQUEC( s) = ⋅ = (Eq. 49)
{s (s + a AQUEC ) s(s + a AQUEC )
R30W ( s ) 14243
GAQUEC ( s )
 137

Gráfico 10 – Gráfico da simulação com o aquecedor. Aplicados 30W.

Fonte – Acervo próprio (2011).

Aplicando o Teorema do valor final (DORF, BISHOP, 2001; MICHALSKY,

et al., 2001, p.312; NISE, 1995, p.227) na equação 49, fica:

30 K AQUEC 30.K AQUEC

CAQUEC (t → ∞) = lims. ⋅ = (Eq. 50)
s →0 s ( s + aAQUEC ) aAQUEC

Para que o teorema seja válido o ponto inicial precisa ser nulo (DOETSCH,
1961 apud MICHALSKI, et. al., op. cit.), um artifício é caracterizar somente o trecho
variante do fenômeno (que pode iniciar em um zero artificial), após isso, somar o ponto
inicial real (que é diferente de zero) para obter o resultado final. Assim, para condição inicial
nula, após estado estacionário:

CAQUEC(t→∞) = 9,925098 − 9,993011 = − 0,067913MHz.

 138

Extraindo-se o ponto em que a frequência do ODT atinge 63% do valor final,

pode-se encontrar a constante de tempo τAQUEC, e também αAQUEC.

C (t = τ AQUEC ) = 0,63.(−0,067913) → τ AQUEC = 325s

1
τ AQUEC = = 325 ∴ a AQUEC = 3,07692.10 −3
a AQUEC
Efetuando-se a transformada inversa de Laplace na Eq. 50, fica:
−t
30.K AQUEC  30.KAQUEC  aAQUEC
cAQUEC(t) = − e
aAQUEC
(Eq. 51)
aAQUEC 

Assim, é possível afirmar que, quando o tempo tende ao infinito, cAQUEC(t→∞)

converge para 30.KAQUEC/αAQUEC. Na tabela obtida no ensaio com o aquecedor, tMAX é 800s,
pois após este período, se confirmou o estado estacionário da frequência na saída do ODT
(garantindo-se que realmente o sistema estabilizou), sabe-se que cAQUEC(t→∞) é
−0,067913MHz (para condição inicial nula), portanto, permite encontrar o valor de KAQUEC
através da seguinte consideração:

30.K AQUEC (Eq. 52)

cAQUEC(t → ∞) =
aAQUEC
30.K AQUEC = c AQUEC (t → ∞) ⋅ a AQUEC (Eq. 53)

3,07692 ⋅ 10−3 ⋅ (−0,067913) (Eq. 54)

K AQUEC = = −6,96543 ⋅ 10 −6
30

Assim, pode-se escrever a função de transferência térmica em malha aberta do

ODT, em fase de aquecimento, um bloco a ser utilizado em simulação no programa
Simulink®, e permitindo estabelecer os parâmetros distribuídos para investigação pelo
método do equivalente térmico-elétrico, em ferramenta computacional de simulação de
circuitos elétricos.

− 6,96543 ⋅10 −6 (Eq. 55)

G AQUEC ( s) = + C0
s + 3,07692.10−3
Onde C0 é o valor da frequência na condição inicial (temperatura inicial do
ensaio). Para o teste efetuado, foi assumido um valor de 9,993011MHz.
 139

A Tabela 3 possui os dados obtidos com o teste de degrau elétrico para o

elemento resfriador e o Gráfico 11 a resposta resultante.

Tabela 3 − Dados do ensaio de degrau elétrico de potência, para o Peltier, com 30W de entrada.
Tempo [s] Freq [MHz] Temp [ºC] Tempo [s] Freq [MHz] Temp [ºC] Tempo [s] Freq [MHz] Temp [ºC]
0 9,992327 26,4 210 10,01116 14,2 410 10,01759 9,3
10 9,992349 26,4 220 10,01172 13,7 420 10,01773 9,2
20 9,992472 26,3 230 10,01224 13,3 430 10,01786 9,1
30 9,992908 25,8 240 10,01272 13,0 440 10,01802 9,0
40 9,993855 25,0 250 10,01317 12,5 450 10,0182 8,9
50 9,995063 24,0 260 10,01364 12,2 460 10,01834 8,8
60 9,996372 23,0 270 10,01404 11,9 470 10,01847 8,7
70 9,997812 22,1 280 10,01444 11,6 480 10,01858 8,6
80 9,999219 21,3 290 10,01481 11,4 490 10,01862 8,6
90 10,00061 20,4 300 10,01511 11,1 500 10,01871 8,5
100 10,00197 19,5 310 10,01543 10,9 510 10,01874 8,5
110 10,00319 18,9 320 10,01571 10,7 520 10,01872 8,5
120 10,00435 18,2 330 10,01599 10,5 530 10,01871 8,5
140 10,00549 17,3 340 10,01625 10,3 540 10,01869 8,5
150 10,00655 16,9 350 10,01647 10,1 550 10,01871 8,5
160 10,00747 16,5 360 10,01673 10,0 560 10,01869 8,5
170 10,00835 15,9 370 10,01692 9,8 570 10,01869 8,5
180 10,00914 15,5 380 10,01712 9,7 580 10,01868 8,5
190 10,00981 15,0 390 10,01731 9,6 590 10,01868 8,5
200 10,0105 14,5 400 10,01748 9,4 600 10,01867 8,5

Fonte - Acervo próprio (2011).

Gráfico 11 − Resposta para um degrau elétrico de 30W no elemento Peltier.

Fonte – Acervo próprio (2011).
 140

Analogamente, para a função de transferência na fase de resfriamento, também

o sistema obedece a uma função de transferência de primeira ordem, em malha aberta, como
sendo do tipo:
ARESFR (Eq. 56)
GRESFR ( s ) =
s + aRESFR

CRESFR ( s )
GRESFR ( s) = ∴ CRESFR = R30W ( s) ⋅ GRESFR ( s) (Eq. 57)
R30W ( s)

aplicando um degrau elétrico de potência de 30W:

30 K RESFR K RESFR
CRESFR (s) = ⋅ = (Eq. 58)
{s (s + aRESFR ) s(s + aRESFR )
R ( s)
14243
30W GRESFR ( s )

Aplicando o Teorema do valor final (DORF, BISHOP, 2001; MICHALSKY,

et al., 2001, p.312; NISE, 1995, p.227) na equação 59, fica:

30 K RESFR 30.K RESFR

CRESFR (t → ∞) = lims ⋅ ⋅ = (Eq. 59)
s→0 s (s + aRESFR ) aRESFR

CRESFR(t→∞) = 10,018663 − 9,992327 = 0,026336MHz.

Extraindo-se o ponto em que a frequência do ODT atinge 63% do valor final,

pode-se encontrar a constante de tempo τRESFR, e também αRESFR.

C (t = τ RESFR ) = 0,63 ⋅ (0,026336) → τ RESFR = 175s

1
τ RESFR = = 175∴ aRESFR = 5,714286.10−3
aRESFR
Efetuando-se a transformada inversa de Laplace na Eq. 59, fica:
−t
30.KRESFR 30.KRESFR
cRESFR(t ) = −  e aRESFR
aRESFR  aRESFR  (Eq. 60)

Assim, é possível afirmar que, quando o tempo tende ao infinito, cRESFR(t→∞)

converge para 30.KRESFR/αRESFR. Na tabela obtida no ensaio com o aquecedor, tMAX é 600s,
pois após este período, se confirmou o estado estacionário da frequência na saída do ODT
(garantindo-se que realmente o sistema estabilizou), sabe-se que cRESFR(t→∞) é
 141

0,026336MHz (para condição inicial nula), portanto, permite encontrar o valor de KRESFR
através da seguinte consideração:

30K RESFR (Eq. 61)

cRESFR(t → ∞) =
aRESFR

30.K RESFR = cRESFR (t → ∞) ⋅ a RESFR (Eq. 62)

0,026336 ⋅ 5,714286 ⋅ 10−3 (Eq. 63)

K RESFR = = 5,016381⋅ 10−6
30

Assim, pode-se escrever a função de transferência térmica em malha aberta do

ODT, em fase de resfriamento, um bloco a ser utilizado em simulação no programa
Simulink®, e permitindo estabelecer os parâmetros distribuídos para investigação pelo
método do equivalente térmico-elétrico, em ferramenta computacional de simulação de
circuitos elétricos. C0 neste caso é 9,992327MHz.

5,016381⋅10−6 (Eq. 64)

GRESFR ( s) = + C0
s + 5,714286 ⋅10−3
Importante notar que tanto GAQUEC(s) como GRESFR(s) estão calculados para a
resposta direta em MHz. Pela própria construção física do sistema, possuem constantes
distribuídas distintas. O Arranjo do circuito térmico de ambos os atuadores é diferente,
implicando em uma resposta com característica diferente, visualmente detectada pelos
respectivos gráficos, e comprovada matematicamente. Este é o motivo pelo qual o bloco
Restaurador DC possui efetivamente dois percursos no ramo direto de sua malha interna,
possibilitando o estudo independente de cada um destes comportamentos, na busca da melhor
solução de compensação para quando o sistema operar em malha fechada.

7.1.2 Testes com perturbações externas, em malha fechada

Com o sistema pronto para operar em malha fechada, é possível caracterizar as

vantagens reais da operação do sistema, quando submetido à perturbações térmicas externas.
Este sem dúvida é o principal motivo pela qual o sistema foi desenvolvido. Objetivamente
pode-se manter o ODT operando em malha aberta (sem atuação térmica do sistema) na
temperatura ambiente, monitorar a frequência e aplicar uma perturbação térmica positiva,
retirar esta perturbação, e aguardar o tempo necessário para que a frequência retorne ao valor
 142

que possuía antes da perturbação. Reciprocamente, faz-se o sistema sofrer uma perturbação
de temperatura negativa, retira-se a perturbação e aguarda-se a frequência do ODT retornar ao
valor inicial. A perturbação positiva foi feita com o uso de um soprador de ar quente, e a
temperatura monitorada por intermédio do sensor de temperatura interno ao ODT, com um
multímetro digital. Aplicou-se ar quente forçadamente ao ODT até que a temperatura interna
atingisse 28ºC. Após este período aguardou-se o retorno à temperatura ambiente e ao valor
nominal da frequência. O sistema opera em malha aberta após acionar a chave “CAL”,
efetuar o ajuste de Zero e manter a chave “CAL” do painel na posição ativada. Desta forma,
os atuadores são desativados. Na Tabela 4 abaixo estão os dados obtidos neste ensaio.
Tabela 4 – Dados obtidos em malha aberta com perturbação positiva de temperatura.
t[s] f[MHz] T[ºC]
0 9,992491 28,1
30 9,989686 29,7
60 9,985005 31,0
90 9,981029 32,1
120 9,978232 32,9
150 9,976232 33,0
180 9,974029 32,9
210 9,973045 32,7
240 9,972701 32,1
270 9,972431 31,2
300 9,972402 30,3
330 9,972301 29,6
360 9,972491 29,1
390 9,972809 28,5
420 9,973396 28,1
450 9,974203 27,5
480 9,975348 27,2
510 9,976200 26,8
540 9,978138 26,2
570 9,978983 26,0
600 9,980580 25,7
630 9,981773 25,4
660 9,983918 25,1
690 9,984863 24,7
720 9,987700 24,5
750 9,988954 24,3
780 9,990100 24,1
810 9,991000 23,9
840 9,994200 23,9
870 9,995400 23,7
900 9,997000 23,6
930 9,997900 23,6
960 9,998700 23,5
990 9,999314 23,3
1020 9,999301 23,3
Fonte – Acervo próprio (2011).
 143

f [MHz]
10,005

10

9,995

9,99

9,985

9,98

9,975

9,97 t[seg]
0 200 400 600 800 1000 1200

Gráfico 12 – Resposta da frequência pelo tempo para uma perturbação positiva, em malha aberta.
Fonte – Acervo próprio (2011).

T [ºC]
34

32

30

28

26

24

22

20 t [s]
0 200 400 600 800 1000 1200

Gráfico 13 – Resposta da temperatura pelo tempo para perturbação positiva, em malha aberta.
Fonte – Acervo próprio (2011).
 144

No Gráfico 12 e no Gráfico 13 pode ser vista a resposta em malha aberta para a

perturbação positiva, sendo que para a frequência foi necessário aproximadamente aguardar
700 segundos para que ele retornasse ao valor nominal determinado pela temperatura
ambiente do teste. Este tempo foi obtido contando do ponto em que o sistema parou de
aquecer, em 200s, aproximadamente, até decair exponencialmente sua temperatura, até o
ponto em que a frequência se aproximou do valor inicial antes da aplicação da perturbação. O
ponto de tempo zero no gráfico representa o momento em que a fonte de calor (soprador de ar
quente) foi retirado e não havia mais perturbação forçada. Devido à própria característica de
capacitância térmica do sistema, mesmo após a retirada da pertubação externa, internamente o
sistema continuou a aquecer (pois esta temperatura representa o valor interno do sensor do
ODT) por aproximadamente 3 minutos. A temperatura ambiente estava em 23.7ºC.

Para o sistema ser analisado com perturbação negativa de temperatura, foi

utilizado um aerossol do tipo congelante, de forma a forçar o sistema atingir uma temperatura
de 17ºC e após isso coletar os dados do tempo, frequência e temperatura, de forma a
determinar quanto tempo o sistema precisa para retornar ao seu estado de repouso, na
temperatura ambiente. O ponto zero dos gráficos correspondem ao momento em que a
perturbação foi retirada, e observa-se assim como para o teste de perturbação positiva, um
tempo em que a temperatura interna continua a variar, mesmo com a retirada da perturbação.
As medições foram efetuadas com intervalo de 30 segundos entre cada uma, e o
frequencímetro configurado com tempo de quantização de 4 segundos. Estando o sistema em
malha aberta, a própria temperatura ambiente se encarrega de forçar o sistema a retornar à
temperatura inicial. No Gráfico 14 e no Gráfico 15 estão as respostas no domínio do tempo
para a frequência e temperatura respectivamente, para uma perturbação negativa, com o
sistema em malha aberta. Neste caso, o sistema preciso de aproximadamente 600 segundos
até restabelecer o valor inicial para temperatura ambiente. Também neste caso existe uma
diferença entre a temperatura a e frequência, devido aos mesmos motivos vistos para a
perturbação positiva (capacitância térmica do sistema), também explanados em maiores
detalhes no item 5.6.3 Interfaces Térmicas com o ODT..
 145

Tabela 5 – Comportamento do sistema quando em malha aberta, para perturbação negativa.

t[s] f[MHz] T[ºC]
0 10,018202 17,7
30 10,018431 17,5
60 10,017305 17,4
90 10,015909 17,6
120 10,012811 17,8
150 10,008431 18,3
180 10,003962 18,8
210 9,998831 19,1
240 9,995512 19,5
270 9,993226 19,9
300 9,989422 20,0
330 9,987211 20,2
360 9,986331 20,5
390 9,984341 20,7
420 9,983614 20,9
450 9,983512 21,2
480 9,982812 21,3
510 9,980941 21,5
540 9,981231 21,8
570 9,980422 22,1
600 9,980619 22,4
630 9,980448 22,5
660 9,980116 22,7
690 9,980152 22,8
720 9,979411 22,9
750 9,980347 23,0
780 9,979587 23,0
810 9,980580 23,0
840 9,980580 23,1
Fonte – Acervo próprio (2011).
 146

f [MHz]
10,025

10,02

10,015

10,01

10,005

10

9,995

9,99

9,985

9,98

9,975 t[seg]
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900

Gráfico 14 – Comportamento frequência versus tempo, para perturbação negativa em malha aberta.
Fonte – Acervo próprio (2011).

T [ºC]
24

23

22

21

20

19

18

17

16 t [s]
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900

Gráfico 15 - Comportamento temperatura versus tempo, para perturbação negativa em malha aberta.
Fonte – Acervo próprio (2011).
 147

Para permitir o sistema operar em malha fechada, primeiro é feito a excitação

da perturbação (tanto positiva como negativa), partindo da temperatura ambiente mantendo-
se o Zero e o botão "CAL" acionado. Nesta condição os atuadores são desativados. Aplica-se
então a perturbação, até a temperatura do ODT atingir um determinado ponto, e a partir daí
retornar o botão "CAL" para a função de operação. A partir daí inicia-se a contagem de
tempo, com os atuadores imprimindo fluxo térmico (positivo ou negativo) no sistema. A
Tabela 6 possui os dados para a resposta do sistema operando em malha fechada, com uma
perturbação positiva de temperatura.

Tabela 6 - Dados obtidos em malha fechada, para uma perturbação positiva de temperatura.
t[s] f[MHz] T[ºC]
0 9,992491 28,1
30 9,989686 28,6
60 9,987914 28,2
100 9,987615 26,6
120 9,991009 23,8
150 9,993951 24,4
180 9,994321 23,4
210 9,998003 22,3
240 9,998922 21,6
270 10,000614 20,5
300 9,998752 19,5
330 10,000664 20,4
360 9,998475 19,1
390 10,000784 20,8
420 9,999142 19,2
450 9,999938 20,4
480 10,001222 19,3
510 9,999200 20,6
540 10,001624 20,8
570 10,000959 19,3
600 10,000201 20,4
Fonte - Acervo próprio (2011).

No Gráfico 16 e no Gráfico 17 estão as respostas da frequência e temperatura,

respectivamente, em função do tempo. O Tempo zero é o momento em que a excitação de
perturbação é retirada e o equipamento é colocado na função de operação pelo botão "CAL"
do painel frontal. Importante notar que o tempo de resposta da frequência foi reduzido para
200 segundos, aproximadamente, exibindo um sobressinal e um erro de estado estacionário
da ordem de ±900Hz, em torno do valor ajustado da referência, que pela medição efetuada
ficou em 10,000031MHz, oriundos da referência interna e aferido com um frequencímetro
Takeda Riken modelo TR5823.
 148

Gráfico 16 - Resposta da freqüência em malha fechada, com perturbação positiva.

Fonte - Acervo próprio (2011).

Gráfico 17 - Resposta da temperatura para uma perturbação positiva, em malha fechada.

Fonte - Acervo próprio (2011).
 149

Tabela 7 - Dados obtidos para perturbação negativa de temperatura, em malha fechada.

t[s] f[MHz] T[ºC]
0 10,009833 17,3
30 10,008853 17,2
60 10,006874 17,1
100 10,004894 17,6
120 10,002914 18,1
150 10,000613 18,9
180 9,998922 19,5
210 9,998003 20,6
240 9,994321 21,3
270 9,993951 22,1
300 9,992491 22,6
330 9,992879 21,6
360 9,997864 19,1
390 10,003157 21,8
420 9,999495 19,2
450 10,000331 20,4
480 9,998651 19,2
510 10,001470 20,2
540 9,999208 20,7
570 10,001274 19,3
600 9,999340 20,5
Fonte - Acervo próprio (2011).

Gráfico 18 - Comportamento da temperatura, aplicado uma perturbação negativa, em malha fechada.

Fonte - Acervo próprio (2011).
 150

Gráfico 19 - Comportamento temporal da frequência com a aplicação de uma perturbação negativa,

em malha fechada.
Fonte - Acervo próprio (2011).

Com o auxílio dos dados obtidos na medição é possível observar que o

comportamento do sistema em malha fechada possui um tempo de resposta de 1/4 inferior à
resposta em malha aberta, o que significa uma melhora no tempo de resposta. O necessário é
redimensionar os ganhos do sistema e as constantes de Kp e Ki (DORF, BISHOP, 2001;
NISE, 1995). O método de Ziegler-Nichols pode então ser aplicado na determinação destas
constantes, para simplificação de aproximação e posteriormente ajustar com os testes
empíricos para minimizar também o Erro de Estado Estacionário, que ficou em torno de 1kHz
nesta medição, e inicialmente não atenderia às expectativas iniciais do projeto, que era de
minimizar o desvio de freqüência pela temperatura, porém as características da planta
desempenham um papel fundamental na composição destes efeitos da variação da freqüência
em função da temperatura.
 151

7.2 COMPARAÇÃO COM AS CONSIDERAÇÕES TEÓRICAS

As constantes envolvidas nas funções de transferências determinadas no item

anterior mostram que a resposta do sistema, para ambos os casos é lenta, em relação à
potência aplicada nos atuadores. Para a célula Peltier, conforme (LINEYKIN, YAAKOV,
2005, p. 63), e baseado nos dados do fabricante através do Gráfico 20, os termos Rth12 e
Rth13 do Diagrama 23, podem ser estimados, considerando-se que estando em série, seu
equivalente é a somatória dos dois, em um só elemento de resistência térmica. A temperatura
ambiente é estimada pelos pontos P0, P2, P3, P4 neste mesmo diagrama, ficando em torno de
25ºC. Para essa determinação, a corrente fixa de 3A estabelece a relação entre o fluxo de
calor (Q) e a diferença de temperatura entre as faces do ODT, medidas com o auxílio da
Figura 37 (item 5.6.4), entre os pontos P6 (28,3ºC) e P5 (−12,5ºC), totalizando 40ºC. No
Gráfico 20 abaixo fornecido pelo fabricante do elemento Peltier, pode-se determinar dT,
como sendo a diferença entre as duas temperaturas nas faces do elemento Peltier, o que
representa um fluxo de calor Q de 7,5W, que na simulação corresponde ao equivalente
elétrico de 7,5A:

Gráfico 20 – Características térmicas do atuador termoelétrico utilizado.

Fonte – EQUIPAMENTOS DANVIC (2010, não paginado).
 152

A resistência térmica Rth9, que representa a resistência térmica do ODT para o

ambiente pode ser estimada por:

T AMB − T P 9 25 − 1, 2
Rth 9 = = = 3,17 K / W
7 ,5 7 ,5

A resistência térmica Rth4 representa a resistência térmica do corpo do ODT, é

estimada com sendo:

T P 9 − T P 5 1, 2 − ( − 12 ,5)
Rth 4 = = = 1,76 K / W
7 ,5 7 ,5
A resistência térmica do dissipador para o ambiente (Rth10) é dada pelo
fabricante como sendo 0,95K/W. Sendo importante mencionar novamente que a imagem da
Figura 37, está já em estado estacionário, e representa temperaturas estáveis, para uma
abordagem empírica. Devido à proximidade do sensor de temperatura interno do ODT e do
circuito oscilador, para simplificação de analise, foi considerado que Rth6=Rth8, e
Rth5=Rth7. Pela Tabela 3 a temperatura de estado estacionário medida no Sensor (ponto TM2
no Diagrama 23 foi de 8,5ºC. Esta temperatura não consegue ser reduzida, pois praticamente
não existe fluxo de calor por condução para o sensor, somente por irradiação. A convecção
interna pode ser descartada pois não existe volume de ar internamente para gerar empuxo
significativo. Assim a resistência térmica resultante possui valor muito alto (INCROPERA,
DEWITT, 1996, p. 427). Este valor representa na simulação computacional 8,5V, fornecidos
por uma fonte de tensão ideal inserida entre o GND e o ponto TM2. Assim, pode-se estimar a
diferença de temperatura entre Rth4, e assim, determinar Rth6 e Rth8 com o auxílio do
circuito de simulação elaborado no software Multisim® [peltier_odt.ms11] como
sendo:

Rth6, Rth8 = 3335K/W

Rth7, Rth5 = 2515K/W
 153

Figura 39 − Transiente do ODT+Peltier pela simulação do circuito análogo térmico-elétrico.

Fonte – Acervo próprio (2011).

As capacitâncias térmicas do circuito que não são relevantes para o circuito,

são efetivamente Cth2 e Cth4. As mais importantes são Cth8 e Cth5. O ideal é que Cth5 seja
superior a 20W.s/K (20F no circuito simulado), e que Cth5 seja baixo, inferior a 1W.s/K, para
que um pequeno variação de fluxo de valor possa gerar uma redução mais significativa na
temperatura de TM2. Por sua vez, todas as resistências térmicas em torno do sensor de
temperatura e do oscilador devem ser reduzidas drasticamente, de forma que eles recebam do
sistema uma parcela maior do fluxo de calor (que neste caso é negativo), Rth4 e Rth9
precisam ter valor mais elevado, de forma a não devolver ao ambiente a maior parcela do
fluxo de calor. A resposta do sistema para a entrada de 7,5W de fluxo de calor pode ser
observada por intermédio da Figura 39, onde foi possível aproximar as curvas de resposta, e,
relação com o resultado empírico, ajustando-se os valores dos componentes do circuito
térmico cujas constantes não podem ser determinadas pelo método numérico.
 154

8 ESTUDO DE CASO – APLICAÇÃO NO AMBIENTE EDFL

A aplicação do sistema no ambiente EDFL real visa a estabilização da

frequência de operação da cavidade óptica, por intermédio da modificação da temperatura,
através de atuadores termoelétricos, que recebem um sinal de potência com o tratamento e
amplificação de forma conveniente. Para isso, o método da coleta do sinal de referência é
muito importante, pois dele derivarão todos os resultados proporcionais à variação do ajuste
inicial. Antes desta proposta, outros métodos foram estudados na busca de uma solução para
o problema. Na Figura 40 abaixo está a proposta efetuada por Dias (2008, p.73), em que a
autora cita o uso de equipamentos muito caros e complexos para fazer a estabilização do
sistema, lendo o sinal de ressonância da cavidade e corrigindo via um gerador de precisão, na
faixa de 10GHz, com um algoritmo via programa dedicado. Tal implantação não se mostrou
viável, pois o frequencímetro (que agora insere um erro no sistema) precisaria ter um tempo
de quantização e uma resolução alta o suficiente para que a aferição da correta frequência da
cavidade proporcione a atuação do sistema para pequenos desvios (da ordem de Hz) na
frequência da cavidade. Esta atuação a partir do modulador de fase se mostrou crítica,
atuando somente na casa dos kHz.

Figura 40 - Proposta de compensação da variação da ressonância da cavidade original.

Fonte - Dias (2008, p.73)
 155

A viabilidade do sistema analisado e testado foi considerada pelo autor como

não sendo a melhor forma de buscar uma solução para o problema da estabilidade da
frequência de ressonância da cavidade óptica. Com base nesta proposta, o presente trabalho
procura uma maneira de, através do sistema analisado na Figura 40 acima, substituir a
realimentação com frequencímetro e a atuação no modulador de fase via gerador de RF de
10GHz, por um sistema que atue em um trecho da fibra, aquecendo ou resfriando este trecho
ativa e dinamicamente, compensando a sobreposição de outros efeitos intrínsecos ou
extrínsecos da cavidade ressonante e do sistema EDFL como um todo. A coleta da frequência
da cavidade é feita de maneira análoga à da proposta original, porém o sistema proposto neste
trabalho não pode operar com sinais ópticos diretamente, assim um detector conveniente deve
converter os sinais ópticos em elétricos, para posterior aplicação à entrada do sistema, como
na
Figura 41.

Figura 41 - Sistema EDFL com compensação por atuadores termoelétricos.

Fonte - Adaptado de Dias (2008, p.73)
 156

Para a realização deste sistema, o projeto em questão utilizou de um bloco que

pode reproduzir a característica da dependência da frequência em função da temperatura. Um
sistema ideal, responde à atuação do sinal de erro de maneira rápida, e sem sobressinal
representativo. Assim, substitui-se o ODT utilizado para um primeiro teste no sistema de
estabilização e acionamento dos atuadores, pelo sistema real EDFL, onde um trecho da fibra
ressonante da cavidade é colocado à influência do aquecimento e resfriamento dos atuadores.
Nos testes efetuados com o ODT, alguns parâmetros importantes foram localizados, que
determinam diretamente a capacidade do sistema em produzir um efeito rápido e eficaz na
temperatura, e consequentemente na frequência. Como metas, devem ser estudadas maneiras
de superar estes obstáculos. Algumas estratégias de pesquisa devem ser traçadas, e as
propostas deste projeto, com base nos resultados da pesquisa bibliográfica e nos ensaios no
ambiente de simulação com o ODT funcionando como planta, são:

• Minimizar a resistência térmica entre os atuadores e o elemento dependente

da temperatura – isto significa que, pelo fato de o oscilador interno do ODT
não possuir uma forma de receber o fluxo de calor dos atuadores por
condução (que possui resistência térmica baixa), faz com que seu tempo de
resposta à temperatura seja demasiado alto. No protótipo com o ODT, por
exemplo, de acordo com a Tabela 3 − para o Peltier, o sensor de temperatura
não conseguiu atingir a temperatura do corpo do ODT, que ficou na média
em −4ºC;
• Reduzir a capacitância térmica inserida pelo corpo que sustenta o elemento
dependente de temperatura, de forma que o conjunto leve um tempo menor
para atingir a temperatura mais próxima do atuador e entrar em estado
estacionário em menor tempo. A capacitância térmica está relacionada com o
volume do corpo do objeto, e seu calor específico (INCROPERA, DEWITT,
1996, p.339);
• Aumentar a potência dos atuadores e distribuí-los de maneira a favorecer o
fluxo de calor unidimensional, minimizando os gradientes de temperatura
detectados na Figura 36 e na Figura 37 (item 5.6.4);

Levando-se em consideração o dimensional da fibra óptica, e que será

necessário um comprimento relativamente longo do trecho da fibra sob o efeito dos atuadores
 157

para que se possa obter variação significativa de frequência. Conforme Dias (2008, p.62) para
se dilatar a fibra em 207µm, com uma cavidade de 18,30m, é necessário um aumento de 1ºC
na temperatura, que significa um aumento de temperatura em toda a extensão do
comprimento da fibra. A expressão então se aplica (HSIANG, et al., apud DIAS, op. cit.):

∆L = L ⋅ α SILICA ⋅ ∆T (Eq. 65)

Onde αSILICA é o coeficiente de dilatação da sílica (≈ 1,131m/ºC) e L é o comprimento da

cavidade ótica (18,3m). Um sistema que faça variar a fibra em uma extensão de 18,7m não é
um mecanismo factível sob o ponto de vista de um dispositivo que precisa ser prático e
operacional. Para elaborar uma proposta para um dispositivo de aplicação de temperatura
num trecho da fibra do sistema EDFL em estudo, arbitrou-se 30cm como um comprimento
inicial de estudo. Assim com o auxílio da equação é possível estimar qual é a diferença de
temperatura que deve ser aplicada neste trecho, de forma a conseguir uma dessintonização da
ressonância equivalente a um aumento (ou redução) de 1ºC, ou seja, 207µm, para 18,3m
totais. Assim:

207µm = 0,3 ⋅ 1,131⋅ 10 −5 ⋅ ∆T → ∆T = 61°C

De maneira objetiva, pode-se manter o sistema em qualquer ponto dentro deste

ajuste, pois a intenção é fazer com que o sistema EDFL seja alinhado já com a câmara sob
atuação em um trecho da fibra. O alcance de temperatura desta magnitude implica em uma
resposta no domínio do tempo rápida, vencendo os obstáculos de capacitância térmica e
resistência térmica citados acima. Com este objetivo, alguns esboços mecânicos são
propostos nas linhas subseqüentes, tendo em vista alguns fatores que podem ser decisivos na
construção ou não de um protótipo:

• Imersão total da fibra em óleo termocondutivo, possibilitando tanto convecção

− pois o óleo por ser um fluido permite o deslocamento por empuxo − como
por radiação − pois o óleo é translúcido − como também, e principalmente, por
condução, que permite reduzir a resistência térmica de maneira significativa.
Para o estudo de caso, foi considerado o Óleo Termocondutor do tipo ECO-C,
de fabricação DSI Ventures, Inc, uma empresa química com sede nos EUA.
 158

Não foram efetuados testes práticos, sendo somente a especificação do produto

citada como referência de busca.
• Possibilidade de conexão com a fibra, e minimização das perdas de inserção
decorrentes do acoplamento de um trecho estranho ao projeto original do
sistema WDM com o EDFL.
• Minimizar totalmente o volume efetivo do corpo do invólucro em que estão
submersos a fibra e o óleo. Consiste este corpo, nesta proposta, em um perfil
de alumínio tipo “H”, com um tubo central de 9mm, que percorre toda a
extensão do dispositivo, acompanhando a fibra longitudinalmente. A parede de
contato com os atuadores tem maior superfície, sendo os lados de maior área
do perfil, em vista axial.
• Para maximizar a distribuição do fluxo de calor, os atuadores são posicionados
longitudinalmente ao perfil, e em torno de 7 dispositivos podem ser alocados,
distribuídos de maneira uniforme por todo o comprimento. Em um lado são
posicionados os atuadores de aquecimento, e do outro lado, os atuadores de
resfriamento.

Na Figura 42, na Figura 43, e na Figura 44 abaixo, estão ilustradas algumas

perspectivas mecânicas para uma proposta de projeto para a implantação real do sistema
EDFL, elaboradas em ambiente computacional e sem escala, que visam somente concentrar
algumas alternativas para os apontamentos de limitações e viabilidades levantados acima,
com base nas considerações teóricas e constatações empíricas do conceito do sistema de
estabilização como um todo. Tal implantação deve ser feita com intermédio de perfis de
alumínio, considerando o dimensional da fibra em questão (para este estudo de caso, 30cm), e
a possibilidade de inserção do óleo termocondutor, minimizando a resistência térmica entre
os atuadores e a fibra, e também deve proporcionar uma fixação viável para a conexão da
fibra. Na consideração das vistas informadas, foi proposto o uso da célula Peltier tanto para
aquecimento como para resfriamento, porém, em configurações independentes, usando o
conceito do amplificador DNB, fazendo com que o efeito Seebeck das células sejam
desconsiderados. Outra consideração importante foi a distribuição longitudinal dos atuadores,
para minimizar o gradiente linear de temperatura. Para a constatação da efetividade da
proposta, um novo estudo deve ser efetuado. Felizmente, a plataforma eletrônica já
estabelecida pode ser usada, com um mínimo de adaptações.
 159

Atuador Atuador

Perfil “H”

Dissipador Fibra óptica Dissipador

Figura 42 – Perfil do conjunto atuador proposto, em corte.

Fonte – Acervo próprio (2011).

Figura 43 – Aspecto 3D da proposta do conjunto do atuador para o sistema EDFL.

Fonte – Acervo próprio (2011).
 160

Figura 44 – Vista superior, explodida, para a proposta.

Fonte – Acervo próprio (2011).
 161

9 CONCLUSÃO

Por intermédio das informações obtidas na revisão de literatura durante a

pesquisa, foi possível estabelecer quais são os parâmetros importantes para o
desenvolvimento do estudo e realizar o projeto do sistema visando as metas de objetividade
de desempenho inicialmente assumidas. Por se tratar de um sistema físico, muitos esforços
foram concentrados para que a realização do protótipo atingisse o máximo de
funcionalidades, porém ser perder a robustez e facilidade de operação. Alguns obstáculos
operacionais tiveram de ser superados para que a proposta tomasse forma da maneira como
está, no término do estudo, após confecção dos protótipos e levantamento dos dados. O maior
obstáculo na coleta dos dados foi a impossibilidade de atuar no sistema EDFL real. Por este
motivo, uma forma artificial de simular o sistema foi proposta e executada − criou-se o ODT.
O projeto do sistema de controle foi baseado em uma estrutura de blocos
clássica e didática, onde o ODT figura como a planta do sistema, fornecendo aos blocos
subsequentes na cadeia, o sinal de realimentação para ser comparado com uma referência, e
gerar um sinal de erro. Alguns testes empíricos foram efetuados e a função de transferência
de temperatura e frequência de saída do ODT foi estabelecida por esta caracterização. Com o
uso do ODT foi possível dimensionar várias das etapas do projeto, principalmente a parte de
potência e dos atuadores, obtendo uma resposta natural do sistema, resposta esta que não
estava rápida o suficiente para atender as expectativas iniciais do projeto, mas a interpretação
deste resultado delineou qual a direção o sistema real EDFL deve seguir para um melhor
dimensionamento.
Para a comparação de frequência, algumas topologias de circuito foram
estudadas, testadas, e a que se apresentou como mais viável para a execução do trabalho
envolve o uso de circuitos digitais TTL tradicionais e um amplificador diferencial de alta
velocidade, após atravessar um filtro passa-baixas passivo, cujas constantes RC podem ser
ajustadas. O ganho do circuito pode ser ajustado de maneira análoga. Esta configuração foi
baseada em uma patente norte-americana já em domínio público, e o circuito fornece em sua
saída um nível de tensão proporcional à diferença de frequência entre os sinais de entrada.
Devido às limitações do circuito comparador de frequência real, o sinal de erro
atravessa outra etapa para que possa ser tratado de forma a ajustar a amplitude e o
deslocamento DC do sinal, efetuar o balanço de simetria, e aproveitando as etapas deste
bloco, efetuar uma pequena compensação PID, para melhorar a resposta do sistema quando
 162

em malha fechada. As constantes de integração e diferenciação do circuito poderão ser

ajustadas dentro de alguns valores pré-estabelecidos em simulação computacional.
O conceito de interligação do projeto permitirá o ajuste das constantes que
após a simulação em malha fechada podem ser ajustadas para melhorar a resposta do sistema.
Com este dispositivo experimental será possível implantar o controle no sistema real,
fazendo-se alguns ajustes de ganho e de tempo de resposta das compensações obtidas. Então
se coloca um trecho da fibra da cavidade sob a influência térmica do dispositivo termoelétrico
(conjunto atuador-dissipador). Com o sinal do controlador pode-se atuar, através da
circulação de corrente nos atuadores (que é proporcional à variação de frequência da
ressonância da cavidade), modificando a temperatura deste trecho da fibra, alterando seu
comprimento físico, e estabilizando o sistema. Para esta determinação de operação, alguns
sensores térmicos são utilizados, podendo-se ainda estabelecer um limiar entre a transição da
temperatura no dispositivo, e sua interferência no ambiente (onde ficam os dispositivos da
cavidade).
A continuidade do trabalho é possível, pois existem muitas melhorias factíveis
no sistema, que foram previstas na concepção mecânica do projeto, como: a implantação de
um módulo microcontrolado, funcionando como uma unidade de controle, que pode ajustar
dinamicamente as constantes do comparador de frequência e do módulo restaurador DC, para
atingir uma resposta mais rápida e eficiente; obter a frequência de referencia por intermédio
de um módulo contador programável, que recebe o sinal do gerador mestre do sistema na casa
dos GHz, e o divide por um numero N determinado pelas características da cavidade óptica e
inserido no sistema por intermédio do módulo de controle, assim obtendo-se um valor de
frequência que está sincronizado em fase com o sinal mestre, e possui a mesma estabilidade.
Incluir um circuito com funcionalidades de processamento digital de sinais (DSP) que possa
receber funções de algoritmos computacionais do Matlab, por exemplo, a partir do sinal de
erro do comparador de frequencias, e gerar saídas digitais para análise computacional,
implantando um controle PID mais robusto e dinamicamente adaptativo no sistema. Para isso
foi previsto um soquete específico no backplane de potência. Pode ser necessário incluir um
filtro na entrada fx do sistema, para que o sinal que o comparador de frequência receba
possua somente harmônicos inferiores, evitando a perturbação por meio de sinais
indesejáveis.
Espera-se que estes desafios motivem outras pesquisas aprimorando o
desempenho do sistema EDFL, mitigando alguns dos efeitos térmicos indesejáveis e criando
novas concepções no tratamento de sinais e sistemas desta natureza.
 163

REFERÊNCIAS
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2002.

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paginado).

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