Prova Antiga Gabarito

ETE202 – Trabalho referente a nota P2 - 2020 Pág.
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ETE202 – Eletrônica Analógica

Trabalho – 2. Bimestre 2020 – Exercícios
Prezados alunos. O objetivo deste trabalho é resolver os exercícios apresentados. Para

isso, leiam as instruções a seguir:
 Este trabalho será aplicado para os alunos dos períodos diurno e noturno.
 Nas questões os enunciados apresentam uma dependência dos valores das variáveis N e C,
onde N = A + B + C obtidas a partir do RA do aluno, conforme explicado a seguir:
 O trabalho é individual. Divulgação no Moodle a partir de 22/06/2020 (segunda-feira).

Entrega até o dia 24/06/2020 (quarta-feira). Os trabalhos não serão aceitos após esta data; o
MoodleRooms estará programado para isto. Não deixem para entregar em cima da hora, para evitar
problemas (por exemplo, problemas de conexão com a internet).
 Os exercícios devem ser resolvidos e, depois de concluídos, digitalizados, gerando um
arquivo em PDF o qual deverá ser postado no MoodleRooms, fazendo o Upload na Tarefa “Trabalho
do 2. Bimestre – Diurno” ou na Tarefa “Trabalho do 2. Bimestre – Noturno” na pasta “Ensino-
Aprendizagem Mediados por Tecnologias – Repositórios”. Serão aceitos arquivos no formato PDF.
Aluno: .GABARITO............................................
Valores das questões:
Questão Valor Nota

1a Questão 4,0
2a Questão 4,0
3a Questão 2,0
Total 10,0
ETE202 – Trabalho referente a nota P2 - 2020 Pág. 2 de 32
Orientações adicionais:
 Não se esqueçam de assinar na primeira página e preencher o RA determinando os dígitos
“N” e “C”.
 Não deixem para resolver de última hora, pois apesar de serem apenas três questões, as
mesmas são trabalhosas.
 É essencial que todos os cálculos teóricos sejam apresentados. A estratégia de utilizar
softwares de simulação para comprovar os resultados pode não ser eficaz, pois os resultados
dependerão dos parâmetros específicos dos componentes eletrônicos utilizados na simulação (por
exemplo, o  do transistor).
 Considere que em todos os circuitos assumiremos transistores com tensão de condução
VBE = 0,7 V (ou VEB = 0,7 no caso de transistores pnp) e quando saturados teremos VCE = 0,2 V (ou
VEC = 0,2 no caso de transistores pnp). Nos circuitos onde são utilizados diodos assuma tensão de
condução na região direta de 0,7 V.
 Os cálculos devem ser realizados com 4 casas decimais para garantir boa precisão nos
resultados.
 Se precisar de folhas em branco adicionais para resolver as questões pode adicioná-las
livremente.
 Quando for postar a solução na tarefa do Moodle, não precisa incluir todas as folhas; basta
incluir as questões referentes aos seus dígitos específicos “N” e “C”. Contudo fique atento para que,
quando for enviar o trabalho, não se esqueça de nenhuma página; confira após fazer o upload.
 Verifiquem a qualidade do escaneamento realizado para garantir que a solução possa ser
visualizada claramente pelo professor. Escreva de forma clara, pois o que não pode ser lido ou visto,
não pode ser corrigido.
 Lembre-se que não é permitido o “plágio” portanto jamais copie a solução desenvolvida por
um colega; cópias flagrantes identificadas, podem resultar em “0” na questão ou até no trabalho
inteiro.
1a Questão (4,0 pontos)
Essa questão é diferente dependente do valor de “C”.
Resolva essa questão se tiver “C” = 0, 1 ou 2.
Considere a seguinte aplicação (circuito (a)) utilizando amplificador Classe A para acionar uma
carga de 5 Ω:
(a) (b)
a) A fonte de corrente I utilizada no amplificador classe A foi produzida por um circuito que
inclui transistores de potência e diodo zener, conforme o circuito completo (b). Determine o
valor da fonte de corrente I produzida assumindo que o transistor Q2 utilizado apresenta
β = 2499 e que o diodo zener apresenta VZ dependente do dígito “N”, sendo dado por
VZ = (“N” + 5,7) V. (1,0 ponto)
VZ = “N”+ 5,7; VB2 = -25 + VZ;
IE2 = (VB2 – 0,7 – (-25)) / 4 = (VB2 +24,3) / 4 I = IC2 =  IE2 = ( / (+1)) IE2
Resultados:
N VZ (V) VB2 (V) IE2 (A) I = IC2 (A)
1 6.7 -43.3 1.5 1.4994
2 7.7 -42.3 1.75 1.7493
3 8.7 -41.3 2 1.9992
6 11.7 -38.3 2.75 2.7489
7 12.7 -37.3 3 2.9988
8 13.7 -36.3 3.25 3.2487
9 14.7 -35.3 3.5 3.4986
10 15.7 -34.3 3.75 3.7485
13 18.7 -31.3 4.5 4.4982
14 19.7 -30.3 4.75 4.7481
15 20.7 -29.3 5 4.998
18 23.7 -26.3 5.75 5.7477
b) Esboce a forma de onda obtida na saída v0 assumindo que a entrada vI utilizada é senoidal,
simétrica, com frequência de 1 kHz e amplitude de pico a pico de (2 * “N”) V, portanto
dependente do dígito “N”, como ilustrado abaixo. Considerando que o transistor Q1
utilizado apresenta  = 2499, apresente a saída v0 sincronizada com a entrada vI.
Para isso realize os cálculos para comprovar os resultados obtidos para a tensão de saída
para os valores extremos da tensão de entrada, ou seja, para vI = “N” V e para vI = - “N” V.
Fique atento: realize todos os cálculos para deduzir as tensões e correntes do circuito e não
se esqueça de verificar as regiões de operação do transistor. (2,5 pontos)
VI(max) – 0,7 = 100 IB1(max) + 5 IM(max) onde VI(max) é igual a “N”
VI(max) – 0,7 = 100 IB1(max) + 5 (IE1(max) – IC2) onde IC2 é o valor da fonte de corrente I
VI(max) – 0,7 + 5 IC2 = 100 IB1(max) + 5 IE1(max)
VI(max) – 0,7 + 5 IC2 = 100 IB1(max) + 5 (+1)IB1(max)
IB1(max) = (VI(max) – 0,7 + 5 IC2) / (100 + 5 (+1))
IE1(max) = (+1)) IB1(max)
IM(max) = IE1(max) - IC2)
v0(max) = 5 IM(max) OBS – garante transistor Q1 no modo ativo para qualquer valor de “N”
Repetir todos os cálculos para VI(min), ou seja:
VI(min) – 0,7 = 100 IB1(min) + 5 IM(min) onde VI(min) é igual a -“N”
VI(min) – 0,7 = 100 IB1(min) + 5 (IE1(min) – IC2) onde IC2 é o valor da fonte de corrente I
VI(min) – 0,7 + 5 IC2 = 100 IB1(min) + 5 IE1(min)
VI(min) – 0,7 + 5 IC2 = 100 IB1(min) + 5 (+1)IB1(min)

IB1(min) = (VI(min) – 0,7 + 5 IC2) / (100 + 5 (+1)) (sempre positivo para qualquer “N” que
indica que transistor Q1 não entra em corte)
IE1(min = (+1)) IB1(min) IM(min) = IE1(min) - IC2)
v0(min) = 5 IM(min) (tem valores sempre maiores que VB2 independente de “N” o que
garante que Q2 está sempre no modo ativo)
Os valores de V0(max) e V0(min) devem ser mostrados no gráfico, como ilustrado acima.
Resultados:
vI(max) IB1(max) IE1(max) IM(max) v0(max) vI(min) IB1(min) IE1(min) v0(min)
N (V) (A) (A) (A) (V) (V) (A) (A) IM(min) (A) (V)
1 1 0.00061881 1.547024 0.047624 0.238119 -1 0.00046 1.150198 -0.3492 -1.74601
2 2 0.000797341 1.993353 0.244053 1.220266 -2 0.00048 1.199702 -0.5496 -2.74799
3 3 0.000975873 2.439683 0.440483 2.202413 -3 0.0005 1.249206 -0.74999 -3.74997
6 6 0.001511468 3.778671 1.029771 5.148853 -6 0.000559 1.397718 -1.35118 -6.75591
7 7 0.00169 4.225 1.2262 6.131 -7 0.000579 1.447222 -1.55158 -7.75789
8 8 0.001868532 4.671329 1.422629 7.113147 -8 0.000599 1.496726 -1.75197 -8.75987
9 9 0.002047063 5.117659 1.619059 8.095294 -9 0.000618 1.54623 -1.95237 -9.76185
10 10 0.002225595 5.563988 1.815488 9.07744 -10 0.000638 1.595734 -2.15277 -10.7638
13 13 0.00276119 6.902976 2.404776 12.02388 -13 0.000698 1.744246 -2.75395 -13.7698
14 14 0.002939722 7.349306 2.601206 13.00603 -14 0.000718 1.79375 -2.95435 -14.7718
15 15 0.003118007 7.795016 2.797016 15.98508 -15 0.000737 1.843108 -3.15489 -15.7745
18 18 0.003653849 9.134623 3.386923 16.93462 -18 0.000797 1.991766 -3.75593 -18.7797
c) Com base os resultados obtidos no item b) apresente graficamente a relação v0 x vI do

circuito deixando claro todas as amplitudes de v0 e vI. (0,5 ponto)
Resolva essa questão se tiver “C” = 3, 4 ou 5.
Considere a seguinte aplicação (circuito (a)) utilizando amplificador Classe A para acionar uma
carga de 5 Ω:
(a) (b)
a) A fonte de corrente I utilizada no amplificador classe A foi produzida por um circuito que
inclui transistores de potência, conforme o circuito completo (b). Determine o valor da
fonte de corrente I produzida assumindo que o transistor Q2 utilizado apresenta β = 1499 e
que o resistor conectado no terminal do coletor de Q3 apresenta valor dependente do dígito
“N”. (0,5 ponto)
VB2 = VB2 = -25 + 0,7 = -24,3 V;
IREF = (0 - VB2) / “N”
I = IC2 = ( / (+2)) IREF
Resultados:
N IREF (A) IC2 (A)
6 4.05 4.044603598
8 3.0375 3.033452698
9 2.7 2.696402398
10 2.43 2.426762159
11 2.209091 2.206147417
12 2.025 2.022301799
13 1.869231 1.866740122
15 1.62 1.617841439
16 1.51875 1.516726349
17 1.429412 1.427507152
18 1.35 1.348201199
19 1.278947 1.277243241
20 1.215 1.213381079
b) Esboce a forma de onda obtida na saída v0 assumindo que a entrada vI utilizada é senoidal,
dependente do dígito “N”, como ilustrado abaixo. Considerando que o transistor Q1
utilizado apresenta  = 1499, apresente a saída v0 sincronizada com a entrada vI.
se esqueça de verificar as regiões de operação do transistor. (2,5 pontos)
VI(max) – 0,7 = 100 IB1(max) + 5 IM(max) onde VI(max) é igual a “N”
VI(max) – 0,7 = 100 IB1(max) + 5 (IE1(max) – IC2) onde IC2 é o valor da fonte de corrente I
VI(max) – 0,7 + 5 IC2 = 100 IB1(max) + 5 IE1(max)
VI(max) – 0,7 + 5 IC2 = 100 IB1(max) + 5 (+1)IB1(max)
IB1(max) = (VI(max) – 0,7 + 5 IC2) / (100 + 5 (+1))
IE1(max) = (+1)) IB1(max)
IM(max) = IE1(max) - IC2)
v0(max) = 5 IM(max) OBS – garante transistor Q1 no modo ativo para qualquer valor de “N”
Repetir todos os cálculos para VI(min), ou seja:
VI(min) – 0,7 = 100 IB1(min) + 5 IM(min) onde VI(min) é igual a -“N”
VI(min) – 0,7 = 100 IB1(min) + 5 (IE1(min) – IC2) onde IC2 é o valor da fonte de corrente I
VI(min) – 0,7 + 5 IC2 = 100 IB1(min) + 5 IE1(min)

VI(min) – 0,7 + 5 IC2 = 100 IB1(min) + 5 (+1)IB1(min)
IB1(min) = (VI(min) – 0,7 + 5 IC2) / (100 + 5 (+1))
(fica negativo para “N” = 6, 8, 9, 10 o que garante que Q1 está sempre no modo ativo e que
Q1 não entra em corte)
Assim, para “N” = 6, 8, 9, 10, temos:
IE1(min = (+1)) IB1(min) IM(min) = IE1(min) - IC2)
Os valores de V0(max) e V0(min) devem ser mostrados no gráfico, como ilustrado abaixo.
Resultados:
vI(max) IB1(max) IE1(max) IM(max) v0(max) vI(min) IB1(min) IE1(min) v0(min)

N (V) (A) (A) (A) (V) (V) (A) (A) IM(min) (A) (V)
6 6 0.003358 5.037438 0.992834 4.964171 -6 0.001779 2.669017 -1.37559 -6.87793
8 8 0.002956 4.434328 1.400876 7.004378 -8 0.000851 1.276434 -1.75702 -8.7851
9 9 0.002866 4.299081 1.602679 8.013395 -9 0.000498 0.74645 -1.94995 -9.74976
10 10 0.00282 4.230357 1.803595 9.017976 -10 0.000189 0.282989 -2.14377 -10.7189
Para “N” = 11, 12, 13, 15, 17, 18, 19 e 20, o transistor entra em corte para VI(min) pois
IB1(min) fica negativo.
Assim:
IB1(min) = IC1(min) = IE1(min) = 0 A
IM(min) = - IC2;
A tensão de entrada que produz o corte é: vI(corte) = v0(min) + 0,7.

Os valores de V0(max) e V0(min) devem ser mostrados no gráfico, como ilustrado acima.
Resultados:
IB1(min) =
vI(max) IB1(max) IE1(max) IM(max) v0(max) vI(min) IE1(min) VI(corte)
N (V) (A) (A) (A) (V) (V) (A) IM(min) (A) v0(min) (V) (V)
11 11 0.002807 4.210014 2.003866 10.01933 -11 0 -2.20615 -11.0307 -10.3307
12 12 0.002817 4.225956 2.203654 11.01827 -12 0 -2.0223 -10.1115 -9.41151
13 13 0.002847 4.269809 2.403069 12.01535 -13 0 -1.86674 -9.3337 -8.6337
15 15 0.002946 4.418922 2.801081 14.00541 -15 0 -1.61784 -8.08921 -7.38921
16 16 0.003011 4.516506 2.99978 14.9989 -16 0 -1.51673 -7.58363 -6.88363
17 17 0.003084 4.625829 3.198322 15.99161 -17 0 -1.42751 -7.13754 -6.43754
18 18 0.003163 4.744311 3.39611 16.98055 -18 0 -1.3482 -6.74101 -6.04101
19 19 0.003248 4.87228 3.595036 17.97518 -19 0 -1.27724 -6.38622 -5.68622
20 20 0.003337 5.005967 3.792586 18.96293 -20 0 -1.21338 -6.06691 -5.36691
c) Com base os resultados obtidos no item b) apresente graficamente a relação v0 x vI do

circuito deixando claro todas as amplitudes de v0 e vI. (1,0 ponto)
Resolva essa questão se tiver “C” = 6 ou 7.
Considere a seguinte aplicação (circuito (a)) utilizando amplificador Classe B para acionar uma
carga de 5 Ω:
a) Esboce a forma de onda obtida na saída v0 assumindo que a entrada vI utilizada é senoidal,
dependente do dígito “N”, como ilustrado abaixo. Considerando que os transistores Q1 e Q2
utilizados apresentam  = 1199, apresente a saída v0 sincronizada com a entrada vI.
se esqueça de verificar as regiões de operação do transistor. Se houver saturação em
algum transistor determine o forçado em cada situação ou seja, para vI = “N” V e para
vI = - “N” V.. (2,5 pontos)
Para VI(max), o transistor Q1 conduz e o transistor Q2 está em corte:
VI(max) – 0,7 = 180 IB1(max) + 5 IM(max) onde VI(max) é igual a “N” e IM(max) = IE1(max)
VI(max) – 0,7 = 180 IB1(max) + 5 (IE1(max))
VI(max) – 0,7 = 180 IB1(max) + 5 (+1)IB1(max)
IB1(max) = (VI(max) – 0,7) / (180 + 5 (+1))
IM(max) = IE1(max) = (+1)) IB1(max)
v0(max) = 5 IM(max) OBS – contudo o valor não pode exceder 11,8 V, caso contrário o
transistor satura.
Não ocorrerá a saturação para “N” = 7, 8, 9, 10 e 11.
Assim, para esses casos os resultados obtidos foram:
N VI(Max) IB1(max) IM(max) = IE1(max) V0(max)

7 7 0.00101942 1.223300971 6.116505
8 8 0.00118123 1.417475728 7.087379
9 9 0.00134304 1.611650485 8.058252
10 10 0.00150485 1.805825243 9.029126
11 11 0.00166667 2 10
Irá ocorrer a saturação para N = 13, 14, 15, 16, 18, 19, 20, 21 e 22.
Nesses casos a tensão de saída ficaria limitada a vo(sat) = 11,8 V e os resultados serão
como mostrado na tabela onde o forçado é calculado por:
forçado = (IC1(Sat)/IB1(Sat)) onde:
IB1(Sat) = (vI(max) - vo(sat) -0,7) / 180
IC1(Sat) = IE1(Sat) - IB1(Sat) = (vo(sat) /5) - IB1(Sat)
N VI(max) IB1(max) IM(max) = IE1(max) v0(max) IE1(saturado) IB1(saturado) forçado

13 13 0.00199029 2.388349515 11.94175 2.36 0.002777778 848.6
14 14 0.0021521 2.582524272 12.91262 2.36 0.008333333 282.2
15 15 0.00231392 2.776699029 13.8835 2.36 0.013888889 168.92
16 16 0.00247573 2.970873786 14.85437 2.36 0.019444444 120.3714286
18 18 0.00279935 3.359223301 16.79612 2.36 0.030555556 76.23636364
19 19 0.00296117 3.553398058 17.76699 2.36 0.036111111 64.35384615
20 20 0.00312298 3.747572816 18.73786 2.36 0.041666667 55.64
21 21 0.00328479 3.941747573 19.70874 2.36 0.047222222 48.97647059
22 22 0.0034466 4.13592233 20.67961 2.36 0.052777778 43.71578947
Para VI(min), o transistor Q1 está em corte e o transistor Q2 conduz:
Considerando como referências os sentidos das correntes indicados no circuito temos:
VI(min) + 0,7 = 180 IB2(min) + 5 IM(min) onde VI(min) é igual a “N” e IM(min) = -IE2(min)
VI(min) + 0,7 = 180 IB2(min) + 5 (IE2(min))
VI(min) + 0,7 = 180 IB2(min) + 5 (+1)IB2(min)
IB2(min) = (VI(min) + 0,7) / (180 + 5 (+1))
IM(min) = -IE2(min) = (+1)) IB2(min)
v0(min) = 5 IM(min) OBS – contudo o valor não pode ser inferior a -5,8 V, caso contrário o
transistor Q2 satura.
Em todos os casos haverá saturação.
A tensão de saída ficará limitada a vo(sat) = -5,8 V e os resultados serão como mostrado na
tabela onde o forçado é calculado por:
forçado = (IC2(Sat)/IB2(Sat)) onde:
IB2(Sat) = (vI(min) - vo(sat) + 0,7) / 180
IC2(Sat) = IE2(Sat) - IB2(Sat) = (vo(sat) /5) - IB2(Sat)
N VI(min) IB2(min) IM(min) = -IE2(min) V0(min) IM(sat) = -IE2(sat) IB2(sat) forçado

7 -7 -0.00101942 -1.223300971 -6.116505 -1.16 -0.002777778 416.6
8 -8 -0.00118123 -1.417475728 -7.087379 -1.16 -0.008333333 138.2
9 -9 -0.00134304 -1.611650485 -8.058252 -1.16 -0.013888889 82.52
10 -10 -0.00150485 -1.805825243 -9.029126 -1.16 -0.019444444 58.65714286
11 -11 -0.00166667 -2 -10 -1.16 -0.025 45.4
13 -13 -0.00199029 -2.388349515 -11.94175 -1.16 -0.036111111 31.12307692
14 -14 -0.0021521 -2.582524272 -12.91262 -1.16 -0.041666667 26.84
15 -15 -0.00231392 -2.776699029 -13.8835 -1.16 -0.047222222 23.56470588
16 -16 -0.00247573 -2.970873786 -14.85437 -1.16 -0.052777778 20.97894737
18 -18 -0.00279935 -3.359223301 -16.79612 -1.16 -0.063888889 17.15652174
19 -19 -0.00296117 -3.553398058 -17.76699 -1.16 -0.069444444 15.704
20 -20 -0.00312298 -3.747572816 -18.73786 -1.16 -0.075 14.46666667
21 -21 -0.00328479 -3.941747573 -19.70874 -1.16 -0.080555556 13.4
22 -22 -0.0034466 -4.13592233 -20.67961 -1.16 -0.086111111 12.47096774
Os gráficos produzidos serão:

b) Com base os resultados obtidos no item a) apresente graficamente a relação v0 x vI do circuito

deixando claro todas as amplitudes de v0 e vI. (1,0 ponto)
c) Para que valores devem ser ajustados os valores das fontes de alimentação, para que sejam
simétricas e mantenham os transistores funcionando como desejado e sem saturação. Considere
que deseja-se manter a entrada vI utilizada é senoidal, simétrica, com amplitudes e frequência
mostradas e o transistor com  = 1199. (0,5 ponto)
Para não saturar basta fazer a tensão simétrica maior que (v0(max) + 0,2):
N v0(max) Vcc (para não saturar)

7 6.116505 6.316504854
8 7.087379 7.287378641
9 8.058252 8.258252427
10 9.029126 9.229126214
11 10 10.2
13 11.94175 12.14174757
14 12.91262 13.11262136
15 13.8835 14.08349515
16 14.85437 15.05436893
18 16.79612 16.9961165
19 17.76699 17.96699029
20 18.73786 18.93786408
21 19.70874 19.90873786
22 20.67961 20.87961165
Resolva essa questão se tiver “C” = 8 ou 9.
Considere a seguinte aplicação (circuito (a)) utilizando amplificador Classe AB para acionar
uma carga de 5 Ω:
a) Esboce a forma de onda obtida na saída v0 assumindo que a entrada vI utilizada é senoidal,
dependente do dígito “N”, como ilustrado abaixo. Considerando que os transistores Q1 e Q2
utilizados apresentam  = 999, apresente a saída v0 sincronizada com a entrada vI.
se esqueça de verificar as regiões de operação do transistor e dos diodos, ajustando os
valores calculados caso ocorra saturação no transistor. Caso algum diodo deixe de conduzir,
informe qual o diodo deixou de conduzir. (2,5 pontos)
Se “N” = 12, 13, 14, 16 e 17.
Para VI(max):
VB1 = VI(max) + 0,7  transistor Q1 conduz e Diodo D1 conduz
VB2 = VI(max) - 0,7  transistor Q2 está em corte e Diodo D2 conduz
Transistor Q1 conduz  V0max = VI(max);
I0(max) = IE1(max) = v0(max) / 5
IB1(max) = IE1(max) / (+1)
I=R1 = (18 – VB1) / (50)
ID1 = IR1 - IB1(max)
ID2 = IR2 = (VB2 – (-18)) / (50)
i1 + ID1 = ID2
i1 = ID2 - ID1
Para VI(min):
VB1 = VI(max) + 0,7  transistor Q1 em corte e Diodo D1 conduz
VB2 = VI(max) - 0,7  transistor Q2 conduz e Diodo D2 conduz
Transistor Q2 conduz  V0max = VI(max);
I0(max) = IE2(max) = v0(max) / 5
IB2(max) = IE2(max) / (+1)
ID1 = IR1 = (18 – VB1) / (50)
IR2 = (VB2 – (-18)) / (50)
ID2 = IR2 - IB2(max)
i1 + ID1 = ID2
i1 = ID2 - ID1
Todos os resultados calculados estão apresentados a seguir.

N Vi`(max) VB1(max) VB2(max) V0(max) i0(max) iB(max) iR1 iD1 iD2=iR2 ii

12 12 12.7 11.3 12 2.4 0.0024 0.106 0.1036 0.586 0.4824
13 13 13.7 12.3 13 2.6 0.0026 0.086 0.0834 0.606 0.5226
14 14 14.7 13.3 14 2.8 0.0028 0.066 0.0632 0.626 0.5628
16 16 16.7 15.3 16 3.2 0.0032 0.026 0.0228 0.666 0.6432
17 17 17.7 16.3 17 3.4 0.0034 0.006 0.0026 0.686 0.6834
N Vi(min) VB1(min) VB2(min) V0(min) i0(min) iB2(max) iR1=ID1 iR2 iD2 ii

12 -12 -11.3 -12.7 -12 -2.4 0.0024 0.586 0.106 0.1036 -0.4824
13 -13 -12.3 -13.7 -13 -2.6 0.0026 0.606 0.086 0.0834 -0.5226
14 -14 -13.3 -14.7 -14 -2.8 0.0028 0.626 0.066 0.0632 -0.5628
16 -16 -15.3 -16.7 -16 -3.2 0.0032 0.666 0.026 0.0228 -0.6432
17 -17 -16.3 -17.7 -17 -3.4 0.0034 0.686 0.006 0.0026 -0.6834
Se “N” = 18, 19, 25 e 26.
Para VI(max):
VB1 = VI(max) + 0,7  transistor Q1 conduz e Diodo D1 entra em corte
VB2 = VI(max) - 0,7  transistor Q2 está em corte e Diodo D2 conduz
Transistor Q1 conduz
IR1 = IB1(max) = (18 – 0,7) / (50+5((+1))
I0(max) = IE1(max) = IB1(max) (+1)

v0(max) = 5 IE1(max)
ID1 = 0
ID2 = IR2 = (VB2 – (-18)) / (50)
i1 = ID2
Para VI(min):
VB1 = VI(max) + 0,7  transistor Q1 em corte e Diodo D1 conduz
VB2 = VI(max) - 0,7  transistor Q2 conduz e Diodo D2 entra em corte
Transistor Q2 conduz
IR2 = IB2(max) = (18 – 0,7) / (50+5((+1))
I0(max) = IE2(max) = IB2(max) (+1)
v0(max) = 5 IE2(max)
ID1 = IR1 = (18 – VB1) / (50)
ID2 = 0
i1 = - ID1
Todos os resultados calculados estão apresentados a seguir.
N Vi`(max) VB1(max) VB2(max) iB(max) i0(max) V0(max) iR1 iD1 iD2=iR2 ii

18 18 18.7 17.3 0.003426 0.003426 17.12871287 0.003426 0 0.706 0.706
19 19 19.7 18.3 0.003624 0.003426 17.12871287 0.003426 0 0.726 0.726
25 25 25.7 24.3 0.004812 0.003426 17.12871287 0.003426 0 0.846 0.846
26 26 26.7 25.3 0.00501 0.003426 17.12871287 0.003426 0 0.866 0.866
N Vi(min) VB1(min) VB2(min) iB2(max) i0(min) V0(min) iR1=ID1 iR2 iD2 ii

18 -18 -17.3 -18.7 0.003426 -3.42574 -17.1287 0.706 0.003426 0 -0.706
19 -19 -18.3 -19.7 0.003426 -3.42574 -17.1287 0.726 0.003426 0 -0.726
25 -25 -24.3 -25.7 0.003426 -3.42574 -17.1287 0.846 0.003426 0 -0.846
26 -26 -25.3 -26.7 0.003426 -3.42574 -17.1287 0.866 0.003426 0 -0.866

b) Com base os resultados obtidos no item a) apresente graficamente a relação v0 x vI do circuito

deixando claro todas as amplitudes de v0 e vI. (1,0 ponto)
“N” = 12, 13, 14, 16 e 17.
c) A partir dos resultados obtidos no item a) determine o ganho de corrente do circuito dado por:
Ai = i0 / ii = (i0(max) - i0(min) ) / (ii(max) – ii(min)). (0,5 ponto)
N i0(max) I(i) i0(min) ii Ai = io / ii

12 2.4 0.4824 -2.4 -0.4824 4.975124
13 2.6 0.5226 -2.6 -0.5226 4.975124
14 2.8 0.5628 -2.8 -0.5628 4.975124
16 3.2 0.6432 -3.2 -0.6432 4.975124
17 3.4 0.6834 -3.4 -0.6834 4.975124
18 3.425743 0.706 -3.42574 -0.706 4.852327
19 3.623762 0.726 -3.42574 -0.726 4.855031
25 4.811881 0.846 -3.42574 -0.846 4.868572
26 5.009901 0.866 -3.42574 -0.866 4.870464
2a Questão (4,0 ponto)
Considere a seguinte aplicação com transistores onde deseja-se acionar um servomotor com
carga RL a partir de tensões produzidas por um microcontrolador.
a) Determine as correntes de coletor e base em todos os transistores, além das tensão VL e a

corrente IL (nesse caso assumindo as polaridades indicadas no circuito) e preencha as
tabelas de resultados abaixo, assumindo que:
Se C = 0, 1, 2, 3, 4 ou 5 RL = (“N” + 5)  V1 = 5 V e V2 = 0 V,
Se C = 6, 7, 8 ou 9 RL = (“N”)  V1 = 0 V e V2 = 5 V,
(2,0 pontos)
Cálculos:
Se C = 0, 1, 2, 3, 4 ou 5
Transistores em corte: Q6, Q3 e Q2  nesses transistores todas as correntes são nulas

Transistores saturados: Q5, Q1 e Q4
Na carga: VL = 20 – 0,2 – 0,2 = 19,6 V
IL = VL / RL = 19,6 / (“N” + 5) = IC1 = IC4
Em Q4: 5 – 0,7 = 860 IB4  IB4 = 5 mA

Em Q1: 20 – 0,7 – 0,2 = 792 IB1  IB1 = 24,1161 mA
Em Q5: 20 – 0,2 = 625 IR5(625)  IR5(625) = 31,68 mA
IC5 = IR5(625) + IB1 = 31,68 mA + 24,1161 mA = 55,7962 mA
Ainda em Q5:
5 – 0,7 = 4300 IB5  IB5 = 1 mA
Portanto os resultados finais são:
Transistor IC (A) IB (mA)

Q1 19,6 / (“N” + 5) 24,116
Q2 0 0
Q3 0 0
Q4 19,6 / (“N” + 5) 5
Q5 55,7962 x 10-3 1
Q6 0 0
Carga (Motor)
VL 19,6
IL 19,6 / (“N” + 5)
Onde: 19,6 / (“N” + 5) é dado por:
Para “N” = 1  19,6 / (“N” + 5) = 3,2667 A

Para “N” = 2  19,6 / (“N” + 5) = 2,8 A
Para “N” = 3  19,6 / (“N” + 5) = 2,45 A
Para “N” = 6  19,6 / (“N” + 5) = 1,7818 A
Para “N” = 7  19,6 / (“N” + 5) = 1,6333 A
Para “N” = 8  19,6 / (“N” + 5) = 1,5077 A
Para “N” = 9  19,6 / (“N” + 5) = 1,4 A
Para “N” = 10  19,6 / (“N” + 5) = 1,3067 A
Para “N” = 11  19,6 / (“N” + 5) = 1,225 A
Para “N” = 12  19,6 / (“N” + 5) = 1,1529 A
Para “N” = 13  19,6 / (“N” + 5) = 1,0889 A
Para “N” = 14  19,6 / (“N” + 5) = 1,0316 A
Para “N” = 15  19,6 / (“N” + 5) = 0,98 A
Para “N” = 16  19,6 / (“N” + 5) = 0,9333 A
Para “N” = 17  19,6 / (“N” + 5) = 0,8909 A
Para “N” = 18  19,6 / (“N” + 5) = 0,8522 A
Para “N” = 19  19,6 / (“N” + 5) = 0,8167 A
Para “N” = 20  19,6 / (“N” + 5) = 0,784 A
Critério de avaliação: Q1 (0,5 ponto), Q4 (0,5 ponto), Q5 (0,5 ponto), carga (0,5 ponto)
Qualquer erro em Q2 , Q3 ou Q6 perde 0,5 ponto que já tenha conquistado.
Cálculos:
Se C = 6, 7, 8, 9
Os resultados são equivalentes contudo:
Transistores em corte: Q5, Q4 e Q1  nesses transistores todas as correntes são nulas

Transistores saturados: Q6, Q2 e Q3
Na carga: VL = -(20 – 0,2 – 0,2) = -19,6 V
IL = VL / RL = -19,6 / (“N”) = - IC1 = - IC4
Portanto os resultados finais são:
Transistor IC (A) IB (mA)

Q1 0 0
Q2 19,6 / (“N”) 24,116
Q3 19,6 / (“N”) 5
Q4 0 0
Q5 0 0
Q6 55,7962 x 10-3 1
Carga (Motor)
VL -19,6
IL -19,6 / (“N”)
Onde: 19,6 / (“N”) é dado por:
Para “N” = 7  19,6 / (“N”) = 2,8 A

Para “N” = 8  19,6 / (“N”) = 2,45 A
Para “N” = 9  19,6 / (“N”) = 2,1718 A
Para “N” = 10  19,6 / (“N”) = 1,96 A
Para “N” = 11  19,6 / (“N”) = 1,7818 A
Para “N” = 12  19,6 / (“N”) = 1,6333 A
Para “N” = 13  19,6 / (“N”) = 1,5077 A
Para “N” = 14  19,6 / (“N”) = 1,4 A
Para “N” = 15  19,6 / (“N”) = 1,3067 A
Para “N” = 16  19,6 / (“N”) = 1,225 A
Para “N” = 17  19,6 / (“N” = 1,1529 A
Para “N” = 18  19,6 / (“N”) = 1,0889 A
Para “N” = 19  19,6 / (“N”) = 1,0316 A
Para “N” = 20  19,6 / (“N”) = 0,98 A
Para “N” = 21  19,6 / (“N”) = 0,9333 A
Para “N” = 22  19,6 / (“N”) = 0,8909 A
Para “N” = 25  19,6 / (“N”) = 0,784 A
Para “N” = 26  19,6 / (“N”) = 0,753846 A
b) Considerando que todos os transistores são iguais, determine o β que estes componentes
devem apresentar para garantir o funcionamento com Fator de Overdrive de 10 ou mais.
(1,5 ponto)
A corrente no limite de saturação (EOS – Edge of Saturation) nos transistores que

conduzem é dada por:
IB = F.O.x IB(EOS) onde F.O. é o Fator de Overdrive
F.O.= IB / IB(EOS) sendo que F.O. deve ser maior ou igual a 10.
Assim:
IB / IB(EOS)  10
IB(EOS)  IB / 10 ou seja: IB(EOS)max = IB / 10
Para obter IB(EOS)  IB(EOS)max temos que fazer:
IC /   IB(EOS)max
Portanto   IC / IB(EOS)max ou seja:  min = IC / IB(EOS)max
Analisando os resultados de min para cada transistor que estiver conduzindo obteremos o
máximo entre os  min obtidos.
Os resultados finais estão apresentados a seguir:
Se C = 0, 1, 2, 3, 4 ou 5
Para “N” = 1
Transistor IB(EOS) Bmin 
Q1 0.002412 1354.555
Q4 0.0005 6533.333 6533.333
Q5 0.0001 557.9616
Para “N” = 2
Q1 0.002412 1161.047
Q4 0.0005 5600 5600
Q5 0.0001 557.9616
Para “N” = 3
Q1 0.002412 1015.916
Q4 0.0005 4900 4900
Q5 0.0001 557.9616
Para “N” = 6
Q1 0.002412 738.8482
Q4 0.0005 3563.636 3563.636
Q5 0.0001 557.9616
Para “N” = 7
Q1 0.002412 677.2775
Q4 0.0005 3266.667 3266.667
Q5 0.0001 557.9616
Para “N” = 8
Q1 0.002412 625.1792
Q4 0.0005 3015.385 3015.385
Q5 0.0001 557.9616
Para “N” = 9
Q1 0.002412 580.5236
Q4 0.0005 2800 2800
Q5 0.0001 557.9616
Para “N” = 10
Q1 0.002412 541.822
Q4 0.0005 2613.333 2613.333
Q5 0.0001 557.9616
Para “N” = 11
Q1 0.002412 507.9581
Q4 0.0005 2450 2450
Q5 0.0001 557.9616
Para “N” = 12
Q1 0.002412 478.0782
Q4 0.0005 2305.882 2305.882
Q5 0.0001 557.9616
Para “N” = 13
Q1 0.002412 451.5183
Q4 0.0005 2177.778 2177.778
Q5 0.0001 557.9616
Para “N” = 14
Q1 0.002412 427.7542
Q4 0.0005 2063.158 2063.158
Q5 0.0001 557.9616
Para “N” = 15
Q1 0.002412 406.3665
Q4 0.0005 1960 1960
Q5 0.0001 557.9616
Para “N” = 16
Q1 0.002412 387.0157
Q4 0.0005 1866.667 1866.667
Q5 0.0001 557.9616
Para “N” = 17
Q1 0.002412 369.4241
Q4 0.0005 1781.818 1781.818
Q5 0.0001 557.9616
Para “N” = 18
Q1 0.002412 353.3622
Q4 0.0005 1704.348 1704.348
Q5 0.0001 557.9616
Para “N” = 19
Q1 0.002412 338.6387
Q4 0.0005 1633.333 1633.333
Q5 0.0001 557.9616
Para “N” = 20
Q1 0.002412 325.0932
Q4 0.0005 1568 1568
Q5 0.0001 557.9616
Se C = 6, 7, 8, 9
Para “N” = 7
Q2 0.002412 1161.047
Q3 0.0005 5600 5600
Q6 0.0001 557.9616
Para “N” = 8
Q2 0.002412 1015.916
Q3 0.0005 4900 4900
Q6 0.0001 557.9616
Para “N” = 9
Q2 0.002412 903.0366
Q3 0.0005 4355.556 4355.556
Q6 0.0001 557.9616
Para “N” = 10
Q2 0.002412 812.733
Q3 0.0005 3920 3920
Q6 0.0001 557.9616
Para “N” = 11
Q2 0.002412 738.8482
Q3 0.0005 3563.636 3563.636
Q6 0.0001 557.9616
Para “N” = 12
Q2 0.002412 677.2775
Q3 0.0005 3266.667 3266.667
Q6 0.0001 557.9616
Para “N” = 13
Q2 0.002412 625.1792
Q3 0.0005 3015.385 3015.385
Q6 0.0001 557.9616
Para “N” = 14
Q2 0.002412 580.5236
Q3 0.0005 2800 2800
Q6 0.0001 557.9616
Para “N” = 15
Q2 0.002412 541.822
Q3 0.0005 2613.333 2613.333
Q6 0.0001 557.9616
Para “N” = 16
Q2 0.002412 507.9581
Q3 0.0005 2450 2450
Q6 0.0001 557.9616
Para “N” = 17
Q2 0.002412 478.0782
Q3 0.0005 2305.882 2305.882
Q6 0.0001 557.9616
Para “N” = 18
Q2 0.002412 451.5183
Q3 0.0005 2177.778 2177.778
Q6 0.0001 557.9616
Para “N” = 19
Q2 0.002412 427.7542
Q3 0.0005 2063.158 2063.158
Q6 0.0001 557.9616
Para “N” = 20
Q2 0.002412 406.3665
Q3 0.0005 1960 1960
Q6 0.0001 557.9616
Para “N” = 21
Q2 0.002412 387.0157
Q3 0.0005 1866.667 1866.667
Q6 0.0001 557.9616
Para “N” = 22
Q2 0.002412 369.4241
Q3 0.0005 1781.818 1781.818
Q6 0.0001 557.9616
Para “N” = 25
Q2 0.002412 325.0932
Q3 0.0005 1568 1568
Q6 0.0001 557.9616
Para “N” = 26
Q2 0.002412 312.5896
Q3 0.0005 1507.692 1507.692
Q6 0.0001 557.9616
Critério de avaliação: IB(EOS) (0,5 ponto), min (0,5 ponto),  (0,5 ponto)
c) Considerando que as fontes de +20 V indicadas na aplicação tratam-se na verdade de uma

única fonte de alimentação, determine o consumo de corrente total nesta fonte. (0,5 ponto)
Cálculos:
Se C = 0, 1, 2, 3, 4 ou 5
Na fonte, como os transistores que conduzem são Q5, Q1 e Q4 a corrente será dada por:
Ifonte = IE1 + (IC5 – IB1) = IC1 + IB1 + (IC5 – IB1) = IC1 + IC5 = 19,6 / (“N” + 5) + 55,7962 x 10-3
De outra forma:
Ifonte = IE1 + (20 – 0,2) / 625 = IC1 + IB1 + 31,68 x 10-3
Para “N” = 1  If = 3,3225 A

Para “N” = 2  If = 2,8558 A
Para “N” = 3  If = 2,5058 A
Para “N” = 6  If = 1,8376 A
Para “N” = 7  If = 1,6891 A
Para “N” = 8  If = 1,5635 A
Para “N” = 9  If = 1,4558 A
Para “N” = 10  If = 1,3625 A
Para “N” = 11  If = 1,2808 A
Para “N” = 12  If = 1,2087 A
Para “N” = 13  If = 1,1447 A
Para “N” = 14  If = 1,0874 A
Para “N” = 15  If = 1,0358 A
Para “N” = 16  If = 0,9891 A
Para “N” = 17  If = 0,9467 A
Para “N” = 18  If = 0,9080 A
Para “N” = 19  If = 0,8725 A
Para “N” = 20  If = 0,8398 A
Se C = 6, 7, 8, 9
Na fonte, como os transistores que conduzem são Q6, Q2 e Q3 a corrente será dada por:
Ifonte == IE2 + (IC6 – IB2) = IC2 + IB2 + (IC6 – IB2) = IC2 + IC6 = 19,6 / (“N”) + 55,7962 x 10-3
De outra forma:
Ifonte = IE2 + (20 – 0,2) / 625 = IC2 + IB2 + 31,68 x 10-3
Para “N” = 7  If = 2,8558 A

Para “N” = 8  If = 2,5058 A
Para “N” = 9  If = 2,2336 A
Para “N” = 10  If = 2,0158 A
Para “N” = 11  If = 1,8376 A
Para “N” = 12  If = 1,6891 A
Para “N” = 13  If = 1,5635 A
Para “N” = 14  If = 1,4558 A
Para “N” = 15  If = 1,3625 A
Para “N” = 16  If = 1,2808 A
Para “N” = 17  If = 1,2087 A
Para “N” = 18  If = 1,1447 A
Para “N” = 19  If = 1,0874 A

Para “N” = 20  If = 1,0358 A
Para “N” = 21  If = 0,9891 A
Para “N” = 22  If = 0,9467 A
Para “N” = 25  If = 0,8398 A
Para “N” = 26  If = 0,8096 A
3a Questão (2,0 pontos)
O circuito abaixo foi ensaiado em laboratório e obteve-se o valor da corrente I=2,7mA e tensão
VCE2 = +3,0V (tensão entre coletor e emissor do transistor Q2). Pede-se determinar os valores de 1 e
2 respectivamente dos transistores Q1 e Q2. Considere “C” e “N” dependentes do RA.
Resultado: 1 = ________ e 2 = ________
VE1 = 1 k * I = 2, 7 V
Em Q1: VB1 = VE1 + 0,7 = 3,4 V
IB1 = (5 – VB1) / (10 + “C”)*103
Em Q2: IB2 = (VE1 – 0,7) / 100*103
IC2 = (10 – VCE2) / “N” = (10 – VC2) / “N”
Em Q1: IE1 = I + IB2
IC1 = IE1 - IB1
VC1 = 10 – 2kIC1
Sabendo-se que nos transistores: IC =  IB =  IE se transistor no modo ativo:
IE1 = (1 + 1)IB1, portanto 1 = (IE1 / IB1) – 1
IC2 = 2 IB2, portanto 2 = (IC2 / IB2)

Substituindo os valores de “C” e “N” obtemos:
N C IB1 IB2 IC2 IE1 IC1 VC1 1 2

2 0 0.00016 0.00002 0.0035 0.00272 0.00256 4.88 16 175
3 0 0.00016 0.00002 0.002333 0.00272 0.00256 4.88 16 116.666667
7 0 0.00016 0.00002 0.001 0.00272 0.00256 4.88 16 50
10 0 0.00016 0.00002 0.0007 0.00272 0.00256 4.88 16 35
13 0 0.00016 0.00002 0.000538 0.00272 0.00256 4.88 16 26.9230769
1 1 0.000145 0.00002 0.007 0.00272 0.002575 4.850909 17.7 350
2 1 0.000145 0.00002 0.0035 0.00272 0.002575 4.850909 17.7 175
3 1 0.000145 0.00002 0.002333 0.00272 0.002575 4.850909 17.7 116.666667
8 1 0.000145 0.00002 0.000875 0.00272 0.002575 4.850909 17.7 43.75
9 1 0.000145 0.00002 0.000778 0.00272 0.002575 4.850909 17.7 38.8888889
14 1 0.000145 0.00002 0.0005 0.00272 0.002575 4.850909 17.7 25
15 1 0.000145 0.00002 0.000467 0.00272 0.002575 4.850909 17.7 23.3333333
18 1 0.000145 0.00002 0.000389 0.00272 0.002575 4.850909 17.7 19.4444444
6 2 0.000133 0.00002 0.001167 0.00272 0.002587 4.826667 19.4 58.3333333
7 2 0.000133 0.00002 0.001 0.00272 0.002587 4.826667 19.4 50
9 2 0.000133 0.00002 0.000778 0.00272 0.002587 4.826667 19.4 38.8888889
10 2 0.000133 0.00002 0.0007 0.00272 0.002587 4.826667 19.4 35
13 2 0.000133 0.00002 0.000538 0.00272 0.002587 4.826667 19.4 26.9230769
6 3 0.000123 0.00002 0.001167 0.00272 0.002597 4.806154 21.1 58.3333333
8 3 0.000123 0.00002 0.000875 0.00272 0.002597 4.806154 21.1 43.75
11 3 0.000123 0.00002 0.000636 0.00272 0.002597 4.806154 21.1 31.8181818
16 3 0.000123 0.00002 0.000438 0.00272 0.002597 4.806154 21.1 21.875
17 3 0.000123 0.00002 0.000412 0.00272 0.002597 4.806154 21.1 20.5882353
18 3 0.000123 0.00002 0.000389 0.00272 0.002597 4.806154 21.1 19.4444444
19 3 0.000123 0.00002 0.000368 0.00272 0.002597 4.806154 21.1 18.4210526
6 4 0.000114 0.00002 0.001167 0.00272 0.002606 4.788571 22.8 58.3333333
8 4 0.000114 0.00002 0.000875 0.00272 0.002606 4.788571 22.8 43.75
9 4 0.000114 0.00002 0.000778 0.00272 0.002606 4.788571 22.8 38.8888889
12 4 0.000114 0.00002 0.000583 0.00272 0.002606 4.788571 22.8 29.1666667
13 4 0.000114 0.00002 0.000538 0.00272 0.002606 4.788571 22.8 26.9230769
15 4 0.000114 0.00002 0.000467 0.00272 0.002606 4.788571 22.8 23.3333333
20 4 0.000114 0.00002 0.00035 0.00272 0.002606 4.788571 22.8 17.5
9 5 0.000107 0.00002 0.000778 0.00272 0.002613 4.773333 24.5 38.8888889
10 5 0.000107 0.00002 0.0007 0.00272 0.002613 4.773333 24.5 35
12 5 0.000107 0.00002 0.000583 0.00272 0.002613 4.773333 24.5 29.1666667
13 5 0.000107 0.00002 0.000538 0.00272 0.002613 4.773333 24.5 26.9230769
19 5 0.000107 0.00002 0.000368 0.00272 0.002613 4.773333 24.5 18.4210526
20 5 0.000107 0.00002 0.00035 0.00272 0.002613 4.773333 24.5 17.5
8 6 0.0001 0.00002 0.000875 0.00272 0.00262 4.76 26.2 43.75
10 6 0.0001 0.00002 0.0007 0.00272 0.00262 4.76 26.2 35
11 6 0.0001 0.00002 0.000636 0.00272 0.00262 4.76 26.2 31.8181818
13 6 0.0001 0.00002 0.000538 0.00272 0.00262 4.76 26.2 26.9230769
14 6 0.0001 0.00002 0.0005 0.00272 0.00262 4.76 26.2 25
18 6 0.0001 0.00002 0.000389 0.00272 0.00262 4.76 26.2 19.4444444
20 6 0.0001 0.00002 0.00035 0.00272 0.00262 4.76 26.2 17.5
21 6 0.0001 0.00002 0.000333 0.00272 0.00262 4.76 26.2 16.6666667
N C IB1 IB2 IC2 IE1 IC1 VC1 1 2

7 7 9.41E-05 0.00002 0.001 0.00272 0.002626 4.748235 27.9 50
9 7 9.41E-05 0.00002 0.000778 0.00272 0.002626 4.748235 27.9 38.8888889
10 7 9.41E-05 0.00002 0.0007 0.00272 0.002626 4.748235 27.9 35
13 7 9.41E-05 0.00002 0.000538 0.00272 0.002626 4.748235 27.9 26.9230769
15 7 9.41E-05 0.00002 0.000467 0.00272 0.002626 4.748235 27.9 23.3333333
16 7 9.41E-05 0.00002 0.000438 0.00272 0.002626 4.748235 27.9 21.875
19 7 9.41E-05 0.00002 0.000368 0.00272 0.002626 4.748235 27.9 18.4210526
22 7 9.41E-05 0.00002 0.000318 0.00272 0.002626 4.748235 27.9 15.9090909
12 8 8.89E-05 0.00002 0.000583 0.00272 0.002631 4.737778 29.6 29.1666667
13 8 8.89E-05 0.00002 0.000538 0.00272 0.002631 4.737778 29.6 26.9230769
14 8 8.89E-05 0.00002 0.0005 0.00272 0.002631 4.737778 29.6 25
16 8 8.89E-05 0.00002 0.000438 0.00272 0.002631 4.737778 29.6 21.875
17 8 8.89E-05 0.00002 0.000412 0.00272 0.002631 4.737778 29.6 20.5882353
18 8 8.89E-05 0.00002 0.000389 0.00272 0.002631 4.737778 29.6 19.4444444
19 8 8.89E-05 0.00002 0.000368 0.00272 0.002631 4.737778 29.6 18.4210526
12 9 8.42E-05 0.00002 0.000583 0.00272 0.002636 4.728421 31.3 29.1666667
14 9 8.42E-05 0.00002 0.0005 0.00272 0.002636 4.728421 31.3 25
18 9 8.42E-05 0.00002 0.000389 0.00272 0.002636 4.728421 31.3 19.4444444
19 9 8.42E-05 0.00002 0.000368 0.00272 0.002636 4.728421 31.3 18.4210526
24 9 8.42E-05 0.00002 0.000292 0.00272 0.002636 4.728421 31.3 14.5833333
25 9 8.42E-05 0.00002 0.00028 0.00272 0.002636 4.728421 31.3 14
26 9 8.42E-05 0.00002 0.000269 0.00272 0.002636 4.728421 31.3 13.4615385
Finalmente cabe salientar que como VCE2 = 3 V sempre o transistor Q2 estará no modo ativo.
Adicionalmente pode ser verificado que VCE1 = VC1 – VE1 também sempre resultará valor maior que
0,2 V o que garante também o modo ativo no transistor Q1.

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ETE202 – Trabalho referente a nota P2 - 2020 Pág.

ETE202 – Eletrônica Analógica

Prezados alunos. O objetivo deste trabalho é resolver os exercícios apresentados. Para

 O trabalho é individual. Divulgação no Moodle a partir de 22/06/2020 (segunda-feira).

Valores das questões:

Questão Valor Nota

1a Questão (4,0 pontos)

Essa questão é diferente dependente do valor de “C”.

Resolva essa questão se tiver “C” = 0, 1 ou 2.

VZ = “N”+ 5,7; VB2 = -25 + VZ;

VI(max) – 0,7 = 100 IB1(max) + 5 IM(max) onde VI(max) é igual a “N”

VI(max) – 0,7 + 5 IC2 = 100 IB1(max) + 5 IE1(max)

VI(max) – 0,7 + 5 IC2 = 100 IB1(max) + 5 (+1)IB1(max)

IB1(max) = (VI(max) – 0,7 + 5 IC2) / (100 + 5 (+1))

IE1(max) = (+1)) IB1(max)

IM(max) = IE1(max) - IC2)

Repetir todos os cálculos para VI(min), ou seja:

VI(min) – 0,7 = 100 IB1(min) + 5 IM(min) onde VI(min) é igual a -“N”

VI(min) – 0,7 + 5 IC2 = 100 IB1(min) + 5 IE1(min)

VI(min) – 0,7 + 5 IC2 = 100 IB1(min) + 5 (+1)IB1(min)

IE1(min = (+1)) IB1(min) IM(min) = IE1(min) - IC2)

c) Com base os resultados obtidos no item b) apresente graficamente a relação v0 x vI do

Resolva essa questão se tiver “C” = 3, 4 ou 5.

VB2 = VB2 = -25 + 0,7 = -24,3 V;

IREF = (0 - VB2) / “N”

I = IC2 = ( / (+2)) IREF

VI(max) – 0,7 = 100 IB1(max) + 5 IM(max) onde VI(max) é igual a “N”

VI(max) – 0,7 + 5 IC2 = 100 IB1(max) + 5 IE1(max)

VI(max) – 0,7 + 5 IC2 = 100 IB1(max) + 5 (+1)IB1(max)

IB1(max) = (VI(max) – 0,7 + 5 IC2) / (100 + 5 (+1))

IE1(max) = (+1)) IB1(max)

IM(max) = IE1(max) - IC2)

Repetir todos os cálculos para VI(min), ou seja:

VI(min) – 0,7 = 100 IB1(min) + 5 IM(min) onde VI(min) é igual a -“N”

VI(min) – 0,7 + 5 IC2 = 100 IB1(min) + 5 IE1(min)

VI(min) – 0,7 + 5 IC2 = 100 IB1(min) + 5 (+1)IB1(min)

IB1(min) = (VI(min) – 0,7 + 5 IC2) / (100 + 5 (+1))

Assim, para “N” = 6, 8, 9, 10, temos:

IE1(min = (+1)) IB1(min) IM(min) = IE1(min) - IC2)

vI(max) IB1(max) IE1(max) IM(max) v0(max) vI(min) IB1(min) IE1(min) v0(min)

IB1(min) = IC1(min) = IE1(min) = 0 A

A tensão de entrada que produz o corte é: vI(corte) = v0(min) + 0,7.

c) Com base os resultados obtidos no item b) apresente graficamente a relação v0 x vI do

Resolva essa questão se tiver “C” = 6 ou 7.

Para VI(max), o transistor Q1 conduz e o transistor Q2 está em corte:

VI(max) – 0,7 = 180 IB1(max) + 5 (IE1(max))

VI(max) – 0,7 = 180 IB1(max) + 5 (+1)IB1(max)

IB1(max) = (VI(max) – 0,7) / (180 + 5 (+1))

IM(max) = IE1(max) = (+1)) IB1(max)

Não ocorrerá a saturação para “N” = 7, 8, 9, 10 e 11.

Assim, para esses casos os resultados obtidos foram:

N VI(Max) IB1(max) IM(max) = IE1(max) V0(max)

forçado = (IC1(Sat)/IB1(Sat)) onde:

IB1(Sat) = (vI(max) - vo(sat) -0,7) / 180

IC1(Sat) = IE1(Sat) - IB1(Sat) = (vo(sat) /5) - IB1(Sat)

N VI(max) IB1(max) IM(max) = IE1(max) v0(max) IE1(saturado) IB1(saturado) forçado

Para VI(min), o transistor Q1 está em corte e o transistor Q2 conduz:

Considerando como referências os sentidos das correntes indicados no circuito temos:

VI(min) + 0,7 = 180 IB2(min) + 5 (IE2(min))

VI(min) + 0,7 = 180 IB2(min) + 5 (+1)IB2(min)

IB2(min) = (VI(min) + 0,7) / (180 + 5 (+1))

IM(min) = -IE2(min) = (+1)) IB2(min)

Em todos os casos haverá saturação.

forçado = (IC2(Sat)/IB2(Sat)) onde: