FET

(FIELD EFFECT TRANSISTOR)

OBJETIVOS: a) entender o funcionamento de um transistor unipolar; b) analisar e entender as curvas caractersticas de um transistor unipolar; c) analisar o funcionamento de um transistor unipolar, atravs de circuitos de polarizao bsicos. INTRODUO TERICA O FET (Field Effect Transistor) que traduzindo para o portugus significa Transistor de Efeito de Campo (TEC), um transistor unipolar. Nos transistores bipolares, para que haja controle de corrente, torna-se necessrio envolver correntes de eltrons e lacunas. Nos transistores unipolares para que haja controle de corrente esto envolvidas correntes de eltrons quando o mesmo do tipo canal n ou esto envolvidas correntes de lacunas quando o mesmo do tipo canal p. Os FETs possuem algumas vantagens com relao aos transistores bipolares como: impedncia de entrada elevadssima; relativamente imune radiao; produz menos rudo e possui melhor estabilidade trmica. No entanto, apresentam algumas desvantagens como: banda de ganho relativamente pequena e maior risco de dano quando manuseado. A exemplo do transistor bipolar, o FET um dispositivo de trs terminais, contendo uma juno p-n bsica, podendo ser do tipo de juno (JFET) ou do tipo metal-xido-semicondutor (MOSFET). A figura abaixo mostra a estrutura fsica de em FET canal n com seus respectivos terminais:

D - (drain) ou dreno: de onde os portadores majoritrios saem; S - (source) ou fonte: o terminal no qual os portadores majoritrios entram;
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G - (gate) ou porta: so regies fortemente dopadas em ambos os lados do canal. Quando o canal n o gate p. VDD a tenso aplicada entre o dreno e a fonte; VGG a tenso aplicada entre o gate (porta) e a fonte; VDS a tenso medida entre o dreno e a fonte; VGS a tenso medida entre o gate (porta) e a fonte. Comparativamente a um transistor bipolar, podemos ento estabelecer as equivalncias entre os terminais: D - (drain) = coletor S - (source) = emissor G - (gate) = base Atravs do canal portanto, circulam os portadores majoritrios, da fonte (S) para o dreno (D). A figura a seguir mostra a simbologia para os FETs de canal n e canal p:

CONFIGURAES: A exemplo dos transistores bipolares, so trs as configuraes bsicas para os transistores unipolares, como mostra a figura abaixo:

As equivalncias so as seguintes: Fonte comum = emissor comum Porta comum = base comum Dreno comum = coletor comum A configurao dreno comum tambm denominada seguidor de fonte. POLARIZAO CONVENCIONAL: A figura abaixo mostra um FET de canal n polarizado de forma convencional. importante verificar a polaridade das baterias V GG e VDD . Quando o FET de canal n a tenso de dreno positiva.
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O FET tambm pode ser usado como amplificador de sinal, desde que adequadamente polarizado. A grande vantagem na utilizao do mesmo est na sua impedncia muito elevada de entrada e sua quase total imunidade rudos. O FET possui uma impedncia de entrada extremamente alta, da ordem de 100M ou mais. Por ser praticamente imune a rudos muito utilizado para estgios de entrada de amplificadores de baixo nvel, mais especificamente em estgios de entrada de receptores FM de alta fidelidade. A figura abaixo mostra um amplificador convencional:

Trata-se de um amplificador com autopolarizao, pois possui uma nica fonte de alimentao e um resistor RS para se obter a tenso de polarizao gate-source. A presena do resistor RS resulta em uma tenso devido a queda de tenso IDRS, provocando uma queda de tenso em RS. Como a tenso no gate zero, pois no h corrente DC no gate ou no resistor RG , a tenso entre gate e source uma tenso negativa, que constitui a tenso de polarizao VGS . Assim teremos: VGS = 0 - IDRS = - IDRS FUNCIONAMENTO: Consideremos o FET canal n conforme mostra a figura abaixo, para VGS = 0.

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a) VDD normal

b) Aumento de VDD

A medida que a tenso VDD aumenta, aumenta a polarizao inversa e a corrente de dreno circula atravs do canal, produzindo uma queda de tenso ao longo do canal, que mais positiva no terminal drain (dreno), produzindo a regio de depleo. Conforme a tenso VDD aumenta, a corrente ID tambm aumenta, resultando em uma regio de depleo maior. O aumento da regio de depleo provoca um aumento da resistncia entre drain e source. O aumento da regio de depleo pode ser feito at que todo o canal seja abrangido (veja fig. b). A partir da, qualquer aumento de VDD resultar apenas em aumento da tenso nos terminais da regio de depleo e a corrente ID permanece constante. A curva a seguir mostra que o aumento de ID ocorre at que toda a regio de depleo esteja totalmente formada, aps o que, a corrente de dreno satura e permanece constante para qualquer aumento de VDD .

IDSS um parmetro importante usado para especificar a operao de um FET, que significa corrente de drain para source com gate-source em curto (VGS = 0). CARACTERSTICA DRAIN-SOURCE (DRENO-FONTE): A curva abaixo mostra que aumentando VGS (mais negativa para um FET de canal n), a corrente de saturao ser menor, e desta forma, o gate atua como controle.

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Nestas condies, ID diminui a medida que VGS fica mais negativa (observe o ponto de saturao com -2V). Tornando VGS mais negativa, haver um momento em que no haver mais ID , independentemente do valor de VDS . Essa tenso denomina-se tenso de estrangulamento gate-source representada por VGS(OFF) ou Vp . A figura abaixo mostra a curva para um FET de canal p. A nica diferena a polaridade de VGS que neste caso positiva.

CARACTERSTICA DE TRANSFERNCIA: A figura a seguir mostra o grfico de transferncia da corrente de dreno ID em funo da tenso gate-source (VGS), para um valor constante de VDS.

No grfico acima, observa-se a caracterstica de transferncia quando VGS = 0, ID = 0, VGS = Vp . A figura abaixo nos mostra que quando ocorre o estrangulamento, este estrangulamento se verifica com valores menores de V DS e quando mais negativa for a tenso VGS . Esta curva recebe o nome de curva de dreno.
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Normalmente o FET polarizado para operar aps o estrangulamento na regio de saturao da corrente, onde nesta regio o dispositivo tem sua operao definida mais facilmente pela equao de Schockley. Vejamos um exemplo: Determinar a corrente de dreno de em FET canal n com tenso de estrangulamento = - 3V e corrente de saturao drain-source (IDSS) de 10mA para as seguintes tenses VGS: a) 0V b) - 1,4V c) - 1,8V Soluo: pela equao de Schockley, ID = IDSS(1 - VGS / Vp) 2, temos: a) ID = 10mA[1 - (0/-3)] 2 = 10mA b) ID = 10mA[1 - (-1,4/-3)] 2 = 2,84mA c) ID = 10mA[1 - (-1,8/-3)] 2 = 1,6mA PARMETROS IMPORTANTES: IDSS : corrente de saturao dreno-fonte (drain-source). a corrente na qual o canal estrangulado quando os terminais gate e source esto em curto (VGS = 0). um parmetro importantssimo do dispositivo. VGS(OFF) = Vp : tenso de corte (estrangulamento) gate-source. Tenso entre gate e source para a qual o canal drain-source estrangulado, resultando em praticamente nenhuma corrente de dreno. Os circuitos a seguir so usados para medir IDSS e VGS(OFF) :

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BVGSS : tenso de ruptura source-gate. A tenso de ruptura de uma juno source-gate medida em uma corrente especificada com os terminais drain-source em curto. O valor da tenso de ruptura indica um valor limite de tenso nos terminais gatesource, acima do qual a corrente do dispositivo deve ser limitada pelo circuito externo para evitar danos ao FET. A tenso de ruptura um valor limite de tenso e deve ser usado na escolha da fonte de tenso de dreno. gfs = gm : transcondutncia de transferncia direta em fonte-comum. Ela medida com os terminais drain-source em curto, sendo uma indicao da amplificao do FET em termos de sinal alternado. A unidade de medida de gm em Siemens com valores tpicos da ordem de 1mS a 10mS. gfs = IP / VGS , com VDS = 0 gm = gmo[1 - (VGS / VGS(OFF))]

gmo parmetro ganho de ac mximo do FET e ocorre para a polarizao V GS = 0. Exemplo: calcular a transcondutncia (gm) de um FET com as especificaes: IDSS = 15mA e VGS(OFF) = -3V, nos seguintes pontos de polarizao: a) VGS = 0 b) VGS = -1,2V c) VGS = -1,7V Soluo: pela equao gmo = 2IDSS / VGS(OFF) , temos:
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gmo = 2(15mA) / -3V = 30 x 10 -3 / 3 = 10mS ou 10.000S a) gm = gmo(1- VGS / Vp) = 10mS[1- (0 / -3)] = 10mS ou 10.000S b) gm = gmo(1- VGS / Vp) = 10mS[1 - (-1,2 / -3)] = 6mS ou 6.000S c) gm = gmo(1- VGS / Vp) = 10mS[1 - (-1,7 / -3)] = 4,33mS ou 4.330S rds(on) : resistncia drain-source para o dispositivo ligado. A resistncia drenofonte para o dispositivo ligado importante quando se utiliza o mesmo como chave eletrnica. Quando o FET est polarizado em sua regio de saturao, ou hmica, de operao, apresenta uma resistncia entre dreno e fonte de dezenas e algumas vezes centenas de ohms.

PARTE PRTICA
MATERIAIS NECESSRIOS 1 - Gerador de udio 1 - Fonte de alimentao 0-20V 1 - Osciloscpio 1 - Multmetro analgico ou digital 1 - Mdulo de ensaios ELO-1 CIRCUITO AMPLIFICADOR FONTE COMUM: Como sabemos, a curva de transcondutncia do FET parablica, e por isso a operao do amplificador fonte comum produz uma distoro quadrtica. Em virtude disso, um amplificador muito utilizado para operar somente com sinais de pequena amplitude. Devido ao fato de gm ser relativamente baixo, o amplificador fonte comum tem como conseqncia um ganho de tenso relativamente baixo. Desta forma, os amplificadores com FET no podem competir com amplificadores com transistores bipolares, quando o ganho de tenso fator preponderante. 1 - Monte o circuito da figura a seguir:

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2 - Suponha que o FET usado no circuito tenha um ganho tpico da ordem de 2.000S. Calcule o ganho de tenso sem carga (A), a tenso de sada (V out) e a impedncia de sada (rout). Anote esses valores na tabela 1. 3 - Para o amplificador com carga infinita (sem o resistor de carga R L), ajuste o gerador de udio na entrada para 0,1Vpp a uma freqncia de 1kHz. 4 - Observe o sinal na sada, o qual deve ser uma senide amplificada. Mea e anote a tenso de sada de pico a pico. Depois calcule o ganho de tenso. Anote suas respostas na tabela 1. 5 - Ligue o potencimetro de 4,7k como carga varivel e ajuste a carga at que a tenso na sada seja a metade da tenso sem carga. (procedendo desta forma, voc estar encontrando a impedncia Thvenin pelo mtodo de casamento de impedncias). 6 - Desligue o potencimetro e mea sua resistncia, anotando esse valor na tabela 1. 7 - Repita os passos 2 a 6 usando outro FET. TABELA 1 VALOR CALCULADO VOUT rout A VALOR MEDIDO rout A

FET 1(T7) 2(T8)

VOUT

SEGUIDOR DE FONTE (DRENO COMUM): O amplificador dreno comum ou seguidor de fonte anlogo ao amplificador seguidor de emissor ou coletor comum. O ganho de tenso aproxima-se da unidade enquanto que a impedncia de entrada aproxima-se do infinito, limitada apenas pelos resistores externos conectados ao terminal gate. um circuito muito utilizado na entrada dos instrumentos de medida.
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1 - Monte o circuito da figura abaixo:

2 - Suponha que o FET usado no circuito tenha um ganho tpico da ordem de 2.000S. Calcule o ganho de tenso sem carga (A), a tenso de sada (Vout) e a impedncia de sada (rout). Anote esses valores na tabela 2. 3 - Para o amplificador com carga infinita (sem o resistor de carga R L), ajuste o gerador de udio na entrada para 1Vpp a uma freqncia de 1kHz. 4 - Mea e anote a tenso de sada de pico a pico. Depois calcule o ganho de tenso. Anote suas respostas na tabela 2. 5 - Mea a impedncia de sada pelo mtodo de casamento de impedncias, usado anteriormente. 6 - Desligue o potencimetro e mea sua resistncia, anotando esse valor na tabela 2. 7 - Repita os passos 2 a 6 usando outros FETs. TABELA 2 VALOR CALCULADO VOUT rout A VALOR MEDIDO rout A

FET 1(T7) 2(T8)

VOUT

FORMULRIO: Ganho de tenso (amplificador fonte comum):

A = - gmRD
onde: A = ganho de tenso sem carga gm = transcondutncia
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RD = resistncia de dreno Resistncia de sada (amplificador fonte comum):

rs = 1/gm
Resistncia de sada (amplificador dreno comum):

rs = RS // 1/gm
QUESTES: 1 - A principal vantagem de um amplificador com FET : a) seu alto ganho de tenso; b) sua baixa corrente de dreno; c) sua alta impedncia de entrada; d) seu alto valor de transcondutncia. 2 - Em relao a um amplificador convencional com transistor bipolar, podemos afirma que um amplificador com FET apresenta maior ganho de tenso: a) certo b) errado 3 - Em um FET de canal n em que condies ocorre a saturao? ______________________________________________________________________ ______________________________________________________________________ ______________________________________________________________________ ______________________________________________________________________ 4 - O que tenso de estrangulamento? ______________________________________________________________________ ______________________________________________________________________ ______________________________________________________________________ 5 - Determine a corrente de dreno de um FET canal n com tenso de estrangulamento (Vp) = -3,75V; IDSS = 9mA, para as seguintes tenses gate-source (VGS): 0V; -1,15V; 1,5V; -1,75V e -2,3V (apresentar clculos). Clculos:

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