PONTIFCIA UNIVERSIDADE CATLICA DE MINAS GERAIS

Instituto Politcnico da Universidade Catlica

Engenharia Eletrnica e de Telecomunicaes

CIRCUITO RETIFICADOR
DE ONDA COMPLETA
COM FILTRO CAPACITIVO

Samuel Marques Nassif

Belo Horizonte
2005

Rafael de Aquino
Samuel Marques Nassif

CIRCUITO RETIFICADOR
DE ONDA COMPLETA
COM FILTRO CAPACITIVO
Projeto utilizando as Curvas de Schade

Trabalho apresentado disciplina Sistemas

Analgicos II, do Instituto Politcnico da
Pontifcia Universidade Catlica de Minas
Gerais, departamento de Circuitos Eltricos
e Sistemas Digitais.

Orientador: Paulo Jos da Costa Cunha

Belo Horizonte
2005
2

SUMRIO

1
2
3
3.1
3.2
4
4.1
4.1.1
4.1.2
4.1.3
4.1.4
5

Contedo
Contra capa ..................................................................................................................
Sumrio ........................................................................................................................
Lista de Figuras ............................................................................................................
Introduo......................................................................................................................
Dados da Plataforma....................................................................................................
Extensometria e sua aplicao na plataforma..............................................................
Principais caractersticas dos extensmetros...............................................................
Principio de funcionamento dos extensmetros............................................................
Controlador Digital.........................................................................................................
Tipos de controladores..................................................................................................
Controlador Proporcional (P)
Controlador Proporcional-Integral (PI)
Controlador Proporcional-Derivativo (PD)
Controlador Proporcional-Integrativo-Derivativo (PID)
Bibliografia

Figura 01 - Fluxo Magntico do Transformador .................................................

Figura 02 - Transformador Elevador de Tenso ................................................
Figura 03 - Transformador Abaixador de Tenso ...............................................
Figura 04 - Transformador (Induo Eletromagntica) ......................................
Figura 05 - Classificao de Materiais em termos de Estrutura de Bandas .......
Figura 06 - Dopagem de Semicondutores ..........................................................
Figura 07 - Polarizao do Diodo .......................................................................
Figura 08 - Comportamento genrico da Corrente em funo da Tenso .........
Figura 09 - Capacitor Plano ................................................................................
Figura 10 - Smbolo do Capacitor .......................................................................
Figura 11 - Capacitncia de um Capacitor .........................................................
Figura 12 - Grfico da Carga x ddp ....................................................................
Figura 13 - Circuito em ponte com carga resistiva .............................................
Figura 14 - Efeito da tenso nos diodos D2 e D4 ...............................................
Figura 15 - Sentido da corrente com os diodos D2 e D4 conduzindo ................
Figura 16 - Efeito da tenso nos diodos D1 e D3 ...............................................
Figura 17 - Sentido da corrente com os diodos D1 e D3 conduzindo ................
Figura 18 - Amostra da tenso reversa sobre os diodos D1 e D3 ......................
Figura 19 - Formas de onda de circuito em ponte ..............................................
Figura 20 - Retificador com filtro capacitivo ........................................................
Figura 21 - Onda da tenso sem filtro ................................................................
Figura 22 - Onda da tenso com filtro ................................................................
Figura 23 - Tenso inversa de pico ....................................................................
Figura 24 - Formas de onda de circuito com filtro ..............................................
Figura 25 - Carga e descarga do capacitor ........................................................
Figura 26 - Grfico do ngulo de conduo .......................................................
Figura 27 - Resistncia no circuito retificador .....................................................

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3

Figura 28 - Forma de onda na carga ..................................................................

Figura 29 - Grfico para obter Vs .......................................................................
Figura 30 - Grfico do valor de .Rcarga.C ..........................................................
Figura 31 - Grfico para obter Ief ........................................................................
Figura 32 - Grfico para obter Ipico ......................................................................
Figura 33 - Tenso Vdc na carga do simulado calculado ...................................
Figura 34 - Tenso VAC na carga do simulado calculado ...................................
Figura 35 - Tenso Vdc na carga do simulado com valores comerciais ............
Figura 36 - Tenso VAC na carga do simulado com valores comerciais .............
Figura 37 - Resistor ............................................................................................
Figura 38 - Circuito para medio no osciloscpio .............................................
Figura 39 - Forma de onda do Ripple .................................................................
Figura 40 - Forma de onda da componente VAC na carga ................................
Figura 41 - Forma de onda da Tenso VAC(RMS) no secundrio do
transformador .....................................................................................................

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1 - Introduo
A energia eltrica, hoje disponvel em grande quantidade graas s extensas
redes de distribuio, apresenta-se sob a forma de Corrente Alternada Senoidal, em
geral de 220V ou 110V (valores eficazes) e freqncia de 50 ou 60 Hz. Esta pode ser
utilizada diretamente para acionamento de motores, aquecimento resistivo e
iluminao. Outras aplicaes requerem corrente contnua como, por exemplo, os
processos eletrolticos industriais, o acionamento de motores de alto conjugado de
partida (utilizados em trao eltrica e controles industriais), carregadores de bateria e
a alimentao de praticamente todos os circuitos eletrnicos.
A obteno de corrente contnua, a partir da corrente alternada disponvel,
indispensvel nos equipamentos eletrnicos. Estes, invariavelmente, possuem um ou
mais circuitos chamados Fontes de Alimentao ou Fontes de Tenso, destinados a
fornecer as polarizaes necessrias ao funcionamento dos dispositivos eletrnicos.
Aos circuitos ou sistemas destinados a transformar corrente alternada em contnua
damos o nome genrico de Conversores C.A. - C.C..
Para obteno de corrente contnua em escala industrial (acima de dezenas de
quilowatts) utilizam-se conversores constitudos de grupos motor-gerador em que o
motor de corrente alternada acionado pela rede e move um gerador de corrente
contnua.
Para obteno de corrente contnua em pequena escala, como na alimentao
de equipamentos eletrnicos a converso se faz por meio dos circuitos retificadores,
que em muitos casos comeam a substituir os conversores eletromecnicos (motorgerador) at para elevadas potncias, devido ao alto rendimento que apresentam.
2 Estrutura Bsica
2.1 Transformadores
4

Os aparelhos eltricos so construdos para funcionarem com determinadas

tenses. Quando a tenso de funcionamento dos aparelhos no coincidir com a tenso
da fonte necessrio intercalar entre os dois um transformador para adequar essas
tenses.
Quando o enrolamento primrio ligado a um circuito de corrente alternada,
esta corrente cria um campo magntico proporcional a ela prpria e ao nmero de
espiras do enrolamento. Como a corrente alternada, o campo magntico criado por
ela igualmente varivel com o tempo e, conseqentemente, aparece um fluxo da
variao deste campo na regio onde se encontra o enrolamento secundrio.

Fig. 1 Fluxo Magntico do Transformador

Este fluxo de variao do campo magntico do primrio, induz um campo

eltrico no enrolamento secundrio, de tal forma que, quanto maior for o fluxo dessa
variao, maior a intensidade do campo eltrico induzido em cada espira. A tenso que
aparece aos terminais do enrolamento secundrio proporcional ao campo eltrico
induzido e ao nmero de espiras do enrolamento.
Basicamente o transformador constitudo por fios enrolados num ncleo de
ferro. So dois enrolamentos independentes: o enrolamento primrio, ligado fonte e o
enrolamento secundrio, onde se obtm a tenso desejada.

Fig. 2 Transformador Elevador de Tenso

Nos transformadores usados nas subestaes elevadoras de tenso, o

enrolamento primrio tem um nmero de espiras menor do que o enrolamento
5

secundrio, podendo, em muitos casos, este enrolamento ser constitudo por fios de
seo menor.
Nos transformadores abaixadores de tenso, o enrolamento primrio tem um
nmero de espiras maior do que o enrolamento secundrio. Em geral, neste tipo de
transformador os fios utilizados no enrolamento secundrio so mais grossos.

Fig. 3 Transformador Abaixador de Tenso

O transformador um aparelho consumidor de energia eltrica quando

considerado do lado do enrolamento primrio e, tambm, fonte ou gerador de energia
eltrica do lado do enrolamento secundrio.
A induo eletromagntica nos transformadores, uma das aplicaes da lei
de Faraday. Segundo esta, quando numa regio do espao ocorre uma variao do
campo magntico, induzido nessa regio um campo eltrico.

Fig. 4 Transformador (Induo Eletromagntica)

Suponhamos que a bobina 1 tenha N1 espiras e que a bobina 2 tenha N2

espiras. Se a bobina 1 for ligada a uma fonte de f.e.m. varivel e1, ela vai gerar um fluxo
magntico varivel. Vamos admitir que e1 fornece uma diferena de potencial V1, num
intervalo de tempo t. Se nesse intervalo de tempo t o fluxo variar de zero a 1, pela
lei de Faraday,
pode dizer-se que:
Se todas as N1 espiras da bobina 1 forem atravessadas perpendicularmente
por linhas de campo, a definio de fluxo permite-nos concluir que:

Portanto, igualando essas duas expresses, temos:

O que nos permite escrever
Podemos repetir esse mesmo raciocnio para a bobina 2 de N 2 espiras.

Portanto, como B, A e t so constantes, obtemos:

2.2 Diodo
2.2.1 Dispositivos Semicondutores
Os tomos de um material semicondutor so dispostos em uma rede cristalina.
Enquanto em um tomo isolado os nveis de energia acessveis a um eltron so
discretos, quando ordenados na rede os nveis se subdividem (degenerao) a tal
ponto que para o cristal podemos identificar bandas de energia. A chamada banda de
valncia ocupada por eltrons ligados aos tomos e a banda de conduo contm os
eltrons livres para circular pela rede cristalina. Entre as bandas de conduo e
valncia existe a banda proibida, no sentido de que no h probabilidade para que um
eltron do cristal tenha energia de valor dentro desta banda. Conforme mostrado na
Fig. 5, esta noo de bandas permite classificar genericamente os materiais como
isolantes, condutores e semicondutores.

Fig. 5 Classificao de Materiais em termos de Estrutura de Bandas

7

Num isolante praticamente no h eltrons na banda de conduo, e a

diferena de energia entre as bandas de conduo e valncia relativamente alta, de
modo que, a temperatura ambiente, um eltron no tem energia suficiente para saltar
para a banda de conduo. Num condutor as bandas se interceptam, e os eltrons
podem se mover livremente pelos tomos do material. No semicondutor a diferena de
energia entre bandas pequena, os eltrons podem facilmente passar para a banda de
conduo deixando um buraco na banda de valncia.
2.2.2 Semicondutor intrnseco, dopado e juno
Na rede cristalina de um semicondutor puro (tambm denominado intrnseco) a
temperatura ambiente, existe uma probabilidade no nula para que eltrons passem
para a banda de conduo, de modo que pares eltron-buraco so constantemente
gerados. Em condies de equilbrio eltrico e trmico a concentrao ni de eltrons ou
buracos pode ser expressa por:

Onde T a temperatura e Eg a diferena de energia entre bandas a 0K.

Para os semicondutores de fato utilizados em componentes eletrnicos, o valor de ni a
300 K de aproximadamente 2,5 x 10 13 /cm3 (silcio) e 1,5 x 1010 /cm3 (germnio). Essa
concentrao pequena relativamente densidade do prprio semicondutor ( 10 22
tomos /cm3 ).
O semicondutor intrnseco pode ser dopado com uma impureza que tenha um
eltron de valncia a mais ou a menos. A Fig. 6 mostra o resultado da adio de um
tomo de impureza na rede.
Tanto silcio quanto germnio so tomos tetravalentes. A substituio de um
dos tomos da rede por um tomo pentavalente equivale a acrescentar um eltron
rede, enquanto que a substituio por um tomo trivalente equivale a acrescentar um
buraco. Segundo este critrio os semicondutores dopados so referidos como tipo-n e
tipo tipo-p. Nos semicondutores tipo-n a corrente eltrica principalmente determinada
pelo movimento de eltrons, e nos tipo-p pelo movimento de buracos. As impurezas
tipicamente usadas so: fsforo, arsnio, antimnio, glio, ndio e boro. Note-se que no
semicondutor dopado o equilbrio eltrico mantido, j que o tomo acrescentado
tambm eletricamente neutro.

Fig. 6 Dopagem de Semicondutores: a) Impureza tipo n, b) Impureza tipo p

Uma juno p-n obtida quando se fabrica um semicondutor tipo-p justaposto

a um tipo-n. Na regio de interface entre os dois, haver tendncia dos eltrons a
migrar para a regio tipo-p, e dos buracos a migrar para a regio tipo-n. Dessa forma a
regio tipo-n torna-se carregada positivamente por haver capturado buracos, e a regio
tipo-p torna-se carregada negativamente por haver capturado eltrons. Um campo
eltrico portanto se estabelece, com uma diferena de potencial tipicamente da ordem
de 1V.
2.2.3 Diodo Semicondutor
O dispositivo resultante de uma juno p-n, como descrito em 2.2.2, chamado
de diodo semicondutor. Ele pode ser polarizado de modo a favorecer ou a bloquear a
passagem de corrente, como mostrado na Fig. 7.
Se aplicamos uma diferena de potencial entre os terminais p e n, de modo que
do lado n o potencial seja inferior ao do lado p, estaremos favorecendo a migrao de
portadores de carga atravs da juno. Haver portanto passagem de corrente pelo
diodo. Aqui notamos que o movimento de eltrons oposto ao que convencionalmente
adotamos para simbolizar a direo da corrente eltrica (do potencial positivo para o
negativo).
Invertendo a diferena de potencial, ou seja, aplicando ao lado n um potencial
superior ao do lado p, estaremos confinando ainda mais os eltrons regio p e os
buracos regio n. Neste caso somente uma pequena corrente residual passa pela
juno, em direo oposta anterior. A magnitude desta corrente residual depende da
temperatura, da concentrao de impurezas p e n, e est tambm relacionada com as
caractersticas do material semicondutor. Sob polarizao reversa, a regio de interface
da juno p-n fica desprovida de portadores de carga. Quanto maior a diferena de
potencial reversa, maior a regio desprovida de portadores de carga, chamada de
regio de depleo.

Fig. 7 Polarizao do Diodo

esquerda: polarizao favorvel passagem de corrente
direita: polarizao reversa aumento da regio de depleo

O comportamento da corrente, I, em funo do potencial aplicado, V, pode ser

estimado e resulta em:

Onde Vo a diferena de potencial presente quando a juno est em

equilbrio (sem potencial externo aplicado) e K uma constante determinada pelas
propriedades geomtricas da juno e pelas caractersticas do semicondutor. Io a
corrente residual mencionada acima, chamada de corrente de saturao. Vemos que
para o diodo o comportamento de I em funo de V no linear, como era o caso para
resistores, capacitores e indutores. Na Fig. 8 est esboado um grfico qualitativo de
I(V).

Fig. 8 Comportamento genrico da Corrente em funo da Tenso

10

O fato de no haver uma relao linear entre I e V para o diodo implica que no
podemos obter analiticamente a funo de transferncia correspondente.
2.3 Capacitor
2.3.1 Capacitores ou Condensadores
Capacitores ou condensadores so elementos eltricos capazes de armazenar
carga eltrica e, conseqentemente, energia potencial eltrica.
Podem ser esfricos, cilndricos ou planos, constituindo-se de dois condutores
denominados armaduras que, ao serem eletrizados, num processo de induo total,
armazenam cargas eltricas de mesmo valor absoluto, porm de sinais contrrios.
O capacitor tem inmeras aplicaes na eletrnica, podendo servir para
armazenar energia eltrica, carregando-se e descarregando-se muitas vezes por
segundo. Na eletrnica, para pequenas variaes da diferena de potencial, o capacitor
pode fornecer ou absorver cargas eltricas, pode ainda gerar campos eltricos de
diferentes intensidades ou muito intensos em pequenos volumes.
2.3.2 Capacitor Plano
constitudo por duas placas iguais, planas e paralelas que, ao serem
conectadas a um gerador, adquirem cargas eltricas, como mostra a figura 9.

Fig. 9 - Capacitor Plano

O smbolo do capacitor constitudo por duas barras iguais e planas que

representam as armaduras do capacitor plano.

Fig. 10 Smbolo do Capacitor

11

Qualquer que seja o tipo de capacitor, sua representao ser a mesma do

capacitor plano.
Quando as placas das armaduras esto eletricamente neutras, dizemos que o
capacitor est descarregado.
Ao conectarmos o capacitor a um gerador, ocorre um fluxo ordenado de
eltrons nos fios de conexo, pois inicialmente h uma diferena de potencial entre a
armadura e o terminal do gerador ao qual est ligada.
Na figura 9, a armadura A tem, inicialmente, potencial eltrico nulo e est
conectada ao terminal positivo da pilha; logo, os eltrons migram da armadura para a
pilha, j a armadura B, que tambm tem potencial eltrico nulo, est conectada ao
terminal negativo da pilha, e assim eltrons migram do terminal da pilha para a
armadura B.
Acontece que, enquanto a armadura A est perdendo eltrons, ela est se
eletrizando positivamente e seu potencial eltrico est aumentando; o mesmo ocorre
na armadura B, s que ao contrrio, ou seja, B est ganhando eltrons, eletrizandose negativamente, e seu potencial eltrico est diminuindo.
Esse processo cessa ao equilibrarem-se os potenciais eltricos das armaduras
com os potenciais eltricos dos terminais do gerador, ou seja, quando a diferena de
potencial eltrico (ddp) entre as armaduras do capacitor for igual ddp nos terminais
do gerador, e nesse caso dizemos que o capacitor est carregado com carga eltrica
mxima.
Num circuito, s h corrente eltrica no ramo que contm o capacitor enquanto
este estiver em carga ou em descarga.
2.3.3 Capacidade ou Capacitncia de um Capacitor
A carga eltrica armazenada em um capacitor diretamente proporcional
diferena de potencial eltrico ao qual foi submetido.
Assim sendo, definimos capacidade eletrosttica C de um capacitor como a
razo entre o valor absoluto da carga eltrica Q que foi movimentada de uma
armadura para outra e a ddp U nos seus terminais.
Essa carga eltrica corresponde carga de sua armadura positiva.

Fig. 11 Capacitncia de um Capacitor

12

A capacidade eletrosttica de um capacitor depende da forma e dimenses de

suas armaduras e do dieltrico (material isolante) entre as mesmas.
A unidade de capacidade eletrosttica, no Sistema Internacional de Unidades
(SI), o farad (F).
2.3.4 Energia Armazenada
O grfico da figura 12 representa a carga eltrica Q de um capacitor em funo
da ddp U nos seus terminais.
Como, nesse caso, Q e U so grandezas diretamente proporcionais, o grfico
corresponde a uma funo linear, pois a capacidade eletrosttica C constante.

Fig. 12 Grfico da Carga x ddp

Considerando que o capacitor tenha adquirido a carga Q quando submetido

ddp U do grfico, a energia eltrica Weltr armazenada no capacitor corresponde rea
do tringulo hachurado.

e como Q = C U, ento

3 Circuito Retificador de Onda Completa

3.1 Circuito em Ponte com Carga Resistiva

13

Fig. 13 Circuito em ponte com carga resistiva

Quando temos Vs positivo, os diodos D2 e D4 conduzem (ficam em srie) pois,

as tenses que aparecem sobre propicia tal efeito como mostra a figura 14.

Fig. 14 Efeito da tenso nos diodos D2 e D4

Estes diodos conduzindo, faro com que circule uma corrente no circuito, no
sentido indicado na fig. 15.

Fig. 15 Sentido da corrente com os diodos D2 e D4 conduzindo

Quando Vs inverte de polaridade, os diodos D1 e D2 conduzem (ficam em

srie) como mostra a fig. 16.

Fig.16 Efeito da tenso nos diodos D1 e D3

Uma vez que os diodos D1 e D3 conduzem, propiciaro a circulao de uma

corrente cujo sentido mostrado em fig. 17.

14

Fig.17 Sentido da corrente com os diodos D1 e D3 conduzindo

Verificamos que mesmo Vs mudando de polaridade a corrente na carga circula

sempre no mesmo sentido, conclui-se que a corrente I L possui somente uma polaridade,
ou seja, esta corrente contnua pulsante e conseqentemente a tenso V L tambm o
ser.

3.2 Tenso Reversa sobre os Diodos

Em 3.1 vimos que, quando Vs positivo, os diodos D2 e D4 conduzem.
Na fig. 18, estes diodos esto representados como curto-circuito para melhor
anlise.

Fig.18 Amostra da tenso reversa sobre os diodos D1 e D3

Observando o esquema da fig.18, nota-se que os diodos D1 e D3, o secundrio

do transformador e a carga RL esto em paralelo.
Os diodos D1 e D3 esto polarizados inversamente e a tenso mxima que
ficar sobre eles a tenso mxima fornecida pelo secundrio do transformador. A
tenso na carga tambm ser igual a tenso Vs.
Quando a tenso Vs muda de polaridade, a tenso reversa sobre os diodos D2
e D4, ser a mesma tenso que aparece no secundrio do transformador, e a mesma
da carga.
15

Pode-se concluir que a tenso de pico reversa sobre os diodos ter o mesmo
valor da tenso mxima fornecida pelo secundrio do transformador.
A tenso e corrente mdia sobre a carga tem as formas de onda apresentadas
na fig.19.

Fig.19 Formas de onda de circuito em ponte

3.3 Filtros Retificadores

3.3.1 Retificador de Onda Completa

Fig.20 Retificador com filtro capacitivo

16

Sem o capacitor, a forma de onda da tenso na carga seria:

Fig.21 Onda da tenso sem filtro

Com o capacitor, temos:

Fig.22 Onda da tenso com filtro

Tc tempo de carga do capacitor, o tempo em que o diodo conduz e

fornece carga ao capacitor e ao resistor.
Td tempo em que o capacitor mantm a corrente na carga RL, o tempo de
descarga do capacitor, tempo em que o diodo no conduz pois, sua tenso de catodo
(fornecida pelo capacitor) maior que sua tenso de anodo.
Analisaremos a tenso reversa sobre o diodo, temos a tenso de entrada
mxima de Vmx.
Observando a fig. 20, no semi-ciclo positivo, o diodo conduz e o capacitor se
carrega com tenso mxima ou seja, V mx. No semi-ciclo negativo, no anodo do diodo
(no instante em que temos a tenso mxima do semi-ciclo negativo), passar a ter
Vmx, e no catodo tem-se a tenso do capacitor que ainda da ordem de +Vmx, de
modo que a tenso inversa de pico sobre o diodo de 2Vmx, como mostra a fig. 23.

Fig. 23 Tenso inversa de pico

17

Formas de Onda do circuito da fig. 20

Fig.24 Formas de onda de circuito com filtro

Dc tempo que o capacitor se descarrega

Rc tempo em que o capacitor se carrega
3.3.2 ngulo de Conduo do Diodo

18

Fig.25 Carga e descarga do capacitor

c ngulo em que o diodo conduz e fornece carga ao capacitor (por ter se

descarregado parcialmente quando o diodo no conduzir) e ao resistor.
Para o clculo de c, iremos aproximar as exponenciais de carga e descarga,
relativas a fig. 25, em retas, para que fique mais simples seu desenvolvimento.

Fig.26 Grfico do ngulo de conduo

Vamos supor que o valor mximo da ondulao da tenso de sada de V.

A curva que est pontilhada uma senide, logo no ngulo 1 temos a tenso
V1 = Vmx.sen1.
Em relao a origem, k = 90, logo o valor da tenso Vk = Vmx.sen90 =
Vmx.
Pelo grfico da fig.26 tira-se:
Vk V1 = V Vmx Vmx.sen1 = V
Vmx ( 1 sen1 ) = V 1 sen1 =
1 = arcsen ( 1

V sen1 = 1 - V .
Vmx
Vmx

V )
Vmx

Logo o ngulo de conduo dado por:

c = k 1
c = 90 - arcsen ( 1

V )
Vmx

19

3.3.3 Clculo Aproximado da Tenso Reversa Mxima

Suponhamos que o condensador se carrega instantaneamente, e que a
descarga seja linear como mostra a fig. 26.
A corrente do condensador ser dada por:
Idc = Q
t

onde

Q = C.V , t = T e
2

t=T

T = 1 logo f = 1
f
T

interessante observar, pela fig.26, que:

Vdc = Vmx V
2
Logo, Idc = C.V
T/2

como T = 1 e Idc = Vdc

f
R

Portanto, Vdc = 2.R.C.V.f

Para sabermos a tenso Vdc de um filtro j projetado procede-se da seguinte
maneira:
V = Vmx Vdc V = 2.(Vmx Vdc)
2
Vdc = 2.R.C.V.f
Vdc = 2.R.C.f.2.(Vmx Vdc) Vdc = 4.R.C.f.(Vmx Vdc)
Vdc + 4.R.C.f.Vdc = 4.R.C.f.Vmx
Vdc = 4.R.C.f.Vmx
1 + 4.R.C.f
3.3.4 A Importncia da Corrente de Pico Transitria
Resumindo, o valor de pico da mxima tenso e corrente de trabalho nos
diodos no devem ultrapassar os valores que o fabricante fornece.
O pico de corrente produzido no momento da ligao do retificador elevado,
em um circuito com carga capacitiva pois, o capacitor acha-se descarregado e na sada
do retificador produz-se em consequncia, um virtual curto-circuito.
A corrente limitada apenas pela resistncia da fonte de alimentao. Por isto,
a citada resistncia deve assumir um valor de compromisso entre o mnimo, que
20

mantm este pico de corrente abaixo do nvel permitido, e o mximo que ainda
satisfaa as exigncias de regulao e rendimento do circuito.

Fig.27 Resistncia no circuito retificador

Rd Resistncia Direta do Diodo

Rs Resistncia do enrolamento do secundrio
O valor de Rs normalmente est compreendido entre 1 a 10% da resistncia de
carga, para que no venha a interferir na regulao e rendimento do circuito.
No instante em que o circuito for ligado, teremos passando pelo diodo uma
corrente bem superior a calculada, e o mesmo deve ser dimensionado de modo a
suport-la. Quando o circuito ligado, encontrar o capacitor totalmente descarregado,
comportando-se como um curto, e teremos neste instante circulando pelo diodo uma
corrente transitria de pico mxima, dada por:
Vspico .
Rs + Rd
Para o caso, em que a resistncia do diodo assumir valores muito baixos,
podemos desprezar seu valor, portanto teremos:
Rs = Vspico
Ifsm

(corrente de pico transitria)

O valor mximo que Rs pode assumir de modo a no comprometer o

rendimento e regulao do circuito 10% de R carga, logo, seu valor mximo dada por:
Rsmx = 10% . Rcarga
3.3.5 Fator de Ripple ( )
Da definio de Ripple temos:
= Valor eficaz da ondulao na sada . 100%
Valor contnuo mdio (Vdc)

21

Fig. 28 Forma de onda na carga

Esta forma de onda contnua mas pulsante.

A equao matemtica (de acordo com a srie de Fourier) :
V = Vdc + harmnicas
Vdc nvel de tenso contnua
harmnicas a soma de todas as harmnicas
Para ondas puramente contnua, teremos o termo harmnicas = 0.
Se aplicarmos a tenso, cuja forma de onda a que aparece na fig.28, sobre
um resistor, a potncia dissipada sobre este ser dada por:
Pef = PDC + PAC
Pef Potncia eficaz devido a tenso contnua pulsante
PDC Potncia devido a tenso mdia contnua Vdc
PAC Potncia eficaz devido a componente alternativa ( harmnicas)
Da tiramos:
V2ef = V2DC + V2AC
R
R
R
Logo: V2ef = V2DC + V2AC
De onde conclumos que o valor eficaz da componente alternativa :
VAC = ( V2ef V2DC)
VAC Valor eficaz da tenso de ondulao ( harmnicas)
3.3.6 Mtodo de Schade para Clculo de Retificadores com Carga RC
Nomenclaturas
Em Tenso de Pico de Entrada
Vdc Tenso Mdia na Carga
22

 Freqncia de Operao da Onda Senoidal a ser Retificada

Fator de Ripple
Ief Corrente eficaz no diodo
Ipico Corrente de pico repetitiva
IDC Corrente mdia no diodo
IFSM Corrente de pico transitria
VRWM Tenso de pico reversa mxima sobre o diodo
O grfico da fig.29, nos fornece a relao de converso = Vo/V L em funo de
.Rcarga.C.
A relao de converso , depende do valor de Rs/R carga, para que tenhamos
uma boa regulao, o valor de .R carga.C dever ser escolhido de modo que produza
um bom funcionamento na parte plana das curvas. A fig.30, nos permite obter o mnimo
valor de .Rcarga.C a ser utilizado, para que possamos reduzir a ondulao a nveis
aceitveis. As figuras 31 e 32, nos fornecem a relao entre a corrente eficaz e mdia
de cada diodo e a relao entre a corrente de pico repetitiva e mdia de cada diodo,
ambas em funo de .Rcarga.C.

Fig.29 Grfico para obter Vs

Fig.30 Grfico do valor de .R carga.C

23

Fig.31 Grfico para obter Ief

Fig.32 Grfico para obter I pico

Fases de clculo e a seqncia em que devem ser processadas:

a) Determinar o valor de Rcarga.
b) Adotar para Rs um valor (normalmente Rs est compreendido entre 1 a
10% de Rcarga).
c) Calcular em porcentagem o valor de Rs/Rcarga.
d) De posse da porcentagem da letra c, fixar uma ondulao para o circuito,
tambm em porcentagem definido como Ripple ( ). Com os valores de e
Rs/Rcarga, determinamos o valor de .Rcarga.C.
e) Clculo do capacitor
f) De posse dos valores de Rs/R carga e .Rcarga.C, entramos nas curvas da
fig.29 e determinamos o valor da relao Vdc/Vs, a partir da o valor de Vs,
uma vez que Vdc conhecida.
g) Entrando na figura 31 com os valores Rs/nR carga e n.Rcarga.C, determinamos
o valor da relao Ief/IDC, onde tiramos Ief, pois IDC conhecido.
h) Entrando na figura 32 com os valores Rs/nR carga e n.Rcarga.C, determinamos
o valor da relao Ipico/IDC, de onde tiramos Ipico.
i) Dimensionamento dos diodos
Para a escolha do diodo a ser utilizado, devemos sempre considerar o
diodo que apresente caractersticas superiores s calculadas, para que
possamos operar com o mesmo em segurana.
4 Montagem
4.1 Clculos dos Componentes
Este circuito ir fornecer uma tenso de sada de 16Vdc, retificada, com fator
de Ripple 5% e dever poder fornecer uma corrente de at 1,1A.
Seguindo os passos do item 3.3.6 temos:
24

 De posse da tenso e corrente de sada, determinamos o Rcarga.

Rcarga = Vo = 16 = 14,54 = RL
Io
1,1
Atravs do Rcarga determinamos o Rs.
Admitindo Rs = 10% .RL, ento Rs = 1,45
Como prova temos:

Rs
Rcarga

x 100 = 10% =>

1,45 x 100 = 10%

14,54

Calculando o capacitor:
Considerando o fator de Ripple 5% e para obter .R carga.C, analisamos a
fig.30.

Fig.30 Grfico do valor de .Rcarga.C

Logo temos

.Rcarga.C 13
25

Como = 377rad/s e Rcarga = 14,54

C=

13
= 2,37 x 10-3F ou 2300F
14,54 . 377

Calculando a tenso no secundrio do transformador.

Pela da fig.29, entramos com o valor de .Rcarga.C 13 e Rs
= 10%
Rcarga
E retiramos o valor da relao 100.Vdc 73
Vs.2

Fig.29 Grfico para obter Vs

Atravs deste dado podemos calcular o valor da tenso de pico (Vs.2) e o

valor eficaz da mesma (Vs).
26

Temos: Vs.2 = 100.16 = 21,9V (tenso de pico)

73
Vs = 21,9 = 15,49V (tenso eficaz)
2
Caracterizando os diodos
Achamos uma tenso de pico no secundrio do transformador de 21,9V, logo
os diodos devero suportar uma tenso inversa mxima maior que 21,9V para trabalhar
com segurana.
Com anlise na fig.31 podemos determinar a corrente eficaz que passar em
cada diodo.
Para um retificador de onda completa monofsico, o parmetro N igual a 2 e
conseqentemente:

27

Fig.31 Grfico para obter Ief

N..Rcarga.C 2..Rcarga.C = 2.13 = 26

Ento temos

Rs
N.Rcarga

1 . 10% = 5%
N

Obtemos a relao Ief/IDC 2,3

A corrente mdia sobre a carga ser Idc =

Vdc
Rcarga

= 16 = 1,1 A
14,54

No retificador de onda completa, a corrente mdia em cada diodo a metade

da corrente mdia na carga.
Logo, IDC = 1,1 = 550 mA
2
Podemos tirar Ief atravs da relao Ief = 2,3 Ief = 2,3 . 0,55 = 1,265 A
Idc
Idc
Devemos ento escolher um diodo que deva suportar:
IDC > 550 mA
Ief > 1,265 A
VRWM > 21,9 V
A corrente de pico repetitiva (Ipico) no diodo dada analisando as curvas da
fig.32 onde N=2.

28

Fig.32 Grfico para obter Ipico

Atravs dos valores de N..R carga.C

relao:

=26 e Rs = 10% tiramos o valor da

R carga

IPICO 6,5 IDC = 550 mA logo Ipico = 0,55 x 6,5 = 3,575 A

IDC
A corrente transitria de pico IFSM = Vs2 = 21,91 = 15,06 A
Rs
1,454
4.1.1 Simulao com os valores calculados

29

Fig. 33 Tenso Vdc na carga do simulado calculado

Tenso na carga = 12.15V

Fig. 34 Tenso VAC na carga do simulado calculado

Vdc = 360mV
VAC (RMS) = 12,15V
= 2,96% (Ripple)
4.2 Clculo com valores comerciais

30

Muitas vezes desejamos valores exatos para os nossos projetos, isso

raramente se torna possvel. Os valores disponveis pelos fabricantes so
padronizados, obrigando os usurios a optar por valores prximos aos calculados.
Com o equvoco optamos por valores diferenciados para alguns elementos, e
com isso aproximamos tambm os valores obtidos.
Elemento
Capacitor
Carga

Valor calculado
2500F
14,54

Valor comercial
3300F
15

Especificaes tcnicas dos elementos em anexo.

4.2.1 Simulao com os valores comerciais

Fig. 35 Tenso Vdc na carga do simulado com valores comerciais

31

Fig. 36 Tenso VAC na carga do simulado com valores comerciais

VAC(RMS) = 12,32V
Vdc = 267mV
= 2,16%
4.3 Componentes do Circuito Eletrnico
4.3.1 Placa de circuito impresso
A funo de uma placa de circuito impresso numa montagem dupla: ao
mesmo tempo em que serve para suporte para os componentes que formam o circuito
tambm faz a sua interligao ou conexo eltricas entre os componentes.
Nesta placa depositada uma fina camada de cobre que sofrendo um
processo de impresso tem sua superfcie recortada de modo a formar tiras que
fazem o papel dos fios de ligao dos componentes.
4.3.2 Resistores
So componentes eltricos que oferecem "resistncia" passagem de energia
eltrica (corrente) e geram calor como transformao de energia => A "resistncia"
provocada passagem dos eltrons causa aquecimento interno.
O resistor extremamente utilizado em eletro-eletrnico, pois ele pode dividir
tenses, limitar o valor de corrente para uma dada tenso, pode gerar calor, pode ser
sensvel ao calor, pode ser sensvel luz, sensvel a presso.
A resistncia do resistor identificada atravs do cdigo de cores impresso no
mesmo.

32

Cdigo de cores
COR
Preto
Marrom
Vermelho
Laranja
Amarelo
Verde
Azul
Violeta
Cinza
Branco
Dourado
Prata
Sem Cor

NMERO
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
-

TOLERNCIA
1%
2%
3%
4%
5%
6%
7%
8%
9%
5%
10%
20%

A leitura das faixas deve ser feita a partir da faixa que comea mais perto de
uma extremidade do resistor, ou seja, a faixa mais perto da extremidade a 1 a
seguinte a 2 e assim sucessivamente.
Resistores comuns (no os de preciso) geralmente apresentam 3 ou 4 faixas.
Normalmente 4 faixas.
As duas primeiras faixas correspondem ao nmero da tabela.
A terceira faixa corresponde ao nmero de zeros.
A quarta faixa corresponde a tolerncia.

Fig. 37 Resistor

4.3.3 LED
Determinados tipos de estruturas de cristal possuem a caracterstica de emitir
radiaes visveis quando polarizados por uma corrente eltrica. Assim nasceu o LED Light Emiting Diodo. Assim como um diodo convencional, o LED tambm s conduz
corrente DC em um nico sentido, portanto possui POLARIDADE. O positivo ou
ANODO e o negativo ou CATODO.
O desenvolvimento da tecnologia do LED iniciou-se com os elementos GaAs
do qual se obtm o vermelho padro e GaAsP-GaP do qual se obtm o vermelho de
alta eficincia, amarelo e verde, para aplicao em displays numricos e alfanumricos
e sinalizadores em geral.
Os LEDs assumem os mais variados formatos e tamanhos, inclusive os da
categoria SMD - surface mount device, com tamanhos "super reduzidos" ideais para
33

serem instalados em painis de produtos como vdeo cassete, DVD, cmeras de vdeo,
mquinas fotogrficas, etc.
4.3.4 Chave Liga/Desliga
Chave Liga/Desliga o nome genrico para aqueles dispositivos simples, mas
extremamente teis, que ligam ou desligam um circuito eltrico. So usadas nas
entradas de rede, em pontos intermedirios, nas entradas de aparelhos e mquinas, ou
melhor, em tudo onde se faz necessria ligao ou o desligamento da energia
eltrica.

4.3.5 Fusvel
O fusvel como uma vlvula de segurana eltrica usada para permitir a
passagem de corrente at um determinado valor. Quando a corrente excessiva, ele
interrompe o circuito. O mesmo acontece quando ocorre um pico de corrente, como
num curto-circuito. Ele tem que trabalhar rpido e sem erro. Seu pequeno tamanho no
faz justia sua grande importncia. Se o fusvel no abrisse o circuito, interrompendoo, a corrente excessiva poderia queimar os fios e causar prejuzos - ou at mesmo um
incndio.
4.3.6 Medio com o osciloscpio

Fig. 38 Circuito para medio no osciloscpio

34

Fig. 39 Forma de onda do Ripple

Fig. 40 Forma de onda da componente VAC na carga

35

Fig. 41 Forma de onda da Tenso VAC(RMS) no secundrio do transformador

5 Concluses
A realizao do projeto nos permite melhor compreenso do comportamento e
da estrutura interna de fontes de tenso contnua, aprendendo a calcular seus
parmetros atravs das Curvas de Schade e mtodos de anlise estudados em teoria,
tivemos contato direto com a parte prtica da montagem, o que contribui para melhor
conhecimento dos recursos dos laboratrios, melhor eficincia na busca de
informaes, melhor desenvolvimento de relatrios e maior contato com professores e
monitores, enfim, consideramos a proposta deste trabalho excelente e julgamos total
sucesso no projeto.

6 Bibliografia
Cipelli, Antonio Marco Vicari. Teoria e Desenvolvimento de Projetos de
Circuitos Eletrnicos. 11a ed. So Paulo: rica, 1986.
Zenha, Telmo de Oliveira. Eletrnica Fundamental: Teoria e Prtica.
Belo Horizonte: PUCMG/FUMARC,1984
Novo, Darcy Domingues. Eletrnica Aplicada. Vol. 1 1973
36

Sedra, Adel S.; Smith, Kenneth, C. Microeletrnica. 4a ed. So Paulo: Makron

Books, 2000.
Johnson, David E. et al. Fundamentos de Anlise de Circuitos Eltricos.
4a ed. Rio de Janeiro: LTC, 1994.
Braga, Newton C. Curso Bsico de Eletrnica. 5a ed. So Paulo: Saber,
2004.

37