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Captulo

Semicondutores
Semicondutores j foram definidos no captulo anterior, como sendo materiais
com suas bandas de valncia e de conduo separados por uma faixa proibida de
energia de valor no muito elevado (da ordem frao ou alguns eV), sendo que
temperatura de 0 K, todos os estados da banda de valncia esto ocupados e todos
os estados da banda de conduo esto desocupados. Tal material ter uma
condutividade eltrica bastante reduzida em temperaturas normais de operao (bem
maiores que 0 K), de valor intermedirio entre as condutividades de isolantes e de
condutores. Veremos neste captulo diversas propriedades de semicondutores, bem
como a alterao destas pela adio de pequena quantidade de impurezas. Na
verdade, o sucesso dos semicondutores deve-se aos seguintes trs fatores principais:

Existncia de tcnicas de sintetizao de materiais semicondutores de alta pureza,


com nvel de impurezas bem menor que partes por bilho, ppb. Os semicondutores
constituem os materiais de maior pureza usada em aplicaes. Nenhuma outra
aplicao requer tamanho nvel de pureza, exceto talvez, alguns materiais
nucleares.
Existncia de tcnicas de cristalizao de materiais semicondutores com alto nvel
de perfeio cristalina.
Disponibilidade de tcnicas de dopagem (adio de pequena quantidade de
impurezas especficas) controlada, em nvel e local no semicondutor, permite
assim alterar localmente as propriedades do semicondutor. Isto por sua vez
permite o desenvolvimento de inmeros dispositivos, eletrnicos, pticos e
sensores.

Existe um grande nmero de materiais semicondutores. A tabela 8.1 lista uma


srie delas. J foi mencionado na captulo 5 que o semicondutor mais usado o silcio
e explicado o porqu, baseado nas vrias boas propriedades deste. Aplicaes
especficas, no entanto, podem requerer semicondutores diferentes ao do Si, como
o caso de dispositivos pticos, detetores, dispositivos de alta freqncia e outros.
Cada semicondutor tem a sua estrutura de banda especfica, com parmetros
especficos de banda proibida, EG, massa efetiva, estrutura direta ou indireta e outros.
Tambm o parmetro de rede de cada cristal semicondutor especifico, onde
lembramos que parmetro de rede o valor da dimenso do lado da clula unitria da
sua rede cristalina. Os grficos da Fig. 8.1 apresentam valores de EG e de parmetros
de rede de vrios semicondutores. As linhas representam ligas formadas pela mistura
dos materiais dos semicondutores dos extremos das mesmas. Observa-se que tanto a
banda proibida como o parmetro de rede varia gradualmente entre os valores dos
dois semicondutores, dependendo diretamente da frao dos dois componentes na
liga. A importncia do parmetro de rede est relacionada com a compatibilidade de
fabricar estruturas de semicondutores compostas por camadas de diferentes
materiais. relativamente simples crescer uma camada cristalina de material
semicondutor que tenha parmetro de rede bem prximo ao do substrato, enquanto
que o oposto ocorre se os dois materiais apresentarem parmetros de rede distintos.
As linha cheias e os pontos cheios da Fig. 8.1a indicam semicondutores de estrutura
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.1

de bandas do tipo direta, enquanto que linhas tracejadas e pontos no preenchidos


indicam semicondutores de estrutura de bandas do tipo indireta. A Fig. 8.1b refere-se
a semicondutores em desenvolvimento mais recente e de grande interesse para
aplicaes pticas de emisso no azul (alto EG, ou baixo comprimento de onda).

Fig. 8.1 Valores de banda proibida e de parmetros de rede de vrios semicondutores


e de suas ligas, representados pelas linhas de ligao entre semicondutores, a)
semicondutores tradicionais e b) semicondutores mais recentes.
Tabela 8.1 Materiais semicondutores
Classificao
Exemplos
Elementares

Si, Ge

Compostos III-V

Binrios

Compostos II-VI

Ternrios
Quaternrios
Binrios
Ternrios

GaAs, InP, GaSb, AlP, AlAs, AlSb, GaN,


GaP, InAs, InSb
AlXGa1-XAs, InXGa1-XP, GaAsXP1-X,
InXGa1-XAsYP1-Y
ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe,
CdTe, HgS
HgXCd1-XTe

Nota: Os ndices X e Y representam fraes estequiomtricas variando de 0 a 1. Por exemplo, o


composto Al0.3Ga0.7As significa que para cada 10 tomos de As tem-se 3 tomos de Al e 7 tomos de
Ga.

8.1 Reviso de Modelos para Semicondutores


Podemos representar o semicondutor pelo modelo de bandas como mostrado nas
figuras 7.3 e 7.13, ou ainda alternativamente por modelo de ligaes qumicas como
mostrado na Fig. 8.2. Este modelo uma representao idealizada bidimensional.
Sabemos que na verdade cada tomo apresenta ligaes covalentes com 4 tomos
vizinhos, como representados na Fig. 8.2, porm em configurao tridimensional,
como ilustrado na Fig. 8.3. O modelo como apresentado na Fig. 8.2 no entanto uma
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.2

simplificao e tem tambm a sua utilidade, como ilustrado na Fig. 8.4. A Fig. 8.4a
utiliza o modelo de ligaes para representar uma vacncia (falta de um tomo) no
cristal, enquanto a Fig. 8.4b ilustra o rompimento de uma ligao covalente entre dois
tomos vizinhos, criando um ligao incompleta (lacuna) e um eltron livre (eltron na
banda de conduo). A Fig. 8.5 detalha a equivalncia entre os modelos de ligaes
qumicas e de bandas, nos casos de material a) sem portadores (por exemplo,
semicondutor a 0 K), b) com eltrons livre na banda de conduo criados pelo
rompimento de ligaes qumicas e c) com o deslocamento de uma lacuna pela
transferncia de uma ligao incompleta para uma posio vizinha. Lembramos que a
gerao de um par eltron-lacuna se d pela passagem de eltrons da banda de
valncia para um estado da banda de conduo, atravs de recebimento de energia
por alguma forma (por exemplo por temperatura ou vibrao da rede do cristal). Este
fenmeno equivalente ao do rompimento da ligao qumica covalente entre dois
tomos vizinhos. Ambos os modelos, de bandas de energia e de ligaes qumicas
podem ser usados indistintamente, dependendo apenas da convenincia. Sem
dvida, o modelo de bandas de energia usado com maior freqncia.

Fig. 8.2 Modelo de ligaes qumicas de semicondutores

Fig. 8.3 a) Ilustrao da clula unitria de cristal de Si (ou similar) com a


representao das ligaes qumicas entre os tomos vizinhos em arranjo
tridimensional; b) Detalhe das ligaes qumicas de um tomo com seus 4 vizinhos.

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Fig. 8.4 Uso do modelo de ligaes para representar a) uma vacncia (falta de um
tomo no cristal) e b) rompimento de uma ligao com liberao do eltron (gerao
do par eltrons-lacuna).

Fig. 8.5 Visualizao de portadores usando o modelo de ligaes (esquerda) e de


bandas de energia (direita) nos casos a) sem portadores, b) eltron livre e c) lacuna.

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8.2 Propriedades dos Portadores


Apresentaremos neste item duas propriedades bsicas de semicondutores, ou
seja, a concentrao intrnseca de portadores (eltrons e lacunas) e a massa efetiva
dos mesmos.
Lembramos do captulo 7 que, um semicondutor a 0 K apresenta todos os
estados da banda de valncia ocupados e nenhum eltron ocupando estados da
banda de conduo, ou seja, todas as ligaes covalentes entre tomos vizinhos
esto completas. Ao aquecermos o material semicondutor, os tomos da rede
comeam a vibrar e podem eventualmente transferir energia a eltrons da banda de
valncia, os quais iro ento ocupar estados da banda de conduo. Este processo
chamado de gerao trmica de portadores e ilustrado na Fig. 8.6. Em semicondutor
puro, sem impurezas, chamado de semicondutor intrnseco, o nmero de eltrons e
de lacunas sempre ser igual, j que os dois so gerados (termicamente) aos pares.
Definimos n como o nmero de eltrons/cm3 e p como o nmero de lacunas/cm3.
Definimos ainda o nmero ni como sendo a concentrao de portadores de um
material intrnseco, sendo que neste caso teremos ni = n = p. intuitivo assumir que o
nmero destes portadores cresce com a temperatura do material e que, quanto menor
a banda proibida maior este nmero (maior nmero de eltrons da banda de valncia
receber energia suficiente para alcanar um estado na banda de conduo). Desta
forma podemos afirmar que a taxa de gerao de portadores uma funo da
temperatura de da largura da banda proibida, como indicado na relao:
G = f (T , EG )

(8.1)

Fig 8.6 Ilustrao da gerao do par eltron-lacuna, pelo modelo de bandas de


energia.
Concomitantemente com a gerao trmica de portadores teremos tambm o
processo de recombinao de portadores. Tambm por intuio podemos dizer que a
taxa de recombinao deve ser dada por:

R = .n. p

(8.2)

O processo de recombinao depende da probabilidade de um par eltron e lacuna se


encontrarem e o eltron decair para o estado da lacuna. Esta probabilidade aumenta
linearmente com o aumento de ambas as concentraes, e portanto dada como
proporcional ao produto das mesmas. Aps o semicondutor permanecer numa dada
temperatura, as concentraes de eltrons e lacunas tendem a um valor de equilbrio,
dado pela condio em que as taxas de gerao e de recombinao se igualam.
Desta forma teremos:
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.5

R = .n. p = G = f (T , EG )

(8.3)

n = p = ni = f (T , EG )

(8.4)

A tabela 8.2 apresenta valores de concentrao intrnseca de portadores em


diferentes semicondutores temperatura ambiente. Observa-se que o valor de ni
maior quanto menor o EG do semicondutor. Avaliando os valores da tabela, observase que os mesmos so relativamente muito baixos. Tomemos por exemplo o Si e
comparemos o valor de ni com o nmero total de ligaes covalentes. Si apresenta
uma densidade atmica de 5 x 1022 cm-3 e portanto uma densidade de ligaes
covalentes 4 vezes maior, ou seja, 2 x 1023 cm-3. Isto significa que o nmero de
ligaes qumicas rompidas (gerao de pares eltron-lacuna) dado por ni/(2 x 1023),
ou aproximadamente 10-13. No caso de GaAs este nmero de aproximadamente 1017
. Portanto, o nmero de ligaes qumicas rompidas temperatura ambiente
relativamente muito pequeno.
Tabela 8.2 Valores de concentrao intrnseca de portadores e da massa efetiva de
eltron (m*n) e de lacuna (m*p) normalizadas pela massa em repouso do eltron (m0),
para diferentes semicondutores temperatura de 300 K.
Semicondutor EG[eV]
ni[cm-3]
m*n/m0
m*p/m0
13
Ge
0.66
2.4 x 10
0.55
0.37
Si
1.12
1.18 x 1010
1.18
0.81
GaAs
1.42
1.76 x 106
0.065
0.52
No item 7.4 foi apresentado o conceito de massa efetiva de portadores. Foi
mostrado que a massa efetiva do portador uma massa que permite usar a lei de
Newton da fsica clssica. Portanto, a massa efetiva engloba os efeitos qunticos do
potencial interno da rede cristalina, sobre o portador. A definio da massa efetiva
como apresentada, permite tratar os portadores como sendo partculas clssicas de
massa igual sua massa efetiva. A tabela 8.2 apresenta os valores mdios das
massas efetivas de eltrons e lacunas normalizadas com a massa de repouso de
eltrons. Observa-se destes valores que a massa efetiva dos eltrons bem pequena
no caso de GaAs e maior no caso de Si. A massa efetiva de lacunas no varia muito
entre os 3 semicondutores listados.

8.3 Semicondutores Extrnsecos


No item anterior apresentamos propriedades de semicondutores considerados
intrnsecos, ou seja, semicondutores puros sem adio de impurezas que alterem a
concentrao dos portadores. Semicondutores dopados, pela adio de impurezas
que alterem a concentrao dos portadores, so chamados de semicondutores
extrnsecos. Impurezas de elementos qumicos das colunas IIIA e VA da tabela
peridica constituem dopantes para semicondutores elementares como Si e Ge. No
caso de semicondutores compostos como GaAs e similares, a dopagem, com
alterao da concentrao de portadores, pode ser obtida por elementos das colunas
II, IV e VI da tabela peridica. Na prtica, no existem semicondutores com nvel de
pureza que os tornem intrnsecos. Como j apresentamos anteriormente (Captulo 5),
os materiais sintetizados podem chegar a nvel de pureza de ppb, o que representa
uma concentrao de impurezas da ordem de 1013 tomos/cm3. Veremos agora, como
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.6

impurezas no semicondutor alteram as concentraes de seus portadores (eltrons e


lacunas).
Adicionando pequenas concentraes de elemento da coluna VA da tabela
peridica rede cristalina de Si, com estes elementos tornando-se substitucionais
(ocupando posio da rede cristalina, com ligao qumica com os 4 tomos vizinhos
de Si), teremos uma situao como ilustrado na Fig. 8.7a. Observa-se da Fig.8.7a que
o tomo substitucional de valncia 5, ter um eltron em excesso que no tem como
formar um par de ligao covalente. Este quinto eltron, sem formar par de ligao
qumica, ficar fracamente ligado ao seu tomo, sendo facilmente liberado pelo
mesmo, tornando-se um eltron livre do cristal. Em outras palavras, com pouca
energia (trmica por exemplo), este eltron passa para a banda de conduo do
cristal, aumentando a concentrao n de eltrons. Considerando agora a relao
(8.2), conclui-se que, pelo aumento da concentrao n, resulta um aumento na taxa
de recombinao dos portadores e conseqentemente, uma reduo na concentrao
das lacunas. Isto significa que, pela adio de elementos da coluna VA ao cristal de
Si, teremos um incremento na concentrao n e uma reduo na concentrao p.
Nesta situao, os eltrons sero portadores majoritrios e as lacunas, portadores
minoritrios. Como a conduo eltrica deste material ser feita predominantemente
por cargas negativas (eltrons), o mesmo ser chamado de material tipo n (de
negativo). A impureza da coluna VA, que liberou o seu quinto eltron, chamado de
doadora, por ter doado um eltron. Como dopantes doadoras para Si tem-se os
seguintes elementos: P, As e Sb. Os outros elementos da mesma coluna, N e Bi,
apresentam caractersticas no desejadas que os tornam no prticos para serem
usados. O tomo doador, aps doar seu quinto eltron, transforma-se num on de
carga +q. A criao destes ons positivos concomitante com a gerao equivalente
de eltrons de carga negativa na banda de conduo, de forma que a neutralidade de
cargas do material preservada.

Fig 8.7 Ilustrao da dopagem de cristal de Si por tomos a) tipo doadores (elementos
da coluna VA) e b) tipo aceitador (elemento da coluna IIIA), em posies
substitucionais.
Adicionando agora pequenas concentraes de elemento da coluna IIIA da
tabela peridica rede cristalina de Si, de forma tambm substitucional, teremos uma
situao como ilustrada na Fig. 8.7b. Observa-se da Fig.8.7b, que o tomo
substitucional de valncia 3 apresenta a falta de um eltron, deixando a ligao
covalente incompleta com um dos 4 tomos vizinhos de Si. Esta ligao qumica com
orbital incompleto, pode facilmente receber um eltron de uma ligao qumica
vizinha, formando-se assim uma lacuna. Em outras palavras, com pouca energia
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.7

(trmica por exemplo), um eltron da banda de valncia do cristal passa para o estado
vazio associado a tomo da coluna IIIA, aumentando assim a concentrao p de
lacunas. Considerando agora a relao (8.2), conclui-se que, pelo aumento da
concentrao p, resulta um aumento na taxa de recombinao dos portadores e
conseqentemente, uma reduo na concentrao dos eltrons. Isto significa que,
pela adio de elementos da coluna IIIA ao cristal de Si, teremos um incremento na
concentrao p e uma reduo na concentrao n. Nesta situao, as lacunas sero
portadores majoritrios e os eltrons, portadores minoritrios. Como a conduo
eltrica deste material ser feita predominantemente por cargas positivas (lacunas), o
mesmo ser chamado de material tipo p (de positivo). A impureza da coluna IIIA, que
recebeu o eltron proveniente da banda de valncia, chamada de aceitadora, por ter
aceito um eltron. Como dopantes aceitadoras para Si tem-se os seguintes
elementos: B, Al, Ga e In. Dentre estes, o B o dopante aceitador mais usado, tendo
em vista que apresenta maior solubilidade slida (ver Fig. 4.18) e outras
consideraes tcnicas. O tomo aceitador, aps receber seu quarto eltron
transforma-se num on de carga -q. A criao destes ons negativos concomitante
com a gerao equivalente de lacunas de carga positiva na banda de valncia, de
forma que a neutralidade de cargas do material preservada.
Pelo exposto acima, temos que um semicondutor tipo n apresenta alta
concentrao n e baixa concentrao p e vice-versa para o semicondutor tipo p. No
item 8.6 ser demonstrado que, independente do nvel de dopagem, o produto n.p
constante e dado pela relao (8.5), desde que o material esteja em equilbrio trmico.
Por equilbrio trmico entende-se que o material est em temperatura uniforme e que
no h outra forma de energia sendo fornecida ao material. A relao (8.5) coerente
com os argumentos usados acima, pelos quais, pelo aumento artificial de um dos
portadores reduz-se concomitantemente a concentrao do portador complementar.
imediato observar que a relao (8.5) vale tambm para o caso particular do
semicondutor intrnseco (a partir da relao 8.4).
n. p = ni2

(8.5)

Associado aos tomos doadores e aceitadores devemos ter nveis de energia


no previstos no cristal perfeito. No cristal perfeito temos a banda proibida totalmente
livre de estados, como visto no captulo anterior. Um defeito cristalino, tipo tomo de
impureza substitucional e outros, causa uma perturbao no potencial peridico da
rede. Esta perturbao altera a soluo local da equao de Schrdinger, podendo
resultar inclusive num estado permitido dentro da banda proibida do cristal. Isto
realmente acontece no caso dos dopantes doadores e aceitadores. No caso dos
dopantes doadores, introduzido um estado prximo e logo abaixo do mnimo da
banda de conduo. Uma interpretao e clculo aproximado da posio do nvel da
energia deste estado apresentado como segue. O quinto eltron do tomo doador
no forma par de ligao qumica e fica orbitando em torno do seu tomo com baixa
energia de ligao e raio bem grande, como ilustrado na Fig. 8.8. Este sistema pode
ser visto como um par on positivo (de fsforo na Figura) e um eltron, similar ao
tomo de hidrognio. Assim, em primeira aproximao, pode-se usar os resultados
dos clculos da energia de ligao do eltron ao ncleo de hidrognio (relao 2.20),
substituindo agora a constante dieltrica do vcuo pela constante dieltrica do Si e a
massa do eltron pela massa efetiva do eltron no Si. Desta forma, obtm-se:

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.8

mq 4
EB =
2(4 . K S o .

)2

m 1
m 1
=
.
.E H =
.
( 13.6 ) 0.1eV
m K S2
m K S2

(8.6)

Fig 8.8 Ilustrao dos estados introduzidos pelos tomos de fsforo em cristal de Si.
Os traos indicam a natureza localizada dos estados.
Portanto, os tomos doadores introduzem um estado em nvel de energia de
aproximadamente 0.1 eV abaixo do mnimo da banda de conduo. Por clculos mais
precisos e por medidas experimentais obtm-se os valores apresentados na Tabela
8.3, para tomos doadores e aceitadores. No caso dos tomos aceitadores, a energia
refere-se distncia do nvel em relao ao topo da banda de valncia do Si e acima
desta. A Fig. 8.8i uma ilustrao dos nveis dos tomos de fsforo introduzidos no
cristal de Si. Nota-se que os estados so representados por linhas tracejadas. Isto se
deve ao fato dos tomos dopantes estarem em concentraes bem menores que a
densidade dos tomos de Si, ou seja, tem-se tomos dopantes distantes entres si de
vrias dezenas a milhares de distncias atmicas do cristal. Os dopantes no formam
um contnuo de tomos mas sim uma distribuio discreta de tomos localizados.
Tabela 8.3 Energias dos nveis introduzidos por dopantes doadores (abaixo do nvel
EC) e aceitadores (acima no nvel EV) em cristal de Si.
Doador
EC-ED [eV]
Aceitador
EA-EV [eV]
Sb
0.039
B
0.045
P
0.045
Al
0.067
As
0.054
Ga
0.072
In
0.16
Um outro aspecto a ser considerado a influncia da temperatura do material
sobre a ocupao por eltrons dos estados introduzidos. Este comportamento
ilustrado na Fig. 8.8ii para material tipo n (a) e para material tipo p (b). No caso de
temperatura de 0 K, todos os eltrons iro ocupar os estados de mais baixa energia
possvel. Desta forma, temos que no material tipo n, os eltrons doados pelos tomos
dopantes retornam a seus nveis originais, ou seja, voltam a se ligar aos tomos
doadores, ocupando os estados ED logo abaixo de EC. No caso do material tipo p, os
ons aceitadores liberam os eltrons que estavam ocupando os estados EA
introduzidos, com estes eltrons retornando ao seu nvel original na banda de
valncia. Aquecendo novamente o material, temos inicialmente os eltrons dos
estados de nvel ED do material tipo n adquirindo energia e indo para estados dentro
da banda de conduo. temperatura ambiente podemos considerar que todos os
tomos doadores estejam ionizados, ou seja, com seus eltrons dos estados ED
mudados para a banda de conduo. No caso do material tipo p, com aumento da
temperatura, temos inicialmente alguns eltrons da banda de valncia indo ocupar os
estados associados aos tomos aceitadores, criando assim lacunas. temperatura
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.9

ambiente, podemos considerar que todos os tomos aceitadores estejam ionizados,


ou seja, com os estados em nvel EA todos ocupados. Veremos nos prximos itens
que, temperatura ambiente, podemos aproximar a concentrao de eltrons em
material tipo n concentrao de impurezas doadoras e a concentrao de lacunas
em material tipo p concentrao de dopantes aceitadores.

Fig 8.8ii Visualizao do efeito dos dopantes, temperatura de O K, a baixa


temperatura e temperatura ambiente, usando diagramas de banda para material a)
tipo n e b) tipo p.
Neste momento, o autor recomenda que o aluno faa uma reviso dos
seguintes conceitos e termos apresentados no item: semicondutor intrnseco,
semicondutor extrnseco, dopantes, doadores, aceitadores, material tipo n, material
tipo p, portadores majoritrios e portadores minoritrios.

8.4 Distribuio de Estados e Portadores nas Bandas


A distribuio da densidade de estados nas bandas de valncia e de conduo
obtida a partir das solues da equao de Schrdinger no potencial peridico do
cristal, como apresentado no captulo 7. Mostra-se que as densidades de estados na
parte inferior da banda de conduo e na parte superior da banda de valncia podem
ser aproximadas respectivamente por:

mn 2mn (E EC )
g C (E ) =
2 3

para E EC

m p 2m p (EV E )

para E EV

gV ( E ) =

2


(8.8)

(8.7)

A Fig. 8.9 apresenta as curvas de densidade de estados nas duas bandas de energia.
Nota-se das expresses 8.8 e 8.9 que o formato das duas curvas so as mesmas,
porm ambas apresentam constantes distintas, dada a diferena das massas efetivas
dos eltrons de conduo e de valncia (lacunas). Lembramos tambm o fato j
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.10

discutido no captulo 7, que o nmero total de estados na banda de conduo e na


banda de valncia dado por 4 vezes N, onde N a densidade de tomos de Si. Em
razo disto, o nmero total de estados conservado quando aproximamos os tomos
de Si (cada tomo de Si apresenta 8 estados disponveis na sua ltima camada, os
quais so transformados nas bandas de valncia e de conduo do cristal).

Fig 8.9 Representao das distribuies de densidade de estados nas bandas de


conduo e de valncia.
Conhecida a densidade de estados, a prxima questo saber quais estados
estaro ocupados por eltrons. Para responder a esta questo devemos novamente
tomar os resultados dados pela mecnica estatstica, como apresentado no captulo 6
e vlida apenas em condies de equilbrio trmico do material. A funo estatstica
vlida para descrever a distribuio mais provvel de eltrons em estados qunticos
a funo de Fermi-Dirac e dado por:
f (E ) =

1
1+ e

( E E F ) kT

(8.9)

onde: EF a energia de referncia de Fermi ou nvel de Fermi, k a constante de


Boltzmann (8.62 x 10-5 eV/K) e T a temperatura absoluta (K).
A Fig. 8.10 mostra curvas da funo de Fermi-Dirac para a) temperatura de 0 K e b)
temperatura maior que 0 K. A 0 K observa-se que a funo abrupta em E=EF,
enquanto que para temperatura maior a funo torna se mais gradual em torno de
E=EF, onde ela sempre vale 0.5.
A funo de Fermi-Dirac pode ser aproximada para funes mais simples nos
casos da energia ser bem maior ou bem menor que o nvel EF. No caso de termos E >
EF + 3 kT, podemos usar a seguinte aproximao:

f ( E ) e ( E EF ) kT

(8.10)

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.11

Fig 8.10 Curvas da funo de Fermi-Dirac para a) T = 0 K e b) T > 0 K


A funo dada em (8.10) corresponde funo estatstica de Maxwell-Boltzmann
(usada em sistemas como gases, onde no h a restrio do princpio de excluso de
Pauli). Agora, no caso de termos E < EF - 3 kT, podemos usar a seguinte
aproximao:

f ( E ) 1 e ( E EF ) kT

(8.11)

Ao invs de calcular a probabilidade de ocupao do estado, podemos calcular seu


complemento, ou seja, a probabilidade do estado estar desocupado. Para os estados
da banda de valncia, isto corresponde probabilidade de termos uma lacuna. Assim
definimos esta funo como sendo fL(E). A partir da relao (8.11) obtemos:

f L = 1 f ( E ) e ( E EF ) kT

(8.12)

Desta forma, podemos novamente usar a funo estatstica de Maxwell-Boltzmann


para descrever a probabilidade de ter-se lacunas na banda de valncia, desde que
satisfeita a desigualdade E < EV < EF - 3 kT.
De forma geral no devemos usar a funo estatstica de Boltzmann mas sim a
funo de Fermi-Dirac. Inicialmente iremos considerar o caso genrico para
determinar a distribuio de eltrons e de lacunas nas bandas de conduo e de
valncia respectivamente. Nesta situao a definio da funo fL(E) a mesma,
porm sua expresso como segue:
f L = 1 f (E) = 1

1
1+ e

( E EF ) kT

1+ e

(EF E )

kT

(8.13)

A distribuio de eltrons na banda de conduo obtida pela multiplicao da


funo densidade de estados, (8.7), pela funo probabilidade de ocupao dos
estados, (8.9). Similarmente, a distribuio de lacunas na banda de valncia obtida
pela multiplicao da funo densidade de estados, (8.8), pela funo probabilidade
de desocupao dos estados, (8.13). Estas operaes so ilustradas graficamente na
Fig. 8.11, para trs posies do nvel de Fermi, a) dentro da metade superior da
banda proibida, b) na metade da banda proibida e c) dentro da metade inferior da
banda proibida. Observa-se que, no caso do nvel de Fermi estar na metade superior
da banda proibida, o nmero de eltrons muito superior ao nmero de lacunas,
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.12

correspondendo a material tipo n. Similarmente, no caso do nvel de Fermi estar na


metade inferior da banda proibida, o nmero de lacunas muito superior ao nmero
de eltrons, correspondendo a material tipo p. No caso particular do nvel estar
exatamente no meio da banda proibida, teremos aproximadamente igual nmero de
eltrons e de lacunas, correspondendo ao caso do material intrnseco. O leitor devese perguntar porque aproximadamente e no exatamente. A resposta est
relacionada diferena das massas efetivas dos eltrons e das lacunas e portanto
funes densidades de estados um pouco distintas. Podemos dizer que num material
intrnseco, o nvel de Fermi localiza-se aproximadamente no nvel mdio entre EC e
EV. A Fig. 8.12 mostra a posio do nvel de Fermi em materiais intrnseco, tipo n e
tipo p, usando como referncia o nvel de Fermi intrnseco.

Fig. 8.11 Diagrama de bandas, funes de densidade de estados, funes de


probabilidade de ocupao de estados e seu complemento e funes de distribuies
dos portadores nas bandas de conduo e de valncia para os casos do nvel de
Fermi localizado a) na faixa da metade superior, b) na metade e c) na faixa da metade
inferior da banda proibida.

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.13

Fig 8.12 Representao usual dos diagramas de bandas de material a) intrnseco,


b) material tipo n e c) material tipo p. O nvel de energia de Fermi intrnseco serve de
referncia e representado por linha tracejada

8.5 Concentrao de Portadores em Equilbrio


Para o clculo do nmero total de eltrons na banda de conduo e de lacunas
na banda de valncia devemos efetuar as integrais dadas abaixo:
EC ,sup

n=
p=


EC

EV
EV ,inf

g C ( E ). f ( E ).dE

(8.14)

gV ( E ).[1 f ( E )].dE

(8.15)

Tendo em vista que a funo de Fermi tende a zero rapidamente para energia acima
de EF, podemos substituir os limites EC,sup e EV,inf, no bem conhecidos, por + e -
respectivamente (isto no altera o resultado, mas simplifica os clculos). Substituindo
as funes dadas em (8.7) e (8.9) na integral (8.14) e as funes dadas em (8.8) e
(8.13) na integral (8.15) e efetuando as integraes obtm-se:

n = NC

p = NV

F1 2 (C )

onde C =

E F EC
kT

(8.16)

F12 (V )

onde V =

EV E F
kT

(8.17)

Onde:
A funo F1/2() uma funo tabulada e no analtica.

2 .mn* .kT
N C = 2.
h2

(8.18)





NC a densidade efetiva de estados na banda de conduo.


N V = 2.

2 .m *p .kT
h2

(8.19)


NV a densidade efetiva de estados na banda de valncia.

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.14

temperatura ambiente (300 K) obtm-se NC = 2.5 x 1019

( )
mn*
m

(cm)-3.

O fato de termos uma soluo no analtica para as densidades de portadores dificulta


em muito a sua utilizao, que no seja por clculo numrico. Mas felizmente, em
muitos casos prticos, podemos utilizar as aproximaes da funo de Fermi dadas
em (8.10) e (8.12). Estas aproximaes podem ser utilizadas sempre que o nvel de
Fermi estiver distante de mais 3.kT das bandas de conduo e de valncia, como
indicado na Fig. 8.13. Define-se o material como sendo degenerado se o nvel de
Fermi estiver com distncia menor que 3kT da banda de conduo ou de valncia. O
material ser chamado de no degenerado no caso contrrio. Desta forma, as
expresses da estatstica de Maxwell-Boltzmann valem apenas no caso de
semicondutores no degenerados. Realizando agora as integrais das expresses
(8.14) e (8.15) com as funes de probabilidades (8.10) e (8.12) obtm-se expresses
analticas simples para as concentraes dos portadores, chamadas de relaes de
Boltzmann:

Fig 8.13 Definio de semicondutores degenerados e no degenerados, como funo


da posio do nvel de Fermi dentro da banda proibida.
n = N C .e

( E F EC )

p = N V .e

(8.20)

kT

( EV E F )

(8.21)

kT

Estas duas relaes de Boltzmann podem ainda ser reescritas nas seguintes formas:
n = ni .e

( EF Ei )

p = ni .e

(8.22)

kT

( Ei E F )

(8.23)

kT

Deixamos como exerccio para o leitor a prova de que as relaes (8.22) e (8.23) so
equivalentes s relaes (8.20) e (8.21) respectivamente (sugesto: considere
inicialmente EF=Ei obtendo n=p=ni).
Das relaes (8.22) e (8.23) obtm-se diretamente que:
n. p = ni2

(8.24)

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.15

ni = N C N V .e

EG

(8.25)

2 kT

A relao (8.24) j foi mencionada no item 8.4 acima, porm sua demonstrao s foi
possvel neste momento. Esta relao indica que, se por alguma maneira artificial,
aumentarmos a concentrao de um dos portadores, a concentrao do outro
portador ser reduzida. Esta relao, importante frisar, s vlida para
semicondutor em condio de equilbrio trmico (pois as funes estatsticas so
vlidas apenas nestas condio). Ainda da relao (8.25), observamos que a
concentrao intrnseca de portadores aumenta exponencialmente com a temperatura
e com o inverso da largura da banda proibida do semicondutor. A variao da
concentrao intrnseca de portadores com a temperatura mostrado na Fig. 8.14,
para os semicondutores Ge, Si e GaAs, de acordo com a relao (8.25).
Considerando agora a condio de neutralidade de cargas do material, alm de
assumir semicondutor em equilbrio trmico e com dopagem uniforme, temos:
p n + N D+ N A = 0

(8.26)

onde N D+ a densidade de impurezas doadoras ionizadas e N A a densidade de


impurezas aceitadoras ionizadas.
No caso do semicondutor estar temperatura ambiente ou maior, podemos assumir
que todos os dopantes estejam ionizados, e nesta situao podemos assumir:
N D+ = N D e N A = N A , onde ND e NA so as concentraes dos dopantes doadores e
aceitadores respectivamente.
Considerando agora que temos um material tipo n, tal que ND>>NA e n>>p,
resulta das relaes (8.26) e (8.24):

ni2
(8.27)
ND
Analogamente, considerando um material tipo p, tal que NA>>ND e p>>n,
resulta:
n ND

p NA

ni2
NA

(8.28)

Como exemplo numrico, para o caso de material de Si tipo p com NA=1015 cm-3 e
ni=1010 cm-3, resulta: p=1015 cm-3 e n=105 cm-3. Estes nmeros reforam bem o
significado de portadores majoritrios e minoritrios, tendo em vista a grande
diferena das suas concentraes, de muitas ordens de grandeza.

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.16

Fig 8.14 Curvas de concentrao intrnseca de portadores versus temperatura para


semicondutores de Ge, Si e GaAs.
Em certos casos, de semicondutores no muito dopados, onde no podemos
desprezar a concentrao de um dos portadores frente do outro, no podemos fazer
as simplificaes assumidas acima na relao (8.26) de neutralidade de cargas.
Assim devemos substituir a relao (8.24) na relao (8.26), como segue:

ni2
n + ND NA = 0
n

(8.29)

Resolvendo esta relao de segundo grau obtm-se:


Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.17

1


N NA
n= D
+
2



ND N A
2

2


+n

2
i

(8.30)


1


n2 N N D
p= i = A
+
n
2





N A ND
2

2


+n

2
i

(8.31)

As relaes (8.30) e (8.31) tm validade para dopagem genrica do semicondutor,


enquanto que as relaes (8.27) e (8.28) so aproximaes das mesmas, vlidas para
materiais com dopagem lquida tipo n ou p bem definidos (>> ni) respectivamente.
As relaes (8.27) a (8.31) mostram como variam as concentraes dos
portadores com o nvel de dopagem. Porm elas mostram tambm que as
concentraes dos portadores dependem da concentrao ni do material, sendo que
esta por sua vez, como j foi visto acima, apresenta uma dependncia exponencial
com a temperatura. Como conseqncia, as concentraes dos portadores tambm
variam com a temperatura. A Fig. 8.15 ilustra como a concentrao de eltrons de um
material n, com dopagem uniforme, varia com a temperatura. temperatura de 0 K,
logicamente a concentrao de eltrons zero. Isto se deve ao fato que, nesta
condio, todos os eltrons ocuparo os estados de mais baixa energia possvel, com
os eltrons extras dos tomos doadores retornando aos seus respectivos estados
originais. Aumentando a temperatura a nveis ainda relativamente baixos, tem-se que
uma frao dos eltrons extras dos tomos doadores liberam-se destes, alm da
eventual e desprezvel gerao de pares eltron-lacunas a partir da transio de
eltron da banda de valncia para a banda de conduo. A frao dos tomos
doadores que liberam seu eltron extra depende da posio relativa do nvel de Fermi
na temperatura em questo (item 8.7), mas certamente crescente com a
temperatura. A faixa de temperatura onde apenas frao dos tomos doadores esto
ionizados chama-se regio de congelamento (T menor que aproximadamente 100 K
para Si). Para temperatura acima da faixa de congelamento temos uma faixa de
temperatura chamada de regio extrnseca de temperatura. Nesta faixa temos que
todos os tomos doadores esto ionizados e ainda valem as seguintes aproximaes:
ni << ND e n ND. Aumentando mais a temperatura, acima da faixa de regio
extrnseca de temperatura, no valem mais as duas aproximaes acima, ou seja, a
gerao de pares eltron-lacuna por transio direta de eltrons da banda de
conduo para a banda de valncia causa um incremento considervel na
concentrao dos portadores majoritrios. Isto significa que a concentrao intrnseca
de portadores torna-se relativamente considervel. Nesta situao o semicondutor
pode voltar a tornar-se novamente intrnseco, caso a temperatura seja to alta na qual
a concentrao intrnseca de portadores torna-se muito maior que o nvel de
dopagem, como ilustra a Fig. 8.15.

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.18

Fig. 8.15 a) Variao da concentrao de portadores majoritrios em Si tipo n com


dopagem ND = 1015 cm-3. A curva tracejada representa a variao da concentrao
intrnseca de portadores com a temperatura, a qual torna-se significativa a partir de
temperatura maior que 400 K. b) Explicao qualitativa relativo s curvas da parte a).

8.6 Variao do Nvel de Fermi com Dopagem e Temperatura


Vimos pelas relaes de Boltzmann que, para o clculo da concentrao dos
portadores, necessrio conhecermos a posio relativa do nvel de Fermi dentro da
banda proibida. Estudaremos neste item as dependncias do nvel de Fermi com a
dopagem do material e com a temperatura.
Consideremos inicialmente um material intrnseco. Neste caso temos a partir
das relaes (8.20) e (8.21):
p = n = ni = N C .e ( Ei EC ) kT = N V .e ( EV Ei ) kT

(8.32)

A partir de (8.32) obtm-se a posio do nvel de Fermi intrnseco:


Ei =

m *p
EC + EV 1
N
E + EV 3
+ kT . ln V = C
+ kT . ln *
2
2
2
4
mn
NC

(8.33)

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.19

A relao (8.33) mostra que o nvel de Fermi intrnseco no exatamente o valor


mdio da banda proibida, porm bem prximo a este nvel. Considerando valores de
massas efetivas da Tabela 8.2 e temperatura ambiente de 300 K, obtm-se o nvel de
Fermi intrnseco 0.0073 eV abaixo do nvel mdio da banda proibida para o caso de Si
(lembre-se que o valor de EG 1.12 eV para Si).
Para o caso de semicondutor extrnseco podemos usar as relaes de
Boltzmann, dadas em (8.22) e (8.23), desde que o nvel da dopagem no chegue a
tornar o material dito degenerado (ou seja, EF deve estar distante dos nveis EC e EV
com diferena maior que 3kT). Assim obtm-se:
a) para material tipo p:

N A p = ni .e ( Ei EF ) kT

E F = Ei kT . ln

NA
ni

(8.34)

E F = Ei + kT . ln

ND
ni

(8.35)

b) para material tipo n:

N D n = ni .e ( EF Ei ) kT


A Fig. 8.16 mostra a variao do nvel de Fermi versus concentrao da dopagem em


Si, considerando temperatura ambiente, calculado a partir das relaes (8.34) e
(8.35).

Fig. 8.16 Curvas de variao da posio do nvel de Fermi com a dopagem de Si


temperatura ambiente.
Analisemos agora a variao do nvel de Fermi com a temperatura do material,
sempre considerando equilbrio trmico. Para determinar a posio do nvel EF
devemos resolver o seguinte sistema de equaes:
n = N C .e

( E F EC )

kT

(8.36)

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.20

p = N V .e

( EV E F )

(8.37)

kT

N D+ = N D [1 F ( E D )]

(8.38)

N A = N A .F ( E A )

(8.39)

p n + N D+ N A = 0

(8.40)

sendo que: F ( E D ) =

1 + 12 .e

( EF ED )

(8.41)

kT

O fator na expresso (8.41) deve-se ao fato do nvel ED apresentar uma


degenerescncia quntica, ou seja, este estado pode ser ocupado tanto por um
eltron de spin + como de spin -. Isto aumenta a sua probabilidade de ocupao.
Consideremos o caso de material de Si do tipo n, sem aceitadores. Neste caso,
realizando as substituies e simplificaes pertinentes, a relao (8.40) fica como
segue:
N V .e ( EV EF ) kT N C .e ( EF EC ) kT + N D .

1 + 2.e

( EF ED )

kT

=0

(8.42)

A determinao do nvel de Fermi pode ser realizada pela soluo da equao (8.42)
acima. A resoluo desta equao no trivial, mas pode ser realizada por mtodos
numricos.
No caso do material estar em temperatura maior que a regio de congelamento
dos dopantes, temos ionizao completa dos mesmos. Neste caso, o procedimento de
clculo do nvel de Fermi torna-se bem mais simples. Calcula-se inicialmente a
concentrao intrnseca de portadores pela relao (8.25). Em seguida podemos
calcular as concentraes de portadores pelas relaes (8.30) e/ou (8.31). Tendo a
concentrao de um dos portadores, podemos calcular o nvel de Fermi diretamente
por uma das relaes de Boltzmann, relaes (8.22) e/ou (8.23).
A Fig.8.17 apresenta as solues determinadas pelos procedimentos expostos
acima para material tipo p e para material tipo n, com vrios nveis de dopagem. As
curvas da Fig. 8.17 merecem as seguintes interpretaes:
temperatura de 0 K, o nvel de Fermi localiza-se junto a ED para material tipo n e
junto a EA para material tipo p. Isto conseqncia do fato da funo de Fermi ser
abrupta a esta temperatura, sendo que os estados dos tomos doadores em E =
ED de material tipo n esto todos ocupados e os estados dos tomos aceitadores
em E = EA de material tipo p esto todos desocupados.
A altas temperaturas, o nvel de Fermi tende ao nvel de Fermi intrnseco do
material. Isto explicado pelo fato da alta taxa de gerao trmica de portadores,
tornando a dopagem desprezvel, comparada aos portadores trmicos. Para
semicondutores com maior nvel de dopagem, necessrio maior temperatura
para alcanar esta situao.

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.21

Fig 8.17 Curvas da posio do nvel de Fermi versus temperatura calculada para
materiais tipo p e tipo n com diferentes valores de dopagem.

8.7 Aes de Portadores


Nos itens anteriores estudamos modelos relativos aos portadores em
condies de equilbrio trmico, ou seja com temperatura uniforme e sem aplicao de
outra forma de energia externa, tipo potncia eltrica, radiao luminosa ou outras. No
entanto, os semicondutores so utilizados normalmente fora desta condio de
equilbrio, como por exemplo, com passagem de corrente eltrica, ou ainda recebendo
luz. Mesmo assim, o estudo dos itens anteriores fundamental, pois os seus
resultados sero usados como referncia para os casos de fora do equilbrio trmico.
Neste e nos prximos itens estudaremos as aes que os portadores podem exercer
sob algum estmulo externo, ou mesmo em alguns casos de condies de equilbrio
trmico. Estas aes so as de deriva, de difuso, de gerao e recombinao,
emisso terminica, tunelamento e avalanche. Neste captulo estudaremos apenas as
trs primeiras aes.
8.7.1 Ao de Deriva
A ao de deriva de portadores o movimento dos mesmos como resposta
aplicao ou presena de um campo eltrico no material. Como descrito pela teoria de
eletromagnetismo, portadores livres respondem a um campo aplicado no sentido de
neutralizar o mesmos. Desta forma, cargas positivas movimentam-se no sentido do
campo eltrico e cargas negativas movimentam-se em sentido contrrio, como
ilustrado na Fig. 8.18. A corrente eltrica resultante deste movimento pode ser
expresso por:
I = q. A.( p.v p + n.v n )

(8.43)

onde: A a seo de rea do semicondutor, vp e vn so as velocidades de deriva ou


de deslocamento das lacunas e dos eltrons respectivamente.

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.22

Fig 8.18 Movimento de deriva dos portadores em uma barra semicondutora submetida
a um campo eltrico.
As concentraes dos portadores necessrios para calcular a corrente podem,
em muitos casos, ser determinadas supondo o semicondutor em equilbrio, como
apresentado nos itens anteriores. O que falta determinar portanto, so as velocidades
de deriva das lacunas e eltrons, resultantes da aplicao do campo eltrico.
Mesmo sem campo eltrico aplicado, os portadores esto continuamente em
movimento, devido energia trmica que recebem. Este movimento trmico no
entanto em direo randmica, de forma que, no h um movimento lquido de
portadores. A velocidade trmica dos portadores pode ser estimado a partir da energia
cintica mdia dos portadores e dada por:
EC =

1 * 2
3
m vter = kT
2
2

(8.44)

Considerando a massa efetiva de eltrons em Si e temperatura ambiente, obtm-se


velocidade trmica de 2.3 x 107 cm/s e energia cintica mdia de 0.04 eV. Esta
energia cintica significa que em mdia os eltrons tem energia que corresponde a
nvel de 0.04 eV acima do mnimo da banda de conduo, EC. O valor da velocidade
trmica, da ordem de 107 cm/s, um valor relativamente bem alto. Comparando com
a velocidade da luz, ela da ordem de um milsimo desta. O movimento trmico
randmico dos portadores no do tipo linear contnuo, mas sim por movimento
interrompido por colises de vrios tipos. Aps cada coliso o portador muda de
direo, mantendo no entanto a randomicidade, como ilustrado na Fig. 8.19a. Com
aplicao de campo eltrico, tem-se superposto ao movimento Brauniano, uma
acelerao das cargas pelo campo eltrico entre uma coliso e outra, como ilustrado
na Fig. 8.19b, resultando num deslocamento lquido. Entre os instantes das colises,
os portadores apresentam variao da velocidade dada por:

v (t ) = v (0) + a.t

(8.45)

q.
m*
Podemos considerar que a mdia das velocidades iniciais aps as colises seja 0,
dado que as colises resultam em novas direes totalmente aleatrias, sobretudo se
considerarmos que, para campos eltricos no muito intensos, a velocidade de deriva
dos portadores ainda muito menor que sua velocidade trmica. Definimos c como
sendo o tempo mdio entre colises dos portadores. Desta forma podemos calcular a
velocidade mdia de deriva, vd, a partir da relao (8.45), resultando:

onde: a a acelerao dada pela fora do campo eltrico, , dada por a =

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.23

vd =

a. c q c
= *
= .
2
m 2

onde: =

(8.46)

q. c
chamado de mobilidade do portador, dado em [cm2/V.s].
*
2.m

Fig. 8.19 a) Ilustrao do movimento trmico randmico de portadores a T > 0 K e


sem campo eltrico aplicado e b) deslocamento lquido de portadores submetivos a
um campo eltrico superposto ao movimento randmico.
A relao (8.45) mostra que a velocidade de deriva dos portadores proporcional ao
campo eltrico aplicado, ao contrrio de termos uma acelerao constante e
proporcional ao campo eltrico como acontece com cargas submetidos a um campo
eltrico no espao livre. Este resultado aplica-se a todos os slidos em geral, dando
origem conhecida lei de Ohm.
A validade da relao (8.45) confirmada experimentalmente para campos
eltricos no muito intensos, como mostram as curvas da Fig. 8.20. Para campos
eltricos fracos, o tempo mdio entre colises constante e determinado pela
velocidade trmica dos portadores. Para campos eltricos intensos no entanto, a
velocidade de deriva torna-se da mesmo ordem de grandeza da velocidade trmica,
causando uma reduo do tempo mdio entre colises, com conseqente reduo da
mobilidade. Por este motivo, fica impossvel aumentar a velocidade dos portadores
alm de uma velocidade de saturao, da ordem de 107 cm/s, como indicam as curvas
da Fig. 8.20. Da relao (8.45), temos que a mobilidade depende diretamente do
tempo mdio entre colises e inversamente proporcional massa efetiva dos
portadores. Isto explica porque a mobilidade de eltrons e lacunas em Si so
diferentes entre Si (tempo mdio entre colises das lacunas deve ser bem menor,
dado que sua massa efetiva menor que a do eltron, ver Tabela 8.2) e porque a
mobilidade de eltrons em GaAs bem maior que em Si (massa efetiva de eltrons
em GaAs bem menor que em Si, ver Tabela 8.2). Observa-se no entanto uma
particularidade interessante na curva de velocidade de deriva de eltrons em GaAs,
com uma reduo de velocidade para campos acima de 3 x 103 V/cm. Isto explicado
pela transio de estados dos eltrons quando estes adquirem maior energia cintica.

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.24

Fig. 8.20 Variao da velocidade de deriva versus campo eltrico aplicado para
eltrons e lacunas de Si e eltrons em GaAs.
Para campo eltrico intenso estes eltrons passam de estados do mnimo principal da
banda de conduo para o mnimo secundrio, onde a massa efetiva maior (ver Fig.
7.12). A massa efetiva no varia apenas com o tipo de portador e com o tipo do
material, mas tambm com a direo cristalina, ou seja com a orientao cristalina do
plano da corrente eltrica. Como conseqncia, em Si, a mobilidade de eltrons
maior em planos (100), enquanto que a mobilidade de lacunas maior em planos
(111).
Vimos acima que a mobilidade varia linearmente com o tempo mdio entre
colises. Mas o que so estas colises afinal? As colises no incluem apenas
colises do portador com o ncleo dos tomos, mas sobretudo espalhamentos
(scattering) causados por perturbao no potencial peridico da rede cristalina. Num
potencial peridico ideal fixo, clculos de mecnica quntica no prevem
espalhamentos do portador e portanto nem troca de energia com a rede. Num cristal
real a T > 0 K, tem-se trs possveis causas de espalhamentos dos portadores:
Espalhamento com o potencial oscilante da rede, causada pela vibrao trmica
do tomos do material, ou seja, com a energia dos fnons. Quanto maior a
temperatura, maior a amplitude desta vibrao, maior a perturbao do potencial
eletrosttico da rede, maior a seo de choque do espalhamento e portanto
aumenta a probabilidade do espalhamento do portador.
A presena de impurezas, tipo dopantes ou outros, causa uma perturbao
contnua do potencial eletrosttico na posio do mesmo. Esta perturbao
constitui uma fonte de espalhamento do portador ao se deparar com a mesma.
Esta fonte de espalhamento mais pronunciada quanto maior a densidade de
impurezas e quanto menor a temperatura, quando o espalhamento com os fnons
reduzido.

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.25

Como terceira fonte de espalhamento temos os defeitos cristalogrficos tipo


vacncias, discordncias, etc. Estes tambm introduzem perturbaes no
potencial peridico da rede, dando origem a espalhamento dos portadores. Nos
cristais disponveis de semicondutores, esta fonte de espalhamento normalmente
insignificante.

A freqncia de colises dada pela soma das colises de cada tipo.


Desprezando a freqncia de colises por defeitos cristalogrficos, resulta:

ter

imp

(8.47)

Como conseqncia podemos tambm desmembrar a mobilidade em dois termos


correspondentes como segue:

ter

imp

(8.48)

A Fig. 8.21 mostra a variao da mobilidade de eltrons em Si versus temperatura


parametrizado com o nvel de dopagem ND. Para baixas dopagens, prevalece o efeito
do espalhamento trmico sobre a curva da mobilidade. Mostra-se que o tempo mdio
entre colises com os tomos da rede, bem como a mobilidade, segue uma relao
3
proporcional a T 2 . Para altas dopagens tem-se um efeito predominante do
espalhamento com impurezas, sobretudo a baixas temperaturas. Mostra-se que o
tempo mdio entre colises com impurezas, bem como a mobilidade, segue uma
3
relao proporcional a T 2 . Uma explicao para este ltimo comportamento como
segue. A energia trmica do portador aumenta com a temperatura (ver relao 8.44),
enquanto que a energia potencial de uma carga em torno de uma impureza ionizada
independente da temperatura e dada por:

Ep =

Z .q 2
4 Si r

(8.49)

Assim, quanto maior a temperatura, a energia potencial relativa ao on torna-se


desprezvel comparada com a energia trmica do portador, como conseqncia o
portador tende a no mais sentir o efeito da impureza, aumentando assim o tempo
mdio entre estas colises.
A variao da mobilidade de eltrons e de lacunas com o nvel de dopagem em
Ge, Si e GaAs para temperatura fixa de 300 K mostrada na Fig. 8.22. Valores tpicos
de mobilidade de portadores para vrios semicondutores temperatura ambiente e
com baixa dopagem (< 1016 cm-3) so apresentados na Tabela 8.4. Observa-se
valores altos de mobilidades de eltrons para semicondutores compostos tipo III-V,
especialmente os de menor valor de banda proibida.

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.26

Fig. 8.21 Variao da mobilidade de eltrons em Si versus temperatura,


parametrizado com o nvel de dopagem Nd. O inserto ilustra a variao das duas
componentes (trmica e impurezas) da mobilidade com a temperatura.
Tabela 8.4 Valores de mobilidade de eltrons e de lacunas e do valor de EG em vrios
semicondutores, para baixa dopagem e temperatura fixa de 300 K.
Material
EG [eV]
n [cm2/V.s]
p [cm2/V.s]
C (diamante)
5.47
1800
1200
Ge
0.66
3900
1900
Si
1.12
1500
450
GaSb
0.72
5000
850
GaAs
1.42
8500
400
GaP
2.26
110
75
InSb
0.17
80000
1250
InAs
0.36
33000
460
InP
1.35
4600
150

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.27

Fig. 8.22 Variao da mobilidade de eltrons e de lacunas em Ge, Si e GaAs versus


nvel de dopagem, temperatura de 300 K.
Tendo agora a relao da velocidade de deriva de portadores em funo do
campo eltrico no material (relao 8.46), podemos voltar expresso da corrente
dada em (8.43). Desta expresso podemos escrever a densidade de corrente de
deriva como dado por:
J der = J p + J n = q( p.v d , p + n.v d ,n ) = q( p. p + n. n )

(8.50)

A partir da expresso (8.50) podemos determinar a expresso da resistividade


do semicondutor, , dadas as definies de densidade de corrente e de resistncia de
uma barra de semicondutor, ilustrado na Fig. 8.23:
J=

I
1 V
= .
A A R

R = .

l
A

(8.51)

Combinando estas definies (8.51) com a expresso (8.50) obtm-se:

1V
1
= =
J l
J q( p. p + n. n )

(8.52)

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.28

Fig. 8.23 Uma barra de material semicondutor de comprimento l e seo de rea A,


com uma aplicao de uma tenso V.
No caso de material tipo p ou tipo n com nvel de dopagem no muito reduzido,
podemos aproximar (8.52) para as seguintes expresses:
Material tipo p:

1
q. p. p

(8.53)

Material tipo n:

1
q.n. n

(8.54)

Levando em considerao a dependncia da mobilidade com a dopagem,


discutida acima, podemos calcular a resistividade dos materiais versus concentrao
da dopagem. Estas relaes so apresentadas na curvas da Fig. 8.24. A resistividade
pode ser medida diretamente no material semicondutor atravs de mtodo de medida
de 4 pontas ilustrado na Fig. 8.25. Uma ponta de prova com 4 agulhas alinhadas e
eqidistantes com distncia S, aplicada sobre a superfcie do semicondutor. Uma
fonte de corrente faz passar uma dada corrente I entre as agulhas 1 e 4, enquanto
que entre as agulhas 2 e 3 medida a tenso V. demonstrado que vale a seguinte
relao para a resistividade:

= 2. .S .F .

V
I

(8.55)

onde F um fator de correo tabelada, que depende da geometria da amostra.


Para amostra ou camada fina e com dimenses horizontais muito maiores que a
distncia S entre as agulhas, mostra-se que vale:

ln 2

.d .

V
V
= 4.532.d .
I
I

(8.56)

onde d a espessura da amostra ou da camada medida.

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.29

Fig 8.24 Curvas de resistividade versus nvel de dopagem tipo p e tipo n, para
semicondutores de Ge, Si e GaAs.

Fig. 8.25 a) Exemplo de um diagrama de banda de uma certa estrutura semicondutora


(juno pn), b) Indicao de energia cintica e energia de potencial de um eltron
localizado acima do mnimo da banda de conduo, c) Variao do potencial
eletrosttico, d) Variao do campo eltrico na estrutura.
ainda usual definir uma grandeza chamada resistncia de folha ou resistncia por
quadrado, como sendo a resistncia de uma amostra de rea de superfcie quadrada
(w = l) e espessura d:
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.30

RS = .

=
d .w d

(8.57)

A ao de deriva de portadores somente ocorre quando houver um campo


eltrico e ela aprecivel quando houver altas concentraes de portadores, podendo
ser aprecivel para os portadores majoritrios. A componente de corrente de deriva
muitas vezes pode ser desprezada. Vimos nas sees anteriores como determinar as
concentraes dos portadores. Falta vermos como determinar o campo eltrico para
completar o clculo da corrente de deriva. Mostraremos que este tambm pode ser
obtido diretamente do diagrama de bandas do semicondutor. Na Fig. 8.25a
mostrado um exemplo de diagrama de bandas de uma certa estrutura semicondutora.
Um eltron localizado no mnimo da banda de conduo apresenta apenas energia
potencial em relao a uma referncia arbitrria e no possui energia cintica.
Qualquer energia em excesso ao mnimo da banda de conduo representa energia
cintica do eltron, como ilustrado na Fig. 8.25b e descrito por:

E = ECin + E Pot

(8.58)

E Pot = EC E Re f

(8.59)

Por outro lado temos da teoria eletrosttica que a energia potencial de um eltron
relacionada com o potencial eletrosttico como:

E Pot = q.V

(8.60)

Das relaes (8.59) e (8.60) resulta:

1
V = ( EC E Re f )
q

(8.61)

Ainda da eletrosttica, temos a definio do campo eltrico dada por:


= V

(8.62)

No caso de estudo unidimensional temos:


=

dV
dx

(8.63)

Das relaes (8.61) e (8.63), e considerando que dentro de um mesmo semicondutor,


os nveis de energia EC, EV e Ei so sempre paralelos, resulta:

1 dEC 1 dEV 1 dEi


=
=
q dx
q dx
q dx

(8.64)

Conclumos assim que o diagrama de bandas contm as informaes sobre o campo


eltrico e a variao do potencial eletrosttico. Havendo variao do nvel de energia
das bandas existe campo eltrico, sendo dado pela relao (8.64). A variao do
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.31

potencial eletrosttico tambm pode ser lida diretamente do diagrama, pela adio de
mais um eixo vertical no grfico, sendo seu sentido oposto ao da energia do eltron
(relao 8.61).
8.7.2 Ao de Difuso
A ao de difuso de portadores ocorre sempre que houver uma variao
espacial nas suas concentraes. O processo de difuso um processo que ocorre
com qualquer tipo de partcula, com ou sem carga eltrica, que tenha movimento
trmico randmico. Estas partculas tendem a espalhar-se e distribuir-se
uniformemente no espao. Durante o processo ocorre um transporte lquido de
partculas da regio de maior concentrao para as regies de menor concentrao
inicial. Como exemplos de difuso temos:
Fumaa de cigarro espalhando-se pela sala.
Percepo do cheiro de perfume aps algum abrir um frasco do mesmo no
recinto.
Ao introduzir uma quantidade de tinta solvel em gua num copo j com gua,
observa-se uma mudana gradual da cor a partir do ponto onde a tinta foi
adicionada.
Um sistema hipottico com 4 compartimentos como mostrado na Fig. 8.26. Neste
sistema tem-se que, durante cada intervalo de tempo 0, todas as partculas de um
compartimento movem-se para os compartimentos vizinhos, sendo metade para
cada vizinho, com o detalhe que nas paredes externas tem-se uma reflexo das
mesmas. Tendo inicialmente 1024 partculas no compartimento da esquerda,
indicado na Fig. 8.26, resultam as distribuies tambm indicadas aps alguns
mltiplos do intervalo de tempo 0. Aps um longo perodo de tempo resulta uma
distribuio totalmente uniforme, com 256 partculas por compartimento.

Fig 8.25ii Ilustrao esquemtica da medida de 4 pontas: posicionamento das 4


pontas e modo de polarizao e medida.
Similarmente aos exemplos listados acima e de conhecimento emprico das
pessoas em geral, o processo de difuso ocorre tambm com as lacunas e os eltrons
em um semicondutor, dado que os mesmos possuem movimento trmico aleatrio.
Basta haver uma no uniformidade nas suas concentraes para ocorrer a difuso
dos portadores. O gradiente na concentrao de portadores constitui a fora
propulsora para a ao de difuso. A difuso de portadores constitui um segundo
modo de transporte ou de conduo de corrente eltrica em semicondutores, aps o
mecanismo de deriva do item anterior.
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.32

Fig. 8.26 Processo de difuso em um sistema hipottico unidimensional. Os nmeros


acima das flechas indicam a quantidade de partculas em cada compartimento no
instante indicado ao lado da caixa.
Consideremos um perfil de portadores como indicado na Fig. 8.27i. Os
portadores possuem velocidade trmica aleatria, de forma que, em qualquer instante,
teremos igual nmero de portadores em A-, indo para a direita e para a esquerda,
dado como proporcional ao produto N2.vter. Analogamente, em A+ teremos igual
nmero de portadores indo para a direita e para a esquerda, dado como proporcional
ao produto N1.vter. A partir deste raciocnio, podemos concluir que o nmero lquido de
portadores atravessando o plano A, vindo de A- e de A+, dado pela diferena dos
fluxos vindo de cada lado. Assim teremos o fluxo atravs do plano A expresso por:

F = .( N 2 N 1 ).v ter

(8.65)

onde: uma constante de proporcionalidade, vter a velocidade trmica dos


portadores, N2 e N1 so as concentraes nos pontos A- e A+ respectivamente.
Na anlise acima, os pontos A- e A+ devem ser tomados dentro de uma
distncia menor que o caminho livre mdio dos portadores. Nestas condies, a
relao (8.65) pode ser reescrita em forma diferencial como sendo:
F = D.

dN
dx

(8.66)

onde: D o coeficiente de difuso dos portadores, dado em [cm2/s].

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.33

Fig 8.27 Um exemplo de perfil de portadores para anlise da difuso.


O sinal negativo na expresso (8.66) deve-se ao fato que o fluxo sempre da regio
de maior concentrao para a regio de menor concentrao. Assim, se o gradiente
da concentrao for negativo, o fluxo ser no sentido positivo (de x crescente). Por
definio do sentido da corrente eltrica, esta coincide com o sentido do fluxo de
lacunas e contrrio ao sentido dos eltrons. Como conseqncia teremos as
seguintes relaes para as componentes de corrente de difuso de lacunas e de
eltrons, de acordo com as ilustraes da Fig. 8.27ii:
J dif , p = q. DP .
J dif , N = q. DN .

dp
dx

dn
dx

(8.67)

(8.68)

No captulo 5, item 5.5, apresentamos a medida de ponta de prova quente para


a determinao do tipo de condutividade do material, seja tipo n ou tipo p. Esta
medida, realizada pela montagem do circuito como mostrado na Fig. 5.13, pode agora
ser entendida, baseada no mecanismo da difuso, porm com o seguinte detalhe.
Neste caso, a fora propulsora no simplesmente o gradiente de concentrao dos
portadores mas sim um gradiente na concentrao de portadores majoritrios com
velocidades trmicas diferentes. Na regio prxima ponta quente, os portadores
apresentam velocidade trmica, vter,1, maior que no resto do material, vter,2. Como
conseqncia, entre 2 dois pontos prximos, aparecer um fluxo de portadores dado
por expresso similar (8.65), porm levando em conta a diferena de velocidades
trmicas:
F = . N .(vter ,1 vter , 2 )

(8.69)

Sendo o material do tipo p por exemplo, teremos um fluxo lquido interno de lacunas
da ponta quente para a regio fria (ponta fria). Esta corrente ter continuidade pelo
circuito fechado atravs do ampermetro que indicar uma corrente eltrica saindo da
ponta fria para a ponta quente. No caso do semicondutor tipo n, teremos agora um
fluxo interno de eltrons da ponta quente para a ponte fria. Este fluxo de eltrons ter
continuidade pelo circuito do ampermetro indicando agora uma corrente eltrica
contrria, ou seja, saindo da ponta quente para a ponta fria.

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.34

Fig 8.27ii Indicao do sentido do fluxo de portadores e da corrente eltrica por


mecanismo de difuso, a partir do exemplo de gradiente negativo de concentrao de
portadores (com gradiente positivo de concentrao resulta em sentidos de fluxo e de
corrente eltrica em sentido oposto).
8.7.3 Superposio das Aes de Deriva e de Difuso
De forma geral, as aes de deriva e de difuso podem ocorrer
concomitantemente, basta haver um campo eltrico e um gradiente nas
concentraes. Como conseqncia, a corrente total a soma das componentes de
corrente de deriva e de difuso de lacunas e de eltrons. Assim podemos escrever a
relao da corrente dada pelas seguintes equaes:

J = JP + JN

(8.70)

onde:
J P = q. P . p. q. DP .

dp
dx

(8.71)

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.35

J N = q. N .n. + q. D N .

dn
dx

(8.72)

Mais genericamente, em espao tridimensional, podemos escrever as relao acima


como segue:

J P = q. P . p. q.DP .p

(8.73)

J N = q. N .n. + q.DN .n

(8.74)

8.7.4 Relao de Einstein


Foi visto acima que as grandezas de mobilidade e constante de difuso de
portadores so fundamentais para a modelagem do transporte de portadores no
material. Foi visto tambm, como a mobilidade varia com a temperatura, com a
concentrao das impurezas e com o campo eltrico. Questo similar deve ser
analisada para a constante de difuso, ou seja, como esta varia com temperatura,
nvel de dopagem e campo eltrico. Mostraremos que esta varia da mesma maneira
que a mobilidade e que a mobilidade e constante de difuso so proporcionais entre
si. Esta proporcionalidade entre estas duas grandezas de certa forma esperada uma
vez que as duas esto associadas ao movimento trmico aleatrio dos portadores.
Consideremos um semicondutor em equilbrio trmico e com dopagem varivel
como no exemplo da Fig. 8.28a. O diagrama de bandas correspondente como
mostrado na Fig. 8.28b. O diagrama de bandas desenhado a partir das seguintes
duas condies:
O nvel de Fermi de semicondutor em equilbrio trmico necessariamente
constante. Caso contrrio haveria uma corrente lquida de portadores. Esta
condio constitui uma lei fundamental da Fsica e foi explicado em maior detalhe
no final do captulo 6. Ela pode ser interpretada em analogia com nvel da
superfcie da gua em tanques conectados entre si por encanamento.
A relao de Boltzmann de concentrao de portadores, em material no
degenerado, dada pelas expresses (8.22) e (8.23).

Fig 8.28 Semicondutor com dopagem no uniforme, a) exemplo de perfil de


concentrao de impurezas doadoras e b) correspondente diagrama de bandas.

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.36

Estando o semicondutor em equilbrio, a densidade de corrente necessariamente


nula. Desta condio e a partir dos dados do diagrama de bandas (Fig.8.28b)
podemos escrever as seguintes relaes:
J N = J der , N + J dif , N = q. N .n. + q. D N .

dn
=0
dx

(8.75)

1 dEi
q dx

n = ni .e

( EF Ei )

(8.76)

(8.77)

kT

dE F
=0
dx

(8.78)

Da relao de Boltzmann (8.77), obtemos:


n ( EF Ei ) kT dEi
dn
q
= i .e
=
.n.
dx
kT
dx
kT

(8.79)

Substituindo a relao (8.79) em (8.75), obtm-se:


J N = ( q.n. ). N ( q.n. ).

q
. DN = 0
kT

(8.80)

Da relao (8.80) conclui-se diretamente a relao de Einstein para eltrons, ou seja:

DN

kT
q

(8.81)

Um raciocnio anlogo leva relao de Einstein para lacunas:

DP

kT
q

(8.82)

Embora as relaes de Einstein tenham sido deduzidas considerando o


semicondutor em equilbrio trmico, elas so gerais e valem tambm fora do
equilbrio.

8.7.5 Processos de Gerao e de Recombinao


Como discutido no item 8.2, eltrons e lacunas sofrem processo contnuo de
gerao e de recombinao trmica no semicondutor, sendo que em equilbrio, as
taxas de gerao, GTer, e de recombinao, RTer, se igualam, mantendo as
concentraes dos portadores em nveis constantes e de equilbrio, com seu produto
satisfazendo pn=ni2. No caso do semicondutor estar fora da condio de equilbrio,
tem-se que o produto dos portadores diferente de ni2 e que as taxas de gerao e de
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.37

recombinao de portadores so distintas. Qual das duas taxas ser maior depende
do tipo de condio de fora do equilbrio, sendo no entanto no sentido de trazer o
semicondutor de volta ao equilbrio. A reao do material no sentido da sua volta
condio de equilbrio. Assim, caso tivermos uma condio de falta de portadores em
relao ao equilbrio (pn<ni2), resultar uma taxa de gerao maior que a da
recombinao (GTer>RTer). A falta de portadores reduz a taxa de recombinao como
pode ser visto pela relao (8.2). No caso de termos uma condio de excesso de
portadores (pn>ni2), resultar uma taxa de recombinao maior que a da gerao
(RTer>GTer), como pode ser visto diretamente da relao (8.2). O estudo dos modelos
de gerao e de recombinao so essenciais tendo em vista que estes mecanismos
afetam as concentraes dos portadores, no espao e no tempo, e como
conseqncia influenciam diretamente a determinao das correntes de deriva e de
difuso. Veremos neste item detalhes sobre os processos de gerao e de
recombinao de portadores bem como expresses das taxas.
Definimos inicialmente condies de baixa e de alta injeo. Define-se baixo
nvel de injeo quando o material, fora da condio de equilbrio, apresentar uma
perturbao significativa apenas na concentrao dos portadores minoritrios, sendo
que esta perturbao mantm ainda a concentrao dos minoritrios bem menor que
a concentrao dos majoritrios. Matematicamente podemos definir a condio de
baixo nvel de injeo se forem satisfeitas as seguintes condies:
i) para material tipo n
nn n0

pn << n0
ii) para material tipo p
p p p0

n p << p0

onde: n0, p0 so as concentraes em condies de equilbrio


n, p so as concentraes em condies arbitrrias
n = n n0 o desvio da concentrao de eltrons em relao ao equilbrio
p = p p0 o desvio da concentrao de lacunas em relao ao equilbrio.
Como exemplo numrico ilustrativo de condio de baixa injeo, consideremos um
semicondutor de Si tipo n, com dopagem ND=1014 cm-3 temperatura ambiente e com
desvio das concentraes de portadores em relao aos valores de equilbrio dado
por p = n = 109 cm-3. Como concentraes de equilbrio temos n0 = 1014 cm-3 e p0 =
106 cm-3. Desta forma resulta n = n0 + n ~ 1014 cm-3 e p = p0 + p ~ 109 cm-3.
Observa-se que os majoritrios praticamente no sofreram alterao na concentrao
enquanto que os majoritrios tiveram um aumento de 3 ordens de grandeza na sua
concentrao, permanecendo no entanto em nveis bem abaixo do nvel da
concentrao dos majoritrios.
Por outro lado, a condio de alta injeo definida como sendo a condio
onde as premissas acima no forem satisfeitas.
Os mecanismos de gerao e de recombinao podem incluir as seguintes formas
de transies:
a) Transio banda a banda:

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.38

No mecanismo de transio banda a banda, o eltron de uma das bandas recebe


ou cede energia de alguma forma e passa de um estado de uma das bandas para
estado da outra banda diretamente, como ilustrado por 2 modelos de semicondutores
na Fig. 8.29. No processo de fotogerao, pares de eltron-lacuna so criados pela
absoro de ftons de energia maior ou igual a EG, por eltrons da banda de valncia.
No processo de gerao trmica direta, eltron da banda de valncia recebe energia
trmica pela interao com um fnon da rede cristalina. O processo de recombinao
trmica direta o processo inverso do anterior. Os 3 processos citados acima so os
processos mais simples de absoro e de emisso de energia. Outros processos mais
complexos so possveis, como por exemplo o processo chamado Auger. No
processo Auger, um segundo eltron participa do processo, sendo este o que cede ou
recebe a energia necessria para a transio de estado do primeiro.

Fig. 8.29 Processos de gerao e recombinao de portadores do tipo banda a banda,


ilustrados em modelo de ligaes (esquerda) e de bandas de energia (direita), sendo
a) fotogerao, b) gerao trmica direta e c) recombinao trmica direta.
Da relao (8.2) temos que em equilbrio, quando as taxas de gerao e de
recombinao se igualam, vale a seguinte igualdade:

R = Gter = .n0 . p0

(8.83)

Comparando a relao (8.83) com a relao (8.2) , podemos definir uma taxa
lquida de recombinao, U, pela diferena entre as taxas de recombinao e de
gerao trmica, ou seja:
U = .(n. p n0 . p0 ) = .(n. p ni2 )

(8.84)

A taxa lquida de recombinao implica numa variao na concentrao dos


portadores, e assim temos:

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.39

dp
dn
=
= .(n. p ni2 )
dt
dt

(8.85)

Considerando agora a condio de baixa injeo temos:


i) para material tipo n:

p
dp
= .n0 .( p p0 ) = n
p
dt
onde: p =

(8.86)

1
= tempo de vida de minoritrios p em material tipo n
.n0

ii) para material tipo p:

n p
dn
= . p0 .(n n0 ) =
n
dt
onde: n =

(8.87)

1
= tempo de vida de minoritrios n em material tipo p
. p0

O valor de nas relaes acima depende fortemente do tipo de semicondutor


como mostram os dados da tabela 8.5. Observa-se que o valor da constante muito
pequeno para materiais semicondutores com estrutura de bandas do tipo indireto,
como o caso de Ge, Si e GaP. Semicondutores do tipo direto como GaAs
apresentam com valor bem maior. Isto deve-se ao fato que apenas no caso de
semicondutor com banda direta que a transio banda a banda significativa. No
caso de semicondutores com banda indireta, a transio de eltron entre as duas
bandas tambm requer a mudana do vetor de onda do mesmo, o que por sua vez
requer a interao com uma terceira partcula, tornando o evento menos provvel.
Considerando o valor de de tabela para Si e uma dopagem tipo n com ND=1015 cm-3,
calcula-se um tempo de vida, pela relao (8.86), de 0.56 s. Valores experimentais de
tempo de vida de minoritrios medidos em Si no entanto, so ordens de grandeza
menores que o valor calculado acima. Isto demonstra que neste caso o mecanismo
predominante de gerao e de recombinao em materiais como o Si no o
processo de transio banda a banda.
Tabela 8.5 Valores da constante de gerao e recombinao tipo banda a banda a
300 K.
Semicondutor
Ge
Si
GaP
GaAs
-14
-15
-14
5.3 x 10
1.8 x 10
5.4 x 10
7.2 x 10-10

b) Transio indireta via estados profundos na banda proibida:


Em semicondutores com estrutura de banda indireta, a transio de eltrons entre
as bandas se d predominantemente via estados qunticos localizados dentro da
banda proibida. Uma questo como aparecem estados dentro da banda que
proibida. Lembramos que a banda proibida o resultado da equao de Schrdinger
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.40

sobre o potencial peridico e infinito da rede cristalina do material. Isto o caso de um


cristal ideal e no real. Um cristal real comumente apresenta defeitos cristalogrficos e
certa quantidade de impurezas. Estes apresentam uma perturbao no potencial
peridico do cristal e como conseqncia nas solues da equao de Schrdinger,
incluindo estados qunticos dentro da banda proibida do cristal ideal. Como exemplo,
a Fig. 8.30 apresenta os nveis de energia de estados permitidos dentro da banda
proibida do Si, para diversos tipos de impurezas. Cada impureza apresenta um nvel
caracterstico. Chamamos de nvel profundo quanto mais prximo o nvel estiver do
meio da banda e de nvel raso, quanto mais prximo o nvel estiver da banda de
conduo ou de valncia. Os estados localizados dentro da banda proibida facilitam a
transio de eltrons entre as banda de conduo e de valncia, assim como uma
pedra no meio de um crrego facilita uma pessoa a atravess-lo sem molhar os ps.
Com a probabilidade da transio de um eltron entre estados inversamente
proporcional diferena de energia entre os mesmos, um estado no meio do caminho
aumenta a probabilidade da transio. Um estado raso no ajuda muito no aumento
da probabilidade, uma vez que um dos passos na seqncia continua com grande
diferena de energia. Porm, estados profundos, prximos ao meio da banda proibida,
so os mais eficientes em aumentar a probabilidade da transio seqencial em 2
passos. Desta forma, a anlise que segue considera apenas estados profundos para a
gerao e recombinao trmica indireta.

Fig 8.30 Estados qunticos intriduzidos dentro da banda proibida do Si por impurezas
metlicas.
A Fig. 8.31 mostra os passos envolvidos no processo de gerao e de
recombinao trmica indireta. comum chamar o estado dentro da banda proibida
de armadilha, pelo fato dele poder armadilhar ou capturar um portador. Os passos
so: a) emisso de lacuna (transio de eltron da banda de valncia at a armadilha,
com a criao de uma lacuna); b) emisso do eltron (transio do eltron da
armadilha at a banda de conduo); c) captura de eltron (transio de eltron da
banda de conduo at a armadilha); d) captura de lacuna (transio de eltron da
armadilha at a banda de valncia, aniquilando uma lacuna). Foi desenvolvida uma
teoria por Hall, Schokley e Read, que estabelece relao para as taxas dos 4 passos
citados acima, para em seguida estabelecer uma relao para a taxa lquida de
recombinao. As relaes propostas, baseadas em argumentos similares aos usados
para o estabelecimento da relao (8.2) so:

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.41

Fig. 8.31 Representao dos processos de transio de portadores entre as bandas


de conduo e de valncia via estados profundos na banda proibida, sendo a)
emisso de lacuna, b) emisso de eltron, c) captura de eltron e d) captura de
lacuna.
a) Emisso de lacuna:
ra = e p . N t .[1 f ( E t )]

(8.88)

Onde: ep a probabilidade de emisso de lacuna, sendo uma funo do nvel de


energia Et da armadilha; Nt a densidade de armadilhas (cm-3); o termo entre
colchetes representa a probabilidade da armadilha estar desocupada. Desta forma a
expresso diz que a taxa de emisso de lacunas proporcional densidade de
armadilhas desocupadas.
b) Emisso de eltron:

rb = en .N t . f ( Et )

(8.89)

Onde: en a probabilidade de emisso de eltron e f(Et) a probabilidade das


armadilhas estarem ocupadas. Ou seja, a taxa de emisso de eltrons proporcional
densidade de armadilhas ocupadas.
c) Captura de eltron:

rc = vter . n .n.N t .[1 N ( Et )]

(8.90)

Onde vter a velocidade trmica dos eltrons e n a rea de seo de captura de


eltron de armadilhas desocupadas e de nvel de energia Et. Segundo esta relao, a
taxa de captura de eltrons pelas armadilhas proporcional ao produto da densidade
de eltrons na banda de conduo e da densidade de armadilhas desocupadas.
d) Captura de lacuna:
rd = vter . p . p. N t . f ( E t )

(8.91)

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.42

Onde p a rea de seo de captura de lacuna de armadilha ocupada e de nvel de


energia Et. Tambm esta relao baseada no argumento intuitivo que a taxa de
captura de lacunas deve ser proporcional ao produto da densidade de lacunas na
banda de valncia e da densidade de armadilhas ocupadas.
Podemos determinar as constantes de probabilidade de emisso de eltrons e
de lacunas, en e ep respectivamente, considerando a condio de equilbrio trmico.
Nestas condies valem as seguintes relaes:
ra=rd
rb=rc
Substituindo nas igualdades acima, as expresses de Boltzmann das concentraes
de eltrons e de lacunas e a funo de Fermi do nvel de energia Et:
f ( Et ) =

1
1+ e

(8.92)

( Et E F ) kT

obtm-se:
a) en = v ter . n .ni .e ( E E ) kT

(8.93)

b) e = vter . p .ni .e ( Ei Et ) kT

(8.93)

Da relao (8.93) conclui-se que a probabilidade de emisso de eltrons aumenta


exponencialmente com o nvel de energia Et, ou seja, aumenta se o nvel aproximarse mais do nvel da banda de conduo, EC. Analogamente, da relao (8.93) tem-se
que a probabilidade de emisso de lacunas tanto maior quanto mais prximo o nvel
Et estiver de EV. Estas duas observaes confirmam que as armadilhas mais
eficientes no processo de gerao e recombinao so realmente os de nvel de
energia Et prximo ao meio da banda, Ei, pois nesta situao o produto das duas
probabilidades de emisso (de lacunas e de eltrons) mxima, correspondendo
mxima probabilidade da ocorrncia dos dois processos em srie.
Supondo agora o semicondutor fora de equilbrio trmico, no ser permitido
usar as equaes de Boltzmann de concentraes de eltrons e de lacunas, mas
assumido que as probabilidades de emisso de eltrons e de lacunas no sejam
afetadas. Nestas condies e assumindo condio de regime estacionrio, podemos
igualar a emisso lquida de eltrons emisso lquida de lacunas, ou seja, o nmero
de eltrons chegando na banda de conduo deve ser igual ao nmero de eltrons
saindo da banda de valncia:
rb-rc = ra-rd
A partir desta igualdade pode-se resolver uma expresso para a probabilidade de
ocupao das armadilhas, vlido agora em condies fora de equilbrio e em regime
estacionrio, obtendo-se:
f ' ( Et ) =

n .n + p . p.e ( E E ) kT
n [n + ni .e ( E E kT ] + p [ p + ni .e ( E E ) kT ]
i

(8.94)

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.43

Substituindo esta expresso da probabilidade de ocupao das armadilhas, nas


expresses das emisses e de capturas de eltrons e de lacunas, podemos
determinar a taxa lquida de recombinao atravs de armadilhas e em regime
estacionrio, como sendo:
U = rc-rb = rd-ra
Efetuando as substituies nesta igualdade, resulta:

p . n .vter . N t [ pn ni2 ]
U=
n [n + ni .e ( E E ) kT ] + p [ p + ni .e ( E E ) kT ]
t

(8.95)

Podemos simplificar ainda esta expresso assumindo que as reas de seo de


captura de eltron (n) e de lacuna (p) sejam iguais (na realidades so da mesma
ordem de grandeza). Neste caso teremos:

U = .vter . N t .

pn ni2
n + p + 2.ni . cosh(( Et Ei ) kT )

(8.96)

A expresso (8.96) mostra que a fora propulsora do processo de recombinao


lquido de portadores a diferena do produto p.n em relao ao ni2, ou seja, o quanto
o material est fora da condio de equilbrio. A taxa ser positiva quando o
semicondutor estiver com excesso de portadores e ser negativa quando o
semicondutor estiver depletado de portadores. A resistncia contra a recombinao
ser mnima quando o nvel de energia da armadilha for prxima ao meio da banda,
Ei, e quando a soma de eltron e de lacunas for mnima. Desta forma, sendo estas
armadilhas no meio da banda proibida as mais efetivas no processo de recombinao
lquido, podemos limitar a anlise a estas armadilhas. Nestas condies podemos
reescrever (8.95) como segue:
pn ni2
U=
p ( n + ni ) + n ( p + ni )

p =

onde:

1
p .N t

(8.97)

n =

1
n .N t

Na caso de termos condio de baixa injeo, de acordo com a definio dada


acima, podemos simplificar a relao (8.97) para as seguintes:
i)

U=
ii)

material tipo n:

p n

(8.98)

material tipo p:

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.44

U=

n p

(8.99)

De forma anloga ao caso de gerao e recombinao por processo de


transio direta banda a banda, tambm na transio via estados profundos, a taxa
lquida de recombinao implica numa variao na concentrao dos portadores dada
por:
dp dn
=
= U
dt
dt

(8.100)

sendo U dado pelas relaes (8.98) ou (8.99), no caso de valerem as condies de


baixo nvel de injeo. Como a variao da concentrao dos majoritrios
relativamente desprezvel, na grande maioria dos caso s interessa considerar a
variao da concentrao dos minoritrios pela equao diferencial simples (8.100).
Com o intuito de esclarecer conceitos expostos acima, vamos supor que um
semicondutor tipo n apresente uma perturbao inicial na sua concentrao de
portadores pn = nn > 0, dentro dos limites da condio de baixa injeo e que a
fonte da perturbao seja desligada neste instante. A partir deste instante, o
semicondutor tender a retornar condio de equilbrio, pela recombinao do
excesso dos portadores, seguindo a equao (8.100), cuja soluo neste caso ser
uma funo exponencial no tempo, dada por:
p n (t ) = pn (t = 0).e

t p

(8.101)

A Fig. 8.32 ilustra este caso de estudo.


O tempo de vida de portadores minoritrios pode ser interpretado como sendo
o tempo mdio que um excesso de portadores minoritrios sobrevive num mar de
majoritrios. No caso da equao (8.101) tem-se que, aps um tempo igual ao tempo
de vida dos minoritrios, a concentrao do seu excesso reduz-se de um fator e.
Temos das relaes em (8.97) que o tempo de vida varia inversamente com a
densidade de estados profundos, ou seja, varia com a perfeio cristalina e pureza do
material semicondutor. Seus valores podem variar de muitas ordens de grandeza,
desde ns at ms. A Fig. 8.33 mostra a variao do tempo de vida de lacunas em Si
tipo n com contaminao varivel de Au. O Au introduz um nvel profundo como
mostrado na Fig. 8.30, e, quanto maior sua densidade, menor o tempo de vida. A
introduo de Au em Si era muito usada em circuitos digitais em tecnologia bipolar
chamada TTL, com o intuito de reduzir o tempo necessrio para cortar o transistor,
ou seja, o tempo gasto para remover a carga armazenada na base no instante da
transio do transistor do estado on para o estado off. A grande maioria dos CIs
modernos feitos em tecnologia MOS, requer baixas correntes de fuga das junes, e
para isto necessrio que o material apresente altssimo tempo de vida de
portadores. Isto significa o emprego de tcnicas de processamento que resultem em
alta perfeio cristalina e ausncia de contaminao. comum ainda o uso de
tcnicas de gettering, que significa a criao de regio com defeitos localizados
longe o suficiente da superfcie, onde se encontram os dispositivos. Estes defeitos
atuam como centros sorvedouros de contaminantes metlicos, limpando assim as
regies dos transistores em si. Com estes procedimentos, obtm-se tempos de vida
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.45

na faixa dos mili-segundos ou maiores, conforme dados experimentais do prprio


autor (J.E.S.,1981).

Fig. 8.32 Ilustrao esquemtica da situao interna de semicondutor com


perturbao momentnea na concentrao dos portadores em condio de baixo nvel
de injeo
A superfcie do semicondutor deve ser tratada como uma regio especial, dada
que ela nica e por apresentar uma densidade de estados relativamente alta dentro
da sua banda proibida. Como conseqncia, a taxa lquida de recombinao na
superfcie sempre alta. Ao invs de usar o termo de tempo de vida de portadores
numa camada fina junto superfcie, conveniente definir uma velocidade de
recombinao superficial de portadores, S0, dado por:

S 0 = .v ter . N st

(8.102)

onde Nst a densidade efetiva de estados de superfcie. Usando esta definio, a


relao (8.96) pode ser reescrita na seguinte forma para a regio da superfcie
(considerando apenas os estados em E = Ei):

U S = .vter . N st .

p s .n s ni2
ps .n s ni2
= S0 .
n s + p s + 2.ni
n s + p s + 2.ni

(8.103)

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.46

Fig. 8.33 Relao entre concentrao de Au em Si tipo n e o tempo de vida dos seus
portadores minoritrios.
Os ndices s nas concentraes referem-se s concentraes de portadores na
superfcie. Por meio de uma estrutura de um capacitor MOS possvel variar as
concentraes dos portadores na superfcie do semicondutor, pela variao da
polarizao do eletrodo de porta, VG (ver captulo 10). Como conseqncia observa-se
uma variao da corrente reversa de um diodo como mostrado na Fig. 8.34. Dos
degraus na corrente, associados a mudanas nas condies de superfcie do
semicondutor, pode-se determinar o valor de S0. Valores menores que 1 cm/s podem
ser obtidos, sendo que quanto melhor a qualidade da superfcie, menor o seu valor.
Cuidados especiais no processamento dos circuitos integrados so necessrios, para
resultar em superfcie sem contaminao de impurezas e de alta qualidade da
terminao do cristal e sua transio com a camada isolante.

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.47

Fig. 8.34 Estrutura de diodo pn controlado por porta MOS e curvas de corrente
reversa versus tenso aplicada porta (trabalho do autor, S.S.E., 1983).

8.8 Equaes de Estado de Semicondutores


As aes dos portadores ou mecanismos de transporte podem ocorrer ao
mesmo tempo. Assim, a determinao do estado de um sistema semicondutor s
pode ser determinado se considerarmos o efeito combinado das mesmas. O
equacionamento conjunto destas aes leva ao desenvolvimento das equaes de
estado, ou seja, as equaes bsicas necessrias para determinar o estado do
semicondutor. Estas equaes, juntamente com a lei de Gauss, permitem resolver
muitas das questes encontradas em semicondutores e dispositivos fabricados com
os mesmos.

8.8.1 Equao de Continuidade


Cada ao de portadores pode causar uma alterao na variao da
concentrao de portadores no espao e no tempo. Assim, uma variao na

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.48

concentrao de portadores deve ser expressa como a soma das contribuies de


todos as possveis aes, dada abaixo:

n
n
n
n n
+
+
+
=
t t der t dif t R G ,ter t outros

(8.104)

p
p
p
p p
+
+
+
=
t t der t dif t R G ,ter t outros

(8.105)

onde outros refere-se soma de todas as outras possveis aes, tais como gerao
de portadores por luz ou outro tipo de radiao, gerao de portadores por efeito
piezoeltrico, transporte por tunelamento, emisso terminica, gerao de portadores
por impacto, etc.
A equao de continuidade dos dois portadores significa que s pode haver
variao na concentrao de portadores num ponto, atravs dos mecanismos de
transporte e de gerao e recombinao de portadores, baseado no princpio de
conservao de portadores. Consideremos por simplicidade apenas as aes de
transporte por deriva e por difuso. Neste caso, podemos expressar a contribuio
destas duas aes na equao da continuidade atravs da seguinte relao:

1
n
n
= .. J n
+
t der t dif q

(8.106)

p
p
1
+
= ..J p
t der t dif
q

(8.107)

O raciocnio usado no estabelecimento da relao (8.106) o seguinte. Considerando


um volume infinitesimal do semicondutor, com uma dada densidade de corrente J1
entrando no mesmo, e uma densidade de corrente J2 saindo, teremos uma variao
na concentrao de eltrons dada pela diferena das duas densidades de corrente.
Se J2 for maior que J1, significa que a quantidade de eltrons entrando no volume
maior que a quantidade de eltrons saindo (lembre-se que o fluxo de eltrons no
sentido contrrio ao do sentido da densidade de corrente), como conseqncia,
haver um aumento na concentrao de eltrons no volume. Raciocnio anlogo deve
ser usado para justificar a expresso (8.107), com a ressalva de que no caso da
densidade de corrente de lacunas, esta tem o sentido na mesma direo ao do fluxo
das lacunas. Como conseqncia, teremos um aumento na concentrao de lacunas
quando a densidade de corrente J1 (entrando) for maior que a densidade de corrente
J2 (saindo). Isto significa o sinal negativo expresso na relao (8.107).
Substituindo as relaes (8.106) e (8.107) nas relaes da equao de
continuidade, respectivamente (8.104) e (8.105), resulta:
n 1
n
n
= ..J n +
+
t q
t R G ,ter t outros


(8.108)

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.49

p
p
1
= ..J p +
q
t
t

+
R G ,ter

p
t

(8.109)
outros

As equaes de continuidade nas formas (8.108) e (8.109) so totalmente


genricas e podem ser usadas na determinao de solues de n(x,y,z,t) e p(x,y,z,t)
em problemas de estudo de fenmenos e dispositivos. A resoluo requer, no entanto,
que sejam conhecidas e substitudas expresses para os termos R-G,ter e outros.
Normalmente, a resoluo obtida por mtodos numricos usando programa de
computador.
8.8.2 Equaes de Difuso de Portadores Minoritrios
As duas formas da equao da continuidade dadas em (8.108) e (8.109)
podem ser simplificadas e apresentar solues analticas se forem vlidas certas
condies, listadas abaixo. Estas condies e conseqentes simplificaes permitem
transformar as equaes de continuidade nas equaes chamadas equaes de
difuso de portadores minoritrios, como veremos a seguir. As condies assumidas
so:
o sistema em estudo pode ser considerado unidimensional
a anlise limitada a portadores minoritrios
o campo eltrico na regio em anlise pode ser aproximado a zero
a concentrao de equilbrio dos portadores minoritrios no varia com x.
as condies de baixo nvel de injeo so vlidas
o termo outros (variao da concentrao de portadores por outros processos)
limitado gerao de portadores por luz, ou seja, no ocorrem os outros
processos, exceto possivelmente, incidncia de luz.
Considerando as condies expostas, podemos introduzir as seguintes simplificaes
nas expresses associadas equao da continuidade, assumindo o caso de material
tipo p, ou seja, os minoritrios sendo eltrons:

1
1 J
..J n = . n
q
q x


J n = q. n .n. + q. Dn .

(sistema unidimensional)
n
n
q. Dn .
x
x

n n0 n n
=
+
=
x
x
x
x

n
t

=
R G ,ter

n
= GL
t outros

(campo eltrico ~ 0)

(n0 no varia com x)

(baixo nvel de injeo)


(outros inclui apenas luz, sendo GL a taxa de
ftons incidentes e absorvidos com gerao de
pares eltron-lacunas; logicamente GL ser nula,
no caso de material no iluminado)

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.50

n n0 n n
=
+
=
t
t
t
t

(n0 no pode variar no tempo)

das primeiras 3 simplificaes acima obtemos ainda:

1
2 n
..J n = Dn .
q
x 2
Substituindo estas relaes simplificadas acima na equao da continuidade (8.108)
para eltrons em material tipo p, obtemos:
n p
t

= Dn .

2 n p
x

n p

+ GL

(8.110)

Um procedimento anlogo nos leva equao de difuso de portadores minoritrios


para lacunas, em material tipo n:
2 p n pn
pn

+ GL
= Dp .
x 2
t
p

(8.111)

8.8.3 Simplificaes e Solues Especficas das Equaes de Difuso de


Portadores Minoritrios
Apresentaremos a seguir simplificaes possveis das equaes de difuso de
portadores minoritrios em alguns casos particulares de interesse e suas solues.
Estas simplificaes e solues particulares so de grande utilidade na anlise e
resoluo de muitos problemas relativos a dispositivos e/ou fenmenos em
semicondutores.
i)

Simplificaes:

n p

a) Caso de estado estacionrios:

b) Sem gradiente de concentrao:

c) Sem R-G trmico:


d) Sem luz:

Dn

2 n p
x 2

= 0 , ou,

= 0 , ou, D p
n p

pn
=0
t

2 p n
=0
x 2

= 0 , ou,

p n

=0

GL = 0

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.51

ii)

Solues de casos particulares: (usamos como exemplo material tipo p ou


minoritrios de eltrons; caso de material tipo n similar)

a) Caso de estado estacionrio e sem luz:


2 n p

n p

Equao:

0 = Dn .

Soluo:

n p ( x ) = A.e x Ln + B.e x Ln

A e B so constantes a serem determinadas pelas


Ln Dn . n ,
Onde:
condies de contorno do problema.
b) Caso sem gradiente de concentrao e sem luz:
Equao:

Soluo:

n p
t

n p

n p (t ) = n p (0).e t n

c) Caso de estado estacionrio e sem gradiente de concentrao:

n p

Equao:

0=

Soluo:

n p = GL . n

+ GL

c) Caso de estado estacionrio, sem R-G trmico e sem luz:

2 n p

Equao:

0 = Dn .

Soluo:

n p ( x ) = A + B. x

x 2

Onde A e B so constantes a serem determinadas pelas condies de contorno do


problema.
8.8.4 Lei de Gauss
Alm da equao de continuidade, ou da sua derivao na equao de difuso
de portadores minoritrios, em muitos casos h necessidade tambm da lei de Gauss
para a completa determinao do estado do semicondutor. Sobretudo na
determinao do campo eltrico e do potencial interno do semicondutor, a lei de
Gauss essencial, como ficar claro no desenvolvimento do captulo 10, onde
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.52

estudaremos vrios tipos de junes. Os leitores j devem conhecer a lei de Gauss de


disciplina de eletromagnetismo. Reproduzimos a seguir a lei de Gauss com intuito de
record-la, dada sua importncia para o estudo de dispositivos semicondutores.
A lei de Gauss estabelece que a integral da densidade de fluxo eltrico normal
superfcie sobre uma superfcie fechada iguala-se integral da densidade de carga
eltrica, , no volume interno superfcie. Matematicamente ela expressa como:

D.ds =


.dv

(8.112)

Ela ainda pode ser expressa na forma equivalente diferencial dada em (8.113), que
uma das equaes de Maxwell de eletromagnetismo:
.D =

(8.113)

Em semicondutores, o interesse maior pelo campo eltrico e no pelo vetor de fluxo


eltrico. Desta forma, conveniente substituir o vetor D pelo campo vetor de campo
eltrico, de acordo com a relao (8.114), vlido para meios isotrpicos com constante
dieltrica s:
D = s.

(8.114)

Efetuando esta substituio em (8.113) resulta:

. =


(8.115)

Lembrando agora que por definio de potencial eltrico, V, este relaciona-se com o
campo eltrico pela relao abaixo:
= V

(8.116)

Substituindo (8.116) em (8.115) obtemos:

2V =

(8.117)

A relao (8.117) chamada de equao de Poisson. Esta relao equivalente


equao diferencial da lei de Gauss e ela pode ser usada para determinar o campo
eltrico e o potencial eltrico versus posies x, y e z, se a distribuio de densidade
de cargas for conhecida.

8.8.5 Exemplos de resoluo de Problemas


Com o intuito de facilitar a absoro dos conceitos apresentados neste item a
ganhar familiaridade na resoluo de problemas de semicondutores, apresentaremos
neste item 2 problemas e suas solues:

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.53

a) Problema no 1:
Seja um semicondutor fino de Si, tipo n com dopagem uniforme de doadores igual
a 1015 cm-3 e temperatura de 300 K. No instante t=0, uma fonte de luz ligada e isto
resulta na gerao de 1017 pares de eltron-lacunas cm-3s-1, uniformemente ao longo
de todo semicondutor. Assumindo que o material tenha tempo de vida de minoritrios
de 10-6 s, determine a funo pn(t) para t>0.
Este um problema tpico para ser resolvido pela equao de difuso de
portadores minoritrios. Antes de usar esta equao, no entanto, devemos verificar se
as premissas adotadas para a mesma sejam satisfeitas, ou seja:
O problema limita-se a portadores minoritrios.
A concentrao de portadores de equilbrio constante. Isto satisfeito dado que
a concentrao de dopantes constante.
O termo outros na equao limita-se ao processo de gerao por luz. O problema
no cita outras fontes.
O campo eltrico nulo.
Falta ver se a condio de baixo nvel de injeo satisfeita. Devemos assumir
esta condio a priori e verificar se est correta aps termos a soluo
determinada.
Agora, antes de escrever a equao (8.111), devemos verificar as possveis
simplificaes que podem ser aplicadas. Como o enunciado afirma que a gerao de
pares eltrons-lacunas uniforme ao longo de todo semicondutor, teremos que
pn(x,y,z)
ser tambm uniforme. Como estamos interessados na soluo
unidimensional, usaremos ento que pn(x) constante. Como resultado temos que:

Dn .

2 n p
x 2

=0

Introduzindo esta simplificao na relao (8.111), temos:

pn
p
= n + GL
p
t
A soluo genrica desta equao diferencial :

pn (t ) = G L . p + A.e

t p

Como condio de contorno temos que no instante t=0, pn(0)=0. Esta condio
determina o valor de A como sendo: A = -GL.p. Com este valor de A, podemos
escrever a soluo como sendo:

p n (t ) = G L . p (1 e

t p

A Fig. 8.35 mostra o grfico da soluo, ou seja, ao ligarmos a fonte de luz resulta um
aumento exponencial do excesso de portadores, sendo que o mesmo satura aps um
certo intervalo de tempo (algumas vezes a constante de tempo de vida) num valor
dado pelo produto GL.p. Falta verificar se a soluo pode ser aceita como correta, ou
seja, se realmente a condio de baixo nvel de injeo satisfeita. Efetuando as
contas obtm-se GL.p =1017 x 10-6 = 1011 cm-3. Este resultado indica que o excesso
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.54

de portadores minoritrios sempre muito menor que a concentrao de portadores


majoritrios, e portanto, a condio de baixo nvel de injeo satisfeita e portanto a
soluo obtida correta.

Fig. 8.35 Soluo do problema no 1, mostrando a variao do excesso de portadores


gerados versus tempo, aps ligar uma fonte de luz.
b) Problema no 2:
Num semicondutor de Si semi-infinito, com dopagem tipo n uniforme com
ND=1015 cm-3, incide-se luz com absoro apenas na sua superfcie (Fig. 8.36a), tal
que pn(x=0) = pn0 = 1010 cm-3. Determine a funo pn(x).
Novamente, trata-se de problema tpico para ser resolvido pela equao de
difuso de portadores minoritrios. Inicialmente chequemos se as premissas para a
equao so satisfeitas:
um problema unidimensional.
restrito a portadores minoritrios.
No h outros processos de transporte e de gerao e recombinao, alm da
gerao por luz.
satisfeita a condio de baixo nvel de injeo, tendo em vista que pn,MAX = 1010
cm-3, o que muito menor que nn0 = 1015 cm-3.
Falta verificar se o campo eltrico nulo. Temos um aumento na concentrao de
portadores na superfcie, porm satisfazendo a condio de baixo nvel de injeo,
ou seja, temos pn(x)<<nn0. Assim, considerando a expresso de densidade de
carga, resulta: = q.(p n + ND) 0. Substituindo este valor de densidade de
carga na expresso (8.115), resulta um campo eltrico nulo para qualquer posio
x.
Podemos assim concluir que a equao de difuso de portadores minoritrios valida
e que deve ser resolvida. O prximo passo verificar as possveis simplificaes que
se aplicam no problema. Podemos adotar a condio de estado estacionrio, tendo
em vista que o problema no mencionou nada sobre o tempo, indicando tratar-se de
uma situao estacionria. Alm disto podemos adotar GL = 0 para x > 0, tendo em
vista que h absoro de luz apenas na superfcie do semicondutor. Desta forma,
para x > 0, podemos reescrever a equao (8.111) na seguinte forma:
2 p n pn
0 = Dp .

x 2
p
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.55

Como soluo geral desta equao diferencial temos:


p n ( x ) = A.e

x Lp

+ B.e

x Lp

Onde L p = D p . p . As constantes A e B devem ser determinadas a partir das


seguintes condies de contorno:
pn(x=0+) = pn(x=0) = pn0 = 1010 cm-3
pn(x=) = 0
Estas condies de contorno resultam em:
B=0
A = pn0
A soluo do problema portanto:
p n ( x ) = pn 0 .e

x Lp

O grfico da soluo mostrado na Fig. 8.36b. Este exemplo mostra que, se tivermos
uma fonte pontual de excesso de portadores em x = 0, teremos um decaimento
exponencial do excesso de portadores com a distncia, com comprimento
caracterstico de decaimento dado por Lp, como resultado dos processos de difuso e
de recombinao deste excesso de portadores.

Fig. 8.36 a) Ilustrao do enunciado do problema no 2 e b) o grfico da soluo do


problema, com a variao do excesso de portadores versus distncia a partir da
superfcie do semicondutor.
8.9 Conceitos Complementares
Apresentaremos neste item 3 conceitos complementares relacionados ao
estado do semicondutor, ou seja, o significado do conceito de comprimento de
difuso, determinao da corrente de difuso de minoritrios a partir das solues da
distribuio do excesso de minoritrios e o conceito de nveis de energia de quaseFermi.

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.56

i)

Comprimento de Difuso

bem comum encontrarmos uma situao similar ao do problema no 2 do item


anterior, ou seja, a injeo de excesso de portadores minoritrios em posio definida
como x = 0, a difuso dos mesmos para a regio de x > 0 e sua recombinao
concomitante, resultando numa soluo com decaimento exponencial em x com
comprimento caracterstico dado por Lp. Este comprimento caracterstico de
decaimento chamado de comprimento de difuso de minoritrios, e dados por:

L p D p . p

para lacunas

(8.118)

Ln Dn . n

para eltrons

(8.119)

Fisicamente, o comprimento de difuso de portadores minoritrios representa a


distncia mdia que portadores minoritrios conseguem difundir-se num mar de
majoritrios, at serem aniquilados por processo de recombinao trmica.
Por definio de posio mdia de excesso de portadores (lacunas como
exemplo) temos a relao:

< x >=

x.pn ( x ).dx

(8.120)

pn ( x ).dx

Substituindo a soluo do problema no 2 na relao (8.118) obtm-se tambm o


comprimento de difuso Lp, de acordo com a interpretao fsica dada acima. Uma
analogia, embora ttrica, muitas vezes apresentada, a seguinte: suponha uma
boiada tentando atravessar um rio no pantanal cheio de piranhas. Nesta situao
observa-se uma reduo gradual no nmero de bois com a distncia da margem
inicial do rio. A distncia mdia que os bois conseguem sobreviver no rio seria uma
analogia do comprimento de difuso minoritrios, dos portadores minoritrios
difundindo-se num mar de portadores majoritrios.
Como indicao da ordem de grandeza de comprimentos de difuso de
minoritrios temos valores tpicos de 10 a 1000 m. Como exemplo, consideremos um
material tipo n com ND = 1015 cm-3 e tempo de vida p = 1 s. dopagem dada,
corresponde uma mobilidade de lacunas de 458 cm2/V.s (ver Fig. 8.22), e
correspondentemente, uma constante de difuso dado por Dp = 0.0259 x 458 cm2/s
(relao 8.82). Substituindo estes valores em (8.118) resulta Lp = 35 m.
ii)

Corrente de Difuso de Portadores Minoritrios

Como citado acima, muito comum ter-se uma distribuio de excesso de


portadores minoritrios como dado na soluo do problema no 2 do item anterior. Um
exemplo prtico onde ocorre tal situao nas regies neutras de um diodo pn, a
partir das bordas das regies de depleo internas da juno, como mostrado no lado
p do diodo da Fig. 8.37. O entendimento mais detalhado do diodo pn ser
apresentado no captulo 10. Por ora iremos aceitar os seguintes resultados:
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.57

O diodo apresenta uma regio interna, chamada de depleo, com campo eltrico
e potencial interno
As regies fora da regio de depleo continuam neutras, ou seja com a
densidade de cargas total nula.
Pela polarizao direta do diodo, sero injetados portadores minoritrios na regio
p, oriundos do lado n.
aceita a seguinte condio de contorno para o excesso de portadores
minoritrios em x =0 (borda da regio de depleo no lado p), dado pela chamada
lei do diodo:
n p (0) = n p 0 (e q.Va kT 1)
(8.121)
onde va a tenso direta aplicada no diodo.
Como condio de contorno para x = , tem-se np() = 0.
Com as condies de contorno dados acima e a soluo do problema no 2, resulta a
seguinte distribuio de portadores minoritrios na regio p, a partir da borda da
regio de depleo:
n p ( x ) = n p 0 (e q.Va

kT

1).e x Ln

(8.122)

Fig. 8.37 a) Ilustrao das regies de um diodo n+p, com uma regio de depleo
interna e regies neutras a partir das bordas da primeira e b) distribuio do excesso
de portadores minoritrios no lado p.
Dada a distribuio de portadores minoritrios acima, podemos determinar a corrente
de difuso dos mesmos pela relao (8.68). Fazendo a substituio de (8.122) em
(8.68) e efetuando o clculo, obtm-se:
J n (0) = q. Dn .

dn p
dx

=
x =0

q. Dn q.Va
(e
Ln

kT

1)

(8.123)

O resultado da expresso (8.123) parte da expresso da corrente de um diodo,


como ser mostrado em maior detalhe no captulo 10. O exposto acima visa
sobretudo, mostrar a importncia e utilidade do conhecimento da resoluo da
equao de difuso de minoritrios para a determinao do estado do semicondutor
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.58

para sua posterior utilizao em terminao do funcionamento de dispositivos, como


por exemplo a corrente de um diodo.
iii)

Nveis de Quase-Fermi

Foi exposto anteriormente que as funes estatsticas, de distribuio de


eltrons nos estados qunticos, s se aplicam em casos de equilbrio trmico, e como
conseqncia, nveis de Fermi s tem sentido quando o material estiver em equilbrio
trmico. Assim, como na maioria das aplicaes de dispositivos semicondutores,
estes encontram-se em condies fora de equilbrio, no ser permitido usar o nvel
de Fermi como referncia para as funes estatsticas. Para contornar este problema,
define-se nveis de quase-Fermi, um para cada tipo de portador. Os nveis de quaseFermi so definidos como nveis tais que, substituindo o nvel de Fermi nas
expresses de Boltzmann, estas relacionam corretamente as concentrao de
eltrons e de lacunas, estando o material fora de equilbrio trmico. Ou seja,
conhecendo-se as concentraes de eltrons e lacunas podemos determinar os nveis
de quase-Fermi. A Fig. 8.38 apresenta diagramas de bandas a) de um semicondutor
em equilbrio e b) de um semicondutor fora de equilbrio, com indicao dos nveis de
quase-Fermi de eltrons, FN, e de lacunas, FP. As expresses (8.124) e (8.125)
repetem as expresses de Boltzmann vlidas em condies de equilbrio, enquanto
que as expresses (8.126) e (8.127) so as expresses de Boltzmann, vlidas fora da
condio de equilbrio, usando as definies dos nveis de quase-Fermi.

Fig. 8.38 Exemplos de uso de nveis de Fermi e de quase-Fermi em diagramas de


bandas de semicondutor tipo n, a) em equilbrio trmico e b) em condio fora de
equilbrio trmico.
n = ni .e

( EF Ei )

p = ni .e
n = ni .e

( Ei E F )

( FN Ei )

p = ni . e

(8.124)

kT

kT

(8.125)

kT

(8.126)

( Ei FP )

(8.127)

kT

A partir das expresses (8.126) e (8.127) podemos determinar os nveis de quaseFermi de eltrons e de lacunas como sendo:

FN Ei + kT . ln

n
ni

(8.128)
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.59

FP Ei kT . ln

p
ni

(8.129)

Quando um sistema semicondutor retornar sua condio de equilbrio, tem-se


que ambos os nveis de quase-Fermi retornaro ao nvel de Fermi. Comparando os
diagramas de bandas da Fig. 8.38, pode-se concluir que o semicondutor com
diagrama da Fig. 8.38b encontra-se em condio de baixo nvel de injeo. Esta
concluso deve-se ao fato do nvel de quase-Fermi dos majoritrios coincidir com o
nvel de Fermi de equilbrio e que a distncia (FN Ei) continuar relativamente maior
que a distncia (Ei FP). Deste ltimo fato tem-se que a concentrao dos portadores
minoritrios continua bem menor que a concentrao dos portadores majoritrios.
Tendo apresentado o conceito bsico dos nveis de quase-Fermi podemos
discutir algumas conseqncias resultantes da sua definio:
a) Tambm j foi apresentado anteriormente que o produto pn iguala-se a ni2 apenas
quando o semicondutor estiver em equilbrio trmico. Agora, com a definio dos
nveis de quase-Fermi podemos estabelecer uma relao vlida genericamente.
Efetuando o produto pn pelas expresses (8.126) e (8.127) obtm-se:
pn = ni2 .e ( FN FP ) kT

(8.130)

b) Novas expresses de densidade de corrente de eltrons e de lacunas podem ser


desenvolvidas a partir das definies dos nveis de quase-Fermi. Temos a corrente de
lacunas dada pela expresso (8.71):

J P = q. P . p. q.DP .p

(8.131)

O gradiente da concentrao de lacunas pode ser obtido a partir de (8.127), resultado


em:
p =

ni ( Ei FP ) kT
p
.e
.(Ei FP ) =
.(Ei FP )
kT
kT

(8.132)

Da relao (8.64), na sua forma genrica, temos que:

1
.Ei
q

(8.133)

Substituindo (8.133) em (8.132) resulta:


p =

q. p
p
.
.FF
kT
kT

(8.134)

Substituindo agora (8.134) em (8.131) temos:

J p = q.( p

q.D p
kT

). p. +

q.D p
kT

. p.FP

(8.135)

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.60

Temos da relao de Einstein (8.82) que:

q.D p
kT

= p

(8.136)

Pela substituio de (8.136) em (8.135) temos:


J p = p . p.FP

(8.137)

De forma anloga, deduz-se relao similar para densidade de corrente de


eltrons, dada por:
J n = n .n.FN

(8.138)

As relaes (8.137) e (8.138) mostram que corrente lquida de lacunas ou de


eltrons existe apenas quando houver um gradiente no nvel de quase-Fermi de
lacunas ou de eltrons, respectivamente. Como gradientes dos nveis de quase-Fermi
existem apenas para o semicondutor fora do equilbrio trmico, existe corrente lquida
de portadores apenas neste caso. Inversamente, podemos concluir que um
semicondutor em equilbrio trmico no pode ter corrente lquida de lacunas e/ou de
eltrons.
c) Exemplo de aplicao dos nveis de quase-Fermi ao problema no 2 do item 8.8.5.
Tnhamos como soluo do problema as seguintes concentraes dos portadores:
p n = pn 0 + p n ( x ) = pn 0 + pn 0 .e

x Lp

n n = n n 0 + n n ( x ) n n 0
onde tnhamos: nn0 = 1015 cm-3, pn0 = 105 cm-3 e pn0 = 1010 cm-3.
A partir destas distribuies de portadores e das relaes anteriores relacionadas aos
nveis de quase-Fermi podemos realizar as seguintes anlises:
c1) Estabelecer relaes para os nveis de quase-Fermi:
Os nveis de quase-Fermi podem ser determinados diretamente das relaes (8.128)
e (8.129). Desta forma, com base nas distribuies de portadores acima, obtemos:
FN Ei + kT . ln

n
n
Ei + kT . ln n 0 = E F
ni
ni

p
p
p
x L
FP E i kT . ln = Ei kT . ln n 0 + n 0 .e p
ni
ni
ni




Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.61

No intervalo prximo origem do eixo x, temos que pn(x) >> pn0. Enquanto for vlida
esta desigualdade podemos aproximar a expresso do nvel de quase-Fermi de
lacunas como:
p n 0 x L p
p
x
FP E i kT . ln
.e
= E i kT . ln n 0 + kT .
ni
ni
Lp




Esta relao mostra que, prximo origem, o nvel de quase-Fermi de lacunas varia
linearmente com a distncia.
c2) Desenhar os diagramas de banda com base nos nveis de Fermi e de quase-Fermi
a) em condio de equilbrio e b) for a de equilbrio, sob iluminao:
Com base nos dados do problema no 2 e nas expresses dos nveis de quase-Fermi
estabelecidos acima, podemos calcular os seguintes dados relativos aos diagramas
de bandas:
Calculando o nvel de quase-Fermi FP em x = 0, obtemos: FP = Ei. Para x > 0 mas
prximo origem foi mostrado que FP aumenta linearmente com x. No caso de x
muito elevado (x = ) obtemos do clculo de FP:
p
p
p
L
FP = E i kT . ln n 0 + n 0 .e p E i kT . ln n 0 = E F
ni
ni
ni


Com estes dados podemos desenhar os diagramas de bandas em equilbrio e no caso


fora de equilbrio, sob iluminao, como mostrado na Fig. 8.39.

Fig. 8.39 Diagramas de banda do Si relativo ao problema no 2 do texto, a) em


condio de equilbrio e b) em condio fora de equilbrio, sob iluminao constante
da sua superfcie.
c3) Anlise sobre densidades de corrente em regime estacionrio:
Vemos da Fig. 8.39b e da anlise acima que o nvel de quase-Fermi de lacunas varia
prximo superfcie do Si iluminado. Como FP no constante, temos da relao
(8.137) que existe corrente lquida de lacunas no sentido positivo, ou seja, partindo da
superfcie. Para x muito elevado no entanto, o nvel de quase-Fermi tende ao nvel de
Fermi de equilbrio, com gradiente nulo. Assim devemos nos perguntar se isto
resultar num acmulo de lacunas em x = . Para responder a esta questo, vejamos
primeiramente o que acontece com a corrente lquida de eltrons. Da relao (8.138)
podemos calcular esta densidade de corrente. Como o nvel de quase-Femi de
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.62

eltrons, FN, aproximadamente constante, seu gradiente aproximadamente nulo.


Acontece que neste caso o gradiente, mesmo quase nulo, multiplicado pela
concentrao dos portadores majoritrios, que muito alta. O produto destes dois
fatores pode resultar num valor finito no nulo. Na verdade devemos ter uma
densidade de corrente de eltrons de igual valor ao da densidade de corrente de
lacunas e de sentido oposto, tal que as duas correntes se cancelem:
J ( x) = J p ( x) + J n ( x) = 0

Apenas nestas condies podemos estar em condies estacionrias. O acmulo


contnuo e crescente de cargas numa regio do semicondutor no corresponde a uma
condio de regime estacionrio. Portanto, teremos um fluxo igual de eltrons e de
lacunas a partir da superfcie, sendo que os mesmos so gradualmente reduzidos
pelo processo de recombinao, at alcanarem concentraes iguais aos seus
valores de equilbrio e ambos fluxos de corrente se anularem.

8.10 Caracterizao de Semicondutores.


No captulo 5 citamos vrias medidas de caracterizao de semicondutores
usadas para qualificar os cristais sintetizados. Agora, aps estudar os tpicos dos
itens precedentes do presente captulo, o leitor est apto a entender vrias destas
tcnicas de caracterizao. Incluem-se entre as propriedades mais importantes dos
semicondutores, que devem ser caracterizadas, as seguintes: tipo de condutividade,
concentrao dos portadores em equilbrio, mobilidade dos portadores, massa efetiva
dos portadores, largura da banda proibida, nveis e densidades de estados dentro da
banda proibida, tempo de vida dos portadores. Descrevemos abaixo algumas das
tcnicas usadas para medir tais propriedades dos semicondutores.
a) Medida de Ponta Quente:
Esta tcnica permite determinar o tipo de condutividade do semicondutor e j foi
descrito neste captulo, no item 8.7.2.
b) Medida de Efeito Hall:
Esta medida j foi discutida resumidamente no captulo 2, item 2.1 e ser apresentada
em maior detalhe em seguida. Esta medida fornece as seguintes propriedades do
semicondutor: tipo de portador majoritrio, concentrao do portador majoritrio e a
mobilidade do mesmo. O efeito Hall foi descoberto em 1879 por Edwin Hall e baseiase na medida esquematizada na Fig. 8.40. Uma fonte de corrente faz passar corrente,
por exemplo, na direo x. Sendo o material do tipo p, esta corrente ser
essencialmente composta por fluxo de lacunas. O campo magntico aplicado, por
exemplo na direo z, produz uma fora de Lorentz na direo y dada por:
F = q( v xB )

(8.139)

Como os vetores do campo magntico e da velocidade dos portadores so


perpendiculares entre si por construo, o mdulo do produto vetorial da relao
(8.139) dado pelo produto do mdulo dos mesmos:

F = q.v.B

(8.140)
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.63

Fig. 8.40 Ilustrao esquemtica da medida de efeito Hall de uma amostra tipo p. Uma
corrente eltrica aplicada na direo x e um campo magntico aplicado na direo
z, resultando no aparecimento da tenso Hall entre 2 terminais entre as faces opostas
na direo y.
A fora de Lorentz causa o desvio das lacunas na direo perpendicular ao plano do
campo magntico com a velocidade e no sentido de y negativo na Fig. 8.40. Este
desvio causa um acmulo de cargas positivas na face inferior da amostra e de carga
negativa na face oposta. Estas cargas opostas armazenadas nas duas faces superior
e inferior do bloco semicondutor produz o aparecimento de um campo eltrico,
causando uma fora eltrica sobre as lacunas no sentido oposto ao do produzido pelo
campo magntico. Em regime estacionrio as duas foras se igualam em mdulo,
fazendo as lacunas fluir no plano horizontal, sem desvio na vertical. Impondo assim a
fora na direo y igual a zero, resulta:
Fy = q(y + v. B ) = 0

(8.141)

y = B.v

(8.142)

O campo eltrico constante em y resulta na tenso Hall dada por:


VH =

W
0

y .dy = W . B.v

(8.143)

onde W a largura da amostra de semicondutor na direo y.


A velocidade v de deriva das lacunas pode ser obtida a partir da expresso da
corrente de deriva:

I = q.W .t. p.v

(8.144)

onde t a espessura da amostra de semicondutor na direo z.


Substituindo a velocidade v, obtida a partir de (8.144) em (8.143) resulta:

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.64

VH =

B.I
q. p.t

(8.145)

Conhecendo-se o campo magntico e a corrente eltrica aplicados, bem como as


dimenses W e t da amostra, a relao (8.145) permite determinar a concentrao p a
partir da medida de VH. O sinal positivo ou negativo da tenso Hall indica o material
ser do tipo p ou n respectivamente.
A corrente eltrica passando pelo semicondutor causa o aparecimento de uma
queda de tenso hmica, V, medidos em dois terminais na superfcie do
semicondutor como indicado na Fig. 8.40. A partir desta medida podemos determinar
a resistividade do material:
V = .

S
.I
W .t

(8.146)

onde S a distncia entre os 2 contatos da medida V.


A partir da relao (8.53) e das relaes (8.145) e (8.146) acima, obtemos a
expresso que permite determinar a mobilidade das lacunas:

p =

1
1 S V
= . . H
q. . p B W V

(8.147)

Para material tipo n obtm-se expresses totalmente anlogas, com a diferena que a
tenso Hall ser de sinal oposto.
c) Medida de Absoro de Ressonncia Ciclotrnica:
Esta medida permite determinar a massa efetiva dos portadores, como j descrito
de forma geral na captulo 2, item 2.1. Sugerimos que o leitor reveja esta descrio
geral dada, para maior compreenso das informaes a seguir. A Fig. 8.41 ilustra um
esquema da montagem experimental da medida. O campo magntico fixo produz um
movimento oscilatrio circular do eltron, tal que a fora magntica seja igual fora
centrfuga:

q.v.B =

m * .v 2
R

(8.148)

onde R o raio do crculo descrito pelo eltron.

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.65

Fig. 8.41 Esquema da montagem experimental da medida de ressonncia ciclotrnica.


O sinal de microondas sai do gerador, entra na porta 1 do circular e sai pela porta 2,
atravessa a amostra, reflete no espelho, atravessa novamente a amostra, entra pela
porta 2 do circulador e sai pela porta 3, chegando no receptor.
Como a freqncia, f, de oscilao dada pela razo entre a velocidade tangencial e
o permetro do crculo descrito pelo eltron, resulta:

= 2. . f =

v q. B
=
R m*

(8.149)

onde a freqncia angular.


Quando a freqncia do sinal de microondas coincidir com a freqncia de
oscilao magntica do eltron, temos o caso de ressonncia e o eltron nestas
condies consegue absorver mais energia das duas fontes. Nestas condies, o
receptor detecta um sinal menor de microondas que passa pela amostra, refletido no
espelho e retorna. A medida realizada mantendo fixa a freqncia do sinal de
microondas e variando-se gradualmente o valor do campo magntico. No caso da
absoro do sinal pela ressonncia ciclotrnica, obtm-se a massa efetiva da partcula
a partir da relao (8.149), dada por:

m* =

q.B

(8.150)

onde c a freqncia angular do sinal de microondas.


A Fig. 8.42 apresenta um espectro de absoro do sinal de microondas versus valor
do campo magntico aplicado, para uma amostra de Ge. O espectro mostra 4 picos
de absoro, que correspondem a 2 tipos de lacunas na banda de valncia e a 2 tipos
de eltrons na banda de conduo, cada qual correspondendo ao pico, de mximo ou
de mnimo, de uma curva ou regio de curva energia versus vetor de onda do seu
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.66

diagrama de bandas completo (Fig. 7.12). Esta medida experimental constitui um


importante instrumento para confirmar informaes dos diagramas de bandas obtidos
por clculos tericos de mecnica quntica. Alm da determinao da massa efetiva
dos portadores, que corresponde ao inverso da derivada segunda da curva E x k do
diagrama de bandas, tem-se informao sobre a densidade de portadores pela altura
do pico da absoro do espectro. A largura dos picos de absoro apresenta relao
com o tempo entre colises. Se no houvesse colises, o pico de absoro seria
muito estreito, conforme a relao (8.150). Para reduzir o nmero de colises dentro
do perodo de um ciclo, deve-se escolher um perodo de ciclo curto, ou seja, uma
freqncia de sinal de RF alto, na faixa de microondas, bem como reduzir a
temperatura da amostra. Pela reduo da temperatura reduzimos a vibrao dos
tomos da rede cristalina e assim a freqncia de colises.

Fig. 8.42 Espectro de absoro versus valor do campo magntico na medida de


ressonncia ciclotrnica de uma amostra de Ge.
d) Medida de 4 Pontas:
Por medida V I de 4 pontas podemos determinar a resistividade do material,
como apresentado no item 8.7.1. Em seguida, podemos determinar a dopagem do
semicondutor pela relao (8.53) ou (8.54), levando em conta a dependncia da
mobilidade dos portadores com o nvel da dopagem conforme mostrado na Fig. 8.22.
Um procedimento alternativo, equivalente e mais simples obter a dopagem
diretamente pelo uso da Fig. 8.24.
e) Medida da Condutividade versus Temperatura
Esta medida permite determinar o valor da banda proibida, EG, do
semicondutor. A condutividade dada pelo inverso da expresso da resistividade
(8.52), ou seja:

= q.( n .n + p . p )

(8.151)

Como as concentraes de portadores varia com a temperatura, resulta uma


correspondente variao na condutividade. A Fig. 8.15, apresentada no item 8.5,
mostra a variao da concentrao de eltrons em material tipo n com a temperatura.
Esta variao da concentrao de portadores explica em grande parte a variao da
condutividade com a temperatura como a apresentada na Fig. 8.43. Para baixas
temperaturas predomina o efeito do congelamento dos portadores. Na faixa
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.67

intermediria de temperatura, chamada de faixa extrnseca de temperatura, todos os


dopantes esto eletricamente ativados, com a concentrao dos portadores
majoritrios aproximadamente igual concentrao dos dopantes. Nesta faixa no
entanto, observa-se uma reduo da condutividade, similar ao que ocorre nos metais,
devido reduo da mobilidade dos portadores com a temperatura. Agora, ao
aumentarmos a temperatura acima da faixa extrnseca, temos que a concentrao
intrnseca de portadores torna-se considervel, tornando-se mesmo maior que o nvel
da dopagem, como ilustrado na Fig. 8.15. Nesta faixa de temperatura, o semicondutor
torna-se intrnseco e temos que:

Fig. 8.43 Curva tpica da condutividade de semicondutor extrnseco versus inverso da


temperatura, em escala log linear.
p n ni = f (T )
Das consideraes do item 8.5, temos que:
ni = A.( p + n )(T ) 3 2 .e EG

2 kT

(8.152)

onde A uma constante.


Como a variao exponencial com temperatura muito maior que a variao
polinomial da temperatura na expresso (8.152), teremos uma variao da
condutividade aproximadamente exponencial com a temperatura, na faixa de alta
temperatura (intrnseca). Desta forma temos que a inclinao da curva da
condutividade nesta faixa de temperatura dada por:
d (ln )
E
= G
2k
d (1 T )

(8.153)

A relao (8.153) mostra que a inclinao da curva de condutividade com a


temperatura fornece diretamente o valor da banda proibida do semicondutor.
e) Medida de Absoro ptica:
A medida de absoro ptica outra medida que permite determinar o valor da
banda proibida do semicondutor. Nesta medida, utiliza-se amostra bem fina de
semicondutor para permitir a transmisso de luz atravs da mesma, como indicado na
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.68

Fig. 8.44a. Uma fonte de luz monocromtica, de freqncia varivel incide sobre o
semicondutor, alinhado com um fotodetetor no outro lado da mesma. Para freqncias
de luz com energia menor que o valor da banda proibida, o semicondutor
transparente e o detetor indica alta fotocorrente, como indicado na Fig. 8.44b.
Aumentando-se a freqncia da luz o semicondutor torna-se opaco a partir de certo
valor. A freqncia limite para o incio da absoro da radiao pelo semicondutor
est relacionada com o valor de EG como segue:
h. f = EG

(8.154)

Fig. 8.44 a) Esquema da montagem experimental da medida absoro ou transmisso


de luz pelo semicondutor; b) Resultado de medida de transmisso de luz atravs de
um semicondutor.
Assim, a curva de absoro obtida fornece diretamente o valor de EG.
Esta medida aplica-se muito bem a semicondutor que apresenta estrutura de
banda do tipo direto, como ilustrado na Fig. 8.45a. Por outro lado, para semicondutor
com diagrama de banda do tipo indireto, como ilustrado na Fig. 8.45b, a transio do
eltron, da banda de valncia para a banda de conduo, bem menos provvel de
ocorrer como j discutido no item 8.7.5. Como conseqncia, em semicondutor com
estrutura de bandas do tipo indireta, a transio entre regio de transparncia e a
regio com absoro bem mais gradual, tornando-se difcil determinar a freqncia
limite e portanto a largura da banda proibida.
f) Medida de Fotoluminescncia:
A medida de fotoluminescncia fornece os nveis de energia de estados ou
armadilhas de eltrons dentro da banda proibida. Nesta medida, o semicondutor
excitado por meio de uma fonte de laser com freqncia de luz com energia maior que
o valor de EG. A excitao provoca a transio de eltrons da banda de valncia para
os vrios estados disponveis dentro da banda proibida, bem como para a banda de
conduo. Em seguida, os eltrons excitados tendem a decair para seus estados
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.69

fundamentais, emitindo ftons com energia dada pela diferena entre a energia do
estado e a energia do topo da banda de valncia, como ilustrado na Fig. 8.46.
Medindo-se o espectro de radiao emitida pelo semicondutor excitado, obtm-se
uma leitura direta dos estados ou armadilhas presentes dentro da banda proibida.

Fig. 8.45 Ilustrao de detalhe do processo de absoro de fton por eltron em


semicondutor com diagrama de banda do tipo a) direto e b) indireto.

Fig. 8.46 Ilustrao dos diversos processos radiativos em semicondutor excitado por
luz, em medida de fotoluminescncia.
g) Medida de Fotocondutividade:
A medida de fotocondutividade apropriada para a determinao do tempo de
vida dos portadores. Uma fonte de luz, com comprimento de onda apropriada, incide
sobre o semicondutor, pelo qual passado uma dada
corrente eltrica, como mostrado na Fig. 8.47a. A luz incidente aumenta a
concentrao dos portadores e como conseqncia, a condutividade do material, ou a
corrente passando pelo circuito. Ao desligar-se a fonte de luz, a condutividade do
material, ou a corrente eltrica pelo circuito, decai gradualmente (Fig. 8.47b), na
mesma taxa da reduo da concentrao dos portadores do semicondutor. A taxa de
reduo dos portadores diretamente relacionada com o tempo de vida dos
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.70

portadores, como discutido no item 8.8. Desta forma, o tempo de vida pode ser
determinado a partir da taxa da reduo da corrente eltrica aps o desligamento da
fonte de luz.

Fig. 8.47 a) Esquema do experimento de fotoconduo em semicondutor; b) curva da


corrente, ilustrando o decaimento quando a fonte de luz desligada.
No caso de um material semicondutor de um dado tipo, sem estrutura especial
para separar os portadores minoritrios dos majoritrios, h necessidade de uma
fonte de luz de alta intensidade para que tenhamos uma condio de alta injeo. Isto
necessrio para que a variao da corrente seja significativa. No caso de condio
de baixa injeo teremos variao significativa apenas na concentrao dos
portadores minoritrios. Para detectar esta variao devemos dispor de estrutura
especial que permita separar os portadores minoritrios dos majoritrios

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.71

Questes
8.1 A que principalmente devemos o sucesso dos semicondutores?
8.2 D exemplos de semicondutores compostos III-V, sendo 2 binrios e 2 ternrios.
8.3 Compare o "bandgap" entre o GaAs, InP, AlGaAs e InGaAs. Quais entre estes
podem ter o mesmo parmetro de rede ?
8.4 Explique fisicamente porque o nmero de portadores minoritrios diminui com o
nvel de dopagem.
8.5 Defina semicondutor intrnseco e extrnseco.
8.6 Indique a posio aproximada de estados associados s impurezas doadoras e
aceitadoras. Justifique. Porque os representamos por linha tracejada e no contnua ?
8.7 Dado um diagrama de bandas de um semicondutor, com dada densidade de
estados, e a probabilidade de ocupao dada pela funo de Fermi. Expresse a
densidade de eltrons e de lacunas em funo destas relaes, justificando os limites
de integrao.
8.8 Qual a motivao para usarmos a estatstica de Boltzmann ao invs da de Fermi?
Qual a definio de semicondutor degenerado e no degenerado ?
8.9 Demonstre a partir das relaes de Boltzmann que o produto np igual a ni2 e
qual a relao de ni com o parmetro EG do semicondutor e a temperatura.
8.10 D as relaes de concentraes de portadores para materiais tipo n e tipo p no
degenerados.
8.11 A partir das relaes de Boltzmann, determine a posio do nvel de Fermi
versus nvel de dopagem.
8.12 Use o modelo de bandas de energia em semicondutores e ilustre: a) um eltron,
b) uma lacuna, c) posies de doadores, d) posies de aceitadores, e) congelamento
de portadores majoritrios nos stios de doadores ao reduzirmos a temperatura em
direo a 0 K, f) idem para aceitadores, g) a distribuio de portadores em energia na
respectiva banda, h) um semicondutor intrnseco, i) um semicondutor tipo n, j) um
semicondutor tipo p, l) um semicondutor degenerado, m) um semicondutor no
degenerado.
8.13. Considere o nvel de Fermi em Ec e calcule a probabilidade de ocupao do
estado em Ec + kT.
8.14. Considere um semicondutor no degenerado. Determine o nvel de energia nas
bandas de conduo e de valncia onde o nmero de eltrons mxima.
8.15. Considere uma distribuio hipottica de estados nas bandas de conduo e de
valncia, dados por:
gc(E) = cte = Nc/kT
p/ E > Ec
gv(E) = cte = Nv/kT
p/ E < Ev
Desenvolva a relao de concentrao de portadores nas duas bandas em funo do
nvel de Fermi.
-3
8.16. Considere um semicondutor uniformemente dopado, NA = 1E15/cm . Qual a
concentrao de portadores a 0 K, 300 K e 650 K ? Qual a posio do nvel de Fermi
nestas mesmas temperaturas ?
8.17 Como varia o nvel de Fermi com a temperatura? Quais as relaes que devem
ser usadas para determinarmos o nvel de Fermi a uma temperatura qualquer?
8.18 Porque em semicondutores teremos velocidade de deriva dos portadores
proporcional ao campo eltrico e no uma acelerao dos portadores proporcional ao
campo eltrico?
8.19 Sendo a mobilidade dada por: = q.tcol/(2.m*). Quais as dependncias fsicas da
mobilidade?
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.72

8.20 Quais os dois tipos mais importantes de espalhamento de portadores em


semicondutores?
8.21 Como varia a mobilidade com as temperatura? Explique qualitativamente por
qu?
8.22 Como varia a mobilidade com as dopagem? Explique qualitativamente por qu?
8.23 Explique qualitativamente porque o tempo mdio entre espalhamento por
impurezas aumenta com a temperatura.
8.24 Qual a razo entre a mobilidade eletrnica em Ge, Si e GaAs ?
8.25 Escreva a expresso da densidade de corrente de deriva. E da resistividade do
semicondutor.
8.26 Qual a definio de resistncia de folha? Calcule a resistncia de uma camada
semicondutora de 100 m de comprimento e de 20 m de largura, tendo como
resistncia de folha 20 / .
8.27 Desenhe um diagrama de bandas de um semicondutor em equilbrio trmico, tipo
n e com dopagem no constante. Abaixo deste, desenhe diagramas de potencial
eltrico e outro de campo eltrico.
8.28 Por que ocorre a difuso de partculas?
8.29 D a expresso da corrente de difuso em semicondutor.
8.30 Explique a medida de ponta de prova quente para determinar o tipo de um
semicondutor.
8.31 O que diz a relao de Einstein para semicondutores?
8.32 a) Uma amostra de Si possui dopagem uniforme com ND = 1016 cm-3 e mantido
temperatura ambiente. Calcule a resistividade da amostra, usando a relao (8.54).
Compare o resultado com dados da Fig. 8.24.
b) Considere que a amostra do item a) tenha adicionado mais dopantes tipo p, com NA
= 1016 cm-3. Recalcule a resistividade do material (cuidado com os valores das
mobilidades dos portadores a serem usados).
c) Calcule a resistividade de semicondutor intrnseco, sem dopagem. Compare o
resultado com o do item b).
d) Um resistor de Si tipo n, com rea de seo em corte de 10-2 cm2 e comprimento de
1 cm, apresenta resistncia de 500 . Determine a concentrao da dopagem.
8.33 Preencha a tabela abaixo com dados de interpretao do diagrama de bandas da
Fig. P8.33.
Portador
Ecintica (eV)
Epotencial (eV)
Eltron 1
Eltron 2
Eltron 3
Lacuna 1
Lacuna 2
Lacuna 3

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Figura do problema 8.33


8.34 Um dado semicondutor apresenta o diagrama de bandas, em condies de
equilbrio, dado na Fig. P8.34. Dados EG = 1.12 eV, ni = 1010 cm-3, e kT = 0.0259 eV.
a) Determine n em x = L/4, x = L/2, e x = 3L/4. b) Para que valores de x, se existir,
devemos classificar o semicondutor como degenerado? c) Apresente curvas
qualitativas da variao de n e p versus x. d) Apresente curvas esquemticas do
potencial eltrico e do campo eltrico dentro do semicondutor. e) Sendo L = 10-2 cm,
determine o valor do campo eltrico em x = L/2.

Figura do problema 8.34


8.35) Considere um semicondutor com o diagrama de bandas idealizado como na
Fig. P8.35. Sendo dados: EG = 1.12 eV, ni = 1010 cm-3, kT = 25.9 meV, n = 1345
cm2/V.s, p = 458 cm2/V.s. a) Esquematize curva de potencial eltrico e do campo
eltrico versus x (adote V = 0, em x = xa). b) Calcule a densidade de corrente eltrica
de deriva de eltrons em x = xa e em x = xb. Qual o sentido destas mesmas correntes?
c) Calcule a densidade de corrente de difuso de eltrons em x = xb e qual o sentido
desta corrente? d) Calcule a densidade de corrente total em x = xb. Explique.

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Figura do problema 8.35


8.36 Descreva o processo de gerao e recombinao (G-R) tipo banda a banda. Cite
possveis fontes de energia envolvidas no processo.
8.37 Descreva o processo de G-R tipo indireto.
8.38 Qual a origem de estados com nveis prximo ao do meio da banda proibida? Por
que estes so os mais efetivos para alterar as taxas de G-R ?
8.39 A densidade NT afeta a densidade de portadores em equilbrio ? E fora do
equilbrio ?
8.40 Defina o conceito de baixa injeo.
8.41 Argumente porque a taxa de G-R trmico em baixa injeo, em material tipo p,
dado por: - Cn x NT x n.
8.42 Qual o efeito do tempo de vida sobre a taxa de G-R trmico? Como define tempo
de vida? Como pode se controlar ou alterar o tempo de vida?
8.43 O que representa a equao da continuidade? Descreva suas componentes.
8.44 Dada a equao de difuso de portadores minoritrios, qual a representao de
cada termo ?
8.45 Dada a equao de difuso de portadores minoritrios, deduza as simplificaes
possveis nos seguintes casos:
a) estado estacionrio
b) ausncia de gradiente de portadores minoritrios
c) ausncia de campo eltrico,
d) ausncia de R-G trmico
e) ausncia de luz
8.46 Quais as solues da equao de difuso de portadores minoritrios nos
seguintes casos:
a) estado estacionrio e ausncia de luz
b) ausncia de gradiente de portadores minoritrios e ausncia de luz
c) estado estacionrio e ausncia de gradiente de portadores minoritrios
d) estado estacionrio, ausncia de R-G e de luz.
8.47 Qual o significado do comprimento de difuso?
8.48 Defina nveis de quase-Fermi.
8.49 Qual a relao entre a densidade de corrente de portadores e o correspondente
nvel de quase-Fermi?
8.50 Seja um semicondutor caracterizado pelo diagrama de energia dado na Fig.
P8.50. Seja dado que: EG = 1.12 eV, kT = 25.9 meV, ni = 1010 cm-3, , n = 1345
cm2/V.s e n = 10-4 s. a) Desenhe o potencial eltrico e o campo eltrico dentro do
semicondutor versus x. b) Para que valores de x existe neutralidade de cargas (lembre
da equao de Poisson). c) Desenhe a curva de concentrao de eltrons versus x,
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.75

especificando os valores em x = xa e em x = xc. d) Calcule as densidades de corrente


de eltrons de deriva, de difuso e total em x = xa. Explique suas respostas. e) Um
eltron em x = xb com energia E = EC move-se da sua posio para x = 0, sem perder
sua energia total. Qual ser sua energia cintica em x = 0 ? f) Sendo introduzido uma
certa quantidade de excesso de eltrons em x = xc. Este excesso de eltrons ir
difundir-se no semicondutor em direo a x = xb. Sendo xc xb = 10-3 cm, qual frao
do excesso de eltrons alcanar xb ?

Figura do problema 8.50


8.51 Uma barra semicondutora semi-infinita, tipo p, iluminada, como na Fig. P8.51,
gerando GL pares eltron-lacunas uniformemente ao longo de todo seu volume.
Simultaneamente, h um sorvedouro de portadores em x = 0, impondo np(0) = 0 em
x = 0. Assumindo condio de estado estacionrio e que np(x) << pp0, determine
np(x).

Figura do problema 8.51


8.52 Considere um material de Si, tipo n, com dopagem uniforme ND = 1014 cm-3, e
com tempo de vida de minoritrios p = 1 s. A amostra era inicialmente iluminada por
longo perodo (>>p) com gerao GL = 1016 cm-3 pares eltron-lacunas,
uniformemente em todo o volume do semicondutor. No instante t = 0, a fonte de luz
desligada. Analise este transiente: a) A condio de baixa injeo satisfeita durante
todo tempo t > 0 ? Explique. b) Assumindo n(t) = p(t), estabelea uma relao da
condutividade do material ( = 1/) em funo do tempo.
8.53 Uma amostra de Si tipo n de comprimento L mantido em condio de estado
estacionrio tal que, pn(x=0) = pn0 = 1012 cm-3 e pn(x=L) = 0. O semicondutor
uniformemente dopado com ND = 1016 cm-3, mantido temperatura ambiente de 300
K e no h gerao por luz e nem outros processos ocorrendo no interior do
semicondutor. a) satisfeita a condio de baixo nvel de injeo? Explique. b) Como
varia n(x) ? c) Resolva p(x). d) Qual a posio do nvel de quase-Fermi de lacunas em
x = 0 e em x = L ?
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.76

8.54 A condio de equilbrio e a condio de estado estacionrio sob iluminao de


um semicondutor so caracterizadas pelos diagramas de bandas na Fig. P8.54.
Sendo T = 300 K, ni = 1010 cm-3, n = 1345 cm2/V.s, p = 458 cm2/V.s, determine: a) As
concentraes de equilbrio n0 e p0. b) As concentraes n e p nas condies
estacionrias. c) ND. d) Vale a condio de baixa injeo no caso sob iluminao?
Explique. e) Calcule a resistividade do semicondutor em equilbrio e sob iluminao.
8.55 Uma amostra de Si de comprimento L e dopagem uniforme ND = 1015 cm-3
mantida temperatura ambiente, com perturbao em condio de regime
estacionrio, tal que: n ND, p = nI(1-x/L) + ni2/ND, para 0 x L. Como n ND
podemos assumir que 0. Nestas condies, desenhe o diagrama de bandas com
especificao de EC, EV, Ei, FN e FP versus x.
8.56 a) Desenhe o diagrama de bandas de um semicondutor de Si tipo n, de 2 cm de
comprimento, dopado com fsforo e com boro. A amostra apresenta o nvel de Fermi
a 4 kT abaixo do nvel EC. Considerando como referncia de potencial eltrico o nvel
EI, indique no diagrama de bandas o potencial eltrico correspondentes aos nveis EC,
EV, ED e EA. Assuma T = 300 K e os nveis ED e EA dados na Tabela 8.3. b) Desenhe o
diagrama de bandas do material com aplicao de uma tenso de 2V.
8.57 Uma amostra de Si tem dopagem tipo n com ND = 1015 cm-3 e est temperatura
ambiente de 300 K. Calcule a posio do nvel de Fermi e as concentraes p e n.
Assumindo que a distribuio de estados na banda de conduo seja dada por gcdE =
8 x 1020 (E)0.5dE cm-3, calcule o nmero de eltrons no intervalo de 1.9 kT e 2.1 kT
acima do mnimo da banda de conduo, EC.
8.58 Calcule o nvel de Fermi intrnseco de Si, Ge e GaAs.
8.59 Quais os parmetros mais importantes de caracterizao de semicondutores?
8.60 Explique o princpio da medida de ponta quente.
8.61 Explique o princpio da medida de efeito Hall. Que parmetros ela fornece?
8.62 Explique o princpio da medida de absoro de ressonncia ciclotrnica. Que
parmetro ela fornece?
8.63 Descreva duas tcnicas usadas para determinar o band-gap do material.
8.64 Descreva uma tcnica usada para determinar os nveis localizados dentro da
banda proibida.
8.65 Descreva a tcnica de fotocondutividade. Que parmetro ela fornece?

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