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Semicondutores
Semicondutores
Semicondutores
Semicondutores j foram definidos no captulo anterior, como sendo materiais
com suas bandas de valncia e de conduo separados por uma faixa proibida de
energia de valor no muito elevado (da ordem frao ou alguns eV), sendo que
temperatura de 0 K, todos os estados da banda de valncia esto ocupados e todos
os estados da banda de conduo esto desocupados. Tal material ter uma
condutividade eltrica bastante reduzida em temperaturas normais de operao (bem
maiores que 0 K), de valor intermedirio entre as condutividades de isolantes e de
condutores. Veremos neste captulo diversas propriedades de semicondutores, bem
como a alterao destas pela adio de pequena quantidade de impurezas. Na
verdade, o sucesso dos semicondutores deve-se aos seguintes trs fatores principais:
Si, Ge
Compostos III-V
Binrios
Compostos II-VI
Ternrios
Quaternrios
Binrios
Ternrios
simplificao e tem tambm a sua utilidade, como ilustrado na Fig. 8.4. A Fig. 8.4a
utiliza o modelo de ligaes para representar uma vacncia (falta de um tomo) no
cristal, enquanto a Fig. 8.4b ilustra o rompimento de uma ligao covalente entre dois
tomos vizinhos, criando um ligao incompleta (lacuna) e um eltron livre (eltron na
banda de conduo). A Fig. 8.5 detalha a equivalncia entre os modelos de ligaes
qumicas e de bandas, nos casos de material a) sem portadores (por exemplo,
semicondutor a 0 K), b) com eltrons livre na banda de conduo criados pelo
rompimento de ligaes qumicas e c) com o deslocamento de uma lacuna pela
transferncia de uma ligao incompleta para uma posio vizinha. Lembramos que a
gerao de um par eltron-lacuna se d pela passagem de eltrons da banda de
valncia para um estado da banda de conduo, atravs de recebimento de energia
por alguma forma (por exemplo por temperatura ou vibrao da rede do cristal). Este
fenmeno equivalente ao do rompimento da ligao qumica covalente entre dois
tomos vizinhos. Ambos os modelos, de bandas de energia e de ligaes qumicas
podem ser usados indistintamente, dependendo apenas da convenincia. Sem
dvida, o modelo de bandas de energia usado com maior freqncia.
Fig. 8.4 Uso do modelo de ligaes para representar a) uma vacncia (falta de um
tomo no cristal) e b) rompimento de uma ligao com liberao do eltron (gerao
do par eltrons-lacuna).
(8.1)
R = .n. p
(8.2)
R = .n. p = G = f (T , EG )
(8.3)
n = p = ni = f (T , EG )
(8.4)
Fig 8.7 Ilustrao da dopagem de cristal de Si por tomos a) tipo doadores (elementos
da coluna VA) e b) tipo aceitador (elemento da coluna IIIA), em posies
substitucionais.
Adicionando agora pequenas concentraes de elemento da coluna IIIA da
tabela peridica rede cristalina de Si, de forma tambm substitucional, teremos uma
situao como ilustrada na Fig. 8.7b. Observa-se da Fig.8.7b, que o tomo
substitucional de valncia 3 apresenta a falta de um eltron, deixando a ligao
covalente incompleta com um dos 4 tomos vizinhos de Si. Esta ligao qumica com
orbital incompleto, pode facilmente receber um eltron de uma ligao qumica
vizinha, formando-se assim uma lacuna. Em outras palavras, com pouca energia
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.7
(trmica por exemplo), um eltron da banda de valncia do cristal passa para o estado
vazio associado a tomo da coluna IIIA, aumentando assim a concentrao p de
lacunas. Considerando agora a relao (8.2), conclui-se que, pelo aumento da
concentrao p, resulta um aumento na taxa de recombinao dos portadores e
conseqentemente, uma reduo na concentrao dos eltrons. Isto significa que,
pela adio de elementos da coluna IIIA ao cristal de Si, teremos um incremento na
concentrao p e uma reduo na concentrao n. Nesta situao, as lacunas sero
portadores majoritrios e os eltrons, portadores minoritrios. Como a conduo
eltrica deste material ser feita predominantemente por cargas positivas (lacunas), o
mesmo ser chamado de material tipo p (de positivo). A impureza da coluna IIIA, que
recebeu o eltron proveniente da banda de valncia, chamada de aceitadora, por ter
aceito um eltron. Como dopantes aceitadoras para Si tem-se os seguintes
elementos: B, Al, Ga e In. Dentre estes, o B o dopante aceitador mais usado, tendo
em vista que apresenta maior solubilidade slida (ver Fig. 4.18) e outras
consideraes tcnicas. O tomo aceitador, aps receber seu quarto eltron
transforma-se num on de carga -q. A criao destes ons negativos concomitante
com a gerao equivalente de lacunas de carga positiva na banda de valncia, de
forma que a neutralidade de cargas do material preservada.
Pelo exposto acima, temos que um semicondutor tipo n apresenta alta
concentrao n e baixa concentrao p e vice-versa para o semicondutor tipo p. No
item 8.6 ser demonstrado que, independente do nvel de dopagem, o produto n.p
constante e dado pela relao (8.5), desde que o material esteja em equilbrio trmico.
Por equilbrio trmico entende-se que o material est em temperatura uniforme e que
no h outra forma de energia sendo fornecida ao material. A relao (8.5) coerente
com os argumentos usados acima, pelos quais, pelo aumento artificial de um dos
portadores reduz-se concomitantemente a concentrao do portador complementar.
imediato observar que a relao (8.5) vale tambm para o caso particular do
semicondutor intrnseco (a partir da relao 8.4).
n. p = ni2
(8.5)
mq 4
EB =
2(4 . K S o .
)2
m 1
m 1
=
.
.E H =
.
( 13.6 ) 0.1eV
m K S2
m K S2
(8.6)
Fig 8.8 Ilustrao dos estados introduzidos pelos tomos de fsforo em cristal de Si.
Os traos indicam a natureza localizada dos estados.
Portanto, os tomos doadores introduzem um estado em nvel de energia de
aproximadamente 0.1 eV abaixo do mnimo da banda de conduo. Por clculos mais
precisos e por medidas experimentais obtm-se os valores apresentados na Tabela
8.3, para tomos doadores e aceitadores. No caso dos tomos aceitadores, a energia
refere-se distncia do nvel em relao ao topo da banda de valncia do Si e acima
desta. A Fig. 8.8i uma ilustrao dos nveis dos tomos de fsforo introduzidos no
cristal de Si. Nota-se que os estados so representados por linhas tracejadas. Isto se
deve ao fato dos tomos dopantes estarem em concentraes bem menores que a
densidade dos tomos de Si, ou seja, tem-se tomos dopantes distantes entres si de
vrias dezenas a milhares de distncias atmicas do cristal. Os dopantes no formam
um contnuo de tomos mas sim uma distribuio discreta de tomos localizados.
Tabela 8.3 Energias dos nveis introduzidos por dopantes doadores (abaixo do nvel
EC) e aceitadores (acima no nvel EV) em cristal de Si.
Doador
EC-ED [eV]
Aceitador
EA-EV [eV]
Sb
0.039
B
0.045
P
0.045
Al
0.067
As
0.054
Ga
0.072
In
0.16
Um outro aspecto a ser considerado a influncia da temperatura do material
sobre a ocupao por eltrons dos estados introduzidos. Este comportamento
ilustrado na Fig. 8.8ii para material tipo n (a) e para material tipo p (b). No caso de
temperatura de 0 K, todos os eltrons iro ocupar os estados de mais baixa energia
possvel. Desta forma, temos que no material tipo n, os eltrons doados pelos tomos
dopantes retornam a seus nveis originais, ou seja, voltam a se ligar aos tomos
doadores, ocupando os estados ED logo abaixo de EC. No caso do material tipo p, os
ons aceitadores liberam os eltrons que estavam ocupando os estados EA
introduzidos, com estes eltrons retornando ao seu nvel original na banda de
valncia. Aquecendo novamente o material, temos inicialmente os eltrons dos
estados de nvel ED do material tipo n adquirindo energia e indo para estados dentro
da banda de conduo. temperatura ambiente podemos considerar que todos os
tomos doadores estejam ionizados, ou seja, com seus eltrons dos estados ED
mudados para a banda de conduo. No caso do material tipo p, com aumento da
temperatura, temos inicialmente alguns eltrons da banda de valncia indo ocupar os
estados associados aos tomos aceitadores, criando assim lacunas. temperatura
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.9
mn 2mn (E EC )
g C (E ) =
2 3
para E EC
m p 2m p (EV E )
para E EV
gV ( E ) =
2
(8.8)
(8.7)
A Fig. 8.9 apresenta as curvas de densidade de estados nas duas bandas de energia.
Nota-se das expresses 8.8 e 8.9 que o formato das duas curvas so as mesmas,
porm ambas apresentam constantes distintas, dada a diferena das massas efetivas
dos eltrons de conduo e de valncia (lacunas). Lembramos tambm o fato j
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.10
1
1+ e
( E E F ) kT
(8.9)
f ( E ) e ( E EF ) kT
(8.10)
f ( E ) 1 e ( E EF ) kT
(8.11)
f L = 1 f ( E ) e ( E EF ) kT
(8.12)
1
1+ e
( E EF ) kT
1+ e
(EF E )
kT
(8.13)
n=
p=
EC
EV
EV ,inf
g C ( E ). f ( E ).dE
(8.14)
gV ( E ).[1 f ( E )].dE
(8.15)
Tendo em vista que a funo de Fermi tende a zero rapidamente para energia acima
de EF, podemos substituir os limites EC,sup e EV,inf, no bem conhecidos, por + e -
respectivamente (isto no altera o resultado, mas simplifica os clculos). Substituindo
as funes dadas em (8.7) e (8.9) na integral (8.14) e as funes dadas em (8.8) e
(8.13) na integral (8.15) e efetuando as integraes obtm-se:
n = NC
p = NV
F1 2 (C )
onde C =
E F EC
kT
(8.16)
F12 (V )
onde V =
EV E F
kT
(8.17)
Onde:
A funo F1/2() uma funo tabulada e no analtica.
2 .mn* .kT
N C = 2.
h2
(8.18)
2 .m *p .kT
h2
(8.19)
( )
mn*
m
(cm)-3.
( E F EC )
p = N V .e
(8.20)
kT
( EV E F )
(8.21)
kT
Estas duas relaes de Boltzmann podem ainda ser reescritas nas seguintes formas:
n = ni .e
( EF Ei )
p = ni .e
(8.22)
kT
( Ei E F )
(8.23)
kT
Deixamos como exerccio para o leitor a prova de que as relaes (8.22) e (8.23) so
equivalentes s relaes (8.20) e (8.21) respectivamente (sugesto: considere
inicialmente EF=Ei obtendo n=p=ni).
Das relaes (8.22) e (8.23) obtm-se diretamente que:
n. p = ni2
(8.24)
ni = N C N V .e
EG
(8.25)
2 kT
A relao (8.24) j foi mencionada no item 8.4 acima, porm sua demonstrao s foi
possvel neste momento. Esta relao indica que, se por alguma maneira artificial,
aumentarmos a concentrao de um dos portadores, a concentrao do outro
portador ser reduzida. Esta relao, importante frisar, s vlida para
semicondutor em condio de equilbrio trmico (pois as funes estatsticas so
vlidas apenas nestas condio). Ainda da relao (8.25), observamos que a
concentrao intrnseca de portadores aumenta exponencialmente com a temperatura
e com o inverso da largura da banda proibida do semicondutor. A variao da
concentrao intrnseca de portadores com a temperatura mostrado na Fig. 8.14,
para os semicondutores Ge, Si e GaAs, de acordo com a relao (8.25).
Considerando agora a condio de neutralidade de cargas do material, alm de
assumir semicondutor em equilbrio trmico e com dopagem uniforme, temos:
p n + N D+ N A = 0
(8.26)
ni2
(8.27)
ND
Analogamente, considerando um material tipo p, tal que NA>>ND e p>>n,
resulta:
n ND
p NA
ni2
NA
(8.28)
Como exemplo numrico, para o caso de material de Si tipo p com NA=1015 cm-3 e
ni=1010 cm-3, resulta: p=1015 cm-3 e n=105 cm-3. Estes nmeros reforam bem o
significado de portadores majoritrios e minoritrios, tendo em vista a grande
diferena das suas concentraes, de muitas ordens de grandeza.
ni2
n + ND NA = 0
n
(8.29)
1
N NA
n= D
+
2
ND N A
2
2
+n
2
i
(8.30)
1
n2 N N D
p= i = A
+
n
2
N A ND
2
2
+n
2
i
(8.31)
(8.32)
m *p
EC + EV 1
N
E + EV 3
+ kT . ln V = C
+ kT . ln *
2
2
2
4
mn
NC
(8.33)
N A p = ni .e ( Ei EF ) kT
E F = Ei kT . ln
NA
ni
(8.34)
E F = Ei + kT . ln
ND
ni
(8.35)
N D n = ni .e ( EF Ei ) kT
( E F EC )
kT
(8.36)
p = N V .e
( EV E F )
(8.37)
kT
N D+ = N D [1 F ( E D )]
(8.38)
N A = N A .F ( E A )
(8.39)
p n + N D+ N A = 0
(8.40)
sendo que: F ( E D ) =
1 + 12 .e
( EF ED )
(8.41)
kT
1 + 2.e
( EF ED )
kT
=0
(8.42)
A determinao do nvel de Fermi pode ser realizada pela soluo da equao (8.42)
acima. A resoluo desta equao no trivial, mas pode ser realizada por mtodos
numricos.
No caso do material estar em temperatura maior que a regio de congelamento
dos dopantes, temos ionizao completa dos mesmos. Neste caso, o procedimento de
clculo do nvel de Fermi torna-se bem mais simples. Calcula-se inicialmente a
concentrao intrnseca de portadores pela relao (8.25). Em seguida podemos
calcular as concentraes de portadores pelas relaes (8.30) e/ou (8.31). Tendo a
concentrao de um dos portadores, podemos calcular o nvel de Fermi diretamente
por uma das relaes de Boltzmann, relaes (8.22) e/ou (8.23).
A Fig.8.17 apresenta as solues determinadas pelos procedimentos expostos
acima para material tipo p e para material tipo n, com vrios nveis de dopagem. As
curvas da Fig. 8.17 merecem as seguintes interpretaes:
temperatura de 0 K, o nvel de Fermi localiza-se junto a ED para material tipo n e
junto a EA para material tipo p. Isto conseqncia do fato da funo de Fermi ser
abrupta a esta temperatura, sendo que os estados dos tomos doadores em E =
ED de material tipo n esto todos ocupados e os estados dos tomos aceitadores
em E = EA de material tipo p esto todos desocupados.
A altas temperaturas, o nvel de Fermi tende ao nvel de Fermi intrnseco do
material. Isto explicado pelo fato da alta taxa de gerao trmica de portadores,
tornando a dopagem desprezvel, comparada aos portadores trmicos. Para
semicondutores com maior nvel de dopagem, necessrio maior temperatura
para alcanar esta situao.
Fig 8.17 Curvas da posio do nvel de Fermi versus temperatura calculada para
materiais tipo p e tipo n com diferentes valores de dopagem.
(8.43)
Fig 8.18 Movimento de deriva dos portadores em uma barra semicondutora submetida
a um campo eltrico.
As concentraes dos portadores necessrios para calcular a corrente podem,
em muitos casos, ser determinadas supondo o semicondutor em equilbrio, como
apresentado nos itens anteriores. O que falta determinar portanto, so as velocidades
de deriva das lacunas e eltrons, resultantes da aplicao do campo eltrico.
Mesmo sem campo eltrico aplicado, os portadores esto continuamente em
movimento, devido energia trmica que recebem. Este movimento trmico no
entanto em direo randmica, de forma que, no h um movimento lquido de
portadores. A velocidade trmica dos portadores pode ser estimado a partir da energia
cintica mdia dos portadores e dada por:
EC =
1 * 2
3
m vter = kT
2
2
(8.44)
v (t ) = v (0) + a.t
(8.45)
q.
m*
Podemos considerar que a mdia das velocidades iniciais aps as colises seja 0,
dado que as colises resultam em novas direes totalmente aleatrias, sobretudo se
considerarmos que, para campos eltricos no muito intensos, a velocidade de deriva
dos portadores ainda muito menor que sua velocidade trmica. Definimos c como
sendo o tempo mdio entre colises dos portadores. Desta forma podemos calcular a
velocidade mdia de deriva, vd, a partir da relao (8.45), resultando:
vd =
a. c q c
= *
= .
2
m 2
onde: =
(8.46)
q. c
chamado de mobilidade do portador, dado em [cm2/V.s].
*
2.m
Fig. 8.20 Variao da velocidade de deriva versus campo eltrico aplicado para
eltrons e lacunas de Si e eltrons em GaAs.
Para campo eltrico intenso estes eltrons passam de estados do mnimo principal da
banda de conduo para o mnimo secundrio, onde a massa efetiva maior (ver Fig.
7.12). A massa efetiva no varia apenas com o tipo de portador e com o tipo do
material, mas tambm com a direo cristalina, ou seja com a orientao cristalina do
plano da corrente eltrica. Como conseqncia, em Si, a mobilidade de eltrons
maior em planos (100), enquanto que a mobilidade de lacunas maior em planos
(111).
Vimos acima que a mobilidade varia linearmente com o tempo mdio entre
colises. Mas o que so estas colises afinal? As colises no incluem apenas
colises do portador com o ncleo dos tomos, mas sobretudo espalhamentos
(scattering) causados por perturbao no potencial peridico da rede cristalina. Num
potencial peridico ideal fixo, clculos de mecnica quntica no prevem
espalhamentos do portador e portanto nem troca de energia com a rede. Num cristal
real a T > 0 K, tem-se trs possveis causas de espalhamentos dos portadores:
Espalhamento com o potencial oscilante da rede, causada pela vibrao trmica
do tomos do material, ou seja, com a energia dos fnons. Quanto maior a
temperatura, maior a amplitude desta vibrao, maior a perturbao do potencial
eletrosttico da rede, maior a seo de choque do espalhamento e portanto
aumenta a probabilidade do espalhamento do portador.
A presena de impurezas, tipo dopantes ou outros, causa uma perturbao
contnua do potencial eletrosttico na posio do mesmo. Esta perturbao
constitui uma fonte de espalhamento do portador ao se deparar com a mesma.
Esta fonte de espalhamento mais pronunciada quanto maior a densidade de
impurezas e quanto menor a temperatura, quando o espalhamento com os fnons
reduzido.
ter
imp
(8.47)
ter
imp
(8.48)
Ep =
Z .q 2
4 Si r
(8.49)
(8.50)
I
1 V
= .
A A R
R = .
l
A
(8.51)
1V
1
= =
J l
J q( p. p + n. n )
(8.52)
1
q. p. p
(8.53)
Material tipo n:
1
q.n. n
(8.54)
= 2. .S .F .
V
I
(8.55)
ln 2
.d .
V
V
= 4.532.d .
I
I
(8.56)
Fig 8.24 Curvas de resistividade versus nvel de dopagem tipo p e tipo n, para
semicondutores de Ge, Si e GaAs.
RS = .
=
d .w d
(8.57)
E = ECin + E Pot
(8.58)
E Pot = EC E Re f
(8.59)
Por outro lado temos da teoria eletrosttica que a energia potencial de um eltron
relacionada com o potencial eletrosttico como:
E Pot = q.V
(8.60)
1
V = ( EC E Re f )
q
(8.61)
(8.62)
dV
dx
(8.63)
(8.64)
potencial eletrosttico tambm pode ser lida diretamente do diagrama, pela adio de
mais um eixo vertical no grfico, sendo seu sentido oposto ao da energia do eltron
(relao 8.61).
8.7.2 Ao de Difuso
A ao de difuso de portadores ocorre sempre que houver uma variao
espacial nas suas concentraes. O processo de difuso um processo que ocorre
com qualquer tipo de partcula, com ou sem carga eltrica, que tenha movimento
trmico randmico. Estas partculas tendem a espalhar-se e distribuir-se
uniformemente no espao. Durante o processo ocorre um transporte lquido de
partculas da regio de maior concentrao para as regies de menor concentrao
inicial. Como exemplos de difuso temos:
Fumaa de cigarro espalhando-se pela sala.
Percepo do cheiro de perfume aps algum abrir um frasco do mesmo no
recinto.
Ao introduzir uma quantidade de tinta solvel em gua num copo j com gua,
observa-se uma mudana gradual da cor a partir do ponto onde a tinta foi
adicionada.
Um sistema hipottico com 4 compartimentos como mostrado na Fig. 8.26. Neste
sistema tem-se que, durante cada intervalo de tempo 0, todas as partculas de um
compartimento movem-se para os compartimentos vizinhos, sendo metade para
cada vizinho, com o detalhe que nas paredes externas tem-se uma reflexo das
mesmas. Tendo inicialmente 1024 partculas no compartimento da esquerda,
indicado na Fig. 8.26, resultam as distribuies tambm indicadas aps alguns
mltiplos do intervalo de tempo 0. Aps um longo perodo de tempo resulta uma
distribuio totalmente uniforme, com 256 partculas por compartimento.
F = .( N 2 N 1 ).v ter
(8.65)
dN
dx
(8.66)
dp
dx
dn
dx
(8.67)
(8.68)
(8.69)
Sendo o material do tipo p por exemplo, teremos um fluxo lquido interno de lacunas
da ponta quente para a regio fria (ponta fria). Esta corrente ter continuidade pelo
circuito fechado atravs do ampermetro que indicar uma corrente eltrica saindo da
ponta fria para a ponta quente. No caso do semicondutor tipo n, teremos agora um
fluxo interno de eltrons da ponta quente para a ponte fria. Este fluxo de eltrons ter
continuidade pelo circuito do ampermetro indicando agora uma corrente eltrica
contrria, ou seja, saindo da ponta quente para a ponta fria.
J = JP + JN
(8.70)
onde:
J P = q. P . p. q. DP .
dp
dx
(8.71)
J N = q. N .n. + q. D N .
dn
dx
(8.72)
J P = q. P . p. q.DP .p
(8.73)
J N = q. N .n. + q.DN .n
(8.74)
dn
=0
dx
(8.75)
1 dEi
q dx
n = ni .e
( EF Ei )
(8.76)
(8.77)
kT
dE F
=0
dx
(8.78)
(8.79)
q
. DN = 0
kT
(8.80)
DN
kT
q
(8.81)
DP
kT
q
(8.82)
recombinao de portadores so distintas. Qual das duas taxas ser maior depende
do tipo de condio de fora do equilbrio, sendo no entanto no sentido de trazer o
semicondutor de volta ao equilbrio. A reao do material no sentido da sua volta
condio de equilbrio. Assim, caso tivermos uma condio de falta de portadores em
relao ao equilbrio (pn<ni2), resultar uma taxa de gerao maior que a da
recombinao (GTer>RTer). A falta de portadores reduz a taxa de recombinao como
pode ser visto pela relao (8.2). No caso de termos uma condio de excesso de
portadores (pn>ni2), resultar uma taxa de recombinao maior que a da gerao
(RTer>GTer), como pode ser visto diretamente da relao (8.2). O estudo dos modelos
de gerao e de recombinao so essenciais tendo em vista que estes mecanismos
afetam as concentraes dos portadores, no espao e no tempo, e como
conseqncia influenciam diretamente a determinao das correntes de deriva e de
difuso. Veremos neste item detalhes sobre os processos de gerao e de
recombinao de portadores bem como expresses das taxas.
Definimos inicialmente condies de baixa e de alta injeo. Define-se baixo
nvel de injeo quando o material, fora da condio de equilbrio, apresentar uma
perturbao significativa apenas na concentrao dos portadores minoritrios, sendo
que esta perturbao mantm ainda a concentrao dos minoritrios bem menor que
a concentrao dos majoritrios. Matematicamente podemos definir a condio de
baixo nvel de injeo se forem satisfeitas as seguintes condies:
i) para material tipo n
nn n0
pn << n0
ii) para material tipo p
p p p0
n p << p0
R = Gter = .n0 . p0
(8.83)
Comparando a relao (8.83) com a relao (8.2) , podemos definir uma taxa
lquida de recombinao, U, pela diferena entre as taxas de recombinao e de
gerao trmica, ou seja:
U = .(n. p n0 . p0 ) = .(n. p ni2 )
(8.84)
dp
dn
=
= .(n. p ni2 )
dt
dt
(8.85)
p
dp
= .n0 .( p p0 ) = n
p
dt
onde: p =
(8.86)
1
= tempo de vida de minoritrios p em material tipo n
.n0
n p
dn
= . p0 .(n n0 ) =
n
dt
onde: n =
(8.87)
1
= tempo de vida de minoritrios n em material tipo p
. p0
Fig 8.30 Estados qunticos intriduzidos dentro da banda proibida do Si por impurezas
metlicas.
A Fig. 8.31 mostra os passos envolvidos no processo de gerao e de
recombinao trmica indireta. comum chamar o estado dentro da banda proibida
de armadilha, pelo fato dele poder armadilhar ou capturar um portador. Os passos
so: a) emisso de lacuna (transio de eltron da banda de valncia at a armadilha,
com a criao de uma lacuna); b) emisso do eltron (transio do eltron da
armadilha at a banda de conduo); c) captura de eltron (transio de eltron da
banda de conduo at a armadilha); d) captura de lacuna (transio de eltron da
armadilha at a banda de valncia, aniquilando uma lacuna). Foi desenvolvida uma
teoria por Hall, Schokley e Read, que estabelece relao para as taxas dos 4 passos
citados acima, para em seguida estabelecer uma relao para a taxa lquida de
recombinao. As relaes propostas, baseadas em argumentos similares aos usados
para o estabelecimento da relao (8.2) so:
(8.88)
rb = en .N t . f ( Et )
(8.89)
(8.90)
(8.91)
1
1+ e
(8.92)
( Et E F ) kT
obtm-se:
a) en = v ter . n .ni .e ( E E ) kT
(8.93)
b) e = vter . p .ni .e ( Ei Et ) kT
(8.93)
n .n + p . p.e ( E E ) kT
n [n + ni .e ( E E kT ] + p [ p + ni .e ( E E ) kT ]
i
(8.94)
p . n .vter . N t [ pn ni2 ]
U=
n [n + ni .e ( E E ) kT ] + p [ p + ni .e ( E E ) kT ]
t
(8.95)
U = .vter . N t .
pn ni2
n + p + 2.ni . cosh(( Et Ei ) kT )
(8.96)
p =
onde:
1
p .N t
(8.97)
n =
1
n .N t
U=
ii)
material tipo n:
p n
(8.98)
material tipo p:
U=
n p
(8.99)
(8.100)
t p
(8.101)
S 0 = .v ter . N st
(8.102)
U S = .vter . N st .
p s .n s ni2
ps .n s ni2
= S0 .
n s + p s + 2.ni
n s + p s + 2.ni
(8.103)
Fig. 8.33 Relao entre concentrao de Au em Si tipo n e o tempo de vida dos seus
portadores minoritrios.
Os ndices s nas concentraes referem-se s concentraes de portadores na
superfcie. Por meio de uma estrutura de um capacitor MOS possvel variar as
concentraes dos portadores na superfcie do semicondutor, pela variao da
polarizao do eletrodo de porta, VG (ver captulo 10). Como conseqncia observa-se
uma variao da corrente reversa de um diodo como mostrado na Fig. 8.34. Dos
degraus na corrente, associados a mudanas nas condies de superfcie do
semicondutor, pode-se determinar o valor de S0. Valores menores que 1 cm/s podem
ser obtidos, sendo que quanto melhor a qualidade da superfcie, menor o seu valor.
Cuidados especiais no processamento dos circuitos integrados so necessrios, para
resultar em superfcie sem contaminao de impurezas e de alta qualidade da
terminao do cristal e sua transio com a camada isolante.
Fig. 8.34 Estrutura de diodo pn controlado por porta MOS e curvas de corrente
reversa versus tenso aplicada porta (trabalho do autor, S.S.E., 1983).
n
n
n
n n
+
+
+
=
t t der t dif t R G ,ter t outros
(8.104)
p
p
p
p p
+
+
+
=
t t der t dif t R G ,ter t outros
(8.105)
onde outros refere-se soma de todas as outras possveis aes, tais como gerao
de portadores por luz ou outro tipo de radiao, gerao de portadores por efeito
piezoeltrico, transporte por tunelamento, emisso terminica, gerao de portadores
por impacto, etc.
A equao de continuidade dos dois portadores significa que s pode haver
variao na concentrao de portadores num ponto, atravs dos mecanismos de
transporte e de gerao e recombinao de portadores, baseado no princpio de
conservao de portadores. Consideremos por simplicidade apenas as aes de
transporte por deriva e por difuso. Neste caso, podemos expressar a contribuio
destas duas aes na equao da continuidade atravs da seguinte relao:
1
n
n
= .. J n
+
t der t dif q
(8.106)
p
p
1
+
= ..J p
t der t dif
q
(8.107)
(8.108)
p
p
1
= ..J p +
q
t
t
+
R G ,ter
p
t
(8.109)
outros
1
1 J
..J n = . n
q
q x
J n = q. n .n. + q. Dn .
(sistema unidimensional)
n
n
q. Dn .
x
x
n n0 n n
=
+
=
x
x
x
x
n
t
=
R G ,ter
n
= GL
t outros
(campo eltrico ~ 0)
n n0 n n
=
+
=
t
t
t
t
1
2 n
..J n = Dn .
q
x 2
Substituindo estas relaes simplificadas acima na equao da continuidade (8.108)
para eltrons em material tipo p, obtemos:
n p
t
= Dn .
2 n p
x
n p
+ GL
(8.110)
+ GL
= Dp .
x 2
t
p
(8.111)
Simplificaes:
n p
Dn
2 n p
x 2
= 0 , ou,
= 0 , ou, D p
n p
pn
=0
t
2 p n
=0
x 2
= 0 , ou,
p n
=0
GL = 0
ii)
n p
Equao:
0 = Dn .
Soluo:
n p ( x ) = A.e x Ln + B.e x Ln
Soluo:
n p
t
n p
n p (t ) = n p (0).e t n
n p
Equao:
0=
Soluo:
n p = GL . n
+ GL
2 n p
Equao:
0 = Dn .
Soluo:
n p ( x ) = A + B. x
x 2
D.ds =
.dv
(8.112)
Ela ainda pode ser expressa na forma equivalente diferencial dada em (8.113), que
uma das equaes de Maxwell de eletromagnetismo:
.D =
(8.113)
(8.114)
. =
(8.115)
Lembrando agora que por definio de potencial eltrico, V, este relaciona-se com o
campo eltrico pela relao abaixo:
= V
(8.116)
2V =
(8.117)
a) Problema no 1:
Seja um semicondutor fino de Si, tipo n com dopagem uniforme de doadores igual
a 1015 cm-3 e temperatura de 300 K. No instante t=0, uma fonte de luz ligada e isto
resulta na gerao de 1017 pares de eltron-lacunas cm-3s-1, uniformemente ao longo
de todo semicondutor. Assumindo que o material tenha tempo de vida de minoritrios
de 10-6 s, determine a funo pn(t) para t>0.
Este um problema tpico para ser resolvido pela equao de difuso de
portadores minoritrios. Antes de usar esta equao, no entanto, devemos verificar se
as premissas adotadas para a mesma sejam satisfeitas, ou seja:
O problema limita-se a portadores minoritrios.
A concentrao de portadores de equilbrio constante. Isto satisfeito dado que
a concentrao de dopantes constante.
O termo outros na equao limita-se ao processo de gerao por luz. O problema
no cita outras fontes.
O campo eltrico nulo.
Falta ver se a condio de baixo nvel de injeo satisfeita. Devemos assumir
esta condio a priori e verificar se est correta aps termos a soluo
determinada.
Agora, antes de escrever a equao (8.111), devemos verificar as possveis
simplificaes que podem ser aplicadas. Como o enunciado afirma que a gerao de
pares eltrons-lacunas uniforme ao longo de todo semicondutor, teremos que
pn(x,y,z)
ser tambm uniforme. Como estamos interessados na soluo
unidimensional, usaremos ento que pn(x) constante. Como resultado temos que:
Dn .
2 n p
x 2
=0
pn
p
= n + GL
p
t
A soluo genrica desta equao diferencial :
pn (t ) = G L . p + A.e
t p
Como condio de contorno temos que no instante t=0, pn(0)=0. Esta condio
determina o valor de A como sendo: A = -GL.p. Com este valor de A, podemos
escrever a soluo como sendo:
p n (t ) = G L . p (1 e
t p
A Fig. 8.35 mostra o grfico da soluo, ou seja, ao ligarmos a fonte de luz resulta um
aumento exponencial do excesso de portadores, sendo que o mesmo satura aps um
certo intervalo de tempo (algumas vezes a constante de tempo de vida) num valor
dado pelo produto GL.p. Falta verificar se a soluo pode ser aceita como correta, ou
seja, se realmente a condio de baixo nvel de injeo satisfeita. Efetuando as
contas obtm-se GL.p =1017 x 10-6 = 1011 cm-3. Este resultado indica que o excesso
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.54
x 2
p
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.55
x Lp
+ B.e
x Lp
x Lp
O grfico da soluo mostrado na Fig. 8.36b. Este exemplo mostra que, se tivermos
uma fonte pontual de excesso de portadores em x = 0, teremos um decaimento
exponencial do excesso de portadores com a distncia, com comprimento
caracterstico de decaimento dado por Lp, como resultado dos processos de difuso e
de recombinao deste excesso de portadores.
i)
Comprimento de Difuso
L p D p . p
para lacunas
(8.118)
Ln Dn . n
para eltrons
(8.119)
< x >=
x.pn ( x ).dx
(8.120)
pn ( x ).dx
O diodo apresenta uma regio interna, chamada de depleo, com campo eltrico
e potencial interno
As regies fora da regio de depleo continuam neutras, ou seja com a
densidade de cargas total nula.
Pela polarizao direta do diodo, sero injetados portadores minoritrios na regio
p, oriundos do lado n.
aceita a seguinte condio de contorno para o excesso de portadores
minoritrios em x =0 (borda da regio de depleo no lado p), dado pela chamada
lei do diodo:
n p (0) = n p 0 (e q.Va kT 1)
(8.121)
onde va a tenso direta aplicada no diodo.
Como condio de contorno para x = , tem-se np() = 0.
Com as condies de contorno dados acima e a soluo do problema no 2, resulta a
seguinte distribuio de portadores minoritrios na regio p, a partir da borda da
regio de depleo:
n p ( x ) = n p 0 (e q.Va
kT
1).e x Ln
(8.122)
Fig. 8.37 a) Ilustrao das regies de um diodo n+p, com uma regio de depleo
interna e regies neutras a partir das bordas da primeira e b) distribuio do excesso
de portadores minoritrios no lado p.
Dada a distribuio de portadores minoritrios acima, podemos determinar a corrente
de difuso dos mesmos pela relao (8.68). Fazendo a substituio de (8.122) em
(8.68) e efetuando o clculo, obtm-se:
J n (0) = q. Dn .
dn p
dx
=
x =0
q. Dn q.Va
(e
Ln
kT
1)
(8.123)
Nveis de Quase-Fermi
( EF Ei )
p = ni .e
n = ni .e
( Ei E F )
( FN Ei )
p = ni . e
(8.124)
kT
kT
(8.125)
kT
(8.126)
( Ei FP )
(8.127)
kT
A partir das expresses (8.126) e (8.127) podemos determinar os nveis de quaseFermi de eltrons e de lacunas como sendo:
FN Ei + kT . ln
n
ni
(8.128)
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.59
FP Ei kT . ln
p
ni
(8.129)
(8.130)
J P = q. P . p. q.DP .p
(8.131)
ni ( Ei FP ) kT
p
.e
.(Ei FP ) =
.(Ei FP )
kT
kT
(8.132)
1
.Ei
q
(8.133)
q. p
p
.
.FF
kT
kT
(8.134)
J p = q.( p
q.D p
kT
). p. +
q.D p
kT
. p.FP
(8.135)
q.D p
kT
= p
(8.136)
(8.137)
(8.138)
x Lp
n n = n n 0 + n n ( x ) n n 0
onde tnhamos: nn0 = 1015 cm-3, pn0 = 105 cm-3 e pn0 = 1010 cm-3.
A partir destas distribuies de portadores e das relaes anteriores relacionadas aos
nveis de quase-Fermi podemos realizar as seguintes anlises:
c1) Estabelecer relaes para os nveis de quase-Fermi:
Os nveis de quase-Fermi podem ser determinados diretamente das relaes (8.128)
e (8.129). Desta forma, com base nas distribuies de portadores acima, obtemos:
FN Ei + kT . ln
n
n
Ei + kT . ln n 0 = E F
ni
ni
p
p
p
x L
FP E i kT . ln = Ei kT . ln n 0 + n 0 .e p
ni
ni
ni
No intervalo prximo origem do eixo x, temos que pn(x) >> pn0. Enquanto for vlida
esta desigualdade podemos aproximar a expresso do nvel de quase-Fermi de
lacunas como:
p n 0 x L p
p
x
FP E i kT . ln
.e
= E i kT . ln n 0 + kT .
ni
ni
Lp
Esta relao mostra que, prximo origem, o nvel de quase-Fermi de lacunas varia
linearmente com a distncia.
c2) Desenhar os diagramas de banda com base nos nveis de Fermi e de quase-Fermi
a) em condio de equilbrio e b) for a de equilbrio, sob iluminao:
Com base nos dados do problema no 2 e nas expresses dos nveis de quase-Fermi
estabelecidos acima, podemos calcular os seguintes dados relativos aos diagramas
de bandas:
Calculando o nvel de quase-Fermi FP em x = 0, obtemos: FP = Ei. Para x > 0 mas
prximo origem foi mostrado que FP aumenta linearmente com x. No caso de x
muito elevado (x = ) obtemos do clculo de FP:
p
p
p
L
FP = E i kT . ln n 0 + n 0 .e p E i kT . ln n 0 = E F
ni
ni
ni
(8.139)
F = q.v.B
(8.140)
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.63
Fig. 8.40 Ilustrao esquemtica da medida de efeito Hall de uma amostra tipo p. Uma
corrente eltrica aplicada na direo x e um campo magntico aplicado na direo
z, resultando no aparecimento da tenso Hall entre 2 terminais entre as faces opostas
na direo y.
A fora de Lorentz causa o desvio das lacunas na direo perpendicular ao plano do
campo magntico com a velocidade e no sentido de y negativo na Fig. 8.40. Este
desvio causa um acmulo de cargas positivas na face inferior da amostra e de carga
negativa na face oposta. Estas cargas opostas armazenadas nas duas faces superior
e inferior do bloco semicondutor produz o aparecimento de um campo eltrico,
causando uma fora eltrica sobre as lacunas no sentido oposto ao do produzido pelo
campo magntico. Em regime estacionrio as duas foras se igualam em mdulo,
fazendo as lacunas fluir no plano horizontal, sem desvio na vertical. Impondo assim a
fora na direo y igual a zero, resulta:
Fy = q(y + v. B ) = 0
(8.141)
y = B.v
(8.142)
W
0
y .dy = W . B.v
(8.143)
(8.144)
VH =
B.I
q. p.t
(8.145)
S
.I
W .t
(8.146)
p =
1
1 S V
= . . H
q. . p B W V
(8.147)
Para material tipo n obtm-se expresses totalmente anlogas, com a diferena que a
tenso Hall ser de sinal oposto.
c) Medida de Absoro de Ressonncia Ciclotrnica:
Esta medida permite determinar a massa efetiva dos portadores, como j descrito
de forma geral na captulo 2, item 2.1. Sugerimos que o leitor reveja esta descrio
geral dada, para maior compreenso das informaes a seguir. A Fig. 8.41 ilustra um
esquema da montagem experimental da medida. O campo magntico fixo produz um
movimento oscilatrio circular do eltron, tal que a fora magntica seja igual fora
centrfuga:
q.v.B =
m * .v 2
R
(8.148)
= 2. . f =
v q. B
=
R m*
(8.149)
m* =
q.B
(8.150)
= q.( n .n + p . p )
(8.151)
2 kT
(8.152)
(8.153)
Fig. 8.44a. Uma fonte de luz monocromtica, de freqncia varivel incide sobre o
semicondutor, alinhado com um fotodetetor no outro lado da mesma. Para freqncias
de luz com energia menor que o valor da banda proibida, o semicondutor
transparente e o detetor indica alta fotocorrente, como indicado na Fig. 8.44b.
Aumentando-se a freqncia da luz o semicondutor torna-se opaco a partir de certo
valor. A freqncia limite para o incio da absoro da radiao pelo semicondutor
est relacionada com o valor de EG como segue:
h. f = EG
(8.154)
fundamentais, emitindo ftons com energia dada pela diferena entre a energia do
estado e a energia do topo da banda de valncia, como ilustrado na Fig. 8.46.
Medindo-se o espectro de radiao emitida pelo semicondutor excitado, obtm-se
uma leitura direta dos estados ou armadilhas presentes dentro da banda proibida.
Fig. 8.46 Ilustrao dos diversos processos radiativos em semicondutor excitado por
luz, em medida de fotoluminescncia.
g) Medida de Fotocondutividade:
A medida de fotocondutividade apropriada para a determinao do tempo de
vida dos portadores. Uma fonte de luz, com comprimento de onda apropriada, incide
sobre o semicondutor, pelo qual passado uma dada
corrente eltrica, como mostrado na Fig. 8.47a. A luz incidente aumenta a
concentrao dos portadores e como conseqncia, a condutividade do material, ou a
corrente passando pelo circuito. Ao desligar-se a fonte de luz, a condutividade do
material, ou a corrente eltrica pelo circuito, decai gradualmente (Fig. 8.47b), na
mesma taxa da reduo da concentrao dos portadores do semicondutor. A taxa de
reduo dos portadores diretamente relacionada com o tempo de vida dos
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.70
portadores, como discutido no item 8.8. Desta forma, o tempo de vida pode ser
determinado a partir da taxa da reduo da corrente eltrica aps o desligamento da
fonte de luz.
Questes
8.1 A que principalmente devemos o sucesso dos semicondutores?
8.2 D exemplos de semicondutores compostos III-V, sendo 2 binrios e 2 ternrios.
8.3 Compare o "bandgap" entre o GaAs, InP, AlGaAs e InGaAs. Quais entre estes
podem ter o mesmo parmetro de rede ?
8.4 Explique fisicamente porque o nmero de portadores minoritrios diminui com o
nvel de dopagem.
8.5 Defina semicondutor intrnseco e extrnseco.
8.6 Indique a posio aproximada de estados associados s impurezas doadoras e
aceitadoras. Justifique. Porque os representamos por linha tracejada e no contnua ?
8.7 Dado um diagrama de bandas de um semicondutor, com dada densidade de
estados, e a probabilidade de ocupao dada pela funo de Fermi. Expresse a
densidade de eltrons e de lacunas em funo destas relaes, justificando os limites
de integrao.
8.8 Qual a motivao para usarmos a estatstica de Boltzmann ao invs da de Fermi?
Qual a definio de semicondutor degenerado e no degenerado ?
8.9 Demonstre a partir das relaes de Boltzmann que o produto np igual a ni2 e
qual a relao de ni com o parmetro EG do semicondutor e a temperatura.
8.10 D as relaes de concentraes de portadores para materiais tipo n e tipo p no
degenerados.
8.11 A partir das relaes de Boltzmann, determine a posio do nvel de Fermi
versus nvel de dopagem.
8.12 Use o modelo de bandas de energia em semicondutores e ilustre: a) um eltron,
b) uma lacuna, c) posies de doadores, d) posies de aceitadores, e) congelamento
de portadores majoritrios nos stios de doadores ao reduzirmos a temperatura em
direo a 0 K, f) idem para aceitadores, g) a distribuio de portadores em energia na
respectiva banda, h) um semicondutor intrnseco, i) um semicondutor tipo n, j) um
semicondutor tipo p, l) um semicondutor degenerado, m) um semicondutor no
degenerado.
8.13. Considere o nvel de Fermi em Ec e calcule a probabilidade de ocupao do
estado em Ec + kT.
8.14. Considere um semicondutor no degenerado. Determine o nvel de energia nas
bandas de conduo e de valncia onde o nmero de eltrons mxima.
8.15. Considere uma distribuio hipottica de estados nas bandas de conduo e de
valncia, dados por:
gc(E) = cte = Nc/kT
p/ E > Ec
gv(E) = cte = Nv/kT
p/ E < Ev
Desenvolva a relao de concentrao de portadores nas duas bandas em funo do
nvel de Fermi.
-3
8.16. Considere um semicondutor uniformemente dopado, NA = 1E15/cm . Qual a
concentrao de portadores a 0 K, 300 K e 650 K ? Qual a posio do nvel de Fermi
nestas mesmas temperaturas ?
8.17 Como varia o nvel de Fermi com a temperatura? Quais as relaes que devem
ser usadas para determinarmos o nvel de Fermi a uma temperatura qualquer?
8.18 Porque em semicondutores teremos velocidade de deriva dos portadores
proporcional ao campo eltrico e no uma acelerao dos portadores proporcional ao
campo eltrico?
8.19 Sendo a mobilidade dada por: = q.tcol/(2.m*). Quais as dependncias fsicas da
mobilidade?
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.72