Diodos e Transistores Bipolares: Teoria e Práticas de Laboratório

Fabiola Fernandes Andrade Francisco José Alves de Aquino

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Fabiola Fernandes Andrade Francisco José Alves de Aquino

Diodos e Transistores Bipolares: Teoria e Práticas de Laboratório

IFCE Fortaleza, 2010

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Sumário
CAPÍTULO 1 SEMICONDUTORES .........................................................................................................................7 Introdução .....................................................................................................................................................................7 1.1 Materiais semicondutores ......................................................................................................................................7 1.1.1 O átomo de silício ...........................................................................................................................................8 1.1.2 O átomo de germânio .....................................................................................................................................9 Exercícios ...................................................................................................................................................................10 1.1.3 Semicondutores do tipo P e N ......................................................................................................................11 1.1.4 O diodo ..........................................................................................................................................................12 1.2 Polarização do diodo............................................................................................................................................13 1.2.1 Polarização direta..........................................................................................................................................14 1.2.2 Polarização reversa .......................................................................................................................................14 Exercícios ...................................................................................................................................................................15 1.3 Informações Práticas............................................................................................................................................16 Exercícios ...................................................................................................................................................................18 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................19 CAPÍTULO 2 TEORIA DOS DIODOS ....................................................................................................................21 Introdução ...................................................................................................................................................................21 2.1 Curva característica do diodo ..............................................................................................................................21 2.2 Polarização Direta ................................................................................................................................................22 2.3 Polarização Reversa ........................................................................................................................................22 2.4 Modelos Do Diodo...............................................................................................................................................22 2.4.1 Diodo Ideal ....................................................................................................................................................22 2.4.3 Modelo linearizado .......................................................................................................................................24 Exercícios ...................................................................................................................................................................24 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................25 CAPÍTULO 3 CIRCUITOS COM DIODOS ............................................................................................................29 Introdução ...................................................................................................................................................................29 3.1 Tensão Senoidal ...................................................................................................................................................29 3.2 Transformador ......................................................................................................................................................30 3.3 Circuito Retificador de Meia-Onda ....................................................................................................................31 3.4 Circuito Retificador de Onda Completa .............................................................................................................35 3.5 Retificador Em Ponte...........................................................................................................................................40 3.6 Comparação Entre As Frequências Dos Circuitos Retificadores .....................................................................43 Exercícios ...................................................................................................................................................................44 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................47 Capacitor variável ......................................................................................................................................................49 CAPÍTULO 4 - CIRCUITOS RETIFICADORES COM FILTRO ............................................................................50 Introdução ...................................................................................................................................................................50 4.1 Circuito Retificador de Meia-Onda com Filtro Capacitivo ...............................................................................50 4.2 Circuito Retificador de Onda Completa com Derivação Central e Filtro Capacitivo .....................................53 4.3 Retificador em Ponte com Filtro .........................................................................................................................56 Exercícios ...................................................................................................................................................................59 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................62 CAPÍTULO 5 OUTRAS APLICAÇÕES PARA O DIODO ...................................................................................66 Introdução ...................................................................................................................................................................66 5.1 Rádio elementar ...................................................................................................................................................66 5.2 Diodo nos circuitos de proteção ..........................................................................................................................66 5.3 Circuito Tanque....................................................................................................................................................67 5.3.1 Propriedades do indutor....................................................................................................................................67

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5.4 Circuito ressonante ..............................................................................................................................................68 5.5 Circuito tanque na geração de sinais de rádio ....................................................................................................70 Exercícios ...................................................................................................................................................................71 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................71 CAPÍTULO 6 - CIRCUITOS LIMITADORES (CEIFADORES) E GRAMPEADORES.......................................74 Introdução ...................................................................................................................................................................74 6.1 Circuitos Limitadores ..........................................................................................................................................74 6.2 Circuitos Grampeadores ......................................................................................................................................80 Exercícios ...................................................................................................................................................................84 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................85 CAPÍTULO 7 DIODOS ESPECIAIS ........................................................................................................................88 Introdução ...................................................................................................................................................................88 7.1 Diodo Zener..........................................................................................................................................................88 7.2 Diodo Emissor De Luz (LED) ............................................................................................................................92 7.3 Diodo Túnel..........................................................................................................................................................94 7.4 Diodo Varicap (Varactor ou VVC).....................................................................................................................96 Revisão........................................................................................................................................................................97 Experiência no Laboratório .....................................................................................................................................100 CAPÍTULO 8- TRANSISTOR BIPOLAR ................................................................................................................105 Introdução .................................................................................................................................................................105 8.1 Constituição de um transistor bipolar ...............................................................................................................105 8.2 Polarização do Transistor ..................................................................................................................................106 8.3 Configurações Básicas do Transistor ...............................................................................................................109 8.3.1 Configuração Emissor comum...................................................................................................................109 8.3.2 Configuração Base comum ........................................................................................................................112 8.4 Transistor como Chave ......................................................................................................................................125 8.5 Transistor como Fonte de Corrente ..................................................................................................................126 Exercícios .................................................................................................................................................................131 Experiência no Laboratório .....................................................................................................................................138 Alarme para porta com transistor ............................................................................................................................140 Alarme de passagem ................................................................................................................................................141 CAPÍTULO 9 - OUTROS COMPONENTES ELETRÔNICOS ..............................................................................143 Introdução .................................................................................................................................................................143 9.1 Transistor de Unijunção (TUJ) .........................................................................................................................143 9.1.1 Funcionamento............................................................................................................................................143 9.1.2 Aplicação típica: oscilador de relaxação ...................................................................................................144 9.2 DIODO DE QUATRO CAMADAS ................................................................................................................145 9.2.1 Funcionamento............................................................................................................................................145 9.3 Diodo controlado de silício (SCR)....................................................................................................................147 9.3.1 Estrutura e funcionamento do SCR ...........................................................................................................147 9.3.2 Aplicações em CC típicas para o SCR ......................................................................................................148 9.4 Diac .....................................................................................................................................................................149 9.5 Triac ....................................................................................................................................................................150 9.4.2 Aplicações típicas para o TRIAC ..............................................................................................................151 Exercícios .................................................................................................................................................................154 BIBLIOGRAFIA CONSULTADA ............................................................................................................................155

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CAPÍTULO 1 SEMICONDUTORES
Introdução
Antes de iniciar o estudo sobre materiais semicondutores, vamos compreender a sua importância e exemplos de aplicações dos componentes que será abordado neste livro. O homem contemporâneo utiliza no seu dia a dia muitos equipamentos eletrônicos, tais como celular, computador, televisão e vários outros dispositivos. Todos estes equipamentos, no qual o homem faz uso é constituída a base de materiais semicondutores. Como ocorreu a descoberta destes materiais? Na década de 1940, um grupo de pesquisadores que trabalham no laboratório Bell Telephone, nos Estados Unidos, estudava um dispositivo eletrônico para substituir os relés que eram utilizados no sistema telefônico. O grupo era formado pelo físico William Schockey, o engenheiro eletricista Jonh Bardeen e o físico Walter Brattain. Este grupo observou que alguns materiais não se comportavam nem como condutores nem como isolantes, ou seja, ora conduzia corrente elétrica ora a bloqueava. Após a descoberta dos materiais semicondutores, foi possível a implementação de diodos, transistores, CIs, etc. Os países que investiram em materiais semicondutores tiveram um grande avanço em sua economia, uma vez que, constitui em um dos setores mais ativo da indústria. Com exemplo, podemos citar Taiwan, no qual, antes da década de 1970 era uma economia agrícola, produzia arroz, cana-de açúcar e abacaxi. A partir da década de 1970 investiu em tecnologia, especialmente em semicondutores. A sua estratégica para o desenvolvimento de uma política industrial e tecnológica foi baseada na experiência de parques tecnológicos (vale do silício). Na década de 2000, a China inspirou-se no modelo de Taiwam e também investiu em semicondutores com o objetivo de tornar a China o líder mundial em semicondutores em 2010. Compreender a estrutura química dos materiais semicondutores é de total importância para que possamos entender o funcionamento dos principais componentes da eletrônica como o diodo e o transistor que será abordado com detalhes neste livro. Manter a liderança dos EUA em micoreletrônica é criticamente importante para a economia e a segurança nacional dos EUA
China´s Emerging Semiconductor Industry, Documento da Semiconductor Industry Association, outubro de 2003.

1.1 Materiais semicondutores
Para o perfeito entendimento sobre os materiais semicondutores, iniciamos fazendo uma revisão sobre a estrutura atômica. Um átomo é formado por elétrons que giram ao redor de um núcleo composto por prótons e nêutrons.

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Os elétrons giram em órbitas ou níveis bem-definidos, conhecidos com K, L, M, N, O, P e Q, que representa o modelo atômico de Bohr, como mostra a Figura 1.1.
Q

M L K
núcleo

N

O

P

Quanto maior a energia do elétron, maior é o seu raio.

órbitas

Figura 1.1 - Estrutura do átomo

A última órbita de um átomo define a sua valência, ou seja, a quantidade de elétrons desta órbita que pode se libertar do átomo através do bombardeio de energia externa (calor, luz ou outro tipo de radiação) ou se ligar a outro átomo através de ligações covalentes (compartilhamento dos elétrons da camada de valência com os elétrons da camada de valência de outro átomo). Os materiais semicondutores apresentam 4 elétrons na sua camada de valência (tetravalentes). Não sendo classificados como bons isolantes, nem como bons condutores. Os semicondutores mais utilizados são o silício e o germânio. 1.1.1 O átomo de silício O átomo de silício contém 14 prótons e 14 elétrons distribuídos como indicado na Figura 1.2.
1º órbita 2 elétrons 2º órbita 8 elétrons 3º órbita 4 elétrons

+14

Figura 1.2

átomo de silício

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átomo de gemânio Devido os átomos de silício e de germânio serem tetravalentes.1. Figura 1. para conseguir a configuração de gás nobre necessitam de mais 4 elétrons para a sua estabilidade.3. Forma-se então uma estrutura cristalina. possuir quatro elétrons na última camada. cada átomo compartilha 4 elétrons com seus átomos vizinhos através da ligação covalente formando uma estrutura molecular forte.1. Quando se tem vários átomos de silício.4 .Ligação dos átomos de silício 9 .2 O átomo de germânio O átomo de germânio contém 32 prótons e 32 elétrons assim distribuídos: +32 1º órbita 2º órbita 3º órbita 4 ºórbita 2 elétrons 8 elétrons 18 elétrons 4 elétrons Figura1. ou seja.

Se a forma fosse desorganizada seria chamada estrutura amorfa. coeficiente positivo de temperatura. neste caso. sob a ação de um campo elétrico. Em um semicondutor intrínseco. Exercícios 1. Em um cristal formado por germânio na temperatura ambiente a quantidade de elétrons livres e lacunas são maiores do que no cristal de silício. já que o número de elétrons livres é bastante elevado e qualquer aumento da temperatura não causará a libertação de muitos elétrons a mais. Sendo. O elétron ao se tornar livre deixa no lugar um buraco (lacuna). passam para a camada de condução (banda de condução). porém a quantidade de elétrons livres é igual ao número de lacunas. Com________elétrons na camada de valência. os elétrons livres se movem randomicamente através do cristal. por isso. alguns elétrons da camada de valência se tornam elétrons livres. Na temperatura ambiente um cristal puro. e quando se tem um cristal puro. dizemos que estes materiais possuem coeficiente negativo de temperatura. qualquer aumento de temperatura corresponde a uma diminuição de sua resistência. A neutralidade do cristal. mas contribuirá de modo acentuado para um aumento da agitação térmica dos átomos. em uma forma bem definida. Quando isto ocorre temos o que é chamado de RECOMBINAÇÃO. O tempo entre a geração e a recombinação é chamado de TEMPO DE VIDA. ou seja. Os metais têm. 10 . A recombinação é o fenômeno que ocorre quando elétrons livres ocupam a lacuna. ou seja. c) O átomo de germânio contém_____________elétrons. portanto. ocorre a formação de elétrons livres e lacunas. Nos metais com o aumento da temperatura a resistência aumenta. ou seja. Quando o cristal de silício é colocado em uma temperatura superior ao zero absoluto (273 ºC). sendo capazes de se movimentar pelo material. como existem elétrons livres e lacunas formadas pela energia térmica. b) O átomo de sílicio contém ______________elétrons. uma vez que com o aumento da temperatura a corrente terá maior dificuldade de passar. São estes elétrons livres que. deste modo é mantida. ele é chamado de semicondutor INTRÍNSECO. formado apenas por um tipo de átomo. Em um semicondutor com o aumento da temperatura temos uma diminuição de sua resistividade.Uma estrutura cristalina é caracterizada quando os átomos ficam bem organizados. formam a corrente elétrica. a neutralidade deste cristal se mantém. Complete a) Os semicondutores mais utilizados e mais comuns são o ______________ e o _____________. diferente do comportamento elétrico dos metais comuns. Com _______elétrons na camada de valência. ou seja. Vale ressaltar que a formação de elétrons livres é chamada de GERAÇÃO. que ocasionalmente ocupa uma lacuna (sendo atraído pela lacuna). portanto. (O número de cargas positivas é igual ao número de cargas negativas). o desaparecimento da carga negativa é acompanhado pelo desaparecimento da carga positiva.

pois apenas 4 elétrons se ligam aos átomo de silício.d) Os átomos de silício e de germânio por serem _____________. e) Cada átomo compartilha ______elétrons com seus átomos vizinhos através da ligação ___________________. h) A ocupação de um elétron livre na lacuna é chamada __________________________. isto é possuem 4 elétrons na camada de valência. são adicionadas ao cristal puro. 1. pois o silício possui 4 elétrons e só necessita de mais 4 elétrons para conseguir a configuração de gás nobre. necessitam de mais________ elétrons para conseguir a configuração de gás nobre. g) A formação de elétrons livres é chamada ________________________. O silício e o germânio são tetravalentes. i) O tempo entre a geração e recombinação é chamado ______________________.5 Estrutura de silício dopada com antimônio (Sb). como se observa na Figura 1. A cada átomo pentavalente que é adicionado.1. a configuração de gás nobre não é obtida. 11 .3 Semicondutores do tipo P e N Em um semicondutor podem-se acrescentar impurezas para se obter excesso de elétrons livres ou excesso de lacunas. Quanto substâncias pentavalentes (possuem 5 elétrons na camada de valência). alguns elétrons da camada de valência se tornam ____________________________. f) Na temperatura ambiente. Elétron livre Si Si Sb Si Si Figura 1. sobra um elétron.5.

6 Material tipo N.Nesse semicondutor temos o chamado material tipo N. os elétrons livres são chamados portadores majoritários e as lacunas portadores minoritários. sobra uma lacuna. como mostra a Figura 1.6. como mostra a Figura 1. (b) material tipo P correspondente. Temos a formação de um material tipo P.7 (a) Estrutura de silício dopada com boro (B). para que ocorra a estabilidade. onde as lacunas são os portadores majoritários e os elétrons livres portadores minoritários. N Figura 1. Si Lacuna Si B Si P Si Figura 1. 12 . Se. irá faltar um elétron.7. 1. Componente este que será de grande importância para a construção de fontes de alimentação e muitas outras aplicações posteriormente discutidas. pois em toda a sua estrutura.4 O diodo Ao unir um semicondutor tipo P com um semicondutor tipo N. acrescentarmos impurezas trivalentes. como indica a Figura 1. no entanto.8. ou seja.1. temos a formação do componente eletrônico chamado diodo. Como a quantidade de elétrons livres é maior do que a quantidade de lacunas. a quantidade de elétrons livres é superior à quantidade de lacunas.

Diferentemente do que ocorre com um resistor. na operação do diodo é essencial saber a polaridade da fonte de tensão. 13 . os átomo que perde o elétron fica ionizado positivamente (cátions) e os que recebem ficam ionizado negativamente (ânions). Na junção cria-se um campo elétrico impedindo que outros elétrons passem do material tipo N para o material tipo P. ou seja. ficará ionizado positivamente.3V para os diodos de germânio. temos o que é chamado de camada de depleção. a camada de depleção é definida como a junção PN onde se encontra os cátions e ânions. Então alguns elétrons passa do material tipo N para o material tipo P. Na junção PN. diferença de potencial na junção.material tipo P Catodo material tipo N catodo Figura 1. ocorre a barreira de potencial.+ + + _ _ _ Junção PN Figura 1.8 Diodo formado pela junção dos materiais tipo N e tipo P.9. Simbologia do diodo é mostrada na Figura 1. embora tenham elétrons livres em excesso quem perde elétrons são os átomos. e como no átomo o número de lacunas ficará maior que o número de elétrons. anodo Anodo.2 Polarização do diodo Para o seu funcionamento. Na junção PN os elétrons livres do material tipo N é atraído pelas lacunas do material tipo P.9 Símbolo do diodo de junção PN.7V para os diodos de silício e 0. Observe que no material tipo N. A barreira de potencial na temperatura de 25ºC é de aproximadamente 0. Devido à camada de depleção. o diodo precisa ser polarizado. 1.

como mostra a Figura 1. esta quebra forma na superfície lacunas se comportando como um material tipo P.2.2 Polarização reversa Na polarização reversa o potencial positivo da fonte é ligado ao catodo (material tipo N) e o potencial negativo da fonte é ligado ao anodo (material tipo P). os elétrons podem entrar no material N atravessar toda a superfície do diodo passado pelo material tipo P indo para a polaridade positiva da fonte. 14 .2. Na polarização reversa um diodo ideal se comporta como uma chave aberta. A corrente de fuga de superfície é ocorre na camada mais externa do diodo. onde se a tensão da fonte de alimentação for maior do que a barreira de potencial os elétrons atravessam a junção PN. No entanto.10. na prática. 1. Por isso.10 Diodo polarizado diretamente. passa pelo material tipo P e é atraído pelo potencial positivo da fonte. Os portadores minoritários podem dentro da camada depleção.1.1 Polarização direta Na polarização direta. temos duas pequenas correntes que circulam no diodo. N + + + _ _ _ P Figura 1. isto é. A corrente de saturação e a corrente de fuga de superfície. como mostra a Figura 1. o potencial positivo da fonte é ligado ao anodo (material tipo P) e o potencial negativo da fonte ligado ao catodo (material tipo N). atravessar a junção ocasionando uma pequena corrente. O potencial negativo repele os elétrons do material tipo N. Os átomos na superfície não possuem vizinhos para fazer a ligação covalente. A corrente de saturação existe devido à energia térmica uma vez que são gerados pares de elétrons livres e lacunas.11. Ao polarizar diretamente um diodo ideal ele se comporta como uma chave fechada. irá circular uma corrente elétrica pelo dispositivo.

N + + + _ _ _ P Figura 1. indique qual das lâmpadas irá acender. a) b) 15 .11 Diodo polarizado inversamente. Dado os circuitos. Exercícios 1.

polarização etc.1. São utilizados em circuitos lógicos. mas pode operar em velocidades muito altas. Diodo de silício de uso geral São diodos de silício fabricados para o trabalho com correntes de pequena intensidade. A Figura 1. A Tabela 1 indica essa variação. enquanto que para os diodos de origem européia temos a sigla AO ou ainda BA .12 mostra a página de um datasheet do fabricante Fairchild para esta série de diodos. mas a tensão reversa vai aumentando à medida que o número do componente também aumenta. O 1N4148 é um dos tipos mais populares deste grupo de silício de uso geral. Estes diodos são especificados segundo uma codificação: para os diodos de origem americana temos a sigla 1N . Diodos retificadores de silício Estes são destinados à condução de correntes intensas e também operam com tensões relativamente elevadas que podem chegar a 1000V ou 1200V. da ordem de no máximo 200mA e tensões inversas que não vão além dos 100 V. assim ele é utilizado principalmente na detecção de sinais de altas frequências (rádio). Uma série muito importante destes diodos é a formada pelo 1N4000 e que começa com o 1N4001. quando polarizando reversamente.3 Informações Práticas Diodo de germânio Este tipo de diodo é utilizado com correntes muito fracas. Tipos conhecidos desta família são o 1N34. Diodos Retificadores. OA79 etc. Todos os diodos da série podem conduzir uma corrente direta de até 1 A. circuitos de proteção de transistores. 1N60. Tipo PIV 1N4001 50V 1N4002 100V 1N4003 200V 1N4004 400V 1N4005 600V 1N4006 800V 1N4007 1000V 16 . Tabela 1.

17 . Características elétricas dos diodos da série 1N4000.Figura 1.12.

temos a formação de um semicondutor do tipo __________. Estão certos apenas os itens A I. III e V. V O diodo semicondutor apresenta uma junção pn. I Ao longo da história da eletrônica. II Cristal semicondutor do tipo n tem as lacunas como principais portadores móveis de carga. (ELETRONORTE 2006) Considerando que os diodos D1. k) Na polarização reversa o diodo ideal se comporta como ________________________. III Cristal semicondutor extrínseco é aquele dopado com elementos denominados impurezas. IV e V. temos a formação de um semicondutor do tipo ___________. h) Se o diodo dor de germânio a barreira de potencial é de___________V.Exercícios 1. B I. C I. 2. d) No material do tipo N as lacunas são portadores_______________________. D2 e D3 do circuito abaixo são ideais. 2. j) Na polarização direta o diodo ideal se comporta como uma_____________________. A respeito de materiais semicondutores e de dispositivos eletrônicos. utilizam materiais semicondutores em sua estrutura. II e IV. na prática temos duas correntes a corrente de ____________________________ e a corrente _________________________.Complete a) Quando átomos pentavalentes são adicionados ao cristal puro. l) Na polarização reversa. c) No material do tipo P as lacunas são portadores________________________.(CHESF 2002) Dispositivos elétricos e eletrônicos são construídos com os mais variados tipos de materiais elétricos e magnéticos. III e IV. Os diodos e os transistores. f) Na camada de depleção origina a barreira de _________________________. julgue os itens subseqüentes. g) Se o diodo for de silício a barreira de potencial é de_______________V. sejam os bipolares de junção ou os de efeito de campo. b) Quando átomos trivalentes são adicionados ao cristal puro. D II. o germânio e o silício podem ser citados como importantes materiais semicondutores. II e V. é possível afirmar que: 18 . IV Um transistor bipolar de junção basicamente caracteriza-se por possuir três junções pn. e) Na junção PN temos a camada de ___________________. E III.

Posteriormente. D1 está conduzindo e D2 e D3 estão cortados. onde está à ponta de prova vermelha refere-se ao anodo e a ponta de prova preta ao catodo. e. logo. significa que você está polarizando diodo reversamente. Procedimento 2: Compreendendo a polarização direta e reversa em um diodo 1. logo. Material necessário: .1 multímetro digital. 3.12 19 . significa que você está polarizando diodo diretamente. Experiência no Laboratório Experiência 1 Compreendendo a polarização em um diodo Neste circuito. Procedimento 1: Identificação dos terminais anodo e catodo 1. D1. Segure uma ponta de prova do multímetro em perna do diodo. ¼ w . Coloque a chave seletora do multímetro na indicação do diodo.1 led.1 Fonte de alimentação de 6V. . D1 está cortado e D2 e D3 estão conduzindo. c. 2. onde está à ponta de prova vermelha refere-se ao catodo e a ponta de prova preta ao anodo. .1 diodo 1N4001 (ou equivalente). . b.1 resistor de 470W. D1. d. deve-se montar um circuito simples para compreender a polarização em um diodo. Observe que: Se o valor que aparecer no display for de 600mV. D1 e D2 estão conduzindo e D3 está cortado.a. devem-se identificar os terminais anodo e catodo em um diodo com o auxílio de um multímetro digital. D2 e D3 estão conduzindo. Monte o circuito da figura 1. Se o valor que aparece no display se refere o infinito. D2 e D3 estão cortados.

Figura 1.13.Figura 1. veja a figura 1.13 Polarização direta 20 . Inverta o diodo.12 Polarização reversa 2.

CAPÍTULO 2 TEORIA DOS DIODOS Introdução A tensão que chega a nossas residências é uma tensão alternada de 220V (região nordeste do Brasil). a maioria dos equipamentos eletrônicos necessita de uma tensão contínua para funcionar. Figura 2.7V) para diodo de silício Figura 2. Polarização reversa ruptura I Polarização direta V Joelho (0. 2. iremos estudar servirá para a montagem de uma fonte de alimentação. No entanto.2 Curva característica do diodo 21 . no qual. Esta fonte transforma o sinal que é alternado em uma tensão contínua.1 Fonte de alimentação DC Uma das principais aplicações do diodo.2). como mostra a Figura 2.1 Curva característica do diodo A curva característica do diodo é um gráfico(figura 2.1. no qual. O que fazer? A tensão para alimentar a grande maioria dos equipamentos deve passar por uma fonte de alimentação. relaciona a tensão que é aplicada com a corrente que circula pelo diodo.

Figura 2. o diodo funciona basicamente como uma chave aberta. o pólo positivo da fonte será ligado ao anodo do diodo e o pólo negativo da fonte ao catodo. 22 .2). Esta tensão máxima em que o diodo suporta é denominada tensão de pico inversa (PIV). 2. a corrente de fuga de superfície e a corrente de saturação são desprezados.2 Polarização Direta Na polarização direta. Na polarização reversa.3 Polarização Reversa Na polarização reversa.7V para o diodo de silício). no qual.1 Diodo Ideal Um diodo ideal. como mostra a figura 2. existindo apenas duas pequenas correntes. 2. será aplicada uma fonte de tensão contínua no diodo. a barreira de potencial e a resistência de corpo não são considerados. será aplicada uma fonte de tensão contínua no diodo. Figura 2. a polarização direta.4 Polarização reversa Na polarização reversa.3 Polarização direta Observe no gráfico(figura 2. irá chegar um instante em que o diodo não suporta e termina queimando (ruptura) então a corrente passa a circular livremente. a corrente circula livremente. como já foi visto no capítulo1.4.4 Modelos Do Diodo 2.3. a corrente de saturação e a corrente de fuga da superfície.2. na polarização direta. do lado direito. o pólo positivo da fonte será ligado ao catodo do diodo e o pólo negativo da fonte ao anodo como mostra a figura 2.4. Se continuarmos aumentando a tensão da fonte. Quando a tensão for maior do que a barreira de potencial (@0. no qual.

temos o circuito em que o diodo está polarizado diretamente.3V.7(a). o circuito equivalente com o diodo polarizado diretamente.4. temos o circuito em que o diodo está polarizado diretamente e a figura 2.7V para o diodo de silício. (b)Circuito equivalente do diodo na polarização direta POLARIZAÇÃO REVERSA Figura 2.2 Modelo Simplificado Considera-se a barreira de potencial. Para o silício a barreira de potencial é de 0. 23 .7V e para o germânio a barreira de potencial é de 0. Figura 2.7(b). POLARIZAÇÃO DIRETA Na figura 2.5(b). no qual foi considerado a barreira de potencial de 0. (b)Circuito equivalente do diodo na polarização reversa 2.6(a) Polarização reversa.Na polarização direta um diodo ideal se comporta como uma chave fechada e na polarização reversa como uma chave aberta. o circuito equivalente para a polarização direta. como mostra a figura 2.5(a). na figura 2. POLARIZAÇÃO DIRETA Na figura 2.6b.5b e 2.5(a) Polarização direta.

8(a).9).7(a) Polarização direta (b) Circuito polarização direta para o segundo modelo do diodo POLARIZAÇÃO REVERSA Na figura 2. Figura 2.4. 3. o circuito equivalente para a polarização reversa.0. calcule a corrente que passa no amperímetro (Figura 2. 5.9KW Figura 2. 4. temos o circuito em que o diodo está polarizado reversamente e a figura 2.9 24 . Não iremos usar este modelo neste livro.8(a) Polarização reversa (b) Circuito polarização reversa para o segundo modelo do diodo 2. Como a resistência de corpo são valores muito baixos. podendo variar de 0.7V Figura 2.1 a 10W dependendo da dopagem. Exercícios 1.8(b). Considere o segundo modelo para o diodo.6KW 2.3 Modelo linearizado Considera-se a barreira de potencial e a resistência de corpo. 5V 3.

Figura 2. . vamos montar o circuito básico com o diodo e polarizar diretamente e reversamente para que possamos medir a tensão e a corrente e.1 diodo 1N4001 (ou equivalente).1 resistor de 10K .11).Considere o diodo ideal. . Considerando o segundo modelo para o diodo. 25 . calcule a tensão que o voltímetro deve indicar (Figura 2. . consequentemente desenhar a curva característica do diodo.1 multímetro (analógico ou digital). 0. Material necessário: . Figura 2.11 Experiência no Laboratório Experiência 1.25W. calcule a tensão no resistor de 1kW (Figura 2.1 Fonte de alimentação cc variável de 0 a 10V.10).10 3.A curva do Diodo Nesta experiência.2.

Preencha a tabela abaixo: VF 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 A V 26 .Monte o circuito abaixo (Figura 2.12): Figura 2.Procedimento: 1.12 2.

27 .4 diodo 1N4001. 16V. Matérial necessário: -1 bateria de 12 V. .Monte o circuito abaixo: Figura 2. .4 leds.1 resistor de 1.2KW. O circuito é apresentado na Figura 2.1 capacitor de 2200mF.14.13 4. . 1/4W. você irá observar através de leds a influência da barreira de potencial em cada diodo.Preencha a tabela abaixo: VF 1 2 3 4 5 A V DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Sequência de Leds Neste circuito. .

3. a medida que o capacitor irá de descarregar os led irão apagar na sequência 4.14 Neste circuito. quando a chave estiver na posição 1 o capacitor deve carregar instantaneamente. 28 .Figura 2. Ao colocar a chave na posição 2 os quatros leds devem acender.2 e 1.

Vpp Tensão de pico a pico (amplitude total.1 Domínio temporal Vp Wt = q(rd) p -Vp 2p Figura 3.2. 29 . que a tensão senoidal pode atingir).1 e 3.1 Tensão Senoidal Uma tensão senoidal pode ser representada graficamente de duas formas: nos domínios temporal e angular como mostram as Figuras 3. 3. respectivamente. entre os valores máximos positivo e negativo). Vp T(s) T/2 -Vp T Figura 3.2 Domínio Angular Onde: Vp tensão de pico (amplitude máxima positiva ou negativa. vamos estudar os circuitos retificadores que servirão para a montagem de uma fonte de alimentação.CAPÍTULO 3 CIRCUITOS COM DIODOS Introdução Neste capítulo.

observamos que a bobina no qual recebe a tensão a ser transformada (Vp) denomina-se primário. Ele consiste em duas bobinas isoladas eletricamente. e segunda bobina. Quando uma corrente alternada ou pulsante passa no enrolamento primário o fluxo magnético variável que ele cria envolve as espiras do enrolamento secundário. Vp Vs Figura 3.3. a potência entregue ao primário(Pp) é igual à potência que o secundário (Ps) entrega à carga.2 Transformador O transformador é um dispositivo que permite modificar a amplitude de uma tensão alternada. do circuito do lado do secundário. montadas em um mesmo núcleo de ferro (usado para concentrar as linhas de campo). os gráficos da tensão senoidal nos domínios temporal e angular podem ser representados. Você sabe o que é flybacks? Os flybacks são transformadores de alta tensão presentes nos televisores comuns de todos os tipos e também nos monitores de vídeo de computadores. causando o aparecimento de uma f. a amplitude não será alterada. Ele funciona a partir do fenômeno da indução mútua. ou seja: 30 . aumentando ou diminuindo-a. Em um transformador ideal (que não possui perdas). respectivamente. no qual foi criado a tensão induzida (Vs) denomina-se secundário. por: V(T) = Vpsen wt Onde: V(t) = V(q) = valor da tensão no instante t ou para o ângulo q (em V) e V(q) = Vp senqt 3.3 transformador Na figura 3. Funcionamento. neste caso.e.m induzida nos terminais do secundário. Pode-se também utilizar para isolar o circuito do lado do primário.Matematicamente.

existe um conceito muito importante denominado valor eficaz ou rms.Ps = Pp Pp = Vp. como mostra a Figura 3. Observe as Figuras 3. o diodo conduz (polarização direta) e a tensão no resistor é a mesma do secundário do transformador.3 Circuito Retificador de Meia-Onda O circuito retificador de meia-onda é constituído por um transformador.4 Circuito retificador de mei-onda Funcionamento No semiciclo positivo.Is Vp/Vs = Np/Ns e Is/Ip = Np/Ns Valor eficaz Para sinais senoidais.Ip = Vs. um diodo e a carga. Figura 3.5(a) e3. de tal forma que.5(b). 31 .Ip Logo: Vp.4. O valor eficaz Vef ou Vrms de uma tensão alternada é a tensão que equivale a uma tensão contínua. ao aplicar uma tensão contínua a uma resistência faria com que ela dissipasse a mesma potência média caso fosse aplicado essa tensão alternada. Vp = 2 Veficaz 3.

mais precisamente contínua pulsante. já que a tensão é pulsante. portanto funcionando como uma chave aberta. (b) Forma de onda no resistor no semiciclo positivo.Figura 3. Figura 3.6 (a)Circuito retificador de meia-onda. logo a corrente não passará no resistor e a tensão na carga será zero.6(b). No semiciclo negativo o diodo estará reversamente polarizado.? O multímetro indicará o valor médio. A finalidade deste circuito é transformar a tensão que era alternada(primário do transformador) em contínua( sinal na carga). Observe que a onda na qual era alternada no secundário do transformar ao passar pelo diodo fica contínua.5 (a)Circuito retificador de meia-onda. Qual valor o multímetro indicará ao ler a tensão no resistor.6(a) e 3. calculado da seguinte forma: Vmed = 1 T ò f (t )dt T 0 32 . (b) Forma de onda no resistor. como mostra as Figura 3.

onde Logo: Vdc = f(t) = Vp senq no intervalo de 0 a p e o período é de 2p 1 2p ò 2p 0 Vpsenwtdt Wt = q dwt dq = dt dt logo: dt = dq w Vdc = 1 p VpsenJdJ 2pw ò0 w= 2p .cos 0°] 2p Vdc = Vp p Exemplo: 1) Em um circuito retificador de meia-onda.97 p Vdc = 5. logo w = 1 Vdc = Vdc = Vp J . a tensão no secundário do transformador é 12V.4V 33 . 12 = 16. Solução: Vst refere-se a tensão no secundário do transformador Vp = 2 2 Vst Vp = Vdc = Vp p . T e T = 2p. Calcule a tensão no resistor.97V Vdc = 16.cos J I 0 2p ë û ] Vp [-[ cos J .

7 Circuito equivalente no diodo para o semiciclo negativo Toda a tensão do secundário do transformador deve estar no diodo.É a corrente média. quando o diodo está diretamente polarizado. funcionará como uma chave aberta. Figura 3. No semiciclo positivo o diodo conduz. Tem corrente passando no diodo e tem corrente no resistor. No semiciclo negativo o diodo não conduz. 34 . Logo temos duas especificações: PIV Tensão de pico inversa Io Quantidade de corrente que o diodo deve suportar PIV O diodo quando reversamente polarizado (semiciclo negativo).7. Não tem corrente passando no diodo e também não tem corrente no resistor. PIV = Vpst (Tensão de pico do secundário do transformador) Determinação do Io Io . com mostra a Figura 3.ESPECIFICAÇÕES DO DIODO Qual diodo poderá ser colocado neste circuito? O diodo deverá suportar a tensão máxima que ficará nele quando reversamente polarizado e a corrente média quando diretamente polarizado. logo a corrente que passa por ele é igual a corrente que passa no resistor.

72V Io = Idc = Vdc R Io = 4.9K 3.03mA 3.72V Vdc = 12. deve-se utilizar um transformador com derivação central.9KW Solução: Vp = 2 2 Vst Vp = Vdc = Vp p .8 Circuito retificador de onda-completa com derivação central 35 . Dado: R= 3. 9 = 12. Rl Figura 3. Calcule as especificações do diodo. Logo: Idc = Vdc/R Exemplo: 1)Em um circuito retificador de meia-onda a tensão no secundário do transformador é 9V.05V PIV = 12.8).Logo: Io = Idc A quantidade de corrente que passa no diodo é igual a quantidade de corrente que passa no resistor.05 = 1.4 Circuito Retificador de Onda Completa No circuito retificador de onda completa com derivação central(Figura3. dois diodos e a carga.72 p Vdc = 4.

11(b). Ex: 9V 18V 9V Figura 3.10 (a) Circuito retificador de onda completa com derivação central.9 Transformador com derivação central Funcionamento do circuito No semiciclo positivo D1 conduz e D2 abre. 36 .8(b).8(a) e 3. conhecido também como tomada central ou. No semiciclo negativo D1 abre e D2 conduz. (b) Forma de onda no resistor no semiciclo positivo.9). A tensão no resistor será a metade da tensão total do transformador. como mostra as Figuras 3. como mostram as Figura 3. + Vst + Vdc T T Figura 3.Na montagem do circuito. Esta derivação fará com que a tensão fique dividida igualmente da metade para uma das estremidades. Nestes transformadores.11(a) e 3. utiliza-se de um transformador com derivação central. o enrolamento secundário apresenta uma derivação no centro. em inglês central tap ( Figura 3.

logo W = 2 pf = 1 Vdc = 2p 1 é p VpsenJ + ò .11(a) Circuito retificador de onda completa com derivação central.VpsenJ ù ú p ë û 2p ê ò0 Vdc = Vp [2 + 2] 2p logo: Vdc = 2 Vp p 37 .- Vst + + Vdc T T Figura 3. (b) Forma de onda no resistor no semiciclo negativo Observe que a polaridade no resistor permanece a mesma e a freqüência em relação a tensão no secundário do transformador é o dobro pois o período é a metade. A tensão Vdc será: Vdc = onde: 1 T ò f (t )dt T 0 f(t) = Vp senq para o intervalo de 0 a p e Vp senq para o intervalo de p a 2 p Devemos integrar o sinal até 2p.

Solução: Vp = 2 .12 Circuito equivalente do circuito retificador de onda completa com derivação central no semiciclo positivo 38 .OBS: Como apenas a metade da tensão no secundário irá para o resistor temos que: Vp = 2 . 16 Vp = 11. Vst 2 = 2 2 .2V ESPECIFICAÇÕES DO DIODO PIV Quando D1 está aberto D2 está conduzindo e a tensão que fica em D1 é a tensão total do secundário do transformador.(11.6KW. - + Figura 3. 1) Em um circuito retificador de onda completa com derivação central a tensão no secundário do transformador é 16V. Calcule a tensão no resistor de 5.31)/p = 7.31V Vdc = 2. Vst 2 Exemplo.

4/2.(8. Vst 2 = 2 2 . no semiciclo negativo D1 estará aberto mais D2 conduz e existirá corrente no resistor logo: A quantidade de corrente que passa no diodo é a metade da quantidade de corrente que passa do resistor. Io = Idc 2 Exemplo: 1) Em um circuito retificador de onda completa com derivação central .PIV = Vpst Io No semiciclo positivo D1 conduz e tem corrente no resistor.4V PIV = 2 . a tensão no secundário do transformador é 12V . Solução: Vp = 2 .48)/p = 5.97V Idc = 5.7K = 2mA Io = Idc 2 Io = 2m/2 = 1mA 39 . 12 = 16.7 KW. 12 Vp = 8.48V Vdc = 2. Calcule as especificações do diodo para um resistor de 2.

toda a tensão do secundário do transformador chegue na carga.3. 40 . como mostram as Figura 3.13).13 Circuito retificador em ponte Durante o semiciclo positivo D2 e D3 conduzem e D1 e D4 funcionarão como uma chave aberta. como mostram as Figuras 3. Figura 3.5 Retificador Em Ponte No circuito retificador em ponte (Figura 3.14(a) e 3.14(b). D2 e D3 funcionarão como uma chave aberta. Outrosim. D1 D2 D3 D4 Rl Figura 3.14 (a)Circuito retificador em ponte. será utilizado quatro diodos para aproveitar os dois semiciclos(positivo e negativo) do sinal alterado.15(b).15(a) e 3. (b) Forma de onda no semiciclo positivo Durante o semiciclo negativo D1 e D4 conduzem.

12 = 16. Exemplo: 1) Em um circuito retificador em ponte a tensão no secundário do transformador é de 12V.8V 41 . Vdc = 2Vp p A vantagem do circuito retificador em ponte em relação ao circuito retificador de onda completa com derivação central é que não necessita de um transformador com derivação central e a tensão total do transformador é aproveitada.16.15 (a) Circuito retificador em ponte. (b) Forma de onda no semiciclo negativo Como a forma de onda é igual a do circuito retificador de onda completa com derivação central. Solução: Vdc = 2VP/p Vp = 2 .97/p = 10.97V Vdc = 2. Calcule a tensão na carga.Figura 3. o cálculo da tensão Vdc é igual.

7KW. 9 = 12.7K = 3mA 42 .12. que a tensão em D1 é igual a tensão total do secundário do transformador. a tensão no secundário do transformador é 9V. PIV. denominado PIV(Tensão de pico inversa) e o valor médio a corrente no diodo quando o mesmo está diretamente polarizado.1V PIV = 12. logo: Io = Idc 2 Exemplo 1)Em um circuito retificador em ponte.1/2. Solução: Vdc = 2VP/p Vp = 2 . observe na Figura 3. PIV = Vpst Io Durante o semiciclo positivo a corrente não passa sobre D1.72V Vdc = 2. Calcule as especificações do diodo sabendo que o resistor é de 2.ESPECIFICAÇÕES DO DIODO São duas as especificações do diodo: Tensão máxima de pico que fica no diodo quando o mesmo está inversamente polarizado.No semiciclo positivo D1 está funcionando como uma chave aberta e D3 está conduzindo.12.72V Io = Idc/2 Io = 3m/2 = 1. denominado Io.5mA Idc = Vdc/R = 8. No semiciclo negativo tem corrente no diodo e também tem corrente no resistor. mas tem corrente no resistor.72/p = 8.

a frequência também será de 60Hz. é a mesma . verificamos que o período do sinal no secundário do transformador terá o mesmo período do sinal no resistor em um circuito retificador de meia-onda. (Figura 3. Se a frequência da linha for de 60Hz. em um circuito retificador de meia-onda. Na comparação entre o período do sinal no secundário do transformador e o período do sinal na carga em um circuito retificador de meia-onda. Vst + p FORMA DE ONDA DA LINHA T - 2p Vdc p FORMA DE ONDA NO RESISTOR PARA O CIRCUITO RETIFICADOR DE MEIA-ONDA 2p Figura 3.17) iremos fazer a seguinte análise: 43 . vamos analisar o período entre o sinal no secundário do transformador e o sinal na carga. Logo. observando a Figura 3. Na comparação entre o período do sinal no secundário do transformador e o período do sinal na carga em um circuito retificador de onda completa. a frequência. o período permanece o mesmo.16. verificamos que ao comparar o período do sinal da linha com a do circuito retificador de meia-onda .3.6 Comparação Entre As Frequências Dos Circuitos Retificadores Para compreender a freqüência do sinal na carga. ou seja 2p.16.16 Comparação entre o período da onda no secundário do transformador e na carga no circuito retificador de meia onda. Na Figura 3.

se na linha a frequência for de 60Hz. Em um circuito retificador de meia-onda a tensão no resistor será calculado pela seguinte equação: Vdc =___________ B . nos circuitos retificadores de onda completa. a frequência no circuito retificador de onda completa é o dobro da frequência da linha. T - 2p Vdc T p 2p FORMA DE ONDA NO CIRCUITO RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA COM TAP CENTRAL E RETIFICADOR EM PONTE. em um circuito retificador de onda completa a freqüência na carga será de 120Hz. logo. Se a frequencia da linha for de 50Hz. no resistor. O período da linha é 2p. onde Vp = _________ da tensão no secundário do transformador. Em um circuito retificador de onda completa com derivação central temos: PIV = ___________ e Io = ______________. em um circuito retificador de meia-onda a frequência será de _____________ no circuito retificador de onda completa com derivação central a frequência será de _________e no circuito retificador em ponte a frequência será de ___________. Em um circuito retificador de onda completa com derivação central a tensão no resistor será calculado pela seguinte equação: Vdc =__________. E . 44 . porém. Em um circuito retificador em ponte a tensão no resistor será calculado pela seguinte equação: Vdc = ______________ F . Exemplificando.Vst + p FORMA DE ONDA DA LINHA. o período é p. Figura 3. Exercícios 1.17 Comparação entre o período da onda no secundário do transformador e na carga no circuito retificador de onda-completa. Em um circuito retificador de meia-onda PIV = _____________ e Io = __________ C . D . Em um circuito retificador em ponte temos: PIV = ___________ e Io = ___________ G . Preencha os espaços em branco. A .

R2 = 15kW e R3 = 22KW.18.19 7. qual tensão ele iria ler? Figura 3. Em um circuito retificador de onda-completa com derivação central a tensão no secundário do transformador é de 25V. R2 = 3. Calcule as especificações do diodo. Dado: Vst = 25V. sabendo que Rl = 6. 4.6KW. determine a tensão V1 e as especificações do diodo.8KW. Dado o circuito(Figura 3.19) determine a tensão V1. 3.18 6. Em um circuito retificador de meia-onda a tensão no secundário do transformador é de 18V. como mostra a figura. Em um circuito retificador em ponte a tensão no secundário do transformador é de 16V. R1 = 1KW.3KW e R3 = 5.2KW.7KW 45 . Calcule as especificações do diodo. Figura 3. Sabendo que Rl = 5.2. 5. sabendo que Rl = 8. Um aluno montou em laboratório o circuito da Figura 3.20). Se o aluno utilizasse o multímetro para medir a tensão no resistor. no qual verificou a forma de onda no resistor com o osciloscópio. Dado: Vst = 26V. R1 = 10kW. Dado o circuito (Figura 3. Calcule as especificações do diodo.

22).20 8.22 46 .21). Determine a tensão que ele irá ler ao medir a tensão no resistor com o multímetro. Um aluno montou em laboratório o circuito (Figura 3. no qual observou a forma de onda com o osciloscópio no resistor.Dado o circuito (Figura 3. Figura 3. determine a forma de onda no diodo D1.21 9. como mostra a figura.V1 Figura 3. Figura 3.

1 diodo 1N4001 (ou equivalente).23: Figura 3.Monte o circuito da Figura 3. Experiência 3 Circuito retificador de onda completa com derivação central Neste circuito.25W. para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc. para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc. Procedimento: 1. Material necessário: 47 .1 multímetro (analógico ou digital).1 Osciloscópio. deve-se montar um circuito retificador de meia-onda. . 0.23 2345- Com o uso do osciloscópio. deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivação central.1 resistor de 10K . Material necessário: . observe a forma de onda no resistor.Experiência no Laboratório Experiência 2 Circuito retificador de meia-onda Neste circuito. Inverta o diodo e observe a forma de onda no resistor. 110V/220V 9V. 500mA . . .1 transformador. Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc. Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado.

25W.1 multímetro (analógico ou digital). .1 transformador com derivação central. .1 Osciloscópio.1 transformador -110V/220V . observe a forma de onda no resistor.25W. Experiência 4 Circuito retificador em Ponte Neste circuito.24: Rl Figura 3.1 Osciloscópio.2 diodos 1N4001 (ou equivalente)..1 multímetro (analógico ou digital). Inverta os diodos e observe a forma de onda no resistor. 4. Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado.1 resistor de 10K . Procedimento: 1. 5. . 0. 0. . Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc.4 diodos 1N4001 (ou equivalente). 110V/220V 12V+12V.1 resistor de 10K . . . 500mA . 500mA . para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc.9V. Material necessário: . 48 .Monte o circuito da Figura 3. Com o uso do osciloscópio.24 2. 3. deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivação central.

2KW 1/4W. 3. servindo para substituir capacitores variáveis comuns em circuito de sintonia.26: Figura 3.Inverta os diodos e observe a forma de onda no resistor. observe a forma de onda no resistor.Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado. DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Capacitor variável Neste circuito será construído um capacitor variável de estado sólido.Com o uso do osciloscópio. Material necessário: 2 baterias de 12V.26 49 .25 2.25: D1 D2 D3 D4 Rl Figura 3. 1 potenciômetro de 1MW.Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc. 1 resistor de 8.Procedimento: 1. 4. 1 resistor de 1MW. 1 diodo varicap ( qualquer um serve). 5. 1 capacitor 10nF Circuito da Figura 3.Monte o circuito da Figura 3.

CAPÍTULO 4 . Então o capacitor começa a descarregar pelo resistor.CIRCUITOS RETIFICADORES COM FILTRO Introdução Nos circuitos retificadores visto até agora. será maior do que o período da onda no secundário do transformador (T= 1/60 s). como mostra a Figura 4. para que o sinal fique o mais próximo de uma tensão contínua constante. 4. verificamos que a tensão já é contínua.1 Circuito Retificador de Meia-Onda com Filtro Capacitivo No circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo.1 Figura 4. Quando a tensão do secundário do transformador diminuir (sendo menor do que Vp) o diodo abre. o sinal continua pulsando.1 Circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo No semiciclo positivo do diodo conduz e o capacitor começa a carregar até atingir a tensão de pico no secundário do transformador. Novamente no semiciclo positivo. pois a tensão no capacitor será maior do que a tensão no secundário do transformador (o diodo estará polarizado reversamente). 50 . O próximo passo para construirmos uma fonte de alimentação é aplicar um filtro capacitivo.2. Durante o semiciclo negativo o diodo está polarizado reversamente e o capacitor continua descarregando pelo resistor. de tal forma que t = RC. o diodo conduz e o capacitor carrega até atingir a tensão de pico do secundário do transformador. foi introduzido um capacitor em paralelo a carga como mostra a Figura 4. para este circuito utilizado-se valores relativamente altos para C. quando Vst > Vc (tensão no secundário do transformador maior do que a tensão no capacitor) . no entanto.

no entanto iremos aproximar a Vp/R F = frequência da forma de onda no resistor C = Capacitância Obs: Quanto maior t = RC. menor será a tensão de ondulação.Vond 2 Vond = I FC De: I = C dV dt dV = Vond Onde: I = Corrente no resistor. 51 . logo maior será a tensão Vdc e mais contínua será a forma de onda no resistor.2 Forma de onda no resistor Vdc = Vp .Vst T Vdc T Figura 4.

Dado: Vst = 12V e Flinha = 60Hz 52 . quando em um circuito o capacitor tiver um valor muito elevado não tendo tempo para descarregar e a tensão no secundário do transformador estiver no semiciclo negativo como mostra Figura 4. ficando a forma de onda muito parecida com a do circuito retificador de meia-onda.ESPECIFICAÇÕES DO DIODO São duas as especificações do diodo: Tensão máxima de pico que fica no diodo quando o mesmo está inversamente polarizado. denominado PIV(Tensão de pico inversa) e o valor médio a corrente no diodo quando o mesmo está diretamente polarizado. a tensão máxima que chegará ao diodo será: PIV= 2Vps Io A quantidade de corrente que passa no diodo será a maior possível quando em um circuito o valor da resistência e o valor do capacitor forrem muito baixo. Figura 4. PIV A tensão no diodo terá o maior valor. de tal forma que o capacitor de descarrega quase que totalmente. denominado Io. calcule a tensão Vdc e as especificações do diodo.3. Io = Idc Exemplo: 1)Dado o circuito.3 Circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo no semiciclo negativo Ao fechar a malha.

Vond 2 onde : Vond = I FC Para o circuito retificador de meia-onda a frequência da onda no resistor é igual a frequência da linha logo: F= 60Hz Vp = 2 .6K = 3mA Vond = 3 60.7/5. 12 = 16.6K = 2.2 Circuito Retificador de Onda Completa com Derivação Central e Filtro Capacitivo No circuito retificador de onda completa com derivação central e filtro capacitivo. 53 .Figura 4.97) = 33.97V I @ Vp/R = 16. foi introduzido um capacitor em paralelo com a carga como mostra Figura 4.5V Vdc = 16.97/5.98mA 4.7V PIV = 2(16.5/2 = 16.97 0.5.94V Io = Idc = 16.100m = 0.4 Circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo Solução: Vdc = Vp .

Quando Vst for menor do que Vpst. D2 conduz e o capacitor carrega até atingir Vpst. o diodo abre e o capacitor começa a descarregar pelo resistor e assim sucessivamente como mostra Figura 4. quando Vst > Vc . D1 conduz e o capacitor começa a carregar até atingir a tensão no secundário do transformador. Vst T Vdc T Figura 4. No semiciclo positivo quando Vst > Vc. No semiciclo negativo. Quando Vst diminui D1 abre e o capacitor começa a descarregar pelo resistor. D1 conduz e o capacitor carrega até atingir Vpst.D1 C Rl D2 Figura 4.5 Circuito retificador de onda completa com derivação central e filtro capacitivo Durante o primeiro semiciclo positivo. D2 abre e o capacitor novamente começa a descarregar pelo resistor.6 Forma de onda no resistor 54 . Novamente quando Vst< Vp.6.

Logo: Vdc = Vp . PIV = Vpst Io = Idc 2 Exemplo: 1) Dado o circuito. denominado PIV(Tensão de pico inversa) e o valor médio a corrente no diodo quando o mesmo está diretamente polarizado. calcule a tensão Vdc e as especificações do diodo. denominado Io. Dado: Vst = 12V Flinha = 60Hz D1 5.6KW D2 100mF Figura 4.Vond 2 OBS: A frequência é o dobro da frequência da linha ESPECIFICAÇÕES DO DIODO São duas as especificações do diodo: Tensão máxima de pico que fica no diodo quando o mesmo está inversamente polarizado.7 55 .

48V I = Vp/R = 8.12V Vdc = 8.5mA Io = 1. 12 2 Vp = 8.6K = 1.51m 120.100m = 0.41/5. foi introduzido um capacitor em paralelo a carga como mostra a Figura 4.41V PIV = Io = Idc/2 2 . 12 = 16.Solução: 2 .75mA 4.8. D1 D2 D3 D4 Rl C Figura 4.6K = 1. Vst Vp = 2 = 2 .51mA Vond = 1.12/2 = 8.5m/2 = 0.48/5.3 Retificador em Ponte com Filtro No circuito retificador em ponte com filtro capacitivo.48 0.97V Idc = Vdc/R = 8.8 Circuito retificador em ponte com filtro capacitivo 56 .

como mostra a Figura 4. Vst T Vdc T Figura 4. Novamente. D1 e D4 abrem e o capacitor começa a descarregar pelo resistor.9. D2 e D3 conduzem e o capacitor carrega até atingir Vpst. No semiciclo negativo.No início do primeiro semiciclo positivo D2 e D3 conduzem. D1 e D4 conduzem e o capacitor começa a carregar até atingir Vpst.Vond 2 OBS: A frequência é o dobro da frequência da linha 57 . D2 e D3 abrem e o capacitor começa a descarregar pelo resistor. quando Vst> Vc. logo o capacitor começa a carregar até atingir a tensão de pico do secundário do transformador. quando Vst > Vc.9 Forma de onda no resistor Logo: Vdc = Vp . No semiciclo positivo. quando Vst<Vp =Vc. D2 e D3 abrem e o capacitor começa a descarregar pelo resistor e assim sucessivamente. quando Vst < Vp. Quando Vst<Vpst.

12 Vp = 16.6KW 100mF Figura 4.ESPECIFICAÇÕES DO DIODO São duas as especificações do diodo: Tensão máxima de pico que fica no diodo quando o mesmo está inversamente polarizado.97/5.10 Solução: Vp = 2 .6K = 3 mA 58 . PIV = Vpst Io = Idc 2 Exemplo: 1)Dado o circuito. denominado PIV(Tensão de pico inversa) e o valor médio a corrente no diodo quando o mesmo está diretamente polarizado. Dado: Vst = 12V Flinha = 60Hz D1 D2 D3 D4 5. denominado Io. Vst = 2 .97V I = Vp/R = 16. calcule a tensão Vdc e as especificações do diodo.

calcule a tensão Vdc e as especificações do diodo.97V Idc = Vdc/R = 16. Preencha os espaços em branco. 12 = 16.25V Vdc = 16.100m = 0. Dado os circuitos das Figura 4. a frequência será_________ e no circuito retificador de onda completa a frequência será__________________.84V .11 59 . O que difere os circuitos retificadores com filtro como o circuito retificador de meia-onda do circuito retificador de onda completa é a __________________________ C. observa-se que a forma de onda é a mesma sendo calculado a tensão Vdc pela seguinte equação_________________________ Onde Vond = ________________ B . Em todos os circuitos retificadores com filtro.25/2 = 16.O Io dos circuitos retificadores de onda completa com filtro será igual a ___________ 2. O Io para o circuito retificador de meia-onda com filtro é igual a____________ G.12 e 4. A .84/5.12.5mA Exercícios 1. O PIV para os circuito retificadores de onda completa com filtro será igual a__________ F.97 PIV = Io = Idc/2 2 0. 4.Vond = 3m 120. O PIV para o circuito retificador de meia-onda com filtro será igual a ______________ E .6K = 3mA Io = 3m/2 = 1. Dado: Vst = 18V e Flinha = 60Hz a) 2. Em um circuito retificador de meia-onda com filtro se a frequência da linha for de 60Hz.7 KW 47mF Figura 4. D.11.

15. 60 .b) D1 2.12 c) D1 D2 D3 D4 2. Dado: Vst= 24sen100t.13 3. determine a tensão Vdc e as especificações do diodo.14.7KW D2 47mF Figura 4. Dado o circuito da Figura 4.7KW 47mF Figura 4.14 4. determine Vdc. Dado o circuito da Figura 4. Rl = 15KW e C= 1mF Figura 4.

9KW.5f1 e) V2 = V1 e f2 = f1 Figura 4. Figura 4. Medidas de tensão e freqüências foram efetuadas nas saídas dos circuitos em cima das cargas Rl.15 5. com mesmas especificações e utilizando diodos considerados ideais.5 e f2 = 0. é correto afirmar que: a) V2 = 2V1 e f2 = f1 b) V2 = 2V1 e f2 = 2f1 c) V2 = 0. alimentados por fontes de tensão senoidal V(t).16 61 .5 e f2 = f1 d) V2 = 0. mostra dois circuitos retificadores de onda completa com carga RL idênticas. obtendo: V1 e f1 para C1 V2 e f2 para C2 Com relação às medidas obtidas. A Figura 4. Rl = 3.16.Dado: Vst = 40V.

1 resistor de 10K .17.17 2. observe a forma de onda no resistor. . 5. 6.1 transformador. utilize o capacitor de 1 F.Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc. deve-se montar um circuito retificador de meia-onda com filtro capacitivo.1 Osciloscópio.3 Capacitores.Troque o capacitor pelo valor de 10 F e novamente observe a forma de onda no resistor. 4.Monte o circuito da Figura 4.1 diodo 1N4001 (ou equivalente). . 3. Material necessário: . Procedimento: 1.Com o uso do osciloscópio.25W.Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado. . será observado como a tensão de saída será influenciada de acordo com o valor do capacitor. Figura 4.1 multímetro (analógico ou digital). . Troque o capacitor pelo valor de 47 F e novamente observe a forma de onda no resistor 62 . 110V/220V 9V. no qual.Experiência no Laboratório Experiência 5 Circuito retificador de meia-onda com filtro capacitivo Neste circuito. 1 F. 0.10 F. 500mA . primeiramente.47 F.

18 2. Figura 4.1 multímetro (analógico ou digital).2 diodos 1N4001 (ou equivalente). .Troque o capacitor pelo valor de 10 F e novamente observe a forma de onda no resistor. Troque o capacitor pelo valor de 47 F e novamente observe a forma de onda no resistor 63 . 110V/220V 12V+12V. . 1 F. observe a forma de onda no resistor.Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc.Com o uso do osciloscópio.Monte o circuito da Figura 4.1 transformador com derivação central. 6. 3. 5.Experiência 6 capacitivo Circuito retificador de onda completa com derivação central com filtro Neste circuito. deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivação central.10 F.47 F.18. 0.Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado. Procedimento: 1. . Material necessário: .1 Osciloscópio. 4. 500mA .1 resistor de 10K . .25W.3 Capacitores. para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc.

19.1 multímetro (analógico ou digital). 5.Monte o circuito da Figura 4. Troque o capacitor pelo valor de 47 F e novamente observe a forma de onda no resistor 64 .25W. D1 D2 D3 D4 Rl C Figura 4. 0. deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivação central. 3. 500mA . Material necessário: .19 2.Troque o capacitor pelo valor de 10 F e novamente observe a forma de onda no resistor.4 diodos 1N4001 (ou equivalente). . Procedimento: 1.Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado.1 resistor de 10K .Com o uso do osciloscópio.Experiência 7 Circuito retificador em Ponte com filtro capacitivo Neste circuito. .1 transformador -110V/220V . observe a forma de onda no resistor.9V. para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc.Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc. . 4.1 Osciloscópio. 6.

capacitor eletrolítico de 220mF. Fontenele) Material necessário: 1.20 Neste circuito. a energia eólica.Alternador ( pode ser um dínamo para bicicleta). Figura 4. a tensão servirá para acender um led. Neste circuito. 1. 1 led. ao passar pelo circuito retificador em ponte com filtro capacitivo. 4. como geradora de fonte de energia limpa e renovável.20.diodos 1N4001 ou equivalente. em Aquiraz. temos um exemplo da utilização da energia eólica para acender um led. servirá para mover um alternador e desta forma gerar energia elétrica. 1/8W.16V. a energia eólica fornecida pelo ventilador. Circuito da Figura 4. é a maior usina do gênero da América Latina e produz 10 Megawatts . Parque Eólico na Prainha.resistor 470 . 65 . 1. (Foto: Fco. Como a tensão gerada pelo dínamo é uma tensão alternada de baixo valor (aproximadamente 6V).DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Acendendo um led com energia eólica O estado do Ceará vem se tornando referência no Brasil.

1. O capacitor depois do diodo filtra o sinal.1. por exemplo. podemos ouvir os sons transmitidos pela estação de rádio. uma de alta frequência que é a portadora . a bobina de um relé ou ainda um pequeno motor é acionado. utilizaremos o circuito de rádio elementar mostrado na Figura 5. que são desviados para o diodo. Este sinal que é composto de duas partes. desviando para a terra a componente de alta frequência e deixando apenas a envolvente. ou seja. Rádio elementar ou rádio de galena. Os diodos de pequena capacidade de corrente. 5. antena Diodo detector CV filtro fone Figura 5.CAPÍTULO 5 OUTRAS APLICAÇÕES PARA O DIODO Introdução Existem muitas outras aplicações para os diodos além da retificação. da estação sintonizada. é criado um forte campo magnético.1 Rádio elementar Como exemplo. 5. e outra baixa que á a modulada . com a contração magnética. ou seja. por exemplo. que deve circular em direção á terra passando pela bobina e capacitor que formam o circuito de sintonia: Este circuito se caracteriza por impedir a passagem dos sinais de uma única frequência. Ao ser desligado. havendo então a indução de uma corrente de alta frequência. a modulada. A antena capta os sinais emitidos pela estação. é induzida na carga uma tensão oposta. Quando uma carga indutiva como. fazendo sua detecção. deixando passar apenas os semiciclos positivos do sinal. pode ser levado a um processo de separação. ou seja. O diodo funciona como retificador de alta frequência. chamados de diodo de sinal podem ser usados como detectores de envolvente em circuitos de rádio.2 Diodo nos circuitos de proteção Outra função importante do diodo é nos circuitos de proteção. que corresponde justamente ao som que é captado nos microfones da emissora ou obtido de um toca-disco ou toca-fitas. 66 . Aplicando este sinal de baixa frequência a um fone de ouvido ou então a um amplificador.

Iniciamos fazendo uma revisão sobre as propriedades do indutor. de sua indutância quando no desligamento pode ser muitas vezes maior do que a aplicada quando ligamos.2. 5.3. no qual cria uma tensão induzida na bobina. com a ligação de um diodo. No qual o indutor funciona como eletroímã sendo capaz de atrair materiais condutores. Leitura Complementar 5.(+) Diodo de proteção Circuito de comutação Carga indutiva Figura 5.1 Propriedades do indutor O indutor consiste basicamente em um bobina formada por voltas de fio esmaltado. O componente que faz o acionamento pode então ser danificado com a presença desta tensão. temos uma proteção contra este fenômeno. Quando uma corrente contínua circula por um indutor ou bobina é criado um campo magnético. Atração de um prego (material ferromagnético) pelo indutor 67 . Diodo usado como proteção em circuitos indutivos. ou seja.3 Circuito Tanque O estudo do circuito tanque será de grande importância para que possamos compreender os circuitos utilizados para a sintonia de rádio.3. Como experiência podemos mostrar a Figura 5. Dependendo do tipo de carga. além de alguns circuitos osciladores e outras aplicações no qual se faz o uso de um circuito indutor capacitor.3. Figura 5.

Figura 5. Após a abertura da chave e decorrido 0.4.4. A associação em paralelo da indutância com a capacitância é conhecida como circuito tanque. temos: Durante o período no qual a chave está fechada.33s il = ime t t - = 4e 0.00004s A tensão auto-induzida será: v=- LDi = -250V Dt Uma tensão bastante elevada nos contatos da chave. v=-L Di Dt (1) Exemplo: Se L= 10H. R = 3W. Circuito RL série De acordo com a expressão 1. im = VF/R = 12/3 = 4ª. ao abrir o circuito. VF= 12V. A tensão criada é uma tensão auto-induzida que pode atingir valores extremamente altos. 68 . mesmo com a tensão na bobina de valor baixo.5 ilustra um exemplo de circuito tanque. ocorre uma variação bastante alta da corrente em pouquíssimo tempo (abertura da chave).4 Circuito ressonante O capacitor e o indutor possuem a característica de armazenar energia elétrica.00004 segundos.0004 3.33 = 3.999A Logo: Di = 4-3.999=1mA Dt = 0. A energia armazenada no indutor volta ao circuito. 5.Ao abrir o circuito da Figura 5. A Figura 5. a corrente no circuito foi reduzida para: t = L/R = 10/3 = 3.

Circuito tanque.Figura 5. indefinidamente. quando se anular. fará com que C se carregue novamente. o processo voltará a se estabelecer. um campo magnético em torno de L. possui polarizada oposta ao que originou (lei de Lenz). e a corrente de descarga cria um campo magnético em torno de L. um pulso de tensão ao circuito. se o circuito tanque fosse ideal e não apresentasse resistência. C irá se descarregar novamente. Quando C tiver se descarregado. Essa corrente de descarga originará. O funcionamento de um circuito tanque consiste na troca de energia entre a capacitância e a indutância. A onda senoidal que se estabelece entre C e L possui uma freqüência. Xc = Xl ® 1/(2 FrC) = 2 FrL Fr = 1/(2 LC)1/2 69 . no mesmo sentido da primeira carga. Entretanto. A frequência de ressonância é a única frequência. devido à dissipação de energia no circuito na forma de calor. após um número finito de oscilações. C se carrega a esse valor de tensão. A Figura 5. Esse campo.5. essa corrente carregará o capacitor no sentido oposto ao anterior. no qual a reatância capacitiva é igual a reatância indutiva. A troca de energia e a corrente circulante continuariam. novamente. Isto faz com que a corrente senoidal seja amortecida e desapareça. este. removendo-se a tensão aplicada. mas a corrente será oposta em relação à primeira descarga. o campo magnético se anula e essa variação induz uma corrente no mesmo sentido da corrente que originou o campo. produzindo uma série de onda senoidais. Quando uma tensão é momentaneamente aplicada a um circuito tanque. Se aplicarmos. Portanto.6. C se descarrega através de L. a resistência está sempre presente. é denominado freqüência de ressonância. fazendo com que a corrente circulante diminua gradativamente. Troca de energia entre o indutor e o capacitor em um circuito tanque. ocorre o procedimento descrito a seguir. Quando o campo em torno de L desaparecer. no qual. Figura 5.6 resume toda essa explicação. novamente.

Figura 5.7. ao girar o botão que altera o valor do capacitor. ela não encontra nenhuma oposição do circuito e é curtocircuitado para o terra. quer seja porque perde em calor nos próximos elementos do circuito. a onda senoidal que corresponde à freqüência de ressonância será amplificada. ou seja. a oposição à passagem de corrente é infinita. deve-se repor a energia que vai sendo perdida em cada ciclo de carga e descarga do capacitor. Depois deste ponto. Das milhares de ondas senoidais de diferentes estações de rádio que chegam à antena. portanto. temos um sintonizador de rádio simples. Este circuito é utilizado num receptor de rádio em que deve ser feita a separação dos sinais da estação que queremos ouvir de todos dos demais sinais que chegam à antena. muda a freqüência de ressonância e. o circuito tanque possui um capacitor variável. no qual. Se o sinal corresponde à freqüência para o qual o circuito está sintonizado. ao aplicar uma onda senoidal. produzindo uma oscilação amortecida. a impedância é infinita. ele encontra forte resistência e é desviado para as etapas que fazem seu processamento. a oposição começa novamente a diminuir. sendo as demais desviadas para o terra. 5. Ao aplicar um sinal alternado ao circuito tanque. Na Figura 5. 70 . Se este circuito for ligado a uma antena. Já se o sinal não corresponde a esta freqüência. observamos que à medida que nos aproximamos da freqüência de ressonância.5 Circuito tanque na geração de sinais de rádio Aprendemos que em um circuito tanque. quer seja porque é irradiada por uma antena. Em um rádio. ondas de rádio. com a alternância de campo elétrico em magnético. É desta forma que este circuito sintoniza as diferentes estações no rádio. ocorre uma troca de energia entre o capacitor e o indutor. ou seja. muda a freqüência da onda senoidal que o ressonador amplifica. a oposição começa a crescer até atingir o máximo no valor exato desta freqüência. a energia gerada neste sistema pode ser irradiada na forma de onda eletromagnética.Na frequência de ressonância.Sintonizador LC. Para que a produção destas oscilações continue.7. Isto pode ser feito com um amplificador.

Foi implementado na França por Radiguet e Massiot. vamos montar um rádio bastante simples. De onde vêm estas ondas eletromagnéticas? As estações de rádio produzem uma quantidade bastante elevadas de ondas eletromagnéticas em diversas freqüências. (D) na ressonância tem impedância equivalente a um circuito aberto. 1 antena. (B) tem fator de qualidade unitário. (C) tem ressonância na freqüência de 1 Hz. O rádio Galena é bastante simples. pois não apresenta uma etapa para a amplificação do sinal captado pela antena. 1 indutor 10mH.Exercícios 1. Compreender o funcionamento de um simples rádio ajudará a compreensão dos rádios mais complexos e mais bem elaborado.8 (A) é um oscilador ideal. 1 Fone de cristal. (ELETRONORTE 2006) A rede abaixo(Figura 5. 1 capacitor variável. A idéia fundamental em um rádio Galena é captar ondas eletromagnéticas por um receptor elétrico simples e reproduzir em um fone de ouvido. O rádio é um dos meios de comunicações mais utilizado pelo homem moderno. 71 .8): Figura 5. O rádio Galena foi o primeiro rádio inventado pelo homem. os resultados obtidos na prática não são muito satisfatórios. Experiência no Laboratório Experiência 8 Rádio elementar ou rádio Galena Neste circuito. (E) na ressonância tem impedância equivalente a um curto-circuito. Material necessário 1 Diodo de Germânio ( qualquer tipo de diodo de Germânio).

Enrole para que ainda sobre 1cm de cabo e 10cm de fio. Figura 5. Fazendo a bobina Pegue o cabo de vassoura e deixe um espaço de um centímetro de cada lado. prestando atenção para que os fios fiquem encostados um ao lado do outro e não passe por cima. 72 .9. 1 cabo de vassoura (madeira ou plástico) para enrolar a bobina de 18cm. Comece a enrolar.Procedimento: 1. Material necessário: 1 Diodo de Germânio ( qualquer tipo de diodo de Germânio). 1 Fone de cristal (fone de alta impedância acima de 2000W). 100 gramas de fio esmaltado com número AWG entre 18 e 24 (diâmetros entre 1. 1 antena. 1 capacitor poliéster de 1nF.Monte o circuito da Figura 5. no qual a bobina será artesanal.5 mm) para a bobina. Lixe o esmalte do fio que está sobrando os 10cm de cada lado. DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Rádio artesanal elementar Neste circuito você irá montar um rádio. o fio com fita isolante deixando sobrar 10cm de fio. Varie o valor do capacitor para sintonizar o rádio.9 2.0 a 0. Prenda no início.

Faça a seguinte montagem (Figura 5. encostadas mesmo. Deixe sobrar de cada lado entre oito e dez centímetros de fio. As voltas devem ficar bem próximas uma da outra. Caso você esteja usando o tubo. 73 . Antena Como o rádio não possui uma etapa de amplificação.Deixe um espaço de mais ou menos um centímetro de cada lado do tubo ou pedaço do cabo de vassoura e comece a enrolar o fio. Se você está usando o cabo de vassoura. Pode ser um fio esticado de 10m de comprimento. a antena deve ser bastante comprida para captar o máximo de energia da estação. e uma volta não pode passar por cima da outra. faça um ou dois furos para prender o fio antes de começar a enrolar e mais um ou dois furos para prender na outra extremidade (oriente-se pelo desenho do rádio acima).10). Figura 5.10 A seta que está ligada na bobina deve ser móvel e percorrer toda a bobina para sintonizar em uma determinada frequência. prenda o início e o fio do enrolamento com uma fita isolante.

no qual limita a tensão positiva.1 Circuitos Limitadores As aplicações incluem a limitação de amplitude excessivas formação de ondas e o controle da quantidade de potência entregue a uma carga.1 (a) Circuito limitador positivo. 6. Observe que o funcionamento é igual ao circuito retificador de meia-onda.CIRCUITOS LIMITADORES (CEIFADORES) E GRAMPEADORES Introdução Os circuitos limitadores ou ceifadores limitam a tensão de saída. (b) Forma de onda na carga 74 . Vent R +Vp T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída T -Vp Figura 6. Na Figura 6. acrescentar um nível DC ao sinal alterando. só deixa passar a tensão negativa.CAPÍTULO 6 .1(a). deslocando o sinal para cima ou para baixo do eixo referencial. como mostra a Figura 6.1(b). temos um limitador positivo. sendo útil em circuitos no qual o sinal de saída necessita ser limitado. Os circuitos grampeadores possuem como objetivo. Uma das utilizações do circuito grampeador é em um amplificador classe C.

6. 6. 6. 6.Análise do circuito limitador positivo No semiciclo positivo o diodo conduz logo: Vsaída =0 No semiciclo negativo o diodo abre.6.2(a). temos um outro limitador positivo. 75 .9 e 6.2 (a) Circuito limitador positivo polarizado.Outros circuitos limitadores Nas Figuras 6.5.10 temos exemplos de outros circuitos limitadores e as suas respectivas formas de onda na carga.4. R Vent Vp Vent V Rl Vsaída T -Vp Vsaída V -Vp T Figura 6..8. pois V e Vent polarizam reversamente o diodo temos: Vsaída = Vent .2(b). A limitação da tensão será para tensões acima de V como mostra a Figura 6. quando vent > V o diodo conduz . logo: Vsaída = V No semiciclo como o diodo está sempre aberto. 6. (b) Forma de onda na carga Análise do Circuito limitador positivo polarizado No semiciclo positivo. no qual o funcionamento é semelhante aos circuitos já analisados.7. 7.3. no qual foi inserida uma fonte de tensão em serie com o diodo. logo : Vsaída @Vent . uma vez que Rl >> R Na Figura 6.

Vent Vp T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída T Figura 6.4 (a) Circuito limitador positivo. (b) Forma de onda na carga 76 . (b) Forma de onda na carga Vent +Vp Vent Vsaída T Rl -Vp Vsaída T Figura 6.3 (a) Circuito limitador negativo.

Vp -V Figura 6. (b) Forma de onda na carga 77 .V Vent +Vp T Vent Rl Vsaída -V -Vp T -V .6 (a) Circuito limitador negativo polarizado. (b) Forma de onda na carga V Vent +Vp T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída -V+Vp -V T Figura 6.5 (a) Circuito limitador positivo polarizado.

7 (a) Circuito limitador positivo polarizado. (b) Forma de onda na carga 78 . (b) Forma de onda na carga R Vent +Vp T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída +Vp T Figura 6.V Vent +Vp T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída T +V-Vp Figura 6.8 (a) Circuito limitador negativo.

(b) Forma de onda na carga Vent R +Vp T Vent V1 V2 Rl Vsaída -Vp Vsaída V2 T V1 Figura 6. (b) Forma de onda na carga 79 .9 (a) Circuito limitador polarizado.10 (a) Associação de limitadores.R Vent +Vp T Vent V Rl Vsaída -Vp Vsaída +Vp V T Figura 6.

Em todas as análises iremos admitir que a carga de um capacitor atinja o valor final em cinco constantes e tempo. Vent +Vp C T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída +2Vp T Figura 6.12.11 (a) Circuito grampeador positivo. a operação modifica o nível da tensão de referência CC. (b) Forma de onda na carga O capacitor se carrega no semiciclo negativo com Vp.11(a).2 Circuitos Grampeadores Algumas vezes. uma vez que o diodo irá permanecer sempre aberto e a constante de tempo RC>>Tentrada. posteriormente não se descarrega mais. com a polarização do capacitor. temos um circuito grampeador positivo. no qual no sinal CA(Vent) é adicionado uma tensão CC. O circuito se resume como mostra a Figura 6. Chamamos esse processo de grampeamento ou restauração CC. um projeto de circuito requer a combinação de uma tensão CA com uma tensão CC. não havendo condições de descarregar por Rl. 80 . Em vez de mudar o aspecto da forma de onda.6. Na Figura 6.11(b). O sinal é deslocado para acima do eixo como mostra a Figura 6.

16 e 6. Quando Vent = Vp.17. Vsaída = 2Vp Quando Vent diminui .14.Vp + Vent Rl Vsaída Figura 6. Vsaída diminui Quando Vent = .15. temos mais exemplos de circuitos grampeadores e as suas respectivas formas de onda na carga. 6.Vp . Vsaída diminui até Vp No semiciclo negativo: Vsaída = Vc Vent Quando Vent diminui.13. 81 . Outros Circuitos grampeadores Nas Figuras 6. Vsaída também aumenta. 6.12 Circuito grampeador positivo Análise do circuito grampeador positivo No semiciclo positivo: Vsaída = Vc + Vent Quando Vent = 0 Vsaída = Vc = Vp Quando Vent aumenta a tensão de saída também aumenta. 6. A análise é semelhante as análises já realizadas. Vsaída = 0 Quando Vent aumenta.

13 (a) Circuito grampeador negativo. (b) Forma de onda na carga 82 . (b) Forma de onda na carga Vent C +Vp T Vent V R Vsaída -Vp Vsaída V T -2Vp+V Figura 6.14 (a) Circuito grampeador negativo polarizado.Vent +Vp C T Vent -Vp Vsaída R Vsaída T -2Vp Figura 6.

15 (a) Circuito grampeador positivo polarizado. (b) Forma de onda na carga Vent +Vp C T Vent V R Vsaída -Vp Vsaída -V T -V-2Vp Figura 6.( Vp V) Vent C +Vp T Vent V R Vsaída -Vp Vsaída +2Vp+V V T Figura 6.Obs: O capacitor se carrega com . (b) Forma de onda na carga 83 .16 (a) Circuito grampeador negativo polarizado.

R Vent 30V Vent 4V Rl Vsaída T -30V 7V Vsaída T Figura 6. determine a forma de onda na saída.Vent C Vp T Vent V R Vsaída Vsaída + 2Vp -V T -V Figura 6.18 2.19. (b) Forma de onda na carga Exercícios 1. 84 .Dado o circuito determine a forma de onda na saída.17 (a) Circuito grampeador positivo polarizado.Dado da Figura 6.

Figura 6. . Material necessário: .1 diodo 1N4001 (ou equivalente).25W. . 85 .1 gerador de áudio . Monte o circuito da Figura 6. 0.1 multímetro (analógico ou digital).1 Osciloscópio. .19 Experiência no Laboratório Experiência 9 Circuito Grampeador Neste circuito. deve-se montar um circuito grampeador.1 capacitor 470 F.1 resistor de 1M . no qual vent corresponde o sinal do gerador de áudio em 1KHz e amplitude de 5V.20. . com o objetivo de analisar e observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio. Procedimento: 1.

C Vent R Vsaída Figura 6.1 capacitor 0. DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Fonte de alimentação para CIs da família TTL Neste circuito.21.4 diodos 1N4001 (ou equivalente). 500mA. Com o uso do osciloscópio observe a forma de onda do resistor e analise o que acontece com o sinal se o valor do capacitor ou do resistor diminuir. Os CIs da família TTL necessitam de uma fonte de 5V. você irá montar uma fonte de alimentação para alimentar CIs da família TTL.12V. .1 transformador -110V/220V .1 capacitor de 220mF.1 CI 7805. 86 . Material necessário . Circuito da Figura 6.20 2. . .01mF. .

21 87 .Figura 6.

CAPÍTULO 7 DIODOS ESPECIAIS Introdução O diodo zener é um diodo especial.1.1 Diodo Zener O diodo zener é um dispositivo semicondutor. fabricado especialmente para trabalhar na região de ruptura o que não ocorre nos diodos retificadores e de pequeno sinal. Polarização reversa I Ruptura ou Vz Polarização direta v Iz(mín) Iz(máx) Figura 7. este gráfica representa o funcionamento do diodo zener. a sua principal aplicação é regular a tensão na carga. 88 . no qual. mantém a tensão constante na carga. Na figura 7. anodo catodo Figura 7. ou seja.Símbolo do diodo zener. ou seja. 7.Curva característica de um diodo zener.2. Constitui o último componente em uma fonte de alimentação. temos o gráfico que relaciona a corrente e a tensão para o diodo zener.2.

conduz a partir do momento em que vence a barreira de potencial. montaríamos a tabela 7.4mA Vz = 5. e medíssemos a tensão no diodo zener e a corrente que passa por ele ao aplicar a tensão Vê.6V e Is = 3.1 1KW Ve 5V6 Vz Figura 7. ele passa a conduzir.6V e Is = 0.3 Exemplo: Se montássemos o circuito da Figura 7. Tabela 7.1. e existe a corrente máxima que o diodo zener suporta.4m A Vz = 5. ele funciona como uma chave aberta. Na polarização reversa. observando que a tensão nele permanece a mesma aumentando apenas a corrente que passa por ele. ele se comporta da mesma forma que um diodo retificador.6V e Is = 1. ou seja.4 Quando Ve = 1V Quando Ve = 2V Quando Ve = 3V Quando Ve = 4V Quando Ve = 5V Quando Ve = 6V Quando Ve = 7V Quando Ve = 8V Quando Ve = 9V Quando Ve = 10V Vz = 1V e Is = 0 Vz = 2V e Is = 0 Vz = 3V e Is = 0 Vz = 4V e Is = 0 Vz = 5V e Is = 0 Vz = 5.6V e Is = 4.6V e Is = 2.4mA Vz = 5.4. maior do que esta corrente o diodo zener será danificado. enquanto a tensão que está sendo aplicada for menor do que a tensão de zener .3.Quando se polariza diretamente o diodo zener. Quando a tensão que está sendo aplicado ao diodo zener for maior do que a tensão de zener. constituindo de uma fonte de alimentação e um resistor Rs Ve = RsIs +Vz Ve Vz Figura 7.4mA 89 . Esta tabela é importante para que possamos compreender o funcionamento do diodo zener.4mA Vz = 5. CIRCUITO BÁSICO O menor circuito para a montagem com o diodo zener é apresentado na Figura 7.

( retira o diodo zener do circuito e calcula a tensão visto a apartir do diodo zener ou seja para este circuito será a tensão no resistor Rl ) Vth = R1 . mosta o circuito regulador de tensão. para que possamos fazer uma análise matemática e poder calcular as corrente que circulam no circuito. Is Rs Ve Vz Iz Rl Il Vl Figura 7.Is = Ve. fazendo o equivalente de Thevenim.Iz(máx) CIRCUITO REGULADOR DE TENSÃO A Figura 7.5 Circuito regulador de tensão Cálculo da tensão de Thevenin Vamos calcular a tensão que chega ao diodo zener.Ve Rl + Rs Se Vth > Vz (significa que o diodo zener está operando) 90 .4.Vz Rs Especificação do diodo zener Pz(máx) = Vz .

7KW 15V 3V2 Iz 5.7K Is = Il + Iz Iz = Is Il = 4.3m 0.3mA 2. calcule Is. Iz e Il Is 2.6K = 0.Ve Vth = 5.2 Is = 4.2/5.7K .6 Solução: Vth = R1 .Vz Rs Ex: Dado o circuito (Figura 7. Il = 3.Logo: Is = Il + Iz Onde: Il = Vl Rl Vl = Vz e Is = Ve . 15 Rl + Rs Vth = 10V Vth > Vz logo: O diodo zener está regulando.6K+2.57mA Is = 15 3.57m = 3.6KW Il Figura 7.6K 5.6).73 mA 91 .

podem irradiar luzes vermelha.8.Aplicação do Diodo Zener Uma das principais aplicações do diodo zener é na construção de fonte de alimentação pelo qual servirá para manter a tensão na carga constante.8 92 . D1 D2 Rs D3 D4 C Vz Rl Figura 7. A Figura 7.2V. laranja. verde ou azul. amarela.7 Fonte de alimentação Exemplo: 1)Se a tensão no capacitor oscilada de 5.7.3V e o diodo zener é de 3. ocorre a liberação de energia em forma de calor. Enquanto que em um diodo comum na passagem de corrente. são muitos utilizados como sinalizadores em instrumentos eletrônicos ou na fabricação de displays. A simbologia para o led é apresentado na Figura 7. 7. dependendo da quantidade. mostra uma fonte de alimentação. considerando que a queda em Rs seja de 0.5V. SIMBOLOGIA anodo catodo Figura 7. então a tensão depois que passa pelo diodo zener será constante em 3.6V à 6.8V ou seja a tensão que chega no diodo zener é 4. em um LED a liberação de energia é na forma de luz visível.8 à 5.2V.2 Diodo Emissor De Luz (LED) Os diodos emissores de luz são fabricados a partir do GaAs( arsenieto de gálio) acrescidos de fósforo que.

9 Os LEDs apresentam as mesmas características dos diodos comuns.9. CIRCUITO BÁSICO: O menor circuito que podemos construir com um led é apresentado na Figura 7. ou seja só conduzem quando polarizados diretamente aplicando uma tensão maior do que a barreira de potencial. pois danifica facilemnte. Para se polarizar um LED. no entanto a barreira de potencial varia de 1. Comercialmente.5V Figura 7. o led trabalha normalmente com corrente na faixa de 10mA a 50mA. temos a curva característica para o led. deve-se utilizar um resistor limitador de corrente para que o mesmo não se danifique. I Polarização reversa Polarização direta v 1.5 a 2.9.5V dependendo da cor.Na Figura 7. Não se deve ligar um led em paralelo com uma fonte de alimentação. uma vez que a resistência da fonte é desprezível e a corrente que passará no led terá valor elevado.5V a 2. 93 .

se aumentarmos a tensão entre seus terminais. 94 .5 a 2.5V vamos adotar 2V Exemplo: 1)Determine Rs para que o LED do circuito (Figura 7.3 Diodo Túnel Este dispositivo possui uma característica não encontrada em nenhum outro de sua família. se este componente estiver polarizado em uma determinada região de sua curva característica. fique polarizado no seu ponto quiescente (Vled = 2V e Id = 20mA) 6V Is Figura 7.Rs Is = Ve .Vled Ve Is Rs Figura 7.10). Este fato implica que. que é a região negativa.10 Solução: Rs = Ve Vled Is Rs = 6 2 20m Rs = 200 W 7. a corrente que atravessa diminuirá.9 OBS: como Vled varia de 1.

I Ip Iv V VP Vv Figura 7. SIMBOLOGIAS 7. ao se polarizar diretamente conduz imediatamente. especialmente em computadores. O fato deste dispositivo ser mais veloz do que todos os outros dispositivos ativos. São também encontrados em circuitos capazes de converter potência cc em ca. amplificadores. faz com que ele seja encontrado também em circuitos de alta frequência e alta velocidade.Ele foi desenvolvido pelo Dr. em homenagem ao seu descobridor. conversores. a corrente produz um valor máximo Ip. Na polarização reversa a ruptura ocorre próximo de 0V. 95 .12 Por ser um diodo muito dopado. mostra a curva característica para o diodo túnel. as vezes é chamado de diodo Esaki.11 Simbologia para diodo túnel A Figura 7. osciladores e circuitos de chaveamentos. Leo Esaki em 1958 e .12. onde os tempos de comutação são da ordem de nano ou picossegundos. APLICAÇÕES As características de resistência negativa os tornam úteis em circuitos de microondas. Um aumento de tensão maior do que Vp produz uma diminuição na corrente e a região entre os pontos de pico e do vale é chamado região de resistência negativa.

7. circuitos ponte autobalanceados e amplificadores paramétricos. dispositivos de controle de frequência automáticos. A Figura 7. filtros de banda passante ajustáveis etc. como o diodo funciona basicamente como um capacitor (as regiões P e N são como placas do capacitor e a camada de depleção se compara ao dielétrico) ao aumentar a tensão reversa a capacitância irá diminuir. C V Figura 7.14 Simbologia A Figura 7.15.4 Diodo Varicap (Varactor ou VVC) Este diodo aproveita além dos efeitos na junção PN utilizados nos diodos comuns. o fato da capacitância existente na junção ser função da tensão de polarização. 96 . temos a curva característica para o diodo varicap.15 Na polarização reversa em circuito de alta frequência.14 mostra a simbologia para o diodo varicap. APLICAÇÕES O Varactor é muito útil em diversas aplicações como em circuitos LC com sintonia por tensão. Figura 7.

V1 = 15V e no LED D1. mas não irá acender quando R1 for de 690KW. b) Acende normalmente para 110W e 1400W. Imin = 1mA. 3. Imáx = 25mA e Vled = 2V. 5. mas com 690KW não irá acender e quando R1 for de 110 W pode queimar.9KW 20V 5V6 Iz 10KW Il Figura 7. Explique o que você entende por LED.16 2. No circuito da Figura 7. Cite algumas aplicações do diodo túnel. calcule as correntes Is. que o LEd: a) acende normalmente nos 3 casos. c) Acende normalmente para 1400W. Iz e Il. Figura 7. é correto. 4. Cite algumas aplicações do Varactor.18.16. e) Não acende normalmente quando R1 for de 1400W ou de 690W e pode queimar quando R1 vale 110W. Is 3. 97 . d) Não acende normalmente quando R1 vale 690KW e pode queimar quando R1 for de 110W ou de 1400W.18 Considerando a possibilidade de R1 assumir os valores de 110W. 1400W e 690KW. Dado o circuito da Figura 7.Revisão 1.

aproximadamente. cujo valor de pico é superior À tensão de diodo zener Z1.19. O sinal de saída Vs(t) deverá ser. onde Z1 é um diodo zener de 15V e D1 um diodo ideal. que pode ser considerado ideal. A Figura 7. O sinal de tensão Vs(t) deverá ter.6. a forma: 98 . A Figura 7. da forma: Figura 7. aproximadamente.19 7. ilustra um circuito alimentado por uma fonte de tensão senoidal da forma Ve(t) = 20sen(wt).120. ilustra um circuito alimentado por uma fonte de tensão senoidal.

a corrente máxima no diodo zener é de 10 mA.20 8. pode ser um resistor de 1/8 W. a potência máxima exigida da fonte não regulada é de 400mW.21. Figura 7. a carga L R é variante no tempo. e consome de 0 a 5 mA. (ELETRONORTE 2006) Na fonte da Figura 7. (D) se R = 500 .Figura 7. (B) R > 500 . e varia de 15 a 20 V. a tensão de entrada N V não é regulada. e requer no mínimo 5 mA de corrente para garantir a regulação. (C) se R = 500 . o diodo zener tem tensão nominal Z V de 10 V. 99 . (E) se R = 500 .21 Em condições normais de funcionamento: (A) Rl < 2 k .

0.1 diodo zener 5V6. deve-se montar um circuito básico com o diodo zener para compreender o seu funcionamento. Preencha a tabela abaixo: Vf 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 A Vz 100 . Material necessário: . Procedimento: 1.22.1 multímetro (analógico ou digital).1 resistor de 1K . . 0. Figura 7.1 Fonte de alimentação variável (0-15V) .5W.Monte o circuito da Figura 7. .22 3.Experiência no Laboratório Experiência 10 O diodo Zener Neste circuito.25W.

4. Qual o valor da tensão que se manteve constante? _________

Experiência 11

Fonte de alimentação (eliminador de pilhas)

Neste circuito, vamos montar uma fonte de alimentação.

Material necessário: - 1 transformador -110V/220V ,9V, 500mA - 4 diodos 1N4001 (ou equivalente); - 1 resistor de 10K , 3,3K e 470 (0,25W); - 1 capacitor de 220mF, 64V - 1 diodo zener 5,6V, 0,5W; - 1 multímetro (analógico ou digital).

Procedimento: 1.Monte o circuito da Figura 7.23.

Figura 7.23

2. Meça a tensão no resistor de 10KW. 3. Substitua o resistor de 10KW pelo resistor de 470W e um led, como mostra a Figura 7.24.

Figura 7.24
101

DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA
Alarme de subtensão
Descreveremos dois circuitos para um alarme de subtensão. No primeiro, quando a tensão diminuir abaixo de 12V um led deve acender. Porém, se a tensão voltar a aumentar o led irá apagar. No segundo circuito, quando a tensão diminuir abaixo de 12V, uma lâmpada irá acender, e mesmo que a tensão volte a aumentar, a lâmpada permanecerá acesa. Circuito 1

Material necessário -1 fonte de tensão variável; - 1 diodo 1N4004; - 1 led; - 1 diodo zener 12V, 0,5w; - 1 resistor 470W;5,6KW; 1KW; - 1 transistor BC338.

Circuito da Figura 7.25.

Figura 7.25

O único componente não estudado até aqui é o transistor. Neste circuito, o transistor irá funcionar uma chave.

102

O funcionamento do circuito será da seguinte forma: Como a tensão de alimentação é 14V, o diodo zener estará regulando, ficando 12V no diodo zener e 2V no resistor de 1KW. O transistor, neste caso, estará funcionado como uma chave fechada e toda a corrente passará por ele, como mostra a Figura 7.26.

Figura 7.26

Quando a tensão diminuir, abaixo de 12V, pode-se considerar que a corrente que passa no diodo zener será zero, logo, a tensão no resistor de 1KW será zero e o transistor funcionará como uma chave aberta. Toda a corrente passará pelo led e acenderá. Neste circuito quando a tensão cair abaixo de 12V o led acende, no entanto, se a tensão voltar a aumentar o led apaga. Descrevemos a seguir um circuito no qual, quando a tensão baixar e voltar a aumentar uma lâmpada ficará acesa. Material necessário -1 fonte de tensão variável; - 1 diodo 1N4004; - 1 lâmpada de 12V; - 1 diodo zener 12V, 0,5w; - 1 resistor 2,2K, 10K; - 2 resistores 1K; - 1 transistor BC338; - 1 capacitor 1F, 16V - 1 SCR ( TIC106D); -1 relé 12V.

Circuito 2 (Figura 7.27)

103

Figura 7.27 Neste circuito. a lâmpada é acesa. figura . 104 . foi utilizado um SRC. quando a tensão cair abaixo de 12V. o transistor funciona como uma chave aberta e toda a corrente desvia para o circuito do capacitor que dispara o SCR. A bobina do relé é acionada e o contato normalmente aberto do relé fechado. no qual.

O emissor é fortemente dopado e tem como função emitir portadores de carga para a base (elétrons no transistor NPN e lacunas no transistor PNP).1 Estrutura física do transistor de junção bipolar NPN As extremidades são chamadas emissor e coletor e a camada central é denominada base. Ela permite que a maioria dos elétrons injetados pelo emissor passe para o coletor. o que se denomina transistor NPN (Figura 8. e a adição de átomos pentavalentes a formação do material do tipo N. Coletor Base Emissor n Fluxo de lacunas p n Fluxo de elétrons Figura 8. É a camada mais extensa. recebe os portadores que vêm da base.4). Estes foram laureados com o prêmio Nobel da Física em 1956.TRANSISTOR BIPOLAR Introdução O transistor é um componente eletrônico formado por materiais semicondutores. As principais aplicações do transistor são: amplificar sinais elétricos e chavear circuitos.1 mostra a constituição do transistor.3) e PNP (Figura 8. no qual é formado pela combinação de materiais semicondutores dopados com átomos trivalentes ou pentavalentes.CAPÍTULO 8. A base é levemente dopada e muito fina. 8. 1999). O coletor. respectivamente (LALOND e ROSS. Um transistor é formado pela combinação do material N+P+N ou P+N+P. Walter Houser Brattain e William Bradford Shockley. Foi desenvolvido no laboratório Bell Telephone e demonstrado em 23 de Dezembro de 1947 por John Bardeen. pois é nela que se dissipa a maior parte da potência gerada pelos circuitos transistorizados (BOYLESTAD e NASHELSKY. O nível de dopagem do coletor é intermediário entre a dopagem forte do emissor e fraca da base. 1998). O transistor começou a se popularizar na década de 1950 e ocasionou a revolução da eletrônica na década de 1960. como o nome diz. 105 . A adição de átomos trivalentes no semicondutor constitui a formação do material do tipo P.1 Constituição de um transistor bipolar A Figura 8.

na formação do materal do tipo N. e desta forma.2 Polarização do Transistor Polarizar um transistor é aplicar fontes de alimentação em seus terminais para que possamos analisar o que acontece.Polarização emissor -base reversamente e coletor base reversamente. o que significa que. Portanto.Transistor NPN Figura 8. Figura 8.3 .2. Comparando as três camadas do transistor. 106 . A base é levemente dopada e o coletor é o mais extenso dos três. nem apresentam a mesma dopagem.4. .. O emissor é o mais dopado dos três.Transistor PNP 8. compreender o seu funcionamento. a quantidade de impurezas (átomos pentavelentes) é superior a quantidade de impurezas do coletor. o transistor foi redesenhado fixar o que foi dito.2 Transistor Bipolar coletor base base coletor emissor emissor Figura 8. Na Figura 8. no emissor temos uma maior quantidade de elétrons livres do que no coletor. elas não possui tamanhos iguais.

Figura 8.Polarização emissor-base reversamente e coletor-base reversamente Pela Figura 8.5. observa-se que tensão aplicada no emissor para a base (Veb) e a tensão aplicada do coletor para a base (Vcb) polarizam o transistor reversamente.5. Uma forma de visualizar este tipo de polarização é considerar entre o emissor e a base um diodo em que o catodo está no emissor e o anodo na base. O positivo da fonte externa atrae os elétrons do coletor e o negativo que está ligado na base atrae as lacunas.Polarização emissor base diretamente e coletor.base diretamente . Neste tipo de polarização não haverá circulação de corrente se desprezar as corrente de fuga de superfície e a corrente produzido termicamente. .6 Polarização emissor base diretamente e coletor. A tensão positiva externa atrae o elétrons do emissor para a extremidade do transistor e o negativo da fonte externa aplicada na base atrae as lacunas.Figura 8.base diretamente 107 . com isto aumenta a camada de depleção. aumentando desta forma a barreira de potencial até se igualar a fonte Vcb. Entre o coletor e base acontece o mesmo procedimento.

. como mostra a Figura 8. A tensão Veb ao polarizar o transistor diretamente. Apenas uma pequena parcela desce pela base.8 e 8.base. haverá uma grande circulação de corrente circulando pela base do transistor. na maioria das vezes aproximadamente de 95% a 99% dos elétrons que passaram do emissor para a base vão para o coletor e apenas 5% a 1% desce pela base. O emissor é o mais dopado ele tem com função emitir elétrons. diretamente e coletor. faz o menos da fonte repelir os elétrons do emissor. a tensão aplicada no emissor para a base(Veb) e a tensão aplicada do coletor para a base(Vcb) polarizam o transistor diretamente. sendo atraído pelos íons positivo. Ao chegar na base ocorre o inesperado. Neste caso.7.base. -Tensões e correntes no transistor A Figura 8. 108 .6.9 mostram os sentidos das tensões e das correntes em um transistor NPN e PNP respectivamente.Polarização emissor base. os elétrons passam do emissor para a base. Estes elétrons terminam indo para o positivo da fonte Vcb.Polarização emissor base. diretamente e coletor. Neste tipo de polarização verifica-se que o nome coletor está indicando que ele coleta os elétrons e o emissor tem como função emitir elétrons.Na Figura 8. Se a tensão Veb for maior do que a barreira de potencial . A tensão Vcb faz com que aumente a camada de depleção entre a base e o coletor. Pode-se dizer que. A fonte de tensão externa aplicada entre o emissor e a base polariza o transistor diretamente e a tensão aplicada do coletor para a base polariza o transistor reversamente.7. a maior parte dos elétrons passam para o coletor . reversamente Este tipo de polarização é o mais utilizado dos três. reversamente Figura 8.

8 Transistor NPN Figura 8.10). 8. O emissor é comum aos sinais de entrada e saída.9 Transistor PNP Podemos tirar as seguinte conclusões: Transistor NPN Ie = Ic +Ib Vce = Vcb +Vbe Transistor PNP Ie = Ic + Ib Vec = Vbc +Veb 8. O termo comum se refere ao terminal que será comum ao sinal de entrada e ao sinal de saída.1 Configuração Emissor comum Um transistor encontra-se na configuração emissor comum (Figura8. 109 .3. quando o sinal de entrada está na base e o sinal de saída está no coletor.Figura 8.3 Configurações Básicas do Transistor Os transistores podem ser utilizados em três configurações básicas: base comum. emissor comum e coletor comum.

os manuais dos fabricantes mostram este ganho de corrente. Curva característica do sinal de entrada A curva característica do sinal de entrada mostra o comportamento da corrente Ib com relação a tensão Vbe (Figura 8. Ganho de corrente O ganho de corrente relaciona a corrente de saída com relação a corrente de entrada. entraremos com mais detalhes estudando as curvas características de entrada e de saída. Logo: b = Ic/Ib Embora este ganho de corrente tenha sido definido para a configuração emissor comum. pelo qual é simbolizado pela letra beta cc. O ganho de corrente para este tipo de configuração é Ic/Ib Como esta configuração é a mais utilizada. Ie é comum ao sinal de entrada e de saída. Devido a configuração emissor comum ser a mais utilizada. este parâmetro serve também para o cálculo dos resistores de polarização para as outras configurações. na saída Ic.11). 110 .Figura 8.10 Configuração Emissor comum Nesta configuração na entrada temos ib.

deve-se vencer esta barreira. mostra o comportamento da corrente Ic com relação a tensão Vce (Figura 8. o funcionamento é semelhante a de um diodo. o gráfico é construído para os vários valores da corrente da base.12). Para que os elétrons do emissor passem para a base.11 Curva característica do sinal de entrada Entre o emissor e a base existe uma barreira de potencial. Com o transistor construído com átomos de silício o valor da barreira de potencial é de 0. Curva característica de saída A curva característica do sinal de saída.12 Curva característica do sinal na saída Como a corrente que flui para o coletor depende também da quantidade de elétrons que flui do emissor para base. O que observamos é que quando uma fonte de tensão contínua é aplicada entre o emissor e a base. 111 .7V.Figura 8. da corrente da base. Figura 8. ou seja.

ou seja. 8. aumentando a camada de depleção. a base é o eletrodo comum. Circuitos de polarização tendo como base a configuração emissor comum Polarização da base A Figura 8.2 Configuração Base comum Nesta configuração. a corrente do coletor não depende somente da tensão Vce.3. Quando uma tensão entre o emissor e a base for suficiente para vencer a barreira de potencial e assim a base ter corrente. Na saída está a tensão Vcb e a corrente Ic. maior será a corrente que também passa para o coletor.Observamos que. mostra o circuito polarização da base 112 . Ganho de corrente a = Ic/Ie Definimos o ganho de corrente para este tipo de configuração.13 Configuração base comum Definimos como entrada a tensão Vbe e a corrente Ie. O fato é que. como não há corrente na base. também não haverá corrente no coletor. mas também da corrente Ib.15. Logo. a tensão entre o coletor e base. se a tensão entre o emissor e a base for zero. mesmo que a tensão entre o coletor e o emissor seja um valor elevado. polariza o coletor e a base reversamente. Figura 8. (Figura 8.13). a maior parte dos elétrons é atraída pelo coletor devido aos cátions da camada de depleção. a base está na entrada e na saída do circuito. pois será útil para análise de circuitos para outras configurações. Quanto maior for a corrente que passa para a base.

Vcc = 12V e o ganho de corrente é igual a 100. Logo: Vbb = RbIb + 0. entre a base e o emissor o transistor comporta-se como um diodo para uma tensão contínua. determine Vce e Ic.7 Malha de saída . Figura 8.15 Solução: 113 . Dado: Vbb = 6V. Rb = 220K.15).3K. qaunto a tensão Vbb for maior do que 0.Vce + RcIc + Vce = 0 Exercício Resolvido Dado o circuito (Figura 8. pois.14 Circuito polarização da base Malha de entrada -Vbb + RbIb + Vbe = 0 Adotaremos Vbe sempre igual a 0.7V. Rc = 3.7V.Figura 8.

2.16 Reta de carga CC Região de corte A região de corte é definida como a região no qual a corrente da base é zero (idealmente) é consequentemente. faz-se necessário esboçar uma reta na curva característica de saída do transistor na configuração emissor comum. 114 .16). Ic também é zero.Malha de entrada 6 = 220KIb + 0.08V Reta de carga cc Para saber os pontos de operação do transistor.2.4m + Vce Vce = 4. Esta reta é definida como reta de carga cc.024mx 100 Ic = 2. (Figura 8. o transistor funciona como uma chave aberta.7 Ib = 0.4m +Vce 12 = 3. Neste caso..024mA Ic = bIb logo: Ic = 0. Figura 8. que intercepte todos os possíveis pontos de operação do transistor.4mA Malha de saída 12 = Rc.3K.

Figura 8. determine Ic e Vce.17 Solução: Malha de entrada Vbb = RbIb + 0. o transistor funciona como uma chave aberta e está operando na região de corte. Rb = 10K.17).7. mesmo tendo um valor de tensão Vcc. Dado: Vbb = 0. Imagina-se o circuito da Figura 8.3K.2K e b = 100. Vcc = 15V. Logo Ib = 0 Como Ic = bIb e Ib = 0. Ic = 0. Rc = 2.3V.2K e b = 100. Dado: Vbb = 12V. Exemplo . quando a corrente Ib for um valor tão elevado que o transistor sature funcionando como uma chave fechada.18 Região de saturação Um transistor está operando na região de saturação. Vce = Vcc = 10V Neste caso. Rb = 3. 115 .18.Dado o circuito (Figura 8. Figura 8.Exemplo: 1) Dado o circuito (Figura 8. o transistor funciona como um diodo. onde a tensão Vbb não é suficiente para vencer a barreira de potencial. Rc = 2.19). Vcc = 10V. determine Ic e Vce. pois entre a base e o emissor.

737.42mA Ic = 100. O transistor neste caso funciona como uma chave fechada como mostra a Figura 8. 12 = 3. é que a corrente da base é um valor bastante elevado.7 Ib = 3. O que temos neste caso. Figura 8. Na região de corte a corrente Ic é igual a zero e a tensão Vce é o valor máximo possível. sendo suficiente para saturar o transistor.19 Solução: Malha de entrada Vbb = RbIb + 0. Na região ativa. 116 . já que o transistor funciona como uma chave fechada e desta forma a tensão Vce será zero. Observe que a corrente que circula no coletor é o maior valor possível para este circuito.2K.Figura 8.7. existe um valor de corrente Ic e tensão Vce que não são zero e também não possui o máximo valor possível para o circuito. 3.4V Como um transistor não gera tensão. A única tensão que temos na malha de saída é de 15V para ser divida pelo resistor e transistor. Região ativa A região ativa é a região intermediária entre a região de corte e saturação.42m = 342mA Malha de saída 15 = 2.20 A corrente Ic será igual a Vcc/Rc.20.3KIb +0. 342m + Vce Vce = . Na saturação a tensão Vce é igual a zero e a corrente Ic é o valor máximo possível para o circuito.

o transistor está operando na região ativa. O transistor operando na região ativa será útil na construção de circuitos para amplificar um sinal. na construção de amplificadores. Cálculo da reta de carga cc Para o circuito da Figura 8.7. 10 = 330KIb + 0. Dado: Vbb = 10V.2K Ic + Vce Vce = 8. ou seja.determine Ic e Vce. Figura 8.22.84V Observe que. temos um valor positivo de corrente Ic e tensão Vce. Rc = 2.21). que não são zero nem o máximo. logo. o cálculo da reta de carga cc deve ser processado da seguinte forma: 117 .8mA Malha de saída 15 = 2. Rb = 330K.2K e b = 100.21 Solução: Malha de entrada Vbb = RbIb + 0.Exemplo 1) Dado o circuito (Figura 8.7 Ib = 0.028mA Ic = 2. Vcc = 15V.

Rb = 270K. determine a reta de carga cc. deve-se calcular dois pontos.23 Solução: Na região de corte 118 .23). Na região de corte: Ic = 0 Vce = Vcc Na região de saturação Vce= 0 Fechando a malha temos: Vcc = Rc i c + Vce Logo: Vcc = Rc Ic Icsat = Vcc/Rcc Ex: Dado o circuito(Figura 8. Vbb = 4V e Vce = 15V Figura 8.Figura 8.22 Para determinar a reta de carga.3K. Iremos calcular na região de corte e na região de saturação. Dado: Rc= 3.

Ic = 0 Vce = 15V

Na região de Saturação Icsat = 15/3,3K = 4,54mA Vce = 0

A reta de carga cc é mostrado na Figura 8.24.

Figura 8.24

Polarização da base O circuito polarização da base é apresentado na Figura 8.25.

Figura 8.25 Circuito polarização da base

No circuito da Figura 8.25, conhecido como polarização da base é o circuito mais utilizado quando deseja colocar o transistor para que funcione como chave, ou seja, o
119

transistor esteja funcionando na região de saturação ou na região de corte. Geralmente, a fonte de alimentação da base é a mesma que alimenta o coletor, isto é, Vbb = Vcc. O circuito então, é desenhado como mostra a Figura 8.26.

Figura 8.26 Circuito polarização da base

Este tipo de polarização, porém, não é utilizado quando se deseja utilizar o transistor para que opere na região ativa. Coloca-se o transistor na região ativa quando deseja construir um circuito para amplificar um sinal ca Ao utilizar o circuito acima, colocando o transistor para operar no meio da reta de carga cc, com o aumento da temperatura o ponto quiescente é alterado indo para a saturação. Demonstração Na primeira malha temos: Vcc = Rb ib + Vbe

Na segunda malha: Vcc = Rc ic + Vce Para que o transistor opere na região ativa, o ideal é que ele opere no meio da reta de carga cc. Para isto deve-se colocar Vce = 0,5Vcc. Com o aumento da temperatura o ganho de corrente aumenta e consequentemente ic também aumenta, uma vez que, ic = bib. Da segunda malha como Vcc e Rc são valores fixo, ou seja, não sofrem influência com a alteração da temperatura ambiente. Para que a equação continue válida, Vce diminui. Vce diminuindo o ponto quiescente na reta de carga cc deve subir, ou seja, o transistor tende a saturação. Para polarizar o transistor na região ativa, foram implementados vários circuitos, até conseguir o circuito mais utilizado, que é o circuito polarização por divisor de tensão. Iremos analisar a evolução dos circuitos.

Polarização com realimentação do emissor

120

Na figura 8.27, temos o circuito polarização com realimentação do emissor,no qual foi inserido um resistor no emissor.

Figura 8.27 Polarização com realimentação do emissor

Malha I Temos: Vbb = Rb ib + Vbe + Re Ie Malha II temos Vcc = Rc ic + Vce + Re ie Exercício resolvido Dado o circuito (Figura 8.28), determine Ib, Ie, Ic e Vce. Vcc= 12V, Vbb = 6V, Rb = 470KW, Rc = 2,7KW e Re = 800W, b = 120.

Figura 8.28

121

3V Polarização por divisor de Tensão Na Figura 8.Solução: Vbb = RbIb + Vbe Ib = 0. devemos determinar o equivalente de Thevenin.0112mA Ic = bIb Þ Þ Ic = 1. Rth = R1//R2 Rth = R1.34mA Ie = 1.011m Ie = 1.34m + Vce + 800.34m + 0.7K. Figura 8. visto da base para o terra.R 2 R1 + R 2 122 .7 Ie = Ic + Ib Vcc = RcIc + Vce + ReIe 12 = 2.29 Circuito polarização por divisor de tensão Para simplificar os cálculos. temos o circuito polarização por divisor de tensão. 1. 1.35mA Þ 6 = 470K ib + 0.35m Vce = 7.29.

31). O ganho de corrente é igual a 100 123 .30. determine Vce e Ic.Vth = R2 Vcc R1 + R 2 Circuito após o equivalente de Thvenin é apresentado na Figura 8. Figura 8.30 Circuito equivalente de Thevenin Malha I Temos: VTh = RTh ib + Vbe + Re Ie Malha II temos Vcc = Rc ic + Vce + Re ie Exercícios resolvidos 1.Dado o circuito (Figura 8.

55V 124 .213m) Vce = 11.09 = 3Kib + 0.39 = 184.7 + 1.32.8K( 101ib) 0.3K 3.7 + 1.09 = 3K ib + 0.8Kie Ie = ic + ib.3K = 3KW 33K + 3.3Kic + Vce + 1.3K (0.3.213mA 12= 3.3K Vth = O circuito pode ser substituído pelo circuito da Figura 8.32 Circuito equivalente 1.09V 33K + 3.02m) + Vce + 1.8K (0.3K 12 = 1. onde: ic = bib ou seja ie = 100ib+ ib = 101ib logo: 1.002mA logo: ic = 0.8K ie 12 = 3.8K ib Malha 2 ib = 0.31 Solução: Rth = 33K .Figura 8.21mA e ie = 0. Figura 8.

7 Malha de saída Vcc =Rcic + Vce como na saturação Vce = 0.ic 125 . Ib + 0 . Figura 8.8.33 Transistor como chave Analisando a Figura 8.33 temos: Na saturação forte: Ib = 0.7 = Rc. Não é muito utilizado o transistor na saturação leve por causa da variação do ganho de corrente. A saturação forte é a utilizada em circuitos.4 Transistor como Chave A regra para projeto Uma saturação leve significa que levamos o transistor apenas no início da saturação. isto é. pois o transistor continua na saturação mesmo no pior caso de variação do ganho de corrente com a variação da temperatura. Temos: Vcc = Rc.1ic Malha de entrada: Vcc = Rb. Para colocar o transistor para na saturação forte deve-se fazer com que a corrente da base seja aproximadamente um décimo do valor da corrente de saturação.ib+0. a corrente da base é o valor exato e suficiente para operar o transistor no extremo superior da reta de carga. ic Igualando as duas equações temos: Rb.

logo: Rb = 10Rc 8. Poderá o led 2 ter sua luminosidade diminuída por necessitar de mais tensão? (Figura 8. Figura 34.34). a base amarra a tensão do emissor.Os leds L-1 e L-2. Rb. logo: Rb. .7. Transistor como fonte de corrente Observando a Figura 8. Esta tensão faz com que fixe a tensão no emissor de 3. 126 .5.1ic. Ic Na saturação forte ib = 0.1ic = Rc. ou seja.necessitam de uma corrente de 10mA para obter uma boa luminosidade.5V.Desprezando 0. Ic . Ib = Rc.0.7V temos.5 Transistor como Fonte de Corrente Para entender melhor o transistor como fonte de corrente vamos para este problema. o transistor está funcionando como fonte de corrente. da figura 9.5V enquanto l-2 uma queda de 2.34. Neste circuito. verificamos que na base existe uma tensão de 3V. No entanto L-1 proporciona uma queda de 1.1. pois mesmo alterando a queda de tensão nos leds a corrente permanece a mesma. 0.

Logo. porém sem obtém maior precisão. é utilizado com freqüência. tem-se o seguinte circuito equivalente para o transistor (CIPELLI e SANDRINI. 127 . 1995 ). Há vários modelos para representar o transistor em um circuito elétrico.7)/10mA Re = 230W Observe que a fonte da base ligada diretamente na base fixa a corrente ie. Re = (3-0. Os mais utilizados são o modelo de Erbers Moll e o modelo híbrido (MALVINO. No modelo de Ebers Moll. Leitura Complementar Modelagem do transistor para análise CA O transistor em um circuito elétrico é substituído pela combinação de elementos apropriadamente escolhidos. dimensionando o valor de Re. O objetivo de modelar o transistor é facilitar a análise para sinais alternados em função das tensões. tendo-se o que é denominado modelagem do transistor. correntes e freqüências envolvidas. 2001). que se aproximam melhor do funcionamento real. O modelo híbrido requer cálculos mais complexos. os cálculos envolvidos no circuito ficam mais simples. por isto.Os cálculos a seguir demonstram isto: Se ambos os leds necessitam de 10mA para o brilho ideal basta fixar a corrente de emissor em 10mA. 8 3 Modelo de Erbers Moll Ao substituir o transistor pelo modelo de Erbers-Moll. a luminosidade do led2 não será diminuída.

por isso é aplicada ao diodo somente quando a tensão através da resistência for desprezível. SANDRINI. 2001: 98) e a Eq.6 10 -19 Coulomb) k = constante de Boltzmann (1.1 não inclui a resistência de corpo de cada lado da junção.V k . pode ser deduzida como segue: A equação da junção PN retangular deduzida por Shockley (substituída pela resistência re´ no modelo) é: Onde: I = æ Is ç e ç è q . À temperatura de 25¡C.coletor base base coletor re` emissor Figura 35 .Modelo Erbers Moll Onde: re´ = resistência a passagem do sinal alternado no emissor.38 10 -23 Joules/Kelvin) T = temperatura absoluta (ºK) A descrição da Eq.1 torna-se: I = Is(e 40V 1) Para obter re`.1 ÷ ÷ ø (1) I = corrente total do diodo Is = corrente de saturação reversa V = tensão total através da camada de depleção q = carga de um elétron (1. q/kT é aproximadamente igual a 40 (CIPELLI.Transistor NPN emissor Figura 36 .1 com relação a V.T ö . do modelo de Erbers Moll. dI/dV = 40Ise40V Pode-se escrever na forma dI/dV = 40( I + Is) 128 . diferencia-se a Eq.

tem-se modelo matemático de quadripolos. fixando-se duas variáveis dependentes e duas independentes. acrescenta-se o índice e na corrente.1997).Tomando-se o inverso resulta o valor de re` re´= dV/dI = 1/40( I + Is) = 25mV/ (I + Is) Em um amplificador linear prático. o valor prático de re` é: re´ = 25mV/ I Como se está tratando da camada de depleção do emissor.Quadripolo Genérico Essas quatro grandezas envolvidas podem ser relacionadas entre si por meio de funções lineares. 129 . De acordo com essa escolha. 1996). de tal forma que ele possa ser modelado matematicamente: Variáveis: v1 = tensão de entrada v2 = tensão de saída i1 = corrente de entrada i2 = corrente de saída Convenção: Tensão positiva para cima Corrente positiva para dentro i1 + v1 _ Circuito Elétrico i2 + v2 _ Figura 36 . Por isso.4 Modelo Híbrido No modelo híbrido (MARQUES et al. re´ = 25mV/Ie 5. Para o modelamento do transistor. I é muito maior do que Is (caso contrário a polarização é instável). o transistor é substituído por um único dispositivo denominado quadripolo. a forma adotada é fixar v1 e i2 como variáveis dependentes e i1 e v2 como variáveis independentes (CUTLER.

v2 Assim. .v2) i2 = f2 (i1. 1995).h11 e h21 Para v2 = 0.i1 + h22. As equações se reduzem a v1 = h12.h12 e h22 Para i1 = 0. h 21 =i2/i 1 (saída em curto) h 21 (hf) É o ganho de corrente quando a saída está em curto. 130 . h21 e h22. como segue: .i1 Logo: h 11= v1/i1 (saída em curto) h 11 (hi) É a impedância de entrada quando a saída está em curto.i 1 + h12. é denominado modelo híbrido. As equações se reduzem a: v1 =h11.v2 Logo: h 12=v1/v2 (entrada aberta) h 12 (hr) Ganho de tensão reverso com entrada aberta h 22 = i 2/v2 (entrada aberta) h 22 (ho) Admitância de saída com entrada aberta Conhecidos os parâmetros h do quadripolo.1 Modelamento matemático do quadripolo v1 = f1 (i 1.5.v2 i2 = h21. definindo as duas funções lineares f1 e f2 da seguinte forma : v1= h11. denominados h11. Para relacionar essas tensões e correntes.i 1 e i2 = h21.v2 e i2 = h22. o quadripolo deve ser formado por quatro parâmetros h internos e constantes. v2) Este tipo de modelo que fixa a tensão de entrada v1 e a corrente de saída i2 como variáveis dependentes. exatamente por misturar tensão e corrente como variáveis dependentes e independentes (BADHERT.4. os parâmetros h e seus significados físicos podem ser obtidos fixando-se o valor de uma das variáveis independentes. seu modelo elétrico fica determinado como segue. e a corrente de entrada i1 e a tensão de saída v2 como variáveis independentes. h 12.

R3 = 2.v2 Neste modelo elétrico.9KW.38 2. 131 . um circuito com muitas malhas é substituído por uma fonte de corrente e uma resistência em paralelo (MALVINO.i1 + hi i2 + v2 _ v1 _ hr v2 hf i1 h0 Figura 37 Modelo híbrido para o transistor As equações de Kirchhoff para este modelo são: v1= hi. No teorema de Thevenin. Dado: R1= 10KW. R2 = 3.38. tem-se na entrada o teorema de Thevenin e na saída o teorema de Norton.i1 + hr. Dado o circuito da Figura 8. 1995). R4 = 820W . um circuito com múltiplas malhas é reduzido para uma fonte de tensão em série com uma resistência .39. determine a reta de carga cc e indique o ponto quiescente. Vcc = 12V e beta = 100 . Figura 8. determine a reta de carga cc e indique o ponto quiescente. Dado o circuito da Figura 8.v2 i2 = hf. No teorema de Norton.2KW . Exercícios 1.i 1 + ho.

2KW. determine a corrente Ie2. Determine a reta de carga cc . Vee = -5V e ganho de corrente de 120 Figura 8. Considere o circuito da Figura 8. Re = 820W. Vcc = +12V.41. Re2 = 1. b1 = 100 e b2 = 130.40. Vcc = 12V.7KW. O beta na região ativa é de 100. indique o ponto quiescente na reta e determine Vc. Figura 9. Dado o circuito da Figura 8.7MW. Dado: Rb = 2. Vbb = 6V .Dado: Rc = 3.39 3. 132 . Rb = 330KW.40 4.

43 Sabendo-se. 133 . qual a corrente. Figura 8.7V e as curvas características do transistor com a reta de carga correspondente. b) Considerando que o circuito apresenta R1 = 110KW. R2 = 40KW e Re = 340W. no Transistor Tr1. Beta = 40 e Vbe = 0.42 e o gráfico. Figura 8. A Figura 8. Determine os valores aproximadamente de Rc em W.. Figura 8.figura 8.43.41 6. e Ib. em Amperes. Determine: a) O ganho de corrente (bcc). Observe o circuito.6V.42 Figura 8. em mA. mostra um circuito transistorizado operando na região ativa com Vbe = 0. para temperatura de 50°C no RTD? 6. exibida pelo Amperímetro A1.55.

Considere. a saída está localizada onde está o Amperímetro A1 e a sua entrada é S1.46. que é a chave do sensor de fim de curso de uma válvula. submetido no circuito transitorizado. temos o circuito de um transmissor eletrônico analógico de informação. e) cortado. são: a) saturado. b) saturado. saturado e operando na região linear. No esquema da Figura 8. c) operando na região linear.45 ilustra o sinal de tensão de entrada Vê. operando na região linear e saturado. os seguintes intervalos de tempo: T1 de 0s a 1s T2 de 1s a 3s T3 de 4s a 6s É correto afirmar que os estados do transistor. respectivamente. Nele. A figura8. 134 .Figura 8. cortado e operando na região linear.44 7.45 8. cortado e saturado. operando na região linear e cortado. Figura 8. nos intervalos T1. na curva. T2 e T3. d) cortado.

Foi montado em laboratório o circuito da Figura 8. Figura 8. Para que apresente uma boa luminosidade deve passar uma corrente de 10mA em cada led. A barreira de potencial do led1 = 2V e do led 2 = 1.47 10. mostra um simples provador de continuidade.Figura 8. Dado: Vcc = 12V.48. S2 Fechada = 20mA em A1. no qual a placa não apresenta defeito.46 Este transmissor deve enviar as seguintes informações: S1 Aberta = 4mA em A1. 135 . Algum led irá aceder? Explique o que acontecerá. A chave S1 deve está fechada. Considere a barreira de potencial no led de 2V e o beta para os dois transistores de 100. A figura 8.7V. Determine Vce e Ic no transistor 2 ao medir a continuidade em uma placa de circuito impresso. A continuidade é indicada pelo led. Sabendo que o transistor tem os seguintes dados: beta = 200 e Vbe = 0.47.7V. Quais os valores dos potenciômetros P1 e P2 em KOhms? 9.

7V. determine a tabela da verdade e indique qual porta lógica o circuito está representando. Determine. para que a corrente que circule no motor seja de 1mA quando o sensor for ativado. OBS. Dado o circuito(Figura 8.48 11. O ganho de corrente do transistor é de 100 e o sensor é uma chave reed switch.50). Existem chaves reed swich normalmente aberta e normalmente fechada. calcule o valor do resistor da base.49. O circuito da figura 8.51). No circuito foi utilizada uma 136 . em mA.2V e um transistor com b = 100 e Vbe = 0. mostra um conversor DC/DC que utiliza um diodo Zener de tensão nominal de 8.49 12.50 13.Dado o circuito (Figura 8. e da corrente Iz no Zener.Figura 8. Figura 8. os valores de tensão de saída Vo. Figura 8. em volts.

No circuito foi utilizado um LDR. no qual com a incidência de luz a resistência é de 400W e na ausência de luz a resistência é de 1MW.52 15. conforme o esquema abaixo. Ele deve ser acionado por um circuito de controle que fornece 12V de tensão na saída. Figura 8. Para o circuito deseja que com a incidência de luz o relé seja energizado.chave normalmente aberta que funciona da seguinte forma: Normalmente está aberta e ao aproximar do imã a chave fecha. Figura 8. Um motor CC opera com tensão de 5V e corrente de 100mA. (Figura 8. Usando a mesma tensão de alimentação do circuito de controle e o transistor Darlington.4V Vce sat= 1V 137 . (Figura 8. especifique os resistores Rb eRc.52).Projete o circuito para que o transistor funcione como chave.53). Parâmetros do transistor Darlington Ganho de corrente 1500 Ic máx = 150mA Vbe sat = 1. A resistência do relé é de 100W.51 14.

1 resistor de 5. deve-se montar o circuito.1 led.53 Experiência no Laboratório Experiência 12 Transistor como chave Neste circuito. no qual o transistor irá operar como chave.25W).6K .54. . . Procedimento: 1. Material necessário: . . 560 (0. .1 multímetro (analógico ou digital).1 Fonte de alimentação 10V.Figura 8. 138 .1 transistor NPN (BC338).Monte o circuito da Figura 8.

.Vce e Vcb.1 resistor de 330 (0. Material necessário: .25W).55.2 Fontes de alimentação 8V.Monte o circuito da Figura 8.Figura 8. Experiência 13 Transistor como Fonte de corrente Neste circuito. . Coloque a chave na posição 1 e meça Ib. . Coloque a chave na posição 2 e meça Ib.1 led.Ie.1 multímetro (analógico ou digital). no qual o transistor irá operar como fonte de corrente. deve-se montar o circuito. Vbe.54 2.Ie.Ic.Vce e Vcb.Ic. 3. Procedimento: 1. . no qual Vbb = 3V e Vcc = 8V: 139 .1 transistor NPN (BC338). Vbe.

Aumente progressivamente a tensão na base até igualar a tensãoVcc(8). Explique porque o led apagou. . . DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Alarme para porta com transistor Neste circuito.6K (0. deve acionar um buzzer. .25W).Figura 8. -1 Transistor BC338. Circuito (Figura 8. 140 . (ou equivalente).1 Chave reed swich (normalmente fechada). você vai montar um alarme para porta.4 pilhas em um suporte para 4 pilhas ( duas em série e duas em paralelo). no qual a porta deve estar fechada e ao abri-la.56).1 resistor 5.1 Buzzer de 6V. Material necessário: .55 2.

Figura 8.56

0 íma deve ficar na porta e o circuito como mostra a Figura 8.57.

Figura 8.57

A chave reed swich é normalmente fechada. No circuito, como a porta normalmente está fechada e o imã fica próximo a chave reed swich, a chave reed swich fica aberta. Ao abrir a porta, afasta o imã da chave reed swich e a chave reed swich fecha, fazendo com que circule corrente na base, desta forma o transistor deve entrar na região de saturação e acionar o buzzer.

Alarme de passagem
Neste circuito, uma fonte de luz deve sempre estar inserindo no fototransistor, ao bloquear esta emissão de luz, uma lâmpada será acesa. Material necessário

141

-1 bateria de 12V; - 1 diodo 1N4004; - 1 lâmpada de 12V; - 1 resistores de 68KW, 1/4W; - 2 resistores 1K; 1/4W; - 1 transistor BC338; - 1 capacitor 100mF, 16V; - 1 capacitor 0,01mF, 16V; - 1 fototransistor (qualquer um serve); - 1 CI 555; - 1 relé 12V. Circuito

Figura 8.58

Neste circuito (Figura 8.58), uma fonte de luz deve estar inserindo luz no fototransistor, pode ser uma lanterna, e o fototransistor está funcionando como uma chave fechada. A tensão de 12V está sobre o resistor de 1KW. No pino 2 do CI 555, tem-se uma alimentação de 12V. A saída (pino 3)fica em 0V. Quando ocorre o bloqueio da luz sobre o fototransistor, este entra na região de corte e entra 0V, sobre o pino 2. A saída do CI555(pino 3) sai aproximadamente 12V(na prática sai uma tensão menor devido as perdas no CI) e o transistor entra na região de saturação. O relé é acionado e a lâmpada de 12V é acesa. O tempo em que a lâmpada permanece acesa é calculado pela seguinte expressão: T = 1,1 RC = 1,1x68Kx100m = 7,48s. Após este tempo a lâmpada apaga.

142

CAPÍTULO 9 - OUTROS COMPONENTES ELETRÔNICOS
Introdução
Além dos diodos e transistores bipolares, existem vários outros componentes eletrônicos. Alguns desses componentes são usados em eletrônica de potência ou em circuitos osciladores e apresentam comportamentos completamente diferentes daqueles já estudados. Neste capítulo iremos explorar alguns desses componentes.

9.1 Transistor de Unijunção (TUJ)
Os transistores de unijunção (TUJ) são projetados para trabalharem em osciladores, circuitos temporizadores e disparadores (triggering). Embora sejam chamados de transistores e possuírem três terminais, sua constituição física é muito diferente de um transistor bipolar convencional, como podemos verificar na Figura 9.1. Um TUJ é dispositivo de baixa potência, com dissipação máxima de 300 mW. Na Figura 9.2 temos um equivalente elétrico para o TUJ e um circuito de teste. São exemplos de TUJ os seguintes componentes: 2N2646, 2N2647, 2N4870, 2N4871.

Junção pn

B2 B2

E Bastão de alumínio

E

B1 Silício tipo n B1

(a)
Figura 9.1 TUJ: (a) construção básica, (b) símbolo.

(b)

9.1.1 Funcionamento Pela Figura 9.2 (a), vemos que se a tensão VE do emissor for menor que 0,7 + VRB1 o diodo se encontrará inversamente polarizado, IE será praticamente nula e corrente que circula pelo componente será dada pela tensão de alimentação divida pela resistência interbase RBB. O valor de RBB fica normalmente entre 4 k e 9 k . Nessa situação, quando IE = 0, a tensão VRB1 é calculada por: RB1 VRB1 = VBB = hVBB . RB1 + RB 2
143

Isso faz com que o capacitor se descarregue rapidamente através do resistor Rb1. Antes. O valor de pode variar.85. A frequência desse oscilador é aproximadamente dada por: f @ 1 . o diodo de quatro camadas Schockley. Nesse circuito. a razão entre RB1 e RBB. Esses pulsos podem ser usados para ativar um outro dispositivo. isto é.55 e 0. o capacitor vai se carregando através do resistor R1. quando VE > VD + VRB1. tipicamente. porém. ocorre uma redução drástica no valor de RB1 e passa a circular uma corrente maior pelo TUJ. 144 . o SCR (silicon controlled rectifier). Quando a tensão do capacitor atinge o valor crítico para a condução. ocorre uma injeção de lacunas na região N correspondente a RB1 e a tensão do emissor cai rapidamente. O valor ( eta ) é a razão intrínseca do TUJ. estando fora do escopo deste livro. æ 1 ö R1C1 lnç ç 1 -h ÷ ÷ è ø A dedução dessa fórmula envolve algum conhecimento de cálculo e de transitórios CC. Note que na base 1 são gerados pulsos periódicos.2 TUJ: (a) equivalente elétrico.2 Aplicação típica: oscilador de relaxação Na Figura 9. entre 0. 9. estudaremos um componente mais simples .2 (b) temos uma aplicação típica para o TUJ. (b) circuito de teste.1. que será estudado mais adiante.B2 RB2 VBB IE E RBB = R B1 + RB2 (IE = 0) VE RB1 VBB B1 (a) (b) Figura 9. Quando a tensão VE se aproxima de VRB1 mais a tensão de polarização do diodo do emissor. isto é.

9.1 Funcionamento Para entender o funcionamento do diodo Schockley devemos analisar o funcionamento do circuito conhecido como trava ideal .2. (a) Dispositivo de quatro camadas.3 mostra a simbologia do diodo Shockley (diodo que iremos estudar) e do diodo Schottly. (a) Figura 9. usado em aplicações que exigem altas freqüências. (c) Diodo Schottly (diodo de duas camadas). o diodo de quatro camadas ou diodo Shockley (não confundir com o diodo Schottky. (b) modelo de estudo para a trava ideal .4 (b) (c) . 145 . (a) Figura 9.9. indicado na Figura 9. em computadores).2 DIODO DE QUATRO CAMADAS O estudo dos tiristores deve começar pelo dispositivo que origina toda a família. A Figura 9.3 (c) (b) (a) Diodo Schockley (diodo de quatro camadas). diodo com duas camadas.4. por exemplo. como. (b) representação das quatro camadas PNPN. (c) trava formada por dois transistores.

O coletor do transistor NPN é ligado na base do transistor PNP. Desta forma o diodo Schockey irá funcionar como uma chave fechada. Acima deste valor o dispositivo dispara passando a conduzir. O ciclo irá se repetir até que os dois transistores entrem na região de corte. a corrente do coletor também diminuíra. apresentando altíssima resistência. a corrente do coletor do transistor também NPN aumentará. funcionado como uma chave fechada. O modo mais comum de disparar do diodo Schockley é através da interrupção. UH (IH). Com polarização direta o diodo apresenta alta resistência enquanto a tensão for menor do que um valor chamado de tensão de breakover (UBO). Significa reduzir a corrente para um valor abaixo da corrente de manutenção (IH) ou tensão de manutenção (UH). Se a tensão reversa exceder a tensão de breakdown (UBK) o diodo será destruído. 146 . ou aplicar uma corrente na base do transistor NPN. O efeito é o mesmo que aplicar um disparo. Figura 9. Temos uma realimentação positiva conhecido como regeneração. A tensão de breakover significa aplicar uma tensão de alimentação suficientemente grande no emissor do transistor PNP. A curva característica do diodo Schockley é mostrada na Figura 9. a corrente da base do transistor PNP também diminuirá ocasionando uma diminuição na corrente do coletor do transistor PNP. Se a corrente da base do transistor NPN aumentar.5.3-(c). a corrente na base do transistor PNP também aumentará. Como conseqüência. O único modo de abri-lo é através do desligamento por baixa corrente. observamos que o coletor do transistor PNP é ligado na base do transistor NPN.Analisado a Figura 9. Por outro lado.5. Curva característica do diodo de quatro camadas Schockley. consequentemente. conhecida como tensão de breakover (UBO). de forma a saturar os dois transistores. Teremos uma chave aberta. somente voltando a cortar quando a tensão (corrente) de anodo cair abaixo de um valor chamado de tensão (corrente) de manutenção. se alguma coisa fizer a corrente da base do transistor NPN diminuir. Com polarização reversa o diodo se comporta como um diodo comum. A corrente na base do transistor NPN aumentará mais e o ciclo continua até os dois transistores entrarem em saturação.

7 SCR polarizado diretamente. 9.9. mas com corrente de porta nula. 147 .3 Diodo controlado de silício (SCR) O SCR é um dispositivo de quatro camadas que foi desenvolvido no Bell Telephone Laboratory (EUA) em 1957. É um dos mais usados e difundidos tiristores.3. A estrutura básica de um SCR é mostrada na Figura 9. (a) (b) (c) Figura 9.6 (a) Camadas e junções do SCR.6 e seu funcionamento é explicado a seguir. (c) exemplo de encapsulamento (TO220). Sem esse disparo. Figura 9. Um SCR é basicamente um diodo de quatro camadas unilateral no qual foi colocado um terceiro eletrodo chamado de gate (G) ou porta usado para controlar o disparo do diodo por injeção de corrente. Tiristor é um nome genérico dado a uma família de componentes semicondutores formado por quatro camadas (PNPN). (b) símbolo do componente.1 Estrutura e funcionamento do SCR O funcionamento de um SCR é semelhante à de um diodo de silício após o disparo de sua porta (gate). Esses componentes são aplicados principalmente na área de eletrônica de potência. o SCR permanece bloqueado mesmo quando está diretamente polarizado.

8 SCR em circuito CC. Para o circuito mostrado na Figura 9.Quando o circuito mostrado na Figura 9. poderemos injetar corrente nesse eletrodo disparando a estrutura de quatro camadas. um diodo de quatro camadas pode ser representado por dois transistores ligados com realimentação de um para o outro. verifica-se que o SCR funciona como uma chave aberta. a porta. b) fechando a chave Ch1.7V para disparar o SCR. Por esta razão. a corrente de disparo será especificada pelo fabricante. UH (IH) cujo valor depende do tipo de SCR. 9. O SCR só volta a cortar quando a tensão (corrente) cair abaixo de um valor chamado de tensão (corrente) de manutenção. Como vimos anteriormente. a chave A é usada para disparar e a chave B para resetar o SCR. que irá depender do SCR utilizado.8. A corrente de gate necessária para disparar o SCR é designada IGT e pode ser da ordem de mA no caso do TIC 106.5mA enquanto o TIC116 tem IH @ 15mA. 148 . Este estado é alterado após um disparo de corrente no gate.9. Bloqueio por capacitor.7 é montado em laboratório.2 Aplicações em CC típicas para o SCR Em CC deve ser previsto circuito de reset após o SCR disparar. a analise de funcionamento leve em conta os seguintes passos: a) com as chaves Ch1 e Ch2 abertas. A porta de um SCR é aproximadamente equivalente a um diodo. Figura 9. No circuito da Figura 9. Por exemplo. Além disso. c) fechando a chave Ch2. será necessário uma corrente mínima.5V a 1. A tensão de anodo cai para um valor baixo (0. o SCR passa da condição de alta resistência para baixa resistência. Após disparar.5V ). Se adicionarmos um terceiro eletrodo. é necessário pelo menos uma tensão de 0. ou seja. o TIC106 tem IH@ 0.3.

149 . O símbolo do diac e a sua estrutura interna são mostrados na Figura 9. . (a) (b) Figura 9. UH (IH ). ultrapassar um determinado valor chamado de tensão de breakover (UBO). 9. Já a Figura 9. voltando a cortar quando a tensão (corrente) cair abaixo de um valor chamado de tensão (corrente) de manutenção. (a) Símbolo do diac e (b) sua estrutura interna. com qualquer polaridade.9 SCR em circuito CC com bloqueio por capacitor.Figura 9.10.10.11 mostra a sua curva característica.4 Diac O diodo de quatro camadas bilateral (DIAC = Diode AC) é um dispositivo de quatro camadas que pode conduzir nos dois sentidos quando a tensão aplicada.

(b) símbolo do TRIAC.5 Triac Quando é necessário controlar a potência em uma carga AC. pode ser entendido como sendo equivalente a dois SCR s ligados em antiparalelo. Uma vez que o diac está conduzindo. a única forma de abri-lo é através de um desligamento por baixa corrente. também mostrado na Figura 9. Curva característica do diac. (a) Hipotético circuito de controle de carga AC usando dois SCRs. 9. Isto significa reduzir a corrente abaixo da corrente de manutenção especificada pelo componente. com corrente nos dois sentidos. 150 .12. Figura 9. O TRIAC. Como o TRIAC dispara com tensão positiva ou negativa não tem mais sentido em falar em anodo (terminal +) e catodo (terminal . desta forma.Figura 9. ou usar um TRIAC. como mostra a Figura 9. ao invés disso os dois terminais são chamados de terminal principal 1 (T1) e terminal principal 2 (T2). O TRIAC também pode ser entendido como um DIAC no qual foi adicionado um terminal de controle permitindo disparar o dispositivo com diferentes valores de tensão. pode ser usado o circuito visto com dois SCRs em antiparalelo. O DIAC não conduz até que a tensão através dele exceder a tensão de interrupção em qualquer sentido.12.12.).11.

sendo necessário o uso de um dissipador. CHAVE ESTÁTICA ASSINCRONA O uso do TRIAC como chave assíncrona em circuitos CA leva algumas vantagens em relação à chave mecânica. Figura 9.4.13 ilustra essa aplicação. por exemplo. CHAVE ESTÁTICA SÍNCRONA O TRIAC operando no modo assíncrono tem como principal inconveniente o fato da possibilidade de serem gerados surtos de corrente muito elevados no instante que o TRIAC é chaveado. No modo síncrono o TRIAC somente será levado à condução quando a tensão da rede estiver passando próximo do zero. o circuito ZVS comanda o disparo do TRIAC somente quando a tensão de entrada estiver passando próximo de zero. principalmente no caso de circuitos resistivos.9. permitindo um grande número de operações. não há aparecimento de arco voltaico (o que acontece com um relé). Permite. 151 . não deixando o TRIAC disparar se a tensão de entrada for muito alta.14. A Figura 9. daí os circuitos que efetuam este tipo de controle ser chamados de Zero Voltage Switching (ZVS). apresentamos algumas aplicações típicas para o TRIAC. principalmente se no instante que o TRIAC for gatilhado a tensão da rede estiver passando por um pico e a carga for resistiva.13. TRIAC não apresenta trepidação (o que acontece com um relé) ao conduzir. controlar grandes potências a partir de potências relativamente pequenas.2 Aplicações típicas para o TRIAC A seguir. Chave assíncrona com TRIAC. A grande desvantagem é a dissipação de calor. Na Figura 9. Outra desvantagem é a possibilidade de aparecimento de grandes picos de corrente ao ligar o circuito a primeira vez.

Circuito de controle de potência Dimmer. Controle de Potência Dimmer. 152 . Chave síncrona com TRIAC. A luminosidade de uma lâmpada pode ser controlada através da variação da potência elétrica que lhe é entregue. em linhas gerais.14. Figura 9. C2 se carrega depois gerando um atraso. O capacitor C2 se descarrega através do DIAC e no gate do TRIAC disparando-o para um determinado ângulo de disparo. A Figura 9. O capacitor C1 é carregado (no semiciclo positivo ou semiciclo negativo) através do potenciômetro de controle Rv e a resistência R1.15 mostra um circuito simples que controla a potência de uma lâmpada usando o TRIAC. O seu funcionamento.15. Após um tempo. e isso pode ser feito alterando-se o angulo de disparo durante cada semi ciclo. é dados logo a seguir. o DIAC dispara quando a tensão no capacitor C2 atingir a tensão de disparo (breakover).Figura 9.

Figura 9.17. mostrados na Figura 9. A Figura 9. Figura 9. Formas de onda da tensão na carga para um ângulo de disparo. Circuito de controle de potência com filtro de RF (Lf e Cf).16. O indutor Lf e o capacitor Cf.16. funcionam como um filtro que reduzem essas interferências a níveis aceitáveis. 153 .17 mostra as formas de onda da tensão na carga para um determinado angulo de disparo.A mudança brusca de corrente de zero para um determinado valor produz rádio freqüência (RF) que causa interferências em aparelhos de rádio colocados na mesma rede.

Considere a corrente de manutenção no diodo de 6mA e a queda de tensão de 0.2K .Exercícios Ex1: Dado o circuito determine a corrente no diodo. a) Para Vf = 8V b) Para Vf = 20V Ex2: Dado o circuito determine o valor da tensão de alimentação que produz o desligamento do diodo por baixa corrente.2 k .6V no ponto de desligamento. Considere a tensão de interrupção do diodo de 12V e a queda tensão de 1. Dado: Fonte de alimentação = 10V. R = 1.2V. Tensão de interrupção do diodo de 12V. 154 . R= 2. Ex3: O circuito abaixo é um detector de sobretensão. Explique o funcionamento.

Charles. SEDRA. São Paulo (SP): Érica. MALVINO. 1992.1. São Paulo (SP): Pearson Education do Brasil. Circuitos eletrônicos discretos e integrados. Donald P. Antônio Marco Vicari. v. LEACH. Lisboa (Portugal): McGraw-Hill. Albert Paul. Arvin.. BELOVE. MILLMAN.BIBLIOGRAFIA CONSULTADA BOYLESTAD. L. ISBN 972-9241-16-3. Louis. 2 v. Eletrônica: dispositivos e circuitos .v. Robert. CIPELLI. SANDRINI.1. Microeletrônica . Adel S. Rio de Janeiro: LTC.1 . FERNANDES.. Christos C. ISBN 85-7054-008. Fortaleza (CE). NASHELSKY. GRABEL. Teoria e desenvolvimento de projetos de circuitos eletrônicos. Kenneth C. SCHILLING. 155 . 629 p.1044-4.ed. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos . 1987. MILLMAN.346. Waldir João. São Paulo (SP): Makron Books. 1979. 1986. Donald. 700 p. ISBN 85. 1981. Rio de Janeiro (RJ): Guanabara Dois. 2002. 1984. 150p. HALKIAS. Jacob.v. ISBN 85-346-0455-X. 2000. Rio de Janeiro (RJ): Prentice-Hall do Brasil. 2002. SMITH. Jacob. 1999. São Paulo (SP): McGraw-Hill do Brasil. Eletrônica .1 . Ambiente computacional para o ensino de amplificadores para pequenos sinais. 6. Microelectronica. v. 580 p. Fabíola Soares.

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