Diodos e Transistores Bipolares: Teoria e Práticas de Laboratório

Fabiola Fernandes Andrade Francisco José Alves de Aquino

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Fabiola Fernandes Andrade Francisco José Alves de Aquino

Diodos e Transistores Bipolares: Teoria e Práticas de Laboratório

IFCE Fortaleza, 2010

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Sumário
CAPÍTULO 1 SEMICONDUTORES .........................................................................................................................7 Introdução .....................................................................................................................................................................7 1.1 Materiais semicondutores ......................................................................................................................................7 1.1.1 O átomo de silício ...........................................................................................................................................8 1.1.2 O átomo de germânio .....................................................................................................................................9 Exercícios ...................................................................................................................................................................10 1.1.3 Semicondutores do tipo P e N ......................................................................................................................11 1.1.4 O diodo ..........................................................................................................................................................12 1.2 Polarização do diodo............................................................................................................................................13 1.2.1 Polarização direta..........................................................................................................................................14 1.2.2 Polarização reversa .......................................................................................................................................14 Exercícios ...................................................................................................................................................................15 1.3 Informações Práticas............................................................................................................................................16 Exercícios ...................................................................................................................................................................18 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................19 CAPÍTULO 2 TEORIA DOS DIODOS ....................................................................................................................21 Introdução ...................................................................................................................................................................21 2.1 Curva característica do diodo ..............................................................................................................................21 2.2 Polarização Direta ................................................................................................................................................22 2.3 Polarização Reversa ........................................................................................................................................22 2.4 Modelos Do Diodo...............................................................................................................................................22 2.4.1 Diodo Ideal ....................................................................................................................................................22 2.4.3 Modelo linearizado .......................................................................................................................................24 Exercícios ...................................................................................................................................................................24 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................25 CAPÍTULO 3 CIRCUITOS COM DIODOS ............................................................................................................29 Introdução ...................................................................................................................................................................29 3.1 Tensão Senoidal ...................................................................................................................................................29 3.2 Transformador ......................................................................................................................................................30 3.3 Circuito Retificador de Meia-Onda ....................................................................................................................31 3.4 Circuito Retificador de Onda Completa .............................................................................................................35 3.5 Retificador Em Ponte...........................................................................................................................................40 3.6 Comparação Entre As Frequências Dos Circuitos Retificadores .....................................................................43 Exercícios ...................................................................................................................................................................44 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................47 Capacitor variável ......................................................................................................................................................49 CAPÍTULO 4 - CIRCUITOS RETIFICADORES COM FILTRO ............................................................................50 Introdução ...................................................................................................................................................................50 4.1 Circuito Retificador de Meia-Onda com Filtro Capacitivo ...............................................................................50 4.2 Circuito Retificador de Onda Completa com Derivação Central e Filtro Capacitivo .....................................53 4.3 Retificador em Ponte com Filtro .........................................................................................................................56 Exercícios ...................................................................................................................................................................59 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................62 CAPÍTULO 5 OUTRAS APLICAÇÕES PARA O DIODO ...................................................................................66 Introdução ...................................................................................................................................................................66 5.1 Rádio elementar ...................................................................................................................................................66 5.2 Diodo nos circuitos de proteção ..........................................................................................................................66 5.3 Circuito Tanque....................................................................................................................................................67 5.3.1 Propriedades do indutor....................................................................................................................................67

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5.4 Circuito ressonante ..............................................................................................................................................68 5.5 Circuito tanque na geração de sinais de rádio ....................................................................................................70 Exercícios ...................................................................................................................................................................71 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................71 CAPÍTULO 6 - CIRCUITOS LIMITADORES (CEIFADORES) E GRAMPEADORES.......................................74 Introdução ...................................................................................................................................................................74 6.1 Circuitos Limitadores ..........................................................................................................................................74 6.2 Circuitos Grampeadores ......................................................................................................................................80 Exercícios ...................................................................................................................................................................84 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................85 CAPÍTULO 7 DIODOS ESPECIAIS ........................................................................................................................88 Introdução ...................................................................................................................................................................88 7.1 Diodo Zener..........................................................................................................................................................88 7.2 Diodo Emissor De Luz (LED) ............................................................................................................................92 7.3 Diodo Túnel..........................................................................................................................................................94 7.4 Diodo Varicap (Varactor ou VVC).....................................................................................................................96 Revisão........................................................................................................................................................................97 Experiência no Laboratório .....................................................................................................................................100 CAPÍTULO 8- TRANSISTOR BIPOLAR ................................................................................................................105 Introdução .................................................................................................................................................................105 8.1 Constituição de um transistor bipolar ...............................................................................................................105 8.2 Polarização do Transistor ..................................................................................................................................106 8.3 Configurações Básicas do Transistor ...............................................................................................................109 8.3.1 Configuração Emissor comum...................................................................................................................109 8.3.2 Configuração Base comum ........................................................................................................................112 8.4 Transistor como Chave ......................................................................................................................................125 8.5 Transistor como Fonte de Corrente ..................................................................................................................126 Exercícios .................................................................................................................................................................131 Experiência no Laboratório .....................................................................................................................................138 Alarme para porta com transistor ............................................................................................................................140 Alarme de passagem ................................................................................................................................................141 CAPÍTULO 9 - OUTROS COMPONENTES ELETRÔNICOS ..............................................................................143 Introdução .................................................................................................................................................................143 9.1 Transistor de Unijunção (TUJ) .........................................................................................................................143 9.1.1 Funcionamento............................................................................................................................................143 9.1.2 Aplicação típica: oscilador de relaxação ...................................................................................................144 9.2 DIODO DE QUATRO CAMADAS ................................................................................................................145 9.2.1 Funcionamento............................................................................................................................................145 9.3 Diodo controlado de silício (SCR)....................................................................................................................147 9.3.1 Estrutura e funcionamento do SCR ...........................................................................................................147 9.3.2 Aplicações em CC típicas para o SCR ......................................................................................................148 9.4 Diac .....................................................................................................................................................................149 9.5 Triac ....................................................................................................................................................................150 9.4.2 Aplicações típicas para o TRIAC ..............................................................................................................151 Exercícios .................................................................................................................................................................154 BIBLIOGRAFIA CONSULTADA ............................................................................................................................155

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CAPÍTULO 1 SEMICONDUTORES
Introdução
Antes de iniciar o estudo sobre materiais semicondutores, vamos compreender a sua importância e exemplos de aplicações dos componentes que será abordado neste livro. O homem contemporâneo utiliza no seu dia a dia muitos equipamentos eletrônicos, tais como celular, computador, televisão e vários outros dispositivos. Todos estes equipamentos, no qual o homem faz uso é constituída a base de materiais semicondutores. Como ocorreu a descoberta destes materiais? Na década de 1940, um grupo de pesquisadores que trabalham no laboratório Bell Telephone, nos Estados Unidos, estudava um dispositivo eletrônico para substituir os relés que eram utilizados no sistema telefônico. O grupo era formado pelo físico William Schockey, o engenheiro eletricista Jonh Bardeen e o físico Walter Brattain. Este grupo observou que alguns materiais não se comportavam nem como condutores nem como isolantes, ou seja, ora conduzia corrente elétrica ora a bloqueava. Após a descoberta dos materiais semicondutores, foi possível a implementação de diodos, transistores, CIs, etc. Os países que investiram em materiais semicondutores tiveram um grande avanço em sua economia, uma vez que, constitui em um dos setores mais ativo da indústria. Com exemplo, podemos citar Taiwan, no qual, antes da década de 1970 era uma economia agrícola, produzia arroz, cana-de açúcar e abacaxi. A partir da década de 1970 investiu em tecnologia, especialmente em semicondutores. A sua estratégica para o desenvolvimento de uma política industrial e tecnológica foi baseada na experiência de parques tecnológicos (vale do silício). Na década de 2000, a China inspirou-se no modelo de Taiwam e também investiu em semicondutores com o objetivo de tornar a China o líder mundial em semicondutores em 2010. Compreender a estrutura química dos materiais semicondutores é de total importância para que possamos entender o funcionamento dos principais componentes da eletrônica como o diodo e o transistor que será abordado com detalhes neste livro. Manter a liderança dos EUA em micoreletrônica é criticamente importante para a economia e a segurança nacional dos EUA
China´s Emerging Semiconductor Industry, Documento da Semiconductor Industry Association, outubro de 2003.

1.1 Materiais semicondutores
Para o perfeito entendimento sobre os materiais semicondutores, iniciamos fazendo uma revisão sobre a estrutura atômica. Um átomo é formado por elétrons que giram ao redor de um núcleo composto por prótons e nêutrons.

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Os elétrons giram em órbitas ou níveis bem-definidos, conhecidos com K, L, M, N, O, P e Q, que representa o modelo atômico de Bohr, como mostra a Figura 1.1.
Q

M L K
núcleo

N

O

P

Quanto maior a energia do elétron, maior é o seu raio.

órbitas

Figura 1.1 - Estrutura do átomo

A última órbita de um átomo define a sua valência, ou seja, a quantidade de elétrons desta órbita que pode se libertar do átomo através do bombardeio de energia externa (calor, luz ou outro tipo de radiação) ou se ligar a outro átomo através de ligações covalentes (compartilhamento dos elétrons da camada de valência com os elétrons da camada de valência de outro átomo). Os materiais semicondutores apresentam 4 elétrons na sua camada de valência (tetravalentes). Não sendo classificados como bons isolantes, nem como bons condutores. Os semicondutores mais utilizados são o silício e o germânio. 1.1.1 O átomo de silício O átomo de silício contém 14 prótons e 14 elétrons distribuídos como indicado na Figura 1.2.
1º órbita 2 elétrons 2º órbita 8 elétrons 3º órbita 4 elétrons

+14

Figura 1.2

átomo de silício

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1.Ligação dos átomos de silício 9 .4 .1. ou seja. Forma-se então uma estrutura cristalina.2 O átomo de germânio O átomo de germânio contém 32 prótons e 32 elétrons assim distribuídos: +32 1º órbita 2º órbita 3º órbita 4 ºórbita 2 elétrons 8 elétrons 18 elétrons 4 elétrons Figura1. cada átomo compartilha 4 elétrons com seus átomos vizinhos através da ligação covalente formando uma estrutura molecular forte.3. Figura 1. para conseguir a configuração de gás nobre necessitam de mais 4 elétrons para a sua estabilidade. possuir quatro elétrons na última camada. Quando se tem vários átomos de silício.átomo de gemânio Devido os átomos de silício e de germânio serem tetravalentes.

ocorre a formação de elétrons livres e lacunas. A recombinação é o fenômeno que ocorre quando elétrons livres ocupam a lacuna. Exercícios 1. formam a corrente elétrica. mas contribuirá de modo acentuado para um aumento da agitação térmica dos átomos. São estes elétrons livres que. Com _______elétrons na camada de valência. deste modo é mantida. o desaparecimento da carga negativa é acompanhado pelo desaparecimento da carga positiva. e quando se tem um cristal puro. c) O átomo de germânio contém_____________elétrons. Se a forma fosse desorganizada seria chamada estrutura amorfa. portanto. Na temperatura ambiente um cristal puro. Em um cristal formado por germânio na temperatura ambiente a quantidade de elétrons livres e lacunas são maiores do que no cristal de silício. como existem elétrons livres e lacunas formadas pela energia térmica. Sendo. coeficiente positivo de temperatura. porém a quantidade de elétrons livres é igual ao número de lacunas. Os metais têm.Uma estrutura cristalina é caracterizada quando os átomos ficam bem organizados. Com________elétrons na camada de valência. qualquer aumento de temperatura corresponde a uma diminuição de sua resistência. ou seja. 10 . sob a ação de um campo elétrico. Nos metais com o aumento da temperatura a resistência aumenta. Em um semicondutor com o aumento da temperatura temos uma diminuição de sua resistividade. b) O átomo de sílicio contém ______________elétrons. neste caso. formado apenas por um tipo de átomo. uma vez que com o aumento da temperatura a corrente terá maior dificuldade de passar. O tempo entre a geração e a recombinação é chamado de TEMPO DE VIDA. Em um semicondutor intrínseco. diferente do comportamento elétrico dos metais comuns. Complete a) Os semicondutores mais utilizados e mais comuns são o ______________ e o _____________. por isso. A neutralidade do cristal. Quando isto ocorre temos o que é chamado de RECOMBINAÇÃO. sendo capazes de se movimentar pelo material. dizemos que estes materiais possuem coeficiente negativo de temperatura. alguns elétrons da camada de valência se tornam elétrons livres. Quando o cristal de silício é colocado em uma temperatura superior ao zero absoluto (273 ºC). O elétron ao se tornar livre deixa no lugar um buraco (lacuna). portanto. ou seja. ou seja. (O número de cargas positivas é igual ao número de cargas negativas). os elétrons livres se movem randomicamente através do cristal. ou seja. que ocasionalmente ocupa uma lacuna (sendo atraído pela lacuna). Vale ressaltar que a formação de elétrons livres é chamada de GERAÇÃO. em uma forma bem definida. a neutralidade deste cristal se mantém. ele é chamado de semicondutor INTRÍNSECO. passam para a camada de condução (banda de condução). já que o número de elétrons livres é bastante elevado e qualquer aumento da temperatura não causará a libertação de muitos elétrons a mais.

1. pois o silício possui 4 elétrons e só necessita de mais 4 elétrons para conseguir a configuração de gás nobre. A cada átomo pentavalente que é adicionado. sobra um elétron. Elétron livre Si Si Sb Si Si Figura 1. 1. pois apenas 4 elétrons se ligam aos átomo de silício. g) A formação de elétrons livres é chamada ________________________.5 Estrutura de silício dopada com antimônio (Sb). necessitam de mais________ elétrons para conseguir a configuração de gás nobre. isto é possuem 4 elétrons na camada de valência. i) O tempo entre a geração e recombinação é chamado ______________________. alguns elétrons da camada de valência se tornam ____________________________.3 Semicondutores do tipo P e N Em um semicondutor podem-se acrescentar impurezas para se obter excesso de elétrons livres ou excesso de lacunas. a configuração de gás nobre não é obtida.d) Os átomos de silício e de germânio por serem _____________. Quanto substâncias pentavalentes (possuem 5 elétrons na camada de valência).5. e) Cada átomo compartilha ______elétrons com seus átomos vizinhos através da ligação ___________________. 11 . f) Na temperatura ambiente. h) A ocupação de um elétron livre na lacuna é chamada __________________________. como se observa na Figura 1. O silício e o germânio são tetravalentes. são adicionadas ao cristal puro.

no entanto. como mostra a Figura 1. irá faltar um elétron.1. a quantidade de elétrons livres é superior à quantidade de lacunas.8. Como a quantidade de elétrons livres é maior do que a quantidade de lacunas. 1. como indica a Figura 1. (b) material tipo P correspondente. temos a formação do componente eletrônico chamado diodo. Se. Si Lacuna Si B Si P Si Figura 1. acrescentarmos impurezas trivalentes. ou seja. sobra uma lacuna.4 O diodo Ao unir um semicondutor tipo P com um semicondutor tipo N.7. pois em toda a sua estrutura.Nesse semicondutor temos o chamado material tipo N. 12 .6 Material tipo N. N Figura 1.7 (a) Estrutura de silício dopada com boro (B). onde as lacunas são os portadores majoritários e os elétrons livres portadores minoritários. Temos a formação de um material tipo P. os elétrons livres são chamados portadores majoritários e as lacunas portadores minoritários. Componente este que será de grande importância para a construção de fontes de alimentação e muitas outras aplicações posteriormente discutidas. para que ocorra a estabilidade.6. como mostra a Figura 1.

2 Polarização do diodo Para o seu funcionamento. ocorre a barreira de potencial. 1. Diferentemente do que ocorre com um resistor. Simbologia do diodo é mostrada na Figura 1. o diodo precisa ser polarizado. A barreira de potencial na temperatura de 25ºC é de aproximadamente 0. Devido à camada de depleção. embora tenham elétrons livres em excesso quem perde elétrons são os átomos. ficará ionizado positivamente. 13 . e como no átomo o número de lacunas ficará maior que o número de elétrons.3V para os diodos de germânio. a camada de depleção é definida como a junção PN onde se encontra os cátions e ânions.8 Diodo formado pela junção dos materiais tipo N e tipo P.7V para os diodos de silício e 0. Na junção PN.material tipo P Catodo material tipo N catodo Figura 1. ou seja. Observe que no material tipo N.9. Na junção cria-se um campo elétrico impedindo que outros elétrons passem do material tipo N para o material tipo P. anodo Anodo. Na junção PN os elétrons livres do material tipo N é atraído pelas lacunas do material tipo P. os átomo que perde o elétron fica ionizado positivamente (cátions) e os que recebem ficam ionizado negativamente (ânions). temos o que é chamado de camada de depleção. diferença de potencial na junção. Então alguns elétrons passa do material tipo N para o material tipo P. na operação do diodo é essencial saber a polaridade da fonte de tensão.+ + + _ _ _ Junção PN Figura 1.9 Símbolo do diodo de junção PN.

Na polarização reversa um diodo ideal se comporta como uma chave aberta. 1. Por isso. Os átomos na superfície não possuem vizinhos para fazer a ligação covalente.10. temos duas pequenas correntes que circulam no diodo. Ao polarizar diretamente um diodo ideal ele se comporta como uma chave fechada. N + + + _ _ _ P Figura 1. os elétrons podem entrar no material N atravessar toda a superfície do diodo passado pelo material tipo P indo para a polaridade positiva da fonte.10 Diodo polarizado diretamente. A corrente de saturação existe devido à energia térmica uma vez que são gerados pares de elétrons livres e lacunas.2. esta quebra forma na superfície lacunas se comportando como um material tipo P.2.2 Polarização reversa Na polarização reversa o potencial positivo da fonte é ligado ao catodo (material tipo N) e o potencial negativo da fonte é ligado ao anodo (material tipo P). A corrente de saturação e a corrente de fuga de superfície. como mostra a Figura 1. A corrente de fuga de superfície é ocorre na camada mais externa do diodo. passa pelo material tipo P e é atraído pelo potencial positivo da fonte. Os portadores minoritários podem dentro da camada depleção. isto é.1 Polarização direta Na polarização direta. na prática. irá circular uma corrente elétrica pelo dispositivo. como mostra a Figura 1.1. onde se a tensão da fonte de alimentação for maior do que a barreira de potencial os elétrons atravessam a junção PN. atravessar a junção ocasionando uma pequena corrente.11. 14 . o potencial positivo da fonte é ligado ao anodo (material tipo P) e o potencial negativo da fonte ligado ao catodo (material tipo N). No entanto. O potencial negativo repele os elétrons do material tipo N.

Dado os circuitos. a) b) 15 . Exercícios 1.11 Diodo polarizado inversamente. indique qual das lâmpadas irá acender.N + + + _ _ _ P Figura 1.

3 Informações Práticas Diodo de germânio Este tipo de diodo é utilizado com correntes muito fracas. Diodos retificadores de silício Estes são destinados à condução de correntes intensas e também operam com tensões relativamente elevadas que podem chegar a 1000V ou 1200V. A Tabela 1 indica essa variação.12 mostra a página de um datasheet do fabricante Fairchild para esta série de diodos. Diodo de silício de uso geral São diodos de silício fabricados para o trabalho com correntes de pequena intensidade. Uma série muito importante destes diodos é a formada pelo 1N4000 e que começa com o 1N4001. 1N60. Tipo PIV 1N4001 50V 1N4002 100V 1N4003 200V 1N4004 400V 1N4005 600V 1N4006 800V 1N4007 1000V 16 . Todos os diodos da série podem conduzir uma corrente direta de até 1 A. quando polarizando reversamente. Estes diodos são especificados segundo uma codificação: para os diodos de origem americana temos a sigla 1N . Tabela 1. assim ele é utilizado principalmente na detecção de sinais de altas frequências (rádio). polarização etc. mas a tensão reversa vai aumentando à medida que o número do componente também aumenta. O 1N4148 é um dos tipos mais populares deste grupo de silício de uso geral. mas pode operar em velocidades muito altas. A Figura 1. enquanto que para os diodos de origem européia temos a sigla AO ou ainda BA . da ordem de no máximo 200mA e tensões inversas que não vão além dos 100 V. OA79 etc.1. Diodos Retificadores. circuitos de proteção de transistores. São utilizados em circuitos lógicos. Tipos conhecidos desta família são o 1N34.

Figura 1. 17 . Características elétricas dos diodos da série 1N4000.12.

c) No material do tipo P as lacunas são portadores________________________. sejam os bipolares de junção ou os de efeito de campo. g) Se o diodo for de silício a barreira de potencial é de_______________V. o germânio e o silício podem ser citados como importantes materiais semicondutores. D II. C I. E III.Exercícios 1. d) No material do tipo N as lacunas são portadores_______________________. l) Na polarização reversa. j) Na polarização direta o diodo ideal se comporta como uma_____________________. é possível afirmar que: 18 . k) Na polarização reversa o diodo ideal se comporta como ________________________. A respeito de materiais semicondutores e de dispositivos eletrônicos. II e IV. f) Na camada de depleção origina a barreira de _________________________. temos a formação de um semicondutor do tipo ___________.Complete a) Quando átomos pentavalentes são adicionados ao cristal puro. B I.(CHESF 2002) Dispositivos elétricos e eletrônicos são construídos com os mais variados tipos de materiais elétricos e magnéticos. julgue os itens subseqüentes. utilizam materiais semicondutores em sua estrutura. temos a formação de um semicondutor do tipo __________. (ELETRONORTE 2006) Considerando que os diodos D1. II Cristal semicondutor do tipo n tem as lacunas como principais portadores móveis de carga. e) Na junção PN temos a camada de ___________________. Os diodos e os transistores. 2. h) Se o diodo dor de germânio a barreira de potencial é de___________V. IV e V. na prática temos duas correntes a corrente de ____________________________ e a corrente _________________________. III e IV. D2 e D3 do circuito abaixo são ideais. V O diodo semicondutor apresenta uma junção pn. I Ao longo da história da eletrônica. IV Um transistor bipolar de junção basicamente caracteriza-se por possuir três junções pn. II e V. III Cristal semicondutor extrínseco é aquele dopado com elementos denominados impurezas. Estão certos apenas os itens A I. 2. b) Quando átomos trivalentes são adicionados ao cristal puro. III e V.

D1 está conduzindo e D2 e D3 estão cortados. Monte o circuito da figura 1. c. d. D1 está cortado e D2 e D3 estão conduzindo. . Coloque a chave seletora do multímetro na indicação do diodo. D1. logo. significa que você está polarizando diodo diretamente. deve-se montar um circuito simples para compreender a polarização em um diodo. Se o valor que aparece no display se refere o infinito.a. . D1. D2 e D3 estão conduzindo. e. significa que você está polarizando diodo reversamente. 3. D1 e D2 estão conduzindo e D3 está cortado. Observe que: Se o valor que aparecer no display for de 600mV. Procedimento 1: Identificação dos terminais anodo e catodo 1. onde está à ponta de prova vermelha refere-se ao anodo e a ponta de prova preta ao catodo. logo. devem-se identificar os terminais anodo e catodo em um diodo com o auxílio de um multímetro digital.1 diodo 1N4001 (ou equivalente).12 19 . Procedimento 2: Compreendendo a polarização direta e reversa em um diodo 1. b. Segure uma ponta de prova do multímetro em perna do diodo. ¼ w . D2 e D3 estão cortados. 2. Posteriormente. . Experiência no Laboratório Experiência 1 Compreendendo a polarização em um diodo Neste circuito.1 Fonte de alimentação de 6V.1 resistor de 470W.1 led. onde está à ponta de prova vermelha refere-se ao catodo e a ponta de prova preta ao anodo. Material necessário: .1 multímetro digital.

veja a figura 1. Figura 1. Inverta o diodo.Figura 1.12 Polarização reversa 2.13.13 Polarização direta 20 .

Esta fonte transforma o sinal que é alternado em uma tensão contínua.1 Fonte de alimentação DC Uma das principais aplicações do diodo. O que fazer? A tensão para alimentar a grande maioria dos equipamentos deve passar por uma fonte de alimentação.2).CAPÍTULO 2 TEORIA DOS DIODOS Introdução A tensão que chega a nossas residências é uma tensão alternada de 220V (região nordeste do Brasil). no qual. No entanto. 2.2 Curva característica do diodo 21 .1 Curva característica do diodo A curva característica do diodo é um gráfico(figura 2. Polarização reversa ruptura I Polarização direta V Joelho (0.1. a maioria dos equipamentos eletrônicos necessita de uma tensão contínua para funcionar. relaciona a tensão que é aplicada com a corrente que circula pelo diodo. no qual. Figura 2. iremos estudar servirá para a montagem de uma fonte de alimentação.7V) para diodo de silício Figura 2. como mostra a Figura 2.

como já foi visto no capítulo1. na polarização direta.7V para o diodo de silício). no qual. irá chegar um instante em que o diodo não suporta e termina queimando (ruptura) então a corrente passa a circular livremente. o pólo positivo da fonte será ligado ao anodo do diodo e o pólo negativo da fonte ao catodo. será aplicada uma fonte de tensão contínua no diodo. como mostra a figura 2.3 Polarização Reversa Na polarização reversa. a corrente de fuga de superfície e a corrente de saturação são desprezados.3 Polarização direta Observe no gráfico(figura 2. a barreira de potencial e a resistência de corpo não são considerados.2. 2. Quando a tensão for maior do que a barreira de potencial (@0.4 Polarização reversa Na polarização reversa.2).1 Diodo Ideal Um diodo ideal. será aplicada uma fonte de tensão contínua no diodo. o pólo positivo da fonte será ligado ao catodo do diodo e o pólo negativo da fonte ao anodo como mostra a figura 2. 2. a polarização direta.4. a corrente circula livremente.4. Na polarização reversa. Esta tensão máxima em que o diodo suporta é denominada tensão de pico inversa (PIV).3. o diodo funciona basicamente como uma chave aberta. no qual. Figura 2. Figura 2. do lado direito. 22 . existindo apenas duas pequenas correntes.4 Modelos Do Diodo 2. Se continuarmos aumentando a tensão da fonte.2 Polarização Direta Na polarização direta. a corrente de saturação e a corrente de fuga da superfície.

Figura 2. temos o circuito em que o diodo está polarizado diretamente. temos o circuito em que o diodo está polarizado diretamente e a figura 2.Na polarização direta um diodo ideal se comporta como uma chave fechada e na polarização reversa como uma chave aberta. Para o silício a barreira de potencial é de 0. POLARIZAÇÃO DIRETA Na figura 2. o circuito equivalente com o diodo polarizado diretamente. POLARIZAÇÃO DIRETA Na figura 2.7V e para o germânio a barreira de potencial é de 0. o circuito equivalente para a polarização direta. no qual foi considerado a barreira de potencial de 0.5b e 2. (b)Circuito equivalente do diodo na polarização reversa 2.6b.5(a) Polarização direta. na figura 2.4. 23 .5(a).7(b).7(a).2 Modelo Simplificado Considera-se a barreira de potencial.6(a) Polarização reversa.7V para o diodo de silício.5(b).3V. (b)Circuito equivalente do diodo na polarização direta POLARIZAÇÃO REVERSA Figura 2. como mostra a figura 2.

6KW 2.7(a) Polarização direta (b) Circuito polarização direta para o segundo modelo do diodo POLARIZAÇÃO REVERSA Na figura 2. 3.9).0. Não iremos usar este modelo neste livro.3 Modelo linearizado Considera-se a barreira de potencial e a resistência de corpo. calcule a corrente que passa no amperímetro (Figura 2. 4.4.8(b). 5.8(a).7V Figura 2.1 a 10W dependendo da dopagem.9 24 . Figura 2. Considere o segundo modelo para o diodo. o circuito equivalente para a polarização reversa.9KW Figura 2. podendo variar de 0. 5V 3. temos o circuito em que o diodo está polarizado reversamente e a figura 2. Como a resistência de corpo são valores muito baixos. Exercícios 1.8(a) Polarização reversa (b) Circuito polarização reversa para o segundo modelo do diodo 2.

1 resistor de 10K . vamos montar o circuito básico com o diodo e polarizar diretamente e reversamente para que possamos medir a tensão e a corrente e. consequentemente desenhar a curva característica do diodo.11 Experiência no Laboratório Experiência 1. calcule a tensão que o voltímetro deve indicar (Figura 2.10 3. Figura 2. Material necessário: . Figura 2. .10). .11). Considerando o segundo modelo para o diodo.1 diodo 1N4001 (ou equivalente).2. calcule a tensão no resistor de 1kW (Figura 2.1 multímetro (analógico ou digital).A curva do Diodo Nesta experiência.25W. . 0.1 Fonte de alimentação cc variável de 0 a 10V.Considere o diodo ideal. 25 .

Monte o circuito abaixo (Figura 2.12): Figura 2.Procedimento: 1.Preencha a tabela abaixo: VF 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 A V 26 .12 2.

. . 27 .Monte o circuito abaixo: Figura 2. . você irá observar através de leds a influência da barreira de potencial em cada diodo. 16V. 1/4W. Matérial necessário: -1 bateria de 12 V.1 resistor de 1. .2KW.4 diodo 1N4001.14.Preencha a tabela abaixo: VF 1 2 3 4 5 A V DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Sequência de Leds Neste circuito.13 4.4 leds. O circuito é apresentado na Figura 2.1 capacitor de 2200mF.

14 Neste circuito. quando a chave estiver na posição 1 o capacitor deve carregar instantaneamente.Figura 2.3. 28 . a medida que o capacitor irá de descarregar os led irão apagar na sequência 4.2 e 1. Ao colocar a chave na posição 2 os quatros leds devem acender.

que a tensão senoidal pode atingir).1 e 3. 3.CAPÍTULO 3 CIRCUITOS COM DIODOS Introdução Neste capítulo. 29 . respectivamente.2 Domínio Angular Onde: Vp tensão de pico (amplitude máxima positiva ou negativa. vamos estudar os circuitos retificadores que servirão para a montagem de uma fonte de alimentação. Vpp Tensão de pico a pico (amplitude total.2.1 Tensão Senoidal Uma tensão senoidal pode ser representada graficamente de duas formas: nos domínios temporal e angular como mostram as Figuras 3. entre os valores máximos positivo e negativo).1 Domínio temporal Vp Wt = q(rd) p -Vp 2p Figura 3. Vp T(s) T/2 -Vp T Figura 3.

observamos que a bobina no qual recebe a tensão a ser transformada (Vp) denomina-se primário. causando o aparecimento de uma f. a potência entregue ao primário(Pp) é igual à potência que o secundário (Ps) entrega à carga. a amplitude não será alterada. Ele consiste em duas bobinas isoladas eletricamente. Quando uma corrente alternada ou pulsante passa no enrolamento primário o fluxo magnético variável que ele cria envolve as espiras do enrolamento secundário.m induzida nos terminais do secundário.3. no qual foi criado a tensão induzida (Vs) denomina-se secundário.Matematicamente. Ele funciona a partir do fenômeno da indução mútua.3 transformador Na figura 3. Você sabe o que é flybacks? Os flybacks são transformadores de alta tensão presentes nos televisores comuns de todos os tipos e também nos monitores de vídeo de computadores. neste caso. montadas em um mesmo núcleo de ferro (usado para concentrar as linhas de campo). Em um transformador ideal (que não possui perdas). do circuito do lado do secundário. Funcionamento. Pode-se também utilizar para isolar o circuito do lado do primário. Vp Vs Figura 3. e segunda bobina. aumentando ou diminuindo-a. os gráficos da tensão senoidal nos domínios temporal e angular podem ser representados. respectivamente. ou seja: 30 .2 Transformador O transformador é um dispositivo que permite modificar a amplitude de uma tensão alternada.e. por: V(T) = Vpsen wt Onde: V(t) = V(q) = valor da tensão no instante t ou para o ângulo q (em V) e V(q) = Vp senqt 3.

Ip = Vs. Observe as Figuras 3. Vp = 2 Veficaz 3.Is Vp/Vs = Np/Ns e Is/Ip = Np/Ns Valor eficaz Para sinais senoidais. o diodo conduz (polarização direta) e a tensão no resistor é a mesma do secundário do transformador.4. como mostra a Figura 3.3 Circuito Retificador de Meia-Onda O circuito retificador de meia-onda é constituído por um transformador. 31 .5(b).5(a) e3.Ip Logo: Vp. Figura 3. ao aplicar uma tensão contínua a uma resistência faria com que ela dissipasse a mesma potência média caso fosse aplicado essa tensão alternada.Ps = Pp Pp = Vp.4 Circuito retificador de mei-onda Funcionamento No semiciclo positivo. um diodo e a carga. de tal forma que. existe um conceito muito importante denominado valor eficaz ou rms. O valor eficaz Vef ou Vrms de uma tensão alternada é a tensão que equivale a uma tensão contínua.

mais precisamente contínua pulsante. Qual valor o multímetro indicará ao ler a tensão no resistor.6(a) e 3. portanto funcionando como uma chave aberta. logo a corrente não passará no resistor e a tensão na carga será zero. já que a tensão é pulsante.6 (a)Circuito retificador de meia-onda. (b) Forma de onda no resistor. (b) Forma de onda no resistor no semiciclo positivo. como mostra as Figura 3.Figura 3.6(b). A finalidade deste circuito é transformar a tensão que era alternada(primário do transformador) em contínua( sinal na carga). Figura 3.? O multímetro indicará o valor médio. No semiciclo negativo o diodo estará reversamente polarizado. calculado da seguinte forma: Vmed = 1 T ò f (t )dt T 0 32 . Observe que a onda na qual era alternada no secundário do transformar ao passar pelo diodo fica contínua.5 (a)Circuito retificador de meia-onda.

4V 33 .onde Logo: Vdc = f(t) = Vp senq no intervalo de 0 a p e o período é de 2p 1 2p ò 2p 0 Vpsenwtdt Wt = q dwt dq = dt dt logo: dt = dq w Vdc = 1 p VpsenJdJ 2pw ò0 w= 2p .97 p Vdc = 5.cos J I 0 2p ë û ] Vp [-[ cos J .97V Vdc = 16. Calcule a tensão no resistor.cos 0°] 2p Vdc = Vp p Exemplo: 1) Em um circuito retificador de meia-onda. logo w = 1 Vdc = Vdc = Vp J . Solução: Vst refere-se a tensão no secundário do transformador Vp = 2 2 Vst Vp = Vdc = Vp p . a tensão no secundário do transformador é 12V. 12 = 16. T e T = 2p.

Não tem corrente passando no diodo e também não tem corrente no resistor.7 Circuito equivalente no diodo para o semiciclo negativo Toda a tensão do secundário do transformador deve estar no diodo. 34 . No semiciclo negativo o diodo não conduz.ESPECIFICAÇÕES DO DIODO Qual diodo poderá ser colocado neste circuito? O diodo deverá suportar a tensão máxima que ficará nele quando reversamente polarizado e a corrente média quando diretamente polarizado. PIV = Vpst (Tensão de pico do secundário do transformador) Determinação do Io Io . logo a corrente que passa por ele é igual a corrente que passa no resistor. No semiciclo positivo o diodo conduz.7.É a corrente média. Logo temos duas especificações: PIV Tensão de pico inversa Io Quantidade de corrente que o diodo deve suportar PIV O diodo quando reversamente polarizado (semiciclo negativo). funcionará como uma chave aberta. com mostra a Figura 3. Figura 3. quando o diodo está diretamente polarizado. Tem corrente passando no diodo e tem corrente no resistor.

9 = 12.Logo: Io = Idc A quantidade de corrente que passa no diodo é igual a quantidade de corrente que passa no resistor.05 = 1. Logo: Idc = Vdc/R Exemplo: 1)Em um circuito retificador de meia-onda a tensão no secundário do transformador é 9V. dois diodos e a carga.72V Io = Idc = Vdc R Io = 4. Calcule as especificações do diodo.8).9K 3.8 Circuito retificador de onda-completa com derivação central 35 .4 Circuito Retificador de Onda Completa No circuito retificador de onda completa com derivação central(Figura3. Rl Figura 3.72 p Vdc = 4.05V PIV = 12. Dado: R= 3.9KW Solução: Vp = 2 2 Vst Vp = Vdc = Vp p .72V Vdc = 12.03mA 3. deve-se utilizar um transformador com derivação central.

9 Transformador com derivação central Funcionamento do circuito No semiciclo positivo D1 conduz e D2 abre. Esta derivação fará com que a tensão fique dividida igualmente da metade para uma das estremidades. Nestes transformadores. utiliza-se de um transformador com derivação central. + Vst + Vdc T T Figura 3. conhecido também como tomada central ou.9).8(b).11(b).11(a) e 3. No semiciclo negativo D1 abre e D2 conduz. 36 .Na montagem do circuito. como mostra as Figuras 3. (b) Forma de onda no resistor no semiciclo positivo. Ex: 9V 18V 9V Figura 3.10 (a) Circuito retificador de onda completa com derivação central.8(a) e 3. A tensão no resistor será a metade da tensão total do transformador. o enrolamento secundário apresenta uma derivação no centro. em inglês central tap ( Figura 3. como mostram as Figura 3.

logo W = 2 pf = 1 Vdc = 2p 1 é p VpsenJ + ò . (b) Forma de onda no resistor no semiciclo negativo Observe que a polaridade no resistor permanece a mesma e a freqüência em relação a tensão no secundário do transformador é o dobro pois o período é a metade.- Vst + + Vdc T T Figura 3.11(a) Circuito retificador de onda completa com derivação central. A tensão Vdc será: Vdc = onde: 1 T ò f (t )dt T 0 f(t) = Vp senq para o intervalo de 0 a p e Vp senq para o intervalo de p a 2 p Devemos integrar o sinal até 2p.VpsenJ ù ú p ë û 2p ê ò0 Vdc = Vp [2 + 2] 2p logo: Vdc = 2 Vp p 37 .

Vst 2 = 2 2 . Calcule a tensão no resistor de 5. Solução: Vp = 2 .31)/p = 7. Vst 2 Exemplo. 1) Em um circuito retificador de onda completa com derivação central a tensão no secundário do transformador é 16V.(11.31V Vdc = 2. - + Figura 3. 16 Vp = 11.12 Circuito equivalente do circuito retificador de onda completa com derivação central no semiciclo positivo 38 .OBS: Como apenas a metade da tensão no secundário irá para o resistor temos que: Vp = 2 .2V ESPECIFICAÇÕES DO DIODO PIV Quando D1 está aberto D2 está conduzindo e a tensão que fica em D1 é a tensão total do secundário do transformador.6KW.

48)/p = 5. Calcule as especificações do diodo para um resistor de 2.7K = 2mA Io = Idc 2 Io = 2m/2 = 1mA 39 . 12 = 16. 12 Vp = 8.7 KW.48V Vdc = 2.97V Idc = 5. no semiciclo negativo D1 estará aberto mais D2 conduz e existirá corrente no resistor logo: A quantidade de corrente que passa no diodo é a metade da quantidade de corrente que passa do resistor. Solução: Vp = 2 .4V PIV = 2 . a tensão no secundário do transformador é 12V .PIV = Vpst Io No semiciclo positivo D1 conduz e tem corrente no resistor. Vst 2 = 2 2 .(8.4/2. Io = Idc 2 Exemplo: 1) Em um circuito retificador de onda completa com derivação central .

como mostram as Figuras 3. D1 D2 D3 D4 Rl Figura 3. 40 .15(b). Figura 3.14(b). D2 e D3 funcionarão como uma chave aberta.5 Retificador Em Ponte No circuito retificador em ponte (Figura 3.13 Circuito retificador em ponte Durante o semiciclo positivo D2 e D3 conduzem e D1 e D4 funcionarão como uma chave aberta.15(a) e 3.14 (a)Circuito retificador em ponte. como mostram as Figura 3.14(a) e 3. (b) Forma de onda no semiciclo positivo Durante o semiciclo negativo D1 e D4 conduzem.13). Outrosim. será utilizado quatro diodos para aproveitar os dois semiciclos(positivo e negativo) do sinal alterado. toda a tensão do secundário do transformador chegue na carga.3.

Calcule a tensão na carga.15 (a) Circuito retificador em ponte. Solução: Vdc = 2VP/p Vp = 2 .Figura 3. o cálculo da tensão Vdc é igual. Vdc = 2Vp p A vantagem do circuito retificador em ponte em relação ao circuito retificador de onda completa com derivação central é que não necessita de um transformador com derivação central e a tensão total do transformador é aproveitada.8V 41 .16.97V Vdc = 2.97/p = 10. 12 = 16. Exemplo: 1) Em um circuito retificador em ponte a tensão no secundário do transformador é de 12V. (b) Forma de onda no semiciclo negativo Como a forma de onda é igual a do circuito retificador de onda completa com derivação central.

PIV = Vpst Io Durante o semiciclo positivo a corrente não passa sobre D1. que a tensão em D1 é igual a tensão total do secundário do transformador. denominado Io. No semiciclo negativo tem corrente no diodo e também tem corrente no resistor.72/p = 8.12.7K = 3mA 42 .12. Calcule as especificações do diodo sabendo que o resistor é de 2.72V Vdc = 2. mas tem corrente no resistor. PIV.7KW. observe na Figura 3. 9 = 12.5mA Idc = Vdc/R = 8. a tensão no secundário do transformador é 9V. denominado PIV(Tensão de pico inversa) e o valor médio a corrente no diodo quando o mesmo está diretamente polarizado.72V Io = Idc/2 Io = 3m/2 = 1.1V PIV = 12. logo: Io = Idc 2 Exemplo 1)Em um circuito retificador em ponte.No semiciclo positivo D1 está funcionando como uma chave aberta e D3 está conduzindo. Solução: Vdc = 2VP/p Vp = 2 .1/2.ESPECIFICAÇÕES DO DIODO São duas as especificações do diodo: Tensão máxima de pico que fica no diodo quando o mesmo está inversamente polarizado.

o período permanece o mesmo. é a mesma .17) iremos fazer a seguinte análise: 43 . Na comparação entre o período do sinal no secundário do transformador e o período do sinal na carga em um circuito retificador de onda completa.3. a frequência também será de 60Hz. Na Figura 3. Logo. verificamos que o período do sinal no secundário do transformador terá o mesmo período do sinal no resistor em um circuito retificador de meia-onda. (Figura 3. observando a Figura 3. Vst + p FORMA DE ONDA DA LINHA T - 2p Vdc p FORMA DE ONDA NO RESISTOR PARA O CIRCUITO RETIFICADOR DE MEIA-ONDA 2p Figura 3.6 Comparação Entre As Frequências Dos Circuitos Retificadores Para compreender a freqüência do sinal na carga. em um circuito retificador de meia-onda.16.16. a frequência. Na comparação entre o período do sinal no secundário do transformador e o período do sinal na carga em um circuito retificador de meia-onda. ou seja 2p. Se a frequência da linha for de 60Hz. vamos analisar o período entre o sinal no secundário do transformador e o sinal na carga. verificamos que ao comparar o período do sinal da linha com a do circuito retificador de meia-onda .16 Comparação entre o período da onda no secundário do transformador e na carga no circuito retificador de meia onda.

T - 2p Vdc T p 2p FORMA DE ONDA NO CIRCUITO RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA COM TAP CENTRAL E RETIFICADOR EM PONTE. porém. O período da linha é 2p. Em um circuito retificador de meia-onda PIV = _____________ e Io = __________ C . Preencha os espaços em branco. Em um circuito retificador de onda completa com derivação central a tensão no resistor será calculado pela seguinte equação: Vdc =__________. Figura 3. E . Em um circuito retificador de meia-onda a tensão no resistor será calculado pela seguinte equação: Vdc =___________ B . D . Em um circuito retificador de onda completa com derivação central temos: PIV = ___________ e Io = ______________.17 Comparação entre o período da onda no secundário do transformador e na carga no circuito retificador de onda-completa. Em um circuito retificador em ponte temos: PIV = ___________ e Io = ___________ G . logo. Em um circuito retificador em ponte a tensão no resistor será calculado pela seguinte equação: Vdc = ______________ F . nos circuitos retificadores de onda completa. em um circuito retificador de meia-onda a frequência será de _____________ no circuito retificador de onda completa com derivação central a frequência será de _________e no circuito retificador em ponte a frequência será de ___________. A . onde Vp = _________ da tensão no secundário do transformador. a frequência no circuito retificador de onda completa é o dobro da frequência da linha. em um circuito retificador de onda completa a freqüência na carga será de 120Hz.Vst + p FORMA DE ONDA DA LINHA. 44 . no resistor. Exemplificando. Exercícios 1. Se a frequencia da linha for de 50Hz. se na linha a frequência for de 60Hz. o período é p.

19 7. R1 = 1KW.18 6. Um aluno montou em laboratório o circuito da Figura 3.18. Dado o circuito (Figura 3. Dado: Vst = 25V. sabendo que Rl = 6. Em um circuito retificador de onda-completa com derivação central a tensão no secundário do transformador é de 25V. Em um circuito retificador em ponte a tensão no secundário do transformador é de 16V. Calcule as especificações do diodo. Calcule as especificações do diodo. como mostra a figura.2.2KW. R2 = 15kW e R3 = 22KW. determine a tensão V1 e as especificações do diodo. Dado o circuito(Figura 3.19) determine a tensão V1. Se o aluno utilizasse o multímetro para medir a tensão no resistor. Dado: Vst = 26V.20). Calcule as especificações do diodo.6KW. 4. Em um circuito retificador de meia-onda a tensão no secundário do transformador é de 18V. R2 = 3. Sabendo que Rl = 5.3KW e R3 = 5. no qual verificou a forma de onda no resistor com o osciloscópio. qual tensão ele iria ler? Figura 3.7KW 45 . 5. sabendo que Rl = 8.8KW. 3. R1 = 10kW. Figura 3.

22 46 .22). no qual observou a forma de onda com o osciloscópio no resistor. Determine a tensão que ele irá ler ao medir a tensão no resistor com o multímetro. como mostra a figura.20 8. Um aluno montou em laboratório o circuito (Figura 3. determine a forma de onda no diodo D1.21 9.V1 Figura 3. Figura 3.21).Dado o circuito (Figura 3. Figura 3.

Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado.23: Figura 3. Material necessário: 47 . observe a forma de onda no resistor. Inverta o diodo e observe a forma de onda no resistor. deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivação central. 110V/220V 9V. . para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc.1 transformador. para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc. Material necessário: . 500mA . deve-se montar um circuito retificador de meia-onda.Experiência no Laboratório Experiência 2 Circuito retificador de meia-onda Neste circuito.23 2345- Com o uso do osciloscópio. . Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc. .1 multímetro (analógico ou digital). Procedimento: 1.1 resistor de 10K . 0.1 Osciloscópio.1 diodo 1N4001 (ou equivalente). Experiência 3 Circuito retificador de onda completa com derivação central Neste circuito.Monte o circuito da Figura 3.25W.

para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc.1 resistor de 10K . Experiência 4 Circuito retificador em Ponte Neste circuito. . 500mA . 4.Monte o circuito da Figura 3. 5. 3. . 48 . 0.4 diodos 1N4001 (ou equivalente). Material necessário: . .1 transformador -110V/220V .9V. 110V/220V 12V+12V.25W.. 0. observe a forma de onda no resistor. Inverta os diodos e observe a forma de onda no resistor. Com o uso do osciloscópio.1 transformador com derivação central. . Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado.25W.24: Rl Figura 3. 500mA . deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivação central. .2 diodos 1N4001 (ou equivalente). Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc.1 resistor de 10K . Procedimento: 1.1 Osciloscópio.1 Osciloscópio. .24 2.1 multímetro (analógico ou digital).1 multímetro (analógico ou digital).

1 diodo varicap ( qualquer um serve).Com o uso do osciloscópio. 4. 1 resistor de 1MW.Procedimento: 1. servindo para substituir capacitores variáveis comuns em circuito de sintonia.26: Figura 3. 1 capacitor 10nF Circuito da Figura 3.25: D1 D2 D3 D4 Rl Figura 3.Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado. observe a forma de onda no resistor.2KW 1/4W.Monte o circuito da Figura 3.25 2. 1 potenciômetro de 1MW.Inverta os diodos e observe a forma de onda no resistor.Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc. 3. DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Capacitor variável Neste circuito será construído um capacitor variável de estado sólido. Material necessário: 2 baterias de 12V. 1 resistor de 8.26 49 . 5.

CAPÍTULO 4 .CIRCUITOS RETIFICADORES COM FILTRO Introdução Nos circuitos retificadores visto até agora. Então o capacitor começa a descarregar pelo resistor. Quando a tensão do secundário do transformador diminuir (sendo menor do que Vp) o diodo abre. será maior do que o período da onda no secundário do transformador (T= 1/60 s). quando Vst > Vc (tensão no secundário do transformador maior do que a tensão no capacitor) . o diodo conduz e o capacitor carrega até atingir a tensão de pico do secundário do transformador. O próximo passo para construirmos uma fonte de alimentação é aplicar um filtro capacitivo. como mostra a Figura 4.1 Figura 4. pois a tensão no capacitor será maior do que a tensão no secundário do transformador (o diodo estará polarizado reversamente). Novamente no semiciclo positivo.1 Circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo No semiciclo positivo do diodo conduz e o capacitor começa a carregar até atingir a tensão de pico no secundário do transformador.1 Circuito Retificador de Meia-Onda com Filtro Capacitivo No circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo. foi introduzido um capacitor em paralelo a carga como mostra a Figura 4. 50 . para que o sinal fique o mais próximo de uma tensão contínua constante. Durante o semiciclo negativo o diodo está polarizado reversamente e o capacitor continua descarregando pelo resistor.2. 4. verificamos que a tensão já é contínua. de tal forma que t = RC. no entanto. para este circuito utilizado-se valores relativamente altos para C. o sinal continua pulsando.

Vond 2 Vond = I FC De: I = C dV dt dV = Vond Onde: I = Corrente no resistor.Vst T Vdc T Figura 4. no entanto iremos aproximar a Vp/R F = frequência da forma de onda no resistor C = Capacitância Obs: Quanto maior t = RC. 51 . logo maior será a tensão Vdc e mais contínua será a forma de onda no resistor.2 Forma de onda no resistor Vdc = Vp . menor será a tensão de ondulação.

ESPECIFICAÇÕES DO DIODO São duas as especificações do diodo: Tensão máxima de pico que fica no diodo quando o mesmo está inversamente polarizado. denominado Io. denominado PIV(Tensão de pico inversa) e o valor médio a corrente no diodo quando o mesmo está diretamente polarizado.3 Circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo no semiciclo negativo Ao fechar a malha. PIV A tensão no diodo terá o maior valor. quando em um circuito o capacitor tiver um valor muito elevado não tendo tempo para descarregar e a tensão no secundário do transformador estiver no semiciclo negativo como mostra Figura 4. Io = Idc Exemplo: 1)Dado o circuito. a tensão máxima que chegará ao diodo será: PIV= 2Vps Io A quantidade de corrente que passa no diodo será a maior possível quando em um circuito o valor da resistência e o valor do capacitor forrem muito baixo. Figura 4.3. ficando a forma de onda muito parecida com a do circuito retificador de meia-onda. Dado: Vst = 12V e Flinha = 60Hz 52 . de tal forma que o capacitor de descarrega quase que totalmente. calcule a tensão Vdc e as especificações do diodo.

6K = 2.98mA 4.97 0.5.5/2 = 16.94V Io = Idc = 16.6K = 3mA Vond = 3 60.5V Vdc = 16.Figura 4. foi introduzido um capacitor em paralelo com a carga como mostra Figura 4. 53 .97/5.97) = 33.7V PIV = 2(16.100m = 0.7/5. 12 = 16.2 Circuito Retificador de Onda Completa com Derivação Central e Filtro Capacitivo No circuito retificador de onda completa com derivação central e filtro capacitivo.Vond 2 onde : Vond = I FC Para o circuito retificador de meia-onda a frequência da onda no resistor é igual a frequência da linha logo: F= 60Hz Vp = 2 .97V I @ Vp/R = 16.4 Circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo Solução: Vdc = Vp .

D2 abre e o capacitor novamente começa a descarregar pelo resistor. o diodo abre e o capacitor começa a descarregar pelo resistor e assim sucessivamente como mostra Figura 4. Quando Vst diminui D1 abre e o capacitor começa a descarregar pelo resistor. Quando Vst for menor do que Vpst. D2 conduz e o capacitor carrega até atingir Vpst. No semiciclo positivo quando Vst > Vc. No semiciclo negativo.5 Circuito retificador de onda completa com derivação central e filtro capacitivo Durante o primeiro semiciclo positivo. Vst T Vdc T Figura 4. D1 conduz e o capacitor carrega até atingir Vpst. Novamente quando Vst< Vp.D1 C Rl D2 Figura 4. D1 conduz e o capacitor começa a carregar até atingir a tensão no secundário do transformador.6 Forma de onda no resistor 54 . quando Vst > Vc .6.

denominado Io. denominado PIV(Tensão de pico inversa) e o valor médio a corrente no diodo quando o mesmo está diretamente polarizado.6KW D2 100mF Figura 4. Dado: Vst = 12V Flinha = 60Hz D1 5. PIV = Vpst Io = Idc 2 Exemplo: 1) Dado o circuito.7 55 .Logo: Vdc = Vp . calcule a tensão Vdc e as especificações do diodo.Vond 2 OBS: A frequência é o dobro da frequência da linha ESPECIFICAÇÕES DO DIODO São duas as especificações do diodo: Tensão máxima de pico que fica no diodo quando o mesmo está inversamente polarizado.

8.51m 120.41V PIV = Io = Idc/2 2 .75mA 4.48/5. 12 2 Vp = 8.8 Circuito retificador em ponte com filtro capacitivo 56 . foi introduzido um capacitor em paralelo a carga como mostra a Figura 4.5mA Io = 1.3 Retificador em Ponte com Filtro No circuito retificador em ponte com filtro capacitivo. D1 D2 D3 D4 Rl C Figura 4.51mA Vond = 1.12/2 = 8.12V Vdc = 8. Vst Vp = 2 = 2 .48V I = Vp/R = 8.Solução: 2 .5m/2 = 0.100m = 0.6K = 1. 12 = 16.6K = 1.48 0.41/5.97V Idc = Vdc/R = 8.

Vond 2 OBS: A frequência é o dobro da frequência da linha 57 .9. D1 e D4 abrem e o capacitor começa a descarregar pelo resistor. D2 e D3 abrem e o capacitor começa a descarregar pelo resistor e assim sucessivamente. como mostra a Figura 4.9 Forma de onda no resistor Logo: Vdc = Vp . logo o capacitor começa a carregar até atingir a tensão de pico do secundário do transformador. D2 e D3 abrem e o capacitor começa a descarregar pelo resistor.No início do primeiro semiciclo positivo D2 e D3 conduzem. quando Vst<Vp =Vc. No semiciclo negativo. D2 e D3 conduzem e o capacitor carrega até atingir Vpst. Vst T Vdc T Figura 4. quando Vst < Vp. D1 e D4 conduzem e o capacitor começa a carregar até atingir Vpst. Novamente. Quando Vst<Vpst. quando Vst > Vc. quando Vst> Vc. No semiciclo positivo.

Vst = 2 . calcule a tensão Vdc e as especificações do diodo.ESPECIFICAÇÕES DO DIODO São duas as especificações do diodo: Tensão máxima de pico que fica no diodo quando o mesmo está inversamente polarizado. PIV = Vpst Io = Idc 2 Exemplo: 1)Dado o circuito.10 Solução: Vp = 2 .6K = 3 mA 58 .6KW 100mF Figura 4. 12 Vp = 16.97V I = Vp/R = 16. denominado Io. Dado: Vst = 12V Flinha = 60Hz D1 D2 D3 D4 5. denominado PIV(Tensão de pico inversa) e o valor médio a corrente no diodo quando o mesmo está diretamente polarizado.97/5.

O PIV para o circuito retificador de meia-onda com filtro será igual a ______________ E .12 e 4.25/2 = 16.84V .12.97 PIV = Io = Idc/2 2 0. a frequência será_________ e no circuito retificador de onda completa a frequência será__________________. O PIV para os circuito retificadores de onda completa com filtro será igual a__________ F.97V Idc = Vdc/R = 16. calcule a tensão Vdc e as especificações do diodo.84/5.O Io dos circuitos retificadores de onda completa com filtro será igual a ___________ 2. observa-se que a forma de onda é a mesma sendo calculado a tensão Vdc pela seguinte equação_________________________ Onde Vond = ________________ B . Dado: Vst = 18V e Flinha = 60Hz a) 2. Preencha os espaços em branco.Vond = 3m 120. O que difere os circuitos retificadores com filtro como o circuito retificador de meia-onda do circuito retificador de onda completa é a __________________________ C. Dado os circuitos das Figura 4.100m = 0. Em todos os circuitos retificadores com filtro.6K = 3mA Io = 3m/2 = 1.11 59 .25V Vdc = 16. 12 = 16.11.7 KW 47mF Figura 4. A . D. 4.5mA Exercícios 1. Em um circuito retificador de meia-onda com filtro se a frequência da linha for de 60Hz. O Io para o circuito retificador de meia-onda com filtro é igual a____________ G.

Dado o circuito da Figura 4.7KW D2 47mF Figura 4.12 c) D1 D2 D3 D4 2. Dado: Vst= 24sen100t. 60 .13 3. determine Vdc.7KW 47mF Figura 4. determine a tensão Vdc e as especificações do diodo. Dado o circuito da Figura 4.14. Rl = 15KW e C= 1mF Figura 4.14 4.15.b) D1 2.

A Figura 4. obtendo: V1 e f1 para C1 V2 e f2 para C2 Com relação às medidas obtidas. alimentados por fontes de tensão senoidal V(t). com mesmas especificações e utilizando diodos considerados ideais.5 e f2 = 0. Medidas de tensão e freqüências foram efetuadas nas saídas dos circuitos em cima das cargas Rl.9KW. Rl = 3.15 5.16 61 .16. é correto afirmar que: a) V2 = 2V1 e f2 = f1 b) V2 = 2V1 e f2 = 2f1 c) V2 = 0.Dado: Vst = 40V. mostra dois circuitos retificadores de onda completa com carga RL idênticas. Figura 4.5f1 e) V2 = V1 e f2 = f1 Figura 4.5 e f2 = f1 d) V2 = 0.

Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc.3 Capacitores.1 Osciloscópio.47 F. primeiramente.1 resistor de 10K .10 F.Experiência no Laboratório Experiência 5 Circuito retificador de meia-onda com filtro capacitivo Neste circuito. Figura 4. .Com o uso do osciloscópio. 6. 500mA . Material necessário: .1 diodo 1N4001 (ou equivalente). 4.Monte o circuito da Figura 4. deve-se montar um circuito retificador de meia-onda com filtro capacitivo. observe a forma de onda no resistor.25W. Troque o capacitor pelo valor de 47 F e novamente observe a forma de onda no resistor 62 . será observado como a tensão de saída será influenciada de acordo com o valor do capacitor. 110V/220V 9V. 3. utilize o capacitor de 1 F.Troque o capacitor pelo valor de 10 F e novamente observe a forma de onda no resistor.1 multímetro (analógico ou digital).17. . 1 F. .Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado. 5. Procedimento: 1. 0. no qual. .1 transformador.17 2.

2 diodos 1N4001 (ou equivalente).1 transformador com derivação central. . 110V/220V 12V+12V. .10 F.1 resistor de 10K .Monte o circuito da Figura 4.Com o uso do osciloscópio. deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivação central. .1 Osciloscópio.Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc. .47 F.Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado. Troque o capacitor pelo valor de 47 F e novamente observe a forma de onda no resistor 63 . 1 F. para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc. Figura 4. Procedimento: 1. 4.18. 0.Troque o capacitor pelo valor de 10 F e novamente observe a forma de onda no resistor. Material necessário: . observe a forma de onda no resistor.1 multímetro (analógico ou digital). 3.25W.18 2.3 Capacitores.Experiência 6 capacitivo Circuito retificador de onda completa com derivação central com filtro Neste circuito. 5. 6. 500mA .

9V.Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado.Experiência 7 Circuito retificador em Ponte com filtro capacitivo Neste circuito.1 transformador -110V/220V . 4.Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc.19 2.Com o uso do osciloscópio.1 multímetro (analógico ou digital).4 diodos 1N4001 (ou equivalente).25W. 6. 500mA . D1 D2 D3 D4 Rl C Figura 4.Monte o circuito da Figura 4. .19. 3.Troque o capacitor pelo valor de 10 F e novamente observe a forma de onda no resistor. para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc. 5. Troque o capacitor pelo valor de 47 F e novamente observe a forma de onda no resistor 64 .1 Osciloscópio.1 resistor de 10K . . Procedimento: 1. deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivação central. observe a forma de onda no resistor. . 0. Material necessário: .

1/8W. (Foto: Fco. 4. temos um exemplo da utilização da energia eólica para acender um led. 1. Figura 4. a tensão servirá para acender um led.capacitor eletrolítico de 220mF. 1 led. a energia eólica fornecida pelo ventilador. Neste circuito. ao passar pelo circuito retificador em ponte com filtro capacitivo. Fontenele) Material necessário: 1.20. a energia eólica.20 Neste circuito.16V. Como a tensão gerada pelo dínamo é uma tensão alternada de baixo valor (aproximadamente 6V). como geradora de fonte de energia limpa e renovável. é a maior usina do gênero da América Latina e produz 10 Megawatts . servirá para mover um alternador e desta forma gerar energia elétrica.Alternador ( pode ser um dínamo para bicicleta). Parque Eólico na Prainha. Circuito da Figura 4. em Aquiraz.DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Acendendo um led com energia eólica O estado do Ceará vem se tornando referência no Brasil.diodos 1N4001 ou equivalente. 65 . 1.resistor 470 .

utilizaremos o circuito de rádio elementar mostrado na Figura 5. que deve circular em direção á terra passando pela bobina e capacitor que formam o circuito de sintonia: Este circuito se caracteriza por impedir a passagem dos sinais de uma única frequência. que corresponde justamente ao som que é captado nos microfones da emissora ou obtido de um toca-disco ou toca-fitas. podemos ouvir os sons transmitidos pela estação de rádio. Aplicando este sinal de baixa frequência a um fone de ouvido ou então a um amplificador. Este sinal que é composto de duas partes. é induzida na carga uma tensão oposta. da estação sintonizada. chamados de diodo de sinal podem ser usados como detectores de envolvente em circuitos de rádio. com a contração magnética. é criado um forte campo magnético.1 Rádio elementar Como exemplo. Ao ser desligado. uma de alta frequência que é a portadora . Os diodos de pequena capacidade de corrente. ou seja.CAPÍTULO 5 OUTRAS APLICAÇÕES PARA O DIODO Introdução Existem muitas outras aplicações para os diodos além da retificação. que são desviados para o diodo. desviando para a terra a componente de alta frequência e deixando apenas a envolvente. por exemplo. a modulada. 5. ou seja. fazendo sua detecção. O diodo funciona como retificador de alta frequência. deixando passar apenas os semiciclos positivos do sinal.2 Diodo nos circuitos de proteção Outra função importante do diodo é nos circuitos de proteção. ou seja. Quando uma carga indutiva como. e outra baixa que á a modulada .1. 5. havendo então a indução de uma corrente de alta frequência. por exemplo. A antena capta os sinais emitidos pela estação. 66 . a bobina de um relé ou ainda um pequeno motor é acionado.1. O capacitor depois do diodo filtra o sinal. Rádio elementar ou rádio de galena. pode ser levado a um processo de separação. antena Diodo detector CV filtro fone Figura 5.

Diodo usado como proteção em circuitos indutivos.2.3. ou seja. Como experiência podemos mostrar a Figura 5. Iniciamos fazendo uma revisão sobre as propriedades do indutor. Quando uma corrente contínua circula por um indutor ou bobina é criado um campo magnético.3. O componente que faz o acionamento pode então ser danificado com a presença desta tensão. no qual cria uma tensão induzida na bobina. Figura 5. além de alguns circuitos osciladores e outras aplicações no qual se faz o uso de um circuito indutor capacitor. de sua indutância quando no desligamento pode ser muitas vezes maior do que a aplicada quando ligamos. 5.(+) Diodo de proteção Circuito de comutação Carga indutiva Figura 5.3 Circuito Tanque O estudo do circuito tanque será de grande importância para que possamos compreender os circuitos utilizados para a sintonia de rádio. Leitura Complementar 5. temos uma proteção contra este fenômeno.3. Atração de um prego (material ferromagnético) pelo indutor 67 . Dependendo do tipo de carga. No qual o indutor funciona como eletroímã sendo capaz de atrair materiais condutores. com a ligação de um diodo.1 Propriedades do indutor O indutor consiste basicamente em um bobina formada por voltas de fio esmaltado.

999=1mA Dt = 0. 68 . Circuito RL série De acordo com a expressão 1. Figura 5. R = 3W. A tensão criada é uma tensão auto-induzida que pode atingir valores extremamente altos.00004s A tensão auto-induzida será: v=- LDi = -250V Dt Uma tensão bastante elevada nos contatos da chave.4.999A Logo: Di = 4-3.00004 segundos.Ao abrir o circuito da Figura 5. temos: Durante o período no qual a chave está fechada. VF= 12V. A associação em paralelo da indutância com a capacitância é conhecida como circuito tanque. v=-L Di Dt (1) Exemplo: Se L= 10H. Após a abertura da chave e decorrido 0. ocorre uma variação bastante alta da corrente em pouquíssimo tempo (abertura da chave). A Figura 5. mesmo com a tensão na bobina de valor baixo. 5.5 ilustra um exemplo de circuito tanque.4.4 Circuito ressonante O capacitor e o indutor possuem a característica de armazenar energia elétrica. ao abrir o circuito. A energia armazenada no indutor volta ao circuito.33 = 3. im = VF/R = 12/3 = 4ª. a corrente no circuito foi reduzida para: t = L/R = 10/3 = 3.33s il = ime t t - = 4e 0.0004 3.

C se carrega a esse valor de tensão. novamente. um campo magnético em torno de L. C irá se descarregar novamente. o campo magnético se anula e essa variação induz uma corrente no mesmo sentido da corrente que originou o campo. após um número finito de oscilações. Circuito tanque. fará com que C se carregue novamente. A troca de energia e a corrente circulante continuariam. Esse campo.6. Se aplicarmos. no qual. Isto faz com que a corrente senoidal seja amortecida e desapareça. se o circuito tanque fosse ideal e não apresentasse resistência.5. devido à dissipação de energia no circuito na forma de calor. O funcionamento de um circuito tanque consiste na troca de energia entre a capacitância e a indutância. Troca de energia entre o indutor e o capacitor em um circuito tanque. o processo voltará a se estabelecer. Essa corrente de descarga originará. indefinidamente. ocorre o procedimento descrito a seguir. é denominado freqüência de ressonância. e a corrente de descarga cria um campo magnético em torno de L. Portanto. a resistência está sempre presente. no qual a reatância capacitiva é igual a reatância indutiva. novamente. A onda senoidal que se estabelece entre C e L possui uma freqüência. quando se anular. removendo-se a tensão aplicada. no mesmo sentido da primeira carga. C se descarrega através de L.6 resume toda essa explicação. produzindo uma série de onda senoidais. este. Quando C tiver se descarregado. Figura 5. essa corrente carregará o capacitor no sentido oposto ao anterior. A frequência de ressonância é a única frequência. Xc = Xl ® 1/(2 FrC) = 2 FrL Fr = 1/(2 LC)1/2 69 . possui polarizada oposta ao que originou (lei de Lenz). A Figura 5. um pulso de tensão ao circuito. fazendo com que a corrente circulante diminua gradativamente. mas a corrente será oposta em relação à primeira descarga.Figura 5. Quando o campo em torno de L desaparecer. Entretanto. Quando uma tensão é momentaneamente aplicada a um circuito tanque.

no qual. ou seja. a energia gerada neste sistema pode ser irradiada na forma de onda eletromagnética. quer seja porque é irradiada por uma antena. produzindo uma oscilação amortecida. Isto pode ser feito com um amplificador.Na frequência de ressonância. Este circuito é utilizado num receptor de rádio em que deve ser feita a separação dos sinais da estação que queremos ouvir de todos dos demais sinais que chegam à antena. portanto. a oposição à passagem de corrente é infinita. a impedância é infinita.7. muda a freqüência da onda senoidal que o ressonador amplifica. 5. ou seja. ela não encontra nenhuma oposição do circuito e é curtocircuitado para o terra. 70 . Depois deste ponto. muda a freqüência de ressonância e. Já se o sinal não corresponde a esta freqüência. a oposição começa novamente a diminuir. Se o sinal corresponde à freqüência para o qual o circuito está sintonizado. Para que a produção destas oscilações continue. a oposição começa a crescer até atingir o máximo no valor exato desta freqüência. Se este circuito for ligado a uma antena. Na Figura 5. o circuito tanque possui um capacitor variável. ele encontra forte resistência e é desviado para as etapas que fazem seu processamento. ao girar o botão que altera o valor do capacitor. Em um rádio. ocorre uma troca de energia entre o capacitor e o indutor.7. a onda senoidal que corresponde à freqüência de ressonância será amplificada.5 Circuito tanque na geração de sinais de rádio Aprendemos que em um circuito tanque. quer seja porque perde em calor nos próximos elementos do circuito. Das milhares de ondas senoidais de diferentes estações de rádio que chegam à antena. ondas de rádio. temos um sintonizador de rádio simples. Figura 5. deve-se repor a energia que vai sendo perdida em cada ciclo de carga e descarga do capacitor.Sintonizador LC. sendo as demais desviadas para o terra. Ao aplicar um sinal alternado ao circuito tanque. É desta forma que este circuito sintoniza as diferentes estações no rádio. observamos que à medida que nos aproximamos da freqüência de ressonância. ao aplicar uma onda senoidal. com a alternância de campo elétrico em magnético.

(D) na ressonância tem impedância equivalente a um circuito aberto. os resultados obtidos na prática não são muito satisfatórios. O rádio é um dos meios de comunicações mais utilizado pelo homem moderno. (C) tem ressonância na freqüência de 1 Hz.Exercícios 1. pois não apresenta uma etapa para a amplificação do sinal captado pela antena.8): Figura 5. De onde vêm estas ondas eletromagnéticas? As estações de rádio produzem uma quantidade bastante elevadas de ondas eletromagnéticas em diversas freqüências. O rádio Galena foi o primeiro rádio inventado pelo homem. 1 antena. Foi implementado na França por Radiguet e Massiot. 71 .8 (A) é um oscilador ideal. 1 indutor 10mH. Compreender o funcionamento de um simples rádio ajudará a compreensão dos rádios mais complexos e mais bem elaborado. (E) na ressonância tem impedância equivalente a um curto-circuito. A idéia fundamental em um rádio Galena é captar ondas eletromagnéticas por um receptor elétrico simples e reproduzir em um fone de ouvido. 1 Fone de cristal. (B) tem fator de qualidade unitário. Material necessário 1 Diodo de Germânio ( qualquer tipo de diodo de Germânio). Experiência no Laboratório Experiência 8 Rádio elementar ou rádio Galena Neste circuito. vamos montar um rádio bastante simples. 1 capacitor variável. O rádio Galena é bastante simples. (ELETRONORTE 2006) A rede abaixo(Figura 5.

prestando atenção para que os fios fiquem encostados um ao lado do outro e não passe por cima. Lixe o esmalte do fio que está sobrando os 10cm de cada lado. Enrole para que ainda sobre 1cm de cabo e 10cm de fio.9.Monte o circuito da Figura 5. Material necessário: 1 Diodo de Germânio ( qualquer tipo de diodo de Germânio). Varie o valor do capacitor para sintonizar o rádio. 1 cabo de vassoura (madeira ou plástico) para enrolar a bobina de 18cm. 72 . o fio com fita isolante deixando sobrar 10cm de fio.0 a 0. 1 Fone de cristal (fone de alta impedância acima de 2000W).9 2.5 mm) para a bobina. Prenda no início. Fazendo a bobina Pegue o cabo de vassoura e deixe um espaço de um centímetro de cada lado. no qual a bobina será artesanal. 1 antena. Figura 5.Procedimento: 1. DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Rádio artesanal elementar Neste circuito você irá montar um rádio. Comece a enrolar. 1 capacitor poliéster de 1nF. 100 gramas de fio esmaltado com número AWG entre 18 e 24 (diâmetros entre 1.

Faça a seguinte montagem (Figura 5. a antena deve ser bastante comprida para captar o máximo de energia da estação. Se você está usando o cabo de vassoura. encostadas mesmo. faça um ou dois furos para prender o fio antes de começar a enrolar e mais um ou dois furos para prender na outra extremidade (oriente-se pelo desenho do rádio acima).10). Caso você esteja usando o tubo. prenda o início e o fio do enrolamento com uma fita isolante.Deixe um espaço de mais ou menos um centímetro de cada lado do tubo ou pedaço do cabo de vassoura e comece a enrolar o fio. As voltas devem ficar bem próximas uma da outra. Figura 5. e uma volta não pode passar por cima da outra. Deixe sobrar de cada lado entre oito e dez centímetros de fio. Antena Como o rádio não possui uma etapa de amplificação. 73 . Pode ser um fio esticado de 10m de comprimento.10 A seta que está ligada na bobina deve ser móvel e percorrer toda a bobina para sintonizar em uma determinada frequência.

Na Figura 6. sendo útil em circuitos no qual o sinal de saída necessita ser limitado. Uma das utilizações do circuito grampeador é em um amplificador classe C.1 Circuitos Limitadores As aplicações incluem a limitação de amplitude excessivas formação de ondas e o controle da quantidade de potência entregue a uma carga. só deixa passar a tensão negativa. como mostra a Figura 6. Os circuitos grampeadores possuem como objetivo. Observe que o funcionamento é igual ao circuito retificador de meia-onda. 6.1 (a) Circuito limitador positivo. (b) Forma de onda na carga 74 .1(a).CAPÍTULO 6 . temos um limitador positivo.1(b). acrescentar um nível DC ao sinal alterando. no qual limita a tensão positiva.CIRCUITOS LIMITADORES (CEIFADORES) E GRAMPEADORES Introdução Os circuitos limitadores ou ceifadores limitam a tensão de saída. Vent R +Vp T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída T -Vp Figura 6. deslocando o sinal para cima ou para baixo do eixo referencial.

6. 6.2(a). logo : Vsaída @Vent .10 temos exemplos de outros circuitos limitadores e as suas respectivas formas de onda na carga. 75 .6.7. quando vent > V o diodo conduz . 6. no qual foi inserida uma fonte de tensão em serie com o diodo. pois V e Vent polarizam reversamente o diodo temos: Vsaída = Vent ..Outros circuitos limitadores Nas Figuras 6. 7. 6.5.Análise do circuito limitador positivo No semiciclo positivo o diodo conduz logo: Vsaída =0 No semiciclo negativo o diodo abre. temos um outro limitador positivo. R Vent Vp Vent V Rl Vsaída T -Vp Vsaída V -Vp T Figura 6. 6.3.8.4.2(b).2 (a) Circuito limitador positivo polarizado. no qual o funcionamento é semelhante aos circuitos já analisados. A limitação da tensão será para tensões acima de V como mostra a Figura 6.9 e 6. (b) Forma de onda na carga Análise do Circuito limitador positivo polarizado No semiciclo positivo. logo: Vsaída = V No semiciclo como o diodo está sempre aberto. uma vez que Rl >> R Na Figura 6.

3 (a) Circuito limitador negativo. (b) Forma de onda na carga Vent +Vp Vent Vsaída T Rl -Vp Vsaída T Figura 6.4 (a) Circuito limitador positivo.Vent Vp T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída T Figura 6. (b) Forma de onda na carga 76 .

(b) Forma de onda na carga V Vent +Vp T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída -V+Vp -V T Figura 6.6 (a) Circuito limitador negativo polarizado.V Vent +Vp T Vent Rl Vsaída -V -Vp T -V . (b) Forma de onda na carga 77 .Vp -V Figura 6.5 (a) Circuito limitador positivo polarizado.

(b) Forma de onda na carga R Vent +Vp T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída +Vp T Figura 6. (b) Forma de onda na carga 78 .7 (a) Circuito limitador positivo polarizado.V Vent +Vp T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída T +V-Vp Figura 6.8 (a) Circuito limitador negativo.

10 (a) Associação de limitadores.9 (a) Circuito limitador polarizado.R Vent +Vp T Vent V Rl Vsaída -Vp Vsaída +Vp V T Figura 6. (b) Forma de onda na carga 79 . (b) Forma de onda na carga Vent R +Vp T Vent V1 V2 Rl Vsaída -Vp Vsaída V2 T V1 Figura 6.

Em todas as análises iremos admitir que a carga de um capacitor atinja o valor final em cinco constantes e tempo.11(b). temos um circuito grampeador positivo. (b) Forma de onda na carga O capacitor se carrega no semiciclo negativo com Vp. Chamamos esse processo de grampeamento ou restauração CC. O sinal é deslocado para acima do eixo como mostra a Figura 6.11 (a) Circuito grampeador positivo. O circuito se resume como mostra a Figura 6.2 Circuitos Grampeadores Algumas vezes. Em vez de mudar o aspecto da forma de onda. Na Figura 6.11(a). um projeto de circuito requer a combinação de uma tensão CA com uma tensão CC. posteriormente não se descarrega mais. a operação modifica o nível da tensão de referência CC.6. 80 .12. Vent +Vp C T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída +2Vp T Figura 6. não havendo condições de descarregar por Rl. no qual no sinal CA(Vent) é adicionado uma tensão CC. com a polarização do capacitor. uma vez que o diodo irá permanecer sempre aberto e a constante de tempo RC>>Tentrada.

temos mais exemplos de circuitos grampeadores e as suas respectivas formas de onda na carga.13. 6.Vp + Vent Rl Vsaída Figura 6. Quando Vent = Vp. Vsaída = 2Vp Quando Vent diminui .Vp . Vsaída diminui Quando Vent = . 81 . Vsaída também aumenta. Vsaída = 0 Quando Vent aumenta.14.12 Circuito grampeador positivo Análise do circuito grampeador positivo No semiciclo positivo: Vsaída = Vc + Vent Quando Vent = 0 Vsaída = Vc = Vp Quando Vent aumenta a tensão de saída também aumenta.16 e 6.15. Vsaída diminui até Vp No semiciclo negativo: Vsaída = Vc Vent Quando Vent diminui. 6. 6. Outros Circuitos grampeadores Nas Figuras 6.17. A análise é semelhante as análises já realizadas.

(b) Forma de onda na carga Vent C +Vp T Vent V R Vsaída -Vp Vsaída V T -2Vp+V Figura 6. (b) Forma de onda na carga 82 .13 (a) Circuito grampeador negativo.14 (a) Circuito grampeador negativo polarizado.Vent +Vp C T Vent -Vp Vsaída R Vsaída T -2Vp Figura 6.

(b) Forma de onda na carga 83 .Obs: O capacitor se carrega com .( Vp V) Vent C +Vp T Vent V R Vsaída -Vp Vsaída +2Vp+V V T Figura 6. (b) Forma de onda na carga Vent +Vp C T Vent V R Vsaída -Vp Vsaída -V T -V-2Vp Figura 6.16 (a) Circuito grampeador negativo polarizado.15 (a) Circuito grampeador positivo polarizado.

17 (a) Circuito grampeador positivo polarizado. determine a forma de onda na saída. R Vent 30V Vent 4V Rl Vsaída T -30V 7V Vsaída T Figura 6.Vent C Vp T Vent V R Vsaída Vsaída + 2Vp -V T -V Figura 6.19. 84 . (b) Forma de onda na carga Exercícios 1.18 2.Dado da Figura 6.Dado o circuito determine a forma de onda na saída.

1 capacitor 470 F. 85 . no qual vent corresponde o sinal do gerador de áudio em 1KHz e amplitude de 5V. Monte o circuito da Figura 6.1 gerador de áudio .20.1 multímetro (analógico ou digital). Procedimento: 1.1 resistor de 1M . Material necessário: . deve-se montar um circuito grampeador. .Figura 6.1 diodo 1N4001 (ou equivalente). com o objetivo de analisar e observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio.1 Osciloscópio.25W. .19 Experiência no Laboratório Experiência 9 Circuito Grampeador Neste circuito. . . 0.

Com o uso do osciloscópio observe a forma de onda do resistor e analise o que acontece com o sinal se o valor do capacitor ou do resistor diminuir. Os CIs da família TTL necessitam de uma fonte de 5V.1 CI 7805.1 capacitor 0.4 diodos 1N4001 (ou equivalente). você irá montar uma fonte de alimentação para alimentar CIs da família TTL. 500mA.12V. .20 2. Circuito da Figura 6. .21. 86 .1 transformador -110V/220V .01mF. DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Fonte de alimentação para CIs da família TTL Neste circuito.1 capacitor de 220mF. . Material necessário . .C Vent R Vsaída Figura 6.

Figura 6.21 87 .

mantém a tensão constante na carga.1 Diodo Zener O diodo zener é um dispositivo semicondutor.2.2. ou seja. fabricado especialmente para trabalhar na região de ruptura o que não ocorre nos diodos retificadores e de pequeno sinal.1. Constitui o último componente em uma fonte de alimentação. Na figura 7. no qual. ou seja. 7. temos o gráfico que relaciona a corrente e a tensão para o diodo zener.CAPÍTULO 7 DIODOS ESPECIAIS Introdução O diodo zener é um diodo especial.Símbolo do diodo zener. Polarização reversa I Ruptura ou Vz Polarização direta v Iz(mín) Iz(máx) Figura 7. 88 . a sua principal aplicação é regular a tensão na carga. anodo catodo Figura 7.Curva característica de um diodo zener. este gráfica representa o funcionamento do diodo zener.

1.3.Quando se polariza diretamente o diodo zener. enquanto a tensão que está sendo aplicada for menor do que a tensão de zener .1 1KW Ve 5V6 Vz Figura 7. maior do que esta corrente o diodo zener será danificado.4m A Vz = 5.6V e Is = 2.4 Quando Ve = 1V Quando Ve = 2V Quando Ve = 3V Quando Ve = 4V Quando Ve = 5V Quando Ve = 6V Quando Ve = 7V Quando Ve = 8V Quando Ve = 9V Quando Ve = 10V Vz = 1V e Is = 0 Vz = 2V e Is = 0 Vz = 3V e Is = 0 Vz = 4V e Is = 0 Vz = 5V e Is = 0 Vz = 5. Na polarização reversa.4.4mA 89 .6V e Is = 4. ele passa a conduzir.3 Exemplo: Se montássemos o circuito da Figura 7. montaríamos a tabela 7. ele funciona como uma chave aberta. Quando a tensão que está sendo aplicado ao diodo zener for maior do que a tensão de zener.4mA Vz = 5. ele se comporta da mesma forma que um diodo retificador. conduz a partir do momento em que vence a barreira de potencial. observando que a tensão nele permanece a mesma aumentando apenas a corrente que passa por ele. e existe a corrente máxima que o diodo zener suporta. Esta tabela é importante para que possamos compreender o funcionamento do diodo zener.6V e Is = 0. ou seja. constituindo de uma fonte de alimentação e um resistor Rs Ve = RsIs +Vz Ve Vz Figura 7.6V e Is = 1. e medíssemos a tensão no diodo zener e a corrente que passa por ele ao aplicar a tensão Vê. CIRCUITO BÁSICO O menor circuito para a montagem com o diodo zener é apresentado na Figura 7. Tabela 7.4mA Vz = 5.6V e Is = 3.4mA Vz = 5.

Is Rs Ve Vz Iz Rl Il Vl Figura 7. para que possamos fazer uma análise matemática e poder calcular as corrente que circulam no circuito. fazendo o equivalente de Thevenim.Is = Ve.Ve Rl + Rs Se Vth > Vz (significa que o diodo zener está operando) 90 .Iz(máx) CIRCUITO REGULADOR DE TENSÃO A Figura 7. mosta o circuito regulador de tensão.5 Circuito regulador de tensão Cálculo da tensão de Thevenin Vamos calcular a tensão que chega ao diodo zener. ( retira o diodo zener do circuito e calcula a tensão visto a apartir do diodo zener ou seja para este circuito será a tensão no resistor Rl ) Vth = R1 .Vz Rs Especificação do diodo zener Pz(máx) = Vz .4.

Vz Rs Ex: Dado o circuito (Figura 7.3m 0. 15 Rl + Rs Vth = 10V Vth > Vz logo: O diodo zener está regulando.7KW 15V 3V2 Iz 5.Ve Vth = 5.7K Is = Il + Iz Iz = Is Il = 4.6 Solução: Vth = R1 . calcule Is.6K 5.Logo: Is = Il + Iz Onde: Il = Vl Rl Vl = Vz e Is = Ve .57m = 3.2 Is = 4.6).73 mA 91 .57mA Is = 15 3.6K = 0.6K+2.6KW Il Figura 7.2/5.7K .3mA 2. Iz e Il Is 2. Il = 3.

são muitos utilizados como sinalizadores em instrumentos eletrônicos ou na fabricação de displays. verde ou azul. SIMBOLOGIA anodo catodo Figura 7.7 Fonte de alimentação Exemplo: 1)Se a tensão no capacitor oscilada de 5. dependendo da quantidade. mostra uma fonte de alimentação.2V. considerando que a queda em Rs seja de 0.8.2V. ocorre a liberação de energia em forma de calor.6V à 6. então a tensão depois que passa pelo diodo zener será constante em 3.2 Diodo Emissor De Luz (LED) Os diodos emissores de luz são fabricados a partir do GaAs( arsenieto de gálio) acrescidos de fósforo que. Enquanto que em um diodo comum na passagem de corrente. laranja. 7.8 92 .7.8V ou seja a tensão que chega no diodo zener é 4.Aplicação do Diodo Zener Uma das principais aplicações do diodo zener é na construção de fonte de alimentação pelo qual servirá para manter a tensão na carga constante. D1 D2 Rs D3 D4 C Vz Rl Figura 7. amarela.5V. em um LED a liberação de energia é na forma de luz visível. A simbologia para o led é apresentado na Figura 7.3V e o diodo zener é de 3. podem irradiar luzes vermelha. A Figura 7.8 à 5.

uma vez que a resistência da fonte é desprezível e a corrente que passará no led terá valor elevado. pois danifica facilemnte.Na Figura 7.5V dependendo da cor.5V Figura 7. deve-se utilizar um resistor limitador de corrente para que o mesmo não se danifique. CIRCUITO BÁSICO: O menor circuito que podemos construir com um led é apresentado na Figura 7. 93 .5V a 2. no entanto a barreira de potencial varia de 1.9. I Polarização reversa Polarização direta v 1.9. Para se polarizar um LED. temos a curva característica para o led.9 Os LEDs apresentam as mesmas características dos diodos comuns. ou seja só conduzem quando polarizados diretamente aplicando uma tensão maior do que a barreira de potencial. Não se deve ligar um led em paralelo com uma fonte de alimentação.5 a 2. o led trabalha normalmente com corrente na faixa de 10mA a 50mA. Comercialmente.

Este fato implica que. se aumentarmos a tensão entre seus terminais.9 OBS: como Vled varia de 1.Rs Is = Ve . a corrente que atravessa diminuirá. 94 . se este componente estiver polarizado em uma determinada região de sua curva característica.5 a 2.10 Solução: Rs = Ve Vled Is Rs = 6 2 20m Rs = 200 W 7.Vled Ve Is Rs Figura 7.10). que é a região negativa.5V vamos adotar 2V Exemplo: 1)Determine Rs para que o LED do circuito (Figura 7.3 Diodo Túnel Este dispositivo possui uma característica não encontrada em nenhum outro de sua família. fique polarizado no seu ponto quiescente (Vled = 2V e Id = 20mA) 6V Is Figura 7.

conversores. onde os tempos de comutação são da ordem de nano ou picossegundos. I Ip Iv V VP Vv Figura 7. SIMBOLOGIAS 7. faz com que ele seja encontrado também em circuitos de alta frequência e alta velocidade. amplificadores. em homenagem ao seu descobridor.11 Simbologia para diodo túnel A Figura 7. 95 . São também encontrados em circuitos capazes de converter potência cc em ca. Leo Esaki em 1958 e .Ele foi desenvolvido pelo Dr. Na polarização reversa a ruptura ocorre próximo de 0V. Um aumento de tensão maior do que Vp produz uma diminuição na corrente e a região entre os pontos de pico e do vale é chamado região de resistência negativa. ao se polarizar diretamente conduz imediatamente. mostra a curva característica para o diodo túnel. O fato deste dispositivo ser mais veloz do que todos os outros dispositivos ativos.12 Por ser um diodo muito dopado. a corrente produz um valor máximo Ip. especialmente em computadores. APLICAÇÕES As características de resistência negativa os tornam úteis em circuitos de microondas. osciladores e circuitos de chaveamentos.12. as vezes é chamado de diodo Esaki.

filtros de banda passante ajustáveis etc.15 Na polarização reversa em circuito de alta frequência. circuitos ponte autobalanceados e amplificadores paramétricos.7.4 Diodo Varicap (Varactor ou VVC) Este diodo aproveita além dos efeitos na junção PN utilizados nos diodos comuns. APLICAÇÕES O Varactor é muito útil em diversas aplicações como em circuitos LC com sintonia por tensão.15. o fato da capacitância existente na junção ser função da tensão de polarização. A Figura 7. temos a curva característica para o diodo varicap. 96 . C V Figura 7. como o diodo funciona basicamente como um capacitor (as regiões P e N são como placas do capacitor e a camada de depleção se compara ao dielétrico) ao aumentar a tensão reversa a capacitância irá diminuir.14 mostra a simbologia para o diodo varicap. Figura 7.14 Simbologia A Figura 7. dispositivos de controle de frequência automáticos.

mas com 690KW não irá acender e quando R1 for de 110 W pode queimar. Iz e Il. Explique o que você entende por LED. Cite algumas aplicações do diodo túnel. 4. e) Não acende normalmente quando R1 for de 1400W ou de 690W e pode queimar quando R1 vale 110W. c) Acende normalmente para 1400W. Imin = 1mA. V1 = 15V e no LED D1. mas não irá acender quando R1 for de 690KW. b) Acende normalmente para 110W e 1400W. 1400W e 690KW. Imáx = 25mA e Vled = 2V. No circuito da Figura 7.Revisão 1. Cite algumas aplicações do Varactor.16 2.9KW 20V 5V6 Iz 10KW Il Figura 7. 97 . Dado o circuito da Figura 7. 5. Figura 7. 3. calcule as correntes Is.16. d) Não acende normalmente quando R1 vale 690KW e pode queimar quando R1 for de 110W ou de 1400W.18 Considerando a possibilidade de R1 assumir os valores de 110W. que o LEd: a) acende normalmente nos 3 casos. Is 3. é correto.18.

aproximadamente. cujo valor de pico é superior À tensão de diodo zener Z1. que pode ser considerado ideal.120.6. onde Z1 é um diodo zener de 15V e D1 um diodo ideal. A Figura 7. ilustra um circuito alimentado por uma fonte de tensão senoidal. da forma: Figura 7. O sinal de saída Vs(t) deverá ser. A Figura 7. ilustra um circuito alimentado por uma fonte de tensão senoidal da forma Ve(t) = 20sen(wt).19 7.19. aproximadamente. O sinal de tensão Vs(t) deverá ter. a forma: 98 .

e varia de 15 a 20 V. a tensão de entrada N V não é regulada. a potência máxima exigida da fonte não regulada é de 400mW. pode ser um resistor de 1/8 W. (C) se R = 500 . 99 .20 8. e requer no mínimo 5 mA de corrente para garantir a regulação.Figura 7. e consome de 0 a 5 mA. (D) se R = 500 .21. a carga L R é variante no tempo. (E) se R = 500 .21 Em condições normais de funcionamento: (A) Rl < 2 k . (ELETRONORTE 2006) Na fonte da Figura 7. a corrente máxima no diodo zener é de 10 mA. Figura 7. o diodo zener tem tensão nominal Z V de 10 V. (B) R > 500 .

1 diodo zener 5V6. Figura 7. deve-se montar um circuito básico com o diodo zener para compreender o seu funcionamento.25W. Preencha a tabela abaixo: Vf 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 A Vz 100 . 0. Material necessário: . . 0.Monte o circuito da Figura 7.1 Fonte de alimentação variável (0-15V) .5W.Experiência no Laboratório Experiência 10 O diodo Zener Neste circuito.22 3.22. . Procedimento: 1.1 multímetro (analógico ou digital).1 resistor de 1K .

4. Qual o valor da tensão que se manteve constante? _________

Experiência 11

Fonte de alimentação (eliminador de pilhas)

Neste circuito, vamos montar uma fonte de alimentação.

Material necessário: - 1 transformador -110V/220V ,9V, 500mA - 4 diodos 1N4001 (ou equivalente); - 1 resistor de 10K , 3,3K e 470 (0,25W); - 1 capacitor de 220mF, 64V - 1 diodo zener 5,6V, 0,5W; - 1 multímetro (analógico ou digital).

Procedimento: 1.Monte o circuito da Figura 7.23.

Figura 7.23

2. Meça a tensão no resistor de 10KW. 3. Substitua o resistor de 10KW pelo resistor de 470W e um led, como mostra a Figura 7.24.

Figura 7.24
101

DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA
Alarme de subtensão
Descreveremos dois circuitos para um alarme de subtensão. No primeiro, quando a tensão diminuir abaixo de 12V um led deve acender. Porém, se a tensão voltar a aumentar o led irá apagar. No segundo circuito, quando a tensão diminuir abaixo de 12V, uma lâmpada irá acender, e mesmo que a tensão volte a aumentar, a lâmpada permanecerá acesa. Circuito 1

Material necessário -1 fonte de tensão variável; - 1 diodo 1N4004; - 1 led; - 1 diodo zener 12V, 0,5w; - 1 resistor 470W;5,6KW; 1KW; - 1 transistor BC338.

Circuito da Figura 7.25.

Figura 7.25

O único componente não estudado até aqui é o transistor. Neste circuito, o transistor irá funcionar uma chave.

102

O funcionamento do circuito será da seguinte forma: Como a tensão de alimentação é 14V, o diodo zener estará regulando, ficando 12V no diodo zener e 2V no resistor de 1KW. O transistor, neste caso, estará funcionado como uma chave fechada e toda a corrente passará por ele, como mostra a Figura 7.26.

Figura 7.26

Quando a tensão diminuir, abaixo de 12V, pode-se considerar que a corrente que passa no diodo zener será zero, logo, a tensão no resistor de 1KW será zero e o transistor funcionará como uma chave aberta. Toda a corrente passará pelo led e acenderá. Neste circuito quando a tensão cair abaixo de 12V o led acende, no entanto, se a tensão voltar a aumentar o led apaga. Descrevemos a seguir um circuito no qual, quando a tensão baixar e voltar a aumentar uma lâmpada ficará acesa. Material necessário -1 fonte de tensão variável; - 1 diodo 1N4004; - 1 lâmpada de 12V; - 1 diodo zener 12V, 0,5w; - 1 resistor 2,2K, 10K; - 2 resistores 1K; - 1 transistor BC338; - 1 capacitor 1F, 16V - 1 SCR ( TIC106D); -1 relé 12V.

Circuito 2 (Figura 7.27)

103

no qual. figura .27 Neste circuito. 104 . a lâmpada é acesa. foi utilizado um SRC.Figura 7. quando a tensão cair abaixo de 12V. o transistor funciona como uma chave aberta e toda a corrente desvia para o circuito do capacitor que dispara o SCR. A bobina do relé é acionada e o contato normalmente aberto do relé fechado.

3) e PNP (Figura 8. respectivamente (LALOND e ROSS. As principais aplicações do transistor são: amplificar sinais elétricos e chavear circuitos. o que se denomina transistor NPN (Figura 8. 1999). A base é levemente dopada e muito fina. recebe os portadores que vêm da base. É a camada mais extensa. O transistor começou a se popularizar na década de 1950 e ocasionou a revolução da eletrônica na década de 1960. no qual é formado pela combinação de materiais semicondutores dopados com átomos trivalentes ou pentavalentes.CAPÍTULO 8. Um transistor é formado pela combinação do material N+P+N ou P+N+P.4). O emissor é fortemente dopado e tem como função emitir portadores de carga para a base (elétrons no transistor NPN e lacunas no transistor PNP).1 Constituição de um transistor bipolar A Figura 8. Ela permite que a maioria dos elétrons injetados pelo emissor passe para o coletor.1 Estrutura física do transistor de junção bipolar NPN As extremidades são chamadas emissor e coletor e a camada central é denominada base. Estes foram laureados com o prêmio Nobel da Física em 1956. Walter Houser Brattain e William Bradford Shockley.TRANSISTOR BIPOLAR Introdução O transistor é um componente eletrônico formado por materiais semicondutores.1 mostra a constituição do transistor. A adição de átomos trivalentes no semicondutor constitui a formação do material do tipo P. 8. pois é nela que se dissipa a maior parte da potência gerada pelos circuitos transistorizados (BOYLESTAD e NASHELSKY. Foi desenvolvido no laboratório Bell Telephone e demonstrado em 23 de Dezembro de 1947 por John Bardeen. 105 . O coletor. Coletor Base Emissor n Fluxo de lacunas p n Fluxo de elétrons Figura 8. 1998). O nível de dopagem do coletor é intermediário entre a dopagem forte do emissor e fraca da base. e a adição de átomos pentavalentes a formação do material do tipo N. como o nome diz.

Polarização emissor -base reversamente e coletor base reversamente. e desta forma. no emissor temos uma maior quantidade de elétrons livres do que no coletor. Figura 8. compreender o seu funcionamento. Na Figura 8. o que significa que. A base é levemente dopada e o coletor é o mais extenso dos três.3 . na formação do materal do tipo N..2. .2 Polarização do Transistor Polarizar um transistor é aplicar fontes de alimentação em seus terminais para que possamos analisar o que acontece. a quantidade de impurezas (átomos pentavelentes) é superior a quantidade de impurezas do coletor. Portanto.4. o transistor foi redesenhado fixar o que foi dito.Transistor PNP 8. nem apresentam a mesma dopagem.Transistor NPN Figura 8. 106 .2 Transistor Bipolar coletor base base coletor emissor emissor Figura 8. Comparando as três camadas do transistor. O emissor é o mais dopado dos três. elas não possui tamanhos iguais.

Entre o coletor e base acontece o mesmo procedimento. com isto aumenta a camada de depleção.Polarização emissor-base reversamente e coletor-base reversamente Pela Figura 8.base diretamente . Figura 8.base diretamente 107 . aumentando desta forma a barreira de potencial até se igualar a fonte Vcb.5.Polarização emissor base diretamente e coletor.6 Polarização emissor base diretamente e coletor. A tensão positiva externa atrae o elétrons do emissor para a extremidade do transistor e o negativo da fonte externa aplicada na base atrae as lacunas. Neste tipo de polarização não haverá circulação de corrente se desprezar as corrente de fuga de superfície e a corrente produzido termicamente. O positivo da fonte externa atrae os elétrons do coletor e o negativo que está ligado na base atrae as lacunas.5. . Uma forma de visualizar este tipo de polarização é considerar entre o emissor e a base um diodo em que o catodo está no emissor e o anodo na base.Figura 8. observa-se que tensão aplicada no emissor para a base (Veb) e a tensão aplicada do coletor para a base (Vcb) polarizam o transistor reversamente.

A tensão Veb ao polarizar o transistor diretamente. Apenas uma pequena parcela desce pela base. Estes elétrons terminam indo para o positivo da fonte Vcb. Ao chegar na base ocorre o inesperado. sendo atraído pelos íons positivo.base. faz o menos da fonte repelir os elétrons do emissor. . Neste caso.Polarização emissor base.7. O emissor é o mais dopado ele tem com função emitir elétrons. Pode-se dizer que. Se a tensão Veb for maior do que a barreira de potencial . os elétrons passam do emissor para a base. a tensão aplicada no emissor para a base(Veb) e a tensão aplicada do coletor para a base(Vcb) polarizam o transistor diretamente. como mostra a Figura 8. 108 . A fonte de tensão externa aplicada entre o emissor e a base polariza o transistor diretamente e a tensão aplicada do coletor para a base polariza o transistor reversamente. a maior parte dos elétrons passam para o coletor . na maioria das vezes aproximadamente de 95% a 99% dos elétrons que passaram do emissor para a base vão para o coletor e apenas 5% a 1% desce pela base. Neste tipo de polarização verifica-se que o nome coletor está indicando que ele coleta os elétrons e o emissor tem como função emitir elétrons. -Tensões e correntes no transistor A Figura 8.8 e 8. reversamente Figura 8.6.Na Figura 8.7. haverá uma grande circulação de corrente circulando pela base do transistor. diretamente e coletor. diretamente e coletor.Polarização emissor base.9 mostram os sentidos das tensões e das correntes em um transistor NPN e PNP respectivamente.base. reversamente Este tipo de polarização é o mais utilizado dos três. A tensão Vcb faz com que aumente a camada de depleção entre a base e o coletor.

1 Configuração Emissor comum Um transistor encontra-se na configuração emissor comum (Figura8. O termo comum se refere ao terminal que será comum ao sinal de entrada e ao sinal de saída. quando o sinal de entrada está na base e o sinal de saída está no coletor. 8. O emissor é comum aos sinais de entrada e saída.10).3 Configurações Básicas do Transistor Os transistores podem ser utilizados em três configurações básicas: base comum. emissor comum e coletor comum.3.9 Transistor PNP Podemos tirar as seguinte conclusões: Transistor NPN Ie = Ic +Ib Vce = Vcb +Vbe Transistor PNP Ie = Ic + Ib Vec = Vbc +Veb 8. 109 .Figura 8.8 Transistor NPN Figura 8.

na saída Ic. os manuais dos fabricantes mostram este ganho de corrente. Ie é comum ao sinal de entrada e de saída. entraremos com mais detalhes estudando as curvas características de entrada e de saída. Logo: b = Ic/Ib Embora este ganho de corrente tenha sido definido para a configuração emissor comum. este parâmetro serve também para o cálculo dos resistores de polarização para as outras configurações. Curva característica do sinal de entrada A curva característica do sinal de entrada mostra o comportamento da corrente Ib com relação a tensão Vbe (Figura 8.10 Configuração Emissor comum Nesta configuração na entrada temos ib. O ganho de corrente para este tipo de configuração é Ic/Ib Como esta configuração é a mais utilizada. Devido a configuração emissor comum ser a mais utilizada. Ganho de corrente O ganho de corrente relaciona a corrente de saída com relação a corrente de entrada. pelo qual é simbolizado pela letra beta cc. 110 .Figura 8.11).

deve-se vencer esta barreira. o gráfico é construído para os vários valores da corrente da base. Com o transistor construído com átomos de silício o valor da barreira de potencial é de 0. Curva característica de saída A curva característica do sinal de saída. ou seja.12 Curva característica do sinal na saída Como a corrente que flui para o coletor depende também da quantidade de elétrons que flui do emissor para base. O que observamos é que quando uma fonte de tensão contínua é aplicada entre o emissor e a base.Figura 8. Figura 8. o funcionamento é semelhante a de um diodo. Para que os elétrons do emissor passem para a base. mostra o comportamento da corrente Ic com relação a tensão Vce (Figura 8. da corrente da base.7V.12).11 Curva característica do sinal de entrada Entre o emissor e a base existe uma barreira de potencial. 111 .

mas também da corrente Ib. mesmo que a tensão entre o coletor e o emissor seja um valor elevado. O fato é que.Observamos que. Ganho de corrente a = Ic/Ie Definimos o ganho de corrente para este tipo de configuração.3. ou seja. (Figura 8. mostra o circuito polarização da base 112 . a maior parte dos elétrons é atraída pelo coletor devido aos cátions da camada de depleção. a tensão entre o coletor e base. como não há corrente na base. também não haverá corrente no coletor. se a tensão entre o emissor e a base for zero. pois será útil para análise de circuitos para outras configurações. Na saída está a tensão Vcb e a corrente Ic. maior será a corrente que também passa para o coletor. Quando uma tensão entre o emissor e a base for suficiente para vencer a barreira de potencial e assim a base ter corrente. a corrente do coletor não depende somente da tensão Vce. a base é o eletrodo comum.13 Configuração base comum Definimos como entrada a tensão Vbe e a corrente Ie. polariza o coletor e a base reversamente.13). Quanto maior for a corrente que passa para a base. 8. Figura 8.2 Configuração Base comum Nesta configuração. Circuitos de polarização tendo como base a configuração emissor comum Polarização da base A Figura 8. a base está na entrada e na saída do circuito. Logo. aumentando a camada de depleção.15.

Rb = 220K. Dado: Vbb = 6V. Rc = 3.Vce + RcIc + Vce = 0 Exercício Resolvido Dado o circuito (Figura 8. Logo: Vbb = RbIb + 0. pois. qaunto a tensão Vbb for maior do que 0.14 Circuito polarização da base Malha de entrada -Vbb + RbIb + Vbe = 0 Adotaremos Vbe sempre igual a 0.3K.15 Solução: 113 . Vcc = 12V e o ganho de corrente é igual a 100.Figura 8.7V.7 Malha de saída . Figura 8.7V.15). entre a base e o emissor o transistor comporta-se como um diodo para uma tensão contínua. determine Vce e Ic.

que intercepte todos os possíveis pontos de operação do transistor.08V Reta de carga cc Para saber os pontos de operação do transistor.7 Ib = 0.4m + Vce Vce = 4.16). 114 .16 Reta de carga CC Região de corte A região de corte é definida como a região no qual a corrente da base é zero (idealmente) é consequentemente.. Ic também é zero.4m +Vce 12 = 3. (Figura 8.024mx 100 Ic = 2.024mA Ic = bIb logo: Ic = 0. faz-se necessário esboçar uma reta na curva característica de saída do transistor na configuração emissor comum. Esta reta é definida como reta de carga cc. 2. Neste caso. Figura 8.Malha de entrada 6 = 220KIb + 0.4mA Malha de saída 12 = Rc.3K.2. o transistor funciona como uma chave aberta.

Figura 8. o transistor funciona como uma chave aberta e está operando na região de corte. Rc = 2. Imagina-se o circuito da Figura 8. Vce = Vcc = 10V Neste caso. Ic = 0. Rb = 3.17 Solução: Malha de entrada Vbb = RbIb + 0.7. pois entre a base e o emissor. 115 .3V.2K e b = 100. Vcc = 15V. determine Ic e Vce. Rc = 2. Figura 8. Exemplo . determine Ic e Vce. o transistor funciona como um diodo. Dado: Vbb = 12V. onde a tensão Vbb não é suficiente para vencer a barreira de potencial.18. Dado: Vbb = 0.18 Região de saturação Um transistor está operando na região de saturação. Logo Ib = 0 Como Ic = bIb e Ib = 0. quando a corrente Ib for um valor tão elevado que o transistor sature funcionando como uma chave fechada.2K e b = 100. Vcc = 10V.3K.Dado o circuito (Figura 8.Exemplo: 1) Dado o circuito (Figura 8.19).17). mesmo tendo um valor de tensão Vcc. Rb = 10K.

116 .7 Ib = 3.Figura 8. Na região ativa. existe um valor de corrente Ic e tensão Vce que não são zero e também não possui o máximo valor possível para o circuito.7. é que a corrente da base é um valor bastante elevado. 12 = 3. Na saturação a tensão Vce é igual a zero e a corrente Ic é o valor máximo possível para o circuito. Observe que a corrente que circula no coletor é o maior valor possível para este circuito.4V Como um transistor não gera tensão. Região ativa A região ativa é a região intermediária entre a região de corte e saturação.19 Solução: Malha de entrada Vbb = RbIb + 0.2K. O que temos neste caso. Figura 8. 3.42mA Ic = 100. O transistor neste caso funciona como uma chave fechada como mostra a Figura 8. 342m + Vce Vce = . A única tensão que temos na malha de saída é de 15V para ser divida pelo resistor e transistor. já que o transistor funciona como uma chave fechada e desta forma a tensão Vce será zero.3KIb +0.20.737.42m = 342mA Malha de saída 15 = 2. sendo suficiente para saturar o transistor. Na região de corte a corrente Ic é igual a zero e a tensão Vce é o valor máximo possível.20 A corrente Ic será igual a Vcc/Rc.

Dado: Vbb = 10V. Rc = 2. o cálculo da reta de carga cc deve ser processado da seguinte forma: 117 .2K e b = 100.22.21 Solução: Malha de entrada Vbb = RbIb + 0. Figura 8. o transistor está operando na região ativa. na construção de amplificadores.Exemplo 1) Dado o circuito (Figura 8.028mA Ic = 2.8mA Malha de saída 15 = 2.2K Ic + Vce Vce = 8. temos um valor positivo de corrente Ic e tensão Vce.determine Ic e Vce. Vcc = 15V. 10 = 330KIb + 0. ou seja. que não são zero nem o máximo. O transistor operando na região ativa será útil na construção de circuitos para amplificar um sinal. logo. Cálculo da reta de carga cc Para o circuito da Figura 8.7.21).7 Ib = 0.84V Observe que. Rb = 330K.

Rb = 270K. deve-se calcular dois pontos.23).22 Para determinar a reta de carga.23 Solução: Na região de corte 118 . Iremos calcular na região de corte e na região de saturação. Dado: Rc= 3.Figura 8. Na região de corte: Ic = 0 Vce = Vcc Na região de saturação Vce= 0 Fechando a malha temos: Vcc = Rc i c + Vce Logo: Vcc = Rc Ic Icsat = Vcc/Rcc Ex: Dado o circuito(Figura 8. Vbb = 4V e Vce = 15V Figura 8. determine a reta de carga cc.3K.

Ic = 0 Vce = 15V

Na região de Saturação Icsat = 15/3,3K = 4,54mA Vce = 0

A reta de carga cc é mostrado na Figura 8.24.

Figura 8.24

Polarização da base O circuito polarização da base é apresentado na Figura 8.25.

Figura 8.25 Circuito polarização da base

No circuito da Figura 8.25, conhecido como polarização da base é o circuito mais utilizado quando deseja colocar o transistor para que funcione como chave, ou seja, o
119

transistor esteja funcionando na região de saturação ou na região de corte. Geralmente, a fonte de alimentação da base é a mesma que alimenta o coletor, isto é, Vbb = Vcc. O circuito então, é desenhado como mostra a Figura 8.26.

Figura 8.26 Circuito polarização da base

Este tipo de polarização, porém, não é utilizado quando se deseja utilizar o transistor para que opere na região ativa. Coloca-se o transistor na região ativa quando deseja construir um circuito para amplificar um sinal ca Ao utilizar o circuito acima, colocando o transistor para operar no meio da reta de carga cc, com o aumento da temperatura o ponto quiescente é alterado indo para a saturação. Demonstração Na primeira malha temos: Vcc = Rb ib + Vbe

Na segunda malha: Vcc = Rc ic + Vce Para que o transistor opere na região ativa, o ideal é que ele opere no meio da reta de carga cc. Para isto deve-se colocar Vce = 0,5Vcc. Com o aumento da temperatura o ganho de corrente aumenta e consequentemente ic também aumenta, uma vez que, ic = bib. Da segunda malha como Vcc e Rc são valores fixo, ou seja, não sofrem influência com a alteração da temperatura ambiente. Para que a equação continue válida, Vce diminui. Vce diminuindo o ponto quiescente na reta de carga cc deve subir, ou seja, o transistor tende a saturação. Para polarizar o transistor na região ativa, foram implementados vários circuitos, até conseguir o circuito mais utilizado, que é o circuito polarização por divisor de tensão. Iremos analisar a evolução dos circuitos.

Polarização com realimentação do emissor

120

Na figura 8.27, temos o circuito polarização com realimentação do emissor,no qual foi inserido um resistor no emissor.

Figura 8.27 Polarização com realimentação do emissor

Malha I Temos: Vbb = Rb ib + Vbe + Re Ie Malha II temos Vcc = Rc ic + Vce + Re ie Exercício resolvido Dado o circuito (Figura 8.28), determine Ib, Ie, Ic e Vce. Vcc= 12V, Vbb = 6V, Rb = 470KW, Rc = 2,7KW e Re = 800W, b = 120.

Figura 8.28

121

1. Figura 8.011m Ie = 1.29 Circuito polarização por divisor de tensão Para simplificar os cálculos. devemos determinar o equivalente de Thevenin.34m + Vce + 800.7K.3V Polarização por divisor de Tensão Na Figura 8.0112mA Ic = bIb Þ Þ Ic = 1. Rth = R1//R2 Rth = R1. visto da base para o terra.7 Ie = Ic + Ib Vcc = RcIc + Vce + ReIe 12 = 2.29.35mA Þ 6 = 470K ib + 0.R 2 R1 + R 2 122 .34mA Ie = 1.35m Vce = 7. 1.Solução: Vbb = RbIb + Vbe Ib = 0.34m + 0. temos o circuito polarização por divisor de tensão.

determine Vce e Ic.30. Figura 8.30 Circuito equivalente de Thevenin Malha I Temos: VTh = RTh ib + Vbe + Re Ie Malha II temos Vcc = Rc ic + Vce + Re ie Exercícios resolvidos 1.31). O ganho de corrente é igual a 100 123 .Dado o circuito (Figura 8.Vth = R2 Vcc R1 + R 2 Circuito após o equivalente de Thvenin é apresentado na Figura 8.

32 Circuito equivalente 1.31 Solução: Rth = 33K .8K ib Malha 2 ib = 0.Figura 8.002mA logo: ic = 0.3K Vth = O circuito pode ser substituído pelo circuito da Figura 8.09 = 3Kib + 0.02m) + Vce + 1.39 = 184.213mA 12= 3. Figura 8.3K (0.3K 3.3K 12 = 1.8Kie Ie = ic + ib.3Kic + Vce + 1.8K (0. onde: ic = bib ou seja ie = 100ib+ ib = 101ib logo: 1.32.3K = 3KW 33K + 3.7 + 1.09 = 3K ib + 0.213m) Vce = 11.21mA e ie = 0.8K( 101ib) 0.8K ie 12 = 3.3.7 + 1.09V 33K + 3.55V 124 .

pois o transistor continua na saturação mesmo no pior caso de variação do ganho de corrente com a variação da temperatura.ib+0. Figura 8.33 Transistor como chave Analisando a Figura 8.7 Malha de saída Vcc =Rcic + Vce como na saturação Vce = 0. ic Igualando as duas equações temos: Rb. Não é muito utilizado o transistor na saturação leve por causa da variação do ganho de corrente. A saturação forte é a utilizada em circuitos.8.33 temos: Na saturação forte: Ib = 0. Para colocar o transistor para na saturação forte deve-se fazer com que a corrente da base seja aproximadamente um décimo do valor da corrente de saturação. a corrente da base é o valor exato e suficiente para operar o transistor no extremo superior da reta de carga. isto é.7 = Rc. Ib + 0 .1ic Malha de entrada: Vcc = Rb.4 Transistor como Chave A regra para projeto Uma saturação leve significa que levamos o transistor apenas no início da saturação. Temos: Vcc = Rc.ic 125 .

Ic Na saturação forte ib = 0.7V temos. o transistor está funcionando como fonte de corrente.5. No entanto L-1 proporciona uma queda de 1. logo: Rb = 10Rc 8. Ib = Rc. Esta tensão faz com que fixe a tensão no emissor de 3.5V.necessitam de uma corrente de 10mA para obter uma boa luminosidade. Neste circuito.0.1ic = Rc. logo: Rb.34.34).5V enquanto l-2 uma queda de 2. a base amarra a tensão do emissor.5 Transistor como Fonte de Corrente Para entender melhor o transistor como fonte de corrente vamos para este problema. da figura 9. ou seja. pois mesmo alterando a queda de tensão nos leds a corrente permanece a mesma. Poderá o led 2 ter sua luminosidade diminuída por necessitar de mais tensão? (Figura 8. 0. 126 .1. Rb.Os leds L-1 e L-2. Figura 34.Desprezando 0.1ic. . verificamos que na base existe uma tensão de 3V. Ic .7. Transistor como fonte de corrente Observando a Figura 8.

No modelo de Ebers Moll. 8 3 Modelo de Erbers Moll Ao substituir o transistor pelo modelo de Erbers-Moll. correntes e freqüências envolvidas.Os cálculos a seguir demonstram isto: Se ambos os leds necessitam de 10mA para o brilho ideal basta fixar a corrente de emissor em 10mA. por isto. O objetivo de modelar o transistor é facilitar a análise para sinais alternados em função das tensões. porém sem obtém maior precisão. os cálculos envolvidos no circuito ficam mais simples. Logo. que se aproximam melhor do funcionamento real. 1995 ). Há vários modelos para representar o transistor em um circuito elétrico. O modelo híbrido requer cálculos mais complexos. tem-se o seguinte circuito equivalente para o transistor (CIPELLI e SANDRINI. é utilizado com freqüência. dimensionando o valor de Re. Os mais utilizados são o modelo de Erbers Moll e o modelo híbrido (MALVINO. Leitura Complementar Modelagem do transistor para análise CA O transistor em um circuito elétrico é substituído pela combinação de elementos apropriadamente escolhidos. tendo-se o que é denominado modelagem do transistor. 127 .7)/10mA Re = 230W Observe que a fonte da base ligada diretamente na base fixa a corrente ie. a luminosidade do led2 não será diminuída. Re = (3-0. 2001).

1 torna-se: I = Is(e 40V 1) Para obter re`.6 10 -19 Coulomb) k = constante de Boltzmann (1. do modelo de Erbers Moll.1 com relação a V.V k . dI/dV = 40Ise40V Pode-se escrever na forma dI/dV = 40( I + Is) 128 . SANDRINI.Modelo Erbers Moll Onde: re´ = resistência a passagem do sinal alternado no emissor. por isso é aplicada ao diodo somente quando a tensão através da resistência for desprezível.coletor base base coletor re` emissor Figura 35 .Transistor NPN emissor Figura 36 .T ö .38 10 -23 Joules/Kelvin) T = temperatura absoluta (ºK) A descrição da Eq. 2001: 98) e a Eq.1 ÷ ÷ ø (1) I = corrente total do diodo Is = corrente de saturação reversa V = tensão total através da camada de depleção q = carga de um elétron (1. q/kT é aproximadamente igual a 40 (CIPELLI.1 não inclui a resistência de corpo de cada lado da junção. À temperatura de 25¡C. pode ser deduzida como segue: A equação da junção PN retangular deduzida por Shockley (substituída pela resistência re´ no modelo) é: Onde: I = æ Is ç e ç è q . diferencia-se a Eq.

I é muito maior do que Is (caso contrário a polarização é instável). De acordo com essa escolha. 129 . tem-se modelo matemático de quadripolos.1997). Para o modelamento do transistor. a forma adotada é fixar v1 e i2 como variáveis dependentes e i1 e v2 como variáveis independentes (CUTLER. Por isso.Quadripolo Genérico Essas quatro grandezas envolvidas podem ser relacionadas entre si por meio de funções lineares. o valor prático de re` é: re´ = 25mV/ I Como se está tratando da camada de depleção do emissor. 1996). o transistor é substituído por um único dispositivo denominado quadripolo. fixando-se duas variáveis dependentes e duas independentes.Tomando-se o inverso resulta o valor de re` re´= dV/dI = 1/40( I + Is) = 25mV/ (I + Is) Em um amplificador linear prático. de tal forma que ele possa ser modelado matematicamente: Variáveis: v1 = tensão de entrada v2 = tensão de saída i1 = corrente de entrada i2 = corrente de saída Convenção: Tensão positiva para cima Corrente positiva para dentro i1 + v1 _ Circuito Elétrico i2 + v2 _ Figura 36 . re´ = 25mV/Ie 5.4 Modelo Híbrido No modelo híbrido (MARQUES et al. acrescenta-se o índice e na corrente.

e a corrente de entrada i1 e a tensão de saída v2 como variáveis independentes.4.v2) i2 = f2 (i1.5.i 1 + h12. exatamente por misturar tensão e corrente como variáveis dependentes e independentes (BADHERT. h 21 =i2/i 1 (saída em curto) h 21 (hf) É o ganho de corrente quando a saída está em curto.h12 e h22 Para i1 = 0. h 12. Para relacionar essas tensões e correntes. denominados h11. h21 e h22.v2 Logo: h 12=v1/v2 (entrada aberta) h 12 (hr) Ganho de tensão reverso com entrada aberta h 22 = i 2/v2 (entrada aberta) h 22 (ho) Admitância de saída com entrada aberta Conhecidos os parâmetros h do quadripolo.i1 Logo: h 11= v1/i1 (saída em curto) h 11 (hi) É a impedância de entrada quando a saída está em curto. .1 Modelamento matemático do quadripolo v1 = f1 (i 1.i 1 e i2 = h21.v2 Assim.v2 i2 = h21. v2) Este tipo de modelo que fixa a tensão de entrada v1 e a corrente de saída i2 como variáveis dependentes. é denominado modelo híbrido. 130 . como segue: . 1995).i1 + h22. As equações se reduzem a v1 = h12. o quadripolo deve ser formado por quatro parâmetros h internos e constantes. seu modelo elétrico fica determinado como segue.v2 e i2 = h22. definindo as duas funções lineares f1 e f2 da seguinte forma : v1= h11.h11 e h21 Para v2 = 0. As equações se reduzem a: v1 =h11. os parâmetros h e seus significados físicos podem ser obtidos fixando-se o valor de uma das variáveis independentes.

um circuito com múltiplas malhas é reduzido para uma fonte de tensão em série com uma resistência . determine a reta de carga cc e indique o ponto quiescente.9KW.38 2.v2 i2 = hf. Dado: R1= 10KW. No teorema de Thevenin. R4 = 820W .i1 + hr.38. um circuito com muitas malhas é substituído por uma fonte de corrente e uma resistência em paralelo (MALVINO.i1 + hi i2 + v2 _ v1 _ hr v2 hf i1 h0 Figura 37 Modelo híbrido para o transistor As equações de Kirchhoff para este modelo são: v1= hi. Vcc = 12V e beta = 100 . Figura 8. determine a reta de carga cc e indique o ponto quiescente. Exercícios 1. 1995). R3 = 2. Dado o circuito da Figura 8. 131 .i 1 + ho. Dado o circuito da Figura 8.39.v2 Neste modelo elétrico. tem-se na entrada o teorema de Thevenin e na saída o teorema de Norton. No teorema de Norton.2KW . R2 = 3.

Dado: Rb = 2. Rb = 330KW. Vee = -5V e ganho de corrente de 120 Figura 8. Determine a reta de carga cc . Considere o circuito da Figura 8. Figura 9. Vcc = 12V.2KW. 132 . Vbb = 6V . indique o ponto quiescente na reta e determine Vc.7MW. Dado o circuito da Figura 8.7KW.Dado: Rc = 3. Vcc = +12V.39 3.41.40. b1 = 100 e b2 = 130.40 4. Re2 = 1. determine a corrente Ie2. O beta na região ativa é de 100. Re = 820W.

exibida pelo Amperímetro A1. 133 . R2 = 40KW e Re = 340W. Observe o circuito. Beta = 40 e Vbe = 0. Determine os valores aproximadamente de Rc em W.7V e as curvas características do transistor com a reta de carga correspondente.55.. no Transistor Tr1. em Amperes.6V. Figura 8.42 Figura 8. Figura 8.43. qual a corrente. b) Considerando que o circuito apresenta R1 = 110KW.41 6. mostra um circuito transistorizado operando na região ativa com Vbe = 0. A Figura 8.43 Sabendo-se.42 e o gráfico. em mA.figura 8. para temperatura de 50°C no RTD? 6. e Ib. Determine: a) O ganho de corrente (bcc). Figura 8.

respectivamente.45 8. são: a) saturado. na curva. b) saturado. temos o circuito de um transmissor eletrônico analógico de informação. e) cortado. No esquema da Figura 8. os seguintes intervalos de tempo: T1 de 0s a 1s T2 de 1s a 3s T3 de 4s a 6s É correto afirmar que os estados do transistor. c) operando na região linear.45 ilustra o sinal de tensão de entrada Vê. saturado e operando na região linear. submetido no circuito transitorizado.46. operando na região linear e cortado. T2 e T3. Considere. que é a chave do sensor de fim de curso de uma válvula. cortado e saturado. operando na região linear e saturado. a saída está localizada onde está o Amperímetro A1 e a sua entrada é S1.Figura 8.44 7. nos intervalos T1. d) cortado. cortado e operando na região linear. Nele. 134 . Figura 8. A figura8.

Dado: Vcc = 12V. 135 .47 10. A chave S1 deve está fechada.Figura 8. Determine Vce e Ic no transistor 2 ao medir a continuidade em uma placa de circuito impresso. A continuidade é indicada pelo led.48. Considere a barreira de potencial no led de 2V e o beta para os dois transistores de 100. Foi montado em laboratório o circuito da Figura 8. Figura 8.46 Este transmissor deve enviar as seguintes informações: S1 Aberta = 4mA em A1. Para que apresente uma boa luminosidade deve passar uma corrente de 10mA em cada led. S2 Fechada = 20mA em A1.7V.7V. mostra um simples provador de continuidade.47. A figura 8. Sabendo que o transistor tem os seguintes dados: beta = 200 e Vbe = 0. no qual a placa não apresenta defeito. Quais os valores dos potenciômetros P1 e P2 em KOhms? 9. A barreira de potencial do led1 = 2V e do led 2 = 1. Algum led irá aceder? Explique o que acontecerá.

Dado o circuito(Figura 8. mostra um conversor DC/DC que utiliza um diodo Zener de tensão nominal de 8.Figura 8.Dado o circuito (Figura 8.49. determine a tabela da verdade e indique qual porta lógica o circuito está representando.7V. e da corrente Iz no Zener. para que a corrente que circule no motor seja de 1mA quando o sensor for ativado. OBS. calcule o valor do resistor da base. em mA.50).50 13. Figura 8.49 12. O circuito da figura 8. Figura 8. No circuito foi utilizada uma 136 . Determine.2V e um transistor com b = 100 e Vbe = 0. Existem chaves reed swich normalmente aberta e normalmente fechada. os valores de tensão de saída Vo. em volts. O ganho de corrente do transistor é de 100 e o sensor é uma chave reed switch.51).48 11.

51 14. Para o circuito deseja que com a incidência de luz o relé seja energizado. No circuito foi utilizado um LDR. A resistência do relé é de 100W. Usando a mesma tensão de alimentação do circuito de controle e o transistor Darlington. no qual com a incidência de luz a resistência é de 400W e na ausência de luz a resistência é de 1MW. Parâmetros do transistor Darlington Ganho de corrente 1500 Ic máx = 150mA Vbe sat = 1.4V Vce sat= 1V 137 . (Figura 8. especifique os resistores Rb eRc. Figura 8.chave normalmente aberta que funciona da seguinte forma: Normalmente está aberta e ao aproximar do imã a chave fecha. Um motor CC opera com tensão de 5V e corrente de 100mA. (Figura 8.Projete o circuito para que o transistor funcione como chave.52 15. Ele deve ser acionado por um circuito de controle que fornece 12V de tensão na saída.53). conforme o esquema abaixo.52). Figura 8.

deve-se montar o circuito. no qual o transistor irá operar como chave.1 resistor de 5.53 Experiência no Laboratório Experiência 12 Transistor como chave Neste circuito.54.1 multímetro (analógico ou digital). 560 (0.Monte o circuito da Figura 8.25W).6K . . . . Material necessário: .1 led.Figura 8.1 Fonte de alimentação 10V.1 transistor NPN (BC338). Procedimento: 1. 138 . .

Ie. no qual Vbb = 3V e Vcc = 8V: 139 . .Ic.25W). Vbe.2 Fontes de alimentação 8V.Ie. no qual o transistor irá operar como fonte de corrente. Coloque a chave na posição 2 e meça Ib. Coloque a chave na posição 1 e meça Ib.Vce e Vcb. 3. Experiência 13 Transistor como Fonte de corrente Neste circuito.55. Procedimento: 1. Material necessário: .Vce e Vcb. . deve-se montar o circuito. .1 resistor de 330 (0.54 2.1 multímetro (analógico ou digital).Monte o circuito da Figura 8. .Figura 8.1 led.1 transistor NPN (BC338). Vbe.Ic.

(ou equivalente).6K (0. -1 Transistor BC338.1 Buzzer de 6V. . Material necessário: . Explique porque o led apagou.Figura 8. Circuito (Figura 8. .56).55 2. deve acionar um buzzer. .25W). você vai montar um alarme para porta.4 pilhas em um suporte para 4 pilhas ( duas em série e duas em paralelo).1 Chave reed swich (normalmente fechada). Aumente progressivamente a tensão na base até igualar a tensãoVcc(8).1 resistor 5. 140 . no qual a porta deve estar fechada e ao abri-la. DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Alarme para porta com transistor Neste circuito.

Figura 8.56

0 íma deve ficar na porta e o circuito como mostra a Figura 8.57.

Figura 8.57

A chave reed swich é normalmente fechada. No circuito, como a porta normalmente está fechada e o imã fica próximo a chave reed swich, a chave reed swich fica aberta. Ao abrir a porta, afasta o imã da chave reed swich e a chave reed swich fecha, fazendo com que circule corrente na base, desta forma o transistor deve entrar na região de saturação e acionar o buzzer.

Alarme de passagem
Neste circuito, uma fonte de luz deve sempre estar inserindo no fototransistor, ao bloquear esta emissão de luz, uma lâmpada será acesa. Material necessário

141

-1 bateria de 12V; - 1 diodo 1N4004; - 1 lâmpada de 12V; - 1 resistores de 68KW, 1/4W; - 2 resistores 1K; 1/4W; - 1 transistor BC338; - 1 capacitor 100mF, 16V; - 1 capacitor 0,01mF, 16V; - 1 fototransistor (qualquer um serve); - 1 CI 555; - 1 relé 12V. Circuito

Figura 8.58

Neste circuito (Figura 8.58), uma fonte de luz deve estar inserindo luz no fototransistor, pode ser uma lanterna, e o fototransistor está funcionando como uma chave fechada. A tensão de 12V está sobre o resistor de 1KW. No pino 2 do CI 555, tem-se uma alimentação de 12V. A saída (pino 3)fica em 0V. Quando ocorre o bloqueio da luz sobre o fototransistor, este entra na região de corte e entra 0V, sobre o pino 2. A saída do CI555(pino 3) sai aproximadamente 12V(na prática sai uma tensão menor devido as perdas no CI) e o transistor entra na região de saturação. O relé é acionado e a lâmpada de 12V é acesa. O tempo em que a lâmpada permanece acesa é calculado pela seguinte expressão: T = 1,1 RC = 1,1x68Kx100m = 7,48s. Após este tempo a lâmpada apaga.

142

CAPÍTULO 9 - OUTROS COMPONENTES ELETRÔNICOS
Introdução
Além dos diodos e transistores bipolares, existem vários outros componentes eletrônicos. Alguns desses componentes são usados em eletrônica de potência ou em circuitos osciladores e apresentam comportamentos completamente diferentes daqueles já estudados. Neste capítulo iremos explorar alguns desses componentes.

9.1 Transistor de Unijunção (TUJ)
Os transistores de unijunção (TUJ) são projetados para trabalharem em osciladores, circuitos temporizadores e disparadores (triggering). Embora sejam chamados de transistores e possuírem três terminais, sua constituição física é muito diferente de um transistor bipolar convencional, como podemos verificar na Figura 9.1. Um TUJ é dispositivo de baixa potência, com dissipação máxima de 300 mW. Na Figura 9.2 temos um equivalente elétrico para o TUJ e um circuito de teste. São exemplos de TUJ os seguintes componentes: 2N2646, 2N2647, 2N4870, 2N4871.

Junção pn

B2 B2

E Bastão de alumínio

E

B1 Silício tipo n B1

(a)
Figura 9.1 TUJ: (a) construção básica, (b) símbolo.

(b)

9.1.1 Funcionamento Pela Figura 9.2 (a), vemos que se a tensão VE do emissor for menor que 0,7 + VRB1 o diodo se encontrará inversamente polarizado, IE será praticamente nula e corrente que circula pelo componente será dada pela tensão de alimentação divida pela resistência interbase RBB. O valor de RBB fica normalmente entre 4 k e 9 k . Nessa situação, quando IE = 0, a tensão VRB1 é calculada por: RB1 VRB1 = VBB = hVBB . RB1 + RB 2
143

85. a razão entre RB1 e RBB. estudaremos um componente mais simples . Isso faz com que o capacitor se descarregue rapidamente através do resistor Rb1. tipicamente. entre 0. isto é.1. Quando a tensão do capacitor atinge o valor crítico para a condução. ocorre uma injeção de lacunas na região N correspondente a RB1 e a tensão do emissor cai rapidamente.2 TUJ: (a) equivalente elétrico. 144 . 9.55 e 0.2 (b) temos uma aplicação típica para o TUJ.2 Aplicação típica: oscilador de relaxação Na Figura 9. Quando a tensão VE se aproxima de VRB1 mais a tensão de polarização do diodo do emissor. A frequência desse oscilador é aproximadamente dada por: f @ 1 . ocorre uma redução drástica no valor de RB1 e passa a circular uma corrente maior pelo TUJ. isto é. quando VE > VD + VRB1. estando fora do escopo deste livro. O valor ( eta ) é a razão intrínseca do TUJ. porém.B2 RB2 VBB IE E RBB = R B1 + RB2 (IE = 0) VE RB1 VBB B1 (a) (b) Figura 9. o diodo de quatro camadas Schockley. Esses pulsos podem ser usados para ativar um outro dispositivo. Nesse circuito. o SCR (silicon controlled rectifier). que será estudado mais adiante. Note que na base 1 são gerados pulsos periódicos. Antes. æ 1 ö R1C1 lnç ç 1 -h ÷ ÷ è ø A dedução dessa fórmula envolve algum conhecimento de cálculo e de transitórios CC. O valor de pode variar. o capacitor vai se carregando através do resistor R1. (b) circuito de teste.

o diodo de quatro camadas ou diodo Shockley (não confundir com o diodo Schottky. indicado na Figura 9. 9.3 (c) (b) (a) Diodo Schockley (diodo de quatro camadas). 145 . (c) trava formada por dois transistores. por exemplo.2. (b) representação das quatro camadas PNPN.2 DIODO DE QUATRO CAMADAS O estudo dos tiristores deve começar pelo dispositivo que origina toda a família. em computadores).4 (b) (c) .3 mostra a simbologia do diodo Shockley (diodo que iremos estudar) e do diodo Schottly. (b) modelo de estudo para a trava ideal .9.1 Funcionamento Para entender o funcionamento do diodo Schockley devemos analisar o funcionamento do circuito conhecido como trava ideal . (c) Diodo Schottly (diodo de duas camadas).4. (a) Dispositivo de quatro camadas. (a) Figura 9. usado em aplicações que exigem altas freqüências. (a) Figura 9. A Figura 9. diodo com duas camadas. como.

Figura 9. A corrente na base do transistor NPN aumentará mais e o ciclo continua até os dois transistores entrarem em saturação. consequentemente.5.5. O efeito é o mesmo que aplicar um disparo. a corrente do coletor também diminuíra. apresentando altíssima resistência. O único modo de abri-lo é através do desligamento por baixa corrente. Com polarização direta o diodo apresenta alta resistência enquanto a tensão for menor do que um valor chamado de tensão de breakover (UBO). de forma a saturar os dois transistores. ou aplicar uma corrente na base do transistor NPN. Com polarização reversa o diodo se comporta como um diodo comum. se alguma coisa fizer a corrente da base do transistor NPN diminuir. a corrente da base do transistor PNP também diminuirá ocasionando uma diminuição na corrente do coletor do transistor PNP. Desta forma o diodo Schockey irá funcionar como uma chave fechada.3-(c). Curva característica do diodo de quatro camadas Schockley. O modo mais comum de disparar do diodo Schockley é através da interrupção. Acima deste valor o dispositivo dispara passando a conduzir. O coletor do transistor NPN é ligado na base do transistor PNP. Se a tensão reversa exceder a tensão de breakdown (UBK) o diodo será destruído. Por outro lado. observamos que o coletor do transistor PNP é ligado na base do transistor NPN. 146 . a corrente do coletor do transistor também NPN aumentará. Significa reduzir a corrente para um valor abaixo da corrente de manutenção (IH) ou tensão de manutenção (UH). O ciclo irá se repetir até que os dois transistores entrem na região de corte. funcionado como uma chave fechada. conhecida como tensão de breakover (UBO). A tensão de breakover significa aplicar uma tensão de alimentação suficientemente grande no emissor do transistor PNP. Como conseqüência. UH (IH). somente voltando a cortar quando a tensão (corrente) de anodo cair abaixo de um valor chamado de tensão (corrente) de manutenção. Temos uma realimentação positiva conhecido como regeneração.Analisado a Figura 9. Teremos uma chave aberta. Se a corrente da base do transistor NPN aumentar. a corrente na base do transistor PNP também aumentará. A curva característica do diodo Schockley é mostrada na Figura 9.

9. Figura 9.6 (a) Camadas e junções do SCR.1 Estrutura e funcionamento do SCR O funcionamento de um SCR é semelhante à de um diodo de silício após o disparo de sua porta (gate).7 SCR polarizado diretamente. (b) símbolo do componente. (a) (b) (c) Figura 9. Um SCR é basicamente um diodo de quatro camadas unilateral no qual foi colocado um terceiro eletrodo chamado de gate (G) ou porta usado para controlar o disparo do diodo por injeção de corrente.3 Diodo controlado de silício (SCR) O SCR é um dispositivo de quatro camadas que foi desenvolvido no Bell Telephone Laboratory (EUA) em 1957.6 e seu funcionamento é explicado a seguir. A estrutura básica de um SCR é mostrada na Figura 9.3. Esses componentes são aplicados principalmente na área de eletrônica de potência. Sem esse disparo. Tiristor é um nome genérico dado a uma família de componentes semicondutores formado por quatro camadas (PNPN). É um dos mais usados e difundidos tiristores.9. (c) exemplo de encapsulamento (TO220). 147 . mas com corrente de porta nula. o SCR permanece bloqueado mesmo quando está diretamente polarizado.

o TIC106 tem IH@ 0. Por esta razão. Para o circuito mostrado na Figura 9.7V para disparar o SCR. ou seja. 9. Bloqueio por capacitor. é necessário pelo menos uma tensão de 0. A corrente de gate necessária para disparar o SCR é designada IGT e pode ser da ordem de mA no caso do TIC 106. a analise de funcionamento leve em conta os seguintes passos: a) com as chaves Ch1 e Ch2 abertas. Se adicionarmos um terceiro eletrodo. c) fechando a chave Ch2.9.2 Aplicações em CC típicas para o SCR Em CC deve ser previsto circuito de reset após o SCR disparar. b) fechando a chave Ch1.Quando o circuito mostrado na Figura 9.5mA enquanto o TIC116 tem IH @ 15mA. poderemos injetar corrente nesse eletrodo disparando a estrutura de quatro camadas.7 é montado em laboratório. que irá depender do SCR utilizado. Como vimos anteriormente. Por exemplo. a chave A é usada para disparar e a chave B para resetar o SCR. a corrente de disparo será especificada pelo fabricante. O SCR só volta a cortar quando a tensão (corrente) cair abaixo de um valor chamado de tensão (corrente) de manutenção. verifica-se que o SCR funciona como uma chave aberta. A tensão de anodo cai para um valor baixo (0.3. Além disso.8 SCR em circuito CC.8. Após disparar. UH (IH) cujo valor depende do tipo de SCR. o SCR passa da condição de alta resistência para baixa resistência. a porta. No circuito da Figura 9. Este estado é alterado após um disparo de corrente no gate. será necessário uma corrente mínima. A porta de um SCR é aproximadamente equivalente a um diodo. um diodo de quatro camadas pode ser representado por dois transistores ligados com realimentação de um para o outro. Figura 9.5V a 1.5V ). 148 .

149 .11 mostra a sua curva característica. Já a Figura 9. voltando a cortar quando a tensão (corrente) cair abaixo de um valor chamado de tensão (corrente) de manutenção.Figura 9. 9. ultrapassar um determinado valor chamado de tensão de breakover (UBO). . (a) (b) Figura 9. com qualquer polaridade.4 Diac O diodo de quatro camadas bilateral (DIAC = Diode AC) é um dispositivo de quatro camadas que pode conduzir nos dois sentidos quando a tensão aplicada. UH (IH ).10.10.9 SCR em circuito CC com bloqueio por capacitor. O símbolo do diac e a sua estrutura interna são mostrados na Figura 9. (a) Símbolo do diac e (b) sua estrutura interna.

O TRIAC também pode ser entendido como um DIAC no qual foi adicionado um terminal de controle permitindo disparar o dispositivo com diferentes valores de tensão. Como o TRIAC dispara com tensão positiva ou negativa não tem mais sentido em falar em anodo (terminal +) e catodo (terminal . desta forma. ao invés disso os dois terminais são chamados de terminal principal 1 (T1) e terminal principal 2 (T2).5 Triac Quando é necessário controlar a potência em uma carga AC. com corrente nos dois sentidos. também mostrado na Figura 9. 150 .12.Figura 9. a única forma de abri-lo é através de um desligamento por baixa corrente. ou usar um TRIAC. (b) símbolo do TRIAC.). pode ser usado o circuito visto com dois SCRs em antiparalelo. Figura 9.12. O TRIAC.11. O DIAC não conduz até que a tensão através dele exceder a tensão de interrupção em qualquer sentido. Isto significa reduzir a corrente abaixo da corrente de manutenção especificada pelo componente. Uma vez que o diac está conduzindo. Curva característica do diac. pode ser entendido como sendo equivalente a dois SCR s ligados em antiparalelo. 9. (a) Hipotético circuito de controle de carga AC usando dois SCRs.12. como mostra a Figura 9.

principalmente no caso de circuitos resistivos. permitindo um grande número de operações. não deixando o TRIAC disparar se a tensão de entrada for muito alta. TRIAC não apresenta trepidação (o que acontece com um relé) ao conduzir.2 Aplicações típicas para o TRIAC A seguir. principalmente se no instante que o TRIAC for gatilhado a tensão da rede estiver passando por um pico e a carga for resistiva. Na Figura 9. Chave assíncrona com TRIAC.4. CHAVE ESTÁTICA ASSINCRONA O uso do TRIAC como chave assíncrona em circuitos CA leva algumas vantagens em relação à chave mecânica. não há aparecimento de arco voltaico (o que acontece com um relé). CHAVE ESTÁTICA SÍNCRONA O TRIAC operando no modo assíncrono tem como principal inconveniente o fato da possibilidade de serem gerados surtos de corrente muito elevados no instante que o TRIAC é chaveado.13 ilustra essa aplicação.13. Figura 9. Outra desvantagem é a possibilidade de aparecimento de grandes picos de corrente ao ligar o circuito a primeira vez. o circuito ZVS comanda o disparo do TRIAC somente quando a tensão de entrada estiver passando próximo de zero. daí os circuitos que efetuam este tipo de controle ser chamados de Zero Voltage Switching (ZVS). controlar grandes potências a partir de potências relativamente pequenas. A grande desvantagem é a dissipação de calor. Permite. sendo necessário o uso de um dissipador.9.14. por exemplo. 151 . No modo síncrono o TRIAC somente será levado à condução quando a tensão da rede estiver passando próximo do zero. A Figura 9. apresentamos algumas aplicações típicas para o TRIAC.

14.15 mostra um circuito simples que controla a potência de uma lâmpada usando o TRIAC. e isso pode ser feito alterando-se o angulo de disparo durante cada semi ciclo. o DIAC dispara quando a tensão no capacitor C2 atingir a tensão de disparo (breakover). 152 . C2 se carrega depois gerando um atraso. é dados logo a seguir.15. O seu funcionamento. A luminosidade de uma lâmpada pode ser controlada através da variação da potência elétrica que lhe é entregue.Figura 9. em linhas gerais. Após um tempo. Controle de Potência Dimmer. O capacitor C1 é carregado (no semiciclo positivo ou semiciclo negativo) através do potenciômetro de controle Rv e a resistência R1. Figura 9. Circuito de controle de potência Dimmer. O capacitor C2 se descarrega através do DIAC e no gate do TRIAC disparando-o para um determinado ângulo de disparo. Chave síncrona com TRIAC. A Figura 9.

16. funcionam como um filtro que reduzem essas interferências a níveis aceitáveis. O indutor Lf e o capacitor Cf. mostrados na Figura 9. Figura 9. 153 .A mudança brusca de corrente de zero para um determinado valor produz rádio freqüência (RF) que causa interferências em aparelhos de rádio colocados na mesma rede.17. A Figura 9.16.17 mostra as formas de onda da tensão na carga para um determinado angulo de disparo. Formas de onda da tensão na carga para um ângulo de disparo. Circuito de controle de potência com filtro de RF (Lf e Cf). Figura 9.

Considere a corrente de manutenção no diodo de 6mA e a queda de tensão de 0. Dado: Fonte de alimentação = 10V.2V.Exercícios Ex1: Dado o circuito determine a corrente no diodo. R = 1. a) Para Vf = 8V b) Para Vf = 20V Ex2: Dado o circuito determine o valor da tensão de alimentação que produz o desligamento do diodo por baixa corrente. Considere a tensão de interrupção do diodo de 12V e a queda tensão de 1.6V no ponto de desligamento.2K . Explique o funcionamento. Tensão de interrupção do diodo de 12V. 154 . R= 2. Ex3: O circuito abaixo é um detector de sobretensão.2 k .

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