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Diodos e Transistores Bipolares: Teoria e Práticas de Laboratório

Fabiola Fernandes Andrade Francisco José Alves de Aquino

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Fabiola Fernandes Andrade Francisco José Alves de Aquino

Diodos e Transistores Bipolares: Teoria e Práticas de Laboratório

IFCE Fortaleza, 2010

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Sumário
CAPÍTULO 1 SEMICONDUTORES .........................................................................................................................7 Introdução .....................................................................................................................................................................7 1.1 Materiais semicondutores ......................................................................................................................................7 1.1.1 O átomo de silício ...........................................................................................................................................8 1.1.2 O átomo de germânio .....................................................................................................................................9 Exercícios ...................................................................................................................................................................10 1.1.3 Semicondutores do tipo P e N ......................................................................................................................11 1.1.4 O diodo ..........................................................................................................................................................12 1.2 Polarização do diodo............................................................................................................................................13 1.2.1 Polarização direta..........................................................................................................................................14 1.2.2 Polarização reversa .......................................................................................................................................14 Exercícios ...................................................................................................................................................................15 1.3 Informações Práticas............................................................................................................................................16 Exercícios ...................................................................................................................................................................18 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................19 CAPÍTULO 2 TEORIA DOS DIODOS ....................................................................................................................21 Introdução ...................................................................................................................................................................21 2.1 Curva característica do diodo ..............................................................................................................................21 2.2 Polarização Direta ................................................................................................................................................22 2.3 Polarização Reversa ........................................................................................................................................22 2.4 Modelos Do Diodo...............................................................................................................................................22 2.4.1 Diodo Ideal ....................................................................................................................................................22 2.4.3 Modelo linearizado .......................................................................................................................................24 Exercícios ...................................................................................................................................................................24 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................25 CAPÍTULO 3 CIRCUITOS COM DIODOS ............................................................................................................29 Introdução ...................................................................................................................................................................29 3.1 Tensão Senoidal ...................................................................................................................................................29 3.2 Transformador ......................................................................................................................................................30 3.3 Circuito Retificador de Meia-Onda ....................................................................................................................31 3.4 Circuito Retificador de Onda Completa .............................................................................................................35 3.5 Retificador Em Ponte...........................................................................................................................................40 3.6 Comparação Entre As Frequências Dos Circuitos Retificadores .....................................................................43 Exercícios ...................................................................................................................................................................44 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................47 Capacitor variável ......................................................................................................................................................49 CAPÍTULO 4 - CIRCUITOS RETIFICADORES COM FILTRO ............................................................................50 Introdução ...................................................................................................................................................................50 4.1 Circuito Retificador de Meia-Onda com Filtro Capacitivo ...............................................................................50 4.2 Circuito Retificador de Onda Completa com Derivação Central e Filtro Capacitivo .....................................53 4.3 Retificador em Ponte com Filtro .........................................................................................................................56 Exercícios ...................................................................................................................................................................59 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................62 CAPÍTULO 5 OUTRAS APLICAÇÕES PARA O DIODO ...................................................................................66 Introdução ...................................................................................................................................................................66 5.1 Rádio elementar ...................................................................................................................................................66 5.2 Diodo nos circuitos de proteção ..........................................................................................................................66 5.3 Circuito Tanque....................................................................................................................................................67 5.3.1 Propriedades do indutor....................................................................................................................................67

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5.4 Circuito ressonante ..............................................................................................................................................68 5.5 Circuito tanque na geração de sinais de rádio ....................................................................................................70 Exercícios ...................................................................................................................................................................71 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................71 CAPÍTULO 6 - CIRCUITOS LIMITADORES (CEIFADORES) E GRAMPEADORES.......................................74 Introdução ...................................................................................................................................................................74 6.1 Circuitos Limitadores ..........................................................................................................................................74 6.2 Circuitos Grampeadores ......................................................................................................................................80 Exercícios ...................................................................................................................................................................84 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................85 CAPÍTULO 7 DIODOS ESPECIAIS ........................................................................................................................88 Introdução ...................................................................................................................................................................88 7.1 Diodo Zener..........................................................................................................................................................88 7.2 Diodo Emissor De Luz (LED) ............................................................................................................................92 7.3 Diodo Túnel..........................................................................................................................................................94 7.4 Diodo Varicap (Varactor ou VVC).....................................................................................................................96 Revisão........................................................................................................................................................................97 Experiência no Laboratório .....................................................................................................................................100 CAPÍTULO 8- TRANSISTOR BIPOLAR ................................................................................................................105 Introdução .................................................................................................................................................................105 8.1 Constituição de um transistor bipolar ...............................................................................................................105 8.2 Polarização do Transistor ..................................................................................................................................106 8.3 Configurações Básicas do Transistor ...............................................................................................................109 8.3.1 Configuração Emissor comum...................................................................................................................109 8.3.2 Configuração Base comum ........................................................................................................................112 8.4 Transistor como Chave ......................................................................................................................................125 8.5 Transistor como Fonte de Corrente ..................................................................................................................126 Exercícios .................................................................................................................................................................131 Experiência no Laboratório .....................................................................................................................................138 Alarme para porta com transistor ............................................................................................................................140 Alarme de passagem ................................................................................................................................................141 CAPÍTULO 9 - OUTROS COMPONENTES ELETRÔNICOS ..............................................................................143 Introdução .................................................................................................................................................................143 9.1 Transistor de Unijunção (TUJ) .........................................................................................................................143 9.1.1 Funcionamento............................................................................................................................................143 9.1.2 Aplicação típica: oscilador de relaxação ...................................................................................................144 9.2 DIODO DE QUATRO CAMADAS ................................................................................................................145 9.2.1 Funcionamento............................................................................................................................................145 9.3 Diodo controlado de silício (SCR)....................................................................................................................147 9.3.1 Estrutura e funcionamento do SCR ...........................................................................................................147 9.3.2 Aplicações em CC típicas para o SCR ......................................................................................................148 9.4 Diac .....................................................................................................................................................................149 9.5 Triac ....................................................................................................................................................................150 9.4.2 Aplicações típicas para o TRIAC ..............................................................................................................151 Exercícios .................................................................................................................................................................154 BIBLIOGRAFIA CONSULTADA ............................................................................................................................155

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CAPÍTULO 1 SEMICONDUTORES
Introdução
Antes de iniciar o estudo sobre materiais semicondutores, vamos compreender a sua importância e exemplos de aplicações dos componentes que será abordado neste livro. O homem contemporâneo utiliza no seu dia a dia muitos equipamentos eletrônicos, tais como celular, computador, televisão e vários outros dispositivos. Todos estes equipamentos, no qual o homem faz uso é constituída a base de materiais semicondutores. Como ocorreu a descoberta destes materiais? Na década de 1940, um grupo de pesquisadores que trabalham no laboratório Bell Telephone, nos Estados Unidos, estudava um dispositivo eletrônico para substituir os relés que eram utilizados no sistema telefônico. O grupo era formado pelo físico William Schockey, o engenheiro eletricista Jonh Bardeen e o físico Walter Brattain. Este grupo observou que alguns materiais não se comportavam nem como condutores nem como isolantes, ou seja, ora conduzia corrente elétrica ora a bloqueava. Após a descoberta dos materiais semicondutores, foi possível a implementação de diodos, transistores, CIs, etc. Os países que investiram em materiais semicondutores tiveram um grande avanço em sua economia, uma vez que, constitui em um dos setores mais ativo da indústria. Com exemplo, podemos citar Taiwan, no qual, antes da década de 1970 era uma economia agrícola, produzia arroz, cana-de açúcar e abacaxi. A partir da década de 1970 investiu em tecnologia, especialmente em semicondutores. A sua estratégica para o desenvolvimento de uma política industrial e tecnológica foi baseada na experiência de parques tecnológicos (vale do silício). Na década de 2000, a China inspirou-se no modelo de Taiwam e também investiu em semicondutores com o objetivo de tornar a China o líder mundial em semicondutores em 2010. Compreender a estrutura química dos materiais semicondutores é de total importância para que possamos entender o funcionamento dos principais componentes da eletrônica como o diodo e o transistor que será abordado com detalhes neste livro. Manter a liderança dos EUA em micoreletrônica é criticamente importante para a economia e a segurança nacional dos EUA
China´s Emerging Semiconductor Industry, Documento da Semiconductor Industry Association, outubro de 2003.

1.1 Materiais semicondutores
Para o perfeito entendimento sobre os materiais semicondutores, iniciamos fazendo uma revisão sobre a estrutura atômica. Um átomo é formado por elétrons que giram ao redor de um núcleo composto por prótons e nêutrons.

7

Os elétrons giram em órbitas ou níveis bem-definidos, conhecidos com K, L, M, N, O, P e Q, que representa o modelo atômico de Bohr, como mostra a Figura 1.1.
Q

M L K
núcleo

N

O

P

Quanto maior a energia do elétron, maior é o seu raio.

órbitas

Figura 1.1 - Estrutura do átomo

A última órbita de um átomo define a sua valência, ou seja, a quantidade de elétrons desta órbita que pode se libertar do átomo através do bombardeio de energia externa (calor, luz ou outro tipo de radiação) ou se ligar a outro átomo através de ligações covalentes (compartilhamento dos elétrons da camada de valência com os elétrons da camada de valência de outro átomo). Os materiais semicondutores apresentam 4 elétrons na sua camada de valência (tetravalentes). Não sendo classificados como bons isolantes, nem como bons condutores. Os semicondutores mais utilizados são o silício e o germânio. 1.1.1 O átomo de silício O átomo de silício contém 14 prótons e 14 elétrons distribuídos como indicado na Figura 1.2.
1º órbita 2 elétrons 2º órbita 8 elétrons 3º órbita 4 elétrons

+14

Figura 1.2

átomo de silício

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Quando se tem vários átomos de silício.4 . para conseguir a configuração de gás nobre necessitam de mais 4 elétrons para a sua estabilidade. possuir quatro elétrons na última camada. cada átomo compartilha 4 elétrons com seus átomos vizinhos através da ligação covalente formando uma estrutura molecular forte.1. Figura 1.3. Forma-se então uma estrutura cristalina.1.2 O átomo de germânio O átomo de germânio contém 32 prótons e 32 elétrons assim distribuídos: +32 1º órbita 2º órbita 3º órbita 4 ºórbita 2 elétrons 8 elétrons 18 elétrons 4 elétrons Figura1.Ligação dos átomos de silício 9 .átomo de gemânio Devido os átomos de silício e de germânio serem tetravalentes. ou seja.

que ocasionalmente ocupa uma lacuna (sendo atraído pela lacuna). A recombinação é o fenômeno que ocorre quando elétrons livres ocupam a lacuna. ele é chamado de semicondutor INTRÍNSECO. sob a ação de um campo elétrico. formado apenas por um tipo de átomo. alguns elétrons da camada de valência se tornam elétrons livres. ou seja. ou seja. Exercícios 1. coeficiente positivo de temperatura. Em um semicondutor com o aumento da temperatura temos uma diminuição de sua resistividade. 10 . por isso. já que o número de elétrons livres é bastante elevado e qualquer aumento da temperatura não causará a libertação de muitos elétrons a mais. b) O átomo de sílicio contém ______________elétrons. o desaparecimento da carga negativa é acompanhado pelo desaparecimento da carga positiva. deste modo é mantida. O tempo entre a geração e a recombinação é chamado de TEMPO DE VIDA.Uma estrutura cristalina é caracterizada quando os átomos ficam bem organizados. ou seja. uma vez que com o aumento da temperatura a corrente terá maior dificuldade de passar. portanto. e quando se tem um cristal puro. portanto. c) O átomo de germânio contém_____________elétrons. O elétron ao se tornar livre deixa no lugar um buraco (lacuna). mas contribuirá de modo acentuado para um aumento da agitação térmica dos átomos. Em um semicondutor intrínseco. (O número de cargas positivas é igual ao número de cargas negativas). dizemos que estes materiais possuem coeficiente negativo de temperatura. Quando o cristal de silício é colocado em uma temperatura superior ao zero absoluto (273 ºC). Nos metais com o aumento da temperatura a resistência aumenta. São estes elétrons livres que. Complete a) Os semicondutores mais utilizados e mais comuns são o ______________ e o _____________. Com________elétrons na camada de valência. formam a corrente elétrica. passam para a camada de condução (banda de condução). qualquer aumento de temperatura corresponde a uma diminuição de sua resistência. Em um cristal formado por germânio na temperatura ambiente a quantidade de elétrons livres e lacunas são maiores do que no cristal de silício. Os metais têm. como existem elétrons livres e lacunas formadas pela energia térmica. sendo capazes de se movimentar pelo material. em uma forma bem definida. Quando isto ocorre temos o que é chamado de RECOMBINAÇÃO. ou seja. A neutralidade do cristal. ocorre a formação de elétrons livres e lacunas. neste caso. Se a forma fosse desorganizada seria chamada estrutura amorfa. Com _______elétrons na camada de valência. porém a quantidade de elétrons livres é igual ao número de lacunas. a neutralidade deste cristal se mantém. Vale ressaltar que a formação de elétrons livres é chamada de GERAÇÃO. os elétrons livres se movem randomicamente através do cristal. Na temperatura ambiente um cristal puro. diferente do comportamento elétrico dos metais comuns. Sendo.

pois o silício possui 4 elétrons e só necessita de mais 4 elétrons para conseguir a configuração de gás nobre. a configuração de gás nobre não é obtida. Elétron livre Si Si Sb Si Si Figura 1.d) Os átomos de silício e de germânio por serem _____________.5 Estrutura de silício dopada com antimônio (Sb). como se observa na Figura 1. O silício e o germânio são tetravalentes. i) O tempo entre a geração e recombinação é chamado ______________________. h) A ocupação de um elétron livre na lacuna é chamada __________________________. são adicionadas ao cristal puro. 1. e) Cada átomo compartilha ______elétrons com seus átomos vizinhos através da ligação ___________________. g) A formação de elétrons livres é chamada ________________________.1.3 Semicondutores do tipo P e N Em um semicondutor podem-se acrescentar impurezas para se obter excesso de elétrons livres ou excesso de lacunas. sobra um elétron. necessitam de mais________ elétrons para conseguir a configuração de gás nobre. Quanto substâncias pentavalentes (possuem 5 elétrons na camada de valência). pois apenas 4 elétrons se ligam aos átomo de silício. A cada átomo pentavalente que é adicionado. 11 . isto é possuem 4 elétrons na camada de valência. alguns elétrons da camada de valência se tornam ____________________________. f) Na temperatura ambiente.5.

7. Temos a formação de um material tipo P. Como a quantidade de elétrons livres é maior do que a quantidade de lacunas. os elétrons livres são chamados portadores majoritários e as lacunas portadores minoritários. sobra uma lacuna. N Figura 1. no entanto.4 O diodo Ao unir um semicondutor tipo P com um semicondutor tipo N.6 Material tipo N.7 (a) Estrutura de silício dopada com boro (B).6. onde as lacunas são os portadores majoritários e os elétrons livres portadores minoritários. ou seja. (b) material tipo P correspondente. pois em toda a sua estrutura.8. Si Lacuna Si B Si P Si Figura 1. como mostra a Figura 1. como indica a Figura 1. 12 . temos a formação do componente eletrônico chamado diodo.1. irá faltar um elétron. para que ocorra a estabilidade. como mostra a Figura 1. acrescentarmos impurezas trivalentes. Componente este que será de grande importância para a construção de fontes de alimentação e muitas outras aplicações posteriormente discutidas. 1.Nesse semicondutor temos o chamado material tipo N. a quantidade de elétrons livres é superior à quantidade de lacunas. Se.

Diferentemente do que ocorre com um resistor.3V para os diodos de germânio. Na junção cria-se um campo elétrico impedindo que outros elétrons passem do material tipo N para o material tipo P. ocorre a barreira de potencial. o diodo precisa ser polarizado. ficará ionizado positivamente. e como no átomo o número de lacunas ficará maior que o número de elétrons.9 Símbolo do diodo de junção PN. Observe que no material tipo N. ou seja. os átomo que perde o elétron fica ionizado positivamente (cátions) e os que recebem ficam ionizado negativamente (ânions). a camada de depleção é definida como a junção PN onde se encontra os cátions e ânions. Então alguns elétrons passa do material tipo N para o material tipo P. Na junção PN os elétrons livres do material tipo N é atraído pelas lacunas do material tipo P. 1.7V para os diodos de silício e 0. diferença de potencial na junção.2 Polarização do diodo Para o seu funcionamento. anodo Anodo.8 Diodo formado pela junção dos materiais tipo N e tipo P.material tipo P Catodo material tipo N catodo Figura 1. embora tenham elétrons livres em excesso quem perde elétrons são os átomos. temos o que é chamado de camada de depleção. 13 . Na junção PN. Devido à camada de depleção.+ + + _ _ _ Junção PN Figura 1. A barreira de potencial na temperatura de 25ºC é de aproximadamente 0. na operação do diodo é essencial saber a polaridade da fonte de tensão.9. Simbologia do diodo é mostrada na Figura 1.

O potencial negativo repele os elétrons do material tipo N.10 Diodo polarizado diretamente. A corrente de saturação existe devido à energia térmica uma vez que são gerados pares de elétrons livres e lacunas.10. No entanto.11. passa pelo material tipo P e é atraído pelo potencial positivo da fonte. irá circular uma corrente elétrica pelo dispositivo. Ao polarizar diretamente um diodo ideal ele se comporta como uma chave fechada. como mostra a Figura 1. onde se a tensão da fonte de alimentação for maior do que a barreira de potencial os elétrons atravessam a junção PN.2. na prática. Por isso. atravessar a junção ocasionando uma pequena corrente. como mostra a Figura 1. esta quebra forma na superfície lacunas se comportando como um material tipo P. isto é. 1.1 Polarização direta Na polarização direta. Os portadores minoritários podem dentro da camada depleção.1. A corrente de fuga de superfície é ocorre na camada mais externa do diodo.2 Polarização reversa Na polarização reversa o potencial positivo da fonte é ligado ao catodo (material tipo N) e o potencial negativo da fonte é ligado ao anodo (material tipo P). N + + + _ _ _ P Figura 1. Na polarização reversa um diodo ideal se comporta como uma chave aberta.2. os elétrons podem entrar no material N atravessar toda a superfície do diodo passado pelo material tipo P indo para a polaridade positiva da fonte. temos duas pequenas correntes que circulam no diodo. 14 . o potencial positivo da fonte é ligado ao anodo (material tipo P) e o potencial negativo da fonte ligado ao catodo (material tipo N). Os átomos na superfície não possuem vizinhos para fazer a ligação covalente. A corrente de saturação e a corrente de fuga de superfície.

Dado os circuitos. a) b) 15 .11 Diodo polarizado inversamente.N + + + _ _ _ P Figura 1. indique qual das lâmpadas irá acender. Exercícios 1.

O 1N4148 é um dos tipos mais populares deste grupo de silício de uso geral.12 mostra a página de um datasheet do fabricante Fairchild para esta série de diodos. A Figura 1.1. mas pode operar em velocidades muito altas. Todos os diodos da série podem conduzir uma corrente direta de até 1 A. assim ele é utilizado principalmente na detecção de sinais de altas frequências (rádio).3 Informações Práticas Diodo de germânio Este tipo de diodo é utilizado com correntes muito fracas. Tabela 1. circuitos de proteção de transistores. São utilizados em circuitos lógicos. Estes diodos são especificados segundo uma codificação: para os diodos de origem americana temos a sigla 1N . A Tabela 1 indica essa variação. Tipo PIV 1N4001 50V 1N4002 100V 1N4003 200V 1N4004 400V 1N4005 600V 1N4006 800V 1N4007 1000V 16 . enquanto que para os diodos de origem européia temos a sigla AO ou ainda BA . OA79 etc. Diodo de silício de uso geral São diodos de silício fabricados para o trabalho com correntes de pequena intensidade. 1N60. Tipos conhecidos desta família são o 1N34. polarização etc. mas a tensão reversa vai aumentando à medida que o número do componente também aumenta. quando polarizando reversamente. Diodos Retificadores. Diodos retificadores de silício Estes são destinados à condução de correntes intensas e também operam com tensões relativamente elevadas que podem chegar a 1000V ou 1200V. Uma série muito importante destes diodos é a formada pelo 1N4000 e que começa com o 1N4001. da ordem de no máximo 200mA e tensões inversas que não vão além dos 100 V.

17 .12.Figura 1. Características elétricas dos diodos da série 1N4000.

D II. (ELETRONORTE 2006) Considerando que os diodos D1. III e IV. II e IV. h) Se o diodo dor de germânio a barreira de potencial é de___________V. IV Um transistor bipolar de junção basicamente caracteriza-se por possuir três junções pn. é possível afirmar que: 18 .Exercícios 1. D2 e D3 do circuito abaixo são ideais. A respeito de materiais semicondutores e de dispositivos eletrônicos. julgue os itens subseqüentes. I Ao longo da história da eletrônica. utilizam materiais semicondutores em sua estrutura. IV e V. Os diodos e os transistores. temos a formação de um semicondutor do tipo __________. II Cristal semicondutor do tipo n tem as lacunas como principais portadores móveis de carga. c) No material do tipo P as lacunas são portadores________________________. f) Na camada de depleção origina a barreira de _________________________. Estão certos apenas os itens A I. 2. na prática temos duas correntes a corrente de ____________________________ e a corrente _________________________. g) Se o diodo for de silício a barreira de potencial é de_______________V. E III. II e V. e) Na junção PN temos a camada de ___________________. j) Na polarização direta o diodo ideal se comporta como uma_____________________. V O diodo semicondutor apresenta uma junção pn. C I. III Cristal semicondutor extrínseco é aquele dopado com elementos denominados impurezas.Complete a) Quando átomos pentavalentes são adicionados ao cristal puro.(CHESF 2002) Dispositivos elétricos e eletrônicos são construídos com os mais variados tipos de materiais elétricos e magnéticos. sejam os bipolares de junção ou os de efeito de campo. 2. o germânio e o silício podem ser citados como importantes materiais semicondutores. l) Na polarização reversa. b) Quando átomos trivalentes são adicionados ao cristal puro. d) No material do tipo N as lacunas são portadores_______________________. k) Na polarização reversa o diodo ideal se comporta como ________________________. III e V. temos a formação de um semicondutor do tipo ___________. B I.

c. D1. significa que você está polarizando diodo reversamente. .a. Observe que: Se o valor que aparecer no display for de 600mV. D2 e D3 estão cortados. Material necessário: . ¼ w . logo. devem-se identificar os terminais anodo e catodo em um diodo com o auxílio de um multímetro digital.12 19 . D1. d. D2 e D3 estão conduzindo. onde está à ponta de prova vermelha refere-se ao anodo e a ponta de prova preta ao catodo. e. b. Procedimento 1: Identificação dos terminais anodo e catodo 1.1 led. Monte o circuito da figura 1. Experiência no Laboratório Experiência 1 Compreendendo a polarização em um diodo Neste circuito. Posteriormente.1 resistor de 470W.1 multímetro digital.1 diodo 1N4001 (ou equivalente). Se o valor que aparece no display se refere o infinito. deve-se montar um circuito simples para compreender a polarização em um diodo. D1 está cortado e D2 e D3 estão conduzindo. 3. D1 e D2 estão conduzindo e D3 está cortado. . significa que você está polarizando diodo diretamente.1 Fonte de alimentação de 6V. Coloque a chave seletora do multímetro na indicação do diodo. Segure uma ponta de prova do multímetro em perna do diodo. Procedimento 2: Compreendendo a polarização direta e reversa em um diodo 1. 2. . logo. onde está à ponta de prova vermelha refere-se ao catodo e a ponta de prova preta ao anodo. D1 está conduzindo e D2 e D3 estão cortados.

Figura 1.12 Polarização reversa 2.13. Figura 1. Inverta o diodo. veja a figura 1.13 Polarização direta 20 .

7V) para diodo de silício Figura 2. Figura 2. No entanto. no qual.CAPÍTULO 2 TEORIA DOS DIODOS Introdução A tensão que chega a nossas residências é uma tensão alternada de 220V (região nordeste do Brasil). O que fazer? A tensão para alimentar a grande maioria dos equipamentos deve passar por uma fonte de alimentação. como mostra a Figura 2.1 Curva característica do diodo A curva característica do diodo é um gráfico(figura 2. iremos estudar servirá para a montagem de uma fonte de alimentação.1 Fonte de alimentação DC Uma das principais aplicações do diodo. no qual. relaciona a tensão que é aplicada com a corrente que circula pelo diodo.1.2). a maioria dos equipamentos eletrônicos necessita de uma tensão contínua para funcionar.2 Curva característica do diodo 21 . Polarização reversa ruptura I Polarização direta V Joelho (0. 2. Esta fonte transforma o sinal que é alternado em uma tensão contínua.

será aplicada uma fonte de tensão contínua no diodo. a barreira de potencial e a resistência de corpo não são considerados.2 Polarização Direta Na polarização direta. a corrente circula livremente. será aplicada uma fonte de tensão contínua no diodo.4 Modelos Do Diodo 2. como já foi visto no capítulo1.1 Diodo Ideal Um diodo ideal.4 Polarização reversa Na polarização reversa. Figura 2.4.3 Polarização direta Observe no gráfico(figura 2.3. existindo apenas duas pequenas correntes. a polarização direta. Se continuarmos aumentando a tensão da fonte.2. como mostra a figura 2. irá chegar um instante em que o diodo não suporta e termina queimando (ruptura) então a corrente passa a circular livremente. 2.3 Polarização Reversa Na polarização reversa. na polarização direta.7V para o diodo de silício). no qual. 2. a corrente de fuga de superfície e a corrente de saturação são desprezados. a corrente de saturação e a corrente de fuga da superfície. o pólo positivo da fonte será ligado ao anodo do diodo e o pólo negativo da fonte ao catodo.4. do lado direito. Na polarização reversa. Figura 2. 22 . o diodo funciona basicamente como uma chave aberta. Esta tensão máxima em que o diodo suporta é denominada tensão de pico inversa (PIV).2). o pólo positivo da fonte será ligado ao catodo do diodo e o pólo negativo da fonte ao anodo como mostra a figura 2. Quando a tensão for maior do que a barreira de potencial (@0. no qual.

4.6b. o circuito equivalente para a polarização direta. na figura 2.5(a).6(a) Polarização reversa.3V.7V e para o germânio a barreira de potencial é de 0.5b e 2. Para o silício a barreira de potencial é de 0. temos o circuito em que o diodo está polarizado diretamente. temos o circuito em que o diodo está polarizado diretamente e a figura 2.7(b).5(b). (b)Circuito equivalente do diodo na polarização reversa 2.2 Modelo Simplificado Considera-se a barreira de potencial. no qual foi considerado a barreira de potencial de 0.Na polarização direta um diodo ideal se comporta como uma chave fechada e na polarização reversa como uma chave aberta. (b)Circuito equivalente do diodo na polarização direta POLARIZAÇÃO REVERSA Figura 2. POLARIZAÇÃO DIRETA Na figura 2. como mostra a figura 2.5(a) Polarização direta. POLARIZAÇÃO DIRETA Na figura 2. Figura 2. o circuito equivalente com o diodo polarizado diretamente.7V para o diodo de silício.7(a). 23 .

4. 5V 3. Considere o segundo modelo para o diodo. o circuito equivalente para a polarização reversa. calcule a corrente que passa no amperímetro (Figura 2.9 24 . Como a resistência de corpo são valores muito baixos. Não iremos usar este modelo neste livro.7(a) Polarização direta (b) Circuito polarização direta para o segundo modelo do diodo POLARIZAÇÃO REVERSA Na figura 2. Exercícios 1. temos o circuito em que o diodo está polarizado reversamente e a figura 2. 3.4. 5.1 a 10W dependendo da dopagem.8(a).8(a) Polarização reversa (b) Circuito polarização reversa para o segundo modelo do diodo 2.0.8(b).9KW Figura 2.3 Modelo linearizado Considera-se a barreira de potencial e a resistência de corpo.9). Figura 2.6KW 2.7V Figura 2. podendo variar de 0.

Considere o diodo ideal. Material necessário: .11 Experiência no Laboratório Experiência 1.1 Fonte de alimentação cc variável de 0 a 10V. .A curva do Diodo Nesta experiência.10). 0. .1 diodo 1N4001 (ou equivalente). Figura 2. 25 .1 resistor de 10K . consequentemente desenhar a curva característica do diodo. calcule a tensão no resistor de 1kW (Figura 2. . Considerando o segundo modelo para o diodo.10 3. vamos montar o circuito básico com o diodo e polarizar diretamente e reversamente para que possamos medir a tensão e a corrente e. calcule a tensão que o voltímetro deve indicar (Figura 2. Figura 2.1 multímetro (analógico ou digital).2.11).25W.

Monte o circuito abaixo (Figura 2.12): Figura 2.Procedimento: 1.12 2.Preencha a tabela abaixo: VF 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 A V 26 .

O circuito é apresentado na Figura 2.Preencha a tabela abaixo: VF 1 2 3 4 5 A V DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Sequência de Leds Neste circuito.2KW. você irá observar através de leds a influência da barreira de potencial em cada diodo.Monte o circuito abaixo: Figura 2.13 4.14. . 27 . 1/4W. . .4 leds.4 diodo 1N4001. Matérial necessário: -1 bateria de 12 V. .1 capacitor de 2200mF. 16V.1 resistor de 1.

a medida que o capacitor irá de descarregar os led irão apagar na sequência 4. Ao colocar a chave na posição 2 os quatros leds devem acender. 28 .14 Neste circuito.2 e 1.3. quando a chave estiver na posição 1 o capacitor deve carregar instantaneamente.Figura 2.

Vp T(s) T/2 -Vp T Figura 3.2 Domínio Angular Onde: Vp tensão de pico (amplitude máxima positiva ou negativa.1 e 3. Vpp Tensão de pico a pico (amplitude total.2.CAPÍTULO 3 CIRCUITOS COM DIODOS Introdução Neste capítulo. 29 . vamos estudar os circuitos retificadores que servirão para a montagem de uma fonte de alimentação. que a tensão senoidal pode atingir). 3. respectivamente.1 Tensão Senoidal Uma tensão senoidal pode ser representada graficamente de duas formas: nos domínios temporal e angular como mostram as Figuras 3.1 Domínio temporal Vp Wt = q(rd) p -Vp 2p Figura 3. entre os valores máximos positivo e negativo).

ou seja: 30 .Matematicamente.3 transformador Na figura 3. Ele consiste em duas bobinas isoladas eletricamente. aumentando ou diminuindo-a. por: V(T) = Vpsen wt Onde: V(t) = V(q) = valor da tensão no instante t ou para o ângulo q (em V) e V(q) = Vp senqt 3. Quando uma corrente alternada ou pulsante passa no enrolamento primário o fluxo magnético variável que ele cria envolve as espiras do enrolamento secundário. causando o aparecimento de uma f.m induzida nos terminais do secundário. do circuito do lado do secundário. os gráficos da tensão senoidal nos domínios temporal e angular podem ser representados. Pode-se também utilizar para isolar o circuito do lado do primário. Você sabe o que é flybacks? Os flybacks são transformadores de alta tensão presentes nos televisores comuns de todos os tipos e também nos monitores de vídeo de computadores. e segunda bobina. a amplitude não será alterada. Vp Vs Figura 3. neste caso. a potência entregue ao primário(Pp) é igual à potência que o secundário (Ps) entrega à carga. Funcionamento.e. respectivamente.3. Em um transformador ideal (que não possui perdas).2 Transformador O transformador é um dispositivo que permite modificar a amplitude de uma tensão alternada. Ele funciona a partir do fenômeno da indução mútua. montadas em um mesmo núcleo de ferro (usado para concentrar as linhas de campo). no qual foi criado a tensão induzida (Vs) denomina-se secundário. observamos que a bobina no qual recebe a tensão a ser transformada (Vp) denomina-se primário.

O valor eficaz Vef ou Vrms de uma tensão alternada é a tensão que equivale a uma tensão contínua. de tal forma que. o diodo conduz (polarização direta) e a tensão no resistor é a mesma do secundário do transformador.5(b).3 Circuito Retificador de Meia-Onda O circuito retificador de meia-onda é constituído por um transformador. como mostra a Figura 3. ao aplicar uma tensão contínua a uma resistência faria com que ela dissipasse a mesma potência média caso fosse aplicado essa tensão alternada.Ip Logo: Vp.Ip = Vs.Is Vp/Vs = Np/Ns e Is/Ip = Np/Ns Valor eficaz Para sinais senoidais. um diodo e a carga. existe um conceito muito importante denominado valor eficaz ou rms.Ps = Pp Pp = Vp. Figura 3.5(a) e3. Vp = 2 Veficaz 3.4 Circuito retificador de mei-onda Funcionamento No semiciclo positivo. 31 .4. Observe as Figuras 3.

A finalidade deste circuito é transformar a tensão que era alternada(primário do transformador) em contínua( sinal na carga).5 (a)Circuito retificador de meia-onda. já que a tensão é pulsante.? O multímetro indicará o valor médio.6 (a)Circuito retificador de meia-onda. No semiciclo negativo o diodo estará reversamente polarizado. Qual valor o multímetro indicará ao ler a tensão no resistor. calculado da seguinte forma: Vmed = 1 T ò f (t )dt T 0 32 . Observe que a onda na qual era alternada no secundário do transformar ao passar pelo diodo fica contínua.Figura 3. Figura 3. logo a corrente não passará no resistor e a tensão na carga será zero. como mostra as Figura 3.6(a) e 3. mais precisamente contínua pulsante. (b) Forma de onda no resistor. (b) Forma de onda no resistor no semiciclo positivo. portanto funcionando como uma chave aberta.6(b).

a tensão no secundário do transformador é 12V.97 p Vdc = 5. 12 = 16. Calcule a tensão no resistor. Solução: Vst refere-se a tensão no secundário do transformador Vp = 2 2 Vst Vp = Vdc = Vp p .97V Vdc = 16.cos J I 0 2p ë û ] Vp [-[ cos J . logo w = 1 Vdc = Vdc = Vp J .cos 0°] 2p Vdc = Vp p Exemplo: 1) Em um circuito retificador de meia-onda.onde Logo: Vdc = f(t) = Vp senq no intervalo de 0 a p e o período é de 2p 1 2p ò 2p 0 Vpsenwtdt Wt = q dwt dq = dt dt logo: dt = dq w Vdc = 1 p VpsenJdJ 2pw ò0 w= 2p .4V 33 . T e T = 2p.

É a corrente média. No semiciclo negativo o diodo não conduz. Tem corrente passando no diodo e tem corrente no resistor. funcionará como uma chave aberta. Logo temos duas especificações: PIV Tensão de pico inversa Io Quantidade de corrente que o diodo deve suportar PIV O diodo quando reversamente polarizado (semiciclo negativo). com mostra a Figura 3. quando o diodo está diretamente polarizado. Figura 3. PIV = Vpst (Tensão de pico do secundário do transformador) Determinação do Io Io . logo a corrente que passa por ele é igual a corrente que passa no resistor. Não tem corrente passando no diodo e também não tem corrente no resistor.7 Circuito equivalente no diodo para o semiciclo negativo Toda a tensão do secundário do transformador deve estar no diodo. 34 . No semiciclo positivo o diodo conduz.ESPECIFICAÇÕES DO DIODO Qual diodo poderá ser colocado neste circuito? O diodo deverá suportar a tensão máxima que ficará nele quando reversamente polarizado e a corrente média quando diretamente polarizado.7.

72V Vdc = 12.72 p Vdc = 4.05V PIV = 12.4 Circuito Retificador de Onda Completa No circuito retificador de onda completa com derivação central(Figura3.Logo: Io = Idc A quantidade de corrente que passa no diodo é igual a quantidade de corrente que passa no resistor.8). 9 = 12. Logo: Idc = Vdc/R Exemplo: 1)Em um circuito retificador de meia-onda a tensão no secundário do transformador é 9V.9KW Solução: Vp = 2 2 Vst Vp = Vdc = Vp p .05 = 1.8 Circuito retificador de onda-completa com derivação central 35 .72V Io = Idc = Vdc R Io = 4. Calcule as especificações do diodo.9K 3. Rl Figura 3. dois diodos e a carga.03mA 3. Dado: R= 3. deve-se utilizar um transformador com derivação central.

Nestes transformadores.11(a) e 3. 36 .11(b). No semiciclo negativo D1 abre e D2 conduz.8(a) e 3. utiliza-se de um transformador com derivação central. + Vst + Vdc T T Figura 3. conhecido também como tomada central ou.9 Transformador com derivação central Funcionamento do circuito No semiciclo positivo D1 conduz e D2 abre.Na montagem do circuito. em inglês central tap ( Figura 3.10 (a) Circuito retificador de onda completa com derivação central. como mostram as Figura 3. (b) Forma de onda no resistor no semiciclo positivo.9). o enrolamento secundário apresenta uma derivação no centro. A tensão no resistor será a metade da tensão total do transformador. Ex: 9V 18V 9V Figura 3. como mostra as Figuras 3. Esta derivação fará com que a tensão fique dividida igualmente da metade para uma das estremidades.8(b).

11(a) Circuito retificador de onda completa com derivação central. (b) Forma de onda no resistor no semiciclo negativo Observe que a polaridade no resistor permanece a mesma e a freqüência em relação a tensão no secundário do transformador é o dobro pois o período é a metade.- Vst + + Vdc T T Figura 3.VpsenJ ù ú p ë û 2p ê ò0 Vdc = Vp [2 + 2] 2p logo: Vdc = 2 Vp p 37 . logo W = 2 pf = 1 Vdc = 2p 1 é p VpsenJ + ò . A tensão Vdc será: Vdc = onde: 1 T ò f (t )dt T 0 f(t) = Vp senq para o intervalo de 0 a p e Vp senq para o intervalo de p a 2 p Devemos integrar o sinal até 2p.

- + Figura 3.(11.OBS: Como apenas a metade da tensão no secundário irá para o resistor temos que: Vp = 2 .12 Circuito equivalente do circuito retificador de onda completa com derivação central no semiciclo positivo 38 . Solução: Vp = 2 .31)/p = 7.6KW. Vst 2 = 2 2 .31V Vdc = 2. 1) Em um circuito retificador de onda completa com derivação central a tensão no secundário do transformador é 16V. 16 Vp = 11. Calcule a tensão no resistor de 5.2V ESPECIFICAÇÕES DO DIODO PIV Quando D1 está aberto D2 está conduzindo e a tensão que fica em D1 é a tensão total do secundário do transformador. Vst 2 Exemplo.

Vst 2 = 2 2 . a tensão no secundário do transformador é 12V . 12 Vp = 8. Calcule as especificações do diodo para um resistor de 2.PIV = Vpst Io No semiciclo positivo D1 conduz e tem corrente no resistor.(8.7K = 2mA Io = Idc 2 Io = 2m/2 = 1mA 39 . Io = Idc 2 Exemplo: 1) Em um circuito retificador de onda completa com derivação central .97V Idc = 5. Solução: Vp = 2 .48)/p = 5.48V Vdc = 2. no semiciclo negativo D1 estará aberto mais D2 conduz e existirá corrente no resistor logo: A quantidade de corrente que passa no diodo é a metade da quantidade de corrente que passa do resistor.7 KW.4V PIV = 2 .4/2. 12 = 16.

15(a) e 3. 40 . toda a tensão do secundário do transformador chegue na carga.14(b). Figura 3. será utilizado quatro diodos para aproveitar os dois semiciclos(positivo e negativo) do sinal alterado. como mostram as Figura 3. D1 D2 D3 D4 Rl Figura 3.13). como mostram as Figuras 3.14(a) e 3. D2 e D3 funcionarão como uma chave aberta.5 Retificador Em Ponte No circuito retificador em ponte (Figura 3. (b) Forma de onda no semiciclo positivo Durante o semiciclo negativo D1 e D4 conduzem.3.13 Circuito retificador em ponte Durante o semiciclo positivo D2 e D3 conduzem e D1 e D4 funcionarão como uma chave aberta.15(b). Outrosim.14 (a)Circuito retificador em ponte.

97V Vdc = 2.15 (a) Circuito retificador em ponte.8V 41 . Calcule a tensão na carga. (b) Forma de onda no semiciclo negativo Como a forma de onda é igual a do circuito retificador de onda completa com derivação central. o cálculo da tensão Vdc é igual.97/p = 10. Exemplo: 1) Em um circuito retificador em ponte a tensão no secundário do transformador é de 12V. 12 = 16. Solução: Vdc = 2VP/p Vp = 2 .Figura 3.16. Vdc = 2Vp p A vantagem do circuito retificador em ponte em relação ao circuito retificador de onda completa com derivação central é que não necessita de um transformador com derivação central e a tensão total do transformador é aproveitada.

a tensão no secundário do transformador é 9V. Solução: Vdc = 2VP/p Vp = 2 . Calcule as especificações do diodo sabendo que o resistor é de 2.72V Io = Idc/2 Io = 3m/2 = 1. que a tensão em D1 é igual a tensão total do secundário do transformador. logo: Io = Idc 2 Exemplo 1)Em um circuito retificador em ponte.ESPECIFICAÇÕES DO DIODO São duas as especificações do diodo: Tensão máxima de pico que fica no diodo quando o mesmo está inversamente polarizado.7KW.1/2.72/p = 8. observe na Figura 3. denominado PIV(Tensão de pico inversa) e o valor médio a corrente no diodo quando o mesmo está diretamente polarizado. 9 = 12.12.5mA Idc = Vdc/R = 8. PIV.1V PIV = 12.72V Vdc = 2.7K = 3mA 42 .12.No semiciclo positivo D1 está funcionando como uma chave aberta e D3 está conduzindo. denominado Io. PIV = Vpst Io Durante o semiciclo positivo a corrente não passa sobre D1. No semiciclo negativo tem corrente no diodo e também tem corrente no resistor. mas tem corrente no resistor.

16. Na comparação entre o período do sinal no secundário do transformador e o período do sinal na carga em um circuito retificador de onda completa. o período permanece o mesmo. Na comparação entre o período do sinal no secundário do transformador e o período do sinal na carga em um circuito retificador de meia-onda. (Figura 3.3. em um circuito retificador de meia-onda. ou seja 2p. é a mesma . a frequência.16 Comparação entre o período da onda no secundário do transformador e na carga no circuito retificador de meia onda. verificamos que ao comparar o período do sinal da linha com a do circuito retificador de meia-onda .16. Se a frequência da linha for de 60Hz.17) iremos fazer a seguinte análise: 43 . vamos analisar o período entre o sinal no secundário do transformador e o sinal na carga. a frequência também será de 60Hz. Logo. Vst + p FORMA DE ONDA DA LINHA T - 2p Vdc p FORMA DE ONDA NO RESISTOR PARA O CIRCUITO RETIFICADOR DE MEIA-ONDA 2p Figura 3.6 Comparação Entre As Frequências Dos Circuitos Retificadores Para compreender a freqüência do sinal na carga. Na Figura 3. verificamos que o período do sinal no secundário do transformador terá o mesmo período do sinal no resistor em um circuito retificador de meia-onda. observando a Figura 3.

Vst + p FORMA DE ONDA DA LINHA. o período é p. 44 . Em um circuito retificador em ponte temos: PIV = ___________ e Io = ___________ G . em um circuito retificador de onda completa a freqüência na carga será de 120Hz. Em um circuito retificador de meia-onda PIV = _____________ e Io = __________ C . Exercícios 1. Em um circuito retificador de meia-onda a tensão no resistor será calculado pela seguinte equação: Vdc =___________ B . onde Vp = _________ da tensão no secundário do transformador. nos circuitos retificadores de onda completa. A . logo. D . no resistor. a frequência no circuito retificador de onda completa é o dobro da frequência da linha. se na linha a frequência for de 60Hz. E . Se a frequencia da linha for de 50Hz. Em um circuito retificador de onda completa com derivação central temos: PIV = ___________ e Io = ______________. T - 2p Vdc T p 2p FORMA DE ONDA NO CIRCUITO RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA COM TAP CENTRAL E RETIFICADOR EM PONTE. Exemplificando. Preencha os espaços em branco. Figura 3. O período da linha é 2p.17 Comparação entre o período da onda no secundário do transformador e na carga no circuito retificador de onda-completa. Em um circuito retificador de onda completa com derivação central a tensão no resistor será calculado pela seguinte equação: Vdc =__________. porém. em um circuito retificador de meia-onda a frequência será de _____________ no circuito retificador de onda completa com derivação central a frequência será de _________e no circuito retificador em ponte a frequência será de ___________. Em um circuito retificador em ponte a tensão no resistor será calculado pela seguinte equação: Vdc = ______________ F .

como mostra a figura. Calcule as especificações do diodo. Em um circuito retificador de meia-onda a tensão no secundário do transformador é de 18V. Dado: Vst = 26V.19 7. 3. Um aluno montou em laboratório o circuito da Figura 3. R2 = 3. Calcule as especificações do diodo. qual tensão ele iria ler? Figura 3. Se o aluno utilizasse o multímetro para medir a tensão no resistor.20). Dado o circuito (Figura 3.6KW. Dado: Vst = 25V.18. sabendo que Rl = 8.2KW. R1 = 10kW.2. Calcule as especificações do diodo.19) determine a tensão V1.7KW 45 .8KW. R1 = 1KW. Figura 3. Sabendo que Rl = 5. Dado o circuito(Figura 3. sabendo que Rl = 6. Em um circuito retificador em ponte a tensão no secundário do transformador é de 16V. Em um circuito retificador de onda-completa com derivação central a tensão no secundário do transformador é de 25V. R2 = 15kW e R3 = 22KW. 4.18 6. determine a tensão V1 e as especificações do diodo. 5. no qual verificou a forma de onda no resistor com o osciloscópio.3KW e R3 = 5.

21 9. no qual observou a forma de onda com o osciloscópio no resistor. determine a forma de onda no diodo D1. como mostra a figura.21).22).V1 Figura 3. Figura 3. Um aluno montou em laboratório o circuito (Figura 3. Determine a tensão que ele irá ler ao medir a tensão no resistor com o multímetro.22 46 . Figura 3.20 8.Dado o circuito (Figura 3.

.Monte o circuito da Figura 3. Procedimento: 1. .1 Osciloscópio. para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc. observe a forma de onda no resistor. Material necessário: 47 . 110V/220V 9V.23 2345- Com o uso do osciloscópio. para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc. . Experiência 3 Circuito retificador de onda completa com derivação central Neste circuito. 500mA . deve-se montar um circuito retificador de meia-onda.25W. 0. deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivação central.1 multímetro (analógico ou digital).1 resistor de 10K . Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc. Inverta o diodo e observe a forma de onda no resistor.1 diodo 1N4001 (ou equivalente).Experiência no Laboratório Experiência 2 Circuito retificador de meia-onda Neste circuito.23: Figura 3. Material necessário: . Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado.1 transformador.

1 Osciloscópio.1 resistor de 10K .1 resistor de 10K .1 Osciloscópio. 48 .9V. . 4.1 multímetro (analógico ou digital).4 diodos 1N4001 (ou equivalente). 500mA . 0.24 2. 110V/220V 12V+12V.24: Rl Figura 3..1 transformador -110V/220V . Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado. 3. para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc. 500mA . Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc.25W. . Experiência 4 Circuito retificador em Ponte Neste circuito. . 5.Monte o circuito da Figura 3.25W. Com o uso do osciloscópio. . . Inverta os diodos e observe a forma de onda no resistor. deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivação central. . observe a forma de onda no resistor. Procedimento: 1.1 transformador com derivação central. Material necessário: .1 multímetro (analógico ou digital). 0.2 diodos 1N4001 (ou equivalente).

2KW 1/4W. 5. 1 capacitor 10nF Circuito da Figura 3.Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc. 3.26 49 .Procedimento: 1.25: D1 D2 D3 D4 Rl Figura 3. 1 diodo varicap ( qualquer um serve).25 2. 1 resistor de 8.Inverta os diodos e observe a forma de onda no resistor. servindo para substituir capacitores variáveis comuns em circuito de sintonia. 4.Com o uso do osciloscópio. 1 potenciômetro de 1MW.Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado. DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Capacitor variável Neste circuito será construído um capacitor variável de estado sólido.Monte o circuito da Figura 3. observe a forma de onda no resistor. Material necessário: 2 baterias de 12V. 1 resistor de 1MW.26: Figura 3.

1 Figura 4. O próximo passo para construirmos uma fonte de alimentação é aplicar um filtro capacitivo. 4. foi introduzido um capacitor em paralelo a carga como mostra a Figura 4. quando Vst > Vc (tensão no secundário do transformador maior do que a tensão no capacitor) .CAPÍTULO 4 . Durante o semiciclo negativo o diodo está polarizado reversamente e o capacitor continua descarregando pelo resistor.2.1 Circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo No semiciclo positivo do diodo conduz e o capacitor começa a carregar até atingir a tensão de pico no secundário do transformador. 50 . como mostra a Figura 4. o diodo conduz e o capacitor carrega até atingir a tensão de pico do secundário do transformador. de tal forma que t = RC. Então o capacitor começa a descarregar pelo resistor. pois a tensão no capacitor será maior do que a tensão no secundário do transformador (o diodo estará polarizado reversamente). Quando a tensão do secundário do transformador diminuir (sendo menor do que Vp) o diodo abre. verificamos que a tensão já é contínua.CIRCUITOS RETIFICADORES COM FILTRO Introdução Nos circuitos retificadores visto até agora.1 Circuito Retificador de Meia-Onda com Filtro Capacitivo No circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo. para que o sinal fique o mais próximo de uma tensão contínua constante. para este circuito utilizado-se valores relativamente altos para C. no entanto. o sinal continua pulsando. será maior do que o período da onda no secundário do transformador (T= 1/60 s). Novamente no semiciclo positivo.

51 .Vond 2 Vond = I FC De: I = C dV dt dV = Vond Onde: I = Corrente no resistor.2 Forma de onda no resistor Vdc = Vp . menor será a tensão de ondulação. no entanto iremos aproximar a Vp/R F = frequência da forma de onda no resistor C = Capacitância Obs: Quanto maior t = RC. logo maior será a tensão Vdc e mais contínua será a forma de onda no resistor.Vst T Vdc T Figura 4.

quando em um circuito o capacitor tiver um valor muito elevado não tendo tempo para descarregar e a tensão no secundário do transformador estiver no semiciclo negativo como mostra Figura 4. denominado PIV(Tensão de pico inversa) e o valor médio a corrente no diodo quando o mesmo está diretamente polarizado.3. PIV A tensão no diodo terá o maior valor. Io = Idc Exemplo: 1)Dado o circuito. Figura 4. de tal forma que o capacitor de descarrega quase que totalmente. calcule a tensão Vdc e as especificações do diodo.3 Circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo no semiciclo negativo Ao fechar a malha. ficando a forma de onda muito parecida com a do circuito retificador de meia-onda. a tensão máxima que chegará ao diodo será: PIV= 2Vps Io A quantidade de corrente que passa no diodo será a maior possível quando em um circuito o valor da resistência e o valor do capacitor forrem muito baixo. Dado: Vst = 12V e Flinha = 60Hz 52 . denominado Io.ESPECIFICAÇÕES DO DIODO São duas as especificações do diodo: Tensão máxima de pico que fica no diodo quando o mesmo está inversamente polarizado.

97V I @ Vp/R = 16.100m = 0. 53 .5V Vdc = 16.2 Circuito Retificador de Onda Completa com Derivação Central e Filtro Capacitivo No circuito retificador de onda completa com derivação central e filtro capacitivo.94V Io = Idc = 16. 12 = 16.Vond 2 onde : Vond = I FC Para o circuito retificador de meia-onda a frequência da onda no resistor é igual a frequência da linha logo: F= 60Hz Vp = 2 .6K = 2.6K = 3mA Vond = 3 60.7/5.5/2 = 16.97/5.5. foi introduzido um capacitor em paralelo com a carga como mostra Figura 4.Figura 4.4 Circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo Solução: Vdc = Vp .98mA 4.97) = 33.7V PIV = 2(16.97 0.

6 Forma de onda no resistor 54 .6. Vst T Vdc T Figura 4. No semiciclo negativo.D1 C Rl D2 Figura 4. o diodo abre e o capacitor começa a descarregar pelo resistor e assim sucessivamente como mostra Figura 4. quando Vst > Vc . D2 abre e o capacitor novamente começa a descarregar pelo resistor. D1 conduz e o capacitor começa a carregar até atingir a tensão no secundário do transformador. D1 conduz e o capacitor carrega até atingir Vpst. No semiciclo positivo quando Vst > Vc.5 Circuito retificador de onda completa com derivação central e filtro capacitivo Durante o primeiro semiciclo positivo. Quando Vst for menor do que Vpst. D2 conduz e o capacitor carrega até atingir Vpst. Quando Vst diminui D1 abre e o capacitor começa a descarregar pelo resistor. Novamente quando Vst< Vp.

Dado: Vst = 12V Flinha = 60Hz D1 5. denominado PIV(Tensão de pico inversa) e o valor médio a corrente no diodo quando o mesmo está diretamente polarizado.6KW D2 100mF Figura 4.Vond 2 OBS: A frequência é o dobro da frequência da linha ESPECIFICAÇÕES DO DIODO São duas as especificações do diodo: Tensão máxima de pico que fica no diodo quando o mesmo está inversamente polarizado. calcule a tensão Vdc e as especificações do diodo. PIV = Vpst Io = Idc 2 Exemplo: 1) Dado o circuito. denominado Io.Logo: Vdc = Vp .7 55 .

Vst Vp = 2 = 2 .6K = 1.48/5.97V Idc = Vdc/R = 8.51mA Vond = 1.12V Vdc = 8. 12 = 16.12/2 = 8.51m 120. foi introduzido um capacitor em paralelo a carga como mostra a Figura 4.3 Retificador em Ponte com Filtro No circuito retificador em ponte com filtro capacitivo.5mA Io = 1.Solução: 2 .75mA 4.48 0.100m = 0.8.41/5.8 Circuito retificador em ponte com filtro capacitivo 56 .5m/2 = 0.48V I = Vp/R = 8. D1 D2 D3 D4 Rl C Figura 4.41V PIV = Io = Idc/2 2 .6K = 1. 12 2 Vp = 8.

Quando Vst<Vpst. D1 e D4 conduzem e o capacitor começa a carregar até atingir Vpst.No início do primeiro semiciclo positivo D2 e D3 conduzem. D1 e D4 abrem e o capacitor começa a descarregar pelo resistor. D2 e D3 abrem e o capacitor começa a descarregar pelo resistor.9 Forma de onda no resistor Logo: Vdc = Vp . quando Vst < Vp. No semiciclo negativo. quando Vst<Vp =Vc. Vst T Vdc T Figura 4. como mostra a Figura 4.9. quando Vst > Vc. D2 e D3 conduzem e o capacitor carrega até atingir Vpst. No semiciclo positivo. D2 e D3 abrem e o capacitor começa a descarregar pelo resistor e assim sucessivamente. logo o capacitor começa a carregar até atingir a tensão de pico do secundário do transformador.Vond 2 OBS: A frequência é o dobro da frequência da linha 57 . Novamente. quando Vst> Vc.

97V I = Vp/R = 16. denominado Io. Dado: Vst = 12V Flinha = 60Hz D1 D2 D3 D4 5.6K = 3 mA 58 .6KW 100mF Figura 4. calcule a tensão Vdc e as especificações do diodo. denominado PIV(Tensão de pico inversa) e o valor médio a corrente no diodo quando o mesmo está diretamente polarizado. 12 Vp = 16.10 Solução: Vp = 2 . PIV = Vpst Io = Idc 2 Exemplo: 1)Dado o circuito.ESPECIFICAÇÕES DO DIODO São duas as especificações do diodo: Tensão máxima de pico que fica no diodo quando o mesmo está inversamente polarizado.97/5. Vst = 2 .

84/5.97V Idc = Vdc/R = 16. Em um circuito retificador de meia-onda com filtro se a frequência da linha for de 60Hz. Dado: Vst = 18V e Flinha = 60Hz a) 2. Preencha os espaços em branco. 12 = 16. Dado os circuitos das Figura 4.12. O PIV para os circuito retificadores de onda completa com filtro será igual a__________ F.84V . A . O Io para o circuito retificador de meia-onda com filtro é igual a____________ G. D.Vond = 3m 120.6K = 3mA Io = 3m/2 = 1.O Io dos circuitos retificadores de onda completa com filtro será igual a ___________ 2. calcule a tensão Vdc e as especificações do diodo. O que difere os circuitos retificadores com filtro como o circuito retificador de meia-onda do circuito retificador de onda completa é a __________________________ C. a frequência será_________ e no circuito retificador de onda completa a frequência será__________________. observa-se que a forma de onda é a mesma sendo calculado a tensão Vdc pela seguinte equação_________________________ Onde Vond = ________________ B .11.7 KW 47mF Figura 4. Em todos os circuitos retificadores com filtro. 4.12 e 4.25/2 = 16.25V Vdc = 16.11 59 .97 PIV = Io = Idc/2 2 0. O PIV para o circuito retificador de meia-onda com filtro será igual a ______________ E .100m = 0.5mA Exercícios 1.

determine Vdc. 60 .14 4. Dado o circuito da Figura 4.15.12 c) D1 D2 D3 D4 2.14. Dado: Vst= 24sen100t. Rl = 15KW e C= 1mF Figura 4.b) D1 2.7KW D2 47mF Figura 4. determine a tensão Vdc e as especificações do diodo. Dado o circuito da Figura 4.7KW 47mF Figura 4.13 3.

5 e f2 = 0. Rl = 3.5f1 e) V2 = V1 e f2 = f1 Figura 4.9KW.5 e f2 = f1 d) V2 = 0.16. alimentados por fontes de tensão senoidal V(t).15 5. com mesmas especificações e utilizando diodos considerados ideais. obtendo: V1 e f1 para C1 V2 e f2 para C2 Com relação às medidas obtidas.Dado: Vst = 40V.16 61 . Medidas de tensão e freqüências foram efetuadas nas saídas dos circuitos em cima das cargas Rl. mostra dois circuitos retificadores de onda completa com carga RL idênticas. é correto afirmar que: a) V2 = 2V1 e f2 = f1 b) V2 = 2V1 e f2 = 2f1 c) V2 = 0. Figura 4. A Figura 4.

3.1 resistor de 10K . Material necessário: .10 F.Troque o capacitor pelo valor de 10 F e novamente observe a forma de onda no resistor. 500mA . deve-se montar um circuito retificador de meia-onda com filtro capacitivo.Monte o circuito da Figura 4. Troque o capacitor pelo valor de 47 F e novamente observe a forma de onda no resistor 62 . 110V/220V 9V. Procedimento: 1. 1 F. Figura 4. 4. será observado como a tensão de saída será influenciada de acordo com o valor do capacitor.47 F. .3 Capacitores. utilize o capacitor de 1 F. .1 multímetro (analógico ou digital).Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc. 6. no qual. observe a forma de onda no resistor.17.17 2. 5.25W. 0. .1 diodo 1N4001 (ou equivalente).Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado. primeiramente. .1 transformador.Experiência no Laboratório Experiência 5 Circuito retificador de meia-onda com filtro capacitivo Neste circuito.Com o uso do osciloscópio.1 Osciloscópio.

2 diodos 1N4001 (ou equivalente). . .3 Capacitores. observe a forma de onda no resistor. 110V/220V 12V+12V.Com o uso do osciloscópio. .1 resistor de 10K . deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivação central. Troque o capacitor pelo valor de 47 F e novamente observe a forma de onda no resistor 63 .Troque o capacitor pelo valor de 10 F e novamente observe a forma de onda no resistor. 6.Experiência 6 capacitivo Circuito retificador de onda completa com derivação central com filtro Neste circuito.Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado.10 F. 5. . Material necessário: .25W.Monte o circuito da Figura 4.18.1 transformador com derivação central.18 2. 500mA . 0.47 F. Procedimento: 1.Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc.1 Osciloscópio. 4. para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc. Figura 4.1 multímetro (analógico ou digital). 1 F. 3.

Com o uso do osciloscópio.1 resistor de 10K .Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado.4 diodos 1N4001 (ou equivalente). 6.9V. .19 2.1 multímetro (analógico ou digital). deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivação central.Monte o circuito da Figura 4.Experiência 7 Circuito retificador em Ponte com filtro capacitivo Neste circuito. Troque o capacitor pelo valor de 47 F e novamente observe a forma de onda no resistor 64 . 500mA . 3.Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc. .1 Osciloscópio. para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc.19. Procedimento: 1. . 0. 5. observe a forma de onda no resistor. Material necessário: . 4.1 transformador -110V/220V . D1 D2 D3 D4 Rl C Figura 4.25W.Troque o capacitor pelo valor de 10 F e novamente observe a forma de onda no resistor.

Parque Eólico na Prainha. Figura 4. Neste circuito.20. servirá para mover um alternador e desta forma gerar energia elétrica. 4. é a maior usina do gênero da América Latina e produz 10 Megawatts . a energia eólica fornecida pelo ventilador. 1. em Aquiraz.resistor 470 . (Foto: Fco.Alternador ( pode ser um dínamo para bicicleta).capacitor eletrolítico de 220mF. Fontenele) Material necessário: 1. como geradora de fonte de energia limpa e renovável.DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Acendendo um led com energia eólica O estado do Ceará vem se tornando referência no Brasil.20 Neste circuito. 1.16V. Circuito da Figura 4. temos um exemplo da utilização da energia eólica para acender um led.diodos 1N4001 ou equivalente. 65 . a energia eólica. 1/8W. Como a tensão gerada pelo dínamo é uma tensão alternada de baixo valor (aproximadamente 6V). ao passar pelo circuito retificador em ponte com filtro capacitivo. a tensão servirá para acender um led. 1 led.

a bobina de um relé ou ainda um pequeno motor é acionado. ou seja. é criado um forte campo magnético. 5. O diodo funciona como retificador de alta frequência. chamados de diodo de sinal podem ser usados como detectores de envolvente em circuitos de rádio. ou seja. Aplicando este sinal de baixa frequência a um fone de ouvido ou então a um amplificador. podemos ouvir os sons transmitidos pela estação de rádio.2 Diodo nos circuitos de proteção Outra função importante do diodo é nos circuitos de proteção. Rádio elementar ou rádio de galena. desviando para a terra a componente de alta frequência e deixando apenas a envolvente.1. por exemplo.1 Rádio elementar Como exemplo. antena Diodo detector CV filtro fone Figura 5. Os diodos de pequena capacidade de corrente. a modulada. que são desviados para o diodo. da estação sintonizada.1. fazendo sua detecção. A antena capta os sinais emitidos pela estação. que deve circular em direção á terra passando pela bobina e capacitor que formam o circuito de sintonia: Este circuito se caracteriza por impedir a passagem dos sinais de uma única frequência. utilizaremos o circuito de rádio elementar mostrado na Figura 5. pode ser levado a um processo de separação.CAPÍTULO 5 OUTRAS APLICAÇÕES PARA O DIODO Introdução Existem muitas outras aplicações para os diodos além da retificação. Quando uma carga indutiva como. é induzida na carga uma tensão oposta. e outra baixa que á a modulada . ou seja. deixando passar apenas os semiciclos positivos do sinal. uma de alta frequência que é a portadora . havendo então a indução de uma corrente de alta frequência. que corresponde justamente ao som que é captado nos microfones da emissora ou obtido de um toca-disco ou toca-fitas. Ao ser desligado. Este sinal que é composto de duas partes. 5. com a contração magnética. O capacitor depois do diodo filtra o sinal. por exemplo. 66 .

Figura 5.3. 5. no qual cria uma tensão induzida na bobina. de sua indutância quando no desligamento pode ser muitas vezes maior do que a aplicada quando ligamos. No qual o indutor funciona como eletroímã sendo capaz de atrair materiais condutores. Quando uma corrente contínua circula por um indutor ou bobina é criado um campo magnético.1 Propriedades do indutor O indutor consiste basicamente em um bobina formada por voltas de fio esmaltado. temos uma proteção contra este fenômeno. com a ligação de um diodo. Leitura Complementar 5. Iniciamos fazendo uma revisão sobre as propriedades do indutor. Como experiência podemos mostrar a Figura 5. Diodo usado como proteção em circuitos indutivos. além de alguns circuitos osciladores e outras aplicações no qual se faz o uso de um circuito indutor capacitor.3 Circuito Tanque O estudo do circuito tanque será de grande importância para que possamos compreender os circuitos utilizados para a sintonia de rádio. Atração de um prego (material ferromagnético) pelo indutor 67 . Dependendo do tipo de carga. O componente que faz o acionamento pode então ser danificado com a presença desta tensão.3.3. ou seja.2.(+) Diodo de proteção Circuito de comutação Carga indutiva Figura 5.

00004 segundos.00004s A tensão auto-induzida será: v=- LDi = -250V Dt Uma tensão bastante elevada nos contatos da chave. im = VF/R = 12/3 = 4ª. Após a abertura da chave e decorrido 0.33s il = ime t t - = 4e 0. mesmo com a tensão na bobina de valor baixo. temos: Durante o período no qual a chave está fechada. a corrente no circuito foi reduzida para: t = L/R = 10/3 = 3. ocorre uma variação bastante alta da corrente em pouquíssimo tempo (abertura da chave).4. A associação em paralelo da indutância com a capacitância é conhecida como circuito tanque. ao abrir o circuito.4 Circuito ressonante O capacitor e o indutor possuem a característica de armazenar energia elétrica.Ao abrir o circuito da Figura 5. v=-L Di Dt (1) Exemplo: Se L= 10H.0004 3. A Figura 5.33 = 3.999A Logo: Di = 4-3.4.5 ilustra um exemplo de circuito tanque.999=1mA Dt = 0. A tensão criada é uma tensão auto-induzida que pode atingir valores extremamente altos. R = 3W. A energia armazenada no indutor volta ao circuito. 68 . Circuito RL série De acordo com a expressão 1. 5. VF= 12V. Figura 5.

mas a corrente será oposta em relação à primeira descarga. possui polarizada oposta ao que originou (lei de Lenz). A onda senoidal que se estabelece entre C e L possui uma freqüência. Troca de energia entre o indutor e o capacitor em um circuito tanque. Xc = Xl ® 1/(2 FrC) = 2 FrL Fr = 1/(2 LC)1/2 69 . ocorre o procedimento descrito a seguir.6. produzindo uma série de onda senoidais. o campo magnético se anula e essa variação induz uma corrente no mesmo sentido da corrente que originou o campo. Circuito tanque. o processo voltará a se estabelecer. removendo-se a tensão aplicada. se o circuito tanque fosse ideal e não apresentasse resistência. essa corrente carregará o capacitor no sentido oposto ao anterior. no mesmo sentido da primeira carga. um campo magnético em torno de L. Entretanto. C se carrega a esse valor de tensão. A frequência de ressonância é a única frequência. novamente. este. A troca de energia e a corrente circulante continuariam. C se descarrega através de L.5. no qual a reatância capacitiva é igual a reatância indutiva. quando se anular. Quando o campo em torno de L desaparecer. Portanto. e a corrente de descarga cria um campo magnético em torno de L. A Figura 5. Quando uma tensão é momentaneamente aplicada a um circuito tanque.6 resume toda essa explicação. indefinidamente.Figura 5. a resistência está sempre presente. Se aplicarmos. um pulso de tensão ao circuito. novamente. Essa corrente de descarga originará. devido à dissipação de energia no circuito na forma de calor. O funcionamento de um circuito tanque consiste na troca de energia entre a capacitância e a indutância. fazendo com que a corrente circulante diminua gradativamente. C irá se descarregar novamente. Isto faz com que a corrente senoidal seja amortecida e desapareça. fará com que C se carregue novamente. é denominado freqüência de ressonância. após um número finito de oscilações. Figura 5. Esse campo. no qual. Quando C tiver se descarregado.

Depois deste ponto. Ao aplicar um sinal alternado ao circuito tanque. ocorre uma troca de energia entre o capacitor e o indutor. ou seja. produzindo uma oscilação amortecida. É desta forma que este circuito sintoniza as diferentes estações no rádio. observamos que à medida que nos aproximamos da freqüência de ressonância. Se este circuito for ligado a uma antena. ao aplicar uma onda senoidal. Este circuito é utilizado num receptor de rádio em que deve ser feita a separação dos sinais da estação que queremos ouvir de todos dos demais sinais que chegam à antena. Em um rádio. a oposição começa a crescer até atingir o máximo no valor exato desta freqüência. Para que a produção destas oscilações continue. ondas de rádio.Na frequência de ressonância. a oposição à passagem de corrente é infinita. 5. no qual. Na Figura 5. com a alternância de campo elétrico em magnético. ele encontra forte resistência e é desviado para as etapas que fazem seu processamento. Se o sinal corresponde à freqüência para o qual o circuito está sintonizado. deve-se repor a energia que vai sendo perdida em cada ciclo de carga e descarga do capacitor. Isto pode ser feito com um amplificador.7. ela não encontra nenhuma oposição do circuito e é curtocircuitado para o terra. Figura 5.5 Circuito tanque na geração de sinais de rádio Aprendemos que em um circuito tanque. a impedância é infinita. Já se o sinal não corresponde a esta freqüência. quer seja porque perde em calor nos próximos elementos do circuito. a onda senoidal que corresponde à freqüência de ressonância será amplificada. a oposição começa novamente a diminuir. ou seja. muda a freqüência de ressonância e.7.Sintonizador LC. o circuito tanque possui um capacitor variável. quer seja porque é irradiada por uma antena. ao girar o botão que altera o valor do capacitor. a energia gerada neste sistema pode ser irradiada na forma de onda eletromagnética. temos um sintonizador de rádio simples. Das milhares de ondas senoidais de diferentes estações de rádio que chegam à antena. sendo as demais desviadas para o terra. portanto. muda a freqüência da onda senoidal que o ressonador amplifica. 70 .

Exercícios 1.8): Figura 5.8 (A) é um oscilador ideal. 1 Fone de cristal. pois não apresenta uma etapa para a amplificação do sinal captado pela antena. vamos montar um rádio bastante simples. A idéia fundamental em um rádio Galena é captar ondas eletromagnéticas por um receptor elétrico simples e reproduzir em um fone de ouvido. Material necessário 1 Diodo de Germânio ( qualquer tipo de diodo de Germânio). Experiência no Laboratório Experiência 8 Rádio elementar ou rádio Galena Neste circuito. O rádio é um dos meios de comunicações mais utilizado pelo homem moderno. 71 . Foi implementado na França por Radiguet e Massiot. (D) na ressonância tem impedância equivalente a um circuito aberto. (C) tem ressonância na freqüência de 1 Hz. O rádio Galena é bastante simples. O rádio Galena foi o primeiro rádio inventado pelo homem. 1 capacitor variável. 1 antena. (B) tem fator de qualidade unitário. 1 indutor 10mH. (E) na ressonância tem impedância equivalente a um curto-circuito. Compreender o funcionamento de um simples rádio ajudará a compreensão dos rádios mais complexos e mais bem elaborado. (ELETRONORTE 2006) A rede abaixo(Figura 5. De onde vêm estas ondas eletromagnéticas? As estações de rádio produzem uma quantidade bastante elevadas de ondas eletromagnéticas em diversas freqüências. os resultados obtidos na prática não são muito satisfatórios.

Prenda no início.9 2. Fazendo a bobina Pegue o cabo de vassoura e deixe um espaço de um centímetro de cada lado. DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Rádio artesanal elementar Neste circuito você irá montar um rádio.Monte o circuito da Figura 5.Procedimento: 1. no qual a bobina será artesanal. 1 cabo de vassoura (madeira ou plástico) para enrolar a bobina de 18cm. 100 gramas de fio esmaltado com número AWG entre 18 e 24 (diâmetros entre 1.9. Varie o valor do capacitor para sintonizar o rádio.0 a 0. prestando atenção para que os fios fiquem encostados um ao lado do outro e não passe por cima. 1 Fone de cristal (fone de alta impedância acima de 2000W). Enrole para que ainda sobre 1cm de cabo e 10cm de fio. o fio com fita isolante deixando sobrar 10cm de fio. 1 capacitor poliéster de 1nF. 1 antena. Figura 5.5 mm) para a bobina. Lixe o esmalte do fio que está sobrando os 10cm de cada lado. Material necessário: 1 Diodo de Germânio ( qualquer tipo de diodo de Germânio). Comece a enrolar. 72 .

Deixe um espaço de mais ou menos um centímetro de cada lado do tubo ou pedaço do cabo de vassoura e comece a enrolar o fio. Deixe sobrar de cada lado entre oito e dez centímetros de fio. Se você está usando o cabo de vassoura. faça um ou dois furos para prender o fio antes de começar a enrolar e mais um ou dois furos para prender na outra extremidade (oriente-se pelo desenho do rádio acima). encostadas mesmo. a antena deve ser bastante comprida para captar o máximo de energia da estação. prenda o início e o fio do enrolamento com uma fita isolante. Antena Como o rádio não possui uma etapa de amplificação. Faça a seguinte montagem (Figura 5. As voltas devem ficar bem próximas uma da outra.10 A seta que está ligada na bobina deve ser móvel e percorrer toda a bobina para sintonizar em uma determinada frequência. 73 . Figura 5. Caso você esteja usando o tubo.10). Pode ser um fio esticado de 10m de comprimento. e uma volta não pode passar por cima da outra.

6.CAPÍTULO 6 . (b) Forma de onda na carga 74 . Observe que o funcionamento é igual ao circuito retificador de meia-onda. acrescentar um nível DC ao sinal alterando. só deixa passar a tensão negativa.1(a). Os circuitos grampeadores possuem como objetivo.CIRCUITOS LIMITADORES (CEIFADORES) E GRAMPEADORES Introdução Os circuitos limitadores ou ceifadores limitam a tensão de saída.1 Circuitos Limitadores As aplicações incluem a limitação de amplitude excessivas formação de ondas e o controle da quantidade de potência entregue a uma carga. Vent R +Vp T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída T -Vp Figura 6. temos um limitador positivo. sendo útil em circuitos no qual o sinal de saída necessita ser limitado. Na Figura 6. deslocando o sinal para cima ou para baixo do eixo referencial. como mostra a Figura 6. Uma das utilizações do circuito grampeador é em um amplificador classe C. no qual limita a tensão positiva.1 (a) Circuito limitador positivo.1(b).

75 . pois V e Vent polarizam reversamente o diodo temos: Vsaída = Vent . 6.2(b). (b) Forma de onda na carga Análise do Circuito limitador positivo polarizado No semiciclo positivo. 6..7.2(a). A limitação da tensão será para tensões acima de V como mostra a Figura 6.8.Outros circuitos limitadores Nas Figuras 6.6. logo: Vsaída = V No semiciclo como o diodo está sempre aberto. 6.2 (a) Circuito limitador positivo polarizado. temos um outro limitador positivo. logo : Vsaída @Vent .10 temos exemplos de outros circuitos limitadores e as suas respectivas formas de onda na carga.3. no qual o funcionamento é semelhante aos circuitos já analisados. 6.Análise do circuito limitador positivo No semiciclo positivo o diodo conduz logo: Vsaída =0 No semiciclo negativo o diodo abre. no qual foi inserida uma fonte de tensão em serie com o diodo. R Vent Vp Vent V Rl Vsaída T -Vp Vsaída V -Vp T Figura 6.4. 7. uma vez que Rl >> R Na Figura 6.9 e 6.5. 6. quando vent > V o diodo conduz .

(b) Forma de onda na carga Vent +Vp Vent Vsaída T Rl -Vp Vsaída T Figura 6. (b) Forma de onda na carga 76 .4 (a) Circuito limitador positivo.3 (a) Circuito limitador negativo.Vent Vp T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída T Figura 6.

V Vent +Vp T Vent Rl Vsaída -V -Vp T -V .6 (a) Circuito limitador negativo polarizado. (b) Forma de onda na carga 77 .Vp -V Figura 6. (b) Forma de onda na carga V Vent +Vp T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída -V+Vp -V T Figura 6.5 (a) Circuito limitador positivo polarizado.

(b) Forma de onda na carga 78 .7 (a) Circuito limitador positivo polarizado. (b) Forma de onda na carga R Vent +Vp T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída +Vp T Figura 6.V Vent +Vp T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída T +V-Vp Figura 6.8 (a) Circuito limitador negativo.

(b) Forma de onda na carga 79 .R Vent +Vp T Vent V Rl Vsaída -Vp Vsaída +Vp V T Figura 6.10 (a) Associação de limitadores.9 (a) Circuito limitador polarizado. (b) Forma de onda na carga Vent R +Vp T Vent V1 V2 Rl Vsaída -Vp Vsaída V2 T V1 Figura 6.

no qual no sinal CA(Vent) é adicionado uma tensão CC. Em vez de mudar o aspecto da forma de onda. O circuito se resume como mostra a Figura 6. um projeto de circuito requer a combinação de uma tensão CA com uma tensão CC. 80 . com a polarização do capacitor. Vent +Vp C T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída +2Vp T Figura 6. Chamamos esse processo de grampeamento ou restauração CC. posteriormente não se descarrega mais. não havendo condições de descarregar por Rl.6. a operação modifica o nível da tensão de referência CC.11 (a) Circuito grampeador positivo. temos um circuito grampeador positivo. Na Figura 6.11(a).11(b).2 Circuitos Grampeadores Algumas vezes. Em todas as análises iremos admitir que a carga de um capacitor atinja o valor final em cinco constantes e tempo. O sinal é deslocado para acima do eixo como mostra a Figura 6.12. (b) Forma de onda na carga O capacitor se carrega no semiciclo negativo com Vp. uma vez que o diodo irá permanecer sempre aberto e a constante de tempo RC>>Tentrada.

13. 6.17. 6. Outros Circuitos grampeadores Nas Figuras 6. temos mais exemplos de circuitos grampeadores e as suas respectivas formas de onda na carga. Vsaída = 0 Quando Vent aumenta. Vsaída diminui Quando Vent = . A análise é semelhante as análises já realizadas. Vsaída também aumenta.15.12 Circuito grampeador positivo Análise do circuito grampeador positivo No semiciclo positivo: Vsaída = Vc + Vent Quando Vent = 0 Vsaída = Vc = Vp Quando Vent aumenta a tensão de saída também aumenta. 6.Vp .16 e 6. Quando Vent = Vp. 81 .Vp + Vent Rl Vsaída Figura 6.14. Vsaída diminui até Vp No semiciclo negativo: Vsaída = Vc Vent Quando Vent diminui. Vsaída = 2Vp Quando Vent diminui .

14 (a) Circuito grampeador negativo polarizado. (b) Forma de onda na carga 82 . (b) Forma de onda na carga Vent C +Vp T Vent V R Vsaída -Vp Vsaída V T -2Vp+V Figura 6.Vent +Vp C T Vent -Vp Vsaída R Vsaída T -2Vp Figura 6.13 (a) Circuito grampeador negativo.

(b) Forma de onda na carga 83 .16 (a) Circuito grampeador negativo polarizado.15 (a) Circuito grampeador positivo polarizado.( Vp V) Vent C +Vp T Vent V R Vsaída -Vp Vsaída +2Vp+V V T Figura 6.Obs: O capacitor se carrega com . (b) Forma de onda na carga Vent +Vp C T Vent V R Vsaída -Vp Vsaída -V T -V-2Vp Figura 6.

18 2. (b) Forma de onda na carga Exercícios 1.17 (a) Circuito grampeador positivo polarizado.Dado o circuito determine a forma de onda na saída. determine a forma de onda na saída.Vent C Vp T Vent V R Vsaída Vsaída + 2Vp -V T -V Figura 6. R Vent 30V Vent 4V Rl Vsaída T -30V 7V Vsaída T Figura 6. 84 .Dado da Figura 6.19.

deve-se montar um circuito grampeador. no qual vent corresponde o sinal do gerador de áudio em 1KHz e amplitude de 5V.Figura 6. Monte o circuito da Figura 6.19 Experiência no Laboratório Experiência 9 Circuito Grampeador Neste circuito.20.1 capacitor 470 F. 0.1 resistor de 1M . com o objetivo de analisar e observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio. .1 multímetro (analógico ou digital). .25W. 85 .1 diodo 1N4001 (ou equivalente). Material necessário: .1 Osciloscópio.1 gerador de áudio . . . Procedimento: 1.

. 500mA.1 capacitor de 220mF.12V. Circuito da Figura 6. Com o uso do osciloscópio observe a forma de onda do resistor e analise o que acontece com o sinal se o valor do capacitor ou do resistor diminuir.01mF. .1 transformador -110V/220V . .1 capacitor 0. .20 2. 86 . Os CIs da família TTL necessitam de uma fonte de 5V.C Vent R Vsaída Figura 6.1 CI 7805. Material necessário . DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Fonte de alimentação para CIs da família TTL Neste circuito.21.4 diodos 1N4001 (ou equivalente). você irá montar uma fonte de alimentação para alimentar CIs da família TTL.

Figura 6.21 87 .

1.2.2.Curva característica de um diodo zener. temos o gráfico que relaciona a corrente e a tensão para o diodo zener. Polarização reversa I Ruptura ou Vz Polarização direta v Iz(mín) Iz(máx) Figura 7. a sua principal aplicação é regular a tensão na carga. anodo catodo Figura 7. ou seja. Constitui o último componente em uma fonte de alimentação. ou seja. 7. mantém a tensão constante na carga.1 Diodo Zener O diodo zener é um dispositivo semicondutor.CAPÍTULO 7 DIODOS ESPECIAIS Introdução O diodo zener é um diodo especial. Na figura 7. este gráfica representa o funcionamento do diodo zener. 88 .Símbolo do diodo zener. no qual. fabricado especialmente para trabalhar na região de ruptura o que não ocorre nos diodos retificadores e de pequeno sinal.

Tabela 7. Na polarização reversa. CIRCUITO BÁSICO O menor circuito para a montagem com o diodo zener é apresentado na Figura 7.4mA Vz = 5. montaríamos a tabela 7.4.4mA 89 .3. maior do que esta corrente o diodo zener será danificado.4 Quando Ve = 1V Quando Ve = 2V Quando Ve = 3V Quando Ve = 4V Quando Ve = 5V Quando Ve = 6V Quando Ve = 7V Quando Ve = 8V Quando Ve = 9V Quando Ve = 10V Vz = 1V e Is = 0 Vz = 2V e Is = 0 Vz = 3V e Is = 0 Vz = 4V e Is = 0 Vz = 5V e Is = 0 Vz = 5.6V e Is = 1. observando que a tensão nele permanece a mesma aumentando apenas a corrente que passa por ele. ele passa a conduzir.4m A Vz = 5.4mA Vz = 5. conduz a partir do momento em que vence a barreira de potencial.1 1KW Ve 5V6 Vz Figura 7. e existe a corrente máxima que o diodo zener suporta.4mA Vz = 5.6V e Is = 2.6V e Is = 3. ele funciona como uma chave aberta. enquanto a tensão que está sendo aplicada for menor do que a tensão de zener .6V e Is = 4. constituindo de uma fonte de alimentação e um resistor Rs Ve = RsIs +Vz Ve Vz Figura 7. e medíssemos a tensão no diodo zener e a corrente que passa por ele ao aplicar a tensão Vê.3 Exemplo: Se montássemos o circuito da Figura 7. ele se comporta da mesma forma que um diodo retificador. Esta tabela é importante para que possamos compreender o funcionamento do diodo zener.Quando se polariza diretamente o diodo zener.1. Quando a tensão que está sendo aplicado ao diodo zener for maior do que a tensão de zener. ou seja.6V e Is = 0.

Ve Rl + Rs Se Vth > Vz (significa que o diodo zener está operando) 90 .5 Circuito regulador de tensão Cálculo da tensão de Thevenin Vamos calcular a tensão que chega ao diodo zener.4. mosta o circuito regulador de tensão.Vz Rs Especificação do diodo zener Pz(máx) = Vz .Is = Ve. fazendo o equivalente de Thevenim.Iz(máx) CIRCUITO REGULADOR DE TENSÃO A Figura 7. Is Rs Ve Vz Iz Rl Il Vl Figura 7. para que possamos fazer uma análise matemática e poder calcular as corrente que circulam no circuito. ( retira o diodo zener do circuito e calcula a tensão visto a apartir do diodo zener ou seja para este circuito será a tensão no resistor Rl ) Vth = R1 .

7K .7K Is = Il + Iz Iz = Is Il = 4.57m = 3.Logo: Is = Il + Iz Onde: Il = Vl Rl Vl = Vz e Is = Ve . Il = 3. calcule Is.3m 0. 15 Rl + Rs Vth = 10V Vth > Vz logo: O diodo zener está regulando. Iz e Il Is 2.3mA 2.6K+2.Ve Vth = 5.2/5.7KW 15V 3V2 Iz 5.6 Solução: Vth = R1 .6).6K 5.6K = 0.2 Is = 4.6KW Il Figura 7.Vz Rs Ex: Dado o circuito (Figura 7.73 mA 91 .57mA Is = 15 3.

verde ou azul. dependendo da quantidade.5V. podem irradiar luzes vermelha.6V à 6. laranja. ocorre a liberação de energia em forma de calor. então a tensão depois que passa pelo diodo zener será constante em 3. A simbologia para o led é apresentado na Figura 7. A Figura 7.3V e o diodo zener é de 3.8 à 5.7.Aplicação do Diodo Zener Uma das principais aplicações do diodo zener é na construção de fonte de alimentação pelo qual servirá para manter a tensão na carga constante. D1 D2 Rs D3 D4 C Vz Rl Figura 7.2V.2V.7 Fonte de alimentação Exemplo: 1)Se a tensão no capacitor oscilada de 5.8V ou seja a tensão que chega no diodo zener é 4. em um LED a liberação de energia é na forma de luz visível.8. Enquanto que em um diodo comum na passagem de corrente.2 Diodo Emissor De Luz (LED) Os diodos emissores de luz são fabricados a partir do GaAs( arsenieto de gálio) acrescidos de fósforo que. considerando que a queda em Rs seja de 0. amarela. 7. mostra uma fonte de alimentação. SIMBOLOGIA anodo catodo Figura 7. são muitos utilizados como sinalizadores em instrumentos eletrônicos ou na fabricação de displays.8 92 .

deve-se utilizar um resistor limitador de corrente para que o mesmo não se danifique.5V Figura 7.5 a 2. I Polarização reversa Polarização direta v 1. Para se polarizar um LED. temos a curva característica para o led. CIRCUITO BÁSICO: O menor circuito que podemos construir com um led é apresentado na Figura 7. Não se deve ligar um led em paralelo com uma fonte de alimentação. pois danifica facilemnte. 93 .Na Figura 7. ou seja só conduzem quando polarizados diretamente aplicando uma tensão maior do que a barreira de potencial. o led trabalha normalmente com corrente na faixa de 10mA a 50mA. Comercialmente.9. uma vez que a resistência da fonte é desprezível e a corrente que passará no led terá valor elevado.9 Os LEDs apresentam as mesmas características dos diodos comuns.9.5V a 2. no entanto a barreira de potencial varia de 1.5V dependendo da cor.

Rs Is = Ve . a corrente que atravessa diminuirá. Este fato implica que.10).Vled Ve Is Rs Figura 7. se aumentarmos a tensão entre seus terminais.3 Diodo Túnel Este dispositivo possui uma característica não encontrada em nenhum outro de sua família.9 OBS: como Vled varia de 1. 94 .10 Solução: Rs = Ve Vled Is Rs = 6 2 20m Rs = 200 W 7. fique polarizado no seu ponto quiescente (Vled = 2V e Id = 20mA) 6V Is Figura 7. que é a região negativa. se este componente estiver polarizado em uma determinada região de sua curva característica.5V vamos adotar 2V Exemplo: 1)Determine Rs para que o LED do circuito (Figura 7.5 a 2.

Na polarização reversa a ruptura ocorre próximo de 0V. 95 . a corrente produz um valor máximo Ip. São também encontrados em circuitos capazes de converter potência cc em ca. as vezes é chamado de diodo Esaki. em homenagem ao seu descobridor. Leo Esaki em 1958 e .12 Por ser um diodo muito dopado. I Ip Iv V VP Vv Figura 7. amplificadores.11 Simbologia para diodo túnel A Figura 7. ao se polarizar diretamente conduz imediatamente. Um aumento de tensão maior do que Vp produz uma diminuição na corrente e a região entre os pontos de pico e do vale é chamado região de resistência negativa. faz com que ele seja encontrado também em circuitos de alta frequência e alta velocidade. conversores. APLICAÇÕES As características de resistência negativa os tornam úteis em circuitos de microondas. onde os tempos de comutação são da ordem de nano ou picossegundos. osciladores e circuitos de chaveamentos. mostra a curva característica para o diodo túnel.Ele foi desenvolvido pelo Dr. SIMBOLOGIAS 7. especialmente em computadores.12. O fato deste dispositivo ser mais veloz do que todos os outros dispositivos ativos.

14 mostra a simbologia para o diodo varicap. Figura 7.15.14 Simbologia A Figura 7. dispositivos de controle de frequência automáticos. C V Figura 7. como o diodo funciona basicamente como um capacitor (as regiões P e N são como placas do capacitor e a camada de depleção se compara ao dielétrico) ao aumentar a tensão reversa a capacitância irá diminuir. o fato da capacitância existente na junção ser função da tensão de polarização. filtros de banda passante ajustáveis etc. A Figura 7.7. APLICAÇÕES O Varactor é muito útil em diversas aplicações como em circuitos LC com sintonia por tensão.4 Diodo Varicap (Varactor ou VVC) Este diodo aproveita além dos efeitos na junção PN utilizados nos diodos comuns. 96 . temos a curva característica para o diodo varicap.15 Na polarização reversa em circuito de alta frequência. circuitos ponte autobalanceados e amplificadores paramétricos.

Iz e Il. Is 3. Cite algumas aplicações do Varactor. No circuito da Figura 7. Dado o circuito da Figura 7.18. 3. 97 .9KW 20V 5V6 Iz 10KW Il Figura 7. c) Acende normalmente para 1400W. mas não irá acender quando R1 for de 690KW.16 2.18 Considerando a possibilidade de R1 assumir os valores de 110W. e) Não acende normalmente quando R1 for de 1400W ou de 690W e pode queimar quando R1 vale 110W. 4. Cite algumas aplicações do diodo túnel. d) Não acende normalmente quando R1 vale 690KW e pode queimar quando R1 for de 110W ou de 1400W.Revisão 1. Figura 7. Imin = 1mA. é correto. V1 = 15V e no LED D1.16. b) Acende normalmente para 110W e 1400W. calcule as correntes Is. mas com 690KW não irá acender e quando R1 for de 110 W pode queimar. que o LEd: a) acende normalmente nos 3 casos. 5. 1400W e 690KW. Explique o que você entende por LED. Imáx = 25mA e Vled = 2V.

120.19 7. onde Z1 é um diodo zener de 15V e D1 um diodo ideal.19. ilustra um circuito alimentado por uma fonte de tensão senoidal. O sinal de tensão Vs(t) deverá ter. aproximadamente. A Figura 7. A Figura 7. da forma: Figura 7. ilustra um circuito alimentado por uma fonte de tensão senoidal da forma Ve(t) = 20sen(wt).6. a forma: 98 . cujo valor de pico é superior À tensão de diodo zener Z1. O sinal de saída Vs(t) deverá ser. que pode ser considerado ideal. aproximadamente.

a carga L R é variante no tempo. e requer no mínimo 5 mA de corrente para garantir a regulação. o diodo zener tem tensão nominal Z V de 10 V. pode ser um resistor de 1/8 W.Figura 7. (ELETRONORTE 2006) Na fonte da Figura 7. (C) se R = 500 .21. e varia de 15 a 20 V. a tensão de entrada N V não é regulada. (B) R > 500 . a potência máxima exigida da fonte não regulada é de 400mW.21 Em condições normais de funcionamento: (A) Rl < 2 k .20 8. (E) se R = 500 . Figura 7. e consome de 0 a 5 mA. 99 . a corrente máxima no diodo zener é de 10 mA. (D) se R = 500 .

1 resistor de 1K . .1 Fonte de alimentação variável (0-15V) . Preencha a tabela abaixo: Vf 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 A Vz 100 .1 diodo zener 5V6.25W.Monte o circuito da Figura 7. 0. Material necessário: . Figura 7.1 multímetro (analógico ou digital). deve-se montar um circuito básico com o diodo zener para compreender o seu funcionamento. 0.22 3.5W. . Procedimento: 1.22.Experiência no Laboratório Experiência 10 O diodo Zener Neste circuito.

4. Qual o valor da tensão que se manteve constante? _________

Experiência 11

Fonte de alimentação (eliminador de pilhas)

Neste circuito, vamos montar uma fonte de alimentação.

Material necessário: - 1 transformador -110V/220V ,9V, 500mA - 4 diodos 1N4001 (ou equivalente); - 1 resistor de 10K , 3,3K e 470 (0,25W); - 1 capacitor de 220mF, 64V - 1 diodo zener 5,6V, 0,5W; - 1 multímetro (analógico ou digital).

Procedimento: 1.Monte o circuito da Figura 7.23.

Figura 7.23

2. Meça a tensão no resistor de 10KW. 3. Substitua o resistor de 10KW pelo resistor de 470W e um led, como mostra a Figura 7.24.

Figura 7.24
101

DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA
Alarme de subtensão
Descreveremos dois circuitos para um alarme de subtensão. No primeiro, quando a tensão diminuir abaixo de 12V um led deve acender. Porém, se a tensão voltar a aumentar o led irá apagar. No segundo circuito, quando a tensão diminuir abaixo de 12V, uma lâmpada irá acender, e mesmo que a tensão volte a aumentar, a lâmpada permanecerá acesa. Circuito 1

Material necessário -1 fonte de tensão variável; - 1 diodo 1N4004; - 1 led; - 1 diodo zener 12V, 0,5w; - 1 resistor 470W;5,6KW; 1KW; - 1 transistor BC338.

Circuito da Figura 7.25.

Figura 7.25

O único componente não estudado até aqui é o transistor. Neste circuito, o transistor irá funcionar uma chave.

102

O funcionamento do circuito será da seguinte forma: Como a tensão de alimentação é 14V, o diodo zener estará regulando, ficando 12V no diodo zener e 2V no resistor de 1KW. O transistor, neste caso, estará funcionado como uma chave fechada e toda a corrente passará por ele, como mostra a Figura 7.26.

Figura 7.26

Quando a tensão diminuir, abaixo de 12V, pode-se considerar que a corrente que passa no diodo zener será zero, logo, a tensão no resistor de 1KW será zero e o transistor funcionará como uma chave aberta. Toda a corrente passará pelo led e acenderá. Neste circuito quando a tensão cair abaixo de 12V o led acende, no entanto, se a tensão voltar a aumentar o led apaga. Descrevemos a seguir um circuito no qual, quando a tensão baixar e voltar a aumentar uma lâmpada ficará acesa. Material necessário -1 fonte de tensão variável; - 1 diodo 1N4004; - 1 lâmpada de 12V; - 1 diodo zener 12V, 0,5w; - 1 resistor 2,2K, 10K; - 2 resistores 1K; - 1 transistor BC338; - 1 capacitor 1F, 16V - 1 SCR ( TIC106D); -1 relé 12V.

Circuito 2 (Figura 7.27)

103

foi utilizado um SRC. 104 . o transistor funciona como uma chave aberta e toda a corrente desvia para o circuito do capacitor que dispara o SCR. figura . A bobina do relé é acionada e o contato normalmente aberto do relé fechado. a lâmpada é acesa.Figura 7.27 Neste circuito. no qual. quando a tensão cair abaixo de 12V.

Coletor Base Emissor n Fluxo de lacunas p n Fluxo de elétrons Figura 8.1 mostra a constituição do transistor.1 Constituição de um transistor bipolar A Figura 8. Estes foram laureados com o prêmio Nobel da Física em 1956. O nível de dopagem do coletor é intermediário entre a dopagem forte do emissor e fraca da base. A base é levemente dopada e muito fina. 105 . no qual é formado pela combinação de materiais semicondutores dopados com átomos trivalentes ou pentavalentes. 8.TRANSISTOR BIPOLAR Introdução O transistor é um componente eletrônico formado por materiais semicondutores.4). pois é nela que se dissipa a maior parte da potência gerada pelos circuitos transistorizados (BOYLESTAD e NASHELSKY.1 Estrutura física do transistor de junção bipolar NPN As extremidades são chamadas emissor e coletor e a camada central é denominada base. O transistor começou a se popularizar na década de 1950 e ocasionou a revolução da eletrônica na década de 1960. Ela permite que a maioria dos elétrons injetados pelo emissor passe para o coletor. As principais aplicações do transistor são: amplificar sinais elétricos e chavear circuitos. Foi desenvolvido no laboratório Bell Telephone e demonstrado em 23 de Dezembro de 1947 por John Bardeen. O coletor. Um transistor é formado pela combinação do material N+P+N ou P+N+P. recebe os portadores que vêm da base. Walter Houser Brattain e William Bradford Shockley. o que se denomina transistor NPN (Figura 8. 1998). respectivamente (LALOND e ROSS. É a camada mais extensa. A adição de átomos trivalentes no semicondutor constitui a formação do material do tipo P. O emissor é fortemente dopado e tem como função emitir portadores de carga para a base (elétrons no transistor NPN e lacunas no transistor PNP). 1999).3) e PNP (Figura 8. e a adição de átomos pentavalentes a formação do material do tipo N. como o nome diz.CAPÍTULO 8.

Na Figura 8. O emissor é o mais dopado dos três.Polarização emissor -base reversamente e coletor base reversamente. nem apresentam a mesma dopagem. o que significa que. Figura 8. e desta forma. na formação do materal do tipo N. . elas não possui tamanhos iguais.2 Polarização do Transistor Polarizar um transistor é aplicar fontes de alimentação em seus terminais para que possamos analisar o que acontece. A base é levemente dopada e o coletor é o mais extenso dos três.2.Transistor PNP 8. Portanto.Transistor NPN Figura 8. Comparando as três camadas do transistor. o transistor foi redesenhado fixar o que foi dito. 106 . compreender o seu funcionamento. no emissor temos uma maior quantidade de elétrons livres do que no coletor.4.3 . a quantidade de impurezas (átomos pentavelentes) é superior a quantidade de impurezas do coletor..2 Transistor Bipolar coletor base base coletor emissor emissor Figura 8.

Figura 8.5.Figura 8. aumentando desta forma a barreira de potencial até se igualar a fonte Vcb. .6 Polarização emissor base diretamente e coletor. Entre o coletor e base acontece o mesmo procedimento.Polarização emissor base diretamente e coletor. Neste tipo de polarização não haverá circulação de corrente se desprezar as corrente de fuga de superfície e a corrente produzido termicamente.base diretamente 107 . Uma forma de visualizar este tipo de polarização é considerar entre o emissor e a base um diodo em que o catodo está no emissor e o anodo na base. com isto aumenta a camada de depleção.Polarização emissor-base reversamente e coletor-base reversamente Pela Figura 8. A tensão positiva externa atrae o elétrons do emissor para a extremidade do transistor e o negativo da fonte externa aplicada na base atrae as lacunas.base diretamente .5. observa-se que tensão aplicada no emissor para a base (Veb) e a tensão aplicada do coletor para a base (Vcb) polarizam o transistor reversamente. O positivo da fonte externa atrae os elétrons do coletor e o negativo que está ligado na base atrae as lacunas.

A tensão Veb ao polarizar o transistor diretamente. haverá uma grande circulação de corrente circulando pela base do transistor. Neste tipo de polarização verifica-se que o nome coletor está indicando que ele coleta os elétrons e o emissor tem como função emitir elétrons. a maior parte dos elétrons passam para o coletor . a tensão aplicada no emissor para a base(Veb) e a tensão aplicada do coletor para a base(Vcb) polarizam o transistor diretamente. Se a tensão Veb for maior do que a barreira de potencial . Neste caso. A tensão Vcb faz com que aumente a camada de depleção entre a base e o coletor. sendo atraído pelos íons positivo. como mostra a Figura 8.base.Polarização emissor base.Polarização emissor base. . diretamente e coletor. 108 . os elétrons passam do emissor para a base.Na Figura 8.7. na maioria das vezes aproximadamente de 95% a 99% dos elétrons que passaram do emissor para a base vão para o coletor e apenas 5% a 1% desce pela base. Pode-se dizer que. Apenas uma pequena parcela desce pela base. A fonte de tensão externa aplicada entre o emissor e a base polariza o transistor diretamente e a tensão aplicada do coletor para a base polariza o transistor reversamente. O emissor é o mais dopado ele tem com função emitir elétrons.7. faz o menos da fonte repelir os elétrons do emissor. -Tensões e correntes no transistor A Figura 8.base. Estes elétrons terminam indo para o positivo da fonte Vcb. diretamente e coletor. Ao chegar na base ocorre o inesperado.8 e 8. reversamente Figura 8.6.9 mostram os sentidos das tensões e das correntes em um transistor NPN e PNP respectivamente. reversamente Este tipo de polarização é o mais utilizado dos três.

O emissor é comum aos sinais de entrada e saída. O termo comum se refere ao terminal que será comum ao sinal de entrada e ao sinal de saída.9 Transistor PNP Podemos tirar as seguinte conclusões: Transistor NPN Ie = Ic +Ib Vce = Vcb +Vbe Transistor PNP Ie = Ic + Ib Vec = Vbc +Veb 8. quando o sinal de entrada está na base e o sinal de saída está no coletor.3 Configurações Básicas do Transistor Os transistores podem ser utilizados em três configurações básicas: base comum.3. 8. emissor comum e coletor comum.1 Configuração Emissor comum Um transistor encontra-se na configuração emissor comum (Figura8.Figura 8. 109 .10).8 Transistor NPN Figura 8.

110 . este parâmetro serve também para o cálculo dos resistores de polarização para as outras configurações. Curva característica do sinal de entrada A curva característica do sinal de entrada mostra o comportamento da corrente Ib com relação a tensão Vbe (Figura 8.10 Configuração Emissor comum Nesta configuração na entrada temos ib. entraremos com mais detalhes estudando as curvas características de entrada e de saída. Ganho de corrente O ganho de corrente relaciona a corrente de saída com relação a corrente de entrada.11). O ganho de corrente para este tipo de configuração é Ic/Ib Como esta configuração é a mais utilizada. os manuais dos fabricantes mostram este ganho de corrente. pelo qual é simbolizado pela letra beta cc. Ie é comum ao sinal de entrada e de saída.Figura 8. na saída Ic. Logo: b = Ic/Ib Embora este ganho de corrente tenha sido definido para a configuração emissor comum. Devido a configuração emissor comum ser a mais utilizada.

12 Curva característica do sinal na saída Como a corrente que flui para o coletor depende também da quantidade de elétrons que flui do emissor para base. da corrente da base. o funcionamento é semelhante a de um diodo. Com o transistor construído com átomos de silício o valor da barreira de potencial é de 0.11 Curva característica do sinal de entrada Entre o emissor e a base existe uma barreira de potencial. Curva característica de saída A curva característica do sinal de saída. Figura 8. o gráfico é construído para os vários valores da corrente da base.12).7V. 111 . O que observamos é que quando uma fonte de tensão contínua é aplicada entre o emissor e a base. Para que os elétrons do emissor passem para a base.Figura 8. deve-se vencer esta barreira. ou seja. mostra o comportamento da corrente Ic com relação a tensão Vce (Figura 8.

Quanto maior for a corrente que passa para a base. a maior parte dos elétrons é atraída pelo coletor devido aos cátions da camada de depleção. mas também da corrente Ib. também não haverá corrente no coletor.13 Configuração base comum Definimos como entrada a tensão Vbe e a corrente Ie.Observamos que. a base está na entrada e na saída do circuito.13). ou seja. a corrente do coletor não depende somente da tensão Vce.3. a tensão entre o coletor e base. O fato é que. (Figura 8. maior será a corrente que também passa para o coletor. Circuitos de polarização tendo como base a configuração emissor comum Polarização da base A Figura 8.2 Configuração Base comum Nesta configuração. aumentando a camada de depleção. mostra o circuito polarização da base 112 . Logo.15. como não há corrente na base. a base é o eletrodo comum. Ganho de corrente a = Ic/Ie Definimos o ganho de corrente para este tipo de configuração. Quando uma tensão entre o emissor e a base for suficiente para vencer a barreira de potencial e assim a base ter corrente. mesmo que a tensão entre o coletor e o emissor seja um valor elevado. Na saída está a tensão Vcb e a corrente Ic. Figura 8. pois será útil para análise de circuitos para outras configurações. polariza o coletor e a base reversamente. 8. se a tensão entre o emissor e a base for zero.

qaunto a tensão Vbb for maior do que 0. determine Vce e Ic.Vce + RcIc + Vce = 0 Exercício Resolvido Dado o circuito (Figura 8. pois. entre a base e o emissor o transistor comporta-se como um diodo para uma tensão contínua.7V.15). Rc = 3. Dado: Vbb = 6V.3K. Rb = 220K.Figura 8.14 Circuito polarização da base Malha de entrada -Vbb + RbIb + Vbe = 0 Adotaremos Vbe sempre igual a 0.7V.15 Solução: 113 . Logo: Vbb = RbIb + 0.7 Malha de saída . Figura 8. Vcc = 12V e o ganho de corrente é igual a 100.

16).16 Reta de carga CC Região de corte A região de corte é definida como a região no qual a corrente da base é zero (idealmente) é consequentemente. Figura 8. Neste caso.4mA Malha de saída 12 = Rc.024mA Ic = bIb logo: Ic = 0.4m +Vce 12 = 3. o transistor funciona como uma chave aberta.3K. faz-se necessário esboçar uma reta na curva característica de saída do transistor na configuração emissor comum. 114 . que intercepte todos os possíveis pontos de operação do transistor. 2.08V Reta de carga cc Para saber os pontos de operação do transistor.2.7 Ib = 0.Malha de entrada 6 = 220KIb + 0. Esta reta é definida como reta de carga cc. (Figura 8.4m + Vce Vce = 4. Ic também é zero.024mx 100 Ic = 2..

Dado o circuito (Figura 8. Rb = 3. Dado: Vbb = 0. Imagina-se o circuito da Figura 8.18 Região de saturação Um transistor está operando na região de saturação.17 Solução: Malha de entrada Vbb = RbIb + 0.2K e b = 100. o transistor funciona como um diodo. Dado: Vbb = 12V. pois entre a base e o emissor. Vce = Vcc = 10V Neste caso. onde a tensão Vbb não é suficiente para vencer a barreira de potencial. determine Ic e Vce. quando a corrente Ib for um valor tão elevado que o transistor sature funcionando como uma chave fechada. Rc = 2. Ic = 0.3V.19). Logo Ib = 0 Como Ic = bIb e Ib = 0. Figura 8. Vcc = 10V.18. Figura 8. determine Ic e Vce.Exemplo: 1) Dado o circuito (Figura 8. Rc = 2.3K.2K e b = 100. Vcc = 15V. o transistor funciona como uma chave aberta e está operando na região de corte. Rb = 10K. mesmo tendo um valor de tensão Vcc. Exemplo .7. 115 .17).

Figura 8.4V Como um transistor não gera tensão. já que o transistor funciona como uma chave fechada e desta forma a tensão Vce será zero. Observe que a corrente que circula no coletor é o maior valor possível para este circuito. 116 . existe um valor de corrente Ic e tensão Vce que não são zero e também não possui o máximo valor possível para o circuito.Figura 8.20 A corrente Ic será igual a Vcc/Rc.20. Região ativa A região ativa é a região intermediária entre a região de corte e saturação. 342m + Vce Vce = .19 Solução: Malha de entrada Vbb = RbIb + 0.7 Ib = 3. O transistor neste caso funciona como uma chave fechada como mostra a Figura 8.42mA Ic = 100. Na região ativa. 12 = 3. é que a corrente da base é um valor bastante elevado. A única tensão que temos na malha de saída é de 15V para ser divida pelo resistor e transistor.7.42m = 342mA Malha de saída 15 = 2. Na região de corte a corrente Ic é igual a zero e a tensão Vce é o valor máximo possível.737. 3. O que temos neste caso.2K. Na saturação a tensão Vce é igual a zero e a corrente Ic é o valor máximo possível para o circuito.3KIb +0. sendo suficiente para saturar o transistor.

7 Ib = 0. o transistor está operando na região ativa.2K Ic + Vce Vce = 8. o cálculo da reta de carga cc deve ser processado da seguinte forma: 117 .7. na construção de amplificadores.84V Observe que. Cálculo da reta de carga cc Para o circuito da Figura 8. temos um valor positivo de corrente Ic e tensão Vce. logo.determine Ic e Vce.Exemplo 1) Dado o circuito (Figura 8.8mA Malha de saída 15 = 2. Rc = 2. Figura 8. Rb = 330K.22.2K e b = 100.028mA Ic = 2.21). Dado: Vbb = 10V.21 Solução: Malha de entrada Vbb = RbIb + 0. 10 = 330KIb + 0. O transistor operando na região ativa será útil na construção de circuitos para amplificar um sinal. ou seja. Vcc = 15V. que não são zero nem o máximo.

Dado: Rc= 3.23).22 Para determinar a reta de carga. Na região de corte: Ic = 0 Vce = Vcc Na região de saturação Vce= 0 Fechando a malha temos: Vcc = Rc i c + Vce Logo: Vcc = Rc Ic Icsat = Vcc/Rcc Ex: Dado o circuito(Figura 8. deve-se calcular dois pontos.Figura 8. Vbb = 4V e Vce = 15V Figura 8. determine a reta de carga cc.23 Solução: Na região de corte 118 . Rb = 270K. Iremos calcular na região de corte e na região de saturação.3K.

Ic = 0 Vce = 15V

Na região de Saturação Icsat = 15/3,3K = 4,54mA Vce = 0

A reta de carga cc é mostrado na Figura 8.24.

Figura 8.24

Polarização da base O circuito polarização da base é apresentado na Figura 8.25.

Figura 8.25 Circuito polarização da base

No circuito da Figura 8.25, conhecido como polarização da base é o circuito mais utilizado quando deseja colocar o transistor para que funcione como chave, ou seja, o
119

transistor esteja funcionando na região de saturação ou na região de corte. Geralmente, a fonte de alimentação da base é a mesma que alimenta o coletor, isto é, Vbb = Vcc. O circuito então, é desenhado como mostra a Figura 8.26.

Figura 8.26 Circuito polarização da base

Este tipo de polarização, porém, não é utilizado quando se deseja utilizar o transistor para que opere na região ativa. Coloca-se o transistor na região ativa quando deseja construir um circuito para amplificar um sinal ca Ao utilizar o circuito acima, colocando o transistor para operar no meio da reta de carga cc, com o aumento da temperatura o ponto quiescente é alterado indo para a saturação. Demonstração Na primeira malha temos: Vcc = Rb ib + Vbe

Na segunda malha: Vcc = Rc ic + Vce Para que o transistor opere na região ativa, o ideal é que ele opere no meio da reta de carga cc. Para isto deve-se colocar Vce = 0,5Vcc. Com o aumento da temperatura o ganho de corrente aumenta e consequentemente ic também aumenta, uma vez que, ic = bib. Da segunda malha como Vcc e Rc são valores fixo, ou seja, não sofrem influência com a alteração da temperatura ambiente. Para que a equação continue válida, Vce diminui. Vce diminuindo o ponto quiescente na reta de carga cc deve subir, ou seja, o transistor tende a saturação. Para polarizar o transistor na região ativa, foram implementados vários circuitos, até conseguir o circuito mais utilizado, que é o circuito polarização por divisor de tensão. Iremos analisar a evolução dos circuitos.

Polarização com realimentação do emissor

120

Na figura 8.27, temos o circuito polarização com realimentação do emissor,no qual foi inserido um resistor no emissor.

Figura 8.27 Polarização com realimentação do emissor

Malha I Temos: Vbb = Rb ib + Vbe + Re Ie Malha II temos Vcc = Rc ic + Vce + Re ie Exercício resolvido Dado o circuito (Figura 8.28), determine Ib, Ie, Ic e Vce. Vcc= 12V, Vbb = 6V, Rb = 470KW, Rc = 2,7KW e Re = 800W, b = 120.

Figura 8.28

121

visto da base para o terra.0112mA Ic = bIb Þ Þ Ic = 1. 1.3V Polarização por divisor de Tensão Na Figura 8. temos o circuito polarização por divisor de tensão. 1.29.011m Ie = 1.34mA Ie = 1.7K.35mA Þ 6 = 470K ib + 0.35m Vce = 7. Rth = R1//R2 Rth = R1.34m + 0.7 Ie = Ic + Ib Vcc = RcIc + Vce + ReIe 12 = 2. devemos determinar o equivalente de Thevenin.34m + Vce + 800. Figura 8.R 2 R1 + R 2 122 .29 Circuito polarização por divisor de tensão Para simplificar os cálculos.Solução: Vbb = RbIb + Vbe Ib = 0.

30 Circuito equivalente de Thevenin Malha I Temos: VTh = RTh ib + Vbe + Re Ie Malha II temos Vcc = Rc ic + Vce + Re ie Exercícios resolvidos 1. Figura 8.Vth = R2 Vcc R1 + R 2 Circuito após o equivalente de Thvenin é apresentado na Figura 8.31). O ganho de corrente é igual a 100 123 .30. determine Vce e Ic.Dado o circuito (Figura 8.

09V 33K + 3.8Kie Ie = ic + ib.3K 3.8K ib Malha 2 ib = 0.55V 124 .3K (0.3K Vth = O circuito pode ser substituído pelo circuito da Figura 8.213m) Vce = 11.21mA e ie = 0.Figura 8.8K ie 12 = 3.32 Circuito equivalente 1.3.8K( 101ib) 0.39 = 184.3Kic + Vce + 1.09 = 3Kib + 0.02m) + Vce + 1.8K (0.3K = 3KW 33K + 3.213mA 12= 3.31 Solução: Rth = 33K .09 = 3K ib + 0.7 + 1.3K 12 = 1. Figura 8.002mA logo: ic = 0.7 + 1.32. onde: ic = bib ou seja ie = 100ib+ ib = 101ib logo: 1.

Não é muito utilizado o transistor na saturação leve por causa da variação do ganho de corrente. Para colocar o transistor para na saturação forte deve-se fazer com que a corrente da base seja aproximadamente um décimo do valor da corrente de saturação. Ib + 0 . A saturação forte é a utilizada em circuitos.8.4 Transistor como Chave A regra para projeto Uma saturação leve significa que levamos o transistor apenas no início da saturação. Figura 8.7 = Rc. a corrente da base é o valor exato e suficiente para operar o transistor no extremo superior da reta de carga.33 temos: Na saturação forte: Ib = 0.1ic Malha de entrada: Vcc = Rb.ib+0. isto é. Temos: Vcc = Rc. pois o transistor continua na saturação mesmo no pior caso de variação do ganho de corrente com a variação da temperatura.ic 125 .33 Transistor como chave Analisando a Figura 8.7 Malha de saída Vcc =Rcic + Vce como na saturação Vce = 0. ic Igualando as duas equações temos: Rb.

0.Desprezando 0. Ib = Rc. Ic . a base amarra a tensão do emissor. 126 .7. pois mesmo alterando a queda de tensão nos leds a corrente permanece a mesma.Os leds L-1 e L-2. Poderá o led 2 ter sua luminosidade diminuída por necessitar de mais tensão? (Figura 8. Esta tensão faz com que fixe a tensão no emissor de 3. Ic Na saturação forte ib = 0. Transistor como fonte de corrente Observando a Figura 8. logo: Rb.5V enquanto l-2 uma queda de 2. 0. da figura 9.5V.34).5 Transistor como Fonte de Corrente Para entender melhor o transistor como fonte de corrente vamos para este problema. verificamos que na base existe uma tensão de 3V.1ic = Rc.1ic. Rb. Neste circuito.necessitam de uma corrente de 10mA para obter uma boa luminosidade.7V temos. . ou seja.34. o transistor está funcionando como fonte de corrente. No entanto L-1 proporciona uma queda de 1. Figura 34. logo: Rb = 10Rc 8.5.1.

2001). é utilizado com freqüência. 1995 ). 8 3 Modelo de Erbers Moll Ao substituir o transistor pelo modelo de Erbers-Moll. tem-se o seguinte circuito equivalente para o transistor (CIPELLI e SANDRINI. que se aproximam melhor do funcionamento real. dimensionando o valor de Re. Leitura Complementar Modelagem do transistor para análise CA O transistor em um circuito elétrico é substituído pela combinação de elementos apropriadamente escolhidos.Os cálculos a seguir demonstram isto: Se ambos os leds necessitam de 10mA para o brilho ideal basta fixar a corrente de emissor em 10mA. 127 . por isto. No modelo de Ebers Moll. a luminosidade do led2 não será diminuída. tendo-se o que é denominado modelagem do transistor. Há vários modelos para representar o transistor em um circuito elétrico. porém sem obtém maior precisão. Os mais utilizados são o modelo de Erbers Moll e o modelo híbrido (MALVINO. O modelo híbrido requer cálculos mais complexos. os cálculos envolvidos no circuito ficam mais simples.7)/10mA Re = 230W Observe que a fonte da base ligada diretamente na base fixa a corrente ie. correntes e freqüências envolvidas. Re = (3-0. O objetivo de modelar o transistor é facilitar a análise para sinais alternados em função das tensões. Logo.

diferencia-se a Eq.6 10 -19 Coulomb) k = constante de Boltzmann (1.Transistor NPN emissor Figura 36 .V k . 2001: 98) e a Eq.Modelo Erbers Moll Onde: re´ = resistência a passagem do sinal alternado no emissor. pode ser deduzida como segue: A equação da junção PN retangular deduzida por Shockley (substituída pela resistência re´ no modelo) é: Onde: I = æ Is ç e ç è q .1 com relação a V.1 ÷ ÷ ø (1) I = corrente total do diodo Is = corrente de saturação reversa V = tensão total através da camada de depleção q = carga de um elétron (1.1 não inclui a resistência de corpo de cada lado da junção.1 torna-se: I = Is(e 40V 1) Para obter re`. SANDRINI. À temperatura de 25¡C. por isso é aplicada ao diodo somente quando a tensão através da resistência for desprezível. do modelo de Erbers Moll. q/kT é aproximadamente igual a 40 (CIPELLI.coletor base base coletor re` emissor Figura 35 . dI/dV = 40Ise40V Pode-se escrever na forma dI/dV = 40( I + Is) 128 .38 10 -23 Joules/Kelvin) T = temperatura absoluta (ºK) A descrição da Eq.T ö .

1996). 129 . De acordo com essa escolha. acrescenta-se o índice e na corrente. a forma adotada é fixar v1 e i2 como variáveis dependentes e i1 e v2 como variáveis independentes (CUTLER. Para o modelamento do transistor. I é muito maior do que Is (caso contrário a polarização é instável). o valor prático de re` é: re´ = 25mV/ I Como se está tratando da camada de depleção do emissor.4 Modelo Híbrido No modelo híbrido (MARQUES et al. o transistor é substituído por um único dispositivo denominado quadripolo. Por isso.Tomando-se o inverso resulta o valor de re` re´= dV/dI = 1/40( I + Is) = 25mV/ (I + Is) Em um amplificador linear prático.Quadripolo Genérico Essas quatro grandezas envolvidas podem ser relacionadas entre si por meio de funções lineares. de tal forma que ele possa ser modelado matematicamente: Variáveis: v1 = tensão de entrada v2 = tensão de saída i1 = corrente de entrada i2 = corrente de saída Convenção: Tensão positiva para cima Corrente positiva para dentro i1 + v1 _ Circuito Elétrico i2 + v2 _ Figura 36 .1997). fixando-se duas variáveis dependentes e duas independentes. re´ = 25mV/Ie 5. tem-se modelo matemático de quadripolos.

i 1 e i2 = h21. Para relacionar essas tensões e correntes.v2 Assim.h11 e h21 Para v2 = 0. seu modelo elétrico fica determinado como segue.v2 e i2 = h22. é denominado modelo híbrido. h 21 =i2/i 1 (saída em curto) h 21 (hf) É o ganho de corrente quando a saída está em curto.1 Modelamento matemático do quadripolo v1 = f1 (i 1.v2 i2 = h21. As equações se reduzem a v1 = h12.v2 Logo: h 12=v1/v2 (entrada aberta) h 12 (hr) Ganho de tensão reverso com entrada aberta h 22 = i 2/v2 (entrada aberta) h 22 (ho) Admitância de saída com entrada aberta Conhecidos os parâmetros h do quadripolo. o quadripolo deve ser formado por quatro parâmetros h internos e constantes. As equações se reduzem a: v1 =h11.h12 e h22 Para i1 = 0. h21 e h22.i1 Logo: h 11= v1/i1 (saída em curto) h 11 (hi) É a impedância de entrada quando a saída está em curto.4. v2) Este tipo de modelo que fixa a tensão de entrada v1 e a corrente de saída i2 como variáveis dependentes.5. como segue: . 130 . definindo as duas funções lineares f1 e f2 da seguinte forma : v1= h11. h 12. e a corrente de entrada i1 e a tensão de saída v2 como variáveis independentes.i1 + h22. 1995).v2) i2 = f2 (i1. . exatamente por misturar tensão e corrente como variáveis dependentes e independentes (BADHERT.i 1 + h12. denominados h11. os parâmetros h e seus significados físicos podem ser obtidos fixando-se o valor de uma das variáveis independentes.

39.v2 Neste modelo elétrico. um circuito com muitas malhas é substituído por uma fonte de corrente e uma resistência em paralelo (MALVINO. determine a reta de carga cc e indique o ponto quiescente. 131 . R4 = 820W .v2 i2 = hf. 1995).9KW. No teorema de Thevenin. Exercícios 1. Dado o circuito da Figura 8. R2 = 3.38. determine a reta de carga cc e indique o ponto quiescente. Figura 8.i 1 + ho.i1 + hr. um circuito com múltiplas malhas é reduzido para uma fonte de tensão em série com uma resistência .i1 + hi i2 + v2 _ v1 _ hr v2 hf i1 h0 Figura 37 Modelo híbrido para o transistor As equações de Kirchhoff para este modelo são: v1= hi. Dado: R1= 10KW. Dado o circuito da Figura 8. R3 = 2. Vcc = 12V e beta = 100 .38 2. No teorema de Norton. tem-se na entrada o teorema de Thevenin e na saída o teorema de Norton.2KW .

40 4. Dado o circuito da Figura 8. Determine a reta de carga cc . Vcc = 12V. 132 .2KW.7KW. Vee = -5V e ganho de corrente de 120 Figura 8. b1 = 100 e b2 = 130. Re2 = 1. Rb = 330KW.41. Vbb = 6V . Figura 9. Re = 820W. O beta na região ativa é de 100. determine a corrente Ie2.39 3.7MW. Considere o circuito da Figura 8.Dado: Rc = 3. Dado: Rb = 2. Vcc = +12V. indique o ponto quiescente na reta e determine Vc.40.

R2 = 40KW e Re = 340W.43 Sabendo-se. Figura 8.6V. mostra um circuito transistorizado operando na região ativa com Vbe = 0.42 Figura 8. 133 . Determine os valores aproximadamente de Rc em W.43. Figura 8.. exibida pelo Amperímetro A1. qual a corrente.41 6.42 e o gráfico. para temperatura de 50°C no RTD? 6. no Transistor Tr1. b) Considerando que o circuito apresenta R1 = 110KW. Figura 8.figura 8.7V e as curvas características do transistor com a reta de carga correspondente. Determine: a) O ganho de corrente (bcc). Beta = 40 e Vbe = 0. em Amperes. Observe o circuito. A Figura 8. em mA. e Ib.55.

são: a) saturado. A figura8.45 8. cortado e operando na região linear. que é a chave do sensor de fim de curso de uma válvula. No esquema da Figura 8.44 7. Considere. temos o circuito de um transmissor eletrônico analógico de informação.46. b) saturado. respectivamente. Nele. operando na região linear e saturado. saturado e operando na região linear. e) cortado. os seguintes intervalos de tempo: T1 de 0s a 1s T2 de 1s a 3s T3 de 4s a 6s É correto afirmar que os estados do transistor. 134 . d) cortado.Figura 8. Figura 8.45 ilustra o sinal de tensão de entrada Vê. na curva. c) operando na região linear. nos intervalos T1. submetido no circuito transitorizado. a saída está localizada onde está o Amperímetro A1 e a sua entrada é S1. T2 e T3. cortado e saturado. operando na região linear e cortado.

Figura 8. A barreira de potencial do led1 = 2V e do led 2 = 1. Considere a barreira de potencial no led de 2V e o beta para os dois transistores de 100. S2 Fechada = 20mA em A1. Para que apresente uma boa luminosidade deve passar uma corrente de 10mA em cada led.7V. A chave S1 deve está fechada. Foi montado em laboratório o circuito da Figura 8. mostra um simples provador de continuidade. Quais os valores dos potenciômetros P1 e P2 em KOhms? 9. Sabendo que o transistor tem os seguintes dados: beta = 200 e Vbe = 0. Algum led irá aceder? Explique o que acontecerá.47 10. A continuidade é indicada pelo led.7V.46 Este transmissor deve enviar as seguintes informações: S1 Aberta = 4mA em A1. A figura 8.48. Determine Vce e Ic no transistor 2 ao medir a continuidade em uma placa de circuito impresso. Dado: Vcc = 12V. 135 .Figura 8. no qual a placa não apresenta defeito.47.

O ganho de corrente do transistor é de 100 e o sensor é uma chave reed switch. Figura 8. determine a tabela da verdade e indique qual porta lógica o circuito está representando.49 12.Figura 8.49. em volts.50 13. Figura 8. e da corrente Iz no Zener. Determine. em mA.Dado o circuito (Figura 8. os valores de tensão de saída Vo. O circuito da figura 8. OBS. calcule o valor do resistor da base.50). mostra um conversor DC/DC que utiliza um diodo Zener de tensão nominal de 8.48 11. Dado o circuito(Figura 8. Existem chaves reed swich normalmente aberta e normalmente fechada. para que a corrente que circule no motor seja de 1mA quando o sensor for ativado. No circuito foi utilizada uma 136 .7V.2V e um transistor com b = 100 e Vbe = 0.51).

A resistência do relé é de 100W. No circuito foi utilizado um LDR.52). no qual com a incidência de luz a resistência é de 400W e na ausência de luz a resistência é de 1MW. conforme o esquema abaixo. (Figura 8. (Figura 8. Para o circuito deseja que com a incidência de luz o relé seja energizado.51 14.53). Parâmetros do transistor Darlington Ganho de corrente 1500 Ic máx = 150mA Vbe sat = 1. Figura 8.Projete o circuito para que o transistor funcione como chave. Figura 8. Usando a mesma tensão de alimentação do circuito de controle e o transistor Darlington.4V Vce sat= 1V 137 .chave normalmente aberta que funciona da seguinte forma: Normalmente está aberta e ao aproximar do imã a chave fecha. especifique os resistores Rb eRc. Um motor CC opera com tensão de 5V e corrente de 100mA.52 15. Ele deve ser acionado por um circuito de controle que fornece 12V de tensão na saída.

deve-se montar o circuito.54.1 resistor de 5.1 led.1 transistor NPN (BC338). Procedimento: 1.25W). 560 (0.1 multímetro (analógico ou digital).Figura 8. .1 Fonte de alimentação 10V. 138 .53 Experiência no Laboratório Experiência 12 Transistor como chave Neste circuito. Material necessário: .6K . . no qual o transistor irá operar como chave. .Monte o circuito da Figura 8. .

25W). Vbe.Vce e Vcb.1 resistor de 330 (0.1 led.Ic.2 Fontes de alimentação 8V. no qual o transistor irá operar como fonte de corrente.Figura 8.1 multímetro (analógico ou digital). Vbe.55.Monte o circuito da Figura 8.1 transistor NPN (BC338).Ie. no qual Vbb = 3V e Vcc = 8V: 139 . Experiência 13 Transistor como Fonte de corrente Neste circuito.54 2. . . Coloque a chave na posição 2 e meça Ib. 3.Vce e Vcb. deve-se montar o circuito.Ic. Coloque a chave na posição 1 e meça Ib. . Material necessário: . Procedimento: 1. .Ie.

.Figura 8. Material necessário: . deve acionar um buzzer.1 Buzzer de 6V. DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Alarme para porta com transistor Neste circuito. (ou equivalente). no qual a porta deve estar fechada e ao abri-la.25W).4 pilhas em um suporte para 4 pilhas ( duas em série e duas em paralelo). Aumente progressivamente a tensão na base até igualar a tensãoVcc(8).1 resistor 5. -1 Transistor BC338. Explique porque o led apagou. você vai montar um alarme para porta.6K (0. Circuito (Figura 8. 140 .1 Chave reed swich (normalmente fechada).55 2.56). . .

Figura 8.56

0 íma deve ficar na porta e o circuito como mostra a Figura 8.57.

Figura 8.57

A chave reed swich é normalmente fechada. No circuito, como a porta normalmente está fechada e o imã fica próximo a chave reed swich, a chave reed swich fica aberta. Ao abrir a porta, afasta o imã da chave reed swich e a chave reed swich fecha, fazendo com que circule corrente na base, desta forma o transistor deve entrar na região de saturação e acionar o buzzer.

Alarme de passagem
Neste circuito, uma fonte de luz deve sempre estar inserindo no fototransistor, ao bloquear esta emissão de luz, uma lâmpada será acesa. Material necessário

141

-1 bateria de 12V; - 1 diodo 1N4004; - 1 lâmpada de 12V; - 1 resistores de 68KW, 1/4W; - 2 resistores 1K; 1/4W; - 1 transistor BC338; - 1 capacitor 100mF, 16V; - 1 capacitor 0,01mF, 16V; - 1 fototransistor (qualquer um serve); - 1 CI 555; - 1 relé 12V. Circuito

Figura 8.58

Neste circuito (Figura 8.58), uma fonte de luz deve estar inserindo luz no fototransistor, pode ser uma lanterna, e o fototransistor está funcionando como uma chave fechada. A tensão de 12V está sobre o resistor de 1KW. No pino 2 do CI 555, tem-se uma alimentação de 12V. A saída (pino 3)fica em 0V. Quando ocorre o bloqueio da luz sobre o fototransistor, este entra na região de corte e entra 0V, sobre o pino 2. A saída do CI555(pino 3) sai aproximadamente 12V(na prática sai uma tensão menor devido as perdas no CI) e o transistor entra na região de saturação. O relé é acionado e a lâmpada de 12V é acesa. O tempo em que a lâmpada permanece acesa é calculado pela seguinte expressão: T = 1,1 RC = 1,1x68Kx100m = 7,48s. Após este tempo a lâmpada apaga.

142

CAPÍTULO 9 - OUTROS COMPONENTES ELETRÔNICOS
Introdução
Além dos diodos e transistores bipolares, existem vários outros componentes eletrônicos. Alguns desses componentes são usados em eletrônica de potência ou em circuitos osciladores e apresentam comportamentos completamente diferentes daqueles já estudados. Neste capítulo iremos explorar alguns desses componentes.

9.1 Transistor de Unijunção (TUJ)
Os transistores de unijunção (TUJ) são projetados para trabalharem em osciladores, circuitos temporizadores e disparadores (triggering). Embora sejam chamados de transistores e possuírem três terminais, sua constituição física é muito diferente de um transistor bipolar convencional, como podemos verificar na Figura 9.1. Um TUJ é dispositivo de baixa potência, com dissipação máxima de 300 mW. Na Figura 9.2 temos um equivalente elétrico para o TUJ e um circuito de teste. São exemplos de TUJ os seguintes componentes: 2N2646, 2N2647, 2N4870, 2N4871.

Junção pn

B2 B2

E Bastão de alumínio

E

B1 Silício tipo n B1

(a)
Figura 9.1 TUJ: (a) construção básica, (b) símbolo.

(b)

9.1.1 Funcionamento Pela Figura 9.2 (a), vemos que se a tensão VE do emissor for menor que 0,7 + VRB1 o diodo se encontrará inversamente polarizado, IE será praticamente nula e corrente que circula pelo componente será dada pela tensão de alimentação divida pela resistência interbase RBB. O valor de RBB fica normalmente entre 4 k e 9 k . Nessa situação, quando IE = 0, a tensão VRB1 é calculada por: RB1 VRB1 = VBB = hVBB . RB1 + RB 2
143

ocorre uma injeção de lacunas na região N correspondente a RB1 e a tensão do emissor cai rapidamente.85. o diodo de quatro camadas Schockley. A frequência desse oscilador é aproximadamente dada por: f @ 1 . O valor de pode variar. entre 0.55 e 0. estando fora do escopo deste livro. (b) circuito de teste. que será estudado mais adiante. Esses pulsos podem ser usados para ativar um outro dispositivo. ocorre uma redução drástica no valor de RB1 e passa a circular uma corrente maior pelo TUJ. isto é. 9. O valor ( eta ) é a razão intrínseca do TUJ.2 TUJ: (a) equivalente elétrico. Quando a tensão do capacitor atinge o valor crítico para a condução. o SCR (silicon controlled rectifier). Note que na base 1 são gerados pulsos periódicos. æ 1 ö R1C1 lnç ç 1 -h ÷ ÷ è ø A dedução dessa fórmula envolve algum conhecimento de cálculo e de transitórios CC.B2 RB2 VBB IE E RBB = R B1 + RB2 (IE = 0) VE RB1 VBB B1 (a) (b) Figura 9. tipicamente.2 Aplicação típica: oscilador de relaxação Na Figura 9. Quando a tensão VE se aproxima de VRB1 mais a tensão de polarização do diodo do emissor. 144 . Isso faz com que o capacitor se descarregue rapidamente através do resistor Rb1. Antes. isto é. estudaremos um componente mais simples . quando VE > VD + VRB1. porém. o capacitor vai se carregando através do resistor R1.2 (b) temos uma aplicação típica para o TUJ.1. Nesse circuito. a razão entre RB1 e RBB.

como. (b) representação das quatro camadas PNPN. A Figura 9. (a) Figura 9.3 mostra a simbologia do diodo Shockley (diodo que iremos estudar) e do diodo Schottly. (b) modelo de estudo para a trava ideal . (a) Dispositivo de quatro camadas. (c) Diodo Schottly (diodo de duas camadas). por exemplo. o diodo de quatro camadas ou diodo Shockley (não confundir com o diodo Schottky. (c) trava formada por dois transistores. 9.9. indicado na Figura 9. diodo com duas camadas. usado em aplicações que exigem altas freqüências. 145 .3 (c) (b) (a) Diodo Schockley (diodo de quatro camadas). em computadores).1 Funcionamento Para entender o funcionamento do diodo Schockley devemos analisar o funcionamento do circuito conhecido como trava ideal .4 (b) (c) .4.2. (a) Figura 9.2 DIODO DE QUATRO CAMADAS O estudo dos tiristores deve começar pelo dispositivo que origina toda a família.

Desta forma o diodo Schockey irá funcionar como uma chave fechada. O ciclo irá se repetir até que os dois transistores entrem na região de corte. Com polarização direta o diodo apresenta alta resistência enquanto a tensão for menor do que um valor chamado de tensão de breakover (UBO). 146 . O efeito é o mesmo que aplicar um disparo. Como conseqüência. de forma a saturar os dois transistores. Com polarização reversa o diodo se comporta como um diodo comum. consequentemente.5. Figura 9. se alguma coisa fizer a corrente da base do transistor NPN diminuir. Por outro lado.5. A corrente na base do transistor NPN aumentará mais e o ciclo continua até os dois transistores entrarem em saturação. Temos uma realimentação positiva conhecido como regeneração. O modo mais comum de disparar do diodo Schockley é através da interrupção. Se a corrente da base do transistor NPN aumentar. ou aplicar uma corrente na base do transistor NPN. conhecida como tensão de breakover (UBO). Acima deste valor o dispositivo dispara passando a conduzir. a corrente do coletor também diminuíra. UH (IH). a corrente da base do transistor PNP também diminuirá ocasionando uma diminuição na corrente do coletor do transistor PNP. observamos que o coletor do transistor PNP é ligado na base do transistor NPN. O coletor do transistor NPN é ligado na base do transistor PNP. somente voltando a cortar quando a tensão (corrente) de anodo cair abaixo de um valor chamado de tensão (corrente) de manutenção.Analisado a Figura 9. a corrente do coletor do transistor também NPN aumentará. Teremos uma chave aberta. Se a tensão reversa exceder a tensão de breakdown (UBK) o diodo será destruído. Curva característica do diodo de quatro camadas Schockley. a corrente na base do transistor PNP também aumentará. A tensão de breakover significa aplicar uma tensão de alimentação suficientemente grande no emissor do transistor PNP. apresentando altíssima resistência. Significa reduzir a corrente para um valor abaixo da corrente de manutenção (IH) ou tensão de manutenção (UH). A curva característica do diodo Schockley é mostrada na Figura 9. O único modo de abri-lo é através do desligamento por baixa corrente.3-(c). funcionado como uma chave fechada.

Sem esse disparo. Um SCR é basicamente um diodo de quatro camadas unilateral no qual foi colocado um terceiro eletrodo chamado de gate (G) ou porta usado para controlar o disparo do diodo por injeção de corrente. É um dos mais usados e difundidos tiristores.1 Estrutura e funcionamento do SCR O funcionamento de um SCR é semelhante à de um diodo de silício após o disparo de sua porta (gate). (b) símbolo do componente. Tiristor é um nome genérico dado a uma família de componentes semicondutores formado por quatro camadas (PNPN). 9. Esses componentes são aplicados principalmente na área de eletrônica de potência. (c) exemplo de encapsulamento (TO220). A estrutura básica de um SCR é mostrada na Figura 9.3 Diodo controlado de silício (SCR) O SCR é um dispositivo de quatro camadas que foi desenvolvido no Bell Telephone Laboratory (EUA) em 1957. Figura 9. 147 .6 (a) Camadas e junções do SCR.3.9. o SCR permanece bloqueado mesmo quando está diretamente polarizado.7 SCR polarizado diretamente.6 e seu funcionamento é explicado a seguir. mas com corrente de porta nula. (a) (b) (c) Figura 9.

a chave A é usada para disparar e a chave B para resetar o SCR. é necessário pelo menos uma tensão de 0. um diodo de quatro camadas pode ser representado por dois transistores ligados com realimentação de um para o outro.7V para disparar o SCR. Bloqueio por capacitor.5mA enquanto o TIC116 tem IH @ 15mA. 9.Quando o circuito mostrado na Figura 9. UH (IH) cujo valor depende do tipo de SCR. Por esta razão. verifica-se que o SCR funciona como uma chave aberta. a corrente de disparo será especificada pelo fabricante. A corrente de gate necessária para disparar o SCR é designada IGT e pode ser da ordem de mA no caso do TIC 106.9. A porta de um SCR é aproximadamente equivalente a um diodo. ou seja. a porta. Se adicionarmos um terceiro eletrodo.8 SCR em circuito CC. 148 . Após disparar. Por exemplo.7 é montado em laboratório. Além disso. Este estado é alterado após um disparo de corrente no gate. o TIC106 tem IH@ 0. será necessário uma corrente mínima. o SCR passa da condição de alta resistência para baixa resistência. c) fechando a chave Ch2. O SCR só volta a cortar quando a tensão (corrente) cair abaixo de um valor chamado de tensão (corrente) de manutenção. que irá depender do SCR utilizado. a analise de funcionamento leve em conta os seguintes passos: a) com as chaves Ch1 e Ch2 abertas. No circuito da Figura 9.5V ). b) fechando a chave Ch1. Para o circuito mostrado na Figura 9. Figura 9.8.3.2 Aplicações em CC típicas para o SCR Em CC deve ser previsto circuito de reset após o SCR disparar. Como vimos anteriormente. poderemos injetar corrente nesse eletrodo disparando a estrutura de quatro camadas.5V a 1. A tensão de anodo cai para um valor baixo (0.

11 mostra a sua curva característica. voltando a cortar quando a tensão (corrente) cair abaixo de um valor chamado de tensão (corrente) de manutenção. (a) (b) Figura 9. 9. 149 . UH (IH ).4 Diac O diodo de quatro camadas bilateral (DIAC = Diode AC) é um dispositivo de quatro camadas que pode conduzir nos dois sentidos quando a tensão aplicada. O símbolo do diac e a sua estrutura interna são mostrados na Figura 9.Figura 9. .10.10. com qualquer polaridade.9 SCR em circuito CC com bloqueio por capacitor. (a) Símbolo do diac e (b) sua estrutura interna. Já a Figura 9. ultrapassar um determinado valor chamado de tensão de breakover (UBO).

com corrente nos dois sentidos.Figura 9. ou usar um TRIAC. pode ser entendido como sendo equivalente a dois SCR s ligados em antiparalelo. Figura 9. Isto significa reduzir a corrente abaixo da corrente de manutenção especificada pelo componente. também mostrado na Figura 9. (a) Hipotético circuito de controle de carga AC usando dois SCRs. O TRIAC também pode ser entendido como um DIAC no qual foi adicionado um terminal de controle permitindo disparar o dispositivo com diferentes valores de tensão. a única forma de abri-lo é através de um desligamento por baixa corrente. pode ser usado o circuito visto com dois SCRs em antiparalelo. desta forma. O DIAC não conduz até que a tensão através dele exceder a tensão de interrupção em qualquer sentido. 9. como mostra a Figura 9.12.12. Curva característica do diac.). 150 . ao invés disso os dois terminais são chamados de terminal principal 1 (T1) e terminal principal 2 (T2). Uma vez que o diac está conduzindo.12. O TRIAC. Como o TRIAC dispara com tensão positiva ou negativa não tem mais sentido em falar em anodo (terminal +) e catodo (terminal .11.5 Triac Quando é necessário controlar a potência em uma carga AC. (b) símbolo do TRIAC.

principalmente no caso de circuitos resistivos. 151 . daí os circuitos que efetuam este tipo de controle ser chamados de Zero Voltage Switching (ZVS). permitindo um grande número de operações.13 ilustra essa aplicação. No modo síncrono o TRIAC somente será levado à condução quando a tensão da rede estiver passando próximo do zero. A Figura 9. por exemplo. principalmente se no instante que o TRIAC for gatilhado a tensão da rede estiver passando por um pico e a carga for resistiva. o circuito ZVS comanda o disparo do TRIAC somente quando a tensão de entrada estiver passando próximo de zero. Na Figura 9. não deixando o TRIAC disparar se a tensão de entrada for muito alta. Permite. Outra desvantagem é a possibilidade de aparecimento de grandes picos de corrente ao ligar o circuito a primeira vez. TRIAC não apresenta trepidação (o que acontece com um relé) ao conduzir. Figura 9.4. A grande desvantagem é a dissipação de calor. controlar grandes potências a partir de potências relativamente pequenas.2 Aplicações típicas para o TRIAC A seguir.13. sendo necessário o uso de um dissipador. apresentamos algumas aplicações típicas para o TRIAC. CHAVE ESTÁTICA ASSINCRONA O uso do TRIAC como chave assíncrona em circuitos CA leva algumas vantagens em relação à chave mecânica.9.14. não há aparecimento de arco voltaico (o que acontece com um relé). CHAVE ESTÁTICA SÍNCRONA O TRIAC operando no modo assíncrono tem como principal inconveniente o fato da possibilidade de serem gerados surtos de corrente muito elevados no instante que o TRIAC é chaveado. Chave assíncrona com TRIAC.

Figura 9.15. Circuito de controle de potência Dimmer. em linhas gerais. o DIAC dispara quando a tensão no capacitor C2 atingir a tensão de disparo (breakover). é dados logo a seguir.Figura 9. C2 se carrega depois gerando um atraso. Controle de Potência Dimmer. O capacitor C2 se descarrega através do DIAC e no gate do TRIAC disparando-o para um determinado ângulo de disparo. Após um tempo. e isso pode ser feito alterando-se o angulo de disparo durante cada semi ciclo. A luminosidade de uma lâmpada pode ser controlada através da variação da potência elétrica que lhe é entregue. O capacitor C1 é carregado (no semiciclo positivo ou semiciclo negativo) através do potenciômetro de controle Rv e a resistência R1. O seu funcionamento. A Figura 9. Chave síncrona com TRIAC.14. 152 .15 mostra um circuito simples que controla a potência de uma lâmpada usando o TRIAC.

O indutor Lf e o capacitor Cf. Circuito de controle de potência com filtro de RF (Lf e Cf).17. Formas de onda da tensão na carga para um ângulo de disparo.17 mostra as formas de onda da tensão na carga para um determinado angulo de disparo. mostrados na Figura 9.16.16. 153 .A mudança brusca de corrente de zero para um determinado valor produz rádio freqüência (RF) que causa interferências em aparelhos de rádio colocados na mesma rede. Figura 9. funcionam como um filtro que reduzem essas interferências a níveis aceitáveis. Figura 9. A Figura 9.

Ex3: O circuito abaixo é um detector de sobretensão. a) Para Vf = 8V b) Para Vf = 20V Ex2: Dado o circuito determine o valor da tensão de alimentação que produz o desligamento do diodo por baixa corrente. Dado: Fonte de alimentação = 10V.2K . Considere a tensão de interrupção do diodo de 12V e a queda tensão de 1.6V no ponto de desligamento.2 k . Considere a corrente de manutenção no diodo de 6mA e a queda de tensão de 0.Exercícios Ex1: Dado o circuito determine a corrente no diodo. 154 .2V. Tensão de interrupção do diodo de 12V. Explique o funcionamento. R = 1. R= 2.

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