Diodos e Transistores Bipolares: Teoria e Práticas de Laboratório

Fabiola Fernandes Andrade Francisco José Alves de Aquino

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Fabiola Fernandes Andrade Francisco José Alves de Aquino

Diodos e Transistores Bipolares: Teoria e Práticas de Laboratório

IFCE Fortaleza, 2010

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Sumário
CAPÍTULO 1 SEMICONDUTORES .........................................................................................................................7 Introdução .....................................................................................................................................................................7 1.1 Materiais semicondutores ......................................................................................................................................7 1.1.1 O átomo de silício ...........................................................................................................................................8 1.1.2 O átomo de germânio .....................................................................................................................................9 Exercícios ...................................................................................................................................................................10 1.1.3 Semicondutores do tipo P e N ......................................................................................................................11 1.1.4 O diodo ..........................................................................................................................................................12 1.2 Polarização do diodo............................................................................................................................................13 1.2.1 Polarização direta..........................................................................................................................................14 1.2.2 Polarização reversa .......................................................................................................................................14 Exercícios ...................................................................................................................................................................15 1.3 Informações Práticas............................................................................................................................................16 Exercícios ...................................................................................................................................................................18 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................19 CAPÍTULO 2 TEORIA DOS DIODOS ....................................................................................................................21 Introdução ...................................................................................................................................................................21 2.1 Curva característica do diodo ..............................................................................................................................21 2.2 Polarização Direta ................................................................................................................................................22 2.3 Polarização Reversa ........................................................................................................................................22 2.4 Modelos Do Diodo...............................................................................................................................................22 2.4.1 Diodo Ideal ....................................................................................................................................................22 2.4.3 Modelo linearizado .......................................................................................................................................24 Exercícios ...................................................................................................................................................................24 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................25 CAPÍTULO 3 CIRCUITOS COM DIODOS ............................................................................................................29 Introdução ...................................................................................................................................................................29 3.1 Tensão Senoidal ...................................................................................................................................................29 3.2 Transformador ......................................................................................................................................................30 3.3 Circuito Retificador de Meia-Onda ....................................................................................................................31 3.4 Circuito Retificador de Onda Completa .............................................................................................................35 3.5 Retificador Em Ponte...........................................................................................................................................40 3.6 Comparação Entre As Frequências Dos Circuitos Retificadores .....................................................................43 Exercícios ...................................................................................................................................................................44 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................47 Capacitor variável ......................................................................................................................................................49 CAPÍTULO 4 - CIRCUITOS RETIFICADORES COM FILTRO ............................................................................50 Introdução ...................................................................................................................................................................50 4.1 Circuito Retificador de Meia-Onda com Filtro Capacitivo ...............................................................................50 4.2 Circuito Retificador de Onda Completa com Derivação Central e Filtro Capacitivo .....................................53 4.3 Retificador em Ponte com Filtro .........................................................................................................................56 Exercícios ...................................................................................................................................................................59 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................62 CAPÍTULO 5 OUTRAS APLICAÇÕES PARA O DIODO ...................................................................................66 Introdução ...................................................................................................................................................................66 5.1 Rádio elementar ...................................................................................................................................................66 5.2 Diodo nos circuitos de proteção ..........................................................................................................................66 5.3 Circuito Tanque....................................................................................................................................................67 5.3.1 Propriedades do indutor....................................................................................................................................67

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5.4 Circuito ressonante ..............................................................................................................................................68 5.5 Circuito tanque na geração de sinais de rádio ....................................................................................................70 Exercícios ...................................................................................................................................................................71 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................71 CAPÍTULO 6 - CIRCUITOS LIMITADORES (CEIFADORES) E GRAMPEADORES.......................................74 Introdução ...................................................................................................................................................................74 6.1 Circuitos Limitadores ..........................................................................................................................................74 6.2 Circuitos Grampeadores ......................................................................................................................................80 Exercícios ...................................................................................................................................................................84 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................85 CAPÍTULO 7 DIODOS ESPECIAIS ........................................................................................................................88 Introdução ...................................................................................................................................................................88 7.1 Diodo Zener..........................................................................................................................................................88 7.2 Diodo Emissor De Luz (LED) ............................................................................................................................92 7.3 Diodo Túnel..........................................................................................................................................................94 7.4 Diodo Varicap (Varactor ou VVC).....................................................................................................................96 Revisão........................................................................................................................................................................97 Experiência no Laboratório .....................................................................................................................................100 CAPÍTULO 8- TRANSISTOR BIPOLAR ................................................................................................................105 Introdução .................................................................................................................................................................105 8.1 Constituição de um transistor bipolar ...............................................................................................................105 8.2 Polarização do Transistor ..................................................................................................................................106 8.3 Configurações Básicas do Transistor ...............................................................................................................109 8.3.1 Configuração Emissor comum...................................................................................................................109 8.3.2 Configuração Base comum ........................................................................................................................112 8.4 Transistor como Chave ......................................................................................................................................125 8.5 Transistor como Fonte de Corrente ..................................................................................................................126 Exercícios .................................................................................................................................................................131 Experiência no Laboratório .....................................................................................................................................138 Alarme para porta com transistor ............................................................................................................................140 Alarme de passagem ................................................................................................................................................141 CAPÍTULO 9 - OUTROS COMPONENTES ELETRÔNICOS ..............................................................................143 Introdução .................................................................................................................................................................143 9.1 Transistor de Unijunção (TUJ) .........................................................................................................................143 9.1.1 Funcionamento............................................................................................................................................143 9.1.2 Aplicação típica: oscilador de relaxação ...................................................................................................144 9.2 DIODO DE QUATRO CAMADAS ................................................................................................................145 9.2.1 Funcionamento............................................................................................................................................145 9.3 Diodo controlado de silício (SCR)....................................................................................................................147 9.3.1 Estrutura e funcionamento do SCR ...........................................................................................................147 9.3.2 Aplicações em CC típicas para o SCR ......................................................................................................148 9.4 Diac .....................................................................................................................................................................149 9.5 Triac ....................................................................................................................................................................150 9.4.2 Aplicações típicas para o TRIAC ..............................................................................................................151 Exercícios .................................................................................................................................................................154 BIBLIOGRAFIA CONSULTADA ............................................................................................................................155

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CAPÍTULO 1 SEMICONDUTORES
Introdução
Antes de iniciar o estudo sobre materiais semicondutores, vamos compreender a sua importância e exemplos de aplicações dos componentes que será abordado neste livro. O homem contemporâneo utiliza no seu dia a dia muitos equipamentos eletrônicos, tais como celular, computador, televisão e vários outros dispositivos. Todos estes equipamentos, no qual o homem faz uso é constituída a base de materiais semicondutores. Como ocorreu a descoberta destes materiais? Na década de 1940, um grupo de pesquisadores que trabalham no laboratório Bell Telephone, nos Estados Unidos, estudava um dispositivo eletrônico para substituir os relés que eram utilizados no sistema telefônico. O grupo era formado pelo físico William Schockey, o engenheiro eletricista Jonh Bardeen e o físico Walter Brattain. Este grupo observou que alguns materiais não se comportavam nem como condutores nem como isolantes, ou seja, ora conduzia corrente elétrica ora a bloqueava. Após a descoberta dos materiais semicondutores, foi possível a implementação de diodos, transistores, CIs, etc. Os países que investiram em materiais semicondutores tiveram um grande avanço em sua economia, uma vez que, constitui em um dos setores mais ativo da indústria. Com exemplo, podemos citar Taiwan, no qual, antes da década de 1970 era uma economia agrícola, produzia arroz, cana-de açúcar e abacaxi. A partir da década de 1970 investiu em tecnologia, especialmente em semicondutores. A sua estratégica para o desenvolvimento de uma política industrial e tecnológica foi baseada na experiência de parques tecnológicos (vale do silício). Na década de 2000, a China inspirou-se no modelo de Taiwam e também investiu em semicondutores com o objetivo de tornar a China o líder mundial em semicondutores em 2010. Compreender a estrutura química dos materiais semicondutores é de total importância para que possamos entender o funcionamento dos principais componentes da eletrônica como o diodo e o transistor que será abordado com detalhes neste livro. Manter a liderança dos EUA em micoreletrônica é criticamente importante para a economia e a segurança nacional dos EUA
China´s Emerging Semiconductor Industry, Documento da Semiconductor Industry Association, outubro de 2003.

1.1 Materiais semicondutores
Para o perfeito entendimento sobre os materiais semicondutores, iniciamos fazendo uma revisão sobre a estrutura atômica. Um átomo é formado por elétrons que giram ao redor de um núcleo composto por prótons e nêutrons.

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Os elétrons giram em órbitas ou níveis bem-definidos, conhecidos com K, L, M, N, O, P e Q, que representa o modelo atômico de Bohr, como mostra a Figura 1.1.
Q

M L K
núcleo

N

O

P

Quanto maior a energia do elétron, maior é o seu raio.

órbitas

Figura 1.1 - Estrutura do átomo

A última órbita de um átomo define a sua valência, ou seja, a quantidade de elétrons desta órbita que pode se libertar do átomo através do bombardeio de energia externa (calor, luz ou outro tipo de radiação) ou se ligar a outro átomo através de ligações covalentes (compartilhamento dos elétrons da camada de valência com os elétrons da camada de valência de outro átomo). Os materiais semicondutores apresentam 4 elétrons na sua camada de valência (tetravalentes). Não sendo classificados como bons isolantes, nem como bons condutores. Os semicondutores mais utilizados são o silício e o germânio. 1.1.1 O átomo de silício O átomo de silício contém 14 prótons e 14 elétrons distribuídos como indicado na Figura 1.2.
1º órbita 2 elétrons 2º órbita 8 elétrons 3º órbita 4 elétrons

+14

Figura 1.2

átomo de silício

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possuir quatro elétrons na última camada. cada átomo compartilha 4 elétrons com seus átomos vizinhos através da ligação covalente formando uma estrutura molecular forte.átomo de gemânio Devido os átomos de silício e de germânio serem tetravalentes. Forma-se então uma estrutura cristalina.1.Ligação dos átomos de silício 9 .2 O átomo de germânio O átomo de germânio contém 32 prótons e 32 elétrons assim distribuídos: +32 1º órbita 2º órbita 3º órbita 4 ºórbita 2 elétrons 8 elétrons 18 elétrons 4 elétrons Figura1. ou seja.4 . Quando se tem vários átomos de silício. para conseguir a configuração de gás nobre necessitam de mais 4 elétrons para a sua estabilidade.3.1. Figura 1.

O elétron ao se tornar livre deixa no lugar um buraco (lacuna). já que o número de elétrons livres é bastante elevado e qualquer aumento da temperatura não causará a libertação de muitos elétrons a mais. A recombinação é o fenômeno que ocorre quando elétrons livres ocupam a lacuna. Nos metais com o aumento da temperatura a resistência aumenta. b) O átomo de sílicio contém ______________elétrons. e quando se tem um cristal puro. dizemos que estes materiais possuem coeficiente negativo de temperatura. ele é chamado de semicondutor INTRÍNSECO. em uma forma bem definida. portanto. a neutralidade deste cristal se mantém. Sendo. Com________elétrons na camada de valência. ou seja. como existem elétrons livres e lacunas formadas pela energia térmica.Uma estrutura cristalina é caracterizada quando os átomos ficam bem organizados. o desaparecimento da carga negativa é acompanhado pelo desaparecimento da carga positiva. neste caso. (O número de cargas positivas é igual ao número de cargas negativas). Quando o cristal de silício é colocado em uma temperatura superior ao zero absoluto (273 ºC). A neutralidade do cristal. Em um cristal formado por germânio na temperatura ambiente a quantidade de elétrons livres e lacunas são maiores do que no cristal de silício. deste modo é mantida. porém a quantidade de elétrons livres é igual ao número de lacunas. os elétrons livres se movem randomicamente através do cristal. São estes elétrons livres que. que ocasionalmente ocupa uma lacuna (sendo atraído pela lacuna). sendo capazes de se movimentar pelo material. qualquer aumento de temperatura corresponde a uma diminuição de sua resistência. sob a ação de um campo elétrico. Os metais têm. ou seja. diferente do comportamento elétrico dos metais comuns. Se a forma fosse desorganizada seria chamada estrutura amorfa. Exercícios 1. Complete a) Os semicondutores mais utilizados e mais comuns são o ______________ e o _____________. Vale ressaltar que a formação de elétrons livres é chamada de GERAÇÃO. formado apenas por um tipo de átomo. Quando isto ocorre temos o que é chamado de RECOMBINAÇÃO. Com _______elétrons na camada de valência. portanto. por isso. coeficiente positivo de temperatura. O tempo entre a geração e a recombinação é chamado de TEMPO DE VIDA. Na temperatura ambiente um cristal puro. Em um semicondutor intrínseco. formam a corrente elétrica. 10 . ou seja. Em um semicondutor com o aumento da temperatura temos uma diminuição de sua resistividade. uma vez que com o aumento da temperatura a corrente terá maior dificuldade de passar. mas contribuirá de modo acentuado para um aumento da agitação térmica dos átomos. ocorre a formação de elétrons livres e lacunas. alguns elétrons da camada de valência se tornam elétrons livres. passam para a camada de condução (banda de condução). c) O átomo de germânio contém_____________elétrons. ou seja.

5 Estrutura de silício dopada com antimônio (Sb). i) O tempo entre a geração e recombinação é chamado ______________________. Quanto substâncias pentavalentes (possuem 5 elétrons na camada de valência).3 Semicondutores do tipo P e N Em um semicondutor podem-se acrescentar impurezas para se obter excesso de elétrons livres ou excesso de lacunas. 1. como se observa na Figura 1. e) Cada átomo compartilha ______elétrons com seus átomos vizinhos através da ligação ___________________. são adicionadas ao cristal puro. g) A formação de elétrons livres é chamada ________________________. necessitam de mais________ elétrons para conseguir a configuração de gás nobre.5. isto é possuem 4 elétrons na camada de valência. A cada átomo pentavalente que é adicionado. pois apenas 4 elétrons se ligam aos átomo de silício. a configuração de gás nobre não é obtida. O silício e o germânio são tetravalentes.d) Os átomos de silício e de germânio por serem _____________. sobra um elétron. Elétron livre Si Si Sb Si Si Figura 1. h) A ocupação de um elétron livre na lacuna é chamada __________________________.1. alguns elétrons da camada de valência se tornam ____________________________. pois o silício possui 4 elétrons e só necessita de mais 4 elétrons para conseguir a configuração de gás nobre. 11 . f) Na temperatura ambiente.

7 (a) Estrutura de silício dopada com boro (B). Componente este que será de grande importância para a construção de fontes de alimentação e muitas outras aplicações posteriormente discutidas. 1. N Figura 1. sobra uma lacuna.Nesse semicondutor temos o chamado material tipo N. temos a formação do componente eletrônico chamado diodo. acrescentarmos impurezas trivalentes. pois em toda a sua estrutura. Como a quantidade de elétrons livres é maior do que a quantidade de lacunas. para que ocorra a estabilidade.8.6. Se. a quantidade de elétrons livres é superior à quantidade de lacunas.4 O diodo Ao unir um semicondutor tipo P com um semicondutor tipo N. como mostra a Figura 1. Si Lacuna Si B Si P Si Figura 1.6 Material tipo N. ou seja. Temos a formação de um material tipo P. (b) material tipo P correspondente. onde as lacunas são os portadores majoritários e os elétrons livres portadores minoritários. irá faltar um elétron.7. os elétrons livres são chamados portadores majoritários e as lacunas portadores minoritários. como indica a Figura 1. 12 . como mostra a Figura 1.1. no entanto.

a camada de depleção é definida como a junção PN onde se encontra os cátions e ânions. Na junção cria-se um campo elétrico impedindo que outros elétrons passem do material tipo N para o material tipo P. Simbologia do diodo é mostrada na Figura 1.+ + + _ _ _ Junção PN Figura 1. Na junção PN. ocorre a barreira de potencial. 13 .3V para os diodos de germânio. na operação do diodo é essencial saber a polaridade da fonte de tensão.8 Diodo formado pela junção dos materiais tipo N e tipo P. Observe que no material tipo N. A barreira de potencial na temperatura de 25ºC é de aproximadamente 0. Devido à camada de depleção. e como no átomo o número de lacunas ficará maior que o número de elétrons. ou seja. embora tenham elétrons livres em excesso quem perde elétrons são os átomos. 1. temos o que é chamado de camada de depleção. anodo Anodo.7V para os diodos de silício e 0. os átomo que perde o elétron fica ionizado positivamente (cátions) e os que recebem ficam ionizado negativamente (ânions). Diferentemente do que ocorre com um resistor.9 Símbolo do diodo de junção PN.9. Na junção PN os elétrons livres do material tipo N é atraído pelas lacunas do material tipo P. ficará ionizado positivamente. o diodo precisa ser polarizado. Então alguns elétrons passa do material tipo N para o material tipo P.2 Polarização do diodo Para o seu funcionamento.material tipo P Catodo material tipo N catodo Figura 1. diferença de potencial na junção.

Os portadores minoritários podem dentro da camada depleção. 1. isto é. O potencial negativo repele os elétrons do material tipo N.1 Polarização direta Na polarização direta. No entanto. 14 .1. como mostra a Figura 1. na prática. A corrente de saturação e a corrente de fuga de superfície. onde se a tensão da fonte de alimentação for maior do que a barreira de potencial os elétrons atravessam a junção PN. passa pelo material tipo P e é atraído pelo potencial positivo da fonte. o potencial positivo da fonte é ligado ao anodo (material tipo P) e o potencial negativo da fonte ligado ao catodo (material tipo N).10. temos duas pequenas correntes que circulam no diodo. N + + + _ _ _ P Figura 1. Na polarização reversa um diodo ideal se comporta como uma chave aberta. esta quebra forma na superfície lacunas se comportando como um material tipo P.10 Diodo polarizado diretamente.11. Os átomos na superfície não possuem vizinhos para fazer a ligação covalente. atravessar a junção ocasionando uma pequena corrente. como mostra a Figura 1. irá circular uma corrente elétrica pelo dispositivo.2.2 Polarização reversa Na polarização reversa o potencial positivo da fonte é ligado ao catodo (material tipo N) e o potencial negativo da fonte é ligado ao anodo (material tipo P).2. Ao polarizar diretamente um diodo ideal ele se comporta como uma chave fechada. os elétrons podem entrar no material N atravessar toda a superfície do diodo passado pelo material tipo P indo para a polaridade positiva da fonte. Por isso. A corrente de saturação existe devido à energia térmica uma vez que são gerados pares de elétrons livres e lacunas. A corrente de fuga de superfície é ocorre na camada mais externa do diodo.

Exercícios 1.11 Diodo polarizado inversamente. Dado os circuitos.N + + + _ _ _ P Figura 1. a) b) 15 . indique qual das lâmpadas irá acender.

São utilizados em circuitos lógicos. A Figura 1. mas a tensão reversa vai aumentando à medida que o número do componente também aumenta. mas pode operar em velocidades muito altas. circuitos de proteção de transistores. Tipo PIV 1N4001 50V 1N4002 100V 1N4003 200V 1N4004 400V 1N4005 600V 1N4006 800V 1N4007 1000V 16 . 1N60. Todos os diodos da série podem conduzir uma corrente direta de até 1 A. Uma série muito importante destes diodos é a formada pelo 1N4000 e que começa com o 1N4001. assim ele é utilizado principalmente na detecção de sinais de altas frequências (rádio).12 mostra a página de um datasheet do fabricante Fairchild para esta série de diodos. quando polarizando reversamente. enquanto que para os diodos de origem européia temos a sigla AO ou ainda BA . Diodos retificadores de silício Estes são destinados à condução de correntes intensas e também operam com tensões relativamente elevadas que podem chegar a 1000V ou 1200V. Tabela 1. Estes diodos são especificados segundo uma codificação: para os diodos de origem americana temos a sigla 1N . A Tabela 1 indica essa variação. Diodos Retificadores.3 Informações Práticas Diodo de germânio Este tipo de diodo é utilizado com correntes muito fracas.1. da ordem de no máximo 200mA e tensões inversas que não vão além dos 100 V. Diodo de silício de uso geral São diodos de silício fabricados para o trabalho com correntes de pequena intensidade. polarização etc. Tipos conhecidos desta família são o 1N34. OA79 etc. O 1N4148 é um dos tipos mais populares deste grupo de silício de uso geral.

Características elétricas dos diodos da série 1N4000. 17 .Figura 1.12.

2. l) Na polarização reversa.Exercícios 1. IV Um transistor bipolar de junção basicamente caracteriza-se por possuir três junções pn. k) Na polarização reversa o diodo ideal se comporta como ________________________. sejam os bipolares de junção ou os de efeito de campo. julgue os itens subseqüentes.(CHESF 2002) Dispositivos elétricos e eletrônicos são construídos com os mais variados tipos de materiais elétricos e magnéticos. II e IV. D2 e D3 do circuito abaixo são ideais. III Cristal semicondutor extrínseco é aquele dopado com elementos denominados impurezas. D II. E III. e) Na junção PN temos a camada de ___________________. temos a formação de um semicondutor do tipo __________. temos a formação de um semicondutor do tipo ___________. V O diodo semicondutor apresenta uma junção pn. IV e V. utilizam materiais semicondutores em sua estrutura. g) Se o diodo for de silício a barreira de potencial é de_______________V. b) Quando átomos trivalentes são adicionados ao cristal puro.Complete a) Quando átomos pentavalentes são adicionados ao cristal puro. (ELETRONORTE 2006) Considerando que os diodos D1. o germânio e o silício podem ser citados como importantes materiais semicondutores. B I. f) Na camada de depleção origina a barreira de _________________________. na prática temos duas correntes a corrente de ____________________________ e a corrente _________________________. III e IV. Estão certos apenas os itens A I. 2. é possível afirmar que: 18 . Os diodos e os transistores. j) Na polarização direta o diodo ideal se comporta como uma_____________________. h) Se o diodo dor de germânio a barreira de potencial é de___________V. d) No material do tipo N as lacunas são portadores_______________________. I Ao longo da história da eletrônica. A respeito de materiais semicondutores e de dispositivos eletrônicos. c) No material do tipo P as lacunas são portadores________________________. II e V. III e V. II Cristal semicondutor do tipo n tem as lacunas como principais portadores móveis de carga. C I.

b. logo. Procedimento 2: Compreendendo a polarização direta e reversa em um diodo 1. devem-se identificar os terminais anodo e catodo em um diodo com o auxílio de um multímetro digital. Procedimento 1: Identificação dos terminais anodo e catodo 1. 3.12 19 . d. Experiência no Laboratório Experiência 1 Compreendendo a polarização em um diodo Neste circuito. Segure uma ponta de prova do multímetro em perna do diodo. D2 e D3 estão conduzindo. Posteriormente.1 resistor de 470W. Coloque a chave seletora do multímetro na indicação do diodo. D1.1 multímetro digital. D1 está conduzindo e D2 e D3 estão cortados. Observe que: Se o valor que aparecer no display for de 600mV. Material necessário: . significa que você está polarizando diodo reversamente. onde está à ponta de prova vermelha refere-se ao anodo e a ponta de prova preta ao catodo. logo. deve-se montar um circuito simples para compreender a polarização em um diodo. Se o valor que aparece no display se refere o infinito. ¼ w . significa que você está polarizando diodo diretamente. D2 e D3 estão cortados. e. Monte o circuito da figura 1. D1. 2. D1 está cortado e D2 e D3 estão conduzindo.1 diodo 1N4001 (ou equivalente). onde está à ponta de prova vermelha refere-se ao catodo e a ponta de prova preta ao anodo. . c. .a.1 led.1 Fonte de alimentação de 6V. . D1 e D2 estão conduzindo e D3 está cortado.

Figura 1. veja a figura 1. Inverta o diodo.13 Polarização direta 20 . Figura 1.13.12 Polarização reversa 2.

a maioria dos equipamentos eletrônicos necessita de uma tensão contínua para funcionar.2). Figura 2. como mostra a Figura 2. no qual. no qual.1.1 Fonte de alimentação DC Uma das principais aplicações do diodo. No entanto. O que fazer? A tensão para alimentar a grande maioria dos equipamentos deve passar por uma fonte de alimentação.2 Curva característica do diodo 21 .7V) para diodo de silício Figura 2.1 Curva característica do diodo A curva característica do diodo é um gráfico(figura 2. Esta fonte transforma o sinal que é alternado em uma tensão contínua. relaciona a tensão que é aplicada com a corrente que circula pelo diodo.CAPÍTULO 2 TEORIA DOS DIODOS Introdução A tensão que chega a nossas residências é uma tensão alternada de 220V (região nordeste do Brasil). iremos estudar servirá para a montagem de uma fonte de alimentação. 2. Polarização reversa ruptura I Polarização direta V Joelho (0.

o pólo positivo da fonte será ligado ao catodo do diodo e o pólo negativo da fonte ao anodo como mostra a figura 2. a barreira de potencial e a resistência de corpo não são considerados. Se continuarmos aumentando a tensão da fonte.2 Polarização Direta Na polarização direta.3. como mostra a figura 2.4. 22 . existindo apenas duas pequenas correntes. a corrente de saturação e a corrente de fuga da superfície. a corrente de fuga de superfície e a corrente de saturação são desprezados.4 Modelos Do Diodo 2. a polarização direta.1 Diodo Ideal Um diodo ideal. Esta tensão máxima em que o diodo suporta é denominada tensão de pico inversa (PIV). Figura 2. o diodo funciona basicamente como uma chave aberta.3 Polarização Reversa Na polarização reversa.2). será aplicada uma fonte de tensão contínua no diodo. a corrente circula livremente. no qual. irá chegar um instante em que o diodo não suporta e termina queimando (ruptura) então a corrente passa a circular livremente. na polarização direta. no qual. o pólo positivo da fonte será ligado ao anodo do diodo e o pólo negativo da fonte ao catodo. 2. do lado direito.4 Polarização reversa Na polarização reversa.4.2. Na polarização reversa. Quando a tensão for maior do que a barreira de potencial (@0.3 Polarização direta Observe no gráfico(figura 2. 2.7V para o diodo de silício). como já foi visto no capítulo1. Figura 2. será aplicada uma fonte de tensão contínua no diodo.

2 Modelo Simplificado Considera-se a barreira de potencial.7V e para o germânio a barreira de potencial é de 0. temos o circuito em que o diodo está polarizado diretamente. (b)Circuito equivalente do diodo na polarização direta POLARIZAÇÃO REVERSA Figura 2.6b.7V para o diodo de silício.5(a) Polarização direta. no qual foi considerado a barreira de potencial de 0. temos o circuito em que o diodo está polarizado diretamente e a figura 2. o circuito equivalente com o diodo polarizado diretamente. 23 . o circuito equivalente para a polarização direta.4. POLARIZAÇÃO DIRETA Na figura 2. POLARIZAÇÃO DIRETA Na figura 2.Na polarização direta um diodo ideal se comporta como uma chave fechada e na polarização reversa como uma chave aberta.5b e 2.6(a) Polarização reversa. como mostra a figura 2. Figura 2.5(b). na figura 2.5(a).7(a).7(b). Para o silício a barreira de potencial é de 0.3V. (b)Circuito equivalente do diodo na polarização reversa 2.

podendo variar de 0.4.0. Exercícios 1. o circuito equivalente para a polarização reversa. Não iremos usar este modelo neste livro.8(a).9KW Figura 2. calcule a corrente que passa no amperímetro (Figura 2.3 Modelo linearizado Considera-se a barreira de potencial e a resistência de corpo. 5.9).8(a) Polarização reversa (b) Circuito polarização reversa para o segundo modelo do diodo 2. Figura 2. 5V 3. 3.7(a) Polarização direta (b) Circuito polarização direta para o segundo modelo do diodo POLARIZAÇÃO REVERSA Na figura 2.1 a 10W dependendo da dopagem. Como a resistência de corpo são valores muito baixos.8(b).9 24 . Considere o segundo modelo para o diodo. temos o circuito em que o diodo está polarizado reversamente e a figura 2.7V Figura 2. 4.6KW 2.

2. .11 Experiência no Laboratório Experiência 1.1 resistor de 10K .1 Fonte de alimentação cc variável de 0 a 10V.Considere o diodo ideal. Figura 2. 0.10 3. Material necessário: .1 diodo 1N4001 (ou equivalente). consequentemente desenhar a curva característica do diodo. .11). 25 . calcule a tensão no resistor de 1kW (Figura 2. .10). Considerando o segundo modelo para o diodo.A curva do Diodo Nesta experiência. Figura 2.25W. vamos montar o circuito básico com o diodo e polarizar diretamente e reversamente para que possamos medir a tensão e a corrente e.1 multímetro (analógico ou digital). calcule a tensão que o voltímetro deve indicar (Figura 2.

12 2.Procedimento: 1.Preencha a tabela abaixo: VF 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 A V 26 .Monte o circuito abaixo (Figura 2.12): Figura 2.

. você irá observar através de leds a influência da barreira de potencial em cada diodo.2KW. 1/4W. 16V.1 capacitor de 2200mF. Matérial necessário: -1 bateria de 12 V. 27 .4 diodo 1N4001. .Monte o circuito abaixo: Figura 2.1 resistor de 1. O circuito é apresentado na Figura 2.Preencha a tabela abaixo: VF 1 2 3 4 5 A V DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Sequência de Leds Neste circuito. .4 leds.14.13 4. .

2 e 1.3.14 Neste circuito. quando a chave estiver na posição 1 o capacitor deve carregar instantaneamente. a medida que o capacitor irá de descarregar os led irão apagar na sequência 4.Figura 2. Ao colocar a chave na posição 2 os quatros leds devem acender. 28 .

respectivamente.2.CAPÍTULO 3 CIRCUITOS COM DIODOS Introdução Neste capítulo. vamos estudar os circuitos retificadores que servirão para a montagem de uma fonte de alimentação. Vp T(s) T/2 -Vp T Figura 3.1 Tensão Senoidal Uma tensão senoidal pode ser representada graficamente de duas formas: nos domínios temporal e angular como mostram as Figuras 3.1 e 3. 29 .2 Domínio Angular Onde: Vp tensão de pico (amplitude máxima positiva ou negativa. entre os valores máximos positivo e negativo). Vpp Tensão de pico a pico (amplitude total. 3. que a tensão senoidal pode atingir).1 Domínio temporal Vp Wt = q(rd) p -Vp 2p Figura 3.

os gráficos da tensão senoidal nos domínios temporal e angular podem ser representados. causando o aparecimento de uma f. Quando uma corrente alternada ou pulsante passa no enrolamento primário o fluxo magnético variável que ele cria envolve as espiras do enrolamento secundário. a amplitude não será alterada. a potência entregue ao primário(Pp) é igual à potência que o secundário (Ps) entrega à carga. Pode-se também utilizar para isolar o circuito do lado do primário.3 transformador Na figura 3. ou seja: 30 . no qual foi criado a tensão induzida (Vs) denomina-se secundário. montadas em um mesmo núcleo de ferro (usado para concentrar as linhas de campo). observamos que a bobina no qual recebe a tensão a ser transformada (Vp) denomina-se primário.Matematicamente. Você sabe o que é flybacks? Os flybacks são transformadores de alta tensão presentes nos televisores comuns de todos os tipos e também nos monitores de vídeo de computadores. Em um transformador ideal (que não possui perdas).2 Transformador O transformador é um dispositivo que permite modificar a amplitude de uma tensão alternada.m induzida nos terminais do secundário. neste caso. Ele funciona a partir do fenômeno da indução mútua.e. respectivamente. do circuito do lado do secundário. e segunda bobina.3. aumentando ou diminuindo-a. por: V(T) = Vpsen wt Onde: V(t) = V(q) = valor da tensão no instante t ou para o ângulo q (em V) e V(q) = Vp senqt 3. Ele consiste em duas bobinas isoladas eletricamente. Vp Vs Figura 3. Funcionamento.

31 . ao aplicar uma tensão contínua a uma resistência faria com que ela dissipasse a mesma potência média caso fosse aplicado essa tensão alternada.Ps = Pp Pp = Vp. de tal forma que.4 Circuito retificador de mei-onda Funcionamento No semiciclo positivo. o diodo conduz (polarização direta) e a tensão no resistor é a mesma do secundário do transformador. O valor eficaz Vef ou Vrms de uma tensão alternada é a tensão que equivale a uma tensão contínua. existe um conceito muito importante denominado valor eficaz ou rms.Ip = Vs. Observe as Figuras 3. Vp = 2 Veficaz 3.Is Vp/Vs = Np/Ns e Is/Ip = Np/Ns Valor eficaz Para sinais senoidais. como mostra a Figura 3.5(a) e3. Figura 3. um diodo e a carga.4.3 Circuito Retificador de Meia-Onda O circuito retificador de meia-onda é constituído por um transformador.Ip Logo: Vp.5(b).

? O multímetro indicará o valor médio.6 (a)Circuito retificador de meia-onda.6(b).6(a) e 3.5 (a)Circuito retificador de meia-onda. (b) Forma de onda no resistor. calculado da seguinte forma: Vmed = 1 T ò f (t )dt T 0 32 . A finalidade deste circuito é transformar a tensão que era alternada(primário do transformador) em contínua( sinal na carga).Figura 3. mais precisamente contínua pulsante. No semiciclo negativo o diodo estará reversamente polarizado. já que a tensão é pulsante. Observe que a onda na qual era alternada no secundário do transformar ao passar pelo diodo fica contínua. como mostra as Figura 3. (b) Forma de onda no resistor no semiciclo positivo. Figura 3. Qual valor o multímetro indicará ao ler a tensão no resistor. portanto funcionando como uma chave aberta. logo a corrente não passará no resistor e a tensão na carga será zero.

a tensão no secundário do transformador é 12V.97 p Vdc = 5.4V 33 . 12 = 16.cos J I 0 2p ë û ] Vp [-[ cos J .97V Vdc = 16. T e T = 2p.cos 0°] 2p Vdc = Vp p Exemplo: 1) Em um circuito retificador de meia-onda.onde Logo: Vdc = f(t) = Vp senq no intervalo de 0 a p e o período é de 2p 1 2p ò 2p 0 Vpsenwtdt Wt = q dwt dq = dt dt logo: dt = dq w Vdc = 1 p VpsenJdJ 2pw ò0 w= 2p . Solução: Vst refere-se a tensão no secundário do transformador Vp = 2 2 Vst Vp = Vdc = Vp p . Calcule a tensão no resistor. logo w = 1 Vdc = Vdc = Vp J .

com mostra a Figura 3. PIV = Vpst (Tensão de pico do secundário do transformador) Determinação do Io Io . quando o diodo está diretamente polarizado. logo a corrente que passa por ele é igual a corrente que passa no resistor.7 Circuito equivalente no diodo para o semiciclo negativo Toda a tensão do secundário do transformador deve estar no diodo.7. funcionará como uma chave aberta. Não tem corrente passando no diodo e também não tem corrente no resistor. No semiciclo negativo o diodo não conduz. Logo temos duas especificações: PIV Tensão de pico inversa Io Quantidade de corrente que o diodo deve suportar PIV O diodo quando reversamente polarizado (semiciclo negativo). No semiciclo positivo o diodo conduz. Tem corrente passando no diodo e tem corrente no resistor. 34 . Figura 3.ESPECIFICAÇÕES DO DIODO Qual diodo poderá ser colocado neste circuito? O diodo deverá suportar a tensão máxima que ficará nele quando reversamente polarizado e a corrente média quando diretamente polarizado.É a corrente média.

4 Circuito Retificador de Onda Completa No circuito retificador de onda completa com derivação central(Figura3. deve-se utilizar um transformador com derivação central. dois diodos e a carga.05V PIV = 12.72V Vdc = 12.8 Circuito retificador de onda-completa com derivação central 35 .03mA 3. Logo: Idc = Vdc/R Exemplo: 1)Em um circuito retificador de meia-onda a tensão no secundário do transformador é 9V.9K 3.72 p Vdc = 4. 9 = 12.72V Io = Idc = Vdc R Io = 4.Logo: Io = Idc A quantidade de corrente que passa no diodo é igual a quantidade de corrente que passa no resistor. Dado: R= 3. Rl Figura 3.8).9KW Solução: Vp = 2 2 Vst Vp = Vdc = Vp p . Calcule as especificações do diodo.05 = 1.

10 (a) Circuito retificador de onda completa com derivação central.8(a) e 3. 36 . como mostram as Figura 3. conhecido também como tomada central ou.9 Transformador com derivação central Funcionamento do circuito No semiciclo positivo D1 conduz e D2 abre.8(b).11(a) e 3. + Vst + Vdc T T Figura 3.9). Nestes transformadores.11(b). A tensão no resistor será a metade da tensão total do transformador. (b) Forma de onda no resistor no semiciclo positivo. utiliza-se de um transformador com derivação central. Esta derivação fará com que a tensão fique dividida igualmente da metade para uma das estremidades. em inglês central tap ( Figura 3. No semiciclo negativo D1 abre e D2 conduz. como mostra as Figuras 3.Na montagem do circuito. Ex: 9V 18V 9V Figura 3. o enrolamento secundário apresenta uma derivação no centro.

(b) Forma de onda no resistor no semiciclo negativo Observe que a polaridade no resistor permanece a mesma e a freqüência em relação a tensão no secundário do transformador é o dobro pois o período é a metade.VpsenJ ù ú p ë û 2p ê ò0 Vdc = Vp [2 + 2] 2p logo: Vdc = 2 Vp p 37 .11(a) Circuito retificador de onda completa com derivação central.- Vst + + Vdc T T Figura 3. A tensão Vdc será: Vdc = onde: 1 T ò f (t )dt T 0 f(t) = Vp senq para o intervalo de 0 a p e Vp senq para o intervalo de p a 2 p Devemos integrar o sinal até 2p. logo W = 2 pf = 1 Vdc = 2p 1 é p VpsenJ + ò .

(11. 1) Em um circuito retificador de onda completa com derivação central a tensão no secundário do transformador é 16V. Solução: Vp = 2 . Vst 2 = 2 2 . Calcule a tensão no resistor de 5. - + Figura 3. 16 Vp = 11.12 Circuito equivalente do circuito retificador de onda completa com derivação central no semiciclo positivo 38 .6KW.31V Vdc = 2.31)/p = 7.2V ESPECIFICAÇÕES DO DIODO PIV Quando D1 está aberto D2 está conduzindo e a tensão que fica em D1 é a tensão total do secundário do transformador. Vst 2 Exemplo.OBS: Como apenas a metade da tensão no secundário irá para o resistor temos que: Vp = 2 .

no semiciclo negativo D1 estará aberto mais D2 conduz e existirá corrente no resistor logo: A quantidade de corrente que passa no diodo é a metade da quantidade de corrente que passa do resistor.PIV = Vpst Io No semiciclo positivo D1 conduz e tem corrente no resistor.48)/p = 5.7 KW. Vst 2 = 2 2 . 12 = 16.4/2. 12 Vp = 8. Calcule as especificações do diodo para um resistor de 2. Solução: Vp = 2 . a tensão no secundário do transformador é 12V .97V Idc = 5.7K = 2mA Io = Idc 2 Io = 2m/2 = 1mA 39 .48V Vdc = 2. Io = Idc 2 Exemplo: 1) Em um circuito retificador de onda completa com derivação central .4V PIV = 2 .(8.

toda a tensão do secundário do transformador chegue na carga. 40 .14(b).5 Retificador Em Ponte No circuito retificador em ponte (Figura 3.13).15(b).14 (a)Circuito retificador em ponte. Outrosim. D1 D2 D3 D4 Rl Figura 3.13 Circuito retificador em ponte Durante o semiciclo positivo D2 e D3 conduzem e D1 e D4 funcionarão como uma chave aberta. como mostram as Figura 3.14(a) e 3. Figura 3.3.15(a) e 3. D2 e D3 funcionarão como uma chave aberta. como mostram as Figuras 3. será utilizado quatro diodos para aproveitar os dois semiciclos(positivo e negativo) do sinal alterado. (b) Forma de onda no semiciclo positivo Durante o semiciclo negativo D1 e D4 conduzem.

Solução: Vdc = 2VP/p Vp = 2 . Calcule a tensão na carga.Figura 3.97V Vdc = 2. (b) Forma de onda no semiciclo negativo Como a forma de onda é igual a do circuito retificador de onda completa com derivação central.97/p = 10.8V 41 . o cálculo da tensão Vdc é igual.16. Vdc = 2Vp p A vantagem do circuito retificador em ponte em relação ao circuito retificador de onda completa com derivação central é que não necessita de um transformador com derivação central e a tensão total do transformador é aproveitada.15 (a) Circuito retificador em ponte. 12 = 16. Exemplo: 1) Em um circuito retificador em ponte a tensão no secundário do transformador é de 12V.

7KW.12. 9 = 12. Calcule as especificações do diodo sabendo que o resistor é de 2. mas tem corrente no resistor.ESPECIFICAÇÕES DO DIODO São duas as especificações do diodo: Tensão máxima de pico que fica no diodo quando o mesmo está inversamente polarizado.72/p = 8. denominado PIV(Tensão de pico inversa) e o valor médio a corrente no diodo quando o mesmo está diretamente polarizado.72V Io = Idc/2 Io = 3m/2 = 1.72V Vdc = 2. PIV = Vpst Io Durante o semiciclo positivo a corrente não passa sobre D1. PIV.1V PIV = 12. observe na Figura 3.No semiciclo positivo D1 está funcionando como uma chave aberta e D3 está conduzindo. denominado Io. No semiciclo negativo tem corrente no diodo e também tem corrente no resistor. a tensão no secundário do transformador é 9V.12.7K = 3mA 42 .5mA Idc = Vdc/R = 8.1/2. que a tensão em D1 é igual a tensão total do secundário do transformador. Solução: Vdc = 2VP/p Vp = 2 . logo: Io = Idc 2 Exemplo 1)Em um circuito retificador em ponte.

ou seja 2p.16.3. a frequência também será de 60Hz.6 Comparação Entre As Frequências Dos Circuitos Retificadores Para compreender a freqüência do sinal na carga. Na comparação entre o período do sinal no secundário do transformador e o período do sinal na carga em um circuito retificador de meia-onda. verificamos que o período do sinal no secundário do transformador terá o mesmo período do sinal no resistor em um circuito retificador de meia-onda. Na comparação entre o período do sinal no secundário do transformador e o período do sinal na carga em um circuito retificador de onda completa. (Figura 3. o período permanece o mesmo. Na Figura 3. verificamos que ao comparar o período do sinal da linha com a do circuito retificador de meia-onda . Vst + p FORMA DE ONDA DA LINHA T - 2p Vdc p FORMA DE ONDA NO RESISTOR PARA O CIRCUITO RETIFICADOR DE MEIA-ONDA 2p Figura 3. em um circuito retificador de meia-onda. vamos analisar o período entre o sinal no secundário do transformador e o sinal na carga. Logo.16.17) iremos fazer a seguinte análise: 43 . observando a Figura 3. é a mesma . a frequência.16 Comparação entre o período da onda no secundário do transformador e na carga no circuito retificador de meia onda. Se a frequência da linha for de 60Hz.

porém. Exercícios 1. a frequência no circuito retificador de onda completa é o dobro da frequência da linha. A . em um circuito retificador de meia-onda a frequência será de _____________ no circuito retificador de onda completa com derivação central a frequência será de _________e no circuito retificador em ponte a frequência será de ___________. Em um circuito retificador de onda completa com derivação central a tensão no resistor será calculado pela seguinte equação: Vdc =__________. T - 2p Vdc T p 2p FORMA DE ONDA NO CIRCUITO RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA COM TAP CENTRAL E RETIFICADOR EM PONTE. 44 . o período é p. Exemplificando. nos circuitos retificadores de onda completa. Em um circuito retificador em ponte a tensão no resistor será calculado pela seguinte equação: Vdc = ______________ F . onde Vp = _________ da tensão no secundário do transformador. Preencha os espaços em branco. Em um circuito retificador de meia-onda PIV = _____________ e Io = __________ C . O período da linha é 2p. no resistor.17 Comparação entre o período da onda no secundário do transformador e na carga no circuito retificador de onda-completa. D . Em um circuito retificador em ponte temos: PIV = ___________ e Io = ___________ G . Se a frequencia da linha for de 50Hz. em um circuito retificador de onda completa a freqüência na carga será de 120Hz.Vst + p FORMA DE ONDA DA LINHA. Figura 3. E . se na linha a frequência for de 60Hz. Em um circuito retificador de onda completa com derivação central temos: PIV = ___________ e Io = ______________. logo. Em um circuito retificador de meia-onda a tensão no resistor será calculado pela seguinte equação: Vdc =___________ B .

3. 4.18. Se o aluno utilizasse o multímetro para medir a tensão no resistor. Dado o circuito (Figura 3. R2 = 15kW e R3 = 22KW.3KW e R3 = 5. Calcule as especificações do diodo.19) determine a tensão V1. R2 = 3. Calcule as especificações do diodo.18 6. qual tensão ele iria ler? Figura 3. Dado: Vst = 26V. 5.7KW 45 .6KW.19 7.2. determine a tensão V1 e as especificações do diodo. R1 = 10kW. sabendo que Rl = 8. no qual verificou a forma de onda no resistor com o osciloscópio. Em um circuito retificador de meia-onda a tensão no secundário do transformador é de 18V. sabendo que Rl = 6.2KW. como mostra a figura.20).8KW. Sabendo que Rl = 5. Calcule as especificações do diodo. Em um circuito retificador de onda-completa com derivação central a tensão no secundário do transformador é de 25V. Em um circuito retificador em ponte a tensão no secundário do transformador é de 16V. R1 = 1KW. Dado o circuito(Figura 3. Dado: Vst = 25V. Figura 3. Um aluno montou em laboratório o circuito da Figura 3.

21). no qual observou a forma de onda com o osciloscópio no resistor.Dado o circuito (Figura 3. como mostra a figura.22).21 9.V1 Figura 3. determine a forma de onda no diodo D1.20 8.22 46 . Determine a tensão que ele irá ler ao medir a tensão no resistor com o multímetro. Figura 3. Um aluno montou em laboratório o circuito (Figura 3. Figura 3.

0. Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc.Experiência no Laboratório Experiência 2 Circuito retificador de meia-onda Neste circuito. Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado. deve-se montar um circuito retificador de meia-onda. Procedimento: 1.1 diodo 1N4001 (ou equivalente). 500mA . observe a forma de onda no resistor. 110V/220V 9V.1 Osciloscópio.23 2345- Com o uso do osciloscópio.1 transformador.1 resistor de 10K . . Inverta o diodo e observe a forma de onda no resistor. Material necessário: 47 . para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc. . Experiência 3 Circuito retificador de onda completa com derivação central Neste circuito. Material necessário: . . para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc.1 multímetro (analógico ou digital).Monte o circuito da Figura 3. deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivação central.23: Figura 3.25W.

24 2. 5.1 multímetro (analógico ou digital). 4. 500mA .1 resistor de 10K . Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado.9V. Procedimento: 1. . . 48 . .25W.Monte o circuito da Figura 3. 500mA .1 transformador -110V/220V .. 0. para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc. 3.24: Rl Figura 3. 110V/220V 12V+12V. Inverta os diodos e observe a forma de onda no resistor. . Experiência 4 Circuito retificador em Ponte Neste circuito. Com o uso do osciloscópio. Material necessário: . . observe a forma de onda no resistor. deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivação central.1 multímetro (analógico ou digital).1 Osciloscópio.1 resistor de 10K .4 diodos 1N4001 (ou equivalente). Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc.1 Osciloscópio.25W.1 transformador com derivação central. . 0.2 diodos 1N4001 (ou equivalente).

3.Com o uso do osciloscópio. servindo para substituir capacitores variáveis comuns em circuito de sintonia. observe a forma de onda no resistor.2KW 1/4W. 1 potenciômetro de 1MW.Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado. 4.Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc. Material necessário: 2 baterias de 12V. 1 diodo varicap ( qualquer um serve). 1 capacitor 10nF Circuito da Figura 3. 5.26: Figura 3. DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Capacitor variável Neste circuito será construído um capacitor variável de estado sólido.Procedimento: 1.Inverta os diodos e observe a forma de onda no resistor. 1 resistor de 1MW.25: D1 D2 D3 D4 Rl Figura 3.26 49 .25 2. 1 resistor de 8.Monte o circuito da Figura 3.

será maior do que o período da onda no secundário do transformador (T= 1/60 s). 4. Então o capacitor começa a descarregar pelo resistor. para que o sinal fique o mais próximo de uma tensão contínua constante. 50 . verificamos que a tensão já é contínua.2. para este circuito utilizado-se valores relativamente altos para C. Durante o semiciclo negativo o diodo está polarizado reversamente e o capacitor continua descarregando pelo resistor. o sinal continua pulsando. como mostra a Figura 4. foi introduzido um capacitor em paralelo a carga como mostra a Figura 4. Quando a tensão do secundário do transformador diminuir (sendo menor do que Vp) o diodo abre. O próximo passo para construirmos uma fonte de alimentação é aplicar um filtro capacitivo. o diodo conduz e o capacitor carrega até atingir a tensão de pico do secundário do transformador.1 Circuito Retificador de Meia-Onda com Filtro Capacitivo No circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo.CAPÍTULO 4 . no entanto.1 Figura 4.CIRCUITOS RETIFICADORES COM FILTRO Introdução Nos circuitos retificadores visto até agora. pois a tensão no capacitor será maior do que a tensão no secundário do transformador (o diodo estará polarizado reversamente).1 Circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo No semiciclo positivo do diodo conduz e o capacitor começa a carregar até atingir a tensão de pico no secundário do transformador. de tal forma que t = RC. Novamente no semiciclo positivo. quando Vst > Vc (tensão no secundário do transformador maior do que a tensão no capacitor) .

logo maior será a tensão Vdc e mais contínua será a forma de onda no resistor. menor será a tensão de ondulação. 51 . no entanto iremos aproximar a Vp/R F = frequência da forma de onda no resistor C = Capacitância Obs: Quanto maior t = RC.Vst T Vdc T Figura 4.Vond 2 Vond = I FC De: I = C dV dt dV = Vond Onde: I = Corrente no resistor.2 Forma de onda no resistor Vdc = Vp .

denominado PIV(Tensão de pico inversa) e o valor médio a corrente no diodo quando o mesmo está diretamente polarizado. denominado Io. Io = Idc Exemplo: 1)Dado o circuito.3. calcule a tensão Vdc e as especificações do diodo. ficando a forma de onda muito parecida com a do circuito retificador de meia-onda. Dado: Vst = 12V e Flinha = 60Hz 52 . de tal forma que o capacitor de descarrega quase que totalmente. a tensão máxima que chegará ao diodo será: PIV= 2Vps Io A quantidade de corrente que passa no diodo será a maior possível quando em um circuito o valor da resistência e o valor do capacitor forrem muito baixo.3 Circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo no semiciclo negativo Ao fechar a malha.ESPECIFICAÇÕES DO DIODO São duas as especificações do diodo: Tensão máxima de pico que fica no diodo quando o mesmo está inversamente polarizado. PIV A tensão no diodo terá o maior valor. Figura 4. quando em um circuito o capacitor tiver um valor muito elevado não tendo tempo para descarregar e a tensão no secundário do transformador estiver no semiciclo negativo como mostra Figura 4.

4 Circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo Solução: Vdc = Vp . foi introduzido um capacitor em paralelo com a carga como mostra Figura 4.5V Vdc = 16.97/5.2 Circuito Retificador de Onda Completa com Derivação Central e Filtro Capacitivo No circuito retificador de onda completa com derivação central e filtro capacitivo.5/2 = 16.94V Io = Idc = 16.7V PIV = 2(16.100m = 0.97 0.7/5. 12 = 16.97) = 33.Vond 2 onde : Vond = I FC Para o circuito retificador de meia-onda a frequência da onda no resistor é igual a frequência da linha logo: F= 60Hz Vp = 2 .6K = 2.5.98mA 4. 53 .97V I @ Vp/R = 16.Figura 4.6K = 3mA Vond = 3 60.

No semiciclo positivo quando Vst > Vc. D2 conduz e o capacitor carrega até atingir Vpst. Vst T Vdc T Figura 4. Novamente quando Vst< Vp. D2 abre e o capacitor novamente começa a descarregar pelo resistor. quando Vst > Vc . D1 conduz e o capacitor carrega até atingir Vpst.6. Quando Vst diminui D1 abre e o capacitor começa a descarregar pelo resistor. D1 conduz e o capacitor começa a carregar até atingir a tensão no secundário do transformador. Quando Vst for menor do que Vpst. o diodo abre e o capacitor começa a descarregar pelo resistor e assim sucessivamente como mostra Figura 4.D1 C Rl D2 Figura 4.5 Circuito retificador de onda completa com derivação central e filtro capacitivo Durante o primeiro semiciclo positivo. No semiciclo negativo.6 Forma de onda no resistor 54 .

6KW D2 100mF Figura 4. Dado: Vst = 12V Flinha = 60Hz D1 5. denominado Io. denominado PIV(Tensão de pico inversa) e o valor médio a corrente no diodo quando o mesmo está diretamente polarizado.Vond 2 OBS: A frequência é o dobro da frequência da linha ESPECIFICAÇÕES DO DIODO São duas as especificações do diodo: Tensão máxima de pico que fica no diodo quando o mesmo está inversamente polarizado. calcule a tensão Vdc e as especificações do diodo.Logo: Vdc = Vp .7 55 . PIV = Vpst Io = Idc 2 Exemplo: 1) Dado o circuito.

5m/2 = 0.75mA 4.51m 120. foi introduzido um capacitor em paralelo a carga como mostra a Figura 4. Vst Vp = 2 = 2 .Solução: 2 .100m = 0. D1 D2 D3 D4 Rl C Figura 4.3 Retificador em Ponte com Filtro No circuito retificador em ponte com filtro capacitivo.48/5.5mA Io = 1.8.6K = 1.97V Idc = Vdc/R = 8. 12 = 16.48 0.12/2 = 8.48V I = Vp/R = 8. 12 2 Vp = 8.8 Circuito retificador em ponte com filtro capacitivo 56 .51mA Vond = 1.41/5.12V Vdc = 8.41V PIV = Io = Idc/2 2 .6K = 1.

9 Forma de onda no resistor Logo: Vdc = Vp . No semiciclo positivo. No semiciclo negativo. logo o capacitor começa a carregar até atingir a tensão de pico do secundário do transformador.No início do primeiro semiciclo positivo D2 e D3 conduzem. Novamente. Vst T Vdc T Figura 4. D2 e D3 conduzem e o capacitor carrega até atingir Vpst. quando Vst<Vp =Vc. como mostra a Figura 4. quando Vst> Vc. D1 e D4 abrem e o capacitor começa a descarregar pelo resistor.Vond 2 OBS: A frequência é o dobro da frequência da linha 57 . quando Vst < Vp. D2 e D3 abrem e o capacitor começa a descarregar pelo resistor e assim sucessivamente.9. Quando Vst<Vpst. D1 e D4 conduzem e o capacitor começa a carregar até atingir Vpst. D2 e D3 abrem e o capacitor começa a descarregar pelo resistor. quando Vst > Vc.

Vst = 2 . denominado Io.97V I = Vp/R = 16.10 Solução: Vp = 2 . denominado PIV(Tensão de pico inversa) e o valor médio a corrente no diodo quando o mesmo está diretamente polarizado.6KW 100mF Figura 4. calcule a tensão Vdc e as especificações do diodo. Dado: Vst = 12V Flinha = 60Hz D1 D2 D3 D4 5.6K = 3 mA 58 . PIV = Vpst Io = Idc 2 Exemplo: 1)Dado o circuito.ESPECIFICAÇÕES DO DIODO São duas as especificações do diodo: Tensão máxima de pico que fica no diodo quando o mesmo está inversamente polarizado.97/5. 12 Vp = 16.

D. O PIV para os circuito retificadores de onda completa com filtro será igual a__________ F.84V . Preencha os espaços em branco. O Io para o circuito retificador de meia-onda com filtro é igual a____________ G. O que difere os circuitos retificadores com filtro como o circuito retificador de meia-onda do circuito retificador de onda completa é a __________________________ C.11. Em um circuito retificador de meia-onda com filtro se a frequência da linha for de 60Hz.Vond = 3m 120. Dado os circuitos das Figura 4. observa-se que a forma de onda é a mesma sendo calculado a tensão Vdc pela seguinte equação_________________________ Onde Vond = ________________ B .84/5.12 e 4. Em todos os circuitos retificadores com filtro. 12 = 16. a frequência será_________ e no circuito retificador de onda completa a frequência será__________________.5mA Exercícios 1.25/2 = 16.12.97V Idc = Vdc/R = 16.97 PIV = Io = Idc/2 2 0.100m = 0.6K = 3mA Io = 3m/2 = 1. Dado: Vst = 18V e Flinha = 60Hz a) 2. 4. calcule a tensão Vdc e as especificações do diodo.25V Vdc = 16. A .7 KW 47mF Figura 4. O PIV para o circuito retificador de meia-onda com filtro será igual a ______________ E .O Io dos circuitos retificadores de onda completa com filtro será igual a ___________ 2.11 59 .

b) D1 2. Rl = 15KW e C= 1mF Figura 4. Dado o circuito da Figura 4. determine Vdc. 60 . Dado: Vst= 24sen100t.7KW D2 47mF Figura 4.13 3.7KW 47mF Figura 4. determine a tensão Vdc e as especificações do diodo.14 4.14.12 c) D1 D2 D3 D4 2. Dado o circuito da Figura 4.15.

5f1 e) V2 = V1 e f2 = f1 Figura 4.16 61 .5 e f2 = f1 d) V2 = 0. obtendo: V1 e f1 para C1 V2 e f2 para C2 Com relação às medidas obtidas.Dado: Vst = 40V. Rl = 3. A Figura 4.16. Figura 4.9KW. é correto afirmar que: a) V2 = 2V1 e f2 = f1 b) V2 = 2V1 e f2 = 2f1 c) V2 = 0. Medidas de tensão e freqüências foram efetuadas nas saídas dos circuitos em cima das cargas Rl. com mesmas especificações e utilizando diodos considerados ideais.15 5.5 e f2 = 0. mostra dois circuitos retificadores de onda completa com carga RL idênticas. alimentados por fontes de tensão senoidal V(t).

5. no qual.1 Osciloscópio. 500mA . 0. primeiramente. Figura 4. 4.17. deve-se montar um circuito retificador de meia-onda com filtro capacitivo. observe a forma de onda no resistor.3 Capacitores. será observado como a tensão de saída será influenciada de acordo com o valor do capacitor. 3.1 transformador.1 multímetro (analógico ou digital).Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc. .Monte o circuito da Figura 4. Troque o capacitor pelo valor de 47 F e novamente observe a forma de onda no resistor 62 . Material necessário: .1 resistor de 10K . utilize o capacitor de 1 F.10 F. .Experiência no Laboratório Experiência 5 Circuito retificador de meia-onda com filtro capacitivo Neste circuito. 110V/220V 9V. Procedimento: 1. .47 F.Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado.17 2.1 diodo 1N4001 (ou equivalente). 6.Com o uso do osciloscópio.Troque o capacitor pelo valor de 10 F e novamente observe a forma de onda no resistor. . 1 F.25W.

1 resistor de 10K . Procedimento: 1.Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc. Figura 4.Monte o circuito da Figura 4. 4. 5.1 Osciloscópio. observe a forma de onda no resistor.Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado. para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc.2 diodos 1N4001 (ou equivalente).1 transformador com derivação central.10 F. 110V/220V 12V+12V.18.25W. . .18 2. 6.47 F. 0.1 multímetro (analógico ou digital).Troque o capacitor pelo valor de 10 F e novamente observe a forma de onda no resistor.3 Capacitores. . Troque o capacitor pelo valor de 47 F e novamente observe a forma de onda no resistor 63 . 500mA . 1 F. deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivação central. Material necessário: .Com o uso do osciloscópio.Experiência 6 capacitivo Circuito retificador de onda completa com derivação central com filtro Neste circuito. . 3.

. 3. .1 transformador -110V/220V . .25W. 500mA . observe a forma de onda no resistor. Material necessário: .Com o uso do osciloscópio.1 resistor de 10K . 5.19 2. para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc. D1 D2 D3 D4 Rl C Figura 4. deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivação central. 6.9V.1 multímetro (analógico ou digital).1 Osciloscópio.19. 4.Troque o capacitor pelo valor de 10 F e novamente observe a forma de onda no resistor.Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado. Troque o capacitor pelo valor de 47 F e novamente observe a forma de onda no resistor 64 .4 diodos 1N4001 (ou equivalente).Monte o circuito da Figura 4. Procedimento: 1. 0.Experiência 7 Circuito retificador em Ponte com filtro capacitivo Neste circuito.Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc.

65 . Circuito da Figura 4.20.capacitor eletrolítico de 220mF. Neste circuito. a tensão servirá para acender um led. a energia eólica. 1. temos um exemplo da utilização da energia eólica para acender um led. (Foto: Fco. Figura 4.diodos 1N4001 ou equivalente. como geradora de fonte de energia limpa e renovável. é a maior usina do gênero da América Latina e produz 10 Megawatts . Fontenele) Material necessário: 1.20 Neste circuito. 1. Como a tensão gerada pelo dínamo é uma tensão alternada de baixo valor (aproximadamente 6V). a energia eólica fornecida pelo ventilador.DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Acendendo um led com energia eólica O estado do Ceará vem se tornando referência no Brasil. em Aquiraz.resistor 470 . 4.Alternador ( pode ser um dínamo para bicicleta). Parque Eólico na Prainha. 1 led. servirá para mover um alternador e desta forma gerar energia elétrica. ao passar pelo circuito retificador em ponte com filtro capacitivo. 1/8W.16V.

a modulada. Ao ser desligado. por exemplo. chamados de diodo de sinal podem ser usados como detectores de envolvente em circuitos de rádio.CAPÍTULO 5 OUTRAS APLICAÇÕES PARA O DIODO Introdução Existem muitas outras aplicações para os diodos além da retificação. Quando uma carga indutiva como. O capacitor depois do diodo filtra o sinal. 5. desviando para a terra a componente de alta frequência e deixando apenas a envolvente. ou seja. por exemplo. antena Diodo detector CV filtro fone Figura 5. que deve circular em direção á terra passando pela bobina e capacitor que formam o circuito de sintonia: Este circuito se caracteriza por impedir a passagem dos sinais de uma única frequência. Este sinal que é composto de duas partes. Rádio elementar ou rádio de galena. A antena capta os sinais emitidos pela estação. Aplicando este sinal de baixa frequência a um fone de ouvido ou então a um amplificador.1.1 Rádio elementar Como exemplo. e outra baixa que á a modulada . que corresponde justamente ao som que é captado nos microfones da emissora ou obtido de um toca-disco ou toca-fitas.2 Diodo nos circuitos de proteção Outra função importante do diodo é nos circuitos de proteção. que são desviados para o diodo. com a contração magnética. uma de alta frequência que é a portadora . é induzida na carga uma tensão oposta. 5. O diodo funciona como retificador de alta frequência. pode ser levado a um processo de separação. da estação sintonizada. é criado um forte campo magnético. ou seja.1. ou seja. 66 . a bobina de um relé ou ainda um pequeno motor é acionado. podemos ouvir os sons transmitidos pela estação de rádio. havendo então a indução de uma corrente de alta frequência. utilizaremos o circuito de rádio elementar mostrado na Figura 5. deixando passar apenas os semiciclos positivos do sinal. fazendo sua detecção. Os diodos de pequena capacidade de corrente.

Figura 5.1 Propriedades do indutor O indutor consiste basicamente em um bobina formada por voltas de fio esmaltado.3.3. Como experiência podemos mostrar a Figura 5. com a ligação de um diodo.2. Quando uma corrente contínua circula por um indutor ou bobina é criado um campo magnético.3 Circuito Tanque O estudo do circuito tanque será de grande importância para que possamos compreender os circuitos utilizados para a sintonia de rádio.3. além de alguns circuitos osciladores e outras aplicações no qual se faz o uso de um circuito indutor capacitor. No qual o indutor funciona como eletroímã sendo capaz de atrair materiais condutores. O componente que faz o acionamento pode então ser danificado com a presença desta tensão. ou seja. Diodo usado como proteção em circuitos indutivos. 5. Leitura Complementar 5. de sua indutância quando no desligamento pode ser muitas vezes maior do que a aplicada quando ligamos. temos uma proteção contra este fenômeno. Dependendo do tipo de carga. Atração de um prego (material ferromagnético) pelo indutor 67 . no qual cria uma tensão induzida na bobina.(+) Diodo de proteção Circuito de comutação Carga indutiva Figura 5. Iniciamos fazendo uma revisão sobre as propriedades do indutor.

0004 3.4. A Figura 5. im = VF/R = 12/3 = 4ª. VF= 12V. 5. a corrente no circuito foi reduzida para: t = L/R = 10/3 = 3.33s il = ime t t - = 4e 0.999=1mA Dt = 0.00004s A tensão auto-induzida será: v=- LDi = -250V Dt Uma tensão bastante elevada nos contatos da chave. Circuito RL série De acordo com a expressão 1.33 = 3. ocorre uma variação bastante alta da corrente em pouquíssimo tempo (abertura da chave).4. R = 3W. A tensão criada é uma tensão auto-induzida que pode atingir valores extremamente altos. temos: Durante o período no qual a chave está fechada.00004 segundos. Após a abertura da chave e decorrido 0. A associação em paralelo da indutância com a capacitância é conhecida como circuito tanque.4 Circuito ressonante O capacitor e o indutor possuem a característica de armazenar energia elétrica. v=-L Di Dt (1) Exemplo: Se L= 10H.999A Logo: Di = 4-3.Ao abrir o circuito da Figura 5. 68 . A energia armazenada no indutor volta ao circuito. Figura 5. mesmo com a tensão na bobina de valor baixo. ao abrir o circuito.5 ilustra um exemplo de circuito tanque.

Se aplicarmos. ocorre o procedimento descrito a seguir.5. mas a corrente será oposta em relação à primeira descarga. Quando o campo em torno de L desaparecer. C se carrega a esse valor de tensão. produzindo uma série de onda senoidais. removendo-se a tensão aplicada. o processo voltará a se estabelecer. Figura 5. após um número finito de oscilações. a resistência está sempre presente. Isto faz com que a corrente senoidal seja amortecida e desapareça. Entretanto. quando se anular. A frequência de ressonância é a única frequência.6. no qual a reatância capacitiva é igual a reatância indutiva. é denominado freqüência de ressonância. C se descarrega através de L. se o circuito tanque fosse ideal e não apresentasse resistência. fazendo com que a corrente circulante diminua gradativamente. novamente. um pulso de tensão ao circuito. no mesmo sentido da primeira carga. A troca de energia e a corrente circulante continuariam. Xc = Xl ® 1/(2 FrC) = 2 FrL Fr = 1/(2 LC)1/2 69 . indefinidamente. devido à dissipação de energia no circuito na forma de calor. A Figura 5. Esse campo. O funcionamento de um circuito tanque consiste na troca de energia entre a capacitância e a indutância. possui polarizada oposta ao que originou (lei de Lenz). e a corrente de descarga cria um campo magnético em torno de L. um campo magnético em torno de L. Essa corrente de descarga originará.Figura 5. Quando C tiver se descarregado. este. A onda senoidal que se estabelece entre C e L possui uma freqüência. Portanto. essa corrente carregará o capacitor no sentido oposto ao anterior. no qual. o campo magnético se anula e essa variação induz uma corrente no mesmo sentido da corrente que originou o campo. novamente. C irá se descarregar novamente. Circuito tanque. fará com que C se carregue novamente. Quando uma tensão é momentaneamente aplicada a um circuito tanque. Troca de energia entre o indutor e o capacitor em um circuito tanque.6 resume toda essa explicação.

Este circuito é utilizado num receptor de rádio em que deve ser feita a separação dos sinais da estação que queremos ouvir de todos dos demais sinais que chegam à antena. Em um rádio. Na Figura 5.7. Se este circuito for ligado a uma antena. a onda senoidal que corresponde à freqüência de ressonância será amplificada. É desta forma que este circuito sintoniza as diferentes estações no rádio. Para que a produção destas oscilações continue. muda a freqüência de ressonância e. com a alternância de campo elétrico em magnético. o circuito tanque possui um capacitor variável. quer seja porque perde em calor nos próximos elementos do circuito.Na frequência de ressonância. a oposição começa novamente a diminuir. produzindo uma oscilação amortecida. quer seja porque é irradiada por uma antena. Das milhares de ondas senoidais de diferentes estações de rádio que chegam à antena. a energia gerada neste sistema pode ser irradiada na forma de onda eletromagnética. ao girar o botão que altera o valor do capacitor. ondas de rádio.5 Circuito tanque na geração de sinais de rádio Aprendemos que em um circuito tanque. 5. muda a freqüência da onda senoidal que o ressonador amplifica. Ao aplicar um sinal alternado ao circuito tanque. Figura 5. ou seja. portanto. Depois deste ponto. ocorre uma troca de energia entre o capacitor e o indutor. Se o sinal corresponde à freqüência para o qual o circuito está sintonizado. 70 . Já se o sinal não corresponde a esta freqüência. ao aplicar uma onda senoidal. no qual. a oposição à passagem de corrente é infinita.Sintonizador LC. observamos que à medida que nos aproximamos da freqüência de ressonância. ele encontra forte resistência e é desviado para as etapas que fazem seu processamento. sendo as demais desviadas para o terra. a oposição começa a crescer até atingir o máximo no valor exato desta freqüência. ou seja.7. temos um sintonizador de rádio simples. Isto pode ser feito com um amplificador. a impedância é infinita. deve-se repor a energia que vai sendo perdida em cada ciclo de carga e descarga do capacitor. ela não encontra nenhuma oposição do circuito e é curtocircuitado para o terra.

(ELETRONORTE 2006) A rede abaixo(Figura 5. A idéia fundamental em um rádio Galena é captar ondas eletromagnéticas por um receptor elétrico simples e reproduzir em um fone de ouvido. 71 . pois não apresenta uma etapa para a amplificação do sinal captado pela antena. os resultados obtidos na prática não são muito satisfatórios. Compreender o funcionamento de um simples rádio ajudará a compreensão dos rádios mais complexos e mais bem elaborado. O rádio Galena é bastante simples. O rádio Galena foi o primeiro rádio inventado pelo homem. (D) na ressonância tem impedância equivalente a um circuito aberto. O rádio é um dos meios de comunicações mais utilizado pelo homem moderno. vamos montar um rádio bastante simples. De onde vêm estas ondas eletromagnéticas? As estações de rádio produzem uma quantidade bastante elevadas de ondas eletromagnéticas em diversas freqüências. Foi implementado na França por Radiguet e Massiot. (C) tem ressonância na freqüência de 1 Hz. Experiência no Laboratório Experiência 8 Rádio elementar ou rádio Galena Neste circuito. 1 indutor 10mH. (E) na ressonância tem impedância equivalente a um curto-circuito.8): Figura 5. 1 Fone de cristal. (B) tem fator de qualidade unitário. 1 capacitor variável.8 (A) é um oscilador ideal.Exercícios 1. 1 antena. Material necessário 1 Diodo de Germânio ( qualquer tipo de diodo de Germânio).

Figura 5. Comece a enrolar.9. DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Rádio artesanal elementar Neste circuito você irá montar um rádio. 72 . 1 capacitor poliéster de 1nF. Fazendo a bobina Pegue o cabo de vassoura e deixe um espaço de um centímetro de cada lado.5 mm) para a bobina. Prenda no início.Procedimento: 1. o fio com fita isolante deixando sobrar 10cm de fio. Enrole para que ainda sobre 1cm de cabo e 10cm de fio. Material necessário: 1 Diodo de Germânio ( qualquer tipo de diodo de Germânio). 1 antena. 1 cabo de vassoura (madeira ou plástico) para enrolar a bobina de 18cm.9 2.0 a 0. 1 Fone de cristal (fone de alta impedância acima de 2000W). Lixe o esmalte do fio que está sobrando os 10cm de cada lado.Monte o circuito da Figura 5. prestando atenção para que os fios fiquem encostados um ao lado do outro e não passe por cima. no qual a bobina será artesanal. Varie o valor do capacitor para sintonizar o rádio. 100 gramas de fio esmaltado com número AWG entre 18 e 24 (diâmetros entre 1.

10 A seta que está ligada na bobina deve ser móvel e percorrer toda a bobina para sintonizar em uma determinada frequência. Antena Como o rádio não possui uma etapa de amplificação. encostadas mesmo. 73 . Figura 5. Faça a seguinte montagem (Figura 5. As voltas devem ficar bem próximas uma da outra. Pode ser um fio esticado de 10m de comprimento. prenda o início e o fio do enrolamento com uma fita isolante. Deixe sobrar de cada lado entre oito e dez centímetros de fio. e uma volta não pode passar por cima da outra. Se você está usando o cabo de vassoura. a antena deve ser bastante comprida para captar o máximo de energia da estação. faça um ou dois furos para prender o fio antes de começar a enrolar e mais um ou dois furos para prender na outra extremidade (oriente-se pelo desenho do rádio acima).Deixe um espaço de mais ou menos um centímetro de cada lado do tubo ou pedaço do cabo de vassoura e comece a enrolar o fio. Caso você esteja usando o tubo.10).

deslocando o sinal para cima ou para baixo do eixo referencial. só deixa passar a tensão negativa. acrescentar um nível DC ao sinal alterando. Uma das utilizações do circuito grampeador é em um amplificador classe C. temos um limitador positivo.1 (a) Circuito limitador positivo.1(b).CAPÍTULO 6 . no qual limita a tensão positiva. (b) Forma de onda na carga 74 .1(a). 6. sendo útil em circuitos no qual o sinal de saída necessita ser limitado.1 Circuitos Limitadores As aplicações incluem a limitação de amplitude excessivas formação de ondas e o controle da quantidade de potência entregue a uma carga. como mostra a Figura 6. Na Figura 6. Observe que o funcionamento é igual ao circuito retificador de meia-onda. Vent R +Vp T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída T -Vp Figura 6. Os circuitos grampeadores possuem como objetivo.CIRCUITOS LIMITADORES (CEIFADORES) E GRAMPEADORES Introdução Os circuitos limitadores ou ceifadores limitam a tensão de saída.

10 temos exemplos de outros circuitos limitadores e as suas respectivas formas de onda na carga.4. 7. 6. 6. no qual foi inserida uma fonte de tensão em serie com o diodo.2(b).Análise do circuito limitador positivo No semiciclo positivo o diodo conduz logo: Vsaída =0 No semiciclo negativo o diodo abre.6. 6.9 e 6. 75 . logo : Vsaída @Vent . 6. no qual o funcionamento é semelhante aos circuitos já analisados.Outros circuitos limitadores Nas Figuras 6. uma vez que Rl >> R Na Figura 6.3.2(a).8. temos um outro limitador positivo. quando vent > V o diodo conduz .2 (a) Circuito limitador positivo polarizado.. A limitação da tensão será para tensões acima de V como mostra a Figura 6.5.7. logo: Vsaída = V No semiciclo como o diodo está sempre aberto. 6. R Vent Vp Vent V Rl Vsaída T -Vp Vsaída V -Vp T Figura 6. pois V e Vent polarizam reversamente o diodo temos: Vsaída = Vent . (b) Forma de onda na carga Análise do Circuito limitador positivo polarizado No semiciclo positivo.

4 (a) Circuito limitador positivo.3 (a) Circuito limitador negativo.Vent Vp T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída T Figura 6. (b) Forma de onda na carga Vent +Vp Vent Vsaída T Rl -Vp Vsaída T Figura 6. (b) Forma de onda na carga 76 .

Vp -V Figura 6. (b) Forma de onda na carga 77 .V Vent +Vp T Vent Rl Vsaída -V -Vp T -V .6 (a) Circuito limitador negativo polarizado. (b) Forma de onda na carga V Vent +Vp T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída -V+Vp -V T Figura 6.5 (a) Circuito limitador positivo polarizado.

7 (a) Circuito limitador positivo polarizado. (b) Forma de onda na carga R Vent +Vp T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída +Vp T Figura 6. (b) Forma de onda na carga 78 .V Vent +Vp T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída T +V-Vp Figura 6.8 (a) Circuito limitador negativo.

R Vent +Vp T Vent V Rl Vsaída -Vp Vsaída +Vp V T Figura 6.9 (a) Circuito limitador polarizado. (b) Forma de onda na carga Vent R +Vp T Vent V1 V2 Rl Vsaída -Vp Vsaída V2 T V1 Figura 6. (b) Forma de onda na carga 79 .10 (a) Associação de limitadores.

uma vez que o diodo irá permanecer sempre aberto e a constante de tempo RC>>Tentrada. um projeto de circuito requer a combinação de uma tensão CA com uma tensão CC. Chamamos esse processo de grampeamento ou restauração CC. no qual no sinal CA(Vent) é adicionado uma tensão CC. O sinal é deslocado para acima do eixo como mostra a Figura 6. posteriormente não se descarrega mais.11(a). não havendo condições de descarregar por Rl. Em todas as análises iremos admitir que a carga de um capacitor atinja o valor final em cinco constantes e tempo.2 Circuitos Grampeadores Algumas vezes. (b) Forma de onda na carga O capacitor se carrega no semiciclo negativo com Vp. Em vez de mudar o aspecto da forma de onda.12.11(b). temos um circuito grampeador positivo. Na Figura 6. O circuito se resume como mostra a Figura 6. Vent +Vp C T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída +2Vp T Figura 6. 80 .6. a operação modifica o nível da tensão de referência CC. com a polarização do capacitor.11 (a) Circuito grampeador positivo.

Vsaída = 2Vp Quando Vent diminui .15. 6. Vsaída também aumenta. Vsaída diminui Quando Vent = .12 Circuito grampeador positivo Análise do circuito grampeador positivo No semiciclo positivo: Vsaída = Vc + Vent Quando Vent = 0 Vsaída = Vc = Vp Quando Vent aumenta a tensão de saída também aumenta.13. Vsaída diminui até Vp No semiciclo negativo: Vsaída = Vc Vent Quando Vent diminui. 6.Vp + Vent Rl Vsaída Figura 6. temos mais exemplos de circuitos grampeadores e as suas respectivas formas de onda na carga. Quando Vent = Vp.17.14. Vsaída = 0 Quando Vent aumenta. Outros Circuitos grampeadores Nas Figuras 6.Vp .16 e 6. 81 . A análise é semelhante as análises já realizadas. 6.

13 (a) Circuito grampeador negativo. (b) Forma de onda na carga 82 .14 (a) Circuito grampeador negativo polarizado.Vent +Vp C T Vent -Vp Vsaída R Vsaída T -2Vp Figura 6. (b) Forma de onda na carga Vent C +Vp T Vent V R Vsaída -Vp Vsaída V T -2Vp+V Figura 6.

(b) Forma de onda na carga Vent +Vp C T Vent V R Vsaída -Vp Vsaída -V T -V-2Vp Figura 6.16 (a) Circuito grampeador negativo polarizado.( Vp V) Vent C +Vp T Vent V R Vsaída -Vp Vsaída +2Vp+V V T Figura 6.15 (a) Circuito grampeador positivo polarizado. (b) Forma de onda na carga 83 .Obs: O capacitor se carrega com .

84 .Dado o circuito determine a forma de onda na saída.18 2. (b) Forma de onda na carga Exercícios 1.17 (a) Circuito grampeador positivo polarizado.19. determine a forma de onda na saída.Dado da Figura 6.Vent C Vp T Vent V R Vsaída Vsaída + 2Vp -V T -V Figura 6. R Vent 30V Vent 4V Rl Vsaída T -30V 7V Vsaída T Figura 6.

no qual vent corresponde o sinal do gerador de áudio em 1KHz e amplitude de 5V.25W. Monte o circuito da Figura 6.1 capacitor 470 F.1 Osciloscópio. com o objetivo de analisar e observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio. Material necessário: . 0.Figura 6.1 multímetro (analógico ou digital). .19 Experiência no Laboratório Experiência 9 Circuito Grampeador Neste circuito. deve-se montar um circuito grampeador.1 gerador de áudio .1 diodo 1N4001 (ou equivalente). . . Procedimento: 1.1 resistor de 1M . .20. 85 .

500mA.4 diodos 1N4001 (ou equivalente).1 capacitor 0. Material necessário . . você irá montar uma fonte de alimentação para alimentar CIs da família TTL.21. Com o uso do osciloscópio observe a forma de onda do resistor e analise o que acontece com o sinal se o valor do capacitor ou do resistor diminuir.01mF. Circuito da Figura 6. 86 . . . DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Fonte de alimentação para CIs da família TTL Neste circuito.12V.C Vent R Vsaída Figura 6. . Os CIs da família TTL necessitam de uma fonte de 5V.20 2.1 transformador -110V/220V .1 CI 7805.1 capacitor de 220mF.

Figura 6.21 87 .

Polarização reversa I Ruptura ou Vz Polarização direta v Iz(mín) Iz(máx) Figura 7. ou seja. Na figura 7. mantém a tensão constante na carga.CAPÍTULO 7 DIODOS ESPECIAIS Introdução O diodo zener é um diodo especial. ou seja.1.1 Diodo Zener O diodo zener é um dispositivo semicondutor. a sua principal aplicação é regular a tensão na carga. 7. este gráfica representa o funcionamento do diodo zener. no qual.2.Curva característica de um diodo zener. temos o gráfico que relaciona a corrente e a tensão para o diodo zener. Constitui o último componente em uma fonte de alimentação.2. anodo catodo Figura 7. 88 .Símbolo do diodo zener. fabricado especialmente para trabalhar na região de ruptura o que não ocorre nos diodos retificadores e de pequeno sinal.

4m A Vz = 5. ele se comporta da mesma forma que um diodo retificador. conduz a partir do momento em que vence a barreira de potencial. maior do que esta corrente o diodo zener será danificado.4mA Vz = 5.4mA 89 . ele funciona como uma chave aberta.6V e Is = 2.1 1KW Ve 5V6 Vz Figura 7.6V e Is = 4.6V e Is = 3. Quando a tensão que está sendo aplicado ao diodo zener for maior do que a tensão de zener. e existe a corrente máxima que o diodo zener suporta.4. enquanto a tensão que está sendo aplicada for menor do que a tensão de zener .3 Exemplo: Se montássemos o circuito da Figura 7. constituindo de uma fonte de alimentação e um resistor Rs Ve = RsIs +Vz Ve Vz Figura 7.4mA Vz = 5. montaríamos a tabela 7.1.Quando se polariza diretamente o diodo zener. observando que a tensão nele permanece a mesma aumentando apenas a corrente que passa por ele. CIRCUITO BÁSICO O menor circuito para a montagem com o diodo zener é apresentado na Figura 7.4mA Vz = 5.6V e Is = 1. Na polarização reversa.3.4 Quando Ve = 1V Quando Ve = 2V Quando Ve = 3V Quando Ve = 4V Quando Ve = 5V Quando Ve = 6V Quando Ve = 7V Quando Ve = 8V Quando Ve = 9V Quando Ve = 10V Vz = 1V e Is = 0 Vz = 2V e Is = 0 Vz = 3V e Is = 0 Vz = 4V e Is = 0 Vz = 5V e Is = 0 Vz = 5. ele passa a conduzir. e medíssemos a tensão no diodo zener e a corrente que passa por ele ao aplicar a tensão Vê. ou seja. Tabela 7. Esta tabela é importante para que possamos compreender o funcionamento do diodo zener.6V e Is = 0.

fazendo o equivalente de Thevenim.Vz Rs Especificação do diodo zener Pz(máx) = Vz .Ve Rl + Rs Se Vth > Vz (significa que o diodo zener está operando) 90 . ( retira o diodo zener do circuito e calcula a tensão visto a apartir do diodo zener ou seja para este circuito será a tensão no resistor Rl ) Vth = R1 .4. mosta o circuito regulador de tensão.5 Circuito regulador de tensão Cálculo da tensão de Thevenin Vamos calcular a tensão que chega ao diodo zener.Is = Ve.Iz(máx) CIRCUITO REGULADOR DE TENSÃO A Figura 7. para que possamos fazer uma análise matemática e poder calcular as corrente que circulam no circuito. Is Rs Ve Vz Iz Rl Il Vl Figura 7.

73 mA 91 .6KW Il Figura 7.Logo: Is = Il + Iz Onde: Il = Vl Rl Vl = Vz e Is = Ve .Vz Rs Ex: Dado o circuito (Figura 7.3m 0. calcule Is.57m = 3.7K . Iz e Il Is 2.Ve Vth = 5. Il = 3.7K Is = Il + Iz Iz = Is Il = 4.6 Solução: Vth = R1 .7KW 15V 3V2 Iz 5.57mA Is = 15 3. 15 Rl + Rs Vth = 10V Vth > Vz logo: O diodo zener está regulando.6K+2.6).6K 5.2 Is = 4.3mA 2.2/5.6K = 0.

7.5V. Enquanto que em um diodo comum na passagem de corrente.2V. A simbologia para o led é apresentado na Figura 7.8V ou seja a tensão que chega no diodo zener é 4.6V à 6. laranja.2 Diodo Emissor De Luz (LED) Os diodos emissores de luz são fabricados a partir do GaAs( arsenieto de gálio) acrescidos de fósforo que.8 92 . SIMBOLOGIA anodo catodo Figura 7. 7.7 Fonte de alimentação Exemplo: 1)Se a tensão no capacitor oscilada de 5.8. dependendo da quantidade. mostra uma fonte de alimentação. podem irradiar luzes vermelha.3V e o diodo zener é de 3. então a tensão depois que passa pelo diodo zener será constante em 3. ocorre a liberação de energia em forma de calor.Aplicação do Diodo Zener Uma das principais aplicações do diodo zener é na construção de fonte de alimentação pelo qual servirá para manter a tensão na carga constante. A Figura 7.2V. em um LED a liberação de energia é na forma de luz visível. considerando que a queda em Rs seja de 0. são muitos utilizados como sinalizadores em instrumentos eletrônicos ou na fabricação de displays. verde ou azul. amarela. D1 D2 Rs D3 D4 C Vz Rl Figura 7.8 à 5.

5 a 2. o led trabalha normalmente com corrente na faixa de 10mA a 50mA.5V Figura 7.Na Figura 7.9. I Polarização reversa Polarização direta v 1.9 Os LEDs apresentam as mesmas características dos diodos comuns. Não se deve ligar um led em paralelo com uma fonte de alimentação. deve-se utilizar um resistor limitador de corrente para que o mesmo não se danifique. uma vez que a resistência da fonte é desprezível e a corrente que passará no led terá valor elevado.9. CIRCUITO BÁSICO: O menor circuito que podemos construir com um led é apresentado na Figura 7. ou seja só conduzem quando polarizados diretamente aplicando uma tensão maior do que a barreira de potencial. Para se polarizar um LED.5V dependendo da cor. pois danifica facilemnte.5V a 2. Comercialmente. 93 . no entanto a barreira de potencial varia de 1. temos a curva característica para o led.

Este fato implica que. se aumentarmos a tensão entre seus terminais.3 Diodo Túnel Este dispositivo possui uma característica não encontrada em nenhum outro de sua família. a corrente que atravessa diminuirá.9 OBS: como Vled varia de 1.Rs Is = Ve . 94 . se este componente estiver polarizado em uma determinada região de sua curva característica.5V vamos adotar 2V Exemplo: 1)Determine Rs para que o LED do circuito (Figura 7. que é a região negativa.10 Solução: Rs = Ve Vled Is Rs = 6 2 20m Rs = 200 W 7.Vled Ve Is Rs Figura 7.10).5 a 2. fique polarizado no seu ponto quiescente (Vled = 2V e Id = 20mA) 6V Is Figura 7.

Ele foi desenvolvido pelo Dr. Na polarização reversa a ruptura ocorre próximo de 0V. O fato deste dispositivo ser mais veloz do que todos os outros dispositivos ativos.12. as vezes é chamado de diodo Esaki. APLICAÇÕES As características de resistência negativa os tornam úteis em circuitos de microondas. São também encontrados em circuitos capazes de converter potência cc em ca. ao se polarizar diretamente conduz imediatamente. conversores. onde os tempos de comutação são da ordem de nano ou picossegundos. Leo Esaki em 1958 e . a corrente produz um valor máximo Ip. osciladores e circuitos de chaveamentos. em homenagem ao seu descobridor. I Ip Iv V VP Vv Figura 7. SIMBOLOGIAS 7. faz com que ele seja encontrado também em circuitos de alta frequência e alta velocidade. mostra a curva característica para o diodo túnel. especialmente em computadores.12 Por ser um diodo muito dopado. Um aumento de tensão maior do que Vp produz uma diminuição na corrente e a região entre os pontos de pico e do vale é chamado região de resistência negativa. amplificadores. 95 .11 Simbologia para diodo túnel A Figura 7.

A Figura 7. o fato da capacitância existente na junção ser função da tensão de polarização.15.4 Diodo Varicap (Varactor ou VVC) Este diodo aproveita além dos efeitos na junção PN utilizados nos diodos comuns. 96 . filtros de banda passante ajustáveis etc. APLICAÇÕES O Varactor é muito útil em diversas aplicações como em circuitos LC com sintonia por tensão.7.14 mostra a simbologia para o diodo varicap. como o diodo funciona basicamente como um capacitor (as regiões P e N são como placas do capacitor e a camada de depleção se compara ao dielétrico) ao aumentar a tensão reversa a capacitância irá diminuir.15 Na polarização reversa em circuito de alta frequência. Figura 7.14 Simbologia A Figura 7. dispositivos de controle de frequência automáticos. C V Figura 7. circuitos ponte autobalanceados e amplificadores paramétricos. temos a curva característica para o diodo varicap.

c) Acende normalmente para 1400W.9KW 20V 5V6 Iz 10KW Il Figura 7. Imin = 1mA. V1 = 15V e no LED D1. Cite algumas aplicações do Varactor. 5. que o LEd: a) acende normalmente nos 3 casos. b) Acende normalmente para 110W e 1400W. Iz e Il. é correto.16 2.16.18 Considerando a possibilidade de R1 assumir os valores de 110W.Revisão 1. Imáx = 25mA e Vled = 2V. mas não irá acender quando R1 for de 690KW. Figura 7. 97 . calcule as correntes Is. Dado o circuito da Figura 7. 1400W e 690KW. d) Não acende normalmente quando R1 vale 690KW e pode queimar quando R1 for de 110W ou de 1400W.18. e) Não acende normalmente quando R1 for de 1400W ou de 690W e pode queimar quando R1 vale 110W. No circuito da Figura 7. 4. Cite algumas aplicações do diodo túnel. Explique o que você entende por LED. Is 3. 3. mas com 690KW não irá acender e quando R1 for de 110 W pode queimar.

6. cujo valor de pico é superior À tensão de diodo zener Z1. ilustra um circuito alimentado por uma fonte de tensão senoidal. ilustra um circuito alimentado por uma fonte de tensão senoidal da forma Ve(t) = 20sen(wt). A Figura 7. aproximadamente. O sinal de tensão Vs(t) deverá ter. aproximadamente. da forma: Figura 7. onde Z1 é um diodo zener de 15V e D1 um diodo ideal.120.19 7. A Figura 7. O sinal de saída Vs(t) deverá ser. que pode ser considerado ideal. a forma: 98 .19.

a potência máxima exigida da fonte não regulada é de 400mW. o diodo zener tem tensão nominal Z V de 10 V.21 Em condições normais de funcionamento: (A) Rl < 2 k . (C) se R = 500 . Figura 7. (B) R > 500 .20 8.Figura 7. (D) se R = 500 . (ELETRONORTE 2006) Na fonte da Figura 7. e requer no mínimo 5 mA de corrente para garantir a regulação. e consome de 0 a 5 mA. a tensão de entrada N V não é regulada. (E) se R = 500 . 99 . a carga L R é variante no tempo. e varia de 15 a 20 V. pode ser um resistor de 1/8 W. a corrente máxima no diodo zener é de 10 mA.21.

25W. .Experiência no Laboratório Experiência 10 O diodo Zener Neste circuito.1 multímetro (analógico ou digital). deve-se montar um circuito básico com o diodo zener para compreender o seu funcionamento.1 diodo zener 5V6.5W. Procedimento: 1.22 3.1 Fonte de alimentação variável (0-15V) . 0.Monte o circuito da Figura 7.1 resistor de 1K . Figura 7. Material necessário: . 0. Preencha a tabela abaixo: Vf 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 A Vz 100 .22. .

4. Qual o valor da tensão que se manteve constante? _________

Experiência 11

Fonte de alimentação (eliminador de pilhas)

Neste circuito, vamos montar uma fonte de alimentação.

Material necessário: - 1 transformador -110V/220V ,9V, 500mA - 4 diodos 1N4001 (ou equivalente); - 1 resistor de 10K , 3,3K e 470 (0,25W); - 1 capacitor de 220mF, 64V - 1 diodo zener 5,6V, 0,5W; - 1 multímetro (analógico ou digital).

Procedimento: 1.Monte o circuito da Figura 7.23.

Figura 7.23

2. Meça a tensão no resistor de 10KW. 3. Substitua o resistor de 10KW pelo resistor de 470W e um led, como mostra a Figura 7.24.

Figura 7.24
101

DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA
Alarme de subtensão
Descreveremos dois circuitos para um alarme de subtensão. No primeiro, quando a tensão diminuir abaixo de 12V um led deve acender. Porém, se a tensão voltar a aumentar o led irá apagar. No segundo circuito, quando a tensão diminuir abaixo de 12V, uma lâmpada irá acender, e mesmo que a tensão volte a aumentar, a lâmpada permanecerá acesa. Circuito 1

Material necessário -1 fonte de tensão variável; - 1 diodo 1N4004; - 1 led; - 1 diodo zener 12V, 0,5w; - 1 resistor 470W;5,6KW; 1KW; - 1 transistor BC338.

Circuito da Figura 7.25.

Figura 7.25

O único componente não estudado até aqui é o transistor. Neste circuito, o transistor irá funcionar uma chave.

102

O funcionamento do circuito será da seguinte forma: Como a tensão de alimentação é 14V, o diodo zener estará regulando, ficando 12V no diodo zener e 2V no resistor de 1KW. O transistor, neste caso, estará funcionado como uma chave fechada e toda a corrente passará por ele, como mostra a Figura 7.26.

Figura 7.26

Quando a tensão diminuir, abaixo de 12V, pode-se considerar que a corrente que passa no diodo zener será zero, logo, a tensão no resistor de 1KW será zero e o transistor funcionará como uma chave aberta. Toda a corrente passará pelo led e acenderá. Neste circuito quando a tensão cair abaixo de 12V o led acende, no entanto, se a tensão voltar a aumentar o led apaga. Descrevemos a seguir um circuito no qual, quando a tensão baixar e voltar a aumentar uma lâmpada ficará acesa. Material necessário -1 fonte de tensão variável; - 1 diodo 1N4004; - 1 lâmpada de 12V; - 1 diodo zener 12V, 0,5w; - 1 resistor 2,2K, 10K; - 2 resistores 1K; - 1 transistor BC338; - 1 capacitor 1F, 16V - 1 SCR ( TIC106D); -1 relé 12V.

Circuito 2 (Figura 7.27)

103

27 Neste circuito. 104 . A bobina do relé é acionada e o contato normalmente aberto do relé fechado. figura . o transistor funciona como uma chave aberta e toda a corrente desvia para o circuito do capacitor que dispara o SCR. foi utilizado um SRC. no qual.Figura 7. a lâmpada é acesa. quando a tensão cair abaixo de 12V.

no qual é formado pela combinação de materiais semicondutores dopados com átomos trivalentes ou pentavalentes. O nível de dopagem do coletor é intermediário entre a dopagem forte do emissor e fraca da base. Walter Houser Brattain e William Bradford Shockley. respectivamente (LALOND e ROSS. A adição de átomos trivalentes no semicondutor constitui a formação do material do tipo P. O coletor. A base é levemente dopada e muito fina. Foi desenvolvido no laboratório Bell Telephone e demonstrado em 23 de Dezembro de 1947 por John Bardeen. O transistor começou a se popularizar na década de 1950 e ocasionou a revolução da eletrônica na década de 1960.1 Estrutura física do transistor de junção bipolar NPN As extremidades são chamadas emissor e coletor e a camada central é denominada base. como o nome diz. As principais aplicações do transistor são: amplificar sinais elétricos e chavear circuitos. O emissor é fortemente dopado e tem como função emitir portadores de carga para a base (elétrons no transistor NPN e lacunas no transistor PNP). 105 .3) e PNP (Figura 8. É a camada mais extensa. 1998). Um transistor é formado pela combinação do material N+P+N ou P+N+P.1 mostra a constituição do transistor.1 Constituição de um transistor bipolar A Figura 8. Estes foram laureados com o prêmio Nobel da Física em 1956. o que se denomina transistor NPN (Figura 8. Ela permite que a maioria dos elétrons injetados pelo emissor passe para o coletor.TRANSISTOR BIPOLAR Introdução O transistor é um componente eletrônico formado por materiais semicondutores. e a adição de átomos pentavalentes a formação do material do tipo N. recebe os portadores que vêm da base.4). pois é nela que se dissipa a maior parte da potência gerada pelos circuitos transistorizados (BOYLESTAD e NASHELSKY. Coletor Base Emissor n Fluxo de lacunas p n Fluxo de elétrons Figura 8. 1999). 8.CAPÍTULO 8.

e desta forma.2 Polarização do Transistor Polarizar um transistor é aplicar fontes de alimentação em seus terminais para que possamos analisar o que acontece. compreender o seu funcionamento. elas não possui tamanhos iguais.3 . o transistor foi redesenhado fixar o que foi dito.4. Portanto. .. a quantidade de impurezas (átomos pentavelentes) é superior a quantidade de impurezas do coletor. Figura 8. 106 . O emissor é o mais dopado dos três. o que significa que.Transistor PNP 8. A base é levemente dopada e o coletor é o mais extenso dos três. Na Figura 8. na formação do materal do tipo N.Transistor NPN Figura 8.2 Transistor Bipolar coletor base base coletor emissor emissor Figura 8.Polarização emissor -base reversamente e coletor base reversamente.2. Comparando as três camadas do transistor. nem apresentam a mesma dopagem. no emissor temos uma maior quantidade de elétrons livres do que no coletor.

Neste tipo de polarização não haverá circulação de corrente se desprezar as corrente de fuga de superfície e a corrente produzido termicamente. Figura 8.base diretamente . Uma forma de visualizar este tipo de polarização é considerar entre o emissor e a base um diodo em que o catodo está no emissor e o anodo na base.Polarização emissor-base reversamente e coletor-base reversamente Pela Figura 8.5. .base diretamente 107 .5.6 Polarização emissor base diretamente e coletor.Figura 8. observa-se que tensão aplicada no emissor para a base (Veb) e a tensão aplicada do coletor para a base (Vcb) polarizam o transistor reversamente. O positivo da fonte externa atrae os elétrons do coletor e o negativo que está ligado na base atrae as lacunas.Polarização emissor base diretamente e coletor. com isto aumenta a camada de depleção. A tensão positiva externa atrae o elétrons do emissor para a extremidade do transistor e o negativo da fonte externa aplicada na base atrae as lacunas. aumentando desta forma a barreira de potencial até se igualar a fonte Vcb. Entre o coletor e base acontece o mesmo procedimento.

base. -Tensões e correntes no transistor A Figura 8. Neste tipo de polarização verifica-se que o nome coletor está indicando que ele coleta os elétrons e o emissor tem como função emitir elétrons. faz o menos da fonte repelir os elétrons do emissor. sendo atraído pelos íons positivo. 108 . diretamente e coletor.base. reversamente Este tipo de polarização é o mais utilizado dos três. Se a tensão Veb for maior do que a barreira de potencial . a tensão aplicada no emissor para a base(Veb) e a tensão aplicada do coletor para a base(Vcb) polarizam o transistor diretamente. na maioria das vezes aproximadamente de 95% a 99% dos elétrons que passaram do emissor para a base vão para o coletor e apenas 5% a 1% desce pela base.Na Figura 8. haverá uma grande circulação de corrente circulando pela base do transistor.Polarização emissor base. A tensão Vcb faz com que aumente a camada de depleção entre a base e o coletor.9 mostram os sentidos das tensões e das correntes em um transistor NPN e PNP respectivamente. A fonte de tensão externa aplicada entre o emissor e a base polariza o transistor diretamente e a tensão aplicada do coletor para a base polariza o transistor reversamente. diretamente e coletor. os elétrons passam do emissor para a base. O emissor é o mais dopado ele tem com função emitir elétrons. Neste caso. Ao chegar na base ocorre o inesperado. Pode-se dizer que. Estes elétrons terminam indo para o positivo da fonte Vcb.8 e 8.Polarização emissor base. A tensão Veb ao polarizar o transistor diretamente.6. Apenas uma pequena parcela desce pela base. a maior parte dos elétrons passam para o coletor . como mostra a Figura 8.7.7. . reversamente Figura 8.

3 Configurações Básicas do Transistor Os transistores podem ser utilizados em três configurações básicas: base comum.Figura 8.3.9 Transistor PNP Podemos tirar as seguinte conclusões: Transistor NPN Ie = Ic +Ib Vce = Vcb +Vbe Transistor PNP Ie = Ic + Ib Vec = Vbc +Veb 8.8 Transistor NPN Figura 8. 109 . O termo comum se refere ao terminal que será comum ao sinal de entrada e ao sinal de saída. emissor comum e coletor comum.10). quando o sinal de entrada está na base e o sinal de saída está no coletor. O emissor é comum aos sinais de entrada e saída.1 Configuração Emissor comum Um transistor encontra-se na configuração emissor comum (Figura8. 8.

este parâmetro serve também para o cálculo dos resistores de polarização para as outras configurações.11). pelo qual é simbolizado pela letra beta cc. entraremos com mais detalhes estudando as curvas características de entrada e de saída. Logo: b = Ic/Ib Embora este ganho de corrente tenha sido definido para a configuração emissor comum. Curva característica do sinal de entrada A curva característica do sinal de entrada mostra o comportamento da corrente Ib com relação a tensão Vbe (Figura 8. Ganho de corrente O ganho de corrente relaciona a corrente de saída com relação a corrente de entrada.Figura 8. Ie é comum ao sinal de entrada e de saída. O ganho de corrente para este tipo de configuração é Ic/Ib Como esta configuração é a mais utilizada. os manuais dos fabricantes mostram este ganho de corrente. na saída Ic.10 Configuração Emissor comum Nesta configuração na entrada temos ib. Devido a configuração emissor comum ser a mais utilizada. 110 .

Com o transistor construído com átomos de silício o valor da barreira de potencial é de 0.Figura 8. o funcionamento é semelhante a de um diodo.11 Curva característica do sinal de entrada Entre o emissor e a base existe uma barreira de potencial. 111 .7V. o gráfico é construído para os vários valores da corrente da base.12 Curva característica do sinal na saída Como a corrente que flui para o coletor depende também da quantidade de elétrons que flui do emissor para base. Para que os elétrons do emissor passem para a base. Figura 8. deve-se vencer esta barreira. Curva característica de saída A curva característica do sinal de saída. O que observamos é que quando uma fonte de tensão contínua é aplicada entre o emissor e a base. mostra o comportamento da corrente Ic com relação a tensão Vce (Figura 8.12). da corrente da base. ou seja.

O fato é que.2 Configuração Base comum Nesta configuração. Quanto maior for a corrente que passa para a base. pois será útil para análise de circuitos para outras configurações. como não há corrente na base. a corrente do coletor não depende somente da tensão Vce.13). a tensão entre o coletor e base. Quando uma tensão entre o emissor e a base for suficiente para vencer a barreira de potencial e assim a base ter corrente. Na saída está a tensão Vcb e a corrente Ic.3. mostra o circuito polarização da base 112 . mas também da corrente Ib. Logo. ou seja. 8.15.13 Configuração base comum Definimos como entrada a tensão Vbe e a corrente Ie. aumentando a camada de depleção. mesmo que a tensão entre o coletor e o emissor seja um valor elevado. Figura 8. a maior parte dos elétrons é atraída pelo coletor devido aos cátions da camada de depleção. Circuitos de polarização tendo como base a configuração emissor comum Polarização da base A Figura 8. maior será a corrente que também passa para o coletor. se a tensão entre o emissor e a base for zero. a base é o eletrodo comum. Ganho de corrente a = Ic/Ie Definimos o ganho de corrente para este tipo de configuração. a base está na entrada e na saída do circuito. (Figura 8. polariza o coletor e a base reversamente. também não haverá corrente no coletor.Observamos que.

Dado: Vbb = 6V.Vce + RcIc + Vce = 0 Exercício Resolvido Dado o circuito (Figura 8. determine Vce e Ic.7 Malha de saída . pois. qaunto a tensão Vbb for maior do que 0.7V. Logo: Vbb = RbIb + 0.14 Circuito polarização da base Malha de entrada -Vbb + RbIb + Vbe = 0 Adotaremos Vbe sempre igual a 0. Rc = 3.15). entre a base e o emissor o transistor comporta-se como um diodo para uma tensão contínua.7V.3K.15 Solução: 113 . Rb = 220K. Vcc = 12V e o ganho de corrente é igual a 100.Figura 8. Figura 8.

Neste caso.024mA Ic = bIb logo: Ic = 0.. que intercepte todos os possíveis pontos de operação do transistor. o transistor funciona como uma chave aberta.4m +Vce 12 = 3.16 Reta de carga CC Região de corte A região de corte é definida como a região no qual a corrente da base é zero (idealmente) é consequentemente.3K.Malha de entrada 6 = 220KIb + 0.4mA Malha de saída 12 = Rc. Ic também é zero. (Figura 8. faz-se necessário esboçar uma reta na curva característica de saída do transistor na configuração emissor comum.16). Figura 8. 114 .08V Reta de carga cc Para saber os pontos de operação do transistor.2. Esta reta é definida como reta de carga cc.024mx 100 Ic = 2.7 Ib = 0. 2.4m + Vce Vce = 4.

pois entre a base e o emissor. Rb = 10K. Figura 8.2K e b = 100. Logo Ib = 0 Como Ic = bIb e Ib = 0. Dado: Vbb = 0.2K e b = 100.17 Solução: Malha de entrada Vbb = RbIb + 0.3K. Rc = 2. determine Ic e Vce. Vcc = 15V. 115 . Figura 8. Rc = 2. onde a tensão Vbb não é suficiente para vencer a barreira de potencial.Dado o circuito (Figura 8.19).18 Região de saturação Um transistor está operando na região de saturação.17). Exemplo .Exemplo: 1) Dado o circuito (Figura 8. determine Ic e Vce. o transistor funciona como um diodo. Rb = 3. mesmo tendo um valor de tensão Vcc. Ic = 0.7. Vcc = 10V. o transistor funciona como uma chave aberta e está operando na região de corte.3V. quando a corrente Ib for um valor tão elevado que o transistor sature funcionando como uma chave fechada. Dado: Vbb = 12V. Vce = Vcc = 10V Neste caso.18. Imagina-se o circuito da Figura 8.

já que o transistor funciona como uma chave fechada e desta forma a tensão Vce será zero. Na região de corte a corrente Ic é igual a zero e a tensão Vce é o valor máximo possível. O transistor neste caso funciona como uma chave fechada como mostra a Figura 8.2K. 12 = 3.19 Solução: Malha de entrada Vbb = RbIb + 0. Figura 8. O que temos neste caso. 116 . A única tensão que temos na malha de saída é de 15V para ser divida pelo resistor e transistor.42m = 342mA Malha de saída 15 = 2.20. Na saturação a tensão Vce é igual a zero e a corrente Ic é o valor máximo possível para o circuito. existe um valor de corrente Ic e tensão Vce que não são zero e também não possui o máximo valor possível para o circuito. 3. Na região ativa. sendo suficiente para saturar o transistor.4V Como um transistor não gera tensão. é que a corrente da base é um valor bastante elevado. 342m + Vce Vce = . Observe que a corrente que circula no coletor é o maior valor possível para este circuito.42mA Ic = 100.7.3KIb +0.Figura 8.737. Região ativa A região ativa é a região intermediária entre a região de corte e saturação.20 A corrente Ic será igual a Vcc/Rc.7 Ib = 3.

22.028mA Ic = 2. o transistor está operando na região ativa.21 Solução: Malha de entrada Vbb = RbIb + 0. o cálculo da reta de carga cc deve ser processado da seguinte forma: 117 .8mA Malha de saída 15 = 2.Exemplo 1) Dado o circuito (Figura 8.84V Observe que. na construção de amplificadores.7 Ib = 0.2K e b = 100. temos um valor positivo de corrente Ic e tensão Vce. O transistor operando na região ativa será útil na construção de circuitos para amplificar um sinal. Rc = 2. Rb = 330K. que não são zero nem o máximo.21). 10 = 330KIb + 0. Vcc = 15V. ou seja. Dado: Vbb = 10V.determine Ic e Vce. Figura 8.2K Ic + Vce Vce = 8. Cálculo da reta de carga cc Para o circuito da Figura 8.7. logo.

Rb = 270K. Iremos calcular na região de corte e na região de saturação. Dado: Rc= 3. determine a reta de carga cc. deve-se calcular dois pontos.23 Solução: Na região de corte 118 .23).Figura 8.3K. Vbb = 4V e Vce = 15V Figura 8.22 Para determinar a reta de carga. Na região de corte: Ic = 0 Vce = Vcc Na região de saturação Vce= 0 Fechando a malha temos: Vcc = Rc i c + Vce Logo: Vcc = Rc Ic Icsat = Vcc/Rcc Ex: Dado o circuito(Figura 8.

Ic = 0 Vce = 15V

Na região de Saturação Icsat = 15/3,3K = 4,54mA Vce = 0

A reta de carga cc é mostrado na Figura 8.24.

Figura 8.24

Polarização da base O circuito polarização da base é apresentado na Figura 8.25.

Figura 8.25 Circuito polarização da base

No circuito da Figura 8.25, conhecido como polarização da base é o circuito mais utilizado quando deseja colocar o transistor para que funcione como chave, ou seja, o
119

transistor esteja funcionando na região de saturação ou na região de corte. Geralmente, a fonte de alimentação da base é a mesma que alimenta o coletor, isto é, Vbb = Vcc. O circuito então, é desenhado como mostra a Figura 8.26.

Figura 8.26 Circuito polarização da base

Este tipo de polarização, porém, não é utilizado quando se deseja utilizar o transistor para que opere na região ativa. Coloca-se o transistor na região ativa quando deseja construir um circuito para amplificar um sinal ca Ao utilizar o circuito acima, colocando o transistor para operar no meio da reta de carga cc, com o aumento da temperatura o ponto quiescente é alterado indo para a saturação. Demonstração Na primeira malha temos: Vcc = Rb ib + Vbe

Na segunda malha: Vcc = Rc ic + Vce Para que o transistor opere na região ativa, o ideal é que ele opere no meio da reta de carga cc. Para isto deve-se colocar Vce = 0,5Vcc. Com o aumento da temperatura o ganho de corrente aumenta e consequentemente ic também aumenta, uma vez que, ic = bib. Da segunda malha como Vcc e Rc são valores fixo, ou seja, não sofrem influência com a alteração da temperatura ambiente. Para que a equação continue válida, Vce diminui. Vce diminuindo o ponto quiescente na reta de carga cc deve subir, ou seja, o transistor tende a saturação. Para polarizar o transistor na região ativa, foram implementados vários circuitos, até conseguir o circuito mais utilizado, que é o circuito polarização por divisor de tensão. Iremos analisar a evolução dos circuitos.

Polarização com realimentação do emissor

120

Na figura 8.27, temos o circuito polarização com realimentação do emissor,no qual foi inserido um resistor no emissor.

Figura 8.27 Polarização com realimentação do emissor

Malha I Temos: Vbb = Rb ib + Vbe + Re Ie Malha II temos Vcc = Rc ic + Vce + Re ie Exercício resolvido Dado o circuito (Figura 8.28), determine Ib, Ie, Ic e Vce. Vcc= 12V, Vbb = 6V, Rb = 470KW, Rc = 2,7KW e Re = 800W, b = 120.

Figura 8.28

121

34m + 0.Solução: Vbb = RbIb + Vbe Ib = 0. visto da base para o terra.3V Polarização por divisor de Tensão Na Figura 8. Rth = R1//R2 Rth = R1.34m + Vce + 800.7K.34mA Ie = 1. 1. temos o circuito polarização por divisor de tensão. devemos determinar o equivalente de Thevenin.011m Ie = 1. Figura 8.7 Ie = Ic + Ib Vcc = RcIc + Vce + ReIe 12 = 2.29.R 2 R1 + R 2 122 .35m Vce = 7.35mA Þ 6 = 470K ib + 0.0112mA Ic = bIb Þ Þ Ic = 1. 1.29 Circuito polarização por divisor de tensão Para simplificar os cálculos.

31).Vth = R2 Vcc R1 + R 2 Circuito após o equivalente de Thvenin é apresentado na Figura 8.30. determine Vce e Ic.Dado o circuito (Figura 8.30 Circuito equivalente de Thevenin Malha I Temos: VTh = RTh ib + Vbe + Re Ie Malha II temos Vcc = Rc ic + Vce + Re ie Exercícios resolvidos 1. Figura 8. O ganho de corrente é igual a 100 123 .

09 = 3K ib + 0.09 = 3Kib + 0.8K( 101ib) 0.31 Solução: Rth = 33K .Figura 8.7 + 1.3K 3.213m) Vce = 11.3K (0.32.8K ie 12 = 3.3Kic + Vce + 1. onde: ic = bib ou seja ie = 100ib+ ib = 101ib logo: 1.02m) + Vce + 1.3K 12 = 1.002mA logo: ic = 0.55V 124 .32 Circuito equivalente 1.8K ib Malha 2 ib = 0.3.21mA e ie = 0.8Kie Ie = ic + ib.7 + 1.3K Vth = O circuito pode ser substituído pelo circuito da Figura 8.09V 33K + 3.3K = 3KW 33K + 3.8K (0. Figura 8.39 = 184.213mA 12= 3.

pois o transistor continua na saturação mesmo no pior caso de variação do ganho de corrente com a variação da temperatura. A saturação forte é a utilizada em circuitos. a corrente da base é o valor exato e suficiente para operar o transistor no extremo superior da reta de carga. Ib + 0 .ic 125 .33 Transistor como chave Analisando a Figura 8. Temos: Vcc = Rc.ib+0. Não é muito utilizado o transistor na saturação leve por causa da variação do ganho de corrente. Para colocar o transistor para na saturação forte deve-se fazer com que a corrente da base seja aproximadamente um décimo do valor da corrente de saturação.1ic Malha de entrada: Vcc = Rb. Figura 8. ic Igualando as duas equações temos: Rb. isto é.33 temos: Na saturação forte: Ib = 0.8.4 Transistor como Chave A regra para projeto Uma saturação leve significa que levamos o transistor apenas no início da saturação.7 Malha de saída Vcc =Rcic + Vce como na saturação Vce = 0.7 = Rc.

Poderá o led 2 ter sua luminosidade diminuída por necessitar de mais tensão? (Figura 8. Ic . logo: Rb. ou seja. verificamos que na base existe uma tensão de 3V.5V enquanto l-2 uma queda de 2.0.1ic = Rc.7. Esta tensão faz com que fixe a tensão no emissor de 3. Ib = Rc. Rb.necessitam de uma corrente de 10mA para obter uma boa luminosidade.7V temos.Desprezando 0. Figura 34. Ic Na saturação forte ib = 0.Os leds L-1 e L-2. .1ic. Neste circuito.5 Transistor como Fonte de Corrente Para entender melhor o transistor como fonte de corrente vamos para este problema.34). da figura 9. logo: Rb = 10Rc 8.34.1.5. o transistor está funcionando como fonte de corrente. 0. a base amarra a tensão do emissor.5V. Transistor como fonte de corrente Observando a Figura 8. No entanto L-1 proporciona uma queda de 1. pois mesmo alterando a queda de tensão nos leds a corrente permanece a mesma. 126 .

tendo-se o que é denominado modelagem do transistor. 8 3 Modelo de Erbers Moll Ao substituir o transistor pelo modelo de Erbers-Moll.7)/10mA Re = 230W Observe que a fonte da base ligada diretamente na base fixa a corrente ie. os cálculos envolvidos no circuito ficam mais simples. Leitura Complementar Modelagem do transistor para análise CA O transistor em um circuito elétrico é substituído pela combinação de elementos apropriadamente escolhidos. que se aproximam melhor do funcionamento real. tem-se o seguinte circuito equivalente para o transistor (CIPELLI e SANDRINI. Logo. 1995 ). 2001).Os cálculos a seguir demonstram isto: Se ambos os leds necessitam de 10mA para o brilho ideal basta fixar a corrente de emissor em 10mA. O objetivo de modelar o transistor é facilitar a análise para sinais alternados em função das tensões. Re = (3-0. por isto. O modelo híbrido requer cálculos mais complexos. 127 . porém sem obtém maior precisão. Os mais utilizados são o modelo de Erbers Moll e o modelo híbrido (MALVINO. No modelo de Ebers Moll. Há vários modelos para representar o transistor em um circuito elétrico. correntes e freqüências envolvidas. dimensionando o valor de Re. é utilizado com freqüência. a luminosidade do led2 não será diminuída.

dI/dV = 40Ise40V Pode-se escrever na forma dI/dV = 40( I + Is) 128 . 2001: 98) e a Eq. À temperatura de 25¡C. diferencia-se a Eq. por isso é aplicada ao diodo somente quando a tensão através da resistência for desprezível.V k . do modelo de Erbers Moll.1 não inclui a resistência de corpo de cada lado da junção. SANDRINI.Transistor NPN emissor Figura 36 .coletor base base coletor re` emissor Figura 35 .1 com relação a V.Modelo Erbers Moll Onde: re´ = resistência a passagem do sinal alternado no emissor.T ö .6 10 -19 Coulomb) k = constante de Boltzmann (1.1 torna-se: I = Is(e 40V 1) Para obter re`. pode ser deduzida como segue: A equação da junção PN retangular deduzida por Shockley (substituída pela resistência re´ no modelo) é: Onde: I = æ Is ç e ç è q .38 10 -23 Joules/Kelvin) T = temperatura absoluta (ºK) A descrição da Eq.1 ÷ ÷ ø (1) I = corrente total do diodo Is = corrente de saturação reversa V = tensão total através da camada de depleção q = carga de um elétron (1. q/kT é aproximadamente igual a 40 (CIPELLI.

129 . fixando-se duas variáveis dependentes e duas independentes. tem-se modelo matemático de quadripolos. 1996). de tal forma que ele possa ser modelado matematicamente: Variáveis: v1 = tensão de entrada v2 = tensão de saída i1 = corrente de entrada i2 = corrente de saída Convenção: Tensão positiva para cima Corrente positiva para dentro i1 + v1 _ Circuito Elétrico i2 + v2 _ Figura 36 .1997).Tomando-se o inverso resulta o valor de re` re´= dV/dI = 1/40( I + Is) = 25mV/ (I + Is) Em um amplificador linear prático.Quadripolo Genérico Essas quatro grandezas envolvidas podem ser relacionadas entre si por meio de funções lineares. o valor prático de re` é: re´ = 25mV/ I Como se está tratando da camada de depleção do emissor. re´ = 25mV/Ie 5. a forma adotada é fixar v1 e i2 como variáveis dependentes e i1 e v2 como variáveis independentes (CUTLER. Por isso. I é muito maior do que Is (caso contrário a polarização é instável). De acordo com essa escolha. o transistor é substituído por um único dispositivo denominado quadripolo. acrescenta-se o índice e na corrente.4 Modelo Híbrido No modelo híbrido (MARQUES et al. Para o modelamento do transistor.

.5. exatamente por misturar tensão e corrente como variáveis dependentes e independentes (BADHERT. v2) Este tipo de modelo que fixa a tensão de entrada v1 e a corrente de saída i2 como variáveis dependentes. denominados h11. é denominado modelo híbrido. o quadripolo deve ser formado por quatro parâmetros h internos e constantes. As equações se reduzem a v1 = h12.v2) i2 = f2 (i1.i1 Logo: h 11= v1/i1 (saída em curto) h 11 (hi) É a impedância de entrada quando a saída está em curto.1 Modelamento matemático do quadripolo v1 = f1 (i 1. definindo as duas funções lineares f1 e f2 da seguinte forma : v1= h11.v2 e i2 = h22. h 21 =i2/i 1 (saída em curto) h 21 (hf) É o ganho de corrente quando a saída está em curto. seu modelo elétrico fica determinado como segue. 1995).4.v2 Logo: h 12=v1/v2 (entrada aberta) h 12 (hr) Ganho de tensão reverso com entrada aberta h 22 = i 2/v2 (entrada aberta) h 22 (ho) Admitância de saída com entrada aberta Conhecidos os parâmetros h do quadripolo.v2 i2 = h21. como segue: . 130 .i 1 e i2 = h21. e a corrente de entrada i1 e a tensão de saída v2 como variáveis independentes.h12 e h22 Para i1 = 0.v2 Assim. Para relacionar essas tensões e correntes.h11 e h21 Para v2 = 0. h 12.i 1 + h12. os parâmetros h e seus significados físicos podem ser obtidos fixando-se o valor de uma das variáveis independentes. As equações se reduzem a: v1 =h11. h21 e h22.i1 + h22.

v2 i2 = hf. Exercícios 1. um circuito com múltiplas malhas é reduzido para uma fonte de tensão em série com uma resistência .i1 + hr.38 2. R3 = 2. 131 . tem-se na entrada o teorema de Thevenin e na saída o teorema de Norton. R4 = 820W . 1995). No teorema de Norton. Dado o circuito da Figura 8. Vcc = 12V e beta = 100 .39. Figura 8.i 1 + ho. R2 = 3.v2 Neste modelo elétrico. Dado: R1= 10KW.38.i1 + hi i2 + v2 _ v1 _ hr v2 hf i1 h0 Figura 37 Modelo híbrido para o transistor As equações de Kirchhoff para este modelo são: v1= hi.2KW .9KW. Dado o circuito da Figura 8. determine a reta de carga cc e indique o ponto quiescente. No teorema de Thevenin. um circuito com muitas malhas é substituído por uma fonte de corrente e uma resistência em paralelo (MALVINO. determine a reta de carga cc e indique o ponto quiescente.

Vcc = +12V. Figura 9. O beta na região ativa é de 100. indique o ponto quiescente na reta e determine Vc. determine a corrente Ie2.40. Rb = 330KW.40 4. b1 = 100 e b2 = 130. Re = 820W.Dado: Rc = 3.39 3. Dado o circuito da Figura 8.2KW. Determine a reta de carga cc . Vee = -5V e ganho de corrente de 120 Figura 8. 132 .7KW.7MW. Re2 = 1.41. Vcc = 12V. Considere o circuito da Figura 8. Dado: Rb = 2. Vbb = 6V .

Beta = 40 e Vbe = 0. Figura 8. exibida pelo Amperímetro A1. R2 = 40KW e Re = 340W. b) Considerando que o circuito apresenta R1 = 110KW.41 6.figura 8. Observe o circuito. qual a corrente.43. A Figura 8. Figura 8.7V e as curvas características do transistor com a reta de carga correspondente.42 e o gráfico.42 Figura 8. para temperatura de 50°C no RTD? 6. Figura 8. no Transistor Tr1.55. 133 .43 Sabendo-se. Determine os valores aproximadamente de Rc em W. Determine: a) O ganho de corrente (bcc). em mA.6V.. em Amperes. mostra um circuito transistorizado operando na região ativa com Vbe = 0. e Ib.

45 ilustra o sinal de tensão de entrada Vê. nos intervalos T1.46. Considere. d) cortado. A figura8. os seguintes intervalos de tempo: T1 de 0s a 1s T2 de 1s a 3s T3 de 4s a 6s É correto afirmar que os estados do transistor. temos o circuito de um transmissor eletrônico analógico de informação. e) cortado. b) saturado. T2 e T3. Nele. operando na região linear e cortado. a saída está localizada onde está o Amperímetro A1 e a sua entrada é S1. que é a chave do sensor de fim de curso de uma válvula. Figura 8. 134 . No esquema da Figura 8. cortado e saturado. operando na região linear e saturado. são: a) saturado.45 8. saturado e operando na região linear. na curva.44 7. respectivamente. cortado e operando na região linear. c) operando na região linear. submetido no circuito transitorizado.Figura 8.

46 Este transmissor deve enviar as seguintes informações: S1 Aberta = 4mA em A1. A continuidade é indicada pelo led. Dado: Vcc = 12V.7V. Para que apresente uma boa luminosidade deve passar uma corrente de 10mA em cada led. S2 Fechada = 20mA em A1.Figura 8. Foi montado em laboratório o circuito da Figura 8.7V. Quais os valores dos potenciômetros P1 e P2 em KOhms? 9. Determine Vce e Ic no transistor 2 ao medir a continuidade em uma placa de circuito impresso. mostra um simples provador de continuidade. A figura 8.47. no qual a placa não apresenta defeito.47 10. A chave S1 deve está fechada. A barreira de potencial do led1 = 2V e do led 2 = 1. Considere a barreira de potencial no led de 2V e o beta para os dois transistores de 100. Figura 8.48. 135 . Sabendo que o transistor tem os seguintes dados: beta = 200 e Vbe = 0. Algum led irá aceder? Explique o que acontecerá.

48 11. para que a corrente que circule no motor seja de 1mA quando o sensor for ativado. O ganho de corrente do transistor é de 100 e o sensor é uma chave reed switch. em mA. O circuito da figura 8. No circuito foi utilizada uma 136 . mostra um conversor DC/DC que utiliza um diodo Zener de tensão nominal de 8.51).50 13. Figura 8. OBS.Figura 8.49 12.2V e um transistor com b = 100 e Vbe = 0. e da corrente Iz no Zener.7V. os valores de tensão de saída Vo. Determine. determine a tabela da verdade e indique qual porta lógica o circuito está representando.Dado o circuito (Figura 8. calcule o valor do resistor da base. Dado o circuito(Figura 8. Figura 8. Existem chaves reed swich normalmente aberta e normalmente fechada. em volts.50).49.

52 15. especifique os resistores Rb eRc. Ele deve ser acionado por um circuito de controle que fornece 12V de tensão na saída. (Figura 8. A resistência do relé é de 100W.53). Usando a mesma tensão de alimentação do circuito de controle e o transistor Darlington. Para o circuito deseja que com a incidência de luz o relé seja energizado. (Figura 8.4V Vce sat= 1V 137 . No circuito foi utilizado um LDR. Um motor CC opera com tensão de 5V e corrente de 100mA. Parâmetros do transistor Darlington Ganho de corrente 1500 Ic máx = 150mA Vbe sat = 1.Projete o circuito para que o transistor funcione como chave. Figura 8. conforme o esquema abaixo.52). Figura 8.51 14. no qual com a incidência de luz a resistência é de 400W e na ausência de luz a resistência é de 1MW.chave normalmente aberta que funciona da seguinte forma: Normalmente está aberta e ao aproximar do imã a chave fecha.

Material necessário: .53 Experiência no Laboratório Experiência 12 Transistor como chave Neste circuito. 138 . 560 (0. . Procedimento: 1.Figura 8.Monte o circuito da Figura 8. .1 led.1 transistor NPN (BC338). . . deve-se montar o circuito.1 resistor de 5. no qual o transistor irá operar como chave.6K .1 Fonte de alimentação 10V.54.1 multímetro (analógico ou digital).25W).

.2 Fontes de alimentação 8V.1 resistor de 330 (0.Ic. Vbe. no qual o transistor irá operar como fonte de corrente. Experiência 13 Transistor como Fonte de corrente Neste circuito.Ic.Ie.Vce e Vcb. Coloque a chave na posição 2 e meça Ib. 3.Ie. no qual Vbb = 3V e Vcc = 8V: 139 .25W). deve-se montar o circuito.1 transistor NPN (BC338). Vbe. . Material necessário: .55. Coloque a chave na posição 1 e meça Ib. Procedimento: 1. .Vce e Vcb.1 multímetro (analógico ou digital).Monte o circuito da Figura 8.1 led.Figura 8. .54 2.

1 Buzzer de 6V. Circuito (Figura 8.1 Chave reed swich (normalmente fechada). -1 Transistor BC338. Aumente progressivamente a tensão na base até igualar a tensãoVcc(8).25W). você vai montar um alarme para porta. 140 . .6K (0. (ou equivalente). . Explique porque o led apagou. deve acionar um buzzer.4 pilhas em um suporte para 4 pilhas ( duas em série e duas em paralelo). DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Alarme para porta com transistor Neste circuito. Material necessário: .1 resistor 5. .56).55 2.Figura 8. no qual a porta deve estar fechada e ao abri-la.

Figura 8.56

0 íma deve ficar na porta e o circuito como mostra a Figura 8.57.

Figura 8.57

A chave reed swich é normalmente fechada. No circuito, como a porta normalmente está fechada e o imã fica próximo a chave reed swich, a chave reed swich fica aberta. Ao abrir a porta, afasta o imã da chave reed swich e a chave reed swich fecha, fazendo com que circule corrente na base, desta forma o transistor deve entrar na região de saturação e acionar o buzzer.

Alarme de passagem
Neste circuito, uma fonte de luz deve sempre estar inserindo no fototransistor, ao bloquear esta emissão de luz, uma lâmpada será acesa. Material necessário

141

-1 bateria de 12V; - 1 diodo 1N4004; - 1 lâmpada de 12V; - 1 resistores de 68KW, 1/4W; - 2 resistores 1K; 1/4W; - 1 transistor BC338; - 1 capacitor 100mF, 16V; - 1 capacitor 0,01mF, 16V; - 1 fototransistor (qualquer um serve); - 1 CI 555; - 1 relé 12V. Circuito

Figura 8.58

Neste circuito (Figura 8.58), uma fonte de luz deve estar inserindo luz no fototransistor, pode ser uma lanterna, e o fototransistor está funcionando como uma chave fechada. A tensão de 12V está sobre o resistor de 1KW. No pino 2 do CI 555, tem-se uma alimentação de 12V. A saída (pino 3)fica em 0V. Quando ocorre o bloqueio da luz sobre o fototransistor, este entra na região de corte e entra 0V, sobre o pino 2. A saída do CI555(pino 3) sai aproximadamente 12V(na prática sai uma tensão menor devido as perdas no CI) e o transistor entra na região de saturação. O relé é acionado e a lâmpada de 12V é acesa. O tempo em que a lâmpada permanece acesa é calculado pela seguinte expressão: T = 1,1 RC = 1,1x68Kx100m = 7,48s. Após este tempo a lâmpada apaga.

142

CAPÍTULO 9 - OUTROS COMPONENTES ELETRÔNICOS
Introdução
Além dos diodos e transistores bipolares, existem vários outros componentes eletrônicos. Alguns desses componentes são usados em eletrônica de potência ou em circuitos osciladores e apresentam comportamentos completamente diferentes daqueles já estudados. Neste capítulo iremos explorar alguns desses componentes.

9.1 Transistor de Unijunção (TUJ)
Os transistores de unijunção (TUJ) são projetados para trabalharem em osciladores, circuitos temporizadores e disparadores (triggering). Embora sejam chamados de transistores e possuírem três terminais, sua constituição física é muito diferente de um transistor bipolar convencional, como podemos verificar na Figura 9.1. Um TUJ é dispositivo de baixa potência, com dissipação máxima de 300 mW. Na Figura 9.2 temos um equivalente elétrico para o TUJ e um circuito de teste. São exemplos de TUJ os seguintes componentes: 2N2646, 2N2647, 2N4870, 2N4871.

Junção pn

B2 B2

E Bastão de alumínio

E

B1 Silício tipo n B1

(a)
Figura 9.1 TUJ: (a) construção básica, (b) símbolo.

(b)

9.1.1 Funcionamento Pela Figura 9.2 (a), vemos que se a tensão VE do emissor for menor que 0,7 + VRB1 o diodo se encontrará inversamente polarizado, IE será praticamente nula e corrente que circula pelo componente será dada pela tensão de alimentação divida pela resistência interbase RBB. O valor de RBB fica normalmente entre 4 k e 9 k . Nessa situação, quando IE = 0, a tensão VRB1 é calculada por: RB1 VRB1 = VBB = hVBB . RB1 + RB 2
143

B2 RB2 VBB IE E RBB = R B1 + RB2 (IE = 0) VE RB1 VBB B1 (a) (b) Figura 9. O valor ( eta ) é a razão intrínseca do TUJ. Nesse circuito. 144 .1. estando fora do escopo deste livro. Quando a tensão do capacitor atinge o valor crítico para a condução. isto é. entre 0. isto é.2 TUJ: (a) equivalente elétrico.2 (b) temos uma aplicação típica para o TUJ. ocorre uma injeção de lacunas na região N correspondente a RB1 e a tensão do emissor cai rapidamente. O valor de pode variar. o capacitor vai se carregando através do resistor R1.85. 9. Esses pulsos podem ser usados para ativar um outro dispositivo. ocorre uma redução drástica no valor de RB1 e passa a circular uma corrente maior pelo TUJ. tipicamente. porém.2 Aplicação típica: oscilador de relaxação Na Figura 9. que será estudado mais adiante. estudaremos um componente mais simples .55 e 0. æ 1 ö R1C1 lnç ç 1 -h ÷ ÷ è ø A dedução dessa fórmula envolve algum conhecimento de cálculo e de transitórios CC. (b) circuito de teste. Isso faz com que o capacitor se descarregue rapidamente através do resistor Rb1. A frequência desse oscilador é aproximadamente dada por: f @ 1 . o SCR (silicon controlled rectifier). a razão entre RB1 e RBB. quando VE > VD + VRB1. Note que na base 1 são gerados pulsos periódicos. Quando a tensão VE se aproxima de VRB1 mais a tensão de polarização do diodo do emissor. Antes. o diodo de quatro camadas Schockley.

como.3 (c) (b) (a) Diodo Schockley (diodo de quatro camadas).1 Funcionamento Para entender o funcionamento do diodo Schockley devemos analisar o funcionamento do circuito conhecido como trava ideal . (a) Dispositivo de quatro camadas. A Figura 9. (a) Figura 9. (c) trava formada por dois transistores.9. usado em aplicações que exigem altas freqüências.3 mostra a simbologia do diodo Shockley (diodo que iremos estudar) e do diodo Schottly.2.2 DIODO DE QUATRO CAMADAS O estudo dos tiristores deve começar pelo dispositivo que origina toda a família. 9. (c) Diodo Schottly (diodo de duas camadas). diodo com duas camadas.4 (b) (c) . o diodo de quatro camadas ou diodo Shockley (não confundir com o diodo Schottky. em computadores).4. (b) modelo de estudo para a trava ideal . (b) representação das quatro camadas PNPN. 145 . indicado na Figura 9. por exemplo. (a) Figura 9.

Figura 9. Com polarização direta o diodo apresenta alta resistência enquanto a tensão for menor do que um valor chamado de tensão de breakover (UBO).5. a corrente do coletor do transistor também NPN aumentará. O coletor do transistor NPN é ligado na base do transistor PNP.Analisado a Figura 9.3-(c). Significa reduzir a corrente para um valor abaixo da corrente de manutenção (IH) ou tensão de manutenção (UH). Se a corrente da base do transistor NPN aumentar. apresentando altíssima resistência. Curva característica do diodo de quatro camadas Schockley. funcionado como uma chave fechada. Acima deste valor o dispositivo dispara passando a conduzir.5. O efeito é o mesmo que aplicar um disparo. a corrente na base do transistor PNP também aumentará. A curva característica do diodo Schockley é mostrada na Figura 9. somente voltando a cortar quando a tensão (corrente) de anodo cair abaixo de um valor chamado de tensão (corrente) de manutenção. ou aplicar uma corrente na base do transistor NPN. O modo mais comum de disparar do diodo Schockley é através da interrupção. conhecida como tensão de breakover (UBO). de forma a saturar os dois transistores. UH (IH). Como conseqüência. 146 . Se a tensão reversa exceder a tensão de breakdown (UBK) o diodo será destruído. observamos que o coletor do transistor PNP é ligado na base do transistor NPN. Teremos uma chave aberta. O ciclo irá se repetir até que os dois transistores entrem na região de corte. se alguma coisa fizer a corrente da base do transistor NPN diminuir. Temos uma realimentação positiva conhecido como regeneração. a corrente da base do transistor PNP também diminuirá ocasionando uma diminuição na corrente do coletor do transistor PNP. a corrente do coletor também diminuíra. A tensão de breakover significa aplicar uma tensão de alimentação suficientemente grande no emissor do transistor PNP. Por outro lado. Com polarização reversa o diodo se comporta como um diodo comum. A corrente na base do transistor NPN aumentará mais e o ciclo continua até os dois transistores entrarem em saturação. consequentemente. O único modo de abri-lo é através do desligamento por baixa corrente. Desta forma o diodo Schockey irá funcionar como uma chave fechada.

(a) (b) (c) Figura 9.3. 147 . É um dos mais usados e difundidos tiristores. (c) exemplo de encapsulamento (TO220).1 Estrutura e funcionamento do SCR O funcionamento de um SCR é semelhante à de um diodo de silício após o disparo de sua porta (gate). (b) símbolo do componente.3 Diodo controlado de silício (SCR) O SCR é um dispositivo de quatro camadas que foi desenvolvido no Bell Telephone Laboratory (EUA) em 1957. Figura 9. 9. Um SCR é basicamente um diodo de quatro camadas unilateral no qual foi colocado um terceiro eletrodo chamado de gate (G) ou porta usado para controlar o disparo do diodo por injeção de corrente. Esses componentes são aplicados principalmente na área de eletrônica de potência.6 e seu funcionamento é explicado a seguir. A estrutura básica de um SCR é mostrada na Figura 9.7 SCR polarizado diretamente.6 (a) Camadas e junções do SCR. Tiristor é um nome genérico dado a uma família de componentes semicondutores formado por quatro camadas (PNPN). o SCR permanece bloqueado mesmo quando está diretamente polarizado. Sem esse disparo.9. mas com corrente de porta nula.

poderemos injetar corrente nesse eletrodo disparando a estrutura de quatro camadas.3. a analise de funcionamento leve em conta os seguintes passos: a) com as chaves Ch1 e Ch2 abertas. será necessário uma corrente mínima. No circuito da Figura 9. Após disparar. a porta.5V a 1. c) fechando a chave Ch2. A tensão de anodo cai para um valor baixo (0. O SCR só volta a cortar quando a tensão (corrente) cair abaixo de um valor chamado de tensão (corrente) de manutenção.2 Aplicações em CC típicas para o SCR Em CC deve ser previsto circuito de reset após o SCR disparar. Este estado é alterado após um disparo de corrente no gate. A porta de um SCR é aproximadamente equivalente a um diodo.5V ).8 SCR em circuito CC.8. ou seja. UH (IH) cujo valor depende do tipo de SCR. A corrente de gate necessária para disparar o SCR é designada IGT e pode ser da ordem de mA no caso do TIC 106.9. Figura 9. 9. Por exemplo. Além disso. o TIC106 tem IH@ 0. Por esta razão. a chave A é usada para disparar e a chave B para resetar o SCR. que irá depender do SCR utilizado. 148 . Se adicionarmos um terceiro eletrodo. Como vimos anteriormente.5mA enquanto o TIC116 tem IH @ 15mA.Quando o circuito mostrado na Figura 9. o SCR passa da condição de alta resistência para baixa resistência. Para o circuito mostrado na Figura 9. a corrente de disparo será especificada pelo fabricante. um diodo de quatro camadas pode ser representado por dois transistores ligados com realimentação de um para o outro. é necessário pelo menos uma tensão de 0.7V para disparar o SCR. verifica-se que o SCR funciona como uma chave aberta. b) fechando a chave Ch1.7 é montado em laboratório. Bloqueio por capacitor.

UH (IH ). voltando a cortar quando a tensão (corrente) cair abaixo de um valor chamado de tensão (corrente) de manutenção. com qualquer polaridade. (a) Símbolo do diac e (b) sua estrutura interna.10.10. Já a Figura 9. ultrapassar um determinado valor chamado de tensão de breakover (UBO).Figura 9.11 mostra a sua curva característica. . 149 . (a) (b) Figura 9. 9. O símbolo do diac e a sua estrutura interna são mostrados na Figura 9.9 SCR em circuito CC com bloqueio por capacitor.4 Diac O diodo de quatro camadas bilateral (DIAC = Diode AC) é um dispositivo de quatro camadas que pode conduzir nos dois sentidos quando a tensão aplicada.

). 150 . Uma vez que o diac está conduzindo. O TRIAC. Figura 9. com corrente nos dois sentidos. 9. a única forma de abri-lo é através de um desligamento por baixa corrente. também mostrado na Figura 9. como mostra a Figura 9.Figura 9. (a) Hipotético circuito de controle de carga AC usando dois SCRs. ou usar um TRIAC.12.11. pode ser usado o circuito visto com dois SCRs em antiparalelo. Isto significa reduzir a corrente abaixo da corrente de manutenção especificada pelo componente. pode ser entendido como sendo equivalente a dois SCR s ligados em antiparalelo. O TRIAC também pode ser entendido como um DIAC no qual foi adicionado um terminal de controle permitindo disparar o dispositivo com diferentes valores de tensão.12. ao invés disso os dois terminais são chamados de terminal principal 1 (T1) e terminal principal 2 (T2). desta forma.5 Triac Quando é necessário controlar a potência em uma carga AC. Curva característica do diac. O DIAC não conduz até que a tensão através dele exceder a tensão de interrupção em qualquer sentido. (b) símbolo do TRIAC.12. Como o TRIAC dispara com tensão positiva ou negativa não tem mais sentido em falar em anodo (terminal +) e catodo (terminal .

13 ilustra essa aplicação. Permite. A grande desvantagem é a dissipação de calor. No modo síncrono o TRIAC somente será levado à condução quando a tensão da rede estiver passando próximo do zero. A Figura 9. TRIAC não apresenta trepidação (o que acontece com um relé) ao conduzir. Chave assíncrona com TRIAC.2 Aplicações típicas para o TRIAC A seguir. CHAVE ESTÁTICA SÍNCRONA O TRIAC operando no modo assíncrono tem como principal inconveniente o fato da possibilidade de serem gerados surtos de corrente muito elevados no instante que o TRIAC é chaveado. principalmente no caso de circuitos resistivos. CHAVE ESTÁTICA ASSINCRONA O uso do TRIAC como chave assíncrona em circuitos CA leva algumas vantagens em relação à chave mecânica. Outra desvantagem é a possibilidade de aparecimento de grandes picos de corrente ao ligar o circuito a primeira vez. sendo necessário o uso de um dissipador.4. daí os circuitos que efetuam este tipo de controle ser chamados de Zero Voltage Switching (ZVS). principalmente se no instante que o TRIAC for gatilhado a tensão da rede estiver passando por um pico e a carga for resistiva. permitindo um grande número de operações. o circuito ZVS comanda o disparo do TRIAC somente quando a tensão de entrada estiver passando próximo de zero.9. por exemplo. apresentamos algumas aplicações típicas para o TRIAC. não deixando o TRIAC disparar se a tensão de entrada for muito alta. Na Figura 9. 151 . Figura 9.14. não há aparecimento de arco voltaico (o que acontece com um relé). controlar grandes potências a partir de potências relativamente pequenas.13.

em linhas gerais. O capacitor C1 é carregado (no semiciclo positivo ou semiciclo negativo) através do potenciômetro de controle Rv e a resistência R1. A luminosidade de uma lâmpada pode ser controlada através da variação da potência elétrica que lhe é entregue. O capacitor C2 se descarrega através do DIAC e no gate do TRIAC disparando-o para um determinado ângulo de disparo. C2 se carrega depois gerando um atraso. Circuito de controle de potência Dimmer. Chave síncrona com TRIAC. Controle de Potência Dimmer. 152 . o DIAC dispara quando a tensão no capacitor C2 atingir a tensão de disparo (breakover).Figura 9. e isso pode ser feito alterando-se o angulo de disparo durante cada semi ciclo.15 mostra um circuito simples que controla a potência de uma lâmpada usando o TRIAC. Após um tempo. A Figura 9. O seu funcionamento. é dados logo a seguir. Figura 9.14.15.

A mudança brusca de corrente de zero para um determinado valor produz rádio freqüência (RF) que causa interferências em aparelhos de rádio colocados na mesma rede. A Figura 9. O indutor Lf e o capacitor Cf. Figura 9.17 mostra as formas de onda da tensão na carga para um determinado angulo de disparo. 153 .16.17. mostrados na Figura 9.16. Figura 9. Circuito de controle de potência com filtro de RF (Lf e Cf). funcionam como um filtro que reduzem essas interferências a níveis aceitáveis. Formas de onda da tensão na carga para um ângulo de disparo.

Ex3: O circuito abaixo é um detector de sobretensão. Tensão de interrupção do diodo de 12V. R= 2. Dado: Fonte de alimentação = 10V.6V no ponto de desligamento.2K . Considere a corrente de manutenção no diodo de 6mA e a queda de tensão de 0.2 k .Exercícios Ex1: Dado o circuito determine a corrente no diodo. Explique o funcionamento. Considere a tensão de interrupção do diodo de 12V e a queda tensão de 1. a) Para Vf = 8V b) Para Vf = 20V Ex2: Dado o circuito determine o valor da tensão de alimentação que produz o desligamento do diodo por baixa corrente.2V. R = 1. 154 .

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