Diodos e Transistores Bipolares: Teoria e Práticas de Laboratório

Fabiola Fernandes Andrade Francisco José Alves de Aquino

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Fabiola Fernandes Andrade Francisco José Alves de Aquino

Diodos e Transistores Bipolares: Teoria e Práticas de Laboratório

IFCE Fortaleza, 2010

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Sumário
CAPÍTULO 1 SEMICONDUTORES .........................................................................................................................7 Introdução .....................................................................................................................................................................7 1.1 Materiais semicondutores ......................................................................................................................................7 1.1.1 O átomo de silício ...........................................................................................................................................8 1.1.2 O átomo de germânio .....................................................................................................................................9 Exercícios ...................................................................................................................................................................10 1.1.3 Semicondutores do tipo P e N ......................................................................................................................11 1.1.4 O diodo ..........................................................................................................................................................12 1.2 Polarização do diodo............................................................................................................................................13 1.2.1 Polarização direta..........................................................................................................................................14 1.2.2 Polarização reversa .......................................................................................................................................14 Exercícios ...................................................................................................................................................................15 1.3 Informações Práticas............................................................................................................................................16 Exercícios ...................................................................................................................................................................18 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................19 CAPÍTULO 2 TEORIA DOS DIODOS ....................................................................................................................21 Introdução ...................................................................................................................................................................21 2.1 Curva característica do diodo ..............................................................................................................................21 2.2 Polarização Direta ................................................................................................................................................22 2.3 Polarização Reversa ........................................................................................................................................22 2.4 Modelos Do Diodo...............................................................................................................................................22 2.4.1 Diodo Ideal ....................................................................................................................................................22 2.4.3 Modelo linearizado .......................................................................................................................................24 Exercícios ...................................................................................................................................................................24 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................25 CAPÍTULO 3 CIRCUITOS COM DIODOS ............................................................................................................29 Introdução ...................................................................................................................................................................29 3.1 Tensão Senoidal ...................................................................................................................................................29 3.2 Transformador ......................................................................................................................................................30 3.3 Circuito Retificador de Meia-Onda ....................................................................................................................31 3.4 Circuito Retificador de Onda Completa .............................................................................................................35 3.5 Retificador Em Ponte...........................................................................................................................................40 3.6 Comparação Entre As Frequências Dos Circuitos Retificadores .....................................................................43 Exercícios ...................................................................................................................................................................44 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................47 Capacitor variável ......................................................................................................................................................49 CAPÍTULO 4 - CIRCUITOS RETIFICADORES COM FILTRO ............................................................................50 Introdução ...................................................................................................................................................................50 4.1 Circuito Retificador de Meia-Onda com Filtro Capacitivo ...............................................................................50 4.2 Circuito Retificador de Onda Completa com Derivação Central e Filtro Capacitivo .....................................53 4.3 Retificador em Ponte com Filtro .........................................................................................................................56 Exercícios ...................................................................................................................................................................59 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................62 CAPÍTULO 5 OUTRAS APLICAÇÕES PARA O DIODO ...................................................................................66 Introdução ...................................................................................................................................................................66 5.1 Rádio elementar ...................................................................................................................................................66 5.2 Diodo nos circuitos de proteção ..........................................................................................................................66 5.3 Circuito Tanque....................................................................................................................................................67 5.3.1 Propriedades do indutor....................................................................................................................................67

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5.4 Circuito ressonante ..............................................................................................................................................68 5.5 Circuito tanque na geração de sinais de rádio ....................................................................................................70 Exercícios ...................................................................................................................................................................71 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................71 CAPÍTULO 6 - CIRCUITOS LIMITADORES (CEIFADORES) E GRAMPEADORES.......................................74 Introdução ...................................................................................................................................................................74 6.1 Circuitos Limitadores ..........................................................................................................................................74 6.2 Circuitos Grampeadores ......................................................................................................................................80 Exercícios ...................................................................................................................................................................84 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................85 CAPÍTULO 7 DIODOS ESPECIAIS ........................................................................................................................88 Introdução ...................................................................................................................................................................88 7.1 Diodo Zener..........................................................................................................................................................88 7.2 Diodo Emissor De Luz (LED) ............................................................................................................................92 7.3 Diodo Túnel..........................................................................................................................................................94 7.4 Diodo Varicap (Varactor ou VVC).....................................................................................................................96 Revisão........................................................................................................................................................................97 Experiência no Laboratório .....................................................................................................................................100 CAPÍTULO 8- TRANSISTOR BIPOLAR ................................................................................................................105 Introdução .................................................................................................................................................................105 8.1 Constituição de um transistor bipolar ...............................................................................................................105 8.2 Polarização do Transistor ..................................................................................................................................106 8.3 Configurações Básicas do Transistor ...............................................................................................................109 8.3.1 Configuração Emissor comum...................................................................................................................109 8.3.2 Configuração Base comum ........................................................................................................................112 8.4 Transistor como Chave ......................................................................................................................................125 8.5 Transistor como Fonte de Corrente ..................................................................................................................126 Exercícios .................................................................................................................................................................131 Experiência no Laboratório .....................................................................................................................................138 Alarme para porta com transistor ............................................................................................................................140 Alarme de passagem ................................................................................................................................................141 CAPÍTULO 9 - OUTROS COMPONENTES ELETRÔNICOS ..............................................................................143 Introdução .................................................................................................................................................................143 9.1 Transistor de Unijunção (TUJ) .........................................................................................................................143 9.1.1 Funcionamento............................................................................................................................................143 9.1.2 Aplicação típica: oscilador de relaxação ...................................................................................................144 9.2 DIODO DE QUATRO CAMADAS ................................................................................................................145 9.2.1 Funcionamento............................................................................................................................................145 9.3 Diodo controlado de silício (SCR)....................................................................................................................147 9.3.1 Estrutura e funcionamento do SCR ...........................................................................................................147 9.3.2 Aplicações em CC típicas para o SCR ......................................................................................................148 9.4 Diac .....................................................................................................................................................................149 9.5 Triac ....................................................................................................................................................................150 9.4.2 Aplicações típicas para o TRIAC ..............................................................................................................151 Exercícios .................................................................................................................................................................154 BIBLIOGRAFIA CONSULTADA ............................................................................................................................155

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CAPÍTULO 1 SEMICONDUTORES
Introdução
Antes de iniciar o estudo sobre materiais semicondutores, vamos compreender a sua importância e exemplos de aplicações dos componentes que será abordado neste livro. O homem contemporâneo utiliza no seu dia a dia muitos equipamentos eletrônicos, tais como celular, computador, televisão e vários outros dispositivos. Todos estes equipamentos, no qual o homem faz uso é constituída a base de materiais semicondutores. Como ocorreu a descoberta destes materiais? Na década de 1940, um grupo de pesquisadores que trabalham no laboratório Bell Telephone, nos Estados Unidos, estudava um dispositivo eletrônico para substituir os relés que eram utilizados no sistema telefônico. O grupo era formado pelo físico William Schockey, o engenheiro eletricista Jonh Bardeen e o físico Walter Brattain. Este grupo observou que alguns materiais não se comportavam nem como condutores nem como isolantes, ou seja, ora conduzia corrente elétrica ora a bloqueava. Após a descoberta dos materiais semicondutores, foi possível a implementação de diodos, transistores, CIs, etc. Os países que investiram em materiais semicondutores tiveram um grande avanço em sua economia, uma vez que, constitui em um dos setores mais ativo da indústria. Com exemplo, podemos citar Taiwan, no qual, antes da década de 1970 era uma economia agrícola, produzia arroz, cana-de açúcar e abacaxi. A partir da década de 1970 investiu em tecnologia, especialmente em semicondutores. A sua estratégica para o desenvolvimento de uma política industrial e tecnológica foi baseada na experiência de parques tecnológicos (vale do silício). Na década de 2000, a China inspirou-se no modelo de Taiwam e também investiu em semicondutores com o objetivo de tornar a China o líder mundial em semicondutores em 2010. Compreender a estrutura química dos materiais semicondutores é de total importância para que possamos entender o funcionamento dos principais componentes da eletrônica como o diodo e o transistor que será abordado com detalhes neste livro. Manter a liderança dos EUA em micoreletrônica é criticamente importante para a economia e a segurança nacional dos EUA
China´s Emerging Semiconductor Industry, Documento da Semiconductor Industry Association, outubro de 2003.

1.1 Materiais semicondutores
Para o perfeito entendimento sobre os materiais semicondutores, iniciamos fazendo uma revisão sobre a estrutura atômica. Um átomo é formado por elétrons que giram ao redor de um núcleo composto por prótons e nêutrons.

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Os elétrons giram em órbitas ou níveis bem-definidos, conhecidos com K, L, M, N, O, P e Q, que representa o modelo atômico de Bohr, como mostra a Figura 1.1.
Q

M L K
núcleo

N

O

P

Quanto maior a energia do elétron, maior é o seu raio.

órbitas

Figura 1.1 - Estrutura do átomo

A última órbita de um átomo define a sua valência, ou seja, a quantidade de elétrons desta órbita que pode se libertar do átomo através do bombardeio de energia externa (calor, luz ou outro tipo de radiação) ou se ligar a outro átomo através de ligações covalentes (compartilhamento dos elétrons da camada de valência com os elétrons da camada de valência de outro átomo). Os materiais semicondutores apresentam 4 elétrons na sua camada de valência (tetravalentes). Não sendo classificados como bons isolantes, nem como bons condutores. Os semicondutores mais utilizados são o silício e o germânio. 1.1.1 O átomo de silício O átomo de silício contém 14 prótons e 14 elétrons distribuídos como indicado na Figura 1.2.
1º órbita 2 elétrons 2º órbita 8 elétrons 3º órbita 4 elétrons

+14

Figura 1.2

átomo de silício

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2 O átomo de germânio O átomo de germânio contém 32 prótons e 32 elétrons assim distribuídos: +32 1º órbita 2º órbita 3º órbita 4 ºórbita 2 elétrons 8 elétrons 18 elétrons 4 elétrons Figura1.Ligação dos átomos de silício 9 .3. para conseguir a configuração de gás nobre necessitam de mais 4 elétrons para a sua estabilidade. Figura 1. ou seja.4 . Forma-se então uma estrutura cristalina.átomo de gemânio Devido os átomos de silício e de germânio serem tetravalentes. possuir quatro elétrons na última camada. cada átomo compartilha 4 elétrons com seus átomos vizinhos através da ligação covalente formando uma estrutura molecular forte.1. Quando se tem vários átomos de silício.1.

ele é chamado de semicondutor INTRÍNSECO. Na temperatura ambiente um cristal puro. sendo capazes de se movimentar pelo material. ocorre a formação de elétrons livres e lacunas. c) O átomo de germânio contém_____________elétrons. Quando isto ocorre temos o que é chamado de RECOMBINAÇÃO. Nos metais com o aumento da temperatura a resistência aumenta. deste modo é mantida. Exercícios 1.Uma estrutura cristalina é caracterizada quando os átomos ficam bem organizados. sob a ação de um campo elétrico. O tempo entre a geração e a recombinação é chamado de TEMPO DE VIDA. O elétron ao se tornar livre deixa no lugar um buraco (lacuna). Em um semicondutor intrínseco. em uma forma bem definida. Com________elétrons na camada de valência. passam para a camada de condução (banda de condução). São estes elétrons livres que. como existem elétrons livres e lacunas formadas pela energia térmica. formam a corrente elétrica. Em um semicondutor com o aumento da temperatura temos uma diminuição de sua resistividade. Em um cristal formado por germânio na temperatura ambiente a quantidade de elétrons livres e lacunas são maiores do que no cristal de silício. Com _______elétrons na camada de valência. mas contribuirá de modo acentuado para um aumento da agitação térmica dos átomos. a neutralidade deste cristal se mantém. A recombinação é o fenômeno que ocorre quando elétrons livres ocupam a lacuna. dizemos que estes materiais possuem coeficiente negativo de temperatura. Os metais têm. já que o número de elétrons livres é bastante elevado e qualquer aumento da temperatura não causará a libertação de muitos elétrons a mais. 10 . ou seja. formado apenas por um tipo de átomo. que ocasionalmente ocupa uma lacuna (sendo atraído pela lacuna). (O número de cargas positivas é igual ao número de cargas negativas). ou seja. os elétrons livres se movem randomicamente através do cristal. Sendo. A neutralidade do cristal. portanto. Vale ressaltar que a formação de elétrons livres é chamada de GERAÇÃO. o desaparecimento da carga negativa é acompanhado pelo desaparecimento da carga positiva. qualquer aumento de temperatura corresponde a uma diminuição de sua resistência. Se a forma fosse desorganizada seria chamada estrutura amorfa. alguns elétrons da camada de valência se tornam elétrons livres. ou seja. por isso. neste caso. portanto. uma vez que com o aumento da temperatura a corrente terá maior dificuldade de passar. ou seja. diferente do comportamento elétrico dos metais comuns. Quando o cristal de silício é colocado em uma temperatura superior ao zero absoluto (273 ºC). coeficiente positivo de temperatura. b) O átomo de sílicio contém ______________elétrons. porém a quantidade de elétrons livres é igual ao número de lacunas. e quando se tem um cristal puro. Complete a) Os semicondutores mais utilizados e mais comuns são o ______________ e o _____________.

f) Na temperatura ambiente. A cada átomo pentavalente que é adicionado.5. 1. alguns elétrons da camada de valência se tornam ____________________________.1. O silício e o germânio são tetravalentes. são adicionadas ao cristal puro. h) A ocupação de um elétron livre na lacuna é chamada __________________________. necessitam de mais________ elétrons para conseguir a configuração de gás nobre. pois o silício possui 4 elétrons e só necessita de mais 4 elétrons para conseguir a configuração de gás nobre. i) O tempo entre a geração e recombinação é chamado ______________________.d) Os átomos de silício e de germânio por serem _____________. e) Cada átomo compartilha ______elétrons com seus átomos vizinhos através da ligação ___________________. Elétron livre Si Si Sb Si Si Figura 1. pois apenas 4 elétrons se ligam aos átomo de silício. g) A formação de elétrons livres é chamada ________________________. a configuração de gás nobre não é obtida. Quanto substâncias pentavalentes (possuem 5 elétrons na camada de valência). 11 .5 Estrutura de silício dopada com antimônio (Sb). isto é possuem 4 elétrons na camada de valência. sobra um elétron.3 Semicondutores do tipo P e N Em um semicondutor podem-se acrescentar impurezas para se obter excesso de elétrons livres ou excesso de lacunas. como se observa na Figura 1.

6 Material tipo N. temos a formação do componente eletrônico chamado diodo. os elétrons livres são chamados portadores majoritários e as lacunas portadores minoritários. Se. pois em toda a sua estrutura.7.4 O diodo Ao unir um semicondutor tipo P com um semicondutor tipo N. N Figura 1. onde as lacunas são os portadores majoritários e os elétrons livres portadores minoritários. a quantidade de elétrons livres é superior à quantidade de lacunas. Temos a formação de um material tipo P.7 (a) Estrutura de silício dopada com boro (B).8. Si Lacuna Si B Si P Si Figura 1.Nesse semicondutor temos o chamado material tipo N. Como a quantidade de elétrons livres é maior do que a quantidade de lacunas.1. 1. como mostra a Figura 1. como mostra a Figura 1. para que ocorra a estabilidade. acrescentarmos impurezas trivalentes.6. sobra uma lacuna. ou seja. (b) material tipo P correspondente. no entanto. como indica a Figura 1. 12 . irá faltar um elétron. Componente este que será de grande importância para a construção de fontes de alimentação e muitas outras aplicações posteriormente discutidas.

8 Diodo formado pela junção dos materiais tipo N e tipo P. ficará ionizado positivamente.3V para os diodos de germânio. Na junção cria-se um campo elétrico impedindo que outros elétrons passem do material tipo N para o material tipo P.2 Polarização do diodo Para o seu funcionamento. Devido à camada de depleção. A barreira de potencial na temperatura de 25ºC é de aproximadamente 0. na operação do diodo é essencial saber a polaridade da fonte de tensão. os átomo que perde o elétron fica ionizado positivamente (cátions) e os que recebem ficam ionizado negativamente (ânions). embora tenham elétrons livres em excesso quem perde elétrons são os átomos. Observe que no material tipo N. Na junção PN os elétrons livres do material tipo N é atraído pelas lacunas do material tipo P. Então alguns elétrons passa do material tipo N para o material tipo P. diferença de potencial na junção. e como no átomo o número de lacunas ficará maior que o número de elétrons. a camada de depleção é definida como a junção PN onde se encontra os cátions e ânions. o diodo precisa ser polarizado.7V para os diodos de silício e 0. ou seja. 1. Simbologia do diodo é mostrada na Figura 1. ocorre a barreira de potencial. temos o que é chamado de camada de depleção. anodo Anodo. Na junção PN.9. Diferentemente do que ocorre com um resistor.+ + + _ _ _ Junção PN Figura 1.material tipo P Catodo material tipo N catodo Figura 1.9 Símbolo do diodo de junção PN. 13 .

Na polarização reversa um diodo ideal se comporta como uma chave aberta. O potencial negativo repele os elétrons do material tipo N. A corrente de saturação existe devido à energia térmica uma vez que são gerados pares de elétrons livres e lacunas.1. Ao polarizar diretamente um diodo ideal ele se comporta como uma chave fechada. Os portadores minoritários podem dentro da camada depleção.11. atravessar a junção ocasionando uma pequena corrente.2. 1. como mostra a Figura 1. passa pelo material tipo P e é atraído pelo potencial positivo da fonte. N + + + _ _ _ P Figura 1. A corrente de saturação e a corrente de fuga de superfície. Os átomos na superfície não possuem vizinhos para fazer a ligação covalente.2.2 Polarização reversa Na polarização reversa o potencial positivo da fonte é ligado ao catodo (material tipo N) e o potencial negativo da fonte é ligado ao anodo (material tipo P). esta quebra forma na superfície lacunas se comportando como um material tipo P. temos duas pequenas correntes que circulam no diodo. A corrente de fuga de superfície é ocorre na camada mais externa do diodo. na prática. isto é. o potencial positivo da fonte é ligado ao anodo (material tipo P) e o potencial negativo da fonte ligado ao catodo (material tipo N). onde se a tensão da fonte de alimentação for maior do que a barreira de potencial os elétrons atravessam a junção PN. No entanto. 14 . Por isso.10. os elétrons podem entrar no material N atravessar toda a superfície do diodo passado pelo material tipo P indo para a polaridade positiva da fonte.10 Diodo polarizado diretamente.1 Polarização direta Na polarização direta. irá circular uma corrente elétrica pelo dispositivo. como mostra a Figura 1.

Dado os circuitos. a) b) 15 .N + + + _ _ _ P Figura 1. indique qual das lâmpadas irá acender. Exercícios 1.11 Diodo polarizado inversamente.

OA79 etc. da ordem de no máximo 200mA e tensões inversas que não vão além dos 100 V. quando polarizando reversamente. Tipos conhecidos desta família são o 1N34. assim ele é utilizado principalmente na detecção de sinais de altas frequências (rádio). polarização etc. mas a tensão reversa vai aumentando à medida que o número do componente também aumenta. O 1N4148 é um dos tipos mais populares deste grupo de silício de uso geral.12 mostra a página de um datasheet do fabricante Fairchild para esta série de diodos. Todos os diodos da série podem conduzir uma corrente direta de até 1 A.1. A Figura 1. circuitos de proteção de transistores.3 Informações Práticas Diodo de germânio Este tipo de diodo é utilizado com correntes muito fracas. Tipo PIV 1N4001 50V 1N4002 100V 1N4003 200V 1N4004 400V 1N4005 600V 1N4006 800V 1N4007 1000V 16 . Diodo de silício de uso geral São diodos de silício fabricados para o trabalho com correntes de pequena intensidade. 1N60. Estes diodos são especificados segundo uma codificação: para os diodos de origem americana temos a sigla 1N . A Tabela 1 indica essa variação. mas pode operar em velocidades muito altas. Diodos Retificadores. enquanto que para os diodos de origem européia temos a sigla AO ou ainda BA . Uma série muito importante destes diodos é a formada pelo 1N4000 e que começa com o 1N4001. Tabela 1. São utilizados em circuitos lógicos. Diodos retificadores de silício Estes são destinados à condução de correntes intensas e também operam com tensões relativamente elevadas que podem chegar a 1000V ou 1200V.

17 . Características elétricas dos diodos da série 1N4000.12.Figura 1.

utilizam materiais semicondutores em sua estrutura. na prática temos duas correntes a corrente de ____________________________ e a corrente _________________________. IV e V. D2 e D3 do circuito abaixo são ideais. d) No material do tipo N as lacunas são portadores_______________________. k) Na polarização reversa o diodo ideal se comporta como ________________________. A respeito de materiais semicondutores e de dispositivos eletrônicos. I Ao longo da história da eletrônica. g) Se o diodo for de silício a barreira de potencial é de_______________V. temos a formação de um semicondutor do tipo __________. j) Na polarização direta o diodo ideal se comporta como uma_____________________. temos a formação de um semicondutor do tipo ___________. C I. sejam os bipolares de junção ou os de efeito de campo. III e IV. III e V. E III. D II. B I. f) Na camada de depleção origina a barreira de _________________________. b) Quando átomos trivalentes são adicionados ao cristal puro. l) Na polarização reversa. II e V.Complete a) Quando átomos pentavalentes são adicionados ao cristal puro. II e IV. V O diodo semicondutor apresenta uma junção pn. (ELETRONORTE 2006) Considerando que os diodos D1. h) Se o diodo dor de germânio a barreira de potencial é de___________V. e) Na junção PN temos a camada de ___________________. Os diodos e os transistores. Estão certos apenas os itens A I.(CHESF 2002) Dispositivos elétricos e eletrônicos são construídos com os mais variados tipos de materiais elétricos e magnéticos.Exercícios 1. c) No material do tipo P as lacunas são portadores________________________. II Cristal semicondutor do tipo n tem as lacunas como principais portadores móveis de carga. julgue os itens subseqüentes. o germânio e o silício podem ser citados como importantes materiais semicondutores. IV Um transistor bipolar de junção basicamente caracteriza-se por possuir três junções pn. III Cristal semicondutor extrínseco é aquele dopado com elementos denominados impurezas. 2. é possível afirmar que: 18 . 2.

Experiência no Laboratório Experiência 1 Compreendendo a polarização em um diodo Neste circuito. . Procedimento 2: Compreendendo a polarização direta e reversa em um diodo 1. significa que você está polarizando diodo diretamente. 3.1 resistor de 470W.12 19 . onde está à ponta de prova vermelha refere-se ao anodo e a ponta de prova preta ao catodo. Posteriormente. d.1 Fonte de alimentação de 6V. . c. D1 está cortado e D2 e D3 estão conduzindo. Segure uma ponta de prova do multímetro em perna do diodo. D1. 2.1 multímetro digital. onde está à ponta de prova vermelha refere-se ao catodo e a ponta de prova preta ao anodo. deve-se montar um circuito simples para compreender a polarização em um diodo. Coloque a chave seletora do multímetro na indicação do diodo. Material necessário: . Observe que: Se o valor que aparecer no display for de 600mV. Se o valor que aparece no display se refere o infinito. b. D1.a. D1 e D2 estão conduzindo e D3 está cortado. D1 está conduzindo e D2 e D3 estão cortados. Procedimento 1: Identificação dos terminais anodo e catodo 1. D2 e D3 estão conduzindo.1 diodo 1N4001 (ou equivalente).1 led. e. ¼ w . . logo. Monte o circuito da figura 1. D2 e D3 estão cortados. logo. devem-se identificar os terminais anodo e catodo em um diodo com o auxílio de um multímetro digital. significa que você está polarizando diodo reversamente.

13 Polarização direta 20 .13.12 Polarização reversa 2. veja a figura 1.Figura 1. Figura 1. Inverta o diodo.

relaciona a tensão que é aplicada com a corrente que circula pelo diodo. 2. no qual. como mostra a Figura 2. O que fazer? A tensão para alimentar a grande maioria dos equipamentos deve passar por uma fonte de alimentação.1 Fonte de alimentação DC Uma das principais aplicações do diodo. No entanto.1 Curva característica do diodo A curva característica do diodo é um gráfico(figura 2. iremos estudar servirá para a montagem de uma fonte de alimentação. Polarização reversa ruptura I Polarização direta V Joelho (0. a maioria dos equipamentos eletrônicos necessita de uma tensão contínua para funcionar.1. no qual.CAPÍTULO 2 TEORIA DOS DIODOS Introdução A tensão que chega a nossas residências é uma tensão alternada de 220V (região nordeste do Brasil).2).7V) para diodo de silício Figura 2.2 Curva característica do diodo 21 . Figura 2. Esta fonte transforma o sinal que é alternado em uma tensão contínua.

7V para o diodo de silício).4. Figura 2. no qual.3 Polarização direta Observe no gráfico(figura 2. a corrente de saturação e a corrente de fuga da superfície.4 Modelos Do Diodo 2. 22 . o diodo funciona basicamente como uma chave aberta. no qual. o pólo positivo da fonte será ligado ao catodo do diodo e o pólo negativo da fonte ao anodo como mostra a figura 2.2. a corrente de fuga de superfície e a corrente de saturação são desprezados.2 Polarização Direta Na polarização direta. como mostra a figura 2. o pólo positivo da fonte será ligado ao anodo do diodo e o pólo negativo da fonte ao catodo. Se continuarmos aumentando a tensão da fonte. a corrente circula livremente. 2. a polarização direta.4. como já foi visto no capítulo1. Esta tensão máxima em que o diodo suporta é denominada tensão de pico inversa (PIV). na polarização direta. Na polarização reversa. Quando a tensão for maior do que a barreira de potencial (@0.3 Polarização Reversa Na polarização reversa. a barreira de potencial e a resistência de corpo não são considerados.3. será aplicada uma fonte de tensão contínua no diodo. existindo apenas duas pequenas correntes. será aplicada uma fonte de tensão contínua no diodo. do lado direito. irá chegar um instante em que o diodo não suporta e termina queimando (ruptura) então a corrente passa a circular livremente.1 Diodo Ideal Um diodo ideal. 2. Figura 2.4 Polarização reversa Na polarização reversa.2).

3V.5b e 2.7V para o diodo de silício. temos o circuito em que o diodo está polarizado diretamente.5(a) Polarização direta. temos o circuito em que o diodo está polarizado diretamente e a figura 2. 23 . Figura 2.7(b). (b)Circuito equivalente do diodo na polarização direta POLARIZAÇÃO REVERSA Figura 2.4. como mostra a figura 2. na figura 2.2 Modelo Simplificado Considera-se a barreira de potencial. o circuito equivalente com o diodo polarizado diretamente. o circuito equivalente para a polarização direta. (b)Circuito equivalente do diodo na polarização reversa 2. POLARIZAÇÃO DIRETA Na figura 2. no qual foi considerado a barreira de potencial de 0.Na polarização direta um diodo ideal se comporta como uma chave fechada e na polarização reversa como uma chave aberta.5(a).5(b). POLARIZAÇÃO DIRETA Na figura 2.6(a) Polarização reversa. Para o silício a barreira de potencial é de 0.7(a).7V e para o germânio a barreira de potencial é de 0.6b.

Não iremos usar este modelo neste livro.9). 3. podendo variar de 0. 4.8(b).9 24 .6KW 2. Como a resistência de corpo são valores muito baixos. temos o circuito em que o diodo está polarizado reversamente e a figura 2.8(a) Polarização reversa (b) Circuito polarização reversa para o segundo modelo do diodo 2.1 a 10W dependendo da dopagem. Figura 2. Exercícios 1.7V Figura 2. calcule a corrente que passa no amperímetro (Figura 2.0.4.9KW Figura 2. Considere o segundo modelo para o diodo.3 Modelo linearizado Considera-se a barreira de potencial e a resistência de corpo.7(a) Polarização direta (b) Circuito polarização direta para o segundo modelo do diodo POLARIZAÇÃO REVERSA Na figura 2. o circuito equivalente para a polarização reversa. 5V 3.8(a). 5.

11 Experiência no Laboratório Experiência 1. calcule a tensão que o voltímetro deve indicar (Figura 2.1 multímetro (analógico ou digital). vamos montar o circuito básico com o diodo e polarizar diretamente e reversamente para que possamos medir a tensão e a corrente e.2.11). calcule a tensão no resistor de 1kW (Figura 2. 25 . Figura 2.1 resistor de 10K . Figura 2.1 Fonte de alimentação cc variável de 0 a 10V.25W.A curva do Diodo Nesta experiência.10). Considerando o segundo modelo para o diodo.Considere o diodo ideal.10 3. . Material necessário: . 0.1 diodo 1N4001 (ou equivalente). . . consequentemente desenhar a curva característica do diodo.

Procedimento: 1.12): Figura 2.Preencha a tabela abaixo: VF 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 A V 26 .12 2.Monte o circuito abaixo (Figura 2.

. 1/4W.Preencha a tabela abaixo: VF 1 2 3 4 5 A V DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Sequência de Leds Neste circuito. você irá observar através de leds a influência da barreira de potencial em cada diodo. 27 .1 capacitor de 2200mF. O circuito é apresentado na Figura 2.2KW.13 4. 16V. .4 diodo 1N4001.Monte o circuito abaixo: Figura 2. . Matérial necessário: -1 bateria de 12 V.14.1 resistor de 1.4 leds. .

2 e 1. 28 .Figura 2. a medida que o capacitor irá de descarregar os led irão apagar na sequência 4. quando a chave estiver na posição 1 o capacitor deve carregar instantaneamente.14 Neste circuito.3. Ao colocar a chave na posição 2 os quatros leds devem acender.

2.1 e 3. 3. vamos estudar os circuitos retificadores que servirão para a montagem de uma fonte de alimentação.2 Domínio Angular Onde: Vp tensão de pico (amplitude máxima positiva ou negativa. respectivamente. 29 . que a tensão senoidal pode atingir).1 Domínio temporal Vp Wt = q(rd) p -Vp 2p Figura 3. Vpp Tensão de pico a pico (amplitude total. entre os valores máximos positivo e negativo).1 Tensão Senoidal Uma tensão senoidal pode ser representada graficamente de duas formas: nos domínios temporal e angular como mostram as Figuras 3. Vp T(s) T/2 -Vp T Figura 3.CAPÍTULO 3 CIRCUITOS COM DIODOS Introdução Neste capítulo.

por: V(T) = Vpsen wt Onde: V(t) = V(q) = valor da tensão no instante t ou para o ângulo q (em V) e V(q) = Vp senqt 3.Matematicamente.e. ou seja: 30 . observamos que a bobina no qual recebe a tensão a ser transformada (Vp) denomina-se primário. os gráficos da tensão senoidal nos domínios temporal e angular podem ser representados. e segunda bobina. montadas em um mesmo núcleo de ferro (usado para concentrar as linhas de campo). aumentando ou diminuindo-a. Ele consiste em duas bobinas isoladas eletricamente.3. a potência entregue ao primário(Pp) é igual à potência que o secundário (Ps) entrega à carga. Ele funciona a partir do fenômeno da indução mútua. Em um transformador ideal (que não possui perdas). no qual foi criado a tensão induzida (Vs) denomina-se secundário. a amplitude não será alterada. causando o aparecimento de uma f. Quando uma corrente alternada ou pulsante passa no enrolamento primário o fluxo magnético variável que ele cria envolve as espiras do enrolamento secundário. Você sabe o que é flybacks? Os flybacks são transformadores de alta tensão presentes nos televisores comuns de todos os tipos e também nos monitores de vídeo de computadores.3 transformador Na figura 3. respectivamente. Pode-se também utilizar para isolar o circuito do lado do primário. Vp Vs Figura 3. Funcionamento.2 Transformador O transformador é um dispositivo que permite modificar a amplitude de uma tensão alternada.m induzida nos terminais do secundário. do circuito do lado do secundário. neste caso.

de tal forma que. existe um conceito muito importante denominado valor eficaz ou rms.Ip = Vs. 31 .Ps = Pp Pp = Vp.Ip Logo: Vp.3 Circuito Retificador de Meia-Onda O circuito retificador de meia-onda é constituído por um transformador. Vp = 2 Veficaz 3.4. Observe as Figuras 3.5(a) e3. O valor eficaz Vef ou Vrms de uma tensão alternada é a tensão que equivale a uma tensão contínua. o diodo conduz (polarização direta) e a tensão no resistor é a mesma do secundário do transformador. ao aplicar uma tensão contínua a uma resistência faria com que ela dissipasse a mesma potência média caso fosse aplicado essa tensão alternada.Is Vp/Vs = Np/Ns e Is/Ip = Np/Ns Valor eficaz Para sinais senoidais. Figura 3. como mostra a Figura 3.4 Circuito retificador de mei-onda Funcionamento No semiciclo positivo.5(b). um diodo e a carga.

Figura 3. Observe que a onda na qual era alternada no secundário do transformar ao passar pelo diodo fica contínua. (b) Forma de onda no resistor no semiciclo positivo. portanto funcionando como uma chave aberta. mais precisamente contínua pulsante. já que a tensão é pulsante.Figura 3. logo a corrente não passará no resistor e a tensão na carga será zero.5 (a)Circuito retificador de meia-onda. calculado da seguinte forma: Vmed = 1 T ò f (t )dt T 0 32 . No semiciclo negativo o diodo estará reversamente polarizado.6(b). A finalidade deste circuito é transformar a tensão que era alternada(primário do transformador) em contínua( sinal na carga).6(a) e 3.? O multímetro indicará o valor médio. (b) Forma de onda no resistor.6 (a)Circuito retificador de meia-onda. como mostra as Figura 3. Qual valor o multímetro indicará ao ler a tensão no resistor.

a tensão no secundário do transformador é 12V.onde Logo: Vdc = f(t) = Vp senq no intervalo de 0 a p e o período é de 2p 1 2p ò 2p 0 Vpsenwtdt Wt = q dwt dq = dt dt logo: dt = dq w Vdc = 1 p VpsenJdJ 2pw ò0 w= 2p . T e T = 2p.cos 0°] 2p Vdc = Vp p Exemplo: 1) Em um circuito retificador de meia-onda. Calcule a tensão no resistor.97V Vdc = 16.4V 33 . logo w = 1 Vdc = Vdc = Vp J . 12 = 16.97 p Vdc = 5.cos J I 0 2p ë û ] Vp [-[ cos J . Solução: Vst refere-se a tensão no secundário do transformador Vp = 2 2 Vst Vp = Vdc = Vp p .

funcionará como uma chave aberta. No semiciclo negativo o diodo não conduz.7 Circuito equivalente no diodo para o semiciclo negativo Toda a tensão do secundário do transformador deve estar no diodo. Tem corrente passando no diodo e tem corrente no resistor.ESPECIFICAÇÕES DO DIODO Qual diodo poderá ser colocado neste circuito? O diodo deverá suportar a tensão máxima que ficará nele quando reversamente polarizado e a corrente média quando diretamente polarizado. Figura 3. quando o diodo está diretamente polarizado.7. 34 . PIV = Vpst (Tensão de pico do secundário do transformador) Determinação do Io Io . Não tem corrente passando no diodo e também não tem corrente no resistor. logo a corrente que passa por ele é igual a corrente que passa no resistor. com mostra a Figura 3.É a corrente média. Logo temos duas especificações: PIV Tensão de pico inversa Io Quantidade de corrente que o diodo deve suportar PIV O diodo quando reversamente polarizado (semiciclo negativo). No semiciclo positivo o diodo conduz.

72V Io = Idc = Vdc R Io = 4.72 p Vdc = 4. deve-se utilizar um transformador com derivação central.05V PIV = 12.8 Circuito retificador de onda-completa com derivação central 35 . Calcule as especificações do diodo.8).9K 3. Dado: R= 3.03mA 3. 9 = 12. Logo: Idc = Vdc/R Exemplo: 1)Em um circuito retificador de meia-onda a tensão no secundário do transformador é 9V. Rl Figura 3.05 = 1. dois diodos e a carga.72V Vdc = 12.Logo: Io = Idc A quantidade de corrente que passa no diodo é igual a quantidade de corrente que passa no resistor.4 Circuito Retificador de Onda Completa No circuito retificador de onda completa com derivação central(Figura3.9KW Solução: Vp = 2 2 Vst Vp = Vdc = Vp p .

(b) Forma de onda no resistor no semiciclo positivo. utiliza-se de um transformador com derivação central. 36 .8(b). como mostra as Figuras 3. o enrolamento secundário apresenta uma derivação no centro.11(b).8(a) e 3. como mostram as Figura 3.9). conhecido também como tomada central ou.10 (a) Circuito retificador de onda completa com derivação central. em inglês central tap ( Figura 3. Nestes transformadores. Ex: 9V 18V 9V Figura 3. A tensão no resistor será a metade da tensão total do transformador.Na montagem do circuito. Esta derivação fará com que a tensão fique dividida igualmente da metade para uma das estremidades.11(a) e 3. + Vst + Vdc T T Figura 3. No semiciclo negativo D1 abre e D2 conduz.9 Transformador com derivação central Funcionamento do circuito No semiciclo positivo D1 conduz e D2 abre.

- Vst + + Vdc T T Figura 3. logo W = 2 pf = 1 Vdc = 2p 1 é p VpsenJ + ò .11(a) Circuito retificador de onda completa com derivação central. A tensão Vdc será: Vdc = onde: 1 T ò f (t )dt T 0 f(t) = Vp senq para o intervalo de 0 a p e Vp senq para o intervalo de p a 2 p Devemos integrar o sinal até 2p.VpsenJ ù ú p ë û 2p ê ò0 Vdc = Vp [2 + 2] 2p logo: Vdc = 2 Vp p 37 . (b) Forma de onda no resistor no semiciclo negativo Observe que a polaridade no resistor permanece a mesma e a freqüência em relação a tensão no secundário do transformador é o dobro pois o período é a metade.

- + Figura 3.(11. 1) Em um circuito retificador de onda completa com derivação central a tensão no secundário do transformador é 16V.OBS: Como apenas a metade da tensão no secundário irá para o resistor temos que: Vp = 2 .31V Vdc = 2. Vst 2 = 2 2 .6KW.31)/p = 7.2V ESPECIFICAÇÕES DO DIODO PIV Quando D1 está aberto D2 está conduzindo e a tensão que fica em D1 é a tensão total do secundário do transformador. 16 Vp = 11.12 Circuito equivalente do circuito retificador de onda completa com derivação central no semiciclo positivo 38 . Calcule a tensão no resistor de 5. Solução: Vp = 2 . Vst 2 Exemplo.

PIV = Vpst Io No semiciclo positivo D1 conduz e tem corrente no resistor. Io = Idc 2 Exemplo: 1) Em um circuito retificador de onda completa com derivação central .48)/p = 5. no semiciclo negativo D1 estará aberto mais D2 conduz e existirá corrente no resistor logo: A quantidade de corrente que passa no diodo é a metade da quantidade de corrente que passa do resistor.7K = 2mA Io = Idc 2 Io = 2m/2 = 1mA 39 .97V Idc = 5.4V PIV = 2 . Calcule as especificações do diodo para um resistor de 2.4/2. 12 = 16. Solução: Vp = 2 . Vst 2 = 2 2 .7 KW. a tensão no secundário do transformador é 12V .48V Vdc = 2. 12 Vp = 8.(8.

como mostram as Figuras 3.5 Retificador Em Ponte No circuito retificador em ponte (Figura 3. 40 .13).14(a) e 3. será utilizado quatro diodos para aproveitar os dois semiciclos(positivo e negativo) do sinal alterado. toda a tensão do secundário do transformador chegue na carga.14(b).14 (a)Circuito retificador em ponte. D1 D2 D3 D4 Rl Figura 3.15(b). (b) Forma de onda no semiciclo positivo Durante o semiciclo negativo D1 e D4 conduzem. Figura 3.13 Circuito retificador em ponte Durante o semiciclo positivo D2 e D3 conduzem e D1 e D4 funcionarão como uma chave aberta. D2 e D3 funcionarão como uma chave aberta. Outrosim.15(a) e 3.3. como mostram as Figura 3.

Solução: Vdc = 2VP/p Vp = 2 . Calcule a tensão na carga.Figura 3. o cálculo da tensão Vdc é igual. 12 = 16. Exemplo: 1) Em um circuito retificador em ponte a tensão no secundário do transformador é de 12V. (b) Forma de onda no semiciclo negativo Como a forma de onda é igual a do circuito retificador de onda completa com derivação central.97/p = 10. Vdc = 2Vp p A vantagem do circuito retificador em ponte em relação ao circuito retificador de onda completa com derivação central é que não necessita de um transformador com derivação central e a tensão total do transformador é aproveitada.15 (a) Circuito retificador em ponte.97V Vdc = 2.16.8V 41 .

72V Vdc = 2.72V Io = Idc/2 Io = 3m/2 = 1.12. observe na Figura 3. a tensão no secundário do transformador é 9V.No semiciclo positivo D1 está funcionando como uma chave aberta e D3 está conduzindo.12. Solução: Vdc = 2VP/p Vp = 2 . 9 = 12. mas tem corrente no resistor.1V PIV = 12. PIV. No semiciclo negativo tem corrente no diodo e também tem corrente no resistor. denominado PIV(Tensão de pico inversa) e o valor médio a corrente no diodo quando o mesmo está diretamente polarizado.72/p = 8.7K = 3mA 42 .1/2.7KW. Calcule as especificações do diodo sabendo que o resistor é de 2.5mA Idc = Vdc/R = 8. que a tensão em D1 é igual a tensão total do secundário do transformador. logo: Io = Idc 2 Exemplo 1)Em um circuito retificador em ponte. PIV = Vpst Io Durante o semiciclo positivo a corrente não passa sobre D1.ESPECIFICAÇÕES DO DIODO São duas as especificações do diodo: Tensão máxima de pico que fica no diodo quando o mesmo está inversamente polarizado. denominado Io.

17) iremos fazer a seguinte análise: 43 . a frequência também será de 60Hz. Se a frequência da linha for de 60Hz.6 Comparação Entre As Frequências Dos Circuitos Retificadores Para compreender a freqüência do sinal na carga. verificamos que o período do sinal no secundário do transformador terá o mesmo período do sinal no resistor em um circuito retificador de meia-onda. Na comparação entre o período do sinal no secundário do transformador e o período do sinal na carga em um circuito retificador de meia-onda. verificamos que ao comparar o período do sinal da linha com a do circuito retificador de meia-onda . o período permanece o mesmo.3.16 Comparação entre o período da onda no secundário do transformador e na carga no circuito retificador de meia onda. Na comparação entre o período do sinal no secundário do transformador e o período do sinal na carga em um circuito retificador de onda completa. Na Figura 3. ou seja 2p. em um circuito retificador de meia-onda. observando a Figura 3. a frequência.16.16. Vst + p FORMA DE ONDA DA LINHA T - 2p Vdc p FORMA DE ONDA NO RESISTOR PARA O CIRCUITO RETIFICADOR DE MEIA-ONDA 2p Figura 3. (Figura 3. vamos analisar o período entre o sinal no secundário do transformador e o sinal na carga. Logo. é a mesma .

Preencha os espaços em branco. E . Em um circuito retificador de onda completa com derivação central a tensão no resistor será calculado pela seguinte equação: Vdc =__________. Em um circuito retificador em ponte temos: PIV = ___________ e Io = ___________ G . Se a frequencia da linha for de 50Hz. porém. Exemplificando. o período é p. 44 . a frequência no circuito retificador de onda completa é o dobro da frequência da linha. em um circuito retificador de onda completa a freqüência na carga será de 120Hz. O período da linha é 2p. Em um circuito retificador de meia-onda a tensão no resistor será calculado pela seguinte equação: Vdc =___________ B . nos circuitos retificadores de onda completa. A . Em um circuito retificador de meia-onda PIV = _____________ e Io = __________ C . em um circuito retificador de meia-onda a frequência será de _____________ no circuito retificador de onda completa com derivação central a frequência será de _________e no circuito retificador em ponte a frequência será de ___________. Em um circuito retificador de onda completa com derivação central temos: PIV = ___________ e Io = ______________.Vst + p FORMA DE ONDA DA LINHA. Exercícios 1. D . Figura 3. onde Vp = _________ da tensão no secundário do transformador. se na linha a frequência for de 60Hz. logo.17 Comparação entre o período da onda no secundário do transformador e na carga no circuito retificador de onda-completa. no resistor. T - 2p Vdc T p 2p FORMA DE ONDA NO CIRCUITO RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA COM TAP CENTRAL E RETIFICADOR EM PONTE. Em um circuito retificador em ponte a tensão no resistor será calculado pela seguinte equação: Vdc = ______________ F .

Figura 3. 3.19) determine a tensão V1.18 6.8KW. Calcule as especificações do diodo.19 7. Em um circuito retificador de meia-onda a tensão no secundário do transformador é de 18V. Dado o circuito(Figura 3. Dado o circuito (Figura 3. Em um circuito retificador em ponte a tensão no secundário do transformador é de 16V.6KW. no qual verificou a forma de onda no resistor com o osciloscópio. 4. Um aluno montou em laboratório o circuito da Figura 3. R1 = 1KW.2. R2 = 3. Calcule as especificações do diodo. sabendo que Rl = 6.18. Se o aluno utilizasse o multímetro para medir a tensão no resistor.20). Dado: Vst = 25V. R1 = 10kW. Em um circuito retificador de onda-completa com derivação central a tensão no secundário do transformador é de 25V.7KW 45 . sabendo que Rl = 8. 5. qual tensão ele iria ler? Figura 3.3KW e R3 = 5. Sabendo que Rl = 5. determine a tensão V1 e as especificações do diodo. Dado: Vst = 26V.2KW. Calcule as especificações do diodo. como mostra a figura. R2 = 15kW e R3 = 22KW.

Dado o circuito (Figura 3. determine a forma de onda no diodo D1. no qual observou a forma de onda com o osciloscópio no resistor. Figura 3.20 8.V1 Figura 3. Determine a tensão que ele irá ler ao medir a tensão no resistor com o multímetro.21). Figura 3.22 46 . como mostra a figura.22). Um aluno montou em laboratório o circuito (Figura 3.21 9.

Inverta o diodo e observe a forma de onda no resistor.25W. Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado.1 resistor de 10K . 500mA . para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc. deve-se montar um circuito retificador de meia-onda. Procedimento: 1. deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivação central. Material necessário: 47 . observe a forma de onda no resistor.1 Osciloscópio. 110V/220V 9V.Monte o circuito da Figura 3.23 2345- Com o uso do osciloscópio. .23: Figura 3.1 transformador. Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc.Experiência no Laboratório Experiência 2 Circuito retificador de meia-onda Neste circuito. para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc.1 multímetro (analógico ou digital). . 0. Material necessário: . Experiência 3 Circuito retificador de onda completa com derivação central Neste circuito. .1 diodo 1N4001 (ou equivalente).

500mA . . .1 transformador com derivação central. Material necessário: . 3. 48 .4 diodos 1N4001 (ou equivalente).1 resistor de 10K . para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc. Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado..1 Osciloscópio.24 2.Monte o circuito da Figura 3. Experiência 4 Circuito retificador em Ponte Neste circuito. .2 diodos 1N4001 (ou equivalente).24: Rl Figura 3.25W. Com o uso do osciloscópio. 0.1 multímetro (analógico ou digital). 500mA . Inverta os diodos e observe a forma de onda no resistor.1 multímetro (analógico ou digital). 0. . 4. 110V/220V 12V+12V. . 5.9V.1 Osciloscópio.1 transformador -110V/220V .1 resistor de 10K . deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivação central. Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc. observe a forma de onda no resistor. Procedimento: 1.25W. .

Material necessário: 2 baterias de 12V. 5.Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado. DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Capacitor variável Neste circuito será construído um capacitor variável de estado sólido. 3.Procedimento: 1.Monte o circuito da Figura 3.2KW 1/4W.25: D1 D2 D3 D4 Rl Figura 3.Inverta os diodos e observe a forma de onda no resistor. 1 resistor de 1MW. 4. 1 potenciômetro de 1MW. 1 resistor de 8.Com o uso do osciloscópio.26 49 . servindo para substituir capacitores variáveis comuns em circuito de sintonia. 1 capacitor 10nF Circuito da Figura 3.26: Figura 3. 1 diodo varicap ( qualquer um serve). observe a forma de onda no resistor.Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc.25 2.

quando Vst > Vc (tensão no secundário do transformador maior do que a tensão no capacitor) . de tal forma que t = RC. Quando a tensão do secundário do transformador diminuir (sendo menor do que Vp) o diodo abre. 4.1 Circuito Retificador de Meia-Onda com Filtro Capacitivo No circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo. Durante o semiciclo negativo o diodo está polarizado reversamente e o capacitor continua descarregando pelo resistor. Então o capacitor começa a descarregar pelo resistor. no entanto. pois a tensão no capacitor será maior do que a tensão no secundário do transformador (o diodo estará polarizado reversamente). para este circuito utilizado-se valores relativamente altos para C. foi introduzido um capacitor em paralelo a carga como mostra a Figura 4. verificamos que a tensão já é contínua.CAPÍTULO 4 . o sinal continua pulsando. como mostra a Figura 4.2.1 Figura 4. Novamente no semiciclo positivo.CIRCUITOS RETIFICADORES COM FILTRO Introdução Nos circuitos retificadores visto até agora.1 Circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo No semiciclo positivo do diodo conduz e o capacitor começa a carregar até atingir a tensão de pico no secundário do transformador. O próximo passo para construirmos uma fonte de alimentação é aplicar um filtro capacitivo. para que o sinal fique o mais próximo de uma tensão contínua constante. 50 . o diodo conduz e o capacitor carrega até atingir a tensão de pico do secundário do transformador. será maior do que o período da onda no secundário do transformador (T= 1/60 s).

logo maior será a tensão Vdc e mais contínua será a forma de onda no resistor.Vond 2 Vond = I FC De: I = C dV dt dV = Vond Onde: I = Corrente no resistor.Vst T Vdc T Figura 4. 51 . no entanto iremos aproximar a Vp/R F = frequência da forma de onda no resistor C = Capacitância Obs: Quanto maior t = RC. menor será a tensão de ondulação.2 Forma de onda no resistor Vdc = Vp .

denominado PIV(Tensão de pico inversa) e o valor médio a corrente no diodo quando o mesmo está diretamente polarizado.3. quando em um circuito o capacitor tiver um valor muito elevado não tendo tempo para descarregar e a tensão no secundário do transformador estiver no semiciclo negativo como mostra Figura 4. calcule a tensão Vdc e as especificações do diodo. denominado Io. ficando a forma de onda muito parecida com a do circuito retificador de meia-onda. de tal forma que o capacitor de descarrega quase que totalmente.3 Circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo no semiciclo negativo Ao fechar a malha. Dado: Vst = 12V e Flinha = 60Hz 52 . Figura 4. a tensão máxima que chegará ao diodo será: PIV= 2Vps Io A quantidade de corrente que passa no diodo será a maior possível quando em um circuito o valor da resistência e o valor do capacitor forrem muito baixo.ESPECIFICAÇÕES DO DIODO São duas as especificações do diodo: Tensão máxima de pico que fica no diodo quando o mesmo está inversamente polarizado. PIV A tensão no diodo terá o maior valor. Io = Idc Exemplo: 1)Dado o circuito.

5. foi introduzido um capacitor em paralelo com a carga como mostra Figura 4.Figura 4.98mA 4.4 Circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo Solução: Vdc = Vp .5V Vdc = 16.2 Circuito Retificador de Onda Completa com Derivação Central e Filtro Capacitivo No circuito retificador de onda completa com derivação central e filtro capacitivo. 53 .100m = 0.5/2 = 16.97/5.97V I @ Vp/R = 16.7V PIV = 2(16.94V Io = Idc = 16.Vond 2 onde : Vond = I FC Para o circuito retificador de meia-onda a frequência da onda no resistor é igual a frequência da linha logo: F= 60Hz Vp = 2 .6K = 3mA Vond = 3 60.97 0. 12 = 16.6K = 2.7/5.97) = 33.

D1 C Rl D2 Figura 4. No semiciclo negativo. D1 conduz e o capacitor começa a carregar até atingir a tensão no secundário do transformador.6. o diodo abre e o capacitor começa a descarregar pelo resistor e assim sucessivamente como mostra Figura 4. Quando Vst for menor do que Vpst. Novamente quando Vst< Vp. quando Vst > Vc . D2 abre e o capacitor novamente começa a descarregar pelo resistor. No semiciclo positivo quando Vst > Vc. D1 conduz e o capacitor carrega até atingir Vpst. D2 conduz e o capacitor carrega até atingir Vpst. Quando Vst diminui D1 abre e o capacitor começa a descarregar pelo resistor.5 Circuito retificador de onda completa com derivação central e filtro capacitivo Durante o primeiro semiciclo positivo.6 Forma de onda no resistor 54 . Vst T Vdc T Figura 4.

6KW D2 100mF Figura 4. Dado: Vst = 12V Flinha = 60Hz D1 5.7 55 . denominado Io. denominado PIV(Tensão de pico inversa) e o valor médio a corrente no diodo quando o mesmo está diretamente polarizado.Vond 2 OBS: A frequência é o dobro da frequência da linha ESPECIFICAÇÕES DO DIODO São duas as especificações do diodo: Tensão máxima de pico que fica no diodo quando o mesmo está inversamente polarizado. calcule a tensão Vdc e as especificações do diodo. PIV = Vpst Io = Idc 2 Exemplo: 1) Dado o circuito.Logo: Vdc = Vp .

12V Vdc = 8. foi introduzido um capacitor em paralelo a carga como mostra a Figura 4. D1 D2 D3 D4 Rl C Figura 4. Vst Vp = 2 = 2 .51m 120.51mA Vond = 1.100m = 0.97V Idc = Vdc/R = 8.6K = 1.41/5.48/5.5m/2 = 0.48V I = Vp/R = 8.41V PIV = Io = Idc/2 2 .8.12/2 = 8.6K = 1.8 Circuito retificador em ponte com filtro capacitivo 56 .75mA 4.3 Retificador em Ponte com Filtro No circuito retificador em ponte com filtro capacitivo. 12 2 Vp = 8.5mA Io = 1.Solução: 2 . 12 = 16.48 0.

9. como mostra a Figura 4. logo o capacitor começa a carregar até atingir a tensão de pico do secundário do transformador. D1 e D4 abrem e o capacitor começa a descarregar pelo resistor. Vst T Vdc T Figura 4.No início do primeiro semiciclo positivo D2 e D3 conduzem. quando Vst<Vp =Vc. No semiciclo negativo. D2 e D3 abrem e o capacitor começa a descarregar pelo resistor e assim sucessivamente.9 Forma de onda no resistor Logo: Vdc = Vp . quando Vst < Vp. quando Vst > Vc. D2 e D3 conduzem e o capacitor carrega até atingir Vpst. D1 e D4 conduzem e o capacitor começa a carregar até atingir Vpst. No semiciclo positivo. Quando Vst<Vpst.Vond 2 OBS: A frequência é o dobro da frequência da linha 57 . Novamente. D2 e D3 abrem e o capacitor começa a descarregar pelo resistor. quando Vst> Vc.

97V I = Vp/R = 16. denominado Io. Dado: Vst = 12V Flinha = 60Hz D1 D2 D3 D4 5. denominado PIV(Tensão de pico inversa) e o valor médio a corrente no diodo quando o mesmo está diretamente polarizado.6KW 100mF Figura 4. 12 Vp = 16. Vst = 2 . PIV = Vpst Io = Idc 2 Exemplo: 1)Dado o circuito.97/5. calcule a tensão Vdc e as especificações do diodo.10 Solução: Vp = 2 .ESPECIFICAÇÕES DO DIODO São duas as especificações do diodo: Tensão máxima de pico que fica no diodo quando o mesmo está inversamente polarizado.6K = 3 mA 58 .

Preencha os espaços em branco.84/5. Em um circuito retificador de meia-onda com filtro se a frequência da linha for de 60Hz. 12 = 16.11 59 .97 PIV = Io = Idc/2 2 0. Dado os circuitos das Figura 4.6K = 3mA Io = 3m/2 = 1.7 KW 47mF Figura 4. observa-se que a forma de onda é a mesma sendo calculado a tensão Vdc pela seguinte equação_________________________ Onde Vond = ________________ B . O PIV para os circuito retificadores de onda completa com filtro será igual a__________ F.12 e 4.O Io dos circuitos retificadores de onda completa com filtro será igual a ___________ 2.97V Idc = Vdc/R = 16. A . Dado: Vst = 18V e Flinha = 60Hz a) 2. D.11.100m = 0.84V . O que difere os circuitos retificadores com filtro como o circuito retificador de meia-onda do circuito retificador de onda completa é a __________________________ C. calcule a tensão Vdc e as especificações do diodo. O Io para o circuito retificador de meia-onda com filtro é igual a____________ G. 4. O PIV para o circuito retificador de meia-onda com filtro será igual a ______________ E . a frequência será_________ e no circuito retificador de onda completa a frequência será__________________.5mA Exercícios 1.25/2 = 16.12.Vond = 3m 120.25V Vdc = 16. Em todos os circuitos retificadores com filtro.

7KW D2 47mF Figura 4. Dado o circuito da Figura 4.15.7KW 47mF Figura 4. Dado: Vst= 24sen100t.12 c) D1 D2 D3 D4 2. Rl = 15KW e C= 1mF Figura 4. determine a tensão Vdc e as especificações do diodo.13 3.14. determine Vdc.14 4. 60 .b) D1 2. Dado o circuito da Figura 4.

mostra dois circuitos retificadores de onda completa com carga RL idênticas. é correto afirmar que: a) V2 = 2V1 e f2 = f1 b) V2 = 2V1 e f2 = 2f1 c) V2 = 0. Figura 4.5 e f2 = 0.16 61 .5 e f2 = f1 d) V2 = 0. A Figura 4.5f1 e) V2 = V1 e f2 = f1 Figura 4.15 5. Rl = 3. alimentados por fontes de tensão senoidal V(t). obtendo: V1 e f1 para C1 V2 e f2 para C2 Com relação às medidas obtidas. Medidas de tensão e freqüências foram efetuadas nas saídas dos circuitos em cima das cargas Rl.9KW. com mesmas especificações e utilizando diodos considerados ideais.16.Dado: Vst = 40V.

Experiência no Laboratório Experiência 5 Circuito retificador de meia-onda com filtro capacitivo Neste circuito.25W. 5. .47 F. deve-se montar um circuito retificador de meia-onda com filtro capacitivo. 110V/220V 9V.1 transformador. Procedimento: 1.1 multímetro (analógico ou digital).17. no qual. 3.Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc.Troque o capacitor pelo valor de 10 F e novamente observe a forma de onda no resistor. 6. primeiramente. 4. Troque o capacitor pelo valor de 47 F e novamente observe a forma de onda no resistor 62 . 500mA .1 resistor de 10K .Com o uso do osciloscópio. . observe a forma de onda no resistor. Material necessário: .17 2. será observado como a tensão de saída será influenciada de acordo com o valor do capacitor. 0.Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado.1 Osciloscópio.Monte o circuito da Figura 4. . utilize o capacitor de 1 F.3 Capacitores. 1 F. .1 diodo 1N4001 (ou equivalente). Figura 4.10 F.

0. Figura 4. 4.Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado. Material necessário: .47 F.1 resistor de 10K .1 transformador com derivação central. 110V/220V 12V+12V. 1 F. para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc. 500mA .2 diodos 1N4001 (ou equivalente). 5.Monte o circuito da Figura 4. Troque o capacitor pelo valor de 47 F e novamente observe a forma de onda no resistor 63 . Procedimento: 1.25W.3 Capacitores. . 6.1 Osciloscópio.Com o uso do osciloscópio. .Troque o capacitor pelo valor de 10 F e novamente observe a forma de onda no resistor. 3.18 2. .18.Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc.10 F. deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivação central.Experiência 6 capacitivo Circuito retificador de onda completa com derivação central com filtro Neste circuito. observe a forma de onda no resistor. .1 multímetro (analógico ou digital).

5. .9V.1 multímetro (analógico ou digital). 500mA .4 diodos 1N4001 (ou equivalente).1 Osciloscópio. Material necessário: . para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc. 3. 4.Troque o capacitor pelo valor de 10 F e novamente observe a forma de onda no resistor. Troque o capacitor pelo valor de 47 F e novamente observe a forma de onda no resistor 64 . . D1 D2 D3 D4 Rl C Figura 4.Monte o circuito da Figura 4. 6. 0.19 2. Procedimento: 1. deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivação central. .19.1 transformador -110V/220V .25W.Experiência 7 Circuito retificador em Ponte com filtro capacitivo Neste circuito.Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado.Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc.Com o uso do osciloscópio. observe a forma de onda no resistor.1 resistor de 10K .

Neste circuito.resistor 470 . 65 . 1/8W. Como a tensão gerada pelo dínamo é uma tensão alternada de baixo valor (aproximadamente 6V). ao passar pelo circuito retificador em ponte com filtro capacitivo. Figura 4.20. 4. a tensão servirá para acender um led. 1 led.capacitor eletrolítico de 220mF. Fontenele) Material necessário: 1.16V. 1. a energia eólica fornecida pelo ventilador. temos um exemplo da utilização da energia eólica para acender um led.diodos 1N4001 ou equivalente. (Foto: Fco. 1.DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Acendendo um led com energia eólica O estado do Ceará vem se tornando referência no Brasil. Parque Eólico na Prainha. Circuito da Figura 4.Alternador ( pode ser um dínamo para bicicleta).20 Neste circuito. a energia eólica. é a maior usina do gênero da América Latina e produz 10 Megawatts . como geradora de fonte de energia limpa e renovável. em Aquiraz. servirá para mover um alternador e desta forma gerar energia elétrica.

2 Diodo nos circuitos de proteção Outra função importante do diodo é nos circuitos de proteção.1. ou seja. é criado um forte campo magnético. a bobina de um relé ou ainda um pequeno motor é acionado. Aplicando este sinal de baixa frequência a um fone de ouvido ou então a um amplificador. Este sinal que é composto de duas partes. ou seja. que são desviados para o diodo. chamados de diodo de sinal podem ser usados como detectores de envolvente em circuitos de rádio. Rádio elementar ou rádio de galena. por exemplo. por exemplo. Os diodos de pequena capacidade de corrente.1 Rádio elementar Como exemplo. havendo então a indução de uma corrente de alta frequência. ou seja. Ao ser desligado. 66 . O capacitor depois do diodo filtra o sinal. desviando para a terra a componente de alta frequência e deixando apenas a envolvente.1. a modulada. da estação sintonizada. A antena capta os sinais emitidos pela estação.CAPÍTULO 5 OUTRAS APLICAÇÕES PARA O DIODO Introdução Existem muitas outras aplicações para os diodos além da retificação. uma de alta frequência que é a portadora . O diodo funciona como retificador de alta frequência. deixando passar apenas os semiciclos positivos do sinal. podemos ouvir os sons transmitidos pela estação de rádio. e outra baixa que á a modulada . é induzida na carga uma tensão oposta. antena Diodo detector CV filtro fone Figura 5. que deve circular em direção á terra passando pela bobina e capacitor que formam o circuito de sintonia: Este circuito se caracteriza por impedir a passagem dos sinais de uma única frequência. 5. que corresponde justamente ao som que é captado nos microfones da emissora ou obtido de um toca-disco ou toca-fitas. utilizaremos o circuito de rádio elementar mostrado na Figura 5. fazendo sua detecção. com a contração magnética. pode ser levado a um processo de separação. 5. Quando uma carga indutiva como.

Diodo usado como proteção em circuitos indutivos.3 Circuito Tanque O estudo do circuito tanque será de grande importância para que possamos compreender os circuitos utilizados para a sintonia de rádio. O componente que faz o acionamento pode então ser danificado com a presença desta tensão. Dependendo do tipo de carga. No qual o indutor funciona como eletroímã sendo capaz de atrair materiais condutores.3. Atração de um prego (material ferromagnético) pelo indutor 67 .(+) Diodo de proteção Circuito de comutação Carga indutiva Figura 5. com a ligação de um diodo. Leitura Complementar 5.3.3. temos uma proteção contra este fenômeno. Como experiência podemos mostrar a Figura 5. no qual cria uma tensão induzida na bobina. Figura 5.1 Propriedades do indutor O indutor consiste basicamente em um bobina formada por voltas de fio esmaltado.2. ou seja. além de alguns circuitos osciladores e outras aplicações no qual se faz o uso de um circuito indutor capacitor. 5. Iniciamos fazendo uma revisão sobre as propriedades do indutor. de sua indutância quando no desligamento pode ser muitas vezes maior do que a aplicada quando ligamos. Quando uma corrente contínua circula por um indutor ou bobina é criado um campo magnético.

999=1mA Dt = 0. mesmo com a tensão na bobina de valor baixo. ao abrir o circuito. Após a abertura da chave e decorrido 0.5 ilustra um exemplo de circuito tanque.4.0004 3.Ao abrir o circuito da Figura 5. Figura 5. 5. A tensão criada é uma tensão auto-induzida que pode atingir valores extremamente altos. Circuito RL série De acordo com a expressão 1.00004 segundos. A associação em paralelo da indutância com a capacitância é conhecida como circuito tanque.33 = 3. ocorre uma variação bastante alta da corrente em pouquíssimo tempo (abertura da chave). A energia armazenada no indutor volta ao circuito. R = 3W. VF= 12V. temos: Durante o período no qual a chave está fechada. A Figura 5.4. v=-L Di Dt (1) Exemplo: Se L= 10H. a corrente no circuito foi reduzida para: t = L/R = 10/3 = 3.00004s A tensão auto-induzida será: v=- LDi = -250V Dt Uma tensão bastante elevada nos contatos da chave.33s il = ime t t - = 4e 0.4 Circuito ressonante O capacitor e o indutor possuem a característica de armazenar energia elétrica. im = VF/R = 12/3 = 4ª.999A Logo: Di = 4-3. 68 .

6 resume toda essa explicação. Quando uma tensão é momentaneamente aplicada a um circuito tanque. Xc = Xl ® 1/(2 FrC) = 2 FrL Fr = 1/(2 LC)1/2 69 . devido à dissipação de energia no circuito na forma de calor. Entretanto. A troca de energia e a corrente circulante continuariam. A Figura 5. este. Quando C tiver se descarregado. removendo-se a tensão aplicada. quando se anular. Essa corrente de descarga originará. se o circuito tanque fosse ideal e não apresentasse resistência. no qual a reatância capacitiva é igual a reatância indutiva. Quando o campo em torno de L desaparecer. possui polarizada oposta ao que originou (lei de Lenz). C irá se descarregar novamente. Figura 5. C se descarrega através de L. C se carrega a esse valor de tensão. no qual. é denominado freqüência de ressonância. um campo magnético em torno de L. o campo magnético se anula e essa variação induz uma corrente no mesmo sentido da corrente que originou o campo. ocorre o procedimento descrito a seguir. a resistência está sempre presente. um pulso de tensão ao circuito. produzindo uma série de onda senoidais.Figura 5. no mesmo sentido da primeira carga.5. Troca de energia entre o indutor e o capacitor em um circuito tanque. fará com que C se carregue novamente. Esse campo. O funcionamento de um circuito tanque consiste na troca de energia entre a capacitância e a indutância. fazendo com que a corrente circulante diminua gradativamente. Se aplicarmos. mas a corrente será oposta em relação à primeira descarga. o processo voltará a se estabelecer. A frequência de ressonância é a única frequência. e a corrente de descarga cria um campo magnético em torno de L. Isto faz com que a corrente senoidal seja amortecida e desapareça. Portanto. essa corrente carregará o capacitor no sentido oposto ao anterior. novamente. novamente. A onda senoidal que se estabelece entre C e L possui uma freqüência. Circuito tanque. indefinidamente. após um número finito de oscilações.6.

7. ocorre uma troca de energia entre o capacitor e o indutor. a oposição começa a crescer até atingir o máximo no valor exato desta freqüência. Já se o sinal não corresponde a esta freqüência. 70 . temos um sintonizador de rádio simples. 5. com a alternância de campo elétrico em magnético. ondas de rádio. ou seja. Este circuito é utilizado num receptor de rádio em que deve ser feita a separação dos sinais da estação que queremos ouvir de todos dos demais sinais que chegam à antena. produzindo uma oscilação amortecida. muda a freqüência da onda senoidal que o ressonador amplifica. Isto pode ser feito com um amplificador.5 Circuito tanque na geração de sinais de rádio Aprendemos que em um circuito tanque. Em um rádio. ou seja. a oposição começa novamente a diminuir. a onda senoidal que corresponde à freqüência de ressonância será amplificada. Figura 5.Sintonizador LC. a oposição à passagem de corrente é infinita. muda a freqüência de ressonância e. Se o sinal corresponde à freqüência para o qual o circuito está sintonizado. Na Figura 5. Para que a produção destas oscilações continue.Na frequência de ressonância. quer seja porque perde em calor nos próximos elementos do circuito.7. deve-se repor a energia que vai sendo perdida em cada ciclo de carga e descarga do capacitor. portanto. no qual. ela não encontra nenhuma oposição do circuito e é curtocircuitado para o terra. a energia gerada neste sistema pode ser irradiada na forma de onda eletromagnética. o circuito tanque possui um capacitor variável. Se este circuito for ligado a uma antena. quer seja porque é irradiada por uma antena. ao aplicar uma onda senoidal. ele encontra forte resistência e é desviado para as etapas que fazem seu processamento. Das milhares de ondas senoidais de diferentes estações de rádio que chegam à antena. ao girar o botão que altera o valor do capacitor. Depois deste ponto. observamos que à medida que nos aproximamos da freqüência de ressonância. É desta forma que este circuito sintoniza as diferentes estações no rádio. sendo as demais desviadas para o terra. a impedância é infinita. Ao aplicar um sinal alternado ao circuito tanque.

1 capacitor variável. De onde vêm estas ondas eletromagnéticas? As estações de rádio produzem uma quantidade bastante elevadas de ondas eletromagnéticas em diversas freqüências. 71 .8 (A) é um oscilador ideal. Foi implementado na França por Radiguet e Massiot. (E) na ressonância tem impedância equivalente a um curto-circuito.8): Figura 5. O rádio Galena é bastante simples.Exercícios 1. os resultados obtidos na prática não são muito satisfatórios. (C) tem ressonância na freqüência de 1 Hz. (B) tem fator de qualidade unitário. A idéia fundamental em um rádio Galena é captar ondas eletromagnéticas por um receptor elétrico simples e reproduzir em um fone de ouvido. Compreender o funcionamento de um simples rádio ajudará a compreensão dos rádios mais complexos e mais bem elaborado. Material necessário 1 Diodo de Germânio ( qualquer tipo de diodo de Germânio). 1 antena. O rádio Galena foi o primeiro rádio inventado pelo homem. O rádio é um dos meios de comunicações mais utilizado pelo homem moderno. pois não apresenta uma etapa para a amplificação do sinal captado pela antena. (D) na ressonância tem impedância equivalente a um circuito aberto. 1 Fone de cristal. 1 indutor 10mH. vamos montar um rádio bastante simples. Experiência no Laboratório Experiência 8 Rádio elementar ou rádio Galena Neste circuito. (ELETRONORTE 2006) A rede abaixo(Figura 5.

0 a 0. no qual a bobina será artesanal. Fazendo a bobina Pegue o cabo de vassoura e deixe um espaço de um centímetro de cada lado. Lixe o esmalte do fio que está sobrando os 10cm de cada lado. o fio com fita isolante deixando sobrar 10cm de fio. Comece a enrolar. 100 gramas de fio esmaltado com número AWG entre 18 e 24 (diâmetros entre 1.Procedimento: 1. Enrole para que ainda sobre 1cm de cabo e 10cm de fio. Prenda no início.5 mm) para a bobina. Figura 5. 1 cabo de vassoura (madeira ou plástico) para enrolar a bobina de 18cm. DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Rádio artesanal elementar Neste circuito você irá montar um rádio. 1 antena.9. Varie o valor do capacitor para sintonizar o rádio.9 2. 1 capacitor poliéster de 1nF. prestando atenção para que os fios fiquem encostados um ao lado do outro e não passe por cima. 1 Fone de cristal (fone de alta impedância acima de 2000W). 72 . Material necessário: 1 Diodo de Germânio ( qualquer tipo de diodo de Germânio).Monte o circuito da Figura 5.

encostadas mesmo. Deixe sobrar de cada lado entre oito e dez centímetros de fio.Deixe um espaço de mais ou menos um centímetro de cada lado do tubo ou pedaço do cabo de vassoura e comece a enrolar o fio. As voltas devem ficar bem próximas uma da outra. 73 . Faça a seguinte montagem (Figura 5. Caso você esteja usando o tubo.10). prenda o início e o fio do enrolamento com uma fita isolante.10 A seta que está ligada na bobina deve ser móvel e percorrer toda a bobina para sintonizar em uma determinada frequência. Figura 5. Antena Como o rádio não possui uma etapa de amplificação. a antena deve ser bastante comprida para captar o máximo de energia da estação. e uma volta não pode passar por cima da outra. Se você está usando o cabo de vassoura. faça um ou dois furos para prender o fio antes de começar a enrolar e mais um ou dois furos para prender na outra extremidade (oriente-se pelo desenho do rádio acima). Pode ser um fio esticado de 10m de comprimento.

(b) Forma de onda na carga 74 . Uma das utilizações do circuito grampeador é em um amplificador classe C. acrescentar um nível DC ao sinal alterando. como mostra a Figura 6. 6. temos um limitador positivo. Vent R +Vp T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída T -Vp Figura 6. deslocando o sinal para cima ou para baixo do eixo referencial.1(b).1 (a) Circuito limitador positivo.CAPÍTULO 6 . sendo útil em circuitos no qual o sinal de saída necessita ser limitado. Observe que o funcionamento é igual ao circuito retificador de meia-onda. Os circuitos grampeadores possuem como objetivo. Na Figura 6. só deixa passar a tensão negativa.1 Circuitos Limitadores As aplicações incluem a limitação de amplitude excessivas formação de ondas e o controle da quantidade de potência entregue a uma carga. no qual limita a tensão positiva.1(a).CIRCUITOS LIMITADORES (CEIFADORES) E GRAMPEADORES Introdução Os circuitos limitadores ou ceifadores limitam a tensão de saída.

A limitação da tensão será para tensões acima de V como mostra a Figura 6. 6.4.9 e 6. pois V e Vent polarizam reversamente o diodo temos: Vsaída = Vent .3. uma vez que Rl >> R Na Figura 6. temos um outro limitador positivo. 6.5. 6. 75 . no qual foi inserida uma fonte de tensão em serie com o diodo. 6. 6. no qual o funcionamento é semelhante aos circuitos já analisados. (b) Forma de onda na carga Análise do Circuito limitador positivo polarizado No semiciclo positivo. logo: Vsaída = V No semiciclo como o diodo está sempre aberto.8. logo : Vsaída @Vent .7.10 temos exemplos de outros circuitos limitadores e as suas respectivas formas de onda na carga. 7.6. R Vent Vp Vent V Rl Vsaída T -Vp Vsaída V -Vp T Figura 6. quando vent > V o diodo conduz .2 (a) Circuito limitador positivo polarizado.2(b)..Análise do circuito limitador positivo No semiciclo positivo o diodo conduz logo: Vsaída =0 No semiciclo negativo o diodo abre.Outros circuitos limitadores Nas Figuras 6.2(a).

4 (a) Circuito limitador positivo. (b) Forma de onda na carga Vent +Vp Vent Vsaída T Rl -Vp Vsaída T Figura 6.3 (a) Circuito limitador negativo.Vent Vp T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída T Figura 6. (b) Forma de onda na carga 76 .

5 (a) Circuito limitador positivo polarizado. (b) Forma de onda na carga 77 .V Vent +Vp T Vent Rl Vsaída -V -Vp T -V . (b) Forma de onda na carga V Vent +Vp T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída -V+Vp -V T Figura 6.Vp -V Figura 6.6 (a) Circuito limitador negativo polarizado.

(b) Forma de onda na carga 78 .V Vent +Vp T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída T +V-Vp Figura 6. (b) Forma de onda na carga R Vent +Vp T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída +Vp T Figura 6.7 (a) Circuito limitador positivo polarizado.8 (a) Circuito limitador negativo.

10 (a) Associação de limitadores. (b) Forma de onda na carga 79 .R Vent +Vp T Vent V Rl Vsaída -Vp Vsaída +Vp V T Figura 6.9 (a) Circuito limitador polarizado. (b) Forma de onda na carga Vent R +Vp T Vent V1 V2 Rl Vsaída -Vp Vsaída V2 T V1 Figura 6.

no qual no sinal CA(Vent) é adicionado uma tensão CC. Em todas as análises iremos admitir que a carga de um capacitor atinja o valor final em cinco constantes e tempo. um projeto de circuito requer a combinação de uma tensão CA com uma tensão CC. a operação modifica o nível da tensão de referência CC.11(a). O circuito se resume como mostra a Figura 6.12. posteriormente não se descarrega mais. Na Figura 6. uma vez que o diodo irá permanecer sempre aberto e a constante de tempo RC>>Tentrada. Vent +Vp C T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída +2Vp T Figura 6. não havendo condições de descarregar por Rl. temos um circuito grampeador positivo.11 (a) Circuito grampeador positivo. O sinal é deslocado para acima do eixo como mostra a Figura 6. Em vez de mudar o aspecto da forma de onda. 80 . (b) Forma de onda na carga O capacitor se carrega no semiciclo negativo com Vp.6. com a polarização do capacitor.2 Circuitos Grampeadores Algumas vezes.11(b). Chamamos esse processo de grampeamento ou restauração CC.

6. 6.16 e 6.17. Quando Vent = Vp.12 Circuito grampeador positivo Análise do circuito grampeador positivo No semiciclo positivo: Vsaída = Vc + Vent Quando Vent = 0 Vsaída = Vc = Vp Quando Vent aumenta a tensão de saída também aumenta. Vsaída também aumenta.Vp + Vent Rl Vsaída Figura 6. Vsaída = 2Vp Quando Vent diminui . temos mais exemplos de circuitos grampeadores e as suas respectivas formas de onda na carga.14.15. Vsaída = 0 Quando Vent aumenta. A análise é semelhante as análises já realizadas.Vp . 81 . Vsaída diminui Quando Vent = . 6.13. Vsaída diminui até Vp No semiciclo negativo: Vsaída = Vc Vent Quando Vent diminui. Outros Circuitos grampeadores Nas Figuras 6.

13 (a) Circuito grampeador negativo.14 (a) Circuito grampeador negativo polarizado.Vent +Vp C T Vent -Vp Vsaída R Vsaída T -2Vp Figura 6. (b) Forma de onda na carga 82 . (b) Forma de onda na carga Vent C +Vp T Vent V R Vsaída -Vp Vsaída V T -2Vp+V Figura 6.

(b) Forma de onda na carga Vent +Vp C T Vent V R Vsaída -Vp Vsaída -V T -V-2Vp Figura 6.Obs: O capacitor se carrega com .15 (a) Circuito grampeador positivo polarizado.16 (a) Circuito grampeador negativo polarizado. (b) Forma de onda na carga 83 .( Vp V) Vent C +Vp T Vent V R Vsaída -Vp Vsaída +2Vp+V V T Figura 6.

(b) Forma de onda na carga Exercícios 1. R Vent 30V Vent 4V Rl Vsaída T -30V 7V Vsaída T Figura 6. 84 .Dado o circuito determine a forma de onda na saída.Vent C Vp T Vent V R Vsaída Vsaída + 2Vp -V T -V Figura 6.Dado da Figura 6. determine a forma de onda na saída.19.18 2.17 (a) Circuito grampeador positivo polarizado.

.19 Experiência no Laboratório Experiência 9 Circuito Grampeador Neste circuito.1 resistor de 1M . Procedimento: 1. com o objetivo de analisar e observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio. no qual vent corresponde o sinal do gerador de áudio em 1KHz e amplitude de 5V. Material necessário: .1 multímetro (analógico ou digital).20. 85 . .1 capacitor 470 F. Monte o circuito da Figura 6. 0.25W.Figura 6.1 gerador de áudio .1 Osciloscópio. deve-se montar um circuito grampeador. .1 diodo 1N4001 (ou equivalente). .

você irá montar uma fonte de alimentação para alimentar CIs da família TTL.1 transformador -110V/220V . 86 . .1 capacitor 0. Os CIs da família TTL necessitam de uma fonte de 5V. Circuito da Figura 6.4 diodos 1N4001 (ou equivalente). Material necessário .1 capacitor de 220mF. Com o uso do osciloscópio observe a forma de onda do resistor e analise o que acontece com o sinal se o valor do capacitor ou do resistor diminuir. . 500mA. .12V.21.C Vent R Vsaída Figura 6.20 2. .1 CI 7805.01mF. DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Fonte de alimentação para CIs da família TTL Neste circuito.

21 87 .Figura 6.

este gráfica representa o funcionamento do diodo zener. 88 . temos o gráfico que relaciona a corrente e a tensão para o diodo zener.1. Na figura 7. mantém a tensão constante na carga. Constitui o último componente em uma fonte de alimentação. no qual. 7. anodo catodo Figura 7. fabricado especialmente para trabalhar na região de ruptura o que não ocorre nos diodos retificadores e de pequeno sinal.Símbolo do diodo zener. a sua principal aplicação é regular a tensão na carga. ou seja. ou seja.Curva característica de um diodo zener.CAPÍTULO 7 DIODOS ESPECIAIS Introdução O diodo zener é um diodo especial. Polarização reversa I Ruptura ou Vz Polarização direta v Iz(mín) Iz(máx) Figura 7.2.1 Diodo Zener O diodo zener é um dispositivo semicondutor.2.

4mA 89 . montaríamos a tabela 7.3 Exemplo: Se montássemos o circuito da Figura 7. constituindo de uma fonte de alimentação e um resistor Rs Ve = RsIs +Vz Ve Vz Figura 7. ou seja. conduz a partir do momento em que vence a barreira de potencial.4mA Vz = 5.4.6V e Is = 1. ele se comporta da mesma forma que um diodo retificador.4mA Vz = 5.1 1KW Ve 5V6 Vz Figura 7. ele funciona como uma chave aberta. Quando a tensão que está sendo aplicado ao diodo zener for maior do que a tensão de zener.Quando se polariza diretamente o diodo zener.6V e Is = 4. Esta tabela é importante para que possamos compreender o funcionamento do diodo zener. e medíssemos a tensão no diodo zener e a corrente que passa por ele ao aplicar a tensão Vê.6V e Is = 2. CIRCUITO BÁSICO O menor circuito para a montagem com o diodo zener é apresentado na Figura 7. Na polarização reversa.3. enquanto a tensão que está sendo aplicada for menor do que a tensão de zener . ele passa a conduzir.4 Quando Ve = 1V Quando Ve = 2V Quando Ve = 3V Quando Ve = 4V Quando Ve = 5V Quando Ve = 6V Quando Ve = 7V Quando Ve = 8V Quando Ve = 9V Quando Ve = 10V Vz = 1V e Is = 0 Vz = 2V e Is = 0 Vz = 3V e Is = 0 Vz = 4V e Is = 0 Vz = 5V e Is = 0 Vz = 5.1. observando que a tensão nele permanece a mesma aumentando apenas a corrente que passa por ele.6V e Is = 3. maior do que esta corrente o diodo zener será danificado.4m A Vz = 5.4mA Vz = 5. Tabela 7. e existe a corrente máxima que o diodo zener suporta.6V e Is = 0.

Is = Ve.Ve Rl + Rs Se Vth > Vz (significa que o diodo zener está operando) 90 . Is Rs Ve Vz Iz Rl Il Vl Figura 7.4. para que possamos fazer uma análise matemática e poder calcular as corrente que circulam no circuito. mosta o circuito regulador de tensão. fazendo o equivalente de Thevenim. ( retira o diodo zener do circuito e calcula a tensão visto a apartir do diodo zener ou seja para este circuito será a tensão no resistor Rl ) Vth = R1 .Vz Rs Especificação do diodo zener Pz(máx) = Vz .5 Circuito regulador de tensão Cálculo da tensão de Thevenin Vamos calcular a tensão que chega ao diodo zener.Iz(máx) CIRCUITO REGULADOR DE TENSÃO A Figura 7.

3m 0.2 Is = 4.6K+2. 15 Rl + Rs Vth = 10V Vth > Vz logo: O diodo zener está regulando.73 mA 91 .Vz Rs Ex: Dado o circuito (Figura 7.2/5.6K = 0. calcule Is.3mA 2.7K Is = Il + Iz Iz = Is Il = 4.6K 5.7KW 15V 3V2 Iz 5. Iz e Il Is 2.6).Ve Vth = 5.7K . Il = 3.57m = 3.6KW Il Figura 7.57mA Is = 15 3.Logo: Is = Il + Iz Onde: Il = Vl Rl Vl = Vz e Is = Ve .6 Solução: Vth = R1 .

7. ocorre a liberação de energia em forma de calor. A simbologia para o led é apresentado na Figura 7.7. podem irradiar luzes vermelha.7 Fonte de alimentação Exemplo: 1)Se a tensão no capacitor oscilada de 5. SIMBOLOGIA anodo catodo Figura 7. laranja.8 à 5. em um LED a liberação de energia é na forma de luz visível. dependendo da quantidade.Aplicação do Diodo Zener Uma das principais aplicações do diodo zener é na construção de fonte de alimentação pelo qual servirá para manter a tensão na carga constante. então a tensão depois que passa pelo diodo zener será constante em 3. A Figura 7. são muitos utilizados como sinalizadores em instrumentos eletrônicos ou na fabricação de displays.8V ou seja a tensão que chega no diodo zener é 4. considerando que a queda em Rs seja de 0. amarela.2V.5V. D1 D2 Rs D3 D4 C Vz Rl Figura 7.8.3V e o diodo zener é de 3. verde ou azul. Enquanto que em um diodo comum na passagem de corrente. mostra uma fonte de alimentação.2 Diodo Emissor De Luz (LED) Os diodos emissores de luz são fabricados a partir do GaAs( arsenieto de gálio) acrescidos de fósforo que.8 92 .6V à 6.2V.

I Polarização reversa Polarização direta v 1. Comercialmente.9. ou seja só conduzem quando polarizados diretamente aplicando uma tensão maior do que a barreira de potencial. Para se polarizar um LED.5V a 2.9.5V dependendo da cor.5V Figura 7. CIRCUITO BÁSICO: O menor circuito que podemos construir com um led é apresentado na Figura 7. pois danifica facilemnte. no entanto a barreira de potencial varia de 1.5 a 2.9 Os LEDs apresentam as mesmas características dos diodos comuns. Não se deve ligar um led em paralelo com uma fonte de alimentação. 93 . uma vez que a resistência da fonte é desprezível e a corrente que passará no led terá valor elevado. deve-se utilizar um resistor limitador de corrente para que o mesmo não se danifique. temos a curva característica para o led.Na Figura 7. o led trabalha normalmente com corrente na faixa de 10mA a 50mA.

Rs Is = Ve .5V vamos adotar 2V Exemplo: 1)Determine Rs para que o LED do circuito (Figura 7. a corrente que atravessa diminuirá.9 OBS: como Vled varia de 1. Este fato implica que. se aumentarmos a tensão entre seus terminais.3 Diodo Túnel Este dispositivo possui uma característica não encontrada em nenhum outro de sua família. fique polarizado no seu ponto quiescente (Vled = 2V e Id = 20mA) 6V Is Figura 7.10 Solução: Rs = Ve Vled Is Rs = 6 2 20m Rs = 200 W 7. 94 .Vled Ve Is Rs Figura 7.5 a 2. que é a região negativa.10). se este componente estiver polarizado em uma determinada região de sua curva característica.

11 Simbologia para diodo túnel A Figura 7. faz com que ele seja encontrado também em circuitos de alta frequência e alta velocidade. 95 . onde os tempos de comutação são da ordem de nano ou picossegundos. especialmente em computadores. SIMBOLOGIAS 7. O fato deste dispositivo ser mais veloz do que todos os outros dispositivos ativos. Um aumento de tensão maior do que Vp produz uma diminuição na corrente e a região entre os pontos de pico e do vale é chamado região de resistência negativa. Na polarização reversa a ruptura ocorre próximo de 0V. mostra a curva característica para o diodo túnel. conversores. São também encontrados em circuitos capazes de converter potência cc em ca. ao se polarizar diretamente conduz imediatamente.12. Leo Esaki em 1958 e . a corrente produz um valor máximo Ip.Ele foi desenvolvido pelo Dr. amplificadores. osciladores e circuitos de chaveamentos. as vezes é chamado de diodo Esaki.12 Por ser um diodo muito dopado. em homenagem ao seu descobridor. I Ip Iv V VP Vv Figura 7. APLICAÇÕES As características de resistência negativa os tornam úteis em circuitos de microondas.

A Figura 7.7.15 Na polarização reversa em circuito de alta frequência. APLICAÇÕES O Varactor é muito útil em diversas aplicações como em circuitos LC com sintonia por tensão. circuitos ponte autobalanceados e amplificadores paramétricos. o fato da capacitância existente na junção ser função da tensão de polarização.4 Diodo Varicap (Varactor ou VVC) Este diodo aproveita além dos efeitos na junção PN utilizados nos diodos comuns. dispositivos de controle de frequência automáticos.14 Simbologia A Figura 7. como o diodo funciona basicamente como um capacitor (as regiões P e N são como placas do capacitor e a camada de depleção se compara ao dielétrico) ao aumentar a tensão reversa a capacitância irá diminuir. C V Figura 7.15. filtros de banda passante ajustáveis etc. temos a curva característica para o diodo varicap. Figura 7. 96 .14 mostra a simbologia para o diodo varicap.

16 2. Imin = 1mA. Dado o circuito da Figura 7. V1 = 15V e no LED D1. 3. Figura 7. Explique o que você entende por LED. 1400W e 690KW.Revisão 1. Cite algumas aplicações do diodo túnel. é correto. que o LEd: a) acende normalmente nos 3 casos. mas com 690KW não irá acender e quando R1 for de 110 W pode queimar. mas não irá acender quando R1 for de 690KW.18.18 Considerando a possibilidade de R1 assumir os valores de 110W. 97 . Imáx = 25mA e Vled = 2V. c) Acende normalmente para 1400W. Is 3. b) Acende normalmente para 110W e 1400W. d) Não acende normalmente quando R1 vale 690KW e pode queimar quando R1 for de 110W ou de 1400W. calcule as correntes Is.9KW 20V 5V6 Iz 10KW Il Figura 7.16. e) Não acende normalmente quando R1 for de 1400W ou de 690W e pode queimar quando R1 vale 110W. 4. 5. Cite algumas aplicações do Varactor. Iz e Il. No circuito da Figura 7.

aproximadamente. a forma: 98 . onde Z1 é um diodo zener de 15V e D1 um diodo ideal. aproximadamente. que pode ser considerado ideal.120.19 7. A Figura 7. ilustra um circuito alimentado por uma fonte de tensão senoidal da forma Ve(t) = 20sen(wt). O sinal de saída Vs(t) deverá ser. cujo valor de pico é superior À tensão de diodo zener Z1. A Figura 7. ilustra um circuito alimentado por uma fonte de tensão senoidal.6. da forma: Figura 7.19. O sinal de tensão Vs(t) deverá ter.

o diodo zener tem tensão nominal Z V de 10 V.21. Figura 7. 99 . e varia de 15 a 20 V. a potência máxima exigida da fonte não regulada é de 400mW. a carga L R é variante no tempo. e consome de 0 a 5 mA. a tensão de entrada N V não é regulada. (E) se R = 500 . e requer no mínimo 5 mA de corrente para garantir a regulação. pode ser um resistor de 1/8 W. a corrente máxima no diodo zener é de 10 mA.Figura 7.20 8. (C) se R = 500 . (D) se R = 500 . (ELETRONORTE 2006) Na fonte da Figura 7.21 Em condições normais de funcionamento: (A) Rl < 2 k . (B) R > 500 .

Figura 7. deve-se montar um circuito básico com o diodo zener para compreender o seu funcionamento. .25W.Experiência no Laboratório Experiência 10 O diodo Zener Neste circuito.22 3. 0. Procedimento: 1.Monte o circuito da Figura 7.1 multímetro (analógico ou digital). Material necessário: . Preencha a tabela abaixo: Vf 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 A Vz 100 . 0. .1 resistor de 1K .5W.1 diodo zener 5V6.22.1 Fonte de alimentação variável (0-15V) .

4. Qual o valor da tensão que se manteve constante? _________

Experiência 11

Fonte de alimentação (eliminador de pilhas)

Neste circuito, vamos montar uma fonte de alimentação.

Material necessário: - 1 transformador -110V/220V ,9V, 500mA - 4 diodos 1N4001 (ou equivalente); - 1 resistor de 10K , 3,3K e 470 (0,25W); - 1 capacitor de 220mF, 64V - 1 diodo zener 5,6V, 0,5W; - 1 multímetro (analógico ou digital).

Procedimento: 1.Monte o circuito da Figura 7.23.

Figura 7.23

2. Meça a tensão no resistor de 10KW. 3. Substitua o resistor de 10KW pelo resistor de 470W e um led, como mostra a Figura 7.24.

Figura 7.24
101

DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA
Alarme de subtensão
Descreveremos dois circuitos para um alarme de subtensão. No primeiro, quando a tensão diminuir abaixo de 12V um led deve acender. Porém, se a tensão voltar a aumentar o led irá apagar. No segundo circuito, quando a tensão diminuir abaixo de 12V, uma lâmpada irá acender, e mesmo que a tensão volte a aumentar, a lâmpada permanecerá acesa. Circuito 1

Material necessário -1 fonte de tensão variável; - 1 diodo 1N4004; - 1 led; - 1 diodo zener 12V, 0,5w; - 1 resistor 470W;5,6KW; 1KW; - 1 transistor BC338.

Circuito da Figura 7.25.

Figura 7.25

O único componente não estudado até aqui é o transistor. Neste circuito, o transistor irá funcionar uma chave.

102

O funcionamento do circuito será da seguinte forma: Como a tensão de alimentação é 14V, o diodo zener estará regulando, ficando 12V no diodo zener e 2V no resistor de 1KW. O transistor, neste caso, estará funcionado como uma chave fechada e toda a corrente passará por ele, como mostra a Figura 7.26.

Figura 7.26

Quando a tensão diminuir, abaixo de 12V, pode-se considerar que a corrente que passa no diodo zener será zero, logo, a tensão no resistor de 1KW será zero e o transistor funcionará como uma chave aberta. Toda a corrente passará pelo led e acenderá. Neste circuito quando a tensão cair abaixo de 12V o led acende, no entanto, se a tensão voltar a aumentar o led apaga. Descrevemos a seguir um circuito no qual, quando a tensão baixar e voltar a aumentar uma lâmpada ficará acesa. Material necessário -1 fonte de tensão variável; - 1 diodo 1N4004; - 1 lâmpada de 12V; - 1 diodo zener 12V, 0,5w; - 1 resistor 2,2K, 10K; - 2 resistores 1K; - 1 transistor BC338; - 1 capacitor 1F, 16V - 1 SCR ( TIC106D); -1 relé 12V.

Circuito 2 (Figura 7.27)

103

A bobina do relé é acionada e o contato normalmente aberto do relé fechado. o transistor funciona como uma chave aberta e toda a corrente desvia para o circuito do capacitor que dispara o SCR.Figura 7. foi utilizado um SRC. quando a tensão cair abaixo de 12V.27 Neste circuito. a lâmpada é acesa. no qual. figura . 104 .

o que se denomina transistor NPN (Figura 8.3) e PNP (Figura 8. respectivamente (LALOND e ROSS. O emissor é fortemente dopado e tem como função emitir portadores de carga para a base (elétrons no transistor NPN e lacunas no transistor PNP). Estes foram laureados com o prêmio Nobel da Física em 1956.CAPÍTULO 8.1 Constituição de um transistor bipolar A Figura 8.1 Estrutura física do transistor de junção bipolar NPN As extremidades são chamadas emissor e coletor e a camada central é denominada base.4). O transistor começou a se popularizar na década de 1950 e ocasionou a revolução da eletrônica na década de 1960.TRANSISTOR BIPOLAR Introdução O transistor é um componente eletrônico formado por materiais semicondutores. Walter Houser Brattain e William Bradford Shockley. A adição de átomos trivalentes no semicondutor constitui a formação do material do tipo P. no qual é formado pela combinação de materiais semicondutores dopados com átomos trivalentes ou pentavalentes.1 mostra a constituição do transistor. 8. 1998). 105 . Foi desenvolvido no laboratório Bell Telephone e demonstrado em 23 de Dezembro de 1947 por John Bardeen. A base é levemente dopada e muito fina. É a camada mais extensa. e a adição de átomos pentavalentes a formação do material do tipo N. 1999). Ela permite que a maioria dos elétrons injetados pelo emissor passe para o coletor. O coletor. Um transistor é formado pela combinação do material N+P+N ou P+N+P. As principais aplicações do transistor são: amplificar sinais elétricos e chavear circuitos. recebe os portadores que vêm da base. O nível de dopagem do coletor é intermediário entre a dopagem forte do emissor e fraca da base. como o nome diz. pois é nela que se dissipa a maior parte da potência gerada pelos circuitos transistorizados (BOYLESTAD e NASHELSKY. Coletor Base Emissor n Fluxo de lacunas p n Fluxo de elétrons Figura 8.

2 Transistor Bipolar coletor base base coletor emissor emissor Figura 8. O emissor é o mais dopado dos três. o transistor foi redesenhado fixar o que foi dito. no emissor temos uma maior quantidade de elétrons livres do que no coletor.Polarização emissor -base reversamente e coletor base reversamente. .. 106 .2. Portanto. nem apresentam a mesma dopagem.Transistor PNP 8. Na Figura 8. elas não possui tamanhos iguais. a quantidade de impurezas (átomos pentavelentes) é superior a quantidade de impurezas do coletor.3 . na formação do materal do tipo N. e desta forma.2 Polarização do Transistor Polarizar um transistor é aplicar fontes de alimentação em seus terminais para que possamos analisar o que acontece. o que significa que.4. Comparando as três camadas do transistor.Transistor NPN Figura 8. compreender o seu funcionamento. A base é levemente dopada e o coletor é o mais extenso dos três. Figura 8.

Polarização emissor-base reversamente e coletor-base reversamente Pela Figura 8. Figura 8.base diretamente 107 .6 Polarização emissor base diretamente e coletor.5. O positivo da fonte externa atrae os elétrons do coletor e o negativo que está ligado na base atrae as lacunas. .base diretamente . com isto aumenta a camada de depleção. Uma forma de visualizar este tipo de polarização é considerar entre o emissor e a base um diodo em que o catodo está no emissor e o anodo na base.Figura 8. Neste tipo de polarização não haverá circulação de corrente se desprezar as corrente de fuga de superfície e a corrente produzido termicamente. observa-se que tensão aplicada no emissor para a base (Veb) e a tensão aplicada do coletor para a base (Vcb) polarizam o transistor reversamente. A tensão positiva externa atrae o elétrons do emissor para a extremidade do transistor e o negativo da fonte externa aplicada na base atrae as lacunas. aumentando desta forma a barreira de potencial até se igualar a fonte Vcb.5. Entre o coletor e base acontece o mesmo procedimento.Polarização emissor base diretamente e coletor.

O emissor é o mais dopado ele tem com função emitir elétrons. A tensão Veb ao polarizar o transistor diretamente. reversamente Este tipo de polarização é o mais utilizado dos três. diretamente e coletor.6. como mostra a Figura 8. A fonte de tensão externa aplicada entre o emissor e a base polariza o transistor diretamente e a tensão aplicada do coletor para a base polariza o transistor reversamente.Na Figura 8. os elétrons passam do emissor para a base.7. -Tensões e correntes no transistor A Figura 8. Neste caso. faz o menos da fonte repelir os elétrons do emissor. a tensão aplicada no emissor para a base(Veb) e a tensão aplicada do coletor para a base(Vcb) polarizam o transistor diretamente. na maioria das vezes aproximadamente de 95% a 99% dos elétrons que passaram do emissor para a base vão para o coletor e apenas 5% a 1% desce pela base.8 e 8. sendo atraído pelos íons positivo.Polarização emissor base.7.9 mostram os sentidos das tensões e das correntes em um transistor NPN e PNP respectivamente.base. Pode-se dizer que. Neste tipo de polarização verifica-se que o nome coletor está indicando que ele coleta os elétrons e o emissor tem como função emitir elétrons. Estes elétrons terminam indo para o positivo da fonte Vcb. A tensão Vcb faz com que aumente a camada de depleção entre a base e o coletor. reversamente Figura 8. .base. diretamente e coletor. haverá uma grande circulação de corrente circulando pela base do transistor. Ao chegar na base ocorre o inesperado. Se a tensão Veb for maior do que a barreira de potencial . a maior parte dos elétrons passam para o coletor . 108 . Apenas uma pequena parcela desce pela base.Polarização emissor base.

8.9 Transistor PNP Podemos tirar as seguinte conclusões: Transistor NPN Ie = Ic +Ib Vce = Vcb +Vbe Transistor PNP Ie = Ic + Ib Vec = Vbc +Veb 8.8 Transistor NPN Figura 8. O emissor é comum aos sinais de entrada e saída. quando o sinal de entrada está na base e o sinal de saída está no coletor.3. 109 . O termo comum se refere ao terminal que será comum ao sinal de entrada e ao sinal de saída.10).3 Configurações Básicas do Transistor Os transistores podem ser utilizados em três configurações básicas: base comum.1 Configuração Emissor comum Um transistor encontra-se na configuração emissor comum (Figura8.Figura 8. emissor comum e coletor comum.

este parâmetro serve também para o cálculo dos resistores de polarização para as outras configurações. os manuais dos fabricantes mostram este ganho de corrente.10 Configuração Emissor comum Nesta configuração na entrada temos ib. Ie é comum ao sinal de entrada e de saída. entraremos com mais detalhes estudando as curvas características de entrada e de saída. na saída Ic. 110 .Figura 8. Ganho de corrente O ganho de corrente relaciona a corrente de saída com relação a corrente de entrada. Devido a configuração emissor comum ser a mais utilizada. pelo qual é simbolizado pela letra beta cc. O ganho de corrente para este tipo de configuração é Ic/Ib Como esta configuração é a mais utilizada.11). Logo: b = Ic/Ib Embora este ganho de corrente tenha sido definido para a configuração emissor comum. Curva característica do sinal de entrada A curva característica do sinal de entrada mostra o comportamento da corrente Ib com relação a tensão Vbe (Figura 8.

ou seja. o funcionamento é semelhante a de um diodo. Curva característica de saída A curva característica do sinal de saída.7V. o gráfico é construído para os vários valores da corrente da base. da corrente da base. Com o transistor construído com átomos de silício o valor da barreira de potencial é de 0. Figura 8. O que observamos é que quando uma fonte de tensão contínua é aplicada entre o emissor e a base. mostra o comportamento da corrente Ic com relação a tensão Vce (Figura 8.12 Curva característica do sinal na saída Como a corrente que flui para o coletor depende também da quantidade de elétrons que flui do emissor para base.Figura 8.12).11 Curva característica do sinal de entrada Entre o emissor e a base existe uma barreira de potencial. 111 . Para que os elétrons do emissor passem para a base. deve-se vencer esta barreira.

também não haverá corrente no coletor. Figura 8. Ganho de corrente a = Ic/Ie Definimos o ganho de corrente para este tipo de configuração. Circuitos de polarização tendo como base a configuração emissor comum Polarização da base A Figura 8.3. (Figura 8.15. mesmo que a tensão entre o coletor e o emissor seja um valor elevado. polariza o coletor e a base reversamente. Na saída está a tensão Vcb e a corrente Ic.13 Configuração base comum Definimos como entrada a tensão Vbe e a corrente Ie. mas também da corrente Ib. a base está na entrada e na saída do circuito. a base é o eletrodo comum. 8.13). se a tensão entre o emissor e a base for zero. Quando uma tensão entre o emissor e a base for suficiente para vencer a barreira de potencial e assim a base ter corrente. Logo. ou seja. pois será útil para análise de circuitos para outras configurações.Observamos que. a corrente do coletor não depende somente da tensão Vce. como não há corrente na base. maior será a corrente que também passa para o coletor. aumentando a camada de depleção. mostra o circuito polarização da base 112 . a tensão entre o coletor e base. a maior parte dos elétrons é atraída pelo coletor devido aos cátions da camada de depleção. O fato é que.2 Configuração Base comum Nesta configuração. Quanto maior for a corrente que passa para a base.

Rc = 3. determine Vce e Ic. Figura 8. Vcc = 12V e o ganho de corrente é igual a 100.Figura 8.7 Malha de saída . Logo: Vbb = RbIb + 0. Rb = 220K. qaunto a tensão Vbb for maior do que 0.7V.15). pois.7V. entre a base e o emissor o transistor comporta-se como um diodo para uma tensão contínua.Vce + RcIc + Vce = 0 Exercício Resolvido Dado o circuito (Figura 8.15 Solução: 113 . Dado: Vbb = 6V.14 Circuito polarização da base Malha de entrada -Vbb + RbIb + Vbe = 0 Adotaremos Vbe sempre igual a 0.3K.

16).16 Reta de carga CC Região de corte A região de corte é definida como a região no qual a corrente da base é zero (idealmente) é consequentemente.4m + Vce Vce = 4. 114 . faz-se necessário esboçar uma reta na curva característica de saída do transistor na configuração emissor comum.2. Ic também é zero.3K.7 Ib = 0. 2.08V Reta de carga cc Para saber os pontos de operação do transistor.024mx 100 Ic = 2.Malha de entrada 6 = 220KIb + 0.4mA Malha de saída 12 = Rc. o transistor funciona como uma chave aberta.024mA Ic = bIb logo: Ic = 0. Neste caso. (Figura 8. Figura 8.4m +Vce 12 = 3. que intercepte todos os possíveis pontos de operação do transistor.. Esta reta é definida como reta de carga cc.

115 . Figura 8.3K. Rc = 2. Imagina-se o circuito da Figura 8. Rb = 3. mesmo tendo um valor de tensão Vcc. pois entre a base e o emissor. Exemplo . Ic = 0. Logo Ib = 0 Como Ic = bIb e Ib = 0. onde a tensão Vbb não é suficiente para vencer a barreira de potencial.3V. quando a corrente Ib for um valor tão elevado que o transistor sature funcionando como uma chave fechada. Vcc = 15V.18.2K e b = 100.Dado o circuito (Figura 8. Rb = 10K. Vcc = 10V. o transistor funciona como um diodo. Vce = Vcc = 10V Neste caso.17 Solução: Malha de entrada Vbb = RbIb + 0.18 Região de saturação Um transistor está operando na região de saturação. determine Ic e Vce.Exemplo: 1) Dado o circuito (Figura 8. o transistor funciona como uma chave aberta e está operando na região de corte. Dado: Vbb = 0. determine Ic e Vce. Figura 8.17).19). Rc = 2.2K e b = 100.7. Dado: Vbb = 12V.

Observe que a corrente que circula no coletor é o maior valor possível para este circuito.Figura 8. 3. é que a corrente da base é um valor bastante elevado. Figura 8. O que temos neste caso. A única tensão que temos na malha de saída é de 15V para ser divida pelo resistor e transistor. 342m + Vce Vce = . O transistor neste caso funciona como uma chave fechada como mostra a Figura 8. existe um valor de corrente Ic e tensão Vce que não são zero e também não possui o máximo valor possível para o circuito.19 Solução: Malha de entrada Vbb = RbIb + 0.7.2K. Na região de corte a corrente Ic é igual a zero e a tensão Vce é o valor máximo possível. 12 = 3.737.20. Região ativa A região ativa é a região intermediária entre a região de corte e saturação.4V Como um transistor não gera tensão.7 Ib = 3. 116 . Na região ativa. Na saturação a tensão Vce é igual a zero e a corrente Ic é o valor máximo possível para o circuito. sendo suficiente para saturar o transistor. já que o transistor funciona como uma chave fechada e desta forma a tensão Vce será zero.20 A corrente Ic será igual a Vcc/Rc.42mA Ic = 100.3KIb +0.42m = 342mA Malha de saída 15 = 2.

10 = 330KIb + 0. Rb = 330K.7 Ib = 0. Dado: Vbb = 10V. Cálculo da reta de carga cc Para o circuito da Figura 8. na construção de amplificadores.84V Observe que.2K e b = 100.2K Ic + Vce Vce = 8.8mA Malha de saída 15 = 2.Exemplo 1) Dado o circuito (Figura 8.7.21 Solução: Malha de entrada Vbb = RbIb + 0.21). o transistor está operando na região ativa.028mA Ic = 2. Figura 8.22.determine Ic e Vce. ou seja. logo. temos um valor positivo de corrente Ic e tensão Vce. O transistor operando na região ativa será útil na construção de circuitos para amplificar um sinal. Rc = 2. o cálculo da reta de carga cc deve ser processado da seguinte forma: 117 . Vcc = 15V. que não são zero nem o máximo.

Figura 8. Na região de corte: Ic = 0 Vce = Vcc Na região de saturação Vce= 0 Fechando a malha temos: Vcc = Rc i c + Vce Logo: Vcc = Rc Ic Icsat = Vcc/Rcc Ex: Dado o circuito(Figura 8. deve-se calcular dois pontos.23 Solução: Na região de corte 118 .22 Para determinar a reta de carga. Dado: Rc= 3. Rb = 270K. Vbb = 4V e Vce = 15V Figura 8. determine a reta de carga cc. Iremos calcular na região de corte e na região de saturação.23).3K.

Ic = 0 Vce = 15V

Na região de Saturação Icsat = 15/3,3K = 4,54mA Vce = 0

A reta de carga cc é mostrado na Figura 8.24.

Figura 8.24

Polarização da base O circuito polarização da base é apresentado na Figura 8.25.

Figura 8.25 Circuito polarização da base

No circuito da Figura 8.25, conhecido como polarização da base é o circuito mais utilizado quando deseja colocar o transistor para que funcione como chave, ou seja, o
119

transistor esteja funcionando na região de saturação ou na região de corte. Geralmente, a fonte de alimentação da base é a mesma que alimenta o coletor, isto é, Vbb = Vcc. O circuito então, é desenhado como mostra a Figura 8.26.

Figura 8.26 Circuito polarização da base

Este tipo de polarização, porém, não é utilizado quando se deseja utilizar o transistor para que opere na região ativa. Coloca-se o transistor na região ativa quando deseja construir um circuito para amplificar um sinal ca Ao utilizar o circuito acima, colocando o transistor para operar no meio da reta de carga cc, com o aumento da temperatura o ponto quiescente é alterado indo para a saturação. Demonstração Na primeira malha temos: Vcc = Rb ib + Vbe

Na segunda malha: Vcc = Rc ic + Vce Para que o transistor opere na região ativa, o ideal é que ele opere no meio da reta de carga cc. Para isto deve-se colocar Vce = 0,5Vcc. Com o aumento da temperatura o ganho de corrente aumenta e consequentemente ic também aumenta, uma vez que, ic = bib. Da segunda malha como Vcc e Rc são valores fixo, ou seja, não sofrem influência com a alteração da temperatura ambiente. Para que a equação continue válida, Vce diminui. Vce diminuindo o ponto quiescente na reta de carga cc deve subir, ou seja, o transistor tende a saturação. Para polarizar o transistor na região ativa, foram implementados vários circuitos, até conseguir o circuito mais utilizado, que é o circuito polarização por divisor de tensão. Iremos analisar a evolução dos circuitos.

Polarização com realimentação do emissor

120

Na figura 8.27, temos o circuito polarização com realimentação do emissor,no qual foi inserido um resistor no emissor.

Figura 8.27 Polarização com realimentação do emissor

Malha I Temos: Vbb = Rb ib + Vbe + Re Ie Malha II temos Vcc = Rc ic + Vce + Re ie Exercício resolvido Dado o circuito (Figura 8.28), determine Ib, Ie, Ic e Vce. Vcc= 12V, Vbb = 6V, Rb = 470KW, Rc = 2,7KW e Re = 800W, b = 120.

Figura 8.28

121

34m + Vce + 800. temos o circuito polarização por divisor de tensão. Rth = R1//R2 Rth = R1.34mA Ie = 1. 1.011m Ie = 1.7 Ie = Ic + Ib Vcc = RcIc + Vce + ReIe 12 = 2. 1.35mA Þ 6 = 470K ib + 0.34m + 0. Figura 8.Solução: Vbb = RbIb + Vbe Ib = 0. visto da base para o terra.0112mA Ic = bIb Þ Þ Ic = 1.29.29 Circuito polarização por divisor de tensão Para simplificar os cálculos. devemos determinar o equivalente de Thevenin.3V Polarização por divisor de Tensão Na Figura 8.35m Vce = 7.R 2 R1 + R 2 122 .7K.

determine Vce e Ic.30 Circuito equivalente de Thevenin Malha I Temos: VTh = RTh ib + Vbe + Re Ie Malha II temos Vcc = Rc ic + Vce + Re ie Exercícios resolvidos 1.Dado o circuito (Figura 8. O ganho de corrente é igual a 100 123 . Figura 8.Vth = R2 Vcc R1 + R 2 Circuito após o equivalente de Thvenin é apresentado na Figura 8.31).30.

21mA e ie = 0.3K Vth = O circuito pode ser substituído pelo circuito da Figura 8.3Kic + Vce + 1.8K (0.8K ib Malha 2 ib = 0. onde: ic = bib ou seja ie = 100ib+ ib = 101ib logo: 1.09 = 3K ib + 0.Figura 8.09V 33K + 3.8K( 101ib) 0.3K 3.39 = 184.32.3K (0.8Kie Ie = ic + ib.213m) Vce = 11.213mA 12= 3.55V 124 .02m) + Vce + 1.002mA logo: ic = 0.8K ie 12 = 3.32 Circuito equivalente 1.7 + 1.7 + 1.3K = 3KW 33K + 3. Figura 8.3.3K 12 = 1.09 = 3Kib + 0.31 Solução: Rth = 33K .

7 = Rc. ic Igualando as duas equações temos: Rb. A saturação forte é a utilizada em circuitos.33 Transistor como chave Analisando a Figura 8.ib+0. Temos: Vcc = Rc. Figura 8.4 Transistor como Chave A regra para projeto Uma saturação leve significa que levamos o transistor apenas no início da saturação.7 Malha de saída Vcc =Rcic + Vce como na saturação Vce = 0.33 temos: Na saturação forte: Ib = 0. Para colocar o transistor para na saturação forte deve-se fazer com que a corrente da base seja aproximadamente um décimo do valor da corrente de saturação.1ic Malha de entrada: Vcc = Rb. Não é muito utilizado o transistor na saturação leve por causa da variação do ganho de corrente. isto é. pois o transistor continua na saturação mesmo no pior caso de variação do ganho de corrente com a variação da temperatura.8. a corrente da base é o valor exato e suficiente para operar o transistor no extremo superior da reta de carga.ic 125 . Ib + 0 .

5V enquanto l-2 uma queda de 2. . Neste circuito. 126 .1ic = Rc.0.5V. logo: Rb. Figura 34. logo: Rb = 10Rc 8. No entanto L-1 proporciona uma queda de 1.5.1. Ib = Rc. Poderá o led 2 ter sua luminosidade diminuída por necessitar de mais tensão? (Figura 8. 0.Desprezando 0. Transistor como fonte de corrente Observando a Figura 8. a base amarra a tensão do emissor. pois mesmo alterando a queda de tensão nos leds a corrente permanece a mesma. verificamos que na base existe uma tensão de 3V.necessitam de uma corrente de 10mA para obter uma boa luminosidade.7V temos.1ic. Ic .Os leds L-1 e L-2. o transistor está funcionando como fonte de corrente. ou seja.5 Transistor como Fonte de Corrente Para entender melhor o transistor como fonte de corrente vamos para este problema. da figura 9. Esta tensão faz com que fixe a tensão no emissor de 3.34).34. Ic Na saturação forte ib = 0. Rb.7.

correntes e freqüências envolvidas. tendo-se o que é denominado modelagem do transistor. 127 . 8 3 Modelo de Erbers Moll Ao substituir o transistor pelo modelo de Erbers-Moll. 1995 ).Os cálculos a seguir demonstram isto: Se ambos os leds necessitam de 10mA para o brilho ideal basta fixar a corrente de emissor em 10mA. Re = (3-0. tem-se o seguinte circuito equivalente para o transistor (CIPELLI e SANDRINI. Os mais utilizados são o modelo de Erbers Moll e o modelo híbrido (MALVINO. porém sem obtém maior precisão. Logo. a luminosidade do led2 não será diminuída. Há vários modelos para representar o transistor em um circuito elétrico.7)/10mA Re = 230W Observe que a fonte da base ligada diretamente na base fixa a corrente ie. O objetivo de modelar o transistor é facilitar a análise para sinais alternados em função das tensões. No modelo de Ebers Moll. os cálculos envolvidos no circuito ficam mais simples. é utilizado com freqüência. 2001). que se aproximam melhor do funcionamento real. por isto. dimensionando o valor de Re. Leitura Complementar Modelagem do transistor para análise CA O transistor em um circuito elétrico é substituído pela combinação de elementos apropriadamente escolhidos. O modelo híbrido requer cálculos mais complexos.

coletor base base coletor re` emissor Figura 35 . dI/dV = 40Ise40V Pode-se escrever na forma dI/dV = 40( I + Is) 128 .T ö . q/kT é aproximadamente igual a 40 (CIPELLI. por isso é aplicada ao diodo somente quando a tensão através da resistência for desprezível.V k . pode ser deduzida como segue: A equação da junção PN retangular deduzida por Shockley (substituída pela resistência re´ no modelo) é: Onde: I = æ Is ç e ç è q .1 ÷ ÷ ø (1) I = corrente total do diodo Is = corrente de saturação reversa V = tensão total através da camada de depleção q = carga de um elétron (1. À temperatura de 25¡C.1 torna-se: I = Is(e 40V 1) Para obter re`.Transistor NPN emissor Figura 36 .1 com relação a V.38 10 -23 Joules/Kelvin) T = temperatura absoluta (ºK) A descrição da Eq. do modelo de Erbers Moll. diferencia-se a Eq.1 não inclui a resistência de corpo de cada lado da junção.Modelo Erbers Moll Onde: re´ = resistência a passagem do sinal alternado no emissor.6 10 -19 Coulomb) k = constante de Boltzmann (1. SANDRINI. 2001: 98) e a Eq.

fixando-se duas variáveis dependentes e duas independentes. de tal forma que ele possa ser modelado matematicamente: Variáveis: v1 = tensão de entrada v2 = tensão de saída i1 = corrente de entrada i2 = corrente de saída Convenção: Tensão positiva para cima Corrente positiva para dentro i1 + v1 _ Circuito Elétrico i2 + v2 _ Figura 36 . I é muito maior do que Is (caso contrário a polarização é instável).Quadripolo Genérico Essas quatro grandezas envolvidas podem ser relacionadas entre si por meio de funções lineares.Tomando-se o inverso resulta o valor de re` re´= dV/dI = 1/40( I + Is) = 25mV/ (I + Is) Em um amplificador linear prático.1997). o transistor é substituído por um único dispositivo denominado quadripolo. o valor prático de re` é: re´ = 25mV/ I Como se está tratando da camada de depleção do emissor. re´ = 25mV/Ie 5.4 Modelo Híbrido No modelo híbrido (MARQUES et al. a forma adotada é fixar v1 e i2 como variáveis dependentes e i1 e v2 como variáveis independentes (CUTLER. 1996). 129 . Para o modelamento do transistor. Por isso. acrescenta-se o índice e na corrente. tem-se modelo matemático de quadripolos. De acordo com essa escolha.

v2) Este tipo de modelo que fixa a tensão de entrada v1 e a corrente de saída i2 como variáveis dependentes. As equações se reduzem a v1 = h12.i 1 + h12.5. h 12. 1995). h 21 =i2/i 1 (saída em curto) h 21 (hf) É o ganho de corrente quando a saída está em curto. .i1 Logo: h 11= v1/i1 (saída em curto) h 11 (hi) É a impedância de entrada quando a saída está em curto. As equações se reduzem a: v1 =h11. e a corrente de entrada i1 e a tensão de saída v2 como variáveis independentes. denominados h11.v2 Logo: h 12=v1/v2 (entrada aberta) h 12 (hr) Ganho de tensão reverso com entrada aberta h 22 = i 2/v2 (entrada aberta) h 22 (ho) Admitância de saída com entrada aberta Conhecidos os parâmetros h do quadripolo. definindo as duas funções lineares f1 e f2 da seguinte forma : v1= h11. como segue: . exatamente por misturar tensão e corrente como variáveis dependentes e independentes (BADHERT. os parâmetros h e seus significados físicos podem ser obtidos fixando-se o valor de uma das variáveis independentes. Para relacionar essas tensões e correntes.h12 e h22 Para i1 = 0.i1 + h22.h11 e h21 Para v2 = 0.1 Modelamento matemático do quadripolo v1 = f1 (i 1.v2 Assim.v2 e i2 = h22.4. é denominado modelo híbrido. o quadripolo deve ser formado por quatro parâmetros h internos e constantes. seu modelo elétrico fica determinado como segue. h21 e h22.v2) i2 = f2 (i1.i 1 e i2 = h21.v2 i2 = h21. 130 .

Dado o circuito da Figura 8. No teorema de Norton.38 2. 1995). um circuito com múltiplas malhas é reduzido para uma fonte de tensão em série com uma resistência . Figura 8. tem-se na entrada o teorema de Thevenin e na saída o teorema de Norton.39.i 1 + ho. determine a reta de carga cc e indique o ponto quiescente.i1 + hi i2 + v2 _ v1 _ hr v2 hf i1 h0 Figura 37 Modelo híbrido para o transistor As equações de Kirchhoff para este modelo são: v1= hi.i1 + hr. Vcc = 12V e beta = 100 . um circuito com muitas malhas é substituído por uma fonte de corrente e uma resistência em paralelo (MALVINO. Dado: R1= 10KW. No teorema de Thevenin. determine a reta de carga cc e indique o ponto quiescente.v2 i2 = hf. Dado o circuito da Figura 8.2KW .v2 Neste modelo elétrico.38. 131 .9KW. R4 = 820W . R2 = 3. R3 = 2. Exercícios 1.

Vcc = +12V.2KW. Vbb = 6V . Figura 9.39 3. b1 = 100 e b2 = 130. Vcc = 12V.41.7KW.40 4. O beta na região ativa é de 100. Determine a reta de carga cc .40. Dado: Rb = 2. Considere o circuito da Figura 8. 132 . Re = 820W.7MW. indique o ponto quiescente na reta e determine Vc. determine a corrente Ie2. Vee = -5V e ganho de corrente de 120 Figura 8.Dado: Rc = 3. Rb = 330KW. Re2 = 1. Dado o circuito da Figura 8.

Figura 8. Beta = 40 e Vbe = 0. Observe o circuito.43 Sabendo-se. em Amperes. 133 . Determine: a) O ganho de corrente (bcc).42 Figura 8. para temperatura de 50°C no RTD? 6.42 e o gráfico.43.41 6. R2 = 40KW e Re = 340W.6V. mostra um circuito transistorizado operando na região ativa com Vbe = 0. Figura 8.. exibida pelo Amperímetro A1.figura 8. qual a corrente. b) Considerando que o circuito apresenta R1 = 110KW. Determine os valores aproximadamente de Rc em W. e Ib. em mA.55. no Transistor Tr1. Figura 8.7V e as curvas características do transistor com a reta de carga correspondente. A Figura 8.

os seguintes intervalos de tempo: T1 de 0s a 1s T2 de 1s a 3s T3 de 4s a 6s É correto afirmar que os estados do transistor. d) cortado. operando na região linear e saturado. c) operando na região linear. Nele. b) saturado. respectivamente. T2 e T3. temos o circuito de um transmissor eletrônico analógico de informação. A figura8. cortado e saturado.45 8.Figura 8. Figura 8. são: a) saturado. submetido no circuito transitorizado. Considere.45 ilustra o sinal de tensão de entrada Vê. na curva. nos intervalos T1. cortado e operando na região linear.44 7. a saída está localizada onde está o Amperímetro A1 e a sua entrada é S1. e) cortado. operando na região linear e cortado. saturado e operando na região linear. No esquema da Figura 8. 134 .46. que é a chave do sensor de fim de curso de uma válvula.

mostra um simples provador de continuidade. Dado: Vcc = 12V. no qual a placa não apresenta defeito.47 10.7V. S2 Fechada = 20mA em A1. A barreira de potencial do led1 = 2V e do led 2 = 1.Figura 8. Determine Vce e Ic no transistor 2 ao medir a continuidade em uma placa de circuito impresso. Considere a barreira de potencial no led de 2V e o beta para os dois transistores de 100.46 Este transmissor deve enviar as seguintes informações: S1 Aberta = 4mA em A1. Foi montado em laboratório o circuito da Figura 8. A chave S1 deve está fechada. Sabendo que o transistor tem os seguintes dados: beta = 200 e Vbe = 0. 135 .7V.47. Figura 8. A continuidade é indicada pelo led. Quais os valores dos potenciômetros P1 e P2 em KOhms? 9. Algum led irá aceder? Explique o que acontecerá. A figura 8. Para que apresente uma boa luminosidade deve passar uma corrente de 10mA em cada led.48.

Figura 8.48 11. calcule o valor do resistor da base. e da corrente Iz no Zener. os valores de tensão de saída Vo. Dado o circuito(Figura 8.50). Figura 8. Existem chaves reed swich normalmente aberta e normalmente fechada.2V e um transistor com b = 100 e Vbe = 0. mostra um conversor DC/DC que utiliza um diodo Zener de tensão nominal de 8.Figura 8. em volts. No circuito foi utilizada uma 136 .Dado o circuito (Figura 8. para que a corrente que circule no motor seja de 1mA quando o sensor for ativado. Determine. em mA.49 12. O ganho de corrente do transistor é de 100 e o sensor é uma chave reed switch. OBS.50 13.51).49. determine a tabela da verdade e indique qual porta lógica o circuito está representando. O circuito da figura 8.7V.

Para o circuito deseja que com a incidência de luz o relé seja energizado. A resistência do relé é de 100W. No circuito foi utilizado um LDR.chave normalmente aberta que funciona da seguinte forma: Normalmente está aberta e ao aproximar do imã a chave fecha. Usando a mesma tensão de alimentação do circuito de controle e o transistor Darlington. Ele deve ser acionado por um circuito de controle que fornece 12V de tensão na saída. no qual com a incidência de luz a resistência é de 400W e na ausência de luz a resistência é de 1MW. Figura 8.51 14. Parâmetros do transistor Darlington Ganho de corrente 1500 Ic máx = 150mA Vbe sat = 1.52 15.4V Vce sat= 1V 137 . Figura 8. especifique os resistores Rb eRc. conforme o esquema abaixo. (Figura 8. Um motor CC opera com tensão de 5V e corrente de 100mA.Projete o circuito para que o transistor funcione como chave.53).52). (Figura 8.

1 resistor de 5. 560 (0.Monte o circuito da Figura 8. . . Material necessário: . no qual o transistor irá operar como chave.1 Fonte de alimentação 10V.53 Experiência no Laboratório Experiência 12 Transistor como chave Neste circuito.1 multímetro (analógico ou digital).1 transistor NPN (BC338). 138 .25W).54.6K . deve-se montar o circuito. . . Procedimento: 1.1 led.Figura 8.

Ie.1 multímetro (analógico ou digital).1 resistor de 330 (0. Coloque a chave na posição 2 e meça Ib.Vce e Vcb. .Ie.Monte o circuito da Figura 8. Procedimento: 1.55. . .Figura 8.Ic.2 Fontes de alimentação 8V.25W). no qual o transistor irá operar como fonte de corrente.54 2. . Experiência 13 Transistor como Fonte de corrente Neste circuito. no qual Vbb = 3V e Vcc = 8V: 139 . Material necessário: . 3.Ic. Coloque a chave na posição 1 e meça Ib.1 led. Vbe. deve-se montar o circuito. Vbe.Vce e Vcb.1 transistor NPN (BC338).

25W). Material necessário: . no qual a porta deve estar fechada e ao abri-la.6K (0.4 pilhas em um suporte para 4 pilhas ( duas em série e duas em paralelo).1 Chave reed swich (normalmente fechada). DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Alarme para porta com transistor Neste circuito.Figura 8. 140 . (ou equivalente). -1 Transistor BC338.55 2. Aumente progressivamente a tensão na base até igualar a tensãoVcc(8).1 resistor 5. Circuito (Figura 8.1 Buzzer de 6V. . você vai montar um alarme para porta. deve acionar um buzzer. Explique porque o led apagou.56). . .

Figura 8.56

0 íma deve ficar na porta e o circuito como mostra a Figura 8.57.

Figura 8.57

A chave reed swich é normalmente fechada. No circuito, como a porta normalmente está fechada e o imã fica próximo a chave reed swich, a chave reed swich fica aberta. Ao abrir a porta, afasta o imã da chave reed swich e a chave reed swich fecha, fazendo com que circule corrente na base, desta forma o transistor deve entrar na região de saturação e acionar o buzzer.

Alarme de passagem
Neste circuito, uma fonte de luz deve sempre estar inserindo no fototransistor, ao bloquear esta emissão de luz, uma lâmpada será acesa. Material necessário

141

-1 bateria de 12V; - 1 diodo 1N4004; - 1 lâmpada de 12V; - 1 resistores de 68KW, 1/4W; - 2 resistores 1K; 1/4W; - 1 transistor BC338; - 1 capacitor 100mF, 16V; - 1 capacitor 0,01mF, 16V; - 1 fototransistor (qualquer um serve); - 1 CI 555; - 1 relé 12V. Circuito

Figura 8.58

Neste circuito (Figura 8.58), uma fonte de luz deve estar inserindo luz no fototransistor, pode ser uma lanterna, e o fototransistor está funcionando como uma chave fechada. A tensão de 12V está sobre o resistor de 1KW. No pino 2 do CI 555, tem-se uma alimentação de 12V. A saída (pino 3)fica em 0V. Quando ocorre o bloqueio da luz sobre o fototransistor, este entra na região de corte e entra 0V, sobre o pino 2. A saída do CI555(pino 3) sai aproximadamente 12V(na prática sai uma tensão menor devido as perdas no CI) e o transistor entra na região de saturação. O relé é acionado e a lâmpada de 12V é acesa. O tempo em que a lâmpada permanece acesa é calculado pela seguinte expressão: T = 1,1 RC = 1,1x68Kx100m = 7,48s. Após este tempo a lâmpada apaga.

142

CAPÍTULO 9 - OUTROS COMPONENTES ELETRÔNICOS
Introdução
Além dos diodos e transistores bipolares, existem vários outros componentes eletrônicos. Alguns desses componentes são usados em eletrônica de potência ou em circuitos osciladores e apresentam comportamentos completamente diferentes daqueles já estudados. Neste capítulo iremos explorar alguns desses componentes.

9.1 Transistor de Unijunção (TUJ)
Os transistores de unijunção (TUJ) são projetados para trabalharem em osciladores, circuitos temporizadores e disparadores (triggering). Embora sejam chamados de transistores e possuírem três terminais, sua constituição física é muito diferente de um transistor bipolar convencional, como podemos verificar na Figura 9.1. Um TUJ é dispositivo de baixa potência, com dissipação máxima de 300 mW. Na Figura 9.2 temos um equivalente elétrico para o TUJ e um circuito de teste. São exemplos de TUJ os seguintes componentes: 2N2646, 2N2647, 2N4870, 2N4871.

Junção pn

B2 B2

E Bastão de alumínio

E

B1 Silício tipo n B1

(a)
Figura 9.1 TUJ: (a) construção básica, (b) símbolo.

(b)

9.1.1 Funcionamento Pela Figura 9.2 (a), vemos que se a tensão VE do emissor for menor que 0,7 + VRB1 o diodo se encontrará inversamente polarizado, IE será praticamente nula e corrente que circula pelo componente será dada pela tensão de alimentação divida pela resistência interbase RBB. O valor de RBB fica normalmente entre 4 k e 9 k . Nessa situação, quando IE = 0, a tensão VRB1 é calculada por: RB1 VRB1 = VBB = hVBB . RB1 + RB 2
143

2 Aplicação típica: oscilador de relaxação Na Figura 9. 9. Isso faz com que o capacitor se descarregue rapidamente através do resistor Rb1. isto é. A frequência desse oscilador é aproximadamente dada por: f @ 1 . que será estudado mais adiante. 144 . o capacitor vai se carregando através do resistor R1.55 e 0. estudaremos um componente mais simples . æ 1 ö R1C1 lnç ç 1 -h ÷ ÷ è ø A dedução dessa fórmula envolve algum conhecimento de cálculo e de transitórios CC. a razão entre RB1 e RBB. O valor de pode variar. quando VE > VD + VRB1. o SCR (silicon controlled rectifier). estando fora do escopo deste livro. O valor ( eta ) é a razão intrínseca do TUJ. Antes.2 (b) temos uma aplicação típica para o TUJ. tipicamente. Note que na base 1 são gerados pulsos periódicos. ocorre uma redução drástica no valor de RB1 e passa a circular uma corrente maior pelo TUJ. porém. Nesse circuito.85. Esses pulsos podem ser usados para ativar um outro dispositivo. Quando a tensão VE se aproxima de VRB1 mais a tensão de polarização do diodo do emissor. (b) circuito de teste.2 TUJ: (a) equivalente elétrico. Quando a tensão do capacitor atinge o valor crítico para a condução. o diodo de quatro camadas Schockley.1. ocorre uma injeção de lacunas na região N correspondente a RB1 e a tensão do emissor cai rapidamente. entre 0.B2 RB2 VBB IE E RBB = R B1 + RB2 (IE = 0) VE RB1 VBB B1 (a) (b) Figura 9. isto é.

diodo com duas camadas. o diodo de quatro camadas ou diodo Shockley (não confundir com o diodo Schottky. (b) modelo de estudo para a trava ideal . (c) trava formada por dois transistores. A Figura 9.3 (c) (b) (a) Diodo Schockley (diodo de quatro camadas). (b) representação das quatro camadas PNPN. (c) Diodo Schottly (diodo de duas camadas).9.4.3 mostra a simbologia do diodo Shockley (diodo que iremos estudar) e do diodo Schottly. (a) Dispositivo de quatro camadas. (a) Figura 9. 9.2. por exemplo. em computadores).1 Funcionamento Para entender o funcionamento do diodo Schockley devemos analisar o funcionamento do circuito conhecido como trava ideal .4 (b) (c) . (a) Figura 9. usado em aplicações que exigem altas freqüências. indicado na Figura 9. como.2 DIODO DE QUATRO CAMADAS O estudo dos tiristores deve começar pelo dispositivo que origina toda a família. 145 .

Figura 9. O coletor do transistor NPN é ligado na base do transistor PNP. a corrente na base do transistor PNP também aumentará. consequentemente. O único modo de abri-lo é através do desligamento por baixa corrente. Desta forma o diodo Schockey irá funcionar como uma chave fechada.5. Com polarização reversa o diodo se comporta como um diodo comum. Temos uma realimentação positiva conhecido como regeneração. a corrente do coletor também diminuíra. Com polarização direta o diodo apresenta alta resistência enquanto a tensão for menor do que um valor chamado de tensão de breakover (UBO). funcionado como uma chave fechada. apresentando altíssima resistência. Como conseqüência.5. ou aplicar uma corrente na base do transistor NPN. somente voltando a cortar quando a tensão (corrente) de anodo cair abaixo de um valor chamado de tensão (corrente) de manutenção. Se a corrente da base do transistor NPN aumentar. Significa reduzir a corrente para um valor abaixo da corrente de manutenção (IH) ou tensão de manutenção (UH). Curva característica do diodo de quatro camadas Schockley. A corrente na base do transistor NPN aumentará mais e o ciclo continua até os dois transistores entrarem em saturação. Acima deste valor o dispositivo dispara passando a conduzir. conhecida como tensão de breakover (UBO). O ciclo irá se repetir até que os dois transistores entrem na região de corte. se alguma coisa fizer a corrente da base do transistor NPN diminuir. Por outro lado. O modo mais comum de disparar do diodo Schockley é através da interrupção. A curva característica do diodo Schockley é mostrada na Figura 9. Teremos uma chave aberta. observamos que o coletor do transistor PNP é ligado na base do transistor NPN. 146 . A tensão de breakover significa aplicar uma tensão de alimentação suficientemente grande no emissor do transistor PNP. O efeito é o mesmo que aplicar um disparo. de forma a saturar os dois transistores. Se a tensão reversa exceder a tensão de breakdown (UBK) o diodo será destruído. a corrente da base do transistor PNP também diminuirá ocasionando uma diminuição na corrente do coletor do transistor PNP.3-(c).Analisado a Figura 9. UH (IH). a corrente do coletor do transistor também NPN aumentará.

Sem esse disparo.3 Diodo controlado de silício (SCR) O SCR é um dispositivo de quatro camadas que foi desenvolvido no Bell Telephone Laboratory (EUA) em 1957. Esses componentes são aplicados principalmente na área de eletrônica de potência. 147 . o SCR permanece bloqueado mesmo quando está diretamente polarizado. É um dos mais usados e difundidos tiristores. Um SCR é basicamente um diodo de quatro camadas unilateral no qual foi colocado um terceiro eletrodo chamado de gate (G) ou porta usado para controlar o disparo do diodo por injeção de corrente.6 (a) Camadas e junções do SCR. 9.9. (a) (b) (c) Figura 9. A estrutura básica de um SCR é mostrada na Figura 9.1 Estrutura e funcionamento do SCR O funcionamento de um SCR é semelhante à de um diodo de silício após o disparo de sua porta (gate). (b) símbolo do componente.6 e seu funcionamento é explicado a seguir. mas com corrente de porta nula. Figura 9.3. (c) exemplo de encapsulamento (TO220). Tiristor é um nome genérico dado a uma família de componentes semicondutores formado por quatro camadas (PNPN).7 SCR polarizado diretamente.

Por exemplo. a chave A é usada para disparar e a chave B para resetar o SCR. A corrente de gate necessária para disparar o SCR é designada IGT e pode ser da ordem de mA no caso do TIC 106. é necessário pelo menos uma tensão de 0. Após disparar. 9.5V ). a corrente de disparo será especificada pelo fabricante. Como vimos anteriormente. No circuito da Figura 9.Quando o circuito mostrado na Figura 9. Este estado é alterado após um disparo de corrente no gate. UH (IH) cujo valor depende do tipo de SCR.7 é montado em laboratório. será necessário uma corrente mínima. O SCR só volta a cortar quando a tensão (corrente) cair abaixo de um valor chamado de tensão (corrente) de manutenção.5mA enquanto o TIC116 tem IH @ 15mA.8. A porta de um SCR é aproximadamente equivalente a um diodo. ou seja.9. a analise de funcionamento leve em conta os seguintes passos: a) com as chaves Ch1 e Ch2 abertas. Por esta razão. A tensão de anodo cai para um valor baixo (0. verifica-se que o SCR funciona como uma chave aberta. b) fechando a chave Ch1. Para o circuito mostrado na Figura 9. que irá depender do SCR utilizado. Figura 9.2 Aplicações em CC típicas para o SCR Em CC deve ser previsto circuito de reset após o SCR disparar.3.8 SCR em circuito CC. a porta. Além disso. um diodo de quatro camadas pode ser representado por dois transistores ligados com realimentação de um para o outro. o TIC106 tem IH@ 0. poderemos injetar corrente nesse eletrodo disparando a estrutura de quatro camadas. o SCR passa da condição de alta resistência para baixa resistência. Se adicionarmos um terceiro eletrodo. c) fechando a chave Ch2. 148 .5V a 1.7V para disparar o SCR. Bloqueio por capacitor.

voltando a cortar quando a tensão (corrente) cair abaixo de um valor chamado de tensão (corrente) de manutenção.10.10. Já a Figura 9. UH (IH ). 149 . .Figura 9. (a) Símbolo do diac e (b) sua estrutura interna. ultrapassar um determinado valor chamado de tensão de breakover (UBO).11 mostra a sua curva característica.4 Diac O diodo de quatro camadas bilateral (DIAC = Diode AC) é um dispositivo de quatro camadas que pode conduzir nos dois sentidos quando a tensão aplicada. com qualquer polaridade. O símbolo do diac e a sua estrutura interna são mostrados na Figura 9. (a) (b) Figura 9. 9.9 SCR em circuito CC com bloqueio por capacitor.

9.11. (b) símbolo do TRIAC. Uma vez que o diac está conduzindo. desta forma.12.12. O DIAC não conduz até que a tensão através dele exceder a tensão de interrupção em qualquer sentido.12. pode ser usado o circuito visto com dois SCRs em antiparalelo. a única forma de abri-lo é através de um desligamento por baixa corrente.). O TRIAC. como mostra a Figura 9. (a) Hipotético circuito de controle de carga AC usando dois SCRs.5 Triac Quando é necessário controlar a potência em uma carga AC. O TRIAC também pode ser entendido como um DIAC no qual foi adicionado um terminal de controle permitindo disparar o dispositivo com diferentes valores de tensão.Figura 9. Como o TRIAC dispara com tensão positiva ou negativa não tem mais sentido em falar em anodo (terminal +) e catodo (terminal . ao invés disso os dois terminais são chamados de terminal principal 1 (T1) e terminal principal 2 (T2). Curva característica do diac. Isto significa reduzir a corrente abaixo da corrente de manutenção especificada pelo componente. pode ser entendido como sendo equivalente a dois SCR s ligados em antiparalelo. ou usar um TRIAC. também mostrado na Figura 9. com corrente nos dois sentidos. 150 . Figura 9.

sendo necessário o uso de um dissipador. daí os circuitos que efetuam este tipo de controle ser chamados de Zero Voltage Switching (ZVS). 151 .9. A Figura 9. não há aparecimento de arco voltaico (o que acontece com um relé). TRIAC não apresenta trepidação (o que acontece com um relé) ao conduzir. controlar grandes potências a partir de potências relativamente pequenas.14.13 ilustra essa aplicação. A grande desvantagem é a dissipação de calor. principalmente se no instante que o TRIAC for gatilhado a tensão da rede estiver passando por um pico e a carga for resistiva. o circuito ZVS comanda o disparo do TRIAC somente quando a tensão de entrada estiver passando próximo de zero. principalmente no caso de circuitos resistivos. apresentamos algumas aplicações típicas para o TRIAC. No modo síncrono o TRIAC somente será levado à condução quando a tensão da rede estiver passando próximo do zero. não deixando o TRIAC disparar se a tensão de entrada for muito alta.4.2 Aplicações típicas para o TRIAC A seguir. por exemplo. Figura 9. Chave assíncrona com TRIAC. Outra desvantagem é a possibilidade de aparecimento de grandes picos de corrente ao ligar o circuito a primeira vez.13. Permite. CHAVE ESTÁTICA SÍNCRONA O TRIAC operando no modo assíncrono tem como principal inconveniente o fato da possibilidade de serem gerados surtos de corrente muito elevados no instante que o TRIAC é chaveado. CHAVE ESTÁTICA ASSINCRONA O uso do TRIAC como chave assíncrona em circuitos CA leva algumas vantagens em relação à chave mecânica. permitindo um grande número de operações. Na Figura 9.

Após um tempo. 152 .15. Figura 9. Controle de Potência Dimmer. C2 se carrega depois gerando um atraso.15 mostra um circuito simples que controla a potência de uma lâmpada usando o TRIAC. O capacitor C2 se descarrega através do DIAC e no gate do TRIAC disparando-o para um determinado ângulo de disparo. o DIAC dispara quando a tensão no capacitor C2 atingir a tensão de disparo (breakover). é dados logo a seguir.14. e isso pode ser feito alterando-se o angulo de disparo durante cada semi ciclo.Figura 9. Chave síncrona com TRIAC. Circuito de controle de potência Dimmer. A luminosidade de uma lâmpada pode ser controlada através da variação da potência elétrica que lhe é entregue. O capacitor C1 é carregado (no semiciclo positivo ou semiciclo negativo) através do potenciômetro de controle Rv e a resistência R1. A Figura 9. O seu funcionamento. em linhas gerais.

16. Figura 9.17. Formas de onda da tensão na carga para um ângulo de disparo. A Figura 9.16. Circuito de controle de potência com filtro de RF (Lf e Cf). funcionam como um filtro que reduzem essas interferências a níveis aceitáveis.A mudança brusca de corrente de zero para um determinado valor produz rádio freqüência (RF) que causa interferências em aparelhos de rádio colocados na mesma rede. 153 . Figura 9. mostrados na Figura 9. O indutor Lf e o capacitor Cf.17 mostra as formas de onda da tensão na carga para um determinado angulo de disparo.

Ex3: O circuito abaixo é um detector de sobretensão. Considere a corrente de manutenção no diodo de 6mA e a queda de tensão de 0.Exercícios Ex1: Dado o circuito determine a corrente no diodo. Considere a tensão de interrupção do diodo de 12V e a queda tensão de 1. Dado: Fonte de alimentação = 10V.2K . a) Para Vf = 8V b) Para Vf = 20V Ex2: Dado o circuito determine o valor da tensão de alimentação que produz o desligamento do diodo por baixa corrente.2 k . R= 2. R = 1. Explique o funcionamento. 154 .6V no ponto de desligamento. Tensão de interrupção do diodo de 12V.2V.

Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos . Jacob. 580 p. Adel S. 1987. LEACH. GRABEL. Charles. Christos C. CIPELLI. Eletrônica: dispositivos e circuitos . 2000. 6. v. Microelectronica. Waldir João. v. FERNANDES. Antônio Marco Vicari. NASHELSKY.1 . 1986.BIBLIOGRAFIA CONSULTADA BOYLESTAD. SCHILLING. Donald P. 629 p.1044-4. Rio de Janeiro (RJ): Guanabara Dois. Teoria e desenvolvimento de projetos de circuitos eletrônicos. 1979. Arvin.1. ISBN 85-346-0455-X. São Paulo (SP): Makron Books. Lisboa (Portugal): McGraw-Hill. Donald. 150p.. 700 p.1. Microeletrônica . HALKIAS. Louis. Eletrônica .v. Kenneth C. 155 . MILLMAN. 2002. ISBN 972-9241-16-3.346. São Paulo (SP): Pearson Education do Brasil. 2002. 1992. Circuitos eletrônicos discretos e integrados. SANDRINI. MALVINO. Ambiente computacional para o ensino de amplificadores para pequenos sinais. Rio de Janeiro: LTC. 1999. Albert Paul. São Paulo (SP): McGraw-Hill do Brasil. Robert.ed. Fortaleza (CE)..v. L. Fabíola Soares. 2 v.1 . BELOVE. São Paulo (SP): Érica. Rio de Janeiro (RJ): Prentice-Hall do Brasil. SMITH. MILLMAN. SEDRA. 1981. Jacob. ISBN 85. ISBN 85-7054-008. 1984.

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