Diodos e Transistores Bipolares: Teoria e Práticas de Laboratório

Fabiola Fernandes Andrade Francisco José Alves de Aquino

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Fabiola Fernandes Andrade Francisco José Alves de Aquino

Diodos e Transistores Bipolares: Teoria e Práticas de Laboratório

IFCE Fortaleza, 2010

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Sumário
CAPÍTULO 1 SEMICONDUTORES .........................................................................................................................7 Introdução .....................................................................................................................................................................7 1.1 Materiais semicondutores ......................................................................................................................................7 1.1.1 O átomo de silício ...........................................................................................................................................8 1.1.2 O átomo de germânio .....................................................................................................................................9 Exercícios ...................................................................................................................................................................10 1.1.3 Semicondutores do tipo P e N ......................................................................................................................11 1.1.4 O diodo ..........................................................................................................................................................12 1.2 Polarização do diodo............................................................................................................................................13 1.2.1 Polarização direta..........................................................................................................................................14 1.2.2 Polarização reversa .......................................................................................................................................14 Exercícios ...................................................................................................................................................................15 1.3 Informações Práticas............................................................................................................................................16 Exercícios ...................................................................................................................................................................18 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................19 CAPÍTULO 2 TEORIA DOS DIODOS ....................................................................................................................21 Introdução ...................................................................................................................................................................21 2.1 Curva característica do diodo ..............................................................................................................................21 2.2 Polarização Direta ................................................................................................................................................22 2.3 Polarização Reversa ........................................................................................................................................22 2.4 Modelos Do Diodo...............................................................................................................................................22 2.4.1 Diodo Ideal ....................................................................................................................................................22 2.4.3 Modelo linearizado .......................................................................................................................................24 Exercícios ...................................................................................................................................................................24 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................25 CAPÍTULO 3 CIRCUITOS COM DIODOS ............................................................................................................29 Introdução ...................................................................................................................................................................29 3.1 Tensão Senoidal ...................................................................................................................................................29 3.2 Transformador ......................................................................................................................................................30 3.3 Circuito Retificador de Meia-Onda ....................................................................................................................31 3.4 Circuito Retificador de Onda Completa .............................................................................................................35 3.5 Retificador Em Ponte...........................................................................................................................................40 3.6 Comparação Entre As Frequências Dos Circuitos Retificadores .....................................................................43 Exercícios ...................................................................................................................................................................44 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................47 Capacitor variável ......................................................................................................................................................49 CAPÍTULO 4 - CIRCUITOS RETIFICADORES COM FILTRO ............................................................................50 Introdução ...................................................................................................................................................................50 4.1 Circuito Retificador de Meia-Onda com Filtro Capacitivo ...............................................................................50 4.2 Circuito Retificador de Onda Completa com Derivação Central e Filtro Capacitivo .....................................53 4.3 Retificador em Ponte com Filtro .........................................................................................................................56 Exercícios ...................................................................................................................................................................59 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................62 CAPÍTULO 5 OUTRAS APLICAÇÕES PARA O DIODO ...................................................................................66 Introdução ...................................................................................................................................................................66 5.1 Rádio elementar ...................................................................................................................................................66 5.2 Diodo nos circuitos de proteção ..........................................................................................................................66 5.3 Circuito Tanque....................................................................................................................................................67 5.3.1 Propriedades do indutor....................................................................................................................................67

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5.4 Circuito ressonante ..............................................................................................................................................68 5.5 Circuito tanque na geração de sinais de rádio ....................................................................................................70 Exercícios ...................................................................................................................................................................71 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................71 CAPÍTULO 6 - CIRCUITOS LIMITADORES (CEIFADORES) E GRAMPEADORES.......................................74 Introdução ...................................................................................................................................................................74 6.1 Circuitos Limitadores ..........................................................................................................................................74 6.2 Circuitos Grampeadores ......................................................................................................................................80 Exercícios ...................................................................................................................................................................84 Experiência no Laboratório .......................................................................................................................................85 CAPÍTULO 7 DIODOS ESPECIAIS ........................................................................................................................88 Introdução ...................................................................................................................................................................88 7.1 Diodo Zener..........................................................................................................................................................88 7.2 Diodo Emissor De Luz (LED) ............................................................................................................................92 7.3 Diodo Túnel..........................................................................................................................................................94 7.4 Diodo Varicap (Varactor ou VVC).....................................................................................................................96 Revisão........................................................................................................................................................................97 Experiência no Laboratório .....................................................................................................................................100 CAPÍTULO 8- TRANSISTOR BIPOLAR ................................................................................................................105 Introdução .................................................................................................................................................................105 8.1 Constituição de um transistor bipolar ...............................................................................................................105 8.2 Polarização do Transistor ..................................................................................................................................106 8.3 Configurações Básicas do Transistor ...............................................................................................................109 8.3.1 Configuração Emissor comum...................................................................................................................109 8.3.2 Configuração Base comum ........................................................................................................................112 8.4 Transistor como Chave ......................................................................................................................................125 8.5 Transistor como Fonte de Corrente ..................................................................................................................126 Exercícios .................................................................................................................................................................131 Experiência no Laboratório .....................................................................................................................................138 Alarme para porta com transistor ............................................................................................................................140 Alarme de passagem ................................................................................................................................................141 CAPÍTULO 9 - OUTROS COMPONENTES ELETRÔNICOS ..............................................................................143 Introdução .................................................................................................................................................................143 9.1 Transistor de Unijunção (TUJ) .........................................................................................................................143 9.1.1 Funcionamento............................................................................................................................................143 9.1.2 Aplicação típica: oscilador de relaxação ...................................................................................................144 9.2 DIODO DE QUATRO CAMADAS ................................................................................................................145 9.2.1 Funcionamento............................................................................................................................................145 9.3 Diodo controlado de silício (SCR)....................................................................................................................147 9.3.1 Estrutura e funcionamento do SCR ...........................................................................................................147 9.3.2 Aplicações em CC típicas para o SCR ......................................................................................................148 9.4 Diac .....................................................................................................................................................................149 9.5 Triac ....................................................................................................................................................................150 9.4.2 Aplicações típicas para o TRIAC ..............................................................................................................151 Exercícios .................................................................................................................................................................154 BIBLIOGRAFIA CONSULTADA ............................................................................................................................155

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CAPÍTULO 1 SEMICONDUTORES
Introdução
Antes de iniciar o estudo sobre materiais semicondutores, vamos compreender a sua importância e exemplos de aplicações dos componentes que será abordado neste livro. O homem contemporâneo utiliza no seu dia a dia muitos equipamentos eletrônicos, tais como celular, computador, televisão e vários outros dispositivos. Todos estes equipamentos, no qual o homem faz uso é constituída a base de materiais semicondutores. Como ocorreu a descoberta destes materiais? Na década de 1940, um grupo de pesquisadores que trabalham no laboratório Bell Telephone, nos Estados Unidos, estudava um dispositivo eletrônico para substituir os relés que eram utilizados no sistema telefônico. O grupo era formado pelo físico William Schockey, o engenheiro eletricista Jonh Bardeen e o físico Walter Brattain. Este grupo observou que alguns materiais não se comportavam nem como condutores nem como isolantes, ou seja, ora conduzia corrente elétrica ora a bloqueava. Após a descoberta dos materiais semicondutores, foi possível a implementação de diodos, transistores, CIs, etc. Os países que investiram em materiais semicondutores tiveram um grande avanço em sua economia, uma vez que, constitui em um dos setores mais ativo da indústria. Com exemplo, podemos citar Taiwan, no qual, antes da década de 1970 era uma economia agrícola, produzia arroz, cana-de açúcar e abacaxi. A partir da década de 1970 investiu em tecnologia, especialmente em semicondutores. A sua estratégica para o desenvolvimento de uma política industrial e tecnológica foi baseada na experiência de parques tecnológicos (vale do silício). Na década de 2000, a China inspirou-se no modelo de Taiwam e também investiu em semicondutores com o objetivo de tornar a China o líder mundial em semicondutores em 2010. Compreender a estrutura química dos materiais semicondutores é de total importância para que possamos entender o funcionamento dos principais componentes da eletrônica como o diodo e o transistor que será abordado com detalhes neste livro. Manter a liderança dos EUA em micoreletrônica é criticamente importante para a economia e a segurança nacional dos EUA
China´s Emerging Semiconductor Industry, Documento da Semiconductor Industry Association, outubro de 2003.

1.1 Materiais semicondutores
Para o perfeito entendimento sobre os materiais semicondutores, iniciamos fazendo uma revisão sobre a estrutura atômica. Um átomo é formado por elétrons que giram ao redor de um núcleo composto por prótons e nêutrons.

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Os elétrons giram em órbitas ou níveis bem-definidos, conhecidos com K, L, M, N, O, P e Q, que representa o modelo atômico de Bohr, como mostra a Figura 1.1.
Q

M L K
núcleo

N

O

P

Quanto maior a energia do elétron, maior é o seu raio.

órbitas

Figura 1.1 - Estrutura do átomo

A última órbita de um átomo define a sua valência, ou seja, a quantidade de elétrons desta órbita que pode se libertar do átomo através do bombardeio de energia externa (calor, luz ou outro tipo de radiação) ou se ligar a outro átomo através de ligações covalentes (compartilhamento dos elétrons da camada de valência com os elétrons da camada de valência de outro átomo). Os materiais semicondutores apresentam 4 elétrons na sua camada de valência (tetravalentes). Não sendo classificados como bons isolantes, nem como bons condutores. Os semicondutores mais utilizados são o silício e o germânio. 1.1.1 O átomo de silício O átomo de silício contém 14 prótons e 14 elétrons distribuídos como indicado na Figura 1.2.
1º órbita 2 elétrons 2º órbita 8 elétrons 3º órbita 4 elétrons

+14

Figura 1.2

átomo de silício

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1.4 .2 O átomo de germânio O átomo de germânio contém 32 prótons e 32 elétrons assim distribuídos: +32 1º órbita 2º órbita 3º órbita 4 ºórbita 2 elétrons 8 elétrons 18 elétrons 4 elétrons Figura1.Ligação dos átomos de silício 9 . ou seja. para conseguir a configuração de gás nobre necessitam de mais 4 elétrons para a sua estabilidade.3.1. Figura 1. Forma-se então uma estrutura cristalina. possuir quatro elétrons na última camada. Quando se tem vários átomos de silício. cada átomo compartilha 4 elétrons com seus átomos vizinhos através da ligação covalente formando uma estrutura molecular forte.átomo de gemânio Devido os átomos de silício e de germânio serem tetravalentes.

a neutralidade deste cristal se mantém. b) O átomo de sílicio contém ______________elétrons. os elétrons livres se movem randomicamente através do cristal. Em um semicondutor intrínseco. A neutralidade do cristal. alguns elétrons da camada de valência se tornam elétrons livres. deste modo é mantida. formado apenas por um tipo de átomo. (O número de cargas positivas é igual ao número de cargas negativas). Quando isto ocorre temos o que é chamado de RECOMBINAÇÃO. c) O átomo de germânio contém_____________elétrons. por isso. Com _______elétrons na camada de valência. formam a corrente elétrica. ele é chamado de semicondutor INTRÍNSECO. em uma forma bem definida. ou seja. portanto. Em um cristal formado por germânio na temperatura ambiente a quantidade de elétrons livres e lacunas são maiores do que no cristal de silício. O tempo entre a geração e a recombinação é chamado de TEMPO DE VIDA. e quando se tem um cristal puro. ou seja. A recombinação é o fenômeno que ocorre quando elétrons livres ocupam a lacuna. coeficiente positivo de temperatura. como existem elétrons livres e lacunas formadas pela energia térmica. ocorre a formação de elétrons livres e lacunas. dizemos que estes materiais possuem coeficiente negativo de temperatura.Uma estrutura cristalina é caracterizada quando os átomos ficam bem organizados. sob a ação de um campo elétrico. Os metais têm. Quando o cristal de silício é colocado em uma temperatura superior ao zero absoluto (273 ºC). Com________elétrons na camada de valência. uma vez que com o aumento da temperatura a corrente terá maior dificuldade de passar. 10 . mas contribuirá de modo acentuado para um aumento da agitação térmica dos átomos. Sendo. sendo capazes de se movimentar pelo material. ou seja. neste caso. Se a forma fosse desorganizada seria chamada estrutura amorfa. qualquer aumento de temperatura corresponde a uma diminuição de sua resistência. ou seja. O elétron ao se tornar livre deixa no lugar um buraco (lacuna). portanto. Em um semicondutor com o aumento da temperatura temos uma diminuição de sua resistividade. já que o número de elétrons livres é bastante elevado e qualquer aumento da temperatura não causará a libertação de muitos elétrons a mais. que ocasionalmente ocupa uma lacuna (sendo atraído pela lacuna). diferente do comportamento elétrico dos metais comuns. Exercícios 1. Vale ressaltar que a formação de elétrons livres é chamada de GERAÇÃO. São estes elétrons livres que. o desaparecimento da carga negativa é acompanhado pelo desaparecimento da carga positiva. Nos metais com o aumento da temperatura a resistência aumenta. Complete a) Os semicondutores mais utilizados e mais comuns são o ______________ e o _____________. Na temperatura ambiente um cristal puro. porém a quantidade de elétrons livres é igual ao número de lacunas. passam para a camada de condução (banda de condução).

a configuração de gás nobre não é obtida. pois o silício possui 4 elétrons e só necessita de mais 4 elétrons para conseguir a configuração de gás nobre. i) O tempo entre a geração e recombinação é chamado ______________________.d) Os átomos de silício e de germânio por serem _____________. e) Cada átomo compartilha ______elétrons com seus átomos vizinhos através da ligação ___________________. sobra um elétron. isto é possuem 4 elétrons na camada de valência. Quanto substâncias pentavalentes (possuem 5 elétrons na camada de valência). Elétron livre Si Si Sb Si Si Figura 1.5 Estrutura de silício dopada com antimônio (Sb). f) Na temperatura ambiente. h) A ocupação de um elétron livre na lacuna é chamada __________________________. como se observa na Figura 1. 11 .1. g) A formação de elétrons livres é chamada ________________________. O silício e o germânio são tetravalentes. alguns elétrons da camada de valência se tornam ____________________________.3 Semicondutores do tipo P e N Em um semicondutor podem-se acrescentar impurezas para se obter excesso de elétrons livres ou excesso de lacunas. A cada átomo pentavalente que é adicionado. 1. pois apenas 4 elétrons se ligam aos átomo de silício.5. são adicionadas ao cristal puro. necessitam de mais________ elétrons para conseguir a configuração de gás nobre.

temos a formação do componente eletrônico chamado diodo. os elétrons livres são chamados portadores majoritários e as lacunas portadores minoritários. pois em toda a sua estrutura. a quantidade de elétrons livres é superior à quantidade de lacunas. 1. como mostra a Figura 1. como indica a Figura 1. sobra uma lacuna.4 O diodo Ao unir um semicondutor tipo P com um semicondutor tipo N.6 Material tipo N. (b) material tipo P correspondente. Temos a formação de um material tipo P.7.7 (a) Estrutura de silício dopada com boro (B). como mostra a Figura 1. irá faltar um elétron. 12 . Si Lacuna Si B Si P Si Figura 1. Componente este que será de grande importância para a construção de fontes de alimentação e muitas outras aplicações posteriormente discutidas. no entanto.6. onde as lacunas são os portadores majoritários e os elétrons livres portadores minoritários. ou seja. para que ocorra a estabilidade. acrescentarmos impurezas trivalentes. Se. N Figura 1. Como a quantidade de elétrons livres é maior do que a quantidade de lacunas.1.Nesse semicondutor temos o chamado material tipo N.8.

Então alguns elétrons passa do material tipo N para o material tipo P. Devido à camada de depleção.+ + + _ _ _ Junção PN Figura 1. Simbologia do diodo é mostrada na Figura 1. os átomo que perde o elétron fica ionizado positivamente (cátions) e os que recebem ficam ionizado negativamente (ânions). Na junção cria-se um campo elétrico impedindo que outros elétrons passem do material tipo N para o material tipo P. a camada de depleção é definida como a junção PN onde se encontra os cátions e ânions. temos o que é chamado de camada de depleção. ou seja. ficará ionizado positivamente.8 Diodo formado pela junção dos materiais tipo N e tipo P.2 Polarização do diodo Para o seu funcionamento.3V para os diodos de germânio. Na junção PN os elétrons livres do material tipo N é atraído pelas lacunas do material tipo P. A barreira de potencial na temperatura de 25ºC é de aproximadamente 0.9. embora tenham elétrons livres em excesso quem perde elétrons são os átomos. na operação do diodo é essencial saber a polaridade da fonte de tensão. Na junção PN. Diferentemente do que ocorre com um resistor. 1. ocorre a barreira de potencial. 13 . o diodo precisa ser polarizado.9 Símbolo do diodo de junção PN. anodo Anodo. Observe que no material tipo N.7V para os diodos de silício e 0.material tipo P Catodo material tipo N catodo Figura 1. e como no átomo o número de lacunas ficará maior que o número de elétrons. diferença de potencial na junção.

como mostra a Figura 1. esta quebra forma na superfície lacunas se comportando como um material tipo P. 1.10 Diodo polarizado diretamente.2 Polarização reversa Na polarização reversa o potencial positivo da fonte é ligado ao catodo (material tipo N) e o potencial negativo da fonte é ligado ao anodo (material tipo P). os elétrons podem entrar no material N atravessar toda a superfície do diodo passado pelo material tipo P indo para a polaridade positiva da fonte. passa pelo material tipo P e é atraído pelo potencial positivo da fonte. temos duas pequenas correntes que circulam no diodo. irá circular uma corrente elétrica pelo dispositivo. A corrente de saturação existe devido à energia térmica uma vez que são gerados pares de elétrons livres e lacunas. O potencial negativo repele os elétrons do material tipo N. atravessar a junção ocasionando uma pequena corrente. isto é. Na polarização reversa um diodo ideal se comporta como uma chave aberta.2. Os átomos na superfície não possuem vizinhos para fazer a ligação covalente.10. A corrente de saturação e a corrente de fuga de superfície. A corrente de fuga de superfície é ocorre na camada mais externa do diodo. na prática. onde se a tensão da fonte de alimentação for maior do que a barreira de potencial os elétrons atravessam a junção PN.1 Polarização direta Na polarização direta. N + + + _ _ _ P Figura 1.11. o potencial positivo da fonte é ligado ao anodo (material tipo P) e o potencial negativo da fonte ligado ao catodo (material tipo N). Ao polarizar diretamente um diodo ideal ele se comporta como uma chave fechada. Os portadores minoritários podem dentro da camada depleção.1. No entanto.2. como mostra a Figura 1. 14 . Por isso.

11 Diodo polarizado inversamente. Dado os circuitos. indique qual das lâmpadas irá acender. a) b) 15 .N + + + _ _ _ P Figura 1. Exercícios 1.

Diodos Retificadores. A Tabela 1 indica essa variação. Todos os diodos da série podem conduzir uma corrente direta de até 1 A.3 Informações Práticas Diodo de germânio Este tipo de diodo é utilizado com correntes muito fracas. da ordem de no máximo 200mA e tensões inversas que não vão além dos 100 V.1. mas a tensão reversa vai aumentando à medida que o número do componente também aumenta. Estes diodos são especificados segundo uma codificação: para os diodos de origem americana temos a sigla 1N . assim ele é utilizado principalmente na detecção de sinais de altas frequências (rádio). circuitos de proteção de transistores. polarização etc. OA79 etc. Diodo de silício de uso geral São diodos de silício fabricados para o trabalho com correntes de pequena intensidade. Tipo PIV 1N4001 50V 1N4002 100V 1N4003 200V 1N4004 400V 1N4005 600V 1N4006 800V 1N4007 1000V 16 . A Figura 1. Diodos retificadores de silício Estes são destinados à condução de correntes intensas e também operam com tensões relativamente elevadas que podem chegar a 1000V ou 1200V. Uma série muito importante destes diodos é a formada pelo 1N4000 e que começa com o 1N4001. O 1N4148 é um dos tipos mais populares deste grupo de silício de uso geral. São utilizados em circuitos lógicos. quando polarizando reversamente. Tipos conhecidos desta família são o 1N34.12 mostra a página de um datasheet do fabricante Fairchild para esta série de diodos. enquanto que para os diodos de origem européia temos a sigla AO ou ainda BA . 1N60. mas pode operar em velocidades muito altas. Tabela 1.

12. 17 . Características elétricas dos diodos da série 1N4000.Figura 1.

Estão certos apenas os itens A I. k) Na polarização reversa o diodo ideal se comporta como ________________________. f) Na camada de depleção origina a barreira de _________________________.(CHESF 2002) Dispositivos elétricos e eletrônicos são construídos com os mais variados tipos de materiais elétricos e magnéticos. E III. d) No material do tipo N as lacunas são portadores_______________________. Os diodos e os transistores. (ELETRONORTE 2006) Considerando que os diodos D1. temos a formação de um semicondutor do tipo ___________. g) Se o diodo for de silício a barreira de potencial é de_______________V. B I.Complete a) Quando átomos pentavalentes são adicionados ao cristal puro. o germânio e o silício podem ser citados como importantes materiais semicondutores. b) Quando átomos trivalentes são adicionados ao cristal puro. III e IV. D2 e D3 do circuito abaixo são ideais. h) Se o diodo dor de germânio a barreira de potencial é de___________V. e) Na junção PN temos a camada de ___________________. II Cristal semicondutor do tipo n tem as lacunas como principais portadores móveis de carga. IV Um transistor bipolar de junção basicamente caracteriza-se por possuir três junções pn.Exercícios 1. é possível afirmar que: 18 . D II. A respeito de materiais semicondutores e de dispositivos eletrônicos. II e IV. julgue os itens subseqüentes. III Cristal semicondutor extrínseco é aquele dopado com elementos denominados impurezas. c) No material do tipo P as lacunas são portadores________________________. l) Na polarização reversa. temos a formação de um semicondutor do tipo __________. C I. I Ao longo da história da eletrônica. 2. sejam os bipolares de junção ou os de efeito de campo. IV e V. III e V. na prática temos duas correntes a corrente de ____________________________ e a corrente _________________________. 2. V O diodo semicondutor apresenta uma junção pn. utilizam materiais semicondutores em sua estrutura. II e V. j) Na polarização direta o diodo ideal se comporta como uma_____________________.

1 multímetro digital. onde está à ponta de prova vermelha refere-se ao catodo e a ponta de prova preta ao anodo. c. onde está à ponta de prova vermelha refere-se ao anodo e a ponta de prova preta ao catodo. devem-se identificar os terminais anodo e catodo em um diodo com o auxílio de um multímetro digital. Coloque a chave seletora do multímetro na indicação do diodo. Procedimento 2: Compreendendo a polarização direta e reversa em um diodo 1.1 diodo 1N4001 (ou equivalente). Monte o circuito da figura 1. Experiência no Laboratório Experiência 1 Compreendendo a polarização em um diodo Neste circuito. . e. b. ¼ w . logo. 3.1 resistor de 470W. D2 e D3 estão conduzindo. D1. deve-se montar um circuito simples para compreender a polarização em um diodo. D1 está conduzindo e D2 e D3 estão cortados. . logo. D1 está cortado e D2 e D3 estão conduzindo. Procedimento 1: Identificação dos terminais anodo e catodo 1.12 19 . D1 e D2 estão conduzindo e D3 está cortado. Observe que: Se o valor que aparecer no display for de 600mV. Se o valor que aparece no display se refere o infinito.a. Segure uma ponta de prova do multímetro em perna do diodo. D1. Posteriormente.1 Fonte de alimentação de 6V. significa que você está polarizando diodo diretamente. significa que você está polarizando diodo reversamente. d. 2.1 led. Material necessário: . D2 e D3 estão cortados. .

13. Figura 1.12 Polarização reversa 2.13 Polarização direta 20 . Inverta o diodo. veja a figura 1.Figura 1.

relaciona a tensão que é aplicada com a corrente que circula pelo diodo. no qual. O que fazer? A tensão para alimentar a grande maioria dos equipamentos deve passar por uma fonte de alimentação.7V) para diodo de silício Figura 2. No entanto.1. como mostra a Figura 2.1 Curva característica do diodo A curva característica do diodo é um gráfico(figura 2. Figura 2. Polarização reversa ruptura I Polarização direta V Joelho (0. iremos estudar servirá para a montagem de uma fonte de alimentação.CAPÍTULO 2 TEORIA DOS DIODOS Introdução A tensão que chega a nossas residências é uma tensão alternada de 220V (região nordeste do Brasil). a maioria dos equipamentos eletrônicos necessita de uma tensão contínua para funcionar.2 Curva característica do diodo 21 .1 Fonte de alimentação DC Uma das principais aplicações do diodo.2). Esta fonte transforma o sinal que é alternado em uma tensão contínua. 2. no qual.

Quando a tensão for maior do que a barreira de potencial (@0. o diodo funciona basicamente como uma chave aberta. Se continuarmos aumentando a tensão da fonte. 2. o pólo positivo da fonte será ligado ao anodo do diodo e o pólo negativo da fonte ao catodo. Figura 2. 2.2. Esta tensão máxima em que o diodo suporta é denominada tensão de pico inversa (PIV). no qual.4. Na polarização reversa.4 Modelos Do Diodo 2. a corrente de saturação e a corrente de fuga da superfície.3 Polarização Reversa Na polarização reversa.4 Polarização reversa Na polarização reversa. será aplicada uma fonte de tensão contínua no diodo.2). será aplicada uma fonte de tensão contínua no diodo.4. a barreira de potencial e a resistência de corpo não são considerados. como já foi visto no capítulo1.7V para o diodo de silício). na polarização direta. irá chegar um instante em que o diodo não suporta e termina queimando (ruptura) então a corrente passa a circular livremente.1 Diodo Ideal Um diodo ideal.3 Polarização direta Observe no gráfico(figura 2. como mostra a figura 2. 22 . existindo apenas duas pequenas correntes.3. do lado direito. a polarização direta.2 Polarização Direta Na polarização direta. a corrente de fuga de superfície e a corrente de saturação são desprezados. Figura 2. o pólo positivo da fonte será ligado ao catodo do diodo e o pólo negativo da fonte ao anodo como mostra a figura 2. a corrente circula livremente. no qual.

5(a) Polarização direta. temos o circuito em que o diodo está polarizado diretamente.7V e para o germânio a barreira de potencial é de 0.5(b). (b)Circuito equivalente do diodo na polarização direta POLARIZAÇÃO REVERSA Figura 2.6(a) Polarização reversa. POLARIZAÇÃO DIRETA Na figura 2. (b)Circuito equivalente do diodo na polarização reversa 2. Figura 2.3V. o circuito equivalente com o diodo polarizado diretamente.4. temos o circuito em que o diodo está polarizado diretamente e a figura 2.5(a). como mostra a figura 2. o circuito equivalente para a polarização direta.5b e 2. na figura 2.6b. 23 . no qual foi considerado a barreira de potencial de 0.7V para o diodo de silício.7(b).2 Modelo Simplificado Considera-se a barreira de potencial. Para o silício a barreira de potencial é de 0.Na polarização direta um diodo ideal se comporta como uma chave fechada e na polarização reversa como uma chave aberta.7(a). POLARIZAÇÃO DIRETA Na figura 2.

temos o circuito em que o diodo está polarizado reversamente e a figura 2.9).1 a 10W dependendo da dopagem. 5.0.3 Modelo linearizado Considera-se a barreira de potencial e a resistência de corpo. podendo variar de 0. 3.8(b).4. Figura 2.9KW Figura 2. 4. calcule a corrente que passa no amperímetro (Figura 2. Exercícios 1. 5V 3.7V Figura 2. Considere o segundo modelo para o diodo.8(a) Polarização reversa (b) Circuito polarização reversa para o segundo modelo do diodo 2. Como a resistência de corpo são valores muito baixos.9 24 . Não iremos usar este modelo neste livro.7(a) Polarização direta (b) Circuito polarização direta para o segundo modelo do diodo POLARIZAÇÃO REVERSA Na figura 2.6KW 2.8(a). o circuito equivalente para a polarização reversa.

11). .1 multímetro (analógico ou digital). calcule a tensão no resistor de 1kW (Figura 2. .10).1 diodo 1N4001 (ou equivalente). consequentemente desenhar a curva característica do diodo. 0.Considere o diodo ideal.2. . calcule a tensão que o voltímetro deve indicar (Figura 2.10 3. Material necessário: . Figura 2.A curva do Diodo Nesta experiência. 25 .1 resistor de 10K .1 Fonte de alimentação cc variável de 0 a 10V. vamos montar o circuito básico com o diodo e polarizar diretamente e reversamente para que possamos medir a tensão e a corrente e. Figura 2. Considerando o segundo modelo para o diodo.25W.11 Experiência no Laboratório Experiência 1.

Preencha a tabela abaixo: VF 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 A V 26 .Procedimento: 1.12 2.Monte o circuito abaixo (Figura 2.12): Figura 2.

1 resistor de 1. .Preencha a tabela abaixo: VF 1 2 3 4 5 A V DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Sequência de Leds Neste circuito. 27 .4 leds. 16V.2KW.4 diodo 1N4001. você irá observar através de leds a influência da barreira de potencial em cada diodo. 1/4W.14. O circuito é apresentado na Figura 2. . . Matérial necessário: -1 bateria de 12 V.1 capacitor de 2200mF.13 4.Monte o circuito abaixo: Figura 2. .

quando a chave estiver na posição 1 o capacitor deve carregar instantaneamente.Figura 2.3. a medida que o capacitor irá de descarregar os led irão apagar na sequência 4. 28 .14 Neste circuito. Ao colocar a chave na posição 2 os quatros leds devem acender.2 e 1.

1 e 3. 29 . Vpp Tensão de pico a pico (amplitude total. respectivamente.1 Domínio temporal Vp Wt = q(rd) p -Vp 2p Figura 3. entre os valores máximos positivo e negativo). 3. Vp T(s) T/2 -Vp T Figura 3.2.1 Tensão Senoidal Uma tensão senoidal pode ser representada graficamente de duas formas: nos domínios temporal e angular como mostram as Figuras 3.2 Domínio Angular Onde: Vp tensão de pico (amplitude máxima positiva ou negativa. que a tensão senoidal pode atingir). vamos estudar os circuitos retificadores que servirão para a montagem de uma fonte de alimentação.CAPÍTULO 3 CIRCUITOS COM DIODOS Introdução Neste capítulo.

m induzida nos terminais do secundário. no qual foi criado a tensão induzida (Vs) denomina-se secundário. aumentando ou diminuindo-a. Vp Vs Figura 3. observamos que a bobina no qual recebe a tensão a ser transformada (Vp) denomina-se primário. Ele funciona a partir do fenômeno da indução mútua. Pode-se também utilizar para isolar o circuito do lado do primário. a potência entregue ao primário(Pp) é igual à potência que o secundário (Ps) entrega à carga. Quando uma corrente alternada ou pulsante passa no enrolamento primário o fluxo magnético variável que ele cria envolve as espiras do enrolamento secundário. Ele consiste em duas bobinas isoladas eletricamente.Matematicamente.3. e segunda bobina. Você sabe o que é flybacks? Os flybacks são transformadores de alta tensão presentes nos televisores comuns de todos os tipos e também nos monitores de vídeo de computadores. neste caso. causando o aparecimento de uma f.2 Transformador O transformador é um dispositivo que permite modificar a amplitude de uma tensão alternada.3 transformador Na figura 3. os gráficos da tensão senoidal nos domínios temporal e angular podem ser representados. Funcionamento. por: V(T) = Vpsen wt Onde: V(t) = V(q) = valor da tensão no instante t ou para o ângulo q (em V) e V(q) = Vp senqt 3. ou seja: 30 . Em um transformador ideal (que não possui perdas). respectivamente. a amplitude não será alterada. do circuito do lado do secundário.e. montadas em um mesmo núcleo de ferro (usado para concentrar as linhas de campo).

Is Vp/Vs = Np/Ns e Is/Ip = Np/Ns Valor eficaz Para sinais senoidais. O valor eficaz Vef ou Vrms de uma tensão alternada é a tensão que equivale a uma tensão contínua.Ip Logo: Vp. ao aplicar uma tensão contínua a uma resistência faria com que ela dissipasse a mesma potência média caso fosse aplicado essa tensão alternada.3 Circuito Retificador de Meia-Onda O circuito retificador de meia-onda é constituído por um transformador. 31 . existe um conceito muito importante denominado valor eficaz ou rms. como mostra a Figura 3.5(a) e3.4 Circuito retificador de mei-onda Funcionamento No semiciclo positivo. um diodo e a carga. Vp = 2 Veficaz 3.4. Observe as Figuras 3.Ip = Vs. de tal forma que.Ps = Pp Pp = Vp. o diodo conduz (polarização direta) e a tensão no resistor é a mesma do secundário do transformador. Figura 3.5(b).

6 (a)Circuito retificador de meia-onda. A finalidade deste circuito é transformar a tensão que era alternada(primário do transformador) em contínua( sinal na carga). portanto funcionando como uma chave aberta.5 (a)Circuito retificador de meia-onda. calculado da seguinte forma: Vmed = 1 T ò f (t )dt T 0 32 . Observe que a onda na qual era alternada no secundário do transformar ao passar pelo diodo fica contínua.6(b).? O multímetro indicará o valor médio. logo a corrente não passará no resistor e a tensão na carga será zero.Figura 3. Qual valor o multímetro indicará ao ler a tensão no resistor. (b) Forma de onda no resistor no semiciclo positivo.6(a) e 3. (b) Forma de onda no resistor. já que a tensão é pulsante. mais precisamente contínua pulsante. Figura 3. No semiciclo negativo o diodo estará reversamente polarizado. como mostra as Figura 3.

a tensão no secundário do transformador é 12V.onde Logo: Vdc = f(t) = Vp senq no intervalo de 0 a p e o período é de 2p 1 2p ò 2p 0 Vpsenwtdt Wt = q dwt dq = dt dt logo: dt = dq w Vdc = 1 p VpsenJdJ 2pw ò0 w= 2p .cos 0°] 2p Vdc = Vp p Exemplo: 1) Em um circuito retificador de meia-onda.cos J I 0 2p ë û ] Vp [-[ cos J . 12 = 16. T e T = 2p. Solução: Vst refere-se a tensão no secundário do transformador Vp = 2 2 Vst Vp = Vdc = Vp p .4V 33 .97V Vdc = 16.97 p Vdc = 5. Calcule a tensão no resistor. logo w = 1 Vdc = Vdc = Vp J .

É a corrente média. Tem corrente passando no diodo e tem corrente no resistor. 34 . No semiciclo positivo o diodo conduz.ESPECIFICAÇÕES DO DIODO Qual diodo poderá ser colocado neste circuito? O diodo deverá suportar a tensão máxima que ficará nele quando reversamente polarizado e a corrente média quando diretamente polarizado. PIV = Vpst (Tensão de pico do secundário do transformador) Determinação do Io Io . Não tem corrente passando no diodo e também não tem corrente no resistor.7 Circuito equivalente no diodo para o semiciclo negativo Toda a tensão do secundário do transformador deve estar no diodo. com mostra a Figura 3. Figura 3. funcionará como uma chave aberta. quando o diodo está diretamente polarizado.7. Logo temos duas especificações: PIV Tensão de pico inversa Io Quantidade de corrente que o diodo deve suportar PIV O diodo quando reversamente polarizado (semiciclo negativo). No semiciclo negativo o diodo não conduz. logo a corrente que passa por ele é igual a corrente que passa no resistor.

72V Vdc = 12. deve-se utilizar um transformador com derivação central.05 = 1. dois diodos e a carga.05V PIV = 12.8 Circuito retificador de onda-completa com derivação central 35 .72 p Vdc = 4. Logo: Idc = Vdc/R Exemplo: 1)Em um circuito retificador de meia-onda a tensão no secundário do transformador é 9V. Dado: R= 3. Calcule as especificações do diodo.Logo: Io = Idc A quantidade de corrente que passa no diodo é igual a quantidade de corrente que passa no resistor.4 Circuito Retificador de Onda Completa No circuito retificador de onda completa com derivação central(Figura3.8). Rl Figura 3.9K 3.03mA 3.9KW Solução: Vp = 2 2 Vst Vp = Vdc = Vp p .72V Io = Idc = Vdc R Io = 4. 9 = 12.

9). conhecido também como tomada central ou. como mostra as Figuras 3. Ex: 9V 18V 9V Figura 3. + Vst + Vdc T T Figura 3.11(b). (b) Forma de onda no resistor no semiciclo positivo. como mostram as Figura 3.9 Transformador com derivação central Funcionamento do circuito No semiciclo positivo D1 conduz e D2 abre. 36 . Nestes transformadores.8(a) e 3. A tensão no resistor será a metade da tensão total do transformador. o enrolamento secundário apresenta uma derivação no centro. em inglês central tap ( Figura 3.Na montagem do circuito. No semiciclo negativo D1 abre e D2 conduz.10 (a) Circuito retificador de onda completa com derivação central.8(b).11(a) e 3. utiliza-se de um transformador com derivação central. Esta derivação fará com que a tensão fique dividida igualmente da metade para uma das estremidades.

A tensão Vdc será: Vdc = onde: 1 T ò f (t )dt T 0 f(t) = Vp senq para o intervalo de 0 a p e Vp senq para o intervalo de p a 2 p Devemos integrar o sinal até 2p.- Vst + + Vdc T T Figura 3. (b) Forma de onda no resistor no semiciclo negativo Observe que a polaridade no resistor permanece a mesma e a freqüência em relação a tensão no secundário do transformador é o dobro pois o período é a metade. logo W = 2 pf = 1 Vdc = 2p 1 é p VpsenJ + ò .VpsenJ ù ú p ë û 2p ê ò0 Vdc = Vp [2 + 2] 2p logo: Vdc = 2 Vp p 37 .11(a) Circuito retificador de onda completa com derivação central.

2V ESPECIFICAÇÕES DO DIODO PIV Quando D1 está aberto D2 está conduzindo e a tensão que fica em D1 é a tensão total do secundário do transformador.31)/p = 7. Calcule a tensão no resistor de 5. Solução: Vp = 2 .12 Circuito equivalente do circuito retificador de onda completa com derivação central no semiciclo positivo 38 . 1) Em um circuito retificador de onda completa com derivação central a tensão no secundário do transformador é 16V. 16 Vp = 11. Vst 2 = 2 2 . Vst 2 Exemplo. - + Figura 3.OBS: Como apenas a metade da tensão no secundário irá para o resistor temos que: Vp = 2 .(11.6KW.31V Vdc = 2.

PIV = Vpst Io No semiciclo positivo D1 conduz e tem corrente no resistor. Calcule as especificações do diodo para um resistor de 2.48)/p = 5.4V PIV = 2 .7K = 2mA Io = Idc 2 Io = 2m/2 = 1mA 39 . 12 = 16. no semiciclo negativo D1 estará aberto mais D2 conduz e existirá corrente no resistor logo: A quantidade de corrente que passa no diodo é a metade da quantidade de corrente que passa do resistor.97V Idc = 5.4/2. Io = Idc 2 Exemplo: 1) Em um circuito retificador de onda completa com derivação central .(8. a tensão no secundário do transformador é 12V .48V Vdc = 2. 12 Vp = 8.7 KW. Solução: Vp = 2 . Vst 2 = 2 2 .

15(b). Figura 3. (b) Forma de onda no semiciclo positivo Durante o semiciclo negativo D1 e D4 conduzem. será utilizado quatro diodos para aproveitar os dois semiciclos(positivo e negativo) do sinal alterado. como mostram as Figuras 3. D2 e D3 funcionarão como uma chave aberta. como mostram as Figura 3.3. toda a tensão do secundário do transformador chegue na carga.14(a) e 3. 40 .15(a) e 3.13).14 (a)Circuito retificador em ponte.14(b). Outrosim.13 Circuito retificador em ponte Durante o semiciclo positivo D2 e D3 conduzem e D1 e D4 funcionarão como uma chave aberta. D1 D2 D3 D4 Rl Figura 3.5 Retificador Em Ponte No circuito retificador em ponte (Figura 3.

15 (a) Circuito retificador em ponte. Vdc = 2Vp p A vantagem do circuito retificador em ponte em relação ao circuito retificador de onda completa com derivação central é que não necessita de um transformador com derivação central e a tensão total do transformador é aproveitada.97/p = 10. 12 = 16.Figura 3.16. Calcule a tensão na carga.97V Vdc = 2.8V 41 . Exemplo: 1) Em um circuito retificador em ponte a tensão no secundário do transformador é de 12V. Solução: Vdc = 2VP/p Vp = 2 . (b) Forma de onda no semiciclo negativo Como a forma de onda é igual a do circuito retificador de onda completa com derivação central. o cálculo da tensão Vdc é igual.

12.72V Vdc = 2. denominado Io. logo: Io = Idc 2 Exemplo 1)Em um circuito retificador em ponte.No semiciclo positivo D1 está funcionando como uma chave aberta e D3 está conduzindo.ESPECIFICAÇÕES DO DIODO São duas as especificações do diodo: Tensão máxima de pico que fica no diodo quando o mesmo está inversamente polarizado. observe na Figura 3. denominado PIV(Tensão de pico inversa) e o valor médio a corrente no diodo quando o mesmo está diretamente polarizado. mas tem corrente no resistor. No semiciclo negativo tem corrente no diodo e também tem corrente no resistor.1/2.12.1V PIV = 12.72/p = 8. Solução: Vdc = 2VP/p Vp = 2 . PIV.7KW.5mA Idc = Vdc/R = 8. PIV = Vpst Io Durante o semiciclo positivo a corrente não passa sobre D1. Calcule as especificações do diodo sabendo que o resistor é de 2. a tensão no secundário do transformador é 9V.7K = 3mA 42 . que a tensão em D1 é igual a tensão total do secundário do transformador. 9 = 12.72V Io = Idc/2 Io = 3m/2 = 1.

observando a Figura 3.16 Comparação entre o período da onda no secundário do transformador e na carga no circuito retificador de meia onda. o período permanece o mesmo. Logo. Vst + p FORMA DE ONDA DA LINHA T - 2p Vdc p FORMA DE ONDA NO RESISTOR PARA O CIRCUITO RETIFICADOR DE MEIA-ONDA 2p Figura 3.17) iremos fazer a seguinte análise: 43 . Na Figura 3.16. verificamos que ao comparar o período do sinal da linha com a do circuito retificador de meia-onda . Na comparação entre o período do sinal no secundário do transformador e o período do sinal na carga em um circuito retificador de meia-onda. a frequência. (Figura 3. é a mesma . Na comparação entre o período do sinal no secundário do transformador e o período do sinal na carga em um circuito retificador de onda completa. verificamos que o período do sinal no secundário do transformador terá o mesmo período do sinal no resistor em um circuito retificador de meia-onda. Se a frequência da linha for de 60Hz.6 Comparação Entre As Frequências Dos Circuitos Retificadores Para compreender a freqüência do sinal na carga. a frequência também será de 60Hz. ou seja 2p. vamos analisar o período entre o sinal no secundário do transformador e o sinal na carga.16.3. em um circuito retificador de meia-onda.

nos circuitos retificadores de onda completa. Em um circuito retificador de meia-onda PIV = _____________ e Io = __________ C . Em um circuito retificador em ponte temos: PIV = ___________ e Io = ___________ G . logo. a frequência no circuito retificador de onda completa é o dobro da frequência da linha. Em um circuito retificador de onda completa com derivação central a tensão no resistor será calculado pela seguinte equação: Vdc =__________. T - 2p Vdc T p 2p FORMA DE ONDA NO CIRCUITO RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA COM TAP CENTRAL E RETIFICADOR EM PONTE. O período da linha é 2p. Preencha os espaços em branco. 44 .Vst + p FORMA DE ONDA DA LINHA. Se a frequencia da linha for de 50Hz. se na linha a frequência for de 60Hz. o período é p. no resistor. A . D . Exemplificando. porém. Em um circuito retificador de onda completa com derivação central temos: PIV = ___________ e Io = ______________. em um circuito retificador de meia-onda a frequência será de _____________ no circuito retificador de onda completa com derivação central a frequência será de _________e no circuito retificador em ponte a frequência será de ___________. Figura 3. onde Vp = _________ da tensão no secundário do transformador. em um circuito retificador de onda completa a freqüência na carga será de 120Hz. Exercícios 1. E . Em um circuito retificador em ponte a tensão no resistor será calculado pela seguinte equação: Vdc = ______________ F . Em um circuito retificador de meia-onda a tensão no resistor será calculado pela seguinte equação: Vdc =___________ B .17 Comparação entre o período da onda no secundário do transformador e na carga no circuito retificador de onda-completa.

Calcule as especificações do diodo.19 7.7KW 45 . sabendo que Rl = 6.3KW e R3 = 5. Em um circuito retificador de meia-onda a tensão no secundário do transformador é de 18V. determine a tensão V1 e as especificações do diodo. Calcule as especificações do diodo. Dado o circuito (Figura 3. Em um circuito retificador de onda-completa com derivação central a tensão no secundário do transformador é de 25V. R1 = 1KW. Dado o circuito(Figura 3. sabendo que Rl = 8. Figura 3. Um aluno montou em laboratório o circuito da Figura 3.2. Dado: Vst = 25V. no qual verificou a forma de onda no resistor com o osciloscópio. qual tensão ele iria ler? Figura 3.2KW.18 6. Se o aluno utilizasse o multímetro para medir a tensão no resistor. como mostra a figura. R1 = 10kW. Dado: Vst = 26V. 4.6KW.8KW. Calcule as especificações do diodo. 5. R2 = 15kW e R3 = 22KW. 3.18. R2 = 3. Sabendo que Rl = 5.20).19) determine a tensão V1. Em um circuito retificador em ponte a tensão no secundário do transformador é de 16V.

21 9. Figura 3.22).22 46 .21). Determine a tensão que ele irá ler ao medir a tensão no resistor com o multímetro. como mostra a figura. Figura 3. determine a forma de onda no diodo D1.V1 Figura 3. Um aluno montou em laboratório o circuito (Figura 3. no qual observou a forma de onda com o osciloscópio no resistor.Dado o circuito (Figura 3.20 8.

1 transformador. 110V/220V 9V. observe a forma de onda no resistor. Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc. para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc. para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc.23: Figura 3.1 multímetro (analógico ou digital). Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado. 500mA . . deve-se montar um circuito retificador de meia-onda. .1 Osciloscópio.Experiência no Laboratório Experiência 2 Circuito retificador de meia-onda Neste circuito.1 diodo 1N4001 (ou equivalente). Material necessário: . Procedimento: 1. Inverta o diodo e observe a forma de onda no resistor. Experiência 3 Circuito retificador de onda completa com derivação central Neste circuito.25W.Monte o circuito da Figura 3. Material necessário: 47 . 0. deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivação central. .23 2345- Com o uso do osciloscópio.1 resistor de 10K .

1 multímetro (analógico ou digital). 0. para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc.25W.1 transformador com derivação central..1 transformador -110V/220V . Procedimento: 1. . 0.9V. 48 . Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc. 4. deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivação central. Material necessário: . Experiência 4 Circuito retificador em Ponte Neste circuito. 3. 110V/220V 12V+12V. Inverta os diodos e observe a forma de onda no resistor.1 multímetro (analógico ou digital).Monte o circuito da Figura 3.2 diodos 1N4001 (ou equivalente).4 diodos 1N4001 (ou equivalente).24 2.1 Osciloscópio.25W. .1 resistor de 10K .1 resistor de 10K . . . 500mA .1 Osciloscópio. Com o uso do osciloscópio. .24: Rl Figura 3. observe a forma de onda no resistor. 5. Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado. 500mA . .

3.25: D1 D2 D3 D4 Rl Figura 3. DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Capacitor variável Neste circuito será construído um capacitor variável de estado sólido. Material necessário: 2 baterias de 12V.Procedimento: 1. 1 diodo varicap ( qualquer um serve).Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc.Com o uso do osciloscópio.Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado. 1 resistor de 1MW. observe a forma de onda no resistor.26: Figura 3.Inverta os diodos e observe a forma de onda no resistor.26 49 . 1 capacitor 10nF Circuito da Figura 3. 5. 4. 1 potenciômetro de 1MW. servindo para substituir capacitores variáveis comuns em circuito de sintonia. 1 resistor de 8.Monte o circuito da Figura 3.2KW 1/4W.25 2.

Então o capacitor começa a descarregar pelo resistor. 50 . o diodo conduz e o capacitor carrega até atingir a tensão de pico do secundário do transformador. foi introduzido um capacitor em paralelo a carga como mostra a Figura 4.1 Circuito Retificador de Meia-Onda com Filtro Capacitivo No circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo.1 Figura 4. no entanto.CIRCUITOS RETIFICADORES COM FILTRO Introdução Nos circuitos retificadores visto até agora. será maior do que o período da onda no secundário do transformador (T= 1/60 s).CAPÍTULO 4 . O próximo passo para construirmos uma fonte de alimentação é aplicar um filtro capacitivo. para este circuito utilizado-se valores relativamente altos para C. 4.1 Circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo No semiciclo positivo do diodo conduz e o capacitor começa a carregar até atingir a tensão de pico no secundário do transformador. Novamente no semiciclo positivo. pois a tensão no capacitor será maior do que a tensão no secundário do transformador (o diodo estará polarizado reversamente). para que o sinal fique o mais próximo de uma tensão contínua constante. de tal forma que t = RC. Quando a tensão do secundário do transformador diminuir (sendo menor do que Vp) o diodo abre.2. Durante o semiciclo negativo o diodo está polarizado reversamente e o capacitor continua descarregando pelo resistor. como mostra a Figura 4. o sinal continua pulsando. verificamos que a tensão já é contínua. quando Vst > Vc (tensão no secundário do transformador maior do que a tensão no capacitor) .

2 Forma de onda no resistor Vdc = Vp . menor será a tensão de ondulação. 51 . logo maior será a tensão Vdc e mais contínua será a forma de onda no resistor.Vst T Vdc T Figura 4.Vond 2 Vond = I FC De: I = C dV dt dV = Vond Onde: I = Corrente no resistor. no entanto iremos aproximar a Vp/R F = frequência da forma de onda no resistor C = Capacitância Obs: Quanto maior t = RC.

Figura 4.3 Circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo no semiciclo negativo Ao fechar a malha. de tal forma que o capacitor de descarrega quase que totalmente. denominado PIV(Tensão de pico inversa) e o valor médio a corrente no diodo quando o mesmo está diretamente polarizado. calcule a tensão Vdc e as especificações do diodo. PIV A tensão no diodo terá o maior valor. ficando a forma de onda muito parecida com a do circuito retificador de meia-onda.3. denominado Io. Io = Idc Exemplo: 1)Dado o circuito. a tensão máxima que chegará ao diodo será: PIV= 2Vps Io A quantidade de corrente que passa no diodo será a maior possível quando em um circuito o valor da resistência e o valor do capacitor forrem muito baixo.ESPECIFICAÇÕES DO DIODO São duas as especificações do diodo: Tensão máxima de pico que fica no diodo quando o mesmo está inversamente polarizado. Dado: Vst = 12V e Flinha = 60Hz 52 . quando em um circuito o capacitor tiver um valor muito elevado não tendo tempo para descarregar e a tensão no secundário do transformador estiver no semiciclo negativo como mostra Figura 4.

6K = 2.4 Circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo Solução: Vdc = Vp .Vond 2 onde : Vond = I FC Para o circuito retificador de meia-onda a frequência da onda no resistor é igual a frequência da linha logo: F= 60Hz Vp = 2 .5. 12 = 16.100m = 0. 53 .2 Circuito Retificador de Onda Completa com Derivação Central e Filtro Capacitivo No circuito retificador de onda completa com derivação central e filtro capacitivo.5/2 = 16.7/5.97) = 33.97 0.97/5.98mA 4.94V Io = Idc = 16.Figura 4.5V Vdc = 16.97V I @ Vp/R = 16. foi introduzido um capacitor em paralelo com a carga como mostra Figura 4.7V PIV = 2(16.6K = 3mA Vond = 3 60.

D2 abre e o capacitor novamente começa a descarregar pelo resistor. D1 conduz e o capacitor carrega até atingir Vpst. No semiciclo positivo quando Vst > Vc.6 Forma de onda no resistor 54 . No semiciclo negativo.D1 C Rl D2 Figura 4. D1 conduz e o capacitor começa a carregar até atingir a tensão no secundário do transformador. Vst T Vdc T Figura 4. D2 conduz e o capacitor carrega até atingir Vpst. Novamente quando Vst< Vp. o diodo abre e o capacitor começa a descarregar pelo resistor e assim sucessivamente como mostra Figura 4.6.5 Circuito retificador de onda completa com derivação central e filtro capacitivo Durante o primeiro semiciclo positivo. Quando Vst for menor do que Vpst. quando Vst > Vc . Quando Vst diminui D1 abre e o capacitor começa a descarregar pelo resistor.

denominado PIV(Tensão de pico inversa) e o valor médio a corrente no diodo quando o mesmo está diretamente polarizado.Vond 2 OBS: A frequência é o dobro da frequência da linha ESPECIFICAÇÕES DO DIODO São duas as especificações do diodo: Tensão máxima de pico que fica no diodo quando o mesmo está inversamente polarizado. Dado: Vst = 12V Flinha = 60Hz D1 5. denominado Io.Logo: Vdc = Vp .6KW D2 100mF Figura 4. PIV = Vpst Io = Idc 2 Exemplo: 1) Dado o circuito. calcule a tensão Vdc e as especificações do diodo.7 55 .

6K = 1.48/5.3 Retificador em Ponte com Filtro No circuito retificador em ponte com filtro capacitivo. 12 = 16.48 0. D1 D2 D3 D4 Rl C Figura 4.97V Idc = Vdc/R = 8.41V PIV = Io = Idc/2 2 .51mA Vond = 1.12V Vdc = 8.5mA Io = 1.48V I = Vp/R = 8.8 Circuito retificador em ponte com filtro capacitivo 56 . Vst Vp = 2 = 2 .51m 120.Solução: 2 .41/5.100m = 0.75mA 4.12/2 = 8.5m/2 = 0. foi introduzido um capacitor em paralelo a carga como mostra a Figura 4.8. 12 2 Vp = 8.6K = 1.

9 Forma de onda no resistor Logo: Vdc = Vp . D1 e D4 abrem e o capacitor começa a descarregar pelo resistor. D2 e D3 conduzem e o capacitor carrega até atingir Vpst. logo o capacitor começa a carregar até atingir a tensão de pico do secundário do transformador. No semiciclo negativo. D2 e D3 abrem e o capacitor começa a descarregar pelo resistor. quando Vst<Vp =Vc. D2 e D3 abrem e o capacitor começa a descarregar pelo resistor e assim sucessivamente. No semiciclo positivo. Vst T Vdc T Figura 4. como mostra a Figura 4.Vond 2 OBS: A frequência é o dobro da frequência da linha 57 . quando Vst> Vc. quando Vst < Vp.No início do primeiro semiciclo positivo D2 e D3 conduzem.9. Quando Vst<Vpst. quando Vst > Vc. Novamente. D1 e D4 conduzem e o capacitor começa a carregar até atingir Vpst.

97V I = Vp/R = 16. PIV = Vpst Io = Idc 2 Exemplo: 1)Dado o circuito.ESPECIFICAÇÕES DO DIODO São duas as especificações do diodo: Tensão máxima de pico que fica no diodo quando o mesmo está inversamente polarizado.6K = 3 mA 58 . denominado PIV(Tensão de pico inversa) e o valor médio a corrente no diodo quando o mesmo está diretamente polarizado. Dado: Vst = 12V Flinha = 60Hz D1 D2 D3 D4 5. Vst = 2 .10 Solução: Vp = 2 . 12 Vp = 16.97/5. denominado Io. calcule a tensão Vdc e as especificações do diodo.6KW 100mF Figura 4.

O Io dos circuitos retificadores de onda completa com filtro será igual a ___________ 2.5mA Exercícios 1.84/5. observa-se que a forma de onda é a mesma sendo calculado a tensão Vdc pela seguinte equação_________________________ Onde Vond = ________________ B . Preencha os espaços em branco.97V Idc = Vdc/R = 16. O Io para o circuito retificador de meia-onda com filtro é igual a____________ G. 12 = 16.12 e 4. 4. Em todos os circuitos retificadores com filtro.7 KW 47mF Figura 4. calcule a tensão Vdc e as especificações do diodo. O que difere os circuitos retificadores com filtro como o circuito retificador de meia-onda do circuito retificador de onda completa é a __________________________ C.11.97 PIV = Io = Idc/2 2 0.100m = 0. Dado os circuitos das Figura 4. D. Dado: Vst = 18V e Flinha = 60Hz a) 2.Vond = 3m 120.12.84V .6K = 3mA Io = 3m/2 = 1. Em um circuito retificador de meia-onda com filtro se a frequência da linha for de 60Hz. O PIV para o circuito retificador de meia-onda com filtro será igual a ______________ E .25V Vdc = 16. a frequência será_________ e no circuito retificador de onda completa a frequência será__________________. O PIV para os circuito retificadores de onda completa com filtro será igual a__________ F. A .25/2 = 16.11 59 .

7KW 47mF Figura 4. Dado: Vst= 24sen100t.14 4. 60 . Dado o circuito da Figura 4. Rl = 15KW e C= 1mF Figura 4.14. Dado o circuito da Figura 4.12 c) D1 D2 D3 D4 2.13 3.b) D1 2. determine a tensão Vdc e as especificações do diodo. determine Vdc.7KW D2 47mF Figura 4.15.

16 61 . mostra dois circuitos retificadores de onda completa com carga RL idênticas. obtendo: V1 e f1 para C1 V2 e f2 para C2 Com relação às medidas obtidas. Medidas de tensão e freqüências foram efetuadas nas saídas dos circuitos em cima das cargas Rl.16. alimentados por fontes de tensão senoidal V(t). Figura 4. com mesmas especificações e utilizando diodos considerados ideais. Rl = 3.15 5.5 e f2 = 0.5f1 e) V2 = V1 e f2 = f1 Figura 4.Dado: Vst = 40V. A Figura 4. é correto afirmar que: a) V2 = 2V1 e f2 = f1 b) V2 = 2V1 e f2 = 2f1 c) V2 = 0.9KW.5 e f2 = f1 d) V2 = 0.

500mA .1 resistor de 10K . Procedimento: 1.Troque o capacitor pelo valor de 10 F e novamente observe a forma de onda no resistor. deve-se montar um circuito retificador de meia-onda com filtro capacitivo.Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado.Experiência no Laboratório Experiência 5 Circuito retificador de meia-onda com filtro capacitivo Neste circuito.1 multímetro (analógico ou digital).25W. utilize o capacitor de 1 F. observe a forma de onda no resistor. 6. Figura 4.1 diodo 1N4001 (ou equivalente).17. Material necessário: . .Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc. 110V/220V 9V. 0. 3. .10 F. .1 transformador. 1 F. 4.3 Capacitores. Troque o capacitor pelo valor de 47 F e novamente observe a forma de onda no resistor 62 .Monte o circuito da Figura 4. será observado como a tensão de saída será influenciada de acordo com o valor do capacitor. 5.Com o uso do osciloscópio. .17 2. no qual. primeiramente.1 Osciloscópio.47 F.

2 diodos 1N4001 (ou equivalente). . . para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc.Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc. 3. 6.18 2.25W.Experiência 6 capacitivo Circuito retificador de onda completa com derivação central com filtro Neste circuito.1 Osciloscópio. Figura 4.Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado. Troque o capacitor pelo valor de 47 F e novamente observe a forma de onda no resistor 63 . 5.10 F.3 Capacitores.1 resistor de 10K . observe a forma de onda no resistor. 500mA . .1 multímetro (analógico ou digital).Troque o capacitor pelo valor de 10 F e novamente observe a forma de onda no resistor. .Monte o circuito da Figura 4. Material necessário: . 4. 110V/220V 12V+12V. Procedimento: 1.Com o uso do osciloscópio. 1 F.47 F.1 transformador com derivação central.18. deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivação central. 0.

para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc. .1 multímetro (analógico ou digital). Procedimento: 1.19 2.1 Osciloscópio. 3.25W.4 diodos 1N4001 (ou equivalente). D1 D2 D3 D4 Rl C Figura 4. .19.Experiência 7 Circuito retificador em Ponte com filtro capacitivo Neste circuito.Troque o capacitor pelo valor de 10 F e novamente observe a forma de onda no resistor. observe a forma de onda no resistor.Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado. 6.Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc.Monte o circuito da Figura 4.1 transformador -110V/220V .Com o uso do osciloscópio. 0. deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivação central. Material necessário: .9V. 500mA . Troque o capacitor pelo valor de 47 F e novamente observe a forma de onda no resistor 64 . . 4. 5.1 resistor de 10K .

65 . 1.Alternador ( pode ser um dínamo para bicicleta). 1. em Aquiraz. como geradora de fonte de energia limpa e renovável. a energia eólica fornecida pelo ventilador.diodos 1N4001 ou equivalente. Circuito da Figura 4.20. é a maior usina do gênero da América Latina e produz 10 Megawatts . a energia eólica. 4.resistor 470 . Parque Eólico na Prainha. 1/8W. Neste circuito. temos um exemplo da utilização da energia eólica para acender um led.20 Neste circuito.DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Acendendo um led com energia eólica O estado do Ceará vem se tornando referência no Brasil. (Foto: Fco. Fontenele) Material necessário: 1. 1 led.capacitor eletrolítico de 220mF. ao passar pelo circuito retificador em ponte com filtro capacitivo.16V. Como a tensão gerada pelo dínamo é uma tensão alternada de baixo valor (aproximadamente 6V). servirá para mover um alternador e desta forma gerar energia elétrica. Figura 4. a tensão servirá para acender um led.

1. podemos ouvir os sons transmitidos pela estação de rádio.CAPÍTULO 5 OUTRAS APLICAÇÕES PARA O DIODO Introdução Existem muitas outras aplicações para os diodos além da retificação. desviando para a terra a componente de alta frequência e deixando apenas a envolvente. deixando passar apenas os semiciclos positivos do sinal. 66 . O diodo funciona como retificador de alta frequência. Ao ser desligado. Quando uma carga indutiva como. ou seja. com a contração magnética.1. a bobina de um relé ou ainda um pequeno motor é acionado. Aplicando este sinal de baixa frequência a um fone de ouvido ou então a um amplificador. que são desviados para o diodo. e outra baixa que á a modulada .1 Rádio elementar Como exemplo. é induzida na carga uma tensão oposta. utilizaremos o circuito de rádio elementar mostrado na Figura 5.2 Diodo nos circuitos de proteção Outra função importante do diodo é nos circuitos de proteção. antena Diodo detector CV filtro fone Figura 5. chamados de diodo de sinal podem ser usados como detectores de envolvente em circuitos de rádio. 5. que deve circular em direção á terra passando pela bobina e capacitor que formam o circuito de sintonia: Este circuito se caracteriza por impedir a passagem dos sinais de uma única frequência. 5. ou seja. Os diodos de pequena capacidade de corrente. que corresponde justamente ao som que é captado nos microfones da emissora ou obtido de um toca-disco ou toca-fitas. a modulada. fazendo sua detecção. Este sinal que é composto de duas partes. pode ser levado a um processo de separação. O capacitor depois do diodo filtra o sinal. por exemplo. A antena capta os sinais emitidos pela estação. da estação sintonizada. ou seja. havendo então a indução de uma corrente de alta frequência. por exemplo. uma de alta frequência que é a portadora . é criado um forte campo magnético. Rádio elementar ou rádio de galena.

no qual cria uma tensão induzida na bobina. temos uma proteção contra este fenômeno. ou seja. com a ligação de um diodo. Quando uma corrente contínua circula por um indutor ou bobina é criado um campo magnético. Dependendo do tipo de carga. Iniciamos fazendo uma revisão sobre as propriedades do indutor. Atração de um prego (material ferromagnético) pelo indutor 67 . Como experiência podemos mostrar a Figura 5.3. 5.1 Propriedades do indutor O indutor consiste basicamente em um bobina formada por voltas de fio esmaltado. No qual o indutor funciona como eletroímã sendo capaz de atrair materiais condutores.3 Circuito Tanque O estudo do circuito tanque será de grande importância para que possamos compreender os circuitos utilizados para a sintonia de rádio. Figura 5.3. Diodo usado como proteção em circuitos indutivos.(+) Diodo de proteção Circuito de comutação Carga indutiva Figura 5.3. além de alguns circuitos osciladores e outras aplicações no qual se faz o uso de um circuito indutor capacitor. Leitura Complementar 5. O componente que faz o acionamento pode então ser danificado com a presença desta tensão.2. de sua indutância quando no desligamento pode ser muitas vezes maior do que a aplicada quando ligamos.

4 Circuito ressonante O capacitor e o indutor possuem a característica de armazenar energia elétrica.4.00004s A tensão auto-induzida será: v=- LDi = -250V Dt Uma tensão bastante elevada nos contatos da chave. VF= 12V. a corrente no circuito foi reduzida para: t = L/R = 10/3 = 3. A associação em paralelo da indutância com a capacitância é conhecida como circuito tanque. 5. A Figura 5.5 ilustra um exemplo de circuito tanque. A energia armazenada no indutor volta ao circuito.0004 3.00004 segundos.33 = 3. im = VF/R = 12/3 = 4ª. Figura 5. R = 3W. ao abrir o circuito. 68 . temos: Durante o período no qual a chave está fechada. ocorre uma variação bastante alta da corrente em pouquíssimo tempo (abertura da chave). Circuito RL série De acordo com a expressão 1.999A Logo: Di = 4-3. Após a abertura da chave e decorrido 0. A tensão criada é uma tensão auto-induzida que pode atingir valores extremamente altos.33s il = ime t t - = 4e 0. mesmo com a tensão na bobina de valor baixo.Ao abrir o circuito da Figura 5.4. v=-L Di Dt (1) Exemplo: Se L= 10H.999=1mA Dt = 0.

6 resume toda essa explicação. o campo magnético se anula e essa variação induz uma corrente no mesmo sentido da corrente que originou o campo. o processo voltará a se estabelecer. Quando o campo em torno de L desaparecer. Portanto. A onda senoidal que se estabelece entre C e L possui uma freqüência. novamente. um pulso de tensão ao circuito. Quando C tiver se descarregado. fará com que C se carregue novamente. é denominado freqüência de ressonância. Circuito tanque. este. e a corrente de descarga cria um campo magnético em torno de L. C se carrega a esse valor de tensão. O funcionamento de um circuito tanque consiste na troca de energia entre a capacitância e a indutância. no mesmo sentido da primeira carga. removendo-se a tensão aplicada. indefinidamente. quando se anular. Figura 5. produzindo uma série de onda senoidais. Esse campo. no qual. A frequência de ressonância é a única frequência. no qual a reatância capacitiva é igual a reatância indutiva. Isto faz com que a corrente senoidal seja amortecida e desapareça.Figura 5. devido à dissipação de energia no circuito na forma de calor.5.6. Quando uma tensão é momentaneamente aplicada a um circuito tanque. fazendo com que a corrente circulante diminua gradativamente. essa corrente carregará o capacitor no sentido oposto ao anterior. A Figura 5. C irá se descarregar novamente. mas a corrente será oposta em relação à primeira descarga. se o circuito tanque fosse ideal e não apresentasse resistência. novamente. A troca de energia e a corrente circulante continuariam. ocorre o procedimento descrito a seguir. possui polarizada oposta ao que originou (lei de Lenz). Essa corrente de descarga originará. Troca de energia entre o indutor e o capacitor em um circuito tanque. após um número finito de oscilações. C se descarrega através de L. Se aplicarmos. Entretanto. Xc = Xl ® 1/(2 FrC) = 2 FrL Fr = 1/(2 LC)1/2 69 . a resistência está sempre presente. um campo magnético em torno de L.

Se o sinal corresponde à freqüência para o qual o circuito está sintonizado. ou seja. a oposição começa novamente a diminuir. produzindo uma oscilação amortecida. no qual.7. sendo as demais desviadas para o terra. a impedância é infinita. Depois deste ponto. Isto pode ser feito com um amplificador. Para que a produção destas oscilações continue. ondas de rádio. muda a freqüência de ressonância e. a oposição começa a crescer até atingir o máximo no valor exato desta freqüência. a energia gerada neste sistema pode ser irradiada na forma de onda eletromagnética. ao girar o botão que altera o valor do capacitor. 70 . quer seja porque é irradiada por uma antena. ao aplicar uma onda senoidal. Ao aplicar um sinal alternado ao circuito tanque. Se este circuito for ligado a uma antena. quer seja porque perde em calor nos próximos elementos do circuito. 5. ou seja. portanto. muda a freqüência da onda senoidal que o ressonador amplifica. a oposição à passagem de corrente é infinita. Na Figura 5. a onda senoidal que corresponde à freqüência de ressonância será amplificada. o circuito tanque possui um capacitor variável. observamos que à medida que nos aproximamos da freqüência de ressonância. Já se o sinal não corresponde a esta freqüência.Sintonizador LC. deve-se repor a energia que vai sendo perdida em cada ciclo de carga e descarga do capacitor. com a alternância de campo elétrico em magnético. ocorre uma troca de energia entre o capacitor e o indutor. Em um rádio. Das milhares de ondas senoidais de diferentes estações de rádio que chegam à antena. ela não encontra nenhuma oposição do circuito e é curtocircuitado para o terra. Este circuito é utilizado num receptor de rádio em que deve ser feita a separação dos sinais da estação que queremos ouvir de todos dos demais sinais que chegam à antena. É desta forma que este circuito sintoniza as diferentes estações no rádio. Figura 5. ele encontra forte resistência e é desviado para as etapas que fazem seu processamento.Na frequência de ressonância.5 Circuito tanque na geração de sinais de rádio Aprendemos que em um circuito tanque.7. temos um sintonizador de rádio simples.

(ELETRONORTE 2006) A rede abaixo(Figura 5. 1 indutor 10mH. 1 antena. os resultados obtidos na prática não são muito satisfatórios. O rádio Galena foi o primeiro rádio inventado pelo homem. Experiência no Laboratório Experiência 8 Rádio elementar ou rádio Galena Neste circuito.8 (A) é um oscilador ideal. Compreender o funcionamento de um simples rádio ajudará a compreensão dos rádios mais complexos e mais bem elaborado.Exercícios 1. Foi implementado na França por Radiguet e Massiot. (E) na ressonância tem impedância equivalente a um curto-circuito. vamos montar um rádio bastante simples. 1 Fone de cristal. Material necessário 1 Diodo de Germânio ( qualquer tipo de diodo de Germânio). O rádio é um dos meios de comunicações mais utilizado pelo homem moderno. pois não apresenta uma etapa para a amplificação do sinal captado pela antena. (B) tem fator de qualidade unitário. O rádio Galena é bastante simples. De onde vêm estas ondas eletromagnéticas? As estações de rádio produzem uma quantidade bastante elevadas de ondas eletromagnéticas em diversas freqüências. 1 capacitor variável. (D) na ressonância tem impedância equivalente a um circuito aberto. A idéia fundamental em um rádio Galena é captar ondas eletromagnéticas por um receptor elétrico simples e reproduzir em um fone de ouvido.8): Figura 5. 71 . (C) tem ressonância na freqüência de 1 Hz.

0 a 0. Fazendo a bobina Pegue o cabo de vassoura e deixe um espaço de um centímetro de cada lado. Comece a enrolar.5 mm) para a bobina. Figura 5. 1 antena. 1 cabo de vassoura (madeira ou plástico) para enrolar a bobina de 18cm. 1 Fone de cristal (fone de alta impedância acima de 2000W). Lixe o esmalte do fio que está sobrando os 10cm de cada lado. prestando atenção para que os fios fiquem encostados um ao lado do outro e não passe por cima. 1 capacitor poliéster de 1nF.9.Monte o circuito da Figura 5. Material necessário: 1 Diodo de Germânio ( qualquer tipo de diodo de Germânio). 100 gramas de fio esmaltado com número AWG entre 18 e 24 (diâmetros entre 1. o fio com fita isolante deixando sobrar 10cm de fio. Enrole para que ainda sobre 1cm de cabo e 10cm de fio.9 2.Procedimento: 1. no qual a bobina será artesanal. DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Rádio artesanal elementar Neste circuito você irá montar um rádio. Varie o valor do capacitor para sintonizar o rádio. 72 . Prenda no início.

e uma volta não pode passar por cima da outra. Deixe sobrar de cada lado entre oito e dez centímetros de fio.10 A seta que está ligada na bobina deve ser móvel e percorrer toda a bobina para sintonizar em uma determinada frequência. Figura 5.10). encostadas mesmo. faça um ou dois furos para prender o fio antes de começar a enrolar e mais um ou dois furos para prender na outra extremidade (oriente-se pelo desenho do rádio acima). Antena Como o rádio não possui uma etapa de amplificação. prenda o início e o fio do enrolamento com uma fita isolante.Deixe um espaço de mais ou menos um centímetro de cada lado do tubo ou pedaço do cabo de vassoura e comece a enrolar o fio. Se você está usando o cabo de vassoura. a antena deve ser bastante comprida para captar o máximo de energia da estação. Pode ser um fio esticado de 10m de comprimento. Caso você esteja usando o tubo. 73 . Faça a seguinte montagem (Figura 5. As voltas devem ficar bem próximas uma da outra.

1 Circuitos Limitadores As aplicações incluem a limitação de amplitude excessivas formação de ondas e o controle da quantidade de potência entregue a uma carga. Observe que o funcionamento é igual ao circuito retificador de meia-onda.1(b). Vent R +Vp T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída T -Vp Figura 6. 6. só deixa passar a tensão negativa. (b) Forma de onda na carga 74 .1(a). temos um limitador positivo.1 (a) Circuito limitador positivo. como mostra a Figura 6. Os circuitos grampeadores possuem como objetivo.CAPÍTULO 6 . Uma das utilizações do circuito grampeador é em um amplificador classe C. deslocando o sinal para cima ou para baixo do eixo referencial. sendo útil em circuitos no qual o sinal de saída necessita ser limitado. Na Figura 6. no qual limita a tensão positiva. acrescentar um nível DC ao sinal alterando.CIRCUITOS LIMITADORES (CEIFADORES) E GRAMPEADORES Introdução Os circuitos limitadores ou ceifadores limitam a tensão de saída.

7.6. logo : Vsaída @Vent .2(a). A limitação da tensão será para tensões acima de V como mostra a Figura 6.3. 6. pois V e Vent polarizam reversamente o diodo temos: Vsaída = Vent . uma vez que Rl >> R Na Figura 6. R Vent Vp Vent V Rl Vsaída T -Vp Vsaída V -Vp T Figura 6..10 temos exemplos de outros circuitos limitadores e as suas respectivas formas de onda na carga. 6. 75 .9 e 6.Outros circuitos limitadores Nas Figuras 6. no qual o funcionamento é semelhante aos circuitos já analisados.8.2(b). 6.Análise do circuito limitador positivo No semiciclo positivo o diodo conduz logo: Vsaída =0 No semiciclo negativo o diodo abre. 6. logo: Vsaída = V No semiciclo como o diodo está sempre aberto.5. 6. temos um outro limitador positivo.7. no qual foi inserida uma fonte de tensão em serie com o diodo.2 (a) Circuito limitador positivo polarizado. quando vent > V o diodo conduz .4. (b) Forma de onda na carga Análise do Circuito limitador positivo polarizado No semiciclo positivo.

3 (a) Circuito limitador negativo. (b) Forma de onda na carga Vent +Vp Vent Vsaída T Rl -Vp Vsaída T Figura 6.4 (a) Circuito limitador positivo. (b) Forma de onda na carga 76 .Vent Vp T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída T Figura 6.

(b) Forma de onda na carga V Vent +Vp T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída -V+Vp -V T Figura 6. (b) Forma de onda na carga 77 .6 (a) Circuito limitador negativo polarizado.V Vent +Vp T Vent Rl Vsaída -V -Vp T -V .Vp -V Figura 6.5 (a) Circuito limitador positivo polarizado.

(b) Forma de onda na carga 78 .8 (a) Circuito limitador negativo.V Vent +Vp T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída T +V-Vp Figura 6. (b) Forma de onda na carga R Vent +Vp T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída +Vp T Figura 6.7 (a) Circuito limitador positivo polarizado.

(b) Forma de onda na carga Vent R +Vp T Vent V1 V2 Rl Vsaída -Vp Vsaída V2 T V1 Figura 6.9 (a) Circuito limitador polarizado. (b) Forma de onda na carga 79 .R Vent +Vp T Vent V Rl Vsaída -Vp Vsaída +Vp V T Figura 6.10 (a) Associação de limitadores.

Em todas as análises iremos admitir que a carga de um capacitor atinja o valor final em cinco constantes e tempo. O sinal é deslocado para acima do eixo como mostra a Figura 6. (b) Forma de onda na carga O capacitor se carrega no semiciclo negativo com Vp. 80 . um projeto de circuito requer a combinação de uma tensão CA com uma tensão CC. uma vez que o diodo irá permanecer sempre aberto e a constante de tempo RC>>Tentrada.6. O circuito se resume como mostra a Figura 6.11 (a) Circuito grampeador positivo.12. Vent +Vp C T Vent Rl Vsaída -Vp Vsaída +2Vp T Figura 6. a operação modifica o nível da tensão de referência CC.11(a).11(b). Chamamos esse processo de grampeamento ou restauração CC. com a polarização do capacitor. posteriormente não se descarrega mais. não havendo condições de descarregar por Rl. no qual no sinal CA(Vent) é adicionado uma tensão CC. temos um circuito grampeador positivo.2 Circuitos Grampeadores Algumas vezes. Em vez de mudar o aspecto da forma de onda. Na Figura 6.

temos mais exemplos de circuitos grampeadores e as suas respectivas formas de onda na carga. 6.17. Vsaída = 0 Quando Vent aumenta. 6. 6.Vp .14.16 e 6.Vp + Vent Rl Vsaída Figura 6. Vsaída diminui Quando Vent = . 81 . Outros Circuitos grampeadores Nas Figuras 6.13. Vsaída diminui até Vp No semiciclo negativo: Vsaída = Vc Vent Quando Vent diminui. Vsaída também aumenta. A análise é semelhante as análises já realizadas.12 Circuito grampeador positivo Análise do circuito grampeador positivo No semiciclo positivo: Vsaída = Vc + Vent Quando Vent = 0 Vsaída = Vc = Vp Quando Vent aumenta a tensão de saída também aumenta. Vsaída = 2Vp Quando Vent diminui . Quando Vent = Vp.15.

(b) Forma de onda na carga 82 .13 (a) Circuito grampeador negativo. (b) Forma de onda na carga Vent C +Vp T Vent V R Vsaída -Vp Vsaída V T -2Vp+V Figura 6.Vent +Vp C T Vent -Vp Vsaída R Vsaída T -2Vp Figura 6.14 (a) Circuito grampeador negativo polarizado.

(b) Forma de onda na carga 83 .16 (a) Circuito grampeador negativo polarizado.( Vp V) Vent C +Vp T Vent V R Vsaída -Vp Vsaída +2Vp+V V T Figura 6. (b) Forma de onda na carga Vent +Vp C T Vent V R Vsaída -Vp Vsaída -V T -V-2Vp Figura 6.15 (a) Circuito grampeador positivo polarizado.Obs: O capacitor se carrega com .

17 (a) Circuito grampeador positivo polarizado. 84 . determine a forma de onda na saída.19.Dado da Figura 6.Vent C Vp T Vent V R Vsaída Vsaída + 2Vp -V T -V Figura 6.Dado o circuito determine a forma de onda na saída. (b) Forma de onda na carga Exercícios 1.18 2. R Vent 30V Vent 4V Rl Vsaída T -30V 7V Vsaída T Figura 6.

1 Osciloscópio.1 gerador de áudio . Material necessário: . .1 diodo 1N4001 (ou equivalente). .20. 85 .1 resistor de 1M . .25W.1 multímetro (analógico ou digital). Monte o circuito da Figura 6. . Procedimento: 1.19 Experiência no Laboratório Experiência 9 Circuito Grampeador Neste circuito. deve-se montar um circuito grampeador.Figura 6. 0. no qual vent corresponde o sinal do gerador de áudio em 1KHz e amplitude de 5V. com o objetivo de analisar e observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio.1 capacitor 470 F.

você irá montar uma fonte de alimentação para alimentar CIs da família TTL. 86 .4 diodos 1N4001 (ou equivalente). .20 2. Circuito da Figura 6.1 CI 7805. .01mF.1 capacitor 0. Com o uso do osciloscópio observe a forma de onda do resistor e analise o que acontece com o sinal se o valor do capacitor ou do resistor diminuir.1 transformador -110V/220V .1 capacitor de 220mF. DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Fonte de alimentação para CIs da família TTL Neste circuito.C Vent R Vsaída Figura 6. Os CIs da família TTL necessitam de uma fonte de 5V.12V. . 500mA.21. . Material necessário .

21 87 .Figura 6.

fabricado especialmente para trabalhar na região de ruptura o que não ocorre nos diodos retificadores e de pequeno sinal. Na figura 7. Polarização reversa I Ruptura ou Vz Polarização direta v Iz(mín) Iz(máx) Figura 7. no qual. anodo catodo Figura 7. a sua principal aplicação é regular a tensão na carga. 7. mantém a tensão constante na carga. 88 .2.1. ou seja.Curva característica de um diodo zener. ou seja.Símbolo do diodo zener. este gráfica representa o funcionamento do diodo zener.CAPÍTULO 7 DIODOS ESPECIAIS Introdução O diodo zener é um diodo especial.2. temos o gráfico que relaciona a corrente e a tensão para o diodo zener. Constitui o último componente em uma fonte de alimentação.1 Diodo Zener O diodo zener é um dispositivo semicondutor.

3.6V e Is = 1.4mA Vz = 5.4mA 89 . montaríamos a tabela 7. enquanto a tensão que está sendo aplicada for menor do que a tensão de zener .4. ele se comporta da mesma forma que um diodo retificador. Na polarização reversa.6V e Is = 0. Esta tabela é importante para que possamos compreender o funcionamento do diodo zener.4mA Vz = 5.6V e Is = 3.4m A Vz = 5.4 Quando Ve = 1V Quando Ve = 2V Quando Ve = 3V Quando Ve = 4V Quando Ve = 5V Quando Ve = 6V Quando Ve = 7V Quando Ve = 8V Quando Ve = 9V Quando Ve = 10V Vz = 1V e Is = 0 Vz = 2V e Is = 0 Vz = 3V e Is = 0 Vz = 4V e Is = 0 Vz = 5V e Is = 0 Vz = 5. conduz a partir do momento em que vence a barreira de potencial. ele funciona como uma chave aberta. constituindo de uma fonte de alimentação e um resistor Rs Ve = RsIs +Vz Ve Vz Figura 7. Quando a tensão que está sendo aplicado ao diodo zener for maior do que a tensão de zener. observando que a tensão nele permanece a mesma aumentando apenas a corrente que passa por ele. ele passa a conduzir.3 Exemplo: Se montássemos o circuito da Figura 7.1 1KW Ve 5V6 Vz Figura 7. maior do que esta corrente o diodo zener será danificado. CIRCUITO BÁSICO O menor circuito para a montagem com o diodo zener é apresentado na Figura 7. Tabela 7.Quando se polariza diretamente o diodo zener. e medíssemos a tensão no diodo zener e a corrente que passa por ele ao aplicar a tensão Vê.6V e Is = 2.4mA Vz = 5.1. e existe a corrente máxima que o diodo zener suporta.6V e Is = 4. ou seja.

fazendo o equivalente de Thevenim.Is = Ve. ( retira o diodo zener do circuito e calcula a tensão visto a apartir do diodo zener ou seja para este circuito será a tensão no resistor Rl ) Vth = R1 . Is Rs Ve Vz Iz Rl Il Vl Figura 7. para que possamos fazer uma análise matemática e poder calcular as corrente que circulam no circuito.Iz(máx) CIRCUITO REGULADOR DE TENSÃO A Figura 7. mosta o circuito regulador de tensão.5 Circuito regulador de tensão Cálculo da tensão de Thevenin Vamos calcular a tensão que chega ao diodo zener.Ve Rl + Rs Se Vth > Vz (significa que o diodo zener está operando) 90 .4.Vz Rs Especificação do diodo zener Pz(máx) = Vz .

Logo: Is = Il + Iz Onde: Il = Vl Rl Vl = Vz e Is = Ve .2 Is = 4.57m = 3.3m 0. Il = 3.7KW 15V 3V2 Iz 5.7K Is = Il + Iz Iz = Is Il = 4.Vz Rs Ex: Dado o circuito (Figura 7.Ve Vth = 5.57mA Is = 15 3. 15 Rl + Rs Vth = 10V Vth > Vz logo: O diodo zener está regulando.3mA 2.6K 5.6KW Il Figura 7.6K = 0.2/5. calcule Is.6 Solução: Vth = R1 .73 mA 91 . Iz e Il Is 2.7K .6K+2.6).

5V. SIMBOLOGIA anodo catodo Figura 7.8 à 5. mostra uma fonte de alimentação.6V à 6. A simbologia para o led é apresentado na Figura 7.2 Diodo Emissor De Luz (LED) Os diodos emissores de luz são fabricados a partir do GaAs( arsenieto de gálio) acrescidos de fósforo que.7.Aplicação do Diodo Zener Uma das principais aplicações do diodo zener é na construção de fonte de alimentação pelo qual servirá para manter a tensão na carga constante.7 Fonte de alimentação Exemplo: 1)Se a tensão no capacitor oscilada de 5. ocorre a liberação de energia em forma de calor.3V e o diodo zener é de 3. verde ou azul. 7. podem irradiar luzes vermelha. D1 D2 Rs D3 D4 C Vz Rl Figura 7.8V ou seja a tensão que chega no diodo zener é 4.8.8 92 . em um LED a liberação de energia é na forma de luz visível. dependendo da quantidade. Enquanto que em um diodo comum na passagem de corrente. considerando que a queda em Rs seja de 0. são muitos utilizados como sinalizadores em instrumentos eletrônicos ou na fabricação de displays. laranja. A Figura 7.2V. amarela.2V. então a tensão depois que passa pelo diodo zener será constante em 3.

93 . no entanto a barreira de potencial varia de 1.9.5V dependendo da cor. Não se deve ligar um led em paralelo com uma fonte de alimentação.5V Figura 7.5V a 2. Para se polarizar um LED.9 Os LEDs apresentam as mesmas características dos diodos comuns. deve-se utilizar um resistor limitador de corrente para que o mesmo não se danifique. CIRCUITO BÁSICO: O menor circuito que podemos construir com um led é apresentado na Figura 7. I Polarização reversa Polarização direta v 1. ou seja só conduzem quando polarizados diretamente aplicando uma tensão maior do que a barreira de potencial.5 a 2. uma vez que a resistência da fonte é desprezível e a corrente que passará no led terá valor elevado. Comercialmente. pois danifica facilemnte.Na Figura 7. temos a curva característica para o led.9. o led trabalha normalmente com corrente na faixa de 10mA a 50mA.

94 . se este componente estiver polarizado em uma determinada região de sua curva característica. fique polarizado no seu ponto quiescente (Vled = 2V e Id = 20mA) 6V Is Figura 7.9 OBS: como Vled varia de 1. Este fato implica que.5V vamos adotar 2V Exemplo: 1)Determine Rs para que o LED do circuito (Figura 7. que é a região negativa.3 Diodo Túnel Este dispositivo possui uma característica não encontrada em nenhum outro de sua família.Rs Is = Ve .5 a 2. se aumentarmos a tensão entre seus terminais. a corrente que atravessa diminuirá.10).10 Solução: Rs = Ve Vled Is Rs = 6 2 20m Rs = 200 W 7.Vled Ve Is Rs Figura 7.

12.12 Por ser um diodo muito dopado. São também encontrados em circuitos capazes de converter potência cc em ca. 95 . SIMBOLOGIAS 7. osciladores e circuitos de chaveamentos. amplificadores. faz com que ele seja encontrado também em circuitos de alta frequência e alta velocidade. Um aumento de tensão maior do que Vp produz uma diminuição na corrente e a região entre os pontos de pico e do vale é chamado região de resistência negativa. Leo Esaki em 1958 e . mostra a curva característica para o diodo túnel. onde os tempos de comutação são da ordem de nano ou picossegundos. especialmente em computadores. conversores. APLICAÇÕES As características de resistência negativa os tornam úteis em circuitos de microondas. I Ip Iv V VP Vv Figura 7.Ele foi desenvolvido pelo Dr. as vezes é chamado de diodo Esaki. O fato deste dispositivo ser mais veloz do que todos os outros dispositivos ativos.11 Simbologia para diodo túnel A Figura 7. a corrente produz um valor máximo Ip. ao se polarizar diretamente conduz imediatamente. em homenagem ao seu descobridor. Na polarização reversa a ruptura ocorre próximo de 0V.

4 Diodo Varicap (Varactor ou VVC) Este diodo aproveita além dos efeitos na junção PN utilizados nos diodos comuns.15. filtros de banda passante ajustáveis etc. 96 .14 Simbologia A Figura 7. o fato da capacitância existente na junção ser função da tensão de polarização. Figura 7.15 Na polarização reversa em circuito de alta frequência. circuitos ponte autobalanceados e amplificadores paramétricos. temos a curva característica para o diodo varicap. APLICAÇÕES O Varactor é muito útil em diversas aplicações como em circuitos LC com sintonia por tensão.14 mostra a simbologia para o diodo varicap. dispositivos de controle de frequência automáticos.7. C V Figura 7. A Figura 7. como o diodo funciona basicamente como um capacitor (as regiões P e N são como placas do capacitor e a camada de depleção se compara ao dielétrico) ao aumentar a tensão reversa a capacitância irá diminuir.

que o LEd: a) acende normalmente nos 3 casos. Dado o circuito da Figura 7.16 2. Imin = 1mA. Is 3. calcule as correntes Is.18. c) Acende normalmente para 1400W. Cite algumas aplicações do Varactor. e) Não acende normalmente quando R1 for de 1400W ou de 690W e pode queimar quando R1 vale 110W. Cite algumas aplicações do diodo túnel. é correto. No circuito da Figura 7. b) Acende normalmente para 110W e 1400W. Explique o que você entende por LED. Figura 7.16. 1400W e 690KW.Revisão 1. 3. 5. Imáx = 25mA e Vled = 2V. mas com 690KW não irá acender e quando R1 for de 110 W pode queimar. mas não irá acender quando R1 for de 690KW. d) Não acende normalmente quando R1 vale 690KW e pode queimar quando R1 for de 110W ou de 1400W. 4.9KW 20V 5V6 Iz 10KW Il Figura 7. 97 . V1 = 15V e no LED D1.18 Considerando a possibilidade de R1 assumir os valores de 110W. Iz e Il.

19. ilustra um circuito alimentado por uma fonte de tensão senoidal. da forma: Figura 7. onde Z1 é um diodo zener de 15V e D1 um diodo ideal. A Figura 7. a forma: 98 . aproximadamente.6. ilustra um circuito alimentado por uma fonte de tensão senoidal da forma Ve(t) = 20sen(wt).19 7. aproximadamente. A Figura 7. que pode ser considerado ideal. cujo valor de pico é superior À tensão de diodo zener Z1. O sinal de tensão Vs(t) deverá ter.120. O sinal de saída Vs(t) deverá ser.

e requer no mínimo 5 mA de corrente para garantir a regulação. (E) se R = 500 . e consome de 0 a 5 mA.Figura 7.21. o diodo zener tem tensão nominal Z V de 10 V.20 8. (D) se R = 500 . (B) R > 500 . a carga L R é variante no tempo.21 Em condições normais de funcionamento: (A) Rl < 2 k . Figura 7. 99 . (C) se R = 500 . a potência máxima exigida da fonte não regulada é de 400mW. (ELETRONORTE 2006) Na fonte da Figura 7. a corrente máxima no diodo zener é de 10 mA. pode ser um resistor de 1/8 W. a tensão de entrada N V não é regulada. e varia de 15 a 20 V.

22 3. Figura 7. Material necessário: . Procedimento: 1.Monte o circuito da Figura 7. 0.1 diodo zener 5V6.Experiência no Laboratório Experiência 10 O diodo Zener Neste circuito.1 resistor de 1K .1 Fonte de alimentação variável (0-15V) .25W.5W.1 multímetro (analógico ou digital). .22. Preencha a tabela abaixo: Vf 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 A Vz 100 . . 0. deve-se montar um circuito básico com o diodo zener para compreender o seu funcionamento.

4. Qual o valor da tensão que se manteve constante? _________

Experiência 11

Fonte de alimentação (eliminador de pilhas)

Neste circuito, vamos montar uma fonte de alimentação.

Material necessário: - 1 transformador -110V/220V ,9V, 500mA - 4 diodos 1N4001 (ou equivalente); - 1 resistor de 10K , 3,3K e 470 (0,25W); - 1 capacitor de 220mF, 64V - 1 diodo zener 5,6V, 0,5W; - 1 multímetro (analógico ou digital).

Procedimento: 1.Monte o circuito da Figura 7.23.

Figura 7.23

2. Meça a tensão no resistor de 10KW. 3. Substitua o resistor de 10KW pelo resistor de 470W e um led, como mostra a Figura 7.24.

Figura 7.24
101

DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA
Alarme de subtensão
Descreveremos dois circuitos para um alarme de subtensão. No primeiro, quando a tensão diminuir abaixo de 12V um led deve acender. Porém, se a tensão voltar a aumentar o led irá apagar. No segundo circuito, quando a tensão diminuir abaixo de 12V, uma lâmpada irá acender, e mesmo que a tensão volte a aumentar, a lâmpada permanecerá acesa. Circuito 1

Material necessário -1 fonte de tensão variável; - 1 diodo 1N4004; - 1 led; - 1 diodo zener 12V, 0,5w; - 1 resistor 470W;5,6KW; 1KW; - 1 transistor BC338.

Circuito da Figura 7.25.

Figura 7.25

O único componente não estudado até aqui é o transistor. Neste circuito, o transistor irá funcionar uma chave.

102

O funcionamento do circuito será da seguinte forma: Como a tensão de alimentação é 14V, o diodo zener estará regulando, ficando 12V no diodo zener e 2V no resistor de 1KW. O transistor, neste caso, estará funcionado como uma chave fechada e toda a corrente passará por ele, como mostra a Figura 7.26.

Figura 7.26

Quando a tensão diminuir, abaixo de 12V, pode-se considerar que a corrente que passa no diodo zener será zero, logo, a tensão no resistor de 1KW será zero e o transistor funcionará como uma chave aberta. Toda a corrente passará pelo led e acenderá. Neste circuito quando a tensão cair abaixo de 12V o led acende, no entanto, se a tensão voltar a aumentar o led apaga. Descrevemos a seguir um circuito no qual, quando a tensão baixar e voltar a aumentar uma lâmpada ficará acesa. Material necessário -1 fonte de tensão variável; - 1 diodo 1N4004; - 1 lâmpada de 12V; - 1 diodo zener 12V, 0,5w; - 1 resistor 2,2K, 10K; - 2 resistores 1K; - 1 transistor BC338; - 1 capacitor 1F, 16V - 1 SCR ( TIC106D); -1 relé 12V.

Circuito 2 (Figura 7.27)

103

figura . 104 . no qual. a lâmpada é acesa. o transistor funciona como uma chave aberta e toda a corrente desvia para o circuito do capacitor que dispara o SCR.Figura 7. quando a tensão cair abaixo de 12V.27 Neste circuito. foi utilizado um SRC. A bobina do relé é acionada e o contato normalmente aberto do relé fechado.

e a adição de átomos pentavalentes a formação do material do tipo N.TRANSISTOR BIPOLAR Introdução O transistor é um componente eletrônico formado por materiais semicondutores. Foi desenvolvido no laboratório Bell Telephone e demonstrado em 23 de Dezembro de 1947 por John Bardeen.4). É a camada mais extensa.1 Constituição de um transistor bipolar A Figura 8. Walter Houser Brattain e William Bradford Shockley. O transistor começou a se popularizar na década de 1950 e ocasionou a revolução da eletrônica na década de 1960. Ela permite que a maioria dos elétrons injetados pelo emissor passe para o coletor. 105 .CAPÍTULO 8. 8. Coletor Base Emissor n Fluxo de lacunas p n Fluxo de elétrons Figura 8.3) e PNP (Figura 8. como o nome diz. O coletor. o que se denomina transistor NPN (Figura 8. A base é levemente dopada e muito fina. A adição de átomos trivalentes no semicondutor constitui a formação do material do tipo P.1 mostra a constituição do transistor.1 Estrutura física do transistor de junção bipolar NPN As extremidades são chamadas emissor e coletor e a camada central é denominada base. O nível de dopagem do coletor é intermediário entre a dopagem forte do emissor e fraca da base. As principais aplicações do transistor são: amplificar sinais elétricos e chavear circuitos. no qual é formado pela combinação de materiais semicondutores dopados com átomos trivalentes ou pentavalentes. 1998). recebe os portadores que vêm da base. Um transistor é formado pela combinação do material N+P+N ou P+N+P. Estes foram laureados com o prêmio Nobel da Física em 1956. 1999). O emissor é fortemente dopado e tem como função emitir portadores de carga para a base (elétrons no transistor NPN e lacunas no transistor PNP). pois é nela que se dissipa a maior parte da potência gerada pelos circuitos transistorizados (BOYLESTAD e NASHELSKY. respectivamente (LALOND e ROSS.

2 Polarização do Transistor Polarizar um transistor é aplicar fontes de alimentação em seus terminais para que possamos analisar o que acontece. o que significa que. . A base é levemente dopada e o coletor é o mais extenso dos três. e desta forma.Transistor NPN Figura 8. no emissor temos uma maior quantidade de elétrons livres do que no coletor.4.. na formação do materal do tipo N.3 . Na Figura 8. o transistor foi redesenhado fixar o que foi dito. Comparando as três camadas do transistor.2. 106 . elas não possui tamanhos iguais. nem apresentam a mesma dopagem. compreender o seu funcionamento. a quantidade de impurezas (átomos pentavelentes) é superior a quantidade de impurezas do coletor. Figura 8. Portanto. O emissor é o mais dopado dos três.2 Transistor Bipolar coletor base base coletor emissor emissor Figura 8.Polarização emissor -base reversamente e coletor base reversamente.Transistor PNP 8.

5.6 Polarização emissor base diretamente e coletor. Neste tipo de polarização não haverá circulação de corrente se desprezar as corrente de fuga de superfície e a corrente produzido termicamente. com isto aumenta a camada de depleção. Figura 8. Uma forma de visualizar este tipo de polarização é considerar entre o emissor e a base um diodo em que o catodo está no emissor e o anodo na base.Polarização emissor-base reversamente e coletor-base reversamente Pela Figura 8. Entre o coletor e base acontece o mesmo procedimento.Figura 8.Polarização emissor base diretamente e coletor.base diretamente . aumentando desta forma a barreira de potencial até se igualar a fonte Vcb. O positivo da fonte externa atrae os elétrons do coletor e o negativo que está ligado na base atrae as lacunas. A tensão positiva externa atrae o elétrons do emissor para a extremidade do transistor e o negativo da fonte externa aplicada na base atrae as lacunas.base diretamente 107 . observa-se que tensão aplicada no emissor para a base (Veb) e a tensão aplicada do coletor para a base (Vcb) polarizam o transistor reversamente.5. .

faz o menos da fonte repelir os elétrons do emissor.Polarização emissor base. O emissor é o mais dopado ele tem com função emitir elétrons.base. como mostra a Figura 8. os elétrons passam do emissor para a base. diretamente e coletor. Ao chegar na base ocorre o inesperado. haverá uma grande circulação de corrente circulando pela base do transistor. 108 .7. sendo atraído pelos íons positivo.8 e 8. A tensão Veb ao polarizar o transistor diretamente. Neste caso. reversamente Figura 8. A fonte de tensão externa aplicada entre o emissor e a base polariza o transistor diretamente e a tensão aplicada do coletor para a base polariza o transistor reversamente.9 mostram os sentidos das tensões e das correntes em um transistor NPN e PNP respectivamente.7. A tensão Vcb faz com que aumente a camada de depleção entre a base e o coletor. reversamente Este tipo de polarização é o mais utilizado dos três.base. Apenas uma pequena parcela desce pela base. a tensão aplicada no emissor para a base(Veb) e a tensão aplicada do coletor para a base(Vcb) polarizam o transistor diretamente. a maior parte dos elétrons passam para o coletor . Neste tipo de polarização verifica-se que o nome coletor está indicando que ele coleta os elétrons e o emissor tem como função emitir elétrons.6. Estes elétrons terminam indo para o positivo da fonte Vcb. Pode-se dizer que. diretamente e coletor.Na Figura 8. . na maioria das vezes aproximadamente de 95% a 99% dos elétrons que passaram do emissor para a base vão para o coletor e apenas 5% a 1% desce pela base. Se a tensão Veb for maior do que a barreira de potencial . -Tensões e correntes no transistor A Figura 8.Polarização emissor base.

3. O termo comum se refere ao terminal que será comum ao sinal de entrada e ao sinal de saída. 8.9 Transistor PNP Podemos tirar as seguinte conclusões: Transistor NPN Ie = Ic +Ib Vce = Vcb +Vbe Transistor PNP Ie = Ic + Ib Vec = Vbc +Veb 8. 109 .10). emissor comum e coletor comum.Figura 8. O emissor é comum aos sinais de entrada e saída.8 Transistor NPN Figura 8.1 Configuração Emissor comum Um transistor encontra-se na configuração emissor comum (Figura8. quando o sinal de entrada está na base e o sinal de saída está no coletor.3 Configurações Básicas do Transistor Os transistores podem ser utilizados em três configurações básicas: base comum.

10 Configuração Emissor comum Nesta configuração na entrada temos ib. este parâmetro serve também para o cálculo dos resistores de polarização para as outras configurações. Logo: b = Ic/Ib Embora este ganho de corrente tenha sido definido para a configuração emissor comum. Ie é comum ao sinal de entrada e de saída. na saída Ic. O ganho de corrente para este tipo de configuração é Ic/Ib Como esta configuração é a mais utilizada. Curva característica do sinal de entrada A curva característica do sinal de entrada mostra o comportamento da corrente Ib com relação a tensão Vbe (Figura 8. os manuais dos fabricantes mostram este ganho de corrente. Ganho de corrente O ganho de corrente relaciona a corrente de saída com relação a corrente de entrada. pelo qual é simbolizado pela letra beta cc.11). 110 .Figura 8. entraremos com mais detalhes estudando as curvas características de entrada e de saída. Devido a configuração emissor comum ser a mais utilizada.

O que observamos é que quando uma fonte de tensão contínua é aplicada entre o emissor e a base. Para que os elétrons do emissor passem para a base.11 Curva característica do sinal de entrada Entre o emissor e a base existe uma barreira de potencial.12).7V. deve-se vencer esta barreira.12 Curva característica do sinal na saída Como a corrente que flui para o coletor depende também da quantidade de elétrons que flui do emissor para base. Curva característica de saída A curva característica do sinal de saída. da corrente da base. mostra o comportamento da corrente Ic com relação a tensão Vce (Figura 8. 111 . ou seja. Figura 8.Figura 8. o gráfico é construído para os vários valores da corrente da base. Com o transistor construído com átomos de silício o valor da barreira de potencial é de 0. o funcionamento é semelhante a de um diodo.

se a tensão entre o emissor e a base for zero. a base é o eletrodo comum.Observamos que. polariza o coletor e a base reversamente. (Figura 8. também não haverá corrente no coletor. a maior parte dos elétrons é atraída pelo coletor devido aos cátions da camada de depleção. 8. a corrente do coletor não depende somente da tensão Vce. Figura 8. a tensão entre o coletor e base. O fato é que. Quanto maior for a corrente que passa para a base. Ganho de corrente a = Ic/Ie Definimos o ganho de corrente para este tipo de configuração. Logo. Quando uma tensão entre o emissor e a base for suficiente para vencer a barreira de potencial e assim a base ter corrente.15. Circuitos de polarização tendo como base a configuração emissor comum Polarização da base A Figura 8. aumentando a camada de depleção.3.2 Configuração Base comum Nesta configuração.13). maior será a corrente que também passa para o coletor. a base está na entrada e na saída do circuito. mesmo que a tensão entre o coletor e o emissor seja um valor elevado. Na saída está a tensão Vcb e a corrente Ic. pois será útil para análise de circuitos para outras configurações. mostra o circuito polarização da base 112 . como não há corrente na base. ou seja. mas também da corrente Ib.13 Configuração base comum Definimos como entrada a tensão Vbe e a corrente Ie.

Figura 8.3K. Logo: Vbb = RbIb + 0.14 Circuito polarização da base Malha de entrada -Vbb + RbIb + Vbe = 0 Adotaremos Vbe sempre igual a 0.7V.7V. Vcc = 12V e o ganho de corrente é igual a 100.15 Solução: 113 .Figura 8.7 Malha de saída . qaunto a tensão Vbb for maior do que 0. Rb = 220K. Rc = 3. entre a base e o emissor o transistor comporta-se como um diodo para uma tensão contínua. determine Vce e Ic. Dado: Vbb = 6V.Vce + RcIc + Vce = 0 Exercício Resolvido Dado o circuito (Figura 8.15). pois.

16).4mA Malha de saída 12 = Rc.4m + Vce Vce = 4. que intercepte todos os possíveis pontos de operação do transistor. (Figura 8. Neste caso.3K.08V Reta de carga cc Para saber os pontos de operação do transistor.7 Ib = 0.024mA Ic = bIb logo: Ic = 0. Esta reta é definida como reta de carga cc.16 Reta de carga CC Região de corte A região de corte é definida como a região no qual a corrente da base é zero (idealmente) é consequentemente.2.Malha de entrada 6 = 220KIb + 0.. Ic também é zero. o transistor funciona como uma chave aberta. faz-se necessário esboçar uma reta na curva característica de saída do transistor na configuração emissor comum. Figura 8.024mx 100 Ic = 2.4m +Vce 12 = 3. 2. 114 .

determine Ic e Vce.3K. Imagina-se o circuito da Figura 8. Vce = Vcc = 10V Neste caso. Logo Ib = 0 Como Ic = bIb e Ib = 0.Dado o circuito (Figura 8. o transistor funciona como uma chave aberta e está operando na região de corte.2K e b = 100. Figura 8.Exemplo: 1) Dado o circuito (Figura 8.17). Rb = 3.7. Rc = 2. Ic = 0.3V. pois entre a base e o emissor.2K e b = 100.18 Região de saturação Um transistor está operando na região de saturação. Dado: Vbb = 0. o transistor funciona como um diodo. quando a corrente Ib for um valor tão elevado que o transistor sature funcionando como uma chave fechada. Rb = 10K.18. Rc = 2. 115 . onde a tensão Vbb não é suficiente para vencer a barreira de potencial. determine Ic e Vce. Vcc = 10V. Exemplo .17 Solução: Malha de entrada Vbb = RbIb + 0. Figura 8. Vcc = 15V. Dado: Vbb = 12V.19). mesmo tendo um valor de tensão Vcc.

19 Solução: Malha de entrada Vbb = RbIb + 0. existe um valor de corrente Ic e tensão Vce que não são zero e também não possui o máximo valor possível para o circuito. já que o transistor funciona como uma chave fechada e desta forma a tensão Vce será zero. O transistor neste caso funciona como uma chave fechada como mostra a Figura 8. A única tensão que temos na malha de saída é de 15V para ser divida pelo resistor e transistor. Observe que a corrente que circula no coletor é o maior valor possível para este circuito. Na saturação a tensão Vce é igual a zero e a corrente Ic é o valor máximo possível para o circuito.20. Na região de corte a corrente Ic é igual a zero e a tensão Vce é o valor máximo possível. 342m + Vce Vce = .7. 3. sendo suficiente para saturar o transistor. é que a corrente da base é um valor bastante elevado. Na região ativa.4V Como um transistor não gera tensão.20 A corrente Ic será igual a Vcc/Rc. Região ativa A região ativa é a região intermediária entre a região de corte e saturação.737.42m = 342mA Malha de saída 15 = 2. 116 . Figura 8. 12 = 3.3KIb +0.42mA Ic = 100.2K.7 Ib = 3.Figura 8. O que temos neste caso.

7 Ib = 0.determine Ic e Vce. Cálculo da reta de carga cc Para o circuito da Figura 8.2K Ic + Vce Vce = 8. que não são zero nem o máximo.84V Observe que. Figura 8.7.Exemplo 1) Dado o circuito (Figura 8. ou seja. logo.8mA Malha de saída 15 = 2. Dado: Vbb = 10V.21).22. na construção de amplificadores. o cálculo da reta de carga cc deve ser processado da seguinte forma: 117 . temos um valor positivo de corrente Ic e tensão Vce. Rc = 2. o transistor está operando na região ativa.2K e b = 100. 10 = 330KIb + 0.028mA Ic = 2. Rb = 330K.21 Solução: Malha de entrada Vbb = RbIb + 0. O transistor operando na região ativa será útil na construção de circuitos para amplificar um sinal. Vcc = 15V.

23 Solução: Na região de corte 118 . determine a reta de carga cc.23). deve-se calcular dois pontos. Vbb = 4V e Vce = 15V Figura 8.22 Para determinar a reta de carga.3K.Figura 8. Iremos calcular na região de corte e na região de saturação. Dado: Rc= 3. Na região de corte: Ic = 0 Vce = Vcc Na região de saturação Vce= 0 Fechando a malha temos: Vcc = Rc i c + Vce Logo: Vcc = Rc Ic Icsat = Vcc/Rcc Ex: Dado o circuito(Figura 8. Rb = 270K.

Ic = 0 Vce = 15V

Na região de Saturação Icsat = 15/3,3K = 4,54mA Vce = 0

A reta de carga cc é mostrado na Figura 8.24.

Figura 8.24

Polarização da base O circuito polarização da base é apresentado na Figura 8.25.

Figura 8.25 Circuito polarização da base

No circuito da Figura 8.25, conhecido como polarização da base é o circuito mais utilizado quando deseja colocar o transistor para que funcione como chave, ou seja, o
119

transistor esteja funcionando na região de saturação ou na região de corte. Geralmente, a fonte de alimentação da base é a mesma que alimenta o coletor, isto é, Vbb = Vcc. O circuito então, é desenhado como mostra a Figura 8.26.

Figura 8.26 Circuito polarização da base

Este tipo de polarização, porém, não é utilizado quando se deseja utilizar o transistor para que opere na região ativa. Coloca-se o transistor na região ativa quando deseja construir um circuito para amplificar um sinal ca Ao utilizar o circuito acima, colocando o transistor para operar no meio da reta de carga cc, com o aumento da temperatura o ponto quiescente é alterado indo para a saturação. Demonstração Na primeira malha temos: Vcc = Rb ib + Vbe

Na segunda malha: Vcc = Rc ic + Vce Para que o transistor opere na região ativa, o ideal é que ele opere no meio da reta de carga cc. Para isto deve-se colocar Vce = 0,5Vcc. Com o aumento da temperatura o ganho de corrente aumenta e consequentemente ic também aumenta, uma vez que, ic = bib. Da segunda malha como Vcc e Rc são valores fixo, ou seja, não sofrem influência com a alteração da temperatura ambiente. Para que a equação continue válida, Vce diminui. Vce diminuindo o ponto quiescente na reta de carga cc deve subir, ou seja, o transistor tende a saturação. Para polarizar o transistor na região ativa, foram implementados vários circuitos, até conseguir o circuito mais utilizado, que é o circuito polarização por divisor de tensão. Iremos analisar a evolução dos circuitos.

Polarização com realimentação do emissor

120

Na figura 8.27, temos o circuito polarização com realimentação do emissor,no qual foi inserido um resistor no emissor.

Figura 8.27 Polarização com realimentação do emissor

Malha I Temos: Vbb = Rb ib + Vbe + Re Ie Malha II temos Vcc = Rc ic + Vce + Re ie Exercício resolvido Dado o circuito (Figura 8.28), determine Ib, Ie, Ic e Vce. Vcc= 12V, Vbb = 6V, Rb = 470KW, Rc = 2,7KW e Re = 800W, b = 120.

Figura 8.28

121

devemos determinar o equivalente de Thevenin.0112mA Ic = bIb Þ Þ Ic = 1.29.35mA Þ 6 = 470K ib + 0.34m + Vce + 800. temos o circuito polarização por divisor de tensão. Rth = R1//R2 Rth = R1.Solução: Vbb = RbIb + Vbe Ib = 0.011m Ie = 1.35m Vce = 7.34mA Ie = 1. 1.R 2 R1 + R 2 122 . visto da base para o terra.34m + 0. Figura 8.29 Circuito polarização por divisor de tensão Para simplificar os cálculos.7K. 1.3V Polarização por divisor de Tensão Na Figura 8.7 Ie = Ic + Ib Vcc = RcIc + Vce + ReIe 12 = 2.

Figura 8.30 Circuito equivalente de Thevenin Malha I Temos: VTh = RTh ib + Vbe + Re Ie Malha II temos Vcc = Rc ic + Vce + Re ie Exercícios resolvidos 1.31). O ganho de corrente é igual a 100 123 .Dado o circuito (Figura 8. determine Vce e Ic.Vth = R2 Vcc R1 + R 2 Circuito após o equivalente de Thvenin é apresentado na Figura 8.30.

09 = 3Kib + 0.213m) Vce = 11.32 Circuito equivalente 1.Figura 8.32.09V 33K + 3.3K Vth = O circuito pode ser substituído pelo circuito da Figura 8.8Kie Ie = ic + ib.8K( 101ib) 0.3K 3.8K ib Malha 2 ib = 0.3. Figura 8.7 + 1.3K = 3KW 33K + 3. onde: ic = bib ou seja ie = 100ib+ ib = 101ib logo: 1.31 Solução: Rth = 33K .7 + 1.02m) + Vce + 1.002mA logo: ic = 0.8K ie 12 = 3.3K 12 = 1.8K (0.55V 124 .39 = 184.213mA 12= 3.09 = 3K ib + 0.3K (0.21mA e ie = 0.3Kic + Vce + 1.

isto é.33 temos: Na saturação forte: Ib = 0.8. Figura 8.33 Transistor como chave Analisando a Figura 8. Ib + 0 . Para colocar o transistor para na saturação forte deve-se fazer com que a corrente da base seja aproximadamente um décimo do valor da corrente de saturação. A saturação forte é a utilizada em circuitos.7 = Rc. ic Igualando as duas equações temos: Rb.ib+0.4 Transistor como Chave A regra para projeto Uma saturação leve significa que levamos o transistor apenas no início da saturação.7 Malha de saída Vcc =Rcic + Vce como na saturação Vce = 0. pois o transistor continua na saturação mesmo no pior caso de variação do ganho de corrente com a variação da temperatura. Não é muito utilizado o transistor na saturação leve por causa da variação do ganho de corrente.ic 125 . Temos: Vcc = Rc. a corrente da base é o valor exato e suficiente para operar o transistor no extremo superior da reta de carga.1ic Malha de entrada: Vcc = Rb.

34. Esta tensão faz com que fixe a tensão no emissor de 3.7V temos. 0.1ic = Rc. verificamos que na base existe uma tensão de 3V.5V. pois mesmo alterando a queda de tensão nos leds a corrente permanece a mesma. 126 . Ic Na saturação forte ib = 0. da figura 9. Figura 34.1.7.1ic. Ic .34).0. Transistor como fonte de corrente Observando a Figura 8. Neste circuito. a base amarra a tensão do emissor.necessitam de uma corrente de 10mA para obter uma boa luminosidade.5V enquanto l-2 uma queda de 2. No entanto L-1 proporciona uma queda de 1.Desprezando 0. logo: Rb. ou seja.5.5 Transistor como Fonte de Corrente Para entender melhor o transistor como fonte de corrente vamos para este problema. Ib = Rc. Rb. . o transistor está funcionando como fonte de corrente.Os leds L-1 e L-2. Poderá o led 2 ter sua luminosidade diminuída por necessitar de mais tensão? (Figura 8. logo: Rb = 10Rc 8.

Leitura Complementar Modelagem do transistor para análise CA O transistor em um circuito elétrico é substituído pela combinação de elementos apropriadamente escolhidos. 8 3 Modelo de Erbers Moll Ao substituir o transistor pelo modelo de Erbers-Moll.Os cálculos a seguir demonstram isto: Se ambos os leds necessitam de 10mA para o brilho ideal basta fixar a corrente de emissor em 10mA. tem-se o seguinte circuito equivalente para o transistor (CIPELLI e SANDRINI. os cálculos envolvidos no circuito ficam mais simples. Os mais utilizados são o modelo de Erbers Moll e o modelo híbrido (MALVINO. O objetivo de modelar o transistor é facilitar a análise para sinais alternados em função das tensões. 2001). a luminosidade do led2 não será diminuída. Re = (3-0. 127 . tendo-se o que é denominado modelagem do transistor. dimensionando o valor de Re. No modelo de Ebers Moll. Há vários modelos para representar o transistor em um circuito elétrico. que se aproximam melhor do funcionamento real. O modelo híbrido requer cálculos mais complexos. porém sem obtém maior precisão. correntes e freqüências envolvidas. Logo. por isto.7)/10mA Re = 230W Observe que a fonte da base ligada diretamente na base fixa a corrente ie. é utilizado com freqüência. 1995 ).

À temperatura de 25¡C. 2001: 98) e a Eq.1 ÷ ÷ ø (1) I = corrente total do diodo Is = corrente de saturação reversa V = tensão total através da camada de depleção q = carga de um elétron (1.1 não inclui a resistência de corpo de cada lado da junção.Transistor NPN emissor Figura 36 . por isso é aplicada ao diodo somente quando a tensão através da resistência for desprezível.6 10 -19 Coulomb) k = constante de Boltzmann (1. SANDRINI.1 com relação a V.Modelo Erbers Moll Onde: re´ = resistência a passagem do sinal alternado no emissor. pode ser deduzida como segue: A equação da junção PN retangular deduzida por Shockley (substituída pela resistência re´ no modelo) é: Onde: I = æ Is ç e ç è q .T ö . q/kT é aproximadamente igual a 40 (CIPELLI.38 10 -23 Joules/Kelvin) T = temperatura absoluta (ºK) A descrição da Eq. dI/dV = 40Ise40V Pode-se escrever na forma dI/dV = 40( I + Is) 128 .coletor base base coletor re` emissor Figura 35 . do modelo de Erbers Moll.1 torna-se: I = Is(e 40V 1) Para obter re`. diferencia-se a Eq.V k .

o valor prático de re` é: re´ = 25mV/ I Como se está tratando da camada de depleção do emissor. a forma adotada é fixar v1 e i2 como variáveis dependentes e i1 e v2 como variáveis independentes (CUTLER. de tal forma que ele possa ser modelado matematicamente: Variáveis: v1 = tensão de entrada v2 = tensão de saída i1 = corrente de entrada i2 = corrente de saída Convenção: Tensão positiva para cima Corrente positiva para dentro i1 + v1 _ Circuito Elétrico i2 + v2 _ Figura 36 .4 Modelo Híbrido No modelo híbrido (MARQUES et al.1997). De acordo com essa escolha.Tomando-se o inverso resulta o valor de re` re´= dV/dI = 1/40( I + Is) = 25mV/ (I + Is) Em um amplificador linear prático. acrescenta-se o índice e na corrente. re´ = 25mV/Ie 5. tem-se modelo matemático de quadripolos. o transistor é substituído por um único dispositivo denominado quadripolo. Para o modelamento do transistor. 129 . 1996). fixando-se duas variáveis dependentes e duas independentes. Por isso.Quadripolo Genérico Essas quatro grandezas envolvidas podem ser relacionadas entre si por meio de funções lineares. I é muito maior do que Is (caso contrário a polarização é instável).

denominados h11.v2 i2 = h21. 130 . como segue: .v2 Assim.h12 e h22 Para i1 = 0. As equações se reduzem a: v1 =h11.5. definindo as duas funções lineares f1 e f2 da seguinte forma : v1= h11.v2 Logo: h 12=v1/v2 (entrada aberta) h 12 (hr) Ganho de tensão reverso com entrada aberta h 22 = i 2/v2 (entrada aberta) h 22 (ho) Admitância de saída com entrada aberta Conhecidos os parâmetros h do quadripolo. os parâmetros h e seus significados físicos podem ser obtidos fixando-se o valor de uma das variáveis independentes. seu modelo elétrico fica determinado como segue. v2) Este tipo de modelo que fixa a tensão de entrada v1 e a corrente de saída i2 como variáveis dependentes.h11 e h21 Para v2 = 0. exatamente por misturar tensão e corrente como variáveis dependentes e independentes (BADHERT. Para relacionar essas tensões e correntes.1 Modelamento matemático do quadripolo v1 = f1 (i 1.4. h21 e h22.i1 + h22.i1 Logo: h 11= v1/i1 (saída em curto) h 11 (hi) É a impedância de entrada quando a saída está em curto. h 12. e a corrente de entrada i1 e a tensão de saída v2 como variáveis independentes. o quadripolo deve ser formado por quatro parâmetros h internos e constantes.i 1 e i2 = h21. é denominado modelo híbrido. As equações se reduzem a v1 = h12.v2) i2 = f2 (i1. . 1995). h 21 =i2/i 1 (saída em curto) h 21 (hf) É o ganho de corrente quando a saída está em curto.v2 e i2 = h22.i 1 + h12.

determine a reta de carga cc e indique o ponto quiescente. 131 . Exercícios 1. No teorema de Thevenin. Figura 8. Dado: R1= 10KW. R4 = 820W . Dado o circuito da Figura 8. um circuito com múltiplas malhas é reduzido para uma fonte de tensão em série com uma resistência . Dado o circuito da Figura 8.i1 + hi i2 + v2 _ v1 _ hr v2 hf i1 h0 Figura 37 Modelo híbrido para o transistor As equações de Kirchhoff para este modelo são: v1= hi.38. um circuito com muitas malhas é substituído por uma fonte de corrente e uma resistência em paralelo (MALVINO. determine a reta de carga cc e indique o ponto quiescente.v2 Neste modelo elétrico.38 2. 1995). Vcc = 12V e beta = 100 .2KW . R2 = 3. tem-se na entrada o teorema de Thevenin e na saída o teorema de Norton.i 1 + ho.9KW. R3 = 2.i1 + hr.v2 i2 = hf.39. No teorema de Norton.

Vcc = 12V. Rb = 330KW.7KW. Figura 9. O beta na região ativa é de 100. Vbb = 6V .7MW. b1 = 100 e b2 = 130. Dado o circuito da Figura 8.39 3.41. Considere o circuito da Figura 8. Re = 820W. 132 . Dado: Rb = 2.40. Determine a reta de carga cc . determine a corrente Ie2.Dado: Rc = 3.40 4. Vcc = +12V. indique o ponto quiescente na reta e determine Vc.2KW. Vee = -5V e ganho de corrente de 120 Figura 8. Re2 = 1.

43. Figura 8. Determine os valores aproximadamente de Rc em W.41 6. Figura 8. b) Considerando que o circuito apresenta R1 = 110KW. em mA. 133 . e Ib. A Figura 8. R2 = 40KW e Re = 340W. Beta = 40 e Vbe = 0.43 Sabendo-se.7V e as curvas características do transistor com a reta de carga correspondente.. Observe o circuito.figura 8. qual a corrente. para temperatura de 50°C no RTD? 6. no Transistor Tr1. exibida pelo Amperímetro A1.6V.42 e o gráfico.42 Figura 8. mostra um circuito transistorizado operando na região ativa com Vbe = 0.55. Determine: a) O ganho de corrente (bcc). em Amperes. Figura 8.

46. cortado e saturado. e) cortado. na curva. submetido no circuito transitorizado. nos intervalos T1. são: a) saturado. saturado e operando na região linear. T2 e T3. c) operando na região linear. Considere. 134 .Figura 8. A figura8. a saída está localizada onde está o Amperímetro A1 e a sua entrada é S1. cortado e operando na região linear. que é a chave do sensor de fim de curso de uma válvula.44 7. temos o circuito de um transmissor eletrônico analógico de informação. b) saturado. Nele. operando na região linear e cortado. No esquema da Figura 8. d) cortado.45 8. Figura 8.45 ilustra o sinal de tensão de entrada Vê. respectivamente. os seguintes intervalos de tempo: T1 de 0s a 1s T2 de 1s a 3s T3 de 4s a 6s É correto afirmar que os estados do transistor. operando na região linear e saturado.

Considere a barreira de potencial no led de 2V e o beta para os dois transistores de 100. A continuidade é indicada pelo led. Sabendo que o transistor tem os seguintes dados: beta = 200 e Vbe = 0. Algum led irá aceder? Explique o que acontecerá.7V.Figura 8.47 10. 135 . mostra um simples provador de continuidade.48. A barreira de potencial do led1 = 2V e do led 2 = 1. Quais os valores dos potenciômetros P1 e P2 em KOhms? 9. no qual a placa não apresenta defeito. A chave S1 deve está fechada.7V. Figura 8.47. Dado: Vcc = 12V. Determine Vce e Ic no transistor 2 ao medir a continuidade em uma placa de circuito impresso. S2 Fechada = 20mA em A1. Para que apresente uma boa luminosidade deve passar uma corrente de 10mA em cada led. A figura 8. Foi montado em laboratório o circuito da Figura 8.46 Este transmissor deve enviar as seguintes informações: S1 Aberta = 4mA em A1.

e da corrente Iz no Zener. Figura 8. para que a corrente que circule no motor seja de 1mA quando o sensor for ativado.7V.2V e um transistor com b = 100 e Vbe = 0.49 12.49. Existem chaves reed swich normalmente aberta e normalmente fechada. determine a tabela da verdade e indique qual porta lógica o circuito está representando. Figura 8. OBS.48 11. No circuito foi utilizada uma 136 .50).50 13. Dado o circuito(Figura 8.51). em volts. calcule o valor do resistor da base. O ganho de corrente do transistor é de 100 e o sensor é uma chave reed switch. em mA.Figura 8. mostra um conversor DC/DC que utiliza um diodo Zener de tensão nominal de 8. O circuito da figura 8.Dado o circuito (Figura 8. Determine. os valores de tensão de saída Vo.

Usando a mesma tensão de alimentação do circuito de controle e o transistor Darlington.52 15. A resistência do relé é de 100W. Figura 8. Figura 8. Ele deve ser acionado por um circuito de controle que fornece 12V de tensão na saída.52). (Figura 8. Parâmetros do transistor Darlington Ganho de corrente 1500 Ic máx = 150mA Vbe sat = 1.53).4V Vce sat= 1V 137 . (Figura 8. No circuito foi utilizado um LDR.chave normalmente aberta que funciona da seguinte forma: Normalmente está aberta e ao aproximar do imã a chave fecha. Para o circuito deseja que com a incidência de luz o relé seja energizado.Projete o circuito para que o transistor funcione como chave.51 14. especifique os resistores Rb eRc. no qual com a incidência de luz a resistência é de 400W e na ausência de luz a resistência é de 1MW. conforme o esquema abaixo. Um motor CC opera com tensão de 5V e corrente de 100mA.

1 multímetro (analógico ou digital). Procedimento: 1. 138 .Monte o circuito da Figura 8. deve-se montar o circuito.Figura 8.54. 560 (0. . .25W). .1 Fonte de alimentação 10V. Material necessário: .1 resistor de 5.1 transistor NPN (BC338). no qual o transistor irá operar como chave.53 Experiência no Laboratório Experiência 12 Transistor como chave Neste circuito.1 led.6K . .

Ie.Ic. Vbe. Material necessário: .1 led.1 resistor de 330 (0.Ic. Coloque a chave na posição 2 e meça Ib.Ie. 3. no qual Vbb = 3V e Vcc = 8V: 139 . . . .Figura 8.54 2. no qual o transistor irá operar como fonte de corrente. Experiência 13 Transistor como Fonte de corrente Neste circuito. Vbe. .1 multímetro (analógico ou digital). Procedimento: 1.Vce e Vcb.1 transistor NPN (BC338).2 Fontes de alimentação 8V.Vce e Vcb. Coloque a chave na posição 1 e meça Ib. deve-se montar o circuito.25W).55.Monte o circuito da Figura 8.

você vai montar um alarme para porta.4 pilhas em um suporte para 4 pilhas ( duas em série e duas em paralelo). DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA Alarme para porta com transistor Neste circuito. 140 .1 resistor 5. .1 Chave reed swich (normalmente fechada). (ou equivalente).55 2. Material necessário: . Circuito (Figura 8. -1 Transistor BC338. no qual a porta deve estar fechada e ao abri-la.Figura 8. Aumente progressivamente a tensão na base até igualar a tensãoVcc(8).56). deve acionar um buzzer.6K (0. Explique porque o led apagou. .25W). .1 Buzzer de 6V.

Figura 8.56

0 íma deve ficar na porta e o circuito como mostra a Figura 8.57.

Figura 8.57

A chave reed swich é normalmente fechada. No circuito, como a porta normalmente está fechada e o imã fica próximo a chave reed swich, a chave reed swich fica aberta. Ao abrir a porta, afasta o imã da chave reed swich e a chave reed swich fecha, fazendo com que circule corrente na base, desta forma o transistor deve entrar na região de saturação e acionar o buzzer.

Alarme de passagem
Neste circuito, uma fonte de luz deve sempre estar inserindo no fototransistor, ao bloquear esta emissão de luz, uma lâmpada será acesa. Material necessário

141

-1 bateria de 12V; - 1 diodo 1N4004; - 1 lâmpada de 12V; - 1 resistores de 68KW, 1/4W; - 2 resistores 1K; 1/4W; - 1 transistor BC338; - 1 capacitor 100mF, 16V; - 1 capacitor 0,01mF, 16V; - 1 fototransistor (qualquer um serve); - 1 CI 555; - 1 relé 12V. Circuito

Figura 8.58

Neste circuito (Figura 8.58), uma fonte de luz deve estar inserindo luz no fototransistor, pode ser uma lanterna, e o fototransistor está funcionando como uma chave fechada. A tensão de 12V está sobre o resistor de 1KW. No pino 2 do CI 555, tem-se uma alimentação de 12V. A saída (pino 3)fica em 0V. Quando ocorre o bloqueio da luz sobre o fototransistor, este entra na região de corte e entra 0V, sobre o pino 2. A saída do CI555(pino 3) sai aproximadamente 12V(na prática sai uma tensão menor devido as perdas no CI) e o transistor entra na região de saturação. O relé é acionado e a lâmpada de 12V é acesa. O tempo em que a lâmpada permanece acesa é calculado pela seguinte expressão: T = 1,1 RC = 1,1x68Kx100m = 7,48s. Após este tempo a lâmpada apaga.

142

CAPÍTULO 9 - OUTROS COMPONENTES ELETRÔNICOS
Introdução
Além dos diodos e transistores bipolares, existem vários outros componentes eletrônicos. Alguns desses componentes são usados em eletrônica de potência ou em circuitos osciladores e apresentam comportamentos completamente diferentes daqueles já estudados. Neste capítulo iremos explorar alguns desses componentes.

9.1 Transistor de Unijunção (TUJ)
Os transistores de unijunção (TUJ) são projetados para trabalharem em osciladores, circuitos temporizadores e disparadores (triggering). Embora sejam chamados de transistores e possuírem três terminais, sua constituição física é muito diferente de um transistor bipolar convencional, como podemos verificar na Figura 9.1. Um TUJ é dispositivo de baixa potência, com dissipação máxima de 300 mW. Na Figura 9.2 temos um equivalente elétrico para o TUJ e um circuito de teste. São exemplos de TUJ os seguintes componentes: 2N2646, 2N2647, 2N4870, 2N4871.

Junção pn

B2 B2

E Bastão de alumínio

E

B1 Silício tipo n B1

(a)
Figura 9.1 TUJ: (a) construção básica, (b) símbolo.

(b)

9.1.1 Funcionamento Pela Figura 9.2 (a), vemos que se a tensão VE do emissor for menor que 0,7 + VRB1 o diodo se encontrará inversamente polarizado, IE será praticamente nula e corrente que circula pelo componente será dada pela tensão de alimentação divida pela resistência interbase RBB. O valor de RBB fica normalmente entre 4 k e 9 k . Nessa situação, quando IE = 0, a tensão VRB1 é calculada por: RB1 VRB1 = VBB = hVBB . RB1 + RB 2
143

2 TUJ: (a) equivalente elétrico. Nesse circuito.1. Note que na base 1 são gerados pulsos periódicos. isto é. o SCR (silicon controlled rectifier). porém.2 Aplicação típica: oscilador de relaxação Na Figura 9. Esses pulsos podem ser usados para ativar um outro dispositivo. que será estudado mais adiante. 9. æ 1 ö R1C1 lnç ç 1 -h ÷ ÷ è ø A dedução dessa fórmula envolve algum conhecimento de cálculo e de transitórios CC. estudaremos um componente mais simples . estando fora do escopo deste livro.55 e 0. ocorre uma redução drástica no valor de RB1 e passa a circular uma corrente maior pelo TUJ.2 (b) temos uma aplicação típica para o TUJ. Isso faz com que o capacitor se descarregue rapidamente através do resistor Rb1. Quando a tensão VE se aproxima de VRB1 mais a tensão de polarização do diodo do emissor. Antes. A frequência desse oscilador é aproximadamente dada por: f @ 1 . O valor de pode variar. entre 0. o capacitor vai se carregando através do resistor R1. ocorre uma injeção de lacunas na região N correspondente a RB1 e a tensão do emissor cai rapidamente. Quando a tensão do capacitor atinge o valor crítico para a condução. O valor ( eta ) é a razão intrínseca do TUJ. (b) circuito de teste. isto é. a razão entre RB1 e RBB. tipicamente. 144 .85. quando VE > VD + VRB1. o diodo de quatro camadas Schockley.B2 RB2 VBB IE E RBB = R B1 + RB2 (IE = 0) VE RB1 VBB B1 (a) (b) Figura 9.

A Figura 9. por exemplo.3 (c) (b) (a) Diodo Schockley (diodo de quatro camadas). (c) Diodo Schottly (diodo de duas camadas). (b) representação das quatro camadas PNPN.2. (a) Figura 9. diodo com duas camadas.4 (b) (c) . 145 . 9.1 Funcionamento Para entender o funcionamento do diodo Schockley devemos analisar o funcionamento do circuito conhecido como trava ideal . indicado na Figura 9. (a) Dispositivo de quatro camadas. em computadores). (c) trava formada por dois transistores.4.9. usado em aplicações que exigem altas freqüências.2 DIODO DE QUATRO CAMADAS O estudo dos tiristores deve começar pelo dispositivo que origina toda a família. o diodo de quatro camadas ou diodo Shockley (não confundir com o diodo Schottky. como. (b) modelo de estudo para a trava ideal . (a) Figura 9.3 mostra a simbologia do diodo Shockley (diodo que iremos estudar) e do diodo Schottly.

Desta forma o diodo Schockey irá funcionar como uma chave fechada. A corrente na base do transistor NPN aumentará mais e o ciclo continua até os dois transistores entrarem em saturação. O ciclo irá se repetir até que os dois transistores entrem na região de corte. O único modo de abri-lo é através do desligamento por baixa corrente. Com polarização reversa o diodo se comporta como um diodo comum. apresentando altíssima resistência. Temos uma realimentação positiva conhecido como regeneração. O efeito é o mesmo que aplicar um disparo. 146 .5. Significa reduzir a corrente para um valor abaixo da corrente de manutenção (IH) ou tensão de manutenção (UH). Curva característica do diodo de quatro camadas Schockley. A curva característica do diodo Schockley é mostrada na Figura 9. somente voltando a cortar quando a tensão (corrente) de anodo cair abaixo de um valor chamado de tensão (corrente) de manutenção. Se a corrente da base do transistor NPN aumentar. Acima deste valor o dispositivo dispara passando a conduzir. UH (IH). de forma a saturar os dois transistores. Por outro lado. A tensão de breakover significa aplicar uma tensão de alimentação suficientemente grande no emissor do transistor PNP. funcionado como uma chave fechada. ou aplicar uma corrente na base do transistor NPN. conhecida como tensão de breakover (UBO). a corrente na base do transistor PNP também aumentará. Se a tensão reversa exceder a tensão de breakdown (UBK) o diodo será destruído. se alguma coisa fizer a corrente da base do transistor NPN diminuir. O modo mais comum de disparar do diodo Schockley é através da interrupção.Analisado a Figura 9. observamos que o coletor do transistor PNP é ligado na base do transistor NPN. Teremos uma chave aberta. consequentemente. O coletor do transistor NPN é ligado na base do transistor PNP.3-(c). a corrente do coletor também diminuíra. Como conseqüência. Com polarização direta o diodo apresenta alta resistência enquanto a tensão for menor do que um valor chamado de tensão de breakover (UBO). Figura 9. a corrente da base do transistor PNP também diminuirá ocasionando uma diminuição na corrente do coletor do transistor PNP. a corrente do coletor do transistor também NPN aumentará.5.

A estrutura básica de um SCR é mostrada na Figura 9. Tiristor é um nome genérico dado a uma família de componentes semicondutores formado por quatro camadas (PNPN). mas com corrente de porta nula. (b) símbolo do componente.9. 9. (c) exemplo de encapsulamento (TO220).3 Diodo controlado de silício (SCR) O SCR é um dispositivo de quatro camadas que foi desenvolvido no Bell Telephone Laboratory (EUA) em 1957. É um dos mais usados e difundidos tiristores.1 Estrutura e funcionamento do SCR O funcionamento de um SCR é semelhante à de um diodo de silício após o disparo de sua porta (gate). 147 .7 SCR polarizado diretamente.6 e seu funcionamento é explicado a seguir. Um SCR é basicamente um diodo de quatro camadas unilateral no qual foi colocado um terceiro eletrodo chamado de gate (G) ou porta usado para controlar o disparo do diodo por injeção de corrente. Esses componentes são aplicados principalmente na área de eletrônica de potência. (a) (b) (c) Figura 9. Figura 9. Sem esse disparo.6 (a) Camadas e junções do SCR. o SCR permanece bloqueado mesmo quando está diretamente polarizado.3.

3.5V ). Este estado é alterado após um disparo de corrente no gate. b) fechando a chave Ch1. Como vimos anteriormente. é necessário pelo menos uma tensão de 0.5V a 1.8. A tensão de anodo cai para um valor baixo (0.Quando o circuito mostrado na Figura 9. A porta de um SCR é aproximadamente equivalente a um diodo. No circuito da Figura 9. A corrente de gate necessária para disparar o SCR é designada IGT e pode ser da ordem de mA no caso do TIC 106. um diodo de quatro camadas pode ser representado por dois transistores ligados com realimentação de um para o outro.8 SCR em circuito CC. Para o circuito mostrado na Figura 9.2 Aplicações em CC típicas para o SCR Em CC deve ser previsto circuito de reset após o SCR disparar. Figura 9.7 é montado em laboratório. a porta. Por exemplo. que irá depender do SCR utilizado. c) fechando a chave Ch2. será necessário uma corrente mínima.7V para disparar o SCR. Por esta razão. a chave A é usada para disparar e a chave B para resetar o SCR. Além disso. Bloqueio por capacitor. a corrente de disparo será especificada pelo fabricante. O SCR só volta a cortar quando a tensão (corrente) cair abaixo de um valor chamado de tensão (corrente) de manutenção. ou seja. 148 . o TIC106 tem IH@ 0. Após disparar. 9. verifica-se que o SCR funciona como uma chave aberta. o SCR passa da condição de alta resistência para baixa resistência.5mA enquanto o TIC116 tem IH @ 15mA. a analise de funcionamento leve em conta os seguintes passos: a) com as chaves Ch1 e Ch2 abertas. poderemos injetar corrente nesse eletrodo disparando a estrutura de quatro camadas. UH (IH) cujo valor depende do tipo de SCR. Se adicionarmos um terceiro eletrodo.9.

O símbolo do diac e a sua estrutura interna são mostrados na Figura 9. (a) (b) Figura 9. (a) Símbolo do diac e (b) sua estrutura interna. com qualquer polaridade.9 SCR em circuito CC com bloqueio por capacitor.Figura 9.11 mostra a sua curva característica.10. Já a Figura 9. 149 . ultrapassar um determinado valor chamado de tensão de breakover (UBO). UH (IH ).10. . 9.4 Diac O diodo de quatro camadas bilateral (DIAC = Diode AC) é um dispositivo de quatro camadas que pode conduzir nos dois sentidos quando a tensão aplicada. voltando a cortar quando a tensão (corrente) cair abaixo de um valor chamado de tensão (corrente) de manutenção.

como mostra a Figura 9.Figura 9. Isto significa reduzir a corrente abaixo da corrente de manutenção especificada pelo componente. O TRIAC. Curva característica do diac. Como o TRIAC dispara com tensão positiva ou negativa não tem mais sentido em falar em anodo (terminal +) e catodo (terminal . 150 . com corrente nos dois sentidos. pode ser entendido como sendo equivalente a dois SCR s ligados em antiparalelo. desta forma. ou usar um TRIAC.11.12. 9. (a) Hipotético circuito de controle de carga AC usando dois SCRs. a única forma de abri-lo é através de um desligamento por baixa corrente. O TRIAC também pode ser entendido como um DIAC no qual foi adicionado um terminal de controle permitindo disparar o dispositivo com diferentes valores de tensão.5 Triac Quando é necessário controlar a potência em uma carga AC. O DIAC não conduz até que a tensão através dele exceder a tensão de interrupção em qualquer sentido.). pode ser usado o circuito visto com dois SCRs em antiparalelo.12. também mostrado na Figura 9. ao invés disso os dois terminais são chamados de terminal principal 1 (T1) e terminal principal 2 (T2). (b) símbolo do TRIAC. Figura 9. Uma vez que o diac está conduzindo.12.

principalmente se no instante que o TRIAC for gatilhado a tensão da rede estiver passando por um pico e a carga for resistiva.13.4. Figura 9. permitindo um grande número de operações. por exemplo.2 Aplicações típicas para o TRIAC A seguir. CHAVE ESTÁTICA SÍNCRONA O TRIAC operando no modo assíncrono tem como principal inconveniente o fato da possibilidade de serem gerados surtos de corrente muito elevados no instante que o TRIAC é chaveado. Na Figura 9. não deixando o TRIAC disparar se a tensão de entrada for muito alta. A grande desvantagem é a dissipação de calor. principalmente no caso de circuitos resistivos. 151 . TRIAC não apresenta trepidação (o que acontece com um relé) ao conduzir. apresentamos algumas aplicações típicas para o TRIAC.14. Outra desvantagem é a possibilidade de aparecimento de grandes picos de corrente ao ligar o circuito a primeira vez. A Figura 9. o circuito ZVS comanda o disparo do TRIAC somente quando a tensão de entrada estiver passando próximo de zero. sendo necessário o uso de um dissipador. CHAVE ESTÁTICA ASSINCRONA O uso do TRIAC como chave assíncrona em circuitos CA leva algumas vantagens em relação à chave mecânica.9. controlar grandes potências a partir de potências relativamente pequenas. não há aparecimento de arco voltaico (o que acontece com um relé). No modo síncrono o TRIAC somente será levado à condução quando a tensão da rede estiver passando próximo do zero. daí os circuitos que efetuam este tipo de controle ser chamados de Zero Voltage Switching (ZVS). Chave assíncrona com TRIAC.13 ilustra essa aplicação. Permite.

e isso pode ser feito alterando-se o angulo de disparo durante cada semi ciclo. é dados logo a seguir. 152 . A luminosidade de uma lâmpada pode ser controlada através da variação da potência elétrica que lhe é entregue. Chave síncrona com TRIAC. C2 se carrega depois gerando um atraso. Figura 9.14. Após um tempo. O capacitor C2 se descarrega através do DIAC e no gate do TRIAC disparando-o para um determinado ângulo de disparo. Controle de Potência Dimmer.Figura 9. A Figura 9.15 mostra um circuito simples que controla a potência de uma lâmpada usando o TRIAC. O seu funcionamento.15. o DIAC dispara quando a tensão no capacitor C2 atingir a tensão de disparo (breakover). em linhas gerais. Circuito de controle de potência Dimmer. O capacitor C1 é carregado (no semiciclo positivo ou semiciclo negativo) através do potenciômetro de controle Rv e a resistência R1.

A Figura 9. Circuito de controle de potência com filtro de RF (Lf e Cf). Figura 9.17 mostra as formas de onda da tensão na carga para um determinado angulo de disparo.17.A mudança brusca de corrente de zero para um determinado valor produz rádio freqüência (RF) que causa interferências em aparelhos de rádio colocados na mesma rede. 153 . mostrados na Figura 9. Figura 9.16. funcionam como um filtro que reduzem essas interferências a níveis aceitáveis.16. O indutor Lf e o capacitor Cf. Formas de onda da tensão na carga para um ângulo de disparo.

154 . R= 2. Considere a corrente de manutenção no diodo de 6mA e a queda de tensão de 0.6V no ponto de desligamento.2 k . Dado: Fonte de alimentação = 10V.2K . a) Para Vf = 8V b) Para Vf = 20V Ex2: Dado o circuito determine o valor da tensão de alimentação que produz o desligamento do diodo por baixa corrente. Considere a tensão de interrupção do diodo de 12V e a queda tensão de 1.Exercícios Ex1: Dado o circuito determine a corrente no diodo. Tensão de interrupção do diodo de 12V. R = 1. Explique o funcionamento.2V. Ex3: O circuito abaixo é um detector de sobretensão.

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