Transistores Bipolares de Juno Parte III

Transistores Bipolares de Juno (TBJs) Parte III

Captulo 4 de (SEDRA e SMITH, 1996).

SUMRIO
4.12. O Transistor como Chave O Corte e a Saturao
4.14. O Inversor Lgico Bsico Empregando TBJ

4.12. O TRANSISTOR COMO CHAVE

Figura 4.47 Circuito usado para ilustrar os modos de operao do TBJ.

A Regio de Corte
Para vI < 0,5 V, uma corrente desprezvel atravessa a JBE, que pode ser
considerada reversamente polarizada.
JCB tambm est reversamente polarizada, pois a tenso do coletor est maior que
da base.
Assim, o transistor est em corte:
iB = 0

iE = 0

iC = 0

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vC = VCC

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A Regio Ativa
Para uma corrente aprecivel atravessar JBE deve-se fazer vI 0,7 V.
A corrente de base calculada por:

iB =

v I VBE v I 0,7

RB
RB

A corrente de coletor calculada por:

iC = iB
A garantia de que o transistor est na regio ativa uma tenso positiva entre
coletor e a base (JBE reversamente polarizado):

vCB 0
A Regio de Saturao
A saturao ocorre quando se tenta forar uma corrente no coletor maior do
que o circuito do coletor capaz de fornecer enquanto mantm-se a operao
no modo ativo.
A corrente mxima que o coletor pode exigir sem que o transistor saia do modo
ativo determinada fazendo vCB = 0:

I = VCC VBE VCC 0,7

C
RC
RC
Essa corrente de coletor obtida forando a corrente de base:

I
I B = C

Se iB aumentada alm de I B , a corrente de coletor aumentar e a tenso de

coletor cair para um valor abaixo da tenso da base.

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Isso continuar at que a JCB torne-se diretamente polarizada, com

0,4V v CB 0,6V .
Nesta condio a JCB conduz e a tenso de coletor fica cerca de 0,5V abaixo
da tenso de base.
A queda de tenso direta na juno coletor-base pequena porque a JCB
possui uma rea relativamente grande.
O transistor est em saturao, qualquer aumento da corrente de base resulta
em um aumento muito pequeno na corrente de coletor.
A razo entre as correntes de coletor e de base em um transistor em saturao
no igual a , e pode ser ajustada a um valor desejado, menor que .
O valor de VBE em saturao um pouco maior que no transistor no modo
ativo (entretanto ainda se considera aqui VBE ,sat 0,7V ).

Na saturao tem-se 0,1V v CE 0,3V , define-se assim VCE ,sat 0,2V .

Se o transistor levado a uma saturao intensa, aumenta-se a polarizao
direta de JCB, e VCE,sat diminui, conseqentemente.
A corrente de coletor na saturao calculada por I C,sat =

VCC VCE ,sat

RC

Para garantir a saturao, deve-se forar a corrente de base como sendo pelo
menos I B( EOS) =

I C,sat

(EOS Edge of Saturation Incio de Saturao).

O fator de saturao forado (overdrive factor) o fator multiplicativo do valor

de IB(EOS) em que se mantm IB para se garantir a saturao, usualmente 2 a 10
vezes.
A razo entre IC,sat e IB na saturao chamada de forado (forado), e um
valor imposto ao circuito:
forado =

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I C,sat
IB

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Modelos do TBJ saturado

Figuras 4.49 e 4.50

Exemplos 4.13, 4.14, 4.15 e 4.16.

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4.14. O INVERSOR LGICO BSICO EMPREGANDO TBJ

Figura 4.60 Inversor lgico bsico empregando TBJ.

O inversor lgico utiliza os modos de saturao e corte do transistor.
Com vI alto (perto de VCC), o transistor conduz saturado, v O = VCE ,sat 0V .
Com vI baixo (perto de zero ou VCE,sat) o transistor est em corte, v O VCC .
Numa lgica positiva, o circuito funciona como um inversor.
o Nvel de tenso alto corresponde ao nvel lgico 1 (verdadeiro).
o Nvel de tenso baixo corresponde ao nvel lgico 0 (falso).

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Caracterstica de transferncia de tenso

Figura 4.61 Caracterstica de transferncia de tenso para o circuito da figura 4.60

com RB = 10k, = 50 e VCC = 5V.
Para vI = VCE,sat = 0,2V, vO = VOH = 5V.
Para vI = VIL, o transistor inicia a conduo, portanto VIL 0,7V.
Para VIL < vI < VIH, o transistor est na regio ativa, operando como um
amplificador com ganho para pequenos sinais de

Av

vo
RC
R
1
=
C = 50 = 5V / V
vi
R B + r
RB
10

Para vI = VIH, o transistor entra em saturao e

VCC VCE ,sat
I B = I B(EOS) =

RC

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= 0,0096mA

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VIH = I B(EOS )R B + VBE = 1,66V

Para vI = VOH = 5V, o transistor est fortemente saturado com:
v O = VCE ,sat 0,2V
VCC VCE ,sat
forado =

RC
4,8
=
= 1,1
VOH VBE
0,43
RB

Margens de rudo:
MR H = VOH VIH = 5 1,66 = 3,34V
MR L = VIL VOL = 0,7 0,2 = 0,5V
O ganho de tenso na regio de transio :
VOL VOH
0,2 5
=
= 5V / V
VIH VIL 1,66 0,7
(por coincidncia, igual ao valor aproximado encontrado anteriormente)
Exemplo: Implementar o circuito mostrado no simulador de circuitos, e
observar vO quando vI uma onda quadrada que assume valores de 0V e 5V.
Observar vO sobrepondo um sinal de rudo com 0,1V (e 1V) de pico
quadrada.

Portas lgicas

Anlise de uma porta nou e uma porta nand utilizando a tecnologia RTL
(Resistor Transistor Logic).

Circuitos Digitais com TBJ Saturado e No-Saturado

Uma famlia importante de circuitos lgicos com TBJ saturado a famlia TTL
(Transistor Transistor Logic).
H uma limitao de velocidade em circuitos que usam TBJ saturados, pois
necessrio um tempo relativamente longo para cortar o transistor saturado.
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Para atingir a velocidades de resposta elevadas, o transistor no deve entrar em

saturao.
Esse o caso da lgica ECL (Emitter-Coupled Logic).

REFERNCIAS

SEDRA, Adel S. e SMITH, Kenneth S. Captulo 3 Diodos, em Microeletrnica. 4a.

Edio. Makron Books Ltda, So Paulo, 1998.

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