P2 2020.1 ECE Dispositivos Eletrônicos Prof.

Marcelo Perotoni
Considerar vbe=0.7 PS. Explique os passos, só com simulação darei zero.

[1] Para o Enhancement NMOS temos k=1mA/V 2 , Vt = 3V e tensão da fonte VDD 15 V. Escolha um VDS=7V e calcule
os resistores para ele operar saturado com corrente de 16 mA. ID = k(VGS − Vt )2 e para estar saturado deve obedecer
VDS > VGS − Vt .

[2] Para o JFET temos que IDSS vale 30 mA e Vp = −3V . Calcule os valores dos resistores para posicionar o a tensão no dreno
VD em 6 V e ID com 10 mA.

[3] [a] Calcule a corrente que circula no resistor de carga RL . DICA: considere que todos transistores estão ON. [b] Até quando
podemos aumentar RL de maneira que o circuito ainda funcione (i.e. todos semicondutores na região ativa).
[4] O E-NMOS opera como amplificador, possui Vt = 2V , k=0.5mA/V 2 , fonte VDD = 10V , VGS = 4V e resistores RD = 3600
e interno ro = 50K. Calcule a tensão DC VD , a transcondutância gm e o ganho de tensão Av . Considere iD = k(VGS − Vt )2 e
∂iD
gm = ∂v GS