Universidade Federal do ABC

Dispositivos Eletrônicos

Laboratório 4 - Circuitos FET

Fernando Henrique Miranda de Araujo - 11201810633

Gabriel Dias Ribeiro - 11201812117
Gustavo Soares do Vale - 11201812068
Isabela Cardoso Lima - 11201810874
Marcela Ceschim Caburlão - 11201920483

Santo André - SP
2023
 Sumário

1 AMPLIFICADOR JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.1 Resumo dos resultados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.2 Cálculos das especificações do JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.3 Cálculos teóricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.3.1 Em nível DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.3.2 Em nível AC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.4 Resultados das medições . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

2 AMPLIFICADOR DE TENSÃO N-MOSFET . . . . . . . . . . . . . 8

2.1 Resumo dos resultados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
2.2 Entrada de 400 mVpp . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2.3 Testes com diferentes amplitudes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
 1

1 Amplificador JFET

Figura 1 – Configuração do circuito com amplificador JFET no protoboard.

1.1 Resumo dos resultados

Tabela 1 – Tensões do JFET com sinal DC, em Volts.

Medido Simulado Calculado

VS 1.924 1.918 1.883
VDS 4.268 4.197 4.34
VD 6.170 6.115 6.220

Tabela 2 – Valores medidos e simulados no JFET com sinal AC.

Medido Simulado
vin 119 mV 119 mV
Com capacitor
vout 1,24 V 1,22 V
vin 110 mV 119 mV
Sem Capacitor
vout 250 mV 281 mV
Capítulo 1. Amplificador JFET 2

Tabela 3 – Comparação dos ganhos obtidos.

Medido Simulado Calculado

Com capacitor 10.42 10.25 10.46
Sem capacitor 2.27 2.36 2.37

As especificações do JFET, usadas para definir os valores teóricos, foram calculadas

a partir dos dados experimentais, o que torna a comparação entre os dados teóricos
e medidos inválida. Apesar disso, a semelhança dos valores aos resultados obtidos na
simulação implicam que provavelmente o experimento foi feito de forma correta.

1.2 Cálculos das especificações do JFET

Para fazer os cálculos teóricos exatos, são nessários os valores de IDSS e Vp , que
não foram medidos em laboratório e variam muito de um fabricante para outro. Porém, é
possível calculá-los usando os valores de tensão DC e o ganho medido em laboratório.
Temos duas fórmulas para ID :

VDD − VD
ID =
RD

" #2
VGS
ID = IDSS 1−
Vp

Igualando as duas:

" #2
VDD − VD VGS
= IDSS 1 −
RD Vp

" #−2
VDD − VD VGS
IDSS = 1− (1.1)
RD Vp

A expressão do ganho é:

Av = −gm [RD //rd ]

Assumindo que [RD //rd ] ≈ RD :

−Av
Av = −gm RD ⇒ gm = (1.2)
RD
Mas gm também tem outra fórmula:
Capítulo 1. Amplificador JFET 3

" #
2IDSS VGS
gm = 1− (1.3)
|Vp | Vp

Substituindo 1.1 e 1.2 em 1.3, temos que:

!" #−1
−Av 2 VDD − VD VGS
= 1−
RD |Vp | RD Vp

Substituindo com os valores medidos:

!" #−1
10, 42 2 12 − 6, 17 1, 924
= 1− ⇒ |Vp | ≈ 3, 06 V
6720 |Vp | 6720 |Vp |

Vp ≈ −3 V

Substituindo esse valor em 1.1:

" #−2
12 − 6, 17 1, 924
IDSS = 1− ≈ 6, 27 mA
6720 3

1.3 Cálculos teóricos

1.3.1 Em nível DC
Considerando IDSS = 6, 27 mA e Vp = −3 V , temos que:

" #2
VGS
ID = IDSS 1−
Vp

VGS = −ID RS

" #2
ID RS
ID = IDSS 1+
Vp

!2 " #
RS 2 2IDSS RS
IDSS ID + − 1 ID + IDSS = 0
Vp Vp

3342, 8ID 2 − 10, 158ID + 0, 00627 = 0

ID ′ = 2, 18 mA e ID ′′ = 0, 86 mA
Capítulo 1. Amplificador JFET 4

Se ID = 2, 18 mA, VGS = −2, 18 × 2, 19 = −4, 77 V , mas é impossível que VGS < Vp ,

logo:

ID = 0, 86 mA ⇒ VGS = −0, 86 × 2, 19 = −1, 88 V

VD = 12 − 0, 86 × 6, 72 = 6, 22 V

VS = VG − VGS = 1, 88 V

VDS = 6, 22 − 1, 88 = 4, 34 V

1.3.2 Em nível AC
No caso com capacitor, considerando que [RD //rd ] ≈ RD , o ganho se dá pela
mesma fórmula já mostrada:

Av = −gm RD

" # " #
2IDSS VGS 2(2, 18 m) 1, 925
gm = 1− = 1− ≈ 1, 5571 mS
|Vp | Vp 3 3

Av = −1, 5571 × 6, 72 ≈ −10, 46

No caso sem capacitor, assumindo que rd ≥ 10(RD + RS ) temos que o ganho é:

gm RD 1, 5571 × 6, 72
Av = − =− ≈ −2, 37
1 + gm RS 1 + 1, 5571 × 2, 19
Capítulo 1. Amplificador JFET 5

1.4 Resultados das medições

Figura 2 – Valor de Vd medido.

Figura 3 – Valor de Vds medido.

Capítulo 1. Amplificador JFET 6

Figura 4 – Valor de Vs medido.

Figura 5 – Resultados da simulação em DC.

Figura 6 – Sinal de saída para 100 mV de entrada no circuito com capacitor.

Capítulo 1. Amplificador JFET 7

Figura 7 – Tensão de saída na simulação do circuito com capacitor.

Figura 8 – Sinal de saída para 100 mV de entrada no circuito sem capacitor.

Figura 9 – Tensão de saída na simulação do circuito sem capacitor.

 8

2 Amplificador de tensão N-MOSFET

Figura 10 – .

2.1 Resumo dos resultados

Tabela 4 – Dados referentes ao MOSFET com sinal AC.

Grandeza Valor
Vpolarizacao 2,3 V
vin 440 mVpp
vout 4,3 Vpp
Av 9,77

Como a polarização foi feita ajustando V1 , se pode assumir que o amplificador está
corretamente polarizado. O alto ganho obtido também indica que o circuito foi polarizado
corretamente.
Capítulo 2. Amplificador de tensão N-MOSFET 9

2.2 Entrada de 400 mVpp

Figura 11 – Medição dos valores de entrada e saída com o osciloscópio.

Figura 12 – Transformada de Fourier do sinal de saída.

Se pode perceber pela Figura 12 que existe uma distorção quase imperceptível do
sinal. Isso indica que o circuito foi polarizado corretamente e que esse valor de entrada é
válido para a aproximação de pequenos sinais.
Capítulo 2. Amplificador de tensão N-MOSFET 10

2.3 Testes com diferentes amplitudes

Figura 13 – Transformada de Fourier da saída para uma entrada de 100 mVpp .

Figura 14 – Transformada de Fourier da saída para uma entrada de 800 mVpp ..

Capítulo 2. Amplificador de tensão N-MOSFET 11

Figura 15 – Transformada de Fourier da saída para uma entrada de 1 Vpp ..

Ao aumentarmos a amplitude do sinal de entrada, podemos perceber que os picos

das componentes harmônicas são acentuados no espectro de potência, o que representa
uma maior distorção. Essa distorção pode ocorrer tanto pela mudança do valor do ganho,
devido a inconstância da derivada de ID por VGS , quanto pelo corte da tensão de saída.
Como a função de saída ainda se assemelha a um seno com todas as entradas testadas, é
provável que o aumento das distorções ocorra apenas pela mudança de gm .