O Diodo Os Materiais Semicondutores Níveis de Energia O Diodo Semicondutor Sem Polarização...

CEFET/RJ – Centro Federal de Educação Tecnológica Celso Suckow da
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Eletrônica
Jorge Angelo Mitrione Souza
Sumário
1. O Diodo ........................................................................................................................ 6
1.1. Os Materiais Semicondutores .............................................................................. 9
1.2. Níveis de Energia ................................................................................................ 10
1.3. O Diodo Semicondutor ...................................................................................... 12
1.3.1. Sem Polarização ............................................................................................ 12
1.3.2. Polarização Reversa 𝑽𝑫 < 𝟎......................................................................... 14
1.3.3. Polarização Direta 𝑽𝑫 > 𝟎 ........................................................................... 15
1.4. Diodo Zener ....................................................................................................... 18
1.5. Diodo de Silício versus Diodo de Germânio ....................................................... 20
1.5.1. Funcionamento do Diodo em Função do Efeito da Temperatura ..................... 21
1.6. Resistência do Diodo .............................................................................................. 23
1.6.1. Análise CC ou Estática ................................................................................... 23
1.6.1. Análise CA ou Dinâmica ..................................................................................... 25
2. Aplicações do Diodo................................................................................................... 28
2.1. Introdução.......................................................................................................... 28
2.2. Análise por Reta de Carga .................................................................................. 28
2.3. Aproximação Para o Diodo ................................................................................ 33
2.4. Configurações de Diodos em Série com Alimentação CC .................................. 33
2.5. Configuração Série – Paralelo ............................................................................ 38
2.6. Portas E / Ou ...................................................................................................... 41
2.7. Retificador de Meia Onda .................................................................................. 44
2.7.1. Tensão de Pico Reversa ................................................................................. 47
2.7.2. Retificador de Onda Completa .......................................................................... 49
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2.8. Ceifadores .......................................................................................................... 51
2.8.1. Série ............................................................................................................... 52
2.8.2. Paralelo.......................................................................................................... 54
2.9. Região Zener do Diodo....................................................................................... 57
2.10. Análise de Circuitos com os Diodos Zener ......................................................... 59
Exemplo 1: .................................................................................................................. 61
Exemplo 2: .................................................................................................................. 62
Exemplo 3: .................................................................................................................. 64
Exemplo 4: .................................................................................................................. 64
3. Polarização por Divisor de Tensão ............................................................................. 66
3.1. Análise Exata ...................................................................................................... 67
Exemplo 1 ................................................................................................................... 68
3.2. Análise Aproximada ........................................................................................... 69
Exemplo 2 ................................................................................................................... 70
3.3. Saturação do Transistor ..................................................................................... 70
3.4. Análise por Reta de Carga .................................................................................. 71
3.5. Polarização cc com Realimentação de Tensão .................................................. 71
3.6. Malha Base – Emissor ........................................................................................ 71
3.7. Malha Coletor – Emissor .................................................................................... 73
Exemplo 3 ................................................................................................................... 74
Exemplo 4 ................................................................................................................... 74
3.8. Condições de Saturação ..................................................................................... 75
3.9. Configurações de polarizações Combinadas ..................................................... 75
Exemplo 5 ....................................................................................................................... 75
Exemplo 6 ....................................................................................................................... 76
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3.10. Chaveamento de Transistor ............................................................................... 77
Exemplo 7 ....................................................................................................................... 80
3.11. Transistor p – n – p ............................................................................................ 82
Exemplo 8 ....................................................................................................................... 83
4. Transistores de Efeito de Campo – FET ..................................................................... 84
4.1. Introdução.......................................................................................................... 84
4.2. Construção e Características do JFET................................................................. 85
4.2.1. Quando 𝑽𝑮𝑺 = 𝟎 𝑽 e 𝑽𝑫𝑺 > 𝟎 ................................................................... 85
4.2.2. 𝑽𝑮𝑺 < 𝟎 𝑽 .................................................................................................... 87
4.2.3. Região Ohmica............................................................................................... 89
4.2.4. Dispositivos de Canal p .................................................................................. 89
4.3. Curva Característica de Transferência ............................................................... 91
4.3.1. Aplicação da Equação de Shockley ................................................................ 92
4.3.2. Método Simplificado ..................................................................................... 93
4.4. MOSFET Tipo Depleção ...................................................................................... 96
4.4.1. Construção Básica do Canal n ....................................................................... 96
4.5. Operação e Curvas Características .................................................................... 97
4.6. MOSFET Tipo Depleção Canal p ......................................................................... 99
4.7. MOSFET Tipo Intensificação............................................................................. 100
4.7.1. Construção Básica ....................................................................................... 100
4.8. Operação Básica e Curva Característica........................................................... 101
Exemplo 4 ................................................................................................................. 104
5. Análise Estática do FET ............................................................................................ 107
5.1. Introdução........................................................................................................ 107
5.2. Polarização Fixa ................................................................................................ 108

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5.3. Autopolarização ............................................................................................... 114
5.4. Polarização por Divisor de Tensão ................................................................... 120
5.5. MOSFET Tipo Depleção .................................................................................... 124
5.6. MOSFET tipo Intensificação ............................................................................. 127
5.6.1. Polarização com Realimentação ................................................................. 128
5.6.2. Polarização por Divisor de Tensão .............................................................. 131
6. Modelagem do Transistor Bipolar ........................................................................... 135
6.1. Introdução........................................................................................................ 135
6.2. Amplificação em CA ......................................................................................... 135
6.3. Modelagem do Transistor Bipolar ................................................................... 136
6.4. Outros Parâmetros – Ganhos e Impedâncias .................................................. 139
6.4.1. Impedância de Entrada - 𝒁𝒊 ....................................................................... 139
6.4.2. Impedância de Saída - 𝒁𝑶 .......................................................................... 142
6.4.3. Ganho de Tensão - 𝑨𝑽 ................................................................................ 143
6.4.4. Ganho de Corrente - 𝑨𝒊 ............................................................................... 145
6.5. Modelo 𝒓𝒆 do Transistor ................................................................................. 146
6.5.1. Configuração Base – Comum ...................................................................... 148
6.5.2. Configuração Emissor – Comum ................................................................. 152
6.6. Polarização por Divisor de Tensão ................................................................... 158
6.6.1. Cálculo de 𝒁𝒊 ............................................................................................... 159
6.6.2. Cálculo de 𝒁𝒐 .............................................................................................. 159
6.6.3. Cálculo do 𝑨𝑽 .............................................................................................. 159
6.7. Polarização do Emissor .................................................................................... 160
6.7.1. Sem Desvio .................................................................................................. 160
6.7.1.1. Cálculo de 𝒁𝒊 ............................................................................................ 162

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6.7.1.2. Cálculo de 𝒁𝒐 ........................................................................................... 162
6.7.1.3. Cálculo de 𝑨𝒗 ........................................................................................... 163
6.7.1.4. Cálculo de 𝑨𝒊 ............................................................................................ 163
6.7.2. Efeito de 𝒓𝒐 ................................................................................................. 164
6.7.3. Com Desvio .................................................................................................. 164
6.8. Seguidor de Emissor......................................................................................... 166
6.8.1. Cálculo de 𝒁𝒊 ............................................................................................... 167
6.8.2. Cálculo de 𝒁𝒐 .............................................................................................. 167
6.8.3. Cálculo de 𝑨𝑽 .............................................................................................. 168
6.8.4. Cálculo de 𝑨𝒊 ............................................................................................... 169
6.8.5. Efeito de 𝒓𝒐 ................................................................................................. 169
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1. O Diodo
O primeiro dispositivo eletrônico que será estudado e será apresentado chama se

diodo. É o dispositivo mais simples entre todos os dispositivos semicondutores, exercendo um
papel vital em sistemas eletrônicos com características bastante semelhantes às de uma simples
chave.
Serão introduzidas diversas aplicações, desde as mais simples chegando às mais

complexas, além dos detalhes e características de construção. Serão apresentados também
gráficos e dados essenciais encontrados nas folhas de especificação para garanti r que se
entenda a terminologia empregada bem como para demonstrar a diversidade de informações
disponibilizada pelos fabricantes.
O termo ideal será usado frequentemente ao longo deste capítulo. Ele se refere a
qualquer dispositivo ou sistema que tem características ideai s (perfeitas) em todos os sentidos.
Fornece uma base para comparações, indicando melhorias que ainda podem ser feitas. O
diodo ideal é um dispositivo de dois terminais. Seu símbolo e sua curva característica são
mostrados na figura 1 e na figura 2, respectivamente.
Figura 1 - Simbologia de um Diodo
Figura 2 - Curva Característica de um Diodo
A operação básica de um diodo é a condução de corrente no sentido definido pela seta

no símbolo e agir como um circuito aberto para qualquer possibilidade de estabelecimento de
corrente no sentido oposto, então:
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As características físicas de um diodo ideal são as mesmas características de uma chave que
capacita à condução da corrente em um único sentido.
Para compreensão do funcionamento do diodo é necessário que sejam definidos os

sentidos de corrente, as polaridades de tensão e os seus símbolos. Vendo a figura 2, se a
polarização for igual aos símbolos indicados na figura 1, as características de funcionamento do
diodo deverão ser iguais aos desenhos indicados à direita na figura 2. Caso uma tensão reversa for
aplicada, as características de funcionamento deverão ser os desenhos indicados à esquerda da
figura. Se a corrente aplicada for da esquerda para a direita, conforme a figura 1, o conjunto de
características deverá estar na parte superior da figura 2. Se o sentido da corrente for oposto (da
direita para a esquerda), o conjunto estará na parte inferior da figura 2.
Um dos parâmetros fundamentais do diodo é a resistência no ponto ou resistência na

região de operação. Se considerarmos a região de condução definida pelo sentido da corrente do
diodo indicada por 𝐼𝐷 e polaridade 𝑉𝐷 na Figura 1, (resultando no quadrante superior direito da
Figura 2), determinaremos o valor ela resistência direta, 𝑅𝐹 , que, conforme a lei de Ohm, é
expressa na equação (1):
𝑉𝐹 0𝑉
𝑅𝐹 = = =0Ω
𝐼𝐹 𝑄𝑞𝑒𝑟 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑝𝑜𝑠𝑖𝑡𝑖𝑣𝑜 (1)
Então, na região de condução, um diodo ideal opera como um curto circuito.
Considerando-se a região de potencial negativo aplicado (sendo o terceiro quadrante da

Figura 2), o valor da resistência direta é indicada pela equação (2):
𝑉𝑅 𝑄𝑞𝑒𝑟 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑛𝑒𝑔𝑎𝑡𝑖𝑣𝑜

𝑅𝑅 = = =∞Ω
𝐼𝑅 0𝐴 (2)
Na região de não condução, o diodo ideal opera como um circuito aberto.
A figura 3 apresenta os estados de condução direta e de condução reversa que são

determinados de acordo pela polarização aplicada ao diodo:
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Figura 3 – Estados de condução (a) e de não condução (b) do diodo a partir da polarização aplicada
E de acordo com a figura 4, os estados de condução e de não condução estão ilustrados a

partir da corrente de aplicação do diodo:
Figura 4 - Estados (a) de condução e (b) de não condução do diodo de acordo com a polarização da corrente
Quando o sentido de polarização da corrente do diodo é observada a partir do sentido de

aplicação da tensão no diodo, percebe – se se o diodo está ou está no modo de condução. Com
isso, duas perguntas podem ser realizadas de acordo com o comportamento do diodo ideal:
Se a resistência direta, que é a resistência de condução do diodo real, ela pode ser
equivalente ao valor de 𝟎 𝜴?
Será que a resistência de polarização reversa possui valor suficiente para ser
aproximada a um circuito aberto?
A resposta a estas duas perguntas será feita ao longo dos pontos deste capítulo.
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1.1. Os Materiais Semicondutores
A condutividade é um fenômeno próprio da eletricidade e consiste na capacidade de um

material em permitir a passagem da corrente elétrica. Este fenômeno atinge especialmente os
metais. Os metais têm propriedades similares (todos são maleáveis, dúcteis e podem mudar de
forma, assim como todos apresentam certo brilho). Além destas características podemos
acrescentar outra a mais: a condutividade.
A condutividade elétrica de um metal ou material depende de sua estrutura molecular e

atômica. A maioria dos metais são bons condutores, uma vez que em sua estrutura interna existem
muitos elétrons que estão vinculados fragilmente, possibilitando que se movam com maior
facilidade. A condutividade é, portanto, a proporção entre o campo elétrico de um metal e a
necessidade de corrente em um condutor.
Os semicondutores são corpos que permitem a passagem da corrente com muita

dificuldade. Estes materiais têm uma estrutura cristalina cúbica e os mais utilizados são o germânio
e o silício (os átomos destes elementos formam um enlace covalente e na qual não possuem
nenhum elétron livre que possa levar a corrente elétrica).
Como seu próprio nome diz, o semicondutor é um material que se encontra entre dois
extremos de condutividade elétrica: a situação de isolante e de condução. E outras palavras, os
semicondutores possuem uma capacidade de condução elétrica que é inferior a de um condutor
metálico, mas que também é superior a de um elemento isolante.
Então, podem ser definidos como os termos:
O termo condutor é aplicado a qualquer material que sustenta algum fluxo de carga ao
aplicar em seus terminais uma tensão de amplitude limitada.
Isolante é o material que possui níveis baixos de condutividade quando submetido a

uma tensão limitada.
Um material semicondutor é o material que possui um nível de condutividade entre o

isolante e o condutor.
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Inversamente relacionada à condutividade de um material é a sua resistência ao fluxo de

carga ou a corrente. Ou seja, quanto maior o nível de condutividade será menor o nível de
resistência para um determinado material.
O termo resistividade cuja identificação é utilizada a letra grega rô (𝜌) é comumente

utilizado para comparação dos níveis de resistência dos materiais, sendo medido por unidade de
comprimento como (Ω − 𝑐𝑚) 𝑜𝑢 (Ω − 𝑚). A unidade de comprimento de (Ω − 𝑐𝑚) é definida a
partir da equação (3) da resistência:
ℓ 𝑅∙𝐴
𝑅 =𝜌∙ ⇒𝜌=
𝐴 ℓ (3)
A tabela 1 apresenta as resistividades dos principais materiais:
Condutor Semicondutor Isolante

𝜌 ≅ 10−6 Ω − 𝑐𝑚 𝜌 ≅ 50 Ω − 𝑐𝑚 𝜌 ≅ 1012 Ω − 𝑐𝑚
(Cu) (Ge) (Mica)
𝜌 ≅ 50 ∙ 103 Ω −
𝑐𝑚 (Si)
Tabela 1 - Resistividades dos Principais Materiais
E a figura 5 ilustra o conceito de resistividade por unidade de comprimento:
Figura 5 - Resistividade por Unidade de Comprimento
1.2.Níveis de Energia
Em uma estrutura atômica isolada existem níveis de energia discretos (individuais)

associados a cada elétron em órbita, conforme mostra a Figura 6. Cada material tem seu próprio
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conjunto de níveis de energia para os elétrons em sua estrutura atômica. Desta forma, pode – se
considerar que:
Dependendo do material, conforme o elétron da sua estrutura atômica estiver mais

distante do núcleo, maior será o nível de energia associado a ele, e, se qualquer elétron deixar o
átomo de origem, ele irá apresentar um estado de energia maior do que qualquer átomo o qual
estiver na estrutura atômica.
Entre os níveis discretos de energia estão os intervalos (gaps) nos quais nenhum elétron
na estrutura atômica isolada pode aparecer. Conforme os átomos de um material são reunidos
para formar a estrutura da rede cristalina 1, aparece uma interação entre eles, resultando em
elétrons em uma órbita particular de um átomo com níveis de energia ligeiramente distintos dos
elétrons na mesma órbita de um átomo adjacente.
O resultado é então uma expansão dos níveis discretos dos estados de energia possíveis
para os elétrons de valência das bandas, como é mostrado na figura 6. É Observado que existem
níveis de ligação e estados de energia máxima, nos quais qualquer elétron na rede atômica pode
estar, e que ainda existe uma região proibida, localizada entre a banda de valência e o nível de
ionização. Lembre-se de que a ionização é o mecanismo no qual um elétron pode absorver energia
suficiente para desprender-se da estrutura atômica e entrar na banda de condução.
A energia associada para cada elétron é medida em elétron-volts (𝑒𝑉) onde um elétron-
volt é igual a 1 𝑒𝑉 = 1,6𝑥10−19 𝐽. A 0K, ou zero absoluto (−273,15 °𝐶), todos os elétrons de
valência dos materiais semicondutores estão presos na camada mais externa do átomo, com níveis
de energia associados à banda de valência ilustrada na figura 6. Em temperatura ambiente,
normalmente a (300 𝐾, 27°𝐶), um grande número de elétrons de valência adquire a quantidade
de energia suficiente para sair da banda de valência, atravessar o gap de energia definido por 𝐸𝑔 ,
na Figura 6, e entrar na banda de condução. A tabela 2 apresenta os níveis de energia necessários
para os elétrons saírem da banda de valência:
1
Define – se como rede cristalina (ou estrutura cristalina) a designação dada ao conjunto de propriedades
que resultam da forma como estão espacialmente ordenados os átomos ou moléculas que o constituem.
Apenas os sólidos cristalinos exibem esta característica, pois é o resultado macroscópico das existências
subjacentes de uma estrutura ordenada ao nível atômico, replicada no espaço ao longo de distâncias
significativas face às dimensões atômicas ou moleculares, sendo exclusivo dos cristais.
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Silício (Si) 𝐸𝑔 = 1,1 𝑒𝑉

Germânio (Ge) 𝐸𝑔 = 0,67 𝑒𝑉
Arseneto de Gálio (GaAs) 𝐸𝑔 = 1,41 𝑒𝑉
Tabela 2 - Níveis de Energia Necessários para Saída da Banda de Valência
Figura 6 - Níveis de Energia (a) Discretos e (b) Com Bandas de Condução
1.3.O Diodo Semicondutor
O diodo semicondutor é formado pela simples união dos materiais (construídos a partir
da mesma base Ge ou Si), e quando os materiais são 'unidos', os elétrons e as lacunas da região de
junção se combinam, resultando em uma ausência de portadores livres na região próxima à junção
e esta região é definida como a região de depleção, desta forma:
A região de depleção é constituída por íons positivos e negativos e possui este nome
pela depleção de portadores nesta região.
Como o diodo é um dispositivo de dois terminais, a aplicação de uma tensão através de

seus terminais permite três possibilidades: Sem polarização (quando 𝑉𝐷 = 0), Polarização Direta
(𝑉𝐷 > 0) e Polarização Reversa (𝑉𝐷 < 0). Cada caso será estudado separadamente a seguir:
1.3.1. Sem Polarização
Sob condições de não-polarização (sem a aplicação de tensão), todos os portadores

minoritários (lacunas) no material do tipo n que se encontrarem dentro da região de depleção
passarão diretamente para o material do tipo p. Quanto mais próximo o portador minoritário
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estiver da junção, maior será a atração para a camada de íons negativos e menor será a oposição
dos íons positivos na região de depleção do material do tipo n. Vamos considerar que todos os
portadores minoritários do material do tipo n que se encontrarem na região de depleção, devido a
seus movimentos aleatórios, passarão diretamente para o material do tipo p. Um argumento
semelhante pode ser aplicado aos portadores minoritários (elétrons) do material do tipo p. A figura
7 apresenta a junção pn do diodo sem polarização. Desta forma, quando não apresenta polarização
no diodo:
Sem tensão de polarização, o fluxo de carga (resultante) em qualquer sentido do diodo

semicondutor é zero.
Figura 7 - Junção pn sem Polarização Externa
Observe que a seta da figura 8 está associada ao componente do tipo p, e a barra à região
do tipo n. Conforme indicado, para 𝑉𝐷 = 0𝑉, a corrente em qualquer direção é 𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴.
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Figura 8 - Indicação da Tensão e da Corrente sem Polarização Externa
1.3.2. Polarização Reversa (𝑽𝑫 < 𝟎)
Se um potencial externo de V volts for aplicado na junção p-n de maneira que o terminal
positivo esteja conectado ao material do tipo n e o terminal negativo esteja ligado ao material do
tipo p, o número de íons positivos não-combinados na região de depleção do material do tipo n
aumentará devido ao grande número de elétrons 'livres' arrastados para o potencial positivo da
tensão aplicada. Por razões semelhantes, o número de íons negativos não-combinados aumentará
no material do tipo p. Portanto o efeito será uma ampliação da região de depleção. Essa ampliação
estabelecerá uma barreira grande demais para os portadores majoritários superarem, reduzindo
efetivamente o fluxo de portadores majoritários a zero. A figura 9 apresenta o resultado da junção
pn com a polarização reversa. A tensão de polarização reversa proporciona então uma corrente de
saturação reversa expressa por 𝐼𝑆 . E a figura 10 ilustra a condição de polarização reversa do diodo
semicondutor.
Figura 9 - Junção pn com Polarização Reversa
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Figura 10 - Condição de Polarização Reversa no Diodo Semicondutor
A corrente de saturação reversa dificilmente ultrapassa o valor de alguns microamperes,

exceto quando são diodos semicondutores de alta potência. De fato, ultimamente seus valores
tem se situado na faixa de nanoampère para disposi1ivos de silício e poucos microampères para o
germânio. O termo saturação é apresentado devido ao fato da corrente alcançar seu valor máximo
rapidamente e de não variar de maneira significativa com o aumento do potencial de polarização
reversa. Observe que o sentido de 𝐼𝑆 é contrário à seta do símbolo. O potencial negativo é
conectado ao material do tipo p, e o potencial positivo, ao material do tipo n. As letras grifadas
para cada região revela uma condição de polarização reversa.
1.3.3. Polarização Direta (𝑽𝑫 > 𝟎)
Uma condição de polarização direta ou de 'condução' é estabelecida aplicando-se o

potencial positivo ao material do tipo p e o potencial negativo ao material do tipo n. A aplicação de
um potencial de polarização direta 𝑉𝐷 'empurra’ os elétrons do material do tipo n e as lacunas no
material do tipo p a se recombinarem com os íons próximos da fronteira, e assim, reduz a largura
da região de depleção.
O fluxo de portadores minoritários resultante do movimento de elétrons do material do

tipo p para o material do tipo n (e também das lacunas do material do tipo n para o material do
tipo p) não muda de intensidade, (porque o nível de condução é controlado essencialmente pelo
número limitado de impurezas no material), mas a redução da região de depleção resultou em um
fluxo intenso de portadores majoritários através da junção.
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Um elétron do material do tipo n 'enxerga' agora uma barreira reduzida na junção,

devido à região de depleção reduzida, e a uma forte atração pelo potencial positivo aplicado ao
material do tipo p. Conforme a polarização aplicada aumenta em amplitude, a região de depleção
diminui em largura até que o fluxo de elétrons possa passar pela junção, o que leva a um aumento
exponencial da corrente, conforme mostrado na região de polarização direta da curva
característica do diodo ilustrada na figura 11.
Figura 11 - Curva Característica do Diodo Semicondutor
Observe que a escala vertical é medida em miliampères (apesar de alguns diodos

semicondutores terem uma escala vertical medida em ampères), e a escala horizontal na região de
polarização direta tem um máximo de 1 V. Portanto, a tensão através de um diodo polarizado de
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modo direto será geralmente menor do que 1 V. Observe também como a corrente sobe
rapidamente além do 'joelho' da curva.
Utilizando a física dos dispositivos de estado sólido em que as características gerais de

um diodo semicondutor podem ser definidas para as regiões de polarização direta e reversa pela
equação (4):
𝑘𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 ∙ �𝑒 𝑇𝐾 − 1�
(4)
Onde:
𝐼𝑆 → Corrente de Saturação Reversa
11600
𝑘= com 𝜂 = 1 → 𝐺𝑒 𝑒 𝜂 = 2 → 𝑆𝑖
𝜂
𝑇𝐾 = 273 + 𝑇𝐶
Para valores positivos de 𝑉𝐷 , o primeiro termo da equação aumentará muito

rapidamente e superará o efeito do segundo termo. O resultado para valores positivos de 𝑉𝐷 , 𝐼𝐷
será positivo e crescerá de acordo com a função 𝑦 = 𝑒 𝑥 . Quando 𝑉𝐷 = 0 ⇒ 𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴. Para
valores negativos de 𝑉𝐷 , o primeiro termo diminui rapidamente para valores menores que 1,
resultando em 𝐼𝐷 = −𝐼𝑆 , que é simplesmente a linha horizontal na figura 11. A figura 12 apresenta
A condição de polarização direta do diodo semicondutor.
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Figura 12 - Condição de Polarização Direta do Diodo Semicondutor
1.4.Diodo Zener
Há um ponto em que a aplicação de uma tensão suficientemente negativa resulta em

uma mudança brusca na curva característica. A corrente aumenta a uma taxa muito rápida no
sentido oposto ao da região de tensão positiva. O potencial de polarização reversa que resulta
dessa mudança brusca na curva característica é chamado de potencial Zener e é dado pelo símbolo
𝑉𝑍 .
A tensão através do diodo aumenta na região de polarização reversa, aumentando

também a velocidade dos portadores minoritários responsáveis pela corrente de saturação
reversa. Consequentemente, sua velocidade e energia cinética associada serão suficientes para
liberar outros portadores através das colisões com estruturas atômicas estáveis, ou seja, o
resultado é um processo de ionização pelo qual elétrons de valência absorvem energia suficiente
para deixar o átomo de origem.
Esses portadores ajudar então no processo de ionização até que se estabeleça uma alta
corrente de avalanche e que se determine a região de ruptura por avalanche. A figura 13 ilustra a
região Zener do diodo.
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Figura 13 - Região Zener
A região de avalanche VZ pode ser aproximada do eixo vertical, aumentandose os níveis

de dopagem nos materiais p e n e, conforme VZ cai a níveis muito baixos, um outro mecanismo,
chamado de ruptura Zener, contribui para uma mudança brusca na curva característica.
Apesar de o mecanismo de ruptura Zener ser um elemento importante somente emníveis

mais baixos de VZ, essa mudança brusca na curva característica em qualquer nível é chamada de
região Zener e os diodos que empregam apenas essa porção da curva de umajunção pn são
chamados de diodos Zener. Esta região do diodo semicondutor deve ser evitada, caso contrário, o
sistema pode ser completamente alterado pela mudança brusca na curva nessa região de tensão
reversa de modo que:
O potencial máximo de polarização reversa que pode ser aplicado antes que o diodo
entre na região Zener é chamado de tensão de pico inversa (ou simplesmente PIV — peak inverse
voltage) ou tensão de pico reversa (PRV — peak reverse voltage).
Uma observação importante que deve ser feita é que se urna aplicação exigir uma
especificação de PIV maior que a de um único dispositivo, alguns diodos de características
semelhantes poderão ser conectados em série, do mesmo modo que diodos também são
conectados em paralelo para aumentar a capacidade de fluxo de corrente dependendo da
aplicação a ser utilizada.
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1.5.Diodo de Silício versus Diodo de Germânio
Os diodos de silício apresentam especificações de PIV, correntes mais altas e faixas de

temperatura maiores que os diodos de germânio. O Silício pode ser usado para aplicações em que
a temperatura pode chegar a 200 ℃ (400 ℉), enquanto o germânio apresenta um valor nominal
máximo mais baixo (100℃). A desvantagem do silício entretanto, se comparado ao
germânio, é a maior tensão de polarização direta necessária para se alcançar a região mais alta de
condução.
O maior valor para o silício é devido basicamente ao fator 𝜂 na equação (3), pois esse
fator desempenha papel importante para se determinar a forma da curva somente em níveis de
corrente muito baixos. Quando a curva inicia sua escalada vertical, 𝜂 cai para 1 (o valor contínuo
para o diodo de germânio). O potencial em que esse aumento ocorre é chamado de potencial de
offset, limiar (threshold), ou de disparo. O valor é da ordem de 𝑉𝑇 = 0,7 𝑉 para diodos de silício
disponíveis comercialmente e de 𝑉𝑇 = 0,3 𝑉 para diodos de germânio.
Obviamente, quanto mais próxima estiver a parte ascendente da curva do eixo

vertical, mais “ideal” será o sistema. Contudo, as outras características do silício, Se comparadas às
do germânio, ainda o tornam a melhor escolha em relação à maioria dos elementos
comercialmente disponíveis. A figura 14 mostra as curvas características comparativas entre os
diodos de Silício e de Germânio.
20 | P á g i n a
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Figura 14 - Curvas Características dos Diodos de Silício e Germânio
1.5.1. Funcionamento do Diodo em Função do Efeito da

Temperatura
A temperatura pode ter efeito marcante sobre as características de um diodo

semicondutor, seja de germânio ou de silício. Normalmente, estas características são observadas
experimentalmente e de uma forma geral:
A corrente de saturação reversa IS terá sua amplitude praticamente dobrada para cada
aumento de 100 ℃ na temperatura.
Um diodo de germânio, com 𝐼𝑆 na ordem de 1 µA ou 2 µA em 25 ℃, pode apresentar

uma corrente de fuga de 100 µ𝐴 = 0,1 𝑚𝐴, na temperatura de 100 ℃. Uma corrente dessa
magnitude na região de polarização reversa certamente questionaria a condição desejada de
circuito aberto na região de polarização reversa. Valores típicos de 𝐼𝑆 para o silício são muito mais
baixos que para o germânio para níveis similares de corrente e potência. O resultado é que mesmo
em altas temperaturas os níveis de 𝐼𝑆 para diodos permite aos dispositivos de silício um nível
significativamente maior de desenvolvimento e utilização em projetos. Basicamente, um circuito
21 | P á g i n a
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aberto equivalente na região de polarização reversa é mais bem caracterizado em qualquer

temperatura com o silício do que com o germânio.
Os crescentes níveis de 𝐼𝑆 em relação com a temperatura contribuem para os diferentes

níveis da tensão de limiar, e aumentandose simplesmente o nível de 𝐼𝑆 , observase que o aumento
da corrente do diodo é antecipado. Obviamente, o valor da temperatura também será crescente
na mesma equação, mas o aumento de 𝐼𝑆 prevalecerá sobre a menor mudança percentual da
temperatura.
À medida que aumenta a temperatura, as curvas características tornam-se mais “ideais”,

porém, as temperaturas além da faixa normal de operação podem ter efeito bastante prejudicial
sobre a potência máxima e os níveis de corrente do diodo. E Na região de polarização reversa, a
tensão de ruptura aumenta com a temperatura, mas é observado o aumento indesejável na
corrente de saturação reversa. A figura 15 ilustra essa variação das curvas características em
função do aumento da temperatura.
Figura 15 - Variação das Curvas Características em Função do Aumento da Temperatura
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1.6. Resistência do Diodo
Conforme o ponto de Operação de um diodo se move de uma região para outra, a sua
resistência dele altera devido à forma nãolinear da curva característica e o tipo de tensão ou sinal
aplicado define o valor de resistência de interesse. Três análises diferentes serão realizadas para o
diodo e estas mesmas análises serão repetidas em outros dispositivos.
1.6.1. Análise CC ou Estática
A aplicação de uma tensão em um circuito que contenha um diodo semicondutor

resultará em um ponto de operação sobre a curva do diodo que não é alterado com o tempo. A
resistência do díodo no ponto de operação pode ser obtida simplesmente determinandose os
valores correspondentes de 𝑉𝐷 e 𝐼𝐷 e utilizando a equação (5):
𝑉𝐷
𝑅𝐷 =
𝐼𝐷 (5)
Os níveis de resistência cc no joelho e abaixo desta região são maiores do que os níveis
de resistência calculados para a região de aumento vertical na curva, e, os níveis de resistência na
região de polarização reversa naturalmente serão bem mais altos, e então, define – se:
Quanto mais baixa a corrente que passa pelo diodo, mais alta será o valor da
resistência cc.
23 | P á g i n a
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Exemplo 1
Determine os valores da resistência cc do diodo de acordo com a curva a seguir:
24 | P á g i n a
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1.6.1. Análise CA ou Dinâmica
Foi visto no item anterior que a resistência cc de um diodo independe da forma da

curva característica na região ao redor do ponto de interesse. Agora, se em vez de uma
entrada cc for aplicada uma senoide, uma nova situação aparece: A entrada variável moverá o
ponto de operação instantâneo para cima e para baixo em um determinado ponto da curva e
definirá uma mudança específica na corrente e na tensão. A figura 16 apresenta a definição da
análise ca ou dinâmica.
Figura 16 - Análise CA ou Dinâmica do Diodo
Sem um sinal de tensão aplicada, o ponto de operação seria o ponto Q (ou quiescente),
que aparece na figura 16 determinado pelos valores cc aplicados. Uma linha reta desenhada
tangente à curva no ponto Q define uma variação particular da tensão e da corrente que pode ser
utilizada para determinar a resistência ca ou dinâmica para essa região na curva característica do
diodo. Devese procurar manter uma variação da tensão e da Corrente tão menor quanto possível
e de modo que seja equidistante de cada lado do ponto Q.
Quanto mais íngreme a inclinação menor é o valor da variação da tensão para a mesma
variação da corrente e assim, menor é a resistência, de acordo com a equação (6):
ΔV𝑑
𝑟𝑑 =
Δ𝐼𝑑 (6)
E a figura 17 ilustra como é determinada a análise ca ou dinâmica do diodo no ponto Q:
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Figura 17 – Determinação do Ponto de Operação Quiescente
Exemplo 2
Para o diodo com a curva característica da figura abaixo, determine a resistência através
da análise ca:
a) Para iD = 2 mA
b) Para iD = 25 mA
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Solução:
a) No caso de iD = 2 mA, uma amplitude de 2 mA foi detectada a partir da
reta tangente colocada no joelho do diodo. Com isso, as tensões detectadas nos
valores da valores de iD = 4 mA e iD = 0 mA são iguais a:
b) Para iD = 25 mA, uma amplitude de 5 mA foi detectada no desenho da
reta tangente colocada na região de polarização do diodo. Assim, as tensões detectadas

são iguais a:
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2. Aplicações do Diodo
2.1.Introdução
A estrutura, as características e os modelos de diodos semicondutores foram

apresentados no capítulo anterior. O objetivo deste capítulo é desenvolver o conhecimento do
funcionamento do diodo em diversas configurações utilizando os modelos apropriados para
cada tipo de aplicação. Os conceitos aprendidos neste capítulo terão consequência significativa
nos seguintes. Por exemplo, diodos são empregados na descrição da fabricação básica de
transistores e na análise de circuitos transistorizados nos domínios cc e ca.
Uma vez compreendido o funcionamento básico do dispositivo, é possível

determinar como funciona e a sua resposta em uma variedade infinita de configurações. É
importante que o papel e a resposta de vários elementos em um sistema eletrônico sejam
compreendidos. De uma forma geral, é obtido por meio do processo de aproximação, que
pode ser bastante complexo.
Embora os resultados obtidos com as características reais possam ser diferentes dos
obtidos pelas aproximações, deve-se ter em mente que as características obtidas a partir de
uma folha de dados (datasheet) podem ser ligeiramente diferentes de quando utilizado na
prática. Em outras palavras, as características de um diodo semicondutor podem variar de um
elemento para outro em um mesmo lote.
2.2.Análise por Reta de Carga
A carga aplicada tem normalmente um impacto importante sobre o ponto ou região

de operação de um dispositivo. Se a análise for gráfica, uma reta pode ser desenhada sobre a
curva característica do dispositivo, o que representa a carga aplicada sobre o mesmo.
A interseção da reta de carga com a curva característica determinará o ponto de

operação do sistema. É importante salientar que embora a maioria dos circuitos com diodos
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analisados neste capítulo não empregue a abordagem da reta de carga, a técnica será utilizada
com frequência nos capítulos subsequentes.
Considere o circuito da Figura 24 que emprega um diodo com a curva característica

da Figura 25 a seguir:
Figura 13 - Circuito Configuração do Diodo
Figura 14 - Curva Característica do Diodo
Aplicando a Lei de Kirchoff para tensões no circuito da figura 24, encontramos como
equação resultante a equação (8):
𝐸 = 𝑉𝐷 + 𝐼𝐷 ∙ 𝑅
(8)
As duas variáveis da equação (8) são as mesmas que as dos eixos coordenados da
figura 25 de forma que é permitido traçar graficamente. As interseções da reta de carga com a
curva característica do diodo podem ser determinadas facilmente considerando o fato de que
em qualquer ponto do eixo horizontal, 𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴 e em qualquer ponto do eixo vertical,
𝑉𝐷 = 0 𝑉, e define – se a equação (9) por:
𝐸
𝐼𝐷 = �
𝑅 𝑉𝐷 =0 (9)
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Do mesmo modo que a equação (10) aponta como:
𝑉𝐷 = 𝐸|𝐼𝐷 =0
(10)
Uma linha reta traçada entre os dois pontos definirá a reta de carga, como mostrado
na figura 26 a seguir, e se mudar o valor de R, a interseção com o eixo vertical se modifica. O
resultado é uma mudança na inclinação da reta de carga e um ponto de interseção diferente
entre essa reta e a curva característica do dispositivo.
Figura 15 - Reta de Carga e a Curva Característica do Diodo
Vendo a figura 26, tem - se uma reta de carga definida pela equação e uma curva
característica definida pelo dispositivo. O ponto de interseção entre as duas curvas representa
o ponto de operação para o circuito. Desenhando uma linha vertical até o eixo horizontal
determina - se a tensão do diodo 𝑉𝐷 enquanto uma linha horizontal do ponto de interseção ao
eixo vertical fornecerá o valor de 𝐼𝐷 , que é a corrente que flui por todo o circuito.
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Exemplo 1
De acordo com a figura a seguir, determine 𝑉𝐷 , 𝐼𝐷 e 𝑉𝑅 :
Solução:
De acordo com as equações (9) e (10):

𝐸 10 𝑉
𝐼𝐷 = = = 10 𝑚𝐴
𝑅 1 𝑘Ω
𝑉𝐷 = 𝐸 = 10 𝑉
Traçando a reta de carga de acordo com os resultados das duas equações anteriores
temos:
De modo que:
𝑉𝑅 = 𝐼𝐷𝑄 ∙ 𝑅 = 9,25 ∙ 10−3 𝑥1 ∙ 103 = 9,25 𝑉
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Exemplo 2
Se a curva característica do diodo fosse agora determinada pelo modelo equivalente

e pelo modelo ideal, como seriam as soluções, utilizando o mesmo circuito do exemplo 1?
Solução:
Caso fosse utilizado o modelo equivalente do diodo, a curva característica ficaria

vertical a partir de 𝑉𝐷 = 0,7 𝑉, de forma que a reta de carga do diodo seria desenhada de
acordo com a figura abaixo:
Observando esta figura nota – se que para 𝑉𝐷 = 0,7 𝑉, temos como ponto de
operação:
𝑉𝐷𝑄 = 0,7 𝑉
𝐼𝐷𝑄 = 9,25 𝑚𝐴
De acordo com o exemplo 2, o valor da tensão do diodo varia muito pouco em

relação ao exemplo 1, apesar que ao utilizar no circuito os valores das duas tensões, causa
pouca diferença na solução essa aproximação de 𝑉𝐷𝑄 = 0,78 𝑉 → 0,7 𝑉.
No caso do diodo ideal, a curva característica do diodo passa pela reta vertical da
corrente do diodo. Neste caso, o ponto de operação é expresso por:
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𝑉𝐷𝑄 = 0 𝑉
𝐼𝐷𝑄 = 10 𝑚𝐴
Os resultados são muito diferentes dos encontrados no Exemplo 1 e na primeira

parte do Exemplo 2, causando muita desconfiança quanto a precisão. Certamente fornecem
alguma indicação dos valores de tensão e corrente esperados em relação aos outros valores de
tensão do circuito, mas o esforço adicional de simplesmente incluir a queda de 0.7 V sugere
que esta abordagem de inclusão da queda de tensão é a mais adequada.
2.3. Aproximação Para o Diodo
Os resultados obtidos utilizando - se o modelo equivalente linear aproximado são

bem próximos, se não iguais, aos resultados obtidos quando são utilizados todas as
características e ao se levar em conta todas as possíveis variações devido a tolerâncias,
temperatura e assim por diante, considera - se uma solução “tão precisa” quanto a outra.
O modelo equivalente completo introduzido no Capítulo 1 não foi empregado na

análise por reta de carga pois 𝑟𝑎𝑣 é normalmente muito menor do que os outros elementos em
série do circuito.
Lembre-se de que para os circuitos equivalentes 0,7 V e 0,3 V não são fontes
independentes de energia e que aparecem simplesmente para lembrar que para se ligar um
diodo necessita – se de uma tensão de oposição. Um diodo isolado em uma bancada de
laboratório não indicará 0,7 V ou 0,3V se um voltímetro for colocado entre seus terminais. A
queda de tensão no diodo ocorrerá quando este estiver “ligado” e especificará que a tensão no
diodo deverá ser no mínimo igual aos limiares especificados para que seja estabelecida a
condução.
2.4. Configurações de Diodos em Série com Alimentação CC
Aqui utiliza-se o modelo aproximado para investigar as configurações em série de

diodos com alimentação cc. O procedimento descrito pode ser aplicado a circuitos com
qualquer quantidade de diodos e em várias configurações. Para cada configuração, o estado de
cada diodo deve ser primeiramente determinado. Quais diodos estão “ligados” e quais estão
33 | P á g i n a
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“desligados”? Uma vez determinado isso, o circuito equivalente apropriado pode ser
substituído, e os parâmetros restantes do circuito podem ser determinados.
A forma de resolver as configurações de diodos é, substituir mentalmente os diodos

por elementos resistivos e observar o sentido resultante da corrente como algo estabelecido
pelas tensões aplicadas. Se a direção resultante tiver o mesmo sentido que a seta do símbolo
do diodo, a condução será estabelecida e o dispositivo estará no estado “ligado”, lembrando
que a fonte deve ter uma tensão maior do que a tensão limiar (𝑉𝑇 ) de cada diodo.
Se um diodo estiver no estado “ligado”, é possível considerar uma queda de tensão

de 0,7 V através do elemento como o circuito pode ser redesenhado. A preferência será
simplesmente incluir a queda de 0,7 V através de cada diodo “ligado” e desenhar uma linha
através de cada diodo no estado “desligado” ou aberto. Inicialmente, porém, o método de
substituição será utilizado para assegurar que as tensões e os valores de corrente apropriados
sejam determinados. As figuras 27 e 28 apresentam um exemplo de circuito com um diodo em
série e o mesmo redesenhado.
Figura 16 - Circuito Contendo Diodo em Série
Figura 17 - Redesenho do Circuito da Figura 16
O sentido resultante de 𝐼𝐷 é o mesmo da seta do símbolo do diodo, uma vez que

𝐸 > 𝑉𝑇 , o diodo está no estado “ligado”. O circuito é redesenhado com o modelo equivalente
apropriado para o diodo de silício diretamente polarizado. As relações entre as correntes e
tensões estão especificadas pelas equações (11) – (13):
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𝑉𝐷 = 𝑉𝑇
(11)
𝑉𝑅 = 𝐸 − 𝑉𝑇
(12)
𝑉𝑅
𝐼𝐷 = 𝐼𝑅 =
𝑅
(13)
Se o diodo for invertido, com essa substituição mental por um elemento resistivo,
revela que o sentido da corrente não é o mesmo do símbolo do diodo. A figura 29 apresenta
este novo circuito e o diodo está no estado “desligado” resultando no circuito equivalente
redesenhado na figura 30. Como o circuito está aberto, a corrente do diodo é 0 𝑚𝐴 e a tensão
através do resistor R é expressa na equação (14):
𝑉𝑅 = 𝐼𝐷 ∙ 𝑅 = 𝐼𝑅 ∙ 𝑅 = (0 𝑚𝐴) ∙ 𝑅 = 0 𝑉
(14)
Figura 18 - Circuito com o Diodo no Sentido Invertido
Figura 19 - Circuito Equivalente Redesenhado
Exemplo 3
Determine 𝑉𝐷 , 𝑉𝑅 e 𝐼𝐷 nos circuitos abaixo:
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Solução:
Na primeira figura como o diodo está no mesmo sentido da corrente este está
“ligado”. Com isso, as equações (11) – (13) definem os valores encontrados e desta forma:
𝑉𝐷 = 𝑉𝑇 = 0,7 𝑉
𝑉𝑅 = 𝐸 − 𝑉𝑇 = 8 − 0,7 𝑉 = 7,3 𝑉
𝑉𝑅 7,3 𝑉
𝐼𝐷 = 𝐼𝑅 = = = 3,3 𝑚𝐴
𝑅 2,2 𝑘Ω
Se invertemos o sentido do diodo, conforme a segunda figura, este passa a estar
“desligado”. E como o diodo está “desligado”, o circuito está aberto, e com isso, 𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴. A
figura abaixo mostra o circuito redesenhado:
Se aplicar a Lei de Kirchoff para as tensões, o resultado será o seguinte:
𝐸 − 𝑉𝐷 − 𝑉𝑅 = 0 ⇒ 𝑉𝐷 = 𝐸 − 𝑉𝑅 = 8 − 0 = 8 𝑉
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Exemplo 4
Determine 𝑉𝑜 e 𝐼𝐷 na figura a seguir:
Solução:
Utilizando a Lei de Kirchoff das tensões e fazendo as devidas substituições, o circuito

é redesenhado como:
Como a tensão 𝐸 = 12 𝑉 > 1 𝑉 (0,7 𝑉 + 0,3 𝑉), 𝑉𝑜 é definido por:
𝑉𝑂 = 𝐸 − 𝑉𝑇1 − 𝑉𝑇2 = 12 − 0,7 − 0,3 = 11 𝑉

𝑉𝑅 11 𝑉
𝐼𝐷 = 𝐼𝑅 = = = 1,9 𝑚𝐴
𝑅 5,6 𝑘Ω
Exemplo 5
Determine 𝐼, 𝑉1 , 𝑉2 , 𝑉𝑂 na figura abaixo:
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Solução:
Como o diodo está com o mesmo sentido da corrente ele está “ligado” e deve – se
inserir a queda de tensão do diodo. Desta forma, a corrente 𝐼 que flui pelo circuito é definida
por:
𝐸1 + 𝐸2 − 𝑉𝐷 10 𝑉 + 5 𝑉 − 0,7 𝑉
𝐸1 − 𝑅1 ∙ 𝐼 − 𝑉𝐷 − 𝑅2 ∙ 𝐼 + 𝐸2 = 0 ⇒ 𝐼 = = = 2,07 𝑚𝐴
(𝑅1 + 𝑅2 ) (4,7 𝑘Ω + 2,2 𝑘Ω)
𝑉1 = 𝑅1 ∙ 𝐼 = 2,07 𝑚𝐴 ∙ 4,7 𝑘Ω = 9,74 𝑉
𝑉2 = 𝑅2 ∙ 𝐼 = 2,07 𝑚𝐴 ∙ 2,2 𝑘Ω = 4,56 𝑉
𝑉𝑜 = 𝑉2 − 𝐸2 = 4,56 𝑉 − 5 𝑉 = −0,44 𝑉
2.5. Configuração Série – Paralelo
A análise da configuração série pode ser aplicada na configuração série – paralelo,

devendo fazer as adaptações necessárias. Iremos ver cada caso através de exemplos para
facilitar a compreensão.
38 | P á g i n a
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Exemplo 6
Determine de acordo com a figura a seguir:
a. 𝑉𝑜 b. 𝐼1 c. 𝐼𝐷1 d. 𝐼𝐷2
Solução:
A “pressão” da fonte deverá estabelecer uma corrente através de cada diodo com o
mesmo sentido. Uma vez que o sentido da corrente resultante está de acordo com o da seta
do símbolo de cada diodo e a tensão aplicada é maior do que 𝑉𝑇 = 0,7 𝑉, ambos os diodos
estão no estado “ligado”. A tensão através ele elementos em paralelo é sempre a mesma e
desta forma:
𝑉𝑜 = 0,7 𝑉
A figura abaixo mostra o sentido de cada corrente que flui por cada diodo:
O valor da corrente é igual a:
𝐸 − 𝑉𝐷 10 − 0,7
𝐼1 = = = 28,18 𝑚𝐴
𝑅 0,33 𝑘Ω
Se os diodos possuem características semelhantes:
𝐼1 28,18 ∙ 10−3
𝐼𝐷1 = 𝐼𝐷2 = = = 14,09 𝑚𝐴
2 2
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Exemplo 7
Determine a corrente 𝐼 para o circuito a seguir:
Solução:
Como se sabe, de acordo com os modelos vistos anteriormente, o diodo 𝐷1 está

ligado e o 𝐷2 está desligado. Assim, o circuito redesenhado é apresentado abaixo:
E conforme a figura do redesenho, a corrente pode ser calculada como:
𝐸1 − 𝐸2 − 𝑉𝐷 20 − 4 − 0,7 15,3 𝑉
𝐼= = = = 6,95 𝑚𝐴
𝑅 2,2 𝑘Ω 2,2 𝑘Ω
40 | P á g i n a
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Exemplo 8
Calcule a tensão 𝑉𝑜 no circuito a seguir:
Solução:
A tensão aplicada ligaria dois diodos. Porém, se ambos estivessem “ligados”, a queda
de 0,7 𝑉 através do diodo de silício não estaria de acordo com a queda de 0,3 𝑉 do diodo de
germânio. Uma vez que a tensão através de dispositivos em paralelo deve ser a mesma.
Quando a tensão no diodo de germânio atinge 0,3 𝑉, este é “ligado” e mantém o valor de
0,3 𝑉 e a corrente passa a fluir pelo diodo, assim, o diodo de silício nunca terá a oportunidade
de atingir 0,7 𝑉 e permanece aberto estando “desligado”. Logo:
𝑉𝑜 = 12 − 0,3 = 11,7 𝑉
2.6. Portas E / Ou
A análise destas portas será realizada somente em função dos níveis de tensões
aplicados aos diodos, e, não será incluída a análise booleana nem a análise das lógicas positiva
e/ou negativa. A análise de portas E / Ou fica mais fácil se utilizar o circuito equivalente
aproximado de um diodo em vez do modelo ideal, assim sendo possível estipular que a tensão
através do diodo deve ser 0,7 𝑉 positivo para o diodo de silício (0,3𝑉 → 𝐺𝑒) para que esteja
“ligado”. Os exemplos seguintes são apresentados para facilitar o entendimento deste item:
41 | P á g i n a
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Exemplo 9
Determine 𝑉𝑂 para o circuito abaixo:
Solução:
Só há um potencial aplicado, no diodo 𝐷1 . O diodo 𝐷2 está aterrado. Redesenhando

o circuito, ele fica indicado conforme a figura abaixo:
Vamos observar que a polaridade através de 𝐷1 , é suficiente para liga - lo e através

de 𝐷2 é suficiente para desligá-lo. Se o diodo 𝐷1 estiver ligado, a tensão sobre ele será
𝑉𝑜 = 𝐸 − 𝑉𝐷 = 10 𝑉 − 0,7 𝑉 = 9,3 𝑉. Como tem – se 9,3 𝑉 no catodo e 0 𝑉 no anodo, o diodo
𝐷2 está desligado. A saída está no nível 1, com apenas uma entrada ativada, sugerindo que a
porta seja do tipo OU.
42 | P á g i n a
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Exemplo 10
Determine o valor da tensão de saída da porta E de acordo com a figura abaixo:
Solução:
Uma fonte independente aparece no ramo aterrado do circuito e tem o mesmo nível
lógico da entrada. Redesenhando o circuito, este fica indicado conforme a figura abaixo:
Com 10 𝑉 no catodo de 𝐷1 , parece que 𝐷1 está “desligado”, mesmo aparecendo uma

fonte de 10 𝑉 conectada ao anodo de 𝐷1 através do resistor. Supõe-se que 𝐷2 esteja “ligado”
devido à baixa tensão no catodo e à disponibilidade da tensão de 10 𝑉 através do resistor de
1 𝑘Ω.
Analisando o circuito redesenhado a tensão 𝑉𝑜 = 0,7 𝑉 pois existe uma polarização

direta do diodo 𝐷1 . Com 0,7 𝑉 no anodo de 𝐷1 , e 10 𝑉 no catodo, o diodo 𝐷1 , está
definitivamente “desligado”, e a corrente pode ser calculada por:
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𝐸 − 𝑉𝐷 10 − 0,7 𝑉
𝐼= = = 9,3 𝑚𝐴
𝑅 1 𝑘Ω
Para a porta E, portanto, uma única entrada 0 resultará em um nível 0 na saída.
2.7.Retificador de Meia Onda
Agora a análise de diodo é ampliada para incluir funções variantes no tempo, como a
forma de onda senoidal e a onda quadrada. O circuito mais simples é mostrado na figura 31. A
análise será utilizada a partir do modelo ideal. Ao longo de um ciclo completo indicado na
própria figura 31, o valor médio da tensão aplicada ao diodo é igual a zero.
Figura 20 – Retificador de Meia Onda
O circuito chamado de retificador de meia onda, originará uma forma de onda 𝑣𝑜

possuirá um valor médio de uso particular na conversão ca-cc. Quando é empregado no
processo de retificação, um diodo é denominado retificador com valores de corrente e de
tensão maiores que os diodos empregados. Durante o intervalo de 0 → 𝑇�2, a polaridade da

tensão aplicada é tal que “liga” o diodo com a polaridade que aparece acima dele. Pode ser
utilizado o modelo ideal em que o diodo é substituído por um curto circuito, cujo circuito
esquemático será mostrado pela figura 32, e o sinal de saída é uma réplica exata do sinal
aplicado:
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Figura 21 - Circuito Retificador no intervalo 𝟎 → 𝑻�𝟐
No período 𝑇�2 → 𝑇 ,a polaridade da tensão de entrada é mostrada na Figura 33, e a

polaridade da tensão e o modelo ideal do diodo acaba produzindo um diodo “desligado” com
seu circuito aberto equivalente. O resultado é a ausência de uma rota para as cargas fluírem e
a tensão de saída equivalente é igual a 𝑣𝑜 = 𝑖 ∙ 𝑅 = (0) ∙ 𝑅 = 0 𝑉.
Figura 22 - Circuito Retificador no intervalo 𝑻�𝟐 → 𝑻
A figura 34 ilustra a geração dos gráficos das tensões de entrada e de saída, e a

tensão de saída 𝑣𝑜 tem uma área resultante média acima do eixo sobre um período e um valor
médio determinado pela equação (15):
𝑉𝐶𝐶 = 0,318 ∙ 𝑉𝑚
(15)
45 | P á g i n a
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Figura 23 - Tensões de entrada e saída
O processo de remoção da metade do sinal de entrada para estabelecer um nível cc é

denominado como retificação de meia onda. Se substituirmos o modelo do diodo agora por
um modelo aproximado do diodo, no caso do modelo de silício, com tensão 𝑉𝑇 = 0,7 𝑉, o
funcionamento do circuito retificador é demonstrado na figura 35.
46 | P á g i n a
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Figura 24 - Circuito Retificador com diodo de silício
Para valores de 𝑣𝑖 menores do que 0,7 𝑉, o diodo é ainda um circuito aberto e

𝑣𝑜 = 0 𝑉. Na condução do diodo, a diferença entre 𝑣𝑜 e 𝑣𝑖 é um valor fixo de 𝑉𝑇 = 0,7 𝑉, de
forma que 𝑣𝑜 = 𝑣𝑖 − 𝑉𝑇 e leva à redução da área acima do eixo, o que naturalmente reduz o
nível de tensão cc resultante. A tensão retificada é calculada pela equação (16):
𝑉𝐶𝐶 = 0,318 ∙ (𝑉𝑚 − 𝑉𝑇 )

(16)
2.7.1. Tensão de Pico Reversa

A tensão de pico inversa do diodo (PIV) (ou PRV - tensão de pico reversa) é
importante no projeto de sistemas de retificação, relembrando que é a tensão máxima
nominal do diodo que não deve ser ultrapassada na região de avalanche Zener. O PIV
permitido para o retificador de meia onda pode ser determinado a partir da figura 36 que
representa o diodo reversamente polarizado.
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Figura 25 - Circuito com o Diodo Reversamente Polarizado
Aplicando a lei de Kirchhoff para tensões toma-se óbvio que o PIV máximo do diodo
deve ser igual ou maior do que o valor de pico da tensão aplicada possibilitando que a equação
(17) indique o valor da PIV:
𝑃𝐼𝑉𝑀𝐴𝑋 ≥ 𝑉𝑚
(17)
Exemplo 11
Para o circuito da figura abaixo:
a. Esboce a forma de onda da tensão de saída 𝒗𝒐 e determine o valor médio

(cc) de saída.
b. Repita o item (a) se o diodo ideal for substituído por um diodo de silício.
c. se Vm for aumentada para 200 V e compare as soluções encontradas para as
letras (a) e (b)
Solução:
a. O diodo conduzirá durante a parte negativa da tensão de entrada, e 𝑣𝑜 é igual a:

𝑉𝐶𝐶 = −0,318 𝑉𝑚 = −0,318 ∙ 20 𝑉 = −6,36 𝑉
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b. Usando um diodo de silício: 𝑉𝐶𝐶 = −0,318 ∙ (𝑉𝑚 − 𝑉𝑇 ) = −0,318 ∙ (20 − 0,7) =

−6,14 𝑉
c. Se a tensão agora for igual a 𝑉𝑚 = 200 𝑉:
𝑉𝐶𝐶 = −0,318 𝑉𝑚 = −0,318 ∙ 200 𝑉 = −63,6 𝑉
𝑉𝐶𝐶 = −0,318 ∙ (𝑉𝑚 − 𝑉𝑇 ) = −0,318 ∙ (200 − 0,7) = −63,38 𝑉
2.7.2. Retificador de Onda Completa
2.7.2.1. Configuração em Ponte

O nível cc obtido a partir de uma entrada senoidal pode ser melhorado 100% com
um processo chamado de retificação de onda completa. O circuito mais utilizado para realizar
essa função é mostrado na figura 37, com seus quatro diodos em uma configuração em ponte.
Figura 26 - Circuito Retificador de Onda Completa
Durante o período que vai de 𝑡 = 𝑂 → 𝑇/2, as polaridades resultantes através dos

diodos ideais também são mostradas na figura 38 revelando que 𝐷2 e 𝐷3 estão conduzindo
“ligado”, enquanto 𝐷1 e 𝐷4 estão no estado “desligado”.
Figura 27 - Circuito da Ponte Retificadora Quando 𝟎 → 𝑻�𝟐 e o Sentido de Condução da Corrente
49 | P á g i n a
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Para a região negativa do sinal de entrada, os diodos 𝐷1 e 𝐷4 estão conduzindo,

conforme a figura 39 e que a polaridade através do resistor de carga R é a mesma que na
figura 38.
Figura 28 - Circuito Retificador Quando 𝑻�𝟐 → 𝑻 e o Sentido de Condução da Corrente
Como a área acima do eixo para um ciclo completo é agora o dobro da área obtida
para um retificador de meia onda, o nível cc também foi dobrado e a equação (18) é definida
por:
𝑉𝐶𝐶 = 2 ∙ 0,318 ∙ 𝑉𝑚 = 0,636 ∙ 𝑉𝑚

(18)
Se um diodo de silício for aplicado, a equação (19) é utilizada para o cálculo do nível
cc da tensão:
𝑉𝐶𝐶 = 2 ∙ 0,318 ∙ (𝑉𝑚 − 𝑉𝑇 ) = 0,636 ∙ (𝑉𝑚 − 𝑉𝑇 ) (19)

A figura 40 ilustra a tensão retificada de entrada e de saída para o retificador de onda
completa em ponte.
Figura 29 - Tensões de Entrada e Saída do Retificador
50 | P á g i n a
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Exemplo 12
Determine a forma de onda de saída e o nível cc da tensão do circuito da figura

abaixo:
Solução:
O circuito será como o da figura abaixo, para a polaridade positiva do sinal de
entrada. A tensão de saída 𝑣𝑜 = 1�2 ∙ 𝑣𝑖 por causa do desenho realizado na figura abaixo.
Desta forma, 𝑣𝑜 = 5 𝑉. E para a parte negativa do sinal de entrada, as funções dos

diodos serão trocadas, mas os valores são mantidos. O efeito da retirada dos dois diodos da
configuração em ponte foi a redução do valor cc disponível ao seguinte valor:
𝑉𝐶𝐶 = 0,636 ∙ 5 𝑉 = 3,18 𝑉
2.8. Ceifadores
Os circuitos com diodos chamados de ceifadores têm a capacidade de “ceifar” uma

porção do sinal de entrada sem distorcer o restante da forma de onda alternada. Um exemplo
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da forma mais simples de ceifador a diodo é o retificador de meia onda em que dependendo
da orientação do diodo, a região positiva ou negativa do sinal de entrada é “ceifada”.
Há duas categorias gerais de ceifadores: o em série e o em paralelo. A configuração

em série é definida como aquela em que o diodo está em série com a carga, enquanto que em
paralelo tem o diodo em um ramo paralelo à carga.
2.8.1. Série
A figura 41 apresenta o ceifador em série e a resposta da configuração a partir das

formas de onda de entrada. Embora inicialmente introduzido como um retificador de meia
onda (em formas de ondas senoidais), não há limite aos tipos de sinais que podem ser
aplicados a um ceifador.
Figura 30 - Ceifador em Série e as Formas de Onda de Entrada e Saída
A inclusão de uma fonte cc, pode ter um efeito pronunciado na saída de um ceifador
e não há nenhum procedimento geral para a análise de circuitos. A figura 42 ilustra o caso de
um ceifador em série com uma fonte cc:
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Figura 31 - Ceifador em Série com Uma Fonte CC
O sentido do diodo sugere que o sinal𝑣𝑖 deve ser positivo para ligá-lo. A fonte cc
requer que a tensão 𝑣𝑖 seja maior do que V volts para ligar o diodo. A região negativa do sinal
de entrada está forçando o diodo para o estado “desligado”, apoiado pela presença da fonte
cc. Sabe-se que o diodo comporta-se como um circuito aberto (estado 'desligado') para a
região negativa do sinal de entrada.
Para o diodo ideal, a transição entre os estados ocorrerá no ponto da curva

característica em que 𝑣𝑑 = 0 𝑉 e 𝑖𝑑 = 0 𝐴. A aplicação da condição 𝑖𝑑 em 𝑣𝑑 = 0 𝑉 ao circuito
resulta na configuração onde se reconhece que o valor de 𝑣𝑖 que causará uma transição de
estado é a equação (20) e a figura 43 apresentam esta configuração:
𝑣𝑖 = 𝑉
(20)
Figura 32 – Determinação do Nível de Transição
Para uma tensão de entrada maior do que V volts, o diodo está no estado de curto-
circuito, enquanto, para tensões de entrada menores do que V volts, o diodo está no estado de
circuito aberto. Quando o diodo está no estado de curto-circuito, a tensão de saída 𝑣𝑜 pode
53 | P á g i n a
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ser determinada aplicando-se a lei de Kirchhoff para tensões no sentido horário, e a equação
(21) ilustra a tensão.
𝑣𝑜 = 𝑣𝑖 − 𝑉
(21)
Assim, é possível traçar a forma de onda da tensão de saída a partir de determinados
pontos de 𝑣𝑜 , e que em um valor instantâneo de 𝑣𝑖 , a entrada pode ser considerada uma
fonte cc no valor de 𝑣𝑖 , podendo-se determinar o valor cc (instantâneo) correspondente da
saída.
Portanto, é possível fazer algumas considerações para a resolução de circuitos

ceifadores:
Imagine um esboço da resposta do circuito com base no sentido do ciclo e nos níveis
de tensão aplicados. Depois, determine a tensão aplicada (tensão de transição) que causará
uma mudança de estado no diodo. Certifique-se sempre dos terminais do diodo e da
polaridade de 𝑣𝑜 . No fim, é sempre útil traçar o sinal de entrada acima da saída e determinar a
saída a partir de valores instantâneos de entrada.
2.8.2. Paralelo
O circuito da figura 44 é a mais simples das configurações em paralelo com diodos,

com a saída resultante para os mesmos sinais de entrada. A aná lise das configurações em
paralelo é muito semelhante à aplicada a configurações em série.
Figura 33 - Ceifador em Paralelo
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Para simplificar o entendimento do ceifador em paralelo, vejamos o caso em que é

preciso determinar a tensão de saída 𝑣𝑜 na figura 45:
Figura 34 - Exemplo de Ceifador em Paralelo
A polaridade da fonte cc e o sentido do diodo sugerem que ele estará “ligado” para a
polaridade negativa do sinal de entrada. Para essa polaridade, exigem que 𝑣𝑜 = 𝑉 = 4 𝑉.
O estado de transição pode ser determinado a partir de 𝑖𝑑 = 0 𝐴 com 𝑣𝑑 = 0 𝑉. O

resultado é 𝑣𝑖 = 𝑉 = 4 𝑉. A figura 46 apresenta os três estados do circuito equivalente para
o ceifador:
Figura 35 - Os estados do Circuito Ceifador
Como a fonte cc obviamente está 'pressionando' o diodo para ficar em curto-circuito,

a tensão de entrada deve ser maior do que 4 V para ele fique “desligado”. E, qualquer valor de
tensão na entrada menor do que 4 V resulta em um diodo no estado de curto-circuito. E a
forma de onda de entrada e de saída são indicados na figura 47.
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Figura 36 - Formas de Onda de Entrada e de Saída
Exemplo 13
Determine a forma de onda de saída para:
Solução:
O diodo estará “ligado” para a polaridade positiva de 𝑣𝑖 , especialmente quando

consideramos o efeito de 𝑉 = 5 𝑉. O circuito com este efeito é apresentado a seguir:
56 | P á g i n a
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Substituindo 𝑖𝑑 = 0 para 𝑣𝑑 = 0, o circuito equivalente é igual a:
2.9.Região Zener do Diodo
Inicialmente vamos relembrar o que é a Região Zener de um diodo:
Há um ponto em que a aplicação de uma tensão suficientemente negativa resulta em

uma mudança brusca na curva característica. A corrente aumenta a uma taxa muito rápida no
sentido oposto ao da região de tensão positiva. O potencial de polarização reversa que resulta
dessa mudança brusca na curva característica é chamado de potencial Zener e é dado pelo
símbolo 𝑉𝑍 .
A tensão através do diodo aumenta na região de polarização reversa, aumentando

também a velocidade dos portadores minoritários responsáveis pela corrente de saturação
reversa. Consequentemente, sua velocidade e energia cinética associada serão suficientes para
liberar outros portadores através das colisões com estruturas atômicas estáveis, ou seja, o
resultado é um processo de ionização pelo qual elétrons de valência absorvem energia
suficiente para deixar o átomo de origem.
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Esses portadores ajudar então no processo de ionização até que se estabeleça uma
alta corrente de avalanche e que se determine a região de ruptura por avalanche. A Figura 37
ilustra a região Zener do diodo.
Figura 37 - Região Zener do Diodo
A região de avalanche 𝑉𝑍 pode ser aproximada do eixo vertical, aumentandose os

níveis de dopagem nos materiais p e n e, conforme 𝑉𝑍 cai a níveis muito baixos, um outro
mecanismo, chamado de ruptura Zener, contribui para uma mudança brusca na curva
característica.
Apesar de o mecanismo de ruptura Zener ser um elemento importante somente em

níveis mais baixos de 𝑉𝑍 , essa mudança brusca na curva característica em qualquer nível é
chamada de região Zener e os diodos que empregam apenas essa porção da curva de uma
junção pn são chamados de diodos Zener. Esta região do diodo semicondutor deve ser evitada,
caso contrário, o sistema pode ser completamente alterado pela mudança brusca na curva
nessa região de tensão reversa de modo que:
O potencial máximo de polarização reversa que pode ser aplicado antes que o diodo
entre na região Zener é chamado de tensão de pico inversa (ou simplesmente PIV — peak
inverse voltage) ou tensão de pico reversa (PRV — peak reverse voltage).
Uma observação importante que deve ser feita é que se urna aplicação exigir uma
especificação de PIV maior que a de um único dispositivo, alguns diodos de características
semelhantes poderão ser conectados em série, do mesmo modo que diodos também são
conectados em paralelo para aumentar a capacidade de fluxo de corrente dependendo da
aplicação a ser utilizada.
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A análise de circuitos empregando diodos Zener é similar à aplicada a diodos

semicondutores. O estado do diodo deve ser primeiramente determinado, e, em seguida,
deve-se fazer uma substituição do modelo aproximado e uma determinação das outras
quantidades ainda não conhecidas do circuito.
O modelo Zener a ser empregado para o estado “ligado” será como mostra a Figura
38. No estado “desligado”, definido por uma tensão menor do que 𝑉𝑍 porém maior do que
0 𝑉, com a polaridade indicada na figura 3, o equivalente Zener é o circuito aberto que
aparece na mesma figura.
Figura 38 - Diodo Zener em Modo Ligado
0 < 𝑉 < 𝑉𝑍
Figura 39 - Diodo Zener no estado "desligado"
2.10. Análise de Circuitos com os Diodos Zener
O caso mais simples de análise de circuitos com diodos Zener é o circuito contendo
tensão e resistência fixos apresentado na figura 4. A tensão cc aplicada é fixa, assim como o
resistor de carga. Para resolver o circuito com o diodo deve – se realizar o seguinte
procedimento:
1. Determine o estado do diodo Zener, removendo-o do circuito e calculando a

tensão através do circuito aberto resultante.
2. Substitua o circuito equivalente apropriado e determine as variáveis desejadas.
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Aplicando-se o primeiro passo ao circuito da Figura 40 a seguir, tem-se o circuito da

Figura 41, em que aplicando a regra do divisor de tensão, encontra-se a equação (A-1):
Figura 40 - Circuito Regulador Zener
Figura 41 - Determinação do Estado do Diodo Zener
𝑅𝐿 ∙ 𝑉𝑖
𝑉𝐿 =
𝑅 + 𝑅𝐿 2-1)
Se 𝑉𝐿 ≥ 𝑉𝑍 , o diodo Zener estará “ligado” e o modelo equivalente da Figura 38 pode

ser substituído. Se 𝑉𝐿 < 𝑉𝑍 ,o diodo estará “desligado” e o circuito aberto equivalente da Figura
39 é o substituído.
O estado “ligado” resulta no circuito equivalente da figura 6. E como as tensões

através de elementos em paralelo devem ser as mesmas, conclui-se na equação (A-2):
Figura 42 - Circuito Equivalente para o Estado "Ligado" do Diodo Zener
𝑉𝐿 = 𝑉𝑍
2-2)
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A corrente no diodo Zener deve ser determinada aplicando-se a lei de Kirchhoff para
correntes, resultando na equação (A-3):
𝐼𝑍 = 𝐼𝑅 − 𝐼𝐿
2-3)
É importante frisar que apenas o primeiro passo foi empregado somente para
determinar o estado do diodo Zener. Se ele estiver “ligado”, a tensão através do diodo não é
de 𝑉𝐿 volts. Quando o sistema é “ligado”, o diodo Zener “ligará” assim que a tensão através
dele atingir 𝑉𝑍 volts. Ele estabilizará nesse valor e jamais alcançará o valor mais elevado de 𝑉𝐿
volts.
Então, são mais comumente utilizados em circuitos reguladores ou como uma tensão
de referência. Para valores de tensão aplicada maiores do que o necessário para “ligar” o
diodo Zener, a tensão através da carga será mantida em 𝑉𝑍 volts. Se esse diodo for empregado
corno urna tensão de referência, fornecerá um valor para comparação com outras tensões.
Exemplo 1:
Para o circuito abaixo determine 𝑉𝐿 , 𝑉𝑅 , 𝐼𝑍 :
Solução:
Aplicando (A-1) no circuito:
𝑅𝐿 ∙ 𝑉𝑖 1,2 𝑘Ω ∙ 16 𝑉
𝑉𝐿 = = = 8,7 𝑉
𝑅 + 𝑅𝐿 1 𝑘Ω + 1,2 𝑘Ω
Como 𝑉𝐿 < 𝑉𝑍 , o Zener está “desligado” e desta forma:
𝑉𝐿 = 8,7 𝑉
𝑉𝑅 = 𝑉𝐼 − 𝑉𝐿 = 16 𝑉 − 8,7 𝑉 = 7,3 𝑉
𝐼𝑍 = 0 𝐴
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Exemplo 2:
Repita o Exemplo 1, usando 𝑅𝐿 = 3 𝑘Ω:
Solução:
𝑅𝐿 ∙ 𝑉𝑖 3 𝑘Ω ∙ 16 𝑉
𝑉𝐿 = = = 12 𝑉
𝑅 + 𝑅𝐿 1 𝑘Ω + 3 𝑘Ω
Como agora 𝑉𝐿 > 𝑉𝑍 , tem – se:
𝑉𝐿 = 𝑉𝑍 = 10 𝑉
𝑉𝑅 = 𝑉𝐼 − 𝑉𝐿 = 16 𝑉 − 10 𝑉 = 6 𝑉
𝑉𝑅 6𝑉
𝐼𝑅 = = = 6 𝑚𝐴
𝑅 1 𝑘Ω
𝑉𝐿 10 𝑉
𝐼𝐿 = = = 3,33 𝑚𝐴
𝑅𝐿 3 𝑘Ω
𝐼𝑍 = 𝐼𝑅 − 𝐼𝐿 = 6 − 3,33 = 2,67 𝑚𝐴
O segundo caso que aparece em circuitos com Diodos Zener é quando a tensão de
entrada é fixa e a carga é variável. Devido à tensão 𝑉𝑍 , aparece uma faixa específica de valores
de resistor (e de corrente de carga) garantindo que o Zener esteja “ligado”. Uma resistência de
carga 𝑅𝐿 muito pequena resultará em uma tensão 𝑉𝐿 através da resistência de carga que será
menor do que 𝑉𝑍 fazendo que o diodo Zener esteja “desligado”.
Para se determinar a resistência de carga mínima da Figura 38 que ligará o diodo

Zener, simplesmente calcula-se o valor de 𝑅𝐿 que resultará em uma tensão na carga 𝑉𝐿 = 𝑉𝑍 ,
ou seja, a equação (A-4):
𝑅 ∙ 𝑉𝑍
𝑅𝐿 =
𝑉𝐼 − 𝑉𝑍 (2-4)
Qualquer valor de resistência de carga maior do que o 𝑅𝐿 obtido na Equação (A-4)
garante que o diodo Zener esteja “ligado” e que possa ser substituído por sua fonte 𝑉𝑍
equivalente. A condição definida pela Equação (A-4) estabelece o 𝑅𝐿 mínimo, e também
especifica o 𝐼𝐿 máximo como a equação (A-5):
𝑉𝑍
𝐼𝐿𝑀𝐴𝑋 =
𝑅𝐿𝑀𝐼𝑁 (2-5)
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E as equações das correntes no diodo Zener, no resistor e a tensão sobre o resistor

continuam iguais as apresentadas nos exemplos 1 e 2.
Como 𝐼𝑍 é limitado ao valor 𝐼𝑍𝑀𝐴𝑋 fornecido na folha de dados, ele influencia a faixa
de 𝑅𝐿 e, portanto, 𝐼𝐿 , e substituindo 𝐼𝑍 por 𝐼𝑍𝑀𝐴𝑋 , estabelece um valor mínimo para 𝐼𝐿 e para a
resistência máxima de carga como as equações (A-6) e (A-7):
𝐼𝐿𝑀𝐼𝑁 = 𝐼𝑅 − 𝐼𝑍𝑀𝐴𝑋
(2-6)
𝑉𝑍
𝑅𝐿𝑀𝐴𝑋 =
𝐼𝐿𝑀𝐼𝑁 (2-7)
Pode – se ter também o caso em que a resistência de carga possui valor fixo e a
tensão aplicada ao circuito é variável o qual deve ser suficiente para “ligar” o Zener. A tensão
mínima que “liga” o Zener é definida pela equação (A-8):
(𝑅𝐿 + 𝑅) ∙ 𝑉𝑍
𝑉𝐼𝑀𝐼𝑁 =
𝑅𝐿 (2-8)
O valor máximo da tensão de entrada é limitado pela corrente máxima no Zener. E a
equação (A-9) mostra qual é o valor da corrente no resistor:
𝐼𝑅𝑀𝐴𝑋 = 𝐼𝑍𝑀𝐴𝑋 + 𝐼𝐿
(2-9)
E como a corrente na carga é fixa, a tensão máxima de entrada é expressa na
equação (A-10):
𝑉𝐼𝑀𝐴𝑋 = 𝐼𝑅𝑀𝐴𝑋 ∙ 𝑅 + 𝑉𝑍
(2-10)
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Exemplo 3:
Para o circuito abaixo determine a faixa de valores de 𝑅𝐿 e 𝐼𝐿 para que 𝑉𝐿 = 10 𝑉:
Solução:
Para determinar 𝑅𝐿 :
𝑅∙𝑉𝑍 1 𝑘Ω∙10 𝑉
𝑅𝐿 = = = 250 Ω
𝑉𝐼 −𝑉𝑍 50 𝑉−10 𝑉
𝑉𝑅 = 𝑉𝐼 − 𝑉𝑍 = 50 𝑉 − 10 𝑉 = 40 𝑉
𝑉𝑅 40 𝑉
𝐼𝑅 = = = 40 𝑚𝐴
𝑅 1 𝑘Ω
𝐼𝐿𝑀𝐼𝑁 = 𝐼𝑅 − 𝐼𝑍𝑀𝐴𝑋 = 40 𝑚𝐴 − 32 𝑚𝐴 = 8 𝑚𝐴
𝑉𝑍 10 𝑉
𝑅𝐿𝑀𝐴𝑋 = = = 1,25 𝑘Ω
𝐼𝐿𝑀𝐼𝑁 8 𝑚𝐴
Exemplo 4:
Para quais valores de 𝑉𝐼 na figura abaixo manterá o diodo Zener “ligado”?
Solução:
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(𝑅𝐿 + 𝑅) ∙ 𝑉𝑍 (1,2 𝑘Ω + 220 Ω) ∙ 20 𝑉

𝑉𝐼𝑀𝐼𝑁 = = = 23,7 𝑉
𝑅𝐿 1,2 𝑘Ω
𝑉𝐿 20 𝑉
𝐼𝐿 = = = 16,67 𝑚𝐴
𝑅𝐿 1,2 𝑘Ω
𝐼𝑅𝑀𝐴𝑋 = 𝐼𝑍𝑀𝐴𝑋 + 𝐼𝐿 = 60 𝑚𝐴 + 16,67 𝑚𝐴 = 76,67 𝑚𝐴
𝑉𝐼𝑀𝐴𝑋 = 𝐼𝑅𝑀𝐴𝑋 ∙ 𝑅 + 𝑉𝑍 = 76,67 𝑚𝐴 ∙ 0,22 𝑘Ω + 20 𝑉 = 36,9 𝑉
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3. Polarização por Divisor de Tensão
Esta polarização faz com que a sensibilidade a variações de beta é pequena. Caso os
níveis de 𝐼𝐶 e 𝑉𝐶𝐸 sejam adequadamente escolhidos, podem ser quase independentes de beta.
Como o ponto Q é definido a partir da escolha de um valor fixo de 𝐼𝐶 e 𝑉𝐶𝐸 , por mais que seja
modificado o valor de 𝐼𝐵 , o ponto de operação a partir das curvas características pode
permanecer fixo. A figura 1 (a) apresenta um exemplo da configuração por divisor de tensão, e
a figura 1 (b) mostra a definição do ponto Q para esta configuração.
(a) (b)
Figura 43 - Configuração de polarização por Divisor de Tensão (a) e a Definição do ponto Q Para Esta
Configuração (b)
Pode – se utilizar dois métodos de análise para esta configuração: A análise exata, em
que pode ser aplicada a qualquer configuração de polarização e a análise aproximada, que só é
utilizado quando condições específicas são satisfeitas. A análise aproximada permite uma
economia de tempo e trabalho.
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3.1.Análise Exata
A figura 1 (a) pode ser redesenhada conforme mostra a figura 2 para realizar a
análise cc.
Figura 44 - Redesenho do Circuito de Entrada
Este circuito é redesenhado para se obter o circuito equivalente de Thévenin para o

terminal da base onde:
A tensão de Thévenin é determinada ao aplicar um divisor de tensão no resistor 𝑅2

de forma que esta tensão pode ser calculada pela equação (1):
𝑅2
𝑉𝑇ℎ = 𝑉𝑅2 = ∙𝑉
𝑅1 + 𝑅2 𝐶𝐶
(1)
O resistor equivalente de Thévenin é o valor de um resistor em paralelo equivalente
entre 𝑅1 e 𝑅2 e pode ser calculado a partir da equação (2):
𝑅1 ∙ 𝑅2
𝑅𝑇ℎ = 𝑅1 ∥ 𝑅2 =
𝑅1 + 𝑅2 (2)
De forma que o circuito equivalente de Thévenin é apresentado na figura 3:
Figura 45 - Circuito Equivalente de Thévenin
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A corrente de base 𝐼𝐵 é calculada utilizando a equação (3):
𝑉𝑇ℎ − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝑇ℎ + (𝛽 + 1) ∙ 𝑅𝐸 (3)
Já que a corrente de base 𝐼𝐵 passa a ser conhecida, as outras equações vistas
anteriormente são utilizadas para o cálculo de 𝑉𝐶𝐸 , 𝑉𝐸 , 𝑉𝐶 𝑒 𝑉𝐵 para a configuração de
polarização do emissor. A equação (4) é usada para o cálculo de 𝑉𝐶𝐸 :
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 ∙ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )

(4)
Exemplo 1
Determine 𝑉𝐶𝐸 e 𝐼𝐶 para a configuração do divisor de tensão a seguir:
Solução:
𝑅1 ∙ 𝑅2 39𝑘 ∙ 3,9𝑘
𝑅𝑇ℎ = 𝑅1 ∥ 𝑅2 = = = 3,55 𝑘Ω
𝑅1 + 𝑅2 39𝑘 + 3,9𝑘
𝑅2 3,9 𝑘Ω
𝑉𝑇ℎ = 𝑉𝑅2 = ∙ 𝑉𝐶𝐶 = ∙ 22 𝑉 = 2 𝑉
𝑅1 + 𝑅2 39 𝑘Ω + 3,9 𝑘Ω
𝑉𝑇ℎ − 𝑉𝐵𝐸 2 𝑉 − 0,7 𝑉

𝐼𝐵 = = = 6,05 𝜇𝐴
𝑅𝑇ℎ + (𝛽 + 1) ∙ 𝑅𝐸 3,55 𝑘Ω + (141 ∙ 1,5 𝑘Ω)
𝐼𝐶 = 𝛽 ∙ 𝐼𝐵 = 140 ∙ 6,05 𝜇𝐴 = 0,85 𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 ∙ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 22 𝑉 − [0,85 𝑚𝐴 ∙ (10 𝑘Ω + 1,5 𝑘Ω)] = 12,22 𝑉
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3.2. Análise Aproximada

Nesta análise a seção de entrada do divisor de tensão pode ser representada pela
figura 4 abaixo:
Figura 46 - Circuito de Polarização para o Cálculo da Tensão Aproximada de Base
Observando a figura 4 a resistência 𝑅𝑖 é a resistência equivalente entre a base e o

GND para este transistor com um resistor de emissor 𝑅𝐸 , relembrando que esta resistência
refletida é calculada pela equação (5):
𝑅𝑖 = (𝛽 + 1) ∙ 𝑅𝐸 (5)
Caso 𝑅𝑖 seja muito maior que 𝑅2 , 𝐼𝐵 é muito menor que 𝐼2 , e, 𝐼2 ≅ 𝐼1 . Se 𝐼𝐵 → 0
tanto para 𝐼1 quanto para 𝐼2 , podemos considerar que 𝐼1 = 𝐼2 e 𝑅1 e 𝑅2 estarão em série. A
tensão na base está aplicada em 𝑅2 e é determinada por meio da aplicação da regra do divisor
de tensão, de modo que podemos aplicar a equação (1) novamente:
𝑅2
𝑉𝐵 = 𝑉𝑅2 = ∙𝑉
𝑅1 + 𝑅2 𝐶𝐶
(1)
Como 𝑅𝑖 = (𝛽 + 1) ∙ 𝑅𝐸 ≅ 𝛽 ∙ 𝑅𝐸 , a condição que define se este método pode ser
aplicado é expressa na equação (6):
𝛽 ∙ 𝑅𝐸 ≥ 10 ∙ 𝑅2 (6)
Ou seja, Se o valor de 𝛽 multiplicado por 𝑅𝐸 for 10 vezes maior do que o valor de 𝑅2 ,
este método pode ser utilizado com alto grau de precisão. Já que 𝑉𝐵 foi calculado, 𝑉𝐸 é
calculado utilizando a equação (7):
𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 (7)
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E a corrente de emissor é determinada a partir da equação (8):
𝑉𝐸 (8)
𝐼𝐸 =
𝑅𝐸
E a corrente no coletor 𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸 , de modo que a tensão 𝑉𝐶𝐸 é calculada utilizando a
equação (9):
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 ∙ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) (9)

Note que utilizando esta análise, não aparece 𝛽 nem a corrente de base 𝐼𝐵 .
Exemplo 2
Repita o Exemplo 1 utilizando a Análise Aproximada.
Solução:
𝛽 ∙ 𝑅𝐸 ≥ 10 ∙ 𝑅2 ∴ (140) ∙ (1,5 𝑘Ω) ≥ (10) ∙ (3,9 𝑘Ω)
210 𝑘Ω ≥ 39 𝑘Ω
𝑅2 (3,9 𝑘Ω) ∙ (22 𝑉)

𝑉𝐵 = 𝑉𝑅2 = ∙ 𝑉𝐶𝐶 = =2𝑉
𝑅1 + 𝑅2 3,9 𝑘Ω + 39 𝑘Ω
𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 2 𝑉 − 0,7 𝑉 = 1,3 𝑉
𝑉𝐸 1,3 𝑉
𝐼𝐸 = = = 0,867 𝑚𝐴
𝑅𝐸 1,5 𝑘Ω
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 ∙ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 22 𝑉 − [(0,867 𝑚𝐴) ∙ (10 𝑘Ω + 1,5 𝑘Ω)] = 12,03 𝑉
3.3. Saturação do Transistor

O circuito de saída coletor – emissor para esta configuração tem a mesma aparência
que o circuito com a polarização de emissor, e, a corrente de saturação é definida pela
equação (10):
𝑉𝐶𝐶 (10)
𝐼𝐶𝑆𝑎𝑡 =
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸
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3.4.Análise por Reta de Carga

Esta análise é semelhante com o circuito de saída da configuração com divisor de
tensão, de forma que a reta de carga terá a mesma forma que a figura 1 (b) e a corrente de
coletor é calculada com a mesma equação (10), e a tensão coletor – emissor é igual a 𝑉𝐶𝐶 .
3.5.Polarização cc com Realimentação de Tensão
A estabilidade do circuito pode ser melhorada ao se adicionar uma realimentação do

coletor para a base, conforme a figura 5:
Figura 47 - Circuito de Polarização com Realimentação
Esta análise será refeita analisando inicialmente a malha base – emissor e com os
resultados aplicar à malha coletor – emissor.
3.6. Malha Base – Emissor

A malha base – emissor é definida pela figura 6:
Figura 48 - Malha base - Emissor para a Polarização com Realimentação
A lei de Kirchoff para as tensões na malha resulta na equação (11):
71 | P á g i n a
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𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶′ ∙ 𝑅𝐶 − 𝐼𝐵 ∙ 𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝐼𝐸 ∙ 𝑅𝐸 = 0 (11)

′
Ao observar a figura 6, a corrente que flui pelo resistor 𝑅𝐶 é igual a 𝐼𝐶 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 .
Porém, como 𝐼𝐶 𝑒 𝐼𝐶′ são muito maiores que os valores de 𝐼𝐵 , podemos substituir pela equação
(12):
𝐼𝐶′ ≅ 𝐼𝐶 = 𝛽 ∙ 𝐼𝐵 (12)
E como na outra relação 𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝐶 , tem – se como a corrente de base definida na
equação (13):
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = (13)
𝑅𝐵 + 𝛽 ∙ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
Percebe – se que o resultado da equação (13) é parecido com o resultado das
equações das polarizações anteriores. Então, a realimentação resulta na reflexão da resistência
de coletor 𝑅𝐶 para o circuito de entrada, bem como a resistência de emissor 𝑅𝐸 .
De uma forma geral, a equação (13) pode ser escrita da maneira conforme a equação
(14):
𝑉′
𝐼𝐵 = (14)
𝑅𝐵 + 𝛽 ∙ 𝑅′
Onde 𝑅′ = 𝑅𝐸 quando o emissor for polarizado com 𝛽 + 1 ≅ 𝛽 , e 𝑅′ = 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 .
Esta tensão 𝑉′ é a diferença entre dois níveis de tensão. Já qu 𝐼𝐶 = 𝛽 ∙ 𝐼𝐵 e, a equação (15)
apresenta a corrente de coletor para o ponto Q de operação:
𝛽 ∙ 𝑉′ (15)
𝐼𝐶𝑄 =
𝑅𝐵 + 𝛽 ∙ 𝑅′
Então, quanto maior for 𝛽 ∙ 𝑅′ relacionado com 𝑅𝐵 , menor será a sensibilidade de 𝐼𝐶
conforme houver variações de 𝛽. E, se 𝛽 ∙ 𝑅′ ≫ 𝑅𝐵 e 𝑅𝐵 + 𝛽 ∙ 𝑅′ ≅ 𝛽 ∙ 𝑅′ , a corrente de
coletor para o ponto Q será calculada por (16):
𝛽 ∙ 𝑉′ 𝛽 ∙ 𝑉 ′ 𝑉′ (16)
𝐼𝐶𝑄 = ≅ =
𝑅𝐵 + 𝛽 ∙ 𝑅′ 𝛽 ∙ 𝑅′ 𝑅′
E assim, a corrente de coletor é independente do valor de beta. Como 𝑅′ possui valor
relativamente grande para a configuração de polarização do emissor, a sensibilidade a 𝛽 será
menor ainda. Note que 𝑅′ = 0 para a configuração com polarização fixa e, portanto, essa
configuração é a mais sensível em relação à variações de 𝛽.
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3.7.Malha Coletor – Emissor

A malha coletor – emissor é mostrada na figura 7.
Figura 49 - Malha Coletor – Emissor
Aplicando a Lei de kirchoff para as tensões a equação (17) é escrita por:
𝑅𝐸 ∙ 𝐼𝐸 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑅𝐶 ∙ 𝐼𝐶′ − 𝑉𝐶𝐶 = 0 (17)

′
Como 𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸 , a equação (18) define qual será o valor da tensão coletor –
emissor:
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 ∙ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) (18)

Que curiosamente é o mesmo resultado para as configurações de polarização do
emissor e de polarização por divisor de tensão.
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Exemplo 3
Determine os valores de 𝐼𝐶 e de 𝑉𝐶𝐸 para o circuito abaixo:
Solução:
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 10 𝑉 − 0,7 𝑉

𝐼𝐵 = = = 11,91 𝜇𝐴
𝑅𝐵 + 𝛽 ∙ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) 250 𝑘Ω + [90 ∙ (4,7 𝑘Ω + 1,2 𝑘Ω)]
𝐼𝐶 = 𝛽 ∙ 𝐼𝐵 = 90 ∙ 11,91 𝜇𝐴 = 1,07 𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 ∙ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 10 𝑉 − [(1,07 𝑚𝐴) ∙ (4,7 𝑘Ω + 1,2 𝑘Ω)] = 3,69 𝑉
Exemplo 4
Calcule utilizando o mesmo circuito do exemplo anterior, porém com 𝛽 = 135.
Solução:
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 10 𝑉 − 0,7 𝑉

𝐼𝐵 = = = 8,89 𝜇𝐴
𝑅𝐵 + 𝛽 ∙ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) 250 𝑘Ω + [135 ∙ (4,7 𝑘Ω + 1,2 𝑘Ω)]
𝐼𝐶 = 𝛽 ∙ 𝐼𝐵 = 135 ∙ 8,89 𝜇𝐴 = 1,20 𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 ∙ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 10 𝑉 − [(1,20 𝑚𝐴) ∙ (4,7 𝑘Ω + 1,2 𝑘Ω)] = 2,92 𝑉
Note que apesar do valor de 𝛽 ser 50% maior, o aumento de 𝐼𝐶 foi apenas de 12% e
que inclusive o valor de 𝑉𝐶𝐸 diminuiu em 20%.
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3.8. Condições de Saturação

Como é utilizada a aproximação 𝐼𝐶′ = 𝐼𝐶 , a equação que trata da corrente de
saturação é a mesma para as configurações que utilizam o divisor de tensão e polarização do
emissor, assim pode ser descrita pela equação (19):
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶𝑆𝑎𝑡 = (19)
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸
3.9.Configurações de polarizações Combinadas

Outras configurações de polarização não se enquadram nos modelos já analisados.
Este ponto enfatiza as configurações do transistor que permitem uma análise cc desta
configuração e estabelecer um procedimento geral para a solução. Até agora, inicialmente
busca – se a corrente de base, para depois determinar a corrente de coletor e seus valores de
tensão da saída. Pode não servir para todos os casos, porém, serve como um guia de solução.
Aqui iremos ver cada caso a partir de exemplos para facilitar o entendimento.
Exemplo 5
Para o circuito abaixo determine:
a. 𝐼𝐶 ,𝑉𝐶𝐸
b. 𝑉𝐵 , 𝑉𝐶 , 𝑉𝐸 𝑒 𝑉𝐶𝐵
Solução:
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 20 𝑉 − 0,7 𝑉

𝐼𝐵 = = = 15,51 𝜇𝐴
𝑅𝐵 + 𝛽 ∙ 𝑅𝐶 680 𝑘Ω + (120) ∙ (4,7 𝑘Ω)
𝐼𝐶 = 𝛽 ∙ 𝐼𝐵 = 120 ∙ 15,51 𝜇𝐴 = 1,86 𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 ∙ 𝐼𝐶 = 20 𝑉 − (1,86 𝑚𝐴) ∙ (4,7 𝑘Ω) = 11,26 𝑉
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𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 = 0,7 𝑉
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 = 11,26 𝑉
𝑉𝐸 = 0 𝑉
𝑉𝐵𝐶 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐶 = 0,7 𝑉 − 11,26 𝑉 = −10,56 𝑉
Exemplo 6
Determine 𝑉𝐶 e 𝑉𝐵 para o circuito abaixo:
Solução:
Aplicando Kirchoff para tensões:
−𝑅𝐵 ∙ 𝐼𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸𝐸 = 0
𝑉𝐸𝐸 − 𝑉𝐵𝐸 9 𝑉 − 0,7 𝑉

𝐼𝐵 = = = 83 𝜇𝐴
𝑅𝐵 100 𝑘Ω
𝐼𝐶 = 𝛽 ∙ 𝐼𝐵 = 45 ∙ 83 𝜇𝐴 = 3,735 𝑚𝐴
𝑉𝐶 = −𝑅𝐶 ∙ 𝐼𝐶 = −(3,735 𝑚𝐴) ∙ (1,2 𝑘Ω) = −4,48 𝑉
𝑉𝐵 = −𝑅𝐵 ∙ 𝐼𝐵 = −(83 𝜇𝐴) ∙ (100 𝑘Ω) = −8,3 𝑉
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3.10. Chaveamento de Transistor

A utilização dos transistores não é limitada somente na amplificação dos sinais. Com
um projeto adequado o transistor pode ser utilizado como uma chave. A figura 8 mostra a
utilização do transistor como um inversor em lógica computacional.
Figura 50 - Circuito de um Transistor Funcionando como Inversor Lógico
A figura 9 apresenta a lógica das tensões de entrada e saída.
Figura 51 - Lógica das Tensões de Entrada e Saída
Observe que a tensão de saída é oposta à tensão de entrada, quando aplicada à base
ou no terminal de entrada. Observe também que não existe nenhuma fonte cc conectada à
base, e a única fonte cc é a que está conectada ao coletor, ou no circuito de saída e, nos
computadores é igual ao nível alto do sinal aplicado.
Para que este projeto funcione adequadamente é necessário que o ponto de

operação do transistor varie do corte para a saturação ao longo da reta de carga, conforme
ilustra a figura 10.
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Figura 52 - Reta de Carga de Funcionamento de um Transistor
Para este exemplo, se 𝐼𝐶 = 0 𝑚𝐴, quando 𝐼𝐵 = 0 𝜇𝐴 podemos assumir também que

𝑉𝐶𝐸 = 0 𝑉. Quando 𝑉𝑖 = 5 𝑉, o transistor estará ligado e, desta forma, deve estar saturado
para um determinado valor de 𝐼𝐵 tal que este seja maior que o associado nas curvas de 𝐼𝐵
próximo ao nível de saturação, tal que 𝐼𝐵 > 50 𝜇𝐴. A corrente de coletor neste exemplo pode
ser definida pela equação (20):
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶𝑆𝑎𝑡 = (20)
𝑅𝐶
E o valor de 𝐼𝐵 na região ativa logo antes da saturação, é aproximado pela equação
(21):
𝐼𝐶𝑆𝑎𝑡
𝐼𝐵 ≅ (21)
𝛽𝑐𝑐
Então, para que 𝐼𝐵 fique na região de saturação, a condição que deve ser satisfeita
deve ser atendida pela equação (22):
𝐼𝐵 ≥ (22)
𝛽𝑐𝑐
Para o circuito da figura 8, por exemplo, quando 𝑉𝑖 = 5 𝑉 ,o valor de 𝐼𝐵 e de 𝐼𝐶𝑆𝑎𝑡
são iguais a:
𝑉𝑖 − 𝑉𝐵𝐸 5 𝑉 − 0,7 𝑉
𝐼𝐵 = = = 63 𝜇𝐴
𝑅𝐵 68 𝑘Ω
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𝑉𝐶𝐶 5𝑉
𝐼𝐶𝑆𝑎𝑡 = = = 6,1 𝑚𝐴
𝑅𝐶 0,82 𝑘Ω
Mas será que a corrente 𝐼𝐵 está saturada? Para saber, basta resolver a equação (22):
𝐼𝐶𝑆𝑎𝑡 6,1 𝑚𝐴
𝐼𝐵 = 63 𝜇𝐴 ≥ = = 48,8 𝜇𝐴
𝛽𝑐𝑐 125
Ou seja, qualquer valor de 𝐼𝐵 maior que 60 𝜇𝐴vai cortar a reta de carga em um ponto
Q bem próximo ao eixo vertical.
Agora, se 𝑉𝑖 = 0 𝑉 , tem – se 𝐼𝐵 = 0 𝜇𝐴 e, como se foi presumido que 𝐼𝐶 = 0 𝑚𝐴, a
queda de tensão em 𝑅𝐶 é determinada por 𝑉𝑅𝐶 = 𝑅𝐶 ∙ 𝐼𝐶 = 0 𝑉, o que leva em 𝑉𝐶 = +5 𝑉.
O transistor pode ser empregado também como uma chave em circuitos digitais,
utilizando as extremidades da reta de carga, pois, na saturação a corrente 𝐼𝐶 é muito alta e a
tensão coletor – emissor 𝑉𝐶𝐸 é muito baixa. O resultado então é determinado por um valor
equivalente de resistência pela equação (23):
𝑉𝐶𝐸𝑆𝑎𝑡
𝑅𝑆𝑎𝑡 = (23)
Se 𝑉𝐶𝐸𝑆𝑎𝑡 = 0,15 𝑉 esta resistência de saturação é igual a:
𝑉𝐶𝐸𝑆𝑎𝑡 0,15 𝑉
𝑅𝑆𝑎𝑡 = = = 24,6 Ω
𝐼𝐶𝑆𝑎𝑡 6,1 𝑚𝐴
No caso que 𝑉𝑖 = 0 𝑉, as condições de corte resultam em um valor de resistência

igual a:
𝑉𝐶𝐶 5𝑉
𝑅𝐶𝑢𝑡 = = =∞Ω
𝐼𝐶𝐸𝑂 0 𝑚𝐴
Por exemplo, em um caso típico de 𝐼𝐶𝐸𝑂 = 10 𝜇𝐴, o valor desta resistência no corte é
igual a:
𝑉𝐶𝐶 5𝑉
𝑅𝐶𝑢𝑡 = = = 500 𝑘Ω
𝐼𝐶𝐸𝑂 10 𝜇𝐴
Este valor se comporta como um circuito aberto em vários casos.
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Exemplo 7
Determine os valores de 𝑅𝐵 e 𝑅𝐶 para o transistor na figura a seguir, quando
𝐼𝐶𝑆𝑎𝑡 = 10 𝑚𝐴.
Solução:
𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶 10 𝑉
𝐼𝐶𝑆𝑎𝑡 = ∴ 𝑅𝐶 = = = 1 𝑘Ω
𝑅𝐶 𝐼𝐶𝑆𝑎𝑡 10 𝑚𝐴
Na saturação:
𝐼𝐶𝑆𝑎𝑡 10 𝑚𝐴
𝐼𝐵 ≅ = = 40 𝜇𝐴
𝛽𝑐𝑐 250
Se 𝐼𝐵 = 60 𝜇𝐴, garante a saturação e:
𝑉𝑖 − 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝑖 − 0,7 𝑉 10 𝑉 − 0,7 𝑉

𝐼𝐵 = ∴ 𝑅𝐵 = = = 155 𝑘Ω
𝑅𝐵 𝐼𝐵 60 𝜇𝐴
Se quisermos escolher 𝑅𝐵 = 150 𝑘Ω que é um valor padrão, tem – se como valores

de corrente de base:
𝑉𝑖 − 𝑉𝐵𝐸 10 𝑉 − 0,7 𝑉
𝐼𝐵 = = = 62 𝜇𝐴
𝑅𝐵 150 𝑘Ω
𝐼𝐶𝑆𝑎𝑡 10 𝑚𝐴
𝐼𝐵 = 62 𝜇𝐴 ≥ = = 40 𝜇𝐴
𝛽𝑐𝑐 250
Então,, podemos utilizar este valor de 𝑅𝐵 = 150 𝑘Ω e de 𝑅𝐶 = 1 𝑘Ω.
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Existem transistores de chaveamento devido à velocidade de alternar entre dois

valores de tensão. O tempo total necessário para a alternar os estados de desligado para
ligado é definido pela equação (24):
𝑡𝑂𝑁 = 𝑡𝑟 + 𝑡𝑑 (24)
Onde:
𝑡𝑟 →Tempo que o sinal varia entre 10% 𝑎 90% do valor do sinal
𝑡𝑑 →Tempo de mudança de estado
E o tempo total necessário para que o transistor alterne de ligado para desligado é
expresso pela equação (25):
𝑡𝑂𝐹𝐹 = 𝑡𝑠 + 𝑡𝑓 (25)
Onde:
𝑡𝑠 →Tempo de armazenamento
𝑡𝑓 →Tempo de queda do sinal entre 90% 𝑎 10% do valor do sinal
A figura 11 apresenta esta definição de intervalos de tempo para uma onda pulsada:
Figura 53 - Definição dos Intervalos de Tempo de um Sinal Pulsado
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3.11. Transistor p – n – p
A análise dos transistores p – n – p segue o mesmo padrão estabelecido dos
transistores n – p – n. O valor de 𝐼𝐵 é determinado inicialmente e depois as relações são
aplicadas para o transistor de modo que possa determinar todas as outras variáveis. A
diferença entre as duas análises é o sinal associado a quantidades específicas. A figura 12
apresenta um transistor p – n – p na configuração de polarização do emissor:
Figura 54 - Polarização do Emissor de um Transistor p - n - p.
Aplicando a Lei de Kirchoff para tensões nesta malha base – emissor resulta na
equação (26):
−𝑅𝐸 ∙ 𝐼𝐸 + 𝑉𝐵𝐸 − 𝑅𝐵 ∙ 𝐼𝐵 + 𝑉𝐶𝐶 = 0 (26)

Se substituir 𝐼𝐸 = (𝛽 + 1) ∙ 𝐼𝐵 , a corrente de base é expressa pela equação (27):
𝐼𝐵 = (27)
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1) ∙ 𝑅𝐸
Podemos observar que na equação (27) a tensão 𝑉𝐵𝐸 tem seu sinal invertido, ou seja,
𝑉𝐵𝐸 = −0,7 𝑉 e o sentido da corrente de base 𝐼𝐵 é o oposto para o transistor n – p – n. Na
determinação de 𝑉𝐶𝐸 , Kirchoff é aplicada na malha coletor – emissor o que implica na equação
(28):
−𝑅𝐸 ∙ 𝐼𝐸 + 𝑉𝐶𝐸 − 𝑅𝐶 ∙ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐶 = 0 (28)

Se utilizar 𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝐶 a equação (28) se torna a equação (29):
𝑉𝐶𝐸 = −𝑉𝐶𝐶 + 𝐼𝐶 ∙ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) (29)
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Exemplo 8
Determine o valor de 𝑉𝐶𝐸 para a configuração do circuito a seguir:
Solução:
Inicialmente testar 𝛽 ∙ 𝑅𝐸 ≥ 10 ∙ 𝑅2 :
120 ∙ 1,1 𝑘Ω = 10 ∙ 10 𝑘Ω ∴ 132 𝑘Ω = 100 𝑘Ω
Depois, calcular 𝑉𝐵 :
𝑅2 10 𝑘Ω
𝑉𝐵 = ∙ 𝑉𝐶𝐶 = ∙ (−18 𝑉) = −3,16 𝑉
𝑅1 + 𝑅2 47 𝑘Ω + 10 𝑘Ω
Aplicando Kirchoff para tensões na malha base – emissor:
𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝑉𝐸 = 0 ∴ 𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝐸 = −3,16 𝑉 − (−0,7 𝑉) = −2,46 𝑉
A corrente de emissor é calculada então:
𝑉𝐸 2,46 𝑉
𝐼𝐸 = = = 2,24 𝑚𝐴
𝑅𝐸 1,1 𝑘Ω
Na malha coletor – emissor:
𝑉𝐶𝐸 = −𝑉𝐶𝐶 + 𝐼𝐶 ∙ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = −18 𝑉 + (2,24 𝑚𝐴) ∙ (2,4 𝑘Ω + 1,1 𝑘Ω) = −10,16 𝑉
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4. Transistores de Efeito de Campo – FET
4.1.Introdução
O transistor de efeito de campo (FET) é também um dispositivo de três portas

semelhante ao TBJ. A principal diferença entre os dois dispositivos é que o TBJ é um dispositivo
controlado por corrente enquanto que o JFET é um dispositivo controlado por tensão. Como a
corrente 𝐼𝐶 é controlada pela corrente 𝐼𝐵 , no FET, a Corrente 𝐼 é controlada pela tensão 𝑉𝐺𝑆
aplicada ao circuito. Em cada um dos transistores, a corrente de saída é controlada por algum
parâmetro de entrada (no TBJ é a corrente e no FET é a tensão).
Do mesmo modo que existem transistores n – p – n e p – n – p no TBJ, existem FETs

de canal n e de canal p. Enquanto que o TBJ é um dispositivo bipolar, o FET é um dispositivo
unipolar. A figura 1 apresenta dois modelos de amplificadores utilizados: um com TBJ e outro
com FET.
Figura 55 - Amplificadores com TBJ e FET
No FET é estabelecido um campo elétrico pelas cargas presentes que vão controlar a
condução para o circuito de saída sem precisar de um contato entre as quantidades
controladoras e as controladas.
Uma das principais características do FET é a alta impedância de entrada, com

valores maiores que as configurações utilizadas pelo TBJ. A variação de corrente de saída é
geralmente maior para os TBJs do que a variação de tensão para os FETs, assim, os ganhos de
84 | P á g i n a
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tensão dos amplificadores TBJ são geralmente maiores que os dos amplificadores com FET. São
úteis para a construção de CIs devido ao tamanho, menor que o tamanho dos TBJs.
Dois tipos de FETs serão descritos: O transistor de efeito de junção (JFET) e o

transistor de efeito de campo de metal – óxido – semicondutor (MOSFET). O MOSFET é
dividido em outros dois tipos: Depleção e Intensificação.
4.2. Construção e Características do JFET

O JFET é um dispositivo de três terminais, em que um deles controla a corrente. No
TBJ, o transistor n – p – n é comumente empregado para ser descrito na análise e no projeto.
Para o FET, o principal tipo de transistor a ser utilizado será o de canal n. A figura 2 apresenta
um JFET de canal n.
Figura 56 - Transistor de Efeito de Campo de Junção
Observando a figura 2, a maior parte da estrutura é o material do tipo n que forma o

canal entre as camadas do tipo p. A parte superior do canal é conectada pelo dreno (Drain –
D), enquanto que a parte inferior do canal é conectada pela fonte (Source – S). Os dois
materiais do tipo p são conectados entre si e também a porta (Gate – G). Sem tensão aplicado,
o JFET possui duas junções p – n não polarizadas com regiões de depleção em cada junção,
semelhante à região do diodo não polarizado.
4.2.1. Quando 𝑽𝑮𝑺 = 𝟎 𝑽 e 𝑽𝑫𝑺 > 𝟎
85 | P á g i n a
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Uma tensão positiva 𝑉𝐷𝑆 foi aplicada ao canal e a porta foi conectada diretamente à
fonte para determinar que 𝑉𝐺𝑆 = 0. Os terminais de porta e fonte possuem o mesmo potencial
e uma região de depleção surge na extremidade inferior de cada região do tipo p. Quando uma
tensão 𝑉𝐷𝑆 é aplicada, os elétrons seguem para o dreno, estabelecendo uma corrente 𝐼𝐷 , e o
caminho do fluxo de elétrons mostra que tanto a corrente do dreno quanto a da fonte são
iguais (𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 ) e o fluxo de carga é limitado somente pela resistência do canal n entre o dreno
e a fonte. A figura 3 mostra o transistor sendo alimentado com tensão VDS > 0:
Figura 57 - JFET com 𝑽𝑮𝑺 = 𝟎 e 𝑽𝑫𝑺 > 𝟎
A região de depleção é maior na parte superior de ambos os lados do tipo p. Isto

acontece pois se existir uma resistência uniforme no canal n, esta pode ser distribuída de
forma que a corrente 𝐼𝐷 estabelecerá os níveis de tensão ao longo do canal. A figura 4
apresenta estes potenciais diversos ao longo do canal n.
Figura 58 - variação dos Potenciais Reversos através da junção p – n
Com o aumento da tensão 𝑉𝐷𝑆 , a sua corrente aumenta conforme a Lei de Ohm. Se
os valores de 𝑉𝐷𝑆 forem baixos, a resistência será basicamente constante. Conforme o
aumento de 𝑉𝐷𝑆 para 𝑉𝑃 , as regiões de depleção se alargam e a largura do canal n diminui
86 | P á g i n a
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provocando um aumento da resistência até atingir um valor “infinito”. Quando as duas regiões
se tocam, aparece a condição de estrangulamento (pinch – off), e o valor de 𝑉𝐷𝑆 que
estabelece esta condição é chamado de tensão de estrangulamento (tensão de pinch – off)
denotado por 𝑉𝑃 . As figuras 5(a) e 5(b) apresentam o gráfico da conte pela tensão e o
estrangulamento.
(a) (b)
Figura 59 - Gráfico de Corrente 𝑰𝑫 x Tensão 𝑽𝑫𝑺 (a) e o Estrangulamento (b)
O termo estrangulamento não é realmente apropriado, pois o canal não é totalmente

fechado, aparecendo uma largura muito estreita com densidade alta de corrente e o valor da
corrente 𝐼𝐷 não cai a zero, ficando a um valor igual a 𝐼𝐷𝑆𝑆 . Quando a tensão 𝑉𝐷𝑆 > 𝑉𝑃 , a região
estrangulada aumenta em comprimento ao longo do canal n, porém, o valor da corrente 𝐼𝐷
permanece constante, e, assim, o JFET apresentará um comportamento de uma fonte de
corrente. Portanto, pode – se revelar que 𝐼𝐷𝑆𝑆 é a corrente de dreno máxima para o JFET em
que 𝑉𝐺𝑆 = 0 e 𝑉𝐷𝑆 > |𝑉𝑃 |.
4.2.2. 𝑽𝑮𝑺 < 𝟎 𝑽

A tensão que é aplicada da porta para a fonte, denominada de 𝑉𝐺𝑆 , é a tensão que
controla o JFET. Para um TBJ o gráfico das curvas de 𝐼𝐶 X 𝑉𝐶𝐸 com diversos valores de 𝐼𝐵 são
utilizados, no caso de um JFET, serão as curvas de 𝐼𝐷 X 𝑉𝐷𝑆 para vários valores de 𝑉𝐺𝑆 .
No dispositivo de canal n, a tensão 𝑉𝐺𝑆 se torna mais e mais negativa a partir de

𝑉𝐺𝑆 = 0. Esta polarização negativa vai permitir regiões de depleção semelhantes quando
𝑉𝐺𝑆 = 0, porém, com valores menores de 𝑉𝐷𝑆 . A figura 6 apresenta a aplicação de uma tensão
negativa de −1 𝑉 aplicada ao JFET.
87 | P á g i n a
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Figura 60 - Aplicação de Uma Tensão Negativa na Porta do JFET
Conforme a figura 6, o objetivo de aplicar uma tensão negativa é atingir a saturação

com valores menores para 𝑉𝐷𝑆 . O nível de saturação de 𝐼𝐷 é reduzido e diminuirá conforme o
valor de 𝑉𝐺𝑆 ficar cada vez mais negativo. A figura 7 apresenta a redução da tensão de
estrangulamento se comportando como uma parábola com a diminuição de 𝑉𝐺𝑆 . Quando
𝑉𝐺𝑆 = −𝑉𝑃 , a tensão ficará negativa o bastante para o nível de saturação de 0 𝑚𝐴,e o
dispositivo estará “desligado”, de modo que o valor de 𝑉𝐺𝑆 resultante para 𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴 é
definido por 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑃 onde 𝑉𝑃 é negativa para dispositivos de canal n e positiva para
dispositivos de canal p.
Figura 61 - Curva Característica do JFET de canal n com 𝑰𝑫𝑺𝑺 = 𝟖 𝒎𝑨 e 𝑽𝑷 = −𝟒 𝑽
88 | P á g i n a
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4.2.3. Região Ohmica

Na região à esquerda, em que a tensão 𝑉𝐺𝑆 < 𝑉𝑃 , observada na figura 7, é chamada
de região ôhmica ou de resistência controlada. Neste trecho, o JFET pode ser empregado como
um resistor variável em que sua resistência pode ser controlada pela tensão porta – fonte
aplicada. Na figura 7, a resistência é função da tensão 𝑉𝐺𝑆 aplicada. Como a curva se torna
mais horizontal conforme o valor de 𝑉𝐺𝑆 é mais negativo, a equação (1) pode expressar uma
aproximação do valor da resistência em função de 𝑉𝐺𝑆 :
𝑟𝑜
𝑟𝑑 =
𝑉𝐺𝑆 2 (1)
�1 − �
𝑉𝑃
4.2.4. Dispositivos de Canal p
O JFET de canal p possui a mesma estrutura que o de canal n, porém as localizações

estão trocadas, conforme a figura 8.
Figura 62 - JFET de Canal p
No JFET de canal p os sentidos das correntes estão invertidos em relação ao de canal

n, bem como suas tensões porta – fonte e dreno – fonte. Assim, o canal se contrai com tensões
positivas crescentes da porta para a fonte e a tensão do dreno para a fonte fica negativa. A
figura 9 apresenta a curva característica do JFET de canal p.
89 | P á g i n a
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Figura 63 - Curva Característica do JFET de canal p
No caso da figura 9, a corrente 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 6 𝑚𝐴com uma tensão de estrangulamento de

𝑉𝐺𝑆 = +6 𝑉. Se 𝑉𝐷𝑆 possuir valores elevados, a curva sobe abruptamente para valores que
parecem ilimitados e este crescimento demonstra uma ruptura e a corrente que flui através do
canal passa a ser limitada pelo circuito externo.
Então, algumas definições podem ser comentadas em relação ao JFET e que podem
ser utilizadas nos pontos seguintes, tais como:
A corrente máxima é definida por 𝐼𝐷𝑆𝑆 e ocorre quando 𝑉𝐺𝑆 = 0 e 𝑉𝐷𝑆 ≥ |𝑉𝑃 |. Um
exemplo é apresentado na figura 10.
Figura 64 - JFET para 𝑽𝑮𝑺 = 𝟎 𝑽
Para tensões porta – fonte 𝑉𝐺𝑆 menores (ou mais negativos) que o valor da tensão de
estrangulamento, a corrente de dreno 𝐼𝐷 = 0 𝐴 como é mostrado na figura 11
Figura 65 - JFET para 𝑰𝑫 = 𝟎 𝑨
90 | P á g i n a
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Para todos os valores de 𝑉𝐺𝑆 contidos entre 0 𝑉 e a tensão de estrangulamento, a

corrente 𝐼𝐷 varia entre 𝐼𝐷𝑆𝑆 e 0 𝐴 conforme a figura 12.
Figura 66 - 𝑰𝑫 varia entre 𝟎 − 𝑰𝑫𝑺𝑺 com 𝑽𝑮𝑺 ≤ 𝟎 e maior que a tensão de estrangulamento
4.3. Curva Característica de Transferência
Relembrando o TBJ, existe uma relação entre as correntes de entrada 𝐼𝐵 e de saída 𝐼𝐶

sendo determinado por 𝛽, de acordo com a equação (2):
𝐼𝐶 = 𝛽 ∙ 𝐼𝐵 (2)
Por exemplo, se o valor de 𝐼𝐵 é triplicado, o valor de 𝐼𝐶 também é triplicado. Porém,
para o JFET não existe uma relação como esta. No JFET existe a relação entre 𝑉𝐺𝑆 e 𝐼𝐷 , definida
pela equação de Shockley, expressa pela equação (3):
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 ∙ �1 − � (3)
𝑉𝑃
A equação (3) nos indica que aparece uma relação quadrática e não linear entre 𝐼𝐷 e
𝑉𝐺𝑆 , com uma curva que cresce de forma exponencial com valores decrescentes de 𝑉𝐺𝑆 .
A curva de transferência obtida a partir da equação de Shockley é definida pela figura

13 de acordo com a variação da tensão da tensão porta – fonte em que a solução da equação é
a interseção das duas curvas, e desta forma, as características do JFET não são alteradas pelo
circuito empregado, de forma que pode ser definido que a curva característica de
transferência definida pela equação de Shockley não é afetada pelo circuito o qual o JFET é
empregado.
91 | P á g i n a
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Figura 67 - Curva de Transferência a partir das Curvas Características de Dreno
Na figura 13 apresentam – se dois gráficos em que o gráfico da esquerda é o gráfico

de 𝐼𝐷 por 𝑉𝐺𝑆 e o da direita relaciona 𝐼𝐷 por 𝑉𝐷𝑆 . A curva característica de dreno na parte da
direita, uma linha horizontal na região de saturação da curva indicada por 𝑉𝐺𝑆 = 0. Nos dois
lados da curva, o valor da corrente resultante máxima é 𝐼𝐷𝑆𝑆 , de modo que quando 𝑉𝐺𝑆 = 0,
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 . Quando 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑃 = −4 𝑉, a corrente de dreno é 𝐼𝐷 = 0, o que define o outro
ponto na curva de transferência.
4.3.1. Aplicação da Equação de Shockley
A figura 13 apresenta uma curva que também pode ser obtida diretamente a partir
da equação (3), só com os valores de 𝐼𝐷𝑆𝑆 e 𝑉𝑃 que definem os valores de limite da curva, o
que falta apenas encontrar alguns pontos intermediários. Substituindo 𝑉𝐺𝑆 = 0 na equação (3)
tem – se:
𝑉𝐺𝑆 2 0 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 ∙ �1 − � = 𝐼𝐷𝑆𝑆 ∙ �1 − � = 𝐼𝐷𝑆𝑆
𝑉𝑃 𝑉𝑃
E substituindo 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑃 na equação (3):
𝑉𝐺𝑆 2 𝑉𝑃 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 ∙ �1 − � = 𝐼𝐷𝑆𝑆 ∙ �1 − � = 0
𝑉𝑃 𝑉𝑃
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Utilizando a figura 13 e também a equação (3), se substituir 𝑉𝐺𝑆 = −1 𝑉, 𝑉𝑃 = 4 𝑉 e

𝐼𝐷𝑆𝑆 = 8 𝑚𝐴, encontra – se:
𝑉𝐺𝑆 2 −1 2 3 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 ∙ �1 − � = 8 ∙ �1 − � = 8 ∙ � � = 4,5 𝑚𝐴
𝑉𝑃 −4 4
A equação (4) mostra o valor de 𝑉𝐺𝑆 a partir de um valor pré – determinado de 𝐼𝐷 e é
igual a:
𝐼𝐷
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑃 ∙ �1 − � � (4)
𝐼𝐷𝑆𝑆
4.3.2. Método Simplificado
Existe um método simplificado que é mais rápido e eficiente contendo certa precisão.
Se o valor de 𝑉𝐺𝑆 for metade do valor de estrangulamento, o valor da corrente de dreno 𝐼𝐷 ,
determinado pela equação (3):
2
𝑉𝑃�
𝑉𝐺𝑆 2 2� = 𝐼 1 2 1
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 ∙ �1 − � = 𝐼𝐷𝑆𝑆 ∙ �1 − 𝐷𝑆𝑆 ∙ �1 − � = 𝐼𝐷𝑆𝑆 ∙ � � = 0,25 ∙ 𝐼𝐷𝑆𝑆
𝑉𝑃 𝑉𝑃 2 4
Trata – se de uma equação geral para qualquer valor de 𝑉𝑃 , desde – se que

𝑉𝑃�
𝑉𝐺𝑆 = 2. Iniciando que a corrente de dreno será sempre um quarto da corrente de
saturação 𝐼𝐷𝑆𝑆 , bem como a tensão porta – fonte é a metade do valor da tensão de
𝐼𝐷𝑆𝑆�
estrangulamento. Se, agora, escolher 𝐼𝐷 = 2 e substituir na equação (4), tem –se como
resultado:
𝐼𝐷𝑆𝑆�
𝐼𝐷 2� = 𝑉 ∙ �1 − �1� = 𝑉 ∙ 0,293
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑃 ∙ �1 − � � = 𝑉𝑃 ∙ �1 − � 𝑃 𝑃
𝐼𝐷𝑆𝑆 𝐼𝐷𝑆𝑆 2
Com quatro pontos somente a curva de transferência pode ser formada com certo
nível de precisão. A tabela 1 apresenta os níveis de tensão porta – fonte pela corrente de
dreno através da equação de Shockley:
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𝑉𝐺𝑆 𝐼𝐷
0 𝐼𝐷𝑆𝑆
0,3 ∙ 𝑉𝑃 𝐼𝐷𝑆𝑆�
2
0,5 ∙ 𝑉𝑃 𝐼𝐷𝑆𝑆�
4
𝑉𝑃 0
Tabela 3 – Tensão Porta – Fonte x Corrente de Dreno a partir da Equação de Shockley
Exemplo 1
Determine a curva característica do JFET quando 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 12 𝑚𝐴 e 𝑉𝑃 = −6 𝑉:
A partir da tabela 1:
0 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 12 𝑚𝐴
0,3 ∙ 𝑉𝑃 = 0,3 ∙ (−6) = −1,8 𝑉 𝐼𝐷𝑆𝑆�
2 = 6 𝑚𝐴
0,5 ∙ 𝑉𝑃 = 0,5 ∙ (−6) = −3 𝑉 𝐼𝐷𝑆𝑆�
4 = 3 𝑚𝐴
𝑉𝑃 = −6 𝑉 0
Então o gráfico fica realizado da seguinte forma:
Nos JFETs de canal p, a equação de Shockley é aplicada do mesmo modo do que para
o canal n. Porém, neste caso, 𝑉𝑃 e 𝑉𝐺𝑆 terão valores positivos.
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Exemplo 2
Trace a curva de transferência de um dispositivo de canal p, para 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 4 𝑚𝐴 e
𝑉𝑃 = 3 𝑉:
De acordo com a tabela 1:
0 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 4 𝑚𝐴
0,3 ∙ 𝑉𝑃 = 0,3 ∙ 3 = 0,9 𝑉 𝐼𝐷𝑆𝑆�
2 = 2 𝑚𝐴
0,5 ∙ 𝑉𝑃 = 0,5 ∙ 3 = 1,5 𝑉 𝐼𝐷𝑆𝑆�
4 = 1 𝑚𝐴
𝑉𝑃 = 3 𝑉 0
E o gráfico fica tracejado deste jeito:
Então, pode – se comparar as relações entre o TBJ e o JFET de acordo com a tabela 2
abaixo:
JFET TBJ
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 ∙ �1 − � 𝐼𝐶 = 𝛽 ∙ 𝐼𝐵
𝑉𝑃
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸
𝐼𝐺 ≅ 0 𝐴 𝑉𝐵𝐸 ≅ 0,7 𝑉
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4.4.MOSFET Tipo Depleção

Já foi visto anteriormente que existem dois tipos de FET: JFET e MOSFET. Os
MOSFETs se dividem em tipo depleção e tipo intensificação. Estes termos definem os modos
básicos de operação.
O MOSFET tipo depleção apresenta características semelhantes ao JFET operando

entre o corte e a saturação do 𝐼𝐷𝑆𝑆 , porém com curvas características até a região de
polaridade oposta para 𝑉𝐺𝑆 .
4.4.1. Construção Básica do Canal n

A figura 1 abaixo apresenta a construção básica do MOSFET tipo depleção de canal n.
Uma camada espessa de material tipo p é formada como substrato em que é a base o qual o
MOSFET é construído. Em alguns modelos este substrato está conectado ao terminal da fonte.
Outros modelos apresentam um terminal extra, chamado de 𝑆𝑆, resultando em um dispositivo
de quatro terminais. A fonte e o dreno são conectados por contatos metálicos as regiões do
tipo n, ligadas entre si por um canal tipo n. A porta também é conectada a superfície metálica
de contato, mas está isolada do canal n por uma camada fina de dióxido de silício 𝑆𝑖𝑂2 , este
material é definido como dielétrico, tipo particular de isolante, indicando que não existe uma
conexão elétrica direta entre a porta e o canal de um MOSFET e este isolante é o responsável
pela alta impedância de entrada do MOSFET.
Figura 68 - MOSFET tipo Depleção de Canal n
Deste modo, o nome MOSFET se refere ao metal dos terminais, ao óxido da camada
isolante e do semicondutor da estrutura das regiões tipo p e tipo n.
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4.5. Operação e Curvas Características

A tensão porta – fonte é ajustada em 0 𝑉por causa da conexão dos terminais e a
tensão dreno – fonte é aplicada através de seus terminais o que leva em atração dos elétrons
livres do canal n para o potencial positivo do dreno, possibilitando uma corrente semelhante a
que flui pelo canal do JFET, mesmo com 𝑉𝐺𝑆 = 0. A figura 2 apresenta a operação do MOSFET
com 𝑉𝐺𝑆 = 0.
Figura 69 - MOSFET tipo Depleção Canal n com𝑽𝑮𝑺 = 𝟎
Se tiver uma tensão negativa de 𝑉𝐺𝑆 , esta tensão irá direcionar os elétrons em
direção ao substrato do tipo p e dependendo da tensão negativa, um nível de recombinação
reduzirá a quantidade de elétrons livres no canal tipo n para condução e, quanto mais negativa
a tensão de polarização, maior é a taxa de recombinação.
A corrente de dreno é reduzida conforme 𝑉𝐺𝑆 é mais negativa e é igual a zero na

tensão de estrangulamento. Então, os valores da corrente de dreno e seu formato de curva
são similares aos feitos para o JFET.
Para os valores positivos de 𝑉𝐺𝑆 a porta com potencial positivo atrai portadores livres
do substrato tipo p devido a corrente de fuga reversa e aparecem novos portadores. A figura 3
apresenta as curvas características de dreno e de transferência para o MOSFET tipo depleção
de canal n.
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Figura 70 - Curvas Características do Dreno de da Transferência para um MOSFET tipo Depleção de

Canal n
A figura 3 mostra que de acordo com o aumento da tensão porta – fonte aumenta a
corrente de dreno. Ou seja, a aplicação de tensão positiva na tensão porta – fonte intensificou
o número de portadores livres no canal quando comparado a 𝑉𝐺𝑆 = 0. Por isso, a região de
tensões positivas de porta nas curvas características de dreno ou de transferência é
geralmente chamada de região de intensificação e a região entre os níveis de corte e saturação
chama-se região de depleção.
É importante notar que a equação de Shockley também pode ser aplicada no

MOSFET, bastando verificar a tensão 𝑉𝐺𝑆 e verificar as operações matemáticas.
Exemplo 3
Trace a curva de transferência de um MOSFET tipo depleção de canal n quando
𝐼𝐷𝑆𝑆 = 10 𝑚𝐴 e 𝑉𝑃 = −4 𝑉:
Solução:
Em 𝑉𝐺𝑆 = 0, 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 10 𝑚𝐴
Em 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑃 = −4 𝑉 ⇒ 𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴
Em 𝑉𝐺𝑆 =
𝑉𝑃� −4� = −2 𝑉 ⟹ 𝐼 = 𝐼𝐷𝑆𝑆� = 10 𝑚𝐴� = 2,5 𝑚𝐴
2= 2 𝐷 4 4
𝐼𝐷𝑆𝑆�2 = 5 𝑚𝐴
Em 𝑉𝐺𝑆 = 0,3 ∙ 𝑉𝑃 = 0,3 ∙ (−4 𝑉) = −1,2 𝑉 ⇒ 𝐼𝐷 =
Lembrando que 𝐼𝐷 aumenta rapidamente para valores positivos de 𝑉𝐺𝑆
𝑉𝐺𝑆 2 +1 2 1 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 ∙ �1 − �𝑉 � = 10 ∙ �1 − � �� = 10 ∙ �1 − �− �� = 10 ∙ (1 + 0,25)2
𝑃 −4 4
= 10 ∙ 1,5625 = 15,63 𝑚𝐴
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4.6.MOSFET Tipo Depleção Canal p

Este tipo de MOSFET é exatamente o oposto do MOSFET canal n, ou seja, agora
existe um substrato tipo n e um canal tipo p, com os mesmos terminais, mas com tensões e
polaridades invertidas. As curvas da corrente de dreno possuem os mesmos formatos, mas
com valores negativos de 𝑉𝐷𝑆 e 𝑉𝐺𝑆 com polaridades opostas, o que leva a uma curva com o
mesmo formato, mas está refletida em relação ao eixo de 𝐼𝐷 , inclusive, a equação de Shockley
pode ser aplicada neste modelo de MOSFET. A figura 4 ilustra o MOSFET tipo Depleção de
Canal p:
Figura 71 - MOSFET Tipo Depleção de Canal p
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4.7.MOSFET Tipo Intensificação
Este modelo de MOSFET possui características de construção e de operação similar

ao de Depleção, mas as características de operação são completamente diferentes. A equação
de Shockley não funciona para este modelo de MOSFET e a corrente de dreno para este
dispositivo é igual a zero antes da tensão porta – fonte atingir certo valor, ou seja, o controle
da corrente é realizado por uma tensão positiva porta – fonte.
4.7.1. Construção Básica
Uma camada de material do tipo p é formada a partir de uma base de silício. Este
substrato pode estar conectado internamente ao terminal da fonte ou a um quarto terminal
disponível para o controle de potencial. Os terminais da fonte e do dreno estão conectados às
regiões do tipo n, porém, não existe um canal entre estas duas regiões. Esta é a diferença
principal entre um MOSFET tipo depleção e tipo intensificação: A ausência de um canal como
componente de dispositivo. Existe uma camada para isolar a plataforma metálica da porta de
região entre o dreno e a fonte que pode ser o dióxido de silício (𝑆𝑖𝑂2 ). A figura 5 ilustra o
MOSFET tipo Intensificação.
Figura 72 - MOSFET Tipo Intensificação
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4.8.Operação Básica e Curva Característica
Considere inicialmente 𝑉𝐺𝑆 = 0 e uma tensão é aplicada entre o dreno e a fonte.

Como não existe o canal n, não vai circular uma corrente de dreno, e como não vai acumular
uma grande quantidade de elétrons no dreno e na fonte, pois não há um caminho entre os
dois. Com 𝑉𝐷𝑆 positiva, ainda com 𝑉𝐺𝑆 = 0 e o terminal de substrato SS conectado
diretamente na fonte, aparecem duas junções p – n reversamente polarizadas entre as regiões
dopadas tipo n e substratos tipo p e que se opõem a qualquer fluxo entre o dreno e a fonte.
A figura 6 ilustra esta situação com 𝑉𝐷𝑆 e 𝑉𝐺𝑆 sendo tensões positivas com um
potencial positivo para o dreno e para a porta em relação à fonte. O potencial da porta
pressionará as lacunas para o substrato p ao longo do isolante de (𝑆𝑖𝑂2 ), e que resulta em
uma região de depleção próxima a camada isolante livre de lacunas.
Figura 73
No entanto, os elétrons no substrato p serão atraídos para a porta que está com um
potencial positivo e vão se acumular próximo a superfície de (𝑆𝑖𝑂2 ). A camada isolante de
(𝑆𝑖𝑂2 ) evitará que os portadores negativos sejam absorvidos pelo terminal da porta.
Com o aumento de 𝑉𝐺𝑆 a concentração dos elétrons próximo da superfície é intensa

ao ponto que a região induzida do tipo n pode suportar o fluxo entre o dreno e a fonte. O nível
de 𝑉𝐺𝑆 que produz o aumento significativo da corrente é chamado de tensão de limiar, sendo
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representado por 𝑉𝑇 , nos datasheets, pode também ser representado por 𝑉𝐺𝑆(𝑇ℎ) . Como o
canal não existe para 𝑉𝐺𝑆 = 0, ele é intensificado pela aplicação da tensão porta – fonte
positiva.
Quando 𝑉𝐺𝑆 aumenta além do nível de limiar, a densidade de portadores livres no

canal induzido começa a crescer o que resulta em um aumento da corrente de dreno. Se 𝑉𝐺𝑆
for constante e aumentarmos 𝑉𝐷𝑆 , a corrente de dreno vai atingir um valor de saturação, e não
será mais alterado, devido ao estrangulamento do canal induzido, de acordo com a figura 7.
Figura 74 - Estrangulamento do Canal Induzido no MOSFET
Aplicando Kirchoff para tensões nos terminais da figura 7, a equação (1) é escrita por:
𝑉𝐷𝐺 = 𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐺𝑆 (1)
Se 𝑉𝐺𝑆 for mantido em um valor fixo, e 𝑉𝐷𝑆 for aumentado para uma tensão menor
que 𝑉𝐺𝑆 , a porta se tornará menos positiva em relação ao dreno. Esta redução da tensão porta
– dreno vai reduzir as forças atrativas para os portadores livres (neste caso os elétrons) na
região do canal induzido, levando a uma redução da largura até o estrangulamento do mesmo
e a saturação por fim estará estabelecida.
Por exemplo, se 𝑉𝐺𝑆 = 8 𝑉 e 𝑉𝐷𝑆 saltar de 𝑉𝐷𝑆 = 2 𝑉 para 𝑉𝐷𝑆 = 5 𝑉, a tensão

𝑉𝐷𝐺 = 𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐺𝑆 = 5 − 8 = −3 𝑉 com a porta se tornando menos positiva em relação ao
dreno. A figura 8 apresenta as curvas características de dreno de um MOSFET tipo
intensificação.
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Figura 75 - Curvas Características de Dreno de um MOSFET tipo Intensificação de Canal n
De acordo com a figura 8, se 𝑉𝐺𝑆 = 8 𝑉, a saturação dele ocorrerá para 𝑉𝐷𝑆 = 6 𝑉,

sendo que o nível de saturação de 𝑉𝐷𝑆 é relacionado para 𝑉𝐺𝑆 de acordo com a equação (2):
𝑉𝐷𝑆𝑆𝑎𝑡 = 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 (2)

Então, de acordo com a equação (2), caso a tensão 𝑉𝑇 seja fixa, e aumente a tensão
𝑉𝐺𝑆 , o nível de saturação para 𝑉𝐷𝑆 aumenta, e assim pode-se dizer que para valores menores
de 𝑉𝐺𝑆 abaixo do limiar, a corrente de dreno 𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴 .
Também de acordo com a figura 8, caso o nível de 𝑉𝐺𝑆 aumenta da tensão de limiar
𝑉𝑇 para 𝑉𝐺𝑆 = 8 𝑉, o nível da corrente de dreno de saturação aumenta para 𝐼𝐷 = 10 𝑚𝐴, e o
espaço entre as curvas de 𝑉𝐺𝑆 aumentam, o que provoca um aumento no valor da corrente de
dreno. Assim, para valores de 𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑇 , a corrente de dreno passa a ser relacionada com a
tensão porta – fonte a partir da equação (3):
𝐼𝐷 = 𝑘 ∙ (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2 = 𝑘 ∙ 𝑉𝐷𝑆𝑆𝑎𝑡 2 (3)

Portanto, o termo quadrático é o responsável pela relação não linear entre 𝐼𝐷 e 𝑉𝐺𝑆 .
Este termo 𝑘 é uma constante que é função da construção do MOSFET, e pode ser encontrado
usando a equação (4), em que representa um ponto particular das curvas do dispositivo ligado:
𝐼𝐷(𝑂𝑁)
𝑘= 2 (4)
�𝑉𝐺𝑆(𝑂𝑁) − 𝑉𝑇 �
Utilizando a equação (4), se 𝐼𝐷(𝑂𝑁) = 10 𝑚𝐴 quando 𝑉𝐺𝑆(𝑂𝑁) = 8 𝑉, de acordo com a
figura 8, o valor de 𝑘 é igual a:
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𝐼𝐷(𝑂𝑁) 10 𝑚𝐴 10 𝑚𝐴
𝑘= = = = 0,278 𝑥10−3 𝐴� 2
2 (8 𝑉 − 2 𝑉)2 36 𝑉 2 𝑉
Também pode ser observado que quando 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑇 , a corrente de dreno é

𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴. A figura 9 apresenta o processo de transferência entre as curvas de 𝑉𝐺𝑆 e 𝑉𝐷𝑆 por
𝐼𝐷 . Lembrando mais uma vez que para 𝑉𝐺𝑆 ≤ 𝑉𝑇 ⇒ 𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴. Acima de 𝑉𝑇 , começa a surgir
𝐼𝐷 . Na definição da curva de transferência a partir da curva da corrente de dreno, somente os
níveis de saturação são usados e a região de operação é limitada para valores de 𝑉𝐷𝑆 maiores
que 𝑉𝐷𝑆𝑆𝑎𝑡.
Figura 76 - Curvas de Transferência de um MOSFET Tipo Intensificação de Canal n
Exemplo 4
Usando a folha de dados da página anexa, e considerando 𝑉𝐺𝑆𝑇ℎ = 3 𝑉, encontre:
a. O Valor de 𝑘
b. A respectiva curva característica de transferência
Solução:
A partir da equação (4) e com os dados obtidos da folha de dados anexa, tem-se:
𝐼𝐷(𝑂𝑁) 3 𝑚𝐴 3 𝑚𝐴
𝑘= = = = 0,061𝑥10−3 𝐴� 2
2 (10 𝑉 − 3 𝑉) 2 49 𝑉 2 𝑉
Então, pode-se obter a partir da equação (3):
𝐼𝐷 = 𝑘 ∙ (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2 = 0,061𝑥10−3 ∙ (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2
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Para diversos valores de 𝑉𝐺𝑆 a tabela 1 abaixo determina os valores correspondentes

de 𝐼𝐷 :
𝑉𝐺𝑆 (𝑉) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴)

3𝑉 0 𝑚𝐴
5𝑉 0,244 𝑚𝐴
8𝑉 1,525 𝑚𝐴
10 𝑉 3 𝑚𝐴
12 𝑉 4,94 𝑚𝐴
14 𝑉 7,38 𝑚𝐴
E a curva de transferência respectiva é esboçada abaixo:
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5. Análise Estática do FET
5.1.Introdução
Já foi visto que se pode obter os níveis de polarização para um transistor de silício
com as equações características descritas em (6) – (8):
𝑉𝐵𝐸 ≅ 0,7 𝑉
6)
𝐼𝐶 = 𝛽 ∙ 𝐼𝐵
7)
𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸
8)
A relação entre as variáveis de entrada e de saída é definida por 𝛽, cujo valor é
considerado fixo para a análise a ser realizada. E como 𝛽 é constante permite estabelecer uma
relação linear entre as correntes de base e de coletor, conforme a equação (7).
No caso do transistor de efeito de campo, esta relação passa a ser não linear por
causa do termo quadrático da equação de Shockley. Outra diferença existente entre as
análises do TBJ e do FET é que para o TBJ a variável de controle é um valor de corrente,
enquanto, para o FET é um valor de tensão.
No entanto, em ambos os casos, a variável controlada é um valor de corrente na

saída que também define importantes valores de tensão do circuito de saída.
Pode – se definir algumas relações que de um modo geral serão aplicadas à análise
estática dos amplificadores em FET expressas nas equações (9) – (12):
𝐼𝐺 ≅ 0
9)
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆
10)
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Para o JFET e o MOSFET tipo depleção, a equação de Shockley vai definir as variáveis
de entrada e de saída:
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 ∙ �1 − �
𝑉𝑃 11)
E no MOSFET tipo intensificação, aplica – se a equação (12):
𝐼𝐷 = 𝑘 ∙ (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2
12)
É importante perceber que as equações (9) – (12) dependem apenas do dispositivo,

já que não mudam para qualquer configuração do circuito, pois o dispositivo opera na região
ativa. O circuito define a corrente e a tensão associada ao ponto de operação pelo seu
conjunto de equações.
A análise estática para os circuitos com transistores (FET e TBJ) é a solução de

equações simultâneas estabelecidas pelo dispositivo e pelo circuito. A solução pode ser
determinada com a utilização de um método gráfico ou matemático. O método gráfico é o
mais usado para circuitos com FET.
5.2. Polarização Fixa
O mais simples dos arranjos de polarização para o JFET de canal n. Esse arranjo é
chamado de configuração com polarização fixa (ou polarização fixa), sendo uma das poucas
configurações com FET que podem ser solucionadas com a utilização tanto de um método
gráfico quanto de um matemático. O arranjo é ilustrado na figura 11.
108 | P á g i n a
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Figura 77 - Configuração de Polarização Fixa
Veja que a configuração da figura 11 inclui os valores ca 𝑉𝑖 e 𝑉𝑜 e mais os capacitores

de acoplamento (𝐶1 𝑒 𝐶2 ). Os capacitores de acoplamento são “circuitos abertos” para a
análise cc e baixas impedâncias (consideradas como curtos-circuitos) para a análise ca. E o
resistor 𝑅𝐺 está presente para assegurar que 𝑉𝑖 apareça na entrada do amplificador FET para a
análise ca.
Na análise cc tem – se como equações (13) e (14):
𝐼𝐺 ≅ 0
13)
𝑉𝑅𝐺 = 𝑅𝐺 ∙ 𝐼𝐺 = 𝑅𝐺 ∙ (0 𝑚𝐴) = 0 𝑉
14)
A partir da análise com as equações (13) e (14), pode – se substituir o resistor 𝑅𝐺 por
um curto – circuito e a figura 11 é redesenhada como a figura 12:
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Figura 78 - Circuito Redesenhado para a Análise cc
Aplicando Kirchoff para tensões na figura 12 determinam as equação (15):
𝑉𝐺𝑆 = −𝑉𝐺𝐺
15)
Como a corrente de dreno é controlada pela equação de Shockley e a tensão 𝑉𝐺𝑆 é
fixa, esta pode ser colocada na equação de modo que uma solução matemática pode ser
desenvolvida.
Pode se utilizar o método gráfico para resolução da análise cc, e para isso, deve – se
recordar o gráfico da equação de Shockley visto anteriormente e utilizar a análise por método
gráfico de acordo com a figura 13:
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Figura 79 - Análise Gráfica da Equação de Shockley
Vendo a figura 13, para a análise cc do FET, a figura 14 pode ser utilizada:
Figura 80 - Análise cc da Polarização Fixa
Ao utilizar a figura 14 para a resolução da polarização fixa, a reta vertical representa

𝑉𝐺𝑆 = −𝑉𝐺𝐺 ,conforme a equação (15), logo, o valor de 𝐼𝐷 deve ser determinado sobre essa
reta. O ponto de interseção das duas curvas é a solução para a configuração e é geralmente
chamado de ponto de operação ou ponto quiescente (Q).
111 | P á g i n a
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O índice Q que é definido a partir do ponto de operação será utilizado na notação de

corrente de dreno e na tensão porta-fonte quando essas quantidades representarem valores
no ponto Q.
Para determinar o valor de 𝐼𝐷 desenha – se uma linha horizontal em relação ao eixo x

do ponto Q para o eixo y. Assim, temos definidos os valores de 𝐼𝐷 e 𝑉𝐺𝑆 .
Determina – se a tensão dreno-fonte do circuito de saída aplicando a lei de Kirchhoff

para tensões e é descrito pela equação (16):
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝑅𝐷 ∙ 𝐼𝐷
16)
Não se deve esquecer que os índices de uma única letra indicam uma tensão
medida em relação à GND, de modo que a tensão da fonte é definida pela equação (17):
𝑉𝑆 = 0 𝑉
17)
E a tensão de dreno em relação ao GND pode ser calculado por (18):
𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝑆
18)
Por fim, a tensão de porta é expresso pela equação (19).
𝑉𝐺 = 𝑉𝐺𝑆
19)
Vale salientar que como esta configuração necessita de duas fontes cc, seu emprego
é muito limitado e, portanto, ela não é uma configuração das mais utilizadas.
Exemplo 1
Determine os seguintes valores a seguir sabendo que 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 10 𝑚𝐴 e 𝑉𝑃 = −8 𝑉:
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a. 𝑉𝐺𝑆
b. 𝐼𝐷
c. 𝑉𝐷𝑆
d. 𝑉𝐷
e. 𝑉𝐺
f. 𝑉𝑆
Solução:
A. Método Matemático:
𝑉𝐺𝑆 = −𝑉𝐺𝐺 = −2 𝑉
𝑉𝐺𝑆 2 −2 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 ∙ �1 − � = (10 ∙ 10−3 ) ∙ �1 − � �� = (10 ∙ 10−3 ) ∙ (0,75)2 =
𝑉𝑃 −8
5,625 𝑚𝐴
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝑅𝐷 ∙ 𝐼𝐷 = 16 𝑉 − (5,625 ∙ 10−3 ) ∙ 2 ∙ 103 = 4,75 𝑉
𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝑆 = 4,75 𝑉
𝑉𝐺 = 𝑉𝐺𝑆 = −2 𝑉
𝑉𝑆 = 0 𝑉
B. Método Gráfico:
A curva resultante a partir da utilização da equação de Shockley e inserindo a

reta vertical 𝑉𝐺𝑆 = −2 𝑉é apresentada na figura a seguir:
Observando a figura a corrente de dreno no
ponto Q é igual a 𝐼𝐷 = 5,6 𝑚𝐴, a corrente de dreno
de saturação é igual a 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 2,5 𝑚𝐴.
𝑉𝐺𝑆 = −𝑉𝐺𝐺 = −2 𝑉
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝑅𝐷 ∙ 𝐼𝐷 = 16 𝑉 −
(5,625 ∙ 10−3 ) ∙ 2 ∙ 103 = 4,8 𝑉
𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝑆 = 4,8 𝑉
𝑉𝐺 = 𝑉𝐺𝑆 = −2 𝑉
𝑉𝑆 = 0 𝑉
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5.3. Autopolarização
A autopolarização elimina a necessidade das duas fontes cc. A tensão de controle

porta-fonte é agora determinada pela tensão que flui através do resistor Rs colocado no
terminal da fonte da configuração. A figura 15 apresenta este modelo de polarização:
Figura 81 - Configuração de Autopolarização
Para a análise cc os capacitores podem novamente ser substituídos por “circuitos-

abertos”, e o resistor 𝑅𝐺 pode ser substituído por um curto-circuito equivalente, já que
𝐼𝐺 = 0 𝑚𝐴. A figura 16 ilustra a nova configuração da Autopolarização:
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Figura 82 - Configuração de Autopolarização para Análise Estática
A tensão que flui pelo resistor pode ser calculada através de (20):
𝑉𝑅𝑠 = 𝐼𝐷 ∙ 𝑅𝑆
20)
E a malha indicada na figura 16 nos indica a equação (21):
𝑉𝐺𝑆 + 𝑉𝑅𝑆 = 0 ⇒ 𝑉𝐺𝑆 = −𝑉𝑅𝑆 ⟹ 𝑉𝐺𝑆 = −(𝐼𝐷 ∙ 𝑅𝑆 ) 21)

Note agora que 𝑉𝐺𝑆 é agora função de 𝐼𝐷 , e não mais de alguma amplitude
constante, como ocorria na configuração com polarização fixa. Se observarmos a equação (21)
e a equação de Shockley, temos agora os parâmetros de entrada e de saída do transistor e
duas equações e como estas duas equações relacionam os mesmos parâmetros, podemos usar
as soluções matemática e gráfica. Então, a equação (22) é a equação de Shockley re-escrita
com a introdução da equação (21) nela:
2 2
𝑉𝐺𝑆 2 −(𝐼𝐷 ∙ 𝑅𝑆 ) (𝐼𝐷 ∙ 𝑅𝑆 )
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 ∙ �1 − � �� = 𝐼𝐷𝑆𝑆 ∙ �1 − � �� = 𝐼𝐷𝑆𝑆 ∙ �1 + � ��
𝑉𝑃 𝑉𝑃 𝑉𝑃 22)
Para o método gráfico, é necessário inicialmente que primeiro se levante a curva de

transferência do dispositivo. Como a equação (21) define uma linha reta para o mesmo gráfico,
é possível identificar dois pontos nele que estejam na linha e simplesmente traçamos uma reta
entre eles.
115 | P á g i n a
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Eletrônica
O ponto mais fácil de identificar e marcar no gráfico é o ponto onde 𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴,

resultando em 𝑉𝐺𝑆 = 0 𝑉. Para o outro ponto desta reta é importante escolher um valor seja
de 𝐼𝐷 ou de 𝑉𝐺𝑆 tais que ou um ou o outro valor podem ser determinados usando a equação
(22). Os níveis resultantes de 𝐼𝐷 ou de 𝑉𝐺𝑆 irão definir qual é outro ponto da reta e o seu
traçado.
Partindo do pressuposto que a corrente de dreno seja metade da corrente de

𝐼𝐷𝑆𝑆�
saturação, ou seja, 𝐼𝐷 = 2 e 𝑉𝐺𝑆 será igual à equação (23):
𝐼𝐷𝑆𝑆 ∙ 𝑅𝑆
𝑉𝐺𝑆 = −(𝐼𝐷 ∙ 𝑅𝑆 ) = −
2 23)
Este resultado então é o segundo ponto da reta a ser traçada. A linha reta definida
pela equação (21) pode agora ser traçada e o ponto de operação (ou quiescente) é obtido na
interseção da reta com a curva característica do dispositivo, de acordo com a figura 17. Os
valores quiescentes de 𝐼𝐷 e 𝑉𝐺𝑆 podem ser determinados e utilizados para que sejam
encontrados os outros parâmetros.
Figura 83 - Esboço da Reta na Configuração de Autopolarização
O valor da tensão dreno-fonte pode ser determinada a partir da Lei de Kirchoff das
tensões, no circuito de saída, de modo que é escrita a partir de (24):
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 ∙ (𝑅𝑆 + 𝑅𝐷 )

24)
116 | P á g i n a
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E os outros parâmetros podem ser encontrados a partir das equações (25) e (26),
sabendo que a tensão da porta para o GND 𝑉𝐺 = 0 𝑉 é.
𝑉𝑆 = 𝐼𝐷 ∙ 𝑅𝑆
25)
𝑉𝐷𝐷 = 𝑉𝐷𝑆 + 𝑉𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝑅𝐷

26)
Exemplo 2
Determine os parâmetros para a figura a seguir, sabendo que 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 8 𝑚𝐴 e

𝑉𝑃 = −6 𝑉:
a. 𝑉𝐺𝑆
b. 𝐼𝐷
c. 𝑉𝐷𝑆
d. 𝑉𝑆
e. 𝑉𝐺
f. 𝑉𝐷
Solução:
𝑉𝐺𝑆 = −(𝐼𝐷 ∙ 𝑅𝑆 )
𝐼𝐷𝑆𝑆� −3
Se 𝐼𝐷 = 2 = 4 𝑚𝐴, tem –se como valor de 𝑉𝐺𝑆 = −(𝐼𝐷 ∙ 𝑅𝑆 ) = −(4𝑥10 ) ∙
(1𝑥103 ) = −4 𝑉. A figura abaixo ilustra o desenho da reta.
117 | P á g i n a
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𝐼𝐷𝑆𝑆�
Na equação de Shockley, quando se escolhe 4, tem – se como valor de tensão
𝑉𝑃�
𝑉𝑃 = 2 = −3 𝑉, e a curva do dispositivo é apresentada a seguir:
Pegamos então as duas curvas e fazemos a intersecção entre elas, para descobrir o
ponto de operação (ou quiescente), cuja figura é desenhada abaixo:
Ao fazer o cruzamento das duas curvas tem – se como valores encontrados:
118 | P á g i n a
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𝐼𝐷 = 2,6 𝑚𝐴 , e usando a equação (24):
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 ∙ (𝑅𝑆 + 𝑅𝐷 ) = 20 − [(2,6𝑥10−3 ) ∙ (1𝑥103 + 3,3𝑥103 )] = 8,82 𝑉
Usando agora a equação (25):
𝑉𝑆 = 𝐼𝐷 ∙ 𝑅𝑆 = (2,6𝑥10−3 ) ∙ (1𝑥103 ) = 2,6 𝑉
𝑉𝐺 = 0 𝑉
𝑉𝐷𝐷 = 𝑉𝐷𝑆 + 𝑉𝑆 = 8,82 𝑉 + 2,6 𝑉 = 11,42 𝑉
119 | P á g i n a
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5.4. Polarização por Divisor de Tensão
O mesmo tipo de polarização por divisor de tensão aplicada aos amplificadores com
TBJ é aplicada também aos amplificadores com FET, com a sua configuração básica sendo
exatamente a mesma, porém a análise cc é bastante diferente, já que 𝐼𝐺 = 0 𝑚𝐴 para o FET,
mas para o TBJ, o valor de 𝐼𝐵 , que é o elo entre os circuitos de entrada e saída na configuração
com divisor de tensão para o TBJ, e 𝑉𝐺𝑆 cumpre esse mesmo papel para a configuração com
FET. A figura 18 apresenta esta configuração:
Figura 84 - Configuração por Divisor de Tensão
A fonte 𝑉𝐷𝐷 foi separada em duas fontes equivalentes para distinguir entre as regiões
de entrada e de saída do circuito. Já que 𝐼𝐺 = 0 𝑚𝐴, a lei de Kirchhoff para correntes permite
afirmar que 𝐼𝑅1 = 𝐼𝑅2 e pode ser utilizado para determinar o valor de 𝑉𝐺 . Para se determinar o
valor da tensão 𝑉𝐺 , utiliza-se o divisor de tensão, cuja fórmula é escrita pela equação (27):
𝑅2 ∙ 𝑉𝐷𝐷
𝑉𝐺 =
𝑅1 + 𝑅2 27)
Aplicando-se a lei de Kirchhoff para tensões no sentido horário na malha indicada
obtém a equação (28):
𝑉𝐺 − 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑅𝑆 = 0 ⇒ 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑅𝑆

28)
120 | P á g i n a
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E se 𝑉𝑅𝑆 = 𝐼𝑆 ∙ 𝑅𝑆 = 𝐼𝐷 ∙ 𝑅𝑆 , substituindo na equação (28), encontramos a equação
(29):
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝐼𝐷 ∙ 𝑅𝑆
29)
Vendo a equação (29) percebe-se que é uma equação que inclui as mesmas duas
variáveis da equação de Shockley: 𝑉𝐺𝑆 e 𝐼𝐷 . 𝑉𝐺 e 𝑅𝑆 são fixas pela configuração do circuito. A
Equação (29) é a equação de uma reta, mas a origem não está mais contida nela. Como são
necessários dois pontos para se definir uma reta pode – se atentar o fato de que em qualquer
ponto no eixo horizontal a corrente 𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴.
Se 𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴, está sendo escolhido algum ponto do eixo horizontal. E a posição

exata pode ser determinada substituindo 𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴 na Equação (29) e encontrando o valor
resultante de 𝑉𝐺𝑆 como a equação (30) e a figura 19 identifica graficamente esta seleção da
corrente 𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴:
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝐼𝐷 ∙ 𝑅𝑆 ⇒ 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺
30)
Figura 85 - Seleção dos Pontos para a Montagem da Reta de 𝑽𝑮𝑺
Para o outro ponto, considerar que em qualquer ponto do eixo vertical 𝑉𝐺𝑆 = 0 𝑉, e
solucionar para o valor resultante de 𝐼𝐷 , na equação (30):
121 | P á g i n a
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𝑉𝐺
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝐼𝐷 ∙ 𝑅𝑆 ⇒ 𝑉𝐺 = 𝐼𝐷 ∙ 𝑅𝑆 ⇒ 𝐼𝐷 =
𝑅𝑆
Observando então a equação (30) e o modo de determinar os pontos da reta, pode-

se influir que:
Valores crescentes de 𝑅𝑆 resultam em valores decrescentes de 𝐼𝐷 e valores mais

negativos de 𝑉𝐺𝑆 .
A partir da determinação de 𝐼𝐷 𝑒 𝑉𝐺𝑆 a análise restante poderá ser feita da maneira

comum, ou seja, a partir das equações (24) a (26), além da equação (31):

24)
𝑉𝑆 = 𝐼𝐷 ∙ 𝑅𝑆
25)
𝑉𝐷𝐷 = 𝑉𝐷𝑆 + 𝑉𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝑅𝐷

26)
𝑉𝐷𝐷
𝐼𝑅1 = 𝐼𝑅2 =
𝑅1 + 𝑅2 31)
Exemplo 3
Determine os seguintes parâmetros para o circuito abaixo para 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 8 𝑚𝐴 e

𝑉𝑃 = −4 𝑉:
122 | P á g i n a
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a. 𝐼𝐷
b. 𝑉𝐺𝑆
c. 𝑉𝐷
d. 𝑉𝑆
e. 𝑉𝐷𝑆
f. 𝑉𝐷𝐺
Solução:
Lembrando a solução do método gráfico, em que pode – se determinar um valor

intermediário de 𝑉𝐺𝑆 𝑒 𝐼𝐷 tais que:
𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝑃
𝐼𝐷 = = 2 𝑚𝐴 ⇒ 𝑉𝐺𝑆 = = −2 𝑉
4 2
A tensão da porta é expressa por:
𝑅2 270 𝑘Ω
𝑉𝐺 = ∙ 𝑉𝐷𝐷 = ∙ 16 𝑉 = 1,82 𝑉
𝑅1 + 𝑅2 0,27 𝑀Ω + 2,1 𝑀Ω
A partir da identificação da tensão de porta, podemos utilizar a equação (30) para
determinar a reta que corta a curva característica:
𝑆𝑒 𝐼𝐷 = 0 ⇒ 𝑉𝐺𝑆 = 1,82 𝑉
1,82 𝑉
𝑆𝑒 𝑉𝐺𝑆 = 0 ⇒ 𝑉𝐺 = = 1,21 𝑚𝐴
1,5 𝑘Ω
Com estes valores, é possível encontrar o ponto de operação quiescente a partir da
figura a seguir:
123 | P á g i n a
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A partir do encontro do valor do ponto quiescente os valores da corrente de dreno e

da tensão porta-fonte, serão os valores quiescentes, e não os primeiros valores encontrados.
Assim:
𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝑅𝐷 ∙ 𝐼𝐷 = 16 𝑉 − (2,4 𝑚𝐴) ∙ (2,4 𝑘Ω) = 10,24 𝑉

𝑉𝑆 = 𝐼𝐷 ∙ 𝑅𝑆 = 2,4 𝑚𝐴 ∙ 1,5 𝑘Ω = 3,6 V
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 ∙ (𝑅𝑆 + 𝑅𝐷 ) = 16 𝑉 − [(2,4 𝑚𝐴) ∙ (2,4 𝑘Ω + 1,5 𝑘Ω)] = 6,64 𝑉
5.5. MOSFET Tipo Depleção
Como as curvas de transferência do JFET e do MOSFET tipo depleção são

semelhantes, elas permitem análises parecidas para os dois dispositivos com relação à análise
cc. A grande diferença entre os dois é o fato de que o MOSFET tipo depleção apresenta pontos
de operação com valores positivos de 𝑉𝐺𝑆 e valores de 𝐼𝐷 maiores que 𝐼𝐷𝑆𝑆 .
Como traçar o gráfico da equação de Shockley para valores positivos de 𝑉𝐺𝑆 ? Para a
região de valores positivos de 𝑉𝐺𝑆 e valores de 𝐼𝐷 maiores do que 𝐼𝐷𝑆𝑆 , até que ponto a curva
de transferência se estende?
Essa região será razoavelmente bem definida pelos parâmetros do MOSFET e pela
reta de polarização resultante do circuito.
124 | P á g i n a
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Exemplo 4
Para o MOSFET tipo depleção, determine:
a. 𝐼𝐷𝑄
b. 𝑉𝐺𝑆𝑄
c. 𝑉𝐷𝑆
Dados:
𝐼𝐷𝑆𝑆 = 8 𝑚𝐴 e 𝑉𝑃 = −8 𝑉
Solução:
Como é a configuração de autopolarização, tem – se:
𝑉𝐺𝑆 = −𝐼𝐷 ∙ 𝑅𝑆
Obtido igualmente como a configuração com JFET, estabelecendo o fato de que
𝑉𝐺𝑆 deve ser menor do que zero volt, por essa razão, não existe necessidade de traçar a curva
de transferência para valores positivos de 𝑉𝐺𝑆 , porém, deve – se escolher ao menos um valor.
Para valores de 𝑉𝐺𝑆 < 0:
𝐼𝐷𝑆𝑆 8 𝑚𝐴
𝐼𝐷 = = = 2 𝑚𝐴
4 4
𝑉𝑃 −8 𝑉
𝑉𝐺𝑆 = = = −4 𝑉
2 2
125 | P á g i n a
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Para o MOSFET tipo Depleção, como é necessário escolher ao menos um valor

positivo para 𝑉𝐺𝑆 , escolhe – se então 𝑉𝐺𝑆 = 2 𝑉, e com isso a equação de Shockley é resolvida
por:
𝑉𝐺𝑆 2 +2 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 ∙ �1 − � = 8𝑥10−3 ∙ �1 − � �� = 12,5 𝑚𝐴
𝑉𝑃 −8
Para traçar a reta de 𝑉𝐺𝑆 , se 𝑉𝐺𝑆 = 0, tem – se que 𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴. O outro ponto da reta
que precisa ser identificado pode ser descrito pela tabela a seguir e o gráfico colocado à
direita:
𝑉𝐺𝑆 (𝑉) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴)

1
2,5
1
0,125
8
6
1 ,125
4
2 ,5
3
3 ,125
2
4
1
5 ,125
0
6 ,5
0
7 ,125
0
8
126 | P á g i n a
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Precisa – se escolher um valor de 𝑉𝐺𝑆 para a reta

𝑉𝐺𝑆 = −𝐼𝐷 ∙ 𝑅𝑆 , em que se escolhe 𝑉𝐺𝑆 = −6 𝑉, tem –se :
𝑉𝐺𝑆 6𝑉
𝑉𝐺𝑆 = −𝐼𝐷 ∙ 𝑅𝑆 ⇒ 𝐼𝐷 = − = = 2,5 𝑚𝐴
𝑅𝑆 2,4 𝑘Ω
E os pontos de operação são indicados também no gráfico e são iguais a:
𝐼𝐷𝑄 = 1,7 𝑚𝐴 e 𝑉𝐺𝑆𝑄 = −4,3 𝑉
5.6. MOSFET tipo Intensificação
A curva característica de transferência do MOSFET tipo intensificação é bem

diferente daquela obtida para o JFET e o MOSFET tipo depleção, e que, para o MOSFET tipo
intensificação de canal n, a corrente de dreno é zero para valores de tensão porta-fonte
menores do que o valor de limiar 𝑉𝐺𝑆(𝑇𝐻) e, que para valores maiores de 𝑉𝐺𝑆(𝑇𝐻) a corrente de
dreno é definida pela equação (32) e a figura 20 apresenta a curva característica do MOSFET
tipo intensificação:
2
𝐼𝐷 = 𝑘 ∙ �𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝐺𝑆(𝑇𝐻) �
32)
Figura 86 - Curva Característica de um MOSFET tipo Intensificação
127 | P á g i n a
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De acordo com a figura 20 e como também os datasheets geralmente fornecem a

tensão de limiar e um valor de corrente de dreno 𝐼𝐷(𝑂𝑁) para um valor de 𝑉𝐺𝑆(𝑂𝑁) são definidos
dois pontos imediatamente. Para completar o desenho da curva, a constante 𝑘 da equação

(32) deve ser determinada a partir dos valores obtidos dos datasheets, de modo que a
equação (32) re-escrita se torna a equação (33):
𝐼𝐷(𝑂𝑁)
𝑘= 2
�𝑉𝐺𝑆(𝑂𝑁) − 𝑉𝐺𝑆(𝑇𝐻) � 33)
Uma vez que 𝑘 esteja definido, podem-se determinar outros valores de 𝐼𝐷 para os
valores selecionados de 𝑉𝐺𝑆 . Geralmente, um ponto entre 𝑉𝐺𝑆(𝑂𝑁) 𝑒 𝑉𝐺𝑆(𝑇𝐻) e outro um pouco
maior do que 𝑉𝐺𝑆(𝑂𝑁) oferecem um número suficiente de pontos e que pode ser observado na
figura 20.
5.6.1. Polarização com Realimentação
Uma configuração de polarização bastante utilizada para o MOSFET tipo

intensificação é apresentada na figura 21.
Figura 87 - Configuração de Polarização com Realimentação
Como o resistor 𝑅𝐺 oferece um alto valor de tensão para a porta do MOSFET, este
acaba ligando-o. Uma vez que 𝐼𝐺 = 0 𝑚𝐴 e 𝑉𝑅𝐺 = 0 𝑉, o circuito cc equivalente é
redesenhado na figura 22:
128 | P á g i n a
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Figura 88 - Redesenho do Circuito Polarizado
A conexão direta entre o dreno e a porta resulta na equação (34):
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐺𝑆
34)
E para o circuito de saída a equação (35) é utilizada:
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝑅𝐷 ∙ 𝐼𝐷
35)
De modo que podemos relacionar as equações (32) e (35) para que as duas curvas
possam ser traçadas. Como a equação (35) representa uma reta, podemos substituir
𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴 e 𝑉𝐺𝑆 = 0 𝑉 na mesma para determinar dois pontos que definem o traçado. Desta
maneira, as equações (36.a) e (36.b) definem os pontos da reta, e assim, a figura 23 apresenta
as duas curvas:
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 |𝐼𝐷 =0 𝑚𝐴

36.a)
𝑉𝐷𝐷
𝐼𝐷 = �
𝑅𝐷 𝑉 36.b)
𝐺𝑆 =0 𝑉
129 | P á g i n a
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Figura 89 - Determinação do Ponto de Operação para a Polarização com Realimentação
Exemplo 5
Determine 𝐼𝐷𝑄 e 𝑉𝐷𝑆𝑄 para o circuito abaixo, sabendo que 𝐼𝐷(𝑂𝑁) = 6 𝑚𝐴,
𝑉𝐺𝑆(𝑂𝑁) = 8 𝑉 e 𝑉𝐺𝑆(𝑇𝐻) = 3 𝑉:
Solução:
Inicialmente determina – se o valor de 𝑘 pela equação (33):
𝐼𝐷(𝑂𝑁) 6 ∙ 10−3
𝑘= 2 = = 0,24 ∙ 10−3 𝐴⁄𝑉 2
(8 𝑉 − 3 𝑉)2
�𝑉𝐺𝑆(𝑂𝑁) − 𝑉𝐺𝑆(𝑇𝐻) �
E a tabela a seguir apresenta os valores da equação (32) a partir de 𝑉𝐺𝑆(𝑇𝐻) e a curva
característica que apresenta o ponto de operação é descrita à direita:
130 | P á g i n a
Fonseca
Eletrônica
𝑉𝐺𝑆(𝑂𝑁) 𝑒𝑚 𝑉 𝐼𝐷 𝑒𝑚 𝑚𝐴
3 0
4 0,24
5 0,96
6 2,16
7 3,84
8 6
9 8,64
10 11,76
11 15,36
12 19,44
Para a reta de polarização do circuito:
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 = 12 𝑉
𝑉𝐷𝐷 12 𝑉
𝐼𝐷 = = = 6 𝑚𝐴
𝑅𝐷 2 𝑘Ω
E assim, o cruzamento das duas curvas permite indicar que o ponto de operação
apresenta como valores:
𝐼𝐷𝑄 = 2,75 𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆𝑄 = 𝑉𝐷𝑆𝑄 = 6,4 𝑉
5.6.2. Polarização por Divisor de Tensão
Outra configuração de polarização muito utilizada, para o MOSFET tipo intensificação

é a configuração por divisor de tensão apesentada na figura 24:
131 | P á g i n a
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Eletrônica
Como 𝐼𝐺 = 0 𝑚𝐴, aplica – se o divisor de tensão para determinar o valor de 𝑉𝐺

conforme a equação (37):
𝑅2 ∙ 𝑉𝐷𝐷
𝑉𝐺 =
𝑅1 + 𝑅2 37)
Aplicando a Lei de Kirchoff das tensões na figura 24, permite calcular a equação (38):
38)
E na seção de saída do MOSFET, encontra – se a equação (39):

39)
Exemplo 6
Determine 𝐼𝐷𝑄 , 𝑉𝐺𝑆𝑄 e 𝑉𝐷𝑆 para o circuito abaixo, para 𝑉𝐺𝑆(𝑇𝐻) = 5 𝑉, 𝐼𝐷(𝑂𝑁) = 3 𝑚𝐴
e 𝑉𝐺𝑆(𝑂𝑁) = 10 𝑉:
132 | P á g i n a
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Solução:
Pela Análise de Circuitos:
𝑅2 ∙ 𝑉𝐷𝐷 18 𝑀Ω
𝑉𝐺 = = ∙ 40 𝑉 = 18 𝑉
𝑅1 + 𝑅2 (22 𝑀Ω + 18 𝑀Ω)
𝑉𝐺𝑆 = 18 𝑉|𝐼𝐷 =0 𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝐼𝐷 ∙ 𝑅𝑆 ⇒ � 𝑉𝐺 18 𝑉
𝐼𝐷 = = = 21,95 𝑚𝐴|𝑉𝐺𝑆 =0 𝑉
𝑅𝑆 0,82 𝑘Ω
Pela Análise do Dispositivo:
𝐼𝐷(𝑂𝑁) 3 ∙ 10−3
𝑘= 2 = = 0,12 ∙ 10−3 𝐴⁄𝑉 2
(10 𝑉 − 5 𝑉)2
�𝑉𝐺𝑆(𝑂𝑁) − 𝑉𝐺𝑆(𝑇𝐻) �
2
𝐼𝐷 = 𝑘 ∙ �𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝐺𝑆(𝑇𝐻) � = 0,12 ∙ 10−3 ∙ (𝑉𝐺𝑆 − 5)2
Traçando as duas curvas obtém – se a figura a seguir:
133 | P á g i n a
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Com isso, encontram – se os seguintes valores para o ponto de operação:
𝑉𝐺𝑆𝑄 = 12,5 𝑉
𝐼𝐷𝑄 = 6,7 𝑚𝐴
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 ∙ (𝑅𝑆 + 𝑅𝐷 ) = 40 𝑉 − [6,7 ∙ 10−3 ] ∙ 3,82 ∙ 103 = 14,4 𝑉
134 | P á g i n a
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6. Modelagem do Transistor Bipolar
6.1.Introdução
Até o presente momento, a construção, o aspecto, as características básicas e a

polarização cc do transistor bipolar foram vistos. Agora, a resposta ca do amplificador TBJ para
pequenos sinais é vista de acordo com os modelos usados com maior frequência para
representar o transistor no domínio ca senoidal.
Na análise ca senoidal dos circuitos a transistor a amplitude do sinal de entrada

determina se deve ser aplicada a técnica de pequenos sinais ou a de grandes sinais. Não há
nada que defina qual entre as duas usar, mas a aplicação e a amplitude das variáveis de
interesse relativo às escalas das curvas características do dispositivo normalmente deixam
muito claro qual é o método mais apropriado. Existem dois modelos geralmente usados na
análise ca para pequenos sinais: o modelo 𝑟𝑒 o modelo híbrido equivalente.
6.2.Amplificação em CA
Já foi visto que um transistor bipolar pode ser utilizado com um amplificador, ou seja,
o sinal de saída senoidal é maior que o sinal de entrada ou a potência ca de saída é maior que
a potência ca de entrada. Mas como isso pode acontecer se a conservação de energia
estabelece que em qualquer instante a potência total de saída, 𝑃𝑂𝑈𝑇 de um sistema não pode
ser maior que uma potência de entrada, 𝑃𝐼𝑁 e que o rendimento é definido pela equação (40):
𝑃𝑂𝑈𝑇
𝜂=
𝑃𝐼𝑁 40)
E que o rendimento não pode ter valor maior que 1. Existe um fator não considerado
que permite que uma potência ca de saída seja maior que a potência ca de entrada e é a
potência cc aplicada. Ela contribui para a potência total de saída, embora parte dela seja
dissipada pelo circuito em elementos resistivos. Ou seja, há uma “troca” de potência cc para a
ca permitindo que seja estabelecida uma potência ca de saída maior, e o rendimento de
conversão é definido pela equação (41):
135 | P á g i n a
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Eletrônica
𝑃𝑂𝑈𝑇𝐶𝐴
𝜂=
𝑃𝐼𝑁𝐶𝐶 41)
Entretanto, é importante que amplificadores a transistor para pequenos sinais
possam ser considerados lineares para muitas aplicações, permitindo a utilização do teorema
da superposição para isolar a análise cc da análise ca.
6.3.Modelagem do Transistor Bipolar
Existem duas linhas de pensamento proeminentes hoje considerando o circuito

equivalente substituto para o transistor. Por muitos anos as instituições industriais e
educacionais confiaram profundamente nos parâmetros híbridos, que continua muito popular,
embora precise dividir, agora, sua fama com o circuito equivalente derivado diretamente das
condições de operação do transistor, chamado de modelo 𝑟.
Os fabricantes continuam a especificar os parâmetros híbridos para uma região

particular de operações nos datasheets. Os parâmetros do modelo r, podem ser derivados
diretamente dos parâmetros híbridos nessa região.
No entanto, ambos os modelos possuem desvantagens com relação à precisão: o

circuito híbrido equivalente é limitado por um determinado conjunto de condições de
operação para ser considerado mais preciso. Os parâmetros do outro circuito equivalente
podem ser determinados para qualquer região de operação dentro da região ativa e não são
limitados por um simples conjunto de parâmetros fornecidos pela folha de especificações. No
entanto, o modelo r falha na consideração do nível da impedância de saída do dispositivo e
nos efeitos de realimentação da saída para a entrada. A figura 25 apresenta um exemplo de
polarização ca no transistor bipolar.
136 | P á g i n a
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Eletrônica
Figura 91 - Circuito com o Transistor Bipolar com a Polarização ca
Para termos apenas a resposta ca do circuito, todas as fontes cc podem ser

substituídas por um potencial nulo equivalente (curto-circuito), uma vez que determinam
apenas a componente cc (nível quiescente) da tensão de saída, e não a amplitude da oscilação
ca de saída, os valores cc foram importantes apenas para determinar o ponto Q de operação
apropriado. Uma vez que ele esteja determinado, os valores cc podem ser ignorados na análise
ca do circuito. Além disso, os capacitores de acoplamento 𝐶1 e 𝐶2 e o capacitor de passagem
𝐶3 foram selecionados para ter uma reatância muito pequena nas frequências de aplicação, e,
para os devidos fins, eles podem ser substituídos por um caminho de baixa resistência ou um
curto-circuito. A figura 26 apresenta o circuito redesenhado após as duas alterações.
Figura 92 - Circuito de Polarização ca redesenhado
137 | P á g i n a
Fonseca
Eletrônica
Perceba que isso acarretará um “curto-circuito” do resistor de polarização 𝑅𝐸 ,

lembrando que capacitores são “circuitos abertos” sob polarizações cc, o que permite uma
separação entre estágios para os valores cc e condições quiescentes.
Se existir um ponto comum (GND) e reorganizar os elementos da figura 26, 𝑅1 e 𝑅2

ficarão em paralelo e 𝑅𝐶 aparecerá entre o coletor e o emissor, como mostrado na figura 27.
Figura 93 - Circuito Redesenhado para Pequenos Sinais
De acordo com a figura 27, pode – se notar que aparecem grandezas que devemos
calcular. Como o transistor é um dispositivo amplificador, espera-se ter alguma indicação de
como a tensão de saída 𝑉𝑂 está relacionada à tensão de entrada 𝑉𝑖 , ou seja, o ganho de
tensão.
Observe que para essa configuração, 𝐼𝑖 = 𝐼𝑏 e 𝐼𝑜 = 𝐼𝑐 , e assim, pode – se definir o

𝐼𝑜
ganho de corrente, como 𝐴𝑖 = �𝐼 . De uma forma geral, para – se obter o circuito
𝑖
equivalente ca de um transistor é necessário seguir esta “receita de bolo”:
1. Fixando todas as fontes de tensão cc em zero e substituindo - as por um

curto-circuito equivalente;
2. Substituindo todos os capacitores por um curto-circuito equivalente;
3. Removendo todos os elementos em paralelo com os curtos-circuitos
equivalentes;
4. Redesenhando o circuito em uma forma mais conveniente e lógica.
138 | P á g i n a
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6.4.Outros Parâmetros – Ganhos e Impedâncias
Antes da análise ca de um transistor bipolar, devem ser estudados outros parâmetros

importantes que são necessários em um dispositivo de duas portas: a seção de entrada (a
seção na qual o sinal é geralmente aplicado) é a da esquerda e a seção de saída (onde a carga é
conectada) é o lado direito. Para muitos sistemas elétricos e eletrônicos o fluxo geral é,
normalmente, da esquerda para a direita.
6.4.1. Impedância de Entrada - 𝒁𝒊
A impedância de entrada 𝑍𝑖 é definida pela lei de Ohm, como na equação (42):
𝑉𝑖
𝑍𝑖 =
𝐼𝑖 42)
Para a análise de pequenos sinais, uma vez determinada a impedância de entrada, o
mesmo valor pode ser usado para níveis diferentes do sinal de entrada. E que para as
frequências nas faixas média e baixa (geralmente <100 kHz) tem – se:
A impedância de entrada de um amplificador TBJ é puramente resistiva, dependendo

de como o transistor é empregado, e pode variar de poucos ohms até mega-ohms e de forma
prática, um ohmímetro não pode ser usado para medir a impedância de entrada ca para
pequenos sinais, já que opera em modo cc. A figura 28 ilustra um método de medição da
impedância de entrada.
Figura 94 - Forma de Medição da Impedância de Entrada
139 | P á g i n a
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Eletrônica
Se na figura 28 um resistor sensor foi adicionado à seção de entrada para permitir a

determinação do valor de 𝐼𝑖 , usando a lei de Ohm, e um osciloscópio ou multímetro digital
pode ser utilizado para medir as tensões 𝑉𝑆 e 𝑉𝑖 . Ambas as tensões podem ser valores pico-a-
pico, pico ou rms, desde que ambos os valores utilizem o mesmo padrão. A impedância de
entrada é então determinada a partir da equação (43):
𝑉𝑆 − 𝑉𝑖
𝐼𝑖 =
𝑅𝑆 43)
Exemplo 1
Um sinal de entrada, com resistência interna de 0,6 𝑘Ω alimenta um amplificador

que possui resistência de entrada de 1,2 𝑘Ω. Se a fonte for ideal, ou seja, 𝑅𝑆 = 0 Ω, qual será a
tensão de entrada 𝑉𝑖 , se a tensão da fonte é igual a 10 𝑚𝑉?
Solução:
A tensão de entrada deverá ser determinada usando-se a regra do divisor de tensão

como:
𝑍𝑖 ∙ 𝑉𝑆 1,2 𝑘Ω ∙ 10 𝑚𝑉
𝑉𝑖 = = = 6,67 𝑚𝑉
(𝑍𝑖 + 𝑅𝑆 ) (1,2 𝑘Ω + 0,6 𝑘Ω)
Então, de acordo com o exemplo 1, somente 66,7% do sinal de entrada chegaria

efetivamente ao amplificador. E se o valor da impedância de entrada fosse trocado? Quanto
de tensão da fonte seria efetivamente entregue para o amplificador?
140 | P á g i n a
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Eletrônica
Exemplo 2
Com base no exemplo 1, quais seriam os valores de tensão se a impedância de

entrada fosse igual a:
0,6 𝑘Ω
.
8,2 𝑘Ω
.
Solução:
𝑍𝑖 ∙ 𝑉𝑆 0,6 𝑘Ω ∙ 10 𝑚𝑉
𝑉𝑖 = = = 5 𝑚𝑉
(𝑍𝑖 + 𝑅𝑆 ) (0,6 𝑘Ω + 0,6 𝑘Ω)
.
𝑍𝑖 ∙ 𝑉𝑆 8,2 𝑘Ω ∙ 10 𝑚𝑉
𝑉𝑖 = = = 9,32 𝑚𝑉
(𝑍𝑖 + 𝑅𝑆 ) (8,2 𝑘Ω + 0,6 𝑘Ω)
.
Então, pode – se perceber a partir dos dois exemplos que conforme for maior o valor
da impedância de entrada, maior quantidade de sinal será inserida no transistor (ou
amplificador), e essa resistência de entrada dependerá da forma de configuração deste
amplificador (base comum, emissor comum ou coletor comum), bem como a forma a qual os
elementos resistivos estarão distribuídos.
Exemplo 3
Determine o valor da impedância de entrada de acordo com a figura abaixo:
Solução:
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𝑉𝑆 − 𝑉𝑖 2 𝑚𝑉 − 1,2 𝑚𝑉
𝐼𝑖 = = = 0,8 𝜇𝐴
𝑅𝑆 1 𝑘Ω
𝑉𝑖 1,2 𝑚𝑉
𝑍𝑖 = = = 1,5 𝑘Ω
𝐼𝑖 0,8 𝜇𝐴
6.4.2. Impedância de Saída - 𝒁𝑶
É naturalmente definida no conjunto dos terminais de saída, mas a maneira como é

definida é muito diferente daquela da impedância de entrada, de modo que, a impedância de
saída é determinada nos terminais de saída observando para dentro do sistema, com o sinal
de entrada aplicado igual a zero.
Na figura 29 o sinal aplicado foi fixado em zero volt e para se determinar o valor de
𝑍𝑂 , um sinal 𝑉𝑆 é aplicado aos terminais de saída e o nível de 𝑉𝑂 , é medido. A impedância de
saída então é determinada de acordo com as equações (44) e (45):
𝑉 − 𝑉𝑂
𝐼𝑂 =
𝑅𝑆 44)
𝑉𝑂
𝑍𝑂 =
𝐼𝑂 45)
Figura 95 - Determinação de 𝒁𝑶
Para frequências baixas e médias (normalmente <100 kHz), A impedância de saída de

um amplificador a TBJ é naturalmente resistiva e de acordo com a configuração e da
disposição dos elementos resistivos, 𝑍𝑂 pode variar de alguns ohms a valores que podem
ultrapassar 2 𝑀Ω, e deve relembrar que um ohmímetro não pode ser usado para medir a
impedância de entrada ca para pequenos sinais, já que opera em modo cc.
142 | P á g i n a
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Nas configurações de amplificadores nos quais se deseja um ganho significativo de

corrente, o valor de 𝑍𝑂 , deve ser o maior possível, normalmente muito maior que a resistência
atrelada à carga 𝑅𝐿 , possibilitando que a corrente possa fluir pela carga, o que é demonstrado
pela figura 30.
Se 𝑅𝑂 = 𝑍𝑂 ≫ 𝑅𝐿
Tem – se 𝐼𝐿 ≫ 𝐼𝑅𝑂
Figura 96 - Efeito da Impedância de Saída na Carga
Exemplo 4
Para a figura abaixo determine a impedância de saída.
Solução:
𝑉 − 𝑉𝑂 1 𝑉 − 0,68 𝑉
𝐼𝑂 = = = 16 𝜇𝐴
𝑅𝑆 20 𝑘Ω
𝑉𝑂 0,68 𝑉
𝑍𝑂 = = = 42,5 𝑘Ω
𝐼𝑂 16 𝜇𝐴
6.4.3. Ganho de Tensão - 𝑨𝑽
143 | P á g i n a
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Uma das principais características de um amplificador é o ganho de tensão ca para

pequenos sinais, determinado pela equação (46):
𝑉𝑂
𝐴𝑉 =
𝑉𝑖 46)
A figura 31 apresenta um sistema em que um amplificador sem carga é excitado por
uma tensão de entrada e o valor do ganho pode ser determinado pela equação (47):
𝑉𝑂
𝐴𝑉𝐴𝐵 = �
𝑉𝑖 𝑅 47)
𝐿 =∞
Figura 97 - Ganho de Tensão (Sem Carga)
Observando a figura 31, no caso de existir uma resistência de fonte conectada ao

amplificador, o valor da tensão de entrada deve ser determinada de acordo com o divisor de
tensão mostrado no exemplo 1, e dessa forma:
𝑍𝑖 ∙ 𝑉𝑆 𝑉𝑖 𝑍𝑖
𝑉𝑖 = ⇒ =
(𝑍𝑖 + 𝑅𝑆 ) 𝑉𝑆 (𝑍𝑖 + 𝑅𝑆 )
𝑉𝑂 𝑉𝑂 𝑉𝑖 𝑍𝑖
𝐴𝑉 𝑆 = = ∙ = ∙𝐴
𝑉𝑆 𝑉𝑖 𝑉𝑆 (𝑍𝑖 + 𝑅𝑆 ) 𝑉𝐴𝐵
Então, dependendo da configuração, o valor do ganho de tensão para um
amplificador a TBJ de um estágio com carga pode variar de pouco mais de 1 até algumas
centenas. E se houver múltiplos estágios, este valor de ganho pode chegar a milhares.
144 | P á g i n a
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Exemplo 4
Para o amplificador abaixo, determine:
. 𝑉𝑖
. 𝐼𝑖
𝑍𝑖
. 𝐴𝑉 𝑆
𝐴𝑉𝐴𝐵 = 320
Solução:
𝑉𝑜 𝑉𝑜 7,68 𝑉
𝐴𝑉𝐴𝐵 = ⇒ 𝑉𝑖 = = = 24 𝑚𝑉
𝑉𝑖 𝐴𝑉𝐴𝐵 320
𝑉𝑆 − 𝑉𝑖 40 𝑚𝑉 − 24 𝑚𝑉
𝐼𝑖 = = = 13,33 𝜇𝐴
𝑅𝑆 1,2 𝑘Ω
𝑉𝑖 24 𝑚𝑉
𝑍𝑖 = = = 1,8 𝑘Ω
𝐼𝑖 13,33 𝜇𝐴
𝑍𝑖 1,8 𝑘Ω
𝐴𝑉 𝑆 = ∙𝐴 = ∙ 320 = 192
(𝑍𝑖 + 𝑅𝑆 ) 𝑉𝐴𝐵 (1,8 𝑘Ω + 1,2 𝑘Ω)
6.4.4. Ganho de Corrente - 𝑨𝒊
O ganho de corrente pode ser definido pela equação (48):
145 | P á g i n a
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𝐼𝑜
𝐴𝑖 =
𝐼𝑖 48)
Apesar de o ganho de corrente na maioria das vezes ser o item com menor interesse,
ele é um parâmetro importante que pode ter um impacto significativo na eficiência global do
projeto, pois, para amplificadores TBJ, o ganho de corrente varia geralmente de pouco menos
de 1 até valores maiores que 100. A figura 32 apresenta como calcular o ganho de corrente:
Figura 98 - Cálculo para O Ganho de Corrente
De acordo com a figura 32, as seguintes relações podem ser observadas:
𝑉𝑖
𝐼𝑖 =
𝑍𝑖
𝑉𝑜
𝐼𝑜 = −
𝑅𝐿
𝐼𝑜 𝑉𝑜 𝑍𝑖 𝑍𝑖
𝐴𝑖 = = − ∙ = −𝐴𝑉 ∙
𝐼𝑖 𝑅𝐿 𝑉𝑖 𝑅𝐿
Ou seja, pode se determinar o ganho de corrente em função do ganho de tensão e
dos valores de impedância.
6.5.Modelo 𝒓𝒆 do Transistor
Este modelo emprega um diodo e uma fonte controlada de corrente o que permite
duplicar o funcionamento do transistor na região que interessa. De um modo geral, os
146 | P á g i n a
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amplificadores a TBJ são classificados como dispositivos controlados por corrente, conforme
visto no período anterior.
147 | P á g i n a
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6.5.1. Configuração Base – Comum
Redesenhando o transistor de forma que ele pode ser colocado como um dispositivo
de quatro portas, ele é apresentado na figura 33 a seguir:
Figura 99 - O Transistor como um Dispositivo de Quatro Portas
A figura 34 ilustra o modelo 𝑟𝑒 do transistor e seu circuito equivalente foi escolhido

de tal modo que representa uma aproximação do funcionamento do dispositivo que estará
substituindo na região operacional de interesse. Ou seja, o resultado obtido com o modelo em
questão estará relativamente próximo daquele obtido com o transistor real.
Figura 100 - O Modelo 𝒓𝒆 do Transistor
Lembre – se que uma junção de um transistor em operação ativa é polarizada

diretamente e a outra, reversamente. A junção polarizada diretamente funcionará como um
148 | P á g i n a
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diodo e para a junção base - emissor do transistor da figura 33, o diodo equivalente da figura
34 entre os mesmos dois terminais parece bastante apropriado.
A fonte de corrente da figura 34 estabelece que (𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸 ⇒ 𝐼𝐶 = 𝛼 ∙ 𝐼𝐸 ) com a

corrente controladora 𝐼𝐸 aparecendo lado da entrada do circuito equivalente, de acordo com a
figura 33.
Assim, surge uma equivalência nos terminais de entrada e saída, com a fonte
controlada por corrente, fazendo uma ligação entre as duas e tornando um modelo válido do
dispositivo real.
Como pode ser visto no período anterior, no caso da resistência ca, pode ser
calculada a partir da equação (49):
26 𝑚𝑉
𝑟𝑐𝑎 =
𝐼𝐷 49)
De forma que agora neste modelo de transistor, a corrente pode ser substituída pela
corrente do emissor e a equação (49) pode ser re-escrita como a equação (50):
26 𝑚𝑉
𝑟𝑒 =
𝐼𝐸 50)
O subscrito e em 𝑟𝑒 , foi escolhido para enfatizar que é o valor cc da corrente de
emissor que determina o valor ca da resistência do diodo da figura 34, e substituindo o valor
resultante de 𝑟𝑒 na figura 34 indica a figura 35:
Figura 101 – Circuito 𝒓𝒆 Equivalente Base – Comum
149 | P á g i n a
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Como os circuitos de entrada e saída estão isolados de acordo com a figura 35, a
impedância de entrada 𝑍𝑖 para a configuração base-comum de um transistor é simplesmente
𝑟𝑒 , conforme a equação (51):
𝑍𝑖 = 𝑟𝑒
51)
E este valor varia de poucos ohms até 50 ohms.
A impedância de saída, se fixarmos o sinal em zero, então 𝐼𝑐 = 𝐼𝑒 = 0 𝐴, resultando

em um circuito aberto equivalente para os terminais de saída. Então, esta impedância é escrita
de acordo com a equação (52):
𝑍𝑜 = ∞ Ω
52)
A resistência de saída da configuração base-comum é determinada pela inclinação
das retas das curvas características de saída, como mostrado na figura 36 a seguir:
Figura 102 – Definição da Impedância de Saída 𝒁𝒐
Então, observando a configuração base – comum, podemos definir que impedância

de entrada é relativamente pequena e a impedância de saída é muito alta.
O circuito da figura 37 terá seu ganho de tensão calculado por:
150 | P á g i n a
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Figura 103 – Definição do Ganho de Tensão
𝑉𝑜 = −𝐼𝑜 ∙ 𝑅𝐿 = −(−𝐼𝑐 ) ∙ 𝑅𝐿 = 𝛼 ∙ 𝐼𝑒 ∙ 𝑅𝐿
𝑉𝑖 = 𝐼𝑒 ∙ 𝑍𝑖 = 𝐼𝑒 ∙ 𝑟𝑒
Como o ganho de tensão é calculado a partir de:
𝑉𝑜 𝛼 ∙ 𝐼𝑒 ∙ 𝑅𝐿 𝛼 ∙ 𝑅𝐿
𝐴𝑉 = = =
𝑉𝑖 𝐼𝑒 ∙ 𝑟𝑒 𝑟𝑒
E o ganho de corrente é expresso em:
𝐼𝑜 −𝐼𝑐 −𝛼 ∙ 𝐼𝑒
𝐴𝑖 = = = = −𝛼
𝐼𝑖 𝐼𝑒 𝐼𝑒
Para um transistor n – p – n na configuração base - comum, o circuito equivalente
será mostrado na figura 38:
Figura 104 – Configuração do Transistor n – p – n Base – Comum
Exemplo 5
Para a configuração base-comum que aparece na figura 35, se a corrente do emissor

𝐼𝐸 = 4 𝑚𝐴, com 𝛼 = 0,98 e com um sinal ca aplicado igual a 2 𝑚𝐴 entre a base e o emissor,
determine:
𝑍𝑖
151 | P á g i n a
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.
𝐴𝑣 , se uma carga de 0,56 𝑘Ω estiver
. conectada à saída
𝑍𝑜 e 𝐴𝑖
.
Solução:
26 𝑚𝑉 26 𝑚𝑉
𝑍𝑖 = 𝑟𝑒 = = = 6,5 Ω
𝐼𝐸 4 𝑚𝐴
𝑉𝑖 2 𝑚𝑉
𝐼𝑖 = = = 307,7 𝜇𝐴
𝑍𝑖 6,5 Ω
𝑉𝑜 = 𝛼 ∙ 𝐼𝑒 ∙ 𝑅𝐿 = 0,98 ∙ 307,7𝑥10−6 ∙ 0,56𝑥103 = 168,9 𝑚𝑉
𝑉𝑜 168,9 𝑚𝑉
𝐴𝑉 = = = 84,43
𝑉𝑖 2 𝑚𝑉
𝑍𝑜 ≅ ∞ Ω
𝐼𝑜
𝐴𝑖 = = −𝛼 = −0,98
𝐼𝑖
6.5.2. Configuração Emissor – Comum
Na a configuração emissor-comum da figura 39, os terminais de entrada são a base

e o emissor do transistor, mas agora os terminais do coletor e emissor são a saída fazendo com
que o terminal emissor seja comum para as portas de entrada e de saída do amplificador. O
circuito 𝑟𝑒 equivalente para o transistor n – p - n resulta na configuração da figura 40:
152 | P á g i n a
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Figura 105 – Transistor n – p – n na Configuração Emissor - Comum
Figura 106 – Circuito 𝒓𝒆 Equivalente da figura 39

Observe que a fonte de corrente controlada ainda está conectada entre os terminais
da base e do coletor, e o diodo, entre os terminais da base e do emissor, de forma que a
corrente de base 𝐼𝑏 é a corrente de entrada e a corrente de saída ainda é a corrente de coletor
𝐼𝑐 . Como a relação entre as correntes do transistor é igual a 𝐼𝑐 = 𝛽 ∙ 𝐼𝑏 e aplicando a equação
𝐼𝑒 = 𝐼𝑏 + 𝐼𝑐 encontra – se a equação (53):
𝐼𝑒 = (𝛽 + 1) ∙ 𝐼𝑏
53)
E como 𝛽 é normalmente muito maior que 1, a seguinte aproximação para a análise
de corrente na equação (54):
𝐼𝑒 ≅ 𝛽 ∙ 𝐼𝑏
54)
A impedância de entrada é expressa pela equação (55) e O valor de 𝑟𝑒 ainda é
determinado pela corrente 𝐼𝑐 e a tensão de entrada é determinada em (56) e assim a
153 | P á g i n a
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impedância de entrada é calculada substituindo a equação (56) em (55) tornando a equação

(57). A tensão de entrada é medida sobre o diodo, de acordo com a figura 41.
𝑉𝑖 𝑉𝑏𝑒
𝑍𝑖 = =
𝐼𝑖 𝐼𝑏 55)
𝑉𝑖 = 𝑉𝑏𝑒 = 𝐼𝑒 ∙ 𝑟𝑒 ≅ 𝛽 ∙ 𝐼𝑏 ∙ 𝑟𝑒
56)
𝑉𝑖 𝑉𝑏𝑒 𝛽 ∙ 𝐼𝑏 ∙ 𝑟𝑒
𝑍𝑖 = = ≅ ≅ 𝛽 ∙ 𝑟𝑒
𝐼𝑖 𝐼𝑏 𝐼𝑏 57)
A impedância de entrada para uma situação como a mostrada na figura 41 é beta

vezes o valor de 𝑟𝑒 , ou seja, um elemento resistivo no ramo do emissor é refletido para o
circuito de entrada por um fator multiplicativo 𝛽.
Figura 107 - Impacto de 𝒓𝒆 na Impedância de Entrada
Para a configuração de emissor - comum, os valores típicos de 𝑍𝑖 definidos na

equação (57) atingem uma faixa de algumas centenas de ohms até alguns quiloohms.
154 | P á g i n a
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A impedância de saída, indica que as características de interesse estão nas curvas da

figura 42 em que a inclinação das curvas aumenta com o aumento da corrente do coletor e
quanto maior a inclinação menor será o valor da impedância de saída.
Figura 108 - Como a Impedância de Saída Varia na Configuração Emissor – Comum
O modelo 𝑟𝑒 equivalente não abrange a impedância de saída, porém, pode ser

realizada pela análise gráfica e, quando essa análise for possível, a figura 43 apresenta a adição
da impedância de saída na configuração emissor – comum.
Figura 109 - Adição da Impedância de Saída no Circuito Equivalente
No modelo da figura 43, se o sinal aplicado for zero, a corrente do coletor 𝐼𝑐 = 0 𝐴 e

a impedância de saída será a equação (58):
𝑍𝑜 = 𝑟𝑜
58)
Se a contribuição devida a 𝑟𝑜 for ignorada como no modelo 𝑟𝑒 , a impedância de saída
será definida conforme a equação (52). O ganho de tensão para a configuração emissor
155 | P á g i n a
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comum será agora determinado para a configuração da figura 44, e supondo que 𝑍𝑜 = ∞ Ω.
Para o sentido definido de 𝐼𝑜 e polaridade de 𝑉𝑜 :
Figura 110 – Ganho de Tensão e Corrente na Configuração Emissor – Comum
𝑉𝑜 = −𝐼𝑜 ∙ 𝑅𝐿 = −𝐼𝑐 ∙ 𝑅𝐿 = −𝛽 ∙ 𝐼𝑏 ∙ 𝑅𝐿
𝑉𝑖 = 𝑍𝑖 ∙ 𝐼𝑖 = 𝛽 ∙ 𝐼𝑏 ∙ 𝑟𝑒
𝑉𝑜 −𝛽 ∙ 𝐼𝑏 ∙ 𝑅𝐿 𝑅𝐿
𝐴𝑣 = = =−
𝑉𝑖 𝛽 ∙ 𝐼𝑏 ∙ 𝑟𝑒 𝑟𝑒
O sinal negativo indica que as tensões de entrada e saída estão defasadas de 180°. E
o ganho de corrente é calculado por (60):
𝐼𝑜 𝐼𝑐 𝛽 ∙ 𝐼𝑏
𝐴𝑖 = = = =𝛽
𝐼𝑖 𝐼𝑏 𝐼𝑏 60)
O fato de que a impedância de entrada é 𝛽 ∙ 𝑟𝑒 , de que a corrente de coletor é 𝛽 ∙ 𝐼𝑏
e de que a impedância de saída é 𝑟𝑜 , o modelo equivalente da figura 45 é uma ferramenta
eficaz.
Figura 111 – Modelo 𝒓𝒆 para a Configuração Emissor – Comum
Exemplo 6
156 | P á g i n a
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Se 𝛽 = 120 e 𝐼𝐸 = 3,2 𝑚𝐴 com 𝑟𝑜 = ∞ Ω, determine:
𝑍𝑖
.
𝐴𝑣 , 𝐴𝑖 para carga igual a 2 𝑘Ω
.
Solução:
26 𝑚𝑉 26 𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = = 8,125 Ω
𝐼𝐸 3,2 𝑚𝐴
𝑍𝑖 = 𝛽 ∙ 𝑟𝑒 = 120 ∙ 8,125 = 975 Ω
𝑅𝐿 2 𝑘Ω
𝐴𝑣 = − =− = −246,15
𝑟𝑒 8,125 Ω
𝐼𝑜
𝐴𝑖 = = 𝛽 = 120
𝐼𝑖
157 | P á g i n a
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6.6. Polarização por Divisor de Tensão
A próxima configuração é o circuito com polarização por divisor de tensão que é

consequência da polarização por divisor de tensão na parte de entrada para que seja
determinado o valor CC de 𝑉𝐵 . A figura 46 apresenta este circuito com polarização por divisão
de tensão:
A substituição para o modelo 𝑟𝑒 equivalente resulta no circuito da figura 47.
Figura 113 - Modelo 𝒓𝒆 equivalente
Note que a ausência de 𝑅𝐸 em decorrência do efeito de curto-circuito provocado

pela baixa impedância do capacitor de desvio, 𝐶𝐸 . Isto é, na frequência (ou frequências) de
158 | P á g i n a
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operação, a reatância do capacitor será tão pequena quando comparada com 𝑅𝐸 que será
tratada como um curto-circuito nos terminais do emissor.
Quando 𝑉𝐶𝐶 é ajustado para zero, um terminal equivalente de 𝑅1 e 𝑅𝐶 é conectado

ao terra, como mostra a figura 47. Além disso, observe que 𝑅1 e 𝑅2 continuam na parte da
entrada, enquanto 𝑅𝐶 é parte da saída. A equação (61) apresenta a combinação em paralelo
entre os resistores 𝑅1 e 𝑅2 :
𝑅1 ∙ 𝑅2
𝑅′ = 𝑅1 ∥ 𝑅2 =
𝑅1 + 𝑅2
61)
6.6.1. Cálculo de 𝒁𝒊
Observando a figura 47, a impedância de entrada é definida pela expressão (62):
𝑍𝑖 = 𝑅′ ∥ (𝛽 ∙ 𝑟𝑒 )
62)
6.6.2. Cálculo de 𝒁𝒐
Com a tensão de entrada 𝑉𝑖 = 0, tem – se 𝐼𝑏 = 𝛽 ∙ 𝐼𝑏 = 0 e a impedância de saída é

expressa pela equação (63):
𝑍𝑜 = 𝑅𝐶 ∥ 𝑟𝑜
63)
Se 𝑟𝑜 ≥ 10 ∙ 𝑅𝐶 , a impedância de saída passa a ser representada pela equação (64):
𝑍𝑜 ≅ 𝑅𝐶 |𝑟𝑜 ≥10∙𝑅𝐶 64)
6.6.3. Cálculo do 𝑨𝑽
159 | P á g i n a
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Como inicialmente 𝑟𝑜 ∥ 𝑅𝐶 , tem – se como tensão de saída 𝑉𝑜 = −(𝛽 ∙ 𝐼𝑏 ) ∙ (𝑟𝑐 ∥ 𝑅𝑜 )
𝑉𝑖
e a corrente da base é igual a 𝐼𝑏 = �(𝛽 ∙ 𝑟 ) . Desta forma, a equação (65.1) ilustra a relação
𝑒
entre as tensões de entrada e de saída e a equação (65.2) quando 𝑟𝑜 ≥ 10 ∙ 𝑅𝐶 :
𝑉𝑖 𝑉𝑜 𝑅𝑐 ∥ 𝑅𝑜
𝑉𝑜 = − �𝛽 ∙ � ∙ (𝑟𝑐 ∥ 𝑅𝑜 ) = = −
𝛽 ∙ 𝑟𝑒 𝑉𝑖 𝑟𝑒 65.1)
𝑉𝑜 𝑅𝐶
≅−
𝑉𝑖 𝑟𝑒 65.2)
6.7. Polarização do Emissor
Os circuitos examinados aqui irão incluir um resistor no terminal do emissor que

pode ou não ser curto-circuitado no domínio CA. Inicialmente examinaremos a situação na
qual o resistor é incluído (ou sem desvio da corrente) e depois a configuração sem o resistor
(com o desvio da corrente).
6.7.1. Sem Desvio
A configuração sem desvio mais básica aparece na figura 48. O modelo 𝑟𝑒 equivalente
é utilizado na figura 49, e note a ausência da resistência 𝑟𝑜 .
160 | P á g i n a
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Figura 114 - Polarização do Emissor Sem Desvio
Figura 115 - Modelo Equivalente para a Configuração Polarização do Emissor Sem Desvio
A aplicação da Lei das Tensões de Kirchhoff ao circuito do lado da entrada da figura

49 resulta na equação (66):
𝑉𝑖 = 𝐼𝑏 ∙ 𝛽 ∙ 𝑟𝑒 + (𝛽 + 1) ∙ 𝐼𝑏 ∙ 𝑅𝐸
66)
E a impedância de entrada voltada para dentro do circuito, à direita de 𝑅𝐵 ,

denominada de 𝑍𝐵 , é expressa na equação (67) e a figura 50 representa esta impedância de
entrada sem desvio:
161 | P á g i n a
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𝑉𝑖
𝑍𝑏 = 𝛽 ∙ 𝑟𝑒 + (𝛽 + 1) ∙ 𝑅𝐸 =
𝐼𝑏 67)
Figura 116 - Impedância de Entrada Sem Desvio
Como 𝛽 ≫ 1 e também 𝑅𝐸 ≫ 𝑟𝑒 , a equação (67) é re-escrita na equação (68):
𝑍𝑏 ≅ 𝛽 ∙ 𝑅𝐸
68)
6.7.1.1. Cálculo de 𝒁𝒊
A partir da figura 49, a impedância de entrada 𝑍𝑖 é calculada na equação (69):
𝑍𝑖 = 𝑍𝑏 ∥ 𝑅𝐵
69)
6.7.1.2. Cálculo de 𝒁𝒐
Com 𝑉𝑖 = 0 → 𝐼𝑏 = 0 e 𝛽 ∙ 𝐼𝑏 pode ser substituído por um circuito aberto

equivalente. O resultado é apresentado na equação (70):
𝑍𝑜 = 𝑅𝐶
162 | P á g i n a
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70)
6.7.1.3. Cálculo de 𝑨𝒗
Re-escrevendo inicialmente a equação (67), e considerando que a tensão de saída na

figura 49, é 𝑉𝑜 = −𝐼𝑜 ∙ 𝑅𝐶 , a equação (71) relaciona as tensões de entrada e de saída:
𝑉𝑖 𝑉𝑜 𝛽 ∙ 𝑅𝐶
𝑉𝑜 = −𝐼𝑜 ∙ 𝑅𝐶 = −𝛽 ∙ 𝐼𝑏 ∙ 𝑅𝐶 = −𝛽 ∙ � � ∙ 𝑅𝐶 → = −
𝑍𝑏 𝑉𝑖 𝑍𝑏 71)
Se 𝑍𝑏 tiver as outras duas aproximações utilizadas, as equações (72.1) e (72.2)

mostram como fica o ganho de tensão:
𝑅𝐶
𝐴𝑣 = −
𝑟𝑒 + 𝑅𝐸 72.1)
𝑅𝐶
𝐴𝑣 = −
𝑅𝐸 72.2)
6.7.1.4. Cálculo de 𝑨𝒊
Para o ganho de corrente 𝐴𝑖 , tem – se que 𝑅𝐵 → 𝑍𝑏 , e desta forma, 𝐼𝑏 = 𝐼𝑖 . Assim,

aplica – se a regra do divisor de corrente para o circuito de entrada através da equação (73):
𝐼𝑏 𝑅𝐵
=
𝐼𝑖 𝑅𝐵 + 𝑍𝑏 73)
𝐼𝑜
Como 𝐼𝑜 = 𝛽 ∙ 𝐼𝑏 → 𝐼𝑏 = e a equação (73) fica re-escrita na equação (74):
𝛽
𝛽 ∙ 𝑅𝐵
𝐴𝑖 =
𝑅𝐵 + 𝑍𝑏 74)
163 | P á g i n a
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6.7.2. Efeito de 𝒓𝒐
Para considerar o efeito de 𝑟𝑜 na configuração de pequenos sinais do TBJ, é

importante considerar a complexidade resultante da inclusão de 𝑟𝑜 na análise. Porém, quando
certas condições são atendidas, as equações retornam à forma deduzida anteriormente. De
uma forma geral, quando 𝑟𝑜 ≥ 10 ∙ 𝑅𝐶 e 𝑟𝑜 ≥ 10 ∙ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) as equações são similares às
vistas.
6.7.3. Com Desvio
Caso o resistor do emissor 𝑅𝐸 for curto circuitado com o capacitor no emissor, o

modelo completo é apresentado na figura 51:
Figura 117 - Modelo Completo Com Desvio
E notando a partir da figura 51, ela é semelhante à polarização fixa. E, desta forma, as
equações dos parâmetros podem ser definidas a partir das equações (75.1) até (75.3):
𝑍𝑖 = 𝑅𝐵 ∥ (𝛽 ∙ 𝑟𝑒 ) ≅ 𝛽 ∙ 𝑟𝑒 |𝑅𝐵 ≥10∙𝛽∙𝑟𝑒
75.1)
𝑍𝑜 = 𝑅𝐶 ∥ 𝑟𝑜 ≅ 𝑅𝐶 |𝑟𝑜 ≥10∙𝑅𝐶
75.2)
𝑅𝐶 ∥ 𝑟𝑜 𝑅𝐶
𝐴𝑉 = − =− �
𝑟𝑒 𝑟𝑒 𝑟 75.3)
𝑜 ≥10∙𝑅𝐶
164 | P á g i n a
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Exemplo 7
Calcule nos casos sem e com desvio os parâmetros no circuito abaixo:
a. 𝑟𝑒
b. 𝑍𝑖
c. 𝑍𝑂
d. 𝐴𝑉
Solução:
𝐼𝐵 = = 35,89 𝜇𝐴
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1) ∙ 𝑅𝐸
𝐼𝐸 = (𝛽 + 1) ∙ 𝐼𝐵 = 121 ∙ 35,89 𝜇𝐴 = 4,34 𝑚𝐴
26 𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = 5,987 Ω
4,34 𝑚𝐴
Testando a condição de 𝑟𝑜 :
𝑟𝑜 ≥ 10 ∙ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) → 40 𝑘Ω > 10 ∙ (2,2 𝑘Ω + 0,56 𝑘Ω) → 40 𝑘Ω > 27,6 𝑘Ω
𝑍𝑏 ≅ 𝛽 ∙ (𝑟𝑒 + 𝑅𝐸 ) = 120 ∙ (5,987 Ω + 560 Ω) = 67,9 𝑘Ω
𝑍𝑖 = 𝑍𝑏 ∥ 𝑅𝐵 = 59,3 𝑘Ω
𝑍𝑜 = 𝑅𝐶 = 2,2 𝑘Ω
𝑅𝐶 2,2 𝑘Ω
𝐴𝑉 ≅ −𝛽 ∙ = −120 ∙ = −3,89
𝑍𝑏 67,9 𝑘Ω
Para o caso com desvio:
𝑟𝑒 = 5,987 Ω
𝑍𝑖 = 𝑍𝑏 ∥ 𝑅𝐵 = 𝑅𝐵 ∥ 𝛽 ∙ 𝑟𝑒 = 717,7 Ω
𝑍𝑜 = 𝑅𝐶 = 2,2 𝑘Ω
𝑅𝐶
𝐴𝑉 = − = −367,28
𝑟𝑒
165 | P á g i n a
Fonseca
Eletrônica
6.8.Seguidor de Emissor
Quando a saída é tirada do emissor do TBJ, o circuito é definido por seguidor de

emissor. A tensão de saída sempre será um pouco menor do que o sinal de entrada, devido à
queda de tensão de base para emissor, mas essa aproximação de 𝐴𝑣 ≅ 1 costuma ser
adequada. Diferentemente da tensão do coletor, a tensão do emissor está em fase com o sinal
𝑉𝑖 . Isto é, tanto 𝑉𝑜 quanto 𝑉𝑖 atingem seus valores de pico positivo e negativo ao mesmo
tempo. A figura 52 apresenta a configuração seguidor de emissor:
Figura 118 - Configuração Seguidor de Emissor
Devido ao fato do coletor estar aterrado para a análise CA, tem – se, na verdade,
uma configuração coletor-comum. Esta configuração é frequentemente usada para casamento
de impedâncias pois apresenta uma alta impedância na entrada e uma baixa impedância na
saída, o que é o oposto do comportamento da configuração padrão com polarização fixa. A
figura 53 ilustra o modelo equivalente da configuração seguidor de emissor.
166 | P á g i n a
Fonseca
Eletrônica
Figura 119 - Modelo Equivalente
A seguir serão vistos os parâmetros para a configuração seguidor de emissor:
6.8.1. Cálculo de 𝒁𝒊
A impedância de entrada é calculada do mesmo modo que na configuração de

polarização do emissor, ou seja, a equação (76) apresenta:
𝑍𝑖 = 𝑅𝐵 ∥ 𝑍𝑏
76)
Sendo que 𝑍𝑏 também é o mesmo para o caso da polarização do emissor.
6.8.2. Cálculo de 𝒁𝒐
𝑉𝑖
Para a impedância de saída, expressa – se inicialmente a corrente da base 𝐼𝑏 = ,e
𝑍𝑏
a partir deste valor de corrente, determina – se a corrente do emissor

𝑉𝑖
𝐼𝑒 = (𝛽 + 1) ∙ 𝐼𝑏 = (𝛽 + 1) ∙ .
𝑍𝑏
Substituindo agora a impedância da base 𝑍𝑏 , tem – se a equação (77):
𝑉𝑖
𝐼𝑒 ≅
𝑟𝑒 + 𝑅𝐸 77)
A partir da equação (77) encontra – se o circuito da figura 54:
167 | P á g i n a
Fonseca
Eletrônica
Figura 120 - Definição da Impedância de Saída
Para determinar a impedância de saída deve – se ajustar 𝑉𝑖 = 0 e desta forma, a

impedância de saída passa a ser definida pela equação (78):
𝑍𝑜 = 𝑟𝑒 ∥ 𝑅𝐸
78)
6.8.3. Cálculo de 𝑨𝑽
Aplica – se a regra do divisor de tensão na figura 54 de modo a obter a relação da

equação (79):
𝑅𝐸
𝑉𝑜 = ∙𝑉
𝑅𝐸 + 𝑟𝑒 𝑖 79)
Como 𝑅𝐸 ≫ 𝑟𝑒 , o ganho de tensão então é definido pela equação (80):
𝑉𝑜
𝐴𝑉 = ≅1
𝑉𝑖 80)
168 | P á g i n a
Fonseca
Eletrônica
6.8.4. Cálculo de 𝑨𝒊
Para o cálculo do ganho de corrente, deve – se inicialmente determinar a corrente da

base de acordo com a equação (73). Mas a relação entre as correntes de base e saída é
determinada pela equação (80):
𝐼𝑜 = −𝐼𝑒 = −(𝛽 + 1) ∙ 𝐼𝑏
80)
Como o ganho de corrente é a relação entre as correntes de saída e de entrada, a

equação (81) ilustra esta relação:
𝐼𝑜 𝐼𝑐
𝐴𝑖 = = =𝛽
𝐼𝑖 𝐼𝑏 81)
6.8.5. Efeito de 𝒓𝒐
Considerando agora o efeito de 𝑟𝑜 , os parâmetros podem ser calculados através das

equações (82.1) até (82.5):
(𝛽 + 1) ∙ 𝑅𝐸
𝑍𝑖 = 𝑍𝑏 = 𝛽 ∙ 𝑟𝑒 +
𝑅
1+ 𝐸 82.1)
𝑟𝑜
𝑍𝑏 ≅ 𝛽 ∙ (𝑅𝐸 + 𝑟𝑒 )|𝑟𝑜 ≥10∙𝑅𝐸

82.2)
𝑍𝑜 = 𝑅𝐸 ∥ 𝑟𝑒
82.3)
𝑅𝐸
𝐴𝑉 =
𝑅𝐸 + 𝑟𝑒 82.4)
𝑅𝐵
𝐴𝑖 ≅ −𝛽 ∙
𝑅𝐵 + 𝑍𝑏 82.5)
169 | P á g i n a
Fonseca
Eletrônica
Exemplo 8
Para o circuito a seguir determine:
a. 𝑟𝑒
b. 𝑍𝑖
c. 𝑍𝑜
d. 𝐴𝑣
e. 𝐴𝑖
Solução:
𝐼𝐵 = = 20,42 𝜇𝐴
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1) ∙ 𝑅𝐸
𝐼𝐸 = (𝛽 + 1) ∙ 𝐼𝐵 = 101 ∙ 20,42 𝜇𝐴 = 2,06 𝑚𝐴
26 𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = 12,61 Ω
2,06 𝑚𝐴
𝑍𝑏 = (𝛽 ∙ 𝑟𝑒 ) + (𝛽 + 1) ∙ 𝑅𝐸 ≅ 𝛽 ∙ 𝑅𝐸 = 334,56 𝑘Ω
𝑍𝑖 = 𝑅𝐵 ∥ 𝑍𝑏 = 132,72 𝑘Ω
𝑍𝑂 = 𝑅𝐸 ∥ 𝑟𝑒 ≅ 𝑟𝑒 = 12,56 Ω
𝑉𝑜 𝑅𝐸
𝐴𝑉 = = = 0,996
𝑉𝑖 𝑅𝐸 + 𝑟𝑒
𝑍𝑖
𝐴𝑖 = −𝐴𝑉 ∙ = −40,06
𝑅𝐸
170 | P á g i n a

O Diodo Os Materiais Semicondutores Níveis de Energia O Diodo Semicondutor Sem Polarização...

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CEFET/RJ – Centro Federal de Educação Tecnológica Celso Suckow da

1.1. Os Materiais Semicondutores .............................................................................. 9

1.2. Níveis de Energia ................................................................................................ 10

1.3. O Diodo Semicondutor ...................................................................................... 12

1.3.1. Sem Polarização ............................................................................................ 12

1.3.2. Polarização Reversa 𝑽𝑫 < 𝟎......................................................................... 14

1.3.3. Polarização Direta 𝑽𝑫 > 𝟎 ........................................................................... 15

1.4. Diodo Zener ....................................................................................................... 18

1.5. Diodo de Silício versus Diodo de Germânio ....................................................... 20

1.5.1. Funcionamento do Diodo em Função do Efeito da Temperatura ..................... 21

1.6. Resistência do Diodo .............................................................................................. 23

1.6.1. Análise CC ou Estática ................................................................................... 23

1.6.1. Análise CA ou Dinâmica ..................................................................................... 25

2.2. Análise por Reta de Carga .................................................................................. 28

2.3. Aproximação Para o Diodo ................................................................................ 33

2.4. Configurações de Diodos em Série com Alimentação CC .................................. 33

2.5. Configuração Série – Paralelo ............................................................................ 38

2.6. Portas E / Ou ...................................................................................................... 41

2.7. Retificador de Meia Onda .................................................................................. 44

2.7.1. Tensão de Pico Reversa ................................................................................. 47

2.7.2. Retificador de Onda Completa .......................................................................... 49

2.8. Ceifadores .......................................................................................................... 51

2.8.1. Série ............................................................................................................... 52

2.9. Região Zener do Diodo....................................................................................... 57

2.10. Análise de Circuitos com os Diodos Zener ......................................................... 59

3. Polarização por Divisor de Tensão ............................................................................. 66

3.1. Análise Exata ...................................................................................................... 67

3.2. Análise Aproximada ........................................................................................... 69

3.3. Saturação do Transistor ..................................................................................... 70

3.4. Análise por Reta de Carga .................................................................................. 71

3.5. Polarização cc com Realimentação de Tensão .................................................. 71

3.6. Malha Base – Emissor ........................................................................................ 71

3.7. Malha Coletor – Emissor .................................................................................... 73

3.8. Condições de Saturação ..................................................................................... 75

3.9. Configurações de polarizações Combinadas ..................................................... 75

3.10. Chaveamento de Transistor ............................................................................... 77

3.11. Transistor p – n – p ............................................................................................ 82

4. Transistores de Efeito de Campo – FET ..................................................................... 84

4.2. Construção e Características do JFET................................................................. 85

4.2.1. Quando 𝑽𝑮𝑺 = 𝟎 𝑽 e 𝑽𝑫𝑺 > 𝟎 ................................................................... 85

4.2.2. 𝑽𝑮𝑺 < 𝟎 𝑽 .................................................................................................... 87

4.2.3. Região Ohmica............................................................................................... 89

4.2.4. Dispositivos de Canal p .................................................................................. 89

4.3. Curva Característica de Transferência ............................................................... 91

4.3.1. Aplicação da Equação de Shockley ................................................................ 92

4.3.2. Método Simplificado ..................................................................................... 93

4.4. MOSFET Tipo Depleção ...................................................................................... 96

4.4.1. Construção Básica do Canal n ....................................................................... 96

4.5. Operação e Curvas Características .................................................................... 97

4.6. MOSFET Tipo Depleção Canal p ......................................................................... 99

4.7. MOSFET Tipo Intensificação............................................................................. 100

4.7.1. Construção Básica ....................................................................................... 100

4.8. Operação Básica e Curva Característica........................................................... 101

Exemplo 4 ................................................................................................................. 104

5. Análise Estática do FET ............................................................................................ 107

5.1. Introdução........................................................................................................ 107

5.2. Polarização Fixa ................................................................................................ 108

5.3. Autopolarização ............................................................................................... 114

5.4. Polarização por Divisor de Tensão ................................................................... 120

5.5. MOSFET Tipo Depleção .................................................................................... 124

5.6. MOSFET tipo Intensificação ............................................................................. 127

5.6.1. Polarização com Realimentação ................................................................. 128

O primeiro dispositivo eletrônico que será estudado e será apresentado chama se