PONTIFÍCIA UNIVERSIDADE CATÓLICA DE MINAS GERAIS

IPUC
DEPARTAMENTO DE ELETRÔNICA E TELECOMUNICAÇÃO

Dimensionamento
de Dissipadores de Calor para
Semicondutores

Elaborado por: Prof. Fernando Villamarim

PUC Minas, Belo Horizonte
Março, 2008
 SUMÁRIO

1. INTRODUÇÃO ................................................................................. 3

2. A IMPORTÂNCIA DO CONTROLE DE TEMPERATURA ...... 3

3. O GERENCIAMENTO TÉRMICO ............................................... 3

4. O SISTEMA TÉRMICO .................................................................... 4

6. EXEMPLOS DE APLICAÇÃO........................................................... 10

7. CUIDADOS ESSENCIAIS NA MONTAGEM ............................... 16

8. CONCLUSÕES ................................................................................... 18

9. REFERÊNCIAS ................................................................................. 18

2
1. INTRODUÇÃO

Este trabalho destina-se a orientar os alunos do IPUC no dimensionamento dos dissipadores de calor
usados nos seus projetos de fontes de alimentação e outras aplicações, visando o controle da geração e da
dissipação de calor nos semicondutores. Trata-se de um texto inicial sobre o assunto, que assume
condições de operação em regime permanente e interface térmica convencional. Um estudo mais
abrangendo condições transitórias e interfaces mais avançadas será disponibilizado em outro trabalho.

2. A IMPORTÂNCIA DO CONTROLE DE TEMPERATURA

Tanto a confiabilidade quanto a vida útil de um sistema eletrônico são inversamente proporcionais à sua
temperatura de operação, sendo que uma redução na temperatura de trabalho de um semicondutor
corresponde a um aumento exponencial na sua vida útil. Todos os dispositivos semicondutores são, em
maior ou menor grau, afetados por variações na temperatura de trabalho. No caso de um transistor
bipolar, por exemplo, o beta decresce com a temperatura, ocorrendo também um aumento na tensão de
saturação Coletor-Emissor. Já nas temperaturas de funcionamento mais elevadas, as tensões de ruptura
diminuem e as correntes de fuga aumentam, assim como os tempos de comutação. Estes fenômenos
resultam em dissipação adicional de potência, acarretando uma elevação ainda maior na temperatura dos
dispositivos.

Tal comportamento não pode ser totalmente compensado através de técnicas para projeto de circuitos.
Tendo em vista que a maioria dos circuitos opera em uma ampla faixa de temperatura, torna-se
importante trabalhar no desenvolvimento do sistema térmico associado aos dispositivos visando mantê-
los operando em condições seguras, dentro das suas especificações máximas de temperatura de operação.

Compete ao projetista compreender as limitações dos parâmetros elétricos, mecânicos e térmicos listados
nas folhas de especificações dos semicondutores (data sheets), cuidando para que os valores permissíveis
não sejam violados sem controle na sua aplicação prática. O objetivo é o de garantir o correto
funcionamento dos circuitos e preservar a integridade dos dispositivos, fazendo-os operar na faixa de
temperatura de trabalho para a qual eles foram projetados. Caso contrário, eles poderão ser danificados
por operação em temperaturas elevadas, que podem atingir valores acima daqueles previstos no seu
projeto.

3. O GERENCIAMENTO TÉRMICO

A máxima dissipação de potência que pode ser alcançada em um dado semicondutor é limitada pela
temperatura do chip, também chamada de temperatura da junção. No caso de transistores bipolares, a
temperatura da junção geralmente refere-se à temperatura da junção Coletor-Base, onde ocorre a maior
parte da geração de calor. Um importante fator para se garantir que a temperatura da junção permaneça
abaixo do valor máximo especificado reside na capacidade que o sistema térmico associado ao
semicondutor tem para remover o calor gerado no dispositivo e transferi-lo para o meio ambiente.

Em qualquer circuito onde circular uma corrente elétrica, haverá alguma geração interna de calor devido
aos processos de conversão de energia envolvidos. A conversão de energia elétrica em calor constitui o
objetivo de muitas aplicações. Este é o caso de um ferro de soldar, por exemplo. Contudo, na maioria das
aplicações, a geração de calor representa uma perda de potência que deve ser minimizada sempre que for
possível ou, ao menos, levada em consideração em um dado projeto.

Como todos os circuitos práticos contém resistência, ocorrerá uma certa perda de potência até mesmo nos
dispositivos cujo propósito básico é o de converter energia elétrica em outra forma de energia, ou seja,
parte da sua potência de entrada é transformada em calor. Em algumas aplicações, esta transformação
pode ser desprezada, em outras, não. Se a geração não intencional de calor se tornar significativa, os
componentes envolvidos se aquecerão. Este é o caso dos semicondutores.

3
Semicondutores que geram calor significativo, ou que são submetidos a temperaturas suficientemente
elevadas para alterar o seu funcionamento sem necessariamente danificá-los, devem empregar alguma
forma de resfriamento através da remoção de calor. O método usado para tal finalidade pode ser ativo ou
passivo. Métodos passivos incluem dissipadores de calor e layout cuidadoso de placas e componentes
para otimizar o fluxo de ar. Métodos ativos incluem o uso de ventilação forçada, serpentinas para troca de
calor, refrigeração líquida ou combinações destes métodos. Outra possibilidade consiste no uso de
resfriamento através de dispositivos termoelétricos, usando o efeito Peltier.

4. O SISTEMA TÉRMICO

Considera-se, por exemplo, a montagem de um dissipador de calor sobre um circuito integrado do tipo
PGA (Pin Grid Array), conforme a Figura 1. Usando o conceito de resistência térmica, um circuito
térmico equivalente pode ser esquematizado para esta montagem, conforme mostrado. Neste modelo
simplificado, o calor gerado no chip flui por condução para seu invólucro (encapsulamento) e, através da
interface térmica, até ao dissipador, onde é finalmente transferido ao ar ambiente e nele dissipado por
meio de um processo de troca de energia térmica fundamentalmente baseado em fenômenos convectivos.
Quanto maior for a área de troca de calor, maior será a eficiência do dissipador. Por isso, os dissipadores
são projetados com aletas finas para aumentar sua área, sem aumentar muito o volume ocupado.

O arranjo térmico da Figura 1 pode ser aplicado em vários tipos de dispositivos e seus correspondentes
circuitos térmicos, tais como diodos, transistores, tiristores, reguladores de tensão e circuitos integrados
diversos. Trata-se de um sistema térmico unidimensional. Nas aplicações práticas podem ser encontrados
sistemas de dissipação que não são exatamente unidimensionais, especialmente nos casos onde os
dissipadores são montados dentro de um gabinete, tal como em um PC, por exemplo.

Fig. 1 - O Sistema Térmico e suas Resistências

Na Figura 1, as seguintes definições são aplicáveis:

Tj = Temperatura na junção do semicondutor, dada em °C. O valor máximo permitido é

especificado no data sheet dos dispositivos. É o ponto mais quente do sistema.
Tc = Temperatura do invólucro do semicondutor, dada em °C. Uma vez que a temperatura do
invólucro depende do ponto onde ela é medida, Tc usualmente representa a máxima
temperatura que pode ser obtida.
Ts = Temperatura do dissipador em °C. Representa a máxima temperatura do dissipador no ponto
mais próximo do chip.
Ta = Temperatura ambiente, em °C. Representa a temperatura do fluído, geralmente o ar, com o qual
haverá a troca de calor. É a região mais fria do sistema.
Rθj-c = Resistência térmica junção-invólucro do dispositivo, dada em °C/W.
Rθc-s = Resistência térmica da interface invólucro-dissipador, dada em °C/W.
Rθs-a = Resistência térmica dissipador-ambiente, dada em °C/W.

4
Fazendo uma analogia com circuitos elétricos, a máxima potência térmica PD que pode ser dissipada no
chip é dada por:

∆T
PD = , (1)
∑ Rθ j −a
onde ∆T = Tj - Ta representa a diferença entre a temperatura ambiente e a temperatura da junção do
semicondutor e Rθj-a representa a resistência térmica total entre a junção e o ambiente, dada por:

Rθ j −a = Rθ j −c + Rθ c − s + Rθ s −a , (2)

A resistência térmica Rj-c é especificada nos data sheets dos fabricantes dos semicondutores. No caso do
transistor 2N3055 da ON Semiconductor, por exemplo, ela é de 1,52 °C / W. O valor de Rθj-c para um
dado dispositivo depende do projeto do chip, dos materiais usados na sua montagem e do invólucro do
mesmo, sendo considerada constante, não podendo ser alterada pelo projetista.

A resistência térmica invólucro-disipador, Rθc-s , é definida por:

(∆Tc − s ) (Tc − Ts )
Rθc − s = = (°C / W) (3)
PD PD

O valor de Rθc-s depende muito da qualidade do acabamento das superfícies em contato térmico, assim
como dos materiais usados na de interface térmica entre o semicondutor e o dissipador, conforme será
visto abaixo.

De modo similar, a resistência térmica dissipador-ambiente, Rθs-a , é definida por:

(∆Ts −a ) (Ts − Ta )
Rθ s − a = = (°C / W) (4)
PD PD

O valor de Rθs-a depende do tamanho, formato e material usado na fabricação do dissipador. Depende
também se o dissipador é do tipo passivo (convecção natural) ou ativo (convecção com ar forçado). O
alumínio é o material mais usado na construção de dissipadores, mas o cobre oferece uma condutividade
térmica muito melhor do que o alumínio, sendo mais eficiente na transferência de calor ao ambiente.

Substituindo a equação (2) e ∆T=Tj - Ta em (1) e reorganizando a equação, tem-se que a máxima
resistência térmica que o dissipador de calor pode oferecer, de tal forma que quando uma dada potência
PD for dissipada no transistor ainda se possa manter a temperatura da junção abaixo do valor máximo
especificado, é dada por:

(T − Ta )
Rθs − a = − Rθj −c − Rθc − s (°C / W)
j
(5)
PD

Em um semicondutor, a resistência térmica Rθ j-a é geralmente muito maior do que a resistência térmica
Rθj-c. Por exemplo, no caso do regulador de tensão LM7905 da National Semicondutor, o data sheet
informa que Rθj-c = 5°C/W e Rθ j-a = 60 °C/W (valores máximos). Se o dispositivo não for montado em
um dissipador de calor, sua resistência térmica total junção-ambiente será muito maior do que a soma das
resistências térmicas Rθj-c + Rθc-s + Rθs-a, obtida quando se usa um dissipador adequado. Assim, a falta de
um dissipador de calor introduz uma severa limitação na capacidade de dissipação de potência e, portanto,
na aplicação do dispositivo.

5
Para dissipar calor, é preciso haver área adequada. Em uma aplicação prática, mesmo se um semicondutor
estiver dissipando apenas algumas centenas de miliwatts, é impraticável aumentar o tamanho do seu
invólucro para tornar o termo Rθc-a compatível com Rθj-c. Como resultado, quase todos os semicondutores
de potência são projetados para usar um dissipador externo.

A eficiência de um dissipador externo depende diretamente da qualidade da interface térmica invólucro-

dissipador. Várias interfaces térmicas foram desenvolvidas, sendo a pasta térmica a mais comum delas.
A Figura 2 apresenta as resistências térmicas Rθc-s de várias interfaces que podem ser usadas na montagem
de semicondutores que usam invólucros TO-220 e TO-3(TO-204MA). A pasta térmica é usada na
montagem de todos os tipos de interfaces cujas curvas de resistência térmica estão mostradas na Figura 2.

TO-220
(1) Thermalfilm II, espessura de 25 µm
(2) Thermalfilm I, espessura de 25 µm
(3) Mica, espessura de 75 µm
(4) Mica, espessura de 50 µm
(5) Alumínio anodizado, espessura de 0,5 mm
(6) Montagem direta, sem acabamento
Nota:
Todas as montagens usam a pasta Thermalcote ou
Dow Corning 340, ou equivalente.
TO-3
(1) Borracha de silicone, espessura de 0,3 mm
(2) Thermalfilm II, 50 µm
(3) Thermalfilm I, 50 µm
(4) Borracha de silicone, espessura de 0,15 mm
(5) Mica, espessura de 75 µm
(6) Mica, espessura de 50 µm
(7) Óxido de alumínio, espessura de 1,5 mm
(8) Alumínio anodizado, espessura de 0,5 mm
(9) Óxido de Berílio, espessura de 1,5 mm
(10)Montagem direta, sem acabamento

Fig. 2 - Resistência Térmica Rθc-s para TO-220 e TO-3

(Adaptado de: Willians, Arthur B., Designer’s Handbook of Integrated Circuits, McGraw-Hill, USA,1984))

A função da pasta térmica é a de preencher as falhas intersticiais existentes entre as superfícies de contato
não exatamente planas do semicondutor e do dissipador de calor, onde se formam bolsas de ar quando as
superfícies estiverem em contato. Como o ar é péssimo condutor de calor, a interface térmica apresenta
falhas que originam pontos quentes. A pasta térmica expulsa o ar e oferece um percurso de baixa
resistência térmica entre as duas superfícies, facilitando a condução de calor do semicondutor para o
dissipador de calor. Uma boa pasta térmica é quinze vezes melhor condutora de calor do que o ar.

Quando a quantidade de calor gerada na junção de um semicondutor for igual à quantidade de calor
removida do dispositivo, uma condição térmica estável, correspondente ao regime de trabalho permanente
do semicondutor, terá sido atingida. A equação (1) permite então determinar a temperatura da junção:

T j = PD ⋅ Rθ j −a
+ Ta (6)

6
A temperatura ambiente é geralmente informada nos data sheets como sendo Ta = 25 °C, significando que
os parâmetros elétricos de semicondutores são especificados, testados pelo fabricante dos dispositivos,
publicados e garantidos para uma temperatura ambiente de 25 °C, exceto se for indicado em contrário.

As especificações de potência dos semicondutores são baseadas em condições térmicas estáveis. Usando
a equação (5), pode-se determinar o pior caso de dissipação:

Tj − Ta T j − Ta
PD = (max)
= (7)
max
Rθ j − a (max)
Rθj −c + Rθc− s + Rθs − a

A temperatura Tj(max) é normalmente determinada através do projeto eletromecânico do dispositivo,

baseando-se também nos resultados de testes de durabilidade realizados em laboratório, ou então levando-
se em conta alguma degradação séria observada em algum parâmetro importante. Para que a temperatura
Tj(max) não seja ultrapassada em uma dada aplicação, PD deve ser correspondentemente reduzida de modo
linear, para que os dispositivos possam operar com segurança.

A Figura 3 apresenta as características típicas de redução (ou degradação) de potência de transistores

bipolares, em função da temperatura, que podem ser usadas para determinar os máximos valores de
dissipação permissíveis para temperaturas do invólucro acima de Ta = 25 °C.

As curvas da Figura 3 são geralmente publicadas nos data sheets dos dispositivos, sendo preparadas para
cada tipo individual de semicondutor ou tipos muito similares, derivados do mesmo chip, usando o
mesmo tipo de invólucro. Os fabricantes geralmente publicam apenas as curvas referentes ao limiar da
máxima temperatura e o projetista pode fazer o traçado de novas curvas partindo da máxima temperatura
aplicável no seu projeto específico.

Fig. 3 - Gráfico de Máxima Dissipação Permissível em Função da Temperatura do Invólucro

(Adaptado de: TIP41/TIP42 Data Sheet, ON Semiconductor, USA, 2004)

A curva de degradação pode ser dada diretamente em função da potência máxima permissível ou então
em valores percentuais da máxima potência permissível. Alguns fabricantes publicam curvas em função
da temperatura ambiente e da temperatura do invólucro, que são disponibilizadas em um único gráfico ou
então em gráficos separados. Se a temperatura de referência for a temperatura do invólucro, a inclinação
das curvas será dada por (-1/Rθ j-c). Porém, se a temperatura de referência for a temperatura ambiente, a
inclinação das curvas será dada por (-1/Rθ j-a).

Em alguns casos, nenhuma curva é publicada pelo fabricante do semicondutor, mas a dissipação máxima
permissível é informada para Tc = 25 °C juntamente com a taxa de degradação aplicável na potência, em
termos de W/°C, nas temperaturas acima de 25°C. Trata-se de uma maneira indireta de fornecer as curvas
da Figura 3.

7
Exemplo 1

Um transistor deverá operar em uma aplicação que exige alta confiabilidade, onde Tc não poderá
ultrapassar 100 °C. O projetista optou pelo uso do transistor TIP41B no projeto, o qual oferece uma
dissipação máxima de 65 W para Tc = 25 °C e Tj max =150 °C. As características de dissipação da família
TIP41 estão mostradas na Figura 3. Qual é a máxima dissipação que poderá ser utilizada no projeto?

Solução:

Uma linha vertical é traçada partindo de T =100 °C até atingir a curva correspondente a Tc = 150 °C,
Determina-se então que o valor de PD deverá ser de no máximo 25W.

Exemplo 2

O data sheet de um transistor informa que ele é capaz de dissipar 200 W com Tc = 25 °C. Suas
especificações indicam uma degradação de 1,5 °C/W. Qual é a máxima dissipação permitida de modo a
manter Tj ≤ 125 °C?

Solução:

A elevação máxima permitida para a temperatura da junção é ∆T = 125°C - 25°C = 100°C. A degradação
da potência deverá ser de 100°C x 1,5 W/°C = 150 W. A máxima dissipação de potência do transistor
deverá ser limitada em 200 W - 150 W = 50 W.

A Área de Operação Segura

A equação (7) e os dados da Figura 3 não definem com exclusividade a máxima potência que pode ser
manipulada por um transistor. Nas aplicações onde estão envolvidas elevadas dissipações, é preciso levar
em conta, além da temperatura média da junção, se a área de operação segura dos dispositivos não está
sendo de alguma forma violada, o que é uma condição requerida para se fazer um projeto confiável. A
área de operação segura é especificada para cada dispositivo ou família de dispositivos, sendo
disponibilizada nos data sheets dos semicondutores na forma de um gráfico, conforme exemplificado na
Figura 4 para as famílias complementares TIP41 (NPN) e TIP42 (PNP).

Fig. 4 - Área de Operação Segura da Família TIP41/TIP43

(Adaptado de: TIP41/TIP42 Data Sheet, ON Semiconductor, USA, 2004)

No caso da área de operação segura da Figura 4, pode-se observar que a dissipação máxima permitida
para polarizações com VCE até 10V é de 60W, sendo limitada pela capacidade de transporte de corrente
dos fios internos que conectam o chip aos seus terminais externos. Entre VCE=10V e VCE=30V, a
limitação térmica prevalece. Acima de VCE=30V e até que seja atingido o limite imposto pela tensão de
ruptura VCEO dos transistores da família TIP41/TIP42, a limitação se deve à segunda ruptura.

8
A segunda ruptura é um fenômeno pode ocorrer quando transistores bipolares estiverem trabalhando em
uma região particular da sua área de operação segura onde prevalecem tensões e correntes elevadas. A
segunda ruptura em polarização direta, cuja sigla é Is/b, pode ocorrer até mesmo sob um regime de
operação abaixo da máxima dissipação estabelecida pela equação (7). Trata-se de um fenômeno
potencialmente destrutivo, causado por uma concentração na corrente injetada pelo emissor devida ao
intenso campo elétrico estabelecido na região da base do transistor. O campo tende a focalizar a corrente
em pequenas regiões ao redor das quinas do emissor, resultando em uma elevação rápida e localizada da
temperatura e na formação de pontos quentes no chip, causando grande variação na concentração de
portadores de carga nas suas imediações.

A conseqüência é que, se a segunda ruptura ocorrer, a corrente de base passa a não mais governar a
corrente de coletor, que atinge rapidamente valores elevados, sendo limitada apenas pela resistência do
circuito externo. O resultado geralmente é a destruição do dispositivo. No caso de polarização reversa, o
fenômeno geralmente decorre do chaveamento de cargas indutivas, sendo denominado de Es/b. Se os
dispositivos estiverem trabalhando com alta temperatura de junção, as limitações térmicas prevalecem,
reduzindo a potência que pode ser manipulada para valores abaixo dos valores limites impostos por
segunda ruptura.

Os transistores de potência do tipo MOSFET, por serem unipolares, não estão sujeitos aos fenômenos de
segunda ruptura. Contudo, o projetista deve consultar nos data sheets as informações sobre a área de
operação segura dos dispositivos, sejam eles bipolares ou unipolares, para verificar se a sua aplicação está
sendo mantida dentro de limites seguros de dissipação.

A análise e o desenvolvimento das equações do sistema térmico, realizada acima, considerou que o
mesmo está em equilíbrio, permitindo ao projetista determinar a dissipação de potência sob condições de
operação estáveis. A estabilidade térmica do sistema junção-invólucro é alcançada geralmente em poucos
segundos após o equipamento ter sido energizado, ao passo que o equilíbrio térmico do sistema junção-
ambiente pode requerer minutos para ser atingido. Em muitas aplicações, os semicondutores trabalham
em regime contínuo de dissipação de potência. Este geralmente é o caso de um regulador de tensão linear,
por exemplo. Em outros casos, a dissipação média é mais importante. Contudo, em várias aplicações o
regime de operação não é contínuo, assim com a dissipação envolvida. Notar, na Figura 4, que algumas
curvas ou regiões de trabalho são especificadas para regimes pulsativos.

Exemplo 3

Um transistor TIP42 vai ser usado em um regulador linear de tensão, operando nas seguintes condições de
pior caso:

VCE = - 30V, IC = - 0,5A, TA = 50 °C (máximo)

Tipo de Montagem: Isolada com mica de 75µm
Pasta térmica disponível: Equivalente à pasta Thermalcote

Pede-se:

a) Determinar o valor máximo de Rθs-a que o dissipador usado no projeto poderá ter
b) Verificar se o transistor está operando protegido contra Is/b.

Solução:

a) O TIP42 usa invólucro TO-220 do JEDEC (Joint Electron Devices Engineering Council). Para
montagem de um TO-220 com arruela de mica de 75µm usando pasta térmica similar à pasta
Thermalcote, a Figura 2 indica que o valor de Rθc-s é de 1,75 °C/W. O data sheet do TIP42 revela que
Tjmax. = 150 °C e que Rθj-c = 1,67 °C/W. Substituindo os valores na equação (5), tem-se que:

9
 T j − Ta
Rθs − a =
PD
(
− Rθj −c + Rθc − s )

Rθs-a máx = [(150 °C - 50 °C) / 15 W] - (1,67 °C/W +1,75 °C/W) = 6,67 °C/W - 3,42 °C/W ≅ 3,3 °C/W

b) Examinando a área de operação segura do TIP 42, na Figura 4, verifica-se que a tensão VCE = 30V
está abaixo da tensão de ruptura, e que o ponto de operação onde VCE = 30V e IC = 0,5A está fora da
região limitada por Is/b. Portanto, embora o projeto não seja conservativo com relação à temperatura
máxima da junção, os parâmetros do TIP42 não estão sendo violados.

5. EXEMPLOS DE APLICAÇÃO

O dimensionamento do sistema térmico de um semicondutor envolve as seguintes etapas fundamentais:

1 - Tabelar todas as condições e restrições aplicáveis ao projeto, incluindo: dissipação de potência,

tamanho permissível para o radiador, localização de montagem, máxima temperatura ambiente, etc.
2 - Escolher o semicondutor adequado e analisar seu data sheet para verificar suas restrições de I, V, PD,
T, Is/b, resistências térmicas e outros parâmetros aplicáveis no projeto.
3 - Escolher o tipo de montagem em função do semicondutor a ser usado, especialmente a interface
térmica, levando em conta a necessidade ou não de isolamento, condições de manufatura, custos, etc.
4 - Calcular Rθs-a máx e escolher o dissipador a ser usado.
5 - Degradar Rθs-a do dissipador escolhido em função do tamanho, diferença de temperatura dissipador-
ambiente e altitude.
6 - Verificar se o valor final de Rθs-a atende os requisitos do projeto e se existe alguma margem de
segurança.

APLICAÇÃO 1

Um regulador de tensão do tipo LM7805 da National Semiconductor vai ser usado no projeto de uma
fonte de +5V, trabalhando nas seguintes condições:

• VIN = 10V, IL = 1A, Ta(max) = 50 °C

• Dissipador passivo. Montagem sem isolador, com pasta térmica.

Pede-se dimensionar o dissipador de calor a ser usado no projeto.

Solução:

Dados do regulador LM7805 obtidos no seu data sheet:

• Tjmax = 125 °C
• Encapsulamento: TO - 220
• Rθj-c = 3 °C/W (valor típico)

A resistência térmica do dissipador é dada pela equação (5):

T j − Ta
Rθs − a =
PD
(
− Rθj −c + Rθc − s )

A potência dissipada no regulador é: PD = ∆V x IL = (10 – 5)V x 1A = 5W. Notar que, na determinação

de PD , a potência dissipada na polarização do LM7805 foi desprezada (seu valor é PQ = VIN x IQ = 10V x
2mA = 20mW).

10
Usando a Figura 2 (ou outros dados que estiverem disponíveis sobre interfaces térmicas) tem-se para um
invólucro TO-220, montado com pasta térmica e sem arruela isoladora, o valor Rθc-s é de 1W/ °C, para
torque de montagem entre 2 e 6 pol-lb. Substituindo-se os dados conhecidos, vem:

Rθs-a = (125 – 50)°C / 5W – (3°C/W + 1°C/W) = 11 °C/W (8)

O valor de Rθs-a = 11°C/W representa a máxima resistência térmica que o dissipador de calor poderá ter. É
preciso agora consultar os catálogos dos fabricantes de dissipadores, escolher um modelo que melhor se
adapta ao projeto e fazer as correções necessárias. Se o dissipador for super-dimensionado, poderá haver
problemas de custo, peso e volume. Se for sub-dimensionado, a temperatura do chip do semicondutor
poderá exceder o valor máximo permitido e afetar a sua confiabilidade.

Especificando o Dissipador para o Projeto

As variações das condições de projeto dos sistemas térmicos são muitas e difíceis de serem
uniformizadas. Por isso, a maneira como os fabricantes de dissipadores tais como a HS Disipadores e a
Aavid Thermalloy especificam seus produtos não permitem geralmente seu uso imediato em todas as
situações. As características térmicas publicadas precisam ser corrigidas para condições particulares de
projeto ou local de uso. Destaca-se entre elas o comprimento do dissipador, a diferença de temperatura
dissipador-ambiente de aplicação e a altitude local.

Correção do Comprimento

As curvas com as características de dissipação dos dissipadores dependem do seu tamanho. Isto se deve
ao fato de que a fonte primária de calor pode ser considerada pontual (em vista do pequeno tamanho do
chip) e não uniformemente distribuída, fazendo com que a resistência térmica não varie linearmente ao
longo da superfície de dissipação. Desta forma, as curvas são publicadas para dissipadores com tamanhos
padronizados. No caso da HS Dissipadores, as curvas são válidas para dissipadores de 100mm de
comprimento (4”), ao passo que as curvas da Aavid Thermalloy são válidas para 75mm (3”).

Suponha-se que, no projeto em questão, foi escolhido inicialmente o dissipador HS 2816 com 50mm,
visando economizar espaço na montagem de um regulador com invólucro do tipo TO-220. A Figura 5
apresenta as características mecânicas e térmicas do HS 2816.

Fig. 5 - Dados Técnicos do Dissipador HS 2816

(Adaptado do Catálogo da HS Dissipadores)

11
Para usar o HS 2816 com 50mm, é preciso fazer a correção da resistência térmica em função do tamanho,
conforme as informações contidas no catálogo da HS Dissipadores. O catálogo indica que a correção por
comprimento é de 43%, resultando em um aumento na sua resistência térmica efetiva para:

Rθs = 7,92 °C /W x 1,43 = 11,33 °C /W

As curvas da Figura 6 foram traçadas para mostrar a variação da diferença de temperatura entre o corpo
do dissipador HS 2816 e o ar ambiente, para diversos tamanhos deste modelo de dissipador, em função da
potência dissipada.
Disssipador 2816

80
40mm 50mm 60mm 70mm 80mm 90mm 100mm

70

60

50
Delta T (graus C)

40

30

20

10

0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
calor dissipado (watts)

Fig. 6 - Curvas do Dissipador HS 2816 para Diversos Tamanhos

O valor Rθs-a = 11,33 °C /W do HS 2816 com 50mm é maior do que o valor máximo de 11°C/W
permitido para o projeto, determinado conforme a expressão (8). Portanto, o dissipador HS 2816 com
tamanho de 50mm e ventilação natural não poderá ser usado no projeto.

Se o tamanho do HS 2816 for aumentado para 100mm, tem-se que:

Rθs = 7,92 °C /W x 1,04 = 8,24 °C /W

Logo, verifica-se que o dissipador HS 2816 de 100mm, sem ventilação forçada, atende o limite do projeto
de Rθs-a < 11°C/W e que o sistema térmico está preliminarmente adequado às condições especificadas.

Correção de Temperatura

Na troca de calor por convecção, a eficiência depende da diferença entre a temperatura do dissipador e a
temperatura ambiente. Os valores das resistências térmicas indicadas nos catálogos da HS Dissipadores e
da Aavid Thermalloy referem-se a um ∆T = 75°C. Quanto menor for o valor de ∆T, pior será o
desempenho dos dissipadores, que devem ter seus parâmetros corrigidos conforme as tabelas apresentadas
nos catálogos dos fabricantes.

No projeto em questão, as curvas de ∆T em função de PD mostradas nas Figuras 5 e 6 revelam que, para
uma dissipação de 5W, a diferença entre a temperatura da carcaça do dissipador e a temperatura ambiente
é de ∆Ts-a= 45°C. É preciso fazer correções de temperatura, pois ∆Ts-a < 75°C. Usando os dados do
catálogo da HS Dissipadores, a correção é ≅ 1,13 vezes. Logo:

Rθs-a = 8,24°C /W x 1,13 = 9,3 °C/W

Portanto, o dissipador HS 2816 de 100mm está, até agora, adequado ao projeto.

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Correção da Altitude

A troca de calor entre o dissipador e o meio ambiente depende da altitude, pois é realizada principalmente
por convecção, fenômeno termodinâmico que é afetado pela densidade do ar. Desta forma, é preciso levar
em conta um fator de correção, conforme recomendado na Tabela 1.

Tabela 1 – Correção da Altitude

Altitude Fator de
(metros) Correção
0 1,00
1000 0,95
1500 0,90
2000 0,86
3000 0,80
3500 0,75

No caso de Belo Horizonte, pode-se aplicar um fator de degradação de 5% no valor de Rθs-a do dissipador
a ser usado, de modo que:

Rθs-a (corrigida p/ altitude) = 9,3 °C/W / 0,95 = 9,8 °C/W.

O resultado acima indica que o dissipador escolhido está atendendo os requisitos do projeto de Rθs-a
=11°C/W e que o sistema térmico está adequado às condições especificadas, apresentando ainda uma
pequena reserva na sua capacidade de dissipação. O valor final de Rθs-a obtido no projeto permite que o
chip do regulador trabalhe em uma temperatura abaixo de Tjmax quando Ta≤ 50°C, ou então permite que o
mesmo trabalhe com Ta um pouco maior do que 50°C sem violar Tjmax. Existe uma reserva no projeto.

Para reduzir a resistência térmica de um dissipador, pode-se adotar ventilação forçada, conforme os dados
indicados na curva da direita na Figura 5. Outra possibilidade consiste em usar um modelo que ofereça
menor resistência térmica inicial, tal como o HS 3030, embora sua altura seja maior. A HS Dissipadores
disponibiliza em www.hsdissipadores.com.br um software de aplicação que pode ser usado para
dimensionar os dissipadores de calor em função do seu modelo e tamanho. Contudo, as correções de ∆T e
de altitude devem ser realizadas manualmente pelo projetista.

Alguns modelos de dissipadores são especificamente projetados para serem usados com determinados
tipos de invólucros, tais como TO-66(TO-213) e TO-3(TO-204MA). Nestes casos, não é preciso fazer a
correção de tamanho, mas as correções de ∆T e de altitude devem ser realizadas.

APLICAÇÃO 2

Uma fonte linear regulada de CC, para uso no laboratório, deverá fornecer uma saída máxima de 15V
com 10A. O retificador da fonte fornece uma tensão média de 26V na entrada do estágio regulador. Os
semicondutores usados no projeto deverão trabalhar isolados do dissipador com arruelas de berílio. Pede-
se dimensionar o regulador e o sistema térmico associado.

Solução:

Para realizar um projeto econômico, o projetista decidiu usar transistores 2N3055 da ON Semiconductor,
cujos dados obtidos no data sheet são os seguintes:

Rθj-c max = 1,52 °C/W

Tjmax = 200°C

13
A potência dissipada no regulador é: PD = (26-15)V x 10A = 110W. As curvas de dissipação e área de
operação segura do 2N3055 estão mostradas na Figura 7.

Fig. 7 - Limitações Térmicas e Área de Operação Segura do 2N3055

(Adaptado de: 2N3055 Data Sheet, ON Semiconductor, USA, 2005)

Visando aumentar a confiabilidade, o projetista decidiu manter a temperatura máxima da junção em Tjmax
= 150°C. Através da Figura 2, determina-se que uma interface térmica usando isolador de óxido de berílio
apresenta Rθc-s = 0,2 °C/W. Supondo inicialmente o uso de um dissipador de Rθs-a = 0,5 °C/W, a equação
(1) pode ser usada para calcular a elevação da temperatura da junção do 2N3055:

∆T = PD (∑ Rθ j −a ) = 110W (1,52 + 0,2 +0,5) °C/W = 244,2 °C

Para uma temperatura no laboratório de 25°C, a temperatura final da junção do 2N3055 seria de
(25+244,2) °C = 269,2 °C. Obviamente, trata-se de uma impossibilidade para o 2N3055, cuja Tjmax é de
200°C. A solução consiste em usar transistores 2N3055 em paralelo. Mas, quantos? Para responder a
pergunta, é preciso determinar primeiro qual é a potência que um único 2N3055 poderá dissipar com
segurança no projeto, para então determinar quantos são necessários para manipular a potência de 110W.

A Figura 8 apresenta um modelo para o sistema térmico do regulador, consistindo de quatro dispositivos
montados sobre o mesmo dissipador. Notar que as resistências térmicas Rθ j-c e Rθ c-s trabalham em
paralelo, mas a resistência térmica Rθ s-a é única para o sistema.

Fig. 8 - Sistema Térmico com Quatro Semicondutores

Mantendo a tentativa inicial de se usar um dissipador de Rθs-a = 0,5 °C/W, o projetista escolheu o
dissipador modelo HS 12544, da HS Dissipadores, por considerar que este modelo é mecanicamente
adequado ao projeto, permitindo a montagem de até quatro dispositivos TO-3 (TO-204MA) na área plana
disponível. As características do HS 12544 estão mostradas na Figura 9.

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 Fig. 9 - Dados Técnicos do Dissipador HS 12544
(Adaptado do Catálogo da HS Dissipadores)

Para que o HS 12544 seja capaz de apresentar um valor de Rθs-a = 0,5 °C/W, é preciso adotar ventilação
forçada de 4m/s a 5m/s e tamanho nominal de 100mm (4”), tornando desnecessária a correção de
comprimento. A correção de altitude para Belo Horizonte resulta em Rθs-a = (0,5 °C/W) / 0,95 = 0,53
°C/W. Com Rθs-a = 0,53 °C/W, a máxima temperatura que o dissipador atingirá quando a potência
dissipada for de 110W será:

Ts = Ta + PD (Rθs-a ) = 25°C + 110W (0,53°C/W) = 83,3 °C

Este resultado mostra que a elevação de temperatura do dissipador com relação à temperatura ambiente de
25°C será de (83,3-25)°C = 58,3°C. É preciso então fazer uma correção de temperatura de 6%, conforme
os dados do catálogo da HS Dissipadores. Os resultados corrigidos Rθs-a para o modelo HS 12544 ficam
então:

Rθs-a = 0,53°C/W x 1,06) = 0,56 °C/W

Ts = Ta + PD (Rθs-a ) = 25°C + 110W (0,56°C/W) = 86,8 °C

Considerando um projeto conservativo onde o projetista deseja manter Tjmax = 150°C, tem-se que a
elevação de temperatura em cada transistor será de:

∆T = (150 – 86,8) °C = 63,2 °C

Usando agora a equação (1), a máxima potência que cada 2N3055 poderá dissipar será de:

PD = 63,2 °C / (1,52 + 0,2) °C/W ≅ 37 W

Portanto, para trabalhar com uma potência total de 110W, o regulador deverá empregar quatro 2N3055,
conectados em paralelo, cada um deles manipulando PD = 110W/4 = 27,5W, sendo que o máximo
permitido nas condições do projeto é de 37W. A montagem no dissipador HS 12544 usará ventilação
forçada de 4m/s ou 5m/s, pasta térmica e arruelas isoladoras de óxido de berílio para TO-3, com 1,5mm
de espessura, com torque de montagem entre 3 e 6 pol-lb.

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A curva de degradação de potência do 2N3055 na Figura 7 revela que, para cada 2N3055 dissipando uma
potência PD = 27,5W, os transistores vão trabalhar sem que a máxima temperatura de junção especificada
no projeto seja violada. As curvas da área de operação segura, também na Figura 7, revelam que para
VCE = 11V e IC = 10A / 4 = 2,5A por transistor, os transistores 2N3055 vão trabalhar fora da região
delimitada por Is/b, protegidos contra ruptura coletor-emissor e bem abaixo do limite térmico máximo.

Quando semicondutores são usados em paralelo visando aumentar a capacidade de corrente total, é
preciso levar em conta que os ganhos de corrente de transistores bipolares não são iguais, mesmo
tratando-se de semicondutores do mesmo tipo. O mesmo ocorre com as tensões VF dos diodos. O
resultado é que quando dois transistores iguais são montados em paralelo, um deles conduzirá mais
corrente de coletor do que o outro e dissipará mais potência. O projeto elétrico deve assegurar que as
potências dissipadas em cada um dos transistores sejam as mais idênticas possíveis, através do controle da
repartição da corrente total do circuito entre os mesmos. No caso de transistores ou diodos operando em
paralelo nos reguladores de tensão ou nos amplificadores de potência, a maneira mais simples forçar a
repartição da corrente de carga consiste em usar resistores em série com os emissores ou com os catodos
dos dispositivos, para equalizar suas polarizações de VBE e VF, respectivamente. Resistores de 10mΩ até
100 mΩ são geralmente suficientes para esta função. Calcular a potência dissipada nos resistores em
função da corrente média circulante e dar uma margem de segurança de no mínimo 200% para especificá-
los adequadamente.

5. CUIDADOS ESSENCIAIS NA MONTAGEM

Alguns cuidados essenciais devem ser observados na montagem do sistema térmico para se obter a
máxima eficiência na dissipação de calor do chip e garantir uma confiabilidade adequada ao projeto. As
seguintes recomendações são aplicáveis.

a) Todas as montagens devem usar pasta térmica ou um material equivalente na interface térmica. Uma
camada espessa deve ser uniformemente espalhada ao longo de todas as superfícies de contato entre o
semicondutor, o sistema de isolamento (se for usado) e o dissipador.
b) No caso de uma remontagem, a pasta antiga deve ser removida e substituída por uma nova camada.
c) Se o projeto do sistema térmico não usar isolamento, o dissipador de vários tipos de dispositivos com
invólucro TO-126, TO-220, TO-66(TO-213) e TO-3(TO-204MA), entre outros, vai trabalhar com
tensão aplicada devido ao contato com algum terminal dos semicondutores. Cuidar para que o
dissipador seja mantido isolado dos demais circuitos e da caixa do projeto.
d) As Figuras 9 e 10 apresentam quatro possibilidades para montagem de TO-220 e uma para TO-
66(TO-213)/TO-3(TO-204MA), respectivamente, incluindo montagens isoladas. No caso de TO-220,
o terminal de solda e a última porca sextavada podem ser dispensados nas Figuras 9a, 9b e 9c, caso a
conexão de coletor seja realizada através da placa impressa.
e) Para projetar sistemas térmicos eletricamente isolados, usar interfaces térmicas isoladoras conforme
aquelas listadas na Figura 2. Os parafusos de montagem dos semicondutores devem ser igualmente
isolados usando-se buchas de passagem e arruelas de nylon ou teflon, conforme as Figuras 9 e 10.
f) O semicondutor deve ser montado preferencialmente no centro do dissipador. Abrir furos, se
necessário, para a passagem dos pinos e conexões. Existem soquetes próprios para se fazer a
montagem de semicondutores nos dissipadores, sem que seja necessário soldar ou desoldar fios nos
pinos em caso de substituição dos componentes.
g) Usar torque de montagem conforme recomendado pelo fabricante do semicondutor ou do material de
interface térmica. Aperto insuficiente aumenta a resistência térmica do conjunto, ao passo que aperto
excessivo pode provocar trincas no chip. No caso de semicondutores montados no dissipador com um
único parafuso, tal como é o caso do TO-220, um aperto excessivo pode causar empenamento do
invólucro, ficando parte do mesmo sem contato com o dissipador. Além de a resistência térmica
aumentar, o chip o poderá trincar.
h) Soldar os terminais do semicondutor na placa impressa apenas depois que o mesmo for apertado no
dissipador.

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i) No caso de semicondutores encapsulados em plástico (TO-126, TO-220, TO-3P, etc.), usar um alicate
de bico fino para firmar os pinos antes de dobrá-los. Não é recomendado dobrar os pinos de
dispositivos metálicos do tipo TO-66, TO-3 (TO-204), etc., pois esta ação pode trincar o vidro de
isolamento dos terminais de emissor e base.
j) Semicondutores inteiramente de plástico, tal como um TO-3P, não dispensam o uso de pasta térmica.
k) Dissipadores instalados verticalmente fazem peso e transmitem vibrações aos semicondutores,
podendo quebrá-los facilmente ou ocasionar mau contato. Nas montagens verticais, o dissipador deve
ser apoiado na placa impressa, conforme mostrado na Figura 9d. Se o dissipador não possuir pinos de
montagem, usar suportes isolados para sustentá-lo. Verificar se o dissipador pode ser aparafusado na
caixa do equipamento e assegurar que o semicondutor está isolado do dissipador.
l) Montar o dissipador em um local do equipamento onde o ar possa circular livremente através das suas
aletas e seguir para o exterior.
m) Os dissipadores passivos devem ser montados com as aletas orientadas de modo a permitir a maior
troca possível de ar por convecção. Nos dissipadores ativos, a montagem das aletas pode ser vertical
ou horizontal.
o) As conexões dos dispositivos ao circuito da placa impressa devem ser as menores possíveis para
minimizar os efeitos de componentes parasitas. Isto é essencial nas aplicações de RF.
p) Isoladores de óxido de berílio são excelentes condutores térmicos mas não dispensam o uso da pasta
térmica. Os mesmos não devem ser lixados ou raspados por nenhum processo, pois o pó é irritante e
pode atingir o pulmão.

Figura 9 - Montagens de Semicondutores com Invólucro TO-220

Adaptado de: Power Transistors Applications, RCA Solid State, USA, 1981

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 Fig. 10 - Montagem de Semicondutores com Invólucro TO-66(TO-213) e TO-3 (TO-204MA)
Adaptado de: Power Transistors Applications, RCA Solid State, USA, 1981

6. CONCLUSÕES

O gerenciamento do sistema térmico de semicondutores é fundamentalmente importante para sua correta

aplicação e durabilidade. Na maioria dos casos, os projetos de maior confiabilidade devem ser
conservativos nas especificações das máximas condições de trabalho exigidas dos semicondutores. Com a
crescente miniaturização dos sistemas eletrônicos, os sistemas térmicos estão assumindo um papel cada
vez mais importante, em vista dos compromissos que devem ser adotados entre custo, peso, volume,
interferências eletromagnéticas e remoção de calor.

Novos materiais estão constantemente sendo disponibilizados aos projetistas para que se possa realizar
um projeto adequado para as diversas aplicações de dissipação de calor. Em qualquer caso, a pasta
térmica representa a interface mínima entre um dispositivo semicondutor e o seu dissipador de calor. A
correta aplicação de um dissipador precisa levar em conta as degradações no desempenho causadas por
altitude, além das correções devidas à ∆T e ao comprimento efetivo do dissipador.

Não existe uma receita pronta para se usar no dimensionamento de dissipadores. Cada aplicação envolve
características distintas e deve ser estudada nos seus diversos detalhes para que o sistema térmico possa
ser otimizado. Além de um bom gerenciamento térmico, o projetista deve garantir que os semicondutores
sejam corretamente montados no seu sistema de dissipação de calor e que estejam operando dentro das
suas especificações de capacidade de manipulação de potência e de segunda ruptura (no caso dos
dispositivos bipolares).

7. REFERÊNCIAS

1 - Power Transistors Applications, RCA Solid State, USA, 1981

2 - Willians, Arthur B., Designer’s Handbook of Integrated Circuits, McGraw-Hill, USA 1984.
3 - TIP41/TIP 42 Transistor Data Sheet, ON Semiconductor, USA, 2004.
4 - 2N3055 Transistor Data Sheet, ON Semiconductor, USA, 2005.
4 - Catálogo Geral da HS Dissipadores, disponível em www.hsdissipadores.com.br
5 - Catálogo Geral da Aavid Termalloy, USA, disponível em www.aavidthermalloy.com
6 - The Radio Amateur’s Handbook, ARRL, USA, 2000.

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