Electronica I 2008 - 2009 - Fonte de Corrente

Electrónica I
Fontes de corrente
© Jorge Guilherme 2008 #1
Electrónica I
Bibliografia:
• Manuel de Medeiros Silva, "Circuitos com Transístores Bipolares e
MOS", ed. F.C. Gulbenkian, 1999.
• Sedra/Smith, Microelectronic Circuits, Oxford University Press, 1998.
• Paul Gray, Paul J. Hurst, Stephen H. Lewis and Robert G. Meyer,
Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, John Wiley & Sons,
2001.
• Behzad Razavi, Fundamentals of Microelectronics, John Wiley & Sons,
2008.
• Jacob Baker, CMOS Circuit Design, Layout and Simulation, John Wiley
& Sons, 2005.
1
Electrónica I
Fontes de corrente
•Fonte de corrente ideal:
•Corrente definida num ramo, Va
qualquer que seja a diferença
de potencial entre os dois nós
I
•Resistência infinita
Vb
•Fontes de corrente constante

ou controladas
•Por tensão VCCS
•Por corrente CCCS Va Va
I=gm.Vi Ii I=K.Ii
Vi
Vb Vb
VCCS CCCS
Electrónica I
Fonte de corrente simples
+Vcc
Vbe1 = Vbe 2 ⇒ I c1 = I c 2 R
Vo
se Q1 = Q2 Io
Iref
VCC − Vbe
I ref = Ib1 Ib2
R Q1 Q2
I I 2I
I ref = I c1 + c1 + c 2 = I c1 + c1 Vbe1
β β β Vbe2
I ref
I c 2 = I c1 = = Io β = β1 = β 2
2
1+ Vout min = Vce sat
β
erro de corrente
2
Electrónica I
Vbe
se Q1 ≠ Q2  Vce 
Ic = I s ⋅ e VT
 1 + 
Vce 2 V  VA 
1+ 1+ o
Ic2 I s2 VA I VA
= = s2
I c 1 I s1 V I s1 V
1 + ce1 1 + be
VA VA
R
modelo incremental R0
Vo
r π1 gm1.V π ro1 ro2

Vπ r π2 gm2.V π
1 1
R0=ro2
= R // // rπ 2 // rπ 1 ≈
gm gm
Electrónica I
+Vcc
Compensação das correntes de base
R
2Io Vo
I ref = I o + Io Iref +Vcc
β 2 Ib2 = = I b1
β Io
I ref Q3
Io = 2Io
2
1+ Ib1 Ib2
β ( β + 1) β(β+1)
Q1 Q2
Fonte múltipla
Vbe1
Iref Vbe2
I1 I2 In
Q1 Qn
Q2 Q3
3
Electrónica I
Fonte múltipla Compensação das
correntes de base
nI REF nI REF
I copy = I copy =
1 1
1 + (n + 1) 1 + 2 (n + 1)
β β
Electrónica I
Fonte múltipla
I REF
I copy1 =
15
4+ 2
β
10 I REF
I copy 2 =
15
4+ 2
β
4
Electrónica I
Fonte de corrente simples com MOS
Valor da corrente é controlado pela
Iref Io Ro= ro2 relação da área dos transístores
I d = k (Vgs − Vt ) (1 + λ ⋅Vds )
2
M1 M2
Io k + λ ⋅ Vds 2 (W / L )2
= 2 ≈
I ref k1 + λ ⋅ Vds1 (W / L )1
Iref Io1 Io2 Ion
Vout min = VGS − Vt

M1
M2 M3
Mn
2 I Re f
VGS 1 = Vt +
Fonte múltipla k = µ nC ox
'
n
k '
n (W / L )1
Electrónica I
Gerador de correntes positivas e negativas
I3 = I 2 = I 4 = I5
I5 = I4
(W / L )5
(W / L )4
5
Electrónica I
Fonte corrente P
Fonte corrente N
Electrónica I
6
Electrónica I
Fonte Widlar +Vcc
Vb1 = Vb 2 + R2 ⋅ I e 2 R1
Vo
Io I  Iref +Vcc
R2 = Vb1 − Vb 2 = VT ⋅ ln c1 
α  Ic2 
Io
I 
I c 2 R2 = α ⋅ VT ⋅ ln c1 
 Ic2  Q1 Q2
Ic1 ≅ Iref
R2
Equação transcendental
Vout min = Vce sat + I C 2 R2

Electrónica I
Resistência dinâmica da fonte de Widlar R0
Vo
V π2
Vx
R1
1/gm1
r π2
gm2.V π2
ro2
R0 =
Ix
Ix
≅ 1/gm1 R2
Vx
≅ r π2
V x = −Vπ 2 + ( I x − g m ⋅ Vπ 2 ) ⋅ ro 2 1 / g m << rπ 2
R0 = x = rπ 2 // R2 + (1 + g m ⋅ rπ 2 // R2 )ro 2
V
Ix se R 2 << rπ 2 → Ro ≈ ro 2 (1 + g m ⋅ R2 )
 r ⋅R 
R0 ≈ ro 2 (1 + g m ⋅ rπ 2 // R2 ) = ro 2  1 + g m π 2 2 
 rπ 2 + R2 
   
   
β ⋅ R2  g m ⋅ R2 
Ro ≈ ro 2  1 + = ro 2  1 + R0 pode ir até 10 ro2
 β   g m ⋅ R2 
 + R2   1+ β 
 gm   
7
Electrónica I
Fonte com resistências nos emissores
+Vcc
Vb1 + R3 ⋅ I e 1 = Vb 2 + R2 ⋅ I e 2 R1
I c 2 ⋅ R2 ≈ I c1 ⋅ R3 + Vbe 1 − Vbe 2 Iref +Vcc
Vo
se I c 1 ⋅ R3 >> Vbe1 − Vbe 2

Io
I c 2 ⋅ R2 = I c 1 ⋅ R3 ≈ I ref ⋅ R3
Io R
= 3
I ref R2 Q1 Q2
Resistência dinâmica
V π2 R3 R2
r π2
R1
1/gm1  
 
g m ⋅ R2
Ro ≈ ro 2  1 + 
 g ⋅R 
R3  1+ m 2 
 β 
Mesmo resultado da fonte Widlar
Electrónica I
Fonte Widlar com MOS
VDD
VGS 1 − VGS 2 = R2 I o
R1 2 2
− + + 2 R2Vov 1
k ' (W / L) 2 k ' (W / L) 2
Iin Io Io =
2 R2
M1 M2
R2
8
Electrónica I
Fonte Cascode Vo
Iref
 4β + 2  Io
I o = I ref  1 − 2 
 β + 4 β + 2 
  1 Q1 Q2
  + ro 4
g m ⋅ ro 4 gm 2
Ro ≈ ro 2  1 + =r
 g ⋅r  o2 1 r
 1 + m o4  + o4
 β  gm 2 β Q3 Q4
ro 4 β ⋅ ro 4
Ro = ro 2 = ro 2
1 ro 4 β
+ +r
gm 2 β gm 2 o4 Vout min ≈ Vbe + Vce sat
β ⋅ ro 4
Ro = ro 2 ≈ β ⋅ ro 2
rπ 2 + ro 4 β ⋅ ro 2
Analise mais elaborada Ro ≈
2
Electrónica I
Fonte Cascode
Rout = (1 + g m1rO 2 )rO1 + rO 2

Rout ≈ g m1rO1rO 2
9
Electrónica I
Cascode com MOS [Gray 2001]
Iref Io Vin = VGS 3 + VGS 4

Vin = 2(Vt + VOV )
VOUTmin = Vt + 2VOV
M4 M2
M3 M1
Ro = ro 2 [1 + ( g m 2 + g mb 2 )ro1 ] + ro1
Ro ≈ ro 2 (1 + g m 2 ro1 )
Ro ≈ ro 2 g m 2 ro1
Electrónica I
Iref Io
Vin = VGS 1 + VGS 3 + VGS 5
VOUTmin = 2Vt + 3VOV
M1 M2
M3 M4
M5 M6
Ro ≅ ro2[1 + gm2.ro4 (1 + gm4.ro6)]

10
Electrónica I
Io
Fonte Wilson Iref
Pode mostrar-se Q2
 2  Q1 Q3
I o = I ref  1 − 2 
 β + 2β + 2 
Fonte múltipla
Io1 Io2
β ⋅ ro 2
Iref
Ro ≈
2 Q2 Q4
Q1 Q3
Electrónica I
Wilson com MOS Vds3 > Vds1 => Id3 ≠ Iref
Iref Io Introduz-se M4
Iref Io
M2
M4 M2
M3 M1
M3 M1
VOUTmin ≈ Vt + 2VOV Ro ≈ (2 + g m 2 ro 3 )ro 2

Ro ≈ g m 2 ro 3 r02
11
Electrónica I
Extensão da gama de saida da fonte de corrente
[Gray 2001]
VOUTmin ≈ 2VOV
M5 reduz a tensão na gate de M2 para Vt + 2Vov

Electrónica I
Extensão da gama de saida da fonte de corrente
[Gray 2001]
VOUTmin ≈ 2VOV
12
Electrónica I
Fonte de corrente independente da alimentação
Vcc
2VD = VBE + I E R1 Vcc
R2 Io VD R2 Io
IO ≈
IR2 R1
Q1 Q1
D1
I R 2 >> I B
Q2
R1 VCC − 2VD
D2 I R 2 = 10 I B =
R2 R1
 
 
g m ⋅ R1
Ro ≈ ro  1 +  VBE
 g ⋅R
1+ m 1
 IO ≈
 β  R1
 
Electrónica I
Fonte de corrente independente da alimentação com MOS
Vcc
2 I1
R1 Io Vt +
VGS 1 Vt + Vov 1
'
k (W / L)1
IO = = =
R2 R2 R2
M2
Vov 1 << Vt Para termos a corrente de
M1 saida aproximadamente
constante
R2
13
Electrónica I
Fonte Self-biasing
Vdd
M4 M5
M2 Io
M1 M3
R2
Electrónica I
Circuitos de arranque para fontes Self-biasing
[Gray 2001]
Circuitos de arranque
14
Electrónica I
Electrónica I
Amplificador com carga activa
Vcc − Vbe
+Vcc I c1 = I c 2 ≈
R
− gm
Q2 Q3 Av = − g m ⋅ ro1 // ro 2 =
1 1
+
ro1 ro 2
Vo
− I c1 / VT −1
Av = =
I c1 I VT V
R + c2 + T
Vi V A n V A p VA n V A p
Q1 Ro=ro1//ro2
Vi Vo
Vπ
ro1 ro2
rπ gm.V π
Modelo incremental
15
Electrónica I
Amplificador com carga activa MOS
Av = − g m1 ( ro1 // ro 2 )
−2
Av =
(VGS1 − Vt )(λ1 + λ2 )
Electrónica I
α .I
Par diferencial com carga activa I c 3 ≈ I c1 I c1 = −Vid
+Vcc Q1=Q2 Q3=Q4 I c 4 = I c3 1 + e VT

α .I
Q3 Q4 I c 2 = I c1 Ic2 = +Vid
Io V0 1 + e VT
v 
V1 V2 I o = I c 4 − I c 2 ≈ I c1 − I c 2 = α .I .Tanh id 
Q1 Q2  2VT 
vo = − g m (rop // ron )vid
14 4244 3
Ad Calculo da resistência de saída
I Ic
-Vee Ad =
gm
=
VT
=
1 Ro = rop // ron
Modelo incremental 1 1 Ic Ic VT VT
+ + +
rop ron VAp VAn VAp VAn
Rid = 2rπ
Ac = 0
16
Electrónica I
Par diferencial com carga activa
Electrónica I
Par diferencial MOS com carga activa
vid  v 
I o = I d 1 − I d 2 = g m1 − g m 2  − id  = g m .vid
2  2 
I
g m = g m1 = g m 2 =
Vgs − Vt
Rid = ∞
Ro = ro 2 // ro 4
I VA 1 VA
Ad = − g m (ro 2 // ro 4 ) = =
Vgs − Vt I 2 Vgs − Vt
2
Se ro2 = ro4
17
Electrónica I
Andar Cascode
Av ≈ − g m1 [g m3 rO 3 (rO1 || rπ 3 )] || [g m 5 rO 5 ( rO 7 || rπ 5 )]
Electrónica I
Andar Cascode
  R  R
Rop = rO 5 1 + g m 5  rO 7 || rπ 5 || 1   + rO 7 || rπ 5 || 1
  2  2
Av = − g m1 [g m 3 rO 3 ( rO1 || rπ 3 ) ] || R op
18
Electrónica I
Andar Cascode com MOS
Av ≈ − g m1 [( g m 3 rO 3 rO1 ) || ( g m 5 rO 5 rO 7 )]
Electrónica I
R op = rO 5 || [ R1 (1 + g m 5 rO 7 ) + rO 7 ]
Av ≈ − g m1 ( R op || rO 3 g m 3 rO1 )
19
Electrónica I
Amplificador cascode Amplificador cascode dobrado
Vdd
M7 M8
“folded cascode”
Vdd
Vb1
M9 M10
M5 M6
Vo Vb2
M3 M4
Vb
M3 M4 V1 V2 Vo
M1 M2
M5 M6
V1 V2
M1 M2
I M7 M8
-Vss
I
-Vss Ad = gm [ro 4 [1 + g m 4 (ro 2 // ro10 )] // ro 6 (1 + g m 6 .ro 8 )]
I
gm = gm1 = gm 2 =
Vgs − Vt
Ro = ro 4 (1 + g m 4 .ro 2 ) // ro 6 (1 + g m 6 .ro 8 )
 
Ad = g m  ro 4 (1 + g m 4 .ro 2 ) // ro 6 (1 + g m 6 .ro 8 )
1 4 4 2 4 43 1 4 4 2 4 43
 Ro andar cascode Ro da fonte cascode 

Electrónica I
Fontes de tensão
20
Electrónica I
Geradores de tensão de referência
Variações com a temperatura de algumas tensões usadas em electrónica
∆Vbe
Vbe ≈ −2mV /º C
∆T
 I ⋅I 
VT ∆Vbe = Vbe 1 − Vbe 2 = VT ⋅ ln c1 s 2 
 I c 2 ⋅ I s1 
∆VT
= +0.085mV /º C (25mV / 300ºK)
∆T
∆ Vz
Vz ≈ +200 a 500 ppm /º C
∆T
ppm – partes por milhão
Electrónica I
+Vcc Compensação Vbe, Vz
se Vd ≅ Vbe
Vz = 3Vbe + ( R1 + R2 ) I
R2Vz + Vbe ( R1 − 2 R2 )
Vr = R2 ⋅ I + Vbe =
R1 + R2
R1
Vz Compensação de temperatura:
Vr
∂Vz ∂Vbe
R2 R2 + (R1 − 2 R2 ) = 0
∂T ∂T
21
Electrónica I
Fontes de tensão
+Vcc +Vcc Multiplicador de Vbe
R R
Vo=Vz
R1
Vz Vz Vo=Vz-Vbe
Vce
I
Ro
Vbe
R2
Vbe
I=
R2
 R 
Vce = I ( R1 + R2 ) = Vbe  1 + 1 
 R2 
Electrónica I
Multiplicador de Vbe
[Grebene 1983]
22
Electrónica I
Gerador de tensão com zener
+Vcc
R +Vcc
 R 
R Vo = (Vbe + Vz ) 1 + 1 
Vo=Vz+Vbe  R2 
Vo
Vz Polarização independente
R1 da alimentação
+Vcc
Vbe
R1
Io Io =
R
Ro
R2 Vz
Q2
Q1
R
∆ Vz ∆Vbe
>0 <0
∆T ∆T
Vo mais insensível à temperatura 6V a 8V
Electrónica I
Geradores de tensão MOS
I1 = k1 (VGS 1 − Vt1 )
2
VDD
I1 = k 2 (VGS 2 − Vt 2 ) M2
2
M2
VGS 1 = V2
VGS 1 + VGS 2 = VDD
M1
M1
Vt 2 = Vto + γ [ 2φ f + VSB − 2φ f ] VDD − VTp +

k1
V
VSB = V2 k 2 Tn
V4 =
k1
+1
k2
23
Electrónica I
Band gap
Electrónica I
+Vcc
Compensação Vbe, VT => Band gap
Vr = Vbe + K ⋅ VT
Vr
∂Vbe ∂V  K = 23.5
+K T =0 
∂T ∂T Vr ≈ 1.25V R1 V2 R2
-2mV/ºC 0.085mV/ºC I1 Q3
Q2
R1 I2
R2 Q1
I2 I1
R3
Vr
Vd=0
R3 Vbe1 = Vbe 2 + I 2 ⋅ R3
I 
I 2 ⋅ R3 = Vbe1 − Vbe 2 I 2 ⋅ R3 = Vbe1 − Vbe 2 = VT ⋅ ln 1 
 I2 
I  R 
Q2 Q1 = VT ⋅ ln 1  = VT ⋅ ln 2  R2  I1 
 I2   R1  V2 = R2 ⋅ I 2 = VT ⋅ ln 
R3  I2 
R2  R2  R2  I 1 
Vr = Vbe + R2 ⋅ I 2 = Vbe + VT ln  Vr = V2 + Vbe = Vbe + VT ln 
R3  R1  R3  I 2 
24
Electrónica I
R1
R2
Vos
I2 I1
Vr
R3
Bandgap em CMOS
n.Q1 Q1
Q2
[Gray 2001]
Efeito do Offset
 R 
Vr = Vbe 2 +  1 + 2 (VT ln(n ) + VOS )
 R3 
Electrónica I
[Baker 2005]
VREF = Vbe 3 + L ⋅ n ⋅ Vt ln k
− 1.6 mV / C º
678 }
0.085 mV / C º
∂VREF ∂Vbe 3 ∂Vt

= + L ⋅ n ⋅ ln k
∂T ∂T ∂T
1.6
L=
n ⋅ ln k ⋅ 0.085
25
Electrónica I
Exemplo de um bandGap em CMOS
Electrónica I
26
Electrónica I
Primeiro circuito comercial BandGap LM113 em 1971
[National 1994]
Electrónica I
Robert Widlar
Bob Please Inventor do primeiro
“Czar of Band-Gap References” circuito integrado
www.national.com/rap/
27

Electronica I 2008 - 2009 - Fonte de Corrente

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© Jorge Guilherme 2008 #2

•Fontes de corrente constante

© Jorge Guilherme 2008 #3

r π1 gm1.V π ro1 ro2

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© Jorge Guilherme 2008 #8

Iref Io1 Io2 Ion

Vout min = VGS − Vt

© Jorge Guilherme 2008 #10

© Jorge Guilherme 2008 #11

© Jorge Guilherme 2008 #12

Vout min = Vce sat + I C 2 R2

se I c 1 ⋅ R3 >> Vbe1 − Vbe 2

© Jorge Guilherme 2008 #16

Rout = (1 + g m1rO 2 )rO1 + rO 2

Iref Io Vin = VGS 3 + VGS 4

Ro ≅ ro2[1 + gm2.ro4 (1 + gm4.ro6)]

© Jorge Guilherme 2008 #21

VOUTmin ≈ Vt + 2VOV Ro ≈ (2 + g m 2 ro 3 )ro 2

M5 reduz a tensão na gate de M2 para Vt + 2Vov

© Jorge Guilherme 2008 #24

© Jorge Guilherme 2008 #26

© Jorge Guilherme 2008 #27

© Jorge Guilherme 2008 #29

© Jorge Guilherme 2008 #30

© Jorge Guilherme 2008 #31

+Vcc Q1=Q2 Q3=Q4 I c 4 = I c3 1 + e VT

© Jorge Guilherme 2008 #32

© Jorge Guilherme 2008 #33

© Jorge Guilherme 2008 #34

© Jorge Guilherme 2008 #39

© Jorge Guilherme 2008 #40

ppm – partes por milhão

© Jorge Guilherme 2008 #41

© Jorge Guilherme 2008 #42

© Jorge Guilherme 2008 #44

Vt 2 = Vto + γ [ 2φ f + VSB − 2φ f ] VDD − VTp +

© Jorge Guilherme 2008 #46

© Jorge Guilherme 2008 #47

© Jorge Guilherme 2008 #49

∂VREF ∂Vbe 3 ∂Vt

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© Jorge Guilherme 2008 #51

© Jorge Guilherme 2008 #52

© Jorge Guilherme 2008 #53

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