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Primeira Lei de Ohm

A corrente que atravessa um dispositivo sempre


diretamente proporcional ddp aplicada ao dispositivo.

Um dispositivo obedece Lei de Ohm se a resistncia do


dispositivo no depende da ddp aplicada.

Uma ddp aplicada aos


Grfico da corrente i em
terminais de um
funo da ddp aplicada V
dispositivo estabelecendo quando o dispositivo
uma corrente
um resistor de 1000

Grfico da corrente i em
funo da ddp aplicada V
quando o dispositivo
um diodo semicondutor

Primeira Lei de Ohm


A microeletrnica moderna, e portanto boa parte da
tecnologia atual, depende quase que totalmente de
dispositivos que no obedecem a Lei de Ohm.

V R.i
Gerador

Dispositivo
(Resistor)

R tg
Ler texto: Uma viso microscpica
da Lei de Ohm Halliday, Vol.3, p.152

Exemplos
1. Nas figuras abaixo, um resistor hmico esta ligado a uma bateria. Cada uma delas
apresenta uma tenso diferente.
a) Calcule o valor da resistncia eltrica
sabendo que a intensidade da corrente que
atravessa o resistor e de 0,50A no primeiro
circuito. Indique o sentido convencional da
corrente.
b) Sendo o mesmo resistor do item (a) calcule
a intensidade de corrente que circula no
segundo circuito eltrico e indique o seu
sentido convencional.

Exemplos
2. Um estudante, num laboratrio de Fsica, usando aparelhos adequados de medio,
fez diversas medidas de tenso eltrica num resistor e tambm das respectivas
intensidades de corrente eltrica. Com isso, conseguiu uma tabela de dados que lhe
permitiu esboar o grfico abaixo.
Determine a resistncia eltrica do circuito.

V R.i
4 R.0,4
4
R
10
0,4
3. Medindo-se a corrente eletrica (I) e a diferenca de potencial (V) em um resistor,
registraram-se os valores abaixo tabela dos:

a) Faca um esboo do grfico da diferena de potencial V em funo da corrente i.


b) Calcule o valor da resistncia R do resistor.

Gerador Eltrico
um dispositivo que converte energia no eltrica
em energia eltrica.

Qumica
Pilhas, Baterias

Mars

Hidrulica
Hidreltricas

Solar

Trmicas
Termeltricas e
Termonucleares

Ventos
Elica

Gerador Eltrico
Smbolos dos geradores eltricos:
Gerador ideal CC
(Corrente Contnua)

Gerador real CC
(Corrente Contnua)

Gerador CA
(Corrente Alternada)

Associao de Resistores

Exemplos
1. Determine a resistncia equivalente entre os terminais A e B:

Req R1 R2 R3
Req 6 8 3
Req 17

Req

Req

1
1
1

R1 R2
1

1 1

12 6
Req 4

Exemplos
2. Determine a resistncia equivalente entre os terminais A e B:

1
1
Req

1
1
1
1 1 1


R1 R2 R3 3 3 3
Req 1
3. No trecho de circuito abaixo, calcule os valores de i e R:

V R1.i1 20.4 80V


V 80
i

i 8A
R2 10
V 80
R
R 5
i3 16

Circuitos Eltricos

Circuitos Eltricos

Circuitos Eltricos
Os circuitos eltricos podem ser muito simples como o de uma
lanterna, at muito complexos, como o caso de uma placa me
de um microcomputador.
Vamos comear com os mais simples, os circuitos compostos por
pilhas e resistores.
O circuito real abaixo:

Pode ser representado por


smbolos

Exemplos
1. O circuito abaixo e formado por quatro resistores e um gerador ideal
que fornece uma tenso V = 10 volts. O valor da resistncia do resistor R
e desconhecido. Na figura, esto indicados os valores das resistncias
dos outros resistores. Determine o valor de R, sabendo que a corrente
em R1 igual a 255,102mA.

Exemplos
2. No circuito abaixo esquematizado, determine o valor da d.d.p.
indicada pelo voltmetro V quando a chave est aberta e quando est
fechada.

Potncia Eltrica
a taxa de converso de energia eltrica em outro tipo de energia
em cada intervalo de tempo.
U
P
t

Joule

Watt
segundo

Nos circuitos eltricos,


relacionando 1 Lei de Ohm:

P V .I

Exemplos
1. Calcule a potncia dissipada no resistor R1 no circuito abaixo:

Circuito RC
Um capacitor que est sendo carregado se comporta inicialmente
como um fio comum. Aps um longo perodo de tempo o capacitor
se comporta como um fio interrompido.

R.C
Constante de Tempo de Carga e Descarga

Circuito RC
Carga do
Capacitor
f.e.m gerador
Capacitncia

Tempo de Carga

q C.V .1 e R.C

Carga

Resistncia

N de Neper
2,71828...

dq V
i
.e
dt R
Corrente
de Carga

R .C

Circuito RC
Descarga do
Capacitor

Carga inicial

q qo .e

Tempo de Carga

R .C

Capacitncia

dq
qo
i

.e
dt
R.C

Resistncia
Carga

N de Neper
2,71828...

Corrente
de
Descarga

t
R .C

Exemplos
1. Um capacitor de 1C e um resistor de 2K so ligados em srie, alimentados
com uma fonte de 10V, conforme o circuito. A chave S manobrada para a posio
carga. Determine (a) a carga do capacitor aps 4ms da ligao da chave, (b) a
corrente de carga aps 2ms de ligao da chave. Aps 10ms, a chave foi comutada
para a posio descarga. Determine (c) a carga aps 7ms a chave ter sido acionada
e (d) os grficos qxt e ixt para a carga.
V
b)i .e R.C
R
t

d)
2.10 3

10 2.10 3.1.10 6
i
.e
3
2.10
i 1,84.10 3 A

c ) q qo .e

a ) q C .V .1 e R.C

4.10

6
2.10 3.1.10 6

q 1.10 .10. 1 e

q 8,64 C
3

t
R .C

q (C .V ).e

t
R .C

q (1.10 .10).e
q 3,02.10 7 C

7.10 3
2.10 3.1.10 6

Semicondutores
Constituem a base da revoluo da microeletrnica. Veja a
tabela:
Propriedade

Cobre

Silcio

Tipo de Material

Metal

Semicondutor

Densidade de portadores de carga, m-3

8,49.1028

1.1016

Resistividade, .m

1,69.10-8

2,5.103

Coeficiente de temperatura da resistividade, K-1

+4,3.10-3

-70.10-3

Vemos que o silcio possui um n muito menor de portadores de


carga, uma resistividade muito maior e um coeficiente de
temperatura da resistividade que ao mesmo tempo elevado e
negativo. Assim, enquanto a resistividade do cobre aumenta
quando a temperatura aumenta, a resistividade do silcio diminui.
O silcio puro apresenta uma resistividade to alta que se
comporta como um isolante e, portanto parece no ter nenhuma
utilidade em circuitos eletrnicos.
Ler pg. 156 e 157 Halliday, Vol.3

Semicondutores
Entretanto, a resistividade do silcio pode ser reduzida de forma
controlada pela adio de pequenas quantidades de tomos de
impurezas, um processo conhecido como dopagem. Observe na
tabela valores da resistividade do silcio puro dopado com
impurezas diferentes:

Semicondutores
Um semicondutor tem as mesmas propriedades de um isolante,
exceto pelo fato de que a energia necessria para liberar alguns
eltrons um pouco menor.
Atravs da dopagem podemos controlar a concentrao de
portadores de carga e assim modificar as propriedades eltricas do
material.
So exemplos de dispositivos construdos com este princpio:
Diodos
Transistores
Circuitos integrados (CI)
TRIAC
DIAC