INSTITUTO EDUCACIONAL ANHANGUERA

CENTRO UNIVERSITRIO PLINIO LEITE

CURSO DE ENGENHARIA DE CONTROLE E AUTOMAO

Relatrio de Prtica
Experimental - Diodo
Eletrnica Linear

Professor: Francisco
Aluno:
Alex Macabu Nogueira
Alex Sandro Vieira Alexandrino
Anderson Rodrigues de Souza Carvalho
Douglas de Moraes Martins
Nathan Lopes Cruz Soares
Tiago da Silva Mello
6 PerodoTurma: A

Niteri, Rio de Janeiro

Turno: Noite

RA:
8205968180
8206982306
8479231864
8208961665
8092906654
8483118125

Prtica I

Resumo: Neste experimento, foram realizadas medies de corrente e tenso eltrica

em circuitos com resistores e diodos em srie e comparados com resultados tericos.
Objetivo: Analisar a curva de carga do diodo, de acordo com a tenso e corrente
aplicada no circuito.
Introduo: Utilizando a fonte de bancada do laboratrio, alimentamos alguns
circuitos com uma tenso entre 0 e 5VDC. Com a utilizao do Voltmetro e
Ampermetro do Multiteste, realizamos medies de corrente e tenso, em cada
ponto solicitado. Foram feitas anlises em circuitos com diodo polarizado diretamente
e tambm de maneira reversa.
Materiais:
Multmetro Digital Instrutherm
Modelo: MD-720
Fonte de Bancada Instrutherm -

Resistor de 470 Ohms

Resistor de 1K Ohms
Diodos 1N4001

Modelo: FA-3005

O experimento:
No primeiro circuito, polarizamos o diodo diretamente, em srie com um
resistor de 470 .

Utilizando a Lei de Ohm, calculamos que a corrente que passaria pelo circuito:

i=

Onde :
i = Corrente total

= Tenso de Queda do Diodo

= Tenso da fonte

( Silcio = 0,7v)
R = Resistncia total

9,14mA =

5 0,7
470

Na prtica, constatamos quase o mesmo valor, sendo lido no ampermetro: 8,96mA.

No segundo circuito, polarizamos o diodo de maneira inversa e como desta
forma ele se comporta como circuito aberto, espervamos que no houvesse
passagem de corrente, sendo comprovado na prtica.

Depois repetimos o primeiro circuito e analisamos a curva de carga de um

diodo, de acordo com a tenso na qual um circuito alimentado. Essa anlise foi
realizada atravs da construo de uma tabela e de um grfico. Foram feitas medies
diretamente no Resistor e no Diodo, neste ltimo tendo como referncia o (-) do
circuito

VE
0,000
0,100
0,200
0,300
0,400
0,500
0,600
0,700
1,000
1,500
2,000
3,000
5,000

VR
0,000
0,000
0,000
0,003
0,016
0,091
0,160
0,240
0,512
0,921
1,450
2,380
4,300

VD
0,000
0,186
0,247
0,387
0,448
0,518
0,543
0,562
0,598
0,626
0,640
0,660
0,690

I(mA)
0,000
0,000
0,000
0,000
0,030
0,190
0,300
0,500
1,000
1,900
3,020
5,050
9,250

No quarto circuito, colocamos 2 Diodos em srie, e realizamos as mesmas

medies.

VE
0,000
0,100
0,200
0,300
0,400
0,500
0,600
0,700
1,000
1,500
2,000
3,000
5,000

VR
0,000
0,000
0,000
0,000
0,000
0,000
0,000
0,005
0,060
0,440
0,870
1,760
3,700

VD
0,000
0,167
0,285
0,395
0,465
0,582
0,692
0,820
1,010
1,180
1,240
1,310
1,870

I(mA)
0,000
0,000
0,000
0,000
0,000
0,000
0,000
0,010
0,150
0,940
1,860
3,750
7,900

Concluso:
Aps a realizao do experimento chegamos a concluso de que o Diodo de
Silcio, possui uma barreira de potencial de cerca de 0,7V e que quando alimentamos
um circuito com uma tenso capaz de vencer esta barreira de potencial, o diodo se
comporta como um fio, curto-circuito, deixando fluir corrente por ele.