Sumrio

Introduo 5

Radiao eletromagntica 6

Princpios bsicos 6

Espectro eletromagntico 9

Luz 10
Intensidade de luz 11

Fotodetectores e sensores de temperatura 12

Fotodetectores 12
Responsividade 13
Resposta em freqncia 14
Fotoresistores 15
Fotodiodo 18
Fototransistor 21

Termistores 24
Termistor PTC 24
Termistor NTC 25
Aplicaes 25

Apndice 28

Questionrio 28

Bibliografia 29
 Espao SENAI

Misso do Sistema SENAI

Contribuir para o fortalecimento da indstria e o desenvolvimento

pleno e sustentvel do Pas, promovendo a educao para o trabalho e a
cidadania, a assistncia tcnica e tecnolgica, a produo e disseminao
de informao e a adequao, gerao e difuso de tecnologia.
Srie de Eletrnica

Introduo
Os ltimos anos tm caracterizado uma penetrao cada vez maior da
eletrnica nos diversos ramos da atividade humana. Essa influncia tem sido
particularmente mais significativa na indstria e no lazer. Na rea industrial a
cada dia surgem novos instrumentos e aparelhos que permitem observar e
controlar os processos de produo.

A aplicao da Eletrnica no meio industrial est intimamente ligada ao

controle de variveis no eltricas tais como temperatura, luz, presso, umidade
etc. Para que seja possvel controlar essas grandezas atravs de circuitos
eletrnicos, so necessrios componentes que transformem as variaes ou os
valores dessas grandezas em variaes eltricas correspondentes. Os
componentes que possibilitam a realizao desse tipo de converso so em geral
denominados de sensores.

Tendo em vista a abrangncia do tema, este fascculo se restringir ao

tratamento dos princpios de operao e aplicaes de alguns tipos de sensores,
com o objetivo de permitir ao leitor uma avaliao inicial da importncia dessa
classe de dispositivos.

Para a boa compreenso do contedo e desenvolvimento das

atividades contidas neste fascculo, o leitor dever estar
familiarizado com os conceitos relativos a:

Diodo semicondutor.
Transistor bipolar: princpio de operao.
Disparador Schmitt.

5
 Sensores

Radiao
eletromagntica

PRINCPIOS BSICOS

Campos eltricos que variam no tempo induzem campos magnticos que

tambm variam no tempo, e vice-versa. Esses campos podem ser originados por
exemplo, em um circuito eltrico alimentado por uma tenso ac.

O efeito de induo de um campo eltrico a partir de um campo

magntico, e vice-versa, propaga-se rapidamente no espao e define o que
largamente denominado de radiao eletromagntica. O campo eltrico e o
campo magntico que compem essa forma de energia, recebem conjuntamente
a denominao de campo eletromagntico.

Uma vez emitida, a radiao eletromagntica pode influenciar um circuito

remoto, conforme ilustrado na Fig.1. Da mesma forma que tenses e correntes
induzem radiao eletromagntica, o inverso tambm verdadeiro, permitindo
assim que o circuito remoto seja alimentado, pela simples existncia da radiao
eletromagntica a presente. Essa uma forma possvel de transmisso de
informao, a partir de radiao eletromagntica, freqentemente empregada nas
telecomunicaes.

Em sntese, uma tenso ac, alm de produzir uma corrente ac no circuito,

pode tambm servir como fonte de radiao eletromagntica que se propaga no
espao. Se, por exemplo, a tenso aplicada variar senoidalmente no tempo com
freqncia f, a amplitude do campo eletromagntico gerada pelo circuito ir
tambm variar senoidalmente no tempo, com a mesma freqncia f.

6
Srie de Eletrnica

Fig.1 Radiao eletromagntica gerada em um circuito, influenciando um

circuito remoto.

Dois aspectos importantes caracterizam o campo ou radiao

eletromagntica:

No ar, a velocidade de propagao praticamente independe da freqncia,

sendo dada pela velocidade da luz no vcuo

c 3 108 m / seg

Se a variao no tempo for senoidal na freqncia f, a amplitude da radiao

eletromagntica tambm varia senoidalmente no espao. O perodo
associado a essa variao senoidal no espao, denominado de comprimento
de onda, pode ser obtido da relao

c
1
f
A Fig.2 ilustra as dependncias temporal e espacial das amplitudes de
campos para freqncias distintas. Para os grficos a ilustrados, a dependncia
com o tempo representa o que seria medido em um ponto fixo do espao, ao
passo que, a dependncia espacial da amplitude representa a forma como o
campo se distribui em dada direo do espao, em dado instante de tempo.

7
 Sensores

a m p litu d e 1 seg a m p litu d e = 3 0 0 m

te m p o d is t n c ia

f = 1 M H z

a m p litu d e a m p litu d e

te m p o d is t n c ia
f = 500 kH z

2 seg = 600 m

Fig.2 Dependncias temporal e espacial das amplitudes de campo para

freqncias distintas.

Por exemplo, para f = 60 Hz a amplitude do campo eletromagntico tem

um comprimento de onda dado por

3 108
= 5.000.000 m = 5.000 km
60

Esse comprimento de onda muito extenso, e a curtas distncias a

variao espacial da amplitude praticamente inexistente. Por outro lado, para f
= 60 MHz, o comprimento de onda diminui para

3 108
=5m
60 106

que evidencia uma variao de amplitude significante a curtas distncias.

Os grficos apresentados na Fig.2 servem para demonstrar a proporo

inversa entre os parmetros f e , imposta pela Eq.(1).

Existem vrios processos capazes de produzir radiao eletromagntica. O

elemento comum a todos esses processos pura e simplesmente a carga
eltrica.

8
Srie de Eletrnica

O elemento bsico responsvel pela emisso de radiao

eletromagntica a carga eltrica.

No exemplo do circuito ac tratado anteriormente, necessria a presena

das cargas eltricas associadas corrente ac para produo de radiao
eletromagntica. Ou seja, radiao eletromagntica ser produzida sempre que
cargas eltricas estiverem em jogo. Isso inclui processos associados s
oscilaes de corrente em um circuito, a colises de eltrons em um anteparo,
recombinao de eltrons e lacunas aps passagem atravs da barreira de
potencial de uma juno pn, ou mesmo transio de eltrons entre nveis de
energia de tomos ou molculas. Enfim, cada um desses processos pode gerar
radiao eletromagntica de determinada freqncia.

ESPECTRO ELETROMAGNTICO

A Fig.3 mostra uma larga faixa de freqncias que compe o espectro

eletromagntico. Determinadas bandas de freqncia dentro do espectro
recebem denominaes especficas, como por exemplo:

A faixa de freqncias de rdio, que comporta todas as freqncias f 1 GHz

= 1109 Hz e que inclui as ondas longas, mdias e curtas e as bandas VHF
(very high frequency) e UHF(ultra high frequency).
Freqncias de microondas na regio 1 GHz < f < 30 GHz, ou
correspondentemente, 30 cm > > 1 cm.
Ondas milimtricas na regio 30 GHz < f < 1.000 GHz que compreende a
regio de comprimentos de onda 1 cm > > 0,3 mm=300m.

9
 Sensores

Fig.3 Espectro eletromagntico.

LUZ

A partir do limite superior da faixa de ondas milimtricas, a freqncia da

radiao eletromagntica se torna muito alta, sendo mais comum o emprego do
comprimento de onda para denominar o tipo de radiao. Em particular, existe
um estreita regio do espectro eletromagntico, mostrado na Fig.3, onde a
radiao se torna visvel ao olho humano.

Essa regio visvel est situada na faixa de comprimento de onda

780 nm 380 nm

e est ilustrada em mais detalhe na Fig.4. Como pode ser a observado, a

variao de comprimento de onda dentro dessa faixa corresponde a uma
variao contnua de cores desde o vermelho escuro, para =780 nm, at o
violeta, no comprimento de onda =380 nm.

Fig.4 Espectro visvel e curva de sensibilidade do olho humano.

Na Fig.4, est tambm representada a curva de sensibilidade do olho

humano, que atinge seu valor mximo no comprimento de onda = 555 nm,
correspondente poro verde do espectro. Fora dos limites do espectro
mostrado na Fig.4, a radiao torna-se invisvel ao olho humano, devido aos
baixos nveis da curva de sensibilidade para > 780 nm e para < 380 nm.

10
Srie de Eletrnica

INTENSIDADE DE LUZ

Um parmetro de importncia que caracteriza a radiao visvel a sua

intensidade luminosa ou iluminamento. O iluminamento diretamente
relacionado aos conceitos de claridade e escurido, ou seja, um ambiente claro
exibe maior grau de iluminamento do que um ambiente escuro. A unidade lux
(lx) freqentemente utilizada para expressar esse parmetro.

O fluxo luminoso ou potncia luminosa outro parmetro diretamente

relacionado ao conceito de iluminao. A Fig.5 ilustra a iluminao de uma
superfcie por uma fonte de luz, tal como uma lmpada. Uma pequena poro de
rea A da superfcie est submetida a uma intensidade luminosa ilum. Define-se
o fluxo luminoso incidente sobre a rea A pela relao

ilum A 3

Fig.5 Superfcie sob iluminao e parmetros utilizados na definio do fluxo

luminoso.

Com o iluminamento medido em lx e a rea A medida em m2, a potncia

luminosa pode ser expressa em unidades de (lxm2). Esse produto de unidades
define o lmen (lm), ou seja,

1 lm = 1 lx.m2

Por exemplo, se A =1 cm2 e ilum = 1.000 lx, o fluxo luminoso, obtido da

Eq.(3) vale

(1.000 lx) (0 ,01 m) 2 = 1.000 0,0001 lx.m 2

11
 Sensores

0,1 lm

12
Srie de Eletrnica

Fotodetectores e
sensores de
temperatura
O termo sensor geralmente utilizado para designar um dispositivo capaz
de transformar variaes de uma determinada grandeza fsica em variaes
correspondentes de uma grandeza eltrica. Muitas propriedades fsicas dos
materiais so utilizadas na construo de sensores dedicados a uma larga gama
de aplicaes, tais como:

Sensores para deteco e medio de acelerao, ou acelermetros.

Sensores de viscosidade de lquidos.
Sensores de presso.
Sensores de umidade.
Sensores para deteco e medio de luz, ou fotodetectores.
Termistores, para medio de temperatura.

Devido abrangncia do tema, e ao importante papel desempenhado pelos

fotodetectores e termistores na rea da Eletrnica, as sees seguintes se limitam
anlise das propriedades dessas duas classes de dispositivos.

FOTODETECTORES

Um dispositivo fotosensvel ou fotodetector, aquele que produz uma

corrente eltrica quando exposto radiao na regio do espectro
eletromagntico compreendida entre as pores do infravermelho prximo e
ultravioleta. Esses dispositivos so geralmente fabricados com materiais
semicondutores, cuja condutividade alterada sob a ao de um fluxo luminoso.

13
 Sensores

Fotodetectores so utilizados em vrias aplicaes, tais como:

Deteco de luz: sensores de presena em sistemas de alarme, contagem de
objetos em processos industriais etc.
Medio do nvel de iluminamento: fotmetros em processos fotogrficos.
Caracterizao da variao de iluminamento: sistemas de controle
automtico de iluminao em rodovias, sensores de proximidade de cmaras
fotogrficas de focalizao automtica etc.

A caracterizao dessa classe de dispositivos requer a especificao de

suas caractersticas eltricas e pticas.

Duas caractersticas de importncia associadas aos fotodetectores so:

Responsividade.
Resposta em freqncia.

RESPONSIVIDADE

Uma corrente eltrica produzida pelo fotodetector sob iluminao. A

relao entre a corrente gerada I e o fluxo luminoso detectado pelo dispositivo
define a responsividade r do fotodetector, ou seja,

I
r 2
P

A corrente gerada pelo fotodetector, e portanto a responsividade do

dispositivo, dependente do comprimento de onda da luz nele incidente. Dessa
forma, a corrente gerada em um fotodetector iluminado, por exemplo, por luz
verde pode ser bem diferente daquela obtida para luz vermelha, mesmo que o
fluxo luminoso incidente no fotodetector seja o mesmo em ambas as situaes.

O folheto de especificaes tcnicas do fotodetector fornece uma curva

de sensibilidade espectral que representa a variao relativa da responsividade
do dispositivo com respeito ao comprimento de onda.

A Fig.6 mostra a curva de sensibilidade espectral para um fotodetector

fabricado com o semicondutor CdS (sulfeto de cdmio). Como pode ser a

14
Srie de Eletrnica

observado, o dispositivo exibe mxima responsividade para 680 nm, que

corresponde luz vermelha. Verifica-se tambm que a responsividade relativa
do dispositivo inferior a 30% para
< 500 nm (verde a azul) e para
> 820 nm (infravermelho).

Em geral, admite-se como

regio ideal de funcionamento a
faixa de comprimentos de onda na
qual o dispositivo tem um mnimo
de 70% de responsividade relativa.
Para o caso da curva de
sensibilidade espectral da Fig.6
essa faixa estaria localizada na
regio 540nm < <760nm, cujos
limites correspondem s cores Fig.6 Curva de sensibilidade espectral para
verde e vermelho, respectivamente. um fotodetector de CdS.

RESPOSTA EM FREQNCIA

Quando um fotodetector
submetido a variaes de
intensidade luminosa, a
responsividade do dispositivo
tende a decrescer com o
aumento da taxa de variao
da intensidade. Uma forma de
caracterizar esse efeito
assumir que o fluxo luminoso
incidente no dispositivo varie
senoidalmente com o tempo a
uma dada freqncia f0,
conforme ilustrado na Fig.7. Fig.7 Fluxo luminoso que varia senoidalmente
com o tempo na freqncia f0.

O tipo de variao mostrado na Fig.7 produziria uma alterao contnua

de iluminao com o tempo, entre os limites de mxima claridade e mxima
escurido. Aumentar a freqncia f0 dessas variaes equivale a aumentar a taxa
de variao do fluxo luminoso sobre o fotodetector. Com isso a responsividade
do dispositivo tende a diminuir.

15
 Sensores

A dependncia com a freqncia f0 da responsividade de um fotodetector

pode ser representada graficamente por uma curva de resposta em freqncia,
do tipo mostrado na Fig.8. Como pode ser a observado, a responsividade
mxima se o fluxo luminoso sobre
o fotodetector for constante, ou
seja, para f0=0. Se as variaes de
intensidade luminosa forem muito
rpidas, o que equivale a aumentar
o valor do parmetro f0, a
responsividade do dispositivo
tende a diminuir substancialmente,
e eventualmente o dispositivo
torna-se insensvel presena da
luz nele incidente.
Fig.8 Curva de resposta em freqncia de
um fotodetector.

Para caracterizar a
regio de operao ideal do
dispositivo, define-se a
freqncia de corte fc,
como aquela a partir da
qual a responsividade do
fotodetector se torna
inferior a 70% do valor
mximo. A Fig.9 mostra a
localizao da regio de
operao ideal no diagrama
de resposta em freqncia
de um fotodetector.
Fig.9 Regio de operao ideal de um fotodetector
Nas sees seguintes, no diagrama da resposta em freqncia do
feito exame mais dispositivo.
detalhado de alguns tipos
de fotodetectores de uso
freqente na Eletrnica.

FOTORESISTORES

O fotoresistor ou LDR (do ingls light dependent resistor) um

componente constitudo base de material semicondutor cuja condutividade

16
Srie de Eletrnica

alterada sob iluminao. O LDR recebe tambm a denominao de fotoclula

ou clula fotoeltrica.
Uma estrutura simplificada
de um LDR mostrada na Fig.10.
Ela feita com um semicondutor
intrnseco, de alta resistncia, com
dois contatos metlicos. Os
pontos de contato so submetidos
a uma tenso constante V. A
iluminao da superfcie do
semicondutor produz um
acrscimo no nmero de
portadores de carga, o que
provoca um aumento de
condutividade com conseqente Fig.10 Estrutura simplificada de um LDR.
diminuio da resistncia eltrica
do dispositivo. Como a tenso
aplicada constante, a corrente
que circula no circuito aumenta.
Dessa forma, o LDR submetido a
uma tenso constante responde a
variaes de fluxo luminoso com
variaes correspondentes da
corrente que flui atravs de seus
terminais.

A Fig.11 mostra o aspecto

de um LDR e os smbolos
comumente utilizados para sua
Fig.11 Aspecto tpico de um LDR e
representao em diagramas de
smbolos correspondentes.
circuito.

Os LDRs apresentam
resistncia elevada quando
colocados no escuro, e sofrem
reduo de resistncia medida
que a intensidade da luz incidente
sobre o componente aumenta. A
resistncia do LDR varia no-
linearmente de alguns megaohms

Fig.12 Variao tpica da resistncia eltrica

de um LDR.
17
 Sensores

em ambientes escuros a algumas centenas de ohms sob iluminao, conforme

ilustrado na Fig.12.

A resistncia eltrica de um LDR varia no-linearmente com a

intesidade luminosa incidente sobre o dispositivo.

A Fig.13 mostra as curvas de sensibilidade espectral dos fotoresistores de

CdS e PbS. Como pode ser a observado, o LDR de sulfeto de cdmio
apropriado para operao na regio visvel, ao passo que o LDR de sulfeto de
chumbo mais adequado para operao no infravermelho.

Fig.13 Curvas de sensibilidade espectral para LDRs de CdS e PbS.

O LDR pode ser configurado

para produzir uma tenso
dependente do fluxo luminoso nele
incidente. Um circuito divisor de
tenso, do tipo mostrado na Fig.14,
permite esse tipo de operao.

O circuito mostrado na Fig.14,

utilizado em conjunto com um
disparador Schmitt, na forma
ilustrada na Fig.15, forma um
circuito de controle para o
acionamento de uma lmpada, que
s ligada quando a iluminao
natural do ambiente diminui. Essa
uma aplicao tipicamente utilizada

Fig.14 LDR configurado como parte de

18 um divisor de tenso.
Srie de Eletrnica

no controle de iluminao de rodovias, cujas lmpadas so acesas no incio da

noite.

Fig.15 Circuito de acionamento de lmpada controlado por um LDR.

O exame do circuito mostrado na Fig.15 indica que, embora a tenso

produzida pelo LDR varie vagarosamente medida que o ambiente escurece ou
clareia, o disparador Schmitt se encarrega de chavear corretamente o rel que
aciona a lmpada.

FOTODIODO

O fotodiodo constitudo por um diodo

especialmente encapsulado de forma a permitir a
exposio da juno pn do dispositivo luz
ambiente. O encapsulamento geralmente
metlico e possui uma lente que concentra a luz
sobre a regio ativa do dispositivo, conforme
ilustrado na Fig.16.

A indicao do nodo ou ctodo do

dispositivo varia entre diferentes tipos de
encapsulamento, e a identificao dos terminais
pode ser feita atravs do catlogo do fabricante
Fig.16 Fotodiodo tpico.
ou do teste com multmetro.

19
 Sensores

O fotodiodo configurado para operar com polarizao inversa, conforme

indicado na Fig.17. Na ausncia de iluminao, flui uma pequena corrente de
fuga atravs de seus terminais.

Quando o dispositivo exposto

luz, pares eltron-lacuna so
gerados na regio de depleo da
juno pn do dispositivo. Devido ao
alto campo a existente, os eltrons e
lacunas so acelerados para fora da
regio de depleo, o que provoca um
aumento na corrente inversa atravs
do diodo. Nesse tipo de fotodetector,
at um limite mximo de fluxo
luminoso, a corrente inversa varia
proporcionalmente com a intensidade
luminosa incidente sobre o Fig.17 Forma de polarizao de um
dispositivo. fotodiodo.

Em um fotodiodo inversamente polarizado, a corrente inversa

proporcional intensidade luminosa incidente sobre o dispositivo.

A Fig.18 mostra curvas

caractersticas tpicas de um
fotodiodo na regio de
polarizao inversa. Como
pode ser a observado, a
localizao de cada curva
caracterstica dependente
do nvel de iluminamento
incidente sobre o dispositivo.
A corrente de fuga do
dispositivo, obtida na

Fig.18 Curvas caractersticas de um fotodiodo.

20
Srie de Eletrnica

ausncia de iluminao muito pequena e recebe a denominao de corrente de

escuro.

A Fig. 19a mostra a forma de obteno da corrente gerada no fotodiodo

como funo da intensidade luminosa incidente sobre o dispositivo. Como pode
ser a observado, fixando-se o valor Vi da tenso de polarizao inversa, obtm-
se um conjunto de pontos sobre as curvas caractersticas, que ocorrem nas
intersees dessas curvas com a reta V=Vi.

A representao grfica da dependncia da corrente com a intensidade

luminosa est mostrada na Fig.19b, que mostra uma relao linear entre essas
duas grandezas. importante notar que essa relao linear praticamente
independente do valor da tenso inversa aplicada sobre o fotodiodo, uma vez
que a corrente inversa varia muito pouco para um dado nvel de iluminamento,
como se pode observar a partir de um exame da Fig.19a.

Fig.19 (a) Pontos de interseo da reta V=Vi com as curvas caractersticas de

um fotodiodo. (b) Grfico da relao entre corrente gerada e intensidade
luminosa para V=Vi.

Para o tipo de fotodiodo caracterizado pela curva mostrada na Fig.19b a

corrente inversa se situa na faixa de microampres para os nveis de
iluminamento a indicados. Para que essa pequena variao de corrente possa

21
 Sensores

dar origem a variaes

significantes de tenso, faz-se
necessrio utilizar o fotodiodo em
srie com resistores de resistncia
elevada, na faixa de dezenas a
centenas de kiloohms, conforme
ilustrado na Fig.20.
Um aspecto importante a ser
considerado que a corrente de
fuga tambm depende da Fig.20 Circuito a fotodiodo cuja tenso de
temperatura do fotodiodo, o que sada proporcional ao
pode causar erros na medio do iluminamento.
nvel de iluminamento quando o
dispositivo utilizado em locais submetidos a variaes significantes de
temperatura.

A Fig.21 mostra a curva de sensibilidade espectral de um fotodiodo de

germnio, que atinge sua mxima responsividade no comprimento de onda de
1.450 nm, situado no infravermelho prximo. Com o emprego de diversos tipos
de materiais semicondutores, fotodiodos podem ser implementados para atingir
mxima responsividade em diferentes regies do espectro eletromagntico.

Fig.21 Curva de sensibilidade espectral de um fotodiodo de germnio.

FOTOTRANSISTOR

O fototransistor constitudo por um

transistor especialmente encapsulado de forma
a permitir a exposio da estrutura

22

Fig.22 Fototransistor tpico.

Srie de Eletrnica

semicondutora do dispositivo luz ambiente. A Fig.22 ilustra um tipo comum de

encapsulamento do fototransistor.
Conforme mostrado na Fig.23,
a representao de circuito do
fototransistor semelhante quela do
transistor convencional, com exceo
das setas indicativas da sensibilidade
do dispositivo luz nele incidente.

Conforme mostrado na Fig.24,

em um fototransistor, geralmente o
terminal base desconectado do Fig.23 Representao de circuito do
circuito. Nessas condies, e na fototransistor.
ausncia de iluminao, circula uma
corrente de fuga ICEO entre coletor e
emissor, e a corrente de coletor pode
ser obtida da relao

I C I CEO

O terminal do coletor tem um

potencial ligeiramente superior quele
do terminal da base, tornando a juno
base-coletor inversamente polarizada.
Quando luz incide na regio prxima
juno base-coletor, os portadores a
gerados produzem uma corrente de
fuga adicional Il na juno base-
coletor. Como qualquer corrente de
fuga nessa juno amplificada por Fig.24 Fototransistor sob polarizao
um fator (+1), a corrente de coletor, externa.
sob iluminao, passa a ser

I C I CEO 1 I l 3

A Eq.(3) mostra que a corrente gerada na juno base-coletor

amplificada por um fator (+1) no terminal do coletor do transistor. Como a
corrente Il proporcional intensidade luminosa, uma relao de linearidade
existe entre a corrente de coletor e a intensidade de luz incidente sobre o
dispositivo, como indicado pela Eq.(3).

23
 Sensores

A corrente de coletor em um fototransistor varia linearmente

com a intensidade luminosa
incidente sobre o dispositivo.

A Fig.25 mostra as curvas

caractersticas de um fototransistor
tpico. Como pode ser a
observado, a intensidade luminosa
influencia a relao ICVCE de
forma semelhante quela exercida
pela corrente de base no transistor
convencional.

Em alguns casos se torna Fig.25 Curvas caractersticas tpicas de um

necessrio alterar a tenso VCE para fototransistor.
um determinado nvel de
iluminamento. Isso pode ser
realizado pela injeo de uma
corrente de base no dispositivo
atravs de um resistor conectado
fonte de alimentao, conforme
indicado na Fig.26. Esse mtodo,
contudo, reduz a sensibilidade do
circuito.

Existem fototransistores
fabricados especialmente para
trabalhar em conjunto com os
LEDs, na forma ilustrada na Fig.26 Circuito a fototransistor com base
Fig.27. Esses dois componentes conectada fonte atravs de um
formam um par casado, e o resistor.
comprimento de onda emitido pelo
LED escolhido no ponto de
mxima sensibilidade do
fototransistor. Esse tipo de

Fig.27 Diagrama de circuito de um

24 optoacoplador.
Srie de Eletrnica

aplicao permitiu a fabricao de dispositivos optoacopladores, encapsulados

em um nico circuito integrado.

A inexistncia de conexo eltrica entre o LED e o fototransistor faz que

o optoacoplador tenha uma altssima isolao eltrica. Isso permite o emprego
desse tipo de componente no bloqueio de cc entre estgios amplificadores ca
operando sob polarizaes distintas.

TERMISTORES

A dependncia com a temperatura da condutividade eltrica dos materiais

semicondutores permite a fabricao do sensor de temperatura denominado de
termistor. Neste tipo de dispositivo, uma variao de temperatura modifica sua
resistncia eltrica. Essa modificao pode ser detectada, por exemplo, como
uma modificao da corrente atravs do dispositivo quando adequadamente
polarizado por uma tenso externa.

Dependendo da forma como a resistncia do dispositivo alterada pela

temperatura, os termistores podem ser do tipo PTC ou NTC. A Fig.28 mostra o
aspecto tpico de um termistor e as representaes de circuito geralmente
utilizadas.

Fig.28 Aspecto tpico de um termistor e representaes de circuito.

TERMISTOR PTC

O termistor tipo PTC (positive temperature coefficient), exibe coeficiente

de temperatura positivo, ou seja, sua resistncia eltrica aumenta com a elevao
de temperatura.

25
 Sensores

Para cada tipo de termistor

PTC existe uma faixa de
temperaturas de operao, onde
existe grande variao da
resistncia eltrica do dispositivo.
A Fig.29 ilustra a
dependncia com a temperatura da
resistncia eltrica de um termistor
PTC tpico. Como pode ser a
observado, para esse dispositivo a
faixa de temperaturas de operao
est situada entre 50C e 120C.

TERMISTOR NTC Fig.29 Dependncia com a temperatura da

resistncia eltrica de um termistor
O termistor tipo NTC PTC tpico.
(negative temperature coefficient),
exibe coeficiente de temperatura negativo, ou seja, sua resistncia eltrica
diminui com a elevao de temperatura. A Fig.30 ilustra a variao com a
temperatura da resistncia eltrica de um termistor NTC.

APLICAES

O termistor, tanto NTC como

PTC, pode ser utilizado em um
circuito ou equipamento, de duas
formas distintas:
Apenas como sensor da
temperatura do equipamento.
Como atuador sobre as Fig.30 Dependncia com a temperatura da
condies de operao do resistncia eltrica de um termistor
equipamento. NTC tpico.

O termistor NTC pode ser utilizado, por exemplo, para manter constante o
ponto de operao de um transistor perante variaes na temperatura de
operao, conforme ilustrado na Fig.31. Nesse circuito um aumento de
temperatura tende a provocar aumento na corrente de coletor, como resultado do
acrscimo da corrente de fuga ICBO. Por outro lado, o aumento de temperatura

26
Srie de Eletrnica

tambm provoca reduo na resistncia eltrica do termistor NTC, reduzindo

assim a tenso base-emissor do transistor.
Com isso diminui a corrente de base e o
ponto de operao volta ao seu estado
original.

Uma outra aplicao importante dos

termistores se refere aos circuitos de
controle de temperatura. Um circuito de
controle de temperatura tpico est
ilustrado na Fig.32. Um breve exame do
circuito indica que qualquer variao na
temperatura do termistor provoca variao
na tenso aplicada entrada do disparador
Schmitt. Atravs do rel acoplado ao Fig.31 Emprego de um termistor
disparador se pode comandar resistncias NTC em um circuito
de aquecimento ou aparelhos de transistorizado.
refrigerao.

Fig.32 Circuito de controle baseado em um termistor acoplado a um disparador

Schmitt para controle de temperatura.

Em algumas aplicaes o termistor utilizado de forma que a corrente de

carga, ou parte dela, circule atravs do termistor. Nesse tipo de aplicao a
prpria dissipao de potncia no termistor provoca seu aquecimento, resultando
em uma variao na sua resistncia.

27
 Sensores

Nos aparelhos de TV em cores,

por exemplo, utiliza-se uma bobina
para a desmagnetizao do tubo de
imagem. Ao ligar-se o aparelho, essa
bobina deve produzir um campo
magntico intenso que deve
praticamente desaparecer aps
alguns segundos. Para que esse efeito
seja obtido, a bobina de
desmagnetizao conectada em
srie a um termistor PTC, conforme
ilustrado na Fig.33.
Fig.33 Diagrama simplificado do
circuito de controle do campo
magntico de uma bobina.

Com base na Fig.33, ao ligar-se a alimentao, o termistor est frio e com

baixa resistncia. Assim, a corrente circulante intensa, produzindo o campo
desmagnetizante. Durante o tempo de circulao da corrente no circuito, a
dissipao de potncia no termistor aumenta sua temperatura. Isso provoca o
aumento na resistncia eltrica do termistor, reduzindo a corrente, e por
conseguinte, o campo magntico na bobina. Aps alguns segundos, o sistema
atinge o equilbrio com o termistor exibindo alta resistncia, o que praticamente
elimina o campo desmagnetizante.

28
Srie de Eletrnica

Apndice
QUESTIONRIO
1. Qual a velocidade de propagao da radiao eletromagntica produzida
por uma fonte de microondas operando a uma freqncia de 10 GHz?

2. Qual seria o resultado obtido na questo anterior, se a radiao fosse emitida

em uma freqncia de 1 kHz?

3. Determine os comprimentos de onda associados radiao eletromagntica

emitida nas seguintes freqncias:
a) f = 1 kHz.
b) f = 10 GHz.
c) f = 1 THz.

4. Qual a faixa de comprimentos de onda em que a radiao eletromagntica

se torna visvel ao olho humano?

5. Se o fluxo luminoso incidente em uma rea de 10 cm2 1.500 lm, qual a

intensidade luminosa sobre a rea iluminada?

6. Faa uma pesquisa e tente descobrir qual o valor tpico do iluminamento

produzido pelo sol na superfcie da Terra. Tente caracterizar, por exemplo,
valores tpicos em diferentes regies do pas.

7. Como se define a responsividade de um fotodetector?

8. Descreva o princpio de operao de um LDR.

9. Descreva o princpio de operao de um fotodiodo.

10.Descreva o princpio de operao de um fototransistor.

11.Cite uma aplicao tpica do fototransistor.

29
 Sensores

12.O que so termistores PTC e NTC?

13.Cite duas aplicaes para os termistores.

BIBLIOGRAFIA

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comando; componentes eletrnicos especiais. So Paulo, E.P.U., 1975. 46p. il.
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