Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
IntroducaooaFisicadosSemicondutorescompletoRedSize PDF
IntroducaooaFisicadosSemicondutorescompletoRedSize PDF
INTROOUCAo
,
A
FISICA
, DOS
I SEMICONDUTORES
I
I
I
I
I
I
I
I
1
I
I ~
I "
I "
I .,"
I
I .,' "
.,'
.~----------------
~~MEC
I NTRODUCO FSICA
I
DOS SEMICONDUTORES
FICHA CATALOGRFICA
(Preparada pelo Centro de Catalogao-na-fonte,
Cmara Brasileira do Livro, SP)
Bibliografia.
1. Semicondutores I. Biasi, Ronaldo Srgio de, 1943-
11. Instituto Nacional do Livro. 111. Ttulo.
COO: 537.622
CCF/CBL/SP-75-1026 COU: 536.311
INTRODUCO FSICA I
DOS SEMICONDUTORES
MARIA DE PAULA
e
MARLIA
Contedo
Introduo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. IX
Constantes fsicas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. XI
Parmetros de alguns semicondutores a 27 DC XII
1. Consideraes clssicas sobre a estrutura atmica................ 1
2. Noes bsicas de mecnica quntica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
3. Aplicaes da mecnica quntica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 13
4. Noes de cristalografia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 27
5. Aplicao da mecnica quntica a um cristal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 42
6. Propriedades bsicas dos materiais semicondutores . . . . . . . . . . . . . . .. 49
7. Distribuies estatsticas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 61
8. Aplicao da distribuio de Fermi-Dirac a um material semicondutor 70
9. Transporte de cargas nos semicondutores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 83
10. Junes PN . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . .. 93
11. Transistores de juno 107
12. Outros fenmenos observados nos semicondutores 114
Apndices
A. Teorema de Bloch 119
B. Experincias em semicondutores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 121
H.A.M.
R.S.B.
CONSTANTES FSICAS
Smbolo Nome Valor e unidade
Gerais
c velocidade da luz no vcuo 2,998 x 108 m/s
L nmero de Loschmidt 2,69 x 1025 m-3
No nmero de Avogadro 6,0225 x 1023 moi-I
k constante de Boltzmann 1,381 x 1O-23J/K
Atmicas
h constante de Planck 6,626 x 10- 34 J-s
fi hl2n 1,054 x 10- 34 J-s
ao raio de Bohr 5,292 x 10- 11 m
Eltricas
Eo permissividade do vcuo 8,854 x 10-12 Fim
110 permeabilidade do vcuo 1,257 x 1O-6H/m
Partculas
me massa de repouso do eltron 9,108 x 10- 31 kg
Mp massa de repouso do prton 1,672 x 10- 27 kg
Mn massa de repouso do nutron 1,675 x 1O-27kg
q valor absoluto da carga do eltron 1,601 x 10-19 C
Gases
Ro constante dos gases perfeitos 8,31 Jjmol-K
PARMETROS DE ALGUNS SEMICONDUTORES A 27C
Ge Si GaAs
22 22
Densidade (tomos/em") 4,42 x 10 5,00 X 10 2,21 X 1022
Constante da rede (nm) 0,556 0,543 0,565
Massa especfica (g/cm'') 5,32 2,33 5,32
Largura da faixa proibida (eV) 0,67 1,11 1,40
Concentrao intrnseca
(portadores/em") 2,40 x 1013 1,45 X 1010 9,00 X 106
2
Mobilidade (cm jY s):
Eltrons 3900 1350 8600
Buracos 1900 480 250
Constante dieltrica 16,3 11,7 12,0
Densidade efetiva de estados:
Faixa de conduo: Nc(cm-3) 1,04 x 1019 2,80 X 1019 4,70 X 1017
Faixa de valncia: N,,(cm-3) 6,00 x 1018 1,04 X 1019 7,00 X 1018
1 Consideraes clssicas sobre
a estrutu ra atm ica
--,~---
Au
+
<,
-, -,
<,
------[7---
/ e
/
/
/ (b)
/
Para explicar esse fato, Rutherford (1911) sugeriu que as partculas que
constituem o tomo no esto uniformemente distribudas, mas que toda a
carga positiva est concentrada em uma regio central (ncleo), enquanto que
a carga negativa est distribuda em torno da regio central.
Posteriormente, verificou-se que a regio central do tomo (ncleo) cons-
tituda por dois tipos diferentes de partculas, o prton, que possui uma carga
eltrica positiva, e o nutron, que no possui carga eltrica. As cargas negativas
distribudas em torno do ncleo foram associadas s partculas chamadas eltrons,
que possuem carga eltrica negativa. As cargas e massas dos trs tipos de part-
culas esto indicadas na Tab. 1.1.
Tabela 1.1
lei de
Rayleigh-Jeans
~
(!}
a:
w
z
w
COMPRIMENTO DE ONDA
Figura 1.3 Distribuio espectral da energia irradiada pelo corpo negro. A teoria ele-
tromagntica clssica conduz Lei de Rayleigh-Jeans, segundo a qual R). = 2n ckTr4
Para que a rbita seja estvel, a fora de atrao que o ncleo exerce sobre
o eltron deve ser equilibrada pela fora centrfuga resultante do movimento
de rotao; isto <*),
(Eq. 1.1)
onde
q a carga do eltron,
m a massa do eltron,
v a velocidade tangencial do eltron,
r o raio da rbita.
A energia total do eltron a soma da energia potencial e da energia cin-
tica; isto ,
mv2 q2
E = Ec + Ep = ----4- - (Eq. 1.2)
2 TCEO r
Vamos agora introduzir a restrio de que o momento angular deve ser
um nmero inteiro de h/2n:
mvr = nh/2n (Eq. 1.3)
<*)0 leitor deve observar que estamos usando o sistema MKS racionalizado, no qual a fora
de atrao entre duas cargas ql e q2 dada por F = Q1Q2/47CEor2, Caso estivssemos usando o sis-
tema no-racionalizado, teramos
Consideraes clssicas sobre a estrutura atmica 5
!!.E = E2 -
m
El = 8 ;h42
Eo
(~-4\n1 n2)
= hv. (Eq. 1.6)
o
v =
1 2,
8:;:3 (:2 - n
12) . (Eq. 1.7)
O resultado anterior, obtido por Bohr, est de pleno acordo com os resul-
tados experimentais. Na verdade, os espectroscopistas j haviam observado o
espectro do hidrognio, chegando a frmulas empricas que permitiam prever
as radiaes monocromticas emitidas. Essas frmulas eram usadas para cal-
cular, no o comprimento de onda ou a freqncia, mas o chamado nmero
de onda (freqncia da radiao dividida pela velocidade da luz). Rydberg, por
exemplo, mostrou que as sries observadas por Lyman, Balmer e Paschen podiam
ser enquadradas na frmula geral seguinte:
onde:
4
R' - ---.!!!L
- 8E~h3C
A constante R' que aparece na Eq. 1.10 concorda excepcionalmente bem
com o valor experimental (R) obtido por Rydberg.
Na Fig. 1.5 ilustramos algumas transies entre rbitas permissveis para
o tomo de hidrognio.
Neste ponto pode parecer que o problema est completamente resolvido.
Entretanto quando o espectro do hidrognio examinado com mais cuidado,
verifica-se que as linhas previstas pela teoria de Bohr so na realidade compostas
6 Introduo fsica dos semicondutores
EXERCCIOS
<*)1.1.Calcule, usando a Eq. 1.4, o raio da rbita de menor energia do tomo de hidro- .
gnio, o chamado raio de Bohr.
(*)1.2.Calcule as freqncias das radiaes correspondentes srie de Lyman e srie
de Balmer,
REFERNCIAS
BOHR, N., "On the Constitution of Atoms and Molecules", Phi/. Mag. 10, 91 (1905).
BOHR, N., "On the Quantum Theory of Radiation and the Structure of the Atom", ibid.,
30 (1915).
EINSTEIN, A., "Uber einen die Erzengung und Verwandlung des Lichtes be treffenden
heuristischen Gesichtspunkt", Ann. Physik 17, 132 (1905).
GEIGER, H. e E. MARSDEN, "On a Diffuse Reflection of the ct - Particles", Proc.
Roy. Soco 82, 495 (1909).
GEIGER, H. e E. MARSDEN, "The Laws of Deflection of (1. - Particles Through Large
Angles", Phil. Mag. 25, 604 (1913).
JEANS, J. H., "On the Partition of Energy between Matter and Aether", Phil. Mag. 10,
91 (1905).
(*IAs respostas e/ou sugestes para os exerccios em todo o livro, indicados com (*l,esto no
Iinal do livro
Consideraes clssicas sobre a estrutura atmica 7
PLANCK, M., "Uber das Gesetz der Energieverteilung in Normalspectrum", Ann. Physik 4,
553 (1901).
RAYLEIGH, J. W., "Remarks upon the Law of Complete Radiation", Phil. Mag. 49,
539 (1900).
RUTHERFORD, E., "The Scattering of IX - and f3 - Particles by Matter and the Struc-
ture of the Atom", Phil. Mag. 21, 669 (1911).
THOMSON, J. J., The Corpuscular Theory of Mat ter, (New York: Charles Scribner 's
Sons, 1907), 103.
BIBLIOGRAFIA
Beiser, A., Conceitos de Fsica Moderna (So Paulo: Editora Polgono, 1969).
Boorse, H. A. e Lloyd Motz, eds., The World of lhe Atom (New York: Basic Books, 1966).
Lopes, J. L., Introduo Teoria Atmica da Matria (Rio de Janeiro; Ao Livro Tcnico,
1959).
2 Noes bsicas de mecnica
quntica
h2 [82
2m
82
fi? + 8y2 + a?
82 J....
!/I(r, t) -Ver,
.... -+
t)l/I(r, t)
h 8 !/I (;, t)
= T -8-t -, (Eq. 2.3)
(*)No existe qualquer argumento terico que justifique a interpretao atribuda a t/t(;, t).
Por isso, aconselhamos o leitor a aceitar a Equao de Schroedinger da mesma forma como aceitou
a Lei da Gravitao Universal de Newton
10 Introduo fsica dos semicondutores
ou
h2 [ 82 82 82] _} _ _ li _ 8T(t)
T(t) - -
{ 2m 8x2
+- +- 1/1(1")- Ver) I/I(r) T(t) = -:-I/I(r) -, (Eq. 2.8)
8y2 8z2 I 8t
e, finalmente,
12 a2 ? ?
(Eq. 2.10)
- -
fi2 [ a2
2m
--2
x
a2
+ -2y + -2z
a 2
J _+ t/J(r) V(r) l/J(r) =
.
El/J(r), (Eq.2.11)
-fi2 8
[ --2 8 + -2
+ -2 8 ] l/J(r) + [ E- V(r) ] t/J(r) = O; (Eq.2.17)
2m x y z
f T(t)
t(7)* . t/J(7)
= e":",
dxdydz = 1;
(Eq. 2.18)
(Eq. 2.19)
EXERCCIOS
2.1. Calcule o comprimento de onda de um eltron que foi submetido a uma diferena
de potencial V.
2.2. Por que o modelo de Bohr no explica completamente os resultados experimentais?
2.3. Por que no podemos atribuir sentido fisico algum a t/t? Que significado dado
a 1 t/t12?
2.4. Se o eltron de um tomo de hidrognio substitudo por um mson pi negativo,
temos o chamado tomo pinico. Supondo que a teoria de Bohr se aplica ao tomo
pinico, calcule a freqncia da radiao emitida pelo mson pi ao passar do
primeiro estado excitado para o estado fundamental. (A massa do mson pi
igual a 273 me' onde me a massa do eltron).
<*)2.5. Considere uma partcula de massa m submetida a uma fora F que depende apenas
do deslocamento da partcula em relao a uma certa posio de equilbrio. Um
sistema desse tipo chamado de oscilador harmnico. Definindo a fora aplicada
partcula atravs da equao F = -kx, onde x o deslocamento da partcula
em relao posio de equilbrio e k uma constante de proporcionalidade,
possvel demonstrar que as funes de onda do sistema so dadas por
t/ln(x) = Ane-x2/2Hn(fax), n = 1,2, ... ,
onde
2
!X = :: e Hn o chamado polinmio de Hermite de ordem n.
REFERNCIAS
BIBLIOGRAFIA
Dicke, R. H. e J. P. Wittke, Introduction to Quantum Mechanics (New York: Addison-
-Wesley, 1960).
Gamow, G., Mr. Tompkins in Paperback (New York: Cambridge University Press, 1965).
Schiff, L. 1., Quantum Mechanics (New York: McGraw-Hill, 1965).
White, R. L., Basic Quantum Mechanics (New York: McGraw-HiIl, 1966).
3 Aplicaes da mecnica quntica
-q
Figura 3.1 Representao
tomo de hidrognio
esquemtica do <. Eletron
Nosso problema resolver a Eq. 2.3 para o sistema da Fig. 3.1. Sabemos
que, para o sistema representado, o potencial apenas funo de r e dado por
1 q2
V{r) = -- -' (Eq. 3.1)
47rEo r
n m ms
Cada um desses estados s pode ser ocupado por um eltron, devido ao impor-
tante princpio de excluso de Pauli. Esse princpio estabelece que num mesmo
sistema fisico dois eltrons no podem ocupar o mesmo estado. Em outras pa-
lavras, os quatro nmeros qunticos no podem ser iguais para dois eltrons.
Assim, por exemplo, se dois eltrons no mesmo tomo possuem os mesmos
valores de n, I e m, o valor de ms para esses eltrons no pode ser o mesmo; um
tem que ter ms = 1/2 e o outro ms = -1/2(*).
Em qualquer tomo a ordem de ocupao dos estados tal que a energia
total do tomo, isto , a soma das energias dos estados ocupados, a menor
possvel. De modo geral, isto significa que as diferentes camadas so ocupadas
sucessivamente, medida que aumenta o nmero de eltrons. Em certos ele-
mentos, entretanto, como a prata, o ndio, o estanho, etc., a interao entre os
eltrons favorece energeticamente a ocupao de uma camada antes que a ca-
mada anterior esteja completa.
Os diferentes estados dos eltrons de um tomo so designados de vrios
modos. A maneira mais conveniente, naturalmente, seria especificar os quatro
nmeros qunticos. Existem, entretanto, dois sistemas de nomenclatura que
datam dos primeiros dias da espectroscopia. O primeiro usado quando estamos
interessados apenas no nmero quntico principal. Nesse caso as camadas so
designadas por letras sucessivas do alfabeto, comeando pela letra K. Assim,
a camada K corresponde a n = 1, a camada L a n = 2, etc. O segundo usado
para especificar os nmeros qunticos n e l. Nesse sistema de nomenclatura,
cada grupo de estados indicado por um nmero e uma letra. O nmero o
nmero quntico principal. A letra indica o valor de l. Por motivos histricos,
os estados correspondentes a I = O so indicados pela letra s (do ingls sharp);
os estados em que I = 1 so indicados pela letra p (principal); os estados em
que I = 2 so indicados pela letra d (diffuse). Os estados em que I = 3 so indi-
cados pela letra f (fundamental). De I = 4 em diante, os estados so indicados
em ordem alfabtica, comeando pela letra g. Assim o grupo de estados 2p inclui
todos os estados em que n = 2 e I = 1; o grupo 5d compreende os estados em
que n = 5 e I = 2, etc., Na Tab. 3.2 vemos os estados normalmente ocupados
dos diferentes elementos.
Nmero quntico J O O 1 O 1 2 O 1
Notao espectroscpica Is 2s 2p 3s 3p 3d 4s 4p
Z Elemento
1 Hidrognio (H) 1
2 Hlio (He) 2
3 Ltio (Li) 2 1
4 Berlio (Be) 2 2
5 Boro (B) 2 2 1
6 Carbono (C) 2 2 2
7 Nitrognio (N) 2 2 3
8 Oxignio (O) 2 2 4
9 Flor (F) 2 2 5
10 Nenio (Ne) 2 2 6
11 Sdio (Na) 1
12 Magnsio (Mg) 2
13 Alumnio (AI) 2 1
14 Silcio (Si) Configurao 2 2
15 Fsforo (P) do nenio 2 3
16 Enxofre (S) 2 4
17 Cloro (C I) 2 5
18 Argnio (A) 2 6
19 Potssio (K) 1
20 Clcio (Ca) 2
21 Escndio (Sc) 1 2
22 Titnio (Ti) 2 2
23 Vandio (V) 3 2
24 Crmio (Cr) 5 1
25 Mangans (Mn) 5 2
26 Ferro (Fe) 6 2
27 Cobalto (Co) Configurao 7 2
28 Nquel (Ni) do argnio 8 2
29 Cobre (Cu) 10 1
30 Zinco (Zn) 10 2
31 Glio (Ga) 10 2 I
32 Germnio (Ge) 10 2 2
33 Arsnio (As) 10 2 3
34 Selnio (Se) 10 2 4
35 Bromo (Br) 10 2 5
36 Criptnio (Kr) 10 2 6
Aplicaes da mecnica quntica 17
Nmero quntico I. 2 3 O 1 2 O
Notao espectroscpica 4d 4f 5s 5p 5d 6s
Configurao
Z Elemento das camadas
internas
37 Rubdio (Rb) 1
38 Estrncio (Sr) 2
39 trio (Y) 1 2
40 Zircnio (Zr) Configurao 2 2
41 Nibio (Nb) do criptnio 4 1
42 Molibdnio (Mo) 5 1
43 Tecncio (Tc) 6 1
44 Rutnio (Ru) 7 1
45 Rdio (R h) 8 1
46 Paldio (Pd) 10
47 Prata (Ag) 1
48 Cdmio (Cd) 2
49 ndio (In) Configurao 2 1
50 Estanho (Sn) do paldio 2 2
51 Antimnio (Sb) 2 3
52 Telrio (Te) 2 4
53 Iodo (I) 2 5
54 Xennio (Xe) 2 6
55 Csio (Cs) 1
56 Brio (Ba) 2
57 Lantnio (La) 2
58 Crio (Ce) 2 2
59 Praseodmio (Pr) 3 2
60 Neodmio (Nd) 4 2
61 Promcio (Pm) 5 As camadas 2
As camadas Is
62 Samrio (Sm) 6 5s a 5p 2
a 4d contm
63 Eurpio (Eu) 7 contm 8 2
46 eltrons
64 Gadolnio (Gd) 7 eltrons 1 2
65 Trbio (Tb) 8 1 2
66 Disprsio (Dy) 9 1 2
67 Hlmio (Ho) 10 1 2
68 rbio (Er) 11 1 2
69 Tlio (Tm) 12 1 2
70 Itrbio (Yb) 13 1 2
71 Lutcio (Lu) 14 1 2
18 Introduo fsica dos semicondutores
72 Hfnio (Hf) 2 2
73 Tntalo (Ta) 3 2
74 Tungstnio (W) As camadas 4 2
75 Rnio (Re) 15a 5p contm 5 2
76 smio (Os) 68 eltrons 6 2
77 Irdio (Ir) 9 O
78 Platina (Pt) 9 1
79 Ouro (Au) 1
80 Mercrio (Hg) 2
81 Tlio (TI) 2 1
82 Chumbo (Pb) 2 2
83 Bismuto (Bi) 2 3
84 Polnio (Po) 2 4
85 Astatnio (At) As camadas 2 5
86 Radnio (Rn) 1s a 5d contm 2 6
87 Frncio (Fr) 78 eltrons 2 6 1
88 Rdio (Ra) 2 6 2
89 Actnio (Ac) 2 6 1 2
90 Trio (Th) 1(-) 2 6 1(2) 2
91 Protactnio (Pa) 2(1) 2 6 1(2) 2
92 Urnio (U) 3 2 6 1 2
93 Netnio (Np) 5(4) 2 6 -(1) 2
94 Plutnio (Pu) 6(5) 2 6 -(1) 2
95 Amercio (Am) 7 2 6 2
96 Crio (Cm) 7 2 6 2
97 Berqulio (Bk) 9 2 6 2
98 Califrnio (Cf) 10 2 6 2
99 Einstenio (Es) 11 2 6 2
100 Frmio (Fm) 12 2 6 2
101 Mendelvio (Md) 13 2 6 2
102 Noblio (No) 14 2 6 2
103 Laurncio (Lw) 14 2 6 1 2
choque com outra partcula. Depois de um certo tempo, o tomo volta espon-
taneamente ao estado fundamental, emitindo o excesso de energia sob a forma
de radiao eletromagntica.
Assim os tomos de um elemento, quando excitados, emitem ondas eletro-
magnticas com comprimentos de onda bem caractersticos, que variam de
elemento para elemento. O conjunto de radiaes emitidas pelos tomos de um
elemento chamado de espectro do elemento.
Aplicaes da mecnica quntica 19
3.2. GS DE FERMI
Duas razes importantes justcam o estudo do Gs de Fermi neste livro.
Em primeiro lugar, o Gs de Fermi um exemplo simples e ilustrativo da apli-
!*lNo-ionizado
20 Introduo fsica dos semicondutores
E lt ron de
/ Valncia
I I
1,( BARREIRAS ~ I
I INFINITAS DE POTENCIAL I
I I Figura 3.5 Gs de Fermi em uma dimenso
I I
I v=o I
x-o X=L
Nosso problema resolver a Equao de Schroedinger (Eq. 2.17) para o
caso em que V = O no interior da Iinhav", Nesse caso, temos
2
~ d ljJ(x) + Et/J(x) = O. (Eq. 3.3)
2m dx2 .
Como a funo de onda ljJ(x) uma funo contnua e como t/J(x) deve ser
zero para x ::5 O e para x 2: L. j que o eltron no pode atravessar uma bar-
reira infinita de potencial, a soluo da Eq. 3.3 deve satisfazer s condies
(*JA condio V = O significa que o eltron est livre
Aplicaes da mecnica quntica 21
de contorno:
1/1(0) = I/I(L) = O. (Eq. 3.4)
_ f2 (nn)2.
E --- (Eq. 3.8)
n 2m L
Portanto
s:
2m
d
2
t/1n(x)
dx2
= ~[_
2m
nn
2 2
L2
A seu nnx] =
L
=-
f2 (
[ 2m
tt
"T. )2J nn:x
AsenL=-Enl/ln(x).
(Eq. 3.11)
22 Introduo fsica dos semicondutores
1 2
=-=-) (Eq. 3.13)
L L
2
(Eq. 3.14)
E" h2.(nrr)2
= 2m L n = 1,2,3,... (Eq. 3.16)
(Eq. 3.18)
dn
-=m
dEn
(L)2
-'-
1th
1
_.
n
(Eq. 3.19)
D(E) = 2~
. rlEn
= 2m(Lnh)J2 .Ln = 4L (m.)1/2 ,
21th 2E
(Eq, 3.20)
ou, finalmente,
L
D(E) = - - !2;;;
1th V""'"
E-
.
1/2. (Eq. 3.21)
O(E}
EF E
(*)Embora no seja estritamente vlida, j que, como vimos, o nmero n s pode assumir va-
lores inteiros, essa aproximao usada em muitos problemas de Mecnica quntica e em geral
conduz a resultados corretos
24 Introduo fsica dos semicondutores
---..,.,
,,
,/
,/
---(
,
I I Figura 3.7 Gs de Fermi em trs dimenses
h
2
2m 8x2
[8 2
8 8 2
+ 8y2 + 8z2 ]
2
E n --
h2 n 2 [ 2
-2 ma 2 nx + ny2 + n;2J , (Eq. 3.25)
onde
Fica a cargo do leitor verificar que as funes de onda (Eq. 3.24) satisfazem
equao de Schroedinger (Eq. 3.22).
Para calcularmos a constante A usamos a condio de normalizao seguinte:
A2 ai
O
n nx
sen2-X--dx
a
ia o
n ny
sen2-Y-dy
a
ia o
nznz
sen2--dz
a
= l. (Eq. 3.27)
(Eq. 3.28)
e conseqentemente
nx ttx n
[ffzzsen--sen-Y-sen-- It y Itz tez
I/Iix,y,z) = (Eq. 3.29)
a a a a
Assim o estado de um eltron confinado a uma regio tridimensional carac-
terizado por quatro nmeros qunticos: trs nmeros qunticos espaciais, nx,
n nz, que podem assumir os valores 1,2,3, ... e um nmero quntico de spin,
y,
(Eq. 3.30)
11
2
x
+ 112 + 112 = 2ma
y
--E
2 2
z hn
2
= [~a
hn
E1/2J2 . (Eq. 3.31)
E = ete.
ny
26 Introduo fsica dos semicondutores
n 1 43
= 2-'-nR =- a3 [2mJ3
_
/ 2
E3/2 (Eq. 3.33)
<E 8 3 3n2 h2 '
EXERCCIOS
3.1. Faa uma lista dos estados possveis de um eltron de um tomo cujo nmero qun-
tico principal 3.
3.2. Mostre que a energia de Fermi do Gs de Fermi em uma dimenso dada por
E F
=~
2m
(Nn)2,
2L
onde N o nmero total de eltrons.
3.3. Neste captulo, para obtermos as densidades de estados nos casos unidimensional
e tridimensional, consideramos a energia como uma funo de n. Analise cuida-
samente a validade dessa aproximao.
3.4. Estude o comportamento de um Gs de Fermi confinado a uma semi-esfera de centro
na origem dos eixos cartesianos, raio R e face plana apoiada no plano xy (z ~ O).
REFERNCIAS
SHERWIN, C. W., Introduction ta Quantum Mechanics (New York: Holt, Rinehart and
Winston, 1966), Capo 4.
BIBLIOGRAFIA
Kittel, C; Introduction to Solid State Physics (New York: John Wiley, 1967), Capo 7.
4 Noes de cristalografia
/ / /
/ / /
/ /
A'"'<,
'/ tomo / / ./
/ / / /' / / /
/ / 1/ --:
-o
(b) / V V
l/ / V V V V
/ / V / V /
V V 1/ V V /
(a) (c)
Figura 4.2 A estrutura cristalina que aparece em (c) formada associando-seum tomo
(b) a cada ponto de uma estrutura puramente geomtrica (a)
/I / /
/ 1/ / / CI
V / 7
Na
( b)
i/ 1/ 1/
'/ / /
/ V /
(a) (c)
Figura 4.3 Cristal de cloreto de sdio. (a) rede cristalina; (b) base; (c) cristal completo
importante observar que o mesmo cristal pode ser representado por mais
de uma redecristalina. Nesse caso, naturalmente, as bases associadas a cada
rede sero diferentes.
,I
Figura 4.4 Gerao de uma rede cris-
Y talina pela translao de um cubo
D[]DO(a) (bl
a ;i b ;i c
(e) (d)
0\ = f3 = ~ = 90'
Figura 4.7 Sistema ortorrmbico; (a) ortorrmbico simples; (b) ortorrmbico de bases
centradas; (c) ortorrmbico de corpo centrado; (d) ortorrmbico de faces centradas
(a) (b)
a t- b t- e a ;.b ; c
01 =~ = 90;fo rXt:f3t:1
Figura 4.8 Sistema monoclnico; (a) monoclinico Figura 4.9 Sistema triclnico
simples; (b) monoclnico de bases centradas
uma clula unitria com os tomos devidamente posicionados, j que uma
estrutura desse tipo capaz de gerar todo o cristal por translao. Por que,
ento, nos darmos ao trabalho de definir separadamente uma rede cristalina e
uma base? A razo que em um tratamento matemtico mais profundo dos
cristais, a definio do cristal pela rede e pela base torna as equaes mais simples.
30 Introduo fsica dos semicondutores
a = b ;t e
o( = f3 = 90
oI.={J=6 < 120,;, 90 t" 120
Figura 4.10 Sistema trigonal Figura 4.11 Sistema hexagonal
Por outro lado, como estamos interessados apenas nas aplicaes da cris-
talografia ao estudo das propriedades dos materiais semicondutores, vamos nos
ater representao das clulas unitrias j com os tomos posicionados, o que
permite uma visualizao mais simples da estrutura cristalina. A Fig. 4.12 ilustra
o que acabamos de explicar.
Cr
(a) (e)
Figura 4.12 (a) Clula unitria cbica de corpo centrado; (b) base a ser associada
rede cristalina; no caso, tomo de cromo; (c) clula unitria do cromo com os tomos
posicionados
Cs
~-----
Cs Cs
'---~------.CS
Cs Cs
Figura 4.13 Estrutura cristalina do alumnio Figura 4.14 Estrutura cristalina do
cloreto de csio
Noes de cristalografia 31
A Fig. 4.16 mostra a parte inferior esquerda da Fig. 4.15, onde esto loca-
lizados os tomos A, B, C, D e E. .
Os tomos B, C, D e E formam um tetraedro regular, com o tomo A exa-
tamente no centro. Assim, o tomo A est mesma distncia dos quatro tomos
mais prximos, B, C, D e E. Como veremos mais tarde, entre o tomo A e os
tomos B, C, D e E existe uma ligao especial, chamada ligao cova lente, que
mantm os tomos firmemente presos rede cristalina. Essa ligao, que no
caso de cristais como o diamante, o germnio e o silcio tambm chamada
de ligao tetradrica (porque os tomos vizinhos de qualquer tomo consi-
derado formam um tetraedro) tem uma profunda influncia sobre as proprie-
dades dos materiais semicondutores.
(*>Chamamos a ateno do leitor para a diferena extraordinria entre o carbono na sua forma
cristalina (diamante) e amorfa (grafita)
32 Introduo fsica dos semicondutores
As
I)-------Q As
Como vimos, a clula unitria deve ser transladada ao longo de trs di-
menses mutuamente perpendiculares para gerar o cristal no espao. Assim um
tomo como Ai' localizado no vrtice do cubo, pertence simultaneamente a
8 clulas adjacentes. Para efeito de clculo, apenas 1/8 desse tomo pertence
clula unitria da Fig. 4.17. Como existem 8 vrtices, a contribuio dos tomos
dos vrtices para uma clula unitria igual a 8 x 1/8 = 1 tomo.
Por outro lado, o tomo A9' localizado no centro do cubo, pertence exclu-
sivamente clula da ilustrao. Assim, o nmero total de tomos pertencentes
clula dado por: N = 1 (contribuio dos tomos dos vrtices) + 1 (con-
tribuio do tomo central) = 2 tomos.
Como o volume da clula a3, onde a a constante de rede, o nmero de
tomos por unidade de volume de um cristal como o da Fig. 4.17 igual a 2/a3
Vamos agora calcular o nmero de tomos por unidade de volume para
os materiais que nos interessam mais de perto, o germnio e o silcio, cuja estru-
tura cristalina a representada na Fig. 4.15.
No caso da estrutura da Fig. 4.15, cada tomo situado no vrtice do cubo
pertence simultaneamente a 8 clulas, exatamente como o exemplo anterior.
Assim a contribuio total dos tomos dos vrtices igual a 1 tomo.
Os tomos situados nos centros das faces do cubo pertencem a duas clulas
vizinhas; como existem faces, a contribuio total para uma clula igual a
6 X 1/2 = 3 tomos.
Os 4 tomos situados no interior da clula pertencem exclusivamente
clula considerada.
Noes de cristalografia 33
Constante
Substncias Nmero de tomos/cm3
de rede (nm)*
-y
B y
3a
x
/
/
Figura 4.21 Plano com trao no semi-
-eixo negativo
y
a
X/2a
36 Introduo fsica dos semicondutores
y T
aF---Y a
x (c)
x (d)
Figura 4.22 Alguns planos de um cristal cbico: (a) plano (100), (b) plano (O2 O),
(c) plano (1 1 1), (d) plano (2 O O)
c
p
n
z
5a
4a
2a 3a
y
3a
x
z
PLANO P: (100) PLANO P: (1 1 1 )
DIREO DO EIXO DOS X: [100] DIREO d: [111]
y y
seria muito mais simples defini-lo pelas coordenadas dos seus traos? Na ver-
dade, a importncia dos ndices de Miller est intimamente relacionada ao
conceito de rede recproca, que infelizmente foge ao escopo deste livro. Mesmo
assim, fizemos questo de definir os ndices de Miller para que o leitor possa
Noes de cristalografia 39
A Fig. 4.27 uma vista de perfil do cristal da Fig. 4.26, que mostra como
os raios X so difratados pelo conjunto de planos paralelos P l' P 2' ... do cristal.
Como vemos na Fig. 4.27, os raios so refletidos pelos tomos localizados
nos planos P I' P 2' .. e em seguida so registrados em uma placa fotogrfica.
Chamando de d a distncia entre os planos e de ()o ngulo entre o feixe incidente
e o conjunto de planos paralelos, a distncia entre os pontos de incidncia no
filme de dois raios refletidos por planos vizinhos, como P e P igual a (d cos 8).
1 2'
fator de forma, uma medida do poder de espalhamento dos tomos que cons-
tituem a base. Para uma discusso elementar desses dois fatores, consulte por
exemplo Kittel (1967). Um estudo mais completo pode ser encontrado em
Azaroff (1968).
EXERCCIOS
<*)4.1.O ouro tem uma massa especfica de 19,32g/cm", um peso atmico de 197,0 e
uma estrutura cbica de faces centradas. (a) Calcule o nmero de tomos de ouro
por centmetro cbico; (b) Calcule a constante de rede.
4.2. O sistema tetragonal de faces centradas equivalente a um dos 14 tipos de rede
cristalina ilustrados nas Figs. 4.5 a 4.11. Qual esse tipo?
4.3. Calcule a distncia entre dois tomos vizinhos em um cristal de silcio.
<*)4.4.Calcule o valor do ngulo existente entre as ligaes tetradricas de um cristal
de Si. Esse valor difere para o caso do Ge e do diamante?
4.5. Prove que em um cristal cbico o plano definido pelos ndices (hkl) sempre per-
pendicular direo [hklJ.
4.6. Mostre as posies atmicas do Ga e do As nos planos (11 O) e (1 OO) de um cristal
de GaAs.
<*)4.7.Quais os planos que contm os trs tipos de direes de baixo ndice, [10 OJ,
[110J e [111]?
4.8. Em uma experincia de difrao, quais as condies que devem ser satisfeitas
para que se tenha uma imagem na chapa fotogrfica, correspondente a um con-
junto de planos paralelos?
4.9. Lembrando que a luz visvel est na faixa de comprimentos de onda de 400 a
800 nm, explique por que no se pode usar luz visvel para estudar a rede cris-
talina de um cristal por difrao.
REFERNCIAS
AZAROFF, L. V., Elements of X-Ray Crystallography (New York: McGraw-Hill, 1966),
Cap.8.
BRAGG, W. L., "Structure ofSome Crystals as Indicated by their Diffraction ofX-Rays",
Proc. Roy. Soco A 89, 248 (1913).
KITIEL, C., lntroduction to Solid State Physics (New York: John Wiley, 1967), Capo 2.
BIBLIOGRAFIA
Kittel, C; Introduction to Solid State Physics (New York: John Wiley, 1967),Capo I.
Wang, S., Solid State Electronics (New York: McGraw-HiIl, 1966), Capo 2.
5 Aplicao da mecnica quntica
a um cristal
(Eq. 5.1)
(Eq. 5.2)
Vamos agora demonstrar que a soluo da Eq. 5.2 pode ser escrita na forma
onde l/t 1(r 1)' l/tir 2)' ... , l/tk(rk), ... ,l/tll(rll) satisfazem a equaes do tipo
Para isso vamos substituir a Eq. 5.3 na Eq. 5.2. Fazendo isso, temos
~ {-
, 2m
h2 [ 82
-3
Xi
2
2
+ ~8 + ~8
uy,
2
UZi
J ~ -->
l/t 1(r 1) . t/I z{r 2) ... t/I kk)
-->
...
Aplicao da mecnica quntica a um cristal 43
(Eq. 5.6)
(Eq. 5.7)
(Eq. 5.8)
onde Ver) o potencial no qual o eltron est se movendo (potencial dos ncleos
dos tomos do cristal) e o ndice k serve para distinguir as diferentes solues.
A Eq. 5.12 se aplica a qualquer eltron do cristal, isto , o somatrio da Eq. 5.1
foi transformado em um sistema de n equaes idnticas, quando desprezamos
o termo V2(r'i). Assim podemos estudar o movimento de cada eltron como se
ele estivesse sozinho na rede cristalina (ncleos) e da o nome de aproximao
de "um eltron".
Devido regularidade da disposio dos ncleos em um cristal, o potencial
V(r) peridico no espao. Essa periodicidade, por sua vez, impe certas res-
tries forma das solues da Eq. 5.12. Essas restries so expressas pelo
Teorema de Bloch, que demonstrado no Apndice A.
O Teorema de Bloch diz que a soluo mais geral da equao de Schroedinger
para um eltron em um cristal da forma
-), ik'--;"-+
I/Ik(r) = e J1k (r), (Eq. 5.13)
onde J1k (r) uma funo com a mesma periodicidade espacial que a rede cris-
talina.
A nica restrio imposta funo J1k (r') pelo Teorema de Bloch que
ela deve ter a periodicidade da rede cristalina. Sua forma detalhada depende
da forma do potencial V(r') da Eq. 5.12. Vamos agora examinar o caso simples de
um cristal de uma dimenso apenas e verificar qual a forma assumida pela funo
J1k (r').
V(r)
vrx:
(Eq. 5.15)
v I)X
Vo
- -
-b
-
o a
- -
- x
F(~a)
I I I
TT 2TT 3if
vi
Figura 5.5 Energia E dos el-
trons em funo de ka
C
I
I
~D
E vl'
:
I
. I
I
I
I
II
I
I
I
B I I I
EXERCCIOS
5.1. Forme um determinante com os coeficientes A, B, C e D das Eqs. 5.18 e 5.20. Em
seguida, forme um novo determinante somando e subtraindo as colunas da seguinte
forma: l' = (1-2)/2i; 2' = (1 + 2)/2; 3' = (3 + 4)/2; 4' = (4-3)/2, onde os nmeros
1,2,3 e 4 representam as colunas do antigo determinante e os nmeros 1',2',3' e 4'
representam as colunas do novo determinante. Prove a Eq. 5.21 expandindo o novo
determinante.
5.2. Faa um grfico de F(f3a) = (p/fJa) sen fJa + cos fJa, Eq. 5.22, em funo de fJa, para
p = 3n/2, como na Fig. 5.4. Em seguida, use o grfico para obter os valores de ka
para vrios valores de fJa. Use os valores de ka e fJa para traar o grfico de
E = fJ2a2/n2 em funo de ka (Fig. 5.5).
5.3. Explique a diferena entre os nveis permitidos de energia em um tomo e os nveis
permitidos de energia em um cristal.
REFERNCIAS
KRONIG, R. e PENNEY, W. G., Proc. Roy. Soco 130, 499 (1931).
BIBLIOGRAFIA
B!att, F. J., Physics of E/ectronic Conduction in Solids (New York: McGraw-Hill, 1968),
Cap.4.
Hunter, L. P., "Electronic Conduction in Solids", in Handbook of Semiconductor Elec-
tronics (New York: McGraw-Hill, 1962).
6 Propriedades bsicas dos materiais
semicondutores
Hlio K2
Nenio K2U
Argnio K2L8M8
Criptnio: K2L8M18NB
Xennio K2L8M18N1808
Radnio : K2L8M18N32018p8
II II
-=O=O=O~Covalente
II /EI~trons da ligao
-= OII= O11);
= 0=11 ou ~
II II II
Figura 6.3 Representao bidimen-
sional do um cristal do Si ou oe
=0=0=0=
II II II
Repare que a representao bidimensional reproduz corretamente as po-
sies relativas dos tomos e ligaes covalentes, mas que os ngulos entre as
ligaes so alterados. Entretanto esses ngulos no so importantes para as pro-
priedades que vamos estudar. .
II II II
-=0"=0,, ~~ I
eL~~:~~~nJ~~:lente
Incompleta
I
-=O=O=O=-
Figura 6.4 Quebra de uma ligaO" " "
covalente
=O=O=O=-
II II II
(*)Fenmeno conhecido como gerao trmica e estudado no pargrafo 6.3.1
52 Introduo fsica dos semicondutores
Em conseqncia, um dos eltrons ficou livre para vagar por todo o cristal,
e ficou um "vazio" em uma das ligaes covalentes do cristal. A ausncia do
eltron na ligao covalente est representada por uma linha tracejada. Esse
"vazio" chamado de buraco. Os buracos tambm podem servir para o trans-
porte de cargas, pelo mecanismo que explicaremos em seguida. .
Quando uma ligao covalente est incompleta, isto , quando existe um
buraco, o eltron de um tomo vizinho pode deixar sua ligao covalente e vir
preencher esse "vazio". Com isso, entretanto, o eltron deixa um buraco em
sua posio original, que por sua vez pode ser preenchido por outro eltron.
Assim um buraco pode "caminhar" por um cristal, na direo contrria do
movimento dos eltrons que procuram "ench-lo".
No que se refere ao transporte de cargas, o buraco se comporta como uma
carga positiva, com o mesmo valor absoluto da carga do eltron. Na verdade,
para simplificar o estudo, podemos considerar o buraco como uma entidade
real; preciso ter sempre em mente, entretanto, que se trata de um artificio e
que os buracos no passam de "vazios" nas ligaes covalentes do cristal. Outro
ponto que vale a pena destacar o seguinte: o movimento dos eltrons e o mo-
vimento dos buracos se realiza de modo diferente - enquanto os eltrons ca-
minham no cristal de forma mais livre, os buracos s podem passar de ligao
covalente para ligao covalente. por isso que a velocidade com que os el-
trons se movem no interior do cristal em geral maior do que a dos buracos':".
tidade de energia. Essa energia pode ser irradiada (emisso de ftons) ou absor-
vida pela rede cristalina (emisso de fnons).
Embora os mecanismos da recombinao sejam bastante complexos, o fe-
nmeno pode ser descrito por uma equao fenomenolgica bastante simples:
Como o processo de recombinao depende da presena simultnea de um eltron
e um buraco em um mesmo ponto do cristal, a taxa de recombinao, R, pro-
porcional s concentraes de eltrons e buracos no cristal, isto ,(*)
R = np (Eq. 6.1)
onde R a taxa de recombinao, n e p so as concentraes de eltrons e bu-
racos, respectivamente, e IX um parmetro que depende da temperatura e do
mecanismo de recombinao considerado.
A Eq. 6.1 chamada de Lei da Ao das Massas, por analogia com a lei
que descreve a evoluo das reaes qumicas.
/
--
e 6.6 mostram as representaes esquemticas dos tomos dessas impurezas.
/' <,
"-
; \
Figura 6.5 Representao esquemtiea do tomo de
I Q ~ uma impurezapentavalente.Esto indicadosos cinco
I V I eltrons de valncia e a carga positiva equivalente asso-
ciada parte central do tomo. Nessa categoria esto
\ / fsforo, arsnio, o antimnio, ete.
---
'\ /
..... ~
..- ---..
/ "- Figura 6.6 Representao esquemtica do tomo de
/ \ uma impureza trivalente. Esto indicados os trs eltrons
I @) T de valncia e a carga equivalente associada parte
central do tomo. Nessa categoria esto o boro, o alu-
\ / mnio, o glio, o ndio, etc.
\....
-- .-/
/
(a) (b)
Figura 6.9 Faixas de energia (a) nos metais; (b) nos isolantes
suficiente para passarem para a faixa de conduo. Nesse caso as ligaes co-
valentes se mantm intactas.
Quando aumentamos a temperatura, entretanto, alguns eltrons adquirem
energia suficiente para transporem a faixa proibida e passarem para a faixa de
conduo, deixando buracos na faixa de valncia.
As Figs. 6.1O(a),(b) e (c) mostram o que acontece nos trs tipos de semi-
condutores.
Semicondutor
Impurezas
Silcio Germnio
D p 0,044 0,0120
O
A As 0,049 0,0130 Conduo
D
O Sb 0,039 0,0096
R
A Li 0,033 0,0010 Valncia
S
A B 0,045 0,010
C
E
I AI 0,057 0,010 Conduo
T
A
D Ga 0,065 0,011
._------.-- ---1
O Valncia
R
A In 0,160 0,011
S
II
-O====O-O=-
II II
Figura 6.11 Eltron de massa real mo deslo-
cando-se no interior de um cristal semicon-
/I 11~ll
-=O====O-O===-
dutor sob o efeito de um campo eltrico
externo. Devemos aplicar as leis da Mecnica
II II
quntica 11
TI
r+:
E
E
Na prtica, as massas efetivas so determinadas com o auxlio da resso-
nncia de ciclotron dos eltrons e buracosv" (Lax e Mavroids, 1960). .
Voltaremos ao conceito de massa efetiva no Capo 8, quando calcularmos
as concentraes de eltrons e buracos em um semicondutor.
EXERCCIOS
6.1. Verificamos a possibilidade da introduo de impurezas em um material sernicon-
dutor, transformando-o em um semicondutor tipo P ou tipo N, dependendo do
<*)0 nome "ressonnciade ciclotron" provm do fato de que os eltrons e buracos descrevem
rbitas circulares no interior do cristal, sob o efeito de campos eltricos e magnticos. O mesmo
ocorre com as partculas carregadas no interior de um "ciclotron" (acelerador de partculas)
60 Introduo fsica dos semicondutores
REFERNCIAS
CONWELL, E. M., "Properties of Silicon and Germanium", Proc. IRE 46, 1281 (1958).
LAX, B. e J. G. MAVROIDS, "Cyclotron Resonance" in F. Seitz and D. Turnbull (eds.),
Solid State Physics, Vol. 11 (New York: Academic Press, 1960).
SHOCKLEY, W., Electrons and Holes in Semiconductors (New York: Van Nostrand, 1950).
TRUMBORE, F. A., "Solid Solubilities ofImpurity Elements in Germanium and Silicon",
Dell Syst. Tech. J. 39, 205 (1960).
BIBLIOGRAFIA
Gibbons, J. F., Semiconductor Electronics (New York: McGraw-Hill, 1966), Capo 4.
Grove, A. S., Physics and Technology of Semiconductor Devices (New York: Jobn Wiley,
1967), Capo 5.
7 Distribuies estatsticas
~ ~ 11 PARTI ~ARTI
~ ~
(b)
llU ~
Figura 7.1 Diferentes modos de distribuir trs par-
~ LU tculas entre dois estados. (a) partculas distintas. (b)
partculas idnticas. No caso (b), como no podemos
LU ~I distinguir entre as partculas, indicamos apenas o
(a) nmero de partculas em cada estado
(*)0 leitor deve observar que estamos permitindo que mais de uma partcula ocupe o mesmo
estado, isto , estamos ignorando o Princpio de Excluso de Pauli
'**ICZ' representa combinao de N elementos N, a N,
Distribuies estat sticas 63
Vamos introduzir agora duas hipteses adicionais que podem ser deduzidas
rigorosamente no contexto da termodinmica, mas que so suficientemente
intuitivas para serem aceitas sem demonstrao:
d) Quando o sistema est em equilbrio, a distribuio de partculas entre
os diferentes estados a mais provvel.
e) A distribuio mais provvel de partculas a que pode ser obtida maior
nmero de vezes, isto , a que maximiza o valor de W na Eq. 7.l.
Estamos agora de posse de todas as informaes necessrias para che-
garmos chamada distribuio de Boltzmann. Essa distribuio tambm
chamada de distribuio clssica, pois ignora o Princpio de Excluso de Pauli.
Vamos recordar as hipteses que conduzem distribuio de Boltzmann:
a) as partculas so distintas;
b) o nmero total de partculas conservado;
c) a energia total conservada;
d) em equilbrio, a distribuio de partculas a mais provvel;
e) a distribuio mais provvel a que maximiza W.
Nosso problema portanto maximizar a funo W (Eq. 7.1) usando como
condies adicionais
N1 + Nz + N3 ... + ... + N" = I:N; = Nmero total de partculas =
= Constante; (Eq.7.2)
N', EI + NzEz + N3E3 + ... = 'LNjEj = Energia total =
= Constante,
(Eq. 7.3)
onde E, a energia do estado i.
Um artificio bastante conveniente para facilitar o desenvolvimento mate-
mtico maximizar ln W<*) em lugar de W, o que evidentemente no altera a
soluo do problema.
A condio necessria para que ln W seja mximo
dlnW = "L. JlnW
aNo dN = O. j
(Eq. 7.4)
I ,
Neste ponto temos que fazer alguns comentrios sobre o problema ma-
temtico que enfrentamos. Suponhamos que queremos maximizar urna funo
f(x, y, z).
Ora, sabemos que
f af af
df = ax dx + ay dy + az dz.
Se os incrementos dx, dy e dz so independentes, a condio necessria
para que f seja mxima
af = af = af = O
x ay z .
No nosso caso, queremos maximizar lnW, mas os incrementos dNi no so
independentes, pois devem satisfazer s Eqs. 7.6 e 7.7. bvio portanto que
no podemos anular diretamente as derivadas de lnW em relao s variveis
Ni, como fizemos para encontrar o mximo da funo f(x, y, z).
Torna-se ento necessrio utilizar um artifcio, os chamados coeficientes
indeterminados de Laqranqe. A idia transformar o problema para o caso mais
simples em que os incrementos so independentes entre si.
Vamos multiplicar as Eqs. 7.5 e 7.6 por Il( e 13, respectivamente, e somar
o resultado Eq. 7.5. Fazendo isso, obtemos
alnW
~ [ aN + r:t. + f3Ei ] dNi = O. (Eq. 7.7)
i
alnW
aN + (:I. + f3E2 = O.
2
.I
t* 1,2
[8~~+ t
r:t. + f3EiJ dNi = o, (Eq. 7.8)
<*lEstritamente falando, a Eq. 7.9 s vlida para i = 3,4,5, ... ; entretanto assim como esco-
lhemos os incrementos dN 1 e dN 2' poderamos ter escolhido qualquer outro par de incrementos;
assim a equao pode ser aplicada, qualquer que seja o valor de i
Distribuies estatfsticas 65
z
66 lntroduo fsica dos semicondutores
e portanto
NTmg
A=-- (Eq. 7.17)
kT
De acordo com as Eqs. 7.16 e 7.17, a distribuio de energia potencial das
molculas de um gs perfeito dada por
N - N mg
_T __ -mgzlkT
(Eq. 7.18)
Z - kT e
El
{N 1 estados
n 1 partculas
E2
{N z estados
n2 partculas
:
Ei {Nnii estados
partculas
n. = Nj (Eq. 7.22)
I 1 + ea-fJE,
Fazendo f = N.'
n
I
vemos que f corresponde probabilidade de encon-
trarmos ni partculas com energia E, (para a qual existem N, estados).
De acordo com a Eq. 7.22, temos
n. 1
f = r-Ji = 1+ ea-fJEi
1
Novamente possvel mostrar que fJ = - kT' obtendo-se ento
1
f = 1+ ea+E;/kT
()(~_EF.
kT
N esse caso, temos
ou eliminando o ndice i:
1
(Eq. 7.23)
f = 1+ elE EF)/kT
fIE)
o E
EXERCCIOS
n(z) = Ae-rngz/kT
REFERNCIA
KITTEL, c., Elementary Statistical Mechanics (New York: John Wiley, 1958).
BIBLIOGRAFIA
Blakemore, J. S., Semiconductor Statistics (New York: Pergamon Press, 1962).
Mayer, J. E. e M. G. Mayer, Statistical Mechanics (New York: John Wiley, 1950).
8 Aplicao da distribuio de
Fermi-Dirac a um material
semicondutor
onde tomamos como referncia de energia o topo da faixa de valncia (Fig. 8.2).
Repare que a -Eq. 3.35 foi deduzida para o Gs de Fermi. O que fizemos
foi supor que o efeito do cristal sobre os portadores pode ser descrito por uma
massa efetiva, me' usada em lugar da massa "real", m (veja o pargrafo 6.6).
Ora, conhecendo a probabilidade de ocupao dos estados da faixa de
conduo, f(E), e a densidade de estados disponveis nessa mesma faixa, D(E),
podemos calcular a concentrao de portadores, n, atravs da equao: .
n = 1 00
EG
D(E)f(E) dE. (Eq. 8.6)
72 Introduo fsica dos semicondutores
Faixa de
- f-
Conduo
Nvel de
-- -- - f-
Fermi/
Faixa de
Valncia
Figura 8.2 Diagrama ilustrando a referncia de ener-
gias (topo da faixa de valncia)
(Eq. 8.7)
(Eq. 8.8)
(Eq. 8.10)
A Eq. 8.10 pode ser usada para calcular a concentrao de eltrons a partir
dos parmetros do material considerado. A Eq. 8.10 em geral escrita na forma
(Eq. 8.11)
onde
N = 2 2nmh2e kT)3/2 (Eq. 8.12)
c (
D (E)
v.
= _1_
2n2
(2m12h)3/2(_E)1/2.' (E 8 14)
q. .
Faixa de
ConduFo
8.2.2. Produto np
Multiplicando a Eq. 8.11 pela Eq. 8.15, obtemos
np = NcNve-EG/kT. (Eq. 8.19)
A Eq. 8.19 mostra que em qualquer material semicondutor, o produto da
concentrao de eltrons pela concentrao de buracos no depende das impurezas
presentes.
p = Nve-(EF-Ev)/kT.
ou
(Eq. 8.26)
tinua neutro
II "-11--"
Vejamos agora as implicaes da neutralidade macroscpica para o equi-
lbrio dos portadores em um semicondutor. .
8.3.1. Semicondutores intrnsecos
No caso dos semicondutores intrnsecos, a condio de neutralidade pode
ser expressa pela relao n = p, que satisfeita automaticamente devido na-
tureza dos processos de gerao e recombinao de portadores'?", .
Faixa de
Conduo
,-----
Figura 8.5 Diagrama ilustrando os nveis de energia Ey,
----- Ec,EA,ED
Faixa de
Valncia
N-
A
= 1 + e(ENA, EF)/kT (
Eq. 83)
. 5
A
Ec
log P
1019 ---Nv
1018 - -P2
Figura 8.7 Variao do logaritmo
I da concentrao de buracos com o
1017 - - -4; ,- I -P1
nvel de Fermi
: 2,3kT:
I I
N+ ~ ND - N -(EF-Enl/kT
D - e (En EFl/kT - De
A Eq. 8.45 tem a mesma forma que a Eq. 8.43, o que mostra que quando
EF ~ ED, N; varia com EF da mesma forma que p.
Os casos extremos EF ~ ED e EF ~ ED nos do as assntotas da curva
que representa a variao de logloN; com EF Para obtermos alguns pontos
intermedirios, podemos usar a seguinte tabela, baseada na Eq. 8.44:
ED-EF e-(E[)-EFl/kT
ED-EF N;.
kT
2.3kT/ dcada
Figura 8.8 Variao de log N; com EF. Para EF ~ ED, essa variao linear, com coe-
ficiente angular de uma dcada de variao de N; para cada 2,3 kT de variao de EF
80 Introduo fsica dos semicondutores
,p ;<N
v -NC
/
N - /
Ev Ec
Figura 8,9 Ilustrao do mtodo de Schockley para a determinao de Ep. No ponto
de interseo, p + N; = n + N;;
(Eq. 8.47)
Aplicao da distribuio de Fermi-Dirac a um material semicondutor 81
1
N:;' = NA 1 (EA EFl/kT
(Eq. 8.51)
+e
EXERCCIOS
<*)8.1.Considere um semicondutor tipo N, em equilbrio trmico, que contm uma con-
centrao N D de tomos doadores. Chamando de n. e P. as concentraes de
portadores em maioria e minoria no material, respectivamente: a) calcule nn e Pn'
supondo que todas as impurezas esto ionizadas; b) a aproximao P. = n;/N D
muito usada na prtica. Para um cristal de germnio com ND = 7,5 X 1013 cm" ",
calcule o erro cometido usando essa aproximao.
8.2. Calcule a localizao do nvel de Fermi intrnseco no silcio a -78C, 27C e
300C. razovel supor que o nvel de Fermi est no centro da faixa proibida?
8.3. Desenhe (em escala) o diagrama de nveis de energia para o silcio com 1016 tomos
de boro por centmetro cbico. Indique as faixas de conduo e de valncia, o
nvel de Fermi intrnseco e o nvel de Fermi real.
8.4. O ouro no silcio uma impureza peculiar, pois pode comportar-se tanto como
doador como aceitador. Em outras palavras, o ouro introduz dois nveis na faixa
proibida, um a 0,35eV da banda de valncia e outro a 0,54 eV da banda de con-
duo. Pergunta-se: a) Um cristal de silcio com uma certa concentrao N x de
ouro tipo N ou tipo P?; b) Qual a posio do nvel de Fermi?
8.5. Quando discutimos o fenmeno da neutralidade macroscpica, consideramos
apenas as impurezas mais simples. Existem impurezas, como o zinco no silcio,
que podem se comportar como um aceitador simples ou como um aceitador duplo,
isto , que podem capturar um ou dois eltrons. No caso de um cristal de silcio
com uma concentrao NAde tomos de zinco e N D tomos de fsforo, escreva
a equao de neutralidade macroscpica.
<*)8.6.O zinco introduz no silcio os seguintes nveis na faixa proibida; E1, 0,35 eV acima
do topo da banda de valncia; E2, 0,2 eV acima de El' Para um cristal de silcio
com 2x 1Q15 tomos/em' de As e 0,9 x W5 tomos/em" de Zn, calcule: a) a
posio do nvel de Fermi; b) a concentrao de eltrons; c) a concentrao de
buracos.
82 Introduo fsica dos semicondutores
REFERNCIA
BIBLIOGRAFIA
Blatt, F. J., Physics of Electronic Conduction in Solids (New York: McGraw Hill, 1968),
Cap.8.
Grove, A. S., Physics and Technology of Semiconductor Devices (New Y ork: John Wiley,
1967), Capo 4.
9 Transporte de cargas nos
semicondutores
Figura 9.1 Deriva de portadores. (a) Movimento trmico dos portadores na ausncia
de campo eltrico externo. (b) Componente de deriva, produzida pelo campo externo.
(c) Efeito combinado da deriva e da agitao trmica
<t-to> = -1
no
ioo
to
(t-to)n~ dt =i
r
t. . (Eq. 9.3)
<*)Estamos representando o valor mdio de uma grandeza f pelo smbolo <f >
(**.Chamamos a ateno do leitor para a simbologia que estamos utilizando:
E = permissividade,
t: = campo eltrico,
E = energia,
e = base dos logaritmos neperianos
Transporte de cargas nos semicondutores 85
<v> = ---*
q8
nom
fI
_ a)
now(t-to)~
dt
7:
=
q8
-*7:
m
= -f1.8. (Eq. 9.7)
I_ e 1
~I I
Figura 9.2 Definio de resistividade I
~----- ~J RI ~ I
I+ V -I
Por definio, a densidade de corrente J dada por
J=_.
I
A
(*)A equao J = qnv uma equao bsica que relaciona a densidade de corrente (J), em
qualquer material, velocidade dos portadores de carga nesse material (v), densidade de portadores
(11) e carga de cada portador (q)
86 Introduo fsica dos semicondutores
1
v V 1
=-=-=--v, A
R pilA p I
ou
1 1 V
A=p'T'
porm, Il A = J e VII = e, onde e o campo eltrico no interior do bloco. Con-
seqentemente,
1
J = -' e = ae, (Eq. 9.12)
p
onde a = IIp a condutividade do material.
Comparando essa expresso com a Eq. 9.11, verificamos que em um se-
micondutor
(Eq. 9.13)
(Eq. 9.14)
1028
6
4
'\ f\
2
101a
6
"-
4
~ 2
r-.
(J
I "- P
~ 1 a
::t: 6
.2- 4
2 N r-,
w i'. r-,
O 10-~
6
Cl <;
s
4
r-,
i=
2 t-,
C/)
10':2
8
u; 6
4
I'..
w
a::
1'-...'
2
16~
6
4
2
'"
10-4 2
468 2468 2468 2468 2468 2468 2468
20
1d4 1015
10
16
1d7
1018
10
19
10 10
21
(Eq. 9.15)
Ora, como por definio J.l = q,,/m*, J.ll = q't1/m*, J.lz = q"z/m*, ... , temos
1 1
- =-
J.l J.ll
+ -J.lz1 + J.l3
-1 + ... (Eq. 9.18)
onde J.l a mobilidade total e J.ll ' J.l2 ' J.l3' ... so as contribuies para a mo-
bilidade total dos diversos mecanismos de espalhamento.
Quando os mecanismos de espalhamento considerados so apenas o espa-
lhamento pela rede e o espalhamento por impurezas ionizadas, a Eq. 9.18 se
reduz a uma expresso muito usada na prtica
1 1 1
-=-+-'
It It R ItI
(Eq.9.19)
Vmax
8
- - - --- - - -~=-=~----
Eltrons
CIO
'" 6
'"
' Buracos
~ 4
;li:
2
Figura 9.4 Variao da velocidade de deriva com o campo eltrico no silcio (Ryder,
1953)
Como apenas as partculas que esto a uma distncia igualou menor que o
caminho livre mdio da linha A conseguem atravess-Ia, a diferena n2 - nl deve
ser calculada a essa distncia. Assim, nj = no + (njx)l e n2 = no - (njx)l,
tomando apenas os primeiros dois termos da expanso em srie de Taylor.
Substituindo na Eq. 9.21, obtemos
n
S = -v, x l. (Eq. 9.22)
onde, por definio, I = vt T, m*v: = kT. No caso tridimen sion ai, a Eq. 9.23
fornece a componente x da corrente de difuso se substituirmos Vt pela com-
ponente x da velocidade, vtx' A corrente J definida pela Eq. 9.23 chamada
de corrente de difuso. A constante D chamada de coeficiente de difuso. Re-
pare que de acordo com as Eqs. 9.7 e 9.23 existe uma relao entre D e Jl:
D = kTlljq. Essa relao chamada de relao de Einstein.
(Eq.9.24)
Transporte de cargas nos semicondutores 91
EXERCCIOS
9.1. Sugira um mtodo para medir a condutividade de um semicondutor.
9.2. Descreva dois mtodos para verificar experimentalmente se um semicondutor
tipo P ou tipo N.
9.3. Calcule a resistividade de um cristal de silcio com 1,4 x 10'6 tomos de fsforo
por cm ' e 1,0 x 10'6 tomos de boro por em", temperatura de 27 "C,
(*'9.4. Uma pequena concentrao de portadores em minoria injetada em um ponto
de um cristal semicondutor homogneo. Um campo eltrico de 10 Vjcm apli-
cado ao cristal; esse campo faz com que os portadores injetados percorram uma
distncia de 1 em em 250 JlS. Calcule a velocidade de deriva e o coeficiente de di-
fuso dos portadores em minoria.
9.5. Em um cristal semicondutor, os eltrons tm uma mobilidade de 500 cm2jV' s.
Calcule o tempo mdio entre colises. Para um campo eltrico de 100 Vjcm, calcule
tambm a distncia mdia percorrida pelos eltrons entre duas colises sucessivas.
Nesses clculos, use m* = m, onde m a massa do eltron livre.
(*19.6. A resistncia: de um cristal de germnio tipo P (figura a seguir), entre os planos
A e B, igual a 100 Q a 300 K. Calcule a concentrao de eltrons e buracos na
0
amostra.
Dados:
para o gerrnamo a 27C, l1i = 2,4 X 10'3 em ~ 3;
2 2
Jlp = 1900cm jV-s; Jln = 3900cm jV-s.
REFERNCIAS
FAN, H. Y., "Valence Semiconductors, Germanium and Silicon", em F. Seitz e D. Turnbull
(eds.), Solid State Physics, Vol. 1 (New York: Academic Press, 1955).
RYDER, E. J., "Mobility of Holes and Electrons in High Electric Fields", Phys. Rev.90,
766 (1953).
BIBLIOGRAFIA
Conwell, E. M., High Field Effects in Semiconductors (New York: Academic Press, 1967).
Paige, E. G. S., The Electrical Conductivity of Germanium, em Progr. Semiconductors,
VaI. 8 (1964).
1 O Junes PN
Neoe00o 0 0 0 p
eO eO eO 0 'e 0
Figura 10.2 Distribuio de cargas
no interior de uma juno P-N em
equilibrio
N~+o~+.
~\;!;Ie I-e '00 p
-,",,-
0e0 eee
94 Introduo fsica dos semicondutores
(Eq. 10.2)
Assim, para que a corrente total de buracos seja zero preciso que o nvel
de Fermi no varie ao passarmos de um lado para outro da juno.
Se aplicarmos o mesmo tratamento matemtico corrente de eltrons,
obteremos a expresso
(Eq. 10.6)
e portanto para que a corrente total de eltrons seja zero o nvel de Fermi tam-
bm deve ser constante. Assim, em umajuno PN em equilbrio o nvel de Fermi
constante ao longo de todo o cristal.
Junes PN 95
qNA
18
x
A
( bl
-
8
x
Ec
(a)
0- Ei
EF
Figura 10.3 Distribuio de cargas, campo
eltrico e nveis de energia em uma juno
-? Ev
abrupta ( c)
(Eq. 10.7)
E =
N
-kTln---12
r . n (Eq. 10.9)
i
W = J 2E q
o NA + N D cpT
NAND
(Eq. 10.16)
kT p
Integrando a Eq, 10.18 de A a B [Figo W.3(a)], j que no resto do cristal
o campo eltrico zero, temos
BdJ!. = ..!L fB edx o
(Eq. 10.19)
f
A P kT
A
-'
1 p(B) _ qcpT o
(Eq. 10.20)
n p(A) - kT '
: ( b)
x
qNA-- - - - ....L.. --I' x
(a)
VI
Figura 10.5 Juno PN polarizada inversamente, np(O) = Pn(O) = O
(Eq. 10.25)
Jger , W
Como nponno =PnoPpo = n; e tomando nno ~ NA,ppo ~ ND, temos
0a-vo
J ECN
_- - - ---'./
~ :~p
Evp
Figura 10.6 Nveis de energia em
uma juno PN polarizada direta-
T EVN mente
....
......
N f:=o f:=o p
.... -o
-o
-o -o
~
Pno Pn(o) "piO) "pO
.\~r\ =
VD kT
/ - 1;
ID = Is(eqVDlkT -1), (Eq. 10.36)
102 Introduo fsica dos semicondutores
onde
ls = -1[ = - (
npo~
it;
--t + Pno ~ ~)
-: A.
A relao entre corrente e tenso dada pela Eq. 10.36 chamada de equao
do diodo ideal e est representada graficamente na Fig. 10.8. Para tenses inversas
r; ~ kTjq, a corrente tende para o valor constante II = -1s' A corrente ls
chamada de corrente inversa de saturao. Para tenses diretas Vn ~ kTjq, a
corrente aumenta exponencialmente: 1D ~ l, eqV"jkT.
1D
rs-
qVI Is +5 qVD
I<T kT
(Eq. 10.37)
[Eq. 10.16J
c= (Eq. 10.41)
Vo
Figura 10.9 Curva caracterstica de
uma juno PN. (a) regio de conduo
direta. (b) regio de conduo inversa;
(C)
(c) regio de ruptura
11
EXERCCIOS
10V
10.4. Um meio de detetar a presena de radiaes - raios gama, por exemplo -
utilizar uma juno inversamente polarizada. Se a tenso inversa conveniente-
106 Introduo fsica dos sernicondutores
mente escolhida, a largura da regio de transio tal que os ftons dos raios
gama perdem toda a sua energia dentro da regio de transio.
a) Explique como funciona este detetor de radiao.
b) Qual a necessidade de a partcula perder toda a sua energia dentro da regio
de transio?
c) Que acontece quando a corrente de fuga muito elevada?
d) Que mais vantajoso, dopar mais fortemente a regio N (lado em que a radiao
incide) ou a regio P? Justifique.
BIBILIOGRAFIA
Grave, A. S., Physics and Technology of Semiconductor Devices (New York: John Wiley,
1967), Capo 6
Mello, H. A. e Intrator, E., Dispositivos Semicondutores (Rio de Janeiro: Ao Livra Tcnico,
1972).
1 1 Transistores de juno
""-
energia em um transistor PNP em /' EF
equilbrio ./ Ev
108 Introduo fsica dos semicondutores
+ +
.--
++++
+++++ ++ +
+++++ +++++ + + + +-
+++++ +++++ + + + +
+++++ +++++ + + + +
Figura 11.6 Funcionamento de um
transistor P N P
+, 1- +, l-
I I
Repare que quando a juno emissor-base est polarizada diretamente, um
grande nmero de buracos atravessa a juno e penetra na regio da base. Alguns
desses buracos se combinam com os eltrons da base tipo N, como em uma
juno P N comum; entretanto, se a base for muito estreita, a maioria dos buracos
chegar a juno base-coletor. Assim que cruzam a juno base-coletor, esses
buracos so atrados para o terminal do coletor.
Como vimos no captulo anterior, os buracos que deixam o emissor so
imediatamente substitudos por novos buracos criados nas vizinhanas do ter-
minal de emissor, que retira eltrons da regio tipo P. Da mesma forma, os
eltrons perdidos pela base ao se recombinarem com os buracos que cruzam a
juno emissor-base so substitudos por novos eltrons, introduzidos atravs
Transistores de juno 109
I8
Ia
+, - +, - - ,+ - ,+
I I
I I ,
I
Figura 11.7 Correntes em um tran- Figura 11.8 Correntes em um tran-
sistor PNP sistor NPN
11.5. EXEMPLO
No circuito da Fig. 11.7, a resistncia da juno emissor-base 25 Q e a
resistncia da juno base-coletor 50 kQ. Sabemos que 98% dos buracos
injetados na base chegam ao coletor. Calcule o ganho de corrente, o ganho de
tenso e o ganho de potncia do transistor.
Soluo:
Ganho de corrente = IX = 0,98;
Ganho de tenso = IX ~BC = 0,98 x ~02~OO= 1960;
EB
Ganho de potncia = Ganho de corrente x Ganho de tenso =
= 0,98 x 1 960= 1 920.
11.6. FUNCIONAMENTO DO TRANSISTOR NA
CONFIGURAO BASE COMUM
Quando o sinal de entrada aplicado ao emissor do transistor e o sinal
de sada colhido no coletor, como supusemos at agora, dizemos que o tran-
r---..,r---..,r---, Ic ""IE= <ts
-
Re RL
Ia- !
(1-") IE- (1-) Is
+ + -
Figura 11.9 Ligao base comum
Ic= IE
~VV'\---
RL
Transistores de juno 111'
l Ic
P P RL
Is=Is
N N
+
p P
RE
IE : fIE
Ento
ale = Ie-aIB'
a
Ic = -l-IR
-a
Se definirmos agora o ganho de corrente emissor comum, {J, como a relao
entre a corrente de sada e a corrente de entrada nessa configurao teremos
Ie _ a
P=IB-l-a
N~= ete.
campo eltrico deve ser tal que a corrente de deriva dos buracos na base seja
do coletor para o emissor. Ora, um campo eltrico com esse sentido acelera os
eltrons injetados pelo emissor em direo ao coletor. Em conseqncia, o
tempo que os portadores injetados pelo emissor levam para atravessar a base
muito menor nos transistores de deriva do que nos transistores comuns, em que
os portadores se movimentam apenas por difuso. Levando menos tempo para
atravessarem a base, os portadores injetados tm menos tempo para se recom-
binarem com os portadores da base. O resultado que o ganho de corrente
dos transistores de deriva muito elevado.
BmLlOGRAFIA
Phillips, A. B., Transistor Engineering (New York: McGraw-HiIl, 1962)
Mello, H. A. e Intrator, E., Dispositivos Semicondutores (Rio de Janeiro: Ao Livro Tcnico,
1972).
1 2 Outros fenmenos observados
nos semicondutores
Regio P Regio N
(c)
( b)
Figura 12.1 Efeito tnel em uma juno PN degenerada. (a) Juno em equilbrio; (b)
Juno submetida a uma pequena polarizao direta, que produz o efeito tnel; (c) Juno
submetida a uma polarizao direta mais elevada. O efeito tnel deixou de existir
UJ
Figura 12.2 Curva caracterstica
corrente-tenso de um diodo t-
!z
UJ
I
o::
o::
I
nel
o I Regio de
u
I L.----Resist~ncia
' Negatlva
l-
I I
TENSO
116 Introduo fsica dos semicondutores
B
Figura 12.3 Geometria do efeito
I Hall
+
v
O campo eltrico pode ser aplicado, por exemplo, ligando-se uma fonte
de tenso V s extremidades do cristal. O campo magntico pode ser aplicado
colocando-se o cristal entre os plos de um eletrom.
Sob a ao do campo eltrico, os portadores do cristal adquirem uma certa
velocidade de deriva, v. Ora, sabemos do eletromagnetismo que uma partcula
carregada sob a ao de um campo magntico est sujeita a uma fora per-
pendicular direo do movimento e direo do campo magntico. Essa fora
dada pela equao vetorial
r; = q(v x ), (Eq. 12.1)
onde q a carga da partcula.
A Fig. 12.4(a) mostra o que acontece quando o portador um eltron.
Quando o portador um buraco, a situao est representada na Fig. 12.4(b).
IE"ll~y_-~--:--~
++++++++++++++++++++
(a)
XB_~_
++++++++++++++++++++
I ~'x l
E"j
(b)
Figura 12.4 Efeito Hall para os dois tipos de portadores. (a) eltrons. (b) buracos. O
sentido do campo magntico para dentro do papel
Outros fenmenos observados nos semicondutores 117
ou
(Eq. 12.8)
EXERCCIOS
<*)Considere a experincia esquematizada na figura a seguir.
+
~------IV
VR
Sabendo que
VR = 0,5 V;
I=10mA;
V = -1 V;
B = 2 X 10-3 T.
Pede-se
a) o tipo dos portadores (eltrons ou buracos),
b) a resistividade do material,
c) a concentrao dos portadores,
d) a mobilidade dos portadores.
BIBLIOGRAFIA
Wang, S., Solid State Electronics (New York: McGraw-Hill, 1966), Capo 11.
Yariv, A., Quantum Electronics (New York: John Wiley, 1967), Capo 17.
Chang, K. K. N., Parametric and Tunnel Diodes (New Jersey: Prentice Hall, 1964).
Blatt, F. J., Physics of Electronic Conduction in Solids (New York: McGraw-Hill, 1968),
Cap.8.
APNDICE A Teorema de Bloch
como
1j[V(r)t/lk'(r)] = V(r + R)1jt/lr(r) = V(r)1jt/lr(Y).
temos
h2 2 ~ -+.... ...
- 2m V ['0l/1r(r,] + V(r)[1jl/lj/(r)] = Er[1jl/lr(r)].
Assim, a funo 1jl/lk(r) satisfaz mesma equao que a funo l/Ik(r) (Eq.
5.12), Nesse caso, ~l/Iy;(r) s pode diferir de t/ly;(r) por um fator constante. Vamos
chamar esse fator constante de aj Assim, temos
(Eq. A.3)
Vamos fazer
aj = eik' Ri, (Eq. A.4)
(Eq. A.7)
REFERNCIAS
1. James F. Gibbons, Semiconductor electronics, McGraw-Hill, 1966.
2. R. B. Adler, A. C. Smith e R. L. Longini, Introduction to Semiconductor Physics, SEEC.
VoI. 2, John Wiley, 1964. Este livro contm um apndice dedicado exclusivamente a
experincias de laboratrio
3. Hilton A. Mello e E. Intrator, Dispositivos semicondutores, Ao Livro Tcnico, 1972
EXPERINCIAS
CAPTULO 1
ao = 5,292
1.1. x 10- 11m.
CAPTULO 2
2.5. possvel provar que a seguinte relao vlida para um polinmio de Hermite
de ordem n:
CAPTULO 4
CAPTULO 7
7.3. Considere o recipiente onde est o gs suficientemente raso e portanto despreze a
variao da energia potencial. Nesse caso
. 2 2 .2
E = ~ ( ,2
2 [x
+ 2
u)'
+ V 2)
z
= Px + 2m
Py + Pz .
CAPTULO 8
8.1. a) P =
-Nn J2 ; + n~
b)~10%.
8.6. Use o mtodo grfico de Schockley.
a) Nvel de Fermi cerca de 8 kT aeima de E2.
b) n ~ 2 x 1014em-3.
c) Desprezvel.
CAPTULO 9
9.4. vd = 4 X 103 em/s.
D = 10 em2fs.
124 Introduo fsica dos sernicondutores
CAPTULO 10
10.1. a) 5,0 x 10 - 5 em.
b) 9,9 x 10-5 em.
10J. a) Vi = 0,017 Y;
V2 = 9,983 Y.
b) 10 }-tA.
CAPTULO 12
a) Eltrons.
b) n
1 -cm.
c) 6,2 x 1015 cm-3.
d) 103 em2/ys.
Este trabalho foi elaborado pelo processo de FOTOCOMPOSIo
Monophoto - no Departamento de Composio da Editora
Edgard Blcher Ltda. - So Paulo - Brasil
Cr$ 30,00
Este preo s se tornou possvel devido
participao do Instituto Nacional do livro,
que, em regime de coedio, J)ermitiu o aumento
da tiragem e a conseqente reduo do custo industrial
07421