Manual do Professor Eletrnica Bsica

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Manual do Professor
1. Introduo
Por muito tempo, a educao profissional foi desprezada e considerada
de segunda classe. Atualmente, a opo pela formao tcnica festejada, pois
alia os conhecimentos do saber fazer com a formao geral do conhecer e
do saber ser; a formao integral do estudante.
Este livro didtico mais uma ferramenta para a formao integral, pois
2 alia o instrumental para aplicao prtica com as bases cientficas e tecnolgi-
cas, ou seja, permite aplicar a cincia em solues do dia a dia.
Alm do livro, compe esta formao do tcnico o preparo do professor,
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as prticas laboratoriais, o estgio, a visita tcnica e outras atividades inerentes

a cada plano de curso. Dessa forma, o livro, com sua estruturao pedagogica-
mente elaborada, uma ferramenta altamente relevante, pois fio condutor
dessas atividades formativas.
Ele est contextualizado com a realidade, as necessidades do mundo do
trabalho, os arranjos produtivos, o interesse da incluso social e a aplicao
cotidiana. Essa contextualizao elimina a dicotomia entre atividade intelec-
tual e atividade manual, pois no s prepara o profissional para trabalhar em
atividades produtivas, mas tambm com conhecimentos e atitudes, com vistas
atuao poltica na sociedade. Afinal, desejo de todo educador formar cida-
dos produtivos.
Outro valor pedaggico acompanha esta obra: o fortalecimento mtuo
da formao geral e da formao especfica (tcnica). O Exame Nacional do
Ensino Mdio (ENEM) tem demonstrado que os alunos que estudam em
um curso tcnico tiram melhores notas, pois ao estudar para resolver um pro-
blema prtico ele aprimora os conhecimentos da formao geral (qumica,
fsica, matemtica, etc.); e ao contrrio, quando estudam uma disciplina geral
passam a aprimorar possibilidades da parte tcnica.
 Pretendemos contribuir para resolver o problema do desemprego,
preparando os alunos para atuar na rea cientfica, industrial, de transaes
e comercial, conforme seu interesse. Por outro lado, preparamos os alunos
para ser independentes no processo formativo, permitindo que trabalhem
durante parte do dia no comrcio ou na indstria e prossigam em seus
estudos superiores no contraturno. Dessa forma, podem constituir seu iti-
nerrio formativo e, ao concluir um curso superior, sero robustamente
formados em relao a outros, que no tiveram a oportunidade de realizar
um curso tcnico.
Por fim, este livro pretende ser til para a economia brasileira, aprimo-
rando nossa fora produtiva ao mesmo tempo em que dispensa a importao
de tcnicos estrangeiros para atender s demandas da nossa economia.

1.1 Por que a Formao Tcnica de Nvel Mdio

Importante?
O tcnico desempenha papel vital no desenvolvimento do pas por
meio da criao de recursos humanos qualificados, aumento da produtividade
industrial e melhoria da qualidade de vida.
Alguns benefcios do ensino profissionalizante para o formando:
Aumento dos salrios em comparao com aqueles que tm apenas
o Ensino Mdio;
Maior estabilidade no emprego; 3

Maior rapidez para adentrar ao mercado de trabalho;

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Facilidade em conciliar trabalho e estudos;
Mais de 72% ao se formarem esto empregados;
Mais de 65% dos concluintes passam a trabalhar naquilo que gostam
e em que se formaram.

Esses dados so oriundos de pesquisas. Uma delas, intitulada Educao

profissional e voc no mercado de trabalho, realizada pela Fundao Getlio
Vargas e o Instituto Votorantim, comprova o acerto do Governo ao colocar,
entre os quatro eixos do Plano de Desenvolvimento da Educao (PDE),
investimentos para a popularizao da Educao Profissional. Para as empre-
sas, os cursos oferecidos pelas escolas profissionais atendem de forma mais
eficiente s diferentes necessidades dos negcios.
Outra pesquisa, feita em 2009 pela Secretaria de Educao Profissional
e Tecnolgica (Setec), rgo do Ministrio da Educao (MEC), chamada
Pesquisa nacional de egressos, revelou tambm que de cada dez alunos, seis
recebem salrio na mdia da categoria. O percentual dos que qualificaram a
formao recebida como boa e tima foi de 90%.
 2. Ensino Profissionalizante no Brasil e
Necessidade do Livro Didtico Tcnico
O Decreto Federal n 5.154/2004 estabelece inmeras possibilidades de
combinar a formao geral com a formao tcnica especfica. Os cursos tc-
nicos podem ser ofertados da seguinte forma:
a) Integrado ao mesmo tempo em que estuda disciplinas de for-
mao geral o aluno tambm recebe contedos da parte tcnica, na
mesma escola e no mesmo turno.
b) Concomitante num turno o aluno estuda numa escola que s
oferece Ensino Mdio e num outro turno ou escola recebe a forma-
o tcnica.
c) Subsequente o aluno s vai para as aulas tcnicas, no caso de j
ter concludo o Ensino Mdio.

Com o Decreto Federal n 5.840/2006, foi criado o programa de pro-

fissionalizao para a modalidade Jovens e Adultos (Proeja) em Nvel Mdio,
que uma variante da forma integrada.
Em 2008, aps ser aprovado pelo Conselho Nacional de Educao pelo
Parecer CNE/CEB n 11/2008, foi lanado o Catlogo Nacional de Cursos
Tcnicos, com o fim de orientar a oferta desses cursos em nvel nacional.
O Catlogo consolidou diversas nomenclaturas em 185 denominaes
de cursos. Estes esto organizados em 12 eixos tecnolgicos, a saber:
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1. Ambiente, Sade e Segurana
2. Apoio Educacional
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3. Controle e Processos Industriais

4. Gesto e Negcios
5. Hospitalidade e Lazer
6. Informao e Comunicao
7. Infraestrutura
8. Militar
9. Produo Alimentcia
10. Produo Cultural e Design
11. Produo Industrial
12. Recursos Naturais.

Para cada curso, o Catlogo estabelece carga horria mnima para a

parte tcnica (de 800 a 1 200 horas), perfil profissional, possibilidades de
temas a serem abordados na formao, possibilidades de atuao e
infraestrutura recomendada para realizao do curso. Com isso, passa a ser
um mecanismo de organizao e orientao da oferta nacional e tem funo
indutora ao destacar novas ofertas em nichos tecnolgicos, culturais, ambien-
tais e produtivos, para formao do tcnico de Nvel Mdio.
Dessa forma, passamos a ter no Brasil uma nova estruturao legal para a
oferta destes cursos. Ao mesmo tempo, os governos federal e estaduais passa-
ram a investir em novas escolas tcnicas, aumentando a oferta de vagas. Dados
divulgados pelo Ministrio da Educao apontaram que o nmero de alunos
na educao profissionalizante passou de 693 mil em 2007 para 795 mil em
2008 um crescimento de 14,7%. A demanda por vagas em cursos tcnicos
tem tendncia para aumentar, tanto devido nova importncia social e legal
dada a esses cursos, como tambm pelo crescimento do Brasil.
COMPARAO DE MATRCULAS BRASIL
Comparao de Matrculas da Educao Bsica por Etapa e Modalidade Brasil, 2007 e 2008.

Etapas/Modalidades de Matrculas / Ano

Educao Bsica 2007 2008 Diferena 2007-2008 Variao 2007-2008
Educao Bsica 53.028.928 53.232.868 203.940 0,4
Educao Infantil 6.509.868 6.719.261 209.393 3,2
Creche 1.579.581 1.751.736 172.155 10,9
Pr-escola 4.930.287 4.967.525 37.238 0,8
Ensino Fundamental 32.122.273 32.086.700 35.573 0,1
Ensino Mdio 8.369.369 8.366.100 3.269 0,0
Educao Profissional 693.610 795.459 101.849 14,7
Educao Especial 348.470 319.924 28.546 8,2
EJA 4.985.338 4.945.424 39.914 0,8
Ensino Fundamental 3.367.032 3.295.240 71.792 2,1
Ensino Mdio 1.618.306 1.650.184 31.878 2,0 5
Fonte: Adaptado de: MEC/Inep/Deed.
No aspecto econmico, h necessidade de expandir a oferta desse tipo

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de curso, cujo principal objetivo formar o aluno para atuar no mercado de
trabalho, j que falta trabalhador ou pessoa qualificada para assumir imedia-
tamente as vagas disponveis. Por conta disso, muitas empresas tm que arcar
com o treinamento de seus funcionrios, treinamento esse que no d ao
funcionrio um diploma, ou seja, no formalmente reconhecido.
Para atender demanda do setor produtivo e satisfazer a procura dos estu-
dantes, seria necessrio mais que triplicar as vagas tcnicas existentes hoje.
Outro fator que determina a busca pelo ensino tcnico ser este uma
boa opo de formao secundria para um grupo cada vez maior de estudan-
tes. Parte dos concluintes do Ensino Mdio (59% pelo Censo Inep, 2004), por
diversos fatores, no buscam o curso superior. Associa-se a isso a escolarizao
lquida do Ensino Fundamental, que est prxima de 95%, e a escolarizao
bruta em 116% (Inep, 2007), mostrando uma
presso de entrada no Ensino Mdio, pelo fluxo
quase regular dos que o concluem.
Escolarizao lquida a relao entre a popu-
A escolarizao lquida do Ensino Mdio lao na faixa de idade prpria para a escola e o
em 2009 foi de 53%, enquanto a bruta foi de 84% nmero de matriculados da faixa. Escolarizao
bruta a relao entre a populao na faixa
(Inep, 2009), o que gera um excedente de alunos
adequada para o nvel escolar e o total de matri-
para esta etapa. culados, independente da idade.
 Atualmente, o nmero de matriculados no Ensino Mdio est em
torno de 9 milhes de estudantes. Se considerarmos o esquema a seguir,
conclumos que em breve devemos dobrar a oferta de Nvel Mdio, pois
h 9,8 milhes de alunos com fluxo regular do Fundamental, 8 milhes no
excedente e 3,2 milhes que possuem o Ensino Mdio, mas no tm inte-
resse em cursar o Ensino Superior. Alm disso, h os que possuem curso
superior, mas buscam um curso tcnico como complemento da formao.
Com curso
Superior
Subsequente

Interessados com
Com Ensino Mdio
Ensino Fundamental Tcnico
Estimativa 8 milhes.
3,2 milhes.
PROEJA

Ensino Fundamental 9,8 milhes

Integrao 116% bruta
94,6% lquida (2007)

A experincia internacional tem mostrado que 30% das matrculas

da educao secundria correspondem a cursos tcnicos; este o patamar
idealizado pelo Ministrio da Educao. Se hoje h 795 mil estudantes matri-
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culados, para atingir essa porcentagem devemos matricular pelo menos trs
milhes de estudantes em cursos tcnicos dentro de cinco anos.
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Para cada situao pode ser adotada uma modalidade ou forma de Ensino
Mdio profissionalizante, de forma a atender a demanda crescente. Para os advin-
dos do fluxo regular do Ensino Fundamental, por exemplo, recomendado o
curso tcnico integrado ao Ensino Mdio. Para aqueles que no tiveram a opor-
tunidade de cursar o Ensino Mdio, a oferta do Proeja estimularia sua volta ao
ensino secundrio, pois o programa est associado formao profissional. Alm
disso, o Proeja considera os conhecimentos adquiridos na vida e no trabalho,
diminuindo a carga de formao geral e privilegiando a formao especfica. J
para aqueles que possuem o Ensino Mdio ou Superior a modalidade recomen-
dada a subsequente: somente a formao tcnica especfica.
Para todos eles, com ligeiras adaptaes metodolgicas e de aborda-
gem do professor, extremamente til o uso do livro didtico tcnico, para
maior eficcia da hora/aula do curso, no importando a modalidade do curso
e como ser ofertado.
Alm disso, o contedo deste livro didtico tcnico e a forma como
foi concebido refora a formao geral, pois est contextualizado com a pr-
tica social do estudante e relaciona permanentemente os conhecimentos da
cincia, implicando na melhoria da qualidade da formao geral e das demais
disciplinas do Ensino Mdio.
 Em resumo, h claramente uma nova perspectiva para a formao tc-
nica com base em sua crescente valorizao social, na demanda da economia,
no aprimoramento de sua regulao e como opo para enfrentar a crise de
qualidade e quantidade do Ensino Mdio.

3. O Que Educao Profissionalizante?

O ensino profissional prepara os alunos para carreiras que esto baseadas
em atividades mais prticas. O ensino menos acadmico, contudo diretamente
relacionado com a inovao tecnolgica e os novos modos de organizao da
produo, por isso a escolarizao imprescindvel nesse processo.

4. Elaborao dos Livros Didticos

Tcnicos
Devido ao fato do ensino tcnico e profissionalizante ter sido renegado
a segundo plano por muitos anos, a bibliografia para diversas reas prati-
camente inexistente. Muitos docentes se veem obrigados a utilizar e adaptar
livros que foram escritos para a graduao. Estes compndios, s vezes tra-
dues de livros estrangeiros, so usados para vrios cursos superiores. Por
serem inacessveis maioria dos alunos por conta de seu custo, comum que
professores preparem apostilas a partir de alguns de seus captulos.
Tal problema agravado quando falamos do Ensino Tcnico integrado
ao Mdio, cujos alunos correspondem faixa etria entre 14 e 19 anos, em
mdia. Para esta faixa etria preciso de linguagem e abordagem diferen- 7
ciadas, para que aprender deixe de ser um simples ato de memorizao e
ensinar signifique mais do que repassar contedos prontos.

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Outro pblico importante corresponde queles alunos que esto
afastados das salas de aula h muitos anos e veem no ensino tcnico uma
oportunidade de retomar os estudos e ingressar no mercado profissional.

5. O Livro Didtico Tcnico e o

Processo de Avaliao
O termo avaliar tem sido constantemente associado a expresses como:
realizar prova, fazer exame, atribuir notas, repetir ou passar de ano. Nela a
educao concebida como mera transmisso e memorizao de informa-
es prontas e o aluno visto como um ser passivo e receptivo.
Avaliao educacional necessria para fins de documentao, geral-
mente para embasar objetivamente a deciso do professor ou da escola, para
fins de progresso do aluno.
O termo avaliao deriva da palavra valer, que vem do latim vlre, e
refere-se a ter valor, ser vlido. Consequentemente, um processo de avalia-
o tem por objetivo averiguar o "valor" de determinado indivduo.
Mas precisamos ir alm.
 A avaliao deve ser aplicada como instrumento de compreenso do nvel de aprendizagem
dos alunos em relao aos conceitos estudados (conhecimento), em relao ao desenvolvimento
de criatividade, iniciativa, dedicao e princpios ticos (atitude) e ao processo de ao prtica
com eficincia e eficcia (habilidades). Este livro didtico ajuda, sobretudo para o processo do
conhecimento e tambm como guia para o desenvolvimento de atitudes. As habilidades, em
geral, esto associadas a prticas laboratoriais, atividades complementares e estgios.
A avaliao um ato que necessita ser contnuo, pois o processo de construo de conhe-
cimentos pode oferecer muitos subsdios ao educador para perceber os avanos e dificuldades
dos educandos e, assim, rever a sua prtica e redirecionar as suas aes, se necessrio. Em cada
etapa registros so feitos. So os registros feitos ao longo do processo educativo, tendo em vista
a compreenso e a descrio dos desempenhos das aprendizagens dos estudantes, com possveis
demandas de intervenes, que caracterizam o processo avaliativo, formalizando, para efeito
legal, os progressos obtidos.
Neste processo de aprendizagem deve-se manter a interao entre professor e aluno,
promovendo o conhecimento participativo, coletivo e construtivo. A avaliao deve ser um
processo natural que acontece para que o professor tenha uma noo dos contedos assimilados
pelos alunos, bem como saber se as metodologias de ensino adotadas por ele esto surtindo
efeito na aprendizagem dos alunos.
Avaliao deve ser um processo que ocorre dia aps dia, visando correo de erros e
encaminhando o aluno para aquisio dos objetivos previstos. A esta correo de rumos, ns
chamamos de avaliao formativa, pois serve para retomar o processo de ensino/aprendizagem,
mas com novos enfoques, mtodos e materiais. Ao usar diversos tipos de avaliaes combinadas
para fim de retroalimentar o ensinar/aprender, de forma dinmica, conclumos que se trata de
um processo de avaliao.
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O resultado da avaliao deve permitir que o professor e o aluno dialoguem, buscando
encontrar e corrigir possveis erros, redirecionando o aluno e mantendo a motivao para o
progresso do educando, sugerindo a ele novas formas de estudo para melhor compreenso dos
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assuntos abordados.
Se ao fizer avaliaes contnuas, percebermos que um aluno tem dificuldade em assimilar
conhecimentos, atitudes e habilidades, ento devemos mudar o rumo das coisas. Quem sabe
fazer um reforo da aula, com uma nova abordagem ou com outro colega professor, em um
horrio alternativo, podendo ser em grupo ou s, assim por diante. Pode ser ainda que a apren-
dizagem daquele tema seja facilitada ao aluno fazendo prticas discursivas, escrever textos, uso
de ensaios no laboratrio, chegando a concluso que este aluno necessita de um processo de
ensino/aprendizagem que envolva ouvir, escrever, falar e at mesmo praticar o tema.
Se isso acontecer, a avaliao efetivamente formativa.
Neste caso, a avaliao est integrada ao processo de ensino/aprendizagem, e esta, por
sua vez, deve envolver o aluno, ter um significado com o seu contexto, para que realmente
acontea. Como a aprendizagem se faz em processo, ela precisa ser acompanhada de retornos
avaliativos visando a fornecer os dados para eventuais correes.
Para o uso adequado deste livro recomendamos utilizar diversos tipos de avaliaes, cada
qual com pesos e frequncias de acordo com perfil de docncia de cada professor. Podem ser
usadas as tradicionais provas e testes, mas, procurar fugir de sua soberania, mesclando com outras
criativas formas.
5.1 Avaliao e Progresso
Para efeito de progresso do aluno, o docente deve sempre considerar os avanos alcanados
ao longo do processo e perguntar-se: Este aluno progrediu em relao ao seu patamar anterior? Este
aluno progrediu em relao s primeiras avaliaes? Respondidas estas questes, volta a perguntar-se:
Este aluno apresentou progresso suficiente para acompanhar a prxima etapa? Com isso o professor
e a escola podem embasar o deferimento da progresso do estudante.
Com isso, superamos a antiga avaliao conformadora em que eram exigidos padres iguais
para todos os formandos.
Nossa proposta significa, conceitualmente, que ao estudante dado o direito, pela avaliao,
de verificar se deu um passo a mais em relao as suas competncias. Os diversos estudantes tero
desenvolvimentos diferenciados, medidos por um processo avaliativo que incorpora esta possi-
bilidade. Aqueles que acrescentaram progresso em seus conhecimentos, atitudes e habilidades
estaro aptos a progredir.
A base para a progresso, neste caso, o prprio aluno.
Todos tm o direito de dar um passo a mais. Pois um bom processo de avaliao oportuniza
justia, transparncia e qualidade.

5.2 Tipos de Avaliao

Existem inmeras tcnicas avaliativas, no existe uma mais adequada, o importante que o
docente conhea vrias tcnicas para poder ter um conjunto de ferramentas a seu dispor e esco-
lher a mais adequada dependendo da turma, faixa etria, perfil entre outros fatores.
Avaliao se torna ainda mais relevante quando os alunos se envolvem na sua prpria
avaliao.
A avaliao pode incluir: 9

1. Observao

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2. Ensaios
3. Entrevistas
4. Desempenho nas tarefas
5. Exposies e demonstraes
6. Seminrios
7. Portflio: Conjunto organizado de trabalhos produzidos por um aluno ao longo de
um perodo de tempo.
8. Elaborao de jornais e revistas (fsicos e digitais)
9. Elaborao de projetos
10. Simulaes
11. O pr-teste
12. A avaliao objetiva
13. A avaliao subjetiva
14. Autoavaliao
15. Autoavaliao de dedicao e desempenho
16. Avaliaes interativas
 17. Prtica de exames
18. Participao em sala de aula
19. Participao em atividades
20. Avaliao em conselho pedaggico que inclui reunio para avaliao discente pelo grupo de
professores.
No livro didtico as atividades, as dicas e outras informaes destacadas podero resul-
tar em avaliao de atitude, quando cobrado pelo professor em relao ao desempenho nas
tarefas. Podero resultar em avaliaes semanais de autoavaliao de desempenho se cobrado
oralmente pelo professor para o aluno perante a turma.
Enfim, o livro didtico, possibilita ao professor extenuar sua criatividade em prol de um
processo avaliativo retroalimentador ao processo ensino/aprendizagem para o desenvolvimento
mximo das competncias do aluno.

6. Objetivos da Obra
Alm de atender s peculiaridades citadas anteriormente, este livro est de acordo com
o Catlogo Nacional de Cursos Tcnicos. Busca o desenvolvimento das habilidades por meio
da construo de atividades prticas, fugindo da abordagem tradicional de descontextualizado
acmulo de informaes. Est voltado para um ensino contextualizado, mais dinmico e com
o suporte da interdisciplinaridade. Visa tambm ressignificao do espao escolar, tornando-o
vivo, repleto de interaes prticas, aberto ao real e s suas mltiplas dimenses.
Ele est organizado em captulos, graduando as dificuldades, numa linha da lgica de apren-
10 dizagem passo a passo. No final dos captulos, h exerccios e atividades complementares, teis e
necessrias para o aluno descobrir, fixar, e aprofundar os conhecimentos e as prticas desenvolvi-
dos no captulo.
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A obra apresenta diagramao colorida e diversas ilustraes, de forma a ser agradvel e

instigante ao aluno. Afinal, livro tcnico no precisa ser impresso num sisudo preto-e-branco para
ser bom. Ser difcil de manusear e pouco atraente o mesmo que ter um professor dando aula de
cara feia permanentemente. Isso antididtico.
O livro servir tambm para a vida profissional ps-escolar, pois o tcnico sempre
necessitar consultar detalhes, tabelas e outras informaes para aplicar em situao real.
Nesse sentido, o livro didtico tcnico passa a ter funo de manual operativo ao egresso.
Neste manual do professor apresentamos:
Respostas e alguns comentrios sobre as atividades propostas;
Consideraes sobre a metodologia e o projeto didtico;
Sugestes para a gesto da sala de aula;
Uso do livro;
Atividades em grupo;
Laboratrio;
Projetos.
 A seguir, so feitas consideraes sobre cada captulo, com sugestes de atividades
suplementares e orientaes didticas. Com uma linguagem clara, o manual contribui para
a ampliao e explorao das atividades propostas no livro do aluno. Os comentrios sobre as
atividades e seus objetivos trazem subsdios atuao do professor. Alm disso, apresentam-se
diversos instrumentos para uma avaliao coerente com as concepes da obra.

7. Referncias Bibliogrficas Gerais

FREIRE, P. Pedagogia da autonomia: saberes necessrios prtica educativa. So Paulo: Paz e
Terra, 1997.
FRIGOTTO, G. (Org.). Educao e trabalho: dilemas na educao do trabalhador. 5. ed. So
Paulo: Cortez, 2005.
BRASIL. LDB 9394/96. Disponvel em: <http://www.mec.gov.br>. Acesso em: 23 maio 2009.
LUCKESI, C. C. Avaliao da aprendizagem na escola: reelaborando conceitos e recriando a pr-
tica. Salvador: Malabares Comunicao e Eventos, 2003.
PERRENOUD, P. Avaliao: da excelncia regulao das aprendizagens entre duas lgicas.
Porto Alegre: Artes Mdicas Sul, 1999.
LVAREZ MNDEZ, J. M. Avaliar para conhecer: examinar para excluir. Porto Alegre: Artmed, 2002.
Shepard, L. A. The role of assessment in a learning culture. Paper presented at the Annual Meeting
of the American Educational Research Association. Available at: <http://www.aera.net/mee-
ting/am2000/wrap/praddr01.htm>.

8. Orientaes ao Professor
No decorrer dos anos, a eletrnica tem evoludo bastante e, dessa forma, assumiu um 11
papel importantssimo em nossas vidas. Basicamente, todas as reas e tudo que est ao nosso
redor tm algum aparelho construdo graas a essa tecnologia.

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Na rea da sade, por exemplo, a construo de modernos aparelhos possibilitou a reali-
zao de pesquisas avanadas e a descoberta de doenas. O advento da eletrnica proporcionou
tambm maior comodidade no dia a dia das pessoas com a inveno de aparelhos domsticos,
como forno de micro-ondas, televisores, aparelhos de DVD, Blue Ray, entre outros. Ainda sur-
giram veculos automotores e meios de aviao, com moderna eletrnica embarcada e elevada
segurana.
Devido imponncia do tema e alta aplicabilidade de eletrnica, o professor poder
esclarecer e incentivar o aluno quanto sua importncia. Poder atuar como mediador e mos-
trar as facilidades de um profissional que domina a rea de eletrnica tem para ingressar no
mercado de trabalho.
O livro de Eletrnica Bsica serve de apoio para proporcionar o aprendizado em eletr-
nica. Ele foi elaborado para atender aos cursos tcnicos integrados em eletrotcnica/eletrnica,
tcnicos subsequentes em eletrotcnica/eletrnica, alunos de cursos tecnolgicos e de engenha-
rias eltrica e eletrnica, profissionais de automao, mecatrnica, telecomunicaes e outros
profissionais que precisam manter-se atualizados. O contedo abordado descreve de maneira
dinmica e didtica os conhecimentos relativos a eletrnica. Do ponto de vista metodolgico,
o livro trata o assunto de forma clara, objetiva e precisa. A matemtica aplicada objetiva e so
disponibilizados exerccios resolvidos. Ao final de cada captulo h um conjunto de problemas
para facilitar a fixao do contedo.
 Suplementar a esta obra, seria interessante tambm que o docente
pudesse orientar o aluno sobre leituras complementares, indicando livros para
aprofundamento, revistas e sites na rea de eletrnica e eletricidade. Algumas
sugestes de livros, revistas e sites so apresentadas a seguir.

8.1 Objetivos do Material Didtico

Ao elaborarmos este livro, procuramos desenvolver um material que
auxilie o professor e o aluno visto que obras dedicadas ao Ensino Mdio
integrado so praticamente inexistentes. O objetivo deste livro trabalhar
com abordagens terica e prtica, destacando-se:
Proporcionar conceitos introdutrios acerca dos materiais semicondu-
tores e suas aplicaes na construo de diodos e transistores;
Introduzir os conceitos gerais sobre diodos semicondutores;
Conhecer e analisar os principais tipos de retificadores a diodos;
Monitorar e calcular os principais parmetros e grandezas de um cir-
cuito eltrico a diodos;
Elaborar e montar circuitos eletrnicos em laboratrio (na prtica);
Elaborar e montar circuitos eletrnicos em laboratrio por meio de
simulaes computacionais (virtual);
Conhecer e manusear em laboratrio alguns equipamentos utilizados
para as medies de grandezas eltricas;
Estudar os circuitos ceifadores, grampeadores e multiplicadores de
12 tenso;
Verificar o funcionamento dos elementos resistor, indutor e capacitor
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em corrente contnua;
Estudar circuitos com diodos Zener;
Montagem de fontes com tenso regulada a partir de diodos Zener;
Conhecer e manusear fontes regulveis fixas e variveis a partir de cir-
cuitos integrados;
Estudar o princpio de funcionamento dos transistores, verificar seus
possveis defeitos e estudar os mtodos de polarizao dos transistores.

8.2 Princpios Pedaggicos

Com assuntos atuais e uma linguagem clara e objetiva, esse livro
dividido em dez captulos. Cada captulo traz teoria, exerccios resolvidos
e propostos e atividades de simulao computacional que podem ser traba-
lhadas tanto em sala de aula quanto em prticas laboratoriais. Essa diviso
facilita o trabalho do professor no momento de dividir o captulo em aulas.
Respeitando o encadeamento de pr-requisitos, cada professor poder ado-
tar a sequncia que sua experincia em sala de aula e seu conhecimento da
realidade local indicar.
 Com o intuito de auxiliar os docentes no processo de ensino-aprendizagem e propiciar
mtodos de avaliao que complementam vrios tipos de atividades aos alunos, destacam-se,
entre outros:
Incentivar os alunos a fazer experimentos no laboratrio, quando projeto prtico;
Propor atividades de simulao computacional, quando o projeto for virtual;
Realizao de seminrios tcnicos;
Projetos interdisciplinares;
Sugerir circuitos prticos em aula, para que os alunos o analisem, encontrem seu pro-
blema e determinem os seus parmetros.

8.3 Articulao do Contedo

O contedo da obra poder interagir com outras disciplinas em atividades ou projetos de
estudo, pesquisa e ao, como por exemplo:
Ingls: Na interpretao, leitura de textos e catlogos de fabricantes (datasheets) que
geralmente so fornecidos na lngua inglesa.
Qumica: O primeiro passo para a compreenso do funcionamento dos diodos entender
os princpios dos semicondutores que aplicam conceitos de qumica no seu entendi-
mento. Testes laboratoriais de qumica, envolvendo dopagem podero ser feitos.
Fsica: Uma parte da fsica trata da eletricidade que pr-requisito para aplicao dos
conceitos de eletrnica.
Portugus: Preparao e elaborao de relatrios tcnicos referentes aos
experimentos.
Informtica bsica e aplicada: Vrios circuitos eletrnicos podem ser simulados e suas 13
grandezas podero ser verificadas/manipuladas com o uso de softwares afins.
Circuitos eltricos/eletricidade: Para aplicar os conceitos como Lei das Tenses e

Eletrnica Bsica
Corrente de Kirchhoff, Lei das Malhas e dos Ns, utilizados em eletrnica.
Acionamento de Mquinas Eltricas: Aplicao do aprendizado no acionamento de
motores eltricos (motores de passo, motores de corrente contnua e motores de
induo).

8.4 Atividades Complementares

As atividades complementares que os docentes podem realizar so as tcnicas de laborat-
rio, essenciais compreenso, diretamente ligadas prtica.
Os trabalhos em grupo devem ser motivados. Com eles, o aluno aprender a trabalhar em
equipe e trocar experincias. Podero ser feitas a montagem de equipamentos eltricos simples, tais
como fontes simtricas, amplificadores com o uso de transistores, montagem de retificadores, entre
outros.
Pesquisas de contedos tratados em sala de aula e que levam ao aprofundamento devem
ser valorizados.
A utilizao de softwares computacionais de grande importncia, haja visto que vrias
empresas que atuam nos setores eletrnicos, industriais e de energia eltrica privilegiam as
atividades de simulao de comportamento eltrico para a tomada de decises.
 8.5 Sugestes de Leitura
BOGART JR. T. F. Dispositivos e Circuitos Eletrnicos. So Paulo: Makron Books, [s.d.]. vol. 1 e 2.
Os temas so abordados com maior profundidade.
BOYLESTAD, R. L. Introduo Anlise de Circuitos Eltricos. 10.ed. So Paulo: Prentice-Hall do
Brasil, 2004.
Obra slida de circuitos eltricos e dividida em vinte e seis captulos. Pode ser utilizada tanto nos
cursos superiores quanto em cursos tcnicos. O livro apresenta conceitos primordiais ao enten-
dimento de eletrnica, pois, circuitos eltricos/eletricidade um dos pr-requisitos para o ensino
de eletrnica.
BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos. 8. ed. So
Paulo: Prentice-Hall do Brasil, 2004.
Obra clssica dividida em vinte e um captulos. uma excelente fonte de estudos sobre o tema
e, alm disso, oferece ao docente muitos recursos para o ensino de eletrnica.
MALVINO, A. P. Eletrnica. So Paulo: Makron Books, 1995. vol. 1. e 2.
O volume 1 composto de quinze captulos, e o volume 2 d continuidade aos temas tratados
no captulo 1. O livro possibilita uma compreenso essencial das caractersticas dos dispositivos
semicondutores, como testes e circuitos prticos. Os conceitos so escritos de forma coloquial e
de fcil leitura, estabelecendo o fundamento necessrio para a compreenso do funcionamento
e verificao de defeitos dos sistemas eletrnicos.
MARCUS, O. Sistemas Analgicos: Circuitos com Diodos e Transistores. 7. ed. So Paulo: rica,
2007.
14 Esta obra dividida em dezesseis mdulos, e trata dos vrios tipos de diodos e transistores bipo-
lares. O livro contm muitas aplicaes prticas, estimulando a anlise e o desenvolvimento
de projetos. formado por teoria seguida de fichas de exerccios de aplicao imediata. Cada
Eletrnica Bsica

mdulo possui, ainda, um conjunto de atividades complementares, incluindo os fundamentos

fsicos e matemticos necessrios, exerccios propostos e ingls tcnico.
MARQUES, A. E. B.; CRUZ, E. C. A.; CHOUERI JR., S. Dispositivos Semicondutores: Diodos
e Transistores. 10. ed. So Paulo: rica, 2006.
Livro constitudo de quatorze captulos, destinado aos cursos tcnicos. Inicia os alunos no mundo
dos dispositivos semicondutores. Analisa as caractersticas fsicas, eltricas e as aplicaes do diodo
semicondutor, diodo Zener, LED, fotodiodo, fototransistor, fotoacoplador, transistor bipolar,
JFET, MOSFET, PTC, NTC e LDR, dando condies para o desenvolvimento de projetos de
circuitos eletrnicos que utilizam dispositivos como os amplificadores, fontes de tenso estabili-
zadas etc., alm de subsdios para o estudo de outros dispositivos semicondutores.

MILLMAN, J.; HALKIAS, C. C. Eletrnica: Dispositivos e Circuitos. vol. 1. So Paulo:

McGraw-Hill do Brasil, 1981.
SEDRA, A. S. ; Smith, K. C. Microeletrnica. 4. ed. So Paulo: Makron Books
Livro com temas da rea de eletrnica tratados de forma mais aprofundada.
SCHMIDT, W. Materiais Eltricos. 2. ed. [s. l.]: Editora Edgar Blcher Ltda, 1979. vol. 1 e 2.
Esse livro trata especificamente sobre os materiais condutores, semicondutores e isolantes.
Alguns Sites de Eletrnica
<http://www.malvino.com>
Site muito bom elaborado pelo autor de um livro de eletrnica. Nele esto disponveis materiais
para download que ajudaro no ensino/aprendizagem de eletrnica. H um link que disponibi-
liza algumas animaes que auxiliaro na compreenso nos fenmenos e princpios da rea.

<http://www.eletronica24h.com.br/cursoeletronica/index.htm>
Esse site foi construdo para difundir conhecimentos na rea de eletrnica. Particularmente
dedicado a alunos e professores que desejam estudar eletrnica, circuitos e/ou outras reas rela-
cionadas eltrica. So apresentados links com artigos tcnicos e ideias de projeto envolvendo
eletrnica. Ainda so disponibilizados dados contendo manuais de fabricantes e montagem de
experimentos.

<http://www.ee.pucrs.br/~fdosreis/>
Site do Prof. Fernando Soares dos Reis que disponibiliza material didtico ao docente da rea
de eletrnica. O autor ainda oferece recursos para redigir relatrios tcnicos e links para efetuar
download de softwares para simulao de circuitos eletrnicos.

<http://www.dee.ufcg.edu.br/~gutemb/>
Site pessoal do Prof. Jos Gutembergue de Assis Lira no qual so abordadas vrias reas, entre
elas a eletrnica. O site oferece ainda apostilas de eletrnica, links para estudos e aprofundamen-
tos, entre outros.

<http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor/> 15
Site do Prof. Jos Antenor Pomilio. Esta pgina oferece apostilas de temas envolvendo eletr-
nica e outros assuntos relacionados.

Eletrnica Bsica
<http://www.ipes.ethz.ch/ipes/sp_index.html>
Site disponvel em vrias lnguas. Os assuntos so tratados de forma mais aprofundada e alguns
circuitos podem ser simulados on-line.

<http://www.educypedia.be/electronics/electronicaopening.htm>
Esse site uma fonte de informao sobre o material cientfico e educacional: Eletrnica, Cincia,
Engenharia, Enciclopdia e Tecnologia da Informao. Todos os links so testados com relao
ao contedo, sem vnculos comerciais. apresentada uma vasta quantidade de recursos para as
mais diversas reas, entre elas a eletrnica.

<http://www.josematias.pt/alunos.htm>
Pgina pessoal do Prof. Jos Vagos Carreira Matias, elaborada na lngua portuguesa. Nela voc
encontrar informaes detalhada sobre temas tcnicos e didticos, esquemas eltricos, fotos, pas-
satempos, entre outras informaes teis. Est tambm disponvel uma lista de links interessantes.
Basicamente, so apresentados e disponibilizados materiais das reas de eletrotcnica e eletrnica.
 <http://www.dee.feis.unesp.br/docentes/canesin/lep10/index.php>
Site de eletrnica de potncia que apresenta ferramentas de simulao interativa de apoio
melhoria da educao eletrnica de potncia. So disponveis ferramentas gratuitas de simulao
para alunos e professores. Essas ferramentas interativas fazem uso dos benefcios da linguagem
Java para fornecer uma visualizao dinmica e interativa das simulaes.

<http://www.sabereletronica.com.br/>
Site que disponibiliza revistas e artigos da srie Saber Eletrnica e Eletrnica Total. Alm das revistas,
esto disponveis artigos tcnicos, vdeos, entre outros.

<http://www.comunidadelectronicos.com/>
Esse site especialmente interessante. Trata-se de um site em espanhol para atender comuni-
dade de tcnicos que atuam no campo da Eletrnica. Ele possui uma infinidade de assuntos,
artigos e orientaes tcnicas que podem ajudar bastante os leitores em suas atividades escolares
e profissionais. Vale a pena acess-lo e navegar nele. Voc vai se surpreender com a riqueza do
contedo tcnico.

<http://www.ti.com> e <http://www.national.com>
Nesses sites voc acessar a Texas Instruments e a National Semiconductor, dois dos maiores
fabricantes de circuitos integrados analgicos e digitais do mundo. Voc poder obter dados
sobre uma infinidade de componentes.

<http://www.electronicsworkbench.com>
Esse site muito importante, pois nele voc poder fazer o download ou solicitar o CD com a
16 mais nova verso demonstrativa do software MultiSim, o qual permitir que voc execute
todos os circuitos disponibilizados no livro. Ao acessar o site voc dever prestar ateno nas
orientaes em ingls contidas nele e dever preencher um cadastro (sem compromisso algum
Eletrnica Bsica

de comprar ou de pagar) para acessar a rea de download ou de solicitao do CD.

8.6 Sugesto de Planejamento

Este livro foi elaborado para dar suporte e ser utilizado para 60 horas em sala de aula. A
sugesto de planejamento que anunciamos segue neste diapaso. Mas altamente recomen-
dado que o professor da disciplina incremente com textos e atividades complementares em
conformidade com o seu jeito prprio de ministrar as aulas, sobretudo potencializando sua
especializao, aplicando sua criatividade em prol do incremento do processo educativo.

Semestre 1
Primeiro Bimestre
Captulo 1 Princpio dos Semicondutores
Objetivos
Fazer um breve histrico da evoluo da eletrnica.
Mostrar a estrutura atmica: nmero atmico, rbitas dos eltrons, eltrons de valncia e
ionizao.
 Conceituar e analisar os materiais semicondutores, condutores e
isolantes.
Mostrar o processo de formao das ligaes covalentes.
Identificar como ocorre a conduo nos semicondutores.
Mostrar como se formam os semicondutores do tipo N e do tipo P e
analisar suas caractersticas fsicas e eltricas.
Evidenciar a formao do diodo semicondutor: Como ocorre a forma-
o da camada de depleo e da barreira de potencial.
Mostrar os mtodos de polarizao do diodo.
Mostrar as curvas caractersticas de tenso versus corrente dos princi-
pais modelos de diodos.
Mostrar os modelos de diodos mais aplicveis na prtica e os principais
tipos de encapsulamentos.
Comprovar e mostrar as principais medies feitas para o teste de diodos.
Fazer testes experimentais com diodos.
Analisar circuitos com diodos alimentados com fontes contnuas.
Realizar simulaes computacionais em circuitos bsicos com diodos.

Captulo 2 Diodos e suas Principais Aplicaes 1

Objetivos

Apresentar os conceitos bsicos de sinais alternados. 17

Comparar sinais alternados e contnuos no tempo.

Eletrnica Bsica
Representar graficamente os sinais alternados.
Apresentar e efetuar clculos com sinais senoidais.
Apresentar o princpio de funcionamento de transformadores mono-
fsicos e suas principais conexes.
Analisar os circuitos retificadores de meia-onda: Esboo das principais
formas de onda de circuitos retificadores.
Apresentar a diferena entre circuitos retificadores empregando diodos
ideais e prticos.
Elaborar circuitos retificadores de meia-onda no laboratrio.
Realizar simulaes computacionais de circuitos retificadores de
meia-onda e verificar as principais formas de onda de tenso e corrente
do circuito.
Aprender a trabalhar com os principais equipamentos para testes
laboratoriais, tais como: osciloscpios, multmetros, ampermetros,
voltmetros, transformadores, entre outros.
 Captulo 3 Diodos e suas Principais Aplicaes 2

Objetivos
Apresentar os conceitos bsicos dos retificadores de onda completa:
aplicabilidades e vantagens.
Mostrar o princpio de funcionamento dos retificadores de onda
completa com transformadores de tomada central. Anlise, obten-
o de formas de onda e estudo das caractersticas do transformador
empregado.
Mostrar o princpio de funcionamentos dos retificadores de onda com-
pleta em ponte. Aspectos construtivos e principais formas de onda de
tenso e corrente.
Efetuar simulaes computacionais, usando softwares afins, dos retifi-
cadores de onda completa com transformador de tomada central e em
ponte.
Mostrar e comprovar a importncia do uso de filtros capacitivos
para minimizao das indesejveis ondulaes de tenso na sada dos
retificadores.

Segundo Bimestre
Captulo 4 Circuitos Ceifadores
Objetivos

18 Apresentar os conceitos bsicos e aplicabilidade dos circuitos

ceifadores.
Mostrar como funcionam os ceifadores srie e ceifadores paralelos.
Eletrnica Bsica

Utilizar ferramentas computacionais para verificao dos sinais de ten-

so e/ou corrente obtidos na sada dos circuitos ceifadores.
Montar em laboratrio os principais circuitos ceifadores.

Captulo 5 Circuitos Grampeadores e Multiplicadores de Tenso

Objetivos

Apresentar os conceitos bsicos e aplicabilidade dos circuitos

grampeadores.
Mostrar como funcionam os grampeadores positivos e grampeadores
negativos.
Verificao da tenso de sada de circuitos grampeadores com fontes
senoidais e quadradas.
Mostrar os procedimentos para anlise e montagem de circuitos multipli-
cadores de tenso.
Utilizar ferramentas computacionais para verificao dos sinais de ten-
so e/ou corrente obtidos na sada dos circuitos grampeadores.
Montar em laboratrio os principais circuitos grampeadores.
Semestre 2

Primeiro Bimestre
Captulo 6 Diodos Zener: Reguladores de Tenso
Objetivos

Apresentar os conceitos bsicos e evidenciar a importncia das fontes regulveis.

Mostrar a diferena da tenso de sada para as fontes regulveis e no regulveis.
Analisar as caractersticas fsicas e eltricas dos diodos Zener.
Realizar anlises CC dos circuitos com diodos Zener sem carga.
Analisar a operao de circuitos com diodos Zener com carga.
Mostrar o princpio de funcionamento dos circuitos limitadores, construdos com dio-
dos Zener.
Projetar e construir em laboratrio circuitos estabilizadores de tenso com diodos Zener.
Utilizar ferramentas computacionais para verificao dos sinais de tenso e/ou corrente
obtidos na sada dos circuitos a diodos Zener.
Captulo 7 Reguladores de Tenso a Partir de Circuitos Integrados
Objetivos

Apresentar os conceitos, aplicaes e vantagens dos reguladores de tenso fixos.

Mostrar os cdigos dos principais reguladores de tenso fixos e variveis, positivos e negativos.
Realizar simulaes em softwares afins sobre os reguladores fixos e variveis. 19

Efetuar testes experimentais em laboratrio com circuitos reguladores de tenso.

Eletrnica Bsica
Analisar e propor projetos de fontes de alimentao simtricas construdas com circuitos
integrados.

Segundo Bimestre
Captulo 8 Transistor Bipolar de Juno (TBJ): Princpio de Funcionamento
Objetivos

Apresentar as principais aplicaes dos transistores bipolares de juno (TBJ).

Analisar as caractersticas fsicas e eltricas dos transistores bipolares de juno: aspectos
construtivos e funcionamentos do TBJ.
Mostrar os procedimentos para polarizao direta e reversa dos transistores.
Conceituar e identificar o ganho de corrente nos transistores.
Apresentar as expresses matemticas iniciais dos transistores.
Realizar simulaes em softwares afins sobre os reguladores fixos e variveis.
Efetuar testes experimentais em laboratrio com circuitos bsicos a transistores.
 Captulo 9 Verificao de Defeitos em Transistores Bipolares de
Juno
Objetivos

Apresentar os procedimentos para o teste e identificao dos terminais

dos transistores: Identificao dos terminais coletor, base e emissor dos
TBJs, se ele NPN ou PNP.
Verificar defeitos em circuitos bsicos com transistores.
Apresentar as principais configuraes e curvas caractersticas dos
transistores.
Apresentar o conceito de reta de carga e ponto de operao do TBJ.
Analisar as especificaes dos transistores mostradas em dados dos
fabricantes.
Realizar simulaes em softwares afins sobre os transistores.
Efetuar testes experimentais em laboratrio com circuitos bsicos a
transistores.
Captulo 10 Polarizao dos Transistores Bipolares de Juno
Objetivos

Apresentao dos conceitos iniciais: variao do ganho de corrente com a

temperatura, alterao no ponto de operao dos transistores.
20 Definir ponto quiescente e reta de carga para o transistor bipolar.
Expor os principais mtodos de polarizao dos transistores e suas respec-
tivas expresses matemticas.
Eletrnica Bsica

Apresentar as principais configuraes e curvas caractersticas dos

transistores.
Mostrar como determinar os resistores de polarizao para cada
configurao.
Construir a reta de carga para cada circuito de polarizao.
Analisar o comportamento e identificar o comportamento de cada confi-
gurao frente s alteraes trmicas por meio da alterao no ganho de
corrente.
Realizar simulaes computacionais em softwares afins em cada configura-
o de polarizao dos transistores.
Efetuar testes experimentais em laboratrio com as principais configura-
es de polarizao apresentadas.
9. Orientaes Didticas e Respostas das
Atividades
Neste manual, apresentamos a resoluo dos exerccios propostos ao final de cada cap-
tulo do livro de eletrnica bsica. A soluo desses problemas um recurso extra que auxilia o
professor na elaborao da aula.

Captulo 1
Respostas pgina 43

1) O tomo a menor partcula de um elemento e eletricamente neutro, pois o nmero de

eltrons presentes em suas rbitas igual ao nmero de prtons do seu ncleo. Basicamente,
o tomo dividido em duas partes: o ncleo e a eletrosfera. No ncleo esto dispostos os
prtons e os nutrons. Na eletrosfera, esto os eltrons, distribudos em sete camadas.
2) O eltron uma partcula carregada com carga eltrica negativa e giram em rbitas bem
definidas, conhecidas como K, L, M, N, O, P e Q, conforme modelo atmico de Bohr.

3) O eltron precisa estar a uma determinada distncia do ncleo, numa dada rbita, e movi-
mentar-se numa dada velocidade. Nesse processo atuam sobre o eltron duas foras. Uma
delas a fora centrfuga, orientada radialmente e para fora do tomo. A outra a fora
eletrosttica entre o eltron e o ncleo, orientada radialmente e em direo ao ncleo.
Para que haja estabilidade essas duas foras devem atuar, tornando o eltron estvel. A
figura a seguir mostra resumidamente o ncleo, o eltron e as duas foras.

Eltron 21

Ncleo Velocidade

Eletrnica Bsica
+
+ Fora
+ +
centrfuga
+ + Fora
eletrosttica

4) Eltrons de valncia so aqueles localizados nas camadas mais externas de um tomo. A ltima
rbita de um tomo define a sua valncia. Os eltrons que esto mais distantes do ncleo
possuem mais energia do que aqueles localizados prximos a ele, e isso ocorre porque existe
uma fora de atrao entre o ncleo, positivamente carregado, e o eltron carregado com
carga negativa. Essa fora de atrao diminui medida que essa distncia aumenta. Assim, os
eltrons com mais energia esto localizados nas camadas mais externas do tomo.

5) Um eltron livre aquele que adquiriu energia suficiente para deixar a banda de valncia
e sob o acrscimo de energia se torna livre. Os eltrons que esto na banda de valncia
tm mais facilidade para sair do tomo, quando recebem um acrscimo de energia, sob
a forma de luz ou calor. Ao receberem este acrscimo de energia, os eltrons tornam-se
livres, saem da banda de valncia e dirigem-se para a banda de conduo, onde sob a ao
de um campo eltrico formam a corrente.
 6) Quando um tomo neutro perde um eltron, o tomo torna-se um on positivo. Quando
um tomo neutro ganha um eltron, o tomo torna-se um on negativo.
7) Os materiais condutores tm muitos eltrons livres, e facilmente conduzem a corrente
eltrica. J os materiais isolantes, geralmente no possuem eltrons livres.
8) Num material condutor, a resistividade do material baixa e, portanto, conduz corrente el-
trica com facilidade. Nos materiais isolantes, a resistividade alta e, portanto, no conduz
corrente eltrica sob condies normais de operao. Os materiais semicondutores podem
ser slidos ou lquidos capazes de mudar com facilidade a sua condio de isolante para a de
condutor. Pode-se dizer que, em termos de condutividade, os materiais semicondutores so
intermedirios, ou seja, no so bons condutores e nem so bons isolantes, possuindo capaci-
dade intermediria de conduo de corrente eltrica.
9) O cobre tem apenas um eltron na camada de valncia.
10) Geralmente, um semicondutor com o silcio e o germnio tm quatro eltrons na camada
de valncia.
11) Ouro, cobre e alumnio.
12) Um dos semicondutores mais utilizados o silcio. Isso se deve principalmente facili-
dade de encontrar o silcio na natureza.
13) Geralmente, os materiais condutores possuem de um a trs eltrons na camada de valncia.
Os materiais isolantes possuem, tradicionalmente, oito eltrons na camada de valncia.
J os semicondutores como o silcio e o germnio tm quatro eltrons na camada de
valncia. O que acontece na verdade, que os eltrons de valncia dos materiais semicon-
dutores esto mais fortemente ligados ao tomo se comparados aos eltrons dos materiais
22 condutores.
14) As ligaes covalentes so formadas pelo compartilhamento de eltrons de valncia de um
Eletrnica Bsica

tomo com os tomos vizinhos. Por exemplo: o silcio possui quatro eltrons na camada de
valncia. Esses quatro eltrons de um tomo compartilham eltrons com o tomo vizinho, e
assim por diante.
15) Material intrnseco aquele que est em seu estado puro. O silcio e o germnio, por
exemplo, quando so encontrados na natureza esto em seu estado intrnseco (puro).
16) Quando os tomos se combinam para formarem um material slido, eles organizam-se
de forma ordenada (simtrica), originando o cristal. A figura a seguir mostra esquema-
ticamente a interligao de cada tomo de silcio com os tomos de silcio adjacentes
(vizinhos), formando um cristal de silcio.

Si
+4

+4 +4 +4 Si Si Si

+4

Si

17) Num cristal de silcio, existem oito eltrons de valncia compartilhados em cada tomo.
18) Na verdade, os eltrons s sero considerados livres quando esto na banda de conduo,
quando sob um acrscimo de energia na forma de luz, calor ou d.d.p. surge a corrente
eltrica.
19) Os eltrons responsveis pela corrente em um material so os eltrons livres. A corrente
surge quando esses eltrons livres comeam a se movimentar no interior do material.
20) O buraco muitas vezes denotado tambm por lacuna e pode ser definido como sendo a
ausncia de eltrons na banda de valncia.
21) Dopagem o processo de adicionar impurezas de determinados tipos aos semicondutores
a fim de modificar suas propriedades de conduo.
22) Os tomos pentavalentes possuem cinco eltrons na camada de valncia e so tambm
chamados de doadores. J os tomos de material trivalente tm trs eltrons na camada de
valncia e so chamados de receptores.
23) O material tipo N formado pela adio de impurezas de materiais pentavalentes (cinco
eltrons na camada de valncia) como, por exemplo, o arsnio (As), o antimnio (Sb)
e o fsforo (P) ao material semicondutor intrnseco (silcio ou germnio). Com isso,
o nmero de eltrons livres maior do que o nmero de lacunas, fazendo com que os
eltrons livres sejam maioria. Como os eltrons so carregados com carga negativa, esse
semicondutor chamado tipo N.
24) O material tipo P formado pela injeo de impurezas de materiais trivalentes (trs el-
trons na camada de valncia) como, por exemplo, o alumnio (Al), boro (B) e o glio
(Ga) ao material semicondutor intrnseco. Nesse processo, haver a formao de buracos
ou lacunas, que so carregados com carga positiva. Por isso as impurezas trivalentes so
chamadas de impurezas tipo P. 23

25) Os portadores majoritrios nos semicondutores tipo N so os eltrons livres. Aps a

dopagem com impurezas pentavalentes os eltrons, carregados com carga negativa so

Eletrnica Bsica
maioria e, por isso, so chamados portadores majoritrios.
26) Os portadores majoritrios nos semicondutores tipo P so os buracos ou as lacunas. Aps
a dopagem com impurezas trivalentes, os buracos, carregados com carga positiva, so
maioria e, por isso, chamados portadores majoritrios.
27) Os portadores majoritrios so produzidos pelo processo de dopagem com impurezas
chamadas de impurezas dopantes.
28) Os portadores minoritrios so produzidos pelo processo de dopagem com impurezas
chamadas de impurezas dopantes.
29) Semicondutores intrnsecos so aqueles encontrados em seu estado puro. Depois de sub-
metidos ao processo de dopagem, esses semicondutores so chamados de semicondutores
extrnsecos.
30) A juno P-N, na verdade, a unio entre os semicondutores do tipo P com os semicon-
dutores do tipo N.
31) Difuso o deslocamento de eltrons do material do tipo N para o material do tipo P. Esse
excesso de eltrons tende a migrar do material do tipo N para o do tipo P para manter o
equilbrio eletrnico e tambm a estabilidade qumica.
 32) Depleo significa diminuio ou ausncia de portadores majoritrios na regio prxima
juno P-N. Na regio de depleo, so formadas camadas finas de ons positivos e
negativos em ambos os lados da juno P-N. medida que os tomos do material tipo P
prximos juno recebem os primeiros eltrons, preenchendo suas lacunas, no lado N
forma-se uma regio com ons positivos (falta de eltrons). De maneira semelhante, no
lado P forma-se uma regio com ons negativos (excesso de eltrons), dificultando ainda
mais a passagem da corrente eltrica.
33) Como a camada de depleo fica ionizada, cria-se junto juno um campo eltrico ou
diferena de potencial chamada de barreira de potencial. Esse potencial a quantidade de
energia necessria para mover os eltrons por meio da regio de depleo.
34) Na temperatura de 25C o valor desse potencial para o diodo de silcio de aproximada-
mente 0,7 V.
35) Na temperatura de 25C o valor desse potencial para o diodo de germnio de aproxima-
damente 0,3 V.
36) A polarizao direta ocorre quando o potencial positivo da fonte encontra-se ligado no
lado P e o potencial negativo no lado N. Quando isso ocorre, os eltrons livres do lado
N atravessam a juno P-N e combinam-se com os buracos formados do lado P. Esse
movimento de eltrons forma a corrente eltrica.
37) Para polarizar diretamente um diodo, basta aplicar o potencial positivo de uma fonte
externa na regio P e o potencial negativo da fonte ao lado N.
38) A polarizao reversa ocorre quando o potencial negativo da fonte externa interligado
ao lado P e o potencial positivo da fonte ao lado N. Na polarizao reversa no h circula-
o de corrente de altas magnitudes. Existe apenas uma pequena corrente de polarizao
reversa chamada de corrente de fuga ou corrente reversa.
24
39) Para polarizar reversamente um diodo, basta aplicar o potencial positivo de uma fonte
externa na regio N e o potencial negativo da fonte ao lado P.
Eletrnica Bsica

40) Quando o diodo est diretamente polarizado a camada de depleo bem estreita,
enquanto quando reversamente polarizado a camada de depleo alarga-se.
41) Os portadores majoritrios de corrente so produzidos na polarizao direta.
42) Quando o diodo reversamente polarizado no h fluxo de portadores majorit-
rios de corrente. Por outro lado, h um fluxo de portadores minoritrios, dando
origem a uma corrente eltrica muito pequena, chamada corrente reversa ou ainda
corrente de fuga.
43) O efeito avalanche ocorre quando o diodo reversamente polarizado, com valores de
tenso reversa (negativa) que extrapolam os dados de projeto do fabricante. O fabricante
nomeia essa tenso reversa de tenso de ruptura. Acima desse valor a corrente aumenta
instantaneamente, e o diodo simplesmente se rompe.
44) Para valores de tenso direta aplicadas ao diodo, cujo valor est abaixo da tenso do joe-
lho da curva a corrente baixa. Por outro lado, para valores de tenso acima da tenso
do joelho a corrente aumenta instantaneamente. O valor dessa tenso do joelho vale
aproximadamente 0,7 V para os diodos de silcio e 0,3 V para os diodos de germnio.
45) O diodo opera normalmente quando diretamente polarizado com valores de tenso que
esto acima da tenso do joelho da curva (acima de 0,7 V para os diodos de silcio e 0,3 V
para os diodos de germnio).
46) A tenso de ruptura bem maior que a tenso de barreira de potencial. Essas grandezas
geralmente so fornecidas nos catlogos de fabricantes.
47) Um diodo opera normalmente na polarizao reversa quando os valores de tenso apli-
cados pela fonte externa esto abaixo da tenso do joelho. Isso inclui valores de tenso
negativos.
48) Geralmente, a barreira de potncia diminui com o aumento da temperatura.
49) Um tomo com nmero atmico igual a (6) ter (6) eltrons e (6) prtons.
50) Na terceira camada, poder existir um nmero mximo de dezoito (18) eltrons.
51) Os materiais mostrados na figura 1.54 so:
(a) isolante, (b) semicondutor e (c) condutor.
52) O tomo com quatro eltrons na camada de valncia um semicondutor.
53) Num cristal de silcio cada tomo forma quatro ligaes covalentes.
54) A corrente eltrica produzida na banda de valncia e banda de conduo.
55) A dopagem a injeo controlada de tomos de materiais pentavalentes e trivalentes ao
semicondutor puro (intrnseco) visando aumentar o nmero de portadores majoritrios
(eltrons livres ou lacunas).
56) O antimnio um material pentavalente (possui cinco eltrons na camada de valncia)
e usado para aumentar o nmero de eltrons livres. O boro um material trivalente
(possui trs eltrons na camada de valncia) e usado para aumentar o nmero de lacunas
ou buracos.
57) O campo eltrico por meio da juno P-N criado pela migrao dos eltrons do material
tipo N para o material tipo P. medida que os tomos do material tipo P prximo jun-
25
o recebem os primeiros eltrons, preenchendo suas lacunas, no lado N forma-se uma
regio com ons positivos (falta de eltrons) e, no lado P, uma regio com ons negativos
(excesso de eltrons). Portanto, estabelecendo um campo eltrico entre os ons.

Eletrnica Bsica
58) A barreira de potencial criado junto juno uma queda de tenso que deve ser trans-
posta para que haja o fluxo de corrente eltrica e no uma fonte de energia.
59) Para polarizar diretamente um diodo, o polo positivo da fonte externa dever ser interli-
gado regio P.
60) A resistncia em srie inserida com o intuito de limitar a corrente que passa pelo diodo,
evitando que ele queime por excesso de corrente.
61) O diodo encontra-se diretamente polarizado com o polo positivo da fonte ligado regio P,
e o polo negativo regio N. Quando o valor da tenso da fonte menor que a tenso de
barreira de potencial do diodo, a corrente muito baixa, e o diodo no conduz. Quando
a tenso da fonte externa ultrapassa a barreira (0,7 V para diodos de silcio e 0,3 V para
os diodos de germnio) a corrente aumenta instantaneamente fazendo o diodo conduzir.
Aumentando gradativamente a tenso da fonte externa e inserindo medidores de tenso
e corrente, possvel, a cada valor de tenso injetada, obter a tenso sobre o diodo e a
corrente que passa por ele, construindo assim a curva V x I.
62) Uma variao na temperatura altera completamente o comportamento da tenso e da
corrente num diodo. Um aumento da temperatura, por exemplo, far com que a tenso
de barreira caia de 0,7 V para 0,6 V.
 63) (a) diretamente polarizado, (b) diretamente polarizado, (c) diretamente polarizado,
(d) diretamente polarizado.
64) Nomeando a tenso sobre o diodo de VD e aps anlise todos esto conduzindo,
tem-se:
(a) VD = 0,7 V, (b) VD = 0,7 V, (c) VD = 0,7 V, (d) VD = 0,7 V.
65) Analisando o circuito, verifica-se que o diodo est diretamente polarizado. Estando direta-
mente polarizado a tenso sobre ele deveria ser de 0,7 V, considerando-se que o diodo seja de
silcio. Para leitura apresentada pelo voltmetro de 6 V, verifica-se que o diodo est aberto.
1 R1 2 R2 3
10k 10k
V1 R3 D1
12 V 10k 1N4148
0 0 0

XMM1
Angilent

Analisando o circuito a seguir, verifica-se que o diodo est diretamente polarizado com o
nodo mais positivo que o catodo. Estando diretamente polarizado, a tenso sobre ele deve-
ria ser de 0,7 V, considerando-se que o diodo seja de silcio. Para leitura apresentada pelo
26
voltmetro de 20 V, verifica-se que o diodo est aberto. Nesse caso, toda a tenso da fonte
contnua surge sobre o diodo.
Eletrnica Bsica

D1 R1
1 2
3
1N4148 10
V1 R2
20 V 320
0 0

XMM1
Angilent

No caso a seguir, verifica-se que o nodo est mais negativo que o catodo, teoricamente
caracterizando um diodo reversamente polarizado. Estando reversamente polarizado, o diodo
no conduz e, dessa forma, no h passagem de corrente eltrica. Consequentemente, a tenso
medida sobre o resistor deveria ser nula caso o diodo estivesse funcionando corretamente.
Nesse caso particular, o diodo est danificado, em curto-circuito.
 D1
1 2
R1
1N4148 320
V1 3
20 V
R2
320
0

XMM1
Angilent

No caso a seguir, o diodo est funcionando corretamente. Estando reversamente polari-

zado, no permite a passagem de corrente eltrica e, portanto, a tenso sobre o resistor
igual a zero.
XMM1
Angilent

1 R1 2
470
D1 V1
10 V
1N4148
0
0

27

Eletrnica Bsica
66) VR = VS = +25 V
VT = VU = 15 V
A corrente que passa pelo resistor vale:
VResistor = 30 + 15 V VResistor = 45 V
45
IResistor = IResistor = 30 mA
1500

4 k D1 D2
67) +
VR1

i=0A
+ +
+
10 V VR2 6 k 3V
i

O diodo D1 conduz.
O diodo D2 no conduz.
 Considerando diodos ideais e aplicando L.T.K. na malha direita:

10 VR1 VR2 = 0
10 4 000 . i 6 000 . i = 0
10
i= i = 1 mA
10 000

Pela Lei de Ohm:

VR1 = 4 000 . i = 4 000 x 1 x 10-3 VR1 = 4 V
VR2 = 6 000 . i = 6 000 x 1 x 10-3 VR2 = 6 V

68) a. Diretamente polarizado.

b. Diretamente polarizado.
c. Diretamente polarizado.
d. Diretamente polarizado.
e. Diretamente polarizado.
f. Diretamente polarizado.
g. Diretamente polarizado.

69) L1 e L3 : II no acendem.
L2: III acende com sobrecarga de tenso podendo danificar-se.
L4 e L5: I acendem.
70) a. L1 acende e L2 no acende.
28
b. L1 acende, L2 e L3 no acendem.
c. L1 e L2 acendem e L3 no acende.
Eletrnica Bsica

d. Todas as lmpadas vo acender.

71)
0.3 V
A
+
iT iT/2 1 k

+ i /2
T
B
iT

1 k
+ 0.3 V
12 V

5 k

Para resolver esse exerccio, considere a figura onde o diodo de germnio foi substitudo
por uma bateria de 0,3 V e foram criados os ns "A" e "B".
Pela Lei das Correntes de Kirchhoff as correntes que chegam ao n so iguais s que
saem do n. Portanto, nomeando a corrente que chega ao n de iT, pela L.T.K. em um
dos ramos, obtm-se:
 1 000 . it
12 0,3 5 000 . iT = 0
2
11,7 500 . iT 5 000 . iT = 0
11,7
11,7 5 500 . iT = 0 iT = iT = 2,13 mA
5 500
2,13 x 10-3
A corrente que passa por cada diodo iT = = 1,06 mA
2 2

72)
a.
10 O diodo est reversamente
+ V
(R10 )
polarizado V(10 ) = 0 V
+ i = 0A +
5V 8V

b.
100 V O diodo est diretamente
+
polarizado e a fonte de 100 V
+ est em paralelo com o resistor
V(R56 ) 56
V(56 ) = 100 V
29

Eletrnica Bsica
c.
1 k 1 k
+
V(R1 k)
+ + i
1,5 k 1,5 k 30 V 4,85 k
+ 4,7 k + V(R1,5 K)

30 V 30 V
+
4,7 k 2,35 k V(R2,35 K)

O diodo est diretamente polarizado;

Os dois resistores de 4,7 k esto em paralelo;
Aps efetuar o clculo do paralelismo entre os resistores de 4,7 k obtm-se 2,35 k;
Agora temos trs resistores em srie R Total = 1 k + 1,5 k + 2,35 k
RTotal = 4,85 k;
30
A corrente total do circuito ser: i = i = 6,19 mA;
4,85 x 103
 Pela Lei de Ohm:
V(R1k) = 1 000 . i = 1 000 . 6,19 x 10-3 V(R1 k) = 6,19 V

V(R1,5k) = 1 500 . i = 1 500 . 6,19 x 10-3 V(R1,5 k) = 9,28 V

V(R4,7k) = V(R2,35k) = 2 350 . i = 2 350 . 6,19 x 10-3 V(R4,7 k) = 14,54 V

d.
O diodo est diretamente polarizado e o
10 k 10 k
resistor esquerda est em paralelo com a
V(R10k) V(R10k)
fonte de 10 V.
+
10 V 20 V
V(10k) = 10 V (Resistor esquerda)
+

V(10k) = 20 V (Resistor direita)

73) a.
Si Ge

O diodo est reversamente polarizado,

+
VSada
+ a corrente do circuito nula.
15 V 4,7 k
VSada = 0 V

30 b.
Os dois diodos esto em srie e con-
Si Ge
duzem. Aplicando L. T. K. no circuito
Eletrnica Bsica

considerando que a queda de tenso sobre

+ +
o diodo de silcio seja de 0,7 V e sobre o
VSada
15 V

4,7 k diodo de germnio seja de 0,3 V, tem-se:

15 0,7 0,3 VSada = 0

VSada = 15 1 VSada = 14 V
c.
Os dois diodos de silcio esto diretamente
polarizados.
Para resolver esse exerccio, considere a figura
ao lado onde os diodos de silcio foram subs-
V
7

0,

1k
titudos por uma bateria de 0,7 V.
Vsada
i t/2
it
Pela Lei das Correntes de Kirchhoff as cor-
i t/2

it

12 V
+
1 1 k rentes que chegam ao n so iguais as que
k
saem do n. Portanto, nomeando a corrente
V

7
0,

que chega ao n de iT, pela L.T.K. em um

dos ramos e considerando que essa corrente
divide-se igualmente nos dois ramos em
iT/2, obtm-se:
 1 000it
12 0,1 1 000iT = 0
2
11,3 500iT 1 000iT = 0
11,3
11,3 1 500iT = 0 iT = iT = 7,53 mA
1 500
A tenso de sada, pela Lei de Ohm dada por:

VSada = 1 000it VSada = 1 000.7,53 x 10-3 VSada = 7,53 V

d)
Os dois primeiros diodos de silcio esto
V
0,
7 diretamente polarizados, entretanto o diodo
da extremidade direita est reversamente
k

polarizado, bloqueando a passagem da cor-

10

Vsada
i t/2
it rente eltrica. Isso far com que a queda de
i t/2

it=0A
+ 10 k tenso no resistor de sada seja nula.
10 V
10

V
VSada = 0 V
k

7
0,

Captulo 2
Respostas pgina 76 31

1) Os trs sinais foram lidos utilizando um osciloscpio digital, conforme figuras mostradas

Eletrnica Bsica
na sequncia.

(a) Primeira leitura (b) Segunda leitura (c) Terceira leitura

a. Vef = 150 V
T = 100 ms
Vpico = Vef 2 Vpico= 150 2 = Vpico = 212,13 V

1 1
f= f= f = 10 Hz
T 100 x 10-3
Como a frequncia igual a 10 Hz, podemos afirmar que esse sinal tem 10 ciclos por
segundo.
 b. Vpico = 10 V ; f = 500 Hz
1 1
f= T= T = 2ms
T 500
c. Vpp = 10 V (tenso de pico a pico); 120 ciclos por segundo.
Vpp 10
Vp = = Vp = 5 V
2 2
Como so 120 ciclos/segundo, tem-se f = 120 Hz
1 1
T= T= T = 8,33 ms
f 120
2) Sabendo-se que a tenso do primrio vale 380 V e que a tenso do secundrio vale 100 V,
pode-se afirmar que este um transformador abaixador de tenso. Dessa forma, pode-se
ainda afirmar que o nmero de espiras do secundrio menor que o do primrio. De
posse da figura mostrada na sequncia, podemos obter:

Sinal de entrada N1=1000 esp. N2=? Sinal de sada

380 V/60 Hz 100 V/60 Hz

V1 V2

Transformador

V1 = 380 V
V2 = 100 V
32
N1 = 1 000 espiras
N2 = ?
Eletrnica Bsica

Portanto:
V1 N1 380 1 000
= = N2 263 espiras
V2 N2 100 N2

3) De posse da figura a seguir, pode-se calcular:

N1 = 1 000 esp. N2 = 2 000 esp.
N21 V21
N22 V22
V1=220 V N23 V23 V2 = 440 V
N24 V24
N25 V25
Transformador

V1 = 220 V
V2 = 440 V
N1 = 1 000 espiras
 N2 = 2 000 espiras
N21 = N22 = N23 = N24 = N25
V21 = V22 = V23 = V24 = V25

Portanto:
N22 2 000
N21 = N22 = N23 = N24 = N25 = = = 400 espiras
5 5
mesma forma:
V2 440
V21 = V22 = V23 = V24 = V25 = = = 88 Volts
5 5
4)
N1 = 1000 esp. N2 = 500 esp.
N21 V21=?
N22 V22=?
V1=1100 V N23 V23=? VT=?
N24 V24=?
N25 V25=?
Transformador N21=N22=N23=N24=N25=100 esp.

V1 N1 1 100 1 000
= VT = 500 V

VT N2 VT 500

N21 = N22 = N23 = N24 = N25 = 100 espiras

33
Portanto:
550
V21 = V22 = V23 = V24 = V25 =

Eletrnica Bsica
5
V21 = V22 = V23 = V24 = V25 = 110 V

5) a., b. e c. A tenso do secundrio do transformador mostrada na cor azul, a tenso

no diodo na cor vermelha e a tenso na carga na cor verde. No semiciclo positivo do
sinal de entrada, o diodo conduz, tornando-se um curto-circuito com tenso nula.
Nesse semiciclo, toda a tenso de entrada aparece sob a carga j que a tenso sobre o
diodo igual a zero. J no semiciclo negativo do sinal de entrada, o diodo bloqueia a
passagem de corrente, tornando-se reversamente polarizado. Nesse instante, a tenso
de entrada aparece inversamente sobre o diodo e a tenso da carga torna-se nula.
Diodo ideal
TRANSFORMADOR

220 VRMS(eficaz) 12 VRMS(eficaz) 100

 Tenso de entrada
20

20
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo
20
Tenso no diodo

20
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo
20
Tenso na carga

20
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

d. Basicamente, a nica vantagem de utilizar um retificador de meia-onda no lugar de um

retificador de onda completa so os custos, oriundos da utilizao de apenas um diodo
nos retificadores de meia-onda.

6) Considerando-se que o diodo seja ideal, no existe queda de tenso sobre ele quando o
mesmo conduz. A forma de onda no secundrio do transformador representada na cor
34 azul no grfico a seguir. A tenso sobre o diodo mostrada na cor vermelha. importante
observar que, no semiciclo positivo da tenso de entrada, o diodo torna-se reversamente
polarizado (no conduz), e assim toda a tenso do secundrio aparece inversamente sobre
Eletrnica Bsica

o diodo. No semiciclo negativo da tenso de entrada o diodo est diretamente polarizado,

tornando-se um curto-circuito e, portanto, a tenso sobre ele nula. A tenso na carga
ilustrada na cor verde. Com o diodo inicialmente aberto no h corrente circulando na
carga e, dessa forma a tenso na carga tambm nula. Quando o diodo passa a conduzir,
no semiciclo negativo do sinal de entrada, surge tenso na carga. As respostas para os itens
a e b so visualizados nos grficos.
a e b.

Diodo ideal
TRANSFORMADOR

220 VRMS(eficaz) 12 VRMS(eficaz) 100

 220VRMS 12VRMS(eficaz)

(eficaz)

entrada
20
20

deentrada
Tenso de
Tenso 00

20
-20
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo
diodo

20
20
no diodo
Tenso no

00
Tenso

20
-20
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo
Carga

20
20
na carga
Tenso na

00
Tenso

20
-20
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

c) Vmdia
V c. V16, 97=(V 5,(4V (16,97(
pico pico
5,4 V

mdia
3,1416 p 3,1416

7. Como os dois diodos de silcio esto em paralelo, a tenso sobre ambos idntica e representada na cor vermelha
7) Como os dois diodos de silcio esto em paralelo, a tenso sobre ambos idntica e
no grfico a seguir. A forma de onda de tenso na carga est representada na cor verde no grfico a seguir. A corrente
35
representada na cor vermelha no grfico a seguir. A forma de onda de tenso na carga
na carga foi esboada
estnarepresentada
cor magenta.na
importante
cor verde observar quea os
no grfico diodosAno
seguir. conduzem
corrente no semiciclo
na carga positivonada
foi esboada

Eletrnica Bsica
cor magenta. importante observar que os diodos no conduzem no semiciclo positivo22
da tenso de entrada e sim no semiciclo negativo. Portanto, aparecem tenso e corrente
na carga apenas no semiciclo negativo do sinal senoidal da tenso de entrada. O grfico
mostrado na sequncia representa as respostas para os itens a, b e d. A resposta para o
item c ser:
(V pico
0,7 (16,97 0,7
c. Vmdia = 5,18 V
p 3,1416

a. b. e d.
Diodos de silcio
TRANSFORMADOR

220 VRMS(eficaz) 12 VRMS(eficaz) 1000

 0,7 V

20

de entrada
Tenso
0

20
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04 V pico = 16,97 0,7
20
nos diodos
Tenso

20
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
20
na carga
Tenso

20
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
0.2
na carga
Corrente

0.2
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

8) A forma de onda no secundrio do transformador senoidal, e seu valor de pico :

Vpico = Veficaz 2 = 12 2 = 16, 97 V . Essa forma de onda representada na cor azul no gr-
fico a seguir. Os itens b e c da questo no 8 esto tambm representados no grfico. Na cor
vermelha representada a forma de onda de tenso sobre o diodo. Finalmente, o ltimo
grfico na cor verde representa a forma de onda de tenso na carga.
36 TRANSFORMADOR
Si
Eletrnica Bsica

220 VRMS(eficaz) 12 VRMS(eficaz) 100

Tenso de entrada

20

20
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo
Tenso no diodo

20

20
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo
Tenso na carga

20

20
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

(Vpico 0,3) (16,97 0,7)

c. Vmdia = 5,18 V
p 3,1416
9)
Ge
TRANSFORMADOR

220 VRMS(eficaz) 12 VRMS(eficaz) 100

A tenso de pico no secundrio do transformador ser: Vpico = Veficaz 2 = 12 2 = 16,97 V.
De posse do valor de pico da tenso no secundrio do trafo obtm-se as tenses sobre
o diodo e tambm sobre o resistor de carga. O secundrio do transformador pode ser
substitudo por uma fonte senoidal, conforme mostrado na figura a seguir.
0,3 V

Sinal de entrada
16,97 V

100

16,97 V

a. e b. A figura mostrada na sequncia representa as formas de onda de entrada, no secun-

drio do transformador, a tenso sobre o diodo e ainda a forma de onda de tenso
na carga. Portanto, respondendo aos itens a e b da questo no 9.
Vi

37
Tenso de entrada +16,97 V

Eletrnica Bsica
t

16,97 V

VD

Tenso sobre o diodo

0,3 V 0,3 V

Vp

Vc

Tenso na carga
16,27 V

(Vpico 0,3) (16,97 0,3)

c. Vmdia = 5,3 V
p 3,1416
d. Basicamente, a nica vantagem de utilizar um retificador de meia-onda no lugar de um
retificador de onda completa so os custos, oriundos da utilizao de apenas um diodo
nos retificadores de meia-onda.
 Captulo 3
Respostas pgina 106

1)
Diodo ideal
TRANSFORMADOR

220 VRMS(eficaz) 12 VRMS(eficaz) 100

TRANSFORMADOR

D4 D1
220 VRMS(eficaz) 12 VRMS(eficaz)

100
D3 D2 Manual
Manualdo do
Professor
Professor

esquerda
esquerda
soso
apresentados
apresentados
os os
resultados
resultados
para
para
o retificador
o retificador
dede
meia-onda
meia-onda
enquanto
enquanto
queque
na na
coluna
coluna
da da
esquerda
esquerda
soso
Resultados para o Retificador de Onda
mostrados
mostradosos os
resultados
resultados
para
para
o retificador
o retificador
dede
onda
onda
completa
completa
a. e b. As tenses
RESULTADOS de entrada,
RESULTADOS sobre
PARA
PARA Oo O diodo
RETIFICADORe sobre aDE
RETIFICADOR carga,
DE
so representadas nos grficos
ONDA
ONDA
a seguir nas cores azul, vermelha e verde. Inicialmente, o diodo est diretamente
a) a)e eb) b)
AsAstenses
tenses
dedeentrada,
entrada,sobre
sobre o diodo
o diodoe sobre
e sobrea carga,
a carga,
sosorepresentadas
representadasnosnos
grficos
grficos
a seguir
a seguirnasnascores
coresazul,
azul,
polarizado, fazendo com que a tenso sobre ele seja nula. Nesse mesmo instante,
vermelha
38 vermelha e verde.
e verde.
Inicialmente,
Inicialmente,o diodo
o diodo est
est
diretamente
diretamente polarizado,
polarizado,fazendo
fazendocom
comqueque
a tenso
a tenso
sobre
sobre
eleele
seja
seja
nula.
nula.
Nesse
Nesse
como o diodo conduz, comportando-se como uma chave fechada, haver corrente
mesmo
mesmo instante,
instante,
como
como o circulando
diodo
o diodo
conduz,
conduz,
nacomportando-se
comportando-se
carga e a tenso como
como
sobreuma
uma chave
chave
o resistorfechada,
fechada,
de cargahaver
haver
ser corrente
corrente
idntica circulando
circulando
entradana na
carga
carga
(tenso e e
a tenso
a tensosobre
sobre
o resistor
o resistor
dede
em carga
cargaser
verde). ser
idntica
No idntica
entrada
prximo entrada(tenso
(tenso
semiciclo, emoemverde).
verde).
diodo NoNo
passaprximo
prximo
a estarsemiciclo,
semiciclo,o diodo
reversamente o diodo passa
passaa estar
polarizado. a estar
Eletrnica Bsica

reversamente
reversamente polarizado. Com
polarizado. Com
Comisso,
isso, aa tenso
isso, tenso
a tenso sobre
sobre
sobre ele
ele igual
ele igual do
igual dodosecundrio
secundrio
secundriododo transformador.
transformador.
transformador. AA Atenso
tensotenso
na na na
carga,
carga,
devido
devido corrente
correntenula,
nula, carga,
tambm
tambm devido
ser
serigual acorrente
igual zero
a zero
nessenula,
nesse tambm ser igual a zero nesse instante.
instante.
instante.
2020
20
Tenso de entrada
Tenso de entrada

0 00

20
-20-20
0 0 0.005
0.005 0.01
0.01 0.015
0.015 0.02
0.02 0.025
0.025 0.03
0.03 0.035
0.035 0.04
0.04
1010
10
Tenso no diodo
Tenso no diodo

0 00

10
-10-10

20
-20-20
0 0 0.005
0.005 0.01
0.01 0.015
0.015 0.02
0.02 0.025
0.025 0.03
0.03 0.035
0.035 0.04
0.04
2020
20
Tenso na carga
Tenso na carga

1010
10

0 00

10
-10-10
0 0 0.005
0.005 0.01
0.01 0.015
0.015 0.02
0.02 0.025
0.025 0.03
0.03 0.035
0.035 0.04
0.04
Tempo
Tempo

c) c)
Considerando-se
Considerando-se
queque
o diodo
o diodo
seja
seja
ideal,
ideal,
a tenso
a tenso
mdia
mdia
na na
carga
carga
para
para
o retificador
o retificador
dede
meia-onda
meia-onda
calculada
calculada
da da
forma:
forma:

Vpico
VV
1616
V pico 5, 45V, 4V
, 97, 97
c. Considerando-se que o diodo seja ideal, a tenso mdia na carga para o retificador de
meia-onda calculada da forma:
(Vpico) (16,97)
Vmdia = 5,4 V
p 3,1416
d. So vrias as vantagens de utilizao de um retificador de onda completa comparado a
um retificador de meia-onda, destacando-se:
Os retificadores de onda completa possuem uma tenso na carga menos oscilante.
Com isso, as cargas alimentadas com esse tipo de tenso comportam-se melhor.
A frequncia da tenso na carga para os retificadores de onda completa de 120 Hz,
enquanto para os de meia-onda essa frequncia de oscilao de 60 Hz. Esse aspecto
faz com que a tenso mdia na carga para os retificadores de onda completa seja o
dobro daquela apresentada pelos retificadores de meia-onda.

Resultados para o Retificador de Onda Completa

a. e b. A seguir so mostradas as formas de onda de tenso de entrada (em azul), tenso nos
diodos D1 e D3 (VD1 e VD3) e nos diodos 2 e 4 (VD2 e VD4) (em vermelho e verde)
e tenso na carga (na cor magenta). No semiciclo positivo do sinal de entrada, os
diodos 1 e 3 conduzem, enquanto os diodos 2 e 4 esto reversamente pola-
rizados. Com isso, a tenso VD1 e VD3 nula e as tenses VD2 e VD4 so idnticas
tenso do primrio do trafo em amplitude, mas com sinal invertido. A tenso da
carga, nesse momento, igual de entrada do transformador. 39
Quando a tenso do secundrio do trafo passa para o semiciclo negativo, os diodos
2 e 4 passam a conduzir, enquanto os diodos 1 e 3 agora esto reversamente

Eletrnica Bsica
polarizados. Nesse instante, observa-se que a tenso sobre os diodos 2 e 4
nula, devido conduo, enquanto a tenso do secundrio do trafo aparece sobre os
diodos 1 e 3.
A tenso na carga um retrato da tenso sobre os diodos 1 e 3, apenas com
polaridade invertida. importante observar que nos retificadores de onda completa
em ponte, sempre h dois diodos conduzindo ao mesmo tempo e, geralmente essa
conduo se d de forma alternada.
No caso desse circuito especfico, isso significa que hora os diodos D1 e D3
conduzem, hora so os diodos D2 e D4 que passam a conduzir, fazendo com
que sempre haja conduo de corrente na carga, diferente dos retificadores de
meia-onda que, hora passa corrente na carga e hora no passa.
 D4 que passam a conduzir, fazendo com que sempre haja conduo de corrente na carga, diferente dos retificadores de
meia-onda que, hora passa corrente naNcarga
1 eN
hora
2 no passa.
+
Tenso D4
de entrada D1
20
20
+
+

Ventrada
entrada
V1 V2 +

00
RSurto +

V
+
VC RL
D2 VC
20
-20 D3
VD1, VD2, VD3, VD4 0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
VD1, VD2, VD3, VD4
10
10

00
-10
10
20
-20
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
20
20
Vcarga
Vcarga

10
10

00
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

c) Considerando-se que o diodo seja ideal, que

c. Considerando-se a tenso mdia na
o diodo carga
seja para oa retificador
ideal, de onda na
tenso mdia completa
carga para
calculada da
o retificador de
forma: onda completa calculada da forma:
Vmdia
2 xVpico 2 x16, 97(2
x10V, 8pico
V
) (2 x 16,97)
V =
3,1416 10,8 V
mdia
p 3,1416
d) Respondido anteriormente.
d. Respondido anteriormente.
2.
27
2)
D1
18 espiras
40 110 VRMS 72 espiras
18 espiras 20
Eletrnica Bsica

D2

a. A tenso total de pico no secundrio do trafo obtida conforme expresso mostrada na
sequncia.
V1 N1 110 72 110 x 36
= V2 = V2 = 55 V (RMS)

V2 N2 V2 36 72
O valor do pico ser:
V2(pico) = V2RMS x 2 V2(pico) =55 x 2 V2(pico) = 77,78 V
b. A tenso total de pico em cada um dos taps do secundrio do trafo obtida conforme
expresso mostrada na sequncia. Nesse exerccio estamos nomeando a tenso do tap
superior de V2a e a tenso do tap inferior de V2b.
V1 N1 110 72 110 x 18
= = V2a = V2a = 27,5 V(RMS)

V2a N2 V2a 18 72

O valor do pico ser:

V2a(pico) = V2aRMS x 2 V2a(pico) = 27,5 x 2 V2a(pico) = 38,89 V = V2b(pico)
c. e f. A forma de onda sobre o resistor de 20 mostrada na sequncia na cor azul. O
valor de pico da onda de tenso na carga de 38,89 Volts. A tenso sobre o diodo
1 (D1) mostrada na cor vermelha. Num primeiro instante, o diodo D1 no est
conduzindo e, portanto, a tenso sobre ele ser toda a tenso do secundrio do
trafo (77,78 V). Nesse mesmo instante, o diodo D2 encontra-se diretamente
polarizado. Com a conduo, a tenso sobre ele praticamente nula, conforme
figura na cor verde mostrada na sequncia. No prximo semiciclo, o diodo D1
passa a conduzir fazendo com que a tenso sobre ele passe a ser nula. Quando D1
conduz o diodo D2 abre, fazendo com que a tenso sobre ele seja toda a tenso
referente ao secundrio do transformador.
20
Tenso na carga

20

40
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tenso no diodo D1

50

50

100
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tenso no diodo D2

50

50
41
100
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

Eletrnica Bsica
d. As formas de onda de corrente nos diodos D1 e D2 so mostradas na sequncia, sendo
a azul no diodo D1 e a vermelha no diodo D2. possvel observar pelas figuras apre-
sentadas que a corrente de pico em cada diodo ultrapassa 2 A (menos dois ampres).
Esse valor pode ser comprovado conforme expresso mostrada na sequncia.
Clculo do valor de pico da corrente sobre o diodo D1:
V 38,89
iD1(Pico) = Pico na carga = iD1(Pico) = 1,94 A
20 20

Clculo do valor de pico da corrente sobre o diodo D2:

V 38,89
iD2(Pico) = Pico na carga = iD2(Pico) = 1,94 A
20 20
 1
Corrente no diodo D1

Corrente no diodo D1
0

2
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

0.5
Corrente no diodo D2
Corrente no diodo D2

0.5

1.5

2
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

e. A tenso de pico inversa (PIV) para cada diodo do retificador de onda completa com
transformador de tomada central (tap central) exatamente o dobro da tenso dispo-
nvel em cada tap do trafo. Sabendo-se disso, pode-se obter a tenso de pico em cada
diodo da forma:
Clculo do valor de pico da tenso sobre diodos D1 e D2:
VD1(pico) = VD2(pico) = 2 x 38,39 VD1(pico) = VD2(pico) = 77,78 V
Visualmente, as formas de onda de tenso de pico sobre os diodos D1 e D2 so mostra-
42
das anteriormente no item c e f.

3) Conforme a disposio no circuito, o diodo ir conduzir no semiciclo positivo da tenso

Eletrnica Bsica

de entrada, fazendo com que o capacitor carregue com o valor mximo da tenso de
entrada. Logo em seguida, quando a tenso de entrada torna-se ligeiramente menor que
a do capacitor, comea seu estgio de descarregamento sobre o resistor de carga. No
exerccio, no foi fornecido um valor para a capacitncia do capacitor. Pode-se afirmar que
quanto maior o valor dessa capacitncia, menores sero as oscilaes de tenso na carga,
ou seja, menos ondulante ser essa tenso. A seguir, so mostradas as formas de onda para
a tenso de entrada (azul) e tenso na carga para dois valores de capacitncias, sendo a de
cor vermelha para uma capacitncia de baixo valor e a de cor preta para uma capacitncia
maior.

80 VRMS
Capacitador 1 k
60 Hz
 150

100

Tenso de entrada e na carga

50

50

100
V de entrada
V na carga com capacitor de pequeno valor
V na carga com capacitor de maior valor
150
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

4)
Diodo ideal
TRANSFORMADOR

220 VRMS(eficaz) 12 VRMS(eficaz) 100

43
(a)

Eletrnica Bsica
TRANSFORMADOR

D4 D1
220 VRMS(eficaz) 12 VRMS(eficaz)

100
D3 D2

(b)

Resultados para o Retificador de Onda

a. e b. As tenses de entrada, sobre o diodo e sobre a carga so representadas nos grficos
a seguir nas cores azul, vermelha e verde. Inicialmente, o diodo est reversamente
polarizado, fazendo com que toda a tenso disponvel no secundrio do transfor-
mador esteja sobre o diodo (tenso em azul). Nesse mesmo instante, como no
h corrente circulando na carga, a tenso sobre o resistor de carga tambm nula
(tenso em vermelho). No prximo semiciclo, o diodo passa a conduzir. Com
isso, a tenso sobre ele nula e, dessa forma, a tenso do secundrio do trafo surge
sobre a carga.
 circulandonanacarga,
circulando carga,aatenso
tensosobre
sobreooresistor
resistorde
decarga
cargatambm
tambmnula
nula(tenso
(tensoem
emvermelho).
vermelho).No
Noprximo
prximosemiciclo,
semiciclo,oo
diodopassa
diodo passaaaconduzir.
conduzir.Com
Comisso,
isso,aatenso
tensosobre
sobreele
elenula
nulae,e,dessa
dessaforma,
forma,aatenso
tensodo
dosecundrio
secundriodo
dotrafo
trafosurge
surgesobre
sobreaa
carga.
carga.
20
20

Tenso sobre a carga Tenso sobre o diodo Tenso de entrada

20

Tenso sobre a carga Tenso sobre o diodo Tenso de entrada

000

20
-20
-20
00 0.005
0.005 0.01
0.01 0.015
0.015 0.02
0.02 0.025
0.025 0.03
0.03 0.035
0.035 0.04
0.04
10
10
10

000

-10
10
-10

20
-20
-20
00 0.005
0.005 0.01
0.01 0.015
0.015 0.02
0.02 0.025
0.025 0.03
0.03 0.035
0.035 0.04
0.04
10
10
10

000

10
-10
-10

20
-20
-20
00 0.005
0.005 0.01
0.01 0.015
0.015 0.02
0.02 0.025
0.025 0.03
0.03 0.035
0.035 0.04
0.04
Tempo
Tempo

c)c)Considerando-se
Considerando-seque
queoodiodo
diodoseja
sejaideal,
ideal,aatenso
tensomdia
mdiananacarga
cargapara
paraooretificador
retificadorde
demeia-onda
meia-ondacalculada
calculadadadaforma:
forma:
c. Considerando-se que o diodo seja ideal, a tenso mdia na carga para o retificador de
VVmdia
VVpicopico 16
meia-onda 16, 9797
, calculada
55, 4, 4VV da forma:
mdia
3, 1416
3,1416 Manual do Prof
(VPico) (16,97)
d)d) So
SoV vrias
vrias
mdia as
= asvantagens
vantagensde deutilizao
utilizaode um
de 5,4
um V
retificador
retificador deonda
de ondacompleta
completacomparado
comparadoaaum umretificador
retificadorde
demeia-onda,
meia-onda,
p 3,1416
destacando-se:
destacando-se:
alimentadas com isso tipo de tenso comportam-se melhor. Manual do Professor
d.
So
Os vrias
Os retificadores
retificadores as vantagens
dede onda
onda completade utilizao
completa possuem uma
possuem de um
uma retificador
tenso
tenso nana carga de onda
carga menos
menos completa
oscilante.
oscilante. Com isso,
Com comparado
isso, cargas a
asas cargas
A frequncia um da tenso
retificador
alimentadas
alimentadas comisso
com de
isso natipo
tipo carga
meia-onda,
detenso
de para
tenso os retificadores
destacando-se:
comportam-se
comportam-se melhor.
melhor. de onda completa de 120 Hz, enquanto pa
alimentadasAAOs
com issodada
frequncia
frequncia tipo de tenso
tenso
tenso na carga
na comportam-se
carga para
para melhor.
osos retificadores
retificadores de onda
de onda completa
completa de
dena120
120 Hz, enquanto
Hz, enquanto para osos
retificadores de retificadores
meia-onda de
essa onda completa
frequncia possuem
de oscilao uma
de 60tenso
Hz. Esse carga
aspectomenosfaz para
oscilante.
com que a tenso md
A frequncia Com da isso,
tenso as na
cargas
cargaalimentadas com esse de
para os retificadores tipoonda
de tenso
completa comportam-se
de 120 Hz,melhor. enquanto para os
carga para os retificadores de onda completa seja o dobro daquela apresentada pelos retificadores 31
31 de meia-o
retificadores
A de meia-ondadaessa
frequncia frequncia
tenso na carga de oscilao de 60 Hz. Esse
para os retificadores aspecto
de onda faz com que
completa dea120tensoHz,mdia na
carga para os enquanto parade
retificadores osonda
retificadores
completa de sejameia-onda essa frequncia
o dobro daquela apresentada de oscilao
pelos de 60
retificadores de Hz.
meia-onda.
e) A tenso na carga, Esse aspecto
considerando-se faz com
um que a
retificador tenso de mdia
meia-onda, na carga para
inserindo os
um retificadores
capacitor de de onda
filtro em paralelo c
44
completa seja o dobro daquela apresentada pelos retificadores de meia-onda.
resistor
e) A de carga
tenso na carga,
mostrada na sequncia.
considerando-se mostrada
um retificador a forma deinserindo
de meia-onda, onda sem um o uso do de
capacitor capacitor
filtro emde filtro (em azul)
e. A tenso na carga, considerando-se um retificador de meia-onda, inserindo umparalelo
capa- com o
mesmo grfico, citor
mostrada anaforma de onda aps aa insero de um capacitor na(em vermelho). Observa-se que aq
Eletrnica Bsica

resistor de carga mostrada

de filtro emsequncia.
paralelo com
mostrada
o resistor forma
dede onda
carga sem o uso do
mostrada capacitor
sequncia. de filtro (em azul) e, no
mostrada
mesmo grfico,
indesejveis aforma
oscilaesmostradade aonda
formasem
proveniente do o usoaps
de onda
sistema dosem acapacitor
insero
o uso do deum
de filtro (em
soazul)
capacitor
filtro e, no mesmo
(em vermelho).
praticamente grfico,
Observa-se
eliminadas que aquelas
com a introdu
mostrada a forma de onda aps a insero de um capacitor (em vermelho). Observa-se
indesejveis oscilaes proveniente do sistema sem o uso do filtro so praticamente eliminadas com a introduo do
capacitor. que aquelas indesejveis oscilaes proveniente do sistema sem o uso do filtro so
capacitor. praticamente10 eliminadas com a introduo do capacitor.
10 Tenso na carga sem capacitor
Tenso na carga
Tenso na sem capacitor
carga com capacitor
capacitor

Tenso na carga com capacitor

comcapacitor

5
5
capacitor eecom

00
sem capacitor

5
-5
-5
cargasem

10
-10
carga

-10
nana
Tenso

15
-15
Tenso

-15

20
-20
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
-20 Tempo
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo
 Resultados para o Retificador de Onda Completa
a. e b. A seguir so mostradas as formas de onda de tenso de entrada (em azul), tenso
nos diodos D1 e D3 (VD1 e VD3) e nos diodos 2 e 4 (VD2 e VD4) (em verme-
lho e verde) e tenso na carga (na cor magenta). No semiciclo positivo do sinal
de entrada, os diodos 2 e 4 conduzem, enquanto os diodos 1 e 3 esto
reversamente polarizados. Com isso, a tenso VD2 e VD4 nula e as tenses VD1
e VD3 so idnticas tenso do primrio do trafo em amplitude, mas com sinal
invertido. A tenso da carga, nesse momento, igual ao dos diodos D1 e D3.
Quando a tenso do secundrio do trafo passa para o semiciclo negativo, os diodos
1 e 3 passam a conduzir, enquanto os diodos 2 e 4 agora esto reversamente
polarizados. Nesse instante, observa-se que a tenso sobre os diodos 1 e 3
nula, devido conduo, enquanto a tenso do secundrio do trafo aparece sobre
os diodos 2 e 4. A tenso na carga um retrato da tenso sobre os diodos 2
e 4. importante observar que nos retificadores de onda completa em ponte,
sempre h dois diodos conduzindo ao mesmo tempo e, geralmente, essa conduo
ocorre de forma alternada. No caso desse circuito especfico, isso significa que ora
os diodos D1 e D3 conduzem, ora so os diodos D2 e D4 que passam a conduzir.
20
Ventrada

20
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
10
VD1, VD2, VD3, VD4

VD1 e VD3
0
VD2 e VD4
10

20
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
45
10

Eletrnica Bsica
Vcarga

10

20
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

c. Considerando-se que o diodo seja ideal, a tenso mdia na carga para o retificador de
onda completa calculada da forma:
(2 x Vpico) (2 x 16,97)
Vmdia = 10,8 V
p 3,1416
d. Respondido anteriormente.
e. A tenso na carga, considerando-se um retificador de onda completa, inserindo um
capacitor de filtro em paralelo com o resistor de carga mostrada na sequncia.
mostrada a forma de onda sem o uso do capacitor de filtro (em azul) e, no mesmo
grfico, mostrada a forma de onda aps a insero de um capacitor (em vermelho).
Observa-se que aquelas indesejveis oscilaes provenientes do sistema sem o uso do
filtro so praticamente eliminadas com a introduo do capacitor. A tenso na carga
com o uso do retificador de onda completa com filtro capacitivo apresenta um nmero
reduzido de oscilaes comparadas quelas apresentadas pelo retificador de meia-onda
com filtro.
 capacitor.
capacitor.AA
tenso
tensonanacarga
cargacom
com
o uso
o usododo
retificador
retificadordedeonda
ondacompleta
completacom
com
filtro
filtro
capacitivo
capacitivo
apresenta
apresentaum
umnmero
nmero
reduzido
reduzido
dedeoscilaes
oscilaescomparadas
comparadas
quelas
quelasapresentadas
apresentadaspelo
pelo
retificador
retificadordedemeia-onda
meia-ondacom
com
filtro.
filtro.
2 22
Tenso nana
Tenso carga sem
carga o capacitor
sem o capacitor
0 00 Tenso nana
Tenso carga com
carga o capacitor
com o capacitor

Tenso na carga com e sem o capacitor de filtro

Tenso na carga com e sem o capacitor de filtro
2-2
-2

4-4
-4

6-6
-6

8-8
-8

10
-10
-10

12
-12
-12

14
-14
-14

16
-16
-16

18
-18
-18
0 0 0.005
0.005 0.01
0.01 0.015
0.015 0.02
0.02 0.025
0.025 0.03
0.03 0.035
0.035 0.04
0.04
Tempo
Tempo

3333
5)

D1
9 espiras

110 VRMS 72 espiras

9 espiras 20

D2
46

a. A tenso total de pico no secundrio do trafo obtida conforme expresso mostrada na
Eletrnica Bsica

sequncia.
V1 N 110 72 110 x 18
= 1 = V2 = 27,5 V(RMS)
V2 N2 V2 18 72

O valor de pico ser:

V2(pico) = V2Rms x 2 V2(pico) = 27,5 x 2 V2(pico) = 38,89 V

b. A tenso total de pico em cada um dos taps do secundrio do trafo obtida conforme
expresso mostrada na sequncia. Nesse exerccio, estamos nomeando a tenso do
tap superior de V2a e a tenso do tap inferior de V2b.
V1 N 110 72 110 x 9
= 1 = V2a = V2a = 13,75 V(RMS)
V2a N2 V2a 9 72

O valor de pico ser:

V2a(Pico) = V2aRMS x 2 V2a(pico) = 13,75 x 2 V2a(pico) = 19,44 V = V2b(pico)
c. e f. A forma de onda sobre o resistor de 20 mostrada na sequncia na cor azul. O valor
de pico da onda de tenso na carga de 19,44 Volts. A tenso sobre o diodo 1 (D1) mos-
trada na cor vermelha. Num primeiro instante, o diodo D1 no est conduzindo e,
portanto, a tenso sobre ele ser toda a tenso do secundrio do trafo (38,89 V).
Nesse mesmo instante o diodo D2 encontra-se diretamente polarizado. Com a
conduo, a tenso sobre ele praticamente nula, conforme a figura na cor verde
mostrada na sequncia. No prximo semiciclo o diodo D1 passa a conduzir fazendo
com que a tenso sobre ele passe a ser nula. Quando D1 conduz o diodo D2 abre,
fazendo com que a tenso sobre ele seja toda a tenso referente ao secundrio do
transformador.

20
Tenso na carga

20

40
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tenso no diodo D2 Tenso no diodo D1

50

50

100
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
50

50
47
100
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

Eletrnica Bsica
d. As formas de onda de corrente nos diodos D1 e D2 so mostradas na sequncia, sendo a
azul no diodo D1 e a vermelha no diodo D2. possvel observar pelas figuras apresen-
tadas que a corrente de pico em cada diodo chega a quase 1A (menos um ampre).
Esse valor pode ser comprovado conforme expresso mostrada na sequncia.
Clculo do valor de pico da corrente sobre o diodo D1:
V 19,44
iD1(Pico) = pico na carga = iD1(Pico)=0,972 A
20 20

Clculo do valor de pico da corrente sobre o diodo D2:

V 19,44
iD2(Pico) = pico na carga = iD2(Pico)=0,972 A
20 20
 0.5
Corrente no diodo D1

Corrente no diodo D1
0

0.5

1
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

0.5
Corrente no diodo D2
Corrente no diodo D2

0.5

1
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

e. A tenso de pico inversa (PIV) para cada diodo do retificador de onda completa com
transformador de tomada central (tap central) exatamente o dobro da tenso dispo-
nvel em cada tap do trafo. Sabendo-se disso, pode-se obter a tenso de pico em cada
diodo da forma:
Clculo do valor de pico da tenso sobre os diodos D1 e D2:

VD1(Pico)= VD2(Pico)= 2 x 19,44 VD1(Pico) = VD2(Pico) = 38,88 V

48

Visualmente, as formas de onda de tenso de pico sobre os diodos D1 e D2 so mostra-

Eletrnica Bsica

das anteriormente no item c e f.

6) Professor:

Aonde se l: A tenso no primrio do transformador da figura 3.37 de 80 VRMS (eficaz)

na frequncia de 60 Hz.

Leia-se: A tenso no primrio do transformador da figura 3.36 de 110 VRMS (eficaz) na

frequncia de 60 Hz.

D1
9 espiras
110 VRMS 72 espiras
9 espiras 20

D2
 a. A tenso total de pico no secundrio do trafo obtida conforme expresso mostrada na
sequncia.

V1 N1 110 72 110 x 18
= = V2 = V2 = 27,5 V (RMS)
V2 N2 V2 18 72

O valor de pico ser:

V2(Pico) = V2RMS x 2 V2(Pico) = 27,5 x 2 V2(Pico) = 38,89 V

b. A tenso total de pico em cada um dos taps do secundrio do trafo obtida con-
forme expresso mostrada na sequncia. Nesse exerccio estamos nomeando a tenso
do tap superior de V2a e a tenso do tap inferior de V2b.
V1 N1 110 72 110 x 9
= = V2a = V2a = 13,75 V (RMS)
V2a N2 V2a 9 72

O valor de pico ser:

V2a(Pico) = V2aRMS x 2 V2a(Pico) = 13,75 x 2 V2a(Pico) = 19,44 V = V2b(Pico)

c. e f. A forma de onda sobre o resitor de 20 mostrada na sequncia na cor azul.

O valor de pico da onda de tenso na carga de 19,44 Volts. A tenso sobre o
diodo 1 (D1) mostrada na cor vermelha. Num primeiro instante o diodo D1 no
est conduzindo e, portanto, a tenso sobre ele ser toda a tenso do secundrio
do trafo (38,89 V). Nesse mesmo instante o diodo D2 encontra-se diretamente
polarizado. Com a conduo, a tenso sobre ele praticamente nula, conforme 49
figura na cor verde mostrada na sequncia. No prximo semiciclo o diodo D1
passa a conduzir fazendo com que a tenso sobre ele passe a ser nula. Quando D1

Eletrnica Bsica
conduz o diodo D2 abre, fazendo com que a tenso sobre ele seja toda a tenso
referente ao secundrio do transformador.
0
Tenso na carga

10

20
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
20
Tenso no diodo D1

20

40
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
20
Tenso no diodo D2

20

40
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo
 d. As formas de onda de corrente nos diodos D1 e D2 so mostradas na sequncia, sendo a
azul no diodo D1 e a vermelha no diodo D2. possvel observar pelas figuras apresen-
tadas que a corrente de pico em cada diodo chega a quase 1 A (menos um ampre).
Esse valor pode ser comprovado conforme expresso mostrada na sequncia.
Clculo do valor de pico da corrente sobre o diodo D1:

VPico na carga 19,44

iD1(Pico) = = iD1(Pico) = 0,972 A
20 20
Clculo do valor de pico da corrente sobre o diodo D2:

VPico na carga 19,44

iD2(Pico) = = iD2(Pico) = 0,972 A
20 20

0.5
Corrente no diodo D1
Corrente no diodo D1

0.5

1
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

0.5
Corrente no diodo D2
Corrente no diodo D2

50
0.5
Eletrnica Bsica

1
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

e. A tenso de pico inversa (PIV) para cada diodo do retificador de onda completa com
transformador de tomada central (tap central) exatamente o dobro da tenso dispo-
nvel em cada tap do trafo. Sabendo-se disso pode-se obter a tenso de pico em cada
diodo da forma:
Clculo do valor de pico da tenso sobre os diodos D1 e D2:

VD1(Pico) = VD2(Pico) = 2 x 19,44 VD1(Pico) = VD2(Pico) = 38,88 V

Visualmente, as formas de onda de tenso de pico sobre os diodos D1 e D2 so mostra-

das anteriormente no item c e f.
7) De acordo com a disposio no circuito, o diodo no conduz no semiciclo positivo da ten-
so de entrada. No semiciclo negativo da senoide de entrada, o diodo conduz e inicia-se
o processo de carregamento do capacitor. O capacitor carrega com o valor mximo da
tenso de entrada e, logo em seguida, quando a tenso de entrada levemente maior do
que a tenso do capacitor, o diodo deixa de conduzir e comea seu estgio de descar-
regamento sobre o resistor de carga. No exerccio no foi fornecido um valor para a
capacitncia do capacitor. Pode-se afirmar que quanto maior o valor dessa capacitncia,
menores sero as oscilaes de tenso na carga, ou seja, menos ondulante ser essa tenso.
A seguir, so mostradas as formas de onda para a tenso de entrada (azul) e tenso na carga
para dois valores de capacitncias, sendo a de cor vermelha para uma capacitncia de baixo
valor e a de cor preta para uma capacitncia maior. Devido posio do diodo, observa-se
que a tenso na carga negativa.

80 VRMS
60 Hz Capacitor 1 k

150
V de entrada 51
V na carga com capacitor de pequeno valor
V na carga com capacitor de maior valor
100

Eletrnica Bsica
50
Tenso de entrada e na carga

50

100

150
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo
 8) a. O diodo de silcio encontra-se reversamente polarizado. Isso indica que no h cor-
rente circulando pela carga e, consequentemente, a tenso sobre o resistor de carga
(VSada) nula. Na sequncia, so apresentadas as formas de onda de entrada (na cor
azul) e na carga (na cor vermelha).

Tenso de Si Ge
entrada

10 V +
VSada 4,7 k

10 V

10

5
de entrada
Tenso

10
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

10

5
VSada

10
52 0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo
Eletrnica Bsica

b. Tanto o diodo de silcio quanto o diodo de germnio esto diretamente polarizados

(conduzindo) no semiciclo positivo do sinal senoidal de entrada. Com isso, eles podem
ser substitudos por fontes contnuas (baterias) de 0,7 V para o diodo de silcio e 0,3 V
para o diodo de germnio, respectivamente. Com isso, a Lei das Tenses de Kirchhoff
poder ser aplicada ao circuito srie, representado ao lado, da forma:
Ventrada 0,7 0,3 Vsada = 0
A tenso de sada ser senoidal e o pico ser de:

Vsada = 20 0,7 0,3 Vsada = 19 V (valor de pico)

Si = 0,7 V Ge = 0,3 V
Si Ge
Tenso de +
entrada + +

20 V VSada + 4,7 k Ventrada +

VSada 4,7 k

20 V
 No semiciclo negativo da forma de onda senoidal de entrada, os dois diodos tornam-se
reversamente polarizados, fazendo com que no haja corrente circulando pela carga e,
consequentemente, a tenso sobre o resistor de carga tambm nula. Esse aspecto
mostrado no grfico da tenso na carga (curva em vermelho) a seguir. A senoide da cor
azul representa o sinal senoidal de entrada do circuito.
20

10
Tenso de entrada
0

10

20
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

20

pico = 19 V
15
VSada

10

0
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

c. Nesse circuito, olhando no semiciclo positivos do sinal de entrada, os dois diodos de

silcio esto diretamente polarizados, podendo ser substitudo pelo circuito ao lado
onde os diodos de silcio foram substitudos por baterias de 0,7 V. Nesse circuito a Lei
das Tenses de Kirchhoff (L.T.K) poder ser aplicada tanto ao lado superior quanto ao 53

lado inferior do mesmo. As duas escolhas fornecero resultados idnticos. A partir da

L.T.K., tem-se:

Eletrnica Bsica
Anlise no semiciclo positivo
1 000 IT
Ventrada 0,7 1 000IT = 0
2
Ventrada 500 IT 0,7 1 000 IT = 0

Ventrada 1 500IT 0,7 = 0

Assumindo que a tenso de entrada esteja no pico, tem-se:

200,7
20 1 500IT 0,7 = 0 IT = IT = 12,87 mA
1 500
Pela Lei de Ohm
Vsada = 1 000IT Vsada = 1 000 x 12,87 x 103 Vsada = 12,87 V (Valor de pico)
 No semiciclo negativo da tenso de entrada, os dois diodos esto reversamente pola-
rizados, comportando-se como chaves abertas. Assim, no haver corrente circulando
pela carga e fazendo com que a tenso no resistor de carga tambm seja nula. A anlise
no semiciclo negativo pode ser feita da forma:
Anlise no semiciclo negativo
Vsada = 0 V
Si Si = 0,7 V
1 k 1 k

+
VSada Tenso VSada

IT/2
Tenso

de entrada de entrada
IT/2

IT
IT

20 V 20 V 1 k

+
1 k 1 k 1 k
Si Si = 0,7 V
20 V 20 V

A tenso de entrada mostrada na cor azul com amplitude de 20 Volts. A forma de

onda de tenso na carga (VSada) mostrada na cor vermelha. Observa-se que no semici-
clo positivo h a conduo do diodo e a tenso na carga apresenta um aspecto senoidal
com valor de pico igual a 12,87 V, conforme clculos apresentados anteriormente. No
semiciclo negativo, com o bloqueio do diodo no haver tenso na carga.
20

10
Tenso de entrada

0
54
10
Eletrnica Bsica

20
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

20

15
VPico = 12,87 V
VSada

10

0
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

d. No semiciclo negativo do sinal senoidal de entrada, os dois diodos de silcio (da

esquerda), isoladamente, poderiam conduzir corrente. Entretanto, o ltimo diodo de
silcio ( direita) est reversamente polarizado, fazendo com que a corrente do circuito
no semiciclo positivo seja nula. As figuras mostradas na sequncia evidenciam o com-
portamento desse circuito
 Anlise no semiciclo positivo

Vsada = 0 V
Si Si = 0,7 V
10 k 1 k

+
Si VSada VSada
Tenso de Tenso de

IT/2

entrada entrada
IT IT/2 IT = 0 A

17 V 10 k 20 V 10 k

+
10 k Si = 0,7 V 1 k
Si
17 V 20 V

No semiciclo negativo do sinal de entrada, o diodo da direita passa a conduzir. No

entanto, os diodos da esquerda (que esto em paralelo) esto reversamente polari-
zando, no permitindo a passagem de corrente pela carga. Sendo assim, a tenso na
carga continua nula. O circuito equivalente para esse mostrado na sequncia. As
formas de onda na entrada e na sada so mostradas na sequncia nas cores azul e ver-
melho respectivamente. importante observar que a tenso na carga nula em ambos
os semiciclos.
Anlise no semiciclo positivo

Vsada = 0 V

20

55
Tenso de entrada

10

Eletrnica Bsica
10

20
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

20

10
VSada

10

20
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo
 Captulo 4
Respostas pgina 127

1) Esses trs primeiros circuitos mostrados na sequncia, na verdade so retificadores de

meia-onda, que so os tipos mais simples de ceifadores. Nesses circuitos, os diodos con-
duzem no semiciclo positivo do sinal de entrada, dando passagem para a corrente eltrica.
Com isso, a tenso da carga igual de alimentao do circuito. Os grficos na sequncia
mostram os resultados obtidos na carga para trs formatos de onda na entrada, a saber:
senoidal, quadrada e triangular.
20

15

10
A C Tenso na carga
20 V + +
+
5
1 k
VE V0
20 V
(c) 0

(a)
5
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

56
10
Eletrnica Bsica

6
Tenso na carga

A C
+ + 4
10 V
+
1 k 2
VE V0

10 V
0
(d)

(a)
2
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo
 16

14

12

10

Tenso na carga
8

A C 6
+ +
15 V 4
+
1 k 2
VE V0

15 V 0
(e)
2
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
(a) Tempo

Aps a inverso do diodo, que agora aponta para o sentido anti-horrio, o diodo passa a
conduzir no semiciclo negativo do sinal de entrada. Como no semiciclo positivo o diodo
est reversamente polarizado, a tenso na carga nula. Isso ocorre porque, devido ao
bloqueio do diodo, no haver corrente circulando no resistor de carga e, consequen-
temente a tenso sobre ele nula. Novamente, so mostrados os resultados para trs
aspectos de forma de onda: senoidal, quadrada e triangular e todos se comportam de
forma semelhante.
5

57
0

Eletrnica Bsica
5
Tenso na carga

C A 10
+ +
20 V
+ 1 k 15
VE V0
20 V
(c) 20
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
(b) Tempo
 2

Tenso na carga
C A 4

+ +
10 V
+ 6
1 k
VE V0

10 V 8

(d)

10
(b) 0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

4
Tenso na carga

C A 6

15 V + +
8
+
10
58 1 k
V0
VE
12
15 V
(e) 14
Eletrnica Bsica

16
(b) 0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

2) Para uma alimentao senoidal e triangular, num primeiro momento, enquanto a tenso
de alimentao for menor que a da bateria, o diodo no conduz. Com isso, no h cor-
rente circulando pela carga e, consequentemente, tambm no h tenso sobre o resistor
de carga. Quando o circuito alimentado por uma fonte quadrada, como a tenso inje-
tada instantaneamente no circuito, o diodo conduz.

Quando a tenso que alimenta o circuito ultrapassa o valor definido pela bateria de 5 V
os diodos passa a conduzir. Assim, a tenso na carga toma o mesmo formato aplicado pela
fonte de entrada, entretanto, com valores diferentes. Esses valores podem ser obtidos a
partir da L.T.K no circuito. Por exemplo: o valor de pico na carga para um sinal senoidal
de entrada 20 5 V0 = 0 V0 = 15 V (de pico).
 16

14

12

10

5V

Tenso na carga
8
A C
20 V + + + 6

+ 4
1 k
VE V0 2
20 V
0
(c)

2
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
(a) Tempo

3
Tenso na carga

5V
A C 2

+ + +
10 V 1
+
1 k
VE V0
0 59
10 V
(d) 1
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04

Eletrnica Bsica
Tempo
(a)

10

6
5V
A C
Tenso na carga

+ + + 4
15 V
+
2
1 k
VE V0
15 V 0
(e)

2
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
(a) Tempo
 Alterando a disposio do diodo, as ondas na carga e as anlises tambm mudam. As an-
lises quando o circuito alimentado por fontes senoidais e triangulares so semelhantes.
No semiciclo positivo, inicialmente o diodo estar conduzindo e a tenso na carga se inicia
com 5 V. A partir do momento em que a tenso de alimentao ultrapassa 5 V (da bate-
ria), o diodo fica reversamente polarizado e a tenso na carga nula. Durante o semiciclo
negativo do sinal de entrada, o diodo sempre vai conduzir para esses circuitos mostrados
na sequncia. Particularmente falando dos sinais senoidais e triangulares, teremos a partir
da L.T.K. (anlise de pico): 20 5 V0 = 0 V0 = 25 V. Para o sinal triangular, s vai
mudar a amplitude, que de 20 V. As anlises para uma onda de alimentao quadrada
um pouco diferente. Com esse tipo de alimentao, o diodo j inicia reversamente
polarizado, com tenso na carga nula. Os grficos a seguir mostram o comportamento da
tenso na carga para as vrias configuraes de circuitos apresentadas.
5

5
5V
Tenso na carga

A C
10
20 V + + +
+ 15
1 k
VE V0
20 V 20
(c)

25
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
60 (b) Tempo
Eletrnica Bsica

5V 4
A C
Tenso na carga

+ + +
6

10 V 8
+
1 k 10
VE V0

12
10 V
(d) 14

(b) 16
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo
 5

0
5V
A C
+ + + 5

Tenso na carga
15 V
+
1 k 10
VE V0

15 V
15
(e)

(b) 20
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

3) Com o catodo apontando para a direita, e a bateria disposta, conforme mostrado nos
trs primeiros circuitos a seguir, o diodo j inicia diretamente polarizado, mesmo que
a tenso de alimentao seja nula. Pode-se concluir que no semiciclo positivo o diodo
sempre ir conduzir. O diodo deixa de conduzir quando a tenso de entrada passa para o
semiciclo negativo e ainda com valores negativos maiores que 5 V (por exemplo (6 V, 7 V,
8 V,...20 V). Com o diodo aberto a tenso na carga nula. Os resultados alimentando
o circuito com ondas senoidais, quadradas e triangulares so mostrados na sequncia.
25

20

5V
A C 15
61
+
Tenso na carga

+ +
20 V 10

Eletrnica Bsica
1 k
VE V0 5

20 V
0
(c)

(a) 5
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

16

14

5V 12
A C
10
10 V + + +
Tenso na carga

+ 8

6
1 k
VE V0 4
10 V
(d) 2

(a) 2
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo
 20

15

5V
A C 10

Tenso na carga
+ + +
15 V
+ 5
1 k
VE V0

15 V 0

(e)

(a) 5
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

Mudando a disposio dos diodos a anlise completamente diferente, conforme grficos

mostrados na sequncia. Durante todo o semiciclo positivo, o diodo no conduz e, conse-
quente, a tenso na carga nula. Os diodos s vo conduzir no semiciclo negativo, aps a
tenso de entrada ultrapassar o valor da bateria (por exemplo: 6 V, 7 V, 8 V,...20 V).
A partir da surge tenso na carga, cujo valor exato obtido a partir da L.T.K. no circuito.
2

5V
Tenso na carga

6
62 A C
+ + + 8
20 V
10
+
Eletrnica Bsica

1 k 12
VE V0
20 V 14

(c) 16
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
(b) Tempo

5V 1
A C
Tenso na carga

+ + +
10 V 2
+
1 k 3
VE V0
10 V
4
(d)
(b) 5
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo
 2

5V 2
A C

Tenso na carga
+ + +
15 V 4
+
1 k 6
VE V0
15 V
(e)
8

(b) 10
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

4) As formas de onda na carga para o diodo disposto para baixo, conforme mostrado nos trs
prximos circuitos, tm o mesmo comportamento. O diodo nessa posio est direta-
mente polarizado no semiciclo positivo do sinal de entrada, seja ele senoidal, quadrado ou
triangular. Com isso, no semiciclo positivo da tenso de entrada, a tenso na carga nula,
visto que o diodo em conduo comporta-se de forma semelhante a um curto-circuito.
No semiciclo negativo, toda a tenso de alimentao surge sobre a carga, conforme mos-
trado a seguir.
5

5 63
2,2 k
Tenso na carga

20 V + +

Eletrnica Bsica
10

+ A
VE V0
15
20 V C
(c)

20
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
(a) Tempo

2,2 k
Tenso na carga

4
+ +
10 V
+ A 6

VE V0
10 V C 8

(d)

10
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
(a) Tempo
 2

2,2 k 4

Tenso na carga
6
15 V + +
+ 8
A
VE V0 10

15 V C 12
(e)
14

(a) 16
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

Com a simples inverso do sentido do diodo haver da mesma forma a inverso do sinal
de tenso sobre a carga, conforme mostrado nos grficos a seguir. No semiciclo positivo
da tenso de entrada, seja ela senoidal, quadrada ou triangular, o diodo est reversamente
polarizado. Isso faz com que toda a tenso de alimentao surja sobre a carga. J no semi-
ciclo negativo o diodo conduz, tornando-se um curto-circuito e anulando a tenso para
a carga. Os prximos trs grficos mostram o comportamento da tenso na carga para os
casos da fonte de alimentao ser senoidal, quadrada ou triangular.
20

15

64
10
Tenso na carga

2,2 k
Eletrnica Bsica

+ + 5
20 V
+ C
VE V0
0
A
20 V
(c) 5
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
(b) Tempo

10

2,2 k
Tenso na carga

4
+ +
10 V
+ C
2

VE V0
A 0
10 V
(d)
2
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
(b) Tempo
 16

14

12

2,2 k 10

Tenso na carga
8
+ +
15 V
+ 6
C
VE V0 4

15 V A
2
(e)
0

(b) 2
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

5) Se considerarmos que o diodo utilizado ideal, a tenso na carga nula. Isso porque o diodo
D1 conduz no semiciclo positivo do sinal de entrada e o diodo D2 conduz para o semiciclo
negativo do sinal de entrada. Em ambos os casos, curto-circuitando a carga e mantendo uma
tenso nula sobre ela, conforme grfico em vermelho a seguir. Caso o diodo seja de silcio,
a tenso na carga ser idntica apresentada na resoluo do exerccio n 8, captulo 2.
20

10
Tenso de entrada

10
1 k
20
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
+ + Tempo

20 V 20
C A
10 65
+
Tenso na carga

D1 D2 V0
VE
0
A C

Eletrnica Bsica
20 V 10

20
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

6) Assumindo que os diodos sejam ideais, pode-se concluir que para tenses de entrada
inferiores da bateria de 5 Volts o diodo est diretamente polarizado. Com isso, a tenso
na carga mantida num valor idntico ao da bateria, visto que a bateria est em paralelo
com a carga. Para tenses de entrada superiores a 5 Volts, o diodo no conduz, e a tenso
da carga igual da fonte senoidal de entrada. Os grficos na sequncia mostram as for-
mas de onda de entrada (em azul) e na carga (em vermelho).
10

5
Tenso de entrada

1 k 5

10
10 V + + 0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo
+ C
10
D1
A VO
Tenso na carga

VE 8
10 V
5 Volts
5V 6

4
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo
 Nesse circuito o diodo est diretamente polarizado durante todo o semiciclo positivo do
sinal senoidal de entrada, mantendo a tenso na carga em 7 Volts. O diodo continua con-
duzindo durante uma parcela negativa do sinal de entrada, at que a entrada se torne mais
negativa que 7 V, que quando o diodo torna-se reversamente polarizado. Os grficos
da entrada e na carga so mostrados na sequncia.
10

Tenso de entrada
0

1 k
10
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo
+ +
A 6
10 V 7 Volts
D2 7

Tenso na carga
+ C VO
VE
8

7V 9
10 V

10
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

O diodo da esquerda conduz durante o semiciclo positivo do sinal de entrada, enquanto

o diodo da direita conduz durante o semiciclo negativo do sinal de entrada. Esse circuito
ceifador limita a tenso na carga nos valores de 5 Volts positivo e 7 Volts negativo. Os
grficos que evidenciam o comportamento da tenso de entrada e na carga so mostrados
a seguir.
66 10

5
Tenso de entrada

0
Eletrnica Bsica

1 k 10
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo
+ +
C A 10
10 V 5 Volts
D2 5
Tenso na carga

+ D1 VO
VE A C 0

5V 7V 5
10 V
7 Volts
10
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

7) Os dois diodos D1 e D2 conduzem simultaneamente para o semiciclo positivo da tenso

de entrada. Essa conduo faz com que a tenso da carga seja limitada em 0,7 Volt durante
todo o semiciclo positivo da tenso de entrada. Quando a tenso de entrada passa para o
semiciclo negativo os dois diodos tornam-se reversamente polarizados, evitando a passa-
gem de corrente eltrica e fazendo com que a tenso de sada seja igual de entrada. Os
grficos mostrados na sequncia evidenciam com detalhes o comportamento da tenso de
entrada (em azul) e na carga (em vermelho).
 40

20

Tenso de entrada
0

20

2,2 k 40
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo
+
10
30 V 0,7 Volts
D1 D2
VSada 0

Tenso na carga
30 V 10

20

30
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

Durante todo o semiciclo positivo da tenso de entrada, o nodo mais positivo que o
catodo e, portanto o diodo conduz. Assim, a tenso na carga mantida em 15 Volts
durante esse intervalo. Posteriormente, a tenso de entrada comea a circular no semi-
ciclo negativo. Observamos que durante parte do semiciclo negativo o diodo ainda
conduz. Isso acontece especificamente para valores de tenso de entrada mais positivos
que 15 Volts, ou seja, 1 V, 2 V, 3 V,...15 V. Quando a tenso de entrada ultrapassa
a barreira de 15 V, o diodo abre, fazendo com que a tenso na carga seja igual de
entrada. Os grficos a seguir mostram a tenso de entrada e na carga, traduzindo o que foi
falado.
40

20
Tenso de entrada

67
0

20

Eletrnica Bsica
40
2,2 k 0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

+ 10
15 Volts
D1
30 V 15
Tenso na carga

VSada
20
30 V 15 V
+ 25

30
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

8) Nesse primeiro circuito, o diodo estar diretamente polarizado, enquanto a tenso do

nodo estiver mais positiva (maior) que a do catodo. Logo que a tenso de entrada ultra-
passar o valor da fonte contnua, o diodo abre (no conduz) e, portanto a tenso de sada
Vout ser idntica de entrada. Podemos afirmar ainda que quando a tenso de entrada est
no semiciclo negativo, o catodo estar sempre mais negativo que o nodo, fazendo com
que o diodo conduza e limite a tenso na carga em 5 Volts. Os grficos para a tenso de
entrada (Vi) e na carga (V0) so mostrados logo em seguida nas cores azul e vermelho,
respectivamente. possvel notar que:
VE VBateria o diodo conduz e a tenso de sada V0 ser de 5 V.
VE > VBateria o diodo conduz e a tenso de sada V0 = VE
 10

Tenso de entrada (Vi)

0

10

1 k 0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035

Tempo
15 V
+ +
+ C 10

Tenso na carga (V0)

D1
A V0
VE 0
5 Volts

15 V 5V
10

0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035
Tempo

No circuito mostrado a seguir, o diodo estar diretamente polarizado em todo o semici-

clo positivo do sinal de entrada VE. No semiciclo negativo da tenso de entrada, o diodo
permanece conduzindo, enquanto a tenso aplicada ao nodo seja mais positiva que 7 V
(tenso da bateria). Isso significa que se VE for 1 V, 2 V, 3 V,...7 V, o diodo continua
conduzindo. Durante todo o intervalo de tempo que o diodo conduz a tenso na carga
limitada em V0 = 7 V. A partir do momento em que a tenso de entrada se torna mais
negativa que a da bateria (8 V, 9 V,...15 V), o diodo fica reversamente polarizado,
e a tenso de sada idntica de entrada. Os grficos para a tenso de entrada (Vi) e na
carga (V0) so mostrados logo em seguida nas cores azul e vermelho respectivamente.
possvel notar que:
68 Para VE mais positivo que VBateria o diodo conduz e a tenso de sada V0 ser de 7 V.
Para VE mais negativo que VBateria o diodo no conduz e a tenso de sada V0 = VE.
Eletrnica Bsica

Tenso de entrada (VE)

10

10
1 k
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035
Tempo
+ +
15 V A
10
Tenso na carga (V0)

D2
+
C V0
VE
0
7 Volts
7V
10
15 V
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035
Tempo

O circuito mostrado na sequncia chamado de limitador positivo e negativo. Esse nome

dado justamente porque esse circuito consegue ceifar as partes positiva e negativa de
uma forma de onda aplicada entrada. Nesse caso, em particular, o diodo D1 conduzir
durante o semiciclo positivo da tenso de entrada, especificamente quando essa tenso de
entrada for maior do que a tenso da bateria de 5 Volts. O diodo D2 s vai conduzir no
 semiciclo negativo, especificamente quando a tenso de entrada for mais negativa que a
da bateria de 7 V. Os grficos da tenso de entrada (em azul) e da tenso na carga (em
vermelho) mostrados na sequncia mostram que a onda de tenso disponvel para a carga
foi ceifada positivamente em 5 Volts e negativamente em 7 Volts.

10

Tenso de entrada (VE)

0

10
1 k
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035
+ + Tempo
C A
15 V
D1
D2 10

Tenso na carga (V0)

+ 5 Volts
A C V0
VE
0
5V 7V 7 Volts

10
15 V
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035
Tempo

9) A primeira concluso que chegamos que o diodo D2 conduz apenas no semiciclo posi-
tivo e que o diodo D1 conduz apenas no semiciclo negativo da tenso de entrada Vin.
Como os dois diodos so de silcio, a forma de onda na carga ser de apenas 0,7 V, con-
forme grfico na cor vermelha a seguir. Observe que a tenso na carga praticamente uma
onda quadrada, cujo valor mximo de 0,7 Volt. Juntamente tenso na carga, tambm
ilustrado o grfico da tenso de entrada Vin, na cor azul, cujo valor de pico de 30 Volts.
40 69
20
Tenso de entrada

Eletrnica Bsica
20
R
40
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo
2,2 k
1
+30 V D1 D2
Vin 0 V Vout 0.5
Tenso na carga

30 V 0

0.5

1
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

No circuito ceifador a seguir, o diodo s vai conduzir quando a tenso de entrada senoidal
Vin for levemente maior que 12,7 Volts. Quando a tenso de entrada ultrapassar levemente
esse valor, a sada Vout ser limitada (ceifada) em 12,7 Volts. Portanto, esse um limitador
positivo. No semiciclo negativo da tenso de entrada, o diodo estar reversamente pola-
rizado, fazendo a tenso de sada Vout ser idntica de entrada Vin. Os grficos mostrados
na sequncia so para a tenso de entrada em azul e para a tenso de sada na carga em
vermelho.
 40

Tenso de entrada (Vin)

20

20

40
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo
2,2 k
D1 20
+30 V 12,7 V
Vin 0 V + Vout

Tenso na carga (Vout)

0
30 V 12 V

20

40
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

Captulo 5
Respostas pgina 144

1) Para avaliar o funcionamento dos circuitos grampeadores e obter a forma de onda de

tenso na carga, deve-se comear as anlises sempre no sentido da tenso de entrada que
polariza diretamente o diodo semicondutor. Assumindo diodos ideais, nos dois primeiros
circuitos mostrados na sequncia deve-se iniciar analisando pelo semiciclo positivo do
sinal de entrada. Dessa forma, o diodo torna-se diretamente polarizado e a tenso na carga
inicialmente nula, conforme grficos a seguir. Para a onda senoidal o capacitor carrega
com o valor de pico da tenso de entrada, que vale 20 V. A tenso de entrada comea
70 a decrescer e, como a tenso no capacitor praticamente constante, a tenso na carga
comea a decrescer negativamente at chegar 40 V. Isso ocorre porque o diodo abre
com o decrescimento da tenso de entrada (quando a tenso de entrada menor que a
Eletrnica Bsica

tenso do capacitor). Quando a tenso de alimentao senoidal passa para o semiciclo

negativo o diodo continua reversamente polarizado. Nas anlises cujas alimentaes so
feitas com ondas quadradas, as anlises so mais objetivas. No semiciclo positivo do sinal
de entrada, o diodo est diretamente polarizado, e o capacitor carrega com 10 V. Nesse
intervalo, a tenso na carga nula. Quando a tenso da fonte passa a ser negativa (instanta-
neamente), o diodo fica reversamente polarizado, e a partir da L.T.K no circuito obtm-se
uma tenso na carga de 20 V (VE VC V0 = 0 10 10 V0 = 0 V0 = 20 V).
20
Tenso de entrada
Tenso na carga
10
Tenso de entrada e na carga

C = 47 F
10
20 V + +
+ 20
A
10 k V
VE
20 V C
0
30
(c)
40
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
(a) Tempo
 10
Tenso de entrada
Tenso na carga
5

Tenso de entrada e na carga

0
C = 47 F

10 V + + 5
+
A
10
VE 10 k V
0
10 V C
(d) 15

(a) 20
0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

Quando o diodo invertido, deve-se iniciar as anlise pelo semiciclo negativo do sinal
de entrada. Isso far com que a tenso na carga tambm seja invertida comparada quela
obtida nas anlises anteriores. Na sequncia, so mostrados os resultados obtidos a partir
do circuito eltrico com o diodo invertido.
40
Tenso de entrada
Tenso na carga
30
Tenso de entrada e na carga

C = 47 F 20

20 V + + 10

+ C 71
0
VE 10 k V
0
20 V A

Eletrnica Bsica
(c) 10

(b) 20
0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

20

15

10
Tenso de entrada e na carga

5
C = 47 F
0
10 V + +
+ 5

C
10
VE 10 k V
0
10 V A
15 Tenso de entrada
(d) Tenso na carga
20
0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
(b) Tempo
 2) Deve-se iniciar as anlises pelo semiciclo positivo, pois, nesse semiciclo, consegue-se
polarizar diretamente o diodo semicondutor. A tenso na carga com o diodo conduzindo
5 V. Aps o trmino do carregamento do capacitor e quando a tenso de entrada passa a
decrescer a tenso na carga cai e passa para o semiciclo negativo. Na sequncia, so mos-
trados os grficos para a tenso de entrada e na carga.
20
Tenso de entrada
Tenso na carga
10

C = 47 F

Tenso de entrada e na carga

0

20 V +
A + 10
+

C 10 k 20
VE V0
20 V
5V
(c) 30

(a) 40
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo
10
Tenso de entrada
Tenso na carga
5

C = 47 F
Tenso de entrada e na carga

+
10 V A + 5
+
72 C 10
VE 10 k
V0
10 V 5V
(d) 15
Eletrnica Bsica

(a) 20
0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

Quando o diodo invertido, deve-se iniciar as anlises pelo semiciclo negativo do sinal
de entrada. Isso far com que a tenso na carga tambm seja invertida comparada quela
obtida nas anlises anteriores. Na sequncia, so mostrados os resultados obtidos a partir
do circuito eltrico com o diodo invertido.
40
Tenso de entrada
Tenso na carga
30

C = 47 F
Tenso de entrada e na carga

20

+
20 V + 10
C
+
A 10 k V 0
VE 0

20 V 5V
10
(c)

(b) 20
0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo
 20

15

10
C = 47 F
5
10 V +
+
C 0
+

5
A 10 k V
VE 0
10 V 10
5V
(d)
15

(b) 20
0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

3) Deve-se iniciar as anlises pelo semiciclo positivo, pois, nesse semiciclo, consegue-se
polarizar diretamente o diodo semicondutor. A tenso na carga com o diodo conduzindo
5 V. Aps o trmino do carregamento do capacitor e quando a tenso de entrada passa
a decrescer, a tenso na carga cai e passa para o semiciclo negativo. Na sequncia, so
mostrados os grficos para a tenso de entrada e na carga.
20
Tenso de entrada
Tenso na carga
10

0
C = 47 F
Tenso de entrada e na carga

20 V 10
+ +
A
+
20 73

C 10 k
20 V VE V0 30

Eletrnica Bsica
(c) 5V
40

(a) 50
0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

10
Tenso de entrada
Tenso na carga
5

0
Tenso de entrada e na carga

C = 47 F 5

10 V + + 10
A
+
15
C 10 k
VE V0
10 V 5V 20
(d)
25
0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
(a) Tempo
 Quando o diodo invertido, deve-se iniciar as anlise pelo semiciclo negativo do sinal
de entrada. Isso far com que a tenso na carga tambm seja invertida comparada quela
obtida nas anlises anteriores. Na sequncia, so mostrados os resultados obtidos a partir
do circuito eltrico com o diodo invertido.
50
Tenso de entrada
Tenso na carga
40

30

Tenso de entrada e na carga

C = 47 F
20

20 V + +
C 10
+

A 10 k V 0
VE 0
20 V
5V
(c) 10

(b) 20
0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

40
Tenso de entrada
Tenso na carga
30

C = 47 F
Tenso de entrada e na carga

20

10 V + +
C 10
+

74 A 10 k V 0
VE 0
10 V
5V
(d) 10
Eletrnica Bsica

(b) 20
0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tempo

4) O circuito para o multiplicador de tenso por cinco mostrado na figura a seguir. A ten-
so de entrada fornecida por uma fonte alternada de 12 (valor de pico) e a tenso de sada
de aproximadamente 60 V retificada (contnua).

59.99

VAB
C6 C1 C3 C5 B
A

D1 D2 D3 D4 D5

C2 C4
5) O valor mximo da tenso na sada de um dobrador obtido da forma:

Vmax= (20 2 ) . 2 Vmax 56,56 V

A figura a seguir mostra um resultado simulado para um circuito duplicador de tenso.

Conforme visualizado, a tenso na sada praticamente constante e igual ao esperado.
60

50

"Zoom"
40 60
Tenso de sada do duplicador

58
30
56

54
20
52

10 50
3 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5

10
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
Tempo

Captulo 6
Respostas pgina 168

1) Dado o circuito a seguir e seus respectivos parmetros, tem-se:

75
Rs
VZ = 5,1 V
IZmin = 1 mA

Eletrnica Bsica
Iz +
+
IZmax = 178 mA V Tenso VZ
de entrada
Pmax = 1 W

Clculo do valor mnimo da tenso de entrada:

Vmin = RSmaxIZmin + Vz

Vmin = 220.1 x 103 + 5,1
Vmin = 5,32 V

Clculo do valor mximo da tenso de entrada:

Vmax = RSminIZmax + Vz
Vmax = 220.178 x 103 + 5,1
Vmax = 44,26 V
 2)
Rs
VZ = 15 V Iz Ic
Is +
IZmin = 0,25 mA Tenso
de entrada
+
1N4744A
+
470 k VC=VZ =15 V
20 V
IZmax = 61 mA
Pmax = 1 W

Clculo do valor mximo da resistncia srie:

V VZ
RSmax =
IZmin + IC

A corrente da carga constante e vale:

VC 15
IC = = 470 000 = 31,91 A
RC

20 15
RSmax = = 17,74 k
0,25 x 103 + 31,91 x 106

Clculo do valor mnimo da resistncia srie:

V VZ
RSmin =
IZmax + IC

20 15
RSmin = = 81,92
61 x 103 + 31,91 x 106
76

Os resultados de simulao so mostrados na figura a seguir. Observa-se pelo valor da

Eletrnica Bsica

tenso regulada que os valores de resistncia proporcionam uma boa regulao de tenso.
Os valores de resistncias mnimas e mximas foram calculados e esto na faixa de 81,92
at 17,74 k. Para a simulao adotou-se um valor de 220 para a resistncia, o que
proporcionou boa regulao de tenso.
+ 1 R1
0.023 A
220 2

3 + +
0.023 A 0.032 m A

5 4
V1 +
20 V 15.010 A

D1 R2
1N4744A 470 k

0
3) Rs

VZ = 33 V Iz Ic
Is +
IZmin = 0,25 mA Tenso + +
de entrada 1N4742 220 k VC=VZ=33 V
IZmax = 27 mA 50 V a
1 k

Pmax = 1 W

Clculo do valor mximo da resistncia srie:

V VZ
RSmax =
IZmin + ICmax

A corrente da carga constante e vale:

VC 33 = 150 mA
ICmax = =
RCmin 220
50 33
RSmax = = 113,14
0,25 x 103 + 150 x 103

Clculo do valor mnimo da resistncia srie:

V VZ
RSmin =
IZmax + ICmin

A corrente na carga vale: 77

VC 33
ICmin = = = 33 mA
RCmax 1 000

Eletrnica Bsica
50 33
RSmin = = 283,33
27 x 103 + 33 x 103

Como observado, o valor da resistncia mxima menor do que o da resistncia mnima.

Isso indica que os clculos no levam a resultados coerentes. Uma simples alterao nos
valores mnimo e mximo das resistncias de carga para 2,2 k e 22 k, respectivamente,
oferece resultados mais condizentes com a realidade, conforme evidenciado a seguir:

Clculo do valor mximo da resistncia srie:

VVZ
RSmax =
IZmin + ICmax

A corrente da carga constante e vale:

VC 33
ICmax = = = 15 mA
RCmin 2 200
50 33
RSmax = = 1,114 k
0,25 x 103 + 15 x 103
 Clculo do valor mnimo da resistncia srie:
V VZ
RSmin =
IZmax + ICmin

A corrente na carga vale:

VC 33
ICmin = = = 1,5 mA
RCmax 22 000

50 33
RSmin = = 596,5
27 x 103 + 1,5 x 103

Esse resultado est mais coerente e ser utilizado na simulao um resistor limitador srie
de 680 , que est na faixa dos valores calculados. Na figura a seguir, so mostrados os
resultados para uma carga de 2,2 k, e posteriormente para 22 k. Nesses dois casos, a
resistncia srie teve seu valor fixado em 680 . Observa-se pelo voltmetro colocado
em paralelo com a carga que a tenso praticamente idntica aos 33 V fornecido pelo
fabricante.

78
Eletrnica Bsica
 Rs
4) VZ = 6,8 V
Iz Ic
IZmin = 1 mA Is +
+ +
IZmax = 133 mA 22 V
(10%)
VZ 220 k VC=VZ

Pmax = 1 W

Clculo do valor mximo da resistncia srie:

Vmin VZ
RSmax =
IZmin + IC

A corrente da carga constante e vale:

VC 6,8
IC = = = 30,91 mA
RC 220

Clculo do valor mnimo da tenso de entrada:

Vmin = 22 10% = 22 22.10 = 22 2,2
100
Vmin = 19,8 V
19,8 6,8
RSmax = = 407,4
1 x 103 + 30,91 x 103

Clculo do valor mnimo da resistncia srie:

Vmax VZ 79
RSmin =
IZmax + IC

Eletrnica Bsica
A corrente da carga constante e vale:
VC 6,8
IC = = = 30,91 mA
RC 220

Clculo do valor mximo da tenso de entrada:

Vmax = 22 + 10% = 22 + 22.10 = 22 + 2,2
100
Vmax = 24,2V
24,2 6,8
RSmin = = 106,15
133 x1 03 + 30,91 x 103

A resistncia srie dever estar entre 106,15 e 407,4 , podendo-se escolher qualquer
valor nessa faixa. Para elaborar a simulao computacional, foi selecionado RS = 220 . A
figura a seguir mostra os resultados obtidos em que foram alterados os valores na tenso
de entrada em 10%, ou seja, Vmin = 19,8 V e Vmax = 24,2 V. Verifica-se que mesmo com
essas alteraes na entrada, a sada continua com uma boa regulao nos dois casos.
 alterados os valores na tenso de entrada em 10%, ou seja, Vmin = 19,8V e Vmax = 24,2V. Verifica-se que mesmo com
alterados os valores na tenso de entrada em 10%, ou seja, Vmin = 19,8V e Vmax = 24,2V. Verifica-se que mesmo com
essas alteraes na entrada, a sada continua com uma boa regulao nos dois casos.
essas alteraes na entrada, a sada continua com uma boa regulao nos dois casos.

Tenso de entrada mnima de 19,8V.

Tenso de entrada mnima de 19,8V.
Tenso de entrada mnima de 19,8V.

Tenso de entrada mxima de 24,2V.

Tenso de entrada mxima de 24,2V.
Tenso de entrada mxima
Rs de 24,2V.
5.5) VZ = 4,7 V
5.
Iz Ic
Is +
IZmin = 1 mA + +
VZ = 4,7V 20 V VZ
VZ = 4,7V (20%)
330 k VC=VZ
I Zmin I=Zmax
1mA = 193 mA a 1 k

I Zmin = 1mA
80 I Zmax = 193mA
I ZmaxPmax= 193mA
=1W
Pmax = 1W
Pmax = 1W
Eletrnica Bsica

Clculo do valor mximo da resistncia srie:

Vmin VZ
RSmin =
IZmin + ICmax

A corrente na carga mxima ocorre quando a resistncia de carga mnima, da forma:

VC 4,7
ICmax = = = 14,24 mA
RCmin 330
75
75
Clculo do valor mnimo da tenso de entrada:
20.20
Vmin = 20 20% = 20 100 = 20 4

Vmin = 16 V
16 4,7
RSmax = = 741,47
1 x 10 + 14,24 x 103
3
 Clculo do valor mnimo da resistncia srie:
Manual do Professor
Vmax VZ Manual do Professor
RSmin =
IZmax + ICmin
Soluo : Soluo :
Soluo : Soluo :
Clculo
A do valor mximo
corrente damnima
da carga resistncia Clculo
sriequando
ocorre do valor mnimo
a resistncia de cargada resistncia
mxima, da srie
forma:
Clculo do valor mximo da resistncia srie Clculo do valor mnimo da resistncia srie
VC 4,7
ICmin =
V - VZ = = 4,7 mA V -V
RCmax
R Smax = Vmin - V 1 000 R Smin = Vmaxmax- VZ Z
R Smax = I min
Zmin +I Z
Cmax R Smin = I Zmax + I Cmin
IZmin +I Cmax I Zmax + I Cmin
A corrente da carga mxima ocorre quando a A corrente da carga mnima ocorre quando a
A corrente
Clculo do valor
da carga mxima mximoocorreda tensoa de entrada:
quando A corrente da carga mnima ocorre quando a
resistncia de carga mnima, da forma: resistncia de carga mxima, da forma:
resistncia de carga mnima, da forma: resistncia de carga mxima, da forma:

VC= 20 4, 720% = 20 + 20.20 = 20 + 4 V 4, 7
I Cmax =VmaxV 4, 7 14, 24mA 100 I Cmin = VC C 4, 7 4, 7 mA
I Cmax = R Cmin 330 14, 24mA
C
I Cmin = R Cmax 1000 4, 7 mA
R Cmin 330 R Cmax 1000
ClculV do =
o max 24 mnimo
valor V da tenso de entrada: Clculo do valor mximo da tenso de entrada:
Clculo do valor mnimo da tenso de entrada: Clculo do valor mximo da tenso de entrada:
20.20
20 20 .20
= 20 - 20% = 20 - 24 .204,7 Vmax = 20 + 20% = 20 + 20 .100
20 20 4
V 100 20 4
Vmin
min = R
20 -
Smin
=
20% = 20 - 3100 20 4 = 97,62 V max = 20 + 20% = 20 + 100 20 4
193 x 10 + 4,7 x 103
V =
V = 16V
min 16 V V
V = 24V
max = 24V
min max
16 -- 4,7
16 4,7 2424- 4,7
- 4,7
R = 741,47
47 R Smin== 9797 , 62
entre 97,62
RSmax
Smax =
Os1x10
resultados
-3
+ 14
14,,24 -3 741,mostram
calculados
x10-3
24x10 que a R
resistncia
Smin srie
193x10 -3poder ser
-3 + 4,7x10
-3 , 62
projetada
1x10-3 + 193x10 + 4,7x10-3
e 741,47 . Adotaremos um valor comercial de 470 . As figuras a seguir mostram os
Os
Os resultados
resultados calculados mostram
calculados mostramquequeaaresistncia
resistncia sriepoder
poder serprojetada
projetadaentre
entre 97,62 e 741,47
.. Adotaremos
resultados obtidos com o MultiSimsrie para duassercondies 97,62
distintas dee 741,47
alimentaoAdotaremos
e carga.
um
um valor
valor comercial de 470
comercial de 470 .
. As
As figuras
figurasaaseguir
seguirmostram
mostramososresultados
resultadosobtidos
obtidoscom
com o MultiSim
o MultiSim para
para duas
duas condies
condies
Na primeira simulao, a tenso de alimentao decrescida em 20% e a resistncia da
distintas de alimentao
distintascarga mnima.
de alimentao ee carga.
carga.
Na Na Naprimeira
primeira
segunda simulao,a aatenso
simulao,
simulao, tenso
dedealimentao
tenso alimentao
de decrescida
alimentao emem 20%
foi acrescida
decrescida 20% e aeema resistncia
20% e a
resistncia
da carga resistncia
mnima. de
Na carga
segunda mxima.
simulao, a tenso de alimentao foi acrescida em 20% e a resistncia
da carga mnima. Na segunda simulao, a tenso de alimentao foi acrescida em 20% e a resistncia de carga de carga

mxima.
mxima.
81

Eletrnica Bsica
Tenso de entrada mnima (16 V) e
Tenso
Tenso de
deentrada
entradamnima
mnima16
16VVe eresistncia
resistnciananacarga
cargamnima
mnima 330
330
resistncia na carga mnima (330 )

Tensomxima
Tenso de entrada de entrada
(36 V)mxima (36 na
e resistncia V)carga
e mxima (22 k)
Tenso de entrada mxima (36 V) e resistncia na carga mxima (22 k)
resistncia na carga mxima (22 k) 76
76
 Manual
Manual do
do Professor
Professor

6) A figura (a) mostra o limitador positivo. No semiciclo positivo da tenso de entrada,

enquanto
6. A o sinal
figura a mostra de entrada
o limitador forNo
positivo. menor
semicicloque a tenso
positivo Zener
da tenso de projeto,
de entrada, enquantoque nodecaso
o sinal parti-
entrada for
cular
menor quevale
a 6,2
tenso Volts,
Zener de o diodo
projeto, queZener
no casofuncionar
particular como
vale 6,2 uma
Volts, o chave
diodo aberta.
Zener No
funcionar momento
como
menor que a tenso Zener de projeto, que no caso particular vale 6,2 Volts, o diodo Zener funcionar como uma chave uma em
chave
que
aberta. a
aberta. No
tenso
No momento
momento em
de entrada
em que for
que aa tenso
tenso de igual
de entrada tenso
entrada for
for igual Zener,
igual tenso o diodo
tenso Zener,
Zener, o polariza
o diodo
diodo polariza e funciona
polariza ee funciona
funciona como como
como uma uma
uma fonte
fonte
fonte
contnua. contnua.
No semiciclo No semiciclo
negativo do sinal negativo
de entrada, o do
diodosinal
Zenerde entrada,
estar o diodo
diretamente Zener
polarizado e a estar
tenso
contnua. No semiciclo negativo do sinal de entrada, o diodo Zener estar diretamente polarizado e a tenso na sada
direta-
na sada
mente
ser de apenaspolarizado
0,7 V. e a tenso na sada ser de apenas 0,7 V.
ser de apenas 0,7 V.
Rs

+
V=30 V
VZ=6,2 V V0
60 Hz

(a)
Na figura b, quando a tenso de entrada estiver no semiciclo positivo, o diodo estar diretamente polarizado e a
Na figura (b), quando a tenso de entrada estiver no semiciclo positivo, o diodo estar
tenso de sada
Na figura ser de a0,7
b, quando V. No
tenso de semiciclo positivo,
entrada estiver o Zener tornar-se-
no semiciclo positivo, o reversamente polarizado epolarizado
diodo estar diretamente limitar-se-
e a
diretamente polarizado e a tenso de sada ser de 0,7 V. No semiciclo positivo, o Zener
tenso de
de sada
sada no valor
de da
0,7tenso
V. NoZener, fornecida peloofabricante que, nessereversamente
caso, de 15 polarizado
Volts.
tornar-se-
tenso reversamente
ser polarizado
semiciclo e limitar-se-
positivo, tenso
Zener tornar-se- de sada no valor da tenso
e limitar-se-
Zener,
tenso fornecida
de sada pelo
no valor da fabricante
tenso que,pelo
Zener, fornecida nesse caso,que,
fabricante denesse
15 caso,
Volts. de 15 Volts.

Rs

+
V=30 V
VZ=15 V V0
60 Hz

82
A figura c mostra uma configurao de diodos Zener que limita a tenso de sada nos semiciclos positivo e negativo.
(b)
No semiciclo positivo do sinal de entrada, o diodo Zener superior est diretamente polarizado e o diodo Zener inferior
Eletrnica Bsica

est reversamente
A figura c mostrapolarizado. Com isso,
uma configurao a tenso
de diodos de sada
Zener ser limitada
que limita a tenso no valor nos
de sada da tenso Zener
semiciclos do diodo
positivo inferior
e negativo.
A figura (c) mostra uma configurao de diodos Zener que limita a tenso de sada
mais a queda de 0,7 do
No semiciclo positivo dodiodo
sinal superior (15o+diodo
de entrada, 0,7 =Zener
15,7 V). No semiciclo
superior negativopolarizado
est diretamente do sinal dee entrada, o diodo
o diodo Zener Zener
inferior
nos semiciclos
superior
positivo
est reversamente
e negativo.
polarizado e oa diodo
No semiciclo positivo do sinal deComentrada, o diodo
est reversamente polarizado. Com isso, tenso Zener inferior
de sada est diretamente
ser limitada no valor polarizado.
da tenso Zener isso,
do a tenso
diodo de
inferior
Zener superior est diretamente polarizado e o diodo Zener inferior est reversa-
sada ser limitada no valor da tenso Zener do diodo superior menos a queda de 0,7V do diodo inferior (-15 0,7 = -
mais a queda de 0,7 do diodo superior (15 + 0,7 = 15,7 V). No semiciclo negativo do sinal de entrada, o diodo Zener
mente
15,7 V). polarizado. Com isso, a tenso de sada ser limitada no valor da tenso Zener
superior est reversamente polarizado e o diodo Zener inferior est diretamente polarizado. Com isso, a tenso de
do diodo inferior mais a queda de 0,7 V do diodo superior (15 + 0,7 = 15,7 V). No
sada ser limitada
semiciclo no valor dado
negativo tenso Zenerde
sinal do entrada,
diodo superior menos a queda
o diodo Zener de 0,7V do diodoest
superior inferior (-15 0,7 = -
reversamente
15,7 V).
polarizado e o diodo Zener inferior est diretamente polarizado. Com isso, a tenso
de sada ser limitada no valor da tenso Zener do diodo superior menos Manual doaProfessor
queda 77de
0,7 V do diodo inferior (15 0,7 = 15,7 V).

Rs 77

+ Vz1 =15 V
V=30 V V0
60 Hz

Vz2 =15 V

(c)

No circuito da figura d o diodo Zener superior est diretamente polarizado, entretanto abaixo est um diodo de
silcio reversamente polarizado. Isso indica que no semiciclo positivo da tenso de entrada o circuito est aberto e,
 No circuito da figura (d) o diodo Zener superior est diretamente polarizado, entretanto
Noabaixo
circuitoest um d
da figura diodo deZener
o diodo silcio reversamente
superior polarizado.
est diretamente Isso indica
polarizado, entretanto abaixoque
est no semiciclo
um diodo de
positivo da tenso de entrada o circuito est aberto e, portanto, a tenso de sada igual
silcio reversamente polarizado. Isso indica que no semiciclo positivo da tenso de entrada o circuito est aberto e,

de entrada. No semiciclo negativo, o diodo de silcio encontra-se diretamente polarizado,
portanto, a tenso de sada igual de entrada. No semiciclo negativo, o diodo de silcio encontra-se diretamente
e o diodo Zener reversamente polarizado. Esse circuito ir limitar a tenso negativa em
polarizado, e o diodo Zener reversamente polarizado. Esse circuito ir limitar a tenso negativa em -15,7 V, que
15,7 V, que equivale soma da tenso de projeto do Zener com a queda de tenso de
equivale soma da tenso de projeto do Zener com a queda de tenso de 0,7 V no diodo de silcio.
0,7 V no diodo de silcio.

Rs

+ Vz1 =15 V
V=30 V V0
60 Hz

Silcio

(d)

No circuito da figura e, olhando inicialmente o semiciclo positivo da entrada, o diodo Zener est reversamente
No circuito da figura (e), olhando inicialmente o semiciclo positivo da entrada, o diodo
polarizado, entretanto abaixo est um diodo de silcio encontra-se diretamente polarizado. Isso indica que esse circuito
Zener est reversamente polarizado, entretanto abaixo est um diodo de silcio encon-
ir limitar a tenso positiva em 5,4 Volts, que equivale soma da tenso de projeto do Zener com a queda de tenso de
tra-se diretamente polarizado. Isso indica que esse circuito ir limitar a tenso positiva
0,7 V no diodo de silcio. No semiciclo negativo, o diodo de silcio est reversamente polarizado, bloqueando a
em 5,4 Volts, que equivale soma da tenso de projeto do Zener com a queda de tenso
passagem de corrente e fazendo com que a tenso de sada seja igual de entrada.
de 0,7 V no diodo de silcio. No semiciclo negativo, o diodo de silcio est reversamente
polarizado, bloqueando a passagem de corrente e fazendo com que a tenso dedosada
Manual seja
Professor
Manual do Professor
igual de entrada.
Rs
83

Eletrnica Bsica
Vz=4,7 V
V=30 V V0
60 Hz

Silcio

78
(e)

No circuito apresentado na figura e tanto o diodo de silcio quanto o Zener esto diretamente polarizado. Com isso,
Nocircuito
No circuito apresentado
apresentado na tanto
na figura e figura (f) tanto
o diodo o diodo
de silcio quanto ode silcio
Zener esto quanto o polarizado.
diretamente Zener estoCom dire-
isso,
a tenso de sada nesse semiciclo vale 1,4 Volts, que praticamente imperceptvel no grfico mostrado na sequncia.
atamente polarizado.
tenso de sada Com
nesse semiciclo valeisso, a tenso
1,4 Volts, de sada nesse
que praticamente semiciclo
imperceptvel vale
no grfico 1,4 Volts,
mostrado que
na sequncia.
No semiciclo negativo do sinal de entrada, o diodo de silcio fica reversamente polarizado, fazendo com que a tenso
praticamente imperceptvel no grfico mostrado na sequncia. No semiciclo negativo
No semiciclo negativo do sinal de entrada, o diodo de silcio fica reversamente polarizado, fazendo com que a tenso
para a carga seja idntica de alimentao do circuito.
do asinal
para carga de
sejaentrada, o alimentao
idntica de diodo dedosilcio
circuito.fica reversamente polarizado, fazendo com que a
tenso para a carga seja idntica de alimentao do circuito.
Rs

+ VZ1 =9,1 V
V=30 V V0
60 Hz

Silcio

(f)

Captulo 7: Diodos Zener: Reguladores de Tenso a partir de Circuitos Integrados

Captulo 7: Diodos Zener: Reguladores de Tenso a partir de Circuitos Integrados
 Captulo 7
Respostas pgina 179

1) a. A tenso de sada do regulador fixo LM7805 +5 Volts (positivo).

b. A tenso de sada do regulador fixo LM7806 +6 Volts (positivo).
c. A tenso de sada do regulador fixo LM7809 +9 Volts (positivo).
d. A tenso de sada do regulador fixo LM7815 +15 Volts (positivo).
e. A tenso de sada do regulador fixo LM7824 +24 Volts (positivo).
f. A tenso de sada do regulador fixo LM7912 12 Volts (negativo).
g. A tenso de sada do regulador fixo LM7924 24 Volts (negativo).
h. A tenso de sada do regulador fixo LM7908 8 Volts (negativo).

2) O projeto de regulador de tenso mostrado no esquema abaixo. Para a construo desse

regulador, foram utilizados os componentes:
Quatro diodos de silcio 1N4007;
Um transformador monofsico com tenso de alimentao de 220 V e relao de trans-
formao de 1:15;
Um capacitor eletroltico de 470 F;
Dois capacitores de poliester de 220 pF;
Um regulador de tenso, modelo LM 7805.
84 Na sada do circuito, foi inserido um voltmetro. Conforme visualizado, a tenso de
sada de praticamente 5 Volts, atestando a funcionalidade do circuito.
Eletrnica Bsica

3) O circuito mostrado a seguir de um regulador de tenso cuja sada mantida em

+12 Volts e na outra 12 Volts.

Para o projeto, foram utilizados os seguintes componentes:

Quatro diodos de silcio 1N4007 para a construo do retificador de onda completa em
ponte;
Um (transformador monofsico com tomada central cuja tenso de alimentao de
220 V e relao de transformao de 1:10;
Dois capacitores eletroltico de 470 F;
Quatro capacitores de poliester de 220 pF;
Um regulador de tenso, modelo LM 7812 para regulao em +12 V;
Um regulador de tenso, modelo LM 7912 para regulao em 12 V.
4)

3
2
18 V LM317 V0

R1 =2 k
+ 1 +
C1 =470 F C3 =0,1 F

+ Iajuste
C2 =0,22 F R2 =22 k
R2

GND

Geralmente, a primeira considerao que se faz que: 85

R2
Vref 1,25 V e Iajuste 50 A; V0 = Vref 1 + + R2Iajuste
R1

Eletrnica Bsica

Portanto:

V0 = 1,25 1 + 22 000 + 22 000 . 50 x 106 V0 = 16,1V
2 000

Captulo 8
Respostas pgina 193

1) Embora as vlvulas sejam ainda muito utilizadas, existe uma infinidade de vantagens dos
transistores bipolares de juno comparados a esses dispositivos. Dentre as principais
podem ser destacados:
So menores e mais leves;
Possuem vida til elevada;
Tm baixo consumo de energia;
So bem mais resistentes;
Geralmente, possuem custo reduzido;
 Dissipam menor quantidade de potncia e, consequentemente dissipam tambm
menos calor;
So mais confiveis e eficientes;
No necessitam de um tempo inicial para aquecimento tal como requerido pelas
vlvulas.

2) Os transistores bipolares de juno, abreviados por TBJ so basicamente classificados,

conforme sua caracterstica construtiva em dois grandes grupos, que so: Transistores
NPN Negativo-Positivo-Negativo e Transistores PNP Positivo-Negativo-Positivo.

3) A figura a seguir mostra o esquema, com diodos, para os transistores NPN e PNP.
Transistor NPN Transistor PNP
Juno Juno
base-coletor C C base-coletor C C

N P

P N
B B B B PNP
NPN
P N

Juno N Juno P
base-emissor base-emissor
E E E E

4) Terminal do coletor, terminal da base e terminal do emissor.

5) O transistor formado por duas junes, que so juno base-emissor e juno base-co-
86 letor. Geralmente, essas junes so tambm nomeadas por juno N-P e P-N para os
transistores NPN e juno P-N e N-P para os transistores PNP.
Eletrnica Bsica

6) Os encapsulamentos servem basicamente para proteger os transistores contra umidade e

poeira. Alm disso, como muitos encapsulamentos so feitos de metal, servem tambm
para dissipar o excesso de calor nos transistores de maior potncia. Existem encapsula-
mentos dos mais diversos formatos e tamanhos. Geralmente, os transistores de menor
potncia so hermeticamente fechados em cpsulas plsticas ou epxi. Transistores de
mdia/alta potncia so inseridos em caixas metalizadas, justamente para que possam dis-
sipar uma quantidade maior de potncia. Lembrando que h tambm a necessidade do
uso de dissipadores de calor nesses casos. Algumas aplicaes exigem que os transistores
sejam montados em placas de circuito impresso. Para isso, usado um tipo especial de
encapsulamento chamado DIP. A seguir, mostrada uma figura que evidencia os princi-
pais tipos de encapsulamentos para baixa, mdia e alta potncias. Nos diodos emissores
de luz (LED), usado um material plstico transparente para que seja possvel a visuali-
zao do correto funcionamento. Basicamente, podemos classificar os encapsulamentos
em cdigos, como: TO92, TO5, TO220, TO3, DIP, entre outros.
 BAIXA POTNCIA MDIA POTNCIA ALTA POTNCIA
TO92
DIP14
TO22

TO3

14 7
CB 1 C
E
TO5
14 8
E
B

B
1 7 C
E B C E

7) Num transistor, seja ele NPN ou PNP, existem basicamente trs corrente circulantes,
que so: corrente de coletor, corrente da base e corrente de emissor. Essas correntes esto
dispostas no transistor, conforme figura a seguir para os transistores NPN e PNP.

C C
iC iC
iB iB
B NPN PNP
B

iE iE

E E

Onde: iC = corrente de coletor; iE = corrente de emissor; iB = corrente de base.

8) Conforme figura anterior, pode-se obter uma relao matemtica nica para as correntes
que circulam nos transistores, que :
87
Para os transistores NPN:

Eletrnica Bsica
iB + iC iE = 0 iE = iB + iC

Para os transistores PNP:

i E iC iB = 0 i E = iB + iC

9) Conforme pode ser comprovado matematicamente nas expresses mostradas anterior-

mente, a maior de todas as correntes a corrente de emissor (iE). Como a base muito
fina e levemente dopada a corrente de base (iB) a menor.

10) A expresso que mostra a relao entre a corrente de coletor e emissor :

I
b = IC IC = b . IB
B

Em algumas situaes, tambm utilizado o ganho alfa, que define a relao existente
entre as correntes de emissor e coletor. Entretanto, como as correntes de emissor e coletor
so praticamente idnticas, essa relao quase unitria.
IC
a=
IE
 11) Dados:

IB = 100 A

b = 200

Sabendo-se que:
I
b = IC IC = b . IB IC = 200 . 100 x 106 IC = 20 mA
B

A corrente de emissor aproximadamente igual de coletor e vale: IE = 20 mA

12) Dados:

IB = 10 A e IC = 100 mA

Sabendo-se que:
I 100 x 103
b = IC b = b = 10 000
B
10 x 106

13) Existe uma relao entre a corrente de coletor e a corrente que flui pela base. Essa relao
chamada de ganho de corrente do transistor e, tradicionalmente, representada pela
letra grega beta (b). Outra notao bastante empregada na prtica e por alguns fabricantes
o hFE. As duas notaes (b e hFE) tm o mesmo significado prtico.

14) b = ? ; IE = ?
88
IB = 20 mA e IC = 10 mA
Eletrnica Bsica

Sabendo-se que:
I 10 x 103
b = IC b = b = 500
B
20 x 106

IE = IC + IB IE = 10 x 103 + 20 x 106 IE = 10,02 mA

R C=220

V V 5 0,7
15) a. IB = BB R BE = 10 000 = 430 mA =100 e
200
iC
B
b. A corrente do coletor obtida por: IC = bIB RB=10 k
+
VCC =20 V

Para b = 100
iB
VBB=5 V +

iE
IC = 100 . 430 x 106 IC = 43 mA

c. A corrente do emissor obtida por:

IE = IC + IB IE = 43 x 103 + 430 x 106 IE = 43,43 mA

I 43 x 103
a = IC a = 43,43 x 103 a = 0,99
E
 Para b = 200
IC = 200 . 430 x 106 IC = 86 mA

d. A corrente do emissor obtida por:

IE = IC + IB IE = 86 x 103 + 430 x 106 IE = 86,43 mA
I 86 x 103
a = IC a = 86,43 x 103 a = 0,99
E

16) O ganho de beta(b) pode ser obtido da forma:

a 0,95
b = 1a = 10,95 b = 19

IE = 2 mA
I IC
a = IC 0,95 = 2 x 103 = IC = 1,9 mA
E

Captulo 9
Respostas pgina 227

1)
1 1

89

Resistncia
2 ? Resistncia
baixa
Resistncia
2 ? Resistncia
alta

Eletrnica Bsica
baixa alta

3 3

OBSERVAO:
1) NAS LEITURAS VERIFICOU-SE QUE A RESISTNCIA DO TERMINAL
3 PARA O TERMINAL 1 MENOR QUE A RESISTNCIA DO TERMINAL
3 PARA O TERMINAL 2.
2) MEDINDO A RESISTNCIA DO TERMINAL 2 PARA O TERMINAL 1, OBSERVA-SE
QUE NO H CONTINUIDADE E O VALOR DE RESISTNCIA ALTO.

Inicialmente, vamos adotar o terminal 3 como sendo a base.

Ponteira vermelha inserida na base

Do terminal 3 para o terminal 2 a resistncia baixa;
Do terminal 3 para o terminal 1 a resistncia baixa.

Ponteira preta inserida na base

Do terminal 3 para o terminal 2 a resistncia alta;
Do terminal 3 para o terminal 1 a resistncia alta.
 Dessa forma, pode-se concluir que o terminal 3 a base, pois as leituras de resistncia so
simtricas. Isso quer dizer que um dos outros dois terminais o coletor e o outro o emissor.

Uma informao importante foi destacada na Observao: A resistncia de 3 para

1 menor que de 3 para 2. Sendo o terminal 3 a base, a partir dessa informao
podemos concluir que o terminal 1 o emissor e o terminal 2 o coletor. Ficando a
sequncia: Terminal 1: Emissor; Terminal 2: Coletor e Terminal 3: Base. O transis-
tor NPN.

2) Supondo-se que o terminal 2 a base, verifica-se que:

Anlise com a base positiva (ponteira vermelha inse-

rida na base) Etapas A e B.
Terminal
De 2 para 3 a resistncia baixa;
1
2
3
Etapa 1 2 3 De 2 para 1 a resistncia baixa;
Resistncia
Baixa
Anlise com a base positiva (inverte a posio da
A
Valor = 470 ponteira e coloca a ponteira preta na suposta base)
Etapas C e D.
Resistncia De 2 para 3 a resistncia alta;
B Baixa
Valor = 430 De 2 para 1 a resistncia alta;

Conclui-se a partir das etapas A, B, C, e D que real-

90 C Resistncia Alta
mente o terminal 2 a base.

As etapas E e F apresentam resistncias elevadas para os ter-

Eletrnica Bsica

minais 1 e 3, inclusive com a inverso da ponteira do

D Resistncia Alta
E Resistncia Alta
multmetro. Isso sugere que esses dois terminais so o cole-
tor e o emissor. Entretanto, ainda no sabemos qual deles
emissor e qual o coletor. Vale lembrar que a base j foi
identificada como sendo o terminal 2.

Sabe-se que a resistncia da juno base-emissor dever ser

menor que a resistncia da juno coletor-base. As etapas
F Resistncia Alta
onde isso ocorre so A e B. Sabendo-se que o terminal 2
a base, identifica-se o terminal 1 com sendo o emissor e o
terminal 3 o coletor.

Portanto, o transistor NPN com: Terminal 1:Emissor; Terminal 2: Base;

Terminal 3: Coletor.
3)
RC
+
iC VRC
+
RB
+
iB + V + VCE
VCC
RB
+ VBE
VBB iE

Entrada do TBJ Sada do TBJ

VCE (V) IB (A) IC (mA) Para encontrar as correntes de coletor, assumindo que as
correntes de base e o ganho beta (b) sejam conhecidos, basta
5
multiplicar a corrente base pelo ganho beta (b). Assim,
10 possvel preencher a terceira coluna ao lado. Com os dados
20 3 de tenso VCE, corrente IC e corrente IB, pode-se desenhar
15
curva de sada do transistor, conforme figura a seguir.
20

10
40 6
15 Curva de Sada (IC x VCE)
91
20

Eletrnica Bsica
10
60 9
15

20

10
80 12
15

20

4) Para o transistor da figura 9.54(a) os pontos de corte e saturao so definidos da forma:

Ponto de Corte:
VCE = VCC VCE = 10V
Ponto de Saturao:
V 10
IC = RCC IC = 1 000 IC = 10 mA
C
 Para o transistor da figura 9.54(b) os pontos de corte e saturao so definidos da forma:
Ponto de Corte:

VCE = VCC VCE = 15 V

Ponto de Saturao:
VCC 15 I = 15 mA
IC = IC = 1000
RC C

De posse dos pontos de corte e saturao para os dois circuitos e conhecida a famlia de
curvas do transistor, podemos desenhar as duas retas de carga (sobre a famlia de curvas),
conforme mostrado.
1 k 1 k

iC iC
+ +
RB RB
+ +
+ VCE + VCE
10 V 15 V
iB iB
+ VBE + VBE
VBB iE VBB iE

Circuitos usados para obteno de curvas de sada (IC versus VCE) do transistor.

IC(mA)
Curva de sada (IC x VCE) e Reta de carga

IB6

92 15
IB5

12,5 IB4
10 IB3
Eletrnica Bsica

7,5 IB2
5,0 IB1
2,5
0 VCE (V)
0 2,5 5,0 7,5 10 12,5 15

5) Para o transistor da figura 9.56(a) os pontos de corte e saturao so definidos da forma:

Ponto de Corte:
VCE = VCC VCE = 15 V
Ponto de Saturao:
V 15
IC = RCC IC = 1 000 IC = 15 mA
C

Para o transistor da figura 9.56(b) os pontos de corte e saturao so definidos da forma:

Ponto de Corte:

VCE = VCC VCE = 15 V

 Ponto de Saturao:
V 15
IC = RCC IC = 2 000 IC = 7,5 mA
C

De posse dos pontos de corte e saturao para os dois circuitos e conhecida as famlias
de curvas do transistor, podemos traar as duas retas de carga (sobre a famlia de curvas),
conforme mostrada a seguir.
1 k 2 k

iC iC
+ +
RB RB
+ +
+ VCE + VCE
15 V 15 V
iB iB
+ VBE + VBE
V BB iE VBB iE

Circuitos usados para obteno de curvas de saida (Ic versus VCE) do transistor

IC(mA)
Curva de sada (IC x VCE) e Reta de carga

IB6

15
IB5

12,5 IB4
10 IB3
7,5 IB2
5,0 IB1
2,5
93
0 VCE(V)
0 2,5 5,0 7,5 10 12,5 15

Eletrnica Bsica
Captulo 10
Respostas pgina 267
1) A partir desse exerccio, observa-se que a corrente de base no varia. Entretanto, a cor-
rente de coletor varia substancialmente em funo do ganho beta. Para ganhos variando
entre 100 e 200 a corrente de coletor saltou de 4,3 mA para 8,6 mA, ou seja, houve um
aumento de 100% no valor. Essa mudana na corrente de coletor resultou numa variao
do ponto Q, tornando o ponto de operao instvel. Esse fator mostra a sensibilidade do
circuito com as variaes no ganho do TBJ.
1 k IC(mA)

iC
=100 +
100 k + IB4=200 A
10
+ VCE 10 V Q2
iB 7,5
8,6
IB3=150 A
+
VBE 5,0 IB2=100 A
5V iE 4,3 Q1

2,5 IB1=50 A
0 1,4 5,7
0 2,5 5,0 7,5 10 VCE(V)

 Montagem da Reta de Carga:

Ponto de Corte:
VCE = VCC = 10V

Ponto de Saturao:
V 10
IC = RCC = 1 000 IC = 10 mA
C

Encontrar o Ponto Quiescente (Q1) para b = 100

5 0,7
IB = 100 x 103 IB = 43 A ; IC = b . IB = 100 . 43 x 106 IC = 4,3 mA
VCE = VCC RC . IC = 10 (1 000 . 4,3 x 103) VCE = 5,7 V

Encontrar o Ponto Quiescente (Q1) para b = 200 A corrente IB no muda, pois, no h

influncia do ganho na corrente de base.

IC = b . IB = 200 . 43 x 106 IC = 8,6 mA

VCE = VCC RC . IC = 10 (1 000 . 8,6 x 103) VCE = 1,4 V

2)
1 k
iC
=100 +
100 k +
94
+ VCE 10 V
iB
+
VBB VBE
Eletrnica Bsica

iE

Aplicando L.T.K na malha de entrada do TBJ, tem-se:
VBB VRB VBE = 0 V
Onde:
VBE = 0,7 V ; VRB = RBiB e iB = 50 A
Portanto:
VBB (100 x 103 . 50 x 106) 0,7 =0 VBB = 5 V
Clculo da corrente de coletor (iC)
iC = b . iB iC = 100 . 50 x 106 iC = 5 mA
Clculo da tenso de coletor para emissor (VCE)
VCE + RC . iC VCC = 0 VCE = VCC RC . iC VCE = 10 (1 x 103 . 5 x 103)

VCE = 5V
3)
RC = ?

iC = 5 mA
=100 +
RB = ? +
+ VCE = 6 V 10 V
iB
+
VBE
10 V iE

Dados:
VBB = 10 V
VCC = 10 V
b = 100
iC = 5 mA

Pela Lei de Ohm:

V VCE 10 6
RC = CC RC = 5 x 103 RC = 800
iC
Obteno da corrente de base:
i 5 x 103
iC = biB iB = bC iB = 100 iB = 50 A
95
Pela Lei de Ohm:
V VBE 10 0,7

Eletrnica Bsica
RB = BB RB = 50 x 106 RB = 186 k
iB
4)
RC=1 k

iC
=100 +
RB=100 k
+
+ VCE 10 V
iB
0 a 10 V +
VBE
iE

Para que possamos representar o conjunto de curvas desse transistor, na verdade, a tenso da base
deve ser variada gradativamente, obtendo para cada valor de tenso aplicada base, uma corrente
de base e uma corrente de coletor, respectivamente. Para cada valor de corrente de base deve-se,
posteriormente, aplicar vrios valores de tenso de coletor, obtendo os respectivos VCE. Deve-se
ter em mente que a corrente de base no varia com a alterao da tenso de coletor para emissor
(VCE). A figura a seguir representa o conjunto de curvas caractersticas para esse transistor bipolar
de juno (TBJ).
 VBB (V) IB (A) IC (mA) VCE (V)
Curva de Sada (Ic x VCE) e Reta de Carga
0 0 0 10 Ic(mA)
1 10 1 9 IB10
10,0
2 20 2 8 IB9
9,0 IB8
3 30 3 7
8,0 IB7
4 40 4 6 7,0 IB6
6,0
5 50 5 5 5,0
IB5
IB4
6 60 6 4 4,0
IB3
3,0
7 70 7 3 2,0 IB2
IB1
8 80 8 2 1,0
IB0
0
9 90 9 1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 VCE(V)
10 100 10 0

5)

+ +
330 k VRB VRC
3,3 k

iC
+ +
10 V

+ VCE

VBE
+
820 VRE

iE

96 Dados:
VCC = 10 V
Eletrnica Bsica

b = 100
VBE = 0,7 V

d. e e. Clculo das correntes de coletor e emissor:

V VBE 10 0,7
IC IE = CC IE = IC = IE = 2,25 mA
RB 333 x 103
RE + b 820 + 100

f. Clculo da corrente de base:

VCC VBE 10 0,7
IB = I = 330 x 103 + (100 x 820) IB = 22,57 mA
RB + b RE B

a., b. e c. Clculo da tenso VRB, VRC e VRE:

Pela Lei de Ohm:
VRB = RBIB = 330 x 103 . 22,57 x 106A VRB = 7,45 V
VRC = RCIC = 3,3 x 103 . 2,25 x 103A VRC = 7,42 V
VRE = REIE = 820 . 2,25 x 103A VRE = 1,845 V
6) Dados:
VCC = 20 V + +
RB VRC RC
b = 200 VRB

iC=10 mA
VBE = 0,7 V
=200 + +
iCQ = 10 mA 20 V

VCEQ = 20
2 VCEQ = 10 V (Centro da curva do TJB) + VCE=10 V

VRE = 10% VCC VRE = 20 x 10 VRE = 2 V VBE

+

100 RE VRE

iE
Pela malha de sada do TBJ:
V
VRE + VCE + RCIC VCC = 0 CC + VCE + RCIC VCC = 0
10

VCC
20

VCC VCE 20 10
RC = 10 R = 10
RC = 800
IC C 10 x 103

Pela malha de entrada do TBJ:

VCC RBIB VBE VRE = 0
VCC
VCC VBE IC
I =10 x 10 I = 50 mA
10 3
RB = I I B
= b B 200 B
B

97
20 0,7 20

RB = 50 x 10610 RB = 346 k

Eletrnica Bsica
Clculo de RE:
Assumindo que IE IC = 10 mA

VRE
VRE = REIE RE = I RE = 10 x2103 RE = 200

E

7) Primeiramente, temos que encontrar as correntes de coletor e emissor e a tenso VCE para
b=50. Posteriormente, essas mesmas grandezas sero obtidas para b=100.

+ +
430 k VRB VRC
3,3 k

iC
+ +
15 V

+ VCE

VBE
+
1,8 k VRE

iE
 Para b = 50, temos:
VCC VBE 15 0,7
IC IE = IC IE = IC IE = 1,375 mA
RB 430 x 103
RE + b 1,8 x 103 + 50

VCE = VCC IC(RC + RE) VCE = 15 1,375 x 103(3 300 + 1 800) VCE = 7,99 V

Para b = 100, temos:

VCC VBE 15 0,7
I C IE = IC IE = IC IE = 2,34 mA
R
B 430 x 103
RE + b 1,8 x 10 +
3
100

VCE = VCC IC(RC + RE) VCE = 15 2,34 x 103(3 300 + 1 800) VCE = 3,04 V

8)

+
VRC
5,6 k

iC
+

VRB +
+
+ VCE 15 V
iB 430 k
VBE
iE
+
98 12 k VRE

VE 15 V
+
Eletrnica Bsica

Para b = 50, temos:

VCC VBE 15 0,7
I C IE = IC IE = IC IE = 0,7 mA
RB 430 x 103
RE + b 12 x 103 + 50

VCE = VE + VCC [IC(RC + RE)] VCE = 15 + 15 [0,7 x 103(5 600 + 12 000)]

VCE = 17,68 V

Clculo de VRB ,VRC e VRE:

i
VRB = RBIB VRB = RB C VRB = 430 x 103 0,7 x 10 VRB = 6 V
3

b 50
VRC = RCIC = 5,6 x 103 . 0,7 x 103 VRC = 3,92 V

VRE = REIE = 12 x 103 . 0,7 x 103 VRE = 8,4 V

 Para b = 100, temos:
VCC VBE 15 0,7
I C IE = I C IE = IC IE = 0,88 mA
RB 430 x 103
RE + b 12 x 103 + 50

VCE = VE + VCC [IC(RC + RE)] VCE = 15 + 15 [0,88 x 103(5 600 + 12 000)]

VCE = 14,51 V

Clculo da VRB, VRC e VRE:

i
VRB = RBIB VRB = RB C VRB = 430 x 1030,88 x 10 VRB = 3,78 V
3

b 100
VRC = RCIC = 5,6 x 10 3 . 0,88 x 103 VRC = 4,93 V

VRE = REIE = 12 x 103 . 0,88 x 103 VRE = 10,56 V

9)

+
VRC RC

iC
+

VRB +
+
+ VCE 10 V
iB RB
VBE
iE
+
RE VRE

VE 10 V
99
+

Eletrnica Bsica
O primeiro passo na implementao desse projeto encontrar um dos pontos da reta de
carga. Isso porque foi informado que o ponto Q dever estar exatamente no centro da
reta de carga.

Ponto de Corte: O ponto de corte obtido fazendo a corrente de coletor igual a zero.
Assim, a expresso fica da forma:
VCE = VE + VCC IC(RC + RE) VCE = 10 + 10 VCE = 20 V

Como informado no exemplo, devemos operar no centro da reta de carga, assim:

VCE 20
VCEQ = 2 = 2 VCEQ = 10 V

O enunciado do exemplo informa que a corrente no ponto de operao Q dever ser

ICQ = 5 mA. Como esse parmetro j foi informado, no h necessidade de fazer os cl-
culos para o ponto de saturao. Geralmente, adotado um valor de tenso negativa no
emissor do TBJ e, tradicionalmente esse valor 10% da tenso da fonte contnua, sendo
aqui 1 V. Portanto:
1 VRE + 10 = 0 VRE = 10 1 VRE = RE.IE = 9 V
 Clculo das resitncias:

VCC VE VCEQ REIE VE VBEQ REIE

RC = e RB = IBQ
ICQ

10 + 10 10 9
RC = = 200 e RB = 10 0,73
9 = 3 k
5 x 103 5 x 10

50

Sabe-se que a tenso VRE = REIE = 9 V. A partir dessa informao e, assumindo que a
corrente de emissor praticamente igual corrente de coletor (IE IC), podemos calcular
a resistncia de emissor, da forma:
9 Manual do Professor
RE = 5 x 103 = 1,8 k

ConclusesConcluses finaisSobre
Finais e Discusses e discusses n 9 o exerccio n 9
o exerccio sobre
Os dados de projeto estabelecem um valor de VCEQ igual a 10 V e ICQ igual a 5 mA. A figura da esquerda so os
Os dados de projeto estabelecem um valor de VCEQ igual a 10 V e ICQ igual a 5 mA. A
resultados figura
obtidosdapara o ganho
esquerda so de corrente =50.
os resultados A partir
obtidos para odos ampermetros
ganho e b
de corrente voltmetros no circuito,
= 50. A partir dos
observamosampermetros
que a corrente edevoltmetros no circuito,
coletor, indicada observamos
pelo ampermetro, que
de a corrente
4,782 depraticamente
mA; Valor coletor, indicada
idntico
pelo ampermetro,
quele fornecido no enunciado, que
de 4,782 mA;AValor
de 5mA. praticamente
tenso idntico
VCE mostrada quelefornecido
no voltmetro de 10,264, no
queenun-
tambm
ciado, que de 5 mA. A tenso V mostrada no voltmetro de 10,264 V, que tambm
est bem prxima pelo indicado no projeto, que
CE
de 10 V. A figura direita mostra os resultados aps a
est bem prxima pelo indicado no projeto, que de 10 V. A figura direita mostra os
alterao do ganho para
resultados 100.a Novamente,
aps alterao dopercebe-se
ganho paraque100.
a alterao no ganho
Novamente, de corrente
percebe-se queno influenciano
a alterao tanto
na correnteganho
IC e de
nemcorrente
na tensonoVinfluencia tanto na
CE. Comparando os corrente
resultadosICmostrados
e nem na pelos
tensodois
VCEcircuitos,
. Comparando
podemos
os resultados mostrados pelos dois circuitos, podemos concluir que:
concluir que:
100
deAcoletor,
- A corrente corrente de coletor,
passou de 4,782passou de 4,782
mA quando mAdequando
o ganho correnteo vale
ganho de para
=50, corrente
4,906 vale b = 50,
quando = 100.
para 4,906 quando b = 100. Em termos percentuais, isso acarreta numa alterao de
Em termos percentuais, isso acarreta numa alterao de 2,5%;
Eletrnica Bsica

2,5%;
- A tenso VCE quando =50 de 10, 264 V. Passando a ser 10,1 V quando =100. Isso equivale a uma variao
A tenso VCE quando b = 50 de 10, 264 V. Passando a ser 10,1 V quando b = 100. Isso
de apenas 1,6%;
equivale a uma variao de apenas 1,6%;
- A concluso final que o ponto quiescente permanece praticamente estvel.
A concluso final que o ponto quiescente permanece praticamente estvel.
Resultados para Beta = 50 Resultados para Beta = 100

10.
10)

RC

iC=10 mA
+ +
15 V

+ VCE
iB
+ VBE
+
5V RE VRE

iE

Para operar no centro da reta de carga, no corte a tenso V CE = V CC/2. Portanto:

VCE = 15/2 = 7,5 V. A corrente de coletor nesse ponto dever ser de ICQ = 10 mA. De
posse desses dados, as resistncias de coletor e emissor so calculadas da forma:
VBB VBE 5 0,7
RE = RE = 10 x 103 RE = 430
IC
VCC VCE 15 7,5
RC = IC RE RC = 430 RC = 320
10 x 103

A seguir, so mostrados os resultados para ganho de corrente igual a 50 ( esquerda) e

101
para ganho igual a 100 ( direita). Os dados de projeto para a corrente de coletor no ponto
quiescente (ICQ) de 10 mA e para a a tenso coletor-emissor VCE de 7,5 V. Obteve-se no

Eletrnica Bsica
MultiSim uma corrente de coletor vale 9,907 mA e a tenso VCE vale 7,485 V. Esses valores
esto bem prximos s exigncias de projeto e so satisfatrios. Aps dobrar o ganho,
a corrente de coletor praticamente no alterou e seu valor : IC = 10 mA. O mesmo
acontece com a tenso VCE que passou a ser de 7,454 V. A primeira pergunta que nos vem
mente : Como pode no haver alteraes na corrente de coletor e tenso de coletor
emissor com o ganho beta sendo multiplicado por dois (2)? Inicialmente pensamos que
um aumento no ganho reflete diretamente num acrscimo da corrente de coletor e de
emissor, visto que IC = bIB. A resposta para isso : Se a corrente de emissor aumenta, pela
Lei de Ohm fcil concluirmos que haver tambm um aumento na queda de tenso no
resistor de emissor (VRE = REIE). Esse aumento da tenso VRE far com que a corrente de
base diminua, fazendo IC diminuir tambm, compensando o aumento inicial. Se compa-
rarmos as correntes de base nos dois circuitos, constatamos que realmente isso acontece.
Quando b = 50, a corrente de base IB = 198 mA. Aps a fixao de um novo valor de
beta (b = 100) a corrente de base diminui para compensar e manter o ponto de operao
estvel. Esse processo chamado de estabilizao por corrente de realimentao.
 chamado
chamado
de estabilizao
de estabilizao
por corrente
por corrente
de realimentao.
de realimentao.

Resultados para Beta = 50 Resultados para Beta = 100

11)
11. 11. iB1
+
+ VRC RC
VRB1
RB1
iC = 12 mA
+
=50
+
+ VCE 15 V
iB
iB2 VBE
+ iE
VRB2
RB2 +

VRE RE
102
97 97

Eletrnica Bsica

Para operar no centro da reta de carga sabemos que no corte a tenso VCE = VCC/2.
Portanto: VCE = 15/2 = 7,5 V. Temos tambm a informao que a corrente de coletor
nesse ponto dever ser de ICQ = 12 mA e que o ganho do transistor 50. De posse desses
dados, podemos calcular o valor das resistncias de coletor e emissor.
VRE 0,1 x VCC 0,1 x 15
RE = I = I = RE = 125
E E 12 x 103
Considerando-se que iB1 = iB2 e ainda que seus valores so 10% de IC, podemos calcular
as resistncias RB1 e RB2. Nesse exemplo, vamos supor que:

iB1 = 0,1.12 x 103 iB1 = iB2 = 1,2 x 103A e VRE = REIE = 125 x 12 x 103 VRE =1,5 V
VBE + VRE 0,7 + 1,5
RB2 = iB2 RB2 = RB2 = 1 833
0,1 x 12 x 103

VCC 15
RB1 = i RB2 RB1 = 0,1 x 12 x 103 1 833 RB1 = 10 667
B1

VCC VCE 0,1 VCC

RC = RC = 15 7,5 0,1 x 15 R = 500
IC 12 x 10 3 C
 A seguir mostrado um circuito implementado no MultiSim para verificar o valor das
grandezas encontradas. Duas grandezas merecem destaque: a tenso VCE e a corrente de
coletor IC. A tenso VCE de 7,417 V e est muito prximo operao no centro da reta de
carga, exigido no projeto, que de 7,5 V. A corrente de coletor idntica a de emissor e o
valor visualizado na simulao de 12 mA, valor idntico ao estipulado pelo enunciado.
As correntes IRB1 e IRB2 so praticamente iguais e a tenso sobre o resistor de emissor VRE
de 1,529 V. Na fase de clculos dos valor da resistncia de emissor RE, supomos que a
tenso sobre esse resistor estaria em torno de 10% da tenso de alimentao, que de
15 V. Isso representa uma tenso de 1,5 V. Em termos percentuais, a diferenaManual
entre do
VREProfessor
calculado e VRE simulado de apenas 2%.

103
12)
12.

Eletrnica Bsica
Soluo:
iB1 Como todos os valores de resistncias j foram fornecidos, no podemos supor
+
valores
+ para as grandezas
V VRE e nem iB1 e iB2. Inicialmente podemos obter o valor da
V
RC 1,2 k
tenso
RB1
de base VB a partir
12 k da expresso (IX) e mostrada novamente abaixo.
iC
+
=150
+
+ VCE 15 V
iB
iB2 VBE
+ iE
VRB2
6,2 k +

VRE 620

VRB2 - VBE - VRE = 0 VRE VRB2 - VBE

Sabe-se ainda que VRB2 = VB
VRE = 5,11 Como
- 0,7 todos
VRE =os4,41V
valores de resistncias j foram fornecidos, no podemos supor valores
para as grandezas VRE e nem iB1 e iB2. Inicialmente podemos obter o valor da tenso de base
De posse de VRE,a partir da expresso (IX) e mostrada novamente abaixo.
B podemos encontrar, a partir da Lei de Ohm, a corrente iE, da forma:

V V VRE = 0 VRE = VRB2 VBE

VE 4,41
iE = RB2 iBE
E = 7,11 mA Como i C = i E i C = 7,11 mA
RE 620
Aplicando L.T.K. na malha de sada, a tenso entre coletor e emissor obtida:
 Sabe-se ainda que VRB2 = VB
VRE = 5,11 0,7 = 0 VRE = 4,41V

De posse de VRE, podemos encontrar, a partir da Lei de Ohm, a corrente iE, da forma:
VE 4,41
iE = = 620 7,11 mA
RE
Como IC = IE IC = 7,11 mA
Manual do

Aplicando L.T.K. na malha de sada, a tenso entre coletor e emissor obtida:

3
7,11xV10 = VCC iC (RC + RE) VCE = 15 7,11 x 103(1 200 + 620) VCE = 2,06 V
C
iB = CE
i B =47,4A
150
Como o ganho b=150, a corrente de base poder ser obtida da forma:
iC 7,11 x 103
iB = iB = iB = 47,4 mA
b 150
B2 - i B = 0, onde:e
VB 5,11 i i = 0, onde:
i B2 = iB1 B2 i B =824,19 A
B2
R B2 6200 VB 5,11
iB2 = R iB2 = iB2 = 824,19 mA
B2
6200
e
x 106 iB1A= 871,59 mA
-6 -6
B2 + i B i B1 = 824,19
iB1 = iB2 +x iB10
iB1+=
47,4 x 10
824,19 x 106 i B1 =871,59
+ 47,4

ultados obtidos naOssimulao
resultados obtidos na simulao
esto mostrados esto mostrados
a seguir. a seguir.
Todos esto bem Todos esto bem
prximos aosprximos
calculados. A cor
aos calculados. A corrente de base calculada de 47,4 A. J a obtida pela simulao de
lculada de 47,447A. Jcorrente
A. A a obtidadepela simulao
coletor de de
na simulao 477,13
A.mA
A corrente de coletor
e o valor calculado dena simulao
7,11 mA. de 7
104
or calculado deA7,11
tenso
mA.VCEAcalculada
tenso Vde 2,06 V e a simulada de 1,992 V.
CE calculada de 2,06 V e a simulada de 1,992 V.
Eletrnica Bsica
 13)
iB1
+
+ VRC 1,2 k +
VRB1 VRC 1,2 k
12 k
iC i
C
+
=150
+
VRB1
+ VCE 15 V + +
iB
iB2
+ VCE 15 V
VBE iB 4,088 k
+ iE
VBE
VRB2 iE
6,2 k +
+ +
VRE 620
5,11 V VRE 620

O circuito da figura esquerda redesenhado conforme figura direita e Manual

os clculos dos
do Professor
valores de resistncia RTH e tenso VTH so mostrados na sequncia.
Soluo: O circuito da figura esquerda redesenhado conforme figura direita e os clculos dos valores de resistncia R TH e
Clculo da resistncia de Thvenin (RTH):
tenso VTH so mostrados na sequncia.
RB1 x RB2
Clculo daRresistncia
= de Thvenin ): = 12 000 x 6 200 R 4,088 k
(RRTHTH
TH RB1 + RB2 12 000 + 6 200 TH
R B1 x R B2 12.000 x 6.200
R TH = R TH = R TH 4,088k
R B1 + R B2 12.000 + 6.200
Clculo da Tenso de Thvenin (VTH):
Clculo da Tenso de Thvenin VTH
RB2 6 200
VTH =
R B2VCC
V
6.200= 15 12 000 + 6 200 VTH = 5,11 V
RB1V+ R 15 VTH = 5,11V
TH
VTH = VCC TH = B2
R B1 + R B2
12.000 + 6.200
Clculo da corrente de emissor iE:
Clculo da corrente de emissor i E 105
V - VBE VTH V5,11 - 0,7 5,11 0,7
i E TH i = i E BE i = i E i C = 6,81mA i = i = 6,81 mA
E R TH R 4.088
620 + 4 800
E E C
RE + 620
TH+

Eletrnica Bsica
RE + b 150 150
Clculo da Tenso de coletor-emissor VCE
Clculo de Tenso de coletor-emissor V :
VCE VCC - i C R C R E VCE 15 - 6,81x10-3 1.200 620
CE

V = VCC iC (RC + RE) VCE = 15 6,81 x 103(1 200 + 620) VCE = 2,6V
VCE 2, 6VCE

O s dois Os doisseguir
circuitos circuitos a seguir
mostram mostram
o circuito original o esquerda
circuitoe original
o circuito transformado
esquerda e o direita.
circuito transfor-
Pelos resultados das
grandezasmado direita.
apresentados, Pelos perceber
possvel resultados
que das
apsgrandezas apresentados,
a transformao possvel
do circuito os resultados perceber que
permanecem aps
praticamente
a transformao do circuito os resultados permanecem praticamente idnticos, viabili-
idnticos, viabilizando a aplicao da estratgia.
zando a aplicao da estratgia.

14.
 14)
iCC = iC + iB

+
VRC
RC

VC
iC=10 mA
+
VRB RB +
iB
+
+ VCE=7,5 V 15 V

VBE
iE

Clculo de RB e RC, assumindo que b = 100

VCC VBE 7,5 0,7
RB = iB RB = 10x103 RB = 68 k
100

VCC VCE 15 7,5

RC = iC RC = 10 x 103 RC = 750

Os resultados simulados para b=100, b=200 e b=50 so mostrados a seguir. O valor das
106 resistncias calculadas foram alocados na simulao e os valores de VCE, iB e iC foram moni-
torados e mostrados. A tenso VCE simulada de 7,348. Valor bem prximo do requerido
Eletrnica Bsica

no projeto que de 7,5 V (no centro da resta de carga). A corrente referente ao ponto de
operao ICQ exigida no projeto de 10 mA. O valor simulado mostra essa grandeza com
um valor em torno de 10 mA. Mais uma vez, os valores esto muito bons. Quando o
ganho de corrente alterado, verifica-se que o ponto quiescente varia, ou seja, no mais
estvel como os mostrados nas configuraes de circuitos mostradas anteriormente. Aps
dobrar o ganho de corrente, observa-se que as correntes de coletor e tenso entre coletor
e emissor variam com o ganho e, consequentemente com a temperatura. A corrente de
coletor que deveria estar em torno de 10 mA passou a valer 13 mA. Isso equivale a uma
variao de 30%. J a tenso VCE, que deveria ser de 7,5 V apresenta um valor de 4,995 V.
Uma variao percentual de aproximadamente 33%. Ao inserirmos um valor de b=50,
mais uma vez os resultados so pouco satisfatrios. A corrente de coletor que deveria ser
de 10 mA passou a valer 6,976 mA. A diferena entre os valores requerido e medido, na
prtica, equivale a 43%. A tenso VCE que deveria ser de 7,5 V, na verdade, passou a ser
9,767 V quando o ganho passou a ser a metade (diferena de 23%).
6,976 mA. A diferena entre os valores requerido e medido, na prtica, equivale a 43%. A tenso VCE que deveria ser
de 7,5 V, na verdade, passou a ser 9,767 quando o ganho passou a ser a metade (diferena de 23%).
Resultados para Beta = 100 Resultados para Beta = 200

Manual do Profes

Resultados para Beta = 50

102

107

Clculo das Tenses VE , VC e VB

Eletrnica Bsica
Conforme visualizado pelo circuito, o potencial VE est interligado diretamente ao "t
VE =0V
Clculo da corrente de base e de coletor:
V -V 15 - 0,7
i B = CC BE i B = i B =33, 26 A
RB 430x103
i C = x i B i C = 110x33, 26 x106 i C =3, 66mA
Sabe-se ainda que:
VCE =VC - VE =VCC - R C x i C VCE =15 4, 7 x103 x3, 66 x10 3
VC =VCE = 2,19V
VBE =VB - VE 0, 7 VB - 0 VB 0, 7

Aplicando a lei de Ohm na malha de entrada

VCC -VBE 10 - 0,7
a) i B = 50x10-6 = R B =186k
RB RB
Clculo da corrente de coletor:
b) i C = x iB i C = 120 x 50 x106 i C =6mA