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1 2 Revisao Microeletronica 2a Aula 2 PDF
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• A fotolitografía é uma técnica para transferência de padrões geométricos desde uma “mascara”
óptica à lâmina de Si propriamente dita. Os padrões na mascara óptica (que deve ser fabricada
previamente) contêm a geometria das diversas regiões que formam os dispositivos e interconexões
elétricas existentes nos circuitos integrados.
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2.2 Revisão de processos básicos de
Fotolitografia Microeletrônica
Processo Fotolitográfico :
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2.2 Revisão de processos básicos de
Fotolitografia Microeletrônica
λ λ
R = k1 PC = k 2
NA (NA) 2
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2.2 Revisão de processos básicos de
2.4 Dopagem Elétrica Microeletrônica
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2.2 Revisão de processos básicos de
Técnicas de Dopagem Microeletrônica
Existem basicamente duas técnicas para dopar Silício, sendo que ambas são utilizadas de
forma complementar na fabricação de fabricar dispositivos discretos (resistores, capacitores,
transitores), Circuitos Integrados e MEMS :
• Difusão Térmica:
Baseada no movimento expontâneo das partículas de regiões de alta concentração para regiões de baixa
concentração. Assim, as impurezas são introduzidas no Si colocando a lamina a ser dopada em contato
com uma fonte rica no elemento dopante. Normalmente a fonte de impurezas é um ambiente gasoso,
mas também podem ser utilizadas películas de óxido dopado (SOG) pré-depositadas sobre o lamina de
Si. Em ambos casos, a difusão ocorre em altas temperaturas (entre 800 e 1200 oC). Tipicamente é usada
na obtenção das junções P-N profundas (em poços N e P de estruturas CMOS por exemplo).
• Implantação Ionica :
Nesta técnica, íons ou moléculas ionizadas de elementos dopantes são aceleradas num canhão
acelerador e feitos colidir sobre o substrato (alvo) a ser dopado. Os íons no feixe possuem, tipicamente,
energias da ordem de algumas dezenas de keV e ao colidir com o alvo (lâmina de Si), penetram no
semicondutor abrindo caminho entre os átomos do material através de colisões mecânicas sucessivas.
Por esse motivo, o processo de Implantação Iônica não requer altas temperaturas, embora processos de
pós-recozimento sejam necessários para ativar as impurezas e/ou reconstruir a rede cristalina do alvo.
Tipicamente é usada na obtenção de junções P-N rasas (em regiões de Fonte e Dreno em transistores
MOS por exemplo).
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2.2 Revisão de processos básicos de
Difusão Térmica Microeletrônica
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2.2 Revisão de processos básicos de
Difusão Térmica Microeletrônica
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2.2 Revisão de processos básicos de
Difusão Térmica Microeletrônica
Mecanismo de Difusão
A difusão das impurezas através do semicondutor hospedeiro pode
ocorrer de forma intersticial, com as impurezas ocupando sítios entre os
átomos, ou de forma substitucional, com as impurezas ocupando
posições correspondentes aos próprios átomos da rede do Si. Note que
para esto ocorra devem existir “vacâncias” no material :
• Difusão intersticial : Ea ~ 0,5 a 1,5 eV Fácil de ocorrer
• Difusão substitucional : Ea ~ 3 eV Difícil de ocorrer
• 1a Lei da Difusão :
1a Lei de Fick :
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que a partir de (I) pode ser escrita na forma : Q(t) = Cs Dt ≅1.13Cs Dt
€ π
onde é o Comprimento de Difusão :
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€
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Difusão Térmica Microeletrônica
Solução :
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2.2 Revisão de processos básicos de
Difusão Térmica Microeletrônica
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2.2 Revisão de processos básicos de
Difusão Térmica Microeletrônica
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2.2 Revisão de processos básicos de
Difusão Térmica Microeletrônica
Logo, o número total de impurezas por unidade de área difundidas em 1 hora será :
dC Cs −1019
€ =− = −6
= −6.7 × 10 23 cm −4
dx x =0 πDt π × 8.48 × 10
Por outro lado, a profundidade “xj na qual a concentração de portadores é C=1015 cm-3 será dada por :
⎛1015 ⎞
-1
x j = 2 Dt erfc ⎜ 19 ⎟ = 2 Dt (2.75) = 4.66 × 10 −5 cm
€ ⎝10 ⎠
Portanto, o gradiente de concentração nessa profundidade é dado por :
dC Cs −x 2 / 4 Dt
€ =− e = −3.5 × 10 20 cm −4
dx x =0.466 µm πDt
20
€
2.2 Revisão de processos básicos de
Difusão Térmica Microeletrônica
Solução :
A solução desta equação pode ser econtrada pelo ponto de cruzamento das equações :
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2.2 Revisão de processos básicos de
Implantação Iônica Microeletrônica
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2.2 Revisão de processos básicos de
Implantação Iônica Microeletrônica
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2.2 Revisão de processos básicos de
Implantação Iônica Microeletrônica
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2.2 Revisão de processos básicos de
Implantação Iônica Microeletrônica
¤ Explique como pode ser obtido uma região dopada com perfil de dopantes
aproximadamente constante utilizando Implantação Iônica.
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