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4.1 - Introdução :
C C
p C n C
B n B p
B B
p E n E
E E
Figura 4.1 : transistor NPN e PNP.
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4.2.1 - Características de Operação :
a) - Base-comum :
IC
RE RC IE
IE VCB IC
- +
-
VBB+ IB
VCC
VCB
b) - Coletor-comum :
IC
RC IB
- VBB
IC
RB +
+
VCE
IB VCC -
VCE
c) - Emissor-comum :
IC C
RC IB
A
IC
RB +
VCE
+
IB VCC -
VBB - B
VCE
Figura 4.2 : Configurações para o Transistor Bipolar : a) Base-comum; b) Coletor-comum; c)
Emissor-comum
Esta última configuração é a mais utilizada para a operação do transistor como chave.
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Existem três regiões de operação para o transistor : corte (B), saturação (A) e região
ativa (C). Na região de corte, o transistor está desligado ou a corrente IB não é grande o suficiente
para ligá-lo e as junções estão reversamente polarizadas. Na região ativa, o transistor funciona como
um amplificador onde IC é amplificada pelo ganho de corrente β e a diminuição da queda VCE. A
junção coletor-base está reversamente polarizada e a junção base-emissor, diretamente polarizada.
Na região de saturação, a corrente de base IB é suficientemente grande, fazendo com que a tensão
VCE seja muito baixa. Assim, o transistor opera como chave. Ambas as junções estão diretamente
polarizadas. A curva mostrada na figura 4.3 dá a característica de transferência VCE x IB.
VCE
corte ativa saturação
VCC
VCE(SAT)
IB
VBE
0.5 VBE(SAT)
C
IC
I CEO
β IB
B
IB
IE
E
Figura 4.4 : Modelo simplificado do transistor.
IE = IC + IB (4.1)
I C = β. I B + I CEO (4.2)
I E ≅ β. I B + I B ≅ I B . (1 + β) (4.3)
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1 + β
I E ≅ I C . (4.4)
β
1+ β
α= (4.5)
β
I E ≅ α. I C (4.6)
RC
VCB
+ IC
RB -
+
+
VCE
+ + -
IB VCC -
VBE -
VBB -
VB − VBE
IB = ; ........ I C = β. I B (4.7)
RB
VB − VBE
VCE = VC = VCC − R C . I C = VCC − R C . β. (4.8)
RB
RC RC
VCE = VCC − . βVB + . βVBE (4.9)
RB RB
Como :
VB
I C ≈ β. (4.10)
RB
Logo :
VCE = VCB + VBE ⇒ VCB = VCE − VBE (4.12)
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VCC − VCE VCC − VBE
I CMAX = =
RC RC
(4.13)
I CMAX
I BMAX =
β
Na saturação :
VCC − VCE (SAT )
I C ( SAT ) =
RC
(4.14)
I C (SAT )
I B ( SAT ) =
β
Normalmente, o circuito a transistor na configuração chave, é definido por quanto IB
é maior que IBSAT , para garantir a saturação. A razão entre IB e IBSAT é definido por fator de
sobreacionamento - overdrive factor - ODF.
IB
ODF = (4.15)
I B (SAT )
E a razão :
I C (SAT )
= β F ⇒ β. forç ado (4.16)
IB
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C cb
B C
ib
rbe V
be C be ro = rce
gm.V
be
ie
gm = i c V
be
E
Figura 4.6 : Modelo dinâmico do transistor.
Ccb : capacitância CB
Cbe : capacitância BE
gm : transcondutância
rce : resistência CE
rbe : resistência BE
Ccb : Efeito Miller
VB
VB1
kT
t
(1-k)T
-VB2
IB
IB1
IBSAT Ie = IB1 - IBSAT
t
-IB2
IC
ICSAT
0,9ICSAT
0,1ICSAT
t
td tr tn ts tf to
Quando VB varia de zero até V1 e a corrente de base vai para IB1, a corrente de coletor
não responde imediatamente. Existe um atraso ( delay time - td ) antes que alguma corrente IC
comece a circular. Este atraso é necessário para se carregar a capacitância da junção BE para uma
tensão direta VBE ( 0,7V ). Após este atraso, a corrente IC cresce para o valor Icsat. O tempo de subida
( rise time - tr ), depende da constante de tempo determinada pela capacitância BE ( Cbe ).
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A corrente de base é normalmente maior do que a necessária para saturar o transistor.
Como resultado, há um excesso de carga armazenada na região da base. Esta carga extra, que é
chamada de carga de saturação, é proporcional ao excesso de IB. Assim a corrente Ie ( corrente de
excesso ) é dada por :
I C (SAT )
Ie = I B − = ODF. I B (SAT ) − I B (SAT ) (4.18)
β
A capacitância de saturação QS é :
Quando a tensão VB vai de V1 para V2, e IB é igual a -IB2, a corrente IC não muda
durante o tempo de armazenamento ( storage time - ts ). Este é o tempo necessário para se remover
a carga de saturação da base. Desde que VBE é positiva e aproximadamente 0.7V, somente a
corrente de base inverte sua direção devido a mudança de polaridade de VB. A corrente reversa -IB2,
ajuda a descarregar a base. Sem esta corrente, o tempo necessário seria muito grande.
Uma vez a carga extra removida, a capacitância da junção BE carrega, agora, com
uma tensão -V2 e a corrente de base torna-se zero. O tempo de descida ( fall time - tf ) depende da
constante de tempo, que é determinada pela capacitância de polarização reversa da junção BE.
Tc
Tj Ts
R θ jc Rθ cs
P
T Rθsa
Ta
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Tc = Tj − PT . Rθ jc
Ts = Tc − PT . Rθ cs
(4.21)
Ta = Ts − PT . Rθ sa
Tj − Ta = PT .( Rθ jc + Rθ cs + Rθ sa )
IC (A)
10µs
200
50
10 ÁREA
DE
DISPARO
1
VCE ( V )
0,1
5 10 50 100 500
Uma tensão de ruptura é definida como a máxima tensão absoluta entre dois
terminais, com o terceiro terminal em aberto, curto-circuitado ou polarizado tanto direta quanto
reversamente. Na ruptura a tensão permanece constante enquanto que a corrente cresce rapidamente.
As tensões de ruptura que se seguem são fornecidas pelos fabricantes :
b) - VCEV ou VCEX : máxima tensão entre coletor e emissor para uma tensão negativa
aplicada entre a base e o emissor;
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IC1
C
I
B
Q1 VCE IC2
1
IB
Q2 VCE 2
VBE
E
Figura 4.10 : Configuração Darlington.
Desta forma, obtém-se um ganho que é o produto dos ganhos dos dois transistores. A
montagem Darlington apresenta, entretanto, alguns inconvenientes :
VCC
t
IC
IC(SAT)
ICARGA
tr tf
t
Figura 4.11 : Característica de tensão e corrente do Transistor Bipolar.
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Durante o “turn-on” ( tr ), a corrente cresce e o di/dt é :
di I L IC(SAT )
= = ( 4.23 )
dt tr tr
dV VS VCC
= = ( 4.24 )
dt tf tf
LS
DR IL
+ L
VS
-
CS
+ Q
D
RB RS
V
B
Figura 4.12 : Circuito de proteção contra dV/dt e di/dt para o transistor bipolar.
LS
DR IL
+
VS
iD
- R
iC
+ Q
RB
V
B
di VS IC(SAT ) V
= = ⇒ LS = tr. S ( 4.25 )
dt LS tr IC(SAT )
tr ≤ t ≤ tf : o capacitor CS se carregará à uma tensão Vs, devido a corrente de carga IL
agora circular por CS e pelo diodo D. O circuito equivalente para esta situação é dada na figura 4.14.
LS
IL
+
VS
- +
CS VC
- S
dV IC(SAT ) VS I
= = ⇒ CS = tf . C(SAT ) ( 4.26 )
dt CS tf VS
Uma vez a tensão Vcs igual à VS, o diodo de retorno DR fica diretamente polarizado.
Assim há a formação de um circuito ressonante RLC, cuja característica é a de um circuito com
amortecimento crítico, mostrado na figura 4.15.
α
δ= ( 4.27 )
ω0
RS 1 L
= ⇒ RS = 2. S ( 4.28 )
2. LS LS .CS CS
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LS
+ VL -
S
DR IL
+
VS
-
+
CS V
- CS
RS
O capacitor CS descarrrega através do transistor e isto aumenta a taxa di/dt. Esta taxa
pode ser evitada através de um resistor RS colocado em paralelo com o capacitor CS, ao invés de ser
colocado em paralelo com o diodo. A corrente de descarga do capacitor CS é dada na figura 4.16.
iCS
τS
t
T = 1/fs
3.τs = T
1 1
3. RS .CS = ⇒ RS = ( 4.29 )
fs 3.CS . fs
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4.3 - Transistor MOSFET :
a) - MOSFET de Depleção;
b) - MOSFET de Intensificação.
D metal
óxido n+ D RD
substrato RD
metal
p G
+ G n +
VGS + +
canal VGS S VD
+ VD
- - -
n+ -
S ID
Estrutura Símbolo
* ANÁLISE :
- VGS < 0 : os elétrons do canal n são repelidos aumentando assim a camada de depleção
próxima da camada óxida. Assim, há uma diminuição na área do canal n ( estrangulamento ), sendo
estabelecida uma alta resistência RDS. Deste modo, não há circulação de corrente IDS. Para IDS igual
a zero, a tensão VGS é chamada de tensão de estrangulamento ( pinch-off ) VP.
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- VGS > 0 : o canal n torna-se largo, reduzindo drasticamente a resistência RDS sendo assim,
estabelecida a corrente IDS. O MOSFET com canal p tem a s polaridades das tensões e correntes
invertidas.
O MOSFET de Intensificação não tem um canal físico com o de Depleção. Para VGS
< 0, a tensão atrai os elétrons ( portadores minoritários ) do substrato p que são acumulados
próximos da camada óxida. Se VGS ≥ VT ( tensão limiar ), uma quantidade suficiente de elétrons
acumulados formam um canal n, virtual, e a corrente IDS circula através do transistor. O mesmo
ocorre para o MOSFET de Intensificação tipo p, onde as polaridades de tensão e corrente são
invertidas.
ID
β= ( 4.30 )
IG
é da ordem de 109. Este não é um parâmetro importante. A transcondutância gm, que é definida por :
ID
gm = ( 4.31 )
VGS
IDS
VGS
VT
Figura 4.18 : Característica de transferência
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A característica de saída para o mesmo MOSFET é dada na figura 4.19.
IDS
REGIÃO REGIÃO DE SATURAÇÃO
LINEAR VGS4
VGS2
VGS1
VDS
VGS = VT
IDS R1 IDS
D RD G D RD
+
R1
G +
+
VG VGS ro
+ S VD VD
VG VGS
- - - S gm.VGS -
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A transcondutância ( gm ) e a resistência de saída ( r0 ) são dadas por :
∆ID
gm = VDS =cte
∆VGS
( 4.32 )
∆VDS
r0 = RDS =
∆ID
Sem nenhum sinal no gate, um MOSFET pode ser representado como dois diodos
conectados em série com os terminais opostos ou, como um transistor NPN. A estrutura do gate
tem capacitâncias parasitas : gate-fonte ( Cgs ) e gate-dreno ( Cgd ).
O transistor NPN tem junção reversamente polarizada entre dreno e fonte, oferecendo
uma capacitância Cds . A figura 4.21 mostra o circuito equivalente para um MOSFET com um
transistor bipolar parasita em paralelo.
C ds
Cdg
G
Q
C gs R be
O MOSFET também pode ter um circuito equivalente com um diodo interno, como
mostrado na figura 4.22. A capacitância parasita Cds depende da tensão aplicada.
Cdg
C ds
G D
C gs
VDS
Cdg
G V
+ D
t
Vgs VGS
Cgs Cds rds gm.Vgs V1
VGSP
- VT
S
t
td(on) tr td(off) tf
a) b)
- td(on) : tempo necessário para carregar a capacitância Cgs à tensão de condução VT;
- tr : tempo necessário para carregar o capacitor de entrada de VT até a tensão VGSP, que é a tensão
necessária para levar o transistor à região linear;
-tf : tempo necessário para a capacitância Cgs descarregar até VT. Se VGS ≤ VT, o MOSFET desliga.
C
D
G G
E S
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O IGBT é um componente controlado por tensão, semelhante ao MOSFET.
Apresenta baixas perdas tanto no chaveamento quanto durante a condução, apresentando
características semelhantes ao MOSFET, tais como : facilidade de acionamento, capacidade e
“ruggedness”. Em termos de velocidade, o IGBT é mais rápido que o transistor bipolar mas, mais
lento que o MOSFET.
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