Capítulo 6

Circuitos integrados para amplificadores de um único estágio

1
6.1 Filosofia de projeto de CI
• Área da pastilha – resistores altos ou moderados devem ser
evitados
• Fontes de corrente constante tornam-se disponíveis.
• Grandes capacitores não estão disponíveis, exceto talvez como
um componente externo à pastilha do CI. (mantidos em valores
mínimos).
• Capacitores na faixa de picofarad e frações de pico farad são
fáceis de fabricar na tecnologia de CIs MOS.
• Regra para projeto de circuitos MOS em CI: usar apenas
transistores MOS e, quando preciso, pequenos capacitores
MOS.
• Em 2006 tecnologia de processos CMOS capazes de produzir
dispositivos com 0,05 μm de comprimento mínimo de canal.
• O circuito MOS será projetado quase totalmente usando
MOSFET de ambas as polaridades – NMOS e PMOS.
2
6.2.1 Valores típicos dos parâmetros doMOSFET

• Lmin – o menor transistor terá comprimento de L = 0,18 µm. (tec.

0,18)
• Tendência é a redução do comprimento mínimo de canal
permitido. Empacotar mais transistores em uma pastilha de CI.

• Com a redução do comprimento do canal tox reduz, Cox

aumenta, µn e µp decrescem

• Vtn e Vtp reduziram com Lmin de aprox. 07-0,8 V para 0,4-0,5 V

• VDD reduziu de 5 para 1,8 V

• VA´ diminuiu – tensão de Early VA = VA´L pequena – Baixas

resistências de saída.
• Os dispositivos mais curtos exibem velocidades de operação
muito maiores que a dos dispositivos mais longos. fT de um
NMOS de 0,25 µm pode ser tão alta quanto 10 GHz. 3
4
Valores típicos de parâmetros de dispositivos CMOS

5
6.2.2 valores típicos dos parâmetros de um CI do TBJ

• Dois diferentes processos: o padrão antigo ou processo

de alta tensão e o processo de baixa tensão (moderno).
• O pnp lateral tem características muito inferiores às do
npn. Baixo valor de β, tempo de transito direto maior.

• Uso de topologias que minimizam o uso de transistores

pnp ou minimizam a dependência do desempenho do
circuito com relação à do pnp.
• Redução do tamanho dos dispositivos nos processos de
baixa tensão – redução da corrente IS.
• Aumento na velocidade para o npn BT (redução no τF). fT
de 10 a 25 GHz (400 a 600 MHz no processo de AV).
• Tensão de alimentação: 15 V para o 741 para 5 V ou 3,3 V.

6
Valores típicos de parâmetros de dispositivos TBJ

7
Comparação do MOSFET com o TBJ

Símbolo

Modo ativo
Induzir um canal jBE polarizada diretamente

vOV : sobretenção de condução

Estrangular o canal JBC polarizada reversamente

8
 Características corrente-tensão na região ativa

1 W vDS
iD = µ nCox (vGS − Vt ) (1 +
2
)  vCE 
2 L VA iC = I S e v BE / VT
1 + 
1 W 2 vDS  VA 
= µ nCox vov (1 + )
2 L VA iB = iC / β
iG = 0

Modelo π-híbrido para baixa frequência

9
 Modelo T BF

Modelo π-híbrido para alta frequência

10
10
 Transcondutância
ID
gm =
VOV / 2 gm = I C / VT
g m = µ n Cox (W / L)VOV

g m = 2( µ n Cox )(W / L) I D

Resistência de entrada

∞ rπ = β / g m
Resistência de saída

V A' L
rO = V A / I D = ro = VA / IC
ID

11
 Capacitâncias

2 Cπ = Cde + C je
Cgs = WLCox + WLov Cox
3

Cgd = WLov Cox Cde = τ F g m

C je ≅ 2C je0

Frequência de transição fT

gm gm
fT = fT =
2π (C gs + C gd ) 2π (Cπ + Cµ )

12
 Efeito da carga capacitiva na faixa de resposta do amplificador fonte comum

Vo = − g mVgs ( ro // C L )

Vo g m ro
Av = =−
Vgs 1 + sC L ro

13
6.3.1 Fonte de corrente básica com MOSFET

Q1 e Q2 têm o mesmo VGS : podemos escrever

1 ' W 
I D1 = k n   (VGS − Vtn ) 2
2  L 1

1 ' W 
Io = I D2 = k n   (VGS − Vtn ) 2
2  L 2

VDD − VGS
Como I D1 = I REF =
R
Io (W / L) 2
Dividindo Io/ID1 vem =
I REF (W / L)1

Esta equação é válida para Vo = VDS1=VGS 14

 Efeito de Vo sobre Io

Q2 opera com VGS constante. Quando Vo varia

Io varia conforme o gráfico da característica do transistor

Características de saída da fonte de corrente

Io1 é valor de Io quando Vo é VGS da Figura 6.4

Para Vo acima de VGS, Io aumenta de acordo

com uma reta de inclinação 1/ro

15
Ex S6.3-1 Para o circuito da Fig. 6.4 use o gráfico de Io versus Vo e a expressão de ro = VA/ID
para obter uma expressão para calcular Io.
Do gráfico
Vo ≥ Vov
∆Vo Vo −VGS (3)
ro2 = =
∆Io Io − Io1
(W / L)2
Io1 = I REF (1)
(W / L)1 Subst 2 em 3
 VO − VGS 
I o = I o1 1 + 
 VA2 
Da equação
VA2 Subst. Io1 de 1 vem
ro 2 = (2)
I o1
(W / L) 2  VO − VGS 
Io = I REF 1 + 
(W / L)1  VA 2 
16
Circuitos guias de corrente VDS 2 ≥ VGS 2 − Vtn

VD 2 ,VD 3 ≥ −VSS + VGS 1 − Vtn

VD 2 ,VD 3 ≥ −VSS + VOV 1

(W / L)5
I5 = I 4
(W / L)4

(W / L)2
I2 = I REF
(W / L)1 VSD 5 ≥ VSG 5 − Vtp = VOV 5
(W / L)3
I3 = I REF VD 5 ≤ VDD − VOV 5
(W / L)1
17
6.3.3 Circuitos com TBJ

Considerando β suficientemente alto ... IC >> IB

I C1 ≈ I REF = I S e vBE /VT I C 2 = I o = I S e vBE /VT

I o = I REF
I C1 Para uma razão de transferência de corrente > 1

I C1 ≈ I REF = I S 1e vBE /VT I C 2 = I o = I S 2 e vBE /VT

I o = mI REF

Io I S 2 Área da JEB de Q2
= =
I REF I S 1 Área da JEB de Q1

18
 Io IC 1
Considerando β finito = =
I REF  2 1+
2
I C 1 + 
 β β

m é a razão de transferência de corrente

nominal
Se I S 2 = mI S 1
+
VBE
- Io m
=
I REF m +1
1+
β
Para Vo = VBE

I C1 = I S e vBE / VT IC2 = I Se vBE / VT

I C 2 = I C1 = I C Q2 opera com VBE constante.

Quando Vo varia, Io varia conforme o
I REF = I C + 2 I C / β = I C (1 + 2 / β ) gráfico da característica do transistor

19
Efeito da resistência de saída finita para Vo diferente de VBE

Características de saída da fonte de corrente

da Figura 6.4

Igualando as equações de ro2 vem

 Vo − VBE  (1)
I o = I o1 1 + 
 VA2 

∆Vo I o1 m
Ro ≡ = ro 2 = (2)
∆I o I REF 1 + m + 1
Do gráfico β
Vo −VGS Subst. (1) em (2) vem
ro2 =
I o − I o1  
 
fórmula I o = I REF 
m 1 + Vo − VBE 
 (6.24)
VA2  m + 1  V A2 
+
ro2 = 

1
β 
I o1 20
Uma fonte de corrente simples

VA V
Ro = ro 2 ≅ ≅ A
I o I REF

Ex. 6.3-2 Para o circuito da figura 6.10 demonstre

a equação 6.24. Desenhe o gráfico Io versus Vo
indicando os pontos importantes.

Figura 6.10
VCC − VBE
I REF =
R
I REF  Vo − VBE  (6.24)
Io = 1 + 
1 + (2 / β )  VA 

21
Guia de corrente

+ − VCC + VEB1 + I REF R + VBE 2 − VEE = 0

VEB1
- VCC + VEE − VEB1 − VBE 2
I REF =
R
v EC 3 > 0,3 ⇒ v E 3 − vC 3 > 0,3
I 1 = I REF
v E = VCC ⇒ vC 3 < VCC − 0,3

I 3 = 2 I REF I 2 = I REF
+
VBE2 vCE 4 > 0,3 ⇒ vC 4 − ( −VEE ) > 0,3
-
vC 4 > −VEE + 0,3

22
 Resposta em alta frequência – considerações gerais
O ganho permanece constante no seu valor de ganho em faixas médias AM até a
frequência zero (cc). Os amplificadores em CI diretamente acoplados não sofrem a
redução do ganho em baixas frequências. O ganho, no entanto, decai em altas
frequências em virtude das capacitâncias internas do transistor.

23
6.4 .1 A função de ganho de alta frequência

O ganho AM pode ser determinado

pela análise do circuito
equivalente do amplificador
desconsiderando o efeito das
capacitâncias internas.

A( s ) = AM FH ( s )
(1 + s / ωZ 1 )(1 + s / ωZ 2 )...(1 + s / ωZn )
FH ( s ) =
(1 + s / ωP1 )(1 + s / ωP 2 )...(1 + s / ω Pn )
ωP1, ωP2, .. . ωPn são números positivos representando as frequências dos n polos
reais e
ωz1, ωz2, .. . ωzn são números positivos, negativos ou ∞ representando as frequências
dos n zeros de transmissão reais.

24
Determinando fH

Polo dominante

Zeros estão no infinito ou em frequências muito altas,

pouca importância no cálculo de fH.
Se, além disso, ωp1 << que qualquer outro polo terá o
maior efeito sobre o valor de ωH – resposta de polo dominante.

1
FH ( s ) ≅
(1 + s / ωP1 )
ω H ≅ ω P1

Existe polo dominante se o polo de menor

frequência for, ao menos duas oitavas (um fator de
4), distante do mais próximo polo ou zero

25
 Fórmula aproximada
Circuito com dois polos e dois
zeros
(1 + s / ωZ 1 )(1 + s / ωZ 2 )
FH ( s ) =
(1 + s / ωP1 )(1 + s / ωP 2 )

(1 + jω / ωZ 1 )(1 + jω / ωZ 2 )
FH ( jω ) =
(1 + jω / ωP1 )(1 + jω / ωP 2 )

26
27
Exemplo 6.5
A resposta em altas frequências de um amplificador é caracterizada pela
função de transferência
1 − s / 10 5
FH ( s ) =
(1 + s / 10 4 )(1 + s /( 4 × 10 4 ))
Determine a frequência a 3 dB aproximada e exatamente.
ω P1 = 10 4 rad / s; ω P 2 = 4 × 10 4 rad / s; ω z1 = 10 5 rad / s;
Valor exato de ωH

1 − jω / 10 5
FH ( jω ) =
(1 + jω / 10 4 )(1 + jω /( 4 × 10 4 ))

2
FH (0) = 1  FH (0) 
2
FH ( jωH ) =  
 2 

28
 1 + ω H2 / 1010 1
= ωH = 9.537 rad / s
(1 + ω H / 10 )(1 + ω H /(16 × 10 )) 2
2 8 2 8

Aproximada

1 1 2
ωH = 1/ + − = 9800 rad/s
(10 ) (4 ×10 ) (10 )
4 2 4 2 5 2

29
6.4.3 Usando o método das constantes de tempo circuito aberto
para a determinação de fH
(1 + s / ωZ 1 )(1 + s / ωZ 2 )...(1 + s / ωZn )
FH ( s ) =
(1 + s / ω P1 )(1 + s / ω P 2 )...(1 + s / ω Pn )

1 + a1s + a2 s 2 + ⋅ ⋅ ⋅ + an s n b1 =
1
+
1
+ ⋅⋅⋅ +
1
FH ( s ) =
1 + b1s + b2 s 2 + ⋅ ⋅ ⋅ + bn s n ω P1 ωP 2 ωPn
n
b1 = ∑ Ci Rio
i =1
Se os zeros não são dominantes e se ωP1 for dominante, ou
ωp1 << que qualquer outro polo
1 1 1
b1 ≅ ω H ≅ ω P1 ≅ =
ω P1 b1 ∑ Ci Rio
i

30
“O valor de b1 pode ser obtido considerando-se as várias
capacitâncias dos circuitos equivalentes para altas frequências,
uma por vez, enquanto todos os outros capacitores são
reduzidos a zero”

1 1
ω H ≅ ω P1 ≅ =
b1 ∑ Ci Rio
i

31
 Exemplo 6.6

A Figura 6.14a apresenta o circuito equivalente para altas

frequências de um amplificador MOSFET fonte comum. O
amplificador é alimentado por um gerador de sinal Vsig tendo
uma resistência Rsig. A resistência Rin é própria da rede de
polarização. A resistência R'L é o equivalente paralelo da
resistência de carga RL, da resistência de polarização do dreno RD
e da resistência de saída do FET, ro. Os capacitores Cgs e Cgd são
as capacitâncias internas do MOSFET. Para Rsig = 100 kΩ, Rin =
420 kΩ, Cgs = Cgd = 1 pF, gm= 4 mA/V e R'L = 3,33 kΩ, calcule o
ganho de tensão em faixa média, AM = Vo/Vsig e a frequência de
corte superior fH.

32
Exemplo 6.6

Ganho na banda média (capacitores são circuitos abertos)

Vo Vgs Vo Rin
AM = = =− ( g m RL' )
Vsig Vsig Vgs Rin + Rsig
Resistência vista por Cgs (Cgd=0)

33
 Resistência vista por Cgd (Cgs=0)
− Vgs
Ix =
R'
Vgs + Vx
R ' = Rin || Rsig
Ix R’
Vgs = − I x R '

I x = − I x R (g m + 1 / R ) + '
' ' Vx
L
RL

I x ( R ' + RL' + g m R ' RL' ) = V x

ω H = 1 /[2π (τ gs + τ gd )]

34
 6.4.4 O teorema de Miller

V2 =KV1
V2 =KV1

V1 − V2 V1 − kV1 Fig. a
I = = Fig. b Fig. a
Fig. b
Z Z
0 − V2 0 − kV1 V − kV1
V1 V1 (1 − k ) I2 = = =I= 1
I1 = =I= Z2 Z2 Z
Z1 Z − k 1− k Z
Z = Z2 =
Z1 = Z2 Z (1 − 1 / k )
(1 − k ) 35
Exemplo 6.7
A Figura 6.16a mostra um amplificador tendo um ganho de –100
V/V com uma impedância Z conectada entre seus terminais de saída e
entrada. Encontre o equivalente de Miller quando Z é (a) uma resistência
de 1 MΩ e (b) uma capacitância de 1 pF. Em cada caso, use o circuito
equivalente para determinar Vo/Vsig.

36
Exemplo 6.7
Circuito equivalente depois da
aplicação do teorema

Vi Vo

V2 V0
K= = = −100
V1 Vi

37
 C1 = 101C = 101 pF
Vo Vo Vi 1 / sC1
= = −100
Vsig Vi Vsig 1 / sC1 + Rsig

− 100
= Essa é a função de uma rede passa-
1 + s × 1.01 × 10−6 baixa de primeira ordem com ganho
cc de -100 e f3dB de

1
f 3dB = −6
= 157,6 kHz
2π × 1,01 × 10

38
Pág. 185 Caracterizando amplificadores

vi vo vi=0

Ro

Ro

vi
vi
Rout
vsig=0 Avovi

Rout

vi vi

Gvovsig

39
 A carga pode ser
implementada por um
PMOS : Carga ativa
6.5.1 Circuito fonte comum

V0
Rin = ∞ Ro = ro Avo = = − g m Ro
Vi

ganho intrínseco Ao = gm Ro

40
Mosfet polarizado com através de um resistor iD

v
+
v
-

VDD 1
iD = − v DS
RD R D

41
 vo = − v + VDD

VoA = VDD − VOV 2

VOB = Vov1 = VIB − Vtn

VoA = VDD − VOV 2

O ganho de tensão de pequeno sinal pode ser encontrado da

seguinte maneira: Q1 é substituído por seu modelo de
pequenos sinais e Q2 por sua resistência de saída
42
 Implementação da carga ativa com um transistor
pnp : Q2

Implementação CMOS do Amplificador Fonte Comum

ID2
No modelo de pequenos sinais Q1 vê Q2
como sua resistência de saída ro2.
ID1 Substituindo Q1 pelo modelo de pequenos
sinais e Q2 por ro2 vem:

ro2 é a resistência de carga de Q1

Como Q3=Q2 ID2 = IREF
Do circuito ID2=ID1

ro 2 = VAP / I D 2 ro1 = VAN / I D1

vo
Av = = − g m1 ( ro1 / / ro 2 )
vi

43
6.5.3 O circuito do emissor comum

Similar ao FC com carga ativa

Avo = − g m ro
Ri = rπ Ro = ro
ganho intrínseco Ao = gm Ro
44
 Implementação da carga ativa com um transistor
pnp : Q2
VCC

VCC

I r
Q3 Q2
vo vo

IREF Q1
Q1 +
+ vi
vi -
-

B C Q1 é substituído por seu

+ + gmv + modelo de pequenos sinais e
vi v r Q2 por sua resistência de saída
vo
- - r r
E -

Considerando β alto podemos dizer que I=Ic2=IREF. Pela figura vemos que Ic1=Ic2

VA 2 VA1
ro 2 =
IC 2
ro1 = Av = − g m ( ro1 ro 2 )
I C1 45
 6.6 Resposta em alta frequência dos amplificadores FC e EC
6.6.1 Análise usando o teorema de Miller

FC usando o T. de Miller
Igd
Rsig Cgd
G D vo
IRL’ Icl
+ gmVgs
Vsig Vgs Cgs
R’L CL
-

Desprezando Igd e ICL comparadas com gmvgs , IRL’ = -gmvgs . Então

Vo − g m RLVgs
'

K= = = − g m RL' Z = 1 / sCgd
Vgs Vgs

46
 1 / sCgd 1 1
Z1 = = =
1− k sCgd (1 + g m R 'L ) sC1
Cin = Cgs + Cgd (1 + g m R 'L )
1 / sCgd 1
Z2 = = C2 = Cgd (1 + 1 /( g m R' L ))
1 − 1 / k (1 + 1 / gm R' L ) sCgd

47
Temos um polo formado por Cin e outro formado por C2. C1 vê Rsig e C2 vê RL’
(pois com Vsig = 0, Vgs = 0, a fonte de corrente abre).

O polo formado por Cin é muito menor, portanto dominante, então

1
fH ≈
2π Cin Rsig
Na banda média Cgs e Cgd são abertos, o que faz (na figura ) Vgs = Vsig e ou

AM = − g m RL ' Vo AM
Av ≡ ≅
Vsig 1 + s
ωH

48
Análise usando as constantes de tempo de circuito aberto

Rsig
G
R gs = Rsig
Rgs

Vgs = 0 ⇒ gmVgs = 0
Req = R1 + R2 + g m R1R2 Fórmula equivalente RCL = RL '
Rgd = Rsig + R ' L + g m Rsig R ' L 1
fH ≅
τ H = C gs Rgs + C gd Rgd + CL RC L 2πτ H
49
Análise exata sCgd(Vgs-Vo)

+
sCgsVgs
Vgs
-

Figura 6.23
6.6.3 Análise Exata
Equação nodal no dreno +

Vo
sC gd (Vgs − Vo ) = g mVgs + '
+ sC LVo (1)
RL
Isolar Vgs em (1) → (4)
I i = sC gsVgs + sC gd (Vgs − Vo ) (2) Substituir Ii de (3) pela equação (2) → (5)
Substituir Vgs de (4) em (5)

Vsig = V gs + Rsig I i (3)

50
 Vo
sC gd (Vgs − Vo ) = g mVgs + '
+ sC LVo
RL
(Vgs − Vsig ) / Rsig + sC gsVgs + sC gd (Vgs − Vo ) = 0 (2)

1
( sC gd − g m )Vgs − Vo ( ' + sCL + sC gd ) = 0
RL

Vgs (1 / Rsig + sCgs + sC gd ) − sC gdVo = Vsig / Rsig

51
 − Vo 1 + s ( C + C ) R ' (4)
De (1) Vgs = L gd L

g m RL' 1 − sC gd / g m (2) Em (3)

Vsig = Vgs [1 + s(C gs + C gd ) Rsig ] − sC gd RsigVo )

(5)
Vo − g m R [1 − s(C gd / g m )]
'

= L

Vsig 1 + s(C A Rsig + C B RL' ) + s 2 (C B C gs + C L C gd ) Rsig RL'

C A = C gs + C gd (1 + g m RL' )
1 − s z (C gd / g m ) = 0 C B = C L + C gd

s = sz = g m / C gd ω z = g m / Cgd

Método simples para encontrar o valor de s para o qual valor Vo = 0.

Equação nodal em D produz SzCgdVgs = gmVgs

52
Podemos expressar o denominador polinomial da Eq.
6.60 da seguinte forma
(6.64)
 s  s  Se ωP2 >>ωP1
D ( s ) = 1 + 1 + 
 ω P 1   ω P1 
 1 1  s2
= 1 + s  +  + (6.65)

 ωP1 ωP 2  ωP1ωP 2
s s2
D( s) ≅ 1 + +
ω P1 ωP1ωP 2
1
ωP1 ≅
[Cgs + Cgd (1 + g m R' L )]Rsig + (CL + Cgd ) R' L 6.66

[Cgs + Cgd (1 + g m R' L )]Rsig + (CL + Cgs ) R' L

ωP 2 ≅
[(CL + Cgd )Cgs + CLCgd ]R' L Rsig 6.67

53
 Exemplo 6.9

Um amplificador CMOS fonte comum do tipo

mostrado na Figura 6.18a tem W/L = 7,2 µm/0,36 µm
para todos os transistores, 387 µA/V2, 86 µA/V2, IREF =
100 µA, V’An = 5 V/µm, = 6 V/µm. Para Q1, Cgs = 20 fF,
Cgd = 5 fF, CL = 25 fF e Rsig = 10 kΩ. Suponha que CL
inclui todas as capacitâncias introduzidas por Q2 no
nó de saída. Encontre fH usando tanto o equivalente
de Miller como as constantes de tempo de circuito
aberto. Também determine os valores exatos de fP1, fP2,
fZ, e então encontre outra estimativa para fH.

54
 Exemplo 6.9

Como Q3=Q2 ID2 = IREF

Do circuito ID2=ID1

55
 Rsig Cgd
G D vo Na banda média os
+ Icl capacitores são abertos,
Cgs gmVgs
Vsig Vgs
R’L CL
então
-
Vgs = Vsig

Vo − g m RL' Vgs
AM = = = − g m RL'
Vsig Vgs

Cálculo de fH usando o teorema de Miller – Z = 1/sCgd

Vo − g m RLVgs
'

K= = = − g m RL'
Vgs Vgs

1 / sCgd 1 1
Z1 = = = Cin = Cgs + Cgd (1 + g m R 'L )
1− k sCgd (1 + g m R 'L ) sC1
56
 O polo formado por Cin é muito
menor do que o polo formado
por C2+CL, portanto dominante,
portanto

Usando o método das constantes de tempo de circuito aberto

Rsig
G

Rgs

Rgd = R1 + R2 + g m R1R2
Vgs = 0 ⇒ gmVgs = 0 RCL = RL '

57
58
 A equação 6.60 será usada para determinar o valor exato
da localização do zero e dos polos

Vo − g m RL' [1 − s(C gd / g m )]
= (6.60)
Vsig 1 + s(C A Rsig + C B RL' ) + s 2 (C B C gs + C L C gd ) Rsig RL'

Cálculo do zero

1 − sz (Cgd / g m ) = 0 s = s z = g m / C gd ω z = g m / Cgd

59
 Polos

Calculando os valores do denominador da Eq. 6.60, 1+x1s+x2s2

C A = C gs + C gd (1 + g m RL' ) C A = 20 + 5(1 + 1,25 × 9,82) = 86,4 fF

C B = C L + C gd = 25 + 5 = 30 fF
x1 = C A Rsig + CB RL' = (86,4 × 10 + 30 × 9,82)10−15 × 103 = 1,16 × 10−9
x2 = (30 × 20 + 25 × 5)10 × 9,82 × 10−30 × 106 = 0,0712 × 10−18

s1 = −0,913 × 10−9 e s2 = −15,38 × 10−9

ωP1 = 0,913 × 10−9 e ωP 2 = 15,38 × 10−9

O polo fP2 >> fP1 então fp1 é dominante

f H ≅ f P1 = 145.3MHz
60
6.6.4 Adaptando as fórmulas para o caso do amplificador EC

rπ Figura 6.
Vsig ' = Vsig
Rsig + rx + rπ Rsig ' = rπ //( Rsig + rx )

61
Na banda média Cπ e Cµ são
abertos, então

Vo = − g m RL 'Vπ Vπ = Vsig'

Vo Vo Vπ Vsig ' rπ
AM = = = − g m RL '
Vπ Vπ Vsig ' Vsig Rsig + rx + rπ

62
6.7 O AMPLIFICADOR PORTA COMUM

O transistor tem sua porta aterrada e seu dreno

conectado a uma carga ativa
O efeito de corpo: Para o sinal, o substrato (corpo) é ligado ao
terra. Como a fonte não está aterrada, o efeito de corpo deve
considerado.

vb = vg = 0 ⇒ vbs = vgs
G
D
+
gvgs r
Figura 6.27a vgs
- S

g= gm+gmb

63
 Modelo T para o porta comum

Modelo de pequenos sinais: aterrando VDD,

D abrindo I e considerando a resistência da fonte I
igual a RL encontramos o modelo equivalente.
io
vo
i
G, B
ro

i 0 i
1/(gm+gmb) G
ro RL

i iro
S 1/(gm+gmb)

Rs ii

+
vsig vi
-

Rin

Calculo da resistência de entrada Rin

64
 Resistência de entrada g = g m + g mb
io
vo

D
LKC em S e D io = ii
0
iro = ii − i = ii − gvi
i ro
G RL

i iro Malha I
1/(gm+gmb)

Rs ii S − vi + iro ro + ii RL = 0
vsig vi
+ I
− vi + ii ro − gro vi + ii RL = 0
-
vi ro + RL
Rin ≡ =
Rin
ii 1 + ( g m + g mb )ro
Ganho de Tensão Av Ganho de Tensão Gv

vi = ii Rin O circuito à direita de S é substituído por Rin

vo = io RL = ii RL v sig = ii ( R S + Rin )
v R vo RL
Gv = =
Av = o = L v sig RS + Rin
vi Rin 65
 Operação com RL infinito – Avo, Gvo e Ri
Com RL = ∞ temos io =0 e ii = 0 o que faz Ri = ∞;

i = gvi i = (vo − vi ) / ro
gro vi = vo − vi

Avo = vo / vi

Avo = 1 + ( g m + g mb ) ro
Fig. 6.27d
Como ii=0 (Fig. 6.27d) a queda VRS = 0, então vsig
= vi e Gvo = Avo
vo
Gvo = Avo =
v sig
66
 Resistência de saída

Ro é aplicável para determinar Av a partir de Avo. Ro é a

resistência de saída quando vi é ajustada para zero.
Rout é aplicável para determinar Gv a partir de Gvo. Rout é a
resistência de saída quando vsig é ajustada para zero
Rsig Ro Rsig Rout
+ + + +
vsig vi Rin RL vo vsig vi Rin RL vo
Avovi Gvovsig
- - - -

RL RL
Av = Avo Gv = Gvo
RL + RO RL + Rout

67
 Cálculo de Rout (vsig = 0)
Cálculo de Ro (vi = 0) ix

0 ix

vx
0 i
vx G
ro
0 i ro ix+i
G
1/(gm+gmb) i
ix+i
1/(gm+gmb) i
Rs ix
v
vs = v g = 0
vgs = 0 v = ix RS i = gv
i = ( g m + g mb ) × vgs i = gRsix
− v x + (i x + i )ro + v = 0
i = ( g m + g mb ) × 0 − v x + [ix + gRsix ]ro + Rsix = 0
Ro = ro Rout = ro + [1 + ( g m + g mb )ro ]RS
Rout = ro + Avo RS
68
Ganho de corrente de curto-circuito total Gis
RS

isig = vsig / Rs i = Gvo vsig / Rout

i = (Gvo Rs / Rout )isig = Gisisig Gis = Gvo Rs / Rout

i
Fig. 6.30

69
PC - Resposta em alta frequência
D
Vo Cálculo de fH desprezando ro
Vo

Cgd
CL+Cgd
ro CL RL
I RL
G I
G

I I
Cgs 1/(gm+gmb)
1/(gm+gmb)
Rs Rs
S
+
+ Vi
Vsig
Vsig Cgs
Vi -
-
Redesenhado do circuito

Figura 6.31b

70
Observamos que existem dois polos: um do lado da entrada com uma frequência fp1

1
A resistência vista por Cgs, com Vsig = 0, é Rs
g m + g mb
1
f P1 =
1
2πC gs ( Rs )
g m + g mb

Resistência vista por CL+Cgd é RL: Com vsig =0, vi = 0 e i = (gm +

gmb)vi = 0, então RCL = RL

1
fP2 = 6.106
2π (C gd + C L ) RL

O polo que for 2 oitavas menor que o outro define fH.

71
 Em situações onde ro é considerada

Usando o método das τ de circuito aberto

O circito à direita de S é subs. Por Rin, então Rgs = Rs Rin
Vo

Circuito para calcular Rout

I RL
G ro

1/(gm+gmb) I

Rs Rin

Todo circuito à esquerda

Rgs de RL é substituído por
Rout, então

Rgd = RL Rout

1
fH =
2π [Cgs Rgs + (Cgd + CL ) Rgd ]
72
Exemplo 6.11

Ganho de tensão de circ. aberto

0 vo
Avo = vo / vi = 1 + ( g m + g mb ) ro
i ro
G

1/(gm+gmb) i
i
Resistência de entrada Rin
ro + R2
Rs ii

+
Rin = Req =
1 + ( g m + g mb ) ro
vsig vi
-

Ri
D
Como ii=0 vi ro + RL
Gvo=Avo Rin ≡ =
ii 1 + ( g m + g mb )ro

73
Resistência de saída Rout, vsig=0
ix

Rout = Req = ro + R1 + ( g m + g mb )ro R1

vx
0 i
G
ro
ix+i
1/(gm+gmb) i
Rout = ro + [1 + ( g m + g mb ) ro ]RS
Rs ix
v

RS
Circuito equivalente do PC
RL
Gv = Gvo
RL + Rout

74
Transformando a fonte de tensão em corrente temos isig = vsig / Rs

No circuito equivalente temos

Gvo vsig
io =
Rout + RL
io Gvo Rs
Gi = = Gis = Gi com RL=0
isig RL + Rout

75
 Cálculo de fH usando o método das τH de circ. aberto

Vo
Rgs = Rs Rin

I RL
G ro

1/(gm+gmb) I

Rs Rin
Rgd = RL Rout
Rgs

Circuito para calcular Rout

76
77
6.8.1 O “cascode MOS” -Análise de pequenos sinais

Rout = ro 2 + ro1 + ( g m2 + g mb 2 )ro 2 ro1

io
vo
Porta
comum
0
i ro2
G RL

i iro
1/(gm2+gmb2)
Fonte Rsig
ii = io
G D ii
comum vo1
+ vi ro 2 + RL
vsig gm1vgs r Rin 2 ≡ =
vgs= vi ii 1 + ( g m 2 + g mb ) ro 2
-

Com vsig = 0, vi =0 e gmvgs=0

78
 Ganho de tensão de circuito aberto (RL = ∞)

Com RL = ∞ io = ii=0 Foi utilizada a fórmula do PC

vo io
= = 1 + ( g m2 + g mb 2 )ro 2
vo
Avo 2
vo1
Com ii=0, vo1 = -gmvgsro1
vo1 i ro2
Avo1 = = − g m1ro1 G RL
iro
vi 1/(gm2+gmb2) i

Rsig
vo vo1 vo G D ii

Avo = = = Avo1 Avo 2

vo1
+
gm1vgs r
vi vi vo1 vsig
vgs= vi
-

Resistência de entrada de Q2, RL finita

vo1 ro 2 + RL
Rin 2 ≡ = Foi utilizada a fórmula do PC
ii 1 + ( g m 2 + g mb 2 )ro 2 Podemos substituir o circuito em
vermelho por Rin2
Rd 1 = Rin 2 // ro1
Como Rout independe de Rsig temos Rout = Ro
79
 Resistência de saída 80

io
vo i
G
ro2
Rout
i iro
1/(gm2+gmb2)
i ro2
G RL D ii
vo1
i iro
1/(gm2+gmb2) 0 r
Rsig G D ii
vo1
+
vsig gm1vgs r Fórmula eq. do PC
vgs= vi
-
Req = ro + R1 + ( g m + g mb )ro R1
Com vsig =0 ,vi =0 e gm vgs= 0 Rout = ro 2 + ro1 + ( g m + g mb ) ro 2 ro1
Fórmula do PC adaptada ao circuito:
ro =ro2 e R1 = ro1

80
 Circuitos equivalentes do amplificador cascode
Rsig G D2 81
1
vo
+
vsig vi Ro RL
- Gmvi

O segundo circuito é obtido transformando a fonte de tensão em fonte de

corrente, chamando esta fonte de Gmvi temos

Gm vi = − Avo vi / Ro Gm = − Avo / Ro

81
 Resposta em frequência do cascode Mos

A figura mostra o amplificador cascode

com todas as capacitâncias internas ao
transistor incluídas. Também CL.

io
vo

RL
i ro2
G
CL+
iro Cgd2
1/(gm2+gmb2) i

Rsig Cgd1 ii
G vo1 D

+
Subst. Os Q1 e Q2 pelos vsig gm1vgs r
Cgs2+
modelos e rearranjando as vgs Cgs1 Cdb1
capacitâncias -

82
 io Rout
vo
A capacitância (CL + Cgd2) vê
RL RL // Rout
i ro2
G
CL+
i
iro Cgd2 Para o cálculo de Rgs1, Rgd1 e Rgs2
1/(gm2+gmb2)
o circuito em vermelho é
Cgd1
Rsig G vo1 D ii
Rin2 substituído por Rin2
+
vsig gm1vgs r
Cgs2+ Rd 1 = Rin 2 // ro1
vgs Cgs1 Cdb1
-
Observe o circuito é o mesmo analisado no
fonte comum

A capacitância (Cdb1 + Cgs2) vê Rd1

83
 A capacitância Cgd1 vê
Rgd = R1 + R2 + g m R1R2

Rgd 1 = Rsig + Rd 1 + g m Rsig Rd 1

A capacitância Cgs1 vê Rsig

τ H = C gs1Rsig + C gd 1 ( Rsig + Rd 1 + g m Rsig Rd 1 )

+ (Cdb1 + C gs 2 ) Rd 1 + (C L + C gd 2 )( RL // Rout )

1
fH ≅
2πτ H

84
Exemplo 6.12
Esse exemplo ilustra as vantagens do cascateamento pela comparação do desempenho
de um amplificador cadcode com aquele do amplificador fonte comum em dois casos:
(a) A resistência da fonte de sinal é significante, Rsig = 10kΩ.
(b) Rsig é desprezivelmente pequena.

Assuma todos MOSFETs tendo W/L de 7,2 µm/0,36 µm e que estejam operando a ID =
100 µA, gm = 1,25 mA/V, χ =0,2, ro = 20 kΩ, Cgs = 20 fF, Cgd = 5 fF, Cdb = 5 fF e CL
(excluindo Cdb) = 5 fF. Para o caso (a), seja RL = ro = 20 kΩ para ambos amplificadores.
Para o caso (b) faça RL = ro = 20 kΩ para o amplificador FC e RL = Rout para o
amplificador cascode. Para todos casos, determine Av,fH e ft

85
Rsig = 10 kΩ e RL = ro = 20 kΩ
Exemplo 6.12

86
 a) Para o amplificador cascode com Rsig = 10kΩ.
io
vo
1- Desenhe o circuito equivalente
2- Com RL = ∞. Use a fórmula equivalente para
calcular Av02. G
i ro2 RL
3- Qual o valor de ii? Calcule Av01 e Av0. i iro
1/(gm2+gmb2)
4- Calcule Rout usando a fórmula equivalente.
Rsig G ii
5- Usando Avo e Rout calcule Av. +
D
vo1

vsig gm1vgs r
vgs= vi
Com RL = ∞ io = ii=0 -
vo1
Avo1 = = − g m1ro1 = −25V / V
vi

Req = ro + R1 + ( g m + g mb )ro R1

87
 Cálculo de fH

1- Com RL finita calcule Rin2 usando a fórmula equivalente do PC.

2- Calcule Rd1 (resistência total de carga vista por Q1)

ro + R2
rO 2 + RL 20 + 20 Req =
Rin 2 = = = 1,29 k Ω 1 + ( g m + g mb ) ro
1 + ( g m + g mb )ro 2 31

rO 2 + RL 20 + 20
Rin 2 = = = 1,29 k Ω
1 + ( g m + g mb )ro 2 31 t

Rd 1 = Rin 2 / / ro1 = 1,29 / /20 = 1,22 k Ω

A capacitância (CL + Cgd2) vê

RL // Rout
A capacitância (Cdb1 + Cgs2) vê Rd1

88
A capacitância Cgd1 vê
Rgd = R1 + R2 + g m R1R2

Rgd 1 = Rsig + Rd 1 + g m Rsig Rd 1

A capacitância Cgs1 vê Rsig

τ H = Cgs1Rsig + Cgd 1 ( Rsig + Rd 1 + g m Rsig Rd 1 )

+(Cdb1 + Cgs 2 ) Rd 1 + (CL + Cdb 2 + Cgd 2 )( RL / / Rout )
τ H = 653 ps

89
6.9 Os amplificadores FC e EC com degeneração de fonte (emissor)
Como Ri = ∞, vi = vsig e Avo = Gvo.
6.9.1 FC com RS

Req = ro + R1 + gro R1
Para calcular Rout usamos a fórmula do PC (mesmo circuito)

Rout = ro + RS + ( g m + g mb ) ro RS

90
 Cálculo do ganho de circuito aberto
A corrente em Rs é zero
vi
i v s = Rs × 0 = 0 ⇒ vbs = 0
A corrente gmvgs passa em ro, então

vo = − g m r0 v gs

Como v gs = vi − vs = vi ⇒ Avo = vo / vi = − g m r0
Como ig = 0 Ro = Rout
Circuito equivalente
Ganho de tensão com carga
Ro=Rout vo

vo RL
Avovi RL Av = = Avo
vi RL + Rout

91
 Transformando em fonte de corrente
Rsig G D
vo
+
vsig vi Rout RL
- Gmvi

G m v i = − Avo v i / R out Gm = g m ro / Rout

A derivação de vgs/vi é feita com o modelo do circuito (significativamente

complicada). O resultado é

v gs 1 RL Rout
≅
vi 1 + ( g m + g mb ) RS RL Ro

92
Resposta em frequência do FC com RS

A resistência Rgs é dada pela fórmula

Rsig + Rs
Rgs ≅
 r 
1 + ( g m + g mb ) RS  o 
 ro + RL 
Rout
O circuito a esquerda de RL pode ser
substituído por Rout, então

RCL = RL // Rout = R ' L

93
Para calcular Rgd usamos o circuito equivalente. Este circuito é
idêntico ao circuito de cálculo de Rgd de um fonte comum, então

Req = R1 + R2 + g m R1 R2
Rgd = Rsig + R' L +Gm Rsig R' L

τ H = C gs Rgs + C gd Rgd + C L RCL

f H = 1 /( 2πτ H )

94
6.10.1 O seguidor de fonte

vb = vd = 0 ⇒ vbs = vds Usando o teorema de absorção de fonte

g mb vbs pode ser substituíd a por 1/g mb
G
R ' L = RL ro 1 / g mb
S
Cálculo do ganho de tensão

v gs = vi − vo e vo = g m v gs R' L

95
 vo g m R' L
vo = g m R ' L ( vi − vo ) Av ≡ =
vi 1 + g m R' L
O ganho de tensão de circuito aberto pode ser encontrado fazendo RL infinita
na equação de Av

R ' L = ∞ ro 1 / g mb = ro 1 / g mb 1 / R ' L = (1 / ro ) + g mb

gm gm
Avo = =
(1 / R ' L ) + g m (1 / ro ) + g mb + g m
vo g m ro
Avo ≡ =
vi 1 + ( g m + g mb ) ro

Ri = Rin = ∞ Gvo = Avo

96
 Resistência de saída Ro
D

1/gm
S vo

ro//(1/gmb)

vg = vd= 0, então vgs = vds g m vgs pode ser substituída por 1/g m
A corrente em uma resistência 1/gm é vds/(1/gm)=vgs/(1/gm)=gmvgsque é a
mesma da fonte de corrente.

1 1
Ro =
1
ro = gm + gmb +
g m + gmb Ro ro
Rout = Ro pois Rout não depende de Rsig (ig = 0).

97
6.10.2 Resposta em frequência do seguidor de fonte

“A maior vantagem do seguidor de fonte é sua excelente resposta em frequência .

Nenhuma de suas capacitâncias internas sofrem o efeito Miller.”
Determinar o local dos zeros de transmissão , e usar o método das constantes de
tempo de circuito aberto para estimar f3dB.

Circuito equivalente de alta frequência de

Circuito equivalente simplificado
um seguidor de fonte. Fig. 6.51
 Cálculo da localização dos zeros de transmissão

Vo é zero quando 1/sCL=0, ou

quando s = ∞

Vo é zero quando a corrente em

ZL=(1/sCL)//RL’=0
A corrente em ZL é ( gm + sCgs )Vgs
( gm + sCgs )Vgs = 0
gm
ωZ =
C gs

99
Vamos encontrar a resistência vista pelos três capacitores

A resistência vista por Cgd é

Rgd = Rsig

A resistência vista por CL é

RC L = R L // Ro
A resistência vista por Cgs é Vgs/Ix

0 + ( I x − g mVgs ) R ' L −Vgs + Rsig I x = 0

I x R ' L − g m R ' L Vgs − Vgs + Rsig I x = 0
g m R ' L Vgs + Vgs = I x R ' L + Rsig I x
I x − g mVgs
Rsig + R ' L
Rgs =
1 + gm R'L
τ H = C gs R gs + C gd R gd + C L RC L 1
fH ≅
2πτ H 100
6.10.3 O seguidor de emissor

Colocando ro em paralelo com RL vem

R’in
R ' sig = Rsig + rx

R ' L = ro // RL

101
 Cálculo de Rin , Av e Gv

Req1 = rπ + R2 ( β + 1)
R'in
R2 ( β + 1)ib

R ' L = ro // RL R ' sig = Rsig + rx

vo v v' R 'in
Gv = = o i = Av
− v 'i +ib rπ + ( β + 1) R ' L ib = 0 v sig v 'i v sig R 'in + R ' sig

R 'in = v 'i / ib = rπ + ( β + 1) R ' L

vo ( β + 1)ib R' L ( β + 1) R' L

Av = = =
v 'i ib R'in R'in

102
 Resistência de saída Rout
0 + ( rπ + R´ sig )ib + v x = 0 r + R1
Req 2 = π
β +1
v x rπ + R´ sig
ix = − ( β + 1)ib =
ix β +1
rπ + R´ sig
ROUT = ro //
β +1
Rsig
ROUT = ro //[ re + ]
β +1
Resposta em frequência do seguidor de emissor

A re resistência vista por Cµ é

Rµ = R' sig // R´in

Rµ = R' sig //[rπ + ( β + 1) R' L ]
R’in

103
A resistência vista por Cπ pode ser obtida pela R1 + R2
fórmula equivalente Req 3 =
1 + g m R2

Primeiro retiramos rπ, o circuito é o mesmo daquele do DC, então

R ' sig + R ' L R ' sig + R ' L

Rπ = rπ =
1 + g m R' L R ' sig R ' L
1+ + Req 3 =
R1 + R2
rπ re 1 + g m R2
R1

1
ωZ =
Cπ re

R2

f H ≅ 1 / 2π (Cµ Rµ + Cπ Rπ )
104
Pareamentos úteis
Figura (a): Cascateamento de Q1 DC com Q2 FC: aumento na faixa de
passagem.
Figura (b): Cascateamento de Q1 CC com Q2 FC: aumento na faixa de
passagem e aumento da resistência de entrada.

Figura (c): Versão BiCMOS.

IB2
IE2

105
Exm 6.13

Exemplo 6.13
Considere um amplificador CC-EC tal como o da Figura 6.53(b) com as seguintes
especificações: I1 = I2 = 1 mA e transistores idênticos com β = 100, fT = 400 MHz e Cµ = 2 pF.
Deixe o amplificador ser alimentado por uma fonte Vsig tendo uma resistência Rsig = 4 kΩ e
suponha uma resistência de carga de 4 kΩ. Encontre o ganho de tensão AM e estime a
frequência de 3 dB, fH. Compare os resultados com aqueles obtidos com um amplificador EC
operando sob as mesmas condições. Por simplicidade despreze ro e rx.

I B2 = I / β
I E 2 = I + I B 2 = I + I / β = I ( β + 1) / β

I E2 = I /α

I C 2 = αI E 2 = I

106
 g m = I / VT
ib1=ie1 /(β+1) (1-α)ie1
αie1 rπ = ( β + 1)re

ie1

Rin

Req1 = ( β + 1)( re + R2 )

107
 ib1=(1-α)ie1
=ie1 /(β+1)

ix /(β+1)
Rsig ib1 ie1
vx Rsig R1
vb1 Rout 1 = = re1 + Req 2 = re +
ie1 re1 ix ix β1 + 1 β +1
E1 vx
Rout1

108
 R1 + R2
Req =
1 + g m R2 Rsig + Rin 2
Rπ 1 = rπ
Req = R1 + R2 + g m R1R2 1 + g m Rin 2

109
6.11.13 A configuração Darlington

O par Darlington pode ser usado como um seguidor de emissor de alto desempenho

110
 Req1 = ( β + 1)( re + R2 )

Rsig ib1 ie1

Vsig vb1
ie1 re1
E1 vb2

Rin2
Rin

Rin 2 = ( β 2 + 1)( re 2 + RE ) Rin = ( β 1 + 1)( re1 + Rin 2 )

vo RE vb 2 Rin 2
Av1 = = Av 2 = = vb1 Rin
vb 2 RE + re 2 vb1 Rin 2 + re1 Av 3 = =
v sig Rin + Rsig
Gv = Av1 Av 2 Av 3

Ganho de tensão de circuito aberto (RE=∞): ie 2 = 0 ib1 = ie1 = ib 2 = 0

v sig = vb1 = vb 2 = vo vo
Gvo = =1
v sig
111
 R1
vx Rsig Req = re +
Rout 1 = = re1 + β +1
ix β1 + 1
ib2
Rout1 ie2
vb2
ie2 re2 ix
E2 vx
Rout
vx R
Rout = Rout 2 Rout 2 = = re 2 + out 1
ix β2 + 1
Rsig Rout
+ +
vsig vi Rin RL vo RL
Gvovsig - Gv = Gvo
- RL + Rout 2
RL = RE

112
 Fórmulas e modelos
Req1 = rπ + R2 ( β + 1)
Req3
rπ + R1
Req 2 =
β +1
R1 + R2
Req 3 = rπ
1 + g m R2

Req = R1 + R2 + g m R1R2
Req1 = ( β + 1)( re + R2 )

Req1 R1
Req 2 = re +
Req2 β +1

113
 ro + R2
Req =
1 + gro
A = 1 + gro

Req = ro + (1 + gro ) R1

R1 + R2
Req ≅
 ro 
1 + ( g m + g mb ) R2  
 ro + RL 
R1 G

+ +

R1 + R2 vsig vi vgs g v

Req =
m gs
- -
-
S

1 + g m R2
+
R 2 vo
-

114
 1 ,W 2 v
iD =
2
k n vov .(1 + DS )
L VA
vov = vGS − Vt g m = µ n C ox (W / L )VOV g m = 2( µn Cox )(W / L) I D
ID
gm =
VOV / 2 g mb = χg m rO = V A / I D V A = V A' L ro = V A' L / I D

gm
2 fT =
C gs = WLCox + WLov Cox C gd = WLov Cox Cov = WLov Cox 2π (C gs + C gd )
3
vCE iC = βiB
iC = I S e vBE /VT (1 + ) iC = αiE
iC = I S e vBE / VT VA
β re = VT / I E rπ = β / g m rπ = ( β + 1)re ro = VA / IC
α=
iE = ( β + 1)iB β + 1 VT = 25 mV
gm = IC / VT
Z1 = Z /(1 − K ) Z 2 = Z /(1 − 1 / K )
gm
Cπ = Cde + C je Cde = τ F g m C je ≅ 2C je0 f T =
2π (Cπ + Cµ )

(1 + s / ωZ 1 )(1 + s / ωZ 2 )...(1 + s / ωZn )

FH ( s ) = Vo − g m RL' [1 − s(C gd / g m )]
(1 + s / ω P1 )(1 + s / ωP1 )...(1 + s / ωPn ) =
Vsig 1 + s(C A Rsig + C B RL' ) + s 2 (C B C gs + C L C gd ) Rsig RL'

1 C A = Cgs + C gd (1 + g m RL' ) CB = CL + C gd
ωH ≅
∑ Ci Rio
115
;
Modelos de transistores e Amp Op

B rx C
B’
C
+
r C gmv r
v
-

116
Bibliografia: Sedra Smith 5ª edição.

FIM

117