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Conforme vimos no ítem anterior a estrutura do SCR se compara à de dois transistores ligados
de modo a formar uma chave regenerativa.
O fato é que na realidade as características de condução obtidas com esta estrutura lembra
muito mais os diodos do que propriamente os transistores. Em suma, mesmo podendo ter seu
funcionamento equivalente ao de dois transistores, as características lembram muito mais os diodos
comuns.
Conforme o leitor pode ver o SCR possui três terminais que recebem denominações
específicas:
● A para o anodo (anode)
● C ou K para o catodo (cathode)
● G para a comporta (gate)
c) Se agora for estabelecida uma pequena tensão positiva em relação ao catodo na comporta do SCR,
fazendo com que uma corrente pequena circule entre a base do segundo transistor (Q2) e seu emissor,
o SCR mudará de estado. Polarizando a junção deste transistor Q2 no sentido direto de condução
(junção emissor-base) o transistor ter também sua corrente de coletor aumentada numa proporção que
depende do ganho deste mesmo transistor. Lembramos que a corrente de coletor será tantas vezes
maior que a corrente de base quanto for o ganho do transistor. Ora, a corrente de coletor do segundo
transistor (Q2) é justamente uma corrente que circula num sentido que polariza a junção emissor-base
do primeiro transistor no sentido de também fazê-lo conduzir. Esta corrente de base consequentemente
no primeiro transistor conforme mostra a figura 3.
Objetivo
Analisar o funcionamento de um oscilador de relaxação com transistor de unijunção
programável e sua utilização em disparo de scr’s.
Metodologia
Foi utilizado um módulo e um osciloscópio e jumpers e foi seguido os passos do roteiro a fim
de se observar as interações no osciloscópio.
Descritivo do experimento
Figura 12
Figura 13
Figura 14
Figura 15
Conclusão
Bibliografia
[1] AHMED, Ashfaq. Eletrônica de Potência.Prentice Hall, 2000. 2. LANDER, Cyril W. Eletrônica
Industrial – Teoria e Aplicações – 2a Edição. MAKRON Books do Brasil Editora Ltda. 1996. 3.
ALMEIDA, José Luis Antunes de. Estude e Use – Dispositivos Semicondutores – Tiristores. Editora
Érica.
[2] LANDER, Cyril W. Eletrônica Industrial – Teoria e Aplicações – 2a Edição. MAKRON Books do
Brasil Editora Ltda. 1996.