JFET (continuação)

2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1−
𝑉𝑝

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 Tensão de ruptura

Região de operação normal

A potência dissipada por um JFET é PD=VDS.ID e
não pode ultrapassar o valor máximo definido pelo
fabricante.
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 Polarização do JFET

O circuito de polarização define o ponto de

operação do JFET estabelecendo os valores de ID e
VDS.
Autopolarização
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1 −
𝑉𝑝
𝑉𝐺𝑆 = −𝑅𝑆 𝐼𝐷
𝑅𝐷 𝐼𝐷 + 𝑉𝐷𝑆 + 𝑅𝑆 𝐼𝐷 − 𝑉𝐷𝐷 = 0

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Exemplo. Determine RD e RS para ID=5mA e VDS=
5V. Dados do JFET: IDSS=10mA e VP=-8V.

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Exemplo. Determine o ponto de polarização do
circuito abaixo. Dados do JFET: IDSS=12mA e
VP=-6V.

2
𝑅𝑆 2𝑅𝑆 𝐼𝐷𝑆𝑆
𝐴= 𝐼𝐷𝑆𝑆 𝐵= −1 𝐶 = 𝐼𝐷𝑆𝑆
𝑉𝑃 𝑉𝑃
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 𝐼𝐷 = 3,41𝑚𝐴

𝑉𝐷𝑆 = 8,79𝑉

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Polarização por divisão
de tensão
𝑅2
𝑉𝐺 = 𝑉𝐷𝐷
𝑅1 + 𝑅2
𝑅𝐺 = 𝑅1 //𝑅2
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1−
𝑉𝑝
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑅𝑆 𝐼𝐷
𝑅𝐷 𝐼𝐷 + 𝑉𝐷𝑆 + 𝑅𝑆 𝐼𝐷 − 𝑉𝐷𝐷 = 0

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Exemplo. Determine o ponto de polarização do
circuito abaixo. Dados do JFET: IDSS=8mA e
VP= -6V.

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 𝐴 = 𝑅𝑆 2
𝑉𝑃 2
2 𝐵 = 2𝑅𝑆 𝑉𝑃 − 𝑉𝐺 −
𝐴𝐼𝐷 + 𝐵𝐼𝐷 + 𝐶 = 0 𝐼𝐷𝑆𝑆
𝐶 = 𝑉𝑃 − 𝑉𝐺 2

𝑃𝑎𝑟𝑎 𝐼𝐷 = 2,77𝑚𝐴 𝑡𝑒𝑚𝑜𝑠 𝑉𝐺𝑆 = −2,48𝑉

𝑉𝐷𝑆 = 4,37𝑉

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 Amplificadores de pequenos
sinais com JFET

Em regime senoidal para pequenos sinais,

definido o ponto de polarização do JFET,
o mesmo é substituído pelo circuito
equivalente CA:

gm- Transcondutância
rd- Impedância de
saída

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A transcondutância (gm) é definida por:
𝑑𝐼𝐷
𝑔𝑚 =
𝑑𝑉𝐺𝑆
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1−
𝑉𝑃
𝑑𝐼𝐷 𝑉𝐺𝑆 1
= 2𝐼𝐷𝑆𝑆 1 − −
𝑑𝑉𝐺𝑆 𝑉𝑃 𝑉𝑃
2𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝐺𝑆
𝑔𝑚 = − 1−
𝑉𝑃 𝑉𝑃

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 2𝐼𝐷𝑆𝑆
Fazendo 𝑔𝑚0 = −
𝑉𝑃
𝑉𝐺𝑆
𝑔𝑚 = 𝑔𝑚0 1−
𝑉𝑃

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Exemplo. Determine a transcondutância (gm) para o
JFET no circuito a seguir:

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𝑔𝑚 = 1,43𝑚Ʊ

A impedância de entrada de um JFET é muito alta.

Valores usuais estão na faixa de 109. Vamos
sempre considerar Ze=+∞.
A impedância de saída rd é fornecida pelo
fabricante por meio da admitância de saída gos ou
yos.
1 1
𝑟𝑑 = =
𝑔𝑜𝑠 𝑦𝑜𝑠

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 Autopolarização

𝑍𝑒 = 𝑅𝐺
𝑍𝑠 = 𝑟𝑑 //𝑅𝐷
𝐴𝑣 = −𝑔𝑚 𝑟𝑑 //𝑅𝐷

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Com RS em regime senoidal
𝑍𝑒 = 𝑅𝐺 𝑅𝑆
1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆 +
𝑟𝑑
𝑍𝑠 = 𝑅𝐷
𝑅𝑆 𝑅𝐷
1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆 + +
𝑟𝑑 𝑟𝑑
𝑔𝑚 𝑅𝐷
𝐴𝑣 = −
𝑅𝑆 𝑅𝐷
1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆 + +
𝑟𝑑 𝑟𝑑

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Exemplo. No amplificador a seguir, determine a
impedância de entrada, a impedância de saída e o
ganho de tensão.

𝑉𝐺𝑆
𝑔𝑚 = 𝑔𝑚0 1− = 1,52mƱ
𝑉𝑃

𝑍𝑠 = 𝑟𝑑 //𝑅𝐷 = 1/𝑔𝑜𝑠 //𝑅𝐷

𝐴𝑣 = −𝑔𝑚 𝑟𝑑 //𝑅𝐷 = −4,71

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 𝑍𝑒 = 𝑅𝐺 = 1𝑀
𝑍𝑠 = 3,1𝑘
𝐴𝑣 = −𝑔𝑚 𝑟𝑑 //𝑅𝐷 = −4,71

Polarização por
divisão de tensão

𝑅𝐺 = 𝑅1 //𝑅2
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 MOSFET

MOSFET – Transístor de efeito de campo metal-

óxido-semicondutor.

Tipos de MOSFET
{ Depleção (D-MOSFET)

Intensificação (E-MOSFET)

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 Estrutura básica de
um D-MOSFET

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- Não existe conexão elétrica direta entre o
terminal de porta e o canal de um D-MOSFET
- A camada isolante de SiO2 é responsável pela
alta impedância de entrada e permite a aplicação
de potenciais positivos na porta.
Operação básica e curva característica

2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1−
𝑉𝑃

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 2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1−
𝑉𝑃

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 Símbolos

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 Circuitos de polarização

𝐴 = 𝑅𝑆 2
𝑉𝑃 2
𝐵 = 2𝑅𝑆 𝑉𝑃 − 𝑉𝐺 −
𝐼𝐷𝑆𝑆
2
𝐶 = 𝑉𝑃 − 𝑉𝐺
𝑅2
𝑂𝑛𝑑𝑒 𝑉𝐺 = 𝑉𝐷𝐷
𝑅1 + 𝑅2

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Exemplo. Determine ID e VDS no circuito a seguir.
𝐴𝐼𝐷 2 + 𝐵𝐼𝐷 + 𝐶 = 0
𝐴 = 𝑅𝑆 2
𝑉𝑃 2
𝐵 = 2𝑅𝑆 𝑉𝑃 − 𝑉𝐺 −
𝐼𝐷𝑆𝑆
𝐶 = 𝑉𝑃 − 𝑉𝐺 2

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 𝐼𝐷 = 7,56𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆 = 0,37𝑉

𝐴𝐼𝐷 2 + 𝐵𝐼𝐷 + 𝐶 = 0
𝐴 = 𝑅𝑆 2 2
𝑉𝑃
𝐵 = 2𝑅𝑆 𝑉𝑃 − 𝑉𝐺 −
𝐼𝐷𝑆𝑆
𝐶 = 𝑉𝑃 − 𝑉𝐺 2
𝑉𝐺 = 0

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 Análise CA

2𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝐺𝑆
𝑔𝑚 = − 1−
𝑉𝑃 𝑉𝑃
1
𝑟𝑑 =
𝑔𝑜𝑠

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Exemplo. Determine o valor eficaz de vs no
circuito abaixo.

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𝑍𝑒 = 𝑅𝐺 = 16,9𝑀
𝑍𝑠 = 990
𝐴𝑣 = −4,57

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𝑣𝑠 = 107𝑚𝑉

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MOSFET tipo intensificação
E-MOSFET

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Operação básica e curva característica

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 2
𝐼𝐷 = 𝑘 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇
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Exemplo. Um E-MOSFET possui VT = 2V e ID =
8mA para VGS = 6V. Determine:
a) ID para VGS=8V
b) VGS para ID=4mA

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𝐼𝐷 = 18𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆 = 4,83𝑉

Símbolos

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 Circuitos de polarização
Polarização com realimentação

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝑅𝐷 𝐼𝐷
𝐼𝐷 = 𝑘 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 2

𝐴𝐼𝐷 2 + 𝐵𝐼𝐷 + 𝐶 = 0
𝐴 = 𝑘𝑅𝐷 2
𝐵 = −2𝑘𝑅𝐷 𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝑇 −1
𝐶 = 𝑘 𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝑇 2

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Exemplo. Determine ID e VGS no circuito a seguir.
𝐼𝐷 = 𝑘 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 2
𝑘 = 240 𝜇𝐴/𝑉 2
𝐴𝐼𝐷 2 + 𝐵𝐼𝐷 + 𝐶 = 0
𝐴 = 𝑘𝑅𝐷 2
𝐵 = −2𝑘𝑅𝐷 𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝑇 −1
𝐶 = 𝑘 𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝑇 2

𝐼𝐷 = 2,79𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆 = 6,42𝑉

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 Polarização por
divisor de tensão
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑅𝑆 𝐼𝐷
𝐼𝐷 = 𝑘 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 2

𝑅𝐷 𝐼𝐷 + 𝑉𝐷𝑆 + 𝑅𝑆 𝐼𝐷 − 𝑉𝐷𝐷 =0
𝑅2
𝑉𝐺 = 𝑉𝐷𝐷 𝑅𝐺 = 𝑅1 //𝑅2
𝑅1 + 𝑅2
𝐴𝐼𝐷 2 + 𝐵𝐼𝐷 + 𝐶 = 0
𝐴 = 𝑘𝑅𝑆 2
𝐵 = −2𝑘𝑅𝑆 𝑉𝐺 − 𝑉𝑇 −1
𝐶 = 𝑘 𝑉𝐺 − 𝑉𝑇 2
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Exemplo. Determine ID e VGS no circuito a seguir.

𝐼𝐷 = 6,72𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆 = 12,5𝑉

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 Amplificador de pequenos
sinais com E-MOSFET
No E-MOSFET temos 𝐼𝐷 = 𝑘 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 2

Para análise CA
vamos determinar
𝑑𝐼𝐷
𝑔𝑚 =
𝑑𝑉𝐺𝑆
𝑔𝑚 = 2𝑘 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇

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Polarização com realimentação

𝑅𝐹 + 𝑟𝑑 //𝑅𝐷
𝑍𝑒 =
1 + 𝑔𝑚 𝑟𝑑 //𝑅𝐷
𝑍𝑠 = 𝑟𝑑 //𝑅𝐷 //𝑅𝐹
1 − 𝑔𝑚 𝑅𝐹 𝑟𝑑 //𝑅𝐷
𝐴𝑣 =
𝑅𝐹 + 𝑟𝑑 //𝑅𝐷
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 Polarização por divisor de tensão

𝑍𝑒 = 𝑅𝐺 𝑅𝑆
1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆 +
𝑟𝑑
𝑍𝑠 = 𝑅𝐷
𝑅𝐺 = 𝑅1 //𝑅2 𝑅𝑆 𝑅𝐷
1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆 + +
𝑅2 𝑟𝑑 𝑟𝑑
𝑉𝐺 = 𝑉𝐷𝐷 𝑔𝑚 𝑅𝐷
𝑅1 + 𝑅2 𝐴𝑣 = −
𝑅𝑆 𝑅𝐷
1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆 + +
𝑟𝑑 𝑟𝑑
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Exemplo. No amplificador a seguir, determine a
impedância de entrada, a impedância de saída e o
ganho de tensão.

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𝑍𝑒 = 9,26𝑀
𝑍𝑠 = 2,79𝑘
𝐴𝑣 = − 4,69

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