Diodos semicondutores

João Pedro Santana Souza Oliveira

Rafael Ferreira do Amaral Silva

Introdução

Nesse experimento, serão estudados componentes baseados em materiais semicondutores,

em particular, os diodos semicondutores.

Para um diodo real na região de polarização direta, a corrente 𝐼 em função da tensão aplicada
obedece à equação a seguir:

𝐼 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑘𝑉/𝑇 − 1) ,
11600
Onde, IS é a corrente de saturação inversa, T é a temperatura e k representa k = , sendo
η
η = 2 para o diodo de silício.
Essa equação será utilizada para realizar o ajuste dos nossos gráficos na parte do procedimento
experimental.

Objetivos
Caracterização elétrica de diodos baseados em materiais semicondutores.

Materiais
- Placa de ligação

- Gerador de aúdio-frequência

- Multímetro analógico

- Sistema de coleta de dados PASCO

Há diversos tipos de diodo, para esse experimento utilizares os segintes diodos:

- Diodo de silício

- Diodo Zener

- Diodo emissor de luz(vermelha, amarela e verde)

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 Procedimentos e Resultados
Inicialmente, foi montado um circuito assim como o da figura 2, usamos a placa de ligação, o
gerador de aúdio frequência para aplicar uma frequência, um diodo de silício e um resistor de
𝑅 = (989 ± 1)Ω.

Figura 2: Circuito a ser montado em série com gerador de sinais, diodo e resistência.

Antes de ligar o gerador foi usado um multímetro analógico para medir os valores de resistência
de cada um dos diodos a serem utilizados, diodo de silício, zener, LED(amarelo), LED(vermelho),
LED(verde). Variamos a escala da medida verificando o valor da resistência de cada diodo para
correntes de 150𝑚𝐴 , 15𝑚𝐴 , 0,15𝑚𝐴 𝑒 60𝜇𝐴. Dessa forma, fizemos medições diretas e
indiretas à fim de observar o comportamento dos diodos conectados.

Medidas LED amarelo LED vermelho LED verde Zener Silício

Resistência para 150𝑚𝐴 Direta: ~200Ω Direta: ~300Ω Direta: ~300Ω Direta: ~200Ω Direta: ~100Ω

Inversa: ∞ Inversa: ∞ Inversa: ∞ Inversa: ∞ Inversa: ∞

Resistência para 15𝑚𝐴 Direta: ~350Ω Direta: ~350Ω Direta: ~400Ω Direta: ~70Ω Direta: ~20Ω

Inversa: ∞ Inversa: ∞ Inversa: ∞ Inversa: ∞ Inversa: ∞

Resistência para 0,15𝑚𝐴 Direta: ~17𝑘Ω Direta: ~15𝑘Ω Direta: ~15𝑘Ω Direta: 0 Direta: 0

Inversa: ∞ Inversa: ∞ Inversa: ∞ Inversa: ∞ Inversa: ∞

Resistência para 60𝜇𝐴 Direta: 0 Direta: 0 Direta: 0 Direta: 0 Direta: 0

Inversa: ~5𝑀Ω Inversa: ~5𝑀Ω Inversa: ~5𝑀Ω Inversa: ~120𝑘Ω Inversa: ~5𝑀Ω

Tabela 1: Resistências medidas por um multímetro analógico para todos os diodos em estudo.

Com isso, o gerador é ligado e o circuito é conectado ao sistema PASCO com o Canal A ligado
em paralelo com o diodo e o Canal B conectado em paralelo com o resistor. Sendo assim,
dentro do Software de coleta de dados, coloca-se a tensão do resistor em função da tensão do

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diodo. Esse processo é repetido para os cinco diodos que estamos usando e a representação
gráfica dos dados obtidos pode ser vista a seguir.

Gráfico 1: Dados coletados para o diodo emissor de luz amarela.

Gráfico 2: Dados coletados para o diodo emissor de luz vermelha.

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Gráfico 3: Dados coletados para o diodo emissor de luz verde.

Gráfico 4: Dados coletados para o diodo zener.

Gráfico 5: Dados coletados para o diodo de silício.

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 Para cada um dos gráficos gerados pode ser determinada, por meio do programa Origin e ao
analisar os dados advindos do software PASCO, a corrente de fuga, isto é, a corrente que ainda
existe em tensão negativa, pois o diodo não é ideal. Além disso, da mesma forma, pode ser
determinada a tensão de ativação, ou seja, a tensão em que a corrente cresce aparentemente
de forma ilimitada. Neste caso a resistência tende a zero. Esses dados podem ser vistos na
tabela 2 a seguir.

Medida LED amarelo LED vermelho LED verde Zener Silício

Corrente de fuga(𝑚𝐴) ~ − 0,020 (−1,41 ± 0,04)10−2 (−2,20 ± 0,03)10−2 ~ − 0,0095 (2,42 ± 0,07)10−2

Tensão de ativação(𝑉) ~1,8 (17,4 ± 0,08)10−1 (1,79 ± 0,02) ~0,7 (0,55 ± 0,02)

Tabela 2: Corrente de fuga e tensão de ativação encontrados através do programa

Origin com dados obtidos por meio do software PASCO.

Exclusivamente para o diodo de silício, iremos encontrar o fator η , dado pela equação da
introdução.

Da equação 𝐼 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑘𝑉/𝑇 − 1) , temos que:

𝐼𝑆 = (1,7 ± 2)𝑛𝐴 , 𝑘 = (22,5 ± 0,2)𝑉 −1 , 𝑇 = (300 ± 3)𝐾

11600 11600 𝑉
𝑘= → η= → η = 1,7185
ηT 𝑘𝑇 𝐾

Incerteza associada na medida do fator η:

∆𝑘 2 ∆𝑇 2 𝑉
∆η = √( ) + ( ) → ∆η = 0,02
𝑘 𝑇 𝐾

Então:

𝑉
η = (1,72 ± 0,02)
𝐾

Notamos que o valor encontrado com a prática se assemelha ao valor esperado que era de
η = 2 para o diodo de silício.

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Conclusão
Nesse experimento, foram medidas as resistências de um LED vermelho, um LED amarelo, um
LED verde, de um diodo zener e de um diodo de silício. Essas medidas estão são vistas na
Tabela 1.

Após isso, foram colocados, um por vez, todos os diodos em um circuito elétrico que foi
montado em laboratório, ligamos em paralelo o canal A com o diodo e em paralelo o canal B
com o resistor de 𝑅 = (989 ± 1)Ω. Dessa forma, montamos gráficos da corrente que passa
por esses diodos em função da tensão nos diodos, todos tiveram o comportamento esperado.

Com isso, foi possível analisar os parâmetros e determinar a tensão de ativação e a corrente de
fuga para todos os diodos. Em respeito ao fator η, que foi determinado apenas para o diodo de
silício, obtivemos um resultado próximo do esperado, sendo a experiência completada com
êxito.